• Главная
  • Method for predicting failure of semiconductor device, and semiconductor device

Method for predicting failure of semiconductor device, and semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Manufacturing method of semiconductor device, supporting substrate, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140073070A1. Автор: Hiroshi Tsujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110049709A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20120007238A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US09385203B1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09590078B2. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09437598B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20210151568A1. Автор: Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20090184367A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9954094B2. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20160240654A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150123187A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20130264624A1. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180204943A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20200251551A1. Автор: Wensheng Wang,Kazuaki Takai,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

System and method for testing optical receivers

Номер патента: US20230408573A1. Автор: Yaakov Gridish,Elad Mentovich,Itshak Kalifa,Tamir Sharkaz,Tatyana ANTONENKO. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Sic semiconductor device manufacturing method and sic semiconductor device

Номер патента: US20230307503A1. Автор: Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US9785171B2. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device having transistor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US09484081B2. Автор: Young-Hoon Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Heating apparatus for a semiconductor device, heating system, and semiconductor device

Номер патента: US20230223283A1. Автор: Chengchun Tang. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Optoelectronic apparatuses and methods for manufacturing optoelectronic apparatuses

Номер патента: US20130207126A1. Автор: Lynn K. Wiese,Seshasayee (Sai) S. Ankireddi. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: EP3942600A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20200271596A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20210149314A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Detection devices and methods

Номер патента: US09851454B2. Автор: Lei Cao. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2017-12-26.

System and method for inspection and metrology of four sides of semiconductor devices

Номер патента: EP4211714A1. Автор: Bert Vangilbergen,Harry Paredaens,Maarten Brocatus,Foon Ming Chan. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120104614A1. Автор: Motofumi Saitoh,Nobuyuki Ikarashi,Kouji Masuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8841210B1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20190172925A1. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20230081981A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120273887A1. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8860149B2. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020102430A1. Автор: Masayoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20190385859A1. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11018013B2. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140287576A1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070272984A1. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device including dll and semiconductor system

Номер патента: US20180159543A1. Автор: Young-Suk Seo,Da-In IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Higano,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure with dielectric stressor

Номер патента: US12132115B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structure with embedded epitaxial structure

Номер патента: US20240379862A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09577049B1. Автор: Chi-Wen Liu,Shih-Yen Lin,Chong-Rong WU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443934B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Apparatus and method for diagnosing phase current sensor failure of 3-phase inverter

Номер патента: US20230408563A1. Автор: Hye-Ung Shin. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Sonos Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140329387A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Sonos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070299A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20080150049A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20100022079A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20110136314A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device layout structure, method for forming same, and test system

Номер патента: US20240071844A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for fabricating an Al-Ge alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: US5846877A. Автор: Jun-Ki Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Method for providing position information in a secure manner, and a terminal device and a computer program product thereto

Номер патента: US20200386847A1. Автор: Timo SAIJA. Владелец: Telia Co AB. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods of semiconductor device fabrication

Номер патента: EP3909069A1. Автор: Qiguang Wang,Gonglian Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Method for fabrication of semiconductor light-emitting device and the device fabricated by the method

Номер патента: WO2006019180A1. Автор: Koji Yakushiji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for drying semiconductor substrates

Номер патента: US4412388A. Автор: Mikio Takagi,Hajime Kamioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-11-01.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4312250A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-31.

Method for cleaning semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor wafer using the method for cleaning

Номер патента: US20200020552A1. Автор: Katsuro Wakasugi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US9484336B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20180130724A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20150102474A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-16.

Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20160268217A1. Автор: Kenji Konomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Method for forming a contact during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US5686357A. Автор: Bradley J. Howard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Method for providing a self-aligned pad protection in a semiconductor device

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for forming a plug or damascene trench on a semiconductor device

Номер патента: US6391763B1. Автор: Hao-Chieh Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US20100096721A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120199946A1. Автор: Satoshi Kageyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020024095A1. Автор: Katsuomi Shiozawa,Yasuyoshi Itoh,Syuichi Ueno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09679770B2. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US09660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing a semiconductor body, semiconductor body and power semiconductor device

Номер патента: WO2024056185A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240038636A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9159563B2. Автор: Tomohide Terashima,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor device assembly method and semiconductor device produced by the method

Номер патента: US6046077A. Автор: Mikio Baba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US8497170B2. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20230326739A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11862510B2. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210287968A1. Автор: Masanori Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US20130285148A1. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190295901A1. Автор: Ikuo Motonaga. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200091098A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020033541A1. Автор: Shotaro Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200303241A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210343584A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US8404559B2. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Semiconductor device, chip module, and semiconductor module

Номер патента: US10707159B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US20150216040A1. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US9048332B2. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor laminate, semiconductor device, and production method thereof

Номер патента: US09577050B2. Автор: Tetsuya Imamura,Yoshinori Ikeda,Yuka Tomizawa. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09911821B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for a vertical tunneling field-effect transistor cell

Номер патента: US09865716B2. Автор: Ming Zhu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US09646919B2. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US09379193B2. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger M. Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-28.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251562A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09953858B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US09397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US11971364B2. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US09484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Devices and methods for enhancing insertion loss performance of an antenna switch

Номер патента: US12142585B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for Producing a Bidirectional Connection Between a Device Forming a Field Device and an Application in a Central Facility

Номер патента: US20200228601A1. Автор: Ralf Huck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for producing a bidirectional connection between a device forming a field device and an application in a central facility

Номер патента: US11146633B2. Автор: Ralf Huck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11482446B1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Production method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140203411A1. Автор: Toru Onishi,Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Production method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140203411A1. Автор: Toru Onishi,Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

System and method for monitoring operations and detecting failures of networked devices

Номер патента: US20230388213A1. Автор: Avinash Kumar,Vikram Hegde. Владелец: Sclera Holdings LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for collecting data related to dialog, computer-readable storage medium, computer device and server system

Номер патента: US20200014650A1. Автор: Yu-Chuan WEI. Владелец: Line Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for providing flight route to unmanned aerial vehicle, acquisition method and device, and system

Номер патента: US11984037B2. Автор: Wei Hong. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for the encrypted communication in a process plant, process plant, field device and control electronics

Номер патента: US11774950B2. Автор: Andreas Widl,Leon Urbas. Владелец: SAMSON AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20220114077A1. Автор: Yuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09880196B2. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device

Номер патента: US12057519B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for bonding with a silver paste

Номер патента: US09589925B2. Автор: Hyun Woo Noh,Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong,Su Bin KANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer

Номер патента: US09984927B2. Автор: Mathias Vaupel,Kian Pin Queck,Kurt Gehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09666587B1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for stabilizing low dielectric constant materials

Номер патента: US20020115305A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09892985B2. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems and methods for sample use maximization

Номер патента: US09677993B2. Автор: Elizabeth A. Holmes,Michael Siegel,Anthony Nugent,Daniel Young,Ryan Wistort. Владелец: Theranos Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11915967B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming hybrid bonding with through substrate via (TSV)

Номер патента: US09991244B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09406656B2. Автор: MinGu Kang,Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343649A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230114278A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230154905A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140021624A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181229A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09633941B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Vacuum laminating apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170282527A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Plurality of semiconductor devices between stacked substrates

Номер патента: US12009351B2. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

RESIN-SEALED TYPE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: NL2022613A. Автор: SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-09-06.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09601410B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Yi-Hsiu Chen,Cheng-Chun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers

Номер патента: US3953265A. Автор: Roderic Kermit Hood. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-04-27.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20180047628A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20160204032A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US9873166B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20180358330A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20200126954A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: WO2018231497A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for optically scanning and measuring an environment using a 3D measurement device and near field communication

Номер патента: GB201622192D0. Автор: . Владелец: Faro Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464B1. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2275781C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Method for Supporting a Parking Process in a Road Section, Driver Assistance Device, and Motor Vehicle

Номер патента: US20240105057A1. Автор: Daniel Münning,Lukas Ackert. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method for determining the risk of failure of a structure

Номер патента: EP3479239A1. Автор: Thomas Arthur WINANT,Alan Peter JEARY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-08.

System and method for determining the risk of failure of a structure

Номер патента: EP4295133A1. Автор: Thomas Arthur WINANT,Alan Peter JEARY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for evaluating streaming media transmission quality and obtaining information, and related device and system

Номер патента: US09787748B2. Автор: Bing Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for controlling an audience measurement relating to broadcast data, corresponding controller, device and system

Номер патента: US20130007784A1. Автор: Anne-Marie Praden. Владелец: GEMAL TO SA. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for controlling an audience measurement relating to broadcast data, corresponding controller, device and system

Номер патента: EP2497209A1. Автор: Anne-Marie Praden. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for controlling an audience measurement relating to broadcast data, corresponding controller, device and system

Номер патента: WO2011054910A1. Автор: Anne-Marie Praden. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for HARQ-ACK feedback of semipersistent scheduling data, UE, base station, device and medium

Номер патента: US11895647B2. Автор: Yi Wang,Jingxing FU,Feifei SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for Setting Network Device with Wireless Area Network and Controller, Network Device and Communication Platform

Номер патента: US20130290534A1. Автор: Tien Chun Tung. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7713819B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240008273A1. Автор: Takuya Konno,Shinya Okuda,Rikyu Ikariyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and apparatus for predicting failure of an x-ray tube

Номер патента: EP4205654A1. Автор: Heiner Daerr,Lester Donald MILLER,Carolina Maria RIBBING. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for identifying a device using attributes and location signatures from the device

Номер патента: AU2023202016B2. Автор: Sumanth N,Hari Palappetty. Владелец: Azira LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

System and Method for Music Streaming

Номер патента: US20240211978A1. Автор: Terrence Dixon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for searching for interrupted device, slave device, master device, and storage medium

Номер патента: US12093197B2. Автор: Yuchen Wang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for enabling a secure provisioning of a credential, and related wireless devices and servers

Номер патента: US09565172B2. Автор: Per STÅHL. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for displaying virtual keyboard, virtual keyboard and display device

Номер патента: EP3905022A1. Автор: Zhongyi Wang,Minhu Fan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Method for providing a mobile application

Номер патента: US11269607B2. Автор: Marcus Zinn,Alexander HIESER. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2022-03-08.

Setting method, communication device, and master device

Номер патента: US09965406B2. Автор: Satoshi Yamawaki,Hirohito MIZUMOTO,Kayoko ISOGAI. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of allowing establishment of a secure session between a device and a server

Номер патента: US09635022B2. Автор: Olivier Potonniee. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2017-04-25.

System and method for harvesting of data from peripheral devices

Номер патента: US20040107188A1. Автор: Michael Hardcastle. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-06-03.

System and method for synchronizing and/or disciplining clocks

Номер патента: EP4097561A1. Автор: HAIMING HUANG,Michael Courtney,Khanh Nguyen,Jan Van Ee,Jeremy Mickelsen. Владелец: Universal Electronics Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Method for setting up a list of audio files for a mobile device

Номер патента: WO2011044976A1. Автор: Michael Maddux,Bjorn Patrick Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for setting up a list of audio files for a mobile device

Номер патента: EP2488965A1. Автор: Michael Maddux,Bjorn Patrick Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2012-08-22.

High voltage device and method

Номер патента: US20240334707A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage device and method

Номер патента: WO2024206854A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for enabling a secure provisioning of a credential, and related wireless devices and servers

Номер патента: ZA201708085B. Автор: STAHL Per. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2019-05-29.

Systems and methods for in-vehicle predictive failure detection

Номер патента: US11847873B2. Автор: Nikhil Patel,Greg Bohl. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Systems and methods for in-vehicle predictive failure detection

Номер патента: US20230186697A1. Автор: Nikhil Patel,Greg Bohl. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-layered moiré targets and methods for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: EP3948938A1. Автор: YOEL Feler,Mark Ghinovker. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Device and method for shifting a fluid within a fluid channel, use of the device, and tactile display

Номер патента: AU2022248402B2. Автор: Bastian RAPP,Frederik Kotz-Helmer. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for performing double clustering to evaluate placement of semiconductor devices

Номер патента: US12008297B1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20050196706A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

Jig, apparatus and method for inspecting semiconductor chip, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW201013832A. Автор: Nobuhiro Sawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Device and method for shifting a fluid within a fluid channel, use of the device, and tactile display

Номер патента: WO2022207472A1. Автор: Bastian RAPP,Frederik KOTZ. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

Device and method for shifting a fluid within a fluid channel, use of the device, and tactile display

Номер патента: AU2022248402A1. Автор: Bastian RAPP,Frederik KOTZ. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Device and method for shifting a fluid within a fluid channel, use of the device, and tactile display

Номер патента: CA3212777A1. Автор: Bastian RAPP,Frederik Kotz-Helmer. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device, semiconductor system with the semiconductor device and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US20160180912A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device defect monitoring

Номер патента: US20150042371A1. Автор: Kelly Malone,Brian L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Temperature control method and apparatus and test method and apparatus of semiconductor devices

Номер патента: US20070296434A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Morimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Electronic system and method for evaluating and predicting failure of the electronic system

Номер патента: CN106055418A. Автор: A·凯利. Владелец: Zentrum Mikroelektronik Dresden GmbH. Дата публикации: 2016-10-26.

Electrical circuit unit and a method for testing the electrical circuit unit via an electrical test interface

Номер патента: US7089469B2. Автор: Carsten Friedrich. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-08-08.

Device and method for predicting person's temperature

Номер патента: RU2413187C2. Автор: Роберт Д. БАТТЕРФИЛД. Владелец: Кэафьюжн 303, Инк.. Дата публикации: 2011-02-27.

Method for predicting canopy interception efficiency under forest fire interference

Номер патента: NL2033972A. Автор: Huang Chao,Li Shun,Wu Zhiwei. Владелец: Univ Jiangxi Normal. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for predicting canopy interception efficiency under forest fire interference

Номер патента: NL2033972B1. Автор: Huang Chao,Li Shun,Wu Zhiwei. Владелец: Univ Jiangxi Normal. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Wireless network based method for detecting presence of metal

Номер патента: US10261178B2. Автор: Zhong Ming,Kaishun Wu,Yuanchao AN. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Additive life consumption model for predicting remaining time-to-failure of machines

Номер патента: US20180080853A1. Автор: Chao Yuan,Matthew Evans,Amit Chakraborty,Akshay PATWAL. Владелец: Siemens Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

METHOD AND CONTROL ARRANGEMENT FOR PREDICTING AN UPCOMING FAILURE OF A NOx SENSOR

Номер патента: WO2023096552A1. Автор: Peter Lindqvist. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for determining a direction of travel and/or position, track-side device, and device for a vehicle

Номер патента: AU2018300582B2. Автор: Marcos Liso Nicolás. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2021-07-01.

Shift control method for preventing starting stage implementation failure of hybrid electric vehicle

Номер патента: US09616880B2. Автор: Sang Pil Jang. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for epitaxial growth from the vapour phase of semiconductor materials

Номер патента: CA1296241C. Автор: Peter Michael Frijlink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-02-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20120031331A1. Автор: Takashi Nakao,Ichiro Mizushima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for operating a frontal headlight device of a vehicle, driver assistance device and vehicle

Номер патента: EP2895351A1. Автор: David Hue. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2015-07-22.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for Sending and Receiving Signal, and Corresponding Device and System

Номер патента: US20170012802A1. Автор: Ling Liu,Liangchuan LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for processing abnormal terminal, network management device and computer-readable medium

Номер патента: EP4017072A1. Автор: Wenkai TIAN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Methods for handling PS and CS communication service

Номер патента: US09491666B2. Автор: Kundan Tiwari. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for sending and receiving signal, and corresponding device and system

Номер патента: US09467311B2. Автор: Ling Liu,Liangchuan LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

System and method for inoperative inkjet compensation

Номер патента: US09463638B1. Автор: Stephen M. Kroon. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for reporting information, communication device, and storage medium

Номер патента: EP4398628A1. Автор: Xiaowei Jiang. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for constructing synchronous network, shelf label system, computer device, and storage medium

Номер патента: AU2023248186A1. Автор: Min Liang,YAPING Ji,QI JIANG. Владелец: Hanshow Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for changing working area, terminal, and network side device

Номер патента: EP4224909A1. Автор: Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Method for receiving beam recovery request, and network device

Номер патента: EP3614715A1. Автор: Gao Xiang,Huang Huang,Enzhi ZHOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Method for controlling lamp strip, lamp strip system, electronic device and storage medium

Номер патента: US20240341023A1. Автор: Minghai Guo. Владелец: Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for messaging using a broadband connection

Номер патента: US09961518B2. Автор: Douglas B. Alston,Barbara Stark,Valois Gonzalez. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for the transmission of a multi-carrier signal, and corresponding transmission device and computer program

Номер патента: US09455858B2. Автор: Marc Lanoiselee,Bruno Jahan. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2016-09-27.

Radio communication method, device and system

Номер патента: EP1304821A3. Автор: Rafael Brody,Salomon Serfaty. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2006-01-18.

Radio communication method, device and system

Номер патента: EP1304821B1. Автор: Rafael Brody,Salomon Serfaty. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2009-04-15.

System and method for securely configuring a new device with network credentials

Номер патента: WO2019157433A1. Автор: Scott Zimmerman,Joe Britt. Владелец: Afero, Inc.. Дата публикации: 2019-08-15.

Energy saving method for terminal device, terminal device, network device, and chip

Номер патента: US20240349192A1. Автор: Chuanfeng He. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Data processing method and device, decoder, network device and storage medium

Номер патента: US12113546B2. Автор: Qing Bian. Владелец: Sanechips Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US09680380B2. Автор: Satoru Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for controlling data retransmission and user equipment

Номер патента: EP3827541A1. Автор: Jing Xu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Error-correction coding for hot-swapping semiconductor devices

Номер патента: US09484113B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

System and method for discharging carbon monoxide by using carbon monoxide leakage alarm device

Номер патента: US12117206B2. Автор: Young-Hwan Choi,Sung-An HA,Jung-Jae JANG. Владелец: Nanochem Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US20140253533A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for estimating walking index of user and electronic device and wearable device for performing same

Номер патента: EP4438239A1. Автор: Keehong SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

System and method for image processing

Номер патента: US09704212B2. Автор: Maojiang (Jacen) LIN. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for batch configuration of linkages, terminal, server, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240143656A1. Автор: Junxian Luo,Yuetong Chen. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for displaying handwritten note in electronic book, electronic device and computer storage medium

Номер патента: US20210056256A1. Автор: Hongtao TAO. Владелец: Zhangyue Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for removing dead space with regard to semiconductor design

Номер патента: US20240249059A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for processing key value information of remote control, control device and remote control

Номер патента: US09754481B2. Автор: LIU Fang,Xiaoling Liu,Zhiqin He. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for processing data from one- or two-dimensional code, and corresponding devices and program

Номер патента: CA3242342A1. Автор: Xavier MOAL,Sylvain GUYOMARCH. Владелец: Oxyledger. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for preparing porous adsorbent particles, a porous adsorbent particle and sampling device, and use thereof

Номер патента: GB202210380D0. Автор: . Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2022-08-31.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: TW201034017A. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Device and method for shifting a fluid within a fluid channel, use of the device, and tactile display

Номер патента: EP4068249B1. Автор: Bastian RAPP,Frederik KOTZ. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2024-10-09.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20170365303A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20190295611A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Method and apparatus for predicting failure of an x-ray tube

Номер патента: WO2023126364A1. Автор: Heiner Daerr,Lester Miller,Carolina Maria RIBBING. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2023-07-06.

Novel methods for manufacturing an adjuvant

Номер патента: IE20180065A2. Автор: HARVENGT Pol,JEHOULET Philippe,LE GOURRIEREC Loic,SIFAKAKIS Demostene,STRODIOT Laurent. Владелец: GLAXOSMITHKLINE BIOLOGICALS SA. Дата публикации: 2019-12-25.

Method and apparatus for predicting state of wind turbine blade, and device and storage medium therefor

Номер патента: WO2023063887A3. Автор: Weiyu CUI. Владелец: Shanghai Envision Digital Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Devices and methods for cell harvesting

Номер патента: US20020192805A1. Автор: Ian Harris. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Devices, systems and methods for hanging and securing items for display

Номер патента: US20240306825A1. Автор: Robert Ludwig,David R. Wachsman,William H. Bullwinkel,Alvin Ma. Владелец: Innovation Lock LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Device and method for filtering molten metal

Номер патента: US09770754B2. Автор: Michael J. Walker,Jason R. Traub,David D. Goettsch,Brad A. Ohlrich. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Devices and methods for enhancing bone growth

Номер патента: US09649178B2. Автор: Mohamed Ikbal ALI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Devices and methods for treatment of vascular aneurysms

Номер патента: US09561096B2. Автор: Brian K. Shiu,Steven W. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-07.

Device and method for building a silo

Номер патента: WO2023242340A1. Автор: Cees GIELING,Gert Jan FONS. Владелец: J&D Beheer B.V.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for producing hypromellose phthalate

Номер патента: US20200031953A1. Автор: Akira Kitamura,Mitsuo Narita,Taishi Kitaguchi,Akiko Tsuchida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for producing hypromellose phthalate

Номер патента: EP3611194A1. Автор: Akira Kitamura,Mitsuo Narita,Taishi Kitaguchi,Akiko Tsuchida. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-19.

Systems and methods for treatment of fungus

Номер патента: US20230117600A1. Автор: Daniel W. van der Weide. Владелец: Accure Medical LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Systems and methods for treatment of fungus

Номер патента: US20190054309A1. Автор: Daniel W. van der Weide. Владелец: Accure Medical LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Systems and methods for treatment of fungus

Номер патента: US12070616B2. Автор: Daniel W. van der Weide. Владелец: Accure Medical LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Intravascular thromboembolectomy devices and methods

Номер патента: EP3681418A1. Автор: Like Que,Michael P. Marks,Timothy John Konkol. Владелец: Thrombx Medical Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Device and method for processing dough

Номер патента: US12052996B2. Автор: Manfred Baechtle,Daniel Teufel,Rudolf Hirsch,Karlheinz Kaestle. Владелец: Albert Handtmann Maschinenfabrik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-06.

A method for adjusting a phase difference between printing units of a printing device and a printing device

Номер патента: WO2024132794A1. Автор: Matthieu Richard. Владелец: BOBST MEX SA. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for operating a motor vehicle, control device, and motor vehicle

Номер патента: US11745743B2. Автор: Bernd Schäfer,Christian Graf,Marc Kropf. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-09-05.

Phospholipid derivatives of dha and methods for treating respiratory failure using the same

Номер патента: US20080160066A1. Автор: Gerard Pieroni,Thierry Coste. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for determining a direction of travel and/or position, track-side device, and device for a vehicle

Номер патента: AU2018300582A1. Автор: Marcos Liso Nicolás. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2020-01-30.

Shift control method for preventing starting stage engagement failure of hybrid electric vehicle

Номер патента: US09731700B2. Автор: Sang Pil Jang. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Control method for reducing water waste in water heating systems, and corresponding control device and recirculation valve

Номер патента: GB202408139D0. Автор: . Владелец: Ferretti Cristiano Gazzalle. Дата публикации: 2024-07-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2380707C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING COMPRESSOR OF VEHICLES

Номер патента: US20120000211A1. Автор: Kwon Choon Gyu,KIM Jae Woong,LEE Chang Won. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for measuring leakage current in junction region of semiconductor device

Номер патента: TW311251B. Автор: Jang Se-Aug,Song Tae-Sik. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for integrally forming inner and outer coating layers for hollow objects, device and structure for same

Номер патента: TWI253380B. Автор: Vincent Chang. Владелец: TMC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2006-04-21.

Method for integrally forming inner and outer coating layers for hollow objects, device and structure for the same

Номер патента: TW200610636A. Автор: Vincent Chang. Владелец: TMC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2006-04-01.

Method for manufacturing dual-layer gate of a metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW457569B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-10-01.

MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK, METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120183891A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.