MITIGATING A VOLTAGE CONDITION OF A MEMORY CELL IN A MEMORY SUB-SYSTEM.

MITIGATING A VOLTAGE CONDITION OF A MEMORY CELL IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220351786A1
Опубликовано: 03-11-2022
Автор(ы): Feeley Peter, Kaynak Mustafa N., Lin Qisong, Muchherla Kishore Kumar, Nowell Shane, Parthasarathy Sivagnanam, Ratnam Sampath K., Rayaprolu Vamsi Pavan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Mitigating a voltage condition of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20210109805A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Mitigating a voltage condition of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20220351786A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Application of dynamic trim strategy in a die-protection memory sub-system

Номер патента: US11989107B2. Автор: Tingjun Xie,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Application of dynamic trim strategy in a die-protection memory sub-system

Номер патента: US20210042200A1. Автор: Tingjun Xie,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Remapping bad blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240256132A1. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Remapping bad blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20220319622A1. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

MITIGATING A VOLTAGE CONDITION OF A MEMORY CELL IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20190243704A1. Автор: Feeley Peter,Parthasarathy Sivagnanam,Kaynak Mustafa N.,Ratnam Sampath K.,Muchherla Kishore Kumar,Rayaprolu Vamsi Pavan,Nowell Shane,Lin Qisong. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Configuring partitions of a memory sub-system for different data

Номер патента: US20210173577A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Executing a refresh operation in a memory sub-system

Номер патента: US12009042B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu,Harish R. Singidi,Gianni S. Alsasua. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory sub-system using partial superblocks

Номер патента: EP4396667A1. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory sub-system using partial superblocks

Номер патента: US11934268B2. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Detailed failure notifications in memory sub-systems

Номер патента: US20210109826A1. Автор: Poorna Kale,Christopher J. Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory sub-system data retention via refresh

Номер патента: US11868224B2. Автор: Nicholas T. Heath. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory sub-system data retention via refresh

Номер патента: US20230062129A1. Автор: Nicholas T. Heath. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Detailed failure notifications in memory sub-systems

Номер патента: US11604710B2. Автор: Poorna Kale,Christopher J. Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Memory sub-system managing remapping for misaligned memory components

Номер патента: US20210074343A1. Автор: Luca Porzio,Paolo Papa,Marco Di Pasqua. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Prioritization of error control operations at a memory sub-system

Номер патента: US20210042181A1. Автор: Xiangang Luo,Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu,Harish R. Singidi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory sub-system managing remapping for misaligned memory components

Номер патента: US20220084572A1. Автор: Luca Porzio,Paolo Papa,Marco Di Pasqua. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Read level edge find operations in a memory sub-system

Номер патента: US20210191814A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory sub-system temperature control

Номер патента: US20220138073A1. Автор: Tao Liu,Ting Luo,Christopher J. Bueb,Eric Yuen,Cheng Cheng Ang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Read level edge find operations in a memory sub-system

Номер патента: US20210011802A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory sub-system with dynamic calibration using component-based function(s)

Номер патента: US20190391865A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Violante Moschiano,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory sub-system with dynamic calibration using component-based function(s)

Номер патента: EP3811363A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Violante Moschiano,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-28.

Managing a hybrid error recovery process in a memory sub-system

Номер патента: US11861178B2. Автор: Jian Huang,Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Managing a hybrid error recovery process in a memory sub-system

Номер патента: US20240020025A1. Автор: Jian Huang,Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory sub-system transfer queue retention

Номер патента: US20240053924A1. Автор: Amit Bhardwaj,Vinay Sandeep,Sanandan Sharma,Prashanth Reddy Enukonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory sub-system with dynamic calibration using component-based function(s)

Номер патента: US20210200613A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Violante Moschiano,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Power management component for memory sub-system voltage regulation

Номер патента: WO2020159628A3. Автор: Michael R. Spica,Patrick T. Caraher. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-25.

Power management component for memory sub-system voltage regulation

Номер патента: US11960349B2. Автор: Michael R. Spica,Patrick T. Caraher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Power management component for memory sub-system voltage regulation

Номер патента: US20230025355A1. Автор: Michael R. Spica,Patrick T. Caraher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Power management component for memory sub-system voltage regulation

Номер патента: US20200243119A1. Автор: Michael R. Spica,Patrick T. Caraher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Power management component for memory sub-system voltage regulation

Номер патента: US20210224147A1. Автор: Michael R. Spica,Patrick T. Caraher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Power management component for memory sub-system voltage regulation

Номер патента: EP3918597A2. Автор: Michael R. Spica,Patrick T. Caraher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Power management component for memory sub-system voltage regulation

Номер патента: WO2020159628A2. Автор: Michael R. Spica,Patrick T. Caraher. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory sub-system event log management

Номер патента: US12118229B2. Автор: Sanjay Tiwari,Adam J. Hieb,Adam C. Guy,Todd A Marquart. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Efficient management of failed memory blocks in memory sub-systems

Номер патента: US11914474B2. Автор: Andrew M. Kowles,Adam J. Hieb,Tyler L. Betz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory sub-system event log management

Номер патента: US20220066679A1. Автор: Sanjay Tiwari,Adam J. Hieb,Todd A. Marquart,Adam C. Guy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Real time trigger rate monitoring in a memory sub-system

Номер патента: US11789839B2. Автор: Francis Chew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Real time trigger rate monitoring in a memory sub-system

Номер патента: US20200110685A1. Автор: Francis Chew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

A memory sub-system including an in package sequencer separate from a controller

Номер патента: EP3847539A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-14.

Adaptive background scans in a memory sub-system

Номер патента: US11797376B2. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Anita Marguerite Ekren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Error Logging for a Memory Device with On-Die Wear Leveling

Номер патента: US20230350574A1. Автор: Donald M. Morgan,John David Porter,Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Managing execution of a scrub operation in view of an operating characteristic of a memory subsystem

Номер патента: US11742053B2. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Operation of a multi-slice processor implementing exception handling in a nested translation environment

Номер патента: US20180293126A1. Автор: Dwain A. Hicks,Jonathan H. Raymond,Shih-Hsiung S. Tung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Management of event log information of a memory sub-system

Номер патента: US11816015B2. Автор: Erick W. Minja. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Garbage collection in a memory sub-system during a low battery state

Номер патента: EP4018316A1. Автор: Jianmin Huang,Aparna U. Limaye,Tomoko Ogura Iwasaki,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Advanced programming verification schemes for memory cells

Номер патента: US20150193293A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Barak Rotbard,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Advanced programming verification schemes for memory cells

Номер патента: US09417948B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Barak Rotbard,Shai Ojalvo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Garbage collection in a memory sub-system during a low battery state

Номер патента: US20210056019A1. Автор: Jianmin Huang,Aparna U. Limaye,Tomoko Ogura Iwasaki,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Garbage collection in a memory sub-system during a low battery state

Номер патента: EP4018316A4. Автор: Jianmin Huang,Aparna U. Limaye,Tomoko Ogura Iwasaki,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Media management logger for a memory sub-system

Номер патента: US20210019218A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

MEMORY ENDURANCE MEASURES IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20200066364A1. Автор: Liikanen Bruce A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Wear leveling based on sub-group write counts in a memory sub-system

Номер патента: US11789861B2. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Paul Stonelake,Alex Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-tier health status in a memory device

Номер патента: US20240220110A1. Автор: LU Tong,Lawrence Celso Miranda,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Providing bandwidth expansion for a memory sub-system including a sequencer separate from a controller

Номер патента: US20200081763A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Providing bandwidth expansion for a memory sub-system including a sequencer separate from a controller

Номер патента: WO2020051520A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Cheng Yuan Wu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory sub-system data loss prediction

Номер патента: US11733910B2. Автор: Nicholas T. Heath. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Enabling stripe-based operations for error recovery at a memory sub-system

Номер патента: US11775179B2. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Juane LI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory sub-system data loss prediction

Номер патента: US20230066851A1. Автор: Nicholas T. Heath. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Enabling stripe-based operations for error recovery at a memory sub-system

Номер патента: US20230409210A1. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Juane LI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: EP3317766A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-09.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: WO2017003548A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-05.

Analysis of memory sub-systems based on threshold distributions

Номер патента: US11783185B2. Автор: Aswin Thiruvengadam,Daniel L. Lowrance,Joshua Phelps,Peter B. Harrington. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Adaptive error recovery when program status failure occurs in a memory device

Номер патента: US20240272983A1. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Reset and replay of memory sub-system controller in a memory sub-system

Номер патента: US20210019217A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

RESET AND REPLAY OF MEMORY SUB-SYSTEM CONTROLLER IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220075682A1. Автор: Wang Wei,TAI YING YU,Zhu Fangfang,Zhu Jiangli. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Reset and replay of memory sub-system controller in a memory sub-system

Номер патента: US11714697B2. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US20210019089A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US20220283744A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US12019915B2. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Accessible accumulated memory temperature readings in a memory sub-system

Номер патента: US20200073577A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Accessible accumulated memory temperature readings in a memory sub-system

Номер патента: EP3847551A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-14.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US20210064248A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US20220326856A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US11782606B2. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Providing recovered data to a new memory cell at a memory sub-system based on an unsuccessful error correction operation

Номер патента: US20240103749A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Providing recovered data to a new memory cell at a memory sub-system based on an unsuccessful error correction operation

Номер патента: US11868639B2. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Test Memory Sub-Systems through Validation of Responses to Proof of Space Challenges

Номер патента: US20240220132A1. Автор: Luca Bert,Joseph Harold Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: US11817152B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: US20220406381A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Timed data transfer between a host system and a memory sub-system

Номер патента: US12045168B2. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Timed data transfer between a host system and a memory sub-system

Номер патента: US20240370373A1. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: US20220139460A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Test memory sub-systems through validation of responses to proof of space challenges

Номер патента: US11941254B2. Автор: Luca Bert,Joseph Harold Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Power loss protection in memory sub-systems

Номер патента: US12061543B2. Автор: Andrew M. Kowles. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: WO2022094423A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-05.

Adjustment of a starting voltage corresponding to a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US12125539B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Adaptive integrity scan in a memory sub-system

Номер патента: US20240062834A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Implementing sticky read using error control success rate associated with a memory sub-system

Номер патента: US11024394B2. Автор: Michael Miller,Ashutosh Malshe,Renato Padilla, JR.,Sampath Ratnam,Harish Singidi,Kishore Muchherla,Vamsi Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Data recovery based on parity data in a memory sub-system

Номер патента: US12066892B2. Автор: Amit Bhardwaj,Naveen Bolisetty,Suman Kumari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Adjustment of a voltage corresponding to an erase distribution of a memory sub-system

Номер патента: US20210043258A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Transmitting data and power to a memory sub-system for memory device testing

Номер патента: US20210193249A1. Автор: Larry J. Koudele,Michael T. Brady,Gary D. Hamor,William A. Marcus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Timed Data Transfer between a Host System and a Memory Sub-System

Номер патента: US20210374060A1. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory sub-system refresh

Номер патента: US11934690B2. Автор: Tao Liu,Jianmin Huang,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Adjustable memory operation settings based on memory sub-system operating requirements

Номер патента: US11734195B2. Автор: Poorna Kale,Christopher Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Adjustable memory operation settings based on memory sub-system operating requirements

Номер патента: US20210117338A1. Автор: Poorna Kale,Christopher Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory sub-system with background scan and histogram statistics

Номер патента: US20220180962A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory sub-system with background scan and histogram statistics

Номер патента: US20200365228A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory sub-system with background scan and histogram statistics

Номер патента: US11264116B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Estimating the temperature of a memory sub-system

Номер патента: WO2020117600A1. Автор: Jui-Yao Yang,William Akin,David A. Holmstrom. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Managing threshold voltage drift based on operating characteristics of a memory sub-system

Номер патента: US20210064277A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Data block switching at a memory sub-system

Номер патента: US20210191852A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Sampath K. Ratnam,Kevin R. Brandt,Cory M. Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Separating parity data from host data in a memory sub-system

Номер патента: US20210182143A1. Автор: Naveen Bolisetty,Rajeshwar Kailash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Dynamic background scan optimization in a memory sub-system

Номер патента: US20220350538A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek,Gerald L. Cadloni,Francis Chew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Dynamic background scan optimization in a memory sub-system

Номер патента: US20210181993A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek,Gerald L. Cadloni,Francis Chew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Elastic buffer for media management of a memory sub-system

Номер патента: US20210191646A1. Автор: Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Hardware based accelerator for memory sub-system operations

Номер патента: WO2021011237A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: US20170004035A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Accessing data using error correction operation(s) to reduce latency at a memory sub-system

Номер патента: US20240036973A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Zixiang Loh,Thomas Herbert Lentz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Accessing data using error correction operation(s) to reduce latency at a memory sub-system

Номер патента: US12007838B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Sampath K Ratnam,Zixiang Loh,Thomas Herbert Lentz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Redundancy metadata media management at a memory sub-system

Номер патента: US11860732B2. Автор: Fangfang Zhu,Juane LI,Seungjune Jeon,Yueh-Hung Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Accessing data using error correction operation(s) to reduce latency at a memory sub-system

Номер патента: US20240296092A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Zixiang Loh,Thomas Herbert Lentz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Data logging sub-system for memory sub-system controller

Номер патента: US20230090519A1. Автор: Michael Richard Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Data logging sub-system for memory sub-system controller

Номер патента: US11726698B2. Автор: Michael Richard Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Data logging sub-system for memory sub-system controller

Номер патента: US20210271408A1. Автор: Michael Richard Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Logic based read sample offset in a memory sub-system

Номер патента: US11983065B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory sub-system storage mode control

Номер патента: US12014088B2. Автор: Thomas Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US11749353B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US12068037B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory sub-system grading and allocation

Номер патента: US20210065789A1. Автор: Andrew M. Kowles,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory sub-system grading and allocation

Номер патента: US20210241827A1. Автор: Andrew M. Kowles,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory sub-system write sequence track

Номер патента: US11841794B2. Автор: Kishore K. Muchherla,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory sub-system write sequence track

Номер патента: US20240086316A1. Автор: Kishore K. Muchherla,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Mitigating slow read disturb in a memory sub-system

Номер патента: US20240184481A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Giuseppina Puzzilli,Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory sub-system for memory cell in-field touch-up

Номер патента: US20240152279A1. Автор: Akira Goda,Huai-Yuan Tseng,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Intervallic dynamic start voltage and program verify sampling in a memory sub-system

Номер патента: US20230005553A1. Автор: Tong Liu,Eric N. Lee,Ugo Russo,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Cobie B. Loper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for respective groups of wordlines in a memory sub-system

Номер патента: US12014050B2. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for respective groups of wordlines in a memory sub-system

Номер патента: US20240319881A1. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Tracking charge loss in memory sub-systems

Номер патента: US20240242774A1. Автор: Guang SHEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US20230360709A1. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory sub-system management of firmware block record and device block record

Номер патента: US20210240635A1. Автор: Peng Xu,Jung Sheng Hoei,Mark Ish,Jiangang WU,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Managing distribution of page addresses and partition numbers in a memory sub-system

Номер патента: US20240192893A1. Автор: Fangfang Zhu,Chih-kuo Kao,Bharani Rajendiran,Jason Duong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Determining whether a memory cell state is in a valley between adjacent data states

Номер патента: US09990988B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Robert B. Eisenhuth,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Dynamic block categorization to improve reliability and performance in memory sub-system

Номер патента: US20240248616A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Niccolo' Righetti,Sandeep Reddy Kadasani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Mitigating slow read disturb in a memory sub-system

Номер патента: US11941285B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Giuseppina Puzzilli,Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for wordlines at corner temperatures in a memory sub-system

Номер патента: US20240061608A1. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for wordlines at corner temperatures in a memory sub-system

Номер патента: US12026394B2. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Management of peak current of memory dies in a memory sub-system

Номер патента: US11681474B2. Автор: Liang Yu,Fulvio Rori,John Paul Aglubat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Cache read context switching in a memory sub-system

Номер патента: US11886346B2. Автор: Umberto Siciliani,Giuseppe D'Eliseo,Carminantonio Manganelli,Anna Scalesse. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Temperature correction in memory sub-systems

Номер патента: US20200319827A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Gianni Stephen Alsasua,Ashutosh Malshe,Renato Padilla, JR.,Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for respective groups of wordlines in a memory sub-system

Номер патента: US20240061583A1. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Tracking charge loss in memory sub-systems

Номер патента: US11923031B2. Автор: Guang SHEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Separating parity data from host data in a memory sub-system

Номер патента: US20210342219A1. Автор: Naveen Bolisetty,Rajeshwar Kailash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Using a status indicator in a memory sub-system to detect an event

Номер патента: US11120885B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Michael G. Miller,Harish R. Singidi,Walter Di Francesco,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Using a status indicator in a memory sub-system to detect an event

Номер патента: US20210074374A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Michael G. Miller,Harish R. Singidi,Walter Di Francesco,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Managing distribution of page addresses and partition numbers in a memory sub-system

Номер патента: US11941290B2. Автор: Fangfang Zhu,Chih-kuo Kao,Bharani Rajendiran,Jason Duong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Performing an on demand refresh operation of a memory sub-system

Номер патента: EP3874503A1. Автор: Michael T. Brady. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Performing an on demand refresh operation of a memory sub-system

Номер патента: WO2020092642A1. Автор: Michael T. Brady. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Using a status indicator in a memory sub-system to detect an event

Номер патента: US20200027514A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Michael G. Miller,Harish R. Singidi,Walter Di Francesco,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Reuse of bad blocks for tasks in a memory sub-system

Номер патента: US20230333762A1. Автор: Robert Mason,Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Stuart A. Bell,Dennis J. Borgonos. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory sub-system including an in-package sequencer to perform error correction and memory testing operations

Номер патента: US11869618B2. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu,Samir Mittal,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Using a status indicator in a memory sub-system to detect an event

Номер патента: US20200219573A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Michael G. Miller,Harish R. Singidi,Walter Di Francesco,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory sub-system management of firmware block record and device block record

Номер патента: US11847065B2. Автор: Peng Xu,Jung Sheng Hoei,Mark Ish,Jiangang WU,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Dynamic block categorization to improve reliability and performance in memory sub-system

Номер патента: US20240020020A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Niccolo' Righetti,Sandeep Reddy Kadasani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Dynamic block categorization to improve reliability and performance in memory sub-system

Номер патента: US11972114B2. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Niccolo' Righetti,Sandeep Reddy Kadasani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory sub-system lun bypassing

Номер патента: US20240345946A1. Автор: Meng Wei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Accelerated read translation path in memory sub-system

Номер патента: US20220214830A1. Автор: Johnny A. LAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory sub-system memory bank search component

Номер патента: US11960754B2. Автор: Brian Toronyi,Chandrakanth Rapalli,Revanth Kamaraj,Balwinder Pal Sethi,Trapti Jain,Madhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory sub-system lun bypassing

Номер патента: WO2024045113A1. Автор: Meng Wei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Management of unmapped allocation units of a memory sub-system

Номер патента: US20230015706A1. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Management of Programming Mode Transitions to Accommodate a Constant Size of Data Transfer between a Host System and a Memory Sub-System

Номер патента: US20200409855A1. Автор: James Fitzpatrick,Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Serial interface for an active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: WO2023038864A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chulbum Kim,Dustin J. Carter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-16.

Serial interface for an active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: US12130755B2. Автор: Suresh Rajgopal,Chulbum Kim,Dustin J. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: EP4399595A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Management of Programming Mode Transitions to Accommodate a Constant Size of Data Transfer between a Host System and a Memory Sub-System

Номер патента: US20240037039A1. Автор: James Fitzpatrick,Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Management of programming mode transitions to accommodate a constant size of data transfer between a host system and a memory sub-system

Номер патента: US11782841B2. Автор: James Fitzpatrick,Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Management of power state transitions of a memory sub-system

Номер патента: US20200310524A1. Автор: Kihoon Park,David A. Holmstrom. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory sub-system addressing for data and additional data portions

Номер патента: US12072761B2. Автор: Daniele Balluchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: WO2020040909A1. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: US20200066310A1. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: US20200411069A1. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: US11830568B2. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: US20220415368A1. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: US11430489B2. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: US20240127867A1. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Power management component for memory sub-system power cycling

Номер патента: EP3841449A1. Автор: Matthew D. Rowley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Classifying access frequency of a memory sub-system component

Номер патента: US11650933B2. Автор: Yue Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

Operating temperature management of a memory sub-system

Номер патента: US11841753B2. Автор: Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Operating temperature management of a memory sub-system

Номер патента: US20210397233A1. Автор: Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Management of power state transitions of a memory sub-system

Номер патента: US20200201417A1. Автор: Kihoon Park,David A. Holmstrom. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Setting a power mode based on a workload level in a memory sub-system

Номер патента: EP4121962A1. Автор: Liang Yu,Jonathan Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-25.

Operating temperature management of a memory sub-system

Номер патента: US20200081507A1. Автор: Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Operating temperature management of a memory sub-system

Номер патента: WO2020051364A1. Автор: Shane Nowell,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-12.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US20230074538A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Data recovery within a memory sub-system without moving or processing the data through a host

Номер патента: US12124345B2. Автор: David G. Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory sub-system addressing for data and additional data portions

Номер патента: US20230393930A1. Автор: Daniele Balluchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Managing power loss recovery using a dirty section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US20230281123A1. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US20230244566A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US11994945B2. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Managing storage of multiple plane parity data in a memory sub-system

Номер патента: US11907066B2. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Harish R. Singidi,Lakshmi Kalpana Vakati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Managing power loss recovery using a dirty section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US11940912B2. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Multi-pass data programming in a memory sub-system having multiple dies and planes

Номер патента: US12050809B2. Автор: Mark Ish,Steven S. Williams,Sanjay Subbarao,John Edward Maroney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Multi-Pass Data Programming in a Memory Sub-System having Multiple Dies and Planes

Номер патента: US20240377991A1. Автор: Mark Ish,Steven S. Williams,Sanjay Subbarao,John Edward Maroney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory Sub-Systems with Separate Paths for Applications to Access Memory Cells

Номер патента: US20240329883A1. Автор: Poorna Kale,Saideep Tiku. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Host defined zone group configuration at a memory sub-system

Номер патента: US12105970B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Performance control for a memory sub-system

Номер патента: US20240192866A1. Автор: Peng Xu,Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for an internal command from a plurality of processing cores with memory sub-system that cache identifiers for access comands

Номер патента: US20240272967A1. Автор: Jay R. Shoen,John Traver. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Command batching for a memory sub-system

Номер патента: US20210278985A1. Автор: Ning Zhao,Yun Li,Scheheresade Virani,John Paul Traver,Tom Victor Maria Geukens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Firmware power up sequencing in memory sub-systems

Номер патента: US20230064014A1. Автор: Venkata Naga Lakshman Pasala,Ximin Shan,Noorshaheen Mavungal Noorudheen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Trim value loading management in a memory sub-system

Номер патента: US20220113890A1. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Runtime memory allocation to avoid and delay defect effects in memory sub-systems

Номер патента: US11762567B2. Автор: Andrew M. Kowles,Woei Chen Peh,Xiaoxin Zou,Eng Hong Tan,Zaihas Amri Fahdzan Bin Hasfar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Aggregating log data to a redundant die of a memory sub-system

Номер патента: US20240311040A1. Автор: Meng Wei,YUE Wei,Dahai Tian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Intelligent Allocation of Read and Write Buffers in Memory Sub-Systems

Номер патента: US20240330172A1. Автор: Poorna Kale,Saideep Tiku. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Power management based on detected voltage parameter levels in a memory sub-system

Номер патента: US20210334020A1. Автор: Liang Yu,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Power management based on detected voltage parameter levels in a memory sub-system

Номер патента: WO2021216784A1. Автор: Liang Yu,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Firmware power up sequencing in memory sub-systems

Номер патента: US20240248623A1. Автор: Venkata Naga Lakshman Pasala,Ximin Shan,Noorshaheen Mavungal Noorudheen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Separate cores for media management of a memory sub-system

Номер патента: US12001330B2. Автор: John Paul Traver,Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory sub-system performance shaping including adding a delay to particular data traffic

Номер патента: US11630579B2. Автор: Douglas E. Majerus,Steven J. Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Separate cores for media management of a memory sub-system

Номер патента: US20240281372A1. Автор: John Paul Traver,Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: US11132292B2. Автор: Jeremy W. Butterfield,Suresh Rajgopal,Dustin J. Carter,Sean E. Nerich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Asynchronous power loss handling approach for a memory sub-system

Номер патента: US11914876B2. Автор: Michael G. Miller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Emulating memory sub-systems that have different performance characteristics

Номер патента: US11861193B2. Автор: Jacob Mulamootil Jacob,Steven Moyer,John M. Groves. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Performance control for a memory sub-system

Номер патента: US11899948B2. Автор: Peng Xu,Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Zone block staging component for a memory sub-system with zoned namespace

Номер патента: US20240028239A1. Автор: Luca Bert,Kumar VKH Kanteti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for an internal command from a plurality of processing cores with memory sub-system that cache identifiers for access commands

Номер патента: US11989600B2. Автор: Jay R. Shoen,John Traver. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory sub-system command fencing

Номер патента: US11941291B2. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Request control for memory sub-systems

Номер патента: US20230214155A1. Автор: Laurent Isenegger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Enabling multiple data capacity modes at a memory sub-system

Номер патента: US20230359398A1. Автор: Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Request control for memory sub-systems

Номер патента: US20230067576A1. Автор: Laurent Isenegger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory sub-system command fencing

Номер патента: US20240231703A1. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Runtime memory allocation to avoid and delay defect effects in memory sub-systems

Номер патента: US20210365195A1. Автор: Andrew M. Kowles,Woei Chen Peh,Xiaoxin Zou,Eng Hong Tan,Zaihas Amri Fahdzan Bin Hasfar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory sub-system-bounded memory function

Номер патента: US20220050624A1. Автор: Robert Walker,Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory sub-system-bounded memory function

Номер патента: US20210157510A1. Автор: Robert Walker,Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Managing an adjustable write-to-read delay based on cycle counts in a memory sub-system

Номер патента: US11914889B2. Автор: Wei Wang,Tingjun Xie,Jiangli Zhu,Zhenming Zhou,Frederick Adi,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Interruption of program operations at a memory sub-system

Номер патента: US11803321B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Horia C. Simionescu,Peng-Cheng Chen,Rohitkumar Makhija. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Namespace management for memory sub-systems

Номер патента: US20230350798A1. Автор: Mark Ish,Alexei Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Interruption of program operations at a memory sub-system

Номер патента: US20210173585A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Horia C. Simionescu,Peng-Cheng Chen,Rohitkumar Makhija. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory sub-system address mapping

Номер патента: US11842059B2. Автор: Robert M. Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Separate cores for media management of a memory sub-system

Номер патента: US20220171702A1. Автор: John Paul Traver,Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Firmware power up sequencing in memory sub-systems

Номер патента: US11977755B2. Автор: Venkata Naga Lakshman Pasala,Ximin Shan,Noorshaheen Mavungal Noorudheen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Priority scheduling in queues to access cache data in a memory sub-system

Номер патента: US12007917B2. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory sub-system temperature regulation

Номер патента: EP4078583A1. Автор: Jacob Sloat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Memory sub-system temperature regulation

Номер патента: WO2021126498A1. Автор: Jacob Sloat. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory sub-system temperature regulation by modifying a data parameter

Номер патента: US11809721B2. Автор: Jacob Sloat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory sub-system performance shaping

Номер патента: US20210255768A1. Автор: Douglas E. Majerus,Steven J. Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Trim value loading management in a memory sub-system

Номер патента: US11914890B2. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: US20240160349A1. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Interruption of program operations at a memory sub-system

Номер патента: US20200210098A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Horia C. Simionescu,Peng-Cheng Chen,Rohitkumar Makhija. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory sub-system performance shaping

Номер патента: US20230214120A1. Автор: Douglas E. Majerus,Steven J. Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory sub-system performance shaping including controlling data traffic

Номер патента: US12014048B2. Автор: Douglas E. Majerus,Steven J. Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: US20210173771A1. Автор: Jeremy W. Butterfield,Suresh Rajgopal,Dustin J. Carter,Sean E. Nerich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Pre-fetch for memory sub-system with cache

Номер патента: US20210157733A1. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Checking status of multiple memory dies in a memory sub-system

Номер патента: WO2022011312A1. Автор: Ali Mohammadzadeh,Dheeraj Srinivasan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: US20210406172A1. Автор: Jeremy W. Butterfield,Suresh Rajgopal,Dustin J. Carter,Sean E. Nerich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: US11675696B2. Автор: Jeremy W. Butterfield,Suresh Rajgopal,Dustin J. Carter,Sean E. Nerich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Tracking host-provided metadata in a memory sub-system

Номер патента: US20230251927A1. Автор: Ning Chen,Juane LI,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory sub-system temperature throttling relaxation

Номер патента: US20220043493A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory sub-system and computing system including the same

Номер патента: US20140013066A1. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-09.

Improved handling of host-initiated requests in memory sub-systems

Номер патента: WO2021021905A1. Автор: Suresh Rajgopal,Marc S. Hamilton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

Managing an adjustable write-to-read delay of a memory sub-system

Номер патента: US20220027077A1. Автор: Wei Wang,Tingjun Xie,Jiangli Zhu,Zhenming Zhou,Frederick Adi,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Coherency issue resolution in logical to physical page translation in a memory sub-system

Номер патента: US20210181966A1. Автор: Peng Xu,Yun Li,Jiangang WU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Quality of service control of logical devices for a memory sub-system

Номер патента: US20220237133A1. Автор: Xiaodong Wang,Horia C. Simionescu,Venkata Yaswanth Raparti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Maintaining data consistency in a memory sub-system that uses hybrid wear leveling operations

Номер патента: US20210096986A1. Автор: Ning Chen,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Maintaining data consistency in a memory sub-system that uses hybrid wear leveling operations

Номер патента: US11874769B2. Автор: Ning Chen,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Quality of service control of logical devices for a memory sub-system

Номер патента: WO2021138576A1. Автор: Xiaodong Wang,Horia C. Simionescu,Venkata Yaswanth Raparti. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Quality of service control of logical devices for a memory sub-system

Номер патента: US20210200703A1. Автор: Xiaodong Wang,Horia C. Simionescu,Venkata Yaswanth Raparti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Method and apparatus for monitoring system performance and dynamically updating memory sub-system settings using software to optimize performance and power consumption

Номер патента: US20160098193A1. Автор: Shinye Shiu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Method and apparatus for monitoring system performance and dynamically updating memory sub-system settings using software to optimize performance and power consumption

Номер патента: US09892054B2. Автор: Shinye Shiu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Pre-shutdown media management operation for vehicle memory sub-system

Номер патента: US11687260B2. Автор: Minjian Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Providing recovered data to a new memory cell at a memory sub-system based on an unsuccessful error correction operation

Номер патента: US20190250843A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Providing recovered data to a new memory cell at a memory sub-system based on an unsuccessful error correction operation

Номер патента: US11068186B2. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-20.

Protecting an ecc location when transmitting correction data across a memory link

Номер патента: WO2017087075A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-26.

Protecting an ecc location when transmitting correction data across a memory link

Номер патента: EP3377975A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Generating error checking data for error detection during modification of data in a memory sub-system

Номер патента: US20210011799A1. Автор: Ning Chen,Juane LI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Read threshold adjustment techniques for non-binary memory cells

Номер патента: US11494114B1. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Circuit partitioning for a memory device

Номер патента: US11144228B2. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Claudio Nava,Marco Defendi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-12.

Accessible accumulated memory temperature readings in a memory sub-system

Номер патента: EP3847551A4. Автор: Bruce A. Liikanen,Gerald L. Cadloni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

METHOD FOR LIMITING A VOLTAGE IN THE REVERSE DIRECTION OF A LIGHT Emitting DIODE WHICH IS ARRAYED IN A SAFE ELEMENT

Номер патента: BR112017007530B1. Автор: Stefan Kluge. Владелец: Giesecke+Devrient Mobile Security Gmbh. Дата публикации: 2022-09-20.

Memory sub-system scan

Номер патента: US20220068406A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu,Jeffrey S. Mcneil Jr.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Programming operation using cache register release in a memory sub-system

Номер патента: US20240203501A1. Автор: Violante Moschiano,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory sub-system scan

Номер патента: US20230085178A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu,Jeffrey S. Mcneil Jr.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Zone-aware memory management in memory sub-systems

Номер патента: US20240256463A1. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Express programming using advanced cache register release in a memory sub-system

Номер патента: US11908523B2. Автор: Violante Moschiano,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Zone-aware memory management in memory sub-systems

Номер патента: US20230161712A1. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Low power memory sub-system using variable length column command

Номер патента: WO2018089880A1. Автор: Nikhil Jain,Umesh Rao,Ankit SHAMBHU,Shyam Bahadur RAGHUBANSHI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-17.

Zone-aware memory management in memory sub-systems

Номер патента: US20210397562A1. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Zone-aware memory management in memory sub-systems

Номер патента: US11960409B2. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Low power memory sub-system using variable length column command

Номер патента: EP3539002A1. Автор: Nikhil Jain,Umesh Rao,Ankit SHAMBHU,Shyam Bahadur RAGHUBANSHI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-18.

Power disable of memory sub-system

Номер патента: US11755093B2. Автор: Manohar Karthikeyan,Mehdi Partou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Power disable of memory sub-system

Номер патента: US20210124409A1. Автор: Manohar Karthikeyan,Mehdi Partou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Power disable of memory sub-system

Номер патента: WO2021081224A1. Автор: Manohar Karthikeyan,Mehdi Partou. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Ball grid array storage for a memory sub-system

Номер патента: US11886358B2. Автор: Suresh Rajgopal,Balint Fleischer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Machine learning assisted read verify in a memory sub-system

Номер патента: US11810630B2. Автор: Amit Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: EP4396688A1. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: WO2023034535A8. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-03-21.

Dynamic zone group configuration at a memory sub-system

Номер патента: US12131041B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Managing allocation of sub-blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240231641A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-pass data programming in a memory sub-system having multiple dies and planes

Номер патента: WO2020251711A1. Автор: Mark Ish,Steven S. Williams,Sanjay Subbarao,John Edward Maroney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Managing a mode to access a memory component or a logic component for machine learning computation in a memory sub-system

Номер патента: US11720268B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Managing a mode to access a memory component or a logic component for machine learning computation in a memory sub-system

Номер патента: US20220365693A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Managing trim commands in a memory sub-system

Номер патента: US11868642B2. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Horia Simionescu,Chih-kuo Kao,Yueh-Hung Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Modified read counter incrementing scheme in a memory sub-system

Номер патента: US20230393756A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Nicola Ciocchini,Animesh Roy Chowdhury. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Managing trim commands in a memory sub-system

Номер патента: US20240103752A1. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Horia Simionescu,Chih-kuo Kao,Yueh-Hung Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Modified read counter incrementing scheme in a memory sub-system

Номер патента: US11922029B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Nicola Ciocchini,Animesh Roy Chowdhury. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Smart swapping and effective encoding of a double word in a memory sub-system

Номер патента: US20240134554A1. Автор: Meng Wei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Modified read counter incrementing scheme in a memory sub-system

Номер патента: US20240160359A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Ugo Russo,Nicola Ciocchini,Animesh Roy Chowdhury,Niccolo’ Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Managing write command execution during a power failure in a memory sub-system

Номер патента: US20240319873A1. Автор: Yoav Weinberg,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US12131066B2. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Remapping bad blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240192875A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Aaron Lee,Wenyen CHANG,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Bad block mapping based on bad block distribution in a memory sub-system

Номер патента: US20240295977A1. Автор: Jiankun Li,Dahai Tian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: US11922011B2. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory sub-system logical block address remapping

Номер патента: US20220091975A1. Автор: Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Direct cache hit and transfer in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: US20220269611A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Balancing performance between interface ports in a memory sub-system

Номер патента: US12086412B2. Автор: Prateek Sharma,Raja V. S. Halaharivi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Arbiter circuit for commands from multiple physical functions in a memory sub-system

Номер патента: US11126375B2. Автор: Jiangli Zhu,Ying Yu Kai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Direct cache hit and transfer in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: US20210406185A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory sub-system codeword addressing

Номер патента: US20220066920A1. Автор: Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory sub-system signature generation

Номер патента: US20230236743A1. Автор: Kelsey J. Dobner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Unified sequencer concurrency controller for a memory sub-system

Номер патента: EP4396668A1. Автор: Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Optimizing a memory sub-system partition configuration using simulation

Номер патента: US20240281155A1. Автор: Claudio Giaccio,Massimo Iaculo,Angelo Della Monica,Luca Dorato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Telemetry-capable memory sub-system

Номер патента: US12061551B2. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US20230409239A1. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Implementing automatic rate control in a memory sub-system

Номер патента: US11960740B2. Автор: Ying Huang,Mark Ish. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory sub-system with a virtualized bus and internal logic to perform a machine learning operation

Номер патента: US11769076B2. Автор: Amit Gattani,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Managing command completion notification pacing in a memory sub-system

Номер патента: US20240069807A1. Автор: Venkat R. GADDAM,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Loading media settings from on-media locations in a memory sub-system

Номер патента: WO2021061529A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Douglas Eugene Majerus,Brent Carl Byron. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory sub-system codeword addressing

Номер патента: US11886331B2. Автор: Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Independent thermal throttling temperature control for memory sub-systems

Номер патента: US11899522B2. Автор: Curtis W. Egan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory sub-system data migration

Номер патента: US11829650B2. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Ting Luo,Phong S. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory sub-system for performing wear-leveling adjustments based on memory component endurance estimations

Номер патента: US11868663B2. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory sub-system logical block address remapping

Номер патента: US11847051B2. Автор: Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Smart swapping and effective encoding of a double word in a memory sub-system

Номер патента: US11868633B2. Автор: Meng Wei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Balancing performance between interface ports in a memory sub-system

Номер патента: US20240069732A1. Автор: Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory sub-system for performing wear-leveling adjustments based on memory component endurance estimations

Номер патента: US20200159448A1. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Quality of service management in a memory sub-system

Номер патента: US20240160553A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory sub-system codeword addressing

Номер патента: US20230289283A1. Автор: Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory sub-system for performing wear-leveling adjustments based on memory component endurance estimations

Номер патента: US20210200480A1. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Remapping bad blocks in a memory sub-system

Номер патента: WO2024124205A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Aaron Lee,Wenyen CHANG,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Facilitating sequential reads in memory sub-systems

Номер патента: US11704256B2. Автор: Stephen Hanna,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Asynchronous power loss handling approach for a memory sub-system

Номер патента: US20210200435A1. Автор: Michael G. Miller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Unified sequencer concurrency controller for a memory sub-system

Номер патента: US20240219994A1. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Y. Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Arbiter circuit for commands from multiple physical functions in a memory sub-system

Номер патента: WO2021011920A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Multi-factor authentication enabled memory sub-system

Номер патента: WO2021158551A1. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-12.

Telemetry-capable memory sub-system

Номер патента: US20240070072A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Unified sequencer concurrency controller for a memory sub-system

Номер патента: US11971772B2. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Y. Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Managing thermal throttling in a memory sub-system

Номер патента: WO2023069650A1. Автор: Wei Wang,Horia C. Simionescu,Jiangli Zhu,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-04-27.

Telemetry-capable memory sub-system

Номер патента: WO2024044338A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory sub-system manufacturing mode

Номер патента: US20210311887A1. Автор: Adam J. Hieb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory sub-system manufacturing mode

Номер патента: WO2021202126A1. Автор: Adam J. Hieb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory sub-system manufacturing mode

Номер патента: EP4128233A1. Автор: Adam J. Hieb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Memory sub-system manufacturing mode

Номер патента: US12019567B2. Автор: Adam J. Hieb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory sub-system for supporting deterministic and non-deterministic commands based on command expiration and the state of the intermediate command queue

Номер патента: US20240231704A1. Автор: Robert Walker,Patrick A. La Fratta. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory sub-system for monitoring mixed mode blocks

Номер патента: US12073107B2. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Hybrid iterative error correcting and redundancy decoding operations for memory sub-systems

Номер патента: WO2020023539A1. Автор: Zhengang Chen,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

Independent thermal throttling temperature control for memory sub-systems

Номер патента: US20220164021A1. Автор: Curtis W. Egan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Outstanding transaction monitoring for memory sub-systems

Номер патента: US11809710B2. Автор: Robert M. Walker,Dhawal Bavishi,Laurent Isenegger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Using a second content-addressable memory to manage memory burst accesses in memory sub-systems

Номер патента: US20200201776A1. Автор: Dhawal Bavishi,Laurent Isenegger,Jeffrey Frederiksen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Using a second content-addressable memory to manage memory burst accesses in memory sub-systems

Номер патента: US11847058B2. Автор: Dhawal Bavishi,Laurent Isenegger,Jeffrey Frederiksen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Outstanding transaction monitoring for memory sub-systems

Номер патента: US20230098454A1. Автор: Robert M. Walker,Dhawal Bavishi,Laurent Isenegger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory sub-system for supporting deterministic and non-deterministic commands based on command expiration and the state of the intermediate command queue

Номер патента: US11567700B2. Автор: Robert Walker,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory sub-system for supporting deterministic and non-deterministic commands based on command expiration and the state of the intermediate command queue

Номер патента: US20200264804A1. Автор: Robert Walker,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Failure-tolerant error correction layout for memory sub-systems

Номер патента: US11870461B2. Автор: Wei Wu,Zhengang Chen,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory sub-system media management operation threshold

Номер патента: US11354052B2. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Ashutosh Malshe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory sub-system for supporting deterministic and non-deterministic commands based on command expiration and the state of the intermediate command queue

Номер патента: US11972152B2. Автор: Robert Walker,Patrick A. La Fratta. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory sub-system media management operation threshold

Номер патента: US20220066638A1. Автор: Xiangang Luo,Jianmin Huang,Ashutosh Malshe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Determining status of a host operation without accessing the host in a shared storage environment

Номер патента: US20170249082A1. Автор: Nir Soffer,Adam Litke,Liron Aravot. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method and system to measure and represent the measured value of a limit in terms of another measurement in a signal measurement system

Номер патента: EP2256509A3. Автор: Mark L. Guenther,V. Anuradha,Manisha Ajgaonkar,Krishna N.H. Sri. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

Method and System to Measure and Represent the Measured Value of a Limit in Terms of Another Measurement in a Signal Measurement System

Номер патента: US20110119688A1. Автор: Mark L. Guenther,Pechluck Pongched,G R N Prasanth,Raghavendran N,Krishna N. H. Sri,Manisha D. Ajgaonkar,Anuradha V. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2011-05-19.

Method and system to measure and represent the measured value of a limit in terms of another measurement in a signal measurement system

Номер патента: EP2253965A3. Автор: Mark L. Guenther,Manisha Ajgaonkar,Krishna N.H. Sri,Prasanth Grn,Pechluck Pongched,N. Raghavendran. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

Secure data communication with memory sub-system

Номер патента: US11748273B2. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Thermal improvements for memory sub-systems

Номер патента: US20240069581A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash,Ramesh NALLAVELLI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Using a thermoelectric component to improve memory sub-system performance

Номер патента: US20210026425A1. Автор: Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Using a thermoelectric component to improve memory sub-system performance

Номер патента: US12013734B2. Автор: Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Utilizing a designated memory address to pre-fetch for memory sub-system with cache

Номер патента: US12007898B2. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Thermal cooling element for memory devices of a memory sub-system

Номер патента: US20210193553A1. Автор: Rolf Thornton Munson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Maintaining sequentiality for media management of a memory sub-system

Номер патента: US20210191849A1. Автор: Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Maintaining sequentiality for media management of a memory sub-system

Номер патента: US20220004492A1. Автор: Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory sub-system enclosure

Номер патента: US20240107657A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash,Ravi Kumar Kollipara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Secure communication for log reporting in memory sub-systems

Номер патента: US20200202017A1. Автор: Qing Liang,Giuseppe Cariello,Jonathan Parry,Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

APPARATUS AND METHOD FOR DATA BYPASS FOR A BI-DIRECTIONAL DATA BUS IN A HUB-BASED MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20140207993A1. Автор: Larson Douglas A.,Cronin Jeffrey J.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Apparatus and method for data bypass for a bi-directional data bus in a hub-based memory sub-system

Номер патента: EP1725936A4. Автор: Douglas A Larson,Jeffrey J Cronin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271415A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11775217B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory cell coupling compensation

Номер патента: US09552257B2. Автор: Peter Feeley,William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US12046296B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20200050391A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Optimize information requests to a memory system

Номер патента: WO2020033152A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20240248641A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Compound Feature Generation in Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20210271422A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: WO2019209876A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Performing noise cancellation on a memory device using a neural network

Номер патента: US20210096751A1. Автор: Amit Berman,Evgeny BLAICHMAN,Elisha Halperin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11762599B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Self Adapting Iterative Read Calibration to Retrieve Data from Memory Cells

Номер патента: US20210311668A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Self adapting iterative read calibration to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271416A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Optimize information requests to a memory system

Номер патента: EP3834069A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

Optimize information requests to a memory system

Номер патента: US11983435B2. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US11908506B2. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: WO2020036721A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system performance enhancements using measured signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: US11662905B2. Автор: Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Memory system performance enhancements using measured signal and noise characteristics of memory cells

Номер патента: WO2021119003A1. Автор: Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20200058341A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: EP3984033A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: US20200395056A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory cell biasing techniques

Номер патента: WO2020251754A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: EP3837685A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Improved reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US20210350856A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Improved Reading of Soft Bits and Hard Bits from Memory Cells

Номер патента: US20220139468A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: US20210027812A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

GENERATING EMBEDDED DATA IN MEMORY CELLS IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220139460A1. Автор: Liikanen Bruce A.,Koudele Larry J.,SHEPEREK Michael. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Apparatus for real-time visualizing a movement of a lower jaw versus an upper jaw in a craniomaxillofacial area of a patient in dental diagnostics

Номер патента: EP3725231A1. Автор: Ulrich Schulze-Ganzlin,Kai Lindenberg,Christian Beckhaus,Wolf Blecher,Franziska RIVERSA. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Apparatus for real-time visualizing a movement of a lower jaw versus an upper jaw in a craniomaxillofacial area of a patient in dental diagnostics

Номер патента: US20220133248A1. Автор: Ulrich Schulze-Ganzlin,Kai Lindenberg,Christian Beckhaus,Wolf Blecher,Franziska RIVERSA. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus for real-time visualizing a movement of a lower jaw versus an upper jaw in a craniomaxillofacial area of a patient in dental diagnostics

Номер патента: US12023191B2. Автор: Ulrich Schulze-Ganzlin,Kai Lindenberg,Christian Beckhaus,Wolf Blecher,Franziska RIVERSA. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Adaptively programming memory cells in different modes to optimize performance

Номер патента: WO2022212037A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Adaptively Programming Memory Cells in Different Modes to Optimize Performance

Номер патента: US20230268005A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Adaptively Programming Memory Cells in Different Modes to Optimize Performance

Номер патента: US20220319606A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20230367504A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US11989443B2. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240312526A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230393765A1. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

A method and apparatus for scrubbing accumulated data errors from a memory system

Номер патента: EP2446361A4. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230386578A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US12027211B2. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Managing bin placement for block families of a memory device based on trigger metric valves

Номер патента: US11847317B2. Автор: Shane Nowell,Mustafa N Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Managing voltage bin selection for blocks of a memory device

Номер патента: US11928347B2. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Jiangang WU,Sivagnanam Parthasarathy,Karl D Schuh,Mustafa N Kaynak,Sampath K Ratnam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Measurement of representative charge loss in a block to determine charge loss state

Номер патента: US20240004567A1. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: EP3956892A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

WEAR LEVELING BASED ON SUB-GROUP WRITE COUNTS IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20210019254A1. Автор: Chen Ning,Zhu Fangfang,Stonelake Paul,Tang Alex. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

WEAR LEVELING BASED ON SUB-GROUP WRITE COUNTS IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220269598A1. Автор: Chen Ning,Zhu Fangfang,Stonelake Paul,Tang Alex. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US20220277795A1. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

MANAGING SUB-BLOCK ERASE OPERATIONS IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20210202009A1. Автор: XU Yunfei,Chen Hong-Yan,Iwasaki Tomoko Ogura,Yu Erwin E.,Kavalipurapu Kalyan Chakravarthy. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Measurement of representative charge loss in a block to determine charge loss state

Номер патента: US11797205B2. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: WO2020214782A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-22.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: US20230195655A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: US11989140B2. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: US20200334172A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

TRANSMITTING DATA AND POWER TO A MEMORY SUB-SYSTEM FOR MEMORY DEVICE TESTING

Номер патента: US20210193249A1. Автор: Koudele Larry J.,BRADY MICHAEL T.,Hamor Gary D.,Marcus William A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

MANAGEMENT OF PEAK CURRENT OF MEMORY DIES IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20210349663A1. Автор: Yu Liang,Rori Fulvio,Aglubat John Paul. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US20220059173A1. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US11823743B2. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Hybrid routine for a memory device

Номер патента: US20220277796A1. Автор: Fulvio Rori,Chiara Cerafogli,Andrea D'Alessandro,Shannon Marissa Hansen,Jason Lee Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US12131790B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Input/Output Size Control between a Host System and a Memory Sub-System

Номер патента: US20220083276A1. Автор: Ish Mark,Subbarao Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Input/Output Size Control between a Host System and a Memory Sub-System

Номер патента: US20200356307A1. Автор: Ish Mark,Subbarao Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Preventing the inclusion of a reference to a host cell in a formula

Номер патента: US09588633B2. Автор: Peter William Rapp. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Efficient readout from memory cells using data compression

Номер патента: US09671972B2. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Custom Error Recovery in Selected Regions of a Data Storage Device

Номер патента: US20210271579A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Custom error recovery in selected regions of a data storage device

Номер патента: US20230359535A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Efficient readout from analog memory cells using data compression

Номер патента: US20090228761A1. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Temperature-based block family combinations in a memory device

Номер патента: US11354043B1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Abnormal condition detection based on temperature monitoring of memory dies of a memory sub-system

Номер патента: US20220019375A1. Автор: Jiangli Zhu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Managing power loss recovery using a dirty section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US20240184695A1. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Burn-in solid state drives through generation of proof of space plots in a manufacturing facility

Номер патента: US12045504B2. Автор: Luca Bert,Joseph Harold Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory sub-system cache extension to page buffers of a memory array

Номер патента: US20240061778A1. Автор: Xing Wang,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory sub-system cache extension to page buffers of a memory array

Номер патента: US12019543B2. Автор: Xing Wang,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: US20240320029A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Separate read-only cache and write-read cache in a memory sub-system

Номер патента: US20200278932A1. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Managing power loss recovery using an oldest section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US12066930B2. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Caching of logical-to-physical mapping information in a memory sub-system

Номер патента: US12130748B2. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Providing information for a controller memory buffer elasticity status of a memory sub-system to a host system

Номер патента: US20200257638A1. Автор: John Maroney,Lyle Adams,Paul Suhler,David Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Providing information for a controller memory buffer elasticity status of a memory sub-system to a host system

Номер патента: EP3874378A1. Автор: John Maroney,Lyle Adams,Paul Suhler,David Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Providing information for a controller memory buffer elasticity status of a memory sub-system to a host system

Номер патента: US20200133897A1. Автор: John Maroney,Lyle Adams,Paul Suhler,David Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Providing information for a controller memory buffer elasticity status of a memory sub-system to a host system

Номер патента: WO2020092439A1. Автор: John Maroney,Lyle Adams,Paul Suhler,David Springberg. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory sub-system with a bus to transmit data for a machine learning operation and another bus to transmit host data

Номер патента: US20210110252A1. Автор: Amit Gattani,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Managing namespace mapping, trusted computing group ranges, and encryptions in a memory sub-system

Номер патента: US20240184710A1. Автор: Venkat R. GADDAM,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Separate read-only cache and write-read cache in a memory sub-system

Номер патента: US11914520B2. Автор: Dhawal Bavishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Managing power loss recovery using an oldest section write policy for an address mapping table in a memory sub-system

Номер патента: US20230289285A1. Автор: Byron Harris,Daniel Boals,Abedon Madril. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Sequential read optimization in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: WO2021168020A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-26.

Page request interface support in caching host memory address translation data in a memory sub-system

Номер патента: US20240160577A1. Автор: Venkat R. GADDAM,Prateek Sharma,Raja V. S. Halaharivi,Sumangal Chakrabarty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Caching host memory address translation data in a memory sub-system

Номер патента: US20240143515A1. Автор: Prateek Sharma,Yoav Weinberg,Di Hsien Ngu,Raja V. S. Halaharivi,Sumangal Chakrabarty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Caching of logical-to-physical mapping information in a memory sub-system

Номер патента: US20230367719A1. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Dynamic command extension for a memory sub-system

Номер патента: US11895226B2. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic command extension for a memory sub-system

Номер патента: US20210226779A1. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Dynamic command extension for a memory sub-system

Номер патента: WO2021150719A1. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-29.

Dynamic command extension for a memory sub-system

Номер патента: US20240129114A1. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Dynamic command extension for a memory sub-system

Номер патента: US20230030065A1. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Bridging circuitry between a memory controller and request agents in a system having multiple system memory protection schemes

Номер патента: US09442864B2. Автор: Men Long,Siddhartha Chhabra,Uday R. Savagaonkar,Ramadass Nagarajan,Alpa T. Narendra Trivedi,Stanley S. Kulick,Edgar Borrayo,Carlos Ornelas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Selectively honoring speculative memory prefetch requests based on bandwidth state of a memory access path component(s) in a processor-based system

Номер патента: US20200356486A1. Автор: Joseph Gerald McDonald,Thomas Philip Speier,Perry Willmann Remaklus, Jr.,Eric Francis Robinson,Garrett Michael Drapala,Nikhil Narendradev SHARMA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods, systems, and computer program products for managing a memory by storing external objects in a dynamic heap

Номер патента: US20050278496A1. Автор: Johan Redestig. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2005-12-15.

Switch to control communication between a memory and a secret generator in a memory device

Номер патента: US12086296B2. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

A memory buffer system and method for operating a memory buffer system for fast data exchange

Номер патента: EP2045973A1. Автор: Eduard Siemens,Xiaopeng Qiu. Владелец: Deutsche Thomson oHG. Дата публикации: 2009-04-08.

Mounting element for an expansion card as well as corresponding arrangement of a mounting element with an expansion card in a computer system

Номер патента: US20110292590A1. Автор: Ralf-Peter Fietz,Ronny Hesse. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2011-12-01.

Determining connections of a network between source and target nodes in a database

Номер патента: US20190273687A1. Автор: Joseph S. Zehri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Accurately determining the position and orientation of each of a plurality of identical recognition target objects in a search target image

Номер патента: US9704061B2. Автор: Oishi Chiaki,Hiroki Nakano,Yumi Mori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Using data in elements of a singly linked list without a lock in a multithreaded environment

Номер патента: US8141086B2. Автор: Martin William John Cocks,Felicity Jane Merrison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

System and method for providing anonymous validation of a query among a plurality of nodes in a network

Номер патента: US20220284127A1. Автор: Uri Arad,Itay LEVY. Владелец: Identiq Protocol Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

System and method for providing anonymous validation of a query among a plurality of nodes in a network

Номер патента: US20200311307A1. Автор: Uri Arad,Itay LEVY. Владелец: Identiq Protocol Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

System and method for providing anonymous validation of a query among a plurality of nodes in a network

Номер патента: EP3948565A1. Автор: Uri Arad,Itay LEVY. Владелец: Identiq Protocol Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

System and method for providing anonymous validation of a query among a plurality of nodes in a network

Номер патента: US11727149B2. Автор: Uri Arad,Itay LEVY. Владелец: Identiq Protocol Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

System and method for providing anonymous validation of a query among a plurality of nodes in a network

Номер патента: CA3130476A1. Автор: Uri Arad,Itay LEVY. Владелец: Identiq Protocol Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

System and method for providing anonymous validation of a query among a plurality of nodes in a network

Номер патента: AU2020245399A1. Автор: Uri Arad,Itay LEVY. Владелец: Identiq Protocol Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Systems and methods for automatic provisioning of a user designed virtual private data center in a multi-tenant system

Номер патента: SG181136A1. Автор: John Chi Yung. Владелец: Savvis Inc. Дата публикации: 2012-07-30.

Systems and methods for automatic provisioning of a user designed virtual private data center in a multi-tenant system

Номер патента: SG193798A1. Автор: John Chi Yung. Владелец: Savvis Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Method for Accurately Determining the Position and Orientation of Each of a Plurality of Identical Recognition Target Objects in a Search Target Image

Номер патента: US20160034760A1. Автор: Oishi Chiaki,Hiroki Nakano,Yumi Mori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for Accurately Determining the Position and Orientation of Each of a Plurality of Identical Recognition Target Objects in a Search Target Image

Номер патента: US20160034781A1. Автор: Oishi Chiaki,Hiroki Nakano,Yumi Mori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Processing of a generalized directed object graph for storage in a relational database

Номер патента: US8166008B2. Автор: Meir Amiel,Alex Rankov,Oleg Bivol. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Using data in elements of a singly linked list without a lock in a multithreaded environment

Номер патента: US20090307694A1. Автор: Martin William John Cocks,Felicity Jane Merrison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Processing of a generalized directed object graph for storage in a relational database

Номер патента: US20110202569A1. Автор: Meir Amiel,Alex Rankov,Oleg Bivol. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for accurately determining the position and orientation of each of a plurality of identical recognition target objects in a search target image

Номер патента: US9483712B2. Автор: Oishi Chiaki,Hiroki Nakano,Yumi Mori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Direct printing of a desired or multiple appearances of object in a document file

Номер патента: US20080180713A1. Автор: Tetsuhiro Kodera. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US20210397232A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US11662786B2. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Track Charge Loss based on Signal and Noise Characteristics of Memory Cells Collected in Calibration Operations

Номер патента: US20220044751A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US12027227B2. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US20240312494A1. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US20230317120A1. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Classification of error rate of data retrieved from memory cells

Номер патента: US12009034B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20190354653A1. Автор: Yu-Der Chih,Chi-Hsiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device performing multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240177772A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Management of unmapped allocation units of a memory subsystem

Номер патента: WO2021011263A1. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Apparatus and methods for performing successive array operations in a memory

Номер патента: US20230298680A1. Автор: Violante Moschiano,Umberto Siciliani,Walter Di Francesco,Dheeraj Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Detection of a last programming loop for system performance gain

Номер патента: US20210272639A1. Автор: Niles Yang,Phil Reusswig,Sahil Sharma,Piyush A. Dhotre. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US11984172B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Methods and apparatus for sum of address compare in a content-addressable memory

Номер патента: EP2548111A1. Автор: Timothy Edward Ozimek. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-23.

Methods and apparatus for sum of address compare in a content-addressable memory

Номер патента: WO2011116322A1. Автор: Timothy Edward Ozimek. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-22.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Management of Programming Mode Transitions to Accommodate a Constant Size of Data Transfer between a Host System and a Memory Sub-System

Номер патента: US20220300428A1. Автор: James Fitzpatrick,Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Current management during data burst operations in a multi-die memory device

Номер патента: US20240241643A1. Автор: Liang Yu,Walter Di Francesco,Ali Mohammadzadeh,Jeremy Binfet,Luca Nubile,Biagio Iorio,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Separate cores for media management of a memory sub-sytem

Номер патента: US20210200669A1. Автор: John Paul Traver,Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Zone block staging component for a memory subsystem with zoned namespace

Номер патента: US11816345B2. Автор: Luca Bert,Kumar V K H Kanteti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Storing data based on a probability of a data graph

Номер патента: US20210034241A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Partial execution of a write command from a host system

Номер патента: US11113007B2. Автор: Mark Ish,Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-07.

Partial Execution of a Write Command from a Host System

Номер патента: US20240036768A1. Автор: Mark Ish,Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Partial execution of a write command from a host system

Номер патента: US11782643B2. Автор: Mark Ish,Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Program voltage selection during all levels programming of a memory device

Номер патента: US20240295970A1. Автор: Lee-Eun Yu,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil,Yeang Meng Hern. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Performing a media management operation based on changing a write mode of a data block in a cache

Номер патента: WO2021142325A1. Автор: Peter Feeley,Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Sampath K. Ratnam. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

Performing a media management operation based on changing a write mode of a data block in a cache

Номер патента: US20220004491A1. Автор: Peter Feeley,Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Sampath K. Ratnam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Data reordering at a memory subsystem

Номер патента: US11934686B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Karl David SCHUH,Daniel Jerre Hubbard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Data reordering at a memory subsystem

Номер патента: US20230333770A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Karl David SCHUH,Daniel Jerre Hubbard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Multiple open block families supporting multiple cursors of a memory device

Номер патента: US20220137814A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Michael Sheperek,Steve Kientz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Combination scan management for block families of a memory device

Номер патента: US11941277B2. Автор: Larry J. Koudele,Shane Nowell,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Combination scan management for block families of a memory device

Номер патента: US20220164105A1. Автор: Larry J. Koudele,Shane Nowell,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

CHECKING STATUS OF MULTIPLE MEMORY DIES IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220011970A1. Автор: De Santis Luca,Nubile Luca. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

ACCESSIBLE ACCUMULATED MEMORY TEMPERATURE READINGS IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20200073577A1. Автор: Liikanen Bruce A.,Cadloni Gerald L.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

QUALITY OF SERVICE LEVELS FOR A DIRECT MEMORY ACCESS ENGINE IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20210232517A1. Автор: Bavishi Dhawal,Isenegger Laurent. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

MANAGING A MODE TO ACCESS A MEMORY COMPONENT OR A LOGIC COMPONENT FOR MACHINE LEARNING COMPUTATION IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220365693A1. Автор: Kale Poorna. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Establishing a delay period associated with a program resume operation of a memory subsystem

Номер патента: US11507317B2. Автор: Yang Zhang,Hong Lu,Kishore Kumar Muchherla,Sampath K. Ratnam,Jiangang WU,Guang Chang Ye,Karl D. Schuh,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Snap read optimization for media management for a memory sub-system

Номер патента: US20210191649A1. Автор: Antonio David Bianco,Shakeel Isamohiuddin Bukhari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Managing a memory sub-system using a cross-hatch cursor

Номер патента: US11899955B2. Автор: Steven R Narum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Managing a memory sub-system using a cross-hatch cursor

Номер патента: US20240126467A1. Автор: Steven R. Narum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Managing a memory sub-system using a cross-hatch cursor

Номер патента: US20230400998A1. Автор: Steven R Narum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Systems and methods for automated analyses of a target genetic profile across genetic profiles in a biological sample

Номер патента: US20230162044A1. Автор: Kenneth R. DUFFY,Desmond S. Lun,Catherine M. Grgicak. Владелец: Ireland Maynooth Maynooth University, National University of. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and apparatus of determining the center of area or centroid of a geometrical area of unspecified shape lying in a larger x-y scan field

Номер патента: US4219847A. Автор: Harold F. L. Pinkney,Charles I. Perratt. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1980-08-26.

Method for Determining a Position of at Least One Coil Element of a Radiofrequency Coil That Can Be Inserted in a Patient Placement Region of a Magnetic Resonance Apparatus

Номер патента: US20230293040A1. Автор: Michael Wullenweber. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2023-09-21.

System and method for generating a digital rendition of a location to recreate a user interaction in a digital ecosystem

Номер патента: US20240185533A1. Автор: Joseph Benjamin Castinado,Hope Barus,Cyril Prabhu. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for calibrating a camera of a mobile device for detecting an analyte in a sample

Номер патента: US12130237B2. Автор: Max Berg,Timo Klein. Владелец: Roche Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Performance optimization for storing data in memory services configured on storage capacity of a data storage device

Номер патента: WO2024173399A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Identification of Available Memory of a Data Storage Device Attachable as a Memory Device

Номер патента: US20240176745A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Configuration of Memory Services of a Data Storage Device to a Host System

Номер патента: US20240176735A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase shedding in a multi-phase regulator

Номер патента: US20100257388A1. Автор: Binh Nguyen,Reza M. Bacchus,Alan M. Green. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-10-07.

Efficient processing of commands in a memory sub-system

Номер патента: US20210271601A1. Автор: Byron D. Harris,Scheheresade Virani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Modification of a segment of data based on an encryption operation

Номер патента: US20200065500A1. Автор: Michael Danielson,Jeffrey Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Modification of a segment of data based on an encryption operation

Номер патента: EP3841510A1. Автор: Michael Danielson,Jeffrey Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Modification of a segment of data based on an encryption operation

Номер патента: WO2020041760A1. Автор: Michael Danielson,Jeffrey Munsil. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Mitigating a compromised network on chip

Номер патента: US9652611B2. Автор: Koushik Chakraborty,Dean Michael Ancajas,Sanghamitra Roy. Владелец: Utah State University USU. Дата публикации: 2017-05-16.

Mitigating a compromised network on chip

Номер патента: US09652611B2. Автор: Koushik Chakraborty,Dean Michael Ancajas,Sanghamitra Roy. Владелец: Utah State University USU. Дата публикации: 2017-05-16.

Providing information for a controller memory buffer elasticity status of a memory sub-system to a host system

PROVIDING INFORMATION FOR A CONTROLLER MEMORY BUFFER ELASTICITY STATUS OF A MEMORY SUB-SYSTEM TO A HOST SYSTEM

Номер патента: US20200257638A1. Автор: Maroney John,Suhler Paul,Adams Lyle,Springberg David. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Providing information for a controller memory buffer elasticity status of a memory sub-system to a host system

Номер патента: EP3874378A4. Автор: John Maroney,Lyle Adams,Paul Suhler,David Springberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Software control of dram refresh to reduce power consumption in a data processing system

Номер патента: WO2001086400A1. Автор: Seungyoon P. Song. Владелец: Elan Research. Дата публикации: 2001-11-15.

Pre-boosting scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11183245B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

All levels dynamic start voltage programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11756612B2. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

All levels programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11887668B2. Автор: Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Input and digital output mechanisms for analog neural memory in a deep learning artificial neural network

Номер патента: US12075618B2. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Hien Pham,Toan Le,Stephen Trinh,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Nand detect program completion (ndpc) with power off charge loss calibration in a memory sub-system

Номер патента: WO2024229144A1. Автор: Lei Lin,Peng Zhang,Zhengang Chen,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Enhanced gradient seeding scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11901010B2. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Enhanced gradient seeding scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US20240120010A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Managing programming convergence associated with memory cells of a memory sub-system

Номер патента: US11862257B2. Автор: Jun Xu,Violante Moschiano,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Determination of state metrics of memory sub-systems following power events

Номер патента: US20220059181A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Adapting an error recovery process in a memory sub-system

Номер патента: US11763914B2. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Two-layer code with low parity cost for memory sub-systems

Номер патента: WO2020257057A1. Автор: James Fitzpatrick,Sanjay Subbarao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Optimized seasoning trim values based on form factors in memory sub-system manufacturing

Номер патента: WO2023034459A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Level shifting in all levels programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: WO2022204608A1. Автор: Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

Performing a refresh operation based on a characteristic of a memory sub-system

Номер патента: US20210020229A1. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Selection of read offset values in a memory sub-system

Номер патента: US20220076765A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Selection of read offset values in a memory sub-system based on temperature and time to program levels

Номер патента: US11923021B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory sub-system management based on dynamic control of wordline start voltage

Номер патента: US11915785B2. Автор: Jung Sheng Hoei,LEI Zhou,Kishore Kumar Muchherla,Jiangang WU,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory sub-system management based on dynamic control of wordline start voltage

Номер патента: US20230230624A1. Автор: Jung Sheng Hoei,LEI Zhou,Kishore Kumar Muchherla,Jiangang WU,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory sub-system management based on dynamic control of wordline start voltage

Номер патента: US20240203467A1. Автор: Jung Sheng Hoei,LEI Zhou,Kishore Kumar Muchherla,Jiangang WU,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Adaptive integrity scan rates in a memory sub-system based on block health metrics

Номер патента: US20240062835A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Managing digitally-controlled charge pump operation in a memory sub-system

Номер патента: US11948647B2. Автор: Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Adjusting read voltage levels based on a programmed bit count in a memory sub-system

Номер патента: WO2021188720A1. Автор: Douglas E. Majerus. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-23.

Adjusting read voltage levels based on a programmed bit count in a memory sub-system

Номер патента: US20210295928A1. Автор: Douglas E. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory sub-system sanitization

Номер патента: US11810621B2. Автор: Eric N. Lee,Robert W. Strong,Jeremy Binfet,William Akin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory sub-system sanitization

Номер патента: US20240062828A1. Автор: Eric N. Lee,Robert W. Strong,Jeremy Binfet,William Akin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US11967386B2. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory sub-system for memory cell touch-up

Номер патента: US20230377664A1. Автор: Bin Wang,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US11749359B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20210391024A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20220189565A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Programming delay scheme for in a memory sub-system based on memory reliability

Номер патента: US20240304256A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Adaptive programming delay scheme in a memory sub-system

Номер патента: US12142326B2. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Optimizing read error handling in a memory sub-system

Номер патента: US20240282399A1. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Offset memory component automatic calibration (autocal) error recovery for a memory sub-system

Номер патента: US20200090767A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Michael G. Miller,Gerald L. Cadloni,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Offset memory component automatic calibration (autocal) error recovery for a memory sub-system

Номер патента: US11715530B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Michael G. Miller,Gerald L. Cadloni,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: WO2022204607A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Adaptive porogramming delay scheme in a memory sub-system

Номер патента: US20230386583A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Programming delay scheme for in a memory sub-system based on memory reliability

Номер патента: US20230410914A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Programming delay scheme for a memory sub-system based on memory reliability

Номер патента: US12027210B2. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: WO2023028166A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Determination of state metrics of memory sub-systems following power events

Номер патента: US11862274B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Determination of state metrics of memory sub-systems following power events

Номер патента: US20230207043A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Tracking and refreshing state metrics in memory sub-systems

Номер патента: US20240265989A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system using a randomized refresh period

Номер патента: US11756604B2. Автор: Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Pre-boosting scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US20220051721A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory Cell and Method of Manufacturing a Memory Cell

Номер патента: US20130020631A1. Автор: Navab Singh,Vincent Pott. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-01-24.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: US11790998B2. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Half good block handling with defective deck pre-programing in a memory sub-system

Номер патента: US20240331784A1. Автор: Hanping Chen,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of performing read count leveling for multiple portions of a block of memory cells

Номер патента: US20190287619A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for the manufacture of a monolithic static memory cell

Номер патента: CA1145041A. Автор: Armin Wieder. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-04-19.

Tracking and refreshing state metrics in memory sub-systems

Номер патента: US20220059179A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Tracking and refreshing state metrics in memory sub-systems

Номер патента: US11955194B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Steven Michael Kientz,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuit having test circuitry for memory sub-systems

Номер патента: US20240142520A1. Автор: Alexander Hoefler,Jeffrey Stump. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: US20230402108A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit having test circuitry for memory sub-systems

Номер патента: EP4362023A3. Автор: Alexander Hoefler,Jeffrey Stump. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit having test circuitry for memory sub-systems

Номер патента: EP4362023A2. Автор: Alexander Hoefler,Jeffrey Stump. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Memory cell for use in a read only memory

Номер патента: WO1986006540A2. Автор: John Louis Janning. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1986-11-06.

Memory cell, a method for forming a memory cell, and a method for operating a memory cell

Номер патента: US20130208527A1. Автор: Christian Peters,Jan Otterstedt,Robert Wiesner,Mihail Jefremow,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-15.

Cross-temperature compensation in a memory sub-system

Номер патента: US20240071427A1. Автор: Tommaso Vali,Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9972772B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20180226571A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Select gate maintenance in a memory sub-system

Номер патента: US20210233594A1. Автор: Harish R. Singidi,Chun Sum Yeung,Devin M. Batutis,Avinash Rajagiri,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Grown bad block management in a memory sub-system

Номер патента: US20210391029A1. Автор: Tao Liu,Xiangang Luo,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Select gate maintenance in a memory sub-system

Номер патента: US11017870B1. Автор: Harish R. Singidi,Chun Sum Yeung,Devin M. Batutis,Avinash Rajagiri,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Defect detection during program verify in a memory sub-system

Номер патента: US12002526B2. Автор: Theodore T. Pekny,Michele Piccardi,James I. Esteves,Arvind Muralidharan,Pinchou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Defect detection during program verify in a memory sub-system

Номер патента: US20210343351A1. Автор: Theodore T. Pekny,Michele Piccardi,James I. Esteves,Arvind Muralidharan,Pinchou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Managing allocation of blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240203507A1. Автор: Zhengang Chen,Yu-Chung Lien,Jameer Mulani,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20230403867A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: EP3679605A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Adjusting read voltage levels based on a programmed bit count in a memory sub-system

Номер патента: US20220310176A1. Автор: Douglas E. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Select gate maintenance with adaptive scan frequency in a memory sub-system

Номер патента: US20240153570A1. Автор: Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US20130235660A1. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US09472287B2. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Uniform bitline strapping of a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1282915A2. Автор: Mark W. Randolph,Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-12.

Uniform bitline strapping of a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2001088985A2. Автор: Mark W. Randolph,Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-22.

Memory sub-system threshold voltage modification operations

Номер патента: US20230395176A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US20140369130A1. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Non-volatile memory cell array formed in a p-well in a deep n-well in a p-substrate

Номер патента: EP4341935A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Detection of a lower limit of tape head travel in a single reel tape drive

Номер патента: US20040090697A1. Автор: Doug Reiners. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Locating a head element of a tape storage device using servo information in a data track

Номер патента: US09613645B2. Автор: Carl R. Hoerger. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-04-04.

Arrangement for identifying a switching position of a switch on an internal combustion engine in a handheld work apparatus

Номер патента: US09423437B2. Автор: Franz Mandl,Joerg Praeger,Robert Boeker. Владелец: Andreas Stihl AG and Co KG. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for detection of a narrowband positioning reference signal (nprs) location in a radio frame

Номер патента: EP3542177A1. Автор: Iana Siomina,Fredrik Gunnarsson,Sara MODARRES RAZAVI,Olof Liberg,Xingqin LIN,Henrik Rydén. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2019-09-25.

Method for continuously evaluating mechanical and microstructural properties of a metallic material, in particular a steel, in a cold deformation process and related apparatus

Номер патента: EP3601998A1. Автор: Alessandro Ferraiuolo. Владелец: Marcegaglia Carbon Steel SpA. Дата публикации: 2020-02-05.

Apparatus for warning of the increase in draught of a floating article, especially a small boat, in a surrounding liquid

Номер патента: US4357892A. Автор: Gunnar Sveinsbo,Jan E. Gismervik. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-11-09.

Method of sensing a position of a movable component of an operator interface in a machine

Номер патента: US7701203B2. Автор: Curtis Johnson,Stephen Fouts,Kenneth Her,Roger Obourn,Robert Talley,Dan Shearer. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of vacuum-sealing each of the first ends of a number of hollow transport means terminating in a header and a method of detecting leaks

Номер патента: GB1496911A. Автор: . Владелец: Neratoom BV. Дата публикации: 1978-01-05.

"v" notched integrally shrouded turbine blade and method for determining shroud tightness and wear of a circular array of rotating blades disposed in a rotor

Номер патента: CA1310516C. Автор: Bobby R. Keller. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Transport and storage system for servicing of a number of treatment and care areas in a hospital and method for operation hereof

Номер патента: CA2977893C. Автор: Ole Nielsen,Niki Nicolas Grigoriou. Владелец: Intelligent Systems As. Дата публикации: 2023-01-24.

Method for determining an angle of arrival of a signal transmitted by a remote unit in a communication system

Номер патента: US5786791A. Автор: Eugene J. Bruckert. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-07-28.

Method and system for determining the variation of a speech parameter, for example the pitch, in a speech signal

Номер патента: US4989247A. Автор: Jan P. Van Hemert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1991-01-29.

Improvements in and relating to coin-freed distributor for stamps or other similar objects stored in the form of a strip of paper wound upon itself in a roll

Номер патента: GB572233A. Автор: . Владелец: Societe des Compteurs de Geneve SODECO. Дата публикации: 1945-09-28.

Apparatus for measuring the presence of a weak acid or a weak base in a liquid

Номер патента: GB1517806A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-07-12.

Self-detection of a modulating carrier and an optimum carrier in a downhole telemetry system

Номер патента: CA2618120C. Автор: Kevin D. Fink,Donald G. Kyle. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2012-09-18.

Method for determining the elevation of a point on a work site represented in a triangular irregular network

Номер патента: US6073068A. Автор: Craig L. Koehrsen. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2000-06-06.

A method for performing a correction of a ionospheric error affecting pseudo-ranges measurements in a gnss receiver, corresponding receiver apparatus and computer program product

Номер патента: EP4354181A1. Автор: Nicola Matteo Palella,Michele Renna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-17.

Method and apparatus for controlling a focus point of a stationary beam focussing on a sample in a rotating cartridge placed in a rotating disc

Номер патента: EP3706915A1. Автор: Ole Christian Tronrud,Stig Morten Borch,Rolf Jahren,Sebastian STENMARK. Владелец: SpinChip Diagnostics AS. Дата публикации: 2020-09-16.

Method and apparatus for controlling a focus point of a stationary beam focusing on a sample in a rotating cartridge placed in a rotating disc

Номер патента: US20200393478A1. Автор: Ole Christian Tronrud,Stig Morten Borch,Rolf Jahren,Sebastian STENMARK. Владелец: SpinChip Diagnostics AS. Дата публикации: 2020-12-17.

Method and apparatus for controlling a focus point of a stationary beam focusing on a sample in a rotating cartridge placed in a rotating disc

Номер патента: US20230271199A1. Автор: Ole Christian Tronrud,Stig Morten Borch,Rolf Jahren,Sebastian STENMARK. Владелец: SpinChip Diagnostics AS. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods and systems for controlling propulsion of a marine vessel to enhance proximity sensing in a marine environment

Номер патента: US11904996B2. Автор: Aaron J. Ward,Matthew Eric Derginer,Travis C. Malouf. Владелец: Brunswick Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Device and method for determining a property of a sample that is to be used in a charged particle microscope

Номер патента: US20210257183A1. Автор: Maarten Kuijper,Matthijn Robert-Jan Vos,Ondrej Ludmil Shánel,Peet Goedendorp. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for the addition of a functional coating on an optical surface of a spectacle lens suitable to be arranged in a spectacle frame

Номер патента: EP2856248A1. Автор: Philip Miller,Frederic Arrouy. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2015-04-08.

Method for the addition of a functional coating on an optical surface of a spectacle lens suitable to be arranged in a spectacle frame

Номер патента: CA2871056C. Автор: Philip Miller,Frederic Arrouy. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2020-08-25.

Method for the Addition of A Functional Coating On An Optical Surface Of A Spectacle Lens Suitable To Be Arranged In A Spectacle Frame

Номер патента: US20150132472A1. Автор: Philip Miller,Frederic Arrouy. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2015-05-14.

Detection of a risk of collision with an object in a water area

Номер патента: EP4296991A1. Автор: Nikolaus König. Владелец: BSB Artificial Intelligence GmbH. Дата публикации: 2023-12-27.

Sensing device with improved detection sensitivity for detecting the presence of a predefined chemical, biological or biochemical entity in a fluid sample

Номер патента: EP4257981A1. Автор: Marc Zinggeler,Sandra SCHÄR. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for selectively measuring a concentration of a compound for analysis or enzyme activity in a complex sample by means of hydrogen peroxide quantification

Номер патента: US20240044839A1. Автор: David HEVIA SANCHEZ,Henar MUÑOZ CIMADEVILLA,María Díaz González. Владелец: Bioquochem SL. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods and devices for triggering an action on a mobile device upon detection of a stop period of the mobile device in a given place

Номер патента: US10313841B2. Автор: Joseph DUREAU,Olivier CORRADI,Mael PRIMET. Владелец: Snips SAS. Дата публикации: 2019-06-04.

Detection of a risk of collision with an object in a water area

Номер патента: WO2023247379A1. Автор: Nikolaus König. Владелец: Sea.Ai Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

A method of and a device for actively reducing the level of a primary field of sound or vibration in a space

Номер патента: EP1147512A1. Автор: Siv Leth,Patrick Barney,William G. Halvorsen. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2001-10-24.

Method and system of a shared resource for correcting gps data in a network of moving things

Номер патента: US20180007512A1. Автор: Daniel Cardoso de Moura,Nuno Alexandre Tavares Coutinho,Roy Russell. Владелец: Veniam Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Module for wireless authentication of a user for a keyless entry system in a transportation vehicle

Номер патента: US20230347847A1. Автор: Bernd Ette. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Monitoring system for a section or a component of a pipeline for the transport of hydrocarbons in a hazard site

Номер патента: AU2024203061A1. Автор: Serena BARBAGLI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and apparatus for indicating the exposure status of a non-exposed roll of film contained in a film canister

Номер патента: US6062744A. Автор: William J. Fraleigh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-05-16.

Displacement Sensor Arrangement for Determining the Position of a Body Moving Along a Movement Path in a Vehicle

Номер патента: US20240019271A1. Автор: Stefan Kuntz,Jonathan Haaf. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and system for abating the presence of a selected chemical substance in wastewater flowing in a wastewater channel system

Номер патента: US20210155513A1. Автор: Bruno Kiilerich,Martin Hørlück Lyngsø. Владелец: Grundfos Holdings AS. Дата публикации: 2021-05-27.

Method and system for abating the presence of a selected chemical substance in wastewater flowing in a wastewater channel system

Номер патента: US12030796B2. Автор: Bruno Kiilerich,Martin Hørlück Lyngsø. Владелец: Grundfos Holdings AS. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for warning a driver of a motor vehicle of an obstacle present in a side area next to a side flank of the vehicle and motor vehicle with a driver assistance system

Номер патента: EP2593931A1. Автор: Xavier Groult. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2013-05-22.

Method and system for evaluation of a position indication for a mobile unit in a cellular radio net

Номер патента: WO1999063766A2. Автор: Magnus Sicking. Владелец: Unwire AB. Дата публикации: 1999-12-09.

Tracking activities independent of a game streaming environment to earn benefits in a game streaming environment

Номер патента: US20240282169A1. Автор: Dwayne R. Nelson,Kevin Higgins. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and system for evaluation of a position indication for a mobile unit in a cellular radio net

Номер патента: EP1082620A2. Автор: Magnus Sicking. Владелец: Unwire AB. Дата публикации: 2001-03-14.

Method and system for evaluation of a position indication for a mobile unit in a cellular radio net

Номер патента: WO1999063766A3. Автор: Magnus Sicking. Владелец: Unwire AB. Дата публикации: 2000-01-27.

Module for wireless authentication of a user for a keyless entry system in a transportation vehicle

Номер патента: US12115935B2. Автор: Bernd Ette. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-10-15.

A method for performing a correction of a ionospheric error affecting pseudo-ranges measurements in a gnss receiver, corresponding receiver apparatus and computer program product

Номер патента: EP4439127A1. Автор: Nicola Matteo Palella,Michele Renna. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Calibration of a device for measuring an electric field in a conducting medium

Номер патента: US09933471B2. Автор: Matthieu Le Prado,Mathieu Baicry,Christine Lefrou,Laure-Line Rouve. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and system of a shared resource for correcting GPS data in a network of moving things

Номер патента: US09860702B1. Автор: Daniel Cardoso de Moura,Nuno Alexandre Tavares Coutinho,Roy Russell. Владелец: Veniam Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Detection of a leakage current comprising a continuous component in a vehicle

Номер патента: US09733291B2. Автор: Boris Bouchez,Pierre Sardat. Владелец: Valeo Systemes de Controle Moteur SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for the addition of a functional coating on an optical surface of a spectacle lens suitable to be arranged in a spectacle frame

Номер патента: US09557447B2. Автор: Philip Miller,Frederic Arrouy. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2017-01-31.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US09418735B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Regulation method for the source voltage in a nonvolatile memory cell during programming and corresponding program circuit

Номер патента: EP1331644A3. Автор: Rino Micheloni,Maria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09792973B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US9025392B1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US20190013072A1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US20170365337A1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US20150213888A1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US9767898B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US09842629B2. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US20140211547A1. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US20230377661A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

P-Channel germanium on insulator (GOI) one transistor memory cell

Номер патента: US20090256206A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Boost-by-deck during a program operation on a memory device

Номер патента: US20240339163A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Shyam Sunder Raghunathan,Leo Raimondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US11862221B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210233578A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for recognizing and replacing defective memory cells in a memory

Номер патента: US20020196686A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory having a first and second sense amplifier for sensing a memory cell voltage during a normal mode and a refresh mode

Номер патента: US7009902B2. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Memory device having sense amplifier including plural sense circuits for sensing a voltage of a bit line in a read operation

Номер патента: US11721371B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: EP3430626A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: WO2017161103A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-21.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Power management in an electronic system through reducing energy usage of a battery and/or controlling an output power of an amplifier thereof

Номер патента: US20160141006A1. Автор: Christopher T. Schiller,Michael Joseph Shaw. Владелец: GigPeak Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

IN-LINE PROGRAMMING ADJUSTMENT OF A MEMORY CELL IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220310166A1. Автор: Iwasaki Tomoko Ogura,Ning Sheyang,Miranda Lawrence Celso,Zhang Zhengyi. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Efficient reprogramming method for tightening a threshold voltage distribution in a memory device

Номер патента: US20150325297A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: EP2517209A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-10-31.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

Compensating for off-current in a memory

Номер патента: US8861274B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatuses and methods for limiting string current in a memory

Номер патента: US09349474B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Circuit for reducing the row select voltage swing in a memory array

Номер патента: US4730275A. Автор: Ira E. Baskett. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-08.

Bipolar reading technique for a memory cell having an electrically floating body transistor

Номер патента: WO2006066890A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2006-06-29.

Systems and Methods for Controlling Power Management Operations in a Memory Device

Номер патента: US20230386537A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Systems and methods for controlling power management operations in a memory device

Номер патента: US11763863B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Detecting failure of a thermal sensor in a memory device

Номер патента: US20220068398A1. Автор: Christopher J. Bueb,Aravind Ramamoorthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

High sensing margin magnetic resistive memory device in which a memory cell read and write select transistors to provide different read and write paths

Номер патента: US09734881B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US09698022B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory cells with fast read/write speed

Номер патента: US09570138B2. Автор: Eng Huat Toh,Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods for determining an expected data age of memory cells

Номер патента: US10629280B1. Автор: Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Device with SRAM memory cells including means for polarizing wells of memory cell transistors

Номер патента: US09542996B2. Автор: Olivier Thomas,Bastien Giraud,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Dynamic program window determination in a memory device

Номер патента: US09455043B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,William H. Radke,Tommaso Vali,Massimo Rossini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Managing programming convergence associated with memory cells of a memory sub-system

Номер патента: US20220180952A1. Автор: Jun Xu,Violante Moschiano,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Detrapping electrons to prevent quick charge loss during program verify operations in a memory device

Номер патента: US11967387B2. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Method and circuit for reducing leakage and increasing read stability in a memory device

Номер патента: US20060206739A1. Автор: Hyung-il Kim,Jae-Joon Kim,Kaushik Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Alternating application of pulses on two sides of a cell

Номер патента: US20040190341A1. Автор: Assaf Shappir. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Integrated circuit memory device including banks of memory cells and related methods

Номер патента: US5650977A. Автор: Jin-Man Han,Kye-Hyun Kyung,Jei-Hwan Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-22.

Managing redundant memory in a voltage island

Номер патента: US20090154269A1. Автор: Harry I. Linzer,Michael R. Ouellette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory cell comprising non-self-aligned horizontal and vertical control gates

Номер патента: US09941369B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive memory cell having a compact structure

Номер патента: US09793321B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US09735353B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory cell comprising non-self-aligned horizontal and vertical control gates

Номер патента: US09406686B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-08-02.

High speed differential sense amplifier for use with single transistor memory cells

Номер патента: CA1325474C. Автор: Bernard Emoto,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Memory cell programming

Номер патента: US20210272633A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory cell arrangement and methods thereof

Номер патента: US11682461B2. Автор: Menno Mennenga,Johannes Ocker. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-06-20.

Memory cell arrangement and methods thereof

Номер патента: US20220199166A1. Автор: Menno Mennenga,Johannes Ocker. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Electrically erasable and programmable read only memory, nonvolatile memory, memory cell and method for programming a memory cell

Номер патента: TW434895B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2001-05-16.

Variable programming voltage step size control during programming of a memory device

Номер патента: US12125537B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Bo Lei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile semiconductor storage device having a plurality of blocks of memory cell transistors formed on respective wells isolated from each other

Номер патента: US6091632A. Автор: Shinichi Sato,Masanori Yoshimi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Intelligent proactive responses to operations to read data from memory cells

Номер патента: US11081200B1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Circuit of sensing a fuse cell in a flash memory

Номер патента: US6021067A. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: EP3635721A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20210050046A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20190122718A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20180358072A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Managing write disturb for units of a memory device using weighted write disturb counts

Номер патента: US11776611B2. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Managing write disturb for units of a memory device using weighted write disturb counts

Номер патента: WO2023014739A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cell array

Номер патента: US20150009749A1. Автор: Hsin-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: WO2018226478A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130077415A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Reducing effects of erase disturb in a memory device

Номер патента: US20120236640A1. Автор: Mark A. Helm,Akira Goda,Alessandro Torsi,Carlo Musilli,Doyle Rivers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Level shifters with variably adjusted control voltage and for reading memory cells

Номер патента: US20210288647A1. Автор: Rainer Bartenschlager,Leonardo Castro. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-16.

Non-volatile semiconductor memory device with function of bringing memory cell transistors to overerased state, and method of writing data in the device

Номер патента: US5438544A. Автор: Takami Makino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Memory cell circuit for executing specific tests on memory cells that have been designated by address data

Номер патента: US6108803A. Автор: Ichiro Sase. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-22.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US11901014B2. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230253041A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230360704A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20150262692A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20150255164A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20140140141A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US9111628B1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Apparatuses and methods for determining stability of a memory cell

Номер патента: US20130094276A1. Автор: Alessandro Torsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Prioritizing refreshes in a memory device

Номер патента: US09418722B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140011297A1. Автор: Soon Won Jung,Seung Youl Kang,Byoung Gon Yu,Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Sung Min Yoon,Shin Hyuk Yang,Chun Won Byun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-09.

Compensating for off-current in a memory

Номер патента: US9324443B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US9443864B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Compensating for off-current in a memory

Номер патента: US20140056077A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Compensating for off-current in a memory

Номер патента: US20150294729A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US20150187785A1. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Self-aligned floating gate in a vertical memory structure

Номер патента: US20150364486A1. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Writing To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20140104932A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and reading from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: US8634224B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing from a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: TWI490860B. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of reading to and writing a memory cell, and methods of programming a memory cell

Номер патента: SG188200A1. Автор: Bhaskar Srinivasan,Gurtej S Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

Magnetic josephson junction driven flux-biased superconductor memory cell and methods

Номер патента: EP3811362A1. Автор: Thomas F. Ambrose,James M. Murduck. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-28.

Magnetic josephson junction driven flux-biased superconductor memory cell and methods

Номер патента: WO2019245790A1. Автор: Thomas F. Ambrose,James M. Murduck. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory controller for reducing capacitive coupling in a cross-point memory

Номер патента: WO2015031360A1. Автор: Eric Carman,Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for operating a memory cell array

Номер патента: US7113428B2. Автор: Georg Tempel,Matthias Ernst,Martin Steinbrück,Stefan Trost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-26.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: EP2774154A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-10.

A method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate

Номер патента: WO2013066584A1. Автор: Hung Quoc Nguyen,Viktor Markov,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-05-10.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for operating a memory cell array

Номер патента: US20050105353A1. Автор: Georg Tempel,Matthias Ernst,Martin Steinbrück,Stefan Trost. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-19.

Method and device for programming memory cells of the one-time-programmable type

Номер патента: US20160307640A1. Автор: Philippe Candelier,Joel Damiens,Stephane Denorme,Antoine Benoist. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for programming of memory cells, in particular of the flash type, and corresponding programming architecture

Номер патента: US7944751B2. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for Programming of Memory Cells, in Particular of the Flash Type, and Corresponding Programming Architecture

Номер патента: US20100002521A1. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

OFFSET MEMORY COMPONENT AUTOMATIC CALIBRATION (AUTOCAL) ERROR RECOVERY FOR A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20200090767A1. Автор: Liikanen Bruce A.,Cadloni Gerald L.,Miller Michael G.,Besinga Gary F.,Padilla Renato C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

OFFSET MEMORY COMPONENT AUTOMATIC CALIBRATION (AUTOCAL) ERROR RECOVERY FOR A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220301640A1. Автор: Liikanen Bruce A.,Cadloni Gerald L.,Miller Michael G.,Besinga Gary F.,Padilla Renato C.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

ALL LEVELS DYNAMIC START VOLTAGE PROGRAMMING OF A MEMORY DEVICE IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220310158A1. Автор: Xu Jun. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

ALL LEVELS PROGRAMMING OF A MEMORY DEVICE IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220310165A1. Автор: Ning Sheyang,Miranda Lawrence Celso. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

LEVEL SHIFTING IN ALL LEVELS PROGRAMMING OF A MEMORY DEVICE IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Номер патента: US20220310167A1. Автор: Ning Sheyang,Miranda Lawrence Celso. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Double interleaved programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11699491B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

3.5 Transistor non-volatile memory cell using gate breakdown phenomena

Номер патента: EP1777708A1. Автор: Harry S. Luan,Glen A. Rosendale,John M. Callahan,Hemanshu T. Vernenker,Michael D. Fliesler,Zongshang Liu. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Static ram memory cell

Номер патента: CA1160742A. Автор: David N. Larson. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-01-17.

Reading of a nonvolatile memory cell by taking account of the stored state of a neighboring memory cell

Номер патента: WO2008083137A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

System for controlling mode changes in a voltage down-converter

Номер патента: CA2498608A1. Автор: Fabio Tassan Caser,Stefano Sivero,Riccardo Riva Reggiori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US20240081160A1. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-07.

Phase-change memory cell having a compact structure

Номер патента: US11957067B2. Автор: Simon Jeannot,Philippe Boivin. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of Operating an Integrated Circuit for Reading the Logical State of a Memory Cell

Номер патента: US20090059673A1. Автор: Josef Willer,Detlev Richter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20120224429A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory sub-system enclosure

Номер патента: US20240268077A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash,Ravi Kumar Kollipara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Secure replaceable verification key architecture in a memory sub-system

Номер патента: US20220407718A1. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Secure replaceable verification key architecture in a memory sub-system

Номер патента: US20200374130A1. Автор: Robert W. Strong,James Ruane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory cell and methods for processing a memory capacitor

Номер патента: US20240032305A1. Автор: Tony SCHENK,Stefan Ferdinand Müller,Alireza KASHIR. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory cell and methods for processing a memory capacitor

Номер патента: WO2024022788A1. Автор: Tony SCHENK,Stefan Ferdinand Müller,Alireza KASHIR. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-02-01.

Top electrode for a memory device and methods of making such a memory device

Номер патента: US11785860B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Programme read-only memory and memory cell for use in such a memory

Номер патента: IE53422B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-11-09.

Method and apparatus for operating a voltage regulator based on operation of a timer

Номер патента: US20040008062A1. Автор: Don Nguyen,Thovane Solivan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Confluence structure of a primary stream and a secondary stream in a bypass turbine engine

Номер патента: US11873783B2. Автор: Jean-Francois Cabre,Brice Marie Yves Emile LE PANNERER,Nicolas Camille Claude CURLIER,Lucas Arthur PFLIEGER. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2024-01-16.

Confluence structure of a primary stream and a secondary stream in a bypass turbine engine

Номер патента: US20230265814A1. Автор: Jean-Francois Cabre,Brice Marie Yves Emile LE PANNERER,Nicolas Camille Claude CURLIER,Lucas Arthur PFLIEGER. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2023-08-24.

Mobile plant for the preparation of a mixture of medicinal feed and premixes in a turbulent flow

Номер патента: RU2757721C1. Автор: Владимир Иванович Сыроватка,Алексей Семёнович Дорохов,Андрей Дмитриевич Обухов,Наталья Владимировна Жданова,Отари Назирович Дидманидзе,Екатерина Петровна Парлюк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ» (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2021-10-21.

Method for coding based on a parity matrix of a low-density parity-check code (ldpc) in a wireless communication system and a terminal using it

Номер патента: RU2719688C1. Автор: Квангсеок НОХ,Бонгхое КИМ,Дзонгвоонг ШИН,Илму БИУН,Дзинвоо КИМ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2020-04-21.

A method and system for climatization of a propulsion battery and a passenger compartment in a vehicle

Номер патента: SE1751560A1. Автор: Linus Ährlig,Ola Hall. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2019-06-19.

Method for multiplexed analysis of a plurality of target nucleic acid sequences in a sample

Номер патента: CA2379132C. Автор: David F. Englert. Владелец: Packard Bioscience Co. Дата публикации: 2011-05-31.

Injection module, method and use for lateral insertion and bending of a coiled tubing via a side opening in a well

Номер патента: CA2782360C. Автор: Bjarne Kare Langeteig. Владелец: QUALITY INTERVENTION AS. Дата публикации: 2017-05-30.

Apparatus for treating the surface or carrying out maintenance and/or inspection tasks of a vertical stabilizer of an aerial vehicle in a low interior height hangar

Номер патента: CA2935163C. Автор: Thomas Roster. Владелец: CTI Systems SA. Дата публикации: 2016-11-15.

Process for the preparation of a sweetener based on aspartame, which is in a dry form similar to that of a lump of sugar

Номер патента: CA2022402A1. Автор: Christiane Cailler,Isabelle Maroteaux,Albert T.T. Luong. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-02-01.

Sealing devices for sealing inner wall surfaces of a wellbore and methods of installing same in a wellbore

Номер патента: CA2872620C. Автор: Edward J. O'Malley. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Use of cox-2 inhibitors for the preparation of a medicament for the treatment of neoplasia in a subject being treated with radiation therapy

Номер патента: IL143805A. Автор: . Владелец: Searle & Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Barrier system for the lubricating oil for the bearings of a centrifugal compressor with labyrinth seals installed in a confined environment

Номер патента: US5207291A. Автор: Vasco Mezzedimi,Giampietro F. Aggradi. Владелец: Nuovopignone Industrie Meccaniche e Fonderia SpA. Дата публикации: 1993-05-04.

Method and apparatus for the separation of a liquid from a gas feed stream in a catalytic reactor

Номер патента: CA2799460C. Автор: Max Thorhauge. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2015-08-11.

Closed loop deployment of a work string including a composite plug in a wellbore

Номер патента: CA2913882C. Автор: Edward J. O'Malley. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and an apparatus for attachment of a remote station to a base station in a multicellular communications network

Номер патента: US5912918A. Автор: Frederic Bauchot,Alain Dorel,Frederic Lefevre,Arnaud Lund,Luc Revardel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Systems, methods and devices for in vivo monitoring of a localized response via a radiolabeled analyte in a subject

Номер патента: CA2447025C. Автор: Robert D. Black,Charles W. Scarantino,Steven A. Suddarth. Владелец: Sicel Technologies Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Methods of enabling measurements for handling of a device-to-device D2D side link in a cellular system

Номер патента: US10390316B2. Автор: Qianxi Lu,Stefano Sorrentino,Shaohua Li,Xinghua Song. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2019-08-20.

Module of a circuit arrangement which is preferably contained in a drive for a railroad vehicle and is of modular construction

Номер патента: US6163457A. Автор: Matthias Berth,Rolf Schifferli. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2000-12-19.

Displacement of a liquid a by a liquid b in a suspension

Номер патента: CA1096591A. Автор: Gunther Klotz. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1981-03-03.

Method for synchronization of a clock signal, which can be generated in a data receiving station, with a clock signal which is used in a data transmission station

Номер патента: US6148049A. Автор: Soeren Hein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-11-14.

Compositions including cannabinoid and use thereof in the manufacture of a medicament for the treatment of inflammation in a subject

Номер патента: WO2023239415A1. Автор: Xuan Tan,Dengfeng Yang,Chunfeng Chai. Владелец: Angrow Company Limited. Дата публикации: 2023-12-14.

Compositions including cannabinoid and use thereof in the manufacture of a medicament for the treatment of inflammation in a subject

Номер патента: US20230398135A1. Автор: Xuan Tan,Dengfeng Yang,Chunfeng Chai. Владелец: Angrow Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Anti-rotation device for a gripping member of a mixing machine for fluid products contained in a closed container

Номер патента: EP2117692B1. Автор: Fabrizio Benatti,Andrea Capucci. Владелец: CPS Color Equipment Spa Con Unico Socio. Дата публикации: 2010-09-15.

Wireless device and network node for verification of a device as well as corresponding methods in a wireless communication system

Номер патента: WO2020182285A1. Автор: Pal Frenger,Martin HESSLER,Nicklas JOHANNSON. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2020-09-17.

Use of a naphthalenesulfonic acid polycondensate as a plasticizer in a construction composition and construction composition

Номер патента: CA3220022A1. Автор: Michael Schmidt,Massimo BANDIERA,Gulnihal AYKAN,Sridhara GOWDA. Владелец: CONSTRUCTION RESEARCH AND TECHNOLOGY GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Guide device for guiding a driving bar of a mandrel or for guiding a mandrel in a rolling process of tubular bodies

Номер патента: US11801541B2. Автор: Annibale BUCCI,Marco Lange′. Владелец: Danieli and C Officine Meccaniche SpA. Дата публикации: 2023-10-31.

Use of a naphthalenesulfonic acid polycondensate as a plasticizer in a construction composition and construction composition

Номер патента: EP4330205A1. Автор: Michael Schmidt,Massimo BANDIERA,Gulnihal AYKAN,Sridhara GOWDA. Владелец: CONSTRUCTION RESEARCH AND TECHNOLOGY GmbH. Дата публикации: 2024-03-06.

Arrangement of a light source and a carrier thereof in a housing of a skin treatment device

Номер патента: EP4282468A1. Автор: Jonathan Alambra PALERO,Marius Iosif Boamfa,Nikolaj Vasiljevitsj ZJIROECHA,Babu Varghese. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2023-11-29.

Method and apparatus for automatic shutoff of a valve when a substance is present in a flow of fluid

Номер патента: US20020185174A1. Автор: Lyman Dolan. Владелец: Oil States Industries Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Door for controlling temperature and airflow distribution of a heating, ventilation, and air conditioning system in a vehicle

Номер патента: US20120248205A1. Автор: Jason Hendry,John Klinkhammer. Владелец: Denso International America Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Method to control the execution of a downshift with a released accelerator pedal in a drivetrain provided with a dual-clutch, servo-assisted transmission

Номер патента: EP3798478A1. Автор: Alessandro Barone,Andrea Nannini,Giacomo SENSERINI,Stefano Marconi. Владелец: Ferrari SpA. Дата публикации: 2021-03-31.

Method and device for cooling a mass of a substance, such as meat or vegetables in a blender, using liquid nitrogen with pressure pulsing

Номер патента: NZ531900A. Автор: Robert Taylor,Johannes Beuse,Kirsten Moller. Владелец: Air Liquide. Дата публикации: 2007-01-26.

Apparatus and method for updating control information of a target base station during handover operation in a broadband wireless communication system

Номер патента: WO2011099775A3. Автор: Jinsam Kwak,Inuk JUNG,Kiseon Ryu. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Process for manufacture of a composition for the treatment of osteoarthritis in a subject

Номер патента: US20240174980A1. Автор: Éva KRISTON-PÁL,Valéria SZUKACSOV. Владелец: Cellfactory Kft. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of and apparatus for identification of a monitoring signal at a base station in a radio telephone system

Номер патента: AU7225091A. Автор: Jukka Korhonen,Pertti Huttunen. Владелец: Telenokia Oy. Дата публикации: 1991-09-03.

Method and apparatus for acknowledging successful reception of a data transmission for multi-access compatibility in a wireless communication system

Номер патента: WO2010093819A1. Автор: Vinay Sridhara,Vincent Knowles Jones, IV. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-08-19.

Apparatus for setting a penetration depth of a tubular or rod-shaped sliding part in a receiving part and medical handpiece with such apparatuses

Номер патента: US20240041553A1. Автор: Martin STEINIGEWEG. Владелец: Medi Globe GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for matching operating revisions of a mobile station and a base station in a wireless data communication system

Номер патента: EP1516503A1. Автор: Francesco Grilli,Lorenzo Casaccia,Michael Kevin Spartz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Method and apparatus for matching operating revisions of a mobile station and a base station in a wireless data communication system

Номер патента: AU2003279947A1. Автор: Francesco Grilli,Lorenzo Casaccia,Michael Kevin Spartz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2004-01-19.

Method and apparatus for matching operating revisions of a mobile station and a base station in a wireless data communication system

Номер патента: EP1516503B1. Автор: Francesco Grilli,Michael Kevin Spartz,Lorenzo c/o Qualcomm Incorporated CASACCIA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-10-06.

Device and method for the addition of liquid additives in the form of a spray during a jet milling step in a process for the manufacture of sintered NdFeB alloy magnets

Номер патента: US11986836B2. Автор: Kaihong Ding,Xiaochen Zhai,Yulong ZHAI,Sijing LYU,Dajun ZHAO. Владелец: Yantai Dongxing Magnetic Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabrication of a ferromagnetic inductor core and capacitor electrode in a single photo mask step

Номер патента: EP1831918B1. Автор: Satyavolu S. Papa Rao,Kenneth D. Brennan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-23.

Method for profiling in cd-direction the surface qualities of a fibrous web to be manufactured/treated in a paper/board machine or in a finishing machin

Номер патента: WO2007088241A1. Автор: Reijo PIETIKÄINEN,Tony Lehto. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for profiling in cd-direction the surface qualities of a fibrous web to be manufactured/treated in a paper/board machine or in a finishing machine

Номер патента: EP1981684A1. Автор: Reijo PIETIKÄINEN,Tony Lehto. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2008-10-22.

Bakable food composition containing high viscosity cellulose ethers of a specific particle size distribution and use in a medicament for treatment of hypercholesterolemia

Номер патента: NZ249686A. Автор: Stephen W Tobey. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1997-07-27.

Detecting egresses of a point-to-multipoint label switched path in a ring network

Номер патента: US20190363978A1. Автор: Ravi Singh,Kireeti Kompella. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Method and apparatus for acknowledging successful reception of a data transmission for multi-access compatibility in a wireless communication system

Номер патента: EP2396918A1. Автор: Vinay Sridhara,Vincent Knowles Jones, IV. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

Setting the gain of a loop filter used for carrier synchronization in a receiver according to the type of quadrature modulation received

Номер патента: EP1931098A3. Автор: Kazuhisa Funamoto,Jasuhiro Iida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Apparatus and method for updating control information of a target base station during handover operation in a broadband wireless communication system

Номер патента: EP2510721A2. Автор: Jinsam Kwak,Inuk JUNG,Kiseon Ryu. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-10-17.

A device for the separation of a series of products that are superposed in a scale-like fashion

Номер патента: EP1282576A1. Автор: Giorgio Pessina,Aldo Perobelli. Владелец: OMG di Giorgio Pessina e Aldo Perobelli SNC. Дата публикации: 2003-02-12.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US8987103B2. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff,Ralf Otterbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-24.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US20100289083A1. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Use of a naphthalenesulfonic acid polycondensate as a plasticizer in a construction composition and construction composition

Номер патента: US20240254046A1. Автор: Michael Schmidt,Massimo BANDIERA,Gulnihal AYKAN,Sridhara GOWDA. Владелец: Master Builders Solutions Deutschland Formerly Known Basf Construction Solutions GmbH AS GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for producing delay of a carrier signal for implementing spatial diversity in a communication system

Номер патента: WO1998051027A2. Автор: Michael D. Kotzin,Dennis R. Schaeffer. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1998-11-12.

Systems and methods for enabling functionality of a trigger mechanism based on log entries in a traffic log

Номер патента: US09716906B1. Автор: Hank J. Hundemer. Владелец: Tribune Broadcasting Co LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Pressure control valve arrangement having diaphragm valves for controlling a fluid pressure in an ABS brake system of a vehicle, having a valve seat integrated in a unipartite fashion in a plastic housing part

Номер патента: US09637099B2. Автор: Wolfgang Rohn,Rainer Eidenschink,Wilfried Gerber. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, memory cell including connecting structure having base portion and pillar portion, and method of forming the same

Номер патента: US12120968B2. Автор: Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20210242226A1. Автор: Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Damped josephson junction memory cell

Номер патента: CA1038495A. Автор: Hans H. Zappe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20120039109A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Srinivasan Bhaskar. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Memory Cells, Non-Volatile Memory Arrays, Methods Of Operating Memory Cells, Methods Of Reading To And Writing From A Memory Cell, And Methods Of Programming A Memory Cell

Номер патента: US20130001498A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

A memory array and a fabrication method for a memory cell used in the memory array

Номер патента: TW200921681A. Автор: Jeong-Yeol Choi. Владелец: Chingis Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-16.

MEMORY CELL, A METHOD FOR FORMING A MEMORY CELL, AND A METHOD FOR OPERATING A MEMORY CELL

Номер патента: US20130208527A1. Автор: Otterstedt Jan,Peters Christian,Allers Wolf,Wiesner Robert,Jefremow Mihail. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-15.

MITIGATING A VOLTAGE CONDITION OF A MEMORY CELL IN A MEMORY SUB-SYSTEM

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты