MULTI-LEVEL MEMORY CELL WITH CONTINUOUSLY TUNABLE SWITCHING.

MULTI-LEVEL MEMORY CELL WITH CONTINUOUSLY TUNABLE SWITCHING

Номер патента: US20140355331A1
Опубликовано: 04-12-2014
Автор(ы): Miao Feng, Yang Jianhua, Yi Wei
Принадлежит: Hewlett-Packard Development Company, L.P.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME

Номер патента: US20190295636A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Redaelli Andrea,Pellizzer Fabio,Fratin Lorenzo,Meyer Russell L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME

Номер патента: US20220366974A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Redaelli Andrea,Pellizzer Fabio,Fratin Lorenzo,Meyer Russell L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Systems, and devices, and methods for programming a resistive memory cell

Номер патента: US09576658B2. Автор: Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Measurement method for reading multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition

Номер патента: US8116126B2. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: US20240321347A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques for multi-level memory cell programming

Номер патента: US20230360699A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: WO2022010692A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: US20220301619A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: US11996141B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatuses and methods of reading memory cells based on response to a test pulse

Номер патента: US09672908B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory cell

Номер патента: US20130010524A1. Автор: John D. Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Apparatuses including multi-level memory cells and methods of operation of same

Номер патента: US11798620B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: US11894078B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Two multi-level memory cells sensed to determine multiple data values

Номер патента: US20210350858A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: WO2023165853A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN,Kevin BREW. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition

Номер патента: US20090073790A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Multi-level memory cell with continuously tunable switching

Номер патента: US8923034B2. Автор: Wei Yi,Jianhua Yang,Feng Miao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-12-30.

Multi-level memory cell with continuously tunable switching

Номер патента: US8830727B2. Автор: Wei Yi,Jianhua Yang,Feng Miao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-09-09.

Systems, methods and devices for programming a multilevel resistive memory cell

Номер патента: US09852794B2. Автор: Paolo Fantini,Massimo Ferro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Systems, methods and devices for programming a multilevel resistive memory cell

Номер патента: US09530497B2. Автор: Paolo Fantini,Massimo Ferro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Systems, methods and devices for programming a multilevel resistive memory cell

Номер патента: US20200066344A1. Автор: Paolo Fantini,Massimo Ferro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Systems, methods and devices for programming a multilevel resistive memory cell

Номер патента: US20170069381A1. Автор: Paolo Fantini,Massimo Ferro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Systems, methods and devices for programming a multilevel resistive memory cell

Номер патента: US20160064078A1. Автор: Paolo Fantini,Massimo Ferro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Multi-level memory arrays with memory cells that employ bipolar storage elements and methods of forming the same

Номер патента: TW201232544A. Автор: ANDREI Mihnea,Yung-Tin Chen,Luca Fasoli,Roy E Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-08-01.

Operating method of multi-level memory device using variable resistive element and multi-level memory device using variable resistive element

Номер патента: KR100801082B1. Автор: 조우영,김두응,김기성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-05.

APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME

Номер патента: US20180040370A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Redaelli Andrea,Pellizzer Fabio,Fratin Lorenzo,Meyer Russell L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-02-08.

Equipment and its operating method comprising multi-level memory cell

Номер патента: CN109564767A. Автор: 因诺琴佐·托尔托雷利,鲁塞尔·L·迈尔,阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺,安德烈亚·雷达埃利,洛伦佐·弗拉汀,法比欧·佩里兹. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Multi-Level Memory Array Having Resistive Elements for Multi-Bit Data Storage

Номер патента: US20150310910A1. Автор: Pramanik Dipankar,YAMAGUCHI Takeshi,Minvielle Tim,Lazovsky David E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

A multi-level memory array having resistive elements for multi-bit data storage

Номер патента: WO2014100749A2. Автор: Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Dipankar Pramanik,David Lazovsky. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-06-26.

LOW POWER ANALOG OR MULTI-LEVEL MEMORY FOR NEUROMORPHIC COMPUTING

Номер патента: US20180053550A1. Автор: Rakshit Titash,Obradovic Borna J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

High speed interface for multi-level memory

Номер патента: WO2008082591A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-07-10.

High speed interface for multi-level memory

Номер патента: WO2008082591A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2008-12-04.

Multi-level memory device and methods for programming and reading the same

Номер патента: TW200501160A. Автор: Chih-Yuan Lu,Yi-Chou Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-01.

Multi-level memory device and methods for programming and reading the same

Номер патента: TWI223258B. Автор: Chih-Yuan Lu,Yi-Chou Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Programming two-terminal memory cells with reduced program current

Номер патента: US09627057B2. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US09496030B2. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Refresh of nonvolatile memory cells and reference cells with resistance drift

Номер патента: US09472274B1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20160189772A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-06-30.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US20140369108A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-12-18.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US9299425B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2016-03-29.

A system and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: WO2014083411A1. Автор: Baker Shehadah Mohammad,irar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University of Science, Technology & Research (KUSTAR). Дата публикации: 2014-06-05.

Memory cell with functions of storage element and selector

Номер патента: US09786842B1. Автор: Chih-Ming Lai,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,I-Chun CHENG,Ming-Yi Yan,Jhih-You Lu,Hsien-Chih Huang,Yun-Shiuan LI,Yue-Lin Huang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

System and a method for designing a hybrid memory cell with memristor and complementary metal-oxide semiconductor

Номер патента: US09653162B2. Автор: Baker Shehadah Mohammad,Dirar AL-HOMOUZ. Владелец: Khalifa University. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory cell with decoupled read/write path

Номер патента: US09530462B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Metal filament reram cell with current limiting during program and erase

Номер патента: WO2021002883A1. Автор: John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microchip Technology Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Metal filament reram cell with current limiting during program and erase

Номер патента: US20210005256A1. Автор: John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Three dimensional memory device including memory cells with resistance change layers

Номер патента: US09508430B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US20220172782A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory cells for storing operational data

Номер патента: US11783897B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory cell retention enhancement through erase state modification

Номер патента: US09672909B2. Автор: Santosh Murali,Jim Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile memory device including reference memory cell with fixed state

Номер патента: US20180137913A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Circuit and method for programming resistive memory cells

Номер патента: EP3776554A1. Автор: Philip Wong,Elisa Vianello,Subhasish Mitra,Etienne Nowak,Binh Quang Le,Fan Tony WU. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-17.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20230290413A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20240249777A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for faster determination of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09953706B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Gating device cell for cross array of bipolar resistive memory cells

Номер патента: US09508776B2. Автор: QI Liu,Ming Liu,Yan Wang,Hangbing Lv,Shibing Long. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and apparatus for faster determination of a cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09496031B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus to store data and methods to read memory cells

Номер патента: US09431103B2. Автор: Siamak Tavallaei. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory device including nonvolatile memory cell

Номер патента: US09336894B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Ji-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Memory cell with high-k antifuse for reverse bias programming

Номер патента: WO2007005273A1. Автор: James M. Cleeves. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-11.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US20150357035A1. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

State machine sensing of memory cells

Номер патента: WO2009126205A2. Автор: Jun Liu,Yantao Ma. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-10-15.

Writing a multibit resistance-switching memory cell including a dummy resistance, resistance switching elements and diodes

Номер патента: EP2415052A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: WO2023278946A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A3. Автор: David Gaun,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Colin S Bill,Eugene Gershon. Владелец: Eugene Gershon. Дата публикации: 2008-05-22.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-08.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: EP1911035A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-16.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US09865343B2. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2018-01-09.

Memristive memory cell resistance switch monitoring

Номер патента: US09847128B2. Автор: Brent Buchanan,Richard James Auletta. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Multi-level memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201017943A. Автор: Chih-Wei Chen,Yen-Ya Hsu. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2010-05-01.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: US20220284973A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Multi-level memory cell having phase change element and asymmetrical thermal boundary

Номер патента: US20070274121A1. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: US11355209B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Multi-level memory cell having phase change element and asymmetrical thermal boundary

Номер патента: TWI376797B. Автор: Hsiang Lan Lung,Yi Chou Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-11.

Accessing a multi-level memory cell

Номер патента: WO2022010691A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE,Jessica Chen,Xuan-Anh Tran,Jason A. Durand. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Multi-level memory cell having phase change element and asymmetrical thermal boundary

Номер патента: US7696503B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

MULTI-LEVEL MEMORY CELL

Номер патента: DE60312961T2. Автор: Terry L. Boise Gilton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-13.

Low power analog or multi-level memory for neuromorphic computing

Номер патента: US20180053550A1. Автор: Titash Rakshit,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

Low power analog or multi-level memory for neuromorphic computing

Номер патента: US09966137B2. Автор: Titash Rakshit,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Multi-Level Memory Array Having Resistive Elements For Multi-Bit Data Storage

Номер патента: US20140177315A1. Автор: Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Dipankar Pramanik,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Multi-level memory array having resistive elements for multi-bit data storage

Номер патента: US8995166B2. Автор: Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Dipankar Pramanik,David E Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-03-31.

MULTI-LEVEL MEMORY APPARATUS AND DATA SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140010023A1. Автор: PARK Chul Hyun,KWON Ji Wook,RYU Seung Tak,JIN Dong Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

MULTI-LEVEL MEMORY APPARATUS AND DATA SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160118115A1. Автор: KWON Ji Wook,RYU Seung Tak,JIN Dong Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENTING A MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY

Номер патента: US20140297919A1. Автор: Nachimuthu Murugasamy K,Kumar Mohan J. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy having different operating modes

Номер патента: WO2013048503A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Rajat Agarwal,Glenn J. Hinton. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

Multi-Level Memory Device And Method Of Operating The Same

Номер патента: KR101390340B1. Автор: 하대원,고관협. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-05-07.

Multi level memory device and its data sensing method

Номер патента: KR102155060B1. Автор: 류승탁,권지욱,진동환. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-09-11.

Multi-level memory devices and methods of operating the same

Номер патента: TWI441326B. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-11.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US12082513B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory cell having dielectric memory element

Номер патента: US09721655B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US20150194192A1. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US09460759B2. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory cell with redundant carbon nanotube

Номер патента: US09842991B2. Автор: Keith W. Golke,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: EP3750187A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20190252606A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: WO2019156857A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20200119273A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US20220059763A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Resistance-based memory cells with multiple source lines

Номер патента: WO2015047844A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-02.

Resistance-based memory cells with multiple source lines

Номер патента: EP3022738A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory Cell With Resistance-Switching Layers Including Breakdown Layer

Номер патента: US20110310656A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

Номер патента: WO2011159584A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: WO2023249616A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhiskek A. SHARMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-12-28.

Two transistor memory cells with angled transistors

Номер патента: US20230410907A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatus and methods for forming a memory cell using charge monitoring

Номер патента: US20150124517A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20210020239A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200294586A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20220208262A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200035297A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell

Номер патента: EP1847999A9. Автор: Jens Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-15.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Voltage profile for reduction of read disturb in memory cells

Номер патента: WO2021080829A1. Автор: Hongmei Wang,Mingdong Cui,Michel Ibrahim Ishac. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: EP3729437A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: WO2019126416A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Devices, methods, and systems for calibrating a sensing capacitor used in a sensing circuit for reading memory cells

Номер патента: US20240312507A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09934850B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09741432B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US09666273B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Multi-level memory cell read, program, and erase techniques

Номер патента: US8792274B1. Автор: BO Wang,Chih-Hsin Wang,Qiang Tang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Coding method of multi-level memory cell

Номер патента: US20020181278A1. Автор: Cheng-Jye Liu,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of operating memory device including multi-level memory cells

Номер патента: US09613664B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Programming and verifying method for multi-level memory cell array

Номер патента: EP3968330A1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ming Ku,Ying-Je Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Method of programming a multi-level memory device

Номер патента: US6714448B2. Автор: Danut I. Manea. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Programming multi-level memory cells

Номер патента: US11276461B1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori,Jonathan W. Oh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-15.

Programming multi-level memory cells

Номер патента: US11817145B2. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori,Jonathan W. Oh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Multi-level memory circuit with regulated reading voltage

Номер патента: US6101121A. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-08-08.

Enhanced data reliability in multi-level memory cells

Номер патента: US11960398B2. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Multi-level memory management

Номер патента: US09921961B2. Автор: Zhe Wang,Zeshan A. Chishti,Alaa R. Alameldeen,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Multi-level memory management

Номер патента: US09583182B1. Автор: Zhe Wang,Zeshan A. Chishti,Alaa R. Alameldeen,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated DRAM-NVRAM multi-level memory

Номер патента: US7158410B2. Автор: Leonard Forbes,Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-02.

Multi-level memory with direct access

Номер патента: US09703502B2. Автор: Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami,Frank T. Hady,Raymond S. Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-level memory with direct access

Номер патента: US09430151B2. Автор: Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami,Frank T. Hady,Raymond S. Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Multi-level memory cell using multiple magentic tunnel junctions with varying mgo thickness

Номер патента: EP2885787A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Kangho Lee,Taehyun Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-24.

Operation method of multi-level memory

Номер патента: US20150023098A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Initialization techniques for multi-level memory cells using multi-pass programming

Номер патента: US09460780B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Mikhail Palityka,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Multi-level memory with ldpc bit interleaved coded modulation

Номер патента: WO2007116275A1. Автор: Aditya Ramamoorthy. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Multi-level memory with ldpc bit interleaved coded modulation

Номер патента: EP2008363A1. Автор: Aditya Ramamoorthy. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2008-12-31.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Data storage system having multi-level memory device and operating method thereof

Номер патента: US8638603B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-28.

Stabilization method for drain voltage in non-volatile multi-level memory cells and related memory device

Номер патента: US20040213047A1. Автор: Giancarlo Ragone,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Controlling bit line pre-charge voltage separately for multi-level memory cells and single-level memory cells to reduce peak current consumption

Номер патента: US11887670B2. Автор: Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Controlling bit line pre-charge voltage separately for multi-level memory cells and single-level memory cells to reduce peak current consumption

Номер патента: WO2023022766A1. Автор: Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Multi-level memory cell with increased read-out margin

Номер патента: US5293563A. Автор: Yoshiji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-03-08.

Biasing circuit for multi-level memory cells

Номер патента: US20020196664A1. Автор: Marco Pasotti,Michele Quarantelli,Marco Poles,Giovanni Guaitini,David Iezzi,Guido Sandre,Pier Rolandi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Sensing circuit and method for multi-level memory cell

Номер патента: US20220020402A1. Автор: Che-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Non-volatile multi-level memory device and data read method

Номер патента: US20130064013A1. Автор: Ki Hwan CHOI,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Programming and verifying method for multilevel memory cell array

Номер патента: US11250921B1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ming Ku,Ying-Je Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

Method and apparatus for storing data in a flash memory including single level memory cells and multi level memory cells

Номер патента: US8495320B1. Автор: Lau Nguyen,Joseph Sheredy. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Wear leveling method of Non-volatile memory device having single level memory cell block and multi level memory cell block

Номер патента: KR101548175B1. Автор: 이양섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-08-28.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy

Номер патента: US09600416B2. Автор: Kai Cheng,David J. Zimmerman,Dimitrios Ziakas,Raj K. Ramanujan,Rajat Agarwal,Glenn J. Hinton,Muthukumar P. SWAMINATHAN,Taarinya POLEPEDDI,Camille C. Raad,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Multi-level memory, multi-level memory writing method, and multi-level memory reading method

Номер патента: WO2013128814A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-06.

Multi-level memory, multi-level memory writing method, and multi-level memory reading method

Номер патента: EP2820650A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-07.

Multi-level memory

Номер патента: US20080170439A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2008-07-17.

Improved multi-level memory

Номер патента: WO2008088710B1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2008-12-04.

Improved multi-level memory

Номер патента: WO2008088710A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-07-24.

Improved multi-level memory

Номер патента: WO2008088710A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2008-09-18.

METHOD OF CONSTRUCTION OF A MULTI-LEVEL ERROR CONTROL CODE FOR MULTI-LEVEL MEMORY CELLS OPERATING AT A VARIABLE NUMBER OF

Номер патента: IT1321049B1. Автор: Guido Torelli,Pietro Ferrari,Stefano Gregori. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2003-12-30.

Protection Against Data Corruption for Multi-Level Memory Cell (MLC) Flash Memory

Номер патента: US20140022843A1. Автор: Zhao Qun,Kang Xinhai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

MEMORY SYSTEM INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND PROGRAMMING METHOD USING DIFFERENT PROGRAM START VOLTAGES

Номер патента: US20150146484A1. Автор: Lee Bong-Yong,CHOI YU-SIK. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

INITIALIZATION TECHNIQUES FOR MULTI-LEVEL MEMORY CELLS USING MULTI-PASS PROGRAMMING

Номер патента: US20160211014A1. Автор: Kochar Mrinal,Lee Aaron,Palityka Mikhail,Bhalerao Abhijeet. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-07-21.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and data reading method therefor

Номер патента: KR100597790B1. Автор: 임영호,채동혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-06.

Protection against data corruption for multi-level memory cell (MLC) flash memory

Номер патента: US8751735B2. Автор: QUN ZHAO,Xinhai Kang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-06-10.

Mask programmable read-only memory arrangement with a multi-level memory cell matrix and its production method

Номер патента: DE69230017D1. Автор: Shoji Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-28.

Memory controller for multi-level memory cell

Номер патента: DE60217591D1. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshinobu Higuchi,Hideki Arakawa,Yoshiki Okumura,Yutaka Sekino,Keisuke Kanazawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

A dynamic multi-level memory device and method of driving a dynamic multi-level memory device

Номер патента: DE102006059816A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

READING A MULTI-LEVEL MEMORY CELL

Номер патента: US20220013167A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Pellizzer Fabio,Robustelli Mattia. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

PROGRAMMING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS

Номер патента: US20220270677A1. Автор: Cariello Giuseppe,Rori Fulvio,Oh Jonathan W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

READING A MULTI-LEVEL MEMORY CELL

Номер патента: US20220301619A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Pellizzer Fabio,Robustelli Mattia. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

TWO MULTI-LEVEL MEMORY CELLS SENSED TO DETERMINE MULTIPLE DATA VALUES

Номер патента: US20210350858A1. Автор: Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Operating method of multi-level memory cell

Номер патента: CN101494087A. Автор: 郭明昌. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

High bandwidth datapath load and test of multi-level memory cells

Номер патента: US20060193172A1. Автор: Robert Melcher,Daniel Elmhurst,Karthikeyan Ramamurthi,Quan Ngo. Владелец: Melcher Robert L. Дата публикации: 2006-08-31.

Pattern-sensitive coding of data for storage in multi-level memory cells

Номер патента: WO2010077408A1. Автор: Steven C. Woo,Brent S. Haukness,Bohuslav Rychlik,John E. Linstadt. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Multi-level memory cell sensing

Номер патента: WO2007078885A2. Автор: Bo Li,Kerry D. Tedrow,Rezaul Haque,Matthew Goldman,Dung Nguyen,Saad P. Monasa,Ahsanur Rahman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for operating a multi-level memory cell

Номер патента: US20030076709A1. Автор: Ming-Hung Chou,Jen-Ren Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Sensing circuit and method for multi-level memory cell

Номер патента: US11308996B2. Автор: Che-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Multi-level memory with ldpc bit interleaved coded modulation

Номер патента: IL194484A0. Автор: . Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2009-08-03.

Multi-level memory with ldpc bit interleaved coded modulation

Номер патента: IL194484A. Автор: . Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-10-31.

Improved multi-level memory

Номер патента: TW200845000A. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2008-11-16.

Interlaced multi-level memory

Номер патента: TWI222071B. Автор: Allan Parker,Joseph Skrovan,Brett Gerhardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-10-11.

Analog/multi-level memory for digital imaging

Номер патента: TW426845B. Автор: Leo Petropoulos,Sau C Wong,John H Chan. Владелец: INVOX Technology. Дата публикации: 2001-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device which uses some memory blocks in multi-level memory as binary memory blocks

Номер патента: KR100721062B1. Автор: 도모하루 다나까,히로유끼 나가시마,고이찌 가와이,칸드케르 엔. 쿠아데르. Владелец: 쌘디스크 코포레이션. Дата публикации: 2007-05-23.

Non-volatile multi-level memory device being variable memory resolution

Номер патента: KR100239870B1. Автор: 다까시 우찌노,노조무 남부,아끼오 하기와라. Владелец: 다카노 야스아키. Дата публикации: 2000-03-02.

Word-line decoder for multi-bit-per-cell and analog/multi-level memories with improved resolution and signal-to-noise ratio

Номер патента: US6285593B1. Автор: Sau C. Wong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

Multi-bit error correction scheme in multi-level memory storage system

Номер патента: US20090013231A1. Автор: Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Data storage system having multi-level memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120320673A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

HIGH SPEED INTERFACE FOR MULTI-LEVEL MEMORY

Номер патента: US20130235638A1. Автор: Sutardja Pantas. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy having different operating modes

Номер патента: US20130268728A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Rajat Agarwal,Glenn J. Hinton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

MULTI-LEVEL MEMORY WITH DIRECT ACCESS

Номер патента: US20130339572A1. Автор: Qawami Shekoufeh,Fanning Blaise,Tetrick Raymond S.,Hady Frank T.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD OF PROGRAMMING A MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140036588A1. Автор: Crippa Luca,Micheloni Rino. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD AND APPARATUS OF PROBABILISTIC PROGRAMMING MULTI-LEVEL MEMORY IN CLUSTER STATES OF BI-STABLE ELEMENTS

Номер патента: US20140098602A1. Автор: Zhu Xiaochun,WU Wenqing,Levin Jeffrey Alexander,Nowak Matthew Michael,Yuen Kendrick Hoy Leong,Kang Seung Hyuk,Gilmore Robert P.,Yu Nicholas Ka Ming. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

OPERATION METHOD OF MULTI-LEVEL MEMORY

Номер патента: US20150023098A1. Автор: CHANG Yao-Wen,Lu Tao-Cheng,Wu Guan-Wei,Yang I-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

MULTI-LEVEL MEMORY SAFETY OF A SENSOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200020412A1. Автор: Alpago Octavio H.,Rigoni Nicolas,Biberidis Nicolas Rafael. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2020-01-16.

TECHNIQUES TO PROVIDE A MULTI-LEVEL MEMORY ARCHITECTURE VIA INTERCONNECTS

Номер патента: US20180024958A1. Автор: Kumar Mohan J.,Nachimuthu Murugasamy K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENTING A MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY HAVING DIFFERENT OPERATING MODES

Номер патента: US20170031821A1. Автор: Hinton Glenn J.,Ramanujan Raj K.,Agarwal Rajat. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

DATA STORAGE IN A MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE USING ONE-PASS PROGRAMMING

Номер патента: US20180032276A1. Автор: Gurgi Eyal,Srinivasan Charan. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

MULTI-LEVEL MEMORY REPURPOSING

Номер патента: US20190043604A1. Автор: Baca Jim S.,Tarango Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy

Номер патента: US20140129767A1. Автор: Kai Cheng,David J. Zimmerman,Raj K Ramanujan,Dimitrios Ziakas,Rajat Agarwal,Muthukumar P. SWAMINATHAN,Taarinya POLEPEDDI,Camille C. Raad,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury,Glenn N. Hinton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-08.

Multi-level memory with direct access

Номер патента: US20170075616A1. Автор: Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami,Frank T. Hady,Raymond S. Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

DATA STORAGE IN A MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE USING ONE-PASS PROGRAMMING

Номер патента: US20170177265A1. Автор: Gurgi Eyal,Srinivasan Charan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENTING A MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY

Номер патента: US20190220406A1. Автор: CHENG Kai,Kumar Mohan J.,Zimmerman David J.,Hinton Glenn J.,Ramanujan Raj K.,Agarwal Rajat,Ziakas Dimitrios,COURY BASSAM N.,SWAMINATHAN MUTHUKUMAR P.,RAAD Camille C.,POLEPEDDI Taarinya. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy

Номер патента: US20170249250A1. Автор: Kai Cheng,David J. Zimmerman,Dimitrios Ziakas,Raj K. Ramanujan,Rajat Agarwal,Glenn J. Hinton,Muthukumar P. SWAMINATHAN,Taarinya POLEPEDDI,Camille C. Raad,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

MULTI-LEVEL MEMORY WITH DIRECT ACCESS

Номер патента: US20190286356A1. Автор: Qawami Shekoufeh,Fanning Blaise,Tetrick Raymond S.,Hady Frank T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy having different operating modes

Номер патента: US20180341588A1. Автор: Raj K. Ramanujan,Rajat Agarwal,Glenn J. Hinton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Multi-level memory circuit with regulated read voltage

Номер патента: JP4007457B2. Автор: ローランディ、パオロ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-11-14.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy

Номер патента: EP3712774A1. Автор: Kai Cheng,David J. Zimmerman,Dimitrios Ziakas,Raj K. Ramanujan,Rajat Agarwal,Glenn J. Hinton,Muthukumar P. SWAMINATHAN,Taarinya POLEPEDDI,Camille C. Raad,Mohan J. Kumar,Bassam N. Coury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Integrated dram-nvram multi-level memory

Номер патента: KR100864351B1. Автор: 아루프 바따카리야,레오날드 포베스. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2008-10-17.

Multi-level memory hierarchy

Номер патента: US11367498B2. Автор: Xiangdong Jin,Fen Zhou,Chengyu Xiong. Владелец: Black Sesame Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy

Номер патента: EP2761466A4. Автор: Kai Cheng,David J Zimmerman,Raj K Ramanujan,Dimitrios Ziakas,Mohan J Kumar,Muthukumar P Swaminathan,Bassam N Coury,Rajat Agarwal,Taarinya POLEPEDDI,Camille C Raad,Glenn J Hinton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Electrically modifiable non-volatile multi-level memory with autonomous refresh

Номер патента: DE69700258D1. Автор: Jean Devin. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 1999-07-15.

Multi-level memory circuit with regulated writing voltage

Номер патента: WO1997049088A1. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L.. Дата публикации: 1997-12-24.

Programming methods for multi-level memory devices

Номер патента: US7684249B2. Автор: Kirk D. Prall,Chun Chen. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of programming a multi-level memory device

Номер патента: CA2491228A1. Автор: Danut I. Manea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Multi-level memory management circuit, management method and management device

Номер патента: CN108780423B. Автор: 王哲,C.威尔克森,A.阿拉梅尔迪恩,Z.奇什蒂. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-02.

Method and apparatus of probabilistic programming multi-level memory in cluster states of bi-stable elements

Номер патента: WO2011140471A1. Автор: Wenqing Wu,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jeffrey A. Levin,Kendrick H. Yuen,Robert Gilmore,Nicholas Yu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-10.

Increasing the effectiveness of error correction codes and operating multi-level memory systems by using information about the quality of the stored data

Номер патента: US20040225947A1. Автор: Stephen Gross,Daniel Guterman,Geoffrey Gongwer. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Multi-level memory repurposing technology to process a request to modify a configuration of a persistent storage media

Номер патента: US11069425B2. Автор: Jim S. Baca,Joseph Tarango. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Integrated DRAM-NVRAM multi-level memory

Номер патента: US7417893B2. Автор: Leonard Forbes,Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-26.

Increasing the effectiveness of error correction codes and operating multi-level memory systems by using information about the quality of the stored data

Номер патента: AU2003241428A1. Автор: Daniel C. Guterman,Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-12-12.

Improved multi-level memory

Номер патента: DE102011075966B4. Автор: Marco Maccarrone,Ilaria Motta,Guido Lomazzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy

Номер патента: TWI624759B. Автор: 摩漢Ｊ庫瑪,拉傑Ｋ拉馬努金,拉傑特亞加沃,鄭凱,塔林耶波里皮迪,卡蜜兒Ｃ雷德,大衛Ｊ茲梅爾曼,木蘇庫瑪Ｐ史瓦米那森,戴米崔歐斯札可斯. Владелец: 英特爾公司. Дата публикации: 2018-05-21.

Integrated DRAM-NVRAM multi-level memory

Номер патента: US20060145246A1. Автор: Leonard Forbes,Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Multi-level memory circuit with regulated reading voltage

Номер патента: EP0906622A1. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-04-07.

Multi-level memory

Номер патента: EP0856850A2. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-08-05.

Non-volatile, multi-level memory device

Номер патента: CN1450561A. Автор: K·J·埃尔德雷奇,P·J·弗里克,A·L·范布洛克林,K·K·史密斯,S·M·布兰登伯格. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-10-22.

Operation method of multi-level memory

Номер патента: CN104299641B. Автор: 张耀文,卢道政,吴冠纬,杨怡箴. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-03.

Operation method of multi-level memory

Номер патента: CN104299641A. Автор: 张耀文,卢道政,吴冠纬,杨怡箴. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-21.

Method and Apparatus of Probabilistic Programming Multi-Level Memory in Cluster States Of Bi-Stable Elements

Номер патента: US20110273926A1. Автор: Wenqing Wu,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jeffrey A. Levin,Kendrick H. Yuen,Robert Gilmore,Nicholas Yu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy having different operating modes

Номер патента: TW201324148A. Автор: Raj K Ramanujan,Rajat Agarwal,Glenn J Hinton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-06-16.

Method of combining multi-level memory unit and providing the same with error correction mechanism

Номер патента: TW200605069A. Автор: Ta-Hui Wang,His-Chia Chang,Jie-Cong Wu. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2006-02-01.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Eeprom memory cell with improved protection against errors due to cell breakdown

Номер патента: US5107461A. Автор: Carlo Riva. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1992-04-21.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

An ultra low power memory cell with a supply feedback loop configured for minimal leakage operation

Номер патента: WO2012153258A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-01-24.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20080225573A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen V. Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20070247896A1. Автор: Kenneth Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Memory cell with independent-gate controlled access devices and memory using the cell

Номер патента: US7738284B2. Автор: Keunwoo Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20180068718A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20190272869A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Magnetic memory cells with fast read/write speed

Номер патента: US09570138B2. Автор: Eng Huat Toh,Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells

Номер патента: US09390799B2. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: WO2020040894A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-02-27.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20190304537A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20170025168A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20170025169A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20160155493A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Single-ended memory cell with improved read stability, memory using the cell, and methods of operating and designing same

Номер патента: US20080192525A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Keunwoo Kim,Vinod Ramadurai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Systems and methods for ensuring high read reliability in pre-programmed memory cells

Номер патента: US20240062796A1. Автор: Doug Smith,Sushil Sakhare. Владелец: Veevx Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Compact EEPROM memory cell with a gate dielectric layer having two different thicknesses

Номер патента: US12052861B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09934843B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09881668B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Voltage supply devices generating voltages applied to nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620185B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09576646B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory cell and memory

Номер патента: US09496047B2. Автор: HUA Chen,YONG Li,Jun Yang,Ju Shen,Hwong-Kwo Lin. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

One time programming memory cell with fin field-effect transistor using physically unclonable function technology

Номер патента: US20240021256A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Selective inhibit bitline voltage to cells with worse program disturb

Номер патента: US20230274785A1. Автор: Ravi Kumar,Yu-Chung Lien,Xue Pitner,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US9455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device for multiplication using memory cells with different thresholds based on bit significance

Номер патента: US20240304255A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US09455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control

Номер патента: EP1155413A1. Автор: Kevin Zhang,Vivek De,Yibin Ye,Ali Keshavarzi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

One time programming memory cell with gate-all-around transistor for physically unclonable function technology

Номер патента: US20240023328A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

3d nand memory cell with flat trap base profile

Номер патента: US20230164987A1. Автор: Jin Lu,LINLIN Sun,Jie Li,Junmin Choi,Yu Yuwen,Jialin Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09818484B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long T Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09627073B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory cells with p-type diffusion read-only port

Номер патента: US09401200B1. Автор: Mark T. Chan,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory Cell with Phonon-Blocking Insulating Layer

Номер патента: US20130200476A1. Автор: WEI Tian,Zheng Gao,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Xiaohua Lou. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-08.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

NOR Memory Cell with Floating Gate

Номер патента: US20240265976A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device and method for modifying memory cells of a storage device

Номер патента: US12079507B2. Автор: Steffen Sonnekalb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and method of fabricating high-density, trench-based non-volatile random access sonos memory cells for soc applications

Номер патента: WO2006110781A2. Автор: Herbert Ho,Jack Mandelman,Yoichi Otani,Tak Ning. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-19.

Perpendicular spin transfer torque mram memory cell with in-stack thermal barriers

Номер патента: WO2020256777A1. Автор: Goran Mihajlovic,Tiffany Santos,Michael Grobis. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Three terminal SOT memory cell with anomalous Hall effect

Номер патента: US09830966B2. Автор: Neil Smith,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory cell with improved write margin

Номер патента: US09646681B1. Автор: Sei Seung Yoon,ChangHo Jung,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

SRAM read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: US09583178B2. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Racetrack memory cells with a vertical nanowire storage element

Номер патента: US9165675B2. Автор: Anthony J. Annunziata. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Write assist circuit and memory cell

Номер патента: US09449680B2. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Electrically reprogrammable EPROM cell with merged transistor and optiumum area

Номер патента: US5293328A. Автор: James Brennan, Jr.,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-03-08.

Semiconductor memory device having breaker associated with address decoder circuit for deactivating defective memory cell

Номер патента: US5285417A. Автор: Keita Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Memory cell with charge trap transistors and method thereof capable of storing data by trapping or detrapping charges

Номер патента: US20200105338A1. Автор: Chun-Chen Liu,Yuan Du,Junjie Su,Mingzhe Jiang. Владелец: Kneron Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory cell with active write load

Номер патента: WO1991015855A1. Автор: Robert Lloyd Barry,John Edward Andersen,James Nelson Bisnett,Eric Gin Fung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 1991-10-17.

Magnetic memory cell with shape anisotropy

Номер патента: US20040240264A1. Автор: Joel Drewes,Theodore Zhu,Yong Lu,Anthony Arrott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Memory cell with magnetic access selector apparatus

Номер патента: US12137617B2. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory cell with magnetic access selector apparatus

Номер патента: US20240373757A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Vertical memory cell with non-self-aligned floating drain-source implant

Номер патента: US09876122B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Marc Mantelli,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory cell with high endurance for multiple program operations

Номер патента: US09792993B2. Автор: Shih-Chen Wang,Chun-Yuan Lo,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory cell with de-initialization circuitry

Номер патента: US09608827B1. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

DRAM memory cell for programmable logic devices

Номер патента: US5847577A. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Integrated semiconductor memory with redundant memory cells

Номер патента: US7203106B2. Автор: Martin Perner,Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-10.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: WO2023219813A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US11955184B2. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: WO2023014413A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Efficient and robust random access memory cell suitable for programmable logic configuration control

Номер патента: US20020001222A1. Автор: Rafael Camarota. Владелец: Adaptive Silicon Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory cell group read with compensation for different programming speeds

Номер патента: US20230368846A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Techniques for precharging a memory cell

Номер патента: US11887689B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: US20230043349A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor memory device comprising memory cell having charge accumulation layer and control gate and method of erasing data thereof

Номер патента: US20120243312A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Hiroshi Maejima. Дата публикации: 2012-09-27.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A3. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-25.

Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

Номер патента: WO2012170465A2. Автор: Shaofeng Yu,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-12-13.

Static Random Access Memory Cell with Single-Sided Buffer and Asymmetric Construction

Номер патента: US20130182490A1. Автор: Anand Seshadri,Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Static random access memory cell with single-sided buffer and asymmetric construction

Номер патента: US20140078819A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh,Zhonghai Shi,Anand Seshardi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Foggy-fine programming for memory cells with reduced number of program pulses

Номер патента: EP4381505A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yichen WANG,Will Li,Bruce Li. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Single igfet memory cell with buried storage element

Номер патента: CA1068001A. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel

Номер патента: US5859455A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Circuit for parallel programming nonvolatile memory cells, with adjustable programming speed

Номер патента: US6163483A. Автор: Roberto Canegallo,Pier Luigi Rolandi,Marco Pasotti,Giovanni Guaitini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-12-19.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US11900990B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20200176054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20180144791A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US20210166736A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Differential amplifier schemes for sensing memory cells

Номер патента: US11735234B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Data programming techniques to store multiple bits of data per memory cell with high reliability

Номер патента: US11830545B2. Автор: James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Ferroelectric memory cell with access line disturbance mitigation

Номер патента: US20210020222A1. Автор: Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory Device Having Variable Impedance Memory Cells and Time-To-Transition Sensing of Data Stored Therein

Номер патента: US20240127884A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&D 3 LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Nor memory cell with vertical floating gate

Номер патента: EP3682466A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2020-07-22.

Apparatus configured to program memory cells using an intermediate level for multiple data states

Номер патента: US20180211714A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

NOR Memory Cell with Vertical Floating Gate

Номер патента: US20200365608A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip C/o Greenliant Systems Inc LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

NOR Memory Cell with Vertical Floating Gate

Номер патента: US20210358932A1. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20050052911A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20040047192A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Memory cell array of a static random access memory and a static random access memory including the same

Номер патента: US20240233812A1. Автор: Hyunjun Kim,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Sekeon Kim,Kyeongrim Baek. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Semiconductor memory cell and semiconductor component as well as manufacturing methods therefore

Номер патента: US20030099131A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US20050169089A1. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-04.

Memory cell with increased capacitance

Номер патента: US20020167837A1. Автор: Raj Jain. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor device including memory cell

Номер патента: US20240257852A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US7072239B2. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-04.

Content addressable memory and content addressable memory cell

Номер патента: US20240355408A1. Автор: Chi-Chang Shuai,Yi-Hsin TSENG,Yen-Yao Wang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Spin orbit torque MRAM memory cell with enhanced thermal stability

Номер патента: US09953692B1. Автор: Ching Hwa Tsang,Goran Mihajlovic. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory cell with low reading voltages

Номер патента: US09812212B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US09799388B1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory cell with read transistors of the TFET and MOSFET type to reduce leakage current

Номер патента: US09685222B2. Автор: Olivier Thomas,Adam Makosiej,Costin Anghel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-06-20.

Dual port memory cell with multiple metal layers

Номер патента: US12148463B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory cell with different program and read paths for achieving high endurance

Номер патента: US09653173B1. Автор: Shih-Chen Wang,Chun-Yuan Lo,Wei-Chen Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory arrangement with a read-out circuit for a static memory cell

Номер патента: US5216632A. Автор: Werner Wipfelder. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1993-06-01.

Reading of a nonvolatile memory cell by taking account of the stored state of a neighboring memory cell

Номер патента: WO2008083137A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Fracturable x-y storage array using a ram cell with bidirectional shift

Номер патента: US4813015A. Автор: Michael E. Spak,Craig S. Tyl,Philip C. Wottrich. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-03-14.

Memory apparatus including programmable non-volatile multi-bit memory cell, and apparatus and method for demarcating memory states of the cell

Номер патента: US6002614A. Автор: Gerald J. Banks. Владелец: BTG International Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Reference cells with integration capacitor

Номер патента: US6687177B2. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Atmos Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor memory device allowing repair of a defective memory cell with a redundant circuit in a multibit test mode

Номер патента: US6003148A. Автор: Takashi Ito,Tadaaki Yamauchi,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Apparatuses and methods for repairing defective memory cells based on a specified error rate for certain memory cells

Номер патента: WO2020263583A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Kevin Majerus. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Memory cell driver circuit

Номер патента: US20230154523A1. Автор: Seung-Hwan Song. Владелец: Semibrain Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory Cell With A Flat-Topped Floating Gate Structure

Номер патента: US20190206881A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory cell driver circuit

Номер патента: US11862227B2. Автор: Seung-Hwan Song. Владелец: Semibrain Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Dual port memory cell with improved access resistance

Номер патента: US20190198508A1. Автор: Tushar Sharma,Tanmoy Roy,Shishir Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-06-27.

Dual port memory cell with improved access resistance

Номер патента: US11889675B2. Автор: Tushar Sharma,Tanmoy Roy,Shishir Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell

Номер патента: US11869596B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device having memory cells with floating gates and memory cell threshold voltage control method

Номер патента: US20050174843A1. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiaki Hashiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20220130470A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-21.

Apparatuses and methods for repairing defective memory cells based on a specified error rate for certain memory cells

Номер патента: US11984186B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Kevin Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory cell with a ferroelectric capacitor integrated with a transistor gate

Номер патента: EP3618070A2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

Memory cell with a flat-topped floating gate structure

Номер патента: WO2019135906A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-11.

Method and system for iteratively testing and repairing an array of memory cells

Номер патента: US20130232384A1. Автор: Yosef Solt,Michael Levi,Reshef Bar Yoel,Yosef Haviv. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell

Номер патента: US20210151445A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Simon Fichtner. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory cell with doped nanocrystals, method of formation, and operation

Номер патента: EP1269477A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,BO Jiang,Srikanth B. Samavedam,David L. O'Meara,Bruce E. White,Sucharita Madhukar,Michael Alan Sadd. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory cell with doped nanocrystals, method of formation, and operation

Номер патента: EP1269477B1. Автор: Ramachandran Muralidhar,BO Jiang,Srikanth B. Samavedam,David L. O'Meara,Bruce E. White,Sucharita Madhukar,Michael Alan Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-02-08.

Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell

Номер патента: US11672127B2. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Simon Fichtner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-06.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory based on one of temperature, pressure, wear condition or relative position of the memory cell

Номер патента: US20210257036A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory cell with a ferroelectric capacitor integrated with a transistor gate

Номер патента: EP4270396A2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Memory cell with a ferroelectric capacitor integrated with a transistor gate

Номер патента: EP4270396A3. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Memory cell with a ferroelectric capacitor integrated with a transistor gate

Номер патента: EP3618070A3. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Iterative memory cell charging based on reference cell value

Номер патента: WO2007134301A2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Method and circuit for simultaneously programming memory cells

Номер патента: US20060245269A1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-11-02.

Nonvolatile memory cell array

Номер патента: WO1988002174A2. Автор: Raymond Alexander Turi,Alan David Poeppelman. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1988-03-24.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US6445609B2. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-03.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20070201261A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7787285B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080278992A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Improved system for programming a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568043A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Sameer S. Haddad,Zhizheng Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Method and apparatus for adaptive memory cell overerase compensation

Номер патента: US20100020607A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US20010036102A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Devices, methods, and systems for calibrating a read voltage used for reading memory cells

Номер патента: US20240265959A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for programming of a semiconductor memory cell

Номер патента: EP1168363B1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Zeev Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-08-09.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integration of memory cell and logic cell

Номер патента: US20240306361A1. Автор: Jui-Lin Chen,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming an integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09935001B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Cryptographic processing device having a non-volatile memory including memory cells in an initial or a variable state

Номер патента: US09921975B2. Автор: Takuji Maeda,Shinji Inoue,Yoshikazu Katoh,Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory cell imprint avoidance

Номер патента: US09721639B1. Автор: Kirk Prall,Ferdinando Bedeschi,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Power control over memory cell arrays

Номер патента: US09666266B1. Автор: Hongbin Ji,Ephrem C. Wu,Thomas H. Strader. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09576644B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory cell coupling compensation

Номер патента: US09552257B2. Автор: Peter Feeley,William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US09543000B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

High density single-transistor antifuse memory cell

Номер патента: US09496270B2. Автор: Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Tracking mechanism for writing to a memory cell

Номер патента: US09418717B2. Автор: Bing Wang,Kuoyuan (Peter) Hsu,Kai Fan,Derek C. Tao,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Content addressable memory cell

Номер патента: CA2380343C. Автор: Richard Foss. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Content addressable memory cell and array architectures having low transistor counts

Номер патента: US6157558A. Автор: Sau-Ching Wong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

On-chip repair of defective address of core flash memory cells

Номер патента: US6631086B1. Автор: Colin Bill,Darlene G. Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Azrul Halim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Memory cell with thick oxide at least as deep as channel stop

Номер патента: US4489338A. Автор: Wilhelmus G. Voncken. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Stable memory cell identification for hardware security

Номер патента: US20220199151A1. Автор: CHEN ZHOU,Hyung-il Kim,Keshab K. Parhi,Muqing Liu. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-06-23.

Write suppression in bipolar transistor memory cells

Номер патента: US3801965A. Автор: G Keller,U Olderdissen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-04-02.

Four device SRAM cell with single bitline

Номер патента: US6011726A. Автор: Robert Anthony Ross, Jr.,Kevin Arthur Batson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Method and circuit for timing dynamic reading of a memory cell with control of the integration time

Номер патента: EP1251523A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2002-10-23.

Method and apparatus for operating nonvolatile memory cells in a series arrangement

Номер патента: US20060050555A1. Автор: Chih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

High-density, trench-based non-volatile random access sonos memory cells for soc applications

Номер патента: US20090158226A1. Автор: Yoichi Otani,Jack A. Mandelman,Tak H. Ning,Herbert L. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US9293192B1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

SRAM cell with horizontal merged devices

Номер патента: US20020131294A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Flash memory cell with dual erase modes for increased cell endurance

Номер патента: WO2019178050A1. Автор: James Walls,Luc Reboulet. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-19.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: US11818886B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Compact eeprom memory cell with a gate dielectric layer having two different thicknesses

Номер патента: US20230301076A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-09-21.

Stable memory cell identification for hardware security

Номер патента: US11769548B2. Автор: CHEN ZHOU,Hyung-il Kim,Keshab K. Parhi,Muqing Liu. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2023-09-26.

Selective inhibit bitline voltage to cells with worse program disturb

Номер патента: US11972809B2. Автор: Ravi Kumar,Yu-Chung Lien,Xue Pitner,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell with independent-gate controlled access devices and memory using the cell

Номер патента: US20080225574A1. Автор: Keunwoo Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Eight-transistor static random access memory cell

Номер патента: US20220310629A1. Автор: Nigel Chan,Jörg D. Schmid. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20200202901A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20210375330A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US12033692B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for evaluating sram memory cell and computer readable recording medium which records evaluation program of sram memory cell

Номер патента: US20100115352A1. Автор: Kazuyuki Nakamura. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-05-06.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568037A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: US20040105312A1. Автор: Yi He,Mark Randolph,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Pauling Chen,Binh Le,Edward Runnion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2004051663A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Vertical memory cell and conductive shield structure

Номер патента: WO2023076261A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory cell

Номер патента: EP1132919A3. Автор: Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of erasing memory cell

Номер патента: US20110158003A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Matrix-Vector Multiplications Based on Charge-Summing Memory Cell Strings

Номер патента: US20240212763A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: US20090055700A1. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Superconductive Memory Cells and Devices

Номер патента: US20240249770A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Circuit for enhancing robustness of sub-threshold SRAM memory cell

Номер патента: US9236115B2. Автор: Yue Feng,Yuan Chen,Jun Yang,Hong Chang,Fei Pan,Xinning Liu,Na Bai,Longxing Shi,Jiafeng Zhu,Cai Gong,Yifeng Deng,Yingcheng Xia. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-12.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory cell sensing architecture

Номер патента: US20240257855A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory cell

Номер патента: EP1293988A3. Автор: Lung T. Tran,Heon Lee. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-07-14.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Floating body volatile memory cell two-pass writing method

Номер патента: WO2007002054A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Data reading method in semiconductor storage device capable of storing three-or multi-valued data in one memory cell

Номер патента: US5682347A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Testing memory cells

Номер патента: US20190066813A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Replacement data storage circuit storing address of defective memory cell

Номер патента: US20100153775A1. Автор: Hiroshi Sugawara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240265969A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu,I-Wei Huang,Jui-Hsin Chang,Re-Peng Tsay,Chiahaur Chang. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuits including first and second power supply nodes for writing and reading memory cells

Номер патента: US20240286401A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor memory device with memory cells arranged in high density

Номер патента: US20040156255A1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Layout pattern of memory cell circuit

Номер патента: US6043521A. Автор: Koji Nii,Koji Shibutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor storing device for reading out or writing data from/in memory cells

Номер патента: US20030202416A1. Автор: Yoshinori Doi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Systems and methods to reduce interference between memory cells

Номер патента: US20080205155A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US20090207680A1. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Current Magnitude Compensation for Memory Cells in a Data Storage Array

Номер патента: US20110007550A1. Автор: Markus Jan Peter Siegert,Andrew John Carter,Michael Xuefei Tang,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282369A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274187A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274186A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US7821226B2. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2010-10-26.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Simplified operations to read memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US12073892B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Programming memory cells to be programmed to different levels to an intermediate level from a lowest level

Номер патента: US09953718B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09941012B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09934839B2. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Ground reference scheme for a memory cell

Номер патента: US09934837B2. Автор: Daniele Vimercati,Umberto Di Vincenzo,Christopher John Kawamura,Scott James Derner,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US09905284B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatuses, methods, and systems for increasing a speed of removal of data from a memory cell

Номер патента: US09858984B2. Автор: Shigeki Tomishima,Helia Naeimi,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Random number processing device generating random numbers by using data read from non-volatile memory cells, and integrated circuit card

Номер патента: US09823899B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09786348B1. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09761295B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of reading six-transistor cross-coupled thyristor-based SRAM memory cells

Номер патента: US09741413B2. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Reprogramming single bit memory cells without intervening erasure

Номер патента: US09734912B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus for adjusting supply level to improve write margin of a memory cell

Номер патента: US09666268B2. Автор: Yih Wang,Fatih Hamzaoglu,Muhammad M. Khellah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nanotube based multi-level memory structure

Номер патента: US7119357B2. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2006-10-10.

Nanotube based multi-level memory structure

Номер патента: US7307272B2. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Enhanced data reliability in multi-level memory cells

Номер патента: US20240320153A1. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Hybrid exclusive multi-level memory architecture with memory management

Номер патента: US09734079B2. Автор: Julius Mandelblat,Blaise Fanning,Joydeep Ray,Ariel Berkovits,Shlomo Raikin,Zvika Greenfield,Eran SHIFER,Dannie G. Feekes,Evgeny Bolotin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Isochronous agent data pinning in a multi-level memory system

Номер патента: US09542336B2. Автор: Aditya Sreenivas,Bryan White,Blaise Fanning,Joydeep Ray,Altug Koker,David Puffer,Marc Torrant,Todd Witter,Neil Schaper. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus and method for efficient management of multi-level memory

Номер патента: EP3885920A1. Автор: Zeshan A. Chishti,Asaf Rubinstein,Zvika Greenfield,Philip Lantz,Eran SHIFER,Sanjay K. KUMAR,Eshel Serlin,Robert J. Royer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

System and method to increase availability in a multi-level memory configuration

Номер патента: US20180165207A1. Автор: Robert C. Swanson,Ashok Raj,Mohan J. Kumar,Theodros Yigzaw. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Multi-level memory hierarchy

Номер патента: WO2015156937A1. Автор: James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Bradford M. Beckmann,Nuwan S. Jayasena,Lisa Hsu,Vilas K. SRIDHARAN. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2015-10-15.

Multi-level memory mapping

Номер патента: US9990281B1. Автор: Ivan Schreter,Robert Kettler,Daniel Booss. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-06-05.

Multi-level memory mapping

Номер патента: US20180150392A1. Автор: Ivan Schreter,Robert Kettler,Daniel Booss. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-05-31.

Caching bypass mechanism for a multi-level memory

Номер патента: US20190163639A1. Автор: Zhe Wang,Wei A. WU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Multi-bit error correction scheme in multi-level memory storage system

Номер патента: EP2186005B1. Автор: Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Multi-bit error correction scheme in multi-level memory storage system

Номер патента: EP2186005A1. Автор: Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-19.

Bypassing cache memory in a write transaction in a system with multi-level memory

Номер патента: US20190272236A1. Автор: Yanru Li,Ali Taha,Chia-Hung S. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Leases for Blocks of Memory in a Multi-Level Memory

Номер патента: US20170315915A1. Автор: Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

MULTI-LEVEL MEMORY, MULTI-LEVEL MEMORY WRITING METHOD, AND MULTI-LEVEL MEMORY READING METHOD

Номер патента: US20150019799A1. Автор: Uchida Hiroyuki,Higo Yutaka,Hosomi Masanori,Ohmori Hiroyuki,Bessho Kazuhiro,Asayama Tetsuya,Yamane Kazutaka. Владелец: SONY COPORATION. Дата публикации: 2015-01-15.

Multi-level memory compression

Номер патента: US09852056B2. Автор: Michael T. Strosaker,Nathan Fontenot,Christopher J. Arges,Joel H. Schopp,Jeffrey D. George,Ryan P. Grimm,Mark W. Vanderwiele. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Multi-level memory compression

Номер патента: US09852055B2. Автор: Michael T. Strosaker,Nathan Fontenot,Christopher J. Arges,Joel H. Schopp,Jeffrey D. George,Ryan P. Grimm,Mark W. Vanderwiele. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

ENHANCED DATA RELIABILITY IN MULTI-LEVEL MEMORY CELLS

Номер патента: US20220058124A1. Автор: Palmer David Aaron,He Deping. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Managing capacity reduction when downshifting multi-level memory cells

Номер патента: US20220300174A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Managing storage reduction and reuse with failing multi-level memory cells

Номер патента: US20220300175A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Apparatus and method for implement a multi-level memory hierarchy

Номер патента: US09448879B2. Автор: Julius Mandelblat,Larisa Novakovsky,Michael Mishaeli,Mohan J Kumar,Oded Lempel,Lihu Rappoport,Hisham Shafi,Theodros Yigzaw,Jose A. Vargas,Geeyarpuram N. Santhanakrishnan,Ganapati N Srinivasa,Chen Koren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENTING A MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY OVER COMMON MEMORY CHANNELS

Номер патента: US20130275682A1. Автор: Kumar Mohan J.,Zimmerman David J.,Ramanujan Raj K.,Ziakas Dimitrios,SWAMINATHAN MUTHUKUMAR P.,Coury Bassam N. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

System and method for managing persistence with a multi-level memory hierarchy including non-volatile memory

Номер патента: US20140052891A1. Автор: Qiong Cai,Ferad Zyulkyarov,Nevin Hyuseinova,Serkan Ozdemir. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

MULTI-LEVEL MEMORY WITH IMPROVED MEMORY SIDE CACHE IMPLEMENTATION

Номер патента: US20200125495A1. Автор: Burres Bradley A.,GALBI Duane E.,GORIUS AARON,Wilkinson Hugh,Adiletta Matthew J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

BYPASSING CACHE MEMORY IN A WRITE TRANSACTION IN A SYSTEM WITH MULTI-LEVEL MEMORY

Номер патента: US20190272236A1. Автор: TAHA Ali,Li Yanru,KUO Chia-Hung S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Leases for Blocks of Memory in a Multi-Level Memory

Номер патента: US20170315915A1. Автор: Meswani Mitesh. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

MECHANISM OF IDENTIFYING AVAILABLE MEMORY RESOURCES IN A NETWORK OF MULTI-LEVEL MEMORY MODULES

Номер патента: US20160380921A1. Автор: Blagodurov Sergey. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy over common memory channels

Номер патента: EP2761480A4. Автор: David J Zimmerman,Raj K Ramanujan,Dimitrios Ziakas,Mohan J Kumar,Muthukumar P Swaminathan,Bassam N Coury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

Fast path memory read request processing in a multi-level memory architecture

Номер патента: US7500062B2. Автор: Bruce Leroy Beukema,Michael Bar-Joshua,Alexander Mesh,Shaul Yifrach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

Cache memory coherence protocol for a data processing system with a multi-level memory hierarchy

Номер патента: DE69908204D1. Автор: Ravi Kumar Arimilli,John Steven Dodson,Jerry Don Lewis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy over common memory channels

Номер патента: US9317429B2. Автор: David J Zimmerman,Raj K Ramanujan,Dimitrios Ziakas,Mohan J Kumar,Muthukumar P Swaminathan,Bassam N Coury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

GATHER AND SCATTER OPERATIONS IN MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY

Номер патента: US20130297878A1. Автор: Lee Victor W.,Hughes Christopher J.,Chen Yen-Kuang,Kim Changkyu,Kim Daehyun,Nguyen Anthony-Trung D.,Satish Nadathur Rajagopalan. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

HYBRID MULTI-LEVEL MEMORY ARCHITECTURE

Номер патента: US20150006805A1. Автор: Raikin Shlomo,Ray Joydeep,Fanning Blaise,Greenfield Zvika,Bolotin Evgeny,Shifer Eran,Feekes Dannie G.,Berkovits Ariel,Mandelblat Julius. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Method and apparatus for multi-level memory early page demotion

Номер патента: US20190042145A1. Автор: Binh Pham,Zhe Wang,Zeshan A. Chishti,Alaa R. Alameldeen,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Management of coherent links and multi-level memory

Номер патента: US20190042425A1. Автор: Eran SHIFER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

MULTI-LEVEL MEMORY CONTROLLER WITH PROBABILITY-DISTRIBUTION-BASED ENCODING

Номер патента: US20150058702A1. Автор: Sutardja Pantas,Wu Zining,Ramamoorthy Aditya. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

MULTI-LEVEL MEMORY WITH DIRECT ACCESS

Номер патента: US20160110106A1. Автор: Qawami Shekoufeh,Fanning Blaise,Tetrick Raymond S.,Hady Frank T.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-04-21.

Cluster-Based Migration in a Multi-Level Memory Hierarchy

Номер патента: US20180107598A1. Автор: Loh Gabriel H.,Basu Arkaprava,Jayasena Nuwan S.,Meswani Mitesh R.,Prodromou Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

MULTI-LEVEL MEMORY MAPPING

Номер патента: US20180150392A1. Автор: Schreter Ivan,Booss Daniel,Kettler Robert. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Multi-Level Memory Compression

Номер патента: US20140244603A1. Автор: Arges Christopher J.,Schopp Joel H.,Strosaker Michael T.,George Jeffrey D.,Fontenot Nathan,Grimm Ryan P.,VanderWiele Mark W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

Multi-Level Memory Compression

Номер патента: US20140244962A1. Автор: Arges Christopher J.,Schopp Joel H.,Strosaker Michael T.,George Jeffrey D.,Fontenot Nathan,Grimm Ryan P.,VanderWiele Mark W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

ISOCHRONOUS AGENT DATA PINNING IN A MULTI-LEVEL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150169439A1. Автор: Koker Altug,Ray Joydeep,Fanning Blaise,White Bryan,Puffer David,Witter Todd,Torrant Marc,Schaper Neil,Sreenivas Aditya. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

SYSTEM AND METHOD TO INCREASE AVAILABILITY IN A MULTI-LEVEL MEMORY CONFIGURATION

Номер патента: US20180165207A1. Автор: Kumar Mohan J.,Swanson Robert C.,Yigzaw Theodros,RAJ ASHOK. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

CACHING BYPASS MECHANISM FOR A MULTI-LEVEL MEMORY

Номер патента: US20190163639A1. Автор: Wang Zhe,WU Wei A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENT A MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY

Номер патента: US20140298140A1. Автор: Yigzaw Theodros,Novakovsky Larisa,Rappoport Lihu,Kumar Mohan J,Mandelblat Julius Yuli,KOREN Chen,Lempel Oded,Hafi Hisham,Santhanakrisnan Geeyarpuram N,Vargas Jose A,Srinivasa Ganapati N. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

Method For Pinning Data In Large Cache In Multi-Level Memory System

Номер патента: US20150227469A1. Автор: Cai Qiong,Zyulkyarov Ferad,Hyuseinova Nevin,Ozdemir Serkan,Nicolaides Marios,Cuesta Blas. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Pinning Objects in Multi-Level Memory Hierarchies

Номер патента: US20170228321A1. Автор: Loh Gabriel H.,Blagodurov Sergey,Slice John R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

APPARATUS AND METHOD FOR EFFICIENT MANAGEMENT OF MULTI-LEVEL MEMORY

Номер патента: US20200226066A1. Автор: JR. Robert J.,Greenfield Zvika,Shifer Eran,Royer,Chishti Zeshan A.,LANTZ Philip,KUMAR Sanjay K.,Rubinstein Asaf,Serlin Eshel. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

GATHER AND SCATTER OPERATIONS IN MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY

Номер патента: US20140337580A1. Автор: Lee Victor W.,Hughes Christopher J.,Chen Yen-Kuang,Kim Changkyu,Kim Daehyun,Nguyen Anthony-Trung D.,Satish Nadathur Rajagopalan. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

MULTI-LEVEL MEMORY MANAGEMENT

Номер патента: US20170277633A1. Автор: Wang Zhe,WILKERSON Christopher B.,ALAMELDEEN Alaa R.,Chishti Zeshan A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY

Номер патента: US20150293845A1. Автор: Loh Gabriel H.,Beckmann Bradford M.,"OConnor James M.",Jayasena Nuwan S.,Hsu Lisa R.,Sridharan Vilas K.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2015-10-15.

MULTI-LEVEL MEMORY WITH DIRECT ACCESS

Номер патента: US20170337009A1. Автор: Qawami Shekoufeh,Fanning Blaise,Tetrick Raymond S.,Hady Frank T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

HOT PAGE SELECTION IN MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHIES

Номер патента: US20160378655A1. Автор: Loh Gabriel H.,Blagodurov Sergey,Meswani Mitesh R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Cache coherency protocol for a data processing system including a multi-level memory hierarchy

Номер патента: TW439030B. Автор: Ravi Kumar Arimilli,John Steven Dodson,Jerry Don Lewis. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-06-07.

Design Stucture for Multi-Level Memory Architecture With Data Prioritization

Номер патента: US20080177951A1. Автор: Gerald K. Bartley,John M. Borkenhagen,William P. Hovis,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Cache coherency protocol for a data processing system including a multi-level memory hierarchy

Номер патента: KR19990072315A. Автор: 루이스제리돈,아리밀리레비쿠마,도드슨존스티븐. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 1999-09-27.

Method for pinning data in large cache in multi-level memory system

Номер патента: US9645942B2. Автор: Qiong Cai,Ferad Zyulkyarov,Nevin Hyuseinova,Blas Cuesta,Serkan Ozdemir,Marios Nicolaides. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Gather and scatter operations in multi-level memory hierarchy

Номер патента: US9069671B2. Автор: Daehyun Kim,Christopher J. Hughes,Victor W. Lee,Nadathur Rajagopalan Satish,Changkyu Kim,Yen-Kuang Chen,Anthony-Trung D. Nguyen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Method and apparatus for multi-level memory early page demotion

Номер патента: US10860244B2. Автор: Binh Pham,Zhe Wang,Zeshan A. Chishti,Alaa R. Alameldeen,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Multi-level memory access in an optical transceiver

Номер патента: US8200095B2. Автор: Jayne C. Hahin,Gerald L. Dybsetter. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2012-06-12.

Cache coherency protocol for a data processing system including a multi-level memory hierarchy

Номер патента: KR100326980B1. Автор: 루이스제리돈,아리밀리레비쿠마,도드슨존스티븐. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2002-03-04.

Punch-through interconnect feature to couple upper electrodes of capacitors of multi-level memory arrays

Номер патента: US20230290722A1. Автор: Travis W. LaJoie,Shem Ogadhoh,Yu-Wen Huang,Van H. Le,Abhishek Anil Sharma,Kimberly Pierce,Juan ALZATE VINASCO,Jared STOEGER,Moshe Dolejsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: US09672794B2. Автор: Michael Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Continuously tunable and highly reconfigurable multiband rf filter

Номер патента: US20180054175A1. Автор: Jia Ge,Mable P. Fok. Владелец: University of Georgia Research Foundation Inc UGARF. Дата публикации: 2018-02-22.

Continuously tunable solid state ultraviolet coherent light source

Номер патента: US5363388A. Автор: Warren S. Grundfest,Weiqiang Shi. Владелец: Cedars Sinai Medical Center. Дата публикации: 1994-11-08.

Continuously tunable solid state ultraviolet coherent light source

Номер патента: US5633883A. Автор: Warren S. Grundfest,Weiqiang Shi. Владелец: Cedars Sinai Medical Center. Дата публикации: 1997-05-27.

Flow with continuous oil phase into flow with continuous water phase inversion method

Номер патента: RU2677516C1. Автор: Алексей ПАВЛОВ,Хьетил ФЬЯЛЕСТАД. Владелец: Статойл Петролеум Ас. Дата публикации: 2019-01-17.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: EP2990809A1. Автор: Michael Dr. Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-03-02.

Method and device for providing global positioning system users with continuity data

Номер патента: RU2381517C2. Автор: Ханс Л. ТРАУТЕНБЕРГ,Файт ЁЛЕР,Марсель АБЕЛЕ,Брюно ЛОБЕР. Владелец: Юропиан Спейс Эйдженси. Дата публикации: 2010-02-10.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240320144A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Continuous tunable RF sensor using rydberg atoms with high transmissivity

Номер патента: US11940374B2. Автор: Matthew Wade Puckett,Neal Eldrich Solmeyer,Robert Compton,Karl D. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Modeling memory cell skew sensitivity

Номер патента: US20130332136A1. Автор: Randy W. Mann,Bipul C. Paul,Anurag Mittal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of two memory cells

Номер патента: US20240303296A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of four memory cells

Номер патента: US20240303038A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Managing risk with continuous queries

Номер патента: US09852186B2. Автор: Eric Hsiao,Rahul Herwadkar. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS FOR FORMING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS

Номер патента: US20150187787A1. Автор: SHUM Danny Pak-Chum,LEE Fook Hong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-07-02.

Multi-level memory cell with lateral floating spacers

Номер патента: US6831325B2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

MULTI-LEVEL MEMORY ARRAYS WITH MEMORY CELLS THAT EMPLOY BIPOLAR STORAGE ELEMENTS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140346433A1. Автор: Scheuerlein Roy E.,Chen Yung-Tin,Fasoli Luca,Mihnea Andrei. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Multi-level memory cell

Номер патента: US8330139B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Multi-level memory cell

Номер патента: US7164177B2. Автор: Ko-Hsing Chang,Chiu-Tsung Huang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-16.

Ultra high-density memory and multi-level memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11855204B2. Автор: Jun Hee Lee,Hyun Jae Lee,Chang Hoon Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2968132B1. Автор: Alexandre Hubert,Thomas Ernst,Sorin Cristoloveanu,Maryline Bawedin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-12-28.

Multi-Level Memory for Micro-Fluid Ejection Heads

Номер патента: US20070236519A1. Автор: John Edelen,Earl Fugate. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2007-10-11.

Aluminum electrolytic cell with continuous anode in aluminum frame with built-in conductors

Номер патента: RU2706269C1. Автор: Цзяньпин ДАН,Синпэй ДАН. Владелец: ШИ, Вэнькэ. Дата публикации: 2019-11-15.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011A3. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-06-21.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-07-12.

Dram gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: EP1938378A2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Structure of memory cell with asymmetric cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09793278B1. Автор: Sung-Bin Lin,Yen-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Fabrication of an eeprom cell with sige source/drain regions

Номер патента: EP1787324A1. Автор: Muhammad I. Chaudhry. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-23.

Method for producing dynamic semiconductor memory cells with random access (RAM) by double polysilicon gate technology

Номер патента: US4414058A. Автор: Wolfgang Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-08.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory devices having adjacent memory cells with mitigated disturb risk

Номер патента: US20240292630A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Riccardo Pazzocco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US09735357B2. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Doped ternary nitride embedded resistors for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425389B2. Автор: Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Single-poly EEPROM cell with lightly doped MOS capacitors

Номер патента: EP1760786A3. Автор: Gary R. Gardner,James E Riekels,Bradley J. Larsen,Thomas B. Lucking. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Fabrication of an eeprom cell with emitter-polysilicon source/drain regions

Номер патента: WO2006016972A2. Автор: Muhammad I. Chaudhry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-16.

Fabrication of an eeprom cell with emitter-polysilicon source/drain regions

Номер патента: EP1779424A2. Автор: Muhammad I.; CHAUDHRY. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Reconfigurable programmable logic device with P-channel non-volatile memory cells

Номер патента: US20080024164A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory cell storage node length

Номер патента: US20100091577A1. Автор: Hussein I. Hanafi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of forming eeprom cell with channel hot electron programming

Номер патента: US5874337A. Автор: Stephen Frank Geissler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Memory cell suitable for dram memory

Номер патента: EP2225773A2. Автор: Sophie Puget,Pascale L. A. Mazoyer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Nvram cell with planar control gate

Номер патента: US20020003254A1. Автор: Randy W. Mann,Joyce E. Molinelli Acocella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method of producing chemical product with continuous fermentation and filtering

Номер патента: US09587253B2. Автор: Masahiro Henmi,Katsushige Yamada,Kenji Sawai,Hideki Sawai,Takashi Mimitsuka,Yohito Ito,Tetsu Yonehara. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-03-07.

Resistance-switching memory cell with multiple raised structures in a bottom electrode

Номер патента: US09466644B2. Автор: Yuan Zhang,Henry Chien,George Matamis,James K Kai,Vinod R Purayath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20140038367A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and Structure for Integrating Capacitor-less Memory Cell with Logic

Номер патента: US20130003452A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Method and structure for integrating capacitor-less memory cell with logic

Номер патента: WO2010080277A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US20240315150A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory cell with independently-sized elements

Номер патента: US09640588B2. Автор: Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory cells with recessed electrode contacts

Номер патента: US09466795B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory cell with improved isolation structures

Номер патента: US10115789B2. Автор: Swen WANG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2018-10-30.

Flash memory cell with a flair gate

Номер патента: US20080277712A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Multi-port sram cell with metal interconnect structures

Номер патента: US20240306359A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory cell with flair gate

Номер патента: US9190531B2. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional charge trapping NAND cell with discrete charge trapping film

Номер патента: US09508736B2. Автор: Chun Chen,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20030129794A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Vertical DRAM cell with TFT over trench capacitor

Номер патента: US20010021553A1. Автор: David Horak,Rick Mohler,Gorden Starkey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US6509231B1. Автор: Li-Jen Chen,Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation

Номер патента: US4985717A. Автор: Sheldon Aronowitz,George P. Walker,Donald D. Forsythe,Bhaskar V. S. Gadepally. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

EEPROM memory cell with a coupler region and method of making the same

Номер патента: US09450052B1. Автор: Albert Bergemont,Eric Braun,Joel M. McGregor. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Hydraulic gear motor, gear pump and gearbox with continuously variable parameters

Номер патента: RU2647268C2. Автор: Павол ФИГУРА. Владелец: Павол ФИГУРА. Дата публикации: 2018-03-15.

Inflatable medical balloons with continuous fiber wind

Номер патента: RU2679304C2. Автор: Джонатан КУРНИАВАН,Александр Квиллин ТИЛСОН,Марк Кристофер ШЕФФ. Владелец: Лома Виста Медикал, Инк.. Дата публикации: 2019-02-06.

Device and method of drilling with continuous bit rotation and continuous drill mud supply

Номер патента: RU2552743C2. Автор: Одд Б. ШЕРСЕТ,Хельге Крон,Мадс Гринрёд. Владелец: Вест Дриллинг Продактс Ас. Дата публикации: 2015-06-10.

Ultra broad band continuously tunable electron beam pulser

Номер патента: US20170162361A1. Автор: Chunguang Jing,Yimei Zhu,Jiaqi Qiu,Sergey V. Baryshev,June W. Lau. Владелец: Euclid Techlabs LLC. Дата публикации: 2017-06-08.

Fully logic process compatible non-volatile memory cell with a high coupling ratio and process of making the same

Номер патента: US20080121973A1. Автор: Hung-Der Su. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2008-05-29.

Resistive Memory Cell with Sloped Bottom Electrode

Номер патента: US20150236257A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Fully logic process compatible non-volatile memory cell with a high coupling ratio and process of making the same

Номер патента: US20090117696A1. Автор: Hung-Der Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Resistive memory cell with sloped bottom electrode

Номер патента: WO2015126906A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Mim memory cell with backside interconnect structures

Номер патента: US20240315014A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for producing integrated circuit memory cells with less dedicated lithographic steps

Номер патента: US09929165B1. Автор: PEY Kin Leong,Fan Zhang,Daxiang Wang,Danny Pak-Chum Shum,Soh Yun Siah,Pinghui Li,Juan Boon Tan,Laiqiang LUO,Zhiqiang Teo,Yu Jin Eugene Kong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory cell with independently-sized electrode

Номер патента: US09831428B2. Автор: Andrea Gotti,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of electromagnetic stirring of liquid core in crystallizer with continuous casting

Номер патента: RU2656904C1. Автор: Владимир Кузьмич Ильин,Диана Абдулаевна Мусаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВО "КГЭУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Jet engine with continuous and intermittent pulse

Номер патента: RU2738672C1. Автор: Антонио АКСЙОН ПЕНАС. Владелец: Антонио АКСЙОН ПЕНАС. Дата публикации: 2020-12-15.

Cosmetic pen with continuous supply of the material

Номер патента: RU2756344C1. Автор: Тонгуэй ХУ. Владелец: Тонгуэй ХУ. Дата публикации: 2021-09-29.

Method and machine for packing articles into stretchable film with continuous supply

Номер патента: RU2725000C2. Автор: Франческо ПЕЧЧЕТТИ. Владелец: Колинес С.п.А.. Дата публикации: 2020-06-29.

Fitness machine with continuously variable magnetic-controlled damping force and combined with manual emergency brake

Номер патента: US09839810B1. Автор: Yuan-Kwei Tzeng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Solid railway bed with continuous bed

Номер патента: RU2506365C2. Автор: Стефан Богл,Эрих ЛИНДНЕР. Владелец: МАКС БОГЛ БАУУНТЕРНЕМУНГ ГМБХ унд КО. КГ. Дата публикации: 2014-02-10.

Drilling device for drilling rig with continuous rotation of drilling string and continuous supply of drilling mud

Номер патента: RU2732561C9. Автор: Евгений Евгеньевич Торопов,Михаил Викторович Кириллов,Андрей Алексеевич Шабалин. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро морской техники "Рубин". Дата публикации: 2020-12-29.

Tare box with continuous stiffening element

Номер патента: RU2529100C1. Автор: Вольфганг ОРГЕЛЬДИНГЕР. Владелец: Ифко Системз Гмбх. Дата публикации: 2014-09-27.

Memory cell with diodes providing radiation hardness

Номер патента: US4725875A. Автор: Fu-Lung Hsueh. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-02-16.

3-d dram cell with mechanical stability

Номер патента: US20220005810A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Two transistor memory cells with source-drain coupling in one transistor

Номер патента: US20230413547A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory cells with three-dimensional gate coupling and methods of forming thereof

Номер патента: US20230345718A1. Автор: Wei Meng,Fan Zhang,Xin Qu,Laiqiang LUO,Fangxin DENG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory cell with trench, and method for production thereof

Номер патента: US20010030337A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-18.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

MIM memory cell with backside interconnect structures

Номер патента: US12075614B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Self-aligned process for fabricating memory cells with two isolated floating gates

Номер патента: US20030218204A1. Автор: Yakov Roizin,Christopher Cork,Ruth Shima-Edelstein,Efraim Aloni. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Vertical flash memory cell with buried source rail

Номер патента: US20040115886A1. Автор: Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Nor memory cell with floating gate

Номер патента: WO2024163915A2. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Nor memory cell with floating gate

Номер патента: WO2024163915A3. Автор: Bing Yeh. Владелец: Greenliant Ip LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Electrochemical module configuration for the continuous acidification of alkaline water sources and recovery of CO2 with continuous hydrogen gas production

Номер патента: US09719178B2. Автор: Heather D. Willauer,Felice Dimascio,Dennis R. Hardy,Frederick Williams,M. Kathleen Lewis. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-08-01.

Device and method for drilling with continuous tool rotation and continuous drilling fluid supply

Номер патента: US09708854B2. Автор: Odd B. Skjærseth,Helge Krohn,Mads Grinrod. Владелец: West Drilling Products AS. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Mechanical design of memory cell with vertical crosses arranged one above other

Номер патента: RU2156013C2. Автор: Марк Т. Бор,Джеффри К. Гризон. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2000-09-10.

Split-gate flash memory cell with separated and self-aligned tunneling regions

Номер патента: US5427968A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Method of making trench DRAM cell with stacked capacitor and buried lateral contact

Номер патента: US4978634A. Автор: Masaaki Yashiro,Kiyoshi Shirai,Gishi Chung,Bing-Whey Shen,Randy McKee,Clarence Teng,Donald J. Coleman, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Method of forming memory cell with high-k charge trapping layer

Номер патента: EP3262689A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Fet one-device memory cells with two layers of polycrystalline silicon

Номер патента: CA1079866A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-17.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: WO2016126834A1. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce LIM. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2016-08-11.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US20180062075A1. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Embedded dram memory cell with additional patterning layer for improved strap formation

Номер патента: US20100193852A1. Автор: David M. Dobuzinsky,Kangguo Cheng,Munir D. Naeem,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20010000918A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Memory cell comprising a metal control gate with a work function for an enlarged operation window

Номер патента: US10879258B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Interconnect structures for integration of memory cells and logic cells

Номер патента: US20240306362A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US09627442B2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Tampon with continuous groove forms

Номер патента: RU2639621C2. Автор: Дэвид Л. КИМБАЛЛ,Тони К. НГ,Тара ЗЕДАЙКО. Владелец: Джонсон Унд Джонсон Гмбх. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for preventing development of reperfusion injury of lung tissue by non-invasive artificial pulmonary ventilation with continuous positive airway pressure in inoperable patients with chronic thromboembolic pulmonary hypertension after transluminal balloon angioplasty of pulmonary artery

Номер патента: RU2735054C1. Автор: Николай Михайлович Данилов,Ирина Евгеньевна Чазова,Александр Юрьевич Литвин,Юрий Владимирович Данилушкин,Юрий Георгиевич Матчин,Артем Сергеевич Аржанцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр кардиологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-10-27.

Acidified food product with continuous aqueous phase, adapted to be eaten by means of spoon

Номер патента: RU2318404C2. Автор: Тимоти Джон ФОСТЕР,Арьен БОТ,Лейф Орьян ЛУНДИН,Барбара Маргарета Катарина ПЕЛАН,Кристель РЕЙФФЕРС-МАНЬЯНИ. Владелец: Юнилевер Н.В.. Дата публикации: 2008-03-10.

Stand liquid rocket engine with continuous spin detonation

Номер патента: RU2674117C1. Автор: Владимир Кириллович Старков,Александр Владимирович Быков,Владимир Константинович Чванов,Петр Сергеевич Лёвочкин,Леонид Евгеньевич Стернин,Николай Геннадьевич Иванов,Федор Афанасьевич Быковский,Сергей Андреевич Ждан,Евгений Николаевич Ромасенко,Евгений Алексеевич Белов,Дина Ивановна Дубовик,Галина Александровна Зайцева. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2018-12-04.

Dynamic ram cell with trench surrounded switching element

Номер патента: US4786954A. Автор: Shigeru Nakajima,Takashi Morie,Kazushige Minegishi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-11-22.

Nonvolatile memory cell with field-plate switch

Номер патента: US5134449A. Автор: Manzur Gill,Sebastiano D'Arrigo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-07-28.

Resistance-Switching Memory Cell With Multiple Electrodes

Номер патента: US20140225057A1. Автор: Yuan Zhang,Vinod R. Purayath,Henry Chien,George Matamis,James K. Kai. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Fabrication of an eeprom cell with sige source/drain regions

Номер патента: WO2006016969A1. Автор: Muhammad I. Chaudhry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor memory cell structure, semiconductor memory, preparation method and application thereof

Номер патента: US20240147686A1. Автор: Qi Wang,Huilong Zhu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory cells with non-planar ferroelectric or antiferroelectric materials

Номер патента: EP4120321A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Prashant Majhi,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-18.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

CD8(+) Stem-Like Chronic Memory Cell Based Therapies and Compositions Related Thereto

Номер патента: US20240226166A1. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2303656C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Виктор Христьянович Манн,Василий Андреевич Крюковский,Михаил Павлович Петухов,Олег Владимирович Буркацкий,Виктор Христь нович Манн,Владимир Константинович Фризоргер,Николай Григорьевич Афанасиади. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русская инжиниринговая компания". Дата публикации: 2007-07-27.

Memory cell with conducting layer-dielectric-conducting layer structure

Номер патента: RU2376677C2. Автор: Аркадий Евгеньевич Бердников,Александр Александрович Мироненко,Александр Александрович Орликовский,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик. Владелец: Физико-технологический институт Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-12-20.

Method for receiving noise-like frequency-manipulated signals with continuous phase

Номер патента: RU2323536C1. Автор: Владимир Иванович Кокорин,Валерий Николаевич Бондаренко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Красноярский государственный технический университет (КГТУ). Дата публикации: 2008-04-27.

Memory cell for high-speed eeprom with controlled potential of under-gate region

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

Method for prevention of severe complications accompanying surgical management of massive and submassive blood loss with continuous haemorrhages

Номер патента: RU2475234C2. Автор: Сергей Миронович Кузнецов,Владимир Павлович Сухоруков,Олеся Викторовна Спинева. Владелец: Олеся Викторовна Спинева. Дата публикации: 2013-02-20.

MULTI-LEVEL MEMORY CELL WITH CONTINUOUSLY TUNABLE SWITCHING

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты