Power factor correction circuit
Номер патента: KR100280639B1
Опубликовано: 01-02-2001
Автор(ы): 이상우, 장경희
Принадлежит: 김덕중, 페어차일드코리아반도체주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-02-2001
Автор(ы): 이상우, 장경희
Принадлежит: 김덕중, 페어차일드코리아반도체주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Power factor correction (PFC) circuit
Номер патента: US6259613B1. Автор: Sang-Woo Lee,Kyung-hee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-10.