Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • MEMORY ARRAYS WHERE A DISTANCE BETWEEN ADJACENT MEMORY CELLS AT ONE END OF A SUBSTANTIALLY VERTICAL PORTION IS GREATER THAN A DISTANCE BETWEEN ADJACENT MEMORY CELLS AT AN OPPOSING END OF THE SUBSTANTIALLY VERTICAL PORTION AND FORMATION THEREOF

MEMORY ARRAYS WHERE A DISTANCE BETWEEN ADJACENT MEMORY CELLS AT ONE END OF A SUBSTANTIALLY VERTICAL PORTION IS GREATER THAN A DISTANCE BETWEEN ADJACENT MEMORY CELLS AT AN OPPOSING END OF THE SUBSTANTIALLY VERTICAL PORTION AND FORMATION THEREOF

Номер патента: US20120091521A1
Опубликовано: 19-04-2012
Автор(ы): Akira Goda
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US20040197996A1. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Device including memory array and method thereof

Номер патента: US20110260232A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao,Mark Michael Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Memory cell array and cell structure thereof

Номер патента: US09768298B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory Array Channel Regions

Номер патента: US20230317848A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20210125990A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Thin film transistor based memory cells on both sides of a layer of logic devices

Номер патента: US20220045065A1. Автор: Tahir Ghani,Bernhard Sell,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Kevin Fischer,Wilfred Gomes,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200075630A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Vertical memory devices, memory arrays, and related methods

Номер патента: US20150255599A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of manufacturing a non-volatile memory cell and array having a trapping charge layer in a trench

Номер патента: US09882033B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory cell having a trapping charge layer in a trench and an array and a method of manufacturing therefor

Номер патента: US09548380B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Nrom memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US20090072303A9. Автор: Leonard Forbes,Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Minimizing disturbs in dense non volatile memory arrays

Номер патента: US09490261B2. Автор: Boaz Eitan,Amichai GIVANT,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Integrated structures and NAND memory arrays

Номер патента: US10038008B1. Автор: John D. Hopkins,David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

NAND string utilizing floating body memory cell

Номер патента: US09704578B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

NAND String Utilizing Floating Body Memory Cell

Номер патента: US20240040767A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

NAND string utilizing floating body memory cell

Номер патента: US11818878B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Vertical memory cell with non-self-aligned floating drain-source implant

Номер патента: US09876122B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Marc Mantelli,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

EEPROM memory cell with low voltage read path and high voltage erase/write path

Номер патента: US09455037B2. Автор: Bomy Chen,Daniel Alvarez,Jeffrey A. Shields,Jack Wong,Mel HYMAS,Kent Hewitt,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A3. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Nonvolatile pmos two transistor memory cell and array

Номер патента: WO1999019880A1. Автор: Nader Radjy,Vikram Kowshik,Shang-De Ted Chang,Andy Teng-Feng Yu. Владелец: Programmable Microelectronics Corporation. Дата публикации: 1999-04-22.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: US20030178668A1. Автор: Sohrab Kianian,Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory array with memory cells arranged in pages

Номер патента: US09466392B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Ching-Sung Yang,Shih-Chen Wang,Wei-Chen Chang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

P-Channel germanium on insulator (GOI) one transistor memory cell

Номер патента: US20090256206A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Transistors, Memory Arrays, And Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Transistor

Номер патента: US20210335793A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

Номер патента: WO2021216249A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Integrated assemblies comprising sense-amplifier-circuitry and wordline-driver-circuitry under memory cells of a memory array

Номер патента: US10957681B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor memory array architecture, and method of controlling same

Номер патента: US20070241405A1. Автор: Gregory Allan Popoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Memory cell

Номер патента: US09847109B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Low power programming technique for a floating body memory transistor, memory cell, and memory array

Номер патента: EP1671331A2. Автор: Serguei Okhonin,Pierre Fazan. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2006-06-21.

Memory cells having a folded digit line architecture

Номер патента: US09653468B2. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and anti-fuse one-time programmable memory array

Номер патента: US09589971B1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Hsiang Lin,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Hsuan-Chi Su. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Two transistor memory cells with source-drain coupling in one transistor

Номер патента: US20230413547A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: WO2020131397A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

VMOS Memory cell and method for making same

Номер патента: US4271418A. Автор: William R. Hiltpold. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1981-06-02.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: WO2023249616A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhiskek A. SHARMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-12-28.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: US20230410907A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Devices and memory arrays including bit lines and bit line contacts

Номер патента: US20120104463A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-03.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

3-dimensional NOR memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US12052867B2. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20240357817A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20210313348A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US10741582B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US11515328B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20200335519A1. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional nor memory arrays

Номер патента: US11968837B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20210225873A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory array

Номер патента: CA1067208A. Автор: Antony G. Bell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09761295B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09484068B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

MTP-Thyristor Memory Cell Circuits and Methods of Operation

Номер патента: US20160240228A1. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Addressable SiOX memory array with incorporated diodes

Номер патента: US09385163B2. Автор: James M. Tour,Jun Yao,Jian Lin,Krishna Palem,Gunuk Wang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-05.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Boundary design to reduce memory array edge cmp dishing effect

Номер патента: US20200098778A1. Автор: Wei Cheng Wu,Chien-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Non-Volatile Finfet Memory Array and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140370698A1. Автор: Chun Chen. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Non-volatile finfet memory array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120181591A1. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Non-volatile FINFET memory array and manufacturing method thereof

Номер патента: US9373514B2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057440A1. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory array and memory device

Номер патента: US8350320B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines

Номер патента: US7510954B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20230057464A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: WO2020149917A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US11805653B2. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230290860A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11967632B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: EP3912191A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: EP3621079A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US20240147729A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210376122A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Nonvolatile memory cell comprising a reduced height vertical diode

Номер патента: US20110318911A1. Автор: Steven J. Radigan,S. Brad Herner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10361215B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US10566341B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

NAND memory cell string having a stacked select gate structure and process for forming same

Номер патента: US11069699B2. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20210082927A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20180366473A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20200168618A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Nand memory cell string having a stacked select gate structure and process for for forming same

Номер патента: US20190326303A1. Автор: Michael A. Van Buskirk,Shenqing Fang,YouSeok Suh,Ming Sang Kwan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory array

Номер патента: US20100314680A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230317800A1. Автор: LEI Wei,Gurpreet Lugani,Sumeet C. Pandey,Dhirendra Dhananjay Vaidya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Nor memory cell with floating gate

Номер патента: WO2024163915A2. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Nor memory cell with floating gate

Номер патента: WO2024163915A3. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230207631A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11937428B2. Автор: Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022240496A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220077186A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022103538A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11996151B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210175247A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US09520554B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Device architecture and process for improved vertical memory arrays

Номер патента: US20040245569A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Felber,Juergen Lindolf,Bernhard Kowalski,Valentin Rosskopf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US20180123039A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

One selector one resistor MRAM crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US11056534B2. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-06.

One selector one resistor mram crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US20200411589A1. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Arrays of nonvolatile memory cells

Номер патента: WO2012074662A3. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

Mim memory cell with backside interconnect structures

Номер патента: US20240315014A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Three dimensional memory arrays and stitching thereof

Номер патента: US09627438B1. Автор: Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated Circuitry, Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells, Methods Used In Forming Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230389314A1. Автор: David H. Wells,Amritesh Rai,Pengyuan Zheng,Adam Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US09691820B2. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory arrays

Номер патента: US09614007B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US6825077B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-30.

Three-dimensional hexagonal matrix memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2238622A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-10-13.

Monolithic three dimensional memory arrays with staggered vertical bit line select transistors and methods therfor

Номер патента: US09530824B2. Автор: Yoshio Mori,Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Forming 3D memory cells after word line replacement

Номер патента: US09716101B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Yingda Dong,Henry Chien,Hiro Kinoshita,Wenguang Shi,Kensuke Yamaguchi,Xiaolong Hu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated Circuitry Comprising A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230422503A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792983B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

3d nor type memory array with wider source/drain conductive lines

Номер патента: US20240381630A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: WO2016170758A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-27.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Dual mode memory cell apparatus and methods

Номер патента: US20160365510A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US20170256590A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated Circuitry, A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells, A Method Used In Forming A Conductive Via, A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203791A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory array architecture with two-terminal memory cells

Номер патента: US09620206B2. Автор: Wei Lu,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: WO2024051689A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Implementation of a one time programmable memory using a MRAM stack design

Номер патента: US09805816B2. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09673393B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

High-density EEPROM arrays having parallel-connected common-floating-gate NFET and PFET as memory cell

Номер патента: US09947677B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device with electrode connecting to circuit chip through memory array chip

Номер патента: US09558945B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Access circuitry structures for three-dimensional memory array

Номер патента: US20240088044A1. Автор: Taehyun Kim,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: US20220102360A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: EP4222741A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: EP1905082A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-02.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US09865332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Self-aligned non-volatile random access memory cell and process to make the same

Номер патента: US20020109179A1. Автор: Jed H. Rankin,Chung H. Lam,Dana Lee,Dale W. Martin,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Efuse memory cell, efuse memory array and using method thereof, and efuse system

Номер патента: US20210272971A1. Автор: Xiaohua Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US20170229464A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US20170229465A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287061A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

STACKED 1T-n MEMORY CELL STRUCTURE

Номер патента: EP1634333B1. Автор: Hasan Nejad,Mirmajid Seyyedy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Memory arrays comprising operative channel-material strings and dummy pillars

Номер патента: US20240321727A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of fabricating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09887240B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of operating memory array having divided apart bit lines and partially divided bit line selector switches

Номер патента: US09608043B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naoki Takeguchi,Teruyuki Mine,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Staircase structures for accessing three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240021521A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Harsh Narendrakumar Jain,Martin Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071966A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Cells and Memory Arrays

Номер патента: US20190096894A1. Автор: Debra M. Bell,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory block, memory-cell group and memory device

Номер патента: US20240172438A1. Автор: Qiong Zhan,Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuitry, memory arrays comprising strings of memory cells, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12087632B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Corey Staller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure, memory cell and memory array

Номер патента: US12108682B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US09899390B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US09812454B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Resistive volatile/non-volatile floating electrode logic/memory cell

Номер патента: US09792985B2. Автор: Tong Liu,Marius Orlowski,Yuhong Kang,Mohini Verma. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and circuit for controlling programming current in a non-volatile memory array

Номер патента: US09666243B2. Автор: Alexandre Levisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09466787B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Read-only memory array with dielectric breakdown programmability

Номер патента: EP1883964A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Meng Ding,Zhizheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-02-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320085A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, some including hierarchical and/or other features

Номер патента: EP2788986A1. Автор: Leelean SHU,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, including hierarchical and/or other features

Номер патента: US20140219011A1. Автор: Lee-Lean Shu,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Microelectronic devices including control logic circuitry overlying memory arrays, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20230301053A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

MTJ memory array subgrouping method and related drive circuitry

Номер патента: US09997564B2. Автор: Daniel R. Shepard. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Content addressable memory cells and memory arrays

Номер патента: US09711222B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09461242B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US09443590B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory arrays

Номер патента: US10241185B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays

Номер патента: US9887239B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5717634A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

A program lock circuit for a mask programmable anti-fuse memory array

Номер патента: CA2645788C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5732021A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni,Cristina Lattaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-24.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: US20240079326A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated circuitry, a memory array comprising strings of memory cells, a method used in forming a conductive via, a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11915974B2. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20230403867A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280595A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057433A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: WO2019182722A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125919A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377653A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230395149A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,David Ross Economy,Everett A. McTeer,Jiewei Chen,Aaron P. Thurber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230209827A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11856764B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Structures, Memory Arrays, Methods of Forming Memory Structures and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20130341586A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory arrays

Номер патента: USRE49715E1. Автор: Sanh D. Tang,Fred D. Fishburn,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Electronic devices comprising memory cells comprising channel materials

Номер патента: US11882685B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Peripheral logic circuits under dram memory arrays

Номер патента: US20190131308A1. Автор: Harish N. Venkata,Jeffrey Koelling,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: EP3679605A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Tamper-resistant circuit, back-end of the line memory and physical unclonable function for supply chain protection

Номер патента: GB2612485A. Автор: Ando Takashi,Kumar Arvind,Pfeiffer Dirk,Song Peilin,Plouchart Jean-Olivier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343394A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057428A1. Автор: Yiping Wang,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Ramey M. Abdelrahaman,Matthew J. King,David NEUMEYER,Daniel Billingsley,Chandra Tiwari,Andrew Li,Wei Yeeng Ng,Narula Bilik,Lance Williamson,Zhenyu Bo,Joan M. Kash,Yung K. Pak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20230005535A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Vertical jfet as used for selective component in a memory array

Номер патента: WO2006029280A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240081052A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11956950B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: WO2022072068A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240074179A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20200243134A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: EP3769337A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125920A1. Автор: Yi Hu,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210399012A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Chandra Twari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20240081067A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory cell stack and via formation for a memory device

Номер патента: US12022666B2. Автор: David Ross Economy,Andrew Leslie Beemer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Compact Memory Arrays

Номер патента: US20130099289A1. Автор: Thomas Nirschl,Jan Otterstedt,Michael Bollu,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-25.

High density flip chip memory arrays

Номер патента: US20010030371A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood,Warren Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Farbrication of a localized thick box with planar oxide/soi interface on bulk silicon substrate for silicon photonics integration

Номер патента: US20130277795A1. Автор: Solomon Assefa,Marwan H. Khater,Yurii A. Vlasov,William M. J. Green. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory devices and programming memory arrays thereof

Номер патента: US09437304B2. Автор: Haitao Liu,Krishna Parat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell and anti-fuse type one-time programmable memory cell arrays

Номер патента: US09418754B2. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Laser programmable memory array

Номер патента: US4872140A. Автор: Andrew C. Graham,David C. MacMillan. Владелец: Gazelle Microcircuits Inc. Дата публикации: 1989-10-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11569120B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Integrated circuitry, memory circuitry comprising strings of memory cells, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: WO2023080956A1. Автор: Rui Zhang,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-11.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: US20110103127A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: SIDENCE CORP. Дата публикации: 2011-05-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230397420A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Measurement of mtj in a compact memory array

Номер патента: US20210090679A1. Автор: Minh Quang Tran. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210143054A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11791202B2. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4059052A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889683B2. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210358938A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220130859A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240138145A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: WO2007005870A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-01-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320092A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Doped metal-insulator-metal (mim) capacitor of a memory array

Номер патента: US20230290812A1. Автор: Travis LAJOIE,André BARAN,Yixiong Zheng,Yu-Che Chiu,Alexandra De Denko,Christine RADLINGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

High density flip chip memory arrays

Номер патента: US20020058395A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Methods and systems for providing a substantially quadrupole field with a higher order component

Номер патента: EP2452355A1. Автор: Mircea Guna. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2012-05-16.

Manufacture of a reversed lay stranded assembly

Номер патента: WO1994028232A1. Автор: Cyril Henry Gosling. Владелец: Bicc Public Limited Company. Дата публикации: 1994-12-08.

NROM memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US7269071B2. Автор: Leonard Forbes,Kirk D. Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-11.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Physically unclonable fuse using a NOR type memory array

Номер патента: US09436845B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Subramanian S. Iyer,Toshiaki Kirihata,Sami Rosenblatt,Derek H. Leu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Read-only memory cell configuration with trench MOS transistor and widened drain region

Номер патента: US6043543A. Автор: Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-28.

Logical operations using memory cells

Номер патента: EP3747010A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Logical operations using memory cells

Номер патента: US20190237129A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Logical operations using memory cells

Номер патента: WO2019152189A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-08.

Logical operations using memory cells

Номер патента: US20200234755A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Logical operations using memory cells

Номер патента: US20220343969A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Vertical phase change bridge memory cell

Номер патента: US11683998B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Nonvolatile rewritable memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse

Номер патента: US7829875B2. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-11-09.

Resistance variable memory cells and methods

Номер патента: US20120280195A1. Автор: Fabio Pellizzer,Federica Zanderigo,Andrea Piergiuseppe Marchelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Process for fabricating a non-volatile memory cell in a semiconductor device

Номер патента: US5633186A. Автор: Ko-Min Chang,William J. Taylor, Jr.,Danny P. C. Shum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cell and method for forming magnetic tunnel junction (mtj) of a memory

Номер патента: BRPI0907208A2. Автор: Seung H Kang,Siqun Gu,Matthew M Norwak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Device for closing a bag open at one side, particularly a bag of a plastic material

Номер патента: WO1983003236A1. Автор: Werner Achermann. Владелец: Werner Achermann. Дата публикации: 1983-09-29.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Terminal apparatus, display control method, and program to display screen different from another screen when distance to electronic instrument is not greater than or equal to threshold

Номер патента: US12067311B2. Автор: Hiroyuki Kuramoto,Iwane Ikeda,Yui IMAMURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09691475B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20240305759A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array structures having multiple sub-blocks, apparatus containing such memory array structures, and operation of such apparatus

Номер патента: EP4397151A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12041787B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A3. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: Tomoko Ogura. Дата публикации: 2006-12-07.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A2. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: HALO LSI, INC.. Дата публикации: 2005-11-24.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20230307039A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US12062392B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Compact non-volatile memory array with reduced disturb

Номер патента: WO2006093683A1. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Process for forming an electrically programmable read-only memory cell

Номер патента: US5382540A. Автор: Hisao Kawasaki,Umesh Sharma. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Block-to-block isolation and deep contact using pillars in memory array

Номер патента: EP4101005A1. Автор: Liu Liu,Deepak Thimmegowda,Krishna Parat,Srivardhan Gowda,Baosuo Zhou,Jong Sun Sel,Jui-Yen Lin,Brian J. Cleereman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: EP4430931A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Apparatus containing memory array structures having multiple sub-blocks

Номер патента: US12112805B2. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Sot-mram memory cell, memory array, memory, and operation method

Номер патента: US20240334838A1. Автор: HAO Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Ziwei Wang,Xuefeng Zhao,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-03.

Block-to-block isolation and deep contact using pillars in a memory array

Номер патента: US12120878B2. Автор: Liu Liu,Deepak Thimmegowda,Krishna Parat,Srivardhan Gowda,Baosuo Zhou,Jong Sun Sel,Jui-Yen Lin,Brian J. Cleereman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US20240114686A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US20100061155A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US7903464B2. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240312521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2024191628A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

An image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: EP3803778A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20210144350A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20190379871A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

An image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: WO2019236191A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

State-by-state program loop delta detection mode for detecting a defective memory array

Номер патента: US11775374B2. Автор: QIN Zhen,Liang Li,Chenxiao Xu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional memory array and method for manufacturing same

Номер патента: EP4432802A1. Автор: Young Wook Park,Jin Ho Ahn. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-18.

Method to form a rewriteable memory cell comprising a diode and a resistivity-switching grown oxide

Номер патента: WO2009005706A2. Автор: Tanmay Kumar. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12119056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US11915740B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889696B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230276622A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory structures, memory arrays, methods of forming memory structures and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20130214230A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Han-Rei Ma. Дата публикации: 2004-07-01.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046418A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004356B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12004357B2. Автор: Lei Wan,Chu-Chen Fu,Jordan Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A4. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2004-05-27.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: WO2022216455A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory array with multiplexed digit lines

Номер патента: EP3953934A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Memory array with multiplexed digit lines

Номер патента: US20240242758A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8674336B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

NAND memory arrays

Номер патента: US20070063262A1. Автор: Garo Derderian,Todd Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Josephson tunneling memory array including drive decoders therefor

Номер патента: US3626391A. Автор: Wilhelm Anacker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-12-07.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11871566B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

3D quilt memory array for FeRAM and DRAM

Номер патента: US11790970B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device including a memory array performing a multiplication and accumulation (MAC) operation using capacitors

Номер патента: US11881243B2. Автор: Hyukjin Lee,Kyunghyun Kim,Seonghwan Cho,Jino SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-23.

Self-aligned memory array

Номер патента: WO2017052565A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory arrays

Номер патента: US11864386B2. Автор: Sanh D. Tang,Yi Fang Lee,Martin C. Roberts,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20230393766A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US11989427B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240164092A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Hybrid superconducting-magnetic memory cell and array

Номер патента: US20130303379A1. Автор: John F. Bulzacchelli,William J. Gallagher,Mark B. Ketchen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor

Номер патента: US20130200330A1. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Electronic device including a nonvolatile memory array and methods of using the same

Номер патента: WO2008124269A1. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Thomas Jew,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-10-16.

End-of-life reliability for non-volatile memory cells

Номер патента: US09543017B2. Автор: Alexander Kushnarenko,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods for providing redundancy in a memory array comprising mapping portions of data associated with a defective address

Номер патента: US09779839B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Luigi Pilolli,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory

Номер патента: EP3866167A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Tarek Ameen Beshari,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-18.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory based on one of temperature, pressure, wear condition or relative position of the memory cell

Номер патента: US20210257036A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Charge Loss Compensation Through Augmentation of Accumulated Charge in a Memory Cell

Номер патента: US20160293250A1. Автор: Wei Wang,Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Charge loss compensation through augmentation of accumulated charge in a memory cell

Номер патента: US09576649B2. Автор: Wei Wang,Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Variable resistance memory device having equal resistances between signal paths regardless of location of memory cells within the memory array

Номер патента: US20130215665A1. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: EP2517209A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-10-31.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

End-of-life reliability for non-volatile memory cells

Номер патента: US20130242669A1. Автор: Alexander Kushnarenko,Ilan Bloom. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Circuit and method for verifying data of a wireless communications device

Номер патента: US6041221A. Автор: James S. Caravella,David F. Mietus,Jeremy W. Moore. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: US20030062556A1. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A3. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-31.

Manufacturing machine and manufacturing method for the production of a tubular element provided with a filter at one end

Номер патента: US12075814B2. Автор: Roberto Ghiotti,Enrico MANFREDI,Yuri NEGRINI. Владелец: SASIB SpA. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus for detecting distance between two points on resistive touch panel

Номер патента: US09389744B2. Автор: Jiang Xiong,Lianguo LV. Владелец: Actions (zhuhai) Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Apparatuses and methods for learning and using a distance transition model

Номер патента: EP1863014A3. Автор: Tetsujiro Kondo,Norifumi Yoshiwara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A2. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: EP3494577A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: US09786378B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device with a common source select line for two memory portions of a logic sector

Номер патента: US10825524B2. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Method and apparatus for high-efficiency operation of a dynamic random access memory

Номер патента: US20080175037A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chen-Hui Hsieh,Hank Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

All levels dynamic start voltage programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11756612B2. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device for multiplication using memory cells with different thresholds based on bit significance

Номер патента: US20240304255A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

A method and a device for determining a distance to a target

Номер патента: EP4318034A1. Автор: Lee Jiwon,Papadopoulos Nikolaos,Furxhi Orges,Din Azhar,Velazquez Lopez Mauricio. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-07.

Method and a device for determining a distance to a target

Номер патента: US20240036200A1. Автор: Jiwon Lee,Orges Furxhi,Nikolaos Papadopoulos,Azhar Din,Mauricio VELAZQUEZ LOPEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and device for carrying out grouting between adjacent gateroads in internal-staggered split-level coal mining

Номер патента: US11959383B2. Автор: Pengfei Wang,Jun Guo,Yijiang Fan,Guorui FENG,Jinwen BAI,Jianan LIU,Tingye QI,Chenliang HAO,Xiaoze WEN,Linjun ZHU,Changquan Wu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-16.

Method and device for carrying out grouting between adjacent gateroads in internal-staggered split-level coal mining

Номер патента: US20220282619A1. Автор: Pengfei Wang,Jun Guo,Yijiang Fan,Guorui FENG,Jinwen BAI,Jianan LIU,Tingye QI,Chenliang HAO,Xiaoze WEN,Linjun ZHU,Changquan Wu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-09-08.

Endurance of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cells

Номер патента: US09747987B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Kaveh Shakeri,Long T Hinh,Sarath Chandran Puthenthermadam. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Endurance of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cells

Номер патента: US09378821B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Kaveh Shakeri,Long Hinh,Sarath C. Puthenthermadam. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

System and method for continuously preventing filament bridging between adjacent draw nozzles

Номер патента: CA1185060A. Автор: Imants Reba,Edward C. Wolthausen. Владелец: Crown Zellerbach Corp. Дата публикации: 1985-04-09.

Turbomachine with collection of a compressed air flow

Номер патента: US10316688B2. Автор: Olivier Renon,Eddy Stephane Joel Fontanel,Giuliana Elisa Rossi,Jean-Michel Boiteux,Matthieu FIACK,Abdelkader Benyahia,Maxime DELABRIERE,Alberto MARTIN MATOS,Helene ORSI,Philippe REMBRY. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2019-06-11.

Method and circuit for timing dynamic reading of a memory cell with control of the integration time

Номер патента: EP1251523A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2002-10-23.

Optical system for focusing an object up on an image surface of a solid-state image device

Номер патента: US5999324A. Автор: Takashi Okada,Tetsuo Kohno,Hideki Nagata. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-07.

Method for fitting a platform over an upper end of a foundation pile and foundation pile provided with such platform

Номер патента: WO2024035260A1. Автор: Michel Antoin Marie KURSTJENS. Владелец: Sif Holding N.V.. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for fitting a platform over an upper end of a foundation pile and foundation pile provided with such platform.

Номер патента: NL2032719B1. Автор: Antoin Marie Kurstjens Michel. Владелец: Sif Holding N V. Дата публикации: 2024-02-16.

Equalizing erase depth in different blocks of memory cells

Номер патента: WO2018102001A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu,Caifu Zeng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Managing dielectric stress of a memory device using controlled ramping slopes

Номер патента: US12141445B2. Автор: Sheyang NING,Lawrence Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Bodies fixedly restrained at one end for parts of a system that rotate into the supercritical speed range and method for producing the bodies

Номер патента: WO2015113541A1. Автор: Bertram Hentschel,Rezo Aliyev,Rafig HUSEYNOV,Thomas GEIPEL. Владелец: Technische Universitat Bergakademie Freiberg. Дата публикации: 2015-08-06.

Sachet for packaging e.g. granules, has closing strip extending along opening of sachet, where closing strip includes discontinuity extending transversely to closure strip at one of folds of sachet and/or at one of free ends of strip

Номер патента: FR2972428A1. Автор: Stephen Buygnet. Владелец: S2F Flexico SARL. Дата публикации: 2012-09-14.

Phantom and method for the quality assurance of a hadron therapy apparatus

Номер патента: EP3750597A1. Автор: Jochen KRIMMER,Simon MARCELIS,Séverine ROSSOMME,Gaylor DEROISSART. Владелец: Ion Beam Applications SA. Дата публикации: 2020-12-16.

Phantom and method for the quality assurance of a hadron therapy apparatus

Номер патента: US20200391055A1. Автор: Jochen KRIMMER,Simon MARCELIS,Séverine ROSSOMME,Gaylor DEROISSART. Владелец: Ion Beam Applications SA. Дата публикации: 2020-12-17.

Mechanism for assisting the closing of a door of a motor vehicle

Номер патента: CA1259501A. Автор: Thierry Pebre. Владелец: Compagnie Industrielle de Mecanismes CIM. Дата публикации: 1989-09-19.

Semiconductor memory cell

Номер патента: US4601016A. Автор: Peter C. Roberts. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1986-07-15.

Systems and methods for injecting fluids at one or more stages of a multistage component

Номер патента: EP3032044A1. Автор: Javier RAMIREZ MUNOZ,Alfonso CARDENAS PEREZ,Pedro MONTIEL LOPEZ,Cesar Octavio VAZQUEZ CARMONA. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-06-15.

Improvements in means for connecting the ends of frame members to the brackets of bedsteads

Номер патента: GB354021A. Автор: . Владелец: WILLIAM ROBERT PURDY. Дата публикации: 1931-08-06.

Device, system and method for encouraging sleep of a child

Номер патента: NL2032343B1. Автор: Eugene Anton Teeuwen Jeroen. Владелец: Spylo B V. Дата публикации: 2024-01-18.

Analysis of a structure modeled with inconsistencies mapped thereon

Номер патента: US20200088692A1. Автор: Russell Lee Keller,Hong Hue Tat,John Z. Lin,Kelly M. Greene,Carlyn R. Brewer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-03-19.

Analysis of a structure modeled with inconsistencies mapped thereon

Номер патента: CA2931896C. Автор: Russell Lee Keller,Hong Hue Tat,John Z. Lin,Kelly M. Greene,Carlyn R. Brewer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-06-20.

Analysis of a structure modeled with inconsistencies mapped thereon

Номер патента: US10809236B2. Автор: Russell Lee Keller,Hong Hue Tat,John Z. Lin,Kelly M. Greene,Carlyn R. Brewer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-20.

A heat exchanger panel for floor, wall or ceiling heating or cooling has plastic capillary tubing embedded in a mat with terminal connections at one or both ends of the mat

Номер патента: DE102005050293A1. Автор: Kevin Herbst. Владелец: Kevin Herbst. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and apparatus for measuring the size of a discharge slot in a headbox

Номер патента: US4539073A. Автор: Anders I. Andersson. Владелец: Karlstads Mekaniska Werkstad AB. Дата публикации: 1985-09-03.

Method and apparatus for obtaining information about the size of a discharge slot in a headbox

Номер патента: CA1194208A. Автор: Anders I. Andersson. Владелец: Karlstads Mekaniska Werkstad AB. Дата публикации: 1985-09-24.

Method for turning off an internal combustion engine of a vehicle powertrain system and a vehicle powertrain system

Номер патента: US20230071508A1. Автор: Johan EKELUND,Henok FESSEHATSION. Владелец: Ningbo Geely Automobile Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for turning off an internal combustion engine of a vehicle powertrain system and a vehicle powertrain system

Номер патента: US12090986B2. Автор: Johan EKELUND,Henok FESSEHATSION. Владелец: Ningbo Geely Automobile Research & Dev Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for controlling the position of a movable object on a viewing device

Номер патента: US09529429B2. Автор: Audren Kervella,Cyril SAINT-REQUIER. Владелец: Dassault Aviation SA. Дата публикации: 2016-12-27.

Use of gas void fraction measurement in the closed loop control of a fermentation process

Номер патента: CA2752167C. Автор: John Biesak. Владелец: Cidra Corporated Services LLC. Дата публикации: 2020-04-21.

Arrangement for transferring a web from the press section to the dryer section of a paper machine

Номер патента: US5169501A. Автор: Albrecht Meinecke. Владелец: JM Voith GmbH. Дата публикации: 1992-12-08.

Method and system for analyzing metabolic state of a cell by measuring concentrations of metabolites

Номер патента: US11735289B2. Автор: Sharmila Shekhar Mande,Tungadri Bose,Anirban DUTTA,Arvind J Shankar. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Reading memory cells

Номер патента: US09972383B2. Автор: Chun Hsiung Hung,Han Sung Chen,Ming Chao Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Device for monitoring a distance between a vehicle and an object

Номер патента: US09541644B2. Автор: Frank Seidel,Frank Hoenes. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-01-10.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20190295642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160012888A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: EP3167451A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20180268899A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160254050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US09990989B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US12131790B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Digital comparator having a retractable anvil supported at one end of a U-shaped frame

Номер патента: US09982985B2. Автор: Yuji Fujikawa. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Automatic device for thermomechanical control over radial gap between end of working blades of rotor and stator of compressor or turbine of double-flow gas turbine engine

Номер патента: RU2684073C1. Автор: Сергей Викторинович Фалалеев,Изольд Давидович Эскин,Николай Иванович Старцев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2019-04-03.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

High speed memory array architecture

Номер патента: US20040052128A1. Автор: Eric Stubbs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

High speed memory array architecture

Номер патента: US20030072183A1. Автор: Eric Stubbs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US09715929B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatuses and methods of reading memory cells based on response to a test pulse

Номер патента: US09672908B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Mitigating parasitic current while programming a floating gate memory array

Номер патента: US09472288B2. Автор: Daryl E. Anderson,James Michael Gardner,Eric T. Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Apparatuses including cross point memory arrays and biasing schemes

Номер патента: US09361979B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Combined apparatus for self-recovery of a vehicle and for increasing the range

Номер патента: RU2757940C1. Автор: Владимир Иванович Кириченко,Александр Васильевич Клюжин,Юлия Александровна Егорова,Максим Александрович Хоменко,Владимир Анатольевич Шанешкин,Валерий Леонидович Манько,Сергей Владимирович Арзамасцев,Анатолий Мефодьевич Козлитин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2021-10-25.

Dual power supply memory array with dynamic selection of the lowest voltage

Номер патента: GB2497180B. Автор: Harold Pilo,George Maria Braceras,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Apparatus for moving a wheelchair into and out of a vehicle

Номер патента: US20110076121A1. Автор: Igor Gaghis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Devices including memory arrays, row decoder circuitries and column decoder circuitries

Номер патента: US09711224B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Two-device memory cell with single floating capacitor

Номер патента: US4103342A. Автор: Ekkehard Fritz Miersch,Dominic Patrick Spampinato. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-25.

High speed differential sense amplifier for use with single transistor memory cells

Номер патента: CA1325474C. Автор: Bernard Emoto,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Out-of-order programming of first wordline in a physical unit of a memory device

Номер патента: US20230418742A1. Автор: Deping He,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Fastening system for metallic cellular flooring of a shippingcontainer

Номер патента: NL2028356B1. Автор: P Ptochos Sotirios,P Ptochos Dimitrios,P Ptochos Evangelos,M Sunaric Milan. Владелец: People Tech Solutions Ltd. Дата публикации: 2022-06-03.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

System, apparatus and method for simultaneous read and precharge of a memory

Номер патента: EP3570286A3. Автор: KAUSHIK Vaidyanathan,Tanay Karnik,Sreenivas Subramoney,Anant Nori,Lavanya Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Bit Set Modes for a Resistive Sense Memory Cell Array

Номер патента: US20120033482A1. Автор: Daniel S. Reed,Hai Li,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Rod V. Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Device and method for supporting a becket of a travelling block when opened to connect or disconnect an item

Номер патента: CA2956757C. Автор: Jesse Urquhart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-28.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Single ended two-stage memory cell

Номер патента: US20020167846A1. Автор: Spencer Gold,Julie Staraitis. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Device and Method for Supporting a Becket of a Travelling Block when Opened to Connect or Disconnect an Item

Номер патента: US20170226804A1. Автор: Jesse Urquhart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-10.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of dynamically selecting memory cell capacity

Номер патента: US09437254B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US09411392B2. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

X-and-OR memory array

Номер патента: US4602354A. Автор: Donald G. Craycraft,Giao N. Pham. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1986-07-22.

X-and-or memory array

Номер патента: CA1202724A. Автор: Donald G. Craycraft,Giao N. Pham. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-04-01.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US11776636B2. Автор: Lih-Wei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20230223089A1. Автор: Lih-Wei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: EP4150620A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: WO2021230905A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

A tool and a method for aligning a pair of flanges of a supporting structure of a wind generator

Номер патента: WO2014108507A1. Автор: Thomas Kramer. Владелец: AREVA Wind GmbH. Дата публикации: 2014-07-17.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240321349A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method for adjusting distance between lens barrels, device, and computer medium

Номер патента: EP4407364A1. Автор: Guanghui Liu,Jiu XIA,Kaiyang Wang. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

System and method to store data in an adjustably partitionable memory array

Номер патента: US09558114B2. Автор: Wolfgang Beck,Thomas Liebermann,Rex Kho,Michael Hassel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays

Номер патента: US09536612B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory array circuit with two-bit memory cells

Номер патента: US20060239059A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Access line having a resistive layer for memory cell access

Номер патента: US11862215B2. Автор: Chandrasekhar MANDALAPU,Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan,Sateesh Talasila. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US20220392558A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Precharging scheme for reading a memory cell

Номер патента: US20040037137A1. Автор: Keith Wong,Michael Chung,Pau-Ling Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Dram memory cells reconfigured to provide bulk capacitance

Номер патента: WO2014008584A1. Автор: Yonghua Liu,James Kosolowski. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-16.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems and methods for managing read voltages in a cross-point memory array

Номер патента: US09842639B1. Автор: Bruce Bateman,Frank Guo. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory array plane select

Номер патента: US09543003B2. Автор: Jong Won Lee,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20210125663A1. Автор: Meng-Fan Chang,Xin Si,Wei-Hsing Huang,Yung-Ning Tu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory array with multiple read ports

Номер патента: US20050135179A1. Автор: Juergen Pille,Martin Eckert,Dieter Wendel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory unit with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11507275B2. Автор: Meng-Fan Chang,Pei-Jung Lu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-22.

Transpose memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, transpose memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11392820B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su,Ru-Hui LIU. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory array with reduced leakage current

Номер патента: US20220199147A1. Автор: Keith Golke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Distributed write driver for memory array

Номер патента: US20240170051A1. Автор: Mohit Gupta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method, apparatus, device and medium for managing model based on distance between samples

Номер патента: US20240346318A1. Автор: Cheng Yang,Hao Wu. Владелец: Beijing Youzhuju Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09842661B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09697913B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US09530475B2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

High spatial resolution imaging of a structure of interest in a specimen

Номер патента: US8084754B2. Автор: Stefan Hell,Christian Eggeling,Alexander Egner,Jonas Folling,Andreas Schonle,Mariano Bossi. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2011-12-27.

Sense line capacitive balancing in word-organised memory arrays

Номер патента: GB1048466A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1966-11-16.

Aesthetic, self-aligning shingle for hip, ridge, or rake portion of a roof

Номер патента: US20020078651A1. Автор: Younger Ahluwalia,Frank Richey,Larry Reed,John Freshwater,Willard Hudson,Clark Maytubby. Владелец: ELK Corp OF DALLAS. Дата публикации: 2002-06-27.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: WO2005094178A3. Автор: Boaz Eitan,Assaf Shappir,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US11862242B2. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: WO2021257371A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20220215868A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20210391004A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20240153556A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20220199157A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and apparatus with memory array programming

Номер патента: US11990187B2. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Neural processing core, method of programming a synaptic memory array thereof and method of performing neural network inference thereon

Номер патента: WO2023059265A1. Автор: Pengfei Sun,Wenyu Jiang,Piew Yoong Chee. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US20170372795A1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method and apparatus with memory array programing

Номер патента: US20230170026A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for modifying data more than once in a multi-level cell memory location within a memory array

Номер патента: US20130311715A1. Автор: Michael M. Abraham. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Tooth flank profile measuring apparatus containing a feeler for determining the surface roughness of a tooth flank

Номер патента: US4552014A. Автор: Nikolaus Berchtold. Владелец: Maag Gear Wheel and Machine Co Ltd. Дата публикации: 1985-11-12.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method and system for controlling the speed of a vehicle

Номер патента: CA3082128A1. Автор: Scott D. Taylor,Chun Lan,Jacob J. Minick,Jacob D. SCHERER,David G. Hille,Joseph B. BOTTENSEK,Duane D. WAGNER. Владелец: Polaris Industries Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method and system for controlling the speed of a vehicle

Номер патента: CA3082128C. Автор: Scott D. Taylor,Chun Lan,Jacob J. Minick,Jacob D. SCHERER,David G. Hille,Joseph B. BOTTENSEK,Duane D. WAGNER. Владелец: Polaris Industries Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and system for controlling the speed of a vehicle

Номер патента: WO2019099513A1. Автор: Scott D. Taylor,Chun Lan,Jacob J. Minick,Jacob D. SCHERER,David G. Hille,Joseph B. BOTTENSEK,Duane D. WAGNER. Владелец: Polaris Industries Inc.. Дата публикации: 2019-05-23.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatuses and methods including circuits in gap regions of a memory array

Номер патента: US20240177744A1. Автор: Hirokazu Ato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Resistance changing memory cell architecture

Номер патента: US20120051115A1. Автор: Masao Taguchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

Data shift by elements of a vector in memory

Номер патента: US09928887B2. Автор: Sanjay Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Data shift by elements of a vector in memory

Номер патента: US09741399B2. Автор: Sanjay Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Self-adjusting regulation current for memory array source line

Номер патента: US09368224B2. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Steve Choi,Sung-En Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Sideways releasable toe jaw of a ski binding

Номер патента: US5205576A. Автор: Martin Bogner,Otto Harsanyi. Владелец: Geze Sport International GmbH. Дата публикации: 1993-04-27.

Systems-On-Chips Including Programmed Memory Cells and Programmable and Erasable Memory Cells

Номер патента: US20060250844A1. Автор: Byeong-Hoon Lee,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Device and method for repairing a memory array by storing each bit in multiple memory cells in the array

Номер патента: US6122213A. Автор: Michael A. Shore. Владелец: BOISE IDAHO. Дата публикации: 2000-09-19.

Process for pressure medium controlled fine adjustment of parts of a machine tool and apparatus for the performance of the process

Номер патента: GB1254607A. Автор: . Владелец: Samson Apparatebau AG. Дата публикации: 1971-11-24.

Device and method for repairing a memory array by storing each bit in multiple memory cells in the array

Номер патента: US6023432A. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Memory array utilizing multi-state memory cells

Номер патента: WO1996025742A1. Автор: Manzur Gill. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-08-22.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: EP3635721A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20210050046A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20190122718A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20180358072A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US20190035462A1. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US20180012656A1. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Current references for memory cells

Номер патента: US11942151B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Write buffer implementation for multiple memory array memory spaces

Номер патента: US20210048952A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: WO2018226478A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Method and apparatus of reducing leakage power in multiple port sram memory cell

Номер патента: EP2761621A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-06.

Differential storage in memory arrays

Номер патента: US20240127877A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Angelo Visconti,Alessandro Calderoni,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Current references for memory cells

Номер патента: US20230335191A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory arrays having multiple strings of series-connected memory cells selectively connected in parallel, their fabrication, and their operation

Номер патента: US20240079058A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Simultaneous reading from and writing to different memory cells

Номер патента: EP1609153A1. Автор: Kim Le Phan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-28.

Reference voltage generator for resistive memory array

Номер патента: EP3704697A1. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2020-09-09.

Reference voltage generator for resistive memory array

Номер патента: EP4235668A2. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Reference voltage generator for resistive memory array

Номер патента: EP4235668A3. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Memory with retargetable memory cell redundancy

Номер патента: EP1946326A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Adaptive body bias management for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116974A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory with retargetable memory cell redundancy

Номер патента: WO2007056651A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2007-05-18.

Camming clamping device and method for adjusting a wire element of a camming clamping device

Номер патента: US20240207683A1. Автор: Pierre Plaze,Aurelie Bergez. Владелец: Zedel SAS. Дата публикации: 2024-06-27.

On chip voltage regulator for common collection matrix programmable memory array

Номер патента: US5193073A. Автор: Rohit L. Bhuva. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-03-09.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory array with inverted data-line pairs

Номер патента: US20100202201A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Circuits and Methods for Efficient Execution of A Read or A Write Operation

Номер патента: US20140355358A1. Автор: Jungyong Lee,Tsunghsun Hsieh,Chienan Lai. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Arrangement in the manner of a speech valve for placing and fitting on a tracheostomy cannula

Номер патента: US20240148996A1. Автор: Thomas Speck,Claudius Stahl,Klaus-Michael LÜCKING,Falk TAUBER,Auth PHILIPP,Noah KNORR. Владелец: Albert Ludwigs Universit?t Freiburg. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory array with inverted data-lines pairs

Номер патента: US20110267882A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20240249785A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory array with power-efficient read architecture

Номер патента: US09842652B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: US20060250856A1. Автор: Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Mitchell Meinhold,Claude Bertin,Frank Guo,Max Strasburg,Steven Konsek,X. M. Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

A method of wiring memory arrays

Номер патента: GB1093749A. Автор: Viktor Fedorovich Basalyga,Sergei Dmitrievich Shpota. Владелец: MI ZD SCHETNYKH MASH IM G K OR. Дата публикации: 1967-12-06.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: CA2608106C. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Steven L. Konsek,Mitchell Meinhold,Frank Guo,Max Strasburg,X.M. Henry Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Device and method having a memory array storing each bit in multiple memory cells

Номер патента: US7558102B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US11769539B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US11880571B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Temperature compensation of conductive bridge memory arrays

Номер патента: US20140226393A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Circuit and method for transmitting data to memory array, and storage apparatus

Номер патента: US11816361B2. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Techniques for multi-level memory cell programming

Номер патента: US20230360699A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Programming method of memory array

Номер патента: US9437303B1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Circuit and method for transmitting data to memory array, and storage apparatus

Номер патента: US20230315339A1. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Devices Including Memory Arrays, Row Decoder Circuitries and Column Decoder Circuitries

Номер патента: US20160267984A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-09-15.

High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor

Номер патента: EP1579479A2. Автор: David Fong,Jack Zezhong Peng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Insertable coupling for frame elements of a scaffolding

Номер патента: US12037803B2. Автор: Tobias STECK,André Gaiser. Владелец: Peri SE. Дата публикации: 2024-07-16.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Methods of reading memory cells

Номер патента: US20130286739A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Use of redundant memory cells to manufacture cost efficient drams with reduced self refresh current capability

Номер патента: US20040196702A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US12087359B2. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Low noise memory array

Номер патента: US20130286716A1. Автор: Robert Newton Rountree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US09779791B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatuses and methods for identifying an extremum value stored in an array of memory cells

Номер патента: US09449675B2. Автор: Kyle B. Wheeler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Holding device for interior lining parts of a fuselage

Номер патента: US09428258B2. Автор: Hermann Benthien,Ali GÜNGÖR. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2016-08-30.

Automatic device for thermomechanical control of radial gap between ends of rotor and stator blades of compressor or turbine of gas turbine engine

Номер патента: RU2691000C1. Автор: Сергей Викторинович Фалалеев,Изольд Давидович Эскин,Николай Иванович Старцев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2019-06-07.

Semiconductor memory array

Номер патента: CA1171527A. Автор: Deepray S. Puar. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-07-24.

Non-volatile memory array partitioning architecture and method to utilize single level cells and multi-level cells within the same memory

Номер патента: US20090113115A1. Автор: Hagop Nazarian,Ali Pourkeramati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

MOS static memory array

Номер патента: US5894434A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-04-13.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Trapped charge memory cell

Номер патента: US3618053A. Автор: James R Hudson,John G Gregory. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Circuit with a memory array and a reference level generator circuit

Номер патента: EP1839311A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Nicolaas Lambert,Victor M. G. Van Acht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-10-03.

Sectored flash memory comprising means for controlling and for refreshing memory cells

Номер патента: US6965526B2. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-11-15.

Clamp in the form of a one piece flexible closure

Номер патента: GB2185066A. Автор: Daniel Boville. Владелец: G VIAJET Ets Ste. Дата публикации: 1987-07-08.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US11900990B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory sub-system cache extension to page buffers of a memory array

Номер патента: US20240061778A1. Автор: Xing Wang,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20220051735A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Timing for operations in memory device storing bits in memory cell pairs

Номер патента: US20230395135A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Toggling known patterns for reading memory cells in a memory device

Номер патента: US20240012576A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20220199184A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: WO2015119830A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: 1/Apple Inc.. Дата публикации: 2015-08-13.

Systems, memories, and methods for refreshing memory arrays

Номер патента: US20120263001A1. Автор: Victor Wong,William F. Jones,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Masked memory cells

Номер патента: US7898836B2. Автор: Thomas Kuenemund,Artur Wroblewski,Karl Zapf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-03-01.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: US11837285B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: AU2002311936A1. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US20150227456A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Memory array seasoning

Номер патента: US20230395136A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Device Having Variable Impedance Memory Cells and Time-To-Transition Sensing of Data Stored Therein

Номер патента: US20240127884A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&D 3 LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20230040099A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US11935604B2. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: WO2022035986A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods and apparatuses for programming memory cells

Номер патента: US20150213891A1. Автор: Paolo Fantini,Massimo Ferro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-05-27.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A4. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-08-12.

Dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: WO2008016948A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

Techniques to improve a read operation to a memory array

Номер патента: US20210098034A1. Автор: Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Combining ram and rom into a single memory array

Номер патента: US20020089873A1. Автор: Spencer Gold,Marc Lamere. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Masked memory cells

Номер патента: US20090323389A1. Автор: Thomas Kuenemund,Artur Wroblewski,Karl Zapf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-31.

Systems and methods for Stretching Clock Cycles in the Internal Clock Signal of a Memory Array Macro

Номер патента: US20100302896A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: EP1409237A2. Автор: John.H Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: US20020176280A1. Автор: John Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: WO2002096632A2. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory sub-system cache extension to page buffers of a memory array

Номер патента: US12019543B2. Автор: Xing Wang,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Fastening system for metallic cellular flooring of a shipping container

Номер патента: US20210381540A1. Автор: Dimitrios P. Ptochos,Sotirios P. Ptochos,Evangelos P. Ptochos,Milan M. Sunaric. Владелец: People Technology Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Fastening system for metallic cellular flooring of a shipping container

Номер патента: US12006960B2. Автор: Dimitrios P. Ptochos,Sotirios P. Ptochos,Evangelos P. Ptochos,Milan M. Sunaric. Владелец: People Technology Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Three-state spintronic device, memory cell, memory array and read-write circuit

Номер патента: US20240071451A1. Автор: LING Li,Cheng Lu,Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING,Peiwen ZHANG,Zuheng WU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for slot milling into a cladding panel, cladding panel and method for fastening of cladding panels to a load-bearing subconstruction of a building

Номер патента: WO2023209435A1. Автор: Damian STOYANOV. Владелец: Stoyanov Damian. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and method for measuring the torsion of a test object

Номер патента: US20190339066A1. Автор: Florian Rieger,Mathias Müller,Benjamin Zorn,Thomas Grübler. Владелец: fos4X GmbH. Дата публикации: 2019-11-07.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Device for holding a substantially rod-like article in an upright position

Номер патента: WO2017029530A1. Автор: Imre KÖKÉNYESI. Владелец: Podiart Kft.. Дата публикации: 2017-02-23.

Machine for the laser working of tubes and profiles, in particular machine for the laser cutting of tubes and profiles, with an improved unloading system for unloading the tube or profile at the end of the working process

Номер патента: WO2024157075A1. Автор: Matteo BALDESSARI,Marco BEBER,Paolo ARMELLINI. Владелец: Adige-Sys S.P.A.. Дата публикации: 2024-08-02.

Device and method for restraining the wrists of a subject

Номер патента: CA3124388A1. Автор: Chris Daniel,Christien Levien. Владелец: Paratin Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for controlling steering locking of a steer-by-wire steering system of a motor vehicle

Номер патента: US12097910B2. Автор: Yoshinobu Watanabe,Kristof Polmans,Imre Szepessy,Hayato MIYAKAWA,Munetsugu Hanji,Yosuke OJIMA. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Device and method for restraining the wrists of a subject

Номер патента: US12060734B2. Автор: Chris Daniel,Christien Levien. Владелец: Paratin Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Low resistance bitline and sourceline apparatus for improving read and write operations of a nonvolatile memory

Номер патента: US09865322B2. Автор: Yih Wang,Cyrille Dray,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Apparatuses and methods for concurrently accessing different memory planes of a memory

Номер патента: US09691452B2. Автор: Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Luca De Santis,Jae-Kwan Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Low resistance bitline and sourceline apparatus for improving read and write operations of a nonvolatile memory

Номер патента: US09478273B2. Автор: Yih Wang,Cyrille Dray,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Magnetic memory having two transistors and two magnetic tunnel junctions per memory cell

Номер патента: US09472256B1. Автор: THOMAS Andre. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Full automated machine for chamfering the ends of steel tubes

Номер патента: RU2685449C1. Автор: Дун Чжао,Цзяньцзюнь ЧЖАН,Вэй Сюй,Хаоюй ЧЖАН,Исинь ХУ,Чжендун У. Владелец: СУНЬЙО ЭсЭндТи КО., ЛТД. Дата публикации: 2019-04-18.

Nozzle with an injection hole in the form of a slot and a method for silicification of a steel strip with a high silicon content by means of a nozzle

Номер патента: RU2766911C1. Автор: Синдзи КОСЭКИ,Такаси ДОЙ,Тэрухико ТОБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-03-16.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: CA2682092C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Thrust vector control system of a liquid rocket engine

Номер патента: RU2768637C1. Автор: Олег Борисович Белоногов,Михаил Николаевич Жарков,Сергей Алексеевич Аммосов,Юрий Алексеевич Зорин,Иван Владимирович Ронжин. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2022-03-24.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Non-volatile Memory Array Having Circuitry To Complete Programming Operation In The Event Of Power Interrupt

Номер патента: US20100226170A1. Автор: Fong-Long Lin,Tingniu Deng. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Decoding method in an NROM flash memory array

Номер патента: US7881121B2. Автор: Cheng-Jye Liu,Jongoh Kim,Yi-Jin Kwon. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US11145366B1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Memory array with multiple read ports

Номер патента: US7092310B2. Автор: Juergen Pille,Martin Eckert,Dieter Wendel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Nonvolatile flash-EEPROM memory array with source control transistors

Номер патента: US5508956A. Автор: Marco Dallabora,Giovanni Campardo,Giuseppe Crisenza. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-04-16.

Masking element assembly of a gutter system

Номер патента: EP4267813A1. Автор: Renata Skawska. Владелец: Blachotrapez Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia. Дата публикации: 2023-11-01.

Image forming apparatus that changes discharge conveyance speed according to a distance between a sheet or image leading edge and a nip portion

Номер патента: US11835894B2. Автор: Hajime Sugaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Programming a Memory Cell Using a Dual Polarity Charge Pump

Номер патента: US20150213901A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Antoine Khoueir,Dadi Setiadi,Rodney V. Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Encoding and decoding data bits stored in a comibination of multiple memory cells

Номер патента: US20230122209A1. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Encoding and decoding data bits stored in a combination of multiple memory cells

Номер патента: US11861239B2. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Resistive memory array with localized reference cells

Номер патента: US11881241B2. Автор: Bipul C. Paul,Ramesh Raghavan,Chandrahasa Reddy Dinnipati. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: WO2021126540A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Programming methods for neural network using non-volatile memory array

Номер патента: US11853856B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Digit line management for a memory array

Номер патента: WO2020263642A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US20220076724A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

3D memory array clusters and resulting memory architecture

Номер патента: US11763872B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20180151206A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US9905280B2. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20170221536A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Resistive memory array with localized reference cells

Номер патента: US20230317130A1. Автор: Bipul C. Paul,Ramesh Raghavan,Chandrahasa Reddy Dinnipati. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US11688448B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Circuit and method to detect word-line leakage and process defects in non-volatile memory array

Номер патента: US11935607B2. Автор: Vikas RANA,Vivek Tyagi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-03-19.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: EP4266218A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-25.

Temperature compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: US20240168844A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183421A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US12009027B2. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile programmable memory cell and memory array

Номер патента: WO2010002585A1. Автор: Gerardo Monreal. Владелец: Allegro Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory array page table walk

Номер патента: US20220075733A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024112355A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Circuit and method for refreshing data stored in a memory cell

Номер патента: US20010036117A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Programmable storage unit and programmable memory array and reading and writing method therefor

Номер патента: EP3933840A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Propping structure of a golf trolley

Номер патента: US20070108709A1. Автор: Fang-Li Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Processor memory array having memory macros for relocatable store protect keys

Номер патента: US20080072109A1. Автор: Pak-Kin Mak,Bruce G. Hazelzet,Liyong Wang,Kevin W. Kark,Donald J. Swietek,Roger A. Rippens,Carl B. Ford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus for providing a rolling action of a curved tool along a flat stationary substrate

Номер патента: US20120174648A1. Автор: Samuel P. Willits,Steven F. Willits. Владелец: WILLITS SAMUEL. Дата публикации: 2012-07-12.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of controlling condition of reinforcement of underground part of concrete support of a overhead contact system

Номер патента: RU2324920C2. Автор: Александр Владимирович Котельников,Геннадий Петрович Маслов,Наталья Юрьевна Свешникова,Андрей Васильевич Кандаев,Наталь Юрьевна Свешникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2008-05-20.

Frictionless support for the end of of a leaf spring

Номер патента: GB9225812D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-03.

DEVICE AND METHODS FOR USE OF A DYNAMIC CONE PENETROMETER FOR EVALUATING SOIL COMPACTION

Номер патента: US20120004848A1. Автор: Kinast John Arthur,Farrag Khalid A.,Todres H.A. (Alan). Владелец: Sandy Golgart Sales Inc. d/b/a SGS. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

END OF MODULATION DETECTION

Номер патента: US20120003951A1. Автор: . Владелец: INTELLEFLEX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INCREASING THE Q FACTOR OF A RESONATOR

Номер патента: US20120001492A9. Автор: . Владелец: NIGELPOWER, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

VENDING MACHINE FOR STORAGE, LABELING AND DISPENSING OF A CONTAINER

Номер патента: US20120004770A1. Автор: Bessette Derek,Lindner Duane,Ooyen Wes Van. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND SYSTEMS FOR DETERMINING AN ENHANCED RANK ORDER VALUE OF A DATA SET

Номер патента: US20120002876A1. Автор: WILLIAMS DARIN S.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR ON/OFF CONTROL OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20120002448A1. Автор: Djenguerian Alex B.,Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh,Bircan Erdem. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC ENGINEERING OF A GALACTOSE ASSIMILATION PATHWAY IN THE GLYCOENGINEERED YEAST PICHIA PASTORIS

Номер патента: US20120003695A1. Автор: Bobrowicz Piotr,Zha Dongxing,Davidson Robert C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Adjustable Tuning of a Dielectrically Loaded Loop Antenna

Номер патента: US20120004650A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ADJUSTING SPEED AND/OR ROUTING OF A TABLE MOVEMENT PLAN AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS

Номер патента: US20120003381A1. Автор: Li Hua,Van Den Nieuwelaar Norbertus Josephus Martinus,GROUWSTRA Cedric Desire,JOCHEMSEN Marinus,KEMPER Nicolaas Rudolf,DE VRIES Dirk. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR DEVICES FOR IMAGING STRUCTURES IN OR AT ONE OR MORE LUMINAL ORGANS

Номер патента: US20120004506A1. Автор: Tearney Guillermo J.,Bouma Brett E.,Shishkov Milen,SUTER Melissa,Gora Michalina,Yoo Hongki. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATED CABLE DROP COMPENSATION OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20120002451A1. Автор: . Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WHEEL OF A TRACK ASSEMBLY OF A TRACKED VEHICLE

Номер патента: US20120001478A1. Автор: Zuchoski Jeremie,Lussier Alain,Boily Patrice. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ASSEMBLY AND METHOD FOR DETECTING AND MEASURING THE FOULING RATEOF FLOW HOLES IN A SECONDARY CIRCUIT OF A PRESSURIZED WATER NUCLEAR REACTOR

Номер патента: US20120002775A1. Автор: . Владелец: AREVA NP. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL APPARATUS FOR PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION OF A DIELECTRIC SUBSTRATE

Номер патента: US20120000421A1. Автор: Singh Vikram,Miller Timothy,Leavitt Christopher J.,Godet Ludo. Владелец: VARIAN SEMICONDUTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM OF A VEHICLE WITH ELECTRIC PROPULSION AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001480A1. Автор: Favaretto Fabrizio,STEFANI Giovanni. Владелец: FERRARI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF A WINDOW GLASS COMPRISING A PROFILED BEAD FOR INSTALLING IT IN AN OPENING

Номер патента: US20120000057A1. Автор: LECONTE Jean-Gérard. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for Facilitating Transfer of a Substance

Номер патента: US20120000576A1. Автор: . Владелец: ProMinent Fluid Controls Pty Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Apparatus for Automatically Operating Ventilators and the like in accordance with the Rise or Fall of Temperature, and for Indicating, at a Distance, the Rise or Fall of Temperature.

Номер патента: GB190022666A. Автор: Henry Simpson,Robert Thomlinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-11-30.

METHOD FOR CONTROLLING FREEZING CAPACITY OF A FIXED-FREQUENCY FREEZING AC ICE-WATER SYSTEM

Номер патента: US20120000214A1. Автор: CHEN PIN-CHUAN,Chen Shyang-Yih,Wang Yu-Huan,Hsu Chen-Kun,Pan Ming-Hsien,Yang Ya-Ru,Lin Yan-Shao. Владелец: CHUNGHWA TELECOM CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR DIE OF A MULTI-CHIP MODULE

Номер патента: US20120002392A1. Автор: . Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION OF A PROSTHESIS STRUCTURE WITH AN IMPLANT STRUCTURE

Номер патента: US20120003606A1. Автор: FISCHLER Titus,Schaffner Roland,Fischler Elisabeth,Baechler Martin,Baechler Juerg. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Roll Assembly for a Fiber-Web Machine and Method of Attenuating Vibration of a Fiber-Web Machine Roll

Номер патента: US20120000623A1. Автор: Jorkama Marko. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ROLLER SUPPORT FOR THE POINT RAIL OF A RAILROAD SWITCH

Номер патента: US20120001030A1. Автор: Meyer Frank,Ruetzel Tilmann,Wientges Bernd. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WOBBLE JOINT FITTING FOR AN ADJUSTMENT DEVICE OF A MOTOR VEHICLE SEAT, IN PARTICULAR FOR A BACKREST JOINT FITTING

Номер патента: US20120001470A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

A variable message sign which includes a plurality of pixel construction elements in a planar array where each pixel element is in communication with each other pixel element

Номер патента: NZ546898A. Автор: Cliff Jeffries,Jean Marie Gilbert Malepa. Владелец: Roads & Traffic Authority Of N. Дата публикации: 2006-10-27.

DEVICE AND METHOD TO CONDUCT AN ELECTROCHEMICAL REACTION ON A SURFACE OF A SEMI-CONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120000785A1. Автор: Zahraoui Said,Descours Francis,Raynal Frederic. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROSCOPE AND METHOD FOR THE MICROSCOPIC DETECTION OF LIGHT OF A SAMPLE

Номер патента: US20120002030A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROLLING THE COOLING OF FERMENTERS OF A BIOFUEL PRODUCTION PLANT

Номер патента: US20120004755A1. Автор: Noll Patrick D.,Bartee James F.. Владелец: ROCKWELL AUTOMATION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.