Method for manufacturing flash memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming floating gate in flash memory device

Номер патента: KR100709468B1. Автор: 김충배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-18.

Method for fabricating floating gate of flash memory device

Номер патента: KR100649024B1. Автор: 이강현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-27.

Method for fabricating the same of flash memory device in inter poly dielectric

Номер патента: KR20070115141A. Автор: 양홍선,조흥재,이승룡. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-05.

METHOD FOR FORMING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL DEVICE WITH A LOW POWER LOGIC DEVICE

Номер патента: US20160365350A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Method for preventing floating gate variation

Номер патента: US09728545B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for preparing multi-level flash memory

Номер патента: US20100022058A1. Автор: Lih Wei Lin,Wei Sheng Hsu,Yan Ru Yang,Yen Wen Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20170069501A1. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Split gate embedded flash memory and method for forming the same

Номер патента: US9831087B2. Автор: Ganesh Yerubandi,Arjun Gupta,Pang Leen ONG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for fabricating a buried vertical split gate memory device with high coupling ratio

Номер патента: US6271088B1. Автор: De-Yuan Wu,Chih-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for manufacturing double-bit flash memory

Номер патента: CN102097490A. Автор: 三重野文健. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-15.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200251475A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

method for fabricating control gate of flash memory device

Номер патента: KR20020096469A. Автор: 박정수,양인권,양일호,길소학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Method for manufacturing split gate flash memory device

Номер патента: JP4184337B2. Автор: ジン ヒョ ジュン. Владелец: アナム セミコンダクター リミテッド. Дата публикации: 2008-11-19.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Flash memories and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190181148A1. Автор: ANKIT Kumar,Manoj Kumar,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for forming flash memory devices

Номер патента: US09431405B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of Manufacturing Flash Memory Device

Номер патента: US20100112799A1. Автор: Hee Don Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for manufacturing two-bit flash memory

Номер патента: CN102097385B. Автор: 三重野文健. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for forming gate electrode in non volatile memory device

Номер патента: KR100616193B1. Автор: 이병석. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-08-25.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: US20220005827A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: EP4176466A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Methods of adjusting flatband voltage of a memory device

Номер патента: US09881932B2. Автор: Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of adjusting flatband voltage of a memory device

Номер патента: US20160225782A1. Автор: Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for fabricating split gate type flash memory device

Номер патента: KR100665835B1. Автор: 김동준,이용규,김진호,조민수,류의열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-09.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20060237772A1. Автор: Hee Gee Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Nanoparticles In a Flash Memory Using Chaperonin Proteins

Номер патента: US20080191265A1. Автор: Chuanbin Mao,Shan Tang,Sanjay Banerjee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing high density flash memory and high performance logic on a single die

Номер патента: US20050098821A1. Автор: Henry Chao,Ervin Hill. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Method for fabricating isolation layer in flash memory device

Номер патента: KR20070113861A. Автор: 이승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for patterning floating gate of flash memory device

Номер патента: KR100731057B1. Автор: 황상일. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Method for fabricating split gate type flash memory device

Номер патента: KR100665834B1. Автор: 김동준,이용규,김진호,조민수,류의열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for fabricating isolation layer of flash memory device

Номер патента: KR100792376B1. Автор: 이창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-09.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: EP4176466A4. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,David Edward Fisch,Javier A DELACRUZ. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2024-08-07.

Manufacturing method for improving data retention of flash memory

Номер патента: CN112635328B. Автор: 徐杰,李小康,张家瑞,吴志涛. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Method for forming floating gate electrode in flush memory device

Номер патента: CN100431104C. Автор: 金载宪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Apparatus and method for rounded ONO formation in a flash memory device

Номер патента: US09564331B2. Автор: Di Li,Shenqing Fang,Tim Thurgate,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Array architecture for embedded flash memory devices

Номер патента: US20110298032A1. Автор: Roger Lee,Daniel Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US11778816B2. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US20230363154A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

METHOD FOR FORMING GATE STRUCTURE OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190067323A1. Автор: Huo Zongliang,Xu Qiang,XIA Zhiliang,Shao Ming. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325695A1. Автор: CHOI Kang Sik,SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US20170047514A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US09871198B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing a semiconductor flash memory cell

Номер патента: KR100451669B1. Автор: 서영훈. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-10-08.

Method for fabricating metal line in flash memory device

Номер патента: KR100761360B1. Автор: 김주광. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for Forming Source Line of Flash Memory Device

Номер патента: KR100720502B1. Автор: 남상우. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for forming an floating gate of semiconductor memory device

Номер патента: KR100672722B1. Автор: 최부경. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US11854601B2. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US20230206985A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for fabricating a flash memory device

Номер патента: US6939766B1. Автор: Yue-Song He,Richard M. Fastow,Jianshi Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Stacked capacitor, method for making the same and memory device

Номер патента: US20240306363A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing NAND type flash memory unit structure

Номер патента: CN104269381A. Автор: 陈邦明,亢勇. Владелец: Shanghai Xinchu Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

Method for manufacturing NAND type flash memory unit structure

Номер патента: CN104269381B. Автор: 陈邦明,亢勇. Владелец: Shanghai Xinchu Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Method for forming metal line in flash memory device

Номер патента: KR100691492B1. Автор: 조정일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-09.

Method for fabricating metal lime of flash memory device

Номер патента: KR100587062B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-07.

Method for forming floating gate in flash memory device

Номер патента: US20070026607A1. Автор: Heong Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor Device, Method for Manufacturing Same, and Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20160071882A1. Автор: Shima Akio,YOSHIMOTO Hiroyuki,HISAMOTO Digh,Saito Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US10861707B2. Автор: Shinichi Furukawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Method for manufacturing contacts for a chalcogenide memory device

Номер патента: WO2002097863A3. Автор: Robert M Quinn. Владелец: Bae Systems Information. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for manufacturing contacts for a chalcogenide memory device

Номер патента: WO2002097863A2. Автор: Robert M. Quinn. Владелец: BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONICS SYSTEMS INTEGRATION INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for manufacturing phase-change random access memory device

Номер патента: KR101899333B1. Автор: 이용석,조한우,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-31.

Methods of operating a memory device

Номер патента: US10424583B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8183614B2. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110147887A1. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120056301A1. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for silver deposition for a non-volatile memory device

Номер патента: US9401475B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Scott Brad Herner,Sung-Hyun JO. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for forming a bottom electrode of integrated memory device

Номер патента: KR100400247B1. Автор: 장민식,기영종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for fabricating fine conducting lines of semiconductor memory device

Номер патента: KR100486755B1. Автор: 최성곤. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: US20110129992A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

A method for forming a three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: KR101757454B1. Автор: 이명범,신승목,최대헌,장경태,손연실. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-07-27.

Low power high speed program method for multi-time programmable memory device

Номер патента: US09543016B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing a semiconductor floating gate memory device

Номер патента: EP1615266A3. Автор: Koji Takahashi,Shinichi Fujitsu Limited Nakagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1962332A3. Автор: Tetsuya Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613981B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Vertical interconnect structure, memory device and associated production method

Номер патента: US20110248234A1. Автор: Franz Kreupl,Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-13.

Vertical interconnect structure, memory device and associated production method

Номер патента: US20120305873A1. Автор: Franz Kreupl,Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-12-06.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077138A1. Автор: Hyosung Lee,Suk Koo Hong,Miyeong Kang,Kyoungyong Cho,Sunkak Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243499A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for fabricating isolation layer in flash memory device

Номер патента: KR100772722B1. Автор: 임수현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-02.

Method for forming isolation layer in flash memory device

Номер патента: KR100650846B1. Автор: 이승철. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-11-27.

Method for forming isolation layer in flash memory device

Номер патента: KR100792366B1. Автор: 조정일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-09.

Method for forming a resistor of flash memory device

Номер патента: KR20080039112A. Автор: 김병국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-07.

Method for forming isolation structure of flash memory device

Номер патента: CN100511649C. Автор: 晋圭安,李承彻. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Method for forming gate electrode of flash memory device

Номер патента: KR100739954B1. Автор: 장민식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130341729A1. Автор: Shima Akio,YOSHIMOTO Hiroyuki,HISAMOTO Digh,Saito Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279878A1. Автор: FURUKAWA Shinichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR970008815B1. Автор: Hong-Sun Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-29.

METHOD FOR MANUFACTURING A RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170047514A1. Автор: LIN Yu-Yu,Lee Feng-Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR101933665B1. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-12-31.

Method for manufacturing memory cell of nonvolatile memory device

Номер патента: KR970072434A. Автор: 최정혁,신왕철,주경중. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing memory cell of nonvolatile memory device

Номер патента: KR970072441A. Автор: 김재윤. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20120129284A. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-28.

Memory device and method for using shared latch elements thereof

Номер патента: US20210383885A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for Inhibiting Programming Disturbance of Flash Memory

Номер патента: US20140017870A1. Автор: Huang Ru,Cai Yimao. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for planarizing dielectric layer of flash memory

Номер патента: US6514821B1. Автор: Chi-Tung Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-04.

Method for forming floating gate of flash memory using sidewall process

Номер патента: KR100559994B1. Автор: 김재영. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-13.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

TECHNIQUES FOR MANUFACTURING SPLIT-CELL 3D-NAND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20220005827A1. Автор: Haba Belgacem,Katkar Rajesh,Chang Xu,Fisch David Edward,Delacruz Javier A.. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

Method for forming device isolation layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR100955677B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for driving nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140029330A1. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210257381A1. Автор: ZHU Hongbin,Zheng Xiaofen,Gu Lixun,Yi Hanwei. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Method for forming capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100321690B1. Автор: 유용식,권순용,염승진. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for forming the contact hall of semiconductor memory device

Номер патента: KR100976684B1. Автор: 김진구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-18.

Method for fabricating capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100333667B1. Автор: 권순용. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-24.

Method for fabricating capacitor of dynamic random access memory device

Номер патента: KR20020094597A. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: KR20110121938A. Автор: 이기홍,주문식,김범용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-09.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09728550B2. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for improving the reliability of flash memories

Номер патента: US20030160241A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for processing memory device

Номер патента: US20240338313A1. Автор: Chan Ho SOHN,Ting Lun OU,Kwang Soo MOON. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for manufacturing de-powder device for piping, and method for installing same

Номер патента: US12024771B2. Автор: Gi Nam KIM. Владелец: Baron Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for last written page handling in a memory device

Номер патента: US09928139B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Zhimin Dong. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: WO2012088296A2. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo-Dv, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Method for improving the reliability of flash memories

Номер патента: TW531886B. Автор: Weng-Hsing Huang,Kuo-Hua Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-11.

Method for manufacturing split gate flash memory cell

Номер патента: JPH10335498A. Автор: Kenichi Koyama,健一 小山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Method for manufacturing cell of flash memory element

Номер патента: JP2002151606A. Автор: 康一 徐,Joon Kim,俊 金,Seishu Ri,誠洙 李,Koichi Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-24.

Method for forming gate line of flash memory device

Номер патента: KR100673223B1. Автор: 심귀황,정진희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

METHOD FOR MANUFACTURING STACK - TYPE CAPACITOR FOR MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2662851A1. Автор: Seo Kwang-Byeok,Jeong Tae-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-12-06.

Method for manufacturing a capacitor in semiconductor memory device

Номер патента: KR970000532B1. Автор: 박승갑. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-13.

Method for manufacturing ultra-highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: JP3195618B2. Автор: 大濟 陳,泳雨 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-06.

Method for manufacturing a mask read only memory device

Номер патента: GB2251724B. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Chul-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-03.

Method for controlling threshold voltage of flash memory unit

Номер патента: CN104538361A. Автор: 张怡. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Method for forming twin bit cell flash memory

Номер патента: TWI233186B. Автор: Ke-Wei Tung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-21.

Method for forming twin bit cell flash memory

Номер патента: TW200518285A. Автор: Ke-Wei Tung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Process for manufacturing a masked read-only memory device

Номер патента: FR2670316A1. Автор: Shin Chul-Ho,CHOI Jeong-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-06-12.

Method for forming a multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7064030B2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Jane A. Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-06-20.

Method for forming contact structure in three-dimensional memory device

Номер патента: CN111512439B. Автор: 王恩博,张富山,徐前兵,曾凡清,阳涵. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for forming gate structure of three-dimensional memory device

Номер патента: WO2019037509A1. Автор: Zhiliang Xia,Qiang Xu,Zongliang Huo,Ming SHAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and methods for inter-cell interference mitigation in a flash memory

Номер патента: US20190179703A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Systems and methods for inter-cell interference mitigation in a flash memory

Номер патента: US20160124808A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Systems and Methods for Efficient Soft Data Based Flash Memory Data Recovery

Номер патента: US20170123899A1. Автор: Yang Shaohua,Krachkovsky Victor,Zhao Zhijun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

DETERMINISTIC READ RETRY METHOD FOR SOFT LDPC DECODING IN FLASH MEMORIES

Номер патента: US20150365106A1. Автор: Wu Yingquan,Banaei Armin. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: US20120159518A1. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160078233A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

SYSTEMS AND METHODS FOR LAST WRITTEN PAGE HANDLING IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160378598A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,CAI Yu,Dong Zhimin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

A survival memory management method for a Viterbi decoder and a survival memory device therefor

Номер патента: KR970063964A. Автор: 최형진,조성배,정석진,이형길. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for enhancing error correction capability, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TWI456579B. Автор: Tsung Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-10-11.

Apparatus and method for calibrating on-die termination in semiconductor memory device

Номер патента: US20080253201A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Apparatus and method for determining on die termination modes in memory device

Номер патента: US20080100335A1. Автор: Sung-Ho Choi,Reum Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for storing nfc applications in a secure memory device

Номер патента: WO2009147548A3. Автор: Alexandre Corda. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-28.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20110250727A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance

Номер патента: EP1639646A2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284810A1. Автор: Haider Abbas,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20130051156A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for performing host-directed operations, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ming-Yen Lin,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A2. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US20140032993A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US09811414B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Systems and methods for effectively interacting with a flash memory

Номер патента: US09690713B1. Автор: Lior Khermosh,Gal Zuckerman,Ofer Bar-Or. Владелец: Parallel Machines Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Defective block handling method for a multiple data channel flash memory storege device

Номер патента: US20100232223A1. Автор: Yu-Mao Kao,Fu-Ja Shone,Yung Li Ji,Chih-Nam Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A3. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: Mark Shlik. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

System and method for programming cells in non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1590811A1. Автор: Nima Mokhlesi,John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US20180018224A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure

Номер патента: US7107480B1. Автор: Mark Moshayedi,Brian H. Robinson. Владелец: Simpletech Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Methods for erasing, reading and programming flash memories

Номер патента: US20150103603A1. Автор: Yoh Tz Chang,Kai Tao. Владелец: Siltech Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Systems and methods for data path power savings in ddr5 memory devices

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Ravi Kiran Kandikonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for identifying data characteristics for flash memory

Номер патента: US7461233B2. Автор: Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Hsiang-Chi Hsieh,Li-Pin Chang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Method for managing storage system using flash memory, and computer

Номер патента: US20150074342A1. Автор: Shotaro Ohno,Manabu Obana. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for managing storage system using flash memory, and computer

Номер патента: US20150278054A1. Автор: Shotaro Ohno,Manabu Obana. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

System and method for storing a database on flash memory or other degradable storage

Номер патента: US11726687B1. Автор: Jim Peterson. Владелец: Yellowbrick Data Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for mapping logic design memory into physical memory device of a programmable logic device

Номер патента: US6871328B1. Автор: Ryan Fung,Ketan Padalia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6021070A. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US11869604B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: WO2020240234A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11947412B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US20230186999A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240202056A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US20020113251A1. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-08-22.

Circuit and method for controlling local data line in semiconductor memory device

Номер патента: US20090168560A1. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US6112314A. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

System and method for dynamic allocation to a host of memory device controller memory resources

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240028216A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for checking an operation status of a memory device in a memory system

Номер патента: US11815985B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for clock control in dynamic random access memory devices

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Kallol Mazumder,Debra Bell. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: EP4443747A2. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Device, system and method for efficient coset decoder by transform

Номер патента: US09887805B2. Автор: Simon Litsyn,Noam Presman. Владелец: Tsofun Algorithm Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09870165B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09632715B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Start-up method for USB flash disk with synchronous flash memory and control system

Номер патента: US09645921B2. Автор: Jian Tang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for increasing speed of writing data into flash memory unit and associated device

Номер патента: US09627047B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US8250290B2. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US20100153627A1. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for writing data into flash memory and related control apparatus

Номер патента: US09536602B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: TW201034017A. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Flash memory cells wear reduction

Номер патента: US09524790B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Trees and graphs in flash memory

Номер патента: US20190213177A1. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20060140032A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20070268763A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Data management in multiply-writeable flash memories

Номер патента: US09857988B1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11769550B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09947387B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09536595B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Memory device and method for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: US20240265957A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US20240363193A1. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: US20240295972A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: WO2024182725A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US12068052B2. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: EP4411546A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

System and method for operating dual bank read-while-write flash

Номер патента: CA2545451C. Автор: Clifton E. Scott,John Gatti,Laxmi Narayana Rayapudi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-11-09.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Flash memory device and method for adjusting read voltage of flash memory device

Номер патента: CN101335047A. Автор: 姜东求. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-31.

Flash memory device and method for adjusting read voltage of flash memory device

Номер патента: US8040725B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Method for setting a flash memory for htol testing

Номер патента: US20150325307A1. Автор: XIAO Ye,Zhen Yang,Kijun KIM,YiPeng Chan,GuoXu Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for setting a flash memory for HTOL testing

Номер патента: US9449718B2. Автор: XIAO Ye,Zhen Yang,Kijun KIM,YiPeng Chan,GuoXu Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

METHOD FOR MANAGING DATA STORED IN FLASH MEMORY AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20140032993A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Kan Li-Sheng. Владелец: Silicon Motion Inc.. Дата публикации: 2014-01-30.

METHOD FOR MANAGING DATA STORED IN FLASH MEMORY AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20180018224A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Kan Li-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Method for improving read retry of flash memory, controller and related memory device

Номер патента: CN115016962A. Автор: 杨宗杰,杜建东,蔡璧如. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Method for improving read retry of flash memory, controller and related memory device

Номер патента: CN111429960A. Автор: 杨宗杰,杜建东,蔡璧如. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-17.

Hash tables in flash memory

Номер патента: US11204880B2. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-12-21.

Hash tables in flash memory

Номер патента: US20200364151A1. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Managing lifespan of a flash memory

Номер патента: US20190212921A1. Автор: Shuang Liang,Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: TW201027537A. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2010-07-16.

Circuit and method for controlling self-refresh operation in semiconductor memory device

Номер патента: US20120051168A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Managing lifespan of a flash memory

Номер патента: US10936204B2. Автор: Shuang Liang,Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-03-02.

Trees and graphs in flash memory

Номер патента: US11048676B2. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for controlling memory array of flash memory, and flash memory using the same

Номер патента: CN103136112A. Автор: 郑张铠. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2013-06-05.

Method for forming metal line of flash memory device

Номер патента: KR100672161B1. Автор: 김재헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method for controlling copyback operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: KR100673703B1. Автор: 원삼규,성진용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-24.

Method for programming multi-level cell flash memory device

Номер патента: KR100877104B1. Автор: 황경필. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-07.

Programming method for reducing excessive current in flash memory device

Номер патента: KR100672117B1. Автор: 성진용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Systems and methods for optimizing page selection in flash-memory devices

Номер патента: TW200903492A. Автор: Eran Erez. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-01-16.

Memory card and method for data updating for a flash memory

Номер патента: TW200923762A. Автор: Chia-Hsin Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-06-01.

METHOD FOR RELIABLY ADDRESSING A LARGE FLASH MEMORY AND FLASH MEMORY

Номер патента: US20150212935A1. Автор: Seidel Thomas,Roeder Martin. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

MEMORY-CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING ERASING OPERATION OF FLASH MEMORY

Номер патента: US20220415405A1. Автор: LIU Tse-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Apparatus with a flash memory and method for writing data to the flash memory thereof

Номер патента: US20100037008A1. Автор: Keita Hattori. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for performing garbage collection and flash memory apparatus using the method

Номер патента: KR101549569B1. Автор: 김선욱,이호균,한미선. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-09-03.

Method for performing garbage collection and flash memory apparatus using the method

Номер патента: KR101067018B1. Автор: 김지홍,이성진,신동군. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-09-22.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Method and apparatus for performing data retention management of memory device with aid of pre-shutdown control

Номер патента: US20240028198A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for identifying data characteristics for flash memory

Номер патента: US20070028033A1. Автор: Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Hsiang-Chi Hsieh,Li-Pin Chang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for using bad blocks of flash memory

Номер патента: US20120060054A1. Автор: Yingtong Sun,Junhong Weng. Владелец: Nationz Technologies Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD FOR DISTRIBUTED TRANSACTION PROCESSING IN FLASH MEMORY

Номер патента: US20170024324A1. Автор: Li Fei,SHU Jiwu,LU Youyou. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Apparatus and Method for Programming ECC-Enabled NAND Flash Memory

Номер патента: US20160034351A1. Автор: Michael Oron. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD FOR MANAGING STORAGE SYSTEM USING FLASH MEMORY, AND COMPUTER

Номер патента: US20150074342A1. Автор: OHNO SHOTARO,Obana Manabu. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods for erasing, reading and programming flash memories

Номер патента: US20150103603A1. Автор: Yoh Tz Chang,Kai Tao. Владелец: Siltech Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

METHODS FOR GARBAGE COLLECTION IN A FLASH MEMORY AND APPARATUSES USING THE SAME

Номер патента: US20170168750A1. Автор: CHIU Shen-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD FOR INTERRUPTING CLEANING PROCEDURE OF FLASH MEMORY

Номер патента: US20160188233A1. Автор: CHIAO Mong-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD FOR MANAGING STORAGE SYSTEM USING FLASH MEMORY, AND COMPUTER

Номер патента: US20160224257A1. Автор: OHNO SHOTARO,Obana Manabu. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD FOR IMPROVING READ-RETRY OF FLASH MEMORY AND RELATED CONTROLLER AND STORAGE DEVICE

Номер патента: US20200225876A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Du Jian-Dong,Tsai Pi-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

METHOD FOR MANAGING STORAGE SYSTEM USING FLASH MEMORY, AND COMPUTER

Номер патента: US20150278054A1. Автор: OHNO SHOTARO,Obana Manabu. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

A method for recovering from errors in flash memory

Номер патента: KR100976989B1. Автор: 메나킴 라세르,마크 무린. Владелец: 샌디스크 아이엘 엘티디. Дата публикации: 2010-08-19.

METHODS FOR READING AND WRITING A FLASH MEMORY

Номер патента: FR2846460A1. Автор: Chun Hung Lin,Chih Hung Wang,Chun Hao Kuo. Владелец: Solid State System Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-30.

Apparatus and method for programming ECC-enabled NAND flash memory

Номер патента: US9971647B2. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for improving read retry of flash memory and related controller and storage device

Номер патента: TW202027085A. Автор: 蔡璧如,楊宗杰,杜建東. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods for garbage collection in a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US10394486B2. Автор: Shen-Ting Chiu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

System and method for configuration and management of flash memory

Номер патента: US20070038802A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Hsiang-Chi Hsieh,Yi-Lin Tsai. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for Recovering From Errors in Flash Memory

Номер патента: US20110231740A1. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser. Владелец: Menahem Lasser. Дата публикации: 2011-09-22.

Method for detecting logical address of flash memory

Номер патента: US20040109376A1. Автор: Jin-Shin Lin. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

METHOD FOR READING UNIFORM CHANNEL PROGRAM FLASH MEMORY CELLS

Номер патента: DE502004010443D1. Автор: Achim Gratz,Mayk Roehrich,Klaus Knobloch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for Generating Soft Bits in Flash Memories

Номер патента: US20090168516A1. Автор: Mark Shlick,Mark Murin. Владелец: Mark Murin. Дата публикации: 2009-07-02.

Apparatus and method for external charge pump on flash memory module

Номер патента: US8638633B2. Автор: Arthur Benjamin Oliver,Ali Pourkeramati,Allan Parker. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-28.

Method for quickly recovering data in flash memory database

Номер патента: WO2020143240A1. Автор: 李玉亭. Владелец: 江苏华存电子科技有限公司. Дата публикации: 2020-07-16.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US20240069806A1. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for performing data access management of memory device with aid of randomness-property control

Номер патента: US11809713B1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US11977783B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for programming data in non-volatile memory device

Номер патента: US20130308390A1. Автор: Jun-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Keeping file systems or partitions private in a memory device

Номер патента: EP2672415A3. Автор: Jacek Nawrot,Maxine Matton. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Method and circuit for reducing leakage and increasing read stability in a memory device

Номер патента: US20060206739A1. Автор: Hyung-il Kim,Jae-Joon Kim,Kaushik Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Device and method for increasing the internal address of a memory device using multifunctional terminals

Номер патента: US6115801A. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-09-05.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20230395138A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Memory device and method for training per-pin operation parameters

Номер патента: US20240212725A1. Автор: Kihan Kim,Yonghun Kim,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-02.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20030099142A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Cowles Timothy B.. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: WO2015096947A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2015-07-02.

Program verify operation in a memory device

Номер патента: US20120127794A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Temperature management in open-channel memory devices

Номер патента: US20190043559A1. Автор: Jeffrey L. McVay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US11436169B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Systems and methods for balancing multiple partitions of non-volatile memory

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Andrew W. Vogan,Alexander Paley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Shift redundancy circuit, method for controlling shift redundancy circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20060067142A1. Автор: Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MULTI-LEVEL PROGRAMMING OF PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140293688A1. Автор: KIM Deok Kee. Владелец: Intellectual Discovery Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for managing address mapping table and a memory device using the method

Номер патента: US20110145485A1. Автор: Jin-Young Chun,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-16.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441B1. Автор: Daniel Carteau,Philippe Schreck. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1993-12-10.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441A1. Автор: Carteau Daniel,Schreck Philippe. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1991-06-28.

Method for data sampling for ues in semiconductor memory device and circuits thereof

Номер патента: KR100558557B1. Автор: 이종철,조욱래,윤용진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Methods for fabricating a magnetic keeper for a memory device

Номер патента: US20060067113A1. Автор: William Witcraft,Lonny Berg,Mark Jenson,Alan Hurst,William Vavra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

METHOD FOR DRIVING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130223131A1. Автор: TAKAGI Takeshi,Katayama Koji. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

SYSTEM AND METHOD FOR DYNAMIC ALLOCATION TO A HOST OF MEMORY DEVICE CONTROLLER MEMORY RESOURCES

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Benisty Shay. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20150016207A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING POWER MANAGEMENT OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220068327A1. Автор: JAIN Sanjeev Kumar,KATOCH Atul,Singh Sahil Preet. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

METHOD FOR REPAIRING DEFECTIVE MEMORY CELLS IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160062819A1. Автор: Park Ki-Seok,OH Ji-Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190065090A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20170076784A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190080746A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD FOR PERFORMING MEMORY ACCESS MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20160093371A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Chang Hsiao-Te,Wang Wen-Long. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20160148674A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

METHOD FOR MANAGING THE MEMORY SPACE OF A MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20200174927A1. Автор: EVA Christophe,GRIL-MAFFRE Jean-Michel. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

APPARATUS AND METHODS FOR PROLONGING SERVICE LIFE OF SOLID-STATE MEMORY DEVICE IN A DIGITAL VIDEO RECORDER

Номер патента: US20140281213A1. Автор: Dinallo Chris,Kozlowski Tomasz. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20180204611A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Systems and Methods for Last Written Page Handling in a Memory Device

Номер патента: US20150227314A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,CAI Yu,Dong Zhimin. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-08-13.

METHOD FOR CLOCK CONTROL IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Mazumder Kallol,Bell Debra. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

MEMORY CONTROLLER OPERATING METHOD FOR READ OPERATIONS IN SYSTEM HAVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140372831A1. Автор: KIM Dong-min,OH Sangyoon,KIM YOUNGMOON. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190295629A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: US20160321003A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-03.

APPARATUS AND METHOD FOR CHECKING AN OPERATION STATUS OF A MEMORY DEVICE IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200310896A1. Автор: LEE Jong-Min. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

METHOD FOR READ DISTURBANCE MANAGEMENT IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150339188A1. Автор: Chen Hsieh-Chun,Hu Kun-Juao. Владелец: Transcend Information, Inc.. Дата публикации: 2015-11-26.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20200335156A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

APPARATUS AND METHOD FOR PROGRAMMING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220415401A1. Автор: CHOI Hyung Jin,PARK Tae Hun,Kwak Dong Hun. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method for operating page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: KR100672149B1. Автор: 주기석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method for discharging a word line and semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR100510484B1. Автор: 이재구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11342018B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Method for managing the memory space of a memory device and corresponding system

Номер патента: FR3089317A1. Автор: Christophe Eva,Jean-Michel Gril-Maffre. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-06-05.

Method for saving an address map in a memory device

Номер патента: US20090313420A1. Автор: Nimrod Wiesz,Sandra Almog Goldschmidt. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Systems and methods for incorporating an rfid circuit into a memory device

Номер патента: EP2100281A1. Автор: Douglas Moran. Владелец: Neology Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Method for recovering over-erased bits of a memory device

Номер патента: JP2005538484A. Автор: マネア,ダヌート・アイ. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Apparatus and method for increasing data input/output speed of memory device

Номер патента: CN115116500A. Автор: 权利玹. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US10354718B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US6535436B2. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-03-18.

Method for controlling power supply of magnetic bubble memory device

Номер патента: JPS5922284A. Автор: Shigeru Takai,Shigeru Takagi,茂 高木,Toshihiro Hoshi,高井 盛,星 敏弘. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-04.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6233179B1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Method for precharging a channel of a semiconductor memory device

Номер патента: JP5599049B2. Автор: 正 達 崔,在 熏 張. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-01.

Apparatus and method for controlling data output of a semiconductor memory device

Номер патента: US20040218429A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US20040153817A1. Автор: Christophe Chevallier,Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230017178A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478B1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2017-10-25.

Circuit and method for controlling local data line in semiconductor memory device

Номер патента: TW200935444A. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Method for performing meta block management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201214113A. Автор: Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-04-01.

Circuit and method for controlling self-refresh operation in semiconductor memory device

Номер патента: US8395957B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-12.

Data managing method for non-volatile memory and non-volatile memory device using the same

Номер патента: TW201022940A. Автор: Wu-Chi Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Apparatus and method for improving dynamic refresh in a semiconductor memory device by temperature measurement

Номер патента: IL180483A0. Автор: . Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-06-03.

System and method for high performance and low cost flash translation layer

Номер патента: US09575884B2. Автор: Anand Srinivasan,Hyunsuk Shin,Dexter T. CHUN,Steven Haehnichen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Device and method for detecting controller signal errors in flash memory

Номер патента: US09852811B2. Автор: Ken Hui Chen,Kuen Long Chang,Su Chueh Lo,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and system for parallel flash memory programming

Номер патента: US20220100421A1. Автор: Te-Hsien Lai,Po-Wei Huang,Yi-Hung Shen,Chih-Chia HUANG. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

System and method for self-healing basic input/output system boot image and secure recovery

Номер патента: US09846617B2. Автор: Mukund P. Khatri,Johan Rahardjo. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Systems and methods for providing load isolation in a solid-state device

Номер патента: US8578085B2. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Systems and methods for providing load isolation in a solid-state device

Номер патента: US20130159611A1. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Systems and methods for improved access to flash memory devices

Номер патента: US09772777B2. Автор: Michael A. Koets,Larry T. McDANIEL, III,Miles R. DARNELL. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2017-09-26.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: EP4437542A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for improving programming speed in memory devices

Номер патента: US20060077711A1. Автор: Kimmo Mylly. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-04-13.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Raw read based physically unclonable function for flash memory

Номер патента: US20210055912A1. Автор: Siarhei ZALIVAKA,Alexander IVANIUK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

System and method for reading a multi level data storage device

Номер патента: WO2014159396A3. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12039171B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for manufacturing non-volatile memory cell array

Номер патента: US20020031012A1. Автор: Kou-Su Chen,Shih-Chun Fu,Juo-Te Chan. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12079483B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Device and method for manufacturing pressed brick workpieces

Номер патента: RU2761452C2. Автор: Лотар БАУЭРЗАХС. Владелец: Лангенштайн И Шеманн Гмбх. Дата публикации: 2021-12-08.

ECC method for double pattern flash memory

Номер патента: US09760434B2. Автор: Shih-Chang Huang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09501404B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer,Peter M. Smith. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Sound absorbing material and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2667584C2. Автор: Кеун Йоунг КИМ,Вон Дзин СЕО. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-09-21.

Insulated structure for tank and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2676630C2. Автор: Марк ЭЛЬБИНГ,Нильс МОМАЙЕР,Бернд ФРИККЕ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-01-09.

Method for manufacturing a handle

Номер патента: RU2676112C2. Автор: Карл-Олоф ХОЛМ,Йоуни РИИКОНЕН. Владелец: Фискарс Финлэнд Ой Аб. Дата публикации: 2018-12-26.

Method for manufacture of parts for means of travel

Номер патента: RU2351699C2. Автор: Хендрикус Антониус ХОГЛАНД. Владелец: Эсим Текнолоджиз Б.В.. Дата публикации: 2009-04-10.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device

Номер патента: US20240194282A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chiu-Han CHANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for improving mixed random performance in low queue depth workloads

Номер патента: US09952978B2. Автор: Steven Sprouse,Rodney Brittner,Satish B. Vasudeva. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

System and method for flash read cache with adaptive pre-fetch

Номер патента: US09734073B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Yanru Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacture of extruded leguminous micropellets

Номер патента: RU2576448C2. Автор: Номан ХАН,Сара ВЕРТМАН. Владелец: Дзе Квейкер Оутс Компани. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacturing absorbent product

Номер патента: RU2757840C2. Автор: Казуо ЙОКОБОРИ,Хидео АОКИ. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-10-21.

Method and device for manufacturing corrugated material sheet

Номер патента: RU2765704C2. Автор: Шарлотт КОЛЛУ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-02-02.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09852788B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09484097B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Data conditioning to improve flash memory reliability

Номер патента: US09471425B2. Автор: Vishal Sarin,William H. Radke,Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for self-diagnosis and programming flash memory, and device and system of same

Номер патента: TWI233124B. Автор: Yau-Shuen Hung,Ruei-Yang Lai. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2005-05-21.

Method for self-diagnosis and programming flash memory, and device and system of same

Номер патента: TW200529232A. Автор: Yao-Shan Hung,Rui-Yang LAI. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for adjusting reference current of flash memory

Номер патента: TWI304983B. Автор: Chun Hsiung Hung,Nai Ping Kuo,Han Sung Chen,Guo-Yu Liau. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for storing data in a flash memory medium

Номер патента: TW200921680A. Автор: Sai-Wen Lu. Владелец: Netac Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-16.

Manufacturing method for improved endurance split gate flash memory

Номер патента: TW357403B. Автор: Jr-Feng Lin,Chi-Shiang Li,Lung-Shiang Juang,An-Min Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-01.

Method for managing multiple blocks of flash memory, related memory device and controller thereof

Номер патента: CN102033811B. Автор: 李俊坤. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for improving access efficiency of flash memory and related memory device

Номер патента: CN102043728B. Автор: 李俊坤,林仁文. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TWI289907B. Автор: Chong-Jen Hwang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TWI236596B. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TW200541019A. Автор: Chong-Jen Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-16.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TW200405169A. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

METHOD FOR CONTROLLING MEMORY ARRAY OF FLASH MEMORY, AND FLASH MEMORY USING THE SAME

Номер патента: US20130145078A1. Автор: CHENG Chang-Kai. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Controller and Method for Memory Aliasing for Different Flash Memory Types

Номер патента: US20130173846A1. Автор: Lassa Paul A.,Selinger Robert D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

Method for improving hole defect of flash memory device

Номер патента: CN115589724A. Автор: 王蒙蒙,沈权豪. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Floating gate of flash memory cell and method for making same and a flash memory cell

Номер патента: CN100356570C. Автор: 黄如,李炎,王阳元,蔡一茂,单晓楠,周发龙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-12-19.

APPARATUS AND METHOD FOR EXTERNAL CHARGE PUMP ON FLASH MEMORY MODULE

Номер патента: US20120275229A1. Автор: Parker Allan,Pourkeramati Ali,Oliver Arthur Benjamin. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-11-01.

ECC multi-code rate coding and decoding system and method for multi-level storage unit flash memory

Номер патента: CN109872764B. Автор: 陈帅,沙金,王鸿彬. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-08.

Method for improving reliability of SONOS flash memory

Номер патента: CN102800584A. Автор: 包德君,徐爱斌,莘海维. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2012-11-28.

Method for reducing data error when flash memory storage device executing copy back command

Номер патента: TWI258074B. Автор: Cheng-hui Yang,Chun-Yung Yang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Method for producing floating gate of flash memory

Номер патента: TW200405524A. Автор: Bu-Fang Chen,Zhi-Hao Lin,Fei-Wen Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-04-01.

Memory device and method for selecting regional bit line in the memory device

Номер патента: CN103208302B. Автор: 洪硕男. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING SELF-REFRESH OPERATION IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120051168A1. Автор: SONG Choung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR PERFORMING META BLOCK MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120079169A1. Автор: Shen Yang-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

METHOD FOR ENHANCING ERROR CORRECTION CAPABILITY, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120124450A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING OVER-PROGRAMMING CONDITION IN MULTISTATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120192018A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD FOR PERFORMING HOST-DIRECTED OPERATIONS, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ou Hsu-Ping,LIN MING-YEN. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING LEAKAGE CURRENT IN RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120287739A1. Автор: . Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

Methods for Forming Strained Channel Dynamic Random Access Memory Devices

Номер патента: US20120302032A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN102446137B. Автор: 黄意翔. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for reducing errors incapable of being corrected, memory device and controller thereof

Номер патента: CN102141944A. Автор: 杨宗杰. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

The method for writing data of storer and data memory device

Номер патента: CN102222044B. Автор: 萧惟益. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN103077124B. Автор: 陈庆聪,蔡来福. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR980006255A. Автор: 최흥길. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR100284310B1. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-04-02.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor memory device

Номер патента: KR980006389A. Автор: 이해정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for setting threshold voltage of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2624716B2. Автор: 眞一 南. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-06-25.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH NON-SYNTAX REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002719A1. Автор: Wang Limin,Zhao Xu Gang. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MANAGING POWER CONSUMPTION IN A SENSOR NETWORK

Номер патента: US20120004782A1. Автор: KOSKAN PATRICK D.,SWOPE CHARLES B.. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH VIDEO DECODER REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002720A1. Автор: . Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONDITIONALLY ATTEMPTING AN EMERGENCY CALL SETUP

Номер патента: US20120003954A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING A SAFETY MECHANISM FOR A LASER-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120002691A1. Автор: TAO XIAO WEI. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR QOS AUTHORIZATION

Номер патента: US20120002540A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Increasing Measurement Accuracy in a Particle Imaging Device

Номер патента: US20120002194A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Dynamic Changes to a User Profile Based on External Service Integration

Номер патента: US20120003931A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR INDEXING CONTENT VIEWED ON AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004575A1. Автор: Thörn Ola. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FAST SCENE MATCHING

Номер патента: US20120002868A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISPLAYING FIXED-SCALE CONTENT ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20120001914A1. Автор: Pan Wayne,HAMOUI Omar. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETECTING A VIEWING APPARATUS

Номер патента: US20120002025A1. Автор: Bedingfield,SR. James Carlton. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L. P.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Device for Manufacturing a Three-Layer Cord of the Type Rubberized in Situ

Номер патента: US20120000174A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING AMINO ACID LIQUID FERTILIZER USING LIVESTOCK BLOOD AND AMINO ACID LIQUID FERTILIZER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20120000260A1. Автор: Oh Jin Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CREATING, MANAGING, SHARING AND DISPLAYING PERSONALIZED FONTS ON A CLIENT-SERVER ARCHITECTURE

Номер патента: US20120001921A1. Автор: Escher Marc,Hoffman Franz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD, SYSTEM AND MOLDING TOOL FOR MANUFACTURING COMPONENTS FROM COMPOSITE FIBER MATERIALS

Номер патента: US20120003480A1. Автор: BECHTOLD Michael,JUNG Manuel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Manufacturing a Vacuum Chamber and Components Thereof, and Improved Vacuum Chambers and Components Thereof

Номер патента: US20120000811A1. Автор: . Владелец: Kurt J. Lesker Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PROVIDING A BUFFERLESS TRANSPORT METHOD FOR MULTI-DIMENSIONAL MESH TOPOLOGY

Номер патента: US20120002675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PASTE-TYPE ELECTRODE OF LEAD-ACID BATTERY AND APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20120000070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC DISK DRIVE AND REFRESH METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002315A1. Автор: Inoue Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003193A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003279A1. Автор: Burgess James E.,Smith Jason,Campbell Phil G.,Weiss Lee E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EMBEDDED SUBSTRATE

Номер патента: US20120003793A1. Автор: HWANG Sun-Uk,Cho Young-Woong,Yoon Kyoung-Ro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CASTING METHOD FOR MANUFACTURING A WORK PIECE

Номер патента: US20120003101A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR INDUCING AN IMMUNE RESPONSE

Номер патента: US20120003298A1. Автор: Maj Roberto,Pattarino Franco,Mura Emanuela,Barberis Alcide. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Apparatus for Manufacturing Plasma Based Plastics and Bioplastics Produced Therefrom

Номер патента: US20120003324A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING OPTICAL FIBER PREFORM

Номер патента: US20120000249A1. Автор: HAMADA Takahiro. Владелец: FUJIKURA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC LABELS WITH SELF-ADHESIVE PATTERN, AND ATTACHING SUCH LABELS TO A TIN

Номер патента: US20120000598A1. Автор: . Владелец: REYNDERS ETIKETTEN, NAAMLOZE VENNOOTSCHAP. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PICKUP APPARATUS FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE AND METHOD FOR PROVIDING REFERENCE IMAGE THEREOF

Номер патента: US20120002094A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC WIRE WITH TERMINAL

Номер патента: US20120000069A1. Автор: Hirai Hiroki,Tanaka Tetsuji,Ono Junichi,Otsuka Takuji,Shimoda Hiroki,HAGI Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EMERGENCY NOTIFICATION FROM A MOBILE COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20120003952A1. Автор: . Владелец: LifeStream Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for emergency notification from a mobile communication device

Номер патента: US20120003955A1. Автор: . Владелец: LifeStream Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR MANUFACTURING 5-(2--1-HYDROXYETHYL)-8-HYDROXYQUINOLIN-2(1H)-ONE

Номер патента: US20120004414A1. Автор: Marchueta Hereu Iolanda,Moyes Valls Enrique. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MACHINE TOOL AND METHOD FOR PRODUCING GEARING

Номер патента: US20120003058A1. Автор: Hummel Erhard,Hutter Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR SWITCHING TWO-DIMENSIONAL (2D) AND THREE-DIMENSIONAL (3D) DISPLAY MODES

Номер патента: US20120001899A1. Автор: HONG XU. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANT PROCESSING METHODS FOR THERMALLY LABILE AND OTHER BIOACTIVE AGENTS AND IMPLANTS PREPARED FROM SAME

Номер патента: US20120004323A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR TRACKING OF MAIL USING A UNIVERSAL CODING SYSTEM

Номер патента: US20120004765A1. Автор: Hamilton Daryl. Владелец: United States Postal Service. Дата публикации: 2012-01-05.