Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Motion-sensitive field effect transistor, motion detection system, and method

Motion-sensitive field effect transistor, motion detection system, and method

Номер патента: US20220268805A1
Опубликовано: 25-08-2022
Автор(ы): David C. Pritchard, Elizabeth Strehlow, James P. Mazza, Romain H.A. Feuillette
Принадлежит: GlobalFoundries US Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Motion-sensitive field effect transistor, motion detection system, and method

Номер патента: US11913971B2. Автор: David C. Pritchard,Elizabeth Strehlow,Romain H. A. Feuillette,James P. Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

MOTION-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MOTION DETECTION SYSTEM, AND METHOD

Номер патента: US20220268805A1. Автор: Pritchard David C.,Strehlow Elizabeth,Feuillette Romain H.A.,Mazza James P.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Detection system including sensors and method of operating such

Номер патента: US20180306750A1. Автор: Emad Andarawis Andarawis,Edward James Nieters,Cheng-Po Chen,Marco Guerriero,Dayu Huang. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Forward scattered light detection system, flow cytometer and method for measuring cell diameter

Номер патента: US11898951B2. Автор: Xiaoli Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Detection method based on battery defect detection system, system and storage medium

Номер патента: US20240102966A1. Автор: Peng Fan,De Chen,Qihui Lu. Владелец: Guangdong Lyric Robot Automation Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Automatically detecting system with microscope and method thereof

Номер патента: US20230341673A1. Автор: Yen-Chieh CHANG. Владелец: Invectec Appliances Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Motion detection apparatus, mobile terminal apparatus and method for testing motion

Номер патента: CN104950140B. Автор: 佐藤隼平. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-14.

Systems and methods for landing identification

Номер патента: US09976875B2. Автор: Michael Shaw,Eric D Cahill. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Detection system and method, and isolation of failures at measurement of pressure of air signal system with non-protruding pressure intakes (fads)

Номер патента: RU2498320C2. Автор: Джаякумар МАДХАВАНПИЛЛАИ,Ремеш НАРАЯНАН,Хариш Чандран СОУДАМИНИ,Сваминатхан СУБРАМАНИАИЙЕР,Сиван КАИЛАСАВАДИВОО,Шарма Сурендра ВИР. Владелец: Индиан Спейс Рисерч Организейшн. Дата публикации: 2013-11-10.

Pipe detection system, boiler components and method for detecting pipeline

Номер патента: CN110243557A. Автор: 张磊,傅祥民,苑广存. Владелец: SHENHUA GUONENG SHANDONG CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

An assembly quality detecting device and method for wind screen cleaning system based on streamline pattern

Номер патента: US20210239564A1. Автор: Xinzhong Wang,Min Han,Zhong Tang,Zheng Ma,Hongxin Li,Yaoming Li,Lizhang Xu. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for automatic calibration of motion detection techniques in medical imaging systems

Номер патента: US09952303B2. Автор: Thorsten Feiweier,Tobias Kober,Gunnar Krueger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Fluorescence detection system

Номер патента: EP4419893A1. Автор: Li Lu,Michael Griffin,Evan Thrush,Eli A. HEFNER,Stephen L. Swihart. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Systems and methods for investigation of living matter

Номер патента: US20060044564A1. Автор: Jerry Draayer,Hovhannes Grigoryan,Rafik Sargsyan,Sergey Ter-Grigoryan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

FORWARD SCATTERED LIGHT DETECTION SYSTEM, FLOW CYTOMETER AND METHOD FOR MEASURING CELL DIAMETER

Номер патента: US20210055200A1. Автор: Wang Xiaoli. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

DOWNHOLE ZONAL ISOLATION DETECTION SYSTEM HAVING CONDUCTOR AND METHOD

Номер патента: US20170114631A1. Автор: Li Li,Dighe Shailesh Shaskank,Bottiglieri Antonio,Holley Andrew Christopher. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-27.

DETECTION SYSTEM INCLUDING SENSOR AND METHOD OF OPERATING SUCH

Номер патента: US20180306026A1. Автор: Andarawis Emad Andarawis,Unnikrishnan Jayakrishnan,Nieters Edward James,HUANG Dayu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Particle detection system, sensor device and method for detecting particles in a fluid

Номер патента: DE102016009634A1. Автор: Stefan Kunze,Markus Beylich,Christopher Marc Sturgess. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2017-08-17.

PIPELINE FAULT DETECTION SYSTEM, SENSOR HEAD AND METHOD OF DETECTING PIPELINE FAULTS

Номер патента: US20140165731A1. Автор: Linford Paul. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

DETECTION SYSTEM INCLUDING SENSORS AND METHOD OF OPERATING SUCH

Номер патента: US20180306750A1. Автор: Andarawis Emad Andarawis,Chen Cheng-Po,Nieters Edward James,HUANG Dayu,Guerriero Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Detection system including sensor and method of operating such

Номер патента: US10975686B2. Автор: Emad Andarawis Andarawis,Edward James Nieters,Dayu Huang,Jayakrishnan Unnikrishnan. Владелец: Baker Hughes Holdings LLC. Дата публикации: 2021-04-13.

In-car type illegal vehicles detection system while driving and method of using the same

Номер патента: KR100768820B1. Автор: 손승남. Владелец: 손승남. Дата публикации: 2007-10-22.

Half active correlation imaging tracking detection system of laser and method

Номер патента: CN108037512B. Автор: 赵海生,田义,李艳红,杨扬,李奇,李凡,张励,庞旭东,罗景文,张业鑫,柴娟芳. Владелец: Shanghai Institute of Electromechanical Engineering. Дата публикации: 2019-09-17.

Detector and divide for intelligence can the detection system in district and method

Номер патента: CN106124539A. Автор: 李波,李军,张岚,刘必成,顾建平,徐光明,胡海帆,杜迎帅,吴宗桂,曹雪朋. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-16.

Detection system including sensors and methods of operating such

Номер патента: NO20191335A1. Автор: Emad Andarawis Andarawis,Edward James Nieters,Cheng-Po Chen,Marco Guerriero,Dayu Huang. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2019-11-11.

System for providing a notification of a presence of an occupant in a vehicle through historical patterns and method thereof

Номер патента: US20190226865A1. Автор: Stuart Masakazu Yamamoto. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

System, apparatus, and method for viral monitoring in effluent

Номер патента: WO2022081330A1. Автор: Morton M. Mower. Владелец: Mower Morton M. Дата публикации: 2022-04-21.

Thermal history devices, systems for thermal history detection, and methods for thermal history detection

Номер патента: US20150146761A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Husam Alshareef. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2015-05-28.

Two-dimensional-material-based field-effect transistor for detection of pathogens and methods for manufacturing

Номер патента: US12123845B2. Автор: Michael C. Hamilton,Masoud Mahjouri-Samani,Marcelo Kuroda,Sahar Hasim,Parvin Fathi-Hafshejani. Владелец: Mercer University. Дата публикации: 2024-10-22.

Thermal history devices, systems for thermal history detection, and methods for thermal history detection

Номер патента: US09976913B2. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Husam Alshareef. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2018-05-22.

Moisture detection system and method of using thereof

Номер патента: RU2369498C1. Автор: Паскаль БАРГИРДЖЬЯН,Мишель ЭГРОН,Аллан Рекс ХОК,Кваку Кой КОРАМ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2009-10-10.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Systems and methods for measuring and analyzing the motion of a swing

Номер патента: WO2023150715A3. Автор: Michael Bentley,Brett JUHAS. Владелец: Tourbuilt, Llc. Дата публикации: 2023-09-21.

Systems and methods for measuring and analyzing the motion of a swing and matching the motion of a swing to optimized swing equipment

Номер патента: US20230302325A1. Автор: Michael Bentley,Brett JUHAS. Владелец: Tour Built LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Systems and methods for measuring and analyzing the motion of a swing

Номер патента: AU2023215339A1. Автор: Michael Bentley,Brett JUHAS. Владелец: Tourbuilt LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Bifunctional graphene dielectrophoresis (dep)-graphene field effect transistor (gfet) device and methods for using same

Номер патента: WO2023244489A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Ruixue LI,Steven J. Koester,Nezhueyotl Izquierdo ARRIOLA. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

System, apparatus, and method for viral monitoring in effluent

Номер патента: EP4229406A1. Автор: Morton M. Mower. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-23.

Intelligent optical fiber tactile sounding system and method thereof

Номер патента: US20220299387A1. Автор: QIAN Ma,Lijun Li,Tianzong Xu,Zhaochuan ZHANG,Jiajun Shen. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-09-22.

System and method for real-time monitoring and predicting wear of a cutting tool

Номер патента: US20240066653A1. Автор: Christoph Gey,Ruy Frota de Souza Filho,Patrick Kuhlemann,Shuangyuan Zhang. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09857329B2. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Nanowire Field Effect Transistor Detection Device and the Detection Method thereof

Номер патента: US20190206990A1. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-07-04.

Nanowire field effect transistor detection device and the detection method thereof

Номер патента: US10784343B2. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2020-09-22.

System, apparatus, and method for viral monitoring in effluent

Номер патента: US20220113306A1. Автор: Morton M. Mower. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-14.

Polar fluid gated field effect devices

Номер патента: WO2017216641A3. Автор: Saurabh Radhakrishnan,Meet Vora,Rajatesch R. GUDIBANDE,Antoine GALAND. Владелец: Graphwear Technologies Inc.. Дата публикации: 2018-02-15.

Polar fluid gated field effect devices

Номер патента: EP3472607A2. Автор: Saurabh Radhakrishnan,Meet Vora,Rajatesch R. GUDIBANDE,Antoine GALAND. Владелец: Graphwear Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Polar fluid gated field effect devices

Номер патента: CA3067304C. Автор: Saurabh Radhakrishnan,Meet Vora,Rajatesch R. GUDIBANDE,Antoine GALAND. Владелец: Graphwear Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Device for spray pattern scanning from examined samples, spray pattern detection system and spray pattern evaluation method

Номер патента: WO2019201360A1. Автор: Vojtěch ROUL. Владелец: Ns Coating Technologies S.R.O.. Дата публикации: 2019-10-24.

Vehicle damage detection system and method

Номер патента: EP4330627A1. Автор: Philip ZYLSTRA,Matthew James GIBSON. Владелец: 2872475 Ontario Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Vehicle damage detection system and method

Номер патента: US20240257335A1. Автор: Philip ZYLSTRA,Matthew James GIBSON. Владелец: 2872475 Ontario Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Gas detection systems and methods using graphene field effect transistors

Номер патента: WO2016205814A1. Автор: LIWEI Lin,Yumeng Liu. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-12-22.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus and method for hybrid differential envelope detector and full-wave rectifier

Номер патента: US20160072481A1. Автор: Thomas Cho,Siddharth Seth,Sang Won Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Nanovesicle comprising heterodimeric G-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor

Номер патента: US12099060B2. Автор: Seung Hun Hong,Hyun Seok Song,Tai Hyun Park,Hye Jun Jin,Sae Ryun Ahn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-24.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Field effect transistor sensor detection assays and systems and methods of making and using same

Номер патента: EP3717909A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Field-Effect Transistor and Method and Control Unit for Operating a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20160305904A1. Автор: Philipp Nolte. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-20.

Device and method for measuring small voltages and potentials on a biological, chemical or other sample

Номер патента: US20160274055A1. Автор: Jing Li,Svetlana Vitusevich,Sergli PUD. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2016-09-22.

Pressure detection system and method

Номер патента: RU2559142C2. Автор: Роберт Д. БАТТЕРФИЛД. Владелец: Кэафьюжн 303, Инк.. Дата публикации: 2015-08-10.

Photoreceptor protein-based spectrophotometer, method for manufacturing the same and method for light detection using the same

Номер патента: US09903761B2. Автор: Seok Lee,Sun Ho Kim,Jae Hun Kim,Chulki Kim,Deok Ha Woo,Hyun Seok Song,Taikjin Lee,Ju Yeong Oh,Jun Hyong CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-27.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Semiconductor gas sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1742044A3. Автор: Yasushi c/o Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Goto,Toshiyuki c/o Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Mine,Koichi c/o Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Yokosawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-03-07.

Scalable apparatuses and models for determining analytically efficient transfer curve parameters for sensor ics with 2d field effect transistors

Номер патента: US20230333051A1. Автор: Kiana Aran,Brett Goldsmith,Alexander Kane,Jonathan Parkinson. Владелец: Cardea Bio Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

System and method for accident avoidance during mobile device usage

Номер патента: US09865146B2. Автор: Hans-Joachim Barth. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Wireless motion monitoring system and method thereof

Номер патента: US20170352235A1. Автор: Ming On Lai,Wai Man Raymond Choi,Yeung Tung Tse. Владелец: Arwin Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Passive radio frequency energy detector systems and methods

Номер патента: US09939478B1. Автор: Raymond A. Lasten,John H. Bray. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for determining wear of grinding elements of grinding machine

Номер патента: RU2645056C2. Автор: Джозеф Д. СТОК,Ти ХАРТВИК,Роберт Д. ФРАНЦ. Владелец: Вермеер Мануфекчеринг Компани. Дата публикации: 2018-02-15.

System and method for detecting and monitoring noncompliant interstate transportation of materials

Номер патента: US20040010396A1. Автор: William Zerwekh,Jacobo Lucero,Gerald Langner,Ted Martinez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Devices with field effect transistors

Номер патента: EP4176250A1. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Mxene-graphene field effect transistor virus sensor

Номер патента: WO2023034113A3. Автор: Yang Wang,Donghyun Kim,Chenglin Wu,Risheng Wang,Yuwei Zhang,Yue-Wern HUANG,Yanxiao LI,Jiaoli LI. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2023-04-13.

Ion sensitive field effect transistors with protection diodes and methods of their fabrication

Номер патента: US09978689B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Richard De Souza,Patrice Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Fault location detection system and method

Номер патента: RU2667669C2. Автор: Саймон ХИГГИНС. Владелец: Эском Холдингс Сок Лимитед. Дата публикации: 2018-09-24.

Apparatus and method for the detection of localised fluctuations of ionic charge by ion sensitive field effect transistors during a chemical reaction

Номер патента: EP1379863A2. Автор: Christofer Toumazou,Sunil Purushothaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-14.

Fluid detection systems and methods using the same

Номер патента: EP4260038A1. Автор: Steven Castrigno,Christopher Krause,James Erhardt. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2023-10-18.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Co2 sensor based on a diamond field effect transistor

Номер патента: US20150177184A1. Автор: Bogdan Catalin Serban,Mihai Brezeanu,Octavian Buiu,Viorel Georgel Dumitru. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Fluid detection systems and methods using the same

Номер патента: WO2022125618A1. Автор: Steven Castrigno,Christopher Krause,James Erhardt. Владелец: Watts Regulator Co.. Дата публикации: 2022-06-16.

Packing Leakage Detection System and Method

Номер патента: US20240263630A1. Автор: Guoqing Zhang,Hailong Li,Yibo Jiang,Wenlong ZUO. Владелец: Yantai Jereh Oilfield Services Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for casing detection using resonant structures

Номер патента: US09938821B2. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US11921112B2. Автор: Paul Hoffman,Brett R. Goldsmith,Mitchell Lerner. Владелец: Paragraf Usa Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Sensing apparatus and method

Номер патента: GB2389424C. Автор: Christofer Toumazou,Sunil Purushothaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-21.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US20240230748A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Fluid detection systems and methods using the same

Номер патента: AU2021394753A1. Автор: Steven Castrigno,Christopher Krause,James Erhardt. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2023-07-06.

Fluid detection systems and methods using the same

Номер патента: AU2024202295A1. Автор: Steven Castrigno,Christopher Krause,James Erhardt. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2024-05-02.

Fluid detection systems and methods using the same

Номер патента: AU2021394753B2. Автор: Steven Castrigno,Christopher Krause,James Erhardt. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2024-02-01.

Ferroic sensor having tini-film field-effect transistor and ferroic layer applied to substrate

Номер патента: US8461636B2. Автор: Sigurd Wagner,Martin Kaltenbrunner,Siegfried Bauer,Reinhard Schwödiauer,Ingrid Graz,Christoph Keplinger,Stéphanie Perichon Lacour. Владелец: UNIVERSITAET LINZ. Дата публикации: 2013-06-11.

Real-time breath antigen detection system and method thereof

Номер патента: AU2023213096A1. Автор: Tim Bierewirtz,Ulrich Kertzscher,Michael Lommel. Владелец: Charite Universitaetsmedizin Berlin. Дата публикации: 2024-07-25.

Nanoscale Granularity Field Effect Transistor Array

Номер патента: US20200348256A1. Автор: Bruce B. Doris,Steven J. Holmes,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Multi-shot magnetic resonance imaging system and method

Номер патента: EP3207398A1. Автор: Feng Huang,Zhigang Wu. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-23.

Fluid detection systems and methods using the same

Номер патента: US20240036226A1. Автор: Steven Castrigno,Christopher Krause,James Erhardt. Владелец: Watts Regulator Co. Дата публикации: 2024-02-01.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

System and method for ostomy information collection and analysis

Номер патента: EP4360600A3. Автор: Jonas P. CARLSSON,Ryan S. Park. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Methods for determining a data filter for detecting particles of a sample and systems and methods for using same

Номер патента: WO2024173053A1. Автор: Keegan Owsley,Wenyu BAI. Владелец: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for determining a vehicle location in a manufacturing environment

Номер патента: US20230221450A1. Автор: Allen R. MURRAY,Joseph Stanek,Fahad Liaqat,Daniel Robert Taylor,Sikder Imam,Charles Robert Maxwell Zine. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: EP4278184A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2023-11-22.

Three-component airborne transient electromagnetic detection system and method with uav

Номер патента: US20240159934A1. Автор: Xiaojun Liu,Ling Huang,Guangyou FANG,Lihua Liu,Zhen Ke,Jiankai LI,Shichu YAN. Владелец: Aerospace Information Research Institute of CAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: US20240310320A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2024-09-19.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: WO2022153185A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: UNIVERSITÀ POLITECNICA DELLE MARCHE. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

System and method for an arc fault detector

Номер патента: US09939481B2. Автор: Oleg Logvinov,Roberto Cappelletti,Mauro Conti. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-10.

Co-aperture multi-FOV image-spectrum cooperative detection system and method

Номер патента: US09906737B2. Автор: Tianxu ZHANG. Владелец: Nanjing Huatu Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Fluorescence detection system and method

Номер патента: RU2508536C2. Автор: ХЕРПЕН Мартен М. Й. В. ВАН,Мариус И. БОАМФА,Дерк Й. В. КЛЮНДЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-02-27.

Ion-sensitive field effect transistor and method for producing an ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20050263798A1. Автор: Christian Kunath,Eberhard Kurth,Heinrich Grüger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2005-12-01.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20160258941A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-08.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: EP4235174A3. Автор: JAIN Abhinav,Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio LLC. Дата публикации: 2024-01-24.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US20200096505A1. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Field-Effect Transistor, Production Method Thereof, Switching Circuit, and Circuit Board

Номер патента: US20240030351A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Field effect transistor, device including the transistor, and methods of forming and using same

Номер патента: US12007389B2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Inanobio Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Forward acoustic scattering based double-transmitter and double-receiver networking target detection system and method thereof

Номер патента: US20180143293A1. Автор: Bo Lei,Kunde YANG,Chuanlin HE,Yuanliang MA. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2018-05-24.

Broadband terahertz radiation generation and detection system and method

Номер патента: WO2007121598A9. Автор: Arno Schneider,Peter Guenter. Владелец: Peter Guenter. Дата публикации: 2008-12-11.

System and method of object detection using a multi property array based object detection system

Номер патента: US20240264329A1. Автор: Jacky Kam,Elliot Mark HOLTMAN,Nico VAN DEN HOOFF. Владелец: Xtract One Technologies. Дата публикации: 2024-08-08.

Radiation detection system and method of indicating presence of radiation

Номер патента: US20110155909A1. Автор: John M. Frank. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Terahertz gas spectrometer detection system

Номер патента: US20230009935A1. Автор: Zhijie Li,Xiaoping Zheng,Yihao LI,Yiwei BAI,Xiaojiao DENG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-12.

Systems and methods for identifying and distinguishing genetic samples

Номер патента: AU2018266675B2. Автор: Vladimir I. Bashkirov,Theofilos Kotseroglou,Richard Shen,Robert Charles Kain. Владелец: Revere Biosensors LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Shoplifting detection system, assembly thereof and method for detecting shoplifting

Номер патента: WO2013009169A1. Автор: Remon Jan Bernardus Theodorus SPEKREIJSE. Владелец: Cross Point B.V.. Дата публикации: 2013-01-17.

Shoplifting detection system, assembly thereof and method for detecting shoplifting

Номер патента: EP2732441A1. Автор: Remon Jan Bernardus Theodorus SPEKREIJSE. Владелец: Cross Point BV. Дата публикации: 2014-05-21.

Print media detector and method for use in a printing device

Номер патента: US6365889B1. Автор: Steven B. Elgee. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-04-02.

Object detection systems and methods including an object detection model using a tailored training dataset

Номер патента: EP4399689A1. Автор: Yohay Falik,Rajkiran Kumar Gottumukkal,Prantik Sen,Rajiv Ramanasankaran,Santle Camilus KULANDAI SAMY,Deepak Chembakassery Rajendran. Владелец: Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP. Дата публикации: 2024-07-17.

Object detection systems and methods including an object detection model using a tailored training dataset

Номер патента: US20240135687A1. Автор: Rajkiran Kumar Gottumukkal,Prantik Sen,Rajiv Ramanasankaran,Santle Camilus KULANDAI SAMY,Yohai Falik,Deepak Chembakassery Rajendran. Владелец: Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP. Дата публикации: 2024-04-25.

WORDLINE NEGATIVE BOOST WRITE-ASSIST CIRCUITS FOR MEMORY BIT CELLS EMPLOYING A P-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (PFET) WRITE PORT(S), AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20180033465A1. Автор: Jeong Jihoon,Bowman Keith Alan,Atallah Francois Ibrahim,Hansquine David Joseph Winston,Nguyen Hoan Huu. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

WORDLINE NEGATIVE BOOST WRITE-ASSIST CIRCUITS FOR MEMORY BIT CELLS EMPLOYING A P-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (PFET) WRITE PORT(S), AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160247556A1. Автор: Jeong Jihoon,Bowman Keith Alan,Atallah Francois Ibrahim,Hansquine David Joseph Winston,Nguyen Hoan Huu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

BITLINE POSITIVE BOOST WRITE-ASSIST CIRCUITS FOR MEMORY BIT CELLS EMPLOYING A P-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (PFET) WRITE PORT(S), AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160247557A1. Автор: Jeong Jihoon,Bowman Keith Alan,Atallah Francois Ibrahim,Hansquine David Joseph Winston,Nguyen Hoan Huu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

NEGATIVE SUPPLY RAIL POSITIVE BOOST WRITE-ASSIST CIRCUITS FOR MEMORY BIT CELLS EMPLOYING A P-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (PFET) WRITE PORT(S), AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20160247558A1. Автор: Jeong Jihoon,Bowman Keith Alan,Atallah Francois Ibrahim,Hansquine David Joseph Winston,Nguyen Hoan Huu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Bitline positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type Field-Effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US10026456B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: EP3262649A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: EP3262648A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Detection System, Fingerprint Sensor, and Method of Finger Touch Authentication Thereof

Номер патента: US20200320185A1. Автор: Chi-Ting Chen,Sheng-Ruei Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-10-08.

Detection system, detection device and method therefor

Номер патента: WO2018193123A1. Автор: Christian HALET. Владелец: SITA Advanced Travel Solutions Limited. Дата публикации: 2018-10-25.

Detection system, detection device and method therefor

Номер патента: EP3612975A1. Автор: Christian HALET. Владелец: SITA Advanced Travel Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-02-26.

Motion detection and image acquisition apparatus and method of detecting the motion of and acquiring and image of an object

Номер патента: CA2090093A1. Автор: Fred M. Peterson,James Anthony Yee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-08-20.

Object detection systems and methods including an object detection model using a tailored training dataset

Номер патента: WO2023039331A1. Автор: Rajkiran Kumar Gottumukkal,Prantik Sen,Rajiv Ramanasankaran,Santle Camilus KULANDAI SAMY,Yohai Falik,Deepak Chembakassery Rajendran. Владелец: Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP. Дата публикации: 2023-03-16.

Object detection systems and methods including an object detection model using a tailored training dataset

Номер патента: US20240111835A1. Автор: Rajkiran Kumar Gottumukkal,Prantik Sen,Rajiv Ramanasankaran,Santle Camilus KULANDAI SAMY,Yohai Falik,Deepak Chembakassery Rajendran. Владелец: Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP. Дата публикации: 2024-04-04.

Object detection systems and methods including an object detection model using a tailored training dataset

Номер патента: US11893084B2. Автор: Rajkiran Kumar Gottumukkal,Prantik Sen,Rajiv Ramanasankaran,Santle Camilus KULANDAI SAMY,Yohai Falik,Deepak Chembakassery Rajendran. Владелец: Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP. Дата публикации: 2024-02-06.

Key performance indicator monitoring, predicting and anomaly detection system system and method

Номер патента: WO2023146563A1. Автор: Anshul BHATT,Vishvesh Trivedi,Akshaya Kadidal. Владелец: Rakuten Mobile Usa Llc. Дата публикации: 2023-08-03.

Fire Warning System and Devices

Номер патента: US20210350691A1. Автор: Michael Franco Taveira,Rajashekar Chilla,Abhi Umeshkumar Shah,Lakshmi Bhavani GARIMELLA SRIVENKATA,Sanjeet PANDIT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Fire warning system and devices

Номер патента: WO2021225933A1. Автор: Michael Franco Taveira,Rajashekar Chilla,Abhi Umeshkumar Shah,Lakshmi Bhavani GARIMELLA SRIVENKATA,Sanjeet PANDIT. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-11-11.

Detection system, fingerprint sensor, and method of finger touch authentication thereof

Номер патента: US10762182B2. Автор: Chi-Ting Chen,Sheng-Ruei Hsu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-09-01.

Object detection system in image and method thereof

Номер патента: KR102446832B1. Автор: 김승모. Владелец: 김승모. Дата публикации: 2022-09-22.

Object detecting device, object detecting system, moving body, and method for detecting object

Номер патента: EP4033470A1. Автор: Kazumasa AKIMOTO,Fuko TAKANO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Emergency detection device, emergency detection system, recording medium, and method therefor

Номер патента: US20160078748A1. Автор: Satoshi Ueda,Yasunori Ohta,Yuya Kudo,Hironori Matsumasa,Ryosuke Usami,Takamasa Yaguchi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Detection System, Fingerprint Sensor, and Method of Finger Touch Authentication Thereof

Номер патента: US20180239884A1. Автор: Chen Ji-Ting,Hsu Sheng-Ruei. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Detection System, Fingerprint Sensor, and Method of Finger Touch Authentication Thereof

Номер патента: US20200320185A1. Автор: Chen Chi-Ting,Hsu Sheng-Ruei. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Pedestrian auto detection system of crosswalk and method thereof

Номер патента: KR20170112107A. Автор: 백근원. Владелец: 백근원. Дата публикации: 2017-10-12.

A kind of unmanned detecting system of 3D and method

Номер патента: CN108924497A. Автор: 郑书礼,孙永剑,裘鑫芳. Владелец: Zhejiang Sci Tech University ZSTU. Дата публикации: 2018-11-30.

A kind of automatic safe detecting system for coach and method

Номер патента: CN106228641A. Автор: 王承翔,胡习之,朱富贵,刘诗嘉. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-12-14.

Object detecting device, object detecting system, moving body, and method for detecting object

Номер патента: EP4033470A4. Автор: Kazumasa AKIMOTO,Fuko TAKANO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

Object detecting device, object detecting system, moving body, and method for detecting object

Номер патента: EP4033471A4. Автор: Kazuyuki Ota,Kazumasa AKIMOTO,Fuko TAKANO,Junya KISHIMOTO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Object detecting device, object detecting system, moving body, and method for detecting object

Номер патента: EP4033471A1. Автор: Kazuyuki Ota,Kazumasa AKIMOTO,Fuko TAKANO,Junya KISHIMOTO. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Detection System, Detection device and method therefor

Номер патента: GB201706351D0. Автор: . Владелец: SITA Advanced Travel Solutions Ltd. Дата публикации: 2017-06-07.

Railway detection system, railway infrastructure and method for detecting the presence of a railway vehicle

Номер патента: US20240149931A1. Автор: Jeffrey Fries,John Ross. Владелец: Alstom Holdings SA. Дата публикации: 2024-05-09.

Railway detection system, railway infrastructure and method for detecting the presence of a railway vehicle

Номер патента: WO2024094809A1. Автор: Jeffrey Fries,John Ross. Владелец: Alstom Holdings. Дата публикации: 2024-05-10.

System and method based on field-effect transistors for addressing nanometer-scale devices

Номер патента: WO2005004203A3. Автор: YI LUO,James R Heath,Rob Beckman. Владелец: Rob Beckman. Дата публикации: 2005-09-22.

System and method based on field-effect transistors for addressing nanometer-scale devices

Номер патента: US20060273462A1. Автор: YI LUO,James Heath,Rob Beckman. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2006-12-07.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435B1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A8. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435A4. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A8. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-03-08.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A3. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-04-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Access verification system and method for vehicle and vehicle

Номер патента: EP4443399A1. Автор: Raik Orbay. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Power switch circuit, IC structure of power switch circuit, and method of forming IC structure

Номер патента: US11855619B2. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Power switch circuit, ic structure of power switch circuit, and method of forming ic structure

Номер патента: US20240056074A1. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure, device, and method

Номер патента: US12067341B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method of creating rules

Номер патента: RU2725033C2. Автор: Александр Викторович Шадрин,Дмитрий Александрович Кулагин,Павел Владимирович Дякин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2020-06-29.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A9. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-05-31.

System and method for improved behaviour detection within lane

Номер патента: RU2710125C2. Автор: Кваку О. ПРАКАХ-АСАНТЕ,Ифань ЧЭНЬ,Падма Айшвария КОЛИЗЕТТИ,Басаварадж ТОНШАЛ,Хсинь-хсян ЯН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-12-24.

Electronic displays using organic-based field effect transistors

Номер патента: EP1105772A1. Автор: Paul Drzaic. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2001-06-13.

On-board thermal track misalignment detection system and method therefor

Номер патента: US11915404B2. Автор: Nicholas Dryer,Michael Saied SANIEI,Asim Ghanchi,Coleman Barkley. Владелец: BNSF Railway Co. Дата публикации: 2024-02-27.

Moisture icing detection system and method

Номер патента: EP4409558A1. Автор: Mark Timothy Alexander NESDOLY,Akaljot Singh GILL,Joshua Cale RICHARD,William Cole ROSENTRETER,Michael DOCKERY,Mark SHERSTAN. Владелец: Pegasus Imagery Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

On-board thermal track misalignment detection system and method therefor

Номер патента: WO2023239440A1. Автор: Nicholas Dryer,Michael Saied SANIEI,Asim Ghanchi,Coleman Barkley. Владелец: BNSF Railway Company. Дата публикации: 2023-12-14.

On-board thermal track misalignment detection system and method therefor

Номер патента: US20240190483A1. Автор: Nicholas Dryer,Michael Saied SANIEI,Asim Ghanchi,Coleman Barkley. Владелец: BNSF Railway Co. Дата публикации: 2024-06-13.

On-board thermal track misalignment detection system and method therefor

Номер патента: US20230401684A1. Автор: Nicholas Dryer,Michael Saied SANIEI,Asim Ghanchi,Coleman Barkley. Владелец: 2500 Lou Menk Drive Aob 3. Дата публикации: 2023-12-14.

Wi-Fi-Disruption Based Motion Detection and Automation System and Methods

Номер патента: US20230403536A1. Автор: Salvatore Macera,Monir Bahhage,Brook Kolluri. Владелец: CENTURYLINK INTELLECTUAL PROPERTY LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Steering column torque control system and method

Номер патента: RU2721860C2. Автор: Эдвин ОЛСОН,Джеймс Роберт МАКБРАЙД,Энрик ГАЛЬСЕРАН,Райан М. ЮСТИС. Владелец: Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Мичиган. Дата публикации: 2020-05-25.

Virtual track detection system and method

Номер патента: US20240217521A1. Автор: Yi-Cheng Chen,Yun-Ling Chang,I-Chun Kuo. Владелец: Automotive Research and Testing Center. Дата публикации: 2024-07-04.

Vehicle detection systems and methods

Номер патента: US20200265716A1. Автор: Sushanta Das,Samer Ibrahim. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Access verification system and method for vehicle and vehicle

Номер патента: US20240331478A1. Автор: Raik Orbay. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

SINGLE-CHIP FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) SWITCH WITH SILICON GERMANIUM (SiGe) POWER AMPLIFIER AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20150364492A1. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

System and method for video-based vehicle detection

Номер патента: EP2700054A1. Автор: Modris GREITANS,Karlis Freivalds,Roberts KADIKIS. Владелец: Institute of Electronics and Computer Science. Дата публикации: 2014-02-26.

Systems and methods for filtering and computation using tunneling transistors

Номер патента: US09825132B2. Автор: Xiaobo Sharon Hu,Joseph Nahas,Behnam Sedighi,Michael Niemier. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2017-11-21.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US09935626B2. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: US09741452B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

System and method for encouraging patient stillness during imaging

Номер патента: US20190150862A1. Автор: Adam Gregory Pautsch,Erik Paul Kemper. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-05-23.

System and methods for identifying a subject through device-free and device-oriented sensing technologies

Номер патента: US20240105036A1. Автор: Sam Heidari,Michel ALLEGUE MARTINEZ,Negar Ghourchian,Amir Minayi Jalil. Владелец: Aerial Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Apparatus and methods for voltage regulation

Номер патента: US09971377B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Dynamic tag compare circuits employing P-type field-effect transistor (PFET)-dominant evaluation circuits for reduced evaluation time, and related systems and methods

Номер патента: US09947406B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Electronic cigarettes smoking policy notification system and method

Номер патента: RU2678437C1. Автор: Деррил БЕЙКЕР,Росс ОЛДБЕРИ. Владелец: Никовенчерс Холдингз Лимитед. Дата публикации: 2019-01-29.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Dual mode memory system and method of working the same

Номер патента: US20190279701A1. Автор: Zhibiao Zhou,Yuanli Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: US20240304241A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Spiking Neuron Circuit System and Spiking Neuron Circuit

Номер патента: US20240297646A1. Автор: Takeaki YAJIMA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-09-05.

High-reliability multiphase power supply system and method

Номер патента: US11817696B2. Автор: HUI Li,Siheng LUO. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

High-reliability multiphase power supply system and method

Номер патента: US20230246436A1. Автор: HUI Li,Siheng LUO. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Field effect transistor, display device , sensor, and method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20130328045A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Modifying sensitivity settings in a motion detection system

Номер патента: EP3963557A1. Автор: Tajinder Manku,Oleksiy Kravets. Владелец: Cognitive Systems Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: WO2024187130A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Three-dimensional (3D) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (MOSFeFET) system, and related methods and systems

Номер патента: US09875784B1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Field-effect transistor, display element, image display, system, and composition

Номер патента: US20170116916A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for location, motion, and contact detection and tracking in a networked audiovisual device

Номер патента: US8121808B2. Автор: Andrew Shane Huang,Duane Stewart Maxwell,Kenneth Earl Steele,Steven Michael Adler,Stephen Lawrence Tomlin. Владелец: Chumby Ind Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

System and method of detecting changed system files for checking for malware in a cloud service

Номер патента: RU2739832C1. Автор: Юрий Геннадьевич Паршин,Андрей Леонидович Киржеманов,Дмитрий Викторович Воронцов,Юрий Владимирович Справцев. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2020-12-28.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Frequency generation and synchronization systems and methods

Номер патента: US20210320665A1. Автор: Zdravko Boos. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Frequency generation and synchronization systems and methods

Номер патента: WO2020069203A1. Автор: Zdravko Boos. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Integrated circuit device, system and method

Номер патента: US20240290719A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US6449185B2. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

System and method for generating a field effect transistor corner model

Номер патента: US20150089464A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130187244A1. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A3. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A2. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

System and method for providing privacy of information used during authentication and authorisation operations using trusted device

Номер патента: RU2583710C2. Автор: Николай Васильевич Боровиков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US20020001220A1. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Apparatus and methods for discharging control gates after performing an access operation on a memory cell

Номер патента: US20200152272A1. Автор: Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Temporal Structured-Illumination Motion-Detection System

Номер патента: US20150190051A1. Автор: Nandini RAJAN,Andrew M. SIEGEL. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2015-07-09.

Bitcell layout for a two-port sram cell employing vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US20190279990A1. Автор: Bipul C. Paul,Steven Bentley,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Temporal structured-illumination motion-detection system

Номер патента: WO2014018102A8. Автор: Nandini RAJAN,Andrew M. SIEGEL. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2014-07-17.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

System and method for blocking computer attack on vehicle

Номер патента: RU2706887C2. Автор: Александр Викторович Шадрин,Дмитрий Александрович Кулагин,Павел Владимирович Дякин. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2019-11-21.

System and method of autogeneration of decision rules for intrusion detection systems with feedback

Номер патента: RU2634209C1. Автор: Никита Игоревич Кислицин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Группа АйБи ТДС". Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: US20230223066A1. Автор: Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-07-13.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12027520B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Dai Iwata,Akihiro YUU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method, a system and a program storage device for modeling the resistance of a multi-contacted diffusion region

Номер патента: US20120311518A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Avian detection systems and methods

Номер патента: US20230287866A1. Автор: Carlos Jorquera,Aaron COPPAGE,Jason DESALVO,Ryan LUTTRELL,Jason LUTTRELL. Владелец: Identiflight International LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory devices based on ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US20200083234A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-12.

Medical detection system and method

Номер патента: US20210319878A1. Автор: Georgios Ouzounis. Владелец: ElectrifAI LLC. Дата публикации: 2021-10-14.

System and method for 2D occupancy sensing

Номер патента: US09665776B2. Автор: Bart Michiels,Richard Kleihorst. Владелец: VITO NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems and methods of decreasing transit sites related to the nuclear system

Номер патента: RU2628665C2. Автор: Дэвид ПЕРРИ. Владелец: Сони Компьютер Энтертейнмент Америка Ллк. Дата публикации: 2017-08-21.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20220058470A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Driver for a power field-effect transistor, related system and integrated circuit

Номер патента: US20180175850A1. Автор: Aldo Davide Gariboldi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-21.

Systems and methods for block rate matching when updating a machine learning model based fraud detection system

Номер патента: US20240095741A1. Автор: Emmanuel Ameisen,Andrew BIRCK,Seth Hendrickson,Faye Ouyang. Владелец: Stripe Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

System and method for training sensor-guided x-ray mammography system

Номер патента: US12064277B2. Автор: Serge Muller,Laurence Vancamberg,Zhijin Li. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Systems and methods for reducing grain theft in harvesting operations

Номер патента: US11756396B2. Автор: Philip KUHNS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-12.

Apparatus, systems, and methods for user presence detection for audience monitoring

Номер патента: US11758223B2. Автор: John T. Livoti,Stanley Wellington Woodruff. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Data processing system and method of automatically initiating process

Номер патента: US20240264978A1. Автор: LEI FENG,Guoxin Sun. Владелец: Data Systems Consulting Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for reducing grain theft in harvesting operations

Номер патента: US12100272B2. Автор: Philip KUHNS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus, systems, and methods for user presence detection for audience monitoring

Номер патента: US12096074B2. Автор: John T. Livoti,Stanley Wellington Woodruff. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for training sensor-guided x-ray mammography system

Номер патента: US20240358337A1. Автор: Serge Muller,Laurence Vancamberg,Zhijin Li. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Static MOS memory cell using inverted N-channel field-effect transistor

Номер патента: US4352997A. Автор: Joseph H. Raymond, Jr.,Keith H. Gudger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-10-05.

Improvements in or relating to Electric Circuit Arrangements Employing Field Effect Transistors

Номер патента: GB1155562A. Автор: Ian Carrodus Hutcheon,Stephen Arthur Foster. Владелец: George Kent Ltd. Дата публикации: 1969-06-18.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240147730A1. Автор: Kazutaka Yoshizawa,Dai Iwata,Kiyokazu Shishido,Hokuto Kodate. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-contact fatigue detection system and method based on RPPG

Номер патента: US12036021B2. Автор: Liang Zhao,Qing Li,Zhicheng DAI,Zongkai YANG,Sannyuya Liu,Xiaoliang Zhu,Jianwen Sun. Владелец: CENTRAL CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods for upgrading firmware in multiple devices of a wireless fire detection system

Номер патента: US20190028831A1. Автор: Prajnith V. Kumar,Girish Jangam Gangadharam. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of Operating a Networked CBRNE Detection System

Номер патента: US20090273471A1. Автор: Francesco Pellegrino,Edward J. Vinciguerra,Kevin J. Tupper,Thomas J. Psinakis,Raymond Morrissey,Robert D'italia,Marie Catherine Bruzzi. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Systems and methods for updating software in a hazard detection system

Номер патента: EP3842933A2. Автор: Edwin H. Satterthwaite, Jr.,Jonathan Solnit,Jeffery Theodore Lee,Kelly Veit. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-06-30.

Systems and methods for updating software in a hazard detection system

Номер патента: EP3161807A1. Автор: Edwin H. Satterthwaite, Jr.,Jonathan Solnit,Jeffery Theodore Lee,Kelly Veit. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-05-03.

Continuous adaptation in detection systems via self-tuning from target population subsets

Номер патента: US20080281596A1. Автор: Ganesh N. Ramaswamy,Janice J. Kim,Jason W. Pelecanos,Jiri Navretil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for updating software in a hazard detection system

Номер патента: WO2016003635A1. Автор: Edwin H. Satterthwaite, Jr.,Jonathan Solnit,Jeffery Theodore Lee,Kelly Veit. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Systems and methods for detecting system exceptions in guest operating systems

Номер патента: US9268591B2. Автор: Avakash Prem CHAND,Laxmisha NAGARAJ. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-02-23.

System and method for analyte monitoring and predictive modeling

Номер патента: CA3171968A1. Автор: Ron Levin,James LeFiles,R. Clinton BEELAND. Владелец: Salvus LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Malware and exploit campaign detection system and method

Номер патента: EP3044684A2. Автор: Jayendra Pathak,Mohamed Saher Mokhtar. Владелец: NSS Labs Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Malware and exploit campaign detection system and method

Номер патента: WO2015038775A9. Автор: Jayendra Pathak,Mohamed Saher Mokhtar. Владелец: NSS Labs, Inc.. Дата публикации: 2015-05-21.

Malware and exploit campaign detection system and method

Номер патента: WO2018089380A1. Автор: Jayendra Pathak,Mohamed Saher,Ahmed Elgarhy. Владелец: NSS Labs, Inc.. Дата публикации: 2018-05-17.

Malware and exploit campaign detection system and method

Номер патента: WO2015038775A2. Автор: Jayendra Pathak,Mohamed Saher Mokhtar. Владелец: NSS Labs, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Systems and methods for updating content detection devices and systems

Номер патента: US20130263246A1. Автор: Yu Fang,Michael Xie. Владелец: Fortinet Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Systems And Methods For Pixel Detection

Номер патента: US20240289957A1. Автор: Nicolas Rognin,Kim Anthony Ippolito,Austin C. Kerns,Laurence Roger Rystrom. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems and methods for pixel detection

Номер патента: WO2024182397A1. Автор: Kim Anthony Ippolito,Austin C. Kerns,Laurence Roger Rystrom,Nicholas ROGNIN. Владелец: CELLOMICS, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Field effect transistor with channel core modified to reduce leakage current and method of fabrication

Номер патента: US20160020312A1. Автор: Shogo Mochizuki,Tomohiro Hirai,Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Field effect transistor with channel core modified for a backgate bias and method of fabrication

Номер патента: US20160027872A1. Автор: Tomohiro Hirai,Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Amount of wear estimation system, correction system, anomaly detection system, life detection system, machine tool, and method of estimating amount of wear

Номер патента: JP7196473B2. Автор: 栄二 山田,巧人 三好. Владелец: Nidec America Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Object detection systems for vehicles and methods of controlling airbags using object detection systems

Номер патента: US11833989B1. Автор: Kenan Kurtovic. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Fob detecting system of vehicle and method thereof

Номер патента: KR102109194B1. Автор: 장성민. Владелец: 콘티넨탈 오토모티브 시스템 주식회사. Дата публикации: 2020-05-11.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: US20240204109A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: WO2024137197A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Vertical field effect transistor

Номер патента: US20200365728A1. Автор: Ruilong Xie,Ali Razavieh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND DOUBLE GRID, INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING THIS TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2822293B1. Автор: Kenichi Ishii,Eiichi Suzuki,Toshihiro Sekigawa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2007-03-23.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL CORE MODIFIED TO REDUCE LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20160020312A1. Автор: Mochizuki Shogo,HIRAI Tomohiro,Nagumo Toshiharu. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL CORE MODIFIED FOR A BACKGATE BIAS AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20160027872A1. Автор: HIRAI Tomohiro,Nagumo Toshiharu. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL CORE MODIFIED TO REDUCE LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140183451A1. Автор: Mochizuki Shogo,HIRAI Tomohiro,Nagumo Toshiharu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL CORE MODIFIED FOR A BACKGATE BIAS AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140183452A1. Автор: HIRAI Tomohiro,Nagumo Toshiharu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

SINGLE-CHIP FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) SWITCH WITH SILICON GERMANIUM (SiGe) POWER AMPLIFIER AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20150194416A1. Автор: Slinkman James A.,Liu Qizhi,Dunn James S.,Cheng Peng,Gross Blaine J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH PAIR(S) OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS, EACH PAIR HAVING A SHARED SOURCE/DRAIN REGION AND METHODS OF FORMING THE STRUCTURES

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-06.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH PAIR(S) OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS, EACH PAIR HAVING A SHARED SOURCE/DRAIN REGION AND METHODS OF FORMING THE STRUCTURES

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

VERTICALLY MOVABLE GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR (VMGFET) ON A SILICON-ON-INSULATOR (SOI) WAFER AND METHOD OF FORMING A VMGFET

Номер патента: US20150295062A1. Автор: LEE Kang-hee,Song In-Hyouk,You Byoung Hee,Kang Heung Seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

SINGLE-CHIP FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) SWITCH WITH SILICON GERMANIUM (SiGe) POWER AMPLIFIER AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20150364492A1. Автор: Slinkman James A.,Liu Qizhi,Dunn James S.,Cheng Peng,Gross Blaine J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Detection system and method

Номер патента: WO2023006698A1. Автор: Charles Yianni CUMMINGS. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2023-02-02.

Detection system and method

Номер патента: EP4378016A1. Автор: Charles Yianni CUMMINGS. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Photoelectric conversion device, light detection system, movable body, and method of controlling photoelectric conversion device

Номер патента: US20240365024A1. Автор: Yoshinobu Nagamasa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT DEVICE OF THE INSULATED GRILLE TYPE, MOUNTING USING THIS DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE LATTER

Номер патента: FR2399126A1. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-02-23.

DETECTING SYSTEM, RECEIVING DEVICE, AND METHOD FOR DETECTING

Номер патента: US20180296141A1. Автор: YOSHIDA Shinya,MIYAGUCHI Hiroshi,Nakamura Tsutomu. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-10-18.

Fret-based target molecule detection system, kit thereof and method for detecting target molecule using the same

Номер патента: KR101938374B1. Автор: 구은회,양석. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2019-01-14.

LOCAL DATA TRANSMISSION NETWORK INCLUDING A SIGNAL DETECTION SYSTEM, AVOIDING COLLISIONS AND METHOD FOR TRANSFERRING DATA IN SUCH A NETWORK

Номер патента: FR2579341B1. Автор: Lawrence A. Kenyon Jr Alan B. Oppenheimer Et Gursharan S. Sidhu Ronald R. Hochsprung. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1993-11-26.

Building facade system and and method of providing a building facade

Номер патента: US20230340788A1. Автор: James Jonathan White,Edward Mitry Coosaia, JR.,Jason S. Eastwood. Владелец: Ubfs Llc. Дата публикации: 2023-10-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US20240258322A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: EP4409638A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Heat insulation for aircraft components and method for assembly and use thereof

Номер патента: RU2753048C2. Автор: Дж. Марк Джозеф КЛЕМЕН,Джерри Ли ВЕРТ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2021-08-11.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Controller circuit of electric power steering system, and sampling and control method therefor

Номер патента: EP4043318A1. Автор: Xiaqing Wu,Delin GONG,Yiwei CHA,Caiyun JING,Tonglei ZHANG. Владелец: Bosch Huayu Steering Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Systems and methods for distributed winding passive damping in a steer by wire handwheel actuator

Номер патента: US20240286669A1. Автор: Steven J. Collier-Hallman,Anik Chowdhury,Shuvajit Das,Michael J. Bock. Владелец: Steering Solutions IP Holding Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2019148170A3. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Heating system and method for automatic pipeline filling

Номер патента: RU2604465C2. Автор: Торстен ПАННВИТЦ,Драго КОМУЗАНАК,Андреас ЛУДВИГ. Владелец: ВЕБАСТО СЕ. Дата публикации: 2016-12-10.

Tunnel field-effect transistor and method for manufacturing tunnel field-effect transistor

Номер патента: US20180261689A1. Автор: Jing Zhao,Chen-Xiong Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US7858968B2. Автор: Takayuki Takeuchi,Naohide Wakita,Norishige Nanai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Phase-controlled field effect transistor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20100084631A1. Автор: Stefano Sanvito,John Boland,Borislav Naydenov. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2010-04-08.

Gate-all-around field effect transistors having end portions of nanosheet channel layers adjacent to source/drain regions being wider than the center portions

Номер патента: US12094972B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Carbon nanotube-graphene hybrid transparent conductor and field effect transistor

Номер патента: US09954175B2. Автор: Bhupesh Chandra,George S. Tulevski,Glenn J. Martyna,Amal Kasry,Ahmed Maarouf,Ageeth A. Bol. Владелец: Egypt Nanotechnology Center EGNC. Дата публикации: 2018-04-24.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory, gate-all-around field-effect transistor, and producing method

Номер патента: EP4261889A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Robot and method for adjusting suspension system of robot

Номер патента: EP4357170A1. Автор: Han Lin. Владелец: Hai Robotics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Apparatus and method for sorting randomly fed closing elements of different types or formats

Номер патента: WO2024165984A1. Автор: Cesare Ronchi. Владелец: Ronchi Mario S.P.A.. Дата публикации: 2024-08-15.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US11695420B2. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-04.

Memory, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352552A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US20230012345A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-12.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: WO2008091273A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2008-07-31.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: EP2038933A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Adjustable Electrically Biased Suspended Graphene Field Effect Transistor

Номер патента: NL2034511A. Автор: Shan Dan,TANG Mingjun,Chen Xuesheng,Shi Fanfeng,Wang Menglong,Yang Ruihong,Sun Daoyuan,Cao Yunquing. Владелец: Yangzhou Polytechnic Inst. Дата публикации: 2023-06-29.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Ambipolar vertical field effect transistor

Номер патента: EP2926376A1. Автор: BO LIU,Andrew Gabriel Rinzler,Mitchell Austin Mccarthy. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2015-10-07.

System and method for detecting abnormality related to partition wall for aseptic filling, and method for producing aseptic filling system

Номер патента: EP4371926A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Motohiro Mizuno. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Machinery Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US20240290860A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I. Chou,Andrew Gaul,Nicolas Jean Loubet,Curtis S. Durfee,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: WO2024175381A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I-Chih Chou,Andrew Gaul,Andrew Mark Greene,Nicolas Jean Loubet,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi,Curtis Scott DURFEE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Adjustable Electrically Biased Suspended Graphene Field Effect Transistor

Номер патента: NL2034511B1. Автор: Shan Dan,TANG Mingjun,Chen Xuesheng,Shi Fanfeng,Wang Menglong,Yang Ruihong,Sun Daoyuan,Cao Yunquing. Владелец: Yangzhou Polytechnic Inst. Дата публикации: 2024-09-05.

Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes

Номер патента: US09806273B2. Автор: Shashi P. Karna,Govind Mallick. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon nanoparticle field effect transistor and transistor memory device

Номер патента: CA2393962C. Автор: Munir H. Nayfeh,Gennadiy Belomoin,Joel Therrien. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2007-07-03.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US11881393B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Hybrid complementary field effect transistor device

Номер патента: US11777034B2. Автор: Chen Zhang,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Complementary field effect transistor with hybrid nanostructure

Номер патента: US20230307456A1. Автор: Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yi-Han WANG,Meng-Yu Lin,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Large-size single crystal cutting device and method of the same

Номер патента: US20240269894A1. Автор: Zhijian Li,Yan Shi,Wei Zhao,Jianhong Xu,Meng Wang,Yanhui Zhao,Ruixiang Zhang,Xiaopeng Wang,Zhihui Liang,Shusheng YANG,Xuelong LIN,Yujun XING,Yiqiang GONG,Shun CHANG,Xizhen Li,Xinyue Guo,Wenjun KUANG. Владелец: TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Image forming device, image forming system and method of manufacturing image forming device

Номер патента: RU2638108C1. Автор: Масахиро КОБАЯСИ,Махито СИНОХАРА,Масацугу ИТАХАСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-12-11.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: EP2245658A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-03.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: WO2009105315A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Cross field effect transistor (xfet) architecture process

Номер патента: EP4409626A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

System and method for fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: WO2008024200A1. Автор: Gordon Haller,Sahn D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-02-28.

Systems and methods for CMOS-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US09741870B2. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-08-22.

Submodule, protective unit, transducer and method of controlling transducer

Номер патента: RU2674989C2. Автор: Юньлун Дун,Хайин Ли,Наньнань ВАН,Дунмин ЦАО,Цзе ТЯНЬ. Владелец: Нр Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-12-14.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20150214384A1. Автор: Kenneth L. Shepard,Jacob Rosenstein,Ryan Michael Field,Dan Fleischer. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2015-07-30.

Systems and methods for cmos-integrated junction field effect transistors for dense and low-noise bioelectronic platforms

Номер патента: US20170317219A1. Автор: Kenneth L. Shepard. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-11-02.

Contact gating for 2d field effect transistors

Номер патента: EP4156298A1. Автор: Kevin O'Brien,Tanay GOSAVI,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Kirby MAXEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Circuit comprising a cascode device and method of operating circuit

Номер патента: EP4170905A1. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

System and method for a field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09972545B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Device and method for short-circuit protection of semiconductor switch

Номер патента: RU2212098C2. Автор: Мартти САИРАНЕН. Владелец: Ой Лексел Финланд Аб. Дата публикации: 2003-09-10.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Systems and methods for providing low-pass filtering

Номер патента: US20140253206A1. Автор: Bo Sun,Yi Tang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240234568A9. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method of manufacture therefor

Номер патента: US20160163849A1. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Cfet with via fuse structure and method

Номер патента: US20240290865A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Photoelectric imaging sensor and method

Номер патента: US20060038110A1. Автор: Heather Bean,Mark Robins. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-23.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Power amplifier modules with power amplifier and transmission line and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09887668B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Sandra Louise Petty-Weeks,Peter J. Zampardi, JR.,Guohao Zhang,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Apparatus and methods for capacitive load reduction in a mobile device

Номер патента: US09859846B2. Автор: Sabah Khesbak. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device wtih an interconnecting semiconductor electrode between first and second semiconductor electrodes and method of manufacture therefor

Номер патента: US09837526B2. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

System and method for providing symmetric, efficient bi-directional power flow and power conditioning

Номер патента: WO2011126471A2. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-10-13.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US20180183431A1. Автор: Dylan Charles BARTLE,Yu Zhu,Paul T. Dicarlo,Hanching Fuh,Oleksiy Klimashov. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12094944B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Hiroshi Nakatsuji,Dai Iwata,Eiichi Fujikura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US12020988B2. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Cross-hair cell devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20130015521A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Transistor ringing adjustment circuit and method

Номер патента: US20200177179A1. Автор: Anuj Jain,Rakesh Raja,Michael Edwin Butenhoff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Two-dimensional electrostrictive field effect transistor (2d-efet)

Номер патента: US20200335637A1. Автор: Saptarshi Das. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-22.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20230163031A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Systems and methods for reuse of battery pack-side current and voltage sensing

Номер патента: US20180175641A1. Автор: Christian Gregory SPORCK,Juha Oikarinen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Spacer formation in vertical field effect transistors

Номер патента: US20180151727A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Power supply branching control apparatus and method for supplying power to electric loads

Номер патента: US9385529B2. Автор: Koji Hashimoto,Tomohiro Kimura,Shozo Kanzaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Low-profile local interconnect and method of making the same

Номер патента: WO2013002851A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Systems and methods for reuse of battery pack-side current and voltage sensing devices

Номер патента: WO2018111841A1. Автор: Christian Gregory SPORCK,Juha Oikarinen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Power semiconductor module and method for stabilizing thereof

Номер патента: US09748941B2. Автор: Minki Kim,Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Hyun Soo Lee,Dong Yun Jung,Hyun-Gyu JANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-08-29.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09634112B2. Автор: Chull Won JU,Jae Kyoung Mun,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Sang Heung LEE,Hokyun Ahn,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130109139A1. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8557653B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Reducing gate resistance in stacked vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11756957B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic component comprising conductive material and ferroelectric material

Номер патента: US09876018B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Imaging apparatus, imaging system and manufacturing method of imaging apparatus

Номер патента: US09793314B2. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Sulphur-containing fullerene derivatives and method for production thereof

Номер патента: RU2477273C2. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Владимир Федорович Разумов,Екатерина Александровна Хакина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2013-03-10.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Trench field-effect transistor and method for manufacturing trench fet

Номер патента: US20240105843A1. Автор: Jian Liu,Jinyong Cai,Shida DONG,Zhenhan Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20110215383A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10475892B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A3. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A2. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-01-28.

Gate air spacer for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11764281B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Metal-semiconductor field effect transistors (mesfets) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006049677A2. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Allen. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-05-11.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Source-channel junction for III-V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

Номер патента: US11756998B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang,Sean Ma,Harold Kennel,Nicholas MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Tall single-fin fin-type field effect transistor structures and methods

Номер патента: US09929157B1. Автор: Andreas Knorr,Nigel Graeme Cave,Ruilong Xie,Murat Kerem Akarvardar,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus and methods for high linearity voltage variable attenuators

Номер патента: US09882549B2. Автор: Ahmed Mohammad Ashry Othman. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-01-30.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09847330B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793403B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Fin field effect transistor device with reduced overlap capacitance and enhanced mechanical stability

Номер патента: US09793378B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09768170B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09691766B1. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Jia-Ming Lin,Wei Ken Lin,Kuang Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US11855361B2. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Power Supply Device and Method for Checking a Field Effect Transistor of Such a Power Supply Device

Номер патента: US20240056070A1. Автор: Klaus Schürmann,Matthias Plöger,Michael Buschkamp,Tobias Blome. Владелец: Weidmueller Interface GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-15.

Self-aligned, planarized thin-film transistors, devices employing the same, and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020117717A1. Автор: Louis Hsu,Jack Mandelman,Li-Kong Wang,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Si/sige vertical junction field effect transistor

Номер патента: MY120718A. Автор: Khalid Ezzeldin Ismail,Bernard S Meyerson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Structure and method for forming an oscillating MOS transistor and nonvolatile memory

Номер патента: US20100252876A1. Автор: James Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-07.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Pulse generation device and method for a magnetron sputtering system

Номер патента: EP3317432A1. Автор: Johanna ROSÉN,Mykola STYERVOYEDOV,Sergiy STYERVOYEDOV,Andriy STYERVOYEDOV,Vozniy OLEKSIY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-09.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for the inference of activities of daily living and instrumental activities of daily living automatically

Номер патента: US09968283B2. Автор: Robin A. Felder,J. William Holman,Majd Alwan,Steven W. Kell,Sarah G. Wood,Michael Cvetanovich,Beverly L. Turner. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-15.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09953884B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2688256C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2019-05-21.

Equipment, system and method for dynamic allocation of resources using grant frame

Номер патента: RU2675053C2. Автор: Карлос КОРДЕЙРО,Ассаф КАШЕР,Соломон Б. ТРЕЙНИН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-12-14.

Method of engine state determining and cam profile detection system

Номер патента: RU2635543C2. Автор: Крис Пол ГЛУГЛА,Майкл Джеймс УРИЧ,Джеффри Аллен ДЁРИНГ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Circuit for biasing a transistor and related system and method

Номер патента: US20080074193A1. Автор: John Shi Sun Wei,Hans Rohdin. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Optimum high density 3d device layout and method of fabrication

Номер патента: US20220059413A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Structure and method to enhance both nfet and pfet performance using different kinds of stressed layers

Номер патента: US20110195581A1. Автор: Bruce B. Doris,Haining Yang,Huilong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Diketopyrrolopyrrole Polymers for Use in Organic Field Effect Transistors

Номер патента: US20180331296A1. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-11-15.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US20190027690A9. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G.R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Olivier Frédéric AEBISCHER,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-01-24.

MIS field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030211718A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Process for fabricating a field-effect transistor with a buried Mott material oxide channel

Номер патента: US20010055818A1. Автор: BRUCE Scott,Alejandro Schrott,James Misewich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US09893288B2. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Field effect transistor current mode logic with changeable bulk configuration of load transistors

Номер патента: US09838019B2. Автор: Lauri Koskinen,Matthew Turnquist,Jani Mäkipää,Erkka Laulainen. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical field effect transistor

Номер патента: US09837553B1. Автор: John H. Zhang,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2721945C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Operational amplifier with low zero offset voltage on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770913C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Trigger logic element and/and-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2763585C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-12-30.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Agricultural unit in the form of disc harrow with possibility of detecting clogging of battery and method of soil treatment using it

Номер патента: RU2735104C2. Автор: Рай ДеГАРМО. Владелец: АГКО Корпорейшн. Дата публикации: 2020-10-28.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Vertical stacks of light emitting diodes and control transistors and method of making thereof

Номер патента: US11362134B2. Автор: Zhen Chen. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Field Effect Transistor Device, and Method for Improving Short-Channel Effect and Output Characteristic Thereof

Номер патента: US20230223466A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device provided by silicon carbide substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US7485509B2. Автор: Rajesh Kumar,Florin Udrea,Andrei Mihaila. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-02-03.

Semiconductor device provided by silicon carbide substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050006716A1. Автор: Rajesh Kumar,Florin Udrea,Andrei Mihaila. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Circuit comprising a cascode device and method of operating circuit

Номер патента: US20230117505A1. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Body contact soi transistor structure and method of making

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Dongping Wu,Shili Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor

Номер патента: US20240204401A1. Автор: Nuttapong Srirattana,Zhiyang Liu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Field effect transistor, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the field effect transistor

Номер патента: US20230103876A1. Автор: Minsu Seol,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Asymmetric junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2010094541A1. Автор: David Collins,Robert Mark Rassel,Michael Joseph Zierak,Richard Phelps,Frederick Gustav Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-08-26.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A3. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090114993A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

High-voltage bidirectional field effect transistor

Номер патента: WO2024112426A1. Автор: Chirag Gupta,Shubhra S. Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-30.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8350304B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20190181234A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer,Viet Thanh Dinh,Valerie Marthe Girault. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-13.

Device integrated with junction field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252537A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240258317A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Koichi Matsuno,Dai Iwata,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

PN-body-tied field effect transistors

Номер патента: US12051723B2. Автор: Patrick Morrow,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Sayed Hasan,Kerryann Marrietta Foley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: US20230284454A1. Автор: Johannes Ocker,Patrick Polakowski,Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-09-07.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US11764225B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271494A1. Автор: Takahiro Nakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Tunnel field effect transistor device and method for making the device

Номер патента: US9070720B2. Автор: Marc Heyns,Anne S. Verhulst,Rita Rooyackers,Quentin Smets. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-06-30.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10147795B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Номер патента: WO2008134148A1. Автор: Weimin Zhang,Yujie Liu,Madhukar B. Vora,Ashok Kumar Kapoor,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Field effect transistor including a downward-protruding gate electrode and methods for forming the same

Номер патента: US12057475B2. Автор: Tsung-Hao YEH,Shiang-Hung HUANG,HsinFu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190088666A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Combined Source And Base Contact For A Field Effect Transistor

Номер патента: US20170287835A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: EP3437136A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: WO2017172908A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1061582A3. Автор: Yasuhiro Uemoto,Keisaku Nakao,Atsushi Noma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-19.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Field effect transistor for reducing hot carrier damage and methods for forming the same

Номер патента: US20240274716A1. Автор: Pei-Shan Hsieh,Shiang-Hung HUANG,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Field effect transistor

Номер патента: EP4273938A1. Автор: Hideaki Yamada,Takahiro Yamaguchi,Junichi Kaneko,Hitoshi Koizumi,Shinya OHMAGARI,Hitoshi Umezawa,Naohisa HOSHIKAWA. Владелец: Ookuma Diamond Device Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Systems and methods for detecting flow and enhancing snr performance in photoacoustic imaging applications

Номер патента: WO2009063424A1. Автор: Yao Wang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.. Дата публикации: 2009-05-22.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070072371A1. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054302A1. Автор: Akira Fujihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321839A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

High voltage field effect transistors with superjunctions and method of making the same

Номер патента: US20240250119A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor structures having a gate field plate and methods for forming such structure

Номер патента: US20160149006A1. Автор: John P. Bettencourt,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7361932B2. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for regulation of propagation delay in DC motor drivers

Номер патента: US12113521B2. Автор: Krishnamurthy Shankar,Siddhartha GOPAL KRISHNA,Ashish Ojha,Priyank ANAND,Ganapathi Hegde. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Dual-mode high-side power field-effect transistor driver for power regulators

Номер патента: US12057765B2. Автор: Mengmeng Du,Matthew Alan Grant,Daniel Dahua ZHENG. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960244B2. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Multi-gate field effect transistor (FET) including isolated FIN body

Номер патента: US09954002B2. Автор: Hongmei Li,Junjun Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory cells comprising a programmable field effect transistor having a reversibly programmable gate insulator

Номер патента: US09947687B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Extended-drain structures for high voltage field effect transistors

Номер патента: US09911815B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09911598B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Field effect transistor having a multi-width electrode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905690B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09876084B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Field-effect transistors with a non-relaxed strained channel

Номер патента: US09871057B2. Автор: Karen A. Nummy,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical fin field effect transistor (V-FinFET), semiconductor device having V-FinFET and method of fabricating V-FinFET

Номер патента: US09870957B2. Автор: Myung Gil Kang,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Commonly-bodied field-effect transistors

Номер патента: US09818652B1. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Kai D. Feng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799742B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09786784B1. Автор: Hyung Suk Lee,Hyun Seung Song,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

Номер патента: US09786783B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

N-stacked field effect transistor based traveling wave power amplifier for monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09780746B1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Trigger two-stage d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2734428C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования. "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-10-16.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759A1. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Johan Roger Axel Karlsson. Дата публикации: 1999-08-12.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759C. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Systems and methods for altering timing edges of an input signal

Номер патента: US20040090254A1. Автор: Ronnie Owens,Barbara Duffner. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-05-13.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Three-dimensional monolithic vertical field effect transistor logic gates

Номер патента: US20190181055A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Field-effect transistors with independently-tuned threshold voltages

Номер патента: US20210091202A1. Автор: Xiaoli He,Bingwu Liu,Tao Chu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel

Номер патента: US20200051808A1. Автор: Simeon MORVAN,Berthold Reimer,Carsten Metze. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Apparatuses and systems for offset cross field effect transistors

Номер патента: WO2024092072A1. Автор: Richard SCHUTLZ. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and systems for offset cross field-effect transistors

Номер патента: US20240145565A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Phase detector device and method thereof

Номер патента: US20070223636A1. Автор: Leo Mathew,Mohamed Moosa,Sriram Kalpat. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-09-27.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Composite power element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358907A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Deep buried channel junction field effect transistor (DBCJFET)

Номер патента: US20070275515A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Field effect transistor

Номер патента: US20240282831A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

System and method for achieving computationally efficient motion estimation in video compression based on motion direction and magnitude prediction

Номер патента: US09736493B2. Автор: Qun Li,Wencheng Wu,Edgar A. Bernal,Stuart Schweid. Владелец: Conduent Business Services LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Bidirectional output semiconductor field effect transistor and method for its maufacture

Номер патента: US4721986A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1988-01-26.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Field effect transistors for integrated circuits and methods of manufacture

Номер патента: US3576475A. Автор: John William Kronlage. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-04-27.

Field effect transistor circuit for modulator and demodulator applications

Номер патента: US4413239A. Автор: George W. McIver,Donald E. Romeo. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-11-01.

Drain current sensing and fault protection circuit based on gate voltage for gate current driven field effect transistors

Номер патента: US20220278523A1. Автор: Fei Wang,Edward A. Jones. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and switching circuit

Номер патента: EP4300587A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090325357A1. Автор: Junji Koga,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus and method for improving standby efficiency of handheld device

Номер патента: US20170271988A1. Автор: Yonggui Zhao. Владелец: Le Holdings Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Circuit for switching device, switching system, and processing method for switching device

Номер патента: US20230336171A1. Автор: Yusuke Kinoshita,Satoshi Nakazawa,Ryosuke Maeda,Yuta NAGATOMI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and intergrated circuits incorperating the transistors

Номер патента: NZ555625A. Автор: Igor Sankin,Jeffrey B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-01-28.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A2. Автор: Robert Beach. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-23.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: EP3347915A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-07-18.

High power rf field effect transistor switching using dc biases

Номер патента: WO2014085140A2. Автор: William Henry VON NOVAK III,Cody Burton Wheeland,Linda Stacey Irish,Gabriel Issac Mayo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-05.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2008-01-03.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: WO2010110900A8. Автор: Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising a junction field effect transistor (JFET)

Номер патента: US11830776B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Junction field effect transistor, integrated circuit for switching power supply, and switching power supply

Номер патента: US20120319177A1. Автор: Masaru Saito,Koji SONOBE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Novel III-V Heterojunction Field Effect Transistor

Номер патента: US20180254326A1. Автор: Zhihua Dong,Guohua Liu,Zhiqun Cheng,Huajie Ke. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-09-06.

Field effect transistor

Номер патента: US11527629B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Field effect transistor

Номер патента: US20210043743A1. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

System and method for detecting and controlling contraband devices

Номер патента: AU2018251804B2. Автор: Stephen Lee Hodge. Владелец: Global Tel Link Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Infrared detection system and method with histogram based manual level and gain control

Номер патента: EP1293092A1. Автор: Lee J. Huniu. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2003-03-19.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Junction field effect transistor

Номер патента: US20150357481A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit

Номер патента: US10582580B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Field-effect transistor devices having proximity contact features

Номер патента: US10014331B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US12069874B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Hetero-junction field effect transistor

Номер патента: US6320210B1. Автор: Yuji Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor

Номер патента: US11342449B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods of forming an asymmetric field effect transistor

Номер патента: US7442613B2. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Asymmetric field effect transistor

Номер патента: US20070034926A1. Автор: Joo-Sung Park,Kyung-Seok Oh,Ki-Jae Hur,Jung-Hyun Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Rotated channel semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20130181215A1. Автор: James Fiorenza,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Door lock detection systems and methods

Номер патента: CA3059783C. Автор: Mark Caterino. Владелец: Assa Abloy Residential Group Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

Low-noise gate-all-around junction field effect transistor

Номер патента: US20210320205A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for removing contaminant compounds respectively having benzene ring therein from surface of Si layer and method for producing semiconductor device including step for removing contaminant compounds

Номер патента: US20010044215A1. Автор: Masahiro Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Process for producing an MOS field effect transistor with a recombination zone

Номер патента: US20020081785A1. Автор: Friedrich Kröner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-27.

MOS field-effect transistor

Номер патента: US20060006470A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Cybersecurity Infection Detection System and Method

Номер патента: US20230421575A1. Автор: C. Kerry Nemovicher. Владелец: Crytica Security Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Photonics chips including a fully-depleted silicon-on-insulator field-effect transistor

Номер патента: US20230038887A1. Автор: Yusheng Bian,George R. Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stacked field effect transistor devices with replacement gate

Номер патента: US12094937B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20210036248A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Patterning method for preparing top-gate, bottom-contact organic field effect transistors

Номер патента: US20220293873A1. Автор: Stefan Becker,Mi Zhou,Wei Hsiang Lin,Junmin Lee,Giseok LEE. Владелец: Clap Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials

Номер патента: WO1999010939A9. Автор: Leeuw Dagobert Michel De,Christopher John Drury,Cornelis Marcus Johan Mutsaers. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2006-05-26.

Resin, insulating film and organic field effect transistor comprising same

Номер патента: EP4421851A1. Автор: Takashi Fukuda,Shinya OKU,Shohei YUMINO,Yuta Iijima,Rei SHIWAKU. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US12027629B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Jen-Po Huang,Qinggang Xing,Ding-Lung Chen,Li Li Ding,Yao-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Self-aligned channel-only semiconductor-on-insulator field effect transistor

Номер патента: US09935178B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs

Номер патента: US09911835B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Motion detection for microphone gating

Номер патента: US09800964B2. Автор: Jason McIntosh,Matt Anderson,Steve Popovich. Владелец: Sound Devices LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US09799765B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical field effect transistor including extension and stressors

Номер патента: US09793401B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Tunnelling field effect transistor

Номер патента: US09793351B2. Автор: Jin He,Dan Li,Haijun LOU,Xinnan LIN. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2017-10-17.

Large area diode co-integrated with vertical field-effect-transistors

Номер патента: US09754933B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09748239B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Field-effect transistor

Номер патента: US09698235B2. Автор: Hiroyuki Ota,Koichi Fukuda,Shinji Migita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-04.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2712416C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Олег Владимирович Олег Владимирович Дворников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2369940C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2009-10-10.

Thin film field effect transistor and method of making same

Номер патента: CA1230948A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-12-29.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1754255A1. Автор: Gerben Doornbos,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Insulated-gate field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: CA1150853A. Автор: Royce Lowis,Peter M. Tunbridge. Владелец: Peter M. Tunbridge. Дата публикации: 1983-07-26.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Field-effect transistor amplifier

Номер патента: GB1215590A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1970-12-09.

Thin film field effect transistor and method of making same

Номер патента: US4843443A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Fin field effect transistor and method for manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US20060172476A1. Автор: Kuan-Yang Liao,Wen-Shiang Liao,Wei-Tsun Shiau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Vertical field effect transistor and method of manufacturing a vertical field effect transistor

Номер патента: US11201241B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Xin Miao,Richard Glen Southwick, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Protective circuit for field effect transistor amplifier

Номер патента: US3912981A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-10-14.

Method of making asymmetrically optimized CMOS field effect transistors

Номер патента: US4874713A. Автор: Samuel C. Gioia. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-10-17.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Devices having reduced susceptibility to soft-error effects and method for fabrication

Номер патента: US20120112246A1. Автор: Tak H. Ning,Philip J. Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Field-effect transistors with vertically-serpentine gates

Номер патента: US20200357892A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20240063223A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Field-effect transistors with diffusion blocking spacer sections

Номер патента: US20200287019A1. Автор: Hong Yu,George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Man Gu,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Filter circuit based on a MOS field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US10930643B2. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor Devices and Method for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20170005091A1. Автор: Martin Poelzl,Ravi Keshav Joshi,Johannes Baumgartl,Christoph Gruber,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20200091342A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: EP3724928A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-10-21.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20210074869A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2021-03-11.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US10879390B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Boosted vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190280120A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US11791215B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Cross field effect transistor (XFET) library architecture power routing

Номер патента: US11862640B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: WO2015138314A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

Control circuit and chipset on motherboard for saving terminal resistors and method for realizing the same

Номер патента: US20020024361A1. Автор: Nai-Shung Chang,Ching-Fu Chuang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-28.

Field effect transistor, control method for controling such a field effect transistor and a frequency mixer means including such a field effect transistor

Номер патента: US20010013622A1. Автор: Joannes Mathilda Josephus Sevenhans. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-08-16.

Field effect transistor switching circuit

Номер патента: US20150222259A1. Автор: George Nohra. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Ferroelectric field-effect transistors with a hybrid well

Номер патента: US20240120420A1. Автор: Stefan Dunkel,Halid MULAOSMANOVIC,Zhixing ZHAO,Dominik Martin Kleimaier. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240063278A1. Автор: Dai Iwata,Hokuto Kodate. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240072042A1. Автор: Kazutaka Yoshizawa,Hokuto Kodate. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240153994A1. Автор: Kazutaka Yoshizawa,Hokuto Kodate. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025667A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chien-Cheng Liu,Sheng-fu Horng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-02-04.

Resistive random access memory integrated under a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210175285A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: WO2024041858A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Filter circuit based on a mos field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US20190067272A1. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20220375794A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Vertical field effect transistor device and method of making thereof

Номер патента: EP3108506A1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-28.

Field effect transistor having channel silicon germanium

Номер патента: SG168481A1. Автор: Hiroyuki Ota,Vincent Sih. Владелец: Toshiba America Electronic. Дата публикации: 2011-02-28.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor ferroelectric storage transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20180006130A1. Автор: Wei Zhang,Shigeki Sakai,Mitsue Takahashi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-01-04.

Oral care system and method

Номер патента: WO2024099844A1. Автор: GERBEN KOOIJMAN,Lutz Christian GERHARDT,Sujitkumar HIWALE,Nakul PANDE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2024-05-16.

Finfet device and method for fabricating same

Номер патента: US20170229561A1. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Gwan-Sin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with enhanced mobility and method

Номер патента: US20150054068A1. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Balaji Padmanabhan,Francine Y. Robb,Kirk K. Huang. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-02-26.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Self-aligned multilayer spacer matrix for high-density transistor arrays and methods for forming the same

Номер патента: US20230189533A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: WO2005086237A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-15.

A jfet having a step channel doping profile and method of fabrication

Номер патента: WO2008137293A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Sachin R. Sonkusale,Weimin Zhang (Nmi). Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Systems and methods for identifying rogue base stations

Номер патента: US20180070228A1. Автор: Eithan Goldfarb. Владелец: Verint Systems Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Obstruction detection system and method

Номер патента: US12048659B2. Автор: Daniel V. BROSNAN,Aaron D. Furman. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Obstruction detection system and method

Номер патента: US20200276067A1. Автор: Daniel V. BROSNAN,Aaron D. Furman. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Obstruction detection system and method

Номер патента: US20210236358A1. Автор: Daniel V. BROSNAN,Aaron D. Furman. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Obstruction detection system and method

Номер патента: US20230263676A1. Автор: Daniel V. BROSNAN,Aaron D. Furman. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: EP1719183A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-08.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20020171113A1. Автор: Takaaki Murakami,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device with junction fet transistor having multi pinch-off voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243132A1. Автор: Ji Man Kim,Hee Hwan JI,Song Hwa HONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Elevator faults real time detecting system for safety and method using the same

Номер патента: TWI529117B. Автор: 鄭坤豐. Владелец: 鄭坤豐. Дата публикации: 2016-04-11.

The detection system of bug and method

Номер патента: CN102982282B. Автор: 孙建坡. Владелец: NSFOCUS Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-23.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER AMPLIFIER AMPLITUDE MODULATOR SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001693A1. Автор: Aoki Ichiro,Hajimiri Seyed-Ali,Kee Scott D.,Damgaard Morten,Magoon Rahul,Mohta Setu,Aparicio Joo Roberto,Hatcher Geoff. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Measurement Device and Method Utilizing the Same

Номер патента: US20120000796A1. Автор: . Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MINITURIZATION TECHNIQUES, SYSTEMS, AND APPARATUS RELATNG TO POWER SUPPLIES, MEMORY, INTERCONNECTIONS, AND LEDS

Номер патента: US20120002455A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO DRIVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120002819A1. Автор: Thormundsson Trausti,Jonsson Ragnar H.,Thorvaldsson Vilhjalmur S.,Wihardja James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Virtual Touch Sensing

Номер патента: US20120001845A1. Автор: LEE Chi Ching. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INDEXING CONTENT VIEWED ON AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004575A1. Автор: Thörn Ola. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Filter Life Pulsating Indicator and Water Filter System and Method

Номер патента: US20120000858A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWEEPING MIRROR ENHANCED IMAGING FLOW CYTOMETRY

Номер патента: US20120002029A1. Автор: Sieracki Christian K.,Ellis Scott N.,Peterson Kent A.. Владелец: FLUID IMAGING TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Vacation Faucet Apparatus and Method

Номер патента: US20120004778A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, system and method utilizing aperiodic nonrandom triggers for vehicular telematics data queries

Номер патента: US20120004804A1. Автор: Beams Darren,Cawse Neil. Владелец: GEOTAB INC. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

PATCH PANEL CABLE INFORMATION DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000977A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

WARNING HORN CONTROL SYSTEM, RADAR SYSTEM, AND METHOD

Номер патента: US20120001767A1. Автор: Ballinger Forrest H.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVITY MONITORING SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004883A1. Автор: . Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SAMPLING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20120000296A1. Автор: WENG Yanwen. Владелец: SHENZHEN MINDRAY BIO-MEDICAL ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PLASMA UNIFORMITY SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120000606A1. Автор: Hadidi Kamal,Dorai Rajesh,Jagtap Mayur. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTION SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENTS OF A MOVABLE OBJECT

Номер патента: US20120001860A1. Автор: Phan Le Kim. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

System and method for detection of multi-view/multi-pose objects

Номер патента: US20120002869A1. Автор: Kumar Rakesh,Han Feng,SAWHNEY HARPREET SINGH,Shan Ying. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical element, method for controlling spectral characteristic of the latter, optical elements system and method for controlling this system

Номер патента: RU2248022C2. Автор: А.В. Шамрай,А.С. Козлов,М.П. Петров,И.В. Ильичев. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079865A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-17.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079409A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.