Ceramic material, method for manufacturing the same, and semiconductor manufacturing apparatus member
Номер патента: US09856147B2
Опубликовано: 02-01-2018
Автор(ы): Katsuhiro Inoue, Yosuke Sato, Yuji Katsuda
Принадлежит: NGK Insulators Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-01-2018
Автор(ы): Katsuhiro Inoue, Yosuke Sato, Yuji Katsuda
Принадлежит: NGK Insulators Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Sputtering target including carbon-doped gst and method for fabricating electronic device using the same
Номер патента: US20220190241A1. Автор: Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.