Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Interconnects with Sidewall Barrier Layer Divot Fill

Номер патента: US20240194587A1
Опубликовано: 13-06-2024
Автор(ы): Chih-Chao Yang, Koichi Motoyama, Oscar van der Straten
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Interconnects with liner that resonates during microwave anneal

Номер патента: US20230133484A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Interconnect with disconnected liner and metal cap

Номер патента: US20240105620A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device containing divot-fill dielectric barrier for metal-to-metal contacts and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240282710A1. Автор: Fumitaka Amano,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods employing sacrificial barrier layer for protection of vias during trench formation

Номер патента: US09799559B1. Автор: Xunyuan Zhang,Frank W. Mont,Douglas M. Trickett,Shariq Siddiqui,Brown Peethala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures

Номер патента: US09881871B2. Автор: Chen-Hua Yu,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Interconnect structure including single layer serving as both barrier layer and liner layer

Номер патента: US20230352409A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung,Yun-Chi Chiang,Cian-Yu CHEN,Tsu-Chun KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor interconnect structure having a graphene barrier layer

Номер патента: US10535559B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor Interconnect Structure Having a Graphene Barrier Layer

Номер патента: US20190259658A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device having a self-forming barrier layer at via bottom

Номер патента: USRE49820E1. Автор: Xunyuan Zhang,Ming He,Larry Zhao,Sean Xuan Lin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Interconnect with Self-Forming Wrap-All-Around Barrier Layer

Номер патента: US20200243383A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Alfred Grill,James Kelly,Huai HUANG,Christian Lavoie,Nicholas A. Lanzillo,Prasad Bhosale,Devika Sil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Metal Interconnect Structures with Self-Forming Sidewall Barrier Layer

Номер патента: US20200294911A1. Автор: Chih-Chao Yang,Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Hybrid metal interconnects with a bamboo grain microstructure

Номер патента: US09754885B1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Hybrid metal interconnects with a bamboo grain microstructure

Номер патента: US09754883B1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Hybrid metal interconnects with a bamboo grain microstructure

Номер патента: US20170256494A1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Low-resistivity metallic interconnect structures with self-forming diffusion barrier layers

Номер патента: EP4443499A2. Автор: Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Reddy PATLOLLA. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Self-aligned repairing process for barrier layer

Номер патента: US09640428B2. Автор: Mei-Ling Chen,Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Interconnect structure having a barrier layer along the sidewall of self-aligned via structures

Номер патента: US12046551B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Selective conductive barrier layer formation

Номер патента: US20160233126A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Selective conductive barrier layer formation

Номер патента: WO2015130549A2. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-03.

Selective conductive barrier layer formation

Номер патента: EP3111473A2. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-04.

Self-aligned repairing process for barrier layer

Номер патента: US20150194343A1. Автор: Mei-Ling Chen,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh,Chung-Chi Ko,Hung-Yi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor package or device with barrier layer

Номер патента: EP4369386A1. Автор: Lucrezia Guarino,Francesca Milanesi,Claudio ZAFFERONI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor package or device with barrier layer

Номер патента: US20240162175A1. Автор: Lucrezia Guarino,Francesca Milanesi,Claudio ZAFFERONI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-16.

Self-aligned via structures with barrier layers

Номер патента: US11251118B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Copper interconnects with self-aligned hourglass-shaped metal cap

Номер патента: US20230110587A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Copper interconnect structure with manganese oxide barrier layer

Номер патента: US09947579B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Interconnect structure with barrier layer

Номер патента: US09601371B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Interconnect structure with capping layer and barrier layer

Номер патента: US09455182B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Copper interconnect structure with manganese oxide barrier layer

Номер патента: US10224241B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US20170309513A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of forming copper interconnect structure with manganese barrier layer

Номер патента: US20240006237A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of forming copper interconnect structure with manganese barrier layer

Номер патента: US11804405B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-10-31.

Damascene process for forming coplanar top surface of copper connector isolated by barrier layers in an insulating layer

Номер патента: US6140237A. Автор: Lap Chan,Jia Zhen Zheng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US20210287994A1. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Advanced pitch interconnects with multiple low aspect ratio segments

Номер патента: US20240213087A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Interconnect structure of semiconductor device including metal pattern or via structure with sidewall spacer structure

Номер патента: US20230343698A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Interconnect structure of semiconductor device including metal pattern or via structure with sidewall spacer structure

Номер патента: EP4280263A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device having insulating layers containing oxygen and a barrier layer containing manganese

Номер патента: US09704740B2. Автор: Hiroshi Kudo,Atsuhiro Tsukune,Hirosato Ochimizu. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Substrate including selectively formed barrier layer

Номер патента: US09754823B2. Автор: Brian M. ERWIN,Christopher L. Tessler,Nicholas A. Polomoff,Matthew E. SOUTER,Jennifer D. Schuler,Yuri M. Brovman. Владелец: SUSS MicroTec Photonic Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Substrate including selectively formed barrier layer

Номер патента: US09748135B2. Автор: Brian M. ERWIN,Christopher L. Tessler,Nicholas A. Polomoff,Matthew E. SOUTER,Jennifer D. Schuler,Yuri M. Brovman. Владелец: SUSS MicroTec Photonic Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Graphene coated interconnects with airgap structures

Номер патента: US20240222278A1. Автор: Son Nguyen,Takeshi Nogami,Cornelius Brown Peethala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Interconnect Structure without Barrier Layer on Bottom Surface of Via

Номер патента: US20220262675A1. Автор: Ming-Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Barrier layer structure which prevents migration of silicon into an adjacent metallic layer and the method of fabrication of the barrier layer

Номер патента: US6156647A. Автор: Barry Hogan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US20230361024A1. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US11776901B2. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Layer structure including diffusion barrier layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764156B2. Автор: Jaeho Lee,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20230369226A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Chi-Feng Lin,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with a copper barrier layer and formation thereof

Номер патента: US6093966A. Автор: John Mendonca,Jeffrey T. Wetzel,Sam S. Garcia,Gregory N. Hamilton,Ramnath Venkatraman,Tze W. Poon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20200388499A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20200144065A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20210343535A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20230107176A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Interconnect structure having a carbon-containing barrier layer

Номер патента: US11908697B2. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Interconnect with Self-Forming Wrap-All-Around Barrier Layer

Номер патента: US20200243383A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Alfred Grill,James Kelly,Huai HUANG,Christian Lavoie,Nicholas A. Lanzillo,Prasad Bhosale,Devika Sil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Top via interconnect with airgap

Номер патента: US20230260895A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Interconnection structure with sidewall dielectric protection layer

Номер патента: US09859156B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabricating interconnections with carbon nanotubes

Номер патента: US20120135598A1. Автор: Tri-Rung Yew,Hsin-Wei Wu,Chung-Min Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-31.

Method to selectively cap interconnects with indium or tin bronzes and/or oxides thereof and the interconnect so capped

Номер патента: US20030104120A1. Автор: Daniel Edelstein,George Walker,Sung Kang,Eugene O'sullivan,Maurice MaGlashan-Powell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Ru Liner above a Barrier Layer

Номер патента: US20240234204A9. Автор: Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Zhaoxuan WANG,Anand Nilakantan IYER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Self-organizing barrier layer disposed between a metallization layer and a semiconductor region

Номер патента: US20170154813A1. Автор: Werner Robl,Klemens Pruegl,Michael Nelhiebel,Carsten Schaeffer,Michael Fugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Ru liner above a barrier layer

Номер патента: WO2024086295A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Zhaoxuan WANG,Anand Nilakantan IYER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Ru Liner above a Barrier Layer

Номер патента: US20240136223A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Zhaoxuan WANG,Anand Nilakantan IYER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Doping of metal barrier layers

Номер патента: WO2021225884A1. Автор: FENG CHEN,Lu Chen,Gang Shen,Xianmin Tang,Tae Hong Ha,Christina L. Engler. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-11.

Thin film interconnects with large grains

Номер патента: US20190096757A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael F. Lofaro,Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Ghavam Shahidi,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Dual damascene fully-aligned via interconnects with dual etch layers

Номер патента: US20230138988A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Multilevel copper interconnect with double passivation

Номер патента: US7067421B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Advanced copper interconnects with hybrid microstructure

Номер патента: US20170148738A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Advanced copper interconnects with hybrid microstructure

Номер патента: US20170200643A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Advanced copper interconnects with hybrid microstructure

Номер патента: US10276435B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Advanced copper interconnects with hybrid microstructure

Номер патента: US20220165620A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-05-26.

Advanced copper interconnects with hybrid microstructure

Номер патента: US20180342419A1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Advanced copper interconnects with hybrid microstructure

Номер патента: US09799605B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C. Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Copper contact plugs with barrier layers

Номер патента: US09614052B2. Автор: Li-Lin Su,Ching-Hua Hsieh,Hsueh Wen Tsau,Huang-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US20230335499A1. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: US09646876B2. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

III-V NFETs including channel barrier layers to reduce band-to-band leakage current

Номер патента: US09685529B1. Автор: Zoran Krivokapic,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Fabricating method of a barrier layer

Номер патента: US6025264A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Yimin Huang,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-02-15.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: WO2016137747A1. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-09-01.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: US20160254181A1. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Material and process for copper barrier layer

Номер патента: US09818695B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Interconnect structure with hybrid barrier layer

Номер патента: US20230253330A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Interconnect structure with hybrid barrier layer

Номер патента: US11652055B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Interconnect structure with hybrid barrier layer

Номер патента: US20220415798A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US7049703B2. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-23.

Back-end-of-line (beol) interconnects with different airgap heights and metal trace corner protection structures

Номер патента: US20240321631A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao,Biswa Ranjan PANDA,Ramesh MANCHANA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US20040198036A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Flexible interconnections with dual-metal dual-stud structure

Номер патента: US20020053716A1. Автор: James G. Ryan,Badih El-Kareh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of creating a maskless air gap in back end interconnects with double self-aligned vias

Номер патента: US20150001724A1. Автор: Florian Gstrein,Hui Jae Yoo,Manish Chandhok,Yan A. Borodovsky,Kevin L. Lin,David N. Shykind. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

Structure with upper features of adjacent metal structures with sidewall spacers providing void-free dielectric filling

Номер патента: US20240297238A1. Автор: Abhijit Ghosh,Young Seon You,Suk Hee JANG,Yoke Leng Lim,Deepthi Kandasamy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods that use at least a dual damascene process and, optionally, a single damascene process to form interconnects with hybrid metallization and the resulting structures

Номер патента: US09824970B1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Electronic device including interconnects with a cavity therebetween and a process of forming the same

Номер патента: US20140001650A1. Автор: Vishal P. Trivedi,Jay P. John. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Interconnects with spacer structure for forming air-gaps

Номер патента: US20210225691A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Self-aligned interconnect with protection layer

Номер патента: US20240297076A1. Автор: Ching-Feng Fu,Chia-Ying Lee,Yu-Chan Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Copper interconnects with copper silicide layer

Номер патента: GB2390742A. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Robert Wayne Bradshaw,Daniele Gilkes,Deepak A Ramappa,Kurt George Steiner. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-01-14.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of fabrication thereof

Номер патента: US20150014859A1. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of afbrication

Номер патента: US20120298411A1. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of fabrication thereof

Номер патента: US9257406B2. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2016-02-09.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20200105598A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20210265208A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Advanced metal interconnects with a replacement metal

Номер патента: US11842961B2. Автор: Brent Anderson,Lawrence A. Clevenger,Kisik Choi,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Global dielectric and barrier layer

Номер патента: US09711398B2. Автор: Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Air gap between tungsten metal lines for interconnects with reduced RC delay

Номер патента: US09425096B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Flexible interconnections with dual-metal dual-stud structure

Номер патента: TW406389B. Автор: Badih El-Kareh,James G Ryan. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-09-21.

Integrated circuit interconnect structure having discontinuous barrier layer and air gap

Номер патента: US20240290653A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Interconnects with improved tddb

Номер патента: US20100052184A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Wu Ping Liu,Jing Hui Li. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Interconnects with improved tddb

Номер патента: SG159483A1. Автор: LI Jing Hui,LIU Wu Ping,Lawrence A Clevenger. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-30.

Interconnects with improved tddb

Номер патента: SG178783A1. Автор: Wu Ping Liu,a clevenger Lawrence,Jing Hui Li. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Fine-scale interconnect with micro-air bridge

Номер патента: US10453778B1. Автор: Stephen John Holmes. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2019-10-22.

Topvia interconnect with enlarged via top

Номер патента: US20220415790A1. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Lawrence A. Clevenger,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Interconnect with two-dimensional free zero line end enclosure

Номер патента: US20230420296A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Huai HUANG,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Barrier Layer Formation for Conductive Feature

Номер патента: US20200083096A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Barrier Layer Formation for Conductive Feature

Номер патента: US20200083095A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Selective Deposition of Barrier Layer

Номер патента: US20240266211A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Barrier layers in trenches and vias

Номер патента: US09984923B2. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Thin film transfer using substrate with etch stop layer and diffusion barrier layer

Номер патента: US11804531B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Thin film transfer using substrate with etch stop layer and diffusion barrier layer

Номер патента: EP3944297A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Thin Film Transfer Using Substrate with Etch Stop Layer and Diffusion Barrier Layer

Номер патента: US20230369433A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Selective deposition of barrier layer

Номер патента: US11948834B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of fabricating a multilayered dielectric diffusion barrier layer

Номер патента: US7470597B2. Автор: Elbert E. Huang,Jeffrey C. Hedrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Conductive contact having barrier layers with different depths

Номер патента: US11929328B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Conductive contact having barrier layers with different depths

Номер патента: US20240079332A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Multi-level hydrogen barrier layers for memory applications

Номер патента: US11871584B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Dual hydrogen barrier layer for memory devices

Номер патента: US11869928B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Conductive and insulative hydrogen barrier layer for memory devices

Номер патента: US11844203B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Dual hydrogen barrier layer for memory devices integrated with low density film for logic structures and methods of fabrication

Номер патента: US11844225B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Dual hydrogen barrier layer for memory devices

Номер патента: US20230187476A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-level hydrogen barrier layers for memory applications and methods of fabrication

Номер патента: US12010854B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Integrated device comprising via with side barrier layer traversing encapsulation layer

Номер патента: US09466554B2. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

TOP VIA INTERCONNECT WITH SELF-ALIGNED BARRIER LAYER

Номер патента: US20210217662A1. Автор: Yang Chih-Chao,Park Chanro,Motoyama Koichi,Cheng Kenneth Chun Kuen. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Ruthenium interconnect with high aspect ratio and method of fabrication thereof

Номер патента: US9299643B2. Автор: Wen Yu,Zheng Wang,Connie Wang,Erik Wilson,Robert Chiu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Multi-layer topological interconnect with proximal doping layer

Номер патента: US20240113024A1. Автор: Oki Gunawan,Christian Lavoie,Guy M. Cohen,Nicholas Anthony Lanzillo,Ching-Tzu Chen,Nathan P. Marchack,Teodor Krassimirov Todorov,Utkarsh Bajpai,Peter Kerns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Package and substrate comprising interconnects with semi-circular planar shape and/or trapezoid planar shape

Номер патента: US20220068798A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Package and substrate comprising interconnects with semi-circular planar shape and/or trapezoid planar shape

Номер патента: EP4205172A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Package and substrate comprising interconnects with semi-circular planar shape and/or trapezoid planar shape

Номер патента: WO2022046391A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device having metal interconnects with different thicknesses

Номер патента: US11830818B2. Автор: Nidhi Nidhi,Chia-Hong Jan,Kinyip PHOA,Jui-Yen Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including interconnects with lower contact resistance

Номер патента: US20230387022A1. Автор: Chia-Tien Wu,Chih-Wei Lu,Yung-Hsu WU,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hsin-Ping Chen,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having metal interconnects with different thicknesses

Номер патента: US20210074642A1. Автор: Nidhi Nidhi,Chia-Hong Jan,Kinyip PHOA,Jui-Yen Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device having metal interconnects with different thicknesses

Номер патента: US20220157729A1. Автор: Nidhi Nidhi,Chia-Hong Jan,Kinyip PHOA,Jui-Yen Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of forming an electrically conductive contact plug, method of forming a reactive or diffusion barrier layer over a substrate, integrated circuitry, and method of forming a layer of titanium boride

Номер патента: US5977636A. Автор: Sujit Sharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Barrier layer conformality in copper interconnects

Номер патента: US20140252617A1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Protective barrier layer for semiconductor device electrodes

Номер патента: EP1925028A2. Автор: Martin Standing,David P. Jones,Andrew N. Sawle,Martin Carroll. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-28.

Cross-cell local interconnect with buried power rail and gate contact over active region

Номер патента: WO2023099097A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-08.

Method and design of high-performance interconnects with improved signal integrity

Номер патента: US11744006B2. Автор: Guoan Wang,Jinqun Ge. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and Design of High-Performance Interconnects with Improved Signal Integrity

Номер патента: US20210378089A1. Автор: Guoan Wang,Jinqun Ge. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2021-12-02.

Interconnects with variable space mandrel cuts formed by block patterning

Номер патента: US20190355658A1. Автор: Hui Zang,Jiehui SHU,Ravi Prakash Srivastava. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Interconnection with self-aligned via plug

Номер патента: US5596230A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

FINE PITCH AND SPACING INTERCONNECTS WITH RESERVE INTERCONNECT PORTION

Номер патента: US20190067178A1. Автор: Jomaa Houssam,KANG Kuiwon,Rouhana Layal. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming ICS conductive lines, a conductive grid, a conductive network, an electrical interconnection to a node location, an electrical interconnection with a transistor source/drain region and ICS

Номер патента: US6225147B1. Автор: Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-01.

Super via with sidewall spacer

Номер патента: US20240194585A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Bridge interconnect with air gap in package assembly

Номер патента: US09589866B2. Автор: Mathew J. Manusharow,Chia-Pin Chiu,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

EMBEDDED TRACE SUBSTRATES (ETSs) WITH T-SHAPED INTERCONNECTS WITH REDUCED-WIDTH EMBEDDED METAL TRACES, AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20240250009A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Embedded trace substrates (etss) with t-shaped interconnects with reduced-width embedded metal traces, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024158553A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-02.

Methods of forming metal interconnections including thermally treated barrier layers

Номер патента: US6077772A. Автор: Sung-Tae Kim,In-Seon Park,Won-Goo Hur,Du-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device with a barrier layer having overhung portions

Номер патента: US09502303B2. Автор: Wen-Chin Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Fabrication of a via plug having high aspect ratio with a diffusion barrier layer effectively surrounding the via plug

Номер патента: US6083842A. Автор: Sergey Lopatin,Robin Cheung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Method for forming a tungsten plug and a barrier layer in a contact of high aspect ratio

Номер патента: US5990004A. Автор: Yu-Ru Yang,Horng-Bor Lu,Jenn-Tarng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: EP1114449A1. Автор: Brian A. Vaartstra,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method of fabricating a metal plug of a semiconductor device using a novel tin barrier layer

Номер патента: US20020016063A1. Автор: Ming-Shing Chen,Bill Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor package having composite seed-barrier layer and method of forming the same

Номер патента: US20240047308A1. Автор: Ming-Che Ho,Wei-Chung Chang,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Formation of a barrier layer for tungsten damascene interconnects by nitrogen implantation of amorphous silicon or polysilicon

Номер патента: US6166428A. Автор: Sunil D. Mehta,William G. En,Darin Arthur Chan,Raymond Takling Lee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Stabilized surface between a fluorosilicate glass dielectric and a liner/barrier layer

Номер патента: WO2002013234A3. Автор: Farhad Moghadam,Nirmalya Maity,Saad Hichem M,Nety M Krishna,Dana Tribula. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

In-situ tungsten deposition without barrier layer

Номер патента: US20200243341A1. Автор: Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yong Wu,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Yumin He,Wenyi Liu,Jianqiu Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Tungsten Deposition Without Barrier Layer

Номер патента: US20200027738A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yihong Chen,Yong Wu,Chia Cheng Chin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for improving conformity and contact bottom coverage of sputtered titanium nitride barrier layers

Номер патента: US5833817A. Автор: Chen-Hua Douglas Yu,Chia Shiung Tsai,Ying Yin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Alloy diffusion barrier layer

Номер патента: WO2019060496A1. Автор: Christopher Daniel Manack,Salvatore Frank PAVONE,Nazlia DADVAND. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-03-28.

Alloy diffusion barrier layer

Номер патента: US20190088608A1. Автор: Nazila Dadvand,Christopher Daniel Manack,Salvatore Frank PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Barrier layer for electroplating processes

Номер патента: US20020092772A1. Автор: Tse-Yong Yao,Peijun Ding,Barry Chin,Tony Chiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Diamond barrier layer

Номер патента: US20030064588A1. Автор: Zhihai Wang,Wilbur Catabay. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure having a titanium barrier layer

Номер патента: US5926734A. Автор: James Austin Walls. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-07-20.

Rram with a barrier layer

Номер патента: US20210184114A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Rram with a barrier layer

Номер патента: US20230217842A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Diffusion Barrier Layer

Номер патента: US20200357629A1. Автор: Steven C.H. Hung,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Rram with a barrier layer

Номер патента: US20200388755A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods for forming planarized hermetic barrier layers and structures formed thereby

Номер патента: WO2012067955A3. Автор: Sean King,Hui Jae Yoo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-08-02.

Methods for forming planarized hermetic barrier layers and structures formed thereby

Номер патента: WO2012067955A2. Автор: Sean King,Hui Jae Yoo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for depositing copper onto a barrier layer

Номер патента: US6416812B1. Автор: Panayotis Andricacos,Milan Paunovic,Fenton Read Mcfeely,Steven H. Boettcher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-09.

Dual hydrogen barrier layer for trench capacitors integrated with low density film for logic structures and methods of fabrication

Номер патента: US11955512B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Pratyush Pandey,Somilkumar J. Rathi,Jason Y. Wu. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Dual hydrogen barrier layer for trench capacitors integrated with low density film for logic structures

Номер патента: US11961877B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Pratyush Pandey,Somilkumar J. Rathi,Jason Y. Wu. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230411484A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4248491A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022108793A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-27.

Impregnation of aluminum interconnects with copper

Номер патента: CA1229816A. Автор: Michael E. Thomas,John M. Pierce,James M. Cleeves,Thomas Keyser. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-12-01.

Method of forming metal carbide barrier layers for fluorocarbon films

Номер патента: WO2013043512A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron America, Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US12046662B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20230268425A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for depositing a diffusion barrier layer and a metal conductive layer

Номер патента: US09991157B2. Автор: Hong Zhang,ZHENG Xu,Barry L. Chin,Peijun Ding,Gongda Yao,Tony Chiang,Fusen E. Chen,Gene Y. Kohara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transfer using substrate with etch stop layer and diffusion barrier layer

Номер патента: US20240379792A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Ulsi micro-interconnect member having ruthenium electroplating layer on barrier layer

Номер патента: US20100314766A1. Автор: Toru Imori,Junnosuke Sekiguchi,Takashi Kinase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Stacked image sensor having a barrier layer

Номер патента: US09536920B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Cheng-Ying Ho,Shih Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming cobalt barrier layer and metal interconnection process

Номер патента: US09449872B1. Автор: TONG Lei,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer

Номер патента: US20030036223A1. Автор: Michael Nuttall,Randhir Thakur,Garry Mercaldi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Selective repairing process for barrier layer

Номер патента: US09514928B2. Автор: Mei-Ling Chen,Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof

Номер патента: WO2006121604A2. Автор: Hong Zhang,Praburam Gopalraja,Yoichiro Tanaka,Hua Chung,Jianming Fu,Jick Yu,Jenn Yue Wang,Wel D. Wang,Rongjium Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2006-11-16.

Method having resistive memory crossbar array employing selective barrier layer growth

Номер патента: US10950787B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US12062573B2. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integration of ALD barrier layer and CVD Ru liner for void-free Cu filling

Номер патента: US09607888B2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Maekawa,Toshio Hasegawa,Fumitaka Amano,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Manabu OIE,Steven CONSIGLIO,Gert J. Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for barrier layer removal

Номер патента: US09514953B2. Автор: Srinivas D. Nemani,He REN,Mehul Naik,Chia-Ling Kao,Sean Kang,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Deposition process for iodine-doped ruthenium barrier layers

Номер патента: US20080102632A1. Автор: Adrien R. Lavoie,Juan E. Dominguez,Harsono S. Simka,John J. Plombon,Joseph H. Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Precursors of manganese and manganese-based compounds for copper diffusion barrier layers and methods of use

Номер патента: US09916975B2. Автор: David Knapp,David Thompson,Feng Q. Liu,Ben-Li SHEU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US11784240B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Novel nitride barrier layer to prevent metal (Cu) leakage issue in a dual damascene structure

Номер патента: US20050153537A1. Автор: Yi-Lung Cheng,Ying-Lung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Process for forming improved titanium-containing barrier layers

Номер патента: US6007684A. Автор: Jianming Fu,Fusen Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Process for forming improved titanium-containing barrier layers

Номер патента: US5858184A. Автор: Jianming Fu,Fusen Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Stacked image sensor having a barrier layer

Номер патента: US10818720B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Cheng-Ying Ho,Shih-Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200235214A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Diffusion barrier layers

Номер патента: WO2010085685A2. Автор: Steven T. Mayer,Roey Shaviv,Ronald A. Powell,Thomas W. Mountsier. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Method of forming a barrier layer in a contact structure

Номер патента: EP1010199A1. Автор: Seshadri Ramaswami,Kenny King-Tai Ngan,Barry Hogan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Semiconductor die including diffusion barrier layers embedding bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20210375791A1. Автор: Noriaki Oda,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20210296472A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200251577A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Diffusion barrier layers

Номер патента: WO2010085685A3. Автор: Steven T. Mayer,Roey Shaviv,Ronald A. Powell,Thomas W. Mountsier. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2010-10-28.

Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers

Номер патента: US20060292864A1. Автор: Ming Xi,Michael Yang,Toshio Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Electrolyte and method for the electroplating of copper on a barrier layer, and semiconductor substrate obtained with said method

Номер патента: WO2011018478A1. Автор: Jose Gonzalez,Frédéric Raynal,Vincent Mevellec. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for depositing a copper seed layer onto a barrier layer

Номер патента: MY173728A. Автор: Dr Matthias Dammasch,Dr Marco Haryono,Sengul Karasahin,Dr Hans-Jurgen Schreier. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-02-18.

Method of forming barrier layer

Номер патента: US20050103750A1. Автор: Ching-Hua Chen,Yi-Chung Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface and an amorphous titanium carbonitride barrier layer

Номер патента: US6881667B2. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-19.

Barrier layers and aluminum contacts

Номер патента: US5378660A. Автор: Edith Ong,Kenny K. Ngan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1995-01-03.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US20220238372A1. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for forming graphene barrier layer for semiconductor device and contact structure formed by the same

Номер патента: US20230081962A1. Автор: Won Jun Yoon,Jee Hye Park,Dong Woo Kim,Tae Sung Kim,Jin Ho Jeon,Hong Ki PARK,Woo Hoon SUN,Keon Jung LEE. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: WO2022160139A8. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: US6323081B1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Method for removing a diffusion barrier layer on pad regions

Номер патента: US5756376A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Resistive memory crossbar array employing selective barrier layer growth

Номер патента: US20200066982A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Resistive memory crossbar array employing selective barrier layer growth

Номер патента: US20200066983A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of forming a barrier layer for through via applications

Номер патента: WO2019036158A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-21.

Composite barrier layers

Номер патента: US20240006235A1. Автор: FENG CHEN,Jiajie Cen,Zheng JU,Jeffrey W. Antis,Bengamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming a barrier layer for use in a copper interconnect

Номер патента: EP1033745B1. Автор: Brian G. Anthony,Sam S. Garcia,Bradley P. Smith,Dean J. Denning,Gregory Norman Hamilton,Daniel J. Loop,Md. Rabiul Islam. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-10-11.

Precursors Of Manganese And Manganese-Based Compounds For Copper Diffusion Barrier Layers And Methods Of Use

Номер патента: US20180204721A1. Автор: David Knapp,David Thompson,Feng Q. Liu,Ben-Li SHEU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Electrolyte and Deposition of a Copper Barrier Layer in a Damascene Process

Номер патента: US20230282485A1. Автор: Louis Caillard,Paul Blondeau. Владелец: Aveni SA. Дата публикации: 2023-09-07.

Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material

Номер патента: US6939801B2. Автор: Ling Chen,Vincent W. Ku,Hua Chung,Michael X. Yang,Gongda Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method for providing fluorine barrier layer between conductor and insulator for degradation prevention

Номер патента: US6066577A. Автор: Thomas L. McDevitt,Anthony K. Stamper,Edward C. Cooney, III,Hyun K. Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Barrier layer for dielectric recess mitigation

Номер патента: US20240088217A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having a barrier layer

Номер патента: US09972572B2. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Integration of Ru wet etch and CMP for beol interconnects with Ru layer

Номер патента: US09558997B2. Автор: Kunaljeet Tanwar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Through-silicon via with sidewall air gap

Номер патента: US09437524B2. Автор: Shan GAO,Seung Man Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of reducing voiding in copper interconnects with copper alloys in the seed layer

Номер патента: AU2003278841A1. Автор: Paul R. Besser,Connie Wang,Larry Zhao. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-19.

INTEGRATION OF Ru WET ETCH AND CMP FOR BEOL INTERCONNECTS WITH Ru LAYER

Номер патента: US20140187036A1. Автор: Kunaljeet Tanwar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09418951B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Reui Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structrure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150333021A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,An-Chi KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Interconnects with Direct Metalization and Conductive Polymer

Номер патента: US20080128909A1. Автор: Sir Jiun Hann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor package with barrier layer

Номер патента: US20210225772A1. Автор: Sanguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor package with barrier layer

Номер патента: US20220189881A1. Автор: Sanguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Solder structures including barrier layers with nickel and/or copper

Номер патента: US7839000B2. Автор: Glenn Rinne,J. Daniel Mis,Susan Bumgarner,Pooja Chilukuri,Christine Rinne,Gretchen Adema. Владелец: Unitive International Ltd. Дата публикации: 2010-11-23.

Bridge interconnection with layered interconnect structures

Номер патента: US20240014138A1. Автор: Rui Zhang,Yueli Liu,Qinglei ZHANG,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Buried silicide local interconnect with sidewall spacers and method for making the same

Номер патента: US8368219B2. Автор: Minh Van Ngo,Mark T. Ramsbey,Matthew S. Buynoski,Arvind Halliyal,Zoran Krivokapic,Jeffrey A. Shields,Nicholas H. Tripsas,Jusuke Ogura. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for making electrical interconnections with carbon nanotubes

Номер патента: US8518816B2. Автор: Paul Campbell,Jean-Marie Basset,Catherine Santini,Gilles Marchand,Simon Deleonibus,Thibaut Gutel,Paul-Henri Haumesser. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for making electrical interconnections with carbon nanotubes

Номер патента: US20120094479A1. Автор: Paul Campbell,Jean-Marie Basset,Catherine Santini,Gilles Marchand,Simon Deleonibus,Thibaut Gutel,Paul-Henri Haumesser. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-04-19.

Integrated capacitor with sidewall having reduced roughness

Номер патента: US20180130870A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Jeffrey A. West,Zhiyi Yu,Elizabeth Costner Stewart,Joseph Andre Gallegos,Jay Sung Chun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Interconnects with non-mandrel cuts formed by early block patterning

Номер патента: US20200020531A1. Автор: Guoxiang Ning,Haigou Huang,Sunil K. Singh,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Interconnects with cuts formed by block patterning

Номер патента: US20190181040A1. Автор: Rui Chen,Minghao Tang,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Integrated capacitor with sidewall having reduced roughness

Номер патента: US20210143249A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Jeffrey A. West,Zhiyi Yu,Elizabeth Costner Stewart,Joseph Andre Gallegos,Jay Sung Chun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Fabrication of interconnects with two different thicknesses

Номер патента: US6136686A. Автор: Jeffrey P. Gambino,Mark Jaso,Hing Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Semiconductor device with sidewall insulating layers in the capacitor contact hole

Номер патента: US6160284A. Автор: Takeshi Noguchi,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Semiconductor memory device having a charge barrier layer for preventing soft error

Номер патента: US4961165A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Semiconductor package with sidewall-protected rdl interposer

Номер патента: US20170263469A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor package with sidewall-protected RDL interposer

Номер патента: US09786514B2. Автор: Tieh-Chiang Wu,Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor package with sidewall-protected RDL interposer and fabrication method thereof

Номер патента: US09570369B1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Shing-Yih Shih. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Preweakened on chip metal fuse using dielectric trenches for barrier layer isolation

Номер патента: US20020070393A1. Автор: Edward Harris,Frank Hui. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor structure including barrier layer between electrode layer and underlying substrate

Номер патента: US20230422639A1. Автор: Hong Li,Jian Jiao,Shafaat Ahmed,Cyrus M. Fox,Gowtham Sriram Jawaharram,Bharat V. Krishnan,Jose L. Cruz-Campa,Kriti Agarwal,Ervin T. Hill, III. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Vertical nonvolatile memory device having hydrogen diffusion barrier layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130133A1. Автор: Jaeduk LEE,Tackhwi Lee,Sohyeon LEE,Seongpil CHANG,Sea Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Substrate to board interconnect with liquid metal and surface pins

Номер патента: US20230395480A1. Автор: Min Suet LIM,Jeff KU,Tin Poay Chuah,Yew San Lim,Twan Sing Loo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Field-Effect Transistor Devices with Sidewall Implant Under Bottom Dielectric Isolation

Номер патента: US20210336056A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric

Номер патента: US09583612B1. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor die including diffusion barrier layers embedding bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20210375790A1. Автор: Noriaki Oda,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Barrier Layer On Polymer Passivation For Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20110012239A1. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Arvind Chandrasekaran,Urmi Ray. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Wafer level chip scale package with sidewall protection

Номер патента: EP4283664A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Yu-Tung CHEN,Kuo-Lung FAN. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Wafer level chip scale package with sidewall protection

Номер патента: US20230386954A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Yu-Tung CHEN,Kuo-Lung FAN. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Metal Interconnect Structures with Self-Forming Sidewall Barrier Layer

Номер патента: US20200294911A1. Автор: Yang Chih-Chao,Peethala Cornelius Brown,PATLOLLA Raghuveer,Amanapu Hari Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Interconnect with metal via structures

Номер патента: US20240153866A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Line edge roughness improvement with sidewall sputtering

Номер патента: US09852924B1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Yiting Zhang,Zhongkui Tan,Hua Xiang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

BRIDGE INTERCONNECTION WITH LAYERED INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20170207168A1. Автор: Zhang Rui,Schuckman Amanda E.,Liu Yueli,Zhang Qinglei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

BRIDGE INTERCONNECTION WITH LAYERED INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20210384129A1. Автор: Zhang Rui,Schuckman Amanda E.,Liu Yueli,Zhang Qinglei. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for providing doped silicon using a diffusion barrier layer

Номер патента: US12125705B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph R. Abel,Gengwei Jiang,Tengfei MIAO. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for manufacturing electronic component for heterojunction provided with buried barrier layer

Номер патента: US10522648B2. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying parasitic leakage barrier layer

Номер патента: US20140084246A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

System and method for monitoring copper barrier layer preclean process

Номер патента: US8367545B2. Автор: Cheng-Hui Weng,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

System and method for monitoring copper barrier layer preclean process

Номер патента: US20120299184A1. Автор: Cheng-Hui Weng,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Multiple barrier layer encapsulation stack

Номер патента: EP3221883A1. Автор: Jean-Christophe Giron,Avanti M. JAIN. Владелец: Sage Electrochromics Inc. Дата публикации: 2017-09-27.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing electronic component for heterojunction provided with buried barrier layer

Номер патента: US20190109209A1. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-04-11.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer

Номер патента: US09608055B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US09484449B2. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating a barrier layer

Номер патента: US20020055269A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Schrems,Anke Krasemann,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Barrier Layer Removal Method and Apparatus

Номер патента: US20140053978A1. Автор: HUI Wang,Jian Wang,Zhaowei Jia,Liangzhi Xie,Junping Wu. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory devices including barrier layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060077743A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of forming metal contacts in the barrier layer of a group III-N HEMT

Номер патента: US09818839B2. Автор: Yoshikazu Kondo,Shoji Wada,Masahiro Iwamoto,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming metal contacts in the barrier layer of a group III-N HEMT

Номер патента: US09443737B2. Автор: Yoshikazu Kondo,Shoji Wada,Masahiro Iwamoto,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate

Номер патента: US09390908B2. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2016-07-12.

Thin film transistor having a barrier layer as a constituting layer and Cu-alloy sputtering target used for sputter film formation of the barrier layer

Номер патента: US8658009B2. Автор: Satoru Mori,Kenichi Yaguchi,Kazunari Maki,Yosuke Nakasato. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Metal gate with PVD amorphous silicon layer and barrier layer for CMOS devices and method of making with a replacement gate process

Номер патента: US6642590B1. Автор: Qi Xiang,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a back barrier layer

Номер патента: US11855199B2. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying parasitic leakage barrier layer

Номер патента: EP2901490A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20220384630A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20240088284A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US09728598B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for fabricating CVD TiN barrier layers for capacitor structures

Номер патента: US6010940A. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-04.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11795550B2. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Barrier layer for preventing aluminum diffusion

Номер патента: US20230377879A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Chi-Chou Lin,Tianyi Huang,Elizabeth Mao,Tengzhou Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11830738B2. Автор: Ryu Nakano. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20210254224A1. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20200087798A1. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US11996443B2. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Barrier layer for preventing aluminum diffusion

Номер патента: WO2023225138A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Chi-Chou Lin,Tianyi Huang,Elizabeth Mao,Tengzhou Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US11901413B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Plasma-based barrier layer removal method for increasing peak transconductance while maintaining on-state resistance and related devices

Номер патента: US20230395670A1. Автор: Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Kyoung-Keun Lee,Chris Hardiman. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US20210336006A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US20160300906A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US20170317164A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Package structure with a barrier layer

Номер патента: US20240297138A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Barrier layer on a piezoelectric-device pad

Номер патента: US12035104B2. Автор: Chih-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Barrier layer on a piezoelectric-device pad

Номер патента: US20240314500A1. Автор: Chih-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming metal ion barrier layers and resulting structures

Номер патента: US20240355766A1. Автор: Dian-Hau Chen,Yu-Bey Wu,Chih-Pin CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Barrier layer for fine-pitch mask-based substrate bumping

Номер патента: US7776734B2. Автор: Ravi K. Nalla,Mark S. Hlad,Christine H. Tsau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-08-17.

Package structure with a barrier layer

Номер патента: US11984419B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for forming package structure with a barrier layer

Номер патента: US20210035937A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Transistor including a discontinuous barrier layer

Номер патента: US20230352424A1. Автор: Jia GUO,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Organic electronic devices having external barrier layer

Номер патента: EP1866986A1. Автор: Jie Liu,Donald Franklin Foust,William Francis Nealon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-12-19.

Interconnection with side connection to substrate

Номер патента: US20210098349A1. Автор: Keishi Okamoto,Hiroyuki Mori,Takahito Watanabe,Risa Miyazawa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Interconnection with side connection to substrate

Номер патента: WO2021059052A1. Автор: Keishi Okamoto,Hiroyuki Mori,Takahito Watanabe,Risa Miyazawa. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-04-01.

Interconnection with side connection to substrate

Номер патента: GB2603345A. Автор: Mori Hiroyuki,Okamoto Keishi,WATANABE Takahito,Miyazawa Risa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

3d-interconnect with electromagnetic interference ("emi") shield and/or antenna

Номер патента: US20240339418A1. Автор: HONG Shen,Patrick Variot. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

3d-interconnect with electromagnetic interference ("emi") shield and/or antenna

Номер патента: EP4430664A1. Автор: HONG Shen,Patrick Variot. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

Omni directional interconnect with magnetic fillers in mold matrix

Номер патента: US20230101629A1. Автор: WEI Wei,Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Santosh Tripathi,Kristof Darmawikarta,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Jeremy D. Ecton,Jung Kyu HAN,Srinivas Venkata Ramanuja Pietambaram,Bohan Shan,Yue Deng,Kyle Jordan Arrington. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-30.

BRIDGE INTERCONNECTION WITH LAYERED INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20190013271A1. Автор: Zhang Rui,Schuckman Amanda E.,Liu Yueli,Zhang Qinglei. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

BRIDGE INTERCONNECTION WITH LAYERED INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20200043852A1. Автор: Zhang Rui,Schuckman Amanda E.,Liu Yueli,Zhang Qinglei. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Bridge interconnection with layered interconnect structures

Номер патента: US20150364423A1. Автор: Rui Zhang,Yueli Liu,Qinglei ZHANG,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Bridge interconnection with layered interconnect structures

Номер патента: US9640485B2. Автор: Rui Zhang,Yueli Liu,Qinglei ZHANG,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Bridge interconnection with layered interconnect structures

Номер патента: US10103103B2. Автор: Rui Zhang,Yueli Liu,Qinglei ZHANG,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Bridge interconnection with layered interconnect structures

Номер патента: US11694960B2. Автор: Rui Zhang,Yueli Liu,Qinglei ZHANG,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Integrated circuit interconnect with embedded die

Номер патента: US20230080278A1. Автор: Santosh Tripathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Planarity-tolerant reworkable interconnect with integrated testing

Номер патента: US09865569B2. Автор: Yang Liu,John U. Knickerbocker,Steven L. Wright,Yu Luo,Bing Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit having interconnection with improved design flexibility

Номер патента: US5072274A. Автор: Masayuki Kokado. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-12-10.

Solar cell interconnect with multiple current paths

Номер патента: US09691924B1. Автор: Neil Kaminar,Douglas H. Rose,Shandor G. Daroczi. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Superconducting Interconnects with Ultra-Low Thermal Conductivity

Номер патента: US20200350709A1. Автор: Vyacheslav Solovyov. Владелец: Brookhaven Technology Group Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Mram structure with raised edge of tunnel barrier layer

Номер патента: US20240032435A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: EP4367723A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-05-15.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: US20240313101A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and system for providing a magnetic junction usable in spin transfer torque applications and including a magnetic barrier layer

Номер патента: US09917249B2. Автор: Dmytro Apalkov,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Array substrate comprising a barrier layer pattern and the method for manufacturing the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US09632382B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming an integrated circuit device including a pillar capped by barrier layer

Номер патента: US09627339B2. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Transistor having a back-barrier layer and method of making the same

Номер патента: US09455341B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Chih-Wen Hsiung,Po-Chun Liu,Ming-Chang Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Mosfet device featuring a superlattice barrier layer and method

Номер патента: US20090032802A1. Автор: Ravindranath Droopad,Matthias Passlack,Karthik Rajagopalan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers

Номер патента: US20130221373A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Display device including a barrier layer

Номер патента: US20200235338A1. Автор: Sangyoung Park,JoongHyun Kim,Kyongtaeg Lee,Kyungsuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

RF high-electron-mobility transistors including group III-N stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US11710785B2. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09812669B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Organic light-emitting diode display with barrier layer

Номер патента: US09799713B2. Автор: Paul S. Drzaic,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi,Chin-Wei Lin,Chieh-Wei Chen,Zhifeng Zhan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Optoelectronic semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US09768351B2. Автор: Tsung-Hsien Liu,Shih-Chang Lee,Rong-Ren LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

LED die with barrier layer

Номер патента: US09755112B2. Автор: Tzu-Chien Hung,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09728748B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09728747B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotrophy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US09548441B2. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Solar cell made using a barrier layer between P-type and intrinsic layers

Номер патента: US09537038B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

III-V MOSFETs with halo-doped bottom barrier layer

Номер патента: US09530860B2. Автор: Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09466813B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Radiation detector with stacked barrier layers and method of forming the same

Номер патента: US09459355B1. Автор: Faisal Saeed,Gregory Scott Zeman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin-film transistor (TFT), manufacturing method thereof, array substrate, display device and barrier layer

Номер патента: US09331165B2. Автор: XIANG Liu,Gang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Organic x-ray detector with barrier layer

Номер патента: EP3071994A1. Автор: Gautam Parthasarathy,Jie Jerry Liu,Aaron Judy Couture,Ri-an Zhao,Kwang Hyup An. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-09-28.

Organic x-ray detector with barrier layer

Номер патента: WO2015076907A1. Автор: Gautam Parthasarathy,Jie Jerry Liu,Aaron Judy Couture,Ri-an Zhao,Kwang Hyup An. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-05-28.

Metal wire having a copper layer and a barrier layer and display device including the same

Номер патента: US09824788B2. Автор: Chang Oh Jeong,Gwang Min CHA,Sang Woo Sohn,Su Hyoung Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Optoelectronic semiconductor chip comprising a multi-quantum well comprising at least one high barrier layer

Номер патента: US09722140B2. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure

Номер патента: US09466761B2. Автор: Joo Won Choi,Gyu Beom Kim,Sang Joon Lee,Dong Seon LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Resistive memory device with ring-shaped metal oxide on top surfaces of ring-shaped metal layer and barrier layer

Номер патента: US09455402B2. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Microelectronic capacitor with barrier layer

Номер патента: US20030047770A1. Автор: Wong-Cheng Shih,Tai Wu,Chich Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Barrier layer circuit element and method of forming

Номер патента: US3561106A. Автор: Thomas D Mcgee. Владелец: University of Iowa Research Foundation UIRF. Дата публикации: 1971-02-09.

Memory device with barrier layer

Номер патента: WO2007019027A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-15.

Memory device with barrier layer

Номер патента: EP1917685A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-07.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Barrier layer above anti-punch through (APT) implant region to improve mobility of channel region of fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09953836B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Hsueh-Chang Sung,Tsung-Yao Wen,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product

Номер патента: EP2150984A2. Автор: Thomas J. Taylor,Pramod K. Sharma. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-10.

Barrier layer stacks and methods and compositions thereof

Номер патента: US09752053B2. Автор: Ravi Prasad. Владелец: VITRIFLEX INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with multiple-functional barrier layer

Номер патента: US09583607B2. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods relating to a group III HFET with a graded barrier layer

Номер патента: US09525033B2. Автор: Miroslav Micovic,David F. Brown. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Heterojunction FET having barrier layer consisting of two layers between channel and buffer layers

Номер патента: US5550388A. Автор: Junzi Haruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Light emitting diode with a graded quantum barrier layer

Номер патента: US11764327B2. Автор: Xiaohang Li. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and system for providing a magnetic junction usable in spin transfer or spin-orbit torque applications and including a magnetic barrier layer

Номер патента: US20180197589A1. Автор: Dmytro Apalkov,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Cdte based thin film solar cell device with diffusion barrier layer and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024077583A1. Автор: SHOU PENG,Marko Swoboda,Xinjian Yin,Ganhua FU,Liyun MA,Robert Arndt. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of fabricating a flexible photovoltaic film cell with an iron diffusion barrier layer

Номер патента: US20130074915A1. Автор: Hariklia Deligianni,Lubomyr T. Romankiw,Maurice Mason,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Lian GUO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated circuit device including a copper pillar capped by barrier layer and method of forming the same

Номер патента: US20140124924A1. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Light-emitting diode comprising at least one wider bandgap intermediate layer placed in at least one barrier layer of the light-emitting zone

Номер патента: US20190157505A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Armelle EVEN,Miryam Elouneg-Jamroz. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-23.

Cadmium stannate tco structure with diffusion barrier layer and separation layer

Номер патента: EP2433307A1. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Dale Roberts,Scott Mills. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure

Номер патента: EP1976031A3. Автор: Joo Won Choi,Dong Sun Lee,Gyu Beom Kim,Sang Joon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-08.

Amorphous silicon photoconductive member including an intermediate composite barrier layer

Номер патента: CA1180220A. Автор: Shigeru Shirai,Junichiro Kanbe,Tadaji Fukuda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1985-01-02.

Electrical component comprising a lead-free thin film ceramic member and an alumina barrier layer

Номер патента: GB2576194A. Автор: Mardilovich Peter,GIBBONS Brady,Won Ko Song. Владелец: Xaar Technology Ltd. Дата публикации: 2020-02-12.

Photovoltaic device barrier layer

Номер патента: WO2011123528A2. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Benyamin Buller,Annette Krisko,Keith J. Burrows. Владелец: FIRST SOLAR, INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20200411758A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20190252643A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20160301033A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Reduced dark current photodetector with charge compensated barrier layer

Номер патента: US20220052221A9. Автор: Shimon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-17.

Reduced dark current photodetector with charge compensated barrier layer

Номер патента: US20170358701A1. Автор: Shimon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-14.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20170309777A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Optoelectronic semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US20180006187A1. Автор: Tsung-Hsien Liu,Shih-Chang Lee,Rong-Ren LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor devices having an insulation layer in a recess and an impurity barrier layer extending along the insulation layer

Номер патента: US11742401B2. Автор: Daehyun Kim,Chunhyung Chung,Donghyun IM,Sungmi YOON,Jooyub Kim,Juhyung We. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20180047941A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US8980650B2. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Perpendicular mtj stacks with magnetic anisotrophy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US20150194596A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Display apparatus including multi-base and multi-barrier layer substrate

Номер патента: US11785799B2. Автор: Hoon Kang,Taewook Kang,Sanghyun Yun,Heekyun Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

Rf high-electron-mobility transistors including group iii-n stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: Comell University. Дата публикации: 2020-12-10.

Perpendicular mtj stacks including magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: EP2901506A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Display device with barrier layer disposed at pre-cutting position and manufacturing method thereof

Номер патента: US09337217B2. Автор: JIAN Li,Zhenwei Wang,Yuguang FAN,Jingpeng Li,Sunghun Song,Weixin Meng. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed

Номер патента: US7257143B2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells

Номер патента: US9246097B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed

Номер патента: US20050129078A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers

Номер патента: US20050123015A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Metalized substrate having a thin film barrier layer

Номер патента: CA1103811A. Автор: Robert E. Holmes,Robert R. Zimmerman. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1981-06-23.

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20220069215A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20160181471A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-23.

Nanoscale electronic device with barrier layers

Номер патента: US20120228575A1. Автор: Wei Yi,Jianhua Yang,Gilberto Medeiros Ribeiro. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-09-13.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, method for manufacturing tunnel barrier layer, and insulating layer

Номер патента: US20200303630A1. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Barrier layer made of a curable resin containing polymeric polyol

Номер патента: EP1470191A1. Автор: Heiner Bayer,Hermann Calwer,Dieter Dlugosch,Gudrun KÜHNE. Владелец: Shell Solar GmbH. Дата публикации: 2004-10-27.

Method for determining relaxation degree of nitrid heterostructure barrier layer

Номер патента: RU2624604C1. Автор: Олег Альбертович Рубан,Андрей Николаевич Алёшин,Наталия Александровна Юзеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2017-07-04.

Etching solution and method for manufacturing conducting lug by selectively removing barrier layer with the same

Номер патента: CN100421216C. Автор: 孔令臣,邱绍玲,詹忠荣. Владелец: UNITIVE SEMICONDUCTOR TAIWAN CORP. Дата публикации: 2008-09-24.

Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method

Номер патента: US7411208B2. Автор: Sung-Lae Cho,Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Gwan-Hyeob Koh,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Electronic devices having bilayer capping layers and/or barrier layers

Номер патента: US10877582B2. Автор: Francois Dary,Barbara Cox,Helia JALILI. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2020-12-29.

Semiconductor Device with Multiple-Functional Barrier Layer

Номер патента: US20170018638A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Device and method for III-V light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: US11495714B2. Автор: Qian Fan,Hussein El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

3d-stacked transistor structure with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: US20240243172A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A2. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A3. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Barrier layer for correlated electron material

Номер патента: US09660189B1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren,Carlos Alberto Paz de Araujo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Encapsulating composition, barrier layer including same, and encapsulated apparatus including same

Номер патента: US09598582B2. Автор: Ji Yeon Lee,Seong Ryong Nam,Seung Jib Choi,Kyoung Jin Ha,Yeon Soo Lee,Chang Min Lee,Ji Hye KWON,Min Haeng CHO. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Photocurable composition, barrier layer including same, and encapsulated device including same

Номер патента: US09562123B2. Автор: Seung Jib Choi,Kyoung Jin Ha,Yeon Soo Lee,Chang Min Lee,Ji Hye KWON. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Carrier barrier layer for tuning a threshold voltage of a ferroelectric memory device

Номер патента: US11769815B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices containing copper bonding pads with different conductive barrier layers and methods for forming the same

Номер патента: US20230361066A1. Автор: Lin Hou,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices containing copper bonding pads with different conductive barrier layers and methods for forming the same

Номер патента: US20230361061A1. Автор: Kensuke Ishikawa,Fumitaka Amano,Shingo Totani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Display device including multi-portion barrier layer

Номер патента: US11785796B2. Автор: Min-Sung Kim,Hyoyul Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Device and Method for III-V Light Emitting Micropixel Array Device Having Hydrogen Diffusion Barrier Layer

Номер патента: US20190378957A1. Автор: Qian Fan,Hussein S. El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

High senstivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer and a method of producing the imaging device

Номер патента: WO1992006501A3. Автор: Richard Joseph Saia,Robert Forrest Kwasnick,Ching-Yeu Wei,Jack Dean Kingsley. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-06-11.

Device and method for iii-v light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: EP3807939A1. Автор: Qian Fan,Hussein S. El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Device and method for iii-v light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: US20220090266A1. Автор: Qian Fan,Hussein El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Device and method for iii-v light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: WO2019241159A1. Автор: Qian Fan,Hussein S. El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-12-19.

Flip-chip interconnect with increased current-carrying capability

Номер патента: EP1487016B1. Автор: John M. Dikeman,William D. Higdon,Mark W. Gose,Pankaj Mithal. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Top-to-bottom interconnects with molded lead-frame module for integrated-circuit packages

Номер патента: US20210057318A1. Автор: Eng Huat Goh,Jiun Hann Sir,Poh Boon Khoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-25.

3D-interconnect with electromagnetic interference (“EMI”) shield and/or antenna

Номер патента: US12040284B2. Автор: HONG Shen,Patrick Variot. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

3d-interconnect with electromagnetic interference ("emi") shield and/or antenna

Номер патента: WO2023086443A1. Автор: HONG Shen,Patrick Variot. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-05-19.

PANEL LEVEL PACKAGING FOR MULTI-DIE PRODUCTS INTERCONNECTED WITH VERY HIGH DENSITY (VHD) INTERCONNECT LAYERS

Номер патента: US20190189563A1. Автор: Soto Gonzalez Javier,May Robert A.,PIETAMBARAM Srinivas V.,DARMAWIKARTA Kristof,BOYAPATI Sri Ranga Sai,LIM Kwangmo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

PANEL LEVEL PACKAGING FOR MULTI-DIE PRODUCTS INTERCONNECTED WITH VERY HIGH DENSITY (VHD) INTERCONNECT LAYERS

Номер патента: US20210343653A1. Автор: Soto Gonzalez Javier,May Robert A.,PIETAMBARAM Srinivas V.,DARMAWIKARTA Kristof,BOYAPATI Sri Ranga Sai,LIM Kwangmo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Panel level packaging for multi-die products interconnected with very high density (vhd) interconnect layers

Номер патента: US20230326866A1. Автор: Robert A. May,Javier Soto Gonzalez,Srinivas V. Pietambaram,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Kwangmo LIM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Panel level packaging for multi-die products interconnected with very high density (VHD) interconnect layers

Номер патента: US11735531B2. Автор: Robert A. May,Javier Soto Gonzalez,Srinivas V. Pietambaram,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta,Kwangmo LIM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor package with sidewall contacting bonding tape

Номер патента: US09691691B2. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Electrical interconnections with improved compliance due to stress relaxation and method of making

Номер патента: US20190393129A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Pads with sidewall spacers and method of making pads with sidewall spacers

Номер патента: DE102013108813A1. Автор: Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-20.

Contact pads with sidewall spacers and method of making contact pads with sidewall spacers

Номер патента: US10049994B2. Автор: Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-14.

Ultrasonic weld interconnection coaxial connector and interconnection with coaxial cable

Номер патента: US12100925B2. Автор: Kendrick Van Swearingen. Владелец: Outdoor Wireless Networks LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Ultrasonic weld interconnection coaxial connector and interconnection with coaxial cable

Номер патента: US09755328B2. Автор: Kendrick Van Swearingen. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Ultrasonic weld interconnection coaxial connector and interconnection with coaxial cable

Номер патента: US20200287301A1. Автор: Kendrick Van Swearingen. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Ultrasonic weld interconnection coaxial connector and interconnection with coaxial cable

Номер патента: US20170365940A1. Автор: Kendrick Van Swearingen. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Ultrasonic weld interconnection coaxial connector and interconnection with coaxial cable

Номер патента: US20240145951A1. Автор: Kendrick Van Swearingen. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of producing sofc cathode diffusion barrier layer and sofc

Номер патента: RU2656436C2. Автор: Микко РИТАЛА,Маркку ЛЕСКЕЛЯ,Энн ЁУНПУУ,Юхан СУББИ,Санни СЕППЯЛЯ,Яакко НИЙНИСТЕ. Владелец: Элкоген Ас. Дата публикации: 2018-06-05.

Barrier layer for thin film battery

Номер патента: US09799914B2. Автор: Prantik Mazumder,Bruce Gardiner Aitken,Mark Alejandro Quesada,Todd Parrish St. Clair,James R Lim. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US20170317360A1. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US20180047999A1. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US09853298B2. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US09583771B2. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Capacitor using niobium base anode and niobium pentoxide base barrier layer

Номер патента: RU2284602C2. Автор: Карлхайнц РАЙХЕРТ,Кристоф ШНИТТЕР. Владелец: Х. К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2006-09-27.

Assembly of aluminium electrodes and barrier layers for super capacitor embedding a standard capacitor and having improved resistance to corrosion

Номер патента: WO2024088780A8. Автор: David Morgan Thomas,Steen Yde-Andersen,Jorgen Schjerning Lundsgaard,Steffen Thrane VINDT. Владелец: Innocell Aps. Дата публикации: 2024-07-11.

Encapsulated substrate resistor comprising two side barrier layers

Номер патента: EP4401096A1. Автор: Chi-Yu Lu,Shun-Ho Kuo. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Membrane Electrode Assembly with a Selectively Permeable Barrier Layer

Номер патента: US20230311075A1. Автор: Roger TOCCHETTO,Lee BARNES. Владелец: Kraton Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate

Номер патента: WO2013190269A1. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2013-12-27.

Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate

Номер патента: EP2861778A1. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2015-04-22.

Method and Device for Manufacturing a Barrier Layer on a Flexible Substrate

Номер патента: US20150184300A1. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2015-07-02.

Membrane electrode assembly having protective barrier layer

Номер патента: EP2111665A1. Автор: Tommy Skiba,Sathya Motupally,Shruti Modi Gupta. Владелец: UTC Power Corp. Дата публикации: 2009-10-28.

Membrane electrode assembly having protective barrier layer

Номер патента: WO2008051223A1. Автор: Tommy Skiba,Sathya Motupally,Shruti Modi Gupta. Владелец: UTC Power Corporation. Дата публикации: 2008-05-02.

Hydrogen permeation barrier layer

Номер патента: RU2488645C2. Автор: Юрген РАММ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2013-07-27.

Magnetoresistive structure having a novel specular and barrier layer combination

Номер патента: US7684160B1. Автор: Chang-Man Park,Shin Funada,Dustin Erickson,Lena Miloslavsky. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2010-03-23.

High temperature solid oxide cell comprising diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180166692A1. Автор: Jong Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Byung Kook Kim,Hae-Weon Lee,Ji-Won Son,Kyung Joong YOON,Mansoo Park,Hyoungchul Kim,Jongsup Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-14.

Solid oxide fuel cell stack having a barrier layer for limiting chemical reactions and associated method thereof

Номер патента: US11955671B2. Автор: Todd Michael Striker,Matthew Joseph Alinger,Nicole Virginia Gonyeau,Simon William Gaunt. Владелец: Cummins Enterprise LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Niobium base barrier-layer anode and capacitor built around it

Номер патента: RU2284069C2. Автор: Карлхайнц РАЙХЕРТ,Кристоф ШНИТТЕР. Владелец: Х. К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2006-09-20.

Semiconductor laser device having InGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers and InGaP optical waveguide layers

Номер патента: EP1220393A3. Автор: Toshiaki c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Fukunaga,Tsuyoshi c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Ohgoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-02.

Solid oxide fuel cell having a dense barrier layer

Номер патента: EP3014686A1. Автор: Aravind Mohanram,Brian P. Feldman,Zachary R. Patterson,Craig M. ADAMS,Ayhan SARIKAYA. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2016-05-04.

InP based high temperature lasers with InAsP quantum well layers and barrier layers of Gax(AIIN) 1-xP

Номер патента: EP1443616A3. Автор: Scott W. Corzine,Ying-Ian Chang,David P. Bour,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor laser device having inGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers, and InGaP optical waveguide layers

Номер патента: US20020122447A1. Автор: Toshiaki Fukunaga,Tsuyoshi Ohgoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate

Номер патента: US09793523B2. Автор: Bernd J. Neudecker,Shawn W. Snyder. Владелец: SAPURAST RESEARCH LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing a battery cell with an oxygen diffusion barrier layer

Номер патента: US20190341583A1. Автор: Andreas Ringk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-11-07.

Barrier layer

Номер патента: GB2597039A. Автор: Grop Andrew. Владелец: Forsvarets materielverk. Дата публикации: 2022-01-19.

Assembly of aluminium electrodes and barrier layers for super capacitor embedding a standard capacitor and having improved resistance to corrosion

Номер патента: WO2024088780A1. Автор: David Morgan Thomas,Steen Yde-Andersen,Jorgen Schjerning Lundsgaard,Steffen Thrane VINDT. Владелец: Innocell Aps. Дата публикации: 2024-05-02.

Treatment of a tunnel barrier layer

Номер патента: EP1416530A3. Автор: Manish Sharma. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-04-29.

Ultra-violet treatment for a tunnel barrier layer in a tunnel junction device

Номер патента: US20040082081A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-04-29.

Cable with barrier layer

Номер патента: CA2911953C. Автор: Scott M. Brown,David P. Ii Camp. Владелец: General Cable Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Barrier layer for corrosion protection in electrochemical devices

Номер патента: CA2897408C. Автор: Alessandro Ghielmi,Jens-Peter SUCHSLAND,Pia Braun. Владелец: Greenerity GmbH. Дата публикации: 2021-09-14.

Superlattice heterostructures formed with single crystalline semiconductor nanomembranes and amorphous tunneling barrier layers

Номер патента: US20190356114A1. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo,Munho Kim,Sang June Cho. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-11-21.

Cable barrier layer with shielding segments

Номер патента: CA2754436C. Автор: Scott M. Brown,David P. Ii Camp,Jared D. Weitzel. Владелец: General Cable Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Hard shell cell housing with vapour barrier layer

Номер патента: US09748528B2. Автор: Holger Fink,Thomas Wohrle,Joachim Fetzer. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Circulating electrolyte electrochemical cell having gas depolarized cathode with hydrophobic barrier layer

Номер патента: US4564427A. Автор: Harold R. Kunz,Gary A. Gruver. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1986-01-14.

SrTiO3 barrier layer capacitor

Номер патента: US4419310A. Автор: Ian Burn,Stephen M. Neirman. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1983-12-06.

Barrier layer dielectric for rfid circuits

Номер патента: WO2013036369A1. Автор: Jay Robert Dorfman,Vince Arancio. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2013-03-14.

Barrier layer dielectric for rfid circuits

Номер патента: EP2754202A1. Автор: Jay Robert Dorfman,Vince Arancio. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-07-16.

Microelectronic box for e.g. radar, has upper and lower stages with printed circuits that along with intermediate structure are made of organic material, and channels interconnected with circuits` connection points to interconnect stages

Номер патента: FR2877537A1. Автор: Thierry Barbier,Valerie Rananjason,Eric Predon,Ghyslain Nadal. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2006-05-05.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor devices with sidewall spacers of equal thickness

Номер патента: US09905479B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices with sidewall spacers of equal thickness

Номер патента: US09887198B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices with sidewall spacers of equal thickness

Номер патента: US09576961B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices with sidewall spacers of equal thickness

Номер патента: US09502418B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Defect reduction of non-polar and semi-polar iii-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (sleo)

Номер патента: US20120098102A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Bilge M. Imer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for making a semiconductor device with sidewall spacers for confining epitaxial growth

Номер патента: US9431540B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Enabling large feature alignment marks with sidewall image transfer patterning

Номер патента: US09536744B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Sivananda K. Kanakasabapathy,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Electronic component with a heterojunction provided with an improved buried barrier layer

Номер патента: US12040390B2. Автор: Pascal Scheiblin,Yannick Baines. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitrogen-rich barrier layer and structures formed

Номер патента: US20030190821A1. Автор: Fenton McFeely,Mark Holl,Matthew Copel,Douglas Buchanan,Patrick Varekamp,Kyle Litz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Stacked multi-gate device with barrier layers

Номер патента: US20240321990A1. Автор: Chia-Hao Yu,Wei-Yen Woon,Che Chi Shih,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Dynamic ram cell having shared trench storage capacitor with sidewall-defined bridge contacts and gate electrodes

Номер патента: CA1289243C. Автор: Donald M. Kenney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-09-17.

Integrated device comprising pillar interconnects with variable shapes

Номер патента: EP4402718A1. Автор: Dongming He,Yujen CHEN,Hung-Yuan Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Vertical interconnects with variable pitch for scalable escape routing

Номер патента: US20220130745A1. Автор: John Eric Linstadt,Mark D. Kellam. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2022-04-28.

Electronic devices incorporating electrical interconnections with improved reliability and methods of fabricating same

Номер патента: US20050011660A1. Автор: John Caldwell,William Casey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Integrated device comprising pillar interconnect with cavity

Номер патента: EP4393010A1. Автор: Dongming He,Yujen CHEN,Hung-Yuan Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated device comprising pillar interconnect with cavity

Номер патента: WO2023027811A1. Автор: Dongming He,Yujen CHEN,Hung-Yuan Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-02.

Integrated device comprising pillar interconnects with variable widths

Номер патента: US20240006361A1. Автор: Wei Wang,WEI Hu,Yangyang Sun,Dongming He. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Interconnects with spintronic logic devices

Номер патента: US20230284457A1. Автор: Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Julien Sebot,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Trenched gate with sidewall airgap spacer

Номер патента: US09419091B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Beol interconnect with carbon nanotubes

Номер патента: WO2013033443A3. Автор: Arvind Sundarrajan,Pravin K. Narwankar,Joe Griffith Cruz,Murali Narasimhan,Subbalakshmi Sreekala,Victor Pushparaj. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-06-27.

Beol interconnect with carbon nanotubes

Номер патента: WO2013033443A2. Автор: Arvind Sundarrajan,Pravin K. Narwankar,Joe Griffith Cruz,Murali Narasimhan,Subbalakshmi Sreekala,Victor Pushparaj. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods of manufacturing semiconductor devices including gate patterns with sidewall spacers and capping patterns on the sidewall spacers

Номер патента: US09536983B2. Автор: Dohyoung Kim,Doo-Young Lee,Hongsik SHIN,Johnsoo KIM,Heungsik Park,Younghun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Apparatus with sidewall protection for features

Номер патента: US20150179414A1. Автор: David Kuo,Kim Y. Lee,XiaoMin Yang,Justin Hwu,Shuaigang Xiao. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060C1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory with sidewall channels and raised source/drain regions

Номер патента: WO2009129053A1. Автор: James Kai,Takashi Orimoto,Vinod R. Purayath,Henry Chien,George Matamis. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

MRAM with sidewall protection and method of fabrication

Номер патента: US8796795B2. Автор: Jing Zhang,Yiming Huai,Ebrahim Abedifard,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060B2. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Mesa avalanche photodiode with sidewall passivation

Номер патента: US20230327041A1. Автор: Alexandre W. WALKER,Oliver James PITTS. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, method of manufacturing semiconductor apparatus with sidewall interconnection structure, and electronic device

Номер патента: US20230402392A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit packages and structures with sidewall wetting barrier for conductive pillars such as copper pillar bumps

Номер патента: WO2022182461A3. Автор: WEI Hu,Zhe Guan,Lily Zhao,Dongming He,Wen YIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-12-08.

BRIDGE INTERCONNECTION WITH LAYERED INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20140353827A1. Автор: Zhang Rui,Schuckman Amanda E.,Liu Yueli,Zhang Qinglei. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Eraseable nonvolatile memory with sidewall storage

Номер патента: US20080299731A1. Автор: Chung H. Lam,Jeffery B. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US09972800B2. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Fabrication of stable electrode/diffusion barrier layers for thermoelectric filled skutterudite devices

Номер патента: US09722164B2. Автор: Gang Chen,Zhifeng Ren,Qing JIE. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-08-01.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US09577204B1. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Contact Pads with Sidewall Spacers and Method of Making Contact Pads with Sidewall Spacers

Номер патента: US20140319689A1. Автор: Gatterbauer Johann,Weidgans Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Electronic circuit e.g. integrated circuit, protecting arrangement, has trough connection of transistor interconnected with terminal of circuit having terminal connected with ground line and virtual supply line connected with terminal

Номер патента: DE102006026691A1. Автор: Harald Dr.-Ing. Gossner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Converter interconnected with a wind power generation farm to enable continuous power transmission and operating method thereof

Номер патента: US09853582B2. Автор: Gum Tae Son. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US20240315150A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US11957068B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: EP4348714A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: US20240147872A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Inductive wireless transfer of power with the use of interconnection with time slots

Номер патента: RU2673457C1. Автор: ВАГЕНИНГЕН Андрис ВАН,Антониус Адриан Мария СТАРИНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-11-27.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: WO2022251792A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of forming semiconductor device with sidewall access gate

Номер патента: WO2003100834A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Franciscus P Widdershoven,Nicole A H F Wils. Владелец: Nicole A H F Wils. Дата публикации: 2004-04-22.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20240298462A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Glass barrier layer product, and manufacture method

Номер патента: WO2024133821A1. Автор: Hiroaki Takahashi,Walter PESSL,Erich SCHLAFFER,Heinrich Trischler,Marie SCALBERT,Daniel SCHLICK,Anna Lucy De Los Santos. Владелец: AT&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2024-06-27.

Top-electrode barrier layer for RRAM

Номер патента: US11716915B2. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20240373763A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Top-electrode barrier layer for RRAM

Номер патента: US12114582B2. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Adhesive transfer hose having a barrier layer and method of use

Номер патента: US12031658B2. Автор: Laurence B. Saidman,Leslie J. Varga,Jim Keough,Wes Fort,Jay Lanier. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Adhesive transfer hose having a barrier layer and method of use

Номер патента: US20240255089A1. Автор: Laurence B. Saidman,Leslie J. Varga,Jim Keough,Wes Fort,Jay Lanier. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Photosensitive Element, Resin Composition For Forming Barrier Layer, Method For Forming Resist Pattern, And Method For Producing Printed Wiring Board

Номер патента: MY196431A. Автор: Ono Hiroshi,Matsumura Ryo,KUME Masakazu. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-10.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Barrier Layer

Номер патента: US20200154575A1. Автор: Purvi Shah,Kunal Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-14.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing tunnel barrier layer

Номер патента: US12063873B2. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Transistor with superconducting collector, base, and emitter separated by non-superconducting barrier layers

Номер патента: US5106822A. Автор: Hirotaka Tamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-04-21.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Barrier Layer

Номер патента: US20220022325A1. Автор: Purvi Shah,Kunal Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

Barrier layer

Номер патента: US11612062B2. Автор: Purvi Shah,Kunal Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-21.

Circuit board material with barrier layer

Номер патента: US5689227A. Автор: Phong Xuan Nguyen,Steven Russell Nissen. Владелец: Ohmega Electronics Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Autonomous vehicle computing device with barrier layer

Номер патента: US11778722B2. Автор: Zoran Stefanoski,Brian SCHLOTTERBECK,Srinivasa Rao Damaraju,Yung Chang Ko,Reza Azizian,Jameson Tai. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Perovskite contacting passivating barrier layer for solar cells

Номер патента: US11882711B2. Автор: Rudolf Emmanuel Isidore Schropp,Mariadriana Creatore,Yinghuan Kuang,Dibyashree Koushik,Sjoerd Veenstra. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-01-23.

Buffer layers, interlayers, and barrier layers comprising heusler alloys for sot based sensor, memory, and storage devices

Номер патента: WO2024025682A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Xiaoyong Liu,Susumu Okamura,Brian R. York,Michael A. Gribelyuk,Xiaoyu Xu,Randy G. Simmons. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for manufacturing hybrid moisture barrier layer

Номер патента: US11864412B2. Автор: Soon Hyung Kwon. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-01-02.

Display device including a barrier layer with a concavo-convex side surface

Номер патента: US11882722B2. Автор: Sangyoung Park,JoongHyun Kim,Kyongtaeg Lee,Kyungsuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Autonomous vehicle computing device with barrier layer

Номер патента: US20230403783A1. Автор: Zoran Stefanoski,Brian SCHLOTTERBECK,Srinivasa Rao Damaraju,Yung Chang Ko,Reza Azizian,Jameson Tai. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Buffer Layers, Interlayers, and Barrier Layers Comprising Heusler Alloys for SOT Based Sensor, Memory, and Storage Devices

Номер патента: US20240032437A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Xiaoyong Liu,Susumu Okamura,Brian R. York,Michael A. Gribelyuk,Xiaoyu Xu,Randy G. Simmons. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US12010867B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Multi-layered structure having a barrier layer

Номер патента: WO2020225521A1. Автор: Ming He,Paul Raymond Besser,Jolanta Bozena Celinska. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-11-12.

Resistive memory device having a conductive barrier layer

Номер патента: WO2019175672A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US20240276896A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit arrangement, electrical system, and method for ascertaining barrier layer temperatures of gate-controlled semiconductor components

Номер патента: US20240272012A1. Автор: Jonathan WINKLER,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic-field sensitive thin film sensor with a tunnel effect barrier layer

Номер патента: GB2333900A. Автор: Den Berg Hugo Van. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-04.

Diffusion barrier layer in programmable metallization cell

Номер патента: US20230413696A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Shing-Chyang Pan,Albert Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Diffusion barrier layer in programmable metallization cell

Номер патента: US11778931B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Shing-Chyang Pan,Albert Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20230320241A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Glass barrier layer product, and manufacture method

Номер патента: EP4391741A1. Автор: Walter PESSL,Erich SCHLAFFER,Heinrich Trischler,Marie SCALBERT,Anna Lucy De Los Santos. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and system for inspecting objects provided with a gas-barrier layer

Номер патента: CA2859157C. Автор: Matthias Schärer,Bernhard Kubalek,Fridolin Maibach,Matthias Hermle. Владелец: FINATEC HOLDING AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Photosensitive element, resin composition for forming barrier layer, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board

Номер патента: US11960208B2. Автор: Hiroshi Ono,masakazu Kume. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Manufacture of a3b superconductors with barrier layer system employing metal a

Номер патента: CA1045795A. Автор: James A. Lee,Peter E. Madsen,Derek Armstrong. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1979-01-09.

Saw filter having planar barrier layer and method of making

Номер патента: GB2507693A. Автор: CANDRA Panglijen,Jeffrey Gambino,Anthony Stamper,James Adkisson,Thomas J Dunbar,Mark D Jaffe,Randy Lee Wolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US11832537B2. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: WO2021071629A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Moisture barrier layer dielectric for thermoformable circuits

Номер патента: US20140190813A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-07-10.

Busbar interconnect with coupling sections for physically coupling a plurality of busbar interconnects of identical type

Номер патента: US20240106081A1. Автор: Fabrizio Chini,Werner Farina,Mirco Bragagnolo,Jacopo Molinaroli. Владелец: Roechling Automotive Se. Дата публикации: 2024-03-28.

Fuel cell interconnect with reduced voltage degradation over time

Номер патента: US09923211B2. Автор: Emad El Batawi,Michael Gasda,Shailendra Parihar,Andres Leming. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Fuel cell interconnect with reduced voltage degradation over time

Номер патента: US09468736B2. Автор: Harald Herchen,Tad Armstrong,Cheng-Yu Lin,Vijay Srivatsan,Daniel Darga. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Power interconnection with current surge mitigation

Номер патента: US09780516B2. Автор: Henry Chen,Jung-Tai Chen,Ko-Chen Tan,Claire Tsai,Chia-Yen Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Low profile sealing interconnect with latching interface

Номер патента: EP3297100A3. Автор: Michael Santos Finona,Andrew Royce Ablott. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises LLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Foam materials with pores interconnected with guest phases, process for preparing these materials and uses thereof

Номер патента: EP3650425A1. Автор: José Miguel MOLINA JORDÁ. Владелец: Universidad de Alicante. Дата публикации: 2020-05-13.

One plus one redundant optical interconnects with automated recovery from light source failure

Номер патента: US09876329B2. Автор: Teng Li,Oded Raz. Владелец: Eindhoven Technical University. Дата публикации: 2018-01-23.

Low profile electrical interconnect with fusion bonded contact retention and solder wick reduction

Номер патента: US09755335B2. Автор: James J. Rathburn. Владелец: HSIO Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Fuel cell interconnect with reduced voltage degradation over time

Номер патента: US20180166703A1. Автор: Emad El Batawi,Michael Gasda,Shailendra Parihar,Andres Leming. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Fuel cell interconnect with reduced voltage degradation over time

Номер патента: US20150311538A1. Автор: Emad El Batawi,Michael Gasda,Shailendra Parihar,Andres Leming. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Fuel cell interconnect with reduced voltage degradation over time

Номер патента: US20150147679A1. Автор: Harald Herchen,Tad Armstrong,Cheng-Yu Lin,Vijay Srivatsan,Daniel Darga. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Electrical interconnect with conductive polymer contacts having tips with different shapes and sizes

Номер патента: US11894629B2. Автор: Christopher William Blackburn,Shinichi Hashimoto,Hiroshi Shirai,John Joseph Consoli,Chad William Morgan,Jennifer Love,Megan HOARFROST BEERS,Nathan Lincoln Tracy,Clarence Leon Yu. Владелец: Tyco Electronics Japan GK. Дата публикации: 2024-02-06.

Socket connector having contact terminals with reliable and durable interconnection with pin legs of a cpu

Номер патента: US20090311889A1. Автор: Chih-Pi Cheng,Nan-Hung Lin,Cheng-Ching Chien,Liang-Kai Lee. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

High performance ceramic fuel cell interconnect with integrated flowpaths and method for making same

Номер патента: CA2391704C. Автор: Thomas L. Cable,Eric A. Barringer,Kurt E. Kneidel,Thomas C. Yuan. Владелец: SofCo EFS Holdings LLC. Дата публикации: 2006-10-03.

Solid oxide fuel cell interconnect with catalytic coating

Номер патента: WO2005011019A3. Автор: Eduardo E Paz. Владелец: Franklin Fuel Cells Inc. Дата публикации: 2005-09-22.

Anisotropic conductive elastomer based electrical interconnect with enhanced dynamic range

Номер патента: US20030224633A1. Автор: Roger Weiss. Владелец: Paricon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

X-ray detector tube with sidewall-supporting rear wall

Номер патента: US4855586A. Автор: Johannes J. Houtkamp. Владелец: Optische Industrie de Oude Delft NV. Дата публикации: 1989-08-08.

Interconnects with trenches

Номер патента: WO2017053050A1. Автор: Shaowu HUANG,Kai Xiao,Gong Ouyang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Waveguide Interconnection with Glide Symmetrically Positioned Holes for Avoiding Leakage

Номер патента: US20200220245A1. Автор: Lars Manholm,Oscar QUEVEDO-TERUEL,Astrid Algaba Brazalez,Mahsa EBRAHIMPOURI HAMLKAR. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-07-09.

Fiber Comprising Micro Devices and Metal Interconnects with Controlled Elasticity

Номер патента: US20240055154A1. Автор: Yoel Fink,Polina Olegovna Anikeeva,Juliette Marion. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-02-15.

RF interconnect with triaxial self-alignment

Номер патента: US4690471A. Автор: Mark S. Bresin,Eduardo J. Marabotto. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-09-01.

Differential interconnect with first and second transmission traces having a bend and including stub traces connected to the transmission traces

Номер патента: US10076024B2. Автор: Min Wang,Mo Liu,Ruihua Ding. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Differential interconnect with stub traces

Номер патента: US20150280778A1. Автор: Min Wang,Mo Liu,Ruihua Ding. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Separable electrical interconnect with anisotropic conductive elastomer and adaptor with channel for engaging a frame

Номер патента: WO2008011245A3. Автор: Roger E Weiss. Владелец: Roger E Weiss. Дата публикации: 2008-07-24.

ULTRASONIC WELD INTERCONNECTION COAXIAL CONNECTOR AND INTERCONNECTION WITH COAXIAL CABLE

Номер патента: US20130095695A1. Автор: Van Swearingen Kendrick. Владелец: Andrew LLC. Дата публикации: 2013-04-18.

Ultrasonic weld interconnection coaxial connector and interconnection with coaxial cable

Номер патента: US20200287301A1. Автор: Kendrick Van Swearingen. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

ULTRASONIC WELD INTERCONNECTION COAXIAL CONNECTOR AND INTERCONNECTION WITH COAXIAL CABLE

Номер патента: US20170365940A1. Автор: Van Swearingen Kendrick. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

System and method of terminating functionally restricted application, interconnected with website, launched without installation

Номер патента: RU2697951C2. Автор: Виктор Владимирович Яблоков,Антон Сергеевич Самойлов,Александр Юрьевич Шиндин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2019-08-21.

Panel interconnectable with similar panels for forming covering

Номер патента: RU2671364C2. Автор: Эдди Альберик БУКЕ,Йохан Христиан РИТВЕЛЬДТ. Владелец: Инновейшнс 4 Флоринг Холдинг Н.В.. Дата публикации: 2018-10-30.

Device intended to be attached to or interconnected with a catheter, catheter and method

Номер патента: US09918839B2. Автор: Wolfgang Goetz,Hou-Sen Lim. Владелец: Venus Medtech Hangzhou Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: EP4409086A1. Автор: Eddy Alberic Boucke,Pieter Renaat Karel DEVOS. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Method and apparatus of interconnecting with a system board

Номер патента: US20020186002A1. Автор: Stephan Richter,Klaus Kempter,Gerhard Ruehle,Michael Mcallister,Charles Pells. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method and apparatus of interconnecting with a system board

Номер патента: US20020180422A1. Автор: Klaus Kempter,Gerhard Ruehle,Michael Mcallister,Charles Pells,Stephen Richter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Panel Interconnectable with Similar Panels for Forming a Covering

Номер патента: US20240240469A1. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-07-18.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: US09874028B2. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: INNOVATIONS 4 FLOORING HOLDING NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Conveyor belt with sidewalls

Номер патента: US09771220B1. Автор: Daniel Hendrickson,James Honeycutt,Edward T. Mol. Владелец: Intralox LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: AU2022357420A1. Автор: Eddy Alberic Boucke,Pieter Renaat Karel DEVOS. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-05-02.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: CA3231875A1. Автор: Eddy Alberic Boucke,Pieter Renaat Karel DEVOS. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2023-04-06.

Conveyor belt with sidewalls

Номер патента: EP3468901A1. Автор: Daniel Hendrickson,James Honeycutt,Edward T. Mol. Владелец: Intralox LLC. Дата публикации: 2019-04-17.

Conveyor belt with sidewalls

Номер патента: WO2017213744A1. Автор: Daniel Hendrickson,James Honeycutt,Edward T. Mol. Владелец: Intralox, L.L.C.. Дата публикации: 2017-12-14.

Vehicle seating cushion with snap-fit fasteners to interconnect with snap-fit receivers on a structural support

Номер патента: US20200018341A1. Автор: Johnathan Andrew Line,Spencer Robert Hoernke,Christian J. Hosbach,Corbin Shea Johnston,Kevin Mozurkewich,Andrew MATUSKO,Brian M. Thiel. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2020-01-16.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Patterned chemical sensor having inert barrier layer

Номер патента: RU2523893C2. Автор: Нил А. РАКОВ,Томас В. ХОЛМКВИСТ-БРАУН,Брайан Л. ЛИНЗИ,Джон С. ХАЛТИН,Дуэйн Д. ФАНСЛЕР,Ричард Дж. ПУАРЬЕ,Вивек БХАРТИ. Владелец: ЗМ Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2014-07-27.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: US11946261B2. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-04-02.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: CA3111912C. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2023-09-26.

BARRIER LAYERS, INCLUDING Ni-CONTAINING TERNARY ALLOYS, COATED PRODUCTS, INCLUDING BARRIER LAYERS, AND METHODS FOR THEREOF MANUFACTURING

Номер патента: RU2573486C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Маркус ФРЭНК. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-01-20.

BARRIER LAYERS INCLUDING Ni-CONTAINING ALLOYS AND/OR OTHER METAL ALLOYS, DOUBLE BARRIER LAYERS, COATED ARTICLES INCLUDING DOUBLE BARRIER LAYERS, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: RU2572880C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Маркус ФРЭНК. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-01-20.

Seal system with metallic component and ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: EP4403749A1. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Robert A. WHITE III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of producing a hose pipe formed of a number of layers, including a barrier layer of metal, and its use

Номер патента: AU7405600A. Автор: Tom Sjostrom. Владелец: Codan Gummi As. Дата публикации: 2001-04-30.

Read sensor with ordered heusler alloy free layer and semiconductor barrier layer

Номер патента: US12106784B2. Автор: James Mac Freitag,Yuankai Zheng,Zhitao Diao,Susumu Okamura,Brian R. York. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Textile laminate comprising a barrier layer having elastic properties

Номер патента: US09457205B2. Автор: Ruediger John,Bernd Zischka. Владелец: WL Gore and Associates GmbH. Дата публикации: 2016-10-04.

Multilayer film having active oxygen barrier layer and iron-based oxygen-absorbing layer

Номер патента: RU2453438C2. Автор: Скотт БЕКВИТ,Джанет РИВЕТТ,Томас КЕННЕДИ,Франк Браян ЭДВАРДС,Рэчел МКДОВЕЛЛ,Синтиа Луиза ЭБНЕР,Дрю Ви СПЕЕР. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2012-06-20.

Diffusion barrier layer and method of making the same, and wear resistant article with the diffusion barrier layer and method of making the same

Номер патента: EP2018267A2. Автор: Kevin M. Singer,Donald W. Bucholz. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2009-01-28.

Ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: US20240247594A1. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Robert A. White, III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

HYDROGEN PEROXIDE FORMULATIONS IN BARRIER LAYER FILMS WITH A SiOx LAYER

Номер патента: US20210361544A1. Автор: Wolfgang Barthel,Torsten Lechner,Marc Nowottny. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2021-11-25.

Barrier layers for anisotropic magneto-resistive sensors

Номер патента: US20240102830A1. Автор: Fuchao Wang,William French,Erika Mazotti,Ricky A. Jackson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Limited play optical media device with barrier layers

Номер патента: EP1599874A1. Автор: Daniel Robert Olson,Marc Brian Wisnudel,Marc Schaepkens,Robert Franklin Thompson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: WO2022101474A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: COVENTYA S.P.A.. Дата публикации: 2022-05-19.

Limited play optical media device with barrier layers

Номер патента: WO2004070718A1. Автор: Daniel Robert Olson,Marc Brian Wisnudel,Marc Schaepkens,Robert Franklin Thompson. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2004-08-19.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: WO2023166387A1. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-09-07.

Reusable underpad with spacer fabric, microfiber intermediate layer, and barrier layer

Номер патента: WO2016196006A1. Автор: Richard Stewart,Saravan Muthanandam. Владелец: STANDARD TEXTILE CO., INC.. Дата публикации: 2016-12-08.

Multi-layer articles including a fluoroelastomer layer and a barrier layer and method of making the same

Номер патента: EP1432572A1. Автор: Tatsuo Fukushi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: EP4244409A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: Coventya SpA. Дата публикации: 2023-09-20.

Electronic devices with sidewall passageways

Номер патента: US20240211717A1. Автор: Domen Barovic. Владелец: Chipolo doo. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of forming MgO barrier layer

Номер патента: US09890449B2. Автор: Eric W. Singleton,Qing He,Jae Young Yi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09822033B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Barrier layers comprising Ni and/or Ti, coated articles including barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09771301B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09624127B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09556067B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: US09540537B2. Автор: Kazuya Kimura,Kenichi Takahashi,Kazuyuki Hanada,Manabu Uruno. Владелец: Ukima Chemicals and Color Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Reader structure with barrier layer contacting shield

Номер патента: US09478239B2. Автор: Victor Boris Sapozhnikov,Mohammed Sharia Ullah Patwari. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09434643B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Golf ball incorporating a thin moisture barrier layer

Номер патента: US09427629B1. Автор: Mark L. Binette,John D. Farrell. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonelectrolytic deposition of barrier layers

Номер патента: RU2492279C2. Автор: Раймунд МЕЛЛИС. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2013-09-10.

Photoconductive elements having a polymeric barrier layer

Номер патента: US20020155365A1. Автор: David Weiss,Michel Molaire,Marie O'Regan,Louis Sorriero,Wayne FERRAR,Jane Cowdery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Composite for manufacturing barrier layer, barrier layer, method for manufacturing barrier layer, and packaging material

Номер патента: US20230357564A1. Автор: Wei He,Mengyao Li,Wenxiu Li,Zhangyan CHEN,Guocheng Han,Yanfei CHENG,Zhengyang MU. Владелец: Shenzhen Yuto Packaging Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Evoh barrier layer for particulate coffee

Номер патента: AU2007203581A1. Автор: Leonard S. Scarola. Владелец: Kraft Foods Holdings Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Novel polymer and photoconductive element having a polymeric barrier layer

Номер патента: US20020012862A1. Автор: Michel Molaire,Marie O'Regan,Louis Sorriero. Владелец: NexPress Solutions LLC. Дата публикации: 2002-01-31.

Photomasks having intermediate barrier layers

Номер патента: US20240241434A1. Автор: Yongbae Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Absorbent article barrier layer

Номер патента: US20240216189A1. Автор: Aline PEREIRA,Gilson Sardinha. Владелец: Johnson and Johnson Consumer Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Coating barrier layer and manufacturing process

Номер патента: US20150037551A1. Автор: Victor Bellido-Gonzalez,Gonzalo Garcia Fuentes,Rafael Rodriguez Trias,Jose Antonio Garcia Lorente. Владелец: Gencoa Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Absorbent article barrier layer

Номер патента: WO2024142000A1. Автор: Aline PEREIRA,Gilson Sardinha. Владелец: Johnson & Johnson Consumer Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Gas barrier layered body, and packaging material and tube container using same

Номер патента: US12071288B2. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Coating system including diffusion barrier layer including iridium and oxide layer

Номер патента: US09689069B2. Автор: Ann Bolcavage,Sungbo Shim,Randolph C. Helmink. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for the plasma treatment of workpieces and workpiece with a gas barrier layer

Номер патента: US09688438B2. Автор: Sönke SIEBELS,Michael Herbort. Владелец: KHS CORPOPLAST GMBH. Дата публикации: 2017-06-27.

Conservation method for prepared products and / or semi-finished products in packaging from multilayered films with barrier layer with opportunity of further heating

Номер патента: RU2680585C1. Автор: Александр Сергеевич Чупин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Норд-Контроль". Дата публикации: 2019-02-22.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: US20050054135A1. Автор: Andrew Huibers,Satyadev Patel,Jonathan Doan. Владелец: Reflectivity Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A2. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R. Patel. Владелец: Reflectivity, Inc.. Дата публикации: 2004-10-14.

Pumping and floating pistons coated with a barrier layer

Номер патента: EP1673291A2. Автор: Hans GlaxoSmithKline KRAEMER. Владелец: GlaxoSmithKline Consumer Healthcare GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-06-28.

Ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: US20230235705A1. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Raymond Surace,Robert A. White, III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A3. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R Patel. Владелец: Satyadev R Patel. Дата публикации: 2005-06-30.

Hydrogen peroxide formulations in barrier layer films with a metallized layer

Номер патента: US20200345591A1. Автор: Wolfgang Barthel,Torsten Lechner,Marc Nowottny. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of coupling a barrier layer to a substrate of a fluid ejection device

Номер патента: US20020021334A1. Автор: DENNIS Tom,Juan Hernandez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Exhaust gas recirculation cooler barrier layer

Номер патента: US20220228543A1. Автор: Navtej Singh,Darren William Gosbee,Bradley Jay Adelman,Timothy M. Lyons,Paul Lawrence Berke,John C. McCuisition. Владелец: International Engine Intellectual Property Co LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Barrier layer for inflatable structures

Номер патента: EP3094484A1. Автор: Anthony M. Mazany. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2016-11-23.

Barrier layer for glucose sensor

Номер патента: US09970940B2. Автор: William Paterson,Nicholas Paul Barwell,Barry Crane,Bruce Culbert. Владелец: Lightship Medical Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Anti-interferent barrier layers for non-invasive transdermal sampling and analysis device

Номер патента: US09968284B2. Автор: John Frederick Currie,Joseph A Marcanio,Joseph J Vidalis,Sundar Nadarajan,Helena Woodvine. Владелец: Clinitech LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Devices including a multilayer gas barrier layer

Номер патента: US09552833B2. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Device and method for detecting and/or determining the position of a barrier layer contained in the wall of a tubular packaging material

Номер патента: US09528943B2. Автор: Léonard Medico. Владелец: AisaPack Holding SA. Дата публикации: 2016-12-27.

Display device having a moisture barrier layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09482903B2. Автор: Woo Yong Sung,Tae Woon CHA,Sang Youn HAN,A Ram Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Barrier layer and its application in polymer based coating systems

Номер патента: RU2675369C2. Автор: Ханс-Йюрген КАРЛ. Владелец: Манкевич Гебр. Унд Ко. Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-12-19.

Modified sodium bentonite clays for barrier layer applications

Номер патента: US20190039950A1. Автор: Preston Andrew May,Ryan Patrick COLLINS. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Copolyamide for use in a barrier layer

Номер патента: AU5799594A. Автор: Manfred Hewel,Ulrich Presenz. Владелец: EMS Inventa AG. Дата публикации: 1994-09-29.

Gas barrier layer-forming composition, gas barrier film, packaging film and packaging bag using the gas barrier layer-forming composition, and methods of producing gas barrier film, packaging film and packaging bag

Номер патента: US20230278768A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Barrier layer for cellulose substrate

Номер патента: US20240218602A1. Автор: Jacques Mongoin,François DUPONT,Francis Bony. Владелец: Coatex SAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Anticoking catalyst coatings with alumina barrier layer

Номер патента: US09901892B2. Автор: Hong Zhou,Zhaohui Yang,Lawrence Bernard Kool,Chuan Lin,Yanfei Gu,Minghu Guo,Wen-Qing Peng. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Near field transducers (NFTS) including barrier layer and methods of forming

Номер патента: US09824709B2. Автор: TONG Zhao,Jie Gong,Yongjun Zhao,Martin Blaber,Michael Kautzky,Dimitar Dimitrov,Steve Riemer. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Interfacial diffusion barrier layer including iridium on a metallic substrate

Номер патента: US09719353B2. Автор: Ann Bolcavage,Randolph C. Helmink. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Flexographic printing element which can be digitally imaged and has a polar, ultra-thin barrier layer

Номер патента: US09671696B2. Автор: Armin Becker,Andreas Reifschneider,Matthias Beyer,Denis RIEWE,Uwe Stebani. Владелец: Flint Group Germany GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Devices including an amorphous gas barrier layer

Номер патента: US09620150B2. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Xiaoyue Huang,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Heat assisted magnetic recording head having a plurality of diffusion barrier layers

Номер патента: US09449625B1. Автор: Ge Yi,Matthew R. Gibbons,John Love,Marc A. Finot,Yufeng Hu,Kris Vossough. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Golf ball with thin moisture vapor barrier layer

Номер патента: US09393462B2. Автор: John D. Farrell. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Oxidation barrier layer

Номер патента: RU2701801C2. Автор: Юрген РАММ,Бено ВИДРИГ,Флориан ЗАЙБЕРТ,Дорис ФОПП-ШПОРИ. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2019-10-01.

Multi-Layer Film Comprising a Barrier Layer and an Antistatic Layer

Номер патента: US20100028637A1. Автор: Buelent Tavsanli,Afsin Dogan,Andreas Grewe,Atilla Teoman Bostan. Владелец: Sunjuet Deutschland GmbH. Дата публикации: 2010-02-04.

Barrier layer for packaging laminate and packaging laminate having said barrier layer

Номер патента: RU2487881C1. Автор: Анн-Кристине АЛЬБЕРТССОН,Ульрика ЭДЛУНД. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2013-07-20.

BARRIER LAYERS INCLUDING Ni AND/OR Ti, COATED ARTICLES INCLUDING BARRIER LAYERS AND METHODS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2581857C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Маркус Франк. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-04-20.

Multilayered film, which has passive and active antioxygen barrier layers

Номер патента: RU2469868C2. Автор: Скотт БЕКВИТ,Франк Бруан ЭДВАРДС,Джанет РИВЕТТ,Синтиа Луизе ЭБНЕР,Томас КЕННЕДИ,Рэйчел МКДОУЭЛЛ,Дреу В. СПЕЕР. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2012-12-20.

Interfacial diffusion barrier layer including iridium on metallic substrate

Номер патента: RU2566697C2. Автор: Энн БОЛКАВАДЖ,Рандольф К. ХЕЛМИНК. Владелец: Роллс-Ройс Корпорейшн. Дата публикации: 2015-10-27.

Medical and hygienic gasket gas-tight from natural fabric and without use of barrier layers from polyethylene and glue and close to them on composition and technical characteristics of materials (embodiments)

Номер патента: RU2743503C1. Автор: Марина Васильевна Москалева. Владелец: Марина Васильевна Москалева. Дата публикации: 2021-02-19.

Structured chemical sensor including inert barrier layer

Номер патента: RU2560706C2. Автор: Нил А. РАКОВ,Томас В. ХОЛМКВИСТ-БРАУН,Брайан Л. ЛИНЗИ,Джон С. ХАЛТИН,Дуэйн Д. ФАНСЛЕР,Ричард Дж. ПУАРЬЕ,Вивек БХАРТИ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-08-20.

In situ cured pipe liner with barrier layer preventing styrene migration

Номер патента: RU2540615C2. Автор: Роберт Дж. ВИССНЕР,Джозеф Дж. ВОНТОРСИК МЛ.,Дональд А. МЕЛТЗЕР. Владелец: Лубризол Эдванст Матириалс, Инк.. Дата публикации: 2015-02-10.

Fire barrier layer and fire barrier film laminate

Номер патента: CA2816880C. Автор: Robert Rioux,Joseph A. Fernando,Kenneth B. Miller,Chad E. Garvey,Gene JUNG. Владелец: LAMART CORP. Дата публикации: 2019-03-26.

Sheet-like composite for producing dimensionally stable food product containers with a barrier layer comprising a barrier substrate layer and an inwards-pointing barrier material layer

Номер патента: WO2018137947A1. Автор: Daniel Heinze. Владелец: SIG TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2018-08-02.

Windproof and water resistant composite fabric with barrier layer

Номер патента: US5364678A. Автор: Moshe Rock,Douglas Lumb. Владелец: Malden Mills Industries Inc. Дата публикации: 1994-11-15.

Methods and apparatus to couple a decorative layer to a core layer of a panel via a barrier layer

Номер патента: EP4261031A2. Автор: John Wilde,Xiaoxi Wang,Gary BENHAM,Jason W. Drexler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-10-18.

Methods and apparatus to couple a decorative layer to a core layer of a panel via a barrier layer

Номер патента: EP4261031A3. Автор: John Wilde,Xiaoxi Wang,Gary BENHAM,Jason W. Drexler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-11-01.

Read Sensor With Ordered Heusler Alloy Free Layer and Semiconductor Barrier Layer

Номер патента: US20240194221A1. Автор: James Mac Freitag,Yuankai Zheng,Zhitao Diao,Susumu Okamura,Brian R. York. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Barrier layer for a turbocharger

Номер патента: US20160215632A1. Автор: Juergen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2016-07-28.

Method for producing a barrier layer of a pressure vessel, and pressure vessel

Номер патента: US12129966B2. Автор: Hans-Ulrich Stahl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Multilayer film including foam layer and gas barrier layer

Номер патента: US10980661B2. Автор: Moh-Ching Oliver Chang. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Closed capsule with openers and integrated barrier layer

Номер патента: RU2744564C2. Автор: Кристоф Себастьен Поль ЭДЕЛЬ,Давид НОРДКВИСТ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-03-11.

Multilayer golf ball containing at least three core layers, at least one intermediate barrier layer, and at least one cover layer

Номер патента: US7951015B2. Автор: Christopher Cavallaro. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2011-05-31.

A floor covering comprising a PVC layer with aggregate embedded and a barrier layer fused to the PVC layer so that the aggregate is exposed

Номер патента: NZ510989A. Автор: Grenville Seager,Michael Geoffrey Minett,John Granville Kay,Adrian Lance Entwistle,Craig Lee Crosby. Владелец: POLYFLOR Ltd. Дата публикации: 2003-08-29.

Nuclear fuel cladding having an alloyed zirconium barrier layer

Номер патента: US5524032A. Автор: Ronald B. Adamson,Daniel R. Lutz,Joseph S. Armijo,Herman S. Rosenbaum. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-06-04.

Process for producing a coated packaging material and packaging material having at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: NZ709512A. Автор: Michael Zischka,Julia Spanring,Martin Reischl. Владелец: Mayr Melnhof Karton AG. Дата публикации: 2016-05-27.

Barrier layers comprising ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: CA2827932C. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Oxidation barrier layer

Номер патента: CA2929460C. Автор: Jürgen Ramm,Beno Widrig,Florian Seibert,Doris Foppspori. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-03-28.

Stain blocking barrier layer

Номер патента: US5981058A. Автор: Hao A. Chen,Keith S. Shih. Владелец: Mannington Mills Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Tablet containing cetirizine, pseudoephedrine, and naproxen containing a barrier layer

Номер патента: CA2748728C. Автор: Dinesh Patel,Satish Kamath,Indukumar G. Shah,Michael Nichols. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Barrier layers comprising ni-inclusive ternary alloys, coated articles including barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: CA2827862C. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Pneumatic tire having reinforcing members and air barrier layer

Номер патента: US11034188B2. Автор: Amy M. Randall,Craig R. Balnis,David J. Zemla. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2021-06-15.

Medical device having radio-opacification and barrier layers

Номер патента: CA2442057C. Автор: Graig Kveen,Verivada Chandru Chandresekaran. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2011-04-26.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: SE545698C2. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-12-12.

Laminated packaging material comprising a barrier layer and packaging container made therefrom

Номер патента: EP4335639A1. Автор: Cesare Lorenzetti,Celine Denecker. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 2024-03-13.

Laminated packaging material comprising a barrier layer and packaging container made therefrom

Номер патента: WO2024052396A1. Автор: Cesare Lorenzetti,Celine Denecker. Владелец: TETRA LAVAL HOLDINGS & FINANCE S.A.. Дата публикации: 2024-03-14.

Composite Panel with Barrier Layer and Method for Manufacturing a Letterpress Plate

Номер патента: US20190224957A1. Автор: Peter Kesper. Владелец: AKK GmbH. Дата публикации: 2019-07-25.

Low-e panel with improved barrier layer process window and method for forming the same

Номер патента: WO2014151446A2. Автор: Yu Wang,Brent Boyce,Guowen Ding,Minh Huu Le,Zhi-Wen Wen Sun. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

No sugar added multilayer edible products comprising a center and a barrier layer

Номер патента: CA3166127A1. Автор: Alexis Marie Fye,Allison Therese Nowak,Madeline Erickson Goris. Владелец: Kraft Foods Group Brands LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Gas barrier layered body, and packaging material and tube container using same

Номер патента: EP3991967A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

Barrier layers for silver reflective coatings and hpc workflows for rapid screening of materials for such barrier layers

Номер патента: WO2014159699A1. Автор: Yu Wang,Guowen Ding,Daniel Schweigert,Guizhen Zhang,Minh Huu Le,Jeremy Cheng. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Multi-layer articles including a fluoroelastomer layer and a barrier layer and method of making the same

Номер патента: EP1432572B1. Автор: Tatsuo Fukushi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-08-22.

Multilayer edible products comprising a barrier layer

Номер патента: CA3166130A1. Автор: Allison Therese Nowak. Владелец: Kraft Foods Group Brands LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Heat treatable coated articles with anti-migration barrier layer between dielectric and solar control layers, and methods of making same

Номер патента: EP1390314A1. Автор: Hong Wang. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: SE2250283A1. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-09-03.

Multi-layer compensation film including stretchable barrier layers

Номер патента: US20050237457A1. Автор: Jon Hammerschmidt,James Elman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-10-27.

Barrier layer for packaging, sheet-like composite layer, and packaging container thereof

Номер патента: EP4393701A1. Автор: Yan Liu,Xiangyang Zhu,Rensheng LUO,Haitao SHA. Владелец: SIG Combibloc Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for manufacuturing an aircraft window frame comprising a barrier layer, window frame obtained from this method and aircraft comprising at least one such window frame

Номер патента: US20240199231A1. Автор: Dirk Feltin,Rodolphe Trouve,Günther DRESSLER,Asuncion BUTRAGUENO-MARTINEZ. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2024-06-20.

Barrier layer for garment

Номер патента: US20240188662A1. Автор: Shogo Fujiwara,Adam Mueller,Colin Beard,Amanda Frank. Владелец: Kjus North America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Barrier layer for garment

Номер патента: US20240188663A1. Автор: Shogo Fujiwara,Adam Mueller,Colin Beard,Amanda Frank,Tucker Sutter,Mary Stewart Waggoner. Владелец: Kjus North America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Gas barrier layer forming composition, gas barrier film, packaging film, and packaging bag using same, and, gas barrier film production method, packaging film production method, and packaging bag production method

Номер патента: EP4245520A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

A cellulose fiber structure comprising a barrier layer

Номер патента: SE2150449A1. Автор: Matthias Hausmann,Frank Peng,Sohrab Kazemahvazi,Olga SIEVE. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2022-10-13.

Improved barrier layer

Номер патента: EP2326674A1. Автор: Richard Vicari,Philip J. Brondsema,Mark G. Cupta,Nancy S. Coulson. Владелец: Sekisui Specialty Chemicals America LLC. Дата публикации: 2011-06-01.

Barrier Layers from Transparent Copolyamides

Номер патента: CA2119849A1. Автор: Manfred Hewel,Ulrich Presenz. Владелец: EMS Inventa AG. Дата публикации: 1994-09-25.

Article having a protective coating and an iridium-containing oxygen barrier layer

Номер патента: US20030022016A1. Автор: Ramgopal Darolia. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2003-01-30.

Polymer foam sheet and barrier layer composite

Номер патента: US20240240470A1. Автор: Baruch Zur,Sam Saladino,Zeev TZUR. Владелец: Palziv Ein Hanaziv Agricultural Cooperative Society Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Devices including a difussion barrier layer

Номер патента: US09792931B2. Автор: TONG Zhao,Tae-woo Lee,Yuhang Cheng,Martin Blaber,Sarbeswar Sahoo,John Duda,Hui Brickner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: US09546974B2. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2017-01-17.

Barrier layered film

Номер патента: RU2334767C2. Автор: Вальтер БЕРНИГ,Бернар ДЮЖАРДЕН,Штефан ЙЕНДРОШ,Кристоф ШВАЙТЦЕР. Владелец: Кфс Кемптен Гмбх. Дата публикации: 2008-09-27.

Abuse-resistant retortable packaging film having oxygen barrier layer containing blend of amorphous polyamide and semicrystalline polyamide

Номер патента: CA2600522C. Автор: Solomon Bekele. Владелец: Cryovac LLC. Дата публикации: 2012-07-17.

Printing blanket including a barrier layer

Номер патента: EP2380733B1. Автор: Michael Edward McLean,Richard Czerner,Noel Dean Arrington. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2013-10-09.

Photosensitive material with alkali-in soluble barrier layer

Номер патента: US5002850A. Автор: Fumiaki Shinozaki,Tamotsu Suzuki,Kazuo Suzuki,Mikio Totsuka,Tomizo Namiki,Tomohisa Tago. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1991-03-26.

Physical development of a thin reversibly activatable photoconductor element having a resinous barrier layer

Номер патента: US3700449A. Автор: Harry Lerner. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1972-10-24.

Barrier layer for elastomeric articles

Номер патента: CA2578851C. Автор: Brian R. Bergman. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2010-12-14.

Method of making wafer having adhesive skin barrier layer

Номер патента: US5716475A. Автор: Ronald S. Botten,Larry R. Decamp,Calla K. Stoick,Eric D. Ellingson. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Wafer having adhesive skin barrier layer

Номер патента: US5609585A. Автор: Ronald S. Botten,Larry R. Decamp,Calla K. Stoick,Eric D. Ellingson. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 1997-03-11.

Multilayered tube having a barrier layer

Номер патента: US4483891A. Автор: Daryl D. Cerny. Владелец: Ball Corp. Дата публикации: 1984-11-20.

Multilayer structure and tank consisting of this structure, which has a barrier layer in direct contact with the fluid contained

Номер патента: US20020051891A1. Автор: Jerome Pascal,Christophe Le Roy,Joachim Merziger. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 2002-05-02.

Sheet-like composite for producing dimensionally stable food-product containers having a biobased barrier layer

Номер патента: WO2018019834A1. Автор: Daniel Heinze,Jannis OCHSMANN,Alexander Pauling. Владелец: SIG TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2018-02-01.

Electrophotographic element containing barrier layer

Номер патента: US5128226A. Автор: Yann Hung. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1992-07-07.

Passive barrier layer placement within carbonated beverage container wall to improve shelf-life

Номер патента: US11951654B2. Автор: Farhan Ahmad,John Brace,William J. DUBUQUE. Владелец: Amcor Rigid Packaging USA LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Coated tool with coating comprising boride-containing diffusion barrier layer

Номер патента: US20220136096A1. Автор: Mirjam Arndt,Hamid Bolvardi,Jürgen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2022-05-05.

Optical devices having barrier layers to facilitate reduced hardmask diffusion and/or hardmask residue, and related methods

Номер патента: US20230333309A1. Автор: Rui Li,Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: US11781486B2. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Raymond Surace,Robert A. White, III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Optical devices having barrier layers to facilitate reduced hardmask diffusion and/or hardmask residue, and related

Номер патента: WO2023200723A1. Автор: Rui Li,Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Material having a barrier layer comprising lignosulfonate

Номер патента: WO2023198695A1. Автор: Anna-stiina Jääskeläinen,Kaisa KARISALMI,Sara MUONA. Владелец: KEMIRA OYJ. Дата публикации: 2023-10-19.

Gas barrier layered body, and packaging material and tube container using same

Номер патента: US20220267067A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Devices including a multilayer gas barrier layer

Номер патента: US20160133278A1. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Packaging structure of a microelectronic device having a hermeticity improved by a diffusion barrier layer

Номер патента: US20170057809A1. Автор: Bruno Reig,Jean-Louis Pornin,Damien Saint-Patrice,Gudrun Henn,Arnoldus Den Dekker,Marcel Giesen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-02.

Implant with a visual indicator of a barrier layer

Номер патента: US20230285138A1. Автор: Salvador Dada,Rolando Mora,Juan Jose Chacon. Владелец: Establishment Labs SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Composition of an adhesive barrier layer between a non-woven material and another non-woven material for processing at higher temperatures

Номер патента: EP4054835A1. Автор: Peter Jozef VAN GINDEREN. Владелец: Walki Belcoat NV. Дата публикации: 2022-09-14.

Material having a barrier layer comprising lignosulfonate

Номер патента: GB2617573A. Автор: Jääskeläinen Anna-stiina,KARISALMI KAISA,Muona Sara. Владелец: KEMIRA OYJ. Дата публикации: 2023-10-18.

Structural color multilayer structures having barrier layers

Номер патента: WO2024054493A1. Автор: Debasish Banerjee,Minjuan Zhang,Songtao Wu. Владелец: Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Structural color multilayer structures having barrier layers

Номер патента: US20240077662A1. Автор: Debasish Banerjee,Minjuan Zhang,Songtao Wu. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Optical devices having barrier layers to facilitate reduced hardmask diffusion and/or hardmask residue, and related methods

Номер патента: WO2023200723A8. Автор: Rui Li,Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Vessel with interior surface barrier layer

Номер патента: US20240182200A1. Автор: Robert Lyn Seals. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Liquid applied roofing system with improved moisture barrier layer

Номер патента: US20200224409A1. Автор: Yan Zheng,Adem Chich. Владелец: Building Materials Investment Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Composition of an adhesive barrier layer between a non-woven material and another non-woven material for processing at higher temperatures

Номер патента: WO2021090260A1. Автор: Peter Jozef VAN GINDEREN. Владелец: Walki Belcoat, Naamloze Vennootschap. Дата публикации: 2021-05-14.

Diffusion barrier layer and method of making the same, and wear resistant article with the diffusion barrier layer and method of making the same

Номер патента: WO2007136450A2. Автор: Kevin M. Singer,Donald W. Bucholz. Владелец: KENNAMETAL INC.. Дата публикации: 2007-11-29.

Structural color multilayer structures having barrier layers

Номер патента: WO2024052849A1. Автор: Debasish Banerjee,Songtao Wu,Mindy Zhang. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2024-03-14.

EVOH barrier layer for particulate coffee

Номер патента: EP1884355B1. Автор: Leonard S. Scarola. Владелец: Kraft Foods Holdings Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for production of packing material coated with at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: RU2606981C2. Автор: Михаэль ЦИШКА,Юлиа ШПАНРИНГ,Мартин РАЙШЛЬ. Владелец: Майр-Мельнхоф Картон Аг. Дата публикации: 2017-01-10.

Polymer laminate possessing an intermediate water vapor transmission barrier layer

Номер патента: US4582753A. Автор: Gary L. Duncan. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Multi-layer films with syndiotactic barrier layer containing a wax

Номер патента: WO1999010172A1. Автор: Shaw-Chang Chu,Michael Thomas Heffelfinger,Jay Kin Keung,Robert Guthrie Peet. Владелец: Mobil Oil Corporation. Дата публикации: 1999-03-04.

Processes for preparing barrier layer films for use in enzyme electrodes and films made thereby

Номер патента: US5766839A. Автор: Jay M. Johnson,Jeffrey L. Huntington. Владелец: YSI Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Barrier layer for laser ablative imaging

Номер патента: US5759741A. Автор: Glenn T. Pearce,Stephen M. Neumann. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for producing a coated packaging material and packaging material with at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: CA2894035C. Автор: Michael Zischka,Julia Spanring,Martin Reischl. Владелец: Mayr Melnhof Karton AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Process for manufacturing floor and wall coverings having a barrier layer

Номер патента: US5460855A. Автор: Kjell T. Andersson. Владелец: Tarkett AB. Дата публикации: 1995-10-24.

Method for producing a coated packaging material, and packaging material having at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: CA2942318C. Автор: Michael Zischka,Julia Spanring,Martin Reischl. Владелец: Mayr Melnhof Karton AG. Дата публикации: 2020-02-25.

Nematic liquid crystal compensator with barrier layer and process

Номер патента: US20040008303A1. Автор: Deepak Shukla,Mridula Nair,Jason Payne,Bradley Houghtaling,James Elman,Charles Bauer,David Teegarden,Jeffrey Trest,Richard Castle,Ann Carroll-Lee,Joseph Hoff. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-01-15.

Diffusion barrier layers with microstructured spacing members for liquid crystal display panel substrates

Номер патента: US6166797A. Автор: Richard J. Pokorny,Charles L. Bruzzone,David J. W. Aastuen,Raghunath Padiyath,Patrick A. Thomas,Timothy J. Gardner. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2000-12-26.

Low permeation nylon tube with aluminium barrier layer

Номер патента: WO2003022614A2. Автор: Christopher W. Smith,Jerry Shifman,Jeremy Duke. Владелец: DAYCO PRODUCTS, LLC. Дата публикации: 2003-03-20.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: WO2019051412A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: HOLLISTER INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for Producing a Barrier Layer and Carrier Body Comprising Such a Barrier Layer

Номер патента: US20170145177A1. Автор: Juergen Bauer,Frank Vollkommer,Klaus-Dieter Bauer,Mato Knez,Keith Edward Gregorczyk. Владелец: Cic Nanogune Consolider. Дата публикации: 2017-05-25.

Electrically conductive acrylic pressure sensitive adhesive tapes comprising moisture barrier layer

Номер патента: US20210292612A1. Автор: Jeongwan Choi,Hayanmaeum Kim. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-09-23.

Barrier layer for glucose sensor

Номер патента: EP2744909A1. Автор: William Paterson,Nicholas Paul Barwell,Barry Crane. Владелец: Lightship Medical Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: US11865269B2. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Printing method with transfer of a barrier layer for producing high gloss printed products

Номер патента: US11850877B2. Автор: Martin Schmitt-Lewen,Heike Gute,Thorsten Euler. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: EP3681547A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Sealing tape roll of a sealing tape with interior barrier layers

Номер патента: US11174417B2. Автор: Martin Deiss. Владелец: ISO Chemie GmbH. Дата публикации: 2021-11-16.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: CA3075409C. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: AU2018330339B2. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: CA3075409A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Low permeation nylon tube with aluminium barrier layer

Номер патента: EP1425532A2. Автор: Christopher W. Smith,Jerry Shifman,Jeremy Duke. Владелец: Dayco Products LLC. Дата публикации: 2004-06-09.

Low permeation nylon tube with aluminium barrier layer

Номер патента: EP1425532A4. Автор: Jerry Shifman,Christopher W Smith,Jeremy Duke. Владелец: Dayco Products LLC. Дата публикации: 2005-11-16.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: AU2018330339A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Pneumatic tires with applied air barrier layers

Номер патента: US20190351635A1. Автор: Amy M. Randall,Craig R. Balnis,David J. Zemla. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-11-21.

Devices including a gas barrier layer

Номер патента: US20160035379A1. Автор: Michael Allen Seigler,Kurt W. Wierman,Yuhang Cheng,Scott Franzen,Ed F. Rejda. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Devices including a gas barrier layer

Номер патента: US20150248905A1. Автор: Michael Allen Seigler,Kurt W. Wierman,Yuhang Cheng,Scott Franzen,Ed F. Rejda. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-09-03.

Pneumatic tires with applied air barrier layers

Номер патента: EP3541612A1. Автор: Amy M. Randall,Craig R. Balnis,David J. Zemla. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-09-25.

Gas barrier layer for metallic and nonmetallic materials

Номер патента: US4950551A. Автор: Richard Doetzer,Georg Iwantscheff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-21.

Container precursor of a dimensionally stable food or drink product container with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: WO2024126725A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-20.

Sheet-like composite for dimensionally stable food or drink product containers with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: WO2024126724A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-20.

Container precursor of a dimensionally stable food or drink product container with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: EP4385720A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-19.

Sheet-like composite for dimensionally stable food or drink product containers with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: EP4385725A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-19.

Thermal barrier layer and process for producing the same

Номер патента: US20020028344A1. Автор: Wolfram Beele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Multilayer film provided with active anti-oxygen barrier layer with radiation-stimulated active barrier properties

Номер патента: RU2435674C1. Автор: Скотт БЕКВИТ,Джанет РИВЕТТ,Томас КЕННЕДИ,Франк Браян ЭДВАРДС,Синтия Луизе ЭБНЕР,Рэчел МКДОВЕЛЛ,Дрю Ви. СПИР. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2011-12-10.

Barrier layer

Номер патента: US10792312B2. Автор: Paul Martakos,Theodore Karwoski,Joseph Ferraro,Steve Herweck,Lisa Rogers,Keith Faucher,Phillip MCNAMARA. Владелец: Atrium Medical Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Flexographic printing element which can be digitally imaged and has a polar, ultra-thin barrier layer

Номер патента: CA2914134A1. Автор: Armin Becker,Andreas Reifschneider,Matthias Beyer,Denis RIEWE,Uwe Stebani. Владелец: Flint Group Germany GmbH. Дата публикации: 2014-12-18.

Barrier layers for coating conductive polymers on liquid crystals

Номер патента: US7532290B2. Автор: Debasis Majumdar,Glen C. Irvin, Jr.,Gary S. Freedman. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-12.

Barrier layer in between polyurethane foam and vinyl skin

Номер патента: US4952447A. Автор: John A. Phillips,Ernest E. McClellan,Robert C. Rock. Владелец: Plastomeric Products Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Barrier layer arrangement for tank systems

Номер патента: CA2748474C. Автор: Sebastian Holtz,Nikolai Sendker. Владелец: Kaefer Schiffsausbau GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Oral treatment devices that include a thin, flexible barrier layer and an endoskeleton treatment or adhesive composition

Номер патента: CA2526050C. Автор: Dan E. Fischer,Bruce S. McLean,Peter M. Allred,Neil T. Jessop,Scot N. Anderson. Владелец: Ultradent Products Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Electrophotographic photosensitive member containing a nitrocellulose-polyvinyl pyrrolidone barrier layer

Номер патента: US3839033A. Автор: I Endo,H Matsuno,K Suzki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1974-10-01.

Reduced-pressure dressings, systems, and methods employing desolidifying barrier layers

Номер патента: CA2767982A1. Автор: Timothy Mark Robinson,Christopher Locke. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Alkali metal diffusion barrier layer

Номер патента: CA2157948C. Автор: James J. Finley,F. Howard Gillery. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

Non-pvc films having barrier layer

Номер патента: CA2756025A1. Автор: Yuanpang S. Ding,Jean-Claude Bonte,John W. Putnam,Robert R. Roberts,Michael T. Ling,Moh-Ching O. Chang,Patrick R. Balteau,Fabio G. Casartelli. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for manufacturing multi-barrier layer blow molded containers

Номер патента: EP3033212A1. Автор: David T. Foster,Vivek A. Chougule,Rabeh H. ELLEITHY,Harold S. BOWEN. Владелец: Printpack Illinois Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Tire with air barrier layer

Номер патента: EP2123479B1. Автор: Ramendra Nath Majumdar,William Paul Francik. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2011-01-19.

Reduced-pressure dressings, systems, and methods employing desolidifying barrier layers

Номер патента: CA2767982C. Автор: Timothy Mark Robinson,Christopher Locke. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Coated article with improved barrier layer structure and method of making the same

Номер патента: CA2466450C. Автор: Grzegorz Stachowiak. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Sorbent article with selective barrier layer

Номер патента: AU2022279130A1. Автор: Edward H. Cully,Christine M. Scotti. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Hydrophobic barrier layer for ceramic indirect evaporative cooling systems

Номер патента: US11890579B2. Автор: Joanna Aizenberg,Martin BECHTHOLD,Jack Alvarenga,Jonathan L. GRINHAM. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-02-06.

Devices including an amorphous gas barrier layer

Номер патента: US20170213570A1. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Xiaoyue Huang,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-07-27.

Class 1 flexible uninsulated duct with polymer core and surrounding fire resistant barrier layer and method of use

Номер патента: US20230304282A1. Автор: II Ronald L. Carlay. Владелец: Flexible Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Barrier layer capsules

Номер патента: EP3027054A1. Автор: David Siegel,Michael Chaney,Aloysius Lambertus Doorn,Joshua Andrew Hagen,Natalia NIKOLOVA,Stephen FENIMORE. Владелец: Givaudan SA. Дата публикации: 2016-06-08.

Sorbent article with selective barrier layer

Номер патента: CA3216421A1. Автор: Edward H. Cully,Christine M. Scotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-24.

Class 1 flexible uninsulated duct with polymer core and surrounding fire resistant barrier layer and method of use

Номер патента: WO2023183548A1. Автор: Ronald L. Carlay Ii. Владелец: Flexible Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for Producing a Barrier Layer of a Pressure Vessel, and Pressure Vessel

Номер патента: US20220196207A1. Автор: Hans-Ulrich Stahl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Sorbent article with selective barrier layer

Номер патента: EP4340988A1. Автор: Edward H. Cully,Christine M. Scotti. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Barrier layer and gas sensor including the barrier layer

Номер патента: US20210253822A1. Автор: Ming-Chih Tsai. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

An oxygen barrier layer comprising microfibrillated dialdehyde cellulose

Номер патента: SE1851216A1. Автор: Isabel Knöös. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2020-04-09.

Devices including an amorphous gas barrier layer

Номер патента: US20160133277A1. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Xiaoyue Huang,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Sealing Tape Roll of a Sealing Tape with Interior Barrier Layers

Номер патента: US20200048953A1. Автор: Martin Deiss. Владелец: ISO Chemie GmbH. Дата публикации: 2020-02-13.

A recyclable paper packaging material comprising metallized and polymeric barrier layers attached by a binder

Номер патента: US20240227361A1. Автор: Alexey VISHTAL,Abhijit Bhattacharya,Lise Zeboudj. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Photoconductive element having an amorphous polymeric barrier layer

Номер патента: US20060008720A1. Автор: Michel Molaire,Wayne FERRAR,Tulienne Molaire. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-01-12.

Photoconductive element having amorphous, polymeric barrier layer

Номер патента: WO2006017012A1. Автор: Michel Frantz Molaire,Wayne Thomas Ferrar,Tulienne Roche Molaire. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2006-02-16.

Photoconductive element having amorphous, polymeric barrier layer

Номер патента: EP1774408A1. Автор: Michel Frantz Molaire,Wayne Thomas Ferrar,Tulienne Roche Molaire. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-04-18.

Galvanic-corrosion-resistant composite material having a self-extingushing barrier layer

Номер патента: US09669599B1. Автор: Matthew Davis,Joseph W. Tsang,Raymond J. Meilunas,Benjamin Harvey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-06-06.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: CA2973124C. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposition to apply a barrier layer to a moving web substrate

Номер патента: US5728224A. Автор: Wolfgang Decker,Jacques A. Laurent. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 1998-03-17.

Multilayer film including odor barrier layer having sound dampening properties

Номер патента: CA2946794C. Автор: Moh-Ching Oliver Chang. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for vapor-depositing strip-shaped substrates with a transparent barrier layer made of aluminum oxide

Номер патента: CA2505027C. Автор: Nicolas Schiller,Steffen Straach,Matthias Fahland,Christoph Charton,Mathias Raebisch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-02-22.

Liner panel having barrier layer

Номер патента: EP1667890A4. Автор: Maung Aye Than,John M Jones,Charles R Fetz,Danie J Mccormack,Melanie R Tatum. Владелец: Great Dane LLC. Дата публикации: 2009-10-28.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: US8852422B2. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2014-10-07.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: CA2887517C. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Coating medium forming a barrier layer for metal substrates

Номер патента: GB2428242A. Автор: Heinrich Horacek. Владелец: Intumex GmbH. Дата публикации: 2007-01-24.

Liner panel having barrier layer

Номер патента: WO2005019009A2. Автор: John M. Jones,Maung Aye Than,Charles R. Fetz,Melanie R. Tatum,Danie J. Mccormack. Владелец: Great Dane Limited Partnership. Дата публикации: 2005-03-03.

Resealable package comprising a container and wet absorbent sheet material with interposed liquid barrier layer

Номер патента: US5344007A. Автор: Kenji Nakamura,Isao Kuraishi. Владелец: Kennak USA Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Polymer foam sheet and barrier layer composite

Номер патента: US11913238B2. Автор: Baruch Zur,Sam Saladino,Zeev TZUR. Владелец: Palziv Ein Hanaziv Agricultural Cooperative Society Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Polymeric substrate including a barrier layer

Номер патента: US20230407071A1. Автор: Billy R. BODIFORD,Ross Michael Mahan. Владелец: Inv Polypropylene Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Spray Formation of an Impermeable Barrier Layer on a Tire

Номер патента: US20170313005A1. Автор: Paul Winston,Jaime C. Grunlan,John J. Mchugh,Charlie Wen. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2017-11-02.

Spray Formation of an Impermeable Barrier Layer on a Tire

Номер патента: US20180290412A1. Автор: Paul Winston,Jaime C. Grunlan,John J. Mchugh,Charlie Wen. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2018-10-11.

Polymeric substrate including a barrier layer

Номер патента: US11781000B2. Автор: Billy R. BODIFORD,Ross Michael Mahan. Владелец: Inv Polypropylene Llc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for providing a cathode lining barrier layer in an electrolysis cell and a material for same

Номер патента: CA3106885A1. Автор: Eirik Hagen,Espen Tjønneland WEFRING,Christian Schoning. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2020-03-12.

A cellulose fiber structure comprising a barrier layer

Номер патента: WO2022218772A1. Автор: Matthias Hausmann,Frank Peng,Sohrab Kazemahvazi,Olga SIEVE. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for imaging electrical barrier layers such as pn-junctions in semiconductors by means of processing particle-beam-induced signals in a scanning corpuscular microscope

Номер патента: US4646253A. Автор: Helmut Schink,Hans Rehme. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-02-24.

Method for providing a cathode lining barrier layer in an electrolysis cell and a material for same

Номер патента: US20210310139A1. Автор: Eirik Hagen,Espen Tjønneland WEFRING,Christian Schoning. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2021-10-07.

Molybdenum-silicon-boron with noble metal barrier layer

Номер патента: US11987898B2. Автор: Douglas M. Berczik,Brendan M. Lenz. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: WO2007127274A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-11-08.

Devices including a diffusion barrier layer

Номер патента: US20180090160A1. Автор: TONG Zhao,Michael Seigler,Yuhang Cheng,Michael Kautzky,Scott Franzen,Sarbeswar Sahoo,John Duda,Hui Brickner,James Wessel. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-29.

Barrier layer for garment

Номер патента: US20240188652A1. Автор: Shogo Fujiwara,Colin Beard,Amanda Frank,Tucker Sutter,Jessica Musto. Владелец: Kjus North America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: CA2642876A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: EP2010376A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-01-07.

Coextruded laminate having barrier layers

Номер патента: US4780258A. Автор: Peter F. Cloeren. Владелец: P C E Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Fusing roll having a fluorocarbon-silicone barrier layer

Номер патента: US5534347A. Автор: Tsang J. Chen,Lawrence P. DeMejo,Jiann-Hsing Chen,Ming-Shih Lian,Gary F. Roberts. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1996-07-09.

Substrate containing silicon and a barrier layer which functions as a protective/thermal barrier coating

Номер патента: US6352790B1. Автор: Stephen Chin,Harry E. Eaton,John J. Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method for applying a barrier layer to a silicon based substrate and an article prepared in accordance with the method

Номер патента: EP1044947A3. Автор: Thomas H. Lawton,Harry E. Eaton. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2001-11-14.

Detersive enzyme particles having water-soluble carboxylate barrier layer and compositions including same

Номер патента: CA2292514C. Автор: Peter Robert Foley,Lynda Anne Speed,Douglas A. Dale,Melissa Dee Aquino,Glenn Ward,Xiaoqing Song. Владелец: Genencor International Inc. Дата публикации: 2005-11-15.

Welding method for a multilayer composite having a barrier layer

Номер патента: US11820082B2. Автор: Norman Scholz. Владелец: Herrmann Ultraschalltechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-21.

Activated carbon filter having barrier layer

Номер патента: US11801469B2. Автор: Tobias Lang. Владелец: A Kayser Automotive Systems GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Activated Carbon Filter Having Barrier Layer

Номер патента: US20210379526A1. Автор: Tobias Lang. Владелец: A Kayser Automotive Systems GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

A recyclable paper packaging material comprising metallized and polymeric barrier layers attached by a binder

Номер патента: EP4337827A1. Автор: Alexey VISHTAL,Abhijit Bhattacharya,Lise Zeboudj. Владелец: Nestle SA. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of and apparatus for providing a local pstn interconnect with a cellular base site

Номер патента: WO1995002935A1. Автор: Stephen Lee Spear. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1995-01-26.

Chip-to-chip interconnect with a layered communication architecture

Номер патента: US12061939B2. Автор: Arvind Srinivasan,Harikrishna Madadi Reddy,Pankaj Kansal,Naader Hasani. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Data packet reconstruction in link-based interconnects with retransmission

Номер патента: EP1897261A1. Автор: Padma Apparao,Gregory Averill. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-12.

Flexible circuit board interconnect with strain relief

Номер патента: US5917149A. Автор: Tina Barcley,Norman J. Roth,Vasil Germanski,Edward T. Pokriefka,Robert A. Isola. Владелец: DaimlerChrysler Co LLC. Дата публикации: 1999-06-29.

Chip-to-chip interconnect with a layered communication architecture

Номер патента: US20230385138A1. Автор: Arvind Srinivasan,Harikrishna Madadi Reddy,Pankaj Kansal,Naader Hasani. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Chip-to-chip interconnect with a layered communication architecture

Номер патента: WO2023230193A1. Автор: Arvind Srinivasan,Harikrishna Madadi Reddy,Pankaj Kansal,Naader Hasani. Владелец: Meta Platforms, Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Transducer interconnect with conductive films

Номер патента: US20100103224A1. Автор: John R. Andrews,Pinyen Lin,Bradley James Gerner. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-04-29.

System level interconnect with programmable switching

Номер патента: US09553588B2. Автор: Warren S. Snyder,Bert S. Sullam,Haneef D. Mohammed. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Scheme for avoiding deadlock in multi-ring interconnect, with additional application to congestion control

Номер патента: US20100074106A1. Автор: Naveen Cherukuri,Ching-Tsun Chou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Hybrid integration of microled interconnects with ics

Номер патента: US20230299854A1. Автор: Bardia Pezeshki,Robert Kalman,Alexander Tselikov,Cameron DANESH. Владелец: Avicenatech Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Hybrid integration of microled interconnects with ics

Номер патента: US20220069914A1. Автор: Bardia Pezeshki,Robert Kalman,Alexander Tselikov,Cameron DANESH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-03.

Hybrid integration of microLED interconnects with ICs

Номер патента: US12101122B2. Автор: Bardia Pezeshki,Robert Kalman,Alexander Tselikov,Cameron DANESH. Владелец: Avicenatech Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Flex circuit head interconnect with insulating spacer

Номер патента: US6046886A. Автор: Adam K. Himes,Kevin J. Schulz,David A. Sluzewski,David G. Qualey. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2000-04-04.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: GB2622539A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,P Marchack Nathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: US11980039B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Led interconnect with breakout for memory applications

Номер патента: US20240241333A1. Автор: Bardia Pezeshki,Kaveh Pezeshki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Led interconnect with breakout for memory applications

Номер патента: WO2024155712A1. Автор: Bardia Pezeshki,Kaveh Pezeshki. Владелец: Avicenatech, Corp.. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: US11825754B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Transducer interconnect with conductive films

Номер патента: US20120199666A1. Автор: John R. Andrews,Pinyen Lin,Bradley James Gerner. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Hybrid integration of microled interconnects with ics

Номер патента: EP4189858A4. Автор: Bardia Pezeshki,Robert Kalman,Alexander Tselikov,Cameron DANESH. Владелец: Avicenatech Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

System level interconnect with programmable switching

Номер патента: US8026739B2. Автор: Warren Snyder,Bert Sullam,Haneef Mohammed. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

System level interconnect with programmable switching

Номер патента: US8476928B1. Автор: Warren Snyder,Bert Sullam,Haneef Mohammed. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Image acquisition device for use in e.g. driver assistance system, for detecting surroundings of vehicle, has electronic interconnecting devices interconnected with each other by connectors, and image acquisition units arranged at devices

Номер патента: DE102008023851A1. Автор: Ulrich Wagner,Gregory Dr. BARATOFF,Thorsten Dr. Köhler. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2009-12-03.

Ion beam etching with sidewall cleaning

Номер патента: US12029133B2. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Phase change memory cell with sidewall projection liner

Номер патента: EP4410076A1. Автор: Andrew Simon,Injo OK,Kevin BREW,Matthew T. Shoudy,Timothy Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Ion beam etching with sidewall cleaning

Номер патента: US20240315141A1. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Interactive radio with personal music format for interconnecting with alternating signal interfaces/ signal format converters uses a computer-supported data-processing device with bi-directional/logical devices.

Номер патента: DE10043114A1. Автор: Florian M Koenig. Владелец: Florian M Koenig. Дата публикации: 2002-03-14.

Trench capacitor field shield with sidewall contact

Номер патента: US5512767A. Автор: Wendell P. Noble, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-04-30.

Apparatus of interconnect with on-the-fly quantization and operating method thereof

Номер патента: US20240119012A1. Автор: Young Ho GONG,Woo Hyuck PARK,Ye Bin KWON. Владелец: Industry Academic Collaboration Foundation of Kwangwoon University. Дата публикации: 2024-04-11.

Paperboard container with sidewall features and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240324799A1. Автор: Robert William Rau,Yogesh Manilal Shah. Владелец: Dart Container Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Receiver optical subassembly (ROSA) housing with sidewall receptacle to provide electrical isolation between an adjacent transmitter optical subassembly (TOSA) in a transceiver housing

Номер патента: US09915560B2. Автор: Jun Zheng,I-Lung Ho,Kai-Sheng Lin. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Digital interconnects with protocol-agnostic repeaters

Номер патента: US20170262402A1. Автор: Huimin Chen,Duane G. Quiet. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Digital interconnects with protocol-agnostic repeaters

Номер патента: US20170262401A1. Автор: Huimin Chen,Duane G. Quiet. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Physical layer for peripheral interconnect with reduced power and area

Номер патента: US09766692B2. Автор: Sanjay Dabral,R. Stephen Polzin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Shared cache interconnect with coherency and writeback order controls

Номер патента: GB2484088A. Автор: Stuart David Biles,Bruce James Mathewson,Christopher William Laycock,Antony John Harris. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2012-04-04.

Electrical interconnect with a retaining feature for an actuator assembly

Номер патента: US20030123194A1. Автор: Kurt Korkowski,Michael Seliger,Gordon Harwood,Dan Petersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Lacrosse head with sidewalls of asymmetrical height

Номер патента: US20100323828A1. Автор: Craig M. Herman,Joshua G. Schmidt. Владелец: Warrior Sports Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Connector with connection mechanism adapted for releasable interconnection with tube

Номер патента: EP1651160A1. Автор: Christine Decaria. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Chip-to-chip interconnect with embedded electro-optical bridge structures

Номер патента: US09971089B2. Автор: Robert L. Sankman,Zhichao Zhang,Kemal Aygun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Container with sidewall extension

Номер патента: US5114037A. Автор: Mark Hillis,Dixon Freeman. Владелец: Perstorp Xytec Inc. Дата публикации: 1992-05-19.

A runflat tire with sidewall-reinforcing inserts

Номер патента: WO2016130347A1. Автор: James M. Kirby. Владелец: BRIDGESTONE AMERICAS TIRE OPERATIONS, LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Microcavity dishes with sidewall including liquid medium delivery surface

Номер патента: US11912968B2. Автор: Gregory Roger Martin,Allison Jean Tanner. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Polygon mirror and mems interconnect with multiple turns

Номер патента: US11604263B2. Автор: Michael Girgel,Ronen ESHEL. Владелец: INNOVIZ TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-03-14.

Hardware interconnect with memory coherence

Номер патента: US11966335B2. Автор: Prakash Chauhan,Kiran Suresh Puranik. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Polygon mirror and mems interconnect with multiple turns

Номер патента: US20200292709A1. Автор: Michael Girgel,Ronen ESHEL. Владелец: INNOVIZ TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

LCD device for removing static electricity having first and second common lines interconnected with a third common line through a protection diode means at the first common line end and a conductive means at the second common line end

Номер патента: US7525607B2. Автор: Deok Won Lee,Kyoung Moo Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-28.

Chair with moulded slats interconnected with moulded side rails

Номер патента: NZ226474A. Автор: Douglas W Davis. Владелец: Roplas Sales Pty Ltd. Дата публикации: 1990-04-26.

Tire with sidewall gum layer

Номер патента: EP4431309A1. Автор: Philippe Joseph Auguste Muller,Nicolas Claude Jean-Claude Froger,Gilles Reichling,Richard Fosam,Wojciech Franciszek Baran,Bernd Zotz,Patrick WIETOR. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2024-09-18.

Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface

Номер патента: US09995708B2. Автор: James Bustillo,Keith G. Fife,Jordan Owens. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Pneumatic tire with sidewall inserts having specified extension underneath the belt package

Номер патента: US5769980A. Автор: William L. Hergenrother,Thomas W. Bell,Charles D. Spragg,James M. Kirby. Владелец: Bridgestone Firestone Inc. Дата публикации: 1998-06-23.

Drip-free interconnect with unisex magnetic connector

Номер патента: CA2626157C. Автор: Go Simon Sunatori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-22.

Box spacer with sidewalls

Номер патента: CA2704970C. Автор: Paul Trpkovski. Владелец: GUARDIAN IG LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Pneumatic tire with sidewall projections

Номер патента: CA2458858C. Автор: John E. Young,James G. Guspodin,David M. Reep,William B. Allison. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2010-10-26.

Physical Layer for Peripheral Interconnect with Reduced Power and Area

Номер патента: US20160034025A1. Автор: Sanjay Dabral,R. Stephen Polzin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Container with sidewall pillars

Номер патента: US12012250B2. Автор: Glenn H. Morris, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-18.

Digital interconnects with protocol-agnostic repeaters

Номер патента: US10235327B2. Автор: Huimin Chen,Duane G. Quiet. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Digital interconnects with protocol-agnostic repeaters

Номер патента: US10127187B2. Автор: Huimin Chen,Duane G. Quiet. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

A COMPUTER SYSTEM IN WHICH ANY COMPONENT IS INTERCONNECTED WITH ANY COMPONENT

Номер патента: RU2001122574A. Автор: Стивен ЛОУ,Питер УОРРЕН,Питер УОРРЕН (US),Стивен ЛОУ (US). Владелец: И-Брейн Солюшнс, Ллк (Us). Дата публикации: 2005-09-20.

Chemical sensor with sidewall sensor surface

Номер патента: US9116117B2. Автор: James Bustillo,Shifeng Li,Keith G. Fife,Jordan Owens. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

System and method for terminating a functionally limited application that is interconnected with a website that runs without installation

Номер патента: RU2018104433A. Автор: Виктор Владимирович Яблоков,Антон Сергеевич Самойлов,Александр Юрьевич Шиндин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2019-08-06.

Disposable serving plate with sidewall-engaged sealing cover

Номер патента: CA2354684C. Автор: Mark B. Littlejohn,Rebecca E. Whitmore,Jerome G. Dees. Владелец: Dixie Consumer Products LLC. Дата публикации: 2009-03-24.

Acoustic panel with sidewall stringers

Номер патента: US20180142622A1. Автор: Christian Soria,Charles Michael Biset. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Hardware interconnect with memory coherence

Номер патента: EP4134827B1. Автор: Prakash Chauhan,Kiran Suresh Puranik. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-30.

Optical interconnect with integral reflective surface and lens, system including the interconnect and method of forming the same

Номер патента: WO2002057821A1. Автор: Kannan Raj,Phillip C. Mcclay. Владелец: PRIMARION, INC.. Дата публикации: 2002-07-25.

Apparatus and method for a high throughput parallel co-processor and interconnect with low offload latency

Номер патента: US20200192676A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Jeffrey Cook,Jonathan Pearce,David Sheffield,Deborah Marr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Shear web assembly interconnected with additive manufactured components

Номер патента: EP3775531A1. Автор: David Roberts,James Robert Tobin,Nicholas K. Althoff,Michael Wenani NIELSEN. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-02-17.

Method for coating a matrix with fire, water and frost-proof barrier layer as well as layer prepared by the method

Номер патента: EP2032799A1. Автор: Rune Godoy,Arild Saasen,Hallvar Eide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-11.

Pneumatic tyre with sidewall reinforcement

Номер патента: WO2004056585A1. Автор: Rodolfo Noto,Gaetano Lo Presti. Владелец: PIRELLI PNEUMATICI S.P.A.. Дата публикации: 2004-07-08.

Pneumatic tire with sidewall gum layer

Номер патента: EP4431308A1. Автор: Philippe Joseph Auguste Muller,Nicolas Claude Jean-Claude Froger,Gilles Reichling,Richard Fosam,Wojciech Franciszek Baran,Bernd Zotz,Patrick WIETOR. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2024-09-18.

Transdermal patch incorporating active agent migration barrier layer

Номер патента: US09358373B2. Автор: II Kenneth J. Miller. Владелец: Mylan Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Chip-to-chip interconnect with embedded electro-optical bridge structures

Номер патента: WO2017099879A1. Автор: Robert L. Sankman,Zhichao Zhang,Kemal Aygun. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-15.

Multilayered articles including a uv barrier layer

Номер патента: WO2024141815A1. Автор: Timothy J. Hebrink,Jodi L. CONNELL,Alexander C. ELDREDGE,Chris A. PRAGGASTIS,James A. PHIPPS,Daniel L. SOLBERG,Panagiotis MAROULIS,Marcus M. BORGSTROM. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2024-07-04.

Pneumatic tire having a sealant layer and air barrier layer

Номер патента: US20230166469A1. Автор: Amy M. Randall,Craig R. Balnis,David J. Zemla. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2023-06-01.

Coextruded multilayer film with beta-propylene-based barrier layer

Номер патента: EP3148800A1. Автор: Steven R. Jenkins,Patrick Chang Dong LEE,Joseph Dooley,Donald E. Kirkpatrick,Bernard E. Obi. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-05.

Reaction barrier layer for environmental barrier coating

Номер патента: US12091368B2. Автор: Taylor K. BLAIR. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Bottle with sidewall design

Номер патента: CA170252S. Автор: . Владелец: Thermos LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Heat-reflecting heat resistant laminar rubber-textile protective material based on chloroprene rubber with barrier layer

Номер патента: RU2489265C1. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Валентин Константинович Гореленков,Сергей Юрьевич Копецкий,Александр Петрович Корнюшин,Алексей Владимирович Замятин,Виктор Александрович Давыдкин,Артур Анатольевич Герасимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт эластомерных материалов и изделий" (ООО "НИИЭМИ"). Дата публикации: 2013-08-10.

Composite laminar rubber-textile protective material based on butyl rubber with barrier layer

Номер патента: RU2457952C1. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Валентин Константинович Гореленков,Виталий Сергеевич Аншин,Виктор Федорович Ларионов,Алексей Тимофеевич Балашов,Геннадий Алексеевич Живулин,Андрей Юрьевич Дубровин,Евгений Андреевич Дубровин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт эластомерных материалов и изделий". Дата публикации: 2012-08-10.

Bottle with sidewall design

Номер патента: AU201614809S. Автор: . Владелец: Thermos LLC. Дата публикации: 2016-09-12.

Composite layered rubberised fabric protective material based on butadiene-nitrile rubber with barrier layer

Номер патента: RU2469866C2. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Наталья Александровна Воронова,Валентин Константинович Гореленков,Виктор Федорович Ларионов,Шарифа Камильевна Ионова,Нина Валентиновна Бадьянова,Владимир Сергеевич Гулин,Ирина Ивановна Аншина. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-12-20.

Copper substrate overlaid with a nickel oxide barrier layer and a covering nickel layer

Номер патента: CA1098858A. Автор: Clermont A. Roy. Владелец: Canada Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-07.

BURIED SILICIDE LOCAL INTERCONNECT WITH SIDEWALL SPACERS AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120038051A1. Автор: Ngo Minh Van,Ogura Jusuke,KRIVOKAPIC Zoran,Ramsbey Mark T.,Halliyal Arvind,Buynoski Matthew S.,Tripsas Nicholas H.,Shields Jeffery A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Process for producing damascene interconnect with stop layer

Номер патента: TW389992B. Автор: Shiun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-05-11.

Damascene interconnect with bilayer capping film

Номер патента: TW582092B. Автор: Chih-Chien Liu,Jei-Ming Chen,Yi-Fang Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Damascene interconnect with bi-layer capping film

Номер патента: TW200414423A. Автор: Chih-Chien Liu,Jei-Ming Chen,Yi-Fang Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Fabricating method of IC back-end copper interconnection with copper barrier

Номер патента: TW200905797A. Автор: Dong-Qing Peng,guo-zhong Xu,Jia-Bin Ye,Jun-Hong Qiu,ruo-ping Zhang. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2009-02-01.

Contact Pads with Sidewall Spacers and Method of Making Contact Pads with Sidewall Spacers

Номер патента: US20140048941A1. Автор: Gatterbauer Johann,Weidgans Bernhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.