Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20200411758A1
Опубликовано: 31-12-2020
Автор(ы): Chii-Ming Wu, Fa-Shen JIANG, Hsing-Lien Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20220069215A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Top-electrode barrier layer for RRAM

Номер патента: US11716915B2. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20240373763A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Top-electrode barrier layer for RRAM

Номер патента: US12114582B2. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Top-electrode barrier layer for rram

Номер патента: US20230320241A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Diffusion barrier layer in programmable metallization cell

Номер патента: US20230413696A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Shing-Chyang Pan,Albert Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Diffusion barrier layer in programmable metallization cell

Номер патента: US11778931B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Shing-Chyang Pan,Albert Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells

Номер патента: US9246097B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US20240276896A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US11832537B2. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: WO2021071629A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Multi-layered structure having a barrier layer

Номер патента: WO2020225521A1. Автор: Ming He,Paul Raymond Besser,Jolanta Bozena Celinska. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-11-12.

Resistive memory device with ring-shaped metal oxide on top surfaces of ring-shaped metal layer and barrier layer

Номер патента: US09455402B2. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method

Номер патента: US7411208B2. Автор: Sung-Lae Cho,Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Gwan-Hyeob Koh,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn,Bong-Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Rram crossbar array circuits with specialized interface layers for low current operation

Номер патента: US20240276895A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Perpendicular magnetic tunnel junction with multi-interface free layer for magnetoelectric devices

Номер патента: US20230255121A1. Автор: Weigang Wang,Pravin Khanal. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structure including barrier layer between electrode layer and underlying substrate

Номер патента: US20230422639A1. Автор: Hong Li,Jian Jiao,Shafaat Ahmed,Cyrus M. Fox,Gowtham Sriram Jawaharram,Bharat V. Krishnan,Jose L. Cruz-Campa,Kriti Agarwal,Ervin T. Hill, III. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of stable electrode/diffusion barrier layers for thermoelectric filled skutterudite devices

Номер патента: US09722164B2. Автор: Gang Chen,Zhifeng Ren,Qing JIE. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-08-01.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09601687B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ)

Номер патента: US09614147B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Fabricating a cap layer for a magnetic random access memory (mram) device

Номер патента: US20170338404A1. Автор: Jeong-Heon Park,Guohan Hu,Younghyun Kim,Kwangseok KIM,Jung-Hyuk Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Electrical component comprising a lead-free thin film ceramic member and an alumina barrier layer

Номер патента: GB2576194A. Автор: Mardilovich Peter,GIBBONS Brady,Won Ko Song. Владелец: Xaar Technology Ltd. Дата публикации: 2020-02-12.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, method for manufacturing tunnel barrier layer, and insulating layer

Номер патента: US20200303630A1. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Passivation layers for thin film transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20240234579A1. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Sarah ATANASOV,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Mram structure with raised edge of tunnel barrier layer

Номер патента: US20240032435A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Passivation layers for thin film transistors and methods of fabrication

Номер патента: US11955560B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Sarah ATANASOV,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor devices having an insulation layer in a recess and an impurity barrier layer extending along the insulation layer

Номер патента: US11742401B2. Автор: Daehyun Kim,Chunhyung Chung,Donghyun IM,Sungmi YOON,Jooyub Kim,Juhyung We. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Vertical nonvolatile memory device having hydrogen diffusion barrier layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130133A1. Автор: Jaeduk LEE,Tackhwi Lee,Sohyeon LEE,Seongpil CHANG,Sea Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for forming magnetic tunneling junction layer for magnetic random access memory

Номер патента: US6884731B2. Автор: Tae-Wan Kim,I-hun Song,Soon-won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-26.

Method and system for providing a magnetic junction usable in spin transfer torque applications and including a magnetic barrier layer

Номер патента: US09917249B2. Автор: Dmytro Apalkov,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Display device including a barrier layer

Номер патента: US20200235338A1. Автор: Sangyoung Park,JoongHyun Kim,Kyongtaeg Lee,Kyungsuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09812669B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Organic light-emitting diode display with barrier layer

Номер патента: US09799713B2. Автор: Paul S. Drzaic,Shih Chang Chang,Young Bae Park,Tsung-Ting Tsai,Jae Won Choi,Chin-Wei Lin,Chieh-Wei Chen,Zhifeng Zhan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09728748B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09728747B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Barrier layer for correlated electron material

Номер патента: US09660189B1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren,Carlos Alberto Paz de Araujo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US09466813B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Metal wire having a copper layer and a barrier layer and display device including the same

Номер патента: US09824788B2. Автор: Chang Oh Jeong,Gwang Min CHA,Sang Woo Sohn,Su Hyoung Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and system for providing a magnetic junction usable in spin transfer or spin-orbit torque applications and including a magnetic barrier layer

Номер патента: US20180197589A1. Автор: Dmytro Apalkov,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20190252643A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20160301033A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20180047941A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Display apparatus including multi-base and multi-barrier layer substrate

Номер патента: US11785799B2. Автор: Hoon Kang,Taewook Kang,Sanghyun Yun,Heekyun Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015122963A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3105760A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Transistor with superconducting collector, base, and emitter separated by non-superconducting barrier layers

Номер патента: US5106822A. Автор: Hirotaka Tamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-04-21.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: EP3084764A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Mg discontinuous insertion layer for improving mt j shunt

Номер патента: WO2014109978A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Takahiro Moriyama. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Tunnel barrier layer, magnetoresistance effect element, and method for manufacturing tunnel barrier layer

Номер патента: US12063873B2. Автор: Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic-field sensitive thin film sensor with a tunnel effect barrier layer

Номер патента: GB2333900A. Автор: Den Berg Hugo Van. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-04.

Method of production of active layer for general-purpose memory on basis of resistive effect

Номер патента: RU2611580C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Шакирович Алиев,Дамир Ревинирович Исламов,Виталий Александрович Воронковский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2017-02-28.

Oled with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US20240298462A1. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Perovskite contacting passivating barrier layer for solar cells

Номер патента: US11882711B2. Автор: Rudolf Emmanuel Isidore Schropp,Mariadriana Creatore,Yinghuan Kuang,Dibyashree Koushik,Sjoerd Veenstra. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing hybrid moisture barrier layer

Номер патента: US11864412B2. Автор: Soon Hyung Kwon. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-01-02.

Display device including a barrier layer with a concavo-convex side surface

Номер патента: US11882722B2. Автор: Sangyoung Park,JoongHyun Kim,Kyongtaeg Lee,Kyungsuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

OLED with a flattening layer between two barrier layers

Номер патента: US12010867B2. Автор: Daisuke Kato,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Manufacture of a3b superconductors with barrier layer system employing metal a

Номер патента: CA1045795A. Автор: James A. Lee,Peter E. Madsen,Derek Armstrong. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1979-01-09.

Charging-transporting layer for solar batteries

Номер патента: RU2686860C1. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Александр Витальевич Аккуратов,Всеволод Константинович Тузовский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НПО "КвинтТех" (ООО НПО "КвинтТех"). Дата публикации: 2019-05-06.

Electron transport layer for perovskite solar cell and perovskite solar cell including same

Номер патента: US20240260283A1. Автор: Jung Hwan Lee,Jong Hyeok Park. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-01.

TOP-ELECTRODE BARRIER LAYER FOR RRAM

Номер патента: US20220069215A1. Автор: WU Chii-Ming,Jiang Fa-Shen,Lin Hsing-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

TOP-ELECTRODE BARRIER LAYER FOR RRAM

Номер патента: US20200411758A1. Автор: WU Chii-Ming,Jiang Fa-Shen,Lin Hsing-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Barrier Layer Formation for Conductive Feature

Номер патента: US20200083096A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Barrier Layer Formation for Conductive Feature

Номер патента: US20200083095A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Array substrate comprising a barrier layer pattern and the method for manufacturing the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US09632382B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device with a barrier layer having overhung portions

Номер патента: US09502303B2. Автор: Wen-Chin Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Barrier layer for electroplating processes

Номер патента: US20020092772A1. Автор: Tse-Yong Yao,Peijun Ding,Barry Chin,Tony Chiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Adhesion layer for forming nanowires in anodic aluminum oxide layer

Номер патента: US12100879B2. Автор: Yali Zhang,Bethanie Joyce Hills Stadler,Rhonda Franklin,Joseph Um,Rashaunda Henderson. Владелец: Minnesota And Board Of Regents, University of, Regents of. Дата публикации: 2024-09-24.

Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures

Номер патента: US09881871B2. Автор: Chen-Hua Yu,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same

Номер патента: US20010033027A1. Автор: Salman Akram,Scott Meikle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method of forming metal carbide barrier layers for fluorocarbon films

Номер патента: WO2013043512A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron America, Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Low-resistivity metallic interconnect structures with self-forming diffusion barrier layers

Номер патента: EP4443499A2. Автор: Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Reddy PATLOLLA. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Capping layer for liner-free conductive structures

Номер патента: US12057397B2. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods employing sacrificial barrier layer for protection of vias during trench formation

Номер патента: US09799559B1. Автор: Xunyuan Zhang,Frank W. Mont,Douglas M. Trickett,Shariq Siddiqui,Brown Peethala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Etch stop layer for a metallization layer with enhanced etch selectivity and hermeticity

Номер патента: US20070096108A1. Автор: Matthias Lehr,Volker Kahlert,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Capping Layer For Liner-Free Conductive Structures

Номер патента: US20240355741A1. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Growth of high-performance III-nitride transistor passivation layer for GaN electronics

Номер патента: US09490356B2. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-08.

STRAINED AlGaInP LAYERS FOR EFFICIENT ELECTRON AND HOLE BLOCKING IN LIGHT EMITTING DEVICES

Номер патента: US20190035977A1. Автор: Parijat DEB,Theodore Chung,Lekhnath Bhusal. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Adhesion layer for through silicon via metallization

Номер патента: US20150050808A1. Автор: Artur Kolics. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Protective barrier layer for semiconductor device electrodes

Номер патента: EP1925028A2. Автор: Martin Standing,David P. Jones,Andrew N. Sawle,Martin Carroll. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-05-28.

Under-bump-metallurgy layer for improving adhesion

Номер патента: US20040113273A1. Автор: SU Tao,Ho-Ming Tong,Po-Jen Cheng,Jeng-Da Wu,Chun-Chi Lee,William Tze-You Chen,Chih-Huang Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Multi-film capping layer for a salicide process

Номер патента: US6462390B1. Автор: Shu-Jen Chen,Ming-Shing Chen,Jy-Hwang Lin,Kuen-Syh Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Semiconductor IC device including passivation layer for inactivating a dopant in a p-type semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119397B2. Автор: Younghwan Park,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Copper doped transition layer for improving copper interconnection reliability

Номер патента: EP1351291A3. Автор: Qing-Tang Jiang,Robert Tsu,Kenneth D. Brennan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-12-15.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Deposition process for iodine-doped ruthenium barrier layers

Номер патента: US20080102632A1. Автор: Adrien R. Lavoie,Juan E. Dominguez,Harsono S. Simka,John J. Plombon,Joseph H. Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product

Номер патента: EP2150984A2. Автор: Thomas J. Taylor,Pramod K. Sharma. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-10.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Package structure with a barrier layer

Номер патента: US20240297138A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structrure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150333021A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,An-Chi KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Transistor having a back-barrier layer and method of making the same

Номер патента: US09455341B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Chih-Wen Hsiung,Po-Chun Liu,Ming-Chang Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09418951B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Reui Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Composite free layer for magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20180350416A1. Автор: Young-Suk Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: EP4367723A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-05-15.

Interconnect structure with hybrid barrier layer

Номер патента: US20230253330A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US12046662B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods of forming metal interconnections including thermally treated barrier layers

Номер патента: US6077772A. Автор: Sung-Tae Kim,In-Seon Park,Won-Goo Hur,Du-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Interconnect structure with hybrid barrier layer

Номер патента: US11652055B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Interconnect structure with hybrid barrier layer

Номер патента: US20220415798A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20230268425A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Preweakened on chip metal fuse using dielectric trenches for barrier layer isolation

Номер патента: US20020070393A1. Автор: Edward Harris,Frank Hui. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: US20240313101A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for providing doped silicon using a diffusion barrier layer

Номер патента: US12125705B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph R. Abel,Gengwei Jiang,Tengfei MIAO. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for depositing a diffusion barrier layer and a metal conductive layer

Номер патента: US09991157B2. Автор: Hong Zhang,ZHENG Xu,Barry L. Chin,Peijun Ding,Gongda Yao,Tony Chiang,Fusen E. Chen,Gene Y. Kohara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Substrate including selectively formed barrier layer

Номер патента: US09754823B2. Автор: Brian M. ERWIN,Christopher L. Tessler,Nicholas A. Polomoff,Matthew E. SOUTER,Jennifer D. Schuler,Yuri M. Brovman. Владелец: SUSS MicroTec Photonic Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Substrate including selectively formed barrier layer

Номер патента: US09748135B2. Автор: Brian M. ERWIN,Christopher L. Tessler,Nicholas A. Polomoff,Matthew E. SOUTER,Jennifer D. Schuler,Yuri M. Brovman. Владелец: SUSS MicroTec Photonic Systems Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming an integrated circuit device including a pillar capped by barrier layer

Номер патента: US09627339B2. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin film transfer using substrate with etch stop layer and diffusion barrier layer

Номер патента: US20240379792A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Stacked image sensor having a barrier layer

Номер патента: US09536920B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Cheng-Ying Ho,Shih Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US09484449B2. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Radiation detector with stacked barrier layers and method of forming the same

Номер патента: US09459355B1. Автор: Faisal Saeed,Gregory Scott Zeman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin-film transistor (TFT), manufacturing method thereof, array substrate, display device and barrier layer

Номер патента: US09331165B2. Автор: XIANG Liu,Gang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Electrode for semiconductor device including an alloy wiring layer for reducing defects in an aluminum layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US6066891A. Автор: Hiroyuki Yamane,Yoshihiko Isobe,Takeshi Yamauchi,Atsushi Komura,Tooru Yamaoka. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Field effect transistor with dual etch-stop layers for improved power, performance and reproducibility

Номер патента: US8288260B1. Автор: Allen W. Hanson. Владелец: MA Com Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Composite free layer for magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20180351087A1. Автор: Young-Suk Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-06.

Adhesion layer for forming nanowires in anodic aluminum oxide layer

Номер патента: US20220393329A1. Автор: Yali Zhang,Bethanie Joyce Hills Stadler,Rhonda Franklin,Joseph Um,Rashaunda Henderson. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for producing a metallization having two multiple alternating metallization layers for at least one contact pad and semiconductor wafer having said metallization for at least one contact pad

Номер патента: US20120080794A1. Автор: Victor Sidorov,Joachim Wuerfl,Rimma Zhytnytska. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2012-04-05.

Barrier layer on a piezoelectric-device pad

Номер патента: US12035104B2. Автор: Chih-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Mosfet device featuring a superlattice barrier layer and method

Номер патента: US20090032802A1. Автор: Ravindranath Droopad,Matthias Passlack,Karthik Rajagopalan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers

Номер патента: US20130221373A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor package with barrier layer

Номер патента: US20210225772A1. Автор: Sanguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor package with barrier layer

Номер патента: US20220189881A1. Автор: Sanguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor die including diffusion barrier layers embedding bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20210375790A1. Автор: Noriaki Oda,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for manufacturing electronic component for heterojunction provided with buried barrier layer

Номер патента: US10522648B2. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-31.

RF high-electron-mobility transistors including group III-N stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US11710785B2. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying parasitic leakage barrier layer

Номер патента: US20140084246A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

System and method for monitoring copper barrier layer preclean process

Номер патента: US8367545B2. Автор: Cheng-Hui Weng,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

System and method for monitoring copper barrier layer preclean process

Номер патента: US20120299184A1. Автор: Cheng-Hui Weng,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Multiple barrier layer encapsulation stack

Номер патента: EP3221883A1. Автор: Jean-Christophe Giron,Avanti M. JAIN. Владелец: Sage Electrochromics Inc. Дата публикации: 2017-09-27.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer

Номер патента: US20030036223A1. Автор: Michael Nuttall,Randhir Thakur,Garry Mercaldi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Ulsi micro-interconnect member having ruthenium electroplating layer on barrier layer

Номер патента: US20100314766A1. Автор: Toru Imori,Junnosuke Sekiguchi,Takashi Kinase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Selective Deposition of Barrier Layer

Номер патента: US20240266211A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing electronic component for heterojunction provided with buried barrier layer

Номер патента: US20190109209A1. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Barrier layer on a piezoelectric-device pad

Номер патента: US20240314500A1. Автор: Chih-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Barrier layers in trenches and vias

Номер патента: US09984923B2. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having a barrier layer

Номер патента: US09972572B2. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Copper interconnect structure with manganese oxide barrier layer

Номер патента: US09947579B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Optoelectronic semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US09768351B2. Автор: Tsung-Hsien Liu,Shih-Chang Lee,Rong-Ren LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

LED die with barrier layer

Номер патента: US09755112B2. Автор: Tzu-Chien Hung,Chien-Shiang Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: US09646876B2. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Self-aligned repairing process for barrier layer

Номер патента: US09640428B2. Автор: Mei-Ling Chen,Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer

Номер патента: US09608055B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Interconnect structure with barrier layer

Номер патента: US09601371B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotrophy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US09548441B2. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Solar cell made using a barrier layer between P-type and intrinsic layers

Номер патента: US09537038B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

III-V MOSFETs with halo-doped bottom barrier layer

Номер патента: US09530860B2. Автор: Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure

Номер патента: US09466761B2. Автор: Joo Won Choi,Gyu Beom Kim,Sang Joon Lee,Dong Seon LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated device comprising via with side barrier layer traversing encapsulation layer

Номер патента: US09466554B2. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Interconnect structure with capping layer and barrier layer

Номер патента: US09455182B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for forming cobalt barrier layer and metal interconnection process

Номер патента: US09449872B1. Автор: TONG Lei,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Use of stop layer for chemical mechanical polishing of CU damascene

Номер патента: US6051496A. Автор: Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-04-18.

An etch stop layer for a metallization layer with enhanced adhesion, etch selectivity and hermeticity

Номер патента: US20070099010A1. Автор: Matthias Lehr,Volker Kahlert,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a back barrier layer

Номер патента: US11855199B2. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

In situ selective etching and selective regrowth of epitaxial layer for surface recombination velocity reduction in light emitting diodes

Номер патента: US11869922B2. Автор: James Ronald Bonar,Gareth VALENTINE,Anurag Tyagi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20220384630A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Diffusion barrier layers

Номер патента: WO2010085685A2. Автор: Steven T. Mayer,Roey Shaviv,Ronald A. Powell,Thomas W. Mountsier. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20240088284A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming graphene barrier layer for semiconductor device and contact structure formed by the same

Номер патента: US20230081962A1. Автор: Won Jun Yoon,Jee Hye Park,Dong Woo Kim,Tae Sung Kim,Jin Ho Jeon,Hong Ki PARK,Woo Hoon SUN,Keon Jung LEE. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same

Номер патента: US20020094652A1. Автор: Salman Akram,Scott Meikle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Diffusion barrier layers

Номер патента: WO2010085685A3. Автор: Steven T. Mayer,Roey Shaviv,Ronald A. Powell,Thomas W. Mountsier. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2010-10-28.

Methods of forming an amorphous silicon layer for thin film solar cell applications

Номер патента: WO2011049658A1. Автор: Shuran Sheng,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Ru Liner above a Barrier Layer

Номер патента: US20240234204A9. Автор: Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Zhaoxuan WANG,Anand Nilakantan IYER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Organic x-ray detector with barrier layer

Номер патента: EP3071994A1. Автор: Gautam Parthasarathy,Jie Jerry Liu,Aaron Judy Couture,Ri-an Zhao,Kwang Hyup An. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-09-28.

Organic x-ray detector with barrier layer

Номер патента: WO2015076907A1. Автор: Gautam Parthasarathy,Jie Jerry Liu,Aaron Judy Couture,Ri-an Zhao,Kwang Hyup An. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Diamond barrier layer

Номер патента: US20030064588A1. Автор: Zhihai Wang,Wilbur Catabay. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for fabricating a barrier layer

Номер патента: US20020055269A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Schrems,Anke Krasemann,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Self-organizing barrier layer disposed between a metallization layer and a semiconductor region

Номер патента: US20170154813A1. Автор: Werner Robl,Klemens Pruegl,Michael Nelhiebel,Carsten Schaeffer,Michael Fugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Optoelectronic semiconductor chip comprising a multi-quantum well comprising at least one high barrier layer

Номер патента: US09722140B2. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Selective repairing process for barrier layer

Номер патента: US09514928B2. Автор: Mei-Ling Chen,Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Barrier layer for fine-pitch mask-based substrate bumping

Номер патента: US7776734B2. Автор: Ravi K. Nalla,Mark S. Hlad,Christine H. Tsau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-08-17.

Integrated barrier and seed layer for copper interconnect technology

Номер патента: US7300869B2. Автор: Peter A. Burke,Sey-Shing Sun,Byung-Sung L. Kwak. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2007-11-27.

Metal gate with PVD amorphous silicon layer and barrier layer for CMOS devices and method of making with a replacement gate process

Номер патента: US6642590B1. Автор: Qi Xiang,Paul R. Besser,Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-04.

Methods for fabricating CVD TiN barrier layers for capacitor structures

Номер патента: US6010940A. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-04.

Methods of forming copper-based nitride liner/passivation layers for conductive copper structures and the resulting device

Номер патента: US20140217588A1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan,Sean Lin,Ming He,Larry Zhao,John Iacoponi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

Microelectronic capacitor with barrier layer

Номер патента: US20030047770A1. Автор: Wong-Cheng Shih,Tai Wu,Chich Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof

Номер патента: WO2006121604A2. Автор: Hong Zhang,Praburam Gopalraja,Yoichiro Tanaka,Hua Chung,Jianming Fu,Jick Yu,Jenn Yue Wang,Wel D. Wang,Rongjium Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2006-11-16.

Barrier layer circuit element and method of forming

Номер патента: US3561106A. Автор: Thomas D Mcgee. Владелец: University of Iowa Research Foundation UIRF. Дата публикации: 1971-02-09.

Memory device with barrier layer

Номер патента: WO2007019027A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-15.

Memory device with barrier layer

Номер патента: EP1917685A1. Автор: Satoshi Torii,Lei Xue,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-07.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US12062573B2. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming metal contacts in the barrier layer of a group III-N HEMT

Номер патента: US09818839B2. Автор: Yoshikazu Kondo,Shoji Wada,Masahiro Iwamoto,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Integration of ALD barrier layer and CVD Ru liner for void-free Cu filling

Номер патента: US09607888B2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Maekawa,Toshio Hasegawa,Fumitaka Amano,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Manabu OIE,Steven CONSIGLIO,Gert J. Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for barrier layer removal

Номер патента: US09514953B2. Автор: Srinivas D. Nemani,He REN,Mehul Naik,Chia-Ling Kao,Sean Kang,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming metal contacts in the barrier layer of a group III-N HEMT

Номер патента: US09443737B2. Автор: Yoshikazu Kondo,Shoji Wada,Masahiro Iwamoto,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Diffusion isolation layer for maskless cladding process

Номер патента: CA1267990A. Автор: Ananda H. Kumar,Robert W. Nufer,Lester W. Herron. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-04-17.

Barrier layer for preventing aluminum diffusion

Номер патента: US20230377879A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Chi-Chou Lin,Tianyi Huang,Elizabeth Mao,Tengzhou Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming a barrier layer for through via applications

Номер патента: WO2019036158A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-21.

Barrier layer for dielectric recess mitigation

Номер патента: US20240088217A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming a barrier layer for use in a copper interconnect

Номер патента: EP1033745B1. Автор: Brian G. Anthony,Sam S. Garcia,Bradley P. Smith,Dean J. Denning,Gregory Norman Hamilton,Daniel J. Loop,Md. Rabiul Islam. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-10-11.

Barrier layer for preventing aluminum diffusion

Номер патента: WO2023225138A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Chi-Chou Lin,Tianyi Huang,Elizabeth Mao,Tengzhou Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Interconnects with Sidewall Barrier Layer Divot Fill

Номер патента: US20240194587A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Barrier Layer Removal Method and Apparatus

Номер патента: US20140053978A1. Автор: HUI Wang,Jian Wang,Zhaowei Jia,Liangzhi Xie,Junping Wu. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Method having resistive memory crossbar array employing selective barrier layer growth

Номер патента: US10950787B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory devices including barrier layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060077743A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Interconnect structure having a barrier layer along the sidewall of self-aligned via structures

Номер патента: US12046551B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Barrier layer above anti-punch through (APT) implant region to improve mobility of channel region of fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09953836B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Hsueh-Chang Sung,Tsung-Yao Wen,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

III-V NFETs including channel barrier layers to reduce band-to-band leakage current

Номер патента: US09685529B1. Автор: Zoran Krivokapic,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate

Номер патента: US09390908B2. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2016-07-12.

Formation of a barrier layer for tungsten damascene interconnects by nitrogen implantation of amorphous silicon or polysilicon

Номер патента: US6166428A. Автор: Sunil D. Mehta,William G. En,Darin Arthur Chan,Raymond Takling Lee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Method for forming a tungsten plug and a barrier layer in a contact of high aspect ratio

Номер патента: US5990004A. Автор: Yu-Ru Yang,Horng-Bor Lu,Jenn-Tarng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Fabricating method of a barrier layer

Номер патента: US6025264A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Yimin Huang,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-02-15.

Cdte based thin film solar cell device with diffusion barrier layer and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024077583A1. Автор: SHOU PENG,Marko Swoboda,Xinjian Yin,Ganhua FU,Liyun MA,Robert Arndt. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Layer structure including diffusion barrier layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764156B2. Автор: Jaeho Lee,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Stress management layer for gan hemt

Номер патента: WO2023002466A3. Автор: Oleg Laboutin,Chen-Kai Kao,Felix KAESS. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-04-13.

Etch stop layer for silicon (Si) via etch in three-dimensional (3-D) wafer-to-wafer vertical stack

Номер патента: US20030205824A1. Автор: Sarah Kim,R. List,Tom Letson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US20210287994A1. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US11901413B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Light-emitting diode comprising at least one wider bandgap intermediate layer placed in at least one barrier layer of the light-emitting zone

Номер патента: US20190157505A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Armelle EVEN,Miryam Elouneg-Jamroz. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-23.

Diffusion barrier layer for source and drain structures to increase transistor performance

Номер патента: US20210336006A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Stress management layer for gan hemt

Номер патента: EP4374418A2. Автор: Oleg Laboutin,Chen-Kai Kao,Felix KAESS. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-05-29.

Cadmium stannate tco structure with diffusion barrier layer and separation layer

Номер патента: EP2433307A1. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Dale Roberts,Scott Mills. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Methods of forming metal ion barrier layers and resulting structures

Номер патента: US20240355766A1. Автор: Dian-Hau Chen,Yu-Bey Wu,Chih-Pin CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Precursors of manganese and manganese-based compounds for copper diffusion barrier layers and methods of use

Номер патента: US09916975B2. Автор: David Knapp,David Thompson,Feng Q. Liu,Ben-Li SHEU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Barrier layer stacks and methods and compositions thereof

Номер патента: US09752053B2. Автор: Ravi Prasad. Владелец: VITRIFLEX INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with multiple-functional barrier layer

Номер патента: US09583607B2. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods relating to a group III HFET with a graded barrier layer

Номер патента: US09525033B2. Автор: Miroslav Micovic,David F. Brown. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Barrier layer structure which prevents migration of silicon into an adjacent metallic layer and the method of fabrication of the barrier layer

Номер патента: US6156647A. Автор: Barry Hogan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Novel nitride barrier layer to prevent metal (Cu) leakage issue in a dual damascene structure

Номер патента: US20050153537A1. Автор: Yi-Lung Cheng,Ying-Lung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Process for forming improved titanium-containing barrier layers

Номер патента: US6007684A. Автор: Jianming Fu,Fusen Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Process for forming improved titanium-containing barrier layers

Номер патента: US5858184A. Автор: Jianming Fu,Fusen Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Stacked image sensor having a barrier layer

Номер патента: US10818720B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Cheng-Ying Ho,Shih-Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Solder structures including barrier layers with nickel and/or copper

Номер патента: US7839000B2. Автор: Glenn Rinne,J. Daniel Mis,Susan Bumgarner,Pooja Chilukuri,Christine Rinne,Gretchen Adema. Владелец: Unitive International Ltd. Дата публикации: 2010-11-23.

Heterojunction FET having barrier layer consisting of two layers between channel and buffer layers

Номер патента: US5550388A. Автор: Junzi Haruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Fabrication of a via plug having high aspect ratio with a diffusion barrier layer effectively surrounding the via plug

Номер патента: US6083842A. Автор: Sergey Lopatin,Robin Cheung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Thin film transistor having a barrier layer as a constituting layer and Cu-alloy sputtering target used for sputter film formation of the barrier layer

Номер патента: US8658009B2. Автор: Satoru Mori,Kenichi Yaguchi,Kazunari Maki,Yosuke Nakasato. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor memory device having a charge barrier layer for preventing soft error

Номер патента: US4961165A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Photovoltaic device barrier layer

Номер патента: WO2011123528A2. Автор: Yu Yang,Zhibo Zhao,Benyamin Buller,Annette Krisko,Keith J. Burrows. Владелец: FIRST SOLAR, INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Light emitting diode with a graded quantum barrier layer

Номер патента: US11764327B2. Автор: Xiaohang Li. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US20170309513A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Carrier barrier layer for tuning a threshold voltage of a ferroelectric memory device

Номер патента: US11769815B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20230369226A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Chi-Feng Lin,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US11784240B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Thin film transfer using substrate with etch stop layer and diffusion barrier layer

Номер патента: US11804531B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Reduced dark current photodetector with charge compensated barrier layer

Номер патента: US20220052221A9. Автор: Shimon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-17.

Reduced dark current photodetector with charge compensated barrier layer

Номер патента: US20170358701A1. Автор: Shimon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-14.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20170309777A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Thin film transfer using substrate with etch stop layer and diffusion barrier layer

Номер патента: EP3944297A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US20230361024A1. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device having a self-forming barrier layer at via bottom

Номер патента: USRE49820E1. Автор: Xunyuan Zhang,Ming He,Larry Zhao,Sean Xuan Lin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of fabricating a flexible photovoltaic film cell with an iron diffusion barrier layer

Номер патента: US20130074915A1. Автор: Hariklia Deligianni,Lubomyr T. Romankiw,Maurice Mason,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Lian GUO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US11776901B2. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Integrated circuit device including a copper pillar capped by barrier layer and method of forming the same

Номер патента: US20140124924A1. Автор: Wei Sen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Rram with a barrier layer

Номер патента: US20210184114A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Rram with a barrier layer

Номер патента: US20230217842A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Interconnect structure including single layer serving as both barrier layer and liner layer

Номер патента: US20230352409A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung,Yun-Chi Chiang,Cian-Yu CHEN,Tsu-Chun KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for forming package structure with a barrier layer

Номер патента: US20210035937A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20210296472A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Thin Film Transfer Using Substrate with Etch Stop Layer and Diffusion Barrier Layer

Номер патента: US20230369433A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Chen-Hao Chiang,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Rram with a barrier layer

Номер патента: US20200388755A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure

Номер патента: EP1976031A3. Автор: Joo Won Choi,Dong Sun Lee,Gyu Beom Kim,Sang Joon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-08.

Amorphous silicon photoconductive member including an intermediate composite barrier layer

Номер патента: CA1180220A. Автор: Shigeru Shirai,Junichiro Kanbe,Tadaji Fukuda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1985-01-02.

Barrier Layer On Polymer Passivation For Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20110012239A1. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Arvind Chandrasekaran,Urmi Ray. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor structure having a titanium barrier layer

Номер патента: US5926734A. Автор: James Austin Walls. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-07-20.

Copper interconnect structure with manganese oxide barrier layer

Номер патента: US10224241B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device with a copper barrier layer and formation thereof

Номер патента: US6093966A. Автор: John Mendonca,Jeffrey T. Wetzel,Sam S. Garcia,Gregory N. Hamilton,Ramnath Venkatraman,Tze W. Poon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11795550B2. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Selective conductive barrier layer formation

Номер патента: US20160233126A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200235214A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Transistor including a discontinuous barrier layer

Номер патента: US20230352424A1. Автор: Jia GUO,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of forming copper interconnect structure with manganese barrier layer

Номер патента: US20240006237A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Optoelectronic semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US20180006187A1. Автор: Tsung-Hsien Liu,Shih-Chang Lee,Rong-Ren LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device having germanium active layer with underlying parasitic leakage barrier layer

Номер патента: EP2901490A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Method of forming copper interconnect structure with manganese barrier layer

Номер патента: US11804405B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11830738B2. Автор: Ryu Nakano. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US8980650B2. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Method of forming a barrier layer in a contact structure

Номер патента: EP1010199A1. Автор: Seshadri Ramaswami,Kenny King-Tai Ngan,Barry Hogan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Perpendicular mtj stacks with magnetic anisotrophy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US20150194596A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor die including diffusion barrier layers embedding bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20210375791A1. Автор: Noriaki Oda,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Package structure with a barrier layer

Номер патента: US11984419B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20210254224A1. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Etching composition, a method of etching a metal barrier layer and a metal layer using the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20200087798A1. Автор: Jin Uk Lee,Jung Hun Lim,Hyosan Lee,Jinwoo Lee,Mihyun PARK,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jungah Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: EP1114449A1. Автор: Brian A. Vaartstra,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: US20160254181A1. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Self-aligned repairing process for barrier layer

Номер патента: US20150194343A1. Автор: Mei-Ling Chen,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh,Chung-Chi Ko,Hung-Yi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of fabricating a metal plug of a semiconductor device using a novel tin barrier layer

Номер патента: US20020016063A1. Автор: Ming-Shing Chen,Bill Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor package having composite seed-barrier layer and method of forming the same

Номер патента: US20240047308A1. Автор: Ming-Che Ho,Wei-Chung Chang,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Selective conductive barrier layer formation

Номер патента: WO2015130549A2. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-03.

Selective conductive barrier layer formation

Номер патента: EP3111473A2. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-04.

Selective deposition of barrier layer

Номер патента: US11948834B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Aluminum nitride barrier layer

Номер патента: WO2016137747A1. Автор: Deenesh Padhi,Alexandros T. Demos,He REN,Bhaskar Kumar,Srinivas Guggilla,Priyanka DASH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200251577A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Rf high-electron-mobility transistors including group iii-n stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: Comell University. Дата публикации: 2020-12-10.

Perpendicular mtj stacks including magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: EP2901506A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Nanoscale electronic device with barrier layers

Номер патента: US20120228575A1. Автор: Wei Yi,Jianhua Yang,Gilberto Medeiros Ribeiro. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-09-13.

Diffusion Barrier Layer

Номер патента: US20200357629A1. Автор: Steven C.H. Hung,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US09728598B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Display device with barrier layer disposed at pre-cutting position and manufacturing method thereof

Номер патента: US09337217B2. Автор: JIAN Li,Zhenwei Wang,Yuguang FAN,Jingpeng Li,Sunghun Song,Weixin Meng. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed

Номер патента: US7257143B2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers

Номер патента: US20060292864A1. Автор: Ming Xi,Michael Yang,Toshio Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Electrolyte and method for the electroplating of copper on a barrier layer, and semiconductor substrate obtained with said method

Номер патента: WO2011018478A1. Автор: Jose Gonzalez,Frédéric Raynal,Vincent Mevellec. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2011-02-17.

Method of forming an electrically conductive contact plug, method of forming a reactive or diffusion barrier layer over a substrate, integrated circuitry, and method of forming a layer of titanium boride

Номер патента: US5977636A. Автор: Sujit Sharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Method for depositing a copper seed layer onto a barrier layer

Номер патента: MY173728A. Автор: Dr Matthias Dammasch,Dr Marco Haryono,Sengul Karasahin,Dr Hans-Jurgen Schreier. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-02-18.

Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed

Номер патента: US20050129078A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers

Номер патента: US20050123015A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Method of forming barrier layer

Номер патента: US20050103750A1. Автор: Ching-Hua Chen,Yi-Chung Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Metalized substrate having a thin film barrier layer

Номер патента: CA1103811A. Автор: Robert E. Holmes,Robert R. Zimmerman. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1981-06-23.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface and an amorphous titanium carbonitride barrier layer

Номер патента: US6881667B2. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-19.

Barrier layers and aluminum contacts

Номер патента: US5378660A. Автор: Edith Ong,Kenny K. Ngan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1995-01-03.

Damascene process for forming coplanar top surface of copper connector isolated by barrier layers in an insulating layer

Номер патента: US6140237A. Автор: Lap Chan,Jia Zhen Zheng. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor interconnect structure having a graphene barrier layer

Номер патента: US10535559B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US20220238372A1. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Metal Interconnect Structures with Self-Forming Sidewall Barrier Layer

Номер патента: US20200294911A1. Автор: Chih-Chao Yang,Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Stabilized surface between a fluorosilicate glass dielectric and a liner/barrier layer

Номер патента: WO2002013234A3. Автор: Farhad Moghadam,Nirmalya Maity,Saad Hichem M,Nety M Krishna,Dana Tribula. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Ru liner above a barrier layer

Номер патента: WO2024086295A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Zhaoxuan WANG,Anand Nilakantan IYER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US11996443B2. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor Interconnect Structure Having a Graphene Barrier Layer

Номер патента: US20190259658A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: WO2022160139A8. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Plasma-based barrier layer removal method for increasing peak transconductance while maintaining on-state resistance and related devices

Номер патента: US20230395670A1. Автор: Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Kyoung-Keun Lee,Chris Hardiman. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor package or device with barrier layer

Номер патента: EP4369386A1. Автор: Lucrezia Guarino,Francesca Milanesi,Claudio ZAFFERONI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-15.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20160181471A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-23.

Ru Liner above a Barrier Layer

Номер патента: US20240136223A1. Автор: Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Wenting Hou,Zhaoxuan WANG,Anand Nilakantan IYER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor package or device with barrier layer

Номер патента: US20240162175A1. Автор: Lucrezia Guarino,Francesca Milanesi,Claudio ZAFFERONI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-16.

Diffusion barrier layers and methods of forming same

Номер патента: US6323081B1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Self-aligned via structures with barrier layers

Номер патента: US11251118B2. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Method for removing a diffusion barrier layer on pad regions

Номер патента: US5756376A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Dual hydrogen barrier layer for trench capacitors integrated with low density film for logic structures and methods of fabrication

Номер патента: US11955512B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Pratyush Pandey,Somilkumar J. Rathi,Jason Y. Wu. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

In-situ tungsten deposition without barrier layer

Номер патента: US20200243341A1. Автор: Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yong Wu,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Yumin He,Wenyi Liu,Jianqiu Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Resistive memory crossbar array employing selective barrier layer growth

Номер патента: US20200066982A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Resistive memory crossbar array employing selective barrier layer growth

Номер патента: US20200066983A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Dual hydrogen barrier layer for trench capacitors integrated with low density film for logic structures

Номер патента: US11961877B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Pratyush Pandey,Somilkumar J. Rathi,Jason Y. Wu. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Dual hydrogen barrier layer for memory devices integrated with low density film for logic structures and methods of fabrication

Номер патента: US11844225B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Composite barrier layers

Номер патента: US20240006235A1. Автор: FENG CHEN,Jiajie Cen,Zheng JU,Jeffrey W. Antis,Bengamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Barrier layer made of a curable resin containing polymeric polyol

Номер патента: EP1470191A1. Автор: Heiner Bayer,Hermann Calwer,Dieter Dlugosch,Gudrun KÜHNE. Владелец: Shell Solar GmbH. Дата публикации: 2004-10-27.

Tungsten Deposition Without Barrier Layer

Номер патента: US20200027738A1. Автор: Srinivas Gandikota,Yihong Chen,Yong Wu,Chia Cheng Chin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of fabricating a multilayered dielectric diffusion barrier layer

Номер патента: US7470597B2. Автор: Elbert E. Huang,Jeffrey C. Hedrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Method for determining relaxation degree of nitrid heterostructure barrier layer

Номер патента: RU2624604C1. Автор: Олег Альбертович Рубан,Андрей Николаевич Алёшин,Наталия Александровна Юзеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2017-07-04.

Etching solution and method for manufacturing conducting lug by selectively removing barrier layer with the same

Номер патента: CN100421216C. Автор: 孔令臣,邱绍玲,詹忠荣. Владелец: UNITIVE SEMICONDUCTOR TAIWAN CORP. Дата публикации: 2008-09-24.

Electronic devices having bilayer capping layers and/or barrier layers

Номер патента: US10877582B2. Автор: Francois Dary,Barbara Cox,Helia JALILI. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2020-12-29.

Method for improving conformity and contact bottom coverage of sputtered titanium nitride barrier layers

Номер патента: US5833817A. Автор: Chen-Hua Douglas Yu,Chia Shiung Tsai,Ying Yin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230411484A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Precursors Of Manganese And Manganese-Based Compounds For Copper Diffusion Barrier Layers And Methods Of Use

Номер патента: US20180204721A1. Автор: David Knapp,David Thompson,Feng Q. Liu,Ben-Li SHEU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Alloy diffusion barrier layer

Номер патента: WO2019060496A1. Автор: Christopher Daniel Manack,Salvatore Frank PAVONE,Nazlia DADVAND. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-03-28.

Methods for forming planarized hermetic barrier layers and structures formed thereby

Номер патента: WO2012067955A3. Автор: Sean King,Hui Jae Yoo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4248491A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor Device with Multiple-Functional Barrier Layer

Номер патента: US20170018638A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022108793A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-27.

Alloy diffusion barrier layer

Номер патента: US20190088608A1. Автор: Nazila Dadvand,Christopher Daniel Manack,Salvatore Frank PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Methods for forming planarized hermetic barrier layers and structures formed thereby

Номер патента: WO2012067955A2. Автор: Sean King,Hui Jae Yoo. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-05-24.

Device and method for III-V light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: US11495714B2. Автор: Qian Fan,Hussein El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Electrolyte and Deposition of a Copper Barrier Layer in a Damascene Process

Номер патента: US20230282485A1. Автор: Louis Caillard,Paul Blondeau. Владелец: Aveni SA. Дата публикации: 2023-09-07.

3d-stacked transistor structure with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: US20240243172A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A2. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A3. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Encapsulating composition, barrier layer including same, and encapsulated apparatus including same

Номер патента: US09598582B2. Автор: Ji Yeon Lee,Seong Ryong Nam,Seung Jib Choi,Kyoung Jin Ha,Yeon Soo Lee,Chang Min Lee,Ji Hye KWON,Min Haeng CHO. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Photocurable composition, barrier layer including same, and encapsulated device including same

Номер патента: US09562123B2. Автор: Seung Jib Choi,Kyoung Jin Ha,Yeon Soo Lee,Chang Min Lee,Ji Hye KWON. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material

Номер патента: US6939801B2. Автор: Ling Chen,Vincent W. Ku,Hua Chung,Michael X. Yang,Gongda Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Conductive contact having barrier layers with different depths

Номер патента: US11929328B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Barrier layer conformality in copper interconnects

Номер патента: US20140252617A1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US20160300906A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Multi-level hydrogen barrier layers for memory applications

Номер патента: US11871584B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Dual hydrogen barrier layer for memory devices

Номер патента: US11869928B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Conductive and insulative hydrogen barrier layer for memory devices

Номер патента: US11844203B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Conductive contact having barrier layers with different depths

Номер патента: US20240079332A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Dual hydrogen barrier layer for memory devices

Номер патента: US20230187476A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US20170317164A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Multi-level hydrogen barrier layers for memory applications and methods of fabrication

Номер патента: US12010854B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor devices containing copper bonding pads with different conductive barrier layers and methods for forming the same

Номер патента: US20230361066A1. Автор: Lin Hou,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices containing copper bonding pads with different conductive barrier layers and methods for forming the same

Номер патента: US20230361061A1. Автор: Kensuke Ishikawa,Fumitaka Amano,Shingo Totani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Doping of metal barrier layers

Номер патента: WO2021225884A1. Автор: FENG CHEN,Lu Chen,Gang Shen,Xianmin Tang,Tae Hong Ha,Christina L. Engler. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-11.

Indium gallium zinc oxide layers for thin film transistors

Номер патента: US09502242B2. Автор: Soo Young Choi,John M. White,Tae Kyung Won,Jung-Chi (Eric) LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for depositing copper onto a barrier layer

Номер патента: US6416812B1. Автор: Panayotis Andricacos,Milan Paunovic,Fenton Read Mcfeely,Steven H. Boettcher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-09.

Method for providing fluorine barrier layer between conductor and insulator for degradation prevention

Номер патента: US6066577A. Автор: Thomas L. McDevitt,Anthony K. Stamper,Edward C. Cooney, III,Hyun K. Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Interconnect with Self-Forming Wrap-All-Around Barrier Layer

Номер патента: US20200243383A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Alfred Grill,James Kelly,Huai HUANG,Christian Lavoie,Nicholas A. Lanzillo,Prasad Bhosale,Devika Sil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20200388499A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20200144065A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20210343535A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Interconnect Structure Having a Carbon-Containing Barrier Layer

Номер патента: US20230107176A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Display device including multi-portion barrier layer

Номер патента: US11785796B2. Автор: Min-Sung Kim,Hyoyul Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Device and Method for III-V Light Emitting Micropixel Array Device Having Hydrogen Diffusion Barrier Layer

Номер патента: US20190378957A1. Автор: Qian Fan,Hussein S. El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Interconnect structure having a carbon-containing barrier layer

Номер патента: US11908697B2. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

High senstivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer and a method of producing the imaging device

Номер патента: WO1992006501A3. Автор: Richard Joseph Saia,Robert Forrest Kwasnick,Ching-Yeu Wei,Jack Dean Kingsley. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-06-11.

Organic electronic devices having external barrier layer

Номер патента: EP1866986A1. Автор: Jie Liu,Donald Franklin Foust,William Francis Nealon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-12-19.

Device and method for iii-v light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: EP3807939A1. Автор: Qian Fan,Hussein S. El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Device and method for iii-v light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: US20220090266A1. Автор: Qian Fan,Hussein El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Device and method for iii-v light emitting micropixel array device having hydrogen diffusion barrier layer

Номер патента: WO2019241159A1. Автор: Qian Fan,Hussein S. El-Ghoroury,Kameshwar Yadavalli,Andrew Teren. Владелец: OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of using an electroless plating for depositing a metal seed layer for the subsequent plated backside metal film

Номер патента: US8003532B2. Автор: Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

Method of using an electroless plating for depositing a metal seed layer for the subsequent plated backside metal film

Номер патента: US20110059610A1. Автор: Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Method for Producing the Rear Contact Layer for CdTe Thin-Film Solar Cells

Номер патента: US20160260853A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,SHOU PENG,Bettina Späth. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2023183692A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20230307336A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Cap layer for pad oxidation prevention

Номер патента: US20240243080A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Harry-HakLay Chuang,Chih-Peng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Process for producing a scattering layer for electromagnetic radiation and scattering layer for scattering electromagnetic radiation

Номер патента: US09945989B2. Автор: Daniel Steffen Setz,Angela Eberhardt,Christina Wille,Manfred Deisenhofer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing the rear contact layer for CdTe thin-film solar cells

Номер патента: US09640678B2. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,SHOU PENG,Bettina Späth. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

METAL FILLER, SEPARATING p- AND n-TYPE LAYERS, FOR LIGHT-EMITTING DIODES MOUNTED BY FLIP-CHIP METHOD

Номер патента: RU2597071C2. Автор: Цзипу ЛЭЙ,Яцзюнь ВЭЙ,Александер Х. НИКЕЛ,Стефано СЧИАФФИНО,Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Front electrode with layer of thin metal film and high-work function buffer layer for use in photovoltaic device and production method thereof

Номер патента: RU2435251C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-11-27.

INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING DIRECTLY COUPLED METAL LINES BETWEEN VERTICALLY-ADJACENT INTERCONNECT LAYERS FOR REDUCED COUPLING RESISTANCE, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20240203866A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: EP2929567A1. Автор: Xi Zhu,Michael Cudzinovic,Junbo Wu. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: WO2014089103A1. Автор: Xi Zhu,Michael Cudzinovic,Junbo Wu. Владелец: Junbo Wu. Дата публикации: 2014-06-12.

Integrated circuits (ics) employing directly coupled metal lines between vertically-adjacent interconnect layers for reduced coupling resistance, and related methods

Номер патента: EP4402720A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: EP2936561A1. Автор: Xi Zhu,David D. Smith,Michael Cudzinovic,Richard Hamilton SEWELL,Seung Bum Rim,Michael C. Johnson,Xiuwen Tu,Junbo Wu. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2015-10-28.

Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: WO2014099322A1. Автор: Xi Zhu,David D. Smith,Michael Cudzinovic,Richard Hamilton SEWELL,Seung Bum Rim,Michael C. Johnson,Xiuwen Tu,Junbo Wu. Владелец: Behnke, Joseph. Дата публикации: 2014-06-26.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Photodefinable alignment layer for chemical assisted patterning

Номер патента: EP3238234A1. Автор: Todd R. Younkin,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Marie KRYSAK,Rami HOURANI,Eungnak Han,Michael J. Leeson,Ernisse S. Putna. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Methods for forming barrier/seed layers for copper interconnect structures

Номер патента: US09926639B2. Автор: Hoon Kim,Seshadri Ganguli,Wei Ti Lee,Sang Ho Yu,Hyoung-Chan Ha,Sang Hyeob Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Passivation layers for organic electronic devices including polycycloolefinic polymers allowing for a flexible material design

Номер патента: US09691985B2. Автор: Paul Craig Brookes,Stephen Bain,Tomas Backlund,Irina Afonina. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-06-27.

Transistor fabrication technique including sacrificial protective layer for source/drain at contact location

Номер патента: US09633835B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for forming FinFETS having a capping layer for reducing punch through leakage

Номер патента: US09595583B2. Автор: Hoon Kim,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Epitaxial buffer layers for group III-N transistors on silicon substrates

Номер патента: US09583574B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

A routing layer for mitigating stress in a semiconductor die

Номер патента: EP2471096A1. Автор: Gabriel Wong,Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-07-04.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20090321744A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-12-31.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20040140468A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US8178882B2. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-15.

Stress buffer layer for integrated microelectromechanical systems (mems)

Номер патента: US20150266728A1. Автор: Thorsten Meyer,Christian Mueller,Christian Geissler,Gerald Ofner,Reinhard Mahnkopf,Andreas Augustin. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Method for Forming a Protective Layer for Use In Packaging a Semiconductor Die

Номер патента: US20040183163A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin,Mike Connell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of forming strain-causing layer for mos transistors and process for fabricating strained mos transistors

Номер патента: US20090111272A1. Автор: Pei-Lin Kuo,Huo-Tieh Lu,Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Automatic production system and production process of a conductive backsheet with integrated encapsulating and dielectric layer for photovoltaic panels

Номер патента: US09711676B2. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2017-07-18.

Core-shell nickel alloy composite particle metallization layers for silicon solar cells

Номер патента: US09698283B2. Автор: Stephen T. Connor,James Randy GROVES,Brian E. Hardin,Craig H. Peters. Владелец: Plant PV Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Interface layer for gate stack using O3 post treatment

Номер патента: US09698234B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of using aluminum layer as etching stop layer for patterning a platinum layer

Номер патента: US09580297B2. Автор: Jeng-Ho Wang,Hsin-Yi Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Stress buffer layer for integrated microelectromechanical systems (MEMS)

Номер патента: US09550670B2. Автор: Thorsten Meyer,Christian Mueller,Christian Geissler,Gerald Ofner,Reinhard Mahnkopf,Andreas Augustin. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming a germanium channel layer for an NMOS transistor device, NMOS transistor device and CMOS device

Номер патента: US09478544B2. Автор: Liesbeth Witters,Roger Loo,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-10-25.

Redistribution layers for microfeature workpieces, and associated systems and methods

Номер патента: US09418970B2. Автор: David Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Photo-conductor layer for constituting radiation image panels

Номер патента: EP1702970A3. Автор: Motoyuki Takanaka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Embedded organic stop layer for dual damascene patterning

Номер патента: SG141207A1. Автор: Yi Xu,Sudipto Ranendra Roy,Paul Ho Kwok Keung,Subhash Gupta,Simon Chooi,Yakub Aliyu,Sheng Zhou Mei,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Photo-imaged stress management layer for semiconductor devices

Номер патента: US20060199282A1. Автор: James Guenter,Robert Hawthorne,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Corrosion and/or etch protection layer for contacts and interconnect metallization integration

Номер патента: US20180182708A1. Автор: Vishal Chhabra,Dinesh Koli,Shafaat Ahmed,Benjamin G. Moser,Vimal Kumar Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Protective layer for a semiconductor device

Номер патента: EP1214740A1. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski,Jan Szmidt. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2002-06-19.

Passivation layer for group iii-v semiconductor devices

Номер патента: WO2004095517A2. Автор: Andrew N. Macinnes,Martha R. Krueger. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2004-11-04.

Photo-conductor layer for constituting radiation imaging panels

Номер патента: US7566880B2. Автор: Motoyuki Tanaka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

CONSTRUCTING CMOS VERTICALLY MODULATED WELLS BY CLUSTERED MeV BURIED IMPLANTED LAYER FOR LATERAL ISOLATION

Номер патента: WO1996016439A1. Автор: John O. Borland. Владелец: Genus, Inc.. Дата публикации: 1996-05-30.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Glass substrates having partially embedded conductive layers for power delivery in semiconductor packages and related methods

Номер патента: EP4156256A1. Автор: Aleksandar Aleksov,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Kuwawi Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Optical marker layer for etch endpoint determination

Номер патента: US20020192845A1. Автор: Li-Qun Xia,Ellie Yieh,Yunsang Kim,Huong Nguyen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Photo-conductive layer for constituting a radiation imaging panel

Номер патента: US20050214582A1. Автор: Kiyoteru Miyake. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-29.

Voltage-sustaining layer for semiconductors

Номер патента: US20230108349A1. Автор: Haimeng HUANG,Xinghao TONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of forming interfacial layers for high-k gates by ozone oxidation

Номер патента: WO2004012237A3. Автор: Yoshihide Senzaki,Robert Herring. Владелец: Aviza Technology. Дата публикации: 2004-09-10.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Redistribution layer for substrate contacts

Номер патента: US09899465B2. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: US09806083B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US20170317360A1. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US09853298B2. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US09583771B2. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Corrosion resistant barrier layer for a solid oxide fuel cell stack and method of making thereof

Номер патента: US20180047999A1. Автор: Emad El Batawi,Shailendra Parihar,Anita Pradeep HOTHUR. Владелец: Bloom Energy Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Iridium-manganese-based tunnel magnetoresistance sensing element with tantalum-nitride buffer layer for increased thermal stability

Номер патента: US20240302459A1. Автор: Bernhard Endres. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Assembly of aluminium electrodes and barrier layers for super capacitor embedding a standard capacitor and having improved resistance to corrosion

Номер патента: WO2024088780A8. Автор: David Morgan Thomas,Steen Yde-Andersen,Jorgen Schjerning Lundsgaard,Steffen Thrane VINDT. Владелец: Innocell Aps. Дата публикации: 2024-07-11.

Fe-x templating layers for growth of perpendicularly magnetized heusler films on top of a tunnel barrier

Номер патента: US20240347089A1. Автор: Jaewoo JEONG,Panagiotis Charilaos Filippou,Chirag Garg,Mahesh Govind Samant,Tiar Ikhtiar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Motor lead with heat deflecting layer for submersible well pump

Номер патента: US09958104B2. Автор: Leslie C. Reid,Ty L. Baker. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Barrier layer for thin film battery

Номер патента: US09799914B2. Автор: Prantik Mazumder,Bruce Gardiner Aitken,Mark Alejandro Quesada,Todd Parrish St. Clair,James R Lim. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of producing sofc cathode diffusion barrier layer and sofc

Номер патента: RU2656436C2. Автор: Микко РИТАЛА,Маркку ЛЕСКЕЛЯ,Энн ЁУНПУУ,Юхан СУББИ,Санни СЕППЯЛЯ,Яакко НИЙНИСТЕ. Владелец: Элкоген Ас. Дата публикации: 2018-06-05.

Solid oxide fuel cell stack having a barrier layer for limiting chemical reactions and associated method thereof

Номер патента: US11955671B2. Автор: Todd Michael Striker,Matthew Joseph Alinger,Nicole Virginia Gonyeau,Simon William Gaunt. Владелец: Cummins Enterprise LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Capacitor using niobium base anode and niobium pentoxide base barrier layer

Номер патента: RU2284602C2. Автор: Карлхайнц РАЙХЕРТ,Кристоф ШНИТТЕР. Владелец: Х. К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2006-09-27.

Amorphous spin diffusion layer for modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194515A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Assembly of aluminium electrodes and barrier layers for super capacitor embedding a standard capacitor and having improved resistance to corrosion

Номер патента: WO2024088780A1. Автор: David Morgan Thomas,Steen Yde-Andersen,Jorgen Schjerning Lundsgaard,Steffen Thrane VINDT. Владелец: Innocell Aps. Дата публикации: 2024-05-02.

Membrane Electrode Assembly with a Selectively Permeable Barrier Layer

Номер патента: US20230311075A1. Автор: Roger TOCCHETTO,Lee BARNES. Владелец: Kraton Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Encapsulated substrate resistor comprising two side barrier layers

Номер патента: EP4401096A1. Автор: Chi-Yu Lu,Shun-Ho Kuo. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate

Номер патента: WO2013190269A1. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2013-12-27.

Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate

Номер патента: EP2861778A1. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2015-04-22.

Method and Device for Manufacturing a Barrier Layer on a Flexible Substrate

Номер патента: US20150184300A1. Автор: Hindrik De Vries,Serguei STAROSTINE. Владелец: FUJIFILM MANUFACTURING EUROPE BV. Дата публикации: 2015-07-02.

Hydrogen permeation barrier layer

Номер патента: RU2488645C2. Автор: Юрген РАММ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2013-07-27.

Magnetoresistive structure having a novel specular and barrier layer combination

Номер патента: US7684160B1. Автор: Chang-Man Park,Shin Funada,Dustin Erickson,Lena Miloslavsky. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2010-03-23.

Barrier layer for corrosion protection in electrochemical devices

Номер патента: CA2897408C. Автор: Alessandro Ghielmi,Jens-Peter SUCHSLAND,Pia Braun. Владелец: Greenerity GmbH. Дата публикации: 2021-09-14.

Optimized free layer for spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US20110169111A1. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge,Jonathan Z. Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Membrane electrode assembly having protective barrier layer

Номер патента: EP2111665A1. Автор: Tommy Skiba,Sathya Motupally,Shruti Modi Gupta. Владелец: UTC Power Corp. Дата публикации: 2009-10-28.

Membrane electrode assembly having protective barrier layer

Номер патента: WO2008051223A1. Автор: Tommy Skiba,Sathya Motupally,Shruti Modi Gupta. Владелец: UTC Power Corporation. Дата публикации: 2008-05-02.

Semiconductor laser device having InGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers and InGaP optical waveguide layers

Номер патента: EP1220393A3. Автор: Toshiaki c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Fukunaga,Tsuyoshi c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Ohgoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-02.

High temperature solid oxide cell comprising diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180166692A1. Автор: Jong Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Byung Kook Kim,Hae-Weon Lee,Ji-Won Son,Kyung Joong YOON,Mansoo Park,Hyoungchul Kim,Jongsup Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor laser device having inGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers, and InGaP optical waveguide layers

Номер патента: US20020122447A1. Автор: Toshiaki Fukunaga,Tsuyoshi Ohgoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Niobium base barrier-layer anode and capacitor built around it

Номер патента: RU2284069C2. Автор: Карлхайнц РАЙХЕРТ,Кристоф ШНИТТЕР. Владелец: Х. К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2006-09-20.

Solid oxide fuel cell having a dense barrier layer

Номер патента: EP3014686A1. Автор: Aravind Mohanram,Brian P. Feldman,Zachary R. Patterson,Craig M. ADAMS,Ayhan SARIKAYA. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2016-05-04.

Treatment of a tunnel barrier layer

Номер патента: EP1416530A3. Автор: Manish Sharma. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-04-29.

Ultra-violet treatment for a tunnel barrier layer in a tunnel junction device

Номер патента: US20040082081A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-04-29.

InP based high temperature lasers with InAsP quantum well layers and barrier layers of Gax(AIIN) 1-xP

Номер патента: EP1443616A3. Автор: Scott W. Corzine,Ying-Ian Chang,David P. Bour,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-11-30.

Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate

Номер патента: US09793523B2. Автор: Bernd J. Neudecker,Shawn W. Snyder. Владелец: SAPURAST RESEARCH LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Circulating electrolyte electrochemical cell having gas depolarized cathode with hydrophobic barrier layer

Номер патента: US4564427A. Автор: Harold R. Kunz,Gary A. Gruver. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1986-01-14.

Method for manufacturing a battery cell with an oxygen diffusion barrier layer

Номер патента: US20190341583A1. Автор: Andreas Ringk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-11-07.

Barrier layer

Номер патента: GB2597039A. Автор: Grop Andrew. Владелец: Forsvarets materielverk. Дата публикации: 2022-01-19.

Cable with barrier layer

Номер патента: CA2911953C. Автор: Scott M. Brown,David P. Ii Camp. Владелец: General Cable Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Superlattice heterostructures formed with single crystalline semiconductor nanomembranes and amorphous tunneling barrier layers

Номер патента: US20190356114A1. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo,Munho Kim,Sang June Cho. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-11-21.

Cable barrier layer with shielding segments

Номер патента: CA2754436C. Автор: Scott M. Brown,David P. Ii Camp,Jared D. Weitzel. Владелец: General Cable Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Hard shell cell housing with vapour barrier layer

Номер патента: US09748528B2. Автор: Holger Fink,Thomas Wohrle,Joachim Fetzer. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Electrode catalyst layer for fuel cells, electrode for fuel cells, membrane electrode assembly for fuel cells, and fuel cell

Номер патента: US09755243B2. Автор: Yoshitaka Ono,Atsushi Ohma,Tetsuya Mashio,Hiroshi Iden. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Catalyst layer for fuel element with solid polymer electrolyte and method to produce thereof

Номер патента: RU2331953C1. Автор: Казухиро ЯМАДА,Казуя МИЯЗАКИ,Йосинобу ОКУМУРА,Казухиро ЯМАДА (JP),Казу МИЯЗАКИ (JP),Йосинобу ОКУМУРА (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2008-08-20.

Hydrophobic catalyst layer for fuel cell with solid polymer electrolyte, method of its preparation, fuel cell with solid polymer electrolyte and method of its preparation

Номер патента: RU2360330C1. Автор: Казухиро ЯМАДА,Казуя МИЯЗАКИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-06-27.

SrTiO3 barrier layer capacitor

Номер патента: US4419310A. Автор: Ian Burn,Stephen M. Neirman. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1983-12-06.

Barrier layer dielectric for rfid circuits

Номер патента: WO2013036369A1. Автор: Jay Robert Dorfman,Vince Arancio. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2013-03-14.

Barrier layer dielectric for rfid circuits

Номер патента: EP2754202A1. Автор: Jay Robert Dorfman,Vince Arancio. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-07-16.

Composition for forming electrode active material layer for lithium ion secondary batteries

Номер патента: CA3238830A1. Автор: Hajime Kinoshita,Masanori Fujii,Fumiya KONDOU. Владелец: Kansai Research Institute KRI Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Composition for electrochemical device functional layer, functional layer for electrochemical device, laminate for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US20240136658A1. Автор: Takuya Kaneda,Kazuki Takagi. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for producing a bipolar plate layer for a bipolar plate of an electrochemical unit, bipolar plate layer for a bipolar plate of an electrochemical unit and electrochemical unit for an electrochemical device

Номер патента: US20240339632A1. Автор: Andreas Schmid. Владелец: Ekpo Fuel Cell Technologies Gmbh. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing gas diffusion layer for fuel cell and gas diffusion layer manufactured thereby

Номер патента: US20240105963A1. Автор: Jae Man Park,Won Jong Choi,Jong Hoon Lee,Soo Jin Park,Seul Yi Lee,Seung Tak Noh,Ji Han Lee,In Seok Lee,Choong Hee Kim,Seong Hwang Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Composition for Forming Insulating Layer for Lithium Secondary Battery and Method of Preparing Electrode for Lithium Secondary Battery Using the Same

Номер патента: US20200388850A1. Автор: Young Jae Kim,Sung Chul Park,Jung Woo Yoo,Won Hee Jeong,Ung Ju Lee,Koo Seung CHUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Composition for forming insulating layer for lithium secondary battery, and method for manufacturing electrode for lithium secondary battery using same

Номер патента: EP3726631A1. Автор: Young Jae Kim,Sung Chul Park,Jung Woo Yoo,Won Hee Jeong,Ung Ju Lee,Koo Seung CHUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Composition for electrochemical element functional layers, functional layer for electrochemical elements, multilayer body for electrochemical elements, and electrochemical element

Номер патента: EP4300695A1. Автор: Takuya Kaneda,Kazuki Takagi. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Rechargeable battery with resistive layer for enhanced safety

Номер патента: US20210226262A1. Автор: Jiang Fan,Dengguo Wu. Владелец: American Lithium Energy Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Rechargeable battery with resistive layer for enhanced safety

Номер патента: US20190013553A1. Автор: Jiang Fan,Dengguo Wu. Владелец: American Lithium Energy Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Gas diffusion layer for fuel cells and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170162880A1. Автор: Yoo Chang Yang,Sang Mun Jin,Kook Il Han. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-06-08.

Composition for electrochemical device functional layer, functional layer for electrochemical device, laminate for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US20240234949A9. Автор: Takuya Kaneda,Kazuki Takagi. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Gas diffusion layer for fuel cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210184223A1. Автор: Jae Man Park,Seung Tak Noh,Ji Han Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Gas diffusion layer for fuel cells and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US11374233B2. Автор: Yoo Chang Yang,Sang Mun Jin,Kook Il Han. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for laminating a polymer electrolyte film onto a porous support layer for energy storage devices

Номер патента: WO2022128858A1. Автор: Lorenz Gubler,Aaron Schneider,Jamie DUBURG,Elena ZANZOLA. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2022-06-23.

Gas diffusion layer for fuel cell including carboxymethyl cellulose and mehtod for producing the same

Номер патента: US20230065789A1. Автор: Jae Man Park,Seung Tak Noh,Ji Han Lee,Seung Hun Kang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, functional layer for all-solid-state secondary battery, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US20240243288A1. Автор: Yusaku Matsuo. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Material layer for a fuel cell

Номер патента: EP4418371A1. Автор: Imran ASGHAR. Владелец: Tampere University Foundation Sr. Дата публикации: 2024-08-21.

Material layer for a fuel cell

Номер патента: WO2024170822A1. Автор: Imran ASGHAR. Владелец: Tampere University Foundation Sr. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing gas diffusion layer for fuel cell and gas diffusion layer for fuel cell

Номер патента: US20240327583A1. Автор: Nobuyuki Nishi,Masaaki Takemoto,Kazuyuki Hino,Junko OHIRA,Shigetomi Honda. Владелец: AICHI UNIVERSITY OF EDUCATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for welding metal tab of electrode layer for cable battery and electrode manufactured thereby

Номер патента: US09947913B2. Автор: Jinsoo Lee,Taesu Kim,Hyeran JUNG,Bugon SHIN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Catalyst layer for gas diffusion electrode, method for manufacturing the same, membrane electrode assembly, and fuel cell

Номер патента: US09799894B2. Автор: Takeo Yamaguchi,Hidenori Kuroki,Shun OGURA,Takanori Tamaki,Teruaki FUCHIGAMI,Yoshitaka Kitamoto. Владелец: Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing a functional layer for a lithium cell

Номер патента: US09472808B2. Автор: Jean Fanous,Martin Tenzer,Michael Butzin,Christine Engel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-18.

Flexible protective layer for moving and deforming elements of constructions

Номер патента: RU2660656C1. Автор: Андрей Андреевич Балашов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-07-09.

Functional layer for non-aqueous secondary battery and non-aqueous secondary battery

Номер патента: US20200052271A1. Автор: Takumi Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Hybrid gas diffusion layer for electrochemical cells

Номер патента: US11996590B2. Автор: Klaus Friedrich Gleich,Michael Ketzer. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2024-05-28.

Protective layer for plasma display panel and method for forming the same

Номер патента: US20060038495A1. Автор: Jong-Seo Choi,Min-Suk Lee,Jae-Hyuk Kim,Suk-Ki Kim,Soon-Sung Suh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Catalyst layer for fuel cell and manufacturing method therefor, membrane-electrode assembly and manufacturing method therefor, and fuel cell

Номер патента: US20240154131A1. Автор: Jun Young Kim,Jung Ho Kim,Ju Sung LEE,Nak Won KONG,Kyoung Sik NAM,Chan Mi PARK,Kah Young SONG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing an interfacial lithium fluoride layer for an electrochemical cell

Номер патента: US12040505B2. Автор: Mei Cai,Meinan HE,Biqiong WANG,Andrew J. Galant,William Osad. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for examining reaction layer for fuel cell

Номер патента: US20140370605A1. Автор: Taizo Yamamoto. Владелец: Equos Research Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Hybrid Gas Diffusion Layer for Electrochemical Cells

Номер патента: US20220123327A1. Автор: Klaus Friedrich Gleich,Michael Ketzer. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2022-04-21.

Functional layer for non-aqueous secondary battery and non-aqueous secondary battery

Номер патента: US10840495B2. Автор: Takumi Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

A layered structure comprising a composite thin single layer deposited over a base electrolyte layer for an electrochemical device, a process for manufacturing and uses thereof

Номер патента: WO2024017941A2. Автор: Albert TARANCÓN RUBIO,Marc TORRELL FARO,Nerea ALAYO BUENO,Judith Driscoll,Matt Wells,Federico BAIUTTI,Lucile BERNADET. Владелец: Cambridge Enterprise Ltd (Ce). Дата публикации: 2024-01-25.

A layered structure comprising a composite thin single layer deposited over a base electrolyte layer for an electrochemical device, a process for manufacturing and uses thereof

Номер патента: WO2024017941A3. Автор: Albert TARANCÓN RUBIO,Marc TORRELL FARO,Nerea ALAYO BUENO,Judith Driscoll,Matt Wells,Federico BAIUTTI,Lucile BERNADET. Владелец: Cambridge Enterprise Ltd (Ce). Дата публикации: 2024-04-25.

Methods and apparatus for ultrathin catalyst layer for photoelectrode

Номер патента: US09920438B2. Автор: Joseph Jacobson,Kimin Jun. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-20.

Positive active material layer for rechargeable lithium battery, separator for rechargeable lithium battery, and rechargeable lithium battery including at least one of same

Номер патента: US09905882B2. Автор: Hironari Takase,Hokuto Yokotsuji. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Conductive porous layer for batteries and fabrication method for same

Номер патента: US09666872B2. Автор: Hiroshi Kishimoto,Kasumi Oi,Naoya Takeuchi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Positive active material layer for rechargeable lithium battery, separator for rechargeable lithium battery, and rechargeable lithium battery including at least one of same

Номер патента: US09660239B2. Автор: Hironari Takase,Hokuto Yokotsuji. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Gas diffusion layer for fuel cell vehicle with improved operational stability

Номер патента: US09450254B2. Автор: Kook Il Han,Keun Je Lee,Bo Ki Hong,Byeong Heon Jeong,Sang Yeoul Ahn. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Buffer layer for the crystal growth of metal oxides of perovskite type in particular on amorphous substrates

Номер патента: US20230298778A1. Автор: Adrian David,Gilles Poullain,Alexis Boileau,Christophe LABBE,Fabrice Gourbilleau,Christophe CIBERT,Arnaud FOUCHET,Ulrike LÜDERS. Владелец: Ecole Nationale Superieure dIngenieurs de Caen. Дата публикации: 2023-09-21.

Functional layer for electrochemical device, functional layer-equipped separator for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US12100861B2. Автор: Keiichiro Tanaka. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Gas diffusion layer for metal-air battery, method of manufacturing the same, and metal-air battery including the same

Номер патента: US12087950B2. Автор: Jungock Park,Dongmin Im,Mokwon Kim,Joonhee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Anodes having dual layers for use in lithium ion batteries

Номер патента: WO2024064464A3. Автор: Oujung Kwon,Hyea Kim,Xianyu Li. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Gas Diffusion Layer for Fuel Cells and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20180175393A1. Автор: Jae Man Park,Kook Il Han,Ji Han Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Composite coating layer for hot balance of plant in solid oxide fuel cell

Номер патента: US20230387430A1. Автор: Jinwook Kim,WooChul Jung,Donghwan OH. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-30.

Gas diffusion layer for an electrochemical cell and electrochemical cell

Номер патента: US20240247384A1. Автор: Alexander Spies,Simon Kießlich. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-25.

Battery module including partition wall and heat insulation layer for fire suppression

Номер патента: AU2021302997A1. Автор: Sang Hyun JO,Jin Kyu Shin,Sung Goen HONG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

A conductive layer for use in a photovoltaic device or other electronic application

Номер патента: EP2457238A2. Автор: Deborah Hammond,Timothy ENGLISH,Siva BÖHM. Владелец: TATA STEEL UK LTD. Дата публикации: 2012-05-30.

Method of forming gas diffusion layer for fuel cell

Номер патента: WO2007091718A1. Автор: Kazuhiko Kato,Keiji Hashimoto. Владелец: Tamagawa High Tech Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-08-16.

Organic-inorganic composite layer for lithium battery and electrode module

Номер патента: US20150162585A1. Автор: Chyi-Ming Leu,Chun-Wei Su,Jen-Chih Lo,En-Yu Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-06-11.

Active-Metal Cells Having Composite Layers for Controlling Dendrite Growth

Номер патента: US20230369640A1. Автор: Arunkumar Tiruvannamalai,Yongkyu SON. Владелец: SES Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Active-metal cells having composite layers for controlling dendrite growth

Номер патента: EP4218080A1. Автор: Arunkumar Tiruvannamalai,Yongkyu SON. Владелец: SES Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Protective layer for an electrolyte in a flow battery

Номер патента: AU2022397378A1. Автор: Stuart R. Miller,Jinfeng Wu. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Protective layer for an electrolyte in a flow battery

Номер патента: WO2023097170A1. Автор: Stuart R. Miller,Jinfeng Wu. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2023-06-01.

Protective layer for an electrolyte in a flow battery

Номер патента: EP4437607A1. Автор: Stuart R. Miller,Jinfeng Wu. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2024-10-02.

Anode layer for all-solid secondary battery, all-solid secondary battery including the same, and method of manufacturing all-solid secondary battery

Номер патента: US12080878B2. Автор: Sangil Han,Jinkyu Kim,Byeonggyu CHO,Yunchae Jung,Jinhoon YANG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Barrier layer to prevent conductive anodic filaments

Номер патента: WO2010090662A2. Автор: Leilei Zhang. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Glass barrier layer product, and manufacture method

Номер патента: WO2024133821A1. Автор: Hiroaki Takahashi,Walter PESSL,Erich SCHLAFFER,Heinrich Trischler,Marie SCALBERT,Daniel SCHLICK,Anna Lucy De Los Santos. Владелец: AT&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2024-06-27.

Adhesive transfer hose having a barrier layer and method of use

Номер патента: US12031658B2. Автор: Laurence B. Saidman,Leslie J. Varga,Jim Keough,Wes Fort,Jay Lanier. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Adhesive transfer hose having a barrier layer and method of use

Номер патента: US20240255089A1. Автор: Laurence B. Saidman,Leslie J. Varga,Jim Keough,Wes Fort,Jay Lanier. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Photosensitive Element, Resin Composition For Forming Barrier Layer, Method For Forming Resist Pattern, And Method For Producing Printed Wiring Board

Номер патента: MY196431A. Автор: Ono Hiroshi,Matsumura Ryo,KUME Masakazu. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-10.

Barrier Layer

Номер патента: US20220022325A1. Автор: Purvi Shah,Kunal Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

Barrier Layer

Номер патента: US20200154575A1. Автор: Purvi Shah,Kunal Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-14.

Barrier layer

Номер патента: US11612062B2. Автор: Purvi Shah,Kunal Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-21.

Resistive memory device having a conductive barrier layer

Номер патента: WO2019175672A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Circuit board material with barrier layer

Номер патента: US5689227A. Автор: Phong Xuan Nguyen,Steven Russell Nissen. Владелец: Ohmega Electronics Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Autonomous vehicle computing device with barrier layer

Номер патента: US11778722B2. Автор: Zoran Stefanoski,Brian SCHLOTTERBECK,Srinivasa Rao Damaraju,Yung Chang Ko,Reza Azizian,Jameson Tai. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Buffer layers, interlayers, and barrier layers comprising heusler alloys for sot based sensor, memory, and storage devices

Номер патента: WO2024025682A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Xiaoyong Liu,Susumu Okamura,Brian R. York,Michael A. Gribelyuk,Xiaoyu Xu,Randy G. Simmons. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Autonomous vehicle computing device with barrier layer

Номер патента: US20230403783A1. Автор: Zoran Stefanoski,Brian SCHLOTTERBECK,Srinivasa Rao Damaraju,Yung Chang Ko,Reza Azizian,Jameson Tai. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Buffer Layers, Interlayers, and Barrier Layers Comprising Heusler Alloys for SOT Based Sensor, Memory, and Storage Devices

Номер патента: US20240032437A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Xiaoyong Liu,Susumu Okamura,Brian R. York,Michael A. Gribelyuk,Xiaoyu Xu,Randy G. Simmons. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Circuit arrangement, electrical system, and method for ascertaining barrier layer temperatures of gate-controlled semiconductor components

Номер патента: US20240272012A1. Автор: Jonathan WINKLER,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Glass barrier layer product, and manufacture method

Номер патента: EP4391741A1. Автор: Walter PESSL,Erich SCHLAFFER,Heinrich Trischler,Marie SCALBERT,Anna Lucy De Los Santos. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and system for inspecting objects provided with a gas-barrier layer

Номер патента: CA2859157C. Автор: Matthias Schärer,Bernhard Kubalek,Fridolin Maibach,Matthias Hermle. Владелец: FINATEC HOLDING AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Photosensitive element, resin composition for forming barrier layer, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board

Номер патента: US11960208B2. Автор: Hiroshi Ono,masakazu Kume. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Saw filter having planar barrier layer and method of making

Номер патента: GB2507693A. Автор: CANDRA Panglijen,Jeffrey Gambino,Anthony Stamper,James Adkisson,Thomas J Dunbar,Mark D Jaffe,Randy Lee Wolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for using a service enabler architecture layer for verticals, seal, in a vertical application layer, val, implementation, system or telecommunications networks, network slice capability enablement server or application data analytics enablement server, program and computer-readable medium

Номер патента: EP4443837A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for using a service enabler architecture layer for verticals, seal, in a vertical application layer, val, implementation, system or telecommunications networks, network slice capability enablement server or application data analytics enablement server, program and computer-readable medium

Номер патента: EP4443836A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for using a service enabler architecture layer for verticals, seal, in a vertical application layer, val, implementation, system or telecommunications networks, network slice capability enablement server or application data analytics enablement server, program and computer-readable medium

Номер патента: WO2024208741A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for communication between mac layer and physical layer for transmissions

Номер патента: RU2754680C1. Автор: Маттиас БЕРГСТРЁМ,Рим КАРАКИ,Марко БЕЛЛЕСКИ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-09-06.

Moisture barrier layer dielectric for thermoformable circuits

Номер патента: US20140190813A1. Автор: Jay Robert Dorfman. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-07-10.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: US20240259853A1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: EP4420444A1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: US20240314615A1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: US12114196B1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and device for setting maximum number of MIMO layers for each bandwidth part in next-generation mobile communication system

Номер патента: US12150149B2. Автор: Soenghun KIM,Seungri Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and system for a plurality of physical layers for network connection

Номер патента: US09438535B2. Автор: Klaus Friedrich,Uri Elzur,Predrag Kostic,Eliezer Aloni. Владелец: Broadcom Israel Research Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Parallel transmission of preamble sequences with data layers for improved data detection

Номер патента: US11575551B2. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Renqiu Wang,Yiqing Cao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

Control layer for multistage optical burst switching system and method

Номер патента: US8971320B2. Автор: John Dunne,James Alexander Shields. Владелец: Intune Networks Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Cloud communication layer for a user device

Номер патента: EP2721470A1. Автор: Linda Tolj,Lars-Gunnar Lundgren,Erik GREISSON. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2014-04-23.

Method for using a user equipment with first and second telecommunications networks having, or using, different network identifiers in relation to or in the framework of service enabler architecture layer for verticals, seal, user equipment, system or telecommunications networks or network slice capability enablement service provider, program and computer-readable medium

Номер патента: EP4418739A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Selective communication protocol layering for synchronous replication

Номер патента: US12086431B1. Автор: Roland Dreier,Daquan Zuo,Aaron Dailey,Nicole Tselentis,Logan Jennings,Anatoliy Glagolev. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for using a user equipment with first and second telecommunications networks having, or using, different network identifiers in relation to or in the framework of service enabler architecture layer for verticals, seal, user equipment, system or telecommunications networks or network slice capability enablement service provider, program and computer-readable medium

Номер патента: WO2024170448A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Pressure-sensitive adhesive layer for transparent conductive film, transparent conductive film with pressure-sensitive adhesive layer, transparent conductive laminate, and touch panel

Номер патента: US09527944B2. Автор: Akiko Tanaka,Masatsugu Higashi,Aimi Matsuura,Katsuhiko Kamiya,Mizue Yamasaki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Release layer for metal foil with carrier and metal foil comprising the same

Номер патента: US20240237229A9. Автор: Sung Wook Chun,Bo Mook Chung,Dea Geun Kim,Nak Eun Ko,Ju Yong SIM,Myong Hwan PARK. Владелец: YMT Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Multiple sensing resource sets and frequency layers for integrated sensing and communication

Номер патента: WO2024130711A1. Автор: Shuqiang Xia,Guanghui Yu,Chuangxin JIANG,Zhiqiang Han,Zhifeng Yuan,Yihua MA,Liujun Hu. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-27.

Surface acoustic wave (SAW) device with one or more intermediate layers for self-heating improvement

Номер патента: US12081199B2. Автор: Matthias Honal,Tomasz Jewula. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Software abstraction layer for energy generation and storage systems

Номер патента: US09831677B2. Автор: Eric Daniel Carlson,Karthikeyan Varadarajan. Владелец: SolarCity Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Abstraction layer for streaming data sources

Номер патента: US09686118B1. Автор: Upendra Bhalchandra Shevade,Daniel Massaguer. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Solid solution inducing layer for weak epitaxy growth of non-planar phthalocyanine

Номер патента: EP2468930A9. Автор: Yanhou Geng,Xiaodong GUO,Jianfeng Shen,Donghang Yan,Lizhen Huang,Hongkun Tian. Владелец: Shanghai Casail Display Tech Ltd. Дата публикации: 2012-08-22.

Coating layer for electronic device manufacturing method thereof and electronic device

Номер патента: US20170253956A1. Автор: Dong Liang,Wei Li,Qi Zheng,Yang You,Li Ma,Zijing ZHANG,Xiaojuan Wu,Xiaoqing Peng,Kaixuan Wang,Hongliang Yuan,Huishun CHEN,Yao BI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Solid solution inducing layer for weak epitaxy growth of non-planar phthalocyanine

Номер патента: US20120153265A1. Автор: Yanhou Geng,Xiaodong GUO,Jianfeng Shen,Donghang Yan,Lizhen Huang,Hongkun Tian. Владелец: Shanghai Casail Display Tech Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Protocol adaptation layer for wireless communications

Номер патента: US20140106678A1. Автор: Christopher J. Hansen,Saishankar Nandagopalan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Phosphor layers for electroluminescent panels and methods of their manufacture

Номер патента: US20070194283A1. Автор: Jack Silver,Aron Vecht,Dominic Davies,Philip Titler. Владелец: BRUNEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-08-23.

Phosphor layers for electroluminescent panels and methods of their manufacture

Номер патента: EP1385917A1. Автор: Jack Silver,Aron Vecht,Philip Titler. Владелец: BTG International Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Phosphor layers for electroluminescent panels and methods of their manufacture

Номер патента: WO2002090464A1. Автор: Jack Silver,Aron Vecht,Dominic Andrew Davies,Philip Titler. Владелец: Btg International Ltd (Btg). Дата публикации: 2002-11-14.

Switching Between Network Layers For Replication

Номер патента: US20240314201A1. Автор: Stephen Whitney,John Colgrove,Ronald Karr,Roland Dreier,Daquan Zuo,Aaron Dailey,Nicole Tselentis,Logan Jennings,Ganga Kondapalli. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Operation method for RRAM

Номер патента: US09659643B2. Автор: Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: WO2023166387A1. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for the production and removal of a temporary protective layer for a cathodic coating

Номер патента: US09822436B2. Автор: Josef Faderl,Werner Brandstätter,Siegfried Kolnberger,Martin Peruzzi. Владелец: VOESTALPINE STAHL GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic recording heads having one or more dusting layers for magnetic recording devices

Номер патента: US12057145B2. Автор: Petrus Antonius Van der Heijden,Alexander Goncharov,Muhammad Asif Bashir. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20230065104A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Ltd Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Дата публикации: 2023-03-02.

Evoh barrier layer for particulate coffee

Номер патента: AU2007203581A1. Автор: Leonard S. Scarola. Владелец: Kraft Foods Holdings Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Barrier layers for anisotropic magneto-resistive sensors

Номер патента: US20240102830A1. Автор: Fuchao Wang,William French,Erika Mazotti,Ricky A. Jackson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Barrier layer for glucose sensor

Номер патента: US09970940B2. Автор: William Paterson,Nicholas Paul Barwell,Barry Crane,Bruce Culbert. Владелец: Lightship Medical Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Transdermal patch incorporating active agent migration barrier layer

Номер патента: US09358373B2. Автор: II Kenneth J. Miller. Владелец: Mylan Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20210241830A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Hybrid self-tracking reference circuit for rram cells

Номер патента: US20240257870A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: US20050054135A1. Автор: Andrew Huibers,Satyadev Patel,Jonathan Doan. Владелец: Reflectivity Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Anti-interferent barrier layers for non-invasive transdermal sampling and analysis device

Номер патента: US09968284B2. Автор: John Frederick Currie,Joseph A Marcanio,Joseph J Vidalis,Sundar Nadarajan,Helena Woodvine. Владелец: Clinitech LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Hybrid self-tracking reference circuit for RRAM cells

Номер патента: US11984162B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A2. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R. Patel. Владелец: Reflectivity, Inc.. Дата публикации: 2004-10-14.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A3. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R Patel. Владелец: Satyadev R Patel. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods of forming MgO barrier layer

Номер патента: US09890449B2. Автор: Eric W. Singleton,Qing He,Jae Young Yi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09822033B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09624127B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09556067B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Barrier layers comprising Ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09434643B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Barrier layer for garment

Номер патента: US20240188663A1. Автор: Shogo Fujiwara,Adam Mueller,Colin Beard,Amanda Frank,Tucker Sutter,Mary Stewart Waggoner. Владелец: Kjus North America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Barrier layer for a turbocharger

Номер патента: US20160215632A1. Автор: Juergen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2016-07-28.

Barrier layer for cellulose substrate

Номер патента: US20240218602A1. Автор: Jacques Mongoin,François DUPONT,Francis Bony. Владелец: Coatex SAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Barrier layer for inflatable structures

Номер патента: EP3094484A1. Автор: Anthony M. Mazany. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2016-11-23.

Product (Coating) Applicator with Barrier Layer

Номер патента: US20200147636A1. Автор: Ian Rammelkamp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-14.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Barrier layer for garment

Номер патента: US20240188662A1. Автор: Shogo Fujiwara,Adam Mueller,Colin Beard,Amanda Frank. Владелец: Kjus North America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Structured chemical sensor including inert barrier layer

Номер патента: RU2560706C2. Автор: Нил А. РАКОВ,Томас В. ХОЛМКВИСТ-БРАУН,Брайан Л. ЛИНЗИ,Джон С. ХАЛТИН,Дуэйн Д. ФАНСЛЕР,Ричард Дж. ПУАРЬЕ,Вивек БХАРТИ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2015-08-20.

BARRIER LAYERS, INCLUDING Ni-CONTAINING TERNARY ALLOYS, COATED PRODUCTS, INCLUDING BARRIER LAYERS, AND METHODS FOR THEREOF MANUFACTURING

Номер патента: RU2573486C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Маркус ФРЭНК. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-01-20.

BARRIER LAYERS INCLUDING Ni-CONTAINING ALLOYS AND/OR OTHER METAL ALLOYS, DOUBLE BARRIER LAYERS, COATED ARTICLES INCLUDING DOUBLE BARRIER LAYERS, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: RU2572880C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Маркус ФРЭНК. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-01-20.

Patterned chemical sensor having inert barrier layer

Номер патента: RU2523893C2. Автор: Нил А. РАКОВ,Томас В. ХОЛМКВИСТ-БРАУН,Брайан Л. ЛИНЗИ,Джон С. ХАЛТИН,Дуэйн Д. ФАНСЛЕР,Ричард Дж. ПУАРЬЕ,Вивек БХАРТИ. Владелец: ЗМ Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2014-07-27.

Method of producing a hose pipe formed of a number of layers, including a barrier layer of metal, and its use

Номер патента: AU7405600A. Автор: Tom Sjostrom. Владелец: Codan Gummi As. Дата публикации: 2001-04-30.

Read sensor with ordered heusler alloy free layer and semiconductor barrier layer

Номер патента: US12106784B2. Автор: James Mac Freitag,Yuankai Zheng,Zhitao Diao,Susumu Okamura,Brian R. York. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Barrier layer for packaging laminate and packaging laminate having said barrier layer

Номер патента: RU2487881C1. Автор: Анн-Кристине АЛЬБЕРТССОН,Ульрика ЭДЛУНД. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2013-07-20.

BARRIER LAYERS INCLUDING Ni AND/OR Ti, COATED ARTICLES INCLUDING BARRIER LAYERS AND METHODS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2581857C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Маркус Франк. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-04-20.

Seal system with metallic component and ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: EP4403749A1. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Robert A. WHITE III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: US20240247594A1. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Robert A. White, III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Multi-layer articles including a fluoroelastomer layer and a barrier layer and method of making the same

Номер патента: EP1432572A1. Автор: Tatsuo Fukushi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-06-30.

Reader structure with barrier layer contacting shield

Номер патента: US09478239B2. Автор: Victor Boris Sapozhnikov,Mohammed Sharia Ullah Patwari. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Textile laminate comprising a barrier layer having elastic properties

Номер патента: US09457205B2. Автор: Ruediger John,Bernd Zischka. Владелец: WL Gore and Associates GmbH. Дата публикации: 2016-10-04.

Multilayer film having active oxygen barrier layer and iron-based oxygen-absorbing layer

Номер патента: RU2453438C2. Автор: Скотт БЕКВИТ,Джанет РИВЕТТ,Томас КЕННЕДИ,Франк Браян ЭДВАРДС,Рэчел МКДОВЕЛЛ,Синтиа Луиза ЭБНЕР,Дрю Ви СПЕЕР. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2012-06-20.

Process for producing a coated packaging material and packaging material having at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: NZ709512A. Автор: Michael Zischka,Julia Spanring,Martin Reischl. Владелец: Mayr Melnhof Karton AG. Дата публикации: 2016-05-27.

Nonelectrolytic deposition of barrier layers

Номер патента: RU2492279C2. Автор: Раймунд МЕЛЛИС. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2013-09-10.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: SE545698C2. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-12-12.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: SE2250283A1. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-09-03.

Diffusion barrier layer and method of making the same, and wear resistant article with the diffusion barrier layer and method of making the same

Номер патента: EP2018267A2. Автор: Kevin M. Singer,Donald W. Bucholz. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2009-01-28.

HYDROGEN PEROXIDE FORMULATIONS IN BARRIER LAYER FILMS WITH A SiOx LAYER

Номер патента: US20210361544A1. Автор: Wolfgang Barthel,Torsten Lechner,Marc Nowottny. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2021-11-25.

Limited play optical media device with barrier layers

Номер патента: EP1599874A1. Автор: Daniel Robert Olson,Marc Brian Wisnudel,Marc Schaepkens,Robert Franklin Thompson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: WO2022101474A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: COVENTYA S.P.A.. Дата публикации: 2022-05-19.

Limited play optical media device with barrier layers

Номер патента: WO2004070718A1. Автор: Daniel Robert Olson,Marc Brian Wisnudel,Marc Schaepkens,Robert Franklin Thompson. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2004-08-19.

Reusable underpad with spacer fabric, microfiber intermediate layer, and barrier layer

Номер патента: WO2016196006A1. Автор: Richard Stewart,Saravan Muthanandam. Владелец: STANDARD TEXTILE CO., INC.. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: EP4244409A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: Coventya SpA. Дата публикации: 2023-09-20.

Absorbent article barrier layer

Номер патента: US20240216189A1. Автор: Aline PEREIRA,Gilson Sardinha. Владелец: Johnson and Johnson Consumer Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Coating barrier layer and manufacturing process

Номер патента: US20150037551A1. Автор: Victor Bellido-Gonzalez,Gonzalo Garcia Fuentes,Rafael Rodriguez Trias,Jose Antonio Garcia Lorente. Владелец: Gencoa Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Absorbent article barrier layer

Номер патента: WO2024142000A1. Автор: Aline PEREIRA,Gilson Sardinha. Владелец: Johnson & Johnson Consumer Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Gas barrier layered body, and packaging material and tube container using same

Номер патента: US12071288B2. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Barrier layers comprising Ni and/or Ti, coated articles including barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: US09771301B2. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: US09540537B2. Автор: Kazuya Kimura,Kenichi Takahashi,Kazuyuki Hanada,Manabu Uruno. Владелец: Ukima Chemicals and Color Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Golf ball incorporating a thin moisture barrier layer

Номер патента: US09427629B1. Автор: Mark L. Binette,John D. Farrell. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2016-08-30.

Glazing assembly comprising a substrate provided with a stack of thin layers for solar protection and/or thermal insulation

Номер патента: US6045896A. Автор: Philippe Boire,Fabrice Didier,Jean-Michel Grimal. Владелец: Saint Gobain Vitrage SA. Дата публикации: 2000-04-04.

Sheet-like composite for producing dimensionally stable food-product containers having a biobased barrier layer

Номер патента: WO2018019834A1. Автор: Daniel Heinze,Jannis OCHSMANN,Alexander Pauling. Владелец: SIG TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2018-02-01.

Transdermal patch incorporating active agent migration barrier layer

Номер патента: CA2637321C. Автор: Kenneth J. Ii Miller. Владелец: Mylan Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Transdermal patch incorporating active agent migration barrier layer

Номер патента: CA2708347C. Автор: Kenneth J. Ii Miller. Владелец: Mylan Technologies Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Barrier layers for silver reflective coatings and hpc workflows for rapid screening of materials for such barrier layers

Номер патента: WO2014159699A1. Автор: Yu Wang,Guowen Ding,Daniel Schweigert,Guizhen Zhang,Minh Huu Le,Jeremy Cheng. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

A paperboard based material comprising a dispersion coated latex layer and an extrusion coated barrier polyolefin layer for packaging of liquid and food

Номер патента: SE545982C2. Автор: Kaj Backfolk,Chris Bonnerup,Magnus Ekberg. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2024-04-02.

Magnetic recording heads having one or more dusting layers for magnetic recording devices

Номер патента: US20240144961A1. Автор: Petrus Antonius Van der Heijden,Alexander Goncharov,Muhammad Asif Bashir. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Photoconductive elements having a polymeric barrier layer

Номер патента: US20020155365A1. Автор: David Weiss,Michel Molaire,Marie O'Regan,Louis Sorriero,Wayne FERRAR,Jane Cowdery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Composite for manufacturing barrier layer, barrier layer, method for manufacturing barrier layer, and packaging material

Номер патента: US20230357564A1. Автор: Wei He,Mengyao Li,Wenxiu Li,Zhangyan CHEN,Guocheng Han,Yanfei CHENG,Zhengyang MU. Владелец: Shenzhen Yuto Packaging Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Novel polymer and photoconductive element having a polymeric barrier layer

Номер патента: US20020012862A1. Автор: Michel Molaire,Marie O'Regan,Louis Sorriero. Владелец: NexPress Solutions LLC. Дата публикации: 2002-01-31.

Photomasks having intermediate barrier layers

Номер патента: US20240241434A1. Автор: Yongbae Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Coating system including diffusion barrier layer including iridium and oxide layer

Номер патента: US09689069B2. Автор: Ann Bolcavage,Sungbo Shim,Randolph C. Helmink. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for the plasma treatment of workpieces and workpiece with a gas barrier layer

Номер патента: US09688438B2. Автор: Sönke SIEBELS,Michael Herbort. Владелец: KHS CORPOPLAST GMBH. Дата публикации: 2017-06-27.

Conservation method for prepared products and / or semi-finished products in packaging from multilayered films with barrier layer with opportunity of further heating

Номер патента: RU2680585C1. Автор: Александр Сергеевич Чупин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Норд-Контроль". Дата публикации: 2019-02-22.

Barrier layer for elastomeric articles

Номер патента: CA2578851C. Автор: Brian R. Bergman. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2010-12-14.

Barrier layers comprising ni-inclusive alloys and/or other metallic alloys, double barrier layers, coated articles including double barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: CA2827932C. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for producing a coated packaging material and packaging material with at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: CA2894035C. Автор: Michael Zischka,Julia Spanring,Martin Reischl. Владелец: Mayr Melnhof Karton AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Method for producing a coated packaging material, and packaging material having at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: CA2942318C. Автор: Michael Zischka,Julia Spanring,Martin Reischl. Владелец: Mayr Melnhof Karton AG. Дата публикации: 2020-02-25.

Barrier layers comprising ni-inclusive ternary alloys, coated articles including barrier layers, and methods of making the same

Номер патента: CA2827862C. Автор: Marcus Frank,Richard Blacker,Muhammad Imran,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Protection layers for polymer modulators/waveguides

Номер патента: US10989871B2. Автор: Richard Becker,Michael Lebby,Youngwoo Yi. Владелец: Lightwave Logic Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Coated tool with coating comprising boride-containing diffusion barrier layer

Номер патента: US20220136096A1. Автор: Mirjam Arndt,Hamid Bolvardi,Jürgen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2022-05-05.

Liquid applied roofing system with improved moisture barrier layer

Номер патента: US20200224409A1. Автор: Yan Zheng,Adem Chich. Владелец: Building Materials Investment Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Barrier layer for packaging, sheet-like composite layer, and packaging container thereof

Номер патента: EP4393701A1. Автор: Yan Liu,Xiangyang Zhu,Rensheng LUO,Haitao SHA. Владелец: SIG Combibloc Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

EVOH barrier layer for particulate coffee

Номер патента: EP1884355B1. Автор: Leonard S. Scarola. Владелец: Kraft Foods Holdings Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: US20230235705A1. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Raymond Surace,Robert A. White, III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Exhaust gas recirculation cooler barrier layer

Номер патента: US20220228543A1. Автор: Navtej Singh,Darren William Gosbee,Bradley Jay Adelman,Timothy M. Lyons,Paul Lawrence Berke,John C. McCuisition. Владелец: International Engine Intellectual Property Co LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Devices including a multilayer gas barrier layer

Номер патента: US09552833B2. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for production of packing material coated with at least one barrier layer for hydrophobic compounds

Номер патента: RU2606981C2. Автор: Михаэль ЦИШКА,Юлиа ШПАНРИНГ,Мартин РАЙШЛЬ. Владелец: Майр-Мельнхоф Картон Аг. Дата публикации: 2017-01-10.

Reservoir barrier layer systems and methods

Номер патента: CA2721343C. Автор: Colin A. Chong,Rafael Bikovsky,Arsen Ibranyan,Truong Gia Luan,Eric M. Lorenzen. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2014-09-23.

Coated tool with coating comprising boride-containing diffusion barrier layer

Номер патента: EP3921455A1. Автор: Mirjam Arndt,Hamid Bolvardi,Jürgen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2021-12-15.

Barrier layer for glucose sensor

Номер патента: EP2744909A1. Автор: William Paterson,Nicholas Paul Barwell,Barry Crane. Владелец: Lightship Medical Ltd. Дата публикации: 2014-06-25.

Coated tool with coating comprising boride-containing diffusion barrier layer

Номер патента: WO2020161358A1. Автор: Mirjam Arndt,Hamid Bolvardi,Jürgen Ramm. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon. Дата публикации: 2020-08-13.

Gas barrier layer for metallic and nonmetallic materials

Номер патента: US4950551A. Автор: Richard Doetzer,Georg Iwantscheff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-21.

Pumping and floating pistons coated with a barrier layer

Номер патента: EP1673291A2. Автор: Hans GlaxoSmithKline KRAEMER. Владелец: GlaxoSmithKline Consumer Healthcare GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-06-28.

Hydrogen peroxide formulations in barrier layer films with a metallized layer

Номер патента: US20200345591A1. Автор: Wolfgang Barthel,Torsten Lechner,Marc Nowottny. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of coupling a barrier layer to a substrate of a fluid ejection device

Номер патента: US20020021334A1. Автор: DENNIS Tom,Juan Hernandez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Device and method for detecting and/or determining the position of a barrier layer contained in the wall of a tubular packaging material

Номер патента: US09528943B2. Автор: Léonard Medico. Владелец: AisaPack Holding SA. Дата публикации: 2016-12-27.

Display device having a moisture barrier layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09482903B2. Автор: Woo Yong Sung,Tae Woon CHA,Sang Youn HAN,A Ram Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Oxidation barrier layer

Номер патента: RU2701801C2. Автор: Юрген РАММ,Бено ВИДРИГ,Флориан ЗАЙБЕРТ,Дорис ФОПП-ШПОРИ. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2019-10-01.

Ethylene/styrene polymer sealant layer for use in liquid packaging

Номер патента: WO1998050230A1. Автор: Benjamin Andrew Smillie. Владелец: Dupont Canada Inc.. Дата публикации: 1998-11-12.

Multi-Layer Film Comprising a Barrier Layer and an Antistatic Layer

Номер патента: US20100028637A1. Автор: Buelent Tavsanli,Afsin Dogan,Andreas Grewe,Atilla Teoman Bostan. Владелец: Sunjuet Deutschland GmbH. Дата публикации: 2010-02-04.

Multilayered film, which has passive and active antioxygen barrier layers

Номер патента: RU2469868C2. Автор: Скотт БЕКВИТ,Франк Бруан ЭДВАРДС,Джанет РИВЕТТ,Синтиа Луизе ЭБНЕР,Томас КЕННЕДИ,Рэйчел МКДОУЭЛЛ,Дреу В. СПЕЕР. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2012-12-20.

In situ cured pipe liner with barrier layer preventing styrene migration

Номер патента: RU2540615C2. Автор: Роберт Дж. ВИССНЕР,Джозеф Дж. ВОНТОРСИК МЛ.,Дональд А. МЕЛТЗЕР. Владелец: Лубризол Эдванст Матириалс, Инк.. Дата публикации: 2015-02-10.

Barrier layer and its application in polymer based coating systems

Номер патента: RU2675369C2. Автор: Ханс-Йюрген КАРЛ. Владелец: Манкевич Гебр. Унд Ко. Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-12-19.

Optical devices having barrier layers to facilitate reduced hardmask diffusion and/or hardmask residue, and related methods

Номер патента: US20230333309A1. Автор: Rui Li,Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Optical devices having barrier layers to facilitate reduced hardmask diffusion and/or hardmask residue, and related

Номер патента: WO2023200723A1. Автор: Rui Li,Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Optical devices having barrier layers to facilitate reduced hardmask diffusion and/or hardmask residue, and related methods

Номер патента: WO2023200723A8. Автор: Rui Li,Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Read Sensor With Ordered Heusler Alloy Free Layer and Semiconductor Barrier Layer

Номер патента: US20240194221A1. Автор: James Mac Freitag,Yuankai Zheng,Zhitao Diao,Susumu Okamura,Brian R. York. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Modified sodium bentonite clays for barrier layer applications

Номер патента: US20190039950A1. Автор: Preston Andrew May,Ryan Patrick COLLINS. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Copolyamide for use in a barrier layer

Номер патента: AU5799594A. Автор: Manfred Hewel,Ulrich Presenz. Владелец: EMS Inventa AG. Дата публикации: 1994-09-29.

Gas barrier layer-forming composition, gas barrier film, packaging film and packaging bag using the gas barrier layer-forming composition, and methods of producing gas barrier film, packaging film and packaging bag

Номер патента: US20230278768A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for producing a barrier layer of a pressure vessel, and pressure vessel

Номер патента: US12129966B2. Автор: Hans-Ulrich Stahl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Anticoking catalyst coatings with alumina barrier layer

Номер патента: US09901892B2. Автор: Hong Zhou,Zhaohui Yang,Lawrence Bernard Kool,Chuan Lin,Yanfei Gu,Minghu Guo,Wen-Qing Peng. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Near field transducers (NFTS) including barrier layer and methods of forming

Номер патента: US09824709B2. Автор: TONG Zhao,Jie Gong,Yongjun Zhao,Martin Blaber,Michael Kautzky,Dimitar Dimitrov,Steve Riemer. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Interfacial diffusion barrier layer including iridium on a metallic substrate

Номер патента: US09719353B2. Автор: Ann Bolcavage,Randolph C. Helmink. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Flexographic printing element which can be digitally imaged and has a polar, ultra-thin barrier layer

Номер патента: US09671696B2. Автор: Armin Becker,Andreas Reifschneider,Matthias Beyer,Denis RIEWE,Uwe Stebani. Владелец: Flint Group Germany GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Devices including an amorphous gas barrier layer

Номер патента: US09620150B2. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Xiaoyue Huang,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Heat assisted magnetic recording head having a plurality of diffusion barrier layers

Номер патента: US09449625B1. Автор: Ge Yi,Matthew R. Gibbons,John Love,Marc A. Finot,Yufeng Hu,Kris Vossough. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Golf ball with thin moisture vapor barrier layer

Номер патента: US09393462B2. Автор: John D. Farrell. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Multilayer film including foam layer and gas barrier layer

Номер патента: US10980661B2. Автор: Moh-Ching Oliver Chang. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Interfacial diffusion barrier layer including iridium on metallic substrate

Номер патента: RU2566697C2. Автор: Энн БОЛКАВАДЖ,Рандольф К. ХЕЛМИНК. Владелец: Роллс-Ройс Корпорейшн. Дата публикации: 2015-10-27.

Medical and hygienic gasket gas-tight from natural fabric and without use of barrier layers from polyethylene and glue and close to them on composition and technical characteristics of materials (embodiments)

Номер патента: RU2743503C1. Автор: Марина Васильевна Москалева. Владелец: Марина Васильевна Москалева. Дата публикации: 2021-02-19.

Barrier layers for coating conductive polymers on liquid crystals

Номер патента: US7532290B2. Автор: Debasis Majumdar,Glen C. Irvin, Jr.,Gary S. Freedman. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-12.

Barrier layer for laser ablative imaging

Номер патента: US5759741A. Автор: Glenn T. Pearce,Stephen M. Neumann. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1998-06-02.

Nuclear fuel cladding having an alloyed zirconium barrier layer

Номер патента: US5524032A. Автор: Ronald B. Adamson,Daniel R. Lutz,Joseph S. Armijo,Herman S. Rosenbaum. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-06-04.

Fire barrier layer and fire barrier film laminate

Номер патента: CA2816880C. Автор: Robert Rioux,Joseph A. Fernando,Kenneth B. Miller,Chad E. Garvey,Gene JUNG. Владелец: LAMART CORP. Дата публикации: 2019-03-26.

Coating medium forming a barrier layer for metal substrates

Номер патента: GB2428242A. Автор: Heinrich Horacek. Владелец: Intumex GmbH. Дата публикации: 2007-01-24.

Sheet-like composite for producing dimensionally stable food product containers with a barrier layer comprising a barrier substrate layer and an inwards-pointing barrier material layer

Номер патента: WO2018137947A1. Автор: Daniel Heinze. Владелец: SIG TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2018-08-02.

Tablet containing cetirizine, pseudoephedrine, and naproxen containing a barrier layer

Номер патента: CA2748728C. Автор: Dinesh Patel,Satish Kamath,Indukumar G. Shah,Michael Nichols. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Windproof and water resistant composite fabric with barrier layer

Номер патента: US5364678A. Автор: Moshe Rock,Douglas Lumb. Владелец: Malden Mills Industries Inc. Дата публикации: 1994-11-15.

Laminated packaging material comprising a barrier layer and packaging container made therefrom

Номер патента: EP4335639A1. Автор: Cesare Lorenzetti,Celine Denecker. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 2024-03-13.

Laminated packaging material comprising a barrier layer and packaging container made therefrom

Номер патента: WO2024052396A1. Автор: Cesare Lorenzetti,Celine Denecker. Владелец: TETRA LAVAL HOLDINGS & FINANCE S.A.. Дата публикации: 2024-03-14.

Composite Panel with Barrier Layer and Method for Manufacturing a Letterpress Plate

Номер патента: US20190224957A1. Автор: Peter Kesper. Владелец: AKK GmbH. Дата публикации: 2019-07-25.

Low-e panel with improved barrier layer process window and method for forming the same

Номер патента: WO2014151446A2. Автор: Yu Wang,Brent Boyce,Guowen Ding,Minh Huu Le,Zhi-Wen Wen Sun. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2014-09-25.

Printing method with transfer of a barrier layer for producing high gloss printed products

Номер патента: US11850877B2. Автор: Martin Schmitt-Lewen,Heike Gute,Thorsten Euler. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Multi-layer articles including a fluoroelastomer layer and a barrier layer and method of making the same

Номер патента: EP1432572B1. Автор: Tatsuo Fukushi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-08-22.

Methods and apparatus to couple a decorative layer to a core layer of a panel via a barrier layer

Номер патента: EP4261031A2. Автор: John Wilde,Xiaoxi Wang,Gary BENHAM,Jason W. Drexler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-10-18.

Methods and apparatus to couple a decorative layer to a core layer of a panel via a barrier layer

Номер патента: EP4261031A3. Автор: John Wilde,Xiaoxi Wang,Gary BENHAM,Jason W. Drexler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-11-01.

Multi-layer compensation film including stretchable barrier layers

Номер патента: US20050237457A1. Автор: Jon Hammerschmidt,James Elman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-10-27.

Barrier layered film

Номер патента: RU2334767C2. Автор: Вальтер БЕРНИГ,Бернар ДЮЖАРДЕН,Штефан ЙЕНДРОШ,Кристоф ШВАЙТЦЕР. Владелец: Кфс Кемптен Гмбх. Дата публикации: 2008-09-27.

Closed capsule with openers and integrated barrier layer

Номер патента: RU2744564C2. Автор: Кристоф Себастьен Поль ЭДЕЛЬ,Давид НОРДКВИСТ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-03-11.

Multilayer golf ball containing at least three core layers, at least one intermediate barrier layer, and at least one cover layer

Номер патента: US7951015B2. Автор: Christopher Cavallaro. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2011-05-31.

A floor covering comprising a PVC layer with aggregate embedded and a barrier layer fused to the PVC layer so that the aggregate is exposed

Номер патента: NZ510989A. Автор: Grenville Seager,Michael Geoffrey Minett,John Granville Kay,Adrian Lance Entwistle,Craig Lee Crosby. Владелец: POLYFLOR Ltd. Дата публикации: 2003-08-29.

Oxidation barrier layer

Номер патента: CA2929460C. Автор: Jürgen Ramm,Beno Widrig,Florian Seibert,Doris Foppspori. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-03-28.

Stain blocking barrier layer

Номер патента: US5981058A. Автор: Hao A. Chen,Keith S. Shih. Владелец: Mannington Mills Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Pneumatic tire having reinforcing members and air barrier layer

Номер патента: US11034188B2. Автор: Amy M. Randall,Craig R. Balnis,David J. Zemla. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2021-06-15.

Medical device having radio-opacification and barrier layers

Номер патента: CA2442057C. Автор: Graig Kveen,Verivada Chandru Chandresekaran. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2011-04-26.

Passive barrier layer placement within carbonated beverage container wall to improve shelf-life

Номер патента: US11951654B2. Автор: Farhan Ahmad,John Brace,William J. DUBUQUE. Владелец: Amcor Rigid Packaging USA LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

No sugar added multilayer edible products comprising a center and a barrier layer

Номер патента: CA3166127A1. Автор: Alexis Marie Fye,Allison Therese Nowak,Madeline Erickson Goris. Владелец: Kraft Foods Group Brands LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Hydrophobic barrier layer for ceramic indirect evaporative cooling systems

Номер патента: US11890579B2. Автор: Joanna Aizenberg,Martin BECHTHOLD,Jack Alvarenga,Jonathan L. GRINHAM. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-02-06.

Gas barrier layered body, and packaging material and tube container using same

Номер патента: EP3991967A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

Gas barrier layered body, and packaging material and tube container using same

Номер патента: US20220267067A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Composition of an adhesive barrier layer between a non-woven material and another non-woven material for processing at higher temperatures

Номер патента: EP4054835A1. Автор: Peter Jozef VAN GINDEREN. Владелец: Walki Belcoat NV. Дата публикации: 2022-09-14.

Multilayer edible products comprising a barrier layer

Номер патента: CA3166130A1. Автор: Allison Therese Nowak. Владелец: Kraft Foods Group Brands LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Heat treatable coated articles with anti-migration barrier layer between dielectric and solar control layers, and methods of making same

Номер патента: EP1390314A1. Автор: Hong Wang. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Structural color multilayer structures having barrier layers

Номер патента: WO2024054493A1. Автор: Debasish Banerjee,Minjuan Zhang,Songtao Wu. Владелец: Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Structural color multilayer structures having barrier layers

Номер патента: US20240077662A1. Автор: Debasish Banerjee,Minjuan Zhang,Songtao Wu. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Composition of an adhesive barrier layer between a non-woven material and another non-woven material for processing at higher temperatures

Номер патента: WO2021090260A1. Автор: Peter Jozef VAN GINDEREN. Владелец: Walki Belcoat, Naamloze Vennootschap. Дата публикации: 2021-05-14.

Diffusion barrier layer and method of making the same, and wear resistant article with the diffusion barrier layer and method of making the same

Номер патента: WO2007136450A2. Автор: Kevin M. Singer,Donald W. Bucholz. Владелец: KENNAMETAL INC.. Дата публикации: 2007-11-29.

Structural color multilayer structures having barrier layers

Номер патента: WO2024052849A1. Автор: Debasish Banerjee,Songtao Wu,Mindy Zhang. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacuturing an aircraft window frame comprising a barrier layer, window frame obtained from this method and aircraft comprising at least one such window frame

Номер патента: US20240199231A1. Автор: Dirk Feltin,Rodolphe Trouve,Günther DRESSLER,Asuncion BUTRAGUENO-MARTINEZ. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2024-06-20.

Gas barrier layer forming composition, gas barrier film, packaging film, and packaging bag using same, and, gas barrier film production method, packaging film production method, and packaging bag production method

Номер патента: EP4245520A1. Автор: Takeshi Nishikawa,Ayumi Tanaka,Miki Fukugami. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

A cellulose fiber structure comprising a barrier layer

Номер патента: SE2150449A1. Автор: Matthias Hausmann,Frank Peng,Sohrab Kazemahvazi,Olga SIEVE. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2022-10-13.

Improved barrier layer

Номер патента: EP2326674A1. Автор: Richard Vicari,Philip J. Brondsema,Mark G. Cupta,Nancy S. Coulson. Владелец: Sekisui Specialty Chemicals America LLC. Дата публикации: 2011-06-01.

Barrier Layers from Transparent Copolyamides

Номер патента: CA2119849A1. Автор: Manfred Hewel,Ulrich Presenz. Владелец: EMS Inventa AG. Дата публикации: 1994-09-25.

Article having a protective coating and an iridium-containing oxygen barrier layer

Номер патента: US20030022016A1. Автор: Ramgopal Darolia. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2003-01-30.

Polymer foam sheet and barrier layer composite

Номер патента: US20240240470A1. Автор: Baruch Zur,Sam Saladino,Zeev TZUR. Владелец: Palziv Ein Hanaziv Agricultural Cooperative Society Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Devices including a difussion barrier layer

Номер патента: US09792931B2. Автор: TONG Zhao,Tae-woo Lee,Yuhang Cheng,Martin Blaber,Sarbeswar Sahoo,John Duda,Hui Brickner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: US09546974B2. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2017-01-17.

Abuse-resistant retortable packaging film having oxygen barrier layer containing blend of amorphous polyamide and semicrystalline polyamide

Номер патента: CA2600522C. Автор: Solomon Bekele. Владелец: Cryovac LLC. Дата публикации: 2012-07-17.

Printing blanket including a barrier layer

Номер патента: EP2380733B1. Автор: Michael Edward McLean,Richard Czerner,Noel Dean Arrington. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2013-10-09.

Photosensitive material with alkali-in soluble barrier layer

Номер патента: US5002850A. Автор: Fumiaki Shinozaki,Tamotsu Suzuki,Kazuo Suzuki,Mikio Totsuka,Tomizo Namiki,Tomohisa Tago. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1991-03-26.

Physical development of a thin reversibly activatable photoconductor element having a resinous barrier layer

Номер патента: US3700449A. Автор: Harry Lerner. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1972-10-24.

Method of making wafer having adhesive skin barrier layer

Номер патента: US5716475A. Автор: Ronald S. Botten,Larry R. Decamp,Calla K. Stoick,Eric D. Ellingson. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Wafer having adhesive skin barrier layer

Номер патента: US5609585A. Автор: Ronald S. Botten,Larry R. Decamp,Calla K. Stoick,Eric D. Ellingson. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 1997-03-11.

Multilayered tube having a barrier layer

Номер патента: US4483891A. Автор: Daryl D. Cerny. Владелец: Ball Corp. Дата публикации: 1984-11-20.

Multilayer structure and tank consisting of this structure, which has a barrier layer in direct contact with the fluid contained

Номер патента: US20020051891A1. Автор: Jerome Pascal,Christophe Le Roy,Joachim Merziger. Владелец: Elf Atochem SA. Дата публикации: 2002-05-02.

Electrophotographic element containing barrier layer

Номер патента: US5128226A. Автор: Yann Hung. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1992-07-07.

Ceramic component having silicon layer and barrier layer

Номер патента: US11781486B2. Автор: Brian T. Hazel,Zhongfen DING,Raymond Surace,Robert A. White, III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Material having a barrier layer comprising lignosulfonate

Номер патента: WO2023198695A1. Автор: Anna-stiina Jääskeläinen,Kaisa KARISALMI,Sara MUONA. Владелец: KEMIRA OYJ. Дата публикации: 2023-10-19.

Devices including a multilayer gas barrier layer

Номер патента: US20160133278A1. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Packaging structure of a microelectronic device having a hermeticity improved by a diffusion barrier layer

Номер патента: US20170057809A1. Автор: Bruno Reig,Jean-Louis Pornin,Damien Saint-Patrice,Gudrun Henn,Arnoldus Den Dekker,Marcel Giesen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-02.

Implant with a visual indicator of a barrier layer

Номер патента: US20230285138A1. Автор: Salvador Dada,Rolando Mora,Juan Jose Chacon. Владелец: Establishment Labs SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Material having a barrier layer comprising lignosulfonate

Номер патента: GB2617573A. Автор: Jääskeläinen Anna-stiina,KARISALMI KAISA,Muona Sara. Владелец: KEMIRA OYJ. Дата публикации: 2023-10-18.

Vessel with interior surface barrier layer

Номер патента: US20240182200A1. Автор: Robert Lyn Seals. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Barrier layer for garment

Номер патента: US20240188652A1. Автор: Shogo Fujiwara,Colin Beard,Amanda Frank,Tucker Sutter,Jessica Musto. Владелец: Kjus North America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Polymer laminate possessing an intermediate water vapor transmission barrier layer

Номер патента: US4582753A. Автор: Gary L. Duncan. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Multi-layer films with syndiotactic barrier layer containing a wax

Номер патента: WO1999010172A1. Автор: Shaw-Chang Chu,Michael Thomas Heffelfinger,Jay Kin Keung,Robert Guthrie Peet. Владелец: Mobil Oil Corporation. Дата публикации: 1999-03-04.

Processes for preparing barrier layer films for use in enzyme electrodes and films made thereby

Номер патента: US5766839A. Автор: Jay M. Johnson,Jeffrey L. Huntington. Владелец: YSI Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Process for manufacturing floor and wall coverings having a barrier layer

Номер патента: US5460855A. Автор: Kjell T. Andersson. Владелец: Tarkett AB. Дата публикации: 1995-10-24.

Nematic liquid crystal compensator with barrier layer and process

Номер патента: US20040008303A1. Автор: Deepak Shukla,Mridula Nair,Jason Payne,Bradley Houghtaling,James Elman,Charles Bauer,David Teegarden,Jeffrey Trest,Richard Castle,Ann Carroll-Lee,Joseph Hoff. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-01-15.

Diffusion barrier layers with microstructured spacing members for liquid crystal display panel substrates

Номер патента: US6166797A. Автор: Richard J. Pokorny,Charles L. Bruzzone,David J. W. Aastuen,Raghunath Padiyath,Patrick A. Thomas,Timothy J. Gardner. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2000-12-26.

Low permeation nylon tube with aluminium barrier layer

Номер патента: WO2003022614A2. Автор: Christopher W. Smith,Jerry Shifman,Jeremy Duke. Владелец: DAYCO PRODUCTS, LLC. Дата публикации: 2003-03-20.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: WO2019051412A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: HOLLISTER INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for Producing a Barrier Layer and Carrier Body Comprising Such a Barrier Layer

Номер патента: US20170145177A1. Автор: Juergen Bauer,Frank Vollkommer,Klaus-Dieter Bauer,Mato Knez,Keith Edward Gregorczyk. Владелец: Cic Nanogune Consolider. Дата публикации: 2017-05-25.

Electrically conductive acrylic pressure sensitive adhesive tapes comprising moisture barrier layer

Номер патента: US20210292612A1. Автор: Jeongwan Choi,Hayanmaeum Kim. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-09-23.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: US11865269B2. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: EP3681547A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Sealing tape roll of a sealing tape with interior barrier layers

Номер патента: US11174417B2. Автор: Martin Deiss. Владелец: ISO Chemie GmbH. Дата публикации: 2021-11-16.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: CA3075409C. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: AU2018330339B2. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: CA3075409A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Low permeation nylon tube with aluminium barrier layer

Номер патента: EP1425532A2. Автор: Christopher W. Smith,Jerry Shifman,Jeremy Duke. Владелец: Dayco Products LLC. Дата публикации: 2004-06-09.

Low permeation nylon tube with aluminium barrier layer

Номер патента: EP1425532A4. Автор: Jerry Shifman,Christopher W Smith,Jeremy Duke. Владелец: Dayco Products LLC. Дата публикации: 2005-11-16.

Hydrophilic medical device with removable moisture control/barrier layer

Номер патента: AU2018330339A1. Автор: David J. Farrell. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Pneumatic tires with applied air barrier layers

Номер патента: US20190351635A1. Автор: Amy M. Randall,Craig R. Balnis,David J. Zemla. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-11-21.

Devices including a gas barrier layer

Номер патента: US20160035379A1. Автор: Michael Allen Seigler,Kurt W. Wierman,Yuhang Cheng,Scott Franzen,Ed F. Rejda. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Devices including a gas barrier layer

Номер патента: US20150248905A1. Автор: Michael Allen Seigler,Kurt W. Wierman,Yuhang Cheng,Scott Franzen,Ed F. Rejda. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-09-03.

Pneumatic tires with applied air barrier layers

Номер патента: EP3541612A1. Автор: Amy M. Randall,Craig R. Balnis,David J. Zemla. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-09-25.

Container precursor of a dimensionally stable food or drink product container with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: WO2024126725A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-20.

Sheet-like composite for dimensionally stable food or drink product containers with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: WO2024126724A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-20.

Container precursor of a dimensionally stable food or drink product container with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: EP4385720A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-19.

Sheet-like composite for dimensionally stable food or drink product containers with a barrier layer with fibres and a ratio of tensile strengths

Номер патента: EP4385725A1. Автор: Georg GÖTZ,Marielle Schloemer,Aline SELKE,Heinrich SCHOLLENBERGER,Manuel PIEPMEYER. Владелец: Sig Services Ag. Дата публикации: 2024-06-19.

Thermal barrier layer and process for producing the same

Номер патента: US20020028344A1. Автор: Wolfram Beele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Multilayer film provided with active anti-oxygen barrier layer with radiation-stimulated active barrier properties

Номер патента: RU2435674C1. Автор: Скотт БЕКВИТ,Джанет РИВЕТТ,Томас КЕННЕДИ,Франк Браян ЭДВАРДС,Синтия Луизе ЭБНЕР,Рэчел МКДОВЕЛЛ,Дрю Ви. СПИР. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2011-12-10.

Barrier layer

Номер патента: US10792312B2. Автор: Paul Martakos,Theodore Karwoski,Joseph Ferraro,Steve Herweck,Lisa Rogers,Keith Faucher,Phillip MCNAMARA. Владелец: Atrium Medical Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Flexographic printing element which can be digitally imaged and has a polar, ultra-thin barrier layer

Номер патента: CA2914134A1. Автор: Armin Becker,Andreas Reifschneider,Matthias Beyer,Denis RIEWE,Uwe Stebani. Владелец: Flint Group Germany GmbH. Дата публикации: 2014-12-18.

Barrier layer in between polyurethane foam and vinyl skin

Номер патента: US4952447A. Автор: John A. Phillips,Ernest E. McClellan,Robert C. Rock. Владелец: Plastomeric Products Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Barrier layer arrangement for tank systems

Номер патента: CA2748474C. Автор: Sebastian Holtz,Nikolai Sendker. Владелец: Kaefer Schiffsausbau GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Oral treatment devices that include a thin, flexible barrier layer and an endoskeleton treatment or adhesive composition

Номер патента: CA2526050C. Автор: Dan E. Fischer,Bruce S. McLean,Peter M. Allred,Neil T. Jessop,Scot N. Anderson. Владелец: Ultradent Products Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Electrophotographic photosensitive member containing a nitrocellulose-polyvinyl pyrrolidone barrier layer

Номер патента: US3839033A. Автор: I Endo,H Matsuno,K Suzki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1974-10-01.

Reduced-pressure dressings, systems, and methods employing desolidifying barrier layers

Номер патента: CA2767982A1. Автор: Timothy Mark Robinson,Christopher Locke. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Alkali metal diffusion barrier layer

Номер патента: CA2157948C. Автор: James J. Finley,F. Howard Gillery. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

Non-pvc films having barrier layer

Номер патента: CA2756025A1. Автор: Yuanpang S. Ding,Jean-Claude Bonte,John W. Putnam,Robert R. Roberts,Michael T. Ling,Moh-Ching O. Chang,Patrick R. Balteau,Fabio G. Casartelli. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for manufacturing multi-barrier layer blow molded containers

Номер патента: EP3033212A1. Автор: David T. Foster,Vivek A. Chougule,Rabeh H. ELLEITHY,Harold S. BOWEN. Владелец: Printpack Illinois Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Tire with air barrier layer

Номер патента: EP2123479B1. Автор: Ramendra Nath Majumdar,William Paul Francik. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2011-01-19.

Reduced-pressure dressings, systems, and methods employing desolidifying barrier layers

Номер патента: CA2767982C. Автор: Timothy Mark Robinson,Christopher Locke. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Coated article with improved barrier layer structure and method of making the same

Номер патента: CA2466450C. Автор: Grzegorz Stachowiak. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Sorbent article with selective barrier layer

Номер патента: AU2022279130A1. Автор: Edward H. Cully,Christine M. Scotti. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Devices including an amorphous gas barrier layer

Номер патента: US20170213570A1. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Xiaoyue Huang,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-07-27.

Class 1 flexible uninsulated duct with polymer core and surrounding fire resistant barrier layer and method of use

Номер патента: US20230304282A1. Автор: II Ronald L. Carlay. Владелец: Flexible Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Barrier layer capsules

Номер патента: EP3027054A1. Автор: David Siegel,Michael Chaney,Aloysius Lambertus Doorn,Joshua Andrew Hagen,Natalia NIKOLOVA,Stephen FENIMORE. Владелец: Givaudan SA. Дата публикации: 2016-06-08.

Sorbent article with selective barrier layer

Номер патента: CA3216421A1. Автор: Edward H. Cully,Christine M. Scotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-24.

Class 1 flexible uninsulated duct with polymer core and surrounding fire resistant barrier layer and method of use

Номер патента: WO2023183548A1. Автор: Ronald L. Carlay Ii. Владелец: Flexible Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for Producing a Barrier Layer of a Pressure Vessel, and Pressure Vessel

Номер патента: US20220196207A1. Автор: Hans-Ulrich Stahl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Sorbent article with selective barrier layer

Номер патента: EP4340988A1. Автор: Edward H. Cully,Christine M. Scotti. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Coating layer for paper and board using dissolved cellulose

Номер патента: WO2023222955A1. Автор: Ali Harlin,Vesa Kunnari,Hannes Orelma,Pauliina Ahokas. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2023-11-23.

Barrier layer and gas sensor including the barrier layer

Номер патента: US20210253822A1. Автор: Ming-Chih Tsai. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

An oxygen barrier layer comprising microfibrillated dialdehyde cellulose

Номер патента: SE1851216A1. Автор: Isabel Knöös. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2020-04-09.

Devices including an amorphous gas barrier layer

Номер патента: US20160133277A1. Автор: Kurt W. Wierman,Michael Seigler,Xiaoyue Huang,Yuhang Cheng,Scott Franzen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Sealing Tape Roll of a Sealing Tape with Interior Barrier Layers

Номер патента: US20200048953A1. Автор: Martin Deiss. Владелец: ISO Chemie GmbH. Дата публикации: 2020-02-13.

A recyclable paper packaging material comprising metallized and polymeric barrier layers attached by a binder

Номер патента: US20240227361A1. Автор: Alexey VISHTAL,Abhijit Bhattacharya,Lise Zeboudj. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Photoconductive element having an amorphous polymeric barrier layer

Номер патента: US20060008720A1. Автор: Michel Molaire,Wayne FERRAR,Tulienne Molaire. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-01-12.

Photoconductive element having amorphous, polymeric barrier layer

Номер патента: WO2006017012A1. Автор: Michel Frantz Molaire,Wayne Thomas Ferrar,Tulienne Roche Molaire. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2006-02-16.

Photoconductive element having amorphous, polymeric barrier layer

Номер патента: EP1774408A1. Автор: Michel Frantz Molaire,Wayne Thomas Ferrar,Tulienne Roche Molaire. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-04-18.

Galvanic-corrosion-resistant composite material having a self-extingushing barrier layer

Номер патента: US09669599B1. Автор: Matthew Davis,Joseph W. Tsang,Raymond J. Meilunas,Benjamin Harvey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-06-06.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: CA2973124C. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Substrate containing silicon and a barrier layer which functions as a protective/thermal barrier coating

Номер патента: US6352790B1. Автор: Stephen Chin,Harry E. Eaton,John J. Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposition to apply a barrier layer to a moving web substrate

Номер патента: US5728224A. Автор: Wolfgang Decker,Jacques A. Laurent. Владелец: Tetra Laval Holdings and Finance SA. Дата публикации: 1998-03-17.

Multilayer film including odor barrier layer having sound dampening properties

Номер патента: CA2946794C. Автор: Moh-Ching Oliver Chang. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for vapor-depositing strip-shaped substrates with a transparent barrier layer made of aluminum oxide

Номер патента: CA2505027C. Автор: Nicolas Schiller,Steffen Straach,Matthias Fahland,Christoph Charton,Mathias Raebisch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-02-22.

Liner panel having barrier layer

Номер патента: EP1667890A4. Автор: Maung Aye Than,John M Jones,Charles R Fetz,Danie J Mccormack,Melanie R Tatum. Владелец: Great Dane LLC. Дата публикации: 2009-10-28.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: US8852422B2. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2014-10-07.

Concentration determination in a diffusion barrier layer

Номер патента: CA2887517C. Автор: Huan-Ping Wu. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Liner panel having barrier layer

Номер патента: WO2005019009A2. Автор: John M. Jones,Maung Aye Than,Charles R. Fetz,Melanie R. Tatum,Danie J. Mccormack. Владелец: Great Dane Limited Partnership. Дата публикации: 2005-03-03.

Resealable package comprising a container and wet absorbent sheet material with interposed liquid barrier layer

Номер патента: US5344007A. Автор: Kenji Nakamura,Isao Kuraishi. Владелец: Kennak USA Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Polymer foam sheet and barrier layer composite

Номер патента: US11913238B2. Автор: Baruch Zur,Sam Saladino,Zeev TZUR. Владелец: Palziv Ein Hanaziv Agricultural Cooperative Society Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Polymeric substrate including a barrier layer

Номер патента: US20230407071A1. Автор: Billy R. BODIFORD,Ross Michael Mahan. Владелец: Inv Polypropylene Llc. Дата публикации: 2023-12-21.

Spray Formation of an Impermeable Barrier Layer on a Tire

Номер патента: US20170313005A1. Автор: Paul Winston,Jaime C. Grunlan,John J. Mchugh,Charlie Wen. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2017-11-02.

Spray Formation of an Impermeable Barrier Layer on a Tire

Номер патента: US20180290412A1. Автор: Paul Winston,Jaime C. Grunlan,John J. Mchugh,Charlie Wen. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2018-10-11.

Polymeric substrate including a barrier layer

Номер патента: US11781000B2. Автор: Billy R. BODIFORD,Ross Michael Mahan. Владелец: Inv Polypropylene Llc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for providing a cathode lining barrier layer in an electrolysis cell and a material for same

Номер патента: CA3106885A1. Автор: Eirik Hagen,Espen Tjønneland WEFRING,Christian Schoning. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2020-03-12.

A cellulose fiber structure comprising a barrier layer

Номер патента: WO2022218772A1. Автор: Matthias Hausmann,Frank Peng,Sohrab Kazemahvazi,Olga SIEVE. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for imaging electrical barrier layers such as pn-junctions in semiconductors by means of processing particle-beam-induced signals in a scanning corpuscular microscope

Номер патента: US4646253A. Автор: Helmut Schink,Hans Rehme. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-02-24.

Method for providing a cathode lining barrier layer in an electrolysis cell and a material for same

Номер патента: US20210310139A1. Автор: Eirik Hagen,Espen Tjønneland WEFRING,Christian Schoning. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 2021-10-07.

Molybdenum-silicon-boron with noble metal barrier layer

Номер патента: US11987898B2. Автор: Douglas M. Berczik,Brendan M. Lenz. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: WO2007127274A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-11-08.

Devices including a diffusion barrier layer

Номер патента: US20180090160A1. Автор: TONG Zhao,Michael Seigler,Yuhang Cheng,Michael Kautzky,Scott Franzen,Sarbeswar Sahoo,John Duda,Hui Brickner,James Wessel. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-29.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: CA2642876A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Polymeric pipes and containers with high barrier layers

Номер патента: EP2010376A1. Автор: Steven A. Mestemacher,Robert B. Fish,Shailesh Doshi,Paul D. Seabrook. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-01-07.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Packing laminated plastic, folding roller, and also layer for usage in packing laminated plastic

Номер патента: RU2283769C2. Автор: Ханс ЙОХАНССОН,Ларс БЕРГХОЛЬТЦ,Лотта КЛИНТ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2006-09-20.

Catalyst for protective layer for processing of heavy oil feedstock

Номер патента: RU2698191C1. Автор: Екатерина Васильевна Пархомчук,Ксения Александровна Сашкина,Виктория Сергеевна Семейкина,Андрей Владимирович Клейменов,Антон Игоревич Лысиков,Александр Валерьевич Полухин,Константин Владимирович Федотов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр "Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук" (ИК СО РАН). Дата публикации: 2019-08-23.

Device and method for preprocessing of sliding layer for guardrails from extruded composite material

Номер патента: RU2476316C2. Автор: Эндрю Оливер КЕННИ,Викар ХАЙДЕР. Владелец: ИЭйчСи Канада, Инк.. Дата публикации: 2013-02-27.

Composition layer for laminate glass

Номер патента: RU2289510C2. Автор: Джеймс Р. МОРАН,Фрэнсис Г. ГЕРБЕРИЧ. Владелец: Солютиа Инк.. Дата публикации: 2006-12-20.

Method of making aircraft thrust reverser bearing grate sections from polymer composites, mandrel to this end, mould for pouring anti-adhesion elastic material of mandrel separation layer for implementation of said method and sections of aircraft thrust reverser bearing grate

Номер патента: RU2509649C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Анатолий Иванович Уфимцев,Михаил Анатольевич Терешонков,Александр Алексеевич Кульков,Сергей Васильевич Баранов,Александр Павлович Ведерников,Михаил Анатольевич Гринев,Вячеслав Викторович Мерзляков,Аркадий Витальевич Пашутов,Мария Юрьевна Пашкова,Вячеслав Витальевич Шведов. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2014-03-20.

Gas-sensitive layer for determining formaldehyde in air, sensor with gas-sensitive layer and detector for determining formaldehyde

Номер патента: RU2723161C1. Автор: Александр Михайлович Гаськов,Марина Николаевна Румянцева,Алеся Андреевна Осипова,Абулкосим Фирузджонович Насриддинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-06-09.

Method of forming catalyst layer for solid-polymer fuel cell

Номер патента: RU2456717C1. Автор: Александр Константинович Филиппов,Екатерина Евгеньевна Терукова,Александр Александрович Томасов,Надежда Викторовна Глебова,Андрей Алексеевич Нечитайлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН). Дата публикации: 2012-07-20.

Reinforcing layer for rubber article

Номер патента: RU2691355C1. Автор: Риотаро СУЕФУДЗИ,Ган ХОУ. Владелец: Дзе Йокогама Раббер Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-11.

Cathodic cell with falling layer for electrochemical extraction of metal

Номер патента: RU2353711C2. Автор: Дуглас Дж. РОБИНСОН,Стейси А. МАКДОНАЛЬД,Давиде СКОТТИ,Франческо ТОДАРО. Владелец: Де Нора Элеттроди С.П.А.. Дата публикации: 2009-04-27.

Apparatus for determining the optimal residual fuel layer for solid fuel heaters

Номер патента: RU2752211C1. Автор: Михал ГАЛАДА. Владелец: Блазе Гармоны С.Р.О.. Дата публикации: 2021-07-23.

Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production, as well as substrate with reflective layer for such mask blank and process for its production

Номер патента: US09720316B2. Автор: Masaki Mikami. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Intermediate layer for laminated glass, roll and laminated glass

Номер патента: RU2721740C2. Автор: Эцуроу ХИРОТА,Хиромицу НИСИНО. Владелец: Секисуй Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-21.

Protective layer for insulating construction panels, containing environmentally safe materials, and method for manufacturing such a protective layer

Номер патента: RU2763913C1. Автор: Уго ФАОТТО,Гиованни ФАОТТО. Владелец: Элементс С.Р.Л. Дата публикации: 2022-01-11.

Coextruded laminate having barrier layers

Номер патента: US4780258A. Автор: Peter F. Cloeren. Владелец: P C E Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Fusing roll having a fluorocarbon-silicone barrier layer

Номер патента: US5534347A. Автор: Tsang J. Chen,Lawrence P. DeMejo,Jiann-Hsing Chen,Ming-Shih Lian,Gary F. Roberts. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1996-07-09.

Film applied as intermediate layer for triplexes, triplex containig this film and method of transportation and/or storage of rolled film

Номер патента: RU2325408C2. Автор: Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ,Манфред ХОСС,Бернард КОЛЛЬ,Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ (DE),Манфред ХОСС (DE),Бернард КОЛЛЬ (DE). Владелец: Курарей Юроп ГмбХ. Дата публикации: 2008-05-27.

Method for applying a barrier layer to a silicon based substrate and an article prepared in accordance with the method

Номер патента: EP1044947A3. Автор: Thomas H. Lawton,Harry E. Eaton. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2001-11-14.

Detersive enzyme particles having water-soluble carboxylate barrier layer and compositions including same

Номер патента: CA2292514C. Автор: Peter Robert Foley,Lynda Anne Speed,Douglas A. Dale,Melissa Dee Aquino,Glenn Ward,Xiaoqing Song. Владелец: Genencor International Inc. Дата публикации: 2005-11-15.

Welding method for a multilayer composite having a barrier layer

Номер патента: US11820082B2. Автор: Norman Scholz. Владелец: Herrmann Ultraschalltechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-21.

Activated carbon filter having barrier layer

Номер патента: US11801469B2. Автор: Tobias Lang. Владелец: A Kayser Automotive Systems GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Activated Carbon Filter Having Barrier Layer

Номер патента: US20210379526A1. Автор: Tobias Lang. Владелец: A Kayser Automotive Systems GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

A recyclable paper packaging material comprising metallized and polymeric barrier layers attached by a binder

Номер патента: EP4337827A1. Автор: Alexey VISHTAL,Abhijit Bhattacharya,Lise Zeboudj. Владелец: Nestle SA. Дата публикации: 2024-03-20.

Generating object-based layers for digital image editing using object classification machine learning models

Номер патента: US12056791B2. Автор: Harshit Agrawal,Venkatrayalu Krishnamurthy Logashwar. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Providing a coating layer for a label web

Номер патента: US20240246104A1. Автор: Markus PÄÄKKÖNEN,Janne VALKAMA. Владелец: UPM RAFLATAC OY. Дата публикации: 2024-07-25.

Distributed and fast data storage layer for large scale web data services

Номер патента: EP3080953A1. Автор: AMIT Aggarwal,Ashutosh Garg,Gurashish Singh Brar,Prateek Gupta,Praveen K. Patnala,Kannan Nitin Sharma,Manojit Sarkar,Shao-Chuan Wang. Владелец: BloomReach Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Distributed and fast data storage layer for large scale web data services

Номер патента: WO2015089463A1. Автор: AMIT Aggarwal,Ashutosh Garg,Gurashish Singh Brar,Prateek Gupta,Praveen K. Patnala,Kannan Nitin Sharma,Manojit Sarkar,Shao-Chuan Wang. Владелец: BloomReach Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

Composite layer for display, preparation process thereof, glass stacking and window assembly comprising the composite layer for display

Номер патента: WO2024179534A1. Автор: LU Wang,Daming Li,Yiheng Zhang,JianFeng Zhang. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-09-06.

Recombination layers for crossover mitigation for exchange membranes and water electrolyzer membrane electrode assemblies

Номер патента: WO2024215367A1. Автор: FAN YANG,Qiang Sun,Cortney Mittelsteadt. Владелец: PLUG POWER INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Recombination layers for crossover mitigation for exchange membranes and water electrolyzer membrane electrode assemblies

Номер патента: US20240344212A1. Автор: FAN YANG,Qiang Sun,Cortney Mittelsteadt. Владелец: Plug Power Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Layer for pants

Номер патента: RU2286119C2. Автор: Шарлотте ПЕРССОН,Бритт-Мари ВИЗЕЛЛЬ. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2006-10-27.

Catalyst of protective layer for hydrotreating process

Номер патента: RU2660904C1. Автор: Анна Николаевна Логинова,Илья Михайлович Круковский,Вадим Владимирович Фадеев,Сергей Александрович Свидерский,Янина Владиславовна Морозова. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-07-11.

Air oxidisable scratch resistant protective layer for optical coatings

Номер патента: RU2424202C2. Автор: Питер Алан МАШВИТЦ,Питер Алан МАШВИТЦ (US). Владелец: Эйджиси Флэт Гласс Норс Америка, Инк. Дата публикации: 2011-07-20.

Reinforcing layer for articles from elastomer material, preferably for pneumatic tires of vehicle, and pneumatic tires of vehicle

Номер патента: RU2702369C1. Автор: Томас КРАМЕР,Вольфганг РЕЕЗЕ. Владелец: КОНТИНЕНТАЛЬ РАЙФЕН ДОЙЧЛАНД ГМБХ. Дата публикации: 2019-10-08.

Removable colour layer for artificial nail coatings and related methods

Номер патента: RU2560249C2. Автор: Тонг Х. ВУ,Диан Мари ЛАРСЕН,Чэд КОНДЖЕР,Даглас Д. ШУН. Владелец: Криэйтив Нэил Дизайн, Инк.. Дата публикации: 2015-08-20.

Protective layer for plants and trees, preparation thereof and use thereof

Номер патента: RU2464784C2. Автор: Саша ШВИНДТ. Владелец: Стифтунг Нано Инновейшнз. Дата публикации: 2012-10-27.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Method of layering for non-planar components made of composite material

Номер патента: RU2603791C2. Автор: СЕВИЛЬЯ Альберто ЛОСАНО,МАКАРРИЛЬЯ Хосе Оренсио ГРАНАДО,ВАЛЬДЕГРАМА Висенте МАРТИНЕС,ГАЛЬЕГО Рауль БУРГОС. Владелец: Эйрбас Оперейшнз, С.Л.. Дата публикации: 2016-11-27.

Method of making catalyst layer for fuel cell

Номер патента: RU2414021C1. Автор: Владимир Николаевич Фатеев,Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько,Александр Григорьевич Домантовский,Владимир Николаевич Фатеев (RU),Борис Аронович Гурович (RU),Евгения Анатольевна Кулешова (RU),Александр Григорьевич Домантовский (RU),Кирилл Евгеньевич Приходько (RU). Владелец: Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт"). Дата публикации: 2011-03-10.

Porous transport layer for use in a polymer electrolyte membrane electrolyzer, an electrolyzer comprising said porous transport layer, a method for obtaining said porous transport layer and a method for electrolysing water using said porous transport layer

Номер патента: AU2022409751A1. Автор: Johannes Godfried VOS,Matti VAN SCHOONEVELD,Adriaan W. JEREMIASSE. Владелец: Magneto Special Anodes BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and methods for determining a safety layer for an anatomical element

Номер патента: US20240225760A9. Автор: Jaffar Hleihil,Itamar ESHEL,Dvir Kadshai,Hay Shmulevich. Владелец: Mazor Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods of making polymeric optical layers for optical layering applications

Номер патента: US20230125794A1. Автор: Ankit Vora,Matthew E. Colburn,Austin Lane,Richard Farrell,Marvin Dion ALIM. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Systems and methods of making polymeric optical layers for optical layering applications

Номер патента: EP4422853A1. Автор: Ankit Vora,Matthew E. Colburn,Austin Lane,Richard Farrell,Marvin Dion ALIM. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Engine compartment component in co-molded layers for vehicles

Номер патента: EP3762203A1. Автор: Antonio Affinita. Владелец: Sapa SpA. Дата публикации: 2021-01-13.

Porous transport layer for use in a polymer electrolyte membrane electrolyzer, an electrolyzer comprising said porous transport layer, a method for obtaining said porous transport layer and a method for electrolysing water using said porous transport layer

Номер патента: EP4448840A2. Автор: Johannes Godfried VOS,Matti VAN SCHOONEVELD,Adriaan W. JEREMIASSE. Владелец: Magneto Special Anodes BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Pressure-sensitive adhesive layer for optical applications, pressure-sensitive adhesive layer-attached optical film, and image display device

Номер патента: US09809729B2. Автор: Takaaki Ishii,Atsushi Yasui,Shinsuke Akizuki,Yuusuke Toyama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Oxidation-resistant layer for TiAl materials and method for the production thereof

Номер патента: US09657395B2. Автор: Martin Schloffer,Nanxi ZHENG. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Ultra-low profile multidentate lubricant for use as a sub-nanometer thick lubricant layer for magnetic media

Номер патента: US09466322B2. Автор: Xing-Cai Guo,Bruno Marchon,Hong Deng,Robert Waltman,Bala K. Pathem. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-10-11.

Highly soft composite having large thickness of insulating layer for napkins

Номер патента: RU2429285C2. Автор: Лютер СТОКТОН,Сьюзан Мари МАЧЕЛСКИ,Сяодун ЧЖАН,Йоунг-сам КИМ,Дидре Анн СТРАНД,Гарольд Кристиан ФАУЛЕР,Герт Йоханнес КЛААСЕН,Фридерике Т. ШТОЛЛЬМАЙЕР,Верена М. Т. ТИДЕ,Карин КАТЦЕР. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-09-20.

Film applied as intermediate layer for triplexes, triplex containing this film and method of transportation and/or storage of rolled film

Номер патента: RU2325408C9. Автор: Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ,Манфред ХОСС,Бернард КОЛЛЬ. Владелец: Курарей Юроп ГмбХ. Дата публикации: 2009-04-10.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637003C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-29.

Portable adhesive layer for use in absorbing article adhesion to the body

Номер патента: RU2601272C2. Автор: Джон Тимоти ХАН,Мелисса Джин ДЕННИС,Перри Аллен БУШ,Дональд Джеймс ШМИДТ,Тодд Уильям УИЛКС,Дэвид Джон ЭНЗ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-10-27.

Reinforcing material layer for pneumatic tire, method of manufacture of said layer and method of manufacture of pneumatic tire

Номер патента: RU2250836C2. Автор: Жан БИЙЕР. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2005-04-27.

Recyclable artificial turf and HDPE backing layer for recyclable artificial turf

Номер патента: US20240254688A1. Автор: Colin Young,Niels Gerhardus KOLKMAN,Hein Anton Heerink,Salil Sethunath,Michael Rene Vogel. Владелец: Ten Cate Thiolon BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Using a caching layer for key-value storage in a database

Номер патента: EP4124970A1. Автор: Mark Nelson,Gabriel Zvi BenHanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-02-01.

Plating layer for sliding portion and method for forming the same

Номер патента: US20060151329A1. Автор: Satoshi Nanba,Yoshio Tanita,Shinji Kadoshima. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Padding layer for multi-layered sports playing field

Номер патента: EP2588208A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: ADVANTAGE COCHRANE SPORT Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Chafe layer for a fluid conduit, fluid conduit, method for producing a fluid conduit and use of a polyurethane as a chafe layer and use of an ethylene copolymer as an additive

Номер патента: US20230235114A1. Автор: Marcus Leberfinger,Sanghoon Moon,Christoph Wehrmann,Jeongbeom PARK,Chansoo RA. Владелец: AFT Automotive GmbH. Дата публикации: 2023-07-27.

Artificial Intelligent Stent with Endovascular Nano-structured Flowmeter Layer for Monitoring Mental Performance, Re-stenosis and Thromboembolism

Номер патента: US20230301535A1. Автор: Philip Chidi Njemanze,Michelle Nkem Chidi-Njemanze,Philip Chidi Njemanze, JR.,Nicole Odera Chidi-Njemanze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-28.

Systems and methods for applying electric fields during ultraviolet exposure of lubricant layers for hard disk media

Номер патента: US09953665B1. Автор: Hiroshi Tani,Yasuo Sakane. Владелец: WD Media LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Coating layer for anti-glare film and anti-glare film comprising the same

Номер патента: US09738809B2. Автор: Yeong-Rae Chang,Joon-Koo Kang,Jae-Pil Koo,Jae-Hoon Shim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240131826A1. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240131833A1. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Plating layer for sliding portion

Номер патента: US7422797B2. Автор: Satoshi Nanba,Yoshio Tanita,Shinji Kadoshima. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Writing pen with built-in facility for creating an embossed and metallic coated surface under- layer for signature, to secure originality

Номер патента: WO2003086778B1. Автор: Chenicheri Vadakki Venugopalan. Владелец: Chenicheri Vadakki Venugopalan. Дата публикации: 2003-12-24.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240227368A9. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240227379A9. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic media with a low molecular weight lubricating layer for use in head/media contact detection

Номер патента: US20140198409A1. Автор: Yoko Saito,Hiroyuki Matsumoto,Sukefumi Ito,Yoshihiko Ooeda. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-07-17.

Coating layer for vehicle trim element, trim element and method thereof

Номер патента: US20240286377A1. Автор: Benjamin Quesnel. Владелец: Materi'act. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming alignment layer for liquid crystal display and liquid crystal display fabricated using the same

Номер патента: US20060198969A1. Автор: Hyun SEO,Kwang Shin. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Insulation layer composition and insulation layer for plant tissue culture

Номер патента: US20200079928A1. Автор: Jun-Nan LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-12.

Wear-protection layer for piston rings

Номер патента: US09869390B2. Автор: Michael Zinnabold,Marcus Kennedy. Владелец: Federal Mogul Burscheid GmbH. Дата публикации: 2018-01-16.

Signal layer for an absorbent article

Номер патента: US09775750B2. Автор: Elisabeth KARLSSON. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2017-10-03.

Porous Transport Layer For Cathode and Water Electrolysis Cell Comprising the Same

Номер патента: US20240191372A1. Автор: Ji Han Lee,Hyo Kyung Han. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetoresistive sensor having an Ir seed layer for improved pinned layer robustness

Номер патента: US09343090B1. Автор: Kouichi Nishioka. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-05-17.

SAMPLE WITH APPLIED SURFACE LAYER FOR DETERMINATION OF PLASTIC DEFORMATION ZONE

Номер патента: RU209994U1. Автор: Павел Александрович Бимбереков,Александр Олегович Токарев,Екатерина Сергеевна Кожевникова. Владелец: Екатерина Сергеевна Кожевникова. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional air layer for boot (versions)

Номер патента: RU2180792C2. Автор: Ин-Чжин ХУАН. Владелец: Ин-Чжин ХУАН. Дата публикации: 2002-03-27.

Light-shielding layer for display device

Номер патента: US20040257502A1. Автор: HIDEAKI Ito,Akira Hatakeyama,Hidenori Gotoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Stabilized photo-alignment layer for liquid crystal

Номер патента: US20150029453A1. Автор: Qi Guo,Vladimir Grigorievich Chigrinov,Abhishek Kumar Srivastava,Hoi Sing Kwok. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

A Construction Method of Embedding Anchor Bolts and Installing One-time Pouring on Concrete Cushion Layers for Bridge Steel Tube Height Limit Frames

Номер патента: AU2021105474A4. Автор: Xin Zhang,Xiangping Zhang,Daqi Hu,Zuotang Hu. Владелец: China Railway 18th Bureau Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Protective layer for optical devices

Номер патента: US9382440B2. Автор: Alon SHIMSHON,Yair RAHAMIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-05.

An acoustic window layer for an ultrasound array

Номер патента: US20180333136A1. Автор: Franciscus Johannes Gerardus Hakkens,Peter Dirksen,Lucas Johannes Anna Maria Beckers,Kevin Grayson WICKLINE,Paweł Michalski,Edward Theodorus Maria BERBEN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-11-22.

An acoustic window layer for an ultrasound array

Номер патента: EP3374095A1. Автор: Franciscus Johannes Gerardus Hakkens,Peter Dirksen,Lucas Johannes Anna Maria Beckers,Kevin Grayson WICKLINE,Paweł Michalski,Edward Theodorus Maria BERBEN. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-09-19.

Water-retaining layer for retaining water in soil, greening system and construction method of greening system

Номер патента: US20200068818A1. Автор: Kazuki Nojiri. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Protective layer for optical devices

Номер патента: US20140171570A1. Автор: Alon SHIMSHON,Yair RAHAMIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-19.

Gas diffusion layer for anion exchange membrane electrolysis and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4442865A1. Автор: Sung Gap Im,Jin Ryu,Eui-Duk Kim,Myung Seok OH,Hyojin JEON,Do Heung KIM,Joung Hoon Park,Sarang PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-10-09.

Dielectric layer for magneto-optic storage media structures

Номер патента: CA2032866A1. Автор: Christopher V. Jahnes,Fletcher Jones,Michael A. Russak,Joseph S. Logan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-08-01.

Layered tube and layer for use in same

Номер патента: US09851026B2. Автор: Joseph David Proof,Gregory James Chapman,Soumayajit Sarkar,Javed Mapkar,Edward Hummelt,Kenneth Phaneuf,Robert Michael Lefere. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Interfacial adhesion strength measuring apparatus and method of a gas diffusion layer for fuel cells

Номер патента: US09846113B2. Автор: Bo Ki Hong,Taek Soo Kim,Byeong Heon Jeong,Sanwi Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-12-19.

Lightning protection layer for fiber composite structures

Номер патента: US09809324B2. Автор: Christian Karch,Juergen Steinwandel. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2017-11-07.

Stabilized photo-alignment layer for liquid crystal

Номер патента: US09791743B2. Автор: Qi Guo,Vladimir Grigorievich Chigrinov,Abhishek Kumar Srivastava,Hoi Sing Kwok. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Composite laminar rubber-textile protective material based on butyl rubber with barrier layer

Номер патента: RU2457952C1. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Валентин Константинович Гореленков,Виталий Сергеевич Аншин,Виктор Федорович Ларионов,Алексей Тимофеевич Балашов,Геннадий Алексеевич Живулин,Андрей Юрьевич Дубровин,Евгений Андреевич Дубровин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт эластомерных материалов и изделий". Дата публикации: 2012-08-10.

Heat-reflecting heat resistant laminar rubber-textile protective material based on chloroprene rubber with barrier layer

Номер патента: RU2489265C1. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Валентин Константинович Гореленков,Сергей Юрьевич Копецкий,Александр Петрович Корнюшин,Алексей Владимирович Замятин,Виктор Александрович Давыдкин,Артур Анатольевич Герасимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт эластомерных материалов и изделий" (ООО "НИИЭМИ"). Дата публикации: 2013-08-10.

Composite layered rubberised fabric protective material based on butadiene-nitrile rubber with barrier layer

Номер патента: RU2469866C2. Автор: Юрий Алексеевич Матвеев,Владимир Владимирович Ананьев,Сергей Владимирович Резниченко,Наталья Александровна Воронова,Валентин Константинович Гореленков,Виктор Федорович Ларионов,Шарифа Камильевна Ионова,Нина Валентиновна Бадьянова,Владимир Сергеевич Гулин,Ирина Ивановна Аншина. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-12-20.

Copper substrate overlaid with a nickel oxide barrier layer and a covering nickel layer

Номер патента: CA1098858A. Автор: Clermont A. Roy. Владелец: Canada Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-07.

Methods and Systems for Providing a Logical Network Layer for Delivery of Input/Output Data

Номер патента: US20120002668A1. Автор: Lariviere Robert,Chenard Sylvain Joseph Henri,Waines Gregory,Baker Brian Neil,Mousseau Guy. Владелец: ROCKSTAR BIDCO LP. Дата публикации: 2012-01-05.

SCRATCH-RESISTANT AND EXPANDABLE CORROSION PREVENTION LAYER FOR LIGHT METAL SUBSTRATES

Номер патента: US20120003483A1. Автор: Salz Dirk,Vissing Klaus-Dieter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Reaction system with bubble column type suspended layer for fischer-tropsch synthesis

Номер патента: RU2384603C1. Автор: Ясухиро ОНИСИ,Кенитиро ФУДЗИМОТО,Масару ИХАРА,Есифуми СУЕХИРО,Ясумаса МОРИТА,Кийоси ИНАБА,Тосио СИМИЗУ,Осаму ИВАМОТО. Владелец: Секиюсиген Кайхацу Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-03-20.

Drying machine of the boiling layer for the polydisperse materials

Номер патента: RU2303221C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мари Олеговна Кочетова,Мария Олеговна Кочетова,Сергей Савельевич Кочетов,Сергей Сергеевич Кочетов,Геннадий Васильевич Львов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2007-07-20.

Facilities for conditioning with covering layer for food and pharmaceutical products

Номер патента: RU2332865C2. Автор: Джон Марк КОРНЕЛИУС,Майкл Э. ТАРКВИНИ,Джун М. НИДЕС,Гэри М. ФРИМАН. Владелец: Дж. М. Хьюбер Корпорейшн. Дата публикации: 2008-09-10.

Layer for sealing of flanged connection

Номер патента: RU2282083C2. Автор: Александр Павлович Епишов,Игорь Петрович Клепцов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИЛЬМА". Дата публикации: 2006-08-20.

Procedure for production of erosion-resistant coating containing nano-layers for blades of turbo-machines out of titanium alloys

Номер патента: RU2390578C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Алиса Аскаровна Мингажева,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов,Михаил Юрьевич Дыбленко,Вячеслав Юрьевич Гордеев,Альберт Нуруллаевич Рамазанов. Владелец: ООО "НПП Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2010-05-27.

Drier of flowing layer for dispersive materials

Номер патента: RU2178242C1. Автор: С.Т. Антипов,А.В. Прибытков,Е.А. Ширшов. Владелец: Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2002-01-10.

Improved anti-halation layers or filter layers for photographic purposes

Номер патента: GB512497A. Автор: . Владелец: IG Farbenindustrie AG. Дата публикации: 1939-09-18.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.