Light assisted platelet formation facilitating layer transfer from a semiconductor donor substrate.

Light assisted platelet formation facilitating layer transfer from a semiconductor donor substrate

Номер патента: US20190329542A1
Опубликовано: 31-10-2019
Автор(ы): Charles Lottes, Gang Wang
Принадлежит: GlobalWafers Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for manufacturing a semiconductor device by thermal treatment with hydrogen

Номер патента: US09449847B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194539A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for transferring blocks from a donor substrate onto a receiver substrate by implanting ions in the donor substrate through a mask, bonding the donor substrate to the receiver substrate, and detaching the donor substrate along an embrittlement plane

Номер патента: US11776843B2. Автор: Didier Landru,Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for transferring blocks from a donor substrate onto a receiver substrate by implanting ions in the donor substrate through a mask, bonding the donor substrate to the receiver substrate, and detaching the donor substrate along an embrittlement plane

Номер патента: US12094759B2. Автор: Didier Landru,Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194538A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of making a semiconductor device having a semiconductor material on a relaxed semiconductor including replacing a strained, selective etchable material, with a low density dielectric in a cavity

Номер патента: US09530669B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for producing a semiconductor structure comprising a useful layer made of silicon carbide, with improved electrical properties

Номер патента: US20240312831A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Gweltaz Gaudin,Emmanuel Rolland,Julie Widiez,Alexis Drouin,Séverin Rouchier. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Layer transferring process

Номер патента: US09583341B2. Автор: Monique Lecomte,Vivien Renauld. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-28.

Low-temperature method for manufacturing a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20220172984A1. Автор: Shay REBOH,Jean-Michel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-02.

Silicon layer transfer substrate and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US9018738B2. Автор: Minoru Mitsui. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Silicon layer transfer substrate and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20120238071A1. Автор: Minoru Mitsui. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for transferring a layer from a single-crystal substrate

Номер патента: US09768057B2. Автор: Ludovic Ecarnot,Nicolas Daval,Francois Boedt,Nadia Ben Mohamed,Carole David,Isabelle Guerin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of removing free halogen from a halogenated polymer insulating layer of a semiconductor device and resulting semiconductor device

Номер патента: US20030183952A1. Автор: Paul Farrar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor wafer having an SOI configuration

Номер патента: US09842762B1. Автор: Berthold Reimer,Boris Bayha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of mechanical separation for a double layer transfer

Номер патента: US20240021461A1. Автор: Ionut Radu,Marcel Broekaart,Didier Landru. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-01-18.

Mothods for processing a coating film and for manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US20020192977A1. Автор: Yasushi Fujii,Atsushi Matsushita. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12021144B2. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: EP4332529A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

[structure applied to a photolithographic process and method for fabricating a semiconductor device]

Номер патента: US20050148166A1. Автор: Shun-Li Lin,Wen Chung Chang,Yun Chu Lin,Ching Yi Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Method for selective deposition of a semiconductor material

Номер патента: US8492273B2. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-07-23.

Method for Selective Deposition of a Semiconductor Material

Номер патента: US20120034762A1. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for fabricating a semiconductor structure using a protective layer, and semiconductor structure

Номер патента: US20030073297A1. Автор: Juergen Holz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing process of an rf-soi trapping layer substrate resulting from a crystalline transformation of a buried layer

Номер патента: US20210183690A1. Автор: Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-06-17.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device having contact trenches extending from opposite sides of a semiconductor body

Номер патента: US12136670B2. Автор: Thorsten Meyer,Hans-Peter Lang,Andreas Meiser,Markus Zundel,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacture of a semiconductor wafer suitable for the manufacture of an SOI substrate, and SOI substrate wafer thus obtained

Номер патента: US09929039B2. Автор: Didier Dutartre,Herve Jaouen. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for forming an electrical contact between a semiconductor film and a bulk handle wafer, and resulting structure

Номер патента: US20210233811A1. Автор: Didier Dutartre,Jean-Luc Huguenin,Jean-Pierre Carrere,Clement Pribat,Sarah Kuster. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor array and method for manufacturing a semiconductor array

Номер патента: US20060094202A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-04.

Isolation structure in a semiconductor device processes and structures

Номер патента: US20140264721A1. Автор: Guo-Yu LAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods for Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Devices

Номер патента: US20170365516A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20210151342A1. Автор: Bo Hua CHEN,Yan Ting SHEN,Fu Tang Chu,Wen Han YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor wafers and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09779931B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Freund,Helmut Oefner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor package including correcting alignment error while forming redistribution wiring struture

Номер патента: US11972966B2. Автор: Changeun JOO,Gyujin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for use in such a method

Номер патента: EP1647045A1. Автор: Ingrid A. Rink,Reinoldus B. M. Vroom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing semiconductor devices which allows reproducible thinning of a semiconductor body of the semiconductor devices

Номер патента: US09613804B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Thomas Neidhart,Guenter Schagerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-04.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130292801A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130082356A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for separating dies from a semiconductor substrate

Номер патента: US20240339361A1. Автор: Benjamin Bernard,Mario Stefenelli,Franz-Josef Pichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and apparatus for irradiating a semiconductor material surface by laser energy

Номер патента: EP2429753A1. Автор: Julien Venturini. Владелец: EXCICO FRANCE. Дата публикации: 2012-03-21.

Multi-silicide structure for a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US12040375B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, and semiconductor die produced from a semiconductor wafer

Номер патента: US20220301933A1. Автор: John Cooper,Michael KNABL,Matic KRIVEC,Andreas Kitzler,Daniel Pieber,Jakob Simon Dohr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for processing a semiconductor layer, method for processing a silicon substrate, and method for processing a silicon layer

Номер патента: US09941111B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Philipp Koch,Christian Maier,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09724921B2. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09321269B1. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-26.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Plasma treating apparatus, substrate treating method, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160049312A1. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaehee Lee,Geunkyu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Systems and methods for fabricating a polycrystaline semiconductor resistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US09761461B2. Автор: Hong Tian,Zhonghai Shi,Vince Deems. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating a trench structure, and a semiconductor arrangement comprising a trench structure

Номер патента: US20140073110A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Thoralf Kautzsch,Armin Willmeroth,Helmut Strack,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-13.

Plasma treatment of a semiconductor surface for enhanced nucleation of a metal-containing layer

Номер патента: WO2007111699A3. Автор: Olubunmi O Adetutu,Dina H Triyoso. Владелец: Dina H Triyoso. Дата публикации: 2008-12-11.

Plasma treatment of a semiconductor surface for enhanced nucleation of a metal-containing layer

Номер патента: WO2007111699A2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Dina H. Triyoso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Номер патента: US20160300719A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-13.

Method of manufacturing a semiconductor device with a continuous silicate glass structure

Номер патента: US09384960B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Markus Zundel,Alexander Susiti,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6358835B1. Автор: Ryuichi Kanamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Apparatus for polishing a wafer and method for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230170222A1. Автор: Ki Hoon Jang,Bo Un Yoon,Chung Ki Min,Dong Hoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11776852B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200105608A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for testing the stress robustness of a semiconductor substrate

Номер патента: US20240105523A1. Автор: Mitsunori Komoda,Alexander Vollkopf,Ludwig Koester. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20070099430A1. Автор: Kelley Higgins,Joseph Wiseman. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device utilzing two hard masks and two auxiliary masks to form PN junctions structure

Номер патента: US12087812B2. Автор: Andreas Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Sensing device and method of leveling a semiconductor wafer

Номер патента: US5944580A. Автор: Yong-Kwon Kim,Jun-Yong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-31.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US10332974B2. Автор: Chun-Yen Chang,Hao-Chung Kuo,Chen-Yu Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US9941402B2. Автор: Adrian Finney,Dietmar Kotz,Thomas Ostermann,Radu Eugen Cazimirovici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for preparing a semiconductor

Номер патента: US20110089445A1. Автор: Bruno Daudin,Henri Mariette. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method and structure for thick layer transfer using a linear accelerator

Номер патента: WO2008058131A2. Автор: Albert Lamm,Francois J. Henley,Babak Adibi. Владелец: Silicon Genesis Corporation. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Preparation of strained si/sige on insulator by hydrogen induced layer transfer technique

Номер патента: MY126089A. Автор: Donald F Canaperi,Hon-Sum Philip Wong,Jack Oon Chu,Lijuan Huang,Christopher P D Emic,John Albert Ott. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-09-29.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20210159115A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Marko David Swoboda,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-27.

Layer transfer of films utilizing controlled shear region

Номер патента: US09362439B2. Автор: Francois J. Henley. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Method of forming and/or modifying a dielectric film on a semiconductor surface

Номер патента: EP1540718A2. Автор: Ignaz Eisele,Jörg SCHULZE,Georg Roters,Zsolt Nenyei,Waltraud Dietl,Alexandra Ludsteck. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Method for Simultaneously Forming Features of Different Depths in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20130295773A1. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for simultaneously forming features of different depths in a semiconductor substrate

Номер патента: US8901005B2. Автор: Habib Hichri,Xi Li,Richard Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Method for making a semiconductor device with sidewal spacers for confinig epitaxial growth

Номер патента: US09929253B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device having a glass piece and a single-crystalline semiconductor portion

Номер патента: US09601376B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12142533B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of fabricating a semiconductor substrate having a stressed semiconductor region

Номер патента: US11810789B2. Автор: François Andrieu,Sylvain Maitrejean,Shay REBOH,Victor BOUREAU. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-07.

Process of forming a high electron mobility transistor including a gate electrode layer spaced apart from a silicon nitride film

Номер патента: US11710773B2. Автор: Yukinori Nose,Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030216055A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of fabricating a semiconductor wafer including a through substrate via (TSV) and a stepped support ring on a back side of the wafer

Номер патента: US09984888B2. Автор: David J. Howard,Hadi Jebory. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing semiconductor substrate including separating two semiconductor layers from a growth substrate

Номер патента: US09899565B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Misaichi Takeuchi,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including an isolation structure and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09614033B2. Автор: Till Schloesser,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Light-assisted deposition method for fabricating a compliant substrate for epitaxial growth of monocrystalline materials

Номер патента: US20030022520A1. Автор: Barbara Barenburg,Zhiyi Yu,Alexander Demkov. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor Device Including an Isolation Structure and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160190241A1. Автор: Till Schloesser,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Processing a semiconductor wafer

Номер патента: US09859362B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09524925B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Номер патента: US09496337B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for forming a crack in an edge region of a donor substrate

Номер патента: US12097641B2. Автор: Jan Richter,Christian Beyer,Franz Schilling,Marko David Swoboda. Владелец: SILTECTRA GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor Component Having a SiC Semiconductor Body and Method for Producing a Semiconductor Component

Номер патента: US20200111874A1. Автор: Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for producing discs from a cylindrical rod made of a semiconductor material

Номер патента: US20240234125A9. Автор: Joachim Junge,Georg Pietsch. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a semiconductor die

Номер патента: US20160005655A1. Автор: Michael J. Seddon,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-01-07.

Fabrication of a semiconductor device including a quantum dot structure

Номер патента: EP4434075A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Markus Scherrer,Preksha TIWARI,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of forming a semiconductor die

Номер патента: US09437493B2. Автор: Michael J. Seddon,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of porosifying part of a semiconductor wafer

Номер патента: US11810779B2. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of porosifying part of a semiconductor wafer

Номер патента: US20220310380A1. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor component having a semiconductor body with a cutout

Номер патента: US09923072B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for obtaining a resistive mask on a semiconductor substrate for the formation of micro- and nanostructures

Номер патента: RU2761773C1. Автор: Иван Николаевич Храпач,Александра Викторовна Кулакова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-12-13.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Comprising Etching a Semiconductor Material

Номер патента: US20180277391A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for partially removing a semiconductor wafer

Номер патента: US11404262B2. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-02.

Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190348525A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Partially removing a semiconductor wafer

Номер патента: EP3667706A2. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-17.

Method for Partially Removing a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20200168449A1. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

System, Method and Apparatus to Relieve Stresses in a Semiconductor Die Caused by Uneven Internal Metallization Layers

Номер патента: US20160211223A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: WO2016118227A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09728617B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: US09659882B2. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing a semiconductor device including removing a relief layer from back surface of semiconductor chip

Номер патента: US09646856B2. Автор: Thorsten Meyer,Klaus Reingruber,David O'Sullivan. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US09472642B2. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and Contact Structure for Coupling a Doped Body Region to a Trench Electrode of a Semiconductor Device

Номер патента: US20150179752A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-25.

A semiconductor device fabrication process

Номер патента: WO1991005365A1. Автор: Richard Anthony Alexis Rodrigues,Ewen Gillespie. Владелец: Seagate Microelectronics Ltd.. Дата публикации: 1991-04-18.

Method of producing a semiconductor body with a trench, semiconductor body with at least one trench and semiconductor device

Номер патента: US20220352016A1. Автор: Thomas Bodner,Georg Parteder. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Conductive feature of a semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11996324B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor Substrate Arrangements and a Method for Forming a Semiconductor Substrate Arrangement

Номер патента: US20160247703A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220029024A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP3945599A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220262955A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of Producing a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20160071819A1. Автор: Manfred Engelhardt,Edward Fuergut,Bernd Roemer,Hannes Eder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-10.

Process for manufacturing a semiconductor power device comprising charge-balance column structures and respective device

Номер патента: US20090159969A1. Автор: Ferruccio Frisina,Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-06-25.

Process for manufacturing a semiconductor substrate, and semiconductor substrate obtained

Номер патента: WO2013108120A1. Автор: Francois Boedt,Olivier Ledoux,Roland Brun,Eric Butaud. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2013-07-25.

Process for manufacturing a semiconductor substrate, and semiconductor substrate obtained

Номер патента: US20140346639A1. Автор: Francois Boedt,Olivier Ledoux,Roland Brun,Eric Butaud. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2014-11-27.

Process for manufacturing a semiconductor substrate, and semiconductor substrate obtained

Номер патента: US09911641B2. Автор: Francois Boedt,Olivier Ledoux,Roland Brun,Eric Butaud. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

A layer transfer method

Номер патента: EP1586115A1. Автор: Bernard Aspar,Olivier Rayssac,Severine Bressot. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2005-10-19.

Method for layer transfer with localised reduction of a capacity to initiate a fracture

Номер патента: US11769687B2. Автор: Shay REBOH,Frédéric Mazen,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-09-26.

EMI shield for high frequency layer transferred devices

Номер патента: US09786613B2. Автор: Michael A. Stuber. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Electronic Device Including a Semiconductor Body or an Isolation Structure Within a Trench

Номер патента: US20200295126A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of manufacturing a semiconductor device by forming a separation trench

Номер патента: US09935055B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for transferring a useful layer from a donor substrate onto a support substrate by applying a predetermined stress

Номер патента: US12142517B2. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Landru,Nadia Ben Mohamed. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-11-12.

Finishing process for the manufacture of a semiconductor structure

Номер патента: US7514341B2. Автор: Alice Boussagol,Eric Neyret,Nadia Ben Mohamed. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-04-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12057445B2. Автор: Szu-Ping Tung,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Wen-Tzu Chen,Guan-Yao TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230037025A1. Автор: Szu-Ping Tung,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Wen-Tzu Chen,Guan-Yao TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Porous semiconductor layer transfer for an integrated circuit structure

Номер патента: WO2018044494A1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US8035200B2. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Releasing apparatus for separating a semiconductor substrate from a semiconductor template

Номер патента: US9397250B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi,Sam Tone Tor,Karl-Josef Kramer. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having a semiconductor film of low oxygen concentration

Номер патента: US6100570A. Автор: Yutaka Saito. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US9012301B2. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US20100237475A1. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110089513A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor on insulator having a semiconductor layer with different thicknesses

Номер патента: US20240371882A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device having an insulating film in trenches of a semiconductor substrate

Номер патента: US09711563B2. Автор: Takehito Okabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor workpiece having a semiconductor substrate with at least two chip areas

Номер патента: US09461004B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Layer transfer methods

Номер патента: MY135493A. Автор: Aspar Bernard,Rayssac Olivier,Bressot Severine. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2008-04-30.

Layer transfer methods

Номер патента: US20040082147A1. Автор: Bernard Aspar,Olivier Rayssac,Severine Bressot. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2004-04-29.

Process for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010055853A1. Автор: Shinichi Sato,Takayuki Taniguchi,Masanori Yoshimi,Takuji Tanigami,Naoyuki Shinmura,Kenji Hakozaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Methods of Manufacturing a Semiconductor Device by Forming a Separation Trench

Номер патента: US20170012002A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-12.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127650A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Method for Producing a Semiconductor Chip

Номер патента: US20230395561A1. Автор: Bernardette Kunert,Yves MOLS,Guillaume Boccardi,Abhitosh Vais,Sachin Yadav,Bertrand Paravais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-07.

A method for producing a semiconductor chip

Номер патента: EP4287247A1. Автор: Bernardette Kunert,Yves MOLS,Guillaume Boccardi,Bertrand PARVAIS,Abhitosh Vais,Sachin Yadav. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor wafer including a monocrystalline semiconductor layer spaced apart from a poly template layer

Номер патента: US09842899B2. Автор: Eddy De Backer,Peter Moens,Hocine Bouzid Ziad. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20190273109A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of forming a conductive structure in a semiconductor material

Номер патента: US6930010B1. Автор: William M. Coppock,Charles A. Dark. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09911778B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Optoelectronic devices made using layers detached from inherently lamellar semiconductor donors

Номер патента: US09525150B2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERLASE TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09443802B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of producing a semiconductor device with protruding contacts

Номер патента: WO2015117800A1. Автор: Jochen Kraft,Martin Schrems,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of producing a semiconductor device with protruding contacts

Номер патента: US20160351515A1. Автор: Jochen Kraft,Martin Schrems,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for cleaning a processing chamber and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040074515A1. Автор: Hyeon-deok Lee,Jin-gi Hong,Ji-Soon Park,Jung-Wook Kim,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

A semiconductor structure

Номер патента: EP4407656A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20230187335A1. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for cleaning a processing chamber and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7311109B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Jin-gi Hong,Ji-Soon Park,Jung-Wook Kim,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-25.

A semiconductor structure

Номер патента: WO2024156804A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11869836B2. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of producing a semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball

Номер патента: US09870988B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of producing a semiconductor device with protruding contacts

Номер патента: US09768131B2. Автор: Jochen Kraft,Martin Schrems,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Structures to mitigate contamination on a back side of a semiconductor substrate

Номер патента: US09698108B1. Автор: Hao Wu,Xavier F. Brun,Mohit Mamodia,Hualiang Shi,Shweta AGRAWAL,Shengquan E. Ou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20150318167A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for producing a semiconductor

Номер патента: US20160225626A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Friedrich Kroener,Werner Schustereder,Ingo Muri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for manufacturing a semiconductor structure, semiconductor structure, and electronic device

Номер патента: US09768251B2. Автор: Heinz Schmid,Heike E. Riel,Mattias B. Borg,Kirsten E. Moselund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Package assembly including a semiconductor substrate in which a first portion of a surface of the semiconductor substrate is recessed relative to a second portion of the surface of the semiconductor substrate to form a recessed region in the semiconductor substrate

Номер патента: US09768144B2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Runzi Chang,Shiann-Ming Liou,Scott Wu,Chuan-Cheng Cheng,Roawen Chen,Chung Chyung (Justin) Han. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2756003C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-24.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP3471132A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210074840A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing a semiconductor and a semiconductor device

Номер патента: US11973144B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for processing a semiconductor workpiece and semiconductor device

Номер патента: US20180277641A1. Автор: Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Removal of barrier and liner layers from a bottom of a via

Номер патента: US20220028738A1. Автор: Koichi Motoyama,Chanro Park,Kenneth Chun Kuen Cheng,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260876A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

A semiconductor device and a method for forming the semiconductor device

Номер патента: US20200395385A1. Автор: Bo Yu,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing a semiconductor layer

Номер патента: US20140061863A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Rainer Winkler,Hans-Joerg Timme,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Apparatus and method for collecting impurities on a semiconductor wafer

Номер патента: US6939410B2. Автор: Jong-Cheol Jeong,Yong-Kyun Ko,Byung-Woo Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-06.

Structure formation in a semiconductor device

Номер патента: US12068363B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electrical conductive vias in a semiconductor substrate and a corresponding manufacturing method

Номер патента: US20170294351A1. Автор: Roy Knechtel,Uwe Schwarz,Sophia Dempwolf,Daniela Guenther. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US12074094B2. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for Producing a Semiconductor Body, A Semiconductor Body and an Optoelectronic Device

Номер патента: US20220199405A1. Автор: Darshan KUNDALIYA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for producing a semiconductor body, a semiconductor body and an optoelectronic device

Номер патента: WO2022128365A1. Автор: Darshan KUNDALIYA. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for forming a semiconductor package with stress reduction design

Номер патента: US20240334608A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Structure formation in a semiconductor device

Номер патента: US20240371921A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Light detection device including a semiconductor light detection element with a through-hole electrode connection, a mounting substrate and a light-transmissive substrate

Номер патента: US09748428B2. Автор: Takashi Baba,Tomofumi Suzuki,Noburo Hosokawa,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-08-29.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Production method for a semiconductor device

Номер патента: US09530672B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Temperature-controlled implanting of a diffusion-suppressing dopant in a semiconductor structure

Номер патента: US09508602B2. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Light detection device having a semiconductor light detection element, a mounting substrate, a glass substrate and a plurality of through-hole electrodes electrically connected to quenching resistors

Номер патента: US09435686B2. Автор: Takashi Baba,Tomofumi Suzuki,Noburo Hosokawa,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of reducing an impurity concentration in a semiconductor body, method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09425063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20160365477A1. Автор: Chun-Yen Chang,Hao-Chung Kuo,Chen-Yu Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for forming a semiconductor on insulator structure

Номер патента: WO2007133604B1. Автор: Mark Andrew Stocker. Владелец: Mark Andrew Stocker. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of producing a through-substrate via in a semiconductor device and semiconductor device comprising a through-substrate via

Номер патента: WO2014166842A1. Автор: Jochen Kraft,Bernhard LÖFFLER,Günther Koppitsch,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Method and apparatus for removing particles from the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20230178362A1. Автор: Kurt A. Schroder,David Alex ROSE. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160064477A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing a semiconductor package including a shield layer

Номер патента: US10497623B2. Автор: Youngsuk Kim,Byeongdeck Jang. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180166543A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: lnfineon Technologies Austria AG. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure and method for fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20220384357A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Comprising First and Second Field Stop Zone Portions

Номер патента: US20190165090A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Method and apparatus for removing particles from the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: WO2023101692A1. Автор: Kurt A. Schroder,David Alex ROSE. Владелец: NCC NANO, LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of monitoring a semiconductor device fabrication process and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220068728A1. Автор: Youngjoo Lee,Taekyun KANG,Hyowon Bae,Sang Yoon Han,Jitae PARK,Doo Young Gwak,Aekyung KIM,Kyunggon You,Seongjin IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods of forming a semiconductor layer including germanium with low defectivity

Номер патента: US20150118829A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for Producing a Semiconductor Body

Номер патента: US20180040512A1. Автор: Franz Eberhard. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20210098272A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: Globawafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: EP4035202A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20230031395A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20240332042A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09548205B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Process for producing a large number of semiconductor chips from a semiconductor wafer

Номер патента: US20020016047A1. Автор: Toshiyuki Tateishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: WO2003075326A3. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of Thinning and Packaging a Semiconductor Chip

Номер патента: US20160218080A1. Автор: Aik Teong Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258134A1. Автор: Masayuki Nishiyama,Naoki Yoshimatsu,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of processing a semiconductor substrate and semiconductor chip

Номер патента: US09831127B2. Автор: Franco Mariani,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device with epitaxial layers and an alignment structure

Номер патента: US09711357B1. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for stripping a iii-v semiconductor layer epitaxially grown on a semiconductor wafer

Номер патента: US20240304746A1. Автор: Wolfgang Koestler,Chérubin Noumissing Sao,Steffen Sommer. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US09842904B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US09708182B2. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with cell trench structures and contacts and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09666663B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device with cell trench structures and contacts and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09385228B2. Автор: Johannes Georg Laven,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for dicing a semiconductor wafer, a chip diced from a semiconductor wafer, and an array of chips diced from a semiconductor wafer

Номер патента: US20110147898A1. Автор: Paul A. Hosier,Nicholas J. Salatino. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device with lateral FET cells and field plates

Номер патента: US09660055B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170170122A1. Автор: Rainer Mintzlaff,Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister,Jochen Wynants,Joachim Utzig,Godfried Henricus Josephus Notermans. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment

Номер патента: WO2010045237A2. Автор: Larry Wayne Shive,Brian Lawrence Gilmore,Timothy John Snyder. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11145733B1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Po-Wen Su,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Method and pressure jetting machine for processing a semiconductor wafer

Номер патента: WO2000059026A1. Автор: Yun-Biao Xin,Henry F. Erk,Ichiro Yoshimura,Ralph V. Vogelgesang,Stephen W. Hensiek. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2000-10-05.

Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer

Номер патента: US09694453B2. Автор: Eric Lenz,Enrico Magni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor apparatus

Номер патента: RU2755175C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-13.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: EP1579488A1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1579488B1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-07.

Optical device layer transferring method

Номер патента: US20200343405A1. Автор: Tasuku Koyanagi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for fabricating a semiconductor package, semiconductor package and embedded pcb module

Номер патента: US20210313273A1. Автор: Frank Daeche,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12119394B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240371982A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor substrate, manufacturing method of a semiconductor device and testing method of a semiconductor device

Номер патента: US20080227226A1. Автор: Shigeru Fujii,Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Yoshikazu Arisaka,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor Device with Cell Trench Structures and Contacts and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20170243969A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor Device with Cell Trench Structures and Recessed Contacts and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180366541A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for dicing a semiconductor wafer structure

Номер патента: US20230317521A1. Автор: Shu-Hui SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device including a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US9570566B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for Producing Semiconductor Wafers and a System for Determining a Cut Position in a Semiconductor Ingot

Номер патента: US20070243695A1. Автор: Makoto Iida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Uniform implant regions in a semiconductor ridge of a finfet

Номер патента: US20220123129A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190385852A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer

Номер патента: SG176040A1. Автор: Eric Lenz,Enrico Magni. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Optical device layer transferring method

Номер патента: US11011670B2. Автор: Tasuku Koyanagi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for manufacturing electronic devices integrated in a semiconductor substrate and corresponding devices

Номер патента: US7713853B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Ferrucio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-05-11.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20180158964A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a non-ohmic contact formed between a semiconductor material and an electrically conductive contact layer

Номер патента: US10199514B2. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160181441A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296439A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US20160172306A1. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of making a semiconductor switch device

Номер патента: US20180337250A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160268398A1. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Epitaxial wafer, Method of manufacturing the epitaxial wafer, and Method of manufacturing a semiconductor device using the epitaxial wafer

Номер патента: US20240339503A1. Автор: Ki Seok Lee,Dae Hong Ko,Chung Hee CHO,Dong Min YOON. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-10-10.

Uniform implant regions in a semiconductor ridge of a FinfET

Номер патента: US12113121B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device assembly including a chip carrier, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09768120B2. Автор: Anton Mauder,Khalil Hosseini,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including a semiconductor sheet interconnecting a source region and a drain region

Номер патента: US09711596B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Hao-Ling Tang,Shao-Hwang Sia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor heteroepitaxy structure

Номер патента: US09647094B2. Автор: Zhi David Chen. Владелец: University of Kentucky Research Foundation. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US09613912B2. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor arrangement, method for producing a number of chip assemblies and method for producing a semiconductor arrangement

Номер патента: US09589859B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Edward Fuergut,Juergen Hoegerl,Gottfried Beer,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of thinning and packaging a semiconductor chip

Номер патента: US09570419B2. Автор: Aik Teong Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Wafer processing method using pulsed laser beam to form shield tunnels along division lines of a semiconductor wafer

Номер патента: US09536786B2. Автор: Hiroshi Morikazu,Motohiko Shimada. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device with lateral FET cells and field plates

Номер патента: US9287404B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150104904A1. Автор: Eiji Osugi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for manufacturing a semiconductor device with reduced variation of the impurity concentration near the surface of the semiconductor film

Номер патента: US11894447B2. Автор: Tetsuya Yamamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Separation of Semiconductor Devices from a Wafer Carrier

Номер патента: US20130084658A1. Автор: Adolf Koller,Mathias Vaupel,Stefan Martens,Sebastian Bernrieder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-04.

Vertical oriented semiconductor device in which well regions are created in a semiconductor body, and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047515A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor Device Including Auxiliary Structure and Methods for Manufacturing A Semiconductor Device

Номер патента: US20130240985A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for ion implantation in a semiconductor wafer

Номер патента: US20230128033A1. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA,Julien BORREL,Paul Dumas,Fanny HILARIO,Ludovic BERTHIER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer

Номер патента: WO2010138166A1. Автор: Eric Lenz,Enrico Magni. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2010-12-02.

A METHOD AND A DEVICE FOR OXIDATION OF A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC

Номер патента: WO1997030473A1. Автор: Christopher Harris. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-08-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190172796A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method and a device for oxidation of a semiconductor layer of SIC

Номер патента: US5698472A. Автор: Christopher Harris. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1997-12-16.

Method of producing a structure by layer transfer

Номер патента: US20100304507A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Sebastien Kerdiles,Brigitte Soulier Bouchet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of producing a structure by layer transfer

Номер патента: EP2195836A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Sebastien Kerdiles,Brigitte Soulier Bouchet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-06-16.

Abrupt source/drain junction formation using a diffusion facilitation layer

Номер патента: US09520397B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Ic structures with improved bonding between a semiconductor layer and a non-semiconductor support structure

Номер патента: EP4174911A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893158B2. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device

Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.

Abrupt source/drain junction formation using a diffusion facilitation layer

Номер патента: US20150270267A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Abrupt source/drain junction formation using a diffusion facilitation layer

Номер патента: US20150270343A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Apparatus of cleaning substrate, apparatus of semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package using the same

Номер патента: US20240242979A1. Автор: Ho Jun Lee,Hyo Shin LIM. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Separating device for the chip-free cutting of wafers of donor substrates

Номер патента: US20180009130A1. Автор: Jan Richter. Владелец: SILTECTRA GmbH. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20050118816A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20010000754A1. Автор: Hiroshi Nomura,Takahito Nakazawa,Yumiko Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-03.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: US20030082857A1. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Tim Stanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for Structuring a Semiconductor Surface and Semiconductor Body Comprising a Semiconductor Surface Having at Least One Structure

Номер патента: US20220165845A1. Автор: Markus Tautz,Matthew John Davies,Martin Welzel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-26.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US6191024B1. Автор: Hiroshi Nomura,Takahito Nakazawa,Yumiko Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for structuring a semiconductor surface and semiconductor body comprising a semiconductor surface having at least one structure

Номер патента: US12094928B2. Автор: Markus Tautz,Matthew John Davies,Martin Welzel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of producing a semiconductor arrangement

Номер патента: US09698247B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christian Krenn,Johannes Baumgartl,Manfred Kotek,Thomas Neidhart,Markus Harfmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US09653305B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method for detaching semiconductor chips from a foil

Номер патента: MY161210A. Автор: Ernst Barmettler,Irving Rodriguez. Владелец: Besi Switzerland AG. Дата публикации: 2017-04-14.

Method of Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20170133465A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of Thinning a Semiconductor Die

Номер патента: US20230326906A1. Автор: Bo Fu,Elley Zhang,Meiqin Hao,Izzie Zhang,Thierry Du,Maggie Deng,Caiden Zhong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer

Номер патента: EP3042164A1. Автор: Robert John Wilby,Adrian Kiermasz. Владелец: Metryx Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

Selective, electrochemical etching of a semiconductor

Номер патента: EP3105777A1. Автор: Rajendra P. Dahal,Ishwara B. Bhat,Tat-Sing CHOW. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2016-12-21.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020111034A1. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6924162B2. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US20110081767A1. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: WO2006127215A1. Автор: Robert John Stephenson,Scott A. Kreps,Robert J. Mears,Jean Augustin Chan Sow Fook Yiptong,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov. Владелец: Mears Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Bottle-neck recess in a semiconductor device

Номер патента: US10020397B2. Автор: Syun-Ming Jang,Tze-Liang Lee,Chao-Cheng Chen,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Shih-Hao Lo,Eric Peng,Ying Hao Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Atomic layer etching of a semiconductor, a metal, or a metal oxide with selectivity to a dielectric

Номер патента: US20230274939A1. Автор: Andreas Fischer,Aaron Lynn ROUTZAHN,Thorsten Bernd LILL. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603407A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for producing a semiconductor device which is protected against overvoltage

Номер патента: US3919010A. Автор: Karlheinz Sommer,Edgar Borchert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-11-11.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20020064950A1. Автор: Toshio Nagata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Transistor device having a gate setback from a gate dielectric

Номер патента: US20240258373A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Yu-Chang Jong,Fei-Yun Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Wen Albert Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: WO2003071586A3. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Timothy Daryl Stanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: WO2003071586A2. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Timothy Daryl Stanley. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-08-28.

Selective, electrochemical etching of a semiconductor

Номер патента: US09922838B2. Автор: Rajendra P. Dahal,Ishwara B. Bhat,Tat-Sing CHOW. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer

Номер патента: US09903750B2. Автор: Robert John Wilby,Adrian Kiermasz. Владелец: Metryx Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Separation apparatus and a method for separating a cap layer from a chip package by means of the separation apparatus

Номер патента: US09685354B2. Автор: Yi-Ming Chang,Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor devices in a semiconductor wafer

Номер патента: US09653540B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatus and Method of separating a semiconductor wafer from a support

Номер патента: EP1523030A2. Автор: Saburo Miyamoto,Yukitoshi Hase. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-04-13.

Method for producing a substrate plate, substrate plate, method for producing a semiconductor module and semiconductor module

Номер патента: US20210210416A1. Автор: Ronald Eisele. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170033191A1. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-02.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Having Silicide Layers

Номер патента: US20170222010A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of separating semiconductor dies from a wafer

Номер патента: US20040129451A1. Автор: Kurt Wachtler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor module with bond wire loop exposed from a molded body and method for fabricating the same

Номер патента: US20220352114A1. Автор: Ivan Nikitin,Peter Luniewski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Buried Channel/Body Zone and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187654A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-07-02.

Crosslinking a back grinding tape for a semiconductor wafer

Номер патента: US20240222183A1. Автор: Ankur Harish Shah,Venkateswarlu Bhavanasi,Wen How Sim,Harjashan Veer Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US7871896B2. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603477A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Method and Device for Producing an Edge Structure of a Semiconductor Component

Номер патента: US20220416019A1. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Sebastian Sommer,Reiner Barthelmess,Tobias Gamon. Владелец: Infineon Technologies Bipolar Co & Kg GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate

Номер патента: US09444051B2. Автор: Yosuke Sato,Kohei Yokoyama,Tomoya Aoyama,Rena TAKAHASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Apparatus processing a gate portion in a semiconductor manufacturing apparatus, which remove a gate correspondence portion from a semiconductor package connected to a lead frame, and a resin burr deposited on a lead portion associated with the semiconductor package

Номер патента: US6528757B2. Автор: Takehiko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-04.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Chip package and semiconductor arrangement having thermally conductive material in contact with a semiconductor chip and methods of forming thereof

Номер патента: US12068213B2. Автор: Ralf Otremba,Sanjay Kumar Murugan,Thai Kee Gan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted over a metal plate having an inclined surface

Номер патента: US09831162B2. Автор: Shoji Hashizume. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Integration of III-N transistors and semiconductor layer transfer

Номер патента: US11791221B2. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Gas flow accelerator to prevent buildup of processing byproduct in a main pumping line of a semiconductor processing tool

Номер патента: US20240258123A1. Автор: Yi-Ming Lin,Chih-Lung Cheng,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Yu-Hsiang Juan,Xuan-Yang Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312891A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US09972506B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

A substrate for mounting a semiconductor

Номер патента: WO2002080644A1. Автор: Liang Kng Ian Koh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-10.

Cooling system for a semiconductor device assembly

Номер патента: US20240194565A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Ravi Kumar Kollipara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Substrate treatment apparatus and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20200075391A1. Автор: Takuo Ohashi,Daisuke Nishida,Motoki Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods for making a semiconductor device with shaped source and drain recesses and related devices

Номер патента: US20140353714A1. Автор: Alexander Reznicek,Nicolas Loubet,Douglas LaTulipe. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method and apparatus for controlling material removal from a semiconductor substrate using induced current endpointing

Номер патента: US20020055272A1. Автор: Gary Woods,Michael DiBattista,Paul Winer,Richard Livengood. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Methods and apparatus providing a graded package for a semiconductor

Номер патента: US20180254230A1. Автор: Daniel Lee Revier,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector

Номер патента: US09929036B2. Автор: Kok Yeow Lim,Zhiqiang Mao,Kim Mone Kwong. Владелец: Manufacturing Integration Technology Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and apparatus for the multiplexed acquisition of a bare die from a wafer

Номер патента: EP1620889A1. Автор: Michael A. Summers. Владелец: Capital Formation Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

System And Method For Reduced Workpiece Adhesion Due To Electrostatic Charge During Removal From A Processing Station

Номер патента: US20190057835A1. Автор: David E. Suuronen,Julian G. Blake,Michael W. Osborne,Eric D. Wilson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Protecting adhesive film for a semiconductor wafer

Номер патента: EP1215722A3. Автор: Makoto Kataoka,Yoshihisa Saimoto,Yasuhisa Fujii,Kentaro Hirai,Hideki Fukumoto,Takanobu Koshimizu. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Defect detection process in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US20160349735A1. Автор: David F. Cutilli,Matthew J. Hartnett,Keith A. Robishaw,Glenn M. Stefanski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of making a semiconductor device including an all around gate

Номер патента: US20140357036A1. Автор: Huiming Bu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Defect detection process in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US09791849B2. Автор: David F. Cutilli,Matthew J. Hartnett,Keith A. Robishaw,Glenn M. Stefanski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for producing devices including a semiconductor part and a non-semiconductor part

Номер патента: US09659798B2. Автор: Dirk Pikorz,Tobias Gamon,Oskar Neuhoff,Franz Reithner,Norbert Martin Haueis,Michael Wolfgang Larisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240203925A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of Manufacturing a Semiconductor Package, Such Semiconductor Package as well as an Electronic System Comprising a PCB Element and at Least Such Semiconductor Package

Номер патента: US20240120247A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Wai Man Wong,Regnerus Hermannus POELMA,Jannik Entringer,Yuet Keung Cheung,Chun Ning Chan. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor package substrate with a smooth groove about a perimeter of a semiconductor die

Номер патента: US20240047381A1. Автор: Bob Lee,ChienHao Wang,YuhHarng Chien. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor packages, semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240243068A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US11972935B2. Автор: Yu-Hsiang Cheng,Bo-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220692A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor package having a semiconductor element and a wiring structure

Номер патента: US12057324B2. Автор: Jie Zhang,Feng Qin,Tingting Cui,Kerui XI,Xuhui Peng. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for inspecting a semiconductor element and inspection apparatus for executing the same

Номер патента: US20220018789A1. Автор: Yueh-Heng Lee,Kuo-Ming Tseng. Владелец: V5 Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20020034843A1. Автор: Florin Udrea,Gehan Amaratunga. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for operating a semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20050089625A1. Автор: Hideyuki Yamamoto,Ken Yoshioka,Saburou Kanai,Ryoji Nishio,Seiichiro Kanno,Hideki Kihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer

Номер патента: US20020170576A1. Автор: Roland Brunner,Hans-Joachim Luthe,Franz Sollinger,Georg-Friedrich Hohl,Susanne Bauer-Mayer,Gunther Brunner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor arrangement

Номер патента: US20230005877A1. Автор: Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-05.

Encircling a semiconductor device with stacked frames on a substrate

Номер патента: US12119296B2. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Hung Chen,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming a shielding layer over a semiconductor package with reduced metal burrs

Номер патента: US20240347477A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Frame member with a porous material between a semiconductor module and heat sink

Номер патента: US12068217B2. Автор: Hiroki Shiota,Takashi Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor package having a semiconductor chip and a microwave component

Номер патента: US09922946B2. Автор: Walter Hartner,Josef Boeck,Ernst Seler,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor arrangement, method for producing a number of chip assemblies, method for producing a semiconductor arrangement and method for operating a semiconductor arrangement

Номер патента: US09818730B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Juergen Hoegerl,Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Interposer, semiconductor package with the same and method for preparing a semiconductor package with the same

Номер патента: US09761535B1. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor chip, method for producing a semiconductor chip and method for soldering a semiconductor chip to a carrier

Номер патента: US09741639B2. Автор: Kirill Trunov,Frank Umbach,Niels Oeschler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing a material-bonding connection between a semiconductor chip and a metal layer

Номер патента: US09659793B2. Автор: Frederik Otto,Christian Steininger,Nicolas Heuck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor arrangement, method for producing a semiconductor module, method for producing a semiconductor arrangement and method for operating a semiconductor arrangement

Номер патента: US09620459B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Juergen Hoegerl,Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having a plurality of circuits arranged on a side of a semiconductor chip

Номер патента: US09564388B2. Автор: Masato Numazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having a sealing layer covering a semiconductor memory unit and a memory controller

Номер патента: US09543271B2. Автор: Manabu Matsumoto,Isao Ozawa,Akira Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US09484288B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Process for recognising the end point of etching of a semiconductor, an etching process and apparatus

Номер патента: GB2388960A. Автор: Franz Laermer,Klaus Breitschwerdt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-11-26.

Air blow apparatus for a semiconductor wafer

Номер патента: US6018884A. Автор: Hisaya Fukunaga,Katsutoshi Kurogi. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Apparatuses for executing a direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate

Номер патента: US20240038564A1. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Justin Wendt,Luke Dupin. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Conductive bump of a semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11837562B2. Автор: Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Gas flow accelerator to prevent buildup of processing byproduct in a main pumping line of a semiconductor processing tool

Номер патента: EP3945143A1. Автор: Yi-Ming Lin,Chih-Lung Cheng,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Yu-Hsiang Juan,Xuan-Yang Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method for manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20130005090A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190122953A1. Автор: Yuki Inaba,Taiki Satou. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

A method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as a semiconductor package assembly obtained with this method

Номер патента: EP4340020A1. Автор: Zhou Zhou,CHI HO Leung,Haibo Fan. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-20.

Apparatus for polarizing a semiconductor wafer and method for fabricating a magnetic semiconductor device

Номер патента: US20200365797A1. Автор: Keith Kuang-Kuo Koai,Wen-Chih Wang,Jim-Wei Wu,Chia-Hsun Chang,Li Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Gas flow accelerator to prevent buildup of processing byproduct in a main pumping line of a semiconductor processing tool

Номер патента: US11972957B2. Автор: Yi-Ming Lin,Chih-Lung Cheng,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Yu-Hsiang Juan,Xuan-Yang Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Modeling mandrel tolerance in a design of a semiconductor device

Номер патента: WO2024118404A1. Автор: John E. Barwin,Jeroen Clemens Jozef PAASSCHENS,Amanda WOON-FAT,Gohar MOVSISYAN,Marco Miguel VAZ OLIVEIRA. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Mimcap corner structures in the keep-out zones of a semiconductor die and methods of forming the same

Номер патента: US20230317641A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Yen-Kun Lai,Wei-Hsiang TU,Chien Hao HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a support plate, and a semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: WO2002017391A3. Автор: Johannes G P Mastboom,Karianne H Lindenhovius,Adrianus J M Vugts. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-09.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20240222097A1. Автор: Yu-Hsiang Cheng,Bo-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Interconnection structure of a semiconductor chip and semiconductor package including the interconnection structure

Номер патента: US20220093521A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor package and method for fabricating a semiconductor package

Номер патента: US12021000B2. Автор: Chau Fatt Chiang,Norliza Morban,Khay Chwan Andrew Saw. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-25.

A semiconductor structure and a method for cutting a semiconductor fin

Номер патента: EP3675159A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110183473A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180342443A1. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152555A1. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10559523B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10062638B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor Power Module and Method for Producing a Semiconductor Power Module

Номер патента: US20200153138A1. Автор: Tomas Manuel Reiter,Mark Nils Muenzer,Marco Stallmeister. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-14.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Package and a Semiconductor Module

Номер патента: US20240258213A1. Автор: Hao Zhuang,Josef Hoeglauer,Gerhard Noebauer,Sergey Yuferev. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor power device and a method of assembling a semiconductor power device

Номер патента: US20180286814A1. Автор: Jacques Pierre Henri FAVRE,Jean-Michel Francis REYNES,Renaud André LACABANNE. Владелец: Agile Power Switch 3d - Integration Apsi3d. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Detecting damaged semiconductor wafers utilizing a semiconductor wafer sorter tool of an automated materials handling system

Номер патента: US20230207357A1. Автор: Chen Min LIN,Hsien Tse CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Lift printing of conductive traces onto a semiconductor substrate

Номер патента: EP4380323A3. Автор: Michael Zenou,Zvi Kotler. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US12034004B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

A method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20210134797A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Method and system for detaching a semiconductor layer, and semi-finished product

Номер патента: WO2024156689A1. Автор: Martin Hörner,Matthias Leo HEILIG,Giuliano Vescovi,Kumara Vamsi Krishna Vandanapu. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor lateral sidewall growth from a semiconductor pillar

Номер патента: US09793405B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20240355818A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for classifying light-emitting semiconductor components and image sensor application having an image sensor and a semiconductor element

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Peter Brick,Felix Kimme. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

LIFT printing of conductive traces onto a semiconductor substrate

Номер патента: US20190088804A1. Автор: Michael Zenou,Zvi Kotler. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Lift printing of conductive traces onto a semiconductor substrate

Номер патента: EP4380323A2. Автор: Michael Zenou,Zvi Kotler. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings

Номер патента: US09567514B2. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US09618561B2. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for decoupling a semiconductor wafer including multiple stacks of solar cells

Номер патента: RU2747424C1. Автор: Вольфганг КЁСТЛЕР,Александер ФРЕЙ,Штеффен ЗОММЕР. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor device and method of coating a semiconductor wafer with high viscosity liquid photoresist using N2 purge

Номер патента: US11994801B2. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for decoupling a semiconductor wafer including multiple stacks of solar cells

Номер патента: RU2747424C9. Автор: Вольфганг КЁСТЛЕР,Александер ФРЕЙ,Штеффен ЗОММЕР. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2022-01-17.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11361983B2. Автор: Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230411478A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Mcdermott W&e Llp LLP. Дата публикации: 2023-12-21.

A method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20230317724A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US11705452B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor Device and Method of Coating a Semiconductor Wafer with High Viscosity Liquid Photoresist Using N2 Purge

Номер патента: US20240272555A1. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device and Method of Coating a Semiconductor Wafer with High Viscosity Liquid Photoresist Using N2 Purge

Номер патента: US20220365436A1. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Optoelectronic semiconductor chip and headlamp having such a semiconductor chip

Номер патента: US09799805B2. Автор: Michael Brandl,Ulrich Frei. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6323059B1. Автор: Hiroshi Yoshida,Tsuyoshi Tojo,Masafumi Ozawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-27.

Method of recovering a bonding apparatus from a bonding failure

Номер патента: SG192342A1. Автор: Wai Wah Lee,jun feng Li,Wei Boon Wong,Soo Kin Kenny Tan. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Semiconductor substrate alignment device and a semiconductor substrate bonding system using the same

Номер патента: US12027401B2. Автор: Sunjung Kim,SeungDae SEOK,Huijae Kim,Siwoong Woo,Gwanghee Jo,Dongjoo MOON,Donggil Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for Welding an Attachment Piece to a Semiconductor Metallisation by Laser Welding

Номер патента: US20230207516A1. Автор: Stefan Stegmeier,Friedrich Lupp,Markus Lasch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-06-29.

Vertical transfer gate doping distribution for charge transfer from a photodiode

Номер патента: US20240304638A1. Автор: Hui Zang,Vincent Venezia. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Diode comprising a semiconductor body

Номер патента: US20190378896A1. Автор: Bernhard Konig,Paul Strobel. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-12-12.

Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11764330B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hans-Jürgen Lugauer,Mohammad Tollabi Mazraehno,Mariel Grace Jama. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

A semiconductor package and a method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: FI128296B. Автор: Kimmo KAIJA. Владелец: Murata Manufacturing Co. Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor circuit and arrangement and method for monitoring fuses of a semiconductor circuit

Номер патента: US20060192085A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Georg Eggers,Joerg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Apparatus for handling a semiconductor component

Номер патента: US09620398B2. Автор: Lee Kwang Heng,Jianping Jin. Владелец: Semiconductor Tech and Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Use of an electric field for detaching a piezoelectric layer from a donor substrate

Номер патента: US11744154B2. Автор: Cedric Charles-Alfred. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-08-29.

Dissipation of heat from a semiconductor chip

Номер патента: US20230089958A1. Автор: Chih-Meng Wu. Владелец: Innostar Service Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312874A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US09997480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US09741712B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting device including a pad electrode spaced apart from a transparent electrode

Номер патента: US09548422B2. Автор: Tae Hun Kim,Ki Seok Kim,Chan Mook Lim,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Heater for annealing trapped charge in a semiconductor device

Номер патента: US20060103007A1. Автор: Philip Oldiges,John Aitken,Ethan Cannon,Alvin Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Direct detection and imaging of charged particles from a radiopharmaceutical

Номер патента: EP3716852A1. Автор: KUNAL Vyas,David Tuch. Владелец: Lightpoint Medical Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020016059A1. Автор: Masakazu Okada,Hiroyuki Chibahara,Keiichi Higashitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device from transferring programs from a ROM to an SRAM

Номер патента: US11392192B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080179693A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Photovoltaic cell containing a semiconductor photovoltaically active material

Номер патента: CA2599412A1. Автор: Hans-Josef Sterzel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor package, smart card and method for producing a semiconductor package

Номер патента: US09935042B2. Автор: Peter Stampka,Frank Pueschner,Thomas Spoettl,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus and method for optically initiating collapse of a reverse biased P-type-N-type junction to cause a semiconductor switch to transition from a current blocking mode to a current conduction mode

Номер патента: US09520511B2. Автор: William C. Nunnally. Владелец: Applied Physical Electronics LC. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023241788A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Super-Junction MOSFET/IGBT with MEMS Layer Transfer and WBG Drain

Номер патента: US20230065348A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Cathal Duffy,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing a semiconductor substrate and method for manufacturing an electro-optical device

Номер патента: US20050250306A1. Автор: Tsuyoshi Yoda,Suguru Akagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

High efficiency solar cells utilizing wafer bonding and layer transfer to integrate non-lattice matched materials

Номер патента: US10374120B2. Автор: Harry A. Atwater, Jr.,James M. Zahler,Anna Fontcuberta i Morral,Tom Pinnington,Sean Olson. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-08-06.

Circuit device having a semiconductor component

Номер патента: US20120306528A1. Автор: Joachim Joos,Holger Heinisch,Thomas Jacke,Christian Foerster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070284691A1. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Image generation for examination of a semiconductor specimen

Номер патента: US20220301196A1. Автор: Yan AVNIEL,Bobin Mathew SKARIA,David ULIEL,Oz FOX-KAHANA,Gal Daniel GUTTERMAN,Atai BALDINGER,Murad MUSLIMANY,Erez LIDOR. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method and system for an improved power distribution network for use with a semiconductor device

Номер патента: US20060087024A1. Автор: Eiichi Hosomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: WO2009138951A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US8022409B2. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Electronic device including a semiconductor layer and a metal-containing layer, and a process of forming the same

Номер патента: WO2012047592A3. Автор: Leo Mathew,Rajesh A. Rao. Владелец: AstroWatt, Inc.. Дата публикации: 2012-05-31.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: EP2286442A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: Murata Integrated Passive Solutions SA. Дата публикации: 2011-02-23.

Photomasks, methods of exposing a substrate to light, methods of forming a pattern, and methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110053096A1. Автор: Sang-Yong Yu,Gi-sung Yoon,Sung-Hyuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Diode comprising a semiconductor body

Номер патента: US10756173B2. Автор: Bernhard Konig,Paul Strobel. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-08-25.

Bond and release layer transfer process

Номер патента: US09859458B2. Автор: Francois J. Henley,Sien Kang,Minghang LI,Mingyu ZHONG. Владелец: Qmat Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Sensor for a semiconductor device

Номер патента: US09793184B2. Автор: Frank Wolter,Angelika Koprowski,Andreas Riegler,Mathias Plappert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor element testing carrier using a membrane contactor and a semiconductor element testing method and apparatus using such a carrier

Номер патента: US20010040462A1. Автор: Makoto Haseyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for fabricating a semiconductor device having a multi-bridge-channel

Номер патента: US20070161168A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

I/O cell configuration for a differential amplifier on a semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP2930745A3. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20190280159A1. Автор: Peter Stauss,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor component, device having a semiconductor component and method of producing semiconductor components

Номер патента: US20220328738A1. Автор: Berthold Hahn,Georg Bogner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-13.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

A semiconductor package assembly

Номер патента: EP4350764A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Method of fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20030205733A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Organic light-emitting diode (OLED) display having a semiconductor layer including a third portion extending in a third direction joining a first and second portions that extending in different directions

Номер патента: US12069897B2. Автор: Wang Woo LEE,Jung Hwa KIM,Moo Soon KO,Min Woo Woo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for preparing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20180226380A1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor package and method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US10811342B2. Автор: Petteri Palm,Robert Fehler,Sergey Yuferev. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor component, lighting device and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US09911719B2. Автор: Thomas Schwarz,Herbert Brunner,Frank Singer,Georg Bogner,Norwin von Malm,Matthias Sabathil,Juergen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for separating regions of a semiconductor layer

Номер патента: US09865776B2. Автор: Lorenzo Zini,Bernd Boehm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09842964B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip for the production of a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09831390B2. Автор: Sebastian Taeger,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll,Stefan Hartauer,Gudrun Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor layer sequence and method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09806224B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Philipp Drechsel,Peter Stauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09773945B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of producing a semiconductor layer sequence and an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09761755B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor module, semiconductor module arrangement and method for operating a semiconductor module

Номер патента: US09627356B2. Автор: Olaf Hohlfeld. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for separating regions of a semiconductor layer

Номер патента: US09589943B2. Автор: Lorenzo Zini,Bernd Boehm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including a semiconductor element and a fixed member to which the semiconductor element is fixed

Номер патента: US09437520B2. Автор: Makoto Imai,Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template

Номер патента: MY159267A. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-12-30.

Lead frame and a semiconductor device

Номер патента: US6118173A. Автор: Yoshiaki Emoto. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device with conductive members that extend from a semiconductor portion to an upper surface of a semiconductor layer

Номер патента: US11404547B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Nobuyuki Toda,Kazuaki Yamaura,Shinji KAWAHARA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Use of an electric field for detaching a piezoelectric layer from a donor substrate

Номер патента: US20230363279A1. Автор: Cedric Charles-Alfred. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-11-09.

Stress sensor for a semiconductor device

Номер патента: WO2016025146A1. Автор: Vidhya Ramachandran,Urmi Ray. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

A semiconductor package and a method of forming the semiconductor package for flip chip integration

Номер патента: WO2023167637A2. Автор: Ser Choong Chong,Teck Guan Lim,Srinivasa Rao Vempati. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180019204A1. Автор: Hugo Burke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US20160204075A1. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Electronic device including a semiconductor layer within a trench and a semiconductor layer and a process of forming the same

Номер патента: US20230282688A1. Автор: Ralph N. Wall,Raymond LAPPAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor package including a semiconductor chip having a redistribution layer

Номер патента: US20210366853A1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Young Kim,Seung Hwan Kim,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Substrate for manufacturing a semiconductor device with three element alloy

Номер патента: WO2002017396A1. Автор: Byung Jun Park,Ji Yong Lee,Soon Sung Hong. Владелец: Kwon, Hyuk, Won. Дата публикации: 2002-02-28.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, and a semiconductor module

Номер патента: US12046573B2. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and device for using a semiconductor component

Номер патента: US20220216298A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-07.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US20030052403A1. Автор: Ting Ang,Sang Loong,Shyue-Fong Quek,Duay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Power supply circuit and related methods for generating a power supply voltage in a semiconductor package

Номер патента: US20190072991A1. Автор: Hee-Won Kang,Nam-Su Kim,Eun-Ji MOON,In-Hyuk Go,Jae-sang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US7712650B2. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method and apparatus for a semiconductor package for vertical surface mounting

Номер патента: US20030082856A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor sensor device and method for manufacturing a semiconductor sensor device

Номер патента: US20240266337A1. Автор: Dan Jacobs,Harald Etschmaier,Gerhard Peharz,Martin Faccinelli. Владелец: Ams Osram Asia Pacific Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor arrangement comprising a pn-transition and method for producing a semiconductor arrangement

Номер патента: US20050121690A1. Автор: Richard Spitz,Maria Lopez,Alfred Goerlach,Barbara Will. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Method and device for compensating drift in a semiconductor element

Номер патента: US5233236A. Автор: Jean P. Colinge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Display device including a semiconductor layer having a region with a widened width

Номер патента: US11765936B2. Автор: Dong Ha Lee,Hui-Won Yang,Sang Hyung LIM,Kyu Min Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Method for Producing an Electronic Component, Wherein a Semiconductor Chip is Positioned and Placed on a Connection Carrier, Corresponding Electronic Component, and Corresponding Semiconductor Chip and Method for Producing a Semiconductor Chip

Номер патента: US20210351156A1. Автор: Simeon Katz,Mathias Wendt,Pascal Porten. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US20070080190A1. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

A semiconductor device

Номер патента: WO2001001485A3. Автор: Henricus G R Maas,Deurzen Maria H W A Van. Владелец: Deurzen Maria H W A Van. Дата публикации: 2001-05-03.

Bonding pad on a semiconductor chip

Номер патента: US20010009297A1. Автор: Yimin Huang,Hermen Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Method and apparatus for a semiconductor package for vertical surface mounting

Номер патента: US20010017407A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction

Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Assembly for a semiconductor photonic component

Номер патента: US12087869B2. Автор: Peter Johannes Martinus Bukkems,Barry Mos. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for Temporarily Fastening a Semiconductor Chip to a Surface, Method for Producing a Semiconductor Component and Semiconductor Component

Номер патента: US20210183800A1. Автор: Matthias Hofmann,Klaus Müller,Holger KLASSEN. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3762967A. Автор: H Holzer,W Scherber. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

Concept for compensating for a mechanical stress of a hall sensor circuit integrated into a semiconductor substrate

Номер патента: US20190353717A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: US09903905B2. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Test pad structure, a pad structure for inspecting a semiconductor chip and a wiring substrate for a tape packaging having the same

Номер патента: US09869717B2. Автор: Sang-Heui LEE,So-young LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Metrology apparatus for a semiconductor pattern, metrology system including the same and metrology method using the same

Номер патента: US09863752B2. Автор: Seong Min MA,Yoon Shik KANG,Joon Seong HAHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09859186B2. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and arrangement for analyzing a semiconductor element and method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US09852955B2. Автор: Thomas Bodner,Joerg Siegert,Helene Gehles. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-26.

FinFET with a semiconductor strip as a base

Номер патента: US09847425B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor module assembly and method for producing a semiconductor module assembly

Номер патента: US20240371727A1. Автор: Benjamin Pessl. Владелец: Magna Powertrain GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-11-07.

Transistor having metal electrodes surrounding a semiconductor pillar body and corresponding work-function-induced source/drain regions

Номер патента: US09837503B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Light detection device including a semiconductor light detection element, a mounting substrate, and quenching circuits wherein the first electrodes of the light detection element corresponding to the second electrodes of the mounting substrate are electrically connected through bump electrodes

Номер патента: US09768222B2. Автор: Takashi Baba,Tomofumi Suzuki,Noburo Hosokawa,Terumasa Nagano. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-09-19.

Method, apparatus, and system for establishing a virtual tether between a mobile device and a semiconductor processing tool

Номер патента: US09736135B2. Автор: Vincent Wong,Chung Ho Huang,Paul Ballintine,Henry T. Chan,Chris Thorgrimsson,Chad Weetman. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor structure having a trench with high aspect ratio

Номер патента: US09735232B2. Автор: Tai-I Yang,Jheng-Sheng You,Tien-Lu Lin,Chi-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09720013B2. Автор: Yi-Che Lai,Pin-Cheng Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Transition between a plastic waveguide and a semiconductor chip, where the semiconductor chip is embedded and encapsulated within a mold compound

Номер патента: US09583811B2. Автор: Walter Hartner,Josef Boeck,Ernst Seler,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09570598B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09543226B1. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Coriant Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US09543218B2. Автор: Uwe Strauss,Christoph Eichler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device

Номер патента: US09508678B2. Автор: Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including a cap facing a semiconductor chip and a bump electrode provided between the semiconductor chip and the cap

Номер патента: US09502367B2. Автор: Hiroshi Yamada,Tadahiro Sasaki,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical transistor with source/drain regions induced by work-function differences between a semiconductor pillar body and surrounding metal electrodes

Номер патента: US09496360B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240357812A1. Автор: Byung Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for producing a high-temperature and temperature-change resistant connection between a semiconductor module and a connection partner

Номер патента: US09287232B2. Автор: Ronald Eisele,Mathias Kock. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-03-15.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Method of manufacturing a semiconductor body and semiconductor device

Номер патента: US20230411556A1. Автор: Norwin von Malm,Peter Stauss,Adrian Avramescu. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20200185543A1. Автор: Jefferson W. Hall,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for producing a carrier element suitable for a semiconductor device

Номер патента: WO2019114968A1. Автор: Choo Kean Lim,Choon Keat OR,Choon Kim LIM,Siew Yan CHUA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Gating a semiconductor layer into a quantum spin hall insulator state

Номер патента: WO2023014446A1. Автор: Dominik André GRESCH,Dmitry PIKULIN,Rafal Maciej RECHCINSKI,Georg Wolfgang WINKLER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-02-09.

Gating a semiconductor layer into a quantum spin hall insulator state

Номер патента: US20230038763A1. Автор: Dominik André GRESCH,Dmitry PIKULIN,Rafal Maciej RECHCINSKI,Georg Wolfgang WINKLER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US20180047686A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Gating a semiconductor layer into a quantum spin hall insulator state

Номер патента: CA3227167A1. Автор: Dominik André GRESCH,Dmitry PIKULIN,Rafal Maciej RECHCINSKI,Georg Wolfgang WINKLER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-02-09.

Gating a semiconductor layer into a quantum spin hall insulator state

Номер патента: US11973131B2. Автор: Dominik André GRESCH,Dmitry PIKULIN,Rafal Maciej RECHCINSKI,Georg Wolfgang WINKLER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor Device Including Charged Structure and Methods for Manufacturing A Semiconductor Device

Номер патента: US20130240986A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for producing a semiconductor element of a direct-converting x-ray detector

Номер патента: US9419169B2. Автор: Matthias Strassburg,Peter Hackenschmied,Fabrice Dierre. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for producing a semiconductor element of a direct-converting x-ray detector

Номер патента: US20140054734A1. Автор: Matthias Strassburg,Peter Hackenschmied,Fabrice Dierre. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-02-27.

Gating a semiconductor layer into a quantum spin hall insulator state

Номер патента: EP4381920A1. Автор: Dominik André GRESCH,Dmitry PIKULIN,Rafal Maciej RECHCINSKI,Georg Wolfgang WINKLER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-06-12.

Power module comprising a semiconductor module component and an alignment part, and method for forming the power module

Номер патента: EP4336551A1. Автор: Fabian Fischer,Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor chip and method of manufacturing a semiconductor chip

Номер патента: WO2010136974A2. Автор: Jan Van Kempen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-12-02.

A Semiconductor Structure and a Method of Making the Same

Номер патента: US20240215224A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor nanocrystals, a method for preparing a semiconductor nanocrystal, and product including same

Номер патента: US20170069786A1. Автор: Justin W. Kamplain. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor Device and Method of Making a Semiconductor Package with Graphene for Die Attach

Номер патента: US20240194629A1. Автор: Heesoo Lee,Sujeong KWON,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Passive electronic components on a semiconductor die

Номер патента: US20240162207A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Aik Boo TAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device

Номер патента: US20120140136A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device

Номер патента: US20140191934A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

A semiconductor light source with a high efficiency and a method for its manufacture

Номер патента: WO2002089275A1. Автор: Markus Pessa,Mika Saarinen,Ning Xiang,Mihail Dumitrescu. Владелец: Optoelectronics Research Centre. Дата публикации: 2002-11-07.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190115467A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

A semiconductor device featuring an arched structure strained semiconductor layer

Номер патента: EP1886354A1. Автор: Mariam G. Sadaka,Oliver G. Schmidt,Bich-Yen Nguyen,Andreas A. Wild,Peter Wennekers,Shawn G. Thomas,Ted R. White,Voon-Yew Thean,Detlev Gruetzmacher,Lubomir Cergel. Владелец: Garching Innovations GmbH. Дата публикации: 2008-02-13.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US20230076573A1. Автор: Shingo Inoue,Ikuo Nakashima. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Power module comprising a semiconductor module component and an alignment part, and method for forming the power module

Номер патента: WO2024052044A1. Автор: Fabian Fischer,Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

A semiconductor package or a printed circuit board, both modified to one or more of reduce, inverse or utilize magnetic coupling caused by the load current of a semiconductor transistor

Номер патента: EP4303917A1. Автор: Liu Xing,Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Thomas Basler,Edward Fuergut,Christian Baeumler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-10.

Method for the Self-Adjusted Exposure of Side Surfaces of a Semiconductor Body

Номер патента: US20190386172A1. Автор: Sebastian Taeger,Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US10134697B2. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-20.

Substrate for mounting a semiconductor element thereon and semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on said substrate

Номер патента: US20020167064A1. Автор: Satoru Yamada,Ichiro Kataoka,Yoshifumi Takeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Emergency degassing arrangement, motor vehicle, and method for discharging gas emerging from a battery cell from a motor vehicle

Номер патента: US20240313334A1. Автор: Thomas Milde,Imke Dittmann. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor light source and method for manufacturing a semiconductor light source

Номер патента: US20180219350A1. Автор: Martin Mohrle,Ariane Sigmund,Ute Troppenz,Michael Theurer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor light source and method for manufacturing a semiconductor light source

Номер патента: US10855051B2. Автор: Martin Mohrle,Ariane Sigmund,Ute Troppenz,Michael Theurer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2020-12-01.

Method and device for the treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US20110250740A1. Автор: Andreas Tikovsky,Matthias Laumbacher,Gerhard Reichl. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor element structure, electron emitter and method for fabricating a semiconductor element structure

Номер патента: US20040061125A1. Автор: Nobuhiko Sawaki,Yoshio Honda. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2004-04-01.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20240275123A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

A semiconductor laser diode bar assembly

Номер патента: WO1999017411A1. Автор: Peter Hutchinson Hall. Владелец: Gec-Marconi Avionics (Holdings) Ltd. Дата публикации: 1999-04-08.

Guiding structures for fabrication of angled features in a semiconductor device

Номер патента: US20240319591A1. Автор: Eric A. Joseph,Steven Holmes,Pouya Hashemi,Yanning Sun,Robert L. Bruce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Inductor structure in a semiconductor device

Номер патента: EP3311389A1. Автор: Jong-Hoon Lee,Young Kyu Song,Uei-Ming Jow,Jung Ho Yoon,Xiaonan Zhang,Sangjo Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Inductor structure in a semiconductor device

Номер патента: US20160372253A1. Автор: Jong-Hoon Lee,Young Kyu Song,Uei-Ming Jow,Jung Ho Yoon,Xiaonan Zhang,Sangjo Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Inductor structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2016209602A1. Автор: Jong-Hoon Lee,Young Kyu Song,Uei-Ming Jow,Jung Ho Yoon,Xiaonan Zhang,Sangjo Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Electron tube having a semiconductor cathode

Номер патента: WO1998037567A1. Автор: Tom Van Zutphen,Erwin Adolf Hijzen,Ron Kroon. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1998-08-27.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor substrate-based system for an RFID device, RFID device, and method for manufacturing such a semiconductor substrate-based system

Номер патента: US09608307B2. Автор: Andreas Krauss,Janpeter Wolff,Tjalf Pirk,Laura Bohne. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-03-28.

Inductor structure in a semiconductor device

Номер патента: US09576718B2. Автор: Jong-Hoon Lee,Young Kyu Song,Uei-Ming Jow,Jung Ho Yoon,Xiaonan Zhang,Sangjo Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Selective growth mask for a semiconductor laser

Номер патента: GB2300516A. Автор: Yutaka Mihashi,Takushi Itagaki,Akira Takemoto,Tohru Takiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-06.

Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2007102905A3. Автор: Anthony Ciancio,Jeffrey A Chan. Владелец: Jeffrey A Chan. Дата публикации: 2008-01-10.

Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2007102905A2. Автор: Anthony Ciancio,Jeffrey A. Chan. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

A method of optimizing the band edge positions of the conduction band and the valence band of a semiconductor material for use in photoactive devices

Номер патента: WO2007095988A1. Автор: Michael Dürr,Akio Yasuda,Gabriele Nelles,Silvia Rosselli. Владелец: Sony Deutschland GmbH. Дата публикации: 2007-08-30.

Method of Manufacturing Light-Emitting Device, and Evaporation Donor Substrate

Номер патента: US20120251772A1. Автор: Yosuke Sato,Kohei Yokoyama,Tomoya Aoyama,Rena TAKAHASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Layer transfer process

Номер патента: US20240188444A1. Автор: Florian Dupont,Guillaume Rodriguez. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-06.

Donor substrate, method of manufacturing a donor substrate and a method of manufacturing an organic light emitting display device using a donor substrate

Номер патента: US20130023179A1. Автор: Jin-Won Sun,Heung-Yeol Na. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Electronic control of protection parameters for a semiconductor switch

Номер патента: US20240356458A1. Автор: Junghoon Kim,Chunhao J. Lee,Brian A. Welchko,Muhammad Hussain Alvi,Eric Bernard Gach. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Elastic positioning structure for a semiconductor carrier

Номер патента: US09511891B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: WO2023202993A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-26.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: EP4265333A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-25.

Virtual lighting assistant (VLA) agent in an adaptive lighting system

Номер патента: US11687760B2. Автор: Ross Williams. Владелец: Ross Williams Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor Apparatus and Identification Method of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20170221581A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Method and circuit arrangement for switching a semiconductor switch

Номер патента: US09490688B2. Автор: Ulrich Bley,Christoph Hornstein,Kai Kuehnen. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Virtual lighting assistant (VLA) agent in an adaptive lighting system

Номер патента: GB2587062A. Автор: Williams Ross. Владелец: Ross Williams Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Compound of Formula (I), a Semiconductor Material Comprising at Least One Compound of Formula (I), a Semiconductor Layer Comprising at Least One Compound of Formula (I) and an Electronic Device Comprising at Least One Compound of Formula (I)

Номер патента: US20230247896A1. Автор: Steffen Willmann,Markus Hummert,Regina LUSCHTINETZ,Vladimir Uvarov,Max Peter Nüllen,Ulrich Heggemann. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-08-03.

Compound of Formula (I), a Semiconductor Material Comprising at Least One Compound of Formula (I), a Semiconductor Layer Comprising at Least One Compound of Formula (I) and an Electronic Device Comprising at Least One Compound of Formula (I)

Номер патента: US20230242562A1. Автор: Steffen Willmann,Markus Hummert,Regina LUSCHTINETZ,Vladimir Uvarov,Max Peter Nüllen,Ulrich Heggemann. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-08-03.

A semiconductor chip for a mobile telephone which includes a text to speech system, a method of aurally presenting a notification or text message from a mobile telephone and a mobile telephone

Номер патента: WO2003107630A1. Автор: Paul William Shields. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2003-12-24.

A semiconductor chip for a mobile telephone which includes a text to speech system, a method of aurally presenting information from a mobile telephone and a mobile telephone

Номер патента: EP1452004A1. Автор: Paul William Epson Scotl. Design Centre SHIELDS. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

A semiconductor chip for a mobile telephone which includes a text to speech system, a method of aurally presenting information from a mobile telephone and a mobile telephone

Номер патента: WO2003107631A1. Автор: Paul William Shields. Владелец: Seiko Epson Corporation.. Дата публикации: 2003-12-24.

Processing of call transfer from access network cs to access network ps

Номер патента: RU2705567C2. Автор: Ральф Келлер,Фредрик ЛИНДХОЛМ. Владелец: ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ Л М ЭРИКССОН (ПАБЛ). Дата публикации: 2019-11-08.

Network gateway and method for transferring data from a first network to a second network

Номер патента: RU2770458C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Лукиян,Алексей Георгиевич Верещагин,Денис Сергеевич Кашицын,Максим Андреевич Донцов,Руслан Юрьевич Морозов. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2022-04-18.

Method and device to support service transfer from gprs/geran to lte eutran

Номер патента: RU2421941C2. Автор: Камел М. ШАХИН. Владелец: Интердиджитал Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2011-06-20.

A semiconductor switching string

Номер патента: WO2016026790A3. Автор: Konstantin VERSHININ. Владелец: ALSTOM Technology Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

A semiconductor switching string

Номер патента: WO2016026790A2. Автор: Konstantin VERSHININ. Владелец: ALSTOM Technology Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Session transfer from a circuit switched network to a packet switched network

Номер патента: WO2013171267A3. Автор: Ralf Keller,Fredrik Lindholm,Peter Hedman. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2014-04-17.

Context transfer from web page to application

Номер патента: US09900367B2. Автор: Paul Keith Branton. Владелец: AppSense US LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus and method for adjusting a rate at which data is transferred from a media access controller to a memory in a physical-layer circuit

Номер патента: US09740455B2. Автор: William Lo,Nafea Bishara. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Adaptive performance control of multi-stream data transfer from a source system to a target system

Номер патента: US09699233B1. Автор: Peter Armorer,Gururaj Kulkarni,Mu Chai,Roland Anthony Fernandes,Uday Devidas Muchalambe. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Adaptive performance control of multi-stream data transfer from a source system to a target system

Номер патента: US09509612B1. Автор: Peter Armorer,Gururaj Kulkarni,Mu Chai,Roland Anthony Fernandes,Uday Devidas Muchalambe. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Transfer from user terminal of information (nack), concerning reception of data block in radio communication system with transfer from one point to set of points

Номер патента: RU2350045C2. Автор: Франк МАДЕМАНН,Жан-Мишель ТРЕЙНАР,Серджо ПАРОЛАРИ. Владелец: Нокиа Сименс Нетворкс Гмбх Ко. Кг. Дата публикации: 2009-03-20.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and Circuit Arrangement for Switching a Semiconductor Switch

Номер патента: US20150222174A1. Автор: Ulrich Bley,Christoph Hornstein,Kai Kuehnen. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2015-08-06.

Transferring responsibility of a physical key from a transferer to a transferee

Номер патента: AU2022302764A1. Автор: John Bishop,Duncan WINNER,Monica HOLMAN. Владелец: Assa Abloy Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Dual phase clock distribution from a single source in a die-to-die interface

Номер патента: US20240186994A1. Автор: David H. Mcintyre,Pradeep Jayaraman,Ramon A. Mangaser,Prasant Kumar Vallur,Srikanth Reddy Gruddanti,Krishna Reddy MUDIMELA VENKATA. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for forming a buried diffusion layer with reducing topography in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060154441A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Transferring responsibility of a physical key from a transferer to a transferee

Номер патента: CA3223393A1. Автор: John Bishop,Duncan WINNER,Monica HOLMAN. Владелец: Assa Abloy Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Transferring responsibility of a physical key from a transferer to a transferee

Номер патента: EP4364445A1. Автор: John Bishop,Duncan WINNER,Monica HOLMAN. Владелец: Assa Abloy Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Transferring responsibility of a physical key from a transferer to a transferee

Номер патента: US20240323676A1. Автор: John Bishop,Duncan WINNER,Monica HOLMAN. Владелец: Assa Abloy Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Determining the remaining usability of a semiconductor module in normal use

Номер патента: US20220043050A1. Автор: Markus Mauersberger,Gunnar Dietz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-02-10.

An organic electronic device comprising an anode layer, a cathode layer, at least one photoactive layer, and a semiconductor layer that comprises a metal complex

Номер патента: EP4406003A1. Автор: Mauro Furno,Vladimir Uvarov. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2024-07-31.

Control of a semiconductor component of a current limiter

Номер патента: EP4439896A1. Автор: Ulf Hansson,Tony WIKMAN,Joakim BERGQVIST. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and system for transferring digital tokens to and from a physical card

Номер патента: US12131326B2. Автор: Rakesh YADAV,Sarala BURADAGUNTA,Sebastien LE CALLONNEC. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Session transfer from a circuit switched network to a packet switched network

Номер патента: US09924414B2. Автор: Ralf Keller,Fredrik Lindholm,Peter Hedman. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-20.

Camera-activated data transfer from a source computing device to a target computing device

Номер патента: US09904735B2. Автор: Martin Vecera,Jiri Pechanec. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Rapid recovery method for incomplete file transfer from sender to recipient

Номер патента: US09591058B2. Автор: Zbigniew Pigula,Chris O'Brien,Arthur M. Pajak. Владелец: Coriant Operations Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

High side switch for selectively supplying power from a power supply to a load

Номер патента: US09590498B2. Автор: Volker Marr,Fried Berkenkamp,Marian Queck. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

A method for doping a semiconductor material with cesium

Номер патента: EP1648042A1. Автор: Ansgar Werner,Tilmann Romainczyk. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2006-04-19.

Semiconductor switching apparatus and method of controlling a semiconductor switching element

Номер патента: USRE38734E1. Автор: Masanori Yamamoto,Kazuhiro Kurachi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Method, apparatus and program for processing a contrast picture image of a semiconductor element

Номер патента: EP2434453A3. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-11-20.

Customizing a semiconductor product

Номер патента: US20230318605A1. Автор: Xuemin Chen,Rui Pimenta,Abbas Saadat,Jonathan BRETT. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Cooling device for cooling a semiconductor module and converter with the cooling device

Номер патента: US20240188254A1. Автор: Benno Weis. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Customizing a semiconductor product

Номер патента: EP4254249A1. Автор: Rui Pimenta,Sherman Chen,Abbas Saadat,Jonathan BRETT. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Customizing a semiconductor product

Номер патента: US12034444B2. Автор: Xuemin Chen,Rui Pimenta,Abbas Saadat,Jonathan BRETT. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Protective layer transfer sheet and thermally transferred image recorded object

Номер патента: US20050208297A1. Автор: Mitsuru Maeda,Kenichi Hirota. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-09-22.

Protective layer transfer sheet and intermediate transfer medium

Номер патента: US09527327B2. Автор: Kenzo Hayashi,Kano Sakamoto,Mitsuhiro Oota,Shinya Yoda,Junpei Oomura. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Layer Transfer Device

Номер патента: US20210011418A1. Автор: Kentaro Mori,Ryosuke Sakai,Seiji Hiramatsu. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Rear Vehicle Light Assistant Device

Номер патента: US20230311751A1. Автор: Keaton Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for operating a lighting assistance system

Номер патента: US20240109489A1. Автор: Klaus Alfred Hermann. Владелец: Mercedes Benz Group AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Inert gas recovery from a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: GB2588908A. Автор: Condon Neil. Владелец: Edwards Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Protective layer transfer sheet and intermediate transfer medium

Номер патента: US20160067997A1. Автор: Kenzo Hayashi,Kano Sakamoto,Mitsuhiro Oota,Shinya Yoda,Junpei Oomura. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Production facility for separating wafers from donor substrates

Номер патента: US11787083B2. Автор: Jan Richter,Christian Beyer,Ralf Rieske,Marko Swoboda,Albrecht ULLRICH. Владелец: SILTECTRA GmbH. Дата публикации: 2023-10-17.

Fixing device with a separation section configured to blast gas from a heat receiving duct, and image forming apparatus incorporating the same

Номер патента: US8606155B2. Автор: Katsunori Takahashi,Masashi Sugano,Kenji Tamaki,Akifumi Isobe,Akinori Kimata,Satoshi SHIMAO. Владелец: KONICA MINOLTA BUSINESS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2013-12-10.

Method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: NL2034529B1. Автор: Hermans Mark. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-10-14.

Protective layer transfer sheet

Номер патента: US09764579B2. Автор: Suguru Yabe,Tomohiro Harada,Munenori Ieshige,Kazumasa Maeda. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Protective layer transfer sheet and print

Номер патента: US20050070433A1. Автор: Kenichi Hirota. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor component and method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20240190702A1. Автор: Gregor Schuermann,Pascal Gieschke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-13.

Atmospheric water harvesting device based on a semiconductor chilling plate and a preparation method thereof

Номер патента: US20230399824A1. Автор: Zhenhui CHEN,Daolun FENG. Владелец: Shanghai Maritime University. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for separating wafers from donor substrates

Номер патента: US12030216B2. Автор: Jan Richter,Christian Beyer,Ralf Rieske,Marko David Swoboda,Albrecht ULLRICH. Владелец: SILTECTRA GmbH. Дата публикации: 2024-07-09.

Layer transfer device

Номер патента: EP3778459A1. Автор: Kentaro Mori,Ryosuke Sakai,Seiji Hiramatsu. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Reconfiguring a vehicle for transfer from a first operator to a second operator

Номер патента: US20210192449A1. Автор: Robert J. Martin,Joseph F. Floyd,Brent L. Hadley,Patrick J. Eames. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-06-24.

System and method of estimating energy flow to an occupant from a heating element of a vehicle seat

Номер патента: WO2024121812A1. Автор: Kenneth Turner,Mahmoud Abdalla HARRAZ. Владелец: Gentherm GmbH. Дата публикации: 2024-06-13.

Winding machine fixing mechanism, winding machine and method for coupling and/or decoupling a winding sleeve to or from a winding spindle of a winding machine

Номер патента: US20240262651A1. Автор: Gerhard Lechner. Владелец: Starlinger and Co GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for reducing rub-off from a toner image using a phase change composition with a rotary brush

Номер патента: US20030030711A1. Автор: John Crichton,Dana Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Method for transferring articles from a long-term store to a short-term buffer, and storage and order-picking system therefor

Номер патента: US20240308771A1. Автор: Timothy Lindley,Gerald Kettlgruber. Владелец: TGW Logistics Group GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for lifting or lowering components to or from a location on an off-shore wind turbine generator and handshake-tool for use in the method

Номер патента: US20240309848A1. Автор: Adrian Botwright. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-09-19.

Process for manufacturing a micro-electro-mechanical device from a single semiconductor wafer and related mems device

Номер патента: US20230107094A1. Автор: Andrea NOMELLINI,Luca SEGHIZZI,Gianluca Longoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for removing particles from a semiconductor processing tool

Номер патента: US20040079385A1. Автор: Scott Kellogg,Michael Montgomery,Iraj Shahvandi,Larry Frisa,Grant McEwan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method and 3d printing method for layer-by-layer fabrication of objects using layer transfer printing

Номер патента: US20230330927A1. Автор: Klaus Eller,Johannes NEUWIRTH. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Near Field Light Assisted Magnetic Recording Head and Recording Apparatus Using The Same

Номер патента: US20100002549A1. Автор: Manabu Oumi,Masakazu Hirata,Majung Park. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240230724A9. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for monitoring at least one semiconductor element in a semiconductor module

Номер патента: US20240133924A1. Автор: Ulrich Wetzel,Jürgen Zettner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Classifying an area as hazardous or non-hazardous based on an operation of a semiconductor device

Номер патента: US20240231993A1. Автор: Poorna Kale,Saideep Tiku,Shashank Bangalore Lakshman,Pavana Prakash,Febin Sunny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Light-assisted sleep and wake-up alarm clock and a wake-up method thereof

Номер патента: US20240149007A1. Автор: Hai Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Light assisted needle placement system and method

Номер патента: US20240058032A1. Автор: Donald J. Verlee,Thomas Janicki. Владелец: LUMOPTIK Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Feedback circuit for output control in a semiconductor X-ray detector

Номер патента: US7554091B2. Автор: James V. Howard,Dean A. Stocker,Kevin K. Kim,Mark E. Misenheimer,William E. Drummond,David R. Fahrbach,James R. Hyatt. Владелец: Thermo Electron Scientific Instruments LLC. Дата публикации: 2009-06-30.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Feedback Circuit for Output Control in a Semiconductor X-Ray Detector

Номер патента: US20080116384A1. Автор: James Howard,Kevin Kim,James Hyatt,William Drummond,David Fahrbach,Mark Misenheimer,Dean Stocker. Владелец: Niton Llc. Дата публикации: 2008-05-22.

System for preventing errors upon ejection of a memory card from a slot

Номер патента: US7269748B2. Автор: Takayuki Tamura,Chiaki Kumahara,Shinichi Shuto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Valve for throttling gas flow from a semiconductor processing tool

Номер патента: US12055228B2. Автор: Chang Chun,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Xuan-Yang Zheng,Ren-Jyue Wang,Tzu-Chuan Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor sensor having a suspended structure and method of forming a semiconductor sensor having a suspended structure

Номер патента: US09863901B2. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Ashwin K. SAMARAO,Gary O'brien,Fabian Purkl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-09.

Test yield estimate for semiconductor products created from a library

Номер патента: US20080189664A1. Автор: Juergen Koehl,Jason D. Hibbeler,Jeanne Bickford,Markus Buehler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

System and method for detecting liquid flow from a nozzle in a semiconductor processing device

Номер патента: US20060091335A1. Автор: Kenneth Roberts. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Apparatus for the control of electrical heating of a semiconductor rod

Номер патента: US3980942A. Автор: Hans Stut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-09-14.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US20080291755A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Executing Applications From a Semiconductor Nonvolatile Memory

Номер патента: US20110161572A1. Автор: John C. Rudelic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Executing applications from a semiconductor nonvolatile memory

Номер патента: US20190146812A1. Автор: John C. Rudelic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Executing applications from a semiconductor nonvolatile memory

Номер патента: US10146561B2. Автор: John C. Rudelic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method and device for the independent extraction of carrier concentration level and electrical junction depth in a semiconductor substrate from a single measurement

Номер патента: EP1834168A2. Автор: Trudo Clarysse,Fabian Dortu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-09-19.

Method and device for the independent extraction of carrier concentration level and electrical junction depth in a semiconductor substrate from a single measurement

Номер патента: EP1834168B1. Автор: Trudo Clarysse,Fabian Dortu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-08-01.

Semiconductor device having a secondary address generating unit for generating address signal in response to address signal from a first address generating unit

Номер патента: US09508410B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and apparatus for moving data from a simd register file to general purpose register file

Номер патента: WO2012068475A2. Автор: Toshio Nagata,John W. Glotzbach,David H. Bartley,Jeffrey L. Nye,Hamid Sheikh,Shalini Gupta,Robert J. Nychka,Murali Chinnakonda,Stephen Busch,Ajay Jayaraj,Ganesh Sundararajan,Willliam Johnson. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-05-24.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

A method for generating an unlinked program code to be transferred from a source device to a target device

Номер патента: WO2024141207A1. Автор: François-Xavier Marseille,Denis Praca,Nicolas Regnault,Franck Imoucha,Ly-Thanh PHAN. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and system for optimizing data transfer from one memory to another memory

Номер патента: US20230120354A1. Автор: Chris Smith. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2023-04-20.

Method and system for optimizing data transfer from one memory to another memory

Номер патента: US20230111058A1. Автор: Chris Smith. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2023-04-13.

Method and apparatus for coating a patterned thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability

Номер патента: US20050227004A1. Автор: Paul Burrows,Linda Sapochak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Method and apparatus for moving data from a simd register file to general purpose register file

Номер патента: WO2012068475A3. Автор: Toshio Nagata,John W. Glotzbach,David H. Bartley,Jeffrey L. Nye,Hamid Sheikh,Shalini Gupta,Robert J. Nychka,Murali Chinnakonda,Stephen Busch,Ajay Jayaraj,Ganesh Sundararajan,Willliam Johnson. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-07-12.

Information transfer from object-oriented repository to relational database

Номер патента: WO2008079764A2. Автор: Joseph Peter Stefaniak,Douglas Marshall Tolbert,Iii Eugene Otto Mutschler,Mahmood Mac Vazehgoo. Владелец: UNISYS CORPORATION. Дата публикации: 2008-07-03.

Information transfer from object-oriented repository to relational database

Номер патента: WO2008079764A3. Автор: Joseph Peter Stefaniak,Douglas Marshall Tolbert,Iii Eugene Otto Mutschler,Mahmood Mac Vazehgoo. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Secure data transfer from a vending device to portable data storage devices

Номер патента: US09792595B2. Автор: Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor chip testing apparatus for picking up and testing a semiconductor chip

Номер патента: US09664706B2. Автор: Woo-Yoel Jeong,Duk-Soon Choi,Dong-Shin Kim,In-Seol HWANG,Seong-Han PARK,In-Seob KWON. Владелец: SEMICORE Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Reuse of electrical charge at a semiconductor memory device

Номер патента: US09659657B2. Автор: Giacomo Curatolo,Leonardo Castro. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Pipe rack and method for feeding and removing tubular bodies to and from a drilling installation

Номер патента: US09523249B2. Автор: Jürgen Binder,Andrej Nadan. Владелец: Herrenknecht Vertical Gmbh. Дата публикации: 2016-12-20.

Fault position identification system for a semiconductor device and method of identifying a fault position of a semiconductor device

Номер патента: US20050229063A1. Автор: Yoshikazu Iizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Method and apparatus for supplying current to a semiconductor memory chip

Номер патента: US20020170023A1. Автор: Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Method and system for optimizing live migration of a virtual machine from a source server to a destination server

Номер патента: US20240231885A1. Автор: ZHI Wang,Guang Zeng,Binbin WU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

A method for generating an unlinked program code to be transferred from a source device to a target device

Номер патента: EP4394590A1. Автор: François-Xavier Marseille,Denis Praca,Ly Thanh Phan,Nicolas Regnault,Franck Imoucha. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Lengthy volume hologram layer transfer foil, method of producing volume hologram laminate using the same and volume hologram laminate

Номер патента: US20080299464A1. Автор: Koji Eto,Hirotada Ohkawa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for computing an itinerary from a departure location to an arrival location

Номер патента: US11768078B2. Автор: Vassilissa Lehoux-Lebacque,Christelle Loiodice. Владелец: Naver Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Circuit for controlling temperature and enabling testing of a semiconductor chip

Номер патента: WO2011140491A2. Автор: Sudheer Prasad,Ravindra Karnad,Ram A Jonnavithula. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Device for transferring a liquid from a first vial to a second vial

Номер патента: WO2019086595A1. Автор: Edward Sims,Maxime Gaillot,Roberta LEAH,Declan Reilly,Thomas THUEER,Jack Carroll,James Coop,Mark Teucher. Владелец: F. Hoffmann-La Roche AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab

Номер патента: EP4196851A1. Автор: Cyrus Emil TABERY,Vahid BASTANI,Tijmen Pieter COLLIGNON,Pavel SMAL,Thiago DOS SANTOS GUZELLA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated Optical/Electrical Probe Card for Testing Optical, Electrical, and Optoelectronic Devices in a Semiconductor Die

Номер патента: US20210080295A1. Автор: Yasir Qamar,Edward Preisier. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Method and device for determining the temperature calibration characteristic curve of a semiconductor component appertaining to power electronics

Номер патента: US09927483B2. Автор: Sebastian Hiller,Marco BOHLLÄNDER,Christian Herold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Handling of errors in data transferred from a source application to a target application of an enterprise resource planning (ERP) system

Номер патента: US09477728B2. Автор: Sudhir Arthanat. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Light-sensitive layer transfer material

Номер патента: US4389480A. Автор: Werner Franke,Markus Seibel. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1983-06-21.

Semiconductor device including a clock source for generating a clock signal and a clock control circuit for controlling the clock source in hardware, a semiconductor system including the semiconductor device, and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US10503674B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

System for automatically controlling a transfer process from a harvesting machine to a transport vehicle in consideration of harvested material properties

Номер патента: US20240224875A1. Автор: Patrick Sauer,Akshay Khot. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-07-11.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: US20120000934A1. Автор: Ulstad David Carl,Zeitler Wilson George,Cohen Tobe,Rohatgi Guarav,Moyer Ilan E.,Boyce Andrew,Traina Zachary,Walker Philip Charles,Cameron Allan Lee. Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and device to support service transfer from wcdma land mobile network into public access network

Номер патента: RU2450481C2. Автор: Яри ВИКБЕРГ,Томас НЮЛАНДЕР. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2012-05-10.

Improvements in Apparatus for Operating Steering Engines and like Gear from a Distance.

Номер патента: GB190513930A. Автор: Alexander Kelly,Christian Dethleff Birc Hansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-08.

Light assisted platelet formation facilitating layer transfer from a semiconductor donor substrate

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты