Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUITS WITH ELECTROLUMINESCENT DIODES AND INTEGRATED CIRCUITS OBTAINED THEREBY

METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUITS WITH ELECTROLUMINESCENT DIODES AND INTEGRATED CIRCUITS OBTAINED THEREBY

Номер патента: FR3024592A1
Опубликовано: 05-02-2016
Автор(ы): Eric Eymard
Принадлежит: Linxens Holding SAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

OPTOELECTRONIC CIRCUIT WITH REDUCED SCINTILATION ELECTROLUMINESCENT DIODES

Номер патента: FR3023669A1. Автор: Xavier Hugon,Erwan Dornel,Frederic Mercier. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2016-01-15.

Method for forming c4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: EP2020023A2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kevin S. Petrarca,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Mukta G. Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-04.

Method for forming c4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: WO2007127816A2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kevin S. Petrarca,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Mukta G. Farooq. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-08.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Method for manufacturing and packaging integrated circuit

Номер патента: US20040148774A1. Автор: Ching-Shun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Integrated circuit comprising a junction field effect transistor (jfet) and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20220254905A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-08-11.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Method for adjusting the overlay of two mask planes in a photolithographic process for the production of an integrated circuit

Номер патента: US20040101769A1. Автор: Jens Hassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for manufacture of inline integrated circuit system

Номер патента: US20110244635A1. Автор: Jae Hak Yee,Junwoo Myung,Byoung Wook Jang,YoungChul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Systems and Methods for Main Distribution on an Integrated Circuit

Номер патента: US20160260662A1. Автор: Donald E. Hawk,Larry Golick,Bei Qi Wang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: WO2015179052A1. Автор: Yang Du,Karim Arabi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-09.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US9035674B2. Автор: HONG Xiao,Jack Y. Jau,CHANG CHUN YEH. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

System and method for forming one or more integrated circuit packages using a flexible leadframe structure

Номер патента: US20050263862A1. Автор: Akira Matsunami. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Systems and methods for providing distributed batteries in integrated circuits

Номер патента: US20240234345A1. Автор: Swarup Bhunia,Peyman Dehghanzadeh. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: EP3747042A1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240136211A1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Design layout method for metal lines of an integrated circuit

Номер патента: US20040043591A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US20200084891A1. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-12.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a cmos integrated circuit

Номер патента: US20160372376A1. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for manufacturing a MOS integrated circuit

Номер патента: US3865650A. Автор: Shigeru Arita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1975-02-11.

Apparatus and methods for bidirectional esd protection in integrated circuit

Номер патента: WO2013181328A1. Автор: Gianluca Boselli,Farzan Farbiz,Ann Margaret Concannon,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for fabricating a 3-d integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

Номер патента: WO2009003091A1. Автор: Michael W. Konevecki,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-12-31.

METHOD FOR MANUFACTURING A SeOI INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: WO2021204580A1. Автор: Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen,Trong HUYNH-BAO. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit including an insulating gate type semiconductor transistor

Номер патента: US4011653A. Автор: Norio Kobayashi,Taketoshi Kato. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-03-15.

Method and apparatus for manufacturing three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US8349652B2. Автор: Masahiko Sugiyama,Takafumi Fukushima,Mitsumasa Koyanagi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2013-01-08.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6838320B2. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Embedded integrated circuit package and method for manufacturing an embedded integrated circuit package

Номер патента: US20140021638A1. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut,Khalil Hosseini,Georg Meyer-Berg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-23.

System for manufacture of hybrid integrated circuit

Номер патента: US5539976A. Автор: Kazuo Miyauchi,Kohei Mandai,Kazuya Sunami,Takako Higuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-07-30.

Circuit and method for providing interconnections among individual integrated circuit chips in a multi-chip module

Номер патента: US20010030361A1. Автор: Thaddeus Gabara,King Tai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Method for Forming Contact in an Integrated Circuit

Номер патента: US20130072014A1. Автор: Paul R. Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Apparatus and method for placing stressors within an integrated circuit device to manage electromigration failures

Номер патента: US20150348898A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-12-03.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2015038466A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Device and method for removing heatspreader from an integrated circuit package

Номер патента: US6061889A. Автор: Steven Scott,Kristine Griley,Dan Sullivan. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Process for manufacturing a multilayer integrated circuit interconnection

Номер патента: US5262351A. Автор: Jean-Marc Bureau,Dominique Broussoux,Claude Vergnolle,Francois Bernard. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-11-16.

Method for fabricating minute openings in integrated circuits

Номер патента: CA1048331A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-13.

Apparatus and method for detecting damage to an integrated circuit

Номер патента: EP3749968A1. Автор: Lennart Karl-Axel Mathe,Vijayakumar Dhanasekaran,Qubo Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-03-30.

Method for optimising transistor performance in integrated circuits

Номер патента: US20060186478A1. Автор: Peter Hughes,Trevor Monk,Shannon Morton. Владелец: Icera LLC. Дата публикации: 2006-08-24.

Apparatus and method for facilitating planar delayering of integrated circuit die

Номер патента: US11810808B2. Автор: Joshua Joseph Trujillo,Robert Allen Williams. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

System and method for de-latch of an integrated circuit

Номер патента: US8472276B1. Автор: Bruce Barbara,Morgan Whately. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-06-25.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method for fabricating polycrystalline structures for integrated circuits

Номер патента: US3825451A. Автор: J Schoeff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-07-23.

Method for producing an opto-electronic integrated circuit

Номер патента: CA1301897C. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-05-26.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US11109486B2. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-08-31.

System and method for providing scalability in an integrated circuit

Номер патента: US20060049496A1. Автор: HONG Hao,Michael Casey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Calculating method for inductance in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040075436A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Hiroo Masuda. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2004-04-22.

Integrated circuit semiconductor element having heterogeneous gate structures and method of fabricating integrated circuit semiconductor element

Номер патента: US20230093897A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyenhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit having formed therein low contact leakage and low contact resistance integrated circuit device electrode

Номер патента: US6025634A. Автор: Su Ping Teong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-02-15.

Packaged integrated circuits and methods of producing thereof

Номер патента: EP1356718A2. Автор: Avner Badihi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2003-10-29.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Method for manufacturing an optoelectronic integrated circuit device

Номер патента: TW200709356A. Автор: Mitsuru Koarai,Ryouhei Oikawa. Владелец: Pioneer Micro Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

METHOD FOR MOUNTING AND MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUITS ON A SUPPORT AND SUPPORT THEREFOR

Номер патента: FR2805083A1. Автор: Jean Joly,Patrick Courant,Daniel Lambert. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 2001-08-17.

Method for manufacturing high-frequency integrated circuit encapsulation structure

Номер патента: CN101447443B. Автор: 刘安鸿,黄祥铭,李宜璋,林勇志. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2010-06-02.

Method for manufacturing an optoelectronic integrated circuit device

Номер патента: TWI313046B. Автор: Mitsuru Koarai,Ryouhei Oikawa. Владелец: Pioneer Micro Technology Corporatio. Дата публикации: 2009-08-01.

A data carrier having an integrated circuit

Номер патента: SG52281A1. Автор: Yahya Haghiri,Renée-Lucia Barak. Владелец: Gao Ges Automation Org. Дата публикации: 1998-09-28.

Monitoring signals between two integrated circuit devices within a single package

Номер патента: US7133798B1. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-07.

Stacked integrated circuit

Номер патента: US20070228542A1. Автор: Esa Hussa. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor integrated circuit and its manufacturing method

Номер патента: EP1326288A3. Автор: Takayuki c/o Seiko Epson Corporation Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

A method for fabricating a semiconductor photonic integrated circuit

Номер патента: CA2139140A1. Автор: Tomoaki Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-29.

SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING INTERGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20190088612A1. Автор: YAMAMOTO Takeshi,Inoto Hidekazu,Kimitsuka Akira,Habu Mariko,Osari Kanji. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

METHOD FOR PROTECTING A WAFER OF INTEGRATED CIRCUITS, AND WAFER OF INTEGRATED CIRCUITS OBTAINED

Номер патента: FR2750250B1. Автор: Sophie Siettler,Jean Noel Audoux. Владелец: Solaic SA. Дата публикации: 1998-08-21.

Integrated circuit packaging system with collapsed multi-integration package and method of manufacture thereof

Номер патента: US8569882B2. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,Sungmin Song,Jong Wook Ju,Hye Ran Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Method for an integrated circuit thermal grease mesh structure

Номер патента: US6150195A. Автор: Chia-Pin Chiu,Nadir Sharaf,Gary Solbrekken,Correy D. Cooks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Laser programming of integrated circuits

Номер патента: US20030006479A1. Автор: Harry Hedler,Roland Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Removal of a heat spreader from an integrated circuit package to permit testing of the integrated circuit and other elements of the package

Номер патента: US6117352A. Автор: Kevin Weaver,Steve E. Scott. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20160225741A1. Автор: Du Yang,Arabi Karim. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD FOR MOUNTING A CHIP WITH INTEGRATED CIRCUIT ON A WIRING SUBSTRATE.

Номер патента: FR2675946A1. Автор: Massiot Michel. Владелец: SOREP. Дата публикации: 1992-10-30.

Method for forming c4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: WO2007127816A3. Автор: Wolfgang Sauter,Timothy H Daubenspeck,Jeffrey P Gambino,Mukta G Farooq,Kevin S Petrarca,Christopher D Muzzy. Владелец: Christopher D Muzzy. Дата публикации: 2008-10-30.

Integrated circuit

Номер патента: WO2008001248A3. Автор: Gregory M H Lemaire. Владелец: Gregory M H Lemaire. Дата публикации: 2008-02-21.

Integrated circuit packaging system with interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120146230A1. Автор: Sung Jun Yoon,Soo Won Lee,JiHoon Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for forming C4 connections on integrated circuit chips and the resulting devices

Номер патента: TW200807590A. Автор: Wolfgang Sauter,Timothy H Daubenspeck,Jeffrey P Gambino,Mukta G Farooq,Kevin S Petrarca,Christopher D Muzzy. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-02-01.

Integrated circuit package formed at a wafer level

Номер патента: EP1238427A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-09-11.

Integrated circuit package formed at a wafer level

Номер патента: WO2001045167A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2001-06-21.

Method for manufacturing tag integrated circuit flexible board and structure of the same

Номер патента: US20080299360A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Method for manufacturing integrated circuits with a step for replacing defective circuit elements

Номер патента: US5391501A. Автор: Mitsuo Usami,Keijiro Uehara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-21.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method and computing system for manufacturing integrated circuit including nanosheet

Номер патента: US20210165946A1. Автор: Kwanyoung Chun,Jinwoo Jeong,Jungkyu CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

A wafer-level package and a method for forming the wafer-level package

Номер патента: WO2024117976A1. Автор: Teck Guan Lim,Suryanarayana Shivakumar Bhattacharya,Srinivasa Rao Vempati,Sajay BHUVANENDRAN NAIR GOURIKUTTY,Wen Wei SEIT,Rathin MANDAL,Mihai Dragos Rotaru. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for mounting an electronic component

Номер патента: EP1145612A2. Автор: Douglas S. Ondricek,David V. Pedersen. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Lamination system, ic sheet, scroll of ic sheet, and method for manufacturing ic chip

Номер патента: US20190147312A1. Автор: Naoto Kusumoto,Ryosuke Watanabe,Osamu Nakamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20030071294A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20020117701A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: WO2020154082A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: EP3915140A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7923361B2. Автор: Hiromichi Waki,Naoto Aida,Katsuhisa Shibuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-12.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Analog integrated circuit with improved transistor lifetime and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210028167A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Na Ren. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit, method for manufacturing semiconductor device, and exposure apparatus

Номер патента: US20240152053A1. Автор: Soichi Owa,Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: US20150061728A1. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-05.

Three dimensional integrated circuit having redundant through silicon via base on rotatable cube

Номер патента: US20190181061A1. Автор: Minho Cheong,Sungho Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-06-13.

A monolithic microwave integrated circuit (mmic) assembly and method for providing it

Номер патента: WO2022051015A1. Автор: Jesse Tice,Steven J. Mass,Michael T. Barako. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2022-03-10.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: EP2842228A1. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-04.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

A monolithic microwave integrated circuit (mmic) assembly and method for providing it

Номер патента: EP4208887A1. Автор: Jesse Tice,Steven J. Mass,Michael T. Barako. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080315271A1. Автор: In Cheol Baek,Kyung Min Park,Han Choon Lee,Sun Chan LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Apparatus for dissipating heat from an integrated circuit

Номер патента: US5590026A. Автор: James D. Warren,Carl R. Vogt,Charles D. Klooz. Владелец: Borg Warner Automotive Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Method for manufacture of integrated circuit package system with protected conductive layers for pads

Номер патента: US20120003830A1. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for connecting a first integrated circuit device with a plurality of connection points to a second integrated circuit device

Номер патента: DE2961573D1. Автор: Kailash Chandra Joshi,Ronald Neil Spaight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-11.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device

Номер патента: KR101137797B1. Автор: 순페이 야마자키,카오리 오기타,미호 코모리,유리카 사토우,카즈에 호소키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2012-04-20.

Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device

Номер патента: KR20070001093A. Автор: 순페이 야마자키,카오리 오기타,미호 코모리,유리카 사토우,카즈에 호소키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2007-01-03.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US20230349755A1. Автор: Todd Rearick,Eric A.G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US20240044703A1. Автор: Todd Rearick,Eric A.G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130230964A1. Автор: Akira Imai,Toshiaki Iwamatsu,Akihiro Nakae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Methods for Forming Interconnect Structures of Integrated Circuits

Номер патента: US20130052818A1. Автор: Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko,Po-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated Circuit Chip Design Flow Methodology Including Insertion of On-Chip or Scribe Line Wireless Process Monitoring and Feedback Circuitry

Номер патента: US20090239313A1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Theodoros Anemikos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY

Номер патента: US20230011186A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang,Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

A method for manufacturing a circuit board and a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device.

Номер патента: JP4488733B2. Автор: 優 金久保. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device that includes forming dummy patterns in an isolation region prior to filling with insulating material

Номер патента: US7074691B2. Автор: Akira Takamatsu,Norio Suzuki,Hidenori Sato,Takeshi Saikawa,Hiroyuki Maruyama,Katsuhiko Hotta,Hiroyuki Ichizoe. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-11.

METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTORS FOR INTEGRATED CIRCUITS IN PLANAR TECHNOLOGY

Номер патента: FR2539556A1. Автор: Bruno Dargent. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1984-07-20.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US20160218168A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) STRUCTURE FOR AN ELECTROLUMINESCENT DIODE

Номер патента: US20140235014A1. Автор: ROBIN Ivan-Christophe. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for manufacturing a monolithic integrated circuit with at least one CMOS field effect transistor and a bipolar npn transistor.

Номер патента: FR2702307A1. Автор: Nagel Juergen. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1994-09-09.

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH VOLTAGE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2652448A1. Автор: Deleonibus Simon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1991-03-29.

Electronic device and method for maintaining functionality of an integrated circuit during electrical aggressions

Номер патента: EP2842228A4. Автор: Valérie BERNON-ENJALBERT,Patrice Besse,Philippe Givelin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-01-06.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: TWI376760B. Автор: HONG Xiao,Jack Jau,CHANG CHUN YEH. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2012-11-11.

Method for fabricating a 3-D integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

Номер патента: TW200915495A. Автор: Michael W Konevecki,Steven J Radigan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Embedded integrated circuit package and method for manufacturing an embedded integrated circuit package

Номер патента: US20140021638A1. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut,Khalil Hosseini,Georg Meyer-Berg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-23.

EMBEDDED INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN EMBEDDED INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20140151862A1. Автор: Mahler Joachim,Hosseini Khalil,Meyer-Berg Georg,Fuergut Edward. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Integrated circuit array and method for manufacturing array of integrated circuits

Номер патента: CN105849890A. Автор: R·德克尔,V·A·亨内肯,A·M·萨沃夫. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2016-08-10.

MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT INCORPORATING AN INDUCTIVE COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2791470A1. Автор: Ahmed Mhani,Laurent Basteres,François Valentin,Jean Michel Karam. Владелец: Memscap SA. Дата публикации: 2000-09-29.

Integrated circuit having electrostatically coupled MOS transistors and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: JP5763314B2. Автор: エマニュエル・オジャンドル,モード・ヴィネ,ローラン・クラヴリエ,ペリーヌ・バトゥードゥ. Владелец: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ. Дата публикации: 2015-08-12.

Metallic layer manufacturing method for manufacturing e.g. integrated circuit, involves implementing electroless wet-chemical precipitating process, and producing electrical field in electrolytic solution to precipitate metal

Номер патента: DE102006001253A1. Автор: Markus Nopper,Axel Preusse,Susanne Wehner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers

Номер патента: CA2409435C. Автор: Brian Moore. Владелец: Scanimetrics Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Three dimensional integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: US9214926B2. Автор: Tsugio Takahashi. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures

Номер патента: US5801100A. Автор: Chwan-Ying Lee,Tzuen-Hsi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-09-01.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: WO2024035717A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: US20240055407A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for Depackaging Prepackaged Integrated Circuit Die and a Product from the Method

Номер патента: US20120068341A1. Автор: W. Eric Boyd,Peter Lieu. Владелец: Irvine Sensors Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A3. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools Inc. Дата публикации: 2004-06-10.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

A process for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1005070B1. Автор: Koji c/o NEC Corporation Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-11.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTORS FOR INTEGRATED CIRCUITS, IN PLANAR TECHNOLOGY

Номер патента: FR2539556B1. Автор: Bruno Dargent. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1986-03-28.

Integrated circuit with stacked MOS field effect transistors

Номер патента: US4999691A. Автор: Sheng T. Hsu,Doris W. Flatley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1991-03-12.

Liquid crystal display device, method for fabricating the same, and portable telephone using the same

Номер патента: US8009259B2. Автор: Kazuhisa Higuchi,Kimihiko Sugiyama,Yoshikazu Yokota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-30.

Method for producing miniature amplifier and signal processing unit

Номер патента: WO2002103784A1. Автор: Anders Erik Petersen,Jorgen Skindhoj. Владелец: OTICON A/S. Дата публикации: 2002-12-27.

Process for manufacturing a semiconductor wafer, a semiconductor wafer, process for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6043114A. Автор: Eiichi Yamada,Tatsumi Shirasu,Norio Suzuki,Shogo Kiyota,Manabu Kitano,Yoshihiko Sakurai,Takashi Naganuma,Hisashi Arakawa,Hiroto Kawagoe,Yuji Sugino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-03-28.

Method for integrated circuit design and manufacture using diagonal minimum-width patterns

Номер патента: WO2011143013A2. Автор: Akira Fujimura,Larry Lam Chau,Tam Dinh Thanh Nguyen. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Integrated circuits with stacked transistors and methods of manufacturing the same using processes which fabricate lower gate structures following completion of portions of an upper transistor

Номер патента: EP3732721A1. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Anh Phan,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Integrated Circuit Package and a method for Forming a Wafer Level Chip Scale Package (WLCSP) with Through Mold Via (TMV)

Номер патента: US20200091051A1. Автор: Jesus Mennen Belonio, JR.,Ernesto Gutierrez, III,Shou Cheng Eric Hu,Jerry Li. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20210074563A1. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160126110A1. Автор: YANG CHIH-KUANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140284849A1. Автор: Wang Meng,LIU Dongsheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20180247919A1. Автор: LIN Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

A polishing composition, and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI457423B. Автор: Iori Yoshida,Hiroyuki Kamiya. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Method for manufacturing monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: JP3975574B2. Автор: 浩一 星野. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate

Номер патента: US20050287846A1. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for manufacturing wafer of integrated circuit, involves extending doped area along lower edges from vertical gate to form source area in transistors of cell memories so that transistors comprise channel areas

Номер патента: FR2987697A1. Автор: Philippe Boivin,Olivier Pizzuto,Rosa Francesco La,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Pascal Fornara,Laurent Lopez. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2013-09-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A PLANAR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2525388B1. Автор: Christopher K Groves,Kevin Duncan,Edward Chennel Dyott Darwall. Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1987-05-15.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5610421A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-03-11.

Method for manufacturing a multilayer integrated circuit

Номер патента: DE1916789C3. Автор: Jack Duane Warminster Dale,Henry Wyndmoor Fenster. Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1974-03-28.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP0030147A1. Автор: Minoru Taguchi,Koichi Kanzaki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-10.

METHOD FOR MANUFACTURING A VERTICAL TRANSISTOR WITH AN INSULATED GRID WITH A QUADRUPLE CONDUCTION CHANNEL, AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING SUCH A TRANSISTOR

Номер патента: FR2823010B1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-08-15.

Diode and transistor design for high speed I/O

Номер патента: US7012304B1. Автор: Sanjay Dabral,Krishna Seshan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: KR930009595B1. Автор: 고로 사사키. Владелец: 나까하라 쯔네오. Дата публикации: 1993-10-07.

Method for manufacturing shift register integrated circuit

Номер патента: JPH0812922B2. Автор: 弘一 平中,忠久 山口. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-02-07.

Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate

Номер патента: KR101127888B1. Автор: 순페이 야마자키,코지 다이리키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110165743A1. Автор: Takeshi Hayashi,Takuya Futase,Shuhei Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of forming a three dimensional integrated circuit structure

Номер патента: US4954458A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP0437834A1. Автор: Yoshiaki Sano,Kazuo Takeda,Nobuyuki Sekikawa,Teruo Tabata. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-24.

Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate

Номер патента: US20110207292A1. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Method for the production of an integrated circuit and integrated circuit with a bipolar transistor and a hetero bipolar transistor

Номер патента: WO2003096412A2. Автор: Karlheinz Mueller,Claus Dahl,Cajetan Wagner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a stack gate structure

Номер патента: KR0146401B1. Автор: 슈이찌 에노모또. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-08-01.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5837554A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-11-17.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW410406B. Автор: Takashi Yamashita,Tsutomu Tanaka,Shigeru Harada,Noriaki Fujiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-01.

Method for manufacturing thin film integrated circuit

Номер патента: TWI450386B. Автор: Takuya Tsurume,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2014-08-21.

A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device provided with an improved isolation structure

Номер патента: EP0155698A3. Автор: Naoki Kasai,Nobuhiro Endo,Masao Tajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-14.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit of triple well structure

Номер патента: KR100289921B1. Автор: 우찌다데쓰야. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-05-15.

METHOD FOR MANUFACTURING RESISTORS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2780810B1. Автор: Fu Tai Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-25.

Method for manufacturing thin film integrated circuit

Номер патента: TW200616212A. Автор: Takuya Tsurume,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Lab Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit

Номер патента: DE3063191D1. Автор: Minoru Taguchi,Koichi Kanzaki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-06-16.

Metal programmable integrated circuit capable of utilizing a plurality of clock sources and capable of eliminating clock skew

Номер патента: US6902957B2. Автор: Hsin-Shih Wang,Shang-Jyh Shieh. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-07.

Apparatus and method for changing the functionality of an integrated circuit using charge trap transistors

Номер патента: WO2021202575A1. Автор: Subramanian Iyer,Sepideh NOURI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-10-07.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: GB201807577D0. Автор: . Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: GB201801473D0. Автор: . Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2018-03-14.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: US20200243403A1. Автор: Mark Thomas McCormack,II Louis Charles Kordus,Anik MEHTA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Metal programmable integrated circuit capable of utilizing a plurality of clock sources and capable of eliminating clock skew

Номер патента: US20040224443A1. Автор: Hsin-Shih Wang,Shang-Jyh Shieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Apparatus and method for changing the functionality of an integrated circuit using charge trap transistors

Номер патента: US20230178146A1. Автор: Subramanian Iyer,Sepideh NOURI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-08.

Leadframe for integrated circuit die packaging in a molded package and a method for preparing such a leadframe

Номер патента: US20130319744A1. Автор: Tsung Yi Wu,Chyi Keh Chern,Tsung Wen Chang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-12-05.

Electroless and immersion plating of integrated circuits using an activation plate

Номер патента: WO2005006423A1. Автор: Timothy B. Dean,William H. Lytle. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-01-20.

Integrated circuit system with contact integration

Номер патента: WO2009082431A2. Автор: Paul R. Besser. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2009-07-02.

Integrated circuit system with contact integration

Номер патента: EP2232547A2. Автор: Paul R. Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Integrated circuit with capacitor in different layer than transmission line

Номер патента: US20190173148A1. Автор: Kimberly Dawn EILERT. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240258187A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit package having a substrate vent hole

Номер патента: EP1186212A1. Автор: Ravi V. Mahajan,Michael J. Costello,Suresh Ramalingam,Nagesh Vodrahalli,Mun Leong Loke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

METHOD FOR WELDING AND POSITIONING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH SURFACE MOUNTING ON A SUBSTRATE WITH INSULATED METAL RANGES AND ASSEMBLY MADE THEREBY

Номер патента: FR2932314A1. Автор: Michaël Chemin,Thierry Mandion. Владелец: Valeo Equipements Electriques Moteur SAS. Дата публикации: 2009-12-11.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING AN NLDMOS TRANSISTOR AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3103318B1. Автор: Martinez Jean Jimenez. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-12-10.

Process for fabricating a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5700704A. Автор: Shigeru Takahashi,Yutaka Kobayashi,Naotaka Hashimoto,Shuji Ikeda,Satoshi Meguro,Soichiro Hashiba,Isamu Kuramoto,Atsuyoshi Koike,Katsuro Sasaki,Koichiro Ishibashi,Toshiaki Yamanaka,Nobuyuki Moriwaki,Atsushi Hiraishi,Seigou Yukutake. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-23.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A NETWORK OF AVALANCHE DIODES TRIGGERED BY A SINGLE PHOTON AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3102612A1. Автор: Bastien Mamdy. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-04-30.

Three dimensional integrated circuit having redundant through silicon via base on rotatable cube

Номер патента: US10403555B2. Автор: Minho Cheong,Sungho Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-09-03.

Structure and Method for Cooling Three-Dimensional Integrated Circuits

Номер патента: US20200006325A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Structure and Method for Cooling Three-Dimensional Integrated Circuits

Номер патента: US20170358572A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Structure and Method for Cooling Three-Dimensional Integrated Circuits

Номер патента: US20210159225A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Structure and method for cooling three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US11532613B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Structure and method for cooling three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US10910365B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Structure and method for cooling three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US10763253B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Jui-Feng Kuan,Hui-Yu Lee,Chi-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit protection using stacked dies

Номер патента: US20240163092A1. Автор: James Anderson,James D. Wesselkamper,Jason J. Moore,Thomas Paul LEBOEUF,Steve E. MCNEIL. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated circuit system with contact integration

Номер патента: WO2009082431A3. Автор: Paul R. Besser. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2009-08-27.

Protection of an integrated circuit against electrostatic discharges

Номер патента: US20240170960A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20070194392A1. Автор: Mehul Shroff,Edward Travis,Donald Smeltzer,Traci Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240153947A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20100112779A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-05-06.

Die attach paddle for mounting integrated circuit die

Номер патента: US20060076657A1. Автор: Ken Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20210035972A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US7858487B2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-28.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240276698A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit packaging process and structure

Номер патента: US4870476A. Автор: Russell V. Solstad. Владелец: VTC Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Chip manufacturing method for cutting test pads from integrated circuits by sectioning circuit chips from circuit substrate

Номер патента: US6686224B2. Автор: Kunihiko Higashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Integrated circuit packaging process

Номер патента: US4689875A. Автор: Russell V. Solstad. Владелец: VTC Inc. Дата публикации: 1987-09-01.

Integrated circuit device, method for forming and operating an integrated circuit, method for forming and operating a semiconductor device

Номер патента: TW200830475A. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-16.

Method for generating a layout of integrated circuit and method for processing layout of integrated circuit

Номер патента: TWI775000B. Автор: 曾健庭,蕭錦濤. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-21.

Scalable and flexible architectures for integrated circuit (ic) design and fabrication

Номер патента: US20210375681A1. Автор: WEI Han. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Scalable and flexible architectures for integrated circuit (IC) design and fabrication

Номер патента: US11837503B2. Автор: WEI Han. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US11699594B2. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Threshold Voltage Tuning for Fin-Based Integrated Circuit Device

Номер патента: US20190139828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen,Wei-Jen Chen,Ming-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Preparation method for accurate pattern of integrated circuit

Номер патента: US20220051903A1. Автор: Hanming Wu. Владелец: Etownip Microelectronics Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit lead frame and semiconductor device thereof

Номер патента: US12062598B2. Автор: Yu-Hsin Wang,Nai-Jen Hsuan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD FOR DETECTING MOISTURE IN AN INTEGRATED CIRCUIT, AND ASSOCIATED INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210018458A1. Автор: Fornara Pascal,Hubert Quentin,VIDAL-DHO Matthias. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD FOR DETECTING THINNING OF AN INTEGRATED CIRCUIT SUBSTRATE VIA ITS REAR FACE, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190081011A1. Автор: Sarafianos Alexandre,Marzaki Abderrezak. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2019-03-14.

HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR MAKING HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200084891A1. Автор: Ma Zhenqiang,Qin Guoxuan,Cho Namki. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Systems and methods for inhibiting backend access to integrated circuits by integrating photon and electron sensing latch-up circuits

Номер патента: US20180301427A1. Автор: Brett Hamilton,Adam Duncan,Matthew Gadlage,Matthew Kay,Brett Werner,Austin Roach. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for forming metal interconnection in integrated circuit and the metal interconnection in the circuit

Номер патента: JPH1174528A. Автор: Joseph Borel,ジョセフ・ボレル. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 1999-03-16.

An integrated circuit package and a method for dissipating heat in an integrated circuit package

Номер патента: KR20090089399A. Автор: 콕 후아 시몬 츄아,부디 엔조만. Владелец: 에이저 시스템즈 인크. Дата публикации: 2009-08-21.

METHOD FOR MAKING A THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2979481A1. Автор: Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-03-01.

METHOD FOR FORMING INTERCONNECTIONS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2748601A1. Автор: Constantin Papadas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-11-14.

Integrated circuit package-in-package system with leads

Номер патента: US20090072363A1. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund Ramirez Camacho,Arnel Trasporto,Abelardo Jr Advincula. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for isolating areas of an integrated circuit and semiconductor device with an integrated circuit

Номер патента: DE19840385C2. Автор: Eugene Disimone,Pramjit Singh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-03-08.

Integrated circuit package and a method for dissipating heat in an integrated circuit package

Номер патента: US20100120206A1. Автор: Kok Hua Chua,Budi Njoman. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-05-13.

Circuit and method for implementing gain stage in integrated circuit

Номер патента: TWI647715B. Автор: 梵希利 奇里弗. Владелец: 吉林克斯公司. Дата публикации: 2019-01-11.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (IC) packages

Номер патента: US9633950B1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Spacer trays for stacking storage trays with integrated circuits

Номер патента: US5335771A. Автор: Robert H. Murphy. Владелец: R H Murphy Co Inc. Дата публикации: 1994-08-09.

Stacked high density interconnected integrated circuit system

Номер патента: US5481134A. Автор: Mohi Sobhani,John M. Brauninger. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-01-02.

Method for forming dielectric isolation combining dielectric deposition and thermal oxidation

Номер патента: CA1041227A. Автор: Bai-Cwo Feng,George C. Feng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Interconnect circuit with low threshold voltage P-channel transistors for programmable integrated circuits

Номер патента: CN106664091B. Автор: M·J·哈特,P·简恩. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-03-16.

Integrated circuit, method for forming a layout of integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20230099326A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (ic) packages

Номер патента: WO2017139285A1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-17.

Integrated circuit assemblies having interconnection bridges spanning integrated circuit devices therein

Номер патента: US20230387073A1. Автор: Kai-Chiang Wu,Han-Wen LIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: EP3921870A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: WO2020163739A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for writing in a non-volatile memory according to the ageing of the memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210319836A1. Автор: Francesco La Rosa,Enrico Castaldo,Francesca Grande,Santi Nunzio Antonino Pagano,Giuseppe Nastasi,Franco Italiano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-14.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: US11742311B2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: US20230335524A1. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit element and fabricating method thereof, circuit board, display panel and display device

Номер патента: US20180033629A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Ping Zhang,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Chunwei Wu,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Identification method of an integrated circuit chip and identfication system of an integrated circuit chip

Номер патента: US20210365651A1. Автор: Chi-Chung Yu,Kai-Hung Lin,Tien-Hung LOU. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240112924A1. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-Chih Huang,Hsu-Hsien Chen,Chi-Yen Lin,Ting Hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit device and a device for protection of a circuit

Номер патента: US20180241204A1. Автор: Andreas Wiesbauer,Winfried Bakalski,Werner Simbuerger,Georg Lischka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-23.

Circuit and method for providing interconnections among individual integrated circuit chips in a multi-chip module

Номер патента: SG78287A1. Автор: King Lien Tai,Thaddeus John Gabara. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-02-20.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210151408A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: EP3869541A2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-25.

Signal drop compensation at external terminal of integrated circuit package

Номер патента: WO2009035989A3. Автор: Ravindra In Karnad,Venkataraman In Srinivasan. Владелец: Venkataraman In Srinivasan. Дата публикации: 2009-05-28.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US12015191B2. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Integrated Circuit Package With Improved Heat Dissipation Efficiency and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240222339A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Kuo-Chiang Ting,Ta Hao Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

SYSTEMS AND METHODS FOR HARVESTING DISSIPATED HEAT FROM INTEGRATED CIRCUITS (ICS) IN ELECTRONIC DEVICES INTO ELECTRICAL ENERGY FOR PROVIDING POWER FOR THE ELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20140252531A1. Автор: Rangan Venkat,Govindaswamy Senthil Kumar,Aryan Babak. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Methods of electroplating solder bumps of uniform height on integrated circuit substrates

Номер патента: US6117299A. Автор: Glenn A. Rinne,Christine Lizzul. Владелец: MCNC. Дата публикации: 2000-09-12.

Method for dry etching vias in integrated circuit layers

Номер патента: US5017511A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

PROCESS FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED INTEGRATED CIRCUITS AND RESULTING DEVICES

Номер патента: FR2326038A1. Автор: Howard L Kalter,Anatol Furman,Johann W Nagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-04-22.

Tape bonding of two integrated circuits into one tape frame

Номер патента: US4585157A. Автор: Stephen R. Belcher. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1986-04-29.

Multichip integrated circuit packaging method

Номер патента: US4918811A. Автор: Charles W. Eichelberger,Robert J. Wojnarowski. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Process for manufacturing mos-type integrated circuits

Номер патента: EP0065464B1. Автор: Guy Dubois,Jean-Pierre Brevignon. Владелец: Pour L'etude Et La Fabrication De Circuits Integres Speciaux - Efcis Ste. Дата публикации: 1985-01-23.

Methods of packaging an integrated circuit and methods of forming an integrated circuit package

Номер патента: USRE42457E1. Автор: Dexin Liang,Lily Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Process for manufacturing a semiconductor integrated circuit including a heterojunction bipolar transistor and/or buried resistors

Номер патента: EP0420322A1. Автор: Claudine Société Civile S.P.I.D. Villalon. Владелец: Laboratoires dElectronique Philips SAS. Дата публикации: 1991-04-03.

Integrated circuits on a wafer and method of producing integrated circuits

Номер патента: US8264092B2. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-09-11.

Method for dry etching openings in integrated circuit layers

Номер патента: US5157000A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-10-20.

Systems and methods for harvesting dissipated heat from integrated circuits (ics) in electronic devices into electrical energy for providing power for the electronic devices

Номер патента: WO2014138181A1. Автор: Venkat Rangan,Babak Aryan,Senthil Kumar GOVINDASWAMY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Process for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: HK30789A. Автор: Akihisa Uchida,Shigeo Kuroda,Toshihiko Takakura,Mikinori Kawaji. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-04-21.

Method for wafer level packaging of integrated circuit dies, composite wafers obtained using the method and wafer level package

Номер патента: JP4977388B2. Автор: チャオ ヤン. Владелец: Memsic Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for forming a fuse in integrated circuit application

Номер патента: US6162686A. Автор: Yu-Hua Lee,Tse-Liang Ying,Ming-Hsin Li,Kuo Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-12-19.

Integrated circuit system with a latent heat storage module

Номер патента: EP1416534A1. Автор: Michael Frisch,Ralf Ehler. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2004-05-06.

Internally generating patterns for testing in an integrated circuit device

Номер патента: US7313740B2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

Method of inducing flow or densification of phosphosilicate glass for integrated circuits

Номер патента: CA1191770A. Автор: Reda Razouk. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Method of making integrated circuit silicon die composite having hot melt adhesive on its silicon base

Номер патента: US4624724A. Автор: Gary C. Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-11-25.

Method for re-utilizing rubber-coated integrated circuit and tin implanting clamp required for the method

Номер патента: CN105489544A. Автор: 李艳,高发明,卢雄,冯容,黄南达. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Integrated circuits having parallel conductors

Номер патента: US20190348320A1. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Multi-layer integrated circuits having isolation cells for layer testing and related methods

Номер патента: US20190302179A1. Автор: Ran Wang,Krishnendu Chakrabarty. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated circuits having parallel conductors and their formation

Номер патента: US20180254214A1. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20200006338A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20200135732A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20210098453A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20220359512A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit packaging system with encapsulation and leadframe etching and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130249065A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Dummy through vias for Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230377905A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit packaging system with formed interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120280408A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11942433B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tsung-Hsien Chiang,Tzu-Sung Huang,Jen-Fu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US11916074B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Superconducting monolithic microwave integrated circuit processing

Номер патента: WO2024038045A1. Автор: Michael Selvanayagam,Nicholas A MASLUK. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11984375B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20200212018A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and System for Matching Networks Embedded in an Integrated Circuit Package

Номер патента: US20120105168A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Maryam Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Apparatus comprising multiple integrated circuits using different gate oxide thickness on a single integrated circuit die

Номер патента: WO2009142930A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-11-26.

Integrated circuit device having a plurality of stacked dies and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2021011115A1. Автор: QI Lin. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US11581404B2. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Integrated-circuit case

Номер патента: US20020030265A1. Автор: Bernd Rosenberger. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods of forming integrated circuits having parallel conductors

Номер патента: US20190348321A1. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Different poly pitches for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220068907A1. Автор: Ahmet TURA,Steven G. Jaloviar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuit device, semiconductor substrate, and test system including the integrated circuit device

Номер патента: US11747393B2. Автор: Donghee Kim,Daehyun KWON,Sungoh Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit device having a plurality of stacked dies and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3981027A1. Автор: QI Lin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-04-13.

Superconducting monolithic microwave integrated circuit processing

Номер патента: US20240065117A1. Автор: Michael Karunendra SELVANAYAGAM,Nicholas A MASLUK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatus comprising multiple integrated circuits using different gate oxide thickness on a single integrated circuit die

Номер патента: EP2300891A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-30.

In-line detection of electrical fails on integrated circuits

Номер патента: US12013442B2. Автор: Manish Sharma,David Sanchez,Sagar SUTHRAM,Sairam Subramanian,Amit Paliwal,Enlan YUAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Improved current sensing for integrated circuit devices

Номер патента: WO2018200693A1. Автор: Gregory Dix,Philippe Deval. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE FOR INTEGRATED CIRCUIT MODULES

Номер патента: US20130323409A1. Автор: Nguyen Hoang Mong,Read Matthew Sean,GONZALEZ Sergio Joaquin,HERRERA Luis Eduardo. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR INTEGRATING BATTERIES WITH STACKED INTEGRATED CIRCUIT DIE ELEMENTS

Номер патента: US20210004070A1. Автор: Liu Wei-Ti,Guzy Darrel James. Владелец: Arbor Company, LLLP. Дата публикации: 2021-01-07.

APPARATUS AND METHOD FOR SECURING COMPONENTS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200006097A1. Автор: Kennedy Paul,Fricker Jean-Philippe,Jun Frank. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Method for reducing cross contamination in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20160020146A1. Автор: HONG Shen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Methods for Forming STI Regions in Integrated Circuits

Номер патента: US20150021710A1. Автор: Shih Chi-Yuan,Lin Yi-Tang,CHANG Chih-Sheng,Sheu Jyh-Cherng,Hsu Chih-Yu,Tsai Wei-Chun,Wann Clement Hsinjen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

SYSTEM AND METHOD FOR FORMING AND AUTHENTICATING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180040566A1. Автор: Ewing Daniel,REED WAYNE,WILL JAMES. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

APPARATUS AND METHOD FOR SECURING COMPONENTS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190067052A1. Автор: Kennedy Paul,Fricker Jean-Philippe,Jun Frank. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

DEVICES AND METHODS FOR HEAT DISSIPATION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190067150A1. Автор: Liu Sa-Lly,Peng Yung-Chow,Hsieh Chung-Peng,Yang Chung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

APPARATUS AND METHOD FOR PLACING STRESSORS WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE TO MANAGE ELECTROMIGRATION FAILURES

Номер патента: US20170069572A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.,Travis Edward O.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

DEVICES AND METHODS FOR HEAT DISSIPATION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200083134A1. Автор: Liu Sa-Lly,Peng Yung-Chow,Hsieh Chung-Peng,Yang Chung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a cmos integrated circuit

Номер патента: US20140183655A1. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

METHOD FOR PRODUCING INTERCONNECTIONS FOR 3D INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160111330A1. Автор: Coronel Philippe,Fenouillet-Beranger Claire. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-04-21.

METHOD FOR LOCAL ISOLATION BETWEEN TRANSISTORS PRODUCED ON AN SOI SUBSTRATE, IN PARTICULAR AN FDSOI SUBSTRATE, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180108731A1. Автор: Perrin Emmanuel. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

DEVICES AND METHODS FOR HEAT DISSIPATION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20210125890A1. Автор: Liu Sa-Lly,Peng Yung-Chow,Hsieh Chung-Peng,Yang Chung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Apparatus and method for protecting rf and microwave integrated circuits

Номер патента: US20150138678A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Rodrigo Carrillo-Ramirez. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR HIERARCHICAL EXPOSURE OF AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING MULTIPLE INTERCONNECTED DIE

Номер патента: US20210167037A1. Автор: Fricker Jean-Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Method for Shrinking Openings in Forming Integrated Circuits

Номер патента: US20200135546A1. Автор: WANG Peng,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and method for facilitating planar delayering of integrated circuit die

Номер патента: US20200144091A1. Автор: Joshua Joseph Trujillo,Robert Allen Williams. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

SYSTEMS AND METHODS FOR THERMAL MANAGEMENT OF MULTILAYERED INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190171262A1. Автор: Ghosh Tapabrata. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

APPARATUS AND METHOD FOR SECURING COMPONENTS OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190172736A1. Автор: Kennedy Paul,Fricker Jean-Philippe,Jun Frank. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

SYSTEMS AND METHODS FOR HIERARCHICAL EXPOSURE OF AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING MULTIPLE INTERCONNECTED DIE

Номер патента: US20200203308A1. Автор: Fricker Jean-Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for Forming STI Regions in Integrated Circuits

Номер патента: US20180247935A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,Shih Chi-Yuan,Lin Yi-Tang,CHANG Chih-Sheng,Sheu Jyh-Cherng,Hsu Chih-Yu,Tsai Wei-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Systems and Methods for Main Distribution on an Integrated Circuit

Номер патента: US20160260662A1. Автор: Golick Larry,Hawk Donald E.,Wang Bei Qi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Apparatus and method for detecting damage to an integrated circuit

Номер патента: US20190250208A1. Автор: Lennart Karl-Axel Mathe,Vijayakumar Dhanasekaran,Qubo Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for Making Lead Frames for Integrated Circuit Packages

Номер патента: US20180261469A1. Автор: How You Chye. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

METHODS FOR CONSTRUCTING THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs) AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20150333056A1. Автор: Du Yang,Arabi Karim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-19.

APPARATUS AND METHOD FOR PLACING STRESSORS WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE TO MANAGE ELECTROMIGRATION FAILURES

Номер патента: US20150348898A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.,Travis Edward O.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2015-12-03.

METHOD FOR LOCAL ISOLATION BETWEEN TRANSISTORS PRODUCED ON AN SOI SUBSTRATE, IN PARTICULAR AN FDSOI SUBSTRATE, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160351660A1. Автор: Perrin Emmanuel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

HIGH PERFORMANCE ISOLATED VERTICAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING IN A CMOS INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160372376A1. Автор: Chatterjee Amitava,ROBINSON Derek W.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Apparatus and method for securing components of an integrated circuit

Номер патента: US20200381274A1. Автор: Paul Kennedy,Jean-Philippe Fricker,Frank Jun. Владелец: Cerebras Systems Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for forming interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: CA2082771C. Автор: Ismail T. Emesh,Vu Quoc Ho,Gurvinder Jolly. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Method for reworking metal layers on integrated circuit bond pads

Номер патента: US6534327B2. Автор: Gregory B. Shinn,Roger J. Stierman,Thomas M. Moore. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Method for forming interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US5354712A. Автор: Ismail T. Emesh,Gurvinder Jolly,Yu Q. Ho. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Method for reworking metal layers on integrated circuit bond pads

Номер патента: US6821791B2. Автор: Gregory B. Shinn,Roger J. Stierman,Thomas M. Moore. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-23.

Methods for multi-stage molding of integrated circuit package

Номер патента: US20100330708A1. Автор: William P. Taylor,Nirmal Sharma,Raymond W. Engel. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods for multi-stage molding of integrated circuit package

Номер патента: US8143169B2. Автор: William P. Taylor,Nirmal Sharma,Raymond W. Engel. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2012-03-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100270962B1. Автор: 김진현,이태철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-01.

Method for local curing of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3623961B2. Автор: ジュ キム、サン. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-23.

method for fabricating capacitor of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100305680B1. Автор: 이기영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for fabricating capacitor of semiconcuctor integrated circuit

Номер патента: KR100280288B1. Автор: 이혜령. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-01-15.

Method for making high-performance RF integrated circuits

Номер патента: US6759275B1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2004-07-06.

Method for providing near-hermetically coated integrated circuit assemblies

Номер патента: US8581108B1. Автор: Nathan P. Lower,Alan P. Boone,Ross K. Wilcoxon. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2013-11-12.

Single twist layout and method for paired line conductors of integrated circuits

Номер патента: KR100187875B1. Автор: 케네스 드브로스 존,에디스 래리 제니퍼,주리스 스프로기스 에드먼드. Владелец: 윌리엄 티. 엘리스. Дата публикации: 1999-06-01.

Apparatus and methods for microchannel cooling of semiconductor integrated circuit packages

Номер патента: US7139172B2. Автор: Evan George Colgan,Raschid Jose Bezama,John Harold Magerlein,Roger Ray Schmidt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-21.

A method for forming a low resistance aluminum plug in a groove present in an insulating layer of an integrated circuit structure

Номер патента: KR940004799A. Автор: 눌만 자임. Владелец: 제임스 조셉 드롱. Дата публикации: 1994-03-16.

Methods for forming sti regions in integrated circuits

Номер патента: KR101524945B1. Автор: 치유 수,이탕 린,클레멘트 시젠 완,치쉥 창,웨이춘 차이,지청 슈,치위안 시. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-06-10.

Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing

Номер патента: KR100430174B1. Автор: 존스마크.엘.,바네트그레고리에이.. Владелец: 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-05-03.

TAPE MANUFACTURING METHOD FOR THE AUTOMATIC MANUFACTURE OF INTEGRATED CIRCUITS AND TAPE OBTAINED BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2575965A1. Автор: Brett Sharenow. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 1986-07-18.

METHOD FOR MAKING OPENINGS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2640810B1. Автор: Pierre Blanchard,Patrick Baussand. Владелец: Thomson Composants Militaires et Spatiaux. Дата публикации: 1992-10-30.

METHOD FOR FORMING CAPACITY ON AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2781603B1. Автор: Yvon Gris,Jocelyne Mourier,Germaine Troillard,Jean Claude Oberlin,Henri Banvillet,Jos Guelen,Genevieve Lunardi,Catherine Maddalon. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-10-06.

METHOD FOR FORMING PILLARS OF THE MULTILAYER NETWORK OF A CONNECTION CARD OF AT LEAST ONE HIGH DENSITY INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2650471A1. Автор: Philippe Chantraine,Marta Zorrilla. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1991-02-01.

COMPOSITE ELECTRONIC ASSEMBLY AND METHOD FOR IMPROVING POWER SUPPLY DAMPING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2583251A1. Автор: John A Maxwell,Lonnie Hopkins. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 1986-12-12.

METHOD FOR PRODUCING METAL INTERCONNECTIONS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2771854A1. Автор: Philippe Gayet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-06-04.

Analog integrated circuit

Номер патента: US5535281A. Автор: Dale Gulick. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

Methods for fabricating an electrically correct integrated circuit

Номер патента: US8336011B2. Автор: Rasit TOPALOGLU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

METHOD FOR MAKING A THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2979481B1. Автор: Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-07-01.

Method for forming trench isolation in integrated circuit

Номер патента: TW471115B. Автор: Chung-Shr Tsai,De-Tsz Fan. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

METHOD FOR PRODUCING METAL INTERCONNECTIONS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2771854B1. Автор: Philippe Gayet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2001-06-15.

Epitaxial source or drain structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11411095B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Subhash Joshi,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Apparatus and method for detecting spot defects in integrated circuits

Номер патента: EP0281227A1. Автор: Michael E. Thomas,Wojciech Maly. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1988-09-07.

Method For Smoothing Current Consumed By Integrated Circuit And Corresponding Device

Номер патента: CN106560757A. Автор: N·德曼吉,J·弗特,T·索德. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-12.

Forming method for power source wiring of integrated circuit

Номер патента: JPS6464337A. Автор: Toshio Tazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-03-10.

METHOD FOR PRODUCING CONNECTION HOLES ON INTEGRATED CIRCUITS.

Номер патента: DE3784751T2. Автор: Robert L Brown,Michael E Thomas. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-09-23.

Apparatus and method for facilitating planar delayering of integrated circuit die

Номер патента: US10573547B1. Автор: Joshua Joseph Trujillo,Robert Allen Williams. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2020-02-25.

Methods for use with tray-based integrated circuit device handling systems

Номер патента: US7104748B2. Автор: Russell S. Bjork. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Method for making interconnections in an integrated circuit

Номер патента: EP1146550A3. Автор: Srdjan Kordic,Joaquin Torres,Pascale Motte,Brigitte Descouts. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-16.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: TW201013687A. Автор: HONG Xiao. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Apparatus and method for securing components of an integrated circuit

Номер патента: US11631600B2. Автор: Paul Kennedy,Jean-Philippe Fricker,Frank Jun. Владелец: Cerebras Systems Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for marking defective locations in integrated circuits or on their carrier

Номер патента: DE2809359C2. Автор: Marcel Joseph San Jose Calif. Vogel,Siegfried Friedrich Los Gatos Calif. Vogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-01-26.

METHOD FOR GENERATING TOPOGRAPHY OF FDSOI INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2999746A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Boulaire Matthieu Le. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-06-20.

Integrated circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US11100273B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Device and method for characterizing the version of integrated circuits and use for controlling operations

Номер патента: WO2002018960A2. Автор: Manfred Kirschner,Juergen Eckhardt,Axel Aue,Christian Zimmermann,Beate Leibbrand,Thomas Mocken. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for dry etching vias in integrated circuit layers

Номер патента: EP0408276B1. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-08.

MANUFACTURING METHOD FOR A LINE STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: DE69527484D1. Автор: Wei-Ming Chung. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Nested integrated circuit package on package system

Номер патента: WO2006084177A3. Автор: Hyun Uk Kim. Владелец: Stats Chippac Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Structure and method for local resistor element in integrated circuit technology

Номер патента: US20050167786A1. Автор: Jason Gill,William Murphy,Randy Mann,Terence Hook,William Tonti,Steven Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for forming contact structures in integrated circuits

Номер патента: EP0566253A1. Автор: Girish A. Dixit,Fu-Tai Liou,Fusen E. Chen. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-10-20.

Method for forming contact vias in integrated circuits

Номер патента: EP0568385A2. Автор: Michael Edward Haslam,Charles Ralph Spinner Iii. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1993-11-03.

Method for supplying power to an integrated circuit

Номер патента: JP2691478B2. Автор: フアン，チン・チン,リャン，ルイス. Владелец: ブイ・エル・エス・アイ・テクノロジー・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1997-12-17.

Method for forming field effect transistor integrated circuits having a pattern of narrow dimensioned dielectric regions and resulting structures

Номер патента: EP0043943B1. Автор: Ingrid Emese Magdo,Shakir Ahmed Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-11-12.

System and method for monitoring copper corrosion in integrated circuit devices

Номер патента: CN113330542A. Автор: 冷耀俭. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for producing a three-dimensional integrated circuit while achieving high system yields

Номер патента: DE4433833A1. Автор: Peter Dr Ramm,Reinhold Dipl Phys Buchner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1996-03-28.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with whirlwind cold plate

Номер патента: US10126356B2. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Method for reducing cross contamination in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US10340186B2. Автор: HONG Shen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-02.

Method for incorporating a flip chip integrated circuit

Номер патента: MA43370B1. Автор: Eng Seng Ng,Sze Yong Pang. Владелец: Eng Seng Ng. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor integrated circuit having standard and custom circuit regions

Номер патента: US6037666A. Автор: Kazuhisa Tajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Assembly and method for constructing a multi-die integrated circuit

Номер патента: US6404648B1. Автор: James P. Slupe,Timothy V. Harper. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-06-11.

Apparatus, system, and method for mitigating warpage of lidless integrated circuits during reflow processes

Номер патента: US10242941B1. Автор: Peng Su,Gautam Ganguly,Marc D. Hartranft,Helen L. Turner,Guhan Subbarayan. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Apparatus and method for detecting spot defects in integrated circuits

Номер патента: EP0281227B1. Автор: Michael E. Thomas,Wojciech Maly. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-05-06.

System and method for array diagnostics in superconducting integrated circuit

Номер патента: US10222416B1. Автор: Jie Ren,Amol Inamdar,Denis Amparo. Владелец: Hypres Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for forming field effect transistor integrated circuits having a pattern of narrow dimensioned dielectric regions and resulting structures

Номер патента: DE3175618D1. Автор: Ingrid Emese Magdo,Shakir Ahmed Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-01-02.

Structures and methods for improved capacitor cells in integrated circuits

Номер патента: US6590246B1. Автор: Vishnu K. Agarwal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-08.

Method for producing interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US8252659B2. Автор: Cedric Huyghebaert,Jan Van Olmen,Jan Vaes. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-08-28.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US11342243B2. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

A method for fabricating a dielectric-isolated integrated circuit device

Номер патента: EP0145573B1. Автор: Hirokazu Tanaka,Akira Tabata,Tamotsu Ishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-06-19.

Probing test method for probe card and semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100328408B1. Автор: 도모미 모모하라. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-07-06.

Methods for fabricating an electrically correct integrated circuit

Номер патента: CN102629285B. Автор: R·托帕罗格鲁. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits

Номер патента: EP0379289A2. Автор: Roger J. Stierman,Robert J. Lessard. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-07-25.

Apparatus and method for reducing pitch in an integrated circuit

Номер патента: US20100133705A1. Автор: Richard Joseph Saia,Paul Alan McConnelee,Raymond Albert Fillion,Kevin M. Durocher. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2010-06-03.

Method for optimizing transistor performance in integrated circuits by diffusion sharing across cell boundaries

Номер патента: WO2006090124A3. Автор: Peter William Hughes,Trevor Kenneth Monk,Shannon Vance Morton. Владелец: Shannon Vance Morton. Дата публикации: 2006-10-12.

System and method for reducing voltage drops in integrated circuits

Номер патента: US20060192297A1. Автор: Matthew Kaufmann,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Contact over active gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11031487B2. Автор: Tahir Ghani,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Atul Madhavan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for making high-performance rf integrated circuits

Номер патента: US20110175195A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: CA3174254A1. Автор: Adrian Van Wijk,Nikolas Radosevic (Deceased). Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Systems and methods for adapting test tooling to integrated circuit devices with whirlwind cooling plates

Номер патента: KR102438150B1. Автор: 나세르 바라비,치 와 호,조벤 알. 티엔조,옥사나 크리야첵,엘레나 브이. 나자로브. Владелец: 에세, 아이엔씨.. Дата публикации: 2022-08-29.

Integrated circuit structures with channel cap reduction

Номер патента: US20240105771A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11948997B2. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit structures with gate volume reduction

Номер патента: US20240105801A1. Автор: Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20230352561A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11887838B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11837456B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11881520B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis Ward,Heidi M. MEYER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated circuit structures with trench contact depopulation structure

Номер патента: US20240105803A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Saurabh Acharya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods of adding pads and one or more interconnect layers to the passivated topside of a wafer including connections to at least a portion of the integrated circuit pads thereon

Номер патента: US8476630B2. Автор: Morgan T. Johnson. Владелец: Advanced Inquiry Systems Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11955534B2. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Devices and methods for heat dissipation of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20210125890A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Sa-Lly Liu,Yung-Chow Peng,Chung-Peng Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A4. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-08-03.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961838B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961767B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240038578A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240047556A1. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: US20240145568A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing micromechanical components in integrated circuits and arrangement of a semiconductor on a substrate

Номер патента: US20070085192A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Integrated circuit packaging system with terminals and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130249077A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US11742410B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240162332A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A3. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240178071A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods of adding pads and one or more interconnect layers to the passivated topside of a wafer including connections to at least a portion of the integrated circuit pads thereon

Номер патента: US20130337587A1. Автор: Morgan T. Johnson. Владелец: Advanced Inquiry Systems Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Electronic-photonic integrated circuit based on silicon photonics technology

Номер патента: US20220091332A1. Автор: Heuk Park,Jyung Chan Lee,Joon Ki Lee,Sanghwa YOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-03-24.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105520A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of adding pads and one or more interconnect layers to the passivated topside of a wafer including connections to at least a portion of the integrated circuit pads thereon

Номер патента: US20120156811A1. Автор: Morgan T. Johnson. Владелец: Advanced Inquiry Systems Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Integrated circuit packaging system with support structure and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120319262A1. Автор: Rui Huang,Heap Hoe Kuan,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12016170B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: SG11201602186VA. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Magnetically sealed multichip integrated circuit package

Номер патента: US4661886A. Автор: John A. Nelson,Dale L. Robinson. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1987-04-28.

On board integrated circuit chip signal source

Номер патента: CA1123523A. Автор: James J. Kubinec. Владелец: James J. Kubinec. Дата публикации: 1982-05-11.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220223717A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Optical interconnections for integrated circuits

Номер патента: US4835595A. Автор: Kazuji Yamada,Shigeru Oho,Shigeki Tsuchitani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-05-30.

METHOD FOR MANUFACTURING A PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT OPTICALLY COUPLED TO A LASER IN A MATERIAN III-V

Номер патента: FR3024910A1. Автор: Alain Chantre,Sebastien Cremer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-02-19.

System and method for distributed beamforming

Номер патента: EP4252357A1. Автор: Vladimir Glavac,Jaafar Cherkaoui,Amir OSSEIRAN. Владелец: MacDonald Dettwiler and Associates Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Integrated circuit testing assembly and method

Номер патента: US5680057A. Автор: Kenneth W. Johnson. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1997-10-21.

Integrated circuit comprising an organic semiconductor, and method for the production of an integrated circuit

Номер патента: KR20060087533A. Автор: 마르쿠스 하리크,하겐 클라우크,안드레아스 월터,귄터 슈미드,우테 제스치스창. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2006-08-02.

Integrated circuit comprising an organic semiconductor, and method for the production of an integrated circuit

Номер патента: WO2005023940A2. Автор: Günter Schmid,Andreas Walter,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-17.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Integrated circuit thermal management system

Номер патента: US11889661B2. Автор: Eric E. Wilson,John Joseph Costello,Richard Joseph Skertic. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit thermal management system

Номер патента: US20220087068A1. Автор: Eric E. Wilson,John Joseph Costello,Richard Joseph Skertic. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Multi-channel transceiver with laser array and photonic integrated circuit

Номер патента: US20180359033A1. Автор: Xiaojie Xu,Mark Donovan. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits

Номер патента: US7195939B2. Автор: Philip D. Floyd,Christopher L. Chua,Decai Sun,Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Secured integrated circuit connector

Номер патента: CA2935715C. Автор: Stephane Pavageau. Владелец: Banks and Acquirers International Holding SAS. Дата публикации: 2023-09-19.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatus and methods for electronic testing using beamforming integrated circuits as impedance tuners

Номер патента: US20240275500A1. Автор: Islam A. ESHRAH. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US20230251310A1. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-08-10.

System and method for independent power sequencing of integrated circuits

Номер патента: AU5779700A. Автор: Agnes N. Woo. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2001-01-31.

Method for provisioning an embedded universal integrated circuit entity within an electronic device

Номер патента: EP3205065A1. Автор: Thorsten Sinning,Sven Krey. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2017-08-16.

Integrated Circuit and Data Processing Method for Enhancing Security of the Integrated Circuit

Номер патента: US20200021437A1. Автор: Hsin-Chou Liu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

A method for configuring a reconfigurable photonic integrated circuit

Номер патента: EP4322072A1. Автор: Michiel DE GOEDE,Benjamin Willem KASSENBERG,Hendrik Joannes SNIJDERS,Caterina TABALLIONE,Jelmer Jan RENEMA,Pim VENDERBOSCH. Владелец: Quix Quantum BV. Дата публикации: 2024-02-14.

Charger integrated circuit for charging battery device and electronic device including the charger integrated circuit

Номер патента: US12034321B2. Автор: Sung-woo Lee,Hyoung-Seok Oh,Jung-Wook HEO,Sang-Bin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

System and method for power gating of an integrated circuit

Номер патента: US7568177B1. Автор: Richard Chou,Ankur Gupta,Tobing Soebroto,Hendy Kosasih. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2009-07-28.

System and method for parallel real-time photonic integrated circuit (PIC) optical phased array calibration and ultraviolet laser micro-ring wavelength offset trimming

Номер патента: US11888515B1. Автор: Stephen P. Palese. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-30.

A method for configuring a reconfigurable photonic integrated circuit

Номер патента: GB2621182A. Автор: De Goede Michiel,Willem Kassenberg Benjamin,Joannes Snijders Hendrik,Taballione Caterina,Jan Renema Jelmer,Venderbosch Pim. Владелец: Quix Quantum BV. Дата публикации: 2024-02-07.

System and method for parallel real-time photonic integrated circuit (pic) optical phased array calibration and ultraviolet laser micro-ring wavelength offset trimming

Номер патента: US20240022324A1. Автор: Stephen P. Palese. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-18.

System and method for design and implementation of integrated-circuit digital filters

Номер патента: WO2006014214A3. Автор: Dennis Best,Robert Silco. Владелец: Quickfilter Technologies, Inc.. Дата публикации: 2011-08-11.

System and method for design and implementation of integrated-circuit digital filters

Номер патента: WO2006014214A2. Автор: Dennis Best,Robert Silco. Владелец: Quickfilter Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-02-09.

System and method for design and implementation of integrated-circuit digital filters

Номер патента: EP1763785A2. Автор: Dennis Best,Robert Silco. Владелец: QUICKFILTER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: US20240160545A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method for detecting processing speed of integrated circuit

Номер патента: US7236033B2. Автор: Ying Jyh Yeh,Chung Yin Fang. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2007-06-26.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: EP4372596A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US11879939B2. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Charger integrated circuit for charging battery device and electronic device including the charger integrated circuit

Номер патента: US20220294234A1. Автор: Sung-woo Lee,Hyoung-Seok Oh,Jung-Wook HEO,Sang-Bin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7394304B2. Автор: Masao Hamada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060244509A1. Автор: Masao Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

Systems and methods for scan test access using bond pad test access circuits

Номер патента: US20050039097A1. Автор: Amar Guettaf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Apparatus and method for smart vcc trip point design for testability

Номер патента: US20150054554A1. Автор: ONG Mee-Choo,Teoh Boon-Weng,Hor Ching-Kooi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-02-26.

Systems and methods for configuring modular air quality sensing capabilities

Номер патента: US20240003860A1. Автор: Peng Seng Tan,Gaurav Satish Shewalkar. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-01-04.

Systems and methods for configuring modular air quality sensing capabilities

Номер патента: EP4256322A1. Автор: Peng Seng Tan,Gaurav Satish Shewalkar. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-10-11.

Load-dependent frequency modulation circuit and method for switching power system

Номер патента: US20020027428A1. Автор: Wang Jung. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

INTERNET OF THINGS (IOT) DEVICE AND METHOD FOR MANAGING PROVISIONING OF ONE OR MORE UNIVERSAL INTEGRATED CIRCUIT CARDS (UICCs)

Номер патента: US20240205665A1. Автор: Byron Rojas. Владелец: Easymetering LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for data transmission and circuit arrangement thereof

Номер патента: US11914534B2. Автор: Patrick Moser. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for data transmission and circuit arrangement thereof

Номер патента: US20220043763A1. Автор: Patrick Moser. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2022-02-10.

Circuits And Methods For Tampering Detection

Номер патента: US20240220671A1. Автор: Atul Maheshwari,Teik Wah Lim,Michael Neve de Mevergnies,Maggie Jauregui,Chandni Bhowmik. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Ic card and method for controlling ic card

Номер патента: SG10201801705UA. Автор: SAWAMURA Satoshi. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Current sensing circuit with integrated resistor and switch matrix

Номер патента: US12040758B2. Автор: Mark Rutherford,Ryan Desrosiers,Jay Ackerman. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Parameter control method for integrated circuit and integrated circuit using the same

Номер патента: US9490816B2. Автор: Tso-Min Chen,Rong-Jie Tu. Владелец: Eosmem Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Parameter control method for integrated circuit and integrated circuit using the same

Номер патента: US20160156359A1. Автор: Tso-Min Chen,Rong-Jie Tu. Владелец: Noveltek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for surface mounting of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR970008850B1. Автор: Won-Kyu Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-05-29.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Electronic system having a chip integrated power-on reset circuit with glitch sensor

Номер патента: US6085342A. Автор: Torbjörn Gärdenfors,Bojko Marholev,Christian Bjork. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-04.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Method for the personalization of integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20190306697A1. Автор: Amedeo Veneroso,Pasquale Vastano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for preventing transients during switching processes in integrated switching circuits, and an integrated switching circuit

Номер патента: US20050062516A1. Автор: Christian Kranz,Ulrich Boetzel,Michael Warmers,Markus Hammes,Andre Neubauer,Frank Gersemsky,Rüdiger Lorenz,Bernd Schmandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: WO2000051379A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-31.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Distribution of signals throughout a spine of an integrated circuit

Номер патента: US7292062B2. Автор: II Jon Stanley Berry. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Automated detection of a significantly bent lead of a plurality of leads on an integrated circuit package

Номер патента: US6121887A. Автор: Sa-Nguan Boochakorn. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Current sensing circuit with integrated resistor and switch matrix

Номер патента: US20240007063A1. Автор: Mark Rutherford,Ryan Desrosiers,Jay Ackerman. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuits with interconnect selection circuitry

Номер патента: US8854080B1. Автор: Irfan Rahim,Michael D. Hutton. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Provisioning an embedded universal integrated circuit entity within an electronic device

Номер патента: US20170311152A1. Автор: Thorsten Sinning,Sven Krey. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2017-10-26.

METHOD FOR MANAGING IDENTIFIERS IN AN INTEGRATED CIRCUIT BOARD AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT BOARD

Номер патента: FR2997205A1. Автор: Raphael Geslain,Cyrille Pepin,Francois Lecocq. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2014-04-25.

Automatic self-activation of universal integrated circuit card

Номер патента: US20190327610A1. Автор: Rajavelsamy Rajadurai,Suresh Chitturi,Duckey Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Buffer amplifier circuit suitable for manufacture in monolithic integrated circuit form

Номер патента: GB2000930A. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1979-01-17.

Method for designing a digital integrated circuit chip, computer-readable storage medium, method for optimizing an application specific integrated circuit, method for optimizing a digital design, ASIC cell library for use in creation of custom integrated

Номер патента: TWI233175B. Автор: Sterling R Whitaker,Eric G Cameron,Gregory W Donohoe,Jody W Gambles,Lowell H Miles. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2005-05-21.

Circuits and methods for alignment of signals in integrated circuits

Номер патента: US20050001664A1. Автор: Inder Sodhi,Kedar Mangrulkar,Tanveer Khondker,Vijay Vuppaladadium,Venkatesh Prasanna,Miguel Corvacho,Nakul Arora. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for implementing circuit design for integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20130055189A1. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Kazutaka IKEGAMI,Masato Oda,Tetsufumi Tanamoto,Kumiko Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Sensing system, method for obtaining working clock signal, integrated circuit, radio device, and device

Номер патента: US20240015001A1. Автор: Tao Gong,Wenting Zhou,Yafei Shi,Fazhi AN. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated circuit with physically unclonable function robust to machine learning attacks

Номер патента: US20230224172A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-07-13.

HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR MAKING HIGH-SPEED, FLEXIBLE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130229776A1. Автор: Ma Zhenqiang,Qin Guoxuan,Cho Namki. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-09-05.

Integrated Circuit and Data Processing Method for Enhancing Security of the Integrated Circuit

Номер патента: US20200021437A1. Автор: Liu Hsin-Chou. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Method for Managing Identifiers in an Integrated Circuit Board and Corresponding Integrated Circuit Board

Номер патента: US20150288686A1. Автор: Lecocq Francois,Pepin Cyrille,Geslain Raphaël. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Circuit and method for minimizing power consumption in integrated circuit devices

Номер патента: JP5123401B2. Автор: ラッカプラガダ，シャンカール,リーン，スコット・テ−シェン,ジャン，テツェ,ジェンキンス，ジェシー・エイチ，ザ・フォース,ン，マーク・メン・ボン. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-01-23.

Static digital data protecting method for electronic circuit i.e. integrated circuit, involves converting data to dynamic data flow by feedback registers, transmitting data flow to element, and decoding flow by another register

Номер патента: FR2910998A1. Автор: Stephane Chesnais,Loic Bonizec. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-07-04.

CIRCUIT AND METHOD FOR REDUCING TRANSIENT NOISE IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: FR2613888A1. Автор: Kenneth Wisheng Ouyang,Timothy Glen O'shaughnessy,Victor Guy Pierotti. Владелец: Western Digital Corp. Дата публикации: 1988-10-14.

Charge pump circuit, method for controlling same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: CN102640405B. Автор: 小泉佳彦,浜田刚志. Владелец: Asahi Kasei EMD Corp. Дата публикации: 2014-10-01.

METHOD FOR MANAGING IDENTIFIERS IN AN INTEGRATED CIRCUIT BOARD AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT BOARD

Номер патента: FR2997205B1. Автор: Raphael Geslain,Cyrille Pepin,Francois Lecocq. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2014-10-31.

Operation mode setting apparatus, semiconductor integrated circuit with the same and method of controlling the semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100863016B1. Автор: 심석보. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-13.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US20230051610A1. Автор: Yoshinori Kobayashi,Hiroaki Matsumoto,Masayuki Yamadaya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Integrated circuit and method for the operation of an integrated circuit

Номер патента: WO2007045202A1. Автор: Georg Georgakos,Christian Pacha,Doris Schmitt-Landsiedel,Stephan Henzler,Jörg Berthold,Matthias Eireiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: MY115272A. Автор: Kiyoshi Imai,Seiichi Taguchi,Toshiaki Tsuji,Taku Takada. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-31.

Integrated Circuit Provisioning Using Physical Unclonable Function

Номер патента: EP2874135A3. Автор: Heyun Zheng,Paul D. Ducharme. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2015-05-27.

Radio-frequency module and a communication device that can suppress degradation of characteristics of electrical circuits formed at an integrated circuit

Номер патента: US11784669B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Power-up based integrated circuit configuration

Номер патента: WO2017180779A2. Автор: James E. Bartling,Bryan Kris. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-19.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10306099B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Circuit board having an integrated circuit for high-speed data processing

Номер патента: US20030147222A1. Автор: Paul Lindt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-07.

Processing apparatus, semiconductor integrated circuit, and status monitoring method

Номер патента: US20200302069A1. Автор: Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180167531A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated photonic integrated circuit (pic) and readout integrated circuit (roic) for high-speed data output from focal plane array

Номер патента: WO2024112367A2. Автор: George T. Paloczi,Justin G. A. Wehner,Shelly J. Mechery. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit device that includes a secure element and a wireless component for transmitting protected data over short range wireless point-to-point communications

Номер патента: US10359957B2. Автор: William Ho Chang,Vinaynathan Viswanathan. Владелец: Flexiworld Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Method and device of testing a semiconductor integrated circuit chip in which a voltage across the semiconductor integrated circuit chip is detected while an ultrasonic wave beam is projected thereon

Номер патента: US6084423A. Автор: Kiyoshi Nikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of setting the polarity of a digital signal, and integrated circuits implementing the method

Номер патента: US5648737A. Автор: Vianney Andrieu. Владелец: Alcatel Radiotelephone SA. Дата публикации: 1997-07-15.

Multiplexing connection between a key board and an integrated circuit device

Номер патента: US3834616A. Автор: I Washizuka,M Kaumae. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1974-09-10.

Near field communication integrated circuit and wireless communication device including the same

Номер патента: US11990767B2. Автор: Young-Seok Kim,Seok-hyun Kim,In-Hyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit device timing calibration

Номер патента: EP2580755A1. Автор: Brian S. Leibowitz,Yohan U. Frans,Akash Bansal,Kyung Suk Oh. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2013-04-17.

Interleaving scheme for increasing operating efficiency during high current events on an integrated circuit

Номер патента: US20190044514A1. Автор: Guang Chen,Jun Pin Tan,Archanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

METHOD FOR RE-CENTERING A VCO, INTEGRATED CIRCUIT AND WIRELESS DEVICE

Номер патента: US20160065225A1. Автор: Yin Yi,Goumballa Birama,PAVAO-MOREIRA CRISTIAN. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150070049A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20140187170A1. Автор: Forstner Hans Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

APPARATUS AND METHOD FOR DYNAMIC THERMAL MANAGEMENT OF INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170111988A1. Автор: WANG Wei-Ting,Pan Yingshiuan,LIN Kang-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

System and Method for Managing Pipelines in Reconfigurable Integrated Circuit Architectures

Номер патента: US20160149580A1. Автор: Nousias Ioannis,Khawam Sami,Muir Mark Ian Roy. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR RECEIVING A RADIO SIGNAL, INTEGRATED CIRCUIT IMPLEMENTING SUCH A DEVICE

Номер патента: US20200144980A1. Автор: LAURY Cyril. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Apparatus and Method for Controlling Transaction Flow in Integrated Circuits

Номер патента: US20140241376A1. Автор: Balkan Deniz,Saund Gurjeet S,Fukami Munetoshi,Wong Kevin C. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-08-28.

METHODS FOR COORDINATED SIGNAL RECEPTION ACROSS INTEGRATED CIRCUIT BOUNDARIES

Номер патента: US20140242925A1. Автор: Chaudhary Madhusudan,Mujtaba Syed A.,Elangovan Thanigaivelu,Anantharaman Karthik,Dou Weiping,Mahe Isabel G.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-08-28.

APPARATUS AND METHODS FOR DETECTING INVASIVE ATTACKS WITHIN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20210216626A1. Автор: LEE Yongki,Noh Mijung,PARK Jieun,KARPINSKYY Bohdan,Lee Juyeon. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING CHARGING CIRCUIT AND FLASH DRIVER, METHODS OF OPERATING THE INTEGRATED CIRCUITS, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200241390A1. Автор: KIM Dong-Joon,Lee Chang-Geun,Kwon Min-kyu,Cho Sang-uk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190245539A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Apparatus and methods for locked quantum communicationusing photonic integrated circuits

Номер патента: US20170293082A1. Автор: Dirk Robert Englund,Jacob C. Mower,Seth Lloyd,Jelena NOTAROS,Mikkel HEUCK,Cosmo LUPO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-12.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150341033A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160359486A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170353187A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

APPARATUS AND METHODS FOR LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Laurent Christophe Vincent Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING SECURITY TO AN INTEGRATED CIRCUIT IN AN ENDPOINT DEVICE USING A DYNAMIC SECURITY ARCHITECTURE ENVIRONMENT (DSAE)

Номер патента: US20190364071A1. Автор: VARGAS Anthony Joseph,SHARPE Christopher Robert. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Apparatus and method for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100925389B1. Автор: 전병득. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-09.

Apparatus and method for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR20090107828A. Автор: 전병득. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-14.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR RECEIVING A RADIOELECTRIC SIGNAL, INTEGRATED CIRCUIT IMPLEMENTING SUCH A DEVICE

Номер патента: FR3088157A1. Автор: Cyril Laury. Владелец: Parrot Faurecia Automotive SAS. Дата публикации: 2020-05-08.

SELF-CALIBRATION METHOD FOR CAPACITORS IN A MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2591753B1. Автор: David R Welland,Michael Callahan Jr. Владелец: Crystal Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-09-15.

Device and method for testing capacitor array in integrated circuit

Номер патента: CN1598603B. Автор: E·瓦格纳,G·里普马,D·普哈姆-斯特纳. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-05-26.

System and method for controlling current in an integrated circuit

Номер патента: US6826730B2. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-30.

System and method for controlling current in an integrated circuit

Номер патента: US20010047506A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Houston Theodore W.. Дата публикации: 2001-11-29.

Nonvolatile logic circuit, integrated circuit including the nonvolatile logic circuit, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: JP5707102B2. Автор: 鎬正 金,順愛 徐,申　在光,在光 申,徐　順愛. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-22.

Method for protecting a reconfigurable digital integrated circuit against reversible errors

Номер патента: US20230051943A1. Автор: Yann Oster. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-02-16.

Integrated circuit for wireless charging and operating method thereof

Номер патента: US9231431B2. Автор: Kyung-Woo Lee,Se-Ho Park,Yu-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Integrated circuit that performs multiple communication tasks

Номер патента: US5621800A. Автор: Donald C. Anderson,Chia-Shiann Weng,Walter U. Kuenast,Paul M. Astrachan,Peter C. Curtis,Jose G. Corleto. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Method for clock synchronization validation in integrated circuit design

Номер патента: US7506292B2. Автор: Mohamed Shaker Sarwary,Mohammad Movahed Ezazi,Bernard Murphy. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Methods for providing a response to a scp80 command requesting the execution of a proactive command, related universal integrated circuit card, mobile device, server and computer program product

Номер патента: EP3241375B1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-24.

System and method for regulating loading on an integrated circuit power supply

Номер патента: US8339102B2. Автор: Alexander Kushnarenko,Ifat Nitzan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2012-12-25.

System and method for managing pipelines in reconfigurable integrated circuit architectures

Номер патента: WO2016085679A1. Автор: Mark Ian Roy Muir,Sami Khawam,Ioannis Nousias. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-02.

Photolithography method for fabricating object e.g. integrated circuit, involves subtracting surface energy integration from total energy quantity required for photoengraving process, to find remaining energy quantity

Номер патента: FR2859545A1. Автор: Pierre Yves Thro,Charlie Vacher,Philippe Cormont. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2005-03-11.

Methods for coordinated signal reception across integrated circuit boundaries

Номер патента: WO2012097332A3. Автор: Madhusudan CHAUDHARY,Karthik Anantharaman,Thanigaivelu Elangovan,Weiping Dou,Syed A. Mujtaba,Isabel G. Mahe. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Apparatus and method for preventing snap back in integrated circuits

Номер патента: CN101409547A. Автор: 王立琦,克里斯·李,菲利普·额,曾赛凯,孙晋书. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Systems and methods for detecting interference in an integrated circuit

Номер патента: US20110121865A1. Автор: Alfredo Olmos,Ricardo Maltione,Eduardo Riberiro da Silva. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-05-26.

Oversampling fir filter, method for controlling the same, semiconductor integrated circuit having the same, and communication system for transmitting data filtered by the same

Номер патента: KR100648538B1. Автор: 구로이와고이치,다니구치쇼지,가나수기마사미,히키타마히로. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-11-24.

System and method for reducing ground bounce in integrated circuit output buffers

Номер патента: JP3431151B2. Автор: ホ ダイ トロング，. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-28.

Method for re-centering a VCO, integrated circuit and wireless device

Номер патента: US9515666B2. Автор: Yi Yin,Birama GOUMBALLA,Cristian Pavao-Moreira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

System and method for secure online payment using integrated circuit card

Номер патента: WO2016118087A1. Автор: GUOHUA Sun. Владелец: JING KING TECH HOLDINGS PTE. LTD.. Дата публикации: 2016-07-28.

Electronic device and method for receiving a radio signal, integrated circuit implementing such a device

Номер патента: EP3651369B1. Автор: Cyril Laury. Владелец: Parrot Faurecia Automotive SAS. Дата публикации: 2023-08-16.

Programmable photonic-electronic integrated circuit for optical testing

Номер патента: US20180234177A1. Автор: Peng Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

A method for configuring a reconfigurable photonic integrated circuit

Номер патента: GB202211473D0. Автор: . Владелец: Quix Quantum BV. Дата публикации: 2022-09-21.

Integrated circuit, mobile phone and display

Номер патента: US20200357328A1. Автор: Li Lin,Hui Zhu,Siming HU,Tingting ZHANG,Yanqin SONG. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Device and method for monitoring functional saffety in integrated circuits (ics)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: Radha Krishna Moorthy Sadhu. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A3. Автор: C Trevor Bowen. Владелец: C Trevor Bowen. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for non-destructive diagnostics of integrated circuits

Номер патента: RU2743708C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин,Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-02-24.

Deterministic system and method for generating wiring layouts for integrated circuits

Номер патента: WO2008022247A2. Автор: C. Trevor Bowen. Владелец: ADTRAN, INC.. Дата публикации: 2008-02-21.

Display substrate and method for repairing lead of driver integrated circuit

Номер патента: US20150212379A1. Автор: HUI Wang,Long Xia. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Apparatus, system, and method for automatically resetting an inter-integrated circuit bus

Номер патента: US20080177917A1. Автор: Donald Scott Smith,Brian James Cagno,Kenny Nian Gau Qiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Apparatus and method for demounting and mounting an integrated circuit

Номер патента: US20060005378A1. Автор: Yeh Chan. Владелец: Arima Display Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Clock Distribution Network, Structure, And Method For Providing Balanced Loading In Integrated Circuit Clock Trees

Номер патента: US20080148204A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Sebastian T. Ventrone,Serafino Bueti,Pradeep Thiagarajan,Hayden C. Cranford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Clock Distribution Network, Structure, And Method For Providing Balanced Loading In Integrated Circuit Clock Trees

Номер патента: US20080143416A1. Автор: Joseph A. Iadanza,Sebastian T. Ventrone,Serafino Bueti,Pradeep Thiagarajan,Hayden C. Cranford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for optimizing light source in integrated circuit manufacturing and electronic device

Номер патента: US20230288816A1. Автор: GE Yan,Ming Ding. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Apparatus and method for reducing leakage currents of integrated circuits having at least one transistor

Номер патента: US7477552B2. Автор: Josef Haid,Bernd Zimek,Thomas Kuenemund,Thomas Leutgeb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-13.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US7595205B2. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Method for reducing switching activity during a scan operation with limited impact on the test coverage of an integrated circuit

Номер патента: US20030182604A1. Автор: David Hathaway,Brion Keller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US20150302135A1. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for trading and trial running integrated circuit design code

Номер патента: US20120303473A1. Автор: Chia-Fen Huang,Yu-Ju Yeh,Chiao-Leng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Built-in self-test system and method for self test of an integrated circuit

Номер патента: US5515383A. Автор: Mehdi Katoozi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1996-05-07.

System for optimizing buffers in integrated circuit design timing fixes

Номер патента: US20040261046A1. Автор: Umesh Nair. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: WO1999044752A3. Автор: Troy A Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-21.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: EP1060027A2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: US20010002461A1. Автор: Troy Manning. Владелец: Manning Troy A.. Дата публикации: 2001-05-31.

Method for analyzing design of an integrated circuit

Номер патента: US10592632B2. Автор: Jae Uk Lee,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-17.

Method for Analyzing Design of an Integrated Circuit

Номер патента: US20180307792A1. Автор: Jae Uk Lee,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-10-25.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US6504754B2. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Method for arranging modules in an integrated circuit

Номер патента: US5206815A. Автор: Shawn M. Purcell. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-04-27.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: EP4239480A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-06.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: US20230280909A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for analyzing electromigration (em) in integrated circuit

Номер патента: US20210209278A1. Автор: Chin-Shen LIN,Ming-Hsien Lin,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket

Номер патента: US20150309114A1. Автор: Nasser Barabi,Chee Wah Ho,Joven R. Tienzo,Oksana Kryachek,Elena V. Nazarov. Владелец: Essai Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Systems and methods for creating block constraints in integrated circuit designs

Номер патента: US20170286587A1. Автор: Ilan Cohen,Alon Dvir,Uzi Magini,Inbar Neeman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for design and layout of integrated circuits

Номер патента: WO2002003266A3. Автор: Gerd Frankowsky. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for physical placement of an integrated circuit based on timing constraints

Номер патента: US20070055952A1. Автор: Stephen Cadieux. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-08.

Integrated Circuit, Memory Cell Array, Memory Module, and Method of Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20090273966A1. Автор: Rainer Leuschner,Ulrich Klostermann,Dietmar Gogl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Resistive capacitance determination method for multiple-patterning-multiple spacer integrated circuit layout

Номер патента: US20150205905A1. Автор: Chia-Ming Ho,Hsiu-Wen Hsueh,jun-fu Huang,Shao-Heng Chou,Y. Chen C. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

System and method for verification and validation of integrated circuit

Номер патента: US20240169512A1. Автор: Adam KIMURA,Adam R. Waite,Vince A. McKinsey. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Resistive capacitance determination method for multiple-patterning-multiple spacer integrated circuit layout

Номер патента: US20160103948A1. Автор: Chia-Ming Ho,Hsiu-Wen Hsueh,jun-fu Huang,Shao-Heng Chou,C. Y. (Chia-Yi) CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for programming secure data into integrated circuits

Номер патента: WO2008020840A3. Автор: Amit Gordhanbhai Babaria,Kevin Dale Bittick,Dennis Harold Burke Jr,Chen-Yi Shannon Us Su. Владелец: Chen-Yi Shannon Us Su. Дата публикации: 2009-04-16.

System and method for implementing neural networks in integrated circuits

Номер патента: US11586908B1. Автор: Christopher H. Dick,Albert T. Gural,Sambhav R. Jain. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-02-21.

Apparatus and method for in-system programming of integrated circuits containing programmable elements

Номер патента: US6134707A. Автор: Alan L. Herrmann,Timothy J. Southgate. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Programmable integrated circuit, calculation system, bit string generating device, control method of programmable integrated circuit, and bit string generation method

Номер патента: US20190087523A1. Автор: Kazuki Inoue,Kohei Oikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Display driving method, display driver integrated circuit for supporting the same, electronic device including the display driver integrated circuit

Номер патента: EP3455846A1. Автор: Dong Kyoon Han,Jong Kon Bae,Dong Hwy KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-20.

Display driving method, display driver integrated circuit for supporting the same, electronic device including the display driver integrated circuit

Номер патента: WO2018026173A1. Автор: Dong Kyoon Han,Jong Kon Bae,Dong Hwy KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for designing and making integrated circuits with consideration of wiring demand ratio

Номер патента: US8875081B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Wai-Kei Mak,Ren-Song Tsay,Tung-Chieh Chen. Владелец: Synopsys Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Reduced power consumption in integrated circuits with fuse controlled redundant circuits

Номер патента: WO2005017913A1. Автор: Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Method and System for Designing Fan-out Nets Connecting a Signal Source and Plurality of Active Net Elements in an Integrated Circuit

Номер патента: US20080059933A1. Автор: Juergen Koehl,Markus Buehler,Markus Olbrich,Philipp Panitz,Erich Barke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Characterization of lithographic process variation for manufacturing process calibration using importance sampling

Номер патента: WO2024181968A1. Автор: Azat Latypov,Chih-I Wei,Germain Louis Fenger,Zexin Pan. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US7408375B2. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2008-08-05.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US20070159206A1. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US7199601B2. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2007-04-03.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US20050218924A1. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for monitoring and adjusting circuit performance

Номер патента: EP2201396A1. Автор: Anand Dixit,Raymond A. Heald,Steven R. Boyle. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2010-06-30.

Method for monitoring and adjusting circuit performance

Номер патента: WO2009042678A1. Автор: Anand Dixit,Raymond A. Heald,Steven R. Boyle. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2009-04-02.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Integrated circuit, and method for transferring data

Номер патента: US20090196110A1. Автор: Konrad Seidel,Mario Wallisch,Reinhard Ronneberger. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2009-08-06.

Systems and methods for optimal trim calibrations in integrated circuits

Номер патента: WO2017106830A1. Автор: Partha Ghosh,Rubin Ajit Parekhji,Pankaj BONGALE. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-06-22.

System and method for reducing temperature variation during burn in

Номер патента: WO2005085884A9. Автор: DAVID H HOFFMAN,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: Eric Chien-Li Sheng. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for frame memory access and display driver using the same

Номер патента: US8390637B2. Автор: Shih Chuan Huang,Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

System and method for integrated circuit design and implementation using mixed cell libraries

Номер патента: US20140019932A1. Автор: William R. Griesbach,Clayton E. Schneider, Jr.. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for frame memory access and display driver using the same

Номер патента: US20100123730A1. Автор: Shih Chuan Huang,Szu-Mien WANG,Dan-Chi Yang. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

System and Method for Manipulating Security of Integrated Circuit Layout

Номер патента: US20130298262A1. Автор: Yi-Jen Su,Ying-Sung Huang. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Device and method for implementing live migration

Номер патента: US12067234B2. Автор: Xiaofu Meng,Haibo Lu. Владелец: Cambricon Xian Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Optical network device and method for packaging optical network device

Номер патента: US20230341630A1. Автор: Mao-Jen Wu,Jun-Rong Chen,Jenq-Yang Chang,Po-Kuan Shen,Chun-Chiang Yen,Sheng-Fu LIN,Yi-Ting LU. Владелец: Authenx Inc USA. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for shielding logic signals

Номер патента: US20020046390A1. Автор: Robert Walsh,Olivia Wu,Kristian Miller,Joseph Ferguson. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

System and method for high speed integrated circuit device testing utilizing a lower speed test environment

Номер патента: US20020135393A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Scan stream sequencing for testing integrated circuits

Номер патента: US20040255212A1. Автор: Burnell West,Jamie Cullen. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Scan stream sequencing for testing integrated circuits

Номер патента: US7454678B2. Автор: Burnell G. West,Jamie S. Cullen. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Method or providing a customer with increased integrated circuit performance

Номер патента: WO2008005081A2. Автор: William T. Edwards,Daryl G. Sartain. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2008-01-10.

A method for an acquisition of data from external digital sensors with an rfid smart tag and a tag integrated circuit for carrying out said method

Номер патента: EP2740079A1. Автор: Vinko Kunc,Kosta Kovacic,Anton Pletersek. Владелец: AMS R & D Analogni Polprevodniki d o o. Дата публикации: 2014-06-11.

Testing of integrated circuits during at-speed mode of operation

Номер патента: US20200132763A1. Автор: Srivaths Ravi,Khushboo Agarwal,Wilson Pradeep,Rajesh Kumar Tiwari,Raashid Moin Shaikh,Sanjay Krishna Hulical Vijayaraghavachar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Computing validation coverage of integrated circuit model

Номер патента: US20130055179A1. Автор: LIANG Chen,Bo Fan,Yongfeng Pan,Fan S.H. Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

A method for an acquisition of data from external digital sensors with an rfid smart tag and a tag integrated circuit for carrying out said method

Номер патента: EP2740079B1. Автор: Vinko Kunc,Kosta Kovacic,Anton Pletersek. Владелец: AMS R & D Analogni Polprevodniki d o o. Дата публикации: 2015-07-22.

Systems and methods for correcting data errors in memory

Номер патента: US11755410B2. Автор: C. Y. Wang,Yi-Chun Shih,Yu-Der Chih,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Fail-safe circuit for dynamic smartpower integrated circuits

Номер патента: US20030132976A1. Автор: William Hawkins,Yungran Choi,Christopher Morton,Juan Becerra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for creating patterns for producing integrated circuits

Номер патента: EP1644855A4. Автор: Kenji Yoshida,Aki Fujimura,Robert C Pack,Yoshikuni Abe,Louis K Sheffer. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US11841619B2. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US20210373443A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US20200174380A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for mask data synthesis with wafer target adjustment

Номер патента: US20240061344A1. Автор: Hsu-Ting Huang,Chin-Hsiang Lin,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Jue-Chin Yu,Tung-Chin Wu,Shih-Hsiang Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Auto-addressing method for series circuit and auto-detecting method for detecting the number of circuits connected in series

Номер патента: US20090267875A1. Автор: Lee-Chun Guo,Ming-Hsun Sung. Владелец: ITE Tech Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for manufacturing an integrated system including a capacitive pressure sensor and an inertial sensor, and integrated system

Номер патента: EP4144687B1. Автор: Paolo Ferrari,Flavio Francesco Villa,Lorenzo Corso,Luca Lamagna,Silvia Nicoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for testing signals of an integrated circuit

Номер патента: TW584734B. Автор: Alexander Kurz,Matthias Eichin. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2004-04-21.

Method for trading and trial running integrated circuit design code

Номер патента: TW201248528A. Автор: Chia-Fen Huang,Yu-Ju Yeh,Chiao-Leng Wang. Владелец: Chiao-Leng Wang. Дата публикации: 2012-12-01.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT IN REDUCED TECHNOLOGY IN RELATION TO NATIVE TECHNOLOGY, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2985854B1. Автор: Guilhem Bouton,Virginie Bidal. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2014-01-17.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AN ANALOGUE BLOCK AND A DIGITAL BLOCK, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2966952A1. Автор: Guilhem Bouton. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-05-04.

Method for determining surface runoff yield in vegetation-covered area

Номер патента: US20210341647A1. Автор: CHEN Ran,Qin Li,Qian Lu,Min Liu,Fei Chen,Jinfeng Wang,Chaojun Li,Shijie Wang,Miao ZHOU,Yujie Yang,Xiaoyong BAI,Luhua Wu,Yichao Tian,Guangjie Luo,Yuanhuan XIE,Yuanhong Deng,Zeyin Hu,Shiqi TIAN. Владелец: Institute of Geochemistry of CAS. Дата публикации: 2021-11-04.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Circuitry and methodology to test single bit failures of integrated circuit memory devices

Номер патента: US5633828A. Автор: David C. McClure,Mark A. Lysinger,Frank J. Sigmund,John A. Michlowsky. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Device and Method for Configuring Input/Output Pads

Номер патента: US20080270858A1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-30.

Circuit and method for design of RF integrated circuits for process control monitoring

Номер патента: US10817644B2. Автор: Varun Gupta,Wendy Wee Yee LAU,Szu Huat GOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-27.

Characterization of spatial correlation in integrated circuit development

Номер патента: US20200257769A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Intelligent dummy metal fill process for integrated circuits

Номер патента: US8397196B2. Автор: Alexander Tetelbaum. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Methods and apparatus for reducing reliability degradation on an integrated circuit

Номер патента: US20190095571A1. Автор: Ning Cheng,Xiangyong Wang,Mahesh A. Iyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Systems and methods for optimal trim calibrations in integrated circuits

Номер патента: US20170177456A1. Автор: Partha Ghosh,Rubin Ajit Parekhji,Pankaj BONGALE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Access, identity, and ticketing system for providing multiple access methods for smart devices

Номер патента: WO2003048892A3. Автор: Joseph Murray,Mari Myra Shaw. Владелец: Mari Myra Shaw. Дата публикации: 2013-11-07.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Method and system for evaluating timing in an integrated circuit

Номер патента: US7089143B2. Автор: David J. Hathaway,Jerry D. Hayes,Anthony D. Polson,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Mask alignment in manufacturing semiconductor integrated circuits

Номер патента: US3821545A. Автор: Y Nakagawa,N Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1974-06-28.

Method and system for secure online transaction using integrated circuit card

Номер патента: WO2017039539A1. Автор: GUOHUA Sun,Shuming Wu. Владелец: JING KING TECH HOLDINGS PTE. LTD.. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit operation adjustment using redundant elements

Номер патента: US20190278741A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Robert James Ray,Andres Felipe Hernandez,Peter A. Atkinson. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Systems and methods for controlling integrated circuit operation with below ground pin voltage

Номер патента: US20110122671A1. Автор: Michael R. May. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Analogue signal testing system for integrated circuit

Номер патента: US20030132774A1. Автор: Te-Wei Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

On-board testing circuit and method for improving testing of integrated circuits

Номер патента: US20030126526A1. Автор: Robert Totorica,Charles Snodgrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for the Production of a Portable Data Support

Номер патента: US20070289126A1. Автор: Thomas Tarantino,Ando Welling,Andreas Linke,Johann Angerer,Kolja Vogel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-20.

Method and system for secure online transaction using integrated circuit card

Номер патента: PH12018500444A1. Автор: GUOHUA Sun,Shuming Wu. Владелец: Jing King Tech Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

System and method for reducing temperature variation during burn in

Номер патента: WO2005085884A2. Автор: David H. Hoffman,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: TRANSMETA CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of generating application specific integrated circuits using a programmable hardware architecture

Номер патента: WO1999028840A1. Автор: Raymond Ryan,Cary Ussery,Oz Levia. Владелец: Improv Systems, Inc.. Дата публикации: 1999-06-10.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for manufacturing hybrid optical integrated circuit

Номер патента: JPH087288B2. Автор: 泰文 山田,正夫 河内,盛男 小林. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1996-01-29.

METHOD FOR CONNECTING A NON-CONTACT INTEGRATED CIRCUIT TO AN NFC COMPONENT

Номер патента: FR2905782A1. Автор: Bruno Charrat. Владелец: Inside Contactless SA. Дата публикации: 2008-03-14.

Mask pattern correction method for manufacture of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090119635A1. Автор: Kazuhiro Takahata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Apparatus and method for licensing programmable hardware sub-designs using a host-identifier

Номер патента: US20060075374A1. Автор: Kenneth Mcelvain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of performing rework test on integrated circuit packages

Номер патента: US6159838A. Автор: Ming-Cheng Tsai,Heng-Chen Ho. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Command Protocol for Integrated Circuits

Номер патента: US20090158010A1. Автор: Andreas GÄRTNER,Georg Braun,Maurizio Skerlj,Johannes Stecker. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-18.

Method and device for selectively adding timing margin in an integrated circuit

Номер патента: US20120112341A1. Автор: Paul S. Zuchowski,David E. Lackey,Chandramouili VISWESWARIAH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Method and device for selectively adding timing margin in an integrated circuit

Номер патента: US20120124538A1. Автор: Paul S. Zuchowski,David E. Lackey,Chandramouili VISWESWARIAH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Method and device for selectively adding timing margin in an integrated circuit

Номер патента: US20120115256A1. Автор: Paul S. Zuchowski,David E. Lackey,Chandramouili VISWESWARIAH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Method for determining static flip-flop setup and hold times

Номер патента: US20010014851A1. Автор: Suresh Krishnamoorthy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Integrated circuit with synchronous and non-clocked intelligent logic having a microcontroller unit and method of operation therefor

Номер патента: WO2008050285A3. Автор: Carl Culshaw,Ross A Mitchell. Владелец: Ross A Mitchell. Дата публикации: 2008-11-06.

System and method for self-test of integrated circuits

Номер патента: US20080172585A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

System and method for efficient device testing and validation of fast transients

Номер патента: US10068044B1. Автор: Joel Phillips,Yinghong Zhou,Ilya Yusim. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Model-based refinement of the placement process in integrated circuit generation

Номер патента: US20200104453A1. Автор: Gi-Joon Nam,Myung-Chul Kim,Paul G. Villarrubia,Shyam Ramji,Benjamin N. Trombley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Tests for integrated circuit (IC) chips

Номер патента: US11994559B2. Автор: Lakshmanan Balasubramanian,Rubin Parekhji,Kalyan Chakravarthi Chekuri,Swathi G. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Calibrating an integrated circuit to an electronic device

Номер патента: US20050114725A1. Автор: Dexter Chun,Raghu Sankuratri,Jagrut Patel,Rajeev Prabhakaran,Sanat Kapoor,Gregory Bullard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-05-26.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011621A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Controlling distributed power stages responsive to the activity level of functions in an integrated circuit

Номер патента: US20160011622A1. Автор: Michael Decesaris,Luke D. Remis,Brian C. Totten. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Method and apparatus for providing shorted pin information for integrated circuit testing

Номер патента: US7653504B1. Автор: Michael L. Simmons,Tuyet Ngoc Simmons. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Method and apparatus for conducting automated integrated circuit analysis

Номер патента: EP2932283A2. Автор: Erik Frank MATLIN,David S. Stoker,Motilal Agrawal,James R. Potthast,Neil William Troy. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

METHOD FOR DESIGNING AND MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT, SYSTEM FOR CARRYING OUT THE METHOD, AND SYSTEM FOR VERIFYING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150302135A1. Автор: KIM Su-hyeon,JUNG Seung-Jae,Ahn Sung-Wook,BAEK Sang-hoon,OH Sang-Kyu,PARK Chul-hong,BAEK Kyoung-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Heat ice, adjustment procedure, method for definition of engine dimension and vehicle with engine

Номер патента: RU2521529C2. Автор: Себастьен ПОТТО,Филипп ЛУЦ,Дамьен ФУРНИГО. Владелец: Валео Систем Де Контроль Мотёр. Дата публикации: 2014-06-27.

Through silicon via macro with dense layout for placement in an integrated circuit floorplan

Номер патента: US20240005078A1. Автор: Russell Schreiber,Te-Hsuan Chen,Michael Edward Griffith,Aaron Keiichi Horiuchi,Donald A. Clay,Eric William Busta,Hye Jung Stanford,Kathryn E. Wilcox,Ruochen Xie,Stephen J. Dussinger,William Edwin Laub, JR.. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatus and methods for serial interfaces

Номер патента: US20160117275A1. Автор: Florinel G. Balteanu,James Henry Ross. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Through silicon via macro with dense layout for placement in an integrated circuit floorplan

Номер патента: WO2024005939A1. Автор: Russell Schreiber,Te-Hsuan Chen,Michael Edward Griffith,Aaron Keiichi Horiuchi,Donald A. Clay,Eric William Busta,Hye Jung Stanford,Kathryn E. Wilcox,Ruochen Xie,Stephen J. Dussinger,William Edwin LAUB JR.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for manipulating security of integrated circuit layout

Номер патента: US8910303B2. Автор: Yi-Jen Su,Ying-Sung Huang. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

Device and method for implementing live migration

Номер патента: US20230244380A1. Автор: Xiaofu Meng,Haibo Lu. Владелец: Cambricon Xian Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Visual representation of different structure ports in schematics of photonic integrated circuits

Номер патента: US20210181414A1. Автор: Thomas Hakkers. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Test functionality integrity verification for integrated circuit design

Номер патента: WO2013044122A1. Автор: Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-28.

Reduction of metal fill insertion time in integrated circuit design process

Номер патента: US20140149953A1. Автор: Fulvio Pugliese,Goran Davidovic,Rupert Kleeberger,Juergen Inderst. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Measuring method for detecting of a short circuit between windings of a coil integrated on a chip, and integrated circuit adapted to such a measuring method

Номер патента: EP0867726B1. Автор: Pascal Kunz,Antal Banyai. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-01-21.

A method for producing a cellulose-based porous film for wound dressing and a tissue regeneration method using the cellulose-based porous film obtained thereby

Номер патента: KR102096578B1. Автор: 한성수,이재웅,최순모. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-04-02.

System and method for monitoring negative bias in integrated circuits

Номер патента: US20080203996A1. Автор: Chen-Hui Hsieh,Chi-Ting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Automated integrated circuit clock insertion

Номер патента: US20110209111A1. Автор: Khalil SIDDIQUI. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Technologies for a beam expansion for vertically-emitting photonic integrated circuits

Номер патента: US20240027700A1. Автор: Nicholas D. Psaila. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MONITORING BUS STATUS IN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130246859A1. Автор: Tang Wei,WANG Haijun,Sun Xingguo. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR SELF TEST OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140289576A1. Автор: MAEKAWA Tomoyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

COMMUNICATION INTERFACE FOR INTERFACING A TRANSMISSION CIRCUIT WITH AN INTERCONNECTION NETWORK, AND CORRESPONDING SYSTEM AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180217952A1. Автор: MANGANO Daniele,Pisasale Salvatore,Dondini Mirko. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

COMMUNICATION INTERFACE FOR INTERFACING A TRANSMISSION CIRCUIT WITH AN INTERCONNECTION NETWORK, AND CORRESPONDING SYSTEM AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150370734A1. Автор: MANGANO Daniele,Pisasale Salvatore,Dondini Mirko. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

METHOD FOR MODELING AND PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AT LEAST ONE ISOLATED GRID FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2834575B1. Автор: Raul Andreas Bianchi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-09.

Method for folding a sheet of rigid plastic and for coating a panel by means of such a sheet, and decorative panels obtained thereby

Номер патента: FR2541932A1. Автор: . Владелец: RAMBAUD JEAN MICHEL. Дата публикации: 1984-09-07.

Method for reducing power consumption of integrated circuit and control circuit thereof

Номер патента: CN108984440B. Автор: 王祎磊. Владелец: Chengdu Yixin Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

System and method for testing circuits and programming integrated circuit devices

Номер патента: GB2381875B. Автор: Kevin Lee Wible,Jr Eddie L Williamson,Stephen P Rozum. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-04-27.

Methods for protecting data on an integrated circuit including a memory and related memory circuit

Номер патента: CN104916306A. Автор: 洪俊雄,张坤龙,陈耕晖,罗思觉. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Integrated circuit and a method for testing a multi-tap integrated circuit

Номер патента: CN101065679A. Автор: 约西·阿蒙,迪米特里·阿克塞尔罗德,埃亚尔·谢尔盖耶. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-31.

Integrated circuit and method for testing memory on the integrated circuit

Номер патента: US20070106923A1. Автор: Robert Aitken,Gary Waggoner. Владелец: ARM Physical IP Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Integrated circuit device testable by an external computer

Номер патента: CA1228165A. Автор: Takao Mogi,Masahiko Morizono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-10-13.

Device and method for isolating a short-circuited integrated circuit (IC) from other ICs on a semiconductor wafer

Номер патента: US6636068B2. Автор: Eugene H. Cloud,Warren M. Farnworth,Raymond J. Beffa,Leland R. Nevill,William K. Waller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-21.

Photomask with detector for optimizing an integrated circuit production process and method of manufacturing an integrated circuit using the same

Номер патента: US20080261123A1. Автор: Christopher Progler. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for turning over the edge of a cover onto an in situ moulded part made from polyurethane foam and moulded parts obtained thereby

Номер патента: FR2578190A1. Автор: Alain Manigold. Владелец: Roth Freres SA. Дата публикации: 1986-09-05.

Device and method for isolating a short-circuited integrated circuit (IC) from other ICs on a semiconductor wafer

Номер патента: US20070075722A1. Автор: Warren Farnworth,Raymond Beffa,William Waller,Eugene Cloud,Leland Nevill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-05.

WRITE PROTECTION METHOD FOR A MEMORY IN AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2732151B1. Автор: Laurent Sourgen,Sylvie Wuidart. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-04-25.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuits, and a non-transitory computer-readable medium having a semiconductor integrated circuit testing program

Номер патента: US20110219276A1. Автор: Kenichi Gomi,Satoshi Yokoo,Yusuke TANEFUSA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Logic circuit and method for avoiding hot spots on integrated circuits

Номер патента: JP3026776B2. Автор: クリストファー・マッコール・ダラム,ピーター・ジェイ・クリム,ウィレム・ビー・ファン＝デル＝フーフェン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-03-27.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US20240094281A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US11879933B2. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US20230324949A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Testing an integrated circuit

Номер патента: US20140351664A1. Автор: Oliver Marquardt,Thomas Gentner,Birol Akdemir. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: WO2023200533A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US20140365733A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuits, and a non-transitory computer-readable medium having a semiconductor integrated circuit testing program

Номер патента: EP2365488B1. Автор: Kenichi Gomi,Satoshi Yokoo,Yusuke TANEFUSA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US11983032B2. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Stitch and trim methods for double patterning compliant standard cell design

Номер патента: US20130339911A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Huang-Yu Chen,Chin-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD FOR AN ACQUISITION OF DATA FROM EXTERNAL DIGITAL SENSORS WITH AN RFID SMART TAG AND A TAG INTEGRATED CIRCUIT FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: US20140247118A1. Автор: Kovacic Kosta,Pletersek Anton,Kunc Vinko. Владелец: AMS R&D ANALOGNI POLPREVODNIKI, D.O.O.. Дата публикации: 2014-09-04.

Method for automatic translation from a first language to a second language and/or for processing functions in integrated-circuit processing units, and apparatus for performing the method

Номер патента: WO2006024454A1. Автор: Orlando Bisegna. Владелец: Techmind S.R.L.. Дата публикации: 2006-03-09.

PROCEDURE FOR MANUFACTURING PLATES WITH INTEGRATED CIRCUITS FOR HEAT EXCHANGERS

Номер патента: NO844788L. Автор: Robert Richard. Владелец: Cegedur. Дата публикации: 1985-06-03.

Method for generating test signal of integrated circuit and test method

Номер патента: CN115421020A. Автор: 陈晓鸽,赵连林. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-02.

Method and system for characterizing interconnect data within an integrated circuit for facilitating parasitic capacitance estimation

Номер патента: US5831870A. Автор: Sharad Mehrotra,Paul Gerard Villarrubia,Alan Charles Folta,Parsotam Trikam Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Semiconductor wafer breaking device for manufacturing e.g. integrated circuit, has two counter supports which are provided and turned towards top side of semiconductor wafer, where supports are positioned at sides of preset break line

Номер патента: DE102006015142A1. Автор: Jörg LINDNER. Владелец: Dyntest Technologies GmbH. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Integrated circuit and operation method and inspection method thereof

Номер патента: US20230377676A1. Автор: Hung-Ming Lin,Hung-Ju Huang. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of operating an integrated circuit and integrated circuit

Номер патента: US20220020427A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Low power integrated circuit to analyze a digitized audio stream

Номер патента: US11810569B2. Автор: Seung Wook Kim,Eric Liu,Stefan Johannes Walter Marti. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Thermal sensor for integrated circuit

Номер патента: WO2023144817A1. Автор: Eyal Fayneh,Shaked Rahamim,Evelyn Landman,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Electrical design rule checking method and device for integrated circuit

Номер патента: US20220100946A1. Автор: Yaquan TANG. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Logic analyzer for integrated circuits

Номер патента: EP3658928A1. Автор: Akhilesh Mahajan,Bokka Abhiram Sai Krishna,Keshava Gopal Goud Cheruku. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Apparatus and method for alpha blending of digital images

Номер патента: US20040005099A1. Автор: Jin-Ming Gu. Владелец: S3 Graphics Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2229574A2. Автор: Christian Zenz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-22.

Terahertz Plasmonics for Testing Very Large-Scale Integrated Circuits under Bias

Номер патента: US20230393195A1. Автор: Michael Shur,John Suarez,Greg Rupper,Sergey Rudin,Meredith Reed. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for quartz bump defect repair with less substrate damage

Номер патента: US20070105027A1. Автор: Matthew Lamantia,Baorui Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for an acquisition of data from external digital sensors with an RFID smart tag and a tag integrated circuit for carrying out said method

Номер патента: US9558382B2. Автор: Vinko Kunc,Kosta Kovacic,Anton Pletersek. Владелец: ams R&D analogni polprevodniki d o o. Дата публикации: 2017-01-31.

On-chip integrated circuit, and data processing apparatus and method

Номер патента: EP4322017A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

A method for an acquisition of data from external digital sensors with an rfid smart tag and a tag integrated circuit for carrying out said method

Номер патента: WO2013019164A1. Автор: Vinko Kunc,Kosta Kovacic,Anton Pletersek. Владелец: Ids D.O.O.. Дата публикации: 2013-02-07.

Integrated circuit, data processing device and method

Номер патента: US12013804B2. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: WO2009069075A3. Автор: Christian Zenz. Владелец: Christian Zenz. Дата публикации: 2009-08-13.

Terahertz Plasmonics for Testing Very Large-Scale Integrated Circuits under Bias

Номер патента: US20180238961A1. Автор: Michael Shur,John Suarez,Greg Rupper,Sergey Rudin,Meredith Reed. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2018-08-23.

Load circuit for integrated circuit tester

Номер патента: EP1018026A1. Автор: Garry Gillette. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-12.

Transaction routing device and method for routing transactions in an integrated circuit

Номер патента: US20130227186A1. Автор: Arthur Laughton. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-08-29.

METHOD FOR SETTING BREAKPOINTS, AND AN INTEGRATED CIRCUIT AND DEBUG TOOL THEREFOR

Номер патента: US20130227256A1. Автор: Maiolani Mark,Robertson Alistair. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-08-29.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device Profiles with Feedback Temperature Control

Номер патента: US20130271170A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH COMPLIANT PEDESTALS

Номер патента: US20140015556A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH SOCKETS HAVING SECURED AND REPLACEABLE BUSHINGS

Номер патента: US20140021972A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: ESSAI, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH EJECTION MECHANISMS

Номер патента: US20140055154A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: ESSAI, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH COAXIAL SOCKET

Номер патента: US20150022226A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device With Pressure Relief Valve

Номер патента: US20170030964A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20160041221A1. Автор: Forstner Johann-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR GROUP CONSTRAINTS IN AN INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20170053057A1. Автор: Riviere-Cazaux Lionel. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MAINTAINING FUNCTIONALITY OF AN INTEGRATED CIRCUIT DURING ELECTRICAL AGGRESSIONS

Номер патента: US20150061728A1. Автор: BESSE PATRICE,Bernon-Enjalbert Valerie,Givelin Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-03-05.

System and method for leakage estimation for standard integrated circuit cells with shared polycrystalline silicon-on-oxide definition-edge (pode)

Номер патента: US20150067624A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,King-Ho Tam,Zhe-Wei Jiang,Yeh-Chi CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR FRACTURE DETECTION IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140159764A1. Автор: Al-Dahle Ahmad,Bi Yafei,WURZEL Joshua G.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-06-12.

SYSTEM AND METHOD FOR IMPLEMENTING NEURAL NETWORKS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190080223A1. Автор: Fraser Nicholas,Blott Michaela. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2019-03-14.

RESISTIVE CAPACITANCE DETERMINATION METHOD FOR MULTIPLE-PATTERNING-MULTIPLE SPACER INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20160103948A1. Автор: Hsueh Hsiu-Wen,HO Chia-Ming,CHEN C. Y. (Chia-Yi),HUANG Jun-Fu,CHOU Shao-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device With Pressure Relief Valve

Номер патента: US20150109009A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

System and Method for Calibrating Temperatures Sensor for Integrated Circuits

Номер патента: US20150117486A1. Автор: Zhai Jun,Yang Yizhang. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2015-04-30.

DETERMINISTIC CLUSTERING AND PACKING METHOD FOR RANDOM LOGIC ON PROGRAMMABLE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200125780A1. Автор: Langhammer Martin,Baeckler Gregg William. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD FOR DETERMINING INTERFACE TIMING OF INTEGRATED CIRCUIT AUTOMATICALLY AND RELATED MACHINE READABLE MEDIUM THEREOF

Номер патента: US20140223398A1. Автор: Kao Shu-Yi,YU Mei-Li,WANG Ting-Hsiung,LO Yu-Lan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-08-07.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20190137564A1. Автор: Forstner Johann Peter. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PROFILES WITH CONVEX SUPPORT STRUCTURE

Номер патента: US20140232426A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: ESSAI, INC.. Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD FOR EQUIPPING REGISTERS OF AN INTEGRATED CIRCUIT TO DETECT TIMING VIOLATIONS

Номер патента: US20170161416A1. Автор: Miro Panades Ivan. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2017-06-08.

SYSTEM AND METHOD FOR SYNCHRONIZING SENSING SIGNALS OF INTEGRATED CIRCUIT CHIPS

Номер патента: US20210200259A1. Автор: Roberson Jeremy,Sobel David. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

SYSTEMS AND METHODS FOR OPTIMAL TRIM CALIBRATIONS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170177456A1. Автор: Parekhji Rubin Ajit,Ghosh Partha,BONGALE Pankaj. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Method for analyzing electromigration (em) in integrated circuit

Номер патента: US20210209278A1. Автор: Chin-Shen LIN,Ming-Hsien Lin,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

System and Method for Processing Quotes Using an Integrated Circuit

Номер патента: US20140279342A1. Автор: MAYNARD Greg J.. Владелец: INTERNATIONAL SECURITIES EXCHANGE, LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

RESISTIVE CAPACITANCE DETERMINATION METHOD FOR MULTIPLE-PATTERNING-MULTIPLE SPACER INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20150205905A1. Автор: Hsueh Hsiu-Wen,HO Chia-Ming,HUANG Jun-Fu,CHOU Shao-Heng,CHEN C,Y.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-07-23.

Display substrate and method for repairing lead of driver integrated circuit

Номер патента: US20150212379A1. Автор: HUI Wang,Long Xia. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

DEVICE AND METHOD FOR MONITORING FUNCTIONAL SAFFETY IN INTEGRATED CIRCUITS (ICS)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: SADHU Radha Krishna Moorthy. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

DEVICE AND METHOD FOR GENERATING INHERENT INFORMATION OF INTEGRATED CIRCUITS FOR AUTHENTICATION PURPOSE

Номер патента: US20180261262A1. Автор: LEE MING-HSIU. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

METHOD FOR CLEANING AND COATING A TIP OF A TEST PROBE UTILIZED IN A TEST SYSTEM FOR AN INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20200256892A1. Автор: Hanson Eric L.,BRUNER ERIC L. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

SYSTEMS AND METHODS FOR CREATING BLOCK CONSTRAINTS IN INTEGRATED CIRCUIT DESIGNS

Номер патента: US20170286587A1. Автор: Cohen Ilan,MAGINI UZI,NEEMAN INBAR,DVIR ALON. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2017-10-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH HEATER SOCKET

Номер патента: US20150309114A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONFORMING TEST TOOLING TO INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WHIRLWIND COLD PLATE

Номер патента: US20160313390A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Method for Analyzing Design of an Integrated Circuit

Номер патента: US20180307792A1. Автор: Kim Ryan Ryoung Han,Lee Jae Uk. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2018-10-25.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: WO2000042615A2. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Agate Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-07-20.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US6282145B1. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M. Khan,George J. Korsh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-28.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: WO2000042615A3. Автор: Hieu Van Tran,Sakhawat M Khan,George J Korsh. Владелец: Agate Semiconductor Inc. Дата публикации: 2000-11-30.

Design support apparatus, design support program, and design support method for supporting design of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP4326462B2. Автор: 則之 伊藤,良一 山下. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits

Номер патента: US20030146761A1. Автор: Nader Pakdaman,Steven Kasapi,Itzik Goldberger. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

Method for generating net-list for integrated circuit device design

Номер патента: KR100486274B1. Автор: 이진용,권용훈,김용관,박현식,송혜경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-29.

The on-line calibration system and method for AC measurment unit in integrated circuit test system

Номер патента: CN107765202A. Автор: 周厚平. Владелец: 709th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2018-03-06.

Sharable memory space access management method for multi-user type contactless integrated circuit, involves assigning same password for protection of blocks, and allocating access rights to each block

Номер патента: FR2895108A1. Автор: Christophe Mani. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-06-22.

METHOD FOR CONNECTING A NON-CONTACT INTEGRATED CIRCUIT TO AN NFC COMPONENT

Номер патента: FR2905782B1. Автор: Bruno Charrat. Владелец: Inside Contactless SA. Дата публикации: 2008-12-05.

METHOD FOR GENERATING MODELING FILES OF INTEGRATED CIRCUIT DESIGN FLOT, COMPUTER PROGRAM AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: FR3003973A1. Автор: Gerald Cibrario. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-10-03.

METHOD FOR EQUIPPING REGISTERS OF AN INTEGRATED CIRCUIT FOR DETECTING TIME VIOLATIONS

Номер патента: FR3044772B1. Автор: Ivan MIRO PANADES. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-05.

System and method for operating components of an integrated circuit at independent frequencies and/or voltages

Номер патента: CN101351759A. Автор: S·A·怀特,W·A·休斯,P·E·马德里. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for coupling substrate of optical integrated circuit and optical fiber

Номер патента: JPS6429810A. Автор: Makoto Suzuki,Yukihiro Sako,Hitomi Otoshi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

System and method for timing analysis of an integrated circuit clocked by mixed clock types

Номер патента: US6522989B1. Автор: John Gover,Charles Corey Pie′. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-18.

Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits

Номер патента: TW200408029A. Автор: Nader Pakdaman,Steven Kasapi,Itzik Goldberger. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-05-16.

Methods for producing structured application-specific integrated circuits and its physical layout

Номер патента: CN1873646B. Автор: 陈金彬,蔡家庆. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

System and method for testing a radio frequency integrated circuit

Номер патента: CN102540052B. Автор: J-P.福斯特纳. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-08.

System and method for reducing surface defects in integrated circuits

Номер патента: US6935926B2. Автор: Thad L. Brunelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

System and method for testing and providing an integrated circuit having multiple modules or submodules

Номер патента: US7669100B2. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for making a card with integrated circuit

Номер патента: EP1055195B1. Автор: Jean-Luc Poirier,Hayat El Yamani,Yves Delserieys. Владелец: Schlumberger Systemes SA. Дата публикации: 2003-05-02.

Method for Functional Verification of an Integrated Circuit Model for constituting a Verification Platform, Equipment Emulator and Verification Platform

Номер патента: US20080270103A1. Автор: Anne Kaszynski,Jacques Abily. Владелец: Jacques Abily. Дата публикации: 2008-10-30.

Design support apparatus, design support program and design support method for supporting design of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060112365A1. Автор: Noriyuki Ito,Ryoichi Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for developing an application specific integrated circuit (ASIC) and emulator therefor

Номер патента: EP0831408A1. Автор: Jean Marie Chieppa. Владелец: Info technologies. Дата публикации: 1998-03-25.

Method for static timing verification of integrated circuits having voltage islands

Номер патента: US20040221252A1. Автор: Susan Lichtensteiger,Phillip Normand,Timothy Platt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

System and method for operating components of an integrated circuit at independent frequencies and/or voltages

Номер патента: CN101351759B. Автор: S·A·怀特,W·A·休斯,P·E·马德里. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-10.

System and method for improving the yield of integrated circuits containing memory

Номер патента: US7747915B2. Автор: Anthony M. Tamasi,Sean J. Treichler,Srihari Vegesna,Oren Rubenstein,Jue Wu. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

System, apparatus and method for controlling temperature of an integrated circuit under test

Номер патента: US7218129B2. Автор: Daniel Paul Beaman,Howard Victor Mahaney, Jr.,Robert F. Florence, Jr.,Frederic William Wright, IV. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Encryption method for stream file in FPGA integrated circuit

Номер патента: JP4213585B2. Автор: ウェイン・ウォング. Владелец: アクテル・コーポレイシヨン. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for reducing power consumption of integrated circuit

Номер патента: US7917880B2. Автор: Wai Kei Mak,Wei Chung Chao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-03-29.

Method for optical inspection analysis of integrated circuits

Номер патента: EP0166270A2. Автор: Jon Raymond Mandeville. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-01-02.

Method for simulating leakage distribution of integrated circuit design

Номер патента: US20100332206A1. Автор: Iyun Leu. Владелец: Iyun Leu. Дата публикации: 2010-12-30.

circuit layer for an integrated circuit card, and method of producing a circuit layer for an integrated circuit card

Номер патента: BR112018067390A2. Автор: Nielsen Finn. Владелец: CARDLAB APS. Дата публикации: 2019-01-02.

Method for determining interface timing of integrated circuit and the related machine readable medium

Номер патента: TWI503682B. Автор: mei li Yu,Ting Hsiung Wang,Yu Lan Lo,Shu Yi Kao. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-11.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM MATS WITH INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT

Номер патента: DE60103667D1. Автор: Laurent Poizat,Yves Doremus,Hayat Elghazal. Владелец: Pechiney Rhenalu SAS. Дата публикации: 2004-07-08.

System and method for testing a radio frequency integrated circuit

Номер патента: US8686736B2. Автор: Hans-Peter Forstner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-01.

Methods for producing structured application-specific integrated circuits that are equivalent to field-programmable gate arrays

Номер патента: US20060271899A1. Автор: KIM TAN,Kar Chua. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

System and method for configuring information handling system integrated circuits

Номер патента: HK1109807A1. Автор: . Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2008-06-20.

Method for producing aluminum panels with integrated circuit

Номер патента: RU2281828C2. Автор: Ив ДОРЕМЮ,Лоран ПУАЗА,Айат ЭЛЬГАЗАЛЬ. Владелец: Пешинэ Рэналю. Дата публикации: 2006-08-20.

Array architecture and operating methods for digital multilevel nonvolatile memory integrated circuit system

Номер патента: US20020039322A1. Автор: Hieu Tran,Sakhawat Khan,George Korsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for legalizing a multi-patterning integrated circuit layout and system thereof

Номер патента: EP2854050A1. Автор: Sambuddha Bhattacharya,Subramanian Rajagopalan,Shabbir Batterywala. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Method for controlling result parameter of integrated circuit manufacturing procedure

Номер патента: CN101571714B. Автор: 马宏. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Architecture, circuitry and method for testing one or more integrated circuits and/or receiving test information therefrom

Номер патента: US6430718B1. Автор: Anup K. Nayak. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Arrangement and method for adapting output drivers of integrated circuits to the given conditions

Номер патента: DE59812025D1. Автор: Franz Renner,Jens Rosenbusch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for reducing modification layers during integrated circuit engineering modification

Номер патента: CN106709154A. Автор: 谢勇,何凡,朱顺痣,王晓栋,何一凡,叶文佳. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-05-24.

Method for diagnosing bridging faults in integrated circuits

Номер патента: US6560736B2. Автор: Brian Chess,F. Joel Ferguson,Tracy Larabee,David B. Lavo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-05-06.

Apparatus and method for performing parallel test on integrated circuit devices

Номер патента: US20050007140A1. Автор: Hyun-seop Shim,Jeong-Ho Bang,Woo-Il Kim,Hyoung-Young Lee,Young-Ki Kwak,Ki-Bong Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

System and Method for Ordering the Selection of Integrated Circuit Chips

Номер патента: US20090288057A1. Автор: Rex W. Pirkle,Sean M. Malolepszy,Adam R. Pirkle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for setting breakpoints, and an integrated circuit and debug tool therefor

Номер патента: WO2012069872A1. Автор: Mark Maiolani,Alistair Robertson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-05-31.

System and method for loading commands into an integrated circuit card

Номер патента: EP1208519B1. Автор: Avner Cohen Solal,Remi Deh. Владелец: Schlumberger Systemes SA. Дата публикации: 2003-12-10.

Systems and methods for reducing testing times on integrated circuit dies

Номер патента: US20070236238A1. Автор: Chien-Jung Chiu,Hsing-Ya Huo,Tsung-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

METHOD FOR EXCHANGE MANAGEMENT BETWEEN TWO INTEGRAL CIRCUITS

Номер патента: RU2014104029A. Автор: Бипин БАЛАКРИШНАН,Абделазиз ГОУЛАХСЕН. Владелец: Эрикссон Модемс Са. Дата публикации: 2015-08-20.

Systems and methods for managing power supplied to integrated circuits

Номер патента: US20070188186A1. Автор: Naoki Kiryu. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

System and method for implementing neural networks in integrated circuits

Номер патента: EP3682378A1. Автор: Michaela Blott,Nicholas Fraser. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Detecting power supply sag in an integrated circuit

Номер патента: US20180356450A1. Автор: Gary Lynn Swoboda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Detecting Power Supply Sag in an Integrated Circuit

Номер патента: US20140253141A1. Автор: Gary Lynn Swoboda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Integrated circuit including different types of cells, and method and system of designing the same

Номер патента: US20200151298A1. Автор: Jae-hoon Kim,Woo-Tae Kim,Hyung-Ock Kim,Yong-Durk KIM,Joon-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for design and layout of integrated circuits

Номер патента: TW518488B. Автор: Gerd Frankowsky. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Fingerprint display device and integration integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20210406508A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and apparatus for sensing defects in integrated circuit elements

Номер патента: WO1990002997A1. Автор: Tushar R. Gheewala. Владелец: Cross-Check Technology, Incorporated. Дата публикации: 1990-03-22.

Method for determining abnormal characteristics in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: TW200945469A. Автор: HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2009-11-01.

Fingerprint display device and integration integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20210407453A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

System and method for implementing neural networks in integrated circuits

Номер патента: US20190080223A1. Автор: Michaela Blott,Nicholas Fraser. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for creating patterns for producing integrated circuits

Номер патента: EP1644855A1. Автор: Kenji Yoshida,Robert C. Pack,Aki Fujimura,Louis K. Sheffer,Yoshikuni Abe. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2006-04-12.

Active noise reduction integrated circuit, active noise reduction integrated circuit method and active noise reduction earphone using active noise reduction integrated circuit

Номер патента: CN116017222A. Автор: 陈凯升,许肇凌,漆力文. Владелец: Dafa Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor integrated circuit device, method of investigating cause of failure occurring in semiconductor integrated circuit device and method of verifying operation of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020031033A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Hideko Oodaira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Method which tests correctness of integral circuit topology

Номер патента: RU2077752C1. Автор: С.А. Гаряинов. Владелец: Предприятие перспективных исследований "Научный центр". Дата публикации: 1997-04-20.

System and method for manufacturing three dimensional integrated circuit

Номер патента: TW201214515A. Автор: Thomas Laidig,Jang Fung Chen. Владелец: PineBrook Imaging Systems Corp. Дата публикации: 2012-04-01.

Microwave integrated circuit

Номер патента: RU2556271C1. Автор: Юрий Михайлович Богданов,Константин Владимирович Дудинов,Александр Михайлович Темнов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-10.

Method for forming insulating layer of integrated circuit

Номер патента: TW516159B. Автор: Ming-Sheng Yang,Jeng-Yuan Tsai,Jr-Jian Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-01-01.

Method for testing electrical connection status of a plurality of data lines connected to a panel and associated integrated circuit and display panel module

Номер патента: TW201234022A. Автор: Ho-Shun Cheng,Yi-Fen Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-16.

Removing method for edge bead particle of integrated circuit

Номер патента: TW265460B. Автор: Lai-Juh Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1995-12-11.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120061769A1. Автор: Kondo Yoshinori,SUGIYAMA MASAO,Kaneko Yoshiyuki,Hirasawa Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

System and Method for Manufacturing Three Dimensional Integrated Circuits

Номер патента: US20120026478A1. Автор: Chen Jang Fung,LAIDIG Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

Method for manufacturing optical semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP2003258216A. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Toshiyuki Okoda,敏幸 大古田,強 高橋. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-12.

Method for manufacturing of mos integral circuits

Номер патента: RU2105382C1. Автор: Юрий Иванович Щетинин,Александр Владимирович Зеленцов,Василий Васильевич Дерендяев,Евгений Степанович Сельков,Борис Александрович Бабаев,Сергей Александрович Гуреев. Владелец: Сергей Александрович Гуреев. Дата публикации: 1998-02-20.

Method for manufacturing hybrid highly integrated circuit

Номер патента: RU2065641C1. Автор: А.В. Данилов,Н.Ф. Данилова. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Красногорский завод им.С.А.Зверева". Дата публикации: 1996-08-20.

METHOD FOR CONTROLLING THE SUPPLY VOLTAGE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT AND AN APPARATUS WITH A VOLTAGE REGULATION MODULE AND AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120218031A1. Автор: Pflueger Thomas,Bonsels Stefan,Lichtenau Cedric,Mueller Antje,Schroeder Friedrich. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-30.

METHOD FOR CONTROLLING THE SUPPLY VOLTAGE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT AND AN APPARATUS WITH A VOLTAGE REGULATION MODULE AND AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130113545A9. Автор: Pflueger Thomas,Bonsels Stefan,Lichtenau Cedric,Mueller Antje,Schroeder Friedrich. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-09.

Integrated circuit with data protection function and data protection program for integrated circuit with data protection function

Номер патента: JP4903606B2. Автор: 直人 田中,栄三 瀬戸. Владелец: 安川情報システム株式会社. Дата публикации: 2012-03-28.

METHODS FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUITS EMPLOYING PRE-DETERMINED TIMING-REALIZABLE CLOCK-INSERTION DELAYS AND INTEGRATED CIRCUIT DESIGN TOOLS

Номер патента: US20120011484A1. Автор: Parker James C.,Rao Vishwas M.. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2012-01-12.

Integrated circuit and method for testing memory on the integrated circuit

Номер патента: US20120204069A1. Автор: HUGHES Paul Stanley. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2012-08-09.

On delay integrated circuit

Номер патента: RU2547616C1. Автор: Павел Аркадьевич Дик,Алексей Андреевич Евстигнеев,Татьяна Алексеевна Дик. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2015-04-10.

Method for filling redundant metal into integrated circuit layout and integrated circuit

Номер патента: CN102385656A. Автор: 陈岚,杨飞,李志刚,胡超,马天宇,阮文彪. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-03-21.

Integrated circuit device and method for establishing electrical conductor in integrated circuit device

Номер патента: CN103094245A. Автор: 陈士弘,陈彦儒,林烙跃. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120021563A1. Автор: SUGIYAMA Masahiko,Koyanagi Mitsumasa,FUKUSHIMA Takafumi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR MANUFACTURING A METAL THIN FILM OF OHMIC CONTACT FOR LIGHT EMITTING DIODE AND LASER DIODE BASED ON ZnO OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: KR100366372B1. Автор: 김한기,최원국,성태연,한상헌. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2002-12-31.

Apparatus for feeding parts with indexing,particularly,for manufacturing pallets for integrated circuits

Номер патента: SU1115259A2. Автор: Валерий Владимирович Кириловский,Феликс Самуилович Бубновский. Владелец: Предприятие П/Я В-2690. Дата публикации: 1984-09-23.

DESIGN APPARATUS, METHOD FOR HAVING COMPUTER DESIGN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE MEDIUM

Номер патента: US20120072881A1. Автор: Kobayashi Norifumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

STRUCTURE AND METHOD FOR DETERMINING A DEFECT IN INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20120083055A1. Автор: . Владелец: Hermes-Microvision, Inc.. Дата публикации: 2012-04-05.

System and Method for Testing a Radio Frequency Integrated Circuit

Номер патента: US20120126821A1. Автор: Forstner Hans-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

METHODS FOR FABRICATING AN ELECTRICALLY CORRECT INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120204134A1. Автор: TOPALOGLU Rasit. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

METHOD FOR TRADING AND TRIAL RUNNING INTEGRATED CIRCUIT DESIGN CODE

Номер патента: US20120303473A1. Автор: HUANG Chia-Fen,YEH Yu-Ju,Wang Chiao-Leng. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Methods for Coordinated Signal Reception Across Integrated Circuit Boundaries

Номер патента: US20130016632A1. Автор: Chaudhary Madhusudan,Mujtaba Syed A.,Elangovan Thanigaivelu,Anantharaman Karthik,Dou Weiping,Mahe Isabel G.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

Systems and Methods for Conforming Device Testers to Integrated Circuit Device Profiles

Номер патента: US20130021049A1. Автор: Barabi Nasser,Ho Chee Wah,Tienzo Joven R.,Kryachek Oksana,Nazarov Elena V.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

Methods for Forming Interconnect Structures of Integrated Circuits

Номер патента: US20130052818A1. Автор: Lin Keng-Chu,Ko Chung-Chi,SHIH Po-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for Forming Contact in an Integrated Circuit

Номер патента: US20130072014A1. Автор: Besser Paul R.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2013-03-21.

Surface temperature distribution detecting method for micron-scale region of integrated circuit chip based on colloidal PbSe quantum dots

Номер патента: CN103674318A. Автор: 张宇,张铁强,王一丁,王国光,王鹤林,翟微微,于伟泳,刘文闫. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2014-03-26.

Heat treating method for substrate for gallium arsenide integrated circuit

Номер патента: JPS62265717A. Автор: Shintaro Miyazawa,Fumiaki Hiuga,宮澤　信太郎,日向　文明. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1987-11-18.

Method for determining interconnection pattern of integrated circuit device

Номер патента: JPH1126588A. Автор: Tsuguyasu Hatsuda,次康 初田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-29.

Method for determining malfunction of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP3011591B2. Автор: 敦 黒川,隆夫 名野. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-21.

Testing method for ball grid array type integrated circuit

Номер патента: JPH1138079A. Автор: Takashi Morita,隆士 森田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-12.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

Method for extracting simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model of field effect transistor

Номер патента: CN101976274B. Автор: 余泳. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

System and method for configuring information handling system integrated circuits

Номер патента: IE85332B1. Автор: F Sauber William,D. Huber Gary. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2009-09-16.

Method for providing for reliability of integration circuits in process of serial manufacture

Номер патента: RU2284042C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-09-20.

Implementation method for variable parameter unit of integrated circuit (IC)

Номер патента: CN103034741A. Автор: 李飞,李志雄,李起宏,谢光益. Владелец: Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Quick evaluation method for ultimate stress strength of integrated circuit for spaceflight

Номер патента: CN104596719A. Автор: 钟征宇. Владелец: BEIJING RESEARCH INST OF AUTOMATIC MEASUREMENT TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-06.

Method for screening resin sealed semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPS63179534A. Автор: Shinichi Mori,森　真一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-07-23.

Method for forming resistor in hybrid integrated circuit

Номер патента: JPH0787262B2. Автор: 光博 星井. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-20.

Method for inspecting layout design of integrated circuit

Номер патента: CN101539954A. Автор: 苏士益. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-09-23.

Method for inspecting layout design of integrated circuit

Номер патента: CN101539954B. Автор: 苏士益. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-01-19.

Device and method for calculating delay time for integrated circuit and storage medium recording delay time calculation program

Номер патента: JPH11282891A. Автор: Tadashi Yokoyama,端 横山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming super large scale integrated circuit refractory metal silicide

Номер патента: CN100416778C. Автор: 陈华伦. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-03.

A kind of method for designing of the analog integrated circuit layout improving layout efficiency

Номер патента: CN103268380B. Автор: 吕江萍. Владелец: China North Industries Group Corp No 214 Research Institute Suzhou R&D Center. Дата публикации: 2016-09-21.

Wiring design method for standard cell type semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP4494537B2. Автор: 圭一 吉岡. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-30.

Method for designing layout of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP2000150659A. Автор: Fumihiro Kimura,文浩 木村. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Quick method for implementing noise optimization of integrated circuit supply network using decoupling capacitor

Номер патента: CN1305127C. Автор: 洪先龙,谭向东,蔡懿慈,潘著,傅静静,骆祖莹. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-03-14.

Method for extracting simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model of field effect transistor

Номер патента: CN101976274A. Автор: 余泳. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

Method for determining delay parameter of integrated circuit

Номер патента: JPH1063710A. Автор: Hideki Sakai,秀樹 酒井,Nobuto Toyama,Yasuo Jinbo,安男 神保,Naoki Shimohakamada,直樹 下袴田,登山　　伸人. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1998-03-06.

Method for washing back etching in integrated circuit production

Номер патента: CN100442450C. Автор: 林德成,常延武. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Improving method for peeling issue in the integrated circuit processing

Номер патента: TW468237B. Автор: Tzung-Han Lee,Wen-Yi Tan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-11.

Method for detecting defects in an integrated circuit

Номер патента: UA66535A. Автор: Ivan Mykhailovych Vikulin,Pavlo Yuriiovych Markolenko. Владелец: . Дата публикации: 2004-05-17.

Method for manufacturing ferrule with optical surface and optical surface and ferrule with optical surface and integrated fiber

Номер патента: JP6673765B2. Автор: 康弘 鈴木,鈴木　康弘. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.