Method for making thin film and electronic apparatus
Номер патента: US20020114887A1
Опубликовано: 22-08-2002
Автор(ы): Masahiro Furusawa, Tatsuya Shimoda
Принадлежит: Seiko Epson Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-08-2002
Автор(ы): Masahiro Furusawa, Tatsuya Shimoda
Принадлежит: Seiko Epson Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for areal selective forming of thin film
Номер патента: US20240368762A1. Автор: Ha Na Kim,Ju Hwan Jeong,Han Bin Lee,Kyu Ho Cho,Woong Jin CHOI,Hyeon Sik Cho,Myeong Il Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2024-11-07.