Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Etching method

Номер патента: US09793134B2
Опубликовано: 17-10-2017
Автор(ы): Hironobu Ichikawa, Yusuke Saitoh
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Etching method

Номер патента: US09786512B2. Автор: Daisuke Tamura,Ryuuu ISHITA,Yu NAGATOMO,Kousuke KOIWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Etching method

Номер патента: US09779961B2. Автор: Wataru TAKAYAMA,Yuki Kaneko,Sho TOMINAGA,Yusuke Saitoh,Yu NAGATOMO,Hayato Hishinuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240153744A1. Автор: Atsushi Takahashi,Ryo Matsubara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Plasma reactor and etching method using the same

Номер патента: US20110155694A1. Автор: Sungyong KO,Hwankook CHAE,Keehyun KIM,Weonmook LEE,Kunjoo PARK,Minshik KIM,KwangMin Lee,Hyeokjin Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Etching method using plasma, and method of fabricating semiconductor device including the etching method

Номер патента: US09865474B2. Автор: Sangheon Lee,Xinglong Chen,Gon-Jun KIM,In-Ho Choi,Vladimir Volynets,Sang-jin An,Hee-jeon Yang,Sung-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143017A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Dry etching method using potential control of grid and substrate

Номер патента: US20220375761A1. Автор: Ki Hyun Kim,Hee Ju Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,You Jin JI,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-24.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US09536707B2. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Etching method, plasma processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20240312771A1. Автор: Noboru Saito,Takahiro Yokoyama,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230317466A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Etching method for substrate to be processed and plasma-etching device

Номер патента: US09721803B2. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4235752A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Etching method and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230395389A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma etching method

Номер патента: US8741166B2. Автор: Tomoyuki Watanabe,Tetsuo Ono,Mamoru Yakushiji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240038494A1. Автор: Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US20240112923A1. Автор: Yu Zhang,Xiaoming He,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Atomic layer etching method

Номер патента: US11450531B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20180342401A1. Автор: Kosuke Koiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Etching method of multilayer film

Номер патента: US20140206199A1. Автор: Hiroaki Ishizuka,Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11842900B2. Автор: Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Etching method

Номер патента: US20240063026A1. Автор: Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US20160042919A1. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: US20230386788A1. Автор: Jiwon Jung,Chin-Wook Chung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US11810791B2. Автор: Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20240112922A1. Автор: Atsushi Takahashi,Noboru Saito,Ryo Matsubara,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Etching gas and etching method

Номер патента: US09368363B2. Автор: Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Etching method

Номер патента: US09666446B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20210202260A1. Автор: Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Etching method

Номер патента: US12125708B2. Автор: Yu Zhao,Hiroyuki Kobayashi,Takashi Hattori,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma etching method

Номер патента: US09978566B2. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Tatsuro Ohshita,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Etching method

Номер патента: US6844265B2. Автор: Masahiko Ouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-01-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US12142495B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Toshiki KANAKI,Megumi UMEMOTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Etching method

Номер патента: US20190074190A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Plasma etching method

Номер патента: US09966273B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09728418B2. Автор: Hiroshi Tsujimoto,Keigo TOYODA,Masaru ISAGO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: EP1511067A3. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: US20050037621A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Plasma etching method

Номер патента: US20190096689A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Plasma etching method

Номер патента: US09793136B2. Автор: Kosei Ueda,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Dry etching method

Номер патента: US09905431B2. Автор: Masahito Mori,Takao Arase,Satoshi Terakura,Ryuta Machida. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Etching method

Номер патента: US20150170932A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Fumiya Kobayashi,Hikaru Watanabe,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US10529582B2. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method

Номер патента: US09613824B2. Автор: Hironobu Ichikawa,Isao Tafusa,Yusuke Saitoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11495468B2. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210066089A1. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11810792B2. Автор: Masatsugu Makabe,Takanori Eto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Etching method using halogen fluoride and method for producing semiconductor

Номер патента: US20220051898A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: EP3706158A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-09-09.

Plasma etching method

Номер патента: EP3989682A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Kaoru Kaibuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-27.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11114305B2. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-09-07.

Etching method, method for manufacturing semiconductor device, etching program, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162047A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masafumi Urakawa,Yuki Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20210217627A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-15.

Etching method

Номер патента: US20180301346A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Etching method

Номер патента: US20200168469A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230298898A1. Автор: Shingo Takahashi,Shogo Yamaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20190006186A1. Автор: Hiroki Sato,Hisashi Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200234963A1. Автор: Sho Kumakura,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210305057A1. Автор: Shinya Morikita,Toshikatsu Tobana,Fumiya TAKATA,Kota ISHIHARADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Etching Method and Apparatus

Номер патента: US20130072013A1. Автор: Ying Zhang,Chien-An Chen,Shih-Hung Chen,Ying Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230377850A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190080923A1. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240038501A1. Автор: Akira Nakagawa,Kenji Komatsu,Tsukasa Hirayama,Kazuma KAMIMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching method

Номер патента: US20230197458A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240112927A1. Автор: Fumiya TAKATA,Kota Oikawa,Wataru Togashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US20240282583A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: US20240249952A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386851A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4231332A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120244709A1. Автор: Yoshiki Igarashi,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220325418A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-13.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240355589A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230374381A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4354490A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Etching gas and etching method

Номер патента: US20240153778A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Etching gas, etching method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4231331A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386850A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas and etching method

Номер патента: EP4307349A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US20170294343A1. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US10573551B2. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US8283254B2. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Plasma etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Hironobu Ichikawa,Jin KUDO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Dry etching method

Номер патента: US5366590A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-11-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210233776A1. Автор: Masaaki Kikuchi,Wakako Ishida,Yasunori Hatamura,Wataru Togashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190304801A1. Автор: Susumu Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Plasma etching method

Номер патента: US20190228983A1. Автор: Takaaki Sakurai,Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: EP4181176A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

Etching methods and methods of manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US09812332B2. Автор: DongSuk Shin,Hanjin Lim,Moonhan Park,Hyun-Kwan Yu,Woonki SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US09887092B2. Автор: Hideaki Sato,Takahiro Furukawa,Hiromi Hara,Takami Satoh,Toshiyuki Shiokawa,Takahiro Kawazu,Yusuke FUTAMATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11710644B2. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Etching method, and method of producing semiconductor substrate product and semiconductor device using the same

Номер патента: US09558953B2. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro,Takahiro Watanabe,Kee Young PARK. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09396968B2. Автор: Kazuhiro Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230251567A1. Автор: Yoshihide Kihara,Jaeyoung Park,Maju TOMURA,Taiki Miura,Ryutaro Suda,Yusuke FUKUNAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Etching method

Номер патента: US09735025B2. Автор: Yuki Kaneko,Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386853A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20230290643A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method, method for producing dielectric film of low dielectric constant, method for producing porous member, etching system and thin film forming equipment

Номер патента: EP1881525A1. Автор: Hitoshi MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD SAKAMOTO,Chikako HITEC Co. Ltd. KOBAYASHI. Владелец: Phyzchemix Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Wet Etching Method

Номер патента: US20230374669A1. Автор: Takuya Okada,Yosuke Nakamura,Kenta WATANABE,Soichi Kumon,Takahisa Taniguchi,Kazuki Yoshiura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Dry-etching method

Номер патента: US20170162397A1. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Dry-etching method

Номер патента: US10192749B2. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220102159A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor Etching Method

Номер патента: US20220037161A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Etching method

Номер патента: US20240047222A1. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US10872779B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Kohei Kawamura,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Kazumasa Ookuma,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Etching method

Номер патента: US20200263309A1. Автор: Koki Tanaka,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162045A9. Автор: Shota Yoshimura,Shinya Morikita,Fumiya TAKATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230307243A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Pressure purge etch method for etching complex 3-D structures

Номер патента: US09870932B1. Автор: Joydeep Guha,Pilyeon Park. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US09583315B2. Автор: Tomoyuki Mizutani,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Etching method and plasma treatment device

Номер патента: US20210074550A1. Автор: Masahiko Takahashi,Yusuke Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Etching device and etching method

Номер патента: US20240242938A1. Автор: Hiroaki Inoue,Youhei Ono,Won-Yeong Kim,Kazuhiko Tonari,Jun-chang Park. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Etching method, etching apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: TW201250826A. Автор: Aki AKIBA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230230844A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Etching method and etching apparatus can enhance the controllability of an etching amount in every portion of a substrate when an oxygen-containing silicon film embedded in a plurality of recessed portions with varied opening widths in the substrate is etched

Номер патента: TW202213495A. Автор: 竹谷考司,楊元,李楨燦,称田聡,羽田敬子. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-01.

Semiconductor etching apparatus and etching method of semiconductor devices using the semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR20020017447A. Автор: 지경구,정승필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-07.

Etching method using plasma, and method of fabricating semiconductor device including the etching method

Номер патента: US9520301B2. Автор: Xinglong Chen,Sang-Heon Lee,In-Ho Choi,Go-jun Kim,Vladimir Volynets,Sang-jin An,Hee-jeon Yang,Sung-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Plasma reactor and etching method using the same

Номер патента: TW201133610A. Автор: Kwang-Min Lee,Sung-Yong Ko,Min-Shik Kim,Hwan-Kook Chae,Weon-Mook Lee,Kun-Joo Park,Keehyun KIM,Hyeok-Jin Jang. Владелец: DMS Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-01.

ETCHING METHOD, METHOD OF REMOVING ETCHING RESIDUE, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20210358761A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,Shimizu Akitaka,TANOUCHI Keiji,Irie Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190088497A1. Автор: KOBAYASHI Fumiya,TOMURA Maju,KITAGAITO Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200294812A1. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: KR102155395B1. Автор: 히로시 츠지모토,도모유키 미즈타니. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-09-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN115885368A. Автор: 户村幕树,须田隆太郎,福井信志. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11024514B2. Автор: Hidenori Miyoshi,Akitaka Shimizu,Takuya Abe,Koichi Nagakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Yuuta TAKEDA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11139169B2. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Etching method and photomask blank processing method

Номер патента: EP2251741A3. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki,Yoshinori Kinase. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Etching method and apparatus

Номер патента: US20200312669A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200402800A1. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Dry Etching Method

Номер патента: US20210358762A1. Автор: Hiroyuki Oomori,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Wet Etching Method and Etching Solution

Номер патента: US20180138053A1. Автор: Akifumi YAO,Masaki Fujiwara,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240030010A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210005519A1. Автор: Gaku SHIMODA,Masayuki Sawataishi,Takanori Eto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200312622A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Etching method, etching apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW200416859A. Автор: Shinji Fujii. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-01.

Etching method, etching apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TWI238462B. Автор: Shinji Fujii. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-21.

Plasma etching method for etching an object

Номер патента: TW201042719A. Автор: Masatoshi Miyake,Masaru Izawa,Masatoshi Oyama,Tadamitsu Kanekiyo,Nobuyuki Negishi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: WO2024091612A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-02.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: US20240162042A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20190333739A1. Автор: Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Etching method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8143168B2. Автор: Shinya Sasagawa,Shigeharu Monoe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

Plasma processing method, plasma etching method and manufacturing method of solid photographic element

Номер патента: TWI245343B. Автор: Seiji Samukawa,Mitsuru Okigawa. Владелец: Seiji Samukawa. Дата публикации: 2005-12-11.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: EP4050640A4. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-01-11.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: IL290312A. Автор: . Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-01.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: IL274331B2. Автор: . Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-04-01.

Etching method using halogen fluoride and method for producing semiconductor

Номер патента: EP3901991A4. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-08-17.

ETCHING METHOD USING PLASMA, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ETCHING METHOD

Номер патента: US20170062235A1. Автор: Lee Sangheon,CHOI In-Ho,Chen Xinglong,Volynets Vladimir,An Sang-jin,Yang Hee-jeon,Cho Sung-keun,KIM Gon-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Etching method using remote plasma source, and method of fabricating semiconductor device including the etching method

Номер патента: US20180374709A1. Автор: Sang-Heon Lee,Gon-Jun KIM,Vladimir Volynets,Sang-jin An,Dali Liu,Yuri Barsukov,Beom-jin YOO,Shamik PATEL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Plasma etching method using selective polymer deposition and method for forming contact hole using the plasma etching method

Номер патента: KR100327346B1. Автор: 김지수,추창웅,안태혁,정상섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-06.

Etching method

Номер патента: TWI221008B. Автор: Masahiko Ouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-09-11.

Dry etching method

Номер патента: AU2008239010A1. Автор: Koukou Suu,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Dry etching method of insulating film

Номер патента: TW200818301A. Автор: Masatoshi Oyama,Nobuyuki Negishi,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: TW200516660A. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-05-16.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: TWI239560B. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-09-11.

Wafer processing method, wafer processing apparatus, etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4077699B2. Автор: 幹夫 高木,勝 基 蔡,光 銘 李,在 赫 安,在 旭 金. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-16.

Etching method

Номер патента: TW200403746A. Автор: Norihisa Oiwa,Kazuto Ogawa,Hisataka Hayashi,Koichiro Inasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-03-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN114639602A. Автор: 清水昭贵,细野真树,佐藤枢. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-17.

Etching method, etching apparatus, computer program and storage medium

Номер патента: US20100243605A1. Автор: Tetsuya Nishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Etching method

Номер патента: US20160260624A1. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Etching method for reducing microloading effect

Номер патента: US09443741B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Zhi-Jian Wang,Cheng-Chang Wu,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210082709A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11380555B2. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210159084A1. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Etching method, etching apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of template

Номер патента: US20230307233A1. Автор: Hideaki Sakurai,Noriko Sakurai,Takeharu Motokawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12014930B2. Автор: Masanori Hosoya,Mitsuhiro Iwano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: IL302057A. Автор: . Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Plasma etching method

Номер патента: US20170372915A1. Автор: Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Etching method and etching treatment device

Номер патента: TWI503885B. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-10-11.

Etching gas and etching method

Номер патента: IL305734A. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Jumpei Iwasaki. Дата публикации: 2023-11-01.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20010005632A1. Автор: Hideo Ichinose,Shoji Seta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: IL302125A. Автор: . Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: TW202231612A. Автор: 鈴木淳. Владелец: 日商昭和電工股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-16.

Etching gas, etching method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: IL302124A. Автор: . Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Dry etching method and dry etching agent

Номер патента: US9929021B2. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Dry Etching Method and Dry Etching Agent

Номер патента: US20170084467A1. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Etching method and element chip manufacturing method

Номер патента: US11817323B2. Автор: Akihiro Itou,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Etching method

Номер патента: US09543164B2. Автор: Ryoichi Yoshida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US12100601B2. Автор: Yu Zhang,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Plasma etching method

Номер патента: US09437450B2. Автор: Tetsuro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Plasma etching method

Номер патента: US09779962B2. Автор: Shinichi Kozuka,Takao FUNAKUBO,Yuta Seya,Aritoshi Mitani. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09659789B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230402289A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA,Noriyoshi ARIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09922806B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Maju TOMURA,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium storing the control program

Номер патента: US20060289385A1. Автор: Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120309203A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US8252694B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Etching method

Номер патента: US09997374B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234163A1. Автор: Shoi Suzuki,Taku GOHIRA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US09384999B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190237332A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Hotaka Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230386793A1. Автор: Kenji Maeda,Yosuke Kurosaki,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether

Номер патента: US20230162972A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-05-25.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US11637020B2. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213032A1. Автор: Takuya Sawano,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma etching method using pentafluoropropanol

Номер патента: US20230178341A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Dry etching method

Номер патента: US9330888B2. Автор: Xi Chen,Liangliang LI,Yao Liu,Xiaowei Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Plasma etching method

Номер патента: US7037843B2. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Plasma etching method using gas molecule containing sulfur atom

Номер патента: EP3813097A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Yoshihiko IKETANI,Mitsuharu SHIMODA. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230377851A1. Автор: Kenji Komatsu,Fumiya Yoshii. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213031A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Atsuki Hashimoto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, production method for semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20240194490A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: EP4307346A4. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: IL302116A. Автор: . Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Plasma etching method for etching sample

Номер патента: TW200915423A. Автор: Hitoshi Kobayashi,Masamichi Sakaguchi,Masunori Ishihara,Koichi Nakaune. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Etching method, and method of producing semiconductor substrate product and semiconductor device using the same

Номер патента: EP2875521A4. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro,Takahiro Watanabe,Kee Young PARK. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: US20240186147A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Etching method

Номер патента: TW200405463A. Автор: Shuhei Ogawa,Koichiro Inazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

ETCHING SOLUTION, ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20190198344A1. Автор: HIRAKAWA Masaaki,MURAKAMI Yukako,Uematsu Ikio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2019-06-27.

Etching solution, etching method using the same, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6063206B2. Автор: 上村　　哲也,正 稲葉,上村　哲也,稲葉　正,祐継 室,起永 朴. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-18.

Atomic layer etching methods and apparatus

Номер патента: WO2018119446A1. Автор: David Smith,Andreas Fischer,Thorsten Lill. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW201234474A. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Dry etching method, method for producing semiconductor device, and etching device

Номер патента: EP4047636A4. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200286737A1. Автор: Toshifumi Nagaiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120064726A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Dry Etching Agent, Dry Etching Method and Method for Producing Semiconductor Device

Номер патента: US20190345385A1. Автор: Yao Akifumi,Kashiwaba Takashi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20140017900A1. Автор: Satoshi Yamada,Shigeki Doba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Etching solution and etching method of semiconductor device using same

Номер патента: KR0175009B1. Автор: 고용선,윤병문,권영민,박명준. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-01.

Etching solution and etching method

Номер патента: JP4221601B2. Автор: 崇 金村,充司 板野,博史 百田,大祐 渡邊. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JP6001529B2. Автор: 哲史 山田,重樹 土場. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Via-hole etching method

Номер патента: US09564354B2. Автор: Donghua Jiang,Wuyang ZHAO,Chundong LI,Byung Chun Lee,Yongyi FU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Dry etching method

Номер патента: US09728422B2. Автор: Hiroyuki Oomori,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Etching method and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20240321570A1. Автор: Tsubasa IMAMURA,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09613823B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Kenshirou ASAHI,Kimihiko DEMICHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290628A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178258A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US12112954B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono,Maju TOMURA,Yusuke Takino,Hironari SASAGAWA,Tomohiko Niizeki,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178284A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290627A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20220375763A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Etching method

Номер патента: US09691630B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Shuji Moriya,Masashi Matsumoto,Tetsuro Takahashi,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Etching method, and recording medium

Номер патента: US09466507B2. Автор: Shigeki Tozawa,Tomoaki OGIWARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma etching methods

Номер патента: US6010967A. Автор: Kevin G. Donohoe,Richard L. Stocks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Etching method, air-gap dielectric layer, and dynamic random-access memory

Номер патента: US11948805B2. Автор: Chun Wang,Bo Zheng,Xin Wu,Zhenguo MA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Uniform sidewall profile etch method for forming low contact leakage schottky diode contact

Номер патента: US6096629A. Автор: Yen-Shih Ho,Jun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290644A1. Автор: Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method

Номер патента: US7402523B2. Автор: Takehiko Orii,Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290653A1. Автор: Masaki Inaba,Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11791175B2. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230395400A1. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Etching method

Номер патента: US20210175089A1. Автор: Masaki Inaba,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240006187A1. Автор: Hiroyuki Abe,Reiko SASAHARA,Teppei Okumura,Seungmin Kim,Toshinori Debari,Woonghyun JEUNG,Kenshiro ASAHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Atomic layer etching method using ligand exchange reaction

Номер патента: US20240079249A1. Автор: Dong Kyun Lee,Jooyong Kim,Jae Chul Lee,Eun Ae JUNG,Byeong IL Yang,Hyun Sik Noh,Kyoung-Mun Kim,Younghun Byun,Changhyun Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Plasma etching method

Номер патента: US20100264116A1. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura,Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Bevel etching method

Номер патента: US20230207327A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Etching Method, and Recording Medium

Номер патента: US20160163562A1. Автор: Shigeki Tozawa,Tomoaki OGIWARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Etching method

Номер патента: US09805945B2. Автор: Masaru Sugimoto,Akira Hidaka,Soichiro Kimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Etching method and apparatus for semiconductor wafers

Номер патента: US20040157452A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Hiroyasu Iimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Etching method

Номер патента: US9899232B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Etchant composition for silicon layer and etching method using the same

Номер патента: US20240199953A1. Автор: Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hak Soo Kim,Gi Young Kim,Jeong Sik OH. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Etching solution, additive, and etching method

Номер патента: US20200308485A1. Автор: Masaaki Hirakawa,Takahiro Kanai,lkuo UEMATSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Wet Etching Solution and Wet Etching Method

Номер патента: US20240055273A1. Автор: Tatsuo Miyazaki,Chih-Chien Lin,Takahisa Taniguchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US11814561B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US20220135881A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Dry etching gas composition including sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond, and dry etching method using same

Номер патента: EP3872841A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US11795396B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Etching method, pattern forming method, thin film transistor manufacturing method, and etching solution

Номер патента: JP4785721B2. Автор: 建六 張. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-10-05.

Etching solution, etching method and method of manufacturing electronic parts

Номер патента: KR100925932B1. Автор: 가쯔야 에구찌,나오야 하야미즈,히로유끼 후꾸이. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2009-11-09.

Etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: CN102683198A. Автор: 尾崎史朗,武田正行. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Composition for etching a silicone nitride layer and etching method using the same

Номер патента: KR102031251B1. Автор: 이승훈,이승현,김승환,진승오. Владелец: 영창케미칼 주식회사. Дата публикации: 2019-10-11.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: KR102197736B1. Автор: 권광호,이준명,임노민. Владелец: 고려대학교 세종산학협력단. Дата публикации: 2021-01-04.

Etching method

Номер патента: US12119233B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Plasma etching method

Номер патента: US20240006186A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim,Sang-Hyun YOU. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Etching method

Номер патента: US09633864B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Etching method

Номер патента: US20200402814A1. Автор: Takahiko Kato,Nobuaki Seki,Shigeru Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Etching method and etching system

Номер патента: RU2332749C1. Автор: Ясухиро МОРИКАВА,Тосио ХАЯСИ,Коукоу СУУ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2008-08-27.

Wet etching method and method of fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230230843A1. Автор: Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Sanghoon JEONG,ChangSup Mun,Seungcheol Chae,Junyoul Yang,Yongsik Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Etching method

Номер патента: US09911617B2. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-06.

Etching method

Номер патента: US09472736B2. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Midori Mori,Koichi Naniwae,Fumihara Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound and dry etching method using the same

Номер патента: US11795397B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound and dry etching method using the same

Номер патента: US20220135882A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

Plasma etching method

Номер патента: US09412607B2. Автор: Eiji Suzuki,Yuji Otsuka,Yutaka Osada,Akinori Kitamura,Masayuki Kohno,Hiroto Ohtake,Yusuke Takino,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09530666B2. Автор: Hideki Mizuno,Kumiko Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Dry etching gas composition containing sulfur-containing fluorocarbon compound, and dry etching method using said dry etching gas composition

Номер патента: EP3872842A4. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Local dry etching method

Номер патента: US6649528B2. Автор: Michihiko Yanagisawa,Tadayoshi Okuya. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09524876B2. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Etching method of semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US09514958B2. Автор: Tadashi Inaba,Atsushi Mizutani,Tetsuya Kamimura,Yoshinori Nishiwaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Etching method

Номер патента: US09812292B2. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching method

Номер патента: US09735021B2. Автор: Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09419211B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Masato Kushibiki,Nao Koizumi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus

Номер патента: US20060258117A1. Автор: Takeshi Yamashita,Takao Yamaguchi,Hideo Niko. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210159084A1. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Etching method

Номер патента: US20170186619A1. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-29.

Etchant composition for adjusting etching selectivity of titanium nitride film with respect to tungsten film, and etching method using same

Номер патента: US20230295500A1. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Dual-tank etch method for oxide thickness control

Номер патента: US7405165B2. Автор: Yang Kai Fan,Yong Rong Chang,Yi Song Chiu,Ping Yin Shin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Plasma etching method

Номер патента: US20180240690A1. Автор: Kenta Chito. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240071723A1. Автор: Koki Tanaka,Masahiko Yokoi,Ryutaro Suda,Ryu NAGAI,Ikko Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230420263A1. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Etching method and substrate processing system

Номер патента: US11784054B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Kazuhito Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Metal oxide wet etching method

Номер патента: AU2022358422A1. Автор: George Kovall,Colleen Shang FENRICH. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Etching method

Номер патента: US20240030037A1. Автор: Yutaro Aoki,Atsushi Yamashita,Masayuki Kimura. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220059360A1. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11804379B2. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Plasma processing tools dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers

Номер патента: US6136720A. Автор: Guy T. Blalock,Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Gold or gold alloy etching solution composition and etching method

Номер патента: EP4283014A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7153710B2. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-12-26.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20050118818A1. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Wet etching method and wet etching system

Номер патента: US12119230B2. Автор: Takashi Ono,Kazuma Sekiya,Daigo Shitabo. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element

Номер патента: US09875904B2. Автор: Yoshiko Fujioto. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Substrate etching method

Номер патента: US09478439B2. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Polysilicon etching method

Номер патента: US20190385864A1. Автор: Hongkun SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Two etchant etch method

Номер патента: US20020052113A1. Автор: AJAY Kumar,Dragan Podlesnik,Jeffrey Chinn,Anisul Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: EP4207260A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Plasma etching method

Номер патента: US09680090B2. Автор: Kentaro Yamada,Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Daisuke Fujita. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20220399204A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Ken NAKAGOMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Single-wafer etching method for wafer and etching apparatus thereof

Номер патента: MY147183A. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Wet etching method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20180012754A1. Автор: Hiromitsu Nanba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Chemical etching method using a metal catalyst

Номер патента: US20240203746A1. Автор: Kyung Hwan Kim,Min Young Kim,Hang Lim LEE,Jung Woo OH,Sun Hae CHOI. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Etching method

Номер патента: US20240304453A1. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Etching method

Номер патента: US12020942B2. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Dry etching method

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Kazuya Abe,Toshiyasu Sakai,Hiroyuki Abo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Etching method

Номер патента: US20240297046A1. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20240213086A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09607855B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Koji Takeya,Masashi Matsumoto,Junichiro Matsunaga,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Pattern sheet, semiconductor intermediate product, and hole etching method

Номер патента: US20240266182A1. Автор: Chun Wang,Qingjun Zhou,Yiming Zhang,Xiaoping Shi,Qiushi XIE,Dongsan Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Etching method

Номер патента: US20210028356A1. Автор: Jun Sato,Kiyoshi Maeda,Ken Ando,Shigeru Tahara,Hiroki Maehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Etching method using hydrogen peroxide solution containing tungsten

Номер патента: US09929017B2. Автор: Yoshihiro Uozumi,Nagisa Takami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Etching method of etching apparatus

Номер патента: US20220359173A1. Автор: Shih-Chieh Lin,Shuen-Hsiang Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US20220396733A1. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Silicon dry etching method

Номер патента: US9524877B2. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent

Номер патента: MY152247A. Автор: Shirahata Satoshi,MATSUDA Osamu,Kikuchi Nobuyuki,Hayashida Ichiro. Владелец: Wako Pure Chem Ind Ltd. Дата публикации: 2014-09-15.

Silicon Dry Etching Method

Номер патента: US20160005612A1. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Dry etching method

Номер патента: US20100255612A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Toru Ito,Yoshiharu Inoue,Toshiaki Nishida,Hiroaki Ishimura,Masunori Ishihara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Etching method of oxide semiconductor film, oxide semiconductor workpiece, and electronic device

Номер патента: US12074030B2. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US6391791B1. Автор: Satoshi Aoyama,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima,Shouichi Sakamoto. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Etching method and etching composition

Номер патента: US20150287608A1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and mram device

Номер патента: US20210376232A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Etching solution and etching method for gold or gold alloy

Номер патента: US20240076547A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Etching method and photosensitive resin composition

Номер патента: EP3961676A1. Автор: Teruhiro Uematsu. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143028A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Etching Composition, Etching Method, Method for Manufacturing Semiconductor Device, and Method for Manufacturing Gate-All-Around-Type Transistor

Номер патента: US20230374383A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of selectively etching compound semiconductor and method of manufacturing compound semiconductor device using the selective etching method

Номер патента: US5942447A. Автор: Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Substrate etching method

Номер патента: US20150311091A1. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: US20230343888A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Etching method for semiconductor product

Номер патента: US20150140690A1. Автор: Shigetoshi Sugawa,Tatsuro Yoshida,Takeshi Sakai,Kazuhiro Yoshikawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-05-21.

Silicon etchant and etching method

Номер патента: GB2474187A. Автор: Kazuyoshi Yaguchi,Ryuji Sotoaka. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Dry etching method

Номер патента: US4406733A. Автор: Shinichi Tachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-27.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US9449844B2. Автор: Isao Yamada,Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Noriaki Toyoda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Dry etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5990016A. Автор: Byong-dong Kim,Jung-kyu Lee,Sung-il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Dry etching method for a gallium nitride type compound semiconductor

Номер патента: US5693180A. Автор: Satoshi Sugahara,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Etching method for sic substrate and holding container

Номер патента: US20170323797A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Masato Shinohara,Koji Ashida,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI,Yasunori Kutsuma,Youji Teramoto. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Dry etching Method

Номер патента: US5635021A. Автор: Kenji Harafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-03.

Multi-step local dry etching method for SOI wafer

Номер патента: US20040063329A1. Автор: Yasuhiro Horiike,Kazuyuki Tsuruoka,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Wet etching method of single wafer

Номер патента: EP1746639A1. Автор: Sakae c/o Sumco Corporation Koyata,Tomohiro c/o Sumco Corporation Hashii,Katsuhiko c/o Sumco Corporation Murayama,Kazuhige c/o Sumco Corporation Takaishi,Takeo c/o Sumco Corporation Katoh. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Electrochemical etching method

Номер патента: US5167778A. Автор: Hiroyuki Kaneko,Makoto Uchiyama,Hidetoshi Nojiri,Norihiko Kiritani. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-12-01.

Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article

Номер патента: US20190252199A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Etching method

Номер патента: US11901185B2. Автор: Takayuki Tajima,Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Dry etching agent and dry etching method using the same

Номер патента: WO2011093263A1. Автор: 勇 毛利,亜紀応 菊池,覚 岡本,智典 梅崎,日比野　泰雄. Владелец: セントラル硝子株式会社. Дата публикации: 2011-08-04.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR102424479B1. Автор: 슌이치 미카미,šœ이치 미카미. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-22.

Sputter etch methods

Номер патента: US20040266190A1. Автор: Jae Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09991138B2. Автор: Akifumi YAO,Mitsuhiro Tachibana,Koji Takeya,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Etching method, method of manufacturing article, and etching solution

Номер патента: US09701902B2. Автор: Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: US20180298501A1. Автор: Tamami Aoki,Yoshihide Saio,Yuji MASAMOTO. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US11972955B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-04-05.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Dry etching method for film layer structure and film layer structure

Номер патента: US20210010140A1. Автор: Chong HU,Xianwang WEI. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Etching method and etching device

Номер патента: US20210287915A1. Автор: Akifumi YAO,Kazuaki Nishimura,Susumu Yamauchi,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US11895922B2. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20220158074A1. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Selective etching method for III-V group semiconductor material using a mixed etching gas and a stop-etching gas

Номер патента: US5389574A. Автор: Yasuyuki Mizunuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

High-precision etching method

Номер патента: US11827988B2. Автор: Chen Li,Huilong Zhu,Yongkui Zhang,Xiaogen YIN,Anyan Du. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: US20200010762A1. Автор: Daisuke Omiya,Junro ISHIZAKI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Etching method and processing device

Номер патента: US20240191359A1. Автор: Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Etching method, etching apparatus and storage medium

Номер патента: US09646848B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Satoshi TODA,Kensaku Narushima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Selective etching methods and etching assemblies

Номер патента: US20240213033A1. Автор: Yonggyu Han,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Nadadur Veeraraghavan Srinath. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20240355635A1. Автор: Kazuhiko Tonari. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210043461A1. Автор: Manabu Sato,Seiichi Watanabe,Hiroki Yamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11121000B2. Автор: Manabu Sato,Seiichi Watanabe,Hiroki Yamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Radical generating method, etching method and apparatus for use in these methods

Номер патента: TW200522200A. Автор: Toshio Goto,Masaru Hori,Mikio Nagai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-07-01.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20220208554A1. Автор: Kazuhiko Tonari. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Multilayer film etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20150140822A1. Автор: Eiji Suzuki,Hiroto Ohtake,Shota Yoshimura,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20230245897A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Plasma etching apparatus, plasma etching method using the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20230187186A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Etching method

Номер патента: EP2838112B1. Автор: Akinori Kitamura,Hiroto Ohtake,Hironori Matsuoka,Yoko Noto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220102160A1. Автор: Tahara Shigeru,MAEKAWA Kaoru,Faguet Jacques,Ono Kumiko,SATO Nagisa,DUSSART Remi,TILLOCHER Thomas,LEFAUCHEUX Philippe,ANTOUN Gaëlle. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210202261A1. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

HIGH-PURITY FLUORINATED HYDROCARBON, USE AS A PLASMA ETCHING GAS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20160251286A1. Автор: SUGIMOTO Tatsuya. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-01.

Plasma reactor for ultra-high aspect ratio etching and etching method thereof

Номер патента: US20200251345A1. Автор: Jie Liang,Gerald Zheyao Yin,Tuqiang Ni,Xingcai Su,Yichuan Zhang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4128365B2. Автор: 隆幸 勝沼. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-30.

Etching Method and Etching Apparatus

Номер патента: KR20200019983A. Автор: 다케시 사이토,아키타카 시미즈,슈이치로 우다,다이키 가토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-02-25.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN110809817A. Автор: 清水昭贵,斋藤刚,宇田秀一郎,加藤大辉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Plasma reactor for ultra-aspect-ratio etching and etching method thereof

Номер патента: CN111524780A. Автор: 张一川,倪图强,梁洁,苏兴才,尹志尧. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2020-08-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: CN100337312C. Автор: 胜沼隆幸. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

Highly selective etching methods for etching dielectric materials

Номер патента: US09595451B1. Автор: Liming Yang,Gene Lee,Hailong Zhou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Etching methods using silicon-containing hydrofluorocarbons

Номер патента: EP4420154A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-28.

Atomic layer etch methods and hardware for patterning applications

Номер патента: US09997371B1. Автор: Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Etching method

Номер патента: US09972503B2. Автор: Masanobu Honda,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Etching method

Номер патента: US09837285B2. Автор: Masanobu Honda,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Etching method

Номер патента: US20100209675A1. Автор: Hsin-Fang Su,Shih-Chang Tsai,Yu-Chung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Memory device etch methods

Номер патента: US20100120239A1. Автор: Angela T. Hui,Jihwan Choi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Etching method

Номер патента: US09601349B2. Автор: Hsin-Fang Su,Shih-Chang Tsai,Yu-Chung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Anisotropic etch method

Номер патента: US5271799A. Автор: Rod C. Langley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-12-21.

Dry etching gas and dry etching method using the same

Номер патента: TW200948934A. Автор: Shingo Nakamura. Владелец: Daikin Ind Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Dry etching method

Номер патента: US5338399A. Автор: Toshiharu Yanagida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

Plasma etching method

Номер патента: US5928963A. Автор: Akira Koshiishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-07-27.

Selective oxide etching method for self-aligned multiple patterning

Номер патента: US20190080925A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Lateral etch inhibited multiple etch method for etching material etchable with oxygen containing plasma

Номер патента: US20050158666A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao,Jen-Cheng Liu,Shu-Chih Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

ETCHING METHOD USING PLASMA, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ETCHING METHOD

Номер патента: US20160111298A1. Автор: CHOI In-Ho,Chen Xinglong,Kim Go-jun,Volynets Vladimir,An Sang-jin,Yang Hee-jeon,Lee Sang-heon,Cho Sung-keun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Silicon nitride film dry etching method

Номер патента: TW200901316A. Автор: Hisao Tosaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Plasma etching method

Номер патента: TW200305944A. Автор: Noriyuki Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

FILTER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, DRY ETCHING APPARATUS, AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20190105588A1. Автор: HIRANO Takaaki,HYAKUTAKE Munehiro. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

ETCHING METHOD AND ETCHING PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20190067030A1. Автор: Saitoh Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Dry Etching Agent Composition and Dry Etching Method

Номер патента: US20190287812A1. Автор: Mori Isamu,Yao Akifumi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200402800A1. Автор: KUMAKURA Sho,TOMURA Maju,Ohuchida Satoshi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-12-24.

Gas composition for dry etching and dry etching method

Номер патента: US10431472B2. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Tetsuya FUKASAWA,Yoshihiko IKETANI. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: KR20230004665A. Автор: 노부히로 다카하시,다케히코 오리이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-06.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Electrode tuning, depositing, and etching methods

Номер патента: US20230215735A1. Автор: Yung-Chen Lin,Ho-Yung David Hwang,Chi-I Lang,Lei LIAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Etching method

Номер патента: US20140024221A1. Автор: Koji Maruyama,Mikio Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Etching method

Номер патента: US20140011363A1. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Etching method and plasma etching processing apparatus

Номер патента: TW200301522A. Автор: Kenji Yamamoto,Takanori Matsumoto,Katsumi Horiguchi,Fumihiko Higuchi,Satoshi Shimonishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-07-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240006152A1. Автор: Yoshihide Kihara,Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Etching method

Номер патента: EP4099365A4. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20050011612A1. Автор: Katsuya Watanabe,Mamoru Yakushiji,Yutaka Ohmoto,Ryooji Fukuyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US9156307B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Selective etching method and etching assembly

Номер патента: US20240312790A1. Автор: Eva Tois,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-19.

Dry etching method

Номер патента: US20010055886A1. Автор: Teiichi Kimura,Yoshihiro Yanagi,Kiyohiko Takagi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-27.

Plasma etching method

Номер патента: US20130048599A1. Автор: Masato Ishimaru,Makoto Satake,Makoto Suyama,Yasukiyo Morioka. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Composition for etching, method for etching insulator and method for manufacturing semiconductor device, and novel compounds

Номер патента: US11066601B2. Автор: Cheol Woo Kim,Yu Na Shim,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Min Kyung SEON. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20200185229A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Tomonori Miwa,Lifu Li,Atsushi UTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Etching method for photoresists or polymers

Номер патента: US5007983A. Автор: Narcinda R. Lerner,Theodore J. Wydeven, Jr.. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1991-04-16.

Etching device and etching method using the same

Номер патента: US20220223436A1. Автор: Duckjung Lee,Wonje Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Etching method for obtaining at least one cavity in a substrate and substrate obtained by such method

Номер патента: CA2053859A1. Автор: Harald T. G. Van Lintel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-09-17.

Gas etching method and apparatus

Номер патента: US4160690A. Автор: Takashi Yamazaki,Yasuhiro Horiike,Masahiro Shibagaki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-07-10.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW201209914A. Автор: Seiji Ogata,Manabu Yoshii,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US20230363154A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US11778816B2. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Dry-etching method and apparatus

Номер патента: US5409562A. Автор: Shinichi Tachi,Kazunori Tsujimoto,Takao Kumihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-04-25.

Etching composition having high etching selectivity, manufacturing method thereof, selective etching method of oxide film using the same, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP4799843B2. Автор: 相 文 全,仁 會 都,弼 權 田,相 美 李,光 信 林,明 玉 韓,容 均 高. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-26.

Etching method and plating solution

Номер патента: US20200098582A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Etching method and plating solution

Номер патента: US20210217626A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Etching method and plating solution

Номер патента: US10991590B2. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Etching method and apparatus

Номер патента: US20010010306A1. Автор: Kiyoyuki Morita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Plasma etching method and apparatus therefor

Номер патента: US7442274B2. Автор: Koji Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US12020892B2. Автор: Yusuke Goki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Wet etching method of silicon oxide layer and method for manufacturing a semiconductor device including the wet etching method

Номер патента: KR100546358B1. Автор: 황인석,고용선,윤병문,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

GaAs/AlGaAs selective etching method of heterojunction semiconductor device and method for manufacturing p-HEMT using the GaAs/AlGaAs selective etching method

Номер патента: KR100283027B1. Автор: 오정우,이종람. Владелец: 정명식. Дата публикации: 2001-02-15.

Dry etching method

Номер патента: TW527441B. Автор: Teiichi Kimura,Yoshihiro Yanagi,Kiyohiko Takagi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-11.

ETCHING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, ETCHING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер патента: US20180076056A1. Автор: Tanaka Yuji,HARUMOTO Masahiko,ASAI Masaya,KANEYAMA Koji. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Etching method, and etching liquid to be used therein and method of producing a semiconductor substrate product using the same

Номер патента: US9688912B2. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Etching material and etching method and electronic device manufacturing method

Номер патента: KR100305415B1. Автор: 사토시 무라카미,다케시 니시,도시미쯔 고누마,아키라 수가와라,유키코 우에하라,미사코 나카자와. Владелец: 야마자끼 순페이. Дата публикации: 2001-11-22.

Etching method for semiconductor element

Номер патента: TW200839880A. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-01.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD OF ETCHING SILICON NITRIDE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190136132A1. Автор: Han Hoon,PARK Jaewan,Lee Jinuk,Lim Junghun,Bae Sang Won,HON YOUNG TAEK. Владелец: SOULBRAIN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

Focus ring heating method, plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium

Номер патента: JP5203986B2. Автор: 宏 辻本. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Plasma etching method, plasma etching device and photonic crystal manufacturing method

Номер патента: EP2333821A4. Автор: Shigeki Takahashi,Susumu Noda. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-07-30.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20200357658A1. Автор: NAGASEKI Kazuya,NAGAMI Koichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-11-12.

Etching method and etching equipment

Номер патента: JP6772117B2. Автор: 勝 伊澤,剛平 川村,勝 堀,直行 小藤,浩之 小林,伊澤　勝,和典 篠田,小藤　直行,小林　浩之,信哉 三好,川村　剛平,健治 石川. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

Dry etching method and dry etching device

Номер патента: KR940006216A. Автор: 신이찌 이마이,노리히코 타마키. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤. Дата публикации: 1994-03-23.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US9105452B2. Автор: Tae-Gon Kim,Kyung-Sun Kim,Jeong-Yun Lee,Kyung-yub Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-11.

Silicon substrate etching method and etching apparatus

Номер патента: JPWO2003030239A1. Автор: 善幸 野沢,一夫 笠井,野沢　善幸,広明 河野,河野　広明. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW200903632A. Автор: Toshio Hayashi,Yasuhiro Morikawa,Kou-Kou Suu. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20020005252A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Mitsuru Suehiro. Дата публикации: 2002-01-17.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US20210343503A1. Автор: Takayuki Suzuki,Koichi Nagami,Natsumi TORII,Noriiki Masuda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Etching method

Номер патента: US09530671B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Etching apparatus and etching method technical field

Номер патента: WO2014010751A1. Автор: Isao Yamada,Koji Yamashita,Kenichi Hara,Koji Kasuga,Noriaki Toyoda. Владелец: University of Hyogo. Дата публикации: 2014-01-16.

Mesa etch method and composition for epitaxial lift off

Номер патента: WO2010042931A3. Автор: Melissa Archer. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-07-08.

Anisotropic etching method

Номер патента: EP1096553B1. Автор: Hiroyuki Mitsubishi Materials Silicon Corp. OI. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2010-12-29.

Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate

Номер патента: US09748441B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Single Wafer Etching Apparatus and Single Wafer Etching Method

Номер патента: US20070175863A1. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A4. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Etching method

Номер патента: US20170011939A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Masahiro Tabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Mesa etch method and composition for epitaxial lift off

Номер патента: US20100116784A1. Автор: Melissa Archer. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Etching solution for etching metal layer, etching method using the etching solution, and method of fabricating semiconductor product using the etching solution

Номер патента: US20080045035A1. Автор: Young Nam Kim,Dong-Min Kang,Ji-Sung Lee,Young-Sam Lim,Yun-Deok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: CA2061264C. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor etching methods

Номер патента: US20210296187A1. Автор: Ligang DENG,Katie HORE. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor etching methods

Номер патента: US11961773B2. Автор: Ligang DENG,Katie HORE. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Regeneration method of etching solution, an etching method and an etching system

Номер патента: US7964108B2. Автор: Nobuhiko Izuta,Haruru Watatsu. Владелец: APPRECIA TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Anisotropic etching agent composition used for manufacturing of micro-structures of silicon and etching method

Номер патента: TW200614361A. Автор: Kenji Yamada,Tomoyuki Azuma. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2006-05-01.

Anisotropic etching method and etchant

Номер патента: US4929301A. Автор: Nicholas Beechko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-05-29.

Etching solution for etching metal layer, etching method using the etching solution, and methods of fabricating a semiconductor application using the etching solution

Номер патента: KR100819557B1. Автор: 강동민,김영남,임영삼,이지성,강윤덕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-07.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: SG93197A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2002-12-17.

Etching method

Номер патента: GB1141513A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1969-01-29.

Selective etching method and semiconductor structure manufactured using the same

Номер патента: US20230402287A1. Автор: Li-Te Lin,Chun-Fu Kuo,Kuan-Da Huang,Yi-Hsing YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Etching method for etching a semiconductor substrate having a silicide layer and a polysilicon layer and etching apparatus for use in the etching method

Номер патента: GB9502363D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-29.

Iridium etching methods for anisotrophic profile

Номер патента: WO2000049650A9. Автор: Chentsau Ying,Steve S Y Mak,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-09-20.

Wiring layer dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW541579B. Автор: Kenji Kawai,Atsunori Nishiura,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-11.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TW200524048A. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-16.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TWI260713B. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-21.

ETCHING SOLUTION, ETCHING SOLUTION KIT, ETCHING METHOD USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

Номер патента: US20160047053A1. Автор: KAMIMURA Tetsuya,TAKAHASHI Satomi,KOYAMA Akiko,SUGISHIMA Yasuo. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-02-18.

ETCHING METHOD, ETCHING SOLUTION USED IN SAME, ETCHING SOLUTION KIT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

Номер патента: US20160118264A1. Автор: MIZUTANI Atsushi,KAMIMURA Tetsuya,TAKAHASHI Satomi,KOYAMA Akiko,SUGISHIMA Yasuo. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-04-28.

ETCHING APPARATUS AND METHOD, AND FLEXIBLE FILM ETCHED BY THE ETCHING METHOD

Номер патента: US20170236726A1. Автор: KIM Kisoo,CHO SeungMin,Jeong Jaeyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Photomask making method, photomask blank and dry etching method

Номер патента: US9164374B2. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

ETCHING AGENT, ETCHING METHOD AND LIQUID FOR PREPARING ETCHING AGENT

Номер патента: US20130280916A1. Автор: Shirahata Satoshi,MATSUDA Osamu,Kikuchi Nobuyuki,Hayashida Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Etching liquid and etching concentrated liquid for multilayer film and etching method

Номер патента: TW201710470A. Автор: 着能真,小佐野善秀,鬼頭佑典,淵上真一郎. Владелец: 松下知識產權經營股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-16.

Alkaline etching solution for silicon wafer and etching method using the etching solution

Номер патента: JP4487753B2. Автор: 貴久 中嶋,誠 竹村,靖行 橋本. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Etching solution for multilayer film, etching concentrate and etching method

Номер патента: JPWO2019064506A1. Автор: 祐二 白濱,真 着能. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid

Номер патента: KR102239401B1. Автор: 마사히코 카키자와,타카히로 요코미조,히로유키 츠루모토. Владелец: 후지 필름 일렉트로닉 머트리얼즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-04-14.

Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent

Номер патента: KR101533970B1. Автор: 사토시 시라하타,이치로 하야시다,오사무 마츠다,노부유키 키쿠치. Владелец: 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-07-06.

Etching liquid for multilayer film, etching concentrate, and etching method

Номер патента: CN106460197A. Автор: 渊上真一郎,鬼头佑典,渊上真郎,着能真,小佐野善秀. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-22.

Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid

Номер патента: JP5343858B2. Автор: 一良 林田,修 松田,信之 菊池,里志 白旗. Владелец: Fujifilm Wako Pure Chemical Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Semi-conductor substrate plasma etching method for e.g. micro-electro-mechanical system, involves etching substrate by injection of etching gas, performing amorphization of substrate in reactor and re-iterating above steps

Номер патента: FR2905516A1. Автор: Remi Dussart,Pierre Ranson,Philippe Lefaucheux,Maaza Nasreddine Mekkakia. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2008-03-07.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: EP4307346A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: IL304357A. Автор: . Владелец: Mitsubishi Chem Corp. Дата публикации: 2023-09-01.

Anisotropic etching method for manufacturing micro-structures of silicon

Номер патента: EP1626438B1. Автор: Tomoyuki Azuma,Kenji c/o Mitsubishi Gas Chem. Co. Inc. Yamada. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2013-03-20.

Etching method

Номер патента: TW432448B. Автор: Mitsutaka Izawa. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-05-01.

Substrate etching method and substrate processing equipment

Номер патента: TWI458015B. Автор: . Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Anisotropic etching method and apparatus

Номер патента: EP1096553A4. Автор: Hiroyuki Oi. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Plasma etching method

Номер патента: EP2495757B1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

ETCHING METHOD, ARTICLE MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170062230A1. Автор: MATSUO Keiichiro,Asano Yusaku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-02.

ETCHING METHOD, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AS WELL AS KIT FOR PREPARATION OF ETCHING LIQUID

Номер патента: US20150087156A1. Автор: KAMIMURA Tetsuya,Inaba Tadashi,MURO Naotsugu,NISHIWAKI Yoshinori. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-03-26.

PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING DEVICE, PLASMA PROCESSING METHOD, AND PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20170169997A1. Автор: MORIGUCHI Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE, AND ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20170267926A1. Автор: Asano Yusaku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-21.

Silver thin film etching solution composition, etching method and metal pattern forming method

Номер патента: CN111172541A. Автор: 金镇成,刘仁浩,南基龙,金炼卓. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Etching method and etching liquid used therein, manufacturing method of semiconductor element using the same

Номер патента: TW201250818A. Автор: Atsushi Mizutani,Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-12-16.

Etching method, article manufacturing method, and etching apparatus

Номер патента: JP6193321B2. Автор: 圭一郎 松尾,佑策 浅野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-06.

Dry etching method, dry etching agent and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6788177B2. Автор: 章史 八尾,啓之 大森,辰徳 上田. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-25.

Etching apparatus, etching method, manufacturing method of a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US6218196B1. Автор: Minoru Hanazaki,Hirotoshi Ise,Takayuki Ikushima,Nobuhiro Nishizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2001-04-17.

Etching method using noble gas halides

Номер патента: CA1108513A. Автор: Harold F. Winters. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-09-08.

Etching method using noble gas halides

Номер патента: US4190488A. Автор: Harold F. Winters. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-02-26.

Silicon carbide single crystal and its etching method

Номер патента: TW200606286A. Автор: Tetsuro Tojo,Minoru Inaba,Kaori Shima,Masamichi Tanaka,Atsuhisa Mimoto,Akimasa Tasaka. Владелец: Toyo Tanso Co. Дата публикации: 2006-02-16.

Etching method and apparatus for a single wafer

Номер патента: EP1975977B1. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-05-04.

ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE, AND ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20160079078A1. Автор: Asano Yusaku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

ETCHING LIQUID, ETCHING METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150225645A1. Автор: KAMIMURA Tetsuya,Inaba Tadashi,MURO Naotsugu,PARK Kee Young. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-08-13.

Etching device, etching method using the same, and manufacturing method for display device

Номер патента: KR102137145B1. Автор: 박홍식,김선일. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-07-24.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150004795A1. Автор: Ishii Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME

Номер патента: US20190040317A1. Автор: Takahashi Kenichi,HORITA Akinobu,OIE Toshiyuki,Ito Aya,SHIMADA Kenji. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220084835A1. Автор: KUBOI Shuichi,Fukumizu Hiroyuki,IINO Daiki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION COMPRISING SULFUR-CONTAINING FLUOROCARBON COMPOUND HAVING UNSATURATED BOND AND DRY ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20220135881A1. Автор: KATO Korehito,SHIMIZU Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160099161A1. Автор: HONDA Masanobu,Kawamata Masaya,Kubota Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

ETCHING METHOD, STORAGE MEDIUM AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150187593A1. Автор: NARUSHIMA Kensaku,SATOH Kohichi,KATOU Taiki,KOMORI Eiichi,NAKAGOMI Motoko. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20200234962A1. Автор: KATO Korehito,IKETANI Yoshihiko,SHIMIZU Hisashi,SHIBUSAWA Yukinobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

ETCHING SOLUTION, ADDITIVE, AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20200308485A1. Автор: Uematsu lkuo,HIRAKAWA Masaaki,Kanai Takahiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2020-10-01.

Etching solution composition for copper-based metal layer and etching method using the same

Номер патента: KR20160109236A. Автор: 유인호,국인설,이종문. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2016-09-21.

Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers

Номер патента: KR101994084B1. Автор: 박면규,박용진,홍형표. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2019-06-28.

Etching solution composition and etching method

Номер патента: TWI700746B. Автор: 石崎隼郎,大宮大輔. Владелец: 日商Ａｄｅｋａ股份有限公司. Дата публикации: 2020-08-01.

A plasma etch method and a plasma etch apparatus and a memory medium

Номер патента: TWI496210B. Автор: Akitaka Shimizu,Yosuke Sakao,Kensuke Kamiuttanai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: CN108028198B. Автор: 石崎隼郎,大宫大辅. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: JP6807845B2. Автор: 隼郎 石崎,大輔 大宮. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: CN111836873A. Автор: 崔正敏,赵娟振,黄基煜,高尚兰. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: TWI642101B. Автор: 戶村幕樹,北垣內圭二,小林史彌. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-21.

Silicon etching liquid and etching method

Номер патента: GB2472365B. Автор: Kazuyoshi Yaguchi,Ryuji Sotoaka. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11764070B2. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Gen You,Haruna Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Plasma etching method

Номер патента: US09449842B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Dry etching method

Номер патента: US20190080928A1. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Dry etching method

Номер патента: US10468271B2. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Dry etching method

Номер патента: US5880035A. Автор: Seiichi Fukuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210090898A1. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Ryo Kuwajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Etching method

Номер патента: WO2023209982A1. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High-Tech Corporation. Дата публикации: 2023-11-02.

Dry etching method of copper or copper alloy interconnection layer employing plasma of an iodine compound

Номер патента: US5240559A. Автор: Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Etching method for forming a carrier having inward side walls in particular for confining a droplet for capillary self-assembly

Номер патента: US09586207B2. Автор: Léa Di Cioccio,Loic Sanchez,Sebastien Mermoz,Thomas Magis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-07.

Etching gas, etching method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4231331A4. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Simultaneous deposit and etch method for forming a void-free and gap-filling insulator layer upon a patterned substrate layer

Номер патента: US5858876A. Автор: Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Dry etching agent and dry etching method

Номер патента: TW201217500A. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers

Номер патента: TW201219544A. Автор: Dae-Sung Lim,Hyung-Pyo Hong,Jae-Youn Lee. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-16.

Additive for etching liquid for copper-catalyzed etching of silicon wafer, etching system and etching method

Номер патента: CN113292999A. Автор: 马文会,万小涵,李绍元,于洁,吕国强,洪世豪. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-08-24.

Etching device, and etching method

Номер патента: US4908095A. Автор: Satoshi Kagatsume,Kazuo Fukasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1990-03-13.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US20200407636A1. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US11802240B2. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US11306248B2. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Etch method of cleaving semiconductor diode laser wafers

Номер патента: US4236296A. Автор: Harold A. Huggins,Geoffrey R. Woolhouse,Stephen I. Anderson,Frederick R. Scholl. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1980-12-02.

Plasma etching method

Номер патента: TW200411762A. Автор: Rung-De Lin,Ren-Je Lee. Владелец: Ultratera Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Dry etchant and dry etching method

Номер патента: TWI444456B. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-11.

DRY ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHING DEVICE

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Yao Akifumi,TAKEDA Yuuta,YAMAUCHI Kunihiro. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2022-02-24.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US20200407636A1. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW201800139A. Автор: 百武宗洋,平野孝明. Владелец: 日本瑞翁股份有限公司. Дата публикации: 2018-01-01.

Etching method, process for producing semiconductor element using said etching method

Номер патента: CN1072737C. Автор: 村上勉,长谷部明男,一濑博文,新仓谕,久松雅哉,上野雪绘,泽山一平. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-10-10.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: WO2017169809A1. Автор: 孝明 平野,宗洋 百武. Владелец: 日本ゼオン株式会社. Дата публикации: 2017-10-05.

Dry etching method

Номер патента: TW364168B. Автор: Kazunori Tsujimoto,Naoyuki Kofuji. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-11.

Etching device, substrate processing apparatus, etching method and substrate processing method

Номер патента: KR102021660B1. Автор: 마사히코 하루모토,고지 가네야마,유지 다나카,마사야 아사이. Владелец: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스. Дата публикации: 2019-09-16.

Etching method, process for producing semiconductor element using said etching method

Номер патента: CN1163948A. Автор: 村上勉,长谷部明男,一濑博文,新仓谕,久松雅哉,上野雪绘,泽山一平. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-11-05.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190198349A1. Автор: TAKAHASHI Nobuhiro,Orii Takehiko,YAMAGUCHI Tatsuya,ASADA Yasuo,Irie Shinji,HAGIWARA Ayano. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Composition for a texture-etching solution, and texture-etching method for crystalline silicon wafers

Номер патента: WO2012091395A9. Автор: 이승용,이재연,홍형표,임대성. Владелец: 동우화인켐 주식회사. Дата публикации: 2012-08-30.

Etch amount detection method, etching method, and etching system

Номер патента: CN1574243A. Автор: 野泽秀二,西牧克洋. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-02-02.

Etching amount detection method, etching method, and etching apparatus

Номер патента: JP4500510B2. Автор: 秀二 野沢,克洋 西牧. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-14.

Etching methods for integrated circuits

Номер патента: US20230049714A1. Автор: Chia-Hao Chang,Chih-Hsien Hsu,Chien-Sheng Wu,Chia-Yi Chiang,Tai-Pin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Plasma etching method and plasma treatment apparatus

Номер патента: TW200507104A. Автор: Tsutomu Satoyoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Etching method and device

Номер патента: TW201142937A. Автор: Satoshi Mayumi,Shunsuke Kunugi. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Etching method and device

Номер патента: TWI494986B. Автор: Satoshi Mayumi,Shunsuke Kunugi. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-01.

Etching composition, metal-containing film etching method using the same and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240318077A1. Автор: Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Etching composition for titanium-containing layer, etching method of etching titanium-containing layer, and method of manufacturing semiconductor device using the etching composition

Номер патента: US20240318078A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Minjae Sung,Gayoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Selective thermal etching methods of metal or metal-containing materials for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20230274947A1. Автор: Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Masato Hirai,Venkateswara R. Pallem,Nicolas Gosset,Megumi ISAJI,Rocio Alejandra Arteaga Muller,Rapheal ROCHAT. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: WO2024228760A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: US20240371654A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Etching liquid, kit of same, etching method using same, method for producing semiconductor substrate product, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09809746B2. Автор: Atsushi Mizutani,Keeyoung Park,Yasuo Sugishima. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Dry etching method

Номер патента: US20020119667A1. Автор: Mitsuhiro Okuni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Wet metal-etching method and apparatus used for MEMS

Номер патента: US20110223771A1. Автор: Tao Wang,Xiaolin Han,Zhiming Wu,Yadong Jiang,Weizhi Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-09-15.

Etching method

Номер патента: US20010054599A1. Автор: Manfred Engelhardt,Volker Weinrich,Carlos Mazure-Espejo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Selective chemical etch method for mram freelayers

Номер патента: WO2010037572A1. Автор: Eugene O'sullivan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-04-08.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Dry etching method, microfabrication process and dry etching mask

Номер патента: US20020028359A1. Автор: Kenji Uchiyama,Kazuhiro Hattori. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Silicon etching method

Номер патента: US5665203A. Автор: Young Hoon Lee,Keith Raymond Milkove,John William Stiebritz, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Etchant for metal alloy having hafnium and molybdenum, etching method using the etching solution and application therof

Номер патента: TW200925324A. Автор: Chih-Wei Huang,Shian-Jyh Lin,Chung-Yuan Lee,Chao-Sung Lai,Hsing-Kan Peng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Titanium and/or titanium alloy etching solution, titanium and/or titanium alloy etching method using this etching solution, and substrate manufacturing method using this etching solution

Номер патента: KR20230007342A. Автор: 히로시 마츠나가,유키히데 나이토,사토시 타마이. Владелец: 미쓰비시 가스 카가쿠 트레이딩 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-12.

ETCHING METHOD, ETCHING LIQUID AND ETCHING LIQUID KIT TO BE USED IN SAID METHOD, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160056054A1. Автор: MIZUTANI Atsushi,KAMIMURA Tetsuya,TAKAHASHI Satomi,KOYAMA Akiko,SUGISHIMA Yasuo,MURAYAMA Satoru. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-02-25.

Dry etching method, dry etching apparatus, etchied metal film performed etching by the method and device having the etchied metal film

Номер патента: KR101551095B1. Автор: 아키오우 기쿠치,유타 다케다. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-09-07.

Etchant composition of titanium layer and etching method using the same

Номер патента: US20230303925A1. Автор: Se Hoon Kim,Sang Seung PARK,Yang Ryoung KIM,Bo Yeon LEE,Min Gyeong JEONG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Etchant composition for titanium-containing metal layer and etching method using the same

Номер патента: US20230287574A1. Автор: Se Hoon Kim,Sang Seung PARK,Yang Ryoung KIM,Bo Yeon LEE,Min Gyeong JEONG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

ETCHING AGENT, ETCHING METHOD AND ETCHING AGENT PREPARATION LIQUID

Номер патента: US20160177457A1. Автор: Kakizawa Masahiko,YOKOMIZO Takahiro,TSURUMOTO Hiroyuki. Владелец: WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2016-06-23.

Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid

Номер патента: WO2015002272A1. Автор: 浩之 鶴本,政彦 柿沢,貴宏 横溝. Владелец: 和光純薬工業株式会社. Дата публикации: 2015-01-08.

Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid

Номер патента: US9845538B2. Автор: Masahiko Kakizawa,Hiroyuki Tsurumoto,Takahiro YOKOMIZO. Владелец: Wako Pure Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Recessed metal etching methods

Номер патента: WO2023038779A1. Автор: Gene Lee,Wangkeun Cho. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

ETCHING LIQUID, KIT OF SAME, ETCHING METHOD USING SAME, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20160083650A1. Автор: MIZUTANI Atsushi,SUGISHIMA Yasuo,PARK Kee Young. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-03-24.

Plasma etching method for aluminumbased films

Номер патента: GB2059879A. Автор: . Владелец: Tokuda Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-29.

ETCHING METHOD, ETCHING SOLUTION USED IN SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

Номер патента: US20160053385A1. Автор: MIZUTANI Atsushi,KAMIMURA Tetsuya,MURO Naotsugu,TAKAHASHI Satomi,KOYAMA Akiko. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-02-25.

ETCHING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, ETCHING METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150247087A1. Автор: KAMIMURA Tetsuya,Inaba Tadashi,MURO Naotsugu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-09-03.

Etching method, etching solution used therefor, and method for manufacturing semiconductor substrate product using the same

Номер патента: JP5396514B2. Автор: 上村　　哲也. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-01-22.

Silver thin film etching solution composition, etching method and metal pattern forming method

Номер патента: CN108930038B. Автор: 朴英哲,南基龙,张晌勋,金童基,尹暎晋,李原昊. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Etching solution composition, multilayer film etching method, and display device manufacturing method

Номер патента: JP6420903B2. Автор: ジュン−イグ チョン,チ−スン イン,ミ−ソオン リー,ヒョン−オク シン,ジョン−ウ ペ. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-07.

Etching apparatus, etching method and wiring board prepared by said method

Номер патента: KR100313632B1. Автор: 카쯔오 이와사키. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-01-17.

Silver thin film etching liquid composition, etching method using the same and metal pattern forming method

Номер патента: CN113652693A. Автор: 李昔准,南基龙,权五柄,尹暎晋,李原昊. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Etching method and etching liquid

Номер патента: KR100924479B1. Автор: 이시카와마코토,무나카타마사키,코마츠히로히토,쿠몬사토시,테라모토카즈마,고다노부히로,모토이마사카즈,사이토노리유키,사카키하라토시아키. Владелец: 에스티 리퀴드 크리스탈 디스플레이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-11-03.

Plasma etching method, etching device, storage medium

Номер патента: CN101047127A. Автор: 藤永元毅. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Etching method of silicon-based material to be etched

Номер патента: JP3127454B2. Автор: 哲也 辰巳. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-01-22.

Etching liquid and etching method

Номер патента: EP3257969B1. Автор: Minoru Otani,Yuki Ogino,Mami TOJIMA,Masahiro HAYASHIZAKI. Владелец: MEC Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method

Номер патента: EP3905310A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-03.

Etching method

Номер патента: US09396962B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Ultra-large area scanning reactive ion etching machine and etching method thereof

Номер патента: US20220068617A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: US12100600B2. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234097A1. Автор: Atsushi Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US20210119128A1. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma etching method

Номер патента: US20190027368A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Dry etching method

Номер патента: US20180233376A9. Автор: Yueping Zuo,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Local etching apparatus and local etching method

Номер патента: US20010036741A1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US11189797B2. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Etching method of glass substrate and wet etching apparatus thereof

Номер патента: US09676661B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Etching method and bevel etching apparatus

Номер патента: US09623516B2. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Spin etching method for semiconductor wafer

Номер патента: US20090209110A1. Автор: Osamu Nagai,Ayumu Okano. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: EP4257727A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: US20240047224A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US12062548B2. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Etching device and etching method

Номер патента: US20230335419A1. Автор: Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Chin-Sheng Wang,Chia-Yu Peng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Plasma etching method and plasma etching system for carrying out the same

Номер патента: US6159388A. Автор: Shinya Iida,Yasuhiro Horiike,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Etching method for fabricating semiconductor device structure

Номер патента: US20230418259A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Etching method

Номер патента: US10424491B2. Автор: Yuki TAKANASHI,Noriaki OIKAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916A1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-11-20.

Etching method for use in fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US5798303A. Автор: Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-25.

Liquid composition and etching method for etching silicon substrate

Номер патента: US9799526B2. Автор: Shuji Koyama,Hirohisa Fujita,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Liquid composition and etching method for etching silicon substrate

Номер патента: US20160020113A1. Автор: Shuji Koyama,Hirohisa Fujita,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US20230294209A1. Автор: HeungYeol Na,Jungwoo CHOI,Yoonchul KIM,Seong Jin YEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Photolithographic etching method for nickel oxide

Номер патента: US3677847A. Автор: Alfred E Feuersanger,Lawrence M Harris. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1972-07-18.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US20220122852A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Plasma etching method and apparatus, and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09882124B2. Автор: Akitaka Shimizu,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Plasma etching method, plasma etching device, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: US09837251B2. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240038546A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: EP3712927A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: US20200365379A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Etching method

Номер патента: US20170309478A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Kazuaki Nishimura,Koji Takeya,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate

Номер патента: US09365934B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Etching method of copper-molybdenum film and array substrate

Номер патента: US11756797B2. Автор: Yuan Mei. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Etching method

Номер патента: US20180174859A1. Автор: Jun Zhang,Xufei Xu,Jie Song,Yijun Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Multiple etch method for fabricating spacer layers

Номер патента: US20030211697A1. Автор: Hun-Jan Tao,Ming-Huan Tsai,Mei-Ru Kuo,Jw-Wang Hsu,Baw-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Laser etching method for transparent conductive plate and transparent conductive plate prepared thereby

Номер патента: US09496074B2. Автор: Yu-Yang Chang,Shiou-Ming Liu,Yao-Zong Chen,Chien-Rong Lu. Владелец: Nanobit Tech Co ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Etching method for a structure pattern layer having a first material and second material

Номер патента: US09697990B2. Автор: Akiteru Ko,Satoru Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Graphene etching methods, systems, and composites

Номер патента: US09919929B2. Автор: Angele Sjong,Kraig Anderson. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200126770A1. Автор: Koji Maruyama,Kazunobu Fujiwara,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami,Takashi Dokan,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20060102288A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8192577B2. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method and using the same

Номер патента: EP3905310C0. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-21.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: TW200823995A. Автор: Jeong-Beom Lee,Duck-Ho Kim,Myung-Gon Song,Sung-Min Na,Sung-Ho Cha,Dae-Sik Junn,Kyoung-Jin Lim. Владелец: Jusung Eng Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-01.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method

Номер патента: EP3905310A4. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2022-09-28.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method and using the same

Номер патента: EP3905310B1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-21.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: SG11202107622UA. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-30.

Electrode part deterioration preventing mechanism of etching apparatus, etching apparatus, electrode part deterioration preventing method and etching method of etching apparatus

Номер патента: JP3865695B2. Автор: 秀史 浜田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-10.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20080110569A1. Автор: Junichi Tanaka,Hiroshi Akiyama,Naoshi Itabashi,Kouhei Satou,Go Miya,Seiichiro Kanno. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method

Номер патента: US20060292727A1. Автор: Takeharu Motokawa,Junichi Tonotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240222138A1. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma etching method and apparatus

Номер патента: GB202310034D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20130196511A1. Автор: Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Tadashi Kotsugi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Dry etching method and dry etching apparatus by using high density plasma source

Номер патента: KR100419033B1. Автор: 김준태,석창길,손상현,강순석. Владелец: (주)울텍. Дата публикации: 2004-02-21.

Power supply system, plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: KR102038649B1. Автор: 타이치 히라노,후미토시 쿠마가이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-10-30.

Power supply system, plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: TW201340167A. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Номер патента: US09966092B2. Автор: Kiyotaka Sakamoto,Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240203694A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Masaki Hosono,Kyohei Noguchi,Takuji Sako,Julen AROZAMENA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09960014B2. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Dry etching methods for reducing fluorocarbon-containing gas emissions

Номер патента: US20240212988A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Yuan-Hao Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: US20240096596A1. Автор: Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Geun Young Yeom,Wonjun CHANG,Soo NAM GOONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240212982A1. Автор: Wakako Ishida,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma etching method

Номер патента: US20170084430A1. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240203698A1. Автор: Yoshihide Kihara,Ryo Matsubara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida,Koki MUKAIYAMA,Takuto Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Substrate etching apparatus and substrate etching method

Номер патента: US20240242980A1. Автор: Yonghyun KIM,Kyu-Bum Kim,Jungwoo CHOI,Yeongmin Kim,Seung Ho MYOUNG,Ju Yeong YUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Etching method for magnetic tunnel junction

Номер патента: US11963455B2. Автор: Lu Chen,Dongdong HU,Kaidong Xu,Dongchen CHE. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: US6171512B1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: US11814726B2. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Katsuya Fukae. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Etching liquid, remover liquid and etching method

Номер патента: TW200424289A. Автор: Takehiko Kezuka,Mitsushi Itano,Takashi Kanemura,Shingo Nakamura,Fumihiro Kamiya. Владелец: Daikin Ind Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Jet etch method for decapsulation of molded devices

Номер патента: US4384917A. Автор: Ben L. Wensink. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-05-24.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: US6238586B1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Edge etch method and structure for producing narrow openings to the surface of materials

Номер патента: CA1076934A. Автор: Harold H. Hosack. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-05-06.

Pattern formation method, pattern, and etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device using same

Номер патента: US09880472B2. Автор: Keita Kato,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Pattern formation method, etching method, electronic device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US09810981B2. Автор: Keita Kato,Tsukasa Yamanaka,Naoya Iguchi,Michihiro Shirakawa,Naohiro Tango,Ryosuke Ueba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching method and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US20120156835A1. Автор: Tomohiro Kimura,Toshiyuki Isa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Etching method, etching liquid and etching liquid kit to be used in said method, and semiconductor substrate product manufacturing method

Номер патента: WO2014178426A1. Автор: 篤史 水谷,上村　哲也,智美 高橋,朗子 小山,泰雄 杉島. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2014-11-06.

ETCHING SOLUTION AND ETCHING SOLUTION KIT, ETCHING METHOD USING SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

Номер патента: US20160053386A1. Автор: MIZUTANI Atsushi,KAMIMURA Tetsuya,TAKAHASHI Satomi,KOYAMA Akiko. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-02-25.

Dry-etching method and plasma

Номер патента: US4948461A. Автор: Dilip K. Chatterjee. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1990-08-14.

Etching method, etching solution used in same, etching solution kit, and method for manufacturing semiconductor substrate product

Номер патента: WO2014178424A1. Автор: 篤史 水谷,上村　哲也,智美 高橋,朗子 小山,泰雄 杉島. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2014-11-06.

Etching liquid supply device, etching device and etching method

Номер патента: CN101140374A. Автор: 崔浩根,郑培铉,金龙佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-12.

Etching method and apparatus, and subject to be processed

Номер патента: TW200901310A. Автор: Tetsuya Ishii,Setsuo Nakajima,Tomohiro Otsuka. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching method and device for the electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching

Номер патента: RU2676816C1. Автор: Кэндзи МАЦУДА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-01-11.

Etching liquid, etching method, and method of manufacturing solder bump

Номер патента: US20160042993A1. Автор: Akira Susaki,Keiichi Kurashina. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

METHOD FOR STRUCTURING A NITRIDE LAYER, STRUCTURED DIELECTRIC LAYER, OPTOELECTRONIC COMPONENT, ETCHING METHOD FOR ETCHING LAYERS, AND AN ENVIRONMENT SENSOR

Номер патента: US20180040485A1. Автор: Zeisel Roland,Katz Simeon,RUECKERL Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Etching liquid, etching method, and method of manufacturing solder bump

Номер патента: US9633898B2. Автор: Akira Susaki,Keiichi Kurashina. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: WO2001084620A1. Автор: Teruo Takahashi,Motoyuki Watanabe. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2001-11-08.

Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus

Номер патента: CN102102211A. Автор: 平林英明,小林信雄,速水直哉,田家真纪子,加藤昌明,土门宏纪,黑川祯明,佐藤伸良,米仓由里. Владелец: Chlorine Engineers Corp Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1296367A1. Автор: Teruo Takahashi,Motoyuki Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2003-03-26.

Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus

Номер патента: TW201137175A. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoya Hayamizu,Nobuyoshi Sato,Nobuo Kobayashi,Masaaki Kato,Yuri Yonekura,Yoshiaki Kurokawa,Hiroki Domon,Makiko Tange. Владелец: Chlorine Eng Corp Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

METHOD FOR STRUCTURING A NITRIDE LAYER, STRUCTURED DIELECTRIC LAYER, OPTOELECTRONIC COMPONENT, ETCHING METHOD FOR ETCHING LAYERS, AND AN ENVIRONMENT SENSOR

Номер патента: US20200168472A1. Автор: Zeisel Roland,Katz Simeon,RUECKERL Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916B1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-05-21.

SUBSTRATE ETCHING METHOD AND SUBSTRATE ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130078747A1. Автор: SHIRAISHI Masatoshi,IWATSU Haruo,KITAHARA Shigenori. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-03-28.

ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130203260A1. Автор: Hayakawa Takashi,Hara Kenichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-08-08.

Thickness measuring apparatus, wet etching apparatus using the same, and wet etching method

Номер патента: JP4486217B2. Автор: 輝雄 高橋,元之 渡邉. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-06-23.

Etching apparatus of metal sheet and etching method of metal sheet

Номер патента: KR100469034B1. Автор: 이인석. Владелец: 엘지마이크론 주식회사. Дата публикации: 2005-10-14.

Wafer Etching Apparatus and Wafer Etching Method using the same

Номер патента: KR101093950B1. Автор: 김봉우,이재환,최은석,안진우,유환수. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2011-12-13.

Dry etching method

Номер патента: US20060108323A1. Автор: Shuichi Okawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Dry plasma etch method to pattern MRAM stack

Номер патента: US09806252B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Thorsten Lill,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Etching apparatus and etching method and detecting apparatus of film thickness

Номер патента: US20210225674A1. Автор: Hiroyuki Minemura,Soichiro Eto,Tatehito Usui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Power supply system, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US09922802B2. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US20150206763A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US8945413B2. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US20130186858A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Etching method, etching apparatus, and ring member

Номер патента: US9441292B2. Автор: Tsuyoshi Moriya,Yoshiaki Okabe,Songyun Kang,Ayuta Suzuki,Nobutoshi Terasawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: EP4207251A4. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Substrate processing apparatus, etching method of metal film, and manufacturing method of magnetoresistive effect element

Номер патента: US09685299B2. Автор: Yukito Nakagawa. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Plasma etching method, plasma etching method, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: WO2015129719A1. Автор: 尚樹 森口. Владелец: 株式会社 アルバック. Дата публикации: 2015-09-03.

Plasma etching method using faraday box

Номер патента: EP3764389B1. Автор: Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Geun Sik Jo,Soo Hee KANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Dry etching apparatus, etching method, and method of forming a wiring

Номер патента: US20060048894A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, plasma processing method, and plasma processing apparatus

Номер патента: TW201535518A. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-09-16.

DEVICE FOR ETCHING A CONDUCTIVE LAYER AND ETCHING METHOD

Номер патента: FR2876863A1. Автор: Christophe Mazzara,Jaona Girard. Владелец: Compagnie de Saint Gobain SA. Дата публикации: 2006-04-21.

CONDUCTING LAYER ETCHING DEVICE AND ETCHING METHOD

Номер патента: RU2007118645A. Автор: Кристоф МАЗЗАРА,Жаона ЖИРАР,Кристоф МАЗЗАРА (FR),Жаона ЖИРАР (FR). Владелец: Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr). Дата публикации: 2008-11-27.

Etching equipment, etching methods and detectors

Номер патента: JP6804694B1. Автор: 峯邑　浩行,浩行 峯邑,宗一郎 江藤,建人 臼井,臼井　建人. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-23.

Etching devices and etching methods

Номер патента: US20180094354A1. Автор: Jiangbo Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Wafer-level etching methods for planar photonics circuits and devices

Номер патента: US12057332B2. Автор: Chen Sun,Mark Wade,Roy Edward Meade,Vladimir Stojanovic,Alexandra WRIGHT. Владелец: Ayar Labs Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Selective chemical etch method for MRAM soft layers

Номер патента: US20070012656A1. Автор: David Abraham,Eugene O'sullivan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-18.

Selective chemical etch method for MRAM soft layers

Номер патента: US7252774B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,David Abraham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-07.

Spacer layer etch method providing enhanced microelectronic device performance

Номер патента: US20080026518A1. Автор: Ju-Wang Hsu,Yung-Shun Chen,Yuan-Hung Chiu,Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Jyh-Huei Chen,Yi-Chun Huang,Hung Der Su,Tung-Heng Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Etching method for single-isolated magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210399215A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Huiqun REN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Structure production wet etch method and structure production apparatus

Номер патента: US11791151B2. Автор: Fumimasa HIRIKIRI. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Partial Directional Etch Method and Resulting Structures

Номер патента: US20230343853A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Via etch method for back contact multijunction solar cells

Номер патента: US10090420B2. Автор: Lan Zhang,Sathya Chary,Ewelina Lucow,Ferran Suarez. Владелец: Solar Junction Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Etching method, etching solution used in same, etching solution kit, and method for manufacturing semiconductor substrate product

Номер патента: KR101755420B1. Автор: 테츠야 카미무라,사토미 타카하시,아키코 코야마,아츠시 미주타니,야수오 수기시마. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-07-10.

Maskless Etching Apparatus By Condensing Behavior of Etching Gas, And Etching Method For Fabricating Nano or Micro Scale Pattern Using The Same

Номер патента: KR101470306B1. Автор: 이지영,김윤환,나종주,이상로,서재형,김명근,박명점,악흔. Владелец: (주)에스이피. Дата публикации: 2014-12-09.

Substrate etching apparatus and substrate etching method

Номер патента: US20090020503A1. Автор: Seung-lyong Bok,Jung-Sub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Etching liquid, kit of same, etching method using same, method for producing semiconductor substrate product, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: KR101789137B1. Автор: 아츠시 미즈타니,야스오 스기시마,기영 박. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-10-23.

Dry etching method for magnetic material

Номер патента: TW200508418A. Автор: Yoshimitsu Kodaira,Taichi Hiromi. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

ETCHING SOLUTION, METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC ELEMENT AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20140083971A1. Автор: FUJII Takamichi,MUKAIYAMA Akihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-03-27.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD FOR ETCHING INSULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND NOVEL COMPOUNDS

Номер патента: US20210309914A1. Автор: Lee Jong Ho,Shim Yu Na,KIM Cheol Woo,KWAK Jae Hoon,KIM Young Bom,JO Jin Kyung,SEON Min Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD FOR ETCHING INSULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND NOVEL COMPOUNDS

Номер патента: US20200377793A1. Автор: Lee Jong Ho,Shim Yu Na,KIM Cheol Woo,KWAK Jae Hoon,KIM Young Bom,JO Jin Kyung,SEON Min Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Liquid composition used for etching of multilayer film containing copper and titanium, etching method using the composition, manufacturing method of multilayer film wiring, substrate

Номер патента: JP5692472B1. Автор: 智幸 安谷屋,邦夫 夕部,聡 玉井. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate

Номер патента: CN104968838A. Автор: 夕部邦夫,玉井聪,安谷屋智幸. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2015-10-07.

Etching method and etching solution used therefor

Номер патента: JP5798939B2. Автор: 正 稲葉,篤史 水谷,恒光 留場,和敬 高橋,稲葉　正. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-10-21.

Liquid composition for etching oxides comprising indium, zinc, tin, and oxygen and etching method

Номер патента: KR102128276B1. Автор: 마리 시게타,쿠니오 유베. Владелец: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-06-30.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: KR101969517B1. Автор: 아키후미 야오,요스케 나카무라,마사키 후지와라,히로유키 오모리. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-04-16.

Liquid composition for etching oxides comprising indium, zinc, tin, and oxygen and etching method

Номер патента: US10023797B2. Автор: Kunio Yube,Mari SHIGETA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Etching solution composition and etching method

Номер патента: WO2013136624A1. Автор: 雄太 田口,康太 齊藤. Владелец: 株式会社Adeka. Дата публикации: 2013-09-19.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: US09934941B2. Автор: Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same

Номер патента: SG153733A1. Автор: Cong Hai,HU Xiang,Zhou Mei Sheng,Pradeep Yelehanka. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US20130299455A1. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Etching method using a PVA stencil containing N-methylol acrylamide

Номер патента: US4339529A. Автор: Abraham Goldman. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Curved substrate etching method

Номер патента: EP4129890B1. Автор: Xiong Li,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Xiaoliang Ma,Mingbo PU,Kaipeng LIU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Plasma etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW200304676A. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

Curved substrate etching method

Номер патента: EP4129890C0. Автор: Xiong Li,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Xiaoliang Ma,Mingbo PU,Kaipeng LIU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of determining etch endpoint using principal components analysis of optical emission spectra and wafer etching method comprising it

Номер патента: KR100708423B1. Автор: 유홍규,토프렉안토니존. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-04-18.

Etching apparatus, etching method, and method for production of electronic device

Номер патента: TW200849376A. Автор: Tadahiro Ohmi,Takaaki Matsuoka,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2008-12-16.

ION BEAM ETCHING METHOD AND ION BEAM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20170098458A1. Автор: KAMIYA Yasushi,Sakamoto Kiyotaka,Akasaka Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

ION BEAM ETCHING METHOD OF MAGNETIC FILM AND ION BEAM ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140251790A1. Автор: KODAIRA Yoshimitsu,Toyosato Tomohiko. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

ETCHING APPARATUS AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20140251956A1. Автор: Kim Tae-Gon,Lee Jeong-Yun,Kim Kyung-Sun,JEON Kyung-yub. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20090206053A1. Автор: Masanobu Honda,Akitaka Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

MRAM wet etch method

Номер патента: US7258809B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Mram wet etch method

Номер патента: US20080156664A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

MRAM wet etch method

Номер патента: US20060289381A1. Автор: Eugene O'sullivan,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Etching adhesive tape, method of manufacturing the same and etching method

Номер патента: US09909037B2. Автор: Ming Zhang,Jing Wang,Min He,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Plasma etching method

Номер патента: US8293127B1. Автор: Joseph F. Rypl. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US11895778B2. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US20230199969A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Copper etching method for manufacturing circuit board

Номер патента: US20160262269A1. Автор: Ting-Hao Lin,Chiao-Cheng Chang,yi-nong Lin. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Etching method

Номер патента: US20150305165A1. Автор: Norikazu Nakamura. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Etching method

Номер патента: US9332647B2. Автор: Norikazu Nakamura. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Ink jet etching method and ink jet printing system

Номер патента: US09574301B2. Автор: Kazuhiko Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: EP4403676A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: WO2024153798A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US6905617B2. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-14.

Multi-stage resin surface etching method, and plating method on resin using same

Номер патента: EP3633066A1. Автор: Hiroshi Ishizuka,Miyoko IZUMITANI,Yasuyuki Kuramochi. Владелец: JCU Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US20040060905A1. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-04-01.

Resin composition, anti-etching layer and etching method

Номер патента: US20230212414A1. Автор: Hui-Ju Chen,Yu-Ning Chen,Shao-Li Ho,Jia Jheng Lin. Владелец: Echem Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Photomask etching method for chemical vapor deposition film

Номер патента: US20110027719A1. Автор: Pei-Chang Wang. Владелец: United Radiant Tech Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

A laser etching method for mems probes

Номер патента: US20240001485A1. Автор: Ming Zhou,Haichao Yu. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Composite structure made of titanium and/or a titanium alloy and/or niti and a polymer, and electrochemical etching method for producing same

Номер патента: US20240208180A1. Автор: Rainer Adelung,Melike Baytekin-Gerngroß,Mark-Daniel Gerngroß,Juergen Carstensen. Владелец: Christian Albrechts Universitatet Zu Kiel. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method and method of manufacturing liquid discharge head substrate

Номер патента: US20160039206A1. Автор: Yuzuru Ishida,Takashi Usui,Toshiyasu Sakai,Hisanori Hosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Wet etching solution composition, wet etching method of glass, and patterned glass by the wet etching method

Номер патента: US20240045108A1. Автор: Katsushi Igarashi,Sang-Ro Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Etching method employing positive photoresist film

Номер патента: US4686173A. Автор: Jun Kanamori,Mamoru Yokoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method

Номер патента: AU4047500A. Автор: Boris L. Druz,Danielle S. Hines,John F. Londono,Kurt E. Williams. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-16.

Anodic etching method for the detection of electrically active defects in silicon

Номер патента: CA1069221A. Автор: Robert O. Schwenker,Michael R. Poponiak,John L. Deines. Владелец: John L. Deines. Дата публикации: 1980-01-01.

Photosensitive transfer material, pattern formation method, and etching method

Номер патента: US09810984B2. Автор: HIDEAKI Ito,Yasumasa Kawabe,Shinji Fujimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching solution for copper or copper alloy, etching method, and regeneration management method of etching solution

Номер патента: JP5604307B2. Автор: 真 加藤,憲吾 山根,麻里子 石田. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US11786990B2. Автор: Gyoowan Han,Yoongyeong Bae,Jooseob Ahn,Taekil OH,Yeonghwan KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US20200230740A1. Автор: Gyoowan Han,Yoongyeong Bae,Jooseob Ahn,Taekil OH,Yeonghwan KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Etching method

Номер патента: JPS54109391A. Автор: Eiji Togawa. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1979-08-27.

Crystal substrate etching method, piezoelectric vibrating reed, a piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled timepiece

Номер патента: TW201206061A. Автор: Kiyoshi Aratake,Yoichi Funabiki. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Etching Adhesive Tape, Method of Manufacturing the Same and Etching Method

Номер патента: US20170101557A1. Автор: Ming Zhang,Jing Wang,Min He,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Micro-etching composition for copper or copper alloy, micro-etching method, and method for manufacturing printed circuit board

Номер патента: US20020038790A1. Автор: Sachiko Nakamura,Yoshihiro Kurii,Etsuji Kameda. Владелец: MEC Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Liquid composition for etching multilayer thin film containing copper and molybdenum, etching method using the same, and method for manufacturing display device

Номер патента: KR20170074190A. Автор: 마사히데 마츠바라,마리 시게타,쿠니오 유베,토모코 아사이,나츠미 하라다. Владелец: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-06-29.

Etching method, etching system and preparation method of PCB

Номер патента: CN105517352A. Автор: 江民权,王琦玮. Владелец: Zhuhai Founder Technology Multilayer PCB Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

FOCUS RING HEATING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20130299455A1. Автор: KOSHIMIZU Chishio,YAMAWAKU Jun,MATSUDO Tatsuo,Saito Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

LIQUID COMPOSITION USED IN ETCHING COPPER - AND TITANIUM - CONTAINING MULTILAYER FILM, ETCHING METHOD IN WHICH SAID COMPOSITION IS USED, METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER-FILM WIRING, AND SUBSTRATE

Номер патента: US20160053384A1. Автор: Tamai Satoshi,Yube Kunio,ADANIYA Tomoyuki. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICALCOMPANY, INC.. Дата публикации: 2016-02-25.

Etching method and article etched molded by that method

Номер патента: US20040248423A1. Автор: Takashi Shirai,Shunsuke Sato,Shunsuke Fukutomi,Naoki Koda. Владелец: Daishinku Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator

Номер патента: US20140175053A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hironori Araki,Shigeki Tanemura,Hiroyuki Ito. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Etching composition for titanium-containing layer, etching method of etching titanium-containing layer, and method of manufacturing semiconductor device using the etching composition

Номер патента: EP4421148A1. Автор: Hyosan Lee,Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Byoungki CHOI,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Minjae Sung,Gayoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: WO2008121270A1. Автор: Michael T Gallagher,Daniel W Hawtof,Karl W Koch Iii,Leonard C Ii Dabich,Brett J Hoover. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-09.

Preferential etching method of forming a microstructure for an optical fibre

Номер патента: EP2132150A1. Автор: Daniel Warren Hawtof,Michael Thomas Gallagher,Brett Jason Hoover,Leonard Charles II DABICH,Karl W Koch Iii. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Etching method and devices produced using the etching method

Номер патента: WO2013010067A3. Автор: Muthu Sebastian,Fong Liang Tan. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2013-03-21.

Etching method and devices produced using the etching method

Номер патента: US9023229B2. Автор: Muthu Sebastian,Fong Liang Tan. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2015-05-05.

Etching method for resin molded article and etching process system for resin molded article

Номер патента: US20230142233A1. Автор: Haruyoshi Yamakawa,Yuzuki YAMAMOTO,Hajime ISERl. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Waveguide etch method for multi-layer optical devices

Номер патента: US20190278024A1. Автор: Ruizhi Shi,Thomas Wetteland BAEHR-JONES. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Waveguide etch method for multi-layer optical devices

Номер патента: US20180356593A1. Автор: Ruizhi Shi,Thomas Wetteland BAEHR-JONES. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-13.

Composite polymer structure having an aluminum polymer anchoring layer, and etching method

Номер патента: US20240208181A1. Автор: Rainer Adelung,Melike Baytekin-Gerngroß,Mark-Daniel Gerngroß,Juergen Carstensen. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method for resin molded article and etching process system for resin molded article

Номер патента: EP4144885A4. Автор: Haruyoshi Yamakawa,Hajime Iseri,Yuzuki YAMAMOTO. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Etching gas, etching method and etching gas evaluation method

Номер патента: US20060027530A1. Автор: Masanobu Honda,Kazuya Nagaseki,Akinori Kitamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Powderless etching method for etching relief images in aluminum

Номер патента: US3402083A. Автор: Robert J Patsko,Jr William C Guenst. Владелец: Master Etching Machine Co. Дата публикации: 1968-09-17.

Etching method for resin molded article and etching process system for resin molded article

Номер патента: EP4144885A1. Автор: Haruyoshi Yamakawa,Hajime Iseri,Yuzuki YAMAMOTO. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Etching device for silicon core wire and etching method for silicon core wire

Номер патента: US11998955B2. Автор: Junya Sakai,Takuya Yokose. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Etching method in fabrications of microstructures

Номер патента: US20050059253A1. Автор: Hongqin Shi,Gregory Schaadt. Владелец: Reflectivity Inc. Дата публикации: 2005-03-17.

Steel etching method

Номер патента: RU2110618C1. Автор: Ангел Шарлотте,Берглинд Трой,Фрестад Арне,Луннер Свен-Эрик,Валей Андерс. Владелец: ЕКА Кемикалс АБ. Дата публикации: 1998-05-10.

Multi-stage resin surface etching method, and plating method on resin using same

Номер патента: EP3633066A4. Автор: Hiroshi Ishizuka,Miyoko IZUMITANI,Yasuyuki Kuramochi. Владелец: JCU Corp. Дата публикации: 2021-02-17.

Multi-stage resin surface etching method, and plating method on resin using same

Номер патента: EP3633066B1. Автор: Hiroshi Ishizuka,Miyoko IZUMITANI,Yasuyuki Kuramochi. Владелец: JCU Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Wet etching solution composition, wet etching method for glass, and glass patterned by wet etching method

Номер патента: TW202317497A. Автор: 李相老,五十嵐克史. Владелец: 五十嵐克史. Дата публикации: 2023-05-01.

Waveguide etch method for multi-layer optical devices

Номер патента: US10802218B2. Автор: Ruizhi Shi,Thomas Wetteland BAEHR-JONES. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-13.

Etching method and apparatus

Номер патента: US3580827A. Автор: Jean-Paul Lannegrace. Владелец: IMPRIMERIE CHAIX DESFOSSES NEO. Дата публикации: 1971-05-25.

Anodic etching method for the detection of electrically active defects in silicon

Номер патента: US4180439A. Автор: Robert O. Schwenker,Michael R. Poponiak,John L. Deines. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-12-25.

Copper etching method

Номер патента: GB1044709A. Автор: . Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1966-10-05.

Etching solution to improve etch rate for copper molybdenum multilayers and etching method using the same

Номер патента: KR100480797B1. Автор: 김기섭,오금철,김성수. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-04-07.

Etching solution for aluminum, etching method and aluminum etching product

Номер патента: JP2734839B2. Автор: 近藤　　清,洋哉 伊藤,一郎 小原,雅克 高石,秀晃 石飛. Владелец: OGI KAGAKU KOGYO KK. Дата публикации: 1998-04-02.

Etching solution composites for nickel, chrome, and/or nickel-chrome alloy and etching method using the etching solution composites

Номер патента: KR101298766B1. Автор: 박영훈,이상국,이일희,허욱환,최헌영. Владелец: 주식회사 익스톨. Дата публикации: 2013-08-21.

Etching agent for polycrystalline silicon wafer and etching method using etching agent

Номер патента: CN103266355A. Автор: 孙励斌,竺峰. Владелец: 竺峰. Дата публикации: 2013-08-28.

Etching device and etching method using the same

Номер патента: US20220267194A1. Автор: Kyu Young Kim,Jae Hoon Jeong,Jung Kyu JO,Han Sun Ryou,Byung-Seo Yoon,Jin Nyoung Heo,Seung Yo YANG,Jin Seock KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Photosensitive resin composition, method for producing pattern, mems structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, mems shutter device, and image display apparatus

Номер патента: KR101863644B1. Автор: 가츠히로 시모노,히로유키 요네자와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-06-04.

Etching method for processing substrate, dry etching method for polyetheramide resin layer, production method of ink-jet printing head, ink-jet head and ink-jet printing apparatus

Номер патента: EP0964440A3. Автор: Norio Ohkuma,Tamaki Sato,Junichi Kobayashi,Keiichi Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-24.

Etching mask, method of making same, etching method, magnetic head device and method of manufacturing same

Номер патента: US6303392B1. Автор: Koji Matsukuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Etching method for fabricating high quality optical fiber probe

Номер патента: TW200412334A. Автор: Pei-Kuen Wei. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2004-07-16.

Etching methods, programs, computer-readable recording media and plasma processing devices

Номер патента: TWI390626B. Автор: Takashi Tsunoda,Yuichiro Sakamoto,Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Etching method for use in deep-ultraviolet lithography

Номер патента: US20100028810A1. Автор: Ronald Charles Roth,Georgina Marie Park,Rosemary Urmese Anthraper. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

Etching method for metal or meral oxide thin film

Номер патента: JPS53112237A. Автор: Kenji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-09-30.

ETCHING METHOD AND DEVICES PRODUCED USING THE ETCHING METHOD

Номер патента: US20140124477A1. Автор: Tan Fong Liang,Sebastian Muthu. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

ETCHING LIQUID, ETCHING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLDER BUMP

Номер патента: US20150191830A1. Автор: Kurashina Keiichi,SUSAKI Akira. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Copper / molybdenum metal laminated film etching solution composition, etching method using the composition, and method for extending the life of the composition

Номер патента: JP6494254B2. Автор: 秀樹 高橋,高橋　秀樹,盈壕 李,本男 廖. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2019-04-03.

Etching solution compositions for copper-molybdenum metal laminated films, etching methods using said compositions, and methods for extending life-span of said compositions

Номер патента: TWI666301B. Автор: 高橋秀樹,廖本男,李盈壕. Владелец: 日商關東化學股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-21.

Cobalt-based and copper-based multi-layer metal film etching solution and its manufacturing method and etching method using the same

Номер патента: KR100295805B1. Автор: 김현식,민복기,송재성. Владелец: 윤문수. Дата публикации: 2001-10-26.

Silver thin film etching liquid composition, etching method using the same and metal pattern forming method

Номер патента: CN113637972A. Автор: 李昔准,南基龙,权五柄,闵庚灿. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-12.

Silver thin film etching solution composition, etching method and metal pattern forming method

Номер патента: CN111748816B. Автор: 崔汉永,南基龙,张晌勋,权五柄,金童基,金炼卓,李原昊. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-02.

Glass etching solution regeneration method and glass etching method

Номер патента: CN104341111A. Автор: 张欣华,张世群,黄慧清,林瑞钦,李沅达,陈泓邑,黄兆畅,叶容凯,罗中育,陈钦典,简文鸿. Владелец: G Tech Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-11.

ETCHING LIQUID COMPOSITION AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20200010762A1. Автор: ISHIZAKI Junro,OMIYA Daisuke. Владелец: ADEKA CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-09.

ETCHING DEVICES AND ETCHING METHODS

Номер патента: US20180094354A1. Автор: Ye Jiangbo. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-04-05.

ETCHING COMPOSITION AND ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20200339879A1. Автор: LEE Myung Ho,SONG Myung Geun,PARK Hyeon Woo,LEE Hye Hee. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Etching composition of single-layer film or laminated film or etching method using the composition

Номер патента: JP6777420B2. Автор: 秀樹 高橋,高橋　秀樹. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Etching agent for silicon nitride film, etching method

Номер патента: JP6425927B2. Автор: 学 吉田,英雄 徳久,吉田　学. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-11-21.

Etching solution for viewing a structure of a very low carbon steel and etching method thereby

Номер патента: KR960000597B1. Автор: 박종채. Владелец: 박덕현. Дата публикации: 1996-01-09.

Glass etching device and glass etching method

Номер патента: CN108975718A. Автор: 金�承,朴正佑,朴峻亨,李会官,金胜镐,廉宗勳. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Glass plate surface etching method, glass plate etching apparatus, glass plate for flat panel display, and flat panel display

Номер патента: KR20050093669A. Автор: 니시야마도모히로. Владелец: 니시야마 스테인레스 케미컬 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-09-23.

Laser etching device and laser etching method

Номер патента: CN113084359A. Автор: 黎良勇,朱卫才. Владелец: TCL Technology Electronics Huizhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

Improved Etching methods and Compositions

Номер патента: GB1177881A. Автор: . Владелец: PHOTO ENGRAVERS RES INST Inc. Дата публикации: 1970-01-14.

Etching solution composition and etching method

Номер патента: CN108690984B. Автор: 大和田拓央,清水寿和. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Ultrathin outer surface etching cassette and ultrathin outer surface etching method using the same

Номер патента: KR102315637B1. Автор: 추명자. Владелец: 추명자. Дата публикации: 2021-10-20.

Micro metal etching method by electro-chemical etching

Номер патента: KR100860306B1. Автор: 박진구,조민수,조영식,임현우. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-09-25.

Etching method and apparatus for etching glass

Номер патента: KR102561431B1. Автор: 히로아키 나카호리,요시유키 사카데,타케시 이누이. Владелец: 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-07-31.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120003838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal or alloy laser etching method

Номер патента: RU2460619C2. Автор: Сергей Георгиевич Горный,Дмитрий Викторович Соколов,Михаил Иванович Патров,Константин Владимирович Юдин,Александр Геннадьевич Валиулин,Сергей Евгеньевич Попков,Юрий Борисович Гречко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лазерный Центр". Дата публикации: 2012-09-10.

Semiconductor chemical etching method

Номер патента: RU2524137C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Суйкум Алиевна Шангереева. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

Deep-etching method

Номер патента: RU2464646C2. Автор: Виктор Эдуардович Гюнтер,Раис Габбасович Хафизов,Фаниля Асгатовна Хафизова,Руслан Марсельевич Миргазизов,Марсель Закиевич Миргазизов,Фарид Амирович Хайруллин,Дмитрий Эдуардович Цыплаков,Айгуль Корбановна Козлова. Владелец: Марсель Закиевич Миргазизов. Дата публикации: 2012-10-20.

Material etching method

Номер патента: RU2299934C2. Автор: Василий Васильевич Остапенко,лик Гаррий Абрамович Б,Гаррий Абрамович Бялик,Олег Николаевич Ткач. Владелец: Гаррий Абрамович Бялик. Дата публикации: 2007-05-27.

Wet-etching apparatus and wet-etching method

Номер патента: TW200623249A. Автор: Jung-Lung Huang,Sheng-Chou Gau,Chen-Hsien Ou,Li-Feng Chiu. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: SG10201906930VA. Автор: Miyoshi Hidenori,ABE Takuya,Shimizu Akitaka,NAGAKURA Koichi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Etching apparatus and etching method

Номер патента: TW201112900A. Автор: Yao-Wen Bai,Pan Tang,Xiao-Ping Li. Владелец: Foxconn Advanced Tech Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

Monitoring and compensating etching method of semiconductor etching machine and its computer-readable recording medium

Номер патента: TW550700B. Автор: Ching-Shan Lu,Yu-Wen Fang,Shi-Rong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-09-01.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TWI274527B. Автор: Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TW200635444A. Автор: Do Hyung Lee,Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Photosensitive resin composition for etching resist, method of manufacturing pattern, mems structure and method of manufacturing the same, dry etching method, wet etching method, mems shutter device, and image display device

Номер патента: JP2012181488A. Автор: Katsuhiro Shimono,Hiroyuki Yonezawa,裕之 米澤,勝弘 下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Photosensitive resin composition for etching resist, pattern manufacturing method, MEMS structure and manufacturing method thereof, dry etching method, wet etching method, MEMS shutter device, and image display device

Номер патента: JP5291744B2. Автор: 裕之 米澤,勝弘 下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

Etching method and method of fabricating opening

Номер патента: TWI293184B. Автор: Mandy Chen,Yi Hsiung Lin,Chuan Hsien Hsieh,C S Chiu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-02-01.

Etching method and method of fabricating opening

Номер патента: TW200717600A. Автор: Yi-Hsiung Lin,Mandy Chen,C S Chiu,Chuan-Hsien Hsieh. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-01.

Substrate tray, etching apparatus and etching method used in plasma etching apparatus

Номер патента: JP5264403B2. Автор: 正幸 佐藤,光康 浅野,泰宏 森川,敏幸 中村. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-08-14.

Deposition gas for forming etching protective film, plasma etching method, and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6438511B2. Автор: 孝 山本,隆一郎 伊崎,山本　孝,尚弥 池本,洋志 ▲高▼. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-12.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN, MEMS STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE, METHOD FOR DRY ETCHING, METHOD FOR WET ETCHING, MEMS SHUTTER DEVICE, AND IMAGE DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120107563A1. Автор: YONEZAWA Hiroyuki,SHIMONO Katsuhiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-05-03.

Etching solution management method for cured epoxy resin and etching method for cured epoxy resin using the management method

Номер патента: JP4143876B2. Автор: 信之 小川,勝司 柴田,健 斑目,亜矢子 松尾. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-03.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TW200303051A. Автор: Shinji Nakagami,Hiramoto Michihiko,Furuto Nobusuke,Hiroyuki Ogiya. Владелец: Shamk Internat Inst Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-16.

Etching method for metal surface of a golf club head

Номер патента: TWI248371B. Автор: Chan-Tung Chen,Shun-Fa Yang. Владелец: Nelson Prec Casting Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-01.

Etching method

Номер патента: JPS54104465A. Автор: Kazuo Kamimura. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-08-16.

Electrolytic etching method

Номер патента: JPS52143936A. Автор: Hajime Yamamoto,Satoshi Takeuchi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1977-11-30.

Dry etching method

Номер патента: JPS54123875A. Автор: Hiroshi Takeuchi. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-09-26.

Electrolytic etching method

Номер патента: JPS52138030A. Автор: Hajime Yamamoto,Satoshi Takeuchi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1977-11-17.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TWI267136B. Автор: Shinji Nakagami,Hiromichi Ogiya,Michihiro Hiramoto,Shinsuke Furuto. Владелец: Samco Internat Inc. Дата публикации: 2006-11-21.

Electrolytic etching method

Номер патента: JPS52136851A. Автор: Hajime Yamamoto,Satoshi Takeuchi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1977-11-15.

Etching method using reactive ions

Номер патента: TW447036B. Автор: Jau-Jiue Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Etching method

Номер патента: CA358817A. Автор: B. Wescott William. Владелец: MULTIGRAPH CO. Дата публикации: 1936-06-30.

Thin film etching method

Номер патента: TWI268621B. Автор: Chia-Che Hsu,Yea-Chung Shih,Mien-Jen Cheng,Cheng-Chang Wu,Jui-Chung Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2006-12-11.

Aluminium surface etching method

Номер патента: CA373335A. Автор: Bryant Mason Ralph. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1938-04-26.

Surface etching method for magnesium-lithium alloy

Номер патента: TW201120248A. Автор: Cheng-Chang Huang,Chi-Yuan Kao,Ku-Chuan Yeh. Владелец: Anvil Nano Shielding Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Etching method of alloy semiiconductor

Номер патента: JPS5392346A. Автор: Riyuuichi Ueda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1978-08-14.

Etching method

Номер патента: JPS57198263A. Автор: Yoshinobu Monma,Akira Machida,Mikio Fujii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-04.

Etching method of gate

Номер патента: TW486759B. Автор: Hun-Jan Tao,Yuan-Hung Chiu,Huan-Just Lin,Yu-I Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-05-11.

Electrolytic etching method

Номер патента: JPS52128850A. Автор: Hajime Yamamoto,Satoshi Takeuchi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1977-10-28.

Electrolytic etching method

Номер патента: JPS5293642A. Автор: Hajime Yamamoto,Satoshi Takeuchi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1977-08-06.

Etching method of controlling contact hole critical dimension

Номер патента: TW533496B. Автор: Bei-Hung Ju. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

A series of etchant compositions for silver alloy and the etching methods thereof

Номер патента: TW593634B. Автор: Shiu-Feng Li,Shin-Tz Yau,Jung-Je Tzou,Ming-Jung Shr,Tian-Sheng Ye. Владелец: RiTdisplay Corp. Дата публикации: 2004-06-21.

Etching method for dual layer thin film

Номер патента: TW408391B. Автор: Joseph Wang,Ya-Chi Chang,Richard Lai,Wuming Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Selective etching method of aluminum film

Номер патента: JPS54126472A. Автор: Takaaki Yamada,Yoshimi Hirata,Akio Kayanuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-10-01.

Etchant composition for silver alloy and etching method

Номер патента: TW588121B. Автор: Shiu-Feng Li,Shin-Tz Yau,Jung-Je Tzou,Ming-Jung Shr,Tian-Sheng Ye. Владелец: RiTdisplay Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Stepped etching method

Номер патента: JPS54156178A. Автор: Kunio Kojima,Yoshihisa Takase. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-12-08.

Thin film etching method

Номер патента: TW200725894A. Автор: Chia-Che Hsu,Yea-Chung Shih,Mien-Jen Cheng,Cheng-Chang Wu,Jui-Chung Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

The etching method of a titanium-tungsten layer below the bump electrode

Номер патента: TW200714752A. Автор: Kazuo Nagasawa,Chiburi Matsui. Владелец: Setek Co; Ltd M. Дата публикации: 2007-04-16.

Etching method for DRAM peripheral circuit

Номер патента: TW241385B. Автор: Shiaw-Chyn Duann,Yih-Fang Liou. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1995-02-21.

Organic layer etching method

Номер патента: TWI533354B. Автор: Kevin Pears. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-11.

The etch method of cathode foil in the aluminum electrolysis capacitor

Номер патента: TW403923B. Автор: Ching-Feng Lin,Wen-Guei Liou,Tsuen-Shian Ke,Shr-Shan Liou,You-Jr Lin. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2000-09-01.

Multiple wet etching method

Номер патента: TWI323486B. Автор: Tsong Sheng Lay,Tao Yuan Chang,Chien Liang Chiu,Kuei Ya Chuang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2010-04-11.

Improved etching method

Номер патента: AUPP389898A0. Автор: . Владелец: Thaumaturge Pty Ltd. Дата публикации: 1998-06-25.

Etching method for metal layer of substrate

Номер патента: TWI380751B. Автор: Chun Chien Chen,Cheng Po Yu,David C H Cheng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-21.

Composite etching method

Номер патента: TW200420762A. Автор: jia-xiong Guo. Владелец: Wintek Corp. Дата публикации: 2004-10-16.

Plasma etching method and device

Номер патента: TW577122B. Автор: Guang-Jung Peng. Владелец: Sp Probe Inc. Дата публикации: 2004-02-21.

Etching method

Номер патента: TW552674B. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chao-Cheng Chen,Li-chih Chao,Jen-Chen Liu,Jyu-Homg Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-09-11.

Etching method of contact window

Номер патента: TW278236B. Автор: Gwo-Jang Wu. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1996-06-11.

Etching method without the formation of spike and micron-trench

Номер патента: TWI228154B. Автор: Jen-Cheng Liu,Ching-Hui Ma,Li-chih Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-02-21.

Mechanical filter using etching method

Номер патента: TW585371U. Автор: Pei-Chau Lee. Владелец: Knowles Electronics Taiwan Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Multiple wet etching method

Номер патента: TW200826183A. Автор: Tao-Yuan Chang,Tsong-Sheng Lay,Chien-Liang Chiu,Kuei-Ya Chuang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2008-06-16.

Plasma etching method for optically transparent films of indium and tin oxides

Номер патента: UA22675U. Автор: Yurii Stepanovych Kravchenko,Maksym Mykolaiovyc Plachotniuk. Владелец: Univ Vinnytsia Nat Tech. Дата публикации: 2007-04-25.

Plasma etching method and device

Номер патента: TW200421479A. Автор: Guang-Jung Peng. Владелец: Conquer Tek Inc. Дата публикации: 2004-10-16.

Metal etching method of integrated circuit

Номер патента: TW302510B. Автор: Sheng-Liang Pan,Yun-Horng Shen,Jia-Dar Shieh,Jenn-Song Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-04-11.

Edge etch method and structure for producing narrow openings tothe surface of materials

Номер патента: AU496007B2. Автор: Hazlett Hosack Harold. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-12-01.

Chemical etching method applicable in semiconductor process

Номер патента: TW424277B. Автор: Ruei-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-01.

METAL ETCHING METHOD, METAL ETCHING CONTROL METHOD AND CONTROL DEVICE THEREOF

Номер патента: US20120132621A1. Автор: . Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2012-05-31.

ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHING DEVICE

Номер патента: US20120238104A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-09-20.

METAL ETCHING METHOD, METAL ETCHING CONTROL METHOD AND CONTROL DEVICE THEREOF

Номер патента: US20120305186A1. Автор: . Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2012-12-06.

ETCHING METHOD, AND ETCHING LIQUID TO BE USED THEREIN AND METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT USING THE SAME

Номер патента: US20140030896A1. Автор: KAMIMURA Tetsuya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-01-30.

Etching solution, etching method using the same, and method of manufacturing semiconductor substrate product

Номер патента: JP6425342B2. Автор: 哲 村山,篤史 水谷,智美 高橋. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-11-21.

Etching solution, etching method, and method for manufacturing semiconductor substrate product

Номер патента: JP6369989B2. Автор: 篤史 水谷,智美 高橋. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-08-08.

Etching solution set, etching method using the same, and method for manufacturing wiring board

Номер патента: JP4429141B2. Автор: 大作 秋山,雅代 栗山,亮 大串,薫 漆畑. Владелец: MEC Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-10.

Copper-etching solution, preparation method and application thereof, and copper etching method

Номер патента: CN105624679A. Автор: 王洋洋,董艳,王逸群,冯海通. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2016-06-01.

DEEP ETCHING METHOD

Номер патента: RU2009114361A. Автор: Виктор Эдуардович Гюнтер,Раис Габбасович Хафизов,Фаниля Асгатовна Хафизова,Руслан Марсельевич Миргазизов,Марсель Закиевич Миргазизов,Фарид Амирович Хайруллин,Дмитрий Эдуардович Цыплаков,Айгуль Корбановна Козлова,Виктор Эдуардович Гюнтер (RU),Марсель Закиевич Миргазизов (RU),Руслан Марсельевич Миргазизов (RU),Фаниля Асгатовна Хафизова (RU),Раис Габбасович Хафизов (RU),Фарид Амирович Хайруллин (RU),Дмитрий Эдуардович Цыплаков (RU),Айгуль Корбановна Козлова (RU). Владелец: Раис Габбасович Хафизов (RU). Дата публикации: 2010-10-20.

Etching solution, method for producing the same and etching method

Номер патента: JP3467411B2. Автор: 義晴 日高. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-11-17.

Etching solution manufacturing method and etching method

Номер патента: JP4258489B2. Автор: 勝治 伊藤,貞雄 波賀. Владелец: Nippon Kasei Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Etching solution for structure observation of copper or copper alloy, etching method and structure observation method

Номер патента: JP5509669B2. Автор: 敏之 高島. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Etching liquid, etching method using the same, and method for manufacturing semiconductor substrate product

Номер патента: TWI674337B. Автор: 村山哲,水谷篤史,高橋智美. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-11.

Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same

Номер патента: CN1933326A. Автор: 佐藤俊介,中田穗积. Владелец: Daishinku Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Plasma processing method, etching method, plasma processing apparatus and etching apparatus

Номер патента: JP4680333B2. Автор: 貴一 浜. Владелец: 東京エレクトロンＡｔ株式会社. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for determining dry etching time and dry etching method

Номер патента: JP5163894B2. Автор: 慎一 五十嵐. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Contact etching method of integrated circuit

Номер патента: TW304282B. Автор: Chinq-Yiing Lii. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1997-05-01.

Etching method for metal surface of a golf club head

Номер патента: TW200524660A. Автор: Chan-Tung Chen,Shun-Fa Yang. Владелец: Nelson Prec Casting Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-01.

PLASMA ETCHING METHOD, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PLASMA ETCHING DEVICE

Номер патента: US20130029494A1. Автор: Sasaki Masaru,Moyama Kazuki,Inoue Masaki,Noto Yoko. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-01-31.

Plasma etching apparatus, plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4605940B2. Автор: 正和 滝,賢治 新谷,広樹 大寺. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-05.

DRY ETCHING METHOD AND DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120094500A1. Автор: SUZUKI Hiroyuki,OKUNE Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120264308A1. Автор: WATANABE Tsukasa,Egashira Keisuke,Kaneko Miyako,Orii Takehiko. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-10-18.

Resist resin composition for glass etching and glass substrate etching method

Номер патента: JP4628186B2. Автор: 周幸 大塚,浩 尾田. Владелец: Nippon Paint Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Etching solution composition and etching method

Номер патента: JP6078394B2. Автор: 祐次 正元,裕一郎 岸. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2017-02-08.

Etching method and etching solution

Номер патента: JP4774789B2. Автор: 誠 石川,浩史 鎌田. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2011-09-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: JP4512529B2. Автор: 善幸 野沢,彰一 村上,明光 大石. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-28.

CdGeAs2 crystal etching agent and etching method

Номер патента: CN101381893A. Автор: 朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇,邓江辉. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2009-03-11.

Etching method of etching anisotropic wafer

Номер патента: JPS5716171A. Автор: Eiji Karaki,Katsuma Endo. Владелец: Matsushima Kogyo KK. Дата публикации: 1982-01-27.

Etching mask and dry etching method

Номер патента: JP4654811B2. Автор: 浩 杉村. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2011-03-23.

Sample dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP4068986B2. Автор: 大本　　豊,良次 福山,守 薬師寺. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-03-26.

A plasma etching method for etching carbon - containing layers

Номер патента: TWI445079B. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2014-07-11.

Etching method and etching device

Номер патента: JPH10280173A. Автор: Masabumi Kubota,正文 久保田,Mitsuhiro Okuni,充弘 大國. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP3339136B2. Автор: 哲也 辰巳. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-28.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP2794963B2. Автор: 徳彦 玉置,正文 久保田,登 野村. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-10.

Copper etching solution and etching method

Номер патента: TW200634177A. Автор: Makoto Ishikawa,Noriyuki Saitou,Takanobu Katsuki,Masumi Aoki. Владелец: Mitsubishi Chem Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: CN105297022A. Автор: 清水寿和,河野良. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-02-03.

Thickness measuring apparatus, wet etching apparatus using the same, and wet etching method

Номер патента: JP4347517B2. Автор: 輝雄 高橋,元之 渡邉. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-10-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.