Integrated Memory Comprising Gated Regions Between Charge-Storage Devices and Access Devices
Номер патента: US20200052070A1
Опубликовано: 13-02-2020
Автор(ы): Charles L. Ingalls, Scott J. Derner
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-02-2020
Автор(ы): Charles L. Ingalls, Scott J. Derner
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated memory comprising secondary access devices between digit lines and primary access devices
Номер патента: US12114474B2. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.