Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Polishing silica and silicon nitride on semiconductor, comprises planarizing silica with first aqueous composition, detecting end point and releasing with second aqueous composition

Polishing silica and silicon nitride on semiconductor, comprises planarizing silica with first aqueous composition, detecting end point and releasing with second aqueous composition

Номер патента: FR2880188A1
Опубликовано: 30-06-2006
Автор(ы): Andrew Scott Lawing, Brian L Mueller, Charles Yu, Sarah J Lane
Принадлежит: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc, Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Compositions and methods for polishing silicon nitride materials

Номер патента: MY150866A. Автор: Chen Zhan,Dysard Jeffrey,JOHNS Timothy,Anjur Sriram. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-14.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates having polysilicon and silicon oxide dielectric films

Номер патента: RU2573672C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Вей Лан Уиллиам ЧИУ,Харви Уэйн ПИНДЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-01-27.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US20220315800A1. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials

Номер патента: EP2697330A2. Автор: William Ward. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-19.

Silicon nitride chemical mechanical polishing slurry with silicon nitride removal rate enhancers and methods of use thereof

Номер патента: US11999877B2. Автор: Jimmy Granstrom. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Etchant composition with high selectivity to silicon nitride

Номер патента: US20190249082A1. Автор: Na HAN,Junwoo Lee,Sok Ho Lee,Jung Hwan Song,Seong Sik JEON,Sung Il Jo,Byeoung Tak KIM,Ah Hyeon LIM,Min Keun LEE,Joon Won KIM. Владелец: LTCAM Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon nitride etching composition and method

Номер патента: US20230295502A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang,SeongJin Hong,Steven Michael BILODEAU. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Etchant composition for etching silicon and silicon germanium, and preparation method of pattern using the same

Номер патента: US20240263072A1. Автор: Sang Won Bae,Jiwon Kim,Jung-min Oh,Jinkyu ROH,Hyojoong YOON,Heesuk WOO,Kyusang AHN,Kyungmo SUNG. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US20220033710A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242791A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: US20230365863A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: WO2023219943A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Etching solution for simultaneously removing silicon and silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/silicon stack during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3684887A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Andrew J. Adamczyk,Jhih Kuei GE,Chi-Hsien Kuo. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Composition and process for selectively etching p-doped polysilicon relative to silicon nitride

Номер патента: WO2017091572A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Steven Bilodeau. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-06-01.

Etching composition for silicon nitride and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220081615A1. Автор: Akira Endo,Yasushi Nakasaki,Masayasu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: US20230242790A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: CMC Materials LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Ceria-based slurry compositions for selective and nonselective cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon

Номер патента: WO2023150244A1. Автор: Helin Huang,Brian Reiss,Juyeon Chang,Shengyu Jin. Владелец: Cmc Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11186771B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-30.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US09997366B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon oxide silicon nitride stack ion-assisted etch

Номер патента: US20180108532A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Zhongkui Tan,Hua Xiang,Wenbing HU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered compact, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: EP4397642A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Highly thermally conductive silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit board, and semiconductor device

Номер патента: US20240182770A1. Автор: Yasuhiro Goto,Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20180261462A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride

Номер патента: US20190252197A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Selective growth of silicon nitride

Номер патента: US09911595B1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Conductive thick film paste for silicon nitride and other substrates

Номер патента: EP4235773A3. Автор: Umesh Kumar,Srinivasan Sridharan,John J. Maloney,George E. Sakoske,Ponnusamy Palanisamy,Bradford J. Smith,George E. Graddy Jr.. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Method of forming silicon nitride on a substrate

Номер патента: US6534424B2. Автор: Hung-Chuan Chen,Tzy-Tzan Fu,Chao-Ming Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-18.

Method of producing silicon nitride

Номер патента: RU2629656C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Methods of forming deuterated silicon nitride-containing materials

Номер патента: WO2005008763B1. Автор: Ronald A Weimer,Lyle D Breiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and system for forming patterned structures including silicon nitride

Номер патента: US12100597B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

CVD syntheses of silicon nitride materials

Номер патента: US20020016084A1. Автор: Michael Todd. Владелец: ASM Japan KK. Дата публикации: 2002-02-07.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Forming Low-Stress Silicon Nitride Layer Through Hydrogen Treatment

Номер патента: US20230386826A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Forming low-stress silicon nitride layer through hydrogen treatment

Номер патента: US11830727B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chunyao Wang,Wei-Che Hsieh,Hsin-Hao YEH,Ching Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources

Номер патента: US4992299A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Low wet etch rate silicon nitride film

Номер патента: WO2009085974A2. Автор: Jing Wu,Hemant P. Mungekar,Young S. Lee. Владелец: Wang, Anchuan. Дата публикации: 2009-07-09.

Low metallic impurity sio based thin film dielectrics on semiconductor substrates using a room temperature wet chemical growth process, method and applications thereof

Номер патента: WO2003003438A1. Автор: Horia M. Faur,Maria Faur,Mircea Faur. Владелец: Nanodielectrics Corporation. Дата публикации: 2003-01-09.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor structures comprising silicon nitride and related methods

Номер патента: US20180144927A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods of forming silicon nitride

Номер патента: US20210217611A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of depositing silicon nitride film, apparatus for depositing film, and silicon nitride film

Номер патента: US20240055239A1. Автор: Naoki Morimoto,Akira Igari,Yuta Ando. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: US20210087501A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Liquid composition for reducing damage of cobalt, alumina, interlayer insulating film and silicon nitride, and washing method using same

Номер патента: EP3664125A1. Автор: Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-06-10.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230238246A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Method for reducing incubation period of silicon nitride layer deposition, structure formed using the method, and system for performing the method

Номер патента: US20240318311A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11424119B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-23.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11901175B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US11996286B2. Автор: Hideaki Fukuda,Viljami Pore,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130075875A1. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for selective deposition of silicon nitride and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US20240014030A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US8889568B2. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Silicon nitride substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275002A1. Автор: Kei Shimada,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Low temperature silicon nitride films using remote plasma CVD technology

Номер патента: US09583333B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Amit Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming silicon nitride passivation film, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210066065A1. Автор: Masaya Okada,Kazutaka Inoue,Kazuhide Sumiyoshi,Takumi YONEMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Номер патента: WO2023168082A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Silicon Nitride Films With High Nitrogen Content

Номер патента: US20190013197A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Improved silicon nitride films and methods

Номер патента: SG184566A1. Автор: Mandyam Sriram,Jon Henri,Schravendijk Bart J Van,Dennis M Hausmann. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming a silicon nitride layer

Номер патента: US5907792A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu,Ravi Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

Method of forming silicon nitride film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087885A1. Автор: Yusuke Suzuki,Yuji Otsuki,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of forming silicon nitride encapsulation layers

Номер патента: WO2020242592A1. Автор: Bo QI,Abhijit B. MALLICK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Low-k dielectric protection during plasma deposition of silicon nitride

Номер патента: WO2023178216A1. Автор: Bo Gong,Andrew John McKerrow,Awnish GUPTA,Gopinath Bhimarasetti,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-21.

Compositions and methods for forming and depositing metal films on semiconductor substrates using supercritical solvents

Номер патента: WO2008094494A1. Автор: Mark Ian Wagner. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Precursors for deposition of silicon nitride, silicon oxynitride and metal silicon oxynitrides

Номер патента: WO2005121399A1. Автор: Paul Williams,Anthony Copeland Jones,Ravi Kanjolia,Rajesh Odedra,Megan Ravetz. Владелец: Epichem Limited. Дата публикации: 2005-12-22.

Electro-optic silicon nitride via electric poling

Номер патента: US20200124884A1. Автор: Yi Zhang,Jaime Cardenas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods for depositing silicon nitride films

Номер патента: US09905415B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Low-dielectric silicon nitride film and method of forming the same, semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US6890869B2. Автор: Gishi Chung. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor devices having refractory metal and silicon layers

Номер патента: GB1448610A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-09-08.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120178268A1. Автор: Toshio Nakanishi,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: WO2019103819A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-31.

A method of forming a silicon nitride layer on a substrate

Номер патента: EP1454343A2. Автор: Lee Luo,Shulin Wang,Xianzhi Tao,Steven A. Chen,Kegang Huang,Sang H. Ahn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A3. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP3649270A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: US10811250B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: US20190157077A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A3. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

High pressure treatment of silicon nitride film

Номер патента: EP3635769A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Ellie Y. Yieh,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Method of manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US5234869A. Автор: Takahiko Moriya,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Single wafer reactor, low temperature, thermal silicon nitride deposition

Номер патента: WO2023230296A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Steven Goza,Aaron Blake MILLER,Aaron Durbin,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR101994836B1. Автор: 진동언,이재섭. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-07-02.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same

Номер патента: US09630846B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Takashi Sano,Noritaka Nakayama. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: EP4235156A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon nitride substrate, method of manufacturing the same, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the same

Номер патента: US20090224399A1. Автор: Junichi Watanabe,Youichirou Kaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Silicon Nitride Substrate And Silicon Nitride Circuit Board

Номер патента: US20210130241A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board

Номер патента: EP3846596A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Jun Momma,Kentaro IWAI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and evaluation method, evaluation device, and evaluation system for silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate

Номер патента: US20230274992A1. Автор: Kazufumi Suenaga,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2024081509A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: US20240120210A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus,Paul E. Gee,Tuck Foong Koh,Wei Ying Doreen Yong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: US20230279031A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando A. JOVE. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom

Номер патента: EP3274354A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Fernando JOVE. Владелец: Gelest Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Silicon nitride ceramic substrate, silicon nitride ceramic circuit board using the substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1201623A3. Автор: Hideki Yamaguchi,Takayuki Naba,Michiyasu Komatsu,Haruhiko Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-01-07.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A3. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: US20220177376A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon nitride substrate, circuit substrate and electronic device using the same

Номер патента: US20120281362A1. Автор: Masayuki Moriyama,Kenji Komatsubara,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for manufacturing highly pure silicon, highly pure silicon obtained by this method, and silicon raw material for manufacturing highly pure silicon

Номер патента: US10167199B2. Автор: Jiro Kondo,Shinji Tokumaru,Yutaka Kishida,Masataka Hiyoshi,Shigeru Nakazawa,Hitoshi Dohnomae,Kozo Onoue. Владелец: Silicio Ferrosolar SL. Дата публикации: 2019-01-01.

Isotropic silicon and silicon-germanium etching with tunable selectivity

Номер патента: US09984890B2. Автор: Subhadeep Kal,Kandabara N. Tapily,Aelan Mosden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Process for silicon nitride removal selective to SiGex

Номер патента: US09691628B2. Автор: Jeffery W. Butterbaugh,Anthony S. Ratkovich. Владелец: TEL FSI Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon nitride circuit board

Номер патента: US5998000A. Автор: Kazuo Ikeda,Nobuyuki Mizunoya,Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Yoshitoshi Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: US20230203707A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon nitride sintered body, method for producing same, multilayer body and power module

Номер патента: EP3951857A1. Автор: Makoto Takeda,Shinichi Takada,Shoji Iwakiri. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for stripping silicon nitride

Номер патента: US7323413B2. Автор: Teresa Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-29.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: WO2024085970A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon nitride substrate

Номер патента: US20240150249A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon nitride sintered substrate

Номер патента: US20230357010A1. Автор: Hideaki Kawai,Norihira MITSUMURA,Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon nitride substrate

Номер патента: EP4293713A1. Автор: Kei Shimada,Youichirou Kaga,Rei FUKUMOTO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A2. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-10-23.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Bond and release layer transfer process

Номер патента: US09859458B2. Автор: Francois J. Henley,Sien Kang,Minghang LI,Mingyu ZHONG. Владелец: Qmat Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: EP1063211A1. Автор: Kiyoshi Araki,Katsuhiro Inoue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

High thermal conductivity silicon nitride circuit substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US6086990A. Автор: Fumio Ueno,Mitsuo Kasori,Akihiro Horiguchi,Hiroyasu Sumino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article

Номер патента: US4618541A. Автор: Abdul R. Forouhi,Bert L. Allen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-10-21.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing highly pure silicon, highly pure silicon obtained by this method, and silicon raw material for manufacturing highly pure silicon

Номер патента: US20150028268A1. Автор: Jiro Kondo,Shinji Tokumaru,Yutaka Kishida,Shigeru Nakazawa,Hitoshi Dohnomae,Kozo Onoue,Masataka HIiyoshi. Владелец: Silicio Ferrosolar SL. Дата публикации: 2015-01-29.

Silicon-nitride-containing interlayer of great hardness

Номер патента: US20140272748A1. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: ESK Ceramics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-09-18.

Silicon-nitride-containing separating layer having high hardness

Номер патента: US09625213B2. Автор: Krishna Uibel,David W. Worthey. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A3. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Etching of silicon nitride

Номер патента: US5965465A. Автор: David L. Rath,Rangarajan Jagannathan,Keith R. Pope,Harald F. Okorn-Schmidt,Kenneth J. McCullough,Karen P. Madden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Technique for forming a silicon nitride layer having high intrinsic compressive stress

Номер патента: US20070254492A1. Автор: Volker Kahlert,Joerg Hohage,Steffen Baer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: WO2018156985A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Bond and release layer transfer process

Номер патента: US20190103507A1. Автор: Francois J. Henley,Sien Kang,Minghang LI,Mingyu ZHONG. Владелец: Qmat Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Bond and release layer transfer process

Номер патента: US20180040765A1. Автор: Francois J. Henley,Sien Kang,Minghang LI,Mingyu ZHONG. Владелец: Qmat Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures

Номер патента: US20180277386A1. Автор: Alok Ranjan,Sonam D. Sherpa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Bond and release layer transfer process

Номер патента: EP3311422A1. Автор: Francois J. Henley,Sien Kang,Minghang LI,Mingyu ZHONG. Владелец: Qmat Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Carbide-silicon nitride luminophores

Номер патента: RU2430948C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезиа ХИНТЦЕН,Йуан Кианг ЛИ. Владелец: Тридоник.Атко Оптоэлектроникс Гмбх. Дата публикации: 2011-10-10.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Nickel silicide - silicon nitride adhesion through surface passivation

Номер патента: US20040061184A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Andrew McKerrow,Ralf Willecke,Glenn Tessmer,Melissa Hewson,Donald Miles,Brian Kirkpatrick,Clinton Montgomery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method to Improve Etch Selectivity During Silicon Nitride Spacer Etch

Номер патента: US20150364338A1. Автор: Alok Ranjan,Blake Parkinson. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Doped silicon nitride for 3d nand

Номер патента: WO2022150285A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Tianyang Li,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-14.

Precision masking using silicon nitride and silicon oxide

Номер патента: US3592707A. Автор: Ralph J Jaccodine. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-07-13.

Isotropic silicon nitride removal

Номер патента: WO2022192063A1. Автор: Mikhail Korolik,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Kah Wee Ang,Paul E. Gee,Wei Ying Doreen Yong,Samarth JAIN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-09-15.

Plasma treatment to improve adhesion between hardmask film and silicon oxide film

Номер патента: US09865459B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: CA2118356C. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Method for preparation of silicon nitride gallium diffusion barrier for use in molecular beam epitaxial growth of gallium arsenide

Номер патента: US5468689A. Автор: James A. Walker,John E. Cunningham,Keith W. Goossen,William Y. Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Method of selectively removing silicon nitride and etching apparatus thereof

Номер патента: US09799530B2. Автор: Chi-Ming Yang,Ying-Hsueh CHANGCHIEN,Yu-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Gas-phase silicon nitride selective etch

Номер патента: US09576815B2. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of integrated circuit fabrication including selective etching of silicon and silicon compounds

Номер патента: US5310457A. Автор: David H. Ziger. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-05-10.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride

Номер патента: US09911620B2. Автор: Faisal Yaqoob,Pilyeon Park,Helen H. Zhu,Joon Hong Park,Linda Marquez,Ivan L. Berry, III,Ivelin A. Angelov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of patterning a silicon nitride dielectric film

Номер патента: WO2014113398A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky,Qingjun Zhou,Sergey G. BELOSTOTSKIY,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-24.

Method, apparatus, and system having super steep retrograde well with silicon and silicon germanium fins

Номер патента: US09929159B2. Автор: David Paul Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method, apparatus, and system having super steep retrograde well with silicon and silicon germanium fins

Номер патента: US20180175037A1. Автор: David Paul Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Silicon nitride capped poly resistor with SAC process

Номер патента: US6232194B1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US11742399B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20220406910A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Topology selective and sacrificial silicon nitride layer for generating spacers for a semiconductor device drain

Номер патента: US20230343842A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Jr-Hung Li,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Ozone Treatment for Selective Silicon Nitride Etch Over Silicon

Номер патента: US20200234969A1. Автор: Chun Yan,Hua Chung,Michael X. Yang,Shanyu WANG,Xinliang Lu,Ting Xie. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US09893083B1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US09418900B1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-16.

Dual-frequency silicon nitride for spacer application

Номер патента: US20050287823A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Shreesh Narasimha,James Kelliher,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: US20040175955A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Memory device comprising a silicon nitride charge storage layer doped with boron

Номер патента: WO2009086157A1. Автор: Mark Randolph,Gwyn R. Jones. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Plasma processing apparatus and method for detecting end point

Номер патента: US20240063002A1. Автор: Masakazu Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20150194499A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: US20210272912A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor die containing silicon nitride stress compensating regions and method for making the same

Номер патента: WO2021177990A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Method for making stacked and borderless via structures for multilevel metal interconnections on semiconductor substrates

Номер патента: US5891799A. Автор: Bing-Yue Tsui. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1999-04-06.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180331120A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge Storage Transistor And Methods Of Processing Silicon Nitride-Comprising Materials

Номер патента: US20180114795A1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10381377B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US10121799B2. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

Three dimensional memory device containing discrete silicon nitride charge storage regions

Номер патента: WO2017146808A1. Автор: Zhenyu Lu,Yanli Zhang,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Chun GE,Andrey Serov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US10600660B2. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Single component monomer for silicon nitride deposition

Номер патента: US4200666A. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-29.

Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride

Номер патента: US5286344A. Автор: Guy Blalock,David S. Becker,Fred Roe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Method of manufacturing a passivating composite comprising a silicon nitride (SI1 3N4) layer and a phosphosilicate glass (PSG) layer for a semiconductor device layer

Номер патента: USRE32351E. Автор: Robert H. Dawson,George L. Schnable. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Germanium-containing silicon nitride film

Номер патента: US4126880A. Автор: Akira Shintani,Seiichi Isomae,Michiyoshi Maki,Masahiko Ogirima,Yoichi Tamaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-21.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20170018465A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-19.

Identification codes on semiconductor chips

Номер патента: US20230350309A1. Автор: Detlef Hofmann,Heiko Assmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of etching silicon nitride

Номер патента: US20020003126A1. Автор: AJAY Kumar,Padmapani Nallan,Jeffrey Chinn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Gases for low damage selective silicon nitride etching

Номер патента: US10217681B1. Автор: Rahul Gupta,James Royer,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20200185238A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide

Номер патента: US20180166303A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Methods of adjusting carbon and silica content in rice hull ash (rha) byproducts to control carbothermal reduction forming nanostructured silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride nanocomposites

Номер патента: EP4399180A1. Автор: Richard Laine,Mengjie Yu,Eleni TEMECHE. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-07-17.

Roughening treatment method for stainless steel surface, method for manufacturing roughened stainless steel, and aqueous composition used in said methods

Номер патента: US20240044014A1. Автор: Hiroshi Matsunaga,Kazuhiko Ikeda,Tomoko Fujii. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Roughening treatment method for stainless steel surface, method for manufacturing roughened stainless steel, and aqueous composition used in said methods

Номер патента: EP4265822A1. Автор: Hiroshi Matsunaga,Kazuhiko Ikeda,Tomoko Fujii. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: EP4320285A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: CA3214652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: AU2022254712A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon nitride having low dielectric constant

Номер патента: US4708943A. Автор: Howard Mizuhara,Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Sintering of silicon nitride using mg and be additives

Номер патента: CA1088960A. Автор: Svante Prochazka,Richard J. Charles,Charles D. Greskovich,Robert A. Giddings. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-11-04.

Moisture barrier composite film of silicon nitride and fluorocarbon polymer and its use with an on-cell tester for an electrochemical cell

Номер патента: US5593794A. Автор: Guang Wei,Jack Treger,Bryan C. Lagos. Владелец: Duracell Inc USA. Дата публикации: 1997-01-14.

Alloy for hydrogen storage, method for absorption and release of hydrogen using the alloy, and hydrogen fuel cell using the method

Номер патента: EP1176219A1. Автор: Masuo Okada,Takahiro Kuriiwa. Владелец: Tohoku Techno Arch Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-30.

Method of defining contact openings in insulating layers on semiconductor devices without the formation of undesirable pinholes

Номер патента: US4174252A. Автор: Mark A. Spak,Henry Kressel. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-11-13.

Formation of titanium nitride on semiconductor wafer by reaction of titanium with nitrogen-bearing gas in an integrated processing system

Номер патента: US5236868A. Автор: Jaim Nulman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-08-17.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR102352278B1. Автор: 조규철,강진규,박용환,허준,이재섭,안성국,배성식. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-01-18.

Polishing material for silicon nitride and sialon ceramics

Номер патента: US20030136057A1. Автор: Takeshi Sato,Shuji Sakaguchi,Shuzo Kanzaki,Yukihiko Yamauchi,Kiyoshi Hirao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-07-24.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: US09598620B2. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Abrasive articles including abrasive particles of silicon nitride

Номер патента: WO2013003830A3. Автор: Guan Wang,Vimal K. Pujari,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Silicon nitride and silicon dioxide gate insulator transistors and method of forming same in a hybrid integrated circuit

Номер патента: US20020151188A1. Автор: Arvind Kamath,Rajiv Patel,Mohammad Mirabedini. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for the prevention of misfit dislocation in silicon wafer and silicon wafer structure manufactured thereby

Номер патента: US5828114A. Автор: Ho Jun Lee,Choong Ki Kim,Chul Hi Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1998-10-27.

In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application

Номер патента: US6507081B2. Автор: Preston Smith,Chi-hing Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-14.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: US20240332009A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Ion implantation for reduced roughness of silicon nitride

Номер патента: WO2024206046A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Shan Tang,Kyu-Ha Shim,Chuanxi YANG,Rajesh Prasad,Miguel S. Fung,Fenglin WANG,Prashanthi Para,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170062288A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9711423B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170287794A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Номер патента: US09583349B2. Автор: Zhendong Liu,Srinivas Gandikota,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor

Номер патента: US20020142153A1. Автор: Toshimitsu Tachibana,Hitoshi Takano,Norikane Nabata. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: US20240079228A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor

Номер патента: US20030087088A1. Автор: Toshimitsu Tachibana,Hitoshi Takano,Norikane Nabata. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for forming masks comprising silicon nitride and novel mask structures produced thereby

Номер патента: US4002511A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-11.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US20230274997A1. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for producing silicon nitride film

Номер патента: US20200335322A1. Автор: Akira Nishimura,Takashi Abe,Akinobu Teramoto,Yoshinobu Shiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9935023B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Process for producing devices containing silicon nitride films

Номер патента: CA1327338C. Автор: John Aaron Mucha,Chorng-Ping Chang,Daniel Lawrence Flamm,Dale Edward Ibbotson. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Dielectric silicon nitride barrier deposition process for improved metal leakage and adhesion

Номер патента: US20230386907A1. Автор: Qi-Zhong Hong,Bhaskar Srinivasan,Joseph Jian Song,Gregory Boyd SHINN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A3. Автор: Ehrenwall Andreas Von. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-25.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A2. Автор: Andreas Von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for manufacturing semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9514930B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor trench structure having a silicon nitride layer overlaying an oxide layer

Номер патента: US9029978B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: US09741557B1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Low-stress low-hydrogen LPCVD silicon nitride

Номер патента: US09580304B2. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of vertical contact structures making on semiconductor plates or printed circuit boards

Номер патента: RU2600514C1. Автор: Иван Николаевич Петухов,Владимир Михайлович Рощин,Кирилл Сергеевич Сеньченко,Анна Владимировна Рощина. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт точной технологии и проектирования". Дата публикации: 2016-10-20.

Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating

Номер патента: US4751191A. Автор: Ronald C. Gonsiorawski,George Czernienko. Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20200365709A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Strained silicon nfet and silicon germanium pfet on same wafer

Номер патента: US20140264601A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for in situ preparation of antimony-doped silicon and silicon germanium films

Номер патента: US11800716B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Varied silicon richness silicon nitride formation

Номер патента: US20180006132A1. Автор: Yi Ma,Shenqing Fang,Robert Ogle. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A1. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon nitride layer under a copper pad

Номер патента: US20230420357A1. Автор: Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Darmawikarta,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Sameer PAITAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Strained silicon nfet and silicon germanium pfet on same wafer

Номер патента: US20140264755A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Номер патента: EP1543565A1. Автор: Douglas Ward,Douglas A. Webb. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Номер патента: WO2004006341A1. Автор: Douglas Ward,Douglas A. Webb. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2004-01-15.

Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Номер патента: MY135039A. Автор: Michael G Ward,Douglas A Webb. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2008-01-31.

Ultra low loss silicon nitride based waveguide

Номер патента: WO2023163994A9. Автор: Vimal Kamineni,Ann MELNICHUK. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of using an alloy of germanium and silicon as an antireflective coating

Номер патента: US6114255A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20160325987A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Low-stress low-hydrogen lpcvd silicon nitride

Номер патента: US20170133472A1. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor HEMT device with stoichiometric silicon nitride layer

Номер патента: US9224668B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for manufacturing semiconductor hemt device with stoichimetric silicon nitride layer

Номер патента: US20160049290A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Silicon nitride process for reduction of threshold shift

Номер патента: WO2017223541A1. Автор: Naveen Tipirneni,Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-12-28.

Co-deposition of titanium and silicon for improved silicon germanium source and drain contacts

Номер патента: EP4109494A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Chi-hing Choi,Nazila Haratipour,Harold Kennel,Jitendra Kumar JHA,Debaleena Nandi,Omair Saadat,Adedapo Oni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Methods, systems, apparatus, and articles of manufacture to produce integrated circuit packages having silicon nitride adhesion promoters

Номер патента: US20240222259A1. Автор: WEI Wei,Xiaoying Guo,Xiao Liu,Dingying Xu,Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas PIETAMBARAM,Haobo Chen,Hongxia Feng,Leonel Arana,Ziyin LIN,Kyle Arrington,Bohan Shan,Xiyu Hu,Rhonda Jack,Catherine Mau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Window for allowing end point of etching process to be detected and etching device comprising the same

Номер патента: US6835276B2. Автор: Chang-Won Choi,No-Hyun Huh,Jung-Hyun Hwang,Byeung-wook Choi,Doo-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-28.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Window for allowing end point of etching process to be detected and etching device comprising the same

Номер патента: US20030057182A1. Автор: Chang-Won Choi,No-Hyun Huh,Jung-Hyun Hwang,Byeung-wook Choi,Doo-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Method for reducing the concentration of oxygen, carbon, and silicon impurities on nitrogen-polar surfaces of gallium nitride

Номер патента: US8669168B1. Автор: Glenn G. Jernigan,Douglas S. Katzer,David F. Storm,Steven C. Binari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-03-11.

Method for improving the quality of metal conductor tracks on semiconductor structures

Номер патента: US6337263B1. Автор: Matthias Lehr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-01-08.

Display device having a multilayered undercoating layer of silicon oxide and silicon nitride

Номер патента: US09666599B2. Автор: Arichika Ishida,Yasushi Kawata,Masato Hiramatsu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Hybrid photovoltaics based on semiconductor nanocrystals and amorphous silicon

Номер патента: US20100236614A1. Автор: Baoquan Sun,Victor I. Klimov,Alp T. Findikoglu,Donald J. Werder,Milan Sykora. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated germanium photodetector with silicon nitride launch waveguide

Номер патента: US12078857B2. Автор: Dawei Zheng,Tongqing Wang,Xingyu Zhang. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09935016B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09634091B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices including metal-silicon-nitride patterns

Номер патента: US09583440B2. Автор: Youngwook Park,Heesook Park,Mansug KANG,Taekjung Kim,Myung-Ho Kong,Seonghwee CHEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating silicon nitride layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7544603B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Neng-Kuo Chen,Hsiu-Lien Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-06-09.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

High-power microwave field transistor on semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2599275C1. Автор: Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2016-10-10.

Method of forming silicon nitride capacitors

Номер патента: GB2250378A. Автор: Neal F Gardner. Владелец: Silicon Systems Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Low degradation MRAM encapsulation process using silicon-rich silicon nitride film

Номер патента: US09515252B1. Автор: Jeong-Heon Park,Eugene J. O'Sullivan,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,JungHyuk Lee,Nathan P. Marchack,Chandrasekaran Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Monolithic integrated circuit based on semiconductor compound

Номер патента: RU2601203C1. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Екатерина Валентиновна Анищенко,Евгений Викторович Ерофеев,Валерий Алексеевич Кагадей,Сергей Владимирович Ишуткин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран". Дата публикации: 2016-10-27.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US11854905B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US11876056B2. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200273757A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask

Номер патента: WO1992022930A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-12-23.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: EP1303878A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-04-23.

Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components

Номер патента: WO2002008660A2. Автор: Daniel E. Wilson,Robert E. Masseth,Michael Quan. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-01-31.

Method and apparatus for end point triggering with integrated steering

Номер патента: WO2002078905A1. Автор: John M. Boyd,Herbert E. Litvak. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2002-10-10.

Method and apparatus for end point triggering with integrated steering

Номер патента: EP1379356A1. Автор: John M. Boyd,Herbert E. Litvak. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor integrated circuit having silicon nitride provided as insulator of capacitor

Номер патента: US5296734A. Автор: Megumi Satoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Artificial intelligence-enabled preparation end-pointing

Номер патента: US20200279362A1. Автор: Richard Young,Brad Larson,Thomas Gary Miller,Brian Routh, JR.,Aditee Shrotre,John F. Flanagan, IV. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2020-09-03.

Artificial intelligence-enabled preparation end-pointing

Номер патента: US11847813B2. Автор: Richard Young,Brad Larson,Thomas Gary Miller,Brian Routh, JR.,Aditee Shrotre,John F. Flanagan, IV. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods of compensating for an alignment error during fabrication of structures on semiconductor substrates

Номер патента: US20070120220A1. Автор: Dong-Chun Lee,Jung-Taek Lim,Sung-Hong Park,Young-Jee Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210288083A1. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Silicon nitride waveguide coupled photodiode

Номер патента: US20240105875A1. Автор: Mona Mostafa HELLA,Asif Jahangir CHOWDHURY. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2024-03-28.

End point detection system for chemical mechanical polishing applications

Номер патента: EP1399294A1. Автор: Yehiel Gotkis,Mike Ravkin,Katrina A. Mikhaylich. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-03-24.

Photonics integrated circuit with silicon nitride waveguide edge coupler

Номер патента: US20220268994A1. Автор: Karen A. Nummy,Yusheng Bian,Thomas Houghton,Kevin K. Dezfulian,Kenneth J. Giewont,Asli Sahin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US20240153888A1. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Glass panel and silicon wafer separation device for photovoltaic module recovery

Номер патента: US20240120429A1. Автор: Yu Zhao,Xiaohui Chen,Pin Zhou,Shubo WANG,Jingbo Zhao,Quanfa ZHOU. Владелец: Changzhou Institute of Technology. Дата публикации: 2024-04-11.

Cleaning process end point determination using throttle valve position

Номер патента: EP1088331A1. Автор: Ellie Yieh,Shankar Chandran,Hiroyuki Ueda,Makoto Okubo,Hirotaka Tanabe. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-04-04.

Rare-earth doped phosphor based on alkali-earth element and silicon nitride, method for production thereof and radiation converting device containing said phosphor

Номер патента: RU2470980C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Ченг-Джун ДУАН,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезия ХИНТЦЕН,Анна Шарлотта Ануанетта ДЕЛСИНГ. Владелец: Ледон Лайтинг Йеннерсдорф Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: EP4282845A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for preparing silicon nitride ceramic material

Номер патента: US20240076243A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon nitride - tungsten carbide composite sintered material, production process therefor, and glow plug comprising the same

Номер патента: US20020148823A1. Автор: Masaya Ito,Hiroki Watanabe,Katsura Matsubara. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Silicon nitride sintered body

Номер патента: US5399536A. Автор: Akira Yamakawa,Koichi Sogabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Silicon nitride ceramic heater

Номер патента: US5998049A. Автор: SATOSHI Tanaka,Jun Fukuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: US20240309272A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition and method for selectively etching silicon nitride

Номер патента: WO2024192414A1. Автор: WonLae KIM,SeongJin Hong,Jinwook Jeong,Juhee YEO,Younghun Park,Yeonhui Kang. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Preparation method of high-thermal-conductivity and net-size silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240116821A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-04-11.

Molybdenum silicide / silicon nitride composite infrared emitter apparatus and method of use thereof

Номер патента: US20200203914A1. Автор: Davorin Babic,Viet Nguyen,Alex Kropachev,Dragan Grubisik,Arshey Patadia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for treating metallic surfaces with an acidic aqueous composition and a post rinsing composition to improve corrosion resistance

Номер патента: US12049571B2. Автор: Marie-Pierre LaBeau,Daniel Schatz,Stefan Birkenheuer,Carina HECKER,Oliver Sauer,Nawel Souad KHELFALLAH,Guillaume GODY. Владелец: Specialty Operations France SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

Tellurium-oxide-coated silicon nitride optical waveguides and methods of fabrication thereof

Номер патента: CA3025925A1. Автор: Andrew Knights,Jonathan Bradley,Henry Frankis,Dawson Bonneville,Khadijeh Miarabbas Kiani. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-30.

Silicon nanowire chip and silicon nanowire chip-based mass spectrum detection method

Номер патента: US12094702B2. Автор: Xiaoming Chen,Jianmin Wu. Владелец: Hangzhou Well-Healthcare Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of creating active medium based on semiconductor luminescent nanocrystals in polymer matrix

Номер патента: RU2689970C1. Автор: Георгий Маркович Янковский,Петр Николаевич Тананаев,Александр Валерьевич Барышев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-05-29.

Latch and release system for a connector

Номер патента: EP1606858A1. Автор: Richard F. Roth,Richard P. Saulnier. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2005-12-21.

Latch and release system for a connector

Номер патента: WO2004059799A1. Автор: Richard F. Roth,Richard P. Saulnier. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of concentrating an aqueous dispersion comprising organic polymer particles and silicon dioxide particles

Номер патента: EP2723775A1. Автор: Dietrich Pantke,Stephan Kirchmeyer,Ruediger Musch,Knut Panskus. Владелец: Bayer Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2014-04-30.

Silicone composition for release paper or release film, release paper, and release film

Номер патента: US20180155877A1. Автор: Kenji Yamamoto,Hayato ONOZAWA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for producing rubber and silicon dioxide masterbatches

Номер патента: RU2737156C1. Автор: Кристофер Дж. ХАРДИМЭН,Сюань ФУ,Серхио Альберто МОКТЕСУМА ЭСПИРИКУЭТО,Габриель ЭРНАНДЕС САМОРА,Джон КУНАВИС,Габриэла Элизабет БЛАНКО РЕЙЕС,Хулиан МАЛЬДОНАДО ВАЛЕНСУЭЛА,Хосе Мария ИСЛАС МАНСУР. Владелец: Динасоль Эластомерос, С.А. Де С.В.. Дата публикации: 2020-11-25.

Hydrophobic fumed silica and silicone rubber materials containing the fumed silica

Номер патента: WO2008141932A1. Автор: Jürgen Meyer,Mario Scholz,Horst Zeizinger,Uwe Ellenbrand. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2008-11-27.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: US11694867B2. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon nitride x-ray window and method of manufacture for x-ray detector use

Номер патента: EP4205158A1. Автор: XING Zhao,Joseph S. Fragala. Владелец: BRUKER NANO INC. Дата публикации: 2023-07-05.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US20230297872A1. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Fast-hardening aqueous composition for coating, and paint

Номер патента: RU2158744C2. Автор: Дж. ХЕЛМЕР Брэдли,В. ЯНГ мл. Джеймс. Владелец: Дзе Дау Кемикал Компани. Дата публикации: 2000-11-10.

Stabilized aqueous compositions containing cationic polymers providing coating with properties of paint and primer

Номер патента: RU2602889C2. Автор: Чжан Вэй,Мур ПРЕССЛИ Оззи,Энн ЛУКЕНБАХ Моника,С. ФОЛК Роналд. Владелец: Ром Энд Хаас Компани. Дата публикации: 2016-11-20.

Aqueous composition for coatings

Номер патента: RU2324718C2. Автор: Торстен РИШЕ,Томас ФЕЛЛЕР,Карин НАУЙОКС,Эрхард ЛЮМАНН,Ян ВАЙКАРД,Ян МАЦАНЕК,Кристоф ИРЛЕ. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2008-05-20.

Method for coating metallic surfaces with nanocrystalline zinc oxide layers, aqueous composition therefor and use of surfaces coated in this way

Номер патента: RU2672754C2. Автор: Петер ШУБАХ,Озлем ОЗКАН,Гуидо ГРУНДМАЙЕР. Владелец: Шеметалл Гмбх. Дата публикации: 2018-11-19.

Aqueous composition for surface matting

Номер патента: RU2763432C2. Автор: Кальян СЕХАНОБИШ,Вэньвэнь ЛИ,Иньчжун ГО. Владелец: Дау Глоубл Текнолоджиз Ллк. Дата публикации: 2021-12-29.

Small store suspension and release unit

Номер патента: GB2532969A. Автор: Lewendon James. Владелец: Edo MBM Technology Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Circuit breaker trip and release type control mechanism

Номер патента: US4057716A. Автор: Paul Canonne,Gerard Neumann. Владелец: Societe dAppareillage Electrique SAPAREL SA. Дата публикации: 1977-11-08.

Detent hold and release mechanism

Номер патента: CA1195536A. Автор: Patrick N. Caldwell. Владелец: Cessna Aircraft Co. Дата публикации: 1985-10-22.

Apparatus for detecting an end point of etching

Номер патента: US5118378A. Автор: Tetsunori Kaji,Noriaki Yamamoto,Keiji Tada,Tatsuo Moroi,Gen Marumoto,Yuzou Ohhirabaru. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-06-02.

Rotatable docking station with cable hold and release mechanism

Номер патента: US11936144B2. Автор: Ningsheng Zhu,King Woo Cheung. Владелец: Crestron Electronics Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Silicon nitride stabilized interface between lithium metal and solid electrolyte for high performance lithium metal batteries

Номер патента: WO2023086659A3. Автор: Qiao Qiao,Abiral BANIYA. Владелец: Baniya Abiral. Дата публикации: 2023-06-22.

Rotatable docking station with cable hold and release mechanism

Номер патента: US20230268698A1. Автор: Ningsheng Zhu,King Woo Cheung. Владелец: Crestron Electronics Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Addition-curable organopolysiloxane composition, release paper and release film

Номер патента: US20230250236A1. Автор: Tsuneo Kimura,Toshiaki Ihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Apparatus for signal and current transmission between end points which can move relative to one another

Номер патента: US20090133924A1. Автор: Frank Schröer. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2009-05-28.

Device for transmitting signals or current between end points

Номер патента: US20070049083A1. Автор: Otto Nachbauer,Dipl.Ing Schroer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Silicon nitride resonators for qubit generation and entanglement

Номер патента: US11847535B2. Автор: Gil Semo,Dan Charash,Barak Dayan,Oded Melamed,Ziv AQUA,Serge ROSENBLUM. Владелец: Quantum Source Labs Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Aqueous composition and cured product thereof

Номер патента: EP4397723A1. Автор: Noriyoshi Kaneko,Ryuzo Kaneko. Владелец: Qrsytem Co ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Gas etching system including end point detection

Номер патента: WO1983000660A1. Автор: Corporation Ncr,Mary Ellen Burroughs Coe. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1983-03-03.

Aqueous mixtures comprising aminoalkyl-containing polyorganosiloxanes and silicone resins

Номер патента: US8907028B2. Автор: Markus Merget,Richard Becker,Franz Wimmer. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2014-12-09.

Method for treating metallic surfaces with an acidic aqueous composition to improve corrosion resistance

Номер патента: US12043758B2. Автор: Marie-Pierre LaBeau,Daniel Schatz,Stefan Birkenheuer,Carina HECKER,Oliver Sauer,Nawel Souad KHELFALLAH,Guillaume GODY. Владелец: Specialty Operations France SAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Aqueous composition and cured product thereof

Номер патента: US20240263036A1. Автор: Noriyoshi Kaneko,Ryuzo Kaneko. Владелец: Qrsystem Co ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Radiation curable aqueous compositions

Номер патента: EP3681922A1. Автор: Jean-Yves Salviato,Elodie Siband,Lieven DEPUYT. Владелец: Allnex Belgium NV SA. Дата публикации: 2020-07-22.

Polyfluoroalkylated alkenes and silicone compounds prepared therefrom

Номер патента: US09938380B2. Автор: Zai-Ming Qiu. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-04-10.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR102199217B1. Автор: 박용환,이재섭. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-01-07.

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Номер патента: KR102104608B1. Автор: 조규철,강진규,박용환,허준,이재섭,안성국,배성식. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-04-27.

Method for preparing ni-containing magnetic mesoporous silica whose surface strongly binds histidine-tagged protein, protein-binding material for degrading toxic aromatic compound comprising the magnetic mesoporous silica, and method for degrading toxic aromatic compound using the magnetic mesoporous silica

Номер патента: US20120264188A1. Автор: JEONG Ho Chang,Soo Youn Lee,Jiho LEE. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Method for Producing Same, and Silicon Nitride Powder for Mold Release Material for Polycrystalline Silicon Ingot Casting Mold and Slurry Containing Same

Номер патента: US20140158858A1. Автор: Takeshi Yamao,Takayuki Fujii,Shinsuke Jida. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Composite powder comprising silicon nitride and silicon carbide

Номер патента: US5767025A. Автор: Hitoshi Toyoda,Yoshikatsu Higuchi,Kazumi Miyake,Kagehisa Hamazaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: US20240116822A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicon nitride-alumina composite ceramics and producing method thereof

Номер патента: US4845061A. Автор: Kazuhiro Inoguchi,Naochika Nunogaki,Novuei Ito,Tetsuo Toyama. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1989-07-04.

Composite material including silicon carbide and/or silicon nitride short fibers as reinforcing material and aluminum alloy with copper and relatively small amount of silicon as matrix metal

Номер патента: US4720434A. Автор: Masahiro Kubo,Atsuo Tanaka,Hidetoshi Hirai,Tadashi Dohnomoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Process for producing gray cast iron for use in high speed machining with cubic boron nitride and silicon nitride tools and the gray cast iron so produced

Номер патента: WO2001055458A1. Автор: Sundaresa V. Subramanian. Владелец: Subramanian Sundaresa V. Дата публикации: 2001-08-02.

Silicon nitride based ceramics and method

Номер патента: US4603116A. Автор: Carr Lane W. Quackenbush,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-07-29.

Method for preparing silicon nitride and silicon nitride composites

Номер патента: US5980699A. Автор: Scott F. Timmons,Renee C. Graef,Stuart T. Schwab,Montgomery D. Grimes. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 1999-11-09.

Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured thereby

Номер патента: EP4335834A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramic

Номер патента: US5187127A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma,Jen Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: EP4310051A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Ceramic composition, silicon nitride ceramic material and preparation method therefor, and ceramic product

Номер патента: ZA202308665B. Автор: LIANG XIAO,Yongquan Li,Xiaofeng Zeng,Fulin Zhu,Lihong Qian,Juxi Chen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for preparing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder prepared thereby

Номер патента: US20240140798A1. Автор: Kyu Hwan Park,Hun Cheong. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method forming coatings based on pyrolytic silicon nitride which is boron

Номер патента: RU2168557C2. Автор: Артур Уиль м МУР,Артур Уильям Мур. Владелец: Адванст Керамикс Корпорейшн. Дата публикации: 2001-06-10.

Continuous process for the preparation of silicon nitride by carbonitriding and silicon nitride obtained thereby

Номер патента: IL104435A. Автор: . Владелец: Atochem Elf Sa. Дата публикации: 1996-11-14.

Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers

Номер патента: US4604273A. Автор: Robin W. Munn,Samuel Natansohn,Robert A. Long,Gary Czupryna. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

Silicon diimide, a process for it's preparation and silicon nitride obtained therefrom

Номер патента: CA2052401A1. Автор: Aloys Eiling,Martin Jansen,Hans-Peter Baldus,Ulrich Wannagat,Adrian Schervan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-03.

Method of forming pattern structure including silicon nitride

Номер патента: US20240209497A1. Автор: Jihoon Park,Seong Gil Lee,Dong Sub Oh,Wan Jae Park,Hye Joon KHEEL,Yun Woo KIM,Da Yeong JEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and device for production of amorphous silica from silicon and silicon-containing materials

Номер патента: RU2195427C1. Автор: Кнут ХЕНРИКСЕН,Олаф Трюгве ВЕГГЕ. Владелец: Элкем Аса. Дата публикации: 2002-12-27.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6936548B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-08-30.

Silicon nitride-based sintered material and method for manufacturing the same

Номер патента: GB1521693A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-16.

Amorphous Silicon Oxide, Amorphous Silicon Oxynitride, and Amorphous Silicon Nitride Thin Films and Uses Thereof

Номер патента: US20210138120A1. Автор: Pranesh Aswath,Venu Varanasi,Megen Maginot,Nickolay V. Lavrik. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-05-13.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: US20210331274A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: EP4138939A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: WO2021217089A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: CA3175652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for laser coating of silicon nitride on a metal substrate

Номер патента: AU2021259641A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: WO2023049804A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: EP4404875A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Superabsorbent polymers and silicone elastomer for use in skin care compositions

Номер патента: US09795552B2. Автор: Paul Robert Tanner,Mridula MANOHAR. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate

Номер патента: US6015917A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same

Номер патента: US5118645A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow,Douglas B. Schwarz,Donald R. Beaman,Barbara M. Pyzik,William J. Dubensky. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Method of producing highly porous silicon nitride material with fibrous structure and installation for its implementation

Номер патента: RU2634443C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Иван Борисович Пуртов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-10-30.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Crucible for manufacturing silicon ingots, method of manufacturing same and silicon ingot

Номер патента: TW201715097A. Автор: 薇洛尼卡 施奈德,克里斯汀 瑞曼,弗瑞德瑞奇 喬亨,約根 桑斯,馬切伊 庫琴斯基. Владелец: 阿爾兹化學股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-01.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Silicon nitride containers for sintering silicon nitride

Номер патента: WO1992001898A1. Автор: James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Zirconia-coated silicon nitride sintered member

Номер патента: US4816349A. Автор: Tomonori Takahashi,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

Ceramic phase in silicon nitride containing cerium

Номер патента: WO1992001647A1. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1992-02-06.

Methods for detecting end-points for cleaning processes of aerospace components

Номер патента: WO2022036112A1. Автор: Kenichi Ohno,Ankur Kadam,Prerna Sonthalia Goradia,Lance A Scudder,David Alexander Britz,Nitin Deepak,Abhishek MANDAL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20020045530A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2002-04-18.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US09663407B2. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Particles formed of silica and carbon, and method for producing mixture of silica and carbon

Номер патента: US09556035B2. Автор: Masakazu Suzuki,Kenta Masuda,Kohei Kawano,Kouki Ichitsubo,Jun Kumasaka. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Silicon nitride sintered body and wear resistant member using the same

Номер патента: US09440887B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Michiyasu Komatsu,Kai Funaki,Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of preparing high-purity silicon powder from silicon perfluoride with simultaneous preparation of elementary fluorine, method of separating silicon from salt melt, silicon powder and elementary fluorine obtained by indicated method, and silicon tetrafluoride preparation process

Номер патента: RU2272785C1. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2006-03-27.

Uv radiation blocking silicone-hydrogel composition and silicone-hydrogel contact lens based thereon

Номер патента: RU2602815C2. Автор: Ю-Чин ЛАЙ,Мин-Чжунг ЙЕН,Хан-Ю ЧАНГ,Хенг-Ю ЛИ,Хунг-Джу ЧАНГ,Че-Ченг ВУ. Владелец: Пегавижн Корпорейшн. Дата публикации: 2016-11-20.

Silicon nitride sintered body, machine part, and bearing

Номер патента: EP4397643A1. Автор: Yuta Ito,Yasutake Hayakawa. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111B1. Автор: Kenji c/o NGK INSULATORS LTD. MORIMOTO,Shinji c/o NGK INSULATORS LTD. KAWASAKI,Masaaki c/o NGK INSULATORS LTD. MASUDA,Katsuhiro c/o NGK INSULATORS LTD. INOUE,Hiroaki c/o NGK INSULATORS LTD. SAKAI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US20240043349A1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-02-08.

Porous silicon nitride article and method for production thereof

Номер патента: EP1298111A4. Автор: Shinji Kawasaki,Hiroaki Sakai,Kenji Morimoto,Katsuhiro Inoue,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Silicon nitride vacuum furnace process

Номер патента: AU622092B2. Автор: Stephen D. Hartline,Normand P. Arsenault,Craig A. Willkins. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-03-26.

Conductive silicon nitride composite sintered body and a process for the production thereof

Номер патента: US20030155555A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Silicon nitride sintered products and processes for their production

Номер патента: US20030139278A1. Автор: Naoto Hirosaki,Mamoru Mitomo,Yoshinobu Yamamoto,Toshiyuki Nishimura. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 2003-07-24.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: US20040046153A1. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Method of producing sintered silicon nitrides

Номер патента: US5394015A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-02-28.

Method of producing master batch of mixture of diene elastomer and silicon dioxide

Номер патента: RU2605253C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Continuous method for preparing silicone dioxide and silicone dioxide product prepared by this method

Номер патента: RU2539136C2. Автор: Уильям Дж. ХАГАР,Карл В. ГАЛЛИС. Владелец: Дж. М. ХУБЕР КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of manufacturing a silicon nitride body

Номер патента: GB1335842A. Автор: . Владелец: Joseph Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1973-10-31.

Method and apparatus for purifying trichlorosilane and silicon tetrachloride

Номер патента: RU2393991C2. Автор: Джанфранко ГЕТТИ. Владелец: Мемс Электроник Матириалз С.П.А.. Дата публикации: 2010-07-10.

Method for producing a low-silica vanadium pentoxide from solution containing vanadium, chrome and silicon

Номер патента: RU2645535C1. Автор: Юй ЧЗАН,Хунбинь Цао,Пэнгэ НИН. Владелец: Инститьют Оф Процесс Инжениринг, Чайниз Академи Оф Сайенсез. Дата публикации: 2018-02-21.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: CA2049204A1. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Barbara M. Pyzik. Дата публикации: 1992-02-16.

Method of making a silicon nitride part

Номер патента: CA1094892A. Автор: Andre Ezis,James C. Uy. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1981-02-03.

Non-densified silicon nitride beta-phase material

Номер патента: US5405592A. Автор: Bohdan Lisowsky,James P. Edler. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Silicon nitride-ceramic and a manufacturing method therof

Номер патента: US4886767A. Автор: Yasuhiro Goto,Takeyuki Yonezawa,Yoshiyuki Ohnuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Protection of silicon nitride artefacts

Номер патента: GB1510310A. Автор: . Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1978-05-10.

Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: US4356136A. Автор: John A. Mangels. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1982-10-26.

Silicon nitride sintered body and method for preparing the same

Номер патента: CA1223013A. Автор: Mikio Fukuhara,Yoshitaka Maekawa. Владелец: Toshiba Tungaloy Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-16.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: US5091347A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-02-25.

Silicon nitride sintered body, rolling body using same, and bearing

Номер патента: EP4209472A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Silicon nitride sintered body, rolling element using the same, and bearing

Номер патента: US20230303454A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282848A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Preparation method for copper plate-covered silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067577A1. Автор: HUI Zhang,Zhongming Chen,Yan Liu,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon nitride sintered body and wear-resistant member using the same

Номер патента: US20240025811A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Takayuki Fukasawa,Kentaro IWAI,Yoshihito Yamagata,Naoto HOUTSUKI. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Addition-curable silicone rubber composition and silicone rubber cured material

Номер патента: US20240279469A1. Автор: Shigeru Ubukata,Nobu Kato,Tatsuei Hara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Insulating glass (ig) window unit including heat treatable coating with silicon-rich silicon nitride layer

Номер патента: WO2003078346A9. Автор: Philip J Lingle. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2004-04-22.

Silicon nitride body having high as-fired surface strength

Номер патента: WO1996032359A1. Автор: Chien-Wei Li,Jean Yamanis,Mohammad Behi. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1996-10-17.

Silicon nitride powder

Номер патента: EP4455078A1. Автор: Hideaki Kawai,Ryuji Ishimoto. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Silicon nitride based charge and method for production of articles thereof

Номер патента: RU2610744C1. Автор: Татьяна Алексеевна Сафронова,Петр Георгиевич Лапин,Мария Анатольевна Громыхина,Анастасия Валерьевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2017-02-15.

Mixed oxide powder containing alkali metal oxide, and silicon rubber containing said powder

Номер патента: RU2395449C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Хельмут МАНГОЛЬД,Марио ШОЛЬЦ,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Хельмут МАНГОЛЬД (DE),Марио ШОЛЬЦ (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of obtaining mother stock of diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2563013C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of making of caked article made of silicon nitride

Номер патента: RU2028997C1. Автор: И.П. Боровинская,В.А. Горшков,В.И. Юхвид,С.Ю. Шаривкер,А.М. Князик. Владелец: Институт структурной макрокинетики РАН. Дата публикации: 1995-02-20.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2058151C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto,Koichi Sogabe,Tomoyuki Awatsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: US5439856A. Автор: Michiyasu Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Method of forming high density beta silicon nitride

Номер патента: CA1092325A. Автор: Gerald Q. Weaver. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1980-12-30.

Silicon nitride compositions

Номер патента: CA2540048C. Автор: Michael Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-21.

Coated composite silicon nitride cutting tools

Номер патента: US4441894A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-04-10.

Sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic

Номер патента: US4025351A. Автор: Hideyuki Masaki. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1977-05-24.

Silicon nitride wear resistant member and method of manufacturing the member

Номер патента: US6784131B2. Автор: Michiyasu Komatsu,Hiroshi Komorita,Hiroki Tonai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Process for making silicon nitride cutting tool material

Номер патента: US6066582A. Автор: Marianne Collin,Magnus Ekelund. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for manufacture of silicon nitride

Номер патента: US4396587A. Автор: Isamu Iwami,Masami Yamaguchi,Yoshiharu Kitahama,Yoshirou Tajitsu. Владелец: Asahi Dow Ltd. Дата публикации: 1983-08-02.

Treatment of fabric in machine dryers using treating means containing fabric treating composition having resistance to change in viscosity and release rate with temperature change

Номер патента: CA1235861A. Автор: Stephen A. Morganson,Donna M. Majewski. Владелец: Joh A Benckiser GmbH. Дата публикации: 1988-05-03.

Silicon nitride sintered members

Номер патента: US4940680A. Автор: Tomonori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1990-07-10.

Tool comprised of a silicon nitride sintered body

Номер патента: US5171723A. Автор: Toshio Nomura,Hideki Moriguchi,Mitsunori Kobayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-12-15.

Treatment of fabrics in machine dryers using treating means containing fabric treating composition having resistance to change in viscosity and release rate with temperature change

Номер патента: US4642258A. Автор: Stephen A. Morganson,Donna M. Majewski. Владелец: Economics Laboratory Inc. Дата публикации: 1987-02-10.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: US4256688A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1981-03-17.

Improvements in or relating to the Production of Silicon Nitride Articles

Номер патента: GB1168499A. Автор: Richard Alan Taylor. Владелец: Birmingham Small Arms Co Ltd. Дата публикации: 1969-10-29.

Silicon nitride cutting tool and process for making

Номер патента: US4670024A. Автор: Deepak G. Bhat,Vinod Sarin,Paul F. Woerner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-06-02.

Superabsorbent polymers and silicone elastomer for use in skin care compositions

Номер патента: CA2866759C. Автор: Paul Robert Tanner,Mridula MANOHAR. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1091907A. Автор: Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-12-23.

Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders

Номер патента: US4919868A. Автор: Jow-Lay Huang. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Sintered silicon nitride and production method thereof

Номер патента: US5126294A. Автор: Akira Okada,Naoto Hirosaki. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-30.

High-packing silicon nitride powder and method for making

Номер патента: US5348919A. Автор: Akio Otsuka,Meguru Kashida,Haruyoshi Kuwabara,Yasuyuki Maki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-20.

High-thermal-conductivity silicon nitride ceramic insulating plate and preparation method therefor

Номер патента: EP4269372A1. Автор: He Jing,Xiao He,Feng Sun,Xuemin Xu,Weiru Zhang,Panpan LIANG,Tingxia Dong,Peiyuan Lv,Jinmeng XU,Wenzhao WEI,Zhijie DING. Владелец: Sinoma Advanced Nitride Ceramics Co ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11919824B2. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for producing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317106A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon nitride sintered body, wear-resistant member, and method for manufacturing silicon nitride sintered body

Номер патента: EP4317107A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods for detecting end-points for cleaning processes of aerospace components

Номер патента: EP4196293A1. Автор: Kenichi Ohno,Ankur Kadam,Prerna Sonthalia Goradia,Lance A Scudder,David Alexander Britz,Nitin Deepak,Abhishek MANDAL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Sintered reaction-bonded silicon nitride components

Номер патента: WO1996001236A1. Автор: Robert Alan Wordsworth,Carol Jayne Pindar,Nicholas Dominic Butler,Matthew Arnold Hepworth. Владелец: T & N Technology Limited. Дата публикации: 1996-01-18.

Batch sintering method for high-property silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: US20240067576A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Synthesis method of silicon nitride powder and sintered body

Номер патента: US20230339755A1. Автор: In Chul CHO. Владелец: ZONE INFINITY CO Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for continuously producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20230357087A1. Автор: Dai Kusano. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Producing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230391677A1. Автор: Katsuyuki Aoki,Kazuya Ookubo,Kai Funaki,Shoya Sano. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon nitride wear resistant member and method for producing silicon nitride sintered compact

Номер патента: US20160137556A1. Автор: Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Silicon Nitride Sintered Body, Wear-Resistant Member, And Method For Manufacturing Silicon Nitride Sintered Body

Номер патента: US20230382809A1. Автор: Kazuya Ookubo. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Batch sintering method for high-performance silicon nitride ceramic substrate

Номер патента: EP4282844A1. Автор: HUI Zhang,Jian Huang,Zhongming Chen,Xuejian Liu,Zhengren HUANG,Xiumin YAO,Jindi Jiang. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-11-29.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: EP2526076A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: Ceradyne Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Method of forming silicon nitride film

Номер патента: US20240240307A1. Автор: Yoshiki Nakano,Takafumi Nogami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Water absorbing and releasing body for engine oil, automotive parts including water absorbing and releasing body, and method for producing water absorbing and releasing body for engine oil

Номер патента: US20180264380A1. Автор: Yoshihiro Kudo,Ippei Fukutomi,Yoji Horiuchi,Yasuhiro Shimakura. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US20240276896A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

High strength silicon nitride

Номер патента: WO1989008625A1. Автор: Hun C. Yeh. Владелец: Allied-Signal Inc.. Дата публикации: 1989-09-21.

Method for the deposition of silicon nitride

Номер патента: US20050118336A1. Автор: Henry Bernhardt,Michael Stadtmueller,Dietmar Ottenwaelder,Anja Morgenschweis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Workflow tool and method to build, deploy and release applications to one or more cloud computing platforms

Номер патента: US12106093B2. Автор: Mitchell Hashimoto,Timothy Gross. Владелец: HashiCorp Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of producing a composite based on microporous zeolite and silicon carbide

Номер патента: RU2725586C1. Автор: Алексей Георгиевич Дедов,Александр Александрович Караваев,Алексей Сергеевич Локтев,Илья Иосифович Моисеев,Алексей Сергеевич Митиненко,Екатерина Андреевна Исаева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет нефти и газа (национальный исследовательский университет) имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2020-07-02.

Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide

Номер патента: US5908796A. Автор: William Collins,Vimal Pujari. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

Sublimation method for growing silicon carbide monocrystals and silicon carbide source involved

Номер патента: RU2094547C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм,Леонид Иосифович Темкин. Владелец: Леонид Иосифович Темкин. Дата публикации: 1997-10-27.

Method of obtaining masterbatch of synthetic diene elastomer and silicon oxide

Номер патента: RU2562283C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-09-10.

Silicon nitride components with protective coating

Номер патента: US6582779B2. Автор: Derek Raybould,Chien-Wei Li,Milton Ortiz,Thomas Edward Strangman. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Composition, manufacturing and application of silicon nitride as biomaterial for medicinal purposes

Номер патента: RU2229313C2. Автор: Кент ОЛЬССОН,Ли ЙИАНГУО,Урбан ЛИНДГРЕН. Владелец: Биомат Систем Аб. Дата публикации: 2004-05-27.

Systems and apparatuses for sequencing with high throughput capacity with detection based on semiconductors

Номер патента: RU2755738C2. Автор: Дитрих ДЕЛИНГЕР,Али АГА,Трейси Хелен ФУНГ,Эмра КОСТЕМ,Крейг ХЕТЕРИНГТОН. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2021-09-20.

Silicon nitride based components

Номер патента: GB1528160A. Автор: . Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1978-10-11.

Polysilazanes, processes for their preparation, ceramic materials which contain silicon nitride and can be prepared from them, and preparation thereof

Номер патента: CA1320305C. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-07-13.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: CA1257298A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-07-11.

Process for producing high purity silicon nitride by the direct reaction between elemental silicon and nitrogen-hydrogen liquid reactants

Номер патента: US4935214A. Автор: Eloise A. Pugar,Peter E. D. Morgan. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-06-19.

A1n coated silicon nitride-based cutting tools

Номер патента: CA1333242C. Автор: Charles D'angelo,Vinod K. Sarin. Владелец: Valenite LLC. Дата публикации: 1994-11-29.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: CA1273185A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-08-28.

Improvements in or relating to the manufacture of silicon nitride and oxynitride

Номер патента: GB1028977A. Автор: . Владелец: ERIC CAMPBELL SHEARS. Дата публикации: 1966-05-11.

Production of silicon nitride whiskers

Номер патента: GB998167A. Автор: Christopher Charles Evans. Владелец: TI Group Services Ltd. Дата публикации: 1965-07-14.

Composite material of silicon carbide and silicon and methods of producing

Номер патента: CA1158259A. Автор: Martin R. Kasprzyk,Douglas J. Mcdowell,Francis J. Frechette,Joseph S. Zanghi. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: CA2004404A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Sintering of silicon nitride to high density

Номер патента: US4379110A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich,John A. Palm. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-04-05.

Method of making a densified silicon nitride/oxynitride composite

Номер патента: US4496503A. Автор: Elaine C. Beckwith,Andre Ezis,Howard D. Blair. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1985-01-29.

Fiber-reinforced silicon nitride ceramics

Номер патента: CA1302059C. Автор: Normand D. Corbin,Stephen D. Hartline,George A. Rossetti, Jr.. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Sintered self-reinforced silicon nitride

Номер патента: US5312785A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1994-05-17.

Silicon nitride ceramic having devitrified intergranular glass phase and a process for its preparation

Номер патента: US5128287A. Автор: Marcellus Peuckert. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1992-07-07.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: CA2004399A1. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1990-06-03.

Process for processing silicon-dioxide-containing air- borne waste fines to precipitate silicas and silicates

Номер патента: CA1082881A. Автор: Gunter Turk,Karl Achenbach. Владелец: Deutsche Gold und Silber Scheideanstalt. Дата публикации: 1980-08-05.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Silicon nitride ceramic sintered body and preparation method thereof

Номер патента: US11807582B1. Автор: Yuan Yu,Lujie Wang,Zhuhui Qiao,Tongyang Li,Ziyue Wang,Huaguo Tang. Владелец: Yantai Zhongke Research Institute Of Advanced Materials And Green Chemical Engineering. Дата публикации: 2023-11-07.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20170362087A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-12-21.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10239757B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-03-26.

Systems and methods for rapid inactivation of SARS-CoV-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: US11844344B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for producing silicon nitride sinterned body

Номер патента: EP4317057A1. Автор: Satoru Wakamatsu,Dai Kusano,Kunihiro GOTOU. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Silicon nitride powder production method, silicon nitride powder, silicon nitride sintered body and circuit substrate using same

Номер патента: US20150056121A1. Автор: Takeshi Yamao,Koji Shibata,Takayuki Fujii,Masataka Fujinaga,Michio Honda,Takuji OHMARU. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Silicon nitride cutting tool

Номер патента: US8496718B2. Автор: Takashi Watanabe,Shuichi Tateno,Tatsuyuki Nakaoka,Hiroshi Yoshimitsu,Takero Fukudome. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Addition-curable silicone rubber composition and silicone rubber

Номер патента: US20180346722A1. Автор: Shigeki Shudo,Noriyuki Meguriya,Hidenori Mizushima,Shigeru Ubukata,Nobu Kato. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Production process and production device of silicon nitride wave-absorbing material

Номер патента: GB2625432A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Silicon nitride porous body and its production process

Номер патента: EP1167321A3. Автор: Nobuhiro Shinohara,Kanji Arai,Naomichi Miyakawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-13.

Gold-catalyzed c-c cross-coupling of boron- and silicon-containing aryl compounds and aryldiazonium compounds by visible-light

Номер патента: WO2018114914A1. Автор: Matthias Rudolph,Wilfried Braje,Jin Xie,A. Stephen K. Hashmi,Sina Witzel. Владелец: UNIVERSITÄT HEIDELBERG. Дата публикации: 2018-06-28.

Part coated with a hydrogenated amorphous carbon coating on an undercoat comprising chromium, carbon and silicon

Номер патента: US12012657B2. Автор: Laurent Bombillon,Fabrice Prost. Владелец: Hydromecanique et Frottement SAS. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4017548A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A3. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on glass and ceramics

Номер патента: US20210180176A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: AU2020334770B2. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: AU2021259477A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: EP4138942A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: US20210330860A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of silicon nitride laser cladding

Номер патента: WO2021216872A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-28.

High chromium and silicon-rich corrosion resistant steel and article comprising the same

Номер патента: US20230051620A1. Автор: Jien-Wei Yeh. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-02-16.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A8. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Silicon nitride ceramics with improved wear resistance and production method therefore

Номер патента: WO2013171324A1. Автор: Prof. Hasan MANDAL,Prof. Ferhat KARA,Prof. Servet TURAN,Prof. Alpagut KARA. Владелец: Mda Ileri Teknoloji Seramikleri Sanayi Ticaret Ltd. Sti.. Дата публикации: 2013-11-21.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: EP4214178A1. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2023-07-26.

A silicon oxynitride or an oxydized silicon nitride powder of the general formula si(x)o(y)n(z), a preparation method thereof and the use thereof in antipathogen products

Номер патента: WO2022060271A8. Автор: WEI Xia,Håkan ENGQVIST,Ioannis KATSAROS. Владелец: Viaton Ab. Дата публикации: 2022-08-18.

Programmable mip catch and release technology

Номер патента: US20170050175A1. Автор: Michael J Petrin,James Paul Farr,Marion M Stuckey,William Paul Sibert. Владелец: DECAF COMPANY LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Methods for manufacturing silicon nitride materials

Номер патента: US20230093682A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal,Clayton Ashcroft. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Substituted silicon nitride products and method of production thereof

Номер патента: WO1994017010A1. Автор: Derek Parr Thompson,Hassan Mandal,Yi Bing Cheng. Владелец: Cookson Group Public Limited Company. Дата публикации: 1994-08-04.

Automating a software-defined wide area network policy for internet of things end points

Номер патента: US12088426B2. Автор: Vivek Agarwal,Anand Oswal,Balaji Sundararajan,Subhash Kodnad,Chethan CHANNAPPA,Jeevan Sharma. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

High chromium and silicon-rich corrosion resistant steel and article comprising the same

Номер патента: US12104233B2. Автор: Jien-Wei Yeh. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-10-01.

Emergency door release with backup power

Номер патента: US09525308B1. Автор: Brent Buescher, JR.,Mark Bullock. Владелец: Overhead Door Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon

Номер патента: US09469918B2. Автор: Chao Liu,Wen-Qing Xu,Elgin E. Eissler,Michael Aghajanian,Charles D. Tanner,Charles J. Kraisinger. Владелец: II VI Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of producing nanostructured composite ceramics based on zirconium, aluminum and silicon oxides

Номер патента: RU2701765C1. Автор: Александр Александрович Дмитриевский,Дарья Геннадиевна Жигачева,Андрей Олегович Жигачев,Александр Иванович Тюрин,Владимир Михайлович Васюков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина". Дата публикации: 2019-10-01.

Continuous method for preparing silicone dioxide and silicone dioxide product prepared by this method

Номер патента: RU2673449C1. Автор: Уильям Дж. ХАГАР,Карл В. ГАЛЛИС. Владелец: Дж. М. ХУБЕР КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-11-27.

Method for producing hydrogen fluoride from a mixture of calcium difluoride and silicon dioxide

Номер патента: RU2757017C1. Автор: Павел Сергеевич Камбур,Дмитрий Станиславович Пашкевич,Валентин Валерьевич Капустин,Анастасия Сергеевна Маслова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2021-10-08.

Method for producing "superalloy" based on titanium, aluminium, iron, chromium, copper and silicon from water suspension of particles containing compounds of these ore elements, and device for its implementation

Номер патента: RU2634562C2. Автор: Юрий Александрович Семенов,Алексей Степанович Таранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет". Дата публикации: 2017-10-31.

Method of producing trichlorosilane and silicon for use in production of trichlorosilane

Номер патента: RU2529224C1. Автор: Ян-Отто Хоэль,Хеннинг ХЬЕНЛИ,Харри Мортен Ронг,Торбьерн Реэ,Йостейн БЬЕРДАЛЬ. Владелец: Элкем Ас. Дата публикации: 2014-09-27.

Continuous method for preparing silicone dioxide and silicone dioxide product prepared by this method

Номер патента: RU2673449C9. Автор: Уильям Дж. ХАГАР,Карл В. ГАЛЛИС. Владелец: Дж. М. ХУБЕР КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for processing fluoride and silicon containing waste of aluminum manufacture

Номер патента: RU2675916C1. Автор: Эдвард Петрович Ржечицкий,Виктор Викторович Кондратьев,Алексей Анатольевич Петровский,Нина Владимировна Немчинова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2018-12-25.

Method of obtaining mother stock of natural rubber and silicon oxide

Номер патента: RU2559497C2. Автор: ГОДЕМАРИ Бенуа ДЕ,Жеральдин ЛАФФАРГ,Жюльен Беррио. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-08-10.

Powder of mixed titanium and silicon oxide, dispersion thereof and titanium-containing zeolite based thereon

Номер патента: RU2415081C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Мартин МЁРТЕРС,Хельмут МАНГОЛЬД,Штеффен ХАЗЕНЦАЛЬ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2011-03-27.

Aqueous compositions of polymer-modified setting agents and use thereof in construction

Номер патента: RU2456252C2. Автор: Клаус БОНИН,Харальд ЦЕХ. Владелец: Ваккер Хеми Аг. Дата публикации: 2012-07-20.

Connector for mechanical and electrical connection of anode with anode frame of electrolytic bath for purpose of aluminium production and device to grip, clamp and release such connector

Номер патента: RU2439208C2. Автор: Роже БУАНЕ. Владелец: Нкм Ноэлл Спешэл Крэйнс. Дата публикации: 2012-01-10.

Stable aqueous compositions based on antibodies

Номер патента: RU2763787C2. Автор: Уилльям ЛИЧ,Рейчел ЛЬЮУС,Джеймс МАКДЖИВНИ,Келси НЬЮЭЛЛ,Кевин Дуглас СТЮАРТ. Владелец: Астразенека Аб. Дата публикации: 2022-01-11.

Process for joining silicon nitride based ceramic bodies

Номер патента: CA1147538A. Автор: Howard D. Blair,Morton E. Milberg. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-06-07.

Recovery Of Silicon And Silicon Carbide Powder From Kerf Loss Slurry Using Particle Phase-Transfer Method

Номер патента: US20100284885A1. Автор: Yi-Der Tai,Yen-Chih Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2010-11-11.

Process for producing corrosion resistant silicon nitride bodies containing La2 O3

Номер патента: US4749539A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Superplastic silicon nitride sintered body

Номер патента: US5672553A. Автор: Mamoru Mitomo,Hideki Hirotsuru,Toshiyuki Nishimura,Hisayuki Suematsu. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1997-09-30.

Reaction sintered boride-oxide-silicon nitride for ceramic cutting tools

Номер патента: CA1260505A. Автор: Thomas P. Deangelis. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1989-09-26.

Silicon nitride powders for ceramics by carbothermic reduction and the process for the manufacture thereof

Номер патента: AU7103787A. Автор: Roland Bachelard,Philippe Joubert. Владелец: Atochem SA. Дата публикации: 1987-10-08.

Silicon nitride sintered bodies and method for producing the same

Номер патента: CA1207804A. Автор: Keiji Matsuhiro,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1986-07-15.

Method, base station and centre of broadcasting and multiaddress service to develop, update and release synchronisation objects

Номер патента: RU2491786C2. Автор: Юй ЧЭНЬ,Хэ ВАН. Владелец: Алькатель Люсент. Дата публикации: 2013-08-27.

Aqueous compositions containing arbekacine

Номер патента: RU2604767C2. Автор: Михаэль Хан,Манфред КЕЛЛЕР,Юкихиро ЯГИ,Масаси ТАНАКА,Тосие СУГАНО,Кунико СОДЗИ,Нао САНО,Роман ЭГЛЕ. Владелец: Мейдзи Сейка Фарма Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-12-10.

Method, device and system of work restart time reducing for root ports and end points integrated into root ports

Номер патента: RU2645596C1. Автор: Махеш ВАГ,Роберт Э. ГОФ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-21.

Ceramics fixing heater containing silicon nitride

Номер патента: CA2246919C. Автор: Masuhiro Natsuhara,Yasuhisa Yushio,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Method of manufacturing silicon nitride powder

Номер патента: GB1414143A. Автор: . Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-11-19.

Process for preparing high-purity α-type silicon nitride

Номер патента: US4346068A. Автор: Kiyoshi Kasai,Yoshitaka Kubota,Takaaki Tsukidate. Владелец: Toyo Soda Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-24.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: US5382273A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Robert D. Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Method for producing powder of α-silicon nitride

Номер патента: US4368180A. Автор: Hiroshi Inoue,Akihiko Tsuge,Katsutoshi Komeya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-11.

Sintered silicon nitride bodies suitable for use as high impact materials

Номер патента: CA2059775C. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-08-20.

Hot pressed, high strength silicon nitride

Номер патента: US3830652A. Автор: G Gazza. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1974-08-20.

Method for making sintered silicon nitride articles

Номер патента: US4462816A. Автор: Robert W. Wolfe,Joseph J. Cleveland. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1984-07-31.

Silicon nitride-zirconium silicate ceramics

Номер патента: US4069059A. Автор: William J. McDonough,Roy W. Rice. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-17.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same

Номер патента: US4795724A. Автор: Tomonori Takahashi,Takao Soma. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Process for producing silicon nitride sliding member

Номер патента: US5961907A. Автор: Takashi Matsuura,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Masamichi Yamagiwa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Ultrahigh purity silane and silicon production with recycle from separation columns

Номер патента: CA1155636A. Автор: Larry M. Coleman. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1983-10-25.

Silicon nitride sintered material for cutting tools and process for making the same

Номер патента: US4769350A. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-09-06.

Production of silicon nitride material components

Номер патента: US3819786A. Автор: E May. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1974-06-25.

Silicon nitride ceramics

Номер патента: GB2169594A. Автор: Isao Ikeda,Hiroyasu Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-07-16.

Foamable siloxane compositions and silicone foams prepared therefrom

Номер патента: US5733946A. Автор: Lawrence Joseph Rapson,Brian Paul Loiselle. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Silicon nitride sintered bodies and a method of producing the same

Номер патента: US4818733A. Автор: Tomonori Takahashi,Masahiro Shirai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Chlorine-containing silazane polymers, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be prepared from them, and their preparation

Номер патента: US5032663A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Tilo Vaahs. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1991-07-16.

Silicon nitride with improved high temperature strength

Номер патента: CA1268488A. Автор: Russell L. Yeckley. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1990-05-01.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: CA1133683A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1982-10-19.

Silicon nitride sintered products having high corrosion resistance and process for production thereof

Номер патента: US4499192A. Автор: Yasushi Matsuo,Yoshinori Hattori,Toru Shimamori. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-12.

Improvements relating to silicon nitride

Номер патента: GB1117788A. Автор: John Martin Herbert,Gerald George Deeley. Владелец: Plessey UK Ltd. Дата публикации: 1968-06-26.

Process for making a homogeneous doped silicon nitride article

Номер патента: US4814128A. Автор: Sophia R. Su,Sheldon Lieberman,Elizabeth Trickett. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

Transparent article having protective silicon nitride film

Номер патента: CA2189430C. Автор: Robert Bond,Roger P. Stanek,Wayne Hoffman. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2007-07-10.

High density silicon nitride bodies

Номер патента: US4879080A. Автор: Martin Y. Hsieh. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Silicon nitride ceramic and cutting tool made thereof

Номер патента: CA2149658C. Автор: Pankaj Kumar Mehrotra,Robert David Nixon. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Silicone elastomer composition and silicone elastomer

Номер патента: WO2008126658A1. Автор: Kazuhiro Sekiba. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2008-10-23.

Polymeric hydridochlorosilazanes, process for their preparation, ceramic materials containing silicon nitride which can be manufactured therefrom, and their manufacture

Номер патента: US5189132A. Автор: Martin Bruck,Marcellus Peuckert,Thomas Gerdau,Tilo Vaahs,Hans-Jerg Kleiner. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-02-23.

Nanostructured Silicon Nitride Synthesis from Agriculture Waste

Номер патента: US20190169028A1. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-06-06.

Nanostructured silicon nitride synthesis from agriculture waste

Номер патента: US10662062B2. Автор: Syed B. Qadri,Bhakta B. Rath,Edward P. Gorzkowski, III. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-05-26.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: US11832537B2. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Vanadium silicon nitride film, member coated with vanadium silicon nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190390331A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing silicon nitride substrate

Номер патента: EP4032700A1. Автор: Seung Yeon Lee,Eun Ok Chi,Seunggwan LEE. Владелец: OCI Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Dense silicon nitride body having high strength, high weibull modulus and high fracture toughness

Номер патента: WO2011142789A2. Автор: Biljana Mikijelj. Владелец: CERADYNE, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Titanium silicon nitride barrier layer

Номер патента: WO2021071629A1. Автор: Niloy Mukherjee,Jae Seok Heo,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of manufacturing silicon nitride whiskers

Номер патента: US5334565A. Автор: Masao Noguchi,Yusaku Takita,Tatsumi Ishihara,Yukako Mizuhara. Владелец: Ohita Gas Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

METHOD AND APPARATUS FOR ASSESSING VoIP PACKET PRODUCTION AND PACKET TRANSMISSION AND INDICATION AT THE END POINTS INVOLVED IN THE VoIP COMMUNICATION

Номер патента: US20120014378A1. Автор: Olaf ZÄNCKER. Владелец: VOIPFUTURE Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Method and apparatus for processing and releasing the information of the business object

Номер патента: WO2016105902A1. Автор: Jun Zhang,Bin Ye,Jinlai YAN,Weina PU. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2016-06-30.

Adding and releasing a secondary cell in a multi-cell connectivity configuration

Номер патента: US12048035B2. Автор: MING Yang,Juan Montojo,Kausik Ray Chaudhuri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Microfluidic radiosynthesis of a radiolabeled compound using electrochemical trapping and release

Номер патента: WO2009015048A3. Автор: Brian Edgecombe,Farshad Motamedi,Anthony Stephen,Michael A Giardello,Arkadij M Elizarov,James R Heath,Hartmuth C Kolb,Dam R Michael Van. Владелец: Dam R Michael Van. Дата публикации: 2009-04-16.

Systems and methods of snooping connectivity fault messages to configure maintenance end point for alarm suppression messages

Номер патента: US20120014263A1. Автор: Stephen John Unger,David Joseph Haas. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Method and session initiation protocol (sip) server with end-point capabilities check

Номер патента: WO2006114757A1. Автор: Peter Postmus. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2006-11-02.

Controlled entrapment and release of molecular cargo

Номер патента: US20230331975A1. Автор: Ling Zhang,Faik Akif TEZCAN,Youjeong Na,Kenneth Han. Владелец: Regents Of Universithy Of California. Дата публикации: 2023-10-19.

Controlled entrapment and release of molecular cargo

Номер патента: WO2022125293A9. Автор: Ling Zhang,Faik Akif TEZCAN,Youjeong Na,Kenneth Han. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-09-29.

Controlled entrapment and release of molecular cargo

Номер патента: WO2022125293A3. Автор: Ling Zhang,Faik Akif TEZCAN,Youjeong Na,Kenneth Han. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-09-01.

Controlled entrapment and release of molecular cargo

Номер патента: WO2022125293A2. Автор: Ling Zhang,Faik Akif TEZCAN,Youjeong Na,Kenneth Han. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-06-16.

Proxy tunnel end point unit, communication system for scalable network virtualization having the same and communication method for scalable network virtualization

Номер патента: US09960931B2. Автор: Sung Hyuk BYUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-05-01.

Maintenance entity group end point of a subnetwork within a multi-domain network

Номер патента: US09923756B2. Автор: Michael Waldo. Владелец: ADVA Optical Networking SE. Дата публикации: 2018-03-20.

System and method for efficient transmission of data during team game in CPNS environment, and CPNS server, mobile communication terminal, and end-point terminal for the same

Номер патента: US09888071B2. Автор: In Hwan Kim,Jeong Hoon Lee,Jeong Min You. Владелец: SK Planet Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Housing device having pull-type locking and release structure

Номер патента: US09801296B1. Автор: Shang-Tsai Wu. Владелец: Dinkle Electric Machinery China Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for immobilizing and releasing microorganism

Номер патента: US09631189B2. Автор: Katsutoshi Hori. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2017-04-25.

Sequestration and release of carbon dioxide

Номер патента: US09457312B2. Автор: Wolfgang Schmitt,Annemarie O'Toole. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2016-10-04.

Application of aluminium oxide and silicon oxide-containing compounds for manufacturing hydrophobic construction product

Номер патента: RU2577344C2. Автор: Уве ГЕРИГ,Флориан ЭЛЛЕНРИДЕР,Михаэль МЕЛЬХАРТ,Йоахим РИДМИЛЛЕР,Штеффен ВАХЕ,Матиас ДЕГЕНКОЛЬБ,Михаэль КУЧЕРА,Катя ФОЛАНД. Владелец: Констракшн Рисёрч Энд Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

Aerosol-generating system comprising planar induction coil

Номер патента: RU2680438C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-02-21.

Aqueous composition for manufacture of paper

Номер патента: RU2277142C2. Автор: Данкан КАРР,Майкл СИГМАН,Данкан КАРР (US),Майкл СИГМАН (US). Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2006-05-27.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: CA1308231C. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1992-10-06.

Coupled rubbery polymers containing tin and silicon

Номер патента: GB2354243A. Автор: Yi Feng,Wen-Liang Hsu,Adel Farham Halasa,Charles John Pearson. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2001-03-21.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA2036010C. Автор: Manabu Isomura,Hiroaki Sakai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1996-07-16.

Precision control of relay operate and release times

Номер патента: CA1043454A. Автор: John A. Gauthier. Владелец: GTE Automatic Electric Canada Ltd. Дата публикации: 1978-11-28.

Silicon nitride sintered body and method of producing the same

Номер патента: CA1239943A. Автор: Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-02.

Method, network device, and end-point device for semi-permanent scheduling

Номер патента: RU2746217C1. Автор: Цзиньхуа ЛЮ,Минь ВАН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-04-09.

Fused moulded refractory material based on aluminium oxide, zirconium dioxide and silicon dioxide and use of said material

Номер патента: RU2584189C1. Автор: М.СК. Амуль ГУПТА,Роланд ХАЙДРИХ,Фабио ЮРЛАРО,Барбара КОРРАДО,М.Ск. Кевин СЕЛКРЕГГ,Иван ПАНЬУККО,Иларио ЛЕНАРДУЦЦИ,Лучано БАТАГЕЛЬ. Владелец: Рифрэктори Интеллектчуал Проперти Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-05-20.

Method of molding silicon nitride ceramics

Номер патента: US5385701A. Автор: Akira Yamakawa,Tomoyuki Awazu,Osamu Komura,Yasushi Tsuzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing silicon nitride objects

Номер патента: GB2065714A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-01.

Method of making silicon nitride based cutting tools - i

Номер патента: CA1142334A. Автор: Andre Ezis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-03-08.

Process for producing silicon nitride

Номер патента: US4990471A. Автор: Sadashiv Nadkarni,Mukesh K. Jain. Владелец: Alcan International Ltd Canada. Дата публикации: 1991-02-05.

Bulk-scaffolded hydrogen storage and releasing materials and methods for preparing and using same

Номер патента: US7963116B2. Автор: Liyu Li,Yongsoon Shin,Anna Gutowska,S. Thomas Autrey,Abhijeet J. Karkamkar,Xiaohong S. Li. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Silicon nitride reinforced with molybdenum disilicide

Номер патента: US5064789A. Автор: John J. Petrovic,Richard E. Honnell. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-11-12.

Process for producing silicon nitride sintered material

Номер патента: US5178809A. Автор: Akira Takahashi,Keiichiro Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1993-01-12.

Sintering of silicon nitride with Be additive

Номер патента: US4374792A. Автор: Svante Prochazka,Charles D. Greskovich. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-02-22.

Foamable siloxane compositions and silicone foams prepared therefrom

Номер патента: US5670556A. Автор: Lawrence Joseph Rapson,Brian Paul Loiselle. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

Method for manufacturing a sintered body of silicon nitride

Номер патента: US4971740A. Автор: Takeshi Kawashima,Hiroaki Nishio. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1990-11-20.

Determining phase jitter and packet inter-arrival jitter between network end points

Номер патента: US20050232268A1. Автор: Gerhard Gross. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Preparation of rare earth and other metal alloys containing aluminum and silicon

Номер патента: CA1096203A. Автор: Alec Mitchell,James R. Goldsmith,J. Malcolm Gray. Владелец: Molycorp Inc. Дата публикации: 1981-02-24.

Method of joining a pair of silicon nitride parts

Номер патента: US3881904A. Автор: Roger Francis Stokes,Brian John Hunt. Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1975-05-06.

Process of producing a fibrillated semi-interpenetrating polymer network of polytetrafluoroethylene and silicone elastomer and shaped products thereof

Номер патента: US4945125A. Автор: Mark E. Dillon,Joseph A. Dillon. Владелец: Tetratec Corp. Дата публикации: 1990-07-31.

Synthesis of silicon nitride

Номер патента: CA1192377A. Автор: Kunihiko Terase,Hitoshi Kijimuta,Kimihiko Sato. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-27.

Preparation of superconducting oxide films on silicon and silicon dioxide substrates

Номер патента: CA1332326C. Автор: Richard E. Soltis,Mohammad Aslam,Eleftherios M. Logothetis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Silicon nitride whiskers

Номер патента: GB2178417A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-11.

Sintered silicon nitride ceramic articles having surface layers of controlled composition

Номер патента: US4400427A. Автор: Vincent W. Nehring,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat,Carr L. W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-08-23.

Method of producing silicon-nitride-based sintered body

Номер патента: US5122486A. Автор: Masakazu Watanabe,Katsuhisa Yabuta,Tomohisa Kito. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-16.

Process for production of silicon nitride

Номер патента: CA1247326A. Автор: Haruo Teranishi,Hiroshi Ichikawa,Toshikatsu Ishikawa,Shiro Mitsuno. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-28.

Method of preparing silicoaluminophosphate compositions using a reagent containing both phosphorus and silicon reactive sites in the same molecule

Номер патента: US5279810A. Автор: David C. Calabro. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Silicon nitride sintered product

Номер патента: CA1314293C. Автор: Kenji Nakanishi,Kazuhiro Urashima,Masakazu Watanabe,Yo Tajima. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-09.

System for implementing end-point authentication restriction for resource distribution device use

Номер патента: US20230368201A1. Автор: Steven Michael Twombly,Tony England,Robertson Walters Greenbacker,Bradley Ryan Holland,Sara A. Walsh. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Systems and methods for selective laser sintering of silicon nitride and metal composites

Номер патента: EP4232228A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Workflow tool and method to build, deploy and release applications to one or more cloud computing platforms

Номер патента: US20220413844A1. Автор: Mitchell Hashimoto,Timothy Gross. Владелец: HashiCorp Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of transferring data between end points in a network

Номер патента: WO2012090065A2. Автор: Peter DAHLSEIDE. Владелец: Irx-Integrated Radiological Exchange. Дата публикации: 2012-07-05.

End point to edge node interaction in wireless communication networks

Номер патента: US11882027B2. Автор: Hang Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

End-point instance indexing and owner pop selection in gateway service ticketing

Номер патента: US20230344815A1. Автор: Santosh Kumar Swain. Владелец: Citrix Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Programmable mip catch and release technology

Номер патента: US20170050174A1. Автор: Michael J. Petrin,James Paul Farr,William Paul Sibert,Marion M. Stuckey. Владелец: DECAF COMPANY LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: EP4324808A2. Автор: Bhajanjit Singh Bal,Bryan J Mcentire,Ryan M Bock. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of providing real-time secure communication between end points in a network

Номер патента: US20160044030A1. Автор: Raph Weyman,Paul Anthony Galwas. Владелец: Cellcrypt Group Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and methods for filtering notifications for end points associated with a user

Номер патента: US20200374250A1. Автор: David Le Strat,Eugene Yamnitsky. Владелец: Citrix Systems Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Reference of neural network model for adaptation of 2d video for streaming to heterogeneous client end-points

Номер патента: US20230319328A1. Автор: Stephan Wenger,Arianne Hinds. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for producing spherical silicon nitride powder

Номер патента: US20190177162A1. Автор: Kuan-Ting Lai,Chun-Te Wu,Cheng-Hung Shih,Yang-Kuo Kuo. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2019-06-13.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: SG181418A1. Автор: Haavard Soerheim,Arve Solheim,De Schootbrugge Egbert Van. Владелец: Saint Gobain Ind Keramik Roedental Gmbh. Дата публикации: 2012-07-30.

Silicon nitride based crucible

Номер патента: US20120275983A1. Автор: Arve Solheim,Havard Sorheim,Egbert Van De Schootbrugge. Владелец: Saint Gobain IndustrieKeramik Roedental GmbH. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon nitride sintered body and process for producing the same

Номер патента: CA2060241A1. Автор: Masaya Miyake,Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma,Takehisa Yamamoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-11-23.

Analysis of event based behaviour of end-points in an industrial system

Номер патента: WO2020104007A1. Автор: Johan Åkerberg,Ewa Hansen,Jörgen GADE. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of transferring data between end points in a network

Номер патента: WO2012090065A3. Автор: Peter DAHLSEIDE. Владелец: Irx-Integrated Radiological Exchange. Дата публикации: 2012-08-23.

Methods of surface functionalization of zirconia-toughened alumina with silicon nitride

Номер патента: WO2021034385A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for preparing bactericidal film having silicon nitride binding layer on plastic

Номер патента: US20210180177A1. Автор: Fook Chi Mak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Analysis Of Event Based Behaviour Of End-Points In An Industrial System

Номер патента: US20210405623A1. Автор: Johan Åkerberg,Ewa Hansen,Jörgen GADE. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon that is transparent in visible light, method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon nitride that is transparent in visible light, and method for preparing low-loss hydrogenated amorphous silicon oxide that is transparent in visible light

Номер патента: US20240084444A1. Автор: Jun Suk RHO,Young Hwan YANG,Gwan Ho YOON. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon nitride wave-transmitting material, preparation process and preparation apparatus

Номер патента: GB2625431A. Автор: Xu Tao,XIAO Liang,Zeng Xiaofeng,Zhu Fulin,Qian Lihong. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method and system for propagating network traffic flows between end points based on service and priority policies

Номер патента: US20240223501A1. Автор: Nitin Karkhanis,Anuraag Mittal,Arup Raton Roy,Thejesh Panchappa. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method of determining end point candidates for an optical channel in a data network

Номер патента: WO2002065678A1. Автор: James A. Spallin. Владелец: FUJITSU NETWORK COMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2002-08-22.

Treatment of metallic surfaces by oh-functional copolymer containing acidic aqueous compositions

Номер патента: EP4244405A1. Автор: Manfred Walter,Thomas Burkhardt,Ilya Ostrovsky,Nawel Souad KHELFALLAH,Sven Daniel GASPARIC,Helen ROTHER-NOEDING. Владелец: Chemetall GmbH. Дата публикации: 2023-09-20.

Battery powered end point device for IoT applications

Номер патента: US11770452B2. Автор: Arindam Chakraborty,Brandon Feil,Richard Ryer. Владелец: Zurn Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

System and method for managing end point presenting devices

Номер патента: US20240291890A1. Автор: Michael Emery Brown,Mahesh Babu Ramaiah,Ajay Shenoy. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Aqueous composition

Номер патента: CA2020266A1. Автор: Toshio Saito,Hideo Kanamori. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 1990-12-31.

Treatment of metallic surfaces by copolymer containing acidic aqueous compositions

Номер патента: EP4244404A1. Автор: Manfred Walter,Thomas Burkhardt,Ilya Ostrovsky,Nawel Souad KHELFALLAH,Sven Daniel GASPARIC,Helen ROTHER-NOEDING. Владелец: Chemetall GmbH. Дата публикации: 2023-09-20.

Galvanic process for treating aqueous compositions

Номер патента: AU2021430769A1. Автор: Donald A. Luke,Carlos Borras. Владелец: Nuquatic LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

PROCESS FOR CO-PRODUCING LITHIUM, ALUMINUM, AND SILICON-OXYGEN (Si-O) MATERIALS

Номер патента: US20240247337A1. Автор: Arend Groen,James Guy Blencoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Low-Viscosity Aqueous Compositions

Номер патента: US20120130035A1. Автор: Uwe Held,Ronald Klagge,Thomas Schliwka,Thomas Mausberg. Владелец: Cognis IP Management GmbH. Дата публикации: 2012-05-24.

Method, base station, and broadcast multicast service center for creating, updating, and releasing synchronization entities

Номер патента: US09609611B2. Автор: YU Chen,HE Wang. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for end point identification in computer networks

Номер патента: US09544225B2. Автор: Fabio Chiussi,Luyuan Fang,Jeff Cox,Edet NKPOSONG,Darren Loher,Gary Ratterree,Nasser ELAAWAR. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US11796737B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Genxcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Co-Manufacturing of Silicon-on-Insulator Waveguides and Silicon Nitride Waveguides for Hybrid Photonic Integrated Circuits

Номер патента: US20240004133A1. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits

Номер патента: US12032205B2. Автор: Thien-An Nguyen,Brian Mattis,Taran Huffman,Bryan Woo. Владелец: Orca Computing Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of machining silicon nitride ceramics and silicon nitride ceramics products

Номер патента: CA2073388C. Автор: Akira Yamakawa,Takao Nishioka,Kenji Matsunuma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-01-23.

Sole structure for accumulating and releasing of energy

Номер патента: RU2238016C2. Автор: Брайэн А. РАССЕЛ. Владелец: Бритек Футвэр Девелопмент Ллс. Дата публикации: 2004-10-20.

SOLAR CELL BUILT AROUND p-TYPE HETEROSTRUCTURE OF AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE SILICON NITRIDE - SILICON

Номер патента: RU2568421C1. Автор: Родригес Веласкес Гуни,Василий Сергеевич Захвалинский,Евгений Александрович Пилюк,Дормидонт Архипович Шербан,Алексей Васильевич Симашкевич,Леонид Измайлович Брук. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет", (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Silicon nitride electrosurgical blade

Номер патента: US4850353A. Автор: Peter Stasz,Scott R. Grabinger,Jeffrey J. Solberg. Владелец: Everest Medical Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Suspension and hardened composition containing carbostyril derivative and silicone oil and/or silicone oil derivative

Номер патента: RU2535089C2. Автор: Сого Хираока. Владелец: Оцука Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-12-10.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip

Номер патента: EP4058753A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Pharmaceutical compositions, containing imatinib and release moderator

Номер патента: RU2404775C2. Автор: Вэйцинь ТОН,Джей Партибан ЛАКШМАН,Мадхав ВАСАНТАВАДА,Абу Т.М. СЕРАДЖУДДИН. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2010-11-27.

Composite material based on nanocrystalline cellulose and silicon nanoparticles

Номер патента: RU2671702C1. Автор: Валерий Алексеевич Гуртов,Светлана Владимировна Логинова,Виталий Борисович Пикулев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2018-11-06.

Device for cartridge interlocking and release

Номер патента: RU2370373C2. Автор: Крис ВАНДЕРМЕЛЕН. Владелец: Даймо. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of reconstructive plastic surgery of breast cancer patients using xenopericardium biolab-pp/pa and silicone endoprosthesis

Номер патента: RU2743199C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Елена Александровна Рассказова,Дзерасса Радионовна Ортабаева,Азизжон Дилшодович Зикиряходжаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр радиологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ радиологии" Минздрава России). Дата публикации: 2021-02-16.

Automatic locking and releasing arrangement for vehicular seat belt

Номер патента: US4840402A. Автор: Kazuo Yamamoto,Katsuyasu Ono,Shinichi Yamamuro. Владелец: Chuo Hatsujo KK. Дата публикации: 1989-06-20.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20240241237A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Microwave-assisted magnetic recording (MAMR) head slider with diamoind-like carbon layer and a silicon nitride layer, and related head gimbal assembly and disk drive unit

Номер патента: US12106783B2. Автор: Hua Li,Peng Liu,Rong Huang,Jian Hui Huang,Da Yao HE. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Suspension and cake composition containing carbostyryl derivative and silicone oil and/or silicone oil derivative

Номер патента: US09511022B2. Автор: Shogo Hiraoka. Владелец: Otsuka Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of gripping, tension and release of bow string with bow arrow

Номер патента: RU2602004C1. Автор: Илья Никитич Тигунцев. Владелец: Илья Никитич Тигунцев. Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: CA1122438A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1982-04-27.

Method of detecting end point and monitoring uniformity in chemical-mechanical polishing operation

Номер патента: US6153116A. Автор: Champion Yi,Ming-Cheng Yang,Cheng-Sung Huang,Feng-Yeu Shau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Silicon nitride life prediction method

Номер патента: US4151740A. Автор: Peter H. Havstad. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1979-05-01.

Low loss silicon nitride and waveguides comprising low loss silicon nitride

Номер патента: WO2024049944A1. Автор: Robert Higashi,Robert Horning,David Deen,Christopher John CARRON,Molly KROGSTAD. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Apply and release hydraulic parking valve

Номер патента: WO1994013521A1. Автор: Alistair Gordon Taig. Владелец: Alliedsignal, Inc.. Дата публикации: 1994-06-23.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Modifying a series of lock acquire and release operations to use a single lock reservation

Номер патента: US20210263787A1. Автор: Andrew James CRAIK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Retaining and releasing device and assembly for spacecraft

Номер патента: US20240228069A9. Автор: Fernando José CESPEDOSA CASTÁN,José Luis MORA PLAZA. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Automatic medicine warehousing and releasing management system and method of automatically warehousing and releasing medicines thereof

Номер патента: US9070177B2. Автор: Jun-Ho Kim. Владелец: JVM Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Fittable and releasable fastener

Номер патента: US20200018342A1. Автор: Ting-Jui Wang,Tung-Jung CHANG. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Connector and release mechanisms for surgical devices and kits

Номер патента: US20240225754A1. Автор: Joseph Whitley,Gordon L. Goodchild,Jody Lee CLAYPOOL. Владелец: Caira Surgical. Дата публикации: 2024-07-11.

Hydraulic tensioning and release tool for expansion fasteners

Номер патента: AU2019359770B2. Автор: Andrew Duncan MCPHEE. Владелец: Nord Lock Switzerland GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Latch and release mechanisms for waste containers

Номер патента: US09963276B1. Автор: Lee S. Weinerman,Scott Arthurs,Keith A. Braun. Владелец: Eastern Co. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and device for facilitating disassembly of a firearm and release of a magazine

Номер патента: US09777977B1. Автор: Edward Makaron. Владелец: Create Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Composite polymer packing material based on high pressure polyethylene with starch and silicon dioxide additives

Номер патента: RU2568488C1. Автор: Юрий Андреевич Гороховатский,Валентин Васильевич Бурда. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена". Дата публикации: 2015-11-20.

Photosensibile on the basis of semiconductor quantum points and chlorine e6

Номер патента: RU2629390C2. Автор: Александр Васильевич Баранов,Юлия Александровна Громова,Владимир Григорьевич Маслов,Анна Олеговна Орлова,Анатолий Валентинович Фёдоров,Юрий Кузьмич Гунько,Анастасия Константиновна Вишератина. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2017-08-29.

Hydrophilic base for chewing gum, chewing gum containing the same, methods for production thereof and releasing of lipophilic active ingredients therefrom

Номер патента: RU2291624C2. Автор: Майкл Дж. ГРИНБЕРГ,Дэвид Г. БАРКЭЛОУ,Филип В. ЭРНЕЗИС,Филип МАЗЗОНИ,Майкл Т. БРАНКЗИК,Георг В. МОНЕН. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2007-01-20.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US11819847B2. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Multi-layer silicon nitride waveguide based integrated photonics optical gyroscope chip with electro-optic phase shifter

Номер патента: US20220011111A1. Автор: Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Systems and methods for rapid inactivation of sars-cov-2 by silicon nitride and aluminum nitride

Номер патента: EP4171225A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: WO2022020022A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-01-27.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: EP4182087A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US20220016628A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US11940572B2. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Polarization splitter-rotator having silicon based waveguide with silicon nitride segment

Номер патента: US20220196813A1. Автор: Bing Shen,Pradeep Srinivasan,Brett E. Huff,Kevin MASUDA. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Multiple hold-down and release device for spacecraft, and methods for releasing a spacecraft from a dispenser of a launcher and for installing a multiple hold-down and release device for spacecraft

Номер патента: US12006072B2. Автор: Eugenio GRANDE SAEZ. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2024-06-11.

A retractable and extendable hand truck base plate assembly with a securing and releasing mechanism

Номер патента: WO2024049830A1. Автор: Jose' Angel Caceres MENDOZA. Владелец: Harper Trucks, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Periodic Delivery and Release System for Hormone Pellets

Номер патента: US20220105331A1. Автор: Mitchell Kurk,Odilza Vital Fill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-07.

Tool and method for locking and releasing a plug

Номер патента: EP2723971A2. Автор: Tor Eivind Hansen,Krzysztof Klimas. Владелец: ARCHER OIL TOOLS AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Tool and method for locking and releasing a plug

Номер патента: US20140224478A1. Автор: Tor Eivind Hansen,Krzysztof Klimas. Владелец: ARCHER OIL TOOLS AS. Дата публикации: 2014-08-14.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US11957812B2. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US20220082756A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Hooking And Releasing Device For Blocks

Номер патента: US20130233994A1. Автор: Angelo Misson. Владелец: Navalimpianti Spa. Дата публикации: 2013-09-12.

Drilled silicon nitride ball

Номер патента: US20030084584A1. Автор: Mark Osterstock. Владелец: Q-MARK MANUFACTURING Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Retractable and extendable hand truck base plate assembly with a securing and releasing mechanism

Номер патента: US20240067245A1. Автор: José Angel Caceres Mendoza. Владелец: Harper Trucks Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20240252717A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Anchoring and release system to secure a liquid releasing tube into a low-flow device

Номер патента: US20230148825A1. Автор: Ian M. Anderson,Jonathan M. Ballesteros. Владелец: Geyser Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-18.

Heart pump implant system with fastening and releasing devices

Номер патента: US20240269459A1. Автор: Thomas Müller,Hardy Baumbach,Inga Schellenberg,Leon WENNING,Mario HEINTZE. Владелец: Kardion GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for Extracting Attributes of Starting and Ending Points of Roads in Batches From Urban Regional Road Network

Номер патента: US20240265165A1. Автор: Yabin Sun,Sen Wei,Minghui Xie,Yuanqing Wang,Yaxiang Li,Zhouhao Wu,Shuxin Jin. Владелец: Changan University. Дата публикации: 2024-08-08.

Separation apparatus and method for separating plastic and silicone in a composite material

Номер патента: US20240100743A1. Автор: Yung-Chih Chen,Ching-Hsin CHEN,Bing-Yuan Lin,Ying-Yin Chen. Владелец: Taiwan Green Point Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Heart pump implant system with fastening and releasing devices

Номер патента: EP4422740A1. Автор: Thomas Müller,Hardy Baumbach,Inga Schellenberg,Leon WENNING,Mario HEINTZE. Владелец: Kardion GmbH. Дата публикации: 2024-09-04.

Anchoring and release system to secure a liquid releasing tube into a low flow device

Номер патента: AU2022389443A1. Автор: Ian M. Anderson,Jonathan M. Ballesteros. Владелец: Geyser Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Anchoring and release system to secure a liquid releasing tube into a low flow device

Номер патента: EP4433231A1. Автор: Ian M. Anderson,Jonathan M. Ballesteros. Владелец: Geyser Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Child resistant packaging container with closure and release mechanism

Номер патента: US09932156B2. Автор: Jay Baker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon nitride-carbon nanotube-graphene nanocomposite microbolometer IR detector

Номер патента: US09851257B1. Автор: Ashok K. Sood,Elwood J. Egerton. Владелец: Magnolia Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US09789239B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Lifting hook, safety latch of lifting hook and locking and releasing device of safety latch

Номер патента: US09776835B2. Автор: Jack HOOVER,Olli Kuismanen,Amit RAKSHE,Gaurav Rana,Amar CHOUDHARI,Nilesh DHARMADHIKARI. Владелец: Konecranes Global Oy. Дата публикации: 2017-10-03.

Latch and release mechanism for adjustable firearm stock

Номер патента: US09746281B2. Автор: John Wilson,David B. Hopkins,Cory J. Newman. Владелец: Sig Sauer Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Interlocking primary and secondary cart assemblies with lock and release mechanisms

Номер патента: US09630640B1. Автор: Jeffrey M. Collins,Pradeep Balakrishnan,Andrew S. Ward. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Distinguishing superimposed links to a node by spreading connection points of links to node according to coordinates of bend point or opposite end point of links

Номер патента: US09552661B2. Автор: Eric Durocher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Broadband silicon nitride polarization beam splitter

Номер патента: US09547127B1. Автор: Masaki Kato,Jie Lin. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Fishing lure with a built-in, spring-loaded, adjustable diving and release apparatus

Номер патента: US09456593B2. Автор: Shannon Patrick McWilliams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods and devices for deploying and releasing a temporary implant within the body

Номер патента: RU2601995C2. Автор: Шантану К. ГОР,Сэмюэль Дж. ЛЕВИ,Джонатан ВЕККЕР,Брюс А. ХОРВИЦ,Джинянг Дэниел ГВАК. Владелец: Аллюрион Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2016-11-10.

Composed tramadole of prolonged release with 24- hour action

Номер патента: RU2328275C2. Автор: Милу РАХМУНИ,Соня ЖЕРВЭ,Дэймон СМИТ,Рашид УЗЕРУРУ,Венсан ЛЕНАР,Джонатан БЭЙКОН,Сон ЖЕРВЭ,Патриси Лаура ОУАДЖИ-НДЖИКИ,Патрисия Лаура Оуаджи-Нджики. Владелец: Лабофарм (Барбадос) Лимитед. Дата публикации: 2008-07-10.

Spring tensioning device, jaw crusher, mineral material processing plant loading the connecting rod in the jaw crusher spring compression and release method

Номер патента: RU2664831C1. Автор: Юкка ЙОКИРАНТА,Алекси РИККОНЕН. Владелец: Метсо Минералз, Инк.. Дата публикации: 2018-08-23.

Mechanism to suspend wing body lift devices element and lift devices element retract-and-release device with such mechanism

Номер патента: RU2529588C2. Автор: ШЛИПФ Бернхард,МИССБАХ Мирко. Владелец: Эрбус Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2014-09-27.

RESUMPTION OF BLOOD FLOW IN HUMAN BLOCKED ARTERIES BY TRANSFERRING NANO INCAPSULATED DRUG BY MEANS OF MEDICAL DEVICES DESIGNED THEREFOR, AND RELEASE OF NANO INCAPSULATED DRUG WITHIN HUMAN ARTERY AT PHYSIOLOGIC pH LEVEL

Номер патента: RU2605793C2. Автор: Маниш ДОШИ,Дивьеш ШЕРДИВАЛА,Пракаш СОДЖИТРА,Ашвин ВЬЯС,Панкаи ГАНДХИ,Загабатхуни Венката Панчхакшари МУРТХИ. Владелец: Энвижн Сайентифик Прайвит Лимитед. Дата публикации: 2016-12-27.

Separating and releasing device, particularly for cups

Номер патента: CA1241618A. Автор: Erik Blom. Владелец: JEDE-AUTOMATER AB. Дата публикации: 1988-09-06.

Suspension and cake composition containing carbostyryl derivative and silicone oil and/or silicone oil derivative

Номер патента: SG184879A1. Автор: Shogo Hiraoka. Владелец: Otsuka Pharma Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Hydraulic running and release tool with mechanical emergency release

Номер патента: CA2028723C. Автор: Samuel Fred Baker. Владелец: Texas Iron Works Inc. Дата публикации: 1998-04-28.

Head brake release with memory

Номер патента: CA2238200A1. Автор: Gregory P. Dantzman,Robert E. Dummer. Владелец: Robert E. Dummer. Дата публикации: 1998-11-22.

Head brake release with memory

Номер патента: CA2238200C. Автор: Gregory P. Dantzman,Robert E. Dummer. Владелец: Bucyrus International Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

Improvements in railway vehicles having automatic couplers and release mechanism therefor

Номер патента: GB952058A. Автор: Peter Edward Checkley,Richard John Hollis. Владелец: Dowty Hydraulic Units Ltd. Дата публикации: 1964-03-11.

Suspension and cake composition containing carbostyryl derivative and silicone oil and/or silicone oil derivative

Номер патента: EP2552420A1. Автор: Shogo Hiraoka. Владелец: Otsuka Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

Adjustable tension kite holding and release release apparatus

Номер патента: US11825825B1. Автор: Raymond A. Rosher. Владелец: R & R Tackle Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Retaining and releasing device and assembly for spaceships

Номер патента: EP4299451A1. Автор: Fernando José CESPEDOSA CASTÁN,José Luis MORA PLAZA. Владелец: Airbus Defence and Space SA. Дата публикации: 2024-01-03.

Apparatus for holding and releasing with rod-shaped release elements made of a shape memory alloy

Номер патента: US11701716B2. Автор: Siebo Reershemius. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2023-07-18.

Fastening device, and cable tie tightening and release method

Номер патента: EP4292971A1. Автор: Yi-Ying Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-20.

Pipe coupling for receiving, holding and releasing a pipe and a method of assembling a pipe coupling

Номер патента: US11982387B2. Автор: Mark Fardon,Josef Luke ALLEN,Gordon John Alexander FARQUHAR,Oliver Macpherson ROSS. Владелец: Wavin BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Suspension and cake composition containing carbostyryl derivative and silicone oil and/or silicone oil derivative

Номер патента: MY174552A. Автор: Hiraoka Shogo. Владелец: Otsuka Pharma Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

Retaining and releasing device and assembly for spacecraft

Номер патента: US20240132234A1. Автор: Fernando José CESPEDOSA CASTÁN,José Luis MORA PLAZA. Владелец: Airbus Defence and Space SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

A pipe coupling for receiving, holding and releasing a pipe and a method of assembling a pipe coupling

Номер патента: US20230341071A1. Автор: Mark Fardon,Josef Luke ALLEN,Gordon John Alexander FARQUHAR,Oliver Macpherson ROSS. Владелец: Wavin BV. Дата публикации: 2023-10-26.

A pipe coupling for receiving, holding and releasing a pipe and a method of assembling a pipe coupling

Номер патента: EP4267878A2. Автор: Mark Fardon,Josef Luke ALLEN,Gordon John Alexander FARQUHAR,Oliver Macpherson ROSS. Владелец: Wavin BV. Дата публикации: 2023-11-01.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

Fittable and releasable fastener

Номер патента: US20200277981A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon nitride ceramic heating and ignition device for granular fuel barbecue oven

Номер патента: US20230165403A1. Автор: Shirong Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for enhancement and releasing of freshwater fish

Номер патента: LU500605B1. Автор: Jie Li,Jiping Yang,Zhi Wu,Yuefei LI,Shuli Zhu. Владелец: Pearl River Fisheries Res Institute Chinese Academy Of Fishery Sciences. Дата публикации: 2022-03-01.

Hydraulic tensioning and release tool for expansion fasteners

Номер патента: US12023766B2. Автор: Andrew Duncan MCPHEE. Владелец: Nord Lock Switzerland GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Unevenness elimination end-point detecting apparatus and unevenness elimination end-point detecting method for CMP apparatus

Номер патента: US20080180695A1. Автор: Toshiyuki Yokoyama,Takashi Komiyama. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Multilayer functional particle with rich calcium source and effects of rapidly dissolving and releasing active ingredient

Номер патента: AU2021102673A4. Автор: Wei-Jen Chen,Cheng-Yen Liu,Hui-Fang Chu,Da-Hsiang Kao. Владелец: Syngen Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Lock and release mechanisms for trans-catheter implantable devices

Номер патента: EP4397285A2. Автор: David Maimon,Liron Tayeb,Eitan ATIAS,John J. DESROSIERS,Daniel James Murray,Adi CARMI,Michael G Valdez. Владелец: Edwards Lifesciences Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Energy regulation and release device

Номер патента: US20240102764A1. Автор: Russell Oliver. Владелец: Organization Of Strategic Sciences LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for processing plans having multiple end points and electronic device applying the same method

Номер патента: US20200286477A1. Автор: Jinwoong Kim,Hojun JAYGARL,Kwangbin Lee,Donghee SUH,Sungyul CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-10.

Assembly for grabbing, picking up and releasing objects

Номер патента: WO2024128909A1. Автор: Devanand VASU,Erman Shah ABDUL RAZAK. Владелец: Sime Darby Plantation Intellectual Property Sdn Bhd. Дата публикации: 2024-06-20.

Knife with monolithic lock and release

Номер патента: WO2023147682A1. Автор: Trevor C. Fauss,Ben Ren ZHU. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2023-08-10.

Puzzle with Attachable and Releasable Pieces

Номер патента: US20180296910A1. Автор: Margo Sheryl Chazen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-18.

Self locking and releasing hinge assembly

Номер патента: US20160108655A1. Автор: Nichelle Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Device for closing and releasing a power charging port of a motor vehicle

Номер патента: US20240025245A1. Автор: Jürgen Salewski. Владелец: BOS GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-25.

Fishing line engaging and releasing mechanism in a closed-face type reel

Номер патента: US4509704A. Автор: Kiyomi Ozaki,Kikuo Tunoda. Владелец: Ryobi Ltd. Дата публикации: 1985-04-09.

Device for holding and releasing an object, and related methods

Номер патента: US20200361076A1. Автор: Olivier Richart. Владелец: Selenium Medical SAS. Дата публикации: 2020-11-19.

Device for holding and releasing an object, corresponding assembly and release method

Номер патента: US11931190B2. Автор: Olivier Richart. Владелец: Selenium Medical SAS. Дата публикации: 2024-03-19.

Ambidextrous cocking lever assembly for kriss -type firemarm and magazine locking and releasing assembly

Номер патента: WO2013088198A1. Автор: Antoine Robert,Renaud Kerbrat,Jan Henrik Jebsen. Владелец: KRISS SYSTEMS SA. Дата публикации: 2013-06-20.

Bail latching and releasing mechanism for spinning reel

Номер патента: US4403750A. Автор: Yoshinori Morimoto. Владелец: Ryobi Ltd. Дата публикации: 1983-09-13.

Gripping and releasing apparatus and method

Номер патента: WO2011130475A3. Автор: Eric Brown,Hod Lipson,Jr. John R. Amend,Heinrich Jaeger. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-08.

Apparatus and method for gripping, holding and releasing objects that can be penetrated

Номер патента: CA2626639A1. Автор: Reidar Hovtun,Jan O. Buljo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Apparatus and method for gripping, holding and releasing objects that can be penetrated

Номер патента: EP1948406A1. Автор: Reidar Hovtun,Jan O. Buljo. Владелец: SINVENT AS. Дата публикации: 2008-07-30.

Crash-helmet with device for locking and releasing movable parts

Номер патента: AU3584699A. Автор: Luigi Mazza,Bruno Crippa,Claudio Rivolta. Владелец: AGV SpA. Дата публикации: 2000-01-13.

Prevention of malicious end point behavior through stateful rules

Номер патента: US12045152B2. Автор: Ross David WOLF,Nicholas Charles BERLIN,Brian Douglas MCKINNEY. Владелец: Elasticsearch Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Bow string drawing and release device

Номер патента: US3656467A. Автор: Dale F Halter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-04-18.

Vacuum packaging appliance with sealing sub-assembly including latch and release lever mechanisms

Номер патента: US7310924B2. Автор: Steven D. Small. Владелец: Sunbeam Products Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

Vacuum packaging appliance with sealing sub-assembly including latch and release lever mechanisms

Номер патента: US20070089378A1. Автор: Steven Small. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Toy top and release means therefor

Номер патента: US3789545A. Автор: F Mann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-02-05.

Quick disconnect and release hose couplings

Номер патента: WO2001079740A1. Автор: Thomas V. Kusilek,James P. Mcauley. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2001-10-25.

Voice end-point detection device, system and method

Номер патента: US20180357999A1. Автор: Jae Min Joh,Kyung Chul Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Energy storage and release device using elastic reservoirs, and methods and timepieces related thereto

Номер патента: EP3039492A2. Автор: Johann Rohner. Владелец: Preciflex SA. Дата публикации: 2016-07-06.

Quick release device and method of securing and releasing an object

Номер патента: US20110035921A1. Автор: Wade Spooner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-17.

Color change sensor using hollow silica and ion-pairing dye capable of detecting trace amounts of acetone gas

Номер патента: US20240280475A1. Автор: Jung Hyun Kim,Wooyoung Lee,Jihyun Lee,Kyusik Shin,Jae Jung Park,Gaeun KIM,Youngno KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-22.

Film gripping and releasing device for pallet wrapping machines and related method of operation

Номер патента: US20230365285A1. Автор: Claudio Casadei. Владелец: C&C GROUP Srl. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-mechanical thumb retention-and-release security feature for a gun holster

Номер патента: US20210310766A1. Автор: Robert Don Haygood,David William Click. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-07.

Door check and release mechanism

Номер патента: US20170198506A1. Автор: Steve Sowter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods and systems for door-enabled loading and release of payloads in an unmanned aerial vehicle (UAV)

Номер патента: AU2022202827B2. Автор: Andre Prager,Adam Woodworth. Владелец: Wing Aviation LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Vehicle closure release method and release system

Номер патента: US20240301743A1. Автор: Pietro Buttolo,Robert Michael Grant,Christopher Henderson,Scott Steadmon Thompson,Matthew Ryan Preston,John Eric Rolinger,Brendan Smythe. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Energy storage and release device using elastic reservoirs, and methods and timepieces related thereto

Номер патента: WO2015028870A4. Автор: Johann Rohner. Владелец: Preciflex SA. Дата публикации: 2016-05-19.

Film gripping and releasing device for pallet wrapping machines and related method of operation

Номер патента: CA3199281A1. Автор: Claudio Casadei. Владелец: C&C GROUP Srl. Дата публикации: 2023-11-16.

Film gripping and releasing device for pallet wrapping machines and related method of operation

Номер патента: AU2023203017A1. Автор: Claudio Casadei. Владелец: C&C GROUP Srl. Дата публикации: 2023-11-30.

Film gripping and releasing device for pallet wrapping machines and related method of operation

Номер патента: EP4289751A1. Автор: Claudio Casadei. Владелец: C&C GROUP Srl. Дата публикации: 2023-12-13.

Device for Humanely Catching and Releasing Flying and Crawling Insects

Номер патента: US20220142138A1. Автор: A. Maynard Engebretson,Susan E. Bies. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatus and method for storing, cooling, and releasing things

Номер патента: US20240353172A1. Автор: David Wilber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Device and apparatus for storing and releasing thermal energy and energy transformation and storage plant

Номер патента: WO2024089537A1. Автор: Claudio SPADACINI,Dario RIZZI. Владелец: ENERGY DOME S.P.A.. Дата публикации: 2024-05-02.

Puzzle with attachable and releasable pieces

Номер патента: US09999831B2. Автор: Margo Sheryl Chazen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-19.

Hold and releasing mechanism for holding and releasing a cable take-up device

Номер патента: US09791002B2. Автор: Martin Weiss. Владелец: SRAM DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-10-17.

Attachment structure for supporting and releasably attaching a container, a corresponding support structure, a transport vehicle and a container

Номер патента: US09527426B2. Автор: Per Lavmand. Владелец: CLEAN CITY CARGO CONCEPT APS. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatus and clutch for using controlled storage and release of mechanical energy to aid locomotion

Номер патента: US09492302B2. Автор: Michael B. WIGGIN,Steven H. COLLINS,Gregory S. Sawicki. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2016-11-15.

Sanitized vending machine having cup retention-and-release mechanism

Номер патента: US09489791B2. Автор: Kil Jae Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Pluggable optical connector, lock and release mechanism therefor

Номер патента: US09411111B2. Автор: Francis Guillen Gamboa,Vincent Wai HUNG,Margarito P. BANAL, JR.. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Tooth brushing composition not containing alkylsulphate and phosphate containing fluoride source and silicon dioxide dental abrasive

Номер патента: RU2431464C2. Автор: Крейг Синклэр НЬЮБИ,Марк Эндрю НИСБЕТ,Кэтрин Сара ПРАЙС. Владелец: Глаксо Груп Лимитед. Дата публикации: 2011-10-20.

Aqueous compositions for seed processing, seeds processed with them, and methods for processing seeds

Номер патента: RU2759449C2. Автор: Зебастиан ДЕРР,Абдулла ЭКИН,Джеймс А. ТОМПСОН-КОЛОН,Тимоти ПАЙК,Скотт ГРЕЙС,Джинки ЛИ,Рональд РАЙХЕРТ,Уилльям С. ХЭНСОН. Владелец: БАЙЕР КРОПСАЙЕНС ЛПи. Дата публикации: 2021-11-15.

Vehicle door latch with a lock link which engages a pawl lifter and release lever during door unlocking

Номер патента: GB2342383A. Автор: Jean-Pierre Noel,Veronique Mejean. Владелец: Meritor Light Vehicle Systems France. Дата публикации: 2000-04-12.

Coherent lidar system based on semiconductor laser and amplifier

Номер патента: RU2484500C2. Автор: Христиан ПЕДЕРСЕН,Рене Сков ХАНСЕН. Владелец: Данмаркс Текниске Университет. Дата публикации: 2013-06-10.

Roll fuser apparatus and release agent metering system therefor

Номер патента: CA1122646A. Автор: Rabin Moser. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1982-04-27.

Electrically-actuated door holder and release

Номер патента: CA1066861A. Автор: Richard E. D'hooge. Владелец: Rixson Firemark Inc. Дата публикации: 1979-11-27.

Improvements in or relating to means for carrying heavy bodies on and releasing themfrom aircraft

Номер патента: GB497090A. Автор: . Владелец: THOMAS RICHMOND SWIFT. Дата публикации: 1938-12-07.

Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm

Номер патента: US6045954A. Автор: Chang-Ming Dai,Lon A. Wang,H.L. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-04-04.

Vehicle with hood latch and release assembly

Номер патента: CA1096904A. Автор: John A. Parr. Владелец: JI Case Co. Дата публикации: 1981-03-03.

Improvements relating to control reservoir charging and release devices

Номер патента: GB979254A. Автор: Jack Washbourn,Arthur William Simmons. Владелец: Westinghouse Brake and Signal Co Ltd. Дата публикации: 1965-01-01.

Data cartridge caddy-to-storage rack interlock and release system

Номер патента: US6028733A. Автор: Mark A. Smith,Robert Mueller,Gregg S. Schmidtke. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-02-22.

Aqueous composition, containing follicle-stimulating hormone

Номер патента: RU2561057C2. Автор: Хадзиме АСАДА,Хиросиге КАТАОКА. Владелец: Аска Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-08-20.

Restraint and release device

Номер патента: CA2715338C. Автор: Miguel Angel Plaza Baonza. Владелец: EADS Casa Espacio SL. Дата публикации: 2017-06-13.

Combination of perfluorocarbon liquid and silicone and method of treating disorders of an eye with the combination

Номер патента: US5219844A. Автор: Gholam A. Peyman,Leland C. Clark, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-06-15.

Container with lock and release mechanism

Номер патента: WO2007033104A3. Автор: John A Gelardi. Владелец: John A Gelardi. Дата публикации: 2007-07-12.

Underwater timer and release device

Номер патента: US3934865A. Автор: Edwin J. Wedrall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-01-27.

Lock and Release Stop Mechanism

Номер патента: GB2015111A. Автор: . Владелец: Northern Engineering Industries PLC. Дата публикации: 1979-09-05.

Method for producing dense silicon nitride containing yttrium oxide and aluminum oxide and having high temperature strength and oxidation resistance

Номер патента: CA1122385A. Автор: J. Thomas Smith,Carr L.W. Quackenbush. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-04-27.

End-point detection system for chemical mechanical polishing applications

Номер патента: US20020061713A1. Автор: Yehiel Gotkis,Mike Ravkin,Katrina Mikhaylich. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Hydraulically operated and released isolation packer

Номер патента: CA1284101C. Автор: Donald R. Greenlee,Michael W. Pitts. Владелец: Dresser Industries Inc. Дата публикации: 1991-05-14.

Maneuvering and release device for camera

Номер патента: US4339191A. Автор: Patrick P. Posso. Владелец: Gefitec SA. Дата публикации: 1982-07-13.

Actuated resettable shockless hold down and release mechanism (ares hdrm)

Номер патента: CA3046252A1. Автор: Gavin HAY,Gregg G. Bull. Владелец: MacDonald Dettwiler and Associates Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Brake and release apparatus for a rotary nozzle body

Номер патента: US4691876A. Автор: Walter Kranz. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1987-09-08.

In-waveform peak end point detecting method and detecting device

Номер патента: US10739322B2. Автор: Hiroaki KOZAWA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: US20240068813A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Connecting and releasing structure for balloon system

Номер патента: US11931280B2. Автор: Qiang Zhang,Xiufeng SHI. Владелец: Shanghai Panda Medical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Adhesive and release liner application system

Номер патента: US20210146572A1. Автор: Robert Thompson,David Bruce,Brocklyn Martin,Jansen Burkholder,Peter Bogush,Steven Camacho,Michael J. Etzel,Derek Daniel Bennett,Paul J VanBuskirk. Владелец: National Lumber Co. Дата публикации: 2021-05-20.

Adhesive and release liner application system

Номер патента: US20190329444A1. Автор: Robert Thompson,David Bruce,Brocklyn Martin,Jansen Burkholder,Peter Bogush,Paul J. VanBuskirk,Steven Camacho,Michael J. Etzel,Derek Daniel Bennett. Владелец: National Lumber Co. Дата публикации: 2019-10-31.

Trailer Securing and Releasing Mechanism for a Boat

Номер патента: US20170259723A1. Автор: Samuel Anderson,Dianne Jenkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-14.

Nanoporous silicon nitride membranes, and methods for making and using such membranes

Номер патента: US20180147336A1. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Optically efficient silicon nitride edge couplers in photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023215456A1. Автор: David Snyder,Sriram Tyagarajan,Kalpendu Shastri,Anujit Shastri,Rao Yelamarty,Ravinder Kachru. Владелец: Aayuna Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: US11782211B2. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon nitride implants and coatings

Номер патента: US20200197565A1. Автор: Sean Suh,Jon Suh. Владелец: CTL Medical Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Image processing apparatus and method for generating stencil data of a stroke based on shape information, connection-point information, and end-point information

Номер патента: US9202148B2. Автор: SHINYA TAKEICHI. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Distinguishing superimposed links to a node by spreading connection points of links to node according to coordinates of bend point or opposite end point of links

Номер патента: US20120032987A1. Автор: Eric Durocher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Actuated resettable shockless hold down and release mechanism (ares hdrm)

Номер патента: CA3046252C. Автор: Gavin HAY,Gregg G. Bull. Владелец: MacDonald Dettwiler and Associates Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Disk retrieve and release device and automation disk burning system

Номер патента: US20120174130A1. Автор: Ho-Cheng Kang,Sung-Hsuan Wang. Владелец: Bluhen Tech Enterprise Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in mems manufacture

Номер патента: WO2007084317A2. Автор: Teruo Sasagawa,Wonsuk Chung,Steve Zee. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-07-26.

Heart pump implant system with fastening and releasing devices

Номер патента: WO2023076869A1. Автор: Thomas Müller,Hardy Baumbach,Inga Schellenberg,Leon WENNING,Mario HEINTZE. Владелец: Kardion GmbH. Дата публикации: 2023-05-04.

Silicon nitride waveguide based integrated photonics front-end chip for optical gyroscope

Номер патента: WO2024043955A1. Автор: Mike Horton,Mario Paniccia. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Lock and release mechanisms for trans-catheter implantable devices

Номер патента: AU2024200885A1. Автор: Michael G. Valdez,David Maimon,Liron Tayeb,Eitan ATIAS,John J. DESROSIERS,Daniel James Murray,Adi CARMI. Владелец: Edwards Lifesciences Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879A. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-08.

Method for processing plans having multiple end points and electronic device applying the same method

Номер патента: EP3881175A1. Автор: Jinwoong Kim,Hojun JAYGARL,Kwangbin Lee,Donghee SUH,Sungyul CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Process flow with wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: EP4214796A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Tool and method for locking and releasing a plug

Номер патента: WO2012176174A2. Автор: Tor Eivind Hansen,Krzysztof Klimas. Владелец: ARCHER OIL TOOLS AS. Дата публикации: 2012-12-27.

An adjustment and release unit for a concave of a threshing system of a combine harvester

Номер патента: EP4374683A1. Автор: Murillo Centenaro. Владелец: AGCO International GMBH. Дата публикации: 2024-05-29.

Plug, and methods for setting and releasing the plug

Номер патента: EP2723973A2. Автор: Tor Eivind Hansen,Krzysztof Klimas. Владелец: ARCHER OIL TOOLS AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Plug, and methods for setting and releasing the plug

Номер патента: WO2012176173A2. Автор: Tor Eivind Hansen,Krzysztof Klimas. Владелец: ARCHER OIL TOOLS AS. Дата публикации: 2012-12-27.

Environment-friendly exhaust apparatus for use in sintering of porous silicon nitride ceramic material

Номер патента: NL2035879B1. Автор: XIAO Liang,DENG Xiaofeng,Zhu Fulin,Tan Haowen,Tan Qingwen. Владелец: Hengyang Kaixin Special Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Forming a composite pressure diaphragm with implantations, epitaxy, and a silicon nitride layer

Номер патента: WO2002054032A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,Gilberto Morales. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2002-07-11.

Process flow with pre-biased mask and wet etching for smooth sidewalls in silicon nitride waveguides

Номер патента: WO2024129761A1. Автор: Avi Feshali. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Adjustment and Release Unit for a Concave of a Threshing System of a Combine Harvester

Номер патента: US20240172596A1. Автор: Murillo Centenaro. Владелец: AGCO International GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Blocking and releasing device of panels to be worked and method of use thereof

Номер патента: EP3760371A1. Автор: Mirko Ferri. Владелец: Scm Group Spa. Дата публикации: 2021-01-06.

Alginic acid-containing aqueous composition, dental alginate impression material, and base material for dental alginate impression material

Номер патента: US20130032058A1. Автор: Yuko Nagasawa,Koji Matsushige,Hidetoshi Gyakushi. Владелец: Tokuyama Dental Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

A body fluid leakage detection aqueous composition

Номер патента: AU2018390922A1. Автор: Henrik Johansson,Thomas Pausch,Peter Schuisky,Thilo HACKERT. Владелец: Magle Chemoswed Holding AB. Дата публикации: 2020-06-25.

A body fluid leakage detection aqueous composition

Номер патента: CA3084723A1. Автор: Henrik Johansson,Thomas Pausch,Peter Schuisky,Thilo HACKERT. Владелец: Magle Chemoswed Holding AB. Дата публикации: 2019-06-27.

A BODY FLUlD LEAKAGE DETECTION AQUEOUS COMPOSITION

Номер патента: US20190343435A1. Автор: Henrik Johansson,Thomas Pausch,Thilo HACKERT,Peter SCHUlSKY. Владелец: Magle Chemoswed Holding AB. Дата публикации: 2019-11-14.

A body fluid leakage detection aqueous composition

Номер патента: EP3727471A1. Автор: Henrik Johansson,Thomas Pausch,Peter Schuisky,Thilo HACKERT. Владелец: Magle Chemoswed Holding AB. Дата публикации: 2020-10-28.

A body fluid leakage detection aqueous composition

Номер патента: CA3084723C. Автор: Henrik Johansson,Thomas Pausch,Peter Schuisky,Thilo HACKERT. Владелец: Magle Chemoswed Holding AB. Дата публикации: 2024-01-16.

A body fluid leakage detection aqueous composition

Номер патента: AU2018390922B2. Автор: Henrik Johansson,Thomas Pausch,Peter Schuisky,Thilo HACKERT. Владелец: Magle Chemoswed Holding AB. Дата публикации: 2024-02-08.

BODY FLUlD LEAKAGE DETECTION AQUEOUS COMPOSITION

Номер патента: US20210153789A1. Автор: Henrik Johansson,Thomas Pausch,Thilo HACKERT,Peter SCHUlSKY. Владелец: Magle Chemoswed Holding AB. Дата публикации: 2021-05-27.

Aqueous composition of apomorphine for subcutaneous administration

Номер патента: CA2999675C. Автор: Heinz Schnait,Kerstin HARTWIG,Dieter Horst Meier,Sabine Schmidt,Christian Seliger,Zoltán TÖLGYESI. Владелец: Ever Neuro Pharma GmbH. Дата публикации: 2023-10-17.

A support for defining an end point of the vibrating portion of the strings of a stringed musical instrument

Номер патента: WO1990008301A1. Автор: Ned Steinberger. Владелец: Steinberger Sound Corporation. Дата публикации: 1990-07-26.

Detecting end of stroke in a hydraulic motor

Номер патента: US10385890B2. Автор: Gregory A. Batenburg,Anuja S. Bengali. Владелец: Westport Power Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Liquid aqueous composition with improved stability

Номер патента: EP1083878A1. Автор: Elizabeth K. Parle-Schmitz. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2001-03-21.

Heat exchanger, ventilation device and method for recovering heat from fluid flow and releasing heat to fluid flow

Номер патента: WO2013004901A1. Автор: Jani Moilanen. Владелец: Indifine Development Oy. Дата публикации: 2013-01-10.

Battery end-point voltage detection method and battery end-point voltage detection system

Номер патента: US20100123463A1. Автор: Mitsuharu Iwasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Device for detecting an end point of electro-plating and method thereof

Номер патента: US20020088721A1. Автор: Hock Tan,Joo Khim NG. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-07-11.

Alkylation acid end point detector

Номер патента: US3961901A. Автор: Kenneth O. Higgs,Charles R. Beavens. Владелец: Texaco Inc. Дата публикации: 1976-06-08.

Aqueous composition comprising budesonide

Номер патента: EP4431082A1. Автор: Eva Prieschl-Grassauer,Sabine Roch-Nakowitsch,Andreas Gössl,Svenja Sladek. Владелец: MARINOMED BIOTECH AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Stabilized aqueous compositions of neuromuscular blocking agents

Номер патента: US11998605B2. Автор: Cristina Timoneda Ramia,Juan Gil Béjar. Владелец: B Braun Melsungen AG. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for welding sheets with coatings comprising an alloy of aluminum and silicon

Номер патента: US20240367265A1. Автор: Tim Hesse,Nicolai Speker. Владелец: Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method to increase cloud availability and silicon isolation using secure enclaves

Номер патента: US09798641B2. Автор: RAGHUNANDAN MAKARAM,Robert C. Swanson,Vincent J. Zimmer,Theodros Yigzaw,Eswaramoorthi Nallusamy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Polishing apparatus having end point detecting apparatus detecting polishing end point on basis of current and sliding friction

Номер патента: US09757838B2. Автор: Hiroyuki Shinozaki. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Trajectory planning with flexible replanning functionality—changed end point

Номер патента: US12147234B2. Автор: Thomas J. FRAUSCHER,Andreas Stöger,Hubert Rams. Владелец: B&R INDUSTRIAL AUTOMATION GMBH. Дата публикации: 2024-11-19.

Hypotonic aqueous composition with reduced chloride content, with or without phospholipids

Номер патента: US09682128B2. Автор: Michael Tchirikov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection

Номер патента: US09597777B2. Автор: Ping Huang,Alexander William Simpson,William C. Allison,Diane Scott,Richard Frentzel. Владелец: Nexplanar Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Servo control device reducing deflection of front end point of machine

Номер патента: US09471055B2. Автор: Naoto Sonoda. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

METAL PASTE COMPOSITION FOR FORMING ELECTRODE AND SILVER-CARBON COMPOSITE ELECTRODE AND SILICON SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20120000523A1. Автор: KIM Sang-Ho,PARK Jong-Wuk,Kim So-Won. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing silicon nitride alpha phase by self-propagating high temperature synthesis

Номер патента: RU2550882C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

Method of obtaining charge material for synthesis of silicon nitride

Номер патента: RU2465197C2. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Владимир Анатольевич Полюшко,Александр Николаевич Ищенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное общество "МИПОР". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of producing protective coating on articles with silicon carbide, silicon nitride and carbon-containing base

Номер патента: RU2520310C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2014-06-20.

Method of obtaining composite powders based on alpha-phase of silicon nitride by shs method

Номер патента: RU2556931C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Владимир Вячеславович Закоржевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of producing silicon nitride-based sintered articles

Номер патента: RU2458023C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Нелля Александровна Попова,Александр Иванович Захаров,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2012-08-10.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining ultradisperse silicon nitride powder

Номер патента: RU2541058C1. Автор: Юрий Александрович Бирюков,Леонид Николаевич Богданов,Александр Ювинальевич Объедков,Александр Юрьевич Бирюков,Владимир Анатольевич Полюшко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2015-02-10.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for production of composite material based on carbon fiber and silicon carbide

Номер патента: RU2058964C1. Автор: В.И. Костиков,С.А. Колесников,А.В. Емяшев. Владелец: Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита. Дата публикации: 1996-04-27.

Silicon nitride-based composite powder

Номер патента: RU2571757C2. Автор: Инна Петровна Боровинская,Ирина Юрьевна Келина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Людмила Александровна Чевыкалова,Ирина Леонидовна Михальчик,Александр Владимирович Аракчеев. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2015-12-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method of obtaining of cubic silicon nitride

Номер патента: RU2331578C2. Автор: Александр Васильевич Уткин,Владимир Евгеньевич ФОРТОВ,Анатолий Николаевич Дремин,Виктор Филиппович Таций,Андрей Николаевич Жуков,Александр Викторович Ананьин,Александра Иринеевна Рогачева. Владелец: Некоммерческая организация Учреждение Институт проблем химической физики Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2008-08-20.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Silicon nitride waveguide or photonic integrated circuit fabrication method

Номер патента: WO2024231800A1. Автор: Tobias Kippenberg,Xinru JI,Rui Ning WANG. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2024-11-14.

Method of connecting ceramic units from silicon nitride

Номер патента: RU2365564C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Владимир Васильевич Викулин,Ирина Юрьевна Келина,Тамара Федоровна Баранова,Ираида Николаевна Курская,Владимир Васильевич Викулин (RU),Игорь Леонидович Шкарупа (RU),Тамара Федоровна Баранова (RU),Ирина Юрьевна Келина (RU),Ираида Николаевна Курская (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2009-08-27.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for making medical devices of silicone rubber compositions with antimicrobial coating, method for manufacturing silicone pessaries with antimicrobial coating and silicone pessary manufactured by this method

Номер патента: RU2542428C1. Автор: Александр Владимирович Горшков,Борис Львович Бибер,Вера Васильевна Муравьева,Михаил Григорьевич Шнейдерман,Екатерина Евгеньевна Жукова,Сергей Дмитриевич Митрохин. Владелец: Закрытое акционерное общество "МедСил". Дата публикации: 2015-02-20.

Silicon nitride preparation process

Номер патента: RU2257338C1. Автор: Ю.М. Максимов,Л.Н. Чухломина,А.Н. Аврамчик. Владелец: Томский научный центр СО РАН. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of producing cover of antenna dome out of reaction bonded silicon nitride

Номер патента: RU2453520C1. Автор: Ирина Юрьевна Келина,Каюм Билялович Шамшетдинов,Ираида Николаевна Курская,Валентина Николаевна Рудыкина,Анатолий Степанович Шаталин,Виктор Юрьевич Шеянов,Александр Иванович Ганичев. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2012-06-20.

Method of making articles from silicon nitride

Номер патента: RU2540674C2. Автор: Владимир Никитович Анциферов,Валентина Борисовна Кульметьева,Максим Николаевич Каченюк,Екатерина Николаевна Прямилова,Федор Николаевич Овсянников,Артур Шафикович Зайдулин,Антон Евгеньевич Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Реализация инженерно-технических целей порошковой металлургии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of producing titanium dioxide and silicon carbide from abrasive processing waste

Номер патента: RU2281912C2. Автор: Адольф Николаевич Трубин,Галина Ивановна Гиль. Владелец: Галина Ивановна Гиль. Дата публикации: 2006-08-20.

Method of producing high-purity monosilane and silicon tetrachloride

Номер патента: RU2457178C1. Автор: Игорь Георгиевич Трукшин,Анатолий Владимирович Гусев,Валерий Георгиевич Барабанов,Дмитрий Анатольевич Мухортов,Михаил Федорович Чурбанов,Валентин Борисович Петров,Андрей Васильевич Котенко,Дмитрий Васильевич Котенко,Валерий Георгиевич Барабанов (RU),Михаил Федорович Чурбанов (RU),Игорь Георгиевич Трукшин (RU),Дмитрий Анатольевич Мухортов (RU),Валентин Борисович Петров (RU),Анатолий Владимирович Гусев (RU),Андрей Васильевич Котенко (RU),Дмитрий Васильевич Котенко (RU). Владелец: ФГУП "Российский научный центр "Прикладная химия". Дата публикации: 2012-07-27.

Method of producing material containing fullerene and silicon

Номер патента: RU2509721C1. Автор: Александр Илларионович Плугин,Василий Иванович Кирьянов,Дмитрий Александрович Плугин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инновационный центр "С & С". Дата публикации: 2014-03-20.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Method of manufacturing silicon nitride-based products

Номер патента: RU2239613C1. Автор: В.В. Викулин,И.Н. Курска,И.Н. Курская,В.Н. Рудыкина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2004-11-10.

Method of production of hydrofluoric acid and silicon dioxide

Номер патента: RU2175306C1. Автор: В.А. Хохлов,Ю.Ф. Кобзарь,А.Г. Крупин,В.В. Лазарчук,В.П. Столбов,Ю.Я. Томаш,С.А. Кузьминых,А.Ю. Макасеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Сибирский химический комбинат" Министерства Российской Федерации по атомной энергии. Дата публикации: 2001-10-27.

Method of single-stage breast reconstruction in cancer using acellular dermal matrix and silicone implant

Номер патента: RU2584133C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Мария Владимировна Ермощенкова,Азиз Дильшодович Зикиряходжаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский радиологический центр" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИРЦ" Минздрава России). Дата публикации: 2016-05-20.

Method for treatment of low-grade oxidized zinc ores and concentrates with zinc, manganese, iron, lead, silver, calcium and silicon dioxide recovery

Номер патента: RU2441930C1. Автор: Юрий Николаевич Цой,Хушвахт Маматкулов,Лев Дмитриевич Ким,Парвиз Хушвахтович Маматкулов,Алексей Анатольевич Вежливцев,Шухрат Рахимович Туляганов,Рустам Кадиркулович Мавланкулов. Владелец: Хушвахт Маматкулов. Дата публикации: 2012-02-10.

Method of increasing sensitivity of detecting toxic chemical vapour using detector based on semiconductor sensors

Номер патента: RU2482473C2. Автор: Игорь Николаевич Ефимов,Антон Владимирович Жидяев,Роман Витальевич Клещенко,Алексей Иванович Васин,Илья Владимирович Дурманов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD OF PRODUCING Zn64 ISOTOPE IMPOVERISHED ZINC OXIDE, PURIFIED FROM TIN AND SILICON IMPURITIES

Номер патента: RU2464229C2. Автор: Дмитрий Васильевич Тимофеев,Дмитрий Борисович Кононов,Олег Анатольевич Морозов,Александр Николаевич Гилев,Рустам Усейнович Кулиев. Владелец: Открытое акционерное общество "Производственное объединение Электрохимический завод" (ОАО "ПО ЭХЗ"). Дата публикации: 2012-10-20.

Method of obtaining uranium oxides and silicon tetrafluoride from depleted uranium tetrafluoride

Номер патента: RU2412908C1. Автор: Петр Алексеевич Кулаков,Виктор Александрович Середенко,Валентин Тимофеевич Орехов,Ирина Георгиевна Раченок,Екатерина Леонидовна Гурдина,Анатолий Григорьевич Рыбаков,Лидия Борисовна Леухина,Виктор Александрович Середенко (RU),Валентин Тимофеевич Орехов (RU),Ирина Георгиевна Раченок (RU),Екатерина Леонидовна Гурдина (RU),Анатолий Григорьевич Рыбаков (RU),Петр Алексеевич Кулаков (RU),Лидия Борисовна Леухина (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2011-02-27.

Hot pressing of silicon nitride using magnesium silicide

Номер патента: CA1096893A. Автор: Charles D. Greskovich,Chester R. O'Clair. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-03-03.

Method of production of aluminum-and-silicon alloys

Номер патента: RU2266971C1. Автор: Б.П. Куликов,В.А. Нечаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2005-12-27.

Method of obtaining technological trainings of ceramic articles from silicon nitride

Номер патента: RU2641358C2. Автор: Вячеслав Викторович Сирота,Ольга Александровна Лукьянова,Василий Сергеевич Докалов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2018-01-17.

Microwave phase shifter based on semiconductor circuit

Номер патента: RU2379798C1. Автор: Андрей Геннадьевич Ефимов. Владелец: Государственное унитарное предприятие города Москвы Научно-производственный центр "СПУРТ". Дата публикации: 2010-01-20.

Method of producing aluminosilicates and silicon from air suspension of sand particles and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2467950C1. Автор: Юрий Александрович Семенов,Алексей Степанович Таранов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курганский государственный университет". Дата публикации: 2012-11-27.

Transimpedance converter of signals of avalanche photodetectors and silicon photomultipliers

Номер патента: RU2519440C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-06-10.

Silicon nitride with increased alpha-phase content

Номер патента: RU2149824C1. Автор: И.П. Боровинская,А.Г. Мержанов,В.В. Закоржевский,Т.И. Игнатьева,Л.П. Савенкова. Владелец: Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН. Дата публикации: 2000-05-27.

Method of producing composite material based on polytetrafluoroethylene and silicon dioxide

Номер патента: RU2469056C1. Автор: Александр Николаевич Дьяченко,Александр Сергеевич Кантаев,Вячеслав Михайлович Бузник. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2012-12-10.

Method of applying silicon nitride-based coating on glass, in particular, quartz, surface

Номер патента: RU2121985C1. Автор: И.С. Епифановский,ев А.В. Шир,А.В. Ширяев,В.Т. Заболотный,В.О. Вальднер,Е.Е. Старостин,С.А. Терешин,Е.В. Бовбель,С.Д. Рудник. Владелец: Научно-производственное объединение машиностроения. Дата публикации: 1998-11-20.

Device for securing and releasing surfacing buoy on submersible technical facility

Номер патента: RU2214340C2. Автор: А.Г. Дун,М.В. Савенков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Санкт-Петербургское морское бюро машиностроения "Малахит". Дата публикации: 2003-10-20.

Tool fastening and releasing apparatus

Номер патента: RU2247012C1. Автор: Борис Срульевич Трактовенко. Владелец: Борис Срульевич Трактовенко. Дата публикации: 2005-02-27.

Device for interlock and release of opening members

Номер патента: RU2111155C1. Автор: Ю.П. Похабов,В.Н. Наговицин,А.Н. Арапочкин. Владелец: Научно-производственное объединение прикладной механики. Дата публикации: 1998-05-20.

Method for obtaining aluminium and silicon alloys in aluminium electrolysis units

Номер патента: RU2556188C1. Автор: Юрий Николаевич Попов,Петр Васильевич Поляков,Юрий Глебович Михалев,Александр Владимирович Прошкин,Ольга Васильевна Юшкова,Василий Владимирович Юшков,Сергей Викторович Агапитов,Игорь Степанович Якимов. Владелец: Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет". Дата публикации: 2015-07-10.

Aqueous composition filled with hollow microspheres for preparing anticorrosive and heat-insulating cover and method for preparing cover based on thereof

Номер патента: RU2304156C1. Автор: Виталий Степанович Беляев,ев Виталий Степанович Бел. Владелец: Виталий Степанович Беляев. Дата публикации: 2007-08-10.

Improvements in and relating to the Means of Fastening and Releasing Presses for Lawn Tennis Racquets and the like, also to the Means of Fastening and Releasing Swinging Mirrors and the like Articles.

Номер патента: GB190615471A. Автор: Douglas Delvallie Kennedy,Leonard Creighton Masters. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-04-11.

Improvements in Locking and Releasing Gear for Lift or Elevator Gates and Doors

Номер патента: GB190728740A. Автор: . Владелец: PHOENIX ART METAL ENGINEERING. Дата публикации: 1908-12-31.

Improvements in Holding and Releasing Devices for Cards in Card Index Systems

Номер патента: GB190209872A. Автор: David Edgar Hunter. Владелец: LIBRARY BUREAU Ltd. Дата публикации: 1902-06-19.

Photoactivated composition for etching silicon nitride films

Номер патента: RU2507219C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович,Екатерина Юрьевна Ванифатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Method of suppressing avalanche noise in spectrometers with slow scintillators and silicon photoelectron multipliers

Номер патента: RU2597668C1. Автор: Олег Валентинович Игнатьев,Максим Павлович Белоусов,Сергей Геннадьевич Морозов,Максим Викторович Громыко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Атом Электроникс". Дата публикации: 2016-09-20.

Rocket detent and release mechanism

Номер патента: CA1107547A. Автор: Billy H. Campbell,Edward J. Debona,William J. Laird. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1981-08-25.

Bow string holding and releasing mechanism

Номер патента: CA1066154A. Автор: Robert R. Barrick. Владелец: COWEN Corp. Дата публикации: 1979-11-13.

Coarse reaction bonded silicon nitride

Номер патента: WO1995008519B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-06-08.

Improvements in and relating to the Process of Manufacturing Products containing Calcium, Barium or Strontium and Silicon.

Номер патента: GB190804647A. Автор: . Владелец: TH Goldschmidt AG. Дата публикации: 1908-10-15.

Aqueous compositions with multi-functional, nitrogenous, organic additive

Номер патента: WO2024215587A1. Автор: Tony A. ROOK,Katherine A. Miller,Stacy L. CONTE,Kimberly PERCIVAL. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.