Circuit structure.

Circuit structure

Номер патента: US20230216169A1
Опубликовано: 06-07-2023
Автор(ы): Hsin Hui Lo, Tze-Min Shen
Принадлежит: Realtek Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Circuit structure

Номер патента: US20230307852A1. Автор: Akira Haraguchi. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Circuit structure

Номер патента: US20240306295A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit structures having off-axis in-hole capacitor and methods of forming

Номер патента: US20150195914A1. Автор: Janak G. Patel,Peter Slota, Jr.,David B. Stone,Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Printed circuit structure

Номер патента: US20220406977A1. Автор: Heng-Yi Huang,Hsin-Cheng Ho,Yi-Tung LO. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Circuit structure

Номер патента: US10251261B2. Автор: Tou Chin,Arinobu NAKAMURA. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Circuit structure using printed-circuit board

Номер патента: US20180160537A1. Автор: Akihiro Oda,Masakazu Okumura,Ryoma Hamada,Tatsuya Daidoji,Noriko Okamoto. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Circuit structure

Номер патента: US20170019994A1. Автор: Shih-Hsien Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Circuit structure for hot-press bonding

Номер патента: US20230422405A1. Автор: Hsiang-Yu Lee,Shang CHIN,Ping-Tsun Lin. Владелец: SuperC-Touch Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Multilayer circuit structure

Номер патента: US10051737B2. Автор: Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-08-14.

Antenna circuit structure and antenna structure

Номер патента: US20100052810A1. Автор: Ching-Chung Tang,Ying-Chieh Chuang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Circuit structure of package carrier and multi-chip package

Номер патента: US20100123144A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Circuit structure of package carrier and multi-chip package

Номер патента: EP2190272A3. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Flexible circuit structure for circuit line bending

Номер патента: US12052825B2. Автор: Junjun Li,Shidong Li,Zhigang Song,Hongqing Zhang,Guoda LIAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Flexible circuit structure for circuit line bending

Номер патента: US20220418110A1. Автор: Junjun Li,Shidong Li,Zhigang Song,Hongqing Zhang,Guoda LIAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Routing arrangement for ground conductors in printed circuit structures

Номер патента: US4127740A. Автор: Frederick W. LaMarche. Владелец: Sheldahl Inc. Дата публикации: 1978-11-28.

Printed circuit structure including power, decoupling and signal termination

Номер патента: US5384433A. Автор: Robert Osann, Jr.,David R. Halbert,Jeffery A. Ausman. Владелец: Aptix Corp. Дата публикации: 1995-01-24.

Chip and circuit structure

Номер патента: US20150296606A1. Автор: Jianyong Fu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Insulating colloidal material and multilayer circuit structure

Номер патента: US9642250B1. Автор: Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-02.

Circuit structure

Номер патента: US12035471B2. Автор: Andu Zhou,Bingfeng Luo. Владелец: Guangzhou Luxvisions Innovation Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufactunring a multilayer circuit structure having embedded trace layers

Номер патента: US20220201853A1. Автор: Chih-Liang Chu,Yu Cheng Yuan,Christian Mathias Schmid. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH and Co. Дата публикации: 2022-06-23.

Microwave/millimeter wave circuit structure with discrete flip-chip mounted elements, and method of fabricating the same

Номер патента: CA2198088C. Автор: Mehran Matloubian,David B. Rensch,Perry A. Macdonald,Lawrence A. Larson. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Circuit structure

Номер патента: US11991815B2. Автор: Kazuya KOMAKI,Hiroki Shimoda,Taiji Yanagida,Koushi IGURA,Ayaka Asano. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Circuit structure, battery, and electronic device

Номер патента: US20230187714A1. Автор: Guozhen Sun. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Multilayer circuit structure

Номер патента: US20170196085A1. Автор: Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-07-06.

Insulating colloidal material and multilayer circuit structure

Номер патента: US20170127513A1. Автор: Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-04.

Circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090288858A1. Автор: Chih-Peng Fan,Yen-Ti Chia. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Packaged circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220240385A1. Автор: Chun-Chieh Huang,Chin-Ming Liu. Владелец: Leading Interconnect Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Electronic circuit structure

Номер патента: US5689600A. Автор: Michael E. Griffin. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1997-11-18.

Packaged circuit structure

Номер патента: US20230232537A1. Автор: Chun-Chieh Huang,Chin-Ming Liu. Владелец: Leading Interconnect Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing a packaged circuit structure

Номер патента: US11683888B2. Автор: Chun-Chieh Huang,Chin-Ming Liu. Владелец: Leading Interconnect Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Metal circuit structure

Номер патента: US09683292B2. Автор: Min-Chieh Chou,Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-20.

Circuit structure

Номер патента: US20240292513A1. Автор: Hideki Goto. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-layer circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190116667A1. Автор: Chun-Hao Chen,Chang-Fu Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09699910B2. Автор: Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for forming metal circuit, liquid trigger material for forming metal circuit and metal circuit structure

Номер патента: US9499911B2. Автор: Min-Chieh Chou,Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of fabricating multilayer circuit structures

Номер патента: CA1290201C. Автор: Barry Jay Thaler,Harry Louis Pinch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-10-08.

Circuit structure

Номер патента: US12035467B2. Автор: Young Shin Kim. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Circuit Structure

Номер патента: US20230354515A1. Автор: Young Shin Kim. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Circuit structure for multiple antenna radio unit, base station, and satellite communication

Номер патента: EP4418545A1. Автор: Yi-Fan Wang. Владелец: Ranictek Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

High frequency multilayer circuit structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20050045376A1. Автор: Yun Cho,Young Lee,Chul Park. Владелец: Information And Communications University Educational Foundation. Дата публикации: 2005-03-03.

Circuit structure and circuit substrate using different reference planes to regulate characteristic impedance

Номер патента: TW200610453A. Автор: Yu-Chzang Cheng,Kuo-Ming Chang. Владелец: Mitac Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Flexible circuit structure and electrical connection assembly which connects the structure with other circuit means mutually

Номер патента: JPS62120097A. Автор: ジョン　エム　スティパナック,ジョン　エム　ユン. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 1987-06-01.

Circuit structure and method of manufacturing circuit structure

Номер патента: JP2020038883A. Автор: Akira Haraguchi,原口　章,章原口. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Via array design for multi-layer redistribution circuit structure

Номер патента: US11776899B2. Автор: Che-Hung KUO,Hsing-Chih Liu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Circuit structure, battery, electronic device, and battery manufacturing method

Номер патента: EP4210446A4. Автор: Guozhen Sun. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Multi-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US09686852B2. Автор: Sandeep Kumar Goel,Mark Semmelmeyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691699B2. Автор: Chia-Chan Chang,Yung-Tsai Chen,Gwo-Chaur Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Circuit structure

Номер патента: US12082375B2. Автор: Hitoshi Takeda,Yuki Fujimura. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Circuit structure

Номер патента: US09955578B2. Автор: Chia-Chan Chang,Yung-Tsai Chen,Gwo-Chaur Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of forming conductive and resistive circuit structures in an integrated circuit or printed circuit board

Номер патента: EP3278359A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Benjamin S. Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Switch device for printed circuit board and circuit structure

Номер патента: US4087666A. Автор: Lon DeHaitre. Владелец: Abbott Screw and Manufacturing Co. Дата публикации: 1978-05-02.

Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures

Номер патента: US5801100A. Автор: Chwan-Ying Lee,Tzuen-Hsi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-09-01.

Circuit structure and process thereof

Номер патента: US20080179744A1. Автор: Cheng-Po Yu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125337A1. Автор: Chia-Chan Chang,Yung-Tsai Chen,Gwo-Chaur Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Circuit structure

Номер патента: US11943902B2. Автор: Hitoshi Takeda,Yusuke Isaji. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Circuit structure and electrical junction box

Номер патента: US12027500B2. Автор: Akira Haraguchi. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit structures having lookup table decoders for fpgas

Номер патента: US20240222276A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated Circuit Structure and Method of Forming

Номер патента: US20190350082A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Manufacturing method of circuit structure

Номер патента: US20130323927A1. Автор: Ching-Sheng Chen. Владелец: Subtron Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120282738A1. Автор: Ching-Sheng Chen. Владелец: Subtron Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Circuit structure

Номер патента: US11811209B2. Автор: Hiroshi Shimizu,Hitoshi Takeda,Ryoya Okamoto,Yusuke Isaji. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE AND RESISTIVE CIRCUIT STRUCTURES IN AN INTEGRATED CIRCUIT OR PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20160295696A1. Автор: Herbsommer Juan Alejandro,Cook Benjamin S.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-06.

Circuit structure for mobile telephone includes keypad circuit directly overlying component circuit with direct soldered connections

Номер патента: FR2807256A1. Автор: Fernando Romao. Владелец: Sagem SA. Дата публикации: 2001-10-05.

Metal circuit structure based on FPC and method of making the same

Номер патента: US12089331B2. Автор: Sui-Ho Tsai,Cheng-Neng Chen,Yun-Nan Wang,Chiao-Hui Wang. Владелец: Aplus Semiconductor Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Flexible circuit structures including connection arrangement connected to load measurement lead

Номер патента: US10231328B2. Автор: Fernando Luis De Souza Lopes,Daniel Robert Weinkam,Shane Fredrick Miller-Tait. Владелец: Kardium Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Apparatus and method for assembling circuit structures

Номер патента: CA2068816C. Автор: Charles Gregory Bess,Edward Earl Lewis,Walter William Jones Jr.. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1997-01-14.

Method employing precision stamping for fabricating the wafers of a multiwafer electrical circuit structure

Номер патента: US3813773A. Автор: H Parks. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120280371A1. Автор: Ching-Sheng Chen. Владелец: Subtron Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Circuit structure and method for manufacturing circuit structure

Номер патента: JP6164495B2. Автор: 茂樹山根,健人小林,有延中村,陳　登,登陳,山根　茂樹. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-07-19.

ASSEMBLY METHOD AND DEVICE FOR CIRCUIT STRUCTURAL MEMBER AND CIRCUIT STRUCTURAL MEMBER

Номер патента: US20200267829A1. Автор: Huang Zhulin. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Circuit structure and method for manufacturing circuit structure

Номер патента: JP6168360B2. Автор: 茂樹山根,健人小林,有延中村,陳　登,登陳,山根　茂樹. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-07-26.

Low melting temperature glass for use over aluminium interconnects of an integrated circuit structure

Номер патента: DE3264723D1. Автор: John M Pierce,William I Lehrer. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-08-22.

Method and circuit structure employing a photo-imaged solder mask

Номер патента: TW200642557A. Автор: Ling Liu,Paul Thomas Carson,Albert An-Bon Yeh. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2006-12-01.

Method for forming metal circuit, liquid trigger material for forming metal circuit and metal circuit structure

Номер патента: CN104616720A. Автор: 周敏杰,高端环,黄萌祺. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-05-13.

Electronic circuit structure with optimised space requirement according to available volume

Номер патента: IL138299A. Автор: . Владелец: Thomson Csf. Дата публикации: 2004-02-08.

Multilayer intergrated circuit structure with reduced magnetic coupling

Номер патента: US20030197244A1. Автор: John Estes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: WO2019194917A1. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: US11804426B2. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: US20210351116A1. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: US20190304887A1. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: GB2624326A. Автор: XU Xingwang. Владелец: Sz Zuvi Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: US20240164504A1. Автор: Xingwang Xu. Владелец: SZ Zuvi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: EP4369857A1. Автор: Xingwang Xu. Владелец: SZ Zuvi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Circuit structure for adjusting an LED color temperature curve

Номер патента: DK3145278T3. Автор: Wen-Hsin Chao. Владелец: Wen-Hsin Chao. Дата публикации: 2018-01-15.

Circuit structure for adjusting LED color temperature curve

Номер патента: US09801249B2. Автор: Wen Hsin Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Direct metalization of electrical circuit structures

Номер патента: US09603249B2. Автор: James Rathburn. Владелец: HSIO Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Offset voltage eliminating circuit structure for protection mechanism of dimmer

Номер патента: US09439251B2. Автор: Sen-Tai Yang. Владелец: Yujing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Compatible inductor-type circuit structure with direct input from commercial power

Номер патента: US20180077774A1. Автор: Chih-Yung HOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-15.

High quality factor inductive and capacitive circuit structure

Номер патента: EP3075008A1. Автор: Jing Jing,Zhaoyin D. Wu,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

High quality factor inductive and capacitive circuit structure

Номер патента: WO2015080770A1. Автор: Jing Jing,Zhaoyin D. Wu,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2015-06-04.

Monolithic bus slave circuit structure

Номер патента: US11844160B2. Автор: Jun Zhang,Lili Jiang,Tianshun ZHANG,Zengwei DING,Jieqiong ZENG,Junlei Wu,Yufang LIU. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Imprinted multi-level micro-wire circuit structure method

Номер патента: US09417385B2. Автор: Ronald Steven Cok. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit structures with contoured interconnects

Номер патента: US20230317597A1. Автор: Jiho KANG,Ebubekir Dogan,Ramanan Ehamparam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Circuit structure, electrical connection box, and method for manufacturing circuit structure

Номер патента: CN114128412A. Автор: 土田敏之. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Circuit structure wafer member and method of fabrication thereof

Номер патента: ZA717709B. Автор: C Jackson,W Griff,P Paterson. Владелец: Bunker Ramo. Дата публикации: 1972-08-30.

Circuit structure wafer member and method of fabrication thereof

Номер патента: AU3581571A. Автор: Charles Alexis Jackson Paul Gordon Paterson William Griff. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1973-05-24.

Copper pillar full metal via electrical circuit structure

Номер патента: US09930775B2. Автор: Jim Rathburn. Владелец: HSIO Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20150108513A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-04-23.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20130062630A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD FOR FORMING METAL CIRCUIT, LIQUID TRIGGER MATERIAL FOR FORMING METAL CIRCUIT AND METAL CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20150122533A1. Автор: Huang Meng-Chi,Chou Min-Chieh,Kao Tune-Hune. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2015-05-07.

Methods of forming conductive and resistive circuit structures in an integrated circuit or printed circuit board

Номер патента: EP3278359A4. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Benjamin S. Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-03.

Maintenance termination unit circuit structure

Номер патента: US4832192A. Автор: Paul V. De Luca,Peter Hung. Владелец: PONTA SYSTEMS CORP. Дата публикации: 1989-05-23.

Method for forming multilayer circuit structure and base having multilayer circuit structure

Номер патента: US20050175824A1. Автор: Akihiko Furuya,Tomoyuki Baba,Yasuhiro Wakizawa,Keiichirou Yasuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for forming multilayer circuit structure and substrate having multilayer circuit structure

Номер патента: JP3541360B2. Автор: 康尋脇坂,明彦古屋,敬一郎安田,知幸馬場. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2004-07-07.

Method for forming multilayer circuit structure and base having multilayer circuit structure

Номер патента: CN1653873A. Автор: 胁坂康寻,古屋明彦,安田敬一郎,马场知幸. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-10.

Materiau de connexion de circuit, structure de connexion d'element de circuit et procede de connexion de l'element de circuit

Номер патента: ATE550401T1. Автор: Takashi Nakazawa,Motohiro Arifuku,Nichiomi Mochizuki,Kouji Kobayashi,Tohru Fujinawa,Takashi Tatsuzawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-15.

Balun Circuit Structure and Balun Device

Номер патента: US20220255526A1. Автор: Wei Cheng,Jun He,Chengjie Zuo. Владелец: Anhui Annuqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Multi-layered resonator circuit structure and multi-layered filter circuit structure

Номер патента: US20230420818A1. Автор: Ra-Min Tain,Chi-Feng Chen,Chin-Sheng Wang,Ruey-Beei Wu,Jun-Ho Chen,Po-Sheng YEN. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Micromachined radio frequency circuit structures

Номер патента: US20110074528A1. Автор: Flavio Pardo,Robert F. Fullowan. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Package structure with reinforcement structures in a redistribution circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12119303B2. Автор: Chen-Hua Yu,Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240153947A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20210035972A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with pre-epitaxial deep via structure

Номер патента: US20230317595A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Sukru Yemenicioglu,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

2.5D microelectronic assembly and method with circuit structure formed on carrier

Номер патента: US09917042B2. Автор: Belgacem Haba,Sean Moran. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20210305436A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Integrated circuit structures with backside conductive source or drain contact having enhanced contact area

Номер патента: US20240332302A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Debaleena Nandi,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Improved integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the ic devices

Номер патента: WO1998008250A1. Автор: Jeffrey C. Kalb. Владелец: California Micro Devices Corporation. Дата публикации: 1998-02-26.

Integrated circuit structures with sub-fin isolation

Номер патента: US20240332301A1. Автор: Patrick Morrow,Willy Rachmady,Prashant Wadhwa,Chun-Kuo HUANG,Conor P. PULS,Giorgio Mariottini,Caleb Barrett,Daniel James Harris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures

Номер патента: US09847272B2. Автор: WEI Liu,Kheng Chok Tee,Juan Boon Tan,Kam Chew Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240276698A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Chip and Authentication Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20190088325A1. Автор: HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu,Yachuan PANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Packaged circuit structure including circuit strcutre with antenna and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220084963A1. Автор: Jia-He Li,Yong-Chao Wei. Владелец: Qing Ding Precision Electronics Huaian Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Method for manufacturing light emitting diodes including forming circuit structures with a connecting section

Номер патента: US8642388B2. Автор: Chao-Hsiung Chang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: EP3736851A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US11769836B2. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240332399A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20220302054A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20240274560A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Circuit structure for connecting bonding pad and ESD protection circuit

Номер патента: US20030193071A1. Автор: Shao-Chang Huang,Jin-Tau Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US12046654B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US20240332392A1. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304523A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304522A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240304544A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated fan-out package, redistribution circuit structure, and method of fabricating the same

Номер патента: US09899342B2. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzung-Hui Lee,Tzu-Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit structure having through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09805977B1. Автор: John J. Garant,Jorge A. Lubguban,Vijay Sukumaran,Thuy L. Tran-Quinn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Multi-chip microelectronic assembly with built-up fine-patterned circuit structure

Номер патента: US09666560B1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Guilian Gao. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

RF tag with resonant circuit structure

Номер патента: US09460379B2. Автор: Bo Gao,Jingmeng Sun. Владелец: Neoid Ltd (shenzhen). Дата публикации: 2016-10-04.

Improved electric circuit structure for short circuit protection

Номер патента: EP3920355A1. Автор: Jing Feng,Shi-guo DENG,Zuo-quan ZHOU. Владелец: Leader Electronics Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Electric circuit structure for short circuit protection

Номер патента: US20210384719A1. Автор: Jing Feng,Shi-guo DENG,Zuo-quan ZHOU. Владелец: Leader Electronics. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: EP4044231A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US12087684B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Electronic package and circuit structure thereof

Номер патента: US20240312889A1. Автор: Ching-Hung Tseng,Fang-Lin Tsai,Pei-Geng Weng,Wei-Son Tsai,Kun-Yuan LUO. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US12051692B2. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20240274718A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Failure Analysis and Location Method for Short Circuit Structure

Номер патента: US20240282648A1. Автор: Lingye YANG,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit structure with back-side contact selectivity

Номер патента: US20240313096A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: US20240332077A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: EP4439673A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US20240355819A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US20240363628A1. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240347465A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US20240363523A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4418312A2. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

FIN shaping using templates and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11749733B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Mark Armstrong,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Circuit structure for in-memory computing

Номер патента: US20210304815A1. Автор: Juncheng Chen,Zhen'an LAI,Zhaoying Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor circuit structure with underground interconnect (ugi) for power delivery, power mesh, and signal delivery

Номер патента: US20240363638A1. Автор: Chao-Chun Lu,Juang-Ying Chueh. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit structure having dies with connectors

Номер патента: US09653423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for fabricating conductive vias of circuit structures

Номер патента: US09425129B1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu,Dingyou Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Circuit structure for testing through silicon vias in three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11749648B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Circuit structure, transistor and semiconductor device

Номер патента: US09553182B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for forming integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US09576847B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: US20240312991A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Three dimensional integrated circuit structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583465B1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yi-Hsiu Chen,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit structures having routing across layers of channel structures

Номер патента: US20240222271A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated Circuit Structure and Method for Reducing Polymer Layer Delamination

Номер патента: US20210351173A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer-deposition wide cut gates with non-merged spacers

Номер патента: US20230299165A1. Автор: Walid M. Hafez,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Fin doping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: EP4064334A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Patrick Keys,Cory Weber,Seahee Hwangbo,Leonard C. Pipes,Jack YAUNG,Tzu-Min Ou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Multi version library cell handling and integrated circuit structures fabricated therefrom

Номер патента: US12067338B2. Автор: Mark T. Bohr,Barbara A. Chappell,Ranjith Kumar,Andrew W. Yeoh,Quan Shi,Sourav Chakravarty,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing circuit structure

Номер патента: US20210407946A1. Автор: Yen-Jui Chu,Jin-Neng Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: EP4432338A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Thin film transistor and circuit structure

Номер патента: US09793300B2. Автор: Xiaolin Wang,Yoonsung Um,Xing Yao,Seungwoo HAN,Yunsik Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US09640402B1. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit structure and seal ring structure

Номер патента: US09627332B1. Автор: Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit structure and method for reducing polymer layer delamination

Номер патента: US09583424B2. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit structure and chip

Номер патента: US20240321828A1. Автор: Liang-Cai Zeng,Yun-Ju Hsieh. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor substrate with functional circuit structures and dummy structures

Номер патента: US20020089030A1. Автор: Sabine Kling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods of forming integrated circuit structure for joining wafers and resulting structure

Номер патента: US20200066667A1. Автор: Mukta G. Farooq,Tanya A. Atanasova. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Multi-layer etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12119344B2. Автор: Dragos SEGHETE,David J. Towner,Christopher R. Ryder,Anthony V. Mule',Angel Aquino Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of manufacturing three-dimensional integrated circuit structures

Номер патента: US12136619B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

High-temperature circuit structures

Номер патента: RU2248538C2. Автор: Джеймс Д. ПАРСОНЗ. Владелец: Хитроникс. Дата публикации: 2005-03-20.

Integrated circuit structures having vertical shared gate high-drive thin film transistors

Номер патента: US20240222520A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Circuit structures and methods of fabrication with enhanced contact via electrical connection

Номер патента: US20140353843A1. Автор: Xiang Hu,Guoxiang Ning,Paul Ackmann,Sarasvathi Thangaraju. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Package carrier board integrated with inductive circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222140A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu,Pao-Hung Chou. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Structure and formation method of integrated circuit structure

Номер патента: US10134807B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Package structure with reinforcement structures in a redistribution circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11824005B2. Автор: Chen-Hua Yu,Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Different poly pitches for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220068907A1. Автор: Ahmet TURA,Steven G. Jaloviar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230275088A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Hsiang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143150A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Sang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for preparing integrated circuit structure with polymorphous material

Номер патента: US20090298284A1. Автор: Da Yu Chuang,Tzu Lun Cheng,Cheng Da Wu,Wei Heng Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Circuit structure, backlight module and light-emitting key device using the same

Номер патента: US11764008B2. Автор: Chin-Chia Hsu,Ching-Lung Cheng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Circuit structure of an ultra high voltage level shifter

Номер патента: US20110233716A1. Автор: Isaac Y. Chen,Chien-Fu Tang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-09-29.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US12113027B2. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240371782A1. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor component including a short-circuit structure

Номер патента: US09876004B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Uwe Kellner-Werdehausen,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US09786592B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Three dimensional integrated circuit structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633917B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Wen-Ching Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Headset, circuit structure of mobile apparatus, and mobile apparatus

Номер патента: US09509044B2. Автор: wei-yang Wu,Yueh-Hsiang Chen,Kuan-Jung Hung,Tzu-Hsun Tung. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961838B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for making an integrated circuit structure

Номер патента: US5529941A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: EP3869547A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using backside removal approach

Номер патента: EP4105979A1. Автор: Tahir Ghani,Charles Wallace,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium-diffused nanoribbon channel structures

Номер патента: EP4020589A1. Автор: Guillaume Bouche,Jack Kavalieros,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: US20240154037A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US11581404B2. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated circuit structures with cavity spacers

Номер патента: US20240186398A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Justin Weber,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Anh Phan,Stephen M. Cea,Salim BERRADA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Contact over active gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11031487B2. Автор: Tahir Ghani,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Atul Madhavan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having source or drain structures with substrate connection portions

Номер патента: US20230207651A1. Автор: Nitesh Kumar,Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Stephen M. Cea,Mohammad Hasan,Anant H. JAHAGIRDAR,Rushabh Shah,Tricia Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11887838B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit structures with trench contact depopulation structure

Номер патента: US20240105803A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Saurabh Acharya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105520A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20220344519A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US11869987B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit structures with source or drain contacts having enhanced contact area

Номер патента: US20240178273A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Guowei Xu,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Epitaxial source or drain structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11411095B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Subhash Joshi,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Integrated circuit structures with backside gate cut or trench contact cut

Номер патента: US20220392896A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit structure with backside power delivery for multi-height standard cell circuits

Номер патента: US20240063210A1. Автор: Richard E. Schenker,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,Somashekar BANGALORE PRAKASH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20230352561A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11837456B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Adjacent gate-all-around integrated circuit structures having non-merged epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3971952A1. Автор: Walid Hafez,Hsu-Yu Chang,Sairam Subramanian,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20240145549A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240038578A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20150115381A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded GeSnB source or drain structures

Номер патента: US11990513B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded gesnb source or drain structures

Номер патента: US20240186378A1. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11948997B2. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Integrated circuit structures with gate volume reduction

Номер патента: US20240105801A1. Автор: Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Circuit structure and electronic structure

Номер патента: US11894293B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20230116170A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: US20240145568A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US11742410B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240162332A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US11923421B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having raised wall structures for epitaxial source or drain region confinement

Номер патента: WO2023113913A1. Автор: Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Andy Chih-Hung Wei,Aryan NAVABI-SHIRAZI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20200006492A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12016170B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US20240047559A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: EP3678171A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US11862636B2. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US20230369399A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US11862703B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US11830933B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Substrate-less nanowire-based lateral diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4109561A1. Автор: Rui Ma,Lin Hu,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Sabih OMAR,Brian Greene,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US11764263B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20210407997A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US12002810B2. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20240088153A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20220262796A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20240088253A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20220359697A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit structures with channel cap reduction

Номер патента: US20240105771A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: US20240105804A1. Автор: Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Device, a method used in forming a circuit structure, a method used in forming an array of elevationally-extending transistors and a circuit structure adjacent thereto

Номер патента: US11889695B2. Автор: JIAN Li,Daniel OSTERBERG,Justin B. Dorhout,Jun Fang,Paolo Tessariol,Matthew Park,Indra V. Chary,Zhiqiang Xie,Scott D. Stull,Jason Reece. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having epitaxial source or drain region lateral isolation

Номер патента: WO2023121790A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit structures with source or drain dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US20230343826A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Anupama Bowonder,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961767B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US20230387324A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Device, A Method Used In Forming A Circuit Structure, A Method Used In Forming An Array Of Elevationally-Extending Transistors And A Circuit Structure Adjacent Thereto

Номер патента: US20190081061A1. Автор: JIAN Li,Daniel OSTERBERG,Justin B. Dorhout,Jun Fang,Paolo Tessariol,Matthew Park,Indra V. Chary,Zhiqiang Xie,Scott D. Stull,Jason Reece. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A3. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240178071A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structure with backside power delivery

Номер патента: EP4202991A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Marni NABORS,Kevin Fischer,Curtis Tsai,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220223717A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Fin trim isolation with single gate spacing for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200335625A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit structure, voltage-controlled oscillator and power amplifier

Номер патента: US20190019749A1. Автор: Sheng-Hung Lin,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3627541A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US11862635B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11799015B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20200091144A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20230420545A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20240088142A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure

Номер патента: US5940733A. Автор: Israel Beinglass,Ramanujapuram A. Srinivas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates with etch back process

Номер патента: US20240072145A1. Автор: Megan BECK,Ryan Wood,Joseph BRICE,Krishna T. MARLA,Derek Caselli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11881520B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis Ward,Heidi M. MEYER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator FIN on insulator substrate

Номер патента: US11862702B2. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20210305388A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11955534B2. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240047556A1. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US11990472B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US11996375B2. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US20240178226A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105598A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Clapping-type bistable magnetic circuit structure and magnetic latching relay

Номер патента: EP4280248A1. Автор: YAN Chi,Shuming ZHONG,Wenguang DAI,Zhongbo He. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20240088254A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: US20230197717A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structure with recessed trench contact and deep boundary via

Номер патента: US20240178101A1. Автор: Feng Zhang,Guowei Xu,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dielectric plugs for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105597A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit structure including fuse and method thereof

Номер патента: US20160049367A1. Автор: I-Cheng Rou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11888043B2. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit structures having gate cut plug removed from trench contact using angled directional etch

Номер патента: US20240096881A1. Автор: Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Ala ALAZIZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: US20230420360A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11901318B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Yi Hsin Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor and circuit structures, and related methods

Номер патента: US20230238380A1. Автор: Ching-Fang Chen,Kuo-Ji Chen,Chuei-Tang Wang,Chang-Fen Hu,Shao-Yu Li,Chih-Peng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Iso-level vias for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4199053A1. Автор: Charles H. Wallace,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Seung-June Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: EP4300558A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240120397A1. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Porous semiconductor layer transfer for an integrated circuit structure

Номер патента: WO2018044494A1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Contact over active gate structures with conductive trench contact taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4163968A1. Автор: Florian Gstrein,Gurpreet Singh,Elijah V. KARPOV,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,Leonard P. GULER,Reken Patel,Urusa ALAAN,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Circuit Structure with Resistors or Capacitors

Номер патента: US20130049846A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Jeng Hsing Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuit structure

Номер патента: US12021021B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Process for planarizing upper surface of damascene wiring structure for integrated circuit structures

Номер патента: US20040009668A1. Автор: Zhihai Wang,Wilbur Catabay,Wei-jen Hsia,Richard Schinella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: US20220416024A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK, JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240006504A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US11869891B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: US20230420512A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures in a tub architecture

Номер патента: US20230317807A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: US20230290851A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US20240096896A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11799009B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20230275157A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: EP3647262A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK JR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Novel photodiode structure, preparation method, and circuit structure

Номер патента: US20240030368A1. Автор: Li Tian,HUI Wang,Ning Wang,Yongxin Zhu,Zunkai HUANG,Quanze LI. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2024-01-25.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A2. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: EP4300565A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A3. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US12021149B2. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20170345791A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200105672A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240006322A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP3629369A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-01.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having conductive contact stressor between epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP4020590A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US10037969B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20150069570A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor module circuit structure

Номер патента: US11923266B2. Автор: Seiichi Takahashi,Makoto Isozaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Circuit structure

Номер патента: US10910368B1. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Snn circuit structure based on thin film transistor

Номер патента: US20240143983A1. Автор: Yeonsu Kang,Sungsik Lee,Jeongkyun Roh,Danyoung CHA,Moonsuk YI. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabrication of integrated circuit structure with full dielectric isolation utilizing selective oxidation

Номер патента: US3944447A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-03-16.

Metal interconnect stack for integrated circuit structure

Номер патента: US6087726A. Автор: Shouli Steve Hsia,Zhihai Wang,Fred Chen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing

Номер патента: US5244841A. Автор: Dan Maydan,David N. Wang,Jeffrey Marks,Kam S. Law. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-09-14.

Method for isolation of circuit regions in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3834958A. Автор: K Bean,P Gleim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-09-10.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Fin shaping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11901457B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Anupama Bowonder,Rahul Pandey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US11894368B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuit structures having raised epitaxy on channel transistor

Номер патента: US20240006483A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit conductive line arrangement for circuit structures, and method

Номер патента: US11862562B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240113019A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US20240120335A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Circuit structure

Номер патента: US20210020629A1. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345870A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit structures having vertical keeper or power gate for backside power delivery

Номер патента: US20240006317A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical power gate transistor for backside power delivery

Номер патента: EP4300561A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: US11894262B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuit structures having recessed channel transistor

Номер патента: US20240006412A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having airgaps for backside signal routing or power delivery

Номер патента: US20240006305A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: EP4328966A1. Автор: Tanay Karnik,Mondira Pant,Ragh Kuttappa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: US20240071870A1. Автор: Tanay Karnik,Ragh Kuttappa,Mondira Deb PANT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: US20240215256A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having backside high

Номер патента: US20240213140A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Pratik KOIRALA,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having bit-cost scaling with relaxed transistor area

Номер патента: US20240224508A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Printed circuit structure and method of making same

Номер патента: GB987601A. Автор: . Владелец: Photocircuits Corp. Дата публикации: 1965-03-31.

Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control

Номер патента: US5902704A. Автор: Philippe Schoenborn,John Haywood. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Circuit structure and photomask for defining the same

Номер патента: US20090288867A1. Автор: Te-Hung Tu,Kao-Tun Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Integrated circuit structure with active device in merged slot and method of making same

Номер патента: US4803176A. Автор: Robert W. Bower. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-02-07.

3-dimensional integrated circuit structures and circuits

Номер патента: WO2023200691A1. Автор: Simon Edward Willard,Eric S. Shapiro,Jeffrey A. Dykstra,Kazuhiko Shibata,Sinan Goktepeli,Jean-Luc Erb,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-10-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Semiconductor circuit structure and method of making the same

Номер патента: US20110291234A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of making a quasi-monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3850710A. Автор: C Wen. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-11-26.

Chip-to-chip trench circuit structure

Номер патента: WO2006012012B1. Автор: Edward B Stoneham,Thomas M Gaudette. Владелец: Thomas M Gaudette. Дата публикации: 2006-06-22.

3-dimensional integrated circuit structures and circuits

Номер патента: WO2023200691A9. Автор: Simon Edward Willard,Eric S. Shapiro,Jeffrey A. Dykstra,Kazuhiko Shibata,Sinan Goktepeli,Jean-Luc Erb,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Released fin for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220416040A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Process for making integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level

Номер патента: US6486056B2. Автор: Nicholas F. Pasch,Rajat Rakkhit. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US9947545B2. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240055497A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11837641B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Integrated circuit structures comprising an isolation structure with different depths

Номер патента: US11889687B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11824116B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Three-dimensional integrated circuit structures and method of forming the same

Номер патента: US20230369318A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Physical unclonable function circuit structure

Номер патента: US20180191353A1. Автор: CHAO Yue,Gang Chen,Yan HOU,Linlin Su,Jinggang Sheng,Yimin Ding,Qiulin Xu. Владелец: Beijing Tongfang Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Photosensitive circuit structure and optical device

Номер патента: US20230400353A1. Автор: RUI Guo,Gang Wang,Dandan SUN,Junfeng Li,Qingrong Ren,Shuang CUI,Rubo Xing,Haofeng Zhang. Владелец: Hefei Visionox Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic circuit structure of a transducer, a transducer and an electronic device comprising the same

Номер патента: US11902764B2. Автор: Chunfa Liu,Fenglei Zu,Xinfeng YANG. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional integrated circuit structures and method of forming the same

Номер патента: US11791333B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuit structures having differentiated workfunction layers

Номер патента: US20200219775A1. Автор: Florian Gstrein,Ashish Agrawal,Ying Pang,Dan S. Lavric,Robert Niffenegger,Padmanava Sadhukhan,Robert W. Heussner,Joel M. Gregie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Decoupling measurement of layer thicknesses of a plurality of layers of a circuit structure

Номер патента: US20150198435A1. Автор: Xiang Hu,Abner Bello,Sipeng Gu,Alok Vaid,Akshey Sehgal,Lokesh Subramany. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US20170243748A1. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Circuit structure and related multi-time programmable (mtp) memory cell

Номер патента: US20230301087A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: US20210110290A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240038889A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Display substrate having bonding area for bonding with circuit structure, display apparatus, and circuit structure having bonding area for bonding with display substrate

Номер патента: US20210358959A1. Автор: JIANJUN WU,Zewen Li,Yichen Jiang,Jiangsheng Wang,Biyu Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming a three dimensional integrated circuit structure

Номер патента: US4954458A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Passivation for integrated circuit structures

Номер патента: US5010024A. Автор: Peter S. Gwozdz,Bert L. Allen,Thomas R. Bowers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

Three-dimensional integrted circuit structure and method of aluminum nitride interposer substrate

Номер патента: US20140054790A1. Автор: Yang-Kuo Kuo,Chia-Yi Hsiang,Hung-Tai Ku. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2014-02-27.

Histogram-based method for auto segmentation of integrated circuit structures from sem images

Номер патента: US20210312630A1. Автор: Ronald Wilson,Domenic J. Forte,Navid Asadizanjani,Damon Woodard. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: US20240222360A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having two-level memory

Номер патента: US20240224488A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having aoi gates with routing across nanowires

Номер патента: US20230420533A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having inverters with contacts between nanowires

Номер патента: US20230422462A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having ultra-high conductivity global routing

Номер патента: US20240006416A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Hinge type bistable magnetic circuit structure and magnetic latching relay

Номер патента: US20240087827A1. Автор: YAN Chi,Shuming ZHONG,Wenguang DAI,Zhongbo He. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Mram circuit structure and layout structure

Номер патента: US20220384523A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen,Bo-Chang Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit structures having two-transistor gain cell

Номер патента: US20240221821A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon on diamond circuit structure

Номер патента: US5561303A. Автор: Gregory A. Schrantz,Stephen J. Gaul. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1996-10-01.

High density, three-dimensional, intercoupled circuit structure

Номер патента: CA2094234C. Автор: Stephen C. Jacobsen. Владелец: Sarcos Group. Дата публикации: 2005-05-31.

Integrated circuit structure having reduced cross-talk and method of making same

Номер патента: US5689134A. Автор: Nicholas F. Pasch,Aldona M. Butkus. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Method of Fabricating Redistribution Circuit Structure

Номер патента: US20230377969A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Organic light-emitting circuit structure having temperature compensation function

Номер патента: US20180006097A1. Автор: Zhiyong XIONG,Duzen PENG,Jianjie ZHU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20200135644A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240128214A1. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Yi Hsin Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Circuit structure and chip package

Номер патента: US10892238B2. Автор: Yuan-Hung Lin,Sheng-Fan Yang,Yu-Cheng Sun. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US10559531B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Short circuiting structure for lithium secondary battery having excellent stability against overcharge and pouch type lithium secondary batter comprising the same

Номер патента: US10644345B2. Автор: Jong Pil Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: SG162733A1. Автор: Lin Mou-Shiung,Chou Chien-Kang,Chen Ke-Hung. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

High density, three-dimensional, intercoupled circuit structure

Номер патента: US5673131A. Автор: Stephen C. Jacobsen. Владелец: Sarcos Group. Дата публикации: 1997-09-30.

Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same

Номер патента: US5494859A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Circuit structure

Номер патента: USRE27934E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1974-03-05.

Method of making integrated circuit structure with vertical isolation from single crystal substrate comprising isolation layer formed by implantation and annealing of noble gas atoms in substrate

Номер патента: US5508211A. Автор: Sheldon Aronowitz,Abraham Yee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Method of fabricating a diode bridge rectifier in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: CA1162657A. Автор: Vincent J. Barry,Jeremiah P. Mccarthy. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-02-21.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230335502A1. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230282742A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US20180108566A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for manufacturing composite layer circuit structure of electronic device

Номер патента: US20230178447A1. Автор: Yu-Jen Chang,Hung-I TSENG,Ching-Wei Chen,Tzu-Yen Chiu,Chun-Chin FAN. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Circuit structure, backlight module and light-emitting key device using the same

Номер патента: US20230377817A1. Автор: Chin-Chia Hsu,Ching-Lung Cheng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating redistribution circuit structure

Номер патента: US11817352B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110215474A1. Автор: Yan-Hsiu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20210091020A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Circuit structure, backlight module and light-emitting key device using the same

Номер патента: US20200402748A1. Автор: Chin-Chia Hsu,Ching-Lung Cheng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit structure

Номер патента: US10879176B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Electric circuit structure for an alternating heating and capacitive measuring mode with function test, and associated method

Номер патента: US20230257015A1. Автор: Friedrich Wieland,Georg Daniel. Владелец: PREH GMBH. Дата публикации: 2023-08-17.

Induction heating and wireless power transmitting apparatus having improved circuit structure

Номер патента: EP3678452A1. Автор: Hyunwook Moon,Dooyong Oh,Byeong Wook Park,Seungbok OK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-07-08.

A circuit structure for LCD backlight

Номер патента: TW200822035A. Автор: Xiao-Jun Wang,Sheng-Tai Lee,Da Liu,you-ling Li,Ru Guo. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: EP4369857A4. Автор: Xingwang Xu. Владелец: SZ Zuvi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: GB202401024D0. Автор: . Владелец: Sz Zuvi Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

A circuit structure for lcd backlight

Номер патента: TWI329399B. Автор: XIAOJUN Wang,Youling Li,Da Liu,Sheng Tai Lee,Ru Guo. Владелец: O2Micro Int Ltd. Дата публикации: 2010-08-21.

A circuit structure for lcd backlight

Номер патента: HK1115643A1. Автор: XIAOJUN Wang,Youling Li,Sheng-Tai Lee,Da Liu,Ru Guo. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2008-12-05.

Multi-voltage level, multi-dynamic circuit structure device

Номер патента: EP2589150A2. Автор: Jentsung Ken Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Multi-voltage level, multi-dynamic circuit structure device

Номер патента: WO2012003254A2. Автор: Jentsung Ken Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit structure and power-on method thereof

Номер патента: US20200295753A1. Автор: Chien-Cheng Liu,Yun-Chih Chang,Shu-Yi Kao,Yun-Ru Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Circuit structure and power-on method thereof

Номер патента: US10778214B1. Автор: Chien-Cheng Liu,Yun-Chih Chang,Shu-Yi Kao,Yun-Ru Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Circuit structure for realizing circuit pin multiplexing

Номер патента: US12126332B2. Автор: Weizhong Liu,Yaping Jiang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Naturally freewheeling alternating current chopper main circuit structure

Номер патента: US9118248B2. Автор: Yalan Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-25.

Naturally freewheeling alternating current chopper main circuit structure

Номер патента: US20150028833A1. Автор: Yalan Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.

Differential channel circuit structure and method of transmitting signals by the differential channel

Номер патента: US20240267263A1. Автор: Wei-Zen Chen,Hsiao-Ming Lin,Hao-kai Mo. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-08-08.

Circuit structure to improve reliability of power line communication

Номер патента: EP4432570A1. Автор: Hsin-Hsien Li. Владелец: Hangzhou Lianxintong Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Circuit structure to improve reliability of power line communication

Номер патента: US20240313825A1. Автор: Hsin-Hsien Li. Владелец: Hk Oceancomm Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit structure for compensating for hall deviation of brushless direct current motor, and angle controller operation method

Номер патента: EP4231520A1. Автор: JING HUA,Xudong Zhao,Yafei LI,Xinjie LIU,Sang Wang,Chun HUA. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Method and circuit structure for suppressing single event transients or glitches in digital electronic circuits

Номер патента: EP3338368A1. Автор: Farouk Smith. Владелец: Nelson Mandela University. Дата публикации: 2018-06-27.

Signal transmission method and a circuit structure for heterogeneous platforms

Номер патента: US20200218504A1. Автор: Hsin-Chen Chen,Yi-Hsuan Wu,Sa-Chia Ho,Hong-Chang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

A circuit structure of the feedforward type with programmable zeroes, particularly for synthesizing time-continual filters

Номер патента: EP1146639A3. Автор: Marco Cazzaniga,Rinaldo Castello,Salvatore Portaluri,Valerio Pisati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-16.

Circuit structure for realizing real-time predistortion calibration of broadband IQ modulation and method thereof

Номер патента: US12119965B2. Автор: Shuang Chen,Xiaolei Wang. Владелец: Transcom Shanghai Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2020230284B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Circuit structure to generate back-gate voltage bias for amplifier circuit, and related method

Номер патента: US20200220499A1. Автор: Thomas G. McKay,Yiching Chen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Current-scaling active thin film transistor circuit structure for pixel of display device

Номер патента: US20070057294A1. Автор: Yen-Chung Lin,Han-Ping Shieh,Chia-Feng Yang,Pei-Ming Chen,Jian-Zhi Huang,Yen-Lin Wei,Ah-Chih Wang,Jiun-Shiau Wang. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: US11769069B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Circuit structure and method for reducing power consumption of device including active module and passive module

Номер патента: US09859800B2. Автор: Huan Shi,Axel Lohbeck. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2020230284A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Circuit structure for timer counter and electrical device using the same

Номер патента: US20080298535A1. Автор: Chien-Po Yang,Wen-Ping Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Circuit structure and related method to indicate voltage polarity via comparator

Номер патента: US12052030B2. Автор: Asif Iqbal,Sanmitra Bharat Naik. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of forming integrated circuit structures for capacitive sense NAND memory

Номер патента: US12080356B2. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

High-fidelity superconducting circuit structure, superconducting quantum chip, and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2021201798A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

High-fidelity superconducting circuit structure, superconducting quantum chip, and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2021201798B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Circuit structure for enhancing EFT immunity of primary side converter

Номер патента: US09812945B2. Автор: Haisong Li,Yangbo Yi,Ping Tao,Changshen Zhao. Владелец: WUXI CHIPOWN MICRO-ELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Multiple-valued logic circuit architecture: supplementary symmetrical logic circuit structure (sus-loc)

Номер патента: CA2333623C. Автор: Edgar Danny Olson. Владелец: OMNIBASE LOGIC Inc. Дата публикации: 2009-12-22.

Circuit Structure with Vertical Double Gate

Номер патента: US20130043529A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Jeng Hsing Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Unity-gain buffer circuit structure

Номер патента: US11824553B2. Автор: Kun-Hsu LEE,Wen Jung SU. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Unity-gain buffer circuit structure

Номер патента: US20230253977A1. Автор: Kun-Hsu LEE,Wen Jung SU. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Optical circuit structure for realizing a higher-order node in an optical transmission network

Номер патента: US7835645B2. Автор: Michael Eiselt. Владелец: ADVA Optical Networking SE. Дата публикации: 2010-11-16.

Analytical synthesis method and otra-based circuit structure

Номер патента: US20140310672A1. Автор: Chun-Ming Chang,Shu-Hui Tu. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Amplifier circuit structure and method for controlling circuit

Номер патента: US11482977B2. Автор: Ping Li,Yaohua ZHENG,Minjun HE. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Circuit structure for suppressing surge current

Номер патента: US20210226442A1. Автор: Weihua Cao. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Dual magnetic circuits structure and sound device

Номер патента: US11765513B2. Автор: Jiujian Liu. Владелец: AAC Microtech Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Predictive-type electronic body temperature thermometer circuit structure implementing temperature compensation

Номер патента: EP4113084A1. Автор: Fang Li,Tianping Shen. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Circuit structure for implementing lead/lag commutation of electric motor

Номер патента: EP4270768A1. Автор: Xudong Zhao,Sang Wang,Zhengrui Zhang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

The intercross coupled magnetic circuit structure with uniform magnetic resistance to adjust air clearance

Номер патента: CA2230958C. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-30.

Circuit structure for realizing circuit pin multiplexing

Номер патента: US20230291400A1. Автор: Weizhong Liu,Yaping Jiang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Over-voltage protection circuit structure and method thereof

Номер патента: US20090180229A1. Автор: Wen-Chang Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Can circuit structure and vehicle diagnostic device thereof

Номер патента: EP3805050A1. Автор: Yang Li,Sanbao Shi. Владелец: Autel Intelligent Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Resonant-circuit structure

Номер патента: US9112545B2. Автор: Gui-Yang Lu,Peter Troesch,Michael F Cruz. Владелец: Avid Identification Systems Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Circuit structure

Номер патента: US20230283088A1. Автор: Yusuke Isaji,Yuki Fujimura,Manami Okada. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Predictive electronic thermometer circuit structure capable of temperature compensation

Номер патента: US20230332959A1. Автор: Fang Li,Tianping Shen. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Predictive electronic thermometer circuit structure capable of temperature compensation

Номер патента: US11976986B2. Автор: Fang Li,Tianping Shen. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Front end circuit structure for a subscriber line circuit

Номер патента: AU4823385A. Автор: Ramon Con Woo Chea Jr.,Kevin Charles Keegan,Albert Homer Lloyd Jr.,Reddeppa Naidu Pothuri. Владелец: ITT Corp. Дата публикации: 1986-04-24.

Anti-overexposure circuit structure and electronic device using the same

Номер патента: US20200267337A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shou-Te Wei. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Circuit structure and related method for radiation resistant memory cell

Номер патента: US11862240B2. Автор: Mahbub Rashed,Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Voltage level shifter with dynamic circuit structure having discharge delay tracking

Номер патента: US20110193592A1. Автор: Jentsung Lin,Paul Douglas Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Circuit structure and related method for radiation resistant memory cell

Номер патента: US20240046983A1. Автор: Mahbub Rashed,Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Circuit structure and related method for radiation resistant memory cell

Номер патента: US20230326520A1. Автор: Mahbub Rashed,Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Circuit structure for realizing real-time predistortion calibration of broadband iq modulation and method thereof

Номер патента: US20230224193A1. Автор: Shuang Chen,Xiaolei Wang. Владелец: Transcom Shanghai Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Integrated circuit structures having layer select transistors for shared peripherals in memory

Номер патента: US20240224536A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having backside power delivery and signal routing for front side dram

Номер патента: US20240215222A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit structure and method for reducing power consumption of device including active module and passive module

Номер патента: EP2920861A1. Автор: Huan Shi,Axel Lohbeck. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2015-09-23.

Circuit structure and related method to indicate voltage polarity via comparator

Номер патента: US20230421168A1. Автор: Asif Iqbal,Sanmitra Bharat Naik. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Circuit structure sharing the same memory and digital video transforming device

Номер патента: US10642774B2. Автор: Jian-Xin Li,Han-jun LI,Dong e Yu. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

Circuit structure sharing the same memory and digital video transforming device

Номер патента: US20180336155A1. Автор: Jian-Xin Li,Han-jun LI,Dong e Yu. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: US11755940B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2020230228A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2020230228B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetic circuit structure for a rotary actuator in a disk drive

Номер патента: US5847903A. Автор: Yoshihiro Sato,Hironori Suzuki,Yoshinori Ogawa,Kazunori Tochiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Circuit structure for switching plural power supply units between series-connected and parallel-connected configurations

Номер патента: US20200412166A1. Автор: Ming-Chan Chen. Владелец: Phei Kuan Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Boost snubber circuit structure

Номер патента: US8072194B2. Автор: Heng-Chia Chang,Yu-Yuan Chang. Владелец: Zippy Technology Corp. Дата публикации: 2011-12-06.

Integrated circuit structure comprising capacitor element and corresponding manufacturing process

Номер патента: US6511874B2. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-01-28.

Planar electrically floating qubit circuit structure

Номер патента: EP4355065A1. Автор: Rami Barends. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-04-17.

Switched capacitor circuit structure with method of controlling source-drain resistance across same

Номер патента: US20180026580A1. Автор: Chi Zhang,Arul Balasubramaniyan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Circuit structure and method for improving harmonic suppression capability of radio frequency power amplifier

Номер патента: US11139783B2. Автор: Bin Hu,Hua Long,Kai Xuan,Jiahui Zhou,Jiashuai GUO. Владелец: Lansus Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-05.

Simplified Multilevel DC Converter Circuit Structure

Номер патента: US20130016547A1. Автор: Ching-Ming Lai,Yi-Hung Liao. Владелец: National Penghu Univ of Science and Tech. Дата публикации: 2013-01-17.

Planar electrically floating qubit circuit structure

Номер патента: WO2024079085A1. Автор: Rami Barends. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Circuit structure with gate configuration

Номер патента: US12021130B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Circuit Structure with Gate Configuration

Номер патента: US20240347614A1. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US20150123213A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09490423B2. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: US20240222356A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: EP4398299A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method and Apparatus for improved Circuit Structure Thermal Reliability on Printed Circuit Board Materials

Номер патента: US20210066209A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert,Michiel Van Soestbergen,Romuald Olivier Nicolas Roucou. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US12068308B2. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structure with niobium-based silicide layer and methods to form same

Номер патента: US20210249518A1. Автор: Wei Hong,Hong Yu,Yanping SHEN,Domingo A. Ferrer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US12125746B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuit structure with insulated memory device and related methods

Номер патента: US09825041B1. Автор: Byeong Y. Kim,William L. Nicoll. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Grounded die seal integrated circuit structure for RF circuits

Номер патента: US09640494B1. Автор: Vikas Sharma. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit structure with flourescent material, and related methods

Номер патента: US20220375871A1. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Integrated circuit structure with methods of electrically connecting same

Номер патента: US09659941B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Three-dimensional integrated circuit structure and bonded structure

Номер патента: US09620488B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Metallization in integrated circuit structures

Номер патента: US11018222B1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Lukas M. Baumgartel,Timothy Michael Duffy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Rare-earth materials for integrated circuit structures

Номер патента: US20220059668A1. Автор: Scott B. Clendenning,Sudarat Lee,Charles Cameron Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230187283A1. Автор: Cheng-Han Wu,Chie-Iuan Lin,Kuei-Ming CHANG,Rei-Jay HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit structure

Номер патента: US11923253B2. Автор: Cheng-Han Wu,Chie-Luan Lin,Kuei-Ming CHANG,Rei-Jay HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240249981A1. Автор: Cheng-Han Wu,Chie-Luan Lin,Kuei-Ming CHANG,Rei-Jay HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Layout method of semiconductor circuit structure

Номер патента: US20140089869A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Yuan Hsueh,Shih Chieh Hsu,Yao-Chang Wang,Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220384303A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated Circuit Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20130075856A1. Автор: David Yen,Yao-Jen Tsai,Chih-Fu Chang,Chih-Kang Chuang,Yee-Ren Wuang,Yuan-Jen Liao,Shih-Che Fang,Hung-Che Hsueh,Chih Mou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20240249946A1. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Integrated circuit structure with through-semiconductor via

Номер патента: US20150115460A1. Автор: Fen Chen,Timothy D. Sullivan,Minhua Lu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Device contact sizing in integrated circuit structures

Номер патента: EP3886176A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Multiple driver pin integrated circuit structure

Номер патента: US09935057B2. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit structures with recessed conductive contacts for package on package

Номер патента: US09865568B2. Автор: Robert L. Sankman,Islam A. Salama,Ram S. Viswanath,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Kyu-Oh Lee,Babak Sabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional integrated circuit structure

Номер патента: US09899355B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105772A1. Автор: Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US20240258158A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20210343937A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Hui-Hsien Wei,Pin-Ren Dai,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit structure and method for forming the same

Номер патента: US12094930B2. Автор: Tze-Liang Lee,Su-Jen Sung,Guan-Yao TU,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266218A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240321881A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Guan-Lin Chen,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display device and driving circuit structure

Номер патента: US12112669B2. Автор: Shu-Fen Tsai,Chih-Ching Wang,Chen-Yun Ma,PURU Howard Shieh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484530B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit structure with substrate isolation and un-doped channel

Номер патента: US09484461B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated Circuit Structure and Method

Номер патента: US20230369254A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Circuit structure with low dielectric constant regions

Номер патента: US8772941B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Wai-Kin Li,Louis C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Circuit Structure with Low Dielectric Constant Regions

Номер патента: US20090008791A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Wai-Kin Li,Louis C. Hsu,Mathew E. Colburn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Integrated circuit structure

Номер патента: US9966378B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure and method

Номер патента: US11764171B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit structure with through-metal through-substrate interconnect and method

Номер патента: US12062574B2. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Alvin J. Joseph,Richard J. Rassel,Jeonghyun Hwang,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US09449888B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Circuit, structure and method of testing a semiconductor, such as an integrated circuit

Номер патента: US6111269A. Автор: Nathan Y. Moyal. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Method of fabricating metal-bearing integrated circuit structures having low defect density

Номер патента: US20110306207A1. Автор: Richard A. Faust,Srinivas Raghavan,Thomas E. Lillibridge,Kalyan Cherukuri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

An integrated circuit structure incorporating an inductor, an associated design method and an associated design system

Номер патента: WO2008121619A1. Автор: Zhong-Xiang He,Steven H. Voldman,Robert M. Rassel. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-09.

Integrated circuit structure incorporating an inductor, an associated design method and an associated design system

Номер патента: US8171435B2. Автор: Zhong-Xiang He,Steven H. Voldman,Robert M. Rassel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Differential pair sensing circuit structures

Номер патента: US09423376B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, integrated circuit structure using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559069B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Dual damascene process for forming vias and interconnects in an integrated circuit structure

Номер патента: WO2019067382A1. Автор: Bomy Chen,Andrew Taylor,Justin Hiroki Sato,Bonnie Hamlin,Brian Hennes. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-04.

Integrated circuit structure with substrate isolation and un-doped channel

Номер патента: US09960273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit structure and method with solid phase diffusion

Номер патента: US09716146B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yee-Chia Yeo,Chih-Sheng Chang,Cheng-Yi Peng,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit structure and method with solid phase diffusion

Номер патента: US09564530B2. Автор: Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated Circuit Structure, Design Structure, and Method Having Improved Isolation and Harmonics

Номер патента: US20100032796A1. Автор: Edward J. Nowak,James R. Elliott,Brennan J. Brown,Alvin A. Joseph. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structure with backside via

Номер патента: US20240047546A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and methods of forming same

Номер патента: US11940659B2. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Circuit structure having at least one bipolar power component and method for the operation thereof

Номер патента: US5519241A. Автор: Klaus-Guenter Oppermann,Michael Stoisiek. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-05-21.

Integrated circuit structure and method for making integrated circuit structure

Номер патента: US3891190A. Автор: Leslie L Vadasz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1975-06-24.

Novel beam lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam leads with corresponding dielectric substrate leads

Номер патента: US3893156A. Автор: Jacob Riseman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-07-01.

Integrated circuit structure to reduce soft-fail incidence and method of forming same

Номер патента: US20200013678A1. Автор: Haiting Wang,Sipeng Gu,Scott H. Beasor,Sunil K. Singh,Xinyuan Dou,Akshey Sehgal,Ravi P. Srivastava. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230343855A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20160099169A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: WO2001095377A3. Автор: Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M Graettinger,Steven D Cummings. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Mechanisms for forming radio frequency (RF) area of integrated circuit structure

Номер патента: US09589831B2. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP3493249B1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Integrated circuit structure for low power SRAM

Номер патента: US12052851B2. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Chi-Yen Lin,Kuo-Hung Lo,Shun-Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901A2. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-09.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: US20030199141A1. Автор: Steven Cummings,Cem Basceri,Thomas Graettinger,Mark Visokay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Methods for forming integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901B1. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-23.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09673388B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20220271035A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US11417654B2. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US10784261B2. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US11916075B2. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated circuit structure in porous semiconductor region and method to form same

Номер патента: US20240290776A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi layer package substrate having different dielectric materials for metal layers with different circuit structures

Номер патента: US20230090188A1. Автор: Whitney M. Bryks,Kemal Aygun,Jieying KONG,Junxin Wang,Ala OMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Conductive adhesive composition for connecting circuit electrodes, circuit connecting material including the conductive adhesive composition, connected circuit structure and method of the connected circuit structure using the circuit connecting material

Номер патента: KR101260440B1. Автор: 황진상,김주열,구대영,하자영. Владелец: 주식회사 이그잭스. Дата публикации: 2013-05-02.

Bi-polar integrated circuit structure and method of fabricating same

Номер патента: CA1092722A. Автор: Siegfried K. Wiedmann,Horst H. Berger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-30.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US20230378177A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US11791337B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20210313323A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Integrated circuit structure with improved ldmos design

Номер патента: WO2004053939A3. Автор: Jun Cai. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of fabricating polycrystalline silicon resistors in integrated circuit structures using outdiffusion

Номер патента: US4502894A. Автор: John Y. W. Seto,Ken K. Y. Su. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-03-05.

Integrated circuit metallurgy structure, integrated circuit structure, and method of manufacturing integrated circuit structure

Номер патента: JP3477452B2. Автор: ウェイン・ジェイ・ハウェル,ロナルド・エル・メンデルソン,ウィリアム・ティー・モトスィフ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-12-10.

Integrated circuit structure having a plurality of separable circuits

Номер патента: US3993934A. Автор: Richard C. Stevens,Majid Ghafghaichi,Theodore H. Baker,Daniel Tuman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US20210343587A1. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US20230307292A1. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US11688633B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US20220320073A1. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor integrated circuit structures

Номер патента: US3818289A. Автор: J Mudge,J Zimmer,K Taft. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1974-06-18.

Integrated circuit structure with fluorescent material, and related methods

Номер патента: US11901304B2. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230261053A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit structure with security feature

Номер патента: WO1996016445A1. Автор: Andrew Beaumont. Владелец: Motorola Ltd.. Дата публикации: 1996-05-30.

Electronic device having circuit structure having electric connection between designated pin included in connector electrically connectable to ground terminal of external microphone and designated ground of circuit board

Номер патента: US20200288241A1. Автор: Byoung-Jun Kim,Hak-Hoon Song,Nam-Ki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for manufacturing a low dielectric constant inter-level integrated circuit structure

Номер патента: US5880018A. Автор: Terry Grant Sparks,Bruce Allen Boeck,Jeff Thomas Wetzel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Method for connecting substrates of a vertical, integrated circuit structure partitions a top substrate into a first subpart with a metallizing structure and a second silicon subpart with a circuit structure.

Номер патента: DE10008386A1. Автор: Thomas Grasl. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2001-08-30.

MAGNETIC CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: FR2446005A1. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-08-01.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication and method of fabricating integrated circuit structure

Номер патента: TW202316576A. Автор: 麥可哈頓朵夫,百榮何,克里斯多福奧斯. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2023-04-16.

Integrated circuit structures including backside vias

Номер патента: US20230402449A1. Автор: Rui Ma,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Adam Clay Faust,Frank Patrick O'Mahony. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit structure with resistive semiconductor material for back well

Номер патента: US20230369314A1. Автор: Lin Lin,Robert J. Gauthier, Jr.,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Xiangxiang LU,Satyasuresh Vvss Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit structures including backside vias

Номер патента: US11791331B2. Автор: Rui Ma,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Adam Clay Faust,Frank Patrick O'Mahony. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Wraparound contact surrounding source/drain regions of integrated circuit structures and method of forming same

Номер патента: US20200075738A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Shesh M. Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305244A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Device contacts in integrated circuit structures

Номер патента: US11973121B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha,Mwilwa Tambwe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20240162289A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US11916106B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated circuit structure with diode over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240063212A1. Автор: Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US12002678B2. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated circuit structures with conductive pathway through resistive semiconductor material

Номер патента: US20230395590A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit structure including power rail and tapping wire with method of forming same

Номер патента: US20180182675A1. Автор: Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20220344459A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305365A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Integrated circuit structure with dielectric material to cover horizontally separated metal layers, and related method

Номер патента: US20210280352A1. Автор: Marcel B. Wieland,Frank G. Küchenmeister,Hartmuth Daniel Kunze,Lothar E. Lehmann,Sven Bedürftig,Patrick Rohlfs. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-09-09.

Integrated circuit structure and fabrication thereof

Номер патента: US12020987B2. Автор: Yu-Hsien Lin,Chang-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Multiple driver pin integrated circuit structure

Номер патента: US20180040567A1. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Memory device, circuit structure and production method thereof

Номер патента: US20230371252A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Directional spacer removal for integrated circuit structures

Номер патента: US20200373205A1. Автор: Leonard P. GULER,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuit structure with backside via rail

Номер патента: US11784233B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20220285373A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US11984350B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Display device and driving circuit structure

Номер патента: US20230352452A1. Автор: Shu-Fen Tsai,Chih-Ching Wang,Chen-Yun Ma,PURU Howard Shieh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Redistribution circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20190131200A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Sheng-Yu Wu,Ching-Hui Chen,Shang-Yun Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Integrated circuit structure

Номер патента: US11755813B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Integrated circuit structure with backside via rail

Номер патента: US20230411485A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20210374323A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230376672A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Electronic circuit structure and method of fabricating electronic circuit structure having magnetoresistance element with improved electrical contacts

Номер патента: US20210057642A1. Автор: Sundar Chetlur,Bryan Cadugan,Harianto Wong,Maxim Klebanov,Yen Ting Liu. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2021-02-25.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, GATE ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20190074224A1. Автор: KNORR Andreas,Xie Ruilong,Sung Min Gyu,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Frougier Julien,Cave Nigel G.,Nowak Edward Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

DISPLAY SUBSTRATE HAVING BONDING AREA FOR BONDING WITH CIRCUIT STRUCTURE, DISPLAY APPARATUS, AND CIRCUIT STRUCTURE HAVING BONDING AREA FOR BONDING WITH DISPLAY SUBSTRATE

Номер патента: US20210358959A1. Автор: Wang Jiangsheng,WU Jianjun,Zhao Biyu,LI Zewen,Jiang Yichen. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Circuit structures and methods of forming circuit structures with minimal dielectric constant layers

Номер патента: US7045452B2. Автор: Daoqiang Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-16.

Process for fabricating a vertical bipolar junction transistor, process for fabricating an integrated circuit structure, and integrated circuit structure

Номер патента: TW569451B. Автор: Paul Arthur Layman,Samir Chaudhry,John Russell Mcmacken,J Ross Thomson,Jack Qingsheng Zhao. Владелец: Agere Syst Guardian Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Fabrication method for integrated circuit structures including field effect transistors of sub-micrometer gate length, and integrated circuit structure fabricated by this method

Номер патента: DE3277664D1. Автор: Robert Charles Dockerty,La Moneda Francisco Homero De. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-12-17.

Method for forming an integrated circuit structure and integrated circuit structure

Номер патента: TW201110310A. Автор: William Cheng,Hsin-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-03-16.

Method of forming integrated circuit structure and integrated circuit structure

Номер патента: TW201222727A. Автор: Kalnitsky Alexander,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su,Chun-Hong Chen,Harry Haklay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2012-06-01.

Device, a Method Used in Forming a Circuit Structure, a Method Used in Forming an Array of Elevationally-Extending Transistors and a Circuit Structure Adjacent Thereto

Номер патента: US20220037360A1. Автор: Li Jian,Fang Jun,Tessariol Paolo,Chary Indra V.,Dorhout Justin B.,Park Matthew,Xie Zhiqiang,Stull Scott D.,Osterberg Daniel,Reece Jason. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Device, A Method Used In Forming A Circuit Structure, A Method Used In Forming An Array Of Elevationally-Extending Transistors And A Circuit Structure Adjacent Thereto

Номер патента: US20190081061A1. Автор: Li Jian,Fang Jun,Tessariol Paolo,Chary Indra V.,Dorhout Justin B.,Park Matthew,Xie Zhiqiang,Stull Scott D.,Osterberg Daniel,Reece Jason. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

RANDOM CODED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES AND METHODS OF MAKING RANDOM CODED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES

Номер патента: US20140203448A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Yang Zhijian,Song Yunsheng,Xin Yongchun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES PROVIDING THERMOELECTRIC COOLING AND METHODS FOR COOLING SUCH INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES

Номер патента: US20150179543A1. Автор: Liu Wei,TAN Juan Boon,TEE Kheng Chok,Chew Kam Chew. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-06-25.

Electronic Circuit Structure and Method of Fabricating Electronic Circuit Structure Having Magnetoresistance Element with Improved Electrical Contacts

Номер патента: US20200266337A1. Автор: Chetlur Sundar,Wong Harianto,Klebanov Maxim,Cadugan Bryan,Liu Yen Ting. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Integrated circuit structure and method of forming an integrated circuit structure

Номер патента: CN111106059A. Автор: 江国诚,朱熙甯,程冠伦,王志豪. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of forming an integrated circuit structure and integrated circuit structure

Номер патента: CN111081683B. Автор: 李明机,郑明达,赵永清,曾俊凯,林政仁. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Fabrication method for integrated circuit structures including field effect transistors of sub-micrometer gate length, and integrated circuit structure fabricated by this method

Номер патента: EP0083783B1. Автор: Robert Charles Dockerty,Francisco Homero De La Moneda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-11-11.

Making method for multilayer semiconductor integrated circuit structure, and its circuit structure

Номер патента: CN1536643A. Автор: H.,A.,N., ,S.,(),迈克尔·莱恩,��ء��߸�,必兰德拉·N.·阿格沃拉,康拉德·A.·巴瑞勒,��ǡ�M.��,郝玛兹德亚·M.·达拉,布莱特·H.·安格尔,欧内斯特·莱文,刘晓虎(音译),文森特·迈克格黑,F.,约翰·F.·迈克格雷斯,��E.��Ĭ��,克耐尔·E.·默里,��P.��ſ�,查瓦哈·P.·纳雅克,��Үդ,杜·B.·恩古耶源,哈扎拉·S.·雷索,��M.��Ф,托马斯·M.·肖. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-10-13.

Integrated circuit structure and method for forming a recessed isolation structure for integrated circuits

Номер патента: EP0073370B1. Автор: Richard Carleton Joy,Bernard Michael Kemlage,John Lester Mauer Iv. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-03-08.

Integrated circuit structure and a method of making an integrated circuit structure

Номер патента: AU2002330718A1. Автор: Alan Mathewson,John Alderman,Julie Donnelly. Владелец: NAT MICROELECTRONIC RES CT UNI. Дата публикации: 2003-03-18.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, METHOD OF CONSTRUCTION OF AN INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, AND INITIAL MODULE OF RADIOFREQUENCY, RF

Номер патента: BR112019002343B1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-04.

Method of improving film adhesion between metallic silicide and polysilicon in thin film integrated circuit structures

Номер патента: US4597163A. Автор: Juine-Kai Tsang. Владелец: Zilog Inc. Дата публикации: 1986-07-01.

Form the method and integrated circuit related with same structure of integrated circuit structure

Номер патента: CN108878269A. Автор: 王文辉,孙磊,成敏圭,谢瑞龙,朱雪莲,张洵渊,曾伽,刘绍铭. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-23.

Method for forming an integrated circuit structure and integrated circuit structure

Номер патента: TWI502724B. Автор: William Cheng,Hsin Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Integrated circuit structure and method for forming a recessed isolation structure for integrated circuits

Номер патента: EP0073370A3. Автор: Richard Carleton Joy,Bernard Michael Kemlage,John Lester Mauer Iv. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-06-11.

Fabrication method for integrated circuit structures including field effect transistors of sub-micrometer gate length, and integrated circuit structure fabricated by this method

Номер патента: EP0083783A3. Автор: Robert Charles Dockerty,Francisco Homero De La Moneda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-01-23.

Integrated circuit structure or method of manufacturing an integrated circuit structure

Номер патента: JP7272776B2. Автор: エム．ジョシサブハッシュ,エス．レイブジェフリー,エル．ハッテンドーフマイケル. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-12.

Integrated circuit structure with cells having asymmetric power rail

Номер патента: US20240021621A1. Автор: Mahbub Rashed,Navneet Jain,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Jia Zeng, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20160379983A1. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US20150140748A1. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Integrated circuit structure incorporating an inductor, an associated design method and an associated design system

Номер патента: US20100175035A1. Автор: Zhong-Xiang He,Steven H. Voldman,Robert M. Rassel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Integrated circuit structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113188A1. Автор: Chun-Jun Lin,Wen-Li Chiu,Chi-hsin Chang,Yi-Juei LEE,Yu-Jie YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Gradient-doped sacrificial layers in integrated circuit structures

Номер патента: WO2022108655A1. Автор: Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-27.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US20220037309A1. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Circuit structure with at least one capacitor and its manufacturing process

Номер патента: RU2082258C1. Автор: Леманн Фолькер,Бой Михаель,Хенляйн Вольфганг. Владелец: Сименс АГ. Дата публикации: 1997-06-20.

Three dimensional semiconductor circuit structure with optical interconnection

Номер патента: US5637907A. Автор: Glenn J. Leedy. Владелец: Elm Technology Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Integrated circuit structures

Номер патента: TW201001677A. Автор: Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Yung-Chin Hou,Chun-Hui Tai,Sheng-Hsin Chen,Ping-Chung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-01.

Integrated circuit structure having tap cell

Номер патента: US20240203976A1. Автор: Bao-Ru Young,Chun-Chia Hsu,Tung-Heng Hsieh,Yung-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Redistribution layer and circuit structure thereof

Номер патента: TW200616122A. Автор: Ho-Ming Tong,Shin-Hua Chao,Chi-Yu Wang,Cherry Mercado Reyes. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-05-16.

Improved integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the ic devices

Номер патента: AU4084697A. Автор: Jeffrey C Kalb. Владелец: California Micro Devices Corp. Дата публикации: 1998-03-06.

An integrated circuit structure incorporating an inductor, an associated design method and an associated design system

Номер патента: TW200901430A. Автор: Zhong-Xiang He,Robert M Rassel,Steven H Voldman. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor circuit structures and their fabrication

Номер патента: AU6351973A. Автор: Michael Smith Jr. And Richard Raymond Garnache William. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-06-12.

Integrated circuit structure having bottle-shaped isolation

Номер патента: TWI380401B. Автор: Hsiao Che Wu,Wen Li Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2012-12-21.

Integrated circuit structure with a reduced amount of defects and methods for fabricating the same

Номер патента: US12040325B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-domain esd protection circuit structure

Номер патента: TW200541045A. Автор: Shao-Chang Huang,Ming-Hsiang Song,Chi-Di An. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-16.

Disposing underfill in an integrated circuit structure

Номер патента: TW201234503A. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

A hv-mos and mixed-signal circuit structure with low-k interconnection

Номер патента: TWI299561B. Автор: Chi Wen Liu,Syun Ming Jang,Kuo Ching Chiang,Horng Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-01.

Method of forming integrated circuit structures

Номер патента: TW201115664A. Автор: Ming-Che Ho,Chung-Shi Liu,Kuo-Cheng Lin,Cheng-Chung Lin,Meng-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-05-01.

Integrated circuit structures with graphene contacts

Номер патента: EP4156299B1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Electrostatic discharge protection circuit structure for high voltage device

Номер патента: TW441074B. Автор: Ruei-Shiang Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-16.

Integrated circuit structure

Номер патента: US11749679B2. Автор: Jin-Aun Ng,Chia-Ming Liang,Yi-Shien Mor,Huai-Hsien Chiu,Chi-hsin Chang,Yi-Juei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for preparing integrated circuit structure with polymorphous material

Номер патента: TW200949949A. Автор: Da-Yu Chuang,Wei-Heng Lee,Cheng-Da Wu,Tzu-Lun Cheng. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-01.

Integrated circuit structure having bottle-shaped isolation

Номер патента: TW201010001A. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-03-01.

Redistribution circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200832572A. Автор: Xuan-Feng Lu. Владелец: Chipmos Technologies Bermuda. Дата публикации: 2008-08-01.

Assembly method of delayed wave circuit structure

Номер патента: JPS57123633A. Автор: Toshimoto Kikuchi,Mitsuo Sakayori. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-02.

Dual in-laid integrated circuit structure with selectively positioned low-k dielectric isolation and method of formation

Номер патента: TW386292B. Автор: Thomas Wezel Jeffrey. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-04-01.

Multi-domain ESD protection circuit structure

Номер патента: TWI246178B. Автор: Shao-Chang Huang,Ming-Hsiang Song,Chi-Di An. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-21.

Circuit structure of an ultra high voltage level shifter

Номер патента: TW201133732A. Автор: Isaac Yao-Zhou Chen,Chien-Fu Tang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-10-01.

Low dielectric constant silicon oxide-based dielectric layer for integrated circuit structures having improved compatibility with via filler materials, and method of making same

Номер патента: EP1094509B1. Автор: Joe Zhao,Wilbur G. Catabay,Wei-jen Hsia,Weidan Li. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09929085B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit structure and method forming trenches with different depths

Номер патента: US09905471B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Jhih-Yu Wang,Jhun Hua CHEN,Yuan-Yen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Fabrication of integrated circuit structures for bipolor transistors

Номер патента: US09847408B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Stud-defined integrated circuit structure and fabrication

Номер патента: CA1238117A. Автор: Shashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Integrated circuit structures with gate cuts above buried power rails

Номер патента: EP4064333A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Multi-step tungsten etchback process to preserve barrier integrity in an integrated circuit structure

Номер патента: US6872668B1. Автор: Wanqing Cao,Shih-Ked Lee,Guo-Qiang Lo,Hongyong Xue. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor device, integrated circuit structure using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160225729A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A PROTECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20200273856A1. Автор: LEE Hyeng Ouk,LEE Chang Hwi,CHOI Joung Cheul,MOON Jung Eon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-08-27.

Electron beam etching of integrated circuit structures

Номер патента: US4496449A. Автор: George J. Collins,Jorge J. Rocca. Владелец: Colromm Inc. Дата публикации: 1985-01-29.

Method for forming an integrated circuit, method for forming a bonding pad in an integrated circuit and an integrated circuit structure

Номер патента: TW200735242A. Автор: Hsien-Wei Chen,Jun-Ren Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

Electronic package and circuit structure thereof

Номер патента: US20220148996A1. Автор: Fang-Lin Tsai,Yih-Jenn Jiang,Pei-Geng Weng,Wei-Son Tsai,Chia-Yu Kuo. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Electronic package and circuit structure thereof

Номер патента: US11791300B2. Автор: Fang-Lin Tsai,Yih-Jenn Jiang,Pei-Geng Weng,Wei-Son Tsai,Chia-Yu Kuo. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-height and multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US12002754B2. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20210407907A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Three dimensional integrated circuit structure

Номер патента: WO1983004141A1. Автор: James William Harris. Владелец: James William Harris. Дата публикации: 1983-11-24.

Interconnect Structures For Assembly Of Semiconductor Structures Including At Least One Integrated Circuit Structure

Номер патента: US20170162550A1. Автор: Das Rabindra N.,Vitale Steven A.,Yost Donna-Ruth W.,Gouker Mark A.,Warner Keith,Chen Chenson,Keast Craig L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Integrated circuit structure

Номер патента: US12127489B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Hui-Hsien Wei,Pin-Ren Dai,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Circuit structure to measure outliers of process variation effects

Номер патента: US12025658B2. Автор: Christos VEZYRTZIS,Peter Holm,Steve Beccue. Владелец: Bitmain Development Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Duplexer, circuit structure thereof and RF transceiver apparatus comprising the duplexer

Номер патента: US09503043B2. Автор: Yen-Yu Chen,Ho-Chuan Lin,Bo-Shiang Fang,Chia-Chu Lai,Min-Han Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Impedance adjustment circuit and method, bias circuit structure and amplifier

Номер патента: US11936345B2. Автор: Ping Li,Jinliang DENG. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Suppression method for strong interference noise of carrier channel of power line and circuit structure thereof

Номер патента: US09525461B2. Автор: Haibo Xu,Zhongyi Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Resource-saving circuit structures for deeply pipelined systolic finite impulse response filters

Номер патента: US09787290B2. Автор: Martin Langhammer,Simon Peter Finn. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Scanning circuit structure

Номер патента: US20080030799A1. Автор: Chen-Ho Lee,Kuan-Yu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Front end circuit structure for a subscriber line circuit interface

Номер патента: DE3573698D1. Автор: Kevin Charles Keegan,Reddeppa Naidu Pothuri,Ramon Con Woo Chea,Albert Homer Lloyd. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1989-11-16.

Configurable circuit structure having reduced susceptibility to interference when using at least two such circuits to perform like functions

Номер патента: US20060033546A1. Автор: Axel Thomsen,Ligang Zhang,Yunteng Huang. Владелец: Yunteng Huang. Дата публикации: 2006-02-16.

A method and circuit structure for suppressing single event transients or glitches in digital electronic circuits

Номер патента: ZA201402407B. Автор: Farouk Smith. Владелец: Univ Nelson Mandela Metropolitan. Дата публикации: 2015-12-23.

Method and circuit structure for suppressing single event transients or glitches in digital electronic circuits

Номер патента: EP3338368A4. Автор: Farouk Smith. Владелец: Nelson Mandela University. Дата публикации: 2018-08-15.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230210028A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Hui-Hsien Wei,Pin-Ren Dai,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Suppression method for strong interference noise of carrier channel of power line and circuit structure thereof

Номер патента: US20160072550A1. Автор: Haibo Xu,Zhongyi Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Magnetic circuit structure of brushless DC motor and embedded rotor of permanent magnet of magnetic circuit structure

Номер патента: CN104578663A. Автор: 王科威,温瑞光. Владелец: Renun Mechanical & Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Integrated driver circuit structure

Номер патента: EP1882308A1. Автор: Viola Schaffer,Jürgen Metzger,Rodney T. Burt. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2008-01-30.

Wireless telemetry circuit structure for measuring temperature in high temperature environments

Номер патента: CA2733927C. Автор: Ramesh Subramanian,Anand A. Kulkarni,David J. Mitchell,Rod Waits,Edward R. Roesch,Brice Mcpherson,Alexander B. Lostetter,John R. Fraley,Roberto Schupbach,Bryon Western. Владелец: Arkansas Power Electronics International Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Circuit structure for implementing lead/lag commutation of electric motor

Номер патента: EP4270768A4. Автор: Xudong Zhao,Sang Wang,Zhengrui Zhang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

A circuit structure of the feedforward type with programmable zeroes, particularly for synthesizing time-continual filters

Номер патента: EP1146639B1. Автор: Marco Cazzaniga,Rinaldo Castello,Salvatore Portaluri,Valerio Pisati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-06-09.

Dynamic memory integrated circuit structure

Номер патента: GB9710145D0. Автор: . Владелец: Wahlstrom Sven E. Дата публикации: 1997-07-09.

Improvements in or relatives to monolithic integrated circuit structures and to electronic timepieces incorporating the same

Номер патента: MY7800400A. Автор: . Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1978-12-31.

The intercross coupled magnetic circuit structure with uniform magnetic resistance to adjust air clearance

Номер патента: GB9624213D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-01-08.

Method of controlling switching frequency signal and its circuit structure

Номер патента: TW536863B. Автор: Darcherng Su,Ko-Chin Wang,Pei-Pei Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Circuit structure for compensating for hall deviation of brushless direct current motor, and angle controller operation method

Номер патента: EP4231520A4. Автор: JING HUA,Xudong Zhao,Yafei LI,Xinjie LIU,Sang Wang,Chun HUA. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Circuit structures to measure flip-flop timing characteristics

Номер патента: US11923853B2. Автор: Prashant Singh,Tezaswi Raja. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Circuit structures to measure flip-flop timing characteristics

Номер патента: US20230275572A1. Автор: Prashant Singh,Tezaswi Raja. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Circuit structures to resolve random testability

Номер патента: US20190056450A1. Автор: Spencer K. Millican,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Circuit structures to resolve random testability

Номер патента: US20190056449A1. Автор: Spencer K. Millican,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Circuit structure of gas valve

Номер патента: US09671770B2. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Ying Huang,Hsin-Ming Huang,Hsing-Hsiung Huang,Yen-Jen Yeh,Kuan-Chou Lin. Владелец: Grand Mate Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Goa circuit structure sharing goa pull-down circuits to reduce TFT stress of the goa pull-down circuits

Номер патента: US09343032B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Neural Network

Номер патента: US20210174173A1. Автор: HE Qian,Xinyi Li,Bin Gao,Huaqiang Wu,Sen Song,Qingtian Zhang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-10.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US9953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US09953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit structure

Номер патента: US20200194062A1. Автор: WEN Liu,Hongjin He. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Circuit structure of liquid crystal panel and driving method of liquid crystal panel

Номер патента: US20150348475A1. Автор: JIANG Zhu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Circuit structure, electronic device, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240361353A1. Автор: Kuang-Ming FAN,Ju-Li WANG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Readout circuit structure

Номер патента: US12119047B2. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Chanxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Alternating space decomposition in circuit structure fabrication

Номер патента: US09606432B2. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Guoxiang Ning,Chin Teong Lim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Data reproduction device with simplified circuit structure

Номер патента: US20020000926A1. Автор: Kenichi Hamada,Akira Nanba,Masakazu Taguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240126017A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for automatic layout of circuit structures

Номер патента: WO2003088101A3. Автор: Xiling Shen,Sunderarjan Mohan. Владелец: Barcelona Design Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Method and apparatus for automatic layout of circuit structures

Номер патента: WO2003088101A2. Автор: Xiling Shen,Sunderarjan Mohan. Владелец: Barcelona Design, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Resonant circuit structure and rf tag having same

Номер патента: US20120118977A1. Автор: Bo Gao. Владелец: Neoid Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240241424A1. Автор: Chang-Hung Tien,Ming-Hsing Chung,Ting-Jhang LIAO,Bo-Hong Ma. Владелец: Cloud Light Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit structure formation method

Номер патента: US20220244647A1. Автор: Sungjin Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Positive and negative full-range back-bias generator circuit structure

Номер патента: US20200117226A1. Автор: Juhan Kim,Mahbub Rashed,Arif A. Siddiqi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Circuit structure capable of adjusting gradient of output to temperature variation

Номер патента: US20050212598A1. Автор: LIN Chu,Ho-Wen Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Vector processor performing vector and element reduction method with same circuit structure

Номер патента: US20240248713A1. Автор: Chia-Wei Hsu. Владелец: Andes Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Circuit structure for suppressing electromagnetic interference of DDR SDRAM signals

Номер патента: US09691439B2. Автор: Ting-Kuang Wang,Yuan-De JIAN. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-06-27.

Circuit encoding method and circuit structure recognition method

Номер патента: US20180307782A1. Автор: Yu-Lan Lo,Ching-Ho Lin,Shu-Yi Kao,Yun-Jing Lin,Meng-Jung Lee,Chien-Nan Liu,Yu-Kang Lou. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US20230282271A1. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory circuit structure and method of operating memory circuit structure

Номер патента: US20230368838A1. Автор: Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong,Zhaoan Yu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3905247A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: US20210249056A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Circuit structure, method for driving the same, and display apparatus

Номер патента: US11830400B2. Автор: FENG Lu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US11972792B2. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for recognizing analog circuit structure

Номер патента: US20220215146A1. Автор: Po-Hung Lin,Yu-Tsang Hsieh,Zheng-Yao Liu,Jun-Jie Zhao. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Data reproduction device with simplified circuit structure

Номер патента: US20030090403A1. Автор: Kenichi Hamada,Akira Nanba,Masakazu Taguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Circuit structure and related method to compensate for sense amplifier leakage

Номер патента: US20240038283A1. Автор: Wei Zhao,Xiaohua Cheng,Xiaoli Hu,Xiaoxiao LI,Yuqing Sun,Xueqiang Dai. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240134123A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Circuit structure for suppressing electromagnetic interference of ddr sdram signals

Номер патента: US20160293245A1. Автор: Ting-Kuang Wang,Yuan-De JIAN. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-10-06.

Graphite biosensor and circuit structure and method of manufacture

Номер патента: US11874249B2. Автор: Raymond Iezzi. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2024-01-16.

Circuit structure optimization method and system based on fpga carry chain

Номер патента: US20240152677A1. Автор: Min Zhang,Bo DENG,Biao Kong. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Verification of circuit structures including sub-structure variants

Номер патента: US20150131894A1. Автор: Kaushik De,Rajarshi Mukherjee,Namit Gupta,Subhamoy Pal,Mahantesh Narwade,Suman Nandan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Verification of circuit structures including sub-structure variants

Номер патента: US09886753B2. Автор: Kaushik De,Rajarshi Mukherjee,Namit Gupta,Subhamoy Pal,Mahantesh Narwade,Suman Nandan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Heat exchanger with progressive divided flow circuit, structural load bearing design

Номер патента: US20230417489A1. Автор: Peter Ditzel,Erlendur Steinthorsson,Andrew M. Odar,Raman Ras. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Heat exchanger with progressive divided flow circuit, structural load bearing design

Номер патента: EP4281651A2. Автор: Peter Ditzel,Erlendur Steinthorsson,Andrew M. Odar,Raman Ras. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Heat exchanger with progressive divided flow circuit, structural load bearing design

Номер патента: WO2022197359A3. Автор: Peter Ditzel,Erlendur Steinthorsson,Andrew M. Odar,Raman Ras. Владелец: PARKER-HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2023-02-09.

High speed and low power circuit structure for barrel shifter

Номер патента: US09996317B2. Автор: Takeo Yasuda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

High speed and low power circuit structure for barrel shifter

Номер патента: US09501260B2. Автор: Takeo Yasuda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

High speed and low power circuit structure for barrel shifter

Номер патента: US20150149518A1. Автор: Takeo Yasuda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

High-efficiency miniature magnetic integrated circuit structures

Номер патента: WO1999059155A1. Автор: Joseph Mcdowell,Juan Monico,James Harris,Otto Voegli. Владелец: Plumeria Investments, Inc.. Дата публикации: 1999-11-18.

Photonic integrated circuit structure with polarization device for high power applications

Номер патента: US20230417989A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Photonic integrated circuit structure with polarization device for high power applications

Номер патента: US20240241313A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Photonic integrated circuit structure with coupler for interlayer waveguide coupling

Номер патента: US20230333318A1. Автор: Yusheng Bian,Kenneth J. Giewont. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Photonic integrated circuit structure with at least one tapered sidewall liner adjacent to a waveguide core

Номер патента: US11994714B2. Автор: Yusheng Bian,Edward W. Kiewra,Abdelsalam Aboketaf,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Photonic integrated circuit structure with at least one tapered sidewall liner adjacent to a waveguide core

Номер патента: US20240210621A1. Автор: Yusheng Bian,Edward W. Kiewra,Abdelsalam Aboketaf,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Interchangeable interface circuit structure

Номер патента: CA1189589A. Автор: David J. Schanin,Bernard Geaghan,Ronald M. Salett,A. Ronald Caprio,John P. Cyr,Paul C. Kotschenreuther. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1985-06-25.

Storage array circuit structure and large-scale storage array circuit structure

Номер патента: CN113689899A. Автор: 李立,李海松,马蕊,谢成民,杨靓,崔千红,朱吉喆. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2021-11-23.

Photonic integrated circuit structure with a tapered end portion of one waveguide adjacent to a v-shaped end portion of a different waveguide

Номер патента: US11747560B2. Автор: Yusheng Bian,Roderick A. Augur. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Heat exchanger collector and pressurized fluid circuit structure connecting device for motor vehicle, has connection part with surface including fixation unit for fixing part to structure of pressurized fluid circuit of vehicle

Номер патента: FR2916514A1. Автор: Bruno Hamery,Olivier Schild,Christophe Voidie,Jens Petter Arnesen,Mickael Dumoutier,Boleslaw Kurowski,Stephan Gensac,Thierry Kowal. Владелец: Valeo Systemes Thermiques SAS. Дата публикации: 2008-11-28.

Photonic integrated circuit structure with supplemental waveguide-enhanced optical coupling between primary waveguides

Номер патента: US11747559B2. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

METHOD FOR FORMING FISH-ATTRACTING FLOW AND HEAD OF FISHING CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: RU2003121538A. Автор: Александр Анатольевич Чистяков,ков Александр Анатольевич Чист (RU). Владелец: Новочеркасска государственна мелиоративна академи НГМА (RU). Дата публикации: 2005-01-10.

Method and apparatus for automatic layout of circuit structures

Номер патента: AU2003226294A1. Автор: Xiling Shen,Sunderarjan Mohan. Владелец: Barcelona Design Inc. Дата публикации: 2003-10-27.

Touch circuit structure, method of manufacturing the same, touch panel and touch device using the same

Номер патента: TW201209475A. Автор: HAO Zhang,jian-bin Yan,Ping-Ping Huang,zhi-xiong Cai,kuan-xin He,tie-fei Xiao. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

High speed and low power circuit structure for barrel shifter

Номер патента: GB2518317B. Автор: Yasuda Takeo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Integrated circuit structure

Номер патента: TW201003840A. Автор: Yen-Huei Chen,Kuo-Ching Hsu,Kai-Ming Ching,Jiun-Yi Wu,Shih-Cheng Chang,Jin-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-16.

Magnetic circuit structure

Номер патента: AU3048100A. Автор: Olli Lindgren. Владелец: High Speed Tech Ltd Oy. Дата публикации: 2000-07-24.

Light emission drive method of luminescent panel and its circuit structure thereof

Номер патента: TW201119497A. Автор: Zong-Han Lin,jian-long Zheng,zheng-jun Chen. Владелец: Univ Nat Formosa. Дата публикации: 2011-06-01.

Lithium battery charging/discharging circuit structure

Номер патента: TWM244588U. Автор: Shu-Ling Chen,Jian-Yu Li. Владелец: Jian-Yu Li. Дата публикации: 2004-09-21.

Circuit structure of separated serial ATA physical layer and signal encoding method

Номер патента: TW200417868A. Автор: Jin-Yi Jiang. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Magnetic circuit structure for high-resolution nuclear resonance spectrometers

Номер патента: US3662304A. Автор: Wolfgang Bringe,Eberhard Querfurth,Hans-Albr Schanbacher,Hans-Jurgen Seiberth,Wolfgang Vieser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-05-09.

Optical interconnection circuit structure

Номер патента: AU2823992A. Автор: Hiroshi Nishimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-05-13.

Circuit structure and method for motion picture quality enhancement

Номер патента: TW200511186A. Автор: Ho-Hsing Yang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-16.

High-efficiency miniature magnetic integrated circuit structures

Номер патента: EP1078372A4. Автор: Joseph Mcdowell,Juan Monico,James Harris,Otto Voegli. Владелец: Plumeria Investments Inc. Дата публикации: 2002-10-16.

Rotary type clock ornament lamp circuit structure

Номер патента: GB9109202D0. Автор: . Владелец: FU WANG C. Дата публикации: 1991-06-19.

Rotary type clock ornament lamp circuit structure

Номер патента: GB2245391A. Автор: Wang Chin Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-01-02.

Method and circuit structure for displaying state parameters of central air-conditioning system

Номер патента: US20160093192A1. Автор: Tangqun ZHU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Method and circuit structure for displaying state parameters of central air-conditioning system

Номер патента: US09741182B2. Автор: Tangqun ZHU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Photonic integrated circuit structure with coupler for interlayer waveguide coupling

Номер патента: US11841533B2. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Photonic integrated circuit structure with coupler for interlayer waveguide coupling

Номер патента: US20230314706A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Combined optical profilometry and projection microscopy of integrated circuit structures

Номер патента: US20030203590A1. Автор: Nickhil Jakatdar,Xinhui Niu,Junwei Bao,Yasuhiro Okumoto,Wenge Yang. Владелец: TEL Timbre Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

SHIFT REGISTER UNIT, CIRCUIT STRUCTURE, GATE DRIVE CIRCUIT, DRIVE CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210335195A1. Автор: Xu Chen,Xian Jianbo,Qiao Yong,Hao Xueguang. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Shift register unit, circuit structure, gate drive circuit, drive circuit and display device

Номер патента: KR20200004424A. Автор: 천 쉬,쉐광 하오,융 차오,젠보 셴. Владелец: 베이징 보에 테크놀로지 디벨로프먼트 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2020-01-13.

LED (light emitting diode) driving control circuit and driving circuit structure of LED driving control circuit

Номер патента: CN103152951A. Автор: 朱振东,田剑彪,孙文浩,孙菊根. Владелец: SHAOXING DEVECHIP MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2013-06-12.

Starting-up circuit structure of ADAS product

Номер патента: CN106515623A. Автор: 何泉. Владелец: Drive Science And Technology Ltd Carefully In Hangzhou. Дата публикации: 2017-03-22.

Shift register unit, circuit structure, gate driving circuit, driving circuit and display device

Номер патента: EP3806078A4. Автор: Chen Xu,Yong Qiao,Jianbo Xian,Xueguang HAO. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

shift register unit, circuit structure, gate drive circuit, drive circuit and display device

Номер патента: JP7303127B2. Автор: ジエンボシエン,チェンシュー,シュエグアンハオ,ヨンチャオ. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Multi-Voltage Level, Multi-Dynamic Circuit Structure Device

Номер патента: US20120002500A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit structure of integrated circuit

Номер патента: TW200908182A. Автор: Chao-Chueh Wu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

Circuit structure for connecting bonding pad and ESD protection circuit

Номер патента: TW533577B. Автор: Shao-Chang Huang,Jin-Tau Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Circuit structure of flexible printed circuit board

Номер патента: TWM402581U. Автор: Ming-Sheng Lai,Jun-Liang Lai. Владелец: Career Technology Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCORPORATING A CONDUCTOR LAYER WITH BOTH TOP SURFACE AND SIDEWALL PASSIVATION AND A METHOD OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20120025383A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-02.

Circuit structure and method for manufacturing circuit structure

Номер патента: JP6065806B2. Автор: 陳　登,登陳. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Circuit board circuit arrangement method and circuit board circuit structure

Номер патента: TW201940023A. Автор: 朱政輝,張琳韋. Владелец: 和碩聯合科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Circuit structure, photo mask for defining the circuit structure

Номер патента: CN101399244B. Автор: 张宜翔,萧立东. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-05-18.

Electronically voltage adjustable low-pass filter circuit structure using second-generation current conveyor as active component

Номер патента: TWM368972U. Автор: Zhen-Nong Li. Владелец: Zhen-Nong Li. Дата публикации: 2009-11-11.

Independently adjustable transimpedance band-pass filter circuit structure using second-generation current conveyor and grounding passive component

Номер патента: TWM368974U. Автор: Zhen-Nong Li,Bo-Yan Wu. Владелец: Zhen-Nong Li. Дата публикации: 2009-11-11.

Method for repairing a circuit structure and repairing apparatus thereof

Номер патента: TW200740325A. Автор: Ming-Kun Chen,Chin-Mao Ba,Sin-Mei Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2007-10-16.

Monolithic integrated circuit structures and methods of making same

Номер патента: CA891176A. Автор: J. Glinski Vincent. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-01-18.

Improvement in adjustable UHF circuit structures

Номер патента: AU1139952A. Автор: . Владелец: Radio Corp Of Toa Selected Television Station Broadcasting America A Corporation Organized Under Within This Particular Uhf Band Itwill Laws Ofthe Stateof Delaware United Be Appreciated Thata Tunable Circuit For Use States Of. Дата публикации: 1952-09-18.

A backlight control method, circuit structure and the display device thereof

Номер патента: TWI361412B. Автор: Ching Wen Shih,Joumi Tsai. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2012-04-01.

Improvements in or relating to integrated circuit structures

Номер патента: AU1019370A. Автор: MCDONALD Andrew. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1971-07-15.

Improvements in or relating to integrated circuit structures

Номер патента: AU440039B2. Автор: MCDONALD Andrew. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1971-07-15.

Integrated circuit structure of multi-chip module

Номер патента: TW293941B. Автор: Jenn-Tsong Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-12-21.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201131702A. Автор: Yan-Hsiu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-09-16.

Drain-doped electrostatic discharge protection circuit structure

Номер патента: TW548819B. Автор: Wen-Chin Liou,Jian-Shing Li,Yi-Shiun Wu,Hung-De Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-21.

Electric Static discharge (ESD) preventing circuit structure

Номер патента: TW409391B. Автор: Jen-Tsung Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-21.

Easy-to-start circuit structure for a single-phase brushless direct current motor

Номер патента: TW200635181A. Автор: xiang-yuan Xu. Владелец: xiang-yuan Xu. Дата публикации: 2006-10-01.

Modular high frequency integrated circuit structure

Номер патента: TW441083B. Автор: David Louis Harame,Thomas Adam Bartush,Christopher L Tessler,John Chester Malinowski,Dawn Tudryn Piciacchio. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-06-16.

Brushless motor control circuit structure of voltage-adjustable, speed-controlled ceiling fan

Номер патента: TWM322105U. Автор: Shien-Meng Lee. Владелец: Shien-Meng Lee. Дата публикации: 2007-11-11.

Pixel circuit structure for display

Номер патента: TW201044084A. Автор: Yin-Shuan Chin. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Embedded circuit structure and method for making the same

Номер патента: TW201031303A. Автор: Chun-Chien Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-16.

Multuple beneficial transimpedance mode dual-function filter circuit structure

Номер патента: TWM414767U. Автор: jia-qing Chen,Zi-Xuan Huang,Kai-Lin Xu,Zhen-Nong Li. Владелец: Zhen-Nong Li. Дата публикации: 2011-10-21.

String wave generator circuit structure

Номер патента: TWM398293U. Автор: Xiu-Xian Liao. Владелец: Archetech System Corp. Дата публикации: 2011-02-11.

Integrated circuit structure having adhesives and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW495954B. Автор: Guo-Feng Peng,Wen-Chiuan Chen,Jing-Hai Jou,Nai-Hua Ye,Wu-Shiang Li. Владелец: Kingpak Tech Inc. Дата публикации: 2002-07-21.

Integrated circuit structure

Номер патента: TW201222814A. Автор: Hsin-Han Chen,Hsiang-Min Chou. Владелец: Elite Semiconductor Esmt. Дата публикации: 2012-06-01.

Improvement for lamp circuit structure of bicycle

Номер патента: TW349515U. Автор: ming-fu Zhou. Владелец: Trend Meter Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-01.

Multiple beneficial current mode dual-function filter circuit structure

Номер патента: TWM414768U. Автор: Chang-Hong Wu,jun-wei Wu,Zhen-Nong Li,kai-wen Xiao,xin-yue Xu. Владелец: Zhen-Nong Li. Дата публикации: 2011-10-21.

Electronically voltage adjustable inverting low-pass filter circuit structure using second-generation current conveyor as active component

Номер патента: TWM368973U. Автор: Zhen-Nong Li,zheng-yu Chen. Владелец: Zhen-Nong Li. Дата публикации: 2009-11-11.

Voltage-mode second-order band-pass filter circuit structure with adjustable electronic properties

Номер патента: TWM379277U. Автор: Zhen-Nong Li,Qi-Shan Yu. Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2010-04-21.

Circuit structure wafer member and method of fabrication thereof

Номер патента: AU478221B2. Автор: Charles Alexis Jackson Paul Gordon Paterson William Griff. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1973-05-24.

Flex printed circuit structure

Номер патента: TWM405712U. Автор: Yi-Ta Chen,Jun-Wei Yeh. Владелец: Higgstec Inc. Дата публикации: 2011-06-11.

LED light tube and circuit structure thereof

Номер патента: TW201224340A. Автор: ke-qin Li,shi-qian Lin. Владелец: Yeh Chiang Technology Corp. Дата публикации: 2012-06-16.

Improvements in and relating to multilayer circuit structures

Номер патента: AU439101B2. Автор: BERNARD SCHWARTZ and DAVID LAVERN WILCOX JUNGHI AHN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1968-09-12.

Anti-shocking and pressure-resistant tester circuit structure

Номер патента: TW421266U. Автор: Pin-Yi Chen. Владелец: Extech Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-01.

Frequency-changing constant-pressure control circuit structure of water pump

Номер патента: TWM392881U. Автор: ming-xiang Lin. Владелец: ming-xiang Lin. Дата публикации: 2010-11-21.

Circuit structure for dual resolution design, a display and an electronic device using the same

Номер патента: TWI331740B. Автор: Szu Hsien Lee. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2010-10-11.

Adjustable waveguide circuit structures

Номер патента: CA570729A. Автор: C. M. Glegg Keith. Владелец: Keith C M Glegg. Дата публикации: 1959-02-17.

Solar-powered automatic sensing type water discharge valve not requiring conventional battery and circuit structure thereof

Номер патента: TWM407259U. Автор: Shu Huang. Владелец: Hydrotek Corp. Дата публикации: 2011-07-11.

Clip for integrated circuit structure

Номер патента: TW373554U. Автор: Jiung-Chin Chen. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 1999-11-01.

Blessing light circuit structure with both power and signal control

Номер патента: TWM315067U. Автор: Huan-Hsiang Chang. Владелец: Huan-Hsiang Chang. Дата публикации: 2007-07-11.

Electronic circuit structure

Номер патента: JPS5787191A. Автор: Takeshi Kawahara,Akihiko Nagatomi. Владелец: DX Antenna Co Ltd. Дата публикации: 1982-05-31.

Device for containing circuit structure

Номер патента: JPS55151397A. Автор: Hiroshi Fukuda. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-11-25.

Flexible flat circuit structure of an optical disk device

Номер патента: TWM300359U. Автор: Chen-Fu Chang,Hsien-Chung Ou,Li-Li Yang. Владелец: Quanta Storage Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Layered circuit structure

Номер патента: TWM387513U. Автор: Hui-Ching HUANG. Владелец: Hui-Ching HUANG. Дата публикации: 2010-09-01.

Circuit structure with shielding effect and method of making the same

Номер патента: TW201018384A. Автор: Shao-Chien Lee,Ling-Kai Su,Chien-Yen Hsieh. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-05-01.

Improved control circuit structure of fluorescent lamp starter

Номер патента: TW502925U. Автор: Li-Wei Chen. Владелец: Li-Wei Chen. Дата публикации: 2002-09-11.

Voltage mode second-order inverse band-pass filter circuit structure with adjustable electronic property

Номер патента: TWM383251U. Автор: Zhen-Nong Li,Qi-Shan Yu. Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2010-06-21.

Optical interconnection circuit structure

Номер патента: AU9704098A. Автор: Hiroshi Nishimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-25.

Voltage mode full pass filter circuit structure with independently adjustable function without the need of impedance matching

Номер патента: TWM353395U. Автор: Zhen-Nong Li. Владелец: Zhen-Nong Li. Дата публикации: 2009-03-21.

Circuit structure

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты