Integrated assemblies having vertically-spaced channel material segments, and methods of forming integrated assemblies
Номер патента: US11031414B2
Опубликовано: 08-06-2021
Автор(ы): John D. Hopkins, Shyam Surthi
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-06-2021
Автор(ы): John D. Hopkins, Shyam Surthi
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated Assemblies Having Anchoring Structures Proximate Stacked Memory Cells, and Methods of Forming Integrated Assemblies
Номер патента: US20210143165A1. Автор: Kunal R. Parekh,Justin B. Dorhout,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.