METHODS OF FORMING A TRANSITION METAL CONTAINING FILM ON A SUBSTRATE BY A CYCLICAL DEPOSITION PROCESS
Номер патента: US20220411931A1
Опубликовано: 29-12-2022
Автор(ы): Hatanpaa Timo, LESKELA Markku, Ritala Mikko, Väyrynen Katja
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-12-2022
Автор(ы): Hatanpaa Timo, LESKELA Markku, Ritala Mikko, Väyrynen Katja
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of producing thin layer of large area transition metal dichalcogenides mos2 and others
Номер патента: US20200340119A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury,Steven Payonk Letourneau. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2020-10-29.