Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: EP0295935B1
Опубликовано: 23-12-1992
Автор(ы): Stewart Logie
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Electrically-programmable and electrically-erasable MOS memory device

Номер патента: US4558344A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-12-10.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: JP2688492B2. Автор: スチュワート・ロージー. Владелец: アドバンスト・マイクロ・デバイシズ・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1997-12-10.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: US20040130950A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Ya-Chin King,Kung-Hong Lee. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: JP3883122B2. Автор: 昆 鴻 李,▲清▼ ▲祥▼ 徐,雅 琴 金,士 傑 沈,明 洲 何. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-21.

Electrically-programmable and electrically-erasable MOS memory device

Номер патента: EP0085550A2. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1983-08-10.

Read-only memory store of type FAMOS, comprises a memory transistor and two access transistors in each cell, and an isolating transistor between neighbouring cells

Номер патента: FR2823900A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-25.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: IL134304A. Автор: . Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2004-07-25.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: EP1010182A4. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2000-09-27.

Array of electrically erasable programmable read only memory (eeprom) and forming method thereof

Номер патента: US20220230689A1. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US4477883A. Автор: Masashi Wada. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-16.

Electrically erasable programmable read only flash memory

Номер патента: US6052311A. Автор: Kuan-Yu Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

One time programmable read-only memory (ROM) in SOI CMOS

Номер патента: US09704569B1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Embedded electrically programmable read only memory devices

Номер патента: US6756645B2. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-29.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Read only memory

Номер патента: US12063775B2. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory cell for use in a read only memory

Номер патента: WO1986006540A2. Автор: John Louis Janning. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1986-11-06.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US20220328115A1. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US11837299B2. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Jmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Read only memory

Номер патента: US20240040781A1. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory array

Номер патента: CA1067208A. Автор: Antony G. Bell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Read-only memory employing metal-insulator-semiconductor type field effect transistors

Номер патента: US3708787A. Автор: T Wada,R Igarashi,K Onoda,S Nakanuma,T Tsujide. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1973-01-02.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US20200294593A1. Автор: Wein-Town Sun,Hong-Yi Liao,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US20210183876A1. Автор: Wein-Town Sun,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Erasable programmable single-poly non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11818887B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US11316011B2. Автор: Wein-Town Sun,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Erasable programmable single-ploy non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11980029B2. Автор: Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Electrically erasable programmable non-volatile semiconductor memory device having select gates and small number of contact holes

Номер патента: US5589699A. Автор: Hitoshi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-31.

Flat-cell read-only memory

Номер патента: US20070014154A1. Автор: Hsu-Shun Chen. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-01-18.

Electrically erasable nonvolatile memory

Номер патента: TW389998B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2000-05-11.

Cost saving electrically-erasable-programmable read-only memory (eeprom) array

Номер патента: US20120039129A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin Chang Lin,Ming-Tsang Yang,Chia-Hao Tai,Yang-Sen Yen. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Programmable read-only memory device

Номер патента: GB2572148A. Автор: RACHINSKY Rumen,IVANOV Valeri,Radv Aleksandar. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2019-09-25.

Semiconductor device comprising an electrically erasable programmable read only memory and a flash-erasable programmable read only memory, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW529160B. Автор: Johannes Dijkstra,Guido Jozef Maria Dormans,Robertus Dominicus Jos Verhaar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-04-21.

Electrically erasable floating gate fet memory cell

Номер патента: US3836992A. Автор: S Abbas,C Barile,R Lane,P Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-09-17.

Scalable Electrically Eraseable And Programmable Memory

Номер патента: US20080054336A1. Автор: Sorin S. Georgescu,Adam Peter Cosmin,Georga Smarandoiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

ELECTRICALLY ERASABLE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH A DOUBLE GATE INSULATING LAYER FET

Номер патента: DE2409472A1. Автор: Shakir Ahmed Abbas,Conrad Albert Barile,Ralph David Lane,Peter Tsung-Shih Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-09-26.

Electrically erasable prom cell

Номер патента: IE55287B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1990-08-01.

Electrically erasable prom-cell

Номер патента: IE831802L. Автор: . Владелец: Philips Gleolampenfabrieken Nv. Дата публикации: 1984-01-30.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: CA1185369A. Автор: Andrew C. Tickle. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-04-09.

Electrically erasable and programmable read only memory device verifiable with standard external power voltage level

Номер патента: US5305260A. Автор: Kazuhisa Ninomiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Electrically erasable and programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness

Номер патента: US5606521A. Автор: Mark Simpson,Satyendranath Mukherjee,Di-Son Kuo,Len-Yuan Tsou. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1997-02-25.

Electrically erasable and programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness

Номер патента: WO1997001847A3. Автор: Mark Simpson,Satyendranath Mukherjee,Di-Son Kuo,Len-Yuan Tsou. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-02-20.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Leakage reduction circuit for read-only memory (rom) structures

Номер патента: US20210398594A1. Автор: Minh Nguyen,Shigeki Shimomura,Ryuji Yamashita,Henry Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Erasable programmable read only memory

Номер патента: CN1192436C. Автор: 杨青松,沈士杰,徐清祥. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-09.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

Electrically erasable programmable read-only memory with electric field decreasing controller

Номер патента: US5402373A. Автор: Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Yoshihisa Iwata,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Operating method of an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell

Номер патента: US11004857B1. Автор: Cheng-Yu Chung,Wen-Chien Huang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Operating method of an electrically erasable programmable read only memory (eeprom) cell

Номер патента: US20210167074A1. Автор: Cheng-Yu Chung,Wen-Chien Huang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Electrically erasable and programmable read only memory, nonvolatile memory, memory cell and method for programming a memory cell

Номер патента: TW434895B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2001-05-16.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) cell and methods for forming and reading the same

Номер патента: US7839680B2. Автор: Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Soung-Youb Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-23.

OPERATING METHOD OF AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) CELL

Номер патента: US20210167074A1. Автор: HUANG WEN-CHIEN,CHUNG CHENG-YU,Wu Cheng-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Electrically erasable programmable read-only memory as well as forming method and erasure method thereof

Номер патента: CN103871969A. Автор: 于涛. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Non-volatile semiconductor electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: DE19533709A1. Автор: Toshiharu Katayama,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-03-14.

Electrically erasable programmable read-only memory as well as forming method and erasure method thereof

Номер патента: CN103871969B. Автор: 于涛. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

High reliability electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM)

Номер патента: US7102188B1. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Philip John Cacharelis,Greg Scott,Pierre André Claude Gassot. Владелец: AMI Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-05.

Electrically erasable and programmable read-only memory with and-not cell structure.

Номер патента: DE3886722T2. Автор: Fujio C O Patent Divis Masuoka,Masaki C O Patent Div Momodomi,Riichiro C O Patent Di Shirota,Yasuo C O Patent Division Itoh,Kazunori C O Patent Div Ohuchi,Ryouhei C O Patent Di Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-28.

Electrically erasable programmable logic array (eepla)

Номер патента: AU5450386A. Автор: Carver Andress Mead,Cecilia May Shen. Владелец: Silicon Communications Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Electrically erasable programmable rom, method for fabricating the same and method for programming/erasing the same

Номер патента: KR100577225B1. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Electrically programmable read only memory devices having uniform program characteristic and methods of programming the same

Номер патента: US09805800B1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Programming of floating gate memory and electrically erasable programmable semiconductor memory cell

Номер патента: JPS61184797A. Автор: マイクル　シー・スメイリング. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-08-18.

Mask programmable read-only memory arrangement with a multi-level memory cell matrix and its production method

Номер патента: DE69230017D1. Автор: Shoji Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-28.

EMBEDDED CHARGE TRAP MULTI-TIME-PROGRAMMABLE-READ-ONLY-MEMORY FOR HIGH PERFORMANCE LOGIC TECHNOLOGY

Номер патента: US20150138891A1. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Moy Dan,Kirihata Toshiaki,Iyer Subramanian S.,Leu Derek H.. Владелец: International Business Machiness Corporation. Дата публикации: 2015-05-21.

One time programmable read-only memory (ROM) in SOI CMOS

Номер патента: US10008281B2. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Dual floating gate programmable read only memory cell structure and method for its fabrication and operation

Номер патента: US6178113B1. Автор: Fernando Gonzalez,Francis L. Bensistant. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-01-23.

Embedded electrically programmable read only memory devices

Номер патента: US20020173101A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Jeng-Jye Shau. Дата публикации: 2002-11-21.

Electrically programmable read only memory devices having uniform program characteristic and methods of progamming the same

Номер патента: TWI728100B. Автор: 宋賢旻. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2021-05-21.

Methods of erasing and designing electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7453736B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-18.

Read only memory

Номер патента: US20220199632A1. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-06-23.

SEMICONDUCTOR PROGRAMMABLE ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR ERASING AND PROGRAMMING SAME

Номер патента: FR2640797A1. Автор: Hyung-Kyu Yim,Woong-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-06-22.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US6947330B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-20.

Semiconductor electrically erasable and programmable memory device, and method for erasing and programming it

Номер патента: FR2641128A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-06-29.

SEMICONDUCTOR PROGRAMMABLE ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR ERASING AND PROGRAMMING SAME

Номер патента: FR2640797B1. Автор: Yim Hyung-Kyu,Lee Woong-Moo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-01-14.

Electrically erasable non-bolatile semiconductor memory device, selective data erasing method and eeprom

Номер патента: KR950011726B1. Автор: 마사키 모모도미,리이치로 시로타,료우헤이 기리사와,요시히사 이와타,세이이치 아리토메. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1995-10-09.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: IL134304A0. Автор: . Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2001-04-30.

METHOD FOR CONVERTING A FLOATING GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL TO A READ-ONLY MEMORY CELL AND CIRCUIT STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20200258885A1. Автор: DE SANTIS Fabio,RANA Vikas. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Read only memory

Номер патента: US11818883B2. Автор: Mathieu Lisart,Benoit Froment,Abderrezak Marzaki. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Single-polycrystalline silicon electrically erasable and programmable nonvolatile memory device

Номер патента: US8472251B2. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Electrically erasable and programmable memory device

Номер патента: EP1265289A2. Автор: Luc Haspeslagh. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2002-12-11.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memor ycell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: AU8558998A. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 1999-02-22.

COMPACT MEMORY DEVICE OF ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE TYPE

Номер патента: FR3029343B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-03-30.

COMPACT MEMORY DEVICE OF ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE TYPE

Номер патента: FR3029343A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: Stmicroelectronics Rousset. Дата публикации: 2016-06-03.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Technique for programming junction-programmable read- only memories

Номер патента: CA1193009A. Автор: Fu C. Chong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-09-03.

Small-area high-efficiency read-only memory (rom) array and method for operating the same

Номер патента: US20240260260A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Tri-state read-only memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5859460A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Read-only memory architecture

Номер патента: US20040233693A1. Автор: Hai Pham,Donald Evans,Ross Kohler,Richard McPartland,Nghia Lam. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-11-25.

Read only memory (rom) and method for forming the same

Номер патента: US20040213028A1. Автор: Ying-Tzuo Chen,Jung-Ren Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Virtual ground read only memory circuit

Номер патента: US5377153A. Автор: Elmer H. Guritz,Tsiu C. Chan. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1994-12-27.

Method for arranging a read-only memory for reading out updating status information in an integrated circuit

Номер патента: US4975876A. Автор: Tord L. Haulin. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1990-12-04.

Folded read-only memory

Номер патента: US5825683A. Автор: Ling-Yueh Chang. Владелец: Utron Technology Inc. Дата публикации: 1998-10-20.

Flat memory cell read only memory

Номер патента: US6430079B1. Автор: Jiann-Ming Shiau. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-06.

Structure for read-only-memory

Номер патента: US5847442A. Автор: Philip Moss Platzman,Allen Paine Mills, Jr.. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Cells array of mask read only memory

Номер патента: US6570235B2. Автор: Chun-Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-27.

Complementary read-only memory (rom) cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120163063A1. Автор: Jitendra Dasani. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2012-06-28.

Electrically erasable and electrically programmable read-only memory cell with a self-adjusted tunnel effect window.

Номер патента: DE68918771T2. Автор: Manzur Gill,Sung Wei Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-16.

Read-only memory for a gate array arrangement

Номер патента: US5018103A. Автор: Martin Geiger,Michael Pomper. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-05-21.

Programming of semiconductor read only memory

Номер патента: US4208726A. Автор: David J. McElroy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-06-17.

Electrically erasable and programmable read only memory with an error check and correction circuit

Номер патента: US5448578A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read-only memory

Номер патента: RU2640631C1. Автор: Боон Бинг НГ,Ханг Ру ГОЙ. Владелец: Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П.. Дата публикации: 2018-01-10.

Area-efficient electrically erasable programmable memory cell

Номер патента: US8125830B2. Автор: Xiaoju Wu,Jozef Czeslaw Mitros. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Area-efficient electrically erasable programmable memory cell

Номер патента: US20110110160A1. Автор: Xiaoju Wu,Jozef Czeslaw Mitros. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: US09773556B2. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: US09928912B2. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-03-27.

Electrically programmable read only memory device with timing detector for increasing address decoding signal

Номер патента: US5291441A. Автор: Ichiro Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Programmable read-only memory with improved fetch time

Номер патента: RU2162254C2. Автор: Хольгер Седлак. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-01-20.

Electrically erasable, programmable memory with floating gate and method for reading the same

Номер патента: DE3921404C2. Автор: Radu Mihail Vancu. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1998-04-09.

EEPROM erasable/programmable memory having selected lock column delivering grid control detection signal/selecting bit lines following output locking element function during memory cell programme/read.

Номер патента: FR2822286A1. Автор: Mohamad Chehadi,David Naura,Bertrand Bertrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-09-20.

Electrically erasable floating-gate memory organized in words

Номер патента: US6097631A. Автор: Marc Guedj. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-08-01.

Electrically erasable memory matrix

Номер патента: JPS58171799A. Автор: ブルクハルト・ギ−ベル. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1983-10-08.

Electrically erasable floating grid memory circuit

Номер патента: FR2776820A1. Автор: Marc Guedj. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-10-01.

Programmable read-only memory device

Номер патента: GB2572148B. Автор: RACHINSKY Rumen,IVANOV Valeri,Radv Aleksandar. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2020-09-16.

Dynamic compression in an electrically erasable programmble read only memory (eeprom) emulation system

Номер патента: US20190138228A1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Means for 'rogramming integrated read-only memories

Номер патента: GB1440167A. Автор: . Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1976-06-23.

Mask programmable read-only memory stacked above a semiconductor substrate

Номер патента: CA1184300A. Автор: Bruce B. Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1985-03-19.

Programmable read only memory cell

Номер патента: CA1135854A. Автор: Michel Moussie. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Large bit-per-cell three-dimensional mask-programmable read-only memory

Номер патента: US8884376B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-11-11.

Shorted junction type programmable read only memory semi-conductor devices

Номер патента: CA1177957A. Автор: Eisuke Arai,Kazuhide Kiuchi,Hideo Yoshino. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1984-11-13.

Programmable read-only memory

Номер патента: US20230301074A1. Автор: Patrick Calenzo,Sandra Mattei. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-09-21.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US20220343986A1. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-27.

Operation method of multi-bits read only memory

Номер патента: US12080363B2. Автор: Chen-Feng Chang,Tien-Sheng Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

High-density low-cost read-only memory circuit

Номер патента: US20020184433A1. Автор: Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Electrically erasable memory

Номер патента: RU2130217C1. Автор: Р.Овчински Стэнфорд,Дж.Надгенс Стэфен,Чубатый Владимир,А.Стрэнд Дэвид,С.Викер Гай. Владелец: Энерджи Конвершнз Дивайсиз, Инк.. Дата публикации: 1999-05-10.

Voltage sensitive resistor (vsr) read only memory

Номер патента: WO2012012070A1. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L. Kane. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-26.

Quaternary FET read only memory

Номер патента: USRE32401E. Автор: Harish N. Kotecha,Kenneth E. Beilstein, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Voltage sensitive resistor (VSR) read only memory

Номер патента: US8536555B2. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L. Kane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Read-only memory with vertical transistors

Номер патента: US20230076056A1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: US20240349497A1. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit including read only memory (rom) cell

Номер патента: EP4451332A2. Автор: Taehyung Kim,Suk Youn,Hoyoung Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Three-dimensional read-only memory

Номер патента: US5835396A. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-11-10.

Compact three-dimensional mask-programmed read-only memory

Номер патента: US10079239B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Read-only memory arrays in which a portion of the memory-addressing circuitry is integral to the array

Номер патента: US3618050A. Автор: Charles R Winston,Richard H Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Read-only memory using linear passive elements

Номер патента: US7423905B2. Автор: Gong Gu,Michael G. Kane,Arthur Herbert Firester. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

VMOS Read only memory

Номер патента: US4198693A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-15.

Electronically rewritable read-only memory using via connections

Номер патента: US3717852A. Автор: S Abbas,P Stern. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-02-20.

Read only memory

Номер патента: US10580499B2. Автор: Hsin-Pang Lu,Chung-Hao Chen,Chi-Hsiu Hsu,Ya-Nan Mou,Chung-Cheng Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of making post-metal ion beam programmable MOS read only memory

Номер патента: US4272303A. Автор: Al F. Tasch, Jr.,Pallab K. Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-06-09.

Voltage sensitive resistor (vsr) read only memory

Номер патента: US20130189824A1. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L. Kane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

Architecture for mask read-only memory

Номер патента: US20020113258A1. Автор: Yi-Min Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Read-only/read-write memory

Номер патента: CA1181847A. Автор: Hsing T. Tuan. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1985-01-29.

Method of manufacturing a dual mode ferroelectric random access memory (FRAM) having imprinted read-only (RO) data

Номер патента: US09711715B2. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Electrically-eraseable programmable read-only memory having reduced-page-size program and erase

Номер патента: EP1305805A1. Автор: Trevor Blyth,David Sowards,Philip C. Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-05-02.

Electrically erasable programmable read-only memory with small page size write and erase

Номер патента: JP4966472B2. Автор: ブライス，トレヴァー,ソワーズ，デイヴィッド,バーネット，フィリップ．シー. Владелец: シリコン ストレージ テクノロジー、 インク．. Дата публикации: 2012-07-04.

Electrically-eraseable programmable read-only memory having reduced-page-size program and erase

Номер патента: KR100698340B1. Автор: 블리스트레버,소워즈데이비드,바넷필립씨.. Владелец: 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-23.

Electrically-eraseable programmable read-only memory having reduced-page-size program and erase

Номер патента: US6510081B2. Автор: Trevor Blyth,David Sowards,Philip C. Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Electrically erasable programmable read only memory with small page size write and erase

Номер патента: JP2003532968A. Автор: ブライス，トレヴァー,ソワーズ，デイヴィッド,バーネット，フィリップ．シー. Владелец: アドバンスド．テクノロジー．マテリアルズ．インコーポレイテッド. Дата публикации: 2003-11-05.

An electrically erasable and programmable read-only memory having a small unit for program and erase

Номер патента: TW425558B. Автор: Sohrab Kianian,Dana Lee. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2001-03-11.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) and memory array thereof

Номер патента: CN103811060A. Автор: 张博,张�雄,孔蔚然,李冰寒,顾靖. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Method and apparatus for emulating an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) using non-volatile floating gate memory cells

Номер патента: TW200511318A. Автор: Shane C Hollmer,Trevor Blyth,David Sowards. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2005-03-16.

Electrically erasable programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness with non-uniform dielectric thickness.

Номер патента: KR970705820A. Автор: 디-손 쿠오,렌-유안 츠오우,마크 심슨,새티엔드라나스 무크허지. Владелец: 필립스 일렉트로닉스 엔. 브이.. Дата публикации: 1997-10-09.

Electrically erasable and programmable read-only memory circuit of the NAND cell type with redundancy

Номер патента: DE69221809T2. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yoshihisa Iwata,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-19.

Decoder circuit of erasable programmable read only memory for avoiding erroneous operation caused by parasitic capacitors

Номер патента: US5038327A. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Electrically erasable programmable memory includes programming verification circuit enabling rapid testing of memory erasure operations

Номер патента: FR2851843A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-09-03.

Electrical erasable programmable memory transconductance testing

Номер патента: WO2009085722A3. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Electrical erasable programmable memory transconductance testing

Номер патента: WO2009085722A2. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-07-09.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE FIXED MEMORY WITH NAND MEMORY CELL STRUCTURE

Номер патента: DE4007356A1. Автор: Fujio Masuoka,Tomoharu Tanaka,Riichiro Shirota,Shigeyoshi Watanabe,Masaki Momodomi,Tetsuo Endoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-09-13.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

ELECTRICALLY PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY DEVICES HAVING UNIFORM PROGRAM CHARACTERISTIC AND METHODS OF PROGAMMING THE SAME

Номер патента: US20170337970A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Electrically programmable read-only memory

Номер патента: WO1986006205A1. Автор: Gerard Silvestre De Ferron. Владелец: EUROTECHNIQUE. Дата публикации: 1986-10-23.

Digital storage media with one-time programmable read only memory

Номер патента: US20030204659A1. Автор: Kan-Chuan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Electrically erasable nonvolatile semiconductor memory that permits data out despite the occurrence of over-erased memory cells

Номер патента: KR960005356B1. Автор: 데츠지 다케구치. Владелец: 후지쓰 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-04-24.

Split footer topology to improve vmin and leakage power for register file and read only memory designs

Номер патента: US20230410905A1. Автор: Arindrajit Ghosh,Gaurav Kabra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile electrically erasable memory with PMOS transistor NAND gate structure

Номер патента: TW286406B. Автор: Shand-De Chang. Владелец: Programmable Microelectronics. Дата публикации: 1996-09-21.

Multivalued mask read-only memory

Номер патента: TW487914B. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2002-05-21.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20150262692A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20150255164A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Read-only memory and how to address this memory

Номер патента: KR19990071848A. Автор: 홀거 제들라크. Владелец: 피터 토마스. Дата публикации: 1999-09-27.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US20140140141A1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Read margin measurement in a read-only memory

Номер патента: US9111628B1. Автор: David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory system with write-verify controller using two reference levels

Номер патента: US5321699A. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Kazunori Ohuchi,Tetsuo Endoh,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Electrically erasable nonvolatile memory

Номер патента: CA2341102A1. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2000-03-02.

Electrically erasable nonvolatile semiconductor memory that reads and outputs data even when memory cells are depleted

Номер патента: KR940022565A. Автор: 데츠지 다케구치. Владелец: 후지쓰 가부시키가이샤. Дата публикации: 1994-10-21.

Electrically erasable memory and method of erasure

Номер патента: EP0690452A2. Автор: Jian Chen,Nader Radjy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-01-03.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: US20030002346A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Shang Tarng Jan. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Method for tightening erase threshold voltage distribution in flash electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM)

Номер патента: US6052310A. Автор: Ravi S. Sunkavalli. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Erasable Programmable Rom

Номер патента: KR19980065206A. Автор: 이창호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-10-15.

Read-only memory with few programming signal lines

Номер патента: US5224072A. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-29.

Sense amplifier for programmable read only memory

Номер патента: US4758748A. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-07-19.

Programmable read only memory operable with reduced programming power consumption

Номер патента: US4761764A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-02.

Read only memory device

Номер патента: US20040151015A1. Автор: Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

System and method for over erase reduction of nitride read only memory

Номер патента: US20060007734A1. Автор: Han-Sung Chen,Ching-Chung Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power supply failure

Номер патента: AU3096497A. Автор: MICHEL MARTIN,Jacek Kowalski. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1998-01-07.

Semiconductor electrically erasable and writeable non-volatile memory device

Номер патента: US5923674A. Автор: Naotoshi Nakadai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

Nitride read-only memory (NROM) device and method for reading the same

Номер патента: US20060268617A1. Автор: Hsien-Wen Hsu,Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Nonvolatile read only memory device

Номер патента: US4494219A. Автор: Sumio Tanaka,Shigeyoshi Watanabe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-15.

Electrically erasable programmable read-only memory with an array of one-transistor

Номер патента: KR960008739B1. Автор: 데쯔오 엔도,리이찌로 쇼로따. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1996-06-29.

One-time programmable (otp)/ read only (ro) data storage device

Номер патента: US20160351273A1. Автор: Siva Sakthivel Sadasivam. Владелец: HCL Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for forming single-level electrically erasable and programmable read only memory operated in environment with high/low-voltage

Номер патента: US6900097B2. Автор: Ching-Chun Huang,Rong-ching Chen,Jy-Hwang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

Serial memory of electrically erasable and programmable read-only type with advanced data reading, for use in computing

Номер патента: FR2805653A1. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-08-31.

Flash memory device configurable to provide read only memory functionality

Номер патента: EP3259758B1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-07.

Flash memory device configurable to provide read only memory functionality

Номер патента: US9620216B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

A flash memory device configurable to provide a read-only memory function

Номер патента: KR101882641B1. Автор: 헝 큐옥 구엔,히예우 반 트란,안 리,투안 부. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2018-08-24.

Read-only optical recording medium on which unique identification information is written

Номер патента: US20070195686A1. Автор: Naoki Ide. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

System and Method to Emulate an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

Номер патента: US20150039805A1. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto,Xiangting Bi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-05.

Programmable semi-fusible link read only memory and method of margin testing same

Номер патента: EP1774531A4. Автор: Denis Doyle,Oliver Brennan. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Multiple programmable initialize words in a programmable read only memory

Номер патента: US4646269A. Автор: Johnny Chen,Sing Y. Wong. Владелец: Monolithic Memories Inc. Дата публикации: 1987-02-24.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB1498741A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1978-01-25.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Programmable read only memory adaptive row driver circuit

Номер патента: US4698790A. Автор: Walter L. Davis. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-10-06.

Manipulatable read only memories

Номер патента: GB1510731A. Автор: . Владелец: Heimann GmbH. Дата публикации: 1978-05-17.

Programmable read only memory integrated circuit device

Номер патента: US4045784A. Автор: Hiroshi Mayumi,Yoshinobu Natsui,Norio Kusunose. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-08-30.

Mechanically programmable read only memory

Номер патента: CA1215779A. Автор: Oliver C. Ames. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-12-23.

Bidirectional dual port serially controlled programmable read-only memory

Номер патента: US4402067A. Автор: Ury Priel,William E. Moss,Shlomo Waser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-08-30.

Programmable read only memory with high speed differential sensing at low operating voltage

Номер патента: US6147893A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: WO2020092406A8. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-12-03.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: EP3874506A1. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

System and method for storing data in read-only memory

Номер патента: US20020003739A1. Автор: Baher Haroun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (rom) or a one time programmable non volatile memory (otp nvm)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

System and method for storing data in read-only memory

Номер патента: US6418047B2. Автор: Baher S. Haroun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-09.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Read-only memory diagnosis and repair

Номер патента: EP4268229A1. Автор: Benoit Nadeau-Dostie,Jongsin Yun. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Read-only memory diagnosis and repair

Номер патента: US20240087665A1. Автор: Benoit Nadeau-Dostie,Jongsin Yun. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Read Only Memory and Operating Method Thereof

Номер патента: US20110242904A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Cheng-Hung Lee,Wei-Yang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor read only memory device

Номер патента: CA1166747A. Автор: Jyoji Murakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-05-01.

Read-only sequence controller

Номер патента: US4467458A. Автор: Yoshikazu Kuze. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-08-21.

Method and apparatus for printed resistive read-only memory

Номер патента: WO2009038942A1. Автор: Daniel R. Gamota,Jie Zhang,Kin P. Tsui,Krishna Kalyanasundaram,John B. Szczech,Xiangcheng Tang,Jerzy Wielgus. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

Read only memory bitline load-balancing

Номер патента: US20140268985A1. Автор: Rahul K. Nadkarni,Daniel R. Baratta,Konark Patel,Hoan H. Nguyen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Adaptable sense circuitry and method for read-only memory

Номер патента: US20180033472A1. Автор: Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

High density read-only memory

Номер патента: GB1374881A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1974-11-20.

Programmable magnetic read only memory (mrom)

Номер патента: WO2008137999A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: MagSil Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Partitioned random access and read only memory

Номер патента: WO2008005057A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honoeywell International Inc.. Дата публикации: 2008-01-10.

Partitioned random access and read only memory

Номер патента: EP2013879A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-14.

Partitioned random access and read only memory

Номер патента: WO2008005057A3. Автор: Romney R Katti. Владелец: Honoeywell Internat Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor read only memory

Номер патента: CA1070428A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Read-only memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20010034099A1. Автор: Hiroshi Mizuhashi,Teruo Katoh. Владелец: Teruo Katoh. Дата публикации: 2001-10-25.

Read only memory cell for storing a multiple bit value

Номер патента: US20110051487A1. Автор: Christophe Denis Lucien Frey,Nicolaas Klarinus Johannes Van Winkelhoff,Yannick Marc Nevers,Mikael Brun. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

One time programmable read-only memory comprised of fuse and two selection transistors

Номер патента: US20060203591A1. Автор: Dong Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of programming of junction-programmable read-only memories

Номер патента: US4480318A. Автор: Fu C. Chong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-10-30.

Method for operating one-time programmable read-only memory

Номер патента: US8089798B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Shao-Chang Huang,Chun-Hung Lu,Ming-Chou Ho,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

One-time programmable read-only memory

Номер патента: US20080296701A1. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Shao-Chang Huang,Chun-Hung Lu,Ming-Chou Ho,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Programmable read only memory device

Номер патента: KR900006155B1. Автор: 사또루 야마구찌,노리아끼 사또,구니히꼬 와다. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1990-08-24.

Programmable reference voltage generator for a read only memory

Номер патента: CA1250954A. Автор: Qazi Mahmood,Cecil Conkle. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Read-only memory device

Номер патента: US4384345A. Автор: Koichi Mikome. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-05-17.

Read-only memory device

Номер патента: US4426686A. Автор: Hitoshi Takahashi,Tsuyoshi Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Mask-programmed read only memory with enhanced security

Номер патента: US9484110B2. Автор: Chulmin Jung,Esin Terzioglu,Sei Seung Yoon,Steven Mark Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Virtual ground read-only-memory for electronic calculator or digital processor

Номер патента: US4021781A. Автор: Edward R. Caudel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1977-05-03.

Read only memory

Номер патента: US4090190A. Автор: Vladimir Stepanovich Rostkovsky,Ljubov Dmitrievna Rostkovskaya. Владелец: Rostkovsky Vladimir S. Дата публикации: 1978-05-16.

Ternary read-only memory

Номер патента: US3656117A. Автор: Gerald A Maley,James L Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-04-11.

Programmable reference voltage generator for a read only memory

Номер патента: US4754167A. Автор: Cecil Conkle,Qazi A. S. M. Mahmood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-06-28.

Systems and methods for providing a read only memory cell array

Номер патента: EP4193359A1. Автор: Paramjeet Singh,Bipin Duggal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Read-only memory

Номер патента: US20150310924A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Read only memory and data read method thereof

Номер патента: US10008279B1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Read only memory (rom) with redundancy

Номер патента: US20130275821A1. Автор: Rohit Shetty,Albert M. Chu,Kevin W. Gorman,Michael R. Ouellette,George M. Braceras,Ronald A. Piro,Daryl M. Seitzer,Thomas W. Wyckoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Adaptable sense circuitry and method for read-only memory

Номер патента: US9899069B1. Автор: Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Read only memory and method of reading same

Номер патента: US20100208506A1. Автор: Ashish Sharma,Manmohan Rana,Bikas Maiti. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-19.

Systems and methods for providing a read only memory cell array

Номер патента: WO2022031443A1. Автор: Paramjeet Singh,Bipin Duggal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-10.

Non-volatile read only memory and its manufacturing method

Номер патента: US6487119B2. Автор: Hitoshi Kokubun,Noboru Egawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-26.

Read only store

Номер патента: GB1319909A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1973-06-13.

Read only memory using series connected depletion transistors as bus lines

Номер патента: US4494218A. Автор: Kenneth L. Naiff. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1985-01-15.

System and method for small read only data

Номер патента: US20030142555A1. Автор: Leonard Rarick. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Improvements in or relating to read only memory circuits

Номер патента: MY7500227A. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1975-12-31.

Read only memory (ROM) cell, program method of ROM cell, layout method of ROM cell, and ROM device comprising ROM cell

Номер патента: TW200404299A. Автор: Yong-jae Choo,Nak-woo Sung,Hyoung-Yun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-16.

Read only memory (ROM) cell, program method of ROM cell, layout method of ROM cell, and ROM device comprising ROM cell

Номер патента: TWI238416B. Автор: Yong-jae Choo,Nak-woo Sung,Hyoung-Yun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-21.

Read only data bus and write only data bus forming in different layer metals

Номер патента: US6744657B2. Автор: Masashi Agata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-01.

Integrated read only memory

Номер патента: US4139907A. Автор: James A. Cooper, Jr.,Donald E. Blahut. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1979-02-13.

Controlling a redundant array of independent disks (RAID) that includes a read only flash data storage device

Номер патента: US09690651B2. Автор: Gary D. Cudak,Christopher J. Hardee,Adam Roberts,Srihari V. Angaluri. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Ferroelectric memory with read-only memory cells, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040061155A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Improvements in and relating to capacitor read-only stores

Номер патента: GB1090939A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-11-15.

Bipolar transistor read only or read-write store with low impedance sense amplifier

Номер патента: US4439842A. Автор: Sashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Multiport cache memory having read-only parts and read-write parts

Номер патента: US5619674A. Автор: Nobuyuki Ikumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Multi-bit read-only memory device

Номер патента: WO2020257067A1. Автор: Xiaofei Wang,ZHENG GUO,Dinesh Somasekhar,Eric A. KARL,Clifford Ong,Gordon Carskadon. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5296716A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Quiyi Ye,David A. Strand,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1994-03-22.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: WO1993004506A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Hellmut Fritzsche,Jesus Gonzalez-Hernandez,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Stephen J. Hudgens,Benjamin S. Chao,Sergey A. Kostylev,Qiuyi Ye. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1993-03-04.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom.

Номер патента: EP0601068A4. Автор: Hellmut Fritzsche,Stanford R Ovshinsky,Jesus Gonzalez-Hernandez,Wolodymyr Czubatyj,Qiuyi Ye,Benjamin S Chao,Stephen J Hudgens,David A Strand,Sergey A Kostylev. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-11-13.

Electrically erasable programmable read only memory(eeprom)device

Номер патента: GB9224833D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-01-13.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND STORAGE ARRAY OF THE SAME

Номер патента: US20150255124A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Xiong,Kong Weiran,Li Binghan,Gu Jing. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND STORAGE ARRAY OF THE SAME

Номер патента: US20150255125A1. Автор: Gu Jing. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

Wordline driver for flash electrically erasable programmable read only memory (eeprom)

Номер патента: WO2000021094A1. Автор: Takao Akaogi,Colin S. Bill,Jonathan S. Su,Ravi P. Gutala. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-04-13.

Bit and block erasing of an electrically erasable and programmable read-only memory array

Номер патента: US5047981A. Автор: David McElroy,Sung-Wei Lin,Manzur Gill,Iano D'arrigo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-09-10.

Method and device for automatic evaluation of required high voltage for programming/erasing electrically erasable programmable semiconductor read-only memory

Номер патента: RU2189083C2. Автор: Хольгер Седлак,Ханс-Хайнрих ФИМАНН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-09-10.

Wordline driver for flash electrically erasable programmable read only memoryeeprom

Номер патента: KR100578581B1. Автор: 아카오기타카오,빌콜린에스.,구탈라라비피.,수조나단에스.. Владелец: 스펜션 엘엘씨. Дата публикации: 2006-05-12.

THREE-DIMENSIONAL ADDRESSING FOR ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20180114579A1. Автор: Ng Boon Bing,Goy Hang Ru. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2018-04-26.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: US20170221566A1. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-08-03.

THREE-DIMENSIONAL ADDRESSING FOR ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20160343439A1. Автор: Ng Boon Bing,Goy Hang Ru. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2016-11-24.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: WO2015116129A1. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2015-08-06.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: AU2014380279A1. Автор: Boon Bing NG,Hang Ru GOY. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-08-11.

Three-dimensional addressing for erasable programmable read only memory

Номер патента: KR101942164B1. Автор: 분 빙 응,항 루 고이. Владелец: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.. Дата публикации: 2019-01-24.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE FIXED MEMORY WITH BLOCK ERASE FUNCTION

Номер патента: DE4132826A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Masaki Momodomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-05-27.

Memory element with a definite number of write cycles, comprises memory units of programmable read-only memory (PROM) type controlled by a chain of selection units

Номер патента: FR2840443A1. Автор: Richard Fournel,Philippe Candelier,Jean Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-12-05.

Method for writing to electrically erasable programmable non-volatile memory and integrated circuit

Номер патента: CN111798907A. Автор: F·塔耶,C·阿梅兹亚内·埃尔阿萨尼. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising sectors of electrically erasable programmable cells, especially including pattern data generating circuit

Номер патента: KR100449268B1. Автор: 정휘택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-12-17.

Erasable and programmable read only memory unit

Номер патента: JPS57192067A. Автор: Minoru Fukuda,Akira Endo,Kotaro Nishimura,Shigeru Yamatani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-11-26.

Ternary programmable read-only memory circuit

Номер патента: JPS5567997A. Автор: Hideyuki Tsujimura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-22.

ELECTRICALLY PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY

Номер патента: IT1151191B. Автор: FUKUDA MINORU,ENDO Akira,NISHIMURA Kotaro,Shigeru Yamatani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-17.

AUTOMATIC ERASING OPTIMIZATION CIRCUIT FOR AN ELECTRICALLY PROGRAMMABLE AND ELECTRICALLY ERASABLE SEMICONDUCTOR MEMORY AND RELATED METHOD.

Номер патента: FR2665973B1. Автор: Hyeong-Gyu Lim,Wung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-04-15.

METHOD FOR ERASING A NON-VOLATILE AND ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY, AND ASSOCIATED DEVICES

Номер патента: FR2756411B1. Автор: Jean Devin,Alessandro Brigati,Bruno Leconte. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1998-12-31.

Automatic erase optimisation circuit for an electrically erasable and programmable semiconductor memory, and method relating thereto

Номер патента: FR2665973A1. Автор: Lim Hyeong-Gyu,Lee Wung-Moo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-02-21.

Read-only memory for microprocessor systems having shared address/data lines

Номер патента: GB8907803D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-05-17.

Read-only memory for microprocessor systems having shared address/data lines

Номер патента: HK1001574A1. Автор: Terry I Kendall. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-06-26.

Selecting alternate addressing mode in a read-only memory

Номер патента: GB2176324A. Автор: George R Canepa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1986-12-17.

Apparatus for selecting alternate addressing mode and read-only memory

Номер патента: GB2176324B. Автор: George R Canepa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1989-07-05.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20210098068A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor memory device, for use in read-only memory type units.

Номер патента: FR2799874A1. Автор: Masaki Uekubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-20.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS WITH READ-ONLY MEMORY FEATURES AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Parry Jonathan S.,Raad George B.,Rehmeyer James S.,Cowles Timothy B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS WITH READ-ONLY MEMORY FEATURES AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Parry Jonathan S.,Raad George B.,Rehmeyer James S.,Cowles Timothy B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor read-only memory device having means for replacing defective memory cells

Номер патента: EP1039385B1. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Electrically erasable semiconductor memory device with divided memory cell array

Номер патента: KR100204721B1. Автор: 고이찌 세끼,도시히로 다나까,히또시 구메,다께시 와다,다다시 무또. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼. Дата публикации: 1999-06-15.

Flash electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR950006211B1. Автор: 가즈오 고바야시,다께시 나까야마,야스시 데라다,마사노리 하야시고시,요시가즈 미야와끼. Владелец: 미쓰비시뎅끼가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-06-12.

Electrically erasable non-volatice semiconductor memory device for selective use in boot block type or normal type flash memmory devices

Номер патента: KR950014092B1. Автор: 아까오기 다까오. Владелец: 세끼사와 다까시. Дата публикации: 1995-11-21.

Process for writing electrically erasable and programmable non-volatile memory and corresponding integrated circuit

Номер патента: FR3094829A1. Автор: Francois Tailliet,Chama Ameziane El Hassani. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-10-09.

Double-row address decoding and selection circuit for an electrically erasable and programmable non-volatile memory arrangement with redundancy, in particular for flash EEPROM arrangements

Номер патента: DE69324694T2. Автор: Carla Maria Golla,Marco Olivo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 1999-10-07.

Block electrically erasable eeprom

Номер патента: EP0247875B1. Автор: Ting-Wah Wong,Chien-Sheng Su,Gheorghe Samachisa,George Smarandoiu. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1992-12-02.

Double-row address decoding and selection circuitry for an electrically erasable and programmable non-volatile memory device with redundancy, particularly for flash EEPROM devices

Номер патента: EP0658903B1. Автор: Carla Maria Golla,Marco Olivo. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-04-28.

Data processing device comprising a non-volatile electrically erasable and reprogrammable memory

Номер патента: KR950001833B1. Автор: 미셀 위공. Владелец: 미셀 꼴롱브. Дата публикации: 1995-03-03.

Electrically erasable, persistent semiconductor memory device that can optionally be used in a boot block or standard flash memory device

Номер патента: KR940010110A. Автор: 아까오기 다까오. Владелец: 세끼사와 다까시. Дата публикации: 1994-05-24.

Data processing system including electrically erasable and reprogrammable non-volatile memory

Номер патента: JPH0831046B2. Автор: ウゴン，ミシエル. Владелец: BURU SEE PEE 8. Дата публикации: 1996-03-27.

Data processing device equipped with an electrically erasable and reprogrammable non-volatile memory

Номер патента: CA2005762C. Автор: Michel Ugon. Владелец: Bull CP8 SA. Дата публикации: 1997-02-11.

Optical disk, method and control mean of defective zone on optical disk of read only memory

Номер патента: RU2348989C2. Автор: Ён Чхол ПАК,Сын Тэ КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-03-10.

Read only memory optical disk method and device for record of operating information on read only memory optical disk

Номер патента: RU2349971C2. Автор: Ён Чхол ПАК,Сын Тэ КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-03-20.

Optical recording medium having read-only storage area and writeable storage area and recording/reproducing apparatus and method therefor

Номер патента: MY135341A. Автор: Byoung-ho Choi,Jung-Wan Ko,Kyung-geun Lee,Jung-kwon Heo,Byung-jun Kim,In-sik Park,Tae-yong Doh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-31.

Read-only recording medium and a reproducing method thereof

Номер патента: EP1465188A3. Автор: Jin Yong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-06-24.

Method of recording addresses onto high-density read-only recording medium, a high-density read-only recording medium containing addresses recorded by the method, and reproducing method of the high-density read-only recording medium

Номер патента: WO2004017313A1. Автор: Sang Woon Suh,Jung Bae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method and system for rendering read-only storage medium virtually re-writable

Номер патента: WO2005050650A1. Автор: Declan P. Kelly,Bei Wang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-06-02.

Method and system for rendering read-only storage medium virtually re-writable

Номер патента: EP1687824A1. Автор: Declan P. Kelly,Bei Wang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-09.

Method of recording addresses onto high-density read-only recording medium, a high-density read-only recording medium containing addresses recorded by the method, and reproducing method of the high-density read-only recording medium

Номер патента: EP1529287A4. Автор: Sang Woon Suh,Jung Bae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-04-02.

Optical disk having read-only and rewritable areas with overlapping formats

Номер патента: US6078559A. Автор: Shunji Ohara,Takashi Ishida,Isao Satoh,Yoshinari Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Hybrid read-only and recordable optical recording medium

Номер патента: WO2011032821A1. Автор: Michael Krause,Stephan Knappmann. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2011-03-24.

Method and apparatus for producing an optical disk having a read-only area and a rewritable area

Номер патента: US5422871A. Автор: Kazunori Naito,Kenichi Utsumi,Kazuo Nakashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-06-06.

Read-only information medium - device and reading method

Номер патента: RU2330333C2. Автор: Рю ТАТИНО,Рюя ТАТИНО,Сусуму СЕНСУ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2008-07-27.

Record carrier of a read-only type and read device

Номер патента: CA2355338C. Автор: Roel Van Woudenberg,Jacobus Petrus Josephus Heemskerk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-01-26.

Method for affixing information of read-only optical disks

Номер патента: CA1320571C. Автор: Denney Lee Wilson,Geoffrey Alan Rhine,Thomas Lee Elmquist. Владелец: Philips and Du Pont Optical Co BV. Дата публикации: 1993-07-20.

Read-only optical information recording medium and sputtering target for depositing reflective film for the optical information recording medium

Номер патента: US20110222392A1. Автор: Yuuki Tauchi,Yoko Shida. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Medium for fluorescent read-only multilayer optical information carrier and its manufacturing method

Номер патента: WO2001029837A8. Автор: Eugene Levich,Andrey Tarasishin,Jacob Malkin,Vladimir Shubin,Sergei Magnitskii,Vladimir Kozenkov,Alexej Lezhnev,Mihail Kvasha,Galina Dorozhkina,Nikolay Magnitskii,Dimitriy Pebalk,A Pakulev,A Angerluts,D V Malakhov,V Binjukov,N Sokoljuk,B Chernobrod. Владелец: B Chernobrod. Дата публикации: 2001-09-20.

Read-only information storage medium and method of reproducing data from the same

Номер патента: EP1547068A4. Автор: Chang-min Park,Jung-Wan Ko,In-Oh Hwang,Kyung-geun Lee,In-sik Park,Jae-Seong Shim,Jin-han Kim,Myong-do Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Device and method to reproduce data from read-only machine-readable medium

Номер патента: RU2473141C2. Автор: Сан Вун СУ,Джин Ён КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2013-01-20.

Method for affixing information on read-only optical disks.

Номер патента: MY103826A. Автор: Lee Wilson Denney,Alan Rhine Geoffrey,Lee Elmquist Thomas. Владелец: Philips And Du Pont Optical Company. Дата публикации: 1993-09-30.

High density 'electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM)' cell arrays with new programming means and methods of making them

Номер патента: KR100316086B1. Автор: 알버트버지몬트. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2002-03-21.

Programmable read-only memory device and method of writing the same

Номер патента: US20130039116A1. Автор: Meinolf Blawat,Holger Kropp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Controller device for use with electrically erasable programmable memory chip with error detection and retry modes of operation

Номер патента: US20150355964A1. Автор: Frederick A. Ware,Mark A. Horowitz,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-12-10.

Multi-bit read-only memory device

Номер патента: US20200402574A1. Автор: Xiaofei Wang,ZHENG GUO,Dinesh Somasekhar,Clifford Ong,Eric A Karl,Gordon Carskadon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Large Bit-Per-Cell Three-Dimensional Mask-Programmable Read-Only Memory

Номер патента: US20140015103A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-01-16.

ONE TIME PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (ROM) IN SOI CMOS

Номер патента: US20180102179A1. Автор: Ning Tak H.,Shahidi Ghavam G.,Yau Jeng-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

WORDLINE DECODER CIRCUITS FOR EMBEDDED CHARGE TRAP MULTI-TIME-PROGRAMMABLE-READ-ONLY-MEMORY

Номер патента: US20150138867A1. Автор: Kirihata Toshiaki,Yin Ming,Leu Derek H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

Physically unclonable function (puf) in programmable read-only memory (prom)

Номер патента: US20200365222A1. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Programmable read-only memory cell

Номер патента: GB2005079B. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-02-24.

Programmable read-only memory and process for its manufacture

Номер патента: DE2132570C3. Автор: Lloyd Dale Santa Clara Fagan,Joseph Donald Los Gatos Rizzi. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 1980-11-20.

Programmable read only memory cell and process for producing same

Номер патента: JPS5720994A. Автор: Gurei Posurii Guren,Seshiru Uiruson Aaru. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-02-03.

A programmable read-only-memory element and method of fabrication thereof

Номер патента: EP0041770A2. Автор: Glen Gray Possley,Earl Cecil Wilson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-12-16.

Programmable read-only memory device and method of writing the same

Номер патента: EP2557568A1. Автор: Meinolf Blawat,Holger Kropp. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-02-13.

Electrically programmable read only memory

Номер патента: JPS583193A. Автор: ドミニク・バジ−ル,アラツプ・バタチヤリヤ,ジエ−ムズ・ハワ−ド,ピエ−ル・モリエ−ル. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-08.

A programmable read-only memory device

Номер патента: EP0018173A1. Автор: Kouji Ueno,Kazumi Koyama,Toshitaka Fukushima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-10-29.

Hybrid-Level Three-Dimensional Mask-Programmable Read-Only Memory

Номер патента: US20100025861A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-04.

Physically unclonable function (puf) in programmable read-only memory (prom)

Номер патента: US20200365222A1. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5536947A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick K. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Field-Repair System and Method for Large-Capacity Mask-Programmed Read-Only Memory

Номер патента: US20150269034A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Read-only memory and read-only memory device

Номер патента: RU2212716C2. Автор: Пер-Эрик Нордаль,Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2003-09-20.

A read-only memory and read-only memory device

Номер патента: KR100368820B1. Автор: 퍼-에릭 노르달,게이르 아이. 레이스타드,한스 구드 구데센. Владелец: 띤 필름 일렉트로닉스 에이에스에이. Дата публикации: 2003-01-25.

Read-only memory and read-only memory devices

Номер патента: RU2216055C2. Автор: Пер-Эрик Нордаль,Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2003-11-10.

Read only memory and read only memory device

Номер патента: JP2002500430A. Автор: レイスタド、ゲイル、アイ,− エリク ノルダル、ペル,グデセン、ハンス、グデ. Владелец: シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ. Дата публикации: 2002-01-08.

A read-only memory and read-only memory devices

Номер патента: CA2302014A1. Автор: Per-Erik Nordal,Geirr I. Leistad,Hans Gude Gudesen. Владелец: Hans Gude Gudesen. Дата публикации: 1999-03-25.

Nucleic acid-based electrically readable, read-only memory

Номер патента: US11943940B2. Автор: Yonggang KE,Manjeri P. Anantram,Joshua Hihath. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-26.

Read-only memory array with dielectric breakdown programmability

Номер патента: EP1883964A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Meng Ding,Zhizheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-02-06.

Nucleic acid-based electrically readable, read-only memory

Номер патента: EP3820880A1. Автор: Yonggang KE,Manjeri P. Anantram,Joshua Hihath. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-05-19.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: CA2227612C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Voltage sensitive resistor (VSR) read only memory

Номер патента: TW201230082A. Автор: Yun-Yu Wang,Keith Kwong Hon Wong,Terence L Kane. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-07-16.

Flat-cell read only memory suitable for word line strap

Номер патента: TW200603164A. Автор: Hsu-Shun Chen. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-16.

Thermally programmable semiconductor read only memory

Номер патента: GB2075256A. Автор: . Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-11-11.

Semiconductor matrices for integrated read-only memories

Номер патента: GB2004688A. Автор: . Владелец: OVCHINNIKOV V. Дата публикации: 1979-04-04.

Semiconductor matrices for integrated read-only memories

Номер патента: GB2004688B. Автор: . Владелец: OVCHINNIKOV V. Дата публикации: 1982-05-06.

METHOD FOR CONVERTING A FLOATING GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL TO A READ-ONLY MEMORY CELL AND CIRCUIT STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20190267380A1. Автор: DE SANTIS Fabio,RANA Vikas. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Improvements in or relating to semiconductor matrices for integrated read-only memories

Номер патента: GB2004687A. Автор: . Владелец: OVCHINNIKOV V. Дата публикации: 1979-04-04.

Electrically erasable phase change memory

Номер патента: DE69211719T2. Автор: Stanford R Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Stephen J Hudgens,David A Strand,Guy C Wicker. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-10-31.

Electrically erasable phase change memory

Номер патента: CN1064366A. Автор: S·R·奥夫辛斯基,S·J·赫金斯,W·丘巴蒂,D·A·施特兰德,G·C·威克. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1992-09-09.

A method for determining the necessity for refreshing memory cells of an electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: TWI229869B. Автор: Ming-Hung Chou,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-21.

Electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: FR2770327A1. Автор: Mohamad Chehadi,Christophe Mani. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-04-30.

Sensitive amplifier used for electrically erasable read only memory and realization method thereof

Номер патента: CN101630532A. Автор: 王梓,王楠,徐亮,姚翔,李兆桂. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Method of programming an electrically erasable read-only memory in an elecronic computer device and control device using the method

Номер патента: EP0715313A3. Автор: Juergen Bauer,Dieter Dr. Ing. Seher,Thomas Dipl.-Ing. Rueping (Fh),Thomas Dipl.-Ing. Baehren,Thilo Dipl.-Ing. Jahn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1998-09-02.

Programmable read - only memory devices

Номер патента: KR900006140B1. Автор: Manabu Tsuchida,Masanobu Yosida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-08-24.

Electrically programmable read-only memory

Номер патента: HK63894A. Автор: Gregory E Atwood,Owen W Jungroth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-07-15.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Method for page mode writing in an electrically erasable/programmable non-volatile memory and corresponding architecture

Номер патента: US6504791B1. Автор: David Naura,Sebastien Zink,Bertrand Bertrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-01-07.

Methods for enhancing erase of a memory device, programmable read-only memory device and method for preventing over-erase of an NROM device

Номер патента: TWI238413B. Автор: Chen-Chin Liu,Samuel C Pan. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-21.

Arrangement for generating a programming voltage of a programmable read-only memory, in particular of the EPROM type, and associated methods and memories

Номер патента: DE69219058T2. Автор: Emilio Yero. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-07-24.

Circuit for generating a programming voltage for a programmable read-only memory, especially of an EPROM type, and method and memory relating to it

Номер патента: EP0538121B1. Автор: Emilio Yero. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-04-16.

Programmable read?only memory

Номер патента: KR100880058B1. Автор: 수나이 샤흐,올리비어 카임 아베드-메라임,패트릭 제베디. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-01-22.

Method for programming data into an electrically programmable read-only-memory

Номер патента: EP0251889B1. Автор: Gilles Lisimaque. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1990-10-10.

Sense amplifier for programmable read only memory

Номер патента: EP0241327A3. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-07-19.

Write circuit for erasable and programmable read only memory

Номер патента: KR100300080B1. Автор: 오형석. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-09-29.

Housing for receiving an erasable and programmable read-only memory

Номер патента: DE3315028A1. Автор: Wilm Ing.(grad.) 2800 Bremen Gödden. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1984-10-31.

Programmable read only memory integrated circuit with bit-check and deprogramming modes and methods for programming and testing said circuit

Номер патента: EP0031380B1. Автор: Vernon G. Mckenney,John K. Hampton. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1986-12-30.

Programmable read-only memory device

Номер патента: EP0143596A2. Автор: Masanobu Yoshida,Manabu Tsuchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-06-05.

METHOD FOR MEMORIZING DATA IN AN ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY AND ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY FOR IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: FR2580851A1. Автор: Franz-Josef Melcher,Christian Oldendorf,Erich Knothe. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 1986-10-24.

METHOD FOR STORING DATA IN AN ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY AND ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY FOR CARRYING OUT THE METHOD

Номер патента: FR2580851B1. Автор: Franz-Josef Melcher Et Christian Oldendorf Erich Knothe. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 1994-05-20.

Block erasing an electrically erasable and electrically programmable memory

Номер патента: GB2235999B. Автор: Gregory E Atwood,Albert Nmi Fazio,Richard A Lodenquai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-12-15.

Electrically erasable and programmable memory, has control and refreshment units arranged to erase counter after reaching maximum count value chosen so that cells undergone maximum number of stress cycles equal to determined number

Номер патента: FR2851074A1. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-08-13.

High-density read-only memory

Номер патента: CA2170087C. Автор: Masakazu Shoji. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

High-density read-only memory employing multiple bit-line interconnection

Номер патента: US5528534A. Автор: Masakazu Shoji. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-06-18.

Method of reading the bits of nitride read-only memory cell

Номер патента: US20080205135A1. Автор: Hsien-Wen Hsu,Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Read only memory device

Номер патента: TW200416737A. Автор: Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-01.

Read only memory device

Номер патента: TWI231507B. Автор: Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-21.

Simulator for read only memory

Номер патента: JPS53132230A. Автор: Koji Fujimoto,Shinichi Hayashi,Iwao Asakawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-17.

Circuit for generating the programming voltage for an¹erasable read-only memory

Номер патента: IE850132L. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1985-07-25.

Circuit for generating the programming voltage for an erasable read-only memory

Номер патента: IE56266B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-05.

High read speed multivalued read only memory device

Номер патента: TW372318B. Автор: Masanori Hirano. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-21.

Method of programming a read only memory

Номер патента: AU5129373A. Автор: Karstetter Rudolf. Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1974-07-25.

METHOD FOR WRITING AN ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE NON VOLATILE MEMORY AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200321063A1. Автор: Tailliet François,Ameziane El Hassani Chama. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory device and a method of operating the same

Номер патента: US5428568A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

An electrically erasable programmble rom

Номер патента: KR100252253B1. Автор: 이창호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Semiconductor device with electrically erasable and programmable cell

Номер патента: KR100496794B1. Автор: 최기환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-12.

Electrically erasable and programmable memory comprising a device for managing an internal voltage supply

Номер патента: FR2838861A1. Автор: Rosa Francesco La,Filipe Ganivet,Thierry Giovinazzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-24.

REMOVABLE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE MEMORY, PROTECTED AGAINST POWER CUT

Номер патента: FR2749698A1. Автор: Jacek Kowalski,Michel Rene Martin. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1997-12-12.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US20010048615A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Hideko Odaira. Дата публикации: 2001-12-06.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US5627782A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Electrically-erasable ROM with pulse-driven memory cell transistors

Номер патента: US5623444A. Автор: Hiroshi Gotou,Toshifumi Asakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-04-22.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power failure

Номер патента: EP0902949A1. Автор: MICHEL MARTIN,Jacek Kowalski. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1999-03-24.

Method of emulating electrically erasable memory in a motor vehicle microcontroller

Номер патента: US20040064634A1. Автор: Kevin Gertiser,Mark Lowden,Paul Hay,W. Allen,Ben Mc Cormick. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Block writing method for e.g. electrically erasable and programmable ROM, involves successively writing each word of block to be written in memory during write time, of word, determined by dividing fixed write time lesser than former time

Номер патента: FR2891653A1. Автор: David Naura,Pierre Rizzo,Ahmed Kari,Christophe Moreaux. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-04-06.

REMOVABLE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE MEMORY, PROTECTED AGAINST POWER CUT

Номер патента: FR2749698B1. Автор: Jacek Kowalski,Michel Rene Martin. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1998-09-04.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory device for permanent data storage, has block to control memory`s operating modes and with memory refreshing algorithm to periodically reprogram memory cells subjected to charge loss

Номер патента: FR2896612A1. Автор: Philippe Candelier,Philippe Gendrier,Jean Marc Tessier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-07-27.

System and method for updating read-only memory in smart card memory modules

Номер патента: US09979540B2. Автор: Ksheerabdhi Krishna,Mehdi Asnaashari,Ruchirkumar D. Shah,Sylvain Prevost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Read only memory control circuit for use in a phase lock loop

Номер патента: US4692713A. Автор: Brian Cordwell,Paul M. Hayes. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1987-09-08.

System with virtual update capable read-only memory

Номер патента: US5644782A. Автор: Anthony J. Yeates,Michael R. Landis,Jeffrey K. Berger. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-01.

Read-only memory circuit

Номер патента: US20230378160A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and system for securely patching read-only-memory code

Номер патента: US20210319107A1. Автор: Sandeep Jain,Atul Dahiya. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Read-only operations processing in a paxos replication system

Номер патента: US09852204B2. Автор: Peng Li,William J. Bolosky,Randolph B. Haagens,Norbert P. Kusters. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Read-only mode for virtual trusted platform module (tpm) devices

Номер патента: EP4390681A1. Автор: Petr Vandrovec,Ivan Dimitrov Velevski. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Proxying a target ecmascript object regardless whether the target ecmascript object is a read-only object

Номер патента: EP4121872A1. Автор: Guy Lewin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-01-25.

Proxying a target ecmascript object regardless whether the target ecmascript object is a read-only object

Номер патента: WO2021188213A1. Автор: Guy Lewin. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-09-23.

Read-only mode for virtual trusted platform module (tpm) devices

Номер патента: US20240211294A1. Автор: Petr Vandrovec,Ivan Dimitrov Velevski. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for supporting read-only optimization in a transactional middleware environment

Номер патента: US9389905B2. Автор: Xugang SHEN,Todd J. Little,Qingsheng Zhang. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

System and Method to Emulate an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

Номер патента: US20150039805A1. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto,Xiangting Bi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-05.

Programmable read-only memory and method for operating the read-only memory

Номер патента: US6525963B2. Автор: Thomas Kern,Jurgen Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-25.

Programmable read-only memory and method for operating the read-only memory

Номер патента: DE19916065A1. Автор: Thomas Kern,Juergen Peter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-10-19.

Programmable read only memory

Номер патента: GB9104743D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-04-17.

Programmable read only memory

Номер патента: HK1000223A1. Автор: Burri Michel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-02-06.

Read-Only Memory (ROM) Architecture with Selective Encoding

Номер патента: US20170278582A1. Автор: Wei Zhang,Roy M. Carlson,Dechang Sun,Mai T. MAC LENNAN,Sudeep Ashok POMAR. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Read-only memory (ROM) architecture with selective encoding

Номер патента: US09799409B2. Автор: Wei Zhang,Roy M. Carlson,Dechang Sun,Sudeep Ashok POMAR,Mai T. MacLennan. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US20020181269A1. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US20050018465A1. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: Do Young-Sook. Дата публикации: 2005-01-27.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US6771528B2. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-03.

Memory cell structure of metal programmable read only memory having bit cells with a shared transistor cell

Номер патента: US20060215436A1. Автор: Young-Keun Lee,Seong-ho Jeung,Yong-jae Choo,Young-sook Do. Владелец: Do Young-Sook. Дата публикации: 2006-09-28.

Memory device, in particular programmable read-only memory, capable of being checked under conditions identical to those present during use

Номер патента: FR2544906A1. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-10-26.

Read only memory structure

Номер патента: US20020196652A1. Автор: Allen MILLS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

BITLINE CIRCUITS FOR EMBEDDED CHARGE TRAP MULTI-TIME-PROGRAMMABLE-READ-ONLY-MEMORY

Номер патента: US20150138868A1. Автор: Kirihata Toshiaki,Castalino Pamela,Leu Derek H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190287636A1. Автор: RACHINSKY Rumen,RADEV Aleksandar,IVANOV Valeri. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

A kind of disposable programmable read only memory data burning method

Номер патента: CN104598408B. Автор: 刘尚林. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-26.

Programmable read-only memory for electronic calculator - array of row and column lines with cross-points selectively connected

Номер патента: FR2229117A1. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1974-12-06.

Reusable sold-state one-time programmable read only memory

Номер патента: US20030193826A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Kan-Chuan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Programmable read only memory

Номер патента: US20100046269A1. Автор: Kevin Zhang,Zhanping Chen,Sarvesh Kulkarni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

High bit density, high speed, via and metal programmable read only memory core cell architecture

Номер патента: US20020091894A1. Автор: Anurag Garg. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Programmable read-only memory with tester for the error checking and correction circuit

Номер патента: DE69207038T2. Автор: Kiyoshi Fukushima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-25.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US9564243B2. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

A programming circuit for a programmable read only memory

Номер патента: DE3061748D1. Автор: Kouji Ueno,Tamio Miyamura,Kazumi Koyama,Toshitaka Fukushima,Yuichi Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-03-03.

Programmable read-only memory

Номер патента: JPS6095800A. Автор: Toru Sugawara,菅原　通. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-05-29.

Bipolar programmable read only memory device including address circuits

Номер патента: DE3071240D1. Автор: Tamio Miyamura,Kazumi Koyama,Toshitaka Fukushima,Yuichi Kawabata,Kouiji Ueno. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-01-02.

System and method for increasing performance in a compilable read-only memory (ROM)

Номер патента: US6587364B1. Автор: Deepak Sabharwal,Adam Aleksan Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Read only memory (ROM)-emulated memory (REM) profile mode of memory device

Номер патента: US11798601B2. Автор: Qisong Lin,Fulvio Rori,Preston A. Thomson,Jonathan Wen Jian Oh,Allison Jayne Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and apparatus to conditionally precharge a partitioned read-only memory with shared wordlines for low power operation

Номер патента: US20030107933A1. Автор: Robert Rogenmoser,Daniel Dobberpuhl,Steve Nishimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: EP3874506A4. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Memory system and read-only-memory system

Номер патента: TWI301979B. Автор: Cheng Hung Lee,Ching Wei Wu,Hung Jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-11.

Memory system and read-only-memory system

Номер патента: TW200703344A. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Cheng-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-16.

Read-only memory circuit and design method thereof, read-only memory and electronic equipment

Номер патента: CN111968696B. Автор: 赵慧,黄瑞锋. Владелец: Haiguang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

READ ONLY MEMORY (ROM)-EMULATED MEMORY (REM) PROFILE MODE OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220093145A1. Автор: Thomson Preston A.,Rori Fulvio,Lin Qisong,Oh Jonathan Wen Jian,Olson Aaron James. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Read only memory (rom)-emulated memory (rem) profile mode of memory device

Номер патента: US20210193199A1. Автор: Qisong Lin,Fulvio Rori,Preston A. Thomson,Jonathan Wen Jian Oh,Aaron James Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Read only memory

Номер патента: JPS56153581A. Автор: Hisanori Hamano,Hiromi Nagayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-11-27.

Programmable semi-fusible link read only memory and method of margin testing same

Номер патента: TWI283410B. Автор: Denis Doyle,Oliver Brennan. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-07-01.

Virtual ground read only memory

Номер патента: GB2170671B. Автор: James David Sproch,Jr Henry William Pechar. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1989-06-14.

Fabricating method of binary code pattern for read only memory

Номер патента: TW440851B. Автор: Chun-Jung Lin,Chun-Yi Yang,Bing-Yiing Wang,Jui-Chin Chang,Mim-Tsung Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-16.

Read-only memory device

Номер патента: JPS56134393A. Автор: Hideyuki Kobayashi,Hiromi Nagayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-10-21.

Programmable semi-fusible link read only memory and method of margin testing same

Номер патента: TW200617974A. Автор: Denis Doyle,Oliver Brennan. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Read only memory capable of realizing high-speed read operation

Номер патента: GB9907238D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-26.

Read only memory capable of realizing high-speed read operation

Номер патента: TW466496B. Автор: Byeng-Sun Choi,Kang-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-01.

Virtual ground read only memory

Номер патента: GB8602198D0. Автор: . Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1986-03-05.

Read-only memory

Номер патента: JPS56159898A. Автор: Shinji Morozumi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1981-12-09.

TESTING READ-ONLY MEMORY USING MEMORY BUILT-IN SELF-TEST CONTROLLER

Номер патента: US20200388346A1. Автор: Singh Jasbir,Narayanan Prakash,NARESH Nikita,INUGANTI Prathyusha Teja,YARADUYATHINAHALLI Rakesh Channabasappa,ACHARYA Aravinda,NARAYANAN Naveen Ambalametil. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

A semiconductor memory having a mask read only memory (ROM) capable of being set to a plurality of threshold levels

Номер патента: KR960032498A. Автор: 미찌노리 카마야. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-09-17.

Transistor stack read only memory

Номер патента: US6034881A. Автор: Remi Butaud. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Read-only memory with twisted bit lines

Номер патента: US20060256604A1. Автор: Francois Jacquet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus to conditionally precharge a partitioned read-only memory with shared wordlines for low power operation

Номер патента: US20020167854A1. Автор: Robert Rogenmoser,Daniel Dobberpuhl,Steve Nishimoto. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

TESTING READ-ONLY MEMORY USING MEMORY BUILT-IN SELF-TEST CONTROLLER

Номер патента: US20200135290A1. Автор: Singh Jasbir,Narayanan Prakash,NARESH Nikita,INUGANTI Prathyusha Teja,YARADUYATHINAHALLI Rakesh Channabasappa,ACHARYA Aravinda,NARAYANAN Naveen Ambalametil. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Read only memory device having memory cells each storing one of three states

Номер патента: EP0256935A3. Автор: Yasuo Suzuki,Yasuaki Suzuki,Nobuo Ikuta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-04-18.

Memory management logic for expanding the utilization of read-only memories

Номер патента: WO2002039457A2. Автор: Peter Mahrla. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of fast access to a read-only memory and fast-access memory using this method.

Номер патента: FR2535886A1. Автор: Claude Paul Henri Lerouge,Joel Serge Gerard Colardelle. Владелец: Laboratoire Central de Telecommunications SA. Дата публикации: 1984-05-11.

Memory management logic for expanding utilization of read-only memories

Номер патента: CN1473336A. Автор: P,P·马赫拉. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-04.

Read-only memory with optimised line capacity and method of encoding such a memory

Номер патента: FR2583203A1. Автор: Jacques Meyer. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1986-12-12.

Testing read-only memory using memory built-in self-test controller

Номер патента: US10818374B2. Автор: Jasbir Singh,Prakash Narayanan,Nikita Naresh,Prathyusha Teja INUGANTI,Rakesh Channabasappa Yaraduyathinahalli,Aravinda Acharya,Naveen Ambalametil NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Encoded Read-Only Memory (ROM) Decoder

Номер патента: US20110242927A1. Автор: Myron Buer,Brandon Bartz,Dechang Sun. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Compact electrically erasable memory cells and arrays

Номер патента: US5914904A. Автор: James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Enforcement of attestation of read-only protected memory during attestation validity period

Номер патента: US20240338493A1. Автор: Giridhar Viswanathan,Benjamin M. Schultz,Hari R. Pulapaka,Maxwell Christopher Renke,Andrea Allievi,David Guy Weston. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for managing read-only memory

Номер патента: US20150186294A1. Автор: LEI Liu,Brian D. HATFIELD,Wenjeng Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Systems and methods for supporting bios accessibility to traditionally nonaddressable read-only memory space

Номер патента: US20210349727A1. Автор: Xiaomei Miller,Chih Yung LAI,Chia Chien Chuang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-11-11.

Option read-only memory use

Номер патента: US09684518B2. Автор: Kimon Berlin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-06-20.

Fast write mechanism for emulated electrically erasable (EEE) system

Номер патента: US09792191B2. Автор: Ross S. Scouller,Melody B. Caron,Jeffrey C. Cunningham. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Read only memory character generator system

Номер патента: US4187552A. Автор: Brian P. Verstegen. Владелец: DURANGO SYSTEMS Inc. Дата публикации: 1980-02-05.

Enforcement of attestation of read-only protected memory during attestation validity period

Номер патента: WO2023288216A1. Автор: Giridhar Viswanathan,Benjamin M. Schultz,Hari R. Pulapaka,Maxwell Christopher Renke,Andrea Allievi,David Guy Weston. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Enforcement of attestation of read-only protected memory during attestation validity period

Номер патента: EP4334831A1. Автор: Giridhar Viswanathan,Benjamin M. Schultz,Hari R. Pulapaka,Maxwell Christopher Renke,Andrea Allievi,David Guy Weston. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-13.

Patching boot code of read-only memory

Номер патента: US09880856B2. Автор: Deniz Karakoyunlu,Kahraman D. Akdemir,Tolga Nihat AYTEK. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Option read-only memory firmware-based remediation

Номер патента: US12086436B2. Автор: Shekar Babu Suryanarayana,Karunakar Poosapalli. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for managing read-only memory

Номер патента: US20160041920A1. Автор: LEI Liu,Brian D. HATFIELD,Wenjeng Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for starting a system-on-a-chip without read only memory, system-on-a-chip without read only memory and headphone

Номер патента: WO2021122543A1. Автор: Michael Boehm. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for starting a system-on-a-chip without read only memory, system on-a-chip without read only memory and headphone

Номер патента: US20230015614A1. Автор: Michael Böhm. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of Accessing On-Chip Read Only Memory and Computer System Thereof

Номер патента: US20140344502A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Cheng Tu,Yun-Chin Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Techniques to store configuration information in an option read-only memory

Номер патента: US20130073801A1. Автор: Timofey V. Kutergin,Sergey Samylin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Read-Only Memory (ROM) Security

Номер патента: US20240361923A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Microcontroller integrated circuit with read only memory containing a generic program

Номер патента: US5590273A. Автор: Jean-Pierre Balbinot. Владелец: Alcatel Mobile Communication France SA. Дата публикации: 1996-12-31.

Read only memory coded print wheel cartridge

Номер патента: CA1162317A. Автор: Gordon Sohl. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Electrically erasable writing surface

Номер патента: WO2003071584A2. Автор: Jukka Hautanen,Jari Kangas,Jukka Yrjänäinen. Владелец: NOKIA, INC.. Дата публикации: 2003-08-28.

Synchronizer with out-of-line monitors for shared objects in read-only memory

Номер патента: US7685600B1. Автор: Peter D. Shipton,Angela Lin,Andrew R. Low,Peter W. Burka,Gianni S. Duimovich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Data processor performing a decimal multiply operation using a read only memory

Номер патента: CA1171181A. Автор: Virendra S. Negi,Steven A. Tague. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1984-07-17.

Upgrading software held in read-only storage

Номер патента: WO2003019362A2. Автор: Michael J. Plummer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-03-06.

Upgrading software held in read-only storage

Номер патента: EP1483667A2. Автор: Michael J. Plummer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-08.

Upgrading software held in read-only storage

Номер патента: US7165247B2. Автор: Michael J Plummer. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2007-01-16.

Circuit and method for page addressing read only memory

Номер патента: US4831522A. Автор: Kenneth J. Henderson,Ajaykumar A. Amin. Владелец: Microlytics Inc. Дата публикации: 1989-05-16.

Method for modifying an instruction sequence that is memorized in a read only memory (ROM) of a smart card and a corresponding smart card

Номер патента: EP2275935A2. Автор: Giovanni Fontana,Giovanni Di Sirio. Владелец: Incard SA. Дата публикации: 2011-01-19.

Optimizing Read Only Memory Surface Accesses

Номер патента: US20180300929A1. Автор: Balaji Vembu,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Prasoonkumar Surti,Kamal SINHA,Vasanth Ranganathan,Wenyin Fu,Bhushan M. Borole. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Option read-only memory firmware-based remediation

Номер патента: US20240020032A1. Автор: Shekar Babu Suryanarayana,Karunakar Poosapalli. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-18.

System and method for managing expansion read-only memory and management host thereof

Номер патента: US20150317089A1. Автор: Kuan-Jui Ho. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: EP1856673A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-11-21.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: CA2600501A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: Nadeem A. Quraishi. Дата публикации: 2006-09-21.

Secure read only memory

Номер патента: US4583196A. Автор: James T. Koo. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1986-04-15.

Read-only memory (rom) security

Номер патента: EP4281893A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-29.

Read-only memory (rom) security

Номер патента: EP4281891A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-29.

Read-Only Memory (ROM) Security

Номер патента: US20240184932A1. Автор: Timothy Jay CHEN,Rupert James SWARBRICK,Michael Stefano Fritz Schaffner. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: WO2024129847A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: EllansaLabs Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: US20240126865A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Dynamically protecting read-only fields using interceptors and encryption

Номер патента: US20240311494A1. Автор: Veeresh Devireddy. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-09-19.

Read-only security protection

Номер патента: US12039059B2. Автор: Jinghui WU,Chunxian Guo,JIQI Mi,Yuneng Wu. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-07-16.

Adding a read-only query engine to perform queries to a point-in-time of a write-accessible database

Номер патента: US20230281211A1. Автор: Navaneetha Krishnan Thanka Nadar,Murali Brahmadesam,Changan Han,Anupriya Mathur. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Adding a read-only query engine to perform queries to a point-in-time of a write-accessible database

Номер патента: US12072900B2. Автор: Navaneetha Krishnan Thanka Nadar,Murali Brahmadesam,Changan Han,Anupriya Mathur. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Incremental updates to user transaction state at read-only nodes of a distributed database

Номер патента: US09842031B1. Автор: Tengiz Kharatishvili. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Read-write access in a read-only environment

Номер патента: US09665583B1. Автор: David vonThenen. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

System and method for cloud-based read-only folder synchronization

Номер патента: US09934241B2. Автор: Craig Duval,Tim A. Leiter. Владелец: Hightail Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Index structure navigation using page versions for read-only nodes

Номер патента: US09946735B2. Автор: Anurag Windlass Gupta,Pradeep Jnana Madhavarapu,Tengiz Kharatishvili. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Automatically enabling a read-only cache in a language in which two arrays in two different variables may alias each other

Номер патента: US09824419B2. Автор: Kazuaki Ishizaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Event based retention of read only files

Номер патента: US11880335B2. Автор: Akshatha Gangadharaiah,Balamurugan Ramajeyam,Vaiapuri RAMASUBRAMANIAM,Raman Madaan,Subhash A. Sankuratripati,AFTAB Ahmad ANSARI. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Event based retention of read only files

Номер патента: US20240160604A1. Автор: Akshatha Gangadharaiah,Balamurugan Ramajeyam,Vaiapuri RAMASUBRAMANIAM,Raman Madaan,Subhash A. Sankuratripati,AFTAB Ahmad ANSARI. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memoizing with read only side effects

Номер патента: WO2014074164A1. Автор: Ying Li,Alexander G. Gounares,Charles D. Garrett,Michael D. Noakes. Владелец: CONCURIX CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

System and method for cloud-based read-only folder synchronization

Номер патента: US20180210894A1. Автор: Craig Duval,Tim A. Leiter. Владелец: Hightail Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Method, Apparatus And Computer Program Product For Optimizing Access To The Content Of A Virtual Application Container On A Fixed, Read-Only Medium

Номер патента: US20080301205A1. Автор: Johannes C. Laffra,Vasanth Bala,Bowen L. Alpern,Glenn Ammons,Todd W. Mummert,Darrell Christopher Reimer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Read-only file system for testing de-duplication

Номер патента: US20170220593A1. Автор: Brian Smith,Tarun Tripathy. Владелец: Dell Software Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

一种基于Append-only Memory的远程验证方法及设备

Номер патента: CN116414451. Автор: 蔡启申. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

一种基于Append-only Memory的远程验证方法及设备

Номер патента: CN116414451A. Автор: 蔡启申. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Methods and systems for generating read-only operating systems

Номер патента: WO2012170218A1. Автор: James M. MILSTEAD. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2012-12-13.

Read only mode handling in storage devices

Номер патента: US12124708B1. Автор: Ankit Rajani,Puspanjali PANDA,Ramkumar Muralidharan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Content modification control using read-only type definitions

Номер патента: US8533413B2. Автор: Udo Klein,Frank Brunswig,Abhay TIPLÉ. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2013-09-10.

File system with read/write and read only storage

Номер патента: CA2045799C. Автор: Kenneth L. Thompson. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Automatically enabling a read-only cache in a language in which two arrays in two different variables may alias each other

Номер патента: US20180047134A1. Автор: Kazuaki Ishizaki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Read-write access in a read-only environment

Номер патента: US9389964B1. Автор: David vonThenen. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Storage device with fault resilient read-only mode

Номер патента: US12026055B2. Автор: Yang Seok KI,Ehsan Najafabadi,Sung Wook RYU,Dong Gi Daniel LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Protecting confidential data with transactional processing in execute-only memory

Номер патента: US09665373B2. Автор: Vedvyas Shanbhogue,Ravi Rajwar,David M. Durham,Ravi L. Sahita,Barry E. Huntley,Michael LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: WO2023163815A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: US20230266910A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar S. Madraswala,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Smart Read-Only Mode for Web Browsing

Номер патента: US20220245263A1. Автор: Erez PASTERNAK. Владелец: Ericom Software Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Low-power processing in depth read-only operating regimes

Номер патента: US20140104267A1. Автор: Christian Rouet,Christian Amsinck,Tony LOUCA. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Low-power processing in depth read-only operating regimes

Номер патента: US09916680B2. Автор: Christian Rouet,Christian Amsinck,Tony LOUCA. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Write-through buffer cache for write-able file system that utilizes differencing disk to preserve read-only data

Номер патента: US09672222B1. Автор: Matthew Buchman. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Maximizing system resources used to decompress read-only compressed analytic data in a relational database table

Номер патента: US7818728B1. Автор: Jack Edward Olson. Владелец: QD Tech LLC. Дата публикации: 2010-10-19.

Radix sort with read-only key

Номер патента: US20140188909A1. Автор: Hong Min,Sameh W. Asaad,Bharat Sukhwani,Mathew S. Thoennes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Text-based machine learning extraction of table data from a read-only document

Номер патента: US20230049389A1. Автор: Hongyang YU,Hanieh Borhanazad,Sandip Mandlecha. Владелец: Coupa Software Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

System and method for cloud-based read-only folder synchronization

Номер патента: US11822517B2. Автор: Craig Duval,Tim A. Leiter. Владелец: Open Text Holdings Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Text-based machine learning extraction of table data from a read-only document

Номер патента: US20220067014A1. Автор: Hongyang YU,Hanieh Borhanazad,Sandip Mandlecha. Владелец: Coupa Software Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Text-based machine learning extraction of table data from a read-only document

Номер патента: US20240160616A1. Автор: Hongyang YU,Hanieh Borhanazad,Sandip Mandlecha. Владелец: Coupa Software Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Text-based machine learning extraction of table data from a read-only document

Номер патента: US11914567B2. Автор: Hongyang YU,Hanieh Borhanazad,Sandip Mandlecha. Владелец: Coupa Software Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Radix sort with read-only key

Номер патента: US20140188908A1. Автор: Hong Min,Sameh W. Asaad,Bharat Sukhwani,Mathew S. Thoennes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

System and method for cloud-based read-only folder synchronization

Номер патента: US20200257661A1. Автор: Craig Duval,Tim A. Leiter. Владелец: Open Text Holdings Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

System and method for cloud-based read-only folder synchronization

Номер патента: US20240045840A1. Автор: Craig Duval,Tim A. Leiter. Владелец: YouSendIt Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

System and Method for Cloud-Based Read-Only Folder Synchronization

Номер патента: US20230075890A1. Автор: Craig Duval,Tim A. Leiter. Владелец: YouSendIt Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050001259A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060108633A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Electrically erasable and programmable read only memory (eeprom) having multiple overlapping metallization layers

Номер патента: WO1998024127A1. Автор: Satyendranath Mukherjee. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-06-04.

Electrically erasable and programmable read only memory device comprising common source region and method of manufacturing same

Номер патента: US8097913B2. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-17.

Process for forming an electrically programmable read-only memory cell

Номер патента: US5498560A. Автор: Umesh Sharma,Michael P. Woo. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-03-12.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A4. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Mask-programmable read only memory with electrically isolated cells

Номер патента: US20220384463A1. Автор: Mingyu LIM. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Process for forming an electrically programmable read-only memory cell

Номер патента: US5382540A. Автор: Hisao Kawasaki,Umesh Sharma. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Read-only memory and its manufacturing method

Номер патента: US20140151815A1. Автор: Peng Du,Kai Huang,Tsung-nten HSU,Jianxiang Cai. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Read-only memory and its manufacturing method

Номер патента: US9368505B2. Автор: Peng Du,Kai Huang,Tsung-nten HSU,Jianxiang Cai. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Read-only memory for chip security that is MOSFET process compatible

Номер патента: US11744065B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Read-only memory for chip security that is mosfet process compatible

Номер патента: US20230354592A1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Read-only memory for chip security that is mosfet process compatible

Номер патента: US20230092137A1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Mask read-only memory device

Номер патента: US20180158831A1. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Read-only memory device coded with selectively insulated gate electrodes

Номер патента: US20040256637A1. Автор: Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US6569713B2. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-27.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US6649526B2. Автор: Chun Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Method of manufacturing mask read-only-memory

Номер патента: US6165850A. Автор: Jyh-Ren Wu. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Method of fabricating read only memory

Номер патента: US20020192877A1. Автор: Chih-Ping Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming cells array of mask read only memory

Номер патента: US20020136989A1. Автор: Chun-Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of fabricating nitride read only memory

Номер патента: US20030190785A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US20020168822A1. Автор: Chun-Jung Lin,Ful-Long Ni,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a read only memory device

Номер патента: US4904615A. Автор: Satoshi Meguro,Kazuhiro Komori,Ken Uchida,Hisao Katto,Kousuke Okuyama,Kouichi Kusuyama. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-02-27.

Data writing method for mask read only memory

Номер патента: US7084036B2. Автор: Meng-Yu Pan,Julian Chang,Yuan-Wei Zheng. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2006-08-01.

Data writing method for mask read only memory

Номер патента: US20050090065A1. Автор: Meng-Yu Pan,Julian Chang,Yuan-Wei Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for fabricating NAND type dual bit nitride read only memory

Номер патента: US20060001078A1. Автор: Chien-Hung Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for fabricating a mask read-only memory

Номер патента: US6562548B2. Автор: Liu Cheng-Jye,Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-13.

Process for fabricating read-only memory cells

Номер патента: US5633187A. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Read-only-memory cell arrangement using vertical MOS transistors and gate dielectrics of different thicknesses and method for its production

Номер патента: US5973373A. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Krautschneider,Lothar Risch,Wolfgang Rosner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for fabricating a mask read-only memory

Номер патента: US20020155388A1. Автор: Liu Cheng-Jye,Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Read-only memory cell configuration with trench MOS transistor and widened drain region

Номер патента: US6043543A. Автор: Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-28.

CMOS-compatible read only memory and method for fabricating the same

Номер патента: EP1463119A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong,Shih-Chan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-29.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US5933735A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Process for fabricating read only memories, with programming step performed midway through the fabrication process

Номер патента: US5736420A. Автор: Heikyung Chun Min,Jeffrey Kent Whitney. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Semiconductor read-only memory device

Номер патента: GB2315596A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Electrical erasable programmable read-only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130092995A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongou HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for coding mask read-only memory

Номер патента: US5891781A. Автор: Sung Gon Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Read only memory manufacturing method

Номер патента: US5264386A. Автор: Ming T. Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1993-11-23.

Stacked double dense read only memory

Номер патента: US4603341A. Автор: Claude L. Bertin,Howard L. Kalter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-07-29.

Method of fabricating erasable programmable single-ploy nonvolatile memory

Номер патента: US20130237048A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Te-Hsun Hsu,Wei-Ren Chen,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20030129794A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US6509231B1. Автор: Li-Jen Chen,Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Method for making late programmable read-only memory devices

Номер патента: US4359817A. Автор: John E. Dickman,William B. Donley. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1982-11-23.

Method for fabricating read only memory

Номер патента: US20030181013A1. Автор: Ching-Yu Chang,Henry Chung,Cheng-Chen Calvin Hsueh,Tahorng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for fabricating read only memory including forming masking layers with openings and pre-coding the cell and peripheral regions

Номер патента: US6734064B2. Автор: Ching-Yu Chang,Henry Chung,Cheng-Chen Calvin Hsueh,Tahorng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Amorphous semiconductor memory device for employment in an electrically alterable read-only memory

Номер патента: CA1124857A. Автор: Vernon A. Bluhm. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-06-01.

Electrically erasable programmable read only memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20240260263A1. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Chao-Sheng Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Electrically erasable programmable read only memory cell and programming method thereof

Номер патента: US6903410B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

High-density erasable programmable logic device architecture using multiplexer interconnections

Номер патента: US5241224A. Автор: David Chiang,Bruce B. Pedersen,James A. Watson,Cameron McClintock,Francis B. Heile,Hock-Chuen So. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Dischargeable electrical programmable read only memory (eprom) cell

Номер патента: US20180006045A1. Автор: Boon Bing NG,Reynaldo V Villavelez,Lui Cheat Thin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-04.

Programme read-only memory and memory cell for use in such a memory

Номер патента: IE53422B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-11-09.

Programmable read only memory

Номер патента: US4420504A. Автор: Kersi F. Cooper,Jerry W. Drake. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1983-12-13.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Electrically erasable and reprogrammable, nonvolatile integrated storage device with in-system programming and verification (ispav) capabilities for supporting in-system reconfiguring of pld's

Номер патента: WO1999034515A1. Автор: Om P. Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-07-08.

Method for programming multi-level nitride read-only memory cells

Номер патента: US20070247925A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Read-only memory (ROM) device structure and method for forming the same

Номер патента: US09941290B2. Автор: Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory implant profile for improved channel shielding in electrically alterable read only memory semiconductor device

Номер патента: US4521796A. Автор: Jagir S. Multani,Kamal Rajkanan. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1985-06-04.

Ion implanted programmable cell for read only memory applications

Номер патента: US5550075A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Read-only memory (rom) device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170352670A1. Автор: Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Switch for implementing read-only zones and write protection

Номер патента: EP1665669A1. Автор: Dinesh G. Dutt,Badri Ramaswamy,Subrata Benerjee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Switch for implementing read-only zones and write protection

Номер патента: EP2276205B1. Автор: Dinesh G. Dutt,Badri Ramaswamy,Subrata Benerjee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-23.

Switch for implementing read-only zones and write protection

Номер патента: EP1665669B1. Автор: Dinesh G. Dutt,Badri Ramaswamy,Subrata Benerjee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-01.

Recordable dvd disk with video compression software included in a read-only sector

Номер патента: US20010041054A1. Автор: Gregg Dierke. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Read-only data store replication to edge locations

Номер патента: US11895212B2. Автор: Craig Wesley Howard,Manigandan Radhakrishnan,Shubham Katiyar,Venkatesh Vijayaraghavan,Oleksii ZAKHARENKO. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Read-only data store replication to edge locations

Номер патента: US20240155045A1. Автор: Craig Wesley Howard,Manigandan Radhakrishnan,Shubham Katiyar,Venkatesh Vijayaraghavan,Oleksii ZAKHARENKO. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods and apparatus to facilitate sleep mechanisms for read-only mode devices in a dedicated carrier

Номер патента: US11785543B2. Автор: Amer Catovic,Alberto RICO ALVARINO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods and apparatus to facilitate sleep mechanisms for read-only mode devices in a dedicated carrier

Номер патента: WO2021003443A1. Автор: Amer Catovic,Alberto RICO ALVARINO. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-01-07.

Controller that receives a cyclic redundancy check (CRC) code from an electrically erasable programmable memory device

Номер патента: US09875151B2. Автор: Frederick A. Ware,Yuanlong Wang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20060046451A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20020187611A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20040038460A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

CONTROLLER THAT RECEIVES A CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) CODE FROM AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180210779A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Electrically erasable programmable memory device that generates error-detection information

Номер патента: US20150324250A1. Автор: Frederick A. Ware,Yuanlong Wang. Владелец: Rambus Delaware LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

SYSTEM AND MODULE COMPRISING AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY CHIP

Номер патента: US20150365108A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

CONTROLLER THAT RECEIVES A CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) CODE FROM AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170147421A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Controller that receives a cyclic redundancy check (crc) code from an electrically erasable programmable memory device

Номер патента: US20150349798A1. Автор: Frederick A. Ware,Yuanlong Wang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-12-03.

Read-only memory circuit

Номер патента: US11764202B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Chip for microprocessor card, has read only memory, which contains read only memory-program code, processor for execution of program code

Номер патента: DE102007009212A1. Автор: Frank Schmalz. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2008-08-28.

System and method for updating read-only memory in smart card memory modules

Номер патента: US20140229745A1. Автор: Ksheerabdhi Krishna,Mehdi Asnaashari,Ruchirkumar D. Shah,Sylvain Prevost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING READ-ONLY MEMORY IN SMART CARD MEMORY MODULES

Номер патента: US20150280912A1. Автор: Asnaashari Mehdi,PREVOST Sylvain,Shah Ruchirkumar D.,Krishna Ksheerabdhi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Integrated circuit for performing confidential transaction, has central processing unit, random access memory and read only memory that are connected by data bus that routes encrypted data produced from plain data

Номер патента: FR2862150A1. Автор: Frank Lhermet. Владелец: Innova Card SARL. Дата публикации: 2005-05-13.

Electric eraser

Номер патента: US5105497A. Автор: Ekramul Haque. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-21.

Video game having video disk read only memory

Номер патента: US4799677A. Автор: Jeffrey E. Frederiksen. Владелец: Bally Manufacturing Corp. Дата публикации: 1989-01-24.

Method for recording power-on accumulated time of task machine by using EEPROM (electrically erasable programmable read-Only memory) under battery-free condition

Номер патента: CN111797031A. Автор: 廖晓明,李建华,彭云龙,曹珊,邹敏怀,胡逸,谢锦涛,游彬,刘昌健,李浔,胡朝纲,蓝武. Владелец: Jiangxi Hongdu Aviation Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Method and system for file system management using a flash-erasable, programmable, read-only memory

Номер патента: US6256642B1. Автор: William J. Krueger,Sriram Rajagopalan. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

A method and system for file system management using a flash-erasable, programmable, read-only memory

Номер патента: EP0557736A2. Автор: William J. Krueger,Sriram Rajagopalan. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 1993-09-01.

DYNAMIC COMPRESSION IN AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMBLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) EMULATION SYSTEM

Номер патента: US20190138228A1. Автор: Mu Fuchen,Shao Botang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Emulation process and circuit for a read-only memory

Номер патента: US20240330518A1. Автор: Nicolas Anquet,Gilles Pelissier,Ruggero Susella,Julien MONTMASSON. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE THAT GENERATES A CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) CODE

Номер патента: US20150347223A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Control apparatus for industrial processes - gives highly reliable implementation of control logic using interchangeable programmable read-only memory

Номер патента: FR2291547A1. Автор: . Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 1976-06-11.

Write-in device for programmable read only memory

Номер патента: JPS56130891A. Автор: Mikio Koike. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-14.

Program store loading data exchange method e.g. for programmable read-only memory (PROM) device

Номер патента: DE19833963A1. Автор: Andreas Lindenthal. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-12-02.

Method for controlling an integrated microprocessor with a programmable read-only-memory and integrated circuit for implementing said method

Номер патента: AU7923198A. Автор: Frederic Heurtaux,William Parin. Владелец: Sagem SA. Дата публикации: 1998-12-30.

Method and system for managing a file system using a programmable read only memory capable of erasing flash

Номер патента: JP4608587B2. Автор: ジェイ クルーガー ウィリアム,ラジャゴパラン スリラム. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2011-01-12.

Use of a programmable read-only memory chip, integrated in an identity card, for storing information for a microprocessor-controlled reader

Номер патента: DE3313414A1. Автор: Hubert 8958 Füssen Schweiger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-10-18.

Method for booting up a software in the boot sector of a programmable read-only memory

Номер патента: WO2004114131A1. Автор: Burkhard Kuhls,Thomas Kalverkamp. Владелец: Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2004-12-29.

Device and method for patching code residing on a read only memory module utilizing a random access memory for storing a set of fields, each field indicating validity of content of a group, and for receiving an address of a memory portion of the read only memory

Номер патента: US6463549B1. Автор: Shai Shperber,Dmitri Akselrod. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-10-08.

Method and apparatus for compressing system read only memory in a computing system

Номер патента: US5836013A. Автор: Todd Michael Greene,John Edward Hallin, Jr.. Владелец: Phoenix Technologies Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Information processing device comprising a read-only memory and a method for patching the read-only memory

Номер патента: US20120290773A1. Автор: David Naccache. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2012-11-15.

Information processing device comprising a read-only memory and a method for patching the read-only memory

Номер патента: EP2523105B1. Автор: David Naccache. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2019-12-04.

Information processing device, having read-only memory, and method of making corrections to read-only memory

Номер патента: RU2582862C2. Автор: Давид НАККАШ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-04-27.

Read-only memory device with securing function and accessing method thereof

Номер патента: US8452935B2. Автор: Chuen-An Lin,Ching-Tsung Tung. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Split read only memory architecture for storage option read only memories

Номер патента: US20070186089A1. Автор: WEI Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for starting a system-on-a-chip without read only memory, system-on-a-chip without read only memory and headphone

Номер патента: EP3839730B1. Автор: Michael Böhm. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2023-11-29.

Emulated electrically erasable (EEE) memory and method of operation

Номер патента: TW201202931A. Автор: Frank K Baker,Venkatagiri Chandrasekaran,Ross S Scouller. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-16.

Medical data entry, consulting and processing device for providing medical assistance to patient to be diagnosed, has compact disc-read only memory with application software for reading data from memory and writing new data to memory

Номер патента: FR2865822A1. Автор: Pierre Rabischong,Yves Arnail,Bernard Delbourg. Владелец: Bernard Delbourg. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for managing e.g. Flash electrically EPROM to form residual data storage during power failure, involves utilizing non volatile memory zones electrically erasable by sector and writable through page, where sector is larger than page

Номер патента: FR2965079A1. Автор: Vincent Huc,Thierry Bouchon. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2012-03-23.

Sequence controller for read only memory

Номер патента: WO1981001337A1. Автор: Y Kuze. Владелец: Y Kuze. Дата публикации: 1981-05-14.

Patching of a read only memory

Номер патента: AU2607900A. Автор: James L. Porter,Steven W. Bennett,Kurt Schurecht. Владелец: PRAIRIECOMM Inc. Дата публикации: 2000-09-04.

Basic input-output system (BIOS) read-only memory (ROM) including expansion table for expanding monochrome image into color image

Номер патента: TW480403B. Автор: Timothy A Lewis. Владелец: Phoenix Tech Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Sequence controller for read-only memory

Номер патента: WO1981001338A1. Автор: Y Kuze. Владелец: Y Kuze. Дата публикации: 1981-05-14.

Basic input-output system (bios) read-only memory (rom) with capability for vertical scrolling of bitmapped graphic data by columns

Номер патента: AU1190799A. Автор: Timothy A. Lewis. Владелец: Phoenix Technologies Ltd. Дата публикации: 1999-05-10.

Basic input-output system (BIOS) read-only memory (ROM) with capability for vertical scrolling of bitmapped graphic text by columns

Номер патента: TW449733B. Автор: Timothy A Lewis. Владелец: Phoenix Tech Ltd. Дата публикации: 2001-08-11.

SYSTEM AND METHOD FOR MODIFICATION OF CODED INSTRUCTIONS IN READ-ONLY MEMORY USING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150242213A1. Автор: Wang Zhongze,Li Yanru,CHUN Dexter Tamio,Uvieghara Gregory Ameriada,Ali Dhamim Packer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Data processor using read only memory for optimizing access of main-memory and identifying starting position of operand

Номер патента: JPS57172439A. Автор: Ei Teigu Suteiibun,Esu Neji Buirendora. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1982-10-23.

Programmable logic array and read-only memory area reduction using context-sensitive logic for data space manipulation

Номер патента: US20120159129A1. Автор: Kameswar Subramaniam,Jonathan D. Combs,Anthony Wojciechowski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Computer controller system with a reprogrammable read only memory

Номер патента: GB1492081A. Автор: . Владелец: Modicon Corp. Дата публикации: 1977-11-16.

INITIATING OPERATION OF A TIMING DEVICE USING A READ ONLY MEMORY (ROM) OR A ONE TIME PROGRAMMABLE NON VOLATILE MEMORY (OTP NVM)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: Li Hui,Hsu John. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method for reading memory cell of read-only memory (ROM) type

Номер патента: FR2802697A1. Автор: Rosa Francesco La. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-06-22.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: WO2006098932A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: IGT. Дата публикации: 2006-09-21.

Testing computer program stored in read=only memory - transferring data into read-write memory during program run to enable check of testing completeness

Номер патента: DE4024138A1. Автор: Gerald Helmstaedter,Titus Dreismann. Владелец: Mannesmann VDO AG. Дата публикации: 1992-02-06.

Boot read-only memory (rom) configuration optimization

Номер патента: US20080022033A1. Автор: Richard A. Dayan,William E. Atherton,Scott N. Dunham,William B. Schwartz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines

Номер патента: AU2006223528A1. Автор: Gregory A. Schlottmann,Warner R. Cockerille,Xuedong Chen,Nadeem A. Quraishi. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2006-09-21.

Non-volatile memory storage system and method for reading an expansion read only memory image thereof

Номер патента: TW200933368A. Автор: Yung-Hsiang Cho. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-01.

FAST WRITE MECHANISM FOR EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE (EEE) SYSTEM

Номер патента: US20170052859A1. Автор: Scouller Ross S.,Cunningham Jeffrey C.,CARON MELODY B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

HIGH VOLTAGE FAILURE RECOVERY FOR EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE (EEE) MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160077906A1. Автор: Scouller Ross S.,Andre Daniel L.,Cunningham Jeffrey C.,COOTS TIM J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

High voltage failure recovery for emulated electrically erasable (eee) memory system

Номер патента: US20170109224A1. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre,Tim J. Coots. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Fast write mechanism for emulated electrically erasable (EEE) system

Номер патента: US10296427B2. Автор: Ross S. Scouller,Melody B. Caron,Jeffrey C. Cunningham. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

There is address RAM simulation electrically -erasable memory to the data stored in a flash memory

Номер патента: CN103514953B. Автор: R·J·西兹代克,R·S·斯考勒,F·K·小巴克尔. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

High voltage failure recovery for emulated electrically erasable (EEE) memory system

Номер патента: US10216564B2. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre,Tim J. Coots. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Operating an emulated electrically erasable (eee) memory

Номер патента: WO2011041021A1. Автор: Ross S. Scouller,Daniel L. Andre,Stephen F. Mcginty. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

Electrically erasable writing surface

Номер патента: AU2003247447A1. Автор: Jukka Hautanen,Jari Kangas,Jukka Yrjänäinen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-09-09.

Electrically erasable writing surface

Номер патента: AU2003247447A8. Автор: Jukka Hautanen,Jari Kangas,Jukka Yrjänäinen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-09-09.

Emulated electrically erasable (eee) memory and method of operation

Номер патента: WO2011139452A2. Автор: Ross S. Scouller,Jr. Frank K. Baker,Venkatagiri Chandrasekaran. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-11-10.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7408221B2. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) device and methods of fabricating the same

Номер патента: US7432159B2. Автор: Sung-Ho Kim,Chang-hun Lee,Jae-Hwang Kim,Seung-Beom Yoon,Kwang-Wook Koh,Sung-Chul Park,Ju-Ri Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-07.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell

Номер патента: US7633115B2. Автор: Yigong Wang. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2009-12-15.

Fabrication method for an electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US6306708B1. Автор: Nai-Chen Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-23.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060079045A1. Автор: Sung-Ho Kim,Chang-hun Lee,Jae-Hwang Kim,Seung-Beom Yoon,Kwang-Wook Koh,Sung-Chul Park,Ju-Ri Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Electrically erasable programmable read-only memory (eeprom) device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080315289A1. Автор: Sung-Ho Kim,Jae Hwang Kim,Chang-hun Lee,Seung-Beom Yoon,Kwang-Wook Koh,Sung-Chul Park,Ju-Ri Kim. Владелец: Ju-Ri Kim. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor Device Having electrically erasable programmable read-only memory(EEPROM) And Mask-ROM And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100481856B1. Автор: 박원호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-11.

Semiconductor device having electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and Mask-ROM and method of fabricating the same

Номер патента: US20040033664A1. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-19.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) devices including multilayer sense and select transistor gates

Номер патента: US20030089944A1. Автор: Min-Soo Cho,Weon-Ho Park,Chil-Hee Chung,Jeung-Wook Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device for electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) with only one layer of gate material, and corresponding memory array

Номер патента: FR2838554A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray,Philippe Gendrier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-17.

Semiconductor device for electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) with only one layer of gate material

Номер патента: FR2838563A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray,Philippe Gendrier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-17.

Method for producing electrically erasable and programmable read-only memory cells with a single polysilicon level

Номер патента: EP0545074A2. Автор: Carlo Riva,Paolo Ghezzi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1993-06-09.

Electrically erasable and programmable read only memory cell manufacturing method and layout thereof

Номер патента: KR930009074A. Автор: 창 고민,케이. 쿠오 클린턴 씨,창 밍빙. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1993-05-22.

Electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM) having multiple overlapping metallization layers

Номер патента: TW441040B. Автор: Satyendranath Mukherjee. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 2001-06-16.

Erasable programmable read-only memory with sliding gate field effect transistors.

Номер патента: DE3780484T2. Автор: Shinji C O Fujitsu Li Sugatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-01-21.

Floating gate electricity erasable read-only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103633118A. Автор: 谭颖,陈广龙,张可钢. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-12.

Programmable read only memory cell and a method for fabricating same

Номер патента: IL111038A0. Автор: . Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1994-11-28.

Electrically erasable programmable rom memory cell array and a method of producing the same

Номер патента: EP0838092A1. Автор: Wolfgang Krautschneider. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-04-29.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2584728C1. Автор: Олег Михайлович Орлов,Владимир Алексеевич Гриценко,Геннадий Яковлевич Красников,Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2016-05-20.

Memory cells for read only memories

Номер патента: US8106463B2. Автор: Sudhir S. Moharir,Zhigeng Liu. Владелец: ARM Inc. Дата публикации: 2012-01-31.

Programmable read only memory in CMOS process flow

Номер патента: US6338992B1. Автор: Hemanshu D. Bhatt,Charles E. May,Shafqat Ahmed,Robindranath Banerjee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

One time programmable read only memory

Номер патента: EP1878057A4. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

High speed non-volatile programmable read only memory device fabricated by using selective doping technology

Номер патента: EP0458212A2. Автор: Masaaki Kuzuhara,Yasuko Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-11-27.

Method of setting threshold voltage levels of a multiple-valued mask programmable read only memory

Номер патента: KR100328748B1. Автор: 마사오 구니또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-05-09.

Programmable read-only memory element

Номер патента: JPS61231751A. Автор: Hiroichi Sakaguchi,阪口　博一. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-10-16.

Method for manufacturing one-time electrically programmable read only memory

Номер патента: US7074674B1. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ko-Hsing Chang,Tung-Po Chen,Tung-Ming Lai. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Method for manufacturing one-time electrically programmable read only memory

Номер патента: US20060154418A1. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ko-Hsing Chang,Tung-Po Chen,Tung-Ming Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby

Номер патента: US20020019098A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Integrated read-only memory, method for operating such a read-only memory and manufacturing method

Номер патента: DE10207300B4. Автор: Johannes R. Dr. Luyken,Franz Dr. Hofmann,Till Dr. Schlösser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for ion implant programming NMOS read-only memories and NMOS read-only memory obtained thereby

Номер патента: EP0227965A2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Franco Maggioni. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1987-07-08.

A method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby

Номер патента: TW414928B. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2000-12-11.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: GB2325338A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Multiple storage planes read only memory integrated circuit device and method of manufacture thereof

Номер патента: SG50819A1. Автор: Bob Hsiao-Lun Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1998-07-20.

Low thermal budget fabrication method for a mask read only memory device

Номер патента: TW530331B. Автор: Jen-Chuan Pan,Shui-Chin Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Method and structure in the manufacture of mask read only memory

Номер патента: US20050224892A1. Автор: Lawrence Liu,Yuan Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Method and structure in the manufacture of mask read only memory

Номер патента: US7244653B2. Автор: Lawrence Liu,Yuan Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-17.

Method of fabricating an nitride read only memory

Номер патента: TWI223414B. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Low thermal budget fabrication method for a mask read only memory device

Номер патента: US20030207539A1. Автор: Jen-Chuan Pan,Shui-Chin Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of making a read only memory device

Номер патента: US5635417A. Автор: Kiyoshi Natsume. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of manufacturing mask read-only memory cell

Номер патента: US20010013599A1. Автор: Ming-Jing Ho,Le-Tein Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of fabricating an nitride read only memory

Номер патента: TW200515542A. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-01.

Read-only memory device coded with selectively insulated gate electrodes

Номер патента: TW200501332A. Автор: Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-01.

Read-only memory semiconductor memory storage

Номер патента: JPS616856A. Автор: 禎一郎 西坂,Teiichirou Nishisaka. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-13.

Memory cells for read only memories

Номер патента: US20070126049A1. Автор: Zhigeng Liu,Sudhir Moharir. Владелец: ARM Physical IP Inc. Дата публикации: 2007-06-07.

Memory cells for read only memories

Номер патента: TW200733356A. Автор: Sudhir Moharir,zhi-geng Liu. Владелец: ARM Physical IP Inc. Дата публикации: 2007-09-01.

ELECTRICALLY ERASABLE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A DEVICE

Номер патента: FR2726935B1. Автор: Joel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1996-12-13.

Electrically erasable and programmable non-volatile storage location

Номер патента: EP0839390B1. Автор: Georg Tempel,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-04-28.

Electrically erasable non-volatile memory device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP0712163A1. Автор: Joel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1996-05-15.

A semiconductor memory device capable of electrically erasing/writing information and manufactureing method of the same

Номер патента: KR0126235B1. Автор: 마사히로 시미주,마사요시 시라하따,다까시 꾸로이,다께히사 야마구찌. Владелец: 기아오까 다까시. Дата публикации: 1997-12-29.

Electrically erasable and programmable read only memories and methods of fabricating the same

Номер патента: CN1979814A. Автор: 金龙泰,金炅焕,金荣浩,朴志薰,朴元虎. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-13.

Semiconductor memory devices for use in electrically alterable read only memory (ROM) and semiconductor thin film devices (spintrons and spin-orbitrons)

Номер патента: US09865811B2. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of fabricating an electrically programmable read-only memory

Номер патента: EP0698295B1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-29.

N-ary three-dimensional mask-programmable read-only memory

Номер патента: US7821080B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)

Номер патента: US20170069839A1. Автор: Eugeniy Troyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-09.

Electrically erasable programmable read only memory (eeprom) cell and method for making the same

Номер патента: TWI311799B. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Flash electrically erasable programmable read only memory cell and process thereof

Номер патента: TW293948B. Автор: Jin Ahn Byung. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-12-21.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell and method for making the same

Номер патента: TW200644177A. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-16.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060054966A1. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Electrically erasable programmable read only memory cell structure for smart card, has memory transistor with gate having dielectric layer defining adjacent channel region with thickness greater than tunnel region thickness

Номер патента: FR2855325A1. Автор: Seung Beom Yoon,Jeong Uk Han,Sung Taeg Kang,Sung Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-26.

Memory unit of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102088000B. Автор: 杨震,詹奕鹏,黄声河. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

Memory unit of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102088000A. Автор: 杨震,詹奕鹏,黄声河. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-08.

SINGLE POLY ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (SINGLE POLY EEPROM) DEVICE

Номер патента: US20130234229A1. Автор: Huang Chih-Jen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-09-12.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20220005936A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20200066874A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20200066875A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

SINGLE POLY ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM)

Номер патента: US20180114793A1. Автор: CHEN Tzu-Ping,Lee Chih-Haw. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Stacked vertical transport field effect transistor electrically erasable programmable read only memory (eeprom) devices

Номер патента: US20190355830A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing electrically erasable & programmable read only memory

Номер патента: KR970011161B1. Автор: 구정석. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-07-07.

High coupling ratio dense electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: EP0133667A3. Автор: Ron Maltiel. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1987-08-26.

Process of forming an electrically erasable programmable read only memory with an oxide layer exposed to hydrogen and nitrogen

Номер патента: US7087182B2. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-08.

Method for Forming Gate of Electrically Erasable Programmable Read Only Memory Cell

Номер патента: KR100994396B1. Автор: 김윤장. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-11-15.

Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory(EEPROM) apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: KR101277147B1. Автор: 강진영. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2013-06-20.

Stacked vertical transport field effect transistor electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) devices

Номер патента: US11575028B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

System and method for providing low cost high endurance low voltage electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US20100259996A1. Автор: Jiankang Bu,David Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-14.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of fabricating an electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) with improved quality for the tunneling oxide layer therein

Номер патента: TW432536B. Автор: Ying-Jen Lin,Tzung-Shi Ke,Yun-Ding Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Fabricating method of electrically erasable and programmable read only memory device

Номер патента: KR100512464B1. Автор: 김동욱,한창훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-07.

Electrically erasable programmable non-volatile memory cell structure

Номер патента: US09892928B2. Автор: Wen-Hao Lee,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

STACKED VERTICAL TRANSISTOR ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND PROGRAMMABLE INVERTER DEVICES

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Ning Tak,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Electrically erasable programmable electronic circuits

Номер патента: CA1212428A. Автор: James M. Cartwright, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Hybrid Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) Systems And Methods For Forming Related Applications

Номер патента: US20180366479A1. Автор: Wang Yigong. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Ultraviolet-ray irradiating apparatus for erasing programmable read-only memory

Номер патента: JPS5618471A. Автор: Yoji Komatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-02-21.

Electrically erasable read-only memory and manufacture thereof

Номер патента: JPS5854668A. Автор: Toshikazu Furuya,古屋　敏和. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-03-31.

Telephone line unit having programmable read-only memory

Номер патента: CA2055803A1. Автор: Claude M. Hurlocker,Michael J. Gingell,Richard M. Czerwiec,Richard R. Rzonca,Benjamin M. Rice,Gus C. Sanders. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-05-21.

Method of fabricating electrically erasable programmable non-volatile memory cell structure

Номер патента: US20180061647A1. Автор: Wen-Hao Lee,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Electrically erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US8546222B1. Автор: Allan T. Mitchell,Weidong Tian,Shanjen Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130256773A1. Автор: Mitchell Allan T.,Pan Shanjen,Tian Weidong. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-03.

Programmable read only memory (ROM) integrated in tight pitch vertical transistor structures

Номер патента: US9893207B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Programmable read only memory mfr. - forming two groups of conductive strips, mutually perpendicular and insulated and doped zones for memory cells using mos techniques

Номер патента: FR2468185A1. Автор: Joseph Shappir. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1981-04-30.

Memory cells for a programmable read-only memory

Номер патента: GB2090468B. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-05-30.

Electrically erasable and programmable nonvolatile storage cell

Номер патента: RU2168242C2. Автор: Темпель Георг,Виннерл Йозеф. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-05-27.

DISCHARGEABLE ELECTRICAL PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EPROM) CELL

Номер патента: US20180006045A1. Автор: Ng Boon Bing,Villavelez Reynaldo V,Thin Lui Cheat. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2018-01-04.

[methods for forming pn junction, one-time programmable read-only memory and fabricating processes thereof]

Номер патента: US20050062079A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Programmable read only memory

Номер патента: JPS5929448A. Автор: Koichiro Okumura,奥村　孝一郎. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-16.

Programmable read-only memory adder

Номер патента: GB2094525B. Автор: . Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1983-08-03.

Process for forming a fuse programmable read-only memory device

Номер патента: WO1987006059A1. Автор: Nicholas John Szluk,Werner Adam Metz, Jr.,Gayle Wilburn Miller,Maurice Michael Moll. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1987-10-08.

Method of making a cell structure for a programmable read only memory device

Номер патента: US5360751A. Автор: Roger R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Programmable read-only semiconductor memory cell and programmable read-only semiconductor memory circuit device using the same

Номер патента: JPS5624968A. Автор: Eisuke Arai,Kazuhide Kiuchi,Hideo Yoshino. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1981-03-10.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: US20090061609A1. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Electrically erasable non-volatile semi-conductor emory¹elements

Номер патента: IE820706L. Автор: . Владелец: Fujitsultd. Дата публикации: 1982-09-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)

Номер патента: US20170069839A1. Автор: Troyan Eugeniy. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES FOR USE IN ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY (ROM) AND SEMICONDUCTOR THIN FILM DEVICES (SPINTRONS and SPIN-ORBITRONS)

Номер патента: US20160233420A1. Автор: Troyan Eugeniy. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Complementary MOS read only memory for storing information, has memory cells with storage transistors having gate in shape of window whose inner and outer borders delimit respectively central drain region and source regions in substrate

Номер патента: FR2880982A1. Автор: Jean Pierre Schoellkopf,Bertrand Borot. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-07-21.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: TW200913164A. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-16.

MASK READ-ONLY MEMORY ARRAY, MEMORY DEVICE, AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Zhang Chao. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Procedure for preparing a read-only memory for use in a digital converter circuit assigned to a resolver, and resolver digital converter circuit with a memory prepared in this way

Номер патента: DE3520643A1. Автор: Michael L. Racine Wis. Gasperi,William G. Milwaukee Wis. Onarheim. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1985-12-12.

Electrically-erasable non-volatile semiconductor memory elements

Номер патента: IE53455B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-11-23.

Electrical steering system for vehicle, has initial value fixation unit driving electrically erasable programmable ROM to store state of electronic control unit when an ignition switch is changed from ON to OFF state

Номер патента: FR2879551A1. Автор: Chiaki Fujimoto,Kazushi Kimura,Isamu Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-06-23.

Information storage device e.g. electrically erasable programmable ROM, for storing information over status of fuel injector of internal combustion engine i.e. diesel engine, has information storing section viewing characteristic value

Номер патента: DE102011055774A1. Автор: Yuudai Nakai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Electric erasing machine

Номер патента: US2123339A. Автор: Louis J Misuraca. Владелец: Individual. Дата публикации: 1938-07-12.

Electric eraser

Номер патента: WO2016095146A1. Автор: 龚金凤. Владелец: 龚金凤. Дата публикации: 2016-06-23.

An Electric Eraser of Induction Type

Номер патента: KR200351069Y1. Автор: 강상훈. Владелец: 강상훈. Дата публикации: 2004-05-17.

Electric erasers

Номер патента: US3254629A. Автор: Frank W Dicorte. Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-06-07.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2402083C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-10-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

VOLTAGE SENSITIVE RESISTOR (VSR) READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20120001140A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Kane Terence L.,Wang Yun-Yu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

Flash memory element of electrically alterable read-only memory

Номер патента: RU2368037C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Read-only memory

Номер патента: RU2390059C2. Автор: Александр Михайлович Иванов,Виктор Васильевич Цыркин,Петр Алексеевич Севостьянов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный текстильный университет имени А.Н. Косыгина". Дата публикации: 2010-05-20.

Bit reading method for silicon nitride read-only memory unit

Номер патента: CN100466105C. Автор: 朱季龄,许献文,沈建元. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Methods and tools for creation of read-only-memory software binary images and corresponding software patches

Номер патента: CA2691282C. Автор: Sean Simmons,Conrad KREEK,Phat Tran,Jacob Burkholder,Jonathan Swoboda. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Electrically erasable programmable read-only memory array featuring low-voltage operation

Номер патента: TW201205582A. Автор: xin-zhang Lin,ming-cang Yang,ya-ting Fan,Yang-Sen Ye,jia-hao Dai. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Small size electrically erasable programmable read only memory array

Номер патента: TW201205787A. Автор: xin-zhang Lin,ming-cang Yang,ya-ting Fan,Yang-Sen Ye,jia-hao Dai. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory) structure, storage array and programming, erasing and reading method thereof

Номер патента: CN103811064A. Автор: 胡剑,杨光军. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Method for operating low-current electrically erasable programmable read only memory array using a special bias voltage setting to provide the functions of byte writing and erasing

Номер патента: TW202009938A. Автор: 林信章,鍾承諭,黃文謙. Владелец: 億而得微電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-01.

Memory element for electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: RU2287865C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Александр Леонидович Асеев,Камиль Ахметович Насыров,Дарь Владимировна Гриценко,Дарья Владимировна Гриценко,Виктор Григорьевич Лифшиц. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2006-11-20.

COST SAVING ELECTRICALLY-ERASABLE-PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) ARRAY

Номер патента: US20120039129A1. Автор: . Владелец: YIELD MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-02-16.

AREA SAVING ELECTRICALLY-ERASABLE-PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) ARRAY

Номер патента: US20120051147A1. Автор: LIN HSIN-CHANG,TAI CHIA-HAO,YEN YANG-SEN,YANG MING-TSANG,FAN YA-TING. Владелец: YIELD MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-03-01.

ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130092995A1. Автор: CHOI Yong Keon. Владелец: Dongou HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

COMPLEMENTARY ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20130279266A1. Автор: WANG Lee. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Anti-lost circuit structure for EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) data

Номер патента: CN202150274U. Автор: 李红. Владелец: CPT Video Wujiang Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Method for manufacturing tunnel oxide layer window in electrically erasable programmable read only memory (EEPROM)

Номер патента: CN102543697B. Автор: 赵晓燕,彭坤,赵连国,王刚宁,陈宗高. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-02-26.

Method and device for sintering firmware connected with E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) on CPLD (Complex Programable Logic Device)

Номер патента: CN101788946B. Автор: 刘晓博,蒋诚,张栗榕. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

Charge pump circuit of EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) used for passive UHF RFID (Ultra High Frequency Radio Frequency Identification Device) chip

Номер патента: CN102780394A. Автор: 李小明,庄奕琪,任小娇,杜永乾. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-11-14.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: CN103165621A. Автор: 胡剑,杨光军. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-06-19.

Flash electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) dynamic reference resource circuit structure

Номер патента: CN102592672A. Автор: 夏天,刘晶,顾明,傅志军. Владелец: Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

RFID (Radio Frequency Identification) EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory) charge pump

Номер патента: CN104092371B. Автор: 徐虎,韩德克,张义强,田果成,邱运邦. Владелец: Love Of Science And Technology (dalian) Co Ltd Kamp. Дата публикации: 2017-04-26.

ESD (Electro-Static Discharge) resisting device structure of radiation-resistant EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) chip on thin epitaxial wafer

Номер патента: CN102315249A. Автор: 田海燕,李博,王晓玲,赵力,孙佩,封晴. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2012-01-11.

Method, device and system for protecting EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) operation

Номер патента: CN102411545A. Автор: 陈志列,王映卢. Владелец: EVOC Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Electrically erasable programmable read only memory device

Номер патента: TW286438B. Автор: Chorng-Yeu Wu,Guey-Jang Liang,Yeu-Haw Yang,Sen-Hwang Hwang. Владелец: Sen-Hwang Hwang. Дата публикации: 1996-09-21.

Structure and manufacturing method of electrically erasable and programmable read only memory

Номер патента: TW498545B. Автор: Jr-Ren Huang,Jia-Huei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-11.

Method, device and chip for data erasing and writing control on electrically erasable and programmable read-only memory, and data writing method and consumable container for such memory

Номер патента: CN102509557A. Автор: 秦正南. Владелец: Print Rite Technology Development Co Ltd of Zhuhai. Дата публикации: 2012-06-20.

Electrically erasable and programmable read only memory device and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: TWI257149B. Автор: Chih-Hsin Wang. Владелец: Chih-Hsin Wang. Дата публикации: 2006-06-21.

Electrically erasable and programmable read only memory device and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: TW200618194A. Автор: Chih-Hsin Wang. Владелец: Chih-Hsin Wang. Дата публикации: 2006-06-01.

Fabricating method for erasable programmable read only memory

Номер патента: TW230276B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-11.

Erasable programmable read-only memory

Номер патента: JP3954368B2. Автор: 青松 楊,士傑 沈,▲清▲▼祥▲ 徐. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Error detection system for read only memory electrically erasable

Номер патента: JPS5661096A. Автор: Keizo Tejima,Junichi Hiramatsu. Владелец: Fuji Facom Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Electrically erasable programmable logic device and its operation method

Номер патента: TW200410400A. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Kung-Hong Lee,ya-qin Jin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: TW200629572A. Автор: Shr-Yun Lin,Jiun-Hung Lu,Ming-Zhou He. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: TW563247B. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ching-Sung Yang,Yuan-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-11-21.

Electrically erasable programmable logic device and its operation method

Номер патента: TW573357B. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Ya-Chin King,Kung-Hong Lee. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

One time programmable read only memory and programming method thereof

Номер патента: TW201101466A. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-01.

One time programmable read only memory

Номер патента: TW399306B. Автор: Guang-Ye Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-21.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB8703029D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-03-18.

One time programmable read only memory

Номер патента: TW392344B. Автор: Guang-Ye Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB8525205D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-11-13.

Programmable read-only memory

Номер патента: GB8525206D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1985-11-13.

AREA-EFFICIENT ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY CELL

Номер патента: US20120074479A1. Автор: Wu Xiaoju,Mitros Jozef Czeslaw. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-03-29.

Device for writing and reading data in programmable read only memory units

Номер патента: SU733016A1. Автор: Анатолий Иванович Савельев,Владислав Иванович Косов,Александр Михайлович Иванов,Валерий Иванович Монахов,Александр Дмитриевич Жучков. Владелец: Предприятие П/Я Г-4677. Дата публикации: 1980-05-05.

Process for reading information from magnetic programmable read-only memory

Номер патента: SU1141450A1. Автор: Василий Васильевич Гаврилов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6082. Дата публикации: 1985-02-23.

Electrically erasable programmable memory

Номер патента: JP2581297B2. Автор: 俊秀 坪井. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-12.

Write-in method for electrically erasable programmable rom

Номер патента: JPH10144088A. Автор: Takao Suzuki,孝夫 鈴木. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-29.

One time voltage programmable read only memory array having memory cell IGFETs each connected to a reference voltage line through an anti-fuse element

Номер патента: JP2783398B2. Автор: タイラー・エイ・ロウリー,ルオジア・リー. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-06.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2381575C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-02-10.

Nitride read-only memory cell and screen method thereof, nitride read-only memory array and testing method thereof, and method for determining marginal memory cells in a nitride read-only memory array

Номер патента: TWI308338B. Автор: Chun Hsiung Hung,Ching Chung Lin,Ken Hui Chen,Wen Yi Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Nitride read-only memory cell and screen method thereof, nitride read-only memory array and testing method thereof, and method for determining marginal memory cells in a nitride read-only memory array

Номер патента: TW200636729A. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-16.

FIELD PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130039115A1. Автор: Blawat Meinolf,Kropp Holger. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING THE SAME

Номер патента: US20130039116A1. Автор: Blawat Meinolf,Kropp Holger. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

Programmable read-only memory

Номер патента: SU886055A1. Автор: Виктор Михайлович Глушков,Виталий Павлович Деркач,Анатолий Александрович Мержвинский,Иван Васильевич Медведев. Владелец: Ордена Ленина Институт Кибернетики Ан Усср. Дата публикации: 1981-11-30.

Electrically alterable programmable read-only memory

Номер патента: SU1088068A1. Автор: Константин Григорьевич Самофалов,Яков Васильевич Мартынюк,Александр Андреевич Верба. Владелец: Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции. Дата публикации: 1984-04-23.

Programmable read-only memory with checkup capability

Номер патента: SU951398A1. Автор: Валентин Иванович Кнышев,Юрий Андреевич Сливицкий,Анатолий Петрович Васильковский,Владимир Леонтьевич Скибинский,Геннадий Михайлович Чекаловец,Эдгар Павлович Савостьянов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6429. Дата публикации: 1982-08-15.

Device for recording and monitoring programmable read-only memory units

Номер патента: SU796909A1. Автор: Олег Николаевич Шаромет,Леонид Михайлович Попель,Николай Николаевич Данилин,Юрий Николаевич Дьяков,Людмила Николаевна Скворцова,Валентина Ивановна Пашкова. Владелец: Предприятие П/Я В-8495. Дата публикации: 1981-01-15.

Programmable read-only memory

Номер патента: JPS6266497A. Автор: 康郎 松崎,Yasuro Matsuzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-03-25.

Programmable read-only memory

Номер патента: SU1108505A1. Автор: Анатолий Иванович Савельев. Владелец: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Текстильный Институт Им.А.Н.Косыгина. Дата публикации: 1984-08-15.

Write circuit for erasable and programmable read only memory

Номер патента: KR200231870Y1. Автор: 최상신. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-07-19.

Programmable read only memory

Номер патента: JPS61187200A. Автор: Hajime Masuda,増田　肇. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-08-20.

Device for recording data to programmable read-only memory

Номер патента: SU955195A1. Автор: Александр Глебович Соболев,Борис Иванович Суворов,Сергей Изосимович Поляшов. Владелец: Томский Институт Автоматизированных Систем Управления И Радиоэлектроники. Дата публикации: 1982-08-30.

Device for writing and checking programmable read-only memory

Номер патента: SU1297118A1. Автор: Юрий Иванович Соколов,Игорь Всеволодович Подымин. Владелец: Рижское Производственное Объединение Вэф Им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1987-03-15.

Automatically controlled write voltage shaper for cmos electrically programmable read-only memories

Номер патента: SU1631606A1. Автор: Владимир Павлович Сидоренко,Анатолий Анатольевич Хоружий,Николай Борисович Груданов. Владелец: Предприятие П/Я Х-5737. Дата публикации: 1991-02-28.

Programmable read only memory writer for writing board level

Номер патента: JPH01125797A. Автор: Kazumi Yoshimura,和美 吉村. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1989-05-18.

Programmable read-only memory

Номер патента: SU1049976A1. Автор: Анатолий Иванович Савельев. Владелец: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Текстильный Институт Им.А.Н.Косыгина. Дата публикации: 1983-10-23.

Method for writing programmable read only memory

Номер патента: JPS63220499A. Автор: Mitsuhiro Hamada,濱田　満広. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-09-13.

Method and system for preventing data falsification for programmable read only memory

Номер патента: CN1866402A. Автор: 施温信,温清峰. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2006-11-22.

Programmable read only memory

Номер патента: JPS63107000A. Автор: Hajime Masuda,増田　肇. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-05-12.

Programmable read-only memory device

Номер патента: JPS6472400A. Автор: Takashi Okawa,Tamio Miyamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-17.

Device for recording data in a programmable read-only memory

Номер патента: SU1554646A1. Автор: Ю.И. Щетинин,И.В. Блатов,А.Г. Степанов,В.В. Пастон. Владелец: А.Г. Степанов. Дата публикации: 1994-05-15.

ROM mask programmable read-only memory photocuring 3D printer

Номер патента: CN207916053U. Автор: 杨思敏,徐兴明. Владелец: Dongguan Three Dimensional Three Printing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-28.

Programmable read-only memory device

Номер патента: JPS63271800A. Автор: Takashi Okawa,隆 大川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-11-09.

Confidential type 3Dm-ROM (three-dimensional mask programmable-read only memory)

Номер патента: CN102637457B. Автор: 张国飙. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-17.

Management system for of number of times of writing programmable read only memory

Номер патента: JPS62283496A. Автор: Shinichi Nakada,仲田　眞一. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1987-12-09.

Solid state disposable programmable read only memory capable of duplicate use

Номер патента: CN1459799A. Автор: 徐清祥,黄干权. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-12-03.

Electrically programmable read only memory structure and formation method therefor

Номер патента: TW415100B. Автор: Jia-Cheng Liou,Lin-Sung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-11.

Programmable read only memory circuit and method of testing the same

Номер патента: JPS57117200A. Автор: Purinshipi Fuabio. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1982-07-21.

One-time programmable read only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI258840B. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yen-Hao Shih,Shih-Ping Hong,Chia-Hua Ho,Shih-Chin Lee. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-21.

One-time programmable read only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200634989A. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yen-Hao Shih,Shih-Ping Hong,Chia-Hua Ho,Shih-Chin Lee. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-01.

One time programmable read only memory and programming method thereof

Номер патента: TWI379408B. Автор: Tsung Mu Lai,Shih Chen Wang,Wen Hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of manufacturing mask - only read - only memory

Номер патента: TWI552274B. Автор: Kuang Chu Chen,Cheng Tao Chen,Chung Lung Hsu,Chun Yao Chiu,Chin Yung Chang. Владелец: Nyquest Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2016-10-01.

Read only memory cell to provide a production method for manufacturing the read only memory cell, and its distinguishing is the MOS transistor is arranged at special angle.

Номер патента: TW331665B. Автор: Klose Helmut. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-05-11.

A kind of read-only memory unit and read-only memory

Номер патента: CN105448343B. Автор: 王林,于跃,黄瑞锋,吴守道. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: IL157289A0. Автор: . Владелец: Univ Ramot. Дата публикации: 2004-02-19.

Electric eraser

Номер патента: GB9214943D0. Автор: . Владелец: KELLY CHRISTOPHER N. Дата публикации: 1992-08-26.

Pocket electric eraser

Номер патента: USD286548S. Автор: James C. Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-11-04.

Portable electric eraser

Номер патента: TWM335405U. Автор: Feng-Chyi Duh. Владелец: Feng-Chyi Duh. Дата публикации: 2008-07-01.

An electrically erasable and programmable nonvolatile memory device and array and method for operating thereof

Номер патента: TW200731511A. Автор: Wang Chih-Hsin. Владелец: Wang Chih-Hsin. Дата публикации: 2007-08-16.

Read-only memory

Номер патента: CA905544A. Автор: G. Varadi Andrew,B. Rubinstein Richard. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1972-07-18.

Read-only memory

Номер патента: CA905545A. Автор: A. Luisi James,C. Cassen Quentin,D. Salman Naif. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1972-07-18.

Read-only memory

Номер патента: CA917301A. Автор: G. Varadi Andrew,B. Rubinstein Richard. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1972-12-19.

Read-only memory

Номер патента: CA913226A. Автор: G. Varadi Andrew,B. Rubinstein Richard. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1972-10-24.

Contact efuse structure, method of making a contact efuse device containing the same, and method of making a read only memory containing the same

Номер патента: TW201023344A. Автор: Hui-Shen Shih,Yung-Chang Lin,Kuei-Sheng Wu,San-Fu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Read only memory and process thereof

Номер патента: TW264571B. Автор: Jenn-Huei Jong,Yih-Jong Sheng,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-12-01.

Post-ionizing method for mask read only memory

Номер патента: TW231371B. Автор: Shing-Ren Sheu,Jenn-Chyou Shyu,Jeng-Huei Jong,Guann-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-10-01.

Process of read only memory with etching field coding

Номер патента: TW250587B. Автор: Jeng-Tsong Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-07-01.

Fabricating method for mask read only memory

Номер патента: TW243554B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Data write-in method of mask read only memory

Номер патента: TWI232552B. Автор: Yuan-Wei Jeng,Meng-Yu Pan,You-Jr Jang. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2005-05-11.

Process for the read only memory

Номер патента: TW238425B. Автор: Jenn-Chyou Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-01-11.

Automatic burning device for read only memory

Номер патента: TW585340U. Автор: Yan-Sheng Lin. Владелец: Behavior Tech Computer Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Select gate enhancing type high-density read only memory (ROM)

Номер патента: TW296102U. Автор: Ling Chen,qi-yong Wu,Yong-Dian Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-01-11.

Process for read only memory

Номер патента: TW236037B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-12-11.

Quality improvement method of read only memory tunnel oxide layer

Номер патента: TW492086B. Автор: Ying-Jen Lin,Tzung-Shi Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-21.

Alterable read-only memory element with high and low resistance junction

Номер патента: CA1029858A. Автор: Sebastian V.R. Mastrangelo. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1978-04-18.

Process of read only memory device and structure thereof

Номер патента: TW293176B. Автор: Jenn-Tsong Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-12-11.

Fabricating method for mask read only memory with multiple states

Номер патента: TW276364B. Автор: Yih-Jong Shenq,Jenn-Huei Jong,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Process of read only memory with selectively etching coding

Номер патента: TW246743B. Автор: Ming-Tzong Yang,Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-05-01.

Post-metal-process ion implantation for programming mask read only memory

Номер патента: TW330308B. Автор: Der-Tsyr Fann,Chorng-Shiun Jou,Guan-Jou Sonq,Ching-Shyan Wang. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1998-04-21.

Checking method for read-only memory

Номер патента: JPS55125600A. Автор: Akio Takahashi,Jinichi Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-09-27.

Three level read only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TW308738B. Автор: Rong-Maw Uen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-21.

Woven read-only memory

Номер патента: CA876981A. Автор: Anthony J. Kolk, Jr.. Владелец: General Precision Systems Inc. Дата публикации: 1971-07-27.

Charge coupled device read only memory

Номер патента: CA994910A. Автор: George E. Smith. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1976-08-10.

Heat sink for read only memory device

Номер патента: USD610557S1. Автор: Wei-Hau Chen,Shih-Hsi Yen. Владелец: Comptake Tech Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Process of read only memory

Номер патента: TW264570B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-12-01.

Thick film read-only memory

Номер патента: CA720979A. Автор: E. Matick Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1965-11-02.

The sense circuit for read only memory

Номер патента: TW461651U. Автор: Ming-Chuen Shiau,Bo-Sheng Liou,Shiang-Lin Su. Владелец: Su Shiang Lin. Дата публикации: 2001-10-21.

Process for read only memory

Номер патента: TW235368B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-12-01.

Method of bidirectional communication between microcomputer and microcontroller with read-only memory

Номер патента: TW370641B. Автор: Chun-Mu Jiang. Владелец: Chun-Mu Jiang. Дата публикации: 1999-09-21.

Compiler for sea-of-gate gate array read only memory and programmable logic array

Номер патента: TW229306B. Автор: Ruenn-Hwa Pyng,Yuh-Fen Lin. Владелец: Hualon Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-01.

Method of coding mask read only memory

Номер патента: TWI240377B. Автор: Tien-Chu Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Read only memories

Номер патента: AU2747167A. Автор: LEONARD DUDA and ERHARD MAX WILLIAM. Владелец: . Дата публикации: 1969-03-27.

Self-aligned implantation coding method of read only memory

Номер патента: TW301057B. Автор: Jenn-Huei Jong,Yih-Jong Sheng,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-03-21.

Fixation structure for CD-ROM (compact disc read-only memory) drive and floppy

Номер патента: TW200740354A. Автор: Hsien-Sheng Chiu. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Process for voice read only memory

Номер патента: TW245831B. Автор: Min-Liang Chen. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1995-04-21.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TWI251336B. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-03-11.

Mask read only memory and method for fabricating the same

Номер патента: TWI234241B. Автор: Guoqing Chen,Herb Huang. Владелец: Semiconductor Mfg Int Shanghai. Дата публикации: 2005-06-11.

Method of coding mask read only memory

Номер патента: TW200616156A. Автор: Tien-Chu Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for fabricating nitride read-only memory

Номер патента: TW571400B. Автор: Cheng-Jye Liu,Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-11.

Manufacturing method of mask read only memory capable of using self-aligned silicide

Номер патента: TW200623397A. Автор: Shuang-Feng Ye. Владелец: Grace Semiconductor Mfg Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Multi-level high density mask read only memory

Номер патента: TW312042B. Автор: Shing-Ren Sheu,Jeng-Jyh Gong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-08-01.

Mask read only memory and method for fabricating the same

Номер патента: TW200531219A. Автор: Herb Huang,Guo-Qing Chen. Владелец: Semiconductor Mfg Int Shanghai. Дата публикации: 2005-09-16.

Read-only memory

Номер патента: SU1156144A1. Автор: Valerij K Konopelko. Владелец: Mi Radiotekh Inst. Дата публикации: 1985-05-15.

Writing a read-only memory while protecting non-selected elements

Номер патента: CA892268A. Автор: T. Koo James. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-02-01.

Method for fabricating nitride read-only memory

Номер патента: TW200408066A. Автор: Tai-Liang Hsiung,Chia-Hsing Chen,Cheng Jye Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-16.

Fabrication method for high-density and high-speed NAND-type mask read-only memories

Номер патента: TW425676B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING READ-ONLY MEMORY IN SMART CARD MEMORY MODULES

Номер патента: US20130010519A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

Memory for capacitive read-only memory

Номер патента: SU1072098A1. Автор: Евгений Семенович Андрианов,Анатолий Дмитриевич Горохов,Сергей Федорович Матвейцев. Владелец: Предприятие П/Я Г-4273. Дата публикации: 1984-02-07.

Memory register for transformer-type read-only memory

Номер патента: SU1249582A1. Автор: Мампре Мелконович Момджян,Левон Овсепович Ваганян,Вилик Согомонович Асламазян,Генрих Арсенович Азарян,Георгий Матевосович Аревян,Радик Крмоевич Крмоян. Владелец: Предприятие П/Я Р-6509. Дата публикации: 1986-08-07.

Process for PN diode mask read only memory

Номер патента: TW245830B. Автор: Yeun-Ding Horng,Jenn-Chyou Shyu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

Process for mask read only memory

Номер патента: TW245827B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

Fabricating method for multi-level mask read only memory

Номер патента: TW276363B. Автор: Herng-Shenq Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Fabrication method of mask multi-state read only memory

Номер патента: TW285775B. Автор: Yih-Jong Shenq,Jenn-Huei Jong,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-09-11.

Read only memory self-aligned implantation coding method

Номер патента: TW276365B. Автор: Yih-Jong Shenq,Jenn-Huei Jong,Guan-Cherng Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Method for increasing the density of read only memory unit

Номер патента: TW230821B. Автор: Herng-Sheng Hwang,Kuen-Luh Chen,Der-Shuenn Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-21.

Read-only memory

Номер патента: SU1156139A1. Автор: Vladimir P Sidorenko,Aleksandr G Solod,Aleksandr M Kopytov,Vladimir A Yarandin,Svetlana V Vysochina. Владелец: Svetlana V Vysochina. Дата публикации: 1985-05-15.

Memory cell for read-only memory

Номер патента: SU1418815A1. Автор: Лев Николаевич Буреев. Владелец: Л.Н. Буреев. Дата публикации: 1988-08-23.

Updating speed improving method for read-only memory of device with flash memory

Номер патента: CN101131649A. Автор: 亚在镛,郑泰焕. Владелец: LG Electronics Kunshan Computer Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Method for manufacturing optical-mask type read-only memory with diode memory unit

Номер патента: CN100403519C. Автор: 陈辉煌,吴俊沛,蔡文彬,高瑄苓. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY HAVING SECTOR MANAGEMENT

Номер патента: US20130268717A1. Автор: Baker,JR. Frank K.,Scouller Ross S.,Andre Daniel L.,Cunningham Jeffrey C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY PARALLEL RECORD MANAGEMENT

Номер патента: US20130290603A1. Автор: Scouller Ross S.,Andre Daniel L.,Cunningham Jeffrey C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Method for mfg. electric erasable PROM unit

Номер патента: CN1591835A. Автор: 吴佳特,詹奕鹏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2005-03-09.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: CN1855568A. Автор: S·R·奥夫辛斯基,S·J·赫金斯,D·A·施特兰德,W·丘巴提,Q·伊,J·冈萨雷斯-埃尔南德斯,H·弗里切,S·A·科斯蒂列夫,B·S·赵. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Solar energy multi-purpose electric erasing pen

Номер патента: CN207535578U. Автор: 张芸畅. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-26.

Electric eraser

Номер патента: CN2367480Y. Автор: 杨朔. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-08.

Electric eraser

Номер патента: ES99914Y. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1964-07-01.

Electric eraser

Номер патента: CN201102421Y. Автор: 朱雨生,蒋士冬. Владелец: SHANGHAI FENGXIAN DISTRICT YOUTH ACTIVITY CENTER. Дата публикации: 2008-08-20.

Electric erasing dust suction device

Номер патента: CN2202653Y. Автор: 林国权. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-07-05.

Electrically erasable nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2870284B2. Автор: 武 岡澤. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-17.

electric eraser

Номер патента: CN209775969U. Автор: 曹锋,郑崇廷,邱丽剑. Владелец: Ningbo Tiantian Sanitary Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-13.

Electric eraser circuit

Номер патента: CN102968084A. Автор: 王淳,李翠. Владелец: Shenyang Xinda Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY CELLS

Номер патента: US20120127792A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Scalable Electrically Eraseable And Programmable Memory

Номер патента: US20120140565A1. Автор: . Владелец: Semiconductor Components Industries, L.L.C.. Дата публикации: 2012-06-07.

EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY HAVING AN ADDRESS RAM FOR DATA STORED IN FLASH MEMORY

Номер патента: US20130346680A1. Автор: Baker,JR. Frank K.,Scouller Ross S.,Syzdek Ronald J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.