Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

OPTICAL DISPERSION COMPENSATOR ON SILICON

Номер патента: US20200257050A1
Опубликовано: 13-08-2020
Автор(ы): Kato Masaki, Nagarajan Radhakrishnan L., TU Xiaoguang
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Gires-tournois etalons and dispersion compensation

Номер патента: WO2003096082A3. Автор: Catherine Anne Sugden,Kevin Christopher Byron,Xuewen Shu,Lee Ann Kennedy. Владелец: Lee Ann Kennedy. Дата публикации: 2004-03-11.

OPTICAL DISPERSION COMPENSATOR ON SILICON

Номер патента: US20200110220A1. Автор: Nagarajan Radhakrishnan L.,Kato Masaki,TU Xiaoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Optical component and dispersion compensation method

Номер патента: US20030161045A1. Автор: Yuichi Tanaka,Kenji Furuki,Kazunari Sato,Shiro Yamashita,Noboru Higashi,Yuichi Takushima,Hironori Tokita,Kazuro Kikuchi,Haruki Kataoka,Mark Jablonski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Chromatic dispersion compensation

Номер патента: CA2408784A1. Автор: Kenneth Guild,Dimitra Simeonidou,Michael O'mahony,Anna Tzanakaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Chromatic dispersion compensation

Номер патента: WO2001086841A1. Автор: Kenneth Guild,Dimitra Simeonidou,Michael O'mahony,Anna Tzanakaki. Владелец: BTG International Limited. Дата публикации: 2001-11-15.

Chromatic dispersion compensation

Номер патента: US20040047636A1. Автор: Kenneth Guild,Dimitra Simeonidou,Michael O'mahony,Anna Tzanakaki. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Chromatic dispersion compensation

Номер патента: EP1293053A1. Автор: Kenneth Guild,Dimitra Simeonidou,Michael O'mahony,Anna Tzanakaki. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2003-03-19.

Dual-mode receiver integrated with dispersion compensator

Номер патента: US11863238B2. Автор: Tongqing Wang,Xingyu Zhang. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Tunable dispersion compensator

Номер патента: US20080240727A1. Автор: Hiroshi Kawashima,Kazutaka Nara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Tunable dispersion compensator

Номер патента: EP1517462A3. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2005-04-06.

Method and apparatus for reducing multi-path interference in dispersion compensation systems

Номер патента: US20030235360A1. Автор: William Wood,Eric Mozdy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Digital dispersion compensation module

Номер патента: US09989704B2. Автор: Jinghui Li,Ming Ding,Tongqing Wang,Dobby Lam. Владелец: Luxar Tech Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Dispersion compensating optical fiber

Номер патента: US6031955A. Автор: Yoshihisa Suzuki,Kazunori Mukasa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Dispersion-compensating optical fiber with w-shaped index profile

Номер патента: EP1275018A1. Автор: Takatoshi c/o Sumitomo Electric Ind. Ltd. Kato,Masaaki c/o Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIRANO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-01-15.

Large kappa dispersion compensating fiber and transmission system

Номер патента: WO2006012107A2. Автор: Scott R. Bickham. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2006-02-02.

Tunable dispersion compensation device, optical receiver, and optical fiber communication system

Номер патента: US20020186929A1. Автор: Toshiyuki Hirai,Akihiko Kato,Minoru Hashimoto,Ken Matsuoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Dispersion compensation optical fiber and optical transmission line using same

Номер патента: WO2003079078A3. Автор: Denis Donlagic,Scott R Bickham. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Dispersion compensation optical fiber and optical transmission line using same

Номер патента: WO2003079078A2. Автор: Scott R. Bickham,Denis Donlagic. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2003-09-25.

Adjustable dispersion compensator with few mode fibers and switchable mode converters

Номер патента: CA2437877C. Автор: Siddharth Ramachandran. Владелец: Fitel USA Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Channelized dispersion compensation module

Номер патента: CA2621783C. Автор: Bengt Sahlgren,Sten Helmfrid. Владелец: Proximion Fiber Systems AB. Дата публикации: 2010-10-05.

System for polarization mode dispersion compensation

Номер патента: WO2003058856A1. Автор: Terry L. Smith,Barbara A. Debaun,Barry J. Koch. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2003-07-17.

Optical chromatic dispersion compensation module

Номер патента: US20050220409A1. Автор: Olivier Durand,Fabrice Poussiere,Jean-Jacques Guerin. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2005-10-06.

Thermally tunable optical dispersion compensation devices

Номер патента: TW200841063A. Автор: Andrew Daiber. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Optical dispersion compensator

Номер патента: EP0657754A1. Автор: Julian Stone. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-06-14.

Dispersion compensation element, optical crystal, dispersion compensation system, dispersion compensation method

Номер патента: CN100363784C. Автор: 小川宪介,藤井充. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2008-01-23.

Dispersion compensation element, optical crystal, dispersion compensation system, dispersion compensation method

Номер патента: JPWO2004063797A1. Автор: 憲介 小川,充 藤井. Владелец: 株式会社物産ナノテク研究所. Дата публикации: 2006-05-18.

Dispersion compensation device and dispersion compensation system

Номер патента: JP3934419B2. Автор: 克宏 清水,和行 石田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

Tunable dispersion compensator and method for tunable dispersion compensation

Номер патента: US7162120B2. Автор: Hiroyuki Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-01-09.

Optical transceiver with integrated dispersion compensation for high bit rate applications

Номер патента: WO2023172536A1. Автор: Giovanni Barbarossa. Владелец: Ii-Vi Delaware, Inc,. Дата публикации: 2023-09-14.

Optical dispersion compensator

Номер патента: US11764872B2. Автор: Fabio Cavaliere,Luca Giorgi,Luca Poti,Gabriele DE ANGELIS. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-09-19.

Optical dispersion compensation devices

Номер патента: US20150311978A1. Автор: Rong Chen,Dylan Logan,Douglas J.S. BECKETT. Владелец: RANOVUS Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Metamaterial-based optical dispersion compensation

Номер патента: US20150331146A1. Автор: Michael Fiddy,Hossein ALISAFAEE. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2015-11-19.

Dispersion compensating device using dispersion compensating fiber module

Номер патента: US6198859B1. Автор: Takayuki Handa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-03-06.

Digital dispersion compensation module

Номер патента: US09817189B2. Автор: Jinghui Li,Tongqing Wang,Dobby Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Optical communications system with dispersion compensation

Номер патента: EP1507345A3. Автор: Nicholas John Doran,Nicholas John Smith. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2006-04-12.

Modular dispersion compensator

Номер патента: WO2005008905A3. Автор: David L Wilson. Владелец: Red Sky Systems Inc. Дата публикации: 2005-09-22.

Modular dispersion compensator

Номер патента: WO2005008905A2. Автор: David L. Wilson. Владелец: Red Sky Systems, Inc.. Дата публикации: 2005-01-27.

Modular dispersion compensator

Номер патента: EP1651989A2. Автор: David L. Wilson. Владелец: Red Sky Systems Inc. Дата публикации: 2006-05-03.

Dispersion compensating devices and systems

Номер патента: US5361319A. Автор: Edward F. Murphy,David K. Smith,Michael G. Blankenship,A. Joseph Antos,Douglas W. Hall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Dispersion compensating device and optical transmission system

Номер патента: US20060098988A1. Автор: Motoyoshi Sekiya,Yuuichi Kawahata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Optical line protection with digital dispersion compensation module

Номер патента: US09690049B2. Автор: Jinghui Li,Tongqing Wang,Dobby Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Polarization mode dispersion compensator, polarization mode dispersion compensating method, and its application to optical communication system

Номер патента: US20080159739A1. Автор: Kazuhiro Ikeda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Digital dispersion compensation module

Номер патента: US9709747B2. Автор: Jinghui Li,Tongqing Wang,Dobby Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Digital dispersion compensation module

Номер патента: US20150362677A1. Автор: Jinghui Li,Tongqing Wang,Dobby Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-17.

Digital dispersion compensation module

Номер патента: US20170219773A9. Автор: Jinghui Li,Tongqing Wang,Dobby Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Digital dispersion compensation module

Номер патента: US20170082804A1. Автор: Jinghui Li,Tongqing Wang,Dobby Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-23.

Dispersion compensation in optical fibre transmission

Номер патента: AU1887197A. Автор: David Atkinson,Richard Ian Laming,Wei-Hung Loh,John James O'reilly. Владелец: Pirelli Cavi e Sistemi SpA. Дата публикации: 1997-09-10.

Dispersion compensation in optical fibre transmission

Номер патента: NZ309131A. Автор: David Atkinson,Richard Ian Laming,John James O'reilly,Loh Wei-Hung. Владелец: Pirelli Cavi e Sistemi SpA. Дата публикации: 1998-11-25.

Wavelength tailored dispersion compensation apparatus

Номер патента: CA2301052A1. Автор: Victor Mizrahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-23.

Dispersion compensating module

Номер патента: US20020097968A1. Автор: Masahito Morimoto. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Apparatus for dispersion compensating a signal that propagates along a signal path

Номер патента: CA2479115C. Автор: Mikhail Nickolaos Zervas. Владелец: Southampton Photonics Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Apparatus for dispersion compensating a signal that propagates along a signal path

Номер патента: US20050105850A1. Автор: Mikhail Zervas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Chromatic dispersion compensation device

Номер патента: CA2324716C. Автор: Paul Colbourne,Xiaoli Fu,Jimin Xie. Владелец: Lumentum Ottawa Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Dispersion compensating waveguide for optical transmission systems

Номер патента: US6215929B1. Автор: Kevin Christopher Byron. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2001-04-10.

Long-haul terrestrial optical fiber link having low-power optical line amplifiers with integrated dispersion compensation modules

Номер патента: US6005997A. Автор: Andrew N. Robinson,Scott A. Welch. Владелец: MCI Communications Corp. Дата публикации: 1999-12-21.

System and method for tunable dispersion compensation

Номер патента: US20020181106A1. Автор: GAN Zhou,Chi-Hao Cheng,Kuang-Yi Wu,Tiejun Xia. Владелец: Chorum Technologies Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Chromatic Dispersion Compensation Device

Номер патента: CA2146384A1. Автор: Joseph Ip. Владелец: JDS Fitel Inc. Дата публикации: 1996-10-06.

FIBER OPTICAL DISPERSION COMPENSATION

Номер патента: FR2760852B1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Kazunori Mukasa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-27.

Fibre optic mean/peak chromatic dispersion compensation having line fibre section and compensation section with specific compensation derived relationship chromatic dispersion/derivation over line fibre section/wavelength field.

Номер патента: FR2815420A1. Автор: Pierre Sillard,Pascale Nouchi,Montmorillon Louis Anne De,Florent Beaumont,Ludovic Fleury,Maxime Gorlier. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-04-19.

Tunable optical dispersion by using two fiber bragg gratings with nonlinear group delays

Номер патента: AU2001291086A1. Автор: Joshua E. Rothenberg. Владелец: Phaethon Communications Inc. Дата публикации: 2002-04-02.

Tunable optical dispersion by using two fiber bragg gratings with nonlinear group delays

Номер патента: CA2422465A1. Автор: Joshua E. Rothenberg. Владелец: Phaethon Communications. Дата публикации: 2002-03-28.

Accumulated chromatic dispersion compensation fibre in a negative chromatic dispersion fibre

Номер патента: EP1361685A1. Автор: Pierre Sansonetti,Sébastien Bigo,Jose Chesnoy,Cyril Ruilier. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-11-12.

Dispersion-Compensating System And Dispersion-Compensating Fiber with Improved Figure of Merit

Номер патента: US20130223851A1. Автор: Lars Gruner-Nielsen,Kim G. Jespersen,Dan P. Jakobsen. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2013-08-29.

Dispersion compensating fiber module, dispersion compensating module and optical communication system

Номер патента: JP2003262745A. Автор: Tetsufumi Tsuzaki,哲文 津崎. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

Dispersion compensating optical fiber for smf and transmission link including same

Номер патента: EP1565774A1. Автор: LU Zhang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-08-24.

Chromatic dispersion compensation in a fiber transmission system and compensation fiber

Номер патента: EP1213595A3. Автор: Pierre Sillard,Louis-Anne de Montmorillon,Pascale Nouchi,Florent Beaumont,Ludovic Fleury,Maxime Gorlier. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-24.

Chromatic dispersion compensation in a fiber transmission system and compensation fiber

Номер патента: EP1213595B1. Автор: Pierre Sillard,Louis-Anne de Montmorillon,Pascale Nouchi,Florent Beaumont,Ludovic Fleury,Maxime Gorlier. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2016-03-23.

Dispersion-compensating optical fiber, and, optical transmission line and dispersion-compensating module respectively including the same

Номер патента: TW452663B. Автор: Takatoshi Kato,Masaaki Hirano. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2001-09-01.

Optical fiber dispersion-compensating device

Номер патента: US5243610A. Автор: Shigeru Murata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-09-07.

Refractive laser communication beam director with dispersion compensation

Номер патента: EP4248258A1. Автор: Robert T. Carlson. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Optical dispersion compensating device, composite optical dispersion compensating device comprising the device, and optical dispersion compensating method using the device

Номер патента: WO2002023234A1. Автор: Shiro Yamashita,Noboru Higashi. Владелец: Oyokoden Lab Co., Ltd.. Дата публикации: 2002-03-21.

Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method

Номер патента: US5696614A. Автор: Hiroshi Onaka,Hideyuki Miyata,Motoyoshi Sekiya,George Ishikawa,Kazue Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method

Номер патента: US6275314B1. Автор: Hiroshi Onaka,Hideyuki Miyata,Motoyoshi Sekiya,George Ishikawa,Kazue Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-14.

Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method

Номер патента: US6384943B2. Автор: Hiroshi Onaka,Hideyuki Miyata,Motoyoshi Sekiya,George Ishikawa,Kazue Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-07.

Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method

Номер патента: US20010022676A1. Автор: Hiroshi Onaka,Hideyuki Miyata,Motoyoshi Sekiya,George Ishikawa,Kazue Okazaki. Владелец: Kazue Okazaki. Дата публикации: 2001-09-20.

Optical wavelength multiplex transmission method and optical dispersion compensation method

Номер патента: US6252688B1. Автор: Hiroshi Onaka,Hideyuki Miyata,Motoyoshi Sekiya,George Ishikawa,Kazue Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-26.

Optical dispersion compensation devices

Номер патента: US20150311978A1. Автор: Rong Chen,Dylan Logan,Douglas J.S. BECKETT. Владелец: RANOVUS Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Tunable optical dispersion compensators

Номер патента: US7454101B2. Автор: Richard Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Tunable optical dispersion compensators

Номер патента: WO2007149721A1. Автор: Richard Jones. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-12-27.

Thermally tunable optical dispersion compensation devices

Номер патента: US7403679B2. Автор: Mark Mcdonald,Andrew Daiber. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Thermally tunable optical dispersion compensation devices

Номер патента: KR101024820B1. Автор: 마크 맥도날드,앤드류 다이버. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2011-03-31.

Optical Dispersion Compensator

Номер патента: US20210288719A1. Автор: Fabio Cavaliere,Luca Giorgi,Luca Poti,Gabriele DE ANGELIS. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-09-16.

Optical dispersion compensator

Номер патента: US6611640B2. Автор: Clinton T. Ballinger,Daniel P. Landry,Michael LoCasclo. Владелец: Evident Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-26.

Method and apparatus for providing high-order polarization mode dispersion compensation using temporal imaging

Номер патента: EP1155517A4. Автор: Xiang-Dong Cao. Владелец: Siemens Information and Communication Networks Inc. Дата публикации: 2004-04-07.

Polarisation mode dispersion compensator

Номер патента: EP1495560A1. Автор: Giancarlo Vilela De Faria,Luis Carlos BLANCO LINARES,Jean-Pierre Von Der Weid. Владелец: Ericsson Telecomunicacoes SA. Дата публикации: 2005-01-12.

Technique for determining sign of optical dispersion in optical communication lines

Номер патента: IL149324A0. Автор: . Владелец: Lightscape Networks Ltd. Дата публикации: 2002-11-10.

Polarisation mode dispersion compensator

Номер патента: EP1456979A1. Автор: Giulio Colavolpe,Enrico Forestieri. Владелец: Marconi Communications SpA. Дата публикации: 2004-09-15.

Projection device and method with liquid crystal on silicon panel

Номер патента: EP4145823A1. Автор: Chi-Wen Lin,Biing-Seng Wu,Kuan-Hsu Fan Chiang. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Multimode optical fiber communication device comprising a component for modal dispersion compensation

Номер патента: US20190097723A1. Автор: Jean-Francois Morizur,Nicolas Barre. Владелец: Cailabs SAS. Дата публикации: 2019-03-28.

Dispersion compensation in optical fibre transmission

Номер патента: AU4494096A. Автор: Martin Cole,Richard Ian Laming,Laurence Reekie. Владелец: Pirelli Cavi e Sistemi SpA. Дата публикации: 1996-08-14.

Method for polarization mode dispersion compensation

Номер патента: US20040207902A1. Автор: Terry Smith,Barbara DeBaun,Barry Koch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Dispersal compensating device and method in an optical fiber transmission system

Номер патента: FR2704702A1. Автор: Djupsjobacka Anders Gustav,Olof Goran Sahlen. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1994-11-04.

Dispersion compensator and dispersion compensation method

Номер патента: JP4811747B2. Автор: 毅 小西. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2011-11-09.

Optical circuits for tunable second order PMD compensation and tunable dispersion compensation

Номер патента: US20030223056A1. Автор: FENG Shi,Xiaoli Fu,Tongqing Wang,Genzao Zhang. Владелец: OPLINK COMMUNICATIONS Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for higher-order dispersion compensation

Номер патента: AU2002367358A8. Автор: Terry L Smith,Barry J Koch,Barbara A Debaun. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Method and apparatus for providing high-order polarization mode dispersion compensation using temporal imaging

Номер патента: AU2210600A. Автор: Xiang-Dong Cao. Владелец: Qtera Corp. Дата публикации: 2000-08-18.

Monolithic iii-v-on-silicon opto-electronic phase modulator with a ridge waveguide

Номер патента: US20220011641A1. Автор: Bernardette Kunert,Joris Van Campenhout,Younghyun Kim,Maria Ioanna Pantouvaki,Didit Yudistira. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-13.

Dispersion-compensated erbium-doped fiber amplifier

Номер патента: US20030169481A1. Автор: Seong-taek Hwang,Sung-Jin Park,Sung-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2948939A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117026A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: US09681207B2. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2949127A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117024A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Phase conjugate wave generating device, wavelength converting method, optical dispersion compensating method and multi-wavelength light generating device

Номер патента: KR100256157B1. Автор: 하루히코 구와쓰카. Владелец: 아끼구사 나오유끼. Дата публикации: 2000-05-15.

Phase conjugate wave generating device, wavelength converting method, optical dispersion compensation method and multi-wavelength light generating device

Номер патента: EP0774810A3. Автор: Haruhiko Kuwatsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-08-12.

PHASE CONJUGATE WAVE GENERATING DEVICE, WAVELENGTH CONVERTING METHOD, OPTICAL DISPERSION COMPENSATING METHOD AND MULTI-WAVELENGTH LIGHT GENERATING DEVICE

Номер патента: KR970031112A. Автор: 하루히코 구와쓰카. Владелец: 후지쓰 가부시키카이샤. Дата публикации: 1997-06-26.

Method for compensating polarization mode dispersion, polarization mode dispersion compensator and optical fiber communication system

Номер патента: US20040207900A1. Автор: Masayuki Matsumoto,Daniele Alzetta. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2004-10-21.

Photon RF frequency doubling chip based on silicon-based micro-ring modulator and control method thereof

Номер патента: CN115037379A. Автор: 张强,余辉. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2022-09-09.

Tunable optical dispersion compensating apparatus

Номер патента: US20090116789A1. Автор: Christopher Doerr. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

System and method for temporal dispersion compensator

Номер патента: US11789333B2. Автор: Robert Mchenry,Robert Matthew Panas,Frank Ravizza. Владелец: Bright Silicon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150355424A1. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Dispersion compensating fiber and optical transmission system including the same

Номер патента: CA2202586C. Автор: Hiroo Kanamori,Masashi Onishi,Masayuki Nishimura,Yasushi Koyano,Tomonori Kashiwada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Hybrid thermal management for liquid crystal on silicon head-up displays

Номер патента: US11835811B1. Автор: Thomas A. Seder,Taeyoung Han,Kuo-Huey CHEN,Bahram Khalighi,Shailendra Kaushik,Chih-Hung Yen. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Wafer-level liquid-crystal-on-silicon projection assembly, systems and methods

Номер патента: US09851575B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Colorless tunable dispersion compensator employing a planar lightwave circuit and a deformable mirror

Номер патента: US7174063B2. Автор: Christopher Richard Doerr,Dan Mark Marom. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2007-02-06.

Dispersion compensation

Номер патента: CA2185865C. Автор: Richard Edward Epworth. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2002-07-16.

A pulse splitter with dispersion compensation

Номер патента: WO2011036608A2. Автор: Gert 'T Hooft,Jeroen Jan Lambertus Horikx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2011-03-31.

pulse splitter with dispersion compensation

Номер патента: US20120168614A1. Автор: Gert 'T Hooft,Jeroen Jan Lambertus Horikx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-07-05.

Process for fabricating an optoelectronic device comprising a germanium-on-silicon photodiode optically coupled to an integrated waveguide

Номер патента: US20240069282A1. Автор: Bertrand Szelag. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-29.

Polarization Control Device Based on Silicon Waveguide and Phase Change Material

Номер патента: US20230418090A1. Автор: Yan Li,Zhaohui Li,Ying Yu,Yuhang WEI,Siqing Zeng. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-12-28.

Template-based epitaxial growth of lattice mismatched materials on silicon

Номер патента: US20190033524A1. Автор: Harry E. Ruda,Igor SAVELYEV,Marina BLUMIN,Christina F. SOUZA. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Electronic-photonic integrated circuit based on silicon photonics technology

Номер патента: US20220091332A1. Автор: Heuk Park,Jyung Chan Lee,Joon Ki Lee,Sanghwa YOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-03-24.

Hybrid integration of group iii-v semiconductor devices on silicon

Номер патента: EP2795675A1. Автор: John Heck,Avi Feshali,Hanan Bar,Ran FELDESH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-29.

Ultra-high q micro-resonator on silicon substrate and method of fabrication thereof

Номер патента: EP1554618A2. Автор: Sean M. Spillane,Kerry J. Vahala,Deniz K. Armani,Tobias J. Kippenberg. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2005-07-20.

Chromatic dispersion compensation system and method

Номер патента: US20120197769A1. Автор: Mark Shtaif,Michael H. Eiselt. Владелец: Pivotal Decisions LLC. Дата публикации: 2012-08-02.

Method and apparatus for measuring pmd of a dispersion compensation grating

Номер патента: WO2001028134A1. Автор: Tiejun Xia,David Way. Владелец: Mci Worldcom, Inc.. Дата публикации: 2001-04-19.

Liquid crystal display and infrared image sensor on silicon

Номер патента: US09749562B2. Автор: YIN Qian,Takayuki Goto,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

An optical interconnect module with polymer waveguide on silicon substrate

Номер патента: WO2018213038A1. Автор: Abraham JOU,Paul Mao-Jen WU. Владелец: Adolite Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Liquid crystal display and infrared image sensor on silicon

Номер патента: US20170142360A1. Автор: YIN Qian,Takayuki Goto,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Adjustable chromatic dispersion compensation

Номер патента: AU2001229327A1. Автор: GAN Zhou,Chi-Hao Cheng,Kuang-Yi Wu. Владелец: Chorum Technologies Inc. Дата публикации: 2001-10-08.

Method of unit level liquid crystal display device assembly process for liquid crystal on silicon

Номер патента: US09829748B2. Автор: Chun Chiu Daniel Wong,Hiap Liew Ong. Владелец: Syndiant Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Dispersion compensation optical fiber, and dispersion compensating optical fiber module

Номер патента: EP1209495A3. Автор: Takaaki Suzuki,Kuniharu Himeno,Kazuhiko Aikawa. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2003-12-10.

Dispersion compensating optical fiber

Номер патента: US20020006256A1. Автор: Shinya Inagaki,Tomoaki Takeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

A chromatic dispersion compensation module

Номер патента: WO2004098101A1. Автор: Pierre Sillard,Maxime Gorlier,Bruno Dany,Alain Bertaina. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2004-11-11.

Connection structure for dispersion compensating optical fiber

Номер патента: US20050041929A1. Автор: Takaaki Suzuki,Kuniharu Himeno,Kazuhiko Aikawa,Shogo Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

A chromatic dispersion compensation module

Номер патента: EP1618685A1. Автор: Pierre Sillard,Maxime Gorlier,Bruno Dany,Alain Bertaina. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2006-01-25.

Dispersion compensating module

Номер патента: US20100111486A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Takashi Sasaki,Yasushi Koyano,Eisuke Sasaoka,Kazuya Kuwahara,Fumiyoshi Ohkubo,Shinjiro Hagihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Dispersion compensation fiber and dispersion compensation module

Номер патента: US11982833B2. Автор: Pushkar Tandon,Sergey Yurevich Ten. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Chromatic dispersion compensating and chromatic dispersion slope compensating fiber

Номер патента: US7428361B2. Автор: Denis Molin,Pierre Sillard,Louis-Anne de Montmorillon,Marianne Bigot-Astruc. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2008-09-23.

Dispersion compensating optical fiber

Номер патента: US5673354A. Автор: Youichi Akasaka,Ryuichi Sugizaki,Kunio Kokura. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Dispersion compensating optical fiber

Номер патента: CA2170815C. Автор: Youichi Akasaka,Ryuichi Sugizaki,Kunio Kokura. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-28.

Method for on-silicon integration of a component iii-v and on-silicon integrated component iii-v

Номер патента: US20230145652A1. Автор: David BITAULD,Delphine Neel. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-05-11.

Dispersion compensating fiber with void pattern in secondary core

Номер патента: US20020110340A1. Автор: Aly Elrefaie,Aladin Kamel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Variable optical fiber grating and dispersion compensator

Номер патента: US6928203B2. Автор: Akira Sakamoto,Satoshi Okude. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2005-08-09.

Systems and techniques for reducing group delay ripple in a dispersion compensating grating

Номер патента: US8135490B2. Автор: Yaowen Li,Gary C. Hancsin,Carl E. Soccolich. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2012-03-13.

Dispersion-compensating fiber having a high relative dispersion slope

Номер патента: US20020181912A1. Автор: Quang Le,Lars Gruner-Nielsen,Poul Kristensen,Marie Wandel. Владелец: Fitel USA Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Systems and Techniques for Reducing Group Delay Ripple in a Dispersion Compensating Grating

Номер патента: US20090230580A1. Автор: Yaowen Li,Gary C. Hancsin,Carl E. Soccolich. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Tunable dispersion compensating bandwidth device for fiber optics system

Номер патента: US20030059163A1. Автор: Gregg Johnson,Sandeep Vohra,Evelyn Boettcher. Владелец: Optinel Systems Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Single-core polarization-maintaining dispersion compensation micro-structured optical fiber

Номер патента: US12111491B2. Автор: Wei Wang,Man Yang,Chang Zhao,Wenchao Li,Xiaochen KANG,Hongda YANG. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-08.

Panel carrier for a liquid crystal on silicon panel and method for electrically interconnecting same

Номер патента: US09568789B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Chromatic dispersion compensating optical fiber

Номер патента: US7095932B2. Автор: Denis Molin,Pierre Sillard. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2006-08-22.

Article comprising a dispersion compensating grating with low polarization mode dispersion

Номер патента: CA2278902A1. Автор: Jefferson Lynn Wagener,Thomas Andrew Strasser. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-03-02.

Tunable fiber bragg gratings and wavelength-locked loops for dispersion compensation

Номер патента: US20030072528A1. Автор: Casimer DeCusatis,Lawrence Jacobowitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

High figure of merit dispersion compensating fiber for standard single mode fiber and transmission system utilizing same

Номер патента: WO2005031414A1. Автор: Snigdharaj K. Mishra,Peter G. Hebgen. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2005-04-07.

Dispersion-compensating fiber and method of fabricating the same

Номер патента: US5740297A. Автор: Hiroo Kanamori,Chie Fukuda,Masashi Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

High dispersion, wide band dispersion compensating optical fiber

Номер патента: US20040190847A1. Автор: Joohyun Koh,Scott Bickham,Venkatapuram Sudarshanam. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Dispersion compensating optical fiber

Номер патента: US5995695A. Автор: Akira Wada,Ryozo Yamauchi,Kuniharu Himeno,Kazuhiko Aikawa. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 1999-11-30.

Single-core polarization-maintaining dispersion compensation micro-structured optical fiber

Номер патента: US20240019631A1. Автор: Wei Wang,Man Yang,Chang Zhao,Wenchao Li,Xiaochen KANG,Hongda YANG. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Dispersion compensation micro-structured optical fiber

Номер патента: US20240134114A1. Автор: ZHENG Li,Wei Wang,Lin Shi,Chang Zhao,Wenchao Li,Xiaochen KANG,Hongda YANG. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-25.

OPTICAL DISPERSION COMPENSATOR ON SILICON

Номер патента: US20190041580A1. Автор: Nagarajan Radhakrishnan L.,Kato Masaki,TU Xiaoguang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Substrate type light waveguide element, wavelength dispersion compensating element, optical filter, optical resonator and method for designing the light waveguide element, the wavelength dispersion compensating element, the filter and the resonator

Номер патента: WO2009107812A1. Автор: 憲介 小川,官　寧. Владелец: 株式会社フジクラ. Дата публикации: 2009-09-03.

Wavelength dispersion amount estimation method, wavelength dispersion compensation circuit, and reception device

Номер патента: US20130343749A1. Автор: Takayuki Kobayashi,Masahito Tomizawa,Tadao Nakagawa,Koichi Ishihara,Riichi Kudo,Etsushi Yamazaki,Mitsuteru Ishikawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Wavelength dispersion amount estimation method, wavelength dispersion compensation circuit, and reception device

Номер патента: US8971703B2. Автор: Takayuki Kobayashi,Masahito Tomizawa,Tadao Nakagawa,Koichi Ishihara,Riichi Kudo,Etsushi Yamazaki,Mitsuteru Ishikawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Optical architecture with hybrid on-silicon III-V modulator

Номер патента: US12078909B2. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical architecture with hybrid on-silicon iii-v modulator

Номер патента: US20240369898A1. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon-On-Oxide-On-Silicon

Номер патента: US20220130866A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,J. Elliott Ortmann. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-04-28.

Poled fiber, a method of fabricating the poled fiber, and a dispersion compensator

Номер патента: US6845201B2. Автор: Sahnggi Park,Jongbae Kim,Yonggyu Choi,Jungjin Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-01-18.

Optical system with dispersion compensation

Номер патента: US11947110B2. Автор: Mark R. Ayres,Friso Schlottau,Adam Urness,Jonathan Pfeiffer. Владелец: AKONIA HOLOGRAPHICS LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Optical system with dispersion compensation

Номер патента: US11966053B2. Автор: Mark R. Ayres,Friso Schlottau,Vikrant BHAKTA,Jonathan B. PFEIFFER,Adam C. URNESS. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Achromatic optical-dispersion corrected gradient refractive index optical-element

Номер патента: US09644107B2. Автор: George Williams. Владелец: Vadient Optics LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Achromatic optical-dispersion corrected refractive-gradient index optical-element for imaging applications

Номер патента: US09903984B1. Автор: George Williams. Владелец: Vadient Optics LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Optical dispersion compensation module using fiber bragg grating with multiple degrees of freedom for the optical field

Номер патента: US20130209035A1. Автор: Lei Xu,Ting Wang,Fatih Yaman,Shaoliang Zhang,Eduardo Mateo. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Polymerisable lc medium and polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: EP3177693A1. Автор: Kevin Adlem,Owain Llyr Parri,Joseph Sargent,Hassan Arasi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-06-14.

Dispersion compensator and wavelength compensation apparatus

Номер патента: US20040008939A1. Автор: Asako Baba. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-15.

Dispersion-compensating module

Номер патента: US20020131739A1. Автор: Shigeru Tanaka,Toshiaki Okuno,Masao Tsukitani,Eisuke Sasaoka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Wavelength dispersion compensator and optical transmission line

Номер патента: US20020034360A1. Автор: Satoshi Ishii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Optical signal interleaver and deinterleaver devices with chromatic dispersion compensation

Номер патента: WO2002099357A1. Автор: Shijie Gu. Владелец: Oplink Communications, Inc.. Дата публикации: 2002-12-12.

Passive dispersion compensation for an acousto-optic deflector

Номер патента: US20240152022A1. Автор: Itay Peled. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Passive dispersion compensation for an acousto-optic deflector

Номер патента: WO2024095260A1. Автор: Itay Peled. Владелец: ORBOTECH LTD.. Дата публикации: 2024-05-10.

Chromatic dispersion compensator

Номер патента: US6633704B2. Автор: Glenn E. Kohnke,Daniel M. Boland. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2003-10-14.

Variable dispersion compensator and method of controlling the same

Номер патента: US20100020405A1. Автор: Naoki Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Multichannel integrated tunable thermo-optic lens and dispersion compensator

Номер патента: CA2634293C. Автор: Christopher Richard Doerr. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Dispersion compensation

Номер патента: US11782266B2. Автор: Mark R. Ayres,Friso Schlottau,Adam Urness,Kenneth E. Anderson. Владелец: AKONIA HOLOGRAPHICS LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Dispersion compensating apparatus and dispersion compensating method

Номер патента: US20090080901A1. Автор: Akira Miura,Kiyotoshi Noheji,Hiroki Ooi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-03-26.

Wavelength selective switch, alignment direction acquisition method, liquid crystal on silicon, and manufacturing method

Номер патента: EP3677959A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Devices with monochromatic liquid crystal on silicon displays

Номер патента: EP4220279A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Wavelength selective switch, alignment direction obtaining method, and liquid crystal on silicon and method for manufacturing same

Номер патента: US20200225418A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Dispersion-compensated windshield hologram virtual image display

Номер патента: CA2019742C. Автор: Ronald T. Smith. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-07-04.

Multichannel integrated tunable thermo-optic lens and dispersion compensator

Номер патента: CA2479178A1. Автор: Christopher Richard Doerr. Владелец: Christopher Richard Doerr. Дата публикации: 2003-09-25.

Multichannel integrated tunable thermo-optic lens and dispersion compensator

Номер патента: CA2479178C. Автор: Christopher Richard Doerr. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-30.

Wavelength dispersion compensation device

Номер патента: US20070236797A1. Автор: Kohei Shibata,Nobuhiro Fukushima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Variable dispersion compensator

Номер патента: US20030228103A1. Автор: Takashi Hashimoto,Shigeru Matsuno,Takuya Ohira,Sadayuki Matsumoto,Junichiro Hoshizaki,Kiichi Yoshiara,Ryosuke Namiki,Masakazu Takabayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for controlling voltages of liquid crystal on silicon two-dimensional array and related device

Номер патента: US11953803B2. Автор: TONG Li,HONG Yang,Lei Mao,Liangjia ZONG,Zeshan CHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Retardation compensator for a liquid crystal-on-silicon imager

Номер патента: US7327423B2. Автор: Achintya K. Bhowmik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2949127B1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Asymmetric waveguide configuration on silicon nitride basis

Номер патента: WO2015143962A1. Автор: Tom Collins,Joost Brouckaert. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

LASER APPARATUS INCLUDING AN OPTIC DISPERSION COMPENSATOR

Номер патента: US20200212643A1. Автор: Dantus Marcos,Lozovoy Vadim. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-02.

METAMATERIAL-BASED OPTICAL DISPERSION COMPENSATION

Номер патента: US20150331146A1. Автор: FIDDY Michael,Alisafaee Hossein. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2015-11-19.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light engine based on silicon photonics TSV interposer

Номер патента: US12057403B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

III-V laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US11728616B2. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Laser device integrated with semiconductor optical amplifier on silicon substrate

Номер патента: US09960567B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Optical dispersive delay line and its use for laser pulse compression/expansion

Номер патента: EP0626740B1. Автор: Pierre Tournois. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1997-12-17.

Multi-channel chromatic dispersion compensator

Номер патента: WO2006106523A3. Автор: Gil Cohen,Yossi Corem,Seongwoo Suh. Владелец: Xtellus Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Planar optical waveguide element, chromatic dispersion compensator, optical filter, optical resonator and methods for designing the element, chromatic dispersion compensator, optical filter and optical resonator

Номер патента: CN101960346A. Автор: 官宁,佐久间健,小川宪介. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Planar optical waveguide element, chromatic dispersion compensator, optical filter, optical resonator and methods for designing the element, chromatic dispersion compensator, optical filter and optical resonator

Номер патента: US20100322559A1. Автор: Kensuke Ogawa,Ning Guan,Ken Sakuma. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Optical waveguide element, chromatic dispersion compensator, methods for designing chromatic dispersion compensator, optical filter, methods for designing optical filter, optical resonator and methods for designing optical resonator

Номер патента: US20100322558A1. Автор: Kensuke Ogawa,Ning Guan,Ken Sakuma. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Dispersion compensator, method for manufacturing the same, and method for compensating wavelength dispersion

Номер патента: US20060193558A1. Автор: Kazutaka Nara,Kazuhisa Kashihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

BONDING OF HETEROGENEOUS MATERIAL GROWN ON SILICON TO A SILICON PHOTONIC CIRCUIT

Номер патента: US20150177458A1. Автор: Bowers John E.,Bovington Jock. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

III-V LASER PLATFORMS ON SILICON WITH THROUGH SILICON VIAS BY WAFER SCALE BONDING

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Bovington Jock T.,PATEL Vipulkumar K.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

BONDING OF A HETEROGENEOUS MATERIAL GROWN ON SILICON TO A SILICON PHOTONIC CIRCUIT

Номер патента: US20170227708A1. Автор: Bowers John E.,Bovington Jock. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-08-10.

III-V LASER PLATFORMS ON SILICON WITH THROUGH SILICON VIAS BY WAFER SCALE BONDING

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Bovington Jock T.,PATEL Vipulkumar K.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Bonding of heterogeneous material grown on silicon to a silicon photonic circuit

Номер патента: US9360623B2. Автор: John E. Bowers,Jock BOVINGTON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-06-07.

The dissimilar materials being grown on silicon is bonded with silicon photonic circuit

Номер патента: CN104882368B. Автор: 约翰·E·鲍威尔斯,乔克·波维顿. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-04-24.

Acousto-optic dispersive light filter

Номер патента: US4653869A. Автор: Milton Gottlieb,Fredrick L. Schaff. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1987-03-31.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: EP1230717A1. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2002-08-14.

Method of fabricating mirrors for liquid crystal on silicon display device

Номер патента: US20080135515A1. Автор: Yiqun Chen,Xianyong Pu,Jing Fu,Jianhong Mao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Highly-reflective liquid crystal on silicon panel comprising a continuous reflective coating covering pixel electrodes and an inter-pixel coating

Номер патента: US09958726B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Carbon nano tube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: US20060072063A1. Автор: Gihong Kim,Charles Koo. Владелец: NANO ACQUISITION CORP. Дата публикации: 2006-04-06.

Liquid crystal on silicon micro-display using carbon nanotube

Номер патента: US7728947B1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Sysview Tech Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US20230296941A1. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Liquid-crystal-on-silicon display with photolithographic alignment posts and optical interference layers

Номер патента: US20020047967A1. Автор: SU Jie,HAN Gang,Ravi Yalamanchi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Carbon nanotube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: WO2006041914A1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Charles Chul-Whei Koo. Дата публикации: 2006-04-20.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display device having a uniform cell gap

Номер патента: EP1550900A1. Автор: Jin-woo Cho,Su-Ho Shin,Su-gun Kim,Seong-woon 119-403 Ssangyong Apt. Booh,Jong-min 303-502 Hanra Apartment Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-06.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US11906852B2. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Highly-Reflective Liquid Crystal On Silicon Panel

Номер патента: US20160246115A1. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Systems And Methods For Integrating A-Axis Oriented Barium Titanate Thin Films On Silicon (001) Via Strain Control

Номер патента: US20200409190A1. Автор: Marc Reynaud,Alexander A. Demkov,Agham POSADAS. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2020-12-31.

Liquid crystal on silicon imager

Номер патента: US20110025957A1. Автор: Herb He Huang. Владелец: Jiangsu Lexvu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Method and apparatus for measuring pmd of a dispersion compensation grating

Номер патента: AU7871100A. Автор: Tiejun Xia,David Way. Владелец: MCI Worldcom Inc. Дата публикации: 2001-04-23.

Chromatic dispersion compensation system and method

Номер патента: AU2003230939A1. Автор: Mark Shtaif,Michael H. Eiselt. Владелец: Celion Networks Inc. Дата публикации: 2003-11-03.

Chromatic Dispersion Compensation

Номер патента: US20210194587A1. Автор: Marco Romagnoli,Fabio Cavaliere,Michele Midrio,Vito SORIANELLO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2021-06-24.

Optical dispersion compensation

Номер патента: EP1878144A1. Автор: Richard Tellabs Operations Inc. YOUNCE,Kenneth Tellabs Operations Inc. FISHER,Kimon Tellabs Operations Inc. PAPAKOS. Владелец: Tellabs Operations Inc. Дата публикации: 2008-01-16.

Optical dispersion compensation

Номер патента: WO2006116768A1. Автор: Kenneth Fisher,Kimon Papakos,Richard Younce. Владелец: Tellabs Operations, Inc.. Дата публикации: 2006-11-02.

Method and system for compensating for optical dispersion in an optical signal

Номер патента: US20110222864A1. Автор: Olga I. Vassilieva. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Fiber-optic cable system and method for dispersion compensation at nodes between end points

Номер патента: US5218662A. Автор: John M. Dugan. Владелец: Alcatel Network Systems Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

An apparatus and method for self-adaptive dispersion compensating

Номер патента: CA2633189A1. Автор: Huade Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Dispersion compensation method and device, and storage medium

Номер патента: EP3832909A1. Автор: Qiang Zhang,Jie Zhou. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Tunable dispersion compensation device, optical reception apparatus, and method for controlling tunable dispersion compensation

Номер патента: US20130016968A1. Автор: Toshihiro Ohtani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for adjusting automatic adaptive dispersion compensation

Номер патента: RU2642482C1. Автор: Юнь ЦАО,Ци СЯО,Линлин ГАО,Линь ДЭН,Сунтао ЧЭНЬ. Владелец: Файберхоум Телекоммьюникейшн Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-25.

Tunable dispersion compensation device, optical reception apparatus, and method for controlling tunable dispersion compensation

Номер патента: US9048955B2. Автор: Toshihiro Ohtani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Wavelength dispersion compensation apparatus and wavelength dispersion compensation method

Номер патента: US11929784B2. Автор: Takayuki Kobayashi,Yutaka Miyamoto,Shimpei Shimizu,Takushi Kazama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Devices and methods for raman amplification and dispersion compensation

Номер патента: US20040070818A1. Автор: Phong Diep,James Fajardo. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

Wavelength dispersion compensation apparatus and wavelength dispersion compensation method

Номер патента: US20230059003A1. Автор: Takayuki Kobayashi,Yutaka Miyamoto,Shimpei Shimizu,Takushi Kazama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Optical transmission system and dispersion compensation method for optical transmission system as well as simulation equipments

Номер патента: US7319801B2. Автор: Kentaro Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-15.

Dispersion compensating discrete phase filters

Номер патента: CA3177991A1. Автор: Jose Azana,Reza MARAM,Saket Kaushal,Mauricio Tosi. Владелец: Fonex Data Systems Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for dispersion compensation in a mesh optical network, and a network using same

Номер патента: US8909052B2. Автор: Eyal Lichtman. Владелец: ECI Telecom Ltd. Дата публикации: 2014-12-09.

Dispersion compensating discrete phase filters

Номер патента: CA3177991C. Автор: Jose Azana,Reza MARAM,Saket Kaushal,Mauricio Tosi. Владелец: Fonex Data Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for dispersion compensation in a mesh optical network, and a network using same

Номер патента: US20130051799A1. Автор: Eyal Lichtman. Владелец: ECI Telecom Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Dispersion compensation for high speed optical transmission systems

Номер патента: WO2002015441A2. Автор: Chi-Hao Cheng,Kuang-Yi Wu,Tiejun Xia. Владелец: Chorum Technologies Lp. Дата публикации: 2002-02-21.

Dispersion compensation for high speed optical transmission systems

Номер патента: WO2002015441A3. Автор: Chi-Hao Cheng,Kuang-Yi Wu,Tiejun Xia. Владелец: Chorum Technologies Lp. Дата публикации: 2002-07-18.

Dispersion compensating method and dispersion compensating apparatus

Номер патента: US20060210220A1. Автор: Masahiro Yoshimoto,Futoshi Izumi,Makoto Takakuwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

System and method of dispersion compensation in optical communication systems

Номер патента: WO2002041535A3. Автор: Ten Sergey,Morten Nissov,Ekaterina Golovchenko,Jonathan Nagel,Alexei A Pilipetskii. Владелец: Tycom US Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Dispersion compensation architecture for switch-ready optical networks

Номер патента: EP1516446A2. Автор: Andrew Robinson,Hanan Anis,John Gruber,Alex Tager,Ross Saunders. Владелец: Ceyba Corp. Дата публикации: 2005-03-23.

System and method for administration of dispersion compensation modules

Номер патента: EP2396912A1. Автор: Arne Striegler. Владелец: NOKIA SIEMENS NETWORKS OY. Дата публикации: 2011-12-21.

System and method for administration of dispersion compensation modules

Номер патента: US20120039616A1. Автор: Arne Striegler. Владелец: NOKIA SIEMENS NETWORKS OY. Дата публикации: 2012-02-16.

Devices and methods for raman amplification and dispersion compensation

Номер патента: WO2004036793A1. Автор: Liang Dong,James C. Fajardo. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2004-04-29.

Distinct dispersion compensation for coherent channels

Номер патента: US20110097087A1. Автор: Wayne S. Pelouch,Do-Il Chang. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Distinct dispersion compensation for coherent channels and non- coherent channels

Номер патента: EP2494716A1. Автор: Wayne S. Pelouch,Do-Il Chang. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2012-09-05.

Tunable chromatic dispersion compensation

Номер патента: WO2003001708A9. Автор: Shanhui Fan,Michal Lipson,John D Joannopoulos,Lionel C Kimerling,Kevin M Chen. Владелец: Massachussets Inst Of Technolo. Дата публикации: 2003-07-31.

Chromatic dispersion compensator with integrated anti-aliasing filter and resampler

Номер патента: US20160050024A1. Автор: Noriaki Kaneda. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Wavelength dispersion compensation design method and a system thereof

Номер патента: US20060193638A1. Автор: Yuichi Akiyama,Takafumi Terahara,Hisao Nakashima,Takeshi Hoshida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

All fiber polarization mode dispersion compensator

Номер патента: WO2001095528A2. Автор: Dipakbin Q. Chowdhury,Donald J. Sobiski,Edward F. Murphy, Sr.,Razvigor B. Ossikovski. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2001-12-13.

Dispersion compensation in optical communication network and optical communication network

Номер патента: WO2000055993A3. Автор: Markku Oksanen. Владелец: Markku Oksanen. Дата публикации: 2001-01-11.

Dispersion compensation in optical communication network and optical communication network

Номер патента: WO2000055993A2. Автор: Markku Oksanen. Владелец: Nokia Networks Oy. Дата публикации: 2000-09-21.

Re-configurable dispersion compensation module (rdcm)

Номер патента: WO2003041281A3. Автор: Xiaoli Fu,Jinghui Li,Tiangong Liu,Tongqing Wang,Genzao Zhang. Владелец: Redclover Networks Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Variable dispersion compensator and optical transmission system

Номер патента: CA2380043C. Автор: Masayuki Nishimura,Makoto Katayama,Tomohiko Kanie,Shunichi Tsuchiya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Wavelength division multiplexing system and residual dispersion compensating device and method thereof

Номер патента: EP2007042A2. Автор: Likun Zhang,Jiaying Wang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

Dispersion compensation design method and dispersion compensation design system

Номер патента: US20120237214A1. Автор: Kazuyuki Tajima,Yutaka Takita,Tomohiro Hashiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Chromatic dispersion compensation control method and apparatus

Номер патента: US20080089695A1. Автор: Toshihiro Ohtani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Chromatic dispersion compensation control method and apparatus

Номер патента: US7813647B2. Автор: Toshihiro Ohtani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-10-12.

Optical transmission system and dispersion compensation method for optical transmission system as well as simulation equipments

Номер патента: US20070201790A1. Автор: Kentaro Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-08-30.

Dispersion compensation system and dispersion compensation method

Номер патента: US20210266069A1. Автор: Masahiro Nakagawa,Toshiya Matsuda,Masaru Katayama,Kana MASUMOTO,Hidetoshi ONDA. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Dispersion compensation method and compensation node apparatus

Номер патента: EP1583262A1. Автор: Akira Miura,Kentaro Nakamura,George Ishikawa,Hiroki Ooi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-10-05.

Method and system for dynamic dispersion compensation

Номер патента: CA2676482C. Автор: John Mills,Ahmad Atieh. Владелец: BTI Systems Inc. Дата публикации: 2014-09-23.

Dispersion compensation in optical communications systems

Номер патента: CA2471848A1. Автор: Harry Richard Claringburn. Владелец: Marconi Uk Intellectual Property Ltd.. Дата публикации: 2003-07-24.

System and method of dispersion compensation in optical communication systems

Номер патента: WO2002041535A2. Автор: Ten Sergey,Morten Nissov,Alexei A. Pilipetskii,Ekaterina Golovchenko,Jonathan Nagel. Владелец: Tycom (Us) Inc.. Дата публикации: 2002-05-23.

Configurable dispersion compensation in a pluggable optical transceiver

Номер патента: WO2023141496A1. Автор: Christopher Page,David M. Calhoun. Владелец: Precision Optical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

Configurable dispersion compensation in a pluggable optical transceiver

Номер патента: US11962345B2. Автор: Christopher Page,David M. Calhoun. Владелец: Precision Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Optical receiving device and method for controlling dispersion compensation amount

Номер патента: US9973276B2. Автор: Toshiki Tanaka,Yutaka Kai,Ryou Okabe,Tomoo Takahara,Masato Nishihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Optical receiving device and method for controlling dispersion compensation amount

Номер патента: US20170272161A1. Автор: Toshiki Tanaka,Yutaka Kai,Ryou Okabe,Tomoo Takahara,Masato Nishihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for compensating polarization mode dispersion in a waveguide and a polarization mode dispersion compensator

Номер патента: US6594408B1. Автор: Reinhold Noe. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-07-15.

Devices and methods for dynamic dispersion compensation

Номер патента: US20040184815A1. Автор: Michael Sauer,Shenping Li,Dmitri Kuksenkov,Daniel Nolan,Andrey Korolev,Alexej Sysoliatin. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Optical network design apparatus and dispersion compensation design method

Номер патента: US8190031B2. Автор: Kazuyuki Tajima,Yutaka Takita,Toru Katagiri,Tomohiro Hashiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Generation of a feedback signal for a polarization mode dispersion compensator in a communication system using alternate-polarization

Номер патента: US20110182572A1. Автор: Henning Bülow,Axel Klekamp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Generation of a feedback signal for a polarization mode dispersion compensator in a communication system using alternate-polarization

Номер патента: WO2010043924A1. Автор: Henning Buelow,Axel Klekamp. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2010-04-22.

Tunable dispersion compensator

Номер патента: US20020186438A1. Автор: Thomas Ducellier,Sheldon McLaughlin,Valentine Morozov. Владелец: Lumentum Ottawa Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Optical add drop and dispersion compensation apparatus and method thereof

Номер патента: EP1307984B1. Автор: Patrick Leisching. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-10-04.

Dispersion compensating and amplifying optical element, method for minimizing gain tilt and apparatus for minimizing non-linear interaction between band pumps

Номер патента: EP1088375A2. Автор: Mohammed Nazrul Islam,Michael R. Slawson,Mohammed Azizul Islam. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2001-04-04.

Dispersion compensating and amplifying optical element, method for minimizing gain tilt and apparatus for minimizing non-linear interaction between band pumps

Номер патента: EP1088375A4. Автор: Mohammed Nazrul Islam,Mohammed Azizul Islam,Michael R Slawson. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2005-05-25.

Optical add drop and dispersion compensation apparatus

Номер патента: EP1307984A1. Автор: Patrick Leisching. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-05-07.

All fiber polarization mode dispersion compensator

Номер патента: WO2001095528A3. Автор: Dipakbin Q Chowdhury,Donald J Sobiski,Edward F Murphy Sr,Razvigor B Ossikovski. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Dispersion compensation circuitry and system for analog video transmission with direct modulated laser

Номер патента: EP2124360A3. Автор: Wei Huang,Li-Ping Chen,Thomas C. Lam. Владелец: Harmonic Inc. Дата публикации: 2012-06-13.

Multi-dimensional model of optical dispersion

Номер патента: EP3938767A1. Автор: Mikhail Sushchik,Natalia Malkova,Dawei Hu,Carlos L. Ygartua. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-01-19.

Multi-Dimensional Model Of Optical Dispersion

Номер патента: US20200292467A1. Автор: Mikhail Sushchik,Natalia Malkova,Dawei Hu,Carlos L. Ygartua. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Multi-dimensional model of optical dispersion

Номер патента: WO2020190826A1. Автор: Mikhail Sushchik,Natalia Malkova,Dawei Hu,Carlos L. Ygartua. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

Multi-oscillator, continuous Cody-Lorentz model of optical dispersion

Номер патента: US09664734B2. Автор: Leonid Poslavsky,Natalia Malkova. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods, compositions and devices for performing ionization desorption on silicon derivatives

Номер патента: WO2005001423A3. Автор: Bruce Compton,Gary Siuzdak,Zhouxin Shen,Eden Go,Edouard S P Bouvier. Владелец: Edouard S P Bouvier. Дата публикации: 2007-08-16.

Ionizing radiation sensor based on silicon of crucible-free melting zone of p-type conductivity

Номер патента: RU2634324C1. Автор: Владимир Александрович Елин,Михаил Моисеевич Меркин. Владелец: Публичное акционерное общество "Интерсофт Евразия", ПАО "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2017-10-25.

FABRICATION AND PROCESSING OF GRAPHENE ELECTRONIC DEVICES ON SILICON WITH A SiO2 PASSIVATION LAYER

Номер патента: WO2023183987A1. Автор: Mohammad Choucair,Alexander James PORKOVICH. Владелец: Archer Materials Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-destructive bond line thickness measurement of thermal interface material on silicon packages

Номер патента: US20210123729A1. Автор: Yu Luo,Hongqing Zhang,David J. Lewison,Jay A. Bunt,Joyce Molinelli Acocella. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

OPTICAL DISPERSION COMPENSATION

Номер патента: DE69716610T2. Автор: Richard Ian Laming,Wei-Hung Loh. Владелец: Pirelli Cavi e Sistemi SpA. Дата публикации: 2003-06-26.

Optical dispersion compensation

Номер патента: CA2264878A1. Автор: Richard Ian Laming,Wei-Hung Loh. Владелец: Wei-Hung Loh. Дата публикации: 1998-02-26.

Optical fiber holding device, optical dispersion-equalizer, and method of manufacturing optical fiber holding device

Номер патента: EP1318421A3. Автор: Takashi c/o Mitsubishi Denki K. K. Hashimoto,Minoru c/o Mitsubishi Denki K. K. Hashimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Optical fiber holding device, optical dispersion-equalizer, and method of manufacturing optical fiber holding device

Номер патента: EP1318421B1. Автор: Takashi c/o Mitsubishi Denki K. K. Hashimoto,Minoru c/o Mitsubishi Denki K. K. Hashimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Wideband, multi-core dispersion compensation fiber

Номер патента: WO2003089960A3. Автор: James A West,William A Wood. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Quantum-Confined Stark Effect Electro-Optic Modulator In Perovskite Quantum Wells Integrated On Silicon

Номер патента: US20230132224A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott Ortmann, JR.. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-04-27.

Quantum-confined stark effect electro-optic modulator in perovskite quantum wells integrated on silicon

Номер патента: WO2021178959A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott ORTMANN. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-09-10.

PLANAR OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT, CHROMATIC DISPERSION COMPENSATOR, OPTICAL FILTER, OPTICAL RESONATOR AND METHODS FOR DESIGNING THE ELEMENT, CHROMATIC DISPERSION COMPENSATOR, OPTICAL FILTER AND OPTICAL RESONATOR

Номер патента: US20130129293A1. Автор: OGAWA Kensuke,GUAN Ning,SAKUMA Ken. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

Dispersion compensating optical fiber, dispersion compensator and optical transmission line

Номер патента: JP4079104B2. Автор: 義典 山本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-04-23.

Chromatic dispersion compensating and chromatic dispersion slope compensating fiber

Номер патента: US20070140635A1. Автор: Denis Molin,Pierre Sillard,Louis-Anne de Montmorillon,Marianne Bigot-Astruc. Владелец: Draka Comteq BV. Дата публикации: 2007-06-21.

Dispersion compensating fiber and dispersion compensating fiber module

Номер патента: US6937805B2. Автор: Takaaki Suzuki,Kuniharu Himeno,Ryuji Suzuki,Kazuhiko Aikawa,Shogo Shimizu,Masakazu Nakayama. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Dispersion compensation optical fiber and optical transmission line comprising the dispersion compensation optical fiber

Номер патента: CA2340948A1. Автор: Kazunori Mukasa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-01-04.

Dispersion compensating optical fiber, dispersion compensating device, optical transmission line and optical transmission system

Номер патента: US20030156809A1. Автор: Yuichi Ohga,Masao Tsukitani,Eisuke Sasaoka,Eiji Yanada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Dispersion compensation fiber and dispersion compensation module

Номер патента: WO2022212188A1. Автор: Pushkar Tandon,Sergey Yurevich Ten. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-06.

Dispersion compensating fiber and dispersion compensating fiber module

Номер патента: US20030095769A1. Автор: Takaaki Suzuki,Kuniharu Himeno,Ryuji Suzuki,Kazuhiko Aikawa,Shogo Shimizu,Masakazu Nakayama. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11940698B2. Автор: Yeuk-Keung Fung,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11953794B2. Автор: Rong Hsu,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Dispersion compensating fiber

Номер патента: TW539877B. Автор: Lei Jiang,George Edward Berkey,Dale Robert Powers,V Srikant. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2003-07-01.

Broadband single-polarization residual dispersion compensation photonic crystal fiber

Номер патента: ZA202108796B. Автор: Chao Wang,Linghong Jiang,Wanwei Tang. Владелец: Univ Tangshan. Дата публикации: 2022-02-23.

Optical waveguide device, manufacturing method therefor, optical modulator, polarization mode dispersion compensator, and optical switch

Номер патента: US20140034602A1. Автор: Tetsuya Miyatake,Takashi Shiraishi,Masaharu Doi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Method and System for Monitoring Optical Dispersion in an Optical Signal

Номер патента: US20110103791A1. Автор: Takao Naito,Alexander Umnov,Niranjan Hanumanna. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

In-service optical dispersion determining system and method

Номер патента: US20120093516A1. Автор: John Mills,Lijie Qiao,Ahmad Atieh. Владелец: BTI Systems Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Electronic dispersion compensation system and method

Номер патента: WO2010149714A3. Автор: Mary Mccarthy,Jian Zhao. Владелец: UNIVERSITY COLLEGE CORK, NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK. Дата публикации: 2011-02-24.

Dispersion compensation method and device in optical communication system

Номер патента: US20100166435A1. Автор: Kai Liu,Jing NIU,Chunyan Yang,Junrui Li,Changbin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Dispersion compensation for waveguide communication channels

Номер патента: WO2018118338A1. Автор: Georgios C. Dogiamis,Emanuel Cohen,Telesphor Kamgaing,Sasha N. OSTER. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Chromatic dispersion compensation filter

Номер патента: EP3235147A1. Автор: Juan Qi,Michael Zarubinsky,Alexander Sverdlov,Dori GIDRON. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-25.

Optical receiver having a chromatic-dispersion compensation module with a multibranch filter-bank structure

Номер патента: EP3005588A2. Автор: Fabian Hauske,Noriaki Kaneda,Sebastian Randel. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2016-04-13.

Optical receiver having a chromatic-dispersion compensation module with a multibranch filter-bank structure

Номер патента: WO2014191830A3. Автор: Fabian Hauske,Noriaki Kaneda,Sebastian Randel. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2015-05-14.

Dispersion compensating varactor circuit

Номер патента: WO2009123869A3. Автор: Richard Meier,Shutong Zhou,Ihab Khalouf. Владелец: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-30.

Dispersion compensating varactor circuit

Номер патента: WO2009123869A2. Автор: Richard Meier,Shutong Zhou,Ihab Khalouf. Владелец: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION. Дата публикации: 2009-10-08.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20240154639A1. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Dispersion compensation for electromagnetic waveguides

Номер патента: US11916604B2. Автор: Henning Braunisch,Thomas W. Brown,Telesphor Kamgaing,Stefano Pellerano,Neelam Prabhu Gaunkar,Georgios Dogiamis,Diego Correas-Serrano. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods and tunable apparatuses for dynamic dispersion compensation of electromagnetic signals

Номер патента: US11909436B1. Автор: John F. O'Hara,Karl Louthan Strecker. Владелец: Board of Regents for Oklahoma Agricultural and Mechanical Colleges. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US11817895B2. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

System and method to perform DC compensation on a radio frequency burst in a cellular wireless network

Номер патента: US20040252787A1. Автор: Baoguo Yang,Nelson Sollenberger. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Compounds having negative optical dispersion, negative optical dispersion composition comprising the compounds, and optically anisotropic body comprising the composition

Номер патента: US09850196B2. Автор: Sung-Ho Chun,Jung Hyun Kim,Min Hyung Lee,Kyung Chang Seo,Jeong Wook Mun,Hyeong Bin Jang,Mi Ra Hong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Continuous tuning for optical dispersion compensation synthesizers using cascaded etalons

Номер патента: EP2053432A9. Автор: Peter Gerard Wigley,Douglas Llewellyn Butler,Aravanan Gurusami,Timothy Kent Zahnley,Mark Summa,Ghang-Ho Lee,Robert David Paul Ridding. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

OPTICAL DISPERSION COMPENSATION MODULE USING FIBER BRAGG GRATING WITH MULTIPLE DEGREES OF FREEDOM FOR THE OPTICAL FIELD

Номер патента: US20130209035A1. Автор: Zhang Shaoliang,Xu Lei,Yaman Fatih,Wang Ting,Mateo Eduardo. Владелец: NEC Laboratories America, Inc.. Дата публикации: 2013-08-15.

Synthesis of optical dispersion compensators and methods using a series of GT cavities

Номер патента: US20030210401A1. Автор: Shudong Wu. Владелец: Oclaro North America Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

COMPOUNDS HAVING NEGATIVE OPTICAL DISPERSION, NEGATIVE OPTICAL DISPERSION COMPOSITION COMPRISING THE COMPOUNDS, AND OPTICALLY ANISOTROPIC BODY COMPRISING THE COMPOSITION (As Amended)

Номер патента: US20160200662A1. Автор: KIM Jung Hyun,Lee Min Hyung,Chun Sung-Ho,MUN Jeong Wook,Seo Kyung Chang,Jang Hyeong Bin,HONG Mi Ra. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2016-07-14.

Compounds having negative optical dispersion, negative optical dispersion composition comprising the compounds, and optically anisotropic body comprising the composition

Номер патента: KR101623929B1. Автор: 김정현,전성호,이민형,문정욱,서경창,홍미라,장형빈. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-05-24.

COMPOSITION FOR MANUFACTURING OPTICAL ELEMENTS WITH NEGATIVE OPTICAL DISPERSION, AND OPTICALLY ANISOTROPIC BODY MANUFACTURED THEREFROM

Номер патента: US20160208171A1. Автор: KIM Jung Hyun,Lee Min Hyung,Chun Sung-Ho,Seo Kyung Chang,AHN Jun Seong. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Composition for manufacturing optical device having negative optical dispersion and optical anisotropic body manufactured therefrom

Номер патента: CN105814461A. Автор: 全成浩,李旼炯,徐庆昌,金廷玹,安峻成. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Composition for producing optical element having negative optical dispersion and optical anisotropic body produced therefrom

Номер патента: JP6586085B2. Автор: スン−ホ・チュン,ジュン・ヒュン・キム,キョン・チャン・ソ,ミン・ヒュン・イ,ジュン・ソン・アン. Владелец: エルジー・ケム・リミテッド. Дата публикации: 2019-10-02.

Composition for manufacturing optical elements with negative optical dispersion and optically anisotropic body manufactured therefrom

Номер патента: TWI557105B. Автор: 全成浩,李旼炯,金廷玹,安峻成,徐慶昌. Владелец: Ｌｇ化學股份有限公司. Дата публикации: 2016-11-11.

For manufacturing the composition of the optical element with negative optical dispersion, and the optically anisotropic body being produced from it

Номер патента: CN105814461B. Автор: 全成浩,李旼炯,徐庆昌,金廷玹,安峻成. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

ACHROMATIC OPTICAL-DISPERSION CORRECTED GRADIENT REFRACTIVE INDEX OPTICAL-ELEMENT

Номер патента: US20150361286A1. Автор: Williams George. Владелец: Vadient, Inc.. Дата публикации: 2015-12-17.

POLYMERISABLE LC MEDIUM AND POLYMER FILM WITH FLAT OPTICAL DISPERSION

Номер патента: US20200024519A1. Автор: PROCTOR Rebecca,BELTRAN GRACIA Eduardo,GARDINER Iain,MULCAHY Stephen. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-01-23.

MULTILAYER AND SINGLE LAYER CELLULOSE ESTER FILMS HAVING REVERSED OPTICAL DISPERSION

Номер патента: US20140168770A1. Автор: Wang Bin,Gorbunova Maryna Grigorievna,KING Brian Michael. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2014-06-19.

POLYMERISABLE LC MEDIUM AND POLYMER FILM WITH NEGATIVE OPTICAL DISPERSION

Номер патента: US20170226421A1. Автор: ADLEM Kevin,Parri Owain Llyr,ARASI Hassan,Sargent Joseph. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-08-10.

Polymer comprising cyclohexylene groups and its use in films with negative optical dispersion

Номер патента: KR101757945B1. Автор: 케빈 아들렘,오웨인 리르 파리,다비드 윌크스,클레어 토핑. Владелец: 메르크 파텐트 게엠베하. Дата публикации: 2017-07-14.

Polymer comprising cyclohexylene groups and its use in films with negative optical dispersion

Номер патента: CN102471690B. Автор: K·阿德莱姆,O·L·帕里,D·韦尔克斯,C·托平. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2014-07-23.

Polymerisable lc material and polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: WO2011050896A1. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Patricia Eilen Saxton. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2011-05-05.

Polymerisable lc medium and polymer film with flat optical dispersion

Номер патента: WO2018099883A1. Автор: Stephen Mulcahy,Iain Gardiner,Eduardo BELTRAN GRACIA,Rebecca PROCTOR. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2018-06-07.

Birefringent polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: US8289494B2. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Karl Skjonnemand. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2012-10-16.

Birefringent polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: USRE46426E1. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Karl Skjonnemand. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-06-06.

Polymerisable LC material and polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: TW201120197A. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Patricia Eileen Saxton,Owain Llyr Parri. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2011-06-16.

Multilayer cellulose ester film having reversed optical dispersion

Номер патента: WO2012003118A1. Автор: Bin Wang,Charles Michael Buchanan. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymerisable lc material and polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: TWI480364B. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Patricia Eileen Saxton,Owain Llyr Parri. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2015-04-11.

Multilayer cellulose ester film with reverse optical dispersion

Номер патента: JP6408218B2. Автор: ワン ビン,マイケル ブキャナン チャールズ,マイケル ブキャナン チャールズ. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2018-10-17.

Birefringent Layer with Negative Optical Dispersion

Номер патента: US20100072422A1. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Karl Skjonnemand. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2010-03-25.

DOUBLE-BREAKING POLYMER FILM WITH NEGATIVE OPTICAL DISPERSION

Номер патента: DE602008003417D1. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Karl Skjonnemand. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2010-12-23.

Birefringent polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: TWI439535B. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Karl Skjonnemand. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2014-06-01.

Use of polymers in polymers containing cyclohexylene groups and films with negative optical dispersion

Номер патента: JP5781507B2. Автор: オーウェン リル パーリ、,オーウェン リル パーリ、,ケビン アドレム、,デイヴィッド ウィルクス、,クレア トッピング、. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2015-09-24.

Polymer comprising cyclohexylene groups and its use in films with negative optical dispersion

Номер патента: US8802813B2. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Claire Topping. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2014-08-12.

Polymer comprising cyclohexylene groups and its use in films with negative optical dispersion

Номер патента: TWI503348B. Автор: Kevin Adlem,David Wilkes,Owain Llyr Parri,Claire Topping. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2015-10-11.

Optical dispersion system

Номер патента: US7217024B2. Автор: John Good,Mark Good. Владелец: Mark Good. Дата публикации: 2007-05-15.

Polymerizable LC medium and polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: CN106574186B. Автор: J·萨根特,K·阿德莱姆,H·阿拉斯,O·L·帕里. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-10-23.

Polymerisable LC medium and polymer film with negative optical dispersion

Номер патента: CN106574186A. Автор: J·萨根特,K·阿德莱姆,H·阿拉斯,O·L·帕里. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-04-19.

Wire Grid Polarizer with Silicon Dioxide Side Ribs on Silicon Wire

Номер патента: US20230021232A1. Автор: Daniel Bacon-Brown,Matthew C. George,R. Stewart Nielson,Shaun Patrick Ogden. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Micro-size optical switch on silicon-on-insulator platform

Номер патента: US20110142394A1. Автор: Trevor Hall,DeGui Sun. Владелец: UNIVERSITY OF OTTAWA. Дата публикации: 2011-06-16.

Novel Reactive Mesogen Compound, Composition For Negative Dispersion Compensation Film Comprising The Same, And Negative Dispersion Compensation Film Comprising The Same

Номер патента: KR102112704B1. Автор: 이지훈,최유진,이유민,정광운,황지용. Владелец: 전북대학교산학협력단. Дата публикации: 2020-05-20.

Novel reactive mesogen compound, composition containing same for reverse-wavelength dispersion compensation film, and reverse-wavelength dispersion compensation film comprising same

Номер патента: WO2019054587A1. Автор: 이지훈,최유진,이유민,정광운,황지용. Владелец: 전북대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-03-21.

Polarisation conversion optical system eg with dispersion compensation for liquid crystal projection

Номер патента: GB2408588A. Автор: Grant Bourhill,Bronje M Musgrave,Emma J Walton,Marina Vladimirovna Khazova. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Control method of wavelength dispersion compensator, and wavelength dispersion compensator

Номер патента: EP1513274A2. Автор: Yuichi Fujitsu Limited Kawahata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-09.

Single-crystal-silicon flexible ribbon for micro-mirror and MEMS assembly on silicon-on-insulator (SOI) material

Номер патента: EP1211726B1. Автор: Decai Sun,Michael A. Rosa. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-11-05.

Optical module and dispersion compensator

Номер патента: US20090317085A1. Автор: Hirotomo Izumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Process for manufacturing a ceramic composite based on silicon nitride and beta-eucryptite

Номер патента: TW201210985A. Автор: Laurent Blanchard,Jerome Chevalier,Yann Vitupier,Gilbert Fantozzi,Aurelien Pelletant,Helen Reveron. Владелец: Centre Nat Rech Scient. Дата публикации: 2012-03-16.

Devices for dispersion compensation, beam displacement, and optical switching

Номер патента: EP2057499A2. Автор: Efraim Goldenberg,Yuval Gerson,Vyacheslav Aminov. Владелец: Civcom Devices and Systems Ltd. Дата публикации: 2009-05-13.

Displays with dispersion-compensating interleaved gratings

Номер патента: EP4229466A1. Автор: Se Baek Oh,Scott M. DELAPP. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of producing sensitive elements based on silicon-carbon composites and making gas sensors based thereon

Номер патента: RU2732802C1. Автор: Наталья Васильевна Меньшутина,Мария Геннадьевна Гордиенко,Ирина Сергеевна Бриллиантова,Дмитрий Давидович Белоус,Павел Юрьевич Циганков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2020-09-22.

Optical coherence tomography (oct) system with a multi-pass dispersion compensation cell

Номер патента: US20240035805A1. Автор: Wihan KIM,Anna Marie WISNIOWIECKI,Brian Edward APPLEGATE,John Steven OGHALAI. Владелец: Alfred E Mann Institute for Biomedical Engineering of USC. Дата публикации: 2024-02-01.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A3. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2006-09-14.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A2. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2005-12-01.

Preparation of Nanometric Arrays of Biomolecules on Oligo-or Poly(Ethylene Glycol) Films on Silicon Surfaces

Номер патента: US20070212555A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2007-09-13.

Geodetic surveying device for dispersion compensated distance measurement according to the two-color process

Номер патента: US20240200943A1. Автор: Paul Benz,Jürg Hinderling,Simon Bestler. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2024-06-20.

Geodetic surveying device for dispersion compensated distance measurement according to the two-color process

Номер патента: EP4386317A1. Автор: Paul Benz,Jürg Hinderling,Simon Bestler. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2024-06-19.

Optical coherence tomography (oct) system with a multi-pass dispersion compensation cell

Номер патента: EP4264174A1. Автор: Wihan KIM,Anna Marie WISNIOWIECKI,Brian Edward APPLEGATE,John Steven OGHALAI. Владелец: Alfred E Mann Institute for Biomedical Engineering of USC. Дата публикации: 2023-10-25.

Driving and encoding of a digitial liquid crystal on silicon (lcos) display

Номер патента: EP4338149A1. Автор: Guang Yang,Denise LEE,Tengjie SUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

System and method for involuntary user command compensation on an input device

Номер патента: GB2625111A. Автор: Vito Amadori Pierluigi. Владелец: Sony Interactive Entertainment Europe Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

System and method for involuntary user command compensation on an input device

Номер патента: EP4383049A1. Автор: Pierluigi AMADORI. Владелец: Sony Interactive Entertainment Europe Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

System and method for involuntary user command compensation on an input device

Номер патента: US20240192778A1. Автор: Pierluigi Vito AMADORI. Владелец: Sony Interactive Entertainment Europe Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and system for load estimation and gravity compensation on a robotic arm

Номер патента: US20190084154A1. Автор: Jung-Fu HOU,Cheng-Chin Chen,Jia-Huei Jian. Владелец: Hiwin Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2018-05-21.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

HgZnTe DETECTOR ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20240170600A1. Автор: Jeffrey M. Peterson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-23.

Hybrid III-V on silicon laser device with transverse mode filter

Номер патента: US09941664B1. Автор: Folkert Horst,Herwig Hahn,Marc Seifried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Forming LED structures on silicon fins

Номер патента: US09847448B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Light emitting diode on silicon substrate

Номер патента: RU2755933C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Ирина Павловна Смирнова,Александр Сергеевич Гращенко,Лев Константинович Марков,Андрей Евгеньевич Николаев,Алексей Сергеевич Павлюченко,Генадий Викторович Святец,Андрей Федорович Цацульников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2021-09-23.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US10008386B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US10217632B2. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Iii-n fet on silicon using field suppressing reo

Номер патента: US20130062609A1. Автор: David Williams,Rytis Dargis,Michael Lebby,Robin Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, containing film based on silicon oxide dielectric and based on polycrystalline silicon

Номер патента: RU2588620C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Исон Юй-Шен СУ,Аренд Йоукэ КИНГМА,Бастиан Мартен НОЛЛЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Nitsinitride and oxidized nitsinitride dielectrics on silicon

Номер патента: CA1252372A. Автор: Joseph P. Ellul,Sing P. Tay. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1989-04-11.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Technique for threshold control over edges of devices on silicon-on-sapphire

Номер патента: US4070211A. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-24.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform, method of making the same

Номер патента: US20220069153A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: EP3692609A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-08-12.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: US20200287353A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-09-10.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Light emitting device grown on silicon substrate

Номер патента: RU2657335C2. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-06-13.

Preparation of superconducting oxide films on silicon and silicon dioxide substrates

Номер патента: CA1332326C. Автор: Richard E. Soltis,Mohammad Aslam,Eleftherios M. Logothetis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Photonic circuit with hybrid III-V on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US11670912B2. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-06.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

Strain compensated reo buffer for iii-n on silicon

Номер патента: US20160133708A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of nitride monocrystal growth on silicon plate, nitride semi-conductor light emitting diode, which is produced with its utilisation, and method of such production

Номер патента: RU2326993C2. Автор: Хее Сеок ПАРК,ев Юрий Васильевич Жил,Юрий Васильевич ЖИЛЯЕВ,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Физико-Технический Институт Имени А.Ф.Иоффе Ран. Дата публикации: 2008-06-20.

Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

Номер патента: CA2128590C. Автор: John E. Jensen,Jennifer J. Zinck,Damodaran Rajavel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-08-25.

Redispersible particles based on silicon particles and polymers

Номер патента: US20200006752A1. Автор: Dominik Jantke,Rebecca Bernhard. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: WO2019068554A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2019-04-11.

Active material of negative electrode based on silicone alloy for electric device

Номер патента: RU2508579C2. Автор: Такаси МИЯМОТО,Манабу ВАТАНАБЕ,Осаму ТАНАКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-02-27.

Contact grid of heterotransitional photoelectric converter based on silicon and method of its manufacture

Номер патента: RU2624990C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Геннадий Анатольевич Иванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел". Дата публикации: 2017-07-11.

Iii-v semiconductor growth initiation on silicon

Номер патента: CA1332141C. Автор: Jack P. Salerno,Jhang Woo Lee,Richard E. Mccullough. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US11881498B2. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US20240162270A1. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20240145587A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US11888055B2. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20210305419A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A3. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Liquid crystal on silicon display

Номер патента: US20060012734A1. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Optical dispersion lcd device manufacturing method

Номер патента: KR100230354B1. Автор: 최우호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A2. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: AU1131701A. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2001-05-14.

Electro-optical modulators and applications based on silicon processing compatible nonlinear optical materials

Номер патента: US20230168561A1. Автор: Rajat Sharma,Alex Friedman,Yeshaiahu Fainman,Andrew Ingram,Andrew GRIECO,Alexei Smolyaninov,Dhaifallah Almutairi,Naif Alshamrani,Hani NEJADRIAHI,Dmitrii Belogolovskii. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-01.

Liquid crystal on silicon incorporating integrated spacers and silicon light valves and method for fabrication

Номер патента: US20030076461A1. Автор: Yong-Nien Rao,Hong-Da Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2003-04-24.

A kind of pixel array, silicon substrate and liquid crystal on silicon (LCOS) display device

Номер патента: CN108873439A. Автор: 郭建利. Владелец: Beijing Mirage Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Wafer scale fabrication of liquid crystal on silicon light modulation devices

Номер патента: WO2006020086A1. Автор: John Magana. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-02-23.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: WO2002089107A1. Автор: Samson Huang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-11-07.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: EP1384226A1. Автор: Samson Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Optical dispersion compensation in the electrical domain in an optical communications system

Номер патента: US9853725B2. Автор: Kieran Parsons,Kim B. Roberts,Leo Strawczynski,Maurice O'Sullivan,John McNicol. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Characterization and control of optical dispersion compensating element

Номер патента: US20050147415A1. Автор: John Fee,Frank McKiel. Владелец: Worldcom Inc. Дата публикации: 2005-07-07.

High speed jitter correction and adaptive chromatic dispersion compensation in optical dispersion compensation in optical systems using RZ format

Номер патента: US6721512B1. Автор: Xiang-Dong Cao. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2004-04-13.

Optical dispersion compensating device and optical dispersion compensating method using the device

Номер патента: EP1292052A1. Автор: Kazuro 1304 Forme Tsunashima Cres Towers KIKUCHI,Yuichi Takushima,Mark Kenneth OYOKODEN LAB CO. LTD JABLONSKI,Yuichi OYOKODEN LAB CO. LTD. TANAKA,Haruki OYOKODEN LAB CO. LTD. KATAOKA,Kenji OYOKODEN LAB CO. LTD. FURUKI,Noboru OYOKODEN LAB CO. LTD. HIGASHI,Kazunari OYOKODEN LAB CO. LTD. SATO,Shiro OYOKODEN LAB CO. LTD. YAMASHITA. Владелец: Oyokoden Lab Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-12.

Optical Dispersion Compensation in the Electrical Domain in an Optical Communications System

Номер патента: US20170078016A1. Автор: Parsons Kieran,ROBERTS Kim B.,Strawczynski Leo,McNicol John,"OSULLIVAN Maurice". Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

OPTICAL DISPERSION COMPENSATION CIRCUIT AND OPTICAL COMMUNICATION AND TRANSMISSION SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: IT1296848B1. Автор: Atsushi Toyohara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-02.

Optical Dispersion Compensation in the Electrical Domain in an Optical Communications System

Номер патента: US20180076887A1. Автор: Parsons Kieran,ROBERTS Kim B.,Strawczynski Leo,McNicol John,"OSULLIVAN Maurice". Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Optical dispersion compensation device and method in optical communication system

Номер патента: EP1531564A3. Автор: Jung-Jae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-07-25.

Optical dispersion compensation

Номер патента: DE60100407D1. Автор: David Wall,Olivier Gautheron,Jose Chesnoy,Gerard Bourret,Neville John Hazell,Peter Terribili. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-08-07.

Method and system for compensating for optical dispersion in an optical signal in a hybrid optical network

Номер патента: US7693425B2. Автор: Takao Naito,Olga I. Vassilieva. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-04-06.

Polarization mode dispersion compensation module

Номер патента: US20040008993A1. Автор: Shu-Lin Tai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Polarization mode dispersion compensation

Номер патента: US7466923B1. Автор: Jonathan A. Nagel,Michael Herbert Eiselt. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Methods and systems for polarization mode dispersion compensation

Номер патента: US7333728B1. Автор: Moshe Tur,Jonathan A. Nagel,Antonio Mecozzi,Mark Shtaif. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 2008-02-19.

Chromatic dispersion compensation

Номер патента: EP1456978A1. Автор: Andre Van Schyndel. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

Method and system for compensating for optical dispersion in an optical signal

Номер патента: US7991295B2. Автор: Olga I. Vassilieva,Susumi Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Method and apparatus for optical dispersion monitoring

Номер патента: DE60315781T2. Автор: Masazumi Kawasaki-shi Marutani,Takuji Kawasaki-shi Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method and system for polarization modem dispersion compensation

Номер патента: AU2006275007B2. Автор: Erich Gottwald. Владелец: Xieon Networks SARL. Дата публикации: 2011-06-16.

Method and system for polarization modem dispersion compensation

Номер патента: US7983567B2. Автор: Erich Gottwald. Владелец: Nokia Siemens Networks GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-07-19.

Method and system for polarization mode dispersion compensation

Номер патента: US20090142071A1. Автор: Erich Gottwald. Владелец: Nokia Siemens Networks GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-06-04.

Method and system for polarization modem dispersion compensation

Номер патента: CA2617537A1. Автор: Erich Gottwald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Method and system for polarization modem dispersion compensation

Номер патента: AU2006275007A1. Автор: Erich Gottwald. Владелец: Nokia Siemens Networks GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-02-08.

Dispersion compensator

Номер патента: US20020081074A1. Автор: Hidenori Takahashi,Kosuke Nishimura,Masashi Usami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Polarization mode dispersion compensator based on rotating micro-mirrors

Номер патента: WO2002061988A2. Автор: Terry L. Smith,Robert G. Smith,Billy L. Weaver,Mike E. Hamerly,Silva K. Theiss. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2002-08-08.

Mems-based polarization mode dispersion compensator

Номер патента: EP1356611A2. Автор: Terry L. Smith,Robert G. Smith,Billy L. Weaver,Mike E. Hamerly,Silva K. Theiss. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-10-29.

System, method and apparatus for polarization mode dispersion compensation and demultiplexing polarization multiplexed signals

Номер патента: WO2005086391A1. Автор: Giulio Colavolpe,Enrico Forestieri,Marco Secondini,Giancarlo Prati. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2005-09-15.

Polarization mode dispersion compensator based on rotating micro-mirrors

Номер патента: WO2002061988A3. Автор: Robert G Smith,Terry L Smith,Billy L Weaver,Silva K Theiss,Mike E Hamerly. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Wavelength dispersion compensation device, light reception device, wavelength dispersion compensation method, and computer program

Номер патента: EP3965319B1. Автор: Takayuki Kobayashi,Masanori Nakamura,Masahito Tomizawa,Seiji Okamoto,Kengo Horikoshi,Yoshiaki Kisaka,Shuto YAMAMOTO. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Dispersion compensation multiplexed wavelength luminous optical signal transmission system having reference wavelength positive/negative dispersion compensation and further sections compensating remaining wavelengths.

Номер патента: FR2792139A1. Автор: Takao Naito,Toshiki Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-10-13.

POLARIZATION DISPERSION COMPENSATION DEVICE IN AN OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM

Номер патента: FR2828941A1. Автор: Denis Penninckx,Jean Pierre Hamaide,Stephanie Lanne. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-02-28.

Optical amplifier having polarization mode dispersion compensation function

Номер патента: EP1441454A3. Автор: Yasushi c/o Fujitsu Limited Sugaya,Miki c/o Fujitsu Limited Onaka,Etsuo c/o Fujitsu Limited Hayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-21.

Dispersion compensation using adjustable inverse distortion operator

Номер патента: WO2005022206A2. Автор: Lonnie Scott Jaynes,Jerry Busby Wood. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2005-03-10.

Optical communication system and dispersion compensation method

Номер патента: US11881893B2. Автор: Kazutaka Hara,Yasutaka Kimura,Atsuko Kawakita. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Dispersion compensation using adjustable inverse distortion operator

Номер патента: WO2005022206A3. Автор: Lonnie Scott Jaynes,Jerry Busby Wood. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2005-08-18.

Optical communications dispersion compensation system

Номер патента: CA2160921A1. Автор: Nicholas John Doran. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-10-27.

Dispersion compensation design method and dispersion compensation design system

Номер патента: US20120237214A1. Автор: Kazuyuki Tajima,Yutaka Takita,Tomohiro Hashiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Wavelength dispersion compensation apparatus, wavelength dispersion compensation method, and optical receiving apparatus

Номер патента: US20220038180A1. Автор: Seiji Okamoto,Yoshiaki Kisaka,Etsushi Yamazaki,Kyo MINOGUCHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

CHROMATIC DISPERSION COMPENSATION DEVICE, CHROMATIC DISPERSION COMPENSATION METHOD, AND COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20200067598A1. Автор: Tomizawa Masahito,Yamazaki Etsushi,YOSHIDA Mitsuteru,KISAKA Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

DISPERSION COMPENSATION DESIGNING DEVICE, DISPENSION COMPENSATION METHOD, OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM, AND PROGRAM

Номер патента: US20210159982A1. Автор: YAMAGUCHI Minoru,SAITO Kohei,KUBO Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

DISPERSION COMPENSATION SYSTEM AND DISPERSION COMPENSATION METHOD

Номер патента: US20210266069A1. Автор: NAKAGAWA Masahiro,Masumoto Kana,ONDA Hidetoshi,MATSUDA Toshiya,Katayama Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Variable dispersion compensator, optical transmission system using the same, and dispersion compensation amount setting method

Номер патента: JP4448438B2. Автор: 隆 森,哲也 宇田,博行 中野,康之 深代,透 平井. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-04-07.

Dispersion compensation apparatus and dispersion compensation control method

Номер патента: JP4935250B2. Автор: 剛司 星田,寛 尾中,寛己 大井. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-05-23.

Polarization mode dispersion measuring method, and a dispersion compensation control device and a dispersion compensation control method

Номер патента: EP0964237A4. Автор: Yuichi Akiyama,George Ishikawa,Hiroki Ooi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-15.

Compensator for polarisation-mode dispersion compensation

Номер патента: WO2003030410A3. Автор: Michael Charles Parker,Stuart Douglas Walker. Владелец: Stuart Douglas Walker. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for compensating for polarisation mode dispersion and polarisation mode dispersion compensator

Номер патента: WO2000003505A1. Автор: Reinhold Noe. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2000-01-20.

Chromatic dispersion compensation design system and chromatic dispersion compensation design method

Номер патента: JP5168054B2. Автор: 一幸 田島,徹 片桐,裕 瀧田,知弘 橋口. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Polarization mode dispersion compensator and polarization mode dispersion compensating method

Номер патента: US20070110451A1. Автор: Akihiko Isomura,Jens Rasmussen,George Ishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Dispersion compensation design method and dispersion compensation design system

Номер патента: JP5678624B2. Автор: 一幸 田島,裕 瀧田,田島　一幸,知弘 橋口. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-04.

Method for compensating polarization mode dispersion and polarization mode dispersion compensator

Номер патента: RU2193792C2. Автор: Райнхольд НОЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-11-27.

Dispersion Compensation in an Optical Communications System

Номер патента: CA2165564A1. Автор: Martin Christopher Tatham,Gerard Sherlock. Владелец: Gerard Sherlock. Дата публикации: 1995-02-02.

Wavelength dispersion compensation device, light reception device, wavelength dispersion compensation method, and computer program

Номер патента: WO2020245984A1. Автор: 山本　秀人,建吾 堀越,聖司 岡本,木坂　由明,小林　孝行,政則 中村,富沢　将人. Владелец: 日本電信電話株式会社. Дата публикации: 2020-12-10.

METHOD FOR POLARIZATION MODE DISPERSION COMPENSATION AND POLARIZATION MODE DISPERSION COMPENSATOR

Номер патента: DE59906786D1. Автор: Reinhold Noe. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-10-02.

Optical transmission network, optical transmission apparatus, dispersion compensator arrangement calculation apparatus and dispersion compensator arrangement calculation method

Номер патента: US6987903B2. Автор: Ichiro Nakajima,Hiroaki Tomofuji,Takeshi Sakamoto,Yuji Shimada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

Wavelength dispersion compensation control method and wavelength dispersion compensation control device

Номер патента: US7689126B2. Автор: Nobuyuki Nemoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

Method for compensating for polarisation mode dispersion and polarisation mode dispersion compensator

Номер патента: CN1157873C. Автор: R·诺伊,R・诺伊. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-07-14.

Dispersion compensation method, dispersion compensation apparatus, and optical transmission system

Номер патента: JP4011290B2. Автор: 智 三上,央 西本. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-21.

Dispersion compensating apparatus and dispersion compensation control method

Номер патента: EP1895692B1. Автор: Hiroshi Onaka,Takeshi Hoshida,Hiroki Ooi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

Simulatenous PMD Compensation and Chromatic Dispersion Compensation Using LDPC Coded OFDM

Номер патента: US20090228766A1. Автор: Lei Xu,Ting Wang,Milorad Cvijetic,Ivan Djordjevic. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Dispersion compensation device, dispersion compensation method and communication device

Номер патента: CN109997323A. Автор: 山崎悦史,吉田光辉,木坂由明,富泽将人. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Compensator for polarization-mode dispersion compensation

Номер патента: US7218800B2. Автор: Michael C. Parker,Stuart D. Walker. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Mems-based polarization mode dispersion compensator

Номер патента: US20020164123A1. Автор: Robert Smith,Terry Smith,Mike Hamerly,Silva Theiss,Billy Weaver. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-11-07.

Wavelength dispersion compensation device, wavelength dispersion compensation method and optical receiver

Номер патента: JP7064143B2. Автор: 聖司 岡本,由明 木坂,悦史 山崎,恭 蓑口. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

System, method and apparatus for polarization mode dispersion compensation and demultiplexing polarization multiplexed signals

Номер патента: EP1723737A1. Автор: Giulio Colavolpe,Enrico Forestieri,Marco Secondini,Giancarlo Prati. Владелец: Marconi Communications SpA. Дата публикации: 2006-11-22.

Dispersion compensation method and compensation node apparatus

Номер патента: EP1583262B1. Автор: Akira Miura,Kentaro Nakamura,George Ishikawa,Hiroki Ooi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-11-06.

Variable delay device for a polarization mode dispersion compensator

Номер патента: EP1240737A1. Автор: Dipakbin Q. Chowdhury,Ashiqur Rahman,Robert G. Lindquist. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-09-18.

Dispersion compensation using adjustable iir filter

Номер патента: WO2005022207A3. Автор: Lonnie Scott Jaynes,Jerry Busby Wood. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2005-06-16.

Electronic dispersion compensation for low-cost distributed feedback-directly modulated laser

Номер патента: EP2866362B1. Автор: Hyeon Min Bae,Jong Hyeok Yoon,Kyeong Ha Kwon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-21.

Chromatic dispersion compensation

Номер патента: EP3420651B1. Автор: Marco Romagnoli,Fabio Cavaliere,Michele Midrio,Vito SORIANELLO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-10-18.

Dispersion compensating device

Номер патента: WO2002001764A3. Автор: Uri Mahlab. Владелец: Uri Mahlab. Дата публикации: 2002-10-03.

Dispersion compensating device

Номер патента: WO2002001764A2. Автор: Uri Mahlab. Владелец: ECI TELECOM LTD.. Дата публикации: 2002-01-03.

Polarization mode dispersion compensator for optical fiber communication systems

Номер патента: EP1164724B1. Автор: Christi Kay Madsen. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Dispersion compensation architecture for switch-ready optical networks

Номер патента: AU2003240210A1. Автор: Andrew Robinson,Hanan Anis,John Gruber,Alex Tager,Ross Saunders. Владелец: Ceyba Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Dispersion compensation method and device, and storage medium

Номер патента: EP3832909A4. Автор: Qiang Zhang,Jie Zhou. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Polarization mode dispersion compensation module

Номер патента: TWI225178B. Автор: Shu-Lin Tai. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-11.

Dispersion compensation in optical communication network and optical communication network

Номер патента: AU2918600A. Автор: Markku Oksanen. Владелец: Nokia Networks Oy. Дата публикации: 2000-10-04.

System, apparatus and method for utilizing optical dispersion for fourier-domain optical coherence tomography

Номер патента: US9668652B2. Автор: Benjamin Vakoc,Meena Siddiqui,Serhat Tozburun. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

SYSTEM, APPARATUS AND METHOD FOR UTILIZING OPTICAL DISPERSION FOR FOURIER-DOMAIN OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY

Номер патента: US20190082962A1. Автор: Tozburun Serhat,Vakoc Benjamin,Siddiqui Meena. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

SYSTEM, APPARATUS AND METHOD FOR UTILIZING OPTICAL DISPERSION FOR FOURIER-DOMAIN OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY

Номер патента: US20170319071A1. Автор: Tozburun Serhat,Vakoc Benjamin,Siddiqui Meena. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

SYSTEM, APPARATUS AND METHOD FOR UTILIZING OPTICAL DISPERSION FOR FOURIER-DOMAIN OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY

Номер патента: US20200345235A1. Автор: Tozburun Serhat,Vakoc Benjamin,Siddiqui Meena. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

System, apparatus and method for utilizing optical dispersion for fourier-domain optical coherence tomography

Номер патента: US10058250B2. Автор: Benjamin Vakoc,Meena Siddiqui,Serhat Tozburun. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

System, apparatus and method utilizing optical dispersion for fourier-domain optical coherence tomography

Номер патента: EP3025173A2. Автор: Benjamin Vakoc,Meena Siddiqui,Serhat Tozburun. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2016-06-01.

Method of providing a laser radiation with a laser arrangement utilizing optical dispersion for applications in fourier-domain optical coherence tomography

Номер патента: EP3910282B1. Автор: Benjamin Vakoc,Meena Siddiqui,Serhat Tozburun. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Multi-Dimensional Model Of Optical Dispersion

Номер патента: US20200292467A1. Автор: Mikhail Sushchik,Natalia Malkova,Dawei Hu,Carlos L. Ygartua. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Multi-Oscillator, Continuous Cody-Lorentz Model Of Optical Dispersion

Номер патента: US20160341792A1. Автор: Poslavsky Leonid,Malkova Natalia. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Multi-dimensional model of optical dispersion

Номер патента: EP3938767A4. Автор: Mikhail Sushchik,Natalia Malkova,Dawei Hu,Carlos L. Ygartua. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030C. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030A1. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-08-23.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Single molecule array on silicon substrate for quantum computer

Номер патента: EP1315667A1. Автор: Michelle Yvonne Simmons,Andrew Steven Dzurak,Robert Graham Clark,Jeremy Lloyd O'brien,Steven Richard Schofield. Владелец: Unisearch Ltd. Дата публикации: 2003-06-04.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US12087352B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: EP1918985B1. Автор: Alexandra Abbadie. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-05-26.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: TW200819519A. Автор: Alexandra Abbadie,Bernd Kolbesen,Jochen Maehliss. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2008-05-01.

Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform

Номер патента: US4194171A. Автор: Edward C. Jelks. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1980-03-18.

A capacitorless dram device on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: WO1995015562A1. Автор: Chenming Hu,Hsing-Jen C. Wann. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1995-06-08.

A kind of silicon nanowires chip and the Mass Spectrometry detection method based on silicon nanowires chip

Номер патента: CN110203876A. Автор: 陈晓明,邬建敏. Владелец: Hangzhou Jian Jian Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography

Номер патента: US20180337048A1. Автор: Dario L. Goldfarb,Martin Glodde. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Die division method and inspection apparatus for avoiding defects locations on silicon carbide wafers

Номер патента: US20220199470A1. Автор: Min Park,Jongho YOON. Владелец: Etamax Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Silicon nanowire chip and mass spectrum detection method based on silicon nanowire chip

Номер патента: CN110203876B. Автор: 陈晓明,邬建敏. Владелец: Hangzhou Well Healthcare Technologies Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Silicon nanowire chip manufacturing method and mass spectrum detection method based on silicon nanowire chip

Номер патента: JP7300017B2. Автор: 建敏 ▲ウー▼,暁明 陳. Владелец: HANGZHOU WELL-HEALTHCARE TECHNOLOGIES CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-28.

Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography

Номер патента: US20200090936A1. Автор: Dario L. Goldfarb,Martin Glodde. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20200143870A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of voltage drop compensation on a cable and corresponding circuit

Номер патента: US20190074763A1. Автор: Alexandre Pons. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2019-03-07.

Communications link optical amplification and dispersion compensation

Номер патента: WO1999043121A8. Автор: Brian L Lawrence,Michael H Shimazu. Владелец: Michael H Shimazu. Дата публикации: 2000-08-24.

In-service optical dispersion determining system and method

Номер патента: US20120093516A1. Автор: John Mills,Lijie Qiao,Ahmad Atieh. Владелец: BTI Systems Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Chromatic dispersion compensation in a coherent optical receiver

Номер патента: EP2693665B1. Автор: Sébastien Bigo,Christian Dorize,Yvan Pointurier,Francesco Vacondio. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2018-06-13.

Polymerisable LC medium and polymer film with flat optical dispersion

Номер патента: US12031079B2. Автор: Kevin Adlem,Eduardo BELTRAN GRACIA,Naomi WEARE,Hassan Norouzi-Arasi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-09.

Glues based on silicon-acryl hybrid polymer

Номер патента: RU2544702C2. Автор: Чарльз У. ПОЛ,Юксиа ЛИУ,Джиангбо ОУЯНГ,Пол ФОРМАН,Лаксмиша М. СРИДХАР,Смита ШАХ. Владелец: Хенкель Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Antimicrobial compositions for oral cavity based on silicon dioxide

Номер патента: RU2727205C2. Автор: Терри НАССИВЕРА,Карл ГАЛЛИС,Эрик ЛИНДКВИСТ,Линда МАУЛЛЕР. Владелец: Эвоник Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2020-07-21.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: EP4401704A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-07-24.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: US20240358622A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-10-31.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

Method of producing high temperature powder composite material based on silicon carbides and titanium

Номер патента: RU2638866C1. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-18.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Composition for pigment dying based on specific acrylic polymer and on silicone copolymer and dying method

Номер патента: RU2643298C2. Автор: Карен ТЕБУЛЬ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-01-31.

Process for preparing moldings based on silicon oxycarbide

Номер патента: US4833220A. Автор: Bernd Pachaly,Volker Frey,Norbert Zeller. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 1989-05-23.

Silicon oxide based support, heteropolyacid catalyst based on said support and synthesis of esters in presence of heteropolyacid catalyst deposited on silicon oxide

Номер патента: RU2395487C2. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-07-27.

Method for elimination or furnace roll pickup marks on silicon containing sheet steel

Номер патента: CA1049904A. Автор: Arthur R. Henricks. Владелец: USS Engineers and Consultants Inc. Дата публикации: 1979-03-06.

Method of producing thin-film materials based on silicon, phosphorus, calcium and magnesium oxides

Номер патента: RU2719580C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Екатерина Сергеевна Лютова,Лариса Николаевна Спивакова,Елена Анатольевна Изосимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2020-04-21.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: GB2588357A. Автор: Phillip Young James. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Laser resonator has laser medium with cavity mirror, collimator optic dispersive element, aperture and cavity mirror

Номер патента: DE19909497C1. Автор: Martin Hofmann,Bernd Smarsly,Jens Struckmeier,Arno Euteneuer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-01-11.

OPTICAL SUBTRACTION OF MOLECULAR DISPERSION SIGNALS ENABLED BY DIFFERENTIAL OPTICAL DISPERSION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20140111808A1. Автор: Wysocki Gerard,Nikodem Michal. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-24.

Simultaneous ranging and remote chemical sensing utilizing optical dispersion or absorption spectroscopy

Номер патента: US20160334507A1. Автор: Gerard Wysocki,Andreas Hangauer. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-17.

Device and procedure for measuring optical dispersion in optical, especially monomode, fiber, in which at least two beams are generated from an initial beam and recombined

Номер патента: FR2800870A1. Автор: Kazi Sarwar Abedin. Владелец: Communication Research Laboratory. Дата публикации: 2001-05-11.

Method and apparatus for contactless optical measurement of the thickness of a hot glass body by optical dispersion

Номер патента: US20060012804A1. Автор: André Witzmann,Johann Faderl,Otmar Schmittel,Christopher Fritsch,Thorsten Wilke,Rupert Fehr,Ernst-Walter Schaefer. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2006-01-19.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Magneto-Optic Dispersion Spectrometer

Номер патента: US20130208276A1. Автор: Vance Joseph Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

ANGLE LIMITING REFLECTOR AND OPTICAL DISPERSIVE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160025567A1. Автор: LOECKLIN Eberhard. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

SIMULTANEOUS RANGING AND REMOTE CHEMICAL SENSING UTILIZING OPTICAL DISPERSION OR ABSORPTION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20160334507A1. Автор: Wysocki Gerard,Hangauer Andreas. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-17.

Dynamic tactile interface with exhibiting optical dispersion characteristics

Номер патента: US9423875B2. Автор: Micah Yairi,Christopher DeArmitt,Michael Hammersley. Владелец: Tactus Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Optical dispersion measuring apparatus and measuring method using the same

Номер патента: JP3388227B2. Автор: サルワル アベディン カジ. Владелец: サルワル アベディン カジ. Дата публикации: 2003-03-17.

OPTICAL DISPERSION MEASURING APPARATUS AND MEASURING METHOD USING THE APPARATUS

Номер патента: FR2800870B1. Автор: Kazi Sarwar Abedin. Владелец: Communication Research Laboratory. Дата публикации: 2007-05-25.

Optical dispersion detection type electrophoretic device

Номер патента: JP2550106B2. Автор: 嘉敏 伊藤,秀記 神原. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-11-06.

Optical dispersion measurement apparatus and measurement method using same

Номер патента: CA2324776A1. Автор: Kazi Sarwar Abedin. Владелец: Communication Research Laboratory. Дата публикации: 2001-05-05.

Optical dispersion measurement apparatus and measurement method using same

Номер патента: US6943871B1. Автор: Kazi Sarwar Abedin. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2005-09-13.

Elastic embossing lacquer having high optical dispersion

Номер патента: CA3178136A1. Автор: Johannes Götz,Stephan RUTTLOFF,Herrn Dieter Nees,Ursula PALFINGER. Владелец: Joanneum Research Forschungs GmbH. Дата публикации: 2023-04-04.

Elastic embossing lacquer having high optical dispersion

Номер патента: US20230107543A1. Автор: Johannes Götz,Dieter Nees,Stephan RUTTLOFF,Ursula PALFINGER. Владелец: Joanneum Research Forschungs GmbH. Дата публикации: 2023-04-06.

Dispersion compensation for a frequency-modulated continuous-wave (fmcw) lidar system

Номер патента: US20210311178A1. Автор: Boris KIRILLOV. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Dispersion compensation for a frequency-modulated continuous-wave (FMCW) LIDAR system

Номер патента: US12072449B2. Автор: Boris KIRILLOV. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Dispersion compensation for a frequency-modulated continuous-wave (fmcw) lidar system

Номер патента: US20220334236A1. Автор: Boris KIRILLOV. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-10-20.

Micro-mechanics component e.g. pressure sensor, has membrane with silicon dioxide layer provided on silicon substrate, and piezoelectric or piezo-resistive conducting strips integrated between silicon dioxide and silicon nitride layers

Номер патента: FR2867178A1. Автор: Frank Fischer,Arnim Hoechst. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-09-09.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20130296574A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2013-11-07.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20090082222A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-03-26.

Silicon-on-silicon differential input sensors

Номер патента: AU2044892A. Автор: Peter V. Loeppert,Warren S. Graber. Владелец: Monolithic Sensors Inc. Дата публикации: 1993-01-28.

Preparation of sensors on oligo-or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2009131891A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-10-29.

Biochip based on silicon base produced in photolithography and etching technology useful in biological and medical analysis, comprises several individual recesses deposited in top e.g. silicon- or metal oxide layer of silicon based chips

Номер патента: DE102011104143A1. Автор: Auf Nichtnennung Antrag. Владелец: Borros Arneth. Дата публикации: 2012-12-20.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

CHARACTERIZATION OF SILICON-GERMANIUM ZONES ON SILICON

Номер патента: FR2798195B1. Автор: Didier Dutartre,Jean Claude Oberlin. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-11-16.

Quantum computer architecture based on silicon donor qubits coupled by photons

Номер патента: US20230042201A1. Автор: Jeffrey Young,Robert Raussendorf,Jingda WU,Xiruo YAN,Warit ASAVANANT. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2023-02-09.

Quantum computer architecture based on silicon donor qubits coupled by photons

Номер патента: EP4088231A4. Автор: Jeffrey Young,Robert Raussendorf,Jingda WU,Xiruo YAN,Warit ASAVANANT. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2024-01-17.

Method and image processing device for mura compensation on display panel

Номер патента: US20220189387A1. Автор: Wenhui Yu,Chih-Yuan Yang,Xiaoming Bu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2022-06-16.

Lamb wave dispersion compensation for the Embedded Ultrasonic Strucure Radar (EUSR) approach for ultrasonic beam steering

Номер патента: EP2293058B1. Автор: Girija Parthasarathy,Radek Hedl. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display driving system and the method thereof

Номер патента: TW200629204A. Автор: Cheng-Chi Yen,Yung-Yuan Ho,Hon-Yuan Leo,Yen-Chen Chen. Владелец: Himax Tech Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display driving system and the method thereof

Номер патента: TWI278801B. Автор: Cheng-Chi Yen,Yung-Yuan Ho,Hon-Yuan Leo,Yen-Chen Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Dispersion compensation

Номер патента: EP3155362A4. Автор: Rishard Weitz,Mark Hathaway. Владелец: Cellview Imaging Inc. Дата публикации: 2017-11-22.

Frame Buffer Pixel Circuit of Liquid Crystal on Silicon Display Device

Номер патента: US20130069966A1. Автор: Bin Lin,Jiajun Luo,Ran Huang,Huan Du,Bohua Zhao. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-03-21.

Dispersion compensation

Номер патента: EP3155362A1. Автор: Rishard Weitz,Mark Hathaway. Владелец: Cellview Imaging Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Compounds having negative optical dispersion, negative optical dispersion composition comprising the compounds, and optically anisotropic body comprising the composition

Номер патента: KR101990057B1. Автор: 이정현,전성호,서경창,문봉진,송영지. Владелец: 서강대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-06-17.

Method for forming microelectrode-pair arrays on silicon substrate surface with hydrophobic silicon pillars

Номер патента: US20140120271A1. Автор: Lei Jiang,Jie Ma,Bin Su,Yanlin Song,Shutao Wang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-05-01.

Long wavelength VCSEL and integrated VCSEL systems on silicon substrates

Номер патента: US11769989B2. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2003-02-05.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: WO2001073828A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas, Inc.. Дата публикации: 2001-10-04.

Photoelectric converter based on semiconductor compounds a2b4c5 2 formed on silicon substrate

Номер патента: RU2624831C2. Автор: Дмитрий Александрович Кудряшов,Жорес Иванович Алферов,Александр Сергеевич Гудовских,Иван Сергеевич Мухин,Алексей Михайлович Можаров,Алексей Дмитриевич Большаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук". Дата публикации: 2017-07-07.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A2. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Masamichi Azuma. Владелец: SYMETRIX CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230235480A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

High quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20130146863A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Buffer layers for device isolation of devices grown on silicon

Номер патента: US20090218596A1. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09917122B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09911784B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09685481B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

SYSTEM, APPARATUS AND METHOD FOR UTILIZING OPTICAL DISPERSION FOR FOURIER-DOMAIN OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY

Номер патента: US20160157721A1. Автор: Tozburun Serhat,Vakoc Benjamin,Siddiqui Meena. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2016-06-09.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

External stontium tianate on silicon

Номер патента: US20210028009A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230238246A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Epitaxial strontium titanate on silicon

Номер патента: US20230197443A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Growing compressively strained silicon directly on silicon at low temperatures

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductors on Silicon Surfaces

Номер патента: US20110304021A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US20240240346A1. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Protective coatings on silicon anodes for effective management in high volume cell plant

Номер патента: US20240113303A1. Автор: Xingcheng Xiao,Wai Ping Gloria Tam. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods for depositing iii-v compositions on silicon

Номер патента: US20210020437A1. Автор: Emily Lowell Warren,Jeramy David Zimmerman,Theresa Emily SAENZ. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride UV light sensors on silicon substrates

Номер патента: US09780239B2. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Laser using locally strained germanium on silicon for opto-electronic applications

Номер патента: US09653639B2. Автор: Birendra Dutt. Владелец: APIC Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Hetero integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: EP1525614A1. Автор: Suresh Venkatesan,Papa D. Maniar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-27.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Iii-v photonic crystal microlaser bonded on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150222092A1. Автор: Axel Scherer,Seheon KIM,William DOS SANTOS FEGADOLLI. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-08-06.

Monolithic iii-v nanolaser on silicon with blanket growth

Номер патента: US20170012405A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

High-quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20150364552A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Wafer pretreatment to decrease rate of silicon dioxide deposition on silicon nitride compared to silicon substrate

Номер патента: TW519692B. Автор: Manuel Anselmo Hernandez,Scott Brandd Herner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-01.

Visible to longwave infrared photodetector on silicon

Номер патента: US20240347561A1. Автор: Clifford King,Baohua Li,Shui-Qing Fisher Yu. Владелец: University of Arkansas System. Дата публикации: 2024-10-17.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Masking technique for depositing gallium arsenide on silicon

Номер патента: US5256594A. Автор: Thomas George,Masayoshi Umeno,Shinji Nozaki,Albert T. Wu,Sandra S. Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: WO2019236702A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Optical dispersion correction in transimpedance amplifiers

Номер патента: US7305190B2. Автор: Balagopal Mayampurath,Byung-Jong Moon,Allan Chan,Bruce Massey. Владелец: Vitesse Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-12-04.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Buffer layer on silicon carbide substrate, and method for forming buffer layer

Номер патента: US20230118623A1. Автор: Xiang Li,Xuanjie Liu,Zhiping Xie,Maojie CONG,Zhiguo KAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2023-04-20.

Production of silicon-on-insulator substrate for high frequency devices involves forming surface-oxidized monocrystalline silicon layer on monocrystalline silicon-germanium layer formed on silicon monocrystal silicon assembly layer

Номер патента: FR2796757A1. Автор: Junji Nakanishi,Satoshi Yamakawa,Nobuyoshi Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-01-26.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of forming functional coatings on silicon substrates

Номер патента: WO2014044922A2. Автор: Ari Kärkkäinen,Paul Williams,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Henna Jarvitalo,Jianhui Wang,Amir Hadzic. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2014-03-27.

Growing a III-V Layer on Silicon using Aligned Nano-Scale Patterns

Номер патента: US20170194141A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Stress relaxation trenches for gallium nitride microled layers on silicon substrates

Номер патента: US20230369532A1. Автор: Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing ceramic passivation layers on silicon for solar cell manufacture

Номер патента: US8482106B2. Автор: Hartmut Wiezer,Klaus Rode. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2013-07-09.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A3. Автор: Koji Arita,Masamichi Azuma,Larry D Mcmillan,De Araujo Carlos A Paz. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform

Номер патента: EP3971996B1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: EP4018489A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613B2. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Fabrication of through-silicon vias on silicon wafers

Номер патента: TW201250882A. Автор: Li-Qun Xia,Mehul Naik,Bok Hoen Kim,Thomas Nowak,Ran Ding,Nagarajan Rajagopalan,Shamik PATEL,Ji-Ae Park,Ryan Yamase,Jim Baldino,Sesh Ramaswami. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-16.

Use of oxalyl chloride to form chloride-doped silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: SG42804A1. Автор: Herman J Boeglin,Michael J Mcgeary. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1997-10-17.

Integration of inductors on silicon-based solar cells

Номер патента: NL2030089B1. Автор: Manganiello Patrizio,ISABELLA Olindo,Auke Van Nijen David. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2023-06-26.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150249179A1. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-09-03.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: US20080227275A1. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng,Carl Anthony Witt. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A4. Автор: James E Rapp,Russell B Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Dual-material mandrel for epitaxial crystal growth on silicon

Номер патента: US09754969B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

SELECTIVE GROWTH OF SILICON OXIDE OR SILICON NITRIDE ON SILICON SURFACES IN THE PRESENCE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20180261448A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon

Номер патента: US6039803A. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Srikanth B. Samavedam. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-03-21.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: WO2015035465A1. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2015-03-19.

Silicon-controlled rectifier structures on silicon-on insulator with shallow trench isolation

Номер патента: US6987303B2. Автор: Ta Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

III-V fin generation by lateral growth on silicon sidewall

Номер патента: US10068994B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Method for depositing silicon oxide layer on silicon substrate utilized to form gate of e.g. N-channel metal-oxide-semiconductor transistor, involves forming silicon layer over silicon-germanium to deposit oxide layer on substrate

Номер патента: FR2978602A1. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-01.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: KR102491771B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-25.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: WO2014051779A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: US20170141219A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

III-V semiconductor interface with graded GeSn on silicon

Номер патента: US8889978B2. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

III-V SEMICONDUCTOR INTERFACE WITH GRADED GeSn ON SILICON

Номер патента: US20140076390A1. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Radek Roucka. Дата публикации: 2014-03-20.

Rough buffer layer for group III-V devices on silicon

Номер патента: US11862720B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US11932960B2. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with treated interfacial layer on silicon germanium

Номер патента: US20230282753A1. Автор: Zi-Wei FANG,Chih-Yu Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Selective Deposition On Silicon Containing Surfaces

Номер патента: US20200066539A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: EP3844799A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-07-07.

Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Jinping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Rough buffer layer for group iii-v devices on silicon

Номер патента: US20240088285A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of Growing Titanium Nitride on Silicon Substrate Free from Silicon Nitride Interface by Using a Titanium Seed Layer

Номер патента: US20210135330A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: WO2021089706A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-14.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A2. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A4. Автор: Richard L Woodin,William F Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: AU2001249349A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2001-10-08.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US09997550B2. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-12.

Resonant cavity strained III-V photodetector and LED on silicon substrate

Номер патента: US09991417B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

FinFET device on silicon-on-insulator and method of forming the same

Номер патента: US09793174B1. Автор: Yu-Ren Wang,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Advanced technique to improve the bonding arrangement on silicon surfaces to promote uniform nitridation

Номер патента: US5445999A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Viju K. Mathews. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

Method for improving the interface characteristics of CaF2 on silicon

Номер патента: US5229333A. Автор: Bruce E. Gnade,Chih-Chen Cho,Tae S. Kim,Hung-Yu Liu,Yasushiro Nishioka. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

A kind of thin film silicon crystalline silicon laminate solar photovoltaic cell based on silicon nanowires

Номер патента: CN106784114A. Автор: 朱红英,王珺,郭群超,丁云飞,朱晨烜. Владелец: Shanghai Dianji University. Дата публикации: 2017-05-31.

Method of depositing charge trapping polycrystalline silicon films on silicon substrates with controllable film stress

Номер патента: EP3266038A1. Автор: Gang Wang,Igor Peidous,Jeffrey Louis LIBBERT,Shawn G. Thomas. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-10.

Component e.g. silicon on insulator component, fabrication method for e.g. high speed processor fabrication, involves pulverizing single-crystal silicon target on silicon wafer to create oxide layer on wafer for forming insulating layer

Номер патента: FR2894715A1. Автор: Pierre Tauzinat,Michel Ancilotti. Владелец: XBYBUS SOC PAR ACTIONS SIMPLIF. Дата публикации: 2007-06-15.

Insulator based on silicon dioxide and an organic polymer

Номер патента: GB2326168A. Автор: Kazuhiko Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response

Номер патента: US5376810A. Автор: Michael E. Hoenk,Paula J. Grunthaner,Frank J. Grunthaner,Robert W. Terhune,Michael H. Hecht. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-12-27.

Capacitor, methods of forming capacitors, methods for forming silicon nitride layers on silicon-comprising substrates, and methods of densifying silicon nitride layers

Номер патента: US6323138B1. Автор: Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Wafer pretreatment to decrease the deposition rate of silicon dioxide on silicon nitride in comparison to its deposition rate on a silicon substrate

Номер патента: EP1178528B1. Автор: Scott Brad Herner,Manuel Anselmo Hernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

Method for manufacturing semiconductor device with low electric resistance silicide layer on silicon surface

Номер патента: US5665646A. Автор: Tomohisa Kitano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Thin-film litao3 saw resonator on silicon substrate with reduced spurious modes

Номер патента: WO2021008847A1. Автор: Matthias Knapp,Gholamreza Dadgar Javid,Manuel Sabbagh. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2021-01-21.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: Kei May Lau,Chak Wah TANG. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Ge QUANTUM DOTS FOR DISLOCATION ENGINEERING OF III-N ON SILICON

Номер патента: US20130069039A1. Автор: Andrew Clark,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Methods for controlling formation of multilayer carbon coatings on silicon-containing electroactive materials for lithium-ion batteries

Номер патента: US11843110B2. Автор: Wei Li,Lei Wang,Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,Michael P. Balogh. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Treatment on silicon oxynitride

Номер патента: US20010001707A1. Автор: Horng-Bor Lu,I. Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-24.

Method for constructing heat resistant electrode structures on silicon substrates

Номер патента: WO1999010108A1. Автор: Leonard Boyer. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 1999-03-04.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: US20210273409A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: EP4111556A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20180226247A1. Автор: Tim Hogan,Amanpreet Kaur,Premjeet Chahal. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-08-09.

A Gain Spectrum Compensation Apparatus and Method Based on Temperature of Optical Amplifier, and A Long-wavelength Band Dispersion-compensating hybrid Fiber Amplifier involved in such an Apparatus

Номер патента: KR100496989B1. Автор: 이현재,이원경,이동한,이용배,이한협,주무정,장순혁,정희상. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2005-06-23.

Heater chips with silicon die bonded on silicon substrate, including offset wire bonding

Номер патента: US20130250004A1. Автор: Frank Anderson,Carl Sullivan,II Burton Joyner,Timothy Strunk. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20200020539A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

PRE-TREATMENT APPROACH TO IMPROVE CONTINUITY OF ULTRA-THIN AMORPHOUS SILICON FILM ON SILICON OXIDE

Номер патента: US20190027362A1. Автор: Yang Yi,JANAKIRAMAN Karthik,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Cheng Rui. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

GERMANIUM-ON-SILICON AVALANCHE PHOTODETECTOR IN SILICON PHOTONICS PLATFORM, METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220069153A1. Автор: Li Yu,Kato Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SILICON NITRIDE HARD MASK FOR EPITAXIAL GERMANIUM ON SILICON

Номер патента: US20200075792A1. Автор: Zhu Difeng,Preisler Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20190096745A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140205803A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20200126848A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

ORDERED NANO-POROUS CARBON COATING ON SILICON OR SILICON/GRAPHENE COMPOSITES AS LITHIUM ION BATTERY ANODE MATERIALS

Номер патента: US20170222219A1. Автор: SUN DONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180233369A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US20180233370A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20180233400A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20180261447A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

SILICON PHOTONICS CO-INTEGRATED WITH QUANTUM DOT LASERS ON SILICON

Номер патента: US20190273356A1. Автор: Patel Vipulkumar,Anderson Sean P.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20190371611A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

NEW PROCESS FOR THE MECHANICAL AND CHEMICAL POLISHING OF LAYERS OF INSULATING MATERIALS BASED ON SILICON OR SILICON DERIVATIVES

Номер патента: FR2754937A1. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Francaise Hoechst Ste. Дата публикации: 1998-04-24.

New process for chemical mechanical polishing of isolating layers based on silicon or silicon containing materials

Номер патента: EP0838845A1. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant Chimie SA. Дата публикации: 1998-04-29.

Composition of Slurry improving Surface Quality on Silicon Wafer And Polishing Silicon Wafer using thereof

Номер патента: KR100662546B1. Автор: 노현수,이인경,이태영,박태원,이진호,김영우,최문로,김종섭. Владелец: 엠이엠씨코리아 주식회사. Дата публикации: 2006-12-28.

Chemical mechanical polishing process for layers of isolating materials based on silicon derivatives or silicon

Номер патента: US6043159A. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant Chimie SA. Дата публикации: 2000-03-28.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Li Yu,Kato Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Heat transfer module for ultra high density and silicon on silicon packaging applications

Номер патента: EP0471552B1. Автор: Burhan Ozmat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-07-02.

Application of aluminium based alloy on silicon - without diffusing the aluminium into the silicon

Номер патента: FR2253274A1. Автор: . Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1975-06-27.

Strained silicon-on-silicon by wafer bonding and layer transfer

Номер патента: WO2006007396A1. Автор: Eugene A. Fitzgerald,David M. Isaacson. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-01-19.

High performance active and passive structures based on silicon material bonded to silicon carbide

Номер патента: US8080826B1. Автор: Joseph H. Johnson,Pablo D'Anna. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-12-20.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: AU2250392A. Автор: J. Anthony Powell,David J Larkin. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1993-01-12.

Pretreatment Techniques for Improving Continuity of Ultrathin Amorphous Silicon Films on Silicon Oxide

Номер патента: JP7242631B2. Автор: ルイ チェン，,アブヒジット バス マリック，,イーホン チェン，,イー ヤン，,カーティック ジャナキラマン，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-20.

Heat transfer module for ultra high density and silicon applications on silicon packages

Номер патента: DE69126686D1. Автор: Burhan Ozmat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-08-07.

Silicon photonics co-integrated with quantum dot lasers on silicon

Номер патента: US10734785B2. Автор: Vipulkumar Patel,Dominic F. Siriani,Sean P. Anderson. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon

Номер патента: US6509283B1. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Single crystal aluminum nitride layers, useful as high frequency SAW filters and buffer layers for electronic and optoelectronics component deposition, are grown on silicon using silicon surface construction and reconstruction steps

Номер патента: DE19827198A1. Автор: Wolfgang Richter,Gela D Kipshidze,Hans P D J H Schenk. Владелец: Wolfgang Richter. Дата публикации: 2000-01-20.

High performance active and passive structures based on silicon material grown epitaxially or bonded to silicon carbide substrate

Номер патента: WO2003069681A1. Автор: Pablo E. D'Anna,Joseph H. Johnson. Владелец: Sirenza Microdevices, Inc.. Дата публикации: 2003-08-21.

Pre-treatment approach to improve continuity of ultra-thin amorphous silicon film on silicon oxide

Номер патента: WO2019022826A1. Автор: Yi Yang,Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Rui CHENG,Karthik Janakiraman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of forming compound semiconductor together with thermosoftening insulator on silicon (Si) wafer, and silicon wafer

Номер патента: JP4975513B2. Автор: テン スー シェン,ジャン リー チョン,リー ティンカイ. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

The method and silicon wafer of cvd nitride aluminium film on silicon substrate

Номер патента: CN110534403A. Автор: 李丽,王军,孙颖,张鹤南,王桐,董博宇,郭冰亮,马怀超,武学伟,徐宝岗,刘绍辉. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

C-axis perovskite thin films grown on silicon dioxide

Номер патента: CA2151063C. Автор: Ramamoorthy Ramesh. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Formation of thin-film resistors on silicon substrates

Номер патента: USH546H. Автор: George L. Schnable,Chung P. Wu. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1988-11-01.

Silicon dioxide-on-silicon film and method for production thereof

Номер патента: RU2660622C1. Автор: Борис Борисович Логинов. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон". Дата публикации: 2018-07-06.

Heater chips with silicon die bonded on silicon substrate, including offset wire bonding

Номер патента: US8459779B2. Автор: Frank Anderson,Carl Sullivan,II Burton Joyner,Timothy Strunk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for forming ohmic contact on silicon-silicon interface in semiconductor device

Номер патента: KR100336042B1. Автор: 변광선,이상은,정성희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

Nanowire channel formed on silicon substrate using sacrificial sub-fin layer, method of forming nanowire channel on silicon substrate using sacrificial sub-fin layer, and system for computing

Номер патента: TWI688041B. Автор: 吉伯特 狄威,馬修 梅茲,威利 瑞奇曼第,塔何 甘尼,馬可 拉多撒福傑維克,傑克 卡瓦萊羅斯,錢德拉 莫哈帕拉,安拿 莫希,薩納斯 珈納,葛蘭 葛雷斯. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-11.

Method of growing polycrystalline silicon film for charge trapping on silicon substrate capable of controlling film stress

Номер патента: JP6517360B2. Автор: ワン・ガン,イゴール・ペイドウス,ジェフリー・ルイス・リバート,ショーン・ジー・トーマス. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: WO1992022922A3. Автор: David J Larkin,J Anthony Powell. Владелец: Univ Case Western Reserve. Дата публикации: 1993-02-18.

PROCESS FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON LAYERS LOCATED ON SILICON-COATED SILICA REGIONS AND APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF AN AUTOALIGNAL NON-PLANAR MOS TRANSISTOR

Номер патента: FR2466101A1. Автор: Eugene Tonnel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-03-27.

Semiconductor component with metallized sidewalls on silicon wafer power components has a metal edging surrounding the components on an underside and on partially covered metal sidewalls and deep troughs etched on silicon wafers.

Номер патента: DE19951945A1. Автор: Markus Thoben,Wolfgang Staiger. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2001-05-03.

Compound semiconductor-on-silicon wafer with a silicon nanowire buffer layer

Номер патента: US7723729B2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2010-05-25.

Methods, materials and structures for noble metal electrode contacts on silicon

Номер патента: KR19980087541A. Автор: 알프레드 그릴,데이비드 에드워드 코텍키,캐더린 린 센거. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 1998-12-05.

Silicon layer on silicon-rich aluminum layer

Номер патента: EP3525244A1. Автор: Pierre Bellanger,Abdelilah Slaoui,Alexander Ulyashin. Владелец: Sintef AS. Дата публикации: 2019-08-14.

Preparation method of silicon-carbon composite material based on silicon-based molecular sieve structure and lithium battery

Номер патента: CN108258227B. Автор: 刘丰,陈海鹏,刘金强,刘贵龙,刘献明,毋乃腾,袁巍巍,赵运霞. Владелец: Luoyang Normal University. Дата публикации: 2021-01-22.

Production of tear-free planar Group III-N, Group III-V-N and metal-nitrogen component structures on silicon substrates comprises partially structuring the silicon substrate or buffer layer deposited on it by masking and/or etching

Номер патента: DE10056645A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Armin Dadgar. Дата публикации: 2001-09-13.

Method for growing diamond on silicon substrate and method for selectively growing diamond on silicon substrate

Номер патента: WO2023157599A1. Автор: 達夫 阿部,克佳 鈴木,佑宜 田中,剛 大槻,寿樹 松原,健汰 鈴木,温 鈴木,稜 多賀. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for forming silver films on silicon

Номер патента: WO2012064373A2. Автор: Brian Murphy,Brent A. Buchine,Jeff Miller,Marcie Black,Faris Modawar,Mike Jura. Владелец: BANDGAP ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2012-05-18.

METHOD FOR THE SELECTIVE DEPOSITION OF A REFRACTORY METAL SILICIDE ON SILICON AND METALLIC SILICON WAFER BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2742924B1. Автор: Jorge Luis Regolini,Daniel Bensahel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-20.

N type metal oxide semiconductor transistor structure having compression strain silicon-germanium channel formed on silicon (110) substrate

Номер патента: TW200735344A. Автор: Chun-Yen Chang,Chao-Hsin Chien,Tsung-Hsi Yang,Guang-Li Luo. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2007-09-16.

Low leakage current germanium-on-silicon photo-devices

Номер патента: US11894480B2. Автор: Eran Katzir,Avraham Bakal,Uriel Levy,Omer KAPACH,Vincent IMMER. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Laser chip for flip-chip bonding on silicon photonics chips

Номер патента: US11888286B2. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Temperature monitoring in a semiconductor device by using a pn junction based on silicon/germanium materials

Номер патента: US20120025276A1. Автор: Anthony Mowry,Rolf Stephan,Gert Burbach,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Dual-material mandrel for epitaxial crystal growth on silicon

Номер патента: US20170025500A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Process for forming silver films on silicon

Номер патента: WO2012064373A3. Автор: Brian Murphy,Brent A. Buchine,Jeff Miller,Marcie Black,Faris Modawar,Mike Jura. Владелец: BANDGAP ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20220140116A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP4238138A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US11784249B2. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US20220271160A1. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Amorphous silicon rectifying contact on silicon and method for making same

Номер патента: GB2266807B. Автор: Kalyankumar Das,Vasudev Cenkatesan,Dale G Thompson. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1996-03-13.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180076040A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20190148128A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

QUANTUM DOT LASERS INTEGRATED ON SILICON SUBMOUNT WITH MECHANICAL FEATURES AND THROUGH-SILICON VIAS

Номер патента: US20190273364A1. Автор: Patel Vipulkumar,Anderson Sean P.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Method for producing microelectronic device, involves forming and oxidizing silicon-germanium based semi-conductor layer on silicon based semi-conductor zones with different thicknesses resting on substrate

Номер патента: FR2908924A1. Автор: Yves Morand,Jean Francois Damlencourt,Laurent Chevalier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-05-23.

Selective gas etching of silicon nitride on silicon - uses plasma produced by HF glow discharge in mixt. of perfluoro-propane and oxygen

Номер патента: DE2614977A1. Автор: Klaus Paschke,Peter Rahden. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1977-10-27.

Suspension used in the production of a semiconductor for printed circuit boards contains a silicon dioxide layer arranged on silicon particles

Номер патента: DE102006024490A1. Автор: Torsten Scherer,Gabi Dr. Schierning,Ralf Dr. Theissmann,Roland Dr. Schmechel. Владелец: Forschungszentrum Karlsruhe GmbH. Дата публикации: 2007-11-29.

Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control

Номер патента: KR102491414B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-20.

Method for manufacturing cone-shaped light trapping structure with adjustable density on silicon surface and prepared black silicon

Номер патента: CN110783417B. Автор: 徐丽华,褚卫国,闫兰琴,陈佩佩. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2021-06-29.

Reduction of threshold voltage variation in transistors comprises forming layer of silicon-containing semiconductor alloy on silicon-containing crystalline semiconductor regions, and forming two gate electrode structures

Номер патента: DE102008064796B3. Автор: Andreas Ott,Stephan Kronholz. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-11-28.

Layer structure production for nitride semiconductor component on silicon surface, involves preparation of substrate having silicon surface on which nitride nucleation layer is deposited with masking layer

Номер патента: DE102006008929A1. Автор: . Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: WO2022094366A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20150102450A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for europium disilicide epitaxial film growing on silicon

Номер патента: RU2615099C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-04-03.

Embedded memory in interconnect stack on silicon die

Номер патента: TW201614734A. Автор: Patrick Morrow,Donald W Nelson,M Clair Webb,Ki-Min Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-16.

Hafnium nitride buffer layers for growth of gan on silicon

Номер патента: AU2003299500A8. Автор: Eicke R Weber,Robert D Armitage. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-06-07.

Hetero-integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: TW200409304A. Автор: Suresh Venkatesan,Papu D Maniar. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-06-01.

Laser on silicon made with 2d material gain medium

Номер патента: US20170338621A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jinghui Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Ultra-stable integrated laser on silicon

Номер патента: US20240235156A1. Автор: Lin Chang,Chao XIANG,John Edward Bowers,Peter Thomas Rakich,Franklyn John Quinlan,Scott Alan Diddams,Kerry John Vahala,Joel Wei Guo,Warren B. Jin,Charles Armand McLemore. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2024-07-11.

Activation of graphene buffer layers on silicon carbide

Номер патента: GB201204308D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-25.

Activation of graphene buffer layers on silicon carbide

Номер патента: GB2486116B. Автор: Fenton Read Mcfeely,James Bowler Hannon,Satoshi Oida,John Jacob Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-13.

High-q dispersion-compensated parallel-plate diplexer

Номер патента: EP3618176A1. Автор: William Milroy,Alan Lemons. Владелец: Thinkom Solutions Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471B1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Method of fabricating si1-xGex films on silicon substrates

Номер патента: TW200401374A. Автор: Sheng Teng Hsu,Jer Shen Maa,Jong-Jan Lee,Douglas James Tweet. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-01-16.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with carrier blocking layers

Номер патента: EP3671981A1. Автор: Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-24.

Asymmetric iii-v mosfet on silicon substrate

Номер патента: US20170092763A1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A4. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee,Robert S Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with carrier blocking layers

Номер патента: US20200203929A1. Автор: Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Device and method for performing ionization desorption on silicon derivatives

Номер патента: GB201003331D0. Автор: . Владелец: Waters Investments Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Direct growth of lateral iii-v bipolar transistor on silicon substrate

Номер патента: US20210249521A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Area selective deposition of metal film on silicon containing surfaces utilizing halides

Номер патента: WO2024215931A1. Автор: Chang-Won Lee,Po-Chun Liu,Tingmin Wang,Lanxia CHENG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

POLYMERISABLE LC MEDIUM AND POLYMER FILM WITH FLAT OPTICAL DISPERSION

Номер патента: US20200362245A1. Автор: ADLEM Kevin,BELTRAN GRACIA Eduardo,WEARE Naomi,NOROUZI-ARASI Hassan. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-11-19.

Polymerisable LC medium and polymer film with flat optical dispersion

Номер патента: TW201923041A. Автор: 愛德華多 貝爾崔 葛蕾夏,凱文 艾德蘭,納歐米 威爾,阿拉希 韓森 努魯茲. Владелец: 德商馬克專利公司. Дата публикации: 2019-06-16.

Polymerisable lc medium and polymer film with flat optical dispersion

Номер патента: EP3668947B1. Автор: Kevin Adlem,Eduardo BELTRAN GRACIA,Naomi WEARE,Hassan Norouzi-Arasi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-27.

Preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: CA1172619A. Автор: Abraham Van Montfoort,Lambertus J.M.A. Van De Leemput,Godefridus A.H. Nooijen,Joseph J.F. Scholten. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1984-08-14.

Dye composition based on copolymers derived from the polymerization of at least one crotonic acid monomer or crotonic acid derivative and on silicone

Номер патента: US12138339B2. Автор: Sophie Bodelin,David Seneca,Delphine Charrier,Melissa Lassale. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-11-12.

Alkaline-earth metal silicides on silicon

Номер патента: US6022410A. Автор: Jun Wang,Jonathan K. Abrokwah,Ravindranath Droopad,Daniel S. Marshall,Zhiyi Yu,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653B1. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials and a method of making the same

Номер патента: WO1999024379A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1999-05-20.

Micro needles production method, involves providing micro needles with height on silicon substrate with silicon oxide coating, where varnish layer is arranged on silicon substrate

Номер патента: DE102006028914A1. Автор: Christian Maeurer,Ralf Reichenbach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2007-12-27.

HOMOGENEOUS OIL COMPOSITION BASED ON SILICONE GUM

Номер патента: FR2760357A1. Автор: Isabelle Bara. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1998-09-11.

Composition, useful to treat keratin fibers, preferably human hair, comprises one or more copolymers based on silicone resin and silicone fluid, volatile solvents, and aminated silicones comprising one or more intrachain amine function

Номер патента: FR2958543A1. Автор: Gaëlle Brun,Arnaud Bonnamy. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2011-10-14.

NON-PNEUMATIC ELASTIC WHEEL INCORPORATING LAMINATE BASED ON SILICONE RUBBER AND FIBER-RESIN COMPOSITE

Номер патента: FR3056444A1. Автор: Antonio Delfino,Philippe Berguerand,Francois Pozo,Pascal Schroeter. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2018-03-30.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-03-17.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Method for improving base coating formation on silicon steel by controlling winding tension

Номер патента: CA1270729A. Автор: Michael A. Fedoris. Владелец: Allegheny Ludlum Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Compositions based on silicone resin, methods of obtaining same and applications thereof

Номер патента: WO2009138618A3. Автор: Philippe Perret,Loic Adamczak,Pierrick Pavallier,Frederic Bouchaud. Владелец: VALEO MATERIAUX DE FRICTION. Дата публикации: 2010-02-18.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877B1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-08-11.

Broadband dispersion compensating fiber, preparation method thereof and broadband dispersion compensating module

Номер патента: CN101201431B. Автор: 陈伟,李进延,彭景刚,蒋作文,李海清,李诗愈,罗文勇,雷道玉. Владелец: Fiberhome Telecommunication Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS ,LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD FOR FORMING MICROELECTRODE-PAIR ARRAYS ON SILICON SUBSTRATE SURFACE WITH HYDROPHOBIC SILICON PILLARS

Номер патента: US20140120271A1. Автор: JIANG Lei,Su Bin,MA Jie,Wang Shutao,Song Yanlin. Владелец: Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD FOR PREPARING BACTERICIDAL FILM HAVING SILICON NITRIDE BINDING LAYER ON SILICONE

Номер патента: US20210198782A1. Автор: Mak Fook Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

The preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: EP0050902A1. Автор: Godefridus Arnoldus Henricus Nooijen,Joseph Johannes Franciscus Scholten,Abraham Van Montfoort,Lambertus Johannes Maria Van De Leemput. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1982-05-05.

A sintered refractory material based on silicon carbide with a silicon nitride binder

Номер патента: KR101561989B1. Автор: 에릭 조지,올리비에르 시띠,올리비에르 마르갱,리오넬 모이트리에르. Владелец: 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔. Дата публикации: 2015-10-20.

Particulate silicone-modified acrylic rubber, particulate graft copolymer based on silicone-modified acrylic rubber, and thermoplastic resin composition

Номер патента: EP0791617A4. Автор: Nobuo Miyatake,Hiroki Yoshino,Hideki Hosoi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 1998-04-08.

Solution for producing nano porous silicon film on silicon slice surface and method for producing same

Номер патента: CN102610699B. Автор: 杨可,蒋永锋,包晔峰. Владелец: CHANGZHOU CAMPUS OF HOHAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-26.

FRICTION REFRACTOR BLOCK BASED ON SILICON CARBIDE WITH SILICON NITRIDE BOND

Номер патента: FR2878520B1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2015-09-18.

ANTI-TRANSFERING AND / OR DEODORANT SOLID COMPOSITION IN THE FORM OF WATER-IN-OIL EMULSION BASED ON SILICONE EMULSIFIER AND WAXES; METHOD OF TREATING BODY ODORS

Номер патента: FR2924937B1. Автор: Xavier Jalenques. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2013-05-17.

METHOD FOR MANUFACTURING A CERAMIC COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH CARBON-BASED FIBERS CONTAINING SILICON CARBIDE, OR BASED ON SILICON CARBIDE.

Номер патента: FR3057863B1. Автор: Dietmar Koch,Bernd Mainzer,Bernhard Heidenreich. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2022-02-18.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: CA2586783C. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2012-05-22.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF A CARBON-BASED CERAMIC COMPOSITE MATERIAL FIBER CONTAINING SILICON CARBIDE, OR BASED ON SILICON CARBIDE.

Номер патента: FR3057863A1. Автор: Dietmar Koch,Bernd Mainzer,Bernhard Heidenreich. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2018-04-27.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: EP1828077A2. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2007-09-05.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: CA2586783A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Olivier Marguin. Дата публикации: 2006-06-01.

A method of manufacturing a ceramic based on silicon carbide reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2018132426A. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-03-12.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: AU2016274604B2. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: AU2005308712B2. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2010-07-15.

Aqueous dispersions based on silicones and organic (co)polymeric latex for obtaining a silicone elastomer of selectable light transmittance

Номер патента: PL330598A1. Автор: Mathieu Joanicot,Roland Reeb,Michel Feder,Alain Morin,Allest Jean-Francois D. Владелец: Rhodia Chimie Sa. Дата публикации: 1999-05-24.

GRANULES BASED ON SILICON CARBIDE POWDER AND SILICON CARBIDE CERAMICS

Номер патента: DE4127354A1. Автор: Hans MEYER,Christoph Nover,Wolfgang Habel,Gutierez Antonio Migue Hurtado,Hans Rolf Dose,Zeynel Alkan. Владелец: Solvay Deutschland GmbH. Дата публикации: 1993-02-25.

Dental composition based on silicone crosslinkable by cationic process

Номер патента: CA2345363C. Автор: Jean-Marc Frances. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2006-11-28.

Sintered Refractory Block Based on Silicon Carbide with a Silicon Nitride Bond

Номер патента: US20070264576A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2007-11-15.

The preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: EP0050902B1. Автор: Godefridus Arnoldus Henricus Nooijen,Joseph Johannes Franciscus Scholten,Abraham Van Montfoort,Lambertus Johannes Maria Van De Leemput. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1984-05-23.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-07-27.

Sintered material based on silicon@ and silicon carbide

Номер патента: DE19708249A1. Автор: Shigeru Hanzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1997-09-04.

Silicon epitaxial deposition, on silicon substrates in a radiant heated barrel CVD reactor, comprises substrate heating to the maximum temperature without intermediate dwell periods

Номер патента: DE19914502A1. Автор: . Владелец: BACHMEIER ALFRED GEORG. Дата публикации: 2000-10-05.

AQUEOUS SILICONE DISPERSION BASED ON SILICONATE CROSSLINKING TO AN ELASTOMER BY WATER REMOVAL

Номер патента: FR2637605A1. Автор: Jean-Marc Frances,Michel Feder. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1990-04-13.

SILICON OXIDE-BASED MEDIA, HETEROPOLIC ACID CATALYST ON THE BASIS AND SYNTHESIS OF COMPOUND ETHERS IN THE PRESENCE OF A HETEROPOLIC ACID CATALYST APPLIED ON SILICON OXIDE

Номер патента: RU2007115155A. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ,Крейг БЕЙЛИ (GB),Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ (GB). Владелец: БП Кемикэлз Лимитед (GB). Дата публикации: 2008-11-10.

CVD-REACTOR FOR SYNTHESIS OF HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: RU2021122786A. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2021-10-11.

Gallium-oxide-on-silicon (gaoxs)

Номер патента: WO2023200688A3. Автор: Alexander A. Demkov,Tobias HADAMEK,Agham POSADAS. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-11-23.

Removing colorization on silicon carbide ceramic matrix composites

Номер патента: US11760695B2. Автор: Weiming Lu,Jun NABLE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Lubricant grease composition based on silicone base stock

Номер патента: WO2020018286A1. Автор: Detlev HESSE. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Lubricant based on silicone oils or silicone greases

Номер патента: AU7289796A. Автор: Heinrich Smuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-07.

Gallium-oxide-on-silicon (gaoxs)

Номер патента: WO2023200688A2. Автор: Alexander A. Demkov,Tobias HADAMEK,Agham POSADAS. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-10-19.

Dye composition based on copolymers derived from the polymerization of at least one crotonic acid monomer or crotonic acid derivative and on silicone

Номер патента: US20200170919A1. Автор: Sophie Bodelin,David Seneca,Delphine Charrier,Melissa Lassale. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-06-04.

Micro-textured cutter based on silicon brass structure and processing method and application thereof

Номер патента: AU2018437433A1. Автор: Liang Liang,Chao Yang,Yanfei Ding,Yuchuan YANG. Владелец: Guangdong Huayi Plumbing Fittings Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

AQUEOUS SILICON DISPERSION BASED ON SILICONATE CROSSLINKING TO AN ELASTOMER BY REMOVAL OF WATER

Номер патента: FR2637605B1. Автор: Jean-Marc Frances,Michel Feder. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1990-12-14.

FRICTION REFRACTOR BLOCK BASED ON SILICON CARBIDE WITH SILICON NITRIDE BOND

Номер патента: FR2878520A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2006-06-02.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: EP3302589A1. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2018-04-11.

SILICON BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2011105143A. Автор: Марек ТОКАРЗ,Ханс-Оке БАЛТСЕН,Марек ТОКАРЗ (SE),Ханс-Оке БАЛТСЕН (SE). Владелец: Акцо Нобель Н.В. (NL). Дата публикации: 2012-08-20.

Highly active catalyst for the polymerization of olefins with a boron-containing substrate based on silicon oxide and its manufacture

Номер патента: RU2014113382A. Автор: Сутхирават САМИНГПРАЙ,Онтеера ЙЕНДЖИТРАТТАНАВАЛИ,Чая ЧАНДАВАСУ. Владелец: ПТТ ГЛОБАЛ КЕМИКАЛ ПАБЛИК КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2015-10-20.

METHOD FOR PRODUCING HIGH-TEMPERATURE POWDER COMPOSITION MATERIAL BASED ON SILICON AND TITANIUM CARBIDES

Номер патента: RU2016123591A. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-20.

METHOD FOR PRODUCING NON-ADHESIVE COATING BASED ON SILICON CARBIDE

Номер патента: RU2011107880A. Автор: Жан-Поль ГАРАНДЕ,Беатрис ДРЕВЕ,Николя ЭСТАТОПУЛО,Эммануэль ФЛАОТ,Тома ПЬЕТРИ,Жан-Поль ГАРАНДЕ (FR),Беатрис ДРЕВЕ (FR),Николя ЭСТАТОПУЛО (FR),Эммануэль ФЛАОТ (FR),Тома ПЬЕТРИ (FR). Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив (Fr). Дата публикации: 2012-10-10.

MULTILAYER CELLULOSE ESTER FILM HAVING REVERSED OPTICAL DISPERSION

Номер патента: US20120003403A1. Автор: . Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

METHOD OF OBTAINING FIRE-PROOF MATERIAL BASED ON SILICON BETA-NITRIDE β-Si3N4

Номер патента: RU2490232C1. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of outer corner over-etching compensation in figures etched on silicon plates with surface orientation (100)

Номер патента: RU2331137C1. Автор: Вадим Николаевич Лапенко,Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Юрий Александрович Чаплыгин,Владимир Николаевич Максимов,Елена Сергеевна Морозова,Вадим Григорьевич Рубчиц,Вячеслав Евгеньевич Плеханов,Виктор Владимирович Калугин,Степан Александрович Анчутин,В чеслав Евгеньевич Плеханов,Сергей Александрович Зотов,Олег Михайлович Бритков,Владимир Николаевич Балычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-08-10.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Design of sensitive element of pressure converter based on silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2474007C1. Автор: Игорь Валерьевич Годовицын. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт". Дата публикации: 2013-01-27.

Formation technique of ultrahard alloyed carbonic coating on silicon in vacuum

Номер патента: RU2342468C1. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанска,Ирина Васильевна Суджанская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2008-12-27.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

Method for presorting of cmos chips made on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation effect

Номер патента: RU2364880C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Георгий Георгиевич Давыдов,Андрей Юлиевич Седаков,Армен Вагоевич Согоян,Алексей Владимирович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2009-08-20.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of growing epitaxial europium monoxide films on silicon

Номер патента: RU2557394C1. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Юрий Григорьевич Садофьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2015-07-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method to reject cmos microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure

Номер патента: RU2411527C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Николай Николаевич Киселев,Георгий Георгиевич Давыдов,Вячеслав Викторович Маслов,Армен Вагоевич Согоян,Лев Анатольевич Синегубко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2011-02-10.

Method for dispersion compensation of light polarisation states and high-speed electrooptical modulator based on chiral liquid crystals

Номер патента: RU2522768C2. Автор: Михаил Иванович Барник,Сергей Петрович Палто,Борис Александрович Уманский,Николай Михайлович Штыков,Артур Рубенович Гейвандов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, (ИК РАН). Дата публикации: 2014-07-20.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method to sort cmos microcircuit chips manufactured on silicon-on-insulator structures by radiation resistance

Номер патента: RU2444742C1. Автор: Игорь Борисович Яшанин,Алексей Владимирович Скобелев,Максим Николаевич Зубарев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-03-10.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming microstructured and heavily doped layer on silicon surface

Номер патента: RU2550868C2. Автор: Сергей Иванович Кудряшов,Андрей Алексеевич Ионин,Леонид Владимирович Селезнев,Сергей Владимирович Макаров,Павел Николаевич Салтуганов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2015-05-20.

Method of producing ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide and ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide

Номер патента: RU2440956C1. Автор: Владимир Валерьевич Ленский,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Валерий Анатольевич Быков,Евгений Федорович Харченко (RU),Владимир Александрович Анискович (RU),Владимир Валерьевич Ленский (RU),Илья Сергеевич Гавриков (RU),Валерий Анатольевич Быков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-01-27.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of obtaining gas-liquid-solid-phase microchromatographic columns on silicon plates and device for thereof realisation

Номер патента: RU2540067C1. Автор: Владимир Сергеевич Павельев,Юрий Иванович Арутюнов,Игорь Артемьевич Платонов,Владимир Игоревич Платонов,Лариса Викторовна Павлова,Екатерина Анатольевна Новикова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмическкий университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-01-27.

Method of production of composite materials based on silicon dioxide

Номер патента: RU2528667C2. Автор: Абдулгалим Будаевич Исаев,Зазав Мустафаевич Алиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВРСИТЕТ". Дата публикации: 2014-09-20.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for flaw inspection of silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: RU2127927C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин,В.В. Лашманов. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1999-03-20.

Clarifying thin-film coating based on silicon(iv) and bismuth(iii) oxide compounds

Номер патента: RU2542997C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Александра Геннадьевна Мальчик,Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-27.

Protection of angles of 3d micromechanical structures on silicon plate at deep anisotropic etching

Номер патента: RU2568977C1. Автор: Александр Викторович Ушков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2015-11-20.

Solder for tinning aluminium film on silicon

Номер патента: RU2477206C1. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Андрей Дмитриевич Прохоренко,Кристина Муратовна Елекоева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ). Дата публикации: 2013-03-10.

Optical dispersion compensator and optical pulse generator and optical communication system using the compensator

Номер патента: JPH1048567A. Автор: Eikon Ri,英根 李. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-20.

Optical dispersion compensator, optical pulse generator and optical communication system using the same

Номер патента: JP2902996B2. Автор: 英根 李. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-06-07.

Optical dispersion compensation element, semiconductor laser device using the element, and optical communication system

Номер патента: JP2976958B2. Автор: 英根 李. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-11-10.

WAVELENGTH MULTIPLEXING OPTICAL COMMUNICATION DEVICE AND OPTICAL DISPERSION COMPENSATION METHOD

Номер патента: US20120099867A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

Multi-channel dynamic optical dispersion compensator

Номер патента: CN102590952A. Автор: 刘德明,万助军,钟瑞,莫槟诚. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-18.

Phase conjugate wave generating device, wavelength converting method, optical dispersion compensating method and multi-wavelength light generating device

Номер патента: CN1155672A. Автор: 锹治彦. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-07-30.

Optical dispersion compensator

Номер патента: JP2013029546A. Автор: Hiroshi Takahashi,浩 高橋,Hiroyuki Tsuda,裕之 津田,隆之 水野,Takayuki Mizuno,雄一郎 伊熊,Yuichiro Ikuma. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

A method of measuring optical dispersion by use of multi-optical source heterodyne interferometry

Номер патента: TWI243892B. Автор: Ming-Hung Chiu,Shinn-Fwu Wang. Владелец: Univ Nat Formosa. Дата публикации: 2005-11-21.

A method of measuring optical dispersion by use of multi-optical source heterodyne interferometry

Номер патента: TW200615519A. Автор: Ming-Hung Chiu,Shinn-Fwu Wang. Владелец: Univ Nat Formosa. Дата публикации: 2006-05-16.

Achromatic graded index optical element with corrected optical dispersion

Номер патента: CN107530733B. Автор: 乔治·威廉斯. Владелец: Vadient Optics LLC. Дата публикации: 2021-01-05.

Adjustable dispersion compensation device based on LCOS (Liquid Crystal On Silicon)

Номер патента: CN102608706B. Автор: 杨铸,刘子晨,邱英,尤全,谢德权. Владелец: Wuhan Research Institute of Posts and Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

POLYMER COMPRISING CYCLOHEXYLENE GROUPS AND ITS USE IN FILMS WITH NEGATIVE OPTICAL DISPERSION

Номер патента: US20120108781A1. Автор: ADLEM Kevin,Parri Owain Llyr,Wilkes David,TOPPING Claire. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2012-05-03.

POLYMERISABLE LC MATERIAL AND POLYMER FILM WITH NEGATIVE OPTICAL DISPERSION

Номер патента: US20120224245A1. Автор: ADLEM Kevin,Wilkes David,Parri Owain,Saxton Patricia Eileen. Владелец: MERCK PATENT GESELLSCHAFT MIT BESCRANKTER HAFTUNG. Дата публикации: 2012-09-06.

Control device for geometric dimensions and defects in specimens with optical dispersing surfaces

Номер патента: BG41419A1. Автор: Malz. Владелец: Zeiss Jena Veb Carl. Дата публикации: 1987-06-15.

METHOD OF MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3С-SiC)

Номер патента: RU2013127679A. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2014-12-27.

Fabrication of nanoboulders on silicon surfaces

Номер патента: NZ523921A. Автор: Andreas Markwitz. Владелец: Inst Of Geol & Nuclear Science. Дата публикации: 2005-08-26.

Process of production of magnetic fluid on silicon-organic base

Номер патента: RU2023318C1. Автор: В.А. Силаев,Е.Н. Бойкова. Владелец: Редкинский опытный завод. Дата публикации: 1994-11-15.

Method of test for defects of silicon dioxide films on silicon backings

Номер патента: RU2033660C1. Автор: В.Д. Скупов,А.С. Виноградов,Б.В. Гуденко,С.А. Орловская. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1995-04-20.

Method of manufacturing products from material based on silicon binding substances

Номер патента: RU2121918C1. Автор: В.В. Карпов,А.И. Батулов,В.П. Птичников,П.Л. Гусика,Б.П. Милиневский,Ю.С. Шафран. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "ЭКОЮРУС-ППТМ". Дата публикации: 1998-11-20.

Process of manufacture of contacts of integrated circuits based on silicon

Номер патента: RU2034364C1. Автор: В.А. Хрусталев,А.И. Мочалов,Д.Г. Громов,В.П. Пугачевич,А.А. Азаров. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1995-04-30.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: GB201204826D0. Автор: . Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Processes for forming an insulating coating on silicon, and to coated silicon

Номер патента: CA847830A. Автор: Partridge Graham,W. Mcmillan Peter,R. Ward Frank. Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1970-07-28.

Method of operation of the process of epitaxy of silicon from gaseous phase,especially on silicon substrate gazy,osobenno na kremnievojj podlozhke

Номер патента: PL120490B3. Автор: Jacek Korec,Jerzy Borkowicz,Elzbieta Nossarzewskaorlowska. Владелец: Osrodek Naukowo Prod Materialo. Дата публикации: 1982-03-31.

METHOD FOR DEPOSITING A SILICON OXIDE LAYER OF SAME THICKNESS ON SILICON AND ON SILICON-GERMANIUM

Номер патента: US20130072032A1. Автор: Dutartre Didier,Campidelli Yves,Breil Nicolas,Gourhant Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

SILICON FOR TINNING A SILICON FILM ON SILICON

Номер патента: RU2011132771A. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Кристина Муратовна Елекоев,Андрей Дмитриевич Прохоренко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет)(СККМИ(ГТУ). Дата публикации: 2013-02-10.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Method for deposition of high purity silicon on silicon particles from silicon source gases in fluidized bed reactor

Номер патента: KR960014593B1. Автор: 김희영,권대혁,전종열,박동순,이강모,송영목,이재송. Владелец: 재단법인 한국화학연구소. Дата публикации: 1996-10-16.

DISPERSION COMPENSATION DESIGN METHOD AND DISPERSION COMPENSATION DESIGN SYSTEM

Номер патента: US20120141137A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-06-07.

TUNABLE DISPERSION COMPENSATION DEVICE, OPTICAL RECEPTION APPARATUS, AND METHOD FOR CONTROLLING TUNABLE DISPERSION COMPENSATION

Номер патента: US20130016968A1. Автор: Ohtani Toshihiro. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-01-17.

Variable dispersion compensation control method and variable dispersion compensation control apparatus

Номер патента: JP5445603B2. Автор: 誠幸 根元. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-19.

Dispersion compensating optical fiber and dispersion compensating optical fiber transmission line using the same

Номер патента: JP3766074B2. Автор: 学 齋藤,昌一郎 松尾,光一 原田. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2006-04-12.

Variable dispersion compensator and method for variable dispersion compensation

Номер патента: JP2005055882A. Автор: Hiroyuki Yamazaki,裕幸 山崎. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Compensation method of modal dispersion and optical waveguide using multimode dispersion compensating fiber

Номер патента: JP4358126B2. Автор: 寧 官,邦治 姫野,勝宏 竹永. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2009-11-04.

Dispersion compensating optical fiber and optical fiber type dispersion compensator

Номер патента: JP3781925B2. Автор: 朗 和田,和彦 愛川,豊 長沢. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2006-06-07.

Chromatic dispersion compensator and chromatic dispersion compensating optical communication system

Номер патента: CA2194628A1. Автор: Masayuki Shigematsu,Yasushi Koyano. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-07-11.

Method for optimizing refractive index distribution of dispersion compensating mirror, dispersion compensating mirror manufactured based on the method, and its application device

Номер патента: JP3338869B2. Автор: 睦郎 小倉,ドッズ スティーブ,志剛 張. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2002-10-28.

Dispersion compensating fiber and dispersion compensating fiber module

Номер патента: JP4030892B2. Автор: 寧 官,邦治 姫野,和彦 愛川. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Variable dispersion compensator and variable dispersion compensation method

Номер патента: JP4492232B2. Автор: 裕幸 山崎. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-06-30.

Heater Chips with Silicon Die Bonded on Silicon Substrate, Including Offset Wire Bonding

Номер патента: US20120133710A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20120164827A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20120164829A1. Автор: Rajagopalan Nagarajan,Park Ji Ae,Yamase Ryan,Patel Shamik,Nowak Thomas,Xia Li-Qun,Kim Bok Hoen,Ding Ran,Baldino Jim,Naik Mehul,Ramaswami Sesh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD FOR FORMING FULLY RELAXED SILICON GERMANIUM ON SILICON

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Liu Jinping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

SINTERED REFRACTORY MATERIAL BASED ON SILICON CARBIDE WITH A SILICON NITRIDE BINDER

Номер патента: US20130056915A9. Автор: Jorge Eric,Citti Olivier,Moitrier Lionel,Marguin Olivier. Владелец: SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN. Дата публикации: 2013-03-07.

METHOD FOR PRODUCING HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2012140590A. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-03-27.

Preparation method of composite structure material based on silicon-based porous silicon/tungsten oxide nanowires

Номер патента: CN103526157A. Автор: 曾鹏,胡明,李明达,武雅乔,马双云,崔珍珍. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-22.

CVD EDITOR (OPTIONS) AND METHOD FOR SYNTHESIS OF HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON

Номер патента: RU2008110877A. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко,Борис Михайлович Синельников (RU),Виталий Алексеевич Тарала (RU),Иван Сергеевич Митченко (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Фирма "ЭПИКРИСТ" (RU). Дата публикации: 2009-09-27.

Low voltage silicon controlled rectifier (SCR) for electrostatic discharge (ESD) protection on silicon-on-insulator technologies

Номер патента: CN100423256C. Автор: 柯尼里·克里斯汀·鲁斯,菲利普·裘思维克,马克斯·莫俊斯,约翰·亚莫,康-颂·特里恩,罗素·莫恩,柯恩·法海吉. Владелец: Sanorff European Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

SALVATOR СНзСН, \ КОз5СН2СН (р.) С (о) о (СН2) з-31-0- [81-о] -81 - ((:: Н5,) ЗО (о) СНС (к) СН2бОММ \ <т \ sn , W, CH3, where R = H, CH3; M = Na, K, NH4; m = 4, 8, 12, 16, having surface-active properties. Salts of bis- (• y-sulfopropionate propyl-n sulfonic isobutyratepropyl) - nolydimenylsiloxane decree Formulas with increased surface activity can be used as effective surface-active substances (surfactants). P1 are known surfactants based on silicon organosulfur sulfoesters [1], sulfates [2] or sulfonates [3], reducing surface tension of water up to 20-30 dyn / cm. The closest to the described compounds to the technical essence are Na, K or NH4 salts of 1,3-bis- (sulfopropionalkyl or sulfoisobutyrate alkyl-1,1,3, 3-tetra-20 methyldisiloxane [4]. However, these compounds have insufficient activity at the boundaries phases: water - air (reduce surface tension from 72.5 to 25-30 dyn / cm) and water - silicon - organic liquid (reduce interfacial tension from 47 to 6-14 dyn / cm). The purpose of the invention is to synthesize compounds with high efficiency as a PAV. For this, the salts of bis- (i'-sulfopropionate or sulfoisobutnylpropyl) - iolididimethylsiloxane are used as surfactants contain an extended siloxane day. The salts of this formula are present in concentrations 1-10 ~ h - 5-10 ~ 2 mol / l leads to a sharp decrease in the surface natn

Номер патента: SU548609A1. Автор: Николай Семенович Федотов,Григорий Саннович Гольдин,Киролина Ошеровна Авербах,Татьяна Афанасьевна Музыченко. Владелец: Предприятие П/Я Г-4236. Дата публикации: 1977-02-28.

Method for preparing ferromagnetic manganese silicon film on silicon substrate by magnetic control sputtering

Номер патента: CN1885493A. Автор: 尹志岗,陈诺夫,杨霏,刘力锋,柴春林. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-12-27.

Suspension guided-wave optical device based on silicon substrate nitride and method for producing suspension guided-wave optical device based on silicon substrate nitride

Номер патента: CN102778724A. Автор: 朱洪波,王永进,胡芳仁,于庆龙. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2012-11-14.

Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate

Номер патента: RU2504600C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина&#34;. Дата публикации: 2014-01-20.

Method of silicon nitride precipitation on silicon substrate

Номер патента: RU2518283C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Алексей Евгеньевич Ануров,Владимир Миронович Долгополов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных системы&#34; (ОАО &#34;Российские космические системы&#34;). Дата публикации: 2014-06-10.

GROWING COMPRESSIVELY STRAINED SILICON DIRECTLY ON SILICON AT LOW TEMPERATURES

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Reznicek Alexander,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for producing high strength silicon nitride products based on silicon carbide

Номер патента: CN1131134A. Автор: 薛天瑞. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-09-18.

Micro-mechanical acceleration transducer with directly linked silicon wafers based on silicon through-hole technique

Номер патента: CN102435772A. Автор: 郭述文. Владелец: SUZHOU WENZHIXIN MICROSYSTEM TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2012-05-02.

TECHNOLOGICAL LINE FOR THE PRODUCTION OF WALL CERAMIC PRODUCTS OF SEMI-DRY PRESSING BASED ON SILICON OPAL-CRYSTOBALITE ROCKS

Номер патента: RU2013139804A. Автор: Владимир Дмитриевич Котляр,Александр Владимирович Козлов,Антон Владимирович Котляр,Юлия Викторовна Терёхина,Андрей Викторович Устинов,Анастасия Сергеевна Новикова. Владелец: Андрей Викторович Устинов. Дата публикации: 2015-03-10.

METHOD OF SOLDING CRYSTALS BASED ON SILICON CARBIDE

Номер патента: RU2009149796A. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов,Борис Анатольевич Спиридонов (RU),Виктор Васильевич Зенин (RU),Владимир Иванович Бойко (RU),Александр Валерьевич Кочергин (RU),Андрей Владимирович Строгонов (RU). Владелец: ОАО &#34;Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка&#34; (RU). Дата публикации: 2011-07-10.

Power MOSFET on silicon-on-insulator and method thereof

Номер патента: TW554466B. Автор: Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2003-09-21.

Liquid crystal on silicon display panel

Номер патента: TWI285289B. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-11.

Flue gas desulfurization adsorption device based on silicon-based mesoporous material and method of using same

Номер патента: ZA202110837B. Автор: Gang Li,Xiaoyan Wu. Владелец: Huawei National Engineering Res Center For Efficient Recycling Of Metal Mineral Resources Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Chromatic dispersion compensation

Номер патента: GB9606671D0. Автор: . Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1996-06-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.