Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Ausbilden von dieser
Номер патента: DE102016113434B4
Опубликовано: 19-11-2020
Автор(ы): Cheng-Chien Li, Chi-Wen Liu, Chia-Ming Chang, Hsin-Chieh Huang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-11-2020
Автор(ы): Cheng-Chien Li, Chi-Wen Liu, Chia-Ming Chang, Hsin-Chieh Huang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Verfahren zum Ausbilden von Halbleitervorrichtungen mit in Schnittfugengebieten zur Die-Vereinzelung ausgebildeten vorbereitenden Gräben
Номер патента: DE102019129091B4. Автор: Christian Westermeier,Stefan Mieslinger,Markus Zundel,Anatoly Sotnikov,Boris Mayerhofer,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Thomas Ostermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-10.