Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Tap dual port router circuitry with gated shiftDR and clockDR

Tap dual port router circuitry with gated shiftDR and clockDR

Номер патента: US09753085B2
Опубликовано: 05-09-2017
Автор(ы): Lee D. Whetsel
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Tap dual port router circuitry with gated shiftDR and clockDR

Номер патента: US9753085B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Tap dual port router circuitry with update and capture inputs

Номер патента: US9513336B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Tap dual port router with update lead and gated updatedr

Номер патента: US10197626B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-05.

Tap Dual Port Router, First, Second Multiplexer, First, Second Gating

Номер патента: US10564220B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-18.

IC tap with dual port router and additional update input

Номер патента: US9261559B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

IC core DDR separate test controller, selector, scan router circuitry

Номер патента: US9222975B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Scan paths with gating, enable, and select decode control circuits

Номер патента: US09453882B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

At speed tap with dual port router and command circuit

Номер патента: US09507679B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Scan Cell for Dual Port Memory Applications

Номер патента: US20180156866A1. Автор: Chong Yew Keong,Mclaurin Teresa Louise,Frederick Frank David,Slobodnik Richard,Jani Kartikey. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Positive edge flip-flop with dual-port slave latch

Номер патента: US20140347113A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Metamaterial based metal gate mosfet detector with gate rasterized

Номер патента: US20200203550A1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of using dual-port measurement system to measure acoustic impedance

Номер патента: US9612225B2. Автор: Mingsian R. Bai,Yi-Yang Lo. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-04.

Cable circuitry with digital signal processing

Номер патента: RU2458323C2. Автор: Штефан БУШНАКОВСКИ,Торстен ПЕХШТАЙН,Штефан РОБЛЬ,Свен-Маттиас ШАЙБЕ,Тобиас МИТ. Владелец: Эндресс+Хаузер Кондакта Гезелльшафт Фюр Месс-Унд Регельтекник Мбх+Ко. Кг. Дата публикации: 2012-08-10.

Driver circuit with gate clamp supporting stress testing

Номер патента: US09490786B2. Автор: Ni Zeng. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Driver circuit with gate clamp supporting stress testing

Номер патента: US20160218700A1. Автор: Ni Zeng. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Low-side driver with gate leakage detection circuitry

Номер патента: US5798662A. Автор: Mark W. Marosek,Rich Philpott. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-08-25.

Gate control circuit for e.g. MOS-transistor, has isolated gate connected with gate connection, where circuit executes test mode adapted for testing quality of gate oxide of transistor and test mode is activated in baking process

Номер патента: DE102004059643A1. Автор: Rainald Sander. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-22.

Driver circuit with gate clamp supporting stress testing

Номер патента: US20160218700A1. Автор: Ni Zeng. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Charge sensing device with gate voltage selected to operate around the charge neutrality point and tune the quantum capacitance

Номер патента: US11892473B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Frank KOPPENS,Stijn Goossens. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated level detector circuit with gating arrangement to inhibit transient output signals in response to energization of the circuit

Номер патента: US3651470A. Автор: Robert Joseph Healey,Joseph Plany. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1972-03-21.

CHARGE SENSING DEVICE WITH GATE VOLTAGE SELECTED TO OPERATE AROUND THE CHARGE NEUTRALITY POINT AND TUNE THE QUANTUM CAPACITANCE

Номер патента: US20220137098A1. Автор: KOPPENS Frank,Konstantatos Gerasimos,GOOSSENS Stijn. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

CHEMICAL EXCHANGE SATURATION TRANSFER MAGNETIC RESONANCE IMAGING WITH GATING SYNCHRONIZED ACQUISITION

Номер патента: US20180292495A1. Автор: Sun Phillip Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Method for organizing optimal fault-tolerant multidimensional tori based on low-port routers and duplex channel splitters

Номер патента: RU2753147C1. Автор: Владимир Владимирович Соколов,Виктор Сергеевич Подлазов,Михаил Федорович Каравай. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-08-12.

Emulated multiport memory element circuitry with exclusive-or based control circuitry

Номер патента: US20170352393A1. Автор: Pohrong Rita Chu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Pseudo-dual-port memory with synchronisation for each port

Номер патента: RU2405221C2. Автор: Чанг Хо ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-11-27.

Duplicate tag structure employing single-port tag ram and dual-port state ram

Номер патента: US20150006803A1. Автор: Muditha Kanchana,Harshavardhan Kaushikkar,Odutola O. Ewedemi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Dual port pass-through midspan

Номер патента: US09484748B2. Автор: Beny MAYMON,Shlomo ELBAZ. Владелец: Microsemi Corp Analog Mixed Signal Group Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Circuit for mitigating write disturbance of dual-port SRAM

Номер патента: US09466357B2. Автор: Ching-Te Chuang,Ming-Hsien Tu,Chien-Yu Lu,Ming-Ching Zheng. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Duplicate tag structure employing single-port tag RAM and dual-port state RAM

Номер патента: US09454482B2. Автор: Muditha Kanchana,Harshavardhan Kaushikkar,Odutola O. Ewedemi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory module with a dual-port buffer

Номер патента: EP2867779A1. Автор: David G. Carpenter,William C. Hallowell,James W. BRAINARD. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-06.

Cell structure for dual-port static random access memory

Номер патента: US09892781B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

6T bitcell for dual port SRAM memories with single-ended read and single-ended write and optimized bitcells for multiport memories

Номер патента: US09496029B1. Автор: Sudhir S. Moharir. Владелец: Skan Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Structure and method for providing prioritized arbitration in a dual port memory

Номер патента: US5398211A. Автор: Avigdor Willenz,Kelly A. Maas. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 1995-03-14.

Methods and apparatus for dual port memory devices having hidden refresh and double bandwidth

Номер патента: US20050226079A1. Автор: Yiming Zhu,Qingming Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Dual port sram with dummy read recovery

Номер патента: US20150092476A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

8T Dual Port SRAM and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210366537A1. Автор: Yulin Wang,Pinhan CHEN,Bangwei Shen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Orthogonal dual port ram (oram)

Номер патента: US20200135267A1. Автор: Cormac Michael O'CONNELL. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method and apparatus for testing a write function of a dual-port static memory cell

Номер патента: US20020110024A1. Автор: Michael Ouellette,Jeremy Rowland,David Wager. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

一种Dual Port SSD的SI测试方法、装置

Номер патента: CN109448779. Автор: 武丽伟. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Address multiplexing in pseudo-dual port memory

Номер патента: RU2490731C2. Автор: Чанг Хо ДЗУНГ,Чэн ЧЖУН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-08-20.

Dual-port SRAM device

Номер патента: US7535751B2. Автор: Huai-Ying Huang,Forst Hung,Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-05-19.

Dual port USB interface

Номер патента: US7543080B2. Автор: Peter Arthur Schade. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-02.

Parallel Port Enablement in Pseudo-Dual-Port Memory Designs

Номер патента: US20200327932A1. Автор: Praveen Kumar Verma,Rohan MAKWANA. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Orthogonal dual port ram (oram)

Номер патента: US20210383860A1. Автор: Cormac Michael O'CONNELL. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Dual-ported and-type match-line circuit for content-addressable memories

Номер патента: US20090097294A1. Автор: Chieh-Jen Cheng,Jinn-Shyan Wang,Tien-Fu Chen,Chao-Ching Wang. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-04-16.

NVMe dual port enterprise SSD optimization

Номер патента: US11853555B2. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

NVMe DUAL PORT ENTERPRISE SSD OPTIMIZATION

Номер патента: WO2023064002A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Ten-transistor dual-port sram with shared bit-line architecture

Номер патента: US20140198562A1. Автор: Wei Hwang,Dao-Ping Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-07-17.

Dual porting serial advanced technology attachment disk drives for fault tolerant applications

Номер патента: US20080189384A1. Автор: Bret S. Weber,John V. Sherman. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2008-08-07.

Pseudo dual-ported sram

Номер патента: EP2368194A2. Автор: Andrew Lines,Jonathan Dama. Владелец: Fulcrum Microsystems Inc. Дата публикации: 2011-09-28.

Three dimensional dual-port bit cell and method of using same

Номер патента: US09905292B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

DDR4-SSD dual-port DIMM device

Номер патента: US09887008B2. Автор: YANSONG Wang,TING Li,Xiaobing Lee. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Access controlling method of dual port memory system

Номер патента: US09766821B2. Автор: Soo Gang Lee,Dae Hyun Kwon. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Dual-port static random access memory

Номер патента: US09646974B1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Fault tolerant dual port serial link controller

Номер патента: CA1269734A. Автор: Edwin P. Crabbe, Jr.. Владелец: GTE Communication Systems Corp. Дата публикации: 1990-05-29.

Fault tolerant dual port serial link controller

Номер патента: CA1269734C. Автор: Edwin P Crabbe. Владелец: . Дата публикации: 1990-05-29.

Cell Structure for Dual-Port Static Random Access Memory

Номер патента: US20180005691A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Dual port SRAM cell and design method thereof

Номер патента: US11889673B2. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Time-interleaving sensing scheme for pseudo dual-port memory

Номер патента: US11887660B2. Автор: Yi-Ping Kuo,Yi-Te Chiu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Clock mesh synthesis with gated local trees and activity driven register clustering

Номер патента: US20120299627A1. Автор: Jianchao Lu,Baris Taskin. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Dual-port memory module design for composable computing

Номер патента: EP4278268A1. Автор: Jinshui Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Dual-port memory module design for composable computing

Номер патента: US20230350795A1. Автор: Jinshui Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Dual port sram cell and design method thereof

Номер патента: US20230005936A1. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Single port memory that emulates dual port memory

Номер патента: US20150067275A1. Автор: Rakesh Pandey,Aarul Jain,Rohit S. Patel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Dual-port SRAM

Номер патента: US12009818B2. Автор: Pinhan CHEN,Chenglei Guo. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods for managing storage operations for multiple hosts coupled to dual-port solid-state disks and devices thereof

Номер патента: US20230393977A1. Автор: Rohit Singh,Abhijeet Gole. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods for managing storage systems with dual-port solid-state disks accessible by multiple hosts and devices thereof

Номер патента: US20230259460A1. Автор: Abhijeet Gole,Douglas Doucette,Ratnesh Gupta. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for managing storage systems with dual-port solid-state disks accessible by multiple hosts and devices thereof

Номер патента: US12050540B2. Автор: Abhijeet Gole,Douglas Doucette,Ratnesh Gupta. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for managing storage systems with dual-port solid-state disks accessible by multiple hosts and devices thereof

Номер патента: US11709780B2. Автор: Abhijeet Gole,Douglas Doucette,Ratnesh Gupta. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Pseudo dual port memory devices

Номер патента: US20240185896A1. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Jeong Kyun KIM,Kyu Won CHOI,Ju Chang Lee,Hyeong Cheol Kim,Suk Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method for dual-port communication and power delivery

Номер патента: US20240259231A1. Автор: Wuguang Liu,Stewart Merkel. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for managing storage operations for multiple hosts coupled to dual-port solid-state disks and devices thereof

Номер патента: US12086059B2. Автор: Rohit Singh,Abhijeet Gole. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Dual-port DDR4-DIMMs of SDRAM and NVRAM for SSD-blades and multi-CPU servers

Номер патента: US09852779B2. Автор: Xiaobing Lee. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Dual port video memory system having semi-synchronous data input and data output

Номер патента: CA1267971A. Автор: Donald Henry Willis,Isao Nakagawa. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1990-04-17.

Method and system for PCMCIA card boot from dual-ported memory

Номер патента: US5898869A. Автор: Daniel Joseph Anderson. Владелец: Foxboro Co. Дата публикации: 1999-04-27.

Microcontroller with dual port ram for lcd display and sharing of slave ports

Номер патента: WO1998000828A1. Автор: Rodney Drake,Ray Allen. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1998-01-08.

Dual-port, dual-function memory device

Номер патента: US11830574B2. Автор: Amit Gattani,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Dual port memory cell with improved access resistance

Номер патента: US20190198508A1. Автор: Tushar Sharma,Tanmoy Roy,Shishir Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-06-27.

Dual port memory cell with improved access resistance

Номер патента: US11889675B2. Автор: Tushar Sharma,Tanmoy Roy,Shishir Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-01-30.

Vccmin for a dual port synchronous random access memory (dpsram) cell utilized as a single port synchronous random access memory (spsram) cell

Номер патента: US20140146631A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Pseudo dual-ported sram

Номер патента: WO2010080342A2. Автор: Andrew Lines,Jonathan Dama. Владелец: FULCRUM MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Dual port access circuit

Номер патента: CA1202424A. Автор: Frank E. Barber. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-25.

Dual port SRAM cell having pseudo ground line or pseudo power line

Номер патента: US5973985A. Автор: Richard J. Ferrant. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-10-26.

Low noise serial interfaces with gated clock

Номер патента: US10437774B2. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,James Henry Ross,Bryan J. Roll. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Dual-port SRAM in a programmable logic device

Номер патента: US6992947B1. Автор: Joseph Huang,Xiaobao Wang,Yan Chong,Chiakang Sung,Bonnie Wang,Khai Nguyen,In Whan Kim,Philip Y. Pan,Gopinath Rangan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2006-01-31.

Process for producing an active matrix display screen with gate resistance

Номер патента: US4738749A. Автор: Joseph Richard,Bruno Vinouze,Francois Maurice. Владелец: Francois Maurice. Дата публикации: 1988-04-19.

Dual-ported read SRAM cell with improved soft error immunity

Номер патента: US6873565B1. Автор: Reid James Riedlinger,Brandon Yelton,Steven R. Affleck. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-29.

Pseudo dual port memory devices

Номер патента: US20220366944A1. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Jeong Kyun KIM,Kyu Won CHOI,Ju Chang Lee,Hyeong Cheol Kim,Suk Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Pseudo dual port memory devices

Номер патента: US11923035B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Jeong Kyun KIM,Kyu Won CHOI,Ju Chang Lee,Hyeong Cheol Kim,Suk Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods, apparatus and system determining dual port DC contention margin

Номер патента: US9530488B1. Автор: Randy W. Mann,Sriram Balasubramanian,Vivek Joshi,Ratheesh Ramachandran Thankalekshmi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Collision prevention in a dual port memory

Номер патента: US20130094313A1. Автор: William V. Miller,Steven C. Sullivan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Memory repair circuit and repairable pseudo-dual port static random access memory

Номер патента: US20100014367A1. Автор: Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

A dual-ported pipelined two level cache system

Номер патента: WO2000039764A9. Автор: Dean A Mulla,John Wai Cheong Fu,Gregory S Mathews,Stuart E Sailer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-12-07.

Dual-Port SRAM Cell Structure

Номер патента: US20210035986A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu,Bing-Chian Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for managing storage operations for multiple hosts coupled to dual-port solid-state disks and devices thereof

Номер патента: US20210406174A1. Автор: Rohit Singh,Abhijeet Gole. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods for managing storage systems with dual-port solid-state disks accessible by multiple hosts and devices thereof

Номер патента: US20210334216A1. Автор: Abhijeet Gole,Douglas Doucette,Ratnesh Gupta. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

System and method for dual-port communication and power delivery

Номер патента: US12003346B2. Автор: Wuguang Liu,Stewart Merkel. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for accessing dual-port memory

Номер патента: US20070233968A1. Автор: Chung-Lin Lee. Владелец: Council Executive Yuan. Дата публикации: 2007-10-04.

High-speed pseudo-dual-port memory with separate precharge controls

Номер патента: EP3311385A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok,Nishith Nitin Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

High-speed pseudo-dual-port memory with separate precharge controls

Номер патента: US20160372167A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok,Nishith Nitin Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Systems and methods for generating dynamic human-like conversational responses using a modular architecture featuring layered data models in non-serial arrangements with gated neural networks

Номер патента: WO2024182087A1. Автор: Joenteny David Martinez Gutierrez. Владелец: Citibank, N.A.. Дата публикации: 2024-09-06.

Programmable control block for dual port sram application

Номер патента: US20120263000A1. Автор: Catherine Chingi Chang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Re-configurable content addressable/dual port memory

Номер патента: US20040252537A1. Автор: Carl Monzell. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Systems and methods for generating dynamic human-like conversational responses using a modular architecture featuring layered data models in non-serial arrangements with gated neural networks

Номер патента: US20240289359A1. Автор: Joenteny David Martinez Gutierrez. Владелец: Citibank NA. Дата публикации: 2024-08-29.

Pseudo-dual-port sram with burst-mode address comparator

Номер патента: EP4405949A1. Автор: Chulmin Jung,ChangHo Jung,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Systems and methods for generating dynamic human-like conversational responses using a modular architecture featuring layered data models in non-serial arrangements with gated neural networks

Номер патента: US12124486B2. Автор: Joenteny David Martinez Gutierrez. Владелец: Citibank NA. Дата публикации: 2024-10-22.

Dual-port-sram-zellenstruktur

Номер патента: DE102023129405A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Bitline precharge control and tracking scheme providing increased memory cycle speed for pseudo-dual-port memories

Номер патента: US09928889B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Sharad Kumar Gupta,Mukund Narasimhan,Veerabhadra Rao Boda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Latching pseudo-dual-port memory multiplexer

Номер патента: US09892768B2. Автор: Gary L. Taylor. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Dual port memory cell with multiple metal layers

Номер патента: US12148463B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Dual-port SRAM timing control circuit which can reduce the operational power consumption of SRAM without affecting the read reliability

Номер патента: US09570154B2. Автор: Yijun Qian. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

High-speed pseudo-dual-port memory with separate precharge controls

Номер патента: US09520165B1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok,Nishith Nitin Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for operating dual port ram

Номер патента: KR100256563B1. Автор: 김진태. Владелец: 대우통신주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

Asynchronous, dual-port, RAM-based FIFO with bi-directional address synchronization

Номер патента: US5956748A. Автор: Bernard J. New. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Dual port memory interlock

Номер патента: CA1180125A. Автор: Ralph L. Adcock. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1984-12-27.

Dual-port memory

Номер патента: US5946261A. Автор: Alain Artieri. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-08-31.

Dual-port memory with asynchronous control of serial data memory transfer

Номер патента: US4825411A. Автор: Hisanori Hamano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-04-25.

Dual-port memory device

Номер патента: US5208775A. Автор: Jang-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Apparatus and method for synchronously providing a fullness indication of a dual ported buffer situated between two asynchronous buses

Номер патента: US5721839A. Автор: Gregory T. Chandler,Ryan A. Callison. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Dual port cache with interleaved read accesses during alternate half-cycles and simultaneous writing

Номер патента: US4493033A. Автор: Michael L. Ziegler,Michael B. Druke. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1985-01-08.

Pseudo-dual port memory where ratio of first to second memory access is clock duty cycle independent

Номер патента: WO2007114858A2. Автор: Chang Ho Jung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-10-11.

Dual port memory sense amplifier isolation

Номер патента: US4586168A. Автор: James Ward,Richard H. Adlhoch. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1986-04-29.

Dual-port memory has the serial register connected to the storage cells by single-sided bitlines

Номер патента: US5475649A. Автор: Anthony M. Balistreri,Andre J. Guillemaud. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-12-12.

Dual port memory circuit

Номер патента: US4633441A. Автор: Shoji Ishimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-12-30.

Dual port semiconductor memory device

Номер патента: US5325332A. Автор: Mitsue Tagaya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Dual port type semiconductor memory

Номер патента: US4578780A. Автор: Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Dual port type semiconductor memory device realizing a high speed read operation

Номер патента: US4823321A. Автор: Keizo Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-18.

Dual port memory device with improved serial access scheme

Номер патента: US4870621A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Sine wave generator with dual port look-up table

Номер патента: WO2008042114A3. Автор: David Michael Gross,William Scott Mcdonald. Владелец: William Scott Mcdonald. Дата публикации: 2008-09-25.

Systems and methods for generating dynamic human-like conversational responses using a modular architecture featuring layered data models in non-serial arrangements with gated neural networks

Номер патента: US11836168B1. Автор: Joenteny David Martinez Gutierrez. Владелец: Citibank NA. Дата публикации: 2023-12-05.

Dual-port SRAM cell and layout structure thereof

Номер патента: US11315629B2. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Fliegende und verdrillte Bitleitungsarchitektur für einen statischen Dual-Port-Direktzugriffsspeicher (DP-Sram)

Номер патента: DE102016125618A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Sine wave generator with dual port look-up table

Номер патента: WO2008042114A2. Автор: David Michael Gross,William Scott Mcdonald. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2008-04-10.

Dual-port sram cell and layout structure thereof

Номер патента: US20220093170A1. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Double-wire field device for industrial process providing maximisation of power available for device circuitry with minimum control loop current

Номер патента: RU2530352C2. Автор: Джон П. ШУЛЬТЕ. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2014-10-10.

Circuitry with warning function

Номер патента: US20150194028A1. Автор: Chin Jun Kao. Владелец: Giga Byte Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Current limit circuitry with controlled current variation

Номер патента: WO2024182365A1. Автор: Sumantra SETH,Trilok Kamagond. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-06.

Current limit circuitry with controlled current variation

Номер патента: US20240297642A1. Автор: Sumantra SETH,Trilok Kamagond. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Multi-mode oscillation circuitry with stepping control

Номер патента: WO2020237097A1. Автор: Michael Naone Farias,Shunta Iguchi,Ilker Deligoz. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-11-26.

Multi-Mode Oscillation Circuitry with Stepping Control

Номер патента: US20200371545A1. Автор: Michael Naone Farias,Shunta Iguchi,Ilker Deligoz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Multi-mode oscillation circuitry with stepping control

Номер патента: EP3973630A1. Автор: Michael Naone Farias,Shunta Iguchi,Ilker Deligoz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Gathering and dispensing scoop with gate valve

Номер патента: US09896319B2. Автор: Susan A. Thomson. Владелец: Susan Thomson. Дата публикации: 2018-02-20.

Gathering and dispensing scoop with gate valve

Номер патента: US09771251B2. Автор: Susan A. Thomson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-26.

Knock detection circuit with gated automatic gain control

Номер патента: WO1988009922A1. Автор: Richard E. Staerzl. Владелец: Brunswick Corporation. Дата публикации: 1988-12-15.

METAMATERIAL BASED METAL GATE MOSFET DETECTOR WITH GATE RASTERIZED

Номер патента: US20200203550A1. Автор: MA Jianguo,Zhou Shaohua. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Solid state tissue equivalent detector with gate electrodes

Номер патента: US10923535B2. Автор: Michael Bardash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-16.

Solid State Tissue Equivalent Detector With Gate Electrodes

Номер патента: US20190109179A1. Автор: Michael Bardash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-11.

Solid State Tissue Equivalent Detector With Gate Electrodes

Номер патента: US20200235167A1. Автор: Michael Bardash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-23.

Weighing apparatus with gate discharge

Номер патента: US2851240A. Автор: Edward C Addison. Владелец: BEAUMONT BIRCH CO. Дата публикации: 1958-09-09.

Quantified perfusion studies with ultrasonic thick slice imaging having a dual port memory

Номер патента: US09955941B2. Автор: Karl Thiele,Patrick G. Rafter,Robert L. Burnham. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-05-01.

Gathering and Dispensing Scoop with Gate Valve

Номер патента: US20130119093A1. Автор: Susan A. Thomson. Владелец: Susan A. Thomson. Дата публикации: 2013-05-16.

SPAD array with gated histogram construction

Номер патента: US20170052065A1. Автор: Sharma Anup K.,Mandai Shingo,LAFLAQUIERE Arnaud,Rosenblum Gershon,Agranov Gennadiy A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

METHOD OF USING DUAL-PORT MEASUREMENT SYSTEM TO MEASURE ACOUSTIC IMPEDANCE

Номер патента: US20160077056A1. Автор: BAI Mingsian R.,Lo Yi-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Solid State Tissue Equivalent Detector With Gate Electrodes

Номер патента: US20190109179A1. Автор: Bardash Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

SPAD array with gated histogram construction

Номер патента: US20200158837A1. Автор: Sharma Anup K.,Mandai Shingo,LAFLAQUIERE Arnaud,Rosenblum Gershon,Agranov Gennadiy A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

DUAL PORT TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER WITH SEPARATE FEEDBACK

Номер патента: US20170207760A1. Автор: Werking Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Solid State Tissue Equivalent Detector With Gate Electrodes

Номер патента: US20200235167A1. Автор: Bardash Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Gathering and Dispensing Scoop with Gate Valve

Номер патента: US20150323367A1. Автор: Thomson Susan A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Gathering and Dispensing Scoop with Gate Valve

Номер патента: US20150323368A1. Автор: Thomson Susan A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Compact Multi-Port Router Device

Номер патента: US20140091878A1. Автор: Damien Pacaud,Stephane Bila,Laetitia Estagerie,Jerome Puech,Fabien Seyfert. Владелец: Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique INRIA. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US12057491B2. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240243203A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US20240355903A1. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Imaging with gate controlled charge storage

Номер патента: SG148196A1. Автор: Sungkwon Chris Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices having epitaxial source or drain structures

Номер патента: US20220254893A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Dual port valve assembly and retractable hose central vacuum cleaning system

Номер патента: US09993126B2. Автор: James Roger Harman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Dual port wireless modem for circuit switched and packet switched data transfer

Номер патента: WO2001022193A3. Автор: Charles Lindsay,Daniel Monroe. Владелец: Xircom Inc. Дата публикации: 2001-08-09.

Dual-port positive level sensitive preset data retention latch

Номер патента: US20150054544A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven C. Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Dual port payload attach ring compatible satellite

Номер патента: US09796488B2. Автор: Timothy Scott Cook,Robert Bruce Friend. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Dual-port negative level sensitive preset data retention latch

Номер патента: US09520863B2. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven C. Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Dual-port negative level sensitive reset preset data retention latch

Номер патента: US09520862B2. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven C. Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Fixed compromise equalization for a dual port fm modulator

Номер патента: CA2218373C. Автор: Peter Mcconnell. Владелец: Sierra Wireless Inc. Дата публикации: 2007-08-21.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240030348A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US11855223B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Transistor structure with gate isolation structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240120377A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A3. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Vented dual port centrifuge tube

Номер патента: EP4240525A1. Автор: Patrick Pennie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-13.

Transistor assemblies with gate current shunting capability, and associated methods

Номер патента: US20240243741A1. Автор: XU Wang,Ling Su,Hio Leong Chao,Shuo Xie. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Amplifying gate thyristor with gate turn-off (G.T.O.)

Номер патента: US4177478A. Автор: Albert Senes. Владелец: Alsthom Atlantique SA. Дата публикации: 1979-12-04.

Blood Draw Device With Proximal Dual Port Diversion Chamber for Collection of a Blood Culture Sample From the PIV During Dwell

Номер патента: US20230371867A1. Автор: Jonathan Karl Burkholz. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2023-11-23.

Blood draw device with proximal dual port diversion chamber for collection of a sample from the piv

Номер патента: WO2023225053A1. Автор: Jonathan Karl Burkholz. Владелец: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods and apparatuses for dual port battery charging

Номер патента: WO2020168292A1. Автор: Hiroshi Akiyama,Zhen Ning Low,Todd Robert SUTTON,Haoyan Li,Jonathan LUTY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Dual-port negative level sensitive preset data retention latch

Номер патента: US20150054557A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven C. Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Dual port ethernet communication device with bypass function

Номер патента: US8861333B2. Автор: Sung Sik Ham,Dae Hyun Kwon. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Dual port ethernet communication device with bypass function

Номер патента: US20110222395A1. Автор: Sung Sik Ham,Dae Hyun Kwon. Владелец: LS Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Method and device for controlling communications system with gating of transmission

Номер патента: RU2267861C2. Автор: Эдвард Дж. мл. ТИДМАНН,Брайан К. Батлер,Йу-Чеун ДЗОУ,Ахмед САЙФУДДИН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2006-01-10.

Dual-port positive level sensitive reset preset data retention latch

Номер патента: US20150054545A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven C. Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Integrated circuits with gate cut features

Номер патента: US11848326B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuits with gate cut features

Номер патента: US20240088145A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Dual-port negative level sensitive data retention latch

Номер патента: US20150061739A1. Автор: Steven Craig Bartling,Sudhanshu Khanna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Circuit Combining Level Shift Function with Gated Reset

Номер патента: US20090058465A1. Автор: Guenter Mayer,Otto Wagner,Rolf Sautter,Thomas Froehnel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Terminal holder structure for rj45 dual-port jack

Номер патента: US20130210287A1. Автор: Fu-Wen Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

5G dual port beamforming antenna

Номер патента: US12088018B2. Автор: Ki Jin Kim,Kwang Ho Ahn,Soo Chang CHAE. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-09-10.

Dual port air blower for drying vehicles

Номер патента: US6000095A. Автор: Archie L. Johnson. Владелец: Superior Investments Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Ultra-wideband dual-port antenna

Номер патента: RU2634801C1. Автор: Владимир Анатольевич Альшенецкий,Артем Сергеевич Круглов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Ангстрем". Дата публикации: 2017-11-03.

System und Verfahren zur Dual-Port-Kommunikation und Stromversorgung

Номер патента: DE102021100567A1. Автор: Wuguang Liu,Stewart Merkel. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Hardware-based encryption/decryption employing dual ported key storage

Номер патента: US20060140408A1. Автор: Kenneth Batcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Hardware-based encryption/decryption employing dual ported key storage

Номер патента: US20070177722A1. Автор: Kenneth Batcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Dual-port showerhead for use in recirculating showers

Номер патента: EP4405111A1. Автор: Sean MCFETRIDGE,Alisha MCFETRIDGE. Владелец: Pledge Resource Managers Inc dba Rainstick Shower. Дата публикации: 2024-07-31.

Dual-port showerhead for use in recirculating showers

Номер патента: US20240286150A1. Автор: Sean MCFETRIDGE,Alisha MCFETRIDGE. Владелец: Pledge Resource Managers Inc dba Rainstick Shower. Дата публикации: 2024-08-29.

Dual port pneumatic connector

Номер патента: US20240341906A1. Автор: Daryl Anacleto. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Dual port pneumatic connector

Номер патента: US12048597B2. Автор: Daryl Anacleto. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Dual-port SRAM devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09780097B2. Автор: Dong-Hun Lee,Hee-Bum Hong,Kyo-Wook Lee,Yong-rae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Dual-port SRAM cell structure with vertical devices

Номер патента: US09646973B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Trim for dual-port frequency modulation

Номер патента: US09634877B2. Автор: Paul Edward Gorday,Mario LAFUENTE. Владелец: Sunrise Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Dual-port testing of a cable network

Номер патента: US09350986B2. Автор: David W. Jones,Daniel K. Chappell,Adam D. Gray,Richard Earl JONES, JR.. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2016-05-24.

Dual port modulator

Номер патента: US20070035354A1. Автор: Evelyn Chan,Fuad Mokhtar,Ann Lim. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Trim for dual-port frequency modulation

Номер патента: US20180234232A1. Автор: Paul Edward Gorday,Mario LAFUENTE. Владелец: Sunrise Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Trim for dual-port frequency modulation

Номер патента: US20170005853A1. Автор: Paul Edward Gorday,Mario LAFUENTE. Владелец: Sunrise Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Trim for dual-port frequency modulation

Номер патента: US20170222794A1. Автор: Paul Edward Gorday,Mario LAFUENTE. Владелец: Sunrise Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Trim for dual-port frequency modulation

Номер патента: US9948449B2. Автор: Paul Edward Gorday,Mario LAFUENTE. Владелец: Sunrise Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Dual-port testing of a cable network

Номер патента: US20170019664A1. Автор: David W. Jones,Daniel K. Chappell,Adam D. Gray,Richard Earl JONES, JR.. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-01-19.

Control scheme for shared-use dual-port predicted error array

Номер патента: MY122248A. Автор: Jeffery Dean Carr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-04-29.

Dual-port input equalizer

Номер патента: US8228976B2. Автор: Chien-Cheng Tu,Chiao-Wei Hsiao,Shyr-Chyau Luo. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-07-24.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Dual port pneumatic connector

Номер патента: WO2021084402A1. Автор: Daryl Anacleto. Владелец: ALCON INC.. Дата публикации: 2021-05-06.

Dual port pneumatic connector

Номер патента: CA3151262A1. Автор: Daryl Anacleto. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Dual port pneumatic connector

Номер патента: AU2020375902A1. Автор: Daryl Anacleto. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Dual port pneumatic connector

Номер патента: EP4017437A1. Автор: Daryl Anacleto. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Dual port battery charging system and the method thereof

Номер патента: US20210305837A1. Автор: Mu-Hsun Chen,Ming-Huang Hung,Yi-Tun WANG. Владелец: Phihong Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for integrating nvm circuitry with logic circuitry

Номер патента: EP2206151B1. Автор: Gowrishankar L. Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-18.

Wireless Circuitry with Loopback Path All-Pass Filters

Номер патента: US20220286158A1. Автор: Ali Parsa,Krishna Chaitanya Reddy Gangavaram. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Wireless Circuitry with Loopback Path All-Pass Filters

Номер патента: US20240322855A1. Автор: Ali Parsa,Krishna Chaitanya Reddy Gangavaram. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Wireless Amplifier Circuitry with Non-Linearity Suppression

Номер патента: US20240030875A1. Автор: Aly Ismail,Xi Yao,Seyed Mohammad Hossein Mohammadnezhad. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Pfc circuitry with predictive active emi filter

Номер патента: WO2024056577A1. Автор: David Kathan. Владелец: TRIDONIC GMBH & CO KG. Дата публикации: 2024-03-21.

Pfc circuitry with predictive active emi filter

Номер патента: EP4340200A1. Автор: David Kathan. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-20.

Mixer Circuitry With Noise Cancellation

Номер патента: US20220321058A1. Автор: Feng Zhao,Utku Seckin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Mixer Circuitry With Noise Cancellation

Номер патента: US20220094304A1. Автор: Feng Zhao,Utku Seckin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Wireless circuitry with loopback path all-pass filters

Номер патента: US12028105B2. Автор: Ali Parsa,Krishna Chaitanya Reddy Gangavaram. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Wireless circuitry with loopback path all-pass filters

Номер патента: EP4302406A1. Автор: Ali Parsa,Krishna Chaitanya Reddy Gangavaram. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

One time programming memory cell with gate-all-around transistor for physically unclonable function technology

Номер патента: US20240023328A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Liquid crystal display device with gate clock signals having specific slew rate

Номер патента: US09791966B2. Автор: Taeho Lee,YoungHyoung SEO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Mos transistor operated as otp cell with gate dielectric operating as an e-fuse element

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Vertical memory device with gate lines at the same level connected

Номер патента: US09640549B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Seok-Won Lee,Joon-Hee Lee,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Dual-port mirroring system for analyzing non-stationary data in a network

Номер патента: US20200014712A1. Автор: Mitch Gusat,Akos MATE,Andreea Anghel,Georgios Kathareios. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Dual-ported PCI express-based storage cartridge including single-ported storage controllers

Номер патента: US10082957B2. Автор: Rodney N. Mullendore,William H. Radke,Vijay Karamcheti,Pinchas Herman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Bidirectional dual port serially controlled programmable read-only memory

Номер патента: US4402067A. Автор: Ury Priel,William E. Moss,Shlomo Waser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-08-30.

Display panel integrated with gate driving circuit in display area

Номер патента: US12033553B2. Автор: Chao TIAN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

10t sram cell with near dual port functionality

Номер патента: US20130182492A1. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Detecting affective characteristics of text with gated convolutional encoder-decoder framework

Номер патента: US11449537B2. Автор: Niyati Himanshu Chhaya,Kushal Chawla,Sopan Khosla. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Display device with gate floating for reducing flicker

Номер патента: US09997120B2. Автор: Kenji Nakao,Yukio Tanaka,Daiichi Suzuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

EL display panel with gate driver circuits mounted on flexible board including terminal connection lines connecting connection parts and control terminals

Номер патента: US09773450B2. Автор: Hiroshi Takahara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Pixel array with gate driver and matrix sensor array

Номер патента: US11100880B2. Автор: Wei-Chung Chen,Wen-Yu KUO,Ying-Ting Liou,Wen-Ya Chao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-08-24.

Special-shaped display panel and display device with gate lines cutting off in non-display sub-area

Номер патента: US11887527B2. Автор: Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Zhan Gao,Dacheng Zhang,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Minimum Deep Learning with Gating Multiplier

Номер патента: US20240005166A1. Автор: Gil Shamir. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Pixel array with gate driver and matrix sensor array

Номер патента: US20210201837A1. Автор: Wei-Chung Chen,Wen-Yu KUO,Ying-Ting Liou,Wen-Ya Chao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-07-01.

Minimum deep learning with gating multiplier

Номер патента: US11790236B2. Автор: Gil Shamir. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Data inversion for dual-port memory

Номер патента: US20140022852A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Kuei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Dual Port PLD Embedded Memory Block to Support Read-Before-Write in One Clock Cycle

Номер патента: US20100157691A1. Автор: Haiming Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Dual port memory, such as used in color lookup tables for video systems

Номер патента: US5325338A. Автор: Thomas J. Runaldue,William Plants. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1994-06-28.

Transistor device with gate bottom isolation and method of making thereof

Номер патента: US9331088B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Field effect transistor constructions with gate insulator having local regions radially there-through that have different capacitance at different circumferential locations relative to a channel core periphery

Номер патента: US10062426B2. Автор: Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-28.

Dual-port read/write RAM with single array

Номер патента: US4623990A. Автор: Michael Allen,Lee Hirsch. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-11-18.

Displays with gate driver circuitry in an active area

Номер патента: US11854490B1. Автор: XIN Lin,Yun Wang,Bhadrinarayana Lalgudi Visweswaran,Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Abbas Jamshidi Roudbari,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin,Shyuan Yang,Fan Gui,Mohammad Reza Esmaeili Rad,Yuchi Che,Ran Tu,Cheng-Chih Hsieh,Warren S Rieutort-Louis,Levent Erdal Aygun,Aida R Colon-Berrios,Ricardo A Peterson. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Dual port memory cell with reduced coupling capacitance and small cell size

Номер патента: US20060227649A1. Автор: Chuen-Der Lien,Pao-Lu Huang. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Method and apparatus for dual porting a single port serial ata disk drive

Номер патента: WO2003091887A1. Автор: William E. Lynn. Владелец: Adaptec, Inc.. Дата публикации: 2003-11-06.

Display panel integrated with gate driving circuit in display area

Номер патента: US20240021121A1. Автор: Chao TIAN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Organic Light-Emitting Diode Display With Gate Pulse Modulation

Номер патента: US20160284276A1. Автор: Vasudha Gupta,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Modular memory architecture with gated sub-array operation dependent on stored data content

Номер патента: US12046324B2. Автор: Promod Kumar,Christophe Lecocq,Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-23.

Modular memory architecture with gated sub-array operation dependent on stored data content

Номер патента: US20230051672A1. Автор: Promod Kumar,Christophe Lecocq,Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-02-16.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09589963B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Bitline layout in a dual port memory array

Номер патента: US20060092749A1. Автор: Tak Wong. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Static random access memory and semiconductor device using MOS transistors having channel region electrically connected with gate

Номер патента: US6724065B2. Автор: Yuichi Sato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-20.

Liquid crystal display device for use in e.g. television, has gate pad with gate indium tin oxide (ITO) electrode that is formed on substrate, when gate pad is formed to connect gate indium tin oxide electrode and top electrode

Номер патента: FR2895808A1. Автор: Chang Deok Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-06.

Display apparatus with gate electrodes formed in a projecting manner

Номер патента: US20140061686A1. Автор: Shoichiro Matsumoto,Yasunori Kinpara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Detecting affective characteristics of text with gated convolutional encoder-decoder framework

Номер патента: US11886480B2. Автор: Niyati Himanshu Chhaya,Kushal Chawla,Sopan Khosla. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Detecting affective characteristics of text with gated convolutional encoder-decoder framework

Номер патента: US20200192927A1. Автор: Niyati Himanshu Chhaya,Kushal Chawla,Sopan Khosla. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated Circuit Including Cross-Coupled Transistors Having Gate Electrodes Formed Within Gate Level Feature Layout Channels With Gate Contact Position and Offset Specifications

Номер патента: US20130214361A1. Автор: Becker Scott T.,Mali Jim,Lambert Carole. Владелец: Tela Innovations, Inc.. Дата публикации: 2013-08-22.

Integrated circuit including cross-coupled transistors having gate electrodes formed within gate level feature layout channels with gate contact position and offset specifications

Номер патента: US8274099B2. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Pseudo dual port memory using a dual port cell and a single port cell with associated valid data bits and related methods

Номер патента: EP3038109A1. Автор: Piyush Jain,Harsh Rawat. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-06-29.

Semiconductor memory device with gate line passing through source/drain, channel and dielectric layers over via

Номер патента: US11800718B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20210005608A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20210327880A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20220262800A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Magnetic device with gate electrode

Номер патента: US11730065B2. Автор: Byong Guk Park,Min-Gu Kang,Jong-Guk CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-15.

Dual-port sensor for vehicles

Номер патента: EP4121892A1. Автор: Jinshui Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Dual-port sensor for vehicles

Номер патента: WO2021262245A1. Автор: Jinshui Liu. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and apparatus for dual porting a single port serial ata disk drive

Номер патента: AU2003228567A1. Автор: William E. Lynn. Владелец: Adaptec Inc. Дата публикации: 2003-11-10.

Methods, structures, and circuits for transistors with gate-to-body capacitive coupling

Номер патента: US20030001208A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Dual port constrained acoustic volume

Номер патента: US12061379B2. Автор: Daniel C. Wiggins,Dillon Johnson. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Eye tracking imager with gated detectors receiving a specular reflection

Номер патента: EP4363919A1. Автор: John Allen Tardif,Jeffrey Neil Margolis,Gregory Theodore GIBSON,Niranjan Achugundla PUTTASWAMY. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Area-efficient dual-port and multi-port sram. area-efficient memory cell for sram.

Номер патента: US20220148649A1. Автор: Babak Mohammadi,Berta Morral Escofet,Reza Meraji. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Multi-port sram structure with gate-all-around transistors

Номер патента: US20240306358A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Pixel with gate of driving transistor directly connected to drain and and display device including the same

Номер патента: US12094413B2. Автор: Keunwoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Attention neural networks with gated attention units

Номер патента: EP4453795A1. Автор: Quoc V. Le,Zihang Dai,Hanxiao Liu,Weizhe HUA. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-30.

Dual-port SRAM connection structure

Номер патента: US09916893B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Attention neural networks with gated attention units

Номер патента: GB2629950A. Автор: Liu Hanxiao,Dai Zihang,V Le Quoc,Hua Weizhe. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-11-13.

8-transistor dual-ported static random access memory

Номер патента: US09627021B2. Автор: John W. Poulton,Brian Zimmer. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

DUPLICATE TAG STRUCTURE EMPLOYING SINGLE-PORT TAG RAM AND DUAL-PORT STATE RAM

Номер патента: US20150006803A1. Автор: Kanchana Muditha,Kaushikkar Harshavardhan,Ewedemi Odutola O.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

DUAL-PORTED PCI EXPRESS-BASED STORAGE CARTRIDGE INCLUDING SINGLE-PORTED STORAGE CONTROLLERS

Номер патента: US20180024743A1. Автор: RADKE William H.,Karamcheti Vijay,HERMAN PINCHAS,Mullendore Rodney N.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND DRIVER CIRCUITRY WITH GATE OXIDE FORMED SIMULTANEOUSLY

Номер патента: US20160064082A1. Автор: HONG CHEONG Min,Muller Gilles J.,Akhter Tahmina. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SINGLE PORT MEMORY THAT EMULATES DUAL PORT MEMORY

Номер патента: US20150067275A1. Автор: Pandey Rakesh,Jain Aarul,Patel Rohit S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Vccmin for a dual port synchronous random access memory (dpsram) cell utilized as a single port synchronous random access memory (spsram) cell

Номер патента: US20140146631A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

AREA-EFFICIENT DUAL-PORT AND MULTI-PORT SRAM. AREA-EFFICIENT MEMORY CELL FOR SRAM.

Номер патента: US20220148649A1. Автор: Mohammadi Babak,Escofet Berta Morral,Meraji Reza. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

CONFIGURABLE PSEUDO DUAL PORT ARCHITECTURE FOR USE WITH SINGLE PORT SRAM

Номер патента: US20180166128A1. Автор: Rawat Harsh,Pathak Abhishek. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2018-06-14.

CONFIGURABLE PSEUDO DUAL PORT ARCHITECTURE FOR USE WITH SINGLE PORT SRAM

Номер патента: US20180301186A1. Автор: Rawat Harsh,Pathak Abhishek. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2018-10-18.

Parallel Port Enablement in Pseudo-Dual-Port Memory Designs

Номер патента: US20200327932A1. Автор: Verma Praveen Kumar,Makwana Rohan. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2020-10-15.

Display Driver Circuitry With Gate Line and Data Line Delay Compensation

Номер патента: US20160365042A1. Автор: Pintz Sandro H.,Zheng Fenghua. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Fibre channel port by-pass selector section for dual ported disk drives

Номер патента: US6567890B1. Автор: Christopher J. Mulvey,Thomas Earl Linnell,William R. Tuccio. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2003-05-20.

Converting dual port memory into 2 single port memories

Номер патента: US7180819B1. Автор: Ghasi R. Agrawal. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Dual port memory device, memory device and method of operating the dual port memory device

Номер патента: KR100773063B1. Автор: 임영훈,허창혁,정유환,하지태. Владелец: 엠텍비젼 주식회사. Дата публикации: 2007-11-19.

Using the high-performance dual-port SRAM frameworks of 8T performance single-port bit locations

Номер патента: CN103295624B. Автор: M·C·乔希,P·K·热娜,L·V·霍兰. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-22.

Dual port memory device, memory device and method of operating the dual port memory device

Номер патента: WO2008032987A1. Автор: Yu-Hwan Jung,Ji-Tae Ha,Chang-Hyuk Hui,Young-Hun Lim. Владелец: Mtek Vision Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-03-20.

Active matrix drive circuit for driving image point on screen, has transistor connected with gate of another transistor, data conductor, and scanning signal conductor by respective current-conducting electrodes and gate electrode

Номер патента: FR2847705A1. Автор: Norbert Fruhauf. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2004-05-28.

Dual port memory for data transmission between two multiprocessor systems - operates via two input-output ports and is simultaneously accessible by both systems

Номер патента: DE4204119A1. Автор: Mitsuru Sugita,Toyokatsu Nakajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-13.

Single port random access memory equipped with a relief module to operate as a dual port shared memory

Номер патента: US6771556B2. Автор: Charles Melvin Aden. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-08-03.

Integrated circuit with gate electrode level including at least six linear-shaped conductive structures forming gate electrodes of transisters with at least one pair of linear-shaped conductive structures having offset ends

Номер патента: US8129754B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Integrated circuit and associated layout with gate electrode level portion including at least two complimentary transistor forming linear conductive segments and at least one non-gate linear conductive segment

Номер патента: US7943966B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for fabricating integrated circuit with gate electrode level portion including at least two complementary transistor forming linear conductive segments and at least one non-gate linear conductive segment

Номер патента: US8088679B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

Dual-port sram memory using single-port memory cell

Номер патента: WO2008002742A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: MOSYS, INC.. Дата публикации: 2008-01-03.

Dual port video memory system having a bit-serial address indurt port

Номер патента: KR950010459B1. Автор: 제이 크리스토퍼 토드,시게루 히라하따. Владелец: 미따 가쓰시게. Дата публикации: 1995-09-18.

Dual port video memory system having a bit-serial address input port

Номер патента: EP0276871B1. Автор: Shigeru Hirahata,Christopher J. Todd. Владелец: RCA Licensing Corp. Дата публикации: 1994-05-11.

Dual Port Memory Unit Using a Single Port Memory Core

Номер патента: US20060171239A1. Автор: Bryan Sheffield,Suresh Balasubramanian,Lakshmikantha HOLLA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

A simultaneous firmware updating apparatus for a plurality of control modules on a dual port ethernet and a simultaneous firmware updating method for a plurality of control modules on a dual port ethernet

Номер патента: KR100825322B1. Автор: 이수강,박순철,권대현. Владелец: 엘에스산전 주식회사. Дата публикации: 2008-04-28.

Dual port constrained acoustic volume

Номер патента: US20230185113A1. Автор: Daniel C. Wiggins,Dillon Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-15.

Versatile dual port connector element arrangement

Номер патента: US20050280915A1. Автор: Hiroki Nonaka,Paul Larson,Philip Engelmeyer,Dennis Mairet. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-12-22.

Area-efficient dual-port and multi-port SRAM. area-efficient memory cell for SRAM

Номер патента: US11810615B2. Автор: Babak Mohammadi,Berta Morral Escofet,Reza Meraji. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated Hybrid Standard Cell Structure with Gate-All-Around Device

Номер патента: US20230369308A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Program refresh with gate-induced drain leakage

Номер патента: US20240038316A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Eric N. Lee,Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory devices with gate all around transistors

Номер патента: US11980014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Inertial electrostatic confinement (iec) fusion device with gate-valve pulsing

Номер патента: EP1048038A2. Автор: Brian Edward Jurczyk,Michael J. Williams,George H. Miley,Yibin Gu,Robert A. Stubbers. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2000-11-02.

Dual port dual power rail memory architecture

Номер патента: US20240161815A1. Автор: Lalit Gupta,Jason Golbus,Jesse San-Jey Wang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Area-efficient dual-port and multi-port sram. area-efficient memory cell for sram

Номер патента: EP3939042A1. Автор: Babak Mohammadi,Berta Morral Escofet,Reza Meraji. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-01-19.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

High read speed memory with gate isolation

Номер патента: US20120327717A1. Автор: Richard Fastow,Hagop Nazarian,Lei Xue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Inertial electrostatic confinement (iec) fusion device with gate-valve pulsing

Номер патента: WO1999024990A3. Автор: Yibin Gu,Michael J Williams,George H Miley,Brian E Jurczyk,Robert A Stubbers. Владелец: Robert A Stubbers. Дата публикации: 1999-09-23.

Port Router

Номер патента: GB2361610B. Автор: Kevin J Lynch,Raul A Aguilar,James T Clee,James E Guziak. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Connector with gate

Номер патента: EP4080067A1. Автор: Marco Bonaiti,Mattia Spada. Владелец: Kong SpA. Дата публикации: 2022-10-26.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210287725A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

A high-speed dual port synchronous memory device

Номер патента: GB9905513D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-05.

Integrated circuit dual port static memory cell

Номер патента: GB2191893B. Автор: Owen Sharp. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-10-25.

Integrated circuit dual port static memory cell

Номер патента: HK57490A. Автор: Owen Sharp. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1990-08-10.

Collision detection for dual port RAM operations on a microcontroller

Номер патента: TW544583B. Автор: Michael S Pyska,Theodor J Dippenaar,Stephanus P Duvenhage. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

Fast high voltage level shifter with gate oxide protection

Номер патента: TW506191B. Автор: Jeffrey Goswick. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-10-11.

A SRAM compatible embedded DRAM system with hidden refresh and dual port capability

Номер патента: TW201039347A. Автор: Szu-Mien WANG. Владелец: Orise Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-01.

Systems and methods for dual-ported cryptoprocessor for host system and management controller shared cryptoprocessor resources

Номер патента: US20180053004A1. Автор: Mukund P. Khatri,Johan Rahardjo. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-02-22.

Integrating circuits with gating and resetting provisions

Номер патента: US3465167A. Автор: Gerald B Hollins. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1969-09-02.

A high-speed dual port synchronous memory device

Номер патента: GB2341253B. Автор: Ho-Cheol Lee,Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-05.

High-speed pseudo-dual-port memory with separate precharge controls

Номер патента: EP3311385B1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok,Nishith Nitin Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-17.

Dual-port subthreshold SRAM cell

Номер патента: TW201250684A. Автор: Wei Hwang,Ming-Hung Chang,Yi-Te Chiu,Hao-I Yang. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2012-12-16.

Memory devices with gate all around transistors

Номер патента: US20240292591A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High speed synchronous memory device having dual port capable of improving graphic processing speed

Номер патента: TW455767B. Автор: Ho-Cheol Lee,Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-21.

Semiconductor integrated device with gate array and memory

Номер патента: KR910007409B1. Автор: Mitsuya Gawata. Владелец: Fujitsu Corp. Дата публикации: 1991-09-25.

Dual-port sram with bit line clamping

Номер патента: US20130258761A1. Автор: Sam Tsai,Brad Sharpe-Geisler,Fabiano Fontana,Timothy Scott Swensen. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Dual port memory with asymmetric inputs and outputs, device, system

Номер патента: US20070011388A1. Автор: Joo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Multi-source dual-port linked list purger

Номер патента: US20080162871A1. Автор: Scot H. Rider,Todd A. Strader. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Attention neural networks with gated attention units

Номер патента: GB202410851D0. Автор: . Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Dual port ram capable of input/output simultaneously on dual

Номер патента: KR960001779B1. Автор: Se-jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-02-05.

Time-interleaving sensing scheme for pseudo dual-port memory

Номер патента: EP3907737B1. Автор: Yi-Ping Kuo,Yi-Te Chiu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Voltage control device with gate capacitor charging and discharging

Номер патента: US09954460B2. Автор: Che-Wei Chang,shi-jie Liao,Ting-Ta Chiang,Lon-Kou Chang. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Dual port SRAM cell

Номер патента: US09858985B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Read and write apparatus and method for a dual port memory

Номер патента: US09812189B2. Автор: Wei-Hsiang Ma,Pramod Kolar,Gunjan H. Pandya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Dual-port static random access memory (SRAM)

Номер патента: US09607687B2. Автор: ZHENG GUO,Uddalak Bhattacharya,Pramod Kolar,Gunjan H. Pandya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Simulation of electronic circuitry with machine learning augmentation

Номер патента: US20230394200A1. Автор: Neal J. Tuffy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuits and transponder circuitry with improved ask demodulation

Номер патента: US09762282B1. Автор: Ernst Georg MUELLNER. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Dual port static random access memory cell layout

Номер патента: US20120086082A1. Автор: Pierre Malinge,Jack M. Higman,Sanjay R. Parihar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Clock mesh synthesis with gated local trees and activity driven register clustering

Номер патента: US20120299627A1. Автор: Jianchao Lu,Baris Taskin. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

10T SRAM CELL WITH NEAR DUAL PORT FUNCTIONALITY

Номер патента: US20130182492A1. Автор: Houston Theodore W.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-18.

Integrated Circuit with Gate Electrode Conductive Structures Having Offset Ends

Номер патента: US20130200436A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-08.

Input capture peripheral with gating logic

Номер патента: US20130241626A1. Автор: James E. Bartling,Stephen Bowling. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

DUAL-PORT SRAM WITH BIT LINE CLAMPING

Номер патента: US20130258761A1. Автор: Sharpe-Geisler Brad,Swensen Timothy Scott,Tsai Sam,Fontana Fabiano. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

MEMORY APPARATUS WITH GATED PHASE-CHANGE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130322166A1. Автор: Close Gael,Krebs Daniel. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140036577A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

DUAL-PORT NON-VOLATILE DUAL IN-LINE MEMORY MODULES

Номер патента: US20180004422A1. Автор: FEVRIER Thierry,Foster Joseph E.,Riley Dwight D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Cell Structure for Dual-Port Static Random Access Memory

Номер патента: US20180005691A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20210005608A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20190006367A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

DEVICE INCLUDING A DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF

Номер патента: US20150009750A1. Автор: Fimmel Dirk,Schaefer Torsten. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Dual-Port SRAM Connection Structure

Номер патента: US20180012650A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Dual-port mirroring system for analyzing non-stationary data in a network

Номер патента: US20200014712A1. Автор: Mitch Gusat,Akos MATE,Andreea Anghel,Georgios Kathareios. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20200020391A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20200020392A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Dual-Port Static Random-Access Memory Cell

Номер патента: US20160027499A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

CIRCUIT FOR MITIGATING WRITE DISTURBANCE OF DUAL-PORT SRAM

Номер патента: US20160027500A1. Автор: Chuang Ching-Te,Tu Ming-Hsien,LU Chien-Yu,Zheng Ming-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

THREE DIMENSIONAL DUAL-PORT BIT CELL AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20160027501A1. Автор: WU Wei-Cheng,CHEN Yen-Huei,Chan Wei Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-01-28.

Displays with Gate Driver Circuitry for Discharging Display Pixels

Номер патента: US20170031477A1. Автор: Yamashita Keitaro,Jamshidi Roudbari Abbas. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Displays with Gate Driver Circuitry Having Shared Register Circuits

Номер патента: US20210035499A1. Автор: Chang Shih-Chang,Tsai Tsung-Ting,Jamshidi Roudbari Abbas,Chang Ting-Kuo,Yang Shyuan,Qian Chuang,Hsieh Cheng-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20180047731A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

PSEUDO DUAL PORT MEMORY

Номер патента: US20160055903A1. Автор: Yoon Sei Seung,Jung Changho,KWOK Tony Chung Yiu,DESAI Nishith Nitin. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

SYSTEMS AND METHODS FOR DUAL-PORTED CRYPTOPROCESSOR FOR HOST SYSTEM AND MANAGEMENT CONTROLLER SHARED CRYPTOPROCESSOR RESOURCES

Номер патента: US20180053004A1. Автор: Khatri Mukund P.,Rahardjo Johan. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2018-02-22.

DATA RECOVERY FROM BLOCKS WITH GATE SHORTS

Номер патента: US20150058698A1. Автор: Lee Dana,Manohar Abhijeet. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

THREE DIMENSIONAL CROSS-ACCESS DUAL-PORT BIT CELL DESIGN

Номер патента: US20150063040A1. Автор: CHEN Yen-Huei,Chan Wei Min,LIN Kao-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-03-05.

LOW NOISE SERIAL INTERFACES WITH GATED CLOCK

Номер патента: US20200057746A1. Автор: Obkircher Thomas,Blin Guillaume Alexandre,Ross James Henry,Roll Bryan J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Simultaneous Two/Dual Port Access on 6T SRAM

Номер патента: US20140153349A1. Автор: CHEN Chia-Cheng,TSAI Jui-Che,WU Ching-Wei,CHEN Kuang Ting,KAO Wei-Shuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-05.

PSEUDO DUAL PORT MEMORY

Номер патента: US20170075379A1. Автор: Jung Changho,KWOK Tony Chung Yiu,DESAI Nishith Nitin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

NONVOLATILE MEMORY MODULE HAVING DUAL-PORT DRAM

Номер патента: US20170075576A1. Автор: Cho Youngjin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM)

Номер патента: US20160078926A1. Автор: Kolar Pramod,Bhattacharya Uddalak,GUO Zheng,Pandya Gunjan H.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-03-17.

DUAL-PORT SRAM CELL AND LAYOUT STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20220093170A1. Автор: Zhou Xiaojun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

THREE DIMENSIONAL DUAL-PORT BIT CELL AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20150085556A1. Автор: WU Wei-Cheng,CHEN Yen-Huei,Chan Wei Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-03-26.

DUAL PORT SRAM WITH DUMMY READ RECOVERY

Номер патента: US20150092476A1. Автор: CHEN Yen-Huei,Chan Wei Min,LIN Kao-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20150092486A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20200091155A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

SYSTEMS AND METHODS FOR TRANSMITTING CLOCK SIGNALS ASYNCHRONOUSLY TO DUAL-PORT MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148633A1. Автор: ZHANG LEI,LI Xiaoxiao. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

MAGNETIC DEVICE WITH GATE ELECTRODE

Номер патента: US20220149268A1. Автор: Kang Min-Gu,Park Byong Guk,CHOI Jong-Guk. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-05-12.

HIGH FREQUENCY PSEUDO DUAL PORT MEMORY

Номер патента: US20150109865A1. Автор: GULATI Chirag,Holla Vakwadi Lakshmikantha,Yoon Sei-Seung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-23.

Dual-Port SRAM Connection Structure

Номер патента: US20140185365A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-03.

DUAL PORT SRAM CELL

Номер патента: US20170110182A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20190108875A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

TEN-TRANSISTOR DUAL-PORT SRAM WITH SHARED BIT-LINE ARCHITECTURE

Номер патента: US20140198562A1. Автор: Hwang Wei,Wang Dao-Ping. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-17.

DUAL-PORT, DUAL-FUNCTION MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220180907A1. Автор: Kale Poorna,Gattani Amit. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

MEMORY MODULE WITH A DUAL-PORT BUFFER

Номер патента: US20150127890A1. Автор: Hallowell William C.,Carpenter David G.,Brainard James W.. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory Devices with Gate All Around Transistors

Номер патента: US20210159232A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20170133382A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Mitigating Write Disturbance in Dual Port 8T SRAM

Номер патента: US20190130965A1. Автор: Kumar Sudhir,Siddiqui M. Sultan M.,Srivastav Sumit,Wanjul Dattatray Ramrao,Suthar Manankumar. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2019-05-02.

POWER NOISE REDUCTION TECHNIQUE FOR HIGH DENSITY MEMORY WITH GATING

Номер патента: US20200126599A1. Автор: VENKATA HARISH N.,Chen Yu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20180137910A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Low noise serial interfaces with gated clock

Номер патента: US20210173807A1. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,James Henry Ross,Bryan J. Roll. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Orthogonal dual port ram (oram)

Номер патента: US20200135267A1. Автор: Cormac Michael O'CONNELL. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

DUAL PORT SRAM CELL

Номер патента: US20180144788A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

THREE DIMENSIONAL DUAL-PORT BIT CELL AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20170148507A1. Автор: WU Wei-Cheng,CHEN Yen-Huei,Chan Wei Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-05-25.

METHODS FOR MANAGING STORAGE SYSTEMS WITH DUAL-PORT SOLID-STATE DISKS ACCESSIBLE BY MULTIPLE HOSTS AND DEVICES THEREOF

Номер патента: US20220292031A1. Автор: GOLE Abhijeet,Gupta Ratnesh,Doucette Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Cell Structure for Dual-Port SRAM

Номер патента: US20190147928A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

THREE DIMENSIONAL DUAL-PORT BIT CELL AND METHOD OF ASSEMBLING SAME

Номер патента: US20150162074A1. Автор: LIAO Hung-Jen,CHEN Yen-Huei,LIN Tzu-Kuei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

METHODS FOR MANAGING STORAGE OPERATIONS FOR MULTIPLE HOSTS COUPLED TO DUAL-PORT SOLID-STATE DISKS AND DEVICES THEREOF

Номер патента: US20220300419A1. Автор: Singh Rohit,GOLE Abhijeet. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

DUAL PORT SRAM BITCELL STRUCTURES WITH IMPROVED TRANSISTOR ARRANGEMENT

Номер патента: US20150170735A1. Автор: Mann Randy W.,Paul Bipul C.,KIM Sangmoon J.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Dual-port SRAM Systems

Номер патента: US20140254246A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

Dual-Port Semiconductor Memory and First In First Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20140254259A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: Zeno Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-09-11.

PIXEL ARRAY WITH GATE DRIVER AND MATRIX SENSOR ARRAY

Номер патента: US20210201837A1. Автор: CHEN Wei-Chung,Liou Ying-Ting,KUO Wen-Yu,Chao Wen-Ya. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated Hybrid Standard Cell Structure with Gate-All-Around Device

Номер патента: US20210202465A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL LAYOUT STRUCTURE

Номер патента: US20210202494A1. Автор: WU Dongcheng,FAN Maocheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM)

Номер патента: US20140269019A1. Автор: Kolar Pramod,Bhattacharya Uddalak,GUO Zheng,Pandya Gunjan H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Dual-port SRAM Systems

Номер патента: US20150194205A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

FLYING AND TWISTED BIT LINE ARCHITECTURE FOR DUAL-PORT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DP SRAM)

Номер патента: US20170186483A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,CHEN Yen-Huei,Singh Sahil Preet,Chander Avinash,Ying Albert. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

SYSTEM AND METHOD FOR DUAL-PORT COMMUNICATION AND POWER DELIVERY

Номер патента: US20210218595A1. Автор: Liu Wuguang,Merkel Stewart. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

MOS TRANSISTOR OPERATED AS OTP CELL WITH GATE DIELECTRIC OPERATING AS AN E-FUSE ELEMENT

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-16.

NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY WITH GATED SECURITY ACCESS

Номер патента: US20180189195A1. Автор: Li Yanru,CHUN DEXTER. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

THREE DIMENSIONAL DUAL-PORT BIT CELL AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20180190345A1. Автор: WU Wei-Cheng,CHEN Yen-Huei,Chan Wei Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-07-05.

Implementing simultaneous read and write operations utilizing dual port dram

Номер патента: US20150213853A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Joab D. Henderson,Carlos A. Fernandez,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

IMPLEMENTING SIMULTANEOUS READ AND WRITE OPERATIONS UTILIZING DUAL PORT DRAM

Номер патента: US20150213854A1. Автор: Cordero Edgar R.,Henderson Joab D.,Saetow Anuwat,Sabrowski Jeffrey A.,Sethuraman Saravanan,Fernandez Carlos A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

DUAL-PORT SRAM TIMING CONTROL CIRCUIT

Номер патента: US20160211011A1. Автор: QIAN Yijun. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2016-07-21.

DETECTING AFFECTIVE CHARACTERISTICS OF TEXT WITH GATED CONVOLUTIONAL ENCODER-DECODER FRAMEWORK

Номер патента: US20200192927A1. Автор: Chhaya Niyati Himanshu,Khosla Sopan,Chawla Kushal. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Dual port optical switching apparatus

Номер патента: US20210231880A1. Автор: GELSTEIN Assaf,Benisty Eyal,Kramer Stanislav. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Dual port memory cell with improved access resistance

Номер патента: US20190198508A1. Автор: Tushar Sharma,Tanmoy Roy,Shishir Kumar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-06-27.

DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (DPSRAM) CELL

Номер патента: US20190206459A1. Автор: Huang Chun-Hsien,Kuo Yu-Tse,NII Koji,ISHII Yuichiro,Lung Ching-Cheng,Lu Tien-Yu,Chen Shou-Sian. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

FLEXIBLE DISPLAY DEVICE WITH GATE-IN-PANEL CIRCUIT

Номер патента: US20170221411A1. Автор: CHANG Sung Wook. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

PSEUDO-DIFFERENTIAL READ SCHEME FOR DUAL PORT RAM

Номер патента: US20150235681A1. Автор: Guo Jing,Chen Gang,Wang Yiqi,Lin Hwong-Kwo. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-20.

POSITIVE EDGE PRESET RESET FLIP-FLOP WITH DUAL-PORT SLAVE LATCH

Номер патента: US20140328115A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-06.

Dual port sram cell with dummy transistors

Номер патента: US20190228818A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

BOOST SYSTEM FOR DUAL-PORT SRAM

Номер патента: US20150248928A1. Автор: LEE Cheng Hung,HUANG Mu-Jen,WU Ching-Wei,YANG XiuLi,WAN He-Zhou,BU MING-EN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-09-03.

REPLICATING DATA USING DUAL-PORT NON-VOLATILE DUAL IN-LINE MEMORY MODULES

Номер патента: US20170242593A1. Автор: FEVRIER Thierry,Foster Joseph E.,Riley Dwight D.. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-08-24.

RDMA-SSD DUAL-PORT UNIFIED MEMORY AND NETWORK CONTROLLER

Номер патента: US20150254003A1. Автор: Chen Yong,Young Michael,Lee Xiaobing,YANSONG Wang,TING Li. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

DDR4-SSD DUAL-PORT DIMM DEVICE

Номер патента: US20150255130A1. Автор: Lee Xiaobing,YANSONG Wang,TING Li. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Minimum Deep Learning with Gating Multiplier

Номер патента: US20210279591A1. Автор: Shamir Gil. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

DUAL-PORT DDR4-DIMMS OF SDRAM AND NVRAM FOR SSD-BLADES AND MULTI-CPU SERVERS

Номер патента: US20150262633A1. Автор: Lee Xiaobing. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

LOW NOISE SERIAL INTERFACES WITH GATED CLOCK

Номер патента: US20180260358A1. Автор: Obkircher Thomas,Blin Guillaume Alexandre,Ross James Henry,Roll Bryan J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

TIME-INTERLEAVING SENSING SCHEME FOR PSEUDO DUAL-PORT MEMORY

Номер патента: US20210327500A1. Автор: Chiu Yi-Te,Kuo Yi-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

METHODS FOR MANAGING STORAGE SYSTEMS WITH DUAL-PORT SOLID-STATE DISKS ACCESSIBLE BY MULTIPLE HOSTS AND DEVICES THEREOF

Номер патента: US20210334216A1. Автор: GOLE Abhijeet,Gupta Ratnesh,Doucette Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

IMPLEMENTING ENHANCED RELIABILITY OF SYSTEMS UTILIZING DUAL PORT DRAM

Номер патента: US20150278005A1. Автор: Cordero Edgar R.,Henderson Joab D.,Saetow Anuwat,Sabrowski Jeffrey A.,Sethuraman Saravanan,Fernandez Carlos A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

IMPLEMENTING ENHANCED RELIABILITY OF SYSTEMS UTILIZING DUAL PORT DRAM

Номер патента: US20150278086A1. Автор: Cordero Edgar R.,Henderson Joab D.,Saetow Anuwat,Sabrowski Jeffrey A.,Sethuraman Saravanan,Fernandez Carlos A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

Dual port sram cell with dummy transistors

Номер патента: US20200258568A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Integrated Hybrid Standard Cell Structure with Gate-All-Around Device

Номер патента: US20210351175A1. Автор: Wang Chih-hao,CAO Min,Chang Shang-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Organic Light-Emitting Diode Display With Gate Pulse Modulation

Номер патента: US20160284276A1. Автор: Lin Chin-Wei,Gupta Vasudha,Tsai Tsung-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

8T Dual Port SRAM and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210366537A1. Автор: Yulin Wang,Pinhan CHEN,Bangwei Shen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

COMMAND LOAD BALANCING FOR NVME DUAL PORT OPERATIONS

Номер патента: US20160291866A1. Автор: Lai Dishi,OLCAY Sancar Kunt. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

ACCESS CONTROLLING METHOD OF DUAL PORT MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160299701A1. Автор: Kwon Dae Hyun,LEE Soo Gang. Владелец: LSIS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-13.

Field Effect Transistor Constructions With Gate Insulator Having Local Regions Radially There-Through That Have Different Capacitance At Different Circumferential Locations Relative To A Channel Core Periphery

Номер патента: US20180308537A1. Автор: Mouli Chandra,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Gealy F. Daniel,Karda Kamal M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: EP4107783A1. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-28.

Display device including active element comprising TFTS with gate insulating layers having thicknesses optimized to maintain subthreshold swing, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094981B2. Автор: Chen-Shuo Huang,Yang-Shun FAN. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure with gate and method for forming the same

Номер патента: US20240371643A1. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semicondoctor structure with gate electrode doping

Номер патента: US20220216206A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki,Mika Yoshida. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

DC-DC converter with gate charge re-use

Номер патента: US09979294B1. Автор: Dominique ROMEO,Andrea Bonelli,Paul Jay Harriman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Multifunctional drilling and tapping dual-purpose machine convenient to maintain

Номер патента: CN219254742U. Автор: 王刚. Владелец: Hangzhou Lin'an Yuchen Machinery Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Drilling and tapping dual-purpose drilling machine with protection function

Номер патента: CN218947093U. Автор: 潘伟. Владелец: Hangzhou Dezhi Machinery Co ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

Table-type sliding drilling/tapping dual-purpose machine tool

Номер патента: CN101947662B. Автор: 张烽,展静. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-10.

Local VDD And VSS Power Supply Through Dummy Gates with Gate Tie-Downs and Associated Benefits

Номер патента: US20240234316A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Local vdd and vss power supply through dummy gates with gate tie-downs and associated benefits

Номер патента: WO2024082733A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-23.

Push-pull output buffer with gate voltage feedback loop

Номер патента: US20020135405A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Dual port unit pump, injector, and engine efficiency methods

Номер патента: WO2002088545B1. Автор: Mark Duquette,Kenneth H Klopfer. Владелец: Kenneth H Klopfer. Дата публикации: 2003-01-03.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US12051729B2. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US12057341B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Flexible self-aligned power via shape with gate cut first

Номер патента: US20240321957A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kisik Choi,John Christopher Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Field effect transistor with gate isolation structure and method

Номер патента: US12100770B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US20240339508A1. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with gate structures having low-K spacers on sidewalls and electrical contacts therebetween

Номер патента: US09966374B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Field effect transistor with gate isolation structure and method

Номер патента: US20240379878A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Circuit structure with gate configuration

Номер патента: US12021130B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with gate isolation structure

Номер патента: US20240145249A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Bo-Cyuan Lu,Tai-Jung Kuo,Wan Chen Hsieh,Kuo-Shuo HUANG,Chi-Yen TUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Manufacturing process of a vertical-conduction misfet device with gate dielectric structure having differentiated thickness and vertical-conduction misfet device thus manufacture

Номер патента: US20100167481A1. Автор: Giuseppe Arena,Angelo Magri',Domenico Repici,Orazio Battiato,Fabrizio Marco Di Paola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Imaging with gate controlled charge storage

Номер патента: US20060208288A1. Автор: Sungkwon Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-21.

Imaging with gate controlled charge storage

Номер патента: WO2005022638A3. Автор: Sungkwon Chris Hong. Владелец: Sungkwon Chris Hong. Дата публикации: 2005-06-23.

Imaging with gate controlled charge storage

Номер патента: US20050040395A1. Автор: Sungkwon Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Pulldown driver with gate protection for legacy interfaces

Номер патента: US20080137250A1. Автор: Glen A. Wiedemeier,John C. Schiff,Dan P. Bernard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Septal occluder with gate

Номер патента: WO2024158823A1. Автор: Yaron Herman,Natan Anatoly BUKHDRUKER. Владелец: EDWARDS LIFESCIENCES CORPORATION. Дата публикации: 2024-08-02.

Dual port antenna structure

Номер патента: US12119561B2. Автор: Hanyang Wang,Hai Zhou. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Power level switching circuit for a dual port adapter

Номер патента: US09948094B1. Автор: Honggang Sheng,Choon Ping CHNG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Circuit Structure with Gate Configuration

Номер патента: US20240347614A1. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09799565B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit multi-gate transistors structure with gate via and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142651B2. Автор: Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Distributing capacitance with gate driver for power switch

Номер патента: US09530765B1. Автор: Yashodhan Vijay Moghe. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Dual-port throttle body

Номер патента: US09488111B2. Автор: II Arthur Ellis Gibson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Semi-conductor chip packaging method and semi-conductor chip having interdigitated gate runners with gate bonding pads

Номер патента: US5366932A. Автор: Victor A. K. Temple. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1994-11-22.

Method of forming semiconductor device structure with gate structure

Номер патента: US20230275138A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Yi-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Circuit devices with gate seals

Номер патента: US11830930B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Sheng-Chou Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Field effect transistor with gate isolation structure and method

Номер патента: US20230402536A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Circuit devices with gate seals

Номер патента: US20230387256A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Sheng-Chou Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor Device with Gate Resistor

Номер патента: US20190267487A1. Автор: Cesar Augusto Braz,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Gerhard Noebauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-08-29.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: WO2021198383A8. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20240079277A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Trench-gate transistor with gate dielectric having a first thickness between the gate electrode and the channel region and a second greater thickness between the gate electrode and the source/drain regions

Номер патента: US20220238675A1. Автор: Ning Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Forksheet transistor structures with gate cut spine

Номер патента: US20240113104A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Dual port unit pump, injector, and engine efficiency methods

Номер патента: EP1390617A1. Автор: Mark Duquette,Kenneth H. Klopfer. Владелец: Stanadyne LLC. Дата публикации: 2004-02-25.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with gate electrode structure protection

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Buried pad for use with gate-all-around device

Номер патента: US12027598B2. Автор: Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Dual port laser vitreous disintegration device

Номер патента: WO2024127104A1. Автор: Paul R. Hallen. Владелец: ALCON INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Dual port laser vitreous disintegration device

Номер патента: US20240189149A1. Автор: Paul R. Hallen. Владелец: Alcon Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Shopping cart conveyor with gated access

Номер патента: WO2007098335A3. Автор: Mark R Webster. Владелец: Mark R Webster. Дата публикации: 2008-04-10.

Image sensing device with gate dielectric portion varying thickness that increases along migration path of photocharges

Номер патента: US12046606B2. Автор: Kyoung In LEE,Ho Ryeong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US12046516B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Transistor with gate attached field plate

Номер патента: US20230387258A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

High voltage device with gate extensions

Номер патента: US20240136397A1. Автор: Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

FinFET Device with Gate Electrode and Spacers

Номер патента: US20090114979A1. Автор: Thomas Schulz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Shopping cart conveyor with gated access

Номер патента: CA2642533A1. Автор: Mark R. Webster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Shopping cart conveyor with gated access

Номер патента: WO2007098335A2. Автор: Mark R. Webster. Владелец: PFLOW INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2007-08-30.

E-D mode 2DEG FET with gate spacer to locally tune VT and improve breakdown

Номер патента: US11757027B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann C. Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Process for the manufacture of integrated devices with gate oxide protection from manufacturing process damage, and protection structure therefor

Номер патента: US6551892B2. Автор: Federico Pio,Matteo Patelmo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-22.

Vertical transistor with gate encapsulation layers

Номер патента: US20230170415A1. Автор: Chen Zhang,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Compound Semiconductor Transistor with Gate Overvoltage Protection

Номер патента: US20160247794A1. Автор: Gilberto Curatola,Martin Vielemeyer,Gianmauro Pozzovivo,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US20240250158A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20240347389A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Radio-frequency devices with gate node voltage compensation

Номер патента: US09973184B2. Автор: Fikret Altunkilic,Guillaume Alexandre Blin,Anuj Madan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with gate structure having dielectric layer on one side and contact plug on the other side

Номер патента: US09847398B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Fin selector with gated RRAM

Номер патента: US09825223B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Replacement body FinFET for improved junction profile with gate self-aligned junctions

Номер патента: US09761720B2. Автор: Viorel Ontalus. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Compound semiconductor transistor with gate overvoltage protection

Номер патента: US09735141B2. Автор: Gilberto Curatola,Martin Vielemeyer,Gianmauro Pozzovivo,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Dual port single frequency antenna

Номер патента: US09595764B2. Автор: Robert Francis Joseph Loftus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-14.

Dual port single frequency antenna

Номер патента: US09413064B2. Автор: Robert Francis Joseph Loftus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

MOS transistor with gate trench adjacent to drain extension field insulation

Номер патента: US7893499B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Sameer Pendharkar,Marie Denison,Binghua Hu,Taylor Rice Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Fet amplifier with gate voltage control

Номер патента: CA2056701C. Автор: Noriyuki Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

FET signal limiter amplifier with gate current limiting

Номер патента: GB2165114A. Автор: Herbert Joseph Wolkstein,Allen Ketz. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-04-03.

Inverter circuit provided with gate protection

Номер патента: US4578694A. Автор: Shoji Ariizumi,Makoto Segawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Cot with gated sidewalls and locking means to retain gates in closed position

Номер патента: GB2479589A. Автор: Tracy Halpin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-19.

High voltage device with gate extensions

Номер патента: US11908891B2. Автор: Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device replacement metal gate with gate cut last in RMG

Номер патента: US10381458B2. Автор: Andrew M. Greene,Injo OK,Charan V. Surisetty,Balasubramanian P. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Gate Stack

Номер патента: US20210028296A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Sheng-Chi Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device with gate electrode with flat upper surface and no protruding portion and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11901358B2. Автор: Juyoun Kim,Seki HONG,Sangjung Kang,Seulgi Yun,Myungsoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20210036157A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device with gate cut structure

Номер патента: US20210074842A1. Автор: Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor structure with gate metal layer

Номер патента: US11876118B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Shin-Cheng Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: US20230317815A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US20230378287A1. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertical transport field-effect transistor with gate patterning

Номер патента: US11916143B2. Автор: Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Ruilong Xie,Wenyu Xu,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Finfet with gate extension

Номер патента: US20240014324A1. Автор: Asanga H. Perera,Viet Thanh Dinh,Arjan Mels. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US11843038B2. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20210119010A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Field emission device with gate having cylindrical part

Номер патента: US7233102B2. Автор: Hang-woo Lee,Pil-soo Ahn,You-Jong Kim,Shang-hyeun Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Device with gate-to-drain via and related methods

Номер патента: US20240120273A1. Автор: Jin Cai,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Transistor Device with Gate Resistor

Номер патента: US20190319124A1. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Bjoern Fischer,Andreas Riegler,Christian Fachmann,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-10-17.

Transitional usb pd (power delivery) dual port receptacle with smart bypass circuit

Номер патента: US20240088776A1. Автор: Nilesh Ankush Kadam,Stanislav Popelka. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked finfet devices

Номер патента: US20220093591A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Local vdd and vss power supply through dummy gates with gate tie-downs and associated benefits

Номер патента: WO2024082733A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Local VDD And VSS Power Supply Through Dummy Gates with Gate Tie-Downs and Associated Benefits

Номер патента: US20240136287A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Ic structure with gate electrode fully within v-shaped cavity

Номер патента: US20240178290A1. Автор: Steven M. Shank,Aaron L. Vallett,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Megan Lydon-Nuhfer,Sarah A. McTaggart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with gate dielectric formed using selective deposition

Номер патента: US20230317820A1. Автор: Miin-Jang Chen,Tzu-Chung Wang,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Yu-tung Yin,Meng-Chien YANG. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-10-05.

Ic structure with gate electrode fully within v-shaped cavity

Номер патента: EP4376092A1. Автор: Steven M. Shank,Aaron L. Vallett,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Megan Lydon-Nuhfer,Sarah A. McTaggart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked finfet devices

Номер патента: US20240186187A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: EP4254510A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Integrated Circuits with Gate Stacks

Номер патента: US20190259862A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Li-Shyue Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Shopping cart conveyor with gated access

Номер патента: WO2007098335B1. Автор: Mark R Webster. Владелец: Mark R Webster. Дата публикации: 2008-05-29.

Active region electrically programmable fuse with gate structure as silicide block

Номер патента: US20240355731A1. Автор: Hari Balan,Myo Aung Maung,Thanh Hoa Phung,Anurag Swarnkar. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Multichannel devices with gate structures to increase breakdown voltage

Номер патента: US09773897B2. Автор: Robert S. Howell,Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Justin Andrew Parke,Howell George Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Power semiconductor package with gate and field electrode leads

Номер патента: US09431394B2. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor constructions with gated isolation regions having indium-doped sub-regions

Номер патента: WO2004019384A3. Автор: Tran C Luan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Flat panel display with gate layer in contact with thicker patterned further conductive layer

Номер патента: US5798604A. Автор: Paul A. Lovoi,Robert M. Duboc, Jr.. Владелец: Candescent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-08-25.

Dual port thermodilution catheter and method for manufacture

Номер патента: US5443074A. Автор: Miriam Taimisto,Clement E. Lieber,Robert Roelandt. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Dual port valve with stepper motor actuator

Номер патента: US5364066A. Автор: David C. Dorste,Dennis L. Hoehne,John W. Friend,Donald L. Tillotson. Владелец: Sporlan Valve Co. Дата публикации: 1994-11-15.

Integrated circuit structures with gate volume reduction

Номер патента: US20240105801A1. Автор: Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US20170365705A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stacks

Номер патента: US20180040613A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device structure with gate stack and method for forming the same

Номер патента: US20240014041A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120306016A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20170207337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Integrated circuit structures with gate cuts above buried power rails

Номер патента: EP4064333A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US20230378253A1. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with gate isolation features and fabrication method of the same

Номер патента: US20230395686A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230411492A1. Автор: Chun-Yi Chang,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Wen-Li Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Source contact formation of mosfet with gate shield buffer for pitch reduction

Номер патента: US20230335639A1. Автор: Touhidur Rahman,Shanghui Larry Tu. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Wide bandgap transistors with gate-source field plates

Номер патента: US20230420526A1. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu,Scott Sheppard. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Antifuse-type one time programming memory cell with gate-all-around transistor

Номер патента: US20230371249A1. Автор: Chun-Hung Lin,Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Wide bandgap transistors with gate-source field plates

Номер патента: US11791385B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu,Scott Sheppard. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

ESD protection circuit with gate voltage raising circuit

Номер патента: US20090168279A1. Автор: Jung-Yen Kuo. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Field effect transistor with gate electrode having multiple gate lengths

Номер патента: US20240105794A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate driver circuit and power switching assembly with gate driver circuit

Номер патента: EP4346102A1. Автор: Anton Mauder,Edward Fuergut,Massimo Grasso. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate driver circuit and power switching assembly with gate driver circuit

Номер патента: US20240113705A1. Автор: Anton Mauder,Massimo Grasso,Edward Fürgut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US20240120334A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Split-gate mosfet with gate shield

Номер патента: US20220165863A1. Автор: David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Jason Appell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor with Gate Poly Contact within Source Window

Номер патента: US20180190814A1. Автор: Sameer Pendharkar,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086083A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of forming semiconductor device with gate

Номер патента: US20200295188A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor devices with gate isolation structions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230343783A1. Автор: Chieh-Ning Feng,Wen-Shuo Hsieh,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for forming semiconductor device structure with gate electrode layer

Номер патента: US20210183707A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Enhanced ue out-of-sync behavior with gated uplink dpcch or gated downlink f-dpch or dpcch transmission

Номер патента: EP2022181A2. Автор: Jorma Kaikkonen,Anna-Mari Vimpari,Mads Hintz-Madsen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-02-11.

Methods of fabricating semiconductor devices with gate-all-around structure

Номер патента: US20200135571A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device with gate-undercutting recessed region

Номер патента: US20110318901A1. Автор: Trace Q. Hurd,Antonio Luis Pacheco Rotondaro,Elisabeth Marley Koontz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device with gate-undercutting recessed region

Номер патента: US20110316089A1. Автор: Trace Q. Hurd,Antonio Luis Pacheco Rotondaro,Elisabeth Marley Koontz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20230307523A1. Автор: Chih-Hao Chang,Pin-Chun SHEN,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu,Li-Ying WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Dual port lubricating oil monitoring and maintenance cap for a roller of a tracked vehicle

Номер патента: US20140292067A1. Автор: Ronald J. Kile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-02.

Plasma doping method with gate shutter

Номер патента: US20120285818A1. Автор: Hiroyuki Ito,Tomohiro Okumura,Ichiro Nakayama,Bunji Mizuno,Yuichiro Sasaki,Cheng-Guo Jin,Katsumi Okashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having cell section with gate structures partly covered with protective film

Номер патента: US12100763B2. Автор: Jun Saito,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US12107087B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Cable connector assembly with dual ports

Номер патента: US09997879B2. Автор: XIAO FAN,Jun Chen,Cheng Zhang,Jerry Wu. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming semiconductor device structure with gate and resulting structures

Номер патента: US12136572B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Vertical GaN JFET with gate source electrodes on regrown gate

Номер патента: US8698164B2. Автор: Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Regenerative thermal oxidizer with gate manifold system

Номер патента: US5134945A. Автор: Richard G. Reimlinger,James L. Nester. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-08-04.

Method and apparatus for replacing bop with gate valve

Номер патента: CA2450815C. Автор: Alagarsamy Sundararajan. Владелец: Worldwide Oilfield Machine Inc. Дата публикации: 2008-03-11.

Method and apparatus for replacing bop with gate valve

Номер патента: WO2003014604A3. Автор: Alagarsamy Sundararajan. Владелец: Worldwide Oilfield Machine Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Alignment apparatus with gated output for impact alignment of weighed batches of elongated objects

Номер патента: CA2019100C. Автор: David Shroyder. Владелец: Lamb Weston Inc. Дата публикации: 1994-05-31.

Radio-frequency devices with gate node voltage compensation

Номер патента: US20160134270A1. Автор: Fikret Altunkilic,Guillaume Alexandre Blin,Anuj Madan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US11949004B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Dual port drain

Номер патента: WO2023044120A1. Автор: Stanley N. Lapidus,Jose P. Zevallos,Aadel Chaudhuri. Владелец: Droplet Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2023-03-23.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US11967626B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure with gate-all-around devices and stacked FinFET devices

Номер патента: US11901236B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Work Implement Frame with Gate

Номер патента: US20170349417A1. Автор: Ronald James Pisarik. Владелец: Paladin Brands Group Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of manufacturing compound semiconductor device with gate electrode forming before source electrode and drain electrode

Номер патента: US8569124B2. Автор: Toshiya Sato,Tsutomu Hosoda,Yoshitaka Watanabe,Kenji Nukui,Shinichi Akiyama,Yoichi Fujisawa,Tetsuya Itou,Yuuichi Satou,Mutsumi Katou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20180358466A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device with gate isolation features and fabrication method of the same

Номер патента: US11876119B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Dual port drain

Номер патента: US20230092442A1. Автор: Stanley N. Lapidus,Jose P. Zevallos,Aadel Chaudhuri. Владелец: Droplet Biosciences Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Transistor structure with gate over well boundary and related methods to form same

Номер патента: US11942325B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Vertical transistor with gate encapsulation layers

Номер патента: US11949011B2. Автор: Chen Zhang,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Seal ring for semiconductor device with gate-all-around transistors

Номер патента: US20230019608A1. Автор: Chun Yu Chen,Yen Lian Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Dual port drain

Номер патента: CA3233051A1. Автор: Stanley N. Lapidus,Jose P. Zevallos,Aadel Chaudhuri. Владелец: Droplet Biosciences Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device with gate structure and current spread region

Номер патента: US20240096934A1. Автор: Sandeep Walia,Paul Ellinghaus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of making transistors with gate insulation layers of differing thickness

Номер патента: EP1504470A1. Автор: Jon D. Cheek,James F. Buller. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US12015084B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Bcd ic with gate etch and self-aligned implant integration

Номер патента: US20220068649A1. Автор: Mona M. Eissa,Alexei Sadovnikov,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD,Pushpa Mahalingam,Jason R. Heine. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Hydro therapy installation for race-horse training, uses treatment tank parallel to hydraulic channel with gate across channel with gates connecting tank to hydraulic channel on either side of channel gate

Номер патента: FR2814641A1. Автор: Michel Brun. Владелец: Michel Brun. Дата публикации: 2002-04-05.

Motor pleasure boat, has superstructure with gate completely or partially closed between cockpit and back of superstructure, where gate at cockpit is closed by central gate, and windows that are raised by gas cylinders or electro jacks

Номер патента: FR2884219A1. Автор: William Rizzo,Philippe Guglielmetti. Владелец: SEY SA. Дата публикации: 2006-10-13.

Fet with gate spacer

Номер патента: US5153145A. Автор: Janmye Sung,Chih-Yuan Lu,Kuo-Hua Lee. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-10-06.

Depletion type insulated gate AlGaN / GaN component structure with gate field plate and manufacturing method of depletion type insulated gate AlGaN / GaN component structure

Номер патента: CN103904110A. Автор: 冯倩,代波,杜锴,郝跃,张春福,梁日泉. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-07-02.

Method for forming dielectric layer on transistor with gate electrode, includes dielectric layer, which has pre-determined inner bracing and formed place holder structure on gate electrode, to increase component height on gate electrode

Номер патента: DE102006046375A1. Автор: Kai Frohberg,Manfred Horstmann,Rolf Stephan,Christof Schwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for fabricating double implanted LDD transistor self-aligned with gate

Номер патента: US4963504A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1990-10-16.

MOSFET structure with gate oxide film - has gate on substrate of first conductivity type and ion implantation layer under gate

Номер патента: DE4208537A1. Автор: Hyung Soon Shin. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1992-11-19.

Tubing hanger system with gate valve

Номер патента: CA2403881C. Автор: Christopher E. Cunningham,Nicholas Gatherar,Christopher D. Bartlett,Richard D. Kent. Владелец: FMC Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-13.

Modular fencing system with gated access

Номер патента: US11846115B2. Автор: Frank Vingerhoets. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device structure with gate spacer

Номер патента: US11854796B2. Автор: Yu-Yun Peng,Guan-Yao TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Field-effect transistor device with gate spacer structure

Номер патента: US20220336628A1. Автор: Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Field-effect transistor device with gate spacer structure

Номер патента: US20230282731A1. Автор: Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Field effect transistors with gate electrode self-aligned to semiconductor fin

Номер патента: US11996447B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US11991872B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Digital phase-locked loop with gated time-to-digital converter

Номер патента: WO2009088790A1. Автор: Bo Sun,Gurkanwal Singh Sahota,Zixiang Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-16.

Digital phase-locked loop with gated time-to-digital converter

Номер патента: EP2232708A1. Автор: Bo Sun,Gurkanwal Singh Sahota,Zixiang Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Digital phase-locked loop with gated time-to-digital converter

Номер патента: US20090175399A1. Автор: Bo Sun,Gurkanwal Singh Sahota,Zixiang Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

Field effect transistor with gated and non-gated trenches

Номер патента: US20140054691A1. Автор: Ashok Challa,Hamza Yilmaz,Steven Sapp,Daniel Calafut,Nathan Kraft. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Compact Multi-Port Router Device

Номер патента: US20140091878A1. Автор: Pacaud Damien,BILA Stephane,ESTAGERIE Laetitia,Puech Jerome,Seyfert Fabien. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

UNIDIRECTIONAL SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ORTHOGONAL WALLS

Номер патента: US20220077145A1. Автор: Lindert Nick,Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Liu Mark,LIAO Szuya S.,GOVINDARAJU Sridhar,SUBRAMANIAN Sairam,KENYON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

SECURITY GATE WITH GATE LOCK

Номер патента: US20190078353A1. Автор: GENTIL Jean-Luc. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE REPLACEMENT METAL GATE WITH GATE CUT LAST IN RMG

Номер патента: US20170084463A1. Автор: OK Injo,Greene Andrew M.,Surisetty Charan V.,Haran Balasubramanian P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE REPLACEMENT METAL GATE WITH GATE CUT LAST IN RMG

Номер патента: US20170084723A1. Автор: OK Injo,Greene Andrew M.,Surisetty Charan V.,Haran Balasubramanian P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20220102557A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

INJECTION MOLD WITH GATE INSERT DEFINING INCLINED GATE

Номер патента: US20140170258A1. Автор: TSENG MIN-TSANG. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING EPITAXIAL SOURCE OR DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20200098878A1. Автор: Ghani Tahir,Sivakumar Swaminathan,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

VERTICAL GALLIUM NITRIDE JFET WITH GATE AND SOURCE ELECTRODES ON REGROWN GATE

Номер патента: US20150137140A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

VERTICAL GALLIUM NITRIDE JFET WITH GATE AND SOURCE ELECTRODES ON REGROWN GATE

Номер патента: US20140291691A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

COMPARATOR HAVING DIFFERENTIAL FDSOI TRANSISTOR PAIR WITH GATE CONNECTED TO BACK-GATE TO REDUCE RTS NOISE

Номер патента: US20190199336A1. Автор: Kanagala Vijay,Blackwell Don R.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES ABOVE INSULATOR SUBSTRATES

Номер патента: US20200219990A1. Автор: Ghani Tahir,Cea Stephen M.,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Gate-all-around metal-oxide-semiconductor transistors with gate oxides

Номер патента: US20150263134A1. Автор: Seung-Chang Lee,Daniel Feezell,Steven Brueck. Владелец: Steven Brueck. Дата публикации: 2015-09-17.

UNIDIRECTIONAL SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ORTHOGONAL WALLS

Номер патента: US20190304971A1. Автор: Lindert Nick,Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Liu Mark,LIAO Szuya S.,GOVINDARAJU Sridhar,SUBRAMANIAN Sairam,KENYON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20190393352A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Vertical gan jfet with gate and source electrodes on regrown gate

Номер патента: CN103975438A. Автор: 聂辉,唐纳德·R·迪斯尼,伊舍克·C·克孜勒亚尔勒,理查德·J·布朗. Владелец: A Woji Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

One-way rotary access gate - has ratchet mechanism controlling rotation and fixed bars on one side interleaved with gate bars

Номер патента: FR2314345A1. Автор: . Владелец: PARGADE JEAN. Дата публикации: 1977-01-07.

Double-gate semiconductor device with gate contacts formed adjacent sidewalls of a fin

Номер патента: US8217450B1. Автор: Bin Yu,HaiHong Wang,Shibly S. Ahmed. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Gate structure, semiconductor device with gate structure and method of forming the same

Номер патента: CN1658401A. Автор: 李哲,吉田诚,李忠浩,朴东健,尹在万. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-24.

Field effect transistor with gated and non-gated trenches

Номер патента: US8278705B2. Автор: Nathan Kraft. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-10-02.

Gate valve device and substrate processing device with gate valve device

Номер патента: TW201107638A. Автор: Tsutomu Hiroki,Masanao Matsushita,Masaaki Nose,Takehiro Nishiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Jack type connector with gate and plug type connector with gate

Номер патента: CN1398026A. Автор: 长田孝之. Владелец: Hosiden Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Output buffer circuit with gate voltage control circuit of gate current control transistor connected to output transistor

Номер патента: KR950022107A. Автор: 노부오 무라까미. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-07-26.

Vertical transfer gate with gate panel

Номер патента: JP6526250B2. Автор: ガブリイエル レイツ. Владелец: ガブリイエル レイツ. Дата публикации: 2019-06-05.

Electrical circuit for electronic system, has arrangement of vertical selection transistors vertically formed in substrate, and gate-electrode-ditches filled with gate-electrode-material

Номер патента: DE102006051137A1. Автор: Till Dr. Schloesser,Ulrike Dr. Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Dual-port ethernet traffic management for protocol conversion

Номер патента: CA2811918C. Автор: Daniel Rian Kletti. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Self-aligned gate terminal cap (SAGE) architecture with gate or contact plugs

Номер патента: CN111668188A. Автор: S·苏布拉玛尼安,W·M·哈菲兹. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Jack type connector with gate and plug type connector with gate

Номер патента: CN100444476C. Автор: 长田孝之. Владелец: Hosiden Corp. Дата публикации: 2008-12-17.

Installation structure for tail gate connection with gate post of truck

Номер патента: KR100552161B1. Автор: 김윤빈. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2006-02-13.

Method and apparatus for power supply with gated charge filter

Номер патента: US5430637A. Автор: Dean C. Buck. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1995-07-04.

Solid state radiation imager with gate electrode plane shield wires

Номер патента: CA2184429C. Автор: George Edward Possin,Jack Dean Kingsley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-10-30.

Dual port oscillator for two-stage direct conversion receiver

Номер патента: CA2065758C. Автор: Yoshiharu Manjo,Tadashi Ohga,Charles R. Mcmurray. Владелец: Matsushita Communication Industrial Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

Unidirectional self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-orthogonal walls

Номер патента: US11217582B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Mark Liu,Szuya S. LIAO,Christopher Kenyon,Nick Lindert,Sridhar Govindaraju,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-04.

TRANSISTOR COMPONENT WITH GATE ELECTRODES AND FIELD ELECTRODES

Номер патента: DE102020121333A1. Автор: Markus Zundel,Felix Buth,Margarete Deckers,Christian Feuerbaum,Uwe Schmalzbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-02-17.

MOS transistor production with gate length less than that imposed by photolithography comprises forming internal spacers in cavity arranged in pile before deposition of gate material

Номер патента: FR2823597A1. Автор: Thierry Schwartzmann. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-18.

Gate cutting device for plate like synthetic resin molded product with gate

Номер патента: JPS59178213A. Автор: Hideo Matsumoto,英夫 松本. Владелец: Taisei Kako Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-09.

Molded power semiconductor package with gate connector feature

Номер патента: US20230411254A1. Автор: Gerald Ofner,Ivan Nikitin,Christian Neugirg,Karsten Guth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for preparing semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US11631747B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for preparing semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US20220254899A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Display substrate with gate insulation layers having different thicknesses, manufacturing method of the same and display device

Номер патента: US11088174B2. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-10.

Method for forming semiconductor device structure with gate structure

Номер патента: US20190043763A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yung-Cheng Lu,Chao-Cheng Chen,Yi-Cheng Li,Jr-Jung LIN,Chun-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device with gate spacer and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220254898A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Power Domain Controller With Gated Through Silicon Via Having FET With Horizontal Channel

Номер патента: US20120146711A1. Автор: II John E. Sheets,Gerald K. Bartley,Darryl J. Becker,Philip R. Germann,Andrew B. Maki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Enhanced UE out-of-sync behavior with gated uplink DPCCH or gated downlink F-DPCH or DPCCH transmission

Номер патента: TW200805923A. Автор: Jorma Kaikkonen,Anna-Mari Vimpari,Mads Hintz-Madsen. Владелец: Nokia Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Amplifying gate thyristor with gate turnoff(gto)

Номер патента: GB1542227A. Автор: . Владелец: Alsthom Atlantique SA. Дата публикации: 1979-03-14.

Input/output devices that are compatible with gate-all-around technology

Номер патента: EP4374422A1. Автор: Xi-Wei Lin,Robert B. Lefferts,Victor Moroz,Munkang Choi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Input/output devices that are compatible with gate-all-around technology

Номер патента: WO2023004052A1. Автор: Xi-Wei Lin,Robert B. Lefferts,Victor Moroz,Munkang Choi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-01-26.

Switching power converter with gated oscillator control

Номер патента: EP1305873A2. Автор: David B. Manner,Mark D. Telefus,Arthur J. Collmeyer,Dickson T. Wong. Владелец: iWatt Inc. Дата публикации: 2003-05-02.

Method for fabricating conductive layer stack and method for fabricating semiconductor device with gate contact

Номер патента: US12014955B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Integrated circuit with gate conductor defined resistor

Номер патента: GB2281813B. Автор: Yehuda Smooha. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1997-04-16.

Negative edge flip-flop with dual-port slave latch

Номер патента: WO2014124037A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven Bartling. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-08-14.

Dual port wireless modem for circuit switched and packet switched data transfer

Номер патента: GB2373413B. Автор: Charles Lindsay,Daniel Monroe. Владелец: Xircom Wireless Inc. Дата публикации: 2004-01-07.

Digital phase-locked loop with gated time-to-digital converter

Номер патента: EP2232708B1. Автор: Bo Sun,Gurkanwal Singh Sahota,Zixiang Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Negative edge preset reset flip-flop with dual-port slave latch

Номер патента: US20140232439A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Integrated circuit with gate conductor defined resistor

Номер патента: HK1002526A1. Автор: Yehuda Smooha. Владелец: At & T Corp. Дата публикации: 1998-08-28.

Integrated circuit with gate conductor defined resistor

Номер патента: GB9417498D0. Автор: . Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Pinned photodiode sensor with gate controlled SCR transfer switch and method of formation

Номер патента: TW200640023A. Автор: Ching-Wei Chen,Chih-Cheng Hsieh,Chien-Chang Huang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Imaging with gate controlled charge storage

Номер патента: TW200518328A. Автор: Sungkwon C Hong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: TW200725617A. Автор: Geng Wang,Jack A Mandelman,Carl J Radens,Ramachandra Divakaruni,Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-07-01.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011A3. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-06-21.

Dual port gain cell with side and top gated read transistor

Номер патента: WO2007023011B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2007-07-12.

Mosfet with gate pull-down

Номер патента: EP2517356A4. Автор: Jacek Korec,Shuming Xu,Osvaldo J Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-02.

Semiconductor devices with gate electrodes and with monocrystalline silicon regions that contain atoms of nitrogen and one or more of chlorine, bromine, sulfur, fluorine, or phosphorus

Номер патента: US8283733B2. Автор: Zhong Dong,Ching-Hwa Chen. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Flexible display device with gate-in-panel circuit

Номер патента: US09780157B2. Автор: Hyunsoo Shin,Seyeoul Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Pseudo-differential input circuitry with reference voltage

Номер патента: EP3066758A1. Автор: Timothy Mowry Hollis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Pseudo-differential input circuitry with reference voltage

Номер патента: WO2015069568A1. Автор: Timothy Mowry Hollis. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-05-14.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: US10484025B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: EP2989778A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette ZHANG. Владелец: Rfaxis Inc. Дата публикации: 2016-03-02.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: US20160352367A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Neurostimulator output switching circuitry with self-test mode

Номер патента: US20240278021A1. Автор: Daran DeShazo,Gavin L. Rade. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: US09748985B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Dual port valve assembly and retractable hose central vacuum cleaning system

Номер патента: US20120304414A1. Автор: James Roger Harman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Endotracheal tube with dual port subglottic secretion suctioning

Номер патента: US20130112207A1. Автор: Gary James Roth. Владелец: Teleflex Medical Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACK STRUCTURE

Номер патента: US20130241011A1. Автор: CHO Heung-Jae,KIM Tae-kyung,Kim Yong-Soo,Lim Kwan-Yong,Yang Hong-Seon,Sung Min-Gyu. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

DUAL PORT ABLATION CANNULA AND KIT

Номер патента: US20130267938A1. Автор: Greenberg Steven M.,Katzman Scott S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE ELECTRODE INCLUDING A CONCAVE PORTION

Номер патента: US20130288445A1. Автор: KAWAGUCHI Hiroshi,UEDA Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Dual Port Heat Pipe Structure For Switchgear

Номер патента: US20130319024A1. Автор: Patrick Fischer-Carne. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-12-05.

Dual-Port Measurements of Light Reflected from Micromirror Array

Номер патента: US20140009638A1. Автор: Kelly Kevin F.,Baraniuk Richard G.,McMackin Lenore,Bridge Robert F.,Chatterjee Sujoy. Владелец: INVIEW TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-09.

DISPLAY APPARATUS WITH GATE ELECTRODES FORMED IN A PROJECTING MANNER

Номер патента: US20140061686A1. Автор: Matsumoto Shoichiro,Kinpara Yasunori. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

TRIM FOR DUAL-PORT FREQUENCY MODULATION

Номер патента: US20170005853A1. Автор: LAFUENTE Mario,GORDAY Paul Edward. Владелец: SUNRISE MICRO DEVICES, INC.. Дата публикации: 2017-01-05.

Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor with Gate Poly Contact within Source Window

Номер патента: US20190006514A1. Автор: Pendharkar Sameer,MATHUR Guru. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

FINFET DEVICE WITH GATE OXIDE LAYER

Номер патента: US20160013308A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien,Chang I-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

DUAL-PORT TESTING OF A CABLE NETWORK

Номер патента: US20150020129A1. Автор: Jones,CHAPPELL Daniel K.,JR. Richard Earl,Jones David W.,Gray Adam D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Dual Port Pass-Through Midspan

Номер патента: US20140103707A1. Автор: MAYMON Beny,ELBAZ Shlomo. Владелец: Microsemi Corp.- Analog Mixed Signal Group Ltd.. Дата публикации: 2014-04-17.

Dual-port testing of a cable network

Номер патента: US20170019664A1. Автор: David W. Jones,Daniel K. Chappell,Adam D. Gray,Richard Earl JONES, JR.. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-01-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACK

Номер патента: US20190019727A1. Автор: Chiu Yi-Wei,Huang Hsu-Yu,Hsu Li-Te,HSIA YING-TING,Hung Hua-Li,Lu Chih-Lun,YIN Tsung-Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-01-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE ELECTRODES BURIED IN TRENCHES

Номер патента: US20160027916A1. Автор: KATOU Hiroaki,MORIYA Taro,KUDOU Hiroyoshi,UCHIYA Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Gate Stack

Номер патента: US20210028296A1. Автор: Chen Yi-Jen,Shih Sheng-Chi,Chang Che-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

FIN SELECTOR WITH GATED RRAM

Номер патента: US20180033963A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Quek Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Integrated Circuits with Gate Stacks

Номер патента: US20190035917A1. Автор: YANG Kai-Chieh,Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Lai Li-Shyue. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

DUAL-PORT POSITIVE LEVEL SENSITIVE DATA RETENTION LATCH

Номер патента: US20150042390A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-12.

Dual-Port SRAM Cell Structure

Номер патента: US20210035986A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Yu Dian-Sheg,Tsui Ren-Fen,Lin Bing-Chian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure with Gate Stack

Номер патента: US20210036128A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tung-Wen,Young Bo-Feng,ZHANG ZHE-HAO,LIN MU-TSANG. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACK

Номер патента: US20210036157A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

LOW POWER FLIP-FLOP ELEMENT WITH GATED CLOCK

Номер патента: US20160043706A1. Автор: Zhang Xi,Elkin Ilyas,Yang Ge,Yu Jiani. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACKS

Номер патента: US20180040613A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-02-08.

Dual-port positive level sensitive reset data retention latch

Номер патента: US20150048872A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE STRUCTURE

Номер патента: US20190043763A1. Автор: Li Yi-Cheng,Chen Chao-Cheng,Chen Chien-Hao,Lu Yung-Cheng,Lin Jr-Jung,LEE CHUN-HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-07.

TRANSISTOR ELEMENT WITH GATE ELECTRODE OF REDUCED HEIGHT AND RAISED DRAIN AND SOURCE REGIONS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190043963A1. Автор: Baars Peter,Fitz Clemens,Thees Hans-Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE STACK

Номер патента: US20200044016A1. Автор: Lin Chih-Wei,Wang Chih-Lin,Kuo Kang-Min. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACK

Номер патента: US20160049482A1. Автор: LIU Yung-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Bidirectional trench fet with gate-based resurf

Номер патента: US20160049508A1. Автор: Michael F. Petras,Moaniss Zitouni,Pon Sung Ku,Edouard D. De Frèsart,Ganming Qin,Dragan Zupac,Evgueniy N. Stefanov. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for Forming Semiconductor Device Structure with Gate

Номер патента: US20180047633A1. Автор: Wu Po-Chi,CHANG Chai-Wei,Fang Wen-Han. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

DUAL-PORT POSITIVE LEVEL SENSITIVE PRESET DATA RETENTION LATCH

Номер патента: US20150054544A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven C.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-26.

DUAL-PORT POSITIVE LEVEL SENSITIVE RESET PRESET DATA RETENTION LATCH

Номер патента: US20150054545A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

DUAL-PORT NEGATIVE LEVEL SENSITIVE RESET DATA RETENTION LATCH

Номер патента: US20150054556A1. Автор: Bartling Steven Craig,Khanna Sudhanshu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-26.

DUAL-PORT NEGATIVE LEVEL SENSITIVE PRESET DATA RETENTION LATCH

Номер патента: US20150054557A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven C.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-26.

BCD IC WITH GATE ETCH AND SELF-ALIGNED IMPLANT INTEGRATION

Номер патента: US20220068649A1. Автор: Sadovnikov Alexei,Edwards Henry Litzmann,Todd James Robert,EISSA Mona M.,Heine Jason R.,Mahalingam Pushpa. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

DUAL PORT STORAGE DEVICE EMULATION

Номер патента: US20200052955A1. Автор: Rollins William Leo,Kolor Daniel John. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

DUAL-PORT NEGATIVE LEVEL SENSITIVE DATA RETENTION LATCH

Номер патента: US20150061739A1. Автор: Bartling Steven Craig,Khanna Sudhanshu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-05.

SOURCE CONTACT FORMATION OF MOSFET WITH GATE SHIELD BUFFER FOR PITCH REDUCTION

Номер патента: US20200058788A1. Автор: Tu Shanghui Larry,Rahman Touhidur. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

DUAL-PORT ELECTRONIC ASSEMBLY

Номер патента: US20210065939A1. Автор: Li Jian-En. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

NON-VOLATILE MEMORY WITH GATE ALL AROUND THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210066334A1. Автор: Yang Zusing. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-04.

HIGH VOLTAGE DEVICE WITH GATE EXTENSIONS

Номер патента: US20210066451A1. Автор: Liu Ming Chyi,Chen Jhih-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

DUAL-PORT NEGATIVE LEVEL SENSITIVE RESET PRESET DATA RETENTION LATCH

Номер патента: US20150070061A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven C.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

GROUP III-NITRIDE-BASED TRANSISTOR WITH GATE DIELECTRIC INCLUDING A FLUORIDE - OR CHLORIDE- BASED COMPOUND

Номер патента: US20140145243A1. Автор: III Edward A.,Saunier Paul,Beam. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20170069548A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device with gate cut structure

Номер патента: US20210074842A1. Автор: Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE INSIDE U-SHAPED CHANNEL AND METHODS OF MAKING SUCH A DEVICE

Номер патента: US20170077297A1. Автор: Pawlak Bartlomiej Jan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES AND STACKED FINFET DEVICES

Номер патента: US20220093591A1. Автор: LIN Chia-Pin,LEE Wei-Yang,Chu Feng-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor Device with Gate Recess and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220093612A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20200075766A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH GATE LINE CROSSING FIN-TYPE ACTIVE REGION

Номер патента: US20180083002A1. Автор: CHOI KYUNGIN,Kim Changhwa,JUN HWICHAN,HWANG INCHAN. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

UTILITY VEHICLE CORNER MODULE WITH GATE SECURING APPARATUS

Номер патента: US20200079441A1. Автор: Gallagher James,Keen Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE SPACER HAVING PROTRUDING BOTTOM PORTION AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160086945A1. Автор: LIU Yung-Tsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICE WITH GATE SPACER STRUCTURE

Номер патента: US20220102527A1. Автор: Wang Chunyao,Hsieh Wei-Che. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE STACK

Номер патента: US20180090561A1. Автор: Lin Chih-Wei,Wang Chih-Lin,Kuo Kang-Min. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

DUAL-PORT THROTTLE BODY

Номер патента: US20150096532A1. Автор: Gibson,II Arthur Ellis. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor Device with Gate Isolation Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20220139914A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng,CHEN GUAN-LIN,Cheng Jung-Chien,Ju Shi Ning. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH GATE CONTACT IN ACTIVE REGION

Номер патента: US20170092764A1. Автор: Labonte Andre,KNORR Andreas,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-03-30.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACK

Номер патента: US20160099324A1. Автор: Chen Yi-Jen,Shih Sheng-Chi,Chang Che-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Dual Port Payload Attach Ring Compatible Satellite

Номер патента: US20170096240A1. Автор: Friend Robert Bruce,Cook Timothy Scott. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH GATED CONTACT VIA STRUCTURES AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20190096808A1. Автор: HOSODA Naohiro,TSUTSUMI Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE DIELECTRIC FORMED USING SELECTIVE DEPOSITION

Номер патента: US20220149177A1. Автор: Wang Tzu-Chung,Chen Miin-Jang,Lee Tung-Ying,CHEN Tse-An,YIN Yu-Tung,YANG Meng-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

DUAL PORT ANTENNA STRUCTURE

Номер патента: US20220149525A1. Автор: WANG Hanyang,Zhou Hai. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Integrated Circuits with Gate Cut Features

Номер патента: US20200098750A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH GATE ELECTRODE SELF-ALIGNED TO SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20220181442A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

MECHANISM FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE

Номер патента: US20150129987A1. Автор: JENG Jung-Chi,HSIAO Ru-Shang,CHEN I-CHIH,CHEN Ying-Hao,HUANG Chih-Mu,KUO Wen-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-14.

DUAL-BAND DUAL-PORT ANTENNA STRUCTURE

Номер патента: US20180123244A1. Автор: Wu Fangming,AN Wenxing,SHEN Zhongxiang,CHUNG Peijung. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure with Gate Stack

Номер патента: US20190123168A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tung-Wen,Young Bo-Feng,ZHANG ZHE-HAO,LIN MU-TSANG. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

RADIO-FREQUENCY DEVICES WITH GATE NODE VOLTAGE COMPENSATION

Номер патента: US20160134270A1. Автор: Altunkilic Fikret,Blin Guillaume Alexandre,Madan Anuj. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

NEGATIVE EDGE FLIP-FLOP WITH DUAL-PORT SLAVE LATCH

Номер патента: US20140218090A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-07.

POSITIVE EDGE FLIP-FLOP WITH DUAL-PORT SLAVE LATCH

Номер патента: US20140218091A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-07.

VERTICALLY STACKED NFETS AND PFETS WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20190131396A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Method for Forming Semiconductor Device Structure with Gate and Resulting Structures

Номер патента: US20200126864A1. Автор: Wu Po-Chi,CHANG Chai-Wei,Fang Wen-Han. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Group iii-nitride high-electron mobility transistors with gate connected buried p-type layers and process for making the same

Номер патента: US20210167199A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jia GUO. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE

Номер патента: US20220285160A1. Автор: Lee Da-Yuan,Lin Tsung-Da,CHEN YEN-FU,Chui Chi On,Lin Kuei-Lun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-08.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: US20220285248A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor Device With Gate Isolation Features And Fabrication Method Of The Same

Номер патента: US20220285512A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun,You Jia-Chuan,Chiang Kuo-Cheng,CHEN GUAN-LIN,Cheng Jung-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE SPACER HAVING PROTRUDING BOTTOM PORTION AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190139839A1. Автор: LIU Yung-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GATE-ALL-AROUND STRUCTURE

Номер патента: US20200135571A1. Автор: Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory Devices with Gate All Around Transistors

Номер патента: US20200135740A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

NEGATIVE EDGE PRESET RESET FLIP-FLOP WITH DUAL-PORT SLAVE LATCH

Номер патента: US20140232439A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-21.

POSITIVE EDGE RESET FLIP-FLOP WITH DUAL-PORT SLAVE LATCH

Номер патента: US20140232440A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-21.

Positive edge preset flip-flop with dual-port slave latch

Номер патента: US20140232441A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

NEGATIVE EDGE RESET FLIP-FLOP WITH DUAL-PORT SLAVE LATCH

Номер патента: US20140232442A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-21.

Negative edge preset flip-flop with dual-port slave latch

Номер патента: US20140232443A1. Автор: Sudhanshu Khanna,Steven Bartling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

SINGLE-MOTOR TRANSMISSION ACTUATOR WITH GATE FOR SELECTING AND SHIFTING GEARS OF A MOTOR VEHICLE TRANSMISSION DEVICE

Номер патента: US20170152941A1. Автор: Kretz-Busch Volker,Malitourne Jerome,Haas Maximilian. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

INVERTER SWITCHING DEVICES WITH GATE COILS TO ENHANCE COMMON SOURCE INDUCTANCE

Номер патента: US20180152113A1. Автор: Chen Chingchi,Degner Michael W.,XU ZHUXIAN. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stacks

Номер патента: US20200144259A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE STACK

Номер патента: US20170154954A1. Автор: Lin Chih-Wei,Wang Chih-Lin,Kuo Kang-Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-06-01.

Replacement body finfet for improved junction profile with gate self-aligned junctions

Номер патента: US20170154995A1. Автор: Viorel Ontalus. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE ELECTRODE LAYER

Номер патента: US20210183707A1. Автор: Ng Jin-Aun,Yeong Sai-Hooi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-06-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE RECESS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220302135A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Formation method of semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US20190157075A1. Автор: Yu-Yun Peng,Guan-Yao TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE SPACER

Номер патента: US20200152450A1. Автор: Peng Yu-Yun,TU Guan-Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-14.

Dual Port Single Frequency Antenna

Номер патента: US20140247190A1. Автор: Loftus Robert Francis Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor with Gate Poly Contact within Source Window

Номер патента: US20210193809A1. Автор: Pendharkar Sameer,MATHUR Guru. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate structure

Номер патента: US20180166548A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Yi-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

APPARATUS AND METHODS FOR POWER ENHANCEMENT OF SELF-BIASED DISTRIBUTED AMPLIFIERS WITH GATE BIAS NETWORKS

Номер патента: US20170170787A1. Автор: Yu Haoyang,Katzin Peter J.,Wang Guogong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Circuit Devices with Gate Seals

Номер патента: US20190165125A1. Автор: Chiang Tsung-Yu,Lai Sheng-Chou. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES WITH GATE CUTS ABOVE BURIED POWER RAILS

Номер патента: US20220310514A1. Автор: Wei Andy Chih-Hung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

FIN SELECTOR WITH GATED RRAM

Номер патента: US20140264228A1. Автор: Toh Eng Huat,Quek Elgin,Tan Shyu Seng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Flexible Display Device with Gate-In-Panel Circuit

Номер патента: US20160181346A1. Автор: Kwon SeYeoul,SHIN Hyunsoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Dual Port Charger

Номер патента: US20140266048A1. Автор: Howard Geoffrey S.,LEE Dustin M.,MOTURU Abhisheka,Cunanan Regina C.,Sayles Joel D.. Владелец: BLACK & DECKER INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR SETTING LINK SPEED OF DUAL PORT SWITCH

Номер патента: US20180176091A1. Автор: YOON Geon,Lee Ji-Geon. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH GATE ELECTRODE STRUCTURE PROTECTION

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Flachowsky Stefan,Javorka Peter,Richter Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Wu Po-Chi,CHANG Chai-Wei,Fang Wen-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

DUAL-PORT SRAM DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160190141A1. Автор: LEE DONG-HUN,CHO Yong-rae,LEE KYO-WOOK,Hong Hee-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE STACK

Номер патента: US20160190280A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tung-Wen,Young Bo-Feng,ZHANG ZHE-HAO,LIN MU-TSANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-30.

TRANSITOR WITH GATE/FIELD PLATE STRUCTURE

Номер патента: US20200176599A1. Автор: Mehrotra Saumitra Raj,Grote Bernhard,Radic Ljubo. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor with Gate Poly Contact within Source Window

Номер патента: US20180190814A1. Автор: Pendharkar Sameer,MATHUR Guru. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor Devices With Gate-Controlled Energy Filtering

Номер патента: US20180190818A1. Автор: Bart Soree,Maarten Thewissen,Wim Magnus. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-07-05.

ENDOTRACHEAL TUBE WITH DUAL PORT SUBGLOTTIC SECRETION SUCTIONING

Номер патента: US20150209536A1. Автор: Roth Gary James. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

DUAL PORT LUBRICATING OIL MONITORING AND MAINTENANCE CAP FOR A ROLLER OF A TRACKED VEHICLE

Номер патента: US20140292067A1. Автор: Kile Ronald J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

E-D MODE 2DEG FET WITH GATE SPACER TO LOCALLY TUNE VT AND IMPROVE BREAKDOWN

Номер патента: US20200194575A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,FISCHER Paul,Rode Johann C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE STACK

Номер патента: US20170207337A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACKS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150221743A1. Автор: Ho Wei-Shuo,Liao Chia-Chun,Chen Kuang-Hsin,Chiang Tsung-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

FIN SELECTOR WITH GATED RRAM

Номер патента: US20150221867A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Quek Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

CABLE CONNECTOR ASSEMBLY WITH DUAL PORTS

Номер патента: US20170214200A1. Автор: Zhang Cheng,Wu Jerry,CHEN Jun,FAN XIAO. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

SYSTEM AND METHOD FOR SUPPORTING MULITPLE LIDS FOR DUAL-PORT VIRTUAL ROUTERS IN A HIGH PERFORMANCE COMPUTING ENVIRONMENT

Номер патента: US20170214639A1. Автор: Bogdanski Bartosz,Johnsen Bjørn Dag,Holen Line. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Trim for dual-port frequency modulation

Номер патента: US20170222794A1. Автор: Paul Edward Gorday,Mario LAFUENTE. Владелец: Sunrise Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

METHOD OF FORMING INTEGRATED CIRCUIT WITH GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTOR AND THE RESULTING STRUCTURE

Номер патента: US20190214473A1. Автор: Xie Ruilong,MONTANINI Pietro,Pranatharthiharan Balasubramanian,Frougier Julien. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-07-11.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH GATE OVER TERMINALS

Номер патента: US20210249516A1. Автор: Li Ming-Shuan,Leung Ying-Keung,Su Zi-Ang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

DUAL PORT REMOTE PLASMA CLEAN ISOLATION VALVE

Номер патента: US20200217423A1. Автор: Carlson Charles T.,RIORDON Benjamin B.,Webb Aaron,WYKA Gary. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Method for making semiconductor device with gate profile control

Номер патента: US20140322872A1. Автор: Tzu-Chung Wang,Tzu-Yen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH GATE HEIGHT SCALING

Номер патента: US20180233580A1. Автор: Xie Ruilong,Zhang John H.,Tsai Stan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

TRIM FOR DUAL-PORT FREQUENCY MODULATION

Номер патента: US20180234232A1. Автор: LAFUENTE Mario,GORDAY Paul Edward. Владелец: SUNRISE MICRO DEVICES, INC.. Дата публикации: 2018-08-16.

Dual-Port SRAM Structure

Номер патента: US20210265335A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Stacked Nanosheet CFET with Gate All Around Structure

Номер патента: US20210265345A1. Автор: Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Wu Heng,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Compound Semiconductor Transistor with Gate Overvoltage Protection

Номер патента: US20160247794A1. Автор: Pozzovivo Gianmauro,Vielemeyer Martin,Hutzler Michael,Curatola Gilberto. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

VTFT WITH GATE ALIGNED TO VERTICAL STRUCTURE

Номер патента: US20150255626A1. Автор: Burberry Mitchell Stewart,Ellinger Carolyn Rae,Nelson Shelby Forrester. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Circuit Devices with Gate Seals

Номер патента: US20210280687A1. Автор: Chiang Tsung-Yu,Lai Sheng-Chou. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

NEGATIVE EDGE FLIP-FLOP WITH DUAL-PORT SLAVE LATCH

Номер патента: US20140347114A1. Автор: Khanna Sudhanshu,Bartling Steven. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-27.

Circuit Structure with Gate Configuration

Номер патента: US20210305386A1. Автор: Wang Ling-Sung,Su Ching-Hwanq,HSIAO Ru-Shang,Lu Ying Hsin,Su Pin Chia. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

SYSTEM AND METHOD FOR SUPPORTING DUAL-PORT VIRTUAL ROUTER IN A HIGH PERFORMANCE COMPUTING ENVIRONMENT

Номер патента: US20170257312A1. Автор: Moxnes Dag Georg,Bogdanski Bartosz,Johnsen Bjørn Dag,Holen Line,VENKATESH PRAMOD. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

GAS ADMINISTRATION MASK WITH DUAL PORT DIFFUSER AND WITH GAS REBOUND DIFFUSER

Номер патента: US20190255274A1. Автор: Hajgato Julius,Burke Robert,McDonald Alex,MCDONALD Lisette,LAVIMODIERE Maurice,MORUM Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

DRUG MIXER, HARD DUAL-PORT MEMBER, AND SOFT INFUSION BAG

Номер патента: US20200253827A1. Автор: Li Ke,Zhang Yun. Владелец: Chongqing LUMMY Pharmaceutical Co., Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

TRANSISTOR DEVICE WITH GATE BOTTOM ISOLATION AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20150279850A1. Автор: TAKAKI Seje. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-10-01.

Integrated Circuits with Gate Stacks

Номер патента: US20190259862A1. Автор: YANG Kai-Chieh,Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Lai Li-Shyue. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE SPACER HAVING PROTRUDING BOTTOM PORTION AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20180269114A1. Автор: LIU Yung-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Metal-insulator-semiconductor transistors with gate-dielectric/semiconductor interfacial protection layer

Номер патента: US20210351287A1. Автор: Jing Chen,Mengyuan HUA. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2021-11-11.

Dual-port sram cell structure with vertical devices

Номер патента: US20160284712A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Transistor Device with Gate Resistor

Номер патента: US20190267487A1. Автор: Blank Oliver,OUVRARD Cedric,Laforet David,Noebauer Gerhard,Braz Cesar Augusto. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

METHODS AND APPARATUSES FOR DUAL PORT BATTERY CHARGING

Номер патента: US20200266643A1. Автор: Low Zhen Ning,AKIYAMA Hiroshi,SUTTON Todd Robert,LI Haoyan,LUTY Jonathan. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

MULTICHANNEL DEVICES WITH GATE STRUCTURES TO INCREASE BREAKDOWN VOLTAGE

Номер патента: US20160293713A1. Автор: PARKE JUSTIN ANDREW,STEWART ERIC J.,HOWELL ROBERT S.,HENRY HOWELL GEORGE,FREITAG RONALD G.,NECHAY BETTINA A.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor Device with Gate Fins

Номер патента: US20160293751A1. Автор: Siemieniec Ralf,Laforet David. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

STRUCTURE AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE

Номер патента: US20160307758A1. Автор: WU CHUN-SHENG,Liu Ding-I,LI Yi-Fang,LI Jing-Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-10-20.

INTAKE MANIFOLD DUAL PORT SEAL GASKET

Номер патента: US20170306884A1. Автор: Nola Gary,Tomlinson Samuel Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE

Номер патента: US20200295188A1. Автор: JENG Jung-Chi,HSIAO Ru-Shang,CHEN I-CHIH,CHEN Ying-Hao,HUANG Chih-Mu,KUO Wen-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20200303255A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Tsung-Fan Yin,Ying-Ting Hsia,Hua-Li HUNG,Chih-Lun Lu,Hsu-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Matrix of field-emission cathodes with gates (alternatives) and their manufacturing process

Номер патента: RU2299488C2. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Николай Александрович Щербаков,Олег Федорович Огурцов,Борис Иванович Казуров,Геннадий Яковлевич Красников (RU),Олег Федорович Огурцов (RU),Борис Иванович Казуров (RU),Николай Александрович Щербаков (RU). Владелец: Борис Иванович Казуров. Дата публикации: 2007-05-20.

Method for manufacturing semiconductor device with gate electrode of nanometric length

Номер патента: RU2237947C1. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин. Владелец: Окшин Алексей Александрович. Дата публикации: 2004-10-10.

Displacement rotary adjustable machine with gates and gate seals

Номер патента: RU2224911C2. Автор: Ю.Ф. Тимофеев. Владелец: Тимофеев Юрий Федорович. Дата публикации: 2004-02-27.

듀얼 포트 램(Dual Port Ram)에 있어서, 비지(Busy)신호의 중재(Arbitration) 역할이 포함된 버스 컨트롤 로직 시스템

Номер патента: KR970071263A. Автор: 이민규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Cumulative summation method and device based on dual-port caching

Номер патента: CN105045557A. Автор: 葛露. Владелец: Sichuan Jiuzhou Electric Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Use method of dual-port SRAM in intelligent mobile phone

Номер патента: CN101499051A. Автор: 赵阳黎. Владелец: TECHFAITH INTELLIGENT HANDSET TECHNOLOGY (BEIJING) Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Toy construction cell component with gates

Номер патента: AU341343S. Автор: . Владелец: Innovation First. Дата публикации: 2012-03-05.

Drilling and tapping dual-purpose groove wall hole drilling and tapping device for drilling machine

Номер патента: CN103111915A. Автор: 刘树军,张风太,刘新兴. Владелец: SHOUGUANG TAIFENG BRAKE SYSTEM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Table type drilling and tapping dual-purpose machine with adjustable tapping speed

Номер патента: CN215432594U. Автор: 付茂. Владелец: Hefei Yongsheng Precision Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-01-07.

Improvements in and in connection with Gates, & Gate Posts.

Номер патента: GB190222486A. Автор: Albert Edward King. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-07-09.

BENCH SLIDE DRILLING AND TAPPING DUAL-PURPOSE MACHINE TOOL

Номер патента: US20120219372A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

DESKTOP APPLICATION MANAGER: TAPPING DUAL-SCREEN CARDS

Номер патента: US20130076793A1. Автор: Sirpal Sanjiv,Cassar Ron,de Paz Alexander,Milano Eduardo Diego Torres. Владелец: IMERJ LLC. Дата публикации: 2013-03-28.

Variable pitch type drilling and tapping dual-purpose machine

Номер патента: CN201267939Y. Автор: 徐亮. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-08.

Drilling and tapping dual purpose machine with chuck

Номер патента: CN202763448U. Автор: 林发钦. Владелец: FUZHOU DINGLI MACHINERY Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Manual and numerical control drilling and tapping dual-purpose bench

Номер патента: CN213561013U. Автор: 袁海宝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Drilling and tapping dual-purpose machine tool for machining mechanical parts

Номер патента: CN213351504U. Автор: 梁斐. Владелец: Dalian Jiuding Machinery Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2021-06-04.

Improvements in or connected with Gates.

Номер патента: GB190424899A. Автор: John Francis Mc Neill. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-03-23.

Improvements in, or connected with, Gates.

Номер патента: GB190004301A. Автор: Thomas Pavey Bromfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-03-02.

Improvements in or in connection with Gate Hinges.

Номер патента: GB190004181A. Автор: Henry Alfred Eckley,John Frankham. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-12-22.

Improvements in or connected with Gates for Level Crossings or the like.

Номер патента: GB190721645A. Автор: Robert Wilkinson Tweedy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-02-20.

Improvements in or connected with Gate or like Operating Spring Mechanisms.

Номер патента: GB190708959A. Автор: George Sheriff Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-04-18.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086055A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086083A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GATE-SOURCE ESD DIODE AND GATE-DRAIN CLAMP DIODE

Номер патента: US20120175737A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: FORCE MOS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-12.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120306016A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

Vertical GaN JFET with Gate Source Electrodes on Regrown Gate

Номер патента: US20130146886A1. Автор: NIE Hui,Kizilyalli Isik C.,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: EPOWERSOFT, INC.. Дата публикации: 2013-06-13.

Gate driving unit and display device with gate drive unit

Номер патента: CN104732935B. Автор: 王丽,廖聪维,李全虎,朱欢欢,宋文庆. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Four-port memory based on dual-port RA (register array)

Номер патента: CN104407992A. Автор: 张磊,王永庆,刘路,高蕾,王克非,肖立权,戴艺,肖灿文,陆平静,庞征斌,徐炜遐,沈胜宇,张鹤颖,曹继军,徐佳庆. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-03-11.

Gate driving control unit for large-power thuristor with gate capable of being shut off

Номер патента: CN1140043C. Автор: 冯江华,赵清良,邹高令. Владелец: ZHUZHOU INST OF ELECTRIC LOCOMOTIVE MINISTRY OF RAILWAYS. Дата публикации: 2004-02-25.

Gate driving unit and display device with gate drive unit

Номер патента: CN104732935A. Автор: 王丽,廖聪维,李全虎,朱欢欢,宋文庆. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

A kind of intelligent serial ports router

Номер патента: CN204103943U. Автор: 邹强,陶广宇. Владелец: JIANGSU YUANDA INFORMATION SYSTEMS Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-14.

Integrating circuits with gating and resetting provisions

Номер патента: CA830085A. Автор: B. Hollins Gerald. Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1969-12-16.

MOSFET with gate side air-spacer

Номер патента: TW418535B. Автор: Wen-Ding Ju,Hung-De Su,Chung-Rung Lin,Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Dual port SRAM with improved SNM

Номер патента: TW201234370A. Автор: Ming-Chuen Shiau,En-Chih Chang. Владелец: Hsiuping Inst Technology. Дата публикации: 2012-08-16.

Dual port SRAM having a higher voltage write wordline in writing operation

Номер патента: TW201030749A. Автор: Ming-Chuen Shiau,sheng-wei Liao. Владелец: Hsiuping Inst Technology. Дата публикации: 2010-08-16.

Dual-port plugging interface for hard disk

Номер патента: TWM249172U. Автор: Jui-Shu Huang,Zhu-Wen Dai. Владелец: Zhu-Wen Dai. Дата публикации: 2004-11-01.

Dual port SRAM having a discharging path

Номер патента: TW201117211A. Автор: Ming-Chuen Shiau,Shih-Ching Wang. Владелец: Hsiuping Inst Technology. Дата публикации: 2011-05-16.

The manufacturing method for MOS with gate-side air-gap structure

Номер патента: TW328624B. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-03-21.

Improvements in and connected with gates

Номер патента: AU1726920A. Автор: Henry Pickett. Ralph Thayer James. Владелец: Individual. Дата публикации: 1921-02-22.

Piezoelectric identification interrogating system with gating antenna

Номер патента: CA742362A. Автор: K. Davis Richard,E. Gareis Ronald. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1966-09-06.

Method for forming dual-port DRAM and the memory cell layout

Номер патента: TW200408065A. Автор: Wen-Chiuan Jiang,Guo-Chiuan Tzeng,Min-Shiung Jiang,Dennis J Sinnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-05-16.

Improvements in and connected with gates at railway crossings

Номер патента: AU2724230B. Автор: Breheny John. Владелец: Individual. Дата публикации: 1931-05-14.

Improvements in and connected with gates at railway crossings

Номер патента: AU2724230A. Автор: Breheny John. Владелец: Individual. Дата публикации: 1931-05-14.

Dual port SRAM

Номер патента: TW201201209A. Автор: Ming-Chuen Shiau,En-Chih Chang. Владелец: Hsiuping Inst Technology. Дата публикации: 2012-01-01.

Technical solution serving as base for electronic message recorder suitable for carrying out with gate or in-house telephone too

Номер патента: HU9200041D0. Автор: Janos Karpati. Владелец: Janos Karpati. Дата публикации: 1992-04-28.

Improvements in or connected with gates

Номер патента: AU84111A. Автор: Solly Reuben. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-02-27.

7T dual port static random access memory

Номер патента: TW201614652A. Автор: Ming-Chuen Shiau,Chien-Cheng Yu,Jhong-Yu Wun. Владелец: Univ Hsiuping Sci & Tech. Дата публикации: 2016-04-16.

Integrated circuit dual port static memory cell

Номер патента: SG34490G. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1990-07-13.

Memory using sense amplifiers with gated feedback

Номер патента: CA783263A. Автор: M. Regitz William,W. Klibbe Arthur. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1968-04-16.

Dynamic classifier with gate selecting device

Номер патента: CA541304A. Автор: O. Bradley Robert. Владелец: Toledo Scale Corp. Дата публикации: 1957-05-21.

An ESD protection device with gated diode

Номер патента: TW201614802A. Автор: Chih-Yao Huang. Владелец: Univ Chien Hsin Sci & Tech. Дата публикации: 2016-04-16.

Improvements in checking devices for use with gates doors and the like

Номер патента: AU136860B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1989-06-15.

Frequency detecting system with gated output

Номер патента: CA627786A. Автор: B. Coble Robert. Владелец: Collins Radio Co. Дата публикации: 1961-09-19.

Method of manufacture of mos transistor with gate connected to source or drain

Номер патента: CA1008186A. Автор: Robert L. Luce. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-04-05.

Alignment apparatus with gated output for impact alignment of weighted batches of elongated objects

Номер патента: AU620530B1. Автор: David Shroyer. Владелец: Lamb Weston Inc. Дата публикации: 1992-02-20.

Improvements in and connected with gates

Номер патента: AU2009124A. Автор: Job Weaver Isaac. Владелец: Individual. Дата публикации: 1925-10-27.

Voltage variable gain circuit with gate correction

Номер патента: CA656853A. Автор: M. Cunningham Paul. Владелец: Collins Radio Co. Дата публикации: 1963-01-29.

An adjustable stay for use with gates of stockyards

Номер патента: AU1121455A. Автор: Vincent Saul Leslie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-02-07.

An adjustable stay for use with gates of stockyards

Номер патента: AU217210B2. Автор: Vincent Saul Leslie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1957-02-07.

Dual Port, Duration Variable, Spherical Rotary Valve Assembly

Номер патента: AU2018901405A0. Автор: Paul Stephen Brennan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Water draining and wind blocking device equipped with gate

Номер патента: TWM395726U. Автор: Li-Fang Liang. Владелец: Li-Fang Liang. Дата публикации: 2011-01-01.

Alignment apparatus with gated output for impact alignment of weighted batches of elongated objects

Номер патента: AU6193690A. Автор: David Shroyer. Владелец: Conagra Foods Packaged Foods LLC. Дата публикации: 1992-02-20.

Dual port syringe

Номер патента: USD412205S. Автор: Robert F. Wilson,Douglas Duchon,Jiyan Liu,Thomas Paulson. Владелец: Invasatec Inc. Дата публикации: 1999-07-20.

Manufacturing method of thin-film transistor with gate-overlapped LDD

Номер патента: TW395062B. Автор: Ding-Jang Jang,Bo-Sheng Shr. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

High-speed data transmission method between a host end and a client end using dual-port memory

Номер патента: TW200527213A. Автор: Qi-Chang Shen. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-16.

7T dual port SRAM

Номер патента: TW201201208A. Автор: Ming-Chuen Shiau,En-Chih Chang. Владелец: Hsiuping Inst Technology. Дата публикации: 2012-01-01.

Schottky FET Fabricated With Gate Last Process

Номер патента: US20120007181A1. Автор: Guo Dechao,Lavoie Christian,Zhang Zhen,Cai Jin,Khater Marwan H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-12.

Dual Ported Non Volatile FIFO With Third Dimension Memory

Номер патента: US20120063200A1. Автор: . Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE TRENCH

Номер патента: US20120070983A1. Автор: Rutter Philip,Rogers Christopher Martin. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-03-22.

Dual-Port Ethernet Traffic Management for Protocol Conversion

Номер патента: US20120076156A1. Автор: . Владелец: Cooper Technologies Company. Дата публикации: 2012-03-29.

TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH GATED TUNNEL BARRIER

Номер патента: US20120115296A1. Автор: Verhulst Anne S.,Vandenderghe William G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Dual-Port Semiconductor Memory and First-In First-Out (FIFO) Memory Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20120120752A1. Автор: Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

Power Domain Controller With Gated Through Silicon Via Having FET With Horizontal Channel

Номер патента: US20120146711A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

10T SRAM Cell with Near Dual Port Functionality

Номер патента: US20120163068A1. Автор: Houston Theodore W.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-06-28.

ENHANCEMENT MODE GaN HEMT DEVICE WITH GATE SPACER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120175631A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

Method and System for an Integrated Host PCI I/O Bridge and Dual Port Gigabit Ethernet Controller

Номер патента: US20120233371A1. Автор: Kenkare Dr. Sagar W.. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-13.

PROGRAMMABLE CONTROL BLOCK FOR DUAL PORT SRAM APPLICATION

Номер патента: US20120263000A1. Автор: Chang Catherine Chingi. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2012-10-18.

PLASMA DOPING METHOD WITH GATE SHUTTER

Номер патента: US20120285818A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-11-15.

SCHOTTKY FET FABRICATED WITH GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20120299104A1. Автор: Guo Dechao,Lavoie Christian,Zhang Zhen,Cai Jin,Khater Marwan H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF MAKING A DUAL PORT PRESSURE SENSOR

Номер патента: US20120304452A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

DUAL PORT PRESSURE SENSOR

Номер патента: US20120304777A1. Автор: HOOPER STEPHEN R.,McDonald William G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

DUAL-PORT SUBTHRESHOLD SRAM CELL

Номер патента: US20120307548A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-12-06.

HIGH READ SPEED MEMORY WITH GATE ISOLATION

Номер патента: US20120327717A1. Автор: . Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

MULTIPLE ORIENTATION NANOWIRES WITH GATE STACK SENSORS

Номер патента: US20130015507A1. Автор: Chidambarrao Dureseti,Liu Xiao Hu,Sekaric Lidija. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-17.

DUAL PORT PNEUMATIC FITTING APPARATUS

Номер патента: US20130048742A1. Автор: Menden Tom. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL

Номер патента: US20130064003A1. Автор: Badrudduza Sayeed A.,Higman Jack M.,Parihar Sanjay R.. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

COLLISION PREVENTION IN A DUAL PORT MEMORY

Номер патента: US20130094313A1. Автор: Miller William V.,Sullivan Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

Dual-Port Memory and a Method Thereof

Номер патента: US20130100757A1. Автор: Zhang Weihua,Yu Mei. Владелец: O2MICRO INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

DUAL PORT SRAM HAVING REDUCED CELL SIZE AND RECTANGULAR SHAPE

Номер патента: US20130170275A1. Автор: Kumar Shishir,Malinge Pierre,Dipti Dibya. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT. LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

DUAL PORT REGISTER FILE MEMORY CELL WITH REDUCED SUSCEPTIBILITY TO NOISE DURING SAME ROW ACCESS

Номер патента: US20130170288A1. Автор: ADVANI Hiten,Kohli Nishu. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT. LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated Circuit Including Field Effect Transistor Structures with Gate and Field Electrodes and Methods for Manufacturing and Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20130187196A1. Автор: Kadow Christoph. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-25.

TERMINAL HOLDER STRUCTURE FOR RJ45 DUAL-PORT JACK

Номер патента: US20130210287A1. Автор: Wu Fu-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

LATCHING PSEUDO-DUAL-PORT MEMORY MULTIPLEXER

Номер патента: US20130227223A1. Автор: Taylor Gary L.. Владелец: Avago Technologies Enterprise IP(Singapore) Pte. L. Дата публикации: 2013-08-29.

DATA INVERSION FOR DUAL-PORT MEMORY

Номер патента: US20140022852A1. Автор: LIAO Hung-Jen,LIAW Jhon Jhy,CHEN Yen-Huei,Chang Jonathan Tsung-Yung,LIN Tzu-Kuei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-23.

CONTACTS-FIRST SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE TRANSISTOR WITH GATE-ALL-AROUND

Номер патента: US20140042385A1. Автор: Han Shu-Jen,Smith Joshua T.,Franklin Aaron D.,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

CONTACTS-FIRST SELF-ALIGNED CARBON NANOTUBE TRANSISTOR WITH GATE-ALL-AROUND

Номер патента: US20140045303A1. Автор: Han Shu-Jen,Smith Joshua T.,Franklin Aaron D.,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

8-TRANSISTOR DUAL-PORTED STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20140098596A1. Автор: Poulton John W.,ZIMMER Brian. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-10.

INLET MANIFOLD WITH DUAL PORT EGR

Номер патента: US20140102429A1. Автор: HAYMAN ALAN W.,MCALPINE ROBERT S.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2014-04-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.