Circuit structure for compensating for hall deviation of brushless direct current motor, and angle controller operation method.

Circuit structure for compensating for hall deviation of brushless direct current motor, and angle controller operation method

Номер патента: EP4231520A4
Опубликовано: 17-01-2024
Автор(ы): Chun HUA, JING HUA, Sang Wang, Xinjie LIU, Xudong Zhao, Yafei LI
Принадлежит: CRM ICBG Wuxi Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Circuit structure for compensating for hall deviation of brushless direct current motor, and angle controller operation method

Номер патента: EP4231520A1. Автор: JING HUA,Xudong Zhao,Yafei LI,Xinjie LIU,Sang Wang,Chun HUA. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Position corrected pulse width modulation for brushless direct current motors

Номер патента: GB2507401A. Автор: Robert A Brannen. Владелец: AGAVE SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2014-04-30.

Position corrected pulse width modulation for brushless direct current motors

Номер патента: US09729089B2. Автор: Robert Alan Brannen. Владелец: AGAVE SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Circuit structure for implementing lead/lag commutation of electric motor

Номер патента: EP4270768A1. Автор: Xudong Zhao,Sang Wang,Zhengrui Zhang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Brushless direct current motor

Номер патента: US20180138840A1. Автор: Maxim Kronewald,Dirk Joachimsmeyer. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 2018-05-17.

Brushless motor control apparatus, brushless motor and control method of brushless motor

Номер патента: US20100264863A1. Автор: Takayuki Kitagawa. Владелец: Asmo Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Sensorless brushless direct current (BLDC) motor position control

Номер патента: US09887653B2. Автор: Yi Li,Thomas Ross,Gianluca Allegrini. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Commutation control method and device for brushless direct current motor, and storage medium

Номер патента: EP3998703A1. Автор: Hong Bin,Lei Yang,Ziqiang Zhu. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Controller and associated drive assembly controlling a brushless direct current motor

Номер патента: US20030218438A1. Автор: Robert Atmur. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2003-11-27.

Commutation Control Method and Device for Brushless Direct Current Motor, and Storage Medium

Номер патента: US20220123685A1. Автор: Hong Bin,Lei Yang,Ziqiang Zhu. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Technologies for adaptive multi-pulse commutation for brushless direct current motors

Номер патента: US20210297029A1. Автор: Hogan ENG. Владелец: Ebm Papst Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Technologies for adaptive multi-pulse commutation for brushless direct current motors

Номер патента: EP3883120A2. Автор: Hogan ENG. Владелец: Ebm Papst Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Technologies for adaptive multi-pulse commutation for brushless direct current motors

Номер патента: EP3883120A3. Автор: Hogan ENG. Владелец: Ebm Papst Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Process for the suppression of current peaks during commutation of a brushless direct-current motor

Номер патента: CA2038846C. Автор: Helmut Meyer,Jürgen Seeberger,Kai Albrecht. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 1997-05-06.

Apparatus for operating alternatively as dc (direct current) motor and dc generator

Номер патента: WO2023075073A1. Автор: Jei Hyun Goo. Владелец: Jei Hyun Goo. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatus for operating alternatively as dc (direct current) motor and dc generator

Номер патента: EP4423888A1. Автор: Jei Hyun Goo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-04.

Brushless direct-current motor using single wire to transmit information of positions of a plurality of magnets

Номер патента: US11050371B2. Автор: Zhaoqiang Chen,Guorong REN,Qingsong Yang,Pei Ruan. Владелец: Lingdong Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Brushless direct current motor with minimized current ripple and method

Номер патента: US5191269A. Автор: Francesco Carbolante. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-03-02.

Observer-based ripple detection for speed and position measurement for brushed direct current motors

Номер патента: US12081159B2. Автор: James Lockridge,David Magee,Venkata Naresh KOTIKELAPUDI,Siddhartha GOPAL KRISHNA,Kaushik Alwala. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for the commutation of a brushless direct current motor

Номер патента: US20050007051A1. Автор: András Lelkes. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Brushless direct current motor driving circuit

Номер патента: US7741799B2. Автор: Alex Horng,Shih-Chang Hsu,Chung-Ken Cheng. Владелец: Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-22.

Brushless direct current motor driving circuit

Номер патента: US20080272722A1. Автор: Alex Horng,Shih-Chang Hsu,Chung-Kne Cheng. Владелец: Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-06.

Two-phase brushless direct-current motor having single hall effect device

Номер патента: US6005320A. Автор: Byung Kyu Kim,Joon Kim. Владелец: Amotron Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-21.

Method for fault processing of hall position sensor in brushless direct current motor

Номер патента: US20230327522A1. Автор: Xudong Zhao,Sang Wang,Zhengrui Zhang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Brushless direct-current motor using single wire to transmit information of positions of a plurality of magnets

Номер патента: US20200358379A1. Автор: Zhaoqiang Chen,Guorong REN,Qingsong Yang,Pei Ruan. Владелец: Lingdong Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Electronic control system of brushless electric motor (options)

Номер патента: RU2674993C1. Автор: Рустем Февзиевич Халилов. Владелец: Хатипов Исмаил Айдерович. Дата публикации: 2018-12-14.

Observer-Based Ripple Detection for Speed and Position Measurement for Brushed Direct Current Motors

Номер патента: US20230253898A1. Автор: James Lockridge,David Magee,Venkata Naresh KOTIKELAPUDI,Siddhartha GOPAL KRISHNA,Kaushik Alwala. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: US20230268853A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: AU2021303838A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2023-02-16.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: EP4179619A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2023-05-17.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: WO2022009246A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De' Longhi Appliances S.R.L. Con Unico Socio. Дата публикации: 2022-01-13.

Apparatus for operating simultaneously as dc (direct current) motor and dc generator

Номер патента: CA3235840A1. Автор: Jei Hyun Goo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatus for operating alternatively as dc (direct current) motor and dc generator

Номер патента: AU2022378102A1. Автор: Jei Hyun Goo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-motor electromechanical drive and operation method thereof

Номер патента: RU2583843C1. Автор: Валентин Евгеньевич Урсу,Владимир Валентинович Урсу. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-инженерная компания "Объектные системы автоматики" (ООО "НИК "ОСА"). Дата публикации: 2016-05-10.

Actuator with an electric motor and a method of controlling the electric motor to maintain a current position

Номер патента: US20240171096A1. Автор: Stefan WILDHABER,Balazs SCHWEIGHOFFER. Владелец: Belimo Holding AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Motor control apparatus for compensating reverse delay of motor

Номер патента: US09760082B2. Автор: Tsutomu Nakamura,Satoshi Ikai. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

A motor control circuit for brushless direct current motors

Номер патента: EP1597817A2. Автор: Kerem Erenay,Orhan Diril,Nam K. Yilmaz,Günsu irpanli ALBA. Владелец: Arcelik AS. Дата публикации: 2005-11-23.

Brushless direct-current motor and control for power tool

Номер патента: US09647585B2. Автор: Matthew J. Mergener,Matthew P. Wycklendt. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Commutating a brushless direct current motor

Номер патента: GB2274363A. Автор: Gunther Doring. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-07-20.

Controller for a brushless direct-current motor

Номер патента: US09787243B2. Автор: Markus Schüssler. Владелец: Magna Powertrain Bad Homburg GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Device for sensorless control of direct current brushless motors

Номер патента: EP1135850A1. Автор: Giancarlo Fasola,Pietro De Filippis,Pietro Navarra,Roberto Casati. Владелец: Bitron SPA. Дата публикации: 2001-09-26.

Sensorless Method and Related Device for Starting a Three-phase Brushless Direct-current Motor

Номер патента: US20100090631A1. Автор: Kun-Min Chen,Ching-Sheng Li,Chia-Tai Yang,Tzu-Cheng Teng. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Method and device for detection of condition of brushless motors and generators

Номер патента: US12028011B2. Автор: Justine Elaine Haupt. Владелец: BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Brushless direct current motor starting and operating apparatus and method

Номер патента: US5017845A. Автор: Francesco Carobolante,Mark McCormack,Ermanno Pace. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Method for determining the rotor position of an electrically-commuted multi-phase direct current motor

Номер патента: US09739815B2. Автор: Johannes Schwarzkopf. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 2017-08-22.

Variable link sensorless brushless direct current motor controller for space and hardened applications

Номер патента: US09444376B2. Автор: Harold J. Hansen,Robert P. Wichowski,Kevin G. Hawes,Patrick J. Sears. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Variable pulse width modulation for reduced zero-crossing granularity in sensorless brushless direct current motors

Номер патента: EP2486647A2. Автор: Ward R. Brown. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-15.

Device for sensorless control of direct current brushless motors

Номер патента: WO2001026211A1. Автор: Giancarlo Fasola,Pietro De Filippis,Pietro Navarra,Roberto Casati. Владелец: BITRON S.P.A.. Дата публикации: 2001-04-12.

System for driving a direct-current motor in synchronism with an external signal

Номер патента: US3931556A. Автор: Itsuki Ban,Manabu Shiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-01-06.

Brushless DC motor, and identification method and identification apparatus of identifying type of brushless DC motor

Номер патента: US10439521B2. Автор: Hideyuki Takemoto. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Brushless dc motor, and identification method and identification device for identifying type of brushless dc motor

Номер патента: US20200177115A1. Автор: Hideyuki Takemoto,Naoyuki Kanamori. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Brushless dc motor, and identification method and identification apparatus of identifying type of brushless dc motor

Номер патента: US20180316288A1. Автор: Hideyuki Takemoto. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Brushless dc motor and its method for commutation and control

Номер патента: WO2007054909A3. Автор: Huimin Li. Владелец: Huimin Li. Дата публикации: 2007-10-18.

Direct current motor commutation system responsive to c.e.m.f.

Номер патента: US3663878A. Автор: Takao Miyasaka. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1972-05-16.

BLDC motor system including parameter detecting circuit and operating method thereof

Номер патента: US09602032B2. Автор: JUNG Hee Suk,Minki Kim,Yil Suk Yang,Jimin Oh,Sewan HEO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and apparatus for estimating rotor position of electric motor, and electric motor control system

Номер патента: EP3905513A1. Автор: Yi Liu,Peilin Xu. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Method and Apparatus for Estimating Rotor Position of Motor, and Motor Control System

Номер патента: US20210359630A1. Автор: Yi Liu,Peilin Xu. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Compensation for historical error in dynamic observer-based ripple detection in brushed direct current motors

Номер патента: US11936325B2. Автор: Venkata Naresh KOTIKELAPUDI,Kaushik Alwala. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Compensation for Historical Error in Dynamic Observer-Based Ripple Detection in Brushed Direct Current Motors

Номер патента: US20230253899A1. Автор: Venkata Naresh KOTIKELAPUDI,Kaushik Alwala. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

System consisting of direct current source, electric motor and associated control arrangement

Номер патента: DE102021209710A1. Автор: Fabio Häupler,Christian Heringhaus. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-03-09.

Conversion circuit board of brushless direct current (bldc) motor and packaged terminal air conditioner (ptac) comprising the same

Номер патента: US20190341864A1. Автор: Yong Zhao,Xiansheng ZHANG,Meishuang CHEN. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Manually operated brushless direct current motor

Номер патента: US20070126379A1. Автор: Chung-hsin Huang,Ching-Lieh Li. Владелец: Tamkang University. Дата публикации: 2007-06-07.

A method for controlling an electrical circuit controlling a direct current motor and such an electrical circuit

Номер патента: SE544138C2. Автор: Hampus ANDERSSON. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2022-01-11.

A method for controlling an electrical circuit controlling a direct current motor and such an electrical circuit

Номер патента: SE2050582A1. Автор: Hampus ANDERSSON. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2021-11-20.

Brushless direct current monophase motor drive circuit

Номер патента: US6933688B2. Автор: Mitsuo Konno,Xi Junnan. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-23.

Method for compensating for the effects of a dead time when driving analogue switches of a power converter and arrangement for supplying a load

Номер патента: EP4214829A1. Автор: Benoit Robin,Michael Dubreuil,Jeremy LETOT. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2023-07-26.

Brushless direct current motor and cleaner using the same

Номер патента: US09729090B2. Автор: Kwang Soo Kim,Young Kwan Kim,Deok Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Reduction of electrolytic corrosion in a brushless direct-current motor

Номер патента: US20140339946A1. Автор: Ingo Immendoerfer,Stefan Ruedinger,Markus Matzke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-11-20.

Reduction of electrolytic corrosion in a brushless direct-current motor

Номер патента: US9742233B2. Автор: Ingo Immendoerfer,Stefan Ruedinger,Markus Matzke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-22.

Brushless dc motor, and identification method and identification apparatus of identifying type of brushless dc motor

Номер патента: US20180317340A1. Автор: Hideyuki Takemoto. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Apparatus for operating simultaneously as dc (direct current) motor and dc generator

Номер патента: US20240348137A1. Автор: Jei Hyun Goo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-17.

Drive circuit of brushless motor

Номер патента: US20020021104A1. Автор: Hirotaka Nakatukasa. Владелец: TGK Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Device for switching the excitation winding and auxiliary winding of separate excitation direct current motor

Номер патента: RU2627688C2. Автор: Олег Викторович Никулин,Владимир Геннадиевич Еромасов,Альберт Фаритович Исхаков,Валерий Федорович Андиряков,Владислав Юрьевич Стеняшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Управляющая компания "Татбурнефть" (ООО "УК "Татбурнефть"). Дата публикации: 2017-08-10.

Drive circuit for brushless direct-current motors

Номер патента: US4473782A. Автор: Wilhelm Reinhardt,Helmut Lipp,Friedrich O. U. Rudele. Владелец: Elektrobau Mulfingen and Co EBM GmbH. Дата публикации: 1984-09-25.

Control apparatus of alternating-current motor

Номер патента: CA2708054C. Автор: Hidetoshi Kitanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-07-09.

Brushless Direct Current Motor With Dual Stators

Номер патента: US20200044524A1. Автор: Johannes N. van Ginkel. Владелец: Dana Automotive Systems Group LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Synchronous rectification type controller for direct current motors and method of making

Номер патента: CA2133469C. Автор: Robert Lankin,Richard J. Hellinga,Andrew E. Lankin. Владелец: Solaria Research Enterprises Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Direct current motor starter circuit

Номер патента: US3735227A. Автор: G Gill. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1973-05-22.

Device for control of alternating current motor

Номер патента: RU2447572C2. Автор: Хидетоси КИТАНАКА,Хидетоси КИТАНАКА (JP). Владелец: Мицубиси Электрик Корпорейшн. Дата публикации: 2012-04-10.

Direct-current motor control

Номер патента: US5077824A. Автор: Masatsugu Yamashita,Shinya Hamazaki,Kunio Nagata. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 1991-12-31.

Methods and apparatuses for compensating for friction torques of permanent magnet synchronous motors

Номер патента: US09350279B2. Автор: Kyu-Bum Han,Hyun-Bae Kim,Jung-Hyo Lee,Jei-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Direction reversing direct current motors and their control

Номер патента: US4095155A. Автор: Ronald Robert Brooks,Jack Edward Wojslawowicz. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-06-13.

Method for regulating the power supply to a direct- current motor and a device for the application of said method

Номер патента: CA1174270A. Автор: Bernard Moulin,Andre Erckelboudt,Rene Baumard,Remi Robin. Владелец: Faiveley SA. Дата публикации: 1984-09-11.

Improvements in or relating to means for the rheostatic braking of direct current electric motors

Номер патента: GB664188A. Автор: . Владелец: STUART RAYMOND JUDD. Дата публикации: 1952-01-02.

Brushless DC motor, and identification method and identification apparatus of identifying type of brushless DC motor

Номер патента: US10440858B2. Автор: Hideyuki Takemoto. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Systems and methods for performing motor control operations agnostic of speed data

Номер патента: US20220045638A1. Автор: LEI Jin,Zhendong Zhang,Haihui Lu,Timothy M. Rowan. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Drive protection method for direct current motor

Номер патента: US20180254627A1. Автор: Wen-Ching Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-09-06.

Brushless dc motor, and identification method and identification apparatus of identifying type of brushless dc motor

Номер патента: US20180317341A1. Автор: Hideyuki Takemoto. Владелец: Nidec Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Direct-current motor control device

Номер патента: US09819291B2. Автор: Kuo-Hsien Huang,Shiu-Ming CHANG. Владелец: Quan Mei Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Process and device to control the electric braking of a direct current motor

Номер патента: US4401927A. Автор: M. N'Guyen U. Thuy. Владелец: Compagnie Electro Mecanique SA. Дата публикации: 1983-08-30.

Improvements in or relating to control systems for direct current motors

Номер патента: GB596607A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric International Co. Дата публикации: 1948-01-07.

Direct current motor with electrical braking device

Номер патента: US3706021A. Автор: Kiyoshi Yanagida. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1972-12-12.

Controller for variable speed alternating current motor

Номер патента: CA2592250C. Автор: Hideto Negoro,Satoru Sone. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Direct current adjusting device

Номер патента: CA1285315C. Автор: Alfred Bauer. Владелец: Braun GmbH. Дата публикации: 1991-06-25.

Closed-Loop Compensation of Current Measurement Offset Errors in Alternating Current Motor Drives

Номер патента: US20210165022A1. Автор: Zhe Zhang,Prerit Pramod,Krishna MPK Namburi,Infane O. Lowe,Aparna Saha. Владелец: Steering Solutions IP Holding Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Device for driving a plurality of motors and electric apparatus including the same

Номер патента: EP3817217A1. Автор: Jaehoon Jeong,Chaseung Jun,Sunku KWON,Sehwa Choe. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-05-05.

Device for driving a plurality of motors and electric apparatus including the same

Номер патента: AU2020264301B2. Автор: Jaehoon Jeong,Chaseung Jun,Sunku KWON,Wookjin Lee,Sehwa Choe. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-08.

Converter interconnected with a wind power generation farm to enable continuous power transmission and operating method thereof

Номер патента: US09853582B2. Автор: Gum Tae Son. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Motor control system for executing drive control of an alternating-current motor

Номер патента: US09762152B2. Автор: Kenji Yamada,Yasuhiro Nakai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Operating method of wind power plant

Номер патента: RU2516381C2. Автор: Альфред Беекманн,БОЕР Вольфганг ДЕ. Владелец: Воббен Алоис. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of controlling operation of an electric drive based on a double-winding step motor operating in a full-step mode, and a device for realizing said method

Номер патента: RU2738348C1. Автор: Сергей Михайлович Иванов,Алексей Васильевич Разумов,Александр Федорович Сонин,Илья Владимирович Черепов. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Московский институт теплотехники" (АО "Корпорация "МИТ"). Дата публикации: 2020-12-11.

Direct current fan with control means

Номер патента: US4426604A. Автор: Rolf Müller,Benno Doemen. Владелец: Benno Doemen. Дата публикации: 1984-01-17.

Direct current command generation for a stepper motor drive

Номер патента: WO1999018655A9. Автор: William Komm. Владелец: Dana Corp. Дата публикации: 1999-06-24.

Commutatorless direct current motor drive system

Номер патента: US4262237A. Автор: Robert B. Gelenius. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1981-04-14.

Speed control device for direct current motors

Номер патента: US4034274A. Автор: Hideaki Akima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1977-07-05.

Brushless direct-current speed regulation switch with highly integrated structure

Номер патента: US11791697B2. Автор: Shenglong NI. Владелец: ZHEJIANG JIABEN ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Brushless direct-current speed regulation switch with highly integrated structure

Номер патента: US20220166291A1. Автор: Shenglong NI. Владелец: ZHEJIANG JIABEN ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Protection system for aircraft electric propulsion motor and motor controller

Номер патента: US12028009B2. Автор: Frederic Lacaux,Vyacheslav Khozikov,Eugene V. Solodovnik. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-07-02.

Variable output fuel pump having a bldc motor and control module therefor

Номер патента: EP3619409A1. Автор: Troy Blackman,Wally Gebhardt,Dan Vandre. Владелец: Carter Fuel Systems. Дата публикации: 2020-03-11.

Direct Current Motor Controller

Номер патента: US20190067934A1. Автор: Stan Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Motor control system for electric motor and method of use

Номер патента: US20190334468A1. Автор: Zachary Joseph Stauffer,Luis D. Morales,Oscar A. Guevara. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

The energy storage of used (flying) wheel and brushless direct-current double-purpose motor and electromotor

Номер патента: CN106253565A. Автор: 李延泉. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-21.

Motor protector mounting structure for enclosed electric compressors

Номер патента: US4791329A. Автор: Susumu Ubukata,Yasukazu Mizutani,Syozo Iyoda. Владелец: SUSUMU UBUKATA A CORP OF JAPAN. Дата публикации: 1988-12-13.

Attachment structure for motor assembly

Номер патента: US20100327685A1. Автор: Atsushi Sakai,Syuji Yoshikawa. Владелец: Makita Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

CONVEYING DEVICE WITH IMPROVED WIRING OF DRIVE MOTOR AND BRAKE OF A CONVEYING ROLLER AND OPERATING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180141756A1. Автор: WOLKERSTORFER Christoph,Hofer Stefan,WEISSENBOECK Franz. Владелец: TGW MECHANICS GMBH. Дата публикации: 2018-05-24.

Brushless direct current motor and dual clutch transmission thereof

Номер патента: US20190097481A1. Автор: Hai Chen,Yongbin LI,Xianchun Fan,Guowei Zhong,Jinbao Sun. Владелец: Johnson Electric International AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Rotor of brushless direct-current motor

Номер патента: CA2597804C. Автор: Young-Chun Jeung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-09.

Rotor of brushless direct-current motor

Номер патента: CA2597804A1. Автор: Young-Chun Jeung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-17.

Method for manufacturing brushless dc motor stator and stator of brushless dc motor manufactured by this method

Номер патента: RU2287888C2. Автор: Йоунг-Кван КИМ,Биунг-Таек КИМ,Дзанг-Хо ШИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2006-11-20.

Brushless direct current motor

Номер патента: US20170250595A1. Автор: Hans-Dieter Wilhelm,Thomas Mann,Peter Kohlen,Eugen Bernarding,Helmut Westenberger,Wolfram Triller. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-08-31.

Direct current electric motor which eliminates outer case and places brushes and chokes in space efficient locations

Номер патента: US20020110458A1. Автор: Andrew Smith,Andrew Lakerdas,Martin Volkening. Владелец: Siemens Automotive Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Power tool having a direct current motor and power electronics

Номер патента: US20110273036A1. Автор: Dietmar Saur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Brushless direct current motor of a hand-held power tool

Номер патента: US11894752B2. Автор: Sebastian Laber,Joachim Heizmann,Andreas Voelkle. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-06.

Stator structure of brushless dust collector motor and forming method therefor

Номер патента: US20170194821A1. Автор: Zugen Ni. Владелец: Kingclean Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Brushless Direct Current Motor with Integrated Fan

Номер патента: US20180109164A1. Автор: Steven J. Holman. Владелец: SFEG Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Brushless direct current motor and hair dryer using the same

Номер патента: US20230344319A1. Автор: Zhixin Zhang,Bo Tang,Xiaoyong DONG,Dongqing HUANG,Chunhui Li. Владелец: Shenzhen Inteltron Intelligent Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Improved electric circuit structure for short circuit protection

Номер патента: EP3920355A1. Автор: Jing Feng,Shi-guo DENG,Zuo-quan ZHOU. Владелец: Leader Electronics Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Electric circuit structure for short circuit protection

Номер патента: US20210384719A1. Автор: Jing Feng,Shi-guo DENG,Zuo-quan ZHOU. Владелец: Leader Electronics. Дата публикации: 2021-12-09.

High voltage direct current (HVDC) transmission system to compensate for voltage values output from a plurality of potential transformers

Номер патента: US09853558B2. Автор: Yong Kil CHOI. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus for compensating for ripple and offset of inverter and method therefor

Номер патента: US09509207B2. Автор: Jeong Heum Lee,Sang Ho Moon,Ju Young Chang,Jae Sig Kim. Владелец: Posco Energy Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Commutatorless and brushless direct current motor or generator

Номер патента: US3821575A. Автор: R Colosimo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-28.

Method and system for controlling a direct-current-to-direct current converter

Номер патента: US20240204675A1. Автор: Long Wu,Tianjun Fu,Richard E. Wainwright,Yuheng WU,Dustin W. Oelmann. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-06-20.

Direct-current motor of explosion-proof design

Номер патента: RU2570801C2. Автор: Дитер БЕСТ,Маттиас МАШКЕ,Томас ЗАУЭР,Вольфганг ШТРЕБЕЛЬ. Владелец: Ебм-Папст Мульфинген Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2015-12-10.

Brushless direct current motor

Номер патента: US5635783A. Автор: Hae Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-06-03.

Disc resolver and brushless direct current motor including the same

Номер патента: GB2520896A. Автор: Klaus Biester,Peter Kunow,Volker Zabe. Владелец: Cameron International Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Brushless direct current motor with inverted magnet cup

Номер патента: CA1210045A. Автор: William C. Hunt,Richard A. Wilkinson, Jr.. Владелец: Storage Technology Partners II. Дата публикации: 1986-08-19.

Brushless direct current motor having adjustable motor characteristics

Номер патента: WO1998039833A1. Автор: William G. Anderson. Владелец: MTS Systems Corporation. Дата публикации: 1998-09-11.

Circuit structure for enhancing EFT immunity of primary side converter

Номер патента: US09812945B2. Автор: Haisong Li,Yangbo Yi,Ping Tao,Changshen Zhao. Владелец: WUXI CHIPOWN MICRO-ELECTRONICS Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method for compensating for cable voltage loss at various output voltages

Номер патента: US09785214B2. Автор: Jason Yu,Merle J. Wood, III,Anson Liao. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-10-10.

Offset voltage eliminating circuit structure for protection mechanism of dimmer

Номер патента: US09439251B2. Автор: Sen-Tai Yang. Владелец: Yujing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

High-voltage direct current transfer device

Номер патента: RU2468486C2. Автор: Торстен ПРИБЕ,Райнхард ВАГНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-11-27.

Low-voltage direct current motor

Номер патента: RU2733627C1. Автор: Валерий Федорович Коваленко. Владелец: Валерий Федорович Коваленко. Дата публикации: 2020-10-05.

Device for prevention of permanent magnet direct current motor overload

Номер патента: RU2442257C2. Автор: Ларри ПЛАНКЕТТ,Грег КОЛАЧИНСКИ. Владелец: ДЭЙНЕХЕР МОУШН, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-02-10.

Improvements in and relating to Alternating Electric Current Motors and Generators.

Номер патента: GB190408403A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1905-04-12.

Speed selection for a direct current permanent magnet motor

Номер патента: US4075970A. Автор: Charles H. Blake,Donald H. Wood. Владелец: Outboard Marine Corp. Дата публикации: 1978-02-28.

Auxiliary fixing device for mounting long screw of direct current motor

Номер патента: US20170063207A1. Автор: Zhubing Sun,Yaohui Ma. Владелец: Zhejiang Linix Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Interference suppressor for suppressing high-frequency interference emissions from a direct current motor that is drivable in a plurality of stages and/or directions

Номер патента: US20070173086A1. Автор: Tobias Kuechen,Claus Schmiederer,Michael Haerer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2007-07-26.

Speaker with built-in direct current motor

Номер патента: US20030219140A1. Автор: Ki Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-27.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: GB2624326A. Автор: XU Xingwang. Владелец: Sz Zuvi Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: US20240164504A1. Автор: Xingwang Xu. Владелец: SZ Zuvi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Power supply circuit structure, drying device, power supply kit and power supply method

Номер патента: EP4369857A1. Автор: Xingwang Xu. Владелец: SZ Zuvi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Submersible direct current motor

Номер патента: RU2357345C2. Автор: Жак Орбан,Жак ОРБАН (RU). Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2009-05-27.

A housing for the control electronics of a brushless direct-current motor

Номер патента: WO2010118486A4. Автор: Felipe Augusto Cardoso Moraes,Lázaro Benedito DE OLIVEIRA MELO,Leandro REIS SIMÕES. Владелец: ROBERT BOSCH LIMITADA. Дата публикации: 2010-12-29.

Double rotor brushless direct-current motor with fluid cooling

Номер патента: US20240128813A1. Автор: Reza Norollahisomarin. Владелец: Rh Motor Industry LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

HOLLOW ROTOR STRUCTURE FOR DC MOTOR AND WlNDlNG STRUCTURE OF THE SAME

Номер патента: US20170194824A1. Автор: Lien-Hsin WU. Владелец: Xingu Motor Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Double rotor brushless direct-current motor with fluid cooling

Номер патента: WO2024085919A1. Автор: Reza Norollahisomarin. Владелец: RH Motor Industry, LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

A housing for the control electronics of a brushless direct- current motor

Номер патента: WO2010118487A3. Автор: Felipe Augusto Cardoso Moraes,Lázaro Benedito DE OLIVEIRA MELO,Leandro REIS SIMÕES. Владелец: ROBERT BOSCH LIMITADA. Дата публикации: 2011-01-20.

Naturally freewheeling alternating current chopper main circuit structure

Номер патента: US20150028833A1. Автор: Yalan Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.

Naturally freewheeling alternating current chopper main circuit structure

Номер патента: US9118248B2. Автор: Yalan Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-25.

Method and device for controlling operation of inverter

Номер патента: US20180026549A1. Автор: Peng Chen,PENG Wang,Jun Xu,Jinhu CAO. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Energy-Saving Three-Phase Brushless Direct-Current Machine

Номер патента: US20240283313A1. Автор: Yu Yang,Kun-Sheng Wang. Владелец: Dong Guan City Mao Sheng Electronic Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Energy-saving three-phase brushless direct-current machine

Номер патента: EP4422038A1. Автор: Yu Yang,Kun-Sheng Wang. Владелец: Dong Guan City Mao Sheng Electronic Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Brush dc motors and ac commutator motor structures with concentrated windings

Номер патента: CA2421716C. Автор: Jerome Cros,Philippe Viarouge. Владелец: Quebec Metal Powders Ltd. Дата публикации: 2010-10-12.

Auxiliary fixing device for mounting long screw of direct current motor

Номер патента: MY177664A. Автор: Zhubing Sun,Yaohui Ma. Владелец: Zhejiang Linix Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Method and system for controlling a direct-current-to-direct current converter

Номер патента: EP4387071A1. Автор: Long Wu,Tianjun Fu,Richard E Wainwright,Yuheng WU,Dustin E Oelmann. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-06-19.

Circuit structure

Номер патента: US12082375B2. Автор: Hitoshi Takeda,Yuki Fujimura. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods for compensating for battery charging path resistive losses

Номер патента: US20210336466A1. Автор: Merle J. Wood,Adolfo S. Montero,Chin-Jui Liu,Yu-Chi CHIN. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-10-28.

Electronic device and method for controlling operation of electronic device

Номер патента: US12107432B2. Автор: Kihyun Kim,Yunjeong Noh,Mincheol Ha,Kyungmin Lee,Hyungkoo CHUNG,Dongzo KIM,Keyic Son,Taehyeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Rotor of Brushless Motor and Brushless Motor Using the Same

Номер патента: US20130342053A1. Автор: Georges A.M. Van Gansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-26.

Circuit structure and method for reducing power consumption of device including active module and passive module

Номер патента: US09859800B2. Автор: Huan Shi,Axel Lohbeck. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for compensation of currents to be supplied from wind power park

Номер патента: RU2696604C1. Автор: Йоханнес БРОМБАХ. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2019-08-05.

Electronically commutated, collectorless direct-current motor

Номер патента: CA1292268C. Автор: Klaus Pfendler,Josef Feigel. Владелец: Standard Elektrik Lorenz AG. Дата публикации: 1991-11-19.

Direct current motor with double layer armature windings

Номер патента: US4197475A. Автор: Itsuki Ban,Manabu Shiraki,Kazuhito Egami. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-04-08.

Direct-current motor

Номер патента: US5548171A. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shuzo Isozumi,Keisaku Zenmei. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Determination of optimization potentials of a direct current motor

Номер патента: US20130238307A1. Автор: Christian Hecker,Christian Andreas Wolf Pozzo. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-09-12.

Brushless direct current electric motor and handheld tool

Номер патента: US20240039348A1. Автор: Tobias HOLMQVIST,Tomas SÖDERGÅRD,Simon Bäck. Владелец: Mirka Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Over-voltage protection circuit structure and method thereof

Номер патента: US20090180229A1. Автор: Wen-Chang Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Brushless direct current electric motor and handheld tool

Номер патента: EP4260440A1. Автор: Tobias HOLMQVIST,Tomas SÖDERGÅRD,Simon Bäck. Владелец: Mirka Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Circuit structure for suppressing surge current

Номер патента: US20210226442A1. Автор: Weihua Cao. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Mounting structure for a rectifier circuit of an electrodeposition device

Номер патента: US20240162811A1. Автор: Isaac Thomas,David Okawa,Jaesoo Byoun,Roger Bishop,Patrick Chapman,Anton Hunt,Guillermo Urquiza. Владелец: Redwood Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Low power converter for compensating mains voltage variation

Номер патента: US20240306275A1. Автор: Johannes Adrianus Cornelis Misdom,Johan Paul Marie Gerard Linnartz,Karnekumar ARULANDU. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Pump having an integrated electronically commutated direct current motor

Номер патента: US09976557B2. Автор: Georg Bernreuther,Thomas Peterreins. Владелец: Büehler Motor GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Master-slave architecture for controlling operation of photovoltaic power plants

Номер патента: US09680301B2. Автор: Robert Johnson,Lars Johnson,William B. PETER. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Power with resonant load conversion device and such device operation method with separation by time

Номер патента: RU2683639C9. Автор: Ясухиро КОНДО. Владелец: Мейденша Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-04.

Method for compensation of stray currents in electrical system and stray current compensation device

Номер патента: RU2528012C2. Автор: Петер ДЕХЛЕР,Штефан ВИККИ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2014-09-10.

Compensation method of rotor low-frequency perturbing power by means of active magnetic bearings, active magnetic bearing, having compensative control loop for compensation implementation, and magnetic bearing application

Номер патента: RU2637050C2. Автор: Норберт Вагнер. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-11-29.

Remote control system using wireless communication for compensation of reactive power of furnace with submerged arc

Номер патента: RU2587160C2. Автор: Цзяньлэ Ю. Владелец: Гуанси Майша Электрик Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-06-20.

Direct current motor having E-shaped interpoles

Номер патента: US4374337A. Автор: Tatsuo Koyama,Yoshinori Kohzai,Shigeaki Oyama. Владелец: Fujitsu Fanuc Ltd. Дата публикации: 1983-02-15.

Flat core-less direct-current motor

Номер патента: US5498919A. Автор: Itsuki Bahn. Владелец: Secoh Giken Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-12.

Direct-current motor

Номер патента: US5089735A. Автор: Kazuhiro Takahashi,Takeshi Muraoka,Hideo Sawaguchi. Владелец: Sawafuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-18.

Control device for a direct current semiconductor regulator

Номер патента: CA1240362A. Автор: Gerhard Kratz,Horst Reick. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-08-09.

Electronically commutated, collectorless directed-current motor

Номер патента: US4841186A. Автор: Klaus Pfendler,Josef Feigel. Владелец: Standard Elektrik Lorenz AG. Дата публикации: 1989-06-20.

Electric motor, especially a permanently excited direct current motor

Номер патента: US6225714B1. Автор: Otto Brass,Reuben Agnon,Christian Allgeier,Walter Lehnert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2001-05-01.

Direct current machine

Номер патента: US20100045128A1. Автор: Erik Maurer,Wolfgang Winkler,Markus Heidrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Direct-current motor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020105294A1. Автор: Hiroyuki Harada,Takeshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Direct-current Motor Commutator Structure and Direct-current Motor

Номер патента: US20210328397A1. Автор: Chang Jiang,Jun Wu,YANG Cao,Niancheng Lu. Владелец: New United Rail Transit Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method and device for controlling operation of inverter

Номер патента: US9906166B2. Автор: Peng Chen,PENG Wang,Jun Xu,Jinhu CAO. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and device for compensating leakage currents in an electrical power converter

Номер патента: US20240178738A1. Автор: Stefan Endres,Daniel Spesser,Florian Mayer,Tim Pfizenmaier. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and device for compensating leakage currents in an electrical power converter

Номер патента: GB2626643A. Автор: ENDRES Stefan,Spesser Daniel,Pfizenmaier Tim,Mayer Florian. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-07-31.

Dc fast-charging bidirectional converter utilizing an existing e-motor and inverter

Номер патента: WO2024173188A1. Автор: Patrick Lamplmayr,Hassan SHABBIR,Aminesh GAJJAR. Владелец: MAGNA POWERTRAIN OF AMERICA, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Operating method of full-bridge modular multilevel converter boosting AC voltages for high voltage direct current transmission

Номер патента: US09735702B2. Автор: Lei Lin,Jiabing HU,Maozeng LU,Muchao XIANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-08-15.

Assembly for compensating reactive power and active power in a high-voltage network

Номер патента: RU2649888C2. Автор: Мартин ПИШЕЛЬ,Ханс-Йоахим КНАК,Маркос ПЕРЕЙРА. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-04-05.

Fan with electronically commutated direct-current motor

Номер патента: US4504751A. Автор: Peter Meier. Владелец: Micronel AG. Дата публикации: 1985-03-12.

Control method and system for an high voltage direct current system

Номер патента: US4263517A. Автор: Hiroo Konishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-04-21.

Magnetization for brushless direct current outer rotor motor

Номер патента: US4501997A. Автор: Rolf Müller. Владелец: Papst Motoren GmbH and Co KG. Дата публикации: 1985-02-26.

The intercross coupled magnetic circuit structure with uniform magnetic resistance to adjust air clearance

Номер патента: CA2230958C. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-30.

Control method and system for a high voltage direct current system

Номер патента: CA1127236A. Автор: Hiroo Konishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-07-06.

Direct current motor

Номер патента: US4220882A. Автор: Yoshinori Kohzai,Shigeaki Oyama. Владелец: Fujitsu Fanuc Ltd. Дата публикации: 1980-09-02.

Direct current motor having outer rotor and inner stator

Номер патента: CA1112276A. Автор: Rudolf F. Kenwell. Владелец: NEO-KEN ELECTRICAL INDUSTRIES Ltd. Дата публикации: 1981-11-10.

Control method and apparatus for high-voltage, direct current first commutation failure in alternating-current fault

Номер патента: EP4318843A1. Автор: WEI Wei,Huan LI,JuanJuan Wang,Chuang FU,Ruina ZHENG,Zhaoxin WEN. Владелец: China Southern Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Circuit structure

Номер патента: US20230283088A1. Автор: Yusuke Isaji,Yuki Fujimura,Manami Okada. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Circuit structure for switching plural power supply units between series-connected and parallel-connected configurations

Номер патента: US20200412166A1. Автор: Ming-Chan Chen. Владелец: Phei Kuan Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Low-voltage direct current motor

Номер патента: US20160372981A1. Автор: Chi Keung Law,Ming Cen Lu,Ngai Ming Leung. Владелец: Johnson Electric SA. Дата публикации: 2016-12-22.

Direct current motor having commutator segments firmly embedded in insulation bond

Номер патента: US20030218401A1. Автор: Yasuyuki Yoshida,Shinji Usami,Masahiro Katoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Novel arched commutator structure of brush direct current motor

Номер патента: US20230025635A1. Автор: Xuefeng Pan,Wei Sun,Guang Chen,Xiaofei Huo,Jichun Xue. Владелец: Xi'an Si Special Transmission Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of controlling an apparatus compensating ground fault currents for compensating for fault currents in an n-phase distribution system

Номер патента: WO2014063666A2. Автор: Ivan Matuljak. Владелец: Ege, Spol. S R.O.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of controlling an apparatus compensating ground fault currents for compensating for fault currents in an n-phase distribution system

Номер патента: EP2912739A2. Автор: Ivan Matuljak. Владелец: Ege Spol Sro. Дата публикации: 2015-09-02.

Method of controlling an apparatus compensating ground fault currents for compensating for fault currents in an n-phase distribution system

Номер патента: WO2014063666A3. Автор: Ivan Matuljak. Владелец: Ege, Spol. S R.O.. Дата публикации: 2014-06-12.

Charging device and operating method thereof

Номер патента: EP3011658A1. Автор: Soo-Hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-27.

Circuit system and manufacturing and operating method therefor

Номер патента: US20240170943A1. Автор: Yi Sun,Yan-Cun Li. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Hybrid direct-current circuit breaker

Номер патента: US20160105018A1. Автор: Yan Pan,Antonio Caiafa,William James Premerlani,Ruxi Wang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for modifying stator tooth top arc of brushless DC motor

Номер патента: US09800123B2. Автор: Wei Zhang,Qizhong Zhang. Владелец: Zhejiang Yilida Ventilator Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Digital auto compensation for voltage regulators

Номер патента: US09755512B2. Автор: Shuai Jiang,Jian Yin,Zhixiang Liang. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Heat pump operation method and heat pump system

Номер патента: US09677784B2. Автор: Gaku Hayashida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Charging device and operating method thereof

Номер патента: US09484765B2. Автор: Soo-Hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Wind turbine blade inclination angle adjustment system, inclination angle control system control method and wind turbine system

Номер патента: RU2727541C2. Автор: Лунхуэй Шень,Джеффри Алан МЕЛИУС,Чэнцзюнь ВАН. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2020-07-22.

Polyphase direct current motor

Номер патента: US5006745A. Автор: Masato Nakamura,Akira Nishio,Akihiro Mochizuki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1991-04-09.

Method and device of current distribution for direct-current source

Номер патента: RU2504885C1. Автор: Чуань ХЭ. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2014-01-20.

Magnetic circuit structure for a rotary actuator in a disk drive

Номер патента: US5847903A. Автор: Yoshihiro Sato,Hironori Suzuki,Yoshinori Ogawa,Kazunori Tochiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Improvements in Direct Current Electric Machines.

Номер патента: GB191108589A. Автор: . Владелец: JOHN HAYTON CARRICK. Дата публикации: 1912-02-22.

Direct current motor with non-superposed armature windings

Номер патента: US4369388A. Автор: Itsuki Ban,Hideo Okada,Manabu Shiraki,Kazuhito Egami. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-01-18.

Quenching-angle control for an inverter

Номер патента: CA1140988A. Автор: Ernst Golde. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1983-02-08.

Low power converter for compensating mains voltage variation

Номер патента: EP4305744A1. Автор: Johannes Adrianus Cornelis Misdom,Johan Paul Marie Gerard Linnartz,Karnekumar ARULANDU. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-01-17.

Circuit structure and method for reducing power consumption of device including active module and passive module

Номер патента: EP2920861A1. Автор: Huan Shi,Axel Lohbeck. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2015-09-23.

Direct current motor using magnets with extensions

Номер патента: US20020033648A1. Автор: Hiroyuki Harada,Takeshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Circuit structure

Номер патента: US11991815B2. Автор: Kazuya KOMAKI,Hiroki Shimoda,Taiji Yanagida,Koushi IGURA,Ayaka Asano. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Direct current motor using magnets with extensions

Номер патента: US20030189384A1. Автор: Hiroyuki Harada,Takeshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-09.

Miniature direct current motor

Номер патента: US20200220443A1. Автор: Jinzhi Li. Владелец: Dongguan Lebond Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Casting for Motor and Gearbox with Integrated Inverter

Номер патента: US20190232797A1. Автор: Wenjun Liu,Robert J. Ramm. Владелец: Galatech Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Methods and Systems for Compensating for System Delays and Inefficiencies

Номер патента: US20230266993A1. Автор: Steven Andrew Moore,Swanand Juvekar,Webb Lewis Burgess. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Electronic adaptation unit configured to adapt electrical energy storage devices to devices for converting from direct current to alternating current and relative operating method

Номер патента: WO2023218336A1. Автор: Jorge Miguel Aguglia. Владелец: Sic Divisione Elettronica S.R.L.U.. Дата публикации: 2023-11-16.

Brushless direct currency (bldc) motor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200195088A1. Автор: Hyun Tae LEE,Gyu Sang Yu,Dong Heon Mo,Jung Kil Lee. Владелец: COAVIS. Дата публикации: 2020-06-18.

Vibration signal generator for mobile telephone, with direct current (DC) vibration motor and eccentric vibration mass contained in vibration unit

Номер патента: DE10325364A1. Автор: . Владелец: ECOM INSTR GmbH. Дата публикации: 2004-12-16.

Current-scaling active thin film transistor circuit structure for pixel of display device

Номер патента: US20070057294A1. Автор: Yen-Chung Lin,Han-Ping Shieh,Chia-Feng Yang,Pei-Ming Chen,Jian-Zhi Huang,Yen-Lin Wei,Ah-Chih Wang,Jiun-Shiau Wang. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Circuit structure for multiple antenna radio unit, base station, and satellite communication

Номер патента: EP4418545A1. Автор: Yi-Fan Wang. Владелец: Ranictek Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240153947A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Chip and Authentication Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20190088325A1. Автор: HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu,Yachuan PANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20210035972A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Circuit structure for realizing real-time predistortion calibration of broadband IQ modulation and method thereof

Номер патента: US12119965B2. Автор: Shuang Chen,Xiaolei Wang. Владелец: Transcom Shanghai Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit structure for realizing circuit pin multiplexing

Номер патента: US12126332B2. Автор: Weizhong Liu,Yaping Jiang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Pulse width modulation signals generation method for direct current motors control

Номер патента: RU2665671C2. Автор: Александр Николаевич Игнатов,Андрей Анатольевич Шабронов,Константин Владимирович Кувардин. Владелец: Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ФГОБУ ВПО "СибГУТИ"). Дата публикации: 2018-09-03.

Signal transmission method and a circuit structure for heterogeneous platforms

Номер патента: US20200218504A1. Автор: Hsin-Chen Chen,Yi-Hsuan Wu,Sa-Chia Ho,Hong-Chang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Method and circuit structure for suppressing single event transients or glitches in digital electronic circuits

Номер патента: EP3338368A1. Автор: Farouk Smith. Владелец: Nelson Mandela University. Дата публикации: 2018-06-27.

Circuit structure for connecting bonding pad and ESD protection circuit

Номер патента: US20030193071A1. Автор: Shao-Chang Huang,Jin-Tau Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Methods for fabricating conductive vias of circuit structures

Номер патента: US09425129B1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu,Dingyou Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Circuit structure for timer counter and electrical device using the same

Номер патента: US20080298535A1. Автор: Chien-Po Yang,Wen-Ping Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Circuit structure for adjusting an LED color temperature curve

Номер патента: DK3145278T3. Автор: Wen-Hsin Chao. Владелец: Wen-Hsin Chao. Дата публикации: 2018-01-15.

Circuit structure for testing through silicon vias in three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11749648B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Circuit structure for in-memory computing

Номер патента: US20210304815A1. Автор: Juncheng Chen,Zhen'an LAI,Zhaoying Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Rare-earth materials for integrated circuit structures

Номер патента: US20220059668A1. Автор: Scott B. Clendenning,Sudarat Lee,Charles Cameron Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Three-dimensional silicon structure for integrated circuits and cooling thereof

Номер патента: US09997494B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Circuit structure for adjusting LED color temperature curve

Номер патента: US09801249B2. Автор: Wen Hsin Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Amplifier circuit with cross wiring of direct-current signals and microwave signals

Номер патента: CA2873911A1. Автор: Bin Zhang,Hongqi TAO. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2013-11-28.

Amplifier circuit with cross wiring of direct-current signals and microwave signals

Номер патента: CA2873911C. Автор: Bin Zhang,Hongqi TAO. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Source or drain structures for germanium n-channel devices

Номер патента: US20240258427A1. Автор: Anand Murthy,YANG Cao,Benjamin Chu-Kung,Dipanjan Basu,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Devin Merrill,Ryan KEECH,Jessica TORRES,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-voltage level, multi-dynamic circuit structure device

Номер патента: EP2589150A2. Автор: Jentsung Ken Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Multi-voltage level, multi-dynamic circuit structure device

Номер патента: WO2012003254A2. Автор: Jentsung Ken Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical circuit structure for realizing a higher-order node in an optical transmission network

Номер патента: US7835645B2. Автор: Michael Eiselt. Владелец: ADVA Optical Networking SE. Дата публикации: 2010-11-16.

Methods of forming integrated circuit structure for joining wafers and resulting structure

Номер патента: US20200066667A1. Автор: Mukta G. Farooq,Tanya A. Atanasova. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Methods of forming integrated circuit structures for capacitive sense NAND memory

Номер патента: US12080356B2. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Package structure with reinforcement structures in a redistribution circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12119303B2. Автор: Chen-Hua Yu,Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Grounded die seal integrated circuit structure for RF circuits

Номер патента: US09640494B1. Автор: Vikas Sharma. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Can circuit structure and vehicle diagnostic device thereof

Номер патента: EP3805050A1. Автор: Yang Li,Sanbao Shi. Владелец: Autel Intelligent Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20210305436A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Circuit structure and power-on method thereof

Номер патента: US20200295753A1. Автор: Chien-Cheng Liu,Yun-Chih Chang,Shu-Yi Kao,Yun-Ru Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with pre-epitaxial deep via structure

Номер патента: US20230317595A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Sukru Yemenicioglu,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240276698A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Improved integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the ic devices

Номер патента: WO1998008250A1. Автор: Jeffrey C. Kalb. Владелец: California Micro Devices Corporation. Дата публикации: 1998-02-26.

Metallization in integrated circuit structures

Номер патента: US11018222B1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Lukas M. Baumgartel,Timothy Michael Duffy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Chip and circuit structure

Номер патента: US20150296606A1. Автор: Jianyong Fu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Conductive via structures for gate contact or trench contact

Номер патента: US20220392840A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures with backside conductive source or drain contact having enhanced contact area

Номер патента: US20240332302A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Debaleena Nandi,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit structures with sub-fin isolation

Номер патента: US20240332301A1. Автор: Patrick Morrow,Willy Rachmady,Prashant Wadhwa,Chun-Kuo HUANG,Conor P. PULS,Giorgio Mariottini,Caleb Barrett,Daniel James Harris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

2.5D microelectronic assembly and method with circuit structure formed on carrier

Номер патента: US09917042B2. Автор: Belgacem Haba,Sean Moran. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures

Номер патента: US09847272B2. Автор: WEI Liu,Kheng Chok Tee,Juan Boon Tan,Kam Chew Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Direct current offset compensating circuit of an audio system

Номер патента: US5557239A. Автор: Gibo Masao. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-09-17.

Packaged circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220240385A1. Автор: Chun-Chieh Huang,Chin-Ming Liu. Владелец: Leading Interconnect Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Design structure for an inductor-capacitor voltage-controlled oscillator

Номер патента: US20140191816A1. Автор: Herschel A. Ainspan,Ram Kelkar,Ramana M. MALLADI,Anjali R. Malladi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Circuit structure and power-on method thereof

Номер патента: US10778214B1. Автор: Chien-Cheng Liu,Yun-Chih Chang,Shu-Yi Kao,Yun-Ru Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US12046654B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: EP3736851A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US11769836B2. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20220302054A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Packaged circuit structure including circuit strcutre with antenna and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220084963A1. Автор: Jia-He Li,Yong-Chao Wei. Владелец: Qing Ding Precision Electronics Huaian Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20240274560A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Differential channel circuit structure and method of transmitting signals by the differential channel

Номер патента: US20240267263A1. Автор: Wei-Zen Chen,Hsiao-Ming Lin,Hao-kai Mo. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240332399A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US20240332392A1. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing light emitting diodes including forming circuit structures with a connecting section

Номер патента: US8642388B2. Автор: Chao-Hsiung Chang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Display panel including piezoelectric device and method for compensating for properties of piezoelectric device

Номер патента: US09804676B2. Автор: Jong Seo Lee,Beom Shik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Metal circuit structure

Номер патента: US09683292B2. Автор: Min-Chieh Chou,Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Circuit and method for calibrating direct current offset

Номер патента: US7629906B2. Автор: Kai-Cheung Juang,Horng-Yuan Shih,Wei-Hsien Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-12-08.

High-voltage direct-current magnetic latching relay with sensitive response

Номер патента: EP4280247A1. Автор: Shuming ZHONG,Wenguang DAI,Songsheng CHEN,Youquan HUANG. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Angle controlling apparatus and angle controlling method for electronic device

Номер патента: US20240218959A1. Автор: Giseok SUNG,Sanghoon EUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Cap structure for interconnect dielectrics and methods of fabrication

Номер патента: WO2022132263A1. Автор: Charles Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-23.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Method and structure for compensating tolerances in assembling modules

Номер патента: US20210197327A1. Автор: Tsung-Min Yang,Chin-Sung Liu,Tsung-Hung Wu,Shin-Ter Tsai,Chi-Ling Chang,Ming-Yan Lin. Владелец: TopRay Mems Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US12051692B2. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: EP4044231A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Circuit structure

Номер патента: US10251261B2. Автор: Tou Chin,Arinobu NAKAMURA. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Balun Circuit Structure and Balun Device

Номер патента: US20220255526A1. Автор: Wei Cheng,Jun He,Chengjie Zuo. Владелец: Anhui Annuqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20240274718A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit structure

Номер патента: US20230216169A1. Автор: Tze-Min Shen,Hsin Hui Lo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

A circuit structure of the feedforward type with programmable zeroes, particularly for synthesizing time-continual filters

Номер патента: EP1146639A3. Автор: Marco Cazzaniga,Rinaldo Castello,Salvatore Portaluri,Valerio Pisati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-16.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

FIN shaping using templates and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11749733B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Mark Armstrong,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Failure Analysis and Location Method for Short Circuit Structure

Номер патента: US20240282648A1. Автор: Lingye YANG,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Circuit structure to improve reliability of power line communication

Номер патента: EP4432570A1. Автор: Hsin-Hsien Li. Владелец: Hangzhou Lianxintong Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US12087684B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuit structure to improve reliability of power line communication

Номер патента: US20240313825A1. Автор: Hsin-Hsien Li. Владелец: Hk Oceancomm Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic package and circuit structure thereof

Номер патента: US20240312889A1. Автор: Ching-Hung Tseng,Fang-Lin Tsai,Pei-Geng Weng,Wei-Son Tsai,Kun-Yuan LUO. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304523A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304522A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit structure

Номер патента: US20240306295A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240304544A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit structure with back-side contact selectivity

Номер патента: US20240313096A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: US20240332077A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: EP4439673A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US20240355819A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240347465A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor circuit structure with underground interconnect (ugi) for power delivery, power mesh, and signal delivery

Номер патента: US20240363638A1. Автор: Chao-Chun Lu,Juang-Ying Chueh. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US20240363628A1. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Motor controller, and electric motor and vehicle comprising same

Номер патента: EP4440261A1. Автор: Ming Li,Gang Huang,Xinguo Wang,Chaohua LIU. Владелец: XPT Eds Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US20240363523A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4418312A2. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Circuit structure

Номер патента: US09955578B2. Автор: Chia-Chan Chang,Yung-Tsai Chen,Gwo-Chaur Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated fan-out package, redistribution circuit structure, and method of fabricating the same

Номер патента: US09899342B2. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzung-Hui Lee,Tzu-Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit structure having through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09805977B1. Автор: John J. Garant,Jorge A. Lubguban,Vijay Sukumaran,Thuy L. Tran-Quinn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09691699B2. Автор: Chia-Chan Chang,Yung-Tsai Chen,Gwo-Chaur Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Multi-chip microelectronic assembly with built-up fine-patterned circuit structure

Номер патента: US09666560B1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Guilian Gao. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit structure having dies with connectors

Номер патента: US09653423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Circuit structure, transistor and semiconductor device

Номер патента: US09553182B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

RF tag with resonant circuit structure

Номер патента: US09460379B2. Автор: Bo Gao,Jingmeng Sun. Владелец: Neoid Ltd (shenzhen). Дата публикации: 2016-10-04.

Method for making an integrated circuit structure

Номер патента: US5529941A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Circuit, structure and method of testing a semiconductor, such as an integrated circuit

Номер патента: US6111269A. Автор: Nathan Y. Moyal. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Structure for hall device

Номер патента: CA1283170C. Автор: James W. Larsen,Daniel P. Campbell. Владелец: Sangamo Weston Inc. Дата публикации: 1991-04-16.

Tracking loop type digital angle converter and angle/digital converting apparatus

Номер патента: CA2622825C. Автор: Hisashi Nishimura. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2011-09-27.

Electronic circuit structure

Номер патента: US5689600A. Автор: Michael E. Griffin. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1997-11-18.

Lamp Board Wiring Structure for Light Emitting Diode (LED) Lamp Tube

Номер патента: US20130135850A1. Автор: Yi-Chang Chung,Ruei-Jhih Jheng,Fu-Ching Ke. Владелец: Verticil Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Integrated circuit structures having routing across layers of channel structures

Номер патента: US20240222271A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2020230284A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2020230284B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Circuit structure to generate back-gate voltage bias for amplifier circuit, and related method

Номер патента: US20200220499A1. Автор: Thomas G. McKay,Yiching Chen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Wireless communication unit and angle adjustment method

Номер патента: US20240162596A1. Автор: Makoto Oishi. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated Circuit Structure and Method for Reducing Polymer Layer Delamination

Номер патента: US20210351173A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Circuit structure

Номер патента: US12035471B2. Автор: Andu Zhou,Bingfeng Luo. Владелец: Guangzhou Luxvisions Innovation Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor substrate with functional circuit structures and dummy structures

Номер патента: US20020089030A1. Автор: Sabine Kling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer-deposition wide cut gates with non-merged spacers

Номер патента: US20230299165A1. Автор: Walid M. Hafez,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Insulating colloidal material and multilayer circuit structure

Номер патента: US9642250B1. Автор: Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-02.

Fin doping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: EP4064334A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Patrick Keys,Cory Weber,Seahee Hwangbo,Leonard C. Pipes,Jack YAUNG,Tzu-Min Ou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer

Номер патента: US11769069B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Circuit structure and related method to indicate voltage polarity via comparator

Номер патента: US12052030B2. Автор: Asif Iqbal,Sanmitra Bharat Naik. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Circuit structure

Номер патента: US20240292513A1. Автор: Hideki Goto. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi version library cell handling and integrated circuit structures fabricated therefrom

Номер патента: US12067338B2. Автор: Mark T. Bohr,Barbara A. Chappell,Ranjith Kumar,Andrew W. Yeoh,Quan Shi,Sourav Chakravarty,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Flexible Structures for Interconnect Reliability Test

Номер патента: US20090011539A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Hao-Yi Tsai,Anbiarshy N.F. Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of manufacturing circuit structure

Номер патента: US20210407946A1. Автор: Yen-Jui Chu,Jin-Neng Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

High-voltage direct-current magnetic latching relay with sensitive response

Номер патента: US12080501B2. Автор: Shuming ZHONG,Wenguang DAI,Songsheng CHEN,Youquan HUANG. Владелец: Xiamen Mongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: US20240312991A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: EP4432338A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Multi-layer etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12119344B2. Автор: Dragos SEGHETE,David J. Towner,Christopher R. Ryder,Anthony V. Mule',Angel Aquino Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit structure and chip

Номер патента: US20240321828A1. Автор: Liang-Cai Zeng,Yun-Ju Hsieh. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Thin film transistor and circuit structure

Номер патента: US09793300B2. Автор: Xiaolin Wang,Yoonsung Um,Xing Yao,Seungwoo HAN,Yunsik Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US09640402B1. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit structure and seal ring structure

Номер патента: US09627332B1. Автор: Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of manufacturing three-dimensional integrated circuit structures

Номер патента: US12136619B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three dimensional integrated circuit structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583465B1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yi-Hsiu Chen,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit structure and method for reducing polymer layer delamination

Номер патента: US09583424B2. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US09576847B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

High-temperature circuit structures

Номер патента: RU2248538C2. Автор: Джеймс Д. ПАРСОНЗ. Владелец: Хитроникс. Дата публикации: 2005-03-20.

Epitaxial source or drain structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11411095B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Subhash Joshi,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Circuit substrate for carrying at least one light-emitting diode and light-emitting structure for providing illumination

Номер патента: US9803846B2. Автор: Chia-Tin Chung. Владелец: Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Front end circuit structure for a subscriber line circuit

Номер патента: AU4823385A. Автор: Ramon Con Woo Chea Jr.,Kevin Charles Keegan,Albert Homer Lloyd Jr.,Reddeppa Naidu Pothuri. Владелец: ITT Corp. Дата публикации: 1986-04-24.

Contact over active gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11031487B2. Автор: Tahir Ghani,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Atul Madhavan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11948997B2. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20150108513A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-04-23.

Overlay circuit structure for interconnecting light emitting semiconductors

Номер патента: US20130062630A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Shakti Singh Chauhan,Donald Paul Cunningham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-03-14.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961838B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Circuit structure for realizing circuit pin multiplexing

Номер патента: US20230291400A1. Автор: Weizhong Liu,Yaping Jiang. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240162332A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Multi-layer circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190116667A1. Автор: Chun-Hao Chen,Chang-Fu Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Lined conductive structures for trench contact

Номер патента: US20240186395A1. Автор: Peter P. SUN,Krishna GANESAN,Ala ALAZIZI,Ankit Kirit LAKHANI,Diana Ivonne PAREDES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having raised wall structures for epitaxial source or drain region confinement

Номер патента: WO2023113913A1. Автор: Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Andy Chih-Hung Wei,Aryan NAVABI-SHIRAZI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Package carrier board integrated with inductive circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222140A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu,Pao-Hung Chou. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having vertical shared gate high-drive thin film transistors

Номер патента: US20240222520A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High-fidelity superconducting circuit structure, superconducting quantum chip, and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2021201798A1. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

High-fidelity superconducting circuit structure, superconducting quantum chip, and superconducting quantum computer

Номер патента: AU2021201798B2. Автор: Lijing Jin,Runyao Duan. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Pillar resistor structures for integrated circuitry

Номер патента: EP3158585A1. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Circuit structures and methods of fabrication with enhanced contact via electrical connection

Номер патента: US20140353843A1. Автор: Xiang Hu,Guoxiang Ning,Paul Ackmann,Sarasvathi Thangaraju. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Tunable semiconductor laser and operation method thereof

Номер патента: US20200212653A1. Автор: Won Seok Han,Tae-soo Kim,Shinmo AN,O-Kyun Kwon,Namje Kim,Miran PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-02.

Computing array based on 1t1r device, operation circuits and operating methods thereof

Номер патента: US20210327505A1. Автор: Yi Li,LONG Cheng,Yaxiong Zhou,Xiangshui Miao,Zhuorui WANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

Metal circuit structure based on FPC and method of making the same

Номер патента: US12089331B2. Автор: Sui-Ho Tsai,Cheng-Neng Chen,Yun-Nan Wang,Chiao-Hui Wang. Владелец: Aplus Semiconductor Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming wafer-level molded structure for package assembly

Номер патента: US09754917B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Pillar resistor structures for integrated circuitry

Номер патента: US09748327B2. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Resonant-circuit structure

Номер патента: US9112545B2. Автор: Gui-Yang Lu,Peter Troesch,Michael F Cruz. Владелец: Avid Identification Systems Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Structure and formation method of integrated circuit structure

Номер патента: US10134807B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Radio transmission system and method for compensating for cross-talk

Номер патента: RU2439826C2. Автор: Масахиро КАВАИ. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2012-01-10.

Amplifier circuit structure and method for controlling circuit

Номер патента: US11482977B2. Автор: Ping Li,Yaohua ZHENG,Minjun HE. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Method and device for compensating gain of automatic gain controller

Номер патента: RU2297711C2. Автор: Санг-Мин БАЕ,Сео-Веон ХЕО,Сеонг-Воо АХН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-04-20.

Multiple-valued logic circuit architecture: supplementary symmetrical logic circuit structure (sus-loc)

Номер патента: CA2333623C. Автор: Edgar Danny Olson. Владелец: OMNIBASE LOGIC Inc. Дата публикации: 2009-12-22.

Process for planarizing upper surface of damascene wiring structure for integrated circuit structures

Номер патента: US20040009668A1. Автор: Zhihai Wang,Wilbur Catabay,Wei-jen Hsia,Richard Schinella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Low capacitance interconnect structure for integrated circuits using decomposed polymers

Номер патента: US5923074A. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Circuit structure for realizing real-time predistortion calibration of broadband iq modulation and method thereof

Номер патента: US20230224193A1. Автор: Shuang Chen,Xiaolei Wang. Владелец: Transcom Shanghai Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Methods of forming conductive and resistive circuit structures in an integrated circuit or printed circuit board

Номер патента: EP3278359A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Benjamin S. Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: EP3869547A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using backside removal approach

Номер патента: EP4105979A1. Автор: Tahir Ghani,Charles Wallace,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having source or drain structures with substrate connection portions

Номер патента: US20230207651A1. Автор: Nitesh Kumar,Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Stephen M. Cea,Mohammad Hasan,Anant H. JAHAGIRDAR,Rushabh Shah,Tricia Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240006504A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Spacer self-aligned via structures for gate contact or trench contact

Номер патента: EP4099371A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11887838B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium-diffused nanoribbon channel structures

Номер патента: EP4020589A1. Автор: Guillaume Bouche,Jack Kavalieros,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuit structures with trench contact depopulation structure

Номер патента: US20240105803A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Saurabh Acharya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Package structure with reinforcement structures in a redistribution circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11824005B2. Автор: Chen-Hua Yu,Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Thermal Structure for Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240014091A1. Автор: Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated Circuit Structure, Design Structure, and Method Having Improved Isolation and Harmonics

Номер патента: US20100032796A1. Автор: Edward J. Nowak,James R. Elliott,Brennan J. Brown,Alvin A. Joseph. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11799009B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Circuit structure using printed-circuit board

Номер патента: US20180160537A1. Автор: Akihiro Oda,Masakazu Okumura,Ryoma Hamada,Tatsuya Daidoji,Noriko Okamoto. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961767B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Antenna circuit structure and antenna structure

Номер патента: US20100052810A1. Автор: Ching-Chung Tang,Ying-Chieh Chuang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: US20240154037A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US11581404B2. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A3. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240178071A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Compatible inductor-type circuit structure with direct input from commercial power

Номер патента: US20180077774A1. Автор: Chih-Yung HOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105520A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Different poly pitches for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220068907A1. Автор: Ahmet TURA,Steven G. Jaloviar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuit structures with cavity spacers

Номер патента: US20240186398A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Justin Weber,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Anh Phan,Stephen M. Cea,Salim BERRADA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20220344519A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US11869987B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structures with source or drain contacts having enhanced contact area

Номер патента: US20240178273A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Guowei Xu,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Angle controlling apparatus and angle controlling method for electronic device

Номер патента: EP4390535A1. Автор: Giseok SUNG,Sanghoon EUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Circuit Structure with Vertical Double Gate

Номер патента: US20130043529A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Jeng Hsing Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Unity-gain buffer circuit structure

Номер патента: US11824553B2. Автор: Kun-Hsu LEE,Wen Jung SU. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Unity-gain buffer circuit structure

Номер патента: US20230253977A1. Автор: Kun-Hsu LEE,Wen Jung SU. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230275088A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Hsiang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Circuit structure

Номер патента: US20170019994A1. Автор: Shih-Hsien Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Circuit structure of package carrier and multi-chip package

Номер патента: US20100123144A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143150A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Sang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Circuit structure

Номер патента: US20230307852A1. Автор: Akira Haraguchi. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for preparing integrated circuit structure with polymorphous material

Номер патента: US20090298284A1. Автор: Da Yu Chuang,Tzu Lun Cheng,Cheng Da Wu,Wei Heng Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Bidirectional communication system and method for compensating for undesired feedback in the bidirectional communication system

Номер патента: US9338304B2. Автор: Elmar Albert. Владелец: Unify GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-05-10.

Circuit structure, backlight module and light-emitting key device using the same

Номер патента: US11764008B2. Автор: Chin-Chia Hsu,Ching-Lung Cheng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Circuit structure of an ultra high voltage level shifter

Номер патента: US20110233716A1. Автор: Isaac Y. Chen,Chien-Fu Tang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-09-29.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Bidirectional communication system and method for compensating for undesired feedback in the bidirectional communication system

Номер патента: US20140185792A1. Автор: Elmar Albert. Владелец: Unify GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-07-03.

Localization system and operating method

Номер патента: EP4446776A1. Автор: Filippo Casamassima,Omar Saracevic,Matja Gu tin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US12113027B2. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and system for compensating manufacturing error in semiconductor process

Номер патента: US20240332094A1. Автор: Wen-Shian Chen. Владелец: Prosemi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Localization system and operating method

Номер патента: US20240345235A1. Автор: Filippo Casamassima,Matjaz Gustin,Omar Saracevic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240371782A1. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor component including a short-circuit structure

Номер патента: US09876004B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Uwe Kellner-Werdehausen,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US09786592B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09699910B2. Автор: Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Capacitor structures for display pixel threshold voltage compensation circuits

Номер патента: US09647048B2. Автор: Vasudha Gupta,Shih Chang Chang,Young Bae Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Three dimensional integrated circuit structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633917B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Wen-Ching Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Headset, circuit structure of mobile apparatus, and mobile apparatus

Номер патента: US09509044B2. Автор: wei-yang Wu,Yueh-Hsiang Chen,Kuan-Jung Hung,Tzu-Hsun Tung. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Analytical synthesis method and otra-based circuit structure

Номер патента: US20140310672A1. Автор: Chun-Ming Chang,Shu-Hui Tu. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for compensation of distortions of amplitude-phase distribution of field in an opening of an adaptive antenna array, caused by influence of climatic factors

Номер патента: RU2717351C1. Автор: Дмитрий Викторович Сергеев,Юрий Аркадьевич Шишов,Виталий Владимирович Подъячев,Михаил Григорьевич Вахлов,Сергей Евгеньевич Шалдаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-космическая академия имени А.Ф. Можайского" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-23.

Method for compensation in frequency-detuning receiver occurring in transmitter and receiver during transmission-reception of phase-code manipulated signals

Номер патента: RU2732194C1. Автор: Владислав Викторович Кирюшкин,Виктор Григорьевич Маркин,Владимир Андреевич Шуваев,Евгений Михайлович Красов,Сергей Иванович Бабусенко,Александр Викторович Журавлев,Александр Федорович Иванов. Владелец: Акционерное общество научно-внедренческое предприятие "ПРОТЕК". Дата публикации: 2020-09-14.

Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure

Номер патента: US5940733A. Автор: Israel Beinglass,Ramanujapuram A. Srinivas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Flexible circuit structures including connection arrangement connected to load measurement lead

Номер патента: US10231328B2. Автор: Fernando Luis De Souza Lopes,Daniel Robert Weinkam,Shane Fredrick Miller-Tait. Владелец: Kardium Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Method for compensating global movement for video images

Номер патента: RU2307478C2. Автор: Торбьерн ЭЙНАРССОН,Риккард ШЕБЕРГ,Пер ФРЕЙДХ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2007-09-27.

Method for fabricating polycrystalline structures for integrated circuits

Номер патента: US3825451A. Автор: J Schoeff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-07-23.

Switch device for printed circuit board and circuit structure

Номер патента: US4087666A. Автор: Lon DeHaitre. Владелец: Abbott Screw and Manufacturing Co. Дата публикации: 1978-05-02.

Method for forming metal circuit, liquid trigger material for forming metal circuit and metal circuit structure

Номер патента: US9499911B2. Автор: Min-Chieh Chou,Tune-Hune Kao,Meng-Chi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-11-22.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220223717A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures

Номер патента: US5801100A. Автор: Chwan-Ying Lee,Tzuen-Hsi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-09-01.

Integrated circuit structures with backside gate cut or trench contact cut

Номер патента: US20220392896A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit structures with channel cap reduction

Номер патента: US20240105771A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: US20240105804A1. Автор: Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures with gate volume reduction

Номер патента: US20240105801A1. Автор: Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Circuit structure for hot-press bonding

Номер патента: US20230422405A1. Автор: Hsiang-Yu Lee,Shang CHIN,Ping-Tsun Lin. Владелец: SuperC-Touch Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Predictive electronic thermometer circuit structure capable of temperature compensation

Номер патента: US20230332959A1. Автор: Fang Li,Tianping Shen. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Device, a method used in forming a circuit structure, a method used in forming an array of elevationally-extending transistors and a circuit structure adjacent thereto

Номер патента: US11889695B2. Автор: JIAN Li,Daniel OSTERBERG,Justin B. Dorhout,Jun Fang,Paolo Tessariol,Matthew Park,Indra V. Chary,Zhiqiang Xie,Scott D. Stull,Jason Reece. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit structure with backside power delivery for multi-height standard cell circuits

Номер патента: US20240063210A1. Автор: Richard E. Schenker,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,Somashekar BANGALORE PRAKASH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Multi-layered resonator circuit structure and multi-layered filter circuit structure

Номер патента: US20230420818A1. Автор: Ra-Min Tain,Chi-Feng Chen,Chin-Sheng Wang,Ruey-Beei Wu,Jun-Ho Chen,Po-Sheng YEN. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US20240047559A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structure including fuse and method thereof

Номер патента: US20160049367A1. Автор: I-Cheng Rou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: EP3678171A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US11862636B2. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US20230369399A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20230352561A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Fin trim isolation with single gate spacing for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200335625A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit structure, voltage-controlled oscillator and power amplifier

Номер патента: US20190019749A1. Автор: Sheng-Hung Lin,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Circuit structure and electronic structure

Номер патента: US11894293B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates with etch back process

Номер патента: US20240072145A1. Автор: Megan BECK,Ryan Wood,Joseph BRICE,Krishna T. MARLA,Derek Caselli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20230116170A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11888043B2. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11837456B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US11862703B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3627541A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11881520B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis Ward,Heidi M. MEYER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Monolithic bus slave circuit structure

Номер патента: US11844160B2. Автор: Jun Zhang,Lili Jiang,Tianshun ZHANG,Zengwei DING,Jieqiong ZENG,Junlei Wu,Yufang LIU. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Gate-all-around integrated circuit structures having epitaxial source or drain region lateral isolation

Номер патента: WO2023121790A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US11830933B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US11862635B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Adjacent gate-all-around integrated circuit structures having non-merged epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3971952A1. Автор: Walid Hafez,Hsu-Yu Chang,Sairam Subramanian,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Substrate-less nanowire-based lateral diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4109561A1. Автор: Rui Ma,Lin Hu,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Sabih OMAR,Brian Greene,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator FIN on insulator substrate

Номер патента: US11862702B2. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20210305388A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US11764263B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11955534B2. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11799015B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Source or drain structures for germanium N-channel devices

Номер патента: US11973143B2. Автор: Anand Murthy,YANG Cao,Benjamin Chu-Kung,Dipanjan Basu,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Devin Merrill,Ryan KEECH,Jessica TORRES,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit structures with source or drain dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US20230343826A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Anupama Bowonder,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20200091144A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20230420545A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20240145549A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240038578A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240047556A1. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Dual magnetic circuits structure and sound device

Номер патента: US11765513B2. Автор: Jiujian Liu. Владелец: AAC Microtech Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US20230387324A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Predictive electronic thermometer circuit structure capable of temperature compensation

Номер патента: US11976986B2. Автор: Fang Li,Tianping Shen. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: US20240145568A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit structures having gate cut plug removed from trench contact using angled directional etch

Номер патента: US20240096881A1. Автор: Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Ala ALAZIZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20150115381A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for manufactunring a multilayer circuit structure having embedded trace layers

Номер патента: US20220201853A1. Автор: Chih-Liang Chu,Yu Cheng Yuan,Christian Mathias Schmid. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH and Co. Дата публикации: 2022-06-23.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US11742410B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Device, A Method Used In Forming A Circuit Structure, A Method Used In Forming An Array Of Elevationally-Extending Transistors And A Circuit Structure Adjacent Thereto

Номер патента: US20190081061A1. Автор: JIAN Li,Daniel OSTERBERG,Justin B. Dorhout,Jun Fang,Paolo Tessariol,Matthew Park,Indra V. Chary,Zhiqiang Xie,Scott D. Stull,Jason Reece. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: US20230420360A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11901318B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Yi Hsin Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: US20230197717A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded GeSnB source or drain structures

Номер патента: US11990513B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US11990472B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Predictive-type electronic body temperature thermometer circuit structure implementing temperature compensation

Номер патента: EP4113084A1. Автор: Fang Li,Tianping Shen. Владелец: CRM ICBG Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Three-Dimensional Silicon Structure For Integrated Circuits And Cooling Thereof

Номер патента: US20150091156A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor and circuit structures, and related methods

Номер патента: US20230238380A1. Автор: Ching-Fang Chen,Kuo-Ji Chen,Chuei-Tang Wang,Chang-Fen Hu,Shao-Yu Li,Chih-Peng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US11996375B2. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US20240178226A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20210407997A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Packaged circuit structure

Номер патента: US20230232537A1. Автор: Chun-Chieh Huang,Chin-Ming Liu. Владелец: Leading Interconnect Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Micromachined radio frequency circuit structures

Номер патента: US20110074528A1. Автор: Flavio Pardo,Robert F. Fullowan. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105598A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US12002810B2. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20240088153A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20220262796A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Iso-level vias for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4199053A1. Автор: Charles H. Wallace,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Seung-June Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded gesnb source or drain structures

Номер патента: US20240186378A1. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20240088142A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20240088253A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20220359697A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structure with backside power delivery

Номер патента: EP4202991A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Marni NABORS,Kevin Fischer,Curtis Tsai,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit structure with recessed trench contact and deep boundary via

Номер патента: US20240178101A1. Автор: Feng Zhang,Guowei Xu,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: EP4300558A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240120397A1. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US11923421B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Dielectric plugs for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105597A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Clapping-type bistable magnetic circuit structure and magnetic latching relay

Номер патента: EP4280248A1. Автор: YAN Chi,Shuming ZHONG,Wenguang DAI,Zhongbo He. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20240088254A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Brushless direct-current speed regulation switch with highly integrated structure

Номер патента: NL2030864B1. Автор: Ni Shenglong. Владелец: ZHEJIANG JIABEN ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20200006492A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12016170B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for manufacturing a packaged circuit structure

Номер патента: US11683888B2. Автор: Chun-Chieh Huang,Chin-Ming Liu. Владелец: Leading Interconnect Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Photolithography tool and method for compensating for surface deformation in carrier of photolithography tool

Номер патента: US20180246412A1. Автор: Feihong LIAO,Fuqiang YANG,Yinlei WEI. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Apparatus and method for compensating for data degardation

Номер патента: CA2557425A1. Автор: David Brian Payne,Andrew Lord,Russell Paul Davey,Paul Anthony Delve. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Apparatus and method for compressing for coefficient values of compensation equation for compensating for defect in image and circuit for compensating for display data using compression values

Номер патента: US20220122295A1. Автор: Ji Won Lee,Min Ji Lee,Jun Young Park,Suk Ju Kang,Joo Sung CHOI. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method and device for compensating for time path

Номер патента: EP2597791A4. Автор: Buyun Wang,Chao SU,Dezhong Cao,Guojie Pan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Methods of compensating for wafer parameters

Номер патента: US6632687B2. Автор: James M. Piccione. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-14.

Electronic circuit capable of selectively compensating for crosstalk noise and inter-symbol interference

Номер патента: US20200243129A1. Автор: Soomin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Method and apparatus for compensating for transceiver impairments

Номер патента: EP2449687A1. Автор: Walter Honcharenko,Michael Steven Heutmaker. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-05-09.

Analog Phase Noise Compensation for Coherent Optical Communication

Номер патента: US20150222367A1. Автор: Bengt-Erik Olsson,Christina LARSSON. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2015-08-06.

Apparatus and method for compressing for coefficient values of compensation equation for compensating for defect in image and circuit for compensating for display data using compression values

Номер патента: US12056901B2. Автор: Ji Won Lee,Min Ji Lee,Jun Young Park,Suk Ju Kang,Joo Sung CHOI. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Phase error compensation circuit and method for compensating phase error between reference clock and feedback clock

Номер патента: US20240171162A1. Автор: Wei-Hao Chiu,Song-Yu Yang,Ang-Sheng Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for compensating for boresight error in missiles with composite radomes and guidance section with boresight error compensation

Номер патента: WO2012115611A1. Автор: Robert L. Kesselring. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-08-30.

Apparatus and method for compensating for pixel distortion in reproduction of hologram data

Номер патента: EP1610324A3. Автор: Pil-Sang Yoon. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

User equipment for performing control operation in wireless communication system and operating method of the user equipment

Номер патента: US20240323909A1. Автор: Jinho Kim,Yoojin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

User equipment for performing control operation in wireless communication system and operating method of the user equipment

Номер патента: EP4436241A1. Автор: Jinho Kim,Yoojin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and device for compensating phase deviation

Номер патента: US09954621B2. Автор: Weiming Wang,Minming GENG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for compensating for wavelength shift in wavelength selective switch, and device therefor

Номер патента: US09766421B2. Автор: Liu Yang,Liping Sun,Meng Wang,Rui Yang,Yuhong Ma,Zhilin Yuan,Jinping GUO,Lidan SONG,Lihong TANG,Dingkang Chen. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Compensation for viewing with common vision abnormalities

Номер патента: US09734554B2. Автор: Justin Earl Ballard. Владелец: Charter Communications Operating LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Hybrid direct-current circuit breaker

Номер патента: US09654102B2. Автор: Yan Pan,Antonio Caiafa,William James Premerlani,Ruxi Wang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Analog phase noise compensation for coherent optical communication

Номер патента: US09537579B2. Автор: Bengt-Erik Olsson,Christina LARSSON. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-01-03.

Buffer circuit for compensating for a mismatch between on-die termination resistors and semiconductor device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09438232B2. Автор: Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabrication of integrated circuit structure with full dielectric isolation utilizing selective oxidation

Номер патента: US3944447A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-03-16.

Method for compensating delay in packages transmission during multimedia data-flow transfer

Номер патента: RU2332705C2. Автор: Виктор ВАРСА,Дурхан ГЕРРЕРО,Ру-Шан ВАН,Эмре Барис АКСУ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2008-08-27.

Method for compensation of magnetic field of coaxial line

Номер патента: RU2582551C2. Автор: Александр Владимирович Приходько,Олег Игоревич Коньков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2016-04-27.

Amplifier circuit for compensation of output signal from circuit

Номер патента: RU2694011C1. Автор: Ричард ХЕЛЛЬБЕРГ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-07-08.

Electrical device and method for compensating an effect of an electrical current of a load, in particular a led unit, and driver device for driving a load, in particular a led unit

Номер патента: RU2669381C2. Автор: Харальд Йозеф Гюнтер РАДЕРМАХЕР,Дмитро Викторович МАЛИНА,БРЮЙККЕР Патрик Алауисиус Мартина ДЕ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-10-11.

Printed circuit structure and method of making same

Номер патента: GB987601A. Автор: . Владелец: Photocircuits Corp. Дата публикации: 1965-03-31.

Microwave/millimeter wave circuit structure with discrete flip-chip mounted elements, and method of fabricating the same

Номер патента: CA2198088C. Автор: Mehran Matloubian,David B. Rensch,Perry A. Macdonald,Lawrence A. Larson. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Metal interconnect stack for integrated circuit structure

Номер патента: US6087726A. Автор: Shouli Steve Hsia,Zhihai Wang,Fred Chen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing

Номер патента: US5244841A. Автор: Dan Maydan,David N. Wang,Jeffrey Marks,Kam S. Law. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-09-14.

Integrated circuit structure comprising capacitor element and corresponding manufacturing process

Номер патента: US6511874B2. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-01-28.

Method of fabricating multilayer circuit structures

Номер патента: CA1290201C. Автор: Barry Jay Thaler,Harry Louis Pinch. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-10-08.

Low loss input channel detection device for a direct current powered lighting system

Номер патента: CA2714976C. Автор: Guy P. Bouchard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-16.

Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control

Номер патента: US5902704A. Автор: Philippe Schoenborn,John Haywood. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Circuit structure and photomask for defining the same

Номер патента: US20090288867A1. Автор: Te-Hung Tu,Kao-Tun Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Integrated circuit structure with active device in merged slot and method of making same

Номер патента: US4803176A. Автор: Robert W. Bower. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-02-07.

Porous semiconductor layer transfer for an integrated circuit structure

Номер патента: WO2018044494A1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for isolation of circuit regions in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3834958A. Автор: K Bean,P Gleim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-09-10.

Circuit structure and method for improving harmonic suppression capability of radio frequency power amplifier

Номер патента: US11139783B2. Автор: Bin Hu,Hua Long,Kai Xuan,Jiahui Zhou,Jiashuai GUO. Владелец: Lansus Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-05.

High-voltage direct-current magnetic latching relay with sensitive response

Номер патента: US20240006139A1. Автор: Shuming ZHONG,Wenguang DAI,Songsheng CHEN,Youquan HUANG. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: US20220416024A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK, JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Anti-overexposure circuit structure and electronic device using the same

Номер патента: US20200267337A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shou-Te Wei. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Circuit structure and related method for radiation resistant memory cell

Номер патента: US11862240B2. Автор: Mahbub Rashed,Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20170345791A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

3-dimensional integrated circuit structures and circuits

Номер патента: WO2023200691A1. Автор: Simon Edward Willard,Eric S. Shapiro,Jeffrey A. Dykstra,Kazuhiko Shibata,Sinan Goktepeli,Jean-Luc Erb,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-10-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Circuit structure and process thereof

Номер патента: US20080179744A1. Автор: Cheng-Po Yu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: US11894262B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having recessed channel transistor

Номер патента: US20240006412A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Fin shaping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11901457B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Anupama Bowonder,Rahul Pandey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US11894368B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuit structures having airgaps for backside signal routing or power delivery

Номер патента: US20240006305A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical keeper or power gate for backside power delivery

Номер патента: US20240006317A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having raised epitaxy on channel transistor

Номер патента: US20240006483A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit conductive line arrangement for circuit structures, and method

Номер патента: US11862562B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200105672A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240006322A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US11869891B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: US20230420512A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Display panel including piezoelectric device and method for compensating for properties of piezoelectric device

Номер патента: US20160209922A1. Автор: Jong Seo Lee,Beom Shik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures in a tub architecture

Номер патента: US20230317807A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: US20230290851A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US20240096896A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit structures having vertical power gate transistor for backside power delivery

Номер патента: EP4300561A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US11824107B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: EP3678191A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Semiconductor circuit structure and method of making the same

Номер патента: US20110291234A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US10037969B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20150069570A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Conductive via structures for gate contact or trench contact

Номер патента: EP4099372A1. Автор: Tahir Ghani,Charles Wallace,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor module circuit structure

Номер патента: US11923266B2. Автор: Seiichi Takahashi,Makoto Isozaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method and structure for die bonding using energy beam

Номер патента: US20230395562A1. Автор: SHIH-AN Liao,Min-Hsun Hsieh,Tzu-Hsiang Wang,Chi-Chih Pu,Hsin-Mao Liu,Ying-Yang SU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP3629369A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-01.

Method of making a quasi-monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3850710A. Автор: C Wen. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-11-26.

Wrap-around contact structures for semiconductor fins

Номер патента: US20220093460A1. Автор: Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Mushroomed via structures for trench contact or gate contact

Номер патента: US20240105599A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Desalegne B. Teweldebrhan,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Chip-to-chip trench circuit structure

Номер патента: WO2006012012B1. Автор: Edward B Stoneham,Thomas M Gaudette. Владелец: Thomas M Gaudette. Дата публикации: 2006-06-22.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having conductive contact stressor between epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP4020590A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240113019A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125337A1. Автор: Chia-Chan Chang,Yung-Tsai Chen,Gwo-Chaur Chen. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Voltage level shifter with dynamic circuit structure having discharge delay tracking

Номер патента: US20110193592A1. Автор: Jentsung Lin,Paul Douglas Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20230275157A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US20240120335A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: EP3647262A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK JR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: EP4328966A1. Автор: Tanay Karnik,Mondira Pant,Ragh Kuttappa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Novel photodiode structure, preparation method, and circuit structure

Номер патента: US20240030368A1. Автор: Li Tian,HUI Wang,Ning Wang,Yongxin Zhu,Zunkai HUANG,Quanze LI. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2024-01-25.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Fin trim plug structures for imparting channel stress

Номер патента: US20200220016A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Nick Lindert,Biswajeet Guha,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Method and structure for die bonding using energy beam

Номер патента: US20200243478A1. Автор: SHIH-AN Liao,Min-Hsun Hsieh,Tzu-Hsiang Wang,Chi-Chih Pu,Hsin-Mao Liu,Ying-Yang SU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Bump structure for micro-bumped wafer probe

Номер патента: US20230384367A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao,Dongming He,Amer Christophe Gaetan CASSIER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuit structure and related method for radiation resistant memory cell

Номер патента: US20240046983A1. Автор: Mahbub Rashed,Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Circuit structure and related method for radiation resistant memory cell

Номер патента: US20230326520A1. Автор: Mahbub Rashed,Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

3-dimensional integrated circuit structures and circuits

Номер патента: WO2023200691A9. Автор: Simon Edward Willard,Eric S. Shapiro,Jeffrey A. Dykstra,Kazuhiko Shibata,Sinan Goktepeli,Jean-Luc Erb,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A2. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Design structure for an inductor-capacitor voltage-controlled oscillator

Номер патента: US20150002237A1. Автор: Herschel A. Ainspan,Ram Kelkar,Ramana M. MALLADI,Anjali R. Malladi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20240047566A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Circuit structure, battery, and electronic device

Номер патента: US20230187714A1. Автор: Guozhen Sun. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: EP4300565A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Circuit structure

Номер патента: US20210020629A1. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Circuit structure

Номер патента: US10910368B1. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20200219997A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A3. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: US20240071870A1. Автор: Tanay Karnik,Ragh Kuttappa,Mondira Deb PANT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact over active gate structures with conductive trench contact taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4163968A1. Автор: Florian Gstrein,Gurpreet Singh,Elijah V. KARPOV,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,Leonard P. GULER,Reken Patel,Urusa ALAAN,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Circuit Structure with Resistors or Capacitors

Номер патента: US20130049846A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Jeng Hsing Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuit structures having backside power delivery and signal routing for front side dram

Номер патента: US20240215222A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: US20240215256A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structure

Номер патента: US12021021B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Circuit structure

Номер патента: US11943902B2. Автор: Hitoshi Takeda,Yusuke Isaji. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Integrated circuit structures having backside high

Номер патента: US20240213140A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Pratik KOIRALA,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345870A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US12021149B2. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Snn circuit structure based on thin film transistor

Номер патента: US20240143983A1. Автор: Yeonsu Kang,Sungsik Lee,Jeongkyun Roh,Danyoung CHA,Moonsuk YI. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit structures having bit-cost scaling with relaxed transistor area

Номер патента: US20240224508A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having layer select transistors for shared peripherals in memory

Номер патента: US20240224536A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

An arrangement for compensating for temperature dependent variations in surface resistance of a resistor on a chip

Номер патента: EP1290702B1. Автор: Allan Olson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-02.

Driver for insulated gate transistor with circuit for compensating for time delays

Номер патента: US12047057B2. Автор: Francis Abdesselam. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2024-07-23.

circuit for compensation of leakage current-induced offset in a single-ended op-amp

Номер патента: US20100148875A1. Автор: Marcin Augustyniak,Bernhard Wicht. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2010-06-17.

Test instruments and methods for compensating iq imbalance

Номер патента: US20200007378A1. Автор: Daniel Moore,Julio Vergel,Raja Balu. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2020-01-02.

Asymmetric crosstalk compensation for improved alien crosstalk performance

Номер патента: EP2243201A1. Автор: David Patrick Murray,Bernard Harold Hammond. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2010-10-27.

Asymmetric crosstalk compensation for improved alien crosstalk performance

Номер патента: WO2009102849A1. Автор: David Patrick Murray,Bernard Harold Hammond. Владелец: ADC GmbH. Дата публикации: 2009-08-20.

Focused Ion Beam System and Method of Correcting Deviation of Field of View of Ion Beam

Номер патента: US20230230801A1. Автор: Keiji Tajima,Yuichiro Ohori. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Aerosol-generating device and operation method thereof

Номер патента: EP4422442A1. Автор: Taehun Kim,HyungJin JUNG,Jungho Han,Jueon Park. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Arrangement for compensating errors in a quadrature modulator

Номер патента: US4890301A. Автор: Bo G. Hedberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1989-12-26.

Compensating for frequency offsets on a base station

Номер патента: WO2011103366A1. Автор: Gregory Steele,Richard van Nee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-08-25.

Electrically tunable continuous-time circuit and method for compensating a polynomial voltage-dependent characteristic of capacitance

Номер патента: US20110273222A1. Автор: Alfio Zanchi. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Circuit structure and related method to compensate for sense amplifier leakage

Номер патента: US20240038283A1. Автор: Wei Zhao,Xiaohua Cheng,Xiaoli Hu,Xiaoxiao LI,Yuqing Sun,Xueqiang Dai. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

System and method for compensation of turbo lag in hybrid vehicles

Номер патента: US09714021B2. Автор: Stephen T. West. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

System and method for compensation of turbo lag in hybrid vehicles

Номер патента: CA2898305C. Автор: Stephen T. West. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Disk memory apparatus compensating for temperature in a circuit for monitoring the back electromotive force of a voice coil motor, and method for controlling of a disk memory apparatus

Номер патента: US20010026414A1. Автор: Satoshi Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Disk memory apparatus compensating for temperature in a circuit for monitoring the back electromotive force of a voice coil motor, and method for controlling of a disk memory

Номер патента: SG94774A1. Автор: Shibata Satoshi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2003-03-18.

Method of controlling the control surfaces of an aircraft to compensate for low speed a lateral deviation of trajectory.

Номер патента: FR2694738B1. Автор: Cecile Vollard,Vincent Rivron. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1994-11-10.

Intergrated apparatus for compensation of reactive power and melting ice cover (version)

Номер патента: RU2505903C1. Автор: Юрий Павлович Сташинов,Владислав Викторович Конопелько. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭнергоПроект" (ЗАО "ЭнергоПроект"). Дата публикации: 2014-01-27.

Circuit structures to resolve random testability

Номер патента: US20190056450A1. Автор: Spencer K. Millican,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Circuit structures to resolve random testability

Номер патента: US20190056449A1. Автор: Spencer K. Millican,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

High-power cordless, hand-held power tool including a brushless direct current motor

Номер патента: US20230347490A1. Автор: Matthew J. Mergener,Brandon L. Verbrugge,Jeffrey C. Hessenberger,Matthew P. Wycklendt,Dennis J. Grzybowski. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

High-power cordless, hand-held power tool including a brushless direct current motor

Номер патента: US20240075605A1. Автор: Matthew J. Mergener,Brandon L. Verbrugge,Jeffrey C. Hessenberger,Matthew P. Wycklendt,Dennis J. Grzybowski. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

High-power cordless, hand-held power tool including a brushless direct current motor

Номер патента: US12011812B2. Автор: Matthew J. Mergener,Brandon L. Verbrugge,Jeffrey C. Hessenberger,Matthew P. Wycklendt,Dennis J. Grzybowski. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US9953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Direct-current solid-fuel grill

Номер патента: EP3749156A1. Автор: Michael COLSTON,Daniel Altenritter,Daniel SLUDER. Владелец: Traeger Pellet Grills Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Direct-current solid-fuel grill

Номер патента: WO2019157372A9. Автор: Michael COLSTON,Daniel Altenritter,Daniel SLUDER. Владелец: Traeger Pellet Grills Llc. Дата публикации: 2019-10-24.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US09953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for determining parameters of a direct current motor

Номер патента: RU2705939C1. Автор: Александр Савельевич Глазырин,Евгений Владимирович Боловин,Дмитрий Ильич Антяскин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-11-12.

Direct current magnetoresistive jog offset compensation

Номер патента: US20180033457A1. Автор: Qiang Bi,XIONG Liu,Xiang Lu,MingZhong Ding,Kian Keong Ooi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

Direct current magnetoresistive jog offset compensation

Номер патента: US20170352371A1. Автор: Qiang Bi,XIONG Liu,Xiang Lu,MingZhong Ding,Kian Keong Ooi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Direct current motor control device of water heater

Номер патента: US20040021436A1. Автор: Kung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Direct current magnetoresistive jog offset compensation

Номер патента: US09837111B1. Автор: Qiang Bi,XIONG Liu,Xiang Lu,MingZhong Ding,Kian Keong Ooi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Direct current magnetoresistive jog offset compensation

Номер патента: US09520149B1. Автор: Qiang Bi,XIONG Liu,Xiang Lu,MingZhong Ding,Kian Keong Ooi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Speed control for rotatable element driven by direct current motors

Номер патента: CA1088148A. Автор: Gerald N. Mcauliffe. Владелец: Outboard Marine Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Method for compensation of cross links of a pendulous accelerometer

Номер патента: RU2735260C1. Автор: Сергей Александрович Зайцев,Владимир Станиславович Гаврилов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦАП"). Дата публикации: 2020-10-29.

Rail vehicle braking system with compensation for friction conditions

Номер патента: RU2526869C2. Автор: Марко НОК. Владелец: КНОРР-БРЕМЗЕ ЗЮСТЕМЕ ФЮР ШИНЕНФАРЦОЙГЕ ГМБХ. Дата публикации: 2014-08-27.

Device for compensating for deviations of voltage and reactive power of transformer substation

Номер патента: RU2316875C1. Автор: Станислав Васильевич Власьевский,Владимир Степанович Климаш,Андрей Михайлович Константинов. Владелец: Андрей Михайлович Константинов. Дата публикации: 2008-02-10.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Neural Network

Номер патента: US20210174173A1. Автор: HE Qian,Xinyi Li,Bin Gao,Huaqiang Wu,Sen Song,Qingtian Zhang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-10.

Circuit structure of gas valve

Номер патента: US09671770B2. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Ying Huang,Hsin-Ming Huang,Hsing-Hsiung Huang,Yen-Jen Yeh,Kuan-Chou Lin. Владелец: Grand Mate Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Goa circuit structure sharing goa pull-down circuits to reduce TFT stress of the goa pull-down circuits

Номер патента: US09343032B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Scalable power processing units for hall-effect thruster propulsion systems and terrestrial systems

Номер патента: US11815074B1. Автор: Gabriel F. Benavides,Luis R. Pinero,Corey R. Rhodes,Arthur Birchenough. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2023-11-14.

Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask

Номер патента: WO2002001294A1. Автор: David H. Ziger. Владелец: Philips Electronics North America Corporation. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for compensating drift in a position measuring device

Номер патента: EP2104834A1. Автор: Sven-Ake Eriksson. Владелец: C2SAT COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2009-09-30.

Method for compensating drift in a position measuring device

Номер патента: WO2008085100A1. Автор: Sven-Ake Eriksson. Владелец: C2SAT COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for compensating drift in a position measuring device

Номер патента: US8321168B2. Автор: Sven-Ake Eriksson. Владелец: C2SAT COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2012-11-27.

Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask

Номер патента: EP1204902A1. Автор: David H. Ziger. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-15.

Circuit structure for suppressing electromagnetic interference of DDR SDRAM signals

Номер патента: US09691439B2. Автор: Ting-Kuang Wang,Yuan-De JIAN. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic compensation circuit and method for compensating the output of a magnetic sensor, responding to changes in a first magnetic field

Номер патента: US09389281B2. Автор: Benjamin David POLZER,Gordon Fox West,Peter Whyte Walker. Владелец: Vale SA. Дата публикации: 2016-07-12.

Device for determining parameters of a direct current motor

Номер патента: RU2718708C1. Автор: Александр Савельевич Глазырин,Евгений Владимирович Боловин,Дмитрий Ильич Антяскин,Сергей Николаевич Кладиев,Дмитрий Сергеевич (НП)Буньков,Иван Витальевич Раков,Иван Георгиевич Слепнёв. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-04-14.

Method for determining parameters of surface cracks, depths and angles of inclination, in metals and alloys

Номер патента: RU2754438C1. Автор: Анна Владимировна Корнилова,Заяр Чжо,Паинг Тет. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН). Дата публикации: 2021-09-02.

Method for surgical treatment of expressed valgus deviation of first toe

Номер патента: RU2716619C1. Автор: Михаил Борисович Васильев,Марат Мансурович Габдуллин,Раиль Гадилевич Гатиатулин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Марийский государственный университет". Дата публикации: 2020-03-13.

Improvements in or relating to Apparatus for Controlling Direct Current Electric Motors.

Номер патента: GB191209876A. Автор: . Владелец: Siemens Brothers Dynamo Works Ltd. Дата публикации: 1912-10-10.

Positive and negative full-range back-bias generator circuit structure

Номер патента: US20200117226A1. Автор: Juhan Kim,Mahbub Rashed,Arif A. Siddiqi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Circuit structure

Номер патента: US20200194062A1. Автор: WEN Liu,Hongjin He. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Circuit structure of liquid crystal panel and driving method of liquid crystal panel

Номер патента: US20150348475A1. Автор: JIANG Zhu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Readout circuit structure

Номер патента: US12119047B2. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Chanxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit structure, electronic device, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240361353A1. Автор: Kuang-Ming FAN,Ju-Li WANG. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and control unit for compensating for a voltage offset of a two-point lambda sensor

Номер патента: US09696289B2. Автор: Michael Fey. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and device for prompt for hall selection

Номер патента: RU2597077C1. Автор: Шанминсюэ КАН,Чжилинь НОН,Чжэньюй ША. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2016-09-10.

Operating method of internal combustion engine, in particular, diesel engine

Номер патента: RU2731133C2. Автор: Йоахим ВАЙСС,Томас МАЛИСХЕВСКИЙ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2020-08-31.

Laundry treating device and method of controlling operation of centrifugal drying and heat drying operation of such device

Номер патента: RU2566487C1. Автор: Цзюнь ЛЮ,Тао ЛЮ,Шоуфань ЧЭНЬ,Дисинь Ши. Владелец: Бсх Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2015-10-27.

Direct current motor driven vehicle with hydraulically controlled variable speed transmission

Номер патента: CA1080631A. Автор: George G. Lassanske. Владелец: Outboard Marine Corp. Дата публикации: 1980-07-01.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240126017A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Data reproduction device with simplified circuit structure

Номер патента: US20020000926A1. Автор: Kenichi Hamada,Akira Nanba,Masakazu Taguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method and apparatus for automatic layout of circuit structures

Номер патента: WO2003088101A3. Автор: Xiling Shen,Sunderarjan Mohan. Владелец: Barcelona Design Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Method and apparatus for automatic layout of circuit structures

Номер патента: WO2003088101A2. Автор: Xiling Shen,Sunderarjan Mohan. Владелец: Barcelona Design, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Resonant circuit structure and rf tag having same

Номер патента: US20120118977A1. Автор: Bo Gao. Владелец: Neoid Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240241424A1. Автор: Chang-Hung Tien,Ming-Hsing Chung,Ting-Jhang LIAO,Bo-Hong Ma. Владелец: Cloud Light Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Display device and method for compensation of image data of the same

Номер патента: US09875685B2. Автор: Choong-Sun Shin,Won-Tae Choi,Oh-Jo Kwon,Jeong-Kyoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Alternating space decomposition in circuit structure fabrication

Номер патента: US09606432B2. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Guoxiang Ning,Chin Teong Lim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Nozzle structure for electric toothbrush, electric toothbrush and handle for it, method of fixing nozzle structure to handle of electric toothbrush

Номер патента: RU2718317C2. Автор: Стивен Чарльз ДИН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-04-01.

Method of controlling operation of high-pressure fuel pump (versions) and fuel system

Номер патента: RU2676905C2. Автор: Росс Дикстра ПЁРСИФУЛЛ,Гопичандра СУРНИЛЛА,Хао Чжан. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-01-11.

Direct current powered hose rewinding apparatus

Номер патента: CA2515171C. Автор: Adam Thomas,Torrence Anderson,Lyle A. Rosine,Michael Uffner,Brian Moon. Владелец: Suncast Technologies LLC. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for compensating for gas exchange losses between combustion chambers of an otto engine

Номер патента: US20110041787A1. Автор: Wolfgang Fischer,Roland Karrelmeyer,Gerald Graf,Axel Loeffler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-02-24.

Magnetic encoder self-calibration method, motor, and angle detection value calibration method

Номер патента: EP4403883A1. Автор: Chao Wang,Wenjiang Tang,Zhenhuang QIAN,Rongchang ZHENG. Владелец: Quanzhou Ktsense Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Dc fast-charging bidirectional converter utilizing delta motor and inverter

Номер патента: WO2024205922A1. Автор: Patrick Lamplmayr,Hassan SHABBIR,Aminesh GAJJAR. Владелец: MAGNA POWERTRAIN OF AMERICA, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for compensating the play in the gearing between a steering wheel and a steering valve

Номер патента: US09744991B2. Автор: Sven Kirschbaum,Olaf Schulte. Владелец: Tedrive Steering Systems GMBH. Дата публикации: 2017-08-29.

Interactive computerised editor for compensators used in planning radiotherapy

Номер патента: RU2571374C2. Автор: Ин СЮН,Михель КАУС,Михель А. МЕЛЬТСНЕР. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2015-12-20.

Method for compensation of dispersion of a single-mode fiber-optic communication line

Номер патента: RU2762850C1. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Евгения Юрьевна Еремчук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики". Дата публикации: 2021-12-23.

Magnetic compensation circuit and method for compensating the output of a magnetic sensor, responding to changes a first magnetic field

Номер патента: CA2907070C. Автор: Benjamin David POLZER,Gordon Fox West,Peter Whyte Walker. Владелец: Vale SA. Дата публикации: 2020-11-17.

Operating method for water-flooded gas or gas condensate well

Номер патента: RU2708430C1. Автор: Рамидин Акбербубаевич Саркаров,Вячеслав Васильевич Селезнев,Сергей Александрович Мельников,Алина Рамидиновна Раджабова. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2019-12-06.

Magnetic compensation circuit and method for compensating output of magnetic sensor, responding to changes of first magnetic field

Номер патента: RU2663682C2. Автор: Гордон Фокс ВЕСТ,Питер Уайт УОЛКЕР,Бенджамин Дэвид Пользер. Владелец: Вале С.А.. Дата публикации: 2018-08-08.

Device for compensation of reactive power of electric stock

Номер патента: RU2670093C1. Автор: Юрий Михайлович Кулинич,Сергей Анатольевич Шухарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный университет путей сообщения" (ДВГУПС). Дата публикации: 2018-10-18.

Cathode current collector/connector for hall-héroult electrolyzer

Номер патента: RU2723867C1. Автор: Маркус ПФЕФФЕР,Рене ФОН КАНЕЛ. Владелец: Новалюм Са. Дата публикации: 2020-06-17.

Operating method of engine with supercharging (embodiments) and engine system

Номер патента: RU2711310C2. Автор: Росс Дикстра ПЁРСИФУЛЛ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2020-01-16.

Magnetic pole structure for hall thruster

Номер патента: US11905937B2. Автор: Zhiyuan Zhang,Zhen Zhao,Yanan Wang,Jiabing CHENG,Xiaolu KANG,Leichao TIAN,Qingqing JIA,Caixia QIAO,Guanrong HANG. Владелец: Shanghai Institute of Space Propulsion. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit structure formation method

Номер патента: US20220244647A1. Автор: Sungjin Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Circuit structure capable of adjusting gradient of output to temperature variation

Номер патента: US20050212598A1. Автор: LIN Chu,Ho-Wen Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Control system and method for compensating for image shake of image capture device

Номер патента: US7970265B2. Автор: Yi-Chang Lin. Владелец: Asia Optical Co Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Control system and method for compensating for image shake of image capture device

Номер патента: US20100067888A1. Автор: Yi-Chang Lin. Владелец: Asia Optical Co Inc. Дата публикации: 2010-03-18.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Vector processor performing vector and element reduction method with same circuit structure

Номер патента: US20240248713A1. Автор: Chia-Wei Hsu. Владелец: Andes Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for compensating deviations during a deforming operation between two beams of a press

Номер патента: US09808847B2. Автор: Jan Peters,Franciscus Wilhelmus Rouweler,Martijn Johannes Wolbers,Theodorus Jacobus Adrianus De Vries. Владелец: Wila BV. Дата публикации: 2017-11-07.

Compensator system and method for compensating angular dispersion

Номер патента: US09535309B2. Автор: Balazs Rozsa,Gergely Katona,Mate Veress,Pal Maak,Gergely Szalay. Владелец: FEMTONICS KFT. Дата публикации: 2017-01-03.

Device for compensating vibrations of tall structures

Номер патента: RU2693064C1. Автор: Ольга Александровна Бурцева,Светлана Александровна Чипко,Нана Роиновна Абуладзе. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2019-07-01.

Device for compensation of temperature extensions of railroad contact suspension wires

Номер патента: RU2669186C1. Автор: Михаил Александрович Артемов,Евгений Владимирович Кудряшов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2018-10-09.

Method for compensation of angular velocity sensor zero signal drift systematic component

Номер патента: RU2695439C1. Автор: Александр Юрьевич Каплин,Михаил Георгиевич Степанов,Алексей Григорьевич Ярмолич,Андрей Анатольевич Коротин. Владелец: Открытое акционерное общество "Радиоавионика". Дата публикации: 2019-07-23.

Joint for compensation of release of pneumatic brake for rail vehicles

Номер патента: RU2661250C2. Автор: Майкл КОЗИОЛ,Питер Пол ГРЕГЭР,Ричард Уэйн ПЛЕГГЕ. Владелец: Уобтек Холдинг Корп.. Дата публикации: 2018-07-13.

Method for compensation of atmospheric distortions introduced by a turbulent atmosphere into an optical signal obtained from an observed cosmic body

Номер патента: RU2737230C1. Автор: Валерий Владимирович Степанов,Сергей Григорьевич Гаранин,Станислав Михайлович Куликов,Сергей Анатольевич Буйко,Федор Алексеевич Стариков,Артём Владимирович Весновский,Артём Анатольевич Ластовкин,Александр Валентинович Копалкин,Михаил Олегович Колтыгин,Михаил Александрович Глухов,Руслан Сергеевич Кузин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-11-26.

Small diameter brushless direct current linear motor and method of using same

Номер патента: US5179306A. Автор: Syed A. Nasar. Владелец: Escue Res and Dev Co. Дата публикации: 1993-01-12.

Magnetic pole structure for hall thruster

Номер патента: US20230358216A1. Автор: Zhiyuan Zhang,Zhen Zhao,Yanan Wang,Jiabing CHENG,Xiaolu KANG,Leichao TIAN,Qingqing JIA,Caixia QIAO,Guanrong HANG. Владелец: Shanghai Institute of Space Propulsion. Дата публикации: 2023-11-09.

Circuit encoding method and circuit structure recognition method

Номер патента: US20180307782A1. Автор: Yu-Lan Lo,Ching-Ho Lin,Shu-Yi Kao,Yun-Jing Lin,Meng-Jung Lee,Chien-Nan Liu,Yu-Kang Lou. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3905247A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: US20210249056A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US20230282271A1. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory circuit structure and method of operating memory circuit structure

Номер патента: US20230368838A1. Автор: Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong,Zhaoan Yu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Pressure sensor with a compensation unit and method for compensation

Номер патента: US12025517B2. Автор: Günter KECH. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and device for compensating display voltage

Номер патента: US11217174B2. Автор: Yu Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-04.

Vehicle operating method and system

Номер патента: CA3211214A1. Автор: Ajith Kuttannair Kumar,Timothy Warren Brown,Jeffrey John Wolff,Jennifer Sobierajski,James Ghofulpo. Владелец: Transportation IP Holdings LLC. Дата публикации: 2024-03-30.

Ballistic effect compensating reticle, aim compensation method and adaptive method for compensating for variations in ammunition or variations in atmospheric conditions

Номер патента: US20180164074A1. Автор: G. David Tubb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-14.

Compensation device, display device and method for compensating common electrode voltage

Номер патента: US20200066221A9. Автор: LONG Yan,Jianjun Wang,Ke Dai,Chunyang Nie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for cooperative steering angle control, control device and electromechanically assisted steering system

Номер патента: US20220371657A1. Автор: Robert Gonschorek. Владелец: ZF Automotive Germany GmbH. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for compensating electromagnetic inductive pressure level

Номер патента: US20150029132A1. Автор: Chia-Jui Yeh,Yu-Kuan Chang. Владелец: Waltop International Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Method and Device for Compensating Display Voltage

Номер патента: US20210241691A1. Автор: Yu Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Electronic control unit for compensating for torque steer

Номер патента: US20170247050A1. Автор: Sang Jin Ko,Seung Gyu Hong. Владелец: Mando Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Computer-implemented method for compensating a sensor

Номер патента: WO2023088728A1. Автор: Alexander Vogel,Jawad Tayyub,Muhammad Sarmad. Владелец: Endress+Hauser SE+Co. KG. Дата публикации: 2023-05-25.

Compensating for display defect of flat panel display

Номер патента: US20100141559A1. Автор: Jeongtae HWANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Apparatus and method for compensating for stick-slip of motor driven power steering system

Номер патента: US20200298907A1. Автор: Kyoung Soo Lim. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Bitline pull-up circuit for compensating leakage current

Номер патента: US20020075729A1. Автор: Jung Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Signal compensation for high-speed optical storage device

Номер патента: US20010017827A1. Автор: Meng-Huang Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Computer-implemented method for compensating a sensor

Номер патента: EP4433789A1. Автор: Alexander Vogel,Jawad Tayyub,Muhammad Sarmad. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and apparatus for compensating for brightness of display panel, display device, and storage medium

Номер патента: US20240312385A1. Автор: Zewen Li,Wenxiao NIU,Lianbin LIU,Can XIAO,Hengzhen Liang,Yingjun DENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Voltage drop compensation system of display panel, and display driving device for compensating for voltage drop of display panel

Номер патента: US12087202B2. Автор: Ji Won Lee,Min Ji Lee,Young Kyun Kim,Jun Young Park,Gang Won Lee,Ju Hyoung LIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of compensating for data of a display panel and display devices

Номер патента: US20240346976A1. Автор: Jhenwei He. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Inspection system for inspecting display device, display device for compensating for defective pixel and defective pixel compensation method

Номер патента: US20240362766A1. Автор: Seungho Park,Mingyu Kim,Seyun KIM,Hyungwoo YIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and apparatus for compensating for brightness of display panel, and device

Номер патента: EP4459608A1. Автор: YANG LU,Yang Liu,Jun Liu,Mei Yang,Xiaopeng Chen,Yuhan YAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Compensation for depth finders

Номер патента: US09939519B2. Автор: Brett L. Bornsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Device and method for compensating voltage of primary color subpixel, and display device

Номер патента: US09911393B2. Автор: Hongjiang Wu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Motor control device for compensating backlash

Номер патента: US09785125B2. Автор: Tsutomu Nakamura,Satoshi Ikai. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus for controlling direct current terminal voltage of construction machinery equipped with motor, and method for same

Номер патента: US09725056B2. Автор: Eun Soo JUNG. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for compensating impedances of data lines of liquid crystal display

Номер патента: US09620069B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Organic light emitting display capable of compensating for luminance variations caused by changes in driving element over time and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583043B2. Автор: Seiichi Mizukoshi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

System and method for compensating for malfunctioning inkjets

Номер патента: US09561644B1. Автор: Stuart A. Schweid,Martin L. Frachioni,Raymond J. Clark,Roger L. Triplett. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Driving tool with controller having microswitch for controlling operation of motor

Номер патента: US09486905B2. Автор: Craig A. Schell,Paul G. Gross,James J. Kenney,Ashok S. Baskar,Charles L. Bradenbaugh. Владелец: Black and Decker Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and system for compensating anti-dizziness predicted in advance

Номер патента: US20240312431A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chien-Ju Lee,Chia-Hsun Tu,Hong-Ming Dai,Ya-Rou HSU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for compensating for failed printing nozzles in inkjet printing systems

Номер патента: US09375964B2. Автор: Ralf Tita,Hans Koehler. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2016-06-28.

Tissue thickness compensator for surgical suturing instrument comprising adjustable support

Номер патента: RU2604397C2. Автор: Честер О. БАКСТЕР III,Фредерик Э.IV ШЕЛТОН. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2016-12-10.

Rotary structure for rapid flow channels

Номер патента: RU2735957C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-11-11.

Method of determining and compensating deviation of magnetometric sensors and device for its implementation

Номер патента: RU2607305C1. Автор: Виктор Федорович Заец,Владимир Сергеевич Кулабухов,Николай Алексеевич Туктарев,Сабина Курбановна Ахмедова. Владелец: Открытое акционерное общество Московский научно-производственный комплекс "Авионика" имени О.В. Успенского (ОАО МНПК "Авионика"). Дата публикации: 2017-01-10.

Turbo jet engine (tje) afterburner system operation method and operating by this method afterburner system (options), tje operation method and tje operating by this method

Номер патента: RU2666835C1. Автор: Евгений Витальевич Балуков,Александр Анатольевич Кондратов,Михаил Куприянович Сладков. Владелец: Публичное акционерное общество "ОДК-Уфимское моторостроительное производственное объединение" (ПАО "ОДК-УМПО"). Дата публикации: 2018-09-12.

Method for compensation of the nonlinear component of the zero-point drift velocity of a static thermostatic gravimeter during gravimetric measurements

Номер патента: RU2765613C1. Автор: Дмитрий Владимирович Абрамов,Николай Васильевич Дробышев,Дарья Алексеевна Малышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики Земли им. О.Ю. Шмидта Российской академии наук. Дата публикации: 2022-02-01.

Machine for dispensing beverage and machine operation method

Номер патента: RU2436489C2. Автор: МАЙЕР Лука ДОЛЬОНИ. Владелец: Рэ Вендорс С.П.А.. Дата публикации: 2011-12-20.

Method for compensation of in-phase interference in micromechanical gyroscope

Номер патента: RU2714955C1. Автор: Яков Анатольевич Некрасов,Светлана Владимировна Павлова,Николай Владимирович Моисеев. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2020-02-21.

Method for compensation of slow meander effect on readings of laser gyroscope

Номер патента: RU2685795C1. Автор: Юрий Юрьевич Колбас,Игорь Владимирович Дронов,Максим Ильич Родионов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха". Дата публикации: 2019-04-23.

Circuit for compensating for line drop between power source and load circuit

Номер патента: US3723854A. Автор: H Kita. Владелец: New Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1973-03-27.

Method and device for measuring deviation of a process channel of a nuclear reactor

Номер патента: RU2714488C1. Автор: Александр Евгеньевич Шерстобитов,Сергей Андреевич Алексанин,Денис Александрович Гурин,Ирина Анатольевна Тулькова. Владелец: Акционерное общество "Диаконт". Дата публикации: 2020-02-18.

Circular saw having a direct current power supply

Номер патента: US20100299943A1. Автор: Masatoshi Fukinuki. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Circuit structure, method for driving the same, and display apparatus

Номер патента: US11830400B2. Автор: FENG Lu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Alternating current coupled open circuit detection for low level direct current analog interfaces

Номер патента: US20180292444A1. Автор: Eric Petersen,Gary L. Hess. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US11972792B2. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method and system for compensating for fuel injection deviations

Номер патента: US20210010439A1. Автор: Min Byeon. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Angle-of-arrival specification device, toll collection system, and angle-of-arrival specification method

Номер патента: GB2573957A8. Автор: MAEDA Takashi,ONO Yoshihito. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Machinery Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-03.

Compensator for fifth-wheel couplings

Номер патента: AU2021223659A1. Автор: Hans Prem,Kinh-Luan Viet Mai. Владелец: Mech System Dynamics Pty Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for recognizing analog circuit structure

Номер патента: US20220215146A1. Автор: Po-Hung Lin,Yu-Tsang Hsieh,Zheng-Yao Liu,Jun-Jie Zhao. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Data reproduction device with simplified circuit structure

Номер патента: US20030090403A1. Автор: Kenichi Hamada,Akira Nanba,Masakazu Taguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Trolling motor and sonar device directional control

Номер патента: EP4393811A1. Автор: Jeremiah D. Clark,Dustyn P. Pendergraft. Владелец: Navico Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Compensation for rotorcraft pitch axis control saturation

Номер патента: IL136870A. Автор: . Владелец: Sikorsky Aircraft Corp. Дата публикации: 2004-06-20.

Horological regulating member with flexible guide provided with means for compensating for pressure

Номер патента: US20240027964A1. Автор: Pascal Winkler,Gianni Di Domenico,Jean-Luc Helfer,Baptiste Hinaux,Mohammad Hussein KAHROBAIYAN. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for compensating for doppler expansions

Номер патента: US11747460B2. Автор: Wolfgang C. Wittekind,Stefan Beer,Peter Feil. Владелец: Hensoldt Sensors GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

Device for compensating for tolerances

Номер патента: US12049918B2. Автор: Vladimir Radanovic,Jose Luis Gonzalez Losa. Владелец: WITTE Automotive GmbH. Дата публикации: 2024-07-30.

Trolling motor and sonar device directional control

Номер патента: AU2023282315A1. Автор: Jeremiah D. Clark,Dustyn P. Pendergraft. Владелец: Navico Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus for compensating for deterioration in amoled

Номер патента: US20110169817A1. Автор: Kyung Ho Lee,Kyoung Soo Kwon,Youn Joong Lee,Byoung Won Hwang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Electronic control unit and method for compensating for torque steer

Номер патента: US20170113717A1. Автор: Sang Jin Ko. Владелец: Mando Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Apparatus and method of compensating for disturbance in optical recording/reproducing apparatus and optical recording medium drive servo system using the apparatus and method

Номер патента: MY128149A. Автор: Seong-il Cho,Soo-Yul Jung,Joong-Eon Seo,Jin-Hoon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-31.

Medical system and medical system operation method

Номер патента: US11471230B2. Автор: Kohei NAKASHIMA. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Method and system for compensating image having fixed pattern noise

Номер патента: US20220051369A1. Автор: Wen-Tsung Huang,Yan-Fong Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Computer implemented compensation for medical services

Номер патента: US20120290321A1. Автор: Sebastian Schmidt,Karsten Hiltawsky,Sabine Schäffer-Kundler,Christoph Hachmöller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Device for compensating for tolerances between two components to be connected to one another

Номер патента: US20240280126A1. Автор: Harry Purwin,Karin Sycha,Jan Christian Bente,Vladimir Radanovic. Владелец: WITTE Automotive GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Hybrid electric vehicle and method for compensating motor torque thereof

Номер патента: US20210387610A1. Автор: Young Chul Kim,Jung Hyun Lee,Kyoung Joo Kim,Sang Hyun Jeong,Hae Seung Lee,Weon Jae Lee,Yoo Sung KOO. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Permanent magnetic bipolar direct current (DC) brushless motor and motor unit formed by same

Номер патента: CN201985731U. Автор: 张铁智. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-21.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Voltage Level, Multi-Dynamic Circuit Structure Device

Номер патента: US20120002500A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

TECHNIQUES FOR COMPENSATING MOVEMENT OF A TREATMENT TARGET IN A PATIENT

Номер патента: US20120004518A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in or relating to Single Phase Alternate Current Motors and Generators.

Номер патента: GB190602367A. Автор: Valere Alfred Fynn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-01-30.

Improvements in Alternating Electric Current Motors.

Номер патента: GB190307139A. Автор: Edgar Alfred Carolan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-03-26.

Method for controlling direct-current motor

Номер патента: RU2264689C2. Автор: Ю.М. Казанцев,А.Ф. Лекарев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр "Полюс". Дата публикации: 2005-11-20.

Direct current motor control device

Номер патента: RU2375810C1. Автор: Юрий Юрьевич Гаменюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Специальное конструкторское бюро приборостроения и автоматики". Дата публикации: 2009-12-10.

Method for producing structures for integrated circuits with insulated components

Номер патента: RU2197033C1. Автор: . Владелец: Зайцев Константин Анатольевич. Дата публикации: 2003-01-20.

Improvements in the Construction and Application of Direct Current Electric Motors.

Номер патента: GB190623256A. Автор: . Владелец: Felten & Guilleaume Lahmeyerwe. Дата публикации: 1907-10-17.

Improvement in Method of and Means for Varying the Speed of Direct Current Motors.

Номер патента: GB189906690A. Автор: Benjamin Garver Lamme. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-03-17.

Method for compensating for temperature error of sensor with vibrating element

Номер патента: RU2322652C1. Автор: Владимир Андреевич Тихоненков,Михаил Юрьевич Сорокин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-04-20.

Improvements in Alternating Electric Current Motors.

Номер патента: GB190122033A. Автор: Henry Metcalf Hobart. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-10-16.

Improvements in Alternate Current Motors and Generators.

Номер патента: GB190527260A. Автор: Valere Alfred Fynn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-01-30.

Optoelectronic meter of permanent magnetic fields and direct currents

Номер патента: RU2035048C1. Автор: Сергей Викторович Лебедев,Владимир Алексеевич Варнавский,Николай Александрович Толокнов. Владелец: Николай Александрович Толокнов. Дата публикации: 1995-05-10.

Procedure for determination of module and angle of runout of revolving rotor of gas centrifuge

Номер патента: RU2450251C2. Автор: Евгений Сергеевич Зайцев,Анатолий Иванович Домненко. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Производственное объединение "Электрохимический завод" (ОАО "ПО ЭХЗ"). Дата публикации: 2012-05-10.

Magnetic optical meter of permanent magnetic fields and direct currents

Номер патента: RU2035049C1. Автор: Сергей Викторович Лебедев,Владимир Алексеевич Варнавский,Николай Александрович Толокнов. Владелец: Николай Александрович Толокнов. Дата публикации: 1995-05-10.

Alternating current motor

Номер патента: RU2313895C1. Автор: Игорь Васильевич Гуляев,Геннадий Михайлович Тутаев,Владимир Валерьевич Никулин,ев Игорь Васильевич Гул,Алексей Николаевич Ломакин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева". Дата публикации: 2007-12-27.

Brushless direct current machine

Номер патента: RU2343620C2. Автор: Владимир Юрьевич Пашутин. Владелец: Владимир Юрьевич Пашутин. Дата публикации: 2009-01-10.

Direct current motor

Номер патента: RU2393616C1. Автор: Владимир Николаевич Шишегов. Владелец: Владимир Николаевич Шишегов. Дата публикации: 2010-06-27.

Monitoring system of automatic excitation regulators as part of brushless excitation systems of generators

Номер патента: RU2563031C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Кабанов,Аркадий Хаимович Есипович,Йозеф Штефка. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-Технический Центр Единой Энергетической Системы". Дата публикации: 2015-09-20.

Alternating-current motor

Номер патента: RU2303325C1. Автор: Александр Дмитриевич Хван,Дмитрий Владимирович Хван,Юрий Яковлевич Хван,Михаил Александрович Дикарев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-07-20.

Unipolar overhung brushless direct-current generator

Номер патента: RU2284629C2. Автор: Алексей Николаевич Филиппов,Николай Григорьевич Ермилов. Владелец: Алексей Николаевич Филиппов. Дата публикации: 2006-09-27.

Improvements in and relating to Alternating Electric Current Motors

Номер патента: GB190408404A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1905-02-23.

Improvements in and connected with Alternate Current Motors.

Номер патента: GB190220571A. Автор: Valere Alfred Fynn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-09-19.

Improvements in Regulators for Alternating Current Motors.

Номер патента: GB190403677A. Автор: Marius Latour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-06-09.

An Improved Method of and Means for Facilitating the Starting of Single or Polyphase Alternating Current Motors and like Apparatus.

Номер патента: GB189802426A. Автор: Max Deri. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-05-07.

Commutatorless direct-current motor

Номер патента: RU2302070C2. Автор: Александр Иванович Шушков. Владелец: Александр Иванович Шушков. Дата публикации: 2007-06-27.

New or Improved Electric Current Motor.

Номер патента: GB190509344A. Автор: Jacob Kruyswijk. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-11-23.

A Potentiometer for Measurements on Alternate Current and Direct Current Circuits.

Номер патента: GB190827140A. Автор: Charles Vickery Drysdale. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-03-18.

Multimotor drive for wheel landing gear and operation method thereof

Номер патента: RU2583535C1. Автор: Валентин Евгеньевич Урсу,Владимир Валентинович Урсу. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-инженерная компания "Объектные системы автоматики" (ООО "НИК "ОСА"). Дата публикации: 2016-05-10.

Method to control operation of motor and tractor diesel engine at dynamic mode of autonomous idle run

Номер патента: RU2433297C1. Автор: Александр Петрович Уханов,Денис Александрович Уханов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2011-11-10.

Номер патента: RU2318193C1. Автор: Владимир Андреевич Тихоненков,Михаил Юрьевич Сорокин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-02-27.

Method for compensation of systematic components of drift of gyroscopic sensors

Номер патента: RU2598155C1. Автор: Виктор Иванович Галкин,Дмитрий Николаевич Воробьев,Наталья Николаевна Крайнева. Владелец: Публичное акционерное общество "Московский институт электромеханики и автоматики" (ПАО "МИЭА"). Дата публикации: 2016-09-20.

Mould tool for compensation hoses

Номер патента: RU2418678C1. Автор: Евгений Сергеевич Аникин,Борис Филиппович Погорелый,Александр Васильевич Онуфриенко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Прогресс" (ФГУП "НПП "Прогресс"). Дата публикации: 2011-05-20.

Номер патента: RU2487467C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-07-10.

Номер патента: RU2597628C1. Автор: Фёдор Иванович Крылосов,Виталий Анатолиевич Белков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и конструкторский институт центробежных и роторных компрессоров им. В.Б. Шнеппа". Дата публикации: 2016-09-10.

Method of estimation of strain and angles of orientation of ship with strain taken into account

Номер патента: RU2261417C1. Автор: И.И. Адамов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2005-09-27.

Device for compensating process and operating parameter variations in cmos integrated circuits

Номер патента: CA2291540C. Автор: Marco Burzio,Emanuele Balistreri. Владелец: Telecom Italia Lab SpA. Дата публикации: 2004-06-08.

Circuit structure for compensating for hall deviation of brushless direct current motor, and angle controller operation method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты