Method for manufacturing flash memory device
Номер патента: JP4564646B2
Опубликовано: 20-10-2010
Автор(ы): ▲煕▼ 烈 李, 丙 洙 朴, 永 基 辛, 起 準 金
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-10-2010
Автор(ы): ▲煕▼ 烈 李, 丙 洙 朴, 永 基 辛, 起 準 金
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming floating gate in flash memory device
Номер патента: KR100709468B1. Автор: 김충배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-18.