MEMORY ARRAY WITH ULTRA-THIN ETCHED PILLAR SURROUND GATE ACCESS TRANSISTORS AND BURIED DATA/BIT LINES.

MEMORY ARRAY WITH ULTRA-THIN ETCHED PILLAR SURROUND GATE ACCESS TRANSISTORS AND BURIED DATA/BIT LINES

Номер патента: US20120276699A1
Опубликовано: 01-11-2012
Автор(ы): Leonard Forbes
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20090256181A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20120276699A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Folded bit line DRAM with ultra-thin vertical body transistor

Номер патента: JP4431401B2. Автор: フォーブス，レオナルド,アン，ケイ，ワイ. Владелец: マイクロンテクノロジー，インク．. Дата публикации: 2010-03-17.

Folded bit line DRAM with ultra-thin vertical body transistor

Номер патента: JP2005520347A. Автор: フォーブス，レオナルド,アン，ケイ，ワイ. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-07.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Vertical memory devices, memory arrays, and related methods

Номер патента: US20150255599A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US09620645B1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

In service programmable logic arrays with ultra thin vertical body transistors

Номер патента: CN1290263C. Автор: L·福尔贝斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-13.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH ULTRA-THIN BODY AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170092756A1. Автор: Chen Kuang-Hsin,Lai Cheng-Chieh,WU Yung-Chun,YEH Mu-Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Programmable memory address and decode circuits with ultra thin vertical body transistors

Номер патента: CN1502133A. Автор: L,L·福尔贝斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-02.

Programmable memory address and decode circuits with ultra thin vertical body transistors

Номер патента: US20020109138A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

MOSFET with ultra-thin strained silicon channel and method for producint the same

Номер патента: TW200305284A. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-16.

Programmable capacitor memory arrays with stacked access transistors

Номер патента: US20240008291A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US20240237364A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory Devices which include Memory Arrays

Номер патента: US20180261602A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: EP3925004A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2020167658A4. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240179919A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20220293623A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200075630A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors formed with an oxide semiconductor channel

Номер патента: US20240114689A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Systems and devices including multi-gate transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: US20130240967A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Memory arrays comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US09847337B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

3d rfics with ultra-thin semiconductor materials

Номер патента: US20140151641A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory address and decode circuits with ultra thin body transistors

Номер патента: US6448601B1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Memory address and decode circuits with ultra thin body transistors

Номер патента: US20030006446A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Memory address and decode circuits with ultra thin body transistors

Номер патента: AU2002309488A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-15.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Minimizing disturbs in dense non volatile memory arrays

Номер патента: US09490261B2. Автор: Boaz Eitan,Amichai GIVANT,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US11856793B2. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US20220359612A1. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Extraction of drain junction overlap with the gate and the channel length for ultra-small CMOS devices with ultra-thin gate oxides

Номер патента: US6646462B1. Автор: Zhigang Wang,Xin Guo,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Transistors and memory arrays

Номер патента: US11605723B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09444046B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

3d rfics with ultra-thin semiconductor materials

Номер патента: US20140151642A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

3D RFICS WITH ULTRA-THIN SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: US20140151641A1. Автор: Han Shu-Jen,Valdes Garcia Alberto. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory Cells, Memory Arrays, Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Forming A Shared Doped Semiconductor Region Of A Vertically Oriented Thyristor And A Vertically Oriented Access Transistor

Номер патента: US20140057398A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230290860A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory array with an air gap between memory cells and the formation thereof

Номер патента: US20130260521A1. Автор: Christopher J. Larsen,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11967632B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210376122A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: WO2020131397A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory array with memory cells arranged in pages

Номер патента: US09466392B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Ching-Sung Yang,Shih-Chen Wang,Wei-Chen Chang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and anti-fuse one-time programmable memory array

Номер патента: US09589971B1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Hsiang Lin,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Hsuan-Chi Su. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

3d memory array contact structures

Номер патента: US20240276726A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array and methods of forming same

Номер патента: US12069864B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Nonvolatile memory cell structure with assistant gate and memory array thereof

Номер патента: US09601501B2. Автор: Wei-Ren Chen,Mu-Ying Tsao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

One-time programmable memory cell capable of reducing leakage current and preventing slow bit response, and method for programming a memory array comprising the same

Номер патента: US09601499B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Four Gate, Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20210110873A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Si|icon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory arrays using common floating gate series devices

Номер патента: US09659655B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Flash memory unit and memory array, and programming, erasing and reading method thereof

Номер патента: US09406685B2. Автор: HONG Jiang,Jian Hu,Jun Xiao,Weiran Kong,Guangjun Yang,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Low power programming technique for a floating body memory transistor, memory cell, and memory array

Номер патента: EP1671331A2. Автор: Serguei Okhonin,Pierre Fazan. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2006-06-21.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20200066327A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US11862280B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US11501803B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

3D memory array contact structures

Номер патента: US11985825B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20200194038A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20240185892A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: EP3900045A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20210035612A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20210125661A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: WO2020040832A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411072A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory arrays

Номер патента: US09929233B2. Автор: Zailong Bian,Janos Fucsko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory arrays

Номер патента: US09875960B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory arrays

Номер патента: US09773728B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory cell, memory array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397426A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines

Номер патента: US7510954B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Memory array and memory device

Номер патента: US8350320B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH ULTRA-THIN BODY AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Chen Kuang-Hsin,Lai Cheng-Chieh,WU Yung-Chun,YEH Mu-Shih. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020112256A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory Array And A Method Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20200144283A1. Автор: John D. Hopkins,Changhan Kim,Collin Howder,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Bumpless build-up layer (BBUL) semiconductor package with ultra-thin dielectric layer

Номер патента: US09520350B2. Автор: Ebrahim Andideh,Digvijay A. Raorane,Daniel N. Sobieski,Weng Hong Teh,Emile Davies-venn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Dual-side exposed semiconductor package with ultra-thin die and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437528B1. Автор: Jun Lu,Yuping Gong,Yan Yun Xue,Xiaoming Sui. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09490126B2. Автор: Seungmoo Choi,Sameer Haddad. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: WO2020149917A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US11805653B2. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: EP3912191A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US20240147729A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057440A1. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US09570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of controlling oxide thinning in an eprom or flash memory array

Номер патента: WO1995012213A1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-05-04.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230207631A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022103538A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuitry, a method used in forming integrated circuitry, and a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11495610B2. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

3D RFICS WITH ULTRA-THIN SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: US20140151642A1. Автор: Han Shu-Jen,Valdes Garcia Alberto. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Access transistor of a nonvolatile memory device and method for fabricating same

Номер патента: US09893076B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: WO2024051689A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Lateral transistors for selecting blocks in a three-dimensional memory array and methods for forming the same

Номер патента: US11882702B2. Автор: Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Merged cavities and buried etch stops for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397422A1. Автор: David H. Wells,Yoshiaki Fukuzumi,Byeung Chul Kim,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Offset Geometries for Area Reduction in Memory Arrays

Номер патента: US20110018035A1. Автор: Theodore W. Houston,Robert R. Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Monolithic three dimensional memory arrays formed using sacrificial polysilicon pillars

Номер патента: US09646880B1. Автор: Seje TAKAKI,Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: WO2024005806A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: US20240008255A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Three dimensional memory array with select device

Номер патента: US09728584B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory arrays

Номер патента: US09614007B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09673393B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

NAND memory array with mismatched cell and bitline pitch

Номер патента: US09659952B2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory Array and Methods Used in Forming a Memory Array

Номер патента: US20240244837A1. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US09691820B2. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09595667B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: US20240079326A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20180269283A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200381290A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated memory, integrated assemblies, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2018128758A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory Structures, Memory Arrays, Methods of Forming Memory Structures and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20130341586A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US20140097503A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US20130207202A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US8981463B2. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320085A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical jfet as used for selective component in a memory array

Номер патента: WO2006029280A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240074179A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US09947678B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US09437603B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11937428B2. Автор: Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057433A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20230337429A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Vertical string driver for memory array

Номер патента: US20220076751A1. Автор: Aaron S. Yip,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230397420A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377653A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200051849A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230395149A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,David Ross Economy,Everett A. McTeer,Jiewei Chen,Aaron P. Thurber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230209827A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11856764B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889683B2. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022240496A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Integrated Circuitry Comprising A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230422503A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220077186A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792983B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240138145A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Trench and pier architectures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230329010A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057428A1. Автор: Yiping Wang,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Ramey M. Abdelrahaman,Matthew J. King,David NEUMEYER,Daniel Billingsley,Chandra Tiwari,Andrew Li,Wei Yeeng Ng,Narula Bilik,Lance Williamson,Zhenyu Bo,Joan M. Kash,Yung K. Pak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

MFIS ferroelectric memory array

Номер патента: US7112837B2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-09-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320092A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240081052A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140154861A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210399012A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Chandra Twari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11996151B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210175247A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

MFIS ferroelectric memory array

Номер патента: US20060068509A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: US20230033086A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Integrated Circuits, Methods for Manufacturing Integrated Circuits, Integrated Memory Arrays

Номер патента: US20080225587A1. Автор: Josef Willer,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-18.

Dielectric materials, capacitors and memory arrays

Номер патента: US12062688B2. Автор: Timothy A. Quick,Matthew N. Rocklein,Sumeet C. Pandey,Richard Beeler,An-Jen B. Cheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory array

Номер патента: US20100314680A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Methods of forming a portion of a memory array having a conductor having a variable concentration of germanium

Номер патента: US09953842B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile composite nanoscopic fabric NAND memory arrays and methods of making same

Номер патента: US09767902B2. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,H. Montgomery Manning,Eliodor G. Ghenciu. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461064B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Cross-point memory structures, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2010096225A3. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott Sills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-10-21.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11411012B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US20170256590A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: WO2016170758A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-27.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Programmable logic arrays with ultra thin body transistors

Номер патента: US20020109526A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor-on-insulator (soi) substrates with ultra-thin soi layers and buried oxides

Номер патента: US20130320483A1. Автор: Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,Joel P. de Souza,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for manufacturing semiconductor stack structure with ultra thin die

Номер патента: US20240249973A1. Автор: Tzu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit packaging system with ultra-thin chip and method of manufacture thereof

Номер патента: US8716108B2. Автор: Hun Teak Lee,DaeWook Yang,Yeongbeom Ko. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-06.

Integrated circuit packaging system with ultra-thin chip and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130249117A1. Автор: Hun Teak Lee,DaeWook Yang,Yeongbeom Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

INTEGRATED CIRCUIT INTERCONNECT STRUCTURES WITH ULTRA-THIN METAL CHALCOGENIDE BARRIER MATERIALS

Номер патента: US20220139775A1. Автор: JEZEWSKI CHRISTOPHER,Naylor Carl. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

BUMPLESS BUILD-UP LAYER (BBUL) SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH ULTRA-THIN DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140264830A1. Автор: TEH Weng Hong,Sobieski Daniel N.,Andideh Ebrahim,RAORANE Digvijay A.,Davies-Venn Emile. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Component carrier having component covered with ultra-thin transition layer

Номер патента: EP3855487B1. Автор: Henry Guo,Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen,Artan Baftiri. Владелец: AT&S China Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Component carrier having component covered with ultra-thin transition layer

Номер патента: US11963310B2. Автор: Henry Guo,Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen,Artan Baftiri. Владелец: AT&S China Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

METHOD FOR USING ULTRA-THIN ETCH STOP LAYERS IN SELECTIVE ATOMIC LAYER ETCHING

Номер патента: US20210242031A1. Автор: George Steven M.,ABEL Paul,ZANDI Omid,Faguet Jacques,Zywotko David. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Ultra thin etch stop layer for damascene process

Номер патента: US6448654B1. Автор: Lynne A. Okada,Calvin T. Gabriel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Doped metal-insulator-metal (mim) capacitor of a memory array

Номер патента: US20230290812A1. Автор: Travis LAJOIE,André BARAN,Yixiong Zheng,Yu-Che Chiu,Alexandra De Denko,Christine RADLINGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Memory Cells and Memory Arrays

Номер патента: US20190096894A1. Автор: Debra M. Bell,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Device architecture and process for improved vertical memory arrays

Номер патента: US20040245569A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Felber,Juergen Lindolf,Bernhard Kowalski,Valentin Rosskopf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory architecture and cell design employing two access transistors

Номер патента: US09875795B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Monolithic three dimensional memory arrays with staggered vertical bit line select transistors and methods therfor

Номер патента: US09530824B2. Автор: Yoshio Mori,Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Arrangements for memory with one access transistor for multiple capacitors

Номер патента: US20240107749A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Mram memory array yield improvement

Номер патента: US20230329122A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Rom array with shared bit-lines

Номер патента: US20100315855A1. Автор: Salwa Bouzekri Alami,Lotfi Ben Ammar. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20210111226A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory array with salicide isolation

Номер патента: US20020182797A1. Автор: Ming-Hung Chou,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jui-Lin Lu,Shou-Wei Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory array architecture with two-terminal memory cells

Номер патента: US09620206B2. Автор: Wei Lu,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory arrays with bonded and shared logic circuitry

Номер патента: US20200395328A1. Автор: Richard Fastow,Owen W. Jungroth,Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US12114499B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor constructions, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: US09614006B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Hybrid manufacturing of access transistors for memory

Номер патента: US20240098965A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Neural network inference accelerator based on one-time-programmable (otp) memory arrays with one-way selectors

Номер патента: US20210134379A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory array comprising a ferroelectric data storage element

Номер патента: US20240112731A1. Автор: Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Sarah ATANASOV,Bernal Granados Alpizar,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Pixel array with clear and color pixels exhibiting improved blooming performance

Номер патента: US20150288940A1. Автор: Masayuki Uchiyama,Yuichiro Yamashita,Tse-Hua LU,Kai-Ling Chiu,Po-Chun Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

One time programming memory cell and memory array for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US20240321778A1. Автор: Ping-Lung Ho,Tsao-Hsin YANG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20240357788A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for operating a memory array

Номер патента: US09851913B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and circuit for controlling programming current in a non-volatile memory array

Номер патента: US09666243B2. Автор: Alexandre Levisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09646875B2. Автор: Sara Vigano,Niccolo Righetti,Emelio Camerlenghi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: WO2019182722A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory device with multiple memory arrays to facilitate in-memory computation

Номер патента: US20190205273A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Sasikanth Manipatruni,Ram Krishnamurthy,Jack Kavalieros,Amrita MATHURIYA,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van Le,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Dual mode memory array security apparatus, systems and methods

Номер патента: US20190019545A1. Автор: Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Srinath Ramswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20230005535A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20200243134A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: EP3769337A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US12004348B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: WO2022265680A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A3. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: Fred Tk Cheung. Дата публикации: 2004-10-28.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A2. Автор: Mark T. Ramsbey,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2004-09-16.

Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole formation

Номер патента: GB2415091B. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-04-05.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory arrays comprising operative channel-material strings and dummy pillars

Номер патента: US20240321727A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory devices with backside bond pads under a memory array

Номер патента: US20240312933A1. Автор: Eric N. Lee,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

3D voltage switching transistors for 3D vertical gate memory array

Номер патента: US09478259B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20230403867A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: EP3679605A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071966A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method, system and device for recessed contact in memory array

Номер патента: US20150318331A1. Автор: Marcello Mariani,Fabio Pellizzer,Augusto Benvenuti,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor structure, memory cell and memory array

Номер патента: US12108682B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Laser programmable memory array

Номер патента: US4872140A. Автор: Andrew C. Graham,David C. MacMillan. Владелец: Gazelle Microcircuits Inc. Дата публикации: 1989-10-03.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Reduced resistivity for access lines in a memory array

Номер патента: US11830816B2. Автор: LEI Wei,Adam Thomas Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280595A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US11335700B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: US20210296360A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor Constructions, Electronic Systems, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20170271411A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20160087010A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory device with peripheral circuitry which extends under a back end memory array

Номер патента: US20230397410A1. Автор: OZDEMIR Akin,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Peripheral logic circuits under dram memory arrays

Номер патента: US20190131308A1. Автор: Harish N. Venkata,Jeffrey Koelling,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220392527A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307042A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Reduced resistivity for access lines in a memory array

Номер патента: US20240162156A1. Автор: LEI Wei,Adam Thomas Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11956950B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US20210288071A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20200350371A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20240081067A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Compact Memory Arrays

Номер патента: US20130099289A1. Автор: Thomas Nirschl,Jan Otterstedt,Michael Bollu,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-25.

Methods and related devices for operating a memory array

Номер патента: US20180095687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays

Номер патента: US10241185B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays

Номер патента: US9887239B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11569120B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

High-density SOI cross-point memory array and method for fabricating same

Номер патента: US20040235309A1. Автор: Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

A program lock circuit for a mask programmable anti-fuse memory array

Номер патента: CA2645788C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Integrated Circuitry, Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells, Methods Used In Forming Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230389314A1. Автор: David H. Wells,Amritesh Rai,Pengyuan Zheng,Adam Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125919A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: EP3676839A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: WO2019046029A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: WO2021007169A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory arrays

Номер патента: USRE49715E1. Автор: Sanh D. Tang,Fred D. Fishburn,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210358938A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220130859A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343394A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Efuse memory cell, efuse memory array and using method thereof, and efuse system

Номер патента: US20210272971A1. Автор: Xiaohua Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125920A1. Автор: Yi Hu,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: EP3997703A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: US20210012825A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: US20220199137A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20170025606A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20140319447A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

RRAM cell with PMOS access transistor

Номер патента: US09773552B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG,Jen-Sheng Yang,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Leakage-current abatement circuitry for memory arrays

Номер патента: US09542993B2. Автор: Loren McLaury. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Protection circuit for a memory array

Номер патента: US6455896B1. Автор: Ming-Hung Chou,Cheng-Jye Liu,Smile Huang,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US11856779B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Bipolar selector device for a memory array

Номер патента: US20210143211A1. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas,Shamin Houshmand Sharifi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: US11640837B2. Автор: Armin Saeedi Vahdat,Richard J. Hill,Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210257012A1. Автор: Armin Saeedi Vahdat,Richard J. Hill,Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory array

Номер патента: US20230232638A1. Автор: Chun-Hao Wang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Dong-Ming Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210143054A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11791202B2. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for configuring an electronic device having an inductive receiver coil with ultra-thin shielding layer

Номер патента: US09795069B2. Автор: Eberhard Waffenschmidt. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-10-17.

Electronic device having an inductive receiver coil with ultra-thin shielding layer and method

Номер патента: EP2433347A2. Автор: Eberhard Waffenschmidt. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2012-03-28.

Rechargeable battery cell with ultra thin separator

Номер патента: US20240313358A1. Автор: Nir KEDEM,Daniel Aronov,Zvi Ioffe,Dan Corfas,Assaf Zehavi,Yaron Idesis. Владелец: Storedot Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Reverse electrodialysis device having enhanced maximum power density with ultra-thin ion exchange membranes

Номер патента: US09982104B2. Автор: Chan-soo Kim,Young-woo Choi,Han-Ki Kim,Namjo JEONG,Young-Gi Yoon,Misoon Lee. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2018-05-29.

Electronic device having an inductive receiver coil with ultra-thin shielding layer and method

Номер патента: US20120057322A1. Автор: Eberhard Waffenschmidt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-03-08.

Lithium Battery Electrodes with Ultra-thin Alumina Coatings

Номер патента: US20120077082A1. Автор: Lee Se-Hee,Jung Yoon Seok,Steven M. George,Andrew S. Cavanagh,Anne C. Dillon. Владелец: Dillon Anne C. Дата публикации: 2012-03-29.

ELECTRONIC DEVICE HAVING AN INDUCTIVE RECEIVER COIL WITH ULTRA-THIN SHIELDING LAYER AND METHOD

Номер патента: US20150170829A1. Автор: Waffenschmidt Eberhard. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

RFID TAG AERIAL WITH ULTRA-THIN DUAL-FREQUENCY MICROSTRIP PATCH AERIAL ARRAY

Номер патента: US20140332598A1. Автор: Liu Zhijia,Du Guohong. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Fe-based amorphous alloy ribbon with ultra-thin oxide layer

Номер патента: JP3500062B2. Автор: 広明坂本,利男山田,宜治井上. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2004-02-23.

Laminated magnetic structures with ultra-thin transition metal spacer layers

Номер патента: US6197439B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,David Allen Thompson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-03-06.

Rfid tag aerial with ultra-thin dual-frequency microstrip patch aerial array

Номер патента: EP2797165A1. Автор: Zhijia Liu,Guohong DU. Владелец: XERAFY Ltd BVI. Дата публикации: 2014-10-29.

Electronic device having an inductive receiver coil with ultra-thin shielding layer and method

Номер патента: TW201112569A. Автор: Eberhard Waffenschmidt. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2011-04-01.

Method of forming a tunnel structure for a magnetic plated-wire memory array

Номер патента: US3813768A. Автор: L Prohofsky. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Method for making conductors for ferrite memory arrays

Номер патента: US3849877A. Автор: J Fletcher,C Heckler,P Baba,N Bhiwandker. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1974-11-26.

Three-dimensional memory array and method for manufacturing same

Номер патента: EP4432802A1. Автор: Young Wook Park,Jin Ho Ahn. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Article comprising puncture resistant laminate with ultra-thin glass layer

Номер патента: US12005677B2. Автор: Yousef Kayed Qaroush,Kuan-Ting Kuo,Shinu BABY,Robert Lee Smith, III. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICES WITH ULTRA-THIN TRANSDUCERS

Номер патента: US20220094327A1. Автор: Chen Zhuohui. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

HEAT PIPE WITH ULTRA-THIN CAPILLARY STRUCTURE

Номер патента: US20150114603A1. Автор: PAI Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Component Carrier Having Component Covered With Ultra-Thin Transition Layer

Номер патента: US20210227702A1. Автор: Tuominen Mikael,Tay Seok Kim,Liu Kim,Baftiri Artan,Guo Henry. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Quartz-based disk resonator gyro with ultra-thin conductive outer electrodes and method of making same

Номер патента: US8766745B1. Автор: Randall L. Kubena,David T. Chang,Robert L. Larson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-07-01.

Article comprising puncture resistant laminate with ultra-thin glass layer

Номер патента: CN112703105A. Автор: 郭冠廷,Y·K·卡洛士,S·贝比,R·L·史密斯三世. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-04-23.

Surface acoustic wave devices with ultra-thin transducers

Номер патента: US11588463B2. Автор: Zhuohui Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Circuit board with ultra-thin medium layers and fabrication technology of circuit board

Номер патента: CN105101623A. Автор: 卞华昊. Владелец: Gul Wuxi Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Speaker device, with ultra-thin shape

Номер патента: DE202011001187U1. Автор: . Владелец: Yu Hsiang-Chih Zhonghe City. Дата публикации: 2011-03-17.

Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor

Номер патента: US20130200330A1. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory block and buried layer manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290386A1. Автор: Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

A cell array with a manufacturable select gate for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2015051452A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074160A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydeb Goswami,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Sacrificial polysilicon in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074159A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: EP4101004A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory array with contact enhancement cap and method for preparing the memory array

Номер патента: US11917813B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US11792972B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230371230A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US11856878B2. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory array - periphery integration with split barrier metal stack

Номер патента: US20240074161A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydip Guha,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Ferroelectric memory array

Номер патента: US20010012213A1. Автор: Georg Braun,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory structures, memory arrays, methods of forming memory structures and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20130214230A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20240090230A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional memory array formation techniques

Номер патента: US20240188299A1. Автор: Wenjie Li,George Matamis,Christopher J. Larsen,S M Istiaque Hossain,Lingyu Kong,David A. Daycock,Sok Han Wong,Kevin R. Gast,Lhaang Chee Ooi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240312521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2024191628A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11871566B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889696B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230276622A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US20240114686A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071500A1. Автор: Jin Yue,Jae Young Ahn,Kyubong JUNG,Jae Kyu Choi,Albert Fayrushin,Jun Kyu YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Eeprom memory array having 5f2 cells

Номер патента: WO2008021646A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Bohumil Lojek. Дата публикации: 2009-04-16.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046418A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory cell structures and memory arrays

Номер патента: WO2013112253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John K. Zahurak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240164092A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Virtual ground memory array and method therefor

Номер патента: WO2006041633A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore,Laureen H Parker. Владелец: Laureen H Parker. Дата публикации: 2007-03-01.

One selector one resistor MRAM crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US11882706B2. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895834B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09691475B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

1-bit 3-terminal racetrack array with integrated magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: WO2023046544A1. Автор: See-Hun Yang,Jaewoo JEONG,Stuart S.P. Parkin,Unghwan PI. Владелец: MAX PLANCK GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN EV. Дата публикации: 2023-03-30.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

NAND memory arrays

Номер патента: US20070063262A1. Автор: Garo Derderian,Todd Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Electrically formed memory array

Номер патента: WO2022132905A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Self-aligned memory array

Номер патента: WO2017052565A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor memory device having calibration circuitry for dual-gate transistors associated with a memory array

Номер патента: US09455001B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory array structures having multiple sub-blocks, apparatus containing such memory array structures, and operation of such apparatus

Номер патента: EP4397151A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Structure and method of multiplexing bitline signals within a memory array

Номер патента: US6839267B1. Автор: Peter Poechnueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-04.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12119056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having dual-gate transistors and calibration circuitry

Номер патента: US09601167B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-21.

MRAM memory array yield improvement

Номер патента: US11963456B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory array including dummy regions

Номер патента: US12040006B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Array Including Dummy Regions

Номер патента: US20240331754A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US12079589B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

3D quilt memory array for FeRAM and DRAM

Номер патента: US11790970B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Apparatus for storing/reading data in a memory array of a transponder

Номер патента: US20140215166A1. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-31.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Josephson memory array and method of access in the josephson memory array

Номер патента: EP4432284A2. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Memory array with metal-insulator transition switching devices

Номер патента: US20120099362A1. Автор: Jianhua Yang,Gilberto Medeiros Ribeiro,Matthew D. Pickett. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-04-26.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Retention drift correction in non-volatile memory arrays

Номер патента: US20220343975A1. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Data synchronizing system for multiple memory array processing field organized data

Номер патента: WO1997035400A2. Автор: Leland Putnam. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-09-25.

Peak current management in a memory array

Номер патента: US20210166770A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US12108566B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Peak current management in a memory array

Номер патента: WO2020223474A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-05.

Peak current management in a memory array

Номер патента: EP3963584A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Sot-mram memory cell, memory array, memory, and operation method

Номер патента: US20240334838A1. Автор: HAO Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Ziwei Wang,Xuefeng Zhao,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-03.

Physically unclonable fuse using a NOR type memory array

Номер патента: US09436845B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Subramanian S. Iyer,Toshiaki Kirihata,Sami Rosenblatt,Derek H. Leu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistive change element arrays with in situ initialization

Номер патента: US20180033483A1. Автор: Claude L. Bertin,Glen Rosendale. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US20200301605A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20230393766A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US11989427B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Temperature Compensation Circuit and Method for Neural Network Computing-in-memory Array

Номер патента: US20230048640A1. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory array connections

Номер патента: US20230410887A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Yao-Jen Yang,Rose Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US11735255B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US11954342B2. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: EP4122013A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-25.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US20230057441A1. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Read-only memory arrays in which a portion of the memory-addressing circuitry is integral to the array

Номер патента: US3618050A. Автор: Charles R Winston,Richard H Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Non-crystalline device memory array

Номер патента: GB1516390A. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1978-07-05.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US11915740B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory array and measuring and testing methods for inter-hamming differences of memory array

Номер патента: US20180157555A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Saman M. I. Adham,Kun-Hsi Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Memory array

Номер патента: US20240021266A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: WO2022216455A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100208533A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100054058A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Josephson tunneling memory array including drive decoders therefor

Номер патента: US3626391A. Автор: Wilhelm Anacker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-12-07.

Dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: WO2024044377A1. Автор: June Lee,Tomoko Ogura Iwasaki,Luyen Vu,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Ultra-thin absorbing sheet body, disposable absorbent article provided with ultra-thin absorbing sheet body and production device for ultra-thin absorbing sheet body

Номер патента: CA2377843C. Автор: Kenji Nakaoka,Satoshi Maeda,Kenichi Uchimoto,Tadashi Hoshikawa,Masaru Fujioka,Kazuyo Mori. Владелец: Toyo Eizai KK. Дата публикации: 2008-02-19.

Ultra-thin absorbing sheet body, disposable absorbent article provided with ultra-thin absorbing sheet body and production device for ultra-thin absorbing sheet body

Номер патента: EP1293187A4. Автор: Kenji Nakaoka,Satoshi Maeda,Kenichi Uchimoto,Tadashi Hoshikawa,Masaru Fujioka,Kazuyo Mori. Владелец: Toyo Eizai KK. Дата публикации: 2004-03-31.

Method for producing golf club head with ultra-thin crown

Номер патента: US9238292B2. Автор: Zhiqiang Chen,Hongqiang ZHOU,Shujuan BAO,Changhao FU. Владелец: Luoyang Sunrui Titanium Precision Casting Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Method for producing golf club head with ultra-thin crown

Номер патента: US20150147941A1. Автор: Zhiqiang Chen,Hongqiang ZHOU,Shujuan BAO,Changhao FU. Владелец: Luoyang Sunrui Titanium Precision Casting Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Ultra-thin absorbing sheet body, disposable absorbent article provided with ultra-thin absorbing sheet body and production device for ultra-thin absorbing sheet body

Номер патента: US6972011B2. Автор: Kenji Nakaoka,Satoshi Maeda,Kenichi Uchimoto,Tadashi Hoshikawa,Masaru Fujioka,Kazuyo Mori. Владелец: Toyo Eizai KK. Дата публикации: 2005-12-06.

Ultra-thin absorbing sheet body, disposable absorbent article provided with ultra-thin absorbing sheet body and production device for ultra-thin absorbing sheet body

Номер патента: CA2377843A1. Автор: Kenji Nakaoka,Satoshi Maeda,Kenichi Uchimoto,Tadashi Hoshikawa,Masaru Fujioka,Kazuyo Mori. Владелец: Toyo Eizai Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: US5897918A. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Ultra-thin absorbing sheet body, disposable absorbent article provided with ultra-thin absorbing sheet body and production device for ultra-thin absorbing sheet body

Номер патента: KR100819367B1. Автор: 마에다사토시,나카오카켄지,푸지오카마사루,모리카주요,우치모토켄이치,호시카와타다시. Владелец: 도요 에이자이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-04-04.

Microplates with ultra-thin walls by two-stage forming

Номер патента: CA2732433C. Автор: Hui Du,Daniel Y. Chu. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Ultra-thin absorbing sheet body, disposable absorbent article provided with ultra-thin absorbing sheet body and its production method

Номер патента: CN1215825C. Автор: 中冈健次,藤冈胜,森和代,前田觉史,内本健一,星川正. Владелец: Toyo Eizai KK. Дата публикации: 2005-08-24.

Ultra-thin absorbing sheet body, disposable absorbent article provided with ultra-thin absorbing sheet body and its production method

Номер патента: CN1380825A. Автор: 中冈健次,藤冈胜,森和代,前田觉史,内本健一,星川正. Владелец: Toyo Eizai KK. Дата публикации: 2002-11-20.

Coating cylinder bores with ultra thin solid lubricant phase

Номер патента: GB2352655B. Автор: Vemulapalli Durga Nageswar Rao,Michael Schröder,Harry Cikanek,Edward Andrew Soltis. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2003-07-30.

THERMAL CONDUCTOR WITH ULTRA-THIN FLAT WICK STRUCTURE

Номер патента: US20150101783A1. Автор: PAI Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

HEAT PIPE WITH ULTRA-THIN FLAT WICK STRUCTURE

Номер патента: US20150101784A1. Автор: PAI Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

METHOD FOR MANUFACTURING HEAT PIPE WITH ULTRA-THIN CAPILLARY STRUCTURE

Номер патента: US20150113808A1. Автор: PAI Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

HEAT PIPE WITH ULTRA-THIN CAPILLARY STRUCTURE

Номер патента: US20150114604A1. Автор: PAI Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

REVERSE ELECTRODIALYSIS DEVICE HAVING ENHANCED MAXIMUM POWER DENSITY WITH ULTRA-THIN ION EXCHANGE MEMBRANES

Номер патента: US20170136413A1. Автор: KIM Han-ki,Choi Young-Woo,Yoon Young-Gi,Jeong Namjo,Kim Chan-Soo,Lee Misoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

METHOD FOR PRODUCING GOLF CLUB HEAD WITH ULTRA-THIN CROWN

Номер патента: US20150147941A1. Автор: Chen Zhiqiang,ZHOU Hongqiang,BAO Shujuan,FU Changhao. Владелец: LUOYANG SUNRUI PRECISION CASTING CO., LTD. Дата публикации: 2015-05-28.

ARTICLE COMPRISING PUNCTURE RESISTANT LAMINATE WITH ULTRA-THIN GLASS LAYER

Номер патента: US20210178730A1. Автор: Kuo Kuan-Ting,Qaroush Yousef Kayed,Baby Shinu,Smith Robert Lee. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

ELECTROCHEMICAL-BASED ANALYTICAL TEST STRIP WITH ULTRA-THIN DISCONTINUOUS METAL LAYER

Номер патента: US20160202204A1. Автор: MACFIE Gavin,Cooper Alexander,Sloss Scott,BAIN Russell,Setford Steven,Rodgers James. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD FOR VACUUM SMELTING AND VARIABLE PRESSURE SOLIDIFICATION FORMING ALUMINUM ALLOY PIECE WITH ULTRA-THIN WALL AND HIGH GAS TIGHTNESS

Номер патента: US20200324335A1. Автор: CHEN QIANG,Li Ming,HUANG Zhiwei,WANG Yanbin,Wan Yuanyuan,Xing Zhihui,Zhao Gaozhan,Tao Jianquan,Chai Shuxin,Zhan Hong,Wang Maochuan,LI Xiaosong. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Microplates with ultra-thin walls by two-stage forming

Номер патента: US8802000B2. Автор: Hui Du,Daniel Y. Chu. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 2014-08-12.

Method of forming noise-damping material with ultra-thin viscoelastic layer

Номер патента: US6202462B1. Автор: Richard M. Hansen,Edward J. Vydra. Владелец: Material Sciences Corp. Дата публикации: 2001-03-20.

Method for producing and forming UHPC panel heat-insulation decorative plate with ultra-thin strip reinforcing ribs

Номер патента: CN113459261A. Автор: 虞新华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-01.

Emulsions with ultra-thin tabular grains and new treatment of dopants

Номер патента: DE69517109T2. Автор: XIN Wen,Joseph Charles Deaton,Richard Lee Daubendiek,Donald Lee Black,Timothy Richard Gersey,Joseph Charles Lighthouse,Myra Toffolon Olm,Robert Don Wilson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2001-02-01.

Textile internally provided with ultra-thin cotton quilt and preparation method

Номер патента: CN105386235A. Автор: 王建威. Владелец: 王建威. Дата публикации: 2016-03-09.

Method of making a multilayered device with ultra-thin freestanding metallic membranes using a peel off process

Номер патента: US20070148804A1. Автор: Pavel Ustyuzhanin,Yisrael Sundick,Gil Geva-mittelberg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: CA2217576A1. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Corp. Дата публикации: 1998-05-25.

A kind of resistance welding method being connect with ultra-thin layers of copper with conducting wire suitable for space

Номер патента: CN109396623A. Автор: 雷霆,王立江,苏宪法,江琛,徐燕铭,贺晓斌,刘双宝,任丽燕. Владелец: Shanghai Aerospace Equipments Manufacturer Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-01.

Road surface self-adhesive road reflective marking belt with ultra-thin wearing layer and construction method thereof

Номер патента: CN113089408A. Автор: 赵爽,张会建. Владелец: Zhejiang Tongyi Transportation Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

Microplates with ultra-thin walls by two-stage forming

Номер патента: CA2732433A1. Автор: Hui Du,Daniel Y. Chu. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for preparing various grid components with ultra-thin wall thickness by adopting 3D printing

Номер патента: CN111715879A. Автор: 孙明丰,顾凯,王学才,施春宇. Владелец: Suzhou Sanfeng Laser Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Method for modifying surfaces with ultra thin films

Номер патента: CA2271094A1. Автор: Brij P. Singh,Pramod K. Arora. Владелец: NanoFilm Ltd. Дата публикации: 1999-11-26.

Heat pipe with ultra-thin capillary structure

Номер патента: TW201516367A. Автор: Hao Pai. Владелец: Hao Pai. Дата публикации: 2015-05-01.

CMOS dynamic memory device having multiple flip-flop circuits selectively coupled to form sense amplifiers specific to neighboring data bit lines

Номер патента: US5132930A. Автор: Koichiro Mashiko,Kazutami Arimoto,Yoshio Matsuda,Noriaki Matsumoto,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Memory device e.g. multiport SRAM used in integrated circuit, has switch connected between write data bit line and storage node, which conducts only when both write word line and write control line are active

Номер патента: DE10133281A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory array with ram and embedded rom

Номер патента: US20160035433A1. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory array

Номер патента: US20230268000A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory array with programmable number of filters

Номер патента: US12106822B2. Автор: Sushil Kumar,Chetan Deshpande,Gajanan Sahebrao Jedhe,Gaurang Prabhakar Narvekar,Cheng-Xin Xue,Zijie Guo. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory array

Номер патента: US12009031B2. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory array with RAM and embedded ROM

Номер патента: US09691495B2. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Neuron peripheral circuits for neuromorphic synaptic memory array based on neuron models

Номер патента: US10572799B2. Автор: Scott C. Lewis,Masatoshi Ishii,Chung H. Lam,Kohji Hosokawa,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US09563556B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dqs for data from a memory array

Номер патента: WO2006042643A1. Автор: Jung Pill Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US20160170936A1. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US12100473B2. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Data storing in memory arrays

Номер патента: US09952796B2. Автор: Ron M. Roth,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for providing redundancy in a memory array comprising mapping portions of data associated with a defective address

Номер патента: US09779839B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Luigi Pilolli,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Input-dependent random number generation using memory arrays

Номер патента: US09696965B2. Автор: MOSHE Alon. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

System and method to store data in an adjustably partitionable memory array

Номер патента: US09558114B2. Автор: Wolfgang Beck,Thomas Liebermann,Rex Kho,Michael Hassel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US09436655B2. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-09-06.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Full address coverage during memory array built-in self test with minimum transitions

Номер патента: US9651617B2. Автор: Thomas Jew,David W. Chrudimsky,Edward Bryann C. Fernandez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904B1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-17.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20120110375A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Compute-in-memory array and module, and data computing method

Номер патента: US12046283B2. Автор: Yi Zhao,Shifan GAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-23.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: US20080084778A1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Mimicking multi-voltage domain wordline decoding logic for a memory array

Номер патента: WO2013109680A1. Автор: Chiaming Chai,Jeffrey Herbert Fischer,Shaoping Ge,Stephen E. Liles,Lam V. Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-25.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Voltage control method and voltage control circuit for anti-fuse memory array

Номер патента: US20230197178A1. Автор: Yan Wang,Sheng Qiu,Xian Chen,Zhengyuan ZHANG,Mingyuan Xu,Ruzhang Li,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Feiyu JIANG,Xiyi LIAO,Yonghong DAI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2023-06-22.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Double bandwidth algorithmic memory array

Номер патента: US09870163B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,Mark W. Kuemerle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Mitigating parasitic current while programming a floating gate memory array

Номер патента: US09472288B2. Автор: Daryl E. Anderson,James Michael Gardner,Eric T. Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Magnetic memory having two transistors and two magnetic tunnel junctions per memory cell

Номер патента: US09472256B1. Автор: THOMAS Andre. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Self-adjusting regulation current for memory array source line

Номер патента: US09368224B2. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Steve Choi,Sung-En Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Intermediate memory array with a parallel port and a buffered serial port

Номер патента: US4718039A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.,Vincent F. Sollitto, Jr.,William F. Shutler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Memory array structure

Номер патента: US20240021226A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance

Номер патента: US20110242877A1. Автор: Glen Hush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: US20240111933A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Louis Henry Carbone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: WO2024068450A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Carbone. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Scalable Interface for a Memory Array

Номер патента: US20090177813A1. Автор: Gene Leung,Wayne M. Barrett,Todd A. Greenfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Memory array with reduced leakage current

Номер патента: US20220199147A1. Автор: Keith Golke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

A method and a device for testing a memory array in which fault response is compresed

Номер патента: WO2001008161A3. Автор: Guillaume E A Lousberg,Paul Wielage,Erik J Marinissen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-03-22.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Electronic device including a nonvolatile memory array and methods of using the same

Номер патента: WO2008124269A1. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Thomas Jew,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-10-16.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US12073110B2. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Dual data storage using an in-memory array and an on-disk page structure

Номер патента: US09891831B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Thomas Legler,Guenter Radestock,Anil Kumar Goel,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09830109B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Shared built-in self-analysis of memory systems employing a memory array tile architecture

Номер патента: US09653183B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory array plane select

Номер патента: US09543003B2. Автор: Jong Won Lee,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US09530475B2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09513811B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2016-12-06.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20220199184A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Virtual and physical extended memory array

Номер патента: US20240086319A1. Автор: Donald M. Morgan,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Erasing a partition of an sram array with hardware support

Номер патента: US20220013166A1. Автор: Peter Altevogt,Juergen Pille,Harry Barowski,Wolfgang Gellerich,Martin Bernhard Schmidt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: EP2891153A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: EP2630643A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Write control method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20080247245A1. Автор: Donald W. Plass,John D. Davis,Kenneth J. Reyer,Paul A. Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: US20030062556A1. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A3. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for relaying data to memory array

Номер патента: US20120307570A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Apparatus for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20040218412A1. Автор: Michael Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: EP4150620A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: WO2021230905A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Generating memory array control signals

Номер патента: US20220188036A1. Автор: Hiroshi Akamatsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: US4312047A. Автор: William J. Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Data structure of defective address information and defective address information encoding method for memory array

Номер патента: US20160104545A1. Автор: Jen-Chien Fu,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Apparatuses and methods including circuits in gap regions of a memory array

Номер патента: US20240177744A1. Автор: Hirokazu Ato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240321349A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: WO1981003571A1. Автор: W Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-12-10.

Memory array reset read operation

Номер патента: US12119051B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US09857986B2. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

System and method for allocating data in memory array having regions of varying storage reliability

Номер патента: US09448883B1. Автор: Steven Shrader. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair

Номер патента: US5495447A. Автор: Hamid Partovi,Steven W. Butler. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory array biasing circuit for high speed CMOS device

Номер патента: US4636983A. Автор: Kenneth E. Young,Bruce L. Bateman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-01-13.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Nonvolatile flash-EEPROM memory array with source control transistors

Номер патента: US5508956A. Автор: Marco Dallabora,Giovanni Campardo,Giuseppe Crisenza. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-04-16.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US11862242B2. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: WO2021257371A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Write buffer implementation for multiple memory array memory spaces

Номер патента: US20210048952A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Temperature compensation of conductive bridge memory arrays

Номер патента: US20140226393A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

In-memory spiking neural networks for memory array architectures

Номер патента: US20190005376A1. Автор: Berkin Akin,Seth H. Pugsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US20230393989A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Programming method of memory array

Номер патента: US9437303B1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and configuration to allow a lower wordline boosted voltage operation while increasing a sensing signal with access transistor threshold voltage

Номер патента: US20030081447A1. Автор: Louis Hsu,Toshiaki Kirihata,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Bit string accumulation in memory array periphery

Номер патента: US20200387474A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20210391004A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20240153556A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20220199157A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-05-27.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A4. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-08-12.

Dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: WO2008016948A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Neural processing core, method of programming a synaptic memory array thereof and method of performing neural network inference thereon

Номер патента: WO2023059265A1. Автор: Pengfei Sun,Wenyu Jiang,Piew Yoong Chee. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20240249785A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods and apparatus for performing matrix transformations within a memory array

Номер патента: US12118056B2. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Distributed memory array supporting random access and file storage operations

Номер патента: EP2434406A2. Автор: Clifford E. Kimmery. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Data access circuit for a memory array

Номер патента: CA1087740A. Автор: Richard C. Gifford,Clair A. Buzzard,Robert M. Zachok,Frank W. Lescinsky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-10-14.

Dual power supply memory array with dynamic selection of the lowest voltage

Номер патента: GB2497180B. Автор: Harold Pilo,George Maria Braceras,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Field-emitter-based memory array with phase-change storage devices

Номер патента: US8000129B2. Автор: Daniel R. Shepard. Владелец: Contour Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Cross point memory array with fast access time

Номер патента: US20040160848A1. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Wayne Kinney,Steven Longcor,Edmond Ward,Steve Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Generation of memory column addresses using memory array type bits in a control register of a computer system

Номер патента: US5737764A. Автор: Akio Shigeeda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Memory array circuit, memory array layout and verification method

Номер патента: US20230050097A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Device and method having a memory array storing each bit in multiple memory cells

Номер патента: US7558102B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: WO2023249738A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: US20190065118A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-02-28.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US11887687B2. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US20230420017A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

DQS for data from a memory array

Номер патента: US20060083082A1. Автор: Jung Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Performing xnor equivalent operations by adjusting column thresholds of a compute-in-memory array

Номер патента: EP4028956A1. Автор: Max Welling,Edward Teague,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: WO2017171773A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Memory Array with Reduced Read Power Requirements and Increased Capacity

Номер патента: US20200194041A1. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: US11967394B2. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Differential storage in memory arrays

Номер патента: US20240127877A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Angelo Visconti,Alessandro Calderoni,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Compute-in-memory array multi-range temperature compensation

Номер патента: US11955193B1. Автор: Brandon David Rumberg,Steven Andryzcik. Владелец: Aspinity Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: EP4266218A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-25.

Method and apparatus with memory array programming

Номер патента: US11990187B2. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: EP3286639A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-28.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: US20190108193A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory apparatus and methods with heterogeneous memory array architecture

Номер патента: US10860252B2. Автор: Imran Muhammad,Tae Hyun Kwon,Jung Min YOU,Joon Sung YANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-12-08.

Error tolerant memory array and method for performing error correction in a memory array

Номер патента: US20210073072A1. Автор: John L. Mccollum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Systems and methods for controlling memory array power consumption

Номер патента: US20180260014A1. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Victor Wang,Joachim Josef Maria Kruecken,Frank Kelsey Baker, Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Techniques to improve a read operation to a memory array

Номер патента: US20210098034A1. Автор: Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory array architecture supporting block write operation

Номер патента: US20010056519A1. Автор: Hua Zheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Memory array page table walk

Номер патента: US20220075733A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Combining ram and rom into a single memory array

Номер патента: US20020089873A1. Автор: Spencer Gold,Marc Lamere. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Circuit for accessing a chalcogenide memory array

Номер патента: EP1733398A4. Автор: BIN Li,David C Lawson,Kenneth R Knowles. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Providing efficient handling of memory array failures in processor-based systems

Номер патента: US20180121274A1. Автор: Paul Steinmetz,Thomas Philip Speier,Kshitiz Saxena,Manish Garg,Michael Phan,Viren Ramesh Patel,Kevin Magill,Clint Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Method and apparatus with memory array programing

Номер патента: US20230170026A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: EP3268969A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-17.

Memory array with reduced read power requirements and increased capacity

Номер патента: US11024348B2. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-06-01.

Memory Array with Reduced Read Power Requirements and Increased Capacity

Номер патента: US20180301176A1. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Memory array with reduced read power requirements and increased capacity

Номер патента: US10622037B2. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-04-14.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: WO2023239471A1. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: US20230402069A1. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Test method for screening local bit-line defects in a memory array

Номер патента: US20120263002A1. Автор: Yin Chin Huang,Chu Pang Huang,Yi Fang Chang,Cheng Chi Liu,Chang Chan Yang,Min Kuang Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Deselect drivers for a memory array

Номер патента: US20130003449A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Managing semiconductor memory array leakage current

Номер патента: US09792967B1. Автор: Tobias Werner,John D. Davis,Paul A. Bunce,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt,Brian J. Yavoich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Managing semiconductor memory array leakage current

Номер патента: US09761289B1. Автор: Tobias Werner,John D. Davis,Paul A. Bunce,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt,Brian J. Yavoich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory array

Номер патента: CA1171527A. Автор: Deepray S. Puar. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-07-24.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Sense line capacitive balancing in word-organised memory arrays

Номер патента: GB1048466A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1966-11-16.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US20230178153A1. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: US20060250856A1. Автор: Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Mitchell Meinhold,Claude Bertin,Frank Guo,Max Strasburg,Steven Konsek,X. M. Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

Separately addressable memory arrays in a multiple array semiconductor chip

Номер патента: US4636986A. Автор: Raymond Pinkham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: CA2608106C. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Steven L. Konsek,Mitchell Meinhold,Frank Guo,Max Strasburg,X.M. Henry Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

First in - first out memory array containing special bits for replacement addressing

Номер патента: CA1080366A. Автор: Gerhard R. Thompson,John E. Campbell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Overcharge/discharge voltage regulator for EPROM memory array

Номер патента: US5703809A. Автор: Richard Hull,Randy L. Yach. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-30.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Multiport memory array

Номер патента: CA1173566A. Автор: Bryan S. Moffitt,Alexander R. Ross. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-08-28.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Memory array circuit with two-bit memory cells

Номер патента: US20060239059A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20220051735A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: WO2022250866A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: EP3951783A1. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-09.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: WO2021126540A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory array accessibility

Номер патента: WO2019046111A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20190384512A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Digit line management for a memory array

Номер патента: WO2020263642A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US20220076724A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

3D memory array clusters and resulting memory architecture

Номер патента: US11763872B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: WO2022020140A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: EP3039685A1. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-06.

Dynamic reference scheme for improving read margin of resistive memory array

Номер патента: US10706904B2. Автор: Massimo Alioto,Kien TRINH QUANG,Sergio RUOCCO. Владелец: Agency Fpr Science Technology And Research. Дата публикации: 2020-07-07.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US20240086100A1. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US20240087643A1. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory array accessibility

Номер патента: US11886715B2. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-volatile phase-change memory device including a distributed row decoder with n-channel MOSFET transistors and related row decoding method

Номер патента: US11908514B2. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Alin Razafindraibe,Thibault Mortier. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-20.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US11688448B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: US11837285B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US11762577B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory array for storing odd and even data bits of data words in alternate sub-banks to reduce multi-bit error rate and related methods

Номер патента: EP4330966A1. Автор: Pramod Kolar. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Techniques for flexible self-refresh of memory arrays

Номер патента: US20230395116A1. Автор: Scott E. Smith,Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods and apparatus for a novel memory array

Номер патента: US20220351790A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory array for storing odd and even data bits of data words in alternate sub-banks to reduce multi-bit error rate and related methods

Номер патента: WO2022231766A1. Автор: Pramod Kolar. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Preparation method of trench grid VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with ultra-thin source region

Номер патента: CN102832134B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张蒙,赵起越,张灵霞,邓光敏. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2014-12-03.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY ARRAY WITH ULTRA-THIN ETCHED PILLAR SURROUND GATE ACCESS TRANSISTORS AND BURIED DATA/BIT LINES

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты