Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor.

Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor

Номер патента: WO2023278129A1
Опубликовано: 05-01-2023
Автор(ы): Garry K. Kwong, Kenric Choi, William J. Durand
Принадлежит: Applied Materials, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor manufacturing apparatus, gas supplying method using the same, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20240124979A1. Автор: Suji Gim,Hanhim Kang,Chan Kyu LIM,Yoonbon Koo,Jongkoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160047046A1. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09920425B2. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor manufacturing system and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09695512B2. Автор: Kazuhiro Matsuo,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11859286B2. Автор: Hiroshi Kubota,Yuya Matsubara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor

Номер патента: WO2024137755A1. Автор: David Marquardt,Jose Alexandro Romero. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor

Номер патента: US20240207838A1. Автор: David Marquardt,Jose Alexandro Romero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20070074738A1. Автор: Takayuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of cleaning semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and management system

Номер патента: US20110232686A1. Автор: Takashi Nakao,Kenichiro TORATANI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Chemical supply device for use in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240274443A1. Автор: Tae Hwa LIM,Myeong Mun KIM. Владелец: Rc Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor manufacturing system and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20160358762A1. Автор: Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima,Takayuki Beppu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09963782B2. Автор: Naoto Tsuji. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20100203741A1. Автор: Kenichi Koyanagi,Takashi Arao,Yuichiro Morozumi,Kazunori Une. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Reaction chamber comprising a rotating element for the deposition of a semiconductor material

Номер патента: US20210388492A1. Автор: Danilo Crippa,Maurilio Meschia,Francesco COREA,Yuichiro TOKUDA. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus for reproducing component of semiconductor manufacturing apparatus, and reproduced component

Номер патента: US20170345624A1. Автор: Ki Won Kim,Won Pyo HONG,Hyeong Uk Roh,Jong Sung Yun. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Reaction tube, semiconductor manufacturing apparatus therewith, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240271283A1. Автор: Jeonghyeon Lee,Sangyub IE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US9558936B2. Автор: Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20160284533A1. Автор: Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068138B2. Автор: Higenyi Ismail WAMUSANGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20170253973A1. Автор: Shinya Taguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230290669A1. Автор: Makoto Kubo,Masaharu Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20240266148A1. Автор: Yeon Tae KIM,Min Su Lee,Yi Hwan Kim,Won Ki Lee,Hyeon Jin Jeon,Yon Joo KANG,Hyeong Un JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

A semiconductor having increased dopant concentration, a method of manufacturing thereof and a chemical reactor

Номер патента: WO2022135627A1. Автор: Andrew Taylor,Vincent Mortet,Nicolas Lambert,Marina DAVYDOVA,Miroslav LAMAC. Владелец: Fyzikální ústav AV CR, v.v.i.. Дата публикации: 2022-06-30.

Gas shower unit for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: CA2323255C. Автор: Hirohiko Nakata,Akira Kuibira. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20220301831A1. Автор: Higenyi Ismail WAMUSANGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230178393A1. Автор: Takayuki Matsui,Seiichi Omoto,Junya Fujita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240153809A1. Автор: Masaki Ishikawa,Tatsuya Kuno,Taro Usami. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20090013933A1. Автор: Jae-ho Byun,You-Dong Lim. Владелец: Tts Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180105936A1. Автор: Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor

Номер патента: US11859281B2. Автор: Mohith Verghese,Carl White,David Marquardt,Jose Alexandro Romero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor

Номер патента: US20220178020A1. Автор: Mohith Verghese,Carl White,David Marquardt,Jose Alexandro Romero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor

Номер патента: EP4259846A1. Автор: Mohith Verghese,Carl White,David Marquardt,Jose Alexandro Romero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Removal device for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09957611B2. Автор: Hirokazu Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor manufacturing apparatus and film formation method for a semiconductor device

Номер патента: US20190229006A1. Автор: Hiroaki Tada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and wafer lift pin-hole cleaning jig

Номер патента: US09721910B2. Автор: Yohei Hamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09920427B2. Автор: Ryota Fujitsuka,Hajime Nagano,Motoki Fujii,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09824905B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110107968A1. Автор: Young Ho Lee,Byung Il Lee,Taek Yong Jang,Seung Beom Baek. Владелец: Tera Semicon Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: WO2009025410A1. Автор: Taek-Yong Jang,Young-Ho Lee,Byung-Il Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Terasemicon Corporation. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: WO2009028753A1. Автор: Taek-Yong Jang,Young-Ho Lee,Byung-Il Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Terasemicon Corporation. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor manufacturing apparatus and cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240191348A1. Автор: Takashi Hattori,Yosuke Kurosaki,Masaki Yamada,Aki Takei. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20220301870A1. Автор: Atsushi Fukumoto,Fumiki Aiso. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor manufacturing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and method of film formation

Номер патента: US20230091037A1. Автор: Fumiki Aiso. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190071771A1. Автор: Fumiki Aiso,Tomohisa Iino,Kensei Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09856562B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09478416B1. Автор: Atsushi Fukumoto,Hajime Nagano,Fumiki Aiso,Takeshi SHUNDO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor manufacturing chemical compound monitoring process

Номер патента: US20240192040A1. Автор: Gido Van Der Star,Tom van Kesteren,Panagiota Arnou,Mehmet Orhan Tas. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Composite structure and semiconductor manufacturing device provided with the composite structure

Номер патента: US20240170264A1. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Composite structure and semiconductor manufacturing device provided with the composite structure

Номер патента: US20240166567A1. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Composite structure and semiconductor manufacturing apparatus including composite structure

Номер патента: US11802085B2. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Low ceiling temperature process for a plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material

Номер патента: WO1999036931A2. Автор: Jian Ding. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-07-22.

Coated aluminum material for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080118412A1. Автор: Seiji Okura. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor manufacturing apparatus, wafer conveying apparatus and wafer conveying method

Номер патента: US20190067066A1. Автор: Takayuki Matsui,Ryota Fujitsuka,Fumiki Aiso,Tomohisa Iino,Kensei Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240018657A1. Автор: Tae Yong Kim,Sang Yub Ie,Phil Ouk NAM,Jae Hyun YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor manufacturing apparatus, wafer conveying apparatus and wafer conveying method

Номер патента: US20190348314A1. Автор: Takayuki Matsui,Ryota Fujitsuka,Fumiki Aiso,Tomohisa Iino,Kensei Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Inert gas recovery from a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: GB2588908A. Автор: Condon Neil. Владелец: Edwards Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160362793A1. Автор: Takashi Izumi,Fumitoshi Ikegaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240331982A1. Автор: Yasutaka NITTA,Takuma Wada,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12051568B2. Автор: Yasutaka NITTA,Takuma Wada,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Plasma apparatus, magnetic-field controlling method, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09567668B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Ching-Hua Hsieh,Yao-Jen Chang,Shing-Chyang Pan,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor wafer manufacturing method using this apparatus, and recording medium having program of this method recorded therein

Номер патента: US20080242105A1. Автор: Hiroyuki Baba,Tomoyasu Kai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor-manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190267256A1. Автор: Ryuji Ueno,Masatoshi Sunamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20170062286A1. Автор: Kazumasa Ito,Seiichi Omoto,Ryota Nakanishi,Takanobu Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method comprising applying an external mechanical stress to a semiconductor structure and semiconductor processing tool

Номер патента: US9281252B1. Автор: Moritz Andreas Meyer,Alexander Würfel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-08.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US10490466B2. Автор: Kazumasa Ito,Seiichi Omoto,Ryota Nakanishi,Takanobu Itoh. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20180151457A1. Автор: Kazumasa Ito,Seiichi Omoto,Ryota Nakanishi,Takanobu Itoh. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacture system

Номер патента: US6949474B2. Автор: Atsushi Moriya,Yasuhiro Inokuchi,Yasuo Kunii,Junichi Murota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2005-09-27.

Member for semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20220028657A1. Автор: Yasutaka NITTA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacture system

Номер патента: US20040007185A1. Автор: Atsushi Moriya,Yasuhiro Inokuchi,Yasuo Kunii,Junichi Murota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2004-01-15.

Member for semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20190027343A1. Автор: Yasutaka NITTA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160222514A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Hajime Nagano,Motoki Fujii,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor manufacturing apparatus and component for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230420226A1. Автор: Naoyuki Satoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Coating system and method for coating interior fluid wetted surfaces of a component of a semiconductor substrate processing apparatus

Номер патента: US09873940B2. Автор: Tom Stevenson,LIN Xu,Hong Shih,John Daugherty,John Michael Kerns,Robert Griffith O'Neill,Nash Anderson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210335622A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor wafer holder

Номер патента: US20140283748A1. Автор: Hiroaki Kobayashi,Hiroshi Nishimura,Osamu Yamazaki,Shinya Sato,Akihiko Osawa,Tomoyuki SAKUMA,Shinya Higashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Showerhead, semiconductor manufacturing apparatus including the same, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20200325579A1. Автор: Ik Soo Kim,Sangho Rha,Byung-Sun Park,Jiwoon Im,Minjae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and substrate treatment method using the same

Номер патента: US20230272532A1. Автор: Tae Yong Kim,Sang Yub Ie,Jung Geun Jee,Jae Hyun YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of making a semiconductor manufacturing apparatus member

Номер патента: US20220139676A1. Автор: Yasutaka NITTA,Takuma Wada. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of making a semiconductor manufacturing apparatus member

Номер патента: US11939678B2. Автор: Yasutaka NITTA,Takuma Wada. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170369988A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Tatsuhiko Miura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160265101A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Tatsuhiko Miura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10487393B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Tatsuhiko Miura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9758863B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Tatsuhiko Miura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230054452A1. Автор: Satoru Kawakami,Hiroyuki Miyashita,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20220084799A1. Автор: Daisuke Nishida,Motoki Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor manufacturing apparatus having transfer unit and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20220349063A1. Автор: Sejin YOO,Hyungjun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor manufacturing equipment and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080210170A1. Автор: Hirotaka Inomata. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Member having plasma-resistance for semiconductor manufacturing apparatus and method for producing the same

Номер патента: US20060159946A1. Автор: Yuji Aso,Masakatsu Kiyohara,Hironori Hatono,Junichi Iwasawa,Naoya Terada. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180274092A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09728473B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components

Номер патента: US09663870B2. Автор: Jennifer Y. Sun,Vahid Firouzdor. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor-manufacturing apparatus member and plug

Номер патента: US12040160B2. Автор: Masaki Ishikawa,Yasuho AOKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20090184290A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20050271823A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220195594A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US11380523B2. Автор: Yoshihide Yamaguchi,Sumiko Fujisaki. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components

Номер патента: US09879348B2. Автор: Jennifer Y. Sun,Vahid Firouzdor. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for modifying metal-including material in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20230352346A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Ceramic heater for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: EP4435836A1. Автор: Bo Sung Kim,Yun Ho Kim,Joo Hwan Kim,Hwan Young Park. Владелец: KSM Component Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Composite structure and semiconductor manufacturing apparatus including composite structure

Номер патента: US12112924B2. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Plasma-resistant glass, chamber interior parts for semiconductor manufacturing process, and methods for manufacturing same

Номер патента: US20240274410A1. Автор: Kyungmin Lee,Dae Gun Kim,Hye Won SEOK,Hye In Na,Mun Ki Lee. Владелец: Hansol Iones Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Composite ceramic body, and component member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20130299749A1. Автор: Mitsuyoshi Nagano,Kouta TSUTSUMI,Ryou MATSUO. Владелец: Nippon Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Heater for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20200118858A1. Автор: Kazuhiro Nobori,Keita Yamana,Kengo Torii. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Heater for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20220005722A1. Автор: Kazuhiro Nobori,Keita Yamana,Kengo Torii. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Heater for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20190244847A1. Автор: Kazuhiro Nobori,Keita Yamana,Kengo Torii. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Cleaning composition and cleaning method for component of semiconductor manufacturing process chamber

Номер патента: US20220135916A1. Автор: Yasuo Suzuki,Isao Hirano. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20180202945A1. Автор: Naoto Kanzaki,Kotaro Horikoshi,Toru Shinaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Electromagnetic detection device and semiconductor manufacturing system

Номер патента: US09953888B1. Автор: Ming-Hsien Tsai,Kai-Wen Wu,Chung-Wei Fang,Yao-Fong Dai,Chih-Tung Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240145277A1. Автор: Hideki Wakabayashi,Yosuke Nagasawa,Tensei SATO. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Protecting adhesive film for a semiconductor wafer

Номер патента: EP1215722A3. Автор: Makoto Kataoka,Yoshihisa Saimoto,Yasuhisa Fujii,Kentaro Hirai,Hideki Fukumoto,Takanobu Koshimizu. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer

Номер патента: US20020170576A1. Автор: Roland Brunner,Hans-Joachim Luthe,Franz Sollinger,Georg-Friedrich Hohl,Susanne Bauer-Mayer,Gunther Brunner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for producing a semiconductor layer

Номер патента: US20140061863A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Rainer Winkler,Hans-Joerg Timme,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Composite structure and semiconductor manufacturing apparatus including composite structure

Номер патента: US20210343511A1. Автор: Hiroaki Ashizawa,Ryoto TAKIZAWA. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Precursor, method for manufacturing precursor, positive electrode material, method for manufacturing positive electrode material, and lithium-ion secondary cell

Номер патента: EP3955347A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Mikito Suto,Yoshiaki Hamano,Rintaro NAGANO,Koki TOKUMASU,Mika EMA. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-16.

Precursor, method for manufacturing precursor, positive electrode material, method for manufacturing positive electrode material, and lithium-ion secondary cell

Номер патента: US20220173391A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Akira Matsuzaki,Mikito Suto,Yoshiaki Hamano,Rintaro NAGANO,Koki TOKUMASU,Mika EMA. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Aluminum nitride sintered body, method of making the same, and semiconductor manufacturing equipment component using aluminum nitride sintered body

Номер патента: US20210017087A1. Автор: Noriyuki NARUSE. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Etching pattern forming method in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US12094719B2. Автор: Seung Hyun Lee,Su Jin Lee,Seung Hun Lee,Gi Hong Kim. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor manufacturing system with getter safety device

Номер патента: US6068685A. Автор: D'arcy H. Lorimer,Charles H. Applegarth. Владелец: SAES Pure Gas Inc. Дата публикации: 2000-05-30.

Magnesium aluminate-based sintered body and semiconductor manufacturing apparatus member

Номер патента: US20140338834A1. Автор: Yasuhiro Tanaka. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Porous ceramic, member for semiconductor manufacturing apparatus, shower plate and plug

Номер патента: US12006264B2. Автор: Hiromasa Matsufuji. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US09540539B2. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing the wafer holder

Номер патента: US6716304B2. Автор: Takashi Ishii,Kenjiro Higaki,Masuhiro Natsuhara,Hirohiko Nakata,Yasuyuki Matsui,Akira Kuibira. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-04-06.

A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

Номер патента: EP1176231A3. Автор: Shigeki Otani,Jun Suda,Hiroyuki Kyocera Shiga Factory Kinoshita. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Cleaning composition and cleaning method for component of semiconductor manufacturing process chamber

Номер патента: US11981880B2. Автор: Yasuo Suzuki,Isao Hirano. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Heater for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US11437260B2. Автор: Kazuhiro Nobori,Keita Yamana,Kengo Torii. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Conversion material, particularly for a white or colored light souce comprising a semiconductor light source, a method for the production thereof, as well as a light source comprising said conversion material

Номер патента: US09950949B2. Автор: Dieter Goedeke,Sabine Pichler-Wilhelm,Peter Nass,Peter Brix,Sabrina Wimmer,Rainer Liebald,Claudia Stolz,Simone Monika Ritter. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Adhesive composition for a wafer processing film

Номер патента: US20130295747A1. Автор: Jang-Soon Kim. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Package for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1511090A3. Автор: Franklin J. Wall. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-12-09.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220270885A1. Автор: Hiroshi Kubota,Motoki Fujii,Fumiki Aiso. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Process of manufacturing precursor of an absorbing agent

Номер патента: US6054541A. Автор: Kinya Nagasuna,Yoshihiko Masuda,Katsuyuki Wada,Shin-ichi Fujino. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2000-04-25.

Joined component through which process fluid passes in semiconductor manufacturing process or display manufacturing process

Номер патента: US20200166161A1. Автор: Bum Mo Ahn. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09842964B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Supply control system for a plurality of tanks

Номер патента: EP4196717A1. Автор: Young-Soo Choi,Jihoon Kim,Sang-Keun Lee,Yong-Tae Kim,Thomas William PILTZ,John Paul PREGO,Anthony John Smith,Shawn S. Cable,Cynthia Lee Hughes,Sang-Jae Yim,Tae-Ug Kang,Ho-San Kwon,Sung-Up Jang,Hyo-Jong Hwang,Bang-Yeon Yu. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-06-21.

System and method for controlling semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20210343561A1. Автор: Feng-Ju Tsai,Shyue-Ru Doong. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Converter and conversion method for converting click position of display into light pen simulated signal for semiconductor manufacturing machine

Номер патента: US20220107694A1. Автор: Ming-Sze CHEN,Chin-Shen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Converter and conversion method for converting click position of display into light pen simulated signal for semiconductor manufacturing machine

Номер патента: US11599206B2. Автор: Ming-Sze CHEN,Chin-Shen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Converter and conversion method for converting click position of display into light pen simulated signal for semiconductor manufacturing machine

Номер патента: US20210096664A1. Автор: Ming-Sze CHEN,Chin-Shen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258115A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of generating quality affecting factor for semiconductor manufacturing process and generating system for the same

Номер патента: US10254333B2. Автор: Sehoon Kim,Chanhun PARK,SeungLi Kim,Bokyoung KANG,Ji-Youn KWON,Gilhan KIM,Byonghun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor manufacturing using artificial intelligence

Номер патента: US20210090859A1. Автор: Imran Ahmed Bhutta. Владелец: Reno Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Converter and conversion method for converting click position of display into light pen simulated signal for semiconductor manufacturing machine

Номер патента: US20200064935A1. Автор: Ming-Sze CHEN,Chin-Shen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Converter and conversion method for converting click position of display into light pen simulated signal for semiconductor manufacturing machine

Номер патента: US20180164907A1. Автор: Ming-Sze CHEN,Chin-Shen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Converter and conversion method for converting click position of display into light pen simulated signal for semiconductor manufacturing machine

Номер патента: US10866653B2. Автор: Ming-Sze CHEN,Chin-Shen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Needle free injection device and ampoules for the device

Номер патента: RU2320372C2. Автор: С. Иштван ЛИНДМАЙЕР. Владелец: С. Иштван ЛИНДМАЙЕР. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor manufacturing method and associated semiconductor manufacturing system

Номер патента: US09704820B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Chia-Shiung Tsai,Yung-Lung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: US20220137607A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: EP4200903A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: WO2022093308A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Ampoule for storing implant capable of maintaining humidity

Номер патента: US09517115B2. Автор: Su Kyoung Kim,Ju Dong Song,Tae Gwan Eom,Eun Jung Kang,Kyoo Ok Choi,Yong Il Chung,Da Mi Choi. Владелец: Osstem Implant Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240312820A1. Автор: Yoshio Mizuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Run-to-run control utilizing virtual metrology in semiconductor manufacturing

Номер патента: US09299623B2. Автор: Emmanuel Yashchin,Yada Zhu,Jingrui He,Robert J. Baseman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Disposable ampoule for insertion into an aerosol generator

Номер патента: US09505535B2. Автор: Uwe Hetzer,Thomas Gallem. Владелец: PARI Pharma GmbH. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor manufacturing method including forming additional active layer

Номер патента: US20040185609A1. Автор: Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Yoshinori Okumura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Ampoule for a medical liquid, and method for producing an ampoule

Номер патента: CA2917990C. Автор: Torsten Brandenburger. Владелец: FRESENIUS KABI DEUTSCHLAND GmbH. Дата публикации: 2022-05-31.

Semiconductor manufacturing apparatus and processing method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230170235A1. Автор: Hiromichi Fujii,Takashi KUNIEDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20050203654A1. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor manufacturing system, controller, semiconductor manufacturing system control method, and processing liquid collection method

Номер патента: US7853347B2. Автор: Atsushi Osada,Tetsu Tomine. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Gas saver for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2008020715A1. Автор: Jong-Ha Park. Владелец: Jong-Ha Park. Дата публикации: 2008-02-21.

Detecting defects of semiconductor manufacturing assemblies

Номер патента: WO2024107370A1. Автор: Chih-Yang Chang,Yao-Hung Yang,Shannon WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Polishing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US9960071B2. Автор: Takayuki Nakayama,Masayoshi Adachi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Polishing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09960071B2. Автор: Takayuki Nakayama,Masayoshi Adachi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor manufacturing apparatus for photolithographic process

Номер патента: US6576873B1. Автор: Jin-Young Choi,Kun-Woo Nam,Young-Koo Yeo. Владелец: Dns Korea Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230290622A1. Автор: Hiroshi Takebayashi,Seiya Inoue,Tatsuya Kuno. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and method of segmenting sensor data output from a semiconductor manufacturing facility

Номер патента: US09696717B2. Автор: Jung-Hee Kim,Young-Hak Lee,Sungzoon Cho,Jiwon Yang,Hae-Sang Park,Heui-sik Jeon,Eunjeong Lucy Park,Jooseoung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258134A1. Автор: Masayuki Nishiyama,Naoki Yoshimatsu,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus for collecting by-product for semiconductor manufacturing process with improved collection space efficiency

Номер патента: US20240321595A1. Автор: Che Hoo CHO,Yeon Ju Lee,Ji Eun Han,Woo Yeon WON. Владелец: Milaebo Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09438140B2. Автор: Takashi Kataigi,Hideaki Takasaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor manufacturing process prediction method and semiconductor manufacturing process prediction device

Номер патента: US20230238262A1. Автор: Ming-Wei Chen,Chia-Wei Chen,Ching-Pei Lin,Chung-Yi Chiu,Hsiao-Ying Yang,Te-Hsuan Chen,Wen-Shan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods for reducing vibration of semiconductor manufacturing apparatuses and semiconductor manufacturing apparatuses

Номер патента: US20240247700A1. Автор: Chien Ting Lin,Ker-Hsun LIAO,Wei-Ming Wang,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin,Jie-Ying YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of determining a correction for at least one control parameter in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240310738A1. Автор: Roy Werkman,Sarathi ROY. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09564298B2. Автор: Ik-Soo Kim,Myoung-woon Kim,Su-Ho Lee,Ju-Hee Lee,Jae-Beom Park,Won-hyuk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor manufacturing apparatuses comprising bonding heads

Номер патента: US09508577B2. Автор: YOSHIAKI Yukimori,MASATO Kajinami,Sang-Yoon Kim,Hui-Jae KIM,Jae Bong Shin,Byung Joon Lee,Byeong Kap CHOI,Seung Dae Seok,Byeong-kuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Ampoule for spent fuel assembly

Номер патента: RU2670104C1. Автор: Константин Валерьевич Раук,Николай Дмитриевич Васильев,Александр Павлович Иванов,Александр Николаевич Смоляков,Денис Сергеевич Ванифатов. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро машиностроения" (АО "ЦКБМ"). Дата публикации: 2018-10-18.

Enabling scanning electron microscope imaging while preventing sample damage on sensitive layers used in semiconductor manufacturing processes

Номер патента: WO2021262913A1. Автор: Hari Sriraman PATHANGI. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for setting of semiconductor manufacturing parameter and computing device for executing the method

Номер патента: US20220277189A1. Автор: Hyun Chul Choi,Rock Hyun Baek,Jun Sik Yoon,Hyeok YUN. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069666A1. Автор: Takayuki Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Jig, semiconductor manufacturing apparatus, and method of operating semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240282618A1. Автор: Kentaku ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor package structure and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12100686B2. Автор: Yun Di HONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09754781B2. Автор: Hidekazu Hayashi,Shinya Okuda,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09633862B2. Автор: Atsushi Kubota,Takashi Ohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Enabling scanning electron microscope imaging while preventing sample damage on sensitive layers used in semiconductor manufacturing processes

Номер патента: US20210407834A1. Автор: Hari Pathangi Sriraman. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and stencil mask

Номер патента: US20060071183A1. Автор: Takeshi Shibata,Hisanori Misawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230054378A1. Автор: Tetsuya Kurosawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297040A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240355664A1. Автор: Masaki Ueno,Kinya Yamashita,Yasushi Takaki,Dai Kitano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US09633888B2. Автор: Kenji Yamazaki,Eitoku Sonoda,Hirokazu Matsuzaki,Tomoki Umezawa,Takeshi MINAMIRU,Saori NISHIZAKI,Tatsumi INOMOTO. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and apparatus for self-learning and self-improving a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US09424528B2. Автор: Kenji Sugishima,Sanjeev Kaushal,Sukesh Janubhai Patel. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Information displaying method and computer program product for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240231313A1. Автор: Masayuki Fujiki,Kosei Takeuchi. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110042588A1. Автор: Sung Jin Lee,Satoshi Takahashi,George Barbastathis,Jose Antonio Dominguez-Caballero. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for controlling operation of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240203768A1. Автор: Kazuma Ideguchi. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Leak measurement system, semiconductor manufacturing system, and leak measurement method

Номер патента: US20210104422A1. Автор: Yuta KUNITAKE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11935775B2. Автор: Satoshi Usui,Satoshi Nagai,Manabu Takakuwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method to detect wafer arcing in semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20130245969A1. Автор: Michael Johnson,Tony Davis,Kommisetti SUBRAHMANYAM,Scott Singlevich. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Yield rate prediction method, yield rate prediction system and model training device of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20220076146A1. Автор: Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Apparatus diagnostic apparatus, semiconductor manufacturing apparatus system, and semiconductor apparatus manufacturing system

Номер патента: US20240339308A1. Автор: Akira Kagoshima,Satoru Matsukura,Masahiro Sumiya,Nanako TAMARI,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method to detect wafer arcing in semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US09508612B2. Автор: Michael Johnson,Tony Davis,Kommisetti SUBRAHMANYAM,Scott Singlevich. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Temperature controller for semiconductor manufacturing equipment, method for calculating PID constants in semiconductor manufacturing, and method for operating temperature controller for semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US09484231B2. Автор: Kazuhiro Mimura. Владелец: Kelk Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09418885B2. Автор: Jung Hyun Kim,Chang Geun Ahn,Ki Bum Sung,Jo Young Lee,Mhan Joong Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Apparatus and method monitoring semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240128102A1. Автор: Akinori Okubo,Hyungjin Kim,Sangmin Lee,Sungho Jang,Wondon Joo,Minhwan Seo,Sinyong Lee,Sangjoon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8623701B2. Автор: Hisanori NAGANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110304033A1. Автор: Hisanori NAGANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Process controller for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060025935A1. Автор: Young-Cheng Chen,You-Wei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20220108904A1. Автор: Junji Tokunaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Air filtering device and cleaning system of semiconductor manufacturing apparatus with the same

Номер патента: US20090025565A1. Автор: Ji-Young Kim,Joo-Young Kim,Yo-han Ahn,Dong-Seok Ham,Chang-Min Cho,Hyung-Seok Choi,Ju-A Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240312805A1. Автор: Masaru Yamada,Yosuke Nakanishi,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamic dispatching method for semiconductor manufacturing system

Номер патента: US12131928B2. Автор: Li Li,Peng Yi,Jie Chen,Yiguang Hong,Min Meng,Kuo-Yi Lin,Qingyun YU,Jinlong LEI,Xiouxian LI. Владелец: TONG JI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09892929B2. Автор: Yumi Tanaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semicondcutor structure and semiconductor manufacturing process thereof

Номер патента: US09837366B1. Автор: Chin-Yu Ku,Rung-De Wang,Wei-Lun Hsieh,Chen-Hsun Liu,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai,Jheng-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09769880B2. Автор: Shinichi Kato,Takayuki Aoyama. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09741739B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor manufacturing apparatus including bonding head

Номер патента: US12136563B2. Автор: Chulhyun Park,Mingu LEE,Kangsan Lee,Euisun Choi,Eunhaeng Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Apparatus processing a gate portion in a semiconductor manufacturing apparatus, which remove a gate correspondence portion from a semiconductor package connected to a lead frame, and a resin burr deposited on a lead portion associated with the semiconductor package

Номер патента: US6528757B2. Автор: Takehiko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-04.

Sensor for a semiconductor device

Номер патента: US09793184B2. Автор: Frank Wolter,Angelika Koprowski,Andreas Riegler,Mathias Plappert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor process management system, semiconductor manufacturing system including the same, and method of manufacturing semiconductor

Номер патента: US09791855B2. Автор: Do-Hyung Kim,Sung-Hyup Kim,Jai-Hyung Won,Ho-jun Kim,Dong-Hoon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220293450A1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12027380B2. Автор: Katsuhiro Sato,Tomohiko Sugita,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and control system and control method therefor

Номер патента: US20110130861A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kazuhiro Miwa,Akito Mifune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Monitoring and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240219899A1. Автор: Jukka-Pekka Salmenkaita,Eero Hiltunen,Kalle YLÄ-JARKKO,Rasmus Heikkilä,Antti Liski. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP3657281A1. Автор: Si-Han Zeng,Chang-Wei Chen. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2020-05-27.

Method for planning a semiconductor manufacturing process based on users' demands using a fuzzy system and a genetic algorithm model

Номер патента: US8170964B2. Автор: TSUNG-WEI Lin,Yi Feng Lee,Chun Chi Chen,Yun-Zong Tian,Wei Jun Chen. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor manufacturing device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230326753A1. Автор: Satoshi Nagai,Hirofumi Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210296143A1. Автор: Satoshi Nakaoka,Shinsuke MURAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods and apparatus for characterizing a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240231233A9. Автор: Niek Willem KLEIN KOERKAMP,Marc Hauptmann,Aliasghar Keyvani Janbahan,Jingchao WANG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of simulating semiconductor manufacture with process functions according to user application

Номер патента: US5845105A. Автор: Kiyoshi Ishikawa,Tatsuya Kunikiyo,Masato Fujinaga,Kenichiro Sonoda,Norihiko Kotani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230197473A1. Автор: Yusuke Yadani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240071789A1. Автор: Takanobu Ono,Shoma Omura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230036107A1. Автор: Atsushi Yoshida,Yosuke Nakanishi,Shinichiro Katsuki,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253233A1. Автор: Kazuo Fujimura,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266194A1. Автор: Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor manufacturing apparatus, carrier jig, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290666A1. Автор: Keita Yamamoto. Владелец: Fasford Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor manufacturing apparatus and wafer processing method

Номер патента: US20060292714A1. Автор: Seok-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20240272245A1. Автор: SHINJI Ueyama,Kenji Suzuki,Ken Ozawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220399222A1. Автор: WU LI,Tsubasa IMAMURA,Yuto Itagaki,Minki Chou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20160233135A1. Автор: Masao Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170040189A1. Автор: Takashi Watanabe,Jun Takayasu,Takayuki Nakayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080248652A1. Автор: Keiichirou Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Plasma processing method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110250758A1. Автор: Ki-sang Kim,Jong-Bum Kim,In-Joong Kim,Hyun-Su JUN,Seung-Heong Lee,Min-Woung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Method for determining a control parameter for an apparatus utilized in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20210132508A1. Автор: Chenxi Lin,Cyrus Emil TABERY,Hakki Ergün Cekli,Hendreik Celine VAN GORP Simon. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing device, and system

Номер патента: US20230223251A1. Автор: Koji Akiyama,Yoji Iizuka,Mitsuaki Iwashita,Kenji Sekiguchi,Takashi Hayakawa,Hirokazu Ueda,Naoki UMESHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor Manufacturing Device, Push-up Unit, and Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20240312825A1. Автор: Akira Saito,Yuta ONO,Takumi SASSA. Владелец: Fasford Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Diagnostic device, semiconductor manufacturing equipment system, semiconductor equipment manufacturing system, and diagnostic method

Номер патента: US20240321608A1. Автор: Masahiro Sumiya,Ryoji ASAKURA,Pushe ZHAO. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09966248B2. Автор: Takahiro Onishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09899278B2. Автор: Masao Ishikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09793102B2. Автор: Kazuyuki Miura,Kensuke Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09761415B2. Автор: Osamu Miyagawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09734993B2. Автор: Atsushi Kobayashi,Kazuyuki Miura,Akira Yasumuro. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09514952B2. Автор: Tomohiko Sugita,Hiroyasu Iimori,Takehiro Ogata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for using acoustic waves for purging filters in semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US09480938B2. Автор: Guy Jacobson. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and device for processing semiconductor manufacturing information

Номер патента: US20220019203A1. Автор: Kai Yang,Jingwei Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Supply control system for a plurality of tanks

Номер патента: US20230408034A1. Автор: Young-Soo Choi,Jihoon Kim,Sang-Keun Lee,Yong-Tae Kim,John Paul PREGO,Anthony John Smith,Shawn S. Cable,William Thomas Piltz,Cynthia Lee Hughes,Sang-Jae Yim,Tae-Ug Kang,Ho-San Kwon,Sung-Up Jang,Hyo-Jong Hwang,Bang-Yeon Yu. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

I/O cell configuration for a differential amplifier on a semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP2930745A3. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Defect detection process in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US20160349735A1. Автор: David F. Cutilli,Matthew J. Hartnett,Keith A. Robishaw,Glenn M. Stefanski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20030205733A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Method for manufacturing photomask and semiconductor manufacturing method thereof

Номер патента: US20190354006A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu,Wei-Chung HU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Machine learning model for semiconductor manufacturing processes

Номер патента: US20240332092A1. Автор: Zhiqiang Huang,Roger Alan Lindley,Li Ming Tan,Olivia Fatma KOENTJORO,Joanna Kejun LOH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240312809A1. Автор: Takashi Ohashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Machine learning model for semiconductor manufacturing processes

Номер патента: WO2024205774A1. Автор: Zhiqiang Huang,Roger Alan Lindley,Li Ming Tan,Olivia Fatma KOENTJORO,Joanna Kejun LOH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Defect detection process in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US09791849B2. Автор: David F. Cutilli,Matthew J. Hartnett,Keith A. Robishaw,Glenn M. Stefanski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09694523B2. Автор: Yasuo TERUI,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Channel member, and heat exchanger, semiconductor unit, and semiconductor manufacturing apparatus including the same

Номер патента: US09448014B2. Автор: Hiroyuki Abe,Kenji Tsubokawa,Kazuhiko Fujio,Kenjiro Maeda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor package structure and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09443921B2. Автор: Chi-Han Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20210272810A1. Автор: Koichi Ashizawa,Hiroki ARIMA. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and system for controlling semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20070227448A1. Автор: Tetsu Tomine. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method using substrate distortion correction

Номер патента: US9209052B2. Автор: Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Yumi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-08.

Method and system for controlling semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US7684903B2. Автор: Tetsu Tomine. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Insulated top side bump connection for a power device, for example for gate, source and drain contacts of a power field effect transistor

Номер патента: WO2014149579A1. Автор: Gregory Dix,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method of coating a semiconductor wafer with high viscosity liquid photoresist using N2 purge

Номер патента: US11994801B2. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor Device and Method of Coating a Semiconductor Wafer with High Viscosity Liquid Photoresist Using N2 Purge

Номер патента: US20240272555A1. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device and Method of Coating a Semiconductor Wafer with High Viscosity Liquid Photoresist Using N2 Purge

Номер патента: US20220365436A1. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Concept for compensating for a mechanical stress of a hall sensor circuit integrated into a semiconductor substrate

Номер патента: US20190353717A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

System and method for a switching transistor

Номер патента: US09929727B2. Автор: Enrique Vecino Vazquez,Katarzyna Kowalik Seidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09911709B1. Автор: Chun-Jun ZHUANG,Wei-Hang Tai,Pin-Ha Chuang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Asymmetric formation approach for a floating gate of a split gate flash memory structure

Номер патента: US09691883B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US10546769B2. Автор: Kenji Takahashi,Eiji Takano,Masaya Shima,Tatsuhiko Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Proximity correction methods for semiconductor manufacturing processes

Номер патента: US20210405521A1. Автор: Jongwon Kim,Taehoon Kim,Changwook Jeong,Jaeho Jeong,Jeonghoon Ko,Yejin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Proximity correction methods for semiconductor manufacturing processes

Номер патента: US11733603B2. Автор: Jongwon Kim,Taehoon Kim,Changwook Jeong,Jaeho Jeong,Jeonghoon Ko,Yejin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of generating quality affecting factor for semiconductor manufacturing process and generating system for the same

Номер патента: US20160202312A1. Автор: Sehoon Kim,Chanhun PARK,SeungLi Kim,Bokyoung KANG,Ji-Youn KWON,Gilhan KIM,Byonghun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Process recipe, method and system for generating same, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20230221702A1. Автор: Shaowen QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20210349388A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240234362A9. Автор: Cheolan KWON,Jingyu MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Conductive electrostatic chuck lift pin, electrostatic chuck comprising the same, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20230282507A1. Автор: Joon Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20030217460A1. Автор: Shinichi Nishiura. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Cleaning method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20130014779A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Yi-Wei Chen,Kuo-Chih Lai,Shu-Min HUANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

A low resistance embedded strap for a trench capacitor

Номер патента: GB2497201B. Автор: Geng Wang,Werner Rausch,Chengwen Pei,Karen Nummy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method for manufacturing a semiconductor arrangement

Номер патента: US20230005877A1. Автор: Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-05.

Assembly for a semiconductor photonic component

Номер патента: US12087869B2. Автор: Peter Johannes Martinus Bukkems,Barry Mos. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Control of a semiconductor component of a current limiter

Номер патента: EP4439896A1. Автор: Ulf Hansson,Tony WIKMAN,Joakim BERGQVIST. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-02.

Electronic control of protection parameters for a semiconductor switch

Номер патента: US20240356458A1. Автор: Junghoon Kim,Chunhao J. Lee,Brian A. Welchko,Muhammad Hussain Alvi,Eric Bernard Gach. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor package structure, semiconductor wafer level package and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20200144143A1. Автор: Dao-Long Chen,Chih-Pin Hung,Ming-Hung Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method and apparatus for autonomous tool parameter impact identification system for semiconductor manufacturing

Номер патента: US09746849B2. Автор: Sanjeev Kaushal,Sukesh Janubhai Patel,Wolfgang Polak,Orion Wolfe,Aaron Archer Waterman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09679775B2. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Production method for a semiconductor device

Номер патента: US09530672B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Embedded planar source/drain stressors for a finFET including a plurality of fins

Номер патента: US09443951B2. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Jeffrey W. Sleight,Paul Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09418846B1. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US7871896B2. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-01-18.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332892A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Chung-Hsun Lin,Jeffrey N. Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US20110081767A1. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Cooling system for a semiconductor device assembly

Номер патента: US20240194565A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Ravi Kumar Kollipara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Method to predict metrology offset of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240094640A1. Автор: Vahid BASTANI,Reza SAHRAEIAN,Thiago DOS SANTOS GUZELLA,Putra SAPUTRA,Masashi Ishibashi,NoriaKi SANNO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US7712650B2. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Method and apparatus for a semiconductor package for vertical surface mounting

Номер патента: US20030082856A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332890A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Method for determining an inspection strategy for a group of substrates in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US11740560B2. Автор: Alexander Ypma,Dimitra GKOROU,Juan Manuel GONZALEZ HUESCA,Reza SAHRAEIAN,Eleftherios KOULIERAKIS,Carlo LANCIA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of monitoring a semiconductor manufacturing trend

Номер патента: US20070013399A1. Автор: Dieter Rathei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Cavity-disrupting backside trench fill structures for a three-dimensional memory device and method of making the same

Номер патента: US20200227318A1. Автор: Motoki KAWASAKI,Toshiyuki Sega. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US20070080190A1. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

System and method for compiling documents and tracking technology changes in a semiconductor manufacturing environment using a document generation engine

Номер патента: US20050206957A1. Автор: Chung-Lun Kuo,Yu-Tai Chia,Tse-Lun Tsai,Shiun-Huan Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Method and apparatus for a semiconductor package for vertical surface mounting

Номер патента: US20010017407A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09720013B2. Автор: Yi-Che Lai,Pin-Cheng Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09515116B1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Dummy gate for a high voltage transistor device

Номер патента: US09508605B2. Автор: Han-Chung Lin,Yung-Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Headlight for a motor vehicle having an interchangeable complex light source

Номер патента: US09476555B2. Автор: Matthias Brendle,Michael Hamm,Kamislav Fadel. Владелец: AUTOMOTIVE LIGHTING REUTLINGEN GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US09472642B2. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Outline forming method for semiconductor device and semiconductor manufacturing device used in this method

Номер патента: US5883440A. Автор: Toshiki Koyama,Toru Terasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer

Номер патента: EP3042164A1. Автор: Robert John Wilby,Adrian Kiermasz. Владелец: Metryx Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

Method and device for determining the temperature of a semiconductor substrate

Номер патента: EP2010880A2. Автор: Srdjan Kordic,Jean-Philippe Jacquemin,Meindert M. Lunenborg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor manufacturing chamber with plasma/gas flow control device

Номер патента: US20230369027A1. Автор: Chien-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Multi-silicide structure for a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US12040375B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US20230076573A1. Автор: Shingo Inoue,Ikuo Nakashima. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Cutoff gate electrodes for switches for a three-dimensional memory device and method of making the same

Номер патента: US20210391351A1. Автор: Akira Inoue,Masayuki Hiroi,Takuma Takimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for manufacturing a substrate for a front-facing image sensor

Номер патента: US12100727B2. Автор: Christophe Maleville,Walter Schwarzenbach,Ludovic Ecarnot,Nicolas Daval,Christophe Girard,Nadia Ben Mohamed,Damien Massy. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-24.

Heterostructure of an electronic circuit having a semiconductor device

Номер патента: US12094964B2. Автор: Alexander Ruf,Stefan SCHMULT,Andre Wachowiak. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2024-09-17.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240371859A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US12080706B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and device for determining the temperature calibration characteristic curve of a semiconductor component appertaining to power electronics

Номер патента: US09927483B2. Автор: Sebastian Hiller,Marco BOHLLÄNDER,Christian Herold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Forming a contact for a semiconductor device

Номер патента: US09917060B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer

Номер патента: US09903750B2. Автор: Robert John Wilby,Adrian Kiermasz. Владелец: Metryx Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Protection device for a semiconductor switch, and method for operating a protection device for a semiconductor switch

Номер патента: US09866211B2. Автор: Peter Sinn,Sebastian Laich. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-09.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09859186B2. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Low-impedance power delivery for a packaged die

Номер патента: US09831225B2. Автор: Alex Waizman,Brian S. Schieck,Gurpreet SHINH,Donald E. TEMPLETON. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799667B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Interposer, semiconductor package with the same and method for preparing a semiconductor package with the same

Номер патента: US09761535B1. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Package for a differential pressure sensing die

Номер патента: US09593995B2. Автор: David E. Wagner,John J. Valentini. Владелец: Measurement Specialties Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US09559038B2. Автор: Eric M. Johnson,Christopher J. Schmit. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2017-01-31.

Interface circuit for a hearing aid and method

Номер патента: US09557755B2. Автор: Henrik AHRENDT. Владелец: GN Resound AS. Дата публикации: 2017-01-31.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09543226B1. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Coriant Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor system with training function for a data strobe signal

Номер патента: US09466349B1. Автор: Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Crosslinking a back grinding tape for a semiconductor wafer

Номер патента: US20240222183A1. Автор: Ankur Harish Shah,Venkateswarlu Bhavanasi,Wen How Sim,Harjashan Veer Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Temperature control system and temperature control method for semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20240192712A1. Автор: Minsu Lee,Jonghwa Kim,Hyeonjun Yun,Sangsu Yeh,Jooyeop Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US10741421B2. Автор: Yukinobu Miyamoto,Takanori FUKUSUMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Method for evaluating stability of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20190229024A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor manufacturing apparatus and method

Номер патента: US20150004789A1. Автор: Kenji Matsuzaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20230343651A1. Автор: Yuan-Chi Pai,Wen Yi Tan,Dian Han Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Gate valve apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230317480A1. Автор: Masahiro DOGOME. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor manufacturing process control method and apparatus, device, and storage medium

Номер патента: US12040240B2. Автор: yu-han Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor manufacturing device and method of using the same

Номер патента: US20230093400A1. Автор: Keiji Nakagawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20190171198A1. Автор: Chih-Cheng Lu,Yi-Chun Chiu,Chun-Kai Huang,Chun-Chung Chen,Chen-Tsu Fu,Sheng-Fu Tsai. Владелец: Foxsemicon Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Digital holography microscope (DHM), and inspection method and semiconductor manufacturing method using the DHM

Номер патента: US12045009B2. Автор: Changhoon Choi,Myungjun Lee,Gwangsik Park,Wookrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor manufacturing device, wafer conveyance system, wafer conveyance method, and non-transitory computer readable medium for wafer conveyance sytem

Номер патента: US20230274963A1. Автор: Teppei Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab

Номер патента: EP4196851A1. Автор: Cyrus Emil TABERY,Vahid BASTANI,Tijmen Pieter COLLIGNON,Pavel SMAL,Thiago DOS SANTOS GUZELLA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for cleaning off deposit in chamber of same

Номер патента: US12051572B2. Автор: Wulin HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for dicing a semiconductor wafer, a chip diced from a semiconductor wafer, and an array of chips diced from a semiconductor wafer

Номер патента: US20110147898A1. Автор: Paul A. Hosier,Nicholas J. Salatino. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Rotational flow generator, piping system, semiconductor manufacturing apparatus, and heat exchanger

Номер патента: US12038023B2. Автор: Toyohiko Shindo. Владелец: Contamination Control services Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Metallization structures under a semiconductor device layer

Номер патента: US11658183B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor manufacturing apparatus and method

Номер патента: US20030077912A1. Автор: Ken Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20210384067A1. Автор: Zhan Ying,Qiang Zhang,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

System for holding an object in a semiconductor manufacturing process, lithographic apparatus provided with said system and method

Номер патента: EP4220302A1. Автор: Marcus Adrianus Van De Kerkhof,Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders,Paul VAN DONGEN. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-02.

Electronic basic unit for a system on chip

Номер патента: US20060151876A1. Автор: Markus Steiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080166822A1. Автор: Kenji Yoneda,Masahiko Niwayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110281437A1. Автор: Keiichirou Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20230294238A1. Автор: Yasuhide Okada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Bubbler for use in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240278142A1. Автор: Tae Hwa LIM,Myeong Mun KIM. Владелец: Rc Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240203762A1. Автор: Yoshinori Oda,Kohei Nakamura,Kazufumi Nomura,Aoi SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20240030295A1. Автор: Yong Xie,Qiang Gao,Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US12080606B2. Автор: Yan XIE,Xuanjun LIU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Process proximity correction method based on deep learning, and semiconductor manufacturing method comprising the process proximity correction method

Номер патента: US20240320412A1. Автор: Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of controlling rotation of stage

Номер патента: US12094746B2. Автор: Takehiro Shindo,Ryotaro Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20150262851A1. Автор: Daisuke Yamashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Electronic basic unit for a system on chip

Номер патента: US7977973B2. Автор: Markus Steiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-12.

Fabrication method for a capacitor having high capacitance

Номер патента: US6114213A. Автор: Dong Sun Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12119244B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor manufacturing apparatus and earth shield

Номер патента: US11887826B2. Автор: Takashi Izumi,Akitsugu Hatazaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Temperature control system, semiconductor manufacturing device, and temperature control method

Номер патента: US09984908B2. Автор: Atsushi Kobayashi,Keiichi Nishikawa,Takahiro Minatani,Yasuhisa Hirose,Hideki Wakai,Kazutoshi Itoh,Atsuhiko Tabuchi. Владелец: CKD Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Aluminum nitride electrostatic chuck used in high temperature and high plasma power density semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09972520B2. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Yang-Kuao Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2018-05-15.

System and method for a switched-mode power supply

Номер патента: US09948187B2. Автор: Xiao Wu Gong,Yong Siang Teo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor manufacturing process and package carrier

Номер патента: US09922934B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Chih-Hung Cheng,Shih-Hui Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor manufacturing device and processing method

Номер патента: US09859146B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Takehiro Kato,Shinji Himori,Etsuji Ito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: US09768080B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Feng-Inn Wu,Jia-Jhen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Spacer system for a semiconductor switching device

Номер патента: US09698067B2. Автор: Thomas Stiasny. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Housing for a semiconductor chip, housing composite, semiconductor component and method of producing a semiconductor component

Номер патента: US09685593B2. Автор: Stephan Haslbeck,Martin Haushalter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated magnetic field sensor and method for a measurement of the position of a ferromagnetic workpiece with an integrated magnetic field sensor

Номер патента: US09647144B2. Автор: Klaus Heberle. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US09646919B2. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and system for cleansing wafer in CMP process of semiconductor manufacturing fabrication

Номер патента: US09610615B2. Автор: Chia-Lin Hsueh,Chia-Ying TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US09564385B2. Автор: Christopher J. Schmit,Brij N. Singh. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2017-02-07.

Elastic positioning structure for a semiconductor carrier

Номер патента: US09511891B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of semiconductor manufacture utilizing layer arrangement to improve autofocus

Номер патента: US09502282B2. Автор: Masahiro Tadokoro,Takuya Hagiwara,Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor system for a current sensor in a power semiconductor

Номер патента: US09478613B2. Автор: Frank Wolter,Timm Hoehr,Thomas Jacke,Holger Ruething,Christian Pluntke,Guenther Koffler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-25.

Circuit including a transformer for driving a semiconductor switching element

Номер патента: US09455704B2. Автор: Bernhard Strzalkowski,Jens Barrenscheen,Marcus Nuebling. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system

Номер патента: US09452379B2. Автор: Edward L. Pepe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US09379193B2. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger M. Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-28.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240006226A1. Автор: Mitsuru Kojima,Hiroshi Takebayashi,Jyunya Waki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20020173057A1. Автор: Toshiyuki Makita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor manufacturing system, controller, semiconductor manufacturing system control method, and processing liquid collection method

Номер патента: US20110046797A1. Автор: Atsushi Osada,Tetsu Tomine. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310437A1. Автор: Takafumi Yamamoto,Takuya Nomoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Data management method for semiconductor manufacturing apparatus and control device provided with ring buffer

Номер патента: US20220221835A1. Автор: Masayuki Fujiki. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Photomask layout for a semiconductor device and method of forming a photomask pattern using the photomask layout

Номер патента: US20080113278A1. Автор: Sang-Hee Lee,Ho-June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Ncfet transistor comprising a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20240170577A1. Автор: Ionut Radu,Guillaume BESNARD,Sorin Cristoloveanu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-23.

Partitioning wafer processing and hybrid bonding of layers formed on different wafers for a semiconductor assembly

Номер патента: WO2024044369A1. Автор: Rahul Agarwal,Raja Swaminathan,Chandra Sekhar Mandalapu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for controlling a semiconductor-laser-diode-based ss- interferometer system

Номер патента: US20220244178A1. Автор: Thomas Pabst,Manfred Dick,Roland Bergner,Ralf Ebersbach,Rainer Leitgeb. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Heat dissipation device for a converter for a vehicle, power converter, electric axle drive, vehicle and method for producing a heat dissipation device

Номер патента: US20240030094A1. Автор: Thomas Bösch,Manuel Raimann. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Lead frame assembly for a semiconductor device

Номер патента: US20240258207A1. Автор: Adam Brown,Dave Anderson,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

A semiconductor device in a thin active layer with high break-down voltage

Номер патента: SG54996A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-12-21.

Reflective contact for a semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2009122371A1. Автор: Henry Kwong-Hin Choy,Daniel A. Stiegerwald. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for manufacturing a semcoductor component and a semiconductor component, in particular a diaphragm sensor

Номер патента: US20080093694A1. Автор: Heribert Weber,Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schafer,Thorsten Pannek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of making a polycide interconnection layer having a silicide film formed on a polycrystal silicon for a semiconductor device

Номер патента: US20030205769A1. Автор: Hirotomo Miura. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Oscillator method and apparatus for a test chip

Номер патента: US6861912B1. Автор: Jason H. Culler,Peter Shaw Moldauer. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-01.

Method for actuating a semiconductor power switch, actuation circuit for a semiconductor power switch, and electronic circuit breaker

Номер патента: US12074591B2. Автор: Marvin Tannhäuser,Fabian Döbler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Device for manipulating qubits for a semiconductor spin qubit quantum computer

Номер патента: WO2024179673A1. Автор: Matthias Künne,Jörg Hendrik BLUHM,Lars Reiner SCHREIBER,Alexander WILLMES. Владелец: RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE (RWTH) AACHEN. Дата публикации: 2024-09-06.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Compound Semiconductor Substrate For a Field Effect Transistor

Номер патента: US20090261382A1. Автор: Matthew Francis O'Keefe,Richard Alun Davies,Michael Charles Clausen,Robert Grey. Владелец: FILTRONIC PLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Reflective contact for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2263267A1. Автор: Henry Kwong-Hin Choy,Daniel A. Stiegerwald. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2010-12-22.

Compound semiconductor substrate for a field effect transistor

Номер патента: US7868356B2. Автор: Matthew Francis O'Keefe,Richard Alun Davies,Michael Charles Clausen,Robert Grey. Владелец: FILTRONIC PLC. Дата публикации: 2011-01-11.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Structure and method for a field effect transistor

Номер патента: US09985111B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for connecting a semiconductor chip metal surface of a substrate by means of two contact metallization layers and method for producing an electronic module

Номер патента: US09978711B2. Автор: Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN,Christian Stahlhut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US09917229B2. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

System and method for a vertical tunneling field-effect transistor cell

Номер патента: US09865716B2. Автор: Ming Zhu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of forming low defect replacement fins for a FinFET semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US09614058B2. Автор: Jody Fronheiser,Ajey P. Jacob,Kerem Akarvardar,Witold P. Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Multiheight contact via structures for a multilevel interconnect structure

Номер патента: US09601502B2. Автор: Michiaki Sano,Keisuke Izumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Preform structure for soldering a semiconductor chip arrangement, a method for forming a preform structure for a semiconductor chip arrangement, and a method for soldering a semiconductor chip arrangement

Номер патента: US09536851B2. Автор: Friedrich Kroener. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Variable buried oxide thickness for a waveguide

Номер патента: US09423563B2. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor component and an operating method for a protective circuit against light attacks

Номер патента: US09419623B2. Автор: Uwe Weder,Thomas Kuenemund,Dennis Tischendorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and apparatus for reducing loading effects on a semiconductor manufacturing component during an etch process

Номер патента: US6703170B1. Автор: Massimiliano Pindo. Владелец: Dupont Photomasks Inc. Дата публикации: 2004-03-09.

Method and system for correcting a fault in a semiconductor manufacturing system

Номер патента: WO2005094398A3. Автор: Paul Brown,Eric Kauffman. Владелец: Eric Kauffman. Дата публикации: 2007-03-01.

Deterioration Prediction System and Deterioration Prediction Method for Semiconductor Manufacturing Equipment or Semiconductor Inspection Equipment

Номер патента: US20240111281A1. Автор: Takashi Doi,Kenji Tamaki,Fumihiro Sasajima,Wataru KANNO. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and system for correcting a fault in a semiconductor manufacturing system

Номер патента: EP1725892A2. Автор: Paul Brown,Eric Kauffman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-11-29.

Method and system for correcting a fault in a semiconductor manufacturing system

Номер патента: EP1725892A4. Автор: Paul Brown,Eric Kauffman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Method and system for correcting a fault in a semiconductor manufacturing system

Номер патента: WO2005094398A2. Автор: Paul Brown,Eric Kauffman. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-10-13.

Technique for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20220319861A1. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Yi-Lun Chen,Jung-Hao CHANG,Yi-Chen Lo,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin,Fo-Ju Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Controller module for a semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20040005730A1. Автор: Bu-Jin Ko. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor manufacturing system, controller, semiconductor manufacturing system control method, and processing liquid collection method

Номер патента: US20080208386A1. Автор: Atsushi Osada,Tetsu Tomine. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for calculating throughput in semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and computer program product

Номер патента: US20240213065A1. Автор: Shunsuke Kagaya. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for Rapid Thermal Treatment Using High Energy Electromagnetic Radiation of a Semiconductor Substrate for Formation of Dielectric Films

Номер патента: US20100009528A1. Автор: Fumitake Mieno,David Gao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: US20240243547A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: Streamlight Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20190273109A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method and structure for a semiconductor fuse

Номер патента: US20010014509A1. Автор: Jed Rankin,William Motsiff,Timothy Daubenspeck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

A semiconductor chip for a mobile telephone which includes a text to speech system, a method of aurally presenting a notification or text message from a mobile telephone and a mobile telephone

Номер патента: WO2003107630A1. Автор: Paul William Shields. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2003-12-24.

Headlight for a vehicle with a cooling device for a semiconductor illuminant

Номер патента: US20200355341A1. Автор: Bernd Fischer,David Duhme,Marc Kaup,Mathias DRUEPPEL. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Active clamp for a semiconductor switch

Номер патента: US20140063667A1. Автор: Mikko SAARINEN. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2014-03-06.

Ruthenium-based liner for a copper interconnect

Номер патента: US12094770B2. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Yen-Chun Lin,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin,Ming-Yuan Gao,Huei-Wen Hsieh,Kai-Shiang KUO,Cheng-Hui Weng,Ming-Chou Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, manufacturing method for a semiconductor device, and nontransitory computer readable medium storing a pattern generating program

Номер патента: US20170092656A1. Автор: Satoshi Nagai,Eiji Yoneda,Kentaro Matsunaga,Koutarou Sho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Protection apparatus for a load resistor, and method for operating such a protection apparatus

Номер патента: US12113352B2. Автор: Robert Lange,Marco Seja. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Programmed data verification for a semiconductor memory device

Номер патента: US09478280B2. Автор: Dong-ku Kang,Jae-Duk Yu,Dae-Yeal Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09443802B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor manufacturing system

Номер патента: US11852982B2. Автор: Yu-Yu Chen,Chih-Yuan Yao,Hsiang-Lung TSOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and system for throughput determination of a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20170031347A1. Автор: Hyun-Jin Lee,Rajesh-Satish Chaukwale,Rathish Balagangadhar,Vishal-Rajendra Gujalwar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20220299890A1. Автор: Yu-Yu Chen,Chih-Yuan Yao,Hsiang-Lung TSOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Detecting defects of semiconductor manufacturing assemblies

Номер патента: US20240162065A1. Автор: Chih-Yang Chang,Yao-Hung Yang,Shannon WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Control of semiconductor manufacturing equipment in mixed reality environments

Номер патента: US20240192653A1. Автор: Chung-Ho Huang,Rainer UNTERGUGGENBERGER,Christopher Thorgrimsson,Henry T. Chan,Terrence George BERNIER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing semiconductor device, method of washing semiconductor manufacturing apparatus, and method of measuring cleanliness of washing solution

Номер патента: US20230243780A1. Автор: Tetsuya Kamimura,Ryo Saito,Naotsugu Muro,Masahiro Yoshidome,Akihiko Ohtsu,Yukihisa KAWADA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Gap filling method in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240006229A1. Автор: Kenichi Sano,Yi-Hsiu Chen,Andrew Joseph Kelly,Shao-An WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060270161A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing an assembly of conductors and a semiconductor device manufactured by means of such an assembly

Номер патента: US6340634B1. Автор: Johannes M. A. M. Van Kempen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-01-22.

Method of Manufacturing a Trench Oxide in a Trench for a Gate Structure in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20200212203A1. Автор: Moriz Jelinek,Michael Stadtmueller,Kang Nan Khor,Armin Schieber,Wei-Lin Sun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-07-02.

A method of cleaning a semiconductor substrate for a solar cell, and a corresponding cleaning system

Номер патента: WO2023126153A1. Автор: Muzhi TANG,Chui Yu CHAN. Владелец: MEWBURN ELLIS LLP. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Layered optics for a projector

Номер патента: US20190268563A1. Автор: Zhongyan Sheng,Gavin Camillo PERRELLA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacturing a trench oxide in a trench for a gate structure in a semiconductor substrate

Номер патента: EP3675179A8. Автор: Moriz Jelinek,Michael Stadtmueller,Kang Nan Khor,Armin Schieber,Wei-Lin Sun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-12.

Support for a semiconductor structure

Номер патента: SG11201906017UA. Автор: Marcel Broekaart,Patrick Reynaud,Luciana Capello,Christelle Veytizou,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2019-08-27.

Protective layer for a semiconductor device

Номер патента: EP1214740A1. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski,Jan Szmidt. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2002-06-19.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20190319112A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Substrate output for a semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US5121194A. Автор: Hiroki Hozumi,Kichio Aida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Passivation layer for a semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230197550A1. Автор: Chih Hung Wang,Yu-Lung Yeh,Li Chun Liu,Ching Feng Lee,Chun Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Lead frame, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US8952508B2. Автор: Eitaro Miyake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Amplifier system for a power converter

Номер патента: US20120182069A1. Автор: Gerald R. Stanley. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

System for cleaning wafer in cmp process of semiconductor manufacturing fabrication

Номер патента: US20210060624A1. Автор: Chia-Lin Hsueh,Chia-Ying TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing a semiconductor device and a resin sealing device therefor

Номер патента: US20030180985A1. Автор: Itaru Matsuo,Yoshiyuki Mishima,Kiyoharu Katou. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

A method of cleaning a semiconductor substrate for a solar cell, and a corresponding cleaning system

Номер патента: AU2022424273A1. Автор: Muzhi TANG,Chui Yu CHAN. Владелец: REC Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Current sensor for a semiconductor device and system

Номер патента: EP2387075A3. Автор: Francois Hebert,Dev Alok Girdhar. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Method of attaching a terminal to a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module

Номер патента: WO2023166165A1. Автор: Fabian Fischer,Martin Bayer,David GUILLON,Andreas Roesch,Giovanni A. SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-09-07.

Micromechanical component, intermediate product produced by a manufacturing method, and manufacturing method for a micromechanical component

Номер патента: US20130044363A1. Автор: Jochen Reinmuth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-21.

Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment

Номер патента: WO2010045237A2. Автор: Larry Wayne Shive,Brian Lawrence Gilmore,Timothy John Snyder. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2010-04-22.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20200185509A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of attaching a terminal to a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module

Номер патента: EP4239660A1. Автор: Fabian Fischer,Martin Bayer,David GUILLON,Andreas Roesch,Giovanni A. SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-09-06.

Process for producing a receiver substrate for a semiconductor-on-insulator structure for radiofrequency applications and process for producing such a structure

Номер патента: US20210407849A1. Автор: Marcel Broekaart,Damien Parissi. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and apparatus for welding a semiconductor substrate with a laser

Номер патента: WO2014140423A3. Автор: Jarno Kangastupa,Samuli Kivistö. Владелец: CORELASE OY. Дата публикации: 2015-02-12.

Process for manufacturing a charge-balance power diode and an edge-termination structure for a charge-balance semiconductor power device

Номер патента: US20080001223A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Saggio,Domenico Murabito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of fabricating a semiconductor memory having an address decoder

Номер патента: US5733807A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Method for evaulating of molding material with dams formed on a semiconductor substrate to define slits for capturing the fillers contained in the molding material

Номер патента: US20020088974A1. Автор: Masaru Takahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

System and method for photolithography in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060172520A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Design Structure for a Metal Fill Region of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20080082300A1. Автор: Salvatore N. Storino,Chun-Tao Li,Steven J. Baumgartner,Mankit Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Liner for a bi-layer gate helmet and the fabrication thereof

Номер патента: US20240322041A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Chung-Wei Hsu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20170005070A1. Автор: David Jon Hiner,Doo Hyun Park,Michael G. Kelly,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

High thermal dissipation features for a flip chip structure

Номер патента: US20240304515A1. Автор: Gang Liu,Cong Zhang,Xuyi Yang,Jerry Tang,Hope Chiu,Zengyu Zhou,Yiqin HUANG,Kandy Sun. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Method to reduce resistance for a copper (CU) interconnect landing on multilayered metal contacts, and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US09991202B2. Автор: Atsushi Ogino,Justin C. Long,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Flow over wire die attach film and conductive molding compound to provide an electromagnetic interference shield for a semiconductor die

Номер патента: US09953933B1. Автор: Rennier Rodriguez,Ela Mia Cadag,Aaron CADAG. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09911778B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US09799669B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor arrangement for a FinFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09780200B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Ion implantation apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09773712B2. Автор: Takayuki Ito,Toshihiko Iinuma,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Arrangement for a semiconductor-based pressure sensor chip and pressure sensor chip

Номер патента: US20200408629A1. Автор: Michael Pierschel. Владелец: FIRST SENSOR AG. Дата публикации: 2020-12-31.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

System and method of filtering actual defects from defect information for a wafer

Номер патента: US09703919B2. Автор: Tsung-Hsien Lee,Min-Hsin HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor variable resistor and semiconductor manufacturing method thereof

Номер патента: US09679894B1. Автор: Yu-Hsiang Shu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Isolation method for a stand alone high voltage laterally-diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) transistor

Номер патента: US09666511B2. Автор: Shen-Ping Wang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Tzu-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Tray for a wafer with tape frame

Номер патента: US09666468B2. Автор: Masayuki Nishijima. Владелец: Achilles Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US09627353B2. Автор: David Jon Hiner,Doo Hyun Park,Michael G. Kelly,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Driving method for a semiconductor device with an oxide semiconductor layer between two gate electrodes

Номер патента: US09449706B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Buffer circuit for compensating for a mismatch between on-die termination resistors and semiconductor device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09438232B2. Автор: Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus involving thickness measurements

Номер патента: US11424168B2. Автор: Kazuaki Mikami,Kazunori Kanada,Haruhiko Minamitake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor manufacturing system, behavior recognition device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11860607B2. Автор: Hsiang Yin SHEN,Li-Jen Ko,Kai-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Performance predictors for semiconductor-manufacturing processes

Номер патента: WO2021154747A1. Автор: Saravanapriyan Sriraman,Michal Danek,Sanjay Gopinath,Lee J. Brogan,Benjamin Allen Haskell,David G. Cohen,Kapil Umesh Sawlani,Ravi Vellanki,Sassan Roham. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20190296001A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Tetsuya Kurosawa,Toshihiko Ohda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor manufacturing system, behavior recognition device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20240094705A1. Автор: Hsiang Yin SHEN,Li-Jen Ko,Kai-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20210384087A1. Автор: Kazuaki Mikami,Kazunori Kanada,Haruhiko Minamitake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Fault monitoring system and method used during semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP3958296A1. Автор: Huancheng LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Fault monitoring system and method for semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20210358784A1. Автор: Huan-Cheng Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing method thereof

Номер патента: US20240136199A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Cooling interface region for a semiconductor die package

Номер патента: US20240128149A1. Автор: Wei-Kong Sheng,Cheng-chieh Hsieh,Yu-Jen Lien,Ke-Han SHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Protecting device for a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US3896341A. Автор: Koji Kodama. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1975-07-22.

Device for moving qubits for a semiconductor spin qubit quantum computer

Номер патента: WO2024179675A1. Автор: Inga SEIDLER,Jörg Hendrik BLUHM,Lars Reiner SCHREIBER,Nils FOCKE. Владелец: RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE (RWTH) AACHEN. Дата публикации: 2024-09-06.

Mounting arrangement for a semiconductor element

Номер патента: WO2000070671A1. Автор: Leif Bergstedt,Katarina Boustedt. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2000-11-23.

Power overlay package for a semiconductor device

Номер патента: US20240266270A1. Автор: Christopher James Kapusta,Arun Virupaksha Gowda,Robert Dwayne Gossman,Risto Ilkka Sakari Tuominen,Ljubisa D. Stevanovic. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-08-08.

Injector for a semiconductor fabrication tool

Номер патента: US20240222149A1. Автор: Mike Halpin,Steve Burch. Владелец: Helios Technical Services LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Device for connecting qubits for a semiconductor spin qubit quantum computer

Номер патента: WO2024179674A1. Автор: Matthias Künne,Jörg Hendrik BLUHM,Lars Reiner SCHREIBER,Alexander WILLMES,Harsh Bhardwaj,Eugen Kammerloher,Ran XUE. Владелец: RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE (RWTH) AACHEN. Дата публикации: 2024-09-06.

Power overlay package for a semiconductor device

Номер патента: EP4428904A1. Автор: Christopher James Kapusta,Arun Virupaksha Gowda,Robert Dwayne Gossman,Ljubisa Stevanovic,Risto Ilkka Sakari Tuominen. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240312982A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9583331B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Manufacturing Method Using Maskless Capping Layer Removal

Номер патента: US20110006378A1. Автор: Muhammad Hussain,Chang Seo Park. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Multiple field of view calibration plate for use in semiconductor manufacturing

Номер патента: US5978081A. Автор: David Michael,Aaron Wallack. Владелец: Cognex Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Device maintenance in semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US20220355425A1. Автор: Shih Yi-Cheng,Vincent Chien,Hill Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Device maintenance in semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US11850692B2. Автор: Shih Yi-Cheng,Vincent Chien,Hill Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Device maintenance in semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US11819965B2. Автор: Shih Yi-Cheng,Vincent Chien,Hill Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of semiconductor manufacturing apparatus and non-transitory computer-readable storage medium storing a program of causing computer to execute design method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US10890899B2. Автор: Ryuichiro Mitani,Akihiko Ogawa,Mitsunori Sugiyama. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing a semiconductor

Номер патента: US20100323528A1. Автор: Hiroyuki Baba,Tomoyasu Kai. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of manufacturing a semiconductor device using a thermally decomposable layer, a semiconductor manufacturing apparatus, and the semiconductor device

Номер патента: US20200395244A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing a semiconductor device using a thermally decomposable layer, a semiconductor manufacturing apparatus, and the semiconductor device

Номер патента: US11791209B2. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20160276170A1. Автор: Hidekazu Hayashi,Shinya Okuda,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20190067059A1. Автор: Kyung Ho HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20030188686A1. Автор: Tadashi Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290648A1. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus of controlling semiconductor manufacturing device, storage medium and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20230053815A1. Автор: Tzu-Hsuan Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Device maintenance in semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US20240082964A1. Автор: Shih Yi-Cheng,Vincent Chien,Hill Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240186170A1. Автор: Shinya Yoshida,Seiya Inoue,Tatsuya Kuno,Kenji Yonemoto,Natsuki HIRATA,Aoi Saito,Taro Usami. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Design method of semiconductor manufacturing apparatus and non-transitory computer-readable storage medium storing a program of causing computer to execute design method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20190171193A1. Автор: Ryuichiro Mitani,Akihiko Ogawa,Mitsunori Sugiyama. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Temperature control device for chemical liquid used in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US11654451B2. Автор: Min Cheol BANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20240136324A1. Автор: Yen-Ming Chen,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing a semiconductor device using a thermally decomposable layer, a semiconductor manufacturing apparatus, and the semiconductor device

Номер патента: US20230043714A1. Автор: Seung-Heon Lee,Tae-Jong Han,Jaekang Koh,Munjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor manufacturing facility and teaching method of semiconductor manufacturing facility

Номер патента: US20230206426A1. Автор: Seung Won Kim,Ji Soo Park,Jun Cheol PARK,Yong Hun Sim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor manufacturing-and-inspection system, and semiconductor device

Номер патента: US20020067182A1. Автор: Osamu Hashimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Rivetless lead fastening for a semiconductor package

Номер патента: EP3682472A1. Автор: Sanjay Kumar Murugan,Chiew Li Tai,Kar Meng Ho,Jia Yi WONG. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US09493119B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US11804471B2. Автор: Masaya Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20080146124A1. Автор: Tomotake Morita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Temperature control device for chemical liquid used in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US11587806B2. Автор: Min Cheol BANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-21.

Temperature control device for chemical liquid used in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20210151337A1. Автор: Min Cheol BANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150279747A1. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Temperature control device for chemical liquid used in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20210213482A1. Автор: Min Cheol BANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-15.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240038567A1. Автор: Seiya Inoue,Tatsuya Kuno,Kenji Yonemoto,Natsuki HIRATA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9355916B2. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of pattern selection for a semiconductor manufacturing related process

Номер патента: US20240184213A1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-06-06.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor package for a multi-phase motor driving circuit

Номер патента: US20240120731A1. Автор: Tao Jin,Chung-Kuang Huang. Владелец: Elevation Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device with a variable delay for a data select signal and a counter for counting a selected data signal during a test operation

Номер патента: US12020772B2. Автор: Mitsuhiro Abe,Norichika ASAOKA,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Multiplexor for a semiconductor device

Номер патента: WO2022186865A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-09.

Methods, systems and computer program products for dynamically controlling a semiconductor dicing saw

Номер патента: US20050159081A9. Автор: Edward Hubbell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Process for oxide cap formation in semiconductor manufacturing

Номер патента: US7256114B2. Автор: Larry A. Nesbit,Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20230266661A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

A semiconductor chip for a mobile telephone which includes a text to speech system, a method of aurally presenting information from a mobile telephone and a mobile telephone

Номер патента: EP1452004A1. Автор: Paul William Epson Scotl. Design Centre SHIELDS. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

A semiconductor chip for a mobile telephone which includes a text to speech system, a method of aurally presenting information from a mobile telephone and a mobile telephone

Номер патента: WO2003107631A1. Автор: Paul William Shields. Владелец: Seiko Epson Corporation.. Дата публикации: 2003-12-24.

The statistic analysis of fault detection and classification in semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2007052949A1. Автор: Jae Keun Lee,Heung Seob Koo. Владелец: Isemicon, Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Coupler applied to gas supply equipment in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20230392736A1. Автор: Young Gil Park. Владелец: P&c Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and apparatus for measuring the temperature of a semiconductor substrate by means of a resonant circuit

Номер патента: WO2001065224A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2001-09-07.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method and system for characterizing integrated circuit design in target semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2014053191A1. Автор: Petr Dobrovolny,Phillip Christie. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-04-10.

Process for oxide cap formation in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060166432A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Larry Nesbit. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US12055850B2. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Machine learning based examination of a semiconductor specimen and training thereof

Номер патента: US20230306580A1. Автор: Shalom Elkayam,Shaul Cohen,Tal Ben-Shlomo,Tomer Peled. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Wiring structure for a pad section in a semiconductor device

Номер патента: US7227269B2. Автор: Dong Heon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US7936047B2. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-05-03.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US20230317771A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Fabrication method for single and dual gate spacers on a semiconductor device

Номер патента: US20070015324A1. Автор: Chih-Cheng Wang,Chao-Hsi Chung,Chu-Chun Hu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US20080291755A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Geometry for a semiconductor optical amplifier

Номер патента: US20230135027A1. Автор: Michael C. Larson,Yiyin Zhou,Amit Mizrahi. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: WO2024151859A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: STREAMLIGHT, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20030124839A1. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US20040227543A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US20080246118A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-10-09.

Test board used for a reliability test and reliability test method

Номер патента: US20090189632A1. Автор: Shouta Kawano. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Structure of a semiconductor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020068375A1. Автор: Takashi Hosaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Structure for a semiconductor resistive element, particularly for high voltage applications and respective manufacturing process

Номер патента: US20020063307A1. Автор: Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-30.

Structure for a semiconductor resistive element, particularly for high voltage applications

Номер патента: US6590272B2. Автор: Davide Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-08.

Leadframe for a semiconductor device

Номер патента: WO2006052382A3. Автор: Azhar Aripin,Norsaidi Sariyo. Владелец: Norsaidi Sariyo. Дата публикации: 2008-07-31.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US7113436B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-26.

A semiconductor radiation detector assembly

Номер патента: FI20225452A1. Автор: Hans Andersson,Seppo Nenonen. Владелец: Oxford Instruments Tech Oy. Дата публикации: 2023-11-24.

Semiconductor manufacturing system and control method

Номер патента: US20210005467A1. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US12125873B2. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Rotational interface, carrier transfer system including the same, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20240332053A1. Автор: Sanghyuk PARK,Hochan LEE,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for reducing contact resistance in semiconductors manufacturing process

Номер патента: US09997631B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Yi-Fang Pai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09996658B2. Автор: Youngseok Kim,Noyoung CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor photomultiplier with baseline restoration for a fast terminal signal output including output loads to correct an overshoot of an output signal (as amended)

Номер патента: US09939536B2. Автор: Kevin O'Neill,John Carlton Jackson,Liam Wall. Владелец: Sensi Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Monitoring device and monitoring method for a switching element

Номер патента: US09857428B2. Автор: Michael Wortberg. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2018-01-02.

Transport module for a semiconductor fabrication device or coupling device

Номер патента: US09847241B2. Автор: Walter Franken,Martin Freundt. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-12-19.

Product testing system for a semiconductor device

Номер патента: US09671455B2. Автор: Kenichi Kawasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Reuse of electrical charge at a semiconductor memory device

Номер патента: US09659657B2. Автор: Giacomo Curatolo,Leonardo Castro. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor manufacturing for forming bond pads and seal rings

Номер патента: US09601354B2. Автор: Sergio A. Ajuria,Douglas M. Reber,Phuc M. Nguyen. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Wiring board for mounting a semiconductor element

Номер патента: US09565750B2. Автор: Hisayoshi WADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Light-emitting assembly having a semiconductor layer sequence having an active zone on a columnar structure

Номер патента: US09531161B2. Автор: Martin Mandl,Alfred Lell,Martin Straβburg,Jelena Ristic. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Temperature control system for semiconductor manufacturing system

Номер патента: US09520308B2. Автор: Min Jin HAN,Jae Geon KIM. Владелец: TECHEST CO Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method and system for a pseudo-differential low-noise amplifier at Ku-band

Номер патента: US09419569B2. Автор: Vamsi Paidi,Abhishek Jajoo. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor manufacturing equipment and method of providing support base with filling material disposed into openings in semiconductor wafer for support

Номер патента: US11935777B2. Автор: HunTeak Lee,HyunSu Tak,Hyeonchul Lee,WanIl Lee,InHo Seo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140235065A1. Автор: Kenichi Oyama,Masatoshi Yamato,Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US9941165B2. Автор: Koji Ogiso,Fumito Shoji,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor manufacturing equipment with trace elements for improved defect tracing and methods of manufacture

Номер патента: US20140190278A1. Автор: Dennis Winters,Victor Coots,Matthew Burnham,Daniel Thevis. Владелец: Samsung Austin Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160240446A1. Автор: Yuya Matsuda,Ryo SUEMITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US7332448B2. Автор: Shinji Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-19.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method thereof

Номер патента: US20230375914A1. Автор: Isao Tanaka,Kazuhiro Segawa. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Monitoring and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP4256410A1. Автор: Jukka-Pekka Salmenkaita,Rasmus Heikkilä. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140232998A1. Автор: Koutarou Sho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for determining optimal number of submodules for use in semiconductor manufacturing apparatus including substrate processing module including plurality of submodules, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20220222524A1. Автор: Ryuya KOIZUMI. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20170263499A1. Автор: Koji Ogiso,Fumito Shoji,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Process monitoring device and process monitoring method in semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20130236088A1. Автор: Yasutoshi Umehara,Shuji Iwanaga,Motoi Okada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US11749667B2. Автор: Masatoshi Fukuda,Tetsuya Kurosawa,Toshihiko Ohda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor manufacturing apparatus, diagnostic system for semiconductor manufacturing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160218026A1. Автор: Kaichiro Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240186262A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Monitoring and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2022117912A1. Автор: Jukka-Pekka Salmenkaita,Rasmus Heikkilä. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2022-06-09.

Process monitoring device and process monitoring method in semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8989477B2. Автор: Yasutoshi Umehara,Shuji Iwanaga,Motoi Okada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-03-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080064190A1. Автор: Shinji Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20060057860A1. Автор: Shinji Terao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Leak measurement system, semiconductor manufacturing system, and leak measurement method

Номер патента: US12014942B2. Автор: Yuta KUNITAKE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20210242191A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Tetsuya Kurosawa,Toshihiko Ohda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Technique for forming contacts for buried doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US20040152324A1. Автор: Manfred Horstmann,Ralf Bentum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Device and method for a high isolation switch

Номер патента: EP3304739A1. Автор: Lawrence E. Connell,Kent Jaeger. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-11.

Solution for a Treatment of a Resist, a Modified Resist, a Process for the Treatment of a Resist and an Intermediate Product

Номер патента: US20090104558A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-04-23.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US20050232040A1. Автор: Jun AN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

A routing layer for mitigating stress in a semiconductor die

Номер патента: EP2471096A1. Автор: Gabriel Wong,Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for polishing a semiconductor wafer on both sides

Номер патента: US20200039020A1. Автор: Vladimir Dutschke. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for straining a semiconductor device

Номер патента: WO2008002710A1. Автор: Michael D. Turner,Stanley M. Filipiak,Gregory S. Spencer,Narayanan C. Ramani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for producing discs from a cylindrical rod made of a semiconductor material

Номер патента: US20240234125A9. Автор: Joachim Junge,Georg Pietsch. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of inserting or removing a species from a semiconductor substrate

Номер патента: EP1856722A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman,Joshua T. Cook,Daniel Jr. Alvarez. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2007-11-21.

Support for a semiconductor structure

Номер патента: EP3574519A1. Автор: Marcel Broekaart,Patrick Reynaud,Luciana Capello,Christelle Veytizou,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-12-04.

Technique for forming contacts for buried doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US7064074B2. Автор: Manfred Horstmann,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-06-20.

Light module for a motor vehicle including a semiconductor light source

Номер патента: US20180292060A1. Автор: Benoit Delande,Francois Berrezai. Владелец: VALEO VISION SAS. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device for a system for measuring the temperature, and manufacturing method thereof

Номер патента: US9806216B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Trench isolation structure for a semiconductor device with a different degree of corner rounding and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP1573801A1. Автор: Stephan Kruegel,Gert Burbach,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US6605512B2. Автор: Yukihiro Kiyota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-12.

Method and system for an improved power distribution network for use with a semiconductor device

Номер патента: US20060087024A1. Автор: Eiichi Hosomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Methods and apparatus for a dual-metal magnetic shield structure

Номер патента: US20080116535A1. Автор: Jaynal A. Molla,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device manufactured using an improved plasma etch process for a fully silicided gate flow process

Номер патента: WO2008118837A1. Автор: Frank S. Johnson,Freidoon Mehrad,Jinhan Choi. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-02.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US7120071B2. Автор: Jun Kwon An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Electromagnetic shielding structure for a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US12080656B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Internal voltage generating apparatus for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030179618A1. Автор: Tae Kim,Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for fabricating a buried bit line for a semiconductor memory

Номер патента: US20040018686A1. Автор: Veronika Polei,Mayk Röhrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

Apparatus and method for measuring the current consumption and the capacitance of a semiconductor device

Номер патента: US20080204045A1. Автор: Frank C. Mielke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-28.

Low leakage gate stack for a transistor device and methods of making an ic product that includes such a transistor device

Номер патента: US20210305251A1. Автор: Dali Shao,Liqiao QIN,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Address generator for a semiconductor memory

Номер патента: US6400636B1. Автор: Tae-Hyung Jung,Yeon-Ok Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-04.

Methods and apparatus providing a graded package for a semiconductor

Номер патента: US20180254230A1. Автор: Daniel Lee Revier,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Selective deposition and planarization for a CMOS image sensor

Номер патента: US09960200B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

In-rush current controller for a semiconductor switch

Номер патента: US09933807B2. Автор: Frank Kronmueller,Robert Prinz,Mohammad Masoumi. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and system for designing a semiconductor chip based on grouping of hierarchial pins that permit communication between internal components of the semiconductor chip

Номер патента: US09852257B1. Автор: Atchi Reddy Chavva. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US09734271B2. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Thick-silver layer interface for a semiconductor die and corresponding thermal layer

Номер патента: US09698116B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Multi-charge region memory cells for a vertical NAND device

Номер патента: US09666594B2. Автор: Masanori Tsutsumi,Jayavel Pachamuthu,Genta Mizuno. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Metal gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09595443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Discontinuities in a semiconductor device to accommodate for manufacturing variations and/or misalignment tolerances

Номер патента: US09583581B1. Автор: Qing Liu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09583502B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Hiraku Chakihara,Takuro Homma,Hiroshi Nishikizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Substrate for a temperature-compensated surface acoustic wave device or volume acoustic wave device

Номер патента: US12143093B2. Автор: Ionut Radu,Marcel Broekaart,Oleg Kononchuk,Thierry Barge,Pascal Guenard,Eric Desbonnets. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-11-12.

Manufacturing method for a semiconductor device, pattern generating method and nontransitory computer readable medium storing a pattern generating program

Номер патента: US09547743B2. Автор: Seiro Miyoshi,Yoshihiro Yanai,Takuro URAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Reinforced structure for a stack of layers in a semiconductor component

Номер патента: US09466579B2. Автор: Willem Dirk Van Driel,Hendrik Pieter Hochstenbach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-11.

Electric field management for a group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US09455342B2. Автор: Bin Lu,Tomas Palacios,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Device and method for a high isolation switch

Номер патента: US09449969B1. Автор: Lawrence E. Connell,Kent Jaeger. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of etching a semiconductor layer of a photovoltaic device

Номер патента: US09397238B2. Автор: Jianjun Wang,Thomas A. Sorenson,Oleh P. Karpenko. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using the same

Номер патента: CA2326575C. Автор: Hirohiko Nakata,Akira Kuibira. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-06.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11862484B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Masahiro Kiyotoshi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11901201B2. Автор: Takaya Noguchi,Shunichi Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method verifying process proximity correction using machine learning, and semiconductor manufacturing method using same

Номер патента: US20230325577A1. Автор: Seorim MOON,Sooyong Lee,Bonhyun Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Manufacturing method of semiconductor device, supporting substrate, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140073070A1. Автор: Hiroshi Tsujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of operating semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor devices

Номер патента: US20180158656A1. Автор: MENG Yang,Yali FU,Gang Wei,Yulin Peng,Shaohua Liu,Jinrong ZHAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Dynamic dispatching method for semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20220223444A1. Автор: Li Li,Peng Yi,Jie Chen,Yiguang Hong,Min Meng,Kuo-Yi Lin,Qingyun YU,Jinlong LEI,Xiouxian LI. Владелец: TONG JI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US11024619B2. Автор: Masatoshi Fukuda,Tetsuya Kurosawa,Toshihiko Ohda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Computer-readable recording medium storing a method of masking or modifying output events of bi-directional signals in an event-format test pattern file for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6336199B1. Автор: Richard Lin. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US20060140033A1. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-06-29.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US7260005B2. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Metal gasket for a semiconductor fabrication chamber

Номер патента: US20030122326A1. Автор: Tae-Won Lee,Jaung-Joo Kim,Do-In Bae,Wan-Goo Hwang,Guk-Kwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-03.

Synchronizing refresh control circuit for a plurality of slices and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09620192B2. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Protecting method applied to the semiconductor manufacturing process

Номер патента: US6380090B1. Автор: Mei-Hui Sung,Shih-Kuan Tai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP3705959A1. Автор: Si-Han Zeng,Chang-Wei Chen. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2020-09-09.

Semiconductor manufacturing process simulation apparatus for calculating a pressure field generated by a dislocation loop

Номер патента: US6036346A. Автор: Toshihiro Hyodo,Takeshi Hino. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-14.

Semiconductor manufacturing system with self-diagnosing function and self-diagnosing method thereof

Номер патента: US5550634A. Автор: Masaharu Nakamura. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Apparatus for removing harmful substances of exhaust gas discharged from semiconductor manufacturing process

Номер патента: US5649985A. Автор: Hiroshi Imamura. Владелец: Kanken Techno Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-22.

Methods and apparatus for characterizing a semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP4305494A1. Автор: Niek Willem KLEIN KOERKAMP,Marc Hauptmann,Aliasghar Keyvani Janbahan,Jingchao WANG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105472A1. Автор: Yusuke Yadani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240096607A1. Автор: Shohei ARAKAWA,Yuta OSADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11823924B2. Автор: Aoi SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11929265B2. Автор: Yusuke Yadani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Automated assistance in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: WO2021262689A1. Автор: Arya Priya BHATTACHERJEE,Akshay OBERAL. Владелец: Lavorro, Inc.. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20170263474A1. Автор: Tatsumi Usami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20150228488A1. Автор: Tomohide Terashima,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9159563B2. Автор: Tomohide Terashima,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor Manufacturing Apparatus and Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150179533A1. Автор: Kyoichi Suguro,Tomonori Aoyama,Tatsunori Isogai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20160062349A1. Автор: Kazuyuki Miura,Kensuke Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor manufacturing device and method of polishing semiconductor substrate

Номер патента: US11894235B2. Автор: Hiroyuki Baba,Kiyohiko Toshikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Control device and control method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20170263512A1. Автор: Tsutomu Miki,Kenichi Otsuka,Syunichi Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210398825A1. Автор: Katsuhiro Sato,Tomohiko Sugita,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200083066A1. Автор: Hidekazu Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220084846A1. Автор: Hidekazu Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230072887A1. Автор: Hiroyasu Iimori,Satoshi Nakaoka,Fuyuma ITO,Yuya Akeboshi,Yosuke Maruyama,Shinsuke MURAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10910236B2. Автор: Yuji Hashimoto,Hiroaki Yamada,Shinsuke MURAKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Abnormality detecting apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and abnormality detecting method

Номер патента: US20210407835A1. Автор: Yuka NAKASATO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230076961A1. Автор: Yoshiharu Ono,Aoi SUZUKI,Ai MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for loading/unloading wafer via variable setting of slot

Номер патента: US20090110519A1. Автор: Jong-Bum Park,Kwang-hee Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US11796978B2. Автор: Si-Han Zeng,Chang-Wei Chen. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230197476A1. Автор: Masaki Ueno,Kinya Yamashita,Yasushi Takaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11791174B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11769699B2. Автор: Tsutomu Miki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods and apparatus for characterizing a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240134283A1. Автор: Niek Willem KLEIN KOERKAMP,Marc Hauptmann,Aliasghar Keyvani Janbahan,Jingchao WANG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor manufacturing apparatus and control system and control method therefor

Номер патента: US20070142957A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kazuhiro Miwa,Akito Mifune. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8883642B2. Автор: Tomonori Aoyama,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor manufacturing apparatus, substrate transfer method, and program

Номер патента: US11908712B2. Автор: Minoru Nagasawa,Kunio Takano,Toshiharu Hirata,Takafumi Matsuhashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor manufacturing equipment, and method for transporting replaceable components in the semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240120224A1. Автор: Jin Hyuk Choi,Hyun Joo Jeon,Kyu Sang Lee,Beom Soo HWANG,Nam Young Cho,Kong Woo LEE,Myung Ki SONG,Ja-Yul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for decoupling sources of variation related to semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240142959A1. Автор: Wim Tjibbo Tel,Jill Elizabeth FREEMAN,Vivek Kumar JAIN,Kuo-Feng PAO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for decoupling sources of variation related to semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4367556A1. Автор: Wim Tjibbo Tel,Jill Elizabeth FREEMAN,Vivek Kumar JAIN,Kuo-Feng PAO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: WO2008084887A1. Автор: Ik-Han Eom,Seung-Dong Kang,Gee-Pyo Kang. Владелец: Gee-Pyo Kang. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: US20060287752A1. Автор: Hiroyuki Morinaga,Arata Inoue,Takema Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Automated assistance in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: EP4168868A1. Автор: Arya Priya BHATTACHERJEE,Akshay OBERAL. Владелец: Lavorro Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11984328B2. Автор: Sho KAWADAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220285181A1. Автор: Aoi SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

System and method for integrating a dispatching system with multiple process lines in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US20050228527A1. Автор: King-Chuan Sun,Yao-Chin Lee,Hsing-Hung Lee,You-Wei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Monitoring and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: EP4356419A1. Автор: Jukka-Pekka Salmenkaita,Eero Hiltunen,Kalle YLÄ-JARKKO,Rasmus Heikkilä,Antti Liski. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385867A1. Автор: Katsuhiro Sato,Tomohiko Sugita,Hiroaki ASHIDATE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor manufacturing device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290693A1. Автор: Junji Tokunaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160042944A1. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9478412B2. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230298863A1. Автор: Yusuke KASAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200090960A1. Автор: Yuji Hashimoto,Hiroaki Yamada,Shinsuke MURAKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190287826A1. Автор: Shinichi Hirasawa,Jun Takagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20130280911A1. Автор: Tomonori Aoyama,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Addition system and method of reducing agent in semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20240153788A1. Автор: I-Ling Nien,Shou-Nan Li,Chia-Yen Kuo,Jia-Cheng SUN,Jui-Hsiang Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-09.

Automated assistance in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US12020961B2. Автор: Arya Priya BHATTACHERJEE,Akshay Oberoi. Владелец: Lavorro Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: US7847270B2. Автор: Hiroyuki Morinaga,Arata Inoue,Takema Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Partial implantation method for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060211226A1. Автор: Min Lee,Kyoung Rouh,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing

Номер патента: US20040248351A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Diode comprising a semiconductor body

Номер патента: US20190378896A1. Автор: Bernhard Konig,Paul Strobel. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11776852B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Diode comprising a semiconductor body

Номер патента: US10756173B2. Автор: Bernhard Konig,Paul Strobel. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor manufacturing apparatus and wafer holding table for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12046488B2. Автор: Koichi Kimura,Akira Mikumo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11764330B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hans-Jürgen Lugauer,Mohammad Tollabi Mazraehno,Mariel Grace Jama. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200105608A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09984934B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9296142B2. Автор: Yasuo TERUI,Masaru Akino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data

Номер патента: US7354332B2. Автор: Ajoy Zutshi,Rahul Surana. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-04-08.

Semiconductor manufacturing method and structure thereof

Номер патента: US20200231431A1. Автор: Chia-Hua Chu,Fei-Lung Lai,Shiang-Chi LIN,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Optical error minimization in a semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20060238728A1. Автор: Michael Berman,George Bailey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20240063043A1. Автор: Chung-Shi Liu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Yi-Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Power Supply Regulating Apparatus, Semiconductor Manufacturing Apparatus, Method For Controlling Power To Heater, And Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070287201A1. Автор: Masayuki Suzuki,Hideo Ishizu. Владелец: Sanko Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Press fitting head and semiconductor manufacturing apparatus using the same

Номер патента: US20170110432A1. Автор: Minoru Kai. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Press fitting head and semiconductor manufacturing apparatus using the same

Номер патента: US10388625B2. Автор: Minoru Kai. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US11978717B2. Автор: Yuuki Kuro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Ic structures with improved bonding between a semiconductor layer and a non-semiconductor support structure

Номер патента: EP4174911A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

A semiconductor switching string

Номер патента: WO2016026790A3. Автор: Konstantin VERSHININ. Владелец: ALSTOM Technology Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

A semiconductor switching string

Номер патента: WO2016026790A2. Автор: Konstantin VERSHININ. Владелец: ALSTOM Technology Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Detecting damaged semiconductor wafers utilizing a semiconductor wafer sorter tool of an automated materials handling system

Номер патента: US20230207357A1. Автор: Chen Min LIN,Hsien Tse CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09773945B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor structure, semiconductor structure, and electronic device

Номер патента: US09768251B2. Автор: Heinz Schmid,Heike E. Riel,Mattias B. Borg,Kirsten E. Moselund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of producing a semiconductor layer sequence and an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09761755B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09640440B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2755175C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-13.

Tank scheduling optimization for replicated chemical in a semiconductor manufacturing wet bench

Номер патента: US20050177267A1. Автор: Yu-Ling Chang,Chen Hsiung,Hui-Tang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process

Номер патента: US7899562B2. Автор: Peter van der Meulen,Patrick D. Pannese,Vinaya Kavathekar. Владелец: Brooks Automation Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20140141606A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-Tang Hsieh,Chih-Ming Kuo,Lung-Hua Ho,Chia-Yeh Huang. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20140021601A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-Tang Hsieh,Chih-Ming Kuo,Lung-Hua Ho,Chia-Yeh Huang. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor structure thereof

Номер патента: US8823169B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-Tang Hsieh,Chih-Ming Kuo,Lung-Hua Ho,Chia-Yeh Huang. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor structure thereof

Номер патента: US9059260B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-Tang Hsieh,Chih-Ming Kuo,Lung-Hua Ho,Chia-Yeh Huang. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor manufacturing inspection system

Номер патента: US20210097670A1. Автор: Motoki Iinuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Systems and Methods for a Semicdonductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20170287773A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor package and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20180130759A1. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE,Li-Chuan Tsai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20180374742A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20200126845A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11978665B2. Автор: Kenichi Ide. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240136321A1. Автор: Cheolan KWON,Jingyu MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20060236926A1. Автор: Katsuyasu Shiba,Jota Fukuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Method and apparatus for autonomous tool parameter impact identification system for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20170329318A1. Автор: Sanjeev Kaushal,Sukesh Janubhai Patel,Wolfgang Polak,Orion Wolfe,Aaron Archer Waterman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Autonomous tool parameter impact identification for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2014074221A4. Автор: Sanjeev Kaushal,Sukesh Janubhai Patel,Wolfgang Polak,Orion Wolfe,Aaron Archer Waterman. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-31.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US11662660B2. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Semiconductor inspection apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240071795A1. Автор: Motoki Iinuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240222163A1. Автор: Jong Hyuk Park,Ju Won Kim,Byoung Doo CHOI,Dongwoon PARK,A Rah Cho,Gi Hun Jung. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for producing a semiconductor

Номер патента: US20160225626A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Friedrich Kroener,Werner Schustereder,Ingo Muri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20190280159A1. Автор: Peter Stauss,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor component, device having a semiconductor component and method of producing semiconductor components

Номер патента: US20220328738A1. Автор: Berthold Hahn,Georg Bogner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20050118816A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Method of making a semiconductor device including an all around gate

Номер патента: US20140357036A1. Автор: Huiming Bu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming an electrical contact between a semiconductor film and a bulk handle wafer, and resulting structure

Номер патента: US20210233811A1. Автор: Didier Dutartre,Jean-Luc Huguenin,Jean-Pierre Carrere,Clement Pribat,Sarah Kuster. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-07-29.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Номер патента: US20210159115A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Marko David Swoboda,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-27.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Organic light-emitting diode (OLED) display having a semiconductor layer including a third portion extending in a third direction joining a first and second portions that extending in different directions

Номер патента: US12069897B2. Автор: Wang Woo LEE,Jung Hwa KIM,Moo Soon KO,Min Woo Woo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for Structuring a Semiconductor Surface and Semiconductor Body Comprising a Semiconductor Surface Having at Least One Structure

Номер патента: US20220165845A1. Автор: Markus Tautz,Matthew John Davies,Martin Welzel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for structuring a semiconductor surface and semiconductor body comprising a semiconductor surface having at least one structure

Номер патента: US12094928B2. Автор: Markus Tautz,Matthew John Davies,Martin Welzel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating a semiconductor wafer including a through substrate via (TSV) and a stepped support ring on a back side of the wafer

Номер патента: US09984888B2. Автор: David J. Howard,Hadi Jebory. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip for the production of a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09831390B2. Автор: Sebastian Taeger,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll,Stefan Hartauer,Gudrun Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Package assembly including a semiconductor substrate in which a first portion of a surface of the semiconductor substrate is recessed relative to a second portion of the surface of the semiconductor substrate to form a recessed region in the semiconductor substrate

Номер патента: US09768144B2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Runzi Chang,Shiann-Ming Liou,Scott Wu,Chuan-Cheng Cheng,Roawen Chen,Chung Chyung (Justin) Han. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US09653305B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for obtaining a resistive mask on a semiconductor substrate for the formation of micro- and nanostructures

Номер патента: RU2761773C1. Автор: Иван Николаевич Храпач,Александра Викторовна Кулакова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-12-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Номер патента: WO2019239380A1. Автор: Daniel Kandel,Barak BRINGOLTZ,Oded Cohen,Noam Tal,Yongha Kim,Ilya Rubinovich,Ariel Broitman,Eytan ROTHSTEIN,Eylon RABINOVICH,Tal ZAHARONI,Shay YOGEV. Владелец: NOVA MEASURING INSTRUMENTS LTD.. Дата публикации: 2019-12-19.

Method and device for controlling a semiconductor laser

Номер патента: US5778017A. Автор: Shinichi Sato,Ichiro Shinoda,Isao Iwaguchi,Munenori Ohtsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Metrology and process control for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240078450A1. Автор: Daniel Kandel,Barak BRINGOLTZ,Oded Cohen,Noam Tal,Yongha Kim,Ilya Rubinovich,Ariel Broitman,Eylon RABINOVICH,Tal ZAHARONI,Shay YOGEV,Eitan Rothstein. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for Protecting a Semiconductor Switch, Protective Device for a Semiconductor Switch, and Control Circuit for a Semiconductor Switch

Номер патента: US20190245531A1. Автор: Tobias Richter,Matthias Heil,Peter Sinn,Sebastian Laich. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-08-08.

Formation of ohmic contacts for a device provided with a region made of iii-v material and a region made of another semiconductor material

Номер патента: US20170062424A1. Автор: Philippe Rodriguez,Fabrice Nemouchi,Elodie GHEGIN. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-02.

Radiation-emitting semiconductor chip, rear light for a motor vehicle, motor vehicle, and optical distance measurement device

Номер патента: US11867375B2. Автор: Laura KREINER,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-09.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US12034004B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Electronic device including a semiconductor layer within a trench and a semiconductor layer and a process of forming the same

Номер патента: US20230282688A1. Автор: Ralph N. Wall,Raymond LAPPAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and the method for fabricating the same

Номер патента: US20020057393A1. Автор: Woon-Yong Park,Dong-Hyeon Ki,Hyeon-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Ampoule for spent fuel assembly

Номер патента: RU2542342C1. Автор: Борис Николаевич Бараков,Пётр Михайлович Гаврилов,Юрий Вячеславович Гамза,Юрий Сергеевич Ильиных,Игорь Андреевич Рыбалкин,Сергей Петрович Лавленцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2015-02-20.

Ampoule for spent fuel assembly (versions)

Номер патента: RU2558685C2. Автор: Борис Николаевич Бараков,Пётр Михайлович Гаврилов,Юрий Вячеславович Гамза,Юрий Сергеевич Ильиных,Игорь Андреевич Рыбалкин,Сергей Петрович Лавленцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2015-08-10.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED GEARBOX AND ROTARY FEEDTHROUGH SYSTEM FOR A VACUUM CHAMBER STRUCTURE

Номер патента: US20120000426A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты