METHOD AND STRUCTURE TO CONTACT TIGHT PITCH CONDUCTIVE LAYERS WITH GUIDED VIAS USING ALTERNATING HARDMASKS AND ENCAPSULATING ETCHSTOP LINER SCHEME
Номер патента: US20170330761A1
Опубликовано: 16-11-2017
Автор(ы): Brain Ruth A., Chawla Jasmeet S., Meyers Alan M., SCHENKER Richard E., Singh Kanwal Jit
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-11-2017
Автор(ы): Brain Ruth A., Chawla Jasmeet S., Meyers Alan M., SCHENKER Richard E., Singh Kanwal Jit
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and structure to contact tight pitch conductive layers with guided vias
Номер патента: US09659860B2. Автор: Richard E. Schenker,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.