Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Reactive ion etching method for lead zirconate titanate and ruthenium oxide thin films and semiconductor device manufactured using the same

Reactive ion etching method for lead zirconate titanate and ruthenium oxide thin films and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: JP3010112B2
Опубликовано: 14-02-2000
Автор(ы): パン ウェイ, ビー． デスー セシュ, ビジェ ディリップ
Принадлежит: Sharp Corp

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US20240282583A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Etching method, method for manufacturing semiconductor device, etching program, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162047A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masafumi Urakawa,Yuki Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4354490A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Oxygen reactive ion etch (RIE) plasma method for removing oxidized organic residues from semiconductor substrates

Номер патента: US5567271A. Автор: Ron F. Chu,Chet P. Lim,Sheau-Tan Loong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1996-10-22.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Yuuta TAKEDA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Etching method, method for producing dielectric film of low dielectric constant, method for producing porous member, etching system and thin film forming equipment

Номер патента: EP1881525A1. Автор: Hitoshi MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD SAKAMOTO,Chikako HITEC Co. Ltd. KOBAYASHI. Владелец: Phyzchemix Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Method for etching silicon-containing film and semiconductor device manufacturing method comprising same

Номер патента: US20230420261A1. Автор: Jung Hun KWAK,Yong Jun Cho,Woo Jae Kim,Gi Chung Kwon,Byung Hyang KWON. Владелец: Sk Specialty Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing boron silicon compound, chemical mechanical polishing method and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230123263A1. Автор: Ungyu Paik,Hyun Goo Kang,Dong Hyeok Kim,Cheolmin SHIN,Taeseup SONG,Jong Young Cho. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-04-20.

Etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: CN102683198A. Автор: 尾崎史朗,武田正行. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Dry etching method, method for producing semiconductor device, and etching device

Номер патента: EP4047636A4. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20220238345A1. Автор: Atsushi Takahashi,Yuya Nagata,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220406611A1. Автор: WU LI,Atsushi Takahashi,Tsubasa IMAMURA,Yuto Itagaki,Minki Chou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for reactive ion etching

Номер патента: US20240191135A1. Автор: Tse-Ming Chen,Yu-Chiang HSIEH,Chiu-Hua Huang,Ching-Hua Kao. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030040190A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7084069B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11024510B2. Автор: Tsubasa IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11862471B2. Автор: Atsushi Takahashi,Yuya Nagata,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Reactive ion etching process

Номер патента: CA1222218A. Автор: Jacqueline K. Bianchi,Robert A. Gdula,Dennis J. Lange. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-05-26.

Reactive ion etching

Номер патента: CA1122922A. Автор: Linda M. Ephrath. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-05-04.

Method for forming an electrical contact in an integrated circuit

Номер патента: US4631248A. Автор: Nicholas Pasch. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1986-12-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10263071B2. Автор: Masakazu Okada,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for control of etch profile

Номер патента: US4671849A. Автор: Lee Chen,Gangadhara S. Mathad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210090893A1. Автор: Tsubasa IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor dielectric structure and method for making the same

Номер патента: US20010023989A1. Автор: Milind Weling,Rao Annapragada. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US5106770A. Автор: Richard M. Klein,Emel S. Bulat. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-04-21.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US6884678B2. Автор: Tae Hyeok Lee,Cheol Hwan Park,Dong Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Method for growing barium titanate thin film

Номер патента: US20010004547A1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-06-21.

Trench filling method and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP5977002B2. Автор: 将久 渡邊. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040029397A1. Автор: Dong-Soo Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-02-12.

Method for forming film and manufacture of semiconductor device

Номер патента: TW417172B. Автор: Kazuo Maeda,Noboru Tokumasu. Владелец: Canon Sales Co Inc. Дата публикации: 2001-01-01.

Etching Composition, Etching Method, Method for Manufacturing Semiconductor Device, and Method for Manufacturing Gate-All-Around-Type Transistor

Номер патента: US20230374383A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US11972955B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180082839A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of improving adhesion between thin films

Номер патента: US5714037A. Автор: Ray Liang,Kumar D. Puntambekar,K. Y. Ramanujam,Tom Blount. Владелец: Microunity Systems Engineering Inc. Дата публикации: 1998-02-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160071739A1. Автор: Tsubasa IMAMURA,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Reactive ion etching assisted lift-off processes for fabricating thick metallization patterns with tight pitch

Номер патента: US09728444B2. Автор: Sebastian U. Engelmann,Steve Holmes,Guy M. Cohen,Jyotica V. Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure and method for hard mask removal on an soi substrate without using CMP process

Номер патента: GB201314148D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

Structure and method for hard mask removal on an soi substrate without using cmp process

Номер патента: WO2012099838A3. Автор: Oh-Jung Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-26.

Structure and method for hard mask removal on an soi substrate without using cmp process

Номер патента: WO2012099838A2. Автор: Oh-Jung Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for increasing pattern density in self-aligned patterning schemes without using hard masks

Номер патента: US09786503B2. Автор: Akiteru Ko,Angelique D. Raley,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Method for residue-free block pattern transfer onto metal interconnects for air gap formation

Номер патента: US20160172231A1. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Joe Lee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-06-16.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8124492B2. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20100233865A1. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8314004B2. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120122289A1. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Lead zirconate titanate niobate film, lead zirconate titanate niobate laminate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060216549A1. Автор: Takeshi Kijima,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Ultra-high speed anisotropic reactive ion etching

Номер патента: US09966232B2. Автор: Gokhan HATIPOGLU,Srinivas Tadigadapa. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for forming a semiconductor device using tilted reactive ion beam

Номер патента: US20190295848A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Simultaneous deposit and etch method for forming a void-free and gap-filling insulator layer upon a patterned substrate layer

Номер патента: US5858876A. Автор: Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12051589B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,David Charles Smith,Richard Wise,Arpan Pravin Mahorowala,Patrick A van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Low dielectric constant material having thermal resistance, insulation film between semiconductor layers using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20060091382A1. Автор: Noboru Mikami,Sei Tsunoda,Hideharu Nobutoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Metal thin film and semiconductor comprising a metal thin film

Номер патента: US7419920B2. Автор: Toshihide Nabatame,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for etching a hardmask layer for an interconnection structure for semiconductor applications

Номер патента: US09653320B2. Автор: Sumit Agarwal,Chiu-Pien KUO,Shang-Ting HSIEH,Guochuan HONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

DRY ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHING DEVICE

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Yao Akifumi,TAKEDA Yuuta,YAMAUCHI Kunihiro. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for fabricating a metallic oxide of high dielectric constant, metallic oxide of high dielectric constant, gate insulating film and semiconductor element

Номер патента: EP1489653A2. Автор: Akira Sakai,Hiroki Kondo,Yukio Yasuda,Mitsuo Sakashita,Shigeaki Zaima,Shinsuke Sakashita. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2004-12-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11764070B2. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Gen You,Haruna Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A4. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: TW200643157A. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2006-12-16.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: WO2006098141A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2006-09-21.

Cleaning agent for semiconductor substrates and method for processing semiconductor substrate surface

Номер патента: US09862914B2. Автор: Hironori Mizuta,Tsutomu Watahiki,Kohei Hayashi,Takayuki Kajikawa. Владелец: Wako Pure Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for depositing a thin film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR102457289B1. Автор: 한용규,김영훈,김대연,유태희,임완규,유진근. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2022-10-21.

Etchant, etching method, method for producing semiconductor device, and method for producing gate-all-around transistor

Номер патента: WO2023079908A1. Автор: 憲 原田,鉄夫 笠井,竜暢 鈴木. Владелец: 三菱ケミカル株式会社. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for processing substrate, and method for manufacturing silicon device comprising said processing method

Номер патента: US20240112917A1. Автор: Seiji Tono,Naoto Nomura,Yoshiki Seike,Manami OSHIO,Kohsuke NORO. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A4. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: IL294508A. Автор: . Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for fabricating non-reflective semiconductor surfaces

Номер патента: CA1141456A. Автор: Robert R. Wilbarg,Claude Johnson, Jr.,Thomas A. Hansen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-02-15.

Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method

Номер патента: US20080084901A1. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Yoshihiro Taniguchi,Masanori Seki,Hiroshi Tsunasawa,Ikumi Kashiwagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Metal thin-film precursor composition, method of forming thin film using metal thin-film precursor composition, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240145301A1. Автор: Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor thin film crystallization device and semiconductor thin film crystallization method

Номер патента: US7381632B2. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Yoshihiro Taniguchi,Masanori Seki,Hiroshi Tsunasawa,Ikumi Kashiwagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-06-03.

Imprint methods for forming a pattern of an imprint material on a substrate-side pattern region of a substrate by using a mold, and related device manufacturing methods

Номер патента: US20200249569A1. Автор: Yusuke Tanaka,Noriyasu Hasegawa,Hirotoshi Torii,Yosuke Murakami,Tatusya Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US6391791B1. Автор: Satoshi Aoyama,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima,Shouichi Sakamoto. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Etching composition, metal-containing film etching method using the same and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240318077A1. Автор: Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Low charge-up reactive ion metal etch process

Номер патента: US5667630A. Автор: Jui-Cheng Lo. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Method for forming tungsten structures in a semiconductor

Номер патента: US4925524A. Автор: Christopher C. Beatty. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1990-05-15.

Method for patterning integrated circuit conductors

Номер патента: WO1999017350A1. Автор: Bruno Spuler,Virinder S. Grewal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 1999-04-08.

Method for patterning integrated circuit conductors

Номер патента: EP1021826A1. Автор: Bruno Spuler,Virinder S. Grewal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-07-26.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects

Номер патента: US5350484A. Автор: Xiao-Chun Mu,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09941285B2. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon etching method

Номер патента: US5665203A. Автор: Young Hoon Lee,Keith Raymond Milkove,John William Stiebritz, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for forming metallization in semiconductor devices with a self-planarizing material

Номер патента: US5854126A. Автор: Dirk Tobben,Bruno Spuler,Peter Weigand,Martin Gutsche. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-12-29.

Method for low temperature bonding and bonded structure

Номер патента: CA2399282C. Автор: Paul M. Enquist,Qin-Yi Tong,Gaius Gillman Fountain Jr.. Владелец: Ziptronix Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Method for the selective dry etching of layers of III-V group semiconductive materials

Номер патента: US4742026A. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-05-03.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Patterning methods, methods of fabricating semiconductor devices using the same, and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US09685606B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jongsoon Park,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor storage device and method for manufacturing the semiconductor storage device

Номер патента: US20150155288A1. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of Reducing Trench Depth Variation from Reactive Ion Etching Process

Номер патента: US20200013631A1. Автор: Andrew Christopher Graeme Wood,Daniel Tutuc,Marija Borna Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200303221A1. Автор: Kazuyuki Fukuyama,Masaru Hatano. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Dry etching method

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Kazuya Abe,Toshiyasu Sakai,Hiroyuki Abo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for the prevention of suspended silicon structure etching during reactive ion etching

Номер патента: US20150191350A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Ting-Hau Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Reticle adapter for a reactive ion etch system

Номер патента: EP1024520A3. Автор: YAN Ye,Richard W. Plavidal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-12.

Method for the Prevention of Suspended Silicon Structure Etching During Reactive Ion Etching

Номер патента: US20140131818A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Ting-Hau Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Reactive ion etching

Номер патента: US09656858B2. Автор: Ian Sturland,Mark Venables,Tracey Hawke,Rebecka Eley. Владелец: Atlantic Inertial Systems Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making trenches with substantially vertical sidewalls in silicon through reactive ion etching

Номер патента: US4589952A. Автор: Johann Greschner,Uwe Behringer,Hans-Joachim Trumpp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-05-20.

Magnesium oxide based hardmask for reactive ion etching

Номер патента: US20230137983A1. Автор: Gregory Michael Wallraff,Aakash Pushp,Krystelle Lionti,Noel Arellano,Anthony Bock Fong,Benjamin Madon,M A Mueed,Brian Peter Hughes,Vincent Ouazan-Reboul. Владелец: Ecole Superieure de Physique et Chimie Industrielles de Ville Paris . Дата публикации: 2023-05-04.

Method of Charge Controlled Patterning During Reactive ION Etching

Номер патента: US20170076951A1. Автор: Richard Wise,Sunit S. Mahajan,Bachir Dirahoui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for semiconductor selective etching and bsi image sensor

Номер патента: US20160141330A1. Автор: Jason Chang,Simon Wang,Kevin Shi,Phil WU,Victor LUO,Silver XI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for Growing Very Thick Thermal Local Silicon Oxide Structures and Silicon Oxide embedded Spiral Inductors

Номер патента: US20200105860A1. Автор: Osman Ersed Akcasu. Владелец: Nanohenry Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Etching method for ZnSe polycrystalline substrate

Номер патента: US6750151B2. Автор: Kenichi Kurisu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-06-15.

Dry etching method for a gallium nitride type compound semiconductor

Номер патента: US5693180A. Автор: Satoshi Sugahara,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Reactive ion etching apparatus

Номер патента: US5681419A. Автор: Hak-Soon Yoon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-28.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Reactive ion etching of semiconductor compounds including InP, InAlAs, InGaAs and their alloys

Номер патента: KR100304369B1. Автор: 백종협,신재헌,유병수,권오균. Владелец: 오길록. Дата публикации: 2001-11-05.

Method for producing a misfet and a misfet produced thereby

Номер патента: CA1188822A. Автор: John C. White,Timothy W. Janes. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-06-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110156220A1. Автор: Satoru Nakayama,Shoetsu KOGAWA,Seigo Kamata,Shigemitsu Seito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Thermosetting adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US10273386B2. Автор: Tomoyuki Ishimatsu,Daichi Mori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for etching indium based III-V compound semiconductors

Номер патента: US5338394A. Автор: Mohammed A. Fathimulla,Thomas C. Loughran. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1994-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200035551A1. Автор: Toshiyuki Kosaka,Haruo Kawata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Thin-film capacitor structure and semiconductor device including the thin-film capacitor structure

Номер патента: US20200126934A1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Thin-film dual gate, common channel semiconductor device having a single first gate and a multi-gate second gate structure

Номер патента: US5955765A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Device and method for three-dimensional measurements and observation in situ of a surface layer deposited on a thin-film stack

Номер патента: US5898500A. Автор: Jean Canteloup,Roland Kleim. Владелец: HORIBA JOBIN YVON SAS. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for evaluating compatibility of thermosetting resin composition, thermosetting resin composition, prepreg, resin film, laminated plate, multilayer printed wiring board, and semiconductor package

Номер патента: US20230392002A1. Автор: Tomohiko Kotake,Shuichi Ishibashi,Daisuke Fujimoto. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for continuously depositing high resistance buffer layer/window layer (transparent conductive film) of cis based thin film solar cell and continuous film deposition equipment for carrying out that method

Номер патента: EP1898469A4. Автор: Katsumi Kushiya. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2016-12-28.

Thin film and p-type zinc oxide thin film manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: JP3834658B2. Автор: 雅司 川崎,明 大友,知昭 福村,敦 塚▲崎▼,亮 大谷. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2006-10-18.

Method of manufacturing monocrystalline thin-film

Номер патента: US4801351A. Автор: Masayoshi Koba,Toshiaki Miyajima,Katunobu Awane,Masashi Maekawa. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-01-31.

Multi-junction solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213388A1. Автор: Donghwan Kim,Dongkyun Kang,Dongjin Choi,Hoyoung SONG,Yoonmook KANG,Hae-Seok Lee,Seok-hyun JEONG,MyeongSeob SIM,Jae-Keun HWANG,Solhee LEE,Dowon PYUN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-27.

MANUFACTURING METHODS AND STRUCTURES FOR LARGE-AREA THIN-FILM SOLAR CELLS AND OTHER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130228221A1. Автор: Kramer Karl-Josef,Moslehi Mehrdad M.,Kapur Pawan. Владелец: SOLEXEL, INC.. Дата публикации: 2013-09-05.

METHOD FOR PRODUCING Cu2ZnSnS4-xSex (0 LESS THAN-EQUAL TO X LESS THAN-EQUAL TO 4) THIN FILM BY ONE STEP ELECTRODEPOSITION IN ELECTROLYTIC BATH CONTAINING IONIC LIQUID

Номер патента: US20150027896A1. Автор: Lee Doh-Kwon,KO Min Jae,KIM Hong Gon,Kim Jin Young,KIM Bong Soo,SON Hae Jung,Seo Se Won,Lee Kee Doo. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-01-29.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US11763989B2. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Coating apparatus, thin film forming method, thin film forming apparatus, and semiconductor device manufacturing method, electro-optic device and electronic instrument

Номер патента: TWI239271B. Автор: Ichio Yudasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-11.

Semiconductor Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230016808A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Thin film deposition method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: JP7210647B2. Автор: 秀仁 金,暎▲吉▼ 崔,昌學 辛,愍隅 朴,智賢 金,京美 金. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-23.

Method for manufacturing layered body, device for manufacturing layered body, layered body, and semiconductor device

Номер патента: EP4321657A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Dielectric monolayer thin film, capacitor and semiconductor device each including the same, and method of forming the dielectric monolayer thin film

Номер патента: US20210110975A1. Автор: Sasaki Takayoshi,Osada Minoru,Hyungjun Kim,TANIGUCHI Takaaki,Chan Kwak,Changsoo LEE,Youngnam Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Organic metal compound, composition for depositing semiconductor thin film, manufacturing method for thin film using thereof, and semiconductor device includinf thin film

Номер патента: KR102232509B1. Автор: 임상균,김용태,임설희,박인걸,허광수. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for preparing ruthenium or ruthenium alloy-based sputtering target, and ruthenium or ruthenium alloy-based sputtering target prepared thereby

Номер патента: WO2016068362A1. Автор: 양승호,윤원규,권오집,홍길수. Владелец: 희성금속 주식회사. Дата публикации: 2016-05-06.

Thin film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JPWO2007020874A1. Автор: 優幸 浅井,佐々木　伸也,伸也 佐々木,浅井　優幸,経田　昌幸,昌幸 経田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-02-26.

Thin film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: WO2007020874A1. Автор: Shinya Sasaki,Masayuki Asai,Masayuki Tsuneda. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11837636B2. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for manufacturing array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09761617B2. Автор: Xi Chen,Zheng Liu,Xiaoxiang Zhang,Zhichao Zhang,Tsung Chieh KUO,Mingxuan Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A4. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method Of Manufacturing Thin-Film Bonded Substrate Used For Semiconductor Device

Номер патента: US20130323906A1. Автор: Woo Kwang-Je,Kim Donghyun,Jeon JongPil,Kim Dong-Woon,Kim MinJu,Kim A-Ra,Shur Joong Won,Jung Kyungsub,Kim Mikyoung,Lee Bohyun,Kim Hyunjoon. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Etching method, method for manufacturing semiconductor chip, and method for manufacturing articles

Номер патента: KR102017076B1. Автор: 가즈히토 히구치,게이이치로 마츠오,유사쿠 아사노,가즈오 시모카와. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2019-09-02.

CRYSTAL, CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR FILM CONTAINING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CRYSTAL AND/OR SEMICONDUCTOR FILM AND SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210143251A1. Автор: TAKAHASHI Isao,Sasaki Takahiro,Hitora Toshimi,MATSUDA Tokiyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Pattern forming method, etching method, method for manufacturing electronic device, and electronic device

Номер патента: KR101692807B1. Автор: 츠카사 야마나카,미치히로 시라카와,나오히로 탄고,케이타 카토,나오야 이구치,료스케 우에바. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-01-05.

Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus

Номер патента: CN102102211A. Автор: 平林英明,小林信雄,速水直哉,田家真纪子,加藤昌明,土门宏纪,黑川祯明,佐藤伸良,米仓由里. Владелец: Chlorine Engineers Corp Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Protective film etching method, method for producing template, and template produced using said methods

Номер патента: KR101879606B1. Автор: 아키히코 오츠. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-07-18.

Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus

Номер патента: TW201137175A. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoya Hayamizu,Nobuyoshi Sato,Nobuo Kobayashi,Masaaki Kato,Yuri Yonekura,Yoshiaki Kurokawa,Hiroki Domon,Makiko Tange. Владелец: Chlorine Eng Corp Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Formation of cobalt silicide film and manufacture of semiconductor device therewith

Номер патента: CN100392826C. Автор: 朴惠贞,具景谟,具滋钦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-04.

Formation of cobalt silicide film and manufacture of semiconductor device therewith

Номер патента: CN1510726A. Автор: 朴惠贞,具景谟,具滋钦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-07.

Method of forming a film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE112020004152T5. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto,Daisuke Tahara. Владелец: Kyoto Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2022-05-19.

CZTSe-based thin film and method for preparing the same, and solar cell using the same

Номер патента: US09601642B1. Автор: William Jo,Gee-Yeong Kim. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2017-03-21.

Reactive ion etching or indium tin oxide

Номер патента: US5286337A. Автор: Len Y. Tsou. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1994-02-15.

High absorption photovoltaic material and methods of making the same

Номер патента: US20230261124A1. Автор: Ping KUANG,Shawn Yu LIN,Anthony Post,Sajeev Oommen JOHN,Sergey Leonidovich EYDERMAN,Mei-Li Hsieh. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2023-08-17.

Thin film manufacturing method, thin film manufacturing device, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: US20130134034A1. Автор: Hironobu Inoue,Hiroaki Yonekura. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

THIN-FILM STRUCTURAL BODY, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM STRUCTURAL BODY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170338358A1. Автор: Tanaka Hidekazu,Nakagawara Osamu. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: US20130140540A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for manufacturing touch control display screen

Номер патента: US20190363137A1. Автор: Xiaoliang Feng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Inorganic seal for encapsulation of an organic layer and method for making the same

Номер патента: MY115683A. Автор: John Edward Cronin,Barbara Jean Luther. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-30.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Construction of short-length electrode in semiconductor device

Номер патента: CA1232370A. Автор: Bertrand M. Grossman,Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-02-02.

Semiconductor device interconnection pattern with rim

Номер патента: CA1203643A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Method for producing a microsystem having a thin film made of lead zirconate titanate

Номер патента: US09601649B2. Автор: Wolfram Wersing,Carsten Giebeler,Matthias Schreiter,Thorsten Steinkopff. Владелец: Pyreos Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09954014B2. Автор: Kitae Kim,Eunsung KIM,JinChae JEON,Soyoung Noh,Uijin Chung,Hyunsoo Shin,Wonkyung KIM,Jeihyun LEE,JunHo Lee,Jihye Lee,Hyojin Kim,Kyeongju Moon,YoungJang Lee,Seungchan CHOI,Jeanhan YOON,Sungbin Ryu,Bokyoung CHO,Soyeon JE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Conductive thin film, a capacitor using the same and a method of manufacturing.

Номер патента: US20010005026A1. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2001-06-28.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09881941B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE TEMPLATE SEMI-POLAR (20-23) ORIENTATION ON SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMPTING DEVICE, MANUFACTURING USING THE METHOD

Номер патента: RU2013137514A. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-20.

METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED USING THE METHODS

Номер патента: US20140312320A1. Автор: Yang Hui-Won,Choi Chaun-Gi. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, epoxy resin composition for semiconductor encapsulation obtained by the production method, and semiconductor device using the same

Номер патента: JP4222894B2. Автор: 伸也 秋月,和弘 池村,桂介 吉川. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Organic metal compound, manufacturing method for thin film using thereof, and semiconductor device includinf thin film

Номер патента: KR102252998B1. Автор: 박인걸. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-05-14.

Semiconductor thin film, semiconductor element and semiconductor device, and fabrication methods thereof

Номер патента: KR100700677B1. Автор: 도미야시게타카,후나토겐지. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2007-03-27.

Thin film transistor circuit and semiconductor display device using the same

Номер патента: US6268842B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

THIN-FILM CAPACITOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE THIN-FILM CAPACITOR STRUCTURE

Номер патента: US20200126934A1. Автор: Oyamada Seisei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Method for producing multilayer devices and/or thin film transistors

Номер патента: GB2466083A. Автор: Dong-Soo Kim,Dong-Youn Shin,Taik-Min Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor thin film, semiconductor thin film manufacturing method and semiconductor element

Номер патента: CN103274608A. Автор: 井上一吉,宇都野太,本田克典. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Optoelectronic structural element with a semiconductor body, including a substrate, a layer system deposited on the substrate and a metallized carrier useful in thin film, Flip-Chip and semiconductor technology

Номер патента: DE10347737A1. Автор: Georg Bogner,Stefan Gruber,Matthias Winter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-05-04.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US20160282284A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09806201B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Yoshinori Yamada,Takashi Hamada,Masashi Oota,Yuji EGI,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method for supporting one or more heat-generating electrical devices

Номер патента: EP2028689A3. Автор: Bin Huang,John C. Teeple,Murray P. Kingston,Mark W. Eady. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

System and Method for Supporting One or More Heat-Generating Electrical Devices

Номер патента: US20090052141A1. Автор: Bin Huang,John C. Teeple,Murray P. Kingston,Mark W. Eady. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255534A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Yoshinori Yamada,Takashi Hamada,Masashi Oota,Yuji EGI,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device

Номер патента: US20210143251A1. Автор: Takahiro Sasaki,Isao Takahashi,Toshimi Hitora,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Anisotropic conductive film and utilize its semiconductor device

Номер патента: CN105706183B. Автор: 朴憬修,金智软,郑光珍,黃慈英. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Resin Composition, Method for Manufacturing Cured Product, Cured Product, Patterned Cured Product, Interlayer Insulation Film, Cover Coating Layer, Surface Protection Film, and Electronic Component

Номер патента: US20220291584A1. Автор: Abe Satoshi,SOEJIMA Kazuya,AZUMA Ayaka. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Method for producing a thin film made of lead zirconate titanate

Номер патента: US09960344B2. Автор: Carsten Giebeler,Neil Conway. Владелец: Pyreos Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Ultra-large area scanning reactive ion etching machine and etching method thereof

Номер патента: US20220068617A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2022-03-03.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method

Номер патента: EP3905310A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-03.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Patterning electronic devices using reactive-ion etching of tin oxides

Номер патента: US20200185609A1. Автор: Jisung Park. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Film-forming material, film-forming composition, film-forming method using film-forming material and film-forming composition, and semiconductor device fabricated using film-forming method

Номер патента: US20240240318A1. Автор: Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Kok Chew TAN. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09960282B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US09824893B1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Patrick A. Van Cleemput,David Charles Smith,Richard Wise,Arpan Mahorowala. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same

Номер патента: US09690896B2. Автор: Jae-Woo Seo,Jaeha LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Thin film optoelectronic devices using delafossite type metal oxides and methods of their fabrication

Номер патента: WO2015198321A1. Автор: Stelios A. Choulis,Savva ACHILLEAS. Владелец: Reinhold Cohn And Partners. Дата публикации: 2015-12-30.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

A method for providing an ecpr master electrode

Номер патента: WO2012084048A8. Автор: Alan Cuthbertson,Wilbert van den Hoek,Patrik MÖLLER,Mikael Fredenberg,Matteo Dainese,Cecilia Aronsson. Владелец: Centre De Recherche Public – Gabriel Lippmann. Дата публикации: 2019-02-07.

A method for providing an ecpr master electrode

Номер патента: EP2655701A1. Автор: Alan Cuthbertson,Wilbert van den Hoek,Patrik MÖLLER,Mikael Fredenberg,Matteo Dainese,Cecilia Aronsson. Владелец: CENTRE DE RECHERCHE PUBLIC GABRIEL LIPPMANN. Дата публикации: 2013-10-30.

Method of measuring overlay and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240241451A1. Автор: Sangwon Park,Daehee Lee,Byeong-hwan Son,Jieun Park,Kyeonga KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Wafer-level chip scale package and method for fabricating and using the same

Номер патента: WO2005008724A3. Автор: Sang-Do Lee,Ji-Hwan Kim,Rajeev Joshi,Min-hyo Park,Yoon-Hwa Choi,Chung-Li Wu. Владелец: Chung-Li Wu. Дата публикации: 2009-03-26.

Thin film structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US12107140B2. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for forming thin film on basic material through intermediate layer

Номер патента: EP1557485A4. Автор: Katsuya Hasegawa,Teruo Izumi,Yuh Shiohara,Tsukasa Hirayama,Yoshihiro Sugawara,Fumiyasu Oba,Yuichi Ikuhara. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09905434B2. Автор: Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating semiconductor package and semiconductor package using the same

Номер патента: US09881864B2. Автор: Seung Woo Lee,Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Sang Goo Kang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Amorphous oxide thin film transistor, method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US09608127B2. Автор: LI Sun,Haijing Chen,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595600B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kunihiko Suzuki,Takahiro Tsuji. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Dry-etching method and plasma

Номер патента: US4948461A. Автор: Dilip K. Chatterjee. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1990-08-14.

Thickness control of semiconductor device layers in reactive ion etch processes

Номер патента: US5882468A. Автор: Robert L. Sandstrom,Bardia Pezeshki,John G. Crockett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US7153770B2. Автор: Chel-jong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Thin-film semiconductor device, electro-optical device, methods for manufacturing the same, and reticle

Номер патента: US20030160244A1. Автор: Takahiro Amano,Kiyofumi Kitawada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Organometallic compounds and thin film using same

Номер патента: US20200407380A1. Автор: Young Hun Byun,Ho Hoon Kim,Seung Won Ha,Jeum Jong KIM,Seong Hak CHEON. Владелец: Mecaro Co ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Manganese oxide thin film and oxide laminate

Номер патента: US20140374749A1. Автор: Yasushi Ogimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US7846792B2. Автор: Masanori Terahara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Reticle chuck in exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20020013069A1. Автор: Yukihiro Yokota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10043702B2. Автор: Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Improved semiconductor device having a polycrystalline isolation region

Номер патента: US4800417A. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1989-01-24.

Micron scale tin oxide-based semiconductor devices

Номер патента: US20200185529A1. Автор: Jisung Park. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-11.

Micron scale tin oxide-based semiconductor devices

Номер патента: US20220209015A1. Автор: Jisung Park. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-30.

Oxide film reaction surface control agent, method for forming oxide film by using same, and semiconductor substrate and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP4253595A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20230207683A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20200199351A1. Автор: Sang Kyun Kim,Sang Jin Kim,Dong Hwan Lee,Young Joon Lee,Tae Shin Eom,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Crystalline multilayer oxide thin films structure in semiconductor device

Номер патента: US20190148482A1. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12111566B2. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for repairing oxide thin film and oxide thin-film device

Номер патента: US09978592B2. Автор: Hyun Jae Kim,Seokhyun Yoon,Young Jun TAK,Si Joon Kim. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsi University. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Oxide thin film transistor, array substrate, methods of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09627546B2. Автор: Fang Liu,CAN Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same

Номер патента: US09583517B2. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09576908B1. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2660296C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6479334B1. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Methods for producing ruthenium film and ruthenium oxide film

Номер патента: WO2005104191A1. Автор: Christian Dussarrat,Julien Gatineau. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-11-03.

Transfer method for thin film nanomembrane structures

Номер патента: US8338268B2. Автор: Ahmed Sharkawy,Dennis W. Prather,Mathew Joseph Zablocki. Владелец: Lumilant Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Transfer Method for Thin Film Nanomembrane Structures

Номер патента: US20110230035A1. Автор: Ahmed Sharkawy,Dennis W. Prather,Mathew J. Zablocki. Владелец: Lumilant Inc. Дата публикации: 2011-09-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160049522A1. Автор: Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Substrate equipped with multi-layer reflection film, reflection-type mask blank, reflection-type mask, and semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US20200310239A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Display apparatus including thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10854644B2. Автор: Jongchan Lee,Yongsu Lee,Taehoon Yang,Woonghee Jeong,Jaeseob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Self-forming barrier structure and semiconductor device having the same

Номер патента: US20140151884A1. Автор: Wen-Hsi Lee,Chia-Yang Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-06-05.

Overlay measurement method, semiconductor device manufacturing method using the same, and overlay measurement apparatus

Номер патента: US20230074537A1. Автор: Jaeil LEE,Kyoungcho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Crystalline oxide thin film, method for producing same, thin film transistor, and method for producing same

Номер патента: EP4418309A1. Автор: Koji Yamaguchi,Kazuyoshi Inoue,Yuki Tsuruma,Emi Kawashima. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917197B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Kojiro SHIRAISHI,Takafumi Mizoguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09870971B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859441B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09721896B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Low-cost semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09691893B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yu Shin RYU,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Dielectric etch stop layer for reactive ion etch (rie) lag reduction and chamfer corner protection

Номер патента: WO2021173421A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Michael Edley,Angelique RALEY. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for manufacturing light emitting diode device

Номер патента: US9991421B2. Автор: Makoto Saito,Shinya Ito,Shinichi Sasaki,Ikuo Uematsu,Kengo Furutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Growth inhibitor for forming thin film, method for forming thin film and semiconductor substrate prepared therefrom

Номер патента: US20220049351A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Growth inhibitor for forming thin film, method for forming thin film and semiconductor substrate prepared therefrom

Номер патента: US20220049352A1. Автор: Sojung Kim,Hyeran Byun,Taeho Song,Changbong YEON,Jaesun Jung,Seokjong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Process for obtaining semiconductor nanodevices with patterned metal-oxide thin films deposited onto a substrate, and semiconductor nanodevices thereof

Номер патента: WO2016177694A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Arnaud Spangenberg,Olivier SOPPERA,Hsiao-Wen Zan,Chang-Hung Li,Fabrice Stehlin,Fernand Wleder,Chung-Chen Yeh. Владелец: Centre National De La Recherche Scientifique. Дата публикации: 2016-11-10.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184017A1. Автор: Wei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210397079A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for manufacturing system-in-package

Номер патента: US20100155955A1. Автор: Chung-Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793416B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Kengo Akimoto,Yasuo Nakamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722054B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US09627414B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin film patterning method and method of manufacturing semiconductor device using the thin film patterning method

Номер патента: US20130183609A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US20200339617A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7786013B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Oxide thin film and oxide thin film device

Номер патента: US20100090214A1. Автор: Masashi Kawasaki,Kentaro Tamura,Hiroyuki Yuji,Ken Nakahara,Atsushi Tsukazaki,Shunsuke Akasaka,Akira Ohtomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20210349388A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor substrate with oxide single crystal heterostructures, manufacturing method thereof and electronic device using the same

Номер патента: US20230010061A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Jae-Hoon Han,Hyun-Cheol SONG,Ruiguang Ning. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20240130125A1. Автор: Masayuki Kitamura,Hiroshi Toyoda,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Takayuki Beppu,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Circuit substrate device, method for producing the same, semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20030214027A1. Автор: Yuji Nishitani,Hiroshi Asami,Tsuyoshi Ogawa,Akihiko Okubora. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210333701A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Growth inhibitor for forming thin film, method of forming thin film using growth inhibitor, and semiconductor substrate fabricated by method

Номер патента: US20230257881A1. Автор: Jin Hee Kim,Seung Hyun Lee,Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seok Jong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20040192014A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Crystalline semiconductor film, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090253251A1. Автор: Misako Nakazawa,Naoki Makita,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Aluminum alloy film and semiconductor device using the same

Номер патента: US20220399455A1. Автор: Hiroki TSUMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991396B2. Автор: Takuya Hirohashi,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for randomly texturing a semiconductor substrate

Номер патента: US09941445B2. Автор: Jean-Jacques Simon,Ludovic Escoubas,Gerard Jean Louis Berginc,Vincent Brissonneau. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2018-04-10.

Manganese tin oxide based transparent conducting oxide and transparent conductive film and method for fabricating transparent conductive film using the same

Номер патента: US09704610B2. Автор: Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Won-Kook Choi,Haena Yim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-11.

Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same

Номер патента: US20140026952A1. Автор: Seo Hyun Kim,Hyunhee Lee,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Piezoelectric/electrostrictive film type element containing lead zirconate titanate and a bismuth compound and method for producing the same

Номер патента: US09553252B2. Автор: Tomohiko Hibino,Takaaki Koizumi,Takashi Ebigase. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Method for reduction of off-current in thin film transistors

Номер патента: US5384271A. Автор: Robert F. Kwasnick,George E. Possin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-01-24.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Epoxy Resin Composition for Semiconductor Encapsulation and Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20080136048A1. Автор: Eiji Toyoda,Kazuhiro Ikemura,Katsuyuki Nakabayashi,Daisuke Tsukahara,Takuya Eto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Nanoporous structures by reactive ion etching

Номер патента: US20140370326A1. Автор: Joshua T. Smith,Robert L. Bruce,Yann Astier,Jingwei Bai,Aaron D. Franklin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Piezoelectric/electrostrictive film type element and method for producing piezoelectric/electrostrictive film type element

Номер патента: US20150015122A1. Автор: Tomohiko Hibino,Takaaki Koizumi,Takashi Ebigase. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device manufacture with in-line hotspot detection

Номер патента: US12057355B2. Автор: Michael Shifrin,Avron GER. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Apparatus and method for forming organic thin film and manufacturing method of organic thin film device using the same

Номер патента: US09673395B2. Автор: Jin Hyoung Lee,Yong Sul Song,Geun Sik CHO,Il Soo MOON. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Polythiophene star copolymer capable of being self-doped by external stimulus, a method for producing the same, a conductive thin film using the same, and a method for producing the conductive thin film

Номер патента: US09908979B2. Автор: Hyun Ji Kim,Seung Sang Hwang,Soon Man Hong,Kyung Youl Baek,Chong Min Koo,Yun Jae Lee,Hyeon Yeol Jeon,Min Jae KO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing surface-treated transparent conductive polymer thin film, and transparent electrode manufactured using the same

Номер патента: US09653217B2. Автор: Mikyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Inorganic oxide thin film and method for preparing the same

Номер патента: US9070903B2. Автор: Dong Chan Kim,Won Jong Kim,Dong Kyu Seo,Young Woo Song,Eung Do Kim,Kyu Hwan Hwang,Jong Hyuk Lee,Seok Gyu Yoon,Bo Ra JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Inorganic oxide thin film and method for preparing the same

Номер патента: US20140339511A1. Автор: Dong Chan Kim,Won Jong Kim,Dong Kyu Seo,Young Woo Song,Eung Do Kim,Kyu Hwan Hwang,Jong Hyuk Lee,Seok Gyu Yoon,Bo Ra JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device carrier and semiconductor package using the same

Номер патента: US9219027B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim,Kian-Hock Lim,Oviso Dominador Jr Fortaleza. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device

Номер патента: US09793103B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Hyo Sook Joo,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device

Номер патента: US09659763B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Hyo Sook Joo,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Tape circuit board and semiconductor chip package including the same

Номер патента: US20040175915A1. Автор: Dae-Woo Son,Hyoung-Chan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Method for producing thin film electrodes

Номер патента: US20130071670A1. Автор: Manoj Narayanan,Uthamalingam Balachandran,Beihai Ma,Stephen Dorris. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for producing thin film electrodes

Номер патента: US9359223B2. Автор: Manoj Narayanan,Uthamalingam Balachandran,Beihai Ma,Stephen Dorris. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

Flexible display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170256594A1. Автор: Jae Hwan Oh,Ji Hye Park,In Jun Bae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901A2. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-09.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: WO2001095377A3. Автор: Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M Graettinger,Steven D Cummings. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: US20030199141A1. Автор: Steven Cummings,Cem Basceri,Thomas Graettinger,Mark Visokay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Methods for forming integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901B1. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-23.

Methods for enhancing trench capacitance and trench capacitor

Номер патента: US20080122030A1. Автор: David M. Dobuzinsky,Kangguo Cheng,Xi Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Thin film structure for micro-bolometer and method for fabricating the same

Номер патента: US20190316968A1. Автор: Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jeong Min BAIK,Ki-suk Lee,Seung Hyub BAEK,Tae Hyeon KIL. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Laser welding method and monitoring method for secondary battery

Номер патента: US11897054B2. Автор: Jin Gyu Heo,Sang Hyun Ryu,Myung Jun Park,Jae Hoon ROH,Seong Bae AN,Yong Gyu AN,Hee Dong JUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Laser welding method and monitoring method for secondary battery

Номер патента: US20240123548A1. Автор: Jin Gyu Heo,Sang Hyun Ryu,Myung Jun Park,Jae Hoon ROH,Seong Bae AN,Yong Gyu AN,Hee Dong JUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for producing porous lithium titanate, porous lithium titanate and lithium battery using same

Номер патента: WO2012002122A1. Автор: 伸樹 糸井,隆寛 三島. Владелец: 大塚化学株式会社. Дата публикации: 2012-01-05.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: US09911771B2. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing plastic element provided with fine surface roughness

Номер патента: US11978642B2. Автор: Kazuya Yamamoto,Kenji Tanibe. Владелец: Nalux Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Oxide thin film transistor including photocatalyst layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230253505A1. Автор: Hyun Jae Kim,Sujin JUNG,Dong Hyun Choi,Jong Bin An,Kunho Moon,Jong Hyuk Ahn,I Sak Lee. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-10.

Etching method for single-isolated magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210399215A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Huiqun REN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Layer-stacked wiring and method for manufacturing same and semiconductor device using same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070221922A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal oxide thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240199670A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-20.

Layer-stacked wiring and semiconductor device using the same

Номер патента: US20090315183A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Ferroelectric thin film, piezoelectric thin film-coated substrate, piezoelectric actuator, inkjet head, and inkjet printer

Номер патента: US20170050439A1. Автор: Kenji Mawatari. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-02-23.

Process for reactive ion etching a layer of diamond-link carbon

Номер патента: WO2008109290A1. Автор: Stuart Jacobsen,Maria Wang,Erika Leigh Shoemaker,Mary Roby. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-09-12.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Vertical thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US10361314B2. Автор: Chin-Rung Yan. Владелец: INT Tech Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Flat Panel Display Device with Oxide Thin Film Transistors and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150079732A1. Автор: Ji Eun Chae,Tae Keun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US12072595B2. Автор: Isao Suzumura,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Fluorite-based material thin film and semiconductor device comprising the same

Номер патента: EP4008810A2. Автор: Jinseong Heo,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Phosphonium compound, epoxy resin composition including the same and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09890307B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Dong Hwan Lee,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Substrate for diaphragm-type resonant MEMS devices, diaphragm-type resonant MEMS device and method for manufacturing same

Номер патента: US09688528B2. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: EP2873097A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: US20150236062A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Radiographic imaging array fabrication process for metal oxide thin-film transistors with reduced mask count

Номер патента: WO2014011607A1. Автор: Timothy J. Tredwell,Ravi K. MRUTHYUNJAYA,Jeff Hsin Chang. Владелец: Carestream Health, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Thin Film Transistor Substrate and Method for Manufacturing the Same and Organic Light Emitting Device Using the Same

Номер патента: US20150072483A1. Автор: Woo Jin Nam,Min Kyu Chang,Jong Sik SHIM,Hong Jae Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US20170314156A1. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-02.

Mask for forming a thin-film transistor, thin-film transistor substrate manufactured using the same and method of manufacturing a thin-film transistor substrate using the same

Номер патента: US20080073718A1. Автор: Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Youn-Hee Cha,Jung-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pixel and display device including the same

Номер патента: US12125425B2. Автор: Minjae Jeong,Junhyun Park,Jangmi KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US09957604B2. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Phosphonium compound, preparation method thereof, epoxy resin composition including the same, and semiconductor device prepared by using the same

Номер патента: US09896465B2. Автор: Eun Jung Lee,Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Dong Hwan Lee,Joo Young Chung,Jin Min Cheon,Woo Chul NA,So Yoon KIM,Yoon Man LEE,Ji Yoon CHO,KyoungChul BAE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Switching element, switching element manufacturing method, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09893276B2. Автор: Naoki Banno,Munehiro Tada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of thin film and metal line for display using the same, thin film transistor array panel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799678B2. Автор: Jong-In Kim,Jean-Ho Song,Byeong-Beom Kim,Je-hyeong Park,Jae-Hyoung Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20220223782A1. Автор: Toshihiko Itoga,Takuo Kaitoh. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09850390B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of liquid-phase epitaxial growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: US09738990B2. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: RU2501117C2. Автор: Хироюки МОРИВАКИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-10.

Liquid chemical vapor recovery device, wet stripping device, photoresist stripping process, and method for manufacturing thin film transistor-liquid crystal display using the same

Номер патента: US20190064674A1. Автор: Hao Yin,Xiaoning Liu,Qianqian Li,Mingming Wang,Dongseob Kim,Shikai Wang,Yadong Xu,Jun Geng,Yadong Liang,Zhongren JIANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20130193420A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Thin Film Transistor, Method For Manufacturing The Same And Display Using The Same

Номер патента: US20100276692A1. Автор: Manabu Ito,Mamoru Ishizaki,Masato Kon,Ryohei Matsubara,Osamu Kina. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Thin film transistor substrate and method for producing same

Номер патента: US20150287742A1. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuya Yamashita,Tokuo Yoshida,Yoshimasa Chikama,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Yoshinobu Miyamoto,Yuuji Mizuno,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it

Номер патента: US20020033707A1. Автор: Hideo Miura,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Hiroya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Compositions for manufacturing thin film and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230220213A1. Автор: Kazuya Saito,Haruyoshi Sato,Masayuki Kimura,Seung-Min Ryu,Takahiro Yoshii,Jae Woon Kim,Tsubasa Shiratori,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Min Jae SUNG. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Oxide thin film transistor and method for driving the same, display device

Номер патента: US12107089B2. Автор: Huibin Guo,Xibin Shao,Yanping Liao. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Metal-coated, polymer-encapsulated electronics modules and methods for making the same

Номер патента: US12132010B2. Автор: Ming Liu,Anthony M. Coppola,Seongchan Pack. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and mobile phone

Номер патента: US09906205B2. Автор: Atsushi Isobe,Kengo Asai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor ferroelectric device, manufacturing method for the same, and electronic device

Номер патента: US8877521B2. Автор: Hiroshi Tanabe. Владелец: Gold Charm Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Magnetoresistive memory device and method for manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20200083443A1. Автор: Yuichi Ito,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Detection unit, semiconductor film layer inspection apparatus including the same, and semiconductor film layer inspection method using the same

Номер патента: US12032012B1. Автор: Kook Chul Moon. Владелец: En Vigth Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Detection unit, semiconductor film layer inspection apparatus including the same, and semiconductor film layer inspection method using the same

Номер патента: US20240219446A1. Автор: Kook Chul Moon. Владелец: Envigth Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20020173147A1. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Lead component and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US20120248592A1. Автор: Shohei Hata,Kazuma Kuroki,Hiromitsu Kuroda,Yuichi Oda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Resist compound for photolithography, method for forming the same, and method for manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240255849A1. Автор: JINKYUN Lee,Gayoung KIM,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device, particle, and semiconductor device

Номер патента: US20110201193A1. Автор: Fumihiro Bekku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Imaging panel and method for producing same

Номер патента: US20200127055A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947797B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09935163B2. Автор: Binn Kim,Joonsoo HAN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of making liquid crystal display device with oxide thin film transistor

Номер патента: US09847353B2. Автор: Dong Kug KO,Jong Sang PYO,Ji Yong LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Metal oxide thin film transistor having channel protection layer

Номер патента: US09793413B2. Автор: LI ZHANG,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09691799B2. Автор: Sungjin Lee,Moonho Park,Sohyung Lee,YoungJang Lee,KyungMo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor package encapsulated using the same

Номер патента: US09673120B2. Автор: Eun Jung Lee,Sang Jin Kim,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US09634036B1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

P-type zinc oxide thin film, compound semiconductor using the same and method for producing the same

Номер патента: WO2003034510A1. Автор: Jae-min MYOUNG. Владелец: Lim, Yong-Jin. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Production of stamps, masks or templates for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20100129735A1. Автор: Jelm Franse. Владелец: Singulus Mastering BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Piezoelectric ceramic, method for the production thereof and electroceramic component comprising the piezoceramic

Номер патента: US20190140162A1. Автор: Bernhard Doellgast,Markus Puff,Denis Orosel,Michael Schossmann. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Packaging structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307367A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Resist compositions and semiconductor fabrication methods using the same

Номер патента: US20210181628A1. Автор: Tsunehiro Nishi,Hyunwoo Kim,Naoto Umezawa,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US9960260B2. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Bolometer material, bolometer thin film, method for manufacturing bolometer thin film and infrared detecting element using the same

Номер патента: US20030098445A1. Автор: Shoji Miyashita,Hiroko Higuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US20160133729A1. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Mask assembly and organic light emitting display device manufactured using the same

Номер патента: US20190305222A1. Автор: Sungwoo Jung,Soonjung WANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US7838351B2. Автор: Toshiaki Arai,Motohiro Toyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Thin film transistor substrate and display apparatus using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120187406A1. Автор: Chi-Che Tsai,Po-Ching Lin,Wei-Yen WU. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240309127A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same

Номер патента: SG153733A1. Автор: Cong Hai,HU Xiang,Zhou Mei Sheng,Pradeep Yelehanka. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Electron emitting device manufacture method and image display apparatus manufacture method

Номер патента: US20070059439A1. Автор: Yasuko Tomida,Taku Shimoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Electron emitting device manufacture method and image display apparatus manufacture method

Номер патента: US20040022933A1. Автор: Yasuko Tomida,Taku Shimoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Method for manufacturing laser diode chip, optical transmitting/receiving module and method for aligning positions thereof

Номер патента: US20020039805A1. Автор: HONG Jun,Ho Lee,Jun Song,Ki Shin,Bon Koo,Euy Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

DEVICE FOR REACTIVE ION WETING AND COATING AND METHOD FOR USE THEREOF.

Номер патента: DE3674501D1. Автор: Joseph Skinner Logan,Bruce Bumble,Jerome John Cuomo,Steven Mark Rossnagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-10-31.

Thin film manufacturing method, thin film manufacturing device, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: US20130134034A1. Автор: Hironobu Inoue,Hiroaki Yonekura. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Photoelectric assembly, light source pool, photoelectric switching device, and control method for photoelectric assembly

Номер патента: EP4340255A1. Автор: Gang Li,Huan Chen,Zhiyuan Lin,Xiaolu SONG,Xiaofan Wu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Flexible strip heater fabrication method for e.g. earmuff, involves fixing protective sheet to surface of heating element opposite to film, retracting film, and fixing another protective sheet to surface of element opposite to former sheet

Номер патента: FR2899761A1. Автор: Kuo Chang Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-12.

Solid-state thin-film hybrid electrochemical current source

Номер патента: RU2709487C1. Автор: Владимир Александрович Чугунов,Владимир Игоревич МЕЩЕРЯКОВ,Антон Михайлович МАНАХОВ,Николай Анатольевич Погорелов,Арну РУССАУ,Елена Викторовна КОЛЕСНИКОВА. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Финика". Дата публикации: 2019-12-18.

Apparatus and method for regenerating a lead-zirconate-titanate thin film

Номер патента: US20240180038A1. Автор: Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS,Kuan-Ting HO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Manufacturing method for separator of lithium metal secondary battery and lithium metal secondary battery manufactured by using the same

Номер патента: US20230282932A1. Автор: Kuk Young Cho,Jin Sol IM,Jin Hyeok AHN,Ju Yeon IM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability

Номер патента: US5637237A. Автор: Ying Zhang,Marco Haverlag,Gottlieb S. Oehrlein,David Vender. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US20150024300A1. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for estimating reactive ion flux and potential in lithium ion battery

Номер патента: US20240311526A1. Автор: Qixin CHEN,Qing Xia,Yuanbo Chen,Chongqing Kang,Hongye GUO,Yuxuan GU,Kedi ZHENG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-19.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US09825315B2. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2017-11-21.

Oxygen evolution catalyst having core-shell structure including iridium oxide and ruthenium oxide, and method of preparing same

Номер патента: US20240222651A1. Автор: Jong Kil Oh,Duck Hyun KIM,Ye Ji PARK,Kwang Yeol Lee,Dae Yong Son. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of sintered body for electrolyte and electrolyte for fuel cell using the same

Номер патента: US09966624B2. Автор: Jong Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Byung Kook Kim,Hae-Weon Lee,Ji-Won Son,Kyung Joong YOON,Mansoo Park,Hyoungchul Kim,Jongsup Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film structure including metal seed layer and method of forming oxide thin film on transparent conductive substrate by using the metal seed layer

Номер патента: US09595361B2. Автор: Jae-ho Lee,Hyeon-jin SHIN,Seong-Jun Park,Seong-Jun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Particle containing carbon particle, platinum and ruthenium oxide, and method for producing same

Номер патента: US20090068546A1. Автор: Yuko Sawaki,Yoshinori Sato,Yasuo Arishima. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US20180114997A1. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-04-26.

Energy conversion device and method of forming the same

Номер патента: US10637088B2. Автор: Pei-Chen Su,Jong Dae Baek,Yong Jin Yoon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-28.

Energy conversion device and method of forming the same

Номер патента: WO2016190813A1. Автор: Pei-Chen Su,Jong Dae Baek,Yong Jin Yoon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-01.

Energy conversion device and method of forming the same

Номер патента: US20180159162A1. Автор: Pei-Chen Su,Jong Dae Baek,Yong Jin Yoon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-07.

Organic shrink-proofing agent for lead acid storage batteries, and method for producing same

Номер патента: EP4120400A1. Автор: Yoshito Nishimori,Hiroki Shindo,Hikaru AIMI. Владелец: Nippon Paper Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Organic expander for lead storage batteries, and method for producing same

Номер патента: US20230038014A1. Автор: Yoshito Nishimori,Hiroki Shindo,Hikaru AIMI. Владелец: Nippon Paper Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for manufacturing adsorption electrode and adsorption electrode manufactured using the same

Номер патента: US20200075927A1. Автор: Jaehan Lee,Seoni Kim,Jiho LEE,Jeyong Yoon,Sungpil HONG,Hansun YOON. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-05.

Magnetic device manufacturing method

Номер патента: US20100308012A1. Автор: Tadashi Yamamoto. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Environmentally benign lead zirconate titanate ceramic precursor materials

Номер патента: US20050168916A1. Автор: Thomas Dougherty,John Drab. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2005-08-04.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and apparatus for fabricating devices with dc bias-controlled reactive ion etching

Номер патента: CA1211867A. Автор: Frederick Vratny,King L. Tai. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1986-09-23.

Method for manufacturing resistive films by magnetron sputtering

Номер патента: RU2658310C1. Автор: Андрей Викторович Мороз,Елена Андреевна Рыжова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2018-06-20.

Mold and method for manufacturing the same

Номер патента: US10363687B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Kazuya Yamamoto. Владелец: Nalux Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Anode plate for a parallel-plate reactive ion etching reactor

Номер патента: US4810322A. Автор: George M. Gut,Steven E. Monahan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film

Номер патента: US20050167592A1. Автор: Sung Moon,Hyun-Joon Shin,Yong-Hee Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Reactive ion etching of soft-magnetic substrates

Номер патента: US4439294A. Автор: Thijs W. Bril,Willibrordus G. M. van den Hoek. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Method for fabricating Bi thin film and device using the same

Номер патента: US20040179309A1. Автор: Woo Lee,Kwan Lee,Joon Chang,Suk Han,Hi Kim,Kyoung Lee,Kyung Shin,Dal KIM,Min Jeun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-16.

Metal oxide thin film, organic electroluminescence element including the thin film, solar cell, and thin film fabrication method

Номер патента: US12100529B2. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Setsuro Ito,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa,Katsuro Hayashi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-09-24.

Thin film for optical applications, light-emitting structure using the same and the fabrication method thereof

Номер патента: WO2003065092A1. Автор: Se-Young Seo,Jung-Hoon Shin,Hak-Seung Han. Владелец: Luxpert Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-08-07.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: EP2789026A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Photosensitive resin multilayer body and method for producing same

Номер патента: US20240059803A1. Автор: Takayuki Matsuda,Kazuya Naito,Naohiro Murata. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for enhancing the performance of pentacene organic field-effect transistor and the structure of pentacence organic field-effect transistor

Номер патента: US11980042B2. Автор: JIANG Yin,Zhiguo Liu,Yiru WANG,Limin Kang,Yidong Xia. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-07.

Remaining lifetime estimation method for electronic power converters

Номер патента: WO2023208893A1. Автор: Joost Johan VAN STRAALEN,Junnan XU. Владелец: Prodrive Technologies Innovation Services B.V.. Дата публикации: 2023-11-02.

Flexible strip heater fabrication method for e.g. earmuff, involves fixing protective sheet to surface of heating element opposite to film, retracting film, and fixing another protective sheet to surface of element opposite to former sheet

Номер патента: DE102006049210B3. Автор: Kuo-Chang Chuang. Владелец: LinkWin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-10.

A method for preparing a mo-mof-derived mos2 rod-like structure composite b-doped g-c3n4 thin film photocatalyst

Номер патента: ZA202400846B. Автор: Jian Wang,Yiming Liu,Wanggang Zhang,huichuan Huang,Shaofei Ye. Владелец: Fujian Lang Mang Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Preparation Method for Fluorine- and Chlorine-Containing Conductive Polymer Resin and Single- or Double-Sided Filled Composite Thin Film Prepared Using Same and the Preparation Method Therefor

Номер патента: US20200131290A1. Автор: Ying Yang,Huisheng Wu. Владелец: Zhejiang Hyproof Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Preparation method for fluorine- and chlorine-containing conductive polymer resin and single- or double-sided filled composite thin film prepared using same

Номер патента: GB2575951A8. Автор: Yang Ying,Wu Huisheng. Владелец: Zhejiang Hyproof Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for the creation of shaped plastic lenses from flat substrates through the application of a thin film coating

Номер патента: WO2010085330A1. Автор: Jeff Pool. Владелец: OCEAN THIN FILMS, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11877519B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Zhiwen ZOU,Huiqun REN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Lead-zirconate-titanate ceramic having texturing, method for the production of the ceramic, and use of the ceramic

Номер патента: US20100180867A1. Автор: Carsten Schuh,Thomas Richter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2010-07-22.

Transparent laminated film and method for producing the same

Номер патента: US20140193592A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Tetsuji Narasaki,Hiroki Inagaki,Yoshihiro Tokunaga,Masataka Inuzuka. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Surface acoustic wave device and method of producing the same

Номер патента: US20020003459A1. Автор: Hiroaki Iijima,Hiromi Yatsuda,Nobuhiro Mineshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Lead Zirconate Titanate with Iron/Tungstein Doping, Method of Producing a Piezoceramic Material with the Lead Zirconate Titanate, and Use of the Piezoceramic Material

Номер патента: US20080282536A1. Автор: Carsten Schuh,Katrin Benkert,Stefan Denneler,Francois Bamiere,Morgane Radanielina. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-11-20.

Droplet-ejecting head, method for manufacturing droplet-ejecting head, and droplet-ejecting apparatus

Номер патента: US8491102B2. Автор: Koji Ohashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Aqueous solution precursors for making oxide thin films, and composition and method for making conductive oxide thin films therefrom

Номер патента: EP3983573A1. Автор: Douglas A. Keszler,Cory K. Perkins. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2022-04-20.

Aqueous solution precursors for making oxide thin films, and composition and method for making conductive oxide thin films therefrom

Номер патента: WO2020257254A1. Автор: Douglas A. Keszler,Cory K. Perkins. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2020-12-24.

Liquid ejecting head and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080239017A1. Автор: Koji Sumi,Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator

Номер патента: US20050168110A1. Автор: Masaki Takeuchi,Daisuke Nakamura,Tadashi Nomura,Takashi Hayashi,Hajime Yamada,Yukio Yoshino,Hideki Kawamura,Hiroyuki Fujino,Ken-Ichi Uesaka,Yoshimitsu Ushimi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Coating compositions processes for depositing the same and articles resulting therefrom

Номер патента: GB1513237A. Автор: . Владелец: Kkf Corp. Дата публикации: 1978-06-07.

Dielectric thin film device with lead erbium zirconate titanate

Номер патента: US5578845A. Автор: Yoshiyuki Masuda,Noboru Ootani,Yasushi Ogimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Lead zirconate titanate type composition, process for producing the same, piezoelectric body, and piezoelectric device

Номер патента: US20070197370A1. Автор: Takashi Nakamura,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: EP4207252A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: US20230345840A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12075707B2. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Heterojunction semiconductor substrate with excellent dielectric properties, method of manufacturing the same and electronic device using the same

Номер патента: US20240180041A1. Автор: Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Ji-Soo Jang,Soo Young Jung,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Hyun-Cheol SONG,Sunghoon Hur. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: EP1342820A4. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-05-21.

Substrate for diaphragm-type resonant mems devices, diaphragm-type resonant mems device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160107880A1. Автор: Takahiro Sano,Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: US20040127064A1. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,Yoshiko Ihara,Hideyo Ihara,Hidetaka Ihara,Gen-Ei Ihara,Chiaki Ihara,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-07-01.

Heterojunction semiconductor flexible substrate, manufactring method thereof, and electronic device using the same

Номер патента: US20240180043A1. Автор: Ji-Won Choi,Min Seok Kim,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Ji-Soo Jang,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Hyun-Cheol SONG,Sunghoon Hur. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-30.

Nickel-Molybdenum-Doped Lead Zirconate Titanate, Method for the Production of a Piezoceramic Component Using Said Lead Zirconate Titanate, and Use of the Piezoceramic Component

Номер патента: US20080245991A1. Автор: Carsten Schuh,Katrin Benkert,Stefan Denneler,Francois Bamiere,Morgane Radanielina. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Nickel-molybdenum-doped lead zirconate titanate, method for the production of a piezoceramic component using said lead zirconate titanate, and use of the piezoceramic component

Номер патента: US8021568B2. Автор: Carsten Schuh,Katrin Benkert,Stefan Denneler,Francois Bamiere,Morgane Radanielina. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-09-20.

Method of growth of lead zirconate titanate single crystals

Номер патента: EP2925914A2. Автор: Vincent FRATELLO. Владелец: Quest Integrated Inc. Дата публикации: 2015-10-07.

Method for etching magnetic tunnel junction

Номер патента: US12035633B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20120199836A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8742409B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8253133B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-28.

Light-emitting organic nanoparticles, composition for color conversion film including the same, and color conversion film, display device, and light-emitting diode device manufactured using the same

Номер патента: US20240247186A1. Автор: Sung Ho Kim,Jang Hyuk Kwon,Young Hun Jung,Mi Young Chae,Gyeong Min Ki,Kang II Seo. Владелец: Nd Materials Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230380293A1. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11770977B2. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Piezoelectric ceramic composition, buzzer and actuator using the same

Номер патента: US6280650B1. Автор: Tomoyuki Ogawa,Katsuhiro Horikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-28.

Uniformly distributed lead zirconate titanate strain sensor

Номер патента: US8174166B1. Автор: Derke R. Hughes,Dennis F. Desharnais,Jeffrey T. Feaster. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2012-05-08.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Semiconductor manufacturing apparatus, gas supplying method using the same, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20240124979A1. Автор: Suji Gim,Hanhim Kang,Chan Kyu LIM,Yoonbon Koo,Jongkoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for Enhanced Nuclear Reactions

Номер патента: US20200090822A1. Автор: Shui Yin Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for enhanced nuclear reactions

Номер патента: WO2020205294A3. Автор: Shui Yin Lo. Владелец: Shui Yin Lo. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for enhanced nuclear reactions

Номер патента: WO2020205294A2. Автор: Shui Yin Lo. Владелец: Shui Yin Lo. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for producing magnetic recording media

Номер патента: US4876113A. Автор: Tadashi Yasunaga,Koji Sasazawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-10-24.

Systems and methods for manufacturing sintered metals

Номер патента: US11919077B2. Автор: Jeffrey Grossman,Nicola Ferralis,Xining Zang,Cuiying Jian,Kiera Y. Tai. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for the concentration and separation of sterols

Номер патента: US6160143A. Автор: Perry Alasti. Владелец: Artisan Industries Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Method for producing high purity nickle, high purity nickle, sputtering target comprising high purity nickel, and thin film formed by using said spattering target

Номер патента: US20040069652A1. Автор: Yuichiro Shindo,Kouichi Takemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Method for producing a particulate carrier material provided with elementary silver and elementary ruthenium

Номер патента: US20230392263A1. Автор: Richard Walter,Michael Gock,Marcel BÄUML,Eva KARTE. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for controlling magnetic multi-domain state

Номер патента: US09779836B2. Автор: Ming Liu,Shibing Long,Chong BI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing transition metal chalcogenide and transition metal chalcogenide prepared thereby

Номер патента: US20220010456A1. Автор: Sung-Yool Choi,Gi Woong SHIM,Woonggi HONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for displaying a display panel

Номер патента: US20200258461A1. Автор: Yunlong GUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7113661B2. Автор: Yasuyuki Arai,Mai Akiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-26.

Metal nanoparticle composite and method for producing the same

Номер патента: US09598553B2. Автор: Norihiro Yoshida,Takao NISHIURA. Владелец: Maruzen Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

System and method for simultaneously measuring lubricant thickness and degradation, thin film thickness and wear, and surface roughness

Номер патента: US6031615A. Автор: Steven W. Meeks,Rusmin Kudinar,Ronny Soetarman. Владелец: Candela Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-29.

Large scale high resolution liquid crystal display and method for production thereof

Номер патента: CA1241726A. Автор: Donelli J. Di Maria,Hans P. Wolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Barrier dispenser and method of using the same

Номер патента: US11291518B2. Автор: Richard Alan Swartzbaugh,Norman Tien-Yo Chien,Harvey Allan Bogarat,Barry Ray Hix,Michael Douglas Plaut,Mitchell Edward Skroski. Владелец: Sano Curatio LLC. Дата публикации: 2022-04-05.

Processes for separation of aromatic compounds using a thin film composite membrane

Номер патента: US20200238224A1. Автор: Sudipto Majumdar,Ning Shangguan,Kenneth Evan LOPRETE,Robert Daniel LOUSENBERG. Владелец: Compact Membrane Systems Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for displaying a display panel

Номер патента: US10896651B2. Автор: Yunlong GUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Preparation Method for Fluorine- and Chlorine-Containing Conductive Polymer Resin and Single- or Double-Sided Filled Composite Thin Film Prepared Using Same and the Preparation Method Therefor

Номер патента: US20200131290A1. Автор: Yang Ying,Wu Huisheng. Владелец: Zhejiang Hyproof Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD FOR PREPARING SUPER-LUBRICATIVE MULTI-LAYER COMPOSITE FULLERENE-LIKE CARBON LAYER/GRAPHENE-LIKE BORON NITRIDE THIN FILM

Номер патента: US20200299828A1. Автор: Zhang Bin,Zhang Junyan,QIANG LI,ZHANG Xingkai,YU Yuanlie,Gao Kaixiong. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Method for quantitatively detecting oxygen octahedron rotation and charge density wave lattice distortion of perovskite-like thin film

Номер патента: CN111829987A. Автор: 曹慧,翟晓芳,刘其鑫. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for quantitatively detecting oxygen octahedron rotation and charge density wave lattice distortion of perovskite-like thin film

Номер патента: CN111829987B. Автор: 曹慧,翟晓芳,刘其鑫. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2021-05-07.

Preparation method for fluorine- and chlorine-containing conductive polymer resin and single- or double-sided filled composite thin film prepared using same and the preparation method therefor

Номер патента: WO2018192368A1. Автор: 杨颖�,吴慧生. Владелец: 浙江汉丞科技有限公司. Дата публикации: 2018-10-25.

Preparation method for fluorine- and chlorine-containing conductive polymer resin and single- or double-sided filled composite thin film prepared using same.

Номер патента: GB201916736D0. Автор: . Владелец: Zhejiang Hyproof Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-01.

Method for an electroluminescent touch display and an electroluminescent touch display

Номер патента: US20240061526A1. Автор: Jussi PIRKKALANIEMI. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2024-02-22.

IMPRINT METHODS FOR FORMING A PATTERN OF AN IMPRINT MATERIAL ON A SUBSTRATE-SIDE PATTERN REGION OF A SUBSTRATE BY USING A MOLD, AND RELATED DEVICE MANUFACTURING METHODS

Номер патента: US20200249569A1. Автор: Hasegawa Noriyasu,Tanaka Yusuke,Murakami Yosuke,Torii Hirotoshi,Hayashi Tatusya. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Device and method for temperature correction using a proximity sensor in a non-contact thermopile thermometer

Номер патента: WO2016145319A1. Автор: Janice C. Lee,Cheng-Wei Pei,David Pecoraro. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

Organic treatment solution for patterning of chemically amplified resist film, container for organic treatment solution for patterning of chemically amplified resist film, and pattern formation method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: EP2927749A1. Автор: Tsukasa Yamanaka,Takashi Kawamoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-10-07.

Method for edge bias correction of topography-induced linewidth variation

Номер патента: US20030018443A1. Автор: James Bruce,Orest Bula,Edward Conrad,William Leipold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Method for producing dehydrating sheet

Номер патента: US20090152758A1. Автор: Katsunori Saito,Kazuma Adachi,Toshinori Inomata. Владелец: Okamoto Industries Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Method and use related to a film and a film

Номер патента: US20240158914A1. Автор: Paloma Ruiz,Ville Malinen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-05-16.

CATALYST SYSTEM FOR THE POLYMERIZATION OF C2 TO C12 ALQU-1-ENOS, METHOD FOR THE PREPARATION OF POLYMERS THAT USE IT, POLYMERS OBTAINED THROUGH SUCH METHOD, ITS APPLICATION AND FIBERS, FILMS AND PARTS CONFORMED WITH THEM

Номер патента: AR010465A1. Автор: . Владелец: Basf Ag. Дата публикации: 2000-06-28.

Bimodal polyethylene homopolymer compounding, methods for making the bimodal polyethylene homopolymer compounding, for making an article of manufacture, for making an extruded film, and for protecting a moisture-sensitive and/or oxygen-sensitive material, formulation, article of manufacture, film Extruded and sealed packaging

Номер патента: BR112022004186A2. Автор: Nitin Borse,F Szul John,L Kuhlman Roger,A Bafna Ayush,B Chandak Swapnil,D Lester Charles,D Wieliczko Joel,C He Chuan. Владелец: Univation Tech Llc. Дата публикации: 2022-05-31.

Method for producing PVA-SPTES, the PVA-SPTES film thereby, electroactive polymer actuator based on the PVA-SPTES film, and method for fabricating the actuator

Номер патента: KR101172427B1. Автор: 오일권,왕선륜,성태홍. Владелец: 전남대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-08-10.

Silicon-containing polymer, film-forming composition, method for supporting metal compound on surface of object to be treated, article having metal compound-supporting coating film, and method for producing silicon-containing polymer

Номер патента: WO2020235325A1. Автор: 国宏 野田,大 塩田,武広 瀬下,篤史 山之内. Владелец: 東京応化工業株式会社. Дата публикации: 2020-11-26.

Manufacturing method, for anti-graffiti and anti-poster panel for covering garbage container, involves covering metal sheet with patterned film, and folding sheet to form grooves

Номер патента: FR2799488A1. Автор: Norbert Asselin. Владелец: CISABAC. Дата публикации: 2001-04-13.

Silicon-containing polymer, film-forming composition, method for supporting metal compound on surface of object to be treated, article having metal compound-supporting coating film, and method for producing silicon-containing polymer

Номер патента: EP3957678B1. Автор: Atsushi Yamanouchi,Takehiro Seshimo,Kunihiro Noda,Dai Shiota. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

A method for producing a sensitive light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, a resist film, and an electronic device.

Номер патента: JP7096892B2. Автор: 敬充 冨賀,英明 椿,直也 畠山,耕平 東,康智 米久田. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Methods for synthesizing two-dimensional or quasi-two-dimensional polymer films, two-dimensional or quasi-two-dimensional polymer films and uses

Номер патента: KR20220047270A. Автор: 신리앙 펑,렌하오 동,케준 리우. Владелец: 테크니셰 유니베르시테트 드레스덴. Дата публикации: 2022-04-15.

METHOD FOR REMOVING FATS, OILS AND COOKING EFFLUENTS FROM AN EXHAUST EXHAUST SYSTEM, DETACHABLE COATING COMPOSITION, CONTINUOUS DETACHABLE FILM, AND, HOOD EXHAUST SYSTEM

Номер патента: BR112017026964B1. Автор: Steve Kritzler,Andrey Vegera. Владелец: Novapharm Research (Australia) Pty Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Method for protecting write head coil during write pole notching using ion mill resistant mask formed by reactive ion etching

Номер патента: US20060156537A1. Автор: Aron Pentek,David Druist. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-07-20.

METHOD FOR EXTRACTING RUTHENIUM FROM IRRADIATED TECHNETIUM REPRESENTING ALLOY OF TECHNETIUM AND RUTHENIUM Tc-Ru

Номер патента: RU2400549C1. Автор: Константин Владиславович Ротманов,Вячеслав Михайлович Радченко,Лидия Сергеевна Лебедева. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2010-09-27.

Nanocomposite dielectric film material for energy storage prepared by vertical self-assembly of lead zirconate titanate and magnesium oxide, and preparation method thereof

Номер патента: US20240191339A1. Автор: Weiwei Li,Yajing Liu. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing a magnetic write head having a hard mask defined write pole trailing edge step

Номер патента: US20100155367A1. Автор: Yi Zheng,Sue Siyang Zhang,Aron Pentek. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for implanted-ion assisted growth of metal oxide nanowires and patterned device fabricated using the method

Номер патента: US09725801B2. Автор: Jungwook CHOI,Jongbaeg Kim,Hyungjoo NA,Kyoung Hoon Lee,Dae-Hyun BAEK,Jaesam SIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing a magnetic write pole of a perpendicular magnetic write head using novel mask fabrication

Номер патента: US20130081263A1. Автор: Yi Zheng,Sue Siyang Zhang,Guomin Mao. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2013-04-04.

Method for manufacturing a magnetic write pole of a perpendicular magnetic write head using novel mask fabrication

Номер патента: US8646168B2. Автор: Yi Zheng,Sue Siyang Zhang,Guomin Mao. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-02-11.

Micromachined device for receiving and retaining at least one liquid droplet, method of making the device and method of using the device

Номер патента: EP1353751A2. Автор: Robert W. Hower,Richard B. Brown. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2003-10-22.

Laminate and method for producing laminate

Номер патента: US11396167B2. Автор: Toshiya Ishii,Miki Fukugami,Tomoko OOKI. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Layered body and manufacturing method for layered body

Номер патента: EP3747651A1. Автор: Toshiya Ishii,Miki Fukugami,Tomoko OOKI. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Laminate and method for producing laminate

Номер патента: US20200346443A1. Автор: Toshiya Ishii,Miki Fukugami,Tomoko OOKI. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Processor that has its operating frequency controlled in view of power consumption during operation and semiconductor device including the same

Номер патента: US09829952B2. Автор: Se-Ho Kim,Young-Gwan Kim,Chan-Wook Park,Jung-min Oh,Taek-Hyun Kim,I-Saac Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Cellulose-fiber dispersion polyethylene resin composite material, formed body and pellet using same, production method therefor, and recycling method for cellulose-fiber adhesion polyethylene thin film piece

Номер патента: US20210139664A1. Автор: Toshihiro Suzuki,Hidekazu Hara,Jirou HIROISHI,Yuka SAWADA,Masami TAZUKE,Shingo Mitsugi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Film having low refractive index film and method for producing the same, anti-reflection film and method for producing the same, coating liquid set for low refractive index film, substrate having microparticle-laminated thin film and method for producing the same, and optical member

Номер патента: MY192479A. Автор: Nobuaki Takane,Masato Nishimura,Tomomi Kawamura. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Thin film bonding method and optical disk bonding method and apparatus using the same

Номер патента: US20020100543A1. Автор: Myong KIM,Tae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-08-01.

Silica sol, silica aerogel blanket manufactured using same, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4424637A2. Автор: Sang Woo Park,Se Won BAEK,Sung Min YU,Mi Ri Kim,Hyun Woo Jeon,Kyu Reon Lee,Bong June KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for manufacturing porous graphene filter, porous graphene filter manufactured using same, and filter apparatus using porous graphene filter

Номер патента: US09981212B2. Автор: Hee-Yeon Kim,Guk-Hyeon Kwon. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for separating ruthenium from concentrates containing precious metals

Номер патента: RU2758957C1. Автор: Виктор Дмитриевич Ильяшевич,Наталья Георгиевна Корицкая. Владелец: Открытое акционерное общество "Красноярский завод цветных металлов имени В.Н. Гулидова". Дата публикации: 2021-11-03.

Method of forming a layer of silica to be eliminated subsequently and method for mounting an integrated optical component

Номер патента: US5736429A. Автор: Estelle Derouin,Claude Artigue,Denis Tregoat,Frederic Pommereau. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1998-04-07.

Silica sol, silica aerogel blanket manufactured using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240228304A1. Автор: Sang Woo Park,Se Won BAEK,Sung Min YU,Mi Ri Kim,Hyun Woo Jeon,Kyu Reon Lee,Bong June KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Carbon Dioxide Methanation Catalyst Molded Body and Method for Producing the Same

Номер патента: US20240181435A1. Автор: Hirofumi Ohtsuka,Shimpei NORIOKA,Akio Hirayama. Владелец: Osaka Gas Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor process wastewater treatment system and semiconductor process wastewater treatment method using the same

Номер патента: US11760674B2. Автор: Soyoun KIM,Chanhyuk Park,Sehyuk AHN,Minju CHA. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20120031331A1. Автор: Takashi Nakao,Ichiro Mizushima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Air bearing surface of thin-film magnetic head slider and method of processing the same

Номер патента: US7554770B2. Автор: Shinichi Tanaka,Atsushi Tondokoro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

A reactive ion etching process

Номер патента: EP1166341A1. Автор: James Ronald Bonar,Michael George Jubber,James Stewart Aitchison,Paulo Vicente Da Silva Marques,Andrew James Mclaughlin,Jesus Miguel Ruana-Lopez,Christopher D. W. The Unv. CourtUnv. Wilkinson. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2002-01-02.

Method for manufacturing fine surface roughness on quartz glass substrate

Номер патента: US20220315482A1. Автор: Kazuya Yamamoto,Kenji Tanibe. Владелец: Nalux Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Pzt amorphous alloy plating solution and method for plating a pzt amorphous alloy using the same

Номер патента: US20170260640A1. Автор: Seungjin LEE,Changhyeok Bang,Daeyeong Yun. Владелец: Befs Co ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

PZT amorphous alloy plating solution and method for plating a PZT amorphous alloy using the same

Номер патента: US09909225B2. Автор: Seungjin LEE,Changhyeok Bang,Daeyeong Yun. Владелец: Befs Co ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing pyrolyzed lenses for x-ray radiation

Номер патента: RU2756103C1. Автор: Маргарита Ильгизовна Шарипова,Александр Кириллович Петров,Андрей Анатольевич Федянин,Владимир Олегович Бессонов,Ксения Александровна Абрашитова,Тигран Григорьевич Балуян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова» (МГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method

Номер патента: AU4047500A. Автор: Boris L. Druz,Danielle S. Hines,John F. Londono,Kurt E. Williams. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing thermochromic film, thermochromic film manufactured using the same, and smart window including the thermochromic film

Номер патента: US20240042485A1. Автор: Yoonjoo CHOI,Taejong PAIK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-02-08.

Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator

Номер патента: US20140175053A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hironori Araki,Shigeki Tanemura,Hiroyuki Ito. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Preparation method for multi-layer metal oxide porous film nano gas-sensitive material

Номер патента: US09816176B2. Автор: Pingping Zhang,Shumin Zhang,Xuhui Sun. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for processing silicon substrate

Номер патента: US09511588B2. Автор: Masataka Kato,Hiroshi Higuchi,Toshiyasu Sakai,Masaya Uyama,Seiko Minami,Yoshinao Ogata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Alpha gallium oxide thin-film structure having high conductivity obtained using selective area growth in hvpe growth manner and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240158953A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK,Jae-Kyoung Mun. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-05-16.

Oxide thin film for a bolometer, process for producing the same, and infrared sensor using the same

Номер патента: US20030025079A1. Автор: Tsutomu Yoshitake,Hideto Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Component especially for horology with surface topology and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200371477A1. Автор: Marco Verardo,Christian Charbon. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2020-11-26.

Thin films and a method for making the same

Номер патента: US20190049629A1. Автор: Douglas A. Keszler,Juan Carlos Ramos,Cory K. Perkins,Ryan Helmut Mansergh. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for switching memory resistance by near-infrared laser beam

Номер патента: US09859001B2. Автор: Jihoon Kim,YongWook LEE. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2018-01-02.

Air bearing surface of thin-film magnetic head slider and method of processing the same

Номер патента: US20070030598A1. Автор: Shinichi Tanaka,Atsushi Tondokoro. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for manufacturing diffraction grids

Номер патента: RU2642139C1. Автор: Ярослав Константинович Лукашевич,Михаил Юрьевич Знаменский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО"). Дата публикации: 2018-01-24.

Electrolytic method for producing ammonia

Номер патента: RU2686465C2. Автор: Эгилль СКУЛАСОН. Владелец: Хасколи Айлэндз. Дата публикации: 2019-04-26.

Deep reactive ion etching process for fluid ejection heads

Номер патента: US11746005B2. Автор: David L. Bernard. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Sputtering Target of Sintered Ti-Nb Based Oxide, Thin Film of Ti-Nb Based Oxide, and Method of Producing The Thin Film

Номер патента: US20140023868A1. Автор: Masataka Yahagi,Hideo Takami. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2709599C1. Автор: Денис Валерьевич Кузнецов,Игорь Николаевич Бурмистров,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Илья Анатольевич Плугин,Анна Ивановна Позняк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-12-18.

Manufacturing method of zinc oxide nanorod arrays and nanorod arrays made by the same and semiconductor device using the same

Номер патента: WO2014182129A1. Автор: Jong Lam Lee,Sung Joo Kim,Buem Joon Kim. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-13.

Method of manufacturing thin film polarizer, and thin film polarizer and polarizing plate manufactured using the same

Номер патента: US09645293B2. Автор: Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu,Sung Hyun Nam. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Composition for depositing antimony-containing thin film and method for manufacturing antimony-containing thin film using the same

Номер патента: US20230203655A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Novel organotin silicate compounds, preparation methods thereof and photoresist composition containing the same

Номер патента: US20240228518A1. Автор: Hyun Tae Jung,Hyun Dam Jeong,Seung Hwan KANG,Ji Young Bang,Yu Sun WON. Владелец: JSI SILICONE CO. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US10583452B2. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US20180078966A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

Gene delivery stent using titanium oxide thin film coating and method for fabricating the same

Номер патента: US09974889B2. Автор: Young Keun Ahn,Myung Ho Jeong,Dong Lyun Cho,Jin Sook Kwon,Sun Jung Song. Владелец: CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY HOSPITAL. Дата публикации: 2018-05-22.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Amino-silyl amine compound, method for preparing the same and silicon-containing thin-film using the same

Номер патента: US09586979B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

CVD thin film compounds

Номер патента: US5104690A. Автор: Anton C. Greenwald. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

Method for defect reduction in magnetic write head fabrication

Номер патента: US20140217060A1. Автор: Aron Pentek,Guomin Mao,Xiaoye Zhao,Satyanarayana Myneni. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods for producing metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane assembly, and fuel cell

Номер патента: WO2008114126A2. Автор: Naoki Ito,Yasuyuki Matsumura,Kazuya Matsui. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2008-09-25.

Driver for driving display panel and method for reading / writing in memory thereof and thin film transistor liquid crystal display using the same

Номер патента: US20080170050A1. Автор: Heng-Sheng Chou,Chun-Hung Huang,Ying-Chi Wang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-07-17.

Curable organopolysiloxane composition for forming film and production method for organopolysiloxane cured product film

Номер патента: US12122935B2. Автор: Hiroshi Fukui,Takeaki Tsuda,Hua Ren. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Fluid supplying apparatus and system and method for cleaning thin film using the same

Номер патента: US09943887B2. Автор: Ye-Hoon Im,Kyoung-Hoon Min,Jae-Min Kim,Chae-Ho Chung,Do-Ki Chang,Ki-Kyo Yeom,Won-Chan Park,Young Ju SEO. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for fabricating nanopatterned substrates

Номер патента: WO2023237569A1. Автор: Parvaneh Mokarian. Владелец: The Provost, Fellows, Scholars And Other Members Of The Board Of Trinity College Dublin. Дата публикации: 2023-12-14.

Automated simulation method based on database in semiconductor design process, automated simulation generation device and semiconductor design automation system performing the same, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240142960A1. Автор: Jinwoo Park,Jaehoon Jeong,Songyi Han,Jiseong Doh,Yero Lee,Hyeonkyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film and pattern forming method using the same, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013180314A1. Автор: Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Takeshi Kawabata,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-12-05.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Method for preparing alignment film, method for implementing orientation, and liquid crystal display device

Номер патента: US9207497B2. Автор: Wei Li,Ang Xiao,Kaixuan Wang,Hongliang Yuan. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Systems and methods for creating mems gyros

Номер патента: EP1850090A3. Автор: Paul W Dwyer,Peter L Cousseau. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2010-09-22.

Systems and methods for creating mems gyros

Номер патента: US20070254396A1. Автор: Paul Dwyer,Peter Cousseau. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Sputtering target of multi-component single body and method for preparation thereof, and method for producing multi-component alloy-based nanostructured thin films using same

Номер патента: US20160068943A1. Автор: JU Hyun Sun,Chang Hun Lee,Seung Yong Shin,Jung Chan Bae,Kyoung Il Moon. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-03-10.

Thin film deposition apparatus with an expanding thermal plasma source and method for depositing a thin film using the same

Номер патента: US8609556B2. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2013-12-17.

Thin Film Forming Sputtering Target, Dielectric Thin Film, Optical Disc and Production Method Therefor

Номер патента: US20080271988A1. Автор: Yasuo Hosoda,Takashi Ueno,Takanobu Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

X-ray exposure method and semiconductor device manufactured using this X-ray exposure method as well as X-ray mask, X-ray exposure unit and resist material

Номер патента: US20030174805A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenji Itoga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US12100465B2. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Laser control structure and laser bonding method using the same

Номер патента: US20220402070A1. Автор: Ki Seok Jang,JiHo JOO,Kwang-Seong Choi,Yong Sung Eom,Seok-Hwan Moon,Gwang-Mun Choi,Chanmi LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-12-22.

Thin film type controlled viewing window back light unit and thin flat type controlled viewing window display using the same

Номер патента: US09910208B2. Автор: Friedrich-Karl Bruder,Hyungseok Bang,Rainer Hagen,Günther Walze,Thomas Peter FACKE,Seungman Ryu. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Liquid crystal display device and semiconductor device

Номер патента: US09709861B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for acoustic manipulation of particles in standing wave fields

Номер патента: RU2708048C2. Автор: Барт ЛИПКЕНС,Бен РОСС-ДЖОНСРУД,Евгения ЗАБОЛОЦКАЯ,Юрий ИЛЬИНСКИЙ. Владелец: Флодизайн Соникс, Инк.. Дата публикации: 2019-12-03.

Method of producing piezoceramic material based on lead zirconate-titanate

Номер патента: RU2633935C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Светлана Николаевна Свирская,Александр Владимирович Нагаенко,Егор Владимирович Карюков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2017-10-19.

Medical products with uniform density of electric charge and methods for production thereof

Номер патента: RU2601454C2. Автор: Зохра ФАДЛИ,Джеймс Д. ФОРД,Скотт Л. ДЖОСЛИН,Шивкумар МАХАДЕВАН,Эрик ДЖОРДЖ,Куниси ВЕНКАТАСУББАН,Томас МЭДЖИО,Чарльз СКЕЙЛС,Кэрри Л. ДЭВИС,Лиа ХАНСЕН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for obtaining solution functional ink for the formation of films based on silver

Номер патента: RU2765126C1. Автор: Иван Александрович Волков,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко,Иван Сергеевич Власов,Татьяна Леонидовна Симоненко,Филипп Юрьевич Горобцов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2022-01-25.

METHOD FOR OBTAINING FERROELECTRIC FILMS Ba1-XSrXTiO3

Номер патента: RU2671614C1. Автор: Андрей Вилевич Тумаркин,Андрей Анатольевич Одинец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2018-11-02.

Method for etching a workpiece

Номер патента: US7479235B2. Автор: Simone Guerriero. Владелец: Ahead Magnetics Inc. Дата публикации: 2009-01-20.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Thermoplastic resin composition, method for producing same, and molded article produced therefrom

Номер патента: EP4332163A1. Автор: Seyong Kim,Min Jung Kim,Bong Keun Ahn,Jangwon PARK,Jiyoon JEON,Eunji Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Multilayer film optical filter, method of producing the same, and optical component using the same

Номер патента: EP1333298A3. Автор: Hitoshi Alps Electric Co. Ltd. Kitagawa,Takashi Alps Electric Co. Ltd. Hatanai,Yuichi Alps Electric Co. Ltd. Umeda,Shigefumi Alps Electric Co. Ltd. Sakai. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-13.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of designing and manufacturing cam device and three-dimensional design-support computer program for the same

Номер патента: US20110202158A1. Автор: Satoshi Nakamura,Hiroyoshi Kako,Akihito Ishizaka. Владелец: Sankyo Oilless Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Pigment dispersion composition, red colored composition, colored curable composition, color filter for a solid state imaging device and method for producing the same, and solid state imaging device

Номер патента: US20110294050A1. Автор: Hideki Takakuwa,Nobuo Seto,Hiroshi Taguchi,Masahiro Higashi,Kazuya Oota,Kaoru Aoyagi,Toshihito Kuge. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Remediation of all diseases caused by radiation related reactive ion species are all correctable by h2s - so2 generated by fda-sts sodium thiosulfate, na2s203

Номер патента: US20240216422A1. Автор: Frederick J. Sawaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Exhaust gas-purification catalyst having multi-layer structure including precious metal thin layer as top layer, and method for producing same

Номер патента: US12097483B2. Автор: Sang-Yun Han,Seung Chul Na,Do-Kyun Lee. Владелец: Heesung Catalysts Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Input/output panel, input/output device, and semiconductor device

Номер патента: US20240310938A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor thin film manufacturing method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4315742B2. Автор: 博之 藤原,光彦 荻原,一松 安孫子,昌明 佐久田. Владелец: 株式会社沖デジタルイメージング. Дата публикации: 2009-08-19.

Thin film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4966899B2. Автор: 秀昭 座間,道夫 石川. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

Nitride compound semiconductor etching method and semiconductor light emitting device manufacturing method

Номер патента: JP3931777B2. Автор: 清司 大仲,明彦 石橋,正也 萬濃,敏哉 福久. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

Thin film membrane structure and semiconductor thin film gas sensor

Номер патента: JP5152271B2. Автор: 秀哉 山寺,憲昭 杉本,恭行 景山. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Thin film forming method and semiconductor device

Номер патента: JP4600427B2. Автор: 直紀 保田,輝彦 熊田,英治 信時. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

Thin-film silicon diode and semiconductor device

Номер патента: JPH10163506A. Автор: Hiroshi Takahashi,博 高橋,Shigetoshi Muramatsu,重利 村松. Владелец: Texas Instruments Japan Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Slective etching method for polycrystalline silicon film and manufacture of semiconductor device using the same

Номер патента: JPH1167724A. Автор: Takafumi Tokunaga,尚文 徳永,Tadashi Umezawa,唯史 梅澤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Method for fabricating film of aluminum zirconate titanate with high orientating (111)

Номер патента: CN100432018C. Автор: 姜兆华,王福平,成海涛,孙秋,魏兆冬. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2008-11-12.

Substrate processing apparatus and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP4949686B2. Автор: 智佳子 松長. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-06-13.

Substrate processing apparatus, substrate transport method, and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP5010884B2. Автор: 政利 ▲高▼田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-08-29.

Film-forming device, film-forming method of thin-film film, and manufacturing method of organic EL display device

Номер патента: JP6754474B2. Автор: 克彦 岸本,崎尾　進,進 崎尾,秀謙 尾方. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

Method for forming InSb-based crystal film, and InSb-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3458687B2. Автор: 丈士 田中,峰生 和島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-20.

ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHING DEVICE

Номер патента: US20120238104A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-09-20.

PLASMA ETCHING METHOD, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PLASMA ETCHING DEVICE

Номер патента: US20130029494A1. Автор: Sasaki Masaru,Moyama Kazuki,Inoue Masaki,Noto Yoko. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for modifying nano calcium carbonate through aluminum titanate and preparation method of PVC plastics

Номер патента: CN103468026A. Автор: 吴镇宇. Владелец: KUNSHAN HUAPU PLASTIC Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-25.

METHOD FOR PRODUCING A COMPOSITION BASED ON ALUMINUM TITANATE AND ALUMINUM OXIDE

Номер патента: RU2014131404A. Автор: Геннадий Гильфанович Галимов,Андрей Юрьевич Сидоров,Альфик Каримович Валеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НПП "Металл-Композит". Дата публикации: 2016-02-20.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fullerene Derivatives and Organic Electronic Device Comprising the Same

Номер патента: US20120004476A1. Автор: KIM Dong Wook,LIM Hyun Seok,LEE Jaemin,JUNG Jae Wook,Yoon Sung Cheol,Lim Jongsun,Lee Chang Jin,KANG YONGKU,NAM So Youn. Владелец: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS METAL ORGANIC MACROMOLECULES, MATERIAL OBTAINED BY SAID METHOD, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003386A1. Автор: . Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing anhydrous lead (ii) acetate for preparing anhydrous film-forming lead zirconate-titanate solutions

Номер патента: RU2470867C1. Автор: Алексей Сергеевич Вишневский,Константин Анатольевич Воротилов,Нина Михайловна Котова,Александр Сергеевич Сигов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики". Дата публикации: 2012-12-27.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ADHESIVE COMPOSITION AND OPTICAL MEMBER USING THE SAME

Номер патента: US20120004369A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLYING MEANS HAVING SHIELDING MEANS FOR FEEDING LINE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000609A1. Автор: DO Jae-Chul,JEON Bu-Il,SONG Myung-Gon,LEE Jung-Rak. Владелец: JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WATER REPELLENT FILM AND COMPONENT FOR VEHICLE INCLUDING THE FILM

Номер патента: US20120003427A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR SOLAR CELL ENCAPSULANT, SOLAR CELL ENCAPSULANT AND SOLAR CELL MODULE USING THE SAME

Номер патента: US20120000514A1. Автор: Amamiya Takahiro,Onaka Tamami. Владелец: JAPAN POLYETHYLENE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BIOLOGICAL GRAFT TRANSFERRING INSTRUMENT AND METHOD FOR TRANSFERRING BIOLOGICAL GRAFT

Номер патента: US20120000745A1. Автор: Nozaki Yusuke. Владелец: TERUMO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE FILM

Номер патента: US20120001367A1. Автор: . Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC IMPEDANCE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20120001626A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Platinum Enhanced Alloy and Intravascular or Implantable Medical Devices Manufactured Therefrom

Номер патента: US20120004718A1. Автор: . Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same

Номер патента: US20120001154A1. Автор: Kato Tomoki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-BETA-ESTER AND METHOD FOR PRODUCING ALPHA-L-ASPARTYL-L-PHENYLALANINE-ALPHA-METHYL ESTER

Номер патента: US20120003692A1. Автор: . Владелец: AJINOMOTO CO., INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND INFORMATION DISPLAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003990A1. Автор: LEE Min Ku. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL COMPLEXES HAVING AZABOROL LIGANDS AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004407A1. Автор: Stoessel Philipp,Joosten Dominik,Gerhard Anja,Pflumm Christof,Heil Holger. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING POLYMETHYLOLS

Номер патента: US20120004472A1. Автор: . Владелец: BASF-SE. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Generating Alternating Current

Номер патента: US20120001491A1. Автор: Greizer Frank,Laschinski Joachim,Engel Bernd,Cramer Guenther. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001946A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROVIDING A BUFFERLESS TRANSPORT METHOD FOR MULTI-DIMENSIONAL MESH TOPOLOGY

Номер патента: US20120002675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

ACRYL-BASED COPOLYMERS AND OPTICAL FILM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120004372A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR OPTIMIZING MAINTENANCE AND OTHER OPERATIONS OF FIELD DEVICES IN A PROCESS CONTROL SYSTEM USING USER-DEFINED DEVICE CONFIGURATIONS

Номер патента: US20120004743A1. Автор: . Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making anhydrous filming solutions for producing ferroelectric films of lead zirconate-titanate

Номер патента: RU2465969C1. Автор: Алексей Сергеевич Вишневский,Константин Анатольевич Воротилов,Нина Михайловна Котова,Александр Сергеевич Сигов,Константин Анатольевич Воротилов (RU),Александр Сергеевич Сигов (RU),Алексей Сергеевич Вишневский (RU),Нина Михайловна Котова (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики". Дата публикации: 2012-11-10.

DEVICE AND METHOD FOR A ROLLING A SHEET OF MATERIAL FOR PACKAGING, STORAGE, SHIPMENT, AND DISPENSING

Номер патента: US20120001013A1. Автор: MORGAN WAYNE S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWDER MAGNETIC CORE AND MAGNETIC ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120001710A1. Автор: TAKAHASHI Takeshi,MATSUTANI NOBUYA,Wakabayashi Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120003838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin-film resistor

Номер патента: RU2374710C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2009-11-27.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

Fining method for lead bullion and lead alloys from copper

Номер патента: RU2323987C2. Автор: Юрий Александрович Быстров,вцев Николай Анатольевич Кудр,Николай Анатольевич Кудрявцев,Алексей Иванович Русин,Вячеслав Федорович Серебряков,ков В чеслав Федорович Серебр. Владелец: ОАО "Аккумуляторная компания "Ригель". Дата публикации: 2008-05-10.

Distributed crack sensor, method for registration of crack occurrence and localisation

Номер патента: RU2520948C1. Автор: Алина Сергеевна Исаева,Евгений Адальбертович Рындин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Южного научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2014-06-27.

Machine and Method for Installing Curved Hardwood Flooring

Номер патента: US20120000159A1. Автор: Young Julius. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Universal Control Scheme For Mobile Hydraulic Equipment And Method For Achieving The Same

Номер патента: US20120000192A1. Автор: Ramun John R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING DEAD VOLUME IN COMPRESSED-GAS ENERGY STORAGE SYSTEMS

Номер патента: US20120000557A1. Автор: McBride Troy O.,Bollinger Benjamin,Cook Robert,Doyle Lee,Shang Andrew,Scott Michael Neil. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PLANAR ILLUMINATION DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002136A1. Автор: NAGATA Takayuki,YAMAMOTO Kazuhisa,Itoh Tatsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DATA TRANSMISSION METHOD FOR WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM INVOLVING RELAY

Номер патента: US20120002591A1. Автор: NOH Tae Gyun,AHN Jae Young,LEE Hee Soo,LEE Kyoung Seok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR TRANSMITTING CONTROL SIGNAL TO RELAY NODE AT BASE STATION IN MIMO WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120002596A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR DATA COMMUNICATIONS, ROUTER, AND METHOD FOR DATA TRANSMISSION AND MOBILITY MANAGEMENT

Номер патента: US20120002600A1. Автор: ZHANG Gong,He Cheng,Xiang Yanping. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PERFORMING CONTENT SYNCHRONIZATION FOR DOWNLINK SERVICE DATA IN COLLABORATIVE MIMO AND APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20120002741A1. Автор: Wang He,Hu Zhongji,Zhang Bijun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Interleaving and deinterleaving method for preventing periodic position interference

Номер патента: US20120002808A1. Автор: Wang Ruixun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FILMS AND MEMBRANES FOR ACOUSTIC SIGNAL CONVERTER

Номер патента: US20120002833A1. Автор: VIRUS Frank,Mussig Bernhard,Metzler Kerstin. Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PERFORMING AUTOMATIC CLASSIFICATION OF IMAGE INFORMATION

Номер патента: US20120002865A1. Автор: . Владелец: CHOROS COGNITION AB. Дата публикации: 2012-01-05.

TAP WITH DRILL AND METHOD FOR CUTTING INTERNAL THREAD

Номер патента: US20120003054A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DEDIFFERENTIATING ADIPOSE TISSUE STROMAL CELLS

Номер патента: US20120003186A1. Автор: . Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING OR PREVENTING IL-1BETA RELATED DISEASES

Номер патента: US20120003226A1. Автор: Scannon Patrick J.,Solinger Alan M.,Bauer Robert J.. Владелец: XOMA TECHNOLOGY LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR PREDICTING AUTOIMMUNE DISEASE RISK

Номер патента: US20120003228A1. Автор: Smith Ken,Lyons Paul,McKinney Eoin. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

C1ORF59 PEPTIDES AND VACCINES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120003253A1. Автор: Tsunoda Takuya,Ohsawa Ryuji,Yoshimura Sachiko,Watanabe Tomohisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DERMAL MICRO-ORGANS, METHODS AND APPARATUSES FOR PRODUCING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120003276A1. Автор: Bellomo Stephen F.,Lippin Itzhak,Piva Guillermo Alberto,Rosenberg Lior,Bukhman Mordechay,Stern Baruch S.,Shalhevet David,Shavitt Menachem D.,Pearlman Andrew L.,Shani Noam,Almon Einat. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CONTROLLED RELEASE OF AN ACID-UNSTABLE PHYSIOLOGICALLY ACTIVE SUBSTANCE

Номер патента: US20120003311A9. Автор: Mizuno Mitsuru,Aoki Shigeru,Yoshitake Takashi,Moroshima Kenji. Владелец: Eisai R&D Management Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYAMIDE RESIN COMPOSITION, FILM COMPRISING THE SAME AND POLYAMIDE-BASED LAMINATE FILM

Номер патента: US20120003361A1. Автор: . Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003583A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,TAKAHASHI Toshiya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR INVESTIGATING NUCLEIC ACID SEQUENCES

Номер патента: US20120003633A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EVALUATING PRE-TREATMENT

Номер патента: US20120003664A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ANTIBODY ENGINEERING

Номер патента: US20120003671A1. Автор: Yu Guo-Liang,Couto Fernando Jose Rebelo do,Hendricks Kristin B.,Wallace S. Ellen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIAGNOSTIC METHODS FOR DISEASES BY SCREENING FOR HEPCIDIN IN HUMAN OR ANIMAL TISSUES, BLOOD OR BODY FLUIDS, MONOCLONAL ANTIBODIES SPECIFIC TO HUMAN HEPCIDIN AND ASSOCIATED USES THEREFOR

Номер патента: US20120003696A1. Автор: . Владелец: DRG INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR 8-TX CODEBOOK AND FEEDBACK SIGNALING IN 3GPP WIRELESS NETWORKS

Номер патента: US20120003945A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR SCHEDULING TERMINALS IN A RADIO COMMUNICATION NETWORK, AND CORRESPONDING BASE STATION

Номер патента: US20120003984A1. Автор: Halbauer Hardy,Stanze Oliver,Cesar Bozo,Doll Mark,Fetscher Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND TERMINAL SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004000A1. Автор: CHOI Byungsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR THE DIAGNOSIS OF AGE-ASSOCIATED VASCULAR DISORDERS

Номер патента: US20120004133A1. Автор: Lakatta Edward G.,Wang Mingyi,Fu Zongming,Van Eyk Jennifer. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CUFF FOR BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE AND BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME

Номер патента: US20120004560A1. Автор: KAWANO Atsushi,SANO Yoshihiko,FUJITA Reiji,Nishioka Takanori,Tanaka Takahide. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION CONTAINING SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT, METHOD FOR CONTROLLING CONTENT OF SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT IN THE MEDICAL MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION

Номер патента: US20120004673A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR MIGRATING SEISMIC DATA

Номер патента: US20120004850A1. Автор: Wang Yue,Hill Norman Ross. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for obtaining nanodimensional ferrite films

Номер патента: RU2532187C1. Автор: Лариса Владимировна Панина,Александр Тимофеевич Морченко,Николай Анатольевич Юданов,Владимир Григорьевич Костишин,Артем Юрьевич Адамцов,Денис Николаевич Читанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2014-10-27.

Method of fabricating uniform layer of graphitic carbon nitride (g-c3n4) on conductive substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: MY190658A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Fazli Ismail Aznan,Aida Mohamed Nurul,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-05-09.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.