Method for predicting failure of semiconductor device, and semiconductor device
Номер патента: US20240110970A1
Опубликовано: 04-04-2024
Автор(ы): Isao Aoyagi, Junya Muramatsu, Katsuhiro KUTSUKI, Keita KATAOKA, Masataka DEGUCHI, Ryosuke OKACHI, Takashi Kohyama, Takashi Tominaga
Принадлежит: Denso Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-04-2024
Автор(ы): Isao Aoyagi, Junya Muramatsu, Katsuhiro KUTSUKI, Keita KATAOKA, Masataka DEGUCHI, Ryosuke OKACHI, Takashi Kohyama, Takashi Tominaga
Принадлежит: Denso Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device testing apparatus, semiconductor device testing method, and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: US20160306005A1. Автор: Teruyuki Ohashi,Ryosuke llJIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-20.