Method for making a semi-conducting substrate located on an insulation layer
Номер патента: US20100289123A1
Опубликовано: 18-11-2010
Автор(ы): Aomar Halimaoui
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-11-2010
Автор(ы): Aomar Halimaoui
Принадлежит: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor
Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.