A data output buffer operating on wide source voltage and a semiconductor memory device using this buffer .

A data output buffer operating on wide source voltage and a semiconductor memory device using this buffer

Номер патента: KR100412134B1
Опубликовано: 31-12-2003
Автор(ы): 김태경
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Data output control circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5896323A. Автор: Hyun Soo Shin,Yi Hwan Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

Data output buffer of a semiconductor memory device

Номер патента: US5384735A. Автор: Yun-Ho Choi,Churoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-01-24.

Data output circuit of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120044780A1. Автор: Jeong Hun Lee,Yong Mi Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Memory device with a data output buffer and the control method thereof

Номер патента: US6094380A. Автор: Jung Pill Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-25.

Data output buffer circuit for a SRAM

Номер патента: US5067109A. Автор: Tae-Sung Jung,Yong-Bo Park,Byeong-Yun Kim. Владелец: Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 1991-11-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12100470B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Data output timing in response to read command based on whether delay locked loop is enabled/disabled in a semiconductor device

Номер патента: US8050119B2. Автор: Ki-Chon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Memory device and system having a variable depth write buffer and preload method

Номер патента: US20040066673A1. Автор: Richard Perego,Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor memory device and method of outputting data strobe signal thereof

Номер патента: US20030179627A1. Автор: Jun-Young Jeon,Jae-Hyeong Lee,Eun-Youp Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor memory device and method

Номер патента: US5877990A. Автор: Tae-Hyoung Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor memory device and computer

Номер патента: US5859806A. Автор: Tomohisa Wada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US12088291B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory configured to perform logic operations on values representative of sensed characteristics of data lines and a threshold data value

Номер патента: US20200372960A1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US20240014817A1. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US11799479B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device including multiple memory chips and data signal lines and a method of operating the memory device

Номер патента: US11810638B2. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo,Seonkyoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US11799478B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Read operation circuit, semiconductor memory and read operation method

Номер патента: EP3893241A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294597A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294596A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device and zq calibration method

Номер патента: US20230420008A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09875777B2. Автор: Dae-Ho YUN,Hee-Jin BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory and method for operating the semiconductor memory

Номер патента: US20020176316A1. Автор: HELMUT Fischer,Alexander Benedix,Johann Pfeiffer,Kazimierz Szczypinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-28.

Output enable signal generation circuit of semiconductor memory

Номер патента: US20120002493A1. Автор: Hee Jin Byun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device having preamplifier with improved data propagation speed

Номер патента: US20030198097A1. Автор: Takashi Kono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8953390B2. Автор: Masatsugu Ogawa,Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor devices employing a data inversion scheme for improved input/output characteristics

Номер патента: US09438210B1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device with delay locked loop

Номер патента: US20080056030A1. Автор: Yong-Deok Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US20180268880A1. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US10424349B2. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6243312B1. Автор: Kang Yong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

Output buffer of a semiconductor memory device

Номер патента: US20060083079A1. Автор: Jung-Bae Lee,Dong-Jin Lee,Sang-joon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Data output buffer for a semiconductor memory device

Номер патента: US5512854A. Автор: Kee W. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-30.

Data input/output circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09905281B2. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US20080291755A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US8711640B2. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Semiconductor memory device with a variable delay for a data select signal and a counter for counting a selected data signal during a test operation

Номер патента: US12020772B2. Автор: Mitsuhiro Abe,Norichika ASAOKA,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120213011A1. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Systems and methods for improving input signal quality in memory devices

Номер патента: WO2019160589A1. Автор: Michael V. Ho. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-22.

Data output buffer

Номер патента: US5406528A. Автор: Jae H. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-04-11.

Data output circuit in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090168548A1. Автор: Kwang Jin Na. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor memory device comprising variable delay unit

Номер патента: US20100271887A1. Автор: Young-Sik Kim,Seung-Jun Bae,Sang-hyup Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20100322021A1. Автор: Ho-Young Kim,Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20120188834A1. Автор: Ho-Young Kim,Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Data output circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09953700B2. Автор: Bo-Kyeom Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Output buffer circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20060239084A1. Автор: Young-Man Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Data output circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20120008428A1. Автор: Young-jun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Data output circuit and memory device including the same

Номер патента: US09830960B2. Автор: Jung-hwan Choi,Min-Su Ahn,Yong-Cheol Bae,Won-Young Lee,Seok-Hun Hyun,Chang-kyo LEE,Bo-bae SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US8149632B2. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Data output circuit of a memory device

Номер патента: US20030007390A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Seung-jong Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor memory and memory system

Номер патента: US09741406B2. Автор: Kazutaka KIKUCHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140198585A1. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor memory device performing program and program verify operation on the memory cell array including pass/fail check on the program operation

Номер патента: US09455044B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Systems and methods for conserving power in signal quality operations for memory devices

Номер патента: US10438649B2. Автор: Michael V. Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Data output buffer

Номер патента: US20180233179A1. Автор: Mi Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US10726888B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US09812183B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory module and semiconductor memory system having termination resistor units

Номер патента: US7996590B2. Автор: Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor memory device with power gating circuit for data input/output control block and data input/output block and semiconductor system including the same

Номер патента: US11670347B2. Автор: Woongrae Kim,Yoo-Jong Lee,A-Ram Rim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor memory device having a semiconductor chip including a memory cell and a resistance element

Номер патента: US10283201B2. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: US20070070774A1. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Input Circuit of a Semiconductor Device

Номер патента: US20060220701A1. Автор: Seong Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5696720A. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20160071579A1. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Control method, semiconductor memory and electronic device

Номер патента: EP4276834A1. Автор: Lin Wang,Zhiqiang Zhang,Yuanyuan Gong,YoonJoo EOM. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Control method, semiconductor memory, and electronic device

Номер патента: US20230307081A1. Автор: Lin Wang,Zhiqiang Zhang,Yuanyuan Gong,YoonJoo EOM. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US12125553B2. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and apparatus for data inversion in memory device

Номер патента: US20030151953A1. Автор: Osamu Nagashima,Grigori Temkine,Joseph Macri,Olge Drapkin. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor memory device provided with block write function

Номер патента: US5787046A. Автор: Akira Sugiura,Takaaki Furuyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-28.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US20190392906A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US20220108754A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US20210050064A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory system including the semiconductor memory and a controller

Номер патента: US10453536B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: EP4174860A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for data inversion in memory device

Номер патента: US20040090836A1. Автор: Osamu Nagashima,Grigori Temkine,Joseph Macri,Olge Drapkin. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2004-05-13.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Memory device and system device including the same

Номер патента: US20240177749A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Eungchang Lee,Seula RYU,Minhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: US11792510B2. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: EP2132635A1. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2009-12-16.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: EP3899736A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: US20240111707A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: US11789890B2. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

On-chip automation of clock-to-q access time measurement of a memory device

Номер патента: US20230352069A1. Автор: Thomas B. Chadwick, Jr.. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US20210006247A1. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

MEMORY DEVICE INCLUDING MULTIPLE MEMORY CHIPS AND DATA SIGNAL LINES AND A METHOD OF OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220101894A1. Автор: JO Youngmin,YOON Chiweon,JEONG Byunghoon,LEE Seonkyoo. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

APPARATUS FOR TRANSMITTING AND RECEIVING A SIGNAL, A METHOD OF OPERATING THE SAME, A MEMORY DEVICE, AND A METHOD OF OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220140829A1. Автор: Lee Changkyo,Lee Dongkeon,Jang Jinhoon,Ha Kyungsoo,Oh Kiseok,Kim Kyungryun. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

APPARATUS FOR TRANSMITTING AND RECEIVING A SIGNAL, A METHOD OF OPERATING THE SAME, A MEMORY DEVICE, AND A METHOD OF OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200204179A1. Автор: Lee Changkyo,Lee Dongkeon,Jang Jinhoon,Ha Kyungsoo,Oh Kiseok,Kim Kyungryun. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Memory configured to perform logic operations on values representative of sensed characteristics of data lines and a threshold data value

System featuring a master device, a buffer device and a plurality of integrated circuit memory devices

Номер патента: US7017002B2. Автор: Stefanos Sidiropoulos,Richard E. Perego,Ely Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2006-03-21.

Memory device, memory controller and memory system

Номер патента: US20100146201A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hitoshi Ikeda,Toshiya Uchida,Tetsuo Miyamoto,Yoshinobu Yamamoto,Shinnosuke Kamata,Masanori Kurita,Hidenaga Takahashi,Ayako Sato,Tatsushi Otsuka,Tatsuya Kanda,Satoru Shirakawa,Tomohiro Kawakubo,Syusaku Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US20230075459A1. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US11929116B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210174873A1. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230386562A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device and zq calibration method

Номер патента: US20230420009A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210005233A1. Автор: Sung Hwa Ok,Heon Ki KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US20240212749A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613703B2. Автор: Makoto Senoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100301911A1. Автор: Hyun Woo Lee,Won Joo YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100117695A1. Автор: Hyun Woo Lee,Won Joo YUN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Data output buffer control circuit

Номер патента: GB2286911B. Автор: Gi Won Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-28.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090257285A1. Автор: Geun Il Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09607706B1. Автор: Min Su Kim,Kyeong Min CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and test method of the same

Номер патента: US09508453B2. Автор: Chul-Woo Yang,Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory circuit including a data output circuit

Номер патента: US20010048633A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Lockheed Missiles and Space Co Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Precharge circuitry for semiconductor memory device

Номер патента: US09830959B2. Автор: Kang Woo Park,Eun Ji CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor memory apparatus and a method for reading data stored therein

Номер патента: US20100157696A1. Автор: Kwan Weon Kim,Seung Wook Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321326A1. Автор: Koji Tabata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09666247B2. Автор: Ho Seok EM,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20180047441A1. Автор: Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818461B1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory system, semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09767873B2. Автор: Taesung Lee,Byunghoon Jeong,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including a circuit for storing an operating state and semiconductor system having the same

Номер патента: US20160180915A1. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09805774B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100277968A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6914847B1. Автор: Byung-Il Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Semiconductor memory device and semiconductor system having the same

Номер патента: US09672896B2. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device having inverting circuit and controlling method there of

Номер патента: US09640233B2. Автор: Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory with divided readout from storage

Номер патента: US5040149A. Автор: Takayuki Sasaki,Norio Ebihara,Hiroyuki Kita,Yoshihito Ohsawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-08-13.

Semiconductor memory apparatus capable of detecting error in data input and output

Номер патента: US20080082900A1. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory package

Номер патента: US20170221534A1. Автор: Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170315952A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080062794A1. Автор: Sung-Joo Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020172078A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Data output buffer and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20230326496A1. Автор: Dae Han Kwon,Bo Ram Kim,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09740656B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device having circuit for monitoring set value of mode register

Номер патента: US5973988A. Автор: Takashi Itou,Miki Nakahira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor memory device and test method of the same

Номер патента: US20130166959A1. Автор: Chul-Woo Yang,Byoung-In Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084770A1. Автор: Chang-Hyuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor memory device including a global input/output line of a data transfer path and its surrounding circuits

Номер патента: US20080239840A1. Автор: Ki Chon PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Data interface circuit, nonvolatile memory device including the same and operating method thereof

Номер патента: US20120218839A1. Автор: Byoung-Sung Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device

Номер патента: US09818462B1. Автор: Jens Polney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory apparatus and data scrambling method using the same

Номер патента: US09659659B2. Автор: Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device capable of generating variable clock signals according to modes of operation

Номер патента: US20040179421A1. Автор: Uk-Rae Cho,Yong-jin Yoon,Nam-Soeg Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090323451A1. Автор: Kang-Seol Lee,Seok-Cheol Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20120250734A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US8446174B2. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device having swap function for data output pads

Номер патента: US20100246276A1. Автор: Kwang-Sook Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11762579B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Synchronous semiconductor memory device and method for operating same

Номер патента: US20020060946A1. Автор: Yong-Hwan Noh,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-23.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US09520168B2. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Signal transfer circuit for synchronous memory device

Номер патента: US5627794A. Автор: Jae J. Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20150070995A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Delay-locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9847113B2. Автор: Hun-Dae Choi,Young-kwon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Clock-synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20030117884A1. Автор: Haruki Toda,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US20210247925A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020141245A1. Автор: Masaaki Kuroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory apparatus and data input and output method thereof

Номер патента: US20110271063A1. Автор: Seung Wook Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor memory apparatus converting serial type data into parallel type data in response to pipe control signals and pipe control signals during a training operation

Номер патента: US09875807B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09543952B2. Автор: Ki Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory apparatus and operating method of semiconductor system using the same

Номер патента: US20160232957A1. Автор: Hyun Woo Lee,Soo Young JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: EP3926631A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Memory devices providing in situ computing using sequential transfer of row buffered data and related methods and circuits

Номер патента: US20210142846A1. Автор: Patricia Gonzalez,Kevin Skadron,Mircea R. Stan,Marzieh Lenjani. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2021-05-13.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US20090207668A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US7969792B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US11200941B2. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Data alignment circuit and method of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100329040A1. Автор: Jang Woo Lee,Chang Sik Yoo,Kee Teok Park,Chun Seok Jeong,Hong Jung Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2010-12-30.

Stacked memory devices, and memory packages and memory systems having the same

Номер патента: US09747959B2. Автор: Seong-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322183A1. Автор: Jeongsu JEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor memory

Номер патента: US20030026152A1. Автор: Naoharu Shinozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Data input circuit of semiconductor memory apparatus and data input method using the same

Номер патента: US20080285364A1. Автор: Kwang Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Data output circuit of semiconductor device

Номер патента: US20140043926A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09659612B1. Автор: Yun Gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory apparatus and data processing method

Номер патента: US09612753B2. Автор: Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory apparatus optimized for setting operation parameter and operating parameter setting method thereof

Номер патента: US09489993B2. Автор: Eun Kyu IN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Data bus drive circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5742185A. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-21.

Data output circuit of semiconductor memory apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US20090180338A1. Автор: Dae Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Apparatus and method for outputting data of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20070103209A1. Автор: Dong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Write operation circuit, semiconductor memory device, and write operation method

Номер патента: EP3905251A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Data output circuit of semiconductor memory and related method

Номер патента: US20110188323A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Data output circuit of semiconductor memory and related method

Номер патента: US8369160B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20120254528A1. Автор: Jae-il Kim,Hyoung-Jun Na. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory apparatus, and method for training reference voltage

Номер патента: US09659608B2. Автор: Young Mok Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor Memory device and related method for controlling reading and writing

Номер патента: GB2348995A. Автор: Jung-Bae Lee,Kun-tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-18.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20180174637A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010554A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20150036443A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20170004870A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20150279447A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20160240241A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20170125083A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9466354B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20160071571A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9208852B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9082482B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8811052B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-08-19.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20120236666A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Memory interface and semiconductor memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240170085A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Seungjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device having power-saving effect

Номер патента: US8254201B2. Автор: Kyoung-Ho Kim,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Seung-Jun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-28.

Semiconductor memory device and data input/output method thereof

Номер патента: US20090287888A1. Автор: Tatsuya Ishizaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20160300602A1. Автор: Seung Wook Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Data latch controller of synchronous memory device

Номер патента: US7457190B2. Автор: Geun Il Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09947378B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589641B2. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor integrated circuit including semiconductor memory apparatus including a plurality of banks

Номер патента: US09530474B2. Автор: Hee Jin Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09449662B1. Автор: Seung Wook Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Dual current data bus clamp circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US5091886A. Автор: Masahumi Miyawaki,Tamihiro Ishimura,Yoshio Ohtsuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5650968A. Автор: Akira Yamazaki,Hideaki Abe,Yasuhiro Konishi,Yasuhiro Ishizuka,Katsumi Dosaka,Hisashi Iwamoto,Masaki Kumanoya,Kouji Hayano,Katsumitsu Himukashi,Tsukasa Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-22.

Semiconductor memory device having buffer/sensing circuit and scrambling/descrambling method thereof

Номер патента: US9996295B2. Автор: Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210158848A1. Автор: Ja Yoon Goo,Sung Hwa Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130201774A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010553A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US6775170B2. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110080794A1. Автор: Kie-Bong Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US11983113B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US20240256451A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Calibration circuit for controlling resistance of output driver circuit, memory device including the same, and operating method of the memory device

Номер патента: US20210027827A1. Автор: Junha Lee,Hundae CHOI,Hwapyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor system for performing a data alignment operation

Номер патента: US20240282352A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20180082723A1. Автор: Yong Seop KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor memory apparatus with a write voltage level detection

Номер патента: US20200005843A1. Автор: Yong Seop KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050128849A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Read time reduction with p-well bias in memory device

Номер патента: EP4055606A1. Автор: Jiahui Yuan,Ohwon KWON,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and method of operating the memory device including detrapping operations during programming

Номер патента: US12068033B2. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220084612A1. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160163364A1. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09478265B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060239109A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Abe,Shuji Nakaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20100008162A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device including precharge circuit

Номер патента: US09607669B2. Автор: Koji Kohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory apparatus, and impedance calibration circuit and method thereof

Номер патента: US09478267B1. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device that recycles a signal charge

Номер патента: US20050195669A1. Автор: Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060221754A1. Автор: Wataru Abe,Shuji Nakaya,Mituaki Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and method of operating the same

Номер патента: US09679657B2. Автор: Kyoung Jin PARK,Byeong Il HAN,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4694429A. Автор: Shinji Saito,Shigeru Atsumi,Sumio Tanaka,Nobuaki Ohtsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Semiconductor memory device having bit cells

Номер патента: US20180068715A1. Автор: Yongho Kim,Jonghoon Jung,Hoonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US20160064061A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Static semiconductor memory device using a single global data line

Номер патента: US09786360B2. Автор: Tsuyoshi Koike. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589608B2. Автор: Akiyoshi Seko. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20240370386A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US11789879B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: EP3985523A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20230409496A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device including a random input and output engine and a storage device including the memory device

Номер патента: US20200150894A1. Автор: Dae-Hyun Kim,Sang-Kil Lee,Hyun-Mog Park,Jin-Min Kim,Hei-Seung Kim,Hak-Yong Lee,Chang-kyu Seol,Hyun-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor floating gate memory device

Номер патента: EP1615266A3. Автор: Koji Takahashi,Shinichi Fujitsu Limited Nakagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US7168016B2. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-23.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US20120120727A1. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US8441856B2. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09811417B2. Автор: Masahiro Abe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20210294503A1. Автор: Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180137919A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Memory device

Номер патента: US09859005B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: US12093569B2. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20200091175A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Systems and methods for accessing a data storage device

Номер патента: WO1997005617A3. Автор: Richard A Hussong,Michael J Yetsko. Владелец: Michael J Yetsko. Дата публикации: 1997-05-01.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device for performing error correction code operation and redundancy repair operation

Номер патента: US09875155B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Jae-Youn Youn,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device for performing error correction code operation and redundancy repair operation

Номер патента: US09626244B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Jae-Youn Youn,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device for swapping data and operating method thereof

Номер патента: US20200319962A1. Автор: Youngsik Kim,Jeongho Lee,Younggeun LEE,Youngkwang YOO,Seungyou Baek,Yena Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory device for swapping data and operating method thereof

Номер патента: US20220027232A1. Автор: Youngsik Kim,Jeongho Lee,Younggeun LEE,Youngkwang YOO,Seungyou Baek,Yena Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell

Номер патента: US11869596B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of operating memory device using different read conditions

Номер патента: US09472275B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON,Young-Hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Chalcogenide semiconductor memory device with insulating dielectric

Номер патента: WO2008033203A1. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey Kostylev. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2008-03-20.

Memory device and method of testing the memory device for failure

Номер патента: US20240120020A1. Автор: Jung Ryul Ahn,Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: WO2010047911A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: EP4177889A1. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Thin film magnetic memory device conducting data read operation without using a reference cell

Номер патента: US20030107916A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Flash memory device for adjusting trip voltage using voltage regulator and sensing method thereof

Номер патента: US20240029798A1. Автор: Kiwhan Song,Tae-Hong Kwon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20230307074A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory device with unipolar selector

Номер патента: US20210398577A1. Автор: Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory devices with diode-connected MOS

Номер патента: US11955191B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory device and system device including the same

Номер патента: EP4376002A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Eungchang Lee,Seula RYU,Minhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: WO2013161595A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125525B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh,Tsung-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device on-die error checking and correcting code

Номер патента: US09817714B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert,Kjersten E Criss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US09747989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US5198996A. Автор: Makoto Kojima,Takashi Takata. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Memory device having error detection function, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20220085019A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US7382663B2. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: CA1139880A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

Semiconductor read only memory device

Номер патента: CA1166747A. Автор: Jyoji Murakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-01.

Memory devices, semiconductor devices, and methods of operating a memory device

Номер патента: US11903188B2. Автор: Yu-Wei Lin,Yih Wang,Yoshitaka Yamauchi,Shao-Yu Chou,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Keh-Jeng Chang,Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin,Philex Ming-Yan Fan,Chansyun David Yang,Tzu-Hsien YANG,Shao-Ting WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory devices, semiconductor devices, and methods of operations a memory device

Номер патента: US20240147711A1. Автор: Yu-Wei Lin,Yih Wang,Yoshitaka Yamauchi,Shao-Yu Chou,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Keh-Jeng Chang,Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin,Philex Ming-Yan Fan,Chansyun David Yang,Tzu-Hsien YANG,Shao-Ting WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory Device, Semiconductor Device, and Driving Method Thereof

Номер патента: US20080144349A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Konami Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US4491859A. Автор: Takashi Ito,Shinpei Hijiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240069746A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device for performing foggy-fine program operation and method of operating the memory device

Номер патента: US20240161831A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Reducing effects of program disturb in a memory device

Номер патента: US20100188898A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240127898A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory device related to a program operation, method of operating the memory device, and storage device including the memory device

Номер патента: US20240161829A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device performing erase operation and method of operating the same

Номер патента: US20240185927A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240276730A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device storing logical page data and operating method of the memory device

Номер патента: US12106806B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Woong Kim,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Access suppression in a memory device

Номер патента: US09600179B2. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Michael Alan Filippo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device and memory control method

Номер патента: US20110032781A1. Автор: Chun Shiah,Shi-Huei Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device repair method and system

Номер патента: EP4084005A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory device

Номер патента: US12073867B2. Автор: Shigeki Shimomura,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Stacked Memory Device Control

Номер патента: US20150331767A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Abhijit Saurabh,Saurabh Chadha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US09972399B2. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

High sensing margin magnetic resistive memory device in which a memory cell read and write select transistors to provide different read and write paths

Номер патента: US09734881B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Stacked memory device control

Номер патента: US09405468B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Abhijit Saurabh,Saurabh Chadha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Electrically erasable and programmable read only memory device verifiable with standard external power voltage level

Номер патента: US5305260A. Автор: Kazuhisa Ninomiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Transistor, a transistor array and a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: KR100460020B1. Автор: 사다오 곤도,고우이찌 야마다,히데아끼 후지와라. Владелец: 산요덴키가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-06-08.

Systems and methods for providing high voltage to memory devices

Номер патента: US8750051B1. Автор: Bogdan Georgescu,Ryan T. Hirose,Gary Moscaluk,Leonard Gitlan,Ashish AMONKAR,John Tiede. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Memory device with analog measurement mode features

Номер патента: US20210327526A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory device and method for operating memory device

Номер патента: US20180166136A1. Автор: Mu Hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Latch-type sense amplifier for a non-volatile memory with reduced margin between supply voltage and bitline-selection voltage

Номер патента: US20210020237A1. Автор: Marco Pasotti,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for fixing outlier bit and memory device

Номер патента: US10614908B2. Автор: Shang-Wen Chang,Shang-Rong WU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for fixing outlier bit and memory device

Номер патента: US20190348142A1. Автор: Shang-Wen Chang,Shang-Rong WU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: EP0902438A1. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1999-03-17.

Method of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: US6058043A. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-05-02.

Methods of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: US6144586A. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-11-07.

Methods of erasing a memory device and a method of programming a memory device for low-voltage and low-power applications

Номер патента: US6246612B1. Автор: Jan Van Houdt,Dirk Wellekens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2001-06-12.

Memory device and method of refreshing memory device based on temperature

Номер патента: US11804254B2. Автор: Saemi Song,Dokyun Kim,Yeonkyu CHOI,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Electronic device, memory device, and method of operating memory device

Номер патента: US20200357464A1. Автор: Seung Yun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Access suppression in a memory device

Номер патента: US20160034403A1. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Michael Alan Filippo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Memory devices with controlled wordline ramp rates, and associated systems and methods

Номер патента: US11004513B2. Автор: Allahyar Vahidimowlavi,Kalyan C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory devices with controlled wordline ramp rates, and associated systems and methods

Номер патента: US20200185033A1. Автор: Allahyar Vahidimowlavi,Kalyan C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: EP3770764A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: US20230377669A1. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: US20210026728A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US11989422B2. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device, electronic device and operating method of memory device

Номер патента: US20230126954A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

On-chip automation of clock-to-q access time measurement of a memory device

Номер патента: WO2023212568A1. Автор: JR Thomas B. CHADWICK. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A3. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-27.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020764B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US20120120727A1. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250691A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210005251A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,TAN Juan Boon,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

ON-DIE TERMINATION CIRCUIT, A MEMORY DEVICE INCLUDING THE ON-DIE TERMINATION CIRCUIT, AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180026634A1. Автор: Park Ji-Woon,KIM BYUNG-HO. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

MEMORY DEVICE INCLUDING A RANDOM INPUT AND OUTPUT ENGINE AND A STORAGE DEVICE INCLUDING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200150894A1. Автор: KIM Dae-hyun,Seol Chang-kyu,LEE Sang-Kil,LEE Hak-Yong,Kim Hei-seung,Kim Jin-Min,Park Hyun-Mog,Park Hyun-sik. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140347935A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Woo Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325304A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

PAGE BUFFER, A MEMORY DEVICE HAVING PAGE BUFFER, AND A METHOD OF OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200321058A1. Автор: Lee Jung Hwan,KIM Ji Hwan,BAEK Kwang Ho,JUNG Young Don,KO Jung Mi. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-08.

Method and circuitry for screening a dynamic memory device for defective circuits

Номер патента: US5343430A. Автор: Tohru Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

A memory device and a method for configuring a memory device

Номер патента: EP3772064A1. Автор: Hyungrock OH. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-02-03.

Memory Device

Номер патента: US20230206983A1. Автор: Shigeki Shimomura,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US11908532B2. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device producing metadata characterizing applied read voltage level with respect to voltage distributions

Номер патента: US20240071521A1. Автор: Zhengang Chen,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Dheeraj Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230164984A1. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20230420056A1. Автор: Kwang Min LIM,Tae Un Youn,Hye Lyoung LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20220165754A1. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US11641744B2. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20180059967A1. Автор: Jong Sam Kim,Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11849576B2. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Stacked memory device control

Номер патента: US9400602B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kenneth L. Wright,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Abhijit Saurabh,Saurabh Chadha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Self-referenced memory device and method using spin-orbit torque for reduced size

Номер патента: US9818465B2. Автор: Sebastien Bandiera. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Phase change material containing carbon, memory device including the phase change material, and method of operating the memory device

Номер патента: US7737527B2. Автор: Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20240090238A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US11980034B2. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device, memory system, and method of operating memory device

Номер патента: US20200020404A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: EP3985523B1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230301090A1. Автор: Hyun Sub KIM,Jin Ho Bin,Young Tae Yoo,Chul Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a transistor and a method of forming a memory device

Номер патента: US20060110884A1. Автор: Joachim Nuetzel,Peng-Fei Wang,Till Schloesser,Rolf Weis,Marc Strasser,Hannes Luyken. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor memory device, method of adjusting the same and information processing system including the same

Номер патента: US20140056086A1. Автор: Hideyuki Yoko,Ryuji Takishita,Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory

Номер патента: US20040090846A1. Автор: Satoshi Eto,Toshikazu Nakamura,Toshiya Miyo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-05-13.

Parallel test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5961657A. Автор: Chan-Jong Park,Se-Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-05.

Semiconductor memory device for generating a delay locked clock in early stage

Номер патента: US20090267665A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Won-Joo Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor memory device having diagnostic unit operable on parallel data bits

Номер патента: US5079747A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761307B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US09785380B2. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09501354B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Cryogenic transmitter and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20200310663A1. Автор: Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device suitable for merging with logic

Номер патента: EP1069504A3. Автор: Naoya c/o Mitsubishi Denki K. K. Watanabe,Akira c/o Mitsubishi Denki K. K. Yamazaki,Kazutami c/o Mitsubishi Denki K. K. Arimoto,Takeshi c/o Mitsubishi Denki K. K. Fujino,Isamu c/o Mitsubishi Denki K. K. Hayashi,Hideyuki c/o Mitsubishi Denki K. K. Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-03-07.

Semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20160225416A1. Автор: Tomotsugu GOTO. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5440511A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Takashi Horii,Kiyonori Ogura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052855B2. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Taehyun An,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8225178B2. Автор: Sachio Nakaigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09741426B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory device capable of relieving defective cell

Номер патента: US20040196703A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200202954A1. Автор: Takahiro Sugimoto,Yusuke Ochi,Hiromi Noro,Naoaki Kanagawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11164639B2. Автор: Takahiro Sugimoto,Yusuke Ochi,Hiromi Noro,Naoaki Kanagawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor memory device and block management method of the same

Номер патента: US8127071B2. Автор: Min-Young Kim,Su-Ryun LEE,Song-ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Management of write-protected data in a semiconductor memory

Номер патента: US09437312B2. Автор: Donald Ray Bryant-Rich,Tal Sagy. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

EPROM encryption code decoding prevention circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US6028931A. Автор: Sung Sik Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20120314518A1. Автор: Sang Oh Lim,Ho Youb Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090296460A1. Автор: Akihiko Kanda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298679A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device allowing reduction of an area loss

Номер патента: US20040022114A1. Автор: Hiroshi Kato,Fukashi Morishita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230178170A1. Автор: Tetsuro Takizawa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09524789B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20110128781A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory apparatus and test circuit therefor

Номер патента: US20130114326A1. Автор: Jae Ung LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09608041B2. Автор: Kang Sik Choi,Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device having sense amplifier

Номер патента: US09472264B2. Автор: Tetsuaki Okahiro,Ryuji Takishita. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09418732B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory device employing multi-port RAMs

Номер патента: US5319596A. Автор: Kanari Kogure. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-06-07.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Electronic device with semiconductor memory having variable resistance elements for storing data and associated driving circuitry

Номер патента: US09812199B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09786380B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device including circuits with data holding capability and bus for data transmission

Номер патента: US09472296B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US5065361A. Автор: Tadashi Maruyama,Makoto Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Semiconductor Memory Device Using Shared Data Line for Read/Write Operation

Номер патента: US20200111526A1. Автор: Hung-jen Liao,Manish Arora,Sahil Preet Singh,Li-Wen Wang,Chien-yuan Chen,Cheng-Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hemant Patel,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20220093157A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Package map data outputting circuit of semiconductor memory device and method for outputting package map data

Номер патента: US20050117417A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Yong-Dae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-02.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US20040145940A1. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US20040227543A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US7113436B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640269B2. Автор: Yasushi Nakajima,Hideaki Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200327929A1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160267992A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09704584B2. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Devices and operation methods for configuring data strobe signal in memory device

Номер патента: US09652228B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chang-Ting Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633720B2. Автор: Masashi Yoshida,Tomoaki Nakano,Shigefumi Irieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory devices including error correction circuits and methods of operating the semiconductor memory devices

Номер патента: US09632856B2. Автор: Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn,Hoi-Ju CHUNG,Su-a Kim,Mu-Jin SEO,Hyo-Jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory system and signal processing system

Номер патента: US20080115043A1. Автор: Kazutoshi Shimizume,Mamoru Akita,Masahiko Itoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Nonvolatile resistive memory device using dynamic reference in dual domain and read method thereof

Номер патента: US20230138195A1. Автор: Jongsun Park,Joo Yoon KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US9865327B1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20030086301A1. Автор: Robert Feurle,Eckehard Plättner,Manfred Plan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US6760260B2. Автор: Eckehard Plättner,Manfred Plan,Robert Fuerle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-06.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110096596A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Naoki Ookuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12096628B2. Автор: Koichiro Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125543B2. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09997256B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09837159B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09564232B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09508438B2. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09349481B2. Автор: Seiichi Aritome,Angelo Visconti,Mattia Robustelli,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6233189B1. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US10037817B2. Автор: Dong-Wook Kim,Dong-Hak Shin,Sung-Jun HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377658A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor memory device, method of testing the same and test system

Номер патента: US20220076778A1. Автор: Youngdon CHOI,Sanglok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20140156213A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140003128A1. Автор: Kei Sakamoto,Masaki Kondo,Takayuki Okamura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100080069A1. Автор: Osamu Nagao,Akihiro IMAMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09799403B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Shinohara,Kenichi Abe,Yasuyuki Baba,Toshifumi Minami,Atsuhiro Sato,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa,Keisuke Yonehama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device including refresh operations having first and second cycles

Номер патента: US09786352B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09672890B2. Автор: Jung Taek You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09659663B2. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09633747B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09396809B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory for serial data access

Номер патента: US4701884A. Автор: Hideo Nakamura,Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Toshiaki Masuhara,Masashi Horiguchi,Katsuhiro Shimohigashi,Osamu Minato,Kiyoo Itoh,Shinichi Ikenaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-10-20.

Semiconductor memory device having mask rom structure

Номер патента: US5140597A. Автор: Sunao Araki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-08-18.

Cell plate voltage generator of a semiconductor memory device

Номер патента: US6081459A. Автор: Sang Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor memory device and its data writing method

Номер патента: US20030081480A1. Автор: Takahito Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180226123A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor memory device for performing suspend operation and method of operating the same

Номер патента: US10613753B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210027836A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120281456A1. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20230040775A1. Автор: Ji Hoon NAM,Sang Eun JE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180004421A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device including non-volatile memory, cache memory, and computer system

Номер патента: US20160110253A1. Автор: Young-Jun Kwon,Ki-Young Choi,Jun-whan AHN,Sun-gyeum KIM,Hyeok-Man Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20120161145A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200241796A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130028028A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor memory device using a protocol transmission method

Номер патента: US6721228B2. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory unit

Номер патента: US4935898A. Автор: Masanori Odaka,Hiroshi Higuchi,Toshikazu Arai,Shuuichi Miyaoka. Владелец: Akita Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1990-06-19.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160293243A1. Автор: Jae-il Kim,No-Guen JOO,Do-Hong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device using a protocol transmission method

Номер патента: US20030053364A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09899098B1. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09853040B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09734875B2. Автор: Sang Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device using grounded dummy bit lines

Номер патента: US09653167B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09646693B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device storing management data redundantly in different pages

Номер патента: US09627077B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09595324B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroki TOKUHIRA,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and testing method thereof

Номер патента: US09583215B2. Автор: Hoiju CHUNG,Yonghwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09552883B1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device including non-volatile memory, cache memory, and computer system

Номер патента: US09552256B2. Автор: Young-Jun Kwon,Ki-Young Choi,Jun-whan AHN,Sun-gyeum KIM,Hyeok-Man Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method and apparatus to transfer information between a host computer and one or more hard disks disposed in a data storage and retrieval system

Номер патента: US20020186641A1. Автор: Daniel Winarski,Craig Klein,Kamal Dimitri,Robert Emberty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Apparatus for generating a data signal at an optimal phase

Номер патента: US5282185A. Автор: Shigeru Nemoto,Takaro Mori. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1994-01-25.

System and a method for establishing data communication between devices using audio frequency

Номер патента: US10581532B2. Автор: KUMAR ABHISHEK,Ibrahim SANKADAL,Sidaray BIRADAR. Владелец: Naffa Innovations Private Limtied. Дата публикации: 2020-03-03.

System and a method for establishing data communication between devices using audio frequency

Номер патента: US20190028208A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Ibrahim SANKADAL,Sidaray BIRADAR. Владелец: Naffa Innovations Private Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Device, system and program for control of data output

Номер патента: RU2703337C1. Автор: Кенйи ХИРАКИ. Владелец: ЭЙЗО Корпорайшн. Дата публикации: 2019-10-16.

Run time insertion and removal of buffer operators

Номер патента: US09679033B2. Автор: Ritesh K. Gupta,Kalyanji Chintakayala,Krishna K. Bonagiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory Device Based Accelerated Deep-Learning System

Номер патента: US20230251792A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Data output apparatus, data output system, and data output control method for preventing leakage of personal information

Номер патента: US9172825B2. Автор: Kana Takami. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-27.

Data output apparatus, data output system, and data output control method

Номер патента: US20150131122A1. Автор: Kana Takami. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Externally validated proof of work for appending a block record to a blockchain with a data broker server

Номер патента: US20240095730A1. Автор: Roxana Iuliana Teodor,Peter Damian Ashton,Remy Lyon,Siamak Fayyaz Shahandashti. Владелец: Veiovia Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Data storage device using host memory buffer and method of operating the same

Номер патента: US20200133566A1. Автор: Hyun-seok Kim,Walter JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of operating a telecommunications system and a telecommunications system

Номер патента: GB2628570A. Автор: Reeves Andrew,El-Moussa Fadi,Bowman Tom. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 2024-10-02.

Display apparatus and a method of driving the same

Номер патента: US20170330523A1. Автор: Seunghwan Moon,Sun-Koo KANG,Junpyo LEE,ByungKil Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

A method for operating a machine learning system and a corresponding data processing system

Номер патента: WO2022207131A1. Автор: Flavio CIRILLO,Guerkan SOLMAZ. Владелец: NEC Laboratories Europe GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

A storage server forsecure and performant execution of user code in a data center storage

Номер патента: EP4427145A1. Автор: Huatao WU,Deping TANG,Javier PICOREL,Antonio BARBALACE,Quoc Do LE,Plamen Petrov. Владелец: Huawei Cloud Computing Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

A data collection and monitoring system, a controlled environment farming system, devices and related methods

Номер патента: AU2022211136A9. Автор: Andrew INGRAM-TEDD,Stephen Millward,Benjamin Arthur Portnoy NOAR. Владелец: Ocado Innovation Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

A data collection and monitoring system, a controlled environment farming system, devices and related methods

Номер патента: US20240306569A1. Автор: Andrew INGRAM-TEDD,Stephen Millward,Benjamin Arthur Portnoy NOAR. Владелец: Ocado Innovation Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Audio-signal equalisation device and method for a vechicle using a data communication bus

Номер патента: US20240347031A1. Автор: Moulay Fadili,Van Khanh MAÏ. Владелец: Arkamys SA. Дата публикации: 2024-10-17.

Liquid crystal display including reactive mesogen alignment layer and a blue pixel with a decreased maximum gray level and driving method thereof

Номер патента: US09830873B2. Автор: Kyung Ho Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Read-only memory device with securing function and accessing method thereof

Номер патента: US8452935B2. Автор: Chuen-An Lin,Ching-Tsung Tung. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

System and method for accessing data from a memory device

Номер патента: WO2007055708A2. Автор: Richard Sanders. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-05-18.

Memory device operations for unaligned write operations

Номер патента: US20240069799A1. Автор: Scheheresade Virani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device operations for unaligned write operations

Номер патента: US12001717B2. Автор: Scheheresade Virani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Techniques for managing data within a data storage system utilizing a flash-based memory vault

Номер патента: WO2007108840A1. Автор: Matthew Long. Владелец: EMC CORPORATION. Дата публикации: 2007-09-27.

System and method for processing sliding operations on portable terminal devices

Номер патента: US09696873B2. Автор: Kan Zhang,Meng Zhang,Jialiang Wang,Jingshen Wu. Владелец: Shanghai Chule Cootek Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Personal training device using GPS data

Номер патента: US6837827B1. Автор: Wai C. Lee,Tracy L. Olivier,Ryan T. Moore,Claudette D. Fisher,David J. Downey,John H. Lovitt,Scott J. Brunk. Владелец: Garmin Ltd Kayman. Дата публикации: 2005-01-04.

Method and device for assessing operational effectiveness of solid-state drive (ssd) memory device

Номер патента: US20230325275A1. Автор: Pradeep GOLVALKAR. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

System and method to enable a data analytics in a smart data accelerator interface device

Номер патента: US11983182B2. Автор: Gaurav Chawla,Shyamkumar Iyer,Krishna Ramaswamy. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory device based accelerated deep-learning system

Номер патента: WO2023149916A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Method and device for assessing operational effectiveness of solid-state drive (SSD) memory device

Номер патента: US12013755B2. Автор: Pradeep GOLVALKAR. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

An imaging system and a method for determining the defects in glazings

Номер патента: EP4217719A1. Автор: Arunvel Thangamani,Robin C JAYARAM,Keerthivasan SRIDHARAN,Abhinav BODA. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2023-08-02.

Display device including a data-scan integration chip

Номер патента: US11929035B2. Автор: Jiwoong Kim,Jaekeun Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Display device including a data-scan integration chip

Номер патента: US20220028344A1. Автор: Jiwoong Kim,Jaekeun Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

System and method for health reporting in a data center

Номер патента: US11748674B2. Автор: Ganesh Balakrishnan,Carla Cortez,Aaron Strachan. Владелец: Core Scientific Operating Co. Дата публикации: 2023-09-05.

Display device including a timing controller to supply an adjustment option value through a data clock signal line and a method of driving the same

Номер патента: US11798495B2. Автор: Young Suk Jung,Jong Soo Kim,Chae Hee PARK,Heen Dol KIM,Ji Ye LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and apparatus for automatic loading of a data set in a node of a communication network

Номер патента: CA1307350C. Автор: Milan Momirov. Владелец: Network Equipment Technologies Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Simultaneous high resolution display within multiple virtual dos applications in a data processing system

Номер патента: CA2119220C. Автор: William Kress Bodin,Dale Robert Whitfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Display device and a method of driving the same

Номер патента: US20230162692A1. Автор: Young Suk Jung,Jong Soo Kim,Chae Hee PARK,Heen Dol KIM,Ji Ye LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

A data collection and monitoring system, a controlled environment farming system, devices and related methods

Номер патента: EP4280861A1. Автор: Andrew INGRAM-TEDD,Stephen Millward,Benjamin Arthur Portnoy NOAR. Владелец: Ocado Innovation Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Input/output controller for a data processing system

Номер патента: US4987530A. Автор: Eric M. Wagner,Martin Kiernicki,John L. Freeman. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1991-01-22.

Display device and a driving method thereof

Номер патента: US20230095771A1. Автор: Gi Chang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Demand forecasting engine in a data analytics system

Номер патента: US20230059565A1. Автор: Wei Zou,Aaron Dean Arnoldsen,Arun Karthik Ravindran,Pradeep Nema,Michael Elliott Beyer,Pawel Romanski,Magdalena Jolanta Krupa,Alejandro Fernandez Pique,Aymeric Pascal Punel,Carl Reed Jessen,Raman Deep SINGH,Max Barkhausen,Remi Lalanne,Robert Andrew Fowler. Владелец: Boston Consulting Group Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

ARRANGEMENT WITH AN ELECTROMOTIVE FURNITURE DRIVE AND A DATA DEVICE; METHOD FOR ESTABLISHING A COMMUNICATION CONNECTION BETWEEN THE ELECTROMOTIVE FURNITURE DRIVE AND THE DATA DEVICE; AND A CORRESPONDING FURNITURE DRIVE

Номер патента: US20140303786A1. Автор: Langejürgen Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Arrangement with an electromotive furniture drive and a data device; method for establishing a communication connection between the electromotive furniture drive and the data device; and a corresponding furniture drive

Номер патента: EP2780767A1. Автор: Stefan Langejürgen. Владелец: DEWERTOKIN GMBH. Дата публикации: 2014-09-24.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Isolating functions in a memory device

Номер патента: US20240078192A1. Автор: Michael Burk,Lance Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Switch to control communication between a memory and a secret generator in a memory device

Номер патента: US12086296B2. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Information processing apparatus, information processing system, information processing method, and a computer program product

Номер патента: US09712690B2. Автор: Yuichi Niwa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

METHOD AND APPARATUS FOR PARALLEL TRANSFER OF BLOCKS OF DATA BETWEEN AN INTERFACE MODULE AND A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150039817A1. Автор: Shin Hyunsuk,Park Jungil,Lee Chi Kong,Au Siu-Hung Fred. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Method of operating memory device and memory device performing the same

Номер патента: US11829224B2. Автор: Youngjae PARK,Reum Oh,Hyungjin Kim,Jinyong Choi,Dongyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Volatile/non-volatile memory device access provisioning system

Номер патента: US10146704B2. Автор: Jinsaku Masuyama,Ching-Lung Chao,Mukund Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-12-04.

Memory device and memory system having the memory device

Номер патента: US11782646B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20230393918A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and system for enabling communication between electronic devices using a printer application

Номер патента: GB2612921A. Автор: Agrawal Rajeev. Владелец: Innoviti Tech Private Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Cache memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5719804A. Автор: Naoshi Higaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Pressure-sensitive element having sufficient expandability, a wide measurement range of pressure force, and a simple structure, and an electronic device using the pressure-sensitive element

Номер патента: US11965785B2. Автор: Takashi Matsumoto,Hironobu Ukitsu,Yuta Moriura,Shinobu Masuda,Mitsutaka Matsumoto,Yui Sawada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method and system for enabling communication between electronic devices using a printer application

Номер патента: US20230316256A1. Автор: Rajeev Agrawal. Владелец: Innoviti Technologies Private Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US11953973B2. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Improved memory device performance based on storage traffic pattern detection

Номер патента: WO2022020315A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Nicola Colella. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Cache memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5831889A. Автор: Naoshi Higaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Flash memory device with slidable contact module

Номер патента: US7980868B2. Автор: Wei-Jen Cheng,Yu-Cheng Kang,Mei-Chih Chen,Ming-Ta Yang,Tsu-Liang Chou,Cheng-Fu Yau. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-19.

Memory device and control method for memory device

Номер патента: US11983068B1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Portable Memory Device

Номер патента: US20110261525A1. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Isolating functions in a memory device

Номер патента: US12026102B2. Автор: Michael Burk,Lance Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

SYSTEM AND A METHOD FOR ESTABLISHING DATA COMMUNICATION BETWEEN DEVICES USING AUDIO FREQUENCY

Номер патента: US20190028208A1. Автор: Abhishek Kumar,SANKADAL IBRAHIM,BIRADAR Sidaray. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

A coloring layer composition for a color forming device and a method of manufacturing a color forming device using the composition.

Номер патента: FR2709307B1. Автор: Inoue Toshiki,MURASAKI Takanori,KATO Yoshifumi,Shiraki Hisashi. Владелец: Toyoda Automatic Loom Works Ltd. Дата публикации: 1996-01-26.

A film forming composition and a film thereof, and a method for producing the organic semiconductor device using the same

Номер патента: TWI510543B. Автор: Yoshiharu Terui,Fumito Kobayashi,Haruhiko Komoriya,Ikunari Hara,Yukari Hara. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Flash memory device with telescopic connector port and a casing of the flash memory device

Номер патента: US20100311257A1. Автор: Cheng-Chung Kung,Xiao-Xia Meng. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20200176513A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210135101A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy,Steven Soss. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Dispersed-hardening martensite stainless steel and a pump with plunger back-and-forth movement, made using this steel

Номер патента: RU2733603C2. Автор: Алгирдас УНДЕРИС,Джесси АДАМСОН,Марк Ширли. Владелец: А. Финкл энд Санс Ко.. Дата публикации: 2020-10-05.

Method for a dynamic control of density of neutral atoms in a plasma vacuum chamber and a device for the processing of solid materials by using this method

Номер патента: WO2012099547A1. Автор: Miran Mozetic,Gregor PRIMC. Владелец: Institut "Jožef Stefan". Дата публикации: 2012-07-26.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296091A1. Автор: Tetsuro Takizawa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Output buffer with offset cancellation structure and offset cancellation method using the same

Номер патента: US09602104B2. Автор: Chern-Lin Chen,Ming-Wei Hsu. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for operations on data for terminal including three-section display units and terminal supporting said method

Номер патента: RU2596980C2. Автор: Сеунг Ги ШИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2016-09-10.

Data processing circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230384945A1. Автор: Tao Du. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US09740556B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor storage device and buffer operation method thereof

Номер патента: US09734057B2. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device

Номер патента: US20110296235A1. Автор: Masaru Ogawa,Tarou Iwashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US20150280713A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234144A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234145A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: EP4407658A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Wire tail connector for a semiconductor device

Номер патента: US20150001739A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Chin Tien Chiu. Владелец: SanDisk Information Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Data packet for bidirectional transmission of data packets during data transmission between a first and a second communication appliance, and method for transmitting such a data packet

Номер патента: US09762353B2. Автор: Andreas Drebinger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Wire tail connector for a semiconductor device

Номер патента: US09362244B2. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Chin Tien Chiu. Владелец: SanDisk Information Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Imaging apparatus usable as either a master apparatus or a slave apparatus and a method usable therewith

Номер патента: US7982778B2. Автор: Masaharu Tomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Three-dimensional non-volatile memory device having a silicide source line and method of making thereof

Номер патента: US09559117B2. Автор: Johann Alsmeier,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and system for supporting packet prioritization at a data network

Номер патента: US09473414B2. Автор: Prashant Anand. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136185A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136186A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Architecture for a data transmission between a plurality of electric traction vehicles and a corresponding remote control center

Номер патента: EP4382391A1. Автор: Marco De Angelis. Владелец: Gematica Srl. Дата публикации: 2024-06-12.

Architecture for a data transmission between a plurality of electric traction vehicles and a corresponding remote control center

Номер патента: WO2024121155A1. Автор: Marco De Angelis. Владелец: Gematica S.R.L.. Дата публикации: 2024-06-13.

Architecture for a data transmission between a plurality of electric traction vehicles and a corresponding remote control center

Номер патента: EP4416032A1. Автор: Marco De Angelis. Владелец: Gematica Srl. Дата публикации: 2024-08-21.

Display device using micro led and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3998634A1. Автор: Junghoon Kim,Changseo Park,Jungsub KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-05-18.

A data access, replication or communication system comprising a distributed software application

Номер патента: EP1618727A2. Автор: Mark Gretton,Lionel Wolovitz,Bob Standen. Владелец: Visto Corp. Дата публикации: 2006-01-25.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240040794A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5324972A. Автор: Masataka Takebuchi,Daisuke Tohyama,Hidemitsu Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20230197570A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US11901267B2. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing memory device having active area in strip

Номер патента: US20230284441A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

A semiconductor device, a power conversion device using the semiconductor device, and a hybrid vehicle using the power conversion device.

Номер патента: JP4378239B2. Автор: 俊章守田,裕之宝蔵寺,和弘鈴木. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-12-02.

Means for compensating a data-dependent supply current in an electronic circuit

Номер патента: EP1380113B1. Автор: Jan R. Westra,Jeroen M. Van Den Boom,Quino A. Sandifort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-09.

Remove power source device having improved capacity indication capability, and an electronic device using the removable power source device

Номер патента: US5625237A. Автор: Hidekiyo Ozawa,Masafumi Okumura,Mituo Saeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-04-29.

System and method for transmitting a data packet

Номер патента: US20230412505A1. Автор: Reuven Cohen,Tal Mizrahi,Ben-Shahar BELKAR. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20220367494A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

System and method for transmitting a data packet

Номер патента: EP4197178A1. Автор: Reuven Cohen,Tal Mizrahi,Ben-Shahar BELKAR. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

System and method for transmitting a data packet

Номер патента: WO2022184267A1. Автор: Reuven Cohen,Tal Mizrahi,Ben-Shahar BELKAR. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-09.

Memory device having active area in strip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230284444A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Supply and interface configurable input/output buffer

Номер патента: WO1996037958A1. Автор: Michael Shay,Mark Koether. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-11-28.

High density package memory device, memory module using this device, and control method of this module

Номер патента: KR100355032B1. Автор: 전준영,손해정,박철홍,공은엽. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-10-05.

Method of partially scrambling a data stream

Номер патента: CA2565499C. Автор: Andrew Augustine Wajs,Gerard Johan Dekker,David Neil Siedle,Roelof Van Wijk,Ronaldus Petrus Johannes Hoogenboom,James Stewart Crosbie Palmer,Thomas Franz Stockhammer. Владелец: Irdeto Access BV. Дата публикации: 2010-11-30.

Back-end-of-line memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240032274A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

A semiconductor device and an electronic device using the same

Номер патента: TWI421986B. Автор: Hirotoshi Usui. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-01-01.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260269A1. Автор: Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666570B2. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

METHOD AND DEVICE FOR OBTAINING A HOMOGENEOUS JET STARTING FROM A PLASMA JET AND A JET OF FINELY DISTRIBUTED SUBSTANCE, AND DEVICE USING THIS METHOD.

Номер патента: ATE37466T1. Автор: Jean Feuillerat,Jean-Pierre Serrano. Владелец: Aerospatiale. Дата публикации: 1988-10-15.

Vehicular shock-absorbing device using wheel deformation mechanism

Номер патента: US11912084B2. Автор: Shigeki Tada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215463A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Deposition device for forming organic layer using joule-heating and device for fabricating electroluminescent display device using the deposition device

Номер патента: US20130047920A1. Автор: Jae-Sang Ro,Won-Eui Hong. Владелец: Ensiltech Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Memory device

Номер патента: US20240306387A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324203A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device

Номер патента: US20240349503A1. Автор: Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device having a container-shaped electrode

Номер патента: US20240332348A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device having a container-shaped electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332349A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240339402A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Sending messages or performing predefined actions other than unlocking on a mobile device using unlocking mechanism

Номер патента: US09602983B1. Автор: Omair Abdul Rahman. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Adhesive film and sealing method for organic electronic device using same

Номер патента: US09343697B2. Автор: Hyun Jee Yoo,Seung Min Lee,Suk Ky Chang,Yoon Gyung Cho,Kyung Yul Bae,Jung Sup Shim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

A plasmid-free recombinant strain of Escherichia coli with constitutive aspartase activity and a method for the synthesis of L-aspartic acid using this strain as a biocatalyst

Номер патента: RU2015148917A. Автор: Тигран Владимирович Юзбашев,Андрей Дмитриевич Новиков,Денис Дмитриевич Дербиков,Татьяна Александровна Губанова,Александр Степанович Яненко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика"). Дата публикации: 2017-05-18.

Method for Optimizing a Vacuum Cleaning Apparatus Having a Cylinder Vacuum Cleaner or Upright Vacuum Cleaner and a Filter Bag

Номер патента: US20150047145A1. Автор: Jan Schultink,Ralf Sauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-19.

Pressure sensitive adhesive film and method of manufacturing organic electronic device using the same

Номер патента: US09803112B2. Автор: Hyun Jee Yoo,Suk Ky Chang,Yoon Gyung Cho,Kyung Yul Bae. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

A device for cooking with steam, a steam generator for its implementation and a method of generating steam in the device using a steam generator

Номер патента: RU2020106656A. Автор: Кашапов Рустем. Владелец: Кашапов Рустем. Дата публикации: 2021-08-11.

A method for manufacturing a light emitting element mounting substrate and a method for manufacturing a light emitting device using the same, and a light emitting element mounting substrate and a light emitting device using the same.

Номер патента: JP7011148B2. Автор: 幸利丸谷. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Branching filter, and wireless communication module and wireless communication device using same

Номер патента: US9007147B2. Автор: Yutaka Makino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240081059A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170018709A1. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Memory device with vertical field effect transistor and method for preparing the same

Номер патента: US20230029551A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020834A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Loy Desmond Jia Jun. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210074916A1. Автор: Tan Shyue Seng,TAN Juan Boon,Chen Tu Pei,Sun Jianxun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200176513A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200212056A1. Автор: Tan Shyue Seng,LIM Khee Yong,Quek Kiok Boone Elgin,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US10991704B2. Автор: Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-04-27.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104539A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for manufacturing memory device having word line surrounding gate structure

Номер патента: US20240023322A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200058654A1. Автор: Noriaki Ikeda,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory device including vertical stack structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11682717B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-20.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240081071A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230389316A1. Автор: Sang Heon Lee,In Su Park,Sung Jae Chung,Byung In Lee,Eun Mee KWON,Hyung Jun Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230299006A1. Автор: Jin Ho Bin,Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Sul Gi JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

Номер патента: US6828611B2. Автор: Hyun-Ho Kim,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104537A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and preparing method thereof

Номер патента: US20230065326A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li,Dinggui Zeng. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and memory apparatus comprising the same

Номер патента: EP4333604A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Minwoo Choi,Hajun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240090227A1. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Pick-up structure of memory device and method for manufacturing memory device

Номер патента: US20240147717A1. Автор: Hsin-Hung Chou,Kao-Tsair Tsai,Cheng-Shuai Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device having word line surrounding gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023321A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20230395495A1. Автор: Jeong Hwan Kim,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240170400A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US11950523B2. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device including vertical stack structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310827A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device package having scribe line and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170412A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device package having scribe line and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170410A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093857A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20160365313A1. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Memory device and memory apparatus comprising the same

Номер патента: US20240074210A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Minwoo Choi,Hajun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device capable of minimizing bridge phenomenon of word lines and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US12029035B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

A mobile telecommunication device and a method of interfacing with a extra device using the same

Номер патента: KR101481513B1. Автор: 김태용. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2015-01-21.

Film Deposition Apparatus and a Method of Manufacturing a Light Emitting Device Using the Apparatus

Номер патента: US20100255184A1. Автор: Takeshi Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Output buffer circuit for excessive voltage protection

Номер патента: US20030227295A1. Автор: Ming-Te Lin,Chin-Hsien Yen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Data output buffer using a junction field effect transistor

Номер патента: US5216294A. Автор: Je-Hwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Memory Devices Having Strain Layers Therein That Increase Device Performance And Methods of Forming Same

Номер патента: US20110254103A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09595561B2. Автор: Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315048A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

3D semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859299B2. Автор: Ki Hong Lee,In Su Park,Hye Jeong CHEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224535A1. Автор: Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12048141B2. Автор: Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230397430A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Kiseok LEE,Hyuncheol Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315013A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240306404A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Data output circuit of a semiconductor apparatus

Номер патента: US09553587B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Output buffer circuit with de-emphasis function

Номер патента: US20070050572A1. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Programmable dual drive strength output buffer with a shared boot circuit

Номер патента: US20020130690A1. Автор: William Waldrop. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Data output circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US09461634B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304602A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomoya Sanuki,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device structure with protective element

Номер патента: US11758830B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20210057416A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory devices

Номер патента: WO1999021235A1. Автор: John Martin Shannon. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-04-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Epitaxial wafer and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20230141135A1. Автор: Junga LEE,Yeonsook Kim,Wooseung JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991272B2. Автор: Hiroshi Kanno,Shinya Naito,Yoshiaki Fukuzumi,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Stacked type semiconductor memory device

Номер патента: US09716103B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691786B1. Автор: Masaki Tsuji,Hideaki Aochi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620515B2. Автор: Tatsuya Kato,Satoshi Nagashima,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Aqueous solution and a method for cleaning heat-exchange surface from deposits using this solution

Номер патента: RU2177594C1. Автор: . Владелец: Стекольников Юрий Александрович. Дата публикации: 2001-12-27.

UNIT FOR REPAIR OF OIL AND GAS WELLS AND A METHOD OF DOWN AND LIFTING A FLEXIBLE PIPE USING THIS UNIT

Номер патента: RU2012128727A. Автор: Владимир Александрович Кузнецов,Георгий Александрович Калистратов,Игорь Святославович Чесноков,Андрей Анатольевич Бурмистров,Владимир Александрович Данилин,Виталий Викторович Кукушкин,Александр Владимирович Стефомиров,Борис Дмитриевич Янкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сибирские Новые Технологии". Дата публикации: 2014-01-20.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

A data output buffer operating on wide source voltage and a semiconductor memory device using this buffer

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты