Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof
Номер патента: US20140322900A1
Опубликовано: 30-10-2014
Автор(ы): Jianchao Fan, Qijun Guo, XIAO Wu, Xunhui Wang
Принадлежит: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-10-2014
Автор(ы): Jianchao Fan, Qijun Guo, XIAO Wu, Xunhui Wang
Принадлежит: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof
Номер патента: WO2013083016A1. Автор: 吴啸,范建超,王训辉,过奇钧. Владелец: 无锡华润华晶微电子有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.