Semiconductor memory cell array having self-aligned recessed gate MOS transistors and method for forming the same
Номер патента: TW200739884A
Опубликовано: 16-10-2007
Автор(ы): Bjoern Fischer, Gerhard Enders, Marc Strasser, Peter Voigt
Принадлежит: Qimonda AG
Опубликовано: 16-10-2007
Автор(ы): Bjoern Fischer, Gerhard Enders, Marc Strasser, Peter Voigt
Принадлежит: Qimonda AG
Method for fabricating dynamic random access memory (DRAM) by simultaneous formation of tungsten bit lines and tungsten landing plug contacts
Номер патента: US5895239A. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-04-20.