Semiconductor device and manufacturing method for the same
Номер патента: US20230215765A1
Опубликовано: 06-07-2023
Автор(ы): Chih-Nan Lo, Hsin-Hsien Lu, Kuo-Bin Huang, Ming-Chi Huang, Ming-Hsi Yeh
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-07-2023
Автор(ы): Chih-Nan Lo, Hsin-Hsien Lu, Kuo-Bin Huang, Ming-Chi Huang, Ming-Hsi Yeh
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having a planarized structure and the method for producing the same
Номер патента: US20040048464A1. Автор: Yoo-Jeong Park. Владелец: Auk Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.