Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device

Method for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device

Номер патента: KR100430114B1
Опубликовано: 03-05-2004
Автор(ы): 마에다가즈오
Принадлежит: 가부시끼가이샤 한도따이 프로세스 켄큐쇼, 캐논 한바이 가부시끼가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming interlayer dielectric film, interlayer dielectric film, semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20090127669A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Hironori Yamamoto,Fuminori Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method for forming interlayer dielectric film for semiconductor device by using polyhedral molecular silsesquioxane

Номер патента: US7470634B2. Автор: Hyeon Jin Shin,Hyun Dam Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-30.

Method for selectively forming symmetrical or asymmetrical features using a symmetrical photomask during fabrication of a semiconductor device and electronic systems including the semiconductor device

Номер патента: EP2160754A4. Автор: Hongbin Zhu,Jeremy Madsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

Growth inhibitor for forming thin film, method of forming thin film using growth inhibitor, and semiconductor substrate fabricated by method

Номер патента: US20230257881A1. Автор: Jin Hee Kim,Seung Hyun Lee,Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seok Jong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Growth inhibitor for forming thin film, method of forming thin film using growth inhibitor, and semiconductor substrate fabricated by method

Номер патента: US20230313372A1. Автор: Jin Hee Kim,Seung Hyun Lee,Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seok Jong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for manufacturing MOS semiconductor devices

Номер патента: US4916084A. Автор: Hideki Shibata,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6723655B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Method for making highly integrated semiconductor connecting device using a conductive plug

Номер патента: US5366930A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-11-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6090699A. Автор: Gaku Minamihaba,Hitoshi Tamura,Tadashi Iijima,Kyoichi Suguro,Hiromi Niiyama,Tomonori Aoyama,Hisataka Hayashi,Hisako Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020079525A1. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device capable of preventing moisture absorption of fuse area thereof and method for manufacturing the fuse area

Номер патента: US20030134457A1. Автор: Young-woo Park,Won-Seong Lee,Byung-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device having multilayered metal interconnection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6087250A. Автор: Yasuhito Hyakutake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for producing thin oxidized carbon film, element having thin oxidized carbon film, and method for producing same

Номер патента: US20140134409A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for forming a three-component nitride film containing metal and silicon

Номер патента: EP1044288A2. Автор: Kyoung-Soo Yi,Sang-Won Kang,Won-Yong Koh. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-18.

Method for forming film and manufacture of semiconductor device

Номер патента: TW417172B. Автор: Kazuo Maeda,Noboru Tokumasu. Владелец: Canon Sales Co Inc. Дата публикации: 2001-01-01.

METHODS FOR FORMING A METALLIC FILM ON A SUBSTRATE BY A CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190252196A1. Автор: LESKELA Markku,Ritala Mikko,Väyrynen Katja. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Methods for forming a metallic film on a substrate by a cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10468262B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-05.

Methods for depositing a molybdenum metal film on a dielectric surface of a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US20190067003A1. Автор: Qi Xie,Chiyu Zhu,Kiran Shrestha,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Henri Tuomas Antero Jussila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods for preparation of graphene nanoribbons from carbon nanotubes and compositions, thin films and devices derived therefrom

Номер патента: US8703090B2. Автор: James M. Tour,Dmitry V. Kosynkin,Amanda Higginbotham,Brandi Katherine Price. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-04-22.

Susceptor for holding a semiconductor wafer, method for depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer, and semiconductor wafer with epitaxial layer

Номер патента: US10865499B2. Автор: Joerg Haberecht. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-12-15.

Susceptor for holding a semiconductor wafer, method for depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer and semiconductor wafer with an epitaxial layer

Номер патента: DE102016210203B3. Автор: Jörg HABERECHT. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for planarizing the surface of an interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: US4634496A. Автор: Masahiro Abe,Masaharu Aoyama,Yasukazu Mase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-06.

Semiconductor device manufacturing method for suppresing wiring material from being diffused into insulating film, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US9240379B2. Автор: Kenji Matsumoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: WO2009058248A3. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-22.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: US20090108335A1. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: EP2220676A2. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: WO2009058248A2. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US8974617B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device manufacturing method, coating formation method, and coating formation device

Номер патента: US20170294344A1. Автор: Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Multilayer wiring, method for placing dummy wiring in multilayer wiring, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110089569A1. Автор: Kazuhiko Asakawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287731A1. Автор: HIROSHI Ashihara,Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Toshiyuki Kikuchi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09698050B1. Автор: HIROSHI Ashihara,Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Toshiyuki Kikuchi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for forming pattern, method for manufacturing light emitting device, and light emitting device

Номер патента: US09620714B2. Автор: Gen Fujii,Erika TAKAHASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Amorphous carbon film, formation process therof, and semiconductor device making use of the film

Номер патента: CA2199347A1. Автор: Toru Tatsumi,Kazuhiko Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-07.

Adhesive Composition, Method for Preparing the Same, Adhesive Film Using the Same, Substrate for Carrying Semiconductor and Semiconductor Device

Номер патента: KR100815314B1. Автор: 마사야 니시야마,마사아끼 야스다,히로유끼 구리야,다께오 도미야마,데이이찌 이나다,야스시 시마다,게이지 스미야,데쯔로우 이와꾸라,마사오 스즈끼,다까유끼 마쯔자끼,게이이찌 하따께야마,유우꼬 다나까,유우지 하세가와,미찌오 우루노. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-03-19.

Method for producing support substrate for bonded wafer, and support substrate for bonded wafer

Номер патента: US20230395423A1. Автор: Hiroaki Ishizaki,Daisuke HIEDA,Toshiyuki Isami,Naoya Nonaka,Koudai MOROIWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing semiconductor elemental device

Номер патента: US20060177984A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210118727A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Koichi Yatsuda,Yannick Feurprier,Jean-Francois De Marneffe,Frederic LAZZARINO,Khashayar Babaei Gavan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190181039A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Koichi Yatsuda,Yannick Feurprier,Jean-Francois De Marneffe,Frederic LAZZARINO,Khashayar Babaei Gavan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Methods for preparation of graphene nanoribbons from carbon nanotubes and compositions, thin films and devices derived therefrom

Номер патента: KR101614564B1. Автор: 제임스 엠. 투르,드미트리 브이. 코신킨,아만다 듀크,캐서린 브랜디 프라이스. Владелец: 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for the electrolytic removal of plastic mold flash or blled from the metal surfaces of semiconductor devices or similar electronic components and the solution composition to be used

Номер патента: SG52756A1. Автор: Van Der Henricus Johan Heijden. Владелец: Meco Equip Eng. Дата публикации: 1998-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09640429B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for producing cavities with submicrometer patterns in a semiconductor device using a freezing process liquid

Номер патента: US20030042612A1. Автор: Rainer Leuschner,Egon Mergenthaler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-06.

Process for forming opening portion in interlayer insulation film on metallic layer of semiconductor device

Номер патента: US8053369B2. Автор: Akihiro Takase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Thin-film and its forming method

Номер патента: US4890151A. Автор: Kenichi Kurihara,Yojiro Kamei,Masahiro Kameda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-26.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: TW200931597A. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated Circuit Devices and Methods for Making Such Devices

Номер патента: US20240213312A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US8252686B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park,Choon Kun Ryu,Seung Jin Yeom,Sung Jun Kim,Noh Jung Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-28.

Stress transmission by sequentially providing a heavily strained etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: DE102007052051A1. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for disentangling hollow carbon microfibers, electrically conductive transparent carbon microfibers aggregation film and coating composition for forming such film

Номер патента: TW442589B. Автор: Daisuke Shibuta. Владелец: Hyperion Catalysis Int. Дата публикации: 2001-06-23.

Method for untangling hollow carbon microfibers, electrically conductive transparent carbon microfiber agglomeration film, and coating composition for forming such a film

Номер патента: JP2000511245A. Автор: 大介 渋田. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Method for disentangling hollow carbon microfibers, electrically conductive transparent carbon microfibers aggregation film and coating composition for forming such film

Номер патента: EP0921939A1. Автор: Daisuke Shibuta. Владелец: Hyperion Catalysis International Inc. Дата публикации: 1999-06-16.

Method for producing a channel region layer in a voltage controlled semiconductor device

Номер патента: US5786251A. Автор: Lennart Zdansky,Christopher Harris,Bo Bijlenga,Mietek Bakowski. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 1998-07-28.

Process for forming a low carbon, low resistance metal film during the manufacture of a semiconductor device and systems including same

Номер патента: US20060261441A1. Автор: Eugene Marsh,Brenda Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: EP2115771A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-11.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: WO2008106284A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Device isolation insulating film formation method of a semiconductor device

Номер патента: KR19980060643A. Автор: 김충배,박용준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-10-07.

Forming field oxide insulating film using LOCOS process for semiconductor device mfr.

Номер патента: DE4447148A1. Автор: Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-06.

Method for producing a structure with a carrier consisting of a structured film and a self-aligned electronic device

Номер патента: DE69302532T2. Автор: Avishay Katz,David Isaac Caplan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-10-02.

Method for producing metal laminates containing an interlayer of thermally stable heterocyclic polymer

Номер патента: US4022649A. Автор: Toshiharu Suzuki,Keisuke Nakagome. Владелец: Nitto Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-10.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for forming interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: US8048802B2. Автор: Ho-Yeong Choe. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140070326A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20050156211A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US7122877B2. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070298577A1. Автор: Masaki Kagamihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058390A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US6881998B2. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140367864A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor storage device and method for manufacturing the semiconductor storage device

Номер патента: US09847338B2. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor storage device and method for manufacturing the semiconductor storage device

Номер патента: US09607998B2. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming interlayer insulation film

Номер патента: US7402513B2. Автор: Tsukasa Doi,Yushi Inoue,Kazumasa Mitsumune,Takanori Sonoda,Kenichiroh Abe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Method for forming interlayer insulation film

Номер патента: US20050159015A1. Автор: Tsukasa Doi,Yushi Inoue,Kazumasa Mitsumune,Takanori Sonoda,Kenichiroh Abe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20090130848A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20070090472A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US7737030B2. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US20080277788A1. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020013046A1. Автор: Hirosada Koganei. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US20170062269A1. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device having improved coverage with increased wiring layers

Номер патента: US5554864A. Автор: Kuniaki Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US09735046B2. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having wiring layer formed in wiring groove

Номер патента: US7026715B2. Автор: Noriaki Matsunaga,Kazuyuki Higashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device that uses treatment to enhance hydrophilicity of spin coated insulating film

Номер патента: US09595468B2. Автор: Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device that uses treatment to enhance hydrophilicity of spin coated insulating film

Номер патента: US9595468B2. Автор: Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160254143A1. Автор: Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240222453A1. Автор: Rak Hwan Kim,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Moon Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170062288A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9711423B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170287794A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20230187335A1. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12125901B2. Автор: Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device having a discontinued part between a first insulating film and a second insulating film

Номер патента: US09929042B2. Автор: Takayuki Igarashi,Yoshikazu Tsunemine. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180138311A1. Автор: Satoru Tokuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US20020127880A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11869836B2. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10224428B2. Автор: Satoru Tokuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049601A1. Автор: Yasunobu Kai,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7915731B2. Автор: Masafumi Uehara,Hiroshi Ishizeki. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230178639A1. Автор: Tomohiro Imai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020019134A1. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6503836B2. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Semiconductor device including plural types of resistors and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US09601427B2. Автор: Kotaro Nagakura. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210020572A1. Автор: Takeshi Kawamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150214026A1. Автор: Takeshi Kawamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260670A1. Автор: Takeshi Kawamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180323149A1. Автор: Takeshi Kawamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190355662A1. Автор: Takeshi Kawamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647084B2. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Imaging device, method for manufacturing imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: EP4243055A1. Автор: Shinichi Yoshida,Yuichi Yamamoto,Hiroshi Horikoshi,Takayoshi Honda,Keiichi Nakazawa,Hirotaka Yoshioka,Suguru Saito,Nobutoshi Fujii,Masaki Okamoto,Yuki Miyanami,Shunsuke FURUSE,Takuya Kurotori,Kazutaka IZUKASHI,Takeya Mochizuki,Kenya Nishio,Ryosuke Kamatani. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859158B2. Автор: Youngmok KIM,Kyoung-Eun Uhm,Kyunglyong KANG,Hodae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5427982A. Автор: Young K. Jun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US6121160A. Автор: Hideaki Sato,Kinichi Igarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20040238870A1. Автор: Yuichi Nakashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device having parallel contact holes between adjacent trenches

Номер патента: US09966372B2. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Tadashi Misumi,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for fabricating semiconductor device having a silicide layer

Номер патента: US09876094B2. Автор: Chul-Sung Kim,Kyung-Soo Kim,Woo-Cheol Shin,Hwi-Chan JUN,Deok-Han BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9070690B2. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor capacitive element, method for manufacturing same and semiconductor device provided with same

Номер патента: US20030201484A1. Автор: Ken Ozawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10439034B2. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190165119A1. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020105086A1. Автор: Toru Yoshie. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230282512A1. Автор: Kyung Wook KIM,Eun-ji Jung,Seung Yong Yoo,Eui Bok LEE,Jin Nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911644B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595528B2. Автор: Masahiko Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09520300B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for producing polycrystalline silicon germanium and suitable for micromachining

Номер патента: US20050037598A1. Автор: Ann Witvrouw. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9472495B2. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240347424A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA,Dongsoo Seo,Kyongbeom KOH,Eunkyung KO,Kwangyong YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4447100A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA,Dongsoo Seo,Kyongbeom KOH,Eunkyung KO,Kwangyong YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060214300A1. Автор: Hiroaki Tomimori,Kenichi Yamamoto,Kazumi Saito,Katsuro Tateyama,Takamasa Itou,Masashige Moritoki,Kousei Ushijima,Takashi Shimane. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for manufacturing semiconductor device to form a via hole

Номер патента: US7786005B2. Автор: Hiroaki Tomimori,Kenichi Yamamoto,Kazumi Saito,Katsuro Tateyama,Takamasa Itou,Masashige Moritoki,Kousei Ushijima,Takashi Shimane. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

A method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: EP3836198A1. Автор: Christopher Wilson,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim,Martin O´TOOLE. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140299965A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20070128790A1. Автор: Masanori Dainin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831244B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09590073B2. Автор: Bo-Un Yoon,Myoung-Hwan Oh,Ho-Young Kim,Jun-Hwan YIM,Yeon-Tack RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

SUSCEPTOR FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD FOR DEPOSITING AN EPITAXIAL LAYER ON A FRONT SIDE OF A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH EPITAXIAL LAYER

Номер патента: US20190106809A1. Автор: HABERECHT Joerg. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device with a line and method of fabrication thereof

Номер патента: US8749064B2. Автор: Kenichi Mori,Kazuyoshi Maekawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020068442A1. Автор: Fumihiko Shimpuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor device with a line and method of fabrication thereof

Номер патента: US20130234334A1. Автор: Kenichi Mori,Kazuyoshi Maekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device having air gap spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20180158718A1. Автор: Dong Jun Lee,Ji Young Kim,Dong Ryul Lee,Chang Hyun Cho,Chan Sic YOON,Ji Min CHOI,Joong Chan SHIN,Ho Ouk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170278750A1. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089059A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020011675A1. Автор: Kiyotaka Imai,Noriaki Oda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20060017070A1. Автор: Kyoji Yamashita,Katsuhiro Ootani,Atsuhiro Kajiya,Daisaku Ikoma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20030124839A1. Автор: Naoki Nagashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09899316B2. Автор: Katsuhiko Hotta,Kyoko Sasahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09812356B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09659867B2. Автор: Junji Noguchi,Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Tatsuyuki Saito,Tomio Iwasaki,Kensuke Ishikawa,Tsuyoshi Tamaru,Noriko Miura,Kiyomi Katsuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11791242B2. Автор: YoungMin Lee,Seokhwan Jeong,Sungdong CHO,Inyoung LEE,Hyoungyol MUN,Kwangwuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230411498A1. Автор: Jung Hwan Chun,Kyu-hee Han,Jun Hyuk LIM,Jong Min Baek,Sang Shin Jang,Koung Min RYU,Bong Kwan Baek,Jung Hoo Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20080042214A1. Автор: Kyoji Yamashita,Katsuhiro Ootani,Atsuhiro Kajiya,Daisaku Ikoma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290677A1. Автор: Jong-Min Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Gyuseong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming amorphous carbon film, amorphous carbon film, multilayer resist film, manufacturing method of semiconductor device, and computer readable recording medium

Номер патента: TWI413187B. Автор: Hiraku Ishikawa,Eisuke Morisaki,Tadakazu Murai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150318201A1. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7208419B2. Автор: SEUNG Woo Jin,Ho Jin Cho,Bong Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040161936A1. Автор: Bong Kim,Seung Jin,Ho Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-19.

Method for forming an electrical contact between a semiconductor film and a bulk handle wafer, and resulting structure

Номер патента: US20210233811A1. Автор: Didier Dutartre,Jean-Luc Huguenin,Jean-Pierre Carrere,Clement Pribat,Sarah Kuster. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for fabricating a metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20060292715A1. Автор: June Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for fabricating a metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20070190774A1. Автор: June Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-08-16.

Interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09892921B2. Автор: QIYANG He,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

METHOD FOR FORMING DOPED METAL OXIDE FILMS ON A SUBSTRATE BY CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20200118817A1. Автор: BLOMBERG Tom,Zhu Chiyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10529563B2. Автор: Chiyu Zhu,Tom Blomberg. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-01-07.

Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: KR20230108246A. Автор: 치유 주,톰 블롬베르크. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device including interlayer insulating film

Номер патента: US5132774A. Автор: Hideo Kotani,Shigeo Nagao,Atsuhiro Fujii,Masazumi Matsuura,Hideki Genjo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of fabricating a semiconductor device and the semiconductor device with a capacitor structure having increased capacitance

Номер патента: US6512261B2. Автор: Akinori Kinugasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240071908A1. Автор: Shoji Takei,Akinori NII. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240071928A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing semiconductor device with metal-containing film layer at bonding surface thereof

Номер патента: US09716076B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having high-k film and metal gate

Номер патента: US09640534B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09614039B2. Автор: Toru Onishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having an inter-layer insulating film disposed between two wiring layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US5075762A. Автор: Kazuo Tanaka,Toshihiko Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230282735A1. Автор: Shotaro Kudo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130001785A1. Автор: Yuichi Nakao,Tadao Ohta. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device including via structures with undercut portions and semiconductor package including the same

Номер патента: US11798866B2. Автор: Sangjun Park,Eunji Kim,Sungdong CHO,Hakseung LEE,Kwangwuk Park,Daesuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210020545A1. Автор: Sangjun Park,Eunji Kim,Sungdong CHO,Hakseung LEE,Kwangwuk Park,Daesuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339330A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with metal think film and via

Номер патента: US09673144B2. Автор: Isamu Nishimura,Kazumasa Nishio,Michihiko Mifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050269670A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162143A1. Автор: Kazuhisa Mori,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa,Hideki Niwayama,Kodai Wada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210098291A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11424159B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20170040253A1. Автор: Seung-Hoon Kim,Sun-hyun Kim,Sang-ll Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device with pure copper wirings and method of manufacturing a semiconductor device with pure copper wirings

Номер патента: US20010035583A1. Автор: Takeshi Kubota,Mitsutoshi Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9553042B2. Автор: Teruhiro KUWAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210167004A1. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12100596B2. Автор: HyunKi Lee,Kwang-Ho You,Keunhee Bai,Duck-nam Kim,Sae Il Son,Cheolin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for cleaning the surface of an epitaxial layer in openings of semiconductor device

Номер патента: US09711394B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09553042B2. Автор: Teruhiro KUWAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for depositing a thin film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR102457289B1. Автор: 한용규,김영훈,김대연,유태희,임완규,유진근. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2022-10-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020119630A1. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Methods of fabricating semiconductor devices and semiconductor devices formed thereby

Номер патента: US8796127B2. Автор: Chang-sun Hwang,Hoyoung Kim,Jaeseok Kim,Boun Yoon,Bo Kyeong Kang,Sukhoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-05.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20080227290A1. Автор: Jae Jun Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210020543A1. Автор: Sangjun Park,Taeseong Kim,Kwangjin Moon,Eunji Kim,Jinnam Kim,Hakseung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20010034120A1. Автор: Yushi Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170358489A1. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device with contacts and metal interconnects and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20150371945A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kenichiro Hijioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Methods of fabricating semiconductor devices and semiconductor devices formed thereby

Номер патента: US20130237045A1. Автор: Chang-sun Hwang,Hoyoung Kim,Jaeseok Kim,Boun Yoon,Bo Kyeong Kang,Sukhoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110215384A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Tadashi Koike,Kohei Watanuki,Tatsuhiko Adachi,Takaaki Matsuoka,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Ube Nitto Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160365278A1. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020153537A1. Автор: Mizuki Segawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030119240A1. Автор: Kenshi Kanegae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080203576A1. Автор: Hideaki Kikuchi,Kouichi Nagai,Tomoyuki KIKUCHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12113109B2. Автор: Yuri Lee,Sungmin Kim,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong,Myungyoon Um,Inyeal Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09984974B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09899322B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09893179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device including conductive via with buffer layer at tapered portion of conductive via

Номер патента: US09859191B2. Автор: Ho-Jin Lee,Byung Lyul Park,Jin Ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US9099446B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20140225209A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9935023B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080318393A1. Автор: Yuji Akao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11942427B2. Автор: Eun-ji Jung,Jong Jin Lee,Seung Yong Yoo,Rak Hwan Kim,Won Hyuk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device including TSV and multiple insulating layers

Номер патента: US12040231B2. Автор: Junghoon Han,Juik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure including multiple wire-layers and methods for forming the same

Номер патента: US20030224607A1. Автор: Sukehiro Yamamoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor devices including a thick metal layer and a bump

Номер патента: US12080663B2. Автор: Junghoon Han,Yeonjin Lee,Sooho Shin,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device, method for producing same, and electronic device

Номер патента: EP4425535A1. Автор: Keisuke Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240339377A1. Автор: Jongmin Baek,DeokYoung Jung,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Junghwan CHUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming semiconductor device having dielectric layer and related system

Номер патента: US09953827B2. Автор: NaeIn Lee,Hyeoksang Oh,Woochoel NOH,Wonkyu HAN,Gyeongyun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

method for depositing silicon-series nanoparticle thin film, silicon-series nanoparticle thin film, and apparatus for depositing silicon-series nanoparticle thin film

Номер патента: KR101199221B1. Автор: 박상현,송진수,조준식,이정철,김성범,구혜영. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-11-07.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor with a planarized lower electrode

Номер патента: US5382817A. Автор: Keiichiro Kashihara,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043196A1. Автор: Takeshi Murata,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for forming coating film on a plate-like workpiece

Номер патента: US20010038884A1. Автор: Akihiko Nakamura,Hiroki Endo,Taiichiro Aoki. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240258204A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Junghwan CHUN,Minchul AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210043505A1. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Xuezhen JING,Zhangru XIAO,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20190027587A1. Автор: Dong Li,Xiaolong Li,Xiaowei Xu,Zunqing SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680031B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Formation of cobalt silicide film and manufacture of semiconductor device therewith

Номер патента: CN100392826C. Автор: 朴惠贞,具景谟,具滋钦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-04.

Formation of cobalt silicide film and manufacture of semiconductor device therewith

Номер патента: CN1510726A. Автор: 朴惠贞,具景谟,具滋钦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-07.

Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film, thin film transistor having microcrystalline semiconductor film, and photoelectric conversion device having microcrystalline semiconductor film

Номер патента: KR101534099B1. Автор: 히데카주 미야이리,야스히로 진보,코지 다이리키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2015-07-06.

Method of forming a film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE112020004152T5. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto,Daisuke Tahara. Владелец: Kyoto Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2022-05-19.

Multilayered interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5684331A. Автор: Young Kwon Jun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180158781A1. Автор: Young Hun Kim,Byung Hee Kim,Rak Hwan Kim,Eun Ji Jung,Gyeong Yun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120107963A1. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150021781A1. Автор: Mutsuo Nishikawa,Kazuhiro Matsunami,Yuko Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09780012B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Transfer film, method for fabricating thin film for display apparatus panel using the transfer film, and display apparatus having thin film fabricated by the method

Номер патента: US7011886B2. Автор: Koji Fujita,Kazumasa Nomura,Katsutoshi Ohno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Transfer film, method for fabricating thin film for display apparatus panel using the transfer film, and display apparatus having thin film fabricated by the method

Номер патента: US20050142358A1. Автор: Koji Fujita,Kazumasa Nomura,Katsutoshi Ohno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device for preventing field inversion

Номер патента: US09887187B2. Автор: Shusaku FUJIE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE42223E1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-15.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040191967A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230275133A1. Автор: Takuichiro SHITOMI,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Capacitor formed in a multilayer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US20040043556A1. Автор: Takashi Inbe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09885829B2. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20180308926A1. Автор: Shinnosuke Takahashi,Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20160099169A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Mechanisms for forming radio frequency (RF) area of integrated circuit structure

Номер патента: US09589831B2. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US09857689B2. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Optical semiconductor device, method for manufacturing the same, and optical module and optical communication apparatus provided with the optical semiconductor device

Номер патента: US20020003914A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: US20100007025A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for Producing a Plurality of Semiconductor Chips Having a Mask Layer with Openings and Semiconductor Chip Having a Mask Layer with Openings

Номер патента: US20190139763A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Jürgen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for producing photosensitive resin composition, polymer precursor, cured film, laminate, cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR102365294B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-21.

CMP polishing agent for polishing insulating film, polishing method, and semiconductor electronic component polished by the polishing method

Номер патента: JP4985409B2. Автор: 和宏 榎本,正人 深沢,直之 小山,智明 山岸. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

CMP polishing agent for polishing insulating film, polishing method, and semiconductor electronic component polished by the polishing method

Номер патента: JPWO2007088868A1. Автор: 深沢　正人,和宏 榎本,正人 深沢,直之 小山,智明 山岸,小山　直之. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Cmp abrasive for polishing insulating film, polishing method and semiconductor electronic component polished by such polishing method

Номер патента: WO2007088868A1. Автор: Naoyuki Koyama,Masato Fukasawa,Kazuhiro Enomoto,Chiaki Yamagishi. Владелец: HITACHI CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2007-08-09.

Cmp abrasive for polishing insulating film, polishing method and semiconductor electronic component polished by such polishing method

Номер патента: KR101245502B1. Автор: 마사또 후까사와,가즈히로 에노모또,치아끼 야마기시,나오유끼 고야마. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-03-25.

CMP abrasive for polishing insulating film, polishing method and semiconductor electronic parts polished by the polishing method

Номер патента: TW201231580A. Автор: Naoyuki Koyama,Masato Fukasawa,Kazuhiro Enomoto,Chiaki Yamagishi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-01.

CMP Abrasive Slurry for Polishing Insulation Film, Polishing Method, and Semiconductor Electronic Part Polished by the Polishing Method

Номер патента: US20090047786A1. Автор: Naoyuki Koyama,Masato Fukasawa,Kazuhiro Enomoto,Chiaki Yamagishi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-19.

CMP abrasive for polishing insulating film, polishing method and semiconductor electronic parts polished by the polishing method

Номер патента: TW200738855A. Автор: Naoyuki Koyama,Masato Fukasawa,Kazuhiro Enomoto,Chiaki Yamagishi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-16.

Cmp abrasive for polishing insulating film, polishing method and semiconductor electronic component polished by such polishing method

Номер патента: KR101194881B1. Автор: 마사또 후까사와,가즈히로 에노모또,치아끼 야마기시,나오유끼 고야마. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-10-25.

Method for Producing a Plurality of Semiconductor Chips Having a Mask Layer with Openings and Semiconductor Chip Having a Mask Layer with Openings

Номер патента: US20190139763A1. Автор: Off Jürgen,Perzlmaier Korbinian,Gotschke Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: AU2022397987A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin film, polycrystalline silicon thin film, and acoustic sensor

Номер патента: US20200389747A1. Автор: Xiaohui Zhong,Wooicheang Goh,Kahkeen Lai,Kianheng Goh. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Composition for forming protection film, method of forming protection film, protection film, and method of removing protection film

Номер патента: JP2014212179A. Автор: Takashi Okada,俊介 小野木,Takaaki Uno,敬 岡田,高明 宇野,多田羅　了嗣,了嗣 多田羅,岡田　敬,Akitsugu Tatara,Shunsuke Onogi,恭平 打上,Kyohei Uchigami. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: EP4254519A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell

Номер патента: US20240145611A1. Автор: Hao Chen,Guoqiang Xing,Xiajie Meng,Mingzhang DENG. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

CRYSTAL, CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR FILM CONTAINING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CRYSTAL AND/OR SEMICONDUCTOR FILM AND SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210143251A1. Автор: TAKAHASHI Isao,Sasaki Takahiro,Hitora Toshimi,MATSUDA Tokiyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Process for forming cvd film and semiconductor device

Номер патента: US5231058A. Автор: Kazuo Maeda,Noboru Tokumasu,Yuko Nishimoto. Владелец: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1993-07-27.

Film forming method, semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020013068A1. Автор: Tomomi Suzuki,Kazuo Maeda,Youichi Yamamoto,Hiroshi Ikakura,Kouichi Ohira,Yoshimi Shioya,Yuichiro Kotake,Shoji Ohgawara. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of forming interlayer insulation film

Номер патента: US20030181069A1. Автор: Satoshi Takahashi,Yukihiro Mori,Naoto Tsuji,Ryo Kawaguchi. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of forming interlayer insulation film

Номер патента: US6905978B2. Автор: Satoshi Takahashi,Yukihiro Mori,Naoto Tsuji,Ryo Kawaguchi. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2005-06-14.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090189221A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7732879B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160086792A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for evaluating semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786495B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicone skeleton-containing polymer compound and method for producing same, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and method for producing same, patterning process, layered product, and substrate

Номер патента: US10114287B2. Автор: Takayuki Fujiwara,Koji Hasegawa,Masahiro Fukushima,Katsuya Takemura,Masashi Iio,Hiroyuki Urano. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-30.

Anisotropically conductive film, method for producing the same, and connecting structure using the anisotropically conductive film and method for producing the same

Номер патента: TWI752515B. Автор: 篠原誠一郎. Владелец: 日商迪睿合股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-11.

Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device

Номер патента: US20210143251A1. Автор: Takahiro Sasaki,Isao Takahashi,Toshimi Hitora,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for producing tin-silver alloy plating film, tin-silver alloy plating film, and lead frame for electronic component provided with the same

Номер патента: JP3395772B2. Автор: 久裕 田中,剛 常盤,松夫 舛田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-04-14.

Amine Compound, Method for Preparing the same, Liquid Crystal Alignment Agent, Liquid Crystal Alignment Film and Liquid Crystal Display Device

Номер патента: KR102016949B1. Автор: 이성규,안용호,최진욱,소상완. Владелец: (주)켐넥스. Дата публикации: 2019-09-02.

Pouch film for secondary battery with excellent room temperature and high temperature sealing strength, method for preparing the pouch film, secondary battery using the same and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: US20240222749A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Huihun KIM,Jee Eun Jang. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Pouch film for secondary battery with excellent room temperature and high temperature sealing strength, method for preparing the pouch film, secondary battery using the same and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: EP4393691A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Huihun KIM,Jee Eun Jang. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Aluminum alloy film and semiconductor device using the same

Номер патента: US20220399455A1. Автор: Hiroki TSUMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

POLY(α,α,α′,α′-TETRAFLUORO-P-XYLYLENE) FILM, METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING IT

Номер патента: RU2218364C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device, dicing saw and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070164440A1. Автор: Takayuki Matsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Photoresist composition for forming insulation film, insulation film for organic electroluminescence element and method for its formation

Номер патента: EP1321821A4. Автор: Motofumi Kashiwagi,Noriyuki Mitao. Владелец: Nippon Zeon Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-23.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100140631A1. Автор: Christopher Brown,Masaki Yamanaka,Hiromi Katoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for forming semiconductor die and semiconductor device thereof

Номер патента: US20240128123A1. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Display substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240130187A1. Автор: HONG Liu,Peng Liu,Jingyi Xu,Bo Huang,Yongqiang Zhang,Guodong Wang,Wanzhi CHEN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Photo electric converter imaging system and method for manufacturing photoelectric converter

Номер патента: US09917140B2. Автор: Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with protection film

Номер патента: GB2365621A. Автор: Yuji Tada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Capacitor and its manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20050186752A1. Автор: Motohisa Noguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Multilayer structure and semiconductor device

Номер патента: US20220140145A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing TFT, array substrate and display device

Номер патента: US09905592B2. Автор: Ning Liu,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Tongshang Su,Shengping Du. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming capacitor in semiconductor device by using a polysilicon pattern in a trapezoid shape

Номер патента: US20040002189A1. Автор: Byung-Jun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230016808A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for stabilizing low dielectric constant materials

Номер патента: US20020115305A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Optoelectronic apparatuses and methods for manufacturing optoelectronic apparatuses

Номер патента: US20130207126A1. Автор: Lynn K. Wiese,Seshasayee (Sai) S. Ankireddi. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20030232491A1. Автор: Akihisa Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Insulating film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5107541B2. Автор: 孝之 井脇. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Method for reducing thermal stresses during processing of semiconductor wafers with height-developed topography and semiconductor wafer with protective structure for this method (variants)

Номер патента: RU2753840C1. Автор: Денис Георгиевич Шамирян,Кирилл Аркадьевич Курыгин,Валерий Олегович Шестак. Владелец: Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер". Дата публикации: 2021-08-24.

Method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US20150372058A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

METHOD FOR FORMING DOPED METAL OXIDE FILMS ON A SUBSTRATE BY CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180286675A1. Автор: BLOMBERG Tom,Zhu Chiyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Devices and methods for enhancing insertion loss performance of an antenna switch

Номер патента: US11855012B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Devices and methods for enhancing insertion loss performnce of an antenna switch

Номер патента: US20240071961A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11837636B2. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Mask for forming selection area diffraction grating and growing selection area and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: KR100424774B1. Автор: 하홍춘. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-05-17.

Method for manufacturing ferroelectric capacitor

Номер патента: US20060166379A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

An improved method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made

Номер патента: CN1950932A. Автор: 王新辉,S·M·盖茨,A·格里尔,V·V·帕特尔,D·R·梅代罗斯,D·诺伊迈尔,S·V·源. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-04-18.

An improved method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device

Номер патента: KR100956580B1. Автор: 스티븐 엠. 게이츠,알프레드 그릴,데이비드 알. 메데이로스,데보라 뉴마이어,손 반 구엔,비시누브하이 브이. 파텔,신후이 왕. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2010-05-10.

Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made

Номер патента: US7049247B2. Автор: Son Van Nguyen,Vishnubhai V. Patel,Alfred Grill,Xinhui Wang,Stephen M. Gates,David R. Medeiros,Deborah Neumayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-23.

Method for the formation of a polysilicon layer with a controlled, small silicon grain size during semiconductor device fabrication

Номер патента: US6294442B1. Автор: Abu-Hena Mostafa Kamal. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

QUALITY EVALUATION METHOD FOR LAMINATE HAVING PROTECTIVE LAYER ON SURFACE OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND QUALITY CONTROL METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20170184660A1. Автор: Miki Aya,HAYASHI Kazushi,KAWAKAMI Nobuyuki. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2017-06-29.

Method for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by this method

Номер патента: JP5305476B2. Автор: 俊英 鎌田,聖 植村. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-10-02.

Method for manufacturing metal-oxide thin film using low temperature process, thin film, and electric device thereof

Номер патента: KR101456239B1. Автор: 김영훈,박성규,김지완,오민석. Владелец: 중앙대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-11-13.

Insulatng film material containing organic silane or organic siloxane compound, method for produing sane, and semiconductor device

Номер патента: US20060151884A1. Автор: Daiji Hara,Keisuke Yoshida. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US20190198341A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Номер патента: US11018015B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Naoki Kobayashi,Kazumi Noda,Seiichiro Tachibana,Yusuke Biyajima,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Method of forming an interlayer insulating film having a siloxane skeleton

Номер патента: US7947338B2. Автор: Nobuo Aoi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080001239A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Katsuya Hayano,Shuntaro Machida. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-01-03.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20040082084A1. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US6890776B2. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09831351B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming conductive layer, and conductive structure and forming method therefor

Номер патента: US20220013479A1. Автор: Ming-Teng Hsieh. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for forming conductive layer, and conductive structure and forming method therefor

Номер патента: US12040292B2. Автор: Ming-Teng Hsieh. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US7190011B2. Автор: Hiroyasu Minda,Hirokazu Aizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20050233517A1. Автор: Hiroyasu Minda,Hirokazu Aizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for bonding with a silver paste

Номер патента: US09589925B2. Автор: Hyun Woo Noh,Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong,Su Bin KANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for forming coating film for lithography

Номер патента: US9502247B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Taku Morisawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Stress storage insulating film manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP4997698B2. Автор: 嘉之 大倉,保 大和田,宏文 綿谷,賢 杉本,健剛 井上. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-08.

Methods for fabricating a thin film transistor and an array substrate

Номер патента: EP2757589A3. Автор: ZHEN Wang,Shuibin NI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Method for arranging shield line in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design device, and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: WO2007077623A1. Автор: Hiroki Murakami,Shinichi Iida,Takahiro Toda,Katsushi Aoki,Junya Yamasaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming transparent conductive film on Al-C based metal film and method for manufacturing array substrate of TFT-LCD using thereof

Номер патента: KR100817630B1. Автор: 김원석,류재일,김성웅,이정열,이우봉,최대림. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2008-03-27.

Non-contact methods for measuring electrical thickness and determining nitrogen content of insulating films

Номер патента: US7103484B1. Автор: Jianou Shi,Steve Yifeng Cui,Shiyou Pei,Zhiwei (Steve) Xu,Haiyong (Howard) Wang. Владелец: KLA Tencor Technologies Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

METHOD FOR FABRICATING PATTERN USING SUPPORTING ASSEMBLY WITH ROLLING MEMBER DISPOSED BELOW SUPPORTING RODS AND SEMICONDUCTOR FABRICATION APPARATUS HAVING THE SUPPORTING ASSEMBLY

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Wu Ming-Sung,WU CHIEN-JU. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device having channel structure with 2D material

Номер патента: US11942536B2. Автор: Robert D. Clark,Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

METHOD FOR TRANSFERRING A GRAPHENE SHEET TO METAL CONTACT BUMPS OF A SUBSTRATE FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Liu Chung-Shi,Hu Yu-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

Method for manufacturing CMOS image sensor

Номер патента: US20050064621A1. Автор: Keun Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20200198063A1. Автор: IWAMA Masaki. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-25.

Anisotropic conductive film and utilize its semiconductor device

Номер патента: CN105706183B. Автор: 朴憬修,金智软,郑光珍,黃慈英. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Quantum dot film, method for producing quantum dot film, opto-electronic device including quantum dot film, and image sensor including opto-electronic device

Номер патента: US20230136511A1. Автор: Kyungsang Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1962332A3. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130069147A1. Автор: Masatoshi Arai,Norio Yasuhara,Tsuyoshi Ohta,Tatsuya Nishiwaki,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230352397A1. Автор: Eiji HIRAIWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09589957B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010020707A1. Автор: Takashi Uehara,Mizuki Segawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device having a bandgap wider than that of silicon

Номер патента: US09911846B2. Автор: Makoto Utsumi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070099363A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09647106B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20150295057A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor storage apparatus, and semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20160071863A1. Автор: Takeshi Murata,Wataru Sakamoto,Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09997603B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for producing surrounding gate semiconductor device

Номер патента: US09842902B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020024095A1. Автор: Katsuomi Shiozawa,Yasuyoshi Itoh,Syuichi Ueno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130052784A1. Автор: Shigeru Sugioka,Ryoichi Tanabe,Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20060281248A1. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device with impurity-doped region and method of fabricating the same

Номер патента: US09559101B2. Автор: Hidenobu Fukutome. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with reference voltage circuit

Номер патента: US20240094756A1. Автор: Takeshi Koyama,Hisashi Hasegawa,Shinjiro Kato,Kohei Kawabata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339332A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339333A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

MOS-driven semiconductor device and method for manufacturing MOS-driven semiconductor device

Номер патента: US09818845B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hitoshi Sumida,Takeyoshi Nishimura,Kin-On Sin,Chun-Wai Ng,Yoshiaki Toyada,Akihiko Ohi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296490A1. Автор: Tatsuya Shiraishi,Masaharu Shimabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20020072191A1. Автор: Hidemitsu Aoki,Hirofumi Fujioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842926B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US6884678B2. Автор: Tae Hyeok Lee,Cheol Hwan Park,Dong Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Surrounding gate semiconductor device

Номер патента: US09768267B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09608123B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Yuji EGI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09570626B2. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film

Номер патента: US09735280B2. Автор: Kosei Noda,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device including metal gate electrode and semiconductor device

Номер патента: US20090321842A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09865741B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US09660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming insulating film and for manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20030008523A1. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Takahashi,Hiroaki Uchida,Toshio Nagata,Hirotaka Mori,Katsuji Yoshida,Hidetsugu Uchida,Yoshirou Tsurugida,Akihiko Ohara,Takashi Ohsako. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010051421A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device having a pad to which a wire bonding pad is to be bonded and a probe is to be brought into contact with

Номер патента: EP4071796A3. Автор: Seiya Isozaki,Yoshinori Deguchi,Iwao Natori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110104865A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090026517A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device including gate insulation films having different thicknesses

Номер патента: US20040023459A1. Автор: SADAAKI Masuoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911733B2. Автор: Hiroshi Miyata,Souichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140242766A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230275091A1. Автор: Yang Xu,Sanggil Lee,Namkyu CHO,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US12062662B2. Автор: Yang Xu,Sanggil Lee,Namkyu CHO,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and termination structure

Номер патента: US11881514B2. Автор: Yutaka Kato,Masaki Shiraishi,Tetsuo Oda,Shigeo Tokumitsu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20220199786A1. Автор: Yutaka Kato,Masaki Shiraishi,Tetsuo Oda,Shigeo Tokumitsu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and manufacturing process therefor

Номер патента: US20110207272A1. Автор: Takashi Hase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240178286A1. Автор: Makoto Endou,Takaaki Suzawa,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190348502A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Akimasa Kinoshita,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09640444B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Kwanyoung Chun,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3989264A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160240374A1. Автор: Shigeru Kasai,Kohei Kawamura,Yutaka Fujino,Akira Tanihara,Kotaro Miyatani,Kenichi KOTE,Takuya Kurotori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US20190288064A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device, communication module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068407B2. Автор: Masashi Yanagita,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640388B2. Автор: Shigeru Kasai,Kohei Kawamura,Yutaka Fujino,Akira Tanihara,Kotaro Miyatani,Kenichi KOTE,Takuya Kurotori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20070120131A1. Автор: Akihiro Hasegawa,Yoji Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7338815B2. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20130153887A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050127460A1. Автор: Tomohiro Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20140061872A1. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Naoto Umezawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059909A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20070120203A1. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Yasunori Inoue,Hideki Mizuhara,Satoru Shimada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having crack-resisting ring structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559063B2. Автор: Takeshi Watanabe,Junya Ishii,Hiroyasu Kitajima,Yoshitsugu Kawashima,Hirofumi SAITOU,Tatsuki Kojima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090042348A1. Автор: Yuichi Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181379A1. Автор: Shinya AKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130249084A1. Автор: Tomoyuki Nakamura,Naoki Fujimoto,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8736051B2. Автор: Tomoyuki Nakamura,Naoki Fujimoto,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213356A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355922A1. Автор: Katsutoshi Sugawara,Shiro Hino,Katsuhiro Fujiyoshi,Kotaro Kawahara,Akifumi Iijima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming semiconductor device including edge chip and related device

Номер патента: US09761591B2. Автор: Dong-wan Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Junghoon Han,Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150171120A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290858A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7875512B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090186472A1. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for producing a semiconductor device with surrounding gate transistor

Номер патента: US20150140755A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140187004A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Methods for manufacturing semiconductor devices using etch stop dielectric layers and related devices

Номер патента: US20120329262A1. Автор: Jeong-hee Han,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,June-Hee Lee,Sang-Bom Kang,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09941285B2. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640647B2. Автор: Hiroyuki Okazaki,Hidetoshi Koyama,Yoshitaka Kamo,Toshiaki Kitano,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming multilayer film including oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595435B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09590078B2. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device and fabrication process therefor

Номер патента: US5949111A. Автор: Junichi Tanimoto,Yoshinao Morikawa,Toshihisa Gotou. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of fabricating semiconductor device using a work function control film

Номер патента: US20120122309A1. Автор: Jeong-hee Han,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hu-Yong Lee,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same

Номер патента: SG153733A1. Автор: Cong Hai,HU Xiang,Zhou Mei Sheng,Pradeep Yelehanka. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

METHOD FOR PRODUCING THIN OXIDIZED CARBON FILM, ELEMENT HAVING THIN OXIDIZED CARBON FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20140134409A1. Автор: ODAGAWA Akihiro,MATSUKAWA Nozomu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-15.

Silver-coated copper powder and method for producing the same, and conductive paste, conductive adhesive agent, conductive film, and electric circuit containing the silver-coated copper powder

Номер патента: JP2012214898A. Автор: Kazuyuki Hayashi,Keisuke Iwasaki,Hiroko Morii,一之 林,敬介 岩崎,弘子 森井,峰子 大杉,Mineko Osugi. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for forming film and method for manufacturing electrical steel sheet with insulating film

Номер патента: US12033791B2. Автор: Makoto Watanabe,Toshito Takamiya,Takashi Terashima,Karin Kokufu. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140097494A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080061445A1. Автор: Kenji Ishikawa,Hiroshi Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893068B2. Автор: Hiroyuki Hoshizaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for its manufacture

Номер патента: US20020113295A1. Автор: Ryoichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12080792B2. Автор: Youhei Oda,Kouichi Sawada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222510A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853005B2. Автор: Takehiko Maeda,Akira Yajima,Satoshi Itou,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Power semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057500B2. Автор: Kensuke Taguchi,Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20190103355A1. Автор: Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20200058707A1. Автор: Min Jun Choi,Chang Hwa Kim,Kwan Sik KIM,Sang Su Park,Man Geun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US09711630B2. Автор: Yasuyuki YOSHINAGA,Kenta Sadakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

TFT array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09640557B2. Автор: Kazunori Inoue,Nobuaki Ishiga,Koji Oda,Osamu Miyakawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US20160155833A1. Автор: Yasuyuki YOSHINAGA,Kenta Sadakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080315271A1. Автор: In Cheol Baek,Kyung Min Park,Han Choon Lee,Sun Chan LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240371993A1. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, display device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040113150A1. Автор: Satoshi Murakami,Masayuki Sakakura,Hirokazu Yamagata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device, display device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030038321A1. Автор: Satoshi Murakami,Masayuki Sakakura,Hirokazu Yamagata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020179947A1. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080048228A1. Автор: Takashi Sakoh,Mami Toda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09711509B2. Автор: Hiroyuki Hoshizaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Solid-state image sensor, method for manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20130334641A1. Автор: Yusuke Onuki,Kentarou Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Solid-state image sensor, method for manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20140313384A1. Автор: Yusuke Onuki,Kentarou Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and process for the same

Номер патента: US20030030124A1. Автор: Hiroyuki Nagatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US20240243200A1. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20070194396A1. Автор: Yoji Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140048858A1. Автор: Shigeo Satoh,Takae Sukegawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09953987B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203532A1. Автор: Seiichi Hirabayashi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050029593A1. Автор: Osamu Ohara,Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device having a gate electrode, an interlayer insulating film and a barrier metal provided in a trench

Номер патента: US12094939B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Sic semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120061682A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Masahiro Sugimoto,Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09583630B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20020185706A1. Автор: Hiroshi Ikegami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911802B2. Автор: Do-Hoon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3365918A1. Автор: Teruaki Kumazawa,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-29.

Display device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230121662A1. Автор: Tokuo Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1605497A3. Автор: Kenji Yoneda,Yasuhiro Kawasaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US11804450B2. Автор: Satoshi Goto,Mikiko Fukasawa,Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090174029A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09812547B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11791406B2. Автор: Kenichi Ishii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040130028A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20090091004A1. Автор: Hirosada Koganei. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09755053B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09640628B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Panel substrate and method for manufacturing micro-LED display device including the same

Номер патента: GB2625866A. Автор: LEE SUMIN,Chang Eun-Soo,Yoon Sangsoon,KIM Juhyuk,KIM Byonghoo,SOHN A-Ram,Son Hyokyeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Built-up substrate, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit package

Номер патента: US20140124777A1. Автор: Koji Kawakita,Yoshihisa Yamashita,Seiichi Nakatani,Susumu Sawada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US9978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583510B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284708A1. Автор: Masatoshi Arai,Tatsuya Nishiwaki,Yoshitaka Hokomoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11456265B2. Автор: Takashi Tonegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200343207A1. Автор: Takashi Tonegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Panel Substrate and Method for Manufacturing Micro-LED Display Device Including the Same

Номер патента: US20240128416A1. Автор: Sangsoon Yoon,Sumin Lee,A-Ram SOHN,Byonghoo Kim,Eun-Soo Chang,Juhyuk KIM,Hokyeong Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for fabricating touch display device

Номер патента: US09921677B1. Автор: Yi-Wei Chen,Shin-Shueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6034412A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Thin film transistor, thin film transistor substrate, and methods for manufacturing the same

Номер патента: US7432140B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072143A1. Автор: Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device with trench-type stacked cell capacitors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040159871A1. Автор: Yoshiyuki Shibata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and test method for manufacturing same

Номер патента: US20040048402A1. Автор: Junya Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory device with trench-type stacked cell capacitors and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020110971A1. Автор: Yoshiyuki Shibata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09613990B2. Автор: Seiichi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Reservoir capacitor of semiconductor device

Номер патента: US9263452B2. Автор: Ae Rim JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194752A1. Автор: Woo Jin Lee,Woo Kyung YOU,Koung Min RYU,Sang Koo Kang,Jun Chae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812317B2. Автор: Atsushi Maeda,Yusuke Terada,Shigeya Toyokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Display device having MEMS transmissive light valve and method for forming the same

Номер патента: US09772489B2. Автор: Deming Tang,Jianhong Mao. Владелец: Shanghai Jadic Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601433B2. Автор: Atsushi Maeda,Yusuke Terada,Shigeya Toyokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US7154179B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hideaki Masuda,Hideshi Miyajima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20060017164A1. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hideaki Masuda,Hideshi Miyajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor floating gate memory device

Номер патента: EP1615266A3. Автор: Koji Takahashi,Shinichi Fujitsu Limited Nakagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Manufacturing method for active matrix substrate, active matrix substrate and display apparatus

Номер патента: US20160336357A1. Автор: Masahiro Kato,Satoru Utsugi. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240260270A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Janggn Yun,Taeyoon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing image sensor structure having wide contact

Номер патента: US09978805B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Yuichiro Yamashita,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923127B2. Автор: Yutaka Matsuda,Masayuki Sakakura,Aya Anzai,Masaharu Nagai,Kaoru Tsuchiya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20080048234A1. Автор: Takashi Nakabayashi,Hideyuki Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor devices having gate patterns in trenches with widened openings

Номер патента: US09721952B2. Автор: Ju-youn Kim,Kwang-You Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices having work function adjusting films with chamfered top surfaces

Номер патента: US09627380B2. Автор: Ju-youn Kim,Kwang-You Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284692A1. Автор: Hiroshi Shinohara,Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190229191A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20220157952A1. Автор: Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080067625A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296454A1. Автор: Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20190123187A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi,Youngshin Eum. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US12072595B2. Автор: Isao Suzumura,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187438A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device with lateral transistor

Номер патента: US12125906B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shinichiro Yanagi,Syogo Ikeura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09761601B2. Автор: Shota ISHIBASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09673336B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display device

Номер патента: US7400365B2. Автор: Eiji Shibata,Toshio Araki,Kazunori Inoue,Nobuaki Ishiga,Fumihiro Gotoh,Hiroyasu Itoh,Masanao Nabeshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140042530A1. Автор: Takayuki Gomi,Chan-ho Park,Won-Sang CHOI,Min-kwon Cho,Nam-Ki CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140151767A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120241813A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device, fabrication method for the same, and display apparatus

Номер патента: US20130334528A1. Автор: Mitsunobu Miyamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120086121A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871127B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US09853081B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor package, printed circuit board substrate and semiconductor device

Номер патента: US09698111B2. Автор: Tsuguto Maruko. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor ferroelectric device, manufacturing method for the same, and electronic device

Номер патента: US8877521B2. Автор: Hiroshi Tanabe. Владелец: Gold Charm Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Active matrix substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150372019A1. Автор: Kazunori Inoue,Kensuke Nagayama,Nobuaki Ishiga,Naoki Tsumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855134B2. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with field plate electrode

Номер патента: US11769805B2. Автор: Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20090045521A1. Автор: Satoshi Abe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor device for preventing voids in the contact region and method of forming the same

Номер патента: US7875982B2. Автор: Satoshi Abe. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP3916803A1. Автор: Daisuke Kawase,Tomoyasu Furukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US6157564A. Автор: Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200161467A1. Автор: Shuhei Mitani,Yasuhiro Ebihara,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US6387738B2. Автор: Hye-dong Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060255354A1. Автор: Hiroshi Shibata,Yoshifumi Tanada,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Fin shape contacts and methods for forming fin shape contacts

Номер патента: US09728615B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Capacitor electrode for a ferroelectric memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: EP1632990A2. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-08.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130075687A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140377932A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2017068749A1. Автор: Teruaki Kumazawa,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162343A1. Автор: Takashi Tonegawa,Yuji ENARI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080153212A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8101462B2. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20080284013A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200066887A1. Автор: Tomohiro Imai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with coils in different wiring layers

Номер патента: US09711451B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Active matrix substrate and method for producing same

Номер патента: US09608008B2. Автор: Seiichi Uchida,Kuniaki Okada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Ferroelectric memory device guaranteeing electrical interconnection between lower capacitor electrode and contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: US6020233A. Автор: Jae Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US20220069121A1. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US20230246105A1. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US11646370B2. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US11818904B2. Автор: Min Jun Choi,Chang Hwa Kim,Kwan Sik KIM,Sang Su Park,Man Geun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device, electrical device system, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US9484472B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Variable resistance element and method for fabricating the variable resistance element

Номер патента: US20190074437A1. Автор: Munehiro Tada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US11984501B2. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20210367028A1. Автор: Daisuke Kawase,Tomoyasu Furukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US11942512B2. Автор: Daisuke Kawase,Tomoyasu Furukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210375904A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having first and second gate electrodes

Номер патента: US09899503B2. Автор: Akio Nakagawa,Manabu Takei,Yusuke Kobayashi,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812533B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09627405B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device containing conductor plug that can reduce contact resistance

Номер патента: US5641991A. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Solid-state imaging device and method for manufacturing same, and electronic instrument

Номер патента: US20240006437A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii,Yosuke Nitta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8629437B2. Автор: Tatsuya Ishida,Masahiro Inohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-14.

Display device and production method for same

Номер патента: US20240155901A1. Автор: Yi Sun,Masaki Fujiwara,Masahiko Miwa,Masaki Yamanaka,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Active matrix substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20230307465A1. Автор: Tetsuo Kikuchi,Tatsuya Kawasaki,Hajime Imai,Masaki Maeda,Yoshihito Hara,Yoshiharu Hirata,Tohru Daitoh,Teruyuki UEDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8921919B2. Автор: Shoichi Watanabe,Hiroyuki Kuroe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240304574A1. Автор: Atsushi Ito,Yasuo Yamaguchi,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Yohei Torii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20060121652A1. Автор: Satoshi Murakami,Masayuki Sakakura,Tomoaki Atsumi,Yosuke Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor device having conducting layers connected through contact holes

Номер патента: US5355023A. Автор: Yasuo Sato,Yugo Tomioka,Yukihiro Okeda. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014297A1. Автор: Yasunari Umemoto,Shigeki Koya,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and package including the semiconductor device

Номер патента: US20110316153A1. Автор: Noriyuki Nagai,Kiyomi Hagihara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Organic el device and method for manufacturing organic el device

Номер патента: US20150137085A1. Автор: Satoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120068179A1. Автор: Tatsuya Ishida,Masahiro Inohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190097043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA,Yasushi Takaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240170421A1. Автор: Takashi Tonegawa,Tohru Kawai,Teruhiro KUWAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230301109A1. Автор: Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20220069120A1. Автор: Shingo Hayashi,Akimasa Kinoshita,Yoshihito ICHIKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Hybrid structure and methods for forming the same

Номер патента: CA3007236A1. Автор: Marcus Alexander Erickson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-09-15.

Hybrid structure and methods for forming the same

Номер патента: CA3007236C. Автор: Marcus Alexander Erickson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-12-15.

Communication method for elements that form an electricity distribution network and devices for implementing the method

Номер патента: EP3370370B1. Автор: Thierry Schuffenecker,Roland Kogler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-09.

Process for forming optically clear conductive metal or metal alloy thin films and films made therefrom

Номер патента: EP2462791B1. Автор: Clark I. Bright. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-11-06.

Process for forming optically clear conductive metal or metal alloy thin films and films made therefrom

Номер патента: US9012044B2. Автор: Clark I. Bright. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2015-04-21.

METHODS FOR PREPARATION OF GRAPHENE NANORIBBONS FROM CARBON NANOTUBES AND COMPOSITIONS, THIN FILMS AND DEVICES DERIVED THEREFROM

Номер патента: US20140120024A1. Автор: Tour James M.,Kosynkin Dmitry V.,Price-Hoelscher Brandi Katherine,Dugue Amanda. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for the production of biologically-degradable packagings made from biaxially-drawn films and such packagings

Номер патента: EP1395415B1. Автор: Detlef D. Busch,Marlies Rosenbaum. Владелец: Treofan Germany GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-12-22.

Anchor-layer-forming coating liquid, pressure-sensitive adhesive layer-carrying optical film and method for producing the film

Номер патента: US20130330550A1. Автор: Tomoyuki Kimura,Masakuni Fujita,Yuusuke Toyama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Solution for forming ultra-hydrophilic photocatalyst film, construct provided with the film and process for producing the same

Номер патента: TW200303788A. Автор: Shiro Ogata,Yoshimitsu Matsui. Владелец: SUSTAINABLE TITANIA TECHNOLOGY. Дата публикации: 2003-09-16.

Solution for forming ultra hydrophilic photocatalyst film, construct provided with the film and process for producing the same

Номер патента: US20050069639A1. Автор: Shiro Ogata,Yoshimitsu Matsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Resin film and manufacturing method for the same, and resin laminated metal sheet using said resin film and manufacturing method for the same

Номер патента: CA2447667A1. Автор: Takeshi Suzuki,Akihiko Furuta,Masaaki Yamashita,Hiroshi Kubo,Hiroki Iwasa,Yasuhide Yoshida,Keiji Sugawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

White powder and method for producing the same

Номер патента: US20070184268A1. Автор: Kiyoshi Hoshino,Akira Kishimoto,Shinichi Ogura,Katsuto Nakatsuka,Takafurmi Atarashi,Tetsurou Hoshiba. Владелец: Nittetsu Mining Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Solution for forming ultra-hydrophilic photocatalyst film, construct provided with the film and process for producing the same

Номер патента: HK1070092A1. Автор: Shiro Ogata,Yoshimitsu Matsui. Владелец: SUSTAINABLE TITANIA TECHNOLOGY. Дата публикации: 2005-06-10.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: EP3892681A1. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: US20210332228A1. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for producing semiconductor optical device and semiconductor optical device

Номер патента: US20120094415A1. Автор: Hideki Yagi,Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Photoresist polymer and method for producing the same, photoresist composition using the same, photoresist pattern forming method, and semiconductor device

Номер патента: JP3688222B2. Автор: ▲みん▼鎬 鄭,載昌 鄭,基鎬 白,根守 李. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-24.

System and method for forming gloss and matte transparent labels from a common film and emulsion set

Номер патента: WO2007040745A1. Автор: Wesley Ryan Schalk,Lynn Cheney. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-04-12.

APPARATUSES AND METHODS FOR USING LOOK-AHEAD DUTY CYCLE CORRECTION TO DETERMINE DUTY CYCLE ADJUSTMENT VALUES WHILE A SEMICONDUCTOR DEVICE REMAINS IN OPERATION

Номер патента: US20200162066A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-21.

A method for controlling retroreflectivity by applying a printed pattern to a retroreflective film and sheet produced by said method

Номер патента: ES2719199T3. Автор: Nikhil Agashe. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Thiol compound, method for producing thiol compound, polymer, composition, curable composition, color composition, cured film, and color filter

Номер патента: WO2016052069A1. Автор: 金子　祐士,純一 伊藤,賢 鮫島,宏明 出井,彰宏 原,昌之 原田. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for producing laminated sheet thermoplastic resin film, laminated sheet thermoplastic resin film and thermoformed product thereof

Номер патента: JP4073978B2. Автор: 淳司 藤井,勝美 内山,章 船木,徹 行本. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Thiol compound, method for producing thiol compound, polymer, composition, curable composition, color composition, cured film, and color filter

Номер патента: KR101982554B1. Автор: 준이치 이토,유시 카네코,히로아키 이데이,아키히로 하라,마사유키 하라다,수구루 사메지마. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-05-27.

Composition for forming semiconductor substrate passivation film, semiconductor substrate with passivation film and method for producing the same, solar cell element and method for producing the same

Номер патента: JP6107033B2. Автор: 吉田　誠人,誠人 吉田,靖 倉田,倉田　靖,剛 野尻,野尻　剛,徹 田中,田中　徹,明博 織田,剛 早坂. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A PACKAGING ITEM THAT HAS AN IML INSULATING FILM IN COMBINATION WITH AN OXYGEN DEBUG.

Номер патента: ES2361366T3. Автор: Benny Elo Nielsen. Владелец: Superfos AS. Дата публикации: 2011-06-16.

Coating composition for forming titanium oxide film, method of forming titanium oxide film and metal substrate coated with titanium oxide film

Номер патента: TW200300163A. Автор: Osamu Isozaki,Jun Akui,Yasuhiko Haruta,Akinori Nagai. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-16.

Substrate with transparent conductive film, method for producing the same, display element using substrate with transparent conductive film, and solar cell using substrate with transparent conductive film

Номер патента: JP5449836B2. Автор: 正樹 松森,泰雄 今西,三夫 田口. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-03-19.

Method for electrolyzing acidic copper chloride to electrolyze copper without using ion film and having higher recycling rate

Номер патента: TW201712157A. Автор: Bao-Ji Ye. Владелец: Dongguan Jin Wei Water Treatment And Accessories Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-01.

MEMS gas sensor and method for manufacturing MEMS gas sensor

Номер патента: US12055507B2. Автор: Hiroaki Suzuki,Teppei KIMURA,Kazuo Terasawa. Владелец: Nissha Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032242A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010048125A1. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Light emitting element, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US12069880B2. Автор: Takayoshi Kato,Shimpei Tsujikawa,Naoya Kasahara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, display device, photoelectric conversion device, electronic apparatus, illumination device, moving body, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240334769A1. Автор: Kentaro Suzuki,Toshihiro Shoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor storage device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11778820B2. Автор: Go Oike. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing sensor apparatus and sensor apparatus

Номер патента: US20130140461A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Multilayer board and method for manufacturing same

Номер патента: US12028990B2. Автор: Sung Jin Lee,Young Jun Kim,Su Jeong SHIN. Владелец: Stemco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Multilayer film substrate, acoustic wave device, module, and method for producing multilayer film substrate

Номер патента: US20240178813A1. Автор: Yoshiaki Takaoka,Shinichi Shioi. Владелец: Sanan Japan Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20060226448A1. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080157213A1. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7113661B2. Автор: Yasuyuki Arai,Mai Akiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-26.

Copolymerised polyamide resin, method for production thereof, resin composition and moulded article made from copolymerised polyamide resin or resin composition

Номер патента: RU2565069C2. Автор: Минору КИКУТИ,Кацуми СИНОХАРА,Томомити КАНДА,Хидеюки КУРОСЕ. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US09977290B2. Автор: Isamu Miyake,Koichi Miyachi,Hiroaki ASAGI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, cured film, interlayer insulating film, cover coat layer, surface protection film, and electronic component

Номер патента: US20230359122A1. Автор: Akira Asada,Atsutaro Yoshizawa. Владелец: HD MicroSystems Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERNED CURED FILM, CURED FILM, INTERLAYER INSULATING FILM, COVER COAT LAYER, SURFACE PROTECTIVE FILM, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20210311390A1. Автор: Yoneda Satoshi,ENOMOTO Tetsuya,OHE Masayuki,YOSHIZAWA Atsutaro,ASADA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

Polyimide precursor, resin composition, photosensitive resin composition, method for manufacturing patterned cured film, cured film, interlayer insulating film, cover coat layer, surface-protective film, and electronic component

Номер патента: US20240092973A1. Автор: Nobuyuki Saito,Atsutaro Yoshizawa,Daisaku Matsukawa,Naoto NAGAMI. Владелец: HD MicroSystems Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Photosensitive resin composition, method for manufacturing pattern-cured product, cured product, interlayer insulation film, cover coat layer, surface protection film, and electronic component

Номер патента: TW202028863A. Автор: 榎本哲也,米田聡,朝田皓,副島和也,松家則孝. Владелец: 日商日立化成杜邦微系統股份有限公司. Дата публикации: 2020-08-01.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING PATTERN CURED PRODUCT, CURED PRODUCT, INTERLAYER INSULATING FILM, COVER COAT LAYER, SURFACE PROTECTIVE FILM AND ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: JP7147749B2. Автор: 伸行 斉藤,由香里 鯉渕,哲也 榎本,崇司 川守,篤太郎 吉澤,皓 朝田,越晴 土屋. Владелец: HD MicroSystems Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: EP3892681A4. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-24.

POLYMER, RESIN COMPOSITION, ANTIFOULING COATING MATERIAL COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING POLYMER, METHOD FOR FORMING STRUCTURE FOR STABILIZING CARBAMATE ON SURFACE OF COATING FILM, AND METHOD FOR REGENERATING STRUCTURE FOR STABILIZING CARBAMATE ON SURFACE OF COATING FILM

Номер патента: US20190276682A1. Автор: Nakamura Junichi,SUGA Takeo,Nishide Hiroyuki,IWASAKI Tomokazu,TANIGUCHI Kana,KATSUMATA Sho. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Polymer, resin composition, antifouling coating material composition, method for producing polymer, method for forming structure for stabilizing carbamate on surface of coating film, and method for regenerating structure for stabilizing carbamate on surface of coating film

Номер патента: EP3546487A1. Автор: Junichi Nakamura,Hiroyuki Nishide,Takeo Suga,Kana Taniguchi,Sho Katsumata,Tomokazu IWASAKI. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2019-10-02.

Method for manufacturing liquid crystal display device

Номер патента: US20160178968A1. Автор: Isamu Miyake,Koichi Miyachi,Hiroaki ASAGI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for producing a multilayer composite film, multilayer composite film, and use thereof

Номер патента: AU2021266119B2. Автор: Jurgen Michael Schiffmann. Владелец: Kuhne Anlagenbau GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

SILICONE SKELETON-CONTAINING POLYMER COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING SAME, CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION, PHOTO-CURABLE DRY FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME, PATTERNING PROCESS, LAYERED PRODUCT, AND SUBSTRATE

Номер патента: US20160097973A1. Автор: Hasegawa Koji,Urano Hiroyuki,Takemura Katsuya,Fujiwara Takayuki,FUKUSHIMA Masahiro,IIO Masashi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-07.

Casting method for a product formed an inside flow passage and the product

Номер патента: KR20200067485A. Автор: 이철웅,유진호,이지용,조영래. Владелец: 엠에이치기술개발 주식회사. Дата публикации: 2020-06-12.

Composition for manufacturing liquid-crystal alignment film, liquid-crystal alignment film using same composition and method for manufacturing same, liquid-crystal display element having liquid-crystal alignment film and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017061541A1. Автор: 佳和 原田. Владелец: 日産化学工業株式会社. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for treating inner peripheral face of fluororesin tubular film, fluororesin tubular film, apparatus for treating inner peripheral face of fluororesin tubular film, method for treating inner peripheral face of pfa tubular film, pfa tubular film, and apparatus and roller for trating inner peripheral face of pfa tubular

Номер патента: WO2006028016A1. Автор: Shigeki Ito,Shinji Goda,Hidetugu Shimatani,Sadamitu Ochiai. Владелец: AIR WATER INC.. Дата публикации: 2006-03-16.

An adsorption film and a method for producing the same, and an adsorption film having a release film and a method for producing the same

Номер патента: TWI555635B. Автор: Junichi Moriyama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Composition for Forming Hard Coating Layer, Method of Preparing Hard Coating Film and Hard Coating Film Prepared by Using the Same

Номер патента: US20200048462A1. Автор: PARK Jin Su,Ahn Jong Nam,Ko Byoung Sun,Jang Tae Sug,Yoon Ho Chul. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Composition for Forming Hard Coating Layer, Preparation Method of Hard Coating Film, and Hard Coating Film Prepared Using the Same

Номер патента: US20200062991A1. Автор: PARK Jin Su,Ahn Jong Nam,Ko Byoung Sun,Jang Tae Sug,Yoon Ho Chul. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Coating composition for forming a coating film with reduced frictional resistance, coating film, and substrate with coating film

Номер патента: KR102206901B1. Автор: 소이치로 다니노,야스유키 세키,준지 니이모토,히데유키 다나카. Владелец: 주고꾸 도료 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-01-22.

Composition for producing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film using same, method for producing same, liquid crystal display element having liquid crystal alignment film, and method for producing same

Номер патента: CN108369358B. Автор: 原田佳和. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2022-02-25.

Composition for producing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film using same, method for producing same, liquid crystal display element having liquid crystal alignment film, and method for producing same

Номер патента: CN107924092B. Автор: 森内正人. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2021-01-22.

COPOLYMER FOR SUPPRESSING PROTEIN ADSORPTION, METHOD FOR PRODUCING COPOLYMER, RESIN MODIFIER, MOLDING MATERIAL, COPOLYMER-CONTAINING COMPOSITION, COATING FILM, AND ARTICLE

Номер патента: US20210206896A1. Автор: Aso Hiromi,Mukunoki Kazunori,Saeki Yumiko,NISHIMURA Masanari,Oonuma Taeko. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for producing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film, optical film and image display device

Номер патента: JP3923062B2. Автор: 卓史 上条,清司 梅本,秀行 米澤,育郎 川本. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: WO2020114419A1. Автор: 山中拓,德平胜贞,杨海俊,全正茂,田头修二. Владелец: 大金工业株式会社. Дата публикации: 2020-06-11.

Method for producing fluorine-containing copolymer composition, coating composition, article having coating film, and molded article

Номер патента: JPWO2011129407A1. Автор: 岡野　邦子,邦子 岡野,中野　貴志,貴志 中野. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130346935A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for production of rolls of pre-stretched film and machine for its implementation

Номер патента: RU2713357C1. Автор: Александр Сергеевич Иванов. Владелец: Александр Сергеевич Иванов. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Method for manufacturing sheet joined body, sheet joined body, roll body, optical film and polarized film

Номер патента: TW201141643A. Автор: Naoyuki Matsuo,Atsushi Hino,ryuta Kibe. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for data communication between a plurality of semiconductor modules and a controller module and semiconductor module configured for that purpose

Номер патента: US6717832B2. Автор: Bret Johnson,Aaron Nygren. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-06.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130198710A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for removing particles from compressed gases used in cleaning textiles, fine mechanical objects and semiconductor wafers comprises adhering the particles to an adhesive

Номер патента: DE102004057170A1. Автор: Erwin Schuetz. Владелец: Schütz, Erwin, Dr.. Дата публикации: 2006-06-01.

Layered shrink film, method for producing layered shrink film, and container using layered shrink film

Номер патента: EP2054237A1. Автор: Kenji c/o Matsushita Electric Industrial Co.Ltd. OSHIMA,Shigeyuki c/o Matsushita Electric Industrial Co.Ltd. TAKAO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Method for producing a laminate polarizing plate and an optical member using thereof

Номер патента: US20050269020A1. Автор: Yoshiki Matsuoka. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of forming an underlayer of a bi-layer resist film and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20040259024A1. Автор: Jin Hong,Sang-gyun Woo,Hyun-Woo Kim,Myoung-Ho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Meat processing unit and method for the production of an extruded meat product

Номер патента: US20210100255A1. Автор: Josep Lagares Gamero. Владелец: Metalquimia SA. Дата публикации: 2021-04-08.

Apparatus and method for guiding and forming an extruded plastic strand

Номер патента: DE102004052972B4. Автор: Heinrich Dohmann,Reinhard Witt,Ralf Mickley,Norbert Dr. Kreth. Владелец: Battenfeld Extrusionstechnik GmbH. Дата публикации: 2010-10-28.

APPARATUSES AND METHODS FOR DIAGNOSING AND/OR TREATING LIPID TRANSPORT DEFICIENCY IN OCULAR TEAR FILMS, AND RELATED COMPONENTS AND DEVICES

Номер патента: US20150216725A1. Автор: Korb Donald R.,Grenon Stephen M.,Blackie Caroline,Bacich Steve. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Apparatuses and methods for diagnosing and/or treating lipid transport deficiency in ocular tear films, and related components and devices

Номер патента: WO2014031857A2. Автор: Donald R. Korb,Stephen M. Grenon,Steven R. Bacich,Caroline Blackie. Владелец: TearScience, Inc.. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for producing foldable packaging containers and container parts made of thermoplastic films and packaging blanks produced according to said method

Номер патента: CA2431772A1. Автор: Thorsten Seufert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for Producing a Metallic Coating in Certain Areas a Substrate, Transfer Film, and Use Thereof

Номер патента: US20080095956A1. Автор: Heinrich Wild,Ludwig Brehm. Владелец: Leonhard Kurz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for determining the thickness of the resin layer of the insert film, and method for manufacturing the resin molded product with the insert film

Номер патента: JP6853278B2. Автор: 良次 岡部,保徳 渡邊,航介 池田,奥田　晃久,晃久 奥田,佳奈 佐近. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Method for lining a transparent or translucent honeycomb panel with a filter film and compressed air device for projecting a strip of thin material into a very long cavity.

Номер патента: FR2715679B1. Автор: Jacques Devillers. Владелец: Jacques Devillers. Дата публикации: 1996-04-26.

Automatic machine and method for the packaging of a series of editorial products in plastic film and relative packaging

Номер патента: CA2586962A1. Автор: Aris Ballestrazzi,Lamberto Tassi. Владелец: SITMA Societa Italiana Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2007-11-09.

Automatic machine and method for the packaging of a series of editorial products in plastic film and relative packaging

Номер патента: US20070261371A1. Автор: Aris Ballestrazzi,Lamberto Tassi. Владелец: SITMA Societa Italiana Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for manufacturing sheet joined body, sheet joined body, roll body, optical film and polarized film

Номер патента: KR101718169B1. Автор: 나오유끼 마쯔오,류따 기베,아쯔시 히노. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-03-20.

Packaging body, method for storing or transporting polyvinyl alcohol-based film, polyvinyl alcohol-based film, and polarizing film

Номер патента: TW201714936A. Автор: 早川誠一郎,久保田哲哉,清水俊宏. Владелец: 日本合成化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-01.

Method for forming a thermal protective film

Номер патента: RU2662843C1. Автор: Хидео ЯМАСИТА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for forming in-mold coating multi-layer coating film

Номер патента: EP4431192A1. Автор: Takashi Kitamura,Haruka Nakaoka,Katsuto Komura. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for manufacturing solar-control laminated glass

Номер патента: EP4244195A1. Автор: Bernard Nghiem,Guillaume Gauthier,Koucun ZHANG. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for manufacturing touch panel structure, and method for manufacturing display apparatus

Номер патента: US09864474B2. Автор: Masaru Aoki,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Photosensitive resin composition for forming interlayer insulating film, interlayer insulating film, and method for forming interlayer insulating film

Номер патента: US20170255099A1. Автор: Kazuhide Uno. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180136391A1. Автор: Atsuro Inada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for forming a transparent electrode film

Номер патента: US20050040135A1. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for forming a transparent electrode film

Номер патента: US7163638B2. Автор: Takuya Miyakawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-01-16.

Touch panel structure, method for manufacturing touch panel structure and method for manufacturing display apparatus

Номер патента: US09727189B2. Автор: Toru Takeguchi,Masaru Aoki,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Set and method for local delivery of beneficial effects

Номер патента: RU2750210C2. Автор: Курт БИННЕР,Александру ПАУНЕСКУ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2021-06-24.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Porous film manufacturing method, interlayer insulating film, semiconductor material, and semiconductor device

Номер патента: JP4422643B2. Автор: 隆 後藤,博文 田中,良彰 奥,哲郎 小野,雅美 村上,一夫 高村,藤井　　宣年,俊輔 大池. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Structure and method for reducing the stress of an interlayered dielectric layers

Номер патента: TW354408B. Автор: Kuo-Tai Huang,Huo-Tie Lu,Tsuei-Rung Yao. Владелец: . Дата публикации: 1999-03-11.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING PATTERN CURED PRODUCT, CURED PRODUCT, INTERLAYER INSULATING FILM, COVER COAT LAYER, SURFACE PROTECTIVE FILM AND ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: JP7238316B2. Автор: 拡子 四柳,大作 松川,範幸 山崎. Владелец: HD MicroSystems Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Cyclic aminophenol compound, cyclic thermosetting resin, manufacturing method thereof, insulating film material, insulating film coating varnish, insulating film using these, and semiconductor device

Номер патента: JP4507658B2. Автор: 尚史 榎,美帆子 松谷. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-21.

Low-dielectric constant insulating film, manufacture thereof and semiconductor device using the film

Номер патента: JPH11111712A. Автор: 義弘 中田,Shunichi Fukuyama,Yoshihiro Nakada,俊一 福山,Tomoko Katayama,倫子 片山,Jo Yamaguchi,城 山口. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-04-23.

Insulating film for semiconductor and semiconductor device using the same

Номер патента: JP2004288749A. Автор: Hidenori Saito,英紀 斎藤,創平 舩岡,Souhei Funaoka. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for manufacturing low dielectric constant material and interlayer insulating film

Номер патента: JP3468717B2. Автор: 基邦 一谷,一彦 中村. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-17.

Method for etching medium carbon steel matrix, antifriction and antiwear composite lubricating film, and preparation method therefor

Номер патента: ZA202110765B. Автор: Jian Zhang,Yong Wan,Mingming Liu,Yifang Liu,Zhongqian Wang. Владелец: Univ Qilu Technology. Дата публикации: 2022-03-30.

Correcting method for exposure pattern, correcting device for exposure pattern, mask for exposure, exposure method and semiconductor device

Номер патента: JPH10189409A. Автор: 学 冨田,Manabu Tomita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Method for producing adhesive composition, adhesive composition, adhesive film, wiring board for semiconductor mounting, and semiconductor device

Номер патента: JP3825247B2. Автор: 禎一 稲田,哲郎 岩倉,弘之 栗谷,靖 島田,裕子 田中,圭二 住谷. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for forming InSb-based crystal film, and InSb-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3458687B2. Автор: 丈士 田中,峰生 和島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-20.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON DOTS AND METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A SUBSTRATE WITH SILICON DOTS AND INSULATING FILM

Номер патента: US20120211351A1. Автор: Takahashi Eiji,TOMYO Atsushi,Kaki Hirokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

Single crystal substrate, method for producing the same, semiconductor thin film formed on the single crystal substrate, and semiconductor structure

Номер патента: JP2011102213A. Автор: Shintaro Miyazawa,Hideo Nakae,Satoshi Ichikawa,信太郎 宮澤,智 市川,秀雄 中江,Toshiki Kanamori,俊樹 金森. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for manufacturing power insulating device, power insulating device and insulating film

Номер патента: JP4954631B2. Автор: 文幸 佐々木,都男 望月. Владелец: Somar Corp. Дата публикации: 2012-06-20.

Device isolation insulating film formation method of a semiconductor device

Номер патента: KR0144492B1. Автор: 김승준,신기수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-07-01.

Slective etching method for polycrystalline silicon film and manufacture of semiconductor device using the same

Номер патента: JPH1167724A. Автор: Takafumi Tokunaga,尚文 徳永,Tadashi Umezawa,唯史 梅澤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

COMPOSITION FOR FORMING WATER REPELLENT FILM, SUBSTRATE WITH A WATER REPELLENT FILM AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION, AND ARTICLE FOR TRANSPORT EQUIPMENT

Номер патента: US20120135252A1. Автор: Ito Atsushi,KISHIKAWA Noriko,Takeda Yosuke,Yoneda Takashige. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for controlling film quality of crystalline semiconductor film, computer software for it, crystalline silicon film, semiconductor device, and thin-film transistor

Номер патента: JPH10107106A. Автор: Hiroyuki Ogawa,裕之 小川,Naoki Makita,直樹 牧田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-24.

METHOD FOR PRODUCING SOFT MAGNETIC METAL POWDER COATED WITH MG-CONTAINING OXIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE SOFT MAGNETIC MATERIAL USING SAID POWDER

Номер патента: US20120070567A1. Автор: . Владелец: Diamet Corporation. Дата публикации: 2012-03-22.

PROCESS FOR FORMING OPTICALLY CLEAR CONDUCTIVE METAL OR METAL ALLOY THIN FILMS AND FILMS MADE THEREFROM

Номер патента: US20120125660A1. Автор: Bright Clark I.. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Organic thin film, method for selecting the same, method for measuring the number of trap carriers in the organic thin film, and electronic device

Номер патента: JP5568410B2. Автор: 弥 外山,卓郎 椙山. Владелец: ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for manufacturing liquid crystal alignment film, liquid crystal alignment film, optical film and image viewing display

Номер патента: CN100392488C. Автор: 川本育郎,米泽秀行,上条卓史,梅本清司. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Method for producing white heat-shrinkable polyester film, white heat-shrinkable polyester film, and package

Номер патента: JP2014031011A. Автор: Katsuhiko Nose,Masatoshi Hashimoto,克彦 野瀬,雅幸 春田,幸伸 向山,Masayuki Haruta,正敏 橋本,Yukinobu Mukoyama. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor thin film and thin-film semiconductor device using it

Номер патента: JPH10261589A. Автор: 舜平 山崎,Shunpei Yamazaki,Naoto Kusumoto,Kouyuu Chiyou,宏勇 張,直人 楠本. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-29.

Method for producing coating film with use of aerosol, particulate therefor, coating film and composite material

Номер патента: TW200706695A. Автор: Hironori Hatono,Junichi Iwasawa,Hiroaki Ashizawa. Владелец: TOTO LTD. Дата публикации: 2007-02-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003583A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,TAKAHASHI Toshiya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Forming Electronic Material Layer

Номер патента: US20120000775A1. Автор: Hong Mun Pyo,Lee Yoo Jong,Jang Yun-Sung. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.