FABRICATION METHOD OF RARE EARTH-BASED SINTERED MAGNET.

FABRICATION METHOD OF RARE EARTH-BASED SINTERED MAGNET

Номер патента: US20150302961A1
Опубликовано: 22-10-2015
Автор(ы): JANG Tae Seok, Kim Tae Hoon, LEE Seong Rae
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of treating a rare earth based magnet

Номер патента: DE102014107564A1. Автор: Christoph Brombacher,Jörg DREIKORN,Katja Voelker. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-12-11.

Production of material of rare earth permanent magnet

Номер патента: RU2367045C2. Автор: Коити ХИРОТА,Хадзиме НАКАМУРА,Такехиса МИНОВА. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-09-10.

Method for producing rare earth based alloy powder and method for producing rare earth based sintered magnet

Номер патента: US20060272450A1. Автор: Yuji Kaneko,Tomoori Odaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-07.

Method of fabricating rare-earth sintered magnet and method of fabricating rare-earth bonded magnet

Номер патента: US20090081067A1. Автор: Yoshibumi Nakamura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-26.

Oxidation-resistant rare earth based magnet powder and method for production thereof, compound for rare earth based bonded magnet, rare earth based bonded magnet and method for production thereof

Номер патента: WO2004064086A1. Автор: Kazuhide Oshima,Kohshi Yoshimura. Владелец: Neomax Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-07-29.

A manufacturing method of rare earth sintered magnet

Номер патента: EP4407638A1. Автор: Dong Hwan Kim,Koon Seung Kong,Sang Hyub Lee. Владелец: STAR GROUP IND Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Manufacturing method of rare earth sintered magnet

Номер патента: US20240258027A1. Автор: Dong Hwan Kim,Koon Seung Kong,Sang Hyub Lee. Владелец: STAR GROUP IND Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

A kind of preparation method of matrix and the rare-earth-iron-boron based sintered magnet of coating high-bond

Номер патента: CN106205927B. Автор: 刘友好,衣晓飞,黄秀莲,陈静武,周志国,熊永飞,曹玉杰. Владелец: Earth Panda Advance Magnetic Material Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

Grain boundary engineering of sintered magnetic alloys and the compositions derived therefrom

Номер патента: US11942245B2. Автор: Miha Zakotnik. Владелец: Noveon Magnetics Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Grain boundary engineering of sintered magnetic alloys and the compositions derived therefrom

Номер патента: US20190051434A1. Автор: Miha Zakotnik. Владелец: Urban Mining Co. Дата публикации: 2019-02-14.

METHOD FOR PREPARING SINTERED RARE EARTH-BASED MAGNET USING MELTING POINT DEPRESSION ELEMENT AND SINTERED RARE EARTH-BASED MAGNET PREPARED THEREBY

Номер патента: US20180218835A1. Автор: Lee Min Woo,JANG Tae Suk. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Permanent magnet and method of making said magnet

Номер патента: RU2423748C2. Автор: Хироси НАГАТА,Йосинори СИНГАКИ,Кюзо НАКАМУРА,Такео КАТОУ,Ацуси НАКАЦУКА,Итироу МУКАЕ,Масами ИТОУ,Реу ЙОСИИЗУМИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2011-07-10.

Surface-treated rare earth-based magnetic particles, resin composition for bonded magnets comprising the earth-based magnetic particles and bonded magnet comprising the earth-based magnetic particles

Номер патента: US09566646B2. Автор: Nobuhiro Katayama,Kuniyoshi Shigeoka. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of magnets from rare-earth metals

Номер патента: RU2538272C2. Автор: Такеси ЯМАМОТО,Норитака МИЯМОТО,Тецуя СЁДЗИ,Синья ОМУРА,Дайсюкэ ИТИГОДЗАКИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-01-10.

Grain Boundary Engineering of Sintered Magnetic Alloys And The Compositions Derived Therefrom

Номер патента: US20240194381A1. Автор: Miha Zakotnik. Владелец: Urban Mining Technology Co Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of green compacts of rare earth alloy magnetic powder and a manufacturing method of rare earth magnet

Номер патента: US20150287529A1. Автор: Hiroshi Nagata,Chonghu Wu. Владелец: Xiamen Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

RARE-EARTH-BASED MAGNET POWDER, BONDED MAGNET, BONDED MAGNET COMPOUND, SINTERED MAGNET, METHOD OF MANUFACTURING RARE-EARTH-BASED MAGNET POWDER, AND METHOD OF MANUFACTURING RARE-EARTH BASED PERMANENT MAGNET

Номер патента: US20220293310A1. Автор: Suzuki Kenichi,ENOKIDO Yasushi,FUJIKAWA Yoshinori,KOKAWA Ikuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for recycling slurry, method for manufacturing rare-earth based sintered magnet, and apparatus for recycling slurry

Номер патента: CN102822915A. Автор: 望月光明. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

Rare earth based sintered magnet

Номер патента: DE112012004991B4. Автор: c/o TDK Corp. Hayakawa Takuma,c/o TDK Corp. Kunieda Ryota,c/o TDK Corp. Chiba Tetsuya,c/o TDK Corp. Nishikawa Kenichi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for recycling slurry, method for manufacturing rare-earth based sintered magnet, and apparatus for recycling slurry

Номер патента: EP2555211A4. Автор: Mitsuaki Mochizuki. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-08-30.

Rare earth based bonded magnet compound and bonded magnet using the same

Номер патента: JP4069727B2. Автор: 武司西内,哲広沢,敏夫三次,裕和金清. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2008-04-02.

Method for producing a rare earth-based magnet

Номер патента: GB2515019B. Автор: BROMBACHER Christoph,VOELKER Katja,DREIKORN Jörg. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-17.

Method for producing a rare earth-based magnet

Номер патента: GB201121579D0. Автор: . Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-01-25.

Method of manufacturing sintered rare earth magnets of small and medium sizes

Номер патента: RU2746517C1. Автор: Геннадий Сергеевич Бурханов,Наталья Борисовна Кольчугина,Владимир Аркадьевич Дементьев,Андрей Гурьевич Дормидонтов,Николай Андреевич Дормидонтов,Денис Анатольевич Русинов,Анна Сергеевна Бакулина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-04-14.

METHOD FOR REDUCING A RARE EARTH-BASED MAGNET

Номер патента: US20140366991A1. Автор: BROMBACHER Christoph,VOELKER Katja,DREIKORN Joerg. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

A rare earth-based permanent magnet

Номер патента: EP0251871A2. Автор: Yoshio Tawara,Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-07.

A rare earth-based permanent magnet

Номер патента: EP0251871B1. Автор: Yoshio Tawara,Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-05.

Rare earth based magnet

Номер патента: US20150179318A1. Автор: Katsuo Sato,Eiji Kato,Chikara Ishizaka,Yoshinori Fujikawa,Yuki Nagamine,Wakako Okawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Rare earth based permanent magnet

Номер патента: US20160240292A1. Автор: Yasushi Enokido,Akihiro Ohsawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Rare earth based magnet

Номер патента: US09548149B2. Автор: Katsuo Sato,Eiji Kato,Taeko Tsubokura,Chikara Ishizaka,Yoshinori Fujikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Rare earth based magnet

Номер патента: US20140292454A1. Автор: Katsuo Sato,Eiji Kato,Taeko Tsubokura,Chikara Ishizaka,Yoshinori Fujikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of producing rare-earth permanent magnet material

Номер патента: RU2417139C2. Автор: Коити ХИРОТА,Такехиса МИНОВА,Надзиме НАКАМУРА. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-04-27.

Method of producing rare-earth permanent magnet material

Номер патента: RU2417138C2. Автор: Коити ХИРОТА,Хадзиме НАКАМУРА,Такехиса МИНОВА. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-04-27.

METHOD OF PRODUCING SINTERED NdFeB MAGNET

Номер патента: RU2423204C2. Автор: Масато САГАВА. Владелец: Интерметалликс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-07-10.

Method of making permanent magnet and permanent magnet

Номер патента: RU2490745C2. Автор: Хироси НАГАТА,Йосинори СИНГАКИ,Казутоси ТАКАХАСИ,Ясуо НАКАДАИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of processing waste magnets

Номер патента: RU2446497C1. Автор: Хироси НАГАТА,Йосинори СИНГАКИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-03-27.

R-T-B rare earth sintered magnet, alloy for R-T-B rare earth sintered magnet, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09558872B2. Автор: Kenichiro Nakajima,Takashi Yamazaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-01-31.

Production method of rare-earth magnet and device for its production

Номер патента: RU2704018C1. Автор: Сакума Норицугу,Хага Кадзуаки. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-10-23.

Mixed rare-earth based high-coercivity permanent magnet

Номер патента: EP1818949A3. Автор: Jianmin Wang,Shengzhi Dong,Juliana Chiang Shei. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2009-11-25.

High-resistivity light rare earth-based anisotropic rare earth magnetic material and preparation method thereof

Номер патента: CN114823023A. Автор: 陈海英,程本培,王心安,廖思宇. Владелец: Ningxia Junci New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

Method for producing rare earth-based permanent magnet having deposited film on surface

Номер патента: JP4747462B2. Автор: 武司西内,文秋菊井,謙太田垣. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Method for producing rare earth based permanent magnet having copper plating film on its surface

Номер патента: JPWO2006016570A1. Автор: 稔展新苗,新苗　稔展. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for producing rare earth based permanent magnet having copper plating film on its surface

Номер патента: JPWO2007091602A1. Автор: 稔展新苗,新苗　稔展. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for producing rare earth based permanent magnet having copper plating film on its surface

Номер патента: JP3972111B2. Автор: 稔展新苗. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Preparation of rare earth permanent magnet

Номер патента: US20150233006A1. Автор: Yukihiro Kuribayashi,Yoshifumi Nagasaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Preparation of rare earth permanent magnet

Номер патента: US09845545B2. Автор: Yukihiro Kuribayashi,Yoshifumi Nagasaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Preparation of rare earth permanent magnet

Номер патента: US20180044810A1. Автор: Yukihiro Kuribayashi,Yoshifumi Nagasaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Preparation of rare earth permanent magnet

Номер патента: MY174289A. Автор: Nagasaki Yoshifumi,KURIBAYASHI Yukihiro. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Preparation of rare earth permanent magnet

Номер патента: PH12015000057A1. Автор: Yukihiro Kuribayashi,Yoshifumi Nagasaki. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-08-22.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming plasma-resistant coating layer with low brightness using heat treatment process of rare-earth metal compound powder and plasma-resistant coating film formed thereby

Номер патента: US20230374641A1. Автор: JOO Jin,Min Gyu Lee,Se Yong Kim,Tae Soo Jang. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Grain boundary diffusion method of r-fe-b series rare earth sintered magnet, hre diffusion source and preparation method thereof

Номер патента: US20200027656A1. Автор: Hiroshi Nagata,Zongbo LIAO,Yulin LIN,Juhua XIE,Hanshen YE. Владелец: Fujian Changting Jinlong Rare Earth Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for the preparation of rare earth based anisotropic permanent magnet

Номер патента: US5976271A. Автор: Masaru Ito,Tadao Nomura,Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-02.

Method for producing corrosion-resistant rare earth based permanent magnet, corrosion-resistant rare earth based permanent magnet, dip spin coating method for work piece, and method for forming coating film on work piece

Номер патента: EP1511046A4. Автор: Kohshi Yoshimura,Tomoiku Otani. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-04-22.

Rare Earth Based Hydrogen Storage Alloy and Application Thereof

Номер патента: US20170288217A1. Автор: Jin Li,Wei Xiong,LI Wang,Huizhong Yan,Baoquan Li. Владелец: NATIONAL ENGINEERING RESEARCH CENTRE OF RARE EARTH METALLURGY AND FUNCTION MATERIALS. Дата публикации: 2017-10-05.

Magnetically anisotropic rare earth-based nanocomposite permanent magnet

Номер патента: US6261385B1. Автор: Tadao Nomura,Ken Ohashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-17.

High-temperature superconducting coil and method of manufacturing same

Номер патента: US09721708B2. Автор: Tomohisa Yamashita,Katsutoshi Mizuno,Masafumi Ogata. Владелец: RAILWAY TECHNICAL RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2017-08-01.

METHOD FOR PRODUCING A RARE EARTH-BASED MAGNET

Номер патента: US20130153088A1. Автор: DREIKORN Jörg,ÜSTÜNER Kaan,ZILG Heinz-Dieter. Владелец: Vacuumschmelze GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2013-06-20.

Carburized La2O3 and Lu2O3 co-doped Mo filament cathode and its fabrication method

Номер патента: US20180254164A1. Автор: Xiao Han,Jie Zhang,Xiaoyang Chen,Jinshu Wang,Jingchao Liu,Liran Dong,Mingchuang Tian,Liyang Xiao. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-09-06.

Method of production of rare earth magnetic alloy ribbon

Номер патента: US20140116577A1. Автор: Noritsugu Sakuma,Hidefumi Kishimoto,Mikiya Nozaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Neodymium-iron-boron magnet prepared by using waste sintered magnet and method for preparing neodymium-iron-boron magnet by using waste materials

Номер патента: EP4435809A1. Автор: XIN Lai,Huayun MAO,Yunpeng Chen,Zhixin XU,Congyao Mao,Pengpeng YI. Владелец: Jl Mag Rare-Earth Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Composite magnetic inductor element and fabrication method thereof

Номер патента: EP4369359A1. Автор: Antonio Rojas Cuevas,Francisco Ezequiel NAVARRO PÉREZ,Claudio Cañete Cabeza,José Ramón FERNÁNDEZ DE LA FUENTE,Paula PÉREZ CAMERO. Владелец: PREMO SA. Дата публикации: 2024-05-15.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Inductor and fabricating method thereof

Номер патента: US20030019835A1. Автор: Jae-Il Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

RARE EARTH BASED SINTERED MAGNET

Номер патента: US20140318316A1. Автор: Nishikawa Kenichi,HAYAKAWA Takuma,KUNIEDA Ryota,CHIBA Tetsuya. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2014-10-30.

Mfr. of magnetic anisotropic power of rare earth based compound

Номер патента: DE4242839A1. Автор: Joachim Dipl Phys Dr Wecker,Christian Dipl Phys Dr Kuhrt,Ludwig Dipl Phys Dr Schultz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-06-23.

Thin ribbon of rare earth-based permanent magnet alloy

Номер патента: US6419723B2. Автор: Koji Sato,Kenji Yamamoto,Koichi Hirota,Takehisa Minowa,Takahiro Hashimoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

RARE EARTH BASED MAGNET

Номер патента: US20150179317A1. Автор: KATO Eiji,Ishizaka Chikara,NAGAMINE Yuki,OKAWA Wakako,FUJIKAWA Yoshinori,SATO Katsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

RARE EARTH BASED MAGNET

Номер патента: US20150179318A1. Автор: KATO Eiji,Ishizaka Chikara,NAGAMINE Yuki,OKAWA Wakako,FUJIKAWA Yoshinori,SATO Katsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

RARE EARTH BASED MAGNET

Номер патента: US20150179319A1. Автор: KATO Eiji,Ishizaka Chikara,NAGAMINE Yuki,OKAWA Wakako,FUJIKAWA Yoshinori,SATO Katsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

RARE EARTH BASED MAGNET

Номер патента: US20140290803A1. Автор: KATO Eiji,Ishizaka Chikara,FUJIKAWA Yoshinori,Tsubokura Taeko,SATO Katsuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

RARE EARTH BASED MAGNET

Номер патента: US20140292453A1. Автор: KATO Eiji,Ishizaka Chikara,FUJIKAWA Yoshinori,Tsubokura Taeko,SATO Katsuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

RARE EARTH BASED MAGNET

Номер патента: US20140292454A1. Автор: KATO Eiji,Ishizaka Chikara,FUJIKAWA Yoshinori,Tsubokura Taeko,SATO Katsuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

RARE EARTH BASED PERMANENT MAGNET

Номер патента: US20160240292A1. Автор: ENOKIDO Yasushi,OHSAWA Akihiro. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2016-08-18.

RARE EARTH BASED PERMANENT MAGNET

Номер патента: US20160240293A1. Автор: ENOKIDO Yasushi,OHSAWA Akihiro. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2016-08-18.

Rare earth based magnet

Номер патента: US20150270041A1. Автор: Katsuo Sato,Eiji Kato,Taeko Tsubokura,Chikara Ishizaka,Yoshinori Fujikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

RARE EARTH BASED MAGNET

Номер патента: US20150310972A1. Автор: KATO Eiji,Ishizaka Chikara,FUJIKAWA Yoshinori,Tsubokura Taeko,SATO Katsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Rare earth based magnet

Номер патента: CN104733147A. Автор: 藤川佳则,加藤英治,石坂力,永峰佑起,大川和香子,佐藤胜男. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

Rare earth based magnet

Номер патента: CN104733146A. Автор: 藤川佳则,加藤英治,石坂力,永峰佑起,大川和香子,佐藤胜男. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

Rare-earth based magnetic materials, production process and use

Номер патента: IE901359A1. Автор: HONG SUN,John Michael David Coey. Владелец: Provost. Дата публикации: 1991-11-06.

Rare earth based permanent magnet

Номер патента: DE102016001717A1. Автор: Yasushi Enokido,Akihiro Ohsawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Rare earth based magnet

Номер патента: CN104078178A. Автор: 藤川佳则,坪仓多惠子,加藤英治,石坂力,佐藤胜男. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-10-01.

A rare earth-based alloy for permanent magnet

Номер патента: EP0242283A1. Автор: Yoshio Tawara,Ken Ohashi,Toshikazu Yokoyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-21.

Rare-earth based magnetic materials, production process and use

Номер патента: EP0453270B1. Автор: HONG SUN,John Michael David Coey. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 1996-04-10.

Rare earth based magnet

Номер патента: DE102014104419A1. Автор: Katsuo Sato,Eiji Kato,Taeko Tsubokura,Chikara Ishizaka,Yoshinori Fujikawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of producing a low-agglomerated nanosized precursor for synthesis of solid solutions of yttrium-aluminum garnet with rare-earth element oxides

Номер патента: RU2697562C1. Автор: Виталий Алексеевич Тарала,Ирина Сергеевна Чикулина,Анатолий Федорович Голота,Дмитрий Сергеевич Кулешов,Светлана Эдуардовна Хорошилова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of producing nanostructured powders of solid solutions based on yttrium-aluminum garnet with rare-earth element oxides

Номер патента: RU2700062C1. Автор: Нелля Александровна Попова,Евгений Степанович Лукин,Светлана Владимировна Чижевская,Александр Васильевич Жуков,Лиана Тагировна Павлюкова,Андрей Анатольевич Лучков,Никита Алексеевич Куликов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of fabricating nano-scale structures and nano-scale structures fabricated using the method

Номер патента: US09522821B2. Автор: Ripon Kumar DEY,Bo Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Fabrication method of display panel and display panel and display device

Номер патента: US09929189B2. Автор: Gang Yang,Jun Long. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Fabrication method of electromechanical transducer film, fabrication method of electromechanical transducer element, electromechanical transducer element, liquid ejection head, and image forming apparatus

Номер патента: US09537085B2. Автор: Atsushi Takeuchi,Osamu Machida,Akira Shimofuku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Mold for ceramic membrane tube and fabrication method of ceramic membrane tube using the same

Номер патента: WO2007067011A1. Автор: Ji-Haeng Yu,Ki-Suk Hong,Sang-Kuk Woo,In-Sub Han,Doo-Won Seo,Shi-Woo Lee. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2007-06-14.

Devices having substrates with openings passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture

Номер патента: EP1412283A2. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Allvia Inc. Дата публикации: 2004-04-28.

Processing method of silicon substrate, fabricating method of substrate for liquid ejection head, and fabricating method of liquid ejection head

Номер патента: US09545793B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Portable electronic device body having laser perforation apertures and associated fabrication method

Номер патента: US09484621B2. Автор: Anton Fahlgren,Harri Lasarov,Axel E. Meyer,Mika Nenonen,Sung-Hoon Oh,Nicolas Lylyk,Ville Henrikki VEHKAPERÄ,Janne H. RAUTIO. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2016-11-01.

Fabrication method of battery module case having welding area with enhanced surface roughness

Номер патента: US20240243399A1. Автор: Ji Hun Kim,Hyeong Won Kim,Ki Dong Lee,Hoemin CHEONG,Sung Chel Yoon,Hyeon Jeong YOU. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: US20150329361A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: EP2900850A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Fabrication method of artificial dielectric lens and artificial dielectric lens thereof

Номер патента: US20230253716A1. Автор: Wei Huang,Chenxi Lv. Владелец: Beijing High Way Telecommuniction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Artificial dielectric lens fabrication method and artificial dielectric lens thereof

Номер патента: EP4175071A1. Автор: Wei Huang,Chenxi Lv. Владелец: Beijing High Way Telecommuniction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A3. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Ming-Nung Lin. Дата публикации: 2007-12-06.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: EP1972016A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen Chung-Chin. Дата публикации: 2008-09-24.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of fabricating soldering balls for semiconductor encapsulation

Номер патента: US20020072213A1. Автор: Tao-Kuang Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Fabrication method of semiconductor piece

Номер патента: US09589812B2. Автор: Michiaki Murata,Shuichi Yamada,Mutsuya Takahashi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Fabrication method of wafer level package having a pressure sensor

Номер патента: US09487393B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Fabrication method for capacitor electrode

Номер патента: WO2010101338A1. Автор: Ju-Young Lee,Seok-Jun Seo,Seung-Hyeon Moon,Gha-Young Kim. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-09-10.

Photocatalytic device based on rare-earth elements: methods of manufacture and use

Номер патента: US20190386105A1. Автор: Craig A. Grimes,Kevin KREISLER. Владелец: FLUX PHOTON Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide

Номер патента: US09970095B2. Автор: Jennifer Y. Sun,Biraja P. Kanungo,Vahid Firouzdor. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Stacked transistors having an isolation region therebetween and a common gate electrode, and related fabrication methods

Номер патента: EP4156243A1. Автор: Harsono Simka,Kang-ill Seo,Ming He,Jaehyun Park,Byounghak Hong,Seungchan Yun,Daewon HA,Jeonghyuk Yim,Gunho JO,Inchan HWANG,Rebecca Park,Mehdi Saremi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-29.

Single electron transistor having memory function and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060255368A1. Автор: Ju-Hyung Kim,Chung-woo Kim,Soo-doo Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-16.

Crystalline multiple-nanosheet strained channel FETs and methods of fabricating the same

Номер патента: US09570609B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Fabricating method for quantum dot of active layer of LED by nano-lithography

Номер патента: US20090087935A1. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Polymer microcavity and microchannel devices and fabrication method

Номер патента: EP1977439A2. Автор: Sung-Jin Park,Meng Lu,Gary J. Eden. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2008-10-08.

Use of an antibody and a rare-earth based crystal

Номер патента: WO2010056889A2. Автор: Franz Fogt,Joseph Friedberg. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of fabricating Ge-Mn magnetic semi conductors with high cure temperature

Номер патента: US20040182307A1. Автор: Sang Lim,Sang Song. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of fabricating Ge-Mn magnetic semiconductors with high cure temperature

Номер патента: US6946301B2. Автор: Sang Hoon Song,Sang Ho Lim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-09-20.

Magnetoresistive stack device fabrication methods

Номер патента: US12052927B2. Автор: Jijun Sun. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetoresistive stack device fabrication methods

Номер патента: US20240341199A1. Автор: Jijun Sun. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Magnetic recording medium fabrication method and apparatus

Номер патента: US09646643B2. Автор: Ichiro Ota. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-05-09.

Rare Earth Based Hydrogen Storage Alloy and Application Thereof

Номер патента: US20170288217A1. Автор: Li Jin,XIONG Wei,WANG LI,Yan Huizhong,Li Baoquan. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Rare-earth-based oxyfluoride ald coating for chamber productivity enhancement

Номер патента: WO2019051302A1. Автор: Xiaowei Wu,Michael R. Rice,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-03-14.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US20040183161A1. Автор: Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for producing permanent magnets on the basis of rare-earth metals alloys with iron and nitrogen

Номер патента: RU2601149C1. Автор: Александр Владимирович Кутепов,Андрей Сергеевич Игнатов,Вадим Петрович Тарасов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2016-10-27.

Method for producing rare earth sintered magnet

Номер патента: US11915845B2. Автор: Akira Fujimoto,Tetsuya Ohashi,Taiga ASAI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Permanent magnet and method of its production

Номер патента: RU2454298C2. Автор: Хироси НАГАТА,Йосинори СИНГАКИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-06-27.

Continuous hydrogen pulverization method and production device of rare earth permanent magnetic alloy

Номер патента: US09543063B2. Автор: Xiaodong Chen,Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

R-t-b based sintered magnet

Номер патента: US20140311288A1. Автор: Yasushi Enokido,Akihiro Ohsawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of fabricating BGA packages

Номер патента: US6830957B2. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-14.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Fabrication method for ball grid array semiconductor package

Номер патента: US20040058471A1. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Electrode assembly, fabricating method of the electrode assembly and electrochemical cell containing the electrode assembly

Номер патента: US09806316B2. Автор: Hyang Mok Lee,Chang Bum Ahn,Dae Geun Ku,Hyuk Su Kim,Jun Woo HUH. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Group III nitride crystals, their fabrication method, and method of fabricating bulk group III nitride crystals in supercritical ammonia

Номер патента: US09670594B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Liquid crystal display panel and method of fabricating thereof

Номер патента: US20040263707A1. Автор: Hae Kim,Hyun SEO. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US09818774B2. Автор: Xiaofeng Yang,Zelin Chen,Xiaotao JIN,Fei OU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabrication method of substrate

Номер патента: US09606393B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Guanbao HUI,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

AC driven plasma display panel for electrical commercial boards and method of fabricating the same

Номер патента: US20030129916A1. Автор: Jun-Sei Lee. Владелец: SCIENCE ADVENTURE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor chips having through silicon vias and related fabrication methods and semiconductor packages

Номер патента: US09698051B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hyun-Soo Chung,Son-Kwan Hwang,Jin-Ho Chun,Byung-Iyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate

Номер патента: US09659975B2. Автор: Chunsheng Jiang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Metal oxide semiconductor material, target material and fabrication method therefor, thin film transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230268444A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Junbiao Peng,Linfeng Lan,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-08-24.

Micro led transfer method, display panel and fabrication method

Номер патента: US20240006217A1. Автор: Ping Zhu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: US7989154B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2011-08-02.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Oxide spacer HCG VCSELS and fabrication methods

Номер патента: US12068580B2. Автор: Constance J. Chang-Hasnain,Jiaxing Wang,Jipeng QI,Kevin T. COOK. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-20.

NROM fabrication method

Номер патента: US20020052081A1. Автор: Boaz Eitan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of fabricating passivation

Номер патента: US20070152304A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor die with interconnect bump design employing repurposed seed layer for forming additional signal paths to back end-of-line (beol) structure, and related integrated circuit (ic) package and fabrication method

Номер патента: EP4406014A1. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Jinying Sun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Fabrication method of a memory and the memory

Номер патента: US12114482B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09710086B2. Автор: Taehwan Kim,Minjoo KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including ferroelectric capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: US20030224538A1. Автор: Yoichi Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Fabrication method of semiconductor test piece

Номер патента: US5814528A. Автор: Nam Yang Lee,Yun Hi Lee,Byeong Kwon Ju,Myung Hwan Oh,Keun Ha Koh,Dong Ky Shin. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 1998-09-29.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20070087521A1. Автор: Osamu Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Fabrication method for a chip packaging structure

Номер патента: US20070099339A1. Автор: Wen-Yin Chang. Владелец: Taiwan Solutions Systems Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Fabrication method of fast recovery diode

Номер патента: US09837275B2. Автор: QUAN Wang,Wei Zhou,Deming Sun,Jieqiong DONG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US09583653B2. Автор: Jin HO KIM,Hyun Jung Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-28.

Touch panel fabricating method and conductive-electroded film

Номер патента: US09563298B2. Автор: Ryohei Nagase,Asako Sakashita. Владелец: Nissha Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Inverted metamorphic multi-junction (imm) solar cell and associated fabrication method

Номер патента: WO2013006243A2. Автор: Frank F. Ho. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2013-01-10.

Non-volatile memory, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US20060237761A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Superjunction device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4044247A1. Автор: Yin DAI,Wenzhen REN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-08-17.

Superjunction device and fabrication method therefor

Номер патента: US20220367616A1. Автор: Yin DAI,Wenzhen REN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-11-17.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Display panel, and fabrication method

Номер патента: US20240006571A1. Автор: Chao Wu,Deng-Kai Chang,Chan-Kuan Huang. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Phononic-isolated kinetic inductance detector and fabrication method thereof

Номер патента: US11313729B1. Автор: Karwan Rostem,Edward Wollack,Peter deVisser. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-04-26.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Fabricating method of a thin film transistor substrate for liquid crystal display device of minimizing defects due to static electricity

Номер патента: US8476092B2. Автор: Young-hun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Integrated circuit and fabricating method and evaluating method of integrated circuit

Номер патента: US20010007356A1. Автор: Kazuyuki Inokuchi,Masahisa Ikeya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Antenna and fabrication method

Номер патента: US12062852B2. Автор: ZHENYU Jia,Ning He,Kerui XI,Zuocai Yang,Donghua Wang,Qinyi Duan,Yunhua Liu,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Fabrication method of light emitting diodes

Номер патента: US20060138683A1. Автор: Chih-Ming Hsu. Владелец: Cleavage Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080142921A1. Автор: Atsuo Isobe,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Fabrication method of a membrane electrode assembly (mea), mea, cell and uses thereof

Номер патента: EP4441816A1. Автор: Paul Dominique LACHARMOISE,Claudia Custodia DELGADO SIMÃO,Miguel BERENGUEL ALONSO,Thi Hai Van NGUYEN,Diogo Miguel ESPERANÇA GARCIA. Владелец: FUNDACIÒ EURECAT. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride underlayer and fabrication method thereof

Номер патента: US09559261B2. Автор: Jie Zhang,Xiaofeng Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Weihua Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices including insulating extension patterns between adjacent landing pads and methods of fabricating the same

Номер патента: US09530729B2. Автор: Hyun-Chul Kim,Seung-hee KO,Yong-Gyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Fabrication method of wiring structure for improving crown-like defect

Номер патента: US09426894B2. Автор: Yi-Ming Chang,I-Min Lin,Po-Shen Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US10151954B2. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US20130011976A1. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US8404528B2. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Image sensors including microlenses having plurality of curvatures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240234462A9. Автор: Sungeun Lee,Minkwan KIM,In Sung Joe,Jinsun PYO,Beomsuk Lee,Inyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Photodetector-arrays and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20170162613A1. Автор: Yoram Karni,Inna Lukomsky,Eran Avnon. Владелец: Semi Conductor Devices - An Elbit Systems-Rafael Partnership. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing micro-channel tubular solid oxide fuel cell using multi-pass extrusion process

Номер патента: WO2008093995A1. Автор: Jong-Hee Kim,Byong-Teak Lee,Ho-Yeon Song. Владелец: SOONCHUNHYANG UNIVERSITY INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Group iii nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US20160163801A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Display device, display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20200295102A1. Автор: Song Zhang,Tao Wang,Dejun BU,Chengjie Qin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222303A1. Автор: Daehyun Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220406755A1. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Image sensor and fabricating method of image sensor

Номер патента: US20150048466A1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Yu Hin Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Fabrication method of battery

Номер патента: US20150372341A1. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Fabrication method of battery

Номер патента: EP2975674A3. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

High-mobility bulk silicon pfet fabrication method

Номер патента: EP1792346B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Louis D. c/o IBM United Kingdom Limited LANZEROTTI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-13.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20100096987A1. Автор: Chong-Gi Hong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12074142B2. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Fabricating method of dram structure

Номер патента: US20130052786A1. Автор: Chung-Lin Huang,Tzung-Han Lee,Ron Fu Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor switching devices and fabrication methods

Номер патента: US20090004791A1. Автор: Raminda Udaya Madurawe. Владелец: Tier Logic Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Inverted metamorphic multi-junction (imm) solar cell and associated fabrication method

Номер патента: US20130008493A1. Автор: Frank F. Ho. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2013-01-10.

Fabricating method of thin film transistor

Номер патента: US20040191965A1. Автор: Binn Kim,Jong-Uk Bae,Hae-Yeol Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods of fabricating nanoscale structures usable in molecular sensors and other devices

Номер патента: WO2021045900A1. Автор: Sungho Jin,Paul MOLA,Tim Geiser,Barry Merriman. Владелец: Roswell Biotechnologies, Inc.. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20060110879A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Ming-Shang Chen,Meng-Hsuan Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Fabrication method of flexible electronic package device

Номер патента: US20220201870A1. Автор: Chien-Min HSU,Chih-Ming Shen,Shih-Hsien Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-23.

Plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: EP2178104A3. Автор: Chong-Gi Hong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabricating method of transistors without dishing occurred during cmp process

Номер патента: US20220084878A1. Автор: Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yu-Lung Shih,Yang-Ju Lu,yong-yi Lin,Ching-Yang Chuang,Ji-Min LIN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20240347656A1. Автор: Hua Li,Weiming Lu,Yupeng JIN,Zhonglan LI. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Epitaxial structure and fabrication method of epitaxial structure

Номер патента: US20240304442A1. Автор: Po-Jung Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240371835A1. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Gate-tunable p-n heterojunction diode, and fabrication method and application of same

Номер патента: US09972799B2. Автор: Mark C. Hersam,Deep M. Jariwala,Vinod K. Sangwan. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2018-05-15.

Ion sensitive device and method of fabrication

Номер патента: US09869657B2. Автор: Oliver KING-SMITH,Eric Kerstan HOOBLER. Владелец: Elemental Sensor LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Display panel and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09825063B2. Автор: Jing Li,Yulin CUI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Process kit of physical vapor deposition chamber and fabricating method thereof

Номер патента: US09803274B2. Автор: Wei Zhang,Yen-Yu Chen,Chang-Sheng Lee,Wei-Jen Chen,Wei-Chen Liao,Shih-Wei BIH,Hsien-Chieh HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Group III nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US09754782B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of fabricating semiconductor devices including supporting patterns in gap regions between conductive patterns

Номер патента: US09741608B2. Автор: Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09728641B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09728543B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09679815B2. Автор: Dong Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Group III nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US09673044B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Array crystal module and fabrication method thereof

Номер патента: US09599726B2. Автор: CHEN ZENG,Qingguo Xie,Daoming XI. Владелец: Raycan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Power module package and method of fabricating the same

Номер патента: US09521756B2. Автор: Young Ki Lee,Sun Woo Yun,Jun Woo MYUNG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of fabricating camera module and spacer of a lens structure in the camera module

Номер патента: US09502461B2. Автор: Chieh-Yuan Cheng,Hung-Yeh Lin. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor light emitting element fabrication method

Номер патента: US09490388B2. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating a circuit board structure

Номер патента: US09484224B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

LDMOS device with step-like drift region and fabrication method thereof

Номер патента: US09478640B2. Автор: Wensheng QIAN. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Fabrication method for multi-zoned and short channel thin film transistors

Номер патента: US09472649B1. Автор: Burhan Bayraktaroglu,Kevin D Leedy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2016-10-18.

Image sensors including well regions of different concentrations and methods of fabricating the same

Номер патента: US09466636B2. Автор: Jungchak Ahn,Yitae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabricating method of back-illuminated image sensor with dishing depression surface

Номер патента: US09443902B1. Автор: Tseng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Packaging substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09408313B2. Автор: Chun-Ting Lin,Ying-Chih Chan. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Fabrication method of semiconductor structure

Номер патента: US09397190B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Electrostatic discharge protection structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09378958B2. Автор: Yu-Chun Chen,Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US09362134B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Display substrate, display device, mobile terminal and fabricating method of display substrate

Номер патента: US20200219902A1. Автор: Yang Wang,Peng Chen. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Transistor, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240213369A1. Автор: Jaehyun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: US20220336234A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-20.

Anode for all solid cell and fabrication method of the same

Номер патента: US20190115618A1. Автор: Dong Wook Shin,Sun Ho Choi,Sung Woo Noh,Oh Min Kwon,Yong Sub Yoon,Chan Hwi PARK,Moon Ju Cho. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-04-18.

Anode for all solid cell and fabrication method of the same

Номер патента: US20200328450A1. Автор: Dong Wook Shin,Sun Ho Choi,Sung Woo Noh,Oh Min Kwon,Yong Sub Yoon,Chan Hwi PARK,Moon Ju Cho. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-10-15.

Anode for all solid cell and fabrication method of the same

Номер патента: US11735762B2. Автор: Dong Wook Shin,Sun Ho Choi,Sung Woo Noh,Oh Min Kwon,Yong Sub Yoon,Chan Hwi PARK,Moon Ju Cho. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-22.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Fabrication method of radio frequency identification antenna coil

Номер патента: US7661186B2. Автор: Chao-Kai Cheng,Chia-Chi Wu,Ming-Huan Yang,Chung-Wei Wang,Yung-Kuo Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-02-16.

Display device fabricating method

Номер патента: US20200343330A1. Автор: Jeong-Hyun Kim,Deok-Hwan Kim,Hasook Kim,Myung-Seok KWON,Joon Ho OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210082783A1. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Fabrication method of an electrostatic discharge protection circuit with a low resistant current path

Номер патента: US6855611B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen,Tsun-Lai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: EP4032119A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Paul Scherrer Institute Psi. Дата публикации: 2022-07-27.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: WO2021052559A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Paul Scherrer Institute (Psi). Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Fabrication method of plate pattern

Номер патента: US20150309350A1. Автор: Minwoo Lee,Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-10-29.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20170294372A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device with self-protecting fuse and method of fabricating the same

Номер патента: US20150255394A1. Автор: Kang-Min Kuo,Bor-Zen Tien,Chin-Chia Chang,Che-Chia Hsu,Ying-Chieh Liao,Gwo-Chyuan Kuoh,Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240363662A1. Автор: Kook Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12136581B2. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US20180061963A1. Автор: Chih-Wei Yang,Po-Wen Su,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wen-Chien Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US09991197B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film type solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US09954130B2. Автор: Young-soo Kim,Sung-Chul Lee,Young-Jin Kim,Doo-Youl Lee,Young-Su Kim,Dong-Hun Lee. Владелец: INTELLECTUAL KEYSTONE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Dense energy ultra-capacitor preform, thin film, module and fabrication methods therefor

Номер патента: US09899154B2. Автор: David Loron Frank. Владелец: Blue Horizons Innovations LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Bipolar transistor device fabrication methods

Номер патента: US09893164B2. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabricating method of anti-fuse structure

Номер патента: US09852983B1. Автор: Dai Yang Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US09660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Fabrication method of plate pattern

Номер патента: US09489099B2. Автор: Minwoo Lee,Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US20200286744A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chia-Hsiang Lin,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen,Arunima Banerjee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG157397A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-12-29.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137798A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137761A1. Автор: Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabricating method of a pixel structure

Номер патента: US20070099354A1. Автор: Meng-Yi Hung,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-03.

Light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120241787A1. Автор: Yeo Jin Yoon,Chang Yeon Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Phase shift mask and fabrication method therefor

Номер патента: US20030091909A1. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Fabrication method of active device array substrate

Номер патента: US20080032235A1. Автор: Chia-Ming Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Microwave filter fabrication method and filters therefrom

Номер патента: WO1992022101A1. Автор: Laurice J. West,Joel J. Ravmond. Владелец: California Amplifier. Дата публикации: 1992-12-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Fabrication Method of Negative Electrode for Secondary Battery and Secondary Battery Including Negative Electrode

Номер патента: US20220045313A1. Автор: Sung Jun Park,Yong Hee Kang,Byung Chan Kang,Byoung Wook Jo,Hyo Sung Lim. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

High Q quartz-based MEMS resonators and methods of fabricating same

Номер патента: US09985198B1. Автор: Hung Nguyen,Randall L. Kubena,David T. Chang,Frederic P. Stratton. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Anti-reflective film, display panel and display device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09983332B2. Автор: LI ZHANG,Dongfang Wang,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating package substrates

Номер патента: US09831217B2. Автор: Shih-Ping Hsu,Chu-Chin Hu,Che-Wei Hsu,Chin-Ming Liu,Chih-Kuai Yang. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules

Номер патента: US09640709B2. Автор: Hartmut Rudmann,Markus Rossi,Mario Cesana,Simon GUBSER. Владелец: Heptagon Micro Optics Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520304B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Hong-Da Chang,Chi-Hsin Chiu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09508786B2. Автор: Chu-Wei Hu,Yuan-Hung Chung,Yuan-Fu Chung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

T-shaped fin isolation region and methods of fabrication

Номер патента: US09373535B2. Автор: Zhenyu Hu,Hongliang Shen,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20100233859A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Sheng Cheng,Ming-Yan Chen,Ying-Chi Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-09-16.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US10475799B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US20190237468A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20210091011A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Wafer, Fabricating Method Of The Same, And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120056304A1. Автор: Young-soo Park,Joon-Young Choi,Sam-Jong Choi,Tae-Hyoung Koo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Fabrication method of resistance variable memory apparatus

Номер патента: US9306166B1. Автор: Young Ho Lee,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20240213177A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Submount-free light emitting diode (led) components and methods of fabricating same

Номер патента: EP2954564A1. Автор: Christopher P. Hussell,Peter S. Andrews,Jesse C. Reiherzer. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222251A1. Автор: Jiyoung LEE,Junhyeong PARK,Jihye SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Resistive memory cell fabrication methods and devices

Номер патента: US20140363947A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Electrode structure, fabrication method thereof and PDP utilizing the same

Номер патента: US20050224801A1. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-10-13.

Electrode structure, fabrication method thereof and pdp utilizing the same

Номер патента: US20060286723A1. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-12-21.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Electrode structure, fabrication method thereof and PDP utilizing the same

Номер патента: US7126278B2. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-10-24.

Fabrication method of electroluminescence display device with protective layer

Номер патента: US09935290B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Fabricating method of a strained FET

Номер патента: US09865707B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Polycrystalline semiconductor layer and fabricating method thereof

Номер патента: US09786500B2. Автор: Chunping Long,Wenqing Xu,Hongwei TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Image sensors including conductive pixel separation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09754994B2. Автор: Jongcheol Shin,Junemo Koo,Byungjun Park,Changrok Moon,Namgil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Fabrication method for synthesizing a Bi2TeySe3-y thermoelectric nanocompound and thermoelectric nanocompound thereby

Номер патента: US09634218B2. Автор: Ho Young Kim,Dong Hwan Kim,Cham KIM,Jong Tae Kim,Ji Hyeon Ahn. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09508745B1. Автор: Yuanfu Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Electrode materials with improved hydrogen degradation resistance and fabrication method

Номер патента: EP1246231A3. Автор: HONG Ying,Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-15.

Methods of modulating the morphology of epitaxial semiconductor material

Номер патента: US09953873B2. Автор: Bhupesh Chandra,Timothy J. McArdle,Paul Chang,Gregory G. Freeman,Viorel Ontalus,Christopher D. Sheraw,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Signal line fabrication method, array substrate fabrication method, array substrate and display device

Номер патента: US09484253B2. Автор: Lei Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie,Changjiang Yan,Haizheng Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory, and memory system

Номер патента: US20240164095A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of manufacturing semiconductor devices including air gap spacers

Номер патента: US20160064270A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Nam-Gun Kim,Gyuhwan Oh,Eun-Ok Lee,Heesook Park,Kyungho JANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor Packaging and Fabrication Method Using Connecting Plate for Internal Connection

Номер патента: US20110221008A1. Автор: Kai Liu,Jun Lu,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-09-15.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor package redistribution structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240282628A1. Автор: Fang-I Chih,Chi-Feng Lin,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Jo-Lin Lan,Chen-Chiu Huang,Ying-Yao Lai,Peng-Chung Jangjian,Wen-Ling CHANG,ShuFang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Hybrid aluminum electrolytic capacitor and fabrication method therefor

Номер патента: EP3664113A1. Автор: I-Chu Lin,Jun Xiong. Владелец: Capxon Electronic Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-10.

Fabrication method of gesn alloys with high tin composition and semiconductor laser realized with such method

Номер патента: EP3895206A1. Автор: Claude MEYLAN. Владелец: Iris Industries SA. Дата публикации: 2021-10-20.

Fabrication Method of Patterned Flexible Electrode

Номер патента: US20210218011A1. Автор: Jang-Ung PARK,Jun Hyung Kim,Sang Yoon Ji. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor fabrication method using stop layer

Номер патента: US20140242797A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Donald F. Canaperi,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Chip stack and fabrication method

Номер патента: US20240363489A1. Автор: Ming Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods of forming contact holes using pillar masks and mask bridges

Номер патента: US09875932B2. Автор: Nam-Gun Kim,Chan-Mi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Array substrate fabricating method

Номер патента: US09741751B2. Автор: Ke Wang,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Thin-film thermo-electric generator and fabrication method thereof

Номер патента: US09634221B2. Автор: Ping Fan,Dongping Zhang,Guangxing Liang,Zhuanghao Zheng. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-25.

Light extraction substrate for organic light emitting device, fabrication method therefor and organic light emitting device including same

Номер патента: US09515295B2. Автор: YOON Young Kwon,Joo Young Lee,Jeong Woo Park,Eun Ho Choi,Kyoung Wook Park. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

FinFET and method of manufacturing same

Номер патента: US09515169B2. Автор: Haizhou Yin,Yunfei Liu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234458A1. Автор: Jongmin JEON,TaekSoo JEON,Jaesung HUR,Je-Hyung Ryu,Haji LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Photomask and fabrication method therefor

Номер патента: US20180164675A1. Автор: Yuan-Chih Chu,Chien-Hung Lai,Shao-Chi Wei,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang,Hsuan-Wen Wang,Min-An Yang,S. C. Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Piezo Actuator Fabrication Method

Номер патента: US20200152856A1. Автор: Yufeng Wang,Xiaolei Liu,Guiqin Wang,Mahmood Samiee. Владелец: MEMS Drive Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Stacked connections in 3D memory and methods of making the same

Номер патента: US11765898B2. Автор: Jun Liu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Electrode assembly, fabricating method thereof, and rechargeable battery

Номер патента: US20130316204A1. Автор: Chan-Seok Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Fabrication method of solar cell electrode using a conductive paste that comprises an organic elastomer

Номер патента: WO2016003987A1. Автор: John Donald Summers,Hikaru Uno. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2016-01-07.

Silicon photovoltaic element and fabrication method

Номер патента: US9231146B2. Автор: Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Chip package structure with multiple gap-filling layers and fabricating method thereof

Номер патента: US12057363B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20130078748A1. Автор: Beung-Hwa Jeong,Yun-Sik Ham,Kwang-Nam Kim,Young-Ro Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Image sensor fabricating method

Номер патента: US20080160665A1. Автор: Eun Sang Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Micro-connector structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060046552A1. Автор: Hsing Chen. Владелец: Solidlite Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Integrated package device, fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240332152A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20240304727A1. Автор: Sunhee Lee,Junghoon Lee,Yeonkeon MOON,Eunhyun Kim,Yeonhong KIM,Jongbeom Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US09935264B2. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick,Scott E. Sills,Chet E. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor packages and fabrication method thereof

Номер патента: US09905535B2. Автор: In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Display substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09871061B2. Автор: Young-Joo Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Wafer level package and fabrication method

Номер патента: US09871015B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Sukianto Rusli,David Razu. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09812577B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Transistor structure and fabrication methods with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US09768074B2. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US09735015B1. Автор: Chun-Lin Chen,Chun-Tsen Lu,Wei-Chuan Tsai,Jui-Ming Yang,Min-Chuan Tsai,Kuo-Chin Hung,Kun Ju Li,Hsin Jung Liu,Yi Han Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules

Номер патента: US09711552B2. Автор: Hartmut Rudmann,Jens Geiger,Peter Roentgen,Vincenzo Condorelli,Mario Cesana. Владелец: Heptagon Micro Optics Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Buildup dielectric layer having metallization pattern semiconductor package fabrication method

Номер патента: US09691635B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Sukianto Rusli. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09684216B2. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09653698B2. Автор: Duckjung Lee,Jaesik Kim,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Complementary metal oxide semiconductor transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09577011B2. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Pu Lin,Ta-wei Chiu,Chung-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US09478467B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Heat exchange plate, battery, electric apparatus, and fabrication method for battery

Номер патента: EP4386935A1. Автор: Haihua Huang,Liangyi WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US9515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Top-Down Fabrication Method for Forming a Nanowire Transistor Device

Номер патента: US20150053925A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Staggered Vertical Comb Drive Fabrication Method

Номер патента: US20070241076A1. Автор: John M. Miller,Steven H. Moffat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Microelectromechanical systems component and method of making same

Номер патента: EP2259995A1. Автор: Daniel N. Koury, Jr.,Lianjun Liu,Melvy F. Miller. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-15.

Fabrication method of rigid-flex circuit board

Номер патента: US20100043962A1. Автор: Chih-Ming Chang,Hsin-En Chung,Yu-Feng Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Polyester flex circuit constructions and fabrication methods for ink-resistant flex circuits used in ink jet printing

Номер патента: WO2007027604A1. Автор: Terry F. Hayden,Matthew P. Jones,Daniel F. Mcclure,Robert E. Loftis. Владелец: Innovex, Inc.. Дата публикации: 2007-03-08.

A casting insert fabrication method using a composition of powders, a casting insert and method of obtaining local composite zones in castings

Номер патента: EP4166258A3. Автор: Ewa Olejnik,Anna JESIOLOWSKA. Владелец: Innerco Sp Z OO. Дата публикации: 2024-08-21.

Method of producing monodisperse spherical granules

Номер патента: RU2590360C1. Автор: Василий Борисович Анкудинов,Юрий Александрович Марухин,Владимир Павлович Огородников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2016-07-10.

Lamination fabricating method

Номер патента: US20230278102A1. Автор: Yasuyuki Yamashita,Hisataka Takagi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Preparation method of rare earth-based fluorite type high-entropy oxide powder material

Номер патента: CN108946787B. Автор: 冒爱琴,郑翠红,俞海云,檀杰,权峰. Владелец: Anhui University of Technology AHUT. Дата публикации: 2020-06-23.

A kind of rare earth base Plate-type denitration catalyst and preparation method

Номер патента: CN106268769A. Автор: 李倩,黄力,陈志平,王晓伟,王虎,孙丹,纵宇浩. Владелец: Datang Nanjing Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Improvements in rare-earth-based materials

Номер патента: GB201200640D0. Автор: . Владелец: Governor and Co of Bank of England. Дата публикации: 2012-02-29.

Liquid-encapsulated rare-earth based ceramic surfaces

Номер патента: WO2013141953A3. Автор: Gisele Azimi,Adam T. Paxson,Kripa K. Varanasi,J. David Smith. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-11-28.

A kind of preparation method of honeycomb rare earth based denitration catalyst

Номер патента: CN108067291B. Автор: 王学海,刘忠生,程明珠,刘淑鹤,王宽岭,陈高升. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2019-11-15.

A method of the precipitation recovering rare earth based on ionic liquid

Номер патента: CN108726555A. Автор: 苏祥,王艳良,孙晓琦,董亚敏. Владелец: Xiamen Institute of Rare Earth Materials. Дата публикации: 2018-11-02.

Rare earth-based dispersible compound, colloid suspension obtained from this compound, processes for their preparation and their use in catalyst production

Номер патента: CA2150295C. Автор: Thierry Chopin,Olivier Touret,Gabriel Vilmin. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1999-09-28.

RARE EARTH-BASED METAL-ORGANIC FRAMEWORK FOR MOISTURE REMOVAL AND CONTROL IN CONFINED SPACES

Номер патента: US20180282350A1. Автор: Eddaoudi Mohamed,BELMABKHOUT Youssef,ABDULHALIM Rasha. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Rare earth-based metal-organic framework for moisture removal and control in confined spaces

Номер патента: US20190345172A1. Автор: Mohamed Eddaoudi,Youssef BELMABKHOUT,Rasha ABDULHALIM. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2019-11-14.

Quaternary rare earth-based SCR denitration catalyst and preparation method thereof

Номер патента: CN112495370A. Автор: 徐强,吴文远,边雪,杨玉明. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2021-03-16.

Rare earth-based medium-low temperature SCR catalyst and preparation method thereof

Номер патента: CN112717967A. Автор: 梁鹏,展宗城,杨艳林,展飞. Владелец: Qingdao Naboke Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-30.

Rare earth-based dispersible compound, process for its preparation and for the preparation of a colloidal suspension obtained from it.

Номер патента: EP0684072B1. Автор: Thierry Chopin,Olivier Touret,Gabriel Vilmin. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2003-03-12.

Rare Earth-Based Dispersible Compound, Colloid Suspension Obtained From This Compound, Processes for Their Preparation and Their Use in Catalyst Production

Номер патента: CA2150295A1. Автор: Thierry Chopin,Olivier Touret,Gabriel Vilmin. Владелец: Gabriel Vilmin. Дата публикации: 1995-11-28.

Rare earth-based infrared heating and warming fabric and preparation method and application thereof

Номер патента: CN114541138B. Автор: 刘金龙,邓冠南,张光睿,李璐,彭维,成颖,方纾. Владелец: Tianjin Baogang Rare Earth Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Rare-earth-base denitrification catalyst powder and preparation method thereof

Номер патента: CN106669659A. Автор: 姜朝兴,杨晓波,吴道君,李军营,丁巧铃. Владелец: Beijing Shenwu Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

A kind of automobile-used rare-earth base SCR catalyst of diesel oil and preparation method

Номер патента: CN106799234B. Автор: 王艳,宋静,王荣,赵文怡,张旭霞,马志鸿,张丞,李兆强. Владелец: Ruike Rare Earth Metallurgy and Functional Materials National Engineering Research Center Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-05.

Rare earth-based infrared heating warm-keeping fabric and preparation method and application thereof

Номер патента: CN114541138A. Автор: 刘金龙,邓冠南,张光睿,李璐,彭维,成颖,方纾. Владелец: Tianjin Baogang Rare Earth Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

Dispersible rare earth-based compound, colloidal suspension obtained from this compound, the procedures for the preparation thereof, and use for the manufacture of catalysts

Номер патента: CN1118716A. Автор: T·肖邦,O·图尔特,G·威尔敏. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1996-03-20.

Catalyst taking waste rare earth-based denitration catalyst as raw material, preparation method and application

Номер патента: CN111167448B. Автор: 金奇杰,沈岳松. Владелец: Nanjing Huanfu New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-05.

Method of composite casting manufacturing

Номер патента: RU2699139C2. Автор: Мурат Раисович Гилязов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2019-09-03.

Decomposition conduit fabrication method

Номер патента: US20120211116A1. Автор: David S. Young. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2012-08-23.

Fabrication method of a MgB2 superconducting tape and wire

Номер патента: US8173579B2. Автор: Hiroaki Kumakura,Takayuki Nakane,Hiroki Fujii,Hitoshi Kitaguchi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of producing radiation targets intended for producing radioactive isotopes, and a target for irradiation

Номер патента: RU2685422C2. Автор: Беатрис ШУСТЕР,Роберт БАТЕЛЬТ,Карл ГЁССВАЙН. Владелец: Фраматом Гмбх. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Damper having a locally coated material and its fabrication method

Номер патента: US09693144B1. Автор: Hiroshi Ohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Quantum memory systems and quantum repeater systems comprising doped polycrystalline ceramic optical devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220270684A1. Автор: Haitao Zhang,Jun Yang,Wageesha Senaratne,Daniel Aloysius Nolan,Thomas Dale Ketcham,Stuart Gray,Jason Allen BROWN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US20240223936A1. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US11991496B2. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US20220386019A1. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Glass compositions, glass fibers, and methods of inhibiting boron volatization from glass compositions

Номер патента: WO2005035456A2. Автор: Hong Li. Владелец: PPG Industries Ohio, Inc.. Дата публикации: 2005-04-21.

Flexible device and fabrication method of flexible device

Номер патента: US09408300B2. Автор: Chien-Jung Huang,Heng-Yin Chen,Chen-Chu Tsai,Yung-Hui Yeh,Cheng-Che Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-08-02.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20040140509A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Fabrication method of acoustic wave device

Номер патента: US09998842B2. Автор: Tooru NISHIDATE. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of producing electroluminescent material 1,10-phenanthroline-tri-(thenoyltrifluoroacetonate) europium (iii) for use in production of organic light-emitting diodes (oled) and structures based thereon

Номер патента: RU2584208C1. Автор: Николай Николаевич Усов,Игорь Христофорович Аветисов,Александр Генрихович Чередниченко,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Олег Геннадьевич Котовский. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-05-20.

Method of fabricating a light-emitting device having a planarized color filter

Номер патента: US7338338B2. Автор: Shih-Chang Chang,Yaw-Ming Tsai,Hsiu-Chun Hsieh. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Front end module and fabricating method thereof

Номер патента: EP1867061A1. Автор: Sang Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Method of fabricating a printed board

Номер патента: US20020146640A1. Автор: Shin Chen,Chin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Multi-piece board and fabrication method therefor

Номер патента: US20100124038A1. Автор: Yasushi Hasegawa. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Capacitance touch panel module and fabrication method thereof

Номер патента: US09591749B2. Автор: Kai Meng,Lien-Hsin Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Capacitance touch panel module and fabrication method thereof

Номер патента: US09591748B2. Автор: Kai Meng,Lien-Hsin Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Capacitance touch panel module and fabrication method thereof

Номер патента: US09544996B2. Автор: Kai Meng,Lien-Hsin Lee. Владелец: Innocom Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Capacitance touch panel module and fabrication method thereof

Номер патента: US09445495B2. Автор: Kai Meng,Lien-Hsin Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Capacitance touch panel module and fabrication method thereof

Номер патента: US09433088B2. Автор: Kai Meng,Lien-Hsin Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memristor device, method of fabricating the same, synaptic device including the same, and neuromorphic device including the synaptic device

Номер патента: US20230309327A1. Автор: Sung Yool Choi,Sang Su Park,Jun Hwe CHA,Jung Yeop Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-28.

Oled display panel and fabrication method of oled display panel

Номер патента: US20240114722A1. Автор: Xingyu Zhou,Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods of manufacturing rotors having interfering sintered magnets and carbon filament sheaths for electric motors

Номер патента: US09641030B2. Автор: Davide Bettoni. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2017-05-02.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Non-volatile memory device used for non-overlapping implant and device fabricating method

Номер патента: US20020053708A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224546A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel, display device and display panel fabrication method

Номер патента: EP3694011A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Dezhi Xu,Chengcheng Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US12031232B2. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Wide-angle camera using achromatic doublet prism array and method of manufacturing the same

Номер патента: US09438779B2. Автор: Chuen-Yi Yin,Jau-Jan Deng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Display device and fabricating method therefor

Номер патента: EP3828871A1. Автор: Xiang Zhou,Chao Dong,Zhongyuan Sun,Jingkai Ni,Jinxiang XUE,Wenqi Liu,Xiaofen Wang,Kai SUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with back electrode of piezoelectric layer

Номер патента: US12088271B2. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Rotational transition based clock, rotational spectroscopy cell, and method of making same

Номер патента: EP3278184A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Simon Joshua Jacobs,Benjamin S. Cook,Django Earl Trombley,Phillip Nadeau. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Method of manufacturing the printed circuit board embedded with wafer level component

Номер патента: US20240292544A1. Автор: Seon-Kyu CHANG,Hee-Il RYU. Владелец: DAEDUCK ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Mask, mask fabrication method, and mask assembly

Номер патента: US12116660B2. Автор: Seul LEE,Seungyong Song,Youngmin Moon,Minho Moon,Sungsoon Im,Ji-Hee Son. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Rotational transition based clock, rotational spectroscopy cell, and method of making same

Номер патента: US09529334B2. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Simon Joshua Jacobs,Benjamin S. Cook,Django Earl Trombley,Phillip Nadeau. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Composite piezoelectric material and method of its production

Номер патента: RU2695917C1. Автор: Алексей Анатольевич Нестеров,Михаил Игоревич Толстунов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2019-07-29.

Element from mineral cotton, method of its fabrication and method of isolating curved surfaces

Номер патента: RU2450932C1. Автор: Эса СЕППЯНЕН,Лассе САТКА,Ристо ХЕВОСМАА. Владелец: ПАРОК ОЙ АБ. Дата публикации: 2012-05-20.

Methods of recovering rare earth elements from a material

Номер патента: WO2018085234A1. Автор: Bruce J. Mincher,Chien M. Wai,Robert Vincent Fox,Mary Ellen Case,Donna Ly Baek,Clive Yen,Horng-Bin Pan. Владелец: UNIVERSITY OF IDAHO. Дата публикации: 2018-05-11.

Methods of recovering rare earth elements from a material

Номер патента: US20180119251A1. Автор: Bruce J. Mincher,Chien M. Wai,Robert Vincent Fox,Mary Ellen Case,Donna Ly Baek,Clive Yen,Horng-Bin Pan. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2018-05-03.

Rare earth oxide nanocrystals and methods of forming

Номер патента: US20090196815A1. Автор: Yunwei Charles Cao. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2009-08-06.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Fabrication method and fabrication device for composite material hollow part

Номер патента: US09403302B2. Автор: Tadashi Yazaki,Hidetaka Hattori,Hideki Horizono,Naoaki Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Ayurvedic encapsulated gold nanoparticles, fabrication methods and cancer therapeutic methods

Номер патента: EP3582757A1. Автор: Alsam KHAN,Kattesh Katti,Kavita Katti,Menka Khhobchandani,Chintamani Joshi,Vinay Mutalik. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2019-12-25.

Batch fabrication method of three-dimensional photonic microstructures

Номер патента: US09459381B2. Автор: Ki-Hun Jeong,Jae-Jun Kim,Dongmin KEUM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of producing catalyst

Номер патента: RU2768118C1. Автор: Владимир Владиславович Имшенецкий,Иосиф Израилевич Лищинер,Ольга Васильевна Малова,Денис Васильевич Пчелинцев,Дмитрий Валерьевич Иванов,Елена Николаевна Лобиченко,Надежда Юрьевна Уварова,Марина Владимировна Белова. Владелец: Акционерное общество "Газромнефть-Омский НПЗ" (АО "Газпромнефть-ОНПЗ"). Дата публикации: 2022-03-23.

Tool for friction welding with mixing, method of its fabrication, method of friction welding with mixing of two metal workpieces, and method of producing metal part

Номер патента: RU2417143C2. Автор: Роберт Ян МАЗИАРЗ. Владелец: Эебас ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-04-27.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Additive friction stir methods of repairing substrates

Номер патента: US09862054B2. Автор: Jeffrey Patrick SCHULTZ,Kumar Kandasamy. Владелец: Aeroprobe Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Polystyrene-based filament for support structure in fused filament fabrication, and associated fused filament fabrication method and article

Номер патента: WO2020023291A1. Автор: Juha-Matti Levasalmi,Malvika BIHARI,Ethan Liu. Владелец: Sabic Global Technologies B.V.. Дата публикации: 2020-01-30.

FABRICATION METHOD OF HEXAGONAL BORON NITRIDE (h-BN)-BASED THERMALLY-CONDUCTIVE COMPOSITE FILM

Номер патента: US20220402257A1. Автор: Daniel Huang,Chaoming Wu,Renzheng Chen,Mars GUO. Владелец: Suzhou Kanronics Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Fabrication method of deflecting film

Номер патента: US20190121200A1. Автор: Zi WANG,Qibin Feng,Guoqiang Lv. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2019-04-25.

Container for volatile substance evaporation and method of its fabrication

Номер патента: RU2459633C2. Автор: ПЕРЕС Давид МОРЕНО,МАРТИНЕС Хосе Антонио МУНЬОС,ФАБРЕГА Рубен ГАРСИЯ. Владелец: Собеле Испанья, С.А.. Дата публикации: 2012-08-27.

Method of preparation of craking catalyst with alkaline earth elements

Номер патента: RU2621345C1. Автор: Наталья Владимировна Короткова,Владимир Иванович Горденко,Сергей Юрьевич Гурьевских,Владимир Павлович Доронин,Олег Валерьевич Потапенко,Татьяна Павловна Сорокина,Дмитрий Валерьевич Храпов,Олег Германович Белявский,Петр Владимирович Липин,Константин Игоревич Дмитриев,Александр Васильевич Панов. Владелец: Акционерное общество "Газпромнефть-Омский НПЗ". Дата публикации: 2017-06-02.

Production scale fabrication method for high resolution afm tips

Номер патента: US20120331593A1. Автор: Guy M. Cohen,Mark C. Reuter,Brent A. Wacaser,Maha M. Khayyat. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2012-12-27.

Water-repellent resin, water-repellent fabric, and fabricating method thereof

Номер патента: US11746466B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chen-Shou Hsu,Sun-Wen Juan. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2023-09-05.

Bicycle seat rail and method of making same

Номер патента: EP1487689A1. Автор: Clifford M Bugle,Jill R. Mcgibbney,Robin L. Kappeler. Владелец: Dynamet Holdings Inc. Дата публикации: 2004-12-22.

Bicycle seat rail and method of making same

Номер патента: WO2006041456A1. Автор: Clifford M. Bugle,Robin L. Pesa,Jill R. Mcgibbney. Владелец: Dynamet Holdings, Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Bicycle seat rail and method of making same

Номер патента: EP1487689B1. Автор: Clifford M Bugle,Robin L. Pesa,Jill R. Mcgibbney. Владелец: Dynamet Holdings Inc. Дата публикации: 2006-05-17.

Fabrication method of v-ribbed belt

Номер патента: US20140103562A1. Автор: Takayuki Okubo,Hiroyuki Shiriike. Владелец: Bando Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Compounds for chromatographic separation of rare earth elements and s-, p-, d- metals, method of separation, and use thereof

Номер патента: CA3142204A1. Автор: Miloslav Polasek. Владелец: Institute of Organic Chemistry and Biochemistry CAS. Дата публикации: 2020-12-10.

Compounds for chromatographic separation of rare earth elements and s-, p-, d- metals, method of separation, and use thereof

Номер патента: WO2020244686A1. Автор: Miloslav Polasek. Владелец: Ustav Organicke Chemie A Biochemie AV CR v.v.i.. Дата публикации: 2020-12-10.

Fabrication method of platinum/granular activated carbon catalyst for ambient temperature catalytic oxidation of co and h2, said catalyst and its use in trace contaminant control

Номер патента: EP4400211A1. Автор: Ping Yu. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Press-in place gaskets and fabrication methods

Номер патента: US09568102B2. Автор: Jeffery Barrall. Владелец: Interface Performance Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Catalyst support materials with oxygen storage capacity (OSC) and method of making thereof

Номер патента: US09387461B2. Автор: Wei Wu,Yunkui Li,Jeffery Lachapelle. Владелец: Pacific Industrial Development Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of flotation extraction of rare metals

Номер патента: RU2612162C1. Автор: Татьяна Николаевна Александрова,Артем Олегович Ромашев,Ульяна Михайловна Павлова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2017-03-02.

Tetraazadodecane based chelating agents for separation of rare earth elements and method therefor

Номер патента: EP4229005A1. Автор: Tomas David,Miloslav Polasek,Kelsea Grace JONES. Владелец: Institute of Organic Chemistry and Biochemistry CAS. Дата публикации: 2023-08-23.

Tetraazadodecane based chelating agents for separation of rare earth elements and method therefor

Номер патента: WO2022100769A1. Автор: Tomas David,Miloslav Polasek,Kelsea Grace JONES. Владелец: Ustav Organicke Chemie A Biochemie AV CR v.v.i.. Дата публикации: 2022-05-19.

Compounds for separation of rare earth elements and s-, p-, d- metals, method of separation, and use thereof

Номер патента: US20200282331A1. Автор: Miloslav Polasek. Владелец: Institute of Organic Chemistry and Biochemistry CAS. Дата публикации: 2020-09-10.

Electrochromic window fabrication methods

Номер патента: US11772366B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Mark A. Collins,Ronald M. Parker,Dhairya Shrivastava. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Tetraazadodecane based chelating agents for separation of rare earth elements and method therefor

Номер патента: CA3191524A1. Автор: Tomas David,Miloslav Polasek,Kelsea Grace JONES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-19.

Electrochromic window fabrication methods

Номер патента: US09995985B2. Автор: Yashraj Bhatnagar,Robert T. Rozbicki,Ronald M. Parker,Abhishek Anant Dixit,Anshu A. Pradhan. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Electrochromic window fabrication methods

Номер патента: US09703167B2. Автор: Yashraj Bhatnagar,Robert T. Rozbicki,Ronald M. Parker,Abhishek Anant Dixit,Anshu A. Pradhan. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Electrochromic window fabrication methods

Номер патента: US09513525B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Mark A. Collins,Ronald M. Parker,Dhairya Shrivastava. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Fabrication method of microfluidic devices

Номер патента: US09409167B2. Автор: Luis J. FERNÁNDEZ,Aitor Ezkerra,Florian Laouenan,Iñigo ARANBURU,María AGIRREGABIRIA,Jorge Elizalde,Javier Berganzo,Jesús RUANO. Владелец: Ikerlan S Coop. Дата публикации: 2016-08-09.

Fabrication method of multi-functional composites from pre/post-consumer carpet

Номер патента: US20100193987A1. Автор: Ranji Vaidyanathan,Abhishek Kumar Singh,Gajendra Pandey,Raman Pal Singh. Владелец: Oklahoma State University. Дата публикации: 2010-08-05.

Compounds for separation of rare earth elements and s-, p-, d- metals, method of separation, and use thereof

Номер патента: EP3717466A1. Автор: Miloslav Polasek. Владелец: Institute of Organic Chemistry and Biochemistry CAS. Дата публикации: 2020-10-07.

Compounds for separation of rare earth elements and s-, p-, d- metals, method of separation, and use thereof

Номер патента: CA3083333A1. Автор: Miloslav Polasek. Владелец: Institute of Organic Chemistry and Biochemistry CAS. Дата публикации: 2019-06-06.

Compounds for separation of rare earth elements and s-, p-, d- metals, method of separation, and use thereof

Номер патента: AU2018374526A1. Автор: Miloslav Polasek. Владелец: Institute of Organic Chemistry and Biochemistry CAS. Дата публикации: 2020-06-11.

Fabrication method of a holding sleeve

Номер патента: US20180369999A1. Автор: Larry Lee. Владелец: Tien I Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Fabrication method of an elastomer with topographical structure formed by the breath figure technique

Номер патента: WO2022106290A1. Автор: Xi Wu,Aldo Ferrari,Raoul HOPF,Edoardo Mazza,Andreas Kourouklis. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2022-05-27.

Method of foam floatation for separation of silicates and carbonates of alkali earth metals with application of collector, including at least one hydrophobically modified polyalkylene imine

Номер патента: RU2555687C2. Автор: Маттиас Бури,Самуэль РЕНЧ,Патрик А. К. ГЕЙН,Йорг ЗЕТЕМАНН. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of separating lutetium and ytterbium by chromatography

Номер патента: RU2741009C9. Автор: Михаил Васильевич Логунов,Виталий Витальевич Милютин,Евгений Анатольевич Козлитин,Любовь Александровна Фирсова,Олег Викторович Харитонов. Владелец: Линчевский Александр. Дата публикации: 2021-06-22.

Method of producing inorganic luminescent compound with given fractional composition

Номер патента: RU2743423C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Андрей Алексеевич Андреев,Сергей Александрович Каплоухий,Виктор Алексеевич Абраменко,Юрий Алексеевич Портнягин,Василий Николаевич Осипов,Игорь Васильевич Павлов,Георгий Валентинович Корнилов,Елена Михайловна Федорова,Ольга Игоревна Воскресенская,Александра Александровна Торгашова,Виктор Геннадиевич Щепин,Егор Сергеевич Казарцев. Владелец: Акционерное общество "Гознак" (АО "Гознак"). Дата публикации: 2021-02-18.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Manufacturing method of optical sheets for displays

Номер патента: EP1924423A1. Автор: Akihiko Takeda,Keisuke Endo. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

Replication tools and related fabrication methods and apparatus

Номер патента: WO2006078918A3. Автор: Denni W Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Replication tools and related fabrication methods and apparatus

Номер патента: US20160329075A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Replication Tools and Related Fabrication Methods and Apparatus

Номер патента: US20120064188A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Microfluidic chip and fabrication method

Номер патента: US12134097B2. Автор: Wei Li,ZHENYU Jia,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Ping Su,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Catalytic converter and fabrication method thereof

Номер патента: US09617896B2. Автор: Sungmu Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Replication tools and related fabrication methods and apparatus

Номер патента: US09395623B2. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Modules and methods of preparing fuel

Номер патента: RU2591748C2. Автор: Джоэл С. РАТНЕР. Владелец: Ройс Уокер Энд Ко., Лтд. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of production of sulfur oxide accumulating material

Номер патента: RU2217222C2. Автор: Эгберт ЛОКС,Томас КРОЙЦЕР,Вольфганг ШТРЕЛАУ,Райнер ДОМЕСЛЕ,Ульрих ГЕБЕЛЬ. Владелец: Дегусса-Хюльс Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2003-11-27.

Fabrication methods of a luneburg lens

Номер патента: US20240227329A9. Автор: Andrey Kobyakov,Gregory Kobyakov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Extraction of rare earth and critical materials from clayey materials

Номер патента: WO2023164555A3. Автор: WEI Liu,Roe-Hoan Yoon,Kaiwu HUANG,Christopher Aaron NOBLE. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Three-dimensionally patterned energy absorptive material and method of fabrication

Номер патента: US09962905B2. Автор: Joshua Kuntz,Eric DUOSS,James M. Frank,Robert S. MAXWELL,Christopher SPADACCINI,Thomas S. Wilson,Thomas R. Metz. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Mems sensor and fabricating method therefor

Номер патента: EP4282811A1. Автор: Hai Chi,Xueqian Song,Yawei SONG. Владелец: Hangzhou Hikmicro Sensing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Integrated CMOS and MEMS sensor fabrication method and structure

Номер патента: US09422156B2. Автор: Peter Smeys. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Cracking catalyst and method of preparing said catalyst

Номер патента: RU2399415C2. Автор: Джун ЛОНГ,Мингде КСУ,Хайпинг ТИАН,Жиджиан ДА,Женг ЛИ,Джун ДУ,Мингайуан ХЕ. Владелец: Рисёч Институт Оф Петролеум Проусессинг, Синопек. Дата публикации: 2010-09-20.

Complex method of producing low-agglomerated high-stoichiometric nano-sized precursor powders based on yttrium-aluminium garnet with rare-earth element oxides

Номер патента: RU2721548C1. Автор: Александр Александрович Кравцов,Ирина Сергеевна Чикулина,Анатолий Федорович Голота,Дмитрий Сергеевич Вакалов,Федор Федорович Малявин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2020-05-20.

Hyperbranched polymer synthesizing method, hyperbranched polymer, resist composition, semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US20110198730A1. Автор: Yukihiro Kaneko,Minoru Tamura,Kaoru Suzuki,Yuko Tanaka,Yusuke Sasaki,Yoshiyasu Kubo,Akinori Uno,Mineko Horibe,Shinichiro Kabashima. Владелец: Lion Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Micromirror unit fabrication method and micromirror unit made by the same

Номер патента: US20040141894A1. Автор: Satoshi Ueda,Fumio Yamagishi,Ippei Sawaki,Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma,Hisao Okuda. Владелец: Fujitsu Media Devices Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of collecting of rare cells from the enclosed filters system

Номер патента: US20160061698A1. Автор: Kenji Takai,Anthony H. Tsai,Satomi Yagi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication method for making an equipment device for an automotive vehicle and associated equipment device for an automotive vehicle comprising a composite body

Номер патента: US09950679B2. Автор: Xavier Bathelier,Steve Jeunesse. Владелец: Faurecia Automotive Industrie SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Wide-angle camera using achromatic doublet prism array and method of manufacturing the same

Номер патента: US09902120B2. Автор: Wei-Ping Chen,Tsung-Wei Wan,Chuen-Yi Yin,Jau-Jan Deng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Armor shell and fabrication methods

Номер патента: US20120034440A1. Автор: Wayde R. Schmidt. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Additive fabrication method of transparent rock micromodels with in-situ mineral coating

Номер патента: US12065761B2. Автор: Tiejun Zhang,Hongxia Li,Aikifa RAZA. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2024-08-20.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Catalyst support materials with oxygen storage capacity (OSC) and method of making thereof

Номер патента: US09597666B2. Автор: Wei Wu,Yunkui Li,Jeffery Lachapelle. Владелец: Pacific Industrial Development Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Graphene platelet fabrication method and graphene platelet fabricated thereby

Номер патента: US9944530B2. Автор: Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Reflector rack, fabrication method thereof, and narrow band x-ray filter and system including same

Номер патента: US20050220271A1. Автор: Yong Cho. Владелец: MONOCHROMATIC X-RAY FILTER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2005-10-06.

Reflector rack, fabrication method thereof, and narrow band x-ray filter and system including same

Номер патента: WO2007005130A3. Автор: Yong Min Cho. Владелец: MONOCHROMATIC X RAY FILTER TEC. Дата публикации: 2007-04-05.

Reflector rack, fabrication method thereof, and narrow band x-ray filter and system including same

Номер патента: EP1882258A2. Автор: Yong Min Cho. Владелец: MONOCHROMATIC X-RAY FILTER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2008-01-30.

Reflector rack, fabrication method thereof, and narrow band x-ray filter and system including same

Номер патента: WO2007005130A2. Автор: Yong Min Cho. Владелец: Monochromatic X-Ray Filter Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-01-11.

Reflector rack, fabrication method thereof, and narrow band x-ray filter and system including same

Номер патента: CA2609265A1. Автор: Yong Min Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated analysis devices and related fabrication methods and analysis techniques

Номер патента: US12071340B2. Автор: Han Cao,Parikshit A. Deshpande,Mark Kunkel,Alexey Y. Sharonov,Michael Kochersperger,Michael David Austin. Владелец: Bionano Genomics Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Graphene platelet fabrication method and graphene platelet fabricated thereby

Номер патента: US09944530B2. Автор: Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Fabrication method for micromechanical sensors

Номер патента: US09857229B1. Автор: Marek Steffanson. Владелец: MP High Tech Solutions Pty Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Optical security device and system and fabrication methods thereof

Номер патента: US09789724B2. Автор: Yingqiu Jiang,Aharon Hochbaum. Владелец: Opthentic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure and fabrication method of a multilayer overlay for plain bearings

Номер патента: US09683604B2. Автор: Yi Zhang,Ian Kerr,Madan Pal,Elena Banchelli. Владелец: Daido Metal Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated analysis devices and related fabrication methods and analysis techniques

Номер патента: US09533879B2. Автор: Han Cao,Michael D. Austin,Parikshit A. Deshpande,Mark Kunkel,Alexey Y. Sharonov,Michael Kochersperger. Владелец: Bionano Genomics Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of pyrolysis for waste light-emitting electronic components and recovery for rare-earth element

Номер патента: US20230067876A1. Автор: Yufeng Wu,Shuhao Zhang. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-02.

Mold fabrication method for gecko-inspired adhesives

Номер патента: US09908266B2. Автор: Mark R. Cutkosky,Paul S Day,Eric V. Eason. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of making a high strength, high toughness, fatigue resistant, precipitation hardenable stainless steel

Номер патента: EP2247761A1. Автор: Paul Michael Novotny,Robert Wayne Krieble,William Joseph Martin,Thomas Constantine Zogas,David Elmer Wert. Владелец: CRS Holdings LLC. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of making a high strength, high toughness, fatigue resistant, precipitation hardenable stainless steel and products made therefrom

Номер патента: CA2718576C. Автор: Paul Michael Novotny,Robert Wayne Krieble,William Joseph Martin,Thomas Constantine Zogas,David Elmer Wert. Владелец: CRS Holdings LLC. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for preparing rare earth-based silane coupling agent, rare earth-based silane coupling agent and two-component polyurethane waterproof coating composition

Номер патента: CN115124565B. Автор: 陈立义,贺秋,师慧娟,陈开寿,党思博. Владелец: Keshun Waterproof Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Method of processing liquids, epoxy fabrication method, method of fabricating a radio frequency intelligent communication device, and method involving a mixture of different liquids

Номер патента: US6089458A. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Continuous preparation process of nickel-based butadiene rubber and rare earth-based butadiene rubber

Номер патента: CN111848849A. Автор: 陈华锋,朱梦斌,高久奇,周家海. Владелец: Zhejiang Transfar Synthetic Materials Co ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Hollow rare earth-based MOFs material based on solvothermal method

Номер патента: CN113336955B. Автор: 石静,冯文林,杨晓占,梁益存. Владелец: Chongqing University of Technology. Дата публикации: 2022-12-27.

LIQUID-ENCAPSULATED RARE-EARTH BASED CERAMIC SURFACES

Номер патента: US20130251946A1. Автор: Azimi Gisele,Smith J. David,Paxson Adam T.,Varansi Kripa K.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-09-26.

RARE-EARTH-BASED OXYFLUORIDE ALD COATING FOR CHAMBER PRODUCTIVITY ENHANCEMENT

Номер патента: US20190078199A1. Автор: Sun Jennifer Y.,RICE MICHAEL R.,Fenwick David,Wu Xiaowei. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

RARE EARTH-BASED NANOPARTICLE MAGNETIC RESONANCE CONTRAST AGENT AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170196997A1. Автор: Zheng Xiaoyu,SUN Lingdong,YAN Chunhua. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Rare earth base lubricating grease and preparation method thereof

Номер патента: CN113862062B. Автор: 孙洪伟,何懿峰,陈靖,文帅,庄敏阳,刘欣阳. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2022-11-15.

Rare earth-based metal organic framework fluorescent nano material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112457499A. Автор: 张鹏,周博,张勤远. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-03-09.

RARE EARTH BASED ABRASIVES

Номер патента: FR2631630B1. Автор: Alain Iltis,Patrick Maestro. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1990-08-31.

RARE EARTH-BASED SCINTILLATOR MATERIAL WITH REDUCED NUCLEAR BACKGROUND NOISE

Номер патента: FR2869115B1. Автор: Alain Iltis. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2006-05-26.

Rare earth-based nanoparticle magnetic resonance contrast agent and preparation method thereof

Номер патента: EP3150232A1. Автор: Chunhua Yan,Lingdong SUN,Xiaoyu Zheng. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-05.

Rare earth-based metal organic framework fluorescent nano material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112457499B. Автор: 张鹏,周博,张勤远. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-03-25.

Rare earth-based halide perovskite material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111453758B. Автор: 曾志超,杜亚平. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2021-03-30.

Low-cost high-performance rare-earth-based AB5-type hydrogen storage alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN101629255A. Автор: 张鹏,林晨光,张永健,钱文连,杨金洪,黄长庚,崔舜�,宋月清,周增林. Владелец: Xiamen Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Low-damping large-spin Hall-angle rare earth-based alloy material and preparation method thereof

Номер патента: CN110724909B. Автор: 徐锋,张志�,徐展,刘二,张想,唐家轩. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-11-09.

Rare earth-based molybdate high-entropy negative thermal expansion ceramic material and preparation method thereof

Номер патента: CN115448717B. Автор: 杨帆,张雯娟,薛丽燕. Владелец: Xiamen Institute of Rare Earth Materials. Дата публикации: 2023-06-13.

Rare earth-based nanoparticle magnetic resonance contrast agent and preparation method thereof

Номер патента: WO2015180205A1. Автор: 严纯华,郑晓宇,孙聆东. Владелец: 北京大学. Дата публикации: 2015-12-03.

Iron-rare earth-base magnetic refrigerating material and its preparation

Номер патента: CN1025125C. Автор: 李锋,张晓玲,吴建民,戴礼智,郑大立. Владелец: Central Iron and Steel Research Institute. Дата публикации: 1994-06-22.

A kind of light rare earth base block amorphous alloy and preparation method thereof containing metalloid

Номер патента: CN109609880A. Автор: 徐涛,坚增运,常芳娥. Владелец: Xian Technological University. Дата публикации: 2019-04-12.

Rare earth-based insulating material and preparation process thereof

Номер патента: CN114940804A. Автор: 胡婷,卢灿忠,包汉新,戴露,张昌瑞,傅春花,卜佑森,何谦凤. Владелец: Xiamen Institute of Rare Earth Materials. Дата публикации: 2022-08-26.

Method of processing phosphogypsum

Номер патента: RU2551292C2. Автор: Эфроим Пинхусович Локшин,Ольга Альбертовна Тареева,Владимир Ким,Юрий Семёнович Ефимов,Александр Михайлович Костинец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2015-05-20.

Method of extracting rare-earth metals from phosphogypsum

Номер патента: RU2487185C1. Автор: Геннадий Александрович Сарычев,Юрий Михайлович Трубаков,Валерий Дмитриевич Косынкин,Андрей Константинович Селивановский,Таисия Тимофеевна Федулова,Константин Михайлович Смирнов,Ольга Константиновна Крылова,Марина Анатольевна Логачева,Валентина Юрьевна Сычева. Владелец: Открытое акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2013-07-10.

EXHAUST VALVE FOR LARGE-SIZE TWO-STROKE DIESEL ENGINE, METHOD OF DECREASING NOx CONTENT IN SAID ENGINE AND SAID ENGINE

Номер патента: RU2458229C1. Автор: Мадс Лютье КРИСТЕНСЕН. Владелец: Ман Дизель Энд Турбо, Филиал Аф Ман Дизель Энд Турбо Се, Тискланд. Дата публикации: 2012-08-10.

Processing method of micro production wastes of constant magnets

Номер патента: RU2469116C1. Автор: Владимир Леонидович Софронов,Юрий Николаевич Макасеев,Пётр Борисович Молоков,Андрей Юрьевич Макасеев,Евгений Владимирович Сидоров,Александр Сергеевич Буйновский,Виталий Владиславович Догаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". Дата публикации: 2012-12-10.

Producing green dye from mixed rare-earth and molybdenum compounds and method of making surface coatings therefrom

Номер патента: RU2515331C2. Автор: Мундлапуди Лакшмипатхи РЕДДИ. Владелец: Каунсил Оф Сайентифик Энд Индастриал Рисерч. Дата публикации: 2014-05-10.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Extraction mixture for extracting tpe and rare earth from highly active raffinate of oat grain processing and method of its application

Номер патента: RU2726519C1. Автор: Елена Вячеславовна Белова,Борис Яковлевич Зильберман,Николай Дмитриевич Голецкий,Андрей Александрович Наумов,Дмитрий Николаевич Шишкин,Людмила Игоревна Ткаченко,Андрей Николаевич Визный,Александр Дмитриевич Ушанов,Михаил Михайлович Металиди,Максим Валерьевич Мамчич. Владелец: Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2020-07-14.

Method of treating phosphate rock

Номер патента: RU2599299C2. Автор: Алэн ЖЕРМО,Томизьо ГИДИ,Дорина ФАТИ. Владелец: Гидрометал Са. Дата публикации: 2016-10-10.

Plasma-carbon production method of rare-earth metals, and device for its implementation

Номер патента: RU2499848C2. Автор: Александр Викторович Носиков,Владимир Семенович Чередниченко,Михаил Григорьевич Кузьмин,Григорий Александрович Носиков. Владелец: Открытое акционерное общество "Сибирский завод электротермического оборудования" "ОАО "Сибэлектротерм". Дата публикации: 2013-11-27.

Method of processing nitrate solutions containing rare-earth metals

Номер патента: RU2598766C1. Автор: Виталий Григорьевич Бамбуров,Евгений Валентинович Поляков,Аскольд Рафаилович Бекетов,Андрей Юрьевич Литвинов,Вячеслав Павлович Евсеев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт двигателей" (АО "НИИД"). Дата публикации: 2016-09-27.

Method of extracting rare-earth elements from phosphogypsum

Номер патента: RU2663512C1. Автор: Сергей Владимирович Шестаков,Андрей Валерьевич Нечаев,Александр Сергеевич Сибилев,Александр Всеволодович Смирнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Русредмет" (ООО "НПК "Русредмет"). Дата публикации: 2018-08-07.

Method of producing solution of organophosphate of rare-earth element in organic solvent

Номер патента: RU2441013C2. Автор: Тома МАТИВЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-01-27.

Silicon photonic fiber and method of manufacture

Номер патента: US09546094B2. Автор: Fatih Yaman,Guifang Li. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-01-17.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Method of rare earth metals and scandium extraction from slag wastes

Номер патента: RU2657149C1. Автор: Андрей Александрович Захаров,Василий Юрьевич Кольцов,Татьяна Борисовна Юдина,Алексей Владимирович Калашников,Павел Юрьевич Новиков,Наталья Сергеевна Величкина,Татьяна Вениаминовна Власова,Мария Евгеньевна Звонарева. Владелец: Акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2018-06-08.

Method of extracting rare earth and noble metals from ash and slag

Номер патента: RU2537634C1. Автор: Борис Семенович Ксенофонтов,Алексей Станиславович Козодаев,Роман Александрович Таранов,Максим Сергеевич Виноградов,Елена Владимировна Петрова,Алена Антоновна Балина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of enriching anatase mechanical concentrates to obtain synthetic rutile with low content of rare-earth and radioactive elements

Номер патента: RU2430019C2. Автор: Жуан Алберту Лесса ТУДИ,Лину Родригис Ди ФРЕЙТАС,Роналду Морейра Ди ОРТА. Владелец: Компанья Вале Ду Риу Досе. Дата публикации: 2011-09-27.

Method of extracting rare-earth metals from phosphogypsum

Номер патента: RU2487834C1. Автор: Жанетта Николаевна Галиева,Алексей Михайлович Абрамов,Юрий Борисович Соболь,Рахимьян Сафуанович Галиев,Оксана Рахимьяновна Сабинина. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Инновационных Технологий". Дата публикации: 2013-07-20.

Method of extracting americium from liquid radioactive wastes and separation of rare-earth elements

Номер патента: RU2603405C1. Автор: Михаил Васильевич Логунов,Андрей Юрьевич Шадрин,Виталий Львович Виданов,Юрий Аркадьевич Ворошилов,Василий Александрович Бабаин,Михаил Юрьевич Аляпышев,Людмила Игоревна Ткаченко,Екатерина Владимировна Кенф,Ринат Наилевич Хасанов. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of phosphogypsum processing

Номер патента: RU2590796C1. Автор: Эфроим Пинхусович Локшин,Ольга Альбертовна Тареева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2016-07-10.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabrication method of burnable absorber nuclear fuel pellets and burnable absorber nuclear fuel pellets fabricated by the same

Номер патента: US09653188B2. Автор: Jong-Hun Kim,Young Woo Rhee,Dong-Joo Kim,Keon-Sik Kim,Yang-Hyun Koo,Jae-Jo Yang. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for preplanting treatment of seeds of rare and reliable plants by artificial deep freezing method

Номер патента: RU2663062C1. Автор: Андрей Алексеевич Воронин,Лилия Александровна Лепешкина,Марина Александровна Клевцова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2018-08-01.

Method of processing of ferrous rare-earth phosphatic ores

Номер патента: RU2551332C1. Автор: Владимир Иванович Кузьмин,Василий Филиппович Шабанов,Дмитрий Владимирович Кузьмин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2015-05-20.

Method of obtaining a semi-finished product from a zirconium based alloy (options)

Номер патента: RU2675178C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Сергей Артемович Мубояджян,Юрий Владиславович Столянков,Денис Николаевич Матков,Руслан Анверович Валеев,Андрей Вячеславович Андреенков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2018-12-17.

Processing method of black-shale ores with rare metals extracting

Номер патента: RU2493272C2. Автор: Владиллен Александрович Козлов,Константин Михайлович Смирнов,Абдурасул Алдашевич Жарменов,Владимир Сергеевич Школьник,Андрей Юрьевич Кузнецов,Николас Джон Бриджен. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Фирма "Балауса". Дата публикации: 2013-09-20.

Aromatic latex and its method of fabricating

Номер патента: US20180282502A1. Автор: Guobin Liu. Владелец: Shenzhen Lezhimao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of sorption extraction of rare-earth elements from pulps

Номер патента: RU2610203C1. Автор: Владимир Алексеевич Пеганов,Юрий Михайлович Трубаков,Валерий Дмитриевич Косынкин,Татьяна Викторовна Молчанова,Евгения Васильевна Жарова. Владелец: Акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2017-02-08.

Method of extracting scandium and rare-earth elements from red mud

Номер патента: RU2603418C1. Автор: Владимир Николаевич Рычков,Евгений Владимирович Кириллов,Сергей Владимирович Кириллов,Григорий Михайлович Буньков,Максим Сергеевич Боталов,Александр Борисович Козырев,Андрей Владимирович Панов,Александр Геннадьевич СУСС,Ольга Викторовна Петракова,Сергей Николаевич Горбачев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2016-11-27.

Separation and purification of rare-earth elements by chemical reduction in aqueous solutions

Номер патента: US20210371290A1. Автор: Nathan Aaron Stump,Jafar Gharavi Naeini. Владелец: WINSTON-SALEM STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of preparation of rare earth (iii) phosphorus dichloridates and phosphorus dibromidates

Номер патента: US3699211A. Автор: Erhard J Schimitschek,John A Trias. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1972-10-17.

Method of producing carbonates of rare-earth elements

Номер патента: RU2729573C1. Автор: Александр Германович Ермилов,Андрей Александрович Семенов,Елена Владимировна Богатырева,Борис Романович Кулагин,Мельник Филипп,Галина Ильинична Пудовкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2020-08-07.

Methods of extracting rare-earth elements from aluminium-containing materials

Номер патента: RU2588960C2. Автор: Ришар БУДРО,Дени ПРИМО,Жоэль ФУРНЬЕ,Раймон СИМОНО,Мария Кристина ГАРСИЯ,Хайнц КРИВАНЕК,Карстен ДИТТРИХ. Владелец: Орбит Элюминэ Инк.. Дата публикации: 2016-07-10.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US20240150245A1. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US20240150246A1. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-05-09.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US11891337B2. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-02-06.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Separation method of rare earth element and iron and rare earth element-containing slag

Номер патента: US20190017147A1. Автор: Satoshi Okada,Chompunoot Wiraseranee,Rinat Mirvaliev. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Shoe fabric having a concealed pattern and its fabrication method

Номер патента: US20030061951A1. Автор: Tony Tseng. Владелец: Taiwan Paiho Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Fabricating method of alignment film

Номер патента: US09766499B2. Автор: Yongzhi SONG,Xiaona Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of processing of laparite concentrate

Номер патента: RU2171303C1. Автор: С.В. Шестаков,Н.В. Зоц. Владелец: Закрытое акционерное общество "Росредмет". Дата публикации: 2001-07-27.

Method of obtaining ligatures based on aluminum

Номер патента: RU2680330C1. Автор: Лилия Александровна Пасечник,Сергей Павлович Яценко,Владимир Михайлович Скачков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-02-19.

Method of producing diopside glass (versions)

Номер патента: RU2712885C1. Автор: Владимир Васильевич Соколов,Надежда Георгиевна Кононова,Александр Егорович Кох. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2020-01-31.

Method of production of metallic magnesium (versions) and method of production of metallic magnesium from alloy of magnesium and rare-earth metal

Номер патента: RU2107753C1. Автор: Отар Шарма Рэм. Владелец: Дженерал Моторс Корпорейшн. Дата публикации: 1998-03-27.

Complex silicate of rare-earth elements and method of its production

Номер патента: RU2686137C1. Автор: Андрей Андреевич Васин,Михаил Георгиевич Зуев,Юрий Галиулович Зайнулин,Надежда Ивановна Кадырова,Иван Денисович Попов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-24.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Production method of rare earth oxysulfide, ceramic scintillator and its production method, scintillator array, and radiation detector

Номер патента: US09896623B2. Автор: Hideo Nitta,Shinsuke Terazawa. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Knitted fabric, method for producing a knitted fabric, and warp knitting machine

Номер патента: US09677209B2. Автор: Oliver Mathews,Rainer Kemper,Vera Daube,Michael Kieren. Владелец: KARL MAYER TEXTILMASCHINENFABRIK GMBH. Дата публикации: 2017-06-13.

Fabrication method for stratified and layered tissue to repair osteochondral defects

Номер патента: US09616110B2. Автор: Corey P. Neu,Tyler A. Novak,Garrett Shannon. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-11.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Rungs for individual rung ladders and a fabrication method for such rungs

Номер патента: WO2008070896A1. Автор: James Leslie Mann. Владелец: James Leslie Mann. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of fabricating a mask using common bias values in optical proximity correction

Номер патента: US09952499B2. Автор: Moon-gyu JEONG,So-Rang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of producing monoalkylated aromatic compounds with high linearity and controlled isomery

Номер патента: RU2460715C2. Автор: АЛЬМЕЙДА Хосе Луис ГОНСАЛЬВЕС,ТЕХЕРО Хосе Луис БЕРНА. Владелец: Сепса Кимика, С.А.. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of producing high-strength maraging steel

Номер патента: RU2639190C2. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Александр Андреевич Макаров,Александр Геннадьевич Евгенов,Сергей Алексеевич Крылов,Анатолий Иванович Щербаков,Евгений Вадимович Егоров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2017-12-20.

Method of extracting scandium from concentrates of rare-earth elements

Номер патента: RU2626206C1. Автор: Аслан Юсупович Цивадзе,Галина Валерьевна Костикова,Валерий Иванович Жилов,Ольга Геннадьевна Краснова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук (ИФХЭ РАН). Дата публикации: 2017-07-24.

Photomask blanks, photomasks fabricated using the same, and methods of fabricating photomask using the same

Номер патента: US20160238926A1. Автор: Eui Sang PARK,Kung Hoon NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Fibre optic based semiconductor micro sensors for sensing pressure or temperature, fabrication methods of said sensors, and a method of securing an optical fibre to a silicon block

Номер патента: WO2004034007A2. Автор: Robert Stevens,Arnold Harpin. Владелец: Council for the Central Laboratory of the Research Councils. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for manufacture of tobacco fabric, method for manufacture of cigarettes containing tobacco fabric and cigarette

Номер патента: RU2475168C1. Автор: Мицухару СУГИО,Суити МИЯЗАВА,Таканори ЯГАСИРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2013-02-20.

Rubbing method, method of fabricating liquid crystal display device using the same, and liquid crystal display device manufactured thereby

Номер патента: US20090128763A1. Автор: Kyung Mo Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

A fabrication method of transparent resin substrate along with transparent resin substrate

Номер патента: EP2402794A3. Автор: Takuji Mizuno. Владелец: TONY OPTICAL ENTERPRISES CO Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Fabrication method and fabrication apparatus of head using near field light

Номер патента: US8323518B2. Автор: Manabu Oumi,Masakazu Hirata,Majung Park. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Preparation method of rare earth activated alkaline earth metal fluorohalide stimulable phosphor precursor, rare earth activated alkaline earth metal fluorohalide stimulable phosphor and radiographic image conversion panel

Номер патента: US20060175577A1. Автор: Hideaki Wakamatsu,Hiroyuki Nabeta. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Electric field information reading head, electric field information writing/reading head and fabrication methods thereof and information storage device using the same

Номер патента: EP2016584A1. Автор: Yong-su Kim,Ju-Hwan Jung,Hyoung-Soo Ko,Hong-Sik Park,Seung-bum Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-21.

Methods of treating endosomal trafficking diseases

Номер патента: WO2024178386A1. Автор: Kalpana Merchant,Olav Michael Andersen,Henne HOLSTEGE. Владелец: Retromer Therapeutics Corp.. Дата публикации: 2024-08-29.

Bioreactor for isolation of rare cells and methods of use

Номер патента: US09920295B2. Автор: Jae-Won Shin,Dennis E. Discher. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2018-03-20.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Leaching method of rare-earth metals using hydrochloric acid from manganese nodule

Номер патента: US09416432B2. Автор: Kyung-ho Park,Hyun-Ho Kim,Chul-Woo Nam,Jin-Tae PARK. Владелец: Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources KIGAM. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of processing copper-containing stock

Номер патента: RU2133293C1. Автор: Л.Д. Шевелева,К.А. Плеханов,А.Б. Лебедь,Т.М. Хафизов,А.В. Волынчук,С.С. Чиркова. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Уралэлектромедь". Дата публикации: 1999-07-20.

Fabrication method of minute pattern

Номер патента: US8461048B2. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Compositions comprising light-harvesting molecules and methods of use thereof for detecting rare earth and actinide elements

Номер патента: US20240248037A1. Автор: Gauthier Deblonde,Annie B. Kersting,Mavrik Zavarin. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Compositions comprising light-harvesting molecules and methods of use thereof for detecting rare earth and actinide elements

Номер патента: WO2024152013A1. Автор: Gauthier Deblonde,Annie B. Kersting,Mavrik Zavarin. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Gas bearing fabrication method

Номер патента: EP2035719A1. Автор: Hugo George Derrick,Stephen Paul Hunter,Brendon Noel Joseph Callinan. Владелец: RENISHAW PLC. Дата публикации: 2009-03-18.

Multicolor electrochromic structure, fabrication method and application thereof

Номер патента: US11747695B2. Автор: Zhigang Zhao,ZHEN Wang,Shan Cong. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-09-05.

Fabrication method of minute pattern

Номер патента: US20120138569A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Fabrication method of light guide plate

Номер патента: US20230244106A1. Автор: Chien-Wei Liao,Yen-Lung Chen,Yu-Huan Chiu. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Fabricating method of electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US09664934B2. Автор: Junichi Wakabayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Test probe for test and fabrication method thereof

Номер патента: US09547023B2. Автор: Jae hak Lee. Владелец: ISC Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of producing scandium concentrate

Номер патента: RU2731951C2. Автор: Владимир Николаевич Рычков,Евгений Владимирович Кириллов,Сергей Владимирович Кириллов,Григорий Михайлович Буньков,Максим Сергеевич Боталов,Алексей Леонидович Смирнов,Денис Валерьевич Смышляев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2020-09-09.

Method of producing gallate solution

Номер патента: RU2712162C1. Автор: Александр Александрович Дамаскин,Александр Геннадиевич Сусс,Максим Николаевич Печёнкин,Анна Александровна Дамаскина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2020-01-24.

Method of processing phosphogypsum wastes to obtain a concentrate of ree and gypsum plaster

Номер патента: RU2708718C1. Автор: Александр Сергеевич Кондратьев,Владимир Александрович Будник,Роман Игоревич Бобровский,Марат Ринатович Смаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ХАММЕЛЬ". Дата публикации: 2019-12-11.

Method of concentrate receiving, containing rhenium and platinum, from its containing acid liquors

Номер патента: RU2363744C1. Автор: Валерий Иванович Чернышев,Ольга Александровна Дальнова,Игорь Григорьевич Тертышный,Сергей Владимирович Шустов,Марина Юрьевна Махсутова,Нина Николаевна Гордеева,Маргарита Ивановна Пахоменкова,Наталия Михайловна Тертышная,Галина Николаевна Радо. Владелец: Сергей Владимирович Шустов. Дата публикации: 2009-08-10.

Method of producing bismuth nitrate basic

Номер патента: RU2657673C1. Автор: Юрий Михайлович Юхин,Артем Сергеевич Даминов,Владимир Сергеевич Даминов. Владелец: Артем Сергеевич Даминов. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of vanadium-bearing raw material processing

Номер патента: RU2374344C2. Автор: Владиллен Александрович Козлов,Андрей Юрьевич Кузнецов,Николас Джон Бриджен,Лариса Хасановна Батракова,Махсат Абдирович Сактаганов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "Ванадий-катализатор". Дата публикации: 2009-11-27.

Method of processing tungsten concentrates

Номер патента: RU2605741C1. Автор: Александр Сергеевич Медведев,Вера Петровна Максимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2016-12-27.

Method of processing of oil titanium leucoxenic concentrates

Номер патента: RU2334799C1. Автор: Анатолий Венедиктович Аладьин,Сергей Викторович Агеев,Юрий Петрович Москвичев,Игорь Алексеевич Молодов,Валерий Васильевич Пастихин,Георгий Владимирович Ардасов. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие ЭЛСТИН-Сельэлектросетьстрой". Дата публикации: 2008-09-27.

Method of polymer obtaining

Номер патента: RU2559057C1. Автор: Сёдзиро КАЙТА,Ясуо ВАКАЦУКИ. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of purifying phosphate-fluoride concentrate of ree

Номер патента: RU2523319C1. Автор: Эфроим Пинхусович Локшин,Владимир Трофимович Калинников,Ольга Альбертовна Тареева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2014-07-20.

Structural element for installation for application of coating by immersion into melt and method of such element production

Номер патента: RU2722554C2. Автор: Лутц КЮММЕЛЬ,Торстен ШТОЛЬТЕНХОФФ,Егор ЕГОР БЕРГЕН,Вольфрам УНТЕРБЕРГ,Николас БРЕНДЕЛЬ. Владелец: Теролаб Серфэйс Гмбх. Дата публикации: 2020-06-01.

Method for extraction separation of rare-earth metals from nitrate solutions

Номер патента: RU2576763C1. Автор: Виталий Григорьевич Бамбуров,Евгений Валентинович Поляков,Аскольд Рафаилович Бекетов,Андрей Юрьевич Литвинов,Вячеслав Павлович Евсеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт двигателей" (ОАО "НИИД"). Дата публикации: 2016-03-10.

Method of reworking red mud of alumina production process

Номер патента: RU2245371C2. Автор: Е.А. Коршунов,С.П. Буркин,ков В.С. Треть,В.С. Третьяков,Ю.Н. Логинов,И.В. Логинова,Е.А. Андрюкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Фирма "Дата-Центр". Дата публикации: 2005-01-27.

Method of rhenium extraction from acid liquor

Номер патента: RU2330900C1. Автор: Александр Георгиевич Касиков,Анна Михайловна Петрова. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2008-08-10.

Surface treatment method of capillary for droplet formation and surface treated capillary, and production method of droplet for microextraction of chemical using thereof

Номер патента: WO2008030070A1. Автор: Ki Hwan CHOI,Du Soo Chung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-03-13.

Methods of fabrication of prewoven bit-wire memory matrix apparatus

Номер патента: US3600799A. Автор: John S Davis. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1971-08-24.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20220129097A1. Автор: Cheng-Yen Yeh,Mu-Kai KANG,Sz-Kai HUANG,Jing-Xuan CHEN. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Combined use of rare-earth element doped calcium carbonate particles with ultrasound for reducing local fat

Номер патента: US20240165233A1. Автор: I-Hsuan Yang,Feng-Huei Lin,Ching-Yun Chen,Gin-Shin Chen,zhi-yu Chen,Che-Yung Kuan,Ping-Yu SHIH,Li-Ze LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-05-23.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Fabrication method of display device and display device

Номер патента: US09547197B2. Автор: Ho Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of treating rare-earth phosphate concentrate separated from apatite

Номер патента: RU2484018C2. Автор: Валерий Дмитриевич Косынкин,Андрей Константинович Селивановский,Таисия Тимофеевна Федулова,Марина Анатольевна Логачева,Валентина Юрьевна Сычева. Владелец: Открытое акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2013-06-10.

Method of processing rare-earth phosphate concentrate

Номер патента: RU2532773C1. Автор: Ирина Ивановна Николаева,Елена Александровна Маклашина,Матти Валдекович Таук,Галина Вячеславовна Салдаева. Владелец: Открытое акционерное общество "Акрон". Дата публикации: 2014-11-10.

Method of processing phosphogypsum

Номер патента: RU2504593C1. Автор: Константин Сергеевич Фокин,Елизавета Олеговна Нестерова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Минерал "Нано-Технология". Дата публикации: 2014-01-20.

Method of phosphogypsum processing for manufacture of concentrate of rare-earth elements and gypsum

Номер патента: RU2458999C1. Автор: Эфроим Пинхусович Локшин,Владимир Трофимович Калинников,Ольга Альбертовна Тареева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2012-08-20.

Method of recovering rare-earth elements from phosphogypsum

Номер патента: RU2293781C1. Автор: Эфроим Пинхусович Локшин,Владимир Трофимович Калинников,Константин Геннадьевич Ивлев,к Олег Степанович Погребн,Олег Степанович Погребняк,Борис Владимирович Левин. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of extraction of molybdenum from molybdenum-containing cinder

Номер патента: RU2296802C1. Автор: Фарит Габдулханович Ситдиков,Георгий Николаевич Кожевников,нов Адриан Георгиевич Водопь,Адриан Георгиевич Водопьянов. Владелец: ЗАО Научно-производственное предприятие "Уралтехномет". Дата публикации: 2007-04-10.

Method of production of calcium tungstate

Номер патента: RU2291111C1. Автор: Фарит Габдулханович Ситдиков,Георгий Николаевич Кожевников,нов Адриан Георгиевич Водопь,Адриан Георгиевич Водопьянов. Владелец: ЗАО Научно-производственное предприятие "Редмет". Дата публикации: 2007-01-10.

Target, meant for evaporation under effect of electron beam, method of making said target, heat barrier and coating made from said target and mechanical component with such coating

Номер патента: RU2370471C2. Автор: Андре МАЛИ,Бертран СЭН-РАМОН,Кристоф ШАПЮ,Изабель ПОРТ,Сириль ДЕЛАЖ. Владелец: Снекма Сервис. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of treating organic industrial and domestic polymeric waste

Номер патента: RU2110535C1. Автор: В.В. Платонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭКОДЕСТ". Дата публикации: 1998-05-10.

Method of sorption extraction of rhenium from aqueous solutions

Номер патента: RU2710615C1. Автор: Александр Викторович Пестов,Надежда Викторовна Печищева,Ольга Викторовна Мельчакова,Анна Дмитриевна Коробицына. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2019-12-30.

Method of extracting germanium from solutions

Номер патента: RU2363749C1. Автор: Наталья Анатольевна Григорьева,Геннадий Леонидович Пашков,Исаак Юрьевич Флейтлих,Лидия Константиновна Никифорова. Владелец: Институт химии и химической технологии СО РАН (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2009-08-10.

Method of rubber-containing waste processing

Номер патента: RU2109770C1. Автор: Владимир Владимирович Платонов,Владимир Егорович Савченков,Владимир Борисович Саженев,Виктор Леонидович Вяткин. Владелец: Виктор Леонидович Вяткин. Дата публикации: 1998-04-27.

Fabricating method of semi-polar gallium nitride

Номер патента: US20220056580A1. Автор: Ping-Hai CHIAO,Wen-Chung LI. Владелец: WAFER WORKS Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Electrophoretic display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20080037106A1. Автор: Keun Kyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Color filter substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20080032215A1. Автор: Lu-Kuen Chang,Shu-Ching Hsu,Ju-Yu Lee,Chi-Kuang Lai,An-Hsu Lu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-07.

LCoS DISPLAY WITH A COLOR PIXEL ARRAY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20080291373A1. Автор: Yan-Hsiu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of monitoring unconventional hydrocarbon exploration and development sites

Номер патента: US09810064B2. Автор: Bruno Garcia. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2017-11-07.

Touch display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09785005B2. Автор: Po-Yuan Liu,Yu-Feng Chien,Hung-Wen Chou,Chia-Chun Yeh,Wen-Rei Guo,Chin-Chuan Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of extracting rare-earth elements from hydrate-phosphate residues from apatite processing

Номер патента: RU2524966C2. Автор: Александр Васильевич Вальков. Владелец: Александр Васильевич Вальков. Дата публикации: 2014-08-10.

Method of extracting rare-earth elements from phosphogypsum

Номер патента: RU2473708C1. Автор: Владимир Николаевич Рычков,Евгений Владимирович Кириллов,Алексей Леонидович Смирнов,Валерий Афонасьевич Язев,Виктор Алексеевич Иванько. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of treating natural phosphate for extraction of rare-earth elements

Номер патента: RU2560802C1. Автор: Андрей Вилорьевич Доронин. Владелец: Андрей Вилорьевич Доронин. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of extracting rare-earth elements from technological and productive solutions

Номер патента: RU2635206C1. Автор: Владимир Николаевич Рычков,Евгений Владимирович Кириллов,Сергей Владимирович Кириллов,Григорий Михайлович Буньков,Максим Сергеевич Боталов,Николай Анатольевич Попонин,Алексей Леонидович Смирнов,Денис Валерьевич Смышляев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2017-11-09.

Method of extracting rare-earth elements from phosphogypsum

Номер патента: RU2689631C2. Автор: Жанетта Николаевна Галиева,Алексей Михайлович Абрамов,Юрий Борисович Соболь,Кирилл Юрьевич Пироженко,Борис Романович Кулагин,Дмитрий Валерьевич Дронов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Инновационных Технологий". Дата публикации: 2019-05-28.

Method of obtaining potassium alum

Номер патента: RU2537626C2. Автор: Владиллен Александрович Козлов,Абдурасул Алдашевич Жарменов,Сергей Алексеевич Яшин,Владимир Сергеевич Школьник,Андрей Юрьевич Кузнецов,Николас Джон Бриджен. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Фирма "Балауса". Дата публикации: 2015-01-10.

Defect-resistant plastic scintillation radiation detector compositions and fabrication methods

Номер патента: US20200224087A1. Автор: Stephen A. Payne,Natalia P. Zaitseva,M Leslie Carman,Andrew M. GLENN,Andrew Neil Mabe. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Compositions comprising proteins and methods of use thereof for rare earth element separation

Номер патента: US20240279774A1. Автор: Gauthier Deblonde,Ziye Dong,Joseph Alfred COTRUVO, Jr.,Dan Mcfarland Park,Yongqin Jiao,Joseph Anthony MATTOCKS. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Size-selective acyclic chelators and their use for the recovery of rare earth elements

Номер патента: US20240294553A1. Автор: Bruce A. Moyer,Nikki Thiele,Janel Dempsey. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Electro-absorption optical modulation device and method of fabricating the same

Номер патента: US09618776B2. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic recording medium fabrication method

Номер патента: US09449634B2. Автор: Takehiko OKABE,Katsuaki To. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for bacterial leaching of rare-earth and noble metals from ash

Номер патента: RU2580258C1. Автор: Борис Семенович Ксенофонтов,Алексей Станиславович Козодаев,Роман Александрович Таранов,Максим Сергеевич Виноградов,Елена Владимировна Сеник,Алена Антоновна Воропаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of monazite recycling

Номер патента: RU2323989C2. Автор: Александр Михайлович Чекмарев,Валерий Владимирович Сергиевский,Александр Васильевич Вальков,Сергей Илларионович Степанов. Владелец: Сергей Илларионович Степанов. Дата публикации: 2008-05-10.

System and method of selective extraction of rare-earth elements with regeneration of sulfur

Номер патента: RU2701777C2. Автор: Леандру Аугусту Вьяна ТЕЙШЕЙРА,Руберлан Гомес СИЛВА. Владелец: Вале С.А.. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of extracting rare-earth elements from phosphogypsum

Номер патента: RU2509726C2. Автор: Аркадий Львович Олифсон,Тимур Исмайлходжаевич Муллаходжаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Инженерно-производственная компания "ИНТЕРФОС". Дата публикации: 2014-03-20.

Method of extraction and concentration of thorium out of spent melt of saline sprinkler filter - process waste of chlorinate treatment of loparit concentrate

Номер патента: RU2334802C2. Автор: Юрий Петрович Кудрявский,Борис Евгеньевич Шенфельд,вский Юрий Петрович Кудр,Николай Константинович Жуланов,Дмитрий Леонидович Мельников,Олес Викторовна Рахимова,Олеся Викторовна Рахимова,Вениамин Борисович Каржавин. Владелец: ОАО "Соликамский магниевый завод". Дата публикации: 2008-09-27.

Method of recovering rare-earth minerals from phosphogypsum

Номер патента: RU2225892C1. Автор: Э.П. Локшин,С.Г. Федоров,В.Т. Калинников,к О.С. Погребн,О.С. Погребняк,Ю.А. Вершкова,О.А. Тареева,К.Г. Ивлев. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В.Тананаева Кольского научного центра РАН. Дата публикации: 2004-03-20.

Extraction method of rare-earth metals from phosphogypsum

Номер патента: RU2471011C1. Автор: Евгений Владимирович Кириллов,Михаил Мартемьянович Борисов,Сергей Вячеславович Колясников,Мария Леонидовна Рыбина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Уралхим". Дата публикации: 2012-12-27.

Production line for extraction of rare and rare-earth elements from fly ash of thermal power plants

Номер патента: RU2340402C1. Автор: Виктор Петрович Мязин,Михаил Яковлевич Шпирт,Дмитрий Михайлович Шестернев,зин Виктор Петрович М,Валерий Георгиевич Черкасов,Ирина Прокопьевна Ихисоева,Валентина Ивановна Мязина,зина Валентина Ивановна М. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Читинский государственный университет (ЧитГУ). Дата публикации: 2008-12-10.

Method of producing extremely pure chalcogenide glass

Номер патента: RU2698340C1. Автор: Михаил Федорович Чурбанов,Александр Павлович Вельмужов,Максим Викторович Суханов,Элла Владимировна Караксина,Владимир Семенович Ширяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук. Дата публикации: 2019-08-26.

Method for extraction of rare earth metals from semihydrate phosphogypsum

Номер патента: RU2770118C1. Автор: Жанетта Николаевна Галиева,Алексей Михайлович Абрамов,Юрий Борисович Соболь,Дмитрий Валерьевич Дронов,Александр Вениаминович Алдушкин,Анастасия Андреевна Геря. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Скайград-Инновации" (ООО "Скайград-Инновации"). Дата публикации: 2022-04-14.

Preparation method of rare earth activated alkaline earth metal fluorohalide stimulable phosphor and radiographic image conversion panel

Номер патента: US20020001669A1. Автор: Hideaki Wakamatsu,Hiroto Itoh,Hiroyuki Nabeta,Kanae Kawabata. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2002-01-03.

Methods of producing titanium oxide and other products

Номер патента: RU2597096C2. Автор: Ришар БОДРО,Жоэль ФУРНЬЕР,Дэнис ПРИМО,Мари-Максим ЛАБРЕК-ГИЛБЕРТ. Владелец: Орбит Алюминэ Инк.. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of processing monazite concentrate

Номер патента: RU2578869C1. Автор: Юрий Валерьевич Рязанцев. Владелец: Юрий Валерьевич Рязанцев. Дата публикации: 2016-03-27.

Method of separating rare-earth metals of yttrium and ytterbium from iron (3+) impurities

Номер патента: RU2697128C1. Автор: Ольга Владимировна Черемисина,Василий Валерьевич Сергеев,Александр Томасович Федоров,Александра Петровна Ильина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2019-08-12.

METHOD OF PRODUCING INDATES OF RARE-EARTH ELEMENTS InO3

Номер патента: RU2688606C1. Автор: Владимир Антонович Новоженов,Александр Владимирович Новоженов,Ольга Владимировна Белова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-05-21.

Method of determining concentration of rare-earth elements: lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium and yttrium, in air of the working zone by mass spectrometry with inductively coupled plasma

Номер патента: RU2697479C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Галина Ахметовна Вейхман,Анна Владимировна Недошитова,Марина Валерьевна Волкова. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2019-08-14.

Method of producing carbonates of rare-earth elements

Номер патента: RU2693176C1. Автор: Борис Александрович Быданов,Дмитрий Валерьевич Дронов,Владимир Олегович Геря,Александр Вениаминович Алдушкин,Василина Олеговна Ухорская,Алексей Витальевич Долгов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лаборатория Инновационных Технологий". Дата публикации: 2019-07-01.

Method of processing monazite

Номер патента: RU2704677C1. Автор: Игорь Юрьевич Русаков,Владимир Леонидович Софронов,Александра Валерьевна Муслимова,Пётр Борисович Молоков,Александр Сергеевич Буйновский. Владелец: Александр Сергеевич Буйновский. Дата публикации: 2019-10-30.

Method of separation of heavy rem (yttrium, ytterbium, erbium and dysprosium) during extraction thereof from phosphatic solutions

Номер патента: RU2747574C2. Автор: Василий Валерьевич Сергеев,Александр Томасович Федоров. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Минералс Ресайклинг". Дата публикации: 2021-05-07.

Method of sorption extraction of rare elements from aqueous solutions

Номер патента: RU2689347C1. Автор: Надежда Викторовна Печищева,Ольга Викторовна Мельчакова,Светлана Хусаиновна Эстемирова,Анна Дмитриевна Коробицына. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2019-05-27.

Method for conducting multi-assays of rare cells extracted or isolated from biological samples by filtration

Номер патента: RU2765808C2. Автор: Софи ЛАЖЕ,Патриция ПАТЕРЛИНИ-БРЕШО,Поль ХОФМАН,Тьери КАПЬО. Владелец: Сантр Оспиталье Юниверситер Де Нис. Дата публикации: 2022-02-03.

Nonlinear optical and photoluminescent material of rare earth samarium scandoborate and method for synthesis thereof

Номер патента: RU2759536C1. Автор: Валерий Анатольевич Светличный,Артем Борисович Кузнецов,Константин Александрович Кох,Надежда Георгиевна Кононова,Вячеслав Сергеевич Шевченко,Екатерина Александровна Симонова,Александр Егорович Кох,Аммар Жамус. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2021-11-15.

High efficiency, low environmental impact bio-process for purification of rare earth elements

Номер патента: WO2024055027A3. Автор: Mingming WU,Buz Barstow,Alexa SCHMITZ,Brooke Pian,Sean Medin. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-16.

Optical pickup head of optical recording reproducing apparatus, fabrication method thereof, lubricant-coated optical pickup head of optical recording reproducing apparatus and lubricant coating method thereof

Номер патента: US20040202101A1. Автор: Chang-Hoon Oh,Young-Joo Yee,Seong-Hyok Kim,Jung-Hoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-14.

Uranium dioxide nuclear fuel pellet having metallic microcells and fabricating method thereof

Номер патента: US09679666B2. Автор: Jong-Hun Kim,Young Woo Rhee,Dong-Joo Kim,Jae-Ho Yang,Keon-Sik Kim,Yang-Hyun Koo,JangSoo OH. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of extracting rare earth elements from extraction phosphoric acid

Номер патента: RU2525947C1. Автор: Эфроим Пинхусович Локшин,Владимир Трофимович Калинников,Ольга Альбертовна Тареева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of obtaining dialkylphosphates of rare-earth elements- components of conjugated diene (co)

Номер патента: RU2352585C1. Автор: Вера Сергеевна Бодрова,Светлана Васильевна Бубнова,Валентин Александрович Васильев,Борис Трофимович Дроздов,Светлана Соломоновна Пассова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт синтетического каучука имени академика С.В. Лебедева". Дата публикации: 2009-04-20.

Method of extracting rare-earth metals and producing gypsum plaster from phosphogypsum hemihydrate

Номер патента: RU2528573C1. Автор: Михаил Владимирович Генкин,Алексей Александрович КОМКОВ,Алфия Минеровна САФИУЛИНА,Василий Сергеевич СПИРИДОНОВ,Сергей Владимирович ШВЕЦОВ,Алексей Владимирович ЕВТУШЕНКО. Владелец: Открытое акционерное общество "Объединенная химическая компания "УРАЛХИМ". Дата публикации: 2014-09-20.

Manufacturing method of single solid-oxide fuel element

Номер патента: RU2424604C1. Автор: Луст Энн,Нурк Гуннар,Мёллер Приит,Киви Индрек,Каллип Силвар,Енес Алар,Куриг Хейси. Владелец: Элкоген Ас. Дата публикации: 2011-07-20.

Method of extracting rare earth metals from wet-process phosphoric acid when processing apatite concentrates

Номер патента: RU2640479C2. Автор: Ольга Владимировна Черемисина,Василий Валерьевич Сергеев,Ольга Леонидовна Лобачева,Татьяна Евгеньевна Литвинова,Денис Сергеевич Луцкий. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный унивеситет". Дата публикации: 2018-01-09.

Method of processing hydroxide cake produced at alkaline dissection of monazite concentrate

Номер патента: RU2638719C1. Автор: Александр Николаевич Дьяченко,Александр Дмитриевич Киселев,Николай Борисович Егоров,Дмитрий Васильевич Акимов,Кирилл Васильевич Обмуч,Сергей Валерьевич Литовкин,Федор Анатольевич Ворошилов,Максим Эдуардович Кондрашин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-15.

Method of processing phosphate rare-earth concentrate isolated from apatite

Номер патента: RU2148019C1. Автор: В.Н. Лебедев,Э.П. Локшин,В.А. Маслобоев,С.Д. Сергеева. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им.И.В.Тананаева Кольского научного центра РАН. Дата публикации: 2000-04-27.

Method of extraction of rare-earth elements from technological and productive solutions

Номер патента: RU2462523C1. Автор: Владимир Николаевич Рычков,Евгений Владимирович Кириллов,Николай Анатольевич Попонин,Алексей Леонидович Смирнов,Алексей Андреевич Дементьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2012-09-27.

Method of extraction and recovery of purex-process refined product for spent nuclear fuel of nuclear power stations

Номер патента: RU2249266C2. Автор: Б.Я. Зильберман,А.Н. Машкин,М.В. Логунов,Ю.С. Федоров,О.В. Шмидт,Н.Д. Голецкий,Ю.В. Паленик,С.Ю. Сухарева,Д.Н. Кухарев,Е.А. Пузиков. Владелец: Государственное унитарное предприятие Научно-производственное объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2005-03-27.

Methods of treating conditions associated with masp-2-dependent complement activation

Номер патента: RU2718850C2. Автор: Грегори А. ДЕМОПУЛОС,Томас Дадлер,Ханс-Вильхельм Швебле. Владелец: Юниверсити Оф Лестер. Дата публикации: 2020-04-15.

Method of dissolution and separation of critical raw materials (crm)

Номер патента: EP3702480A1. Автор: Carsten DITTRICH,Grenvil Marquis Dunn,Lina Dittrich. Владелец: Meab Chemie Technik GmbH. Дата публикации: 2020-09-02.

Methods for recovery of rare earth elements from coal

Номер патента: US20200002785A1. Автор: Rachid Taha,Slawomir Winecki,Rick Peterson,Michael Heinrichs,Vinay V. Gadkari,Darwin Argumendo. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411A. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2021-08-30.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411B1. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2022-01-28.

Polymer comprising a dye, nanoparticle comprising the polymer, and methods of preparing the same

Номер патента: US20130153815A1. Автор: Dominik Janczewski,Swee Kuan Yen,Tamil Selvan. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-06-20.

Fabrication method for mirrors for integrated optical devices

Номер патента: EP1312949A3. Автор: Yves Tremblay,Luc Quellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-13.

Solid solution material of rare earth element fluoride (polycrystal and single crystal), and method for preparation thereof, and radiation detector and test device

Номер патента: EP1754808A4. Автор: Tsuguo Fukuda,Kenji Aoki,Akira Yoshikawa,Kei Kamada,Tomohiko Satonaga. Владелец: Stella Chemifa Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Fabricating method for a ferroelectric liquid crystal panel

Номер патента: US6757035B2. Автор: Suk-Won Choi,Su-Seok Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Glass structures and fabrication methods using laser induced deep etching

Номер патента: US20220267200A1. Автор: Michael J. Minot,Michael A. Detarando,Till Cremer,Alexey Lyashenko,Cole J. Hamel,Mark A. Popecki. Владелец: Incom Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Preparation method of nucleic acid sample for rare expressed genes and analyzing method using the prepared nucleic acid samples thereby

Номер патента: US20020009731A1. Автор: Takeshi Fujita,Kazunori Okano,Takashi Irie,Masaharu Kiyama,Takamichi Muramatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Preparation method of nucleic acid sample for rare expressed genes and analyzing method using the prepared nucleic acid samples thereby

Номер патента: US20020102561A1. Автор: Takeshi Fujita,Kazunori Okano,Takashi Irie,Masaharu Kiyama,Takamichi Muramatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Disinfectant compositions and methods of use thereof

Номер патента: WO2007038265A9. Автор: Robert Bowker. Владелец: Knockout Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09581869B2. Автор: Seungwon Oh,Junhee Park,Taehoon Yoon. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2017-02-28.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of processing phosphogypsum wastes to obtain a concentrate of rare-earth elements and gypsum plaster

Номер патента: RU2706401C1. Автор: Денис Тагирович Кантюков,Рустам Айратович Хаматшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НефтеХимКонсалт". Дата публикации: 2019-11-18.

Method of separating gadolinium by extraction with phosphoroorganic compounds

Номер патента: RU2518619C2. Автор: Александр Васильевич Вальков. Владелец: Александр Васильевич Вальков. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of processing phosphogypsum with extraction of rare-earth elements and phosphorus

Номер патента: RU2457267C2. Автор: Татьяна Викторовна Башлыкова,Евгения Александровна Аширбаева,Алла Борисовна Живаева,Людмила Михайловна Данильченко. Владелец: Людмила Михайловна Данильченко. Дата публикации: 2012-07-27.

Method of extraction of rare earth elements (+3) from acidic water solutions containing other metals and ions

Номер патента: RU2748007C1. Автор: Александр Васильевич Радушев,Вера Алексеевна Никитина,Татьяна Дмитриевна Батуева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Пермский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук (ПФИЦ УрО РАН). Дата публикации: 2021-05-18.

Method of preparing butadiene polymerization and butadiene-conjugated diene copolymerization catalyst

Номер патента: RU2267355C2. Автор: Сталь Абрамович Будер,Виталий Абрамович Кормер,Вера Сергеевна Бодрова,Светлана Васильевна Бубнова,Валентин Александрович Васильев,Борис Трофимович Дроздов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт синтетического каучука им. акад. С.В. Лебедева". Дата публикации: 2006-01-10.

Method of extracting rare-earth metals and producing gypsum plaster from anhydrite

Номер патента: RU2607862C1. Автор: Алексей Александрович КОМКОВ,Александр Германович Ермилов,Елена Владимировна Богатырева,Алексей Владимирович ЕВТУШЕНКО,Ирина Юрьевна Кучина. Владелец: Акционерное общество "Объединенная химическая компания "УРАЛХИМ" (АО "ОХК "УРАЛХИМ"). Дата публикации: 2017-01-20.

Complex compounds of rare-earth metals with organic ligands as radiation-resistant luminescent materials

Номер патента: RU2720792C1. Автор: Сергей Владимирович Оболенский,Михаил Николаевич Бочкарев,Василий Александрович Ильичев,Алексей Николаевич Труфанов,Юрий Аркадьевич Кабальнов,Татьяна Виларьевна Балашова,Андрей Александрович Кукинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук. Дата публикации: 2020-05-13.

Binder-hardened fabrics, method for manufacture and use thereof

Номер патента: RU2682632C2. Автор: Бернхард ЭККЕРТ,Игансио НУНЕС. Владелец: Джонс Мэнвилл Юроп Гмбх. Дата публикации: 2019-03-19.

Use of hexokinase-2 in detection of rare tumor cells in body fluid sample and kit

Номер патента: US20210080468A1. Автор: Liu Yang,Yingqi HUA,Zhengdong CAI. Владелец: Suzhou Junhui Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Universal quantum computing using electro-nuclear wavefunctions of rare-earth ions

Номер патента: WO2022033881A1. Автор: Markus Müller,Gabriel Aeppli,Manuel Grimm,Adrian Beckert. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2022-02-17.

System and Method for Authentication of Rareness of a Digital Asset

Номер патента: US20240256741A1. Автор: Jeffrey Emanuel. Владелец: Pastel Growth Fund LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

A kind of rare earth base novel non-full of type tungsten bronze ferroelectric material and preparation method thereof

Номер патента: CN106478096A. Автор: 董泽,杨丰铭,魏通,张廷搏. Владелец: Civil Aviation University of China. Дата публикации: 2017-03-08.

A kind of rare-earth-based Integral forming type organic exhaust gas heat-storage catalytic honeycomb ceramics and its preparation technology

Номер патента: CN107597095A. Автор: 陈浩,杨晓波,吴道君,李军营. Владелец: Hubei Shenwu Thermal Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-19.

Oxidation-resistant rare earth based magnet powder and method for production thereof, compound for rare earth based bonded magnet, rare earth based bonded magnet and method for production thereof

Номер патента: CN1745440A. Автор: 大岛一英,吉村公志. Владелец: Neomax Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-08.

Continuous preparation device of nickel-based butadiene rubber and rare earth-based butadiene rubber

Номер патента: CN212999912U. Автор: 陈华锋,朱梦斌,高久奇. Владелец: Zhejiang Transfar Synthetic Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

Rare earth-based permanent magnetic material and preparation method thereof

Номер патента: CN101877264B. Автор: 邓小霞,程晓峰. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

Rare earth based bond magnet and its manufacturing method

Номер патента: JP2006100560A. Автор: Masayuki Yoshimura,吉村　　公志,Takashi Ikegami,尚池上. Владелец: Neomax Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Rare earth based resin magnet

Номер патента: JPH01125905A. Автор: Takashi Ueno,貴史上野. Владелец: Harison Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-18.

High-temperature high-tenacity single-phase solid-solution magnesium rare earth base alloy and preparation method thereof

Номер патента: CN102277521A. Автор: 田永君,彭秋明,朱键卓. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-12-14.

Pneumatic transmitting and fine grinding system for producing vanadium-free rare earth based titanium-tungsten powder

Номер патента: CN105149070A. Автор: 延云刚,吴郎,李友学,延广东. Владелец: Shandong Dy-Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-16.

Mixed rare earths-based amorphous metal plastic

Номер патента: CN100398688C. Автор: 张博,汪卫华,潘明祥,赵德乾. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2008-07-02.

One kind production is without vanadium rare-earth-based titanium tungsten powder continuous drying system

Номер патента: CN105157393B. Автор: 延云刚,吴郎,李友学,延广东. Владелец: Shandong Dy-Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.