TRANSPARENT CONDUCTIVE STRUCTURE HAVING METAL MESH.

TRANSPARENT CONDUCTIVE STRUCTURE HAVING METAL MESH

Номер патента: US20160209943A1
Опубликовано: 21-07-2016
Автор(ы): LIN TAI-WU, YU Jing-Bing
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Transparent conductive coating based on percolative grid

Номер патента: US20160174368A1. Автор: Igor A Levitsky. Владелец: Corish Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Transparent conductive film

Номер патента: US10261643B2. Автор: Ming-Hua Yeh,Hsueh-Shih Chen,Shih-Jung Ho. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-16.

Optically transparent conductive material

Номер патента: US09836176B1. Автор: Kazuhiko Sunada,Takenobu Yoshiki. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Transparent conductive substrate structure used for thermoforming process

Номер патента: US11809667B2. Автор: Sheng-Chieh Tsai,Yu-Yang Chang,Yao-Zong Chen,Hsiou-Ming Liu. Владелец: Nanobit Tech Co ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Transparent conductive film and touch panel comprising the same

Номер патента: US20220164064A1. Автор: Chung-Chin Hsiao,Chia-Yang Tsai,Siou-Cheng Lien,Yi-Wen Chiu. Владелец: Cambrios Film Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

A transparent conductive film

Номер патента: EP3642702A1. Автор: Bjørn Mikladal,Ilkka Varjos,Teemu ALVARI,Liam O' SUILLEBHAIN. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2020-04-29.

Electrically conductive structure, display apparatus and touch control apparatus applying the electrically conducting structure

Номер патента: US20160364067A1. Автор: Chia-Yi Lee. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Transparent conductive film

Номер патента: US09439302B2. Автор: Ying Gu,Yulong Gao,Yunliang YANG,Yunhua Zhao. Владелец: Suzhou OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Conductive film substrate, transparent conductive film, and method for producing transparent conductive film

Номер патента: US09549462B2. Автор: Kenji Yamamoto,Takashi Kuchiyama,Shinya OMOTO,Hironori Hayakawa,Takahisa Fujimoto,Tooru Irie. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Transparent conductive coating based on percolative grid

Номер патента: US9642251B2. Автор: Igor A Levitsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-02.

Transparent conductive film

Номер патента: US09516754B2. Автор: Zhao He,Yulong Gao,Yunliang YANG,Yunhua Zhao. Владелец: Suzhou OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Double-sided transparent conductive film and touch panel

Номер патента: US09607733B2. Автор: Hiroki Kuramoto,Naoki Tsuno,Katsunori Takada,Naoki Hashimoto,Hiroyuki Takao,Shinya Hiraoka,Toru Umemoto,Kazuhiro Ikai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Transparent conductive substrate and a double-side photolithographic method using the same

Номер патента: US20240077980A1. Автор: Yi-Ting Chen. Владелец: DuPont Electronics Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Transparent conductive film

Номер патента: US09609745B2. Автор: Hiroki Kuramoto,Naoki Tsuno,Katsunori Takada,Hiroyuki Takao,Kazuhiro Ikai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Transparent conductive film

Номер патента: US20140030484A1. Автор: Naoki Tsuno,Katsunori Takada,Hiroyuki Takao,Kazuhiro Ikai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Conductive structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20150223326A1. Автор: Ki-Hwan Kim,Sujin Kim,Jin Hyong Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Conductive structure and method for manufacturing same

Номер патента: US09462682B2. Автор: Ki-Hwan Kim,Sujin Kim,Jin Hyong Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Conductive structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US09983705B2. Автор: Ki-Hwan Kim,Junghwan Yoon,Yong Chan Kim,Chan Hyoung Park,Song Ho Jang,Ilha Lee,Jin Hyong Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Conductive laminate, transparent conductive laminate with patterned wiring, and optical device

Номер патента: US09674946B2. Автор: Yoshimasa Sakata,Koichiro Tada,Nozomi Fujino,Motoki Haishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Pressure-sensitive adhesive layer for transparent conductive film, transparent conductive film with pressure-sensitive adhesive layer, transparent conductive laminate, and touch panel

Номер патента: US09527944B2. Автор: Akiko Tanaka,Masatsugu Higashi,Aimi Matsuura,Katsuhiko Kamiya,Mizue Yamasaki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US9620264B2. Автор: Xin Li,Xiangming Li,Jinyou SHAO,Yucheng Ding,Hongmiao TIAN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US20150170802A1. Автор: Xin Li,Xiangming Li,Jinyou SHAO,Yucheng Ding,Hongmiao TIAN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2015-06-18.

Transparent conductive laminate and electronic device or module

Номер патента: US09736929B2. Автор: Tsutomu Hara,Koichi Nagamoto,Yuuta Suzuki. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Patterned flexible transparent conductive sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2826027C. Автор: ZHENG Cui,Xiaohong Zhou,Yulong Gao,Linsen Chen. Владелец: Nanchang OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Ultra-thin composite transparent conductive film and preparation method therefor

Номер патента: US11805598B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yiming Yao,Liangliang Ji,Linsen Chen. Владелец: Ivtouch Co ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Ultra-thin Composite Transparent Conductive Film and Preparation Method Therefor

Номер патента: US20240023240A1. Автор: Xiaohong Zhou,Yiming Yao,Liangliang Ji,Linsen Chen. Владелец: Ivtouch Co ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Transparent conductive film

Номер патента: EP2639057A1. Автор: Yasuhiro Kawaguchi,Ken Furuta. Владелец: Kitagawa Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Patterned transparent conductive film

Номер патента: US20140216785A1. Автор: Yun Fang,Fei Zhou,Yulong Gao,Miaoqian Cao. Владелец: Nanchang OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Transparent Conductive Circuit

Номер патента: US20240276638A1. Автор: David J. Arthur,Richard P. HEROUX,Timothy Alan TURNER,Sean Patrick ARTHUR. Владелец: Chasm Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Transparent conductive film and touch panel using the same

Номер патента: US8742261B2. Автор: Po-Sheng Shih,Ming-Tien Lin. Владелец: Shih Hua Technology Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

Transparent conductive circuit

Номер патента: US11943865B2. Автор: Richard P. HEROUX,Timothy Alan TURNER,David Joseph Arthur,Sean Patrick ARTHUR. Владелец: Chasm Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Transparent conductive laminate, transparent electrode including transparent conductive laminate, and method for manufacturing transparent conductive laminate

Номер патента: US09750131B2. Автор: Ji Young Hwang,Seung Heon Lee,Bu Gon Shin,Song Ho Jang,Jiehyun Seong,Yong Goo Son,Jinmi JUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Low haze transparent conductive electrodes and method of making the same

Номер патента: US09655252B2. Автор: Hakfei Poon. Владелец: SUZHOU NUOFEI NANO SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Transparent conductive film and touch panel using the same

Номер патента: US20130048354A1. Автор: Po-Sheng Shih,Ming-Tien Lin. Владелец: Shih Hua Technology Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Electronic devices with transparent conducting coatings containing carbon nanotubes and composites from nanowires and methods of their manufacture

Номер патента: RU2560031C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-08-20.

Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks

Номер патента: US09447301B2. Автор: Xiqiang Yang,Hua Gu,Ying-Syi Li,Yu Kambe,Ajay Virkar,Christopher S. Scully,Xiaofeng Chen,Steven Michael Lam,Arthur Yung-Chi Cheng,Alex Da Zhang Tan,Melanie Mariko Inouye. Владелец: C3Nano Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and system for manufacturing flexible transparent conductive film with embedded metal material

Номер патента: US20230345641A1. Автор: Quan Xu,Zhenghao Li,Jiawei ZHAO,Hongke Li,Xiaoyang Zhu,Hongbo Lan,Ximeng QI. Владелец: Qingdao 5D Intelligent Additive Manufacturing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing a transparent conductive film

Номер патента: US10100208B2. Автор: Ryosuke IWATA,Mikihisa Mizuno. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Electronic devices including transparent conductive coatings including carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same

Номер патента: WO2011109123A1. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2011-09-09.

Metal nanowire ink for the formation of transparent conductive films with fused networks

Номер патента: US20240043711A1. Автор: Xiqiang Yang,Hua Gu,Ying-Syi Li,Yu Kambe,Ajay Virkar,Christopher S. Scully,Xiaofeng Chen,Steven Michael Lam,Melanie Maniko Inouye,Arthur Yung-Chi Cheng,Alex Da Zhang Tan. Владелец: C3 Nano Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Metal nanowire ink for the formation of transparent conductive films with fused networks

Номер патента: US11814531B2. Автор: Xiqiang Yang,Hua Gu,Ying-Syi Li,Yu Kambe,Ajay Virkar,Christopher S. Scully,Xiaofeng Chen,Steven Michael Lam,Melanie Maniko Inouye,Arthur Yung-Chi Cheng,Alex Da Zhang Tan. Владелец: C3Nano Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Package structure having solder mask layer with low dielectric constant and method of fabricating the same

Номер патента: US20220240367A1. Автор: Kuo-Wei Li,Ming-Hao Wu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Grounding and supporting metal mesh

Номер патента: US4642592A. Автор: Carlos L. Beeck. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1987-02-10.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US11895778B2. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US20230199969A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Thermal conducting structure applied to network control automation system

Номер патента: US09572245B1. Автор: Chia-Te Yu. Владелец: Adlink Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Substrate structure having electronic components and method of manufacturing substrate structure having electronic components

Номер патента: US09485878B2. Автор: Jae Soo Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Electronic device including conductive structure connecting electrically ground layer of flexible printed circuit board and ground layer of printed circuit board

Номер патента: US20200127404A1. Автор: JongPil Lee,Seunghan Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Electronic device including conductive structure connecting electrically ground layer of flexible printed circuit board and ground layer of printed circuit board

Номер патента: EP3827645A1. Автор: JongPil Lee,Seunghan Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Flat Substrate Having an Electrically Conductive Structure

Номер патента: US20080315941A1. Автор: Tobias Melz,Heinz Kaufmann,Ralf Sindelar. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2008-12-25.

Flexible electrical circuit having connection between electrically conductive structure elements

Номер патента: US20190223284A1. Автор: Andre Kalio,Michael Haeussler,Christian Mechtler. Владелец: Schreiner Group GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-07-18.

Printed circuit board including differential transmission lines thereon and having a conductive structure which provides immunity to common-mode noise

Номер патента: US09907160B2. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips

Номер патента: US09537199B2. Автор: Duixian Liu,Bing Dang,Jean-Olivier Plouchart,Alberto Valdes-Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Angle-adjustable and/or angled printed circuit board structure having at least two printed circuit board sections and method for producing the same

Номер патента: US09474149B2. Автор: Markus WÖLFEL. Владелец: JUMATECH GMBH. Дата публикации: 2016-10-18.

Interconnecting conduction structure for electrically connecting conductive traces of flexible circuit boards

Номер патента: US09398692B2. Автор: Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Etch barrier for microelectronic packaging conductive structures

Номер патента: US11948898B2. Автор: Xiaoying Guo,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Hongxia Feng,Benjamin T. Duong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Etch barrier for microelectronic packaging conductive structures

Номер патента: EP3739627A3. Автор: Xiaoying Guo,Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Hongxia Feng,Benjamin DUONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-09.

Etch barrier for microelectronic packaging conductive structures

Номер патента: EP3739627A2. Автор: Xiaoying Guo,Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Hongxia Feng,Benjamin DUONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-18.

Laser Light Projection Module having Transparent Conductive Film with Insulating Colloid in Connecting Junction

Номер патента: US20200285139A1. Автор: Kun Li,Shin-Wen Chen,Xiao-Mei Ma,Long-Fei Zhang. Владелец: Triple Win Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Transparent conductive substrate

Номер патента: US5411792A. Автор: Masaya Yukinobu,Munekazu Kawata,Yasuo Tsukui. Владелец: Tohoku Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1995-05-02.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Transparent conductive strucutre having metal mesh

Номер патента: US20150079372A1. Автор: Sui-Ho Tsai. Владелец: Intech Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Transparent conductive laminate and touch panel

Номер патента: US09696574B2. Автор: Mari Tanabe,Hideo Sugawara,Hidehiko Andou. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US09406415B2. Автор: Mari Tanabe,Hideo Sugawara,Hidehiko Andou. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US20140027405A1. Автор: Mari Tanabe,Hideo Sugawara,Hidehiko Andou. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Transparent conductive film and manufacturing method therefor

Номер патента: US09588606B2. Автор: Hideo Sugawara,Tomotake Nashiki,Yuka Yamazaki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Optically transparent conductive material

Номер патента: US20190302930A1. Автор: Kazuhiko Sunada,Takenobu Yoshiki. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Transparent conductive film having improved visibility and method for manufacturing same

Номер патента: US20150279501A1. Автор: Kyung-Taek Kim,Min-Hee Lee,In-sook Kim,Jung Cho,Keun Jung. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Transparent conductive film having bending resistance, and method for manufacturing same

Номер патента: US20150302951A1. Автор: Kyung Taek Kim,Jung Cho,Keun Jung,Sung Hyun Choi,In Sook KIM,Dong Eung KIM,Hui Jun SIM. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Optically transparent conductive material

Номер патента: US20170031482A1. Автор: Kazuhiko Sunada,Takenobu Yoshiki. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Transparent conductive piezoelectric film and touch panel

Номер патента: US20230422628A1. Автор: Makoto IMAJI. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Transparent conductive laminate and touch panel therewith

Номер патента: US20120012370A1. Автор: Hideo Sugawara,Tomotake Nashiki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Transparent conductive piezoelectric film and touch panel

Номер патента: EP4238756A1. Автор: Makoto IMAJI. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Optically transparent conductive material

Номер патента: US20180239461A1. Автор: Kazuhiko Sunada,Takenobu Yoshiki. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Transparent conductive film including hybrid undercoating layer, method for manufacturing same, and touch panel using same

Номер патента: US20150125690A1. Автор: Won-Kook Kim,Mu-Seon Ryu,Dong-Joo Kwon,Ji-Yeon Seo. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Transparent conductive film

Номер патента: US20160155531A1. Автор: Eri Ueda,Tsukasa Miyazaki,Hironobu Machinaga,Daiki Kato,Rie Kawakami,Kazuaki Sassa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Transparent conductive piezoelectric laminated film

Номер патента: US20240188445A1. Автор: Makoto IMAJI. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal mesh touch electrodes with visibility mitigations

Номер патента: EP4411523A2. Автор: Rui Liu,Abbas Jamshidi Roudbari,Warren S. A. RIEUTORT-LOUIS,Tiffany Tang MOY,Tsung-Ting Tsai,Aleksandr N. Polyakov,Chuang Qian,Yurii Morozov,Sabino Joseph PIETRANGELO II. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Metal Mesh Touch Screen Structure and Methods for Producing the Same

Номер патента: US20160218152A1. Автор: Juan Du,Yuh-Wey Lin. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Silver nano-metal mesh inclusive electrode, touch panel with silver nano-metal mesh inclusive electrode, and/or method of making the same

Номер патента: EP3562970A1. Автор: Patricia TUCKER,Jason Blush. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2019-11-06.

Metal mesh touch electrodes with visibility mitigations

Номер патента: US12019835B2. Автор: Rui Liu,Abbas Jamshidi-Roudbari,II Sabino Joseph PIETRANGELO,Warren S. A. RIEUTORT-LOUIS,Tiffany Tang MOY,Tsung-Ting Tsai,Aleksandr N. Polyakov,Chuang Qian,Yurii Morozov. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Metal mesh, thin film sensor and mask

Номер патента: US20240195054A1. Автор: Yali Wang,Hai Yu,Yafei Zhang,Dongdong Zhang,Feng Qu,Mengwen JIA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Conductive structure and method for manufacturing same

Номер патента: US09766652B2. Автор: Ki-Hwan Kim,Sujin Kim,Song Ho Jang,Jin Hyong Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Conductive structure, electrode comprising same, and display device

Номер патента: US20180252951A1. Автор: Ki-Hwan Kim,Chan Hyoung Park,Song Ho Jang,Ilha Lee,Jin Hyuk MIN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Conductive structure, manufacturing method therefor, and electrode comprising conductive structure

Номер патента: US11926558B2. Автор: Ki-Hwan Kim,Sun Young PARK,Ji Young Hwang,Seung Heon Lee,Dong Hyun Oh,Chan Hyoung Park,Song Ho Jang,Ilha Lee,Han Min Seo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Coatings and processing of transparent conductive films for stabilization of sparse metal conductive layers

Номер патента: US20240161943A1. Автор: Xiqiang Yang,Ajay Virkar. Владелец: C3 Nano Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Transparent conducting glass and method of manufacturing same

Номер патента: US20140166345A1. Автор: Sei-Ping Louh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Coatings and processing of transparent conductive films for stabilization of sparse metal conductive layers

Номер патента: US11842828B2. Автор: Xiqiang Yang,Ajay Virkar. Владелец: C3 Nano Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Manufacturing method of substrate structure having embedded interconnection layers

Номер патента: US09653323B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Patterned conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US09595754B2. Автор: Babak Radi,Shih-Hong Chen,Chien-Min HSU,Ming-Chi Chiu,Yong-Jyun LU. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2017-03-14.

Diamond substrates having metallized vias

Номер патента: US5382758A. Автор: Elihu C. Jerabek,Charles D. Iacovangelo,Ronald H. Wilson,Peter C. Schaefer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for producing ceramic circuit boards from ceramic substrates having metal-filled vias

Номер патента: US20150108003A1. Автор: Dietmar Jaehnig. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2015-04-23.

Optically transparent conductive material

Номер патента: US20170139504A1. Автор: Yasuhiro Tanaka,Kazuhiko Sunada. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Transparent conductive film and touch panel

Номер патента: US09513747B2. Автор: Kazuhiro Nakajima,Hideo Sugawara,Tomotake Nashiki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Dispersion liquid, transparent conductive film, input device, and organic electroluminescent lighting device

Номер патента: US20170069691A1. Автор: Ryosuke IWATA,Mikihisa Mizuno. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Transparent conductive film

Номер патента: US09798424B2. Автор: Yusuke Yamamoto,Kazuaki Sasa,Minoru Kanatani,Tomohiro Takeyasu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Transparent conductive film

Номер патента: US5045235A. Автор: Nobuhiko Ohara,Hirozumi Izawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1991-09-03.

Heat fixing belt with metal mesh electrodes, a fixing device using the belt and a method for making the belt

Номер патента: US8688022B2. Автор: Eiichi Yoshida,Tetsuo Sano,Susumu Sudo,Izumi MUKOYAMA. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2014-04-01.

Systems and methods for providing vibration transduction and radio-frequency communication in proximity to an electrically conductive structure

Номер патента: US20190305426A1. Автор: David Wurmfeld. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Systems and methods for providing vibration transduction and radio-frequency communication in proximity to an electrically conductive structure

Номер патента: US20190305427A1. Автор: David Wurmfeld. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Systems and methods for providing vibration transduction and radio-frequency communication in proximity to an electrically conductive structure

Номер патента: US11476581B2. Автор: David Wurmfeld. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-10-18.

Systems and methods for providing vibration transduction and radio-frequency communication in proximity to an electrically conductive structure

Номер патента: US10777893B2. Автор: David Wurmfeld. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2020-09-15.

Systems and methods for providing vibration transduction and radio-frequency communication in proximity to an electrically conductive structure

Номер патента: US10693232B2. Автор: David Wurmfeld. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2020-06-23.

Planar transparent conductive electrode and a method of production thereof

Номер патента: WO2023057350A1. Автор: Paul Meredith,Gregory BURWELL,Nicholas BURRIDGE,Ardalan ARMIN. Владелец: Swansea University. Дата публикации: 2023-04-13.

Transparent conducting film and method for forming transparent conducting pattern

Номер патента: US20240188220A1. Автор: Shigeru Yamaki,Yasunao MIYAMURA,Shuhei YONEDA,Kumiko TERAO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Transparent conductive film and touch panel

Номер патента: US09914810B2. Автор: Hiroyuki Takao,Minoru Kanatani,Hiroki Ozawa,Wataru Nagatake. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith

Номер патента: US09428625B2. Автор: Hideo Sugawara,Tomotake Nashiki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Transparent conductive film, heater, touch panel, solar battery, organic EL device, liquid crystal device, and electronic paper

Номер патента: US09786410B2. Автор: Keisuke Shimizu,Kyoko Izuha,Toshiyuki Kobayashi,Nozomi Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Optically consistent transparent conductive film and preparation method thereof

Номер патента: US12002602B2. Автор: YUAN Hu,Xin Li,Tengjiao Liu,Yanping Su. Владелец: Jiangsu Nanomeida Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Transparent conductive film and method for forming transparent conduction pattern

Номер патента: US20240203618A1. Автор: Shigeru Yamaki,Yasunao MIYAMURA,Shuhei YONEDA,Kumiko TERAO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Transparent conducting film laminate

Номер патента: US20240059832A1. Автор: Shigeru Yamaki,jun Kuwahara. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Transparent conductive film

Номер патента: US20170045645A1. Автор: Tomotake Nashiki,Nozomi Fujino,Daiki Kato. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Transparent conductive polymer electrode formed by inkjet printing, display device including the electrode, and method of manufacturing the electrode

Номер патента: US09986645B2. Автор: Joon-Hyung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Transparent conductive laminate and transparent touch panel comprising the same

Номер патента: CA2547466C. Автор: Hitoshi Mikoshiba,Haruhiko Ito,Isao Shiroishi. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Transparent conductive electrodes comprising surface functionalized metal nanowires, their structure design, and method of making such structures

Номер патента: US09524813B2. Автор: Hakfei Poon. Владелец: NUOVO FILM Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Transparent conductive film

Номер патента: US20130092425A1. Автор: Tomotake Nashiki,Kuniaki Ishibashi,Mizue Yamasaki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

Transparent conductive substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US9035198B2. Автор: Ki-Hwan Kim,Hyeon Choi,Ji Young Hwang,Seung Heon Lee,Sujin Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Transparent conductive film

Номер патента: US20220037052A1. Автор: Yu-Wei Hou,Yung-Cheng Chang,Chung-Chin Hsiao,Min-Yu Chen. Владелец: Cambrios Film Solutions Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Transparent conductive film

Номер патента: US11227703B1. Автор: Yu-Wei Hou,Yung-Cheng Chang,Chung-Chin Hsiao,Min-Yu Chen. Владелец: Cambrios Film Solutions Corp. Дата публикации: 2022-01-18.

Transparent conductive film roll and production method thereof, touch panel using the same, and non-contact surface resistance measuring device

Номер патента: US20090039878A1. Автор: Chikao Morishige,Takahiro Kubota,Hideo Murakami,Kenjiro Ueda,Yuji Kakita,Toshiyuki Oya,Hideki Jinbou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US20130056149A1. Автор: Tomotake Nashiki,Yuka Yamazaki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Substrate with transparent conductive layer and method for producing the same, and touch panel using the same

Номер патента: US20110025645A1. Автор: Hiroki Sekiguchi,Junji Mata,Jun Tsukamoto. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Methods for reducing diffuse reflection of nanostructure-based transparent conductive films and touch panels made of the same

Номер патента: EP2774156A1. Автор: Haixia Dai,Michael A. Spaid,Jeffrey Wolk. Владелец: Cambrios Technologies Corp. Дата публикации: 2014-09-10.

Silver nano-metal mesh inclusive electrode, touch panel with silver nano-metal mesh inclusive electrode, and/or method of making the same

Номер патента: US20180202037A1. Автор: Patricia TUCKER,Jason Blush. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-07-19.

System and method for producing a nano metal mesh using a brittle film template for lithography

Номер патента: US09915002B2. Автор: Ethan Pfeiffer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor chip including integrated circuit including at least five gate level conductive structures having particular spatial and electrical relationship and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425273B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit including at least four linear-shaped conductive structures having extending portions of different length

Номер патента: US8952425B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-02-10.

Mouse pad structure having wireless charging coil and manufacturing procedure thereof

Номер патента: US20200225774A1. Автор: Hung-Jen Chou. Владелец: Hades Gaming Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Mouse pad structure having wireless charging coil and manufacturing procedure thereof

Номер патента: US11061495B2. Автор: Hung-Jen Chou. Владелец: Hades Gaming Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor chip including region having integrated circuit transistor gate electrodes formed by various conductive structures of specified shape and position and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443947B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Double-sided patterned transparent conductive film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150289370A1. Автор: ZHENG Cui,Yulong Gao,Hongwei Kang. Владелец: Nanchang OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Double-sided patterned transparent conductive film and method for manufacturing the same

Номер патента: US09532449B2. Автор: ZHENG Cui,Yulong Gao,Hongwei Kang. Владелец: Nanchang OFilm Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Thermal conducting structure

Номер патента: US20190331433A1. Автор: Lei-lei LIU,Chien-Hung Sun,Te-Hsuan Chin. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Thin and uniform silver nanowires, method of synthesis and transparent conductive films formed from the nanowires

Номер патента: US11848117B2. Автор: Xiqiang Yang,Ying-Syi Li,Ajay Virkar,Yongxing Hu,Jing Shun Ang. Владелец: C3 Nano Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Thermal conducting structure

Номер патента: US20210148646A1. Автор: Lei-lei LIU,Chien-Hung Sun,Te-Hsuan Chin. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Solder-metal mesh composite material and method for producing same

Номер патента: EP4011539A1. Автор: Takatoshi Nishimura,Katsuhiko Yasu,Tetsuro Nishimura,Hikaru Uno,Tetsuya AKAIWA. Владелец: Nihon Superior Sha Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Metal mesh, and heat spreader

Номер патента: US20230262942A1. Автор: Wen-Shiang Chen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Thermally Conductive Structure and Manufacturing Method Thereof, Heat Sink, and Electronic Device Including Heat Sink

Номер патента: US20240318922A1. Автор: Wenwen YUAN,Mingbo Shi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Heat conduction structure and preparation method therefor, radiator and electronic device having same

Номер патента: EP4429423A1. Автор: Wenwen YUAN,Mingbo Shi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Heat conduction structure with liquid-gas split mechanism

Номер патента: US20230012170A1. Автор: Chun-Hung Lin,Han-Lin Chen. Владелец: Taiwan Microloops Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Water block with air-cooling module and multi-layer heat-conducting structure

Номер патента: US20240138110A1. Автор: Fuyin WANG,Yanzhun LIAN. Владелец: Huizhou Xunshuo Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Water block with air-cooling module and multi-layer heat-conducting structure

Номер патента: US20240237285A9. Автор: Fuyin WANG,Yanzhun LIAN. Владелец: Huizhou Xunshuo Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal conducting structure and wiring structure

Номер патента: US09905327B2. Автор: Jiun-Jang Yu,Yuan-Ling Tsai,Ying-Jung Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Anisotropic conductive structure, lens module and electronic device

Номер патента: US20240292545A1. Автор: Fei-Fan Yu. Владелец: Triple Win Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Composition and method for forming conductive pattern, and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09668342B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Structure having a characteristic of conducting or absorbing electromagnetic waves

Номер патента: US20080011511A1. Автор: Takuya Niino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Display device with conductive structure and perforated light-shielding layer in same layer

Номер патента: US11960180B2. Автор: Dong Li,Chunyang WANG,Hongwei TIAN,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Device for assembling components having metal bonding pads

Номер патента: US20090313816A1. Автор: Gilbert Cavazza. Владелец: S E T. Дата публикации: 2009-12-24.

Electronic device with three-dimensionally non-planar mold body having electric entity therein and with electrically conductive structure thereon

Номер патента: WO2024074378A1. Автор: Thomas Krivec,Gernot SCHULZ,Marco GAVAGNIN. Владелец: AT&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2024-04-11.

Composition for forming conductive pattern, method of forming conductive pattern using the same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: US20170096566A1. Автор: Ha Na Lee,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Electrical and thermal anisotropically conducting structure

Номер патента: WO1997044861A1. Автор: Robert S. Reylek. Владелец: Minnesota Mining And Manufacturing Company. Дата публикации: 1997-11-27.

Method for manufacturing embedded package structure having air resonant cavity

Номер патента: US20210399400A1. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Jindong FENG,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for manufacturing embedded package structure having air resonant cavity

Номер патента: US12040526B2. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Jindong FENG,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Carbon conductive structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10899620B2. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Two-phase immersion-cooling heat-dissipation structure having shortened evacuation route for vapor bubbles

Номер патента: US20240276676A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having fins for facilitating bubble generation

Номер патента: US12108574B2. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Massage roller and conductive structure thereof

Номер патента: US12090108B2. Автор: Liangsan Zhao. Владелец: Xiamen High Top Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Packaging substrate having a holder, method of fabricating the packaging substrate, package structure having a holder, and method of fabricating the package structure

Номер патента: US09916990B2. Автор: Wen-Lung Lai,Yuan-Liang Lo. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: US09872386B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Ha Na Lee,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Composition for forming conductive pattern and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09756725B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Collar positionable about a periphery of a contact pad and around a conductive structure secured to the contact pads, semiconductor device components including same, and methods for fabricating same

Номер патента: US20020105074A1. Автор: Salman Akram,Syed Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Metal conducting structure and wiring structure

Номер патента: US20170148540A1. Автор: Jiun-Jang Yu,Yuan-Ling Tsai,Ying-Jung Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of manufacturing conductive structures

Номер патента: EP2580948A2. Автор: Ian J. Forster,Peter Cockerell,Benjamin Kingston,Christian K. Oelsner,Robert Revels. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2013-04-17.

Thermal conducting structure applied to network control automation system

Номер патента: US20170257983A1. Автор: Chia-Te Yu. Владелец: Adlink Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for repairing conductive structure of circuit board

Номер патента: US20070281503A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Chao Shih. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having skived fins

Номер патента: US20240040747A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having fins with different thermal conductivities

Номер патента: US11761719B1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Two-phase immersion-cooling heat-dissipation structure having skived fins

Номер патента: US20240280332A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Two-phase immersion-cooling heat-dissipation structure having skived fins

Номер патента: US20240268078A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Heat dissipation structure having heat pipe

Номер патента: US20240102741A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Composition and method for forming conductive pattern, and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09967974B2. Автор: Shin Hee Jun,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Transparent conductive laminate and process of producing the same

Номер патента: US8597475B2. Автор: Kazunori Kawamura,Kazuaki Sasa,Tomohiko Maeda,Keiko Toyozawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Transparent conductive film, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: US09773996B2. Автор: Yeon Keun Lee,Jihee KIM,Jungdoo KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Transparent conductive film and a device with the same

Номер патента: US20120174972A1. Автор: Daisuke Fujishima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Transparent conductive system

Номер патента: EP1925002A1. Автор: Ian Newington,Peter Hewitson,Christopher Winscom. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-05-28.

Transparent conductive film

Номер патента: US12046392B2. Автор: David J. Arthur,Robert F. Praino, JR.,Sean P. ARTHUR. Владелец: Chasm Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Processes for forming transparent, conductive films from heavy hydrocarbons, and devices and systems into which such films are incorporated

Номер патента: US12063720B2. Автор: Owen Morris,Jeffrey Grossman,Brent Keller,Nicola Ferralis,Xining Zang,Mark Disko,Heather Elsen,Ximena Hasbach. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Transparent conductive film

Номер патента: EP3286768A1. Автор: David J. Arthur,Robert F. Praino, JR.,Sean P. ARTHUR. Владелец: Chasm Technologies inc. Дата публикации: 2018-02-28.

Transparent Conductive Film

Номер патента: US20220319734A1. Автор: David J. Arthur,Robert F. Praino, JR.,Sean P. ARTHUR. Владелец: Chasm Spv LLC. Дата публикации: 2022-10-06.

Conductive structure, manufacturing method for conductive structure, article including conductive structure, and manufacturing method for article including conductive structure

Номер патента: US20230337331A1. Автор: Kenta Nishijima,Takashi Morioka,Tatsuki Hasegawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Transparent window with a heatable coating and low-impedance conducting structures

Номер патента: US09815433B2. Автор: Guenther Schall. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2017-11-14.

Transparent window with a heatable coating and low-impedance conducting structures

Номер патента: US09573846B2. Автор: Guenther Schall. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for production of transparent conductive film

Номер патента: US09636877B2. Автор: Tomotake Nashiki,Motoki Haishi,Tomonori Noguchi,Yoshifumi Asahara. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Transparent conductive laminates and touch panels having transparent conductive laminates

Номер патента: US09983708B2. Автор: Yutaka Ito,Reiko IWATA. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Transparent conductive film and touch panel therewith

Номер патента: US09475235B2. Автор: Tomotake Nashiki,Motoki Haishi,Tomonori Noguchi,Yoshifumi Asahara. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Transparent conductive film, and touch panel and display device having the same

Номер патента: US09523880B2. Автор: Yutaka Ito,Seiji Takizawa. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Electronic device including finger biometric sensor including transparent conductive blocking areas carried by a touch display and related methods

Номер патента: US20160216813A1. Автор: Dale R. Setlak. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Electronic device including finger biometric sensor including transparent conductive blocking areas carried by a touch display and related methods

Номер патента: US09652066B2. Автор: Dale R. Setlak. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Projection-capacitive touch panel with silver-containing transparent conductive layer(s)

Номер патента: RU2665878C2. Автор: Алексей КРАСНОВ,БУР Виллем ДЕН. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2018-09-04.

Double-sided transparent conductive film and touch panel

Номер патента: US09874987B2. Автор: Hiroki Kuramoto,Naoki Tsuno,Katsunori Takada,Naoki Hashimoto,Hiroyuki Takao,Shinya Hiraoka,Toru Umemoto,Kazuhiro Ikai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Touch panel having two transparent conductive layers with different thicknesses and fabrication method thereof

Номер патента: US10108280B2. Автор: Masanori Yuki,Chin-Chang Liu,Ching-Fang Wong,Chun-Lung Chiang,Shih-Chung Lu,Ming-Hung Yang. Владелец: Henghao Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Touch screen with integrated transparent conductive material resistors forming low pass filters

Номер патента: GB2490765A. Автор: Steve Porter Hotelling,Brian Richards Land. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-11-14.

Capacitive touch panel with multi-layer transparent conductive film

Номер патента: US20190187836A1. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,Vijayen S. Veerasamy,Jason Blush,Eric W. AKKASHIAN. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Projected capacitive touch panel with silver-inclusive transparent conducting layer(s), and/or methods of making the same

Номер патента: US20190012021A1. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,Vijayen S. Veerasamy,Jason Blush,Eric W. AKKASHIAN. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2019-01-10.

Capacitance touch panel with silver-inclusive transparent conductive layer(s) and dielectric layer(s)

Номер патента: US09904431B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,Vijayen S. Veerasamy,Jason Blush,Eric W. AKKASHIAN. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Projected capacitive touch panel with silver-inclusive transparent conducting layer(s), and/or method of making the same

Номер патента: US20180181237A1. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,Vijayen S. Veerasamy,Jason Blush,Eric W. AKKASHIAN. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Projected capacitive touch panel with silver-inclusive transparent conducting layer(s), and/or method of making the same

Номер патента: US09733779B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,Vijayen S. Veerasamy,Jason Blush,Eric W. AKKASHIAN. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Projected capacitive touch panel with a silver-inclusive transparent conducting layer(s)

Номер патента: US09965127B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Capacitive touch panel with multi-layer electrode including a silver-inclusive transparent conducting layer(s)

Номер патента: US09740357B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Projected capacitive touch panel with a silver-inclusive transparent conducting layer(s)

Номер патента: US9354755B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Transparent conductive film and touch panel

Номер патента: US20170363899A1. Автор: Masaya Nakayama,Makoto Sutou. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Metal mesh touching sensing electrode assembly

Номер патента: US10642438B1. Автор: Qibing DAI,Yalong Ma,Yichao Deng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Electrode plate having a metal mesh pattern, and electrochromic plate, electrochromic mirror and display device using the same

Номер патента: US09857656B2. Автор: Young Dae Seo,Joo Hyun Hwang,Hyo Won Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Metal mesh structure, touch display device and mobile terminal

Номер патента: US11914830B2. Автор: WEI SU,Zonghe YE. Владелец: Micron Optoelectronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-27.

Metal mesh touch screen and method for manufacturing metal mesh touch screen

Номер патента: US20230214074A1. Автор: WEI SU,Guoliang Zhang,Shourong Hu. Владелец: Micron Optoelectronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Metal mesh touch screen and method for manufacturing metal mesh touch screen

Номер патента: US11966551B2. Автор: WEI SU,Guoliang Zhang,Shourong Hu. Владелец: Micron Optoelectronics Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-23.

Electronic device comprising metal mesh touch electrode

Номер патента: US11861121B2. Автор: Jihwan Kim,Hoondo HEO,Minuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Metal mesh touch sensor with low birefringence substrate and ultraviolet cut

Номер патента: US09465472B1. Автор: Jianjun Yang,Lakshman Rathnam,Angeles Marcia Almanza-Workman,Heang Heng,Thiagarajan Marimuthu,Krishan Yadav. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

一种Metal Mesh网格图案设计的触控显示屏

Номер патента: CN113835552. Автор: 高俊奎. Владелец: MUTTO OPTRONICS Corp. Дата публикации: 2021-12-24.

一种Metal Mesh网格图案设计的触控显示屏

Номер патента: CN113835552A. Автор: 高俊奎. Владелец: MUTTO OPTRONICS Corp. Дата публикации: 2021-12-24.

Metal mesh structure

Номер патента: US20230098788A1. Автор: Yu-Yuan Yeh,Shan-Chen Huang,Yu-Tung CHEN. Владелец: Henghao Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Metal mesh structure

Номер патента: US11604552B1. Автор: Yu-Yuan Yeh,Shan-Chen Huang,Yu-Tung CHEN. Владелец: Henghao Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

一种基于玻璃式附着金属网的Metal mesh SENSOR及其制备方法

Номер патента: CN116166141. Автор: 邹锋. Владелец: Shenzhen Lianqiang Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-26.

一种基于玻璃式附着金属网的Metal mesh SENSOR及其制备方法

Номер патента: CN116166141A. Автор: 邹锋. Владелец: Shenzhen Lianqiang Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-26.

Conductive structure, method of manufacturing the same, touch sensor including the conductive structure, method of manufacturing the touch sensor, and touch sensing method

Номер патента: US20190113996A1. Автор: Wanjun Park,Sungwoo Chun. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-04-18.

Electronic device having touch screen panel, vibration mechanisms, and peripheral support structures having different rigidities

Номер патента: US09459713B2. Автор: Yusuke Adachi,Ryo Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Photosensitive electrically conductive structure and touch sensor

Номер патента: US20220088909A1. Автор: Chung-Chin Hsiao,Chia-Yang Tsai,Siou-Cheng Lien,Shu-Ping Hsu. Владелец: Cambrios Film Solutions Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate

Номер патента: US09659975B2. Автор: Chunsheng Jiang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of polarizing transparent conductive oxides, electronic devices including polarized transparent conductive oxides, and methods of manufacturing the electronic devices

Номер патента: US20100110346A1. Автор: Jung-hyun Lee,Dong-joon Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Transparent conductive film and electric device

Номер патента: US09645454B2. Автор: Yoshihiro Akasaka,Katsuyuki Naito,Tomio Ono,Norihiro Yoshinaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Composition for forming transparent conductive film, and transparent conductive substrate

Номер патента: US20190077931A1. Автор: Takuo Mizutani,Kenichiro Yoshida,Fumie Mitsuhashi. Владелец: Maxell Holdings Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Graphene/metal nanowire hybrid transparent conductive films

Номер патента: US09477128B2. Автор: RODNEY S. Ruoff,Iskandar Kholmanov. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device including transparent conductive oxide layer

Номер патента: US20210104538A1. Автор: Changsoo LEE,Jongmyeong Lee,Iksoo Kim,Jiwoon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Transparent conductive layer composition, transparent conductive layer formed of the composition, and image display having the transparent conductive layer

Номер патента: US6846566B2. Автор: Kangil Seo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-25.

Transparent conductive layer composition, transparent conductive layer formed of the composition, and image display having the transparent conductive layer

Номер патента: US20030215651A1. Автор: Kangil Seo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Transparent conductive film and liquid crystal display (LCD) comprising the same

Номер патента: US09891484B2. Автор: Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Dongmin LEE,Changoh JEONG,Chanwoo YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Transparent conductive thin film

Номер патента: US20150155065A1. Автор: Hyeon Cheol PARK,Chan Kwak,Kwang Hee Kim,Yoon Chul SON,Sang Mock LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Constituent substrate for electronic equipment using wiring layer made of copper and transparent conductive layer made of composite oxide containing indium oxide and metal oxide as main components and electronic equipment using the same

Номер патента: US20020061410A1. Автор: Kenji Yamamoto,Makoto Sasaki. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Transparent conductive thin film

Номер патента: US09666324B2. Автор: Hyeon Cheol PARK,Chan Kwak,Kwang Hee Kim,Yoon Chul SON,Sang Mock LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Sintered body target for transparent conductive film fabrication, transparent conductive film fabricated by using the same, and transparent conductive base material comprising this conductive film formed thereon

Номер патента: CA2576359C. Автор: Yoshiyuki Abe,Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Coating solution for forming transparent conductive coating and process for preparing same

Номер патента: US5376308A. Автор: Akira Nakashima,Michio Komatsu,Toshiharu Hirai,Yukihiro Iwasaki,Yoneji Abe. Владелец: Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Method for improving conductivity and blue light filtering efficiency of transparent conducting oxide (tco)

Номер патента: US20240092650A1. Автор: Gang Liu,Nana Li,Wenge Yang,Xuqiang Liu. Владелец: Hpstar Beijing. Дата публикации: 2024-03-21.

High-sensitivity sensor having crack-containing transparent conductive thin film and method for preparing same

Номер патента: US11796403B2. Автор: Man Soo Choi,Taemin LEE,Gunhee LEE,Yong Whan CHOI. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-10-24.

Transparent conductive film, method for producing transparent conductive film, transparent conductive member, electronic display device, and solar battery

Номер патента: EP4317522A1. Автор: Keiichi Sato,Kenji Adachi,Hideharu Ogami,Satoshi Yoshio. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Transparent conductive film, method for producing transparent conductive film, transparent conductive member, electronic display device, and solar battery

Номер патента: US20240177883A1. Автор: Keiichi Sato,Kenji Adachi,Hideharu Ogami,Satoshi Yoshio. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Plasmonic metal nitride and transparent conductive oxide nanostructures for plasmon assisted catalysis

Номер патента: US20220350057A1. Автор: Alexandra BOLTASSEVA,Alexander V. Kildishev,Urcan GULER,Vladimir M. Shalaev,Alberto Naldoni. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-11-03.

Plasmonic metal nitride and transparent conductive oxide nanostructures for plasmon assisted catalysis

Номер патента: US11808955B2. Автор: Alexandra BOLTASSEVA,Alexander V. Kildishev,Urcan GULER,Vladimir M. Shalaev,Alberto Naldoni. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-07.

Manufacturing method for graphene film, porous silica powder and transparent conductive layer

Номер патента: US12049692B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Transparent conductive film and electronic device including the same

Номер патента: US09905333B2. Автор: Dae-Hyeong Kim,Jae Ik Lim,Hye Yong Chu,Won Sang Park,Jong Ho Hong,Donghee SON,Jun-Kyul SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Transparent conductive film and liquid crystal display (lcd) comprising the same

Номер патента: US20170097534A1. Автор: Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Dongmin LEE,Changoh JEONG,Chanwoo YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Display having a transparent conductive oxide layer comprising metal doped zinc oxide applied by sputtering

Номер патента: WO2016025446A3. Автор: JING Yang,Robert McGinnis,Tzu-Chieh Lin. Владелец: Sci Engineered Materials, Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

A hybrid transparent conducting electrode and method thereof

Номер патента: WO2021209831A1. Автор: Ashutosh Kumar Singh,Giridhar Udapi KULKARNI,Indrajit MONDAL. Владелец: Centre For Nano And Soft Matter Sciences. Дата публикации: 2021-10-21.

All Solution-Process and Product for Transparent Conducting Film

Номер патента: US20170261858A1. Автор: Michael J. Naughton,Chaobin Yang,Michael J. Burns,Kris Kempa. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2017-09-14.

Quantum-particle cell with patterned transparent conductive oxides

Номер патента: US20230246117A1. Автор: Steven Michael Hughes. Владелец: Coldquanta Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Flash annealing of transparent conductive oxide and semiconductor coatings

Номер патента: AU2018310989A1. Автор: Patrick Fisher,Sudarshan Narayanan,Ashtosh Ganjoo. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Flash annealing of transparent conductive oxide and semiconductor coatings

Номер патента: EP3662521A1. Автор: Patrick Fisher,Sudarshan Narayanan,Ashtosh Ganjoo. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2020-06-10.

Flash annealing of transparent conductive oxide and semiconductor coatings

Номер патента: US12032124B2. Автор: Patrick Fisher,Ashtosh P. Ganjoo,Sudarshan Narayanan. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices including capacitor structures having improved area efficiency

Номер патента: US20190280083A1. Автор: Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices including capacitor structures having improved area efficiency

Номер патента: US09722014B2. Автор: Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Composition and process for preparing transparent conducting film

Номер патента: US4420500A. Автор: Mitsuo Nakatani,Ryoichi Sudo,Mitsuo Yamazaki,Kenji Tochigi,Masaaki Okunaka,Hitoshi Yokono. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1983-12-13.

Transparent conductive film and electronic device including the same

Номер патента: US20170309368A1. Автор: Dae-Hyeong Kim,Jae Ik Lim,Hye Yong Chu,Won Sang Park,Jong Ho Hong,Donghee SON,Jun-Kyul SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Polyethylene terephthalate-based resin film, and polarizing plate, transparent conductive film, touch panel, and image display device using same

Номер патента: EP4235235A1. Автор: Kaoru Sawada,Takahisa Abe,Yuka Ikeda. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Polyethylene terephthalate-based resin film, and polarizer, transparent conductive film, touch panel, and image display device using same

Номер патента: US20230408734A1. Автор: Kaoru Sawada,Takahisa Abe,Yuka Ikeda. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing device for substrate with transparent conductive film

Номер патента: US20030056724A1. Автор: Shunji Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Plasmonic metal nitride and transparent conductive oxide nanostructures for plasmon assisted catalysis

Номер патента: US20180003865A1. Автор: Alexandra BOLTASSEVA,Urcan GULER,Vladimir M. Shalaev,Alexander Kildishev,Alberto Naldoni. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-04.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication, testing and repair of multichip semiconductor structures having connect assemblies with fuses

Номер патента: US5679609A. Автор: John Edward Cronin,Bernadette Ann Pierson,Dennis Arthur Schmidt,Bruno Roberto Aimi,Andre Conrad Forcier,James Marc Leas,Patricia McGuinnes Marmillion,Anthony Michael Palagonia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Memory device having tiers of 2-transistor memory cells and charge storage structure having multiple portions

Номер патента: WO2024118787A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device having tiers of 2-transistor memory cells and charge storage structure having multiple portions

Номер патента: US20240188274A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Microelectronic devices including stack structures having strengthened intermediate regions of associated insulative structures, and related systems and methods

Номер патента: US20230209819A1. Автор: Nancy M. LOMELI,Jiewei Chen,Naiming Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Display panel comprising a conductive structure layer having a bent portion attached to a first smooth surface of a protective strip and manufacturing method for the display panel

Номер патента: US11747684B2. Автор: Haiwei Sun,Zhongbao WU,Ruoyu MA,Chuandong LIAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Bottom conductive structure with a limited top contact area

Номер патента: US20210242278A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Theodorus E. Standaert,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110305963A1. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130071766A1. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110053044A1. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8518595B2. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Memory device including source structure having conductive islands of different widths

Номер патента: US20230395501A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Identifying defects in a conductive structure of a wafer, based on heat transfer therethrough

Номер патента: WO2003075322A2. Автор: Peter G. Borden,Jiping Li. Владелец: Boxer Cross, Inc.. Дата публикации: 2003-09-12.

Methods of forming electronic devices including recessed conductive structures and related systems

Номер патента: US20240099006A1. Автор: Sidhartha Gupta,S M Istiaque Hossain,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Electronic devices with recessed conductive structures

Номер патента: US11849581B2. Автор: Sidhartha Gupta,S M Istiaque Hossain,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Electronic devices including stacks including conductive structures isolated by slot structures, and related systems and methods

Номер патента: US20240055350A1. Автор: Lifang Xu,Mark S. Swenson,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20190198518A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20200075620A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Conductive structure, circuit, and display device

Номер патента: US20200098680A1. Автор: Wen-Yu KUO,Guan-Ru Huang,Ya-Tang CHUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Proton-conducting structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8298718B2. Автор: Tomoko Suzuki,Takashi Otsuka,Yuji Zenitani,Tomoyuki KOMORI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Mtj structure having vertical magnetic anisotropy

Номер патента: US20160359102A1. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-12-08.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190157550A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Magnetoresistive Structure having Two Dielectric Layers, and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20170148980A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Transparent conductive film and touch panel

Номер патента: US09910545B2. Автор: Kazuhiro Nakajima,Hideo Sugawara,Tomotake Nashiki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Optically transparent conductive material

Номер патента: US09971461B2. Автор: Takenobu Yoshiki. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Polarizer integrated with transparent conductive film, a touch panel integrated with the polarizer and a flat panel display integrated with the touch panel

Номер патента: US6765629B1. Автор: Young Soo Ahn,Yun Cheol Jeong,Jang Youl Rhee,Byoung Hyun Jeong. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for forming metal mesh pattern and touch panel

Номер патента: US9946426B2. Автор: Giing-Lii Chen. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

一种Metal Mesh网格节点的补偿设计方法

Номер патента: CN109213392. Автор: 张健,杨晓峰,刘红艳,王焕章,王科磊. Владелец: YANTAI ZH-TECH Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Transparent conductive coating for capacitive touch panel or the like

Номер патента: US09557871B2. Автор: Willem den Boer,Jian-gang Weng. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Transparent conductive coating for capacitive touch panel or the like

Номер патента: US20160299596A1. Автор: Willem den Boer,Jian-gang Weng. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Transparent conductive coating for capacitive touch panel or the like

Номер патента: EP3281096A1. Автор: Willem den Boer,Jian-gang Weng. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-02-14.

Low-Force Gap-Filling Conductive Structures

Номер патента: US20150355682A1. Автор: Derek W. Wright,Taylor H. Gilbert. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Determining the resistance of a conducting structure

Номер патента: US20170351803A1. Автор: Jingyu Xu,Dick Liu,Hau-Yung Chen,Xiaoxu Cheng. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Quantum system comprising metasurfaces comprising transparent conductive material

Номер патента: US20240249175A1. Автор: Matthew BOHN,Adam Jay Ollanik. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-07-25.

Quantum system comprising metasurfaces comprising transparent conductive material

Номер патента: WO2024054468A1. Автор: Matthew BOHN,Adam Jay Ollanik. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-14.

Transparent conductive structure, device comprising the same, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09583680B2. Автор: Ai-Sen Liu,Yung-Fu Chang,Chong-Long Ho,Meng-Chyi Wu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Manufacturing method of embedded metal mesh flexible transparent conductive film and application thereof

Номер патента: US20210407708A1. Автор: Quan Xu,Jiawei ZHAO,Mingyang LIU,Xiaoyang Zhu,Hongbo Lan. Владелец: Qingdao 5D Intelligent Additive Manufacturing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Manganese tin oxide based transparent conducting oxide and transparent conductive film and method for fabricating transparent conductive film using the same

Номер патента: US09704610B2. Автор: Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Won-Kook Choi,Haena Yim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming a transparent conductive member, and a free-standing transparent conductive film

Номер патента: US20230125845A1. Автор: Filip Granek,Lukasz Witczak,Maciej Chrzanowski,Artur Podhorodecki. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of forming a transparent conductive member, and a free-standing transparent conductive film

Номер патента: US12073962B2. Автор: Filip Granek,Lukasz Witczak,Maciej Chrzanowski,Artur Podhorodecki. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2024-08-27.

Photovoltaic module having transparent conducting electrode having variable thickness and methods of making said module

Номер патента: RU2519594C2. Автор: Эрик В. ДЖОНСОН,И КАБАРОКАС Пере РОКА. Владелец: Эколь Политекник. Дата публикации: 2014-06-20.

Transparent conductive oxide on a substrate

Номер патента: WO2021118347A1. Автор: Johan Evert Ten Elshof,Yury Smirnov,Monica MORALES MASIS,Augustinus Josephus Helena Maria Rijnders,Gertjan KOSTER. Владелец: UNIVERSITEIT TWENTE. Дата публикации: 2021-06-17.

Transparent conductive structure and formation thereof

Номер патента: US20170069797A1. Автор: CHANSEOB Shin,Jacob J. Richardson,Evan C. O'HARA. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Transparent conductive structure and formation thereof

Номер патента: WO2017037671A2. Автор: CHANSEOB Shin,Jacob J. Richardson,Evan C. O'HARA. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-09.

Transparent conducting graphene film based hybrid material production method

Номер патента: RU2662535C1. Автор: Владимир Маркович Самойлов,Егор Андреевич Данилов,Елена Игоревна Тимощук,Дарья Владимировна Пономарева,Анастасия Васильевна Николаева,Валентина Сергеевна Дмитриева. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит". Дата публикации: 2018-07-26.

Method for manufacturing a multilayer of a transparent conductive oxide

Номер патента: US20130298987A1. Автор: Paolo Losio,Perrine Carroy,Holger Christ,Onur Caglar,Peter Rechtsteiner. Владелец: TEL SOLAR AG. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of decreasing sheet resistance in an article coated with a transparent conductive oxide

Номер патента: AU2018311053B2. Автор: Sudarshan Narayanan,Ashtosh Ganjoo. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming a transparent conductive film with metal nanowires having high linearity

Номер патента: US09972742B2. Автор: Young-Jei OH,Byung-yong WANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing transparent conductive film, the transparent conductive film, element and transparent conductive substrate using the film, as well as device using the substrate

Номер патента: US09701849B2. Автор: Yoshihiro Otsuka,Masaya Yukinobu,Takahito Nagano. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Light-emitting device having multi-thickness transparent conductive layers

Номер патента: US09577222B2. Автор: Satoshi Seo,Shogo UESAKA,Ryohei Yamaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Laser etching method for transparent conductive plate and transparent conductive plate prepared thereby

Номер патента: US09496074B2. Автор: Yu-Yang Chang,Shiou-Ming Liu,Yao-Zong Chen,Chien-Rong Lu. Владелец: Nanobit Tech Co ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Transparent conductive layer structure of light emitting diode

Номер патента: US09478711B2. Автор: Hai-Wen Hsu,Ruei-Ming Yang. Владелец: Tekcore Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Transparent conductive multilayer body and method for producing the same

Номер патента: EP1209698A1. Автор: Kiminori Tamai,Tadayoshi Iijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-05-29.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Transparent conductive layer and transparent electrode comprising the same

Номер патента: US09966495B2. Автор: Hyeon-Woo Jang,Jung-Sik Bang,Jin-Hyong Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Core-shell nano particle for formation of transparent conductive film, and manufacturing method of transparent conductive film using the same

Номер патента: US09761344B2. Автор: Seokhee Yoon,Bugon SHIN,Seokhyun Yoon,Jinmi JUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Flexible transparent conductive film within LED flexible transparent display structure

Номер патента: US09490042B2. Автор: Tsung-Yen Tsai,Chia-Chien Chin,Yu-An Li,Shieh-Heng Lee. Владелец: Elite Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor image sensor structure having metal-filled trench contact

Номер патента: US20170092669A1. Автор: Sungkwon C. Hong,Gordon M. Grivna,David T. Price,Rick Jerome. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Transparent conductive piezoelectric film, device, and production method for transparent conductive piezoelectric film

Номер патента: EP4422380A1. Автор: Makoto IMAJI,Kei Yamaguchi. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Transparent conductive film and electro-optical device having the same

Номер патента: US09871217B1. Автор: Hao-Wu Lin,Yu-Cheng Shiau. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor image sensor structure having metal-filled trench contact

Номер патента: US09711556B2. Автор: Sungkwon C. Hong,Gordon M. Grivna,David T. Price,Rick Jerome. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Production method for transparent conductive film

Номер патента: US09624573B2. Автор: Yusuke Yamamoto,Kazuaki Sasa,Hironobu Machinaga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Transparent conductive film and production method therefor

Номер патента: US09570210B2. Автор: Yusuke Yamamoto,Kazuaki Sasa,Hironobu Machinaga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Transparent conductive film, sintered body, and their production methods

Номер патента: US20090315000A1. Автор: Akira Hasegawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Transparent conductive piezoelectric film, touch screen, and production method for transparent conductive piezoelectric film

Номер патента: EP4422381A1. Автор: Makoto IMAJI. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Hybrid transparent conducting materials

Номер патента: US09524806B2. Автор: Mark Lundstrom,Changwook Jeong,Muhammad Ashraful Alam. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-12-20.

Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: EP2232566A2. Автор: Yiwei Lu,Willem den Boer. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Flexible transparent conductive composite film and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051521B2. Автор: Ying-Hung Chen,Ping-Yen HSIEH,Chu-Liang Ho,Jia-Lin Syu. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Formation of a transparent conductive film by interfacial graphene assembly

Номер патента: US09685261B2. Автор: Steven Woltornist,Douglas H. Adamson,Andrey V. Dobrynin. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2017-06-20.

Transparent conductive film and production method therefor

Номер патента: US09562282B2. Автор: Yusuke Yamamoto,Kazuaki Sasa,Hironobu Machinaga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Solar cell module including transparent conductive film with uniform thickness

Номер патента: US09515201B2. Автор: Hong-Jae Lee. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Transparent conductive film, substrate provided with transparent conductive film, and method for producing substrate provided with transparent conductive film

Номер патента: US20210193950A1. Автор: Akihiko Sakamoto,Masaaki Imura. Владелец: Oled Material Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Nanostructured transparent conducting electrode

Номер патента: US7594982B1. Автор: Brian M. Sager,Martin R. Roscheisen. Владелец: Nanosolar Inc. Дата публикации: 2009-09-29.

Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices

Номер патента: US09917215B2. Автор: Devendra K. Sadana,Joel P. Desouza,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Augustin J. HONG,Shun-Ming Chen,Chien-Yeh Ku,Chuan-Wen Wang. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Coating liquid for forming transparent conductive coating

Номер патента: US6136228A. Автор: Michio Komatsu,Yuji Tawarazako,Toshiharu Hirai,Mitsuaki Kumazawa. Владелец: Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same

Номер патента: US20140026952A1. Автор: Seo Hyun Kim,Hyunhee Lee,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Transparent conducting film and preparation method thereof

Номер патента: US20150194531A1. Автор: Dong-Ryul Kim,Chanyeup CHUNG,Dongmyung Shin. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Thin film structure including metal seed layer and method of forming oxide thin film on transparent conductive substrate by using the metal seed layer

Номер патента: US09595361B2. Автор: Jae-ho Lee,Hyeon-jin SHIN,Seong-Jun Park,Seong-Jun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Transparent conducting film and preparation method thereof

Номер патента: US09577109B2. Автор: Dong-Ryul Kim,Chanyeup CHUNG,Dongmyung Shin. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Transparent conductive oxide on a substrate

Номер патента: NL2024408B1. Автор: Smirnov Yury,Josephus Helena Maria Rijnders Augustinus,Koster Gertjan,Evert Ten Elshof Johan,Morales Masis Monica. Владелец: Univ Twente. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for preparing a silicon dioxide substrate-based graphene transparent conductive film

Номер патента: US9564260B2. Автор: Yue Shi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of decreasing sheet resistance in an article coated with a transparent conductive oxide

Номер патента: CA3071971A1. Автор: Sudarshan Narayanan,Ashtosh Ganjoo. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2019-02-07.

Transparent conductive film and method for production thereof

Номер патента: US20090286071A1. Автор: Kazuaki Sasa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for producing transparent conductive film and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US8835196B2. Автор: Masaki Shima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Method for producing transparent conductive film and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US20140017849A1. Автор: Masaki Shima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Oxide sintered body and transparent conductive oxide film

Номер патента: US20190071768A1. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Yuya TSUCHIDA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Transparent Conductive Oxide Having an Embedded Film

Номер патента: US20240194369A1. Автор: Dennis J. O'Shaughnessy,Ashtosh P. Ganjoo,Sudarshan Narayanan. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

P-type transparent conducting nickel oxide alloys

Номер патента: US20170355615A1. Автор: Nima Alidoust,Emily Ann Carter. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-14.

A nucleation promotion layer formed on a substrate to enhance deposition of a transparent conductive layer

Номер патента: WO2011162865A3. Автор: Jianshe Tang,Klaus Schuegraf, Yashraj K. Bhatnagar,Brendan Mccomb. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-16.

Seeded solid-phase crystallization of transparent conducting vanadate perovskites

Номер патента: US12074235B2. Автор: Thomas Francis Kuech,Donald E. Savage,Paul Gregory Evans,Yajin Chen,Samuel Marks. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-27.

Transparent conducting films including graphene nanoribbons

Номер патента: EP3914554A1. Автор: Cattien V. Nguyen. Владелец: Ntherma Corp. Дата публикации: 2021-12-01.

Transparent conductive electrode for three dimensional photovoltaic device

Номер патента: US09935215B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Augustin J. HONG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Transparent conductive thin film

Номер патента: US09659681B2. Автор: Hee Jung PARK,Chan Kwak,Byungki RYU,Doh Won JUNG,Kyu Hyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Indium oxide transparent conductive film

Номер патента: US09589695B2. Автор: Hideo Takami,Masakatsu Ikisawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules

Номер патента: US8525019B2. Автор: Jonathan Mack Frey,Scott Daniel Feldman-Peabody. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-09-03.

Solar cell comprising an undulated transparent conductive layer

Номер патента: US4568791A. Автор: Hisao Kawai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1986-02-04.

Stable ir transparent conductive graphene hybrid materials and methods of making

Номер патента: WO2017192278A3. Автор: Alberto Pique,Evgeniya H. Lock,Nicholas A. Charipar. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-08-23.

Display panel including transparent conductive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US11856813B2. Автор: Xingyu Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Transparent conductive layer structure of light emitting diode

Номер патента: US20160087157A1. Автор: Hai-Wen Hsu,Ruei-Ming Yang. Владелец: Tekcore Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Transparent conductive film

Номер патента: US20240145119A1. Автор: Siou-Cheng Lien,Chi-Fan Hsiao,Chia-Yang Tsa. Владелец: Cambrios Film Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming transparent conductive oxide

Номер патента: WO2010144357A4. Автор: Steven Verhaverbeke,Roman Gouk,James S. Papanu,David Tanner,Hien-Minh Huu Le,Valery V. Komin,Philip A. Greene,Suresh M. Shraut. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Transparent conductive coating composition and transparent antistatic molded article

Номер патента: CA2138710C. Автор: Yoshio Nishimura,Kouji Maruyama,Minoru Suezaki,Takashi Ohsugi. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-28.

Photoelectric Converter, and Transparent Conductive Substrate for the same

Номер патента: US20080083452A1. Автор: Yusuke Suzuki,Masahiro Morooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Light-Emitting Diode With Transparent Conductive Electrodes For Improvement in Light Extraction Efficiency

Номер патента: US20180026162A1. Автор: Dae-Hyun Kim,Tae Yeon Seong,Byoungjun CHOI. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-25.

Coating liquid for forming colored transparent conductive film, substrate with colored transparent conductive film and method for its production, and display device

Номер патента: US20040135127A1. Автор: Satoshi Kashiwabara,Satoshi Mototani. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Stable ir transparent conductive graphene hybrid materials and methods of making

Номер патента: EP3453034A2. Автор: Alberto Pique,Evgeniya H. Lock,Nicholas A. Charipar. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-03-13.

Method for producing transparent conducting film

Номер патента: US20220344072A1. Автор: Shigeru Yamaki,Shuhei YONEDA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-27.

Transparent conductive laminate body and organic thin film device

Номер патента: EP2662865A1. Автор: Koichi Nagamoto,Tsuyoshi Muto,Kunihisa Kato. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Zinc oxide-containing transparent conductive electrode

Номер патента: US20140087506A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Reactive sputter deposition of a transparent conductive film

Номер патента: EP2099949A1. Автор: YAN Ye,Liwei Li,Tae Kyung Won,Shuran Sheng,Ankur Kadam,Yanping Li,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Display panel with anode electrode comprising first transparent conductive layer and metal layer, and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11864420B2. Автор: HUI Wang,Xiaodan ZHANG,Dongsheng Li,Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Flexible transparent conductive film, led flexible transparent display structure using the film, and method for forming the display structure

Номер патента: US20130292648A1. Автор: Tsung-Yen Tsai,Chia-Chien Chin,Yu-An Li,Shieh-Heng Lee. Владелец: Elite Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Transparent conductive layer, transparent conductive sheet, touch sensor, light control element, photoelectric conversion element, heat ray control member, antenna, electromagnetic wave shield member, and image display device

Номер патента: US11908596B2. Автор: Nozomi Fujino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Zinc oxide-containing transparent conductive electrode

Номер патента: US20140084251A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Transparent conductive films comprising a primer layer and a conductive polymer layer

Номер патента: WO2014062594A1. Автор: Eric J. Adsit,William D. DEVINE, III,Margaret P. EVANS. Владелец: Carestream Health, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Transparent conductive film of zinc oxide

Номер патента: US20020025440A1. Автор: Tetsuya Yamamoto,Ken Nakahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Composition of transparent conductive material and method for fabricating the same

Номер патента: WO2022112802A8. Автор: Matthew Rosseinsky,Jessica STONER,Jonathon ALARIA. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2022-08-04.

Method of manufacturing surface-treated transparent conductive polymer thin film, and transparent electrode manufactured using the same

Номер патента: US09653217B2. Автор: Mikyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Flexible transparent conductive film, LED flexible transparent display structure using the film, and method for forming the display structure

Номер патента: US9118018B2. Автор: Tsung-Yen Tsai,Chia-Chien Chin,Yu-An Li,Shieh-Heng Lee. Владелец: Elite Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Transparent conductive film, sintered body target for transparent conductive film fabrication, and transparent conductive base material and display device using the same

Номер патента: US20100038605A1. Автор: Yoshiyuki Abe,Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2010-02-18.

Transparent conductive oxide thin film and heterojunction solar cell

Номер патента: EP4174958A1. Автор: Hua Zhou,Dan Zhou,Qiong CHENG,Haichuan Zhang,Fanying Meng,Qiang Yuan,Jianhua SHI,Zhengxin Liu,Chuncai MENG. Владелец: Zhongwei New Energy Chengdu Co ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Transparent conductive oxide film and heterojunction solar cell

Номер патента: AU2021385099A1. Автор: Hua Zhou,Dan Zhou,Qiong CHENG,Haichuan Zhang,Fanying Meng,Qiang Yuan,Jianhua SHI,Zhengxin Liu,Chuncai MENG. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Transparent conductive oxide film and heterojunction solar cell

Номер патента: US20240162364A1. Автор: Hua Zhou,Dan Zhou,Qiong CHENG,Haichuan Zhang,Fanying Meng,Qiang Yuan,Jianhua SHI,Zhengxin Liu,Chuncai MENG. Владелец: Zhongwei New Energy (chengdu) Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Barium copper sulfur fluoride transparent conductive thin films and bulk material

Номер патента: US20140220357A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Ishwar D. Aggarwal,Woohong Kim,Vinh Q. Nguyen,Jesse A. Frantz. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-08-07.

Barium copper sulfur fluoride transparent conductive thin films and bulk material

Номер патента: US9761343B2. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Ishwar D. Aggarwal,Woohong Kim,Vinh Q. Nguyen,Jesse A. Frantz. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-09-12.

Composition of Transparent Conductive Material and Method for Fabricating the same

Номер патента: US20240038912A1. Автор: Matthew Rosseinsky,Jessica STONER,Jonathon ALARIA. Владелец: Appleyard Lees Ip Llp. Дата публикации: 2024-02-01.

Composition of transparent conductive material and method for fabricating the same

Номер патента: EP4252285A1. Автор: Matthew Rosseinsky,Jessica STONER,Jonathon ALARIA. Владелец: University of Liverpool. Дата публикации: 2023-10-04.

New transparent conductive oxide thin film and use thereof

Номер патента: US20240003051A1. Автор: Yang Song,Ruyi Zhang,Yanwei CAO,Shaoqin PENG,Jiachang BI. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Transparent conductive piezoelectric laminated film

Номер патента: EP4324641A1. Автор: Makoto IMAJI. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Transparent conductive oxide thin film and use thereof

Номер патента: US11982017B2. Автор: Yang Song,Ruyi Zhang,Yanwei CAO,Shaoqin PENG,Jiachang BI. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for producing a transparent conductive ZnO film by incorporating a boron or aluminum containing material

Номер патента: US5545443A. Автор: Kiyoshi Takahashi,Akira Yamada,Makoto Konagai,Masahiro Yoshino,Shinichiro Yoshida,Akira Omura. Владелец: Yoshida Kogyo KK. Дата публикации: 1996-08-13.

Method for producing silver nanowires, silver nanowires, dispersion, and transparent conductive film

Номер патента: US20190308248A1. Автор: Kei Sakamoto,Tomohisa Yamauchi. Владелец: Microwave Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for producing silver nanowires, silver nanowires, dispersion, and transparent conductive film

Номер патента: US20220088678A1. Автор: Kei Sakamoto,Tomohisa Yamauchi. Владелец: Microwave Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Transparent Conductive Film and Fabrication Method Thereof, Display Substrate and Display Device

Номер патента: US20160042829A1. Автор: Jinyu REN,Yongzhi SONG,Tengteng HU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of forming transparent, conductive film, method of compensating defective region of semiconductor layer, photovoltaic element, and method of producing photovoltaic element

Номер патента: US20020144726A1. Автор: Yasuyoshi Takai,Toshihiro Yamashita,Hiroshi Izawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Formation of A Transparent Conductive Film By Interfacial Graphene Assembly

Номер патента: US20140305571A1. Автор: Steven Woltornist,Douglas H. Adamson,Andrey V. Dobrynin. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2014-10-16.

A surface treatment process performed on a transparent conductive oxide layer for solar cell applications

Номер патента: WO2012057906A4. Автор: ZHENG Yuan,LIN Zhang,Shuran Sheng,Yong Kee Chae. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for producing transparent conducting film

Номер патента: US20220203738A1. Автор: Shigeru Yamaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-06-30.

Oxide sintered body, manufacturing method therefor, manufacturing method for transparent conductive film using the same, and resultant transparent conductive film

Номер патента: EP1835511A3. Автор: Yoshiyuki c/o Ichikawa Res. Laboratories Abe,Tokuyuki c/o Ichikawa Res. Laboratories Nakayama,Go c/o Electronics Division Ohara,Riichiro c/o Electronics Division Wake. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of forming transparent, conductive film, method of compensating defective region of semiconductor layer, photovoltaic element, and method of producing photovoltaic element

Номер патента: EP1229595A3. Автор: Yasuyoshi Takai,Toshihiro Yamashita,Hiroshi Izawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-06-27.

Processes for making transparent conductive coatings

Номер патента: WO2009149249A1. Автор: Arkady Garbar,Fernando De La Vega,Dov Zamir,Ira Perelshtein. Владелец: CIMA NANOTECH ISRAEL LTD.. Дата публикации: 2009-12-10.

Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same

Номер патента: EP2156477A1. Автор: Alexey Krasnov,Scott V. Thomsen. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-24.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: EP3730669A1. Автор: Dongmyung Shin,Jongmin MOON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Complex oxide sintered body, sputtering target, transparent conductive oxide film, and method for producing same

Номер патента: US20140332735A1. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano,Hitoshi Ilgusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Transparent conductive film

Номер патента: US12120896B2. Автор: Jean-Charles Flores,Jin Won Jung,Myung Mo SUNG,Michael Reinke,Boram CHO. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2024-10-15.

Transparent conducting oxide as top-electrode in perovskite solar cell by non-sputtering process

Номер патента: US09911935B2. Автор: Oki Gunawan,Talia S. Gershon,Teodor K. Todorov,Supratik Guha,Bruce A. Ek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Oxide sintered body, production method therefor, target, and transparent conductive film

Номер патента: US09721770B2. Автор: Yoshiyuki Abe,Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Transparent conductive oxide coatings for organic light emitting diodes and solar devices

Номер патента: US09444068B2. Автор: Abhinav Bhandari,James W. Mccamy. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Transparent conductive oxide

Номер патента: RU2701467C1. Автор: Павел Сергеевич Ширшнев,Алексей Евгеньевич Романов,Елена Валерьевна Ширшнева-Ващенко,Лилия Александровна Сокура,Женевьева Геннадьевна Снежная,Владислав Евгеньевич Бугров. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2019-09-26.

Transparent conductive film comprising water soluble binders

Номер патента: US8962131B2. Автор: Choufeng Zou,Karissa Eckert. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Transparent conductive film comprising cellulose esters

Номер патента: EP2454088A1. Автор: Chaofeng Zou. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2012-05-23.

Transparent conductive pigments

Номер патента: US20050253117A1. Автор: Reinhold Rueger,Frank Ott,Otto Stahlecker,Gerhard Pfaff. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2005-11-17.

Barium copper sulfur fluoride transparent conductive thin films and bulk material

Номер патента: US20100072465A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Ishwar D. Aggarwal,Woohong Kim,Vinh Q. Nguyen,Jesse A. Frantz. Владелец: US Government. Дата публикации: 2010-03-25.

Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices

Номер патента: US20200152809A1. Автор: Devendra K. Sadana,Joel P. Desouza,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Augustin J. HONG,Shun-Ming Chen,Chien-Yeh Ku,Chuan-Wen Wang. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices

Номер патента: US20180175225A1. Автор: Devendra K. Sadana,Joel P. Desouza,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Augustin J. HONG,Shun-Ming Chen,Chien-Yeh Ku,Chuan-Wen Wang. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices

Номер патента: US20140127853A1. Автор: Devendra K. Sadana,Joel P. Desouza,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Augustin J. HONG,Shun-Ming Chen,Chien-Yeh Ku,Chuan-Wen Wang. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Transparent conductive thin film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120280188A1. Автор: Tongjun Liu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Curable Carbon Nanotube Ink and Transparent Conductive Films Created Using the Ink

Номер патента: US20230265307A1. Автор: David J. Arthur,Ziyi Hu,John H. Ferguson,Robert F. Praino. Владелец: Chasm Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor light emitting device including zinc oxide-based transparent conductive thin film, and fabrication method thereof

Номер патента: US20130099255A1. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-25.

Light-emitting diode with side-wall bump structure and mounting structure having the same

Номер патента: US9054277B2. Автор: Cheng-Hung Chen,Chia-En Lee,Li-Chuan Lin. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Light-emitting diode with side-wall bump structure and mounting structure having the same

Номер патента: US20140312379A1. Автор: Cheng-Hung Chen,Chia-En Lee,Li-Chuan Lin. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Trench isolation with conductive structures

Номер патента: US12033900B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Package having metal skeleton frame using embedded ground plane

Номер патента: US20230369168A1. Автор: Wen Hung HUANG,Kuan-Hsiang Mao,Chin Teck Siong. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Transparent conductive films, methods, and articles

Номер патента: US9175183B2. Автор: Richard R. Ollmann,Gary E. LaBelle. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Transparent conductive oxide having an embedded film

Номер патента: US10650935B2. Автор: Dennis J. O'Shaughnessy,Ashtosh P. Ganjoo,Sudarshan Narayanan. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2020-05-12.

Transparent conductive coatings for use in highly flexible organic photovoltaic films on thin flexible substrates with pressure-sensitive adhesives

Номер патента: CA2953783C. Автор: John Anthony CONKLIN,Scott Ryan HAMMOND. Владелец: Solarwindow Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Use of dielectric film to reduce resistivity of transparent conductive oxide in nanowire LEDs

Номер патента: US9972750B2. Автор: Scott Brad Herner,Daniel Bryce THOMPSON. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2018-05-15.

Transparent conductive film and electronic device including same

Номер патента: US20100304131A1. Автор: Makoto Okai,Motoyuki Hirooka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

A nucleation promotion layer formed on a substrate to enhance deposition of a transparent conductive layer

Номер патента: WO2011162865A2. Автор: Jianshe Tang,Klaus Schuegraf, Yashraj K. Bhatnagar,Brendan Mccomb. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-12-29.

High carrier concentration p-type transparent conducting oxide films

Номер патента: WO2002017359B1. Автор: Yanfa Yan,Shengbai Zhang. Владелец: Shengbai Zhang. Дата публикации: 2003-03-20.

Metal-doped gallium oxide transparent conductive thin film for ultraviolet waveband and preparation method therefor

Номер патента: US20210305460A1. Автор: Hong Wang,Xiaolong Hu,Quanbin ZHOU,Rulian WEN. Владелец: Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology of South China University of Technology. Дата публикации: 2021-09-30.

Transparent conductive oxide having an embedded film

Номер патента: US11881326B2. Автор: Dennis J. O'Shaughnessy,Ashtosh P. Ganjoo,Sudarshan Narayanan. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Transparent conductive oxide thin film and application thereof

Номер патента: US20230377767A1. Автор: Hong Tao,Miao Xu,Min Li,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Jianhua ZOU,Zikai Chen,Jiawei PANG. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-11-23.

Process for producing transparent conductive layer forming coating liquid

Номер патента: US20030085386A1. Автор: Kenji Kato. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2003-05-08.

Transparent conductive zinc oxide film, process for production thereof, and use thereof

Номер патента: US9024176B2. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Hitoshi Iigusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Doped transparent conductive oxide

Номер патента: EP2470694A1. Автор: Zhibo Zhao,Boil Pashmakov,Dale Roberts,Scott Mills,Douglas Dauson. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

High carrier concentration p-type transparent conducting oxide films

Номер патента: WO2002017359A3. Автор: Yanfa Yan,Shengbai Zhang. Владелец: Shengbai Zhang. Дата публикации: 2002-07-04.

Seeded solid-phase crystallization of transparent conducting vanadate perovskites

Номер патента: US20210069999A1. Автор: Thomas Francis Kuech,Donald E. Savage,Paul Gregory Evans,Yajin Chen,Samuel Marks. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-03-11.

Composite oxide sintered body and oxide transparent conductive film

Номер патента: US20150187548A1. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano,Hitoshi Iigusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Composite oxide sintered body and oxide transparent conductive film

Номер патента: MY166176A. Автор: Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Kimiaki Tamano,Hitoshi Iigusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Metallic reinforced transparent conductive oxides

Номер патента: WO2023164718A3. Автор: Moungi G. Bawendi,Matthias GROTEVENT. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-30.

Metallic reinforced transparent conductive oxides

Номер патента: WO2023164718A2. Автор: Moungi G. Bawendi,Matthias GROTEVENT. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor contact structure having stress buffer layer formed between under bump metal layer and copper pillar

Номер патента: US20210104478A1. Автор: Yu-Jie Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor

Номер патента: CA2340751C. Автор: Richard W. Brotzman, Jr.,Harry W. Sarkas,John H. Aikens,Sara Helvoigt. Владелец: Nanophase Technologies Corp. Дата публикации: 2007-01-09.

Transparent electrode comprising transparent conductive oxide and Ag nanowire and the fabrication method thereof

Номер патента: KR20150075173A. Автор: 송부섭,박찬혁,유의현. Владелец: 삼성정밀화학 주식회사. Дата публикации: 2015-07-03.

Paste for forming transparent conductive coating film

Номер патента: US4450100A. Автор: Mitsuru Kano,Yoshimi Kamijyo. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-22.

Transparent conductive barrier films

Номер патента: EP4196622A1. Автор: Igor Tokarev,Monika Karin Wiedmann BOGGS,Cory James FLYNN,Kara Dawn GARRETT. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2023-06-21.

Barium copper sulfur fluoride transparent conductive thin films and bulk material

Номер патента: US20120168742A1. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Ishwar D. Aggarwal,Woohong Kim,Vinh Q. Nguyen,Jesse A. Frantz. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2012-07-05.

Transparent conductive barrier films

Номер патента: US20230303773A1. Автор: Igor Tokarev,Monika Karin Wiedmann BOGGS,Cory James FLYNN,Kara Dawn GARRETT. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US09824992B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Power overlay structure having wirebonds and method of manufacturing same

Номер патента: US09613843B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-04.

Package structure having line connected via portions

Номер патента: US20240213167A1. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated assemblies having metal-containing liners along bottoms of trenches, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12063782B2. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jordan D. GREENLEE,Justin D. Shepherdson. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Transparent conducting large-area coatings, including doped carbon nanotubes and nano-wire composite materials, and methods for obtaining thereof

Номер патента: RU2578664C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-03-27.

Process for producing graphene-based transparent conductive electrode and product using same

Номер патента: KR102430267B1. Автор: 샴 쿠마르 차우드하리,수미테쉬 다스,기리드하르 우다피 라오 쿨카르니,라자쉬크하르 닝가파 푸자르. Владелец: 센터 포 나노 앤 소프트 메터 사이언시즈. Дата публикации: 2022-08-08.

Transparent conductive oxide coatings for organic light emitting diodes and solar devices

Номер патента: MY168736A. Автор: Abhinav Bhandari,James W Camy. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Tablet for ion plating, production method therefor and transparent conductive film

Номер патента: US9005487B2. Автор: Yoshiyuki Abe,Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2015-04-14.

Methods to fabricate vertically oriented anatase nanowire arrays on transparent conductive substrates and applications thereof

Номер патента: US8835285B2. Автор: Craig A. Grimes,Xinjian Feng,Kevin E. Kreisler. Владелец: FLUX PHOTON Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Transparent conductive oxide coating for thin film photovoltaic applications and methods of making the same

Номер патента: MY162545A. Автор: Kunio Masumo,Sveinn Otto Agustsson,Christopher R Cording. Владелец: Agc Flat Glass Europe S A. Дата публикации: 2017-06-15.

A method for producing a transparent conductive oxide thin film and an oxide thin film

Номер патента: KR20200142325A. Автор: 최운섭. Владелец: 호서대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-12-22.

Method of interconnecting nanowires, nanowire network and transparent conductive electrode

Номер патента: EP3250506A1. Автор: Alfred A. Zinn,Yeng Ming Lam,Chee Lip Gan,Byung Hoon Lee. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2017-12-06.

Transparent Conducting Oxide As Top-Electrode In Perovskite Solar Cell By Non-Sputtering Process

Номер патента: US20170069861A1. Автор: Oki Gunawan,Talia S. Gershon,Teodor K. Todorov,Supratik Guha,Bruce A. Ek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for manufacturing transparent conductive film

Номер патента: US20210040598A1. Автор: Dongmyung Shin,Jongmin MOON. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of manufacturing transparent conductive thin film

Номер патента: US9051640B2. Автор: Tongjun Liu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Low-Temperature Fabrication of Transparent Conductive Contacts for p-GaN and n-GaN

Номер патента: US20150318446A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Minh Huu Le,Heng Kai Hsu,Teresa B. Sapirman,Jianhua Hu. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Single-Frequency Distributed Feedback Laser Diode with Complex-Coupling Coefficient and Transparent Conductive Cladding Layer

Номер патента: US20130022073A1. Автор: Martin Achtenhagen,Nuditha Vibhavie Amarasinghe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Transparent conductive materials including cadmium stannate

Номер патента: EP2286456A2. Автор: Benyamin Buller,John German,Boil Pashmakov,Dale Roberts,Keith J. Burrows. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of interconnecting nanowires, nanowire network and transparent conductive electrode

Номер патента: WO2016122411A9. Автор: Alfred A. Zinn,Yeng Ming Lam,Chee Lip Gan,Byung Hoon Lee. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-13.

Indium oxide sintered body and indium oxide transparent conductive film

Номер патента: EP2495224A4. Автор: Hideo Takami,Masakatsu Ikisawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Manufacturing device and manufacturing method for a transparent conductive film

Номер патента: FI20236089A1. Автор: Masahiro Soda,Yoshihiro Kozawa,Yuki Morohashi,Kenta Saikai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-10-02.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated Assemblies Having Dielectric Regions Along Conductive Structures, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190378843A1. Автор: Silvia Borsari,Mohd Kamran Akhtar,Alex J. Schrinsky,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated assemblies having voids along regions of gates, and methods of forming conductive structures

Номер патента: US11456299B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Integrated assemblies having dielectric regions along conductive structures, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US10700073B2. Автор: Silvia Borsari,Mohd Kamran Akhtar,Alex J. Schrinsky,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210202489A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210265356A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structure having vertical conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20240203789A1. Автор: Ming-Han Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Package and package-on-package structure having elliptical columns and ellipsoid joint terminals

Номер патента: US12051634B2. Автор: Chung-Yi Lin,Chen-Shien Chen,Chun-Jen Chen,Yi-Jen LAI,Kuo-Chio Liu,Hsi-Kuei Cheng,Kuo-Hui Chang,Sheng-Huan Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure having raised via contacts and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367368A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US09536823B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09496169B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices including conductive structure and shielding layer and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240266299A1. Автор: Takahiro YADA,Tsukasa TAKAIWA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Interconnect and memory structures having reduced topography variation formed in the beol

Номер патента: US20210242216A1. Автор: Chih-Chao Yang,Cornelius Brown Peethala,Baozhen Li,Raghuveer Reddy PATLOLLA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US12094815B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240363528A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Solar cell interconnection method using a flat metallic mesh

Номер патента: US09640710B2. Автор: Dennis R. Hollars,Liguang Gong,David B. Pearce,Bruce D. Hachtmann,Thomas M. Valeri. Владелец: NuvoSun Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Automated flexible solar cell fabrication and interconnection utilizing rolls expanded metallic mesh

Номер патента: US09530926B2. Автор: Bruce D. Hachtmann,Thomas M. Valeri,Christine TSAI,Herb DELAROSA. Владелец: NuvoSun Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Improvements in or relating to a method of securing thin metal meshes to supporting means

Номер патента: GB849479A. Автор: Patrick Harold Brown. Владелец: Electrical and Musical Industries Ltd. Дата публикации: 1960-09-28.

Thin film transistor array substrate having metal layer bridging structure and display panel including the same

Номер патента: US11908870B2. Автор: Xing Ming,Zhongtao Cao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Trench isolation with conductive structures

Номер патента: US20230005796A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure having verticle conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20230378067A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Tsu-Chun KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Color image sensor with metal mesh to detect infrared light

Номер патента: US09674493B2. Автор: Jin Li,YIN Qian,Gang Chen,Dyson H. Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit interconnect structure having metal oxide adhesive layer

Номер патента: US20190164821A1. Автор: Shruti Rajeev Jaywant. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Manufacturing method of metal mesh, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047863A1. Автор: Feng Wang,Jian Zhou,Feng Qu,YuJu CHEN. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Package and package-on-package structure having elliptical columns and ellipsoid joint terminals

Номер патента: US11756849B2. Автор: Chung-Yi Lin,Chen-Shien Chen,Chun-Jen Chen,Yi-Jen LAI,Kuo-Chio Liu,Hsi-Kuei Cheng,Kuo-Hui Chang,Sheng-Huan Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Via structure having low interface resistance

Номер патента: US20240178132A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Metallized mesh fabric panel construction for RF reflector

Номер патента: US5421376A. Автор: Agit K. Sinha. Владелец: Lockheed Missiles and Space Co Inc. Дата публикации: 1995-06-06.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20170062371A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Automated flexible solar cell fabrication and interconnection utilizing rolls expanded metallic mesh

Номер патента: EP2789020A1. Автор: Bruce D. Hachtmann,Thomas M. Valeri,Christine TSAI,Herb DELAROSA. Владелец: NuvoSun Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Lined conductive structures for trench contact

Номер патента: US20240186395A1. Автор: Peter P. SUN,Krishna GANESAN,Ala ALAZIZI,Ankit Kirit LAKHANI,Diana Ivonne PAREDES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Tube structure having metal on inner surface thereof

Номер патента: US20190173095A1. Автор: JungHun Choi,Byoungkuk SON,Minchul Jang,Eunkyung Park,Jang Wook Choi,Byung Gon Kim,Donghyeon KANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20180211922A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for the Fabrication of a Reduced Reflectance Metal Mesh

Номер патента: US20180215660A1. Автор: Zhihong Liu. Владелец: 2m Technology LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor image sensor comprising a metal mesh filter

Номер патента: WO2005057657A2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-06-23.

Large grain size conductive structure for narrow interconnect openings

Номер патента: US7956463B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Stephen M. Rossnagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-07.

Improvements in or relating to metal meshes suitable for use in television transmitting tubes

Номер патента: GB590394A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1947-07-16.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: US20240222360A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Conductive structure having an entrenched high resistive layer

Номер патента: US09887158B1. Автор: Li-Chieh Hsu,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wei-Chuan Tsai,Min-Chuan Tsai,Yi-Han Liao,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Packaging structure having organic interposer layer and method for manufacturing same

Номер патента: US20240063029A1. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor light emitting device having metal reflective layer

Номер патента: US20080169481A1. Автор: Seiichiro Kobayashi,Kazuyuki Yoshimizu. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490334B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor structure having heat dissipation structure

Номер патента: US20240014048A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Package and package-on-package structure having elliptical columns and ellipsoid joint terminals

Номер патента: US20230369152A1. Автор: Chung-Yi Lin,Chen-Shien Chen,Chun-Jen Chen,Yi-Jen LAI,Kuo-Chio Liu,Hsi-Kuei Cheng,Kuo-Hui Chang,Sheng-Huan Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20220085213A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structure having vertical conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US11948837B2. Автор: Ming-Han Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Structure of a field effect transistor having metallic silicide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158757A1. Автор: Takashi Ichimori,Norio Hirashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Substrate surface metallization method and substrate having metallized surface manufactured by the same

Номер патента: US09514965B2. Автор: Kuei-Wu Huang,Chih-Ming Chen,Chung-Han Wu,Nai-Tien Ou,Tzu-Chien Wei,Tseng-Chieh Pan,Kuei-Po Chen,Kuei-Chang Lai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-12-06.

Power and signal distribution system using multilayer conductive structure

Номер патента: GB1393424A. Автор: . Владелец: DOLE ELECTRO SYSTEMS. Дата публикации: 1975-05-07.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US9911692B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20180204801A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor devices including conductive structure and shielding layer and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11967565B2. Автор: Takahiro YADA,Tsukasa TAKAIWA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure having heat dissipation structure

Номер патента: US20240014089A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for forming an upper conductive structure having multilayer stack to decrease fabrication costs and increase performance

Номер патента: US11973050B2. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Yen-Liang Lin,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Upper conductive structure having multilayer stack to decrease fabrication costs and increase performance

Номер патента: US20240021561A1. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Yen-Liang Lin,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Microelectronic devices including stack structures having doped interfacial regions, and related systems and methods

Номер патента: US20230387229A1. Автор: Farrell M. Good,Yifen Liu,Jordan D. GREENLEE,Justin D. Shepherdson,Everett A. McTeer,John M. Meldrim,Naiming Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Via connection structure having multiple via to via connections

Номер патента: US20230386969A1. Автор: Chih-Wei Chang,Ting-Yu Yeh,Chun-Hsien Wen,Shu-Cheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Slotted electrically conductive structure for improving indoor penetration of wireless communication signal

Номер патента: WO2021027269A1. Автор: Kung Bo Ng,Chun Kai Leung,Hang Wong,Chi Sun Yu. Владелец: Antwave Intellectual Property Limited. Дата публикации: 2021-02-18.

Encapsulation film having moisture adsorbent and metal mesh layer

Номер патента: US12089436B2. Автор: Dong Hwan Ryu,Moon Cheol Shin,Jae Seol Ryu,Yeong Bong MOK,Se Hyun Jang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US20240334703A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US09941209B2. Автор: Graham R. Wolstenholme,Aaron Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor package structure having substrate with embedded electronic component and conductive pillars

Номер патента: US11881448B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen,Kay Stefan ESSIG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: US20230061693A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: EP4393012A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Three-dimensional (3D) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: US12057394B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with two-dimensional conductive structures

Номер патента: US12068253B2. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Electronic device including a trench and a conductive structure therein

Номер патента: US09620639B2. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structure including at least one electrically conductive pillar, semiconductor structure including a contact contacting an outer layer of an electrically conductive structure and method for the formation thereof

Номер патента: US09466685B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Thorsten Kammler. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Trench walls, conductive structures having different widths and methods of making same

Номер патента: US11121085B2. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki,Mitsuki Koda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Electronic device including a conductive structure surrounded by an insulating structure and a process for forming the same

Номер патента: US20170084705A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Conductive structure for high gain antenna and antenna

Номер патента: WO2010035934A2. Автор: Dongho Kim,Wangjoo Lee,Jae-Ick Choi,Jeongho JU. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-04-01.

Electronic package, manufacturing method thereof and conductive structure

Номер патента: US20210320076A1. Автор: Yuan-Hung Hsu,Chang-Fu Lin,Yu-Lung Huang,Chee-Key Chung. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Hybrid conductive structures

Номер патента: US12068252B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Shu-Lan CHANG,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electronic device comprising conductive structures and an insulating layer between the conductive structures and within a trench

Номер патента: US20140103424A1. Автор: Gary H. Loechelt,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-04-17.

Hybrid Conductive Structures

Номер патента: US20240355742A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Shu-Lan CHANG,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electronic device including a conductive structure surrounded by an insulating structure

Номер патента: US09991338B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Conductive structure and method of manufacturing the same, array substrate

Номер патента: US09716113B2. Автор: Zhiyuan Lin,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having metal gate and method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09490341B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of strip-shaped conductive structures and non-volatile memory cell

Номер патента: US09390931B1. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device with isolation between conductive structures

Номер патента: US11742398B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Two 2D capping layers on interconnect conductive structure to increase interconnect structure reliability

Номер патента: US12051645B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Electrically conductive structure and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US10204931B2. Автор: Na Zhao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Conductive structure and capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347444A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Pin-Jhu Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Conductive structure and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09837502B2. Автор: Yueping Zuo,Xiaowei Xu,Wenqing Xu,Kaihong MA,Hongwei TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09748175B1. Автор: Joung-Wei Liou,Yi-Jung Liu,Huan-Wei Wu,Chester Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming ruthenium conductive structures in a metallization layer

Номер патента: US09589836B1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor array substrate and a thin film transistor which comprise a conductive structure comprising a blocking layer and a diffusion prevention layer

Номер патента: US09553158B2. Автор: Qiuping Huang,Dongseob Kim,Zhengwei Chen,Chao-Huan Hsu,Jaemoon CHUNG,Jianshe XUE,Huawei Xu,Seong Sil Im. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Matrix detection device incorporating a metal mesh in a detection layer, and manufacturing method

Номер патента: US20170077186A1. Автор: Jean-Marie Verilhac,Anis Daami,Simon Charlot,Jamal Tallal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-16.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Methods of forming a conductive structure

Номер патента: US20070138126A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Jong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

2d layer on interconnect conductive structure

Номер патента: US20240282697A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09799558B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Hsi-Wen Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of making integrated circuits including conductive structures through substrates

Номер патента: US09773701B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yuan-Hung Liu,Hsin-Yu Chen,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Pei-Ching Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

System and method for electric energy transmission to vehicle using segments of conducting structure, which can be operated independently

Номер патента: RU2591002C2. Автор: Конрад ВОРОНОВИЧ. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2016-07-10.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US9530778B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Electric field modification about a conductive structure

Номер патента: US20110056746A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Vehicle antenna with shorted conductive structure around its radiator

Номер патента: US20240235037A1. Автор: Shaozhen ZHU,Emma KOWALCZUK. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Ion-conducting structures, devices including ion-conducting structures, and methods for use and fabrication thereof

Номер патента: US20210202978A1. Автор: Tian Li,Xin Zhang,Liangbing Hu,Meiling Wu,Chunpeng Yang,Robert M. Briber. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2021-07-01.

Suppressing circulating currents in conductive structures in buildings

Номер патента: US20200220344A1. Автор: Ralph Brocke,Ottmar Beierl. Владелец: Dehn and Soehne GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-09.

Integrated assemblies having thicker semiconductor material along one region of a conductive structure than along another region, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US10756111B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Packaging conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110143531A1. Автор: J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Backside conductive structures extending through integrated circuit to meet frontside contacts

Номер патента: EP4451321A1. Автор: Charles Wallace,Gary Allen,Leonard GULER,Nicholas Thomson,Saurabh Acharya,Debaleena Nandi,Umang DESAI,Vivek Vishwakarma,Clifford ENGEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Backside conductive structures extending through integrated circuit to meet frontside contacts

Номер патента: US20240355915A1. Автор: Charles H. Wallace,Gary Allen,Leonard P. GULER,Nicholas A. Thomson,Saurabh Acharya,Clifford J. ENGEL,Debaleena Nandi,Umang DESAI,Vivek Vishwakarma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Capping Layer For Liner-Free Conductive Structures

Номер патента: US20240355741A1. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming chip structure with conductive structure

Номер патента: US12057419B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Capping layer for liner-free conductive structures

Номер патента: US12057397B2. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor package with lid having lid conductive structure

Номер патента: US09799637B2. Автор: Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,Brian P. Balut,Jonathan Fain. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having metallic source and drain regions

Номер патента: US9583487B2. Автор: Annalisa Cappellani,Cory E. Weber,Rafael Rios,Aaron A. Budrevich,Martin D. Giles,Sanaz Kabehie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Package structure having taper-shaped conductive pillar and method of forming thereof

Номер патента: US20210375708A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Package structure having at least one die with a plurality of taper-shaped die connectors

Номер патента: US11990383B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Microelectronic devices including tiered stacks including conductive structures isolated by slot structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US11903196B2. Автор: Shuji Tanaka,Kunal Shrotri,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki,Matthew Holland,Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Richard J. Hill,Sidhartha Gupta,Kyle A. Ritter,Matthew J. King,Kye Hyun Baek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Group iii-nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: WO2018183176A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-10-04.

Group iii-nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: EP3602608A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for manufacturing metal structure having different heights

Номер патента: US20050136636A1. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Hoon Song,Chan-bong Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-23.

Methods for preparing AlN based template having Si substrate and GaN based epitaxial structure having Si substrate

Номер патента: US12020925B2. Автор: Hong Zhou,LU Hao,Yue Hao,Zhihong Liu,Junwei Liu,Jincheng Zhang,Weihang Zhang,Yachao Zhang,Kunlu SONG,Shenglei ZHAO. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-06-25.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: AU2019336103A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-12-17.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: EP3847684A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-07-14.

Antenna using complex structure having periodic, vertical spacing between dielectric and magnetic substances

Номер патента: US20110193760A1. Автор: Byung Hoon Ryou,Won Mo Sung,Jeong Keun Ji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Contact member and electrical terminal for electrically conductive structures

Номер патента: US20230216228A1. Автор: Chao FANG,Jiayun Chen. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Electronic device including a trench and a conductive structure therein

Номер патента: US20110068344A1. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Microfeature workpieces having alloyed conductive structures, and associated methods

Номер патента: US20130004792A1. Автор: Warren M. Farnworth,William M. Hiatt,Rick C. Lake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for preparing a device structure having a wafer structure deposited on a composite substrate having a matched coefficient of thermal expansion

Номер патента: WO2004095554A2. Автор: Jeffrey M. Peterson. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2004-11-04.

Vertical conductive structure surrounded by guard ring and method of making

Номер патента: US12113034B2. Автор: Chien-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Conductive structures, wordlines and transistors

Номер патента: US09972628B1. Автор: Zailong Bian,Eric R. Blomiley,Thomas Gehrke,Jaydip Guha,Yushi Hu,Jaydeb Goswami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabricating conducting structure and thin film transistor array panel

Номер патента: US09806179B2. Автор: Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Po-Li Shih,Wei-Chih Chang,I-Wei Wu,Chang-Chun Wan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Conduction structure, method of manufacturing conduction structure, droplet ejecting head, and printing apparatus

Номер патента: US09708715B2. Автор: Shuichi Tanaka,Tsuyoshi Yoda,Ikuya Miyazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Conductive structure and electronic assembly

Номер патента: US09570843B2. Автор: Yu-Jing Liao,Yi-Ting LIU,I-Hsuan LIN,Chih-Kai Hu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Conductive structure and method of forming the same

Номер патента: US09564359B2. Автор: Chih-Wei Chang,Pin-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220293732A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure with conductive structure

Номер патента: US20230049010A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Conductive structure formed by cyclic chemical vapor deposition

Номер патента: US11823896B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Shuen-Shin Liang,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods and systems

Номер патента: US20220013534A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Structure and formation method of semiconductor device with stacked conductive structures

Номер патента: US20210225697A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor structure with conductive structure

Номер патента: US11961886B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods for forming electronic apparatus with tiered stacks having conductive structures isolated by trenches, and related electronic apparatus and systems

Номер патента: US20210358890A1. Автор: Yi Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US12010848B2. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222433A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing process of a vertical-conduction misfet device with gate dielectric structure having differentiated thickness and vertical-conduction misfet device thus manufacture

Номер патента: US20100167481A1. Автор: Giuseppe Arena,Angelo Magri',Domenico Repici,Orazio Battiato,Fabrizio Marco Di Paola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Cavity resonator structure having improved cavity arrangement

Номер патента: WO1998042040A1. Автор: Guanghua Huang,Lasse Beli Ravaska,Kimmo Antero Kyllonen,Lenny Russell Hill. Владелец: Adc Solitra, Inc.. Дата публикации: 1998-09-24.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structures having nucleation layer to prevent interfacial charge for column iii-v materials on column iv or column iv-iv materials

Номер патента: US20130161699A1. Автор: William E. Hoke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-06-27.

Chip structure having redistribution layer and fabrication method thereof

Номер патента: US8097491B1. Автор: Hung-Yuan Hsu,Sui-An Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-17.

Mesoporous silica film structure having ultra-large pore and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210300770A1. Автор: Seok Lee,Joon Seok Lee,In Ae Lee,Deok Ha Woo,Hui Jin JUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structures having a gate field plate and methods for forming such structure

Номер патента: US20160149006A1. Автор: John P. Bettencourt,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-05-26.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: US20240312991A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: EP4432338A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Electricity storing/discharging device with multiple-layer package structure having electrode plate pair with multiple-sided electric conductive terminals converted into single input/output electric conductive interface

Номер патента: US09911963B2. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Techniques for enabling wireless communications using subframe structures having different subframe durations

Номер патента: US09648500B2. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Naga Bhushan,Srinivas YERRAMALLI,Tingfang JI,Durga Prasad Malladi,Yongbin Wei,Aleksandar Damnjanovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor package structure having hollow chamber and bottom substrate and package process thereof

Номер патента: US09508676B1. Автор: Yen-Ting Chen,Cheng-Hung Shih,Yung-Wei Hsieh,Shu-Chen Lin,Fu-Yen Ho. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated Assemblies Having Conductive-Shield-Structures Between Linear-Conductive-Structures

Номер патента: US20220013450A1. Автор: Haitao Liu,Yoshihiko Kamata,Naveen KAUSHIK,Tomoko Ogura Iwasaki,Richard J. Hill,Kyle A. Ritter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Integrated assemblies having conductive-shield-structures between linear-conductive-structures

Номер патента: WO2022010801A1. Автор: Haitao Liu,Yoshihiko Kamata,Naveen KAUSHIK,Tomoko Ogura Iwasaki,Richard J. Hill,Kyle A. Ritter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Textile with conductive structures

Номер патента: US20190218695A1. Автор: Wei-Che Hung,Yu-Chun Wu,Hsin-Kai Lai. Владелец: Far Eastern New Century Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Buried conductive structure in semiconductor substrate

Номер патента: US20230411242A1. Автор: Lin-Yu HUANG,Hong-Mao Lee,Wei-Yip Loh,Kan-Ju LIN,Min-Hsuan LU,Harry CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Bond pad structure coupled to multiple interconnect conductive\ structures through trench in substrate

Номер патента: US20230395540A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional (3d) interconnect structures employing via layer conductive structures in via layers and related fabrication methods

Номер патента: WO2023028402A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-02.

Electronic device including a trench and a conductive structure therein

Номер патента: US20150263166A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Antenna System and Wireless Communication Device having a Secondary Conductive Structure which Extends into an Area Forming a Loop

Номер патента: US20190207307A1. Автор: Mohammed Abdul-Gaffoor,MD Rashidul Islam,Joshua Boerman,Daniel Philip Groebe. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2019-07-04.

Bond pad structure coupled to multiple interconnect conductive\ structures through trench in substrate

Номер патента: US11990433B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor devices including conductive structures

Номер патента: US20230402376A1. Автор: Heonjong Shin,Doohyun Lee,Seon-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Electrically conductive structure and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20170194361A1. Автор: Na Zhao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Metal Loss Prevention In Conductive Structures

Номер патента: US20230253314A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods of forming conductive contacts to conductive structures, and integrated circuitry

Номер патента: US20030075799A1. Автор: Thomas Figura,John Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Conductive structural members acting as nfc antenna

Номер патента: US20170264721A1. Автор: Ilkka Mikael Yli-Peltola. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-09-14.

Encapsulated package with exposed electrically conductive structures and sidewall recess

Номер патента: US20240006260A1. Автор: Chee Voon Tan,Chee Hong Lee,Swee Kah Lee,Soon Lock Goh,Chai Chee Lee,Luay Kuan Ong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Conductive structures

Номер патента: US20230395426A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Ching-Yi Chen,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Hung-Chang Hsu,Wei-Jung Lin,Yu-Shiuan Wang,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Pei Shan Chang,Yi-Hsiang Chao,Shu-Lan CHANG,Shih-Wei Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Hybrid conductive structures

Номер патента: US20210407925A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Shu-Lan CHANG,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor structures including conducting structure and methods for making the same

Номер патента: US20240145593A1. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Two 2d capping layers on interconnect conductive structure to increase interconnect structure reliability

Номер патента: US20220157710A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Two 2d capping layers on interconnect conductive structure to increase interconnect structure reliability

Номер патента: US20220359381A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Hybrid conductive structures

Номер патента: US20230016515A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Shu-Lan CHANG,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Liner-free conductive structures

Номер патента: US20210376103A1. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and Apparatus for Forming Oriented Nanowire Material and Method for Forming Conductive Structure

Номер патента: US20150380131A1. Автор: Feng Bai,Zhen Liu,Tao Ren,Yiming Zhao,Ruiyong WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Conductive line structure having corrugated surface

Номер патента: US20230197610A1. Автор: Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Ran Xing Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: EP3736851A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US11769836B2. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Microfeature workpieces having alloyed conductive structures, and associated methods

Номер патента: US20140284375A1. Автор: Warren M. Farnworth,Rickie C. Lake,William M. Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

PiN diode structure having surface charge suppression

Номер патента: US10971538B2. Автор: John J. Drab,Christian M. BOEMLER,Justin Gordon Adams Wehner. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-04-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of forming a conductive structure in a semiconductor material

Номер патента: US6930010B1. Автор: William M. Coppock,Charles A. Dark. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Solar cell structures having III-V base layers

Номер патента: US9666742B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Conductive structure and manufacturing method thereof, and electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10090248B2. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Method for fabricating device structures having a variation in electrical conductivity

Номер патента: US20090203185A1. Автор: Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek,Lee Wee Teo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Ic structure with short channel gate structure having shorter gate height than long channel gate structure

Номер патента: US20210272851A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for fabricating device structures having a variation in electrical conductivity

Номер патента: SG155114A1. Автор: Tan Shyue Seng,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-09-30.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Package structure having packaged light detecting components within and package method thereof

Номер патента: US12113081B2. Автор: Shuo-Ting Yan,Chen-Chung Chang,Tsung-Jui Lin. Владелец: Taiwan Redeye Biomedical Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Multilayer structure having at least one metal layer and at least one polyamide layer

Номер патента: US09950499B2. Автор: Georg Stoppelmann,Gabriel Garcia. Владелец: EMS PATENT AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Composite electrically conductive structures

Номер патента: US09903017B2. Автор: Wayde R. Schmidt,Sameh Dardona. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Structure having nanoantenna and method for manufacturing same

Номер патента: US09801998B2. Автор: Young Keun Kim,Jung Rae Park,Sung Hoi Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-31.

Microfeature workpieces having alloyed conductive structures, and associated methods

Номер патента: US09737947B2. Автор: Warren M. Farnworth,Rickie C. Lake,William M. Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Electromagnetic device and conductive structure thereof

Номер патента: US09734943B2. Автор: Teng Liu,Ai-Xing Tong. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Thermally and electrically conductive structure, method of applying a carbon coating to same, and method of reducing a contact resistance of same

Номер патента: US09669425B2. Автор: Nachiket Raravikar,Linda Shekhawat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Solar cell structures having III-V base layers

Номер патента: US09666742B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for fabricating semiconductor device including silicon-containing layer and metal-containing layer, and conductive structure of the same

Номер патента: US09418891B2. Автор: Mi-Ri Lee,Tae-Han Kim,Kyong-Bong ROUH,Yong-Seok Eun,Su-ho Kim,Shang-Koon NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Hybrid conductive structures

Номер патента: US11894437B2. Автор: Chih-Chien Chi,Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu,Kai-Ting Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Structure for EMI Shielding and Heat Dissipation

Номер патента: US20240030154A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US20230361024A1. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor Constructions, Methods of Forming Conductive Structures and Methods of Forming DRAM Cells

Номер патента: US20140048943A1. Автор: Hung Ming Tsai,Jaydeb Goswami,Duane M. Goodner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for forming chip package with second opening surrounding first opening having conductive structure therein

Номер патента: US11973095B2. Автор: Chia-Sheng Lin,Kuei-Wei CHEN,Chia-Ming Cheng. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US11776901B2. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Hybrid conductive structures

Номер патента: US20240096998A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Cheng-Wei Chang,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu,Kai-Ting Huang,Chij-chien CHI,Chein-Shun LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178487A1. Автор: Seulgi Bae,Dongchan Lim,Jungha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Conductive structures, semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US20200075470A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Jyun-Siang Peng,Chien-Tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Electronic device with conductive structure directly abutting metal frame to ground bracket

Номер патента: US10615525B1. Автор: San-Yi Kuo,Yi-Chieh Lin,Cheng-Hsiung Lu,Man-Ning Lu,Huei-chi Wu,Yu-Cheng Yu. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2020-04-07.

Speaker bearing array sound-conducting structure and headphone using same

Номер патента: US20180367880A1. Автор: Hang Tat MA. Владелец: Bamdas Technology Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: EP3869547A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Cryogenic fluid circuit design for effective cooling of an elongated thermally conductive structure extending from a component to be cooled to a cryogenic temperature

Номер патента: EP3132209A1. Автор: Nicholas Strickland,Stuart WIMBUSH. Владелец: Victoria Link Ltd. Дата публикации: 2017-02-22.

Moisture-retaining and electrically conductive structure

Номер патента: US20140243639A1. Автор: Hong-Hsu Huang,I-Chen Su,Shun-Tung Yang,Jung-Hsiang PENG. Владелец: Kings Metal Fiber Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Apparatuses including conductive structure layouts

Номер патента: US11004798B2. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki,Mitsuki Koda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Vehicle antenna with shorted conductive structure around its radiator

Номер патента: EP4315509A1. Автор: Shaozhen ZHU,Emma KOWALCZUK. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Composite electrically conductive structures

Номер патента: US20140363677A1. Автор: Wayde R. Schmidt,Sameh Dardona. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Solid-state electrolyte material comprising a chalcogenide-based ionic-conductive structure, particularly a sulfide-based ionic-conductive structure

Номер патента: EP4328178A1. Автор: Du Hui,CHEN CHEN,James Emery Brown,Sumin ZHU. Владелец: Ampcera Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US11581404B2. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Thermally-conductive structural adhesive for new energy power battery and method of preparing same

Номер патента: US11949081B2. Автор: Yorway SHORE,Youyu Tan. Владелец: Dongguan Goldlink Tongda Thermal Conductive Materials Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Integrated Assemblies Having Thicker Semiconductor Material Along One Region of a Conductive Structure than Along Another Region, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200013798A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Solid-state electrolyte material comprising a chalcogenide-based ionic-conductive structure, particularly a sulfide-based ionic-conductive structure

Номер патента: US20230261254A1. Автор: CHEN CHEN,Hui Du,James Emery Brown,Sumin ZHU. Владелец: Ampcera Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Solid state electrolyte material comprising a chalcogenide-based ionic-conductive structure, particularly a sulfide-based ionic-conductive structure

Номер патента: EP4292150A1. Автор: Du Hui,CHEN CHEN,James Emery Brown,Sumin ZHU. Владелец: Ampcera Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for forming chip structure with conductive structure

Номер патента: US20220359438A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Conductive structure

Номер патента: WO2018126256A2. Автор: Jun Liu,Jun Zhao,Fei Wang,Gordon A. Haller,Hongbin Zhu,Wei Yeeng Ng,Zhiqiang Xie,Wesley O. McKinsey,Jeremy F. ADAMS,Mark A. LEVAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Apparatuses including conductive structure layouts

Номер патента: US11646271B2. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki,Mitsuki Koda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Conductive structure and method of controlling work function of metal

Номер патента: EP3910664A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-17.

Ion-conducting structures, devices including ion-conducting structures, and methods for use and fabrication thereof

Номер патента: US11901505B2. Автор: Tian Li,Xin Zhang,Liangbing Hu,Meiling Wu,Chunpeng Yang,Robert M. Briber. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated Assemblies Having Thicker Semiconductor Material Along One Region of a Conductive Structure than Along Another Region, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20200357818A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Integrated assemblies having thicker semiconductor material along one region of a conductive structure than along another region, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11088169B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

Vehicle antenna with shorted conductive structure around its radiator

Номер патента: WO2022207878A1. Автор: Shaozhen ZHU,Emma KOWALCZUK. Владелец: JAGUAR LAND ROVER LIMITED. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatuses including conductive structure layouts

Номер патента: US20210233858A1. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki,Mitsuki Koda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Integrated Assemblies Having Thicker Semiconductor Material Along One Region of a Conductive Structure than Along Another Region, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230284452A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Ion-conducting structures, devices including ion-conducting structures, and methods for use and fabrication thereof

Номер патента: US20220359903A1. Автор: Tian Li,Xin Zhang,Liangbing Hu,Meiling Wu,Chunpeng Yang,Robert M. Briber. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2022-11-10.

Ion-conducting structures, devices including ion-conducting structures, and methods for use and fabrication thereof

Номер патента: CA3146759A1. Автор: Tian Li,Xin Zhang,Liangbing Hu,Meiling Wu,Chunpeng Yang,Robert M. Briber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-25.

Ion-conducting structures, devices including ion-conducting structures, and methods for use and fabrication thereof

Номер патента: AU2020331993A1. Автор: Tian Li,Xin Zhang,Liangbing Hu,Meiling Wu,Chunpeng Yang,Robert M. Briber. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2022-02-24.

Ion-conducting structures, devices including ion-conducting structures, and methods for use and fabrication thereof

Номер патента: US11374255B2. Автор: Tian Li,Xin Zhang,Liangbing Hu,Meiling Wu,Chunpeng Yang,Robert M. Briber. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2022-06-28.

Ion-conducting structures, devices including ion-conducting structures, and methods for use and fabrication thereof

Номер патента: WO2021035162A1. Автор: Tian Li,Xin Zhang,Liangbing Hu,Meiling Wu,Chunpeng Yang,Robert M. Briber. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit structures having routing across layers of channel structures

Номер патента: US20240222271A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240234421A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien-Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Backside emitter solar cell structure having a heterojunction and method and device for producing the same

Номер патента: US11967662B2. Автор: Marcel Koenig,Jun Zhao. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-04-23.

Chip package structure having π filter

Номер патента: US6870250B2. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2005-03-22.

Integrated circuit structures having vertical shared gate high-drive thin film transistors

Номер патента: US20240222520A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Photovoltaic array structure having low line loss

Номер патента: US20230253917A1. Автор: Zhengrong Shi,Chengrong LIAN,Biao CUI,Taotao XIE. Владелец: Sunman Zhenjiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Chip package with redistribution structure having multiple chips

Номер патента: US12046548B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Hao Tsai,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Chuang,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer-deposition wide cut gates with non-merged spacers

Номер патента: US20230299165A1. Автор: Walid M. Hafez,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Soi cmos structure having programmable floating backplate

Номер патента: US20110115553A1. Автор: Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Metal pattern structure having positioning layer

Номер патента: US20160141239A1. Автор: Babak Radi,Shih-Hong Chen,Tzu-Wen Chuang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2016-05-19.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Esd structure having different thickness gate oxides

Номер патента: WO2007008411A1. Автор: Philippe Deval,Randy Yach. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2007-01-18.

Stator structure having a printed board

Номер патента: US20030218393A1. Автор: Shigeru Nishida,Atsushi Kindaichi. Владелец: Tamagawa Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Package structure having substrate thermal vent structures for inductor cooling

Номер патента: US20200006287A1. Автор: Michael J. Hill,Mathew MANUSHAROW,Leigh E. Wojewoda,Siddharth KULASEKARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Silicon-on-insulator structure having bipolar stress, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190304998A1. Автор: Changfeng Wang,Duanquan LIAO,Yanfei Ma. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Nanowire structures having wrap-around contacts

Номер патента: US11757026B2. Автор: Sadasivan Shankar,Stephen M. Cea,Cory E. Weber,Patrick H. Keys,Seiyon Kim,Michael G. Haverty. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Solar cell in stack structure having no step

Номер патента: US20170271534A1. Автор: Mi Yeon Song,Sang Hak Kim,Moon Jung Eo,Eun Yeong Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-09-21.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Switch structure having display and playback device

Номер патента: US20100163387A1. Автор: Gear Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

CMOS sense structure having silicon dioxide outer ring around sense region

Номер патента: US20010034092A1. Автор: Jui-Hsiang Pan,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for manufacturing structure having air gap

Номер патента: US20150270336A1. Автор: Hsin Tai,Chan-Tsun Wu,Ming-Hsin Yeh. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US12087718B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Advanced structures having mosfet transistors and metal layers

Номер патента: EP4434092A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-25.

Photodiode structure having mask to reduce leakage current

Номер патента: US6140670A. Автор: Tsun-Tsai Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of manufacturing semiconductor structure having fins

Номер патента: US20240347376A1. Автор: Chen-Tsung LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US20240363628A1. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Transparent metal mesh electrode design for reversible metal electrodeposition

Номер патента: WO2023235788A1. Автор: Michael D. McGehee,Tyler S. HERNANDEZ,Michael T. STRAND,Andrew L. YEANG. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-07.

Transparent metal mesh electrode design for reversible metal electrodeposition

Номер патента: US20230393441A1. Автор: Michael D. McGehee,Tyler S. HERNANDEZ,Michael T. STRAND,Andrew L. YEANG. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2023-12-07.

Layered transparent conductive electrode structure for an optical filter

Номер патента: US20190369453A1. Автор: Duhane Lam,Jonathan R. Sargent,Glen R. Bremner,Jeremy G. Finden,Peter A. Von Hahn. Владелец: Switch Materials Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Transparent conductive layer and CF substrate having same and manufacturing method thereof

Номер патента: US09557460B2. Автор: Kuancheng Lee,Yewen Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacturing methods for a transparent conductive oxide on a flexible substrate

Номер патента: US09658508B1. Автор: Howard S. Bergh,Nicolas TIMMERMAN,John David Bass,Jonathan Ziebarth. Владелец: Kinestral Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Liquid crystal display component and transparent conductive substrate suitable for the same

Номер патента: CA2319382C. Автор: Hitoshi Mikoshiba,Toshiaki Yatabe,Toru Hanada,Isao Shiroishi. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Transflective liquid crystal display having transparent conductive layer with opening

Номер патента: US8482703B2. Автор: Wen-Chun Wang,Yung-Cheng Chang,Ming-Chang Yu. Владелец: Dongguan Masstop Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-09.

Liquid crystal display with transparent conductive film

Номер патента: US20060146258A1. Автор: Chueh-Ju Chen,Jia-Pang Pang. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Transparent conductive film and method for producing the same

Номер патента: US20080166551A1. Автор: Kazunori Kawamura,Kazuaki Sasa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Transparent conductive film, its production method and sputtering target used for its production

Номер патента: US20090130418A1. Автор: Akira Mitsui,Susumu Nakagama,Hidefumi Odaka. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Gallium oxide-zinc oxide sputtering target, method of forming transparent conductive film, and transparent conductive film

Номер патента: US7686985B2. Автор: Kozo Osada. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

Layered transparent conductive electrode structure for an optical filter

Номер патента: US20180180963A1. Автор: Duhane Lam,Jonathan R. Sargent,Glen R. Bremner,Jeremy G. Finden,Peter A. Von Hahn. Владелец: Switch Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of increasing the conductivity of a transparent conductive layer

Номер патента: US20020048834A1. Автор: Ian French,Eric Meulenkamp,Pieter Van Der Zaag. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of increasing the conductivity of a transparent conductive layer

Номер патента: EP1337894A2. Автор: Pieter J. Van Der Zaag,Ian D. French. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-08-27.

Made-to-stock patterned transparent conductive layer

Номер патента: US12013622B2. Автор: Jean-Christophe Giron,Bryan D. Greer,Yigang Wang,Sebastian Marius Sarrach,Thomas Doublein. Владелец: Sage Electrochromics Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of increasing the conductivity of a transparent conductive layer

Номер патента: WO2002044805A2. Автор: Pieter J. Van Der Zaag,Ian D. French. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-06-06.

Property enhancing fillers for transparent coatings and transparent conductive films

Номер патента: US10738212B2. Автор: Xiqiang Yang,Hua Gu,Ajay Virkar,Faraz Azadi Manzour. Владелец: C3Nano Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Liquid crystal display device having an optimized thickness of a transparent conductive film and method of manufacturing the same

Номер патента: US8098359B2. Автор: Takanori OKUMURA,Akira Tamatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Transparent conducting elements and devices including the same

Номер патента: WO2023235418A1. Автор: Jonathan Waldern,Oshrit Harel,Efthymios Kallos,Shimul Chandra Saha,Panagiotis KOSMAS,Maria KOUTSOUPIDOU,Ragip PALA. Владелец: Meta Materials Inc.. Дата публикации: 2023-12-07.

Transparent conductive film

Номер патента: US20110045285A1. Автор: Naoya Imamura,Takafumi Saiki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Protective layers for transparent conductive oxide electrodes in electrochromic devices

Номер патента: WO2022129013A1. Автор: Samuel Archambeau,Jean-Paul Cano,Claudine Biver,Marion MECA,Marion HARRIBEY,David ESCAICH. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 2022-06-23.

Protective layers for transparent conductive oxide electrodes in electrochromic devices

Номер патента: EP4264364A1. Автор: Samuel Archambeau,Jean-Paul Cano,Claudine Biver,Marion MECA,Marion HARRIBEY,David ESCAICH. Владелец: Essilor International SAS. Дата публикации: 2023-10-25.

Protective layers for transparent conductive oxide electrodes in electrochromic devices

Номер патента: US20240053649A1. Автор: Samuel Archambeau,Jean-Paul Cano,Claudine Biver,Marion MECA,Marion HARRIBEY,David ESCAICH. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2024-02-15.

Transparent conductive diffractive gratings for optical elements of augmented reality and virtual reality displays

Номер патента: US20230367046A1. Автор: Yuval Ofir. Владелец: Rovi Guides Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing self-supporting metal mesh structures for selection of electromagnetic emission

Номер патента: RU2764017C1. Автор: Александр Николаевич Генцелев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2022-01-12.

Metal mesh, sterilization determination method, and cleaning determination method

Номер патента: US20170173194A1. Автор: Takashi Kondo,Wataru Yamamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

System and method for magnetic resonance mapping of physical and chemical changes in conducting structures

Номер патента: US20240248052A1. Автор: Alexej Jerschow,Andrew J. ILOTT,Mohaddese MOHAMMADI,Emilia SILLETTA,Konstantin ROMANENKO. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Characterization of interface resistance in a multi-layer conductive structure

Номер патента: US09453878B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Souvick Mitra,John B. Campi, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Measuring device for determining a distance in a conducting structure

Номер патента: US20220155431A1. Автор: Andre Giere,Sebastian Lüttich. Владелец: Astyx MPS GmbH. Дата публикации: 2022-05-19.

Measuring device for determining a distance in a conducting structure

Номер патента: US20160282459A1. Автор: Andre Giere,Sebastian Lüttich. Владелец: Astyx GmbH. Дата публикации: 2016-09-29.

Plasmon resonance imaging apparatus having metal-insulator-metal nanocups

Номер патента: US11060973B2. Автор: Lynford L. Goddard,Gang Logan Liu,Lisa Anne Plucinski Hackett,Abid Ameen,Faiza Khawar Dar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2021-07-13.

Method for the production of a light conducting structure with interlying electrodes

Номер патента: US4080244A. Автор: Franz Auracher,Ralf Kersten. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-03-21.

Eyeglasses assembly structure having nose support

Номер патента: US09958702B1. Автор: Pen-Wei Chen. Владелец: Prohero Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Lamellar structure with lens-like effect creating structure having optical diffraction property

Номер патента: RU2317574C2. Автор: Уэйн Роберт ТОМПКИН,Андреас ШИЛЛИНГ. Владелец: Овд Кинеграм Аг. Дата публикации: 2008-02-20.

System and methodology for detecting conducting structure

Номер патента: RU2602405C2. Автор: Майкл С. БИТТАР,Шаньцзюнь ЛИ,Даган У. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2016-11-20.

Layered structure having double order frequency-selective characteristic

Номер патента: RU2405216C2. Автор: Кристиан Томас,Мартин ВАНДЕЛЬ,Кристиан ТОМАС (DE),Мартин ВАНДЕЛЬ (DE). Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2010-11-27.

Systems and methods for designing and fabricating multi-layer structures having thermal expansion properties

Номер патента: US20060257096A1. Автор: Phillip Barth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Light-conducting structural component for facilities and buildings and method of its manufacturing

Номер патента: RU2554958C2. Автор: Дитер ХРИСТАНДЛЬ,Иосиф ХРИСТАНДЛЬ,Роберт ХОФЕР,Оливер ФИШЕР. Владелец: Роберт ХОФЕР. Дата публикации: 2015-07-10.

Air-conducting structural element

Номер патента: RU2741477C2. Автор: Херберт РЕМЕР. Владелец: Вагнер Груп Гмбх. Дата публикации: 2021-01-26.

System and method for magnetic resonance mapping of physical and chemical changes in conducting structures

Номер патента: US11921067B2. Автор: Alexej Jerschow,Andrew J. ILOTT,Mohaddese MOHAMMADI,Emilia SILLETTA,Konstantin ROMANENKO. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2024-03-05.

System and method for magnetic resonance mapping of physical and chemical changes in conducting structures

Номер патента: WO2018106828A1. Автор: Alexej Jerschow,Andrew J. ILOTT. Владелец: New York University. Дата публикации: 2018-06-14.

Plasmon Resonance Imaging Apparatus Having Metal-Insulator-Metal Nanocups

Номер патента: US20190369019A1. Автор: Lynford L. Goddard,Gang Logan Liu,Lisa Anne Plucinski Hackett,Abid Ameen,Faiza Khawar Dar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-12-05.

Electrically conducting structures for controlling medical device filling

Номер патента: RU2267131C2. Автор: Роберт Джастис ШАРТЛ,Тимоти Дж. ОХАРА,Махиар З. КЕРМАНИ. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2005-12-27.

Measuring device for determining a distance in a conducting structure

Номер патента: US10436889B2. Автор: Andre Giere,Sebastian Lüttich. Владелец: Astyx GmbH. Дата публикации: 2019-10-08.

Systems and methodology for detecting a conductive structure

Номер патента: CA2856036C. Автор: Michael S. Bittar,Shanjun Li,Dagang WU. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Method and apparatus for testing a semiconductor structure having top-side and bottom-side connections

Номер патента: US20070096760A1. Автор: David Patten,Addi Mistry,Edmond Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Conductive structure and process cartridge having the same

Номер патента: US11054788B1. Автор: Zhongxi Li,Jinjun Zhu,Jiabing He. Владелец: Jiangxi Kilider Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Method of driving pixel arrangement structure having plurality of subpixels, driving chip for driving pixel arrangement structure having plurality of subpixels, display apparatus, and computer-program product

Номер патента: EP3895153A1. Автор: Lujiang Huangfu,Wenjing TAN,Zhenzhen LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-20.

Interposer structure having optical fiber connection and related fiber optic connector for the same

Номер патента: US09551849B2. Автор: James Phillip Luther,James Scott Sutherland,Douglas Llewellyn Butler,Micah Colen Isenhour,Dennis Michael Knecht. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Conductive structure and e-paper device

Номер патента: US11960191B2. Автор: Chin-An Yang,Yew-Chun Wang. Владелец: SES Imagotag SA. Дата публикации: 2024-04-16.

Load cell with roberval structure having anti-offset function, and weighing device

Номер патента: EP4241050A1. Автор: LI YANG,Lei Xu,Hongzhi LIN. Владелец: Mettler Toledo Changzhou Precision Instruments Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Reflector structure having three-dimensional curvature

Номер патента: US20240004147A1. Автор: JING Yang,Suresh Venkatesan,Yong Meng Lee,Lucas Soldano. Владелец: Poet Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and system of air/environmental parameter based automatic closing of one or more valves to isolate breathable air supplied to one or more levels of a structure having a firefighter air replenishment system implemented therein

Номер патента: WO2024006172A1. Автор: Anthony J. Turiello. Владелец: Rescue Air Systems, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240255697A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Chih-Wei Peng,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Sound absorbing structure having one or more acoustic scatterers attached to or forming a vehicle structure

Номер патента: US11776521B2. Автор: Debasish Banerjee,Xiaoshi Su,Kai AIZAWA,Steven R. Sorenson. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Reflector structure having three-dimensional curvature

Номер патента: US20240004148A1. Автор: JING Yang,Suresh Venkatesan,Yong Meng Lee,Lucas Soldano. Владелец: Poet Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240319438A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Evaluating a structure having a microscopic dimension with a low energy x-ray beam

Номер патента: WO2024134250A1. Автор: David A. Reed,Bruno W. Schueler. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: EP2935650A2. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: Eidgenoessische Materialprufungs und Forschungsanstalt EMPA. Дата публикации: 2015-10-28.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: WO2014095347A3. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: EMPA EIDGENOSSISCHE MATERIALPRUFUNGS- UND FORSCHUNGSANSTALT. Дата публикации: 2014-09-18.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: WO2014095347A9. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: EMPA EIDGENOSSISCHE MATERIALPRUFUNGS- UND FORSCHUNGSANSTALT. Дата публикации: 2015-06-25.

Formation of a doped transparent conductive oxide layer by solution deposition

Номер патента: WO2014095347A4. Автор: Ayodhya N. TIWARI,Harald HAGENDORFER,Yaroslav E. ROMANYUK. Владелец: EMPA EIDGENOSSISCHE MATERIALPRUFUNGS- UND FORSCHUNGSANSTALT. Дата публикации: 2014-10-30.

Transparent conductive film-attached glass sheet, transparent conductive film-attached glass roll, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12145876B2. Автор: Tadahiro Furukawa,Takayuki Noda,Yoshinori Hasegawa. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2024-11-19.

Transparent conductive film and use of same

Номер патента: US20230374651A1. Автор: Kerstin Gottschling,Christoph Hunger,Daniel Lenssen. Владелец: Giesecke and Devrient Currency Technology GmbH. Дата публикации: 2023-11-23.

Transparent Conductive Laminate

Номер патента: US20130288039A1. Автор: Yu-Chun Chien,Chien-Cheng Chang,Da-Shan Lin,Han-Hsiang Lin. Владелец: Far Eastern New Century Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for creating transparent conductive composite nano-coatings (options)

Номер патента: RU2661166C2. Автор: Игорь Анатольевич Тамбасов,Антон Сергеевич Воронин,Сергей Рубенович Абелян,Федор Сергеевич Иванченко,Виктор Григорьевич Мягков,Александр Анатольевич Иваненко,Екатерина Витальевна Тамбасова,Михаил Максимович Симунин,Станислав Викторович Хартов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2018-07-12.

Method of producing layer of transparent conducting oxide on glass substrate

Номер патента: RU2505888C1. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Васильевич Бобыль,Федор Юрьевич Солдатенков,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов,Екатерина Евгеньевна Терукова,Михаил Юрьевич Семерухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-27.

Indium oxide/cerium oxide sputtering target, transparent conductive film and process for producing transparent conductive film

Номер патента: EP1731629A1. Автор: Kazuyoshi Central Research Laboratories INOUE,Masato Central Research Laboratories MATSUBARA,Shigekazu Central Research Laboratories TOMAI. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-13.

Transparent conductive film-attached glass sheet, transparent conductive film-attached glass roll, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200283334A1. Автор: Tadahiro Furukawa,Takayuki Noda,Yoshinori Hasegawa. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2020-09-10.

Layered transparent conductive oxide thin films

Номер патента: US20160016848A1. Автор: Jean-François Oudard,Indrajit Dutta,Gabriel Pierce AGNELLO. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Layered transparent conductive oxide thin films

Номер патента: US09688570B2. Автор: Jean-François Oudard,Indrajit Dutta,Gabriel Pierce AGNELLO. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Target for transparent conductive thin film, transparent conductive thin film and manufacturing method thereof, electrode material for display, organic electroluminescence element and solar cell

Номер патента: US7371475B2. Автор: Yoshiyuki Abe. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Method for manufacturing transparent conducting oxides

Номер патента: US20110073814A1. Автор: Markus Antonietti,Christian Bittner,Norbert Wagner,Gero Nordmann,Alexander Traut,Ingo MÜNSTER,Bernd Smarsly,Yude Wang,Simone Mascotto. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-03-31.

Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology

Номер патента: EP3371121A1. Автор: Keith James Burrows,Kari B. Myli. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2018-09-12.

Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (tco) coating using flame(s) in tempering furnace adjacent tco to burn off oxygen and product made using same

Номер патента: EP1912912A1. Автор: Richard Blacker,Alexey Krasnov,Cory Richardson. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2008-04-23.

Business methods for distribution of transparent conductive carbon films

Номер патента: US20080295456A1. Автор: John Miller,Shripal Gandhi. Владелец: Unidym Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Material for manufacturing targets for physical vapour deposition of p-type transparent conductive films

Номер патента: WO2010066358A1. Автор: Michael Nolan,Guido Huyberechts,Griet Drees,Daan Goedeme,Simon D. Elliott. Владелец: UMICORE. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for forming flexible transparent conductive film

Номер патента: US09506148B2. Автор: Hung-Tao CHEN,Chang-Shu Kuo,In-Gann Chen,Pei-Ying Hsieh. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2016-11-29.

Transparent conductive film

Номер патента: US09493869B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Transparent conductive alloy which is alloyed with indium

Номер патента: RU2693982C2. Автор: Кришна К. УПРЕТИ,Кхушроо Х. ЛАКДАВАЛА,Расселл ШЕЛЛЕНБЕРГЕР,Махмуд Ахмад АЛИ. Владелец: ПиПиДжи ИНДАСТРИЗ ОГАЙО, ИНК.. Дата публикации: 2019-07-08.

Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (tco) coating using flame(s) in tempering furnace adjacent tco to burn off oxygen and product made using same

Номер патента: WO2007018970A1. Автор: Richard Blacker,Alexey Krasnov,Cory Richardson. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2007-02-15.

Material for Manufacturing Targets for Physical Vapor Deposition of P-Type Transparent Conductive Films

Номер патента: US20120049134A1. Автор: Michael Nolan,Guido Huyberechts,Daan Goedeme,Griet Dress,Simon D. Elliott. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2012-03-01.

Uv curable transparent conductive compositions

Номер патента: CA2396978C. Автор: Roy C. Krohn. Владелец: Allied Photochemical Inc. Дата публикации: 2009-04-07.

Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust fermi level, and method of making same

Номер патента: CA2610979C. Автор: Alexey Krasnov,Yiwei Lu. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Self-cleanable transparent conductive surface/film

Номер патента: US20200199754A1. Автор: Boris Kobrin. Владелец: Metamaterials Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Dental positioning appliance having metallic portion

Номер патента: US09820829B2. Автор: Eric E. Kuo. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Lead electrode structure having mesh surface

Номер патента: CA2311724A1. Автор: Gerald R. Pohto,Jeries I. Bishara,Thomas R. Turk,Kenneth L. Hardee,Andy W. Getsy,Thomas J. Schue,Carl W. Brown, Jr.,Barry L. Martin,Lynne M. Ernes. Владелец: Eltech Systems Corp. Дата публикации: 2001-12-15.

Coated article with sputter-deposited transparent conductive coating capable of surviving harsh environments, and method of making the same

Номер патента: US20100206290A1. Автор: Scott V. Thomsen,Jingyu Lao,Kevin O'connor. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Method of making thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating in color compression configuration, and product made using same

Номер патента: US8298380B2. Автор: Alexey Krasnov. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Process for producing transparent conductive film

Номер патента: US4252841A. Автор: Tadashi Ishibashi,Kiyoshige Kinugawa,Shizuo Ishitani,Satoru Ogihara,Yosio Hanada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-02-24.

Glow discharge fabrication of transparent conductive coatings

Номер патента: US4252838A. Автор: Warren T. Boord,Anthony R. Lefkow,Henry Y. B. Mar. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1981-02-24.

Curable carbon nanotube ink and transparent conductive films created using the ink

Номер патента: EP4228996A1. Автор: David J. Arthur,Ziyi Hu,John H. Ferguson,Robert F. Praino,Sean P. ARTHUR. Владелец: Chasm Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of making float glass with transparent conductive oxide (tco) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product

Номер патента: EP1910235A1. Автор: Alexey Krasnov,Ksenia A. Landa,Leonid M. Landa. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Low-cost, high-strength and easy-to-assemble metal mesh plate structure

Номер патента: US20230160259A1. Автор: Xin Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-25.

Multilayer fused microwave conductive structure

Номер патента: WO1996034810A2. Автор: Glenn J. Walters,John A. Mccormick. Владелец: Advanced Deposition Technologies, Inc.. Дата публикации: 1996-11-07.

Composite laminate with reinforcement of metal mesh

Номер патента: US09724895B2. Автор: Diing Guey Hwang,Yeou Shin CHANG. Владелец: Strongman Products Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Expanded metal mesh and coated anode structure

Номер патента: CA1311442C. Автор: Gerald R. Pohto,Thomas A. Mitchell,John E. Bennett,Claude M. Brown. Владелец: Eltech Systems Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Metal mesh, arrangement of a metal mesh and method for illumination

Номер патента: US20090067173A1. Автор: Ralf Mueller,Ingo Kufferath-Kassner,Stephan Kufferath-Kassner,Christop Kronhagel. Владелец: Mediamesh Gbr. Дата публикации: 2009-03-12.

Expanded metal mesh and tool for producing the same

Номер патента: AU3032100A. Автор: Wilhelm Rottger,Albrecht Klockner,Hermann Klockner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-09-28.

Protective garment with integrated metal mesh regions

Номер патента: US09936750B2. Автор: Matthew Piotrowski,Edward Mesanovic. Владелец: Worldwide Protective Products LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Composite Laminate with Reinforcement of Metal Mesh.

Номер патента: NL2014630A. Автор: Shin Chang Yeou,Guey Hwang Diing. Владелец: Advanced Mat Tech Innovation Company. Дата публикации: 2016-10-17.

Method and apparatus for manufacturing mesh, in particular metal mesh for prefabricated panels

Номер патента: EP4126413A1. Автор: Simone Rupoli. Владелец: Schnell SpA. Дата публикации: 2023-02-08.

Method and apparatus for manufacturing mesh, in particular metal mesh for prefabricated panels

Номер патента: WO2021199095A1. Автор: Simone Rupoli. Владелец: Schnell S.P.A.. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of fabrication of a weave of material strips within a metal mesh

Номер патента: US20140090740A1. Автор: Rouzita VAHHABAGHAI,Bita VAHHABAGHAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-03.

Welding head for a machine for the formation of metal mesh, relative welding method and machine for the formation of metal mesh using said welding head

Номер патента: WO2009118334A3. Автор: Ermanno Taboga. Владелец: Beta Systems Srl. Дата публикации: 2009-12-03.

Lost shuttering having walls of expanded metal mesh

Номер патента: GB2413339A. Автор: Tony Killarney,Tom Sexton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-26.

Welding head for a machine for the formation of metal mesh, relative welding method and machine for the formation of metal mesh using said welding head

Номер патента: WO2009118334A2. Автор: Ermanno Taboga. Владелец: Beta Systems Srl. Дата публикации: 2009-10-01.

Precious metal mesh for catalyzing gas-phase reactions

Номер патента: US20230398531A1. Автор: Dirk Born,Dieter Prasch,Artur WISER. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2023-12-14.

Device for producing a metal mesh reinforcement

Номер патента: US11897023B2. Автор: Manfred Kahl. Владелец: MBK MASCHINENBAU GMBH. Дата публикации: 2024-02-13.

Welding head for a machine for the formation of metal mesh, relative welding method and machine for the formation of metal mesh using said welding head

Номер патента: EP2280800A2. Автор: Ermanno Taboga. Владелец: BETA SYSTEMS Srl CON UNICO SOCIO. Дата публикации: 2011-02-09.

System for adjusting and locking a metal mesh band

Номер патента: WO2013105928A1. Автор: Romain JOANNY,Xavier BOILLOT. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2013-07-18.

Induction welding of thermoplastics with embedded metallic mesh

Номер патента: EP4212315A1. Автор: Milan Mitrovic,Michael Van Tooren,Jonathan S. Huang. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

A metal mesh with a low electrical resistance conversion coating for use with aircraft structures

Номер патента: EP3280933A1. Автор: Jeff Busby,Kent BOOMER,Matt BOYD,Emily SAMUELSON. Владелец: Aviation Devices and Electronic Components LLC. Дата публикации: 2018-02-14.

Super-hydrophilic membranes based on copper(i) iodide deposits on metal meshes

Номер патента: US20210129089A1. Автор: Norma Beatriz D'accorso,Gabriel LOMBARDO,Graciela ROJAS,Ricardo Martin Negri,Jorge Nicolás CABRERA,María del Mar CAMMARATA. Владелец: YPF Technologia SA. Дата публикации: 2021-05-06.

Muffler with metallic meshed rings

Номер патента: US12050032B2. Автор: Anthony S. MOLAVI. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Multilayer fused microwave conductive structure

Номер патента: CA2211071C. Автор: Glenn J. Walters,John A. Mccormick. Владелец: Graphic Packaging Corp. Дата публикации: 2003-12-23.

Element moulding of metal mesh

Номер патента: CA1163823A. Автор: Heinz Witschi,Peter Fankhauser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-03-20.

Muffler with metallic meshed rings

Номер патента: US20230392827A1. Автор: Anthony S. MOLAVI. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Muffler with metallic meshed rings

Номер патента: US11808490B2. Автор: Anthony S. MOLAVI. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Machine and method for forming a metal mesh

Номер патента: EP2352614A2. Автор: Ermanno Taboga. Владелец: MEP Macchine Elettroniche Piegatrici SpA. Дата публикации: 2011-08-10.

Metal mesh with a low electrical resistance conversion coating for use with aircraft structures

Номер патента: US20210041023A1. Автор: Jeff Busby,Kent BOOMER,Matt BOYD,Emily SAMUELSON. Владелец: Patent Well LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Method to construct a tube having metal fins

Номер патента: WO2001042728A3. Автор: Loon Petrus Josephus Maria Van,Franciscus Xaverius Terwijn. Владелец: Franciscus Xaverius Terwijn. Дата публикации: 2001-11-15.

Method to construct a tube having metal fins

Номер патента: WO2001042728A2. Автор: Petrus Josephus Maria Van Loon,Franciscus Xaverius Terwijn. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij B.V.. Дата публикации: 2001-06-14.

Compositions of light-absorbing layer for black coating to deal with the metal surfaces of metal mesh for touch panel and light-absorbing layer forming method

Номер патента: KR101432144B1. Автор: 박범호,선지완,혁 간. Владелец: 박범호. Дата публикации: 2014-08-20.

Muffler with metallic meshed rings

Номер патента: EP4345351A2. Автор: Anthony S. MOLAVI. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Muffler with metallic meshed rings

Номер патента: EP4345351A3. Автор: Anthony S. MOLAVI. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Liquid spray device with concealed electric conductive structure

Номер патента: US20180161473A1. Автор: Zhi-Kai Xu,Bing-Xin ZHU. Владелец: VIDA INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Bearing assemblies including a thermally conductive structure, bearing apparatuses, and methods of use

Номер патента: US09644671B2. Автор: Jair Jahaziel Gonzalez,S. Barrett Peterson. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Bearing assemblies including a thermally conductive structure, bearing apparatuses, and methods of use

Номер патента: US09453529B2. Автор: Jair Jahaziel Gonzalez,S. Barrett Peterson. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Vehicle glazing panel containing base for attaching accessories having metal part, and base for attaching accessories

Номер патента: RU2756741C2. Автор: Лоран Сильвестрини. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2021-10-04.

Air-conducting structure for an aircraft, air ejector or ejector pump, and aircraft

Номер патента: EP4431396A1. Автор: Sven KOPP,Svenja ABERLE-KERN,Sebastian BREHM. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Self-supported structures having active materials

Номер патента: RU2720940C1. Автор: Джон Ф. БРОДИ,Пол Дж. ТИНДАЛЛ,Брэдли ВУЛЕР,Франческо Дж. АЛЬТЕРА,И Ду. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2020-05-14.

Dispersoid having metal-oxygen bonds, metal oxide film, and monomolecular film

Номер патента: US20120082793A1. Автор: Yoshitaka Fujita,Hiroyuki Takeda,Nobuo Kimura,Motoyuki Toki,Kazuo Ono,Tomoya Hidaka,Norifumi Nakamoto,Akiji Higuchi. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Threaded connector having metal-to-metal seal

Номер патента: GB2591051A. Автор: M Galle Edward. Владелец: Dril Quip Inc. Дата публикации: 2021-07-14.

Manufacture of fibrous structure having variable thickness, by three-dimensional weaving

Номер патента: RU2523251C2. Автор: Доминик КУП,Эрик БУЙОН,Бруно ДАМБРИН. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2014-07-20.

Method for three-dimensional or multilayer weaving of a fibrous structure and fibrous structure having a three-dimensional or multilayer weave

Номер патента: US20240229307A9. Автор: Dominique Marie Christian Coupe,Célline KRIBS,Adrienne RETIVEAU-LECA. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Fan dynamic pressure structure having a plastic frame integrally formed around an oil-containing sintered metal powder bearing

Номер патента: US20200362872A1. Автор: Ping-Ling Wang. Владелец: F&p Precision Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Hermetically closed industrial robot comprising a gas conducting structure

Номер патента: WO2024037704A1. Автор: Liwei QI,Shanghua Li,Johan ERNLUND,Tomas Botold,Jiangwei HUANG. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-02-22.

Hybrid structure having suspension quality

Номер патента: EP3984814A1. Автор: Ilan Ben Meir. Владелец: Tetro Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US20110209980A1. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Kazuhiko Matsumoto,Yasuhide Ohno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US20110214983A1. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Yasuhide Ohno,Kazuhike Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US7964066B2. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Kazuhiko Matsumoto,Yasuhide Ohno. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for producing an electrically conductive structure

Номер патента: US20230026070A1. Автор: Andreas Fischer,Bernd Roesener,Robin Alexander KRUEGER. Владелец: LPKF Laser and Electronics AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Air-conducting structure for an aircraft, air ejector or ejector pump, and aircraft

Номер патента: US20240308671A1. Автор: Sven KOPP,Svenja ABERLE-KERN,Sebastian BREHM. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure having gel-like covering on its surface

Номер патента: RU2671908C1. Автор: Йосуке Акуцу,Синия Ивамото,Кейсуке НИУУ,Томоюки Миядзаки,Есиаки ОКАДА. Владелец: Тойо Сейкан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-11-07.

Protective element with structure having optically alternating properties

Номер патента: RU2417897C2. Автор: Карлхайнц МАЙЕР,Петер ФРАНЦ,Кристоф БАЛЬДУС,Рогер АДАМЧИК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2011-05-10.

Protection element with structure having optically variable properties

Номер патента: RU2427472C2. Автор: Петер ФРАНЦ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2011-08-27.

Heat transfer printing sheet for producing images having metallic luster

Номер патента: US5643659A. Автор: Shuji Kobayashi,Keiichi Ogawa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1997-07-01.

Structure having solid particles, distributed on its surfaces

Номер патента: RU2684076C1. Автор: Йосуке Акуцу,Синия Ивамото,Кейсуке НИУУ,Томоюки Миядзаки,Есиаки ОКАДА. Владелец: Тойо Сейкан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-03.

Board structure having articulated joints and splice object having the same

Номер патента: US20230400054A1. Автор: Lung-Pan Cheng,Chiao Fang,Vivian Hsin-Yueh Chan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-12-14.

Lampshade structure having better light-penetrating effect

Номер патента: US20020114163A1. Автор: Chia-Teh Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Fan structure having integrated rotor impeller, and methods of producing the same

Номер патента: US20200072232A1. Автор: Peter Hall,Shawn Alstad,Ryan Bonde. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Board structure having articulated joints and splice object having the same

Номер патента: US12078201B2. Автор: Lung-Pan Cheng,Chiao Fang,Vivian Hsin-Yueh Chan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonwoven multilayer structures having nanofiber layers

Номер патента: CA3136256C. Автор: Vikram Gopal,Albert E. Ortega,Wai-Shing Yung,Joseph MENNER. Владелец: Ascend Performance Materials Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: EP1034071A1. Автор: Joseph S. W. Haas,William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: HNA Holdings Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Method of fabricating fiber reinforced composite structure having stepped surface

Номер патента: US09770872B2. Автор: Jack A. Woods,Andrew E. Modin,Robert D. Hawkins. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-09-26.

Multilayer structures having annular profiles

Номер патента: US09481143B2. Автор: Robert E. Wrisley,Joseph Dooley,Mark A. Barger,Sam L. Crabtree,Calvin L. Pavlicek,Jeffrey M. Robacki. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Electrically conducting structure for react engine

Номер патента: RU2630646C1. Автор: Хироюки ЯГИ,Такаоми ИНАДА,Кенро ОБУТИ,Хироюки ФУРУКАВА,Хидео МОРИТА. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-09-11.

Monopolar membrane cell having metal laminate cell body

Номер патента: CA1141703A. Автор: Gerald R. Pohto,Richard O. Olson. Владелец: Diamond Shamrock Corp. Дата публикации: 1983-02-22.

Valvular prostheses having metal or pseudometallic construction and methods of manufacture

Номер патента: US7195641B2. Автор: Christopher T. Boyle,Steven R. Bailey,Denes Marton,Julio C. Palmaz,Eugene A. Sprague,Christopher E. Banas,Roger W. Wiseman,Cristina Fuss. Владелец: Advanced Bio Prosthetic Surfaces Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Automotive glass structure having feature lines and related method of manufacture

Номер патента: EP4100373A1. Автор: Michael Pilliod,Rosemary MOTTSMITH,William S. SWENEY,Christos GOUGOUSSIS,Gregoire HAMEL. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Liquid-cooling heat dissipation structure having nonlinear fin array and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240247882A1. Автор: Kuo-Wei Lee,Chien-Cheng Wu,Tze-Yang Yeh,Chun-Lung Wu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Bedhead frame and bed frame structure having the bedhead frame

Номер патента: US20180084920A1. Автор: Suk Kan Oh. Владелец: Grantec (xiamen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Linear motion bearing with plate retaining structure having a plurality of pieces

Номер патента: EP2593687A1. Автор: Alison Ng. Владелец: Thomson Industries Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Substrate structure having cold sprayed layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220234071A1. Автор: Chih-Hung Shih,Hung-An Chao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Welding head with heat-conducting structure for a gas welding gun

Номер патента: US20070090151A1. Автор: Kevin Lin,Tomy Lin. Владелец: Pro Aries Ind Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Conductive structure and antistatic composition including the same

Номер патента: US20240067836A1. Автор: Gwan Yeong KIM,Sung Joon YOO. Владелец: Daejin Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: AU1468699A. Автор: William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: HNA Holdings Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Fastening structure having two members and fluid filter that uses the same

Номер патента: US20090084723A1. Автор: Masahiro Tomita,Tsutomu HANASE. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Catalyst structure having a core-shell structure with a controlled surface morphology and preparation method thereof

Номер патента: US20230234031A1. Автор: Jieun Kim,Doohwan Lee,Dohyeon HAN. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-07-27.

Network structure having excellent compression durability

Номер патента: US09970140B2. Автор: Teruyuki Taninaka,Shinichi Kobuchi,Hiroyuki Wakui. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

System and method for slip forming monolithic reinforced composite concrete structures having multiple functionally discrete components

Номер патента: US09435085B1. Автор: Patrick Shawn Free,Eric C Kontos. Владелец: Raptor LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Structure having fibres which are adhesively bonded to one another in locations

Номер патента: US09345808B2. Автор: Wolfgang Witt,Christoph Classen,Swen FRANZEN,Harrie VAN BAARS,Andreas Henseler,Frank Willems. Владелец: OCCLUTECH HOLDING AG. Дата публикации: 2016-05-24.

Structure having liquid film and method for production thereof

Номер патента: RU2682500C1. Автор: Йосуке Акуцу,Синия Ивамото,Кейсуке НИУУ,Томоюки Миядзаки,Есиаки ОКАДА,Микио АСАКУРА. Владелец: Тойо Сейкан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-03-19.

Equipment and method for manufacturing frozen confectionery product with layered structure, having external shell

Номер патента: RU2640426C2. Автор: Томас Алоизиус Валентинус АМЕНД,Чанпу МА. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2018-01-09.

Structures having sirp-alpha domain or its version

Номер патента: RU2740672C2. Автор: Хауме Понз,Лаура Деминг,Кори Гудман,Банг Джанет СИМ,Стивен Эллиот КАУДЕР,Хун ВАНЬ,Трэйси Чиа-Чиэнь КО. Владелец: ЭйЭлЭкс Онколоджи Инк.. Дата публикации: 2021-01-19.

Method to make structure having prefabricated wooden frame and structure produced by this method

Номер патента: RU2526941C2. Автор: Пьер-Эмманюэль ЛИТЕЗ. Владелец: Эльмер. Дата публикации: 2014-08-27.

Aerodynamic structure having airfoil, with corrugated reinforcing element

Номер патента: RU2523726C2. Автор: Кристофер ПЕЙН,Дэвид ГРОВЗ. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2014-07-20.

Connection structure having dumbbell-shaped bidirectional tapered external thread and traditional thread having large left taper and small right taper

Номер патента: US20210010521A1. Автор: Yihua You. Владелец: Amicus Veritatis Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Additive manufactured airframe structure having a plurality of reinforcement elements

Номер патента: AU2022421040A1. Автор: John F. Gundlach,Jacob S. Allen. Владелец: Rapidflight Holdings LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Alpha gallium oxide thin-film structure having high conductivity obtained using selective area growth in hvpe growth manner and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240158953A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK,Jae-Kyoung Mun. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-05-16.

Building frame structure having edge beam and construction method thereof

Номер патента: AU2018217198B2. Автор: Conrad Tin Cheung Wong,Rosana Wai Man Wong. Владелец: Yau Lee Wah Concrete Precast Products Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Pinnacle die structure having scrap collecting opening

Номер патента: WO2007064067A1. Автор: Sun-Hoo Park. Владелец: Kds Intech Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-06-07.

Porous polymer structure having smooth surface, method for producing same, and protective film comprising same

Номер патента: US20240124675A1. Автор: Dong Rip Kim,Haeyeon LEE,Hanmin JANG,Sungwon JO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-18.

Main frame structure having box-section bearing beams of launch vehicle engine

Номер патента: US12037141B1. Автор: Xu Guo,Zhi SUN,Wenyu Hao,Tichang Jiao,Shurui YE. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Footwear sole structure having a fluid-filled chamber including a tensile member

Номер патента: US20230309653A1. Автор: Shaun J. Hensley,Sean Conway,Bret P. Liebeno,Deni MEI,Sean STAM,Geoff WESTON,Gregory P. Ponitz. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Pallet structure having preset shape for holding support

Номер патента: US20240278955A1. Автор: Ming-Yuan Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-22.

Composite polymer structure having an aluminum polymer anchoring layer, and etching method

Номер патента: US20240208181A1. Автор: Rainer Adelung,Melike Baytekin-Gerngroß,Mark-Daniel Gerngroß,Juergen Carstensen. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2024-06-27.

Float structure having supplementary floating bodies

Номер патента: US20070289520A1. Автор: Shou-Te Chen,Chih-Hsiung Feng. Владелец: CHEN SHOU-TU. Дата публикации: 2007-12-20.

Surface structure having function freezing delay and icing layer separation and manufacturing method thereof

Номер патента: US12077867B2. Автор: SUMIT Barthwal,Sihyung LIM,Bok Hyun Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure having several annular shaver cutter nets capable of rotating forwardly and reversely

Номер патента: EP3858564A1. Автор: Rui Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-04.

Airtight loose powder case structure having powder puff

Номер патента: US20240324748A1. Автор: Haiying Yang. Владелец: Shyahsin Packaging China Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin film polymer structure having different modification on opposite sides thereof

Номер патента: US09956751B2. Автор: Takahiro Goto,Shinji Takeoka,Toshinori Fujie,Yosuke Okamura,Saori Utsunomiya. Владелец: Nanotheta Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Article of footwear with sole structure having frusto-conical structures

Номер патента: US09949529B2. Автор: Denis Schiller,Timothy J. Smith,Ruzica Krstic,Caleb W. Dyer. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for transparent conductive coating production

Номер патента: RU2451768C2. Автор: Александр Николаевич Захаров,Андрей Александрович Соловьев,Сергей Викторович Работкин,Николай Семенович Сочугов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2012-05-27.

REACTIVE SPUTTERING ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES ONTO LARGE AREA SUBSTRATES

Номер патента: US20120000773A1. Автор: HOSOKAWA AKIHIRO,Stimson Bradley O.,Inagawa Makoto,Ye Yan,Kadam Ankur,Li Yanping,Lau Allen Ka-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Bilayer silver/ternary peroxo-perovskite transparent conductive oxide (tco) thin film

Номер патента: MY192005A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd,Nor Roslam Wan Isahak Wan,Nazli Rosli Nurul. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-07-22.

Metal mesh structure and method of making said structure

Номер патента: RU2421833C2. Автор: Владимир Иванович Кондратьев,Александр Николаевич Генцелев,Александр Георгиевич Зелинский. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2011-06-20.

Номер патента: RU2404479C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько,Андрей Юрьевич Якубовский,Александр Николаевич Талденков. Владелец: Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт"). Дата публикации: 2010-11-20.

Metal mesh mask

Номер патента: CA168415S. Автор: . Владелец: Phyllis Kuhn. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of laser 3d scanning of operative definition of deformation degree of structure having complex structural shape

Номер патента: RU2572054C1. Автор: Андрей Юрьевич Тараканов,Олег Анатольевич Медведев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт по проблемам гражданской обороны и чрезвычайных ситуаций МЧС России" (федеральный центр науки и высоких технологий). Дата публикации: 2015-12-27.

Conducting structures

Номер патента: RU2251754C2. Автор: Дэвид ЛУССИ. Владелец: Ператек Лтд. Дата публикации: 2005-05-10.

Polymeric structures having polymeric microneedles and methods for making and using same

Номер патента: WO2024227075A1. Автор: Joseph M. Desimone,YUE Xu,Curtis W. Frank,Maria T. Dulay,Hsiang-Hua Hung,Gunilla B. Jacobson,Madison M. DRISKILL,Ian A. COATES,Jillian PERRY,Shaomin TIAN,Netra U. RAJESH,Stephanie M. BOCZEK,Emily QIAN. Владелец: The University of North Carolina at Chapel Hill. Дата публикации: 2024-10-31.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of laser 3d scanning of operative definition of deformation degree of structure having complex structural shape

Номер патента: RU2572056C1. Автор: Андрей Юрьевич Тараканов,Олег Анатольевич Медведев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт по проблемам гражданской обороны и чрезвычайных ситуаций МЧС России" (федеральный центр науки и высоких технологий). Дата публикации: 2015-12-27.

Method to determine change in deflected mode of building structure or structure having complicated three-dimensional shape

Номер патента: RU2292433C1. Автор: Александр Юрьевич Степанов,Владимир Владимирович Гурьев,Александр Николаевич ДМИТРИЕВ,Владимир Михайлович Дорофеев,Юрий Пантелеймонович Григорьев. Владелец: Государственное унитарное предприятие города Москвы Московский научно-исследовательский и проектный институт типологии, экспериментального проектирования (ГУП МНИИТЭП). Дата публикации: 2007-01-27.

Articles of composite structure having appearance of wood

Номер патента: CA2474224A1. Автор: Tommy L. Liittschwager,Amado Domas,Tim Mccleery,Dennis W. Albright. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-07.

TRANSPARENT CONDUCTIVE STRUCTURE HAVING METAL MESH

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты