Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Film formation apparatus, film formation method, and method for fabricating semiconductor device

Film formation apparatus, film formation method, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112955B2
Опубликовано: 08-10-2024
Автор(ы): Soichi Yamazaki, Yusuke Kondo
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Film formation method

Номер патента: US20230361163A1. Автор: Koji Akiyama,Yumiko Kawano,Akinobu Kakimoto,Nobutake KABUKI,Hajime Nakabayashi,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Film formation device for performing sputtering film formation with inductively coupled plasma

Номер патента: WO2021261484A1. Автор: 栄 田中. Владелец: 三国電子有限会社. Дата публикации: 2021-12-30.

Compounds, raw materials for thin film formation, raw materials for thin film formation for atomic layer deposition, and methods for producing thin films

Номер патента: JP6760822B2. Автор: 佐藤　宏樹,宏樹 佐藤,仙二 和田,昭夫 齋藤. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN1976008A. Автор: 李起正. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220325418A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for capturing gaseous impurities and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: GB9711576D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Film formation apparatus and film formation method

Номер патента: US20230366077A1. Автор: Atsushi Fujita,Shigeki Matsunaka. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Film formation apparatus

Номер патента: US20230407458A1. Автор: Masatoshi Higuchi,Yoji Takizawa. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Thin film formation apparatus and thin film formation method employing the apparatus

Номер патента: EP1420081B1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yasushi Fujioka,Hiroyuki Fukuda,Katsuhiko Nomoto,Yusuke Fukuoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste

Номер патента: US11890681B2. Автор: Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Motohiro Negishi,Yuki Kawana,Chie Sugama,Yuichi Yanaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US12146092B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: TW200411738A. Автор: Seok-Kiu Lee,Sung-Jae Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW546695B. Автор: Dong-Su Park,Cheol-Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-11.

Thin polycrystalline diamond layer fabricating method for use during fabricating semiconductor on diamond structure in electronics field, involves removing substrate, and polishing and thinning down diamond layer to obtain polished face

Номер патента: FR2938373A1. Автор: Marc Rabarot,Julie Widiez,Samuel Saada. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-05-14.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film and method of fabricating ferroelectric thin film

Номер патента: US7527822B2. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-05.

Ferroelectric Thin Film Formation Composition, Ferroelectric Thin Film and Method of Fabricating Ferroelectric Thin Film

Номер патента: US20080217574A1. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film, and method of fabricating thin film

Номер патента: EP1493840A2. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film and method of fabricating ferroelectric thin film

Номер патента: US7553364B2. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film and method of fabricating ferroelectric thin film

Номер патента: US20050100759A1. Автор: Koji Sumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Ferroelectric Thin Film Formation Composition, Ferroelectric Thin Film and Method of Fabricating Ferroelectric Thin Film

Номер патента: US20080090098A1. Автор: Koji Sumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Methods and systems for forming thin films

Номер патента: US20120208352A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Methods and systems for forming thin films

Номер патента: US20120208357A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Compound, raw material for thin film formation, raw material for thin film formation for atomic layer deposition method, and production method of thin film

Номер патента: JP2018076550A. Автор: Akio Saito,Hiroki Sato,佐藤　宏樹,宏樹 佐藤,仙二 和田,昭夫 齋藤,Senji Wada. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Thin-film-formation-substrate manufacturing method and thin-film substrate

Номер патента: WO2013030885A1. Автор: 孝啓 川島,尾田　智彦. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Electro-optical apparatus and method for fabricating a film, semiconductor device and memory device at near atmospheric pressure

Номер патента: US6734119B2. Автор: Ramesh H. Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Method and apparatus for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device

Номер патента: TW543115B. Автор: Kazuo Maeda. Владелец: Canon Sales Co Inc. Дата публикации: 2003-07-21.

Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices

Номер патента: US20090194026A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Roger N. Anderson,Ronald Stevens,Brian H. Burrows,Kenric T. Choi,Alexander Tam,Lori D. Washington,Joshua J. Podesta,Anthony F. White. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-06.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: KR102491830B1. Автор: 요시타카 구라오카,소타 마에하라,미키야 이치무라. Владелец: 엔지케이 인슐레이터 엘티디. Дата публикации: 2023-01-25.

Epitaxial substrate for semiconductor device, method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130181327A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Sota Maehara,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240290609A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Takashi Sakuma,Yoshiyuki Hanada,Kunihiro Tada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100505397B1. Автор: 홍권,조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating electrode and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234148A1. Автор: Cha Deok Dong,Jeong Myeong Kim,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for manufacturing contact plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20150170966A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20180174930A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20190115266A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20200365471A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming semiconductor die and semiconductor device thereof

Номер патента: US20240128123A1. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Alignment apparatus, film formation apparatus, alignment method, film formation method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: JP7244401B2. Автор: 康信 小林,洋紀 菅原. Владелец: Canon Tokki Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: KR102430370B1. Автор: 히로시 이시이,카즈히토 카시쿠라,테루유키 호소야. Владелец: 주식회사 아오이. Дата публикации: 2022-08-05.

Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: KR102419064B1. Автор: 히로시 이시이,카즈히토 카시쿠라. Владелец: 캐논 톡키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-07.

Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: KR102459872B1. Автор: 히로시 이시이,카즈히토 카시쿠라. Владелец: 캐논 톡키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits

Номер патента: US3370995A. Автор: Carl J Lowery,Billy B Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-02-27.

Method for Forming a Ruthenium Film

Номер патента: US20120161282A1. Автор: Vishwanath Bhat,Dan Gealy,Vassil Antonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Organosilane-containing material for insulation film, method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: TWI252232B. Автор: Daiji Hara,Keisuke Yoshida. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2006-04-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010008750A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Husam Al-Shareef,Daniel Gealy,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010044219A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20020192978A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device

Номер патента: EP1615260A3. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Film formation apparatus and moisture removal method thereof

Номер патента: US12043898B2. Автор: Koji Yoshimura,Shohei Tanabe. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and apparatus for depositing a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20150292100A1. Автор: Wolfgang-Michael Schulz,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-15.

Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: US11860538B2. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Multilayered printed circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the same

Номер патента: US11848263B2. Автор: Seung Lak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Atomizing apparatus for film formation, film forming apparatus using the same, and semiconductor film

Номер патента: US20220411926A1. Автор: Hiroshi Hashigami,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Kochi Prefectural University Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Ferroelectric thin film formation composition, ferroelectric thin film and its formation method and combined electronical assembly

Номер патента: CN103664169B. Автор: 藤井顺,樱井英章,曾山信幸. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20220013626A1. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US12113101B2. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20230403855A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor chip, method for manufacturing semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20140183704A1. Автор: Akira Ide,Koji Torii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Cleaning method, method for manufacturing semiconductor device, and plasma treatment device

Номер патента: US20180114690A1. Автор: Mamoru Ishida,Tetsuya Okamoto,Seiji Fujiwara,Takeshi Hirase,Tohru Sonoda,Tohru Senoo,Daichi NISHIKAWA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010027021A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010024875A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US6413885B2. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09721797B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100886641B1. Автор: 박상수,정중택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100563095B1. Автор: 김석수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for fabricating isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100588646B1. Автор: 심준범. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100701779B1. Автор: 박래춘,최부경. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of capacitor and avoid loss of oxide layer under capacitor

Номер патента: KR100449179B1. Автор: 이정석,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636683B1. Автор: 서혜진,김재수,은용석,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636685B1. Автор: 김한내. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100607367B1. Автор: 김상욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100762236B1. Автор: 김태균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-01.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100744068B1. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101129021B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-23.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100801306B1. Автор: 안명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628220B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20060114180A. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-06.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: CN100407407C. Автор: 张世亿,郑台愚,金明玉,李圣权. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100273286B1. Автор: 김낙섭. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Etching method, and method of producing semiconductor substrate product and semiconductor device using the same

Номер патента: EP2875521A4. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro,Takahiro Watanabe,Kee Young PARK. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TW200411810A. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TWI287269B. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing multilayered substrate for semiconductor device

Номер патента: TWI308606B. Автор: Takashi Kobori,Kazushi Hayashi,Koji Kobashi,Yoshihiro Yokota,Takeshi Tachibana. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-04-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for dispersing quantum dots or quantum wires in zeolite, method for stabilizing quantum dots or quantum wires in zeolite, and zeolite containing quantum dots or quantum wires dispersed by the method

Номер патента: US20140008605A1. Автор: Hyun Sung Kim,Kyung Byung Yoon,Nak Cheon Jeong. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100500940B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100286011B1. Автор: 김기범,황철주. Владелец: 주성엔지니어링주식회사. Дата публикации: 2001-04-16.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100540476B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-10.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520600B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200411819A. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6794241B2. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-21.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6913963B2. Автор: Sang Ho Woo,Tae Hyeok Lee,Cheol Hwan Park,Dong Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520590B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating trench of semiconductor device

Номер патента: KR100826790B1. Автор: 김중규. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-30.

Method for fabricating capacitors of semiconductor device

Номер патента: GB0027297D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702128B1. Автор: 이수재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TW200423237A. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TWI254982B. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Sealing method, sealing layer, mixed liquid for sealing layer formation, method for producing sealing layer, and semiconductor device

Номер патента: WO2020110534A1. Автор: 有章 志田,井　宏元,幸宏 牧島. Владелец: コニカミノルタ株式会社. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US11967562B2. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for fabricating self-aligned semiconductor devices utilizing selectively etchable masking layers

Номер патента: US4135954A. Автор: Augustine W. Chang,Arun K. Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Apparatus for polarizing a semiconductor wafer and method for fabricating a magnetic semiconductor device

Номер патента: US20200365797A1. Автор: Keith Kuang-Kuo Koai,Wen-Chih Wang,Jim-Wei Wu,Chia-Hsun Chang,Li Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Process for fabricating small geometry semiconductor devices

Номер патента: US3858304A. Автор: Hayden M Leedy,Jr Loren G Mccray,Harry L Stover. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1975-01-07.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for manufacturing and structure of semiconductor device with polysilicon definition structure

Номер патента: US20030100149A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Anton Mauder,Holger Kapels,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

SOI-type semiconductor device, and production method for manufacturing such SOI-type semiconductor device

Номер патента: US20050250259A1. Автор: Takayuki Suzuki,Akihito Sakakidani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Processing method and thermocompression bonding method for workpiece

Номер патента: US11222807B2. Автор: Atsushi Kubo,Naoko Yamamoto,Yoshiaki Yodo. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US20190109088A1. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Composition for film formation use, resist underlayer film and method for formation thereof, pattern formation method, and compound

Номер патента: KR102222665B1. Автор: 도오루 기무라,고지 와카마츠,신야 나카후지,후미히로 도요카와,신고 다카스기. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-03-05.

Composition for film formation use, resist underlayer film and method for formation thereof, pattern formation method, and compound

Номер патента: WO2014208324A1. Автор: 晋吾 高杉,木村　徹,剛史 若松,慎也 中藤,郁宏 豊川. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2014-12-31.

Lithographic film formation material, composition for lithographic film formation, lithographic film, pattern formation method, and purification method

Номер патента: EP3141959A4. Автор: Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Lithographic film formation material, composition for lithographic film formation, lithographic film, pattern formation method, and purification method

Номер патента: EP3141959A1. Автор: Masatoshi Echigo,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Compound, resin, and method for purifying same, underlayer film formation material for lithography, underlayer film forming composition, and underlayer film, and method for forming resist pattern and method for forming circuit pattern

Номер патента: WO2016158457A1. Автор: 越後　雅敏,匠 樋田,牧野嶋　高史. Владелец: 三菱瓦斯化学株式会社. Дата публикации: 2016-10-06.

Compound, resin, and method for purifying same, underlayer film formation material for lithography, underlayer film forming composition, and underlayer film, and method for forming resist pattern and method for forming circuit pattern

Номер патента: EP3279179A4. Автор: Masatoshi Echigo,Takumi TOIDA,Takashi Makinoshima. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-12-05.

COMPOSITION FOR FILM FORMATION, FILM-FORMING METHOD AND DIRECTED SELF-ASSEMBLY LITHOGRAPHY PROCESS

Номер патента: US20190233561A1. Автор: Naruoka Takehiko,HORI Masafumi,KOMATSU Hiroyuki,Osaki Hitoshi,Oda Tomohiro. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2019-08-01.

Leadframe for optical semiconductor device, method for manufacturing leadframe for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201218463A. Автор: Satoshi Suzuki,Akira Matsuda,Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Akira Tachibana,Satoru Zama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for producing light emitting semiconductor device

Номер патента: US09666758B2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for dispersing quantum dots or quantum wires in zeolite, method for stabilizing quantum dots or quantum wires in zeolite, and zeolite containing quantum dots or quantum wires dispersed by the method

Номер патента: US9287120B2. Автор: Hyun Sung Kim,Kyung Byung Yoon,Nak Cheon Jeong. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-03-15.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7023019B2. Автор: Kei Sakanoue,Hiromi Kitahara,Katsuaki Iwama,Hidenori Kamei,Toshihide Maeda,Shozo Oshio,Tadaaki Ikeda,Yasuyuki Hanada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-04.

Method for thermal annealing and a semiconductor device formed by the method

Номер патента: US09679773B1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound sn/sb

Номер патента: US20200105704A1. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound Sn/Sb

Номер патента: US11069644B2. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-20.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar

Номер патента: US5989474A. Автор: Yasuhiro Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US09905636B2. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for providing multiple power domains a programmable semiconductor device

Номер патента: US20210376834A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: WO2009073773A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US8298921B2. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Electric connection inspection device, and manufacturing method and electric connection method for semiconductor device

Номер патента: GB2619415A. Автор: Mori Yuki,KONISHI Kumiko,MIKI Hiroshi,SAGAWA Masakazu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US11763855B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing oxide film, method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301089A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: WO2019190709A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US20210264955A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US20140097441A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: WO2014055277A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: EP2904642A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240055399A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Dual Gate Power Semiconductor Device and Method of Controlling a Dual Gate Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230290869A1. Автор: Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Dual Gate Power Semiconductor Device and Method of Controlling a Dual Gate Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230307531A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US20110006834A1. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601A3. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601B1. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: EP1815503A2. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Dicing device, and blade height correction method and workpiece processing method for dicing device

Номер патента: US20220362958A1. Автор: Shiori Saito,Marina EKI. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and system for etch depth control in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20240242969A1. Автор: Wayne Chen,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20220123020A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

METHOD FOR FABRICATING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EPITAXIAL LAYER AND SILICON LAYER HAVING SAME CRYSTALLINE ORIENTATION

Номер патента: US20170040346A1. Автор: Lin Yu-Ming,Wang Jen-Yu,Huang Cheng-Tung,Yang Ya-Ru,Weng Wen-Yin,Wu Yi-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100318455B1. Автор: 이상익,안기철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20070002701A. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-05.

Method for fabricating high speed semiconductor device

Номер патента: KR20110077966A. Автор: 진승우,주영환,이안배,장일식,차재춘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100866126B1. Автор: 이원욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-31.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811260B1. Автор: 김영대,김해원,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating pattern in semiconductor device using spacer

Номер патента: KR100945928B1. Автор: 서혜진,김수호,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating high integrated semiconductor device including floating body transistor

Номер патента: KR101024821B1. Автор: 김중식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100518235B1. Автор: 김해원,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-04.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US11791201B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI261351B. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503237A. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Semiconductor piece manufacturing method and substrate dicing method for suppressing breakage

Номер патента: US09735056B2. Автор: Michiaki Murata,Shuichi Yamada,Mutsuya Takahashi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structures including tight pitch contacts and methods to form same

Номер патента: SG183671A1. Автор: Luan C Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180315635A1. Автор: Eiichi Yamamoto,Toshihiro Ito,Takahiko Mitsui,Yoshihiro TERAKUBO. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TW200522272A. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TWI239074B. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Forming method for fine-width trench and semiconductor device

Номер патента: WO2015044749A1. Автор: Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Tomoyuki Shoji. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Chemical solution supply-management system and method in use process of fabricating semiconductor device

Номер патента: KR101316036B1. Автор: 유병수. Владелец: 유병수. Дата публикации: 2013-10-10.

Method and systems for coupling semiconductor substrates

Номер патента: US10971540B2. Автор: Richard E. Bornfreund,Joseph H. Durham. Владелец: Flir Systems Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Tin solution for tin film formation and method for forming tin film using the same

Номер патента: US20200157697A1. Автор: Hirofumi Iisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Composition for film formation and material for insulating film formation

Номер патента: TWI232468B. Автор: Kinji Yamada,Michinori Nishikawa,Masahiko Ebisawa,Mayumi Kakuta,Yasutake Inoue. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2005-05-11.

Elastic matrix determination method and vibration analysis method for laminated iron core

Номер патента: CA3089090A1. Автор: Misao Namikawa,Gou Kijima. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Elasticity matrix determination method and vibration analysis method for laminated iron core

Номер патента: EP3745286A1. Автор: Misao Namikawa,Gou Kijima. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Elastic matrix determination method and vibration analysis method for laminated iron core

Номер патента: US20200340952A1. Автор: Misao Namikawa,Gou Kijima. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and apparatus for preventing damage to a temperature-sensitive semiconductor device

Номер патента: US5073838A. Автор: Stephen J. Ames. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Discharge control method and charging control method for battery pack control system

Номер патента: EP4258507A1. Автор: Wei Ye,Yongchao Li,Bo Zeng,Shuting SUN,Jihai XIE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Film Formation Apparatus, Method for Forming Film and Method for Cleaning Shadow Mask

Номер патента: US20130216709A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shingo Eguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Film Forming Method and Method for Manufacturing Film-Formation Substrate

Номер патента: US20130022757A1. Автор: Satoshi Inoue,Hisao Ikeda,Tomoya Aoyama,Tohru Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: WO2008069259A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hisao Ikeda,Yoshiharu Hirakata,Tomoya Aoyama,Takahiro Ibe. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2008-06-12.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Systems and methods for fabricating finfets with different threshold voltages

Номер патента: US20220310593A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Methods for forming etch stop layers, semiconductor devices having the same, and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20140197470A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: LEE Jeong-Hoon,KIM Hai-Won,SHIN Chang-Hun,KIM Seok-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Silicon-germanium thin layer semiconductor structure with variable silicon-germanium composition and method of fabrication

Номер патента: WO2005096352A3. Автор: Pradip K Roy,Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: EP1239517A3. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: TW541678B. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-11.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Semiconductor device, its manufacturing method and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09748289B2. Автор: Yasushi Morita,Takashi Nagano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabrication of CMOS devices having minimized drain contact area

Номер патента: US5573969A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230040214A1. Автор: Heung Ju LEE,Jun Seok Oh,Wan Sup SHIN,Jong Gi Kim,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Method of fabricating a semiconductor device using masked deposition

Номер патента: WO2024039396A1. Автор: Pasi KOSTAMO,Flavio Griggio,David Johannes VAN WOERKOM,Naganivetha Thiyagarajah,Maren Elisabeth KLOSTER,Shivendra UPADHYAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US09978684B2. Автор: Changseop YOON,Boram IM,Hyung Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for determining a preceding wafer, method for determining a measuring wafer, and method for adjusting the number of wafers

Номер патента: US20030203514A1. Автор: Shigeru Matsumoto,Hiroaki Ishizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Die bonding device, die bonding method and vacuum control method for pick-and-placer thereof

Номер патента: US20240170320A1. Автор: Yung-Chi Lin,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130105798A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242111A1. Автор: Wedi Andre,Unrau Arthur,Ehlers Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Theuss Horst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200328226A1. Автор: Park In-Su,KIM Jong-Gi,KIM Hai-Won,JEONG Hoe-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for forming thin film encapsulation multilayer and method for fabricating flexible organic semiconductor device

Номер патента: KR101207209B1. Автор: 허욱,설영국,이내응. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-12-03.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20110199116A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Zeev Wurman. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US6188090B1. Автор: Takashi Eshita,Shinji Miyagaki,Kazuaki Takai,Satoshi Ohkubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Power semiconductor device and method for fabricating a power semiconductor device

Номер патента: EP3859776A1. Автор: Arthur Unrau,Carsten Ehlers,Andre Wedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09786576B2. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20120032294A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200168450A1. Автор: Lin Chun-Ling,Huang Hsin-Fu,Lin Ko-Wei,Chen Kuan-Hsiang,Su Sheng-Yi,Kao Pei-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-05-28.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210257251A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307777A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7986042B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-07-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8058137B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8148728B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8373230B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8461035B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8298875B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Paul Lim. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US9029173B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Ze'ev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100289064A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8294159B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8709880B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8378494B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8703597B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100533981B1. Автор: 김주성,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582404B1. Автор: 조호진,김해원,이태혁,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for fabricating high-performance semiconductor device by reducing junction capacitance

Номер патента: KR100448090B1. Автор: 임지운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945921B1. Автор: 신재천. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: EP1024523A1. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-08-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100597462B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702134B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating locos of semiconductor device

Номер патента: KR100632684B1. Автор: 성웅제. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100540334B1. Автор: 박건욱. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100552857B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100571401B1. Автор: 김봉준. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-14.

Method for fabricating hole pattern semiconductor device

Номер патента: KR101708375B1. Автор: 선준협. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101067022B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20100078496A. Автор: 박종범,송한상,박종국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-08.

method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR101096256B1. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: US6624494B2. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-23.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: US20040171258A1. Автор: Nam-kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100589495B1. Автор: 최승철. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR20110001142A. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: CN1577799A. Автор: 李南宰,朴启淳. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100519644B1. Автор: 하승철. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-07.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: CN1542906A. Автор: ,朴南奎. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-03.

Method for fabricating bitline in semiconductor device

Номер патента: KR100670708B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: AU2544900A. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: INTERUNIVERSITAIRE MICROELEKTR. Дата публикации: 2000-08-18.

Method for fabricating interconnection of semiconductor device having improved interconnection reliability

Номер патента: KR100660915B1. Автор: 이정은,위영진,김태범,문영준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100364797B1. Автор: 박상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-16.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101075528B1. Автор: 홍권,김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100295136A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase capacitance

Номер патента: KR100399917B1. Автор: 김재옥,은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating vertical channel semiconductor device

Номер патента: KR101070305B1. Автор: 김광옥,강혜란. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: EP1433201A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for fabricating a monolithic semiconductor device with integrated surface micromachined structures

Номер патента: EP0762510B1. Автор: Ljubisa Ristic,Frank A. Shemansky, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-11-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7332761B2. Автор: Nam-Jae Lee,Kye-Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-19.

Method for fabricating micropump of semiconductor device

Номер патента: KR0169818B1. Автор: 정태경,윤종상. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-18.

Method for fabrication of a semiconductor device.

Номер патента: NL1006758C2. Автор: Takayuki Gomi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for fabricating dual-gate semiconductor device

Номер патента: US20080197420A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mong Song Liang,Chen-Nan Yeh,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100361765B1. Автор: 김태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100451515B1. Автор: 김종봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-06.

The method for fabricating pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100914295B1. Автор: 박찬하,윤형순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-27.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: US20030203541A1. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Systems And Methods For Fabricating Nanometric-Scale Semiconductor Devices With Dual-Stress Layers Using Double-Stress Oxide/Nitride Stacks

Номер патента: US20090026548A1. Автор: Seung-Chul Song,Joel Barnett,Byong Sun Ju. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100358568B1. Автор: 안중진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for fabricating RF MOS semiconductor device

Номер патента: KR100613352B1. Автор: 윤여조. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-21.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A4. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Process for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP0168815A2. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-01-22.

Semiconductor structure and method for use in fabricating semiconductor structure

Номер патента: WO2018195701A1. Автор: 程凯,向鹏. Владелец: 苏州晶湛半导体有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

End cap apparatus of oxidation furnace for fabricating process of semiconductor device

Номер патента: KR960007619Y1. Автор: 이창식. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-09-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240213253A1. Автор: Geumjong BAE,Ho-jun Kim,Jaehyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW302512B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-11.

Method for forming junction region in semiconductor device

Номер патента: KR100376888B1. Автор: Bong Soo Kim,Seong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: TW200901325A. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20150179648A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Self-aligned via for gate contact of semiconductor devices

Номер патента: WO2016003595A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-07.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130181327A1. Автор: MIYOSHI Makoto,ICHIMURA Mikiya,MAEHARA Sota,TANAKA Mitsuhiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Stage device, pattern formation apparatus, exposure apparatus, stage drive method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US20090284723A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPWO2006009029A1. Автор: 永 知加雄 池,永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,川 和 人 細,結 卓 司 桶,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,川 桂 介 吉,村 和 弘 池,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for separating selected articles from an array

Номер патента: US3627124A. Автор: Peter R Hance,Ronald I Strohl,William R Wanesky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-12-14.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, method for manufacturing interim product of semiconductor device, interim product of semiconductor device, and lead frame

Номер патента: WO2009084597A1. Автор: Shuji Mori,Kiyoshi Matsunaga. Владелец: MITSUI HIGH-TEC, INC.. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing device provided with semiconductor device, semiconductor device, and device provided with semiconductor device

Номер патента: US20230162992A1. Автор: Takafumi Fukushima,Hisashi Kino,Tetsu Tanaka,Yuki Susumago. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-25.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US7947598B2. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP4818109B2. Автор: 永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method of an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2023222385A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Tansen Varghese,Martin Hetzl. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049117A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for detecting defects in semiconductor device

Номер патента: US11854913B2. Автор: Hong-Seng Shue,Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu,Wei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Block-Molded Semiconductor Device Singulation Methods and Systems

Номер патента: US20080194081A1. Автор: Mohamad Ashraf Bin Mohd Arshad,Yue Seng Fatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049116A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178616A1. Автор: Yi Pei,Naiqian Zhang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of preparing film and method of manufacturing display device

Номер патента: US11342502B2. Автор: Gaozhen WANG,Yazhou LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of preparing film and method of manufacturing display device

Номер патента: US20220045273A1. Автор: Gaozhen WANG,Yazhou LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Fabrication and Test Methods and Systems

Номер патента: US20090246894A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US8361839B1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US20130034936A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11763058B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240020450A1. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI282604B. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-11.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503170A. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Structures and methods for ring oscillator fabrication

Номер патента: US9165925B2. Автор: Ruey-Bin Sheen,Shyh-An Chi,Chih-Hsien Chang,Chao-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device

Номер патента: EP0896405A3. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Film formation method, semiconductor element and method thereof, and method of manufacturing a disk-shaped storage medium

Номер патента: US6960540B2. Автор: Katsuya Okumura,Shinichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Film formation method, semiconductor element and method thereof, and method of manufacturing a disk-shaped storage medium

Номер патента: US20010039117A1. Автор: Katsuya Okumura,Shinichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Selection of optimal quantization direction for given transport direction in a semiconductor device

Номер патента: US20060102985A1. Автор: Steven Laux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating an indium tin oxide electrode for a thin film transistor

Номер патента: US5153142A. Автор: In-Cha Hsieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1992-10-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and capacitor fabricated thereby

Номер патента: KR100281906B1. Автор: 이병택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20240063256A1. Автор: Zheng He,Yi Tang,Qiong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Materials and Methods for Fabricating Superconducting Quantum Integrated Circuits

Номер патента: US20230337553A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US11991935B2. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing same, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201029139A. Автор: Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Kazuhiro Koseki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

Method and system for generating 3d composite images of packaged semiconductor devices and determining device properties based thereon

Номер патента: EP3580730B1. Автор: Ajharali Amanullah. Владелец: Semiconductor Tech and Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US11456271B2. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-09-27.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20180012896A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Measurement method and condition setting method for cross-linking density of a tested body, laminate treatment method for a laminate plate processing product, measurement device and adjusting device for cross-linking density of a tested body

Номер патента: TW201202012A. Автор: Hidenari Nakahama,Hiroshi Nakano,Hirotaka Iida. Владелец: Nisshinbo Mechatronics Inc. Дата публикации: 2012-01-16.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009827QA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009825RA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for production line monitoring

Номер патента: US09983148B2. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY

Номер патента: US20130071972A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,NAGAI Hisao. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130161630A1. Автор: NISHIDA Kenichirou. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US20140048807A1. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140048813A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140054590A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-27.

Power Semiconductor Device and Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210225795A1. Автор: Otremba Ralf,Frank Paul,HEINRICH Alexander,Langer Gregor,Pedone Daniel,Ludsteck-Pechloff Alexandra. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

APPARATUS FOR POLARIZING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR FABRICATING A MAGNETIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365797A1. Автор: KOAI KEITH KUANG-KUO,WANG WEN-CHIH,WU JIM-WEI,TSENG LI,CHANG CHIA-HSUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US9035385B2. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Capacitor and method for fabricationg the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110037110A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Image sensor devices, methods for forming the same and semiconductor devices

Номер патента: TW200837940A. Автор: Dun-Nian Yaung,Jyh-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-16.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160104764A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8557632B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244251B1. Автор: 주재현,선정민. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100818076B1. Автор: 서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-31.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100390458B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425826B1. Автор: 유용식,박영진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308131B1. Автор: 박종범,주재현. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-02.

Method for fabricating polyresistor of semiconductor device

Номер патента: KR100546723B1. Автор: 서영훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100437616B1. Автор: 이경원,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-30.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100541679B1. Автор: 동차덕,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101096230B1. Автор: 이상도,이기준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100368978B1. Автор: 정연우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100548598B1. Автор: 유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881751B1. Автор: 이상익,박형순,신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100949901B1. Автор: 박동혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-26.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20040059848A. Автор: 김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20060001109A. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-06.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100516230B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100911675B1. Автор: 최선호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-08-10.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100585002B1. Автор: 황의성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100887052B1. Автор: 김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating non-volatile semiconductor device

Номер патента: KR100302188B1. Автор: 최용석,김동준,유종원,정칠희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100401528B1. Автор: 박상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100425153B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359784B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100506873B1. Автор: 박동수,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100955922B1. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881830B1. Автор: 이성욱,유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100418924B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100326239B1. Автор: 선호정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881829B1. Автор: 노용주,김창일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for fabricating mosfet in semiconductor device

Номер патента: KR100228334B1. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-01.

method for fabricating Capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100328597B1. Автор: 구병수,안중일,곽선우,현경호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-15.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100679829B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-06.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101003541B1. Автор: 이상윤,박준일,정준. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881735B1. Автор: 조광준,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR101096232B1. Автор: 이현민,이현철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP0472221A3. Автор: Tatsuya Sasaki,Ikuo Mito,Tomoaki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-13.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100722997B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811271B1. Автор: 서혜진,박동수,이은아,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US20040137679A1. Автор: Sang-Deok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100968411B1. Автор: 이종민,신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100849187B1. Автор: 한상엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-30.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100732748B1. Автор: 정현진,김응수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100655070B1. Автор: 김동규,심광보,황재희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20010103978A. Автор: 배명광. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-24.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100620659B1. Автор: 신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for fabricating fuse of semiconductor device

Номер патента: KR100954417B1. Автор: 박반석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-26.

Method for fabricating thermally enhanced semiconductor device

Номер патента: US7396700B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200623338A. Автор: Jong-Min Lee,Jong-Bum Park,Hyung-Bok Choi,Kee-Jeung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for fabricating contacts of semiconductor device

Номер патента: KR100679941B1. Автор: 박수영,이홍구,박원성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101910499B1. Автор: 임성원,이효석,염승진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-23.

MIM capacitor and method for fabricating the same, semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR102131078B1. Автор: 이진수,이현석,이종명,김태균,박동균. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100536625B1. Автор: 남상우. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP1193771B1. Автор: Takayuki c/o Fujitsu Quantum Devices Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20000039797A. Автор: 이동호,장환수,길명군. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-07-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582352B1. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US6936517B2. Автор: Tae Woo Kim,Chee Hong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

Method for fabricating capasitor of semiconductor device

Номер патента: KR100985409B1. Автор: 구성민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-10-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100612941B1. Автор: 권순용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-14.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US7232731B2. Автор: Sang Gi Lee,Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100361081B1. Автор: 구병수,윤정훈,권수영,곽선우. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-18.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359783B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308496B1. Автор: 이정석,백현철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR100739936B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100744038B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor devices

Номер патента: KR100861356B1. Автор: 양영호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: GB9512769D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100507365B1. Автор: 전범진,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to prevent sidewall fence from being collapsed by etch damage

Номер патента: KR100448858B1. Автор: 남기원,이기엽,김광철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100525299B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100337201B1. Автор: 최양규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for fabricating sidewall of semiconductor device

Номер патента: KR100503748B1. Автор: 정명진. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and structure of the same

Номер патента: CN1158498A. Автор: 崔璟根. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-03.

Method for fabricating optical pump semiconductor device

Номер патента: TW200742211A. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Ulrich Steegmueller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN101154568A. Автор: 朴东洙,朴哲焕,李银儿,徐惠真. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100879744B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR970008812B1. Автор: Yang-Kyu Choe. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-05-29.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20240297081A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Process for fabricating power-mos semiconductor device and device obtained therewith

Номер патента: KR100202048B1. Автор: 귀세페페르라,카르멜로마르고,파올로란자. Владелец: 에세지에세-톰슨미크로엘렉트로닉수에세.에르.엘. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Emthod for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100668833B1. Автор: 이종민,박종범,이기정,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Номер патента: EP4238136A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Matt N. MCCAIN,Joe Mcpherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses

Номер патента: TW200810099A. Автор: Hiroki Amemiya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Mounting method for exposed-pad type of semiconductor device to printed circuit board

Номер патента: TW483131B. Автор: Ji-Chiuan Wu,Jie-Yuan Lin,Ruei-Yu Juang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for forming redistribution layer on semiconductor device

Номер патента: TW594895B. Автор: Tai-Yuan Huang,Chih-Hsiang Hsu,Hsin-Lun Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-06-21.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: TW200814140A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Hee Youl Lim,Keun-Do Ban,Myoung-Ja Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device

Номер патента: GB2230136A. Автор: Kazushi Kataoka,Takuya Komoda,Masahiko Suzumura. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-10-10.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: TWI561810B. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Shu-Guo Tang,Colosimo, Jr,David A Rauth. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Power Semiconductor Devices Including Beryllium Metallization

Номер патента: US20240355738A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Printed wiring board, method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US09706663B2. Автор: Takashi Kariya,Hajime Sakamoto,Makoto Terui,Masatoshi Kunieda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method and operating method for the same

Номер патента: US20140191792A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for aligning substrate and mask and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US20140141535A1. Автор: Guangming Lu,Kiyong Kim,Liping Luo,Xiangnan Yun,Ziqing Zhou,Chaoqin Xu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device components and methods

Номер патента: US09875964B2. Автор: Jian-Hong Lin,Bi-Ling Lin,Jiaw-Ren Shih,Ming-Hong Hsieh,Chwei-Ching Chiu,Lee-Der Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Quality control method and system on production line for fabricating products

Номер патента: US20030229464A1. Автор: Naoko Takanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Solder bonding method, and electronic device and process for fabricating the same

Номер патента: US20030042047A1. Автор: Kozo Shimizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US11776960B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230062940A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354525A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10770574B2. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359454A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method and system for quality assurance and control of additive manufacturing process

Номер патента: US11602790B2. Автор: Marten Jurg,Andrey MOLOTNIKOV. Владелец: MONASH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-03-14.

Charged beam exposure method and apparatus as well as aperture stop and production method thereof

Номер патента: US5334845A. Автор: Shinji Okazaki,Fumio Murai,Hiroaki Wakabayashi,Yoshinori Nakayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-08-02.

Producing method for rectangular battery and examining method for rectangular battery

Номер патента: US20230261170A1. Автор: Satoshi Goto. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Manufacturing method and testing method for positive active material mixture

Номер патента: US20220255052A1. Автор: Takenori Ikeda. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Elastic matrix determination method and vibration analysis method for laminate core of transformer

Номер патента: EP4383289A1. Автор: Misao Namikawa. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Manufacturing method and testing method for positive active material mixture

Номер патента: US12062772B2. Автор: Takenori Ikeda. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetizing method using a magnetizing jig and method of assembling an electric compressor by using the jig and the magnetizing method

Номер патента: US7415756B2. Автор: Tsuyoshi Ishida,Hidetoshi Nishihara,Yasuhisa Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-26.

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140321493A1. Автор: Matsumoto Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Methods and tools for preventing the counterfeiting and tampering of semiconductor devices

Номер патента: US20240054502A1. Автор: Saikumar Jayaraman,William F. Herrington,Michael A. Schroeder,Erasenthiran Poonjolai,Fariaz KARIM,Sarah Shahraini,Sean BUSHELL,Hannah ROWE,Ryan PATE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for fabricating selector and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240237559A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System, method, and computer-implemented method for standardizing electronic identifiers to improve identification of physical equipment

Номер патента: US20200145295A1. Автор: Chase A. Aleshire. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Information bit determination method and mapping generation method for polar-coded modulation, and device

Номер патента: US20240146334A1. Автор: Yifei Yuan,Sen Wang,Kai Niu,Jinsheng DAI,Bolin WU. Владелец: China Mobile Communications Ltd Research Institute. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Methods and apparatus for method for maintaining a radio link at a mobile radio

Номер патента: WO2012074697A3. Автор: Harish Natarahjan,Kevin G. Doberstein,James E. Streed. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-10-04.

Methods and apparatus for method for maintaining a radio link at a mobile radio

Номер патента: WO2012074697A4. Автор: Harish Natarahjan,Kevin G. Doberstein,James E. Streed. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-10-26.

Methods and apparatus for method for maintaining a radio link at a mobile radio

Номер патента: WO2012074697A2. Автор: Harish Natarahjan,Kevin G. Doberstein,James E. Streed. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

Data compression method and data decompression method for electronic device, and electronic device

Номер патента: US20220121626A1. Автор: Qin Liu,Huan He,Dongwei ZHAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Data storage method and query processing method for supply chain management using rfid, and supply chain data management system using rfid

Номер патента: US20090256685A1. Автор: Chin-Wan Chung,Chun-Hee Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-10-15.

Base station, device to device user equipment, transmission method, report method and resource adjustment method for wireless communication system

Номер патента: US09756676B2. Автор: Shu-Tsz Liu,Chun-Che CHIEN,Hsien-Tsung Hsu. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2017-09-05.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Non-IP data delivery authorization update method and connection release method for non-IP data delivery, and device for performing the method

Номер патента: US11792727B2. Автор: Seung-Ik LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-10-17.

Method and system for method for estimating a present energy consumption of an electrically propelled vehicle

Номер патента: US11890963B2. Автор: Il Cho. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Content delivery method and content update method for internet of vehicles

Номер патента: US10911917B2. Автор: Weibing Gong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Control channel allocation method, take-off method and remote control method for flight apparatus

Номер патента: US11780578B2. Автор: Yang Gao,Yong Wang,Anzhai Peng,Shaohua Chen. Владелец: Cainiao Smart Logistics Holding Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Control channel allocation method, take-off method and remote control method for flight apparatus

Номер патента: EP3654126A1. Автор: Yang Gao,Yong Wang,Anzhai Peng,Shaohua Chen. Владелец: Cainiao Smart Logistics Holding Ltd. Дата публикации: 2020-05-20.

Non-ip data delivery authorization update method and connection release method for non-ip data delivery, and device for performing the method

Номер патента: US20200322881A1. Автор: Seung-Ik LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-10-08.

Non-ip data delivery authorization update method and connection release method for non-ip data delivery, and device for performing the method

Номер патента: US20230422158A1. Автор: Seung-Ik LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-ip data delivery authorization update method and connection release method for non-ip data delivery, and device for performing the method

Номер патента: US20220132412A1. Автор: Seung-Ik LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-04-28.

Functional component loading method and data processing method for video live-streaming, and device

Номер патента: US20240146978A1. Автор: Peng Lv. Владелец: Beijing ByteDance Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Protection setting method and protection releasing method for portable device

Номер патента: US8600350B2. Автор: Shih-Chan Hsu. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2013-12-03.

System, method, and computer-implemented method for standardizing electronic identifiers to improve identification of physical equipment

Номер патента: US10771343B2. Автор: Chase A. Aleshire. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for producing non-monocrystalline semiconductor device

Номер патента: US5420044A. Автор: Hiraku Kozuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Emulsion composition for coating film formation, coating film obtained from the composition, processes for producing these, and method of surface treatment with these

Номер патента: EP1270692A1. Автор: Chizuko Okazaki. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-01-02.

Emulsion composition for coating film formation, coating film obtained from the composition, processes for producing these, and method of surface treatment with these

Номер патента: EP1270692A4. Автор: Naoki Mita,Chizuko Okazaki. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-04-14.

Production method and disintegration suppression method for sintered ore

Номер патента: EP4299774A1. Автор: Tetsuya Yamamoto,Takahide Higuchi,Kenta Takehara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Stool collection method and sample preparation method for transplanting fecal microbiota

Номер патента: US20200405776A1. Автор: Hervé AFFAGARD,Carole SCHWINTNER,Alice Leroux,Clemence Mader. Владелец: Maat Pharma SA. Дата публикации: 2020-12-31.

Stool collection method and sample preparation method for transplanting fecal microbiota

Номер патента: AU2019229721A1. Автор: Hervé AFFAGARD,Carole SCHWINTNER,Alice Leroux,Clemence Mader. Владелец: Maat Pharma SA. Дата публикации: 2020-10-15.

Material for lithography, production method therefor, composition for lithography, pattern formation method, compound, resin, and method for purifying the compound or the resin

Номер патента: US11852970B2. Автор: Takashi Sato,Hiroto Kudo,Masatoshi Echigo,Takumi TOIDA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Articles formed from fluorine-containing elastomer compositions using an additive manufacturing method and additive manufacturing methods for thermoset elastomer compositions

Номер патента: CA3174335A1. Автор: David Kazmer,Joey Mead,Mookkan Periyasamy,Ronald R. Campbell,Elizabeth SASSANO,Shibshankar BANERJEE,Stephen BURBINE,Erin E. KEANEY,Leeda PHAEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-07.

Articles formed from fluorine-containing elastomer compositions using an additive manufacturing method and additive manufacturing methods for thermoset elastomer compositions

Номер патента: EP4126514A1. Автор: David Kazmer,Joey Mead,Mookkan Periyasamy,Ronald R. Campbell,Elizabeth SASSANO,Shibshankar BANERJEE,Stephen BURBINE,Erin E. KEANEY,Leeda PHAEN. Владелец: Greene Tweed Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Articles formed from fluorine-containing elastomer compositions using additive manufacturing methods and additive manufacturing methods for thermoset elastomer compositions

Номер патента: WO2024107771A1. Автор: Mookkan Periyasamy,Ronald R. Campbell,David O. Kazmer,Joey L. Mead,Stiven KODRA,A. A. Mubasshir. Владелец: Greene, Tweed Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Source material for thin film formation for atomic layer deposition and method for producing thin film

Номер патента: EP3783130A4. Автор: Akihiro Nishida,Keisuke Takeda,Masaki Enzu. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Film formation apparatus and film formation method

Номер патента: EP3396016A1. Автор: Ryoji Matsuda,Hidetaka Jidai. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-10-31.

Film formation method

Номер патента: US11827985B2. Автор: Haruhiko Suzuki,Eiji Shiotani,Hidenobu Matsuyama,Yoshito Utsumi,Hirohisa SHIBAYAMA,Koukichi Kamada,Naoya TAINAKA,Toshio OGIYA. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Film formation device

Номер патента: EP4245882A1. Автор: Makoto Igarashi,Suguru Saito,Yuya Nonaka. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Film formation device

Номер патента: US20230304144A1. Автор: Makoto Igarashi,Suguru Saito,Yuya Nonaka. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Film Formation Apparatus, Shadow Mask, Film Formation Method, and Cleaning Method

Номер патента: US20160083834A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Isaka Fumito,ISHIZAKA Takashi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-24.

Ruthenium compound, material for thin film formation, and process for thin film formation

Номер патента: TW202110866A. Автор: 遠津正揮,畑瀨雅子,武田圭介. Владелец: 日商Ａｄｅｋａ股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-16.

RUTHENIUM COMPOUND, MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION, AND PROCESS FOR THIN FILM FORMATION

Номер патента: US20160272664A1. Автор: Sakurai Atsushi,ENZU Masaki,HATASE Masako,YOSHINO Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US20130321022A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US10254331B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-09.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US20230266385A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for high-speed edge-programmable timing signal generation

Номер патента: US6326813B2. Автор: Brent Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-04.

Transmitting method and receiving method for feedback information, device, terminal device and medium

Номер патента: US12081343B2. Автор: Yanan Lin,Zuomin Wu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Film formation mask, organic el panel, and method of manufacturing the organic el panel

Номер патента: KR100986787B1. Автор: 오오시타이사무. Владелец: 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2010-10-12.

Digital signature method and verification method for digital signature

Номер патента: US20230353385A1. Автор: Li-Po Chou. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Address management and routing methods for wireless personal area network (wpan)

Номер патента: WO2007049857A1. Автор: Chunhui Zhu,Jin-Young Yang,Eun-Il Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2007-05-03.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4387232A3. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Calibration method and tuning method for on-chip differential active rc filter

Номер патента: US20240243731A1. Автор: BIN Li,Zhijian Chen,Shan GAO,Zhaohui Wu,Guangyin FENG. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432664A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432662A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4436181A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432668A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432663A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4436180A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432665A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4436182A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432667A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432670A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432666A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4432669A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4447452A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4447453A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4447454A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: EP4456536A2. Автор: Ki Beak KIM. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Image encoding device, image decoding device, image encoding method, and image decoding method for generating a prediction image

Номер патента: US09736478B2. Автор: Shunichi Sekiguchi,Kazuo Sugimoto,Akira Minezawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and system for real-time wide-field dynamic temperature sensing

Номер патента: CA3170991A1. Автор: Jinyang LIANG,Miao Liu,Xianglei Liu,Fiorenzo Vetrone,Yingming LAI,Artiom SKRIPKA. Владелец: Institut National de La Recherche Scientifique INRS. Дата публикации: 2023-02-23.

Image forming apparatus, image processing method, and image forming method for speeding up continuous monochrome document in auto color mode

Номер патента: US11356567B1. Автор: Norifumi Miyahara,Kunihiko Shimamoto,Kendrick Esperanza Wong. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Method and apparatus for accomplishing high bandwidth serial communication between semiconductor devices

Номер патента: AU6532000A. Автор: Kelvyn Evans,Richard Bowers,Grahame Measor. Владелец: HiBand Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-03-13.

A method and system for method for estimating a present energy consumption of an electrically propelled vehicle

Номер патента: EP4059770B1. Автор: Il Cho. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Supply device, retrofit kit for a vibration feeder as well as a manufacturing method and an operation method for the supply device

Номер патента: US20210237984A1. Автор: Torsten Draht,Wilhelm Westermann,Nadja Berger,Matthias Vornheder. Владелец: Boellhoff Verbindungstechnik GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

A method and system for method for estimating a present energy consumption of an electrically propelled vehicle

Номер патента: EP4059770C0. Автор: Il Cho. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Image reading apparatus, image formation apparatus, image reading method, image formation method, program for causing image reading method to be executed, and program for causing image formation method to be executed

Номер патента: US7969622B2. Автор: Toshihiro Saika. Владелец: Canon Components Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Wireless communication apparatus, wireless transmission method and wireless reception method for encoding segmented data

Номер патента: EP2104258A3. Автор: Hiroyuki Seki,Kazuo Kawabata,Kotaro Shiizaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

Data center, communication device, communication method, and communication control method for communication system

Номер патента: EP3273747A4. Автор: Satoru Ishii,Hideo Hasegawa,Shintaro Nakano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-12-19.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods for evaluating and fabricating semiconductor device and apparatus and program for evaluating the same

Номер патента: US20030137305A1. Автор: Kenji Okada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method and device for assembling warps for fabrics

Номер патента: US3587146A. Автор: Johannes G M C H Van Luyk,Herman Huskes. Владелец: KONINKLYKE NEDELANDSE TEXTIEL. Дата публикации: 1971-06-28.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Articles Formed From Fluorine-Containing Elastomer Compositions Using Additive Manufacturing Methods and Additive Manufacturing Methods for Thermoset Elastomer Compositions

Номер патента: US20240286347A1. Автор: Mookkan Periyasamy,Ronald R. Campbell,David O. Kazmer,Joey L. Mead,Stiven KODRA,A. A. Mubasshir. Владелец: Greene Tweed Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US20050246676A1. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Side wall conveying system, a forming method and a conveying method for an explosion-proof coal mine roadway

Номер патента: NL2023125A. Автор: Ming Liu,Hui Liu,Chao Wu,Qing Yu,Yunhe Tu,Xiangling Tao. Владелец: Jiangsu Vocational Inst Architectural Tech. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Hardness measurement method, and fouling prevention method for hardness-measuring device

Номер патента: US10718746B2. Автор: Junichi Takahashi. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Drug ranking method and system, comparison method for drug ranking method and new use of drug selected using the same

Номер патента: US20230184749A1. Автор: Lee-Wei Yang,Kun-Lin Tsai,Tzu-Kuan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-06-15.

Depression evaluation method and method for evaluating depression treatment method, and data acquisition method for evaluating depression or result of depression treatment method

Номер патента: EP3936865A1. Автор: Masaki Yamaguchi,Takayasu Sekine,Shinsuke WASHIDUKA,Daimei SASAYAMA,Shu TSUKUI. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2022-01-12.

Drug ranking method and system, comparison method for drug ranking method, correction method for drug ranking method

Номер патента: EP4120277A1. Автор: Lee-Wei Yang,Kun-Lin Tsai,Tzu-Kuan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-01-18.

Press forming method and shape evaluation method for press formed part

Номер патента: US12090541B2. Автор: Masaki Urabe,Yusuke Fujii,Shunsuke Tobita. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for the simultaneous electrical testing of multiple semiconductor devices

Номер патента: US20020050835A1. Автор: Jed Foy,Cleston Messick,David Lotourette. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Method and apparatus for specifying global abutment points in a semiconductor device having ambiguous submodule abutments

Номер патента: US6546533B1. Автор: Carlo E. Barrientos,Rudy J. Albachten, III,Dean Marvin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for determining power supply wirings of a semiconductor device

Номер патента: US5502649A. Автор: Yukio Hirata. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-03-26.

Method and device for regulating a voltage supply to a semiconductor device

Номер патента: WO2005050425B1. Автор: Boris Bobrov,Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Smolyansky. Владелец: Leonid Smolyansky. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Composition having sex pheromone activity on san jose scale, and attractant, mating disruptant, attraction method and mating disruption method for san jose scale

Номер патента: US20190191698A1. Автор: Tatsuya Fujii,Takeshi Kinsho. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Operation right interlinking method and cooperative working method for shared application programs

Номер патента: CA2194520A1. Автор: Hiromi Mizuno,Hideyuki Fukuoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-13.

Tape printing apparatus and image forming method and label producing method for the tape printing apparatus

Номер патента: US20020197090A1. Автор: Masao Akaiwa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method and system for method for providing a bale of crop material

Номер патента: WO2017218607A1. Автор: Willem Jacobus Reijersen Van Buuren,Mark Core. Владелец: Vermeer Manufacturing Company. Дата публикации: 2017-12-21.

Data backup method and data recovery method for NVDIMM, NVDIMM controller, and NVDIMM

Номер патента: US11966298B2. Автор: Xiaofeng Zhou,Xiping Jiang. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Stirring device for aerosol container, discharge apparatus and discharge method for moving vehicle, temperature adjusting device, temperature holding device, temperature adjusting method and temperature holding method for aerosol container

Номер патента: US11958678B2. Автор: Atsushi Kominami,Souji Araki. Владелец: Toyo Seikan Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Gantry stage orthogonality error measurement method and error compensation method for position processing

Номер патента: US20110061441A1. Автор: Byoung gwan Ko. Владелец: SOONHAN ENGINEERING CORP. Дата публикации: 2011-03-17.

Meandering amount detection method and meandering control method for metal strip

Номер патента: US20230390818A1. Автор: Masanori Hoshino. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

The high-risk area identification method and differential processing method for land agricultural product producing areas

Номер патента: AU2020100440A4. Автор: Ling Wang,LEI Liu,DONG Hu,Guoyin Zhang,Zhanwu WANG,Shiyou Sun,Xuefei MAO,Yunbing GAO,Mengchao LIU,Shuhua RU. Владелец: INST OF AGRICULTURAL RESOURCES AND ENVIRONMENT HEBEI ACADEMY OF AGRICULTURE AND FORESTRY SCIENCES. Дата публикации: 2020-04-23.

Meandering amount detection method and meandering control method for metal strip

Номер патента: US20230390817A1. Автор: Masanori Hoshino. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and 3d printing method for layer-by-layer fabrication of objects using layer transfer printing

Номер патента: US20230330927A1. Автор: Klaus Eller,Johannes NEUWIRTH. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Driving method and driving control method for pixel circuit

Номер патента: US20210193044A1. Автор: Song Meng,Yongqian Li. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US7418688B2. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-08-26.

Meandering amount detection method and meandering control method for metal strip

Номер патента: EP4238668A1. Автор: Masanori Hoshino. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for organic thin film formation, assistant for organic thin film formation, and solution for organic thin film formation

Номер патента: CN1988965B. Автор: 木村信夫,藤田佳孝,肥高友也. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-24.

Method for organic thin film formation, assistant for organic thin film formation, and solution for organic thin film formation

Номер патента: KR100833840B1. Автор: 도모야 히다카,요시타카 후지타,노부오 기무라. Владелец: 닛뽕소다 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-06-02.

Composition for film formation, laminate, film, sheet base, packaging material, method for producing composition for film formation

Номер патента: JP6520973B2. Автор: 光晴 木村,友美子 大森,奈緒 西嶋,宏祐 清水. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2019-05-29.

COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND PATTERN FORMATION METHOD

Номер патента: US20200249573A1. Автор: Sato Takashi,TOIDA Takumi,ECHIGO Masatoshi,MAKINOSHIMA Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Material for film formation, and preparation method and application thereof

Номер патента: CN114702810A. Автор: 张华�,温亮,闫国春,曹伯楠,张子建,冯申. Владелец: China Shenhua Coal to Liquid Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

COMPOSITION FOR SILICON-CONTAINING FILM FORMATION, PATTERN-FORMING METHOD, AND POLYSILOXANE COMPOUND

Номер патента: US20150355546A1. Автор: DEI Satoshi,SUZUKI Junya,SEKO Tomoaki. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2015-12-10.

Curing agent, method for producing cement structure with coating film, shrinkage reduction method and drying suppression method for cement molded body, and method for suppressing penetration of deterioration factor into cement structure

Номер патента: EP3919464A1. Автор: Hajime Kawai,Ryosuke Inubushi. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2021-12-08.

Curing Agent, Method for Producing Cement Structure with Coating Film, Shrinkage Reduction Method and Drying Suppression Method for Cement Molded Body, and Method for Suppressing Penetration of Deterioration Factor into Cement Structure

Номер патента: US20220089504A1. Автор: Hajime Kawai,Ryosuke Inubushi. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Fluidic systems, devices and methods for inducing anisotropy in polymeric materials

Номер патента: US12103216B2. Автор: Elliot L. Chaikof,Axel Guenther,Lian Leng,Richard Cheng,Stephanie GRAINGER,David Miranda Nieves,Shashi MALLADI. Владелец: BETH ISRAEL DEACONESS MEDICAL CENTER INC. Дата публикации: 2024-10-01.

IN-SITU ENRICHMENT AND ANALYTICAL METHOD FOR THE Hg(II) ISOTOPE IN AQUEOUS PHASE

Номер патента: US20240100479A1. Автор: Jun Luo,Heng YAO,Hongqian Yin,Xinbin Feng. Владелец: Institute of Geochemistry of CAS. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods and apparatuses for filtering water fluid by screening ionic minerals

Номер патента: US09718711B2. Автор: Yang Liu,Kee-Hyun Paik,Robert W. Dutton,Qiushi Ran. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945919B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Cabazitaxel, related compounds and methods of synthesis

Номер патента: US09567312B2. Автор: Ragina Naidu,Yunman Zheng,Tianhui Xu. Владелец: BN PHARMACEUTICALS Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Cleaning composition, method for producing semiconductor device, and cleaning method

Номер патента: EP2386623A1. Автор: Tadashi Inaba,Atsushi Mizutani,Kazutaka Takahashi,Tomonori Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A4. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Destructive inspection method and quality determination method for vitreous silica crucible

Номер патента: US09964478B2. Автор: Takashi Watanabe,Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Fluidic systems, devices and methods for inducing anisotropy in polymeric materials

Номер патента: CA2993676C. Автор: Elliot L. Chaikof,Axel Guenther,Lian Leng,Richard Cheng,Stephanie GRAINGER,David Miranda Nieves,Shashi MALLADI. Владелец: BETH ISRAEL DEACONESS MEDICAL CENTER INC. Дата публикации: 2023-08-22.

Stool collection method and sample preparation method for transplanting fecal microbiota

Номер патента: IL276969A. Автор: Hervé AFFAGARD,Carole SCHWINTNER,Alice Leroux,Clemence Mader. Владелец: Clemence Mader. Дата публикации: 2020-10-29.

Stool collection method and sample preparation method for transplanting fecal microbiota

Номер патента: IL276969B2. Автор: Hervé AFFAGARD,Carole SCHWINTNER,Alice Leroux,Clemence Mader. Владелец: Clemence Mader. Дата публикации: 2024-07-01.

Production method and disintegration suppression method for sintered ore

Номер патента: EP4299774A4. Автор: Tetsuya Yamamoto,Takahide Higuchi,Kenta Takehara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Hidden lighting film lens formation apparatus and hidden lighting film lens

Номер патента: US20240165900A1. Автор: Seung-Pyo Hong,Da-Young Jeong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Film Formation Apparatus, Film Formation Method, Manufacturing Apparatus, and Method for Manufacturing Light-Emitting Device

Номер патента: US20130074763A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu,Ikeda Hisao,Ibe Takahiro,AOYAMA Tomoya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

Apparatus and method of forming liquid film

Номер патента: US20020094370A1. Автор: Katsuya Okumura,Shinichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for coating film formation, apparatus for coating film formation, and method for toning coating material preparation

Номер патента: CN101060937B. Автор: 竹内彻. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for coating film formation, apparatus for coating film formation, and method for toning coating material preparation

Номер патента: EP1839764A1. Автор: Tohru KANSAI PAINT CO. LTD. TAKEUCHI. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for coating film formation, apparatus for coating film formation, and method for toning coating material preparation

Номер патента: CN101060937A. Автор: 竹内彻. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

Method and system for fabric design

Номер патента: EP4421226A1. Автор: Priyadharshini Sridhar,Swarna Srinivasan,Hadiuz ZAMA,Gurunathreddy KONDURU,Nilambar RAHA. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and system for fabric design

Номер патента: US20240320385A1. Автор: Priyadharshini Sridhar,Swarna Srinivasan,Hadiuz ZAMA,Gurunathreddy KONDURU,Nilambar RAHA. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors

Номер патента: US09759763B2. Автор: Gary Rogers,Rodney E. Schwartz,David Lohr,Steve Clauter,James Baggiore. Владелец: Integrated Tech Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Systems and methods for designing and fabricating mass-customized products

Номер патента: US20240057696A1. Автор: Huafeng Wen,Ashley Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Fabrication line, systems, and methods for fuselage sections

Номер патента: US12077319B2. Автор: Daniel R. Smith,Darrell D. Jones,Raviendra Sidath Suriyaarachchi,Jeremy Evan Justice,Robert William Whiting,Paul Chace Wilcoxson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Intra-operative determination of dimensions for fabrication of artificial bone flap

Номер патента: US09913733B2. Автор: Cameron PIRON,Murugathas YUWARAJ. Владелец: Synaptive Medical Barbados Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for staging indirect immunofluorescence reaction for diagnosing bovine leukaemia

Номер патента: RU2767688C1. Автор: Наталья Николаевна Новикова,Василий Сергеевич Власенко,Татьяна Сергеевна Дудоладова,Евгений Алексеевич Вишневский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Омский аграрный научный центр" (ФГБНУ "Омский АНЦ"). Дата публикации: 2022-03-18.

Material for thin film formation, thin film formed therefrom and method of forming thin film

Номер патента: TW200704788A. Автор: Koichi Furuyama,Satoru Oe,Hidefumi Motobayashi. Владелец: Toshima Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: WO2018217311A1. Автор: Michael Richter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: US20190378563A1. Автор: Michael Richter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: US20190066767A1. Автор: Michael Richter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and system for determining an operating voltage using a source/drain to gate overlap induced scaling factor

Номер патента: US6737876B1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Systems and methods of characterizing semiconductor materials

Номер патента: US12085516B2. Автор: Gordon Deans,Hamidreza GHODDAMI,Johnson Kai Chi WONG. Владелец: Aurora Solar Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Grain granulometry measurement system and method and calibration method for a grain granulometry measurement system

Номер патента: EP4300074A1. Автор: Rafael Monteiro Veras,Carlos Fernando Oliveira Cabeça Neves,Renan Bonnard,Ramiro Saraiva Da Silva,Mário Alves Da Costa Junior. Владелец: Bunge Sa. Дата публикации: 2024-01-03.

Self-cleaning method and control method for cooking device

Номер патента: US20240251989A1. Автор: WEI Wei,Huaiqiang Ren,Kai Liu,Heng Gong,Hao LV,Feixiang Xu,Hongbin Jiang,Zhenmin Cui,Rendi WU,Yunhao CUI,Guangwei DONG. Владелец: Tineco Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for data calculation in neural network model, and image processing method and apparatus

Номер патента: US12112533B2. Автор: Feng Li,Haoyuan LI,Qifeng Chen,Hongrui Chen,Wenran LIU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Mother substrate, film formation region arrangement method, and color filter manufacturing method

Номер патента: KR101021550B1. Автор: 겐지 사카모토. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-03-16.

Mother substrate, film formation region arrangement method, and color filter manufacturing method

Номер патента: CN101515082B. Автор: 坂本贤治. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-02-08.

Mother substrate, film formation region arrangement method, and color filter manufacturing method

Номер патента: KR20090089798A. Автор: 겐지 사카모토. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-08-24.

Training method and enhancement method for speech enhancement model, apparatus, electronic device, storage medium and program product

Номер патента: US20240194214A1. Автор: DONG Yang,Muyong CAO,Xuefei FANG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for measuring grain particle granulometry and grain particle granulometry measurement system calibration method

Номер патента: US20240133787A1. Автор: Rafael Monteiro Veras,Carlos Fernando Oliveira Cabeça Neves,Renan Bonnard,Ramiro Saraiva Da Silva,Mário Alves Da Costa Junior. Владелец: Bunge Sa. Дата публикации: 2024-04-25.

System and method for measuring grain particle granulometry and grain particle granulometry measurement system calibration method

Номер патента: US20240230500A9. Автор: Rafael Monteiro Veras,Carlos Fernando Oliveira Cabeça Neves,Renan Bonnard,Ramiro Saraiva Da Silva,Mário Alves Da Costa Junior. Владелец: Bunge Sa. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for computing file storage elements for backup and restore

Номер патента: US7516288B2. Автор: Madhav Mutalik,Ajay Shekhar,Ananthan K. Pillai,Cara Garber. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2009-04-07.

System and method for managing and monitoring financial performance associated with benefits

Номер патента: WO2006133255A3. Автор: James W Benefiel,Sudhir Anandarao,Fletcher D Gill,Sreedhar V Potarazu,James T Tierney. Владелец: Vitalspring Technologies. Дата публикации: 2007-06-07.

Compiling method, running method, and related product

Номер патента: US20240220819A1. Автор: Huiying LAN,Xueting GUO. Владелец: Shanghai Cambricon Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for measuring grain particle granulometry and grain particle granulometry measurement system calibration method

Номер патента: CA3209370A1. Автор: Rafael Monteiro Veras,Carlos Fernando Oliveira Cabeça Neves,Renan Bonnard,Ramiro Saraiva Da Silva,Mário Alves Da Costa Junior. Владелец: Bunge Sa. Дата публикации: 2022-09-01.

Image processing device, image providing server, image display method, and image provision method for navigating horizontally or vertically between floor images

Номер патента: US20240265583A1. Автор: Junichi Muramoto. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for training an image analysis neural network, and object re-identification method implementing such a neural network

Номер патента: US20230064615A1. Автор: Matthieu Ospici. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Systems and methods for mask reduction techniques

Номер патента: US09919920B1. Автор: Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Cleaning method and system for used paper recycling apparatus

Номер патента: US20080179029A1. Автор: Shigeru Tamai,Yuji Koyama. Владелец: Seed Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Image processing method and anti-saturation method for image data and image processing device

Номер патента: US9401127B2. Автор: Hsing-Chuan Chen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-07-26.

Systems and methods of bonding wax components for lost wax casting

Номер патента: US12042846B2. Автор: James Whitton,Zachary ORAS,Zachary Hopkins. Владелец: Chromalloy Gas Turbine Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Training method and application method for reaction product prediction model, apparatus, and device

Номер патента: US20240249802A1. Автор: Peilin ZHAO,Ziqiao MENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and Methods of Bonding Wax Components for Lost Wax Casting

Номер патента: US20240189887A1. Автор: James Whitton,Zachary ORAS,Zachary Hopkins. Владелец: Chromalloy Gas Turbine Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Yellow toner and method for producing the same

Номер патента: US09910375B2. Автор: Takeshi Sekiguchi,Shosei Mori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Encoding method and decoding method for function calling context, and apparatus

Номер патента: US20230409373A1. Автор: Qing Zhou,Rutao ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Support trolley, pipe joint correction method and supporting method for overlapping shield tunnels

Номер патента: NL2035454B1. Автор: Wang Wei,Zhang Li,Yang Guohua,Liu Zhaowei,WANG Shuai,Li Yanlin,YUAN Kai,LIU Xiaochen,GONG Yifei,Yao Aijun,Zhou Yanjia,Yao Sanrui. Владелец: China Railway Electrification Eng Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-20.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Fabrication line, systems, and methods for fuselage sections

Номер патента: US20220153452A1. Автор: Daniel R. Smith,Darrell D. Jones,Raviendra Sidath Suriyaarachchi,Jeremy Evan Justice,Robert William Whiting,Paul Chace Wilcoxson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-05-19.

Structural building panels and panel components, panel assemblies, methods of making, and methods of using

Номер патента: US11795688B2. Автор: Gerhard P. Schiffmann,Glenn P. Schiffmann,Michael Justin Millis. Владелец: Composite Panel Systems LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Structural building panels and panel components, panel assemblies, methods of making, and methods of using

Номер патента: CA3123663A1. Автор: Gerhard P. Schiffmann,Glenn P. Schiffmann,Michael Justin Millis. Владелец: Composite Panel Systems LLC. Дата публикации: 2022-01-01.

Method and system for the generation of optical multipartite quantum states

Номер патента: CA2983035C. Автор: Roberto Morandotti,Christian Reimer,Yoann JESTIN,Michael Kues,Benjamin Wetzel,Piotr Roztocki,Fabio GRAZIOSO. Владелец: Institut National de La Recherche Scientifique INRS. Дата публикации: 2023-09-05.

Misalignment measurement system, production equipment for welded steel pipe, imaging terminal, imaging system, information processing device, misalignment measurement method, welded steel pipe production method, and quality control method for welded steel pipe

Номер патента: EP4417934A1. Автор: Shinichi Haga,Yusuke Tsukamoto. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Image evaluation method and quality control method for planographic printing plate

Номер патента: US20040224260A1. Автор: Koichiro Aono,Mitsuo Osato. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-11.

Optical information recording medium and manufacturing method and recording/reproducing method for the same

Номер патента: EP1345218A3. Автор: Noboru Yamada,Takashi Nishihara,Hideki Kitaura,Rie Kojima,Yoshitaka Sakaue. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

Adjustment element with dampening fastening sleeve as well as an installation method and a manufacturing method for same

Номер патента: US20240263657A1. Автор: Thorsten Rabe. Владелец: Boellhoff Verbindungstechnik GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Medical diagnosis assistance system and method

Номер патента: US20230025181A1. Автор: Thomas Engel,Gaby MARQUARDT,Jens-Peter Brock. Владелец: Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Phenylephrine hydrochloride-containing tablet, preparation method and use

Номер патента: US20240335399A1. Автор: Dunwei He,Jiezi Qin,Yuzhang Hu. Владелец: Hq Pharma Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: KR100730266B1. Автор: 다까요시 미나미. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for fabricating mask of semiconductor device

Номер патента: KR100266659B1. Автор: 최용규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR101039141B1. Автор: 전병구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Inspection adapter board for printed board, method for inspecting printed board, and method and apparatus for producing information for fabricating the inspection adapter board

Номер патента: KR100575178B1. Автор: 야기이게이끼찌,하루따유이찌. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-05-03.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: WO2004077155A1. Автор: Takayoshi Minami. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2004-09-10.

Method for fabricating a hybrid braided composite part, apparatus therefore and hybrid composite part

Номер патента: EP3779010A1. Автор: Amol Ogale,Karl R Bernetich. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-02-17.

Medical diagnosis assistance system and method

Номер патента: EP4123501A1. Автор: Thomas Engel,Gaby MARQUARDT,Jens-Peter Brock. Владелец: Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Дата публикации: 2023-01-25.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12072619B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Depression evaluation method and method for evaluating depression treatment method, and data acquisition method for evaluating depression or result of depression treatment method

Номер патента: IL286731A. Автор: . Владелец: Univ Shinshu. Дата публикации: 2021-12-01.

Apparatuses and methods for refresh control

Номер патента: US09959921B2. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Tire vulcanizing method and tire manufacturing method

Номер патента: US09931798B2. Автор: Hiroyuki Onimatsu. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods, apparatus and computer program products for fabricating masks and semiconductor devices using model-based optical proximity effect correction and lithography-friendly layout

Номер патента: US8563197B2. Автор: Suk-joo Lee,Sung-Soo Suh,Yong-Hee PARK,Mi-kyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-22.

Lighting control method and display control method for display unit, and display apparatus

Номер патента: TW200307900A. Автор: Shigetsugu Okamoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-12-16.

Method and apparatus for examining electro static discharge damage to semiconductor devices

Номер патента: KR910000819B1. Автор: Ikuo Suganuma,Yasubiro Fukuda. Владелец: Oki Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 1991-02-09.

Method and apparatus for determining the electrostatic breakdown voltage of semiconductor devices

Номер патента: DE3467934D1. Автор: Yasuhiro C O Oki Electr Fukuda,Ikuo C O Oki Electric Suganuma. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-14.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

Post-processing apparatus, image formation apparatus provided with the same, post-processing method, and image formation method

Номер патента: EP2889248A3. Автор: Takamitsu Nakagomi. Владелец: Nisca Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Systems and methods for producing carbon nanostructures and ultrathin aligned carbon wires with multilayer turbostratic graphene structure

Номер патента: US11846042B2. Автор: Marc Madou,Alexander HWU,Jufeng Deng,Xingxu YAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-19.

Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors

Номер патента: US20130027067A1. Автор: Gary Rogers,Rodney E. Schwartz,David Lohr,Steve Clauter,James Baggiore. Владелец: Integrated Tech Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Systems, Methods and Computer Program Products for Analyzing Performance of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160267205A1. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses

Номер патента: EP3869271A1. Автор: Fan Feng,Hermanus Adrianus Dillen,Jochem Sebastiaan WILDENBERG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2021-08-25.

Method and device for lateral guiding for fabrics or other materials in strips, sheets or the like

Номер патента: FR1196563A. Автор: Raymond Hanriot. Владелец: . Дата публикации: 1959-11-25.

Natural dyeing method and natural dyeting auto system for fabric

Номер патента: KR101998030B1. Автор: 정정복. Владелец: 정정복. Дата публикации: 2019-07-08.

Packing opening method and apparatus for fiber packaging for fabric

Номер патента: JPS5434427A. Автор: Torutsushiyuraa Heruman. Владелец: Truetzschler GmbH and Co KG. Дата публикации: 1979-03-13.

Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses

Номер патента: US11796920B2. Автор: Fan Feng,Hermanus Adrianus Dillen,Jochem Sebastiaan WILDENBERG,Ronald VAN ITTERSUM,Willem Louis VAN MIERLO,Koen THUIJS. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-10-24.

Reticle, exposure method, and the manufacturing method for reticle

Номер патента: TW200517634A. Автор: Takashi Sato,Takashi Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Meandering amount detection method and meandering control method for metal strip

Номер патента: EP4238668B1. Автор: Masanori Hoshino. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of producing a test pattern allowing determination of acceptance and rejection of a semiconductor device without causing a timing problem

Номер патента: US6163760A. Автор: Yasushi Koseko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures

Номер патента: US5952838A. Автор: Victor Tikhonov. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US20140253533A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Methods and apparatuses for self-trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20190311773A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Miguel Jimenez-Olivares. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for simulating characteristics of semiconductor device

Номер патента: US11010524B2. Автор: Jaehyun Lee,Mincheol Shin,Woo Jin JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-18.

Methods and apparatuses for self-trimming of a semiconductor device

Номер патента: US10600494B2. Автор: Maksim Kuzmenka,Miguel Jimenez-Olivares. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Apparatuses and methods for redundance match control at refresh to disable wordline activation

Номер патента: US20220199141A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INNER ELECTRODE FOR BARRIER FILM FORMATION AND APPARATUS FOR FILM FORMATION

Номер патента: US20120000771A1. Автор: UEDA Atsushi,YAMAKOSHI Hideo,GOTO Seiji,Okamoto Kenichi,Asahara Yuji,Danno Minoru. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Production of composition for film formation, composition for film formation, and material for insulation film formation

Номер патента: JP2000344894A. Автор: Kinji Yamada,通則 西川,Michinori Nishikawa,欣司 山田,真由美 角田,Mayumi Tsunoda,Masahiko Ebisawa,政彦 海老沢,Satoko Hakamazuka,聡子 袴塚. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

METHODS FOR FORMING ETCH STOP LAYERS, SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME, AND METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120119283A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

Composition for film formation and material for insulating film formation

Номер патента: JP2001055509A. Автор: Kinji Yamada,通則 西川,Michinori Nishikawa,欣司 山田,光 杉田,Hikari Sugita. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Titanium black dispersion composition for light shielding film formation, radiation-sensitive composition containing the same, method for producing light shielding film, and solid-state imaging device

Номер патента: JP5701742B2. Автор: 哲 村山,久保田　誠,誠 久保田,憲一 児玉,児玉　憲一. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Film formation quality judgment device and film formation quality judgment method

Номер патента: JP6963916B2. Автор: 康弘 岡田,喜与士 廣谷,文一 中西. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Machinery Systems Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-10.

Composition for conductive film formation, its manufacturing method, and forming method of the conductive film

Номер патента: JP2010176976A. Автор: Yasushi Hara,靖 原,学 柳瀬,Manabu Yanase. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for drilling and device for its embodiment

Номер патента: RU2055175C1. Автор: В.Е. Трофимов,Е.А. Козловский,Б.А. Новожилов,И.Б. Захаров,М.Ю. Богачев,В.А. Фридман,Н.А. Горохов,И.Г. Гашин. Владелец: Государственное учебное научно-производственное предприятие "Гебус". Дата публикации: 1996-02-27.

Coating liquid for film formation, its manufacturing method, and coating base material manufacturing method

Номер патента: JP6778007B2. Автор: 通郎 小松,美紀 江上,良 村口,小松　通郎,宏忠 荒金. Владелец: Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AS WELL AS DISPLAY

Номер патента: US20120242624A1. Автор: . Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-09-27.

buffer insulation layer and semiconductor device having the same and method for fabricating of the semiconductor device

Номер патента: KR101201316B1. Автор: 이기홍. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-11-14.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120028436A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,Jong Jan Lodewijk de. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120061739A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120091587A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120107967A1. Автор: . Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120223738A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,de Jong Jan Lodewijk. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130021060A1. Автор: OR-BACH Zvi. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

PATTERNING METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130137269A1. Автор: Baars Peter,Geiss Erik P.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130164903A1. Автор: KIM Su-Young,PARK Hyung-Soon,Lee Jeong-Yeop,Lee Young-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130267046A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140004678A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100250728B1. Автор: 김천수,문환성. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-04-01.

Method for fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: KR101261629B1. Автор: 김경해,오덕환. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2013-05-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425827B1. Автор: 유용식,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of lower electrode and improve capacitance

Номер патента: KR100399915B1. Автор: 은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating solid state semiconductor device

Номер патента: TW201218424A. Автор: Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chia-Hung Huang,Shun-Kuei Yang. Владелец: Advanced Optoelectronic Tech. Дата публикации: 2012-05-01.

METHOD FOR STABILIZING ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES SEALED IN PLASTIC

Номер патента: RU2011145629A. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD FOR FORMING DOPED AREAS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2011118461A. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев (RU),Гасан Абакарович Мустафаев (RU),Арслан Гасанович Мустафаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2012-11-20.

COMPOSITION OF THERMORACTIVE RESIN AND METHOD FOR CREATING PROTECTIVE COATING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2008112638A. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева,Алексей Петрович Крысин (RU),Олег Иосифович Яковлев (RU),Татьяна Федоровна Жаркова (RU),Татьяна Васильевна Волосская (RU),Людмила Ивановна Почуева (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ) (RU). Дата публикации: 2009-10-10.

Fabrication method for hard mask layer and semiconductor devices

Номер патента: TW200735212A. Автор: Chih-Ming Chen,Ying-Tsun Chen,De-Haw Huang,Da-Yen Chiou,Ching-Chi Liu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Manufacturing method for shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: TWI246151B. Автор: Wen-Shiang Liao,Wei-Fan Chen,Ming-Luen Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Power semiconductor devices including beryllium metallization

Номер патента: WO2024220798A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SLATS FOR FABRIC IN COVERINGS FOR ARCHITECTURAL OPENINGS

Номер патента: US20130040010A1. Автор: Dann Kevin M.,Siebenaller Michael J.,Carroll Steven J.,Wisecup Stephen T.,Jelic Ralph G.,Swiszcz Paul G.,Sevcik Thomas E.,Teter William L.. Владелец: Hunter Douglas Inc.. Дата публикации: 2013-02-14.

Solarization-resistant fastness hoisting agent, preparation method and after-finishing method used for fabric

Номер патента: CN101403184B. Автор: 龚军,刘金华,朱泉,郭玉良,魏鹏勃,陶武平. Владелец: GUANGDONG DEMEI FINE CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Booting method and shutting down method for image display device

Номер патента: TW200939178A. Автор: Mao-Jung Chung,Yu-Shen Kung,Chin-Cheng Liu. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Image processing system, image display method and image capture method for display apparatus

Номер патента: TW200714063A. Автор: Rong-Show Tung. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2007-04-01.

Slag-remaining gasification dephosphorization method and recycling smelting method for converter slag

Номер патента: ZA202212489B. Автор: Jianjun Chen,Chenxiao LI,Shuhuan Wang,Dingguo Zhao,Yuekai Xue,Liqun Ai,Chaogang Zhou,Huaqiang Hao. Владелец: Univ North China Science & Technology. Дата публикации: 2023-01-25.

Device and method to reduce power consumption in integrated semiconductor devices using a low power groggy mode

Номер патента: TW425688B. Автор: Claude L Bertin,Wilbur David Pricer,Alvar Antonio Dean,William R P Tonti,Patrick Edward Perry. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-03-11.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126293A1. Автор: MIYOSHI Makoto,SUMIYA Shigeaki,ICHIMURA Mikiya,TANAKA Mitsuhiro,KURAOKA Yoshitaka,Sugiyama Tomohiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

MOVABLE BODY DRIVE METHOD, PATTERN FORMATION METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD FOR MAINTAINING POSITION COORDINATE BEFORE AND AFTER SWITCHING ENCODER HEAD

Номер патента: US20120307227A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.