Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Substrate processing apparatus, signal source device, method of processing material layer, and method of fabricating semiconductor device

Substrate processing apparatus, signal source device, method of processing material layer, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190393017A1
Опубликовано: 26-12-2019
Автор(ы): Gon-Jun KIM, In-hye JEONG, Jae-Jik Baek, Jae-Jin Shin, Min-seop PARK, Sung-gil KANG
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: KR20170070684A. Автор: 전인수,김효원,구지연,고원희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-06-22.

Substrate processing apparatus, signal source device, method of processing material layer, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230147992A1. Автор: Jae-Jin Shin,Gon-Jun KIM,Jae-Jik Baek,Sung-gil KANG,Min-seop PARK,In-hye JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

METHOD OF INTERCALATING INSULATING LAYER BETWEEN METAL CATALYST LAYER AND GRAPHENE LAYER AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170170012A1. Автор: KIM Hyowon,JEON Insu,KO Wonhee,KU Jiyeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09972638B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing at least one semiconductor device on or in a base semiconductor material disposed in a containment structure including a buried layer

Номер патента: US11710632B2. Автор: Chia-Wei Liu,Hung-Chih Yu,Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of patterning two-dimensional material layer on substrate, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11961898B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,JunYoung KWON,Van Luan NGUYEN,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Method Of Forming Polysilicon, Thin Film Transistor Using The Polysilicon, And Method Of Fabricating The Thin Film Transistor

Номер патента: US20130126880A1. Автор: Jun-hee Choi,Andrei Zoulkarneev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US11088247B2. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-08-10.

Methods of Forming Contact Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280426A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180175147A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20040192014A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090253251A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10283591B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Manufacture method of AMOLED back plate and structure thereof

Номер патента: US09590020B2. Автор: Yuanjun Hsu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks

Номер патента: WO2000014781A1. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US11563086B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US20210005714A1. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP4310888A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: US20240030307A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US09865611B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150162344A1. Автор: Hwang Kihyun,Kim Kyunghyun,Lee Seongsoo,KIM JinGyun,YANG Jun-youl,CHA Se-ho,Eom Daehong,Yeo Chadong,JANG Daehyun,Lee Sunghae. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Graphene layer, method of forming the same, device including graphene layer and method of manufacturing the device

Номер патента: US09660036B2. Автор: Jaeho Lee,Hyowon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of fabricating high voltage semiconductor devices having improved electric field suppression

Номер патента: EP3895207A1. Автор: Christopher James Kapusta,Stephen Daley Arthur,David Richard Esler,Liangchun YU,Nancy Cecelia Stoffel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-10-20.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a reverse blocking semiconductor device

Номер патента: US09679892B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods of forming gate structures for semiconductor devices using a replacement gate technique and the resulting devices

Номер патента: US20150311081A1. Автор: Qi Zhang,Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Andy C. Wei,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Layer structure including metal layer and carbon layer, method of manufacturing the layer structure, electronic device including the layer structure, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230070355A1. Автор: Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Oxide sintered material and method of manufacturing the same, sputtering target, oxide semiconductor film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200126790A1. Автор: Kenichi Watatani,Hideaki Awata,Kazuya Tokuda,Aiko TOMINAGA,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of manufacturing semiconductor electrode and semiconductor device provided with electrodes manufactured by the method

Номер патента: US20040033683A1. Автор: Kenji Tanaka,Hirofumi Koike,Kazuya Suzuki,Kouichi Asai,Kazutoshi Sakai,Shunji Yoshikane. Владелец: Fuji Machine Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230313040A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257658A2. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of patterning two-dimensional material layer on substrate, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220238692A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,JunYoung KWON,Van Luan NGUYEN,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Methods of improving adhesion of photoresist in a staircase structure and methods of forming a staircase structure

Номер патента: US10930659B2. Автор: Adam L. Olson,David A. Kewley,Rohit Kothari,Jason Reece,Jason C. McFarland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-23.

Methods of improving adhesion of photoresist in a staircase structure and methods of forming a staircase structure

Номер патента: US20190355735A1. Автор: Adam L. Olson,David A. Kewley,Rohit Kothari,Jason Reece,Jason C. McFarland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257658A3. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming oxide thin film and method of fabricating oxide thin film transistor using hydrogen peroxide

Номер патента: US09558941B2. Автор: Hyun Jae Kim,Jeong Moo Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-01-31.

Source-body self-aligned method of a vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230361195A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-11-09.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

MIS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5891766A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Mis semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5523257A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhika Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-04.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11830929B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230066077A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US20100038716A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Tamae Takano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Method of fabricating ultrathin inorganic semiconductor and method of fabricating three dimensional semiconductor device

Номер патента: KR102356456B1. Автор: 황성우,주원제. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-01-27.

Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US8809133B2. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Tamae Takano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method Of Forming Polysilicon, Thin Film Transistor Using The Polysilicon, And Method Of Fabricating The Thin Film Transistor

Номер патента: US20130126880A1. Автор: Jun-hee Choi,Andrei Zoulkarneev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

METHOD OF FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ONE OR MORE NANOSTRUCTURES

Номер патента: US20190198614A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Coquand Remi,Reboh Shay. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

METHOD OF FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ONE OR MORE NANOSTRUCTURES

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,Coquand Remi,Reboh Shay. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Method of Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170330942A1. Автор: Henson Timothy D.,Radic Ljubo,Kelkar Kapil. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257659A3. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: EP4257659A2. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Etching composition, method of etching metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230407174A1. Автор: Ham Cheol,Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Byoungki CHOI,Mihyun PARK,Byungjoon KANG,Daihyun Kim,Hwang Suk KIM,Jingmin OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of separating electronic devices having a back layer and apparatus

Номер патента: MY182498A. Автор: M Grivna Gordon. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2021-01-25.

Method of separating electronic devices having a back layer and apparatus

Номер патента: PH12017000152A1. Автор: M Grivna Gordon. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2019-01-21.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A method of fabricating a semiconductor device having a silicon oxide layer, a method of fabricating a semiconductor device having dual spacers, a method of forming a silicon oxide layer on a substrate, and a method of forming dual spacers on a conductiv

Номер патента: TW200401397A. Автор: Chang-Won Lee,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-16.

Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks

Номер патента: US20010044221A1. Автор: Sujit Sharan,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks

Номер патента: AU5590799A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-27.

Methods of Fabricating Three-Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20180090512A1. Автор: Yoon Boun,JANG Ki Hoon,KWON Byoungho,Kim Ki-Woong,Kim Hyo-Jung,Seo Kieun. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen,Te-Lin Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure, method of forming stacked unit layers and method of forming stacked two-dimensional material layers

Номер патента: US11784225B2. Автор: Lain-Jong Li,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Shin-Wei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure, method of forming stacked unit layers and method of forming stacked two-dimensional material layers

Номер патента: US20230369404A1. Автор: Lain-Jong Li,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Shin-Wei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing a substrate having a crystallized layer and a laser crystallizing apparatus for the same

Номер патента: US09786499B2. Автор: Sanghoon Ahn,Byoungho Cheong,Hyunjin Cho,Byoungkwon Choo,Joowoan CHO,Jeongkyun NA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a substrate having a crystallized layer and a laser crystallizing apparatus for the same

Номер патента: US09633845B2. Автор: Sanghoon Ahn,Byoungho Cheong,Hyunjin Cho,Byoungkwon Choo,Joowoan CHO,Jeongkyun NA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of fabricating a compositional semiconductor device

Номер патента: US5714765A. Автор: Klaus Ploog,Nikolai N. Ledentsov,Richard Noetzel,Lutz Daeweritz. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 1998-02-03.

Method of making a polycide interconnection layer having a silicide film formed on a polycrystal silicon for a semiconductor device

Номер патента: US20030205769A1. Автор: Hirotomo Miura. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Structure and Method for Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Devices With Improved Channel Configurations

Номер патента: US20220336460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09773809B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09443869B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190393312A1. Автор: Koji Nakayama,Koichi Murata,Takeshi Tawara,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of manufacturing channel all-around semiconductor device

Номер патента: US11715765B2. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of manufacturing a substrate having a crystallized layer and a laser crystallizing apparatus for the same

Номер патента: US20170186610A1. Автор: Sanghoon Ahn,Byoungho Cheong,Hyunjin Cho,Byoungkwon Choo,Joowoan CHO,Jeongkyun NA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210083114A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220140142A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11682729B2. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US11830878B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US20230395601A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US20160379994A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20040046228A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20030030069A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: FabTech Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Depletion mode semiconductor device with trench gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US8680609B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-03-25.

Depletion mode trench semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120139037A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-07.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-planar semiconductor device having omega-fin with doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: MY188387A. Автор: Chia-Hong Jan,Weimin Han,Joodong Park,Gopinath Bhimarasetti,Walid M Hafez,Raymond E Cotner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor Devices Including Polar Insulation Layer Capped by Non-Polar Insulation Layer

Номер патента: US20150318358A1. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Tamara F. Isaacs-Smith,Yogesh K. Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: WO2022055632A3. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2022-07-07.

Methods of fabricating high voltage semiconductor devices having improved electric field suppression

Номер патента: US20200194388A1. Автор: Christopher James Kapusta,Stephen Daley Arthur,David Richard Esler,Liangchun YU,Nancy Cecelia Stoffel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180330948A1. Автор: JANG Daehyun,KWON Yong-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

METHODS OF FABRICATING HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190378721A1. Автор: Park Soon Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method of fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR0150105B1. Автор: 황준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of forming openings in a material layer

Номер патента: US09911611B2. Автор: Ru-Gun Liu,Yung-Sung Yen,Chieh Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of Forming Openings in a Material Layer

Номер патента: US20170271160A1. Автор: Ru-Gun Liu,Yung-Sung Yen,Chieh Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory storage medium, and information processing apparatus

Номер патента: US12130562B2. Автор: Atsushi Shigenobu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: US20220216296A1. Автор: Youngbin LEE,Gabjin Nam,Cheoljin Cho,Jaehyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: US11990503B2. Автор: Youngbin LEE,Gabjin Nam,Cheoljin Cho,Jaehyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Rinse and method of use thereof for removing edge protection layers and residual metal hardmask components

Номер патента: US12099305B2. Автор: JoonYeon Cho,M. Dalil Rahman,Salem Mullen. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer

Номер патента: US5438952A. Автор: Nobuyuki Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US10446495B2. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of forming an ultra-low-k dielectric layer and dielectric layers formed thereby

Номер патента: US20190043809A1. Автор: Jongmin Baek,Jiyoung Kim,Sanghoon Ahn,Kyu-hee Han,Taejin Yim,Hyeoksang Oh,Yoonhee KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Chemical mechanical polishing system and method for planarizing substrates in fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040092112A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Shao-Chung Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09646923B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-Jen Tseng,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of detecting focus shift in lithography process, method of analyzing error of transferred pattern using the same and method of manufacturing semiconductor device using the methods

Номер патента: US09570364B2. Автор: Suk-joo Lee,Yong-Jin Chun,Byoung-IL Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods, and Integrated Circuitry

Номер патента: US20240087948A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of producing epitaxial substrate for solid-state imaging device, and method of producing solid-state imaging device

Номер патента: US20100311199A1. Автор: Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Cleaning composition for removing residues on surface, method of cleaning metal-containing film by using the same, and method of manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230383218A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Jiwon Kim,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Hwang Suk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor wafer, method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20030102530A1. Автор: Masahiro Inohara,Takeo Nakayama,Masahiko Matsumoto,Kunihiro Kasai,Hisato Oyamatsu,Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: US20100007025A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices and Optical Proximity Correction

Номер патента: US20120228743A1. Автор: Wai-Kin Li,O Seo Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated using the same

Номер патента: US20140106569A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Seongsoo Lee,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of accurately doping a semiconductor material layer

Номер патента: US3616527A. Автор: John L Janning. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating an rf semiconductor device with an enclosed cavity

Номер патента: EP4290562A1. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Process of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US4612083A. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Thin film apparatus, a manufacturing method of the thin film apparatus, an active matrix substrate, a manufacturing method of the active matrix substrate, and an electro-optical apparatus having the active matrix substrate

Номер патента: US20050156244A1. Автор: Yoshikazu Akiyama. Владелец: Yoshikazu Akiyama. Дата публикации: 2005-07-21.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11803683B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230376666A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Radiation tolerant dummy gate-assisted n-mosfet, and method and apparatus for modeling channel of semiconductor device

Номер патента: US20150001596A1. Автор: Min-Su Lee,Hee-Chul Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-01-01.

Low cost method of fabricating epitaxial semiconductor devices

Номер патента: US5360509A. Автор: Joseph Y. Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,John Latza,Lawrence Laterza. Владелец: GI Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Mask pattern for semiconductor device fabrication, method of forming the same, and method of fabricating finely patterned semiconductor device

Номер патента: CN1684229A. Автор: 畑光宏,禹相均,金贤友,夏政焕,尹辰永,苏布拉马尼安·科拉克·马亚. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Thermal interface material layer protection structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240274503A1. Автор: Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating small-area semiconductor devices

Номер патента: US3575732A. Автор: Arthur Uhlir Jr. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1971-04-20.

Method of fabricating multi-substrate semiconductor devices

Номер патента: US09865581B2. Автор: Seok-Ho Kim,Tae-Yeong Kim,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Jum-Yong Park,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An,Yi-koan Hong,Joo-Hee Jang,Hyo-Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: US5326717A. Автор: Osamu Oda,Toyoaki Imaizumi,Hironobu Sawatari. Владелец: Nikko Kyodo Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and method for electrically testing the integrated circuit

Номер патента: US20220384371A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of fabricating resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US6653218B2. Автор: Yasushi Shiraishi,Harufumi Kobayashi,Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a more highly-oriented silicon layer and substrate having the same

Номер патента: US20060292313A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Kyung-bae Park,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Xiaoxin Zhang,Hyuck Lim,Suk-pil Kim,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Packaged semiconductor device and method of fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20170373016A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor processing methods of forming a contact opening to a conductive line and methods of forming substrate active area source/drain regions

Номер патента: US20020115248A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures

Номер патента: US20080026560A1. Автор: Glenn Rinne,Krishna Nair,William Batchelor. Владелец: Unitive International Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device, method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855070B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Insulating substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20140291814A1. Автор: Hiromasa Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and methods for electrically testing and protecting the integrated circuit

Номер патента: EP4199055A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Chip-on-lead semiconductor device, and corresponding method of manufacturing chip-on-lead semiconductor devices

Номер патента: US11887959B2. Автор: Michele DERAI,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-30.

Monolithic array of semiconductor devices, template wafer, method of manufacturing a template wafer, and method of manufacturing an array of semiconductor devices

Номер патента: WO2024062256A1. Автор: Tongtong ZHU. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240096865A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301104A1. Автор: Seung Min Lee,Jae Seok Kim,Bo yun KIM,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Systems and Methods for a Semicdonductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20170287773A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20180374742A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20200126845A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US11823953B2. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US20190363016A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor substrate processing methods

Номер патента: US20210375679A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of fabricating semiconductor device having epitaxial structure

Номер патента: US11735661B2. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210280717A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230352587A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and methods of making same

Номер патента: US20060091393A1. Автор: Stephen Burden. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display

Номер патента: US20150028331A1. Автор: Jin Jang,Tae-Woong Kim,Young-Gug Seol,Christophe Avis. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Mask Plate, Manufacturing Method of Patterned Film Layer and Manufacturing Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20210232043A1. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Ling Han,Xinyang TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same

Номер патента: WO2005065143A3. Автор: Stephen J Burden. Владелец: Isonics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Formation of stacked nanosheet semiconductor devices

Номер патента: US20190393091A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

ASYMMETRIC FINFET IN MEMORY DEVICE, METHOD OF FABRICATING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200273863A1. Автор: ZHU Rongfu,LIN Dingyou. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Structure and method to implement dual stressor layers with improved silicide control

Номер патента: SG139657A1. Автор: Yong Meng Lee,Eng Hua Lim,Haining S Yang,Victor W C Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-02-29.

Method of fabricating a CMOS semiconductor device

Номер патента: US5030582A. Автор: Takashi Uehara,Kiyoyuki Morita,Keiichi Kagawa,Akio Miyajima,Akihira Shinohara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-09.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09536895B2. Автор: Sung-Il Chang,Changhyun LEE,Byoungkeun Son,Chanjin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US20140097441A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: WO2014055277A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: EP2904642A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Isolated volume seals and method of forming an isolated volume within a processing chamber

Номер патента: US20240332046A1. Автор: Thomas Brezoczky,Kirankumar Neelasandra Savandaiah,Bhaskar PRASAD,Srinivasa Rao Yedla,Nitin Bharadwaj SATYAVOLU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Isolated volume seals and method of forming an isolated volume within a processing chamber

Номер патента: US11955355B2. Автор: Thomas Brezoczky,Kirankumar Neelasandra Savandaiah,Bhaskar PRASAD,Srinivasa Rao Yedla,Nitin Bharadwaj SATYAVOLU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Structure and method of non-rectangular cell in semiconductor device

Номер патента: US12039242B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of Fabricating Semiconductor Device and Method of Cleaning Processing Chamber in Semiconductor Device

Номер патента: US20170107616A1. Автор: Kim Eun-Sung,CHOI Chul-Hwan,SHIM Bo-young,KIM Chung-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Method of manufacturing laterally crystallized semiconductor layer and method of manufacturing thin film transistor using the same method

Номер патента: US20080067515A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim,Kyung-yeup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

반도체장치의 캐패시터의 제조방법(Method of fabricating capacitor of semiconductor device)

Номер патента: KR970024154A. Автор: 박동철,김봉현,오영선,황두현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of forming patterns using photoresists

Номер патента: US09772555B2. Автор: Hyun-Woo Kim,Sang-Min Park,Cha-Won Koh,Cheol-hong Park,Sang-Yoon Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor substarte, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: KR101220433B1. Автор: 시로 사카이. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2013-02-04.

Carrier structure for stacked-type semiconductor device, method of producing the same, and method of fabricating stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20060043600A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-02.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductordevice including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprissing multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: WO2007095972A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: US20090115031A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of fabricating capacitor of semiconductor device for improving physical property of capacitor bottom electrode

Номер патента: KR100445059B1. Автор: 김재환,이세종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: US7803719B2. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-28.

For forming the mixture of sacrificial material layer and the manufacturing method of semiconductor device in the manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN109971226A. Автор: 黑泽和则. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2019-07-05.

METHOD OF FABRICATING MULTI-SUBSTRATE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160141282A1. Автор: Park Byung-lyul,Kang Pil-kyu,Lee Kyu-Ha,PARK Jum-Yong,HONG Yi-Koan,An Jin-Ho,KIM Tae-yeong,Kim Hyo-Ju,KIM Seok-ho,JANG Joo-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Method of fabrication metal in semiconductor device

Номер патента: KR0137565B1. Автор: 김헌도. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-06-01.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: US20210036101A1. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: US11462610B2. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Methods of fabricating capacitor and semiconductor device and semiconductor devices and apparatus including the same

Номер патента: EP3772103A1. Автор: Jinwoo Bae,Yoonyoung CHOI,Seungjin Kim,Byunghyun Lee,Sangjae Park,Byeongjoo KU,Hangeol Lee,Bowo CHOI,Hyunsil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-03.

Methods of modifying the composition of material layers

Номер патента: US12113157B2. Автор: William Freeman,Hongjin Jiang. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20120108000A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Solid-state imaging device, method for driving the same, method for manufacturing the same, camera, and method for driving the same

Номер патента: US20070187726A1. Автор: Junichi Furukawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Methods of modifying the composition of material layers

Номер патента: US20230327059A1. Автор: William Freeman,Hongjin Jiang. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of generating photomask data, method of fabricating photomask, memory medium storing program for generating photomask data, method of manufacturing solid-state image sensor having microlens array and method of manufacturing microlens array

Номер патента: US20110165503A1. Автор: Shingo Kitamura,Masaki Kurihara,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Light source device and manufacturing method of light source device

Номер патента: US20230369546A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ming-Wei Tsai,Yu-Min Chen,Chung-Jen Ou. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Structures and methods for improving solder bump connections in semiconductor devices

Номер патента: US20100167522A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Timothty D. SULLIVAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Inspection system and methods of fabricating and inspecting semiconductor device using the same

Номер патента: US20150355108A1. Автор: Bong Seok Kim,Kyung Hoon Lee,Woo-Young Choi,Jang Ik PARK,Jung Hoon BYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Redistribution layers with carbon-based conductive elements, methods of fabrication and related semiconductor device packages and systems

Номер патента: US20200211967A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Signal processing apparatus, photoelectric conversion apparatus, image capturing system, and control method of signal processing apparatus

Номер патента: US12028630B2. Автор: Keisuke Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Microstructure array and method of manufacturing the same and micro-light-emitting diode and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20220376217A1. Автор: Dohoon Kim,JaeMin MYOUNG,HeeJu AN. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Printed circuit boards having blind vias, method of testing electric current flowing through blind via thereof and method of manufacturing semiconductor packages including the same

Номер патента: US09502378B1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Yong Lee,Hyung Ju CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing mask assembly using electroforming and laser processes and method of manufacturing display apparatus using mask assembly

Номер патента: US09972810B2. Автор: Kyuhwan Hwang,Youngmin Moon,Minho Moon,Sungsoon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device

Номер патента: US20090126790A1. Автор: Hironobu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Printed circuit boards having blind vias, method of testing electric current flowing through blind via thereof and method of manufacturing semiconductor packages including the same

Номер патента: US20160351534A1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Yong Lee,Hyung Ju CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A2. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of evaluating quality of wafer or single crystal ingot and method of controlling quality of single crystal ingot by using the same

Номер патента: WO2013005975A3. Автор: Se-Hun Kim,Young-Ho Hong,Yun-Seon Jang,Yo-Han Jung. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of forming transparent, conductive film, method of compensating defective region of semiconductor layer, photovoltaic element, and method of producing photovoltaic element

Номер патента: US20020144726A1. Автор: Yasuyoshi Takai,Toshihiro Yamashita,Hiroshi Izawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

System for supplying ultrapure water and method of washing substrate, and system for producing ultrapure water and method of producing ultrapure water

Номер патента: US5589005A. Автор: Tadahiro Ohmi. Владелец: Ohmi; Tadahiro. Дата публикации: 1996-12-31.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-dimensional mounting semiconductor device and method of manufacturing three-dimensional mounting semiconductor device

Номер патента: US20140027895A1. Автор: Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of forming transparent, conductive film, method of compensating defective region of semiconductor layer, photovoltaic element, and method of producing photovoltaic element

Номер патента: EP1229595A3. Автор: Yasuyoshi Takai,Toshihiro Yamashita,Hiroshi Izawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-06-27.

Microstructures array and method of manufacturing the same and micro light emitting diode and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20210159415A1. Автор: Yun Cheol Kim,Do Hoon Kim,Jae-min MYOUNG,Hee Ju AN. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same

Номер патента: US20210181636A1. Автор: Takashi Sekito,Hiroshi Yanagita,Shigemasa NAKASUGI,Yusuke Hama,Yuriko Matsuura. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SHOWER HEAD AND EDGE RING AND RELATED METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220301827A1. Автор: KIM Younghoo,Kang Sunggil,LEE Woorim,KIM Inseong,KIM Gonjun. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of fabricating and contacting ultra-small semiconductor devices

Номер патента: US5956568A. Автор: Sung P. Pack,Kumar Shiralagi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: TW200644215A. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam-Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-16.

CSP semiconductor device, semiconductor circuitry, and method of fabricating the CSP semiconductor device

Номер патента: DE102005004160B4. Автор: Gerhard Lohninger,Ulrich Dr. Krumbein. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of forming thin film transistor electrode using self-differentiation and method of fabricating thin film transistor using the same

Номер патента: KR101094930B1. Автор: 이승현,신동윤. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2011-12-15.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods of manufacturing semiconductor package and package-on-package

Номер патента: US20210242190A1. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Sangsoo Kim,Yongkwan LEE,Junyoung Oh,Kyonghwan Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device having a plurality of stacked transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US20110014754A1. Автор: Chang-Min Hong,Soon-Moon Jung,Han-Byung Park,Hoon Lim,Jae-Joo Shim,Byoung-Keun Son,Cha-Dong Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor structure containing reentrant shaped bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20210296284A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with lower contact and lower power structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312914A1. Автор: Dong Kwon Kim,Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional stacking semiconductor assemblies and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020251751A1. Автор: Mark E. Tuttle,Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with multi-layer interconnection

Номер патента: US6555887B1. Автор: Masayoshi Shirahata,Takeshi Kitani,Takeru Matsuoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Stacked Integrated Chips and Methods of Fabrication Thereof

Номер патента: US20130320531A1. Автор: Ming-Fa Chen,Jao Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor devices, and three-dimensional semiconductor devices thereof

Номер патента: US20160204123A1. Автор: Chen Kuang-Chao,Hong Shih-Ping,Yang Ta-Hone,Lian Nan-Tsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170373016A1. Автор: Tsai Po-Hao,Lin Jing-Cheng,CHENG Li-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of fabricating copper-based semiconductor devices using a sacrificial dielectric layer

Номер патента: US6355555B1. Автор: Stephen Keetai Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-03-12.

Method of fabricating copper-based semiconductor devices using a sacrificial dielectric layer

Номер патента: US20020155694A1. Автор: Stephen Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of fabricating wire of semiconductor device

Номер патента: KR0157876B1. Автор: 김동원,이원준,라사균,박종욱,천성순,이영종. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming III-V group material layer, semiconductor device comprising III-V group material layer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101867999B1. Автор: 조영진,이상문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-18.

P-type semiconductor devices

Номер патента: WO2010119244A1. Автор: David John Wallis. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2010-10-21.

P-type semiconductor devices

Номер патента: US20120025170A1. Автор: David John Wallis. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Multicomponent-alloy material layer, method of manufacturing the same and capacitor structure of semiconductor device

Номер патента: US20230343848A1. Автор: Chuan-Feng Shih,Hsuan-Ta Wu,Cheng-Hsien YEH,Bernard Hao-Chih Liu,Wen-Dung Hsu,Chung-Hung Hung. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of fabricating a vertical semiconductor device

Номер патента: US11778825B2. Автор: Taehun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20120176835A1. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: TW201243300A. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device contacts

Номер патента: US20120045868A1. Автор: Fabrice Dierre,Mohamed Ayoub. Владелец: Durham Scientific Crystals Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device contacts

Номер патента: WO2010133869A1. Автор: Mohamed Ayoub,Fabrice Diere. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2010-11-25.

Magnetic composite particle for decontamination, method of its fabrication, system for radioactive substance family decontamination and method for radioactive substance family decontamination

Номер патента: RU2602272C2. Автор: Йосихиса НАМИКИ. Владелец: Дзе Дзикеи Юниверсити. Дата публикации: 2016-11-20.

Negative Electrode, Method of Preparing Negative Electrode, Secondary Battery Including Negative Electrode, and Method of Manufacturing Secondary Battery

Номер патента: US20240356035A1. Автор: Hanyoung LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

A method of passivating surface effects in metal oxide layers and devices comprising thereof

Номер патента: US20240224553A1. Автор: Morten Madsen,Mehrad AHMADPOUR. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2024-07-04.

Dielectric paste composition, method of forming transparent dielectric layer, transparent dielectric layer, and device including the transparent dielectric layer

Номер патента: US20120167799A1. Автор: Min-Jong Bae,Tae-Won Jeong,Shang-hyeun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Hydrophobic catalyst layer for fuel cell with solid polymer electrolyte, method of its preparation, fuel cell with solid polymer electrolyte and method of its preparation

Номер патента: RU2360330C1. Автор: Казухиро ЯМАДА,Казуя МИЯЗАКИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of producing an electrode for a lithium secondary battery, and method of producing a lithium secondary battery

Номер патента: US20120079712A1. Автор: Toshikazu Yoshida,Shigeki Matsuta,Tetsuyuki Murata,Kazunori Donoue,Denis Yau Wai Yu,Tetsuo Kadohata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Polarizing property electrode for electrical double layer capacitor and manufacturing method of polarizing property electrode for electrical double layer capacitor, and manufacturing method of electrode sheet for electrical double layer capacitor

Номер патента: US20040179329A1. Автор: Kenji Sato,Kenichi Murakami,Manabu Iwaida,Shigeki Oyama,Kouki Ozaki,Masanori Tsutsui. Владелец: Daido Metal Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Slurry for nonaqueous secondary battery and method of manufacturing same, battery member for nonaqueous secondary battery and method of manufacturing same, and nonaqueous secondary battery

Номер патента: EP3828958A1. Автор: Masanobu Sato,Hiroshi Koga,Masuhiro Onishi. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Method of manufacturing laminate for battery, apparatus for manufacturing laminate for battery, method of manufacturing member for battery, and apparatus for manufacturing member for battery

Номер патента: WO2023175544A1. Автор: Naoto Abe,Takuya Yamazaki,Naoki Sugihara,Daisuke NOSE,Manabu Arita,Hiromichi KURIYAMA,Nozomi Terai,Keigo TAKAUJI,Miku OHKIMOTO,Sayaka Kai. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2023-09-21.

Positive electrode for non-aqueous electrolyte battery and method of manufacturing the same, and non-aqueous electrolyte battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120040086A1. Автор: Naoki Imachi,Nobuhiro Sakitani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Carbon film and method of producing same, and fibrous carbon nanostructure dispersion liquid and method of producing same

Номер патента: US20180127273A1. Автор: Tsutomu Nagamune,Mitsugu Uejima,Tomoko YAMAGISHI. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Structure including a thin-film layer and flash-sintering method of forming same

Номер патента: US20200087211A1. Автор: Rishi Raj,Niriaina Andriamady,Thomas Clemenceau,Shikhar Jha. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2020-03-19.

A method of passivating surface effects in metal oxide layers and devices comprising thereof

Номер патента: EP4334487A1. Автор: Morten Madsen,Mehrad AHMADPOUR. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2024-03-13.

High-density polyethylene compositions, method of making the same, injection molded articles made therefrom, and method of making such articles

Номер патента: CA2656845C. Автор: Stephanie M. Whited,William J. Michie, Jr.,Dale M. Elley-Bristow,Nathan J. Wiker. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2015-09-22.

Method of inspecting electric power accumulation device for short-circuit and method of manufacturing electric power accumulation device

Номер патента: RU2693857C1. Автор: Киваму КОБАЯСИ,Такеси ГОТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-07-05.

Method of manufacturing electrical steel sheet with adhesive insulating coating and method of manufacturing stacked electrical steel sheet

Номер патента: US11186076B2. Автор: Chiyoko Tada,Naoki Muramatsu,Nobuko Nakagawa. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2021-11-30.

Method of manufacturing cathode composite for all-solid-state battery and method of manufacturing all-solid-state battery comprising same

Номер патента: US20200403227A1. Автор: HONG Seok Min,Yun Sung Kim,Yong Jun Jang,In Woo Song,Ju Yeong Seong. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Solid electrolyte composition, sheet for all-solid state secondary battery, electrode sheet for all-solid state secondary battery, all-solid state secondary battery, method of manufacturing sheet for all-solid state secondary battery, and method of manufacturing all-solid state secondary battery

Номер патента: US20200235425A1. Автор: Hiroaki Mochizuki,Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing cathode composite for all-solid-state battery and method of manufacturing all-solid-state battery comprising same

Номер патента: US11264609B2. Автор: HONG Seok Min,Yun Sung Kim,Yong Jun Jang,In Woo Song,Ju Yeong Seong. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Method of manufacturing anode material for lithium-ion secondary battery, and method of manufacturing lithium-ion secondary battery

Номер патента: US20230246162A1. Автор: Takashi Kubota,Takashi Sakamoto,Yoshiyuki Matsumoto,Yoshinori Uchiyama. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Manufacturing method of negative electrode plate for non-aqueous secondary battery and manufacturing method of non-aqueous secondary battery

Номер патента: US20120311852A1. Автор: Takahiro Tsubouchi,Tomohiko Ishida,Yusuke Onoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Solid electrolyte composition, sheet for all-solid state secondary battery, electrode sheet for all-solid state secondary battery, all-solid state secondary battery, method of manufacturing sheet for all-solid state secondary battery, and method of manufacturing all-solid state secondary battery

Номер патента: US20200243904A1. Автор: Hiroaki Mochizuki,Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of manufacturing hexagonal ferrite magnetic powder, magnetic recording medium and method of manufacturing the same

Номер патента: US8840802B2. Автор: Hiroyuki Suzuki,Masahiko Mori. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Solid electrolyte composition, sheet for all-solid state secondary battery, electrode sheet for all-solid state secondary battery, all-solid state secondary battery, method of manufacturing sheet for all-solid state secondary battery, and method of manufacturing all-solid state secondary battery

Номер патента: US20210234193A1. Автор: Koji Yasuda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods of forming a phase-change material layer including tellurium and methods of manufacturing a phase-change memory device using the same

Номер патента: TW200849685A. Автор: Do-Hyung Kim,Shin-Jae Kang,Hyun-Seok Lim,In-sun Park,Gyu-Hwan OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Led package structure and method of manufacturing the same, and led display

Номер патента: US20220005984A1. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Skiileux Electricity Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

LED package structure and method of manufacturing the same, and LED display

Номер патента: US12132153B2. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Skiileux Electricity Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of fabricating semiconductor devices having alloyed junctions

Номер патента: US3671339A. Автор: Hideo Tateno,Kuniharu Nemoto. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1972-06-20.

Method of forming chalcogenide-based thin film using atomic layer deposition process, method of forming phase change material layer and switching device, and method of fabricating memory device using the same

Номер патента: US20210359205A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-11-18.

Color filtering distributed bragg reflector for micro-light emitting diodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024155513A1. Автор: Peng Feng,XIANG Yu,Ye Tian,Nicolas Poyiatzis,Jack Haggar. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09929183B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Photodiode and method of manufacturing the same, and X-ray detector and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570645B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Display panel with pixel defining layer and manufacturing method of pixel defining layer

Номер патента: US09466650B2. Автор: Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: US20240107758A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device containing memory opening monitoring area and methods of making the same

Номер патента: WO2024072502A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Miyamoto,Keisuke Shigemura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: EP3916348A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Method of calculating thickness of graphene layer and method of measuring content of silicon carbide by using xps

Номер патента: US20240151522A1. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO,Eunkyu Lee,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of Forming a Metal Line and Method of Manufacturing a Display Substrate by Using the Same

Номер патента: US20070249097A1. Автор: Sang-Gab Kim,Jang-Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Color conversion layer and manufacturing method

Номер патента: US20220113625A1. Автор: Yongwei Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Light emitting device having transparent electrode and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09825201B2. Автор: Tae Geun Kim,Hee-Dong Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, method of testing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200144138A1. Автор: Seung-Duk Baek,Ae-nee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Ferroelectric memory, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US20040152213A1. Автор: Eiji Natori,Tatsuo Sawasaki,Tomokazu Kobayashi,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Substrate with lithium imide layer, LED with lithium imide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09972746B2. Автор: Po-Yuan CHIU,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,Jun-Wei Peng. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US7691756B2. Автор: Janos Farkas,Cindy Goldberg,Srdjan Kordic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereor, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20100139526A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Cindy Golberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: CN101287777A. Автор: 亚诺什·法尔卡斯,斯尔詹·科尔迪克,辛迪·戈德堡. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-10-15.

Cleaning method of heat mode type recording material layer, bumpy product manufacturing method, light emitting device manufacturing method, and optical device manufacturing method

Номер патента: TW200929207A. Автор: Yoshihisa Usami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

DISPLAY PANEL, DISPLAY APPARATUS, METHOD OF DETECTING CRACK IN SEALANT LAYER OF DISPLAY PANEL, AND METHOD OF FABRICATING DISPLAY PANEL

Номер патента: US20210175463A1. Автор: LIANG Yinan,JIANG Zhiliang,ZHOU Zhenli. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Reference mask having at least a reference pattern for creating a defect recognition level, method of fabricating the same, method of creating a defect recognition level using the same and method of inspecting defects using the same

Номер патента: KR100583950B1. Автор: 박진형,조원일,신인균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Method of forming photonics structures

Номер патента: US11886019B2. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

METHODS OF FABRICATING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210036101A1. Автор: Kim Seungjin,Bae Jinwoo,CHOI Yoonyoung,PARK SangJae,Lee Byunghyun,CHOI Bowo,KU BYEONGJOO,LEE HANGEOL,HONG HYUNSIL. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150064867A1. Автор: JEONG Kil-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150187791A1. Автор: SON Byoungkeun,LEE Changhyun,Park ChanJin,Chang Sung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

REDISTRIBUTION LAYERS WITH CARBON-BASED CONDUCTIVE ELEMENTS, METHODS OF FABRICATION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES AND SYSTEMS

Номер патента: US20200211967A1. Автор: Nakano Eiichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

METHOD OF GROWING N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR, LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150311382A1. Автор: Kim Kyung Hae,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Inspection system and methods of fabricating and inspecting semiconductor device using the same

Номер патента: US20150355108A1. Автор: Bong Seok Kim,Kyung Hoon Lee,Woo-Young Choi,Jang Ik PARK,Jung Hoon BYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100431744B1. Автор: 조광준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

Filamentary positive electrode for solid battery, solid battery, manufacturing method of filamentary positive electrode for solid battery and manufacturing method of solid battery

Номер патента: US20190386316A1. Автор: Toshio Tokune,Pu Qian,Mitsumoto KAWAI. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Filamentary positive electrode for solid battery, solid battery, manufacturing method of filamentary positive electrode for solid battery and manufacturing method of solid battery

Номер патента: US11205781B2. Автор: Toshio Tokune,Pu Qian,Mitsumoto KAWAI. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Silver-coated stainless steel strip for movable contacts and method of producing the same

Номер патента: US20060188744A1. Автор: Satoshi Suzuki,Kuniteru Mihara,Naofumi Tokuhara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Methods of orienting magnetic flakes within a binder layer and a security article

Номер патента: EP4063141A1. Автор: Matthew R Witzman. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2022-09-28.

Dielectric paste composition, method of forming dielectric layer, dielectric layer, and device including the dielectric layer

Номер патента: US20110251319A1. Автор: Jin-Young Kim,Min-Jong Bae,Tae-Won Jeong,Shang-hyeun Park,Sun-jin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Non-aqueous electrolyte secondary battery, method of evaluating negative electrode composite material layer, and method of producing non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US20200028160A1. Автор: Kaoru Inoue,Akihiro Taniguchi,Ryosuke OHSAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Non-aqueous electrolyte secondary battery, method of evaluating negative electrode composite material layer, and method of producing non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: KR102239060B1. Автор: 가오루 이노우에,아키히로 다니구치,료스케 오사와. Владелец: 도요타지도샤가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-04-12.

Electrode including active material layer having double-layered structure, method of manufacturing the same, and secondary battery including the same

Номер патента: CN116235318A. Автор: 崔相勋,李泽秀,全信煜,曹炯锡. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Information processing apparatus for managing setting values of client device, method of controlling the same, and storage medium

Номер патента: US09912827B2. Автор: Hidetaka Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Information processing system, information processing apparatus, information processing method, information processing program, imaging apparatus, method of controlling imaging apparatus, and control program

Номер патента: US20230421715A1. Автор: Takashi Tsuchiya,Tetsuo Kaneko. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Ink jet head, method of forming image by the ink jet head, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the peizoelectric generating element

Номер патента: US20130038666A1. Автор: Hideaki Adachi,Yoshiaki Tanaka,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Image processing apparatus that prints information indicated by link destination information, method of controlling same, and storage medium

Номер патента: US12026565B2. Автор: Tateki Narita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Piezoelectric film and method of manufacturing the same, ink jet head, method of forming image by the ink jet head, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20120280599A1. Автор: Hideaki Adachi,Yoshiaki Tanaka,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Piezoelectric film and method of manufacturing the same, ink jet head, method of forming image by the ink jet head, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20130298674A1. Автор: Hideaki Adachi,Yoshiaki Tanaka,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Information processing apparatus capable of reducing erroneous operation of wireless communication, method of controlling same, and storage medium

Номер патента: US20230388902A1. Автор: Mizuki Wakabayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of protecting electronic equipment from radioactive radiations and device for realizing method of protecting electronic devices from radioactive radiations

Номер патента: RU2733645C1. Автор: Владимир Александрович Елин. Владелец: Акционерное общество "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2020-10-06.

Device of video coding, method of video coding, program of video coding, device of video coding, method of video coding and program of video coding

Номер патента: RU2391794C2. Автор: Йосинори СУЗУКИ,Чоонг Сенг БООН,Мицуру КОБАЯСИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2010-06-10.

Sintered compact of magnesium fluoride, method of making sintered compact of magnesium fluoride, neutron moderator and method of producing neutron moderator

Номер патента: RU2686785C1. Автор: Хидака ФУРУЯ,Масару НАКАМУРА,Кацуто САНАДА,Ёсинори СУГАВАРА,Хидэаки УСУИ,Синити ТАКЭИ. Владелец: Кэнсер Интеллидженс Кэар Системз, Инк.. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of converting data streams with possibility of random access and corresponding method of its decording

Номер патента: RU2331914C2. Автор: Хайву ЧЖАО,Йонг ЧЭН,Гуожонг ВАНГ,Юн ХЕ. Владелец: Сентрал Рисерч Акэдеми Оф Сва Груп. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of identifying precoding matrix corresponding to wireless network channel and method of approximating wireless channel capacity in wireless network

Номер патента: RU2510920C2. Автор: Айелет ДОРОН,Ротем АВИВИ,Юваль ЛОМНИТЦ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2014-04-10.

Device and method of generating control signal for multichannel synthesiser and device and method for multichannel synthesis

Номер патента: RU2361288C2. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Хейко ПУРНХАГЕН,Кристофер КЕРЛИНГ,Йонас ЭНГДЕГАРД,Вернер ОМЕН,Саша ДИШ,Маттиас НОЙЗИНГЕР,Ерун БРЕБАРТ,Эрик СХЕЙЕРС. Владелец: Коудинг Текнолоджиз Аб. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of creating playback control file for recording medium, as well as method of playing back data using playback control file and device to this end

Номер патента: RU2358334C2. Автор: Канг Соо СЕО,Дзеа Йонг ЙОО,Биунг Дзин КИМ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2009-06-10.

Image processing apparatus that prints information indicated by link destination information, method of controlling same, and storage medium

Номер патента: US20240078399A1. Автор: Tateki Narita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

A method of configuring a network comprising a plurality of node devices, a method of transmitting a message in a network so configured and a lighting system so configured

Номер патента: EP4388727A1. Автор: LEI FENG,Changjie Wang,Jaya Valathur KARTHIK. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-06-26.

A method of performing mathematical operations in an electronic device, a method of generating pseudo-random numbers in an electronic device, and a method of encrypting and decrypting electronic data

Номер патента: EP1360767A2. Автор: Mette Vesterager Petersen,Hans Martin Boesgaard SØRENSEN. Владелец: Cryptico AS. Дата публикации: 2003-11-12.

Methods of linking data with a token associated with a user account, methods of supplying relevant content, and servers and computer software configured to perform the methods

Номер патента: EP4191945A1. Автор: Gareth Jones,Michail Piperakis,Jobin Joy,William Harmer. Владелец: Vodafone Group Services Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method of generating pilot pattern for adaptive channel estimation in ofdma systems, method of transmitting/receiving using the pilot pattern and apparatus thereof

Номер патента: CA2650462A1. Автор: Myung-Sun Song,Chang-Joo Kim,Sung-Hyun Hwang,Jung-Sun Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of generating pilot pattern for adaptive channel estimation in ofdma systems, method of transmitting/receiving using the pilot pattern and apparatus thereof

Номер патента: EP2011295A1. Автор: Myung-Sun Song,Chang-Joo Kim,Sung-Hyun Hwang,Jung-Sun Um. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-01-07.

A method of configuring a network comprising a plurality of node devices, a method of transmitting a message in a network so configured and a lighting system so configured

Номер патента: US20240348688A1. Автор: LEI FENG,Changjie Wang,Jaya Valathur KARTHIK. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of generating pilot pattern for adaptive channel estimation in OFDMA systems, method of transmitting/receiving using the pilot pattern and apparatus thereof

Номер патента: US09867166B2. Автор: Myung-Sun Song,Chang-Joo Kim,Sung-Hyun Hwang,Jung-Sun Um. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated Circuit, Memory Cell Arrangement, Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, Method of Operating a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, and Method of Manufacturing a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell

Номер патента: US20090251950A1. Автор: Ulrich Klostermann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Automated chlorinator, system including the same, methods of making and using the same, and software for implementing the method of using and controlling the chlorinator and system

Номер патента: US11739012B1. Автор: John C. Miller,Deborah L. Miller,Matthew Coney,Brandon Nimon,Armen Melidonian. Владелец: DEERPOINT GROUP Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of performing half-shutter function using optical object recognition and method of capturing image using the same

Номер патента: US20210173499A1. Автор: Seongwook SONG,Soongeun Jang,Moonkyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-10.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of operating sniffing-based status detection and notification system, and method of operating electronic device included therein

Номер патента: US20230345235A1. Автор: Sangho Lee,Wondeuk YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Information processing apparatus for facsimile transmission, method of controlling the same, and storage medium

Номер патента: US09986109B2. Автор: Yuki Kusakabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20130005112A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Source device and method of transmitting content

Номер патента: US09756385B1. Автор: Sung-Bo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Content delivery system, method of operating content delivery system, mobile object, method of operating mobile object, terminal device, method of operating terminal device, and program

Номер патента: EP4460009A1. Автор: Tetsugoro Ihara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Composite copper foil and method of fabricating the same

Номер патента: WO2020173574A1. Автор: Thomas DEVAHIF,Zainhia KAIDI,Adrien KERSTEN,Michel Streel. Владелец: Circuit Foil Luxembourg. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Three-dimensional NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041773B2. Автор: Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

METHOD OF MANUFACTURING MEMBER WITH SEALING MATERIAL LAYER, MEMBER WITH SEALING MATERIAL LAYER, AND MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20140268520A1. Автор: Takeda Satoshi,Murakami Ryota,Nagao Yohei. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2014-09-18.

Information processing apparatus, non-transitory computer readable medium storing information processing program, and information processing method

Номер патента: US20230412750A1. Автор: Tatsuya Sato,Teruyuki NARUSE. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-12-21.

Processing system, information processing apparatus, non-transitory computer-readable storage medium storing control program, and image processing apparatus

Номер патента: US20240251052A1. Автор: Yuto Minetani. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240331738A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Display panel, display apparatus, method of detecting crack in sealant layer of display panel, and method of fabricating display panel.

Номер патента: MX2018012455A. Автор: LIANG Yinan,JIANG Zhiliang,ZHOU Zhenli. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-30.

Display panel, display apparatus, method of detecting crack in sealant layer of display panel, and method of fabricating display panel

Номер патента: AU2017408796A1. Автор: Zhiliang Jiang,Yinan LIANG,Zhenli ZHOU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Image forming apparatus and information processing apparatus, capable of performing memory reception of facsimile data, methods of controlling image forming apparatus and information processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20240048660A1. Автор: Naoki Maruyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Image forming apparatus and information processing apparatus, capable of performing memory reception of facsimile data, methods of controlling image forming apparatus and information processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US12034893B2. Автор: Naoki Maruyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method of compressing streaming interactive video

Номер патента: RU2487407C2. Автор: Стефен Г. ПЕРЛМАН,ДЕР ЛАН Роджер ВАН. Владелец: Ол2, Инк.. Дата публикации: 2013-07-10.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of deriving etching correction values for petterns of photomask and method of fabricating photomask

Номер патента: US20080124632A1. Автор: Chao-Lung Lo,Sunwook Jung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Multilayered capsule with controllable arrangement of layers and industrial systems and processes of fabricating the same

Номер патента: EP4442358A2. Автор: Amichai Krupik,Yael Goethe. Владелец: Capsule Minimal Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Multilayered capsule with controllable arrangement of layers and industrial systems and processes of fabricating the same

Номер патента: US20240307275A1. Автор: Amichai Krupik,Yael Goethe. Владелец: Capsule Minimal Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Information processing apparatus that can be comfortably used by specific user, method of controlling the information processing apparatus, program, and storage medium

Номер патента: WO2012108481A1. Автор: Yohei Shogaki. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-08-16.

Information processing apparatus capable of object movement processing great in zest, method of controlling information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US20220297008A1. Автор: Tatsuo Nomura,Kiyoshi Mizuki,Shigeru Miyamoto. Владелец: Nintendo Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Data processing apparatus capable of operating in power saving mode, control method of data processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US09477285B2. Автор: Minoru Fujisawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Electrolyte material of electro-driven device, method of material production, electro-driven device containing electrolyte material and method of device manufacture

Номер патента: RU2453883C2. Автор: Фабьенн ПИРУ,Паскаль ПЕТИ,Аннабелль АНДРО. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2012-06-20.

Device for products heat treatment, which contains one gas-sensing matrix, sampling device, method of products heat treatment by means of such device, and cleaning method of such device

Номер патента: RU2374562C2. Автор: Роланд ШТЕРЦЕЛЬ,Михаэль ГРАЙНЕР,Андреа ЮРГЕНС,Юдит ИМГРАМ,Юрген КЛАСМАЙЕР,Катрин ЛАУТЕРБАХ,Катрин ХИЛЬДЕНБРАНД,Бруно МААС,Эрвин ШУЛЛЕР. Владелец: Рациональ Аг. Дата публикации: 2009-11-27.

Information processing apparatus communicating with external device via network, and control method of the information processing apparatus

Номер патента: US09805537B2. Автор: Shiro Kunori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Information processing apparatus that controls display of display sections of contents, method of controlling the same, and storage medium

Номер патента: US09646564B2. Автор: Satoshi Watanabe,Koichi Tanabe,Satoshi Igeta,Akihiro HAMANA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of emulating a signal processing means using a neural network system, method of processing a signal, an emulated signal processing means and a signal processing unit

Номер патента: EP3786850A1. Автор: Julian Parker. Владелец: NATIVE INSTRUMENTS GMBH. Дата публикации: 2021-03-03.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of and material processing apparatus for optimising the focus of a fibre laser; method of measuring changes in the focus of a fibre laser

Номер патента: US20130188178A1. Автор: Steve Keen. Владелец: GSI Group Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of producing composite material having foamed resin layer and surface layer

Номер патента: EP1311378A2. Автор: Hisao c/o JSP CORPORATION YOKKAICHI PLANT Tezuka,Motoaki c/o JSP CORPORATION KANUMA PLANT Ueguri. Владелец: JSP Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Method of producing composite material having foamed resin layer and surface layer

Номер патента: AU2001280156A1. Автор: Hisao Tezuka,Motoaki Ueguri. Владелец: JSP Corp. Дата публикации: 2002-03-04.

Method of producing composite material having foamed resin layer and surface layer

Номер патента: WO2002016108A2. Автор: Hisao Tezuka,Motoaki Ueguri. Владелец: JSP CORPORATION. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of and material processing apparatus for optimising the focus of a fibre laser; method of measuring changes in the focus of a fibre laser

Номер патента: EP2605882A1. Автор: Stephen Keen. Владелец: GSI Group Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Blanket for a printing roll, method of manufacturing the same, patterning method using the same, and method of manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US7790349B2. Автор: Jin Wuk Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Blanket for a printing roll, method of manufacturing the same, patterning method using the same, and method of manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US20070238051A1. Автор: Jin Wuk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of preparation of mix for production of composite material and method of manufacture of articles from such composite material

Номер патента: RU2318778C2. Автор: Валериан Маркович Соболев,Иван Митрофанович Баранов,Александр Иванович Головченко,Евгений Михайлович Лунин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Элевит". Дата публикации: 2008-03-10.

Method of applying coating on steel sheet or steel strip and method of making press-hardened parts therefrom

Номер патента: RU2729674C1. Автор: Франк Бейер,Керстин КЁРНЕР,Марк ДЕБЕАУКС. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2020-08-11.

Mutant strain of bacterium bacillus thuringiensis subspecies tenebrionis dsm 5480 - producer of delta-endotoxin, method of delta-endotoxin-base preparation preparing, delta-endotoxin-containing pesticide composition, method of control of harmful agriculture insects, method of producing mutant strains of bacterium bacillus thuringiensis subspecies tenebrionis - producers of delta-endotoxin

Номер патента: RU2138950C1. Автор: Гуртлер Ханне,Шоусбо Петерсен Анетте. Владелец: Эбботт Лабораториз. Дата публикации: 1999-10-10.

METHOD OF OBTAINING HIGHLY PURIFIED ASIATICOSIDE COMPOSITION FROM Centella asiatica AND METHOD OF APPLICATION THEREOF

Номер патента: RU2565410C2. Автор: Вишвараман МОХАН,Бхаскаран СУНИЛ. Владелец: Индус Биотек Прайвит Лимитед. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of removing radioactive cesium, hydrophilic resin composition for removing radioactive cesium, method of removing radioactive iodine and radioactive cesium and hydrophilic resin composition for removing radioactive iodine and radioactive cesium

Номер патента: RU2597306C2. Автор: Казуюки ХАНАДА,Казуя КИМУРА,Кенити ТАКАХАСИ,Манабу УРУНО. Владелец: Укима Кемикалс Энд Колор Мфг. Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of removing radioactive cesium, hydrophilic resin composition for removing radioactive cesium, method of removing radioactive iodine and radioactive cesium and hydrophilic composition for removing radioactive iodine and radioactive cesium

Номер патента: RU2603201C1. Автор: Казуюки ХАНАДА,Казуя КИМУРА,Кенити ТАКАХАСИ,Манабу УРУНО,Кадзуаки МУТО. Владелец: Укима Кемикалс Энд Колор Мфг. Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-11-27.

Tool for friction welding with mixing, method of its fabrication, method of friction welding with mixing of two metal workpieces, and method of producing metal part

Номер патента: RU2417143C2. Автор: Роберт Ян МАЗИАРЗ. Владелец: Эебас ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-04-27.

Method of producing chlorine by catalytic oxidation of hydrogen chloride and method of producing isocyanates

Номер патента: RU2480402C2. Автор: Райнер БРУНС,Тим ЛОДДЕНКЕМПЕР,Михель ХААС. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2013-04-27.

Method of multi-electrode arc welding with flux, welded connection and method of obtaining welded connection

Номер патента: RU2674501C1. Автор: Сёхэй КОДЗУКИ,Наоя ХАЯКАВА,Кендзи ОЙ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of measuring shape and size of parts of human body, method of searching flat object of known shape and size on image, method of separating part of human body from background on image

Номер патента: RU2684436C1. Автор: Виктор Валерьевич Посметьев,Григорий Владимирович Чуйко,Андрей Анатольевич Ревков,Иван Сергеевич Щедрин,Егор Андреевич Ревков,Наталья Демьяновна Гришко,Дмитрий Михайлович Канин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фиттин". Дата публикации: 2019-04-09.

Method of preliminary treatment for saccharification of plant fiber material and method of saccharification

Номер патента: RU2486256C2. Автор: Синити ТАКЕСИМА,Такеси КИКУТИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of production of carbamide, the installation for the method realization (versions), method of the installation upgrade (versions)

Номер патента: RU2301798C2. Автор: Йозеф Хюберт Мессен. Владелец: ДСМ Ай Пи ЭССЕТС Б.В.. Дата публикации: 2007-06-27.

Retroreflective sheet component, film for making said component, method of making transparent film layer, stamping matrix for forming transparent film layer, method of making said matrix, article having retroreflective sheet component and method of making said article

Номер патента: RU2434254C2. Автор: Фен ВУ. Владелец: Эвери Деннисон Копэрейшн. Дата публикации: 2011-11-20.

Method of manufacturing waveguide microwave devices and elements on 3d printer by method of fused deposition modelling of thread composite abs plastic

Номер патента: RU2642791C1. Автор: Виктор Иванович Классен,Борис Аркадьевич Левитан,Илья Александрович Просвиркин,Владимир Павлович Зотеев. Владелец: Акционерное общество "Радиокомпания "Вектор". Дата публикации: 2018-01-26.

Electrolyzer, method of preparation of base solution and solution containing acid, and method of preparation of base solution and solution of pure acid

Номер патента: RU2107752C1. Автор: Траини Карло,Фаита Джузеппе. Владелец: Де Нора С.п.А.. Дата публикации: 1998-03-27.

Pharmaceutical composition no containing proteins and peptides, method of treatment of humans and animals suffering with endotoxemia and method of prophylaxis of disease

Номер патента: RU2174839C2. Автор: Дэниел М. Левин,Томас С. Паркер,Брюс Р. Гордон,Стюарт Д. Саал,Элберт Л. Рубин. Владелец: Сепсайкюр, Л.Л.К.. Дата публикации: 2001-10-20.

Method of control orders and batching of products including drinks and method of container application as indicative device

Номер патента: RU2563225C2. Автор: Артур Г. РУДИК,Х. Брок КОЛЛЗ,Нилтон Антонио Морейра МАТТОС,Цючэнь Питер ЧЖАН,Луис Дж. МАТТОС. Владелец: Дзе Кока-Кола Компани. Дата публикации: 2015-09-20.

Optical fiber for recording the bragg grating with laser with a wave length in the near and middle uv range, method of producing the protective fluoropolymer coating of optical fiber and method of applying the coating to quartz fiber

Номер патента: RU2650787C1. Автор: Игорь Касьянович Мешковский,Андрей Владимирович Куликов,Алексей Владимирович Токарев,Гордей Глебович Анчуткин,Сергей Владимирович Варжель. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-04-17.

Gel of apolar medium, method of its preparation, method of gelating apolar medium, method of preparing washing liquid, system-precursor of washing liquid and method of its preparation

Номер патента: RU2124046C1. Автор: Фруэн Лоран,Обер Даниель,Морван Микель,Винсен Мари-Мадлен. Владелец: Рон-Пуленк Шими. Дата публикации: 1998-12-27.

Method of synthesis of polyene alcohol derivative (variants), sulfone compound and method of its synthesis

Номер патента: RU2196133C2. Автор: Тоси ТАКАХАСИ,Тосия Такахаси,Ясунобу МИЯМОТО. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед. Дата публикации: 2003-01-10.

Method of controlling operation of nuclear fission reactor fuel assembly and method for controlled removal of volatile nuclear fission products

Номер патента: RU2530751C2. Автор: Родерик А. Хайд,Мюриэл У. ИШИКАВА,Дэвид Г. МАКАЛИС,Натан П. МИРВОЛЬД,Кларенс Т. ТИГРИН,Томас Алан УИВЕР,Чарльз Уитмер,Виктория Й. Х. ВУД,Джордж Б. Циммерман,Чарльз Е. АХЛФЕЛЬД,Джон Роджерс ДЖИЛЛЭНД,младший Лоуэлл Л. ВУД. Владелец: Сирит ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of producing roller with built-up by welding material and method of reconditioning worn-out roller by means of overlaying welding

Номер патента: RU2597474C2. Автор: Йоханн ПЕППЛЬ,Госинь ШАНЬ,Хайнрих ТЕНЕ,Франц ВИММЕР,Штефан ЛЕХНЕР,Маринко ЛЕКИЧ-НИНИЧ,Карл ТРНКА. Владелец: ПРАЙМЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of detection of mycobacterium resistance to rifampicin with their possible identification, method of hybridization, probe and composition for its realization, set of primers (variants)

Номер патента: RU2204608C2. Автор: Руди Россо,БЕНУВЕР Ханс ДЕ,Франсуаз ПОРТАЛ,Льев МАШТЕЛЕНК,Герт ЯННЕ. Владелец: Инноженетик Н.В.. Дата публикации: 2003-05-20.

Method of combined production of ammonia and carbamide, plant for method embodiment, method of modernization of ammonia and carbamide synthesis plants

Номер патента: RU2196767C2. Автор: Умберто Зарди,Джорджио Пагани. Владелец: Эреа Казали С.А.. Дата публикации: 2003-01-20.

Apparatus and method of electrophotographic printing employing diffusive light sources and apparatus and method of scanning a document

Номер патента: WO2007072210A2. Автор: Yosuke Mizuyama. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2007-06-28.

System and method of building a three-dimensional model of an object and methods of longitudinal study of the object

Номер патента: WO2024157262A1. Автор: Vardit Eckhouse,Saar WOLLACH,Iddo GOREN. Владелец: Cherry Imaging Ltd.. Дата публикации: 2024-08-02.

Method of extracting physical model parameter and storage medium therefor, and method of manufacturing non-linear element

Номер патента: US20020095273A1. Автор: Motoaki Tanizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US7081367B2. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2006-07-25.

Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element and manufacturing method of head gimbal assembly with the thin-film magnetic head

Номер патента: US20040266033A1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of estimating frictional resistance of ship bottom coating film, and a method of evaluating coating film performance using said method and a device for evaluating coating film performance

Номер патента: US20150081231A1. Автор: Hirohisa Mieno. Владелец: Chugoku Marine Paints Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of estimating solid solution amount of additive element in aluminum alloy, method of producing specimen, and strength evaluation method using the same

Номер патента: US20230109632A1. Автор: Akira Higuchi,Hikaru Takeuchi,Katsunori KUSUNOKI. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of determining a value of density of a heat absorbing agent, method of forming a three-dimensional object, apparatus for forming a three-dimensional object, computer readable recording medium storing a program for determining a value of density of a heat absorbing agent, and computer readable recording medium storing a program for forming a three-dimensional object

Номер патента: US09731494B2. Автор: Shuichi Yamasaki. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of modeling and monitoring leaching behavior of polycrystalline diamond and methods of leaching polycrystalline diamond

Номер патента: US09606091B2. Автор: Michael A. Vail,Julie Ann Kidd. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Stabilized composition, method of stabilization of organic material, benzofuran-2-one derivatives and method of preparation thereof

Номер патента: RU2135489C1. Автор: Несвадба Петер,Эванс Сэмюель. Владелец: Циба Спешиалти Кемикэлс Холдинг Инк.. Дата публикации: 1999-08-27.

Method of producing insulation article, mat from rude mineral cotton and method of its production

Номер патента: RU2448830C2. Автор: Пиа СУНДБЕРГ,Туомо ХЬЕЛЬТ. Владелец: ПАРОК ОЙ АБ. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of preparing alkalophilic bacillus strain with decreased extracellular alkaline protease level, method of preparing high-alkaline protease and mutant form of high-alkaline protease

Номер патента: RU2060276C1. Автор: Корнелис ван дер Лаан Йоханнес,Альбертус Горардус ван Экелен Кристиан. Владелец: Гист-Брокейдс Н.В.. Дата публикации: 1996-05-20.

Isolated dna molecule encoding glucagon receptor, dna-construction, cell line, method of preparing glucagon receptor, isolated glucagon receptor peptide, isolated antibody, probe, method of detection of glucagon antagonist presence

Номер патента: RU2184779C2. Автор: Пол О. ШЕППАРД,Фрэнсис Дж. ГРАНТ,Вэйн Р. КИНДСВОГЛ,Лаура Дж. ДЖЕЛИНЕК,Джозеф Л. КИДЖПЕР,Доналд С. ФОСТЕР,Си Лок,Патрик Дж. О'ХАРА. Владелец: Ново Нордиск А/С. Дата публикации: 2002-07-10.

Engine structural unit comprising base part and support, method of its installation, base part for engine structural unit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2607570C2. Автор: Вернер ФОГЕЛЬ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2017-01-10.

Source device, communication system, method of controlling source device, and method of controlling sink device

Номер патента: US20140205046A1. Автор: Makoto Imai,Keiji Morikawa,Satoshi Kametani,Kazumasa Nishimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of manufacturing substrates with feedthrough electrodes for inkjet heads and method of manufacturing inkjet heads

Номер патента: US7757395B2. Автор: Hideo Watanabe. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2010-07-20.

Methods of enrichment of caffeoylspermidine compounds, anti-aging properties thereof, and methods of inhibition of histone deacetylases

Номер патента: WO2024151725A1. Автор: Feng Li,LIANG Chen,LU Zhang,Bo Li,Jun Du,Xue ZHANG,Xiaona GAN,Binrui YANG,Zhesi ZHU. Владелец: ACCESS BUSINESS GROUP INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of preparing alumina catalyst, alumina catalyst prepared using same, and method of preparing propylene using alumina catalyst

Номер патента: US20220314197A1. Автор: Joo Young CHEON,Dae Heung Choi,Young Sub KEUM,Hyeon Bin KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of predicting-conditions indicative of hydrate formation within a fluid conduit, methods of monitoring fluid flow within a fluid conduit for hydrate formation, and hydrocarbon conveyance structures that perform the methods

Номер патента: WO2024151404A1. Автор: Douglas J. Turner. Владелец: ExxonMobil Technology and Engineering Company. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of managing data in storage device based on variable size mapping, method of operating storage device using the same and storage device performing the same

Номер патента: US20230315646A1. Автор: Sangyoon Oh,Jaeju Kim,Youngho Park,Hyungchul JANG,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Charging Dynamic-Pressure Bearing Device with Lubricating Fluid, and Method of Inspecting Dynamic-Pressure Bearing Device

Номер патента: US20050186101A1. Автор: Masaaki Uchiyama,Tatsuya Yoshida,Isao Misu. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Cultivation method of seedling from seed of wild ancient tea tree and method for preparing seedling tea

Номер патента: GB2609995A. Автор: Xu Yongbo,Liu Xiaobing,Gao Fan,Liu Jianxiang,Chen Anqiang,Lei Baokun,Mao Yanting,Guo Shufang,Guo Yunzhou,Ping Fengchao,Wu Xiyu,Li Sunning. Владелец: Agricultural Environmental Resources Res Institute Yunnan Academy Of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2023-02-22.

Surface treatment method of capillary for droplet formation and surface treated capillary, and production method of droplet for microextraction of chemical using thereof

Номер патента: WO2008030070A1. Автор: Ki Hwan CHOI,Du Soo Chung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of synthesizing novel fluorescent probe library of dansyl scaffold and method of imaging live cells by using the same

Номер патента: WO2015064939A1. Автор: Won Seok Han,Jun Seok Lee,Won Young Kim,Chang No YOON,Jin Kak LEE. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-07.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk and method of manufacturing a magnetic disk

Номер патента: SG188778A1. Автор: Yamaguchi Tomoyuki,IIIZUMI Kyosuke. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

Estimation method of fluorescent dye's concentration from multiple fluorescence and the estimation method of fluorescent intensity from multiple fluorescence

Номер патента: US20060200318A1. Автор: Ryutaro Himeno,Hideo Yokota,Taketoshi Mishima,So-ichiro Morishita. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2006-09-07.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Core material for sandwich panel, method of molding core material for sandwich panel, sandwich panel, and method of molding sandwich panel

Номер патента: US09981443B2. Автор: Takehiko Sumi,Tadatoshi Tanji. Владелец: Kyoraku Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of managing data in storage device based on variable size mapping, method of operating storage device using the same and storage device performing the same

Номер патента: US12141074B2. Автор: Sangyoon Oh,Jaeju Kim,Youngho Park,Hyungchul JANG,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of detecting air gap in gypsum-based building board and method of manufacturing gypsum-based building board

Номер патента: US09851318B2. Автор: Yasutoshi UENO,Shinji Yonezawa. Владелец: Yoshino Gypsum Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Arrangement for and a method of maintaining the alignment of an internal combustion engine, and a method of aligning an internal combustion engine and maintaining its alignment

Номер патента: US09777626B2. Автор: Jan Holmberg,Tomas SÖDÖ. Владелец: WÄRTSILÄ FINLAND OY. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of driving a display panel, display apparatus performing the same, method of determining a correction value applied to the same, and method of correcting grayscale data

Номер патента: US09761184B2. Автор: Hee-Joon Kim,Hoi-Sik Moon,Byoung-Seok YOO,Jeong-Woon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of screening for plant defense activators, plant defense activators, and method of enhancing immune response

Номер патента: US09739767B2. Автор: Kazuyuki Kuchitsu,Takamitsu Kurusu. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of displaying an image, display apparatus performing the same, method of calculating a correction value applied to the same and method of correcting grayscale data

Номер патента: US09721530B2. Автор: Woo-Jin Jung,Jung-Suk Han,Hoi-Sik Moon,Kang-Hyun Kim,Jong-Hee NA,Jae-Seob CHUNG,Jun-Il PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of preparation of an oxidized derivative of hyaluronic acid and a method of modification thereof

Номер патента: US09434791B2. Автор: Vladimír Velebný,Gloria Huerta-Angeles,Radovan Buffa,Sofiane Kettou,Drahomira Chladkova,Lucie POSPIŠILOVÁ. Владелец: Contipro Pharma AS. Дата публикации: 2016-09-06.

Embossing sheet from thermoplastic resin, engraved roll, method of engraved roll making, laminated glass interlayer layer and laminated glass

Номер патента: RU2690799C2. Автор: Кадзухико НАКАЯМА,Хироаки ИНУИ. Владелец: Секисуй Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-05.

Film from thermoplastic resin and method of its production, fused label, plastic container with label and method of its manufacturing

Номер патента: RU2688597C2. Автор: Юичи ИВАСЕ,Шунсуке ХОНДА,Такахико УЭДА. Владелец: Юпо Корпорейшн. Дата публикации: 2019-05-21.

Light source device and manufacturing method of light source device

Номер патента: US20180081107A1. Автор: Hiroshi Kitano,Shinichi Kitaoka,Sachiko AZUMA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Raw material discharge device, method of processing of electronic/electrical device component scrap, and method of raw material discharge for electronic/electrical device component scrap

Номер патента: US11993464B2. Автор: Katsushi Aoki. Владелец: JX Metals Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Light source device and manufacturing method of light source device

Номер патента: US10393936B2. Автор: Hiroshi Kitano,Shinichi Kitaoka,Sachiko AZUMA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Method of producing a gypsum slurry for forming gypsum products and method of manufacturing a gypsum product

Номер патента: CA3064306C. Автор: Tong Liu,Martin HALBACH. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-05-28.

Photorefractive dendron compound, photorefractive dendrimer compound, method of prereparing the same, photorefractive device using the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20090223627A1. Автор: Dong Hoon Choi,Kyung Moon JUNG,Min Ju CHO. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2009-09-10.

Mixing impeller, method of manufacturing a first subassembly of the mixing impeller and method of assembling the mixing impeller

Номер патента: US20170216789A1. Автор: Lars Boettcher,Mike Bates,Sharon D. West,Martin Oschwald,Jonathan E. Cutting. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2017-08-03.

Mixing impeller, method of manufacturing a first subassembly of the mixing impeller and method of assembling the mixing impeller

Номер патента: EP3331640A1. Автор: Lars BÖTTCHER,Mike Bates,Sharon D. West,Martin Oschwald,Jonathan E. Cutting. Владелец: Sartorius Stedim Lab Ltd. Дата публикации: 2018-06-13.

Mixing impeller, method of manufacturing a first subassembly of the mixing impeller and method of assembling the mixing impeller

Номер патента: US20180353917A1. Автор: Lars Boettcher,Mike Bates,Sharon D. West,Martin Oschwald,Jonathan E. Cutting. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2018-12-13.

A method of detecting an analyte in a sample and a biosensor, a method of producing the biosensor and an electrochemical sensor system comprising the biosensor

Номер патента: WO2024008260A1. Автор: Niels Taekker Foged,Eva Maria Nornes OLSEN,Mark Jonas HAASTRUP. Владелец: Solsten Diagnostics International Aps. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of producing a gypsum slurry for forming gypsum products and method of manufacturing a gypsum product

Номер патента: US12036561B2. Автор: Tong Liu,Martin HALBACH. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: EP1529246A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-05-11.

Methods of forming supporting substrates for cutting elements, and related cutting elements, methods of forming cutting elements, and earth-boring tools

Номер патента: CA3063097C. Автор: Marc W. Bird. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of producing iron powder for treating halogenated organic compound and method of cleaning contaminated soil or groundwater

Номер патента: US20140030431A1. Автор: Taishi Uehara. Владелец: Dowa Eco Systems Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Methods of refining a grain oil composition, and related compositions and methods of using

Номер патента: US12071598B2. Автор: Alex T. McCurdy,Steven T. Bly,Shannon S. Urban,Cory J. Sarks,Brett A. Flittie,Jacob A. Milbrandt. Владелец: Poet Research Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Methods of characterizing two-dimensional materials, devices comprising said materials and methods of making and use thereof

Номер патента: US20230341351A1. Автор: Nicole Moehring,Pavan Chaturvedi,Piran R. Kidambi. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of refining a grain oil composition, and related compositions and methods of using

Номер патента: US20240368497A1. Автор: Alex T. McCurdy,Steven T. Bly,Shannon S. Urban,Cory J. Sarks,Brett A. Flittie,Jacob A. Milbrandt. Владелец: Poet Research Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of producing iron powder for treating halogenated organic compound and method of cleaning contaminated soil or groundwater

Номер патента: US09567521B2. Автор: Taishi Uehara. Владелец: Dowa Eco Systems Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

β-ketoimine ligand, method of preparing the same, metal complex comprising the same and method of forming thin film using the same

Номер патента: US09359383B2. Автор: Jin-Seo Lee,Jung-Sik Choi,Haruyoshi Sato,Atsushi Sakurai,Youn-Joung Cho,Masako Shimizu,Senji Wada,Tomoharu Yoshino,Kyoo-chul Cho,Atsuya Yoshinaka,Junji Ueyama. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Antiadhesive insertion for application with pressure-sensitive glue, method of manufacturing thereof, lamellar material based on such insertion, and method of manufacturing lamellar material

Номер патента: RU2074820C1. Автор: Us],Gb],Nl],Джеймс Халм Адриан,Роберт Эткинсон Эрик,Луис Эмерсон Питер,Рудольф Потджер Берт,Весли Ньюинг Чарльз,Стюарт Дордик Роберт. Владелец: Авери Деннисон Корпорейшн. Дата публикации: 1997-03-10.

Method of decreasing a sheet resistance of a transparent conductor and a method of forming a multilayer transparent conductor

Номер патента: US11905591B2. Автор: Filip Granek,Aneta Wiatrowska,Mateusz ŁYSIEŃ,Anna Stańczak,Jolanta Gadzalińska. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of recovering decomposition product of thermosetting resin cured product and method of producing recycled material

Номер патента: US20180371203A1. Автор: Kazuhito Kobayashi,Kanako ISHIHARA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Frame with an outer silicone layer and a manufacturing method of forming the silicone layer on the outer part of frame

Номер патента: US11772310B2. Автор: Lei Cheng,Chin-Hsing Lee,Kuo-Chi Lee. Владелец: DRAGONSTATE Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Phantom model of teeth set, method of evaluating scanning precision of scanner using the same, and method of evaluating 3D printing precision using the same

Номер патента: US20230298484A1. Автор: June Beom PARK,Mi Young SHIM. Владелец: ODS Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Optical information recording medium, and method of producing same, method for detecting a bca signal, and method of controlling a recording beam

Номер патента: WO2006095541A1. Автор: Takeshi Kakuta. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2006-09-14.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Solid catalyst system precursor for polymerization of olefins, method of preparing thereof, catalyst system for polymerization of olefins and method of polymerization of olefins

Номер патента: RU2141972C1. Автор: Цандона Никола. Владелец: Солвей Полиолефинс Юроп-Бельгиум. Дата публикации: 1999-11-27.

Method of terminating polymerisation reaction by adding polyhydroxy compound, polymer and method for production thereof

Номер патента: RU2476445C2. Автор: Стивен ЛУО,Тимоти Л. ТАРТАМЕЛЛА,Марк У. СМЕЙЛ,Кевин М. МакКОЛИ,Чжун-Жэнь ЧЭНЬ. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2013-02-27.

Method of producing a composition for modifying 1,4-cis-polydiene, a method of producing modified 1,4-cis-polydiene

Номер патента: RU2688164C1. Автор: Татьяна Александровна Ярцева,Светлана Алексеевна Лагунова,Юлия Сергеевна Демидова. Владелец: Публичное акционерное общество "СИБУР Холдинг". Дата публикации: 2019-05-20.

Derivatives of amidinosulfone, method of their synthesis (variants), method of selective inhibition of no-synthase isozyme, pharmaceutical preparation and method of treatment

Номер патента: RU2162841C2. Автор: Хэролд Фрэнсис Ходсон,Ричард Майкл Джон Палмер,Дейвид Элан Сойер,Ричард Грэм Ноулз,Карл Витолд Френзменн,Мартин Джеймз Дрисдейл,Стивен СМИТ,Патриция Ифеинва Дэйвис,Хелен Элис Ребекка Кларк,Бэрри Джордж Ширер. Владелец: Де Вэллкам Фаундейшн Лимитед. Дата публикации: 2001-02-10.

Package, packaged product, method of releasing at least one substance into packing chamber and method of packing

Номер патента: RU2701578C2. Автор: Риккардо ПАЛУМБО,Алессандра СЕКЧИ,Дарио ДИСТЕФАНО,БИАНКА Серена ДЕЛЛА. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2019-09-30.

Method and product (versions) of processing suspension of plankton chlorella strains, algolised compound food, method of obtaining thereof, method of introducing product of processing into system of watering birds or pigs

Номер патента: RU2538399C2. Автор: Михаил Владиславович Куницын. Владелец: Михаил Владиславович Куницын. Дата публикации: 2015-01-10.

Stabilizer, barrier disc and wound bandage with stabilizer, method of adjusting position of wound bandage or barrier disc and method of stimulating outflow from wound bandage or barrier disc at negative pressure wound therapy

Номер патента: RU2608238C2. Автор: Малин МАЛЬМСЬЕ,Ричард ИНГЕМАНССОН,ИНГЕМАНССОН Сандра ЛИНДСТЕДТ,Ола РИКАРДССОН. Владелец: Шилдхарт Медтек АБ. Дата публикации: 2017-01-17.

Stabilizer, barrier disc and wound bandage with stabilizer, method of adjusting position of wound bandage or barrier disc and method of stimulating outflow from wound bandage or barrier disc at negative pressure wound therapy

Номер патента: RU2608238C9. Автор: Малин МАЛЬМСЬЕ,Ричард ИНГЕМАНССОН,ИНГЕМАНССОН Сандра ЛИНДСТЕДТ,Ола РИКАРДССОН. Владелец: Шилдхарт Медтек АБ. Дата публикации: 2017-04-17.

Computer-implemented method of processing information on objects, using combined calculations and methods of analyzing data

Номер патента: RU2722538C1. Автор: Виталий Джалолович Саттаров,Петр Николаевич Емельянов,Алексей Анатольевич Воронин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Убик". Дата публикации: 2020-06-01.

High-strength steel plate with excellent impact strength, and method of its manufacturing, and high-strength galvanised steel plate, and method of its manufacturing

Номер патента: RU2573154C2. Автор: Тисато ВАКАБАЯСИ,Хироюки КАВАТА,Наоки МАРУЯМА,Акинобу МУРАСАТО,Акинобу МИНАМИ,Хадзиме ХАСЕГАВА,Цуйоси ОКИ. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2016-01-20.

Hydroisomerisation catalyst, method of producing said catalyst, method for dewaxing hydrocarbon oil and method of producing lubricant base oil

Номер патента: RU2465959C2. Автор: Казуаки ХАЯСАКА. Владелец: ДжейЭкс НИППОН ОЙЛ ЭНД ЭНЕРДЖИ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-11-10.

Pyperidine derivatives and method of their obtaining, application, pharmaceutical composition based on them and method of treatment

Номер патента: RU2336276C2. Автор: ФАБИО Романо ДИ,Джузеппе АЛЬВАРО,Мари Эльвира ТРАНКЬЮЛЛИНИ,Мария Эльвира ТРАНКЬЮЛЛИНИ,Симоне СПАДА. Владелец: Глэксо Груп Лимитед. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of preparing silicoaluminophosphate (sapo) molecular sieves, catalysts, containing thereof, and methods of catalytic dehydration with application of said catalysts

Номер патента: RU2469792C2. Автор: Давид ЛИНКЕ,Кристина Феррини,Даниель ХЕРАЙН,Уве РОДЕМЕРК,Евгений КОНДРАТЕНКО. Владелец: Касале Кемикэлз С.А.. Дата публикации: 2012-12-20.

Isolated anti-cd30 antibody (versions); host cell, method of obtaining chimeric or humanised version of anti-cd30 antibodies (versions), method of inhibiting growth of cells cd30+ and method of inhibiting growth of tumour cells expressing cd30

Номер патента: RU2492186C2. Автор: Джозефин М. Кардарелли,Амелия Нэнси БЛЭК. Владелец: Медарекс Ллс. Дата публикации: 2013-09-10.

Composition of dynamic vulcanized thermoplastic elastomer based on nitrile-containing rubbers, method of its production, and also product on its basis and method of its production

Номер патента: RU2669836C1. Автор: Алексей Михайлович Волков,Ирина Геннадьевна Рыжикова,Юрий Михайлович Казаков. Владелец: Публичное акционерное общество "СИБУР Холдинг". Дата публикации: 2018-10-16.

Determination method of the cement kiln dust reactivity index, relevant compositions and methods of its use

Номер патента: RU2629028C2. Автор: Крэйг У. РОДДИ,Ронни Г. МОРГАН,Д. Чэд БРЕННАЙС. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of making ceramic tiles that do not require grouting and method of making floor coating

Номер патента: RU2606893C2. Автор: Марк Каппелль,Том ОЛФОРД,Дэвид ЭРЛ. Владелец: Моухок Карпет Корпорейшн. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of preparing catalyst for producing drilling mud component, catalyst and method of producing drilling mud component

Номер патента: RU2547653C1. Автор: Игорь Ашотович Арутюнов,Светлана Николаевна Потапова,Дмитрий Викторович Светиков,Александр Викторович Кулик,Олеся Леонидовна Иванисько. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of producing the product containing titanium dioxide, titanium dioxide-containing product, method of plastic product making

Номер патента: RU2118944C1. Автор: Стори Филипп,А.Грин Келли,Е.Халко Джон. Владелец: Керр-МакДЖИ Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 1998-09-20.

Method of combusting mercury-bearing fuel (versions), method of reducing mercury emission, method of combusting coal with reduced emission of harmful elements and method of decreasing mercury content in flue gas

Номер патента: RU2494793C2. Автор: Дуглас С. КОМРИ. Владелец: НОКС II ИНТЕНЭШНЛ, эЛТиДи.. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of purifying oil products from heteroatomic compounds, method of purifying oil products from heteroatomic organic compounds of oxygen, sulfur, phosphorus and halogenides, method of purifying naphtene or naphtene-aromatic oils or naphthene gasoils or naphthene-aromatic oils by purifying from heteroatomic organic compounds, method of processing oil wastes by purification from heteroatomic organic compounds, method of processing transformer oils by purification from chlorine-containing organic compounds

Номер патента: RU2659795C1. Автор: Светлана Олеговна Чередниченко,Лешек СТАНЬКОВСКИЙ,Родион Олегович Чередниченко,Олег Андреевич Чередниченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Роса-1". Дата публикации: 2018-07-04.

Coriolis mass flow metre, method of phase difference or signal travel time compensation, method of determining signal travel time, method of determining pickup signal phase difference or travel time, and method of determining pickup signal travel time

Номер патента: RU2362126C1. Автор: Роберт ЛАЛЛА,Маттиас РОСТ. Владелец: Эндресс+Хаузер Флоутек Аг. Дата публикации: 2009-07-20.

Substituted imidazoles, pharmaceutical composition, method of treating disease, associated with, at least, ksp activity and method of ksp inhibition

Номер патента: RU2413721C2. Автор: Вейбо ВАНГ,Тиниа Дж. АБРАМС,Паул А. БАРСАНТИ,Растам БОЙС,Натан М. БРАММЕЙЕР,Дэвид ДАЛ,Райан КОНСТАНТАЙН,Лиана М. ЛАГНИТОН,Крис Г. МЕНДЕНХЭЛЛ,Паул А. РЕНХОУВ,Савитри РЭМЕРТИ,Йи СИА,Шарадха СУБРАМАНИАН,Анетт О. УОЛТЕР,Меган К. ФИЛЛИПС. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2011-03-10.

Method of manufacture of piston with suppression ni-resist hardening ring by method of solid-liquid moulding

Номер патента: RU2709079C2. Автор: Сергей Юрьевич Дмитриев,Игорь Яковлевич Белоусов,Владимир Васильевич Первушин,Иван Михайлович Койдан,Дмитрий Викторович Бирюков,Денис Иванович Лукашов. Владелец: Акционерное общество Акционерная холдинговая Компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения имени академика Целикова" (АО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2019-12-13.

Method of operation of bypass valve for exhaust gases (options) and method of operation of electric drive of bypass valve for exhaust gases

Номер патента: RU2684146C2. Автор: Грегори Патрик МАККОНВИЛЛ,Янь Ван. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of producing finishing agent, finished polyester-ether-ketone composite and method for production thereof

Номер патента: RU2769396C1. Автор: Светлана Юрьевна Хаширова,Азамат Ладинович Слонов,Ауес Ахмедович Беев,Джульетта Анатольевна Беева,Милана Уматиевна Шокумова,Исмел Вячесловович Мусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2022-03-31.

Benzoxazinones and pharmaceutical composition comprising thereof for inhibition of activity of hiv reverse transcriptase, treatment and prophylaxis of aids and ars, method of inhibition of activity of hiv reverse transcriptase, method of prophylaxis of hiv infection, treatment of hiv and ars, combinations, method of synthesis of (-)-6-chloro- -4-cyclopropylethynyl-4-trifluoromethyl-1,4- -dihydro-2h-3,1-benzoxazine-2-one

Номер патента: RU2186775C2. Автор: Стивен Д. ЯНГ,Сюзн Ф. БРИТЧЕР,Линда С. ПЕЙН,Ликхан О. ТРАН,Вилльям К. Мл. ЛАММА. Владелец: Мерк Энд Ко., Инк.. Дата публикации: 2002-08-10.

Method of determining peculiarities of epilepsia course basing on physiological indicators by method of logit-regression analysis

Номер патента: RU2637297C1. Автор: Михаил Михайлович Лапкин,Роман Александрович Зорин,Владимир Алексеевич Жаднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2017-12-01.

Method of predicting breaks, break predicting device, program, recording medium and method for calculating break recognition criterion

Номер патента: RU2670575C1. Автор: Такахиро АИТОХ,Йосиюки КАСЕДА,Юсуке ЦУНЕМИ. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-23.

Method of making and installing individual implant for orthopaedic prosthetics and method of using individual implant to eliminate defects in oral cavity

Номер патента: RU2717605C1. Автор: Георгий Михайлович Берберов. Владелец: Георгий Михайлович Берберов. Дата публикации: 2020-03-24.

Method of high-level expression, method of purification and method of over-stacking of porine protein of meningococcus of group b external membrane or protein fused with its, highly purified porine protein (variants), highly purified fused protein (variants), vaccine for prophylaxis of bacterial meningitidis of group b, method of preparing conjugate of meningococcus of group b protein and polysaccharide, method of prophylaxis of bacterial meningitidis, strain of escherichia coli (variants)

Номер патента: RU2181378C2. Автор: Джозеф И. ТЭЙ,Джефри К. ПУЛИН,Майлн С. БЛЭЙК,Шу-Мэй ЛИЭН,Хьюлин Л. КВАЙ,Лусьюэн Дж. Дж. ХРОНОВСКИ. Владелец: Бакстэ Хелскеа С.А.. Дата публикации: 2002-04-20.

Method of synthesis of substituted quinones, catalyst for its realization and method of catalyst synthesis

Номер патента: RU2196764C2. Автор: В.Н. Пармон,Анджей Яржебский,О.А. Холдеева,Н.Н. Трухан,Белон Улита Мровец. Владелец: Институт Инженерной химии Польской Академии наук. Дата публикации: 2003-01-20.

Thickener of aqueous solution of acid and / or salt, method of thickening aqueous solution of acid and / or salt and method of oil production using said thickener, set of components for thickening of aqueous solution of acid and / or salt and composition for implementation of acid hydraulic fracturing of formation, including said thickener

Номер патента: RU2715001C2. Автор: Александр Владимирович Терещенко,Виталий Сергеевич БОЛОТОВ. Владелец: Александр Владимирович Терещенко. Дата публикации: 2020-02-21.

METHOD OF TRAINING NEURAL NETWORK MODEL FOR CALCULATING LEARNING ABILITY AND METHOD OF CALCULATING LEARNING ABILITY OF USER

Номер патента: US20230011613A1. Автор: Hyun Bin LOH. Владелец: Riiid Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of qualifying light spots for optical measurements and measurement instrument employing method of qualifying light spots

Номер патента: CA2970614C. Автор: Wei Xiong,Daniel R. Neal,Stephen W. Farrer,Thomas D. Raymond,John Grant DIXSON. Владелец: AMO Wavefront Sciences LLC. Дата публикации: 2018-10-23.

Antibody against nox1 polypeptide, method of diagnosing cancer with the use of nox1 gene and method of screening cancer growth inhibitor

Номер патента: CA2536911A1. Автор: Toru Kamata,Kunitaka Hirose,Junji Mitsushita. Владелец: Junji Mitsushita. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of reducing the number of microorganisms in a media and a method of preservation

Номер патента: CA1133391A. Автор: John L. Speier,James R. Malek. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1982-10-12.

Method of qualifying light spots for optical measurements and measurement instrument employing method of qualifying light spots

Номер патента: CA2743839A1. Автор: Wei Xiong,Daniel R. Neal,Stephen W. Farrer,Thomas D. Raymond,John Grant DIXSON. Владелец: AMO Wavefront Sciences LLC. Дата публикации: 2010-05-20.

Method of producing masks for rom type optical recording cards and method of inspecting masks

Номер патента: CA1330837C. Автор: Minoru Fujita,Yuji Kakinuma,Yoichi Fukushima. Владелец: Kyodo Printing Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-19.

Method of reducing the number of microorganisms in a media and a method of preservation

Номер патента: US4259103A. Автор: John L. Speier,James R. Malek. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1981-03-31.

Methods of identifying the avian repellent effects of a compound and methods of repelling birds from materials susceptible to consumption by birds

Номер патента: US5672352A. Автор: J. Russell Mason,Larry Clark,Pankaj S. Shah,Richard A. Dolbeer. Владелец: MONELL CHEMICAL SENSES CENTER. Дата публикации: 1997-09-30.

A transmission, a vehicle, a method of forming a transmission, a clutch pack, a steel, and a method of operating a transmission

Номер патента: CA2375018A1. Автор: Brian Williams. Владелец: Dave Smith Chevrolet Oldsmobile Pontiac Cadillac Inc. Дата публикации: 2002-09-13.

Surface treatment composition for coated steel sheet, surface treated plated steel sheet and method of production of same, and coated plated steel sheet and method of production of same

Номер патента: MY183410A. Автор: Yamamoto Shigeki,Iko Tomohiro,Nomura Hiromasa,KUDO Eisuke,OYOKAWA Hiroyuki. Владелец: Nihon Parkerizing. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of disintegrating pulp for use in cellulose acetate production and method of producing cellulose acetate

Номер патента: US10954314B2. Автор: Yuji Ida,Mitsuteru HOSAKA,Toshinori Okano. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Rubbing cloth for aligning a liquid crystal, method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing the same and method of manufacturing a liquid crystal display using the same

Номер патента: US20040189912A1. Автор: Hyo-Hak Nam,Bong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

A method of determining whether a scalp is itchy or not, and a method of treating scalp itchiness

Номер патента: WO2024007235A1. Автор: FANG Yang,Yan Zhang,Menghui ZHANG,Mengmeng ZHANG,Xuejing Li,Yingxin Ma. Владелец: Henkel (China) Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of semantically segmenting input image, apparatus for semantically segmenting input image, method of pre-training apparatus for semantically segmenting input image, training apparatus for pre-training apparatus for semantically segmenting input image, and computer-program product

Номер патента: US11244196B2. Автор: Tingting Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Sunscreen-active mixtures, methods of forming treated mixtures for sunscreen compositions, sunscreen compositions, and methods of forming sunscreen compositions

Номер патента: WO2023178195A1. Автор: Michael Ingrassia,Tian Wang,Shetal Amit Shah. Владелец: SAV Consultants LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of screening compounds that are cytotoxic to tumor cells and methods of treating tumor cells using such compound

Номер патента: EP2655706A2. Автор: Craig Townsend,Gabrielle Ronnett,Frank Kuhajda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-30.

Method of manufacturing photo masks and semiconductor devices

Номер патента: US20230418151A1. Автор: Wen-hao Cheng,Chun Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US20180051048A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-02-22.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US10385086B2. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-08-20.

Image processing system, image generation-output control apparatus, method of processing image, and storage medium of program to execute method of processing image, to control plural output apparatuses to output same output image

Номер патента: US9684858B2. Автор: Yosuke Aoki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method and apparatus for determining defect detection sensitivity data, control method of defect detection apparatus, and method and apparatus for detecting defect of semiconductor devices

Номер патента: US20040151362A1. Автор: Akira Hamaguchi,Takamitsu Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Near-field light generating element, method of manufacturing near-field light generating element, near-field light head, method of manufacturing near-field light head, and information recording and playpack device

Номер патента: US20120063277A1. Автор: Manabu Oumi,Masakazu Hirata. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of surface treatment of aluminum foil and its alloy and method of producing immobilized nanocatalyst of transition metal oxides and their alloys

Номер патента: US20110287926A1. Автор: Jerald A. D. Lalman,Srimanta Ray. Владелец: UNIVERSITY OF WINDSOR. Дата публикации: 2011-11-24.

Surface-treated steel sheet for organic resin coating and method of producing same, and organic resin coated steel sheet and method of producing same

Номер патента: US20230332295A1. Автор: Kazuhisa Okai,Rie Kaneko,Reona ENDO,Fuyuko IKEDA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of preparing alumina catalyst, alumina catalyst prepared using same, and method of preparing propylene using alumina catalyst

Номер патента: US11801488B2. Автор: Joo Young CHEON,Dae Heung Choi,Young Sub KEUM,Hyeon Bin KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of operating storage device, storage device performing the same and method of operating storage system using the same

Номер патента: US20230325123A1. Автор: Dong-Min Kim,Dong-Woo Kim,Song-ho Yoon,Wook-Han Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of forming ecoceramic-based silicon-carbide tooling for composites and method for forming composites

Номер патента: EP1465845A1. Автор: Slade H. Gardner. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2004-10-13.

System for readying sub-critical and super-critical steam generator, servicing method of said sub-critical and super-critical steam generator and method of operation of sub-critical and super-critical steam generator

Номер патента: WO2023166340A1. Автор: Ralph Mayer,Wolfgang Franz Dietrich Mohr. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2023-09-07.

Sunscreen-active mixtures, methods of forming treated mixtures for sunscreen compositions, sunscreen compositions, and methods of forming sunscreen compositions

Номер патента: US20230293399A1. Автор: Michael Ingrassia,Tian Wang,Shetal Amit Shah. Владелец: SAV Consultants LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of automatically recognizing wound boundary based on artificial intelligence and method of generating three-dimensional wound model

Номер патента: US11972573B2. Автор: Seok Hwan You. Владелец: Rokit Healthcare Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of removing 2-chloro-1,3,3,3-tetrafluoropropene and method of producing 1-chloro-2,3,3,3-tetrafluoropropene

Номер патента: US20200317592A1. Автор: Yasuhiro Suzuki,Toshiyuki Tanaka,Jumpei NOMURA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of removing 2-chloro-1,3,3,3-tetrafluoropropene and method of producing 1-chloro-2,3,3,3-tetrafluoropropene

Номер патента: US10851034B2. Автор: Yasuhiro Suzuki,Toshiyuki Tanaka,Jumpei NOMURA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

System for readying sub-critical and super-critical steam generator, servicing method of said sub-critical and super-critical steam generator and method of operation of sub-critical and super-critical steam generator

Номер патента: US20240133319A1. Автор: Ralph Mayer,Wolfgang Franz Dietrich Mohr. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Heating, ventilation, and air-conditioning, system, method of controlling a heating, ventilation, and air-conditioning system and method of training a comfort model to be used for controlling a heating, ventilation, and air-conditioning system

Номер патента: US20230017242A1. Автор: Manish Gupta,Baris Tanyildiz,Fabrizio Cola. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of semantically segmenting input image, apparatus for semantically segmenting input image, method of pre-training apparatus for semantically segmenting input image, training apparatus for pre-training apparatus for semantically segmenting input image, and computer-program product

Номер патента: US20210406582A1. Автор: Tingting Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Information recording media, method of manufacturing the information recording media, read/write head, and method of manufacturing the read/write head

Номер патента: US20080084633A1. Автор: Yong-su Kim,Hoon-Sang Oh,Hoo-san Lee,Hyun-jei Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Production method of mold having recessed pattern in recessed step portion, and manufacturing method of pattern sheet

Номер патента: US20200282604A1. Автор: Toshihiro Usa,Aya Mochizuki,Satoshi Chai,Kozue IKEDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Methods of forming supporting substrates for cutting elements, and related cutting elements, methods of forming cutting elements, and earth-boring tools

Номер патента: US20180327888A1. Автор: Marc W. Bird,Wanjun Cao. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods of forming supporting substrates for cutting elements, and related cutting elements, methods of forming cutting elements, and earth-boring tools

Номер патента: WO2018209229A1. Автор: Marc W. Bird,Wanjun Cao. Владелец: Baker Hughes, a GE company, LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Decomposable composite sheet body, method of forming a decomposable composite sheet body, a smartcard, and method of forming a smartcard

Номер патента: WO2024134238A1. Автор: Carsten Nieland,Sven Doering. Владелец: Linxens Holding. Дата публикации: 2024-06-27.

Preparation method of graphene-wrapped cobalt prussian blue nanocrystal composite material and method of preparing working electrode using the same and application thereof

Номер патента: US20220219998A1. Автор: YING Wang,Fengting Li,Bincheng XU. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-14.

System for readying sub-critical and super-critical steam generator, servicing method of said sub-critical and super-critical steam generator and method of operation of sub-critical and super-critical steam generator

Номер патента: US20240229683A9. Автор: Ralph Mayer,Wolfgang Franz Dietrich Mohr. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of eluting gold and silver adsorbed on activated carbon and method of recovering gold and silver using the same

Номер патента: CA2868296C. Автор: Kazuhiro Hatano,Masaki Sano,Koji Katsukawa,Yuki Aoto,Eiki Ono. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of producing a gypsum slurry for forming gypsum products and method of manufacturing a gypsum product

Номер патента: AU2017421096B2. Автор: Tong Liu,Martin HALBACH. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of separating dissimilar materials with electrosurgical electrodes and systems and methods including same

Номер патента: CA3211887A1. Автор: II Robert James Stanley. Владелец: STANLEY IP LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

Methods of separating dissimilar materials with electrosurgical electrodes and systems and methods including same

Номер патента: EP4308035A1. Автор: II Dr. Robert James STANLEY. Владелец: STANLEY IP LLC. Дата публикации: 2024-01-24.

Method of operating a heat cycle system, heat cycle system and method of modifying a heat cycle system

Номер патента: WO2023247633A1. Автор: Hardy HOLLINGWORTH,Carl-Gustav Pehrsson. Владелец: Noditech AB. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of operating a heat cycle system, heat cycle system and method of modifying a heat cycle system

Номер патента: EP4296478A1. Автор: Hardy HOLLINGWORTH,Carl-Gustav Pehrsson. Владелец: Noditech AB. Дата публикации: 2023-12-27.

Methods of Producing Compounds That Stimulate Hair Regrowth, Topical Formulations, and Methods of Use

Номер патента: US20160262995A1. Автор: Reiner VAN TILBORG. Владелец: JOVENTIS SA. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods of producing compounds that stimulate hair regrowth, topical formulations, and methods of use

Номер патента: US10434049B2. Автор: Reiner VAN TILBORG. Владелец: JOVENTIS SA. Дата публикации: 2019-10-08.

Method of recognizing qr code in image data and apparatus and method for converting qr code in content data into touchable object

Номер патента: US20140021249A1. Автор: Sungjae Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing anti-counterfeit ink and anti-counterfeit tag and method of manufacturing the same

Номер патента: US8771558B2. Автор: Borh-Ran Huang,Tzu-Ching Lin,Ying-Kan Yang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-07-08.

Mixing impeller, method of manufacturing a first subassembly of the mixing impeller and method of assembling the mixing impeller

Номер патента: WO2017129206A1. Автор: Lars BÖTTCHER,Mike Bates,Sharon D. West,Martin Oschwald,Jonathan E. Cutting. Владелец: Sartorius Stedim Lab Ltd.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of preparing solubilized catalyst complex, the solubilized catalyst formulation, and method of catalytic olefin polymerization

Номер патента: US20220056166A1. Автор: Damien Guironnet,Camille Boucher-Jacobs. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of operating storage device, storage device performing the same and method of operating storage system using the same

Номер патента: EP3647930A1. Автор: Dong-Min Kim,Dong-Woo Kim,Song-ho Yoon,Wook-Han Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-06.

Methods of separating dissimilar materials with electrosurgical electrodes and systems and methods including same

Номер патента: US20240164832A1. Автор: II Robert James Stanley. Владелец: STANLEY IP LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of recognizing qr code in image data and apparatus and method for converting qr code in content data into touchable object

Номер патента: US20150278573A1. Автор: Sungjae Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-10-01.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and method to monitor thermal runaway in a semiconductor device

Номер патента: US09618560B2. Автор: Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Disposable underwear with solution of continuity and methods of production

Номер патента: RU2336064C2. Автор: Юнг Х. ХУАНГ,ГОМПЕЛЬ Пол Т. ВАН,Расселл Е. ТОРСОН,Кеннет Дж. ВАГНЕР,Джин Ф. НИМАЙЕР,Джудит А. МЬЮЗИЛ,Хайди К. ВУДИ,Бриджет А. БЭЛОГ,Синди МААС,Джером Стив ВЕЙТ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2008-10-20.

Soft window storage unit and method

Номер патента: US09636976B2. Автор: John Michael Forck. Владелец: Kcrof Enterprises LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Convertible garment and method of converting same

Номер патента: WO2016106317A1. Автор: Timothy James,Marina Voloshina,Shana Cohen. Владелец: G-III Apparel Group, Ltd.. Дата публикации: 2016-06-30.

Convertible garment and method of converting same

Номер патента: US09814276B2. Автор: Timothy James,Marina Voloshina,Shana Cohen. Владелец: G III Apparel Group Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of rock blasting and borehole charge for its implementation

Номер патента: RU2766994C1. Автор: Владимир Матвеевич Закалинский,Рафаэль Якубович Мингазов,Григорий Владимирович Шубин,Борис Николаевич Заровняев,Аркадий Владимирович Дугарцыренов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2022-03-16.

Molded part, molded part manufacturing method, method of molded part gluing with object and application of fabric or unidirectional fabric

Номер патента: RU2742777C1. Автор: Карстен ФОЛЬКМАНН. Владелец: Ако Зеверин Альманн Гмбх Унд Ко Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US9302904B2. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US20150044808A1. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Bag filter of vacuum cleaner and method of its use

Номер патента: RU2405403C2. Автор: Ральф ЗАУЭР,Жан ШУЛЬТИНК. Владелец: Еврофильтерс Холдинг Н.В.. Дата публикации: 2010-12-10.

Method of determining the angular position of the ofdm signal source

Номер патента: RU2688927C1. Автор: Андрей Анатольевич Строцев,Роман Валентинович Емельянов,Андрей Викторович Аверьянов,Пётр Петрович Гончаров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of positioning audio signal source using sound ranging system

Номер патента: RU2734289C1. Автор: Геннадий Николаевич Ульянов,Игорь Юнусович Насибуллин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Михайловская военная артиллерийская академия" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-10-14.

Method of producing improved composite components

Номер патента: RU2533132C2. Автор: Нейл Дерик Брэй ГРЭХЭМ. Владелец: Квикстэп Текнолоджиз Пти Лтд. Дата публикации: 2014-11-20.

Production method of multilayer material by application of extruded polymer coating at calendering

Номер патента: RU2632494C1. Автор: Андрей Викторович Сергеев. Владелец: Андрей Викторович Сергеев. Дата публикации: 2017-10-05.

Installation of in-place curing lining with internal impermeable layer, and device

Номер патента: RU2352853C2. Автор: Франклин Томас ДРАЙВЕР. Владелец: АйЭнЭй ЭКВИЗИШН КОРП.. Дата публикации: 2009-04-20.

Method of production of decorative paper, and decorative paper

Номер патента: RU2519970C2. Автор: Киммо СУУР-НУУЯ,Хайнц КЛЕЙНЕРЮСКАМП. Владелец: Окт Джермани Гмбх. Дата публикации: 2014-06-20.

Cutting elements with re-processed thermally stable polycrystalline diamond cutting layers, bits incorporating the same, and methods of making the same

Номер патента: US20100282519A1. Автор: Youhe Zhang,Yuelin Shen,Madapusi K. Keshavan. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Method of producing substances with supersaturated gas, transdermal delivery device thereof, and uses thereof

Номер патента: US20190091454A1. Автор: Norbert Kiss. Владелец: Circularity Healthcare LLC. Дата публикации: 2019-03-28.

Metal composite and method of preparing the same, metal-resin composite and method of preparing the same

Номер патента: US09783894B2. Автор: LIANG Chen,Qiang Guo,Xiao Zhang,Yun Cheng,Lili Tang. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching

Номер патента: US09656910B2. Автор: Ljerka Ukrainczyk,Xavier Gerard Lafosse,Alexander Mikhailovich Streltsov,Yuhui Jin,Laurent Joubaud,Daniel Ralph Harvey,Diane Kimberlie GUILFOYLE,Jiangwei Feng,Brandon Allen BAZEMORE,Jeffrey Alan DECKER. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of wood boards treatment

Номер патента: RU2631172C2. Автор: Франк ОЛЬДОРФФ. Владелец: Флоринг Текнолоджиз Лтд.. Дата публикации: 2017-09-19.

Wallpapers with air cleaning functions and method of their production

Номер патента: RU2432263C1. Автор: Гун Соо ЧУНГ,Ченг Зхе ХУАНГ. Владелец: Эл Джи Хаусис, Лтд.. Дата публикации: 2011-10-27.

Systems and methods for additively manufacturing leak resistant objects

Номер патента: US20230201925A1. Автор: Casey Johnson,Christopher Hoffman,Angus MACMULLEN,Maxim Seleznev,Michael Imburgia,Corey Hazeltine Walsh,Bennett McClelland Wilson,Yongguan Lu,Vinay Francis Rodrigues,Johan Ospina,Benjamin Honsdon Gallup. Владелец: Markforged Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Multilayer sample processing devices and methods

Номер патента: EP1682271A1. Автор: David D. Nguyen,Brent R. Hansen,Joel R. Dufresne,Bryan C. Feisel,Theresa J. Gerten. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2006-07-26.

Multilayer sample processing devices and methods

Номер патента: AU2004283174A1. Автор: David D. Nguyen,Brent R. Hansen,Joel R. Dufresne,Bryan C. Feisel,Theresa J. Gerten. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2005-05-06.

Multilayer sample processing devices and methods

Номер патента: EP1682271B1. Автор: David D. Nguyen,Brent R. Hansen,Joel R. Dufresne,Bryan C. Feisel,Theresa J. Gerten. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2009-11-18.

Multilayer sample processing devices and methods

Номер патента: CA2541900A1. Автор: David D. Nguyen,Brent R. Hansen,Joel R. Dufresne,Bryan C. Feisel,Theresa J. Gerten. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-06.

Systems and methods for additively manufacturing leak resistant objects

Номер патента: EP3868498A1. Автор: Christopher Hoffman,Angus MACMULLEN,Corey Hazeltine Walsh,Yongquan Lu,Bennett McClelland Wilson,Vinay Francis Rodrigues. Владелец: Markforged Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Composite fiber web having superior heat resistance and sound absorption and method of manufacturing same

Номер патента: US20240217206A1. Автор: Jung Wook Lee,Keun Young Kim,Tae Yoon Kim,Ji Wan Kim,Jong Hyuk Cha,Seong Je KIM,Jae Sam KIM. Владелец: Iksung Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Workpiece manufactured from an additive manufacturing system having a particle separator and method of operation

Номер патента: US09932841B2. Автор: Thomas J. Martin,Thomas N. Slavens,Brooks E. SNYDER,Sergey Mironets,Alexander Staroselsky. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

In-cell touch liquid crystal display apparatus, method of manufacturing the same, method of manufacturing thin film transistor array substrate, and method of manufacturing color filter array substrate

Номер патента: US09778529B2. Автор: Jin Seong Kim,Yong Chan Park,Seung Kyeom KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Haemostatic patch and method of preparation

Номер патента: US09750837B2. Автор: Suzelei Montanari,Aurelie Serrero. Владелец: Sofradim Production SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of folding and wearing a pocket square to display insignia, campaign ribbon, icon, badge, award, or medal

Номер патента: US9051681B1. Автор: Christopher Costa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-09.

Bismuth amide compounds and compositions, and method of forming bismuth-containing films therewith

Номер патента: EP1030855A1. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari,Timothy E. Glassman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-30.

Display panel, manufacturing method of display panel and mask used thereof

Номер патента: US20210124255A1. Автор: Chung-Kuang Chien. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Supply plan drafting device, method of drafting supply plan, program for drafting supply plan, and method of drafting production plan

Номер патента: EP1217563A2. Автор: Kuniya Kaneko,Toshihiko Nakamura,Hidetsugu Kojima,Hirosumi Suzuki,Kentaro Otokubo,Motohisa Kondo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2002-06-26.

Holding device, method of determining attraction abnormality in holding device, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US20230082322A1. Автор: Kohei Senshu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Learning data generation device, method, and record medium for storing program

Номер патента: US20230045484A1. Автор: Hiroyasu ITSUI,Hayato UCHIDE,Ryunosuke OKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Transponders and sensors for implantable medical devices and methods of use thereof

Номер патента: US20240273327A1. Автор: Juan José Chacón Quirós,Rudy A. Mazzocchi,Steven A. Lewis,Randolph Keith Geissler. Владелец: Establishment Labs SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Holding device, method of determining attraction abnormality in holding device, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US12092955B2. Автор: Kohei Senshu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Laser-treated anti-deposition object and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240337016A1. Автор: Chien-Cheng Chang,Chien-Hsun Chen,Chih-Chiang Fang,He-Pu Lu. Владелец: Highlight Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Multilayered capsule with controllable arrangement of layers and industrial systems and processes of fabricating the same

Номер патента: IL301481A. Автор: KRUPIK Amichai,GOETHE Yael. Владелец: GOETHE Yael. Дата публикации: 2024-10-01.

Metalized fabric that dissipates and scatters infrared light and methods or making and using the same

Номер патента: US11905648B2. Автор: Carl Jones,David Curry,Jodi Wallis,Bennett Fisher,Dino Aimino,Thomas Dougal,Greg Gianforcaro. Владелец: NOBLE BIOMATERIALS Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Electrorheological fluid structure with attached conductor and method of fabrication

Номер патента: US11925235B2. Автор: Steven H. Walker,Chin-Yuan Cheng. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Metalized fabric that dissipates and scatters infrared light and methods or making and using the same

Номер патента: US20240150957A1. Автор: Carl Jones,David Curry,Jodi Wallis,Bennett Fisher,Dino Aimino,Thomas Dougal,Greg Gianforcaro. Владелец: NOBLE BIOMATERIALS Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method of alignment layer and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US09880423B2. Автор: Xiao Xin,Feifei Zhang,Wenpeng ZHANG,Xing Qin,Peiqiang GUAN,Xiaohui Yi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of bonding layers

Номер патента: CA1318232C. Автор: Gerald Hallworth. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1993-05-25.

Information processing apparatus and information processing system

Номер патента: GB2585405A. Автор: Kanaami Junya. Владелец: Fujitsu Client Computing Ltd. Дата публикации: 2021-01-13.

Packaging composite material layer, packaging container and manufacturing method of packaging composite material layer

Номер патента: CN112318957A. Автор: 董亚强. Владелец: Lamican Packaging Kunshan Co ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Angular velocity detector, method of detection of angular velocities using angular velocity detector, and method of fabricating angular velocity detector

Номер патента: US7469603B2. Автор: Koji Fukumoto,Masaya Nagata,Hiroshi Nishitake,Kazuhiro Matsuhisa,Atsuhito Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Micro probe ring assembly and method of fabrication

Номер патента: US6014032A. Автор: Anthony Michael Palagonia,John Thomas Maddix,Paul Joseph Pikna,David Paul Vallett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Method of forming protective film of electrode for touch panel and method of fabricating touch panel

Номер патента: TWI510858B. Автор: Ikuo Mukai,Mayumi Sato,Tomohiko SHIRAI. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Fresh donor heart valve sizer and method of use

Номер патента: CA2417645C. Автор: Son Van Nguyen,Hung Lam,Cuong Ton-That. Владелец: Edwards Lifesciences Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Etching solution and method of removing metallic hot gas corrosion protective layers and hot gas reaction coatings from engine blades

Номер патента: GB9213053D0. Автор: . Владелец: MTU Motoren und Turbinen Union Muenchen GmbH. Дата публикации: 1992-08-05.

Method of separate long-term storage of elements of single railway switchover on wooden sleepers

Номер патента: RU2724078C1. Автор: Денис Владимирович Шувалов. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения им. генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-19.

Method of processing liquid natural gas

Номер патента: RU2407966C2. Автор: Скотт ШРЁДЕР,Кеннет РЕДДИК,Науреддин БЕЛХЕЙТЕЧ. Владелец: Хауи-Бейкер Энджинирс, Лтд.. Дата публикации: 2010-12-27.

Device and method of transfer molding of resin or pitch

Номер патента: RU2270096C2. Автор: Джеймс Ф. ПИГФОРД,Фрэнк ДИЛЛОН,Майкл Д. ВУД,Нэйл МАРДИ,Ричард А. ХЕКЕЛСБЕРГ,Марк Л. ЛАФОРЕСТ,Чарлз А. ПАРКЕР,Роджер У. ХОЛЛОУЭЙ. Владелец: Хонейвелл Интернэшнл Инк.. Дата публикации: 2006-02-20.

Method of production of carbonic acid ester

Номер патента: RU2280023C2. Автор: Нобухиса МИЯКЕ,Хадзиме НАГАХАРА. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of production of the diene compound

Номер патента: RU2291853C2. Автор: Хидеказу ОКАМОТО,Казу ОХАРУ,Казуя ОХАРУ,Масао ИВАЯ. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2007-01-20.

Method of producing polystyrene, having high melt flow index

Номер патента: RU2605093C2. Автор: Жильбер БУКЕ,Ульрих РАЙФЕРТ,Николас М.А. ХЕРМАНС. Владелец: ТРИНСЕО ЮРОП ГмбХ. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of production of gallium from alkali-aluminate solutions of aluminous production

Номер патента: RU2264481C1. Автор: В.Н. Диев,С.П. Яценко,Л.А. Пасечник,Г.М. Рубинштейн,В.Б. Садовников. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of forming articles of composite material

Номер патента: RU2603798C1. Автор: Николай Викторович Степанов,Галина Михайловна Разина,Татьяна Петровна Асеева,Елена Юрьевна Зайцева. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of recovering carbon dioxide

Номер патента: RU2402373C2. Автор: Норберт Асприон,Уте ЛИХТФЕРС,Марк КЛАССЕН,Хироши УМИНО,Коджи ТАНАКА. Владелец: ДжейДжиСи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-10-27.

Method of producing lakosamide

Номер патента: RU2585762C2. Автор: Альберто Болонья,Патрициа КАСТОЛЬДИ,Доменико ВЕРГАНИ,Джорджо БЕРТОЛИНИ. Владелец: Эутикальс Спа. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of producing polystyrene

Номер патента: RU2456305C2. Автор: Жан-Марк ГАЛЕВСКИЙ. Владелец: Инеос Юроуп Лимитед. Дата публикации: 2012-07-20.

Method of pre-operative prediction of stage and aggressiveness of prostate cancer

Номер патента: RU2611380C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Борис Яковлевич Алексеев,Наталья Сергеевна Сергеева,Нина Викторовна Маршутина,Валентин Григорьевич Гитис,Евгений Филиппович Юрков,Сергей Анатольевич Пирогов,Татьяна Евгеньевна Скачкова,Александр Газизович Мустафин. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Российский национальный исследовательский медицинский университет имени Н.И. Пирогова Минздрава России (ГБОУ ВПО РНИМУ им. Н.И. Пирогова Минздрава России). Дата публикации: 2017-02-21.

Method of extracting of metals out of containing iron suplhate solutions

Номер патента: RU2336346C1. Автор: Любовь Николаевна Крылова,Виктор Васильевич Панин,Дмитрий Юрьевич Воронин. Владелец: Открытое акционерное общество "Московский комитет по науке и технологиям". Дата публикации: 2008-10-20.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of determining height of loose material layer

Номер патента: RU2251665C1. Автор: В.Н. Долгунин,П.А. Иванов,В.Я. Борщев. Владелец: Тамбовский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-05-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of experimental data for determining hydrogen carbonate-ions by methods of conductometric and acid-base titration

Номер патента: RU2562546C2. Автор: Альбина Васильевна Чернышева,Наталья Юрьевна Стожко,Екатерина Михайловна Подшивалова,Владимир Петрович Татауров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный экономический университет" (ФГБОУ ВПО "УрГЭУ"). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of heating metallic ingot, method of continuous or semi continuous casting with direct cooling, and method of ingot rolling

Номер патента: RU2469815C2. Автор: Роберт Брюс ВАГСТАФФ,Уэйн Дж. ФЕНТОН. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of ciliary body and anterior ocular chamber angle examination and method of gravity assessment for dull eye injury

Номер патента: RU2344764C1. Автор: Игорь Юрьевич Мазунин,Игорь Георгиевич Терентьев,Георгий Сергеевич Богданов,Мари Александровна Мелехина,Мария Александровна Мелехина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородская государственная медицинская академия Федерального Агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО НижГМА Росздрава). Дата публикации: 2009-01-27.

Coolant or heat carrier composition, method of using said composition, method of cooling or heating, installations containing said composition, method of detecting said composition in installation, foaming agent containing said composition, method of obtaining foam, sprayed composition, method of obtaining aerosol products, method of suppressing flame or extinction, as well as method of treating area with inert gas in order to prevent burning

Номер патента: RU2418027C2. Автор: Барбара Хэвилэнд МАЙНОР,Веллийур Нотт Малликарджуна РАО,Дипэк ПЕРТИ,Доналд Бернард БАЙВЕНС. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2011-05-10.

Method of exogenic protein production in milk of transgenic mammals and method of purification of proteins from milk

Номер патента: RU2360002C2. Автор: Карлос Альберто МЕЛО,Лино БАРАНАО,Цезар КАРБОННЕТТО. Владелец: Стерренбелд Байотекнолоджи Норт Америка, Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of producing biologically active preparation based on lucerne hay and method for use thereof

Номер патента: RU2515066C2. Автор: Ахат Газизьянович Мустафин,Ягафар Мухарямович Абдрашитов,Наталия Алексеевна Шергенг,Екатерина Витальевна Шаповалова,Ольга Витальевна Морева,Ринат Митхатович Хайбуллин,Вероника Владимировна Курганова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2014-05-10.

Method of green tea extract purification, based on it medication and method of prevention and treatment of skin diseases

Номер патента: RU2437672C1. Автор: Сергей Владимирович Енгашев,Елена Александровна Пилипейко,Дмитрий Николаевич Сидорин,Елена Владимировна Якубова. Владелец: Елена Владимировна Якубова. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of quantitative determination of manganese, lead and nickel in bile by method of atomic-absorption analysis with atomisation in flame

Номер патента: RU2410691C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Елена Вячеславовна Стенно,Марина Александровна Баканина,Юлия Васильевна Шардакова,Галина Ивановна Леготкина. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФГУН "ФНЦ МПТ УРЗН" РОСПОТРЕБНАДЗОРА). Дата публикации: 2011-01-27.

Method of determining index of total antioxidant activity of biological objects by method of cathode voltammetry

Номер патента: RU2449275C2. Автор: Евгений Владимирович Плотников,Елена Ивановна Короткова,Елена Владимировна Дорожко,Мария Владимировна Букель. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2012-04-27.

Method of obtaining isobutylene by skeletal isomerisation of n-butylenes and method of obtaining catalyst for it

Номер патента: RU2552418C1. Автор: Александр Адольфович Ламберов,Светлана Робертовна Егорова,Ильдар Николаевич Мухамбетов. Владелец: Александр Адольфович Ламберов. Дата публикации: 2015-06-10.

River-going transport trimaran (versions), method of optimization of cruising modes of "river-sea" trimaran, methods of loading, transportation and unloading of cargoes for "river-sea" trimaran, method of passage of "river-sea" transport trimaran through locks, channels and narrow farways

Номер патента: RU2237592C2. Автор: Г.Ю. Халидов,У.Г. Халидов. Владелец: Халидов Уллубий Гамидович. Дата публикации: 2004-10-10.

Complex lithium-alkaline-earth metal boron nitride, method of its producing, catalyst for $$$-$$$-conversion in boron nitride and method of cubical boron nitride making with this catalyst

Номер патента: RU2078030C1. Автор: Кирилл Николаевич Семененко,Людмила Григорьевна Севастьянова,Владимир Александрович Ступников,Клавдия Петровна Бурдина,Сергей Алексеевич Кулинич. Владелец: Сергей Алексеевич Кулинич. Дата публикации: 1997-04-27.

Method of producing composite material by growing reinforcing layers and device to this end

Номер патента: RU2447994C2. Автор: Дэниэл Марк ДЖОНС,Бенджамин Лайнэл ФЭРМЕР,Бенджамин Лайнэл ФЭРМЕР (GB),Дэниэл Марк ДЖОНС (GB). Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-04-20.

Method of obtaining of hydrophobic additive for bitumen concrete mix and the method of obtaining bitumen concrete mix with its use

Номер патента: RU2550767C1. Автор: Олег Михайлович Флисюк,Олег Николаевич Круковский,Наталия Васильевна Майданова,Тимур Николаевич Шининов,Александр Михайлович Сыроежко,Валерий Анатольевич Константинов,Екатерина Игоревна Борисова,Олег Вадимович Муратов,Юлия Александровна Урчева. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2015-05-10.

Method of continuous casting of pipe by fluid-space vibration and method of continuous casting of sheet by fluid-space vibration

Номер патента: RU2129933C1. Автор: Г.П. Тярасов. Владелец: Тярасов Герман Павлович. Дата публикации: 1999-05-10.

Method of producing isobutylene by skeletal isomerisation of n-butylenes and method of producing catalyst therefor

Номер патента: RU2557240C1. Автор: Владимир Михайлович Бусыгин,Азат Шаукатович Бикмурзин,Хамит Хамисович ГИЛЬМАНОВ,Александр Адольфович Ламберов,Леонид Хубулаевич Кутуев,Рустем Фаргатович Залялиев. Владелец: Александр Адольфович Ламберов. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of combat machine fire on target and system to this end, method of definition of experimental dependence of pointing direction angular velocity

Номер патента: RU2529241C2. Автор: Николай Иванович Хохлов,Лев Михайлович Швец,Людмила Анатольевна Богданова,Игорь Николаевич Усачев. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения им. академика А.Г. Шипунова". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of preparing the dry pectin extract from plant raw and a method of preparing pectin from plant raw

Номер патента: RU2080081C1. Автор: Людмила Владимировна Донченко,Николай Сергеевич Карпович,Валентина Владимировна Нелина,Татьяна Владимировна Чумпалова. Владелец: Валентина Владимировна Нелина. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of estimating efficiency of therapy urinary bladder cancer in humans by method of immunofermentative analysis

Номер патента: RU2468088C1. Автор: Борис Яковлевич Алексеев,Анастасия Александровна Заболотнева,Петр Викторович Шегай,Нуршат Минуллаевич Гайфуллин,Игорь Георгиевич Русаков,Антон Александрович Буздин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН. Дата публикации: 2012-11-27.

Cross arm, cross arm bearing beam equalising mechanism, cross arm bearing beam rigging; rigging load locking device, cross arm bearing beam support fixture, method of equilibrium adjustment of cross arm on support fixtures and method of cross beam transfer

Номер патента: RU2376237C1. Автор: Александр Иванович Ермолаев,Алексей Васильевич Боев,Алексей Григорьевич Гончар. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро транспортного машиностроения" (КБТМ). Дата публикации: 2009-12-20.

Method of preparation of mesoporous nanostructured films of titanium dioxide and method of ferements immobilisation on them

Номер патента: RU2326818C1. Автор: Виктор Андреевич Надточенко,Виталий Викторович Никандров,Олег Михайлович Саркисов,Алексей Юрьевич Семенов,Натали Сергеевна Бухарина,Наталия Сергеевна Бухарина,Елена Петровна Перменова,Юрий Никитович Козлов. Владелец: Институт биохимии им. А.Н. Баха РАН. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of estimating efficiency of transpupillary thermotherapy of initial choroidal melanoma by method of spectral optic coherent tomography

Номер патента: RU2458632C1. Автор: Елена Борисовна Мякошина,Светлана Владимировна Саакян,Наталья Николаевна Юровская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Московский научно-исследовательский институт глазных болезней имени Гельмгольца" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации. Дата публикации: 2012-08-20.

Meat-and-plant farce "klinsky", method of producing the same, meat-and-plant cutlets "klinsky" and method of producing the same

Номер патента: RU2208350C1. Автор: . Владелец: Геута Вадим Сергеевич. Дата публикации: 2003-07-20.

Method of periodic removal of excess moisture from grain mass at bulk method of storage and device for its implementation

Номер патента: RU2547470C2. Автор: Владислав Константинович Углин,Владислав Евгеньевич Никифоров,Евгений Александрович Тяпугин,Сергей Евгеньевич Тяпугин. Владелец: Государственное научное учреждение "Северо-западный научно-исследовательский институт молочного и лугопастбищного хозяйства". Дата публикации: 2015-04-10.

OLIGONUCLEOTIDE PRIMERS AND METHOD OF DETECTING DNA OF Mycobacterium paratuberculosis THAT IS PARATUBERCULOSIS AGENT BY METHOD OF POLYMERASE CHAIN REACTION (PCR)

Номер патента: RU2435852C1. Автор: Александр Семенович Донченко,Наталья Леонидовна Тупота,Николай Александрович Донченко,Светлана Владимировна Ионина,Сергей Григорьевич Тупота,Валерия Николаевна Донченко. Владелец: Государственное научное учреждение Институт экспериментальной ветеринарии Сибири и Дальнего Востока Россельхозакадемии (ГНУ ИЭВСиДВ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2011-12-10.

Method of antigen production for cattle and small cattle anaplasmosis vaccine preparation, method of anaplasmosis vaccine preparation, anaplasmosis vaccine and method of cattle and small cattle anaplasmosis prevention

Номер патента: RU2337706C1. Автор: Николай Афанасьевич Казаков,Вячеслав Титович Заблоцкий,В чеслав Титович Заблоцкий,Зинаида Петровна Мутузкина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной ветеринарии им. Я.Р. Коваленко (ВИЭВ). Дата публикации: 2008-11-10.

Package for a glass substrate for a magnetic disk, method of packaging a glass substrate for a magnetic disk and method of manufacturing a magnetic disk

Номер патента: SG153788A1. Автор: Tadashi Tomonaga,Kenichi Nishimori. Владелец: Hoya Glass Disk Thailand Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD ADOPTED IN SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20120004753A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AREA LIGHT SOURCE DEVICE

Номер патента: US20120002437A1. Автор: SHIMODA Tomokazu,Yabe Mamoru,Masu Yoshiyuki. Владелец: Omron Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR OPTIMIZING MAINTENANCE AND OTHER OPERATIONS OF FIELD DEVICES IN A PROCESS CONTROL SYSTEM USING USER-DEFINED DEVICE CONFIGURATIONS

Номер патента: US20120004743A1. Автор: . Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Wang Yu-Ren,Sun Te-Lin,Lin Chien-Liang,Yen Ying-Wei. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-03-21.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CARBON DIOXIDE-BASED GEOTHERMAL ENERGY GENERATION SYSTEMS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120001429A1. Автор: Saar Martin O.,Randolph Jimmy Bryan,Kuehn Thomas H.. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

METHOD OF FORMING GROUP III-V MATERIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GROUP III-V MATERIAL LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130105869A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of obtaining medical napkin

Номер патента: RU2465921C1. Автор: Наталия Дмитриевна Олтаржевская,Мария Анатольевна Коровина,Мария Игоревна Валуева,Валентина Николаевна Никитенкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of fabricating field effect semiconductor device

Номер патента: JPS55128877A. Автор: Yasuro Mitsui,Michihiro Kobiki,Mutsuyuki Otsubo,Manabu Watase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-10-06.

Method of fabricating resistance-reduced semiconductor device

Номер патента: TWI225710B. Автор: Neng-Tai Shih,Yu-Chang Lin,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Method of fabricating resistance-reduced semiconductor device

Номер патента: TW200527666A. Автор: Neng-Tai Shih,Yu-Chang Lin,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD OF FABRICATING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120108049A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: EP1924632B1. Автор: Janos Farkas,Cindy Goldberg,Srdjan Kordic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-04-16.

Method of drying 5(6)-amino-2-(4-aminophenyl)benzimidazole

Номер патента: RU2565930C1. Автор: Евгений Львович Вулах,Мария Николаевна Чернобровкина,Надежда Владимировна Завьялова,Георгий Гранитович Бирюков,Сергей Вячеславович Баев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Завод "Алькор" (ООО "Завод "Алькор"). Дата публикации: 2015-10-20.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BLOWOUT PREVENTERS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000647A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

AVIONICS DEVICE, SYSTEMS AND METHODS OF DISPLAY

Номер патента: US20120001773A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TOUCH SWITCH DISPLAY CONTROL SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001862A1. Автор: Durbin William,Dorris Parker,Cloute-Cazalaa Jerome. Владелец: SILICON LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Pipeline Weighting Device and Method

Номер патента: US20120003049A1. Автор: Sprague Ian,McKay Charles Frederick. Владелец: CRC-EVANS CANADA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Biomarkers for Inflammatory Bowel Disease and Methods Using the Same

Номер патента: US20120003158A1. Автор: Alexander Danny,SHUSTER Jeffrey,KORZENIK Joshua,ZELLA Garrett. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ISOLATION AND PURIFICATION OF TRYPSIN FROM PRONASE PROTEASE AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003691A1. Автор: Tauer Christa,Mitterer Artur,Reiter Manfred,Mundt Wolfgang. Владелец: Baxter Healthcare S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

POPULATIONS OF EXPANDED AND RE-DIFFERENTIATED ADULT ISLET BETA CELLS CAPABLE OF PRODUCING INSULIN AND METHODS OF GENERATING SAME

Номер патента: US20120003739A1. Автор: . Владелец: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DISPENSING A TEETHING GEL WITH A METERED DOSE APPLICATOR

Номер патента: US20120004303A1. Автор: XU Yun,Benson Jennifer,Lavis Jeffry G.. Владелец: CHURCH & DWIGHT CO., INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DEGRADATION RESISTANT IMPLANTABLE MATERIALS AND METHODS

Номер патента: US20120004722A1. Автор: . Владелец: ALLERGAN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR TRACKING OF MAIL USING A UNIVERSAL CODING SYSTEM

Номер патента: US20120004765A1. Автор: Hamilton Daryl. Владелец: United States Postal Service. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED PITCH

Номер патента: US20120021589A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Xu Jeff J.,Shieh Ming-Feng,Chang Chang-Yun,Yu Shao-Ming,Yu Shinn-Sheng,Yen Anthony. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., ("TSMC"). Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD OF FABRICATING TRANSISTOR FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120034748A1. Автор: SHIN Min-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD OF FABRICATING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120108000A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120171861A1. Автор: PARK Sang-Yong,Youm Eunsun. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

LIGHT GUIDE PLATE, SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE, TRANSMISSION-TYPE IMAGE DISPLAY DEVICE, METHOD OF DESIGNING LIGHT DISTRIBUTION PATTERN FOR LIGHT GUIDE PLATE, AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT GUIDE PLATE

Номер патента: US20120287665A1. Автор: HYAKUTA Kentarou,Shimada Yoshihisa,SHIOMI Hidekazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

IMAGE PROCESSING APPARATUS THAT COMMUNICATES WITH SERVER VIA RELAY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING IMAGE PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120331175A1. Автор: Ito Fumitoshi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-12-27.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ESD PROTECTION CIRCUITS AND METHOD OF FABRICATING THE STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130009278A1. Автор: LEE Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Method of obtaining naftifine

Номер патента: RU2539654C1. Автор: Владимир Викторович Зорин,Ринат Нажибуллович Шахмаев,Алиса Шамилевна Сунагатуллина. Владелец: Алиса Шамилевна Сунагатуллина. Дата публикации: 2015-01-20.

Method of adjustment of volume level

Номер патента: RU2562371C1. Автор: Леонид Анатольевич Бурцев. Владелец: Леонид Анатольевич Бурцев. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of determining corrosive activity of fuels for jet propulsion motors

Номер патента: RU2378640C1. Автор: Александр Васильевич Исаев,Валерий Александрович Астафьев,Андрей Александрович Кузнецов,Владимир Викторович Сузиков,Федор Владимирович Тимофеев. Владелец: Федеральное автономное учреждение "25 Государственный научно-исследовательский институт химмотологии Министерства обороны Российской Федерации". Дата публикации: 2010-01-10.

Method of producing granular ammophos

Номер патента: RU2370477C1. Автор: Игорь Григорьевич Гришаев,Андрей Михайлович Норов,Владимир Иванович Голоус,Магди Муратович Ахметшин,Алексей Борисович Грибков,Владимир Васильевич Давыденко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт по удобрениям и инсектофунгицидам им. профессора Я.В. Самойлова". Дата публикации: 2009-10-20.

Method of stimulation of embryogenesis of egg production hens and prevention of physiological exposure to stress

Номер патента: RU2486752C1. Автор: Марк Семенович Найденский,Татьяна Олеговна Азарнова,Инесса Сергеевна Ярцева,Сергей Юрьевич Зайцев,Лючана Юрьевна Азарнова,Ирина Анатольевна Ярцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия ветеринарной медицины и биотехнологии имени К.И. Скрябина" (ФГБОУ ВПО МГАВМиБ). Дата публикации: 2013-07-10.

Method of obtaining polyquinones

Номер патента: RU2552516C1. Автор: Наталия Александровна Мукменева,Ренат Маратович Ахмадуллин,Альфия Гариповна Ахмадуллина,Лев Владимирович Верижников,Динар Равилевич Гатиятуллин. Владелец: Альфия Гариповна Ахмадуллина. Дата публикации: 2015-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.