Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory device having switching device of page buffe and erase method thereof

Memory device having switching device of page buffe and erase method thereof

Номер патента: US20240105239A1
Опубликовано: 28-03-2024
Автор(ы): I-Chen Yang, Jung-Chuan Ting
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device having switching device of page buffe and erase method thereof

Номер патента: EP4343768A1. Автор: Jung-Chuan Ting,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: EP4365902A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US11842790B2. Автор: Jinwoo Park,Yongsung CHO,Inho Kang,Taehyo Kim,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US20210233574A1. Автор: Jong Min Kim,Yong Sung CHO,Jeung Hwan PARK,Jung Kwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US20200349985A1. Автор: Jong Min Kim,Yong Sung CHO,Jeung Hwan PARK,Jung Kwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: US20240153565A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device including page buffer circuit

Номер патента: US20240161790A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Jaehue Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10410692B2. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12057173B2. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20240331776A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472297B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and method for operating semiconductor device

Номер патента: US09761291B2. Автор: Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10163487B2. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor memory device and method for operating thereof

Номер патента: US20200381055A1. Автор: Ji Hwan Kim,Jung Hwan Lee,Kwang Ho Baek,Seong Je Park,Young Don JUNG,Jung Mi KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and method for operating thereof

Номер патента: US11636898B2. Автор: Ji Hwan Kim,Jung Hwan Lee,Kwang Ho Baek,Seong Je Park,Young Don JUNG,Jung Mi KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor memory device and method for operating thereof

Номер патента: US20210280254A1. Автор: Ji Hwan Kim,Jung Hwan Lee,Kwang Ho Baek,Seong Je Park,Young Don JUNG,Jung Mi KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210050051A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20240363169A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20230268007A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US12100456B2. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20220013177A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Programming dummy data into bad pages of a memory system and operating method thereof

Номер патента: US09570177B2. Автор: Haegi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

MIS transistors configured to be placed in programmed state and erased state

Номер патента: US09484072B1. Автор: Kenji Noda. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US11869579B2. Автор: Jinyoung Chun,Ilhan Park,Inho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US10373691B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11450363B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589641B2. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US11995320B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory devices and their operation having trim registers associated with access operation commands

Номер патента: US09997246B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and erasing method

Номер патента: US12080353B2. Автор: Masaru Yano,Toshiaki Takeshita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4181142A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor memory device including peripheral circuit for performing program and read opeartions and operating method thereof

Номер патента: US09558794B2. Автор: Ho Seok Lee,Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: TWI279809B. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-21.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: US7251163B2. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-31.

Memory device and method of operating the same to prevent occurrence of read fail by adjusting bit line voltage

Номер патента: US10304542B2. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Quick reliability scan for memory device

Номер патента: US20230097679A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device including page buffer and method of arranging page buffer having cache latches

Номер патента: US09965388B2. Автор: Sung Lae OH,Hee Joung PARK,Ki Chang CHUN,Tae Seung SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device configured to reduce verification time and operating method thereof

Номер патента: US20230367480A1. Автор: Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: EP4390927A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system for performing cache program operation and operating method thereof

Номер патента: US11842778B2. Автор: Jae Young Lee,Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230238040A1. Автор: Seung Han RYU,In Bo Shim,Hae Seong JEONG,Hyeong Rak Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US20220122932A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Ki Soo Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Quick reliability scan for memory device

Номер патента: US11875868B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240242743A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20240203491A1. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-20.

Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations

Номер патента: US09997232B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and glitch prevention method thereof

Номер патента: US20230024257A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20240194247A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: EP3427263A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20180294027A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor memory device including data input output circuit operated according to DQ interleaved data access test method and data input output method thereof

Номер патента: KR100546345B1. Автор: 신동학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device for performing read operation and operating method thereof

Номер патента: US20240282388A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device

Номер патента: US20240282387A1. Автор: Jinyoung Kim,Sehwan Park,Eunhyang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device storing management data redundantly in different pages

Номер патента: US09627077B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11961561B2. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device, operating method thereof, and verification result generator

Номер патента: US20240177779A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US20160172040A1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US09361989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12062406B2. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240194275A1. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11742023B2. Автор: Young Don JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10846236B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180225220A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Liu Hongtao,Jia Jianquan,Li Kaiwei,Zhang An. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile memory device and erase operation control method thereof

Номер патента: JP2014035788A. Автор: Dong-Hun Kwak,東 勳 郭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-24.

Nonvolatile memory device and erase operation control method thereof

Номер патента: JP6293434B2. Автор: 東 勳 郭,東 勳 郭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-14.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Nanowire electromechanical switching device, method of manufacturing the same and electromechanical memory device using the nanowire electromechanical switching device

Номер патента: US20080061351A1. Автор: Yong-wan Jin,Seung-Nam Cha,Jae-eun Jang,Byong-Gwon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-13.

Nonvolatile memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09627076B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption

Номер патента: US09865358B2. Автор: Kenichi Arakawa,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Erasing and erasing verification for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20240112742A1. Автор: Kaijin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US12033706B2. Автор: Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and erasing method

Номер патента: US20150092491A1. Автор: Makoto Senoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US20200303011A1. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5428569A. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Memory device for effectively checking program state and operation method thereof

Номер патента: US20240038312A1. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Partial block erase operations in memory devices

Номер патента: US12087372B2. Автор: Violante Moschiano,Walter Di Francesco,Shyam Sunder Raghunathan,Haiou Che. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395090A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230253059A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: US20090147584A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: WO2007075708A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11557355B2. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210241838A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220180951A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180075916A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile memory and erasing method thereof

Номер патента: US09449699B2. Автор: Sang-Wan Nam,Junghoon Park,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Bias conditions for repair, program and erase operations of non-volatile memory

Номер патента: US6160737A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof

Номер патента: US09552887B2. Автор: Jun Jin Kong,Changkyu Seol,Hong Rak Son,Kwanghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory and erasing method thereof

Номер патента: US09552884B2. Автор: Sang-Wan Nam,Junghoon Park,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20240145013A1. Автор: Daeseok Byeon,Insu Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220375523A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory device having asymmetric page buffer array architecture

Номер патента: EP4386752A1. Автор: Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device having a memory string that includes a transistor having a charge stored therein to indicate the memory string is defective

Номер патента: US09685232B2. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Data storage device and operation method thereof

Номер патента: US20160035427A1. Автор: Jae-Duk Yu,Dongku Kang,Chul Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and erasing method

Номер патента: US20220328105A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Operation method operating nonvolatile memory device having plurality of memory blocks

Номер патента: US09805807B2. Автор: Ji-Young Lee,Yoon-hee Choi,Mu-hui Park,Jiho Cho,Cheon An LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Plural operation of memory device

Номер патента: US20150063023A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yi Ching Liu,Tzung Shen Chen,Shuo Nan Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11967381B2. Автор: Young Ki Kim,Seung Wan Chae,Jong Il Lee,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: EP4394773A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240221835A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20130166823A1. Автор: In-Suk YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Non-volatile memory device and erase and read methods thereof

Номер патента: US20100220525A1. Автор: Dong Kyu Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR101774496B1. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR20120063734A. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-06-18.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Managing page buffer circuits in memory devices

Номер патента: US20240233783A1. Автор: Ji-Yu Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Page buffer architecture for programming, erasing and reading nanoscale resistive memory devices

Номер патента: EP1883929A1. Автор: Colin S. Bill,Wei Daisy Cai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-02-06.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Page buffer block and memory device including the same

Номер патента: US20240249794A1. Автор: Makoto Hirano,Sangsoo Park,Jaeduk Yu,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Bit counting circuits and memory devices including the same

Номер патента: US20240233852A1. Автор: Makoto Hirano,Jongmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: US20070070774A1. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US20220351762A1. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Direct data transfer in memory and between devices of a memory module

Номер патента: EP3857550A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Direct data transfer in memory and between devices of a memory module

Номер патента: WO2020068365A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-02.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device having unity buffers with output current limiters

Номер патента: US20240170049A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240274164A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Bridging device having a configurable virtual page size

Номер патента: US09977731B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Multi-bank memory device and system

Номер патента: US09653148B1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory system for processing data efficiently by searching segments of data and operating method thereof

Номер патента: US9952793B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200027510A1. Автор: Min Su Kim,Sang Hwan Kim,Kyeong Min CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230221956A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Yung-Chun Li,Chien-Chung Ho,Han-Wen Hu,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device having threshold voltage switching device

Номер патента: KR100849717B1. Автор: 정용수,이민용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11978519B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US20200211650A1. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Storage device and table management method thereof

Номер патента: US09691487B2. Автор: Wan-soo Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274205A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Erasing and erasing verification for three-dimensional NAND memory

Номер патента: US12142328B2. Автор: Kaijin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Adjusting a preprogram voltage based on use of a memory device

Номер патента: US11709616B2. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo′ Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09704583B2. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Storing highly read data at low impact read disturb pages of a memory device

Номер патента: US11762767B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Giuseppina Puzzilli,Tecla Ghilardi,Vamsi Pavan Rayaprolu,James Fitzpatrick,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Device for determining read reference voltage of a memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230298677A1. Автор: Sang Ho Yun,Jaekyun Moon,Younghyun Park,Sunyoung JO,Jungwuk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-21.

Array dependent voltage compensation in a memory device

Номер патента: US20230402099A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20130308382A1. Автор: Yong-kyu Lee,Tea-kwang Yu,Bo-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory Cell With Floating Gate, Coupling Gate And Erase Gate, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176460A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Catherine Decobert. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory cell with floating gate, coupling gate and erase gate, and method of making same

Номер патента: WO2020117331A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Catherine Decobert. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and operation method thereof, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20240161827A1. Автор: Jingsheng Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device, erasing method and programing method thereof

Номер патента: US20170229184A1. Автор: Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Program continuation strategies after memory device power loss

Номер патента: US12119068B2. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device having switch providing voltage to bit line

Номер патента: US8576639B2. Автор: Giulio Martinozzi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10923192B2. Автор: Kyung-Bum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US11880582B2. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Control logic, semiconductor memory device, and operating method

Номер патента: US20190065059A1. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Yong Seok SUH,Kyong Taek LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US09466375B1. Автор: Yao-Wen Chang,Che-Shih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180061501A1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240127892A1. Автор: Yun Cheol Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823726B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory device and erase operation thereof

Номер патента: US20220310169A1. Автор: Ke Liang,Chunyuan HOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09947410B2. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A3. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US09847135B2. Автор: Hitoshi Iwai,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570189B1. Автор: Jae Yoon Lee,Hyung Min Lee,Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device performing block program and operating method thereof

Номер патента: US12073887B2. Автор: Sanggyu KO,Yeongmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile memory device and an erase method thereof

Номер патента: US09299446B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Chang-seok Kang,Young-Suk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240071523A1. Автор: Shih-Chang Huang,Han-Sung Chen,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US20150213879A1. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09449679B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device having bit cells

Номер патента: US20180068715A1. Автор: Yongho Kim,Jonghoon Jung,Hoonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US20240290400A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory device and erase method thereof

Номер патента: US20080080258A1. Автор: Jong Hyun Wang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US9678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US20160292031A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Managing page buffer circuits in memory devices

Номер патента: EP4398252A1. Автор: Ji-Yu Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20230154543A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190348136A1. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Page buffer circuits in memory devices

Номер патента: US20240233832A1. Автор: Ji-Yu Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180374545A1. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: US20220130485A1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device having variable number of selected cell pages and subcell arrays

Номер патента: US5986933A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US10068650B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US20190066801A1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Characterizing and operating a non-volatile memory device

Номер патента: US09620227B1. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Mahesh Mandya Vardhamanaiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device page buffer configuration and methods

Номер патента: US20110107014A1. Автор: Violante Moschiano,Paul D. Ruby. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Memory device page buffer configuration and methods

Номер патента: US20140321205A1. Автор: Violante Moschiano,Paul D. Ruby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Partial block erase operations in memory devices

Номер патента: US20240379176A1. Автор: Violante Moschiano,Walter Di Francesco,Shyam Sunder Raghunathan,Haiou Che. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Non-volatile semiconductor memory device having depletion-type and enhancement-type channel regions

Номер патента: US09424924B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Nonvolatile memory device having page buffer units under a cell

Номер патента: US20150287463A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems-On-Chips Including Programmed Memory Cells and Programmable and Erasable Memory Cells

Номер патента: US20060250844A1. Автор: Byeong-Hoon Lee,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device and an erasing method thereof

Номер патента: US09558834B2. Автор: Dongseog EUN,Byeong-In Choe,Mincheol Park,Eunsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120268977A1. Автор: Won Kyung KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

In-memory computing (imc) memory device and imc method thereof

Номер патента: US20240231623A9. Автор: Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US12051470B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Electrically-programmable and electrically-erasable MOS memory device

Номер патента: US4558344A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-12-10.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088919A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device and operation method thereof for performing multiply accumulate operation

Номер патента: US12033699B2. Автор: Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12050503B2. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240345648A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Devices and methods of managing nonvolatile memory device having single-level cell and multi-level cell areas

Номер патента: US09805799B2. Автор: Kyung-Ho Shin,Mi-Hyang Lee,Gwang-Ok Go,Joon-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US20100271883A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US7957199B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Memory device having a controller to enable and disable mode control circuitry of the controller

Номер патента: US09965208B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Block select circuit in a flash memory device

Номер патента: US20040156237A1. Автор: Jong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Dynamic adjustment of offset voltages for reading memory cells in a memory device

Номер патента: US20230074966A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick Robert Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Dynamic adjustment of offset voltages for reading memory cells in a memory device

Номер патента: US20220076760A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick Robert Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755247B2. Автор: Dae Sung Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11276477B2. Автор: Min Hwan MOON,Su Jin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-15.

Erasing method and memory device using the same

Номер патента: US09754637B2. Автор: Hsin-Yu Chang,Yuan-Hao Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Chien-Chung Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US20240311011A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for improving programming speed in memory devices

Номер патента: US20060077711A1. Автор: Kimmo Mylly. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20180130544A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09899102B2. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09812182B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory devices with improved refreshing operation

Номер патента: US09455006B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Chien-Yin Liu,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20160042795A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US09424939B2. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20180052638A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1316963A3. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yutaka Okamoto,Riichiro Shirota,Hideo Kato,Masamichi Asano,Seiichi Aritome,Hiroto Nakai,Yoshihisa Iwata,Kaoru Tokushige,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170031836A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1315171A3. Автор: Masamichi Asano,Kaoru Tokushige,Tomoharu Toshiba Corporation Tanaka,Masaki Toshiba Corporation Momodori,Hideo c/o Toshiba Corporation Kato,Hiroto c/o Toshiba Corporation Nakai,Yoshiyuki c/o Toshiba Corporation Tanaka,Riichiro Int. Prop. Division Shirota,Seiichi Int. Prop. Division Aritome,Yasuo Int. Prop. Division Itoh,Yoshihisa Int. Prop. Division Iwata,Hiroshi c/o Toshiba Corporation Nakamura,Hideko c/o Toshiba Corporation Odaira,Yutaka c/o Toshiba Corporation Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170301400A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Managing workload of programming sets of pages to memory device

Номер патента: US11886336B2. Автор: Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Mustafa N. Kaynak,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device including page buffer circuit

Номер патента: US20240055055A1. Автор: Insu Kim,Yongsung CHO,Inho Kang,Jaehue Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Dynamic programming of page margins

Номер патента: US20210342206A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US12061796B2. Автор: Gyeongmin Nam,Chanha KIM,Seungryong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11748036B2. Автор: Chu Seok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210064285A1. Автор: Seung Gu JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

A flash memory device and control method

Номер патента: IES85799Y1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-06-22.

A flash memory device and control method

Номер патента: IE20100615U1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-03-30.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory device and enhance programming method thereof

Номер патента: US20240347118A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Ngatik Cheung,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo,Shan-Hsuan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory device, memory system, and programming method

Номер патента: US20230343401A1. Автор: Tianyu Wang,Xueqing Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Flash memory device having efficient refresh operation

Номер патента: US20150131385A1. Автор: Seung Keun Lee,Jong Bae Jeong,Hi Hyun Han. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Storage device communicating with specific pattern and operating method thereof

Номер патента: US20160239220A1. Автор: Kui-Yon Mun,Youngwook Kim,Jae-Sung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Storage and programming method thereof

Номер патента: US09875793B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory device and operating method for setting and repairing data errors

Номер патента: US11966625B2. Автор: Sangwon Park,Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Raeyoung LEE,Guyeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050243620A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040233720A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Nonvolatile Memory Device And Operation Method Thereof

Номер патента: US20230153001A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Nonvolatile memory device having multiple read circuits and using variable resistive materials

Номер патента: US20140247646A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Chae-Hoon Kim,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240206151A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Memory device, driving method thereof, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20200043548A1. Автор: Shuhei Nagatsuka,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US20150205666A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Virtual memory device (VMD) application/driver for enhanced flash endurance

Номер патента: US09548108B2. Автор: Abraham C. Ma,Frank Yu,Shimon Chen,Yi Syu Yan. Владелец: Super Talent Tech Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Controller for storing performance information based on test operation result, operating method thereof and computing system including the same

Номер патента: US12039185B2. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110103128A1. Автор: Hiroshi Kanno,Kenichi Murooka,Hirofumi Inoue,Takayuki Tsukamoto,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09514813B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240206150A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Secure memory device and erase method thereof

Номер патента: US11942161B2. Автор: Tse-Yen LIU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170109273A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory device having a systematic arrangement of logical data locations and having plural data portals

Номер патента: US20020062420A1. Автор: James Bullen,Robert Mclaughlin,Lawrence Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09640281B1. Автор: Won-Jin Jung,Yoon-Seong Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device and power management method thereof

Номер патента: US12067272B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US09569640B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile content addressable memory device having simple cell configuration and operating method of the same

Номер патента: US20240265967A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device with different parity regions

Номер патента: US09977712B2. Автор: Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device having ferroelectric film

Номер патента: US5345414A. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-09-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210181952A1. Автор: Kyung Bum Kim,JiMan Hong,Gi Bbeum HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Managing distribution of page addresses and partition numbers in a memory sub-system

Номер патента: US20240192893A1. Автор: Fangfang Zhu,Chih-kuo Kao,Bharani Rajendiran,Jason Duong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device, semiconductor device, and semiconductor system

Номер патента: US20190258543A1. Автор: Chang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Device and methods for writing and erasing analog information in small memory units via voltage pulses

Номер патента: US09947379B1. Автор: Albert Alec Talin,Farid El Gabaly Marquez. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and apparatus for configuring a memory device

Номер патента: US09606865B2. Автор: Abhijeet Manohar,Nian Yang,Daniel Edward Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory systems comprising non-volatile memory devices

Номер патента: US20200233739A1. Автор: Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20090265592A1. Автор: Jih-Nung Lee,Hsiang-Huang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

An integrated sram and flotox eeprom memory device

Номер патента: WO2010077251A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof

Номер патента: US09928895B2. Автор: Yanggyoon Loh,Hoyoung SONG,Sangwoong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory device with an EPLI comparator

Номер патента: US09378829B2. Автор: Ifat Nitzan KALDERON,Max Steven WILLIS, III. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11922065B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device, memory system including memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20210182144A1. Автор: Tae Ho Lee,Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200341687A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Test device and test method thereof

Номер патента: US20240145024A1. Автор: Yao-Chang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation

Номер патента: US12040015B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20200310966A1. Автор: Mi Hee Lee,Dae Gyu Ha,Ho Ryong You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Memory device

Номер патента: WO1995032505A1. Автор: M. James Bullen,Robert B. Mclaughlin,Lawrence C. Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corporation. Дата публикации: 1995-11-30.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US20240371456A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170344263A1. Автор: Young-Kyun Shin,Ki-Sung Kim,Keun-Hyung KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170322849A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US20240265956A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Shyh-Bin KUO,Yi-Cheng LAl. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09966135B2. Автор: Il Park,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Multiple memory rank system and selection method thereof

Номер патента: US09851900B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory devices and memory device forming methods

Номер патента: US09831287B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Multiple memory rank system and selection method thereof

Номер патента: US09703483B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Testing method, manufacturing method, and testing device of memory device

Номер патента: US09653182B1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09646707B1. Автор: Jong Won Park,Chan Woo Yang,Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Write and erase scheme for resistive memory device

Номер патента: US09437297B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of programming, erasing and repairing a memory device

Номер патента: US20080133818A1. Автор: Swaroop Kaza,Sameer Haddad. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Parameter estimation based on previous read attempts in memory devices

Номер патента: US20220398031A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device testing

Номер патента: US20020172086A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12033697B2. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-09.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US20190311755A1. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: US12046269B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240264932A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetic element, skyrmion memory, skyrmion memory device, skyrmion-memory embedded solid-state electronic device, data storage apparatus, data processing and communication apparatus

Номер патента: US10003010B2. Автор: Yoshio Kaneko,Masashi Kawasaki,Junichi Iwasaki,Yoshinori Tokura,Naoto Nagaosa,Wataru Koshibae. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2018-06-19.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US10600466B2. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-24.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: EP4411736A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device, semiconductor system and reading method

Номер патента: US09953170B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Physically unclonable function circuit using resistive memory device

Номер патента: US09916884B2. Автор: James W. Tschanz,Charles Augustine,Carlos Tokunaga. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device check bit read mode

Номер патента: US09842021B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: US09773839B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetoresistive effect devices having enhanced magnetic anisotropy

Номер патента: US09564581B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Young-Suk Choi,Derek Stewart. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile storage device and operating system (OS) image program method thereof

Номер патента: US09529541B2. Автор: Sung-hyun Cho,Dongin Kim,Junseok Park,Taemin LEE,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US09484117B2. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory devices

Номер патента: US09466361B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180267708A1. Автор: Beom-Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240130105A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US12027227B2. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Characterization profiles of memory devices

Номер патента: US20170357463A1. Автор: Cullen E. Bash,Naveen Muralimanohar. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-14.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory devices performing repair operations and repair operation methods thereof

Номер патента: US20200111541A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device for increasing write margin during write operation and reducing current leakage during standby operation and operation method thereof

Номер патента: US11776621B2. Автор: Jinn Shyan Wang,Chien Tung LIU,Chih Jung LIU. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US20150370750A1. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Resistive memory device having a retention layer with non-linear ion conductivity

Номер патента: US20190319185A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4DS Memory Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190392907A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Min Lee,Seung Il Kim,Yong Ho Kim,Seon Young Choi,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor memory device having a short reset time

Номер патента: US20080186792A1. Автор: Kwun-Soo Cheon,Byong-Wook Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257872A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

System and method for controlling optimized access to memory device having three-dimensional stacked structure

Номер патента: US09940260B1. Автор: Anne Hughes,Bikram Banerjee. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Vertical non-volatile memory device, method of fabricating the same device, and electric-electronic system having the same device

Номер патента: US09881934B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818491B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device having variable resistance elements provided at intersections of wiring lines

Номер патента: US09812502B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device having a heat insulating mechanism

Номер патента: US09788463B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Yasuyuki Ozawa,Yoshiharu Matsuda,Masahiro Iijima,Kenichi SAWANAKA,Fuminori Kimura,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09785550B1. Автор: Sung Kwan Hong,Yeong Sik YI,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09747983B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having a write prohibited region

Номер патента: US09728257B2. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US09626327B2. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09614080B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory device

Номер патента: US09543006B2. Автор: Jia-Hwang Chang,Jui-Jen Wu,Sheng-Tsai Huang,Fan-yi Jien. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09455262B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Managing distribution of page addresses and partition numbers in a memory sub-system

Номер патента: US11941290B2. Автор: Fangfang Zhu,Chih-kuo Kao,Bharani Rajendiran,Jason Duong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system for managing data corresponding to a plurality of zones and operating method thereof

Номер патента: US11893255B2. Автор: Bo Kyeong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20210027828A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20230335180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180018106A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Peak power management in a memory device

Номер патента: US20230067294A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Jonathan Scott Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Stacked memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210240615A1. Автор: Hyunjoong Kim,Jihyun Choi,Seunghyun CHO,Joonsik Sohn,Woongjae SONG,Soowoong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US12050508B2. Автор: Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Information storage device of recording/generating after selecting among multiple operation mode, and control method thereof

Номер патента: CN1405769A. Автор: 天野英明,小泉雄一,常田胜启,小玉浩二. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-26.

Image forming apparatus, erasing method, and hard disk management method

Номер патента: US20050174675A1. Автор: Takahiro Yamazaki,Yasuhiro Hattori,Ken Satoh,Hidenori Shindoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Adjusting device of an output voltage of a switch power supply, an adjusting method thereof and an integrated chip

Номер патента: US09618585B2. Автор: LiuQun Xie,XiangRong Hu,Weicheng Tan. Владелец: Delta Electronics Power Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory controller and storage device each using fragmentation ratio, and operating method thereof

Номер патента: US20230333979A1. Автор: Jonghwa Kim,Alain Tran,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160116972A1. Автор: Young-Jin Park,Dong-Jae Shin,Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Display device having scope of accreditation in cooperation with depth of virtual object and controlling method thereof

Номер патента: US09721540B2. Автор: Jihwan Kim,Doyoung Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-08-01.

OPTICAL DEVICE HAVING MEANS FOR AVOIDING THE REINJECTION OF RESIDUAL DIFFUSED LIGHT RAYS INTO THE SIGNAL LINE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2741457A1. Автор: Yeong Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-23.

Distance-measuring device of measuring distance according to variation of imaging location and calibrating method thereof

Номер патента: US20130293867A1. Автор: Lu Chih-Hung,Hsu En-Feng,Liao Chi-Chieh,SU Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

vacuum trap, droplet uniformity measuring device of exhaust gas purifier for ship including the same and controlling method thereof

Номер патента: KR101672122B1. Автор: 오정근,노재규. Владелец: 군산대학교산학협력단. Дата публикации: 2016-11-03.

Pullout test device of ribbed bar in earth-rock dam rockfill material and test method thereof

Номер патента: CN106323868A. Автор: 杨建国,何亮,杨杰,吴俊杰,沈婷,李国英,米占宽,魏匡明. Владелец: Nanjing Hydraulic Research Institute of National Energy Administration Ministry of Transport Ministry of Water Resources. Дата публикации: 2017-01-11.

The device of processing the shoot artifact in the image signal and the method thereof

Номер патента: KR100701306B1. Автор: 권영진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-29.

Detection device of large-scale section-bar three-dimensional bending component and detection method thereof

Номер патента: CN106441033A. Автор: 李义,赵继,梁策,宋相军. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2017-02-22.

Electronic device having a multi-functional pointing device of a track ball

Номер патента: US20060109249A1. Автор: Ming-Hui Lin,Yun-Shian Lin. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Master device of two-wire bus providing release function for clock line and method thereof

Номер патента: CN101276321A. Автор: 蔡廷鸿. Владелец: Aten International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

Button device of electronic goods using ink printing and side led emitting and method thereof

Номер патента: WO2008010678A1. Автор: Jae Yeon Kim,Young Sig Oh. Владелец: Lumimicro Corp., Ltd.. Дата публикации: 2008-01-24.

Casting device of large non-ferrous metal thin-walled structural component and casting method thereof

Номер патента: US20210187603A1. Автор: Fei Liu,Xiaoming Cui,Pucun Bai,Xiaohu Hou,Fukui Liu,Wenshu Zhao. Владелец: Baotou Xinkefeng Machinery Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Key-value storage device and operating method thereof

Номер патента: US12019602B2. Автор: Youngho Park,Byung-Ki Lee,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11567863B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Multi-die memory apparatus and identification method thereof

Номер патента: US20210349645A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor devices including application processor connected to high-bandwidth memory and low-bandwidth memory, and channel interleaving method thereof

Номер патента: US09606916B2. Автор: Sung Hyun Lee,Jun Hee Yoo,Il Park,Dongsoo Kang,Kiyeon Lee,Euicheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and apparatus for performing table management of memory device in predetermined communications architecture with aid of table error correction

Номер патента: US12050783B1. Автор: Jie-Hao LEE,Chia-Chin Hsieh,Chian-Wen Chiu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09927994B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory system for creating and updating program time stamp and operating method thereof

Номер патента: US09798478B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of operating memory devices within a communication protocol standard timeout requirement

Номер патента: US09423960B2. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Data storage device using non-sequential segment access and operating method thereof

Номер патента: US09778864B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Error correction method and memory device capable of reading pages continuously

Номер патента: US09678831B2. Автор: Chun-Yu Chen,Mong-Ling Chiao,Tuan-Chieh WANG,Chi-Chih Kuan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Key-value storage device and operating method thereof

Номер патента: US12001413B2. Автор: Youngho Park,Byung-Ki Lee,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture to enhance sudden power off recovery of page-group-based redundant array of independent disks protection with aid of multi-table control using dummy flag

Номер патента: US12131035B1. Автор: Jie-Hao LEE,Szu-I Yeh,Ting-Fong Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Storage device managing a multi-tier cache memory and operating method thereof

Номер патента: US11768625B2. Автор: Kyung Soo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11734168B2. Автор: Seung Yong Lee,Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Adaptive idle timer for a memory device

Номер патента: US20040098550A1. Автор: Mihir Shah,Zohar Bogin,Suryaprasad Kareenahalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US20230385193A1. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160179385A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Continuous monotonic counter for memory devices

Номер патента: US20210223983A1. Автор: Pawan Singh,Amichai GIVANT,Shivananda Shetty,Yoav Yogev,Yair Sofer,Amir Rochman. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

Purging data at a memory device

Номер патента: US20240330519A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device performance enhancement through pre-erase mechanism

Номер патента: CA2673434C. Автор: Kimmo Mylly,Jani Hyvonen,Marko Ahvenainen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2014-01-21.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US10852973B2. Автор: Yun Chan SEO,Hoe Seung JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190205246A1. Автор: Jin-woong Kim,Su-Chang Kim,Eun-Soo Jang,Hae-Gi CHOI,Kyeong-Rho KIM,Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor memory device and erase operation method thereof

Номер патента: US20240220148A1. Автор: Yun-Heub Song,Jae Min SIM,SeonJun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-04.

System for slowdown status notification and operating method thereof

Номер патента: US20190065289A1. Автор: Seong Won SHIN,Kyoungsun HONG. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Storage device having a controller that communicates with each of two memories through separate interfaces

Номер патента: US11762558B2. Автор: Changkyu Seol,Younggeon Yoo,Hyeonwu Kim,Hyeongseok Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Reliable bit circuit for memorizing device of replaceable printer component

Номер патента: RU2295754C2. Автор: Джон М. СКИН,Мэттью А. ШЕФЕРД,Гаррард ХЬЮМ. Владелец: Хьюлетт-Паккард Компани. Дата публикации: 2007-03-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10437489B2. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170322741A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for dynamic mapping for end devices of control systems

Номер патента: WO2015094586A1. Автор: Benjamin Edward Mcdonald,Mikhall BRUSILOVSKY. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-06-25.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for dynamic mapping for end devices of control systems

Номер патента: US09996058B2. Автор: Benjamin Edward Mcdonald,Mikhail BRUSILOVSKY. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Data storage device and method thereof

Номер патента: US09785584B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device having a controller unit and an information-processing device including a memory device having a controller unit

Номер патента: US09524121B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160274791A1. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Data storage apparatus and operation method thereof

Номер патента: US20210191655A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240267479A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: EP4415344A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180074710A1. Автор: Jong-Min Lee,Jee-Yul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods of operating memory devices within a communication protocol standard timeout requirement

Номер патента: US20130339644A1. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory system executing background operation using external device and operation method thereof

Номер патента: US11972127B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240248643A1. Автор: Suhyun KIM,Hyunsook Lee,Seonghoon Woo,Tae-Eun Park,Haejong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240211170A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210034522A1. Автор: Sarath Kumar Kunnumpurathu Sivan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of controlling card-shaped memory device

Номер патента: US20070174578A1. Автор: Takashi Oshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US12056356B2. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory access control device equipped with memory access request generating modules/arbitrator and control method thereof

Номер патента: US8131949B2. Автор: Liang-Ta Lin. Владелец: ILI Techonology Corp. Дата публикации: 2012-03-06.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755492B2. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240345729A1. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device having heterogeneous terminals

Номер патента: US09468117B2. Автор: Jin-Woo Lee. Владелец: Duin Digitech Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Speculative hint-triggered activation of pages in memory

Номер патента: US20190155516A1. Автор: Vydhyanathan Kalyanasundharam,Ravindra N. Bhargava,James Raymond Magro,Philip S. Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Multi-page parity data storage in a memory device

Номер патента: US11928353B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu,Harish R Singidi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Speculative hint-triggered activation of pages in memory

Номер патента: US20200401321A1. Автор: Vydhyanathan Kalyanasundharam,Ravindra N. Bhargava,James Raymond Magro,Philip S. Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and computing in memory method thereof

Номер патента: US20210117187A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Han-Wen Hu,Tse-Yuan Wang,Yueh-Han Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12056361B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Tse-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Memory device and protection method thereof

Номер патента: US20240273194A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20220004332A1. Автор: Hye Mi KANG,Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Flash-based storage warehouse apparatuses and methods thereof

Номер патента: US09766811B1. Автор: David Slik,Peter Corbett. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09507707B2. Автор: Hak Dae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US20160259674A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory system for executing a target operation based on a program state of a super memory block and operating method thereof

Номер патента: US11954349B2. Автор: Young Soo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170235487A1. Автор: Beom-Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Memory system for executing a target operation based on a program state of a super memory block and operating method thereof

Номер патента: US20240211153A1. Автор: Young Soo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device performing in-memory operation and method thereof

Номер патента: US12032829B2. Автор: Changhyun KIM,Won Jun Lee,Seon Wook Kim,Yoonah PAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230297261A1. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US10509590B2. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Timing device and method thereof

Номер патента: US9501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Error correction decoder, storage device including error correction decoder, and operating method thereof

Номер патента: US20240296093A1. Автор: Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12086442B2. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Compute architecture in a memory device of distributed computing system

Номер патента: US20170052858A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Wesley B. Leggette,Andrew D. Baptist,Greg R. Dhuse,S. Christopher Gladwin,Thomas F. Shirley, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system and wear-leveling method thereof

Номер патента: US09990153B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09898199B2. Автор: Jun Seop Chung,An Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Rebalancing operation using a solid state memory device

Номер патента: US09881039B2. Автор: Abhinay R. Nagpal,Sandeep Ramesh Patil,Yan Wang Stein,Harshwardhan S. Mulay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Hybrid memory device for storing write data based on attribution of data stored therein

Номер патента: US09804801B2. Автор: Kyung Ho Kim,Jin-soo Kim,Young-Sik Lee,Sangkwon Moon,Jinkyu JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Device having a security module

Номер патента: US09798901B2. Автор: Juergen Frank,Manfred Thanner,Michael Staudenmaier. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

M.2 interface memory device and M.2 interface connection seat insertedly provided thereof

Номер патента: US09761996B2. Автор: Chen-Huan LIN,Hsiao-Yu Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Data storage device and error correction method thereof

Номер патента: US09632805B2. Автор: Shih-Ming Wang,Chia-Fang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240310869A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Data erasing method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09582416B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Timing device and method thereof

Номер патента: US09501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11954021B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180018111A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Electronic device having ecc decoder

Номер патента: US20240202068A1. Автор: Dae Sung Kim,Sang Ho Yun,Soon Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220113870A1. Автор: Sung Kwan Hong,Byeong Gyu Park,Young Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Accelerated non-volatile memory device inspection and forensics

Номер патента: EP4208787A1. Автор: Tyler Vrooman,Graham Schwinn,Greg Edvenson. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Method and system providing file system for an electronic device comprising a composite memory device

Номер патента: US20170228190A1. Автор: Vishak Guddekoppa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Using reason codes to determine how to handle memory device error conditions

Номер патента: US20170052842A1. Автор: Jason K. Resch,Andrew D. Baptist,Ilir Iljazi,Niall J. McShane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory device forensics and preparation

Номер патента: US20230214153A1. Автор: Matthew King,Tyler Vrooman,Greg Edvenson,Kumud Nepal. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Neuromorphic computing device, memory device, system, and method to maintain a spike history for neurons in a neuromorphic computing environment

Номер патента: US20180082176A1. Автор: Wei Wu,Somnath Paul,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Electronic device having a thermal conductor made of silver between a heat sink and an electronic element, and fabrication method thereof

Номер патента: US09607923B2. Автор: Liang-Yi Hung,Chung-Jen Hung,Chi-An Pan,Chi-Hsiang Hsu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020047170A1. Автор: Kazunobu Ota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device having a gate insulating film structure including an insulating film containing metal, silicon and oxygen and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080102616A1. Автор: Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Kiyotaka Miyano,Yoshitaka Tsunashima,Seiji Ihumiya,Yasumasa Suizu. Владелец: Yasumasa Suizu. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device having a gate insulating film structure including an insulating film containing metal, silicon and oxygen and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100551186B1. Автор: 오자와요시오,쯔나시마요시따까,이누미야세이지,스이즈야스마사,미야노기요따까,다나까마사유끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-02-14.

Electroluminescent device having stacked micro light emitting diode unit and organic light emitting diode unit, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10756144B2. Автор: Huaiting Shih,Yue Hu,Chinlung Liao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

ADJUSTING DEVICE OF AN OUTPUT VOLTAGE OF A SWITCH POWER SUPPLY, AN ADJUSTING METHOD THEREOF AND AN INTEGRATED CHIP

Номер патента: US20150015218A1. Автор: Xie LiuQun,Hu XiangRong,TAN Weicheng. Владелец: DELTA ELECTRONICS POWER (DONG GUAN) CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-15.

Double trench MOSFET devices of a kind of SiC of integrated schottky diode and preparation method thereof

Номер патента: CN106876485A. Автор: 倪炜江,卢小东,徐妙玲. Владелец: Century Goldray Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Removing device of tail coil of cold-rolling unit and tail coil removing method thereof

Номер патента: CN106391755A. Автор: 王煜,张亮,史维青,姬明刚. Владелец: MCC SFRE Heavy Industry Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Simulation device of regeneration process of oil for power supply industry and use method thereof

Номер патента: CN106422498A. Автор: 周舟,陶靖,李臻,万涛,龚尚昆,刘小玲,常燕. Владелец: State Grid Hunan Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-22.

CASTING DEVICE OF LARGE NON-FERROUS METAL THIN-WALLED STRUCTURAL COMPONENT AND CASTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210187603A1. Автор: Liu Fei,Cui Xiaoming,Bai Pucun,Hou Xiaohu,Liu Fukui,Zhao Wenshu. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

The motor velocity compensating device of the fuel cell vehicle and sensor, the motor velocity compensating method thereof

Номер патента: KR20140077717A. Автор: 윤길영,김기창. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2014-06-24.

Uniform pressure gas guiding device of ammonia synthesis device transformation system and uniform pressure gas guiding method thereof

Номер патента: CN106395743A. Автор: 王耀,孙涌,张彦平,祁世平,黄公青,徐发淮. Владелец: Inner Mongolia Boda Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Automatic conversion device of themal deformation compensation parameter automatic conversion for machine tool and method thereof

Номер патента: KR102053465B1. Автор: 김기홍. Владелец: 두산공작기계 주식회사. Дата публикации: 2019-12-10.

Light device having an automatic switching device

Номер патента: EP1602877A2. Автор: Sen-Tien Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-07.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with single poly non-volatile memory device and manufacturing method

Номер патента: US11856769B2. Автор: Su Jin Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory device employing semiconductor nanoparticles

Номер патента: US09425080B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Robert H. Dennard,Hemanth Jagannathan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Shape memory device having two-way cyclical shape memory effect due to compositional gradient and method of manufacture

Номер патента: US20060289295A1. Автор: Peter Jardine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory device having hybrid insulating layer and method for preparing same

Номер патента: US10529936B2. Автор: Youngkyoo Kim,Hawjeong Kim,Chulyeon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2020-01-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory device having vertical cell

Номер патента: US09721965B2. Автор: Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210091102A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US6873005B2. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20050098825A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20040201060A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of forming memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09871196B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09525131B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Durable memory device

Номер патента: US11439004B1. Автор: Chin Feng Chang. Владелец: Team Group Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215463A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory device and method of assembling same

Номер патента: WO2024129239A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Durable memory device

Номер патента: US20220264740A1. Автор: Chin Feng Chang. Владелец: Team Group Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066493A1. Автор: Kuo-Feng Huang,Yu-Chi Kuo,Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung,Chun-Sheng Lu,Wang-Ta Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Nonvolatile memory package, storage device having the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240284683A1. Автор: Jungmin Seo,Manho Lee,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129701A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20220399371A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11723209B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324203A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US12108606B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349499A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114513B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device having cell over periphery (COP) structure, memory package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799672B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic memory device having a magnetic shield structure

Номер патента: US09685605B2. Автор: Masashi Otsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical-type non-volatile memory devices having dummy channel holes

Номер патента: US09406692B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods and device for optimal participation of devices of peer-to-peer overlay network

Номер патента: RU2475992C2. Автор: Видья НАРАЯНАН,Ранджитх С. ДЖАЯРАМ,Лакшминатх Р. ДОНДЕТИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-02-20.

Non-volatile memory device having schottky diode

Номер патента: US20240237356A9. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030198095A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US12004338B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device having wiring line structure

Номер патента: US20200312830A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Byung Hyun Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Electrically programmable and eraseable memory device

Номер патента: US20140124848A1. Автор: Minh-Van Ngo,Alexander H. Nickel,Minh Q. Tran,Jeong-Uk Huh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile Memory Devices Having Memory Cell Transistors Therein with Lower Bandgap Source/Drain Regions

Номер патента: US20110233610A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Image forming apparatus with erasing function and erasing paper control method thereof

Номер патента: JP5187272B2. Автор: 秀樹 高橋,郷史 三井,雄一郎 家垣,俊明 金村,克己 前田,洋一 玉川,英好 新沼. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Non-Volatile Memory Device, Devices Having the Same, and Method of Operating the Same

Номер патента: US20120151124A1. Автор: BAEK Sung Hoon,Cheon Won Moon. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

Electronic device having internal charge regulator and temperature sensor for controlling application of a charging current thereto and associated method thereof

Номер патента: ZA946762B. Автор: David Mark Demuro. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-06-20.

Bridge device of home networking and universal play-and-play networking and operating method thereof

Номер патента: TW200623744A. Автор: Chia-Ming Chang,Cheng-Ting Lin. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-07-01.

Battery management device of battery system to which battery can be added, and control method thereof

Номер патента: AU2023433333A1. Автор: Changha Kim,In Ho Nam. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Laminating device of new energy structure conductive transfer-free adhesive tape and control method thereof

Номер патента: CN118929315A. Автор: 刘海,陈文晋,邓世强. Владелец: Jiangsu Nanjin Electronic Materials Co ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Leveling device of three-degree-of-freedom semi-physical simulation system and working method thereof

Номер патента: CN115793498A. Автор: 田武刚,杜金榜,侯建军,王建敏. Владелец: Hunan Lanyue Mechanical And Electrical Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Radiating device of suspension controller of aerotrain with medium-low speed and working method thereof

Номер патента: CN103533810B. Автор: 李晓东,许震,马卫华,胡维强,徐俊起,武明,孙宪忠. Владелец: Shandong He Shun Electric Applicance Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Pushing device of self-compaction reinforcing and anti-seepage pilot pipe and use method thereof

Номер патента: CN103032629B. Автор: 阳军生,黎永索. Владелец: Hunan City University. Дата публикации: 2014-09-10.

A close control device of a vehicle having a collision warning function and a control method thereof

Номер патента: KR19980085348A. Автор: 서정근. Владелец: 기아자동차 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Fault detecting device of near field acoustic holography sound image mode identification and detecting method thereof

Номер патента: CN101865789B. Автор: 侯俊剑,蒋伟康. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2012-03-21.

Device of pulling and flatting section for pathologic tissue frozen section and method thereof

Номер патента: CN102426124B. Автор: 于军,李榕,张海锋,李嘉,季乐乐,张学策,邢文娟,陈宝莹,铁茹,刘芳娥. Владелец: Fourth Military Medical University FMMU. Дата публикации: 2013-07-03.

Electrical-thermal aging device of cable accessories under high voltage and high current and test method thereof

Номер патента: CN102735977A. Автор: 周凯,赵威,熊庆,李旭涛,万利,陶文彪,潘荣超,陶霰韬. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2012-10-17.

Code sending, receiving device of space-code block in personal network MC-SS system and method thereof

Номер патента: CN1992584B. Автор: 熊勇,戎璐,张小东,卜智勇,薛奕冰,周正嵩. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2010-11-03.

Group management control device of elevator with disaster escaping operation function in fire disaster and method thereof

Номер патента: CN102126652A. Автор: 竹田佳弘. Владелец: Toshiba Elevator Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-20.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VPN NETWORK CLIENT FOR MOBILE DEVICE HAVING DYNAMICALLY CONSTRUCTED DISPLAY FOR NATIVE ACCESS TO WEB MAIL

Номер патента: US20120002814A1. Автор: Wei Yin,Iyer Subramanian,Campagna Richard,Wood James. Владелец: JUNIPER NETWORKS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VPN NETWORK CLIENT FOR MOBILE DEVICE HAVING FAST RECONNECT

Номер патента: US20120002815A1. Автор: . Владелец: JUNIPER NETWORKS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING TOUCH INPUT SENSING AND TOUCH SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001865A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Spectral ellipsometer with device of magnetodynamic measurements

Номер патента: RU2539828C1. Автор: Лариса Владимировна Панина,Александр Тимофеевич Морченко,Николай Анатольевич Юданов,Владимир Григорьевич Костишин,Александр Сергеевич Комлев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-01-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.