Structure and method of forming bitline contacts for a vertical dram array using a line bitline contact mask

21-07-2003 дата публикации

Номер:

TW543156B

Автор: Johnathan E Faltermeier, Larry A Nesbit, Ramachandra Divakaruni, Wolfgang Bergner

Принадлежит: Ibm, Infineon Technologies Corp

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/2 H01L21/28 H01L21/7 H01L21/76 H01L21/768 H01L21/7689 H01L21/76895 H01L21/76897 H1 H10 H10B H10B1 H10B12 H10B12/H10B12/4 H10B12/48 H10B12/482 H10B12/485

IPC - классификация

H H0 H01 H01L H01L2 H01L21 H01L21/H01L21/7 H01L21/76 H01L21/768 H01L23 H01L23/H01L23/5 H01L23/53 H01L23/535 H01L29 H01L29/H01L29/6 H01L29/66 H01L29/665 H01L29/6654 H01L29/66545

Получить PDF