Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of forming a trench transistor having a superior gate dielectric

Method of forming a trench transistor having a superior gate dielectric

Номер патента: US20020100932A1
Опубликовано: 01-08-2002
Автор(ы): Brian Mo, Duc Chau
Принадлежит: Fairchild Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of fabricating semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09659778B2. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices and Structures Thereof

Номер патента: US20120319208A1. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices and Structures Thereof

Номер патента: US20150364328A1. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices and Structures Thereof

Номер патента: US20130224942A1. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-29.

Methods of fabricating semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US8778765B2. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-15.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09871114B2. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20190259853A1. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Methods of forming gate dielectric material

Номер патента: US09893160B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

CHANNEL CLADDING LAST PROCESS FLOW FOR FORMING A CHANNEL REGION ON A FINFET DEVICE HAVING A REDUCED SIZE FIN IN THE CHANNEL REGION

Номер патента: US20160204261A1. Автор: Maszara Witold P.,Fronheiser Jody A.,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US20230411460A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Номер патента: EP4238136A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Matt N. MCCAIN,Joe Mcpherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

MISFET Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150035021A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

FinFET Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240304725A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Chia-Ching Lee,Chi-Cheng Hung,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having ferroelectric material and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123021A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods of forming a semiconductor device with a gate structure having a dielectric protection layer

Номер патента: US11749753B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Transistor device having a gate setback from a gate dielectric

Номер патента: US20240258373A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Yu-Chang Jong,Fei-Yun Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Wen Albert Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Iii-n transistors integrated with thin-film transistors having graded dopant concentrations and/or composite gate dielectrics

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Xiaojun Weng,Samuel Jack Beach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device and method of producing a cavity in a trench

Номер патента: EP4354508A1. Автор: Alexander Breymesser,Michael Hutzler,Laszio JUHASZ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device and method of producing a cavity in a trench

Номер патента: US20240128329A1. Автор: Alexander Breymesser,Michael Hutzler,László Juhász. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-18.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: EP2748842A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: WO2013028358A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09748372B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09941376B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20180226485A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Transistor having tungsten-based buried gate structure, method for fabricating the same

Номер патента: US09449830B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Transistor Device and Method for Forming a Recess for a Trench Gate Electrode

Номер патента: US20200111896A1. Автор: Thomas Feil,Olaf Kuehn,Heimo Hofer,Ravi Keshav Joshi,Christoph Gruber,Juergen Steinbrenner,Jyotshna Bhandari. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US9768029B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Min-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20200098883A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: US09570592B2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240096711A1. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha,Pauline Calka,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230352550A1. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With 5 Volt Logic Devices

Номер патента: US20160359024A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of fabricating semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7602031B2. Автор: Young Suk Kim. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130341710A1. Автор: Dae-hyuk Chung,Yoon-ho Son,In-seak Hwang,Tae-Ho Hwang,Tae-Joon Park,Sang-Hyun Choi,Jin-Ho NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor having a metal-containing gate electrode

Номер патента: KR20050007143A. Автор: 최진환,이경태,샤샹크 데시무크,상 이. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-01-17.

Method of fabricating a semiconductor device inluding a field-effect transistor having lightly doped source and drain layers

Номер патента: EP0684640B1. Автор: Frederick T. Brady,Charles P. Breiten,Nadim F. Haddad,William G. Houston,Oliver S. Spencer,Steven J. Wright. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-10.

Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor having a metal-containing gate electrode

Номер патента: CN100514564C. Автор: 李庆在,崔进韩,夏许恩·戴许马克,桑依. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor having a metal-containing gate electrode

Номер патента: US20050009358A1. Автор: Sang Yi,Shashank Deshmukh,Kyeong-Tae Lee,Jinhan Choi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor having a metal-containing gate electrode

Номер патента: CN1577751A. Автор: 李庆在,崔进韩,夏许恩·戴许马克,桑依. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Methods for forming a high-voltage super junction by trench and epitaxial doping

Номер патента: US09614031B2. Автор: Tai-I Yang,Shao-Chi Yu,Kun-Ming Huang,Hong-Seng Shue,Po-Tao Chu,Shou-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

A method of forming a silicon oxynitride layer

Номер патента: EP1700330A2. Автор: Christopher Olsen,Thai Cheng Chua,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of making a semiconductor switch device

Номер патента: US20180337250A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of forming a semiconductor structure comprising an implantation of ions of a non-doping element

Номер патента: US20090035924A1. Автор: Manfred Horstmann,Andreas Gehring,Thomas Feudel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

A method for forming a power semiconductor as in figure 5 having a substrate (2), a voltage sustaining epitaxial layer (1) with at least a trench (52), a doped region (5a) adjacent and surrounding the trench.

Номер патента: AU2002367408A8. Автор: Fwu-Iuan Hshieh,Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

FinFET Varactor with Low Threshold Voltage and Method of Making the Same

Номер патента: US20170317073A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Han-Min Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of fabricating a lateral double-diffused mosfet (ldmos) transistor

Номер патента: US20060099764A1. Автор: Budong You,Marco Zuniga. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20180096894A1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of forming a charge-retaining transistor having selectively-formed islands of charge-trapping material within a lateral recess

Номер патента: US09818756B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Relaxed semiconductor layers with reduced defects and methods of forming the same

Номер патента: US09773906B2. Автор: Christopher Bowen,Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Ganesh Hedge. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistors having argon gate implants and methods of forming the same

Номер патента: US20110198708A1. Автор: Suraj Mathew,Dan Gealy,Cancheepuram V Srividya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Transistors having argon gate implants and methods of forming the same

Номер патента: US20130164897A1. Автор: F. Daniel Gealy,Suraj J. Mathew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of manufacturing semiconductor device with a multi-layered gate dielectric

Номер патента: US09984884B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9159827B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160020321A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Transistors having argon gate implants and methods of forming the same

Номер патента: US8722480B2. Автор: F. Daniel Gealy,Cancheepuram V. Srividya,Suraj J. Mathew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US09613978B2. Автор: Deepak Thimmegowda,Andrew R. Bicksler,Roland Awusie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Gate structure and method of forming same

Номер патента: US20210074590A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Gate structures in transistors and method of forming same

Номер патента: US12087587B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate structures in transistors and method of forming same

Номер патента: US20240363351A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11145733B1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Po-Wen Su,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: EP1759415A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Kunal R. Parekh,Montgomery H. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect device

Номер патента: WO2005122270A9. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Gated field effect devices and methods of forming a gated field effect devices

Номер патента: SG138602A1. Автор: Cem Basceri,Gurtej S Sandhu,Kunal R Parekh,Montgomery H Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-28.

Semiconductor devices comprising nitrogen-doped gate dielectric

Номер патента: US09922885B1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Trench gate type semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US09559188B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Gate Constructions Of Recessed Access Devices And Methods Of Forming Gate Constructions Of Recessed Access Devices

Номер патента: US20150001605A1. Автор: Jaydip Guha,Suraj J. Mathew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of manufacturing a trench FET having a merged gate dielectric

Номер патента: US09853142B2. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Etching process for high-k gate dielectrics

Номер патента: US20050042859A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US09859170B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09530696B1. Автор: Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Wei-Hsin Liu,Wei-Lun Hsu,Shang-Yi Yang,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin film transistors having multi-layer gate dielectric structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156303A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Charles Mokhtarzadeh,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming fin shape structure

Номер патента: US20180166444A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Wen-Yin Weng,Wei-Heng Hsu,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220352155A1. Автор: Zhong Yuan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing South China Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: EP4425562A2. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of forming asymmetric differential spacers for optimized MOSFET performance and optimized MOSFET and SONOS co-integration

Номер патента: US11973130B2. Автор: Sotirios Athanasiou,Sébastien Daveau. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240128125A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Chia-Ling PAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09502502B2. Автор: Samuel C. Pan,Chao-Hsin Chien,Chen-Han CHOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of making a high performance small area, thin film transistor

Номер патента: CA1228180A. Автор: Meera Vijan. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502560B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

III-N TRANSISTORS INTEGRATED WITH THIN-FILM TRANSISTORS HAVING GRADED DOPANT CONCENTRATIONS AND/OR COMPOSITE GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,Beach Samuel Jack,Weng Xiaojun. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing a transistor

Номер патента: US12002870B2. Автор: SIMON Thomas,Robert Wallis,Ivor GUINEY,Thomas James BADCOCK. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of fabricating gate oxide layer with different thickness

Номер патента: US6207516B1. Автор: Tien-Hao Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-27.

Channel cladding last process flow for forming a channel region on a FinFET device having a reduced size fin in the channel region

Номер патента: US9508853B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Jody A. FRONHEISER,Witold P. Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of making trench MOSFET capacitor cell for analog signal processing

Номер патента: US5053350A. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1991-10-01.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09818872B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wai-Yi Lien,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US11855226B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20240097041A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: EP3304596A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: WO2016200623A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-12-15.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190057985A1. Автор: Lei Li,Jingyi Xu,Yishan FU,Yuelin Wang,Yezhou FANG,Yanyan ZHAO,Yanwei REN,Weida QIN,Tienan LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8507347B2. Автор: Thomas Schulz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240136426A1. Автор: Donghyun Roh,Jangho Lee,Seungheon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234542A9. Автор: Donghyun Roh,Jangho Lee,Seungheon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Power mosfet device, structures employing the same and methods of fabrication

Номер патента: US20020117716A1. Автор: Prabjit Singh,Steven Mazzuca,Frank Bosco,George Galyon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of manufacturing metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20060189065A1. Автор: Tony Liu,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Display Apparatus And Method Of Manufacturing Display Apparatus

Номер патента: US20180196294A1. Автор: Shigeru Ishida,Kazuki Kobayashi,Takao Matsumoto,Yoshiaki Matsushima,Nobutake Nodera,Taimi Oketani,Ryouhei Takakura. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of thinning a semiconductor substrate to high evenness and semiconductor substrate having a device layer of high evenness

Номер патента: EP3926661A1. Автор: Alexander Frey,Bernhard Goller,Alfred Sigl,Ingo Muri,Iris Moder,Tobias WEINDLER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-22.

Method of thinning a semiconductor substrate to high evenness and semiconductor substrate having a device layer of high evenness

Номер патента: US20210391377A1. Автор: Alexander Frey,Bernhard Goller,Alfred Sigl,Ingo Muri,Iris Moder,Tobias WEINDLER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-16.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: US20140217489A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods for forming a string of memory cells and apparatuses having a vertical string of memory cells including metal

Номер патента: US10381363B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Fatma Arzum Simsek-Ege,Akira Goda. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Trench transistor having a doped semiconductor region

Номер патента: US09711621B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Carsten Schaeffer,Michael Rüb,Uwe Wahl,Carolin Tolksdorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Power trench MOS-gated device and method of manufacturing it

Номер патента: EP1041640A3. Автор: Christopher Kocon. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Structure of a Trench MOS Rectifier and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140374790A1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Structure of a trench MOS rectifier and method of forming the same

Номер патента: US9276096B2. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Structure of a trench MOS rectifier and method of forming the same

Номер патента: US09406788B2. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Method of forming high voltage metal-oxide-semiconductor transistor device

Номер патента: US09825147B2. Автор: Ming-Shun Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Trench transistor

Номер патента: SG188697A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Shajan Mathew. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-30.

Method of manufacturing trench transistor structure

Номер патента: US20210091067A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of forming SGT MOSFETs with improved termination breakdown voltage

Номер патента: US09431495B2. Автор: Xiaobin Wang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming an isolation structure for a transistor

Номер патента: SG131938A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Chien-Chao Huang,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-05-28.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180331177A1. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046663B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379857A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240363735A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming high voltage transistor and structure resulting therefrom

Номер патента: US20240234566A1. Автор: Chih-Ming Lee,Pei-Lun Wang,Chih-Hsiung Huang,Wen-Chih Chiang,Yu-Chang Jong,Cheng-Ming Wu,Yu-Hsien CHU,Ling Mei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same

Номер патента: US11961768B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Yu-Sheng Wang,Da-Yuan Lee,Ya-Wen Chiu,Kai-Cyuan Yang,Chih-Hsiang Fan,Kun-Wa Kuok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923094B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09577101B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical devices and methods of forming

Номер патента: US09356095B2. Автор: Marcello Mariani,Andrea Filippini,Luca Ferrario. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240347534A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20230327002A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang,Yu-Shih Wang,Po-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075589A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240258428A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210119034A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755026B2. Автор: Weonhong Kim,Moonkyun Song,Minjoo Lee,Soojung CHOI,Dong Su Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for forming a germanium channel layer for an NMOS transistor device, NMOS transistor device and CMOS device

Номер патента: US09478544B2. Автор: Liesbeth Witters,Roger Loo,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-10-25.

Mis device having a trench gate electrode and method of making the same

Номер патента: EP1417717A2. Автор: Mohamed N. Darwish,Kyle Terrill,Kam Hong Lui,Kuo-In Chen,Frederick P. Giles. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of producing a semiconductor component arrangement comprising a trench transistor

Номер патента: US09941276B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20240258374A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of forming perpendicular magnetic tunnel junction memory cells having vertical channels

Номер патента: WO2019133484A1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker. Владелец: Spin Memory, Inc.. Дата публикации: 2019-07-04.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210257261A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09627530B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having a lower diode region arranged below a trench

Номер патента: US09478655B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

High voltage trench transistor

Номер патента: US09570545B2. Автор: LIANG Yi,YEMIN Dong,PURAKH Raj Verma,Zhanfeng LIU,Ramadas NAMBATYATHU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming a flash memory

Номер патента: US20090117727A1. Автор: Chih-Hsiung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of forming an isolated nano-sheet transistor device and the resulting device

Номер патента: US09984936B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Robinhsinku Chao,Pietro Montanini,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09548301B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

High voltage trench transistor

Номер патента: US20150236085A1. Автор: LIANG Yi,YEMIN Dong,PURAKH Raj Verma,Zhanfeng LIU,Ramadas NAMBATYATHU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming a semiconductor device structure using differing spacer widths and the resulting semiconductor device structure

Номер патента: US09876111B2. Автор: Juergen Faul,Thorsten Kammler,Steffen Sichler,Peter Javorka,Sylvain Henri Baudot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09490430B1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-11-08.

Ultra short trench transistors and process for making same

Номер патента: US5905285A. Автор: Fred N. Hause,Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357477A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09543397B2. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of split gate trench device

Номер патента: US20240128343A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170256630A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming polysilicon in a trench

Номер патента: US20140370700A1. Автор: Liang Tong. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768018B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09343476B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Manufacturing method of junction field effect transistor

Номер патента: US20200212207A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Transistor having raised source/drain self-aligned contacts and method of forming same

Номер патента: WO2009085520A3. Автор: Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-09-17.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Method of adjusting spacer thickness to provide variable threshold voltages in FinFETs

Номер патента: US09620425B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabrication of dielectrically isolated cmos device with an isolated slot

Номер патента: CA1186808A. Автор: Sidney I. Soclof. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1985-05-07.

Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150061155A1. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Schottky barrier diode with reduced leakage current and method of forming the same

Номер патента: US20240258402A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431406B1. Автор: Yao-Fu Chan,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming contact structure of gate structure

Номер патента: US09536754B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of producing a contact with a trench-condenser electrode

Номер патента: HK1000927A1. Автор: Franz Hofmann,Lothar Risch,Wolfgang Roesner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-05-08.

Method of manufacturing a flat panel display

Номер патента: US20020061611A1. Автор: Jia-Fam Wong. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-05-23.

Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication

Номер патента: US4471376A. Автор: William R. Morcom,Glenn M. Friedman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1984-09-11.

Method of making symmetrical and asymmetrical MESFETS

Номер патента: US5512499A. Автор: Bertrand F. Cambou,James G. Gilbert,Gregory L. Hansell. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-04-30.

Method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20170154879A1. Автор: Kenji Ozeki,Kunihito Sugimoto,Takakazu KONO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US10181459B2. Автор: Kenji Ozeki,Kunihito Sugimoto,Takakazu KONO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

METHODS OF FORMING FINS FOR A FINFET DEVICE WHEREIN THE FINS HAVE A HIGH GERMANIUM CONTENT

Номер патента: US20140170839A1. Автор: Brunco David P.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Device comprising physical properties controlled by microstructure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210009423A1. Автор: Ching-Hao Chang,Sheng-Chin Ho,Tse-Ming Chen,Yu-Chiang HSIEH. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-01-14.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: WO2013066584A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-05-10.

Method Of Programming A Split Gate Non-volatile Floating Gate Memory Cell Having A Separate Erase Gate

Номер патента: US20130107631A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A4. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Semiconductor processing method of forming a conductive gate line and semiconductor processing method of making ohmic contact between a transistor gate line and a substrate diffusion region

Номер патента: US6066549A. Автор: Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

METHOD OF FORMING POLYSILICON IN A TRENCH

Номер патента: US20140370700A1. Автор: TONG Liang. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Formation method of contact/ through hole

Номер патента: US6001734A. Автор: John Mark Drynan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20180286744A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Hiroyuki Hashimoto,Makoto Fujikawa,Reiji Niino,Syuji Nozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10446438B2. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Hiroyuki Hashimoto,Makoto Fujikawa,Reiji Niino,Syuji Nozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Method for forming a metal contact in a semiconductor device having a barrier metal layer formed by homogeneous deposition

Номер патента: US20060134930A1. Автор: Dong-Ki Jeon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming nmos and pmos finfet devices and the resulting product

Номер патента: US20170301589A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Methods of forming NMOS and PMOS FinFET devices and the resulting product

Номер патента: US09824935B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming a more highly-oriented silicon layer and substrate having the same

Номер патента: US20060292313A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Kyung-bae Park,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Xiaoxin Zhang,Hyuck Lim,Suk-pil Kim,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Methods of implanting dopant ions

Номер патента: US20130012007A1. Автор: Li Li,SHU QIN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060226505A1. Автор: Yoo-Cheol Shin,Jung-Dal Dhoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Deep trench isolations and methods of forming the same

Номер патента: US12087801B2. Автор: Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Min-Ying Tsai,Shih Pei Chou,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Deep trench isolations and methods of forming the same

Номер патента: US20240363671A1. Автор: Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Min-Ying Tsai,Shih Pei Chou,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having a shallow trench isolation structure and methods of forming the same

Номер патента: US09953861B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Ding-I Liu,Po-Hsiung Leu,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Methods of Forming Electrical Contacts

Номер патента: US20130344691A1. Автор: Marcello Mariani,Micaela Gabriella Tomasini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of semiconductor arrangement formation

Номер патента: US09773889B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Wei-Chieh Chen,Shu-Han Chen,Hao-Hsiung Lin,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of forming electrical contacts

Номер патента: US8846515B2. Автор: Marcello Mariani,Micaela Gabriella Tomasini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-30.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuits with electrical fuses and methods of forming the same

Номер патента: US09524934B2. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of filling a trench formed in a semiconductor substrate

Номер патента: US20240096620A1. Автор: Bilel SAIDI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12080646B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices including isolation layers

Номер патента: US09721830B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12094944B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Hiroshi Nakatsuji,Dai Iwata,Eiichi Fujikura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of bonding a metal connection to an electrode including a core having a fiber or foam-type structure for an electrochemical cell, and a resulting electrode

Номер патента: US5558681A. Автор: Roelof Verhoog,Claude Precigout,Marie-Th er ese Loustau. Владелец: SAFT Societe des Accumulateurs Fixes et de Traction SA. Дата публикации: 1996-09-24.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190229091A1. Автор: Taehyeong Kim,Young Lyong Kim,Geol Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of forming a fine pattern by using block copolymers

Номер патента: US09437452B2. Автор: Jung-Sik Choi,Soo-Jin Lee,Jae-ho Kim,Se-Kyung Baek,Kyoung-Mi Kim,Jeong-Ju Park,Hyoung-hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100203700A1. Автор: Eunkee Hong,Deok-Young Jung,Ju-seon Goo,Kyungmun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Conductive structure and method of forming the same

Номер патента: US09564359B2. Автор: Chih-Wei Chang,Pin-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Manufacturing method of electronic component

Номер патента: US20080268210A1. Автор: Masahiro Sunohara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of forming patterns

Номер патента: US09613820B1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming pattern

Номер патента: US09514938B2. Автор: Hironobu Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220059545A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of forming semiconductor layer

Номер патента: US20070042120A1. Автор: Keiji Ikeda,Yoshihiko Moriyama. Владелец: TOSHIBA AND FUJITSU Ltd KK. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of forming an isolation structure

Номер патента: US20100181638A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US09659841B2. Автор: Akihiko Nomura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09412612B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming a trench capacitor

Номер патента: US20080286934A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Wen-Bin Wu,Jen-Jui HUANG,Kuo-Yao CHO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Capacitor and method of forming a capacitor

Номер патента: US09881991B2. Автор: Markus Meyer,Wolfgang Lehnert,Michael Stadtmueller,Stefan Pompl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US09859449B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Deep trench capacitor and method of making same

Номер патента: US20080315274A1. Автор: Steven M. Shank,Robert Mark Rassel,Timothy Wayne Kemerer,Francis Roger White. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005904A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US09666573B1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming integrated fin and strap structure for an access transistor of a trench capacitor

Номер патента: US09564444B2. Автор: Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11764068B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Yung-Sung Yen,Ken-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of manufacturing semiconductor devices from multi-device semiconductor wafers

Номер патента: US12033855B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Soo Kyung Kim,Woo Jin Jung,Jang Hoon Kim,Young Kuk Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a trench capacitor with wafer bow

Номер патента: US20240312725A1. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a trench capacitor with wafer bow

Номер патента: US12033806B2. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of producing a semiconductor package

Номер патента: US09842792B2. Автор: Danny Retuta,Mary Annie Cheong,Hien Boon Tan,Anthony Yi Sheng Sun. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of fabricating switched-capacitor DC-to-DC converters

Номер патента: US09640445B1. Автор: Jae Ho Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Isolation structure, non-volatile memory having the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20090184343A1. Автор: Chin-Tsan Yeh,Chin-Ta Su,Kuang-Chao Chen,Ming-Da Cheng,Tuung Luoh,Ta-Hung Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of manufacturing semiconductor device in which functional portion of element is exposed

Номер патента: US7998781B2. Автор: Kenji Uchida,Koki Hirasawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of forming a dual damascene structure utilizing a three layer hard mask structure

Номер патента: US7226853B2. Автор: Nikolaos Bekiaris,Mehul B. Naik,Timothy Weidman,Michael D. Armacost. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

Method of manufacturing template and method of forming pattern

Номер патента: US11931923B2. Автор: Hideaki Sakurai,Noriko Sakurai,Takeharu Motokawa,Ryu Komatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7534657B2. Автор: Yoshihiko Yamaguchi,Yusuke Ohta,Atsushi Fujishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20140338956A1. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of machining wafer

Номер патента: US20080305578A1. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09947530B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Modified cadmium telluride layer, a method of modifying a cadmium telluride layer, and a thin film device having a cadmium telluride layer

Номер патента: EP2398045A3. Автор: Jonathan M. Frey. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Method of manufacturing a bonded substrate stack by surface activation

Номер патента: US11948912B2. Автор: Alexander Frey,Alfred Sigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of fabricating a metal wiring line

Номер патента: US6001732A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Method of making a semiconductor device comprising contacting through an opening of reduced size

Номер патента: CA1298000C. Автор: Wilhelmus J.M.J. Josquin. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-03-24.

Method of manufacturing a bonded substrate stack by surface activation

Номер патента: US20240274573A1. Автор: Alexander Frey,Alfred Sigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Deposited thin build-up layer dimensions as a method of relieving stress in high density interconnect printed wiring board substrates

Номер патента: EP1133904A1. Автор: Jan I. Strandberg,James L. Ii Lykins. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Method of producing a semiconductor package

Номер патента: US9281218B2. Автор: Danny Retuta,Mary Annie Cheong,Hien Boon Tan,Anthony Yi Sheng Sun. Владелец: United Test and Assembly Center Ltd. Дата публикации: 2016-03-08.

Method of fabricating a vertically oriented inductor within interconnect structures and capacitor structure thereof

Номер патента: US20150004770A1. Автор: Hsiu-Ying Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Manufacturing method of semiconductor

Номер патента: US20240055297A1. Автор: Fu-Chiang Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Photolithographic method for forming a coating layer

Номер патента: US09633834B2. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB991291A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1965-05-05.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US7129591B2. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor device having align key and method of fabricating the same

Номер патента: US20050104229A1. Автор: Sung-Ho Kim,Myeong-Cheol Kim,Jin-Hee Kim,Doo-Youl Lee,Sung-woo Lee,Sang-Su Kim,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US9640513B2. Автор: JONGHO LEE,Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11417626B2. Автор: Mie Matsuo,Hideshi Miyajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Treatment agent for inhibiting substrate pattern collapse and treatment method of substrate

Номер патента: US20180068863A1. Автор: Kenji Fujita,Yoshio Takimoto,Kang-go Chung. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor package and method of manufacture

Номер патента: US20190189544A1. Автор: Adam Richard Brown,Ricardo Lagmay Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170005123A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of forming a solder bump on a substrate

Номер патента: US09520375B2. Автор: Kazushige Toriyama,Shintaro Yamamichi,Hiroyuki Mori,Toyohiro Aoki,Yasumitsu K. Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of designing an alignment mark

Номер патента: WO2021052695A1. Автор: Hua Li,Jigang Ma. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-03-25.

Trench capacitors and methods of forming the same

Номер патента: US09508790B2. Автор: Rudolf Berger,Thomas Popp,Stefan Pompl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Perovskite solar cell and method of making the same

Номер патента: US20230087893A1. Автор: Xu Liu,Martin Andrew Green,Xiaojing Hao,Ziheng LIU. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of forming a semiconductor module

Номер патента: US12087740B2. Автор: Josef Hoeglauer,Angela Kessler,Gerhard Noebauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Perovskite solar cell and method of making the same

Номер патента: WO2021163766A1. Автор: Xu Liu,Martin Andrew Green,Xiaojing Hao,Ziheng LIU. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of manufacturing optoelectronic element having rough surface

Номер патента: US09755104B2. Автор: Chi Hao HUANG,Wei Jung CHUNG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Placement method of an electronic module on a substrate and device produced by said method

Номер патента: MY149176A. Автор: Francois Droz. Владелец: Nagraid Sa. Дата публикации: 2013-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203402A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246053A1. Автор: Kazuo Kokumai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of fabricating a plurality of linear arrays with submicron y-axis alignment

Номер патента: US10943895B2. Автор: Gary D. Redding,Joseph F. Casey. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Method of reducing oxygen vacancies in a high k capacitor dielectric region, and DRAM processing methods

Номер патента: US20020106853A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: EP1032054B1. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20170288089A1. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Unit pixel of image sensor, image sensor including the same and method of manufacturing image sensor

Номер патента: US09929204B2. Автор: Yong-Chan Kim,Moo-Sup Lim,Eun-sub SHIM,Seung-sik KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and method of preparing the same

Номер патента: US09859269B2. Автор: Li Chai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Light emitting diodes with N-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US09705028B2. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

MEMS packages and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09969614B2. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing ultra-thin antireflection sticker and ultra-thin antireflection sticker

Номер патента: US20230399546A1. Автор: Ji Seong CHOI,Seong Min KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2023-12-14.

Complimentary metal-insulator-metal (MIM) capacitors and method of manufacture

Номер патента: US09424992B2. Автор: Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,James S. Dunn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing high-frequency device

Номер патента: US20230290750A1. Автор: Tatsuya Hashinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of Forming a Semiconductor Module

Номер патента: US20240047431A1. Автор: Josef Hoeglauer,Angela Kessler,Gerhard Noebauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of forming a solder interconnection capable of sustained high power levels between a semiconductor device and a supporting substrate

Номер патента: US4360142A. Автор: Charles Carpenter,Joseph F. Fugardi,Lawrence V. Gregor,Peter S. Grosewald,Morton D. Reeber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Method of manufacturing optoelectronic element having rough surface

Номер патента: US20150325744A1. Автор: Chi Hao HUANG,Wei Jung CHUNG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of producing molded product, resist for collective molding with imprint-electronic lithography, method of producing replica mold, method of producing device, and imprint material

Номер патента: US20210397097A1. Автор: Jun Taniguchi,Takashi Miyazawa,Takeshi Osaki,Takao Okabe. Владелец: Toyo Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Chemical sensor and method of forming the same

Номер патента: US20230317698A1. Автор: Lennon Yao Ting Lee. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: AU4473399A. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2000-08-31.

Semiconductor package having heat emitting post bonded thereto and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240297096A1. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Light emitting device having a reflecting member and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947846B2. Автор: Yoichi Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US09748450B2. Автор: Martin Brandl,Markus Burger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-29.

Image device and methods of forming the same

Номер патента: US20130327921A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Chih-Chien Wang,Cheng-ta Wu,Shih Pei Chou,U-Ting CHEN,Yu-Hao SHIH,Wei-Tung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: AU2022372236A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: AU2022372236A2. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating a catalyst on a substrate

Номер патента: EP4419252A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Siva Krishna KARUTURI,Bikesh Gupta,Joshua Zheyan SOO. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of producing a semiconductor layer sequence and an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09761755B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit device system with elevated configuration and method of manufacture thereof

Номер патента: US09603252B1. Автор: Satyanarayan Shivkumar Iyer,Victor Mahran,Reuben J. Chang. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming copper wiring and method and system for forming copper film

Номер патента: US20120196052A1. Автор: Kenzi Suzuki,Osamu Yokoyama,Tadahiro Ishizaka,Atsushi Gomi,Takashi Sakuma,Masamichi Hara,Tatsuo Hatano,Yasushi Mizusawa,Hiroyuki Toshima,Chiaki Yasumuro,Takara KATO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

3D field programmable gate array system with reset management and method of manufacture thereof

Номер патента: US09843328B1. Автор: Ping Xiao. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip

Номер патента: US20140203903A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,John D. Weld,Trifon M. Liakopoulos,Mathew A. Wilkowski. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip

Номер патента: US8701272B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,John D. Weld,Trifon M. Liakopoulos,Mathew A. Wilkowski. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US11843072B2. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of manufacturing liquid ejecting head, method of manufacturing liquid ejecting apparatus and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US8991052B2. Автор: Tomohiro Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Method of manufacturing light emitting device and light emitting device

Номер патента: US20240105891A1. Автор: Takehiro Nishimori. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20240128396A1. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of manufacturing liquid ejecting head, method of manufacturing liquid ejecting apparatus and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US20130145589A1. Автор: Tomohiro Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of manufacturing wavelength conversion member and wavelength conversion member

Номер патента: US11920068B2. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

MEMS Packages and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20230278857A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090142884A1. Автор: Kaoru Katoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Fabricating method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20100304525A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Fabricating method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US7968367B2. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-06-28.

Method of manufacturing high-frequency device

Номер патента: EP4273926A1. Автор: Tatsuya Hashinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Via bottom structure and methods of forming

Номер патента: US09716065B2. Автор: Takeshi Nogami,James J. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit package and method of making

Номер патента: CA2290587A1. Автор: Thomas P. Glenn,Roy D. Hollaway,Anthony E. Panczak. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-10-07.

Method of generating photomask data, method of fabricating photomask, memory medium storing program for generating photomask data, method of manufacturing solid-state image sensor having microlens array and method of manufacturing microlens array

Номер патента: US20110165503A1. Автор: Shingo Kitamura,Masaki Kurihara,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of forming a conductive pattern, method of manufacturing a display substrate using the method, and display substrate

Номер патента: US9318515B2. Автор: Yong-Su Lee,Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Hyung-Bin CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of forming a conductive pattern, method of manufacturing a display substrate using the method, and display substrate

Номер патента: US09318515B2. Автор: Yong-Su Lee,Gug-Rae Jo,Dae-Young Lee,Hyung-Bin CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Backside illumination cmos image sensors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110193147A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Jung-Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of manufacturing an electronic system

Номер патента: US8928140B2. Автор: Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-06.

Method of producing a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200388734A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-10.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20210159278A1. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230005997A1. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US11462595B2. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Method of manufacturing light emitting diode package

Номер патента: US20120077292A1. Автор: Chao-Hsiung Chang,Pi-Chiang Hu. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US11985882B2. Автор: Minwoo Kim,Jaejin Lyu,Hyung-il Jeon,Donghee Lee,Junwoo Lee,Taekjoon Lee,Baek Hee Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20170092825A1. Автор: Yoichi Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US8048787B2. Автор: Sangjin Hyun,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20100099269A1. Автор: Sangjin Hyun,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20120012942A1. Автор: Sangjin Hyun,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Micromodules Including Integrated Thin Film Inductors and Methods of Making the Same

Номер патента: US20090212391A1. Автор: Francesco Carobolante,Douglas Alan Hawks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

System and method of uv programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09607999B2. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of chemical mechanical polishing of a copper structure using a slurry having a multifunctional activator

Номер патента: US20080257862A1. Автор: Irina Belov,Timothy D. Moser. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor memory device having a multilayered bitline structure with respective wiring layers for reading and writing data

Номер патента: US5933380A. Автор: Kenji Tsuchida,Kazunori Ohuchi,Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

A method of producing graphene, carbon nanotube, fullerene, graphite or the combination tereof having a position specifically regulated resistance

Номер патента: KR102014988B1. Автор: 이동호,심저영,엄근선,전태한. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-10-21.

A composition for forming a resist underlayer film comprising a compound having a glycoluril skeleton as an additive

Номер патента: KR102180026B1. Автор: 히로토 오가타,유키 우스이,야스시 사카이다,다카히로 기시오카. Владелец: 닛산 가가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-11-17.

METHODS FOR FORMING A STRING OF MEMORY CELLS AND APPARATUSES HAVING A VERTICAL STRING OF MEMORY CELLS INCLUDING METAL

Номер патента: US20150243671A1. Автор: Goda Akira,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHODS FOR FORMING A STRING OF MEMORY CELLS AND APPARATUSES HAVING A VERTICAL STRING OF MEMORY CELLS INCLUDING METAL

Номер патента: US20140339621A1. Автор: Goda Akira,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Simsek-Ege Fatma Arzum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of making a trench capacitor

Номер патента: US20200161416A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of forming shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US09627246B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Gregory Allen Stom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods of forming a conductive line

Номер патента: US20030071356A1. Автор: Jigish Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Apparatus and method of forming channels in a heat-exchanging device

Номер патента: WO2004083759A2. Автор: Mark McMaster,James Lovette,Thomas W. Kenny, Jr.. Владелец: Cooligy, Inc.. Дата публикации: 2004-09-30.

Hybrid interconnects and method of forming the same

Номер патента: US09748173B1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming metal interconnection

Номер патента: US09613856B1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Tz-Jun Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of forming an isolation layer and method of manufacturing a trench capacitor

Номер патента: US20040198015A1. Автор: Bruno Spuler,Christian Drabe,Barbara Lorenz,Thomas Morgenstern,Anke Krasemann,Torsten Schneider,Jana Haensel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of forming interconnect structures

Номер патента: WO2024040200A1. Автор: Jian Zhou,Vinod Purayath,Kenta Ohama. Владелец: Avient Corporation. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming composite opening and method of dual damascene process using the same

Номер патента: SG145607A1. Автор: Hong Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Methods of forming wiring structures including a plurality of metal layers

Номер патента: US09773699B2. Автор: Jae-Won Chang,Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Jong-Jin Lee,Rak-Hwan Kim,Tsukasa Matsuda,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jung-ha Hwang,Jae-Won Hwang,Wan-Soo Park,Jeong-Ok Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming dram assemblies, transistor devices, and openings in substrates

Номер патента: US20020072208A1. Автор: Er-Xuan Ping,Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias with Trench in Saw Street

Номер патента: US20140217609A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming semiconductor devices using auxiliary layers for trimming margin

Номер патента: US09691627B2. Автор: Chan Ho Park,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Hyeonok JUNG,Jiung Pak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of manufacturing capacitors

Номер патента: US09679960B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of forming trench and disposing semiconductor die over substrate to control outward flow of underfill material

Номер патента: US09627229B2. Автор: Hoang Lan,Wang Zhenliang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of forming conductive vias with trench in saw street

Номер патента: US09601369B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Low resistance and inductance backside through vias and methods of fabricating same

Номер патента: WO2007084879A2. Автор: Anthony K. Stamper,Robert A. Groves,Mete Erturk,Jeffrey B. Johnson,Qizhi Liu,Edmund J. Sprogis,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Trench isolation and method of fabricating trench isolation

Номер патента: US20090045468A1. Автор: James Spiros Nakos,Terence Blackwell Hook,Jeffrey Bowman Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Low resistance and inductance backside through vias and methods of fabricating same

Номер патента: EP1979932A2. Автор: Anthony K. Stamper,Robert A. Groves,Mete Erturk,Jeffrey B. Johnson,Qizhi Liu,Edmund J. Sprogis,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Through via structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240312840A1. Автор: Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG,Chih-Pin CHIU,Lee-Wen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Device and Method of Forming Shielding Layer Over Semiconductor Die Mounted to TSV Interposer

Номер патента: US20120299165A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of forming shielding layer over semiconductor die mounted to TSV interposer

Номер патента: US09685403B2. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

[overlay mark and method of fabricating the same]

Номер патента: US20050074945A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of producing electroconductive substrate, electronic device and display device

Номер патента: US11410855B2. Автор: Atsushi Sato,Hisayuki Abe,Susumu Taniguchi,Makoto Orikasa,Yuhei HORIKAWA,Akiko Seki,Takashi DAITOKU. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Method of producing electroconductive substrate, electronic device and display device

Номер патента: US10784122B2. Автор: Atsushi Sato,Hisayuki Abe,Susumu Taniguchi,Makoto Orikasa,Yuhei HORIKAWA,Akiko Seki,Takashi DAITOKU. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Memory device with back-gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230389283A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Liquid Crystal Display and Method of Forming the Same

Номер патента: US20120140155A1. Автор: Dae-Seung Yun. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: US20160381800A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

A lens array and a method of making a lens array

Номер патента: EP2943820A1. Автор: Kasper Sortkjær,Per Ibsen. Владелец: Kaleido Technology ApS. Дата публикации: 2015-11-18.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Shielded deep trench capacitor structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094868B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Image sensor having a plurality of phototransistors separated by trench-gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472706B2. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing semiconductor device and structure including passivation film with a trench having sections of different depths and widths

Номер патента: US09508654B2. Автор: Nobutaka Ukigaya,Masao Ishioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device having control gate dielectric structure with different dielectric materials

Номер патента: US20230397406A1. Автор: Soichi Sugiura,Jaydip Guha,Richard Beeler,Sau Ha Cheung,Anthony J. Kanago. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: US09640603B2. Автор: Seung Wook Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming bubble domain system

Номер патента: US3728153A. Автор: D Heinz. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1973-04-17.

Method of manufacturing magnetic core elements

Номер патента: US20190051453A1. Автор: Hsieh-Shen Hsieh,Chih-Hung Wei,Yu-Lun Chang,Shih-Feng Chien. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of manufacturing electricity storage device

Номер патента: EP4415147A1. Автор: Akira Nishida,Taisuke Iseda. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of manufacturing silicon optical member, silicon optical member, and light-emitting device

Номер патента: US20240255679A1. Автор: Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional (3D) porous device and method of making a 3D porous device

Номер патента: US09601234B2. Автор: Paul V. Braun,Xindi Yu,William P. King,Hui Gang Zhang,Zhenting Dai. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of producing dark heater

Номер патента: US4844942A. Автор: Terutoshi Ichihara,Sachio Koizumi. Владелец: Hitachi Nisshin Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-04.

Mesoporous metal oxide microsphere electrode compositions and their methods of making

Номер патента: US09620783B2. Автор: Mariappan Parans Paranthaman,Gilbert M. Brown,Zhonghe BI,Craig A. Bridges. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Lithium ion secondary battery electrode and method of forming same

Номер патента: US20120301790A1. Автор: Stephen J. Harris,Xinran Xiao,Adam T. Timmons. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing magnetic member and the magnetic member

Номер патента: US12033793B2. Автор: Masakazu Abe,Tadashi Omiya. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Sensor and method of making same

Номер патента: US3630971A. Автор: Frederic R Quinn. Владелец: Zyrotron Ind Inc. Дата публикации: 1971-12-28.

Method of forming complex-shaped hollow ceramic bodies

Номер патента: CA2276763C. Автор: Jeffrey T. Neil,Karlene J. Zuk,Christopher A. Tarry. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-09-05.

An antenna and a method of manufacture thereof

Номер патента: GB2490798B. Автор: Oliver Paul Leisten,Beata Zalinska. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2014-01-08.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of manufacturing solid electrolytic capacitor

Номер патента: US20130202783A1. Автор: Takeshi Furukawa,Yuichiro Inutsuka. Владелец: Saga Sanyo Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

Voltage sensor and method of using same

Номер патента: US3766510A. Автор: F Quinn. Владелец: Zyrotron Ind Inc. Дата публикации: 1973-10-16.

Method of using resistance soldering device

Номер патента: US20240250487A1. Автор: William Falk. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of producing aluminum structure and aluminum structure

Номер патента: US20120183436A1. Автор: Koji Nitta,Tomoyuki Awazu,Kotaro Kimura,Osamu Ohama,Kazuki Okuno,Akihisa Hosoe,Takayasu Sugihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of fuel cell module and manufacturing method of fuel cell

Номер патента: US09437883B2. Автор: Kenji Sato,Hideaki Tanahashi,Yutaka Ishioka,Fumishige Shizuku,Hiroo Yoshikawa,Hideya Kadono,Shinichi Haga. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of producing magnetic powder

Номер патента: US20210098161A1. Автор: Hisashi Maehara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of driving laser diode device and laser diode equipment

Номер патента: US20100220754A1. Автор: Hiroyuki Yokoyama,Tomoyuki Oki,Masao Ikeda,Shunsuke Kono. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-09-02.

Methods of preparing electrode assembly and secondary battery

Номер патента: US09893376B2. Автор: Chang Bum Ahn,Ki Hong Min,Young Joo Yang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Abrasion resistant textile sleeve, improved multifilament yarn therefor and methods of construction thereof

Номер патента: US12051527B2. Автор: Yi Li,Tianqi Gao,Ritesh Mehbubani,Leigh Krauser,Ali KHOSROSHAHI. Владелец: Federal Mogul Powertrain LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Lithium-ion secondary battery including polybenzimidazole and method of manufacturing lithium-ion secondary battery

Номер патента: US09450230B2. Автор: Atsushi Sano,Hisashi Suzuki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming a lithium-ion type battery

Номер патента: US9406970B2. Автор: Dominique Genard. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2016-08-02.

Solid state capacitors and methods of manufacturing them

Номер патента: AU5995200A. Автор: David Huntington. Владелец: AVX Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Conductive high-pressure laminate and method of preparation

Номер патента: CA1247774A. Автор: George R. Berbeco. Владелец: Charleswater Products Inc. Дата публикации: 1988-12-28.

Method of manufacturing magnetic member and the magnetic member

Номер патента: US20220172887A1. Автор: Masakazu Abe,Tadashi Omiya. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Manufacturing method of fuel cell module and manufacturing method of fuel cell

Номер патента: EP2415110A1. Автор: Kenji Sato,Hideaki Tanahashi,Yutaka Ishioka,Fumishige Shizuku,Hiroo Yoshikawa,Hideya Kadono,Shinichi Haga. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-08.

Electrically conductive polymer composition, method of making same and device incorporating same

Номер патента: CA2072224C. Автор: Nicholas Leventis,Young C. Chung. Владелец: Molecular Displays Inc. Дата публикации: 2001-10-09.

Ionic conductor, method of manufacturing the same, and electrochemical device

Номер патента: US20060204813A1. Автор: YONG Li,Kazuaki Fukushima,Takuro Hirakimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Reconstructing method of battery pack, manufacturing method of battery pack, battery pack, manufacturing support apparatus, and manufactuirng support method

Номер патента: US20220302516A1. Автор: Toshihiko Mitsuhashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Control device having locking selector means and method of making the same

Номер патента: CA1042044A. Автор: Henry F. Hild,David M. Rosenberg,John W. Stearley. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1978-11-07.

Toroidal electrical transformer and method of producing same

Номер патента: CA1192281A. Автор: John L. Fisher,Herbert J. Macemon,James D. Richerson,Richard W. Wiedo,Joe E. Curtis, Jr.,James F. Rafferty,Thomas H. Aishton. Владелец: Kuhlman Corp. Дата публикации: 1985-08-20.

Method of molding and forming a switch device

Номер патента: US3252206A. Автор: Robert G Stevens. Владелец: Molding Engineers Inc. Дата публикации: 1966-05-24.

Cut-off arrangement for and method of protecting a ballast-starter circuit from high pressure sodium lamp cycling malfunction

Номер патента: US4207500A. Автор: George Duve,Daniel DiCarlo. Владелец: Area Lighting Res Inc. Дата публикации: 1980-06-10.

Manufacturing method of ceramic electronic device

Номер патента: US20220165505A1. Автор: Satoshi Kobayashi,Takahisa Fukuda,Kiyoshiro Yatagawa. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of producing magnetic powder

Номер патента: US11594352B2. Автор: Hisashi Maehara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Method of manufacturing spark plug

Номер патента: US20170324224A1. Автор: Jiro Kyuno. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Cathode material for lithium secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824190B2. Автор: Seung Min Oh,Ji Eun Lee,Dong Jun Kim,Yoon Sung Lee,Ik Kyu Kim,Sang Mok Park,Nam Hyeong KIM,Yeol Mae Yeo,Seung Taek MYUNG,Ji Ung Choi. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus for forming a disconnect terminal

Номер патента: US3991452A. Автор: Irwin Zahn,Renate Rosenberg. Владелец: General Staple Co Inc. Дата публикации: 1976-11-16.

METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL FEEDTHROUGH INCLUDING PROCESSES FOR REDUCING STRESS IN PACKAGES HAVING A HIGH-CTE METAL AND LOW-CTE SEALING MATERIAL INTERFACE

Номер патента: US20190027914A1. Автор: Xia Hua,Settles Nelson,Sawyer Robert. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Manufacturing method of a semiconductor device with a trench capacitor

Номер патента: US5302541A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Method of manufacturing a formable laminated stack in a progressive die assembly having a choke

Номер патента: US7062841B2. Автор: Thomas R Neuenschwander. Владелец: LH Carbide Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of driving a display panel that includes a first display region having a first resolution and a second display region being adjacent to the first display region and having a second resolution higher than the first resolution

Номер патента: US11929004B2. Автор: Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of striking and maintenance of an electric arc in a medium having a great dielectric strength

Номер патента: GB389946A. Автор: . Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1933-03-30.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of forming optical waveguide

Номер патента: US20100144075A1. Автор: Gyung-Ock Kim,Dong-woo Suh,In-Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of forming printed circuit pattern, forming guide for pattern, and guide-forming ink

Номер патента: US20090286004A1. Автор: Hye-Jin Cho,Jae-Woo Joung,Hyun-Chul Jung,In-young Kim,Sung-Il Oh,Young-Ah SONG,Sung-Nam Cho,Su-Hwan CHO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US20020168822A1. Автор: Chun-Jung Lin,Ful-Long Ni,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Method of manufacturing laminated core

Номер патента: US8205322B2. Автор: Yoshiaki Mitsui,Katsufusa Fujita. Владелец: Mitsui High Tec Inc. Дата публикации: 2012-06-26.

Method of manufacturing printed wiring board

Номер патента: US20160066431A1. Автор: Teruhiko Kumada,Tsuyoshi Ozaki,Hiroyuki Osuga,Sohei SAMEJIMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

MEMS devices and methods of forming thereof

Номер патента: US11767217B2. Автор: RANGANATHAN Nagarajan,Rakesh Kumar,Jia Jie Xia,Bevita KALLUPALATHINKAL CHANDRAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Ac/dc converter having a switchable pfc, a controller therfor, and a method of operating a contoller

Номер патента: US20130057170A1. Автор: Frederic Mercier,Michel Altheimer,Christophe Delcourt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-03-07.

Camera reference device and method of making camera reference device

Номер патента: US20040201725A1. Автор: Ferrand Corley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of and apparatus adapted for controlling a power consumption of a media stream reproducing device

Номер патента: EP3210094A1. Автор: Anton Werner Keller. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2017-08-30.

Method of and apparatus adapted for controlling a power consumption of a media stream reproducing device

Номер патента: WO2016062634A1. Автор: Anton Werner Keller. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2016-04-28.

Method of controlling an electrical machine

Номер патента: US09559623B2. Автор: Paul S. Mullin. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Electrical machine, method of controlling an electrical machine, and system including an electrical machine

Номер патента: EP2702682A2. Автор: Paul S. Mullin. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Methods of manufacturing printed circuit board assembly

Номер патента: WO2008050191A2. Автор: Tsutomu Masaki,Jiro Takeda,Yasunori Goto. Владелец: Prad Research And Development N.V.. Дата публикации: 2008-05-02.

Methods of manufacturing printed circuit board assembly

Номер патента: WO2008050191A3. Автор: Tsutomu Masaki,Jiro Takeda,Yasunori Goto. Владелец: Yasunori Goto. Дата публикации: 2008-06-19.

Multichannel transducer devices and methods of operation thereof

Номер патента: US09628098B2. Автор: Andrea Lorenzo Vitali. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Knit emi shield and method of construction thereof

Номер патента: WO2015191127A1. Автор: Hiroki Yamaguchi. Владелец: Federal-Mogul Powertrain, Inc.. Дата публикации: 2015-12-17.

Multi display device and method of photographing thereof

Номер патента: US09571734B2. Автор: Ji-yeon Kwak,Seok-Weon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating micro actuator having media stage

Номер патента: US20070137780A1. Автор: Hong-Sik Park,Seung-bum Hong,Jong-youp Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of fabricating bottom chassis, bottom chassis fabricated by the method of fabricating the same, method of fabricating liquid crystal display, and liquid crystal display fabricated by the method of fabricating the same

Номер патента: US20110242446A1. Автор: Sang-Joon Park,Tae-Seok Jang,Tae-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of analyzing the spectrum of a radio communication system transmission signal

Номер патента: US20010054889A1. Автор: Olivier Danet. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of manufacturing capacitor connecting line of memory

Номер патента: US12004343B2. Автор: Yang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Cartridge heater with moisture resistant seal and method of manufacturing same

Номер патента: US20040108310A1. Автор: Sidney Furlong,Amy Barker,Sam Henry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer

Номер патента: US11909381B2. Автор: Bryant Garcia,Patrick Turner,Viktor Plesski,Julius Koskela,Ventsislav Yantchev,Neal Fenzi,Robert Hammond. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer

Номер патента: US20240162886A1. Автор: Bryant Garcia,Patrick Turner,Viktor Plesski,Julius Koskela,Ventsislav Yantchev,Neal Fenzi,Robert Hammond. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Systems and methods of signals quantisation

Номер патента: RU2705006C2. Автор: Гари Ли ВИВИАНИ. Владелец: Инситу, Инк.. Дата публикации: 2019-11-01.

Method of detecting fault in pulsed current source and corresponding electric power source

Номер патента: RU2527480C2. Автор: Николя ЖЕНЕСТ,Тан-Тюан ТРЮОНГ,Гвенаэль ЭСТЕВ. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of manufacturing an iron core of a multi-phase linear motor

Номер патента: CA2118341C. Автор: Takao Iwasa,Hirobumi Satomi. Владелец: Oriental Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-04.

Method of Manufacturing an Iron Core of A Multi-Phase Linear Motor

Номер патента: CA2118341A1. Автор: Takao Iwasa,Hirobumi Satomi. Владелец: Oriental Motor Co Ltd. Дата публикации: 1995-04-23.

Camera reference device and method of making camera reference device

Номер патента: CA2357989C. Автор: Ferrand David Ernest Corley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-08.

Camera reference device and method of making camera reference device

Номер патента: US6987533B2. Автор: Ferrand David Ernest Corley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-17.

Metal droplet ejection three-dimensional (3D) object printer and method of operation for forming a metal support structure

Номер патента: CN116275093A. Автор: C-H·刘,P·J·麦康维尔,S·普拉哈拉耶,J·M·勒费夫尔,D·K·赫尔曼,P·S·拉梅什. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2023-06-23.

Manufacturing method of plane piezoelectric vibration module

Номер патента: US20240099144A1. Автор: Yue Shih Jeng,Yi Hsun Guu. Владелец: Omvo Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Led driver and method of operating a camera

Номер патента: WO2019231330A1. Автор: Andy Johanna Elisabeth OTTEN. Владелец: ELDOLAB HOLDING B.V.. Дата публикации: 2019-12-05.

Multichannel transducer devices and methods of operation thereof

Номер патента: US20170184415A1. Автор: Andrea Lorenzo Vitali. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-29.

Communication device and communication method of underwater vehicle

Номер патента: US20080090518A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Taro Aoki,Katsuki Fujimoto,Osamu Numamoto. Владелец: Japan Agency for Marine Earth Science and Technology. Дата публикации: 2008-04-17.

Method of manufacturing a CVD torch

Номер патента: US4813093A. Автор: Philip S. Levin. Владелец: Spectran Corp. Дата публикации: 1989-03-21.

Digital image processing apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US20120026355A1. Автор: Hun-Young Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of synchronizing a generator with a power supply network

Номер патента: US20220294230A1. Автор: Georg Arnold,Simon SCHMIDT,Tobias TRIENDL,Andreas BIRGEL. Владелец: Innio Jenbacher GmbH and Co OG. Дата публикации: 2022-09-15.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US7816858B2. Автор: Hoon Kim,Beohm-Rock Choi,Kyong-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-19.

Electrical machine, method of controlling an electrical machine, and system including an electrical machine

Номер патента: US20120274249A1. Автор: Paul Mullin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Led driver and method of operating a camera

Номер патента: EP3803507A1. Автор: Andy Johanna Elisabeth OTTEN. Владелец: Eldolab Holding BV. Дата публикации: 2021-04-14.

Led driver and method of operating a camera

Номер патента: WO2019231330A8. Автор: Andy Johanna Elisabeth OTTEN. Владелец: ELDOLAB HOLDING B.V.. Дата публикации: 2021-01-07.

Electrical machine, method of controlling an electrical machine, and system including an electrical machine

Номер патента: WO2012149237A2. Автор: Paul S. Mullin. Владелец: REGAL BELOIT EPC INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

Methods of Reducing or Eliminating Internal Optical Light Reflections, Increasing Yield, Reducing High-Temperature Transmission Failures and/or Improving OSA Transmission Performance and an Improved Optical Transceiver Implementing the Same

Номер патента: US20190103919A1. Автор: Ke Liu,Xuanqi Zhang,Yingjun TIAN,Yongbu HAILAI. Владелец: Source Photonics Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD OF ESTIMATING A CHARGE STATE OF A BATTERY COMPRISING MULTIPLE CELLS HAVING A VARIABLE CHARGE STATE UTILIZATION RANGE

Номер патента: FR3018360B1. Автор: Marc Lucea. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2016-02-26.

Determining key video snippets using selection criteria to form a video summary

Номер патента: WO2011149648A3. Автор: Aaron Thomas Deever. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of manufacturing a rotating device, rotating device and unmanned aerial vehicle having a rotating device

Номер патента: CN109131898B. Автор: 戈捷·吉贝尔,尼古拉斯·安贝尔. Владелец: Kong Kezhishengji. Дата публикации: 2021-08-20.

Method of forming image using heat-sensitive transfer image-receiving sheet having a lenticular lens

Номер патента: US20110157293A1. Автор: Takashi Shimizu,Ryo Imai,Shigeaki Ohtani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of manufacturing a bladder element with an etched feature and article having a bladder element with an etched feature

Номер патента: US09974360B2. Автор: Dervin A. James,Taryn HENSLEY. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: EP2252585A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-11-24.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods of preparing polymorphic form A of bazedoxifene acetate

Номер патента: US8183367B2. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2012-05-22.

Method of forming a single crystal sheet using a die having a thermal gradient along its length

Номер патента: US9926645B2. Автор: Steven Anthony Zanella,John Walter Locher,Ralph Lampson Maclean, Jr.,Herbert Ellsworth Bates. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing a bladder element with an etched feature and article having a bladder element with an etched feature

Номер патента: EP3280284A1. Автор: Dervin A. James,Taryn HENSLEY. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2018-02-14.

Method of manufacturing a bladder element with an etched feature and article having a bladder element with an etched feature

Номер патента: US20180235315A1. Автор: Dervin A. James,Taryn HENSLEY. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of generating sealing steam for a steam turbine, steam power plant having a steam turbine and method of starting up a steam turbine.

Номер патента: MY129600A. Автор: Neubert Wolfgang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-04-30.

Method of producing valve metal electrode with valve metal oxide semiconductive coating having a chlorine discharge catalyst in said coating

Номер патента: US3846273A. Автор: G Bianchi,A Nidola,V Nora,P Gallone. Владелец: Electronor Corp. Дата публикации: 1974-11-05.

A method of manufacturing a curved structural element made of composite material and having a complex, open cross-section

Номер патента: EP2203288A2. Автор: Sabato Inserra Imparato,Luca Di Tommaso,Vincenzo De Vita,Gianni Iagulli. Владелец: Alenia Aeronautica SpA. Дата публикации: 2010-07-07.

Master disk for magnetic transfer, a method of drawing a magnetic transfer pattern, and a magnetic recording medium having a transferred magnetic transfer pattern

Номер патента: US20110096429A1. Автор: Hiroto Kikuchi. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and apparatus for forming a vacuum insulated structure for an appliance having a pressing mechanism incorporated within an insulation delivery system

Номер патента: US10222116B2. Автор: Abhay NAIK,Mohamed Alshourbagy,Berhanu Allo,Lakshya J. Deka,Lorraine J. Westlake,Jon M. Anthony. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of making a buried strap for a trench capacitor

Номер патента: WO2001008216A1. Автор: Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-02-01.

Hinged MEMS diaphragm, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09906869B2. Автор: Ronald N. Miles,Weili Cui. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a buried strap for a trench capacitor

Номер патента: EP1198832A1. Автор: Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Integrated circuit vertical trench device and method of forming thereof

Номер патента: EP1292981A2. Автор: Alexander Michaelis,Uwe Schroeder,Helmut Horst Tews,Brian S. Lee,Stephan Kudleka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Self aligned trench and method of forming the same

Номер патента: WO2002025730A8. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel,Munir D Naeem,Ramachandran Divakaruni,Armin M Reith. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-12-27.

Method of making piezoelectric microphone with deflection control

Номер патента: US11963452B2. Автор: NAGARAJAN Ranganathan,Rakesh Kumar,Jia Jie Xia,Minu Prabhachandran NAIR. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of forming a fully wrapped-around shielded PMR writer pole

Номер патента: US09520146B1. Автор: Ying Hong,Yan Chen,Tao Pan,Jinwen WANG,Donghong Li,Lien-Chang Wang,Weimin Si,Ching-Huang Lu,Hongzhou Jiang,Lieping Zhong,Jianxin Fang. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with DRAM cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US7265020B2. Автор: Takahito Nakajima,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Semiconductor device with DRAM cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060068544A1. Автор: Takahito Nakajima,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Methods of forming transistors having raised extension regions

Номер патента: US11756624B2. Автор: Haitao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Retention suture having a retaining element at the end, and a method for use thereof

Номер патента: RU2728569C2. Автор: СР. Дэвид К. ЛИНД,Роберт А. РУССО,Даррелл Дж. ЛИНД. Владелец: ЭТИКОН ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of Forming Concrete Retaining Wall Block

Номер патента: CA2133675A1. Автор: Robert A. Gravier. Владелец: Allan Block Corp. Дата публикации: 1995-04-26.

Methods of forming near field transducers (nfts) and portions thereof

Номер патента: US20160133275A1. Автор: Yongjun Zhao,David Michael Grundman,Sridhar Dubbaka. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Brazed joints and methods of forming brazed joints

Номер патента: US09937575B2. Автор: Matthew S. VERBISCUS,Thomas Ciampa. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Micromechanical apparatus and method of forming a micromechanical device layer

Номер патента: EP1641710A2. Автор: Michael Judy,Bruce K. Wachtmann. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Method for forming a composite sole structure component

Номер патента: US12059857B2. Автор: Aaron Bartel,Sam Lacey,Christian Alexander Steinbeck,Ryan Hood. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of analysis and/or processing of fertilized egg

Номер патента: RU2665136C1. Автор: Вячеслав Александрович Базлов,Тариел Зурабович Мамуладзе,Алла Михайловна Зайдман,Наталья Юрьевна Пахомова,Елена Леонидовна Строкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-28.

Conduit and method of forming

Номер патента: US09717874B2. Автор: Daniel John Smith,Nathan Lee Gray,Blair Victor Skelton. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of filtration material production

Номер патента: RU2635617C1. Автор: Айтан Галандар кызы Мурадова,Александр Игоревич Шарапаев,Валерий Семенович Митин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2017-11-14.

Self-healing targets, methods of manufacturing self-healing targets, and methods of utilizing self-healing targets

Номер патента: US20230417517A1. Автор: Elijah David Lorence. Владелец: Infinite Defense LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Apparatus and method of measuring web feeding velocity by using single field encoder

Номер патента: US20140333919A1. Автор: Seung-Hyun Lee,Taik Min Lee,Young Man Choi,Dongwoo Kang,Kwang-Young Kim,Jeongdai Jo,Deokkyun Yoon. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2014-11-13.

Method of making three dimensional glass ceramic article

Номер патента: US09586860B2. Автор: Ljerka Ukrainczyk. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of separating a liquid lens from an array of liquid lenses

Номер патента: US11992894B2. Автор: Garrett Andrew Piech,Sergio Tsuda,Ming Ying,Jann Paul Kaminski,Raymond Miller Karam,Chuanche Wang,Brian Nilsen,Marie Bernadette O'REGAN,Hasan Fiaz. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of fining glass

Номер патента: EP1877346A2. Автор: Adam J. Ellison,David M. Lineman,Andrea W Bookbinder. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-01-16.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: EP1740630A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: CPH Innovations Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: WO2005082961A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: Cph Innovations Corp.. Дата публикации: 2005-09-09.

Method of manufacturing a material strand

Номер патента: EP3218159A1. Автор: Fritz Krause. Владелец: Cooper Standard GmbH. Дата публикации: 2017-09-20.

Method of Manufacturing a Material Strand

Номер патента: US20190344489A1. Автор: Fritz Krause. Владелец: Cooper Standard GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of bonding ends of flame retardant sheet and intermediate transfer member of image forming apparatus fabricated by the method

Номер патента: US20050061433A1. Автор: Masato Murayama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of producing structure containing phase-separated structure, phase separated structure, and block copolymer composition

Номер патента: US09475088B2. Автор: Daiju Shiono,Tasuku Matsumiya,Ken Miyagi,Tsuyoshi Kurosawa,Kenichiro Miyashita,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Conduit connector and method of construction thereof

Номер патента: US20180156370A1. Автор: Dane J. Hoechst,Joel Culbertson,C.J. Garecht,Akshay Hoskote. Владелец: Miniature Precision Components Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Mat material, exhaust gas treating apparatus, and method of manufacturing mat material

Номер патента: EP2226425B1. Автор: Tsutomu Yamazaki,Junichi Sugino. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Crystalline form of hidamide, method of its production and use

Номер патента: RU2603138C1. Автор: Сяньпин ЛУ,Чжибинь ЛИ. Владелец: Шэньчжэнь Чипскрин Байосайенсиз, Лтд.. Дата публикации: 2016-11-20.

A method of manufacturing an absorbent core for a disposable absorbent hygiene article, an absorbent core, and an absorbent article

Номер патента: AU2022443275A1. Автор: Lucas BÄCK,Fanny STENHOLM,Montserrat MARTINEZ ESTELA,Cleiton Aparecido RIBEIRO DE SOUZA. Владелец: Essity Hygiene and Health AB. Дата публикации: 2024-07-25.

A method of manufacturing an absorbent core for a disposable absorbent hygiene article, an absorbent core, and an absorbent article

Номер патента: WO2023160823A1. Автор: Lucas BÄCK,Fanny STENHOLM,Cleiton Aparecido RIBEIRO DE SOUZA,Monserrat MARTINEZ ESTELA. Владелец: Essity Hygiene and Health Aktiebolag. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of manufacturing wide-band multi-mode optical fibers and core preforms for the same

Номер патента: US20170363806A1. Автор: Dana Craig Bookbinder,Pushkar Tandon,Ming-Jun Li. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Bulkhead fitting assembly and method of sealing a bulkhead opening

Номер патента: US09989176B2. Автор: James P. Irwin,Benjamin A. Johnson,David W. MINTEER,Erik W. DOWELL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-06-05.

Injectable non-aqueous compositions and methods of treating vascular disease

Номер патента: US09655842B1. Автор: Gaurav Girdhar,Xiaodong Ma. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making adhesive article

Номер патента: US09394466B2. Автор: Audrey A. Sherman,Wendi J. Winkler,Jayshree Seth. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of recording information on photosensitive and pressure-sensitive sheet utilizing mask original form

Номер патента: US4810614A. Автор: Kenji Sakakibara,Hitoshi Nakai,Takemi Yamamoto,Naoyuki Hatta,Yuji Asano,Yumio Matsumoto,Michitoshi Akao,Jun Sakai,Tsugio Okamoto,Kazuo Sangyoji. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1989-03-07.

Method of hydrogenation of phenol

Номер патента: WO2018057289A1. Автор: Alfred K. Schultz,Jose Antonio Trejo O'Reilly. Владелец: Rohm and Haas Company. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of producing long workpiece for production of helical spring, helical spring and method of production thereof

Номер патента: RU2739737C1. Автор: Андрей Николаевич Скворцов. Владелец: Андрей Николаевич Скворцов. Дата публикации: 2020-12-28.

A method of forming a door using a linear oscillating cutting blade with a combined cutting and scraping action

Номер патента: GB2448610A. Автор: Robert Mackean Agnew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-22.

Method of forming a structural member from tubular material

Номер патента: US5927138A. Автор: Downie S. Richardson. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method of forming pipeline in a trench - has three diaphragms supporting pipe placing ram and backfill

Номер патента: FR2259946A1. Автор: . Владелец: CURIE DANIEL. Дата публикации: 1975-08-29.

Recyclable shipping pack and method of and apparatus for forming a shipping pack for loose-fill produce

Номер патента: GB2618119A. Автор: David Whiteside Andrew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of forming a thin unbacked metal foil

Номер патента: US4481999A. Автор: David V. Duchane,Barry L. Barthell. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1984-11-13.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: WO2023028450A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

A method of manufacture of a metallic component apparatus for use in the method and method of finishing a metallic component

Номер патента: AU2003212514A1. Автор: Neil Walter Adcock. Владелец: Adcock Technology Ltd. Дата публикации: 2003-09-16.

High strength ceramic fibers and methods of fabrication thereof

Номер патента: EP3744877A2. Автор: Kirk Williams,Joseph Pegna,Ramkiran GODUGUCHINTA,John SCHNEITER. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2020-12-02.

High strength ceramic fibers and methods of fabrication

Номер патента: EP2804969A1. Автор: Kirk Williams,Joseph Pegna,Ramkiran GODUGUCHINTA,John SCHNEITER. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2014-11-26.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: CA3230100A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Well tool device and method of forming a permanent well barrier, configured to generate a forced flow of molten mass

Номер патента: US12024970B2. Автор: Espen Hiorth,Michael Skjold. Владелец: INTERWELL P&A AS. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method of notifying an owner of a lost item in a vehicle

Номер патента: US20230245550A1. Автор: Ke Liu,Jingyan Wan,Omer Tsimhoni,Ron Hecht. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of applying preservative on crop during baling

Номер патента: RU2543290C2. Автор: Тимоти Дж. Краус. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-02-27.

Guided head for a trench brace of trench sheeting devices

Номер патента: US3950952A. Автор: Josef Krings. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-04-20.

Prosthetic device with porous matrix and method of manufacture

Номер патента: US5201766A. Автор: Frederick S. Georgette. Владелец: Smith and Nephew Richards Inc. Дата публикации: 1993-04-13.

System and method for forming a composite sole structure component

Номер патента: WO2021055529A1. Автор: Aaron Bartel,Sam Lacey,Christian Alexander Steinbeck,Ryan Hood. Владелец: Nike Innovate C.V.. Дата публикации: 2021-03-25.

System and method for forming a composite sole structure component

Номер патента: EP4030954A1. Автор: Aaron Bartel,Sam Lacey,Christian Alexander Steinbeck,Ryan Hood. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2022-07-27.

System and method for forming a composite sole structure component

Номер патента: US20230302749A1. Автор: Aaron Bartel,Sam Lacey,Christian Alexander Steinbeck,Ryan Hood. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Minimally invasive splaying microfiber electrode array and methods of fabricating and implanting the same

Номер патента: WO2015003185A2. Автор: William LIBERTI,Timothy James Gardner,Jeffrey Markowitz,Grigori GUITCHOUNTS. Владелец: TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-08.

Method of manufacturing optical element and optical element

Номер патента: US11815706B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Drive Method Of Liquid Discharge Apparatus

Номер патента: US20240227390A1. Автор: Toshiyuki Yamagata,Ken Yamagishi,Kento Nawa,Tomohiro MATSUBAYASHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

A method of reducing output torque deficits during launch of a continuously variable transmission

Номер патента: WO2017216112A1. Автор: Michael Beyer,Steven Spencer. Владелец: Perkins Engines Company LTD. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of growing large-diameter dislocation-free<110> crystalline ingots

Номер патента: US20020104475A1. Автор: Aaron Johnson,Rosemary Nettleton,Robert Faulconer. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Manufacturing method of optical waveguide

Номер патента: US20020028300A1. Автор: Kazutaka Nara,Kazuhisa Kashihara,Takuya Komatsu. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Method of preparing sparsely pillared organic-inorganic hybrid compound

Номер патента: EP3851413A1. Автор: Jisoon Ihm,Seok Hwan PARK. Владелец: Innonep Inc. Дата публикации: 2021-07-21.

Production Method of Film, And Film

Номер патента: US20080160296A1. Автор: Kusato Hirota,Yasushi Tateishi. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2008-07-03.

Articulated wheel loader and method of controlling the steering operations of an articulated wheel loader

Номер патента: EP3891047A1. Автор: Alessandro Benevelli,Antonio Venezia. Владелец: CNH Industrial Italia SpA. Дата публикации: 2021-10-13.

Articulated wheel loader and method of controlling the steering operations of an articulated wheel loader

Номер патента: WO2020115103A1. Автор: Alessandro Benevelli,Antonio Venezia. Владелец: Cnh Industrial Italia S.P.A.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of marking a paper web for controlling a manufacturing line used to convert the paper web into paper products by reading marks on the paper web

Номер патента: US09845574B2. Автор: Gregory T. Johnson,Andrew G. BOMSTAD,Thomas J. Petersen,Joseph A. Schulz,Mark F. Gerrits. Владелец: GPCP IP Holdings LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of determining the longitudinal pitch of tread band blocks

Номер патента: US09696240B2. Автор: Nicola PIERONI. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Flexible hose constructions and methods of making the same

Номер патента: CA2066257C. Автор: James L. Lawrence,Homer N. Holden,Jeffrey J. Winter. Владелец: Dayco Products LLC. Дата публикации: 1999-06-15.

Methods of coating substrates

Номер патента: EP4352021A1. Автор: Graham Smith,Eoin SCANLAN,Paula COLAVITA,Anna TESTOLIN,Silvia FOGLI. Владелец: Glycome Biopharma Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Methods of coating polymers and reduction in protein aggregation

Номер патента: EP4271732A1. Автор: Graham Smith,Eoin SCANLAN,Paula COLAVITA,Anna TESTOLIN,Silvia FOGLI. Владелец: Glycome Biopharma Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Methods of coating polymers and reduction in protein aggregation

Номер патента: US20240084157A1. Автор: Graham Smith,Eoin SCANLAN,Paula COLAVITA,Anna TESTOLIN,Silvia FOGLI. Владелец: Glycome Biopharma Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of coating substrates

Номер патента: CA3221711A1. Автор: Graham Smith,Eoin SCANLAN,Paula COLAVITA,Anna TESTOLIN,Silvia FOGLI. Владелец: Glycome Biopharma Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Lever plate in vgs type turbocharger and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110131977A1. Автор: Takahiro Akita. Владелец: Akita Fine Blanking Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Driving method of flexible recording disc

Номер патента: US20050201222A1. Автор: Norio Ota,Hiroyuki Awano. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Particulate adsorbent material and methods of making the same

Номер патента: EP3573752A1. Автор: Cameron Thomson,Laurence H. Hiltzik,Timothy M. Byrne,Marta Leon Garcia. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2019-12-04.

Methods of coating substrates

Номер патента: US20240270631A1. Автор: Graham Smith,Eoin SCANLAN,Paula COLAVITA,Anna TESTOLIN,Silvia FOGLI. Владелец: Glycome Biopharma Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

AMINE DERIVATIVES OF DIHYDRODIBENZO[b,ƒ]OXEPINES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: WO2024162861A1. Автор: Hanna Krawczyk,Piotr Tobiasz. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-08-08.

Laundry treating appliance and method of dispensing

Номер патента: US12091804B2. Автор: Marcos Javier Rios Acebal. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Fiber array ferrule and method of making

Номер патента: WO2005003831A1. Автор: Dimitry Grabbe. Владелец: Dimitry Grabbe. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of measuring the am/pm conversion of a device under test

Номер патента: US20200110118A1. Автор: Thilo Bednorz,Werner Held,Walter Weiss,Jan-Patrick Schultheis,Martin LEIBFRITZ. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-04-09.

Optical couplers with gradient-index lenses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240329321A1. Автор: William James Miller,Robert Adam Modavis. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Webs for absorbent articles and methods of making the same

Номер патента: US12127925B2. Автор: Kelyn A. Arora,John L Hammons,Nathan R. WHITELY,Misael O. AVILES. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of measuring radioactive material of ingot using NaI gamma scintillator

Номер патента: US09880289B2. Автор: Young Bae Lee,Yong Jae Kim,Suk Ju CHO,Jeung Gun Seol,Jae Bong RYU. Владелец: Kepco Nuclear Fuel Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of synthesizing a metal foam, metal foam, uses thereof and device comprising such a metal foam

Номер патента: US09512528B2. Автор: Ronan Botrel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-06.

Conduit and method of forming

Номер патента: CA2439762C. Автор: Daniel John Smith,Nathan Lee Gray,Blair Victor Skelton. Владелец: Fisher and Paykel Healthcare Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Formation of a rod of plastic material having a twisted appearance

Номер патента: GB1319240A. Автор: . Владелец: Rose Forgrove Ltd. Дата публикации: 1973-06-06.

Liquid crystal display device and method of construction

Номер патента: US5653845A. Автор: Yasushi Kawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-08-05.

Method of teaching children to recycle using a plush toy

Номер патента: US20070248940A1. Автор: Ryan H. Maguire. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Differential pressure sensor and method of using the same

Номер патента: US20220107234A1. Автор: Sudheer Beligere Sreeramu,Manjesh Kumar B,Sathish Vadlamudi. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Method of diffusion bonding

Номер патента: US20200023460A1. Автор: Michael J Wallis,John H BOSWELL. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Sensor assembly and method of sensing water in a fluid

Номер патента: US20240151676A1. Автор: Kevin J. Johnson. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: IL207504A0. Автор: . Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-12-30.

Common-rail fuel system with ejector pump and method of use thereof

Номер патента: CA3086125A1. Автор: Benjamin Renaud,Sebastien Bergeron,Etienne PLAMONDON,Jean Gabriel Gauvreau. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2021-03-03.

Method of labeling a package for shipment

Номер патента: US20140084579A1. Автор: Jon L. Asay. Владелец: Northwest Research Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of recording and reading information using molecular rotation

Номер патента: US20030218115A1. Автор: Kenichi Sugiura,Tomohide Takami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-27.

AMINE DERIVATIVES OF DIHYDRODIBENZO[b,ƒ]OXEPINES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: WO2024162861A4. Автор: Hanna Krawczyk,Piotr Tobiasz. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of laying a pipe for the transportation of a fluid

Номер патента: WO1990006466A1. Автор: Jens Julius Kappel. Владелец: Jens Julius Kappel. Дата публикации: 1990-06-14.

Method of measuring radioactive material of ingot using HPGe gamma scintillator

Номер патента: US09880290B2. Автор: Young Bae Lee,Yong Jae Kim,Suk Ju CHO,Jeung Gun Seol,Jae Bong RYU. Владелец: Kepco Nuclear Fuel Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Injectable non-aqueous compositions and methods of treating vascular disease

Номер патента: US09801812B1. Автор: Gaurav Girdhar,Xiaodong Ma,Jennifer Makridakis. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of driving display panel and display apparatus for performing the same

Номер патента: US09747860B2. Автор: Sang-Ik Lee,Jung-Won Kim,Hong-Soo Kim,Joon-Chul Goh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of reforming glass

Номер патента: US09573832B2. Автор: Keith Raymond Gaylo. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Expandable endoscopic hoods and related methods of use

Номер патента: US09561048B2. Автор: Paul Smith,Ruth Cheng,Samuel RAYBIN,Naroun Suon. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Washing method of goethite-containing red mud

Номер патента: US09533891B2. Автор: Yu Akama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-01-03.

Platinum encapsulated zeolite hydrocracking catalyst and methods of making same

Номер патента: US20210170375A1. Автор: Manal Al-Eid,Lianhui Ding. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-06-10.

Platinum encapsulated zeolite hydrocracking catalyst and methods of making same

Номер патента: WO2021113064A1. Автор: Manal Al-Eid,Lianhui Ding. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2021-06-10.

Platinum encapsulated zeolite hydrocracking catalyst and methods of making same

Номер патента: EP4051428A1. Автор: Manal Al-Eid,Lianhui Ding. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2022-09-07.

A smart shoe system and methods of using same

Номер патента: CA3158062A1. Автор: Ghada Koleilat,Alireza Ghasemi Ghodrat. Владелец: Avisensx Inc. Дата публикации: 2023-06-30.

Golf balls having sighting aid and methods of making same

Номер патента: US20240017128A1. Автор: Steven Aoyama,Vincent Simonds,Matthew Hogge,Michael Madson,Courtney Engle. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2024-01-18.

Apparatus and method of treating soil

Номер патента: ZA202301272B. Автор: Juha LEPPÄNEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2024-06-26.

Inkjet head actuator and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100020132A1. Автор: Jae Woo Joung,Sang Jin Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Platinum encapsulated zeolite hydrocracking catalyst and methods of making same

Номер патента: US11745170B2. Автор: Manal Al-Eid,Lianhui Ding. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-09-05.

Navigation system with destination travel category extraction measurement capture mechanism and method of operation thereof

Номер патента: WO2012067718A1. Автор: HaiPing Jin,Manohar Ellanti,Hengbin Luo,Ky Tang. Владелец: TELENAV, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of making a flat building component

Номер патента: US12090689B2. Автор: Tobias Schmid,Maximilian Prinz. Владелец: Parat Technology Group GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of making and forming a first surface optical disk

Номер патента: TWI265514B. Автор: Brian S Medower,David L Blankenbeckler. Владелец: DataPlay Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Method of providing and forming a gravel pack about well screens in wells

Номер патента: US2076489A. Автор: Howard O Williams. Владелец: EDWARD E JOHNSON Inc. Дата публикации: 1937-04-06.

High protein, micellar casein-containing nutritional liquids enriched with catechin-compounds and method of production

Номер патента: EP4449871A2. Автор: Marcela ALEXANDER. Владелец: ARLA FOODS AMBA. Дата публикации: 2024-10-23.

Modular, reconfigurable, aquatic device and method of manufacture

Номер патента: US09751023B2. Автор: Ross KETTE. Владелец: Raindrop Products LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of driving display panel and display apparatus for performing the same

Номер патента: US09711094B2. Автор: Kyoung-Won Lee,Su-Hyeong Park,Ho-Yong Jung,Ji-Myoung Seo,Sang-Mi Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making gas turbine engine blade from composite material

Номер патента: RU2689618C2. Автор: Клеман РУССИЙ,Давид МАРСАЛЬ,Жереми БЛАШЬЕ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-05-28.

Processes of forming metal-doped zeolite catalysts with enhanced mesoporosity

Номер патента: US11866389B1. Автор: Yaming Jin,Omer Refa Koseoglu,Abdullah M. Aitani,Mohammad Naseem AKHTAR,Ziyauddin S. QURESHI,Hassan Saeed Al-Awad Alasiri. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Core-shell structure, method of making said structure and catalyst for cleaning exhaust gases, having core-shell structure

Номер патента: RU2423177C1. Автор: Масахиде МИУРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-07-10.

Method of making a microprism master mold

Номер патента: US6010609A. Автор: Ikuo Mimura,Keiji Adachi. Владелец: Nippon Carbide Industries Co Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Cushion article and method of manufacture

Номер патента: US6050964A. Автор: Paul M. Yates. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-18.

Method of making multi-ferrules having a series of channels with parallel axes

Номер патента: US5183489A. Автор: Philippe Dupont,Claude Brehm,Andre Tardy. Владелец: Alcatel Fibres Optiques SA. Дата публикации: 1993-02-02.

Method of manufacturing a cushion article

Номер патента: US6017407A. Автор: Paul M. Yates. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-25.

Method of making an abrasive article

Номер патента: US5435816A. Автор: Scott R. Culler,Gary L. Holmes,David H. Hardy,Kathryn M. Spurgeon. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1995-07-25.

Method of manufacturing a tiltrotor wing structure

Номер патента: CA2957560C. Автор: John R. McCullough,David G. Carlson,George R. Decker,Douglas K. Wolfe,Keith A. Stanney. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2019-06-25.

Passivated silver nanoparticle coatings and methods of making the same

Номер патента: US20230211408A1. Автор: Rafiqul Islam,Francois Perreault. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2023-07-06.

Syntactic foams, methods of producing syntactic foams, and products including syntactic foams

Номер патента: US20230159721A1. Автор: Michael Montoya,Matthew DeVore Weaver. Владелец: Aqua Satellite Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of coating electric wire having edges and insulated wire

Номер патента: WO2004100183A1. Автор: Takao Saito,Hiroyuki Sakamoto,Toshitaka Kawanami,Hidenori Tanaka,Kazuo Morichika. Владелец: NIPPON PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of laser cleaning a tire inner surface, and a tire

Номер патента: US20190001597A1. Автор: Jean-Claude Patrice Philippe Griffoin,Thomas Benedikt HELFEN. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2019-01-03.

Packaging for use in heating food in a microwave oven and method of use

Номер патента: US20030049354A1. Автор: R. Charles Murray. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of manufacturing microlens, microlens, optical film, screen for projection, and projector system

Номер патента: US20050088750A1. Автор: Hironori Hasei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Manufacturing method of suspended microstructure

Номер патента: US20070224720A1. Автор: Tai-Kang Shing,Shih-Peng Chen,Hsueh-Kuo Liao,Huang-kun Chen,Cheng-Chang Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Method of surgical planning

Номер патента: CA2873856C. Автор: Andrew Charles Davison. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Nonvolatile memory and a method of writing data thereto

Номер патента: US5400280A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Method of producing a condenser lens substrate

Номер патента: US5505804A. Автор: Yoshihiro Mizuguchi,Hiroshj Hamada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-04-09.

Food suspension comprising beta-glucan and a method of preparing the same

Номер патента: WO2007003688A1. Автор: Hannu Salovaara. Владелец: Avenly Oy. Дата публикации: 2007-01-11.

Vacuum-heat-insulated cooking utensil and method of manufacturing same

Номер патента: US4653469A. Автор: Kenichi Miyaji,Yoshinori Arai,Shouji Toida. Владелец: Nippon Sanso Corp. Дата публикации: 1987-03-31.

Ink jet nozzle structure and method of making

Номер патента: CA1059197A. Автор: Guido Galli,Charles Chiou,Karl H. Loeffler,Max R. Lorenz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-24.

A method of producing a single composite sheet of material

Номер патента: GB2264511A. Автор: Robert Michael Rowan. Владелец: J&D Wilkie Ltd. Дата публикации: 1993-09-01.

Optical element and method of fabricating the same

Номер патента: US20230219312A1. Автор: Yoav SHECHTMAN,Reut ORANGE-KEDEM. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Fletching Sleeve System and Method of Application and Manufacture

Номер патента: US20130072332A1. Автор: Ben D. Blosser,Sean E. Gordon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Forming apparatus, and manufacturing method of three-dimensional object

Номер патента: US20190056688A1. Автор: Tatsuya Tada,Yuji Wakabayashi,Kenji Karashima,Satoru Yamanaka,Takashi Kase,Genya Anan,Hirokazu Usami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Method of manufacturing three-dimensional object, liquid set for manufacturing three-dimensional object, device for manufacturing three-dimensional object, and gel object

Номер патента: US20170008228A1. Автор: Hiroyuki Naito,Hiroshi Iwata,Tatsuya Niimi,Yoshihiro Norikane,Takashi Matsumura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Modular cooling tower structure, design, and method of assembly

Номер патента: WO2023197055A1. Автор: Timothy Scott Anderson,John Jakic,Robert Vertesi,Jeffrey Garry Ianni. Владелец: Marmon Industrial Water Limited. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of ceramic matrix composite repair

Номер патента: WO2019028217A1. Автор: Canan Uslu Hardwicke,Matthew Troy HAFNER,James Joseph Murray,Jason Robert Parolini. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of ceramic matrix composite repair

Номер патента: EP3661896A1. Автор: Canan Uslu Hardwicke,Matthew Troy HAFNER,James Joseph Murray,Jason Robert Parolini. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-06-10.

Smoking article assembly machine and method of making a smoking article

Номер патента: EP3214958A1. Автор: Gerhard Le Roux,Andrew Bray,Gary Fallon. Владелец: Tobacco Research and Development Institute Pty Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Airbag chute panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210221319A1. Автор: Bradley W. HARRIS,Michael J. AITTAMA. Владелец: Inoac USA Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of producing structure containing phase-separated structure, phase separated structure, and block copolymer composition

Номер патента: US20150044371A1. Автор: Daiju Shiono,Tasuku Matsumiya,Ken Miyagi,Tsuyoshi Kurosawa,Kenichiro Miyashita,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

System and method of manufacturing suspension member

Номер патента: US20220034006A1. Автор: Ethan Mcgraw. Владелец: MillerKnoll Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Modular cooling tower structure, design, and method of assembly

Номер патента: CA3185801A1. Автор: Timothy Scott Anderson,John Jakic,Robert Vertesi,Jeffrey Garry Ianni. Владелец: Marmon Industrial Water Ltd. Дата публикации: 2023-10-13.

Methods of applying monomeric compositions effective as wound closure devices

Номер патента: US6217603B1. Автор: Jeffrey C. Leung,Jeffrey G. Clark. Владелец: Closure Medical Corp. Дата публикации: 2001-04-17.

Liquid ejecting apparatus and method of driving liquid ejecting head

Номер патента: US11731417B2. Автор: Koji Sumi,Toshihiro Shimizu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D&#39;arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Method of making a multi-channel time based servo tape media

Номер патента: US20130188272A1. Автор: Matthew P. Dugas. Владелец: Matthew P. Dugas. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of making a multi-channel time based servo tape media

Номер патента: US20110286126A1. Автор: Matthew P. Dugas. Владелец: Advanced Research Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of monitoring and controlling a microbiological process in a fluid supply having a microbial population

Номер патента: TW494089B. Автор: XIN YANG,Jaw Fang Lee,Sergey K Maneshin,Terrance J Mah. Владелец: Biochem Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of repairing a tube using a flow through tube plug, methods of repairing and forming a laminated tubesheet, and heat exchanger

Номер патента: EP1624273A2. Автор: Larry Junior Burkhalter,Michael Stanley De Courcy,Stephen Kenneth Weinberg,Keith Frederick Briegel. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2006-02-08.

Synthetic woven textile fabrics and their method of manufacture

Номер патента: GB1521502A. Автор: . Владелец: Thiokol Corp. Дата публикации: 1978-08-16.

Encapsulated catalyst and methods of olefin polymerization

Номер патента: EP3668908A1. Автор: Ralph Even,Muhammad RABNAWAZ,Andrew Hughes,Joshua Katz,Damien Guironnet. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2020-06-24.

Encapsulated catalyst and methods of olefin polymerization

Номер патента: US20200223957A1. Автор: Ralph Even,Muhammad RABNAWAZ,Andrew Hughes,Joshua Katz,Damien Guironnet. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2020-07-16.

Polyurethane mdi foam forming composition including epoxidized soybean oil, polyurethane foam made from the composition, and method of making polyurethane foam

Номер патента: US20240141092A1. Автор: Matthew Phillips,Chi-Fan Hsu,Michelle A. PERENY,Wu Pan Zagorski,Paul Fielding,Mike Walkowski,Don Hanby. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of producing laminate and laminate

Номер патента: RU2768403C2. Автор: Кейсуке ЯГИ. Владелец: ЭйДжиСи Инк.. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for predicting the effectiveness of the operative method of treatment of isolated calcaneus fractures with displacement

Номер патента: RU2653789C1. Автор: Виталий Владимирович Савгачев,Леонид Борисович Шубин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Ярославский государственный медицинский университет&#34; Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-05-14.

Method of producing sugary items from berries

Номер патента: RU2642082C1. Автор: Татьяна Евгеньевна Воротникова. Владелец: Татьяна Евгеньевна Воротникова. Дата публикации: 2018-01-24.

Purification method of ibrutinib crystal form A

Номер патента: CN113214261A. Автор: 王亚平,竺伟. Владелец: SYNCOZYMES (SHANGHAI) CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Structure of a plastic container having a flange, mould thereof and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110240661A1. Автор: Frank Ko. Владелец: Suzhou Kefu Gift Ind Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Electrical probe having a conductive whisker

Номер патента: US7924040B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-12.

Lighting device assembly and method of mounting lighting device assembly

Номер патента: RU2660532C2. Автор: Инге Йоханна ТИГХЕЛАР,Теве Хипке ХЕМСТРА. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-07-06.

Antimicrobial compositions for oral care or cleaning and methods of producing polymers and coatings, preventing attachment

Номер патента: RU2722183C1. Автор: Карло ДАИП,Джеймс Дж. МАСТЕРС,Карл МАЙЕРС,Линетт А. ЗАИДЕЛЬ,Рассел КОМПОСТО,Хюн-Су ЛИ. Владелец: Зе Трастис Оф Зе Юнивёрсити Оф Пенсильвания. Дата публикации: 2020-05-28.

Combined glazing panel with multilayer composite layer and method of its production

Номер патента: RU2708591C1. Автор: Штефан ГИЛЕССЕН,Флориан Манц,Уве Ван Дер Мелен,Бенджамин Кребс,Сабрина ПЛАЛЬ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-12-09.

Indexing controller system and method of automatic control of cooling water tower systems

Номер патента: CA1210474A. Автор: Richard P. O&#39;Leary. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-26.

Method of playing a board game

Номер патента: US4824118A. Автор: William A. Fusaro,Gabriel T. Andrade. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-04-25.

Preparation method of palbociclib crystal form A

Номер патента: CN106317053A. Автор: 刘鹏,易崇勤,黄琪,冀蕾,李学义. Владелец: PKUCare Pharmaceutical R&D Center. Дата публикации: 2017-01-11.

Novel branched cyclodextrins and methods of preparing them

Номер патента: CA2089239C. Автор: Koji Hara,Sumio Kitahata,Koki Fujita,Kyoko Koizumi,Nobuhiro Kuwahara. Владелец: Ensuiko Sugar Refining Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN112390766B. Автор: 王臻,黄福良,朱国荣,屠勇军,彭灵超. Владелец: Zhejiang Tianyu Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN109776448B. Автор: 胡建强,胡明明,刘培强,刘景宝,鲍明波,贺俊华. Владелец: Shandong Langnuo Pharmaceutical Co ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Side pocket mandrel and method of construction

Номер патента: CA1144066A. Автор: Robert S. Higgins,David T. Merritt. Владелец: Otis Engineering Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Method of testing at-speed circuits having asynchronous clocks and controller for use therewith

Номер патента: CA2307535C. Автор: Jean-Francois Cote,Benoit Nadeau-Dostie,Naader Hasani. Владелец: LogicVision Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Method of removing hydrocarbon contaminants from air and water with organophilic, quaternary ammonium ion-exchanged smectite clay

Номер патента: US5268109A. Автор: Stephen A. Boyd. Владелец: Boyd Stephen A. Дата публикации: 1993-12-07.

Polishing composition, production method of polishing composition, polishing method, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20240101866A1. Автор: Ryota Mae. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods of identifying interactions of a compound and a condensate, or a component thereof, and uses thereof

Номер патента: EP4196789A1. Автор: Bruce Aaron BEUTEL,Peter Jeffrey DANDLIKER,Edgar Erik BOCZEK,Matthäus MITTASCH,Diana Maria MITREA. Владелец: Dewpoint Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of surface treatment of aluminum foil and its alloy and method of producing immobilized nanocatalyst of transition metal oxides and their alloys

Номер патента: US20110287926A1. Автор: Jerald A. D. Lalman,Srimanta Ray. Владелец: UNIVERSITY OF WINDSOR. Дата публикации: 2011-11-24.

Methods of identifying interactions of a compound and a condensate, or a component thereof, and uses thereof

Номер патента: US20230314443A1. Автор: Bruce Aaron BEUTEL,Peter Jeffrey DANDLIKER,Edgar Erik BOCZEK,Matthäus MITTASCH,Diana Maria MITREA. Владелец: Dewpoint Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of removing hydrocarbon contaminants from air and water with organophilic, quaternary ammonium ion-exchanged smectite clay

Номер патента: US5401418A. Автор: Stephen A. Boyd. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-03-28.

System and method of notifying an owner of a lost item in a vehicle

Номер патента: US11967219B2. Автор: Ke Liu,Jingyan Wan,Omer Tsimhoni,Ron Hecht. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of operating a tangential firing system

Номер патента: EP1192390A1. Автор: Rebecca L. Tobiasz,Robert D. Lewis,Bruce F. Griffith,Douglas J. Hart,James P. Sutton, Iii. Владелец: Alstom Power Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Methods of identifying interactions of a compound and a condensate, or a component thereof, and uses thereof

Номер патента: AU2021324753A1. Автор: Bruce Aaron BEUTEL,Peter Jeffrey DANDLIKER,Edgar Erik BOCZEK,Matthäus MITTASCH,Diana Maria MITREA. Владелец: Dewpoint Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods of identifying interactions of a compound and a condensate, or a component thereof, and uses thereof

Номер патента: WO2022035989A1. Автор: Bruce Aaron BEUTEL,Peter Jeffrey DANDLIKER,Edgar Erik BOCZEK,Matthäus MITTASCH,Diana Maria MITREA. Владелец: Dewpoint Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

A Method Of Reducing Output Torque Deficits During Launch Of A Continuously Variable Transmission

Номер патента: US20190211925A1. Автор: Michael Beyer,Steven Spencer. Владелец: Perkins Engines Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of adjusting inclination of objective lenses, method of producing optical pickup, device for adjusting inclination of objective lenses, optical pickup component, optical pickup, and optical information recording and reproducing device

Номер патента: US20090213717A1. Автор: Hideki Hayashi,Kanji Wakabayashi,Hidenori Wada,Keiichi Matsuzaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of improving a timing of a planned maintenance and method of optimizing a maintenance

Номер патента: US20240142964A1. Автор: Andreas Ungerer. Владелец: Buerkert Werke GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-02.

Roof module for forming a vehicle roof comprising a cooler

Номер патента: US12092755B2. Автор: Cédric Langlais,Harald Bachmann,Michael Huelsen,Michael Mailhamer,Juraj Lehotsky,Achim Holzwarth. Владелец: Webasto SE. Дата публикации: 2024-09-17.

OPEN PERFORATED MATERIAL AND METHOD OF IMAGING TO FORM A VISION CONTROL PANEL

Номер патента: US20140141197A1. Автор: Hill George Roland,Godden Mark David. Владелец: CONTRA VISION LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD OF DESIGNING AND FORMING A CHANNEL OF FLOW-TYPE THIN-WALL DRIP IRRIGATION BELT

Номер патента: US20200364384A1. Автор: HOU Peng,Feng Ji,WANG Zhifu,Li Yunkai. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Lighting device and method of cooling lighting device

Номер патента: RU2475675C2. Автор: Харальд Й.Г. РАДЕРМАХЕР. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Дата публикации: 2013-02-20.

System and method of reducing carbon dioxide emissions in a fluid catalytic cracking unit

Номер патента: US20080153689A1. Автор: Gavin P. Towler,Douglas N. Rundell. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of designing and forming a sheet metal part

Номер патента: CN101574716A. Автор: 谢尔盖·法德勒威奇·高洛瓦申科. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of loading live poultry

Номер патента: US5469815A. Автор: Lawrence L. Stross. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-11-28.

Method of producing chocolate

Номер патента: CA2848306C. Автор: Martin Thiele,Hartmut Balzer,Konstantinos Paggios,Imola Zsigmond. Владелец: Kraft Foods R&D Inc USA. Дата публикации: 2019-10-29.

Spray nozzle insert and method of making same

Номер патента: CA1050589A. Автор: Norman D. Bowen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-03-13.

Method of splicing two optical fiber cables

Номер патента: US5274724A. Автор: Jean-Pierre Dumas,Dominique Brouard,Claude Brehm,Andre Tardy. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1993-12-28.

Seal integrity evaluation device and method of use thereof

Номер патента: CA2785740C. Автор: Anthony Edward Dzikowicz. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2015-05-26.

Method of cutting sheet material with scheduled supplementation

Номер патента: CA1089557A. Автор: Heinz J. Gerber. Владелец: Gerber Garment Technology Inc. Дата публикации: 1980-11-11.

Piston and cooled piston ring therefor and method of construction thereof

Номер патента: US8955487B2. Автор: Keith Hampton,Miguel Azevedo. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-02-17.

Open perforated material and method of imaging to form a vision control panel

Номер патента: CA2991344A1. Автор: George Roland Hill,Mark David Godden. Владелец: Contra Vision Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of designing and forming a channel of flow-type thin-wall drip irrigation belt

Номер патента: US11449648B2. Автор: Ji Feng,PENG Hou,Yunkai Li,Zhifu WANG. Владелец: CHINA AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-20.

Method of Producing Simulated Back Bacon

Номер патента: GB2074839A. Автор: . Владелец: SCOT MEAT PROD Ltd. Дата публикации: 1981-11-11.

Filament wound interlaminate tubular attachment and method of manufacture

Номер патента: CA1213838A. Автор: Frederick J. Policelli. Владелец: HERCULES LLC. Дата публикации: 1986-11-12.

A method of warming a toilet seat

Номер патента: CA2198441C. Автор: Anna Marie Holtom,Darin L. Holtom,James A. Holtom. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-03.

Cohesive corrugated laminate, method of making such laminate and packages formed from such laminate

Номер патента: GB1060155A. Автор: . Владелец: ST Regis Paper Co. Дата публикации: 1967-03-01.

Secure passport document and method of making the same

Номер патента: US5211424A. Автор: Howard B. Bliss. Владелец: PRC Inc. Дата публикации: 1993-05-18.

Method of filling a balloon with articles and air

Номер патента: US4924919A. Автор: Lynn R. Oyler. Владелец: Balloon Wrap Inc. Дата публикации: 1990-05-15.

Insulating, anti-kinking Y connector for arthroscopic surgery and method of making

Номер патента: US4951665A. Автор: Barry L. Schneider. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 1990-08-28.

Method of treatment directed to agent retention in biological tissues

Номер патента: US7799346B2. Автор: Vinayak D. Bhat. Владелец: Advanced Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Method of driving display panel using a plurality of clock signals and display apparatus for performing the same

Номер патента: US10347191B2. Автор: Dong-won Park,Jai-Hyun Koh,Bong-Hyun You,Jae-Sung Bae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Filter and method of manufacture

Номер патента: GB2527996A. Автор: Andrew Mark Burns,Robert Neil Burns,Darren Travis. Владелец: CROFT FILTERS Ltd. Дата публикации: 2016-01-06.

Method of printing and printing medium

Номер патента: CA2233851C. Автор: Diane M. Foley,David H. Rockwood. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Method of stitching to form a seam

Номер патента: KR102384210B1. Автор: 임지민. Владелец: 주식회사 명품사컴퍼니. Дата публикации: 2022-04-08.

Laminate of magnetic material and method of making

Номер патента: EP1755882B1. Автор: John E. Kast,Charles E. Peters,Jeffrey J. Clayton,Steve T. Deininger. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2008-10-22.

Method of reading electrical information and information carrying member for use in the method

Номер патента: US5453602A. Автор: Koji Hanada. Владелец: Toyo Ink Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Method of determining bad travel distances during travelling of motor vehicle

Номер патента: US6006596A. Автор: Martin Mast,Andreas Blumenstock. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of and apparatus for determining an amount of ink using current in ink-jet printer

Номер патента: US6893108B2. Автор: Kyung-chool Choi,Young-bok Jui. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of consolidating/simultaneously forming a plurality of composites

Номер патента: EP0909825B1. Автор: Peter Nagy,Harlan L. Woods,Richard C. Lewis,Stephen A. Kraus. Владелец: Textron Systems Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

Method of aligning a golf ball with a golf club and a golf club with alignment indicia

Номер патента: CA2257728C. Автор: Siu To. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-17.

Method of performing a surgical procedure and associated surgical instrument support tray

Номер патента: US6158437A. Автор: Richard T. Vagley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-12-12.

Method of making a clutch for a cooling fan of a motor vehicle

Номер патента: US5003685A. Автор: David J. Settles. Владелец: Dayco Products Eaglemotive Inc. Дата публикации: 1991-04-02.

Crosslinked and crosslinkable hollow fiber membrane and method of making same

Номер патента: CA2470993C. Автор: Stephen J. Miller,David Wallace,John Wind,Claudia Staudt-Bickel,William J. Koros. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Mold and method of hydroforming to form a hollow member

Номер патента: DE102020129877B3. Автор: Uli Sofan,Holger Prigge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods of and devices for cold drawing seamless metal tubes each having upset portions on both ends

Номер патента: CA1229068A. Автор: Toshio Sakurai,Yutaka Sunaga. Владелец: Sanwa Kokan Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

Microbiological culture bottle, and method of making and using same

Номер патента: CA2182511C. Автор: Gideon Eden,Ray McMillian,Ruth Eden. Владелец: Accumed International Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Method of processing scrap roof-membrane sheet material comprising a flexible synthetic fabric substrate enveloped in a thermoplastic plastic envelope

Номер патента: CA2053173C. Автор: Robert C. Hultz,Harry Hermanson,David R. Grussing. Владелец: Duro Last Inc. Дата публикации: 1995-04-18.

Method of manufacturing and forming a cushion body

Номер патента: US20110068498A1. Автор: Shinji Sugiyama,Mika Ito. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing core-shell particles by a microwave plasma process

Номер патента: US11801555B2. Автор: Kamal Hadidi,Gregory Wrobel. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Heating convection unit and method of mounting the same

Номер патента: US20020025144A1. Автор: Eric Dumont,Jean Baribeault,Raynald Brassard,Robert Rendel,Raymond Lew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Cold-spray device and method of cold-spray forming a part

Номер патента: EP3817829B1. Автор: Alexander Pai-chung TENG,John Russell BUCKENLL. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Yttria-stabilized zirconia slurry and methods of application thereof

Номер патента: US20230312935A1. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Neelesh Nandkumar Sarawate,Atanu Saha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Shift lever vibration isolation assembly and methods of manufacture

Номер патента: US20120037311A1. Автор: James M. Burns, Sr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-16.

Thermopile laser sensor with response time acceleration and methods of use and manufacture

Номер патента: US20230375418A1. Автор: Ephraim Greenfield,Julian Marsden,Ephraim Rotem. Владелец: Ophir Optronics Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of synthesizing tuneably high functionality in high molecular weight natural oil polyols

Номер патента: US20120116042A1. Автор: Thomas M Garrett,Xian Xian Du. Владелец: MCPU Polymer Engr a California LLC. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of programming an industrial robot

Номер патента: US11833697B2. Автор: Fan Dai,Debora CLEVER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of sealing and securing a shaped charge

Номер патента: US10859350B1. Автор: Harry Arnon. Владелец: Hernon Manufacturing Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Unitary biomedical electrode having an attachment flap and its associated method of manufacture

Номер патента: WO2005079465A2. Автор: Stephen T. Epstein. Владелец: Epstein Stephen T. Дата публикации: 2005-09-01.

Foot structure and function assessment device and methods of using same

Номер патента: US20240023829A1. Автор: Robert Turner,Scott J. Ellis,Oliver Morgan,Howard Hillstrom,Jinsup Song,Johnathan Deland,Rajshree Hillstrom. Владелец: New York Society for Relief of Ruptured and Crippled. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of detecting conversion quality of green matrix composite material and system for same

Номер патента: US20160245767A1. Автор: Wayde R. Schmidt,Michael J. Birnkrant. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-25.

Differential pressure sensor and method of using the same

Номер патента: US11953391B2. Автор: Sudheer Beligere Sreeramu,Manjesh Kumar B,Sathish Vadlamudi. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20210005273A1. Автор: Eun-Jin Yun,Sung June Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Vehicle interior panel and method of manufacture

Номер патента: US20150343682A1. Автор: Christopher Kring,Chih-Her Suen,Michael G. Zimmer. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of automatically extracting features from a computer readable file

Номер патента: WO2014012863A2. Автор: Pavel Laskov,Nedim Srndic. Владелец: Eberhard Karls Universitat Tubingen. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of increasing strength of a panel edge

Номер патента: US20150104584A1. Автор: Chin-Liang Chen,Ting-Chieh Chen,Hsiao-Tzu Hsu. Владелец: Henghao Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of enhancing the orthonasal profile of a plant

Номер патента: AU2022311548A1. Автор: Maria Montserrat Sanchez Pena,Martine GELINAS,Carla RENTON. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210257018A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Methods of coating polymers and reduction in protein aggregation

Номер патента: CA3204018A1. Автор: Graham Smith,Eoin SCANLAN,Paula COLAVITA,Anna TESTOLIN,Silvia FOGLI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of enhancing the orthonasal profile of a plant

Номер патента: WO2023285828A3. Автор: Maria Montserrat Sanchez Pena,Martine GELINAS,Carla RENTON. Владелец: Nicoventures Trading Limited. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of enhancing the orthonasal profile of a plant

Номер патента: EP4369953A2. Автор: Maria Montserrat Sanchez Pena,Martine GELINAS,Carla RENTON. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Jig system for the manufacture of composite joists and method of manufacturing composite joists using jigs

Номер патента: US5819412A. Автор: Michael M. Olden. Владелец: Mitek Holdings Inc. Дата публикации: 1998-10-13.

Injectable Non-Aqueous Compositions and Methods of Treating Vascular Disease

Номер патента: US20170296466A1. Автор: Gaurav Girdhar,Xiaodong Ma,Jennifer Makridakis. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2017-10-19.

Rim, and method of manufacturing a rim

Номер патента: US20230182346A1. Автор: Andreas Henig. Владелец: DT Swiss Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Unitary biomedical electrode having an attachment flap and its associated method of manufacture

Номер патента: WO2005079465A3. Автор: Stephen T Epstein. Владелец: Stephen T Epstein. Дата публикации: 2006-03-23.

Foot structure and function assessment device and methods of using same

Номер патента: AU2021240002B2. Автор: Robert Turner,Scott J. Ellis,Oliver Morgan,Jonathan Deland,Howard Hillstrom,Jinsup Song,Rajshree Hillstrom. Владелец: New York Society for Relief of Ruptured and Crippled. Дата публикации: 2024-05-30.

Foot structure and function assessment device and methods of using same

Номер патента: EP4120909A1. Автор: Robert Turner,Scott J. Ellis,Oliver Morgan,Jonathan Deland,Howard Hillstrom,Jinsup Song,Rajshree Hillstrom. Владелец: New York Society for Relief of Ruptured and Crippled. Дата публикации: 2023-01-25.

Method of detecting conversion quality of green matrix composite material and system for same

Номер патента: EP3058364A1. Автор: Wayde R. Schmidt,Michael J. Birnkrant. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-24.

Particulate adsorbent material and methods of making the same

Номер патента: CA3049957C. Автор: Cameron Thomson,Laurence H. Hiltzik,Timothy M. Byrne,Marta Leon Garcia. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of manufacturing optical fiber and apparatus for manufacturing optical fiber

Номер патента: US20230416140A1. Автор: Takaharu Sato,Hiroshi Kohda,Katsuyuki Tsuneishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of growing large-diameter dislocation-free <110> crystalline ingots

Номер патента: US20030097975A1. Автор: Aaron Johnson,Rosemary Nettleton,Robert Faulconer. Владелец: SEH America Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

A conveyance, detention and infiltration system, and method of installing same

Номер патента: WO2019212358A1. Автор: Aage Gjesdal,Per Møller Pedersen. Владелец: Skjæveland Cementstøperi As. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for forming a female attachment portion and a part having a female attachment portion

Номер патента: EP3630386B8. Автор: Lars ALMBLAD. Владелец: Inter Ikea Systems BV. Дата публикации: 2024-06-12.

A recording medium having a rewritable display and a method of using the same, a container for accommodating a recording medium having a rewritable display, a method of using the same,

Номер патента: KR100459341B1. Автор: 데루오 사카마키. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-02-03.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA1239943A. Автор: Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-02.

Baking oven and method of operating a baking oven

Номер патента: US20040200362A1. Автор: Mathias Schmitt,Peter Leppich,Martin Pittroff. Владелец: MIWE Michael Wenz GmbH. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of renewing linear underground structures accessible by walking or crawling and having a closed profile, in particular sewers, as well as a set of plastic structural elements for realising the method

Номер патента: DE3700883A1. Автор: Istvan Dipl Ing Odor,Laszlo Dipl Ing Szilagyi,Oliver Dipl Ing Nagy,Gezane Dipl Ing Varga. Владелец: BONEX EPITOEIPARI KOEZOES VALL. Дата публикации: 1988-07-28.

Positioning apparatus with lockable joints and method of use

Номер патента: US8632064B2. Автор: J. Kenneth Salisbury, Jr.,Joan Savall. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of making an anti-bit balling well fluid using a polyol having a cloud point, and method of drilling

Номер патента: WO1996040836A1. Автор: David E. Clark,William E. Dye. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 1996-12-19.

Method of preparing carboxylic acid derivatives and condensing agent comprising a quaternary ammonium salt

Номер патента: CA2331850C. Автор: KEIJI Terao,Fumiaki Iwasaki,Naoki Hirano,Michiko Miharu,Masako Saijyo,Shohei Tani,Munetaka Kunishima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Method of producing plastic works of art, reliefs or other shaped articles having a metal surface

Номер патента: GB935110A. Автор: Miroslav Formanek,Lubos Moravec,Jana Moravcova. Владелец: USTREDI UMELECKYCH REMESEL. Дата публикации: 1963-08-28.

Apparatus for analysing the condition of a machine having a rotating part

Номер патента: US10330523B2. Автор: Lars-Olov Hedin. Владелец: SPM Instrument AB. Дата публикации: 2019-06-25.

A method of controlling the operation of a hybrid vehicle and hybrid vehicle having a controller operable by this method

Номер патента: DE102012214252A1. Автор: Werner Weber,Kaspar Schmoll Genannt Eisenwerth. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-02-13.

Front floor reinforcement structure for a vehicle having a battery pack in the tunnel

Номер патента: US11945511B2. Автор: Nicolas Schneider. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2024-04-02.

High protein, micellar casein-containing nutritional liquids enriched with catechin-compounds and method of production

Номер патента: AU2022276114A1. Автор: Marcela ALEXANDER,Birgitte PINHOLT. Владелец: ARLA FOODS AMBA. Дата публикации: 2023-11-16.

High protein, micellar casein-containing nutritional liquids enriched with catechin-compounds and method of production

Номер патента: EP4340640A1. Автор: Marcela ALEXANDER,Birgitte PINHOLT. Владелец: ARLA FOODS AMBA. Дата публикации: 2024-03-27.

High protein, micellar casein-containing nutritional liquids enriched with catechin-compounds and method of production

Номер патента: CA3217155A1. Автор: Marcela ALEXANDER,Birgitte PINHOLT. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-24.

Apparatus for analysing the condition of a machine having a rotating part

Номер патента: US20230304849A1. Автор: Lars-Olov Hedin. Владелец: SPM Instrument AB. Дата публикации: 2023-09-28.

Platinum encapsulated zeolite hydrocracking catalyst and methods of making same

Номер патента: US20210237042A1. Автор: Manal Al-Eid,Lianhui Ding. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of Manufacturing Glass Substrate

Номер патента: US20170144924A1. Автор: Wen-Liang Huang. Владелец: HONY GLASS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Toy gun with glowing projectiles and method of providing glowing projectiles to a toy gun

Номер патента: WO2005102490B1. Автор: Steven Zuloff. Владелец: CYI Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

A smart shoe system and methods of using same

Номер патента: CA3158062C. Автор: Ghada Koleilat,Alireza Ghasemi Ghodrat. Владелец: Avisensx Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Drug formulations and methods of treatment for metabolic disorders

Номер патента: CA3158256A1. Автор: Aimee Edinger. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-05-20.

Drug formulations and methods of treatment for metabolic disorders

Номер патента: WO2021097286A1. Автор: Aimee Edinger. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-05-20.

Drug formulations and methods of treatment for metabolic disorders

Номер патента: EP4058017A1. Автор: Aimee Edinger. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-09-21.

Apparatus and method of treating soil

Номер патента: EP4179153A1. Автор: Juha LEPPÄNEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2023-05-17.

Apparatus and method of treating soil

Номер патента: AU2021303585A1. Автор: Juha LEPPÄNEN. Владелец: Betolar Oy. Дата публикации: 2023-02-09.

METHOD OF MOUNTING A BEARING TO AN AIR COMPRESSOR, AND AIR COMPRESSOR HAVING A BEARING MOUNTED BY THE METHOD

Номер патента: US20190170192A1. Автор: CHOU Wen-San. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

METHODS OF FUSING A SACROILIAC JOINT WITH A THREADED JOINT FIXATION SCREW HAVING A PLURALITY OF OPENINGS THEREIN

Номер патента: US20180193155A1. Автор: Donner Edward Jeffrey,Donner Christopher Thomas. Владелец: JCBD, LLC. Дата публикации: 2018-07-12.

METHOD OF PRODUCING A HOT STRIP OF A BAINITIC MULTI-PHASE STEEL HAVING A ZN-MG-AL COATING, AND A CORRESPONDING HOT STRIP

Номер патента: US20180209011A1. Автор: Braun Michael,Köpper Nils,DENKS INGWER,PELZ CHRISTIAN,Habermann Maik,Mecke Stefan,Geffert Ansgar. Владелец: SALZGITTER FLACHSTAHL GMBH. Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD OF MOUNTING A BEARING TO AN AIR COMPRESSOR, AND AIR COMPRESSOR HAVING A BEARING MOUNTED BY THE METHOD

Номер патента: US20210262524A1. Автор: CHOU Wen-San. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Method of linear friction welding of blades to aerofoil blisks and blade having a root with a taper ratio less than 2

Номер патента: EP1495829A1. Автор: Simon Edward Bray,Jonathan Peter Throssell. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2005-01-12.

METHOD OF PURGING GASES DNS HYDRAULIC CONTROL CIRCUIT OF A CLUTCH ACTUATOR HAVING A HYDRAULIC CONTROL CORRESPONDING

Номер патента: FR2864186B1. Автор: Laurent Pouyau,Gregory Labreuche,Abdelmoumen Mardaoui. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2007-01-19.

Optical element and method of manufacturing optical element with each of first and second layers having a repetition structure

Номер патента: US8715516B2. Автор: Kazuhiro Arai,Noriyuki Nakai,Junji Terada,Jun-Ichi Sakamoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Method of manufacturing a hollow workpiece having at least an inner surface having a molded portion extending straight in the axial direction of the workpiece or a molded portion extending obliquely to the axis of the workpiece.

Номер патента: JP3378614B2. Автор: デリア ダニエル,クラプフェンバウアー ハンス. Владелец: Ernst Grob AG. Дата публикации: 2003-02-17.

Method of drilling, with two directions of rotation, actuating a stabilisation device having a diameter which varies according to the direction of rotation

Номер патента: FR2665481A1. Автор: Fade Jean-Marie. Владелец: FADE JEAN MARIE. Дата публикации: 1992-02-07.

The application of the method of measuring RLC parameters according to patent RU 2100813 in devices having a touch panel or screen

Номер патента: RU2015111441A. Автор: Николай Дмитриевич Куликов. Владелец: Николай Дмитриевич Куликов. Дата публикации: 2016-11-10.

Method and apparatus for forming a flanged tray

Номер патента: CA1121199A. Автор: Thomas R. Baker,Peter C. Collura. Владелец: Kliklok LLC. Дата публикации: 1982-04-06.

Method and apparatus for forming a flanged tray

Номер патента: US4295839A. Автор: Thomas R. Baker,Peter C. Collura. Владелец: Kliklok LLC. Дата публикации: 1981-10-20.

Method for forming a light shielding pattern

Номер патента: US5418094A. Автор: Morimasa Sato,Fumiaki Shinozaki,Masayuki Iwasaski. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-23.

Steam de-wrinkling appliance having a de-wrinkling head connected by a line to a base

Номер патента: US10612185B2. Автор: Guy Ducruet,Maxime Javit. Владелец: SEB SA. Дата публикации: 2020-04-07.

A combination of an m-tor inhibitor and rad19010 for use in a method of inhibiting tumor growth or producing tumor regression in a subject having a deug-resistant andqor mutant estrogen receptor

Номер патента: IL255261B1. Автор: . Владелец: Radius Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

A combination of an m-tor inhibitor and rad19010 for use in a method of inhibiting tumor growth or producing tumor regression in a subject having a deug-resistant andqor mutant estrogen receptor

Номер патента: IL255261B2. Автор: . Владелец: Radius Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-03-01.

Roof module for forming a vehicle roof having a rotatable environment sensor

Номер патента: US20230138179A1. Автор: Rudolf Dietl. Владелец: Webasto SE. Дата публикации: 2023-05-04.

Process for manufacturing an optical microelectromechanical device having a tiltable structure with an antireflective surface

Номер патента: US11787685B2. Автор: Roberto Carminati,Laura Oggioni,Luca SEGHIZZI,Marta CARMINATI,Nicolo′ Boni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-17.

Mandrel for forming a component

Номер патента: EP2572852B1. Автор: Ian Colin Deuchar Care,Kristofer John Bottome. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2014-01-29.

Device and method for forming a container by folding

Номер патента: US20240116261A1. Автор: Damien Cirette,Arnaud Prieur. Владелец: Sidel Packing Solutions SAS. Дата публикации: 2024-04-11.

METHOD OF ILLUMINATING SEMI TRANSPARENT AND TRANSPARENT INPUT DEVICE AND A DEVICE HAVING A BACK ILLUMINATED MAN MACHINE INTERFACE

Номер патента: US20130215081A1. Автор: Levin Dror,Eichbaum Jacob,Amit Shahar,Damti Yakir. Владелец: Grippity Ltd.. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD OF MANUFACTURING A BLADDER ELEMENT WITH AN ETCHED FEATURE AND ARTICLE HAVING A BLADDER ELEMENT WITH AN ETCHED FEATURE

Номер патента: US20200113283A1. Автор: James Dervin A.,Hensley Taryn. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD OF MANUFACTURING GRAPHENE, CARBON NANOTUBES, FULLERENE, GRAPHITE OR A COMBINATION THEREOF HAVING A POSITION SPECIFICALLY REGULATED RESISTANCE

Номер патента: US20140302439A1. Автор: LEE Dong-Ho,SHIM Jeo-young,JEON Tae-han,EOM Kun-sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-09.

METHOD OF MANUFACTURING A BLADDER ELEMENT WITH AN ETCHED FEATURE AND ARTICLE HAVING A BLADDER ELEMENT WITH AN ETCHED FEATURE

Номер патента: US20180235315A1. Автор: James Dervin A.,Hensley Taryn. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2018-08-23.

METHOD OF MANUFACTURING A BLADDER ELEMENT WITH AN ETCHED FEATURE AND ARTICLE HAVING A BLADDER ELEMENT WITH AN ETCHED FEATURE

Номер патента: US20160295966A1. Автор: James Dervin A.,Hensley Taryn. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2016-10-13.

METHOD OF MANUFACTURING GLASS PLATE HAVING CURVED SURFACE SHAPE, AND GLASS PLATE HAVING A CURVED SURFACE SHAPE

Номер патента: US20150368140A1. Автор: WADA Masanori,IKEMOTO Masayuki,ODANI Osamu. Владелец: NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of delivering liquid to a patient via a disposable pumping cassette having a flow control & pressure monitoring member

Номер патента: US5586868A. Автор: Michael W. Lawless,Peter A. Soberon,Ashok Kaul,Steven E. Minick,Gregory G. Hoerner,Robert A. Hermann,Stephen J. Kreinick. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 1996-12-24.

A MACHINE FOR FORMING A METAL STRIP INTO A TUBULAR FORM HAVING A STOP-RESTART DISPLACEMENT MECHANISM with a stop-restart potential device

Номер патента: KR960702780A. Автор: 버타이 포레스트 제이알. 홀. Владелец: 버타이 포레스트 제이알. 홀. Дата публикации: 1996-05-23.

Method of manufacturing from an open ended plastic tube a plastic tube having a bottom

Номер патента: US3509252A. Автор: Michel Baehr. Владелец: Isotube. Дата публикации: 1970-04-28.

A machine for forming a metal strip into a tubular form having a stop- restart displacement mechanism

Номер патента: KR100216864B1. Автор: 버타이 포레스트 제이알. 홀. Владелец: 버타이 포레스트 제이알. 홀. Дата публикации: 1999-09-01.

A method of identifying products carried in containers using a plastic web material having a reticular structure.

Номер патента: FR2711113A1. Автор: Genty Alain. Владелец: Nortene Technologies SAS. Дата публикации: 1995-04-21.

A method of manufacturing a wall tube containing more than 60% plastic and having a skirt and a retreinte head, and corresponding tube.

Номер патента: FR2700727A1. Автор: Rebeyrolle Michel,Benquet Jacques,Bricout Emmanuel. Владелец: Cebal SAS. Дата публикации: 1994-07-29.

Rad 1901 for use in a method of inhibiting tumor growth or producing tumor regression in a subject having a drug-resistant and/or mutant estrogen receptor alpha-positive cancer

Номер патента: IL255148B2. Автор: . Владелец: Radius Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-04-01.

One-step method for forming a pressure-sensitive adhesive transdermal drug device

Номер патента: US5032207A. Автор: Steven Sablotsky,Ronald E. Laprade. Владелец: Noven Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 1991-07-16.

Method for forming a foundation wall

Номер патента: US11761164B2. Автор: Tony Hafford. Владелец: Tc Hafford Basement Systems. Дата публикации: 2023-09-19.

Material deposition to form a sheet structure

Номер патента: US20180179637A1. Автор: Gary D. Roberge,William J. Brindley. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for forming a foundation wall

Номер патента: US20220127814A1. Автор: Tony Hafford. Владелец: Tc Hafford Basement Systems. Дата публикации: 2022-04-28.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A VACUUM INSULATED STRUCTURE FOR AN APPLIANCE HAVING A PRESSING MECHANISM INCORPORATED WITHIN AN INSULATION DELIVERY SYSTEM

Номер патента: US20170159997A1. Автор: Alshourbagy Mohamed,Naik Abhay,Westlake Lorraine J.,Deka Lakshya J.,Allo Berhanu,Anthony Jon M.. Владелец: WHIRLPOOL CORPORATION. Дата публикации: 2017-06-08.

Apparatus and method for forming a tube with a tetragonal cross-section, having a reinforced end

Номер патента: US20080196230A1. Автор: Mohamed Gharib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for forming a female attachment portion and a part having a female attachment portion

Номер патента: EP3630386B1. Автор: Lars ALMBLAD. Владелец: IKEA Supply AG. Дата публикации: 2024-04-17.

for forming a unique flat pattern on metal component having a style different from patterns obtained by printing or stamping

Номер патента: TW201216885A. Автор: Kenji Hasegawa,Nobuhisa Ito. Владелец: YKK Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for forming a female attachment portion and a part having a female attachment portion

Номер патента: SE1750695A1. Автор: Lars ALMBLAD. Владелец: IKEA Supply AG. Дата публикации: 2018-12-02.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEEDING APPARATUS AND METHOD OF DETERMINING A SEED SPACING VARIABILITY VALUE

Номер патента: US20120004768A1. Автор: Walter Jason D.,Peterson James R.,Schweitzer John M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing and Detecting Device and Method of Birefringent Lens Grating

Номер патента: US20120003380A1. Автор: Yu Bin. Владелец: Shenzhen Super Perfect Optics LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Cooling method of circulating water in cooling water pond

Номер патента: RU2541480C1. Автор: Александр Алексеевич Соловьев,Константин Владимирович Чекарев,Юрий Борисович Малых,Раис Искандрович Нигматулин. Владелец: Раис Искандрович Нигматулин. Дата публикации: 2015-02-20.

Method of mounting the shell of a trench-type tank

Номер патента: SU885510A1. Автор: Израил Симонович Гольденберг,Иван Ефимович Чаев,Виктор Иванович Кургускин,Евгений Тимофеевич Кузнецов,Лев Николаевич Глухов. Владелец: Государственный Институт По Проектированию Технологии Монтажа Предприятий Нефтеперерабатывающей И Нефтехимической Промышленности &#34;Гипронефтеспецмонтаж&#34;. Дата публикации: 1981-11-30.

Method of mounting the shell of a trench-type tank

Номер патента: SU885509A1. Автор: Израил Симонович Гольденберг,Иван Ефимович Чаев,Виктор Иванович Кургускин,Евгений Тимофеевич Кузнецов,Лев Николаевич Глухов. Владелец: Государственный Институт По Проектированию Технологии Монтажа Предприятий Нефтеперерабатывающей И Нефтехимической Промышленности &#34;Гипронефтеспецмонтаж&#34;. Дата публикации: 1981-11-30.

METHOD OF FORMING IMAGE USING HEAT-SENSITIVE TRANSFER IMAGE-RECEIVING SHEET HAVING A LENTICULAR LENS

Номер патента: US20120075400A1. Автор: SHINOHARA Ryuji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-03-29.

METHODS OF PREPARING POLYMORPHIC FORM A OF BAZEDOXIFENE ACETATE

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Cannata Vincenzo,Allegrini Pietro,Cotarca Livius,Verzini Massimo,Barreca Giuseppe,Soriato Giorgio,Brescello Roberto,Andreella Paolo,Tasinato Francesco,Demo Marco,Bassan Fabio. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

Refrigerated dough and method of manufacture

Номер патента: CA1192437A. Автор: Debra S. Laatsch,Leslie S. O&#39;keefe,Deena G. Hohle,Susan H. Jensen,Douglas A. Edmonson,Leah G. Evans,Samuel H. Yong. Владелец: Pillsbury Co. Дата публикации: 1985-08-27.

Toroidal electrical transformer and method of producing same

Номер патента: CA1220827A. Автор: John L. Fisher,Herbert J. Macemon,James D. Richerson,Richard W. Wiedo,Joe E. Curtis, Jr.,James F. Rafferty,Thomas H. Aishton. Владелец: Kuhlman Corp. Дата публикации: 1987-04-21.

Method of Operating a Reactor Module for Endothermic Reactions and a Reactor Having a Plurality of Such Reactor Modules

Номер патента: US20120159848A1. Автор: Lutz Peter. Владелец: BEKON Energy Technologies GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2012-06-28.

POLARIZATION STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING A POLARIZATION STRUCTURE AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE HAVING A POLARIZATION STRUCTURE

Номер патента: US20130140587A1. Автор: Lim Jae-Ik,Ahn Yi-Joon,Kim Gee-Bum,Yeo Yong-Seok,Choi Man-Seob. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-06-06.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of improvement of soil fertility for tree and grass cultures (russian logic version - version 3)

Номер патента: RU2532122C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-10-27.

Method Of Implanting An Interspinous Vertebral Implant

Номер патента: US20120004727A1. Автор: Fuentes Jean-Marc,Ben-Mokhtar Mourad. Владелец: Eden Spine, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.