Electrically erasable floating grid memory circuit .

Electrically erasable floating grid memory circuit

Номер патента: FR2776820A1
Опубликовано: 01-10-1999
Автор(ы): Marc Guedj
Принадлежит: SGS Thomson Microelectronics SA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Electrically erasable floating-gate memory organized in words

Номер патента: US6097631A. Автор: Marc Guedj. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-08-01.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: IL134304A. Автор: . Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2004-07-25.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: EP1010182A4. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2000-09-27.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7170795B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US20050237783A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Array of electrically erasable programmable read only memory (eeprom) and forming method thereof

Номер патента: US20220230689A1. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Cost saving electrically-erasable-programmable read-only memory (eeprom) array

Номер патента: US20120039129A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin Chang Lin,Ming-Tsang Yang,Chia-Hao Tai,Yang-Sen Yen. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Electrically-programmable and electrically-erasable MOS memory device

Номер патента: US4558344A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-12-10.

Electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use

Номер патента: US5200919A. Автор: Cetin Kaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US4477883A. Автор: Masashi Wada. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-16.

Electrically erasable programmable read only flash memory

Номер патента: US6052311A. Автор: Kuan-Yu Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Electrically erasable and programmable read only memory device verifiable with standard external power voltage level

Номер патента: US5305260A. Автор: Kazuhisa Ninomiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: CA1185369A. Автор: Andrew C. Tickle. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-04-09.

Memory circuit having pseudo ground

Номер патента: US10629270B2. Автор: Yin-Chang Chen,Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-04-21.

Memory circuit having pseudo ground

Номер патента: US20190378577A1. Автор: Yin-Chang Chen,Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-12-12.

Non-volatile memory with floating grid and without thick oxide

Номер патента: US4887238A. Автор: Albert Bergemont. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1989-12-12.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230245694A1. Автор: Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240096386A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated four-phase digital memory circuit with decoders

Номер патента: US3886532A. Автор: Horst A R Wegener,Douglas R Askegard. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Memory circuit

Номер патента: US8760926B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura,Yoshitsugu Hirose,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Nor flash memory circuit and data writing method

Номер патента: US20220084602A1. Автор: Hong Nie,Yue Zhao. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory circuit

Номер патента: US20130016563A1. Автор: Kazuhiro Tsumura,Yoshitsugu Hirose,Jun Osanai,Ayake Inoue. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Memory circuit and method of operating the same

Номер патента: US20220277781A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,He-Zhou Wan,Hau-Tai Shieh,Fu-An Wu,XiuLi YANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11854663B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory circuit

Номер патента: US20030189865A1. Автор: Udo Ausserlechner,Dirk Hammerschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-09.

Electrically erasable floating gate fet memory cell

Номер патента: US3836992A. Автор: S Abbas,C Barile,R Lane,P Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-09-17.

An electrically erasable and programmable read-only memory having a small unit for program and erase

Номер патента: TW425558B. Автор: Sohrab Kianian,Dana Lee. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2001-03-11.

Semiconductor device comprising an electrically erasable programmable read only memory and a flash-erasable programmable read only memory, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW529160B. Автор: Johannes Dijkstra,Guido Jozef Maria Dormans,Robertus Dominicus Jos Verhaar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-04-21.

Electrically erasable nonvolatile memory

Номер патента: TW389998B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2000-05-11.

Scalable Electrically Eraseable And Programmable Memory

Номер патента: US20080054336A1. Автор: Sorin S. Georgescu,Adam Peter Cosmin,Georga Smarandoiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

ELECTRICALLY ERASABLE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH A DOUBLE GATE INSULATING LAYER FET

Номер патента: DE2409472A1. Автор: Shakir Ahmed Abbas,Conrad Albert Barile,Ralph David Lane,Peter Tsung-Shih Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-09-26.

Electrically erasable memory matrix

Номер патента: JPS58171799A. Автор: ブルクハルト・ギ−ベル. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1983-10-08.

Electrically erasable nonvolatile memory

Номер патента: CA2341102A1. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2000-03-02.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: JP2688492B2. Автор: スチュワート・ロージー. Владелец: アドバンスト・マイクロ・デバイシズ・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1997-12-10.

Electrically erasable programable nonvolatile semiconductor memory device having dual-control gate

Номер патента: EP0138439A2. Автор: Tadashi C/O Patent Division Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-04-24.

Electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: EP0295935B1. Автор: Stewart Logie. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1992-12-23.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) and memory array thereof

Номер патента: CN103811060A. Автор: 张博,张�雄,孔蔚然,李冰寒,顾靖. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

High speed, nonvolatile, electrically erasable memory system

Номер патента: EP0176111A1. Автор: Madhukar B. Vora,Andrew Tickle. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-04-02.

High speed and non-volatile electrically erasable memory cell and system

Номер патента: JPS57172774A. Автор: Bii Bora Majiyukaaru,Teikuru Andoriyuu. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1982-10-23.

ROM using MOSFETs - has double injection of electric charges and floating grid

Номер патента: FR2368784A1. Автор: . Владелец: Texas Instruments France SAS. Дата публикации: 1978-05-19.

PERMANENT MEMORY WITH FLOATING GRID TRANSISTORS, ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE WITHOUT PRIOR ERASING

Номер патента: FR2542490A1. Автор: Sylvain Kritter,Daniel Vellou. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1984-09-14.

CIRCUIT AND METHOD FOR AT SPEED DETECTION OF A WORD LINE FAULT CONDITION IN A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20200342940A1. Автор: Kumar Shishir,KUMAR Tanuj,Roy Tanmoy. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2020-10-29.

Operating method of an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell

Номер патента: US11004857B1. Автор: Cheng-Yu Chung,Wen-Chien Huang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Operating method of an electrically erasable programmable read only memory (eeprom) cell

Номер патента: US20210167074A1. Автор: Cheng-Yu Chung,Wen-Chien Huang,Cheng-Ying Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Electrically erasable programmable read-only memory with electric field decreasing controller

Номер патента: US5402373A. Автор: Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Yoshihisa Iwata,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Methods of erasing and designing electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US7453736B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-18.

Electrically erasable and programmable read-only memory circuit of the NAND cell type with redundancy

Номер патента: DE69221809T2. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yoshihisa Iwata,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-19.

Electrically erasable nonvolatile semiconductor memory that permits data out despite the occurrence of over-erased memory cells

Номер патента: KR960005356B1. Автор: 데츠지 다케구치. Владелец: 후지쓰 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-04-24.

Electrically erasable programmable rom, method for fabricating the same and method for programming/erasing the same

Номер патента: KR100577225B1. Автор: 김흥진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

SEMICONDUCTOR PROGRAMMABLE ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR ERASING AND PROGRAMMING SAME

Номер патента: FR2640797A1. Автор: Hyung-Kyu Yim,Woong-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-06-22.

Electrically erasable programmable read-only memory with small page size write and erase

Номер патента: JP4966472B2. Автор: ブライス，トレヴァー,ソワーズ，デイヴィッド,バーネット，フィリップ．シー. Владелец: シリコンストレージテクノロジー、インク．. Дата публикации: 2012-07-04.

Electrically-eraseable programmable read-only memory having reduced-page-size program and erase

Номер патента: KR100698340B1. Автор: 블리스트레버,소워즈데이비드,바넷필립씨.. Владелец: 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-23.

Electrically erasable charge trap nonvolatile memory cells having erase threshold voltage that is higher than an initial threshold voltage

Номер патента: US6947330B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-20.

Semiconductor electrically erasable and programmable memory device, and method for erasing and programming it

Номер патента: FR2641128A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-06-29.

SEMICONDUCTOR PROGRAMMABLE ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR ERASING AND PROGRAMMING SAME

Номер патента: FR2640797B1. Автор: Yim Hyung-Kyu,Lee Woong-Moo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-01-14.

Electrically-eraseable programmable read-only memory having reduced-page-size program and erase

Номер патента: EP1305805A1. Автор: Trevor Blyth,David Sowards,Philip C. Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-05-02.

Electrically erasable non-bolatile semiconductor memory device, selective data erasing method and eeprom

Номер патента: KR950011726B1. Автор: 마사키 모모도미,리이치로 시로타,료우헤이 기리사와,요시히사 이와타,세이이치 아리토메. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1995-10-09.

Electrically-eraseable programmable read-only memory having reduced-page-size program and erase

Номер патента: US6510081B2. Автор: Trevor Blyth,David Sowards,Philip C. Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Electrically erasable programmable read only memory with small page size write and erase

Номер патента: JP2003532968A. Автор: ブライス，トレヴァー,ソワーズ，デイヴィッド,バーネット，フィリップ．シー. Владелец: アドバンスド．テクノロジー．マテリアルズ．インコーポレイテッド. Дата публикации: 2003-11-05.

Non-volatile electrically erasable memory with PMOS transistor NAND gate structure

Номер патента: TW286406B. Автор: Shand-De Chang. Владелец: Programmable Microelectronics. Дата публикации: 1996-09-21.

Electrically erasable and programmable read only memory, nonvolatile memory, memory cell and method for programming a memory cell

Номер патента: TW434895B. Автор: Ting-Wah Wong. Владелец: Programmable Silicon Solutions. Дата публикации: 2001-05-16.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: IL134304A0. Автор: . Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2001-04-30.

Electrically erasable programmable logic array (eepla)

Номер патента: AU5450386A. Автор: Carver Andress Mead,Cecilia May Shen. Владелец: Silicon Communications Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Electrically erasable programmable non-volatile semiconductor memory device having select gates and small number of contact holes

Номер патента: US5589699A. Автор: Hitoshi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-31.

Electrically-programmable and electrically-erasable MOS memory device

Номер патента: EP0085550A2. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1983-08-10.

OPERATING METHOD OF AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) CELL

Номер патента: US20210167074A1. Автор: HUANG WEN-CHIEN,CHUNG CHENG-YU,Wu Cheng-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Electrically erasable programmable read-only memory as well as forming method and erasure method thereof

Номер патента: CN103871969A. Автор: 于涛. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Electrically erasable programmable memory includes programming verification circuit enabling rapid testing of memory erasure operations

Номер патента: FR2851843A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-09-03.

Single-polycrystalline silicon electrically erasable and programmable nonvolatile memory device

Номер патента: US8472251B2. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory system with write-verify controller using two reference levels

Номер патента: US5321699A. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Kazunori Ohuchi,Tetsuo Endoh,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

High reliability electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM)

Номер патента: US7102188B1. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Philip John Cacharelis,Greg Scott,Pierre André Claude Gassot. Владелец: AMI Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-05.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: US20040130950A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Ya-Chin King,Kung-Hong Lee. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Non-volatile semiconductor electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: DE19533709A1. Автор: Toshiharu Katayama,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-03-14.

Electrically erasable, programmable memory with floating gate and method for reading the same

Номер патента: DE3921404C2. Автор: Radu Mihail Vancu. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 1998-04-09.

Programming of floating gate memory and electrically erasable programmable semiconductor memory cell

Номер патента: JPS61184797A. Автор: マイクル　シー・スメイリング. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-08-18.

Electrically erasable and programmable read-only memory with and-not cell structure.

Номер патента: DE3886722T2. Автор: Fujio C O Patent Divis Masuoka,Masaki C O Patent Div Momodomi,Riichiro C O Patent Di Shirota,Yasuo C O Patent Division Itoh,Kazunori C O Patent Div Ohuchi,Ryouhei C O Patent Di Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-28.

Electrically erasable and programmable memory device

Номер патента: EP1265289A2. Автор: Luc Haspeslagh. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2002-12-11.

Electrically erasable programmable read-only memory as well as forming method and erasure method thereof

Номер патента: CN103871969B. Автор: 于涛. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Electrically erasable prom cell

Номер патента: IE55287B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1990-08-01.

Electrical erasable programmable memory transconductance testing

Номер патента: WO2009085722A3. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Electrical erasable programmable memory transconductance testing

Номер патента: WO2009085722A2. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-07-09.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memor ycell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: AU8558998A. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 1999-02-22.

Electrically erasable prom-cell

Номер патента: IE831802L. Автор: . Владелец: Philips Gleolampenfabrieken Nv. Дата публикации: 1984-01-30.

Electrically erasable nonvolatile semiconductor memory that reads and outputs data even when memory cells are depleted

Номер патента: KR940022565A. Автор: 데츠지 다케구치. Владелец: 후지쓰 가부시키가이샤. Дата публикации: 1994-10-21.

COMPACT MEMORY DEVICE OF ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE TYPE

Номер патента: FR3029343B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-03-30.

COMPACT MEMORY DEVICE OF ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE TYPE

Номер патента: FR3029343A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: Stmicroelectronics Rousset. Дата публикации: 2016-06-03.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE FIXED MEMORY WITH NAND MEMORY CELL STRUCTURE

Номер патента: DE4007356A1. Автор: Fujio Masuoka,Tomoharu Tanaka,Riichiro Shirota,Shigeyoshi Watanabe,Masaki Momodomi,Tetsuo Endoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-09-13.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) cell and methods for forming and reading the same

Номер патента: US7839680B2. Автор: Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Soung-Youb Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-23.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: JP3883122B2. Автор: 昆鴻李,▲清▼ ▲祥▼ 徐,雅琴金,士傑沈,明洲何. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-21.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory system with write-verify controller using two reference levels

Номер патента: US5386422A. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Kazunori Ohuchi,Tetsuo Endoh,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Semiconductor memory having electrically erasable and programmable semiconductor memory cells

Номер патента: US20110122701A1. Автор: Kiyoshi Inoue,Kunihiro Katayama,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Electrically erasable fused programmable logic array

Номер патента: EP0265554A1. Автор: James Yuan Wei. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 1988-05-04.

Electrically erasable and programmable nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6201735B1. Автор: Toshio Sasaki,Toshihiro Tanaka,Masataka Kato,Tetsuo Adachi,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-03-13.

Method and apparatus for emulating an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) using non-volatile floating gate memory cells

Номер патента: TW200511318A. Автор: Shane C Hollmer,Trevor Blyth,David Sowards. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2005-03-16.

FLOATING GRID MEMORY ADDRESSABLE BY WORDS INCLUDING A REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT FOR CHECKING THE CONTENT OF A WORD

Номер патента: FR2761191B1. Автор: Jean Devin,Alessandro Brigati,Bruno Leconte. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-06-25.

Memory circuit, drive circuit for a memory and method for writing write data into a memory

Номер патента: US20090073773A1. Автор: Udo Ausserlechner,Martin Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US11749370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

FLOATING GRID EEPROM MEMORY WITH SOURCE LINE SELECTION TRANSISTOR

Номер патента: FR2626401B1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1990-05-18.

METHOD FOR PROGRAMMING A MEMORY ADDRESSABLE BY ITS CONTENT WITH CELLS WITH FLOATING GRID

Номер патента: FR2740601B1. Автор: Jean Michel Mirabel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-12-05.

FLOATING GRID EEPROM MEMORY WITH SOURCE LINE SELECTION TRANSISTOR

Номер патента: FR2626401A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1989-07-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY WITH ELECTRICALLY PROGRAMMABLE FLOATING GRID, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2464536B1. Автор: . Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1985-11-08.

NON-VOLATILE MEMORY WITH FLOATING GRID WITHOUT SOFT OXIDE

Номер патента: FR2604022A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: EUROTECHNIQUE. Дата публикации: 1988-03-18.

Addressable floating Grid Word Memory for Write Verification Systems

Номер патента: FR2761191A1. Автор: Jean Devin,Alessandro Brigati,Bruno Leconte. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1998-09-25.

NON-VOLATILE MEMORY WITH FLOATING GRID WITHOUT THICK OXIDE

Номер патента: FR2604022B1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: EUROTECHNIQUE. Дата публикации: 1992-09-11.

NON-VOLATILE RAM MEMORY CELL WITH COMMON FLOATING GRID CMOS TRANSISTORS

Номер патента: FR2543726A1. Автор: Michel Betirac. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1984-10-05.

Method, integrated circuit and test system for adjusting internal timing or associated reference quantity in integrated circuits, for use in particular in read-only memory circuits

Номер патента: FR2818424A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-06-21.

FLOATING GRID SEMICONDUCTOR MEMORY, ELECTRICALLY PROGRAMMABLE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2464536A1. Автор: Te-Long Chieu,Jih-Chang Lien. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-03-06.

Memory Circuit, Drive Circuit For A Memory And Method For Writing Write Data Into A Memory

Номер патента: US20070189075A1. Автор: Udo Ausserlechner,Martin Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-16.

Memory circuit, memory unit, and signal processing circuit

Номер патента: US20140126272A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

INTEGRATED MEMORY CIRCUIT COMPRISING AN INTERNAL CIRCUIT FOR GENERATING A HIGH PROGRAMMING VOLTAGE

Номер патента: FR2769744B1. Автор: Mohamad Chehadi,David Naura. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2001-03-30.

INTEGRATED MEMORY CIRCUIT COMPRISING AN INTERNAL CIRCUIT FOR GENERATING A HIGH PROGRAMMING VOLTAGE

Номер патента: FR2769744A1. Автор: Mohamad Chehadi,David Naura. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-04-16.

Semiconductor memory circuit having a test logic circuit structure

Номер патента: EP0517354A3. Автор: Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1993-11-24.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US20210375381A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory circuit, memory unit, and signal processing circuit

Номер патента: TW201243843A. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2012-11-01.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A3. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A2. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2006-07-13.

Electrically erasable and programmable read only memory with an error check and correction circuit

Номер патента: US5448578A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Electrically erasable and programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness

Номер патента: US5606521A. Автор: Mark Simpson,Satyendranath Mukherjee,Di-Son Kuo,Len-Yuan Tsou. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1997-02-25.

Electrically erasable and programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness

Номер патента: WO1997001847A3. Автор: Mark Simpson,Satyendranath Mukherjee,Di-Son Kuo,Len-Yuan Tsou. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-02-20.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11791005B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4558432A. Автор: Kenelm G. D. Murray,Colin W. Edwards. Владелец: Hughes Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Programmable memory circuit with an improved programming voltage applying circuit

Номер патента: US4583205A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Memory circuits employing source-line and/or bit-line-applied variable programming assist voltages

Номер патента: US11869563B2. Автор: Konrad Seidel,Franz Müller. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-09.

AUTOMATIC ERASING OPTIMIZATION CIRCUIT FOR AN ELECTRICALLY PROGRAMMABLE AND ELECTRICALLY ERASABLE SEMICONDUCTOR MEMORY AND RELATED METHOD.

Номер патента: FR2665973B1. Автор: Hyeong-Gyu Lim,Wung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-04-15.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE FIXED MEMORY WITH BLOCK ERASE FUNCTION

Номер патента: DE4132826A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Masaki Momodomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-05-27.

Automatic erase optimisation circuit for an electrically erasable and programmable semiconductor memory, and method relating thereto

Номер патента: FR2665973A1. Автор: Lim Hyeong-Gyu,Lee Wung-Moo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-02-21.

Method and device for automatic evaluation of required high voltage for programming/erasing electrically erasable programmable semiconductor read-only memory

Номер патента: RU2189083C2. Автор: Хольгер Седлак,Ханс-Хайнрих ФИМАНН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-09-10.

Electrically erasable programmable read only memory(eeprom)device

Номер патента: GB9224833D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-01-13.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND STORAGE ARRAY OF THE SAME

Номер патента: US20150255124A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Xiong,Kong Weiran,Li Binghan,Gu Jing. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

Electrically erasable semiconductor memory device with divided memory cell array

Номер патента: KR100204721B1. Автор: 고이찌 세끼,도시히로 다나까,히또시 구메,다께시 와다,다다시 무또. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌 세이사꾸쇼. Дата публикации: 1999-06-15.

Flash electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR950006211B1. Автор: 가즈오 고바야시,다께시 나까야마,야스시 데라다,마사노리 하야시고시,요시가즈 미야와끼. Владелец: 미쓰비시뎅끼가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-06-12.

Electrically erasable non-volatice semiconductor memory device for selective use in boot block type or normal type flash memmory devices

Номер патента: KR950014092B1. Автор: 아까오기 다까오. Владелец: 세끼사와 다까시. Дата публикации: 1995-11-21.

Serial memory of electrically erasable and programmable read-only type with advanced data reading, for use in computing

Номер патента: FR2805653A1. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-08-31.

Process for writing electrically erasable and programmable non-volatile memory and corresponding integrated circuit

Номер патента: FR3094829A1. Автор: Francois Tailliet,Chama Ameziane El Hassani. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-10-09.

Method for writing to electrically erasable programmable non-volatile memory and integrated circuit

Номер патента: CN111798907A. Автор: F·塔耶,C·阿梅兹亚内·埃尔阿萨尼. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-10-20.

Wordline driver for flash electrically erasable programmable read only memory (eeprom)

Номер патента: WO2000021094A1. Автор: Takao Akaogi,Colin S. Bill,Jonathan S. Su,Ravi P. Gutala. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-04-13.

Double-row address decoding and selection circuit for an electrically erasable and programmable non-volatile memory arrangement with redundancy, in particular for flash EEPROM arrangements

Номер патента: DE69324694T2. Автор: Carla Maria Golla,Marco Olivo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 1999-10-07.

Double-row address decoding and selection circuitry for an electrically erasable and programmable non-volatile memory device with redundancy, particularly for flash EEPROM devices

Номер патента: EP0658903B1. Автор: Carla Maria Golla,Marco Olivo. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-04-28.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY AND STORAGE ARRAY OF THE SAME

Номер патента: US20150255125A1. Автор: Gu Jing. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2015-09-10.

Data processing device comprising a non-volatile electrically erasable and reprogrammable memory

Номер патента: KR950001833B1. Автор: 미셀 위공. Владелец: 미셀 꼴롱브. Дата публикации: 1995-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising sectors of electrically erasable programmable cells, especially including pattern data generating circuit

Номер патента: KR100449268B1. Автор: 정휘택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-12-17.

Electrically erasable, persistent semiconductor memory device that can optionally be used in a boot block or standard flash memory device

Номер патента: KR940010110A. Автор: 아까오기 다까오. Владелец: 세끼사와 다까시. Дата публикации: 1994-05-24.

Data processing system including electrically erasable and reprogrammable non-volatile memory

Номер патента: JPH0831046B2. Автор: ウゴン，ミシエル. Владелец: BURU SEE PEE 8. Дата публикации: 1996-03-27.

Data processing device equipped with an electrically erasable and reprogrammable non-volatile memory

Номер патента: CA2005762C. Автор: Michel Ugon. Владелец: Bull CP8 SA. Дата публикации: 1997-02-11.

Electrically erasable programmable read only memory with non-uniform dielectric thickness with non-uniform dielectric thickness.

Номер патента: KR970705820A. Автор: 디-손 쿠오,렌-유안 츠오우,마크 심슨,새티엔드라나스 무크허지. Владелец: 필립스 일렉트로닉스 엔. 브이.. Дата публикации: 1997-10-09.

Wordline driver for flash electrically erasable programmable read only memoryeeprom

Номер патента: KR100578581B1. Автор: 아카오기타카오,빌콜린에스.,구탈라라비피.,수조나단에스.. Владелец: 스펜션 엘엘씨. Дата публикации: 2006-05-12.

Non-volatile electrically erasable semiconductor memory devices

Номер патента: EP0495493A2. Автор: Masanobu Fujitsu Limited Yoshida,Kiyonori Fujitsu Vlsi Limited Ogura. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1992-07-22.

Memory stack with pads connecting peripheral and memory circuits

Номер патента: US11823888B2. Автор: Chanho Kim,Youn-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device including logic circuit and memory circuit

Номер патента: TW439260B. Автор: Masahiro Shinmori. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-06-07.

Integrated memory circuit comprising a high-voltage switch connected between a programming voltage generator and an erasable programmable memory, and high-voltage switch suitable for use in such a memory circuit

Номер патента: EP0329238A1. Автор: Ronald Clarke Geddes. Владелец: FASELEC AG. Дата публикации: 1989-08-23.

Integrated memory circuit with a high-voltage switch between a programming voltage generator and an erasable, programmable memory, high-voltage switch suitable for use in such a memory circuit.

Номер патента: DE68910996D1. Автор: Ronald Clarke Geddes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1994-01-13.

Electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: US20030002346A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Shang Tarng Jan. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for tightening erase threshold voltage distribution in flash electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM)

Номер патента: US6052310A. Автор: Ravi S. Sunkavalli. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power supply failure

Номер патента: AU3096497A. Автор: MICHEL MARTIN,Jacek Kowalski. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1998-01-07.

Semiconductor electrically erasable and writeable non-volatile memory device

Номер патента: US5923674A. Автор: Naotoshi Nakadai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

Area-efficient electrically erasable programmable memory cell

Номер патента: US8125830B2. Автор: Xiaoju Wu,Jozef Czeslaw Mitros. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Area-efficient electrically erasable programmable memory cell

Номер патента: US20110110160A1. Автор: Xiaoju Wu,Jozef Czeslaw Mitros. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Single-rail memory circuit with row-specific voltage supply lines and boost circuits

Номер патента: US11322200B1. Автор: Mahbub Rashed,Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Uttam K. Saha. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Memory circuit having concurrent writes and method therefor

Номер патента: US20180366191A1. Автор: Anirban Roy,Perry H. Pelley,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Memory circuit and layout structure of a memory circuit

Номер патента: US20160203847A1. Автор: Chia-Wei Wang,Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Memory circuit and layout structure of a memory circuit

Номер патента: US09640229B2. Автор: Chia-Wei Wang,Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory circuit including pre-charging unit, sensing unit, and sink unit and method for operating same

Номер патента: US09589610B1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US20230335187A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory circuit and memory programming method

Номер патента: US11495312B2. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Device comprising a non-volatile memory circuit

Номер патента: US20220246211A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Jean-Michel PORTAL,Valentin EGLOFF. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory circuit and memory programming method

Номер патента: US20220157392A1. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Selfcalibration method and circuit of nonvolatile memory and nonvolatile memory circuit

Номер патента: US20100014363A1. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20110128781A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Multi-level memory circuit with regulated reading voltage

Номер патента: US6101121A. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-08-08.

Neuromorphic memory circuit and method of neurogenesis for an artificial neural network

Номер патента: EP4334850A1. Автор: Wei Yi,Charles Martin,Soheil KOLOURI,Praveen Pilly. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-03-13.

Method and apparatus for performing memory cell verification on a nonvolatile memory circuit

Номер патента: US5677879A. Автор: Michael S. Briner,Fariborz F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-14.

Non-volatile memory circuit and method

Номер патента: US20230386591A1. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230402117A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-volatile memory circuit

Номер патента: US11791006B2. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor memory circuit equipped with multiplexer for reducing coupling capacitance of non-selected main bit lines

Номер патента: US8331181B2. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

System and method to emulate an electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: US09569354B2. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto,Xiangting Bi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

System and Method to Emulate an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

Номер патента: US20150039805A1. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto,Xiangting Bi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-05.

Dynamic compression in an electrically erasable programmble read only memory (eeprom) emulation system

Номер патента: US20190138228A1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Electrically erasable memory

Номер патента: RU2130217C1. Автор: Р.Овчински Стэнфорд,Дж.Надгенс Стэфен,Чубатый Владимир,А.Стрэнд Дэвид,С.Викер Гай. Владелец: Энерджи Конвершнз Дивайсиз, Инк.. Дата публикации: 1999-05-10.

Memory circuit, signal transmission system and signal transmission method

Номер патента: US20240233799A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory circuit having shift redundancy circuits

Номер патента: US6021075A. Автор: Yoshinori Ueno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Memory circuit system and method

Номер патента: EP2005303A2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: MetaRAM Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US12073082B2. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory circuit for and method of protecting memory data integrity during an output operation utilizing memory data

Номер патента: US4953132A. Автор: Toshiyuki Katsu,Fusako Inotsume. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Semiconductor memory circuit including a data output circuit

Номер патента: US20010048633A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Lockheed Missiles and Space Co Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Content addressable memory apparatus, content addressable memory circuit and memory self-test method thereof

Номер патента: US20240312548A1. Автор: I-Hao Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US20240345736A1. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element

Номер патента: US09601198B2. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory circuit, memory precharge control method and device

Номер патента: US20220319559A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Bias generation circuit and memory circuit

Номер патента: US20230290385A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory circuit for preventing rise cell array power source

Номер патента: US20010014045A1. Автор: Kaoru Mori,Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Memory circuit/logic circuit integrated device capable of reducing term of works

Номер патента: US20010012231A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Memory circuit and tracking circuit thereof

Номер патента: US20100118628A1. Автор: Chia Wei Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Differential and Hierarchical Sensing for Memory Circuits

Номер патента: US20080175085A1. Автор: Matthew R. Wordeman,William Robert Reohr,Paul C. Parries,John Edward Barth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Memory circuit having increased write margin and method therefor

Номер патента: US09940996B1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for refreshing data in memory circuits

Номер патента: US09934841B1. Автор: Sami Mumtaz,Martin Langhammer. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory circuit and stack type memory system including the same

Номер патента: US09761288B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Sensing scheme for high speed memory circuits with single ended sensing

Номер патента: US09583208B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Vaibhav Verma,Sachin Taneja,Pritender Singh. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory circuit and method of generating the same

Номер патента: US20050128818A1. Автор: Hironori Akamatsu,Yutaka Terada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Repairing circuit for memory circuit and method thereof and memory circuit using the same

Номер патента: US20120287737A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Read-out circuit for a dynamic memory circuit, memory cell array, and method for amplifying and reading data stored in a memory cell array

Номер патента: US20040090833A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Power control circuit for memory circuit based on complementary field effect transistor devices

Номер патента: US20240321337A1. Автор: Chia-Che Chung,Chien-Chen Lin,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory circuit configuration schemes on multi-drop buses

Номер патента: US09921993B2. Автор: Timothy Mowry Hollis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Apparatus and method for controlling boost capacitance for low power memory circuits

Номер патента: US09837144B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Sharad Kumar Gupta,Mukund Narasimhan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits

Номер патента: US09727458B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits

Номер патента: US09632929B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240233800A9. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Superconducting gate memory circuit

Номер патента: CA3035211C. Автор: Quentin P. Herr,Randall M. Burnett. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: US20230267976A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Enpeng Gao,Kangling Jl. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memories and memory circuits

Номер патента: WO2003096351A2. Автор: Pieter J. Van Der Zaag,Kars-Michiel H. Lenssen,Martin J. Edwards. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-11-20.

Analog dynamic memory circuit

Номер патента: US4947371A. Автор: Tomohiko Suzuki. Владелец: Addams Systems Inc. Дата публикации: 1990-08-07.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Memories and memory circuits

Номер патента: WO2003096351A8. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Martin J Edwards,Der Zaag Pieter J Van. Владелец: Der Zaag Pieter J Van. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory circuit

Номер патента: US09672878B1. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated memory circuit with a storage element and method for reading error information

Номер патента: US20040042289A1. Автор: Manfred Pröll,Jörg Kliewer,Heinz-Joachim Neubauer,Claus Engelhardt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Print component with memory circuit

Номер патента: US12030312B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-07-09.

Voltage regulator circuit for a memory circuit

Номер патента: US20090296509A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Balancing a signal margin of a resistance based memory circuit

Номер патента: EP2380175A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song,Mehdi Hamidi Sani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Balancing a signal margin of a resistance based memory circuit

Номер патента: WO2010080629A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song,Mehdi Hamidi Sani. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-15.

Memory circuit and method for controlling memory circuit

Номер патента: US20110273951A1. Автор: Hung-Yu Li,Wade Wang,Chia-Cheng Chen,James Ma,Kun-Ti Lee,Rick Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory circuit

Номер патента: US20060133170A1. Автор: Yuuichirou Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Non-volatile memory circuit

Номер патента: US20030128569A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Shue-Shuen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Memory circuit

Номер патента: US20140313827A1. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

3T device based memory circuits and arrays

Номер патента: US8599598B1. Автор: Rakesh H. Patel,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

High-density low-cost read-only memory circuit

Номер патента: US20020184433A1. Автор: Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US20030067821A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Asymmetrical Memory Circuits And Methods

Номер патента: US20230410897A1. Автор: YAN Cui,Shankar Sinha,Shuxian Chen,Andy Lee,David Parkhouse,J M Lewis Higgins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375352A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien-Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US6711072B2. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US20230012334A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory circuit and method for increased write margin

Номер патента: US09934846B1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory circuit

Номер патента: US20210280265A1. Автор: Masami Kuroda,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory circuit that updates and holds output signal based on fuse signal

Номер патента: US09595348B2. Автор: Yoshihiro Teno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Associative memory circuit

Номер патента: US09564218B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory circuits, systems, and operating methods thereof

Номер патента: US20100220539A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Kuoyuan Peter Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Memory circuits, systems, and operating methods thereof

Номер патента: US20130148439A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Accessing memory circuit

Номер патента: US20220310140A1. Автор: Jussi TAKKALA. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory circuit for storing parsimonious data

Номер патента: US20230030058A1. Автор: Olivier Bichler,Vincent LORRAIN,David Briand,Johannes Christian THIELE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory circuit and write method

Номер патента: US11942134B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20240233795A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20230083548A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit

Номер патента: US20070195621A1. Автор: Yu Lu,Mark Lamorey,Janusz Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: WO2002029825A2. Автор: Louis L. Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: WO2002014886A2. Автор: Louis Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-02-21.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: EP1327249A2. Автор: Louis L. Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-07-16.

Integrated memory circuit utilizing block selection

Номер патента: IE872255L. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-02-27.

Integrated memory circuit utilizing block selection

Номер патента: IE60222B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1994-06-15.

Method and test circuit for testing a dynamic memory circuit

Номер патента: US20040257893A1. Автор: Peter Beer,Martin Versen,Lee Nino. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-23.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: EP1309877A2. Автор: Louis Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-05-14.

Memory circuit

Номер патента: US4500974A. Автор: Akira Nagami. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-19.

Neuromorphic memory circuit and operating method therof

Номер патента: EP4167142A1. Автор: Sang Bum Kim,Suyeon Jang,Uicheol SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Neuromorphic memory circuit and operating method therof

Номер патента: US20230119915A1. Автор: Sangbum Kim,Suyeon Jang,Uicheol SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

PMC memory circuit and method for storing a datum in a PMC memory circuit

Номер патента: US20060176725A1. Автор: Ralf Symanczyk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory circuit and method for refreshing dynamic memory cells

Номер патента: US20070258307A1. Автор: Wolfgang Ruf,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Hermann Haas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory circuits, systems, and methods for routing the memory circuits

Номер патента: US20110019458A1. Автор: Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee,Jui-che Tsai,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US20230020078A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375345A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US11842766B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit having data lines selectively coupled to a sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US09881655B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory circuit having resistive device coupled with supply voltage line

Номер патента: US09865605B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory circuit having non-volatile memory cell and methods of using

Номер патента: US20200043553A1. Автор: Ronald L. Cline. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Accelerated single-ended sensing for a memory circuit

Номер патента: US7433254B2. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-10-07.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US20230259283A1. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device comprising memory circuit over control circuits

Номер патента: US11869627B2. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: WO2021159028A4. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader,Tianhon YAN. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2021-10-07.

Static type semiconductor memory circuit

Номер патента: US4612631A. Автор: Kiyofumi Ochii. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-16.

Bipolar memory circuit

Номер патента: US4337523A. Автор: Yukio Kato,Teruo Isobe,Atsuo Hotta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-29.

Memory circuit, and method for reading out data contained in the memory circuit using shared command signals

Номер патента: US20050270884A1. Автор: Michael Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US4458336A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-07-03.

Memory circuit and testing method thereof

Номер патента: US20190198133A1. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit and testing method thereof

Номер патента: US10679720B2. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230170010A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory circuit, electronic device having the memory circuit, and method of operating memory circuit

Номер патента: US20220068355A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng-Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory circuit and method of writing data to and reading data from memory circuit

Номер патента: US8320195B2. Автор: Tomohiro Tanaka,Masao Ide. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11929110B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory circuit structure and method of operating memory circuit structure

Номер патента: US20230368838A1. Автор: Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong,Zhaoan Yu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory circuit, a dynamic random access memory, a system comprising a memory and a floating point unit and a method for storing digital data

Номер патента: US20080062743A1. Автор: Peter Mayer,Wolfgang Spirkl,Michael Richter,Martin Brox,Thomas Hein,Markus Balb,Christoph Bilger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-13.

Low-leakage sense circuit, memory circuit incorporating the low-leakage sense circuit, and method

Номер патента: US20220215872A1. Автор: Mahbub Rashed,Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Uttam K. Saha. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

One-bit memory circuit for amoled panel sub-pixels

Номер патента: US20210343237A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Gohi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

One-bit memory circuit for amoled panel sub-pixels

Номер патента: US11605340B2. Автор: Lei Wang. Владелец: Gohi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240221820A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method for resistance based memory circuit parameter adjustment

Номер патента: RU2465641C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Дзи-Су КИМ,Дзи-Хван СОНГ,Сеунг Х. КАНГ (US),Сеонг-Оок ДЗУНГ (US),Дзи-Су КИМ (US),Дзи-Хван СОНГ (US),Сей Сеунг ЙООН (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-27.

System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment

Номер патента: CA2720058C. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song. Владелец: Yonsei University. Дата публикации: 2016-02-23.

Dynamic memory circuit with improved sensing scheme

Номер патента: US4879692A. Автор: Kazuo Tokushige. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Semiconductor memory circuit having an improved restoring control circuit

Номер патента: US5148400A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-09-15.

Dynamic random access memory circuit and methods therefor

Номер патента: US5909388A. Автор: Gerhard Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-06-01.

Memory circuit having a redundant memory cell array for replacing faulty cells

Номер патента: US5058059A. Автор: Masahiko Matsuo,Kazuo Nakaizumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Memory circuit having a decoder

Номер патента: US4470133A. Автор: Kazuo Tanimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-09-04.

Power management for memory circuit system

Номер патента: EP2442309A3. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2013-01-23.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230410854A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory circuit

Номер патента: US3643111A. Автор: Charles R Deyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-02-15.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US11863209B2. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

3d memory circuit

Номер патента: US20230376234A1. Автор: Javier A. Delacruz,David E. Fisch. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory circuit architecture

Номер патента: US20220208232A1. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory circuit provided with variable-resistance element

Номер патента: US20180350419A1. Автор: Hiroki Koike,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory circuit architecture

Номер патента: US11908537B2. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240096431A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Configurable memory circuit system and method

Номер патента: US20160048466A1. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-02-18.

Memory circuit architecture

Номер патента: EP4272213A1. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Interface of a memory circuit

Номер патента: US20240112727A1. Автор: Lin Ma,Hung-Piao Ma,Wenliang Chen,Girish Nanjappa,Keng Lone Wong,Chun Yi LIN. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20190172825A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory circuit

Номер патента: US20070069386A1. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Neuromorphic memory circuit

Номер патента: US20160203400A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Memory Circuit with Decoupled Read and Write Bit Lines and Improved Write Stability

Номер патента: US20090147592A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory circuit and method for writing into a target memory area

Номер патента: US20080126717A1. Автор: Holger Sedlak,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Digital memory circuit having a plurality of segmented memory areas

Номер патента: US20030067820A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Digital memory circuit having a plurality of segmented memory areas

Номер патента: US6711085B2. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Memory circuit

Номер патента: US20240295973A1. Автор: Tatsushi Otsuka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Strapping structure of memory circuit

Номер патента: US09911727B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Fast-bypass memory circuit

Номер патента: US09911470B2. Автор: Scott Pitkethly,Venkata Kottapalli,Christian Klingner,Matthew Gerlach. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile memory circuit and memory device including same

Номер патента: US09859024B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Neuromorphic memory circuit using a dendrite leaky integrate and fire (LIF) charge

Номер патента: US09830982B2. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Neuromorphic memory circuit using a leaky integrate and fire (LIF) line to transmit axon LIF pulse and a conductive denrite LIF line

Номер патента: US09830981B2. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory circuit and data processing system

Номер патента: US09786362B1. Автор: Adeline-Fleur Fleming,David Michael Bull,Shidhartha Das,Pranay Prabhat. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory circuit including a current switch and a sense amplifier

Номер патента: US09761283B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory circuit

Номер патента: US09711244B1. Автор: Tobias Werner,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Word driver circuit and a memory circuit using the same

Номер патента: US5640359A. Автор: Masao Nakano,Takaaki Suzuki,Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-06-17.

Read resettable memory circuit

Номер патента: US4459683A. Автор: Singh B. Yalamanchili,Syed T. Mahmud. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1984-07-10.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US10872883B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Semiconductor memory circuit, semiconductor memory module using the same, and acoustic signal reproducing system

Номер патента: US5329484A. Автор: Hideo Tsuiki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Semiconductor integrated circuit device with built-in memory circuit group

Номер патента: US5377136A. Автор: Manabu Shibata,Akira Uragami,Yoji Nishio,Fumiaki Matsuzaki,Fumio Murabayashi,Shoichi Kotoku,Yoshitatsu Kojima. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Memory circuit using storage capacitance

Номер патента: GB1243589A. Автор: Robert Kenneth Booher. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1971-08-18.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: EP4258265A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4475177A. Автор: Kenelm G. D. Murray. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1984-10-02.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11862264B2. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-state one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20240071538A1. Автор: Chen-Feng Chang,Shu-Chieh Chang,Meng-Lin Wu,Yu-Chen Lo,Tsung-Han Lu,Chun-Hao Liang,Dong-Yu Wu. Владелец: Jmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device with redundant memory circuit and repair method thereof

Номер патента: US11829605B2. Автор: Toshio Sunaga,Jui-Jen Wu,Tzu-Hao YANG. Владелец: Siloam Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory circuit comprising redundant memory areas

Номер патента: US20050281076A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240135981A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory circuit and method of operating the same

Номер патента: US20230368826A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,He-Zhou Wan,Hau-Tai Shieh,Fu-An Wu,XiuLi YANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230154557A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Multi-port memory circuits

Номер патента: US20160093363A1. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Memory circuit and method for reading memory circuit

Номер патента: US20240144999A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Xinyu Bao,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20200005841A1. Автор: Cheng Hung Lee,Shih-Lien Linus Lu,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Error compensation circuit for analog capacitor memory circuits

Номер патента: US12009039B2. Автор: Hyung-Min Lee,Minil KANG,Min-Seong UM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory circuit

Номер патента: EP3828889A1. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2021-06-02.

Memory circuit, method of access, and method of preparation of data in memory

Номер патента: US5652855A. Автор: Mitsuharu Ohki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-07-29.

Logic and memory circuit with reduced input-to-output signal propagation delay

Номер патента: US5557581A. Автор: Godfrey P. D'Souza. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11621258B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Memory circuit

Номер патента: US3729723A. Автор: H Yamamoto. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1973-04-24.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US4393472A. Автор: Hiroshi Shimada,Keizo Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-07-12.

Memory circuit having a memory reset and recovery controller

Номер патента: US4639899A. Автор: Colin N. Murphy,Guey T. Lu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Associative memory circuit

Номер патента: US3634833A. Автор: Roger S Dunn,Michael Leo Canning,Gerald E Jeansonne. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-01-11.

Memory circuit, method, and electronic device for implementing ternary weight of neural cell network

Номер патента: US11373706B2. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Matrix multiplication with resistive memory circuit having good substrate density

Номер патента: US20230317161A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Computing-in-memory circuit

Номер патента: US11893271B2. Автор: Feng Zhang,Renjun Song. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Read Assist for Memory Circuits

Номер патента: US20100103755A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory circuit and word line control circuit

Номер патента: US20130010531A1. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Associative memory circuit

Номер патента: US20150131355A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-14.

Print component with memory circuit

Номер патента: US20230382105A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-30.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11780222B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory circuits, systems, and methods for providing bit line equalization voltages

Номер патента: US20100202220A1. Автор: Young Suk Kim,TaeHyung Jung,Kuoyuan Peter Hsu,Douk Hyoun Ryu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20220262446A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory circuit, method, and electronic device for implementing ternary weight of neural cell network

Номер патента: US20220165334A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Read assist for memory circuits

Номер патента: EP2351033A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

Read assist for memory circuits

Номер патента: WO2010048245A9. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-22.

Read assist for memory circuits

Номер патента: WO2010048245A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Matrix multiplication with resistive memory circuit having good substrate density

Номер патента: WO2023192966A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: US20190196973A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: AU2018388767A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: CA3077398A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: EP3729433A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Semiconductor memory circuit with sensing arrangement free from malfunction

Номер патента: US4926381A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Memory circuit including write control unit wherein subthreshold leakage may be reduced

Номер патента: US5796650A. Автор: Thomas R. Wik,Shahryar Aryani. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Read method, write method and memory circuit using the same

Номер патента: US11367482B2. Автор: Yih Wang,Carlos H. Diaz,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Interface of a memory circuit and memory system thereof

Номер патента: US11842763B2. Автор: Lin Ma,Hung-Piao Ma,Wenliang Chen,Girish Nanjappa,Keng Lone Wong,Chun Yi LIN. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory Circuit and Method for Operating a First and a Second Set of Memory Cells

Номер патента: US20180226114A1. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126913C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory circuit and method for operating a first MRAM and a second MRAM set of memory cells configured to operate in a direct access mode and/or refresh mode

Номер патента: US10347312B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Memory circuit and method for operating a first and a second set of memory cells in direct memory access mode with refresh

Номер патента: US9824737B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20020060931A1. Автор: Takeshi Nagai,Masaru Koyanagi,Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Memory circuit and method for sensing a memory element

Номер патента: EP2013882A2. Автор: Maurits M.N. STORMS. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-14.

Read method, write method and memory circuit using the same

Номер патента: US11735259B2. Автор: Yih Wang,Carlos H. Diaz,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory circuit for storing parsimonious data

Номер патента: US11886719B2. Автор: Olivier Bichler,Vincent LORRAIN,David Briand,Johannes Christian THIELE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory circuit and control method thereof

Номер патента: US20090296500A1. Автор: Seiji Murata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US7307869B2. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-11.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US20060146593A1. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Accessing memory circuit

Номер патента: US11881285B2. Автор: Jussi TAKKALA. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-01-23.

Improvements in and relating to stable memory circuits

Номер патента: IE892223A1. Автор: Brian Arthur Coghlan,Jeremy Owen Jones. Владелец: Provost. Дата публикации: 1991-03-27.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory circuits having a plurality of keepers

Номер патента: US20110280096A1. Автор: Derek C. Tao,Annie Lum,Young Seog Kim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126920C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory circuit and memory

Номер патента: US12002503B2. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory circuit and memory

Номер патента: US20230077468A1. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit

Номер патента: US20070159898A1. Автор: Yu Lu,Mark Lamorey,Janusz Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Dynamic semiconductor memory circuit

Номер патента: US5432744A. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-07-11.

Refreshing dynamic memory cells in a memory circuit and a memory circuit

Номер патента: US7064996B2. Автор: Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-20.

Memory circuit having an improved writing scheme

Номер патента: US4768168A. Автор: Takayuki Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Semiconductor memory circuit device having memory cells constructed on a Bicmos gate array

Номер патента: US5289405A. Автор: Yoshinori Watanabe,Hiroyuki Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-02-22.

Memory circuits having a diode-connected transistor with back-biased control

Номер патента: US20110267880A1. Автор: David B. Scott,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory circuit and method of sensing a memory element

Номер патента: US20090279370A1. Автор: Maurits Storms. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-12.

Memory circuit and method of operating the same

Номер патента: US20230282278A1. Автор: Perng-Fei Yuh,Yu-Fan Lin,Shao-Ting WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: CA1320576C. Автор: Toshikazu Ishii,Norimitsu Sako. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Waveform memory circuit

Номер патента: US4586022A. Автор: Mark Acuff. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1986-04-29.

Memory circuit capable of executing a bit manipulation at a high speed

Номер патента: US5383154A. Автор: Tadashi Shibuya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Memory circuit

Номер патента: US3614751A. Автор: Hiroshi Narisawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-10-19.

Variable direct voltage memory circuit

Номер патента: US3652914A. Автор: Friedrich Johann Krausser. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1972-03-28.

Semiconductor memory circuit having bit clear and/or register initialize function

Номер патента: US5402381A. Автор: Hideo Abe,Satoru Sonobe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Non-volatile analog memory circuit with closed-loop control

Номер патента: USH1035H. Автор: Gene L. Haviland,Patrick A. Shoemaker,James R. Feeley,Alfons Tuszynski. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1992-03-03.

Expandable reconfigurable memory circuit

Номер патента: GB2215498A. Автор: David Billings,Zbigniew Styrna. Владелец: TSB INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 1989-09-20.

Integrated electronic memory circuit with internal timing and operable in both latch-based and register-based systems

Номер патента: US4825416A. Автор: N. Bruce Threewitt,Aloysius T. Tam. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-04-25.

Memory circuit with logic functions

Номер патента: US5113487A. Автор: Toshihiko Ogura,Koichi Kimura,Hiroaki Aotsu,Hiromichi Enomoto,Tadashi Kyoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-05-12.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20190198093A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20180158812A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20200111775A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Fail-safe memory circuits

Номер патента: US3609709A. Автор: Walter W Sanville,John O G Darrow. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1971-09-28.

Nonvolatile memory circuit using spin mos transistors

Номер патента: US20110194342A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Dynamic voltage supply for memory circuit

Номер патента: US20240126685A1. Автор: Hua Tan,Junjun Wang,De Hua Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory circuit

Номер патента: US4333168A. Автор: Makoto Taniguchi,Koichiro Mashiko,Toshio Ichiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-06-01.

Memory circuit and method thereof

Номер патента: US20200066316A1. Автор: Ching-Sheng Cheng,Wen-Wei Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20210043251A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US20230170005A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US11978529B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory circuit and memory

Номер патента: US20230083020A1. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US20020163849A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-07.

Nonvolatile memory circuit using spin mos transistors

Номер патента: US20120119274A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Memory circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20110019460A1. Автор: Ching-Wei Wu,Li-Chen Chen,Cheng Hung Lee,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058328A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Bit and block erasing of an electrically erasable and programmable read-only memory array

Номер патента: US5047981A. Автор: David McElroy,Sung-Wei Lin,Manzur Gill,Iano D'arrigo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-09-10.

METHOD FOR MEMORIZING DATA IN AN ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY AND ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY FOR IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: FR2580851A1. Автор: Franz-Josef Melcher,Christian Oldendorf,Erich Knothe. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 1986-10-24.

METHOD FOR STORING DATA IN AN ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY AND ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY FOR CARRYING OUT THE METHOD

Номер патента: FR2580851B1. Автор: Franz-Josef Melcher Et Christian Oldendorf Erich Knothe. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 1994-05-20.

Block erasing an electrically erasable and electrically programmable memory

Номер патента: GB2235999B. Автор: Gregory E Atwood,Albert Nmi Fazio,Richard A Lodenquai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-12-15.

METHOD FOR ERASING A NON-VOLATILE AND ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY, AND ASSOCIATED DEVICES

Номер патента: FR2756411B1. Автор: Jean Devin,Alessandro Brigati,Bruno Leconte. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1998-12-31.

Electrically erasable and programmable memory, has control and refreshment units arranged to erase counter after reaching maximum count value chosen so that cells undergone maximum number of stress cycles equal to determined number

Номер патента: FR2851074A1. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-08-13.

A method for determining the necessity for refreshing memory cells of an electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: TWI229869B. Автор: Ming-Hung Chou,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-21.

METHOD FOR WRITING AN ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE NON VOLATILE MEMORY AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200321063A1. Автор: Tailliet François,Ameziane El Hassani Chama. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory device and a method of operating the same

Номер патента: US5428568A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

An electrically erasable programmble rom

Номер патента: KR100252253B1. Автор: 이창호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Semiconductor device with electrically erasable and programmable cell

Номер патента: KR100496794B1. Автор: 최기환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-12.

Electrically erasable and programmable memory comprising a device for managing an internal voltage supply

Номер патента: FR2838861A1. Автор: Rosa Francesco La,Filipe Ganivet,Thierry Giovinazzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-24.

Electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: FR2770327A1. Автор: Mohamad Chehadi,Christophe Mani. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-04-30.

REMOVABLE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE MEMORY, PROTECTED AGAINST POWER CUT

Номер патента: FR2749698A1. Автор: Jacek Kowalski,Michel Rene Martin. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1997-12-12.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US20010048615A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Hideko Odaira. Дата публикации: 2001-12-06.

Electrically erasable programmable read-only memory with an array of one-transistor

Номер патента: KR960008739B1. Автор: 데쯔오 엔도,리이찌로 쇼로따. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1996-06-29.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US5627782A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Method for page mode writing in an electrically erasable/programmable non-volatile memory and corresponding architecture

Номер патента: US6504791B1. Автор: David Naura,Sebastien Zink,Bertrand Bertrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-01-07.

Method for forming single-level electrically erasable and programmable read only memory operated in environment with high/low-voltage

Номер патента: US6900097B2. Автор: Ching-Chun Huang,Rong-ching Chen,Jy-Hwang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-05-31.

Electrically-erasable ROM with pulse-driven memory cell transistors

Номер патента: US5623444A. Автор: Hiroshi Gotou,Toshifumi Asakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-04-22.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power failure

Номер патента: EP0902949A1. Автор: MICHEL MARTIN,Jacek Kowalski. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1999-03-24.

Electrically erasable memory and method of erasure

Номер патента: EP0690452A2. Автор: Jian Chen,Nader Radjy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-01-03.

Block electrically erasable eeprom

Номер патента: EP0247875B1. Автор: Ting-Wah Wong,Chien-Sheng Su,Gheorghe Samachisa,George Smarandoiu. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1992-12-02.

Sensitive amplifier used for electrically erasable read only memory and realization method thereof

Номер патента: CN101630532A. Автор: 王梓,王楠,徐亮,姚翔,李兆桂. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Method of emulating electrically erasable memory in a motor vehicle microcontroller

Номер патента: US20040064634A1. Автор: Kevin Gertiser,Mark Lowden,Paul Hay,W. Allen,Ben Mc Cormick. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of programming an electrically erasable read-only memory in an elecronic computer device and control device using the method

Номер патента: EP0715313A3. Автор: Juergen Bauer,Dieter Dr. Ing. Seher,Thomas Dipl.-Ing. Rueping (Fh),Thomas Dipl.-Ing. Baehren,Thilo Dipl.-Ing. Jahn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1998-09-02.

Block writing method for e.g. electrically erasable and programmable ROM, involves successively writing each word of block to be written in memory during write time, of word, determined by dividing fixed write time lesser than former time

Номер патента: FR2891653A1. Автор: David Naura,Pierre Rizzo,Ahmed Kari,Christophe Moreaux. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-04-06.

REMOVABLE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE MEMORY, PROTECTED AGAINST POWER CUT

Номер патента: FR2749698B1. Автор: Jacek Kowalski,Michel Rene Martin. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 1998-09-04.

Electrically erasable and programmable non-volatile memory device for permanent data storage, has block to control memory`s operating modes and with memory refreshing algorithm to periodically reprogram memory cells subjected to charge loss

Номер патента: FR2896612A1. Автор: Philippe Candelier,Philippe Gendrier,Jean Marc Tessier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-07-27.

Eeprom with electrically erasable blocks

Номер патента: JPS6325981A. Автор: ゲオルグ・サマチーザ,ジヨージ・スマランドー,チエン−シエン・シユ,テイン−ワー・ウオン. Владелец: SHIIKU TECHNOL Inc. Дата публикации: 1988-02-03.

MULTILEVEL FLOATING GRID MEMORY

Номер патента: FR2786910B1. Автор: Marc Guedj. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-11-29.

Selected gate driver circuit in memory circuits, and control device and control method thereof

Номер патента: US20170004864A1. Автор: XIAO Zheng,Hao Ni,Guangyan Luo,Changwei Yin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Selected gate driver circuit in memory circuits, and control device and control method thereof

Номер патента: US09583156B2. Автор: XIAO Zheng,Hao Ni,Guangyan Luo,Changwei Yin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US12106814B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Self pre-charging memory circuits

Номер патента: US09886998B2. Автор: Wei Zhao,Qing Li,Igor Arsovski,Xiaoli Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Protected writing method for an integrated memory circuit and a corresponding integrated circuit

Номер патента: US5781470A. Автор: Laurent Sourgen,Sylvie Wuidart. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1998-07-14.

MEMORY CIRCUIT COMPRISING MEANS FOR DETECTING AN ERROR INJECTION

Номер патента: FR3010822A1. Автор: Sebastien Faivre,Alami Salwa Bouzekri. Владелец: Inside Secure SA. Дата публикации: 2015-03-20.

Bit line driving circuit and nonvolatile memory circuit

Номер патента: CN107103932B. Автор: 刘晓艳,倪昊,许家铭,權彞振. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-01.

Circuit for producing a high voltage for a semiconductor memory circuit

Номер патента: FR2667169A1. Автор: KIM Jin-Gi,Lee Wo Ong-Mu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-03-27.

Integrated circuit with nonvoltile data memory circuit

Номер патента: CN1489211A. Автор: 一,横关亘,桝井昇一. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Method for writing data into a memory cell of a conductive bridging random access memory, memory circuit and CBRAM memory circuit

Номер патента: EP1763038A1. Автор: Thomas Rohr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-14.

CIRCUIT TO GENERATE HIGH VOLTAGE FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT

Номер патента: DE4036973A1. Автор: Woong-Mu Lee,Jin-Gi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-04-02.

HIGH VOLTAGE PRODUCTION CIRCUIT FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT.

Номер патента: FR2667169B1. Автор: Jin-Gi Kim,Wo Ong-Mu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-04-15.

Method and circuit for self calibration of non-volatile memories, and non-volatile memory circuit

Номер патента: CN101635173B. Автор: 王楠,姚翔. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US20230377671A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Address signal generating circuit for a memory circuit

Номер патента: US4587558A. Автор: Hideo Sato,Nobuaki Takahashi,Koji Tanaka,Yoshiaki Amano,Hiroyuki Sugiyama,Takeshi Shibamoto. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1986-05-06.

Optical recorder having a signal separation circuit and a FIFO memory circuit

Номер патента: US5578819A. Автор: Susumu Saito,Hitomi Shimizu,Keiji Kataoka,Kunitomo Takahashi,Isao Nakajima,Shigeo Nemoto,Muneyoshi Akai,Shuuho Yokokawa,Youji Hirose,Satoshi Aita. Владелец: HITACHI KOKI CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5536947A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick K. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: CA2227612C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5296716A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Quiyi Ye,David A. Strand,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1994-03-22.

Electrically erasable and electrically programmable read-only memory cell with a self-adjusted tunnel effect window.

Номер патента: DE68918771T2. Автор: Manzur Gill,Sung Wei Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-16.

System and Method to Emulate an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

Compact electrically erasable memory cells and arrays

Номер патента: US5914904A. Автор: James D. Sansbury. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: WO1993004506A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Hellmut Fritzsche,Jesus Gonzalez-Hernandez,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Stephen J. Hudgens,Benjamin S. Chao,Sergey A. Kostylev,Qiuyi Ye. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1993-03-04.

Electrically erasable phase change memory

Номер патента: DE69211719T2. Автор: Stanford R Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Stephen J Hudgens,David A Strand,Guy C Wicker. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-10-31.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom.

Номер патента: EP0601068A4. Автор: Hellmut Fritzsche,Stanford R Ovshinsky,Jesus Gonzalez-Hernandez,Wolodymyr Czubatyj,Qiuyi Ye,Benjamin S Chao,Stephen J Hudgens,David A Strand,Sergey A Kostylev. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-11-13.

Method of erasing floating gate capacitor used in voltage regulator

Номер патента: US6072725A. Автор: Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-06.

High density 'electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM)' cell arrays with new programming means and methods of making them

Номер патента: KR100316086B1. Автор: 알버트버지몬트. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2002-03-21.

Controller device for use with electrically erasable programmable memory chip with error detection and retry modes of operation

Номер патента: US20150355964A1. Автор: Frederick A. Ware,Mark A. Horowitz,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-12-10.

Electrically erasable phase change memory

Номер патента: CN1064366A. Автор: S·R·奥夫辛斯基,S·J·赫金斯,W·丘巴蒂,D·A·施特兰德,G·C·威克. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1992-09-09.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: EP0843901B1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2004-12-08.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: AU6504696A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1997-02-26.

An electrically erasable, direct overwritable multi-bit single cell memory device and an array fabricated therefrom

Номер патента: KR100379322B1. Автор: 스탠포드 알. 오브신스키,패트릭 제이. 클러시,데이비드 에이. 스트랜드. Владелец: 에너지 컨버젼 디바이시즈, 아이엔씨.. Дата публикации: 2003-07-16.

Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability

Номер патента: EP0846343B1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Patrick Klersy,David A. 5611 Priory Lane STRAND. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Multi-rail sense circuit with pre-charge transistors and memory circuit incorporating the sense circuit

Номер патента: US20240282373A1. Автор: Suresh Pasupula,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit for receiving a clock signal, particularly for a semiconductor memory circuit

Номер патента: US20030001665A1. Автор: Hermann Ruckerbauer,Andre Schäfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-02.

Multi-rail sense circuit with pre-charge transistors and memory circuit incorporating the sense circuit

Номер патента: EP4418268A1. Автор: Suresh Pasupula,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory circuit with assist circuit trimming

Номер патента: US09704599B1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus for identifying state-dependent, defect-related leakage currents in memory circuits

Номер патента: US20030098693A1. Автор: Klaus Enk. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Memory circuit with assist circuit trimming

Номер патента: US09984765B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory circuit using oxide semiconductor

Номер патента: US11996133B2. Автор: Munehiro KOZUMA,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Systems and Methods for Writing to Multiple Port Memory Circuits

Номер патента: US20110188328A1. Автор: Haining Yang,Zhongze Wang,ChangHo Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory circuit and method of operation therefor

Номер патента: WO1998020494A2. Автор: Ronald L. Yin. Владелец: Yin Ronald L. Дата публикации: 1998-05-14.

Memory circuit and cache circuit configuration

Номер патента: US12093176B2. Автор: Yun-Han Lee,William Wu Shen,Hsien-Hsin Sean LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory circuit with negative voltage assist

Номер патента: US09812191B1. Автор: Yen-Huei Chen,Avinash Chander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatuses and methods for switching refresh state in a memory circuit

Номер патента: WO2020005849A1. Автор: Kallol Mazumder. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-02.

Resistance based memory circuit with digital sensing

Номер патента: WO2011066584A1. Автор: Hari Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-03.

Memory circuit and method of writing datum to memory circuit

Номер патента: US20130188433A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Self adjusting pre-charge delay in memory circuits and methods for making the same

Номер патента: WO1999013472A1. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1999-03-18.

Compute-in-memory circuit and control method thereof

Номер патента: US20240339138A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Zongwei Wang,Yunfan Yang,Linbo SHAN. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory circuit architecture with multiplexing between memory banks

Номер патента: US20240312496A1. Автор: Sharad Kumar Gupta,Hemant Patel,Rahul Sahu,Pradeep Raj,Diwakar SINGH. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method for implementing design for testability (DFT) for bitline drivers of memory circuits

Номер патента: US09947419B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Priyankar Mathuria,Sharad Kumar Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Voltage regulators, memory circuits, and operating methods thereof

Номер патента: US09489989B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Chan-Hong Chern,Yuwen Swei,Chih-Chang Lin,Tien Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory circuit incorporating error detection and correction (edac), method of operation, and system

Номер патента: US20160246675A1. Автор: James A. Jensen,David R. Gifford,Kevin E. Atkinson. Владелец: Silicon Space Technology Corp Dba Vorago Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Compute-in-memory circuit with charge-domain passive summation and associated method

Номер патента: EP4312217A1. Автор: Sung-En HSIEH. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit

Номер патента: US20120262995A1. Автор: Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Compute-in-memory circuit with charge-domain passive summation and associated method

Номер патента: US20240037178A1. Автор: Sung-En HSIEH. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Row selection circuits for memory circuits

Номер патента: CA1145856A. Автор: William Panepinto, Jr.. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1983-05-03.

Memory circuit voltage regulator

Номер патента: US6052322A. Автор: James E. Miller,Jeffrey D. Bruce,Daryl L. Habersetzer,Gordon D. Roberts,Douglas J. Cutter,Kurt D. Beigel,Eric T. Stubbs,Manny K. Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Semiconductor device for a ram disposed on chip so as to minimize distances of signal paths between the logic circuits and memory circuit

Номер патента: US5014242A. Автор: Hiroshi Murayama,Hitoshi Abe,Katsumi Ogiue,Masamori Kashiyama,Masami Usami,Kinya Mitsumoto,Satoru Isomura,Yoshikuni Kobayashi,Kazuhiro Akimoto. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1991-05-07.

Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element

Номер патента: EP2840574A4. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2015-07-15.

Semiconductor memory circuit having shift redundancy circuits

Номер патента: TW544681B. Автор: Yoshinori Ueno. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

Test circuit for semiconductor device with multiple memory circuits

Номер патента: TW589460B. Автор: Kiyonori Ogura,Eisaku Itoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-01.

Memory circuit and tracking circuit thereof

Номер патента: TW201019340A. Автор: Chia-Wei Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-05-16.

Voltage regulator circuit for a memory circuit

Номер патента: TW200951953A. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Esmt. Дата публикации: 2009-12-16.

Digital circuit-arrangement and production method for a defectless digital memory-circuit

Номер патента: TW499681B. Автор: Thomas Böhm,Zoltan Manyoki,Stefan Lammers,Helmut Kandolf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-21.

METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC (Fe) FET BASED NON-VOLATILE MEMORY CIRCUITS AND RELATED CONTROL CIRCUITS

Номер патента: US20230189530A1. Автор: Zheng Wang,Shimeng Yu,Asif Khan,Winston Chern,Yuan-Chun Luo,Nujhat Tasneem. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory circuit and method to start-up said memory circuit

Номер патента: TW371759B. Автор: Manfred Bromba,Konrad Schoenemann,Eckehard Plaettner,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Bernauer Klaus. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-11.

Memory circuits with dynamically adjustable pulse widths and methods for operating the same

Номер патента: US20240355374A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee,Ming-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory circuit

Номер патента: US4467456A. Автор: Atsushi Oritani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-08-21.

Dual port memory circuit

Номер патента: US4633441A. Автор: Shoji Ishimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-12-30.

Logic consolidated semiconductor memory device having memory circuit and logic circuit integrated in the same chip

Номер патента: US20020003725A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

System and method for data integrity in memory systems that include quasi-volatile memory circuits

Номер патента: US11823760B2. Автор: Frank Sai-Keung Lee. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Multi-port memory circuit

Номер патента: US20030198120A1. Автор: Hideo Nagano. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Data readout circuit of resistive random access memory and resistive random access memory circuit

Номер патента: US20240153554A1. Автор: Feng Zhang,Qirui REN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory circuit with extended valid data output time

Номер патента: US5210715A. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-05-11.

Memory circuit device including a selection circuit unit shared by a write circuit unit and a read circuit unit

Номер патента: US11600313B2. Автор: Hideo Ohno,Daisuke Suzuki,Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory circuit and cache circuit configuration

Номер патента: US20230333981A1. Автор: Yun-Han Lee,William Wu Shen,Hsien-Hsin Sean LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory circuits

Номер патента: US20230361100A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Pulse Generator and Ferroelectric Memory Circuit

Номер патента: US20140169060A1. Автор: David Eric Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory circuits

Номер патента: US11749664B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory circuits

Номер патента: US20220359484A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Systems and methods for writing to multiple port memory circuits

Номер патента: EP2532003A1. Автор: Haining Yang,Zhongze Wang,ChangHo Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Systems and methods for writing to multiple port memory circuits

Номер патента: WO2011097457A1. Автор: Haining Yang,Zhongze Wang,ChangHo Jung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-08-11.

MEMORY CIRCUIT, ELECTRONIC DEVICE HAVING THE MEMORY CIRCUIT, AND METHOD OF OPERATING MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20220068355A1. Автор: LIAO Hung-Jen,LEE Cheng-Hung,Shieh Hau-Tai,Yu Hua-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuit e.g. memory circuit, with test circuit for read-out of fault data during test mode supplying fault data to alternate data outputs in response to different read commands

Номер патента: DE10350356B3. Автор: Gerd Dr. Frankowsky. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Negative voltage generating circuit, ferroelectric memory circuit having the same, and integrated circuit device

Номер патента: JP3794326B2. Автор: 将一郎川嶋. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US20230059746A1. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory circuit, neural network circuit and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: TW202306051A. Автор: 李婕,奕王,黃家恩,劉逸青,鄭文昌. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor integrated circuit device provided with a logic circuit and a memory circuit and being capable of efficient interface between the same

Номер патента: US6411563B1. Автор: Toshiaki Kawasaki,Takaharu Tsuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-25.

Sense amplifier circuit, memory circuit, and sensing method thereof

Номер патента: US20230420041A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods and Apparatus for Designing and Constructing Dual Write Memory Circuits with Voltage Assist

Номер патента: US20150357030A1. Автор: Sundar Iyer,Thu Nguyen,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods and apparatus for designing and constructing dual write memory circuits with voltage assist

Номер патента: US9520178B2. Автор: Sundar Iyer,Thu Nguyen,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods and apparatus for designing and constructing dual write memory circuits with voltage assist

Номер патента: US9147466B2. Автор: Sundar Iyer,Thu Nguyen,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Macromolecular memory circuit

Номер патента: US3588637A. Автор: Robert C Jaklevic,John J Lambe. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1971-06-28.

Memory circuit architecture with multiplexing between memory banks

Номер патента: US20230290387A1. Автор: Sharad Kumar Gupta,Hemant Patel,Rahul Sahu,Pradeep Raj,Diwakar SINGH. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory circuit architecture with multiplexing between memory banks

Номер патента: WO2023172398A1. Автор: Sharad Kumar Gupta,Hemant Patel,Rahul Sahu,Pradeep Raj,Diwakar SINGH. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-14.

Data readout circuit of resistive random access memory and resistive random access memory circuit

Номер патента: US12002509B2. Автор: Feng Zhang,Qirui REN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatuses and methods for switching refresh state in a memory circuit

Номер патента: US20200194055A1. Автор: Kallol Mazumder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Buffer-circuit and integrated memory-circuit with a buffer-circuit

Номер патента: TW437053B. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Robert Feurle. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-05-28.

Memory circuit architecture with multiplexing between memory banks

Номер патента: US12020766B2. Автор: Sharad Kumar Gupta,Hemant Patel,Rahul Sahu,Pradeep Raj,Diwakar SINGH. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Toroidal magnetic memory circuit - has control conductors provided on common printed circuit substrate and system can form closed magnetic circuit

Номер патента: FR2311384A1. Автор: . Владелец: Ampex Corp. Дата публикации: 1976-12-10.

Path based controls for ATE mode testing of multicell memory circuit

Номер патента: US11933844B2. Автор: Wilson Pradeep,Prakash Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory circuit and a tracking circuit thereof

Номер патента: US20120163109A1. Автор: SHARAD Gupta,Santhosh Narayanaswamy,Lakshmikantha V. Holla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit

Номер патента: US20120226924A1. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2012-09-06.

Memory circuit and word line control circuit

Номер патента: US20130010531A1. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

MEMORY CONTROL CIRCUIT AND MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20130148442A1. Автор: IJITSU Kenji. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-06-13.

MEMORY CIRCUIT AND METHOD FOR ROUTING THE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20130188417A1. Автор: LEE Cheng Hung,TSAI Jui-Che,WU Ching-Wei,CHEN Kuang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-25.

MEMORY CIRCUIT AND WORD LINE CONTROL CIRCUIT

Номер патента: US20140010002A1. Автор: Huang Shih-Huang. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory circuits, systems, and methods for accessing the memory circuits

Номер патента: US20140078844A1. Автор: Atul Katoch,Cormac Michael O'CONNELL. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

SELECTED GATE DRIVER CIRCUIT IN MEMORY CIRCUITS, AND CONTROL DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20170004864A1. Автор: Ni Hao,LUO GUANGYAN,ZHENG Xiao,YIN CHANGWEI. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Memory Circuit and Cache Circuit Configuration

Номер патента: US20200026648A1. Автор: Lee Yun-Han,Shen William Wu,LEE Hsien-Hsin Sean. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

MEMORY CIRCUITS AND METHOD FOR ACCESSING DATA OF THE MEMORY CIRCUITS

Номер патента: US20160055887A1. Автор: KATOCH Atul. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20140140143A1. Автор: LIU Shang-Hsuan,Huang Yi-Cheng,YANG Chou-Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-22.

MEMORY CIRCUIT PROVIDED WITH BISTABLE CIRCUIT AND NON-VOLATILE ELEMENT

Номер патента: US20150070974A1. Автор: Sugahara Satoshi,Shuto Yusuke,Yamamoto Shuichiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Memory Circuits and a Method for Forming a Memory Circuit

Номер патента: US20160071565A1. Автор: Marko Lemke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-10.

CIRCUIT FOR OUTPUTTING INFORMATION OF A MEMORY CIRCUIT DURING A SELF-REFRESH MODE AND RELATED METHOD THEREOF

Номер патента: US20180068693A1. Автор: Chen Ho-Yin,Shiah Chun,Chang Cheng-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20200066312A1. Автор: Meyer Bernd,Otterstedt Jan,Peters Christian,Dirscherl Gerd,Sonnekalb Steffen,Boch Robin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

CROSSBAR SWITCH TYPE MEMORY CIRCUIT, LOOK-UP TABLE CIRCUIT, AND PROGRAMMING METHOD

Номер патента: US20180096724A1. Автор: Miyamura Makoto,TSUJI Yukihide,Sugibayashi Tadahiko,Nebashi Ryusuke,Sakimura Noboru. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

MEMORY CIRCUIT INCLUDING TRACKING CIRCUIT

Номер патента: US20190096457A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),CHANG Jacklyn. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

MEMORY CIRCUIT WITH ASSIST CIRCUIT TRIMMING

Номер патента: US20180102181A1. Автор: KATOCH Atul. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF PROGRAMMING MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20160111156A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Chu Wen-Ting,Chiu Yi-Chieh,YANG Tassa. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

CIRCUIT STRUCTURE AND MEMORY CIRCUIT WITH RESISTIVE MEMORY ELEMENTS, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20210142850A1. Автор: Soss Steven R.,Paul Bipul C.. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20150138904A1. Автор: LIU Shang-Hsuan,Huang Yi-Cheng,YANG Chou-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20180151244A1. Автор: Meyer Bernd,Otterstedt Jan,Peters Christian,Dirscherl Gerd,Sonnekalb Steffen,Boch Robin. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

MEMORY CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20180158534A1. Автор: Meyer Bernd,Otterstedt Jan,Peters Christian,Dirscherl Gerd,Sonnekalb Steffen,Boch Robin. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

MEMORY CIRCUIT INCLUDING TRACKING CIRCUIT

Номер патента: US20200168258A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),CHANG Jacklyn. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

MEMORY CIRCUIT AND LAYOUT STRUCTURE OF A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20160203847A1. Автор: WANG Chia-Wei,Wang Dao-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

MEMORY CIRCUIT INCLUDING TRACKING CIRCUIT

Номер патента: US20210280229A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),CHANG Jacklyn. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

CIRCUIT AND METHOD FOR AT SPEED DETECTION OF A WORD LINE FAULT CONDITION IN A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20200243153A1. Автор: Kumar Shishir,Pathak Abhishek. Владелец: STMicroelectronics International, N.V.. Дата публикации: 2020-07-30.

MEMORY CIRCUIT HAVING TRACKING CIRCUIT

Номер патента: US20160284388A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),CHANG Jacklyn. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

MEMORY CIRCUIT BIT LINE LOGIC CIRCUIT AND METHOD

Номер патента: US20190304520A1. Автор: Chang Jonathan Tsung-Yung,CHENG Chiting,LIN Yangsyu,Wu Shang-Chi,Sinangil Mahmut. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Memory Circuit and Cache Circuit Configuration

Номер патента: US20160364331A1. Автор: Lee Yun-Han,Shen William Wu,LEE Hsien-Hsin Sean. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Memory circuits and a method of forming a memory circuit

Номер патента: DE102014113030A1. Автор: Marko Lemke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-10.

Power source circuit and semiconductor memory circuit

Номер патента: KR101094917B1. Автор: 고영조. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-15.

Pattern memory circuit with self-checking circuit

Номер патента: KR950006214B1. Автор: 케지 타나베,코이치 토사까. Владелец: 나까누마 쇼. Дата публикации: 1995-06-12.

Output circuit for multi-outputing memory circuit

Номер патента: KR0135477B1. Автор: 미나리 이께다. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-04-25.

Memory circuit and memory device using the said memory circuit

Номер патента: JPS5580885A. Автор: Nobuaki Ieda,Takeshi Takeya. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-06-18.

Reader circuit of digital signals stored in charge-storing type memory circuit

Номер патента: JPS5259532A. Автор: Tsuneo Mano,Kazumi Iwatate. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-05-17.

Fast voltage balanced circuit in complementary data line after write cycle in memory circuit

Номер патента: KR960008842A. Автор: 제이. 프로엡스팅 로버트. Владелец: 로버트 시. 콜웰. Дата публикации: 1996-03-22.

ADDRESS DECODING METHOD IN AN INTEGRATED CIRCUIT MEMORY AND MEMORY CIRCUIT IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: FR2724483B1. Автор: Jean Devin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1996-12-27.

Memory circuit with improved serial access circuit arrangement

Номер патента: EP0326172B1. Автор: Hiroshi C/O Nec Corporation Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-20.

Content addressable memory cell, has memory circuit with comparison circuit having NMOS transistors and isolation transistors, which are implanted in respective active zones, where all transistors are oriented vertically

Номер патента: FR2888387A1. Автор: Francois Jacquet,Thierry Devoivre. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-01-12.

Integrated memory circuit with interference protection.

Номер патента: FR2694826A1. Автор: Ferrant Richard,Fel Bruno. Владелец: Thomson Composants Militaires et Spatiaux. Дата публикации: 1994-02-18.

METHOD AND ASSEMBLY FOR THE OPERATION OF CIRCUITS OF RECURSITIVE FILTERS OR OF ANALOG MEMORY CIRCUITS PERFORMED ACCORDING TO THE PRINCIPLE OF DEVICES WITH DIRECT COUPLING OF LOAD

Номер патента: FR2437739A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-04-25.

ANALOGUE MEMORY CIRCUIT AND SYSTEM INCLUDING SUCH A CIRCUIT

Номер патента: FR2296246A1. Автор: Yves Besson. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1976-07-23.

Memory circuit and method of reading data from weak cell and configuring memory circuit

Номер патента: TWI690935B. Автор: 呂士濂. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-11.

Memory device, memory circuit and semiconductor integrated circuit having variable resistance

Номер патента: US20100182821A1. Автор: Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Ken Takahashi,Masafumi Shimotashiro. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Memory circuit having tracking circuit including series-connected transistors

Номер патента: US9934833B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Crossbar switch type memory circuit, look-up table circuit, and programming method

Номер патента: JP6662370B2. Автор: 直彦杉林,竜介根橋,昇崎村,信宮村,幸秀辻,崎村　昇,杉林　直彦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

ADDRESS DECODING METHOD IN INTEGRATED CIRCUIT MEMORY AND MEMORY CIRCUIT USING THE METHOD

Номер патента: FR2724483A1. Автор: Jean Devin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1996-03-15.

Voltage boosting circuit of memory circuit

Номер патента: JPS57172587A. Автор: Kiyoo Ito,Ryoichi Hori,Jun Eto,Yoshiki Kawajiri. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-10-23.

Voltage supply circuit, in particular for a dram memory circuit, as well as a method for controlling a supply source

Номер патента: CN1811977A. Автор: H·罗伦茨,M·门克,H·塞茨. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-02.

Semiconductor memory circuit with improved serial access circuit arrangement

Номер патента: EP0324470A2. Автор: Moemi Harada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-07-19.

INTEGRATED MEMORY CIRCUIT ARRANGEMENT WITH LOGIC CIRCUIT COMPATIBLE STRUCTURE

Номер патента: DE69632271T2. Автор: Akira Yamazaki,Takashi Higuchi,Naoto Okumura,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Electronic device, method for operating an electronic device, memory circuit and method for operating a memory circuit

Номер патента: DE102007045851A8. Автор: Aaron Nygren,Thomas Hein. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-11.

Memory circuit and coherent detection circuit

Номер патента: US6985468B2. Автор: Takuya Arimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-10.

Method for writing data into a memory cell of a conductive bridging random access memory, memory circuit and CBRAM memory circuit

Номер патента: US7257013B2. Автор: Thomas Roehr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-14.

Memory circuit including a resistive memory element and method for operating such a memory circuit

Номер патента: US7599209B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Corvin Liaw,Milena Dimitrova,Michael Angerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-10-06.

INTEGRATED MEMORY CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A LOGICAL CIRCUIT COMPATIBLE STRUCTURE

Номер патента: DE69632271D1. Автор: Akira Yamazaki,Takashi Higuchi,Naoto Okumura,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Output circuit for multibit-outputting memory circuit.

Номер патента: EP0647944A3. Автор: Minari C O Nec Corporati Ikeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-23.

DETECTION CIRCUIT FOR AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT.

Номер патента: NL177362C. Автор: . Владелец: Nippon Telegraph & Telephone. Дата публикации: 1985-09-02.

A memory circuit, a system and method for self-repair of a memory circuit

Номер патента: TWI777867B. Автор: 金順芮,賴淑琳,郭裔平. Владелец: 新加坡商聯發科技（新加坡）私人有限公司. Дата публикации: 2022-09-11.

Circuits and methods for hardening volatile memory circuits through one time programming

Номер патента: US8611138B1. Автор: Charles Y. Chu,Jeffrey Xiaoqi Tung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Memory device including memory circuit and selection circuit

Номер патента: US10090023B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

An output circuit system of static random access memory circuit

Номер патента: EP0319223A2. Автор: Hiroaki Okuyama. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1989-06-07.

Memory circuit and method for operating memory circuit

Номер патента: CN101582292A. Автор: 陶昌雄,蓝丽娇,陆崇基,苏布拉马尼·肯基瑞. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Memory circuit and method for operating a memory circuit

Номер патента: DE102016123689A1. Автор: Christian Peters,Bernd Meyer,Steffen Sonnekalb,Gerd Dirscherl,Jan Otterstedt,Robin Boch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

First in first out type memory circuit for e.g. static RAM, has chain of stages, each with two NMOS transistors, and encoder circuit to encode information to be stored to prohibit storage of two consecutive ones in chain of stages

Номер патента: FR2884003A1. Автор: Rissetto Leonardo Valencia. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-10-06.

Semiconductor memory circuit having an improved restoring control circuit

Номер патента: EP0373672B1. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-01.

Memory circuit, display device having the memory circuit, and electronic apparatus

Номер патента: JP4373154B2. Автор: 潤小山,知昭熱海. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-25.

Redundancy Circuit for Memory Circuit

Номер патента: KR100368565B1. Автор: 로버트제이.프로엡스팅. Владелец: 로버트 제이. 프로우브스팅. Дата публикации: 2003-03-29.

Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit

Номер патента: US7386656B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: MetaRAM Inc. Дата публикации: 2008-06-10.

Memory circuit and method of operating a memory circuit

Номер патента: US10937469B2. Автор: Christian Peters,Bernd Meyer,Steffen Sonnekalb,Gerd Dirscherl,Jan Otterstedt,Robin Boch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-02.

Circuits and methods for characterizing device variation in electronic memory circuits

Номер патента: US7673195B2. Автор: Jae-Joon Kim,Saibal Mukhopadhyay,Ching-Te K. Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-volatile memory circuit, a method for driving the same, and a semiconductor device using the memory circuit

Номер патента: US6847543B2. Автор: Kiyoyuki Morita,Kenji Toyoda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-25.

Memory circuit enchancement to stablize the signal lines with additional capacitance

Номер патента: US4761571A. Автор: Robert L. Rabe,Keith W. Golke. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

A byte wide memory circuit having a column redundancy circuit

Номер патента: EP0150194A1. Автор: Steven J. Schumann,Elvan S. Young. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1985-08-07.

Memory circuit, method for operating a memory circuit, memory device and method for producing a memory device

Номер патента: US7522444B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Rainer Bruchhaus,Corvin Liaw. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-04-21.

Error compensation circuit for analog capacitor memory circuits

Номер патента: KR102544503B1. Автор: 이형민,강민일,엄민성. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-06-16.

Static memory circuit provided with improved bit line precharging circuit

Номер патента: EP0380091B1. Автор: Takayuki Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-29.

Address decoding circuit and method for addressing a regular memory area and a redundant memory area in a memory circuit

Номер патента: US6977862B2. Автор: Florian Schnabel,Jens Polney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-20.

Semiconductor integrated circuit device with memory circuit

Номер патента: US6466494B2. Автор: Chikayoshi Morishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Measurement of access time of electronic memory circuits - uses counters controlling differential amplifier and comparator circuit

Номер патента: FR2334243A1. Автор: Jean-Claude Duval,Francis Joseph Mottini,Serge Auguste Touron,Jean-Jacques Rennard,Ruchela Marie Duva. Владелец: Societe Industrielle Honeywell Bull. Дата публикации: 1977-07-01.

Semiconductor device comprising memory circuit and selection circuit

Номер патента: US10090031B2. Автор: Keita Sato,Takahiko Ishizu,Kazuma Furutani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Dynamic memory cell refreshing method for memory circuit, and memory circuit

Номер патента: CN1542840A. Автор: M,M·多勒. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-03.

Serial access memory circuit having serial addressing circuit

Номер патента: KR910009588B1. Автор: 구니히꼬 하마구찌,야스히데 오하라. Владелец: 세끼모또 다다히로. Дата публикации: 1991-11-21.

Circuit arrangement for the time delay of read data, semiconductor memory circuit and method

Номер патента: DE102005053294B4. Автор: Stefan Dietrich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-27.

Memory circuit and method of programming memory circuit

Номер патента: US9627060B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Yi-Chieh Chiu,Tassa Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Circuit for outputting information of a memory circuit during self-refresh mode and related method thereof

Номер патента: TWI643199B. Автор: 夏濬,張正男,陳和穎. Владелец: 鈺創科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-12-01.

Memory circuit having asynchronous row and column control and asynchronous row and column control method for the memory circuit

Номер патента: JPH0770218B2. Автор: トーマスフラナガン，ステフアン,アランリード，ポール. Владелец: モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド. Дата публикации: 1995-07-31.

Methods for manufacturing a stack of memory circuits and for addressing a memory circuit, corresponding stack and device

Номер патента: CN101971265B. Автор: P·格拉夫,M·蒂尔. Владелец: Gemplus Card International SA. Дата публикации: 2014-08-20.

Memory circuit testing device has failed addresses received from memory circuit interface stored in different memory cells dependent on their data rate

Номер патента: DE10226584C1. Автор: Peter Beer,Carsten Ohlhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-13.

A tunable reference circuit comprising magnetic tunnel junction elements for a semiconductor memory circuit

Номер патента: CN104272391A. Автор: X·李,T·金,J·P·金. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-07.

Semiconductor integrated circuit device capable of self-analyzing redundancy replacement adapting to capacities of plural memory circuits integrated therein

Номер патента: US6421286B1. Автор: Tsukasa Ooishi,Hideto Hidaka,Tomoya Kawagoe,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-16.

Manufacturing method for stacking memory circuits and for addressing a memory circuit, corresponding stacking and device

Номер патента: US20110002153A1. Автор: Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-01-06.

Control circuit for a distributed data bus in an integrated memory circuit

Номер патента: DE69513568D1. Автор: David Charles Mcclure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-05.

Static memory circuit provided with improved bit line precharging circuit

Номер патента: EP0380091A1. Автор: Takayuki Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-08-01.

Memory circuit and method for processing a code to be loaded into a memory circuit

Номер патента: US7184332B2. Автор: David Turgis. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-02-27.

Integrated memory circuit with redundancy circuit for replacing memory area with address by redundant memory area has deactivation memory element for enabling/inhibiting replacement of memory area

Номер патента: DE10318771A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-25.

Equalizer circuit for precharging bit line pair of dynamic random access memory circuit and method therefor

Номер патента: JPH1187642A. Автор: Heinz Hoenigschmid,ヘーニヒシュミットハインツ. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor memory circuit including a hold current controlling circuit

Номер патента: EP0024853A1. Автор: Hideaki Isogai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-03-11.

Scan path flip-flop circuit for an integrated memory circuit

Номер патента: DE60315922T2. Автор: Koji Nakahara-ku Kawasaki Kanba. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

High voltage generating circuit for a semiconductor memory circuit

Номер патента: KR100293449B1. Автор: 김용환. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-07-12.

Improvements in word line driver circuit in memory circuit

Номер патента: MY8200019A. Автор: Shunji Shimada,Tsuned Itoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-31.

Method of and device for driving ccd circulating filter circuit or analog memory circuit

Номер патента: JPS5549024A. Автор: Goozaa Kaaru. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-04-08.

Memory circuit and method of writing data on and reading out data from memory circuit

Номер патента: WO2009037770A1. Автор: Tomohiro Tanaka,Masao Ide. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2009-03-26.

Memory circuit and method of operating the memory circuit

Номер патента: CN103811050A. Автор: 沈武,李云汉,李宪信. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-21.

Memory circuit with automatic precharge function, and integrated circuit device with automatic internal command function

Номер патента: US7304907B2. Автор: Yasurou Matsuzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-04.

Memory device, memory circuit and semiconductor integrated circuit having variable resistance

Номер патента: KR20060109507A. Автор: 사쿠 무라오카,고이치 오사노,겐 다카하시,마사후미 시모타시로. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-10-20.

Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit

Номер патента: US20080025125A1. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Frederick Daniel Weber,Michael John Sabastian Smith. Владелец: MetaRAM Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Dynamic random access memory circuit , integrated circuit and method for reading and writing memory unit

Номер патента: CN101202104B. Автор: 许国原. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Circuits and methods for characterizing device variation in electronic memory circuits

Номер патента: US20090091346A1. Автор: Jae-Joon Kim,Saibal Mukhopadhyay,Ching-Te K. Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Memory circuit and voltage detection circuit including the same

Номер патента: US20110032776A1. Автор: Kotaro Watanabe,Teruo Suzuki,Tomohiro Oka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-10.

Crossbar switch type memory circuit, look-up table circuit, and program method

Номер патента: JPWO2016139926A1. Автор: 直彦杉林,竜介根橋,昇崎村,信宮村,幸秀辻,崎村　昇,杉林　直彦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: EP4258265A4. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Dynamic generation of ATPG mode signals for testing multipath memory circuit

Номер патента: US11879940B2. Автор: Wilson Pradeep,Prakash Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory circuit and voltage detection circuit including the same

Номер патента: TW201120891A. Автор: Kotaro Watanabe,Teruo Suzuki,Tomohiro Oka. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Bitline precharge circuit for semiconductor memory circuits

Номер патента: EP2351033B1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-09.

Test circuit for testing a synchronous memory circuit

Номер патента: TW587254B. Автор: Justus Kuhn,Wolfgang Ernst,Gunnar Krause,Jens Lüpke,Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-11.

Memory circuits with bistable circuits and nonvolatile components

Номер патента: TWI508063B. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Japan Science & Tech Agency. Дата публикации: 2015-11-11.

Apparatuses and methods for protecting transistor in a memory circuit

Номер патента: US11742281B2. Автор: Takashi Ishihara,Wataru Nobehara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

CIRCUIT FOR PRODUCING ADDRESS SIGNALS FOR A MEMORY CIRCUIT

Номер патента: FR2534728B1. Автор: Hideo Sato,Nobuaki Takahashi,Koji Tanaka,Yoshiaki Amano,Hiroyuki Sugiyama,Takeshi Shibamoto. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1988-03-18.

Fast write mechanism for emulated electrically erasable (EEE) system

Номер патента: US09792191B2. Автор: Ross S. Scouller,Melody B. Caron,Jeffrey C. Cunningham. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Electrically erasable writing surface

Номер патента: WO2003071584A2. Автор: Jukka Hautanen,Jari Kangas,Jukka Yrjänäinen. Владелец: NOKIA, INC.. Дата публикации: 2003-08-28.

Pixel Circuit, Memory Circuit, Display Panel and Driving Method

Номер патента: US20190088223A1. Автор: Yimin Chen,Xianjie SHAO,Xiujuan Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Sleep mode operation for volatile memory circuits

Номер патента: US20160132391A1. Автор: Steven Thoen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-05-12.

Sleep mode operation for volatile memory circuits

Номер патента: US09703632B2. Автор: Steven Thoen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-07-11.

Arbitration sub-queues for a memory circuit

Номер патента: US12079144B1. Автор: Sebastian Werner,Amir KLEEN,Jeonghee Shin,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Circuit with a plurality of processors connected to a plurality of memory circuits via a network

Номер патента: WO2009037614A2. Автор: Jan Willem Van Den Brand,Marco Jan Gerrit Bekooij. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-03-26.

Circuit with a plurality of processors connected to a plurality of memory circuits via a network

Номер патента: WO2009037614A3. Автор: Marco Jan Gerrit Bekooij,Den Brand Jan Willem Van. Владелец: Den Brand Jan Willem Van. Дата публикации: 2009-05-22.

Memory circuit, layout of memory circuit, and method of forming layout

Номер патента: US09887186B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Data-processing arrangement comprising a plurality of processing and memory circuits

Номер патента: WO2000077625A1. Автор: Marc Duranton,Bernard Bru. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-12-21.

Data-processing arrangement comprising a plurality of processing and memory circuits

Номер патента: EP1104560A1. Автор: Marc Duranton,Bernard Bru. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-06-06.

Branch penalty reduction using memory circuit

Номер патента: US20200364052A1. Автор: Vijay Chinchole,Daniel J. Linnen,Naman Rastogi,Sonam Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Computing-in-memory circuit

Номер патента: US11764801B2. Автор: Shiau-Wen Kao,Ying-Chung Chiu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-09-19.

Selective access memory circuit

Номер патента: US20110199805A1. Автор: Neal Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Simd memory circuit and methodology to support upsampling, downsampling and transposition

Номер патента: WO2013050494A1. Автор: Cornelis Van Berkel,David Van Kampen,Sven GOOSSENS,Wim KLOOSTERHUIS,Claudiu ZISSULESCU-IANCULESCU. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-04-11.

Managing Multiple Cache Memory Circuit Operations

Номер патента: US20230342296A1. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Managing multiple cache memory circuit operations

Номер патента: US11960400B2. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory circuit for programmable machines

Номер патента: CA1139006A. Автор: Ronald E. Schultz,Valdis Grants,Timothy E. Mcadams. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1983-01-04.

Circuits and methods for transmission of addressing information to display memory circuits over data lines for sequential access to display data

Номер патента: US20050168469A1. Автор: Sei-Jin Kim,Han-Gu Sohn,Woo-Seop Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Queue Circuit For Controlling Access To A Memory Circuit

Номер патента: US20230350605A1. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Mask revision recording circuit for a memory circuit

Номер патента: US20120167019A1. Автор: Shi-Huei Liu,Cheng-Nan CHANG,Yung-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Tuning of read/write cycle time delay for a memory circuit dependent on operational mode selection

Номер патента: US20240143239A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-02.

Read-only memory circuit

Номер патента: US11764202B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Transducer memory circuit

Номер патента: US4611304A. Автор: Randall B. Sprague,Charles D. Bateman,R. Bruce Butenko. Владелец: Sundstrand Data Control Inc. Дата публикации: 1986-09-09.

Read-only memory circuit

Номер патента: US20230378160A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Neuromorphic memory circuit

Номер патента: US20170364801A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Electrically erasable programmable read only memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20240260263A1. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Chao-Sheng Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Electrical erasable programmable read-only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130092995A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongou HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Electric eraser

Номер патента: US5105497A. Автор: Ekramul Haque. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-21.

Electrically erasable programmable read only memory cell and programming method thereof

Номер патента: US6903410B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Electrically erasable and reprogrammable, nonvolatile integrated storage device with in-system programming and verification (ispav) capabilities for supporting in-system reconfiguring of pld's

Номер патента: WO1999034515A1. Автор: Om P. Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-07-08.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060108633A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A4. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050001259A1. Автор: Young-Ho Kim,Ho-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Emulated electrically erasable (EEE) memory and method of operation

Номер патента: TW201202931A. Автор: Frank K Baker,Venkatagiri Chandrasekaran,Ross S Scouller. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-16.

Controller that receives a cyclic redundancy check (CRC) code from an electrically erasable programmable memory device

Номер патента: US09875151B2. Автор: Frederick A. Ware,Yuanlong Wang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-23.

High voltage failure recovery for emulated electrically erasable (EEE) memory system

Номер патента: US09563491B2. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre,Tim J. Coots. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for managing e.g. Flash electrically EPROM to form residual data storage during power failure, involves utilizing non volatile memory zones electrically erasable by sector and writable through page, where sector is larger than page

Номер патента: FR2965079A1. Автор: Vincent Huc,Thierry Bouchon. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2012-03-23.

Electrically erasable and programmable read only memory device comprising common source region and method of manufacturing same

Номер патента: US8097913B2. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-17.

Electrically erasable and programmable read only memory (eeprom) having multiple overlapping metallization layers

Номер патента: WO1998024127A1. Автор: Satyendranath Mukherjee. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-06-04.

FAST WRITE MECHANISM FOR EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE (EEE) SYSTEM

Номер патента: US20170052859A1. Автор: Scouller Ross S.,Cunningham Jeffrey C.,CARON MELODY B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

HIGH VOLTAGE FAILURE RECOVERY FOR EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE (EEE) MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160077906A1. Автор: Scouller Ross S.,Andre Daniel L.,Cunningham Jeffrey C.,COOTS TIM J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

High voltage failure recovery for emulated electrically erasable (eee) memory system

Номер патента: US20170109224A1. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre,Tim J. Coots. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

DYNAMIC COMPRESSION IN AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMBLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) EMULATION SYSTEM

Номер патента: US20190138228A1. Автор: Mu Fuchen,Shao Botang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

CONTROLLER THAT RECEIVES A CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) CODE FROM AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180210779A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Electrically erasable programmable memory device that generates error-detection information

Номер патента: US20150324250A1. Автор: Frederick A. Ware,Yuanlong Wang. Владелец: Rambus Delaware LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE THAT GENERATES A CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) CODE

Номер патента: US20150347223A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

SYSTEM AND MODULE COMPRISING AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY CHIP

Номер патента: US20150365108A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Fast write mechanism for emulated electrically erasable (EEE) system

Номер патента: US10296427B2. Автор: Ross S. Scouller,Melody B. Caron,Jeffrey C. Cunningham. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

There is address RAM simulation electrically -erasable memory to the data stored in a flash memory

Номер патента: CN103514953B. Автор: R·J·西兹代克,R·S·斯考勒,F·K·小巴克尔. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

High voltage failure recovery for emulated electrically erasable (EEE) memory system

Номер патента: US10216564B2. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre,Tim J. Coots. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Operating an emulated electrically erasable (eee) memory

Номер патента: WO2011041021A1. Автор: Ross S. Scouller,Daniel L. Andre,Stephen F. Mcginty. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

Electrically erasable writing surface

Номер патента: AU2003247447A1. Автор: Jukka Hautanen,Jari Kangas,Jukka Yrjänäinen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-09-09.

Electrically erasable writing surface

Номер патента: AU2003247447A8. Автор: Jukka Hautanen,Jari Kangas,Jukka Yrjänäinen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2003-09-09.

Emulated electrically erasable (eee) memory and method of operation

Номер патента: WO2011139452A2. Автор: Ross S. Scouller,Jr. Frank K. Baker,Venkatagiri Chandrasekaran. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-11-10.

CONTROLLER THAT RECEIVES A CYCLIC REDUNDANCY CHECK (CRC) CODE FROM AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170147421A1. Автор: Ware Frederick A.,Wang Yuanlong. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Controller that receives a cyclic redundancy check (crc) code from an electrically erasable programmable memory device

Номер патента: US20150349798A1. Автор: Frederick A. Ware,Yuanlong Wang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for recording power-on accumulated time of task machine by using EEPROM (electrically erasable programmable read-Only memory) under battery-free condition

Номер патента: CN111797031A. Автор: 廖晓明,李建华,彭云龙,曹珊,邹敏怀,胡逸,谢锦涛,游彬,刘昌健,李浔,胡朝纲,蓝武. Владелец: Jiangxi Hongdu Aviation Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Electrically erasable nonvolatile memory controlling method and system therefor

Номер патента: KR970010238B1. Автор: Hiromasa Yamamoto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-06-23.

Emulated electrically erasable memory parallel record management

Номер патента: US9110782B2. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-18.

Context driven memory circuits

Номер патента: US09858006B1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Pixel circuit with large and small OLED elements connected to a single driving transistor wherein the large OLED element is further controlled by a memory circuit within the pixel

Номер патента: US09711084B2. Автор: Naoki Uetake. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory circuit and control method for memory circuit

Номер патента: US20180337661A1. Автор: Tomohiro Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Test circuits and method for integrated circuit having memory and non-memory circuits by accumulating bits of a particular logic state

Номер патента: US5590134A. Автор: Chenwei J. Yin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Memory circuit, pixel circuit, and data accessing method thereof

Номер патента: TW201209799A. Автор: Ming-Dou Ker,Szu-Han Chen,Yu-Hsuan Li. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for manufacturing an integrated memory circuit and an integrated memory circuit

Номер патента: US20030072196A1. Автор: Stefan Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Memory controller for a high capacity memory circuit with large number of independently accessible memory banks

Номер патента: WO2024030785A2. Автор: Shay FUX,Sagie GOLDENBERG,Amotz Yagev,Shahar Sandor. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory controller for a high capacity memory circuit with large number of independently accessible memory banks

Номер патента: WO2024030785A3. Автор: Shay FUX,Sagie GOLDENBERG,Amotz Yagev,Shahar Sandor. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-14.

Circuit and method for improving noise tolerance in multi-threaded memory circuits

Номер патента: US20050024091A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-02-03.

Transient testing in electronic integrated circuits, uses variable delay circuit to provide clock signals for memory circuits which hold output from circuit under test

Номер патента: FR2814876A1. Автор: Burnell G West. Владелец: Schlumberger Technologies Inc. Дата публикации: 2002-04-05.

Memory controller for a high capacity memory circuit with large number of independently accessible memory banks

Номер патента: US20240045615A1. Автор: Shay FUX,Sagie GOLDENBERG,Amotz Yagev. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Shape memory circuit breakers

Номер патента: US09773627B2. Автор: Frederick B. Koehler,Ward D. Lyman,William D. Werries. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-26.

Nuclear reactor fuel assembly with floating grids

Номер патента: FR2670317A1. Автор: Canat Jean Noel. Владелец: Compagnie Generale des Matieres Nucleaires SA. Дата публикации: 1992-06-12.

Integrated circuit, memory circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: CN111723409A. Автор: 黄世昌,洪俊雄,张坤龙,陈耕晖,张钦鸿,范振嘉. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

FUEL ASSEMBLY OF NUCLEAR REACTOR WITH FLOATING GRIDS.

Номер патента: FR2670317B1. Автор: Jean Noel Canat. Владелец: Framatome SA. Дата публикации: 1993-12-31.

Memory controller for a high capacity memory circuit using virtual bank addressing

Номер патента: US20240045594A1. Автор: Shay FUX,Sagie GOLDENBERG,Shahar Sandor. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

VIRTUAL IMAGE MEMORY CIRCUIT FOR MULTIFENETRAGE

Номер патента: FR2582132A1. Автор: . Владелец: O DONNELL CIARAN. Дата публикации: 1986-11-21.

Integrated circuit device including a circuit to generate error correction code for correcting error bit for each of memory circuits

Номер патента: US7984363B2. Автор: Keiichi Kushida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Highly scaled etsoi floating body memory and memory circuit

Номер патента: US20120313143A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory circuit

Номер патента: US3828205A. Автор: J Konopka. Владелец: Thomas International Corp. Дата публикации: 1974-08-06.

Modular package architecture for voltage regulator-compute-memory circuits with quasi-monolithic chip layers

Номер патента: US20240063183A1. Автор: Kaladhar Radhakrishnan,Kimin Jun,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Shawna M. LIFF,Omkar G. Karhade,Julien Sebot,Anne AUGUSTINE,Beomseok CHOI,Krishna Vasanth VALAVALA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Mask revision recording circuit for a memory circuit

Номер патента: US20120167019A1. Автор: Shi-Huei Liu,Cheng-Nan CHANG,Yung-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Pixel Circuit, Memory Circuit, Display Panel and Driving Method

Номер патента: US20190088223A1. Автор: Chen Yimin,SHAO Xianjie,WANG Xiujuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Performing Processing Operations for Memory Circuits using a Hierarchical Arrangement of Processing Circuits

Номер патента: US20150106574A1. Автор: Nuwan S. Jayasena,Anton Chernoff. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

MEMORY CIRCUIT, LAYOUT OF MEMORY CIRCUIT, AND METHOD OF FORMING LAYOUT

Номер патента: US20160225753A1. Автор: HSU Kuoyuan (Peter),CHANG Jacklyn. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

MEMORY CIRCUIT, INFORMATION PROCESSING CIRCUIT, AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20210279005A1. Автор: Kaneko Akiyuki,WANG Zheye. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

MEMORY CIRCUIT FOR AHO-CORASICK TYPE RECOGNITION AUTOMATA AND METHOD FOR MEMORIZING DATA IN SUCH A CIRCUIT

Номер патента: FR2891075B1. Автор: David Furodet,Nicolas Albarel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-04-04.

Hybrid integrated electronic circuit function tester - uses large number of registers with first inputs connected to operation memory circuit

Номер патента: FR2400209A1. Автор: . Владелец: GRACHEV OLEG. Дата публикации: 1979-03-09.

Software breakpoint inserting system for e.g. flash memory, has debugging program that allows to position software breakpoint in non-volatile memory circuit, and management unit that manages breakpoints positioned in circuit

Номер патента: FR2880963A1. Автор: Stephane Gravoille,Olivier Debicki,Jerome Alingry. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-07-21.

Consumption level sensitive electronic control relay - has binary and memory circuits controlling load circuit switching

Номер патента: FR2278184A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-02-06.

METHOD FOR ALLOCATION APPLICATION AND MEMORY DESALLOCATION FOR MEMORY CIRCUIT FOR PUSHING DATA AND ASSOCIATED MEMORY CIRCUIT

Номер патента: FR2838537B1. Автор: Paul Gresham. Владелец: MITEL NETWORKS CORP. Дата публикации: 2007-02-09.

Memory circuit for Aho-corasick type character recognition automaton and method of storing data in such a circuit

Номер патента: US8849841B2. Автор: David Furodet,Nicolas Albarel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2014-09-30.

Method of storing data in a memory circuit for aho-corasick type character recognition automaton and corresponding storage circuit

Номер патента: US20070104375A1. Автор: David Furodet,Nicolas Albarel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-05-10.

Memory circuit and memory circuit access method, memory management system and memory management method

Номер патента: KR101061483B1. Автор: 박영우,박규호. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2011-09-02.

Methods for protecting data on an integrated circuit including a memory and related memory circuit

Номер патента: CN104916306A. Автор: 洪俊雄,张坤龙,陈耕晖,罗思觉. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Memory circuit for aho-corasick type character recognition automaton and method of storing data in such a circuit

Номер патента: US20070075878A1. Автор: David Furodet,Nicolas Albarel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-04-05.

Current reference device providing stable timing for integrated memory circuit

Номер патента: FR2744262A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-08-01.

METHOD OF APPLYING MEMORY ALLOCATION AND DEALOCATION FOR A MEMORY CIRCUIT FOR BUFFERING DATA AND RELATED MEMORY CIRCUIT

Номер патента: FR2838537A1. Автор: Paul Gresham. Владелец: MITEL NETWORKS CORP. Дата публикации: 2003-10-17.

Rapid signal transmission system between digital circuits, e.g. between CPU and memory arrangement, e.g. integrated memory circuit

Номер патента: DE4426841A1. Автор: Akira Yamagiwa,Toshitsugu Takekuma,Ryoichi Kurihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-06-29.

Data protection method on integrated circuit of memory and relevant memory circuit

Номер патента: CN104916328A. Автор: 洪俊雄,张坤龙,陈耕晖,罗思觉. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Mask revision recording circuit for a memory circuit

Номер патента: TW201227374A. Автор: Shi-Huei Liu,Cheng-Nan CHANG,Yung-Hsing Chen. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Configurable compute-in-memory circuit and method

Номер патента: US20240053899A1. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Xiaoyu Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Resistive memory circuit for liquid state machine with temporal classifcation

Номер патента: US20240037380A1. Автор: Alex Henderson,Chris Yakopcic,Tarek M. Taha. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory circuit, display circuit, and display device

Номер патента: TW200405084A. Автор: Masakiyo Matsumura,Takahiro Korenari. Владелец: Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of making a semiconductor memory circuit device

Номер патента: US5389558A. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Kozo Watanabe,Masaki Nagao,Hiroyuki Miyazawa,Kazuya Endo,Hiroyuki Uchiyama,Naokatsu Suwanai,Atushi Ogishima,Kyoichiro Asayama,Takashi Yoneoka,Hiroki Soeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-14.

Elastic store memory circuit

Номер патента: US5444658A. Автор: Yasuhiro Aso,Yoshihiro Uchida,Naoyuki Izawa,Satoshi Kakuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-22.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11787173B2. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-17.

Electrically erasable programmable non-volatile memory cell structure

Номер патента: US09892928B2. Автор: Wen-Hao Lee,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Electrically erasable and programmable nonvolatile storage cell

Номер патента: RU2168242C2. Автор: Темпель Георг,Виннерл Йозеф. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-05-27.

Method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby

Номер патента: US20020019098A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Electrically erasable non-volatile semi-conductor emory¹elements

Номер патента: IE820706L. Автор: . Владелец: Fujitsultd. Дата публикации: 1982-09-25.

A method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby

Номер патента: TW414928B. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2000-12-11.

Floating grid arrangement to support and position decorative elements

Номер патента: US12060197B2. Автор: Anne-Marie Ansaldo-Swain,Curtis Swain,Philip John Blyskal,James Matthew Wittes. Владелец: Amcs Consulting LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Electrically erasable programmable electronic circuits

Номер патента: CA1212428A. Автор: James M. Cartwright, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Electrically erasable programmable read only memory (eeprom) cell and method for making the same

Номер патента: TWI311799B. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Flash electrically erasable programmable read only memory cell and process thereof

Номер патента: TW293948B. Автор: Jin Ahn Byung. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-12-21.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell and method for making the same

Номер патента: TW200644177A. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-16.

Electrical steering system for vehicle, has initial value fixation unit driving electrically erasable programmable ROM to store state of electronic control unit when an ignition switch is changed from ON to OFF state

Номер патента: FR2879551A1. Автор: Chiaki Fujimoto,Kazushi Kimura,Isamu Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-06-23.

Floating grid arrangement to support and position decorative elements

Номер патента: US20170057696A1. Автор: Anne-Marie Ansaldo-Swain,Curtis Swain,Philip John Blyskal,James Matthew Wittes. Владелец: Amcs Consulting LLC. Дата публикации: 2017-03-02.

SINGLE POLY ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (SINGLE POLY EEPROM) DEVICE

Номер патента: US20130234229A1. Автор: Huang Chih-Jen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-09-12.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20220005936A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

Method of fabricating electrically erasable programmable non-volatile memory cell structure

Номер патента: US20180061647A1. Автор: Wen-Hao Lee,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20200066874A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) DEVICES

Номер патента: US20200066875A1. Автор: Ning Tak H.,Reznicek Alexander,Yau Jeng-Bang,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

SINGLE POLY ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM)

Номер патента: US20180114793A1. Автор: CHEN Tzu-Ping,Lee Chih-Haw. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Stacked vertical transport field effect transistor electrically erasable programmable read only memory (eeprom) devices

Номер патента: US20190355830A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing electrically erasable & programmable read only memory

Номер патента: KR970011161B1. Автор: 구정석. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-07-07.

Semiconductor device for electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) with only one layer of gate material, and corresponding memory array

Номер патента: FR2838554A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray,Philippe Gendrier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-17.

ELECTRICALLY ERASABLE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A DEVICE

Номер патента: FR2726935B1. Автор: Joel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1996-12-13.

Semiconductor device for electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) with only one layer of gate material

Номер патента: FR2838563A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray,Philippe Gendrier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-10-17.

Electrically erasable programmable read only memory cell structure for smart card, has memory transistor with gate having dielectric layer defining adjacent channel region with thickness greater than tunnel region thickness

Номер патента: FR2855325A1. Автор: Seung Beom Yoon,Jeong Uk Han,Sung Taeg Kang,Sung Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-26.

Memory unit of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102088000B. Автор: 杨震,詹奕鹏,黄声河. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

High coupling ratio dense electrically erasable programmable read-only memory

Номер патента: EP0133667A3. Автор: Ron Maltiel. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1987-08-26.

Method of fabricating an electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) with improved quality for the tunneling oxide layer therein

Номер патента: TW432536B. Автор: Ying-Jen Lin,Tzung-Shi Ke,Yun-Ding Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Electrically erasable and programmable non-volatile storage location

Номер патента: EP0839390B1. Автор: Georg Tempel,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-04-28.

Electric erasing machine

Номер патента: US2123339A. Автор: Louis J Misuraca. Владелец: Individual. Дата публикации: 1938-07-12.

Electrically erasable programmable non-volatile memory

Номер патента: US8546222B1. Автор: Allan T. Mitchell,Weidong Tian,Shanjen Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Process of forming an electrically erasable programmable read only memory with an oxide layer exposed to hydrogen and nitrogen

Номер патента: US7087182B2. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-08.

Electrically erasable non-volatile memory device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP0712163A1. Автор: Joel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1996-05-15.

Method for Forming Gate of Electrically Erasable Programmable Read Only Memory Cell

Номер патента: KR100994396B1. Автор: 김윤장. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-11-15.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060079045A1. Автор: Sung-Ho Kim,Chang-hun Lee,Jae-Hwang Kim,Seung-Beom Yoon,Kwang-Wook Koh,Sung-Chul Park,Ju-Ri Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Electrically erasable programmable read-only memory (eeprom) device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080315289A1. Автор: Sung-Ho Kim,Jae Hwang Kim,Chang-hun Lee,Seung-Beom Yoon,Kwang-Wook Koh,Sung-Chul Park,Ju-Ri Kim. Владелец: Ju-Ri Kim. Дата публикации: 2008-12-25.

Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory(EEPROM) apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: KR101277147B1. Автор: 강진영. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory unit of electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102088000A. Автор: 杨震,詹奕鹏,黄声河. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-06-08.

Electrically erasable and programmable read only memory cell manufacturing method and layout thereof

Номер патента: KR930009074A. Автор: 창 고민,케이. 쿠오 클린턴 씨,창 밍빙. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1993-05-22.

Electrically-erasable non-volatile semiconductor memory elements

Номер патента: IE53455B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-11-23.

Electric eraser

Номер патента: WO2016095146A1. Автор: 龚金凤. Владелец: 龚金凤. Дата публикации: 2016-06-23.

Electrically erasable and programmable read only memories and methods of fabricating the same

Номер патента: CN1979814A. Автор: 金龙泰,金炅焕,金荣浩,朴志薰,朴元虎. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-13.

Information storage device e.g. electrically erasable programmable ROM, for storing information over status of fuel injector of internal combustion engine i.e. diesel engine, has information storing section viewing characteristic value

Номер патента: DE102011055774A1. Автор: Yuudai Nakai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

An Electric Eraser of Induction Type

Номер патента: KR200351069Y1. Автор: 강상훈. Владелец: 강상훈. Дата публикации: 2004-05-17.

Floating grid arrangement to support and position decorative elements

Номер патента: US20230365303A1. Автор: Anne-Marie Ansaldo-Swain,Curtis Swain,Philip John Blyskal,James Matthew Wittes. Владелец: Amcs Consulting LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060054966A1. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Electric erasers

Номер патента: US3254629A. Автор: Frank W Dicorte. Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-06-07.

Floating grid arrangement to support and position decorative elements

Номер патента: US20200055634A1. Автор: Anne-Marie Ansaldo-Swain,Curtis Swain,Philip John Blyskal,James Matthew Wittes. Владелец: Amcs Consulting LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM) having multiple overlapping metallization layers

Номер патента: TW441040B. Автор: Satyendranath Mukherjee. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 2001-06-16.

ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130256773A1. Автор: Mitchell Allan T.,Pan Shanjen,Tian Weidong. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-03.

A semiconductor memory device capable of electrically erasing/writing information and manufactureing method of the same

Номер патента: KR0126235B1. Автор: 마사히로 시미주,마사요시 시라하따,다까시 꾸로이,다께히사 야마구찌. Владелец: 기아오까 다까시. Дата публикации: 1997-12-29.

Floating gate electricity erasable read-only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103633118A. Автор: 谭颖,陈广龙,张可钢. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-12.

Electrically erasable read-only memory and manufacture thereof

Номер патента: JPS5854668A. Автор: Toshikazu Furuya,古屋　敏和. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-03-31.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7408221B2. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) device and methods of fabricating the same

Номер патента: US7432159B2. Автор: Sung-Ho Kim,Chang-hun Lee,Jae-Hwang Kim,Seung-Beom Yoon,Kwang-Wook Koh,Sung-Chul Park,Ju-Ri Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-07.

Electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) cell

Номер патента: US7633115B2. Автор: Yigong Wang. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2009-12-15.

Electrically erasable programmable rom memory cell array and a method of producing the same

Номер патента: EP0838092A1. Автор: Wolfgang Krautschneider. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-04-29.

Fabrication method for an electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US6306708B1. Автор: Nai-Chen Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-23.

Method for producing electrically erasable and programmable read-only memory cells with a single polysilicon level

Номер патента: EP0545074A2. Автор: Carlo Riva,Paolo Ghezzi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1993-06-09.

Fabricating method of electrically erasable and programmable read only memory device

Номер патента: KR100512464B1. Автор: 김동욱,한창훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-07.

Stacked vertical transport field effect transistor electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) devices

Номер патента: US11575028B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

System and method for providing low cost high endurance low voltage electrically erasable programmable read only memory

Номер патента: US20100259996A1. Автор: Jiankang Bu,David Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor Device Having electrically erasable programmable read-only memory(EEPROM) And Mask-ROM And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100481856B1. Автор: 박원호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-11.

Semiconductor device having electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) and Mask-ROM and method of fabricating the same

Номер патента: US20040033664A1. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-19.

A kind of electric eraser

Номер патента: CN106218281A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-14.

Electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) devices including multilayer sense and select transistor gates

Номер патента: US20030089944A1. Автор: Min-Soo Cho,Weon-Ho Park,Chil-Hee Chung,Jeung-Wook Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-15.

TRANSISTOR MOS WITH FLOATING GRID, WITH DOUBLE CONTROL GRID

Номер патента: FR2871940A1. Автор: Arnaud Regnier,Jean Michel Mirabel,Rachid Bouchakour,Romain Laffont,Pascal Masson. Владелец: Universite de Provence Aix Marseille I. Дата публикации: 2005-12-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY NETWORK WITH FLOATING GRID NON-CONTACT GRID CELLS

Номер патента: FR2661555A1. Автор: Wada Glen N Glen,Murray L Trudel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1991-10-31.

METHOD FOR SELF-ALIGNMENT OF FLOATING GRIDS OF FLOATING GRID TRANSISTORS OF A NON-VOLATILE MEMORY AND MEMORY OBTAINED ACCORDING TO THIS METHOD

Номер патента: FR2620847A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: Thomson Semiconducteurs SA. Дата публикации: 1989-03-24.

PERMANENT MEMORY CELL OF THE "MERGED" TYPE WITH FLOATING GRID SUPERIMPOSED ON THE CONTROL AND SELECTION GRID

Номер патента: FR2572211B1. Автор: Andrea Ravaglia. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1991-09-13.

ELECTROLY DELETE MEMORY POINT AND REPROGRAMMABLE, HAVING A FLOATING GRID ABOVE A CONTROL GRID

Номер патента: FR2562707A1. Автор: Bernard Guillaumot,Michel Laurens. Владелец: EFCIS. Дата публикации: 1985-10-11.

Pilot control circuit for data transmission system - has FET control circuit with relay contact in memory circuit

Номер патента: NL7613878A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1977-03-31.

Floating grid gates

Номер патента: US3072852A. Автор: Thomas A Coffee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1963-01-08.

Floating grid and crown-shaping poly for improving ILD CMP dishing

Номер патента: US09853149B1. Автор: Kong-Beng Thei,Chao-Hsuing Chen,Fu-Jier Fan,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Transistor memory circuit

Номер патента: GB1057702A. Автор: . Владелец: ZD Y PRUMYSLOVE AUTOMATISACE N. Дата публикации: 1967-02-08.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Digit absorbing selector memory circuit and trunk splitting circuit

Номер патента: US3495043A. Автор: Dereck Leyburn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1970-02-10.

Printed circuit board with single rank memory configuration using partially aligned memory circuits

Номер патента: US20240006387A1. Автор: Ajith Sreenilayam. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

FLOATING GRID ARRANGEMENT TO SUPPORT AND POSITION DECORATIVE ELEMENTS

Номер патента: US20220033144A1. Автор: Ansaldo-Swain Anne-Marie,Swain Curtis,Blyskal Philip John,Wittes James Matthew. Владелец: AMCS Consulting, LLC. Дата публикации: 2022-02-03.

Floating grid arrangement to support and position decorative elements

FLOATING GRID ARRANGEMENT TO SUPPORT AND POSITION DECORATIVE ELEMENTS

Номер патента: US20200055634A1. Автор: Ansaldo-Swain Anne-Marie,Swain Curtis,Blyskal Philip John,Wittes James Matthew. Владелец: AMCS Consulting, LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

METHOD AND SYSTEM FOR FLOATING GRID TRANSCEIVER

Номер патента: US20150071639A1. Автор: Stone Robert J.,Zyskind John. Владелец: SKORPIOS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

Reinforced AlGaN/GaN MISHEMT element structure based on dipole layer floating grid structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104037220A. Автор: 冯倩,董良,代波,杜锴,马晓华,郑雪峰,郝跃,张春福. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-09-10.

Voltage-limiting circuit for use at the output of an over-voltage circuit such as charge pump used for obtaining voltage higher than the supply voltage, in particular for memory circuits

Номер патента: FR2847717A1. Автор: Jean Devin. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-05-28.

Multi-floating grid cathode structure, electron gun, electron accelerator and irradiation device

Номер патента: CN111326378B. Автор: 畅祥云. Владелец: Shaanxi Liyou Baihui Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-07-30.

Floating grids for fluorescent lamps

Номер патента: US2725497A. Автор: Julien J Mason. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1955-11-29.

Method for preventing floating grid from changing

Номер патента: CN106057739B. Автор: 吴常明,刘世昌. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-12.

Multi-floating grid cathode structure, electron gun, electron accelerator and irradiation device

Номер патента: CN111326378A. Автор: 畅祥云. Владелец: Shaanxi Liyou Baihui Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2020-06-23.

Floating grid drive circuit and improve circuit and the method for noise resisting ability

Номер патента: CN103248323B. Автор: 曾培凯,唐健夫,陈曜洲. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-06-08.

METHOD FOR PRODUCING A FLOATING GRID HAVING ALTERNANCE OF LINES IN FIRST AND SECOND MATERIALS

Номер патента: FR2927467B1. Автор: Thierry Baron,Karim Aissou,Gabriel Molas. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2011-09-23.

MEMORY CIRCUIT AND CONTROL METHOD FOR MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20180337661A1. Автор: Tanaka Tomohiro. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2018-11-22.

Circuit driver on soi for merged logic and memory circuits

Номер патента: KR100368346B1. Автор: 래티모어조오지맥닐,미칸도날드조오지2세,파텔빈타미네쉬,영구스와이-얀. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2003-01-24.

Memory circuit, semiconductor device, and control method of memory circuit

Номер патента: JP4191219B2. Автор: 一彦梶谷. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Electronically controlled switch with power amp - memory circuit between detector circuit and power amplifier

Номер патента: FR2224942A1. Автор: . Владелец: Legrand SA. Дата публикации: 1974-10-31.

Line current inversion detection circuit - incorporates memory circuit and is employed in private telephone exchanges

Номер патента: FR2344193A1. Автор: Jean-Jacques Souletie,Francois Sfreddo. Владелец: Constr Telephoniques. Дата публикации: 1977-10-07.

Higher voltage switch for level-translation for use in memory circuits, has first circuit branch with transistor and resistance, and second parallel branch with two transistors.

Номер патента: FR2803456A1. Автор: Richard Fournel,Laura Varisco. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-07-06.

Integrated memory circuit and method of forming an integrated memory circuit

Номер патента: US20030230783A1. Автор: Herbert Palm,Josef Willer. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2003-12-18.

Timed connection network for telephone circuit - has two=way conversation selection elements which include timed switches and memory circuits

Номер патента: ES479777A1. Автор: . Владелец: Le Materiel Telephonique Thomson CSF. Дата публикации: 1979-07-16.

Memory circuit, semiconductor device, and control method of memory circuit

Номер патента: JP2008112508A. Автор: 一彦梶谷,Kazuhiko Kajitani. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor memory circuit device, semiconductor integrated circuit device, and dynamic semiconductor memory device

Номер патента: JP2006164513A. Автор: Yoshinobu Nakagome,儀延中込,裕一奥田,Masaru Kokubo,優小久保,広基宮下,秀治矢幡,Hideji Yahata,Yuichi Okuda,Hiromoto Miyashita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Clock controlled circulating memory circuit - has number of stores and associated devices reduced by use of analyser in timing circuit

Номер патента: DE1810602B2. Автор: Ekkehard Vom Dr.-Ing. 6242 Schoenberg Berge. Владелец: Telefonbau und Normalzeit GmbH. Дата публикации: 1978-11-16.

Survive path memory circuit and Viterbi decoder with the circuit

Номер патента: TW530464B. Автор: Hong-Ching Chen,Wen-Zen Shen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Multiple state memory circuit

Номер патента: US3736570A. Автор: M Hendrickson. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1973-05-29.

Digital energy level measuring circuit for signal transmission system - has transcoding, squaring and memory circuits, esp. for echo canceller

Номер патента: FR2526612A1. Автор: Jean-Francois Garin,Philippe Patte,Claude Jeannot. Владелец: Le Materiel Telephonique Thomson CSF. Дата публикации: 1983-11-10.

Semiconductor memory circuit, e.g. DRAM, has substrate contacts of active components arranged edge defining adjoining wells, with circuit structures not mirror symmetrical about center line of chip

Номер патента: DE10300687A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-22.

Synchronization circuit using N-bit counters in a memory circuit

Номер патента: EP0390452B1. Автор: David Charles Mcclure,Mark Alan Lysinger. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1997-03-05.

Memory circuit for a steering circuit

Номер патента: DE4301012C2. Автор: Erhard Dr Bergmann,Gerhard Vos,Arnim Soden. Владелец: Hydraulik Nord GmbH. Дата публикации: 1997-04-17.

Memory circuit, dynamic and static ram circuit module

Номер патента: CN1722441A. Автор: 廖忠志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

High density architecture design for 3d logic and 3d memory circuits

Номер патента: US20210265333A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Multiple planes of transistors with different transistor architectures to enhance 3D logic and memory circuits

Номер патента: US11777015B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

High density architecture design for 3D logic and 3D memory circuits

Номер патента: US11764200B2. Автор: H. Jim Fulford,Mark Gardner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for operating low-current electrically erasable programmable read only memory array using a special bias voltage setting to provide the functions of byte writing and erasing

Номер патента: TW202009938A. Автор: 林信章,鍾承諭,黃文謙. Владелец: 億而得微電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-01.

Method, device and chip for data erasing and writing control on electrically erasable and programmable read-only memory, and data writing method and consumable container for such memory

Номер патента: CN102509557A. Автор: 秦正南. Владелец: Print Rite Technology Development Co Ltd of Zhuhai. Дата публикации: 2012-06-20.

EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory) structure, storage array and programming, erasing and reading method thereof

Номер патента: CN103811064A. Автор: 胡剑,杨光军. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Structure and manufacturing method of electrically erasable and programmable read only memory

Номер патента: TW498545B. Автор: Jr-Ren Huang,Jia-Huei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-11.

Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping

Номер патента: IL157289A0. Автор: . Владелец: Univ Ramot. Дата публикации: 2004-02-19.

Electrically erasable programmable read-only memory array featuring low-voltage operation

Номер патента: TW201205582A. Автор: xin-zhang Lin,ming-cang Yang,ya-ting Fan,Yang-Sen Ye,jia-hao Dai. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Pocket electric eraser

Номер патента: USD286548S. Автор: James C. Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-11-04.

Electrically erasable programmable logic device and its operation method

Номер патента: TW573357B. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Ya-Chin King,Kung-Hong Lee. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Electrically erasable programmable logic device and its operation method

Номер патента: TW200410400A. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Kung-Hong Lee,ya-qin Jin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: TW200629572A. Автор: Shr-Yun Lin,Jiun-Hung Lu,Ming-Zhou He. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Electrically erasable programmable logic device

Номер патента: TW563247B. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ching-Sung Yang,Yuan-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-11-21.

Portable electric eraser

Номер патента: TWM335405U. Автор: Feng-Chyi Duh. Владелец: Feng-Chyi Duh. Дата публикации: 2008-07-01.

Electric eraser

Номер патента: GB9214943D0. Автор: . Владелец: KELLY CHRISTOPHER N. Дата публикации: 1992-08-26.

An electrically erasable and programmable nonvolatile memory device and array and method for operating thereof

Номер патента: TW200731511A. Автор: Wang Chih-Hsin. Владелец: Wang Chih-Hsin. Дата публикации: 2007-08-16.

Small size electrically erasable programmable read only memory array

Номер патента: TW201205787A. Автор: xin-zhang Lin,ming-cang Yang,ya-ting Fan,Yang-Sen Ye,jia-hao Dai. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

AREA SAVING ELECTRICALLY-ERASABLE-PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) ARRAY

Номер патента: US20120051147A1. Автор: LIN HSIN-CHANG,TAI CHIA-HAO,YEN YANG-SEN,YANG MING-TSANG,FAN YA-TING. Владелец: YIELD MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-03-01.

AREA-EFFICIENT ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY CELL

Номер патента: US20120074479A1. Автор: Wu Xiaoju,Mitros Jozef Czeslaw. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-03-29.

EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY HAVING SECTOR MANAGEMENT

Номер патента: US20130268717A1. Автор: Baker,JR. Frank K.,Scouller Ross S.,Andre Daniel L.,Cunningham Jeffrey C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

COMPLEMENTARY ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY

Номер патента: US20130279266A1. Автор: WANG Lee. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

EMULATED ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY PARALLEL RECORD MANAGEMENT

Номер патента: US20130290603A1. Автор: Scouller Ross S.,Andre Daniel L.,Cunningham Jeffrey C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Error detection system for read only memory electrically erasable

Номер патента: JPS5661096A. Автор: Keizo Tejima,Junichi Hiramatsu. Владелец: Fuji Facom Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Anti-lost circuit structure for EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) data

Номер патента: CN202150274U. Автор: 李红. Владелец: CPT Video Wujiang Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Method and device for sintering firmware connected with E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) on CPLD (Complex Programable Logic Device)

Номер патента: CN101788946B. Автор: 刘晓博,蒋诚,张栗榕. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

Method for mfg. electric erasable PROM unit

Номер патента: CN1591835A. Автор: 吴佳特,詹奕鹏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2005-03-09.

Charge pump circuit of EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) used for passive UHF RFID (Ultra High Frequency Radio Frequency Identification Device) chip

Номер патента: CN102780394A. Автор: 李小明,庄奕琪,任小娇,杜永乾. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-11-14.

ESD (Electro-Static Discharge) resisting device structure of radiation-resistant EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) chip on thin epitaxial wafer

Номер патента: CN102315249A. Автор: 田海燕,李博,王晓玲,赵力,孙佩,封晴. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2012-01-11.

Номер патента: RU2287865C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Александр Леонидович Асеев,Камиль Ахметович Насыров,Дарь Владимировна Гриценко,Дарья Владимировна Гриценко,Виктор Григорьевич Лифшиц. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2006-11-20.

Номер патента: HU207396B. Автор: Imre Bartos,Ferenc Takacs,Istvan Szekely,Laszlo Beke,Bela Dekany,Daniel Keri,Laszlo Mikos,Andras Szarka,Arpad Szenczi,Gyoergy Toman,Peter Vener,Attila Fueloepy. Владелец: Mikroelektronik Vallalat. Дата публикации: 1993-03-29.

Digit absorbing selector memory circuit and trunk splitting circuit

Номер патента: CA787511A. Автор: Leyburn Dereck. Владелец: Bell Telephone Company of Canada. Дата публикации: 1968-06-11.

Circuit arrangement for automatic testing nibble operaion of the high-capacity dynamic memory circuits

Номер патента: HU205463B. Автор: Imre Bartos,Ferenc Takacs,Istvan Szekely,Csaba Olah,Laszlo Beke,Bela Dekany,Daniel Keri,Andras Szarka,Arpad Szenczi,Gyoergy Toman,Peter Vener,Attila Szephegyi,Xuan Tho Dihn. Владелец: Mikroelektronik Vallalat. Дата публикации: 1992-04-28.

Method of erasing floating gate memory by means of skipping

Номер патента: TW357440B. Автор: Jian-Xing Li,Juang-Ge Ye,Guo-Ruei Peng,Ming-Zhou He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-01.

Circuit arrangement for realizing two-dimensional refreshment during the test of the high capacity dynamic memory circuits

Номер патента: HU205462B. Автор: Imre Bartos,Ferenc Takacs,Istvan Szekely,Csaba Olah,Laszlo Beke,Bela Dekany,Daniel Keri,Andras Szarka,Arpad Szenczi,Gyoergy Toman,Peter Vener,Attila Szephegyi,Xuan Tho Dihn. Владелец: Mikroelektronik Vallalat. Дата публикации: 1992-04-28.

Circuit arrangement for automatic testing nibble operation of the high-capacity dynamic memory circuits

Номер патента: HUT56636A. Автор: Imre Bartos,Ferenc Takacs,Istvan Szekely,Csaba Olah,Laszlo Beke,Bela Dekany,Daniel Keri,Andras Szarka,Arpad Szenczi,Gyoergy Toman,Peter Vener,Attila Szephegyi,Xuan Tho Dhin. Владелец: Mikroelektronik Vallalat. Дата публикации: 1991-09-30.

Circuit arrangement for implementing two-dimension refreshment in course of testing high-capacity dynamic memory circuits

Номер патента: HUT56634A. Автор: Imre Bartos,Ferenc Takacs,Istvan Szekely,Csaba Olah,Laszlo Beke,Bela Dekany,Daniel Keri,Andras Szarka,Arpad Szenczi,Gyoergy Toman,Peter Vener,Attila Szephegyi,Xuan Tho Dhin. Владелец: Mikroelektronik Vallalat. Дата публикации: 1991-09-30.

Circuit arrangement for automatic testing operation in pages of the high-capacity memory circuits

Номер патента: HUT56637A. Автор: Imre Bartos,Ferenc Takacs,Istvan Szekely,Csaba Olah,Laszlo Beke,Bela Dekany,Daniel Keri,Andras Szarka,Arpad Szenczi,Gyoergy Toman,Peter Vener,Attila Szephegyi,Xuan Tho Dhin. Владелец: Mikroelektronik Vallalat. Дата публикации: 1991-09-30.

Connection of nibble mode circuit for ram-type dynamic memory circuits testing

Номер патента: CS688489A2. Автор: Petr Ing Cs Hladik. Владелец: Hladik Petr Ing. Дата публикации: 1991-06-11.

MEMORY CIRCUIT USING SPIN MOSFETS, PATH TRANSISTOR CIRCUIT WITH MEMORY FUNCTION, SWITCHING BOX CIRCUIT, SWITCHING BLOCK CIRCUIT, AND FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY

Номер патента: US20120250399A1. Автор: Saito Yoshiaki,TANAMOTO Tetsufumi,FUJITA Shinobu,Oda Masato,Marukame Takao,Inokuchi Tomoaki,Sugiyama Hideyuki,Ishikawa Mizue. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-04.

METHOD OF SHARING IN USE AN IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT OF A MEMORY CIRCUIT TO PERFORM AN INITIAL CALIBRATION AND A FULL TIME REFRESH MODE CALIBRATION, AND MEMORY CIRCUIT WITH AN IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT CAPABLE OF BEING USED IN AN INITIAL CALIBRATION AND A FULL TIME REFRESH MODE CALIBRATION

Номер патента: US20130293260A1. Автор: Shiah Chun,Hong Sen-Fu,Chen Wen-Wey. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Номер патента: HU904589D0. Автор: Imre Bartos,Ferenc Takacs,Istvan Szekely,Attila Fueloep,Laszlo Beke,Bela Dekany,Daniel Keri,Laszlo Mikos,Andras Szarka,Arpad Szenczi,Gyoergy Toman,Peter Vener. Владелец: Mikroelektronik Vallalat. Дата публикации: 1990-12-28.

Electrically erasable floating grid memory circuit

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты