Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device having self-aligned gate contacts

Semiconductor device having self-aligned gate contacts

Номер патента: US09484205B2
Опубликовано: 01-11-2016
Автор(ы): Josephine B. Chang, Michael A. Guillorn, Paul Chang
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having self-aligned gate contacts

Номер патента: US09941129B2. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with reduced cap

Номер патента: US20220310818A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Szuya S. LIAO,Tristan TRONIC. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate contacts

Номер патента: US11935892B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Self-aligned gate endcap (sage) architecture having gate contacts

Номер патента: US20200286890A1. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Self-aligned gate endcap (sage) architecture having gate contacts

Номер патента: US20240145477A1. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate or contact plugs

Номер патента: US11444171B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architecture having gate or contact plugs

Номер патента: US11876121B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Self-aligned gate endcap (sage) architecture having endcap plugs

Номер патента: US20190305111A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Mark Liu,Szuya S. LIAO,Christopher Kenyon,Sridhar Govindaraju,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Dual self-aligned gate endcap (sage) architectures

Номер патента: US20220077302A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Mark Liu,Szuya S. LIAO,Christopher Kenyon,Nick Lindert,Sridhar Govindaraju,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures without fin end gap

Номер патента: US11869889B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO,Matthew V. Metz,Rami HOURANI,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures without fin end gap

Номер патента: US20240088143A1. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO,Matthew V. Metz,Rami HOURANI,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures without fin end gap

Номер патента: EP4328978A2. Автор: Florian Gstrein,Matthew Metz,Rami HOURANI,Scott Clendenning,Martin Mitan,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER,Szuya Liao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures without fin end gap

Номер патента: EP4328978A3. Автор: Florian Gstrein,Matthew Metz,Rami HOURANI,Scott Clendenning,Martin Mitan,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER,Szuya Liao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: WO2021009579A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-01-21.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: GB2600316A. Автор: Radens Carl,Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Basker Veeraraghavan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor device having self-aligned air spacers

Номер патента: US20240363727A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistor cell with self-aligned gate contact

Номер патента: EP4327357A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: WO2016160120A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-06.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3278365A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Forksheet field effect transistor including self-aligned gate

Номер патента: US20240170331A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Junli Wang,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Self-Aligned Gate Hard Mask and Method Forming Same

Номер патента: US20200287042A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Self aligned gate shape preventing void formation

Номер патента: US09773885B2. Автор: Qing Liu,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-09-26.

Self aligned gate shape preventing void formation

Номер патента: US09640633B1. Автор: Qing Liu,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-02.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US12057491B2. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices above insulator substrates

Номер патента: US20240355903A1. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED GATE CONTACTS

Номер патента: US20160300762A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US12107131B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having self-aligned interconnect structure and method of making

Номер патента: US11854940B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Syuan Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Mehtod of making semiconductor device having self-aligned interconnect structure

Номер патента: US20240096756A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Syuan Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Two-dimensional self-aligned super via integration on self-aligned gate contact

Номер патента: US09887133B2. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Two-dimensional self-aligned super via integration on self-aligned gate contact

Номер патента: US09786557B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US20230307515A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Inverse taper via to self-aligned gate contact

Номер патента: EP4109503A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Systems and methods for dummy gate tie-offs in a self-aligned gate contact (sagc) cell

Номер патента: US20190296126A1. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

SELF-ALIGNED GATE CONTACT

Номер патента: US20170278752A1. Автор: Ryckaert Julien,BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Self-aligned gate terminal cap (SAGE) architecture with gate or contact plugs

Номер патента: CN111668188A. Автор: S·苏布拉玛尼安,W·M·哈菲兹. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

DUAL SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES

Номер патента: US20220077302A1. Автор: Lindert Nick,Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Liu Mark,LIAO Szuya S.,GOVINDARAJU Sridhar,SUBRAMANIAN Sairam,KENYON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Self-Aligned Gate Hard Mask and Method Forming Same

Номер патента: US20200287042A1. Автор: Chen Yen-Ming,Wang Sheng-Chen,Chui Chi On,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,Lai Bo-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

DUAL SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES

Номер патента: US20190305112A1. Автор: Lindert Nick,Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Liu Mark,LIAO Szuya S.,GOVINDARAJU Sridhar,SUBRAMANIAN Sairam,KENYON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Dual fin endcap for self-aligned gate edge (SAGE) architectures

Номер патента: US10950606B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Roman W. OLAC-VAW. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: MY182653A. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Milton Clair Webb,Szuya S LIAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-27.

Self-aligned gate edge trigate and finfet devices

Номер патента: US20210249411A1. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Christopher N. Kenyon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Self-aligned gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2013090401A1. Автор: Daniel J. Grimm,Gregory Dix,Harold Kline,Rodney Schroeder. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-20.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures without fin end gap

Номер патента: US20210091075A1. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO,Matthew V. Metz,Rami HOURANI,Jessica TORRES,Lukas BAUMGARTEL,Kiran Chikkadi,Diane LANCASTER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Self aligned gate shape preventing void formation

Номер патента: US20170200807A1. Автор: Qing Liu,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-07-13.

Self-aligned gate isolation with asymmetric cut placement

Номер патента: GB202200795D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Process for high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines

Номер патента: US4587711A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1986-05-13.

Process for and structure of high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines

Номер патента: US4506437A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240243203A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with improved cap

Номер патента: US20240347618A1. Автор: André BARAN,Christopher Kenyon,Devin Merrill,Tongtawee Wacharasindhu,Kiran Chikkadi,David J. Towner,Christine RADLINGER,Nilesh Dendge. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with improved cap

Номер патента: EP4425553A2. Автор: André BARAN,Christopher Kenyon,Devin Merrill,Tongtawee Wacharasindhu,Kiran Chikkadi,David J. Towner,Christine RADLINGER,Nilesh Dendge. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with vertical sidewalls

Номер патента: US20240243202A1. Автор: Kiran Chikkadi,Ritesh K. Das,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US20240030348A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: US11855223B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices

Номер патента: EP4318594A3. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09548250B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including self-aligned gate structure and improved gate spacer topography

Номер патента: US09425105B1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

A method of manufacturing a semiconductor device having self-aligned contact elements and an exchange gate electrode structure

Номер патента: DE102011004322B4. Автор: Frank Jakubowski,Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-12-06.

Fabrication of self-aligned gate contacts and source/drain contacts directly above gate electrodes and source/drains

Номер патента: US20190198393A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20190198394A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20180211874A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20180211875A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20190341309A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Fabrication of self-aligned gate contacts and source/drain contacts directly above gate electrodes and source/drains

Номер патента: US11121032B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Self-aligned gate contact integration with metal resistor

Номер патента: US11056537B2. Автор: Kangguo Cheng,Richard A. Conti,Xin Miao,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: WO2018174999A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20190088765A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20180277657A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP3602612A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20190088765A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230108684A1. Автор: Eunbi Kim,Seongkyung Kim,Ukjin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

GE and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09905651B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Ge and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09570614B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Fin field effect transistor (FinFET) device having position-dependent heat generation

Номер патента: US12046638B2. Автор: Sheng-Feng Liu,Jiaw-Ren Shih,Chun-Wei Chang,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

III-V SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150243773A1. Автор: Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Sun Yanning,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-27.

III-V semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US9324853B2. Автор: Anirban Basu,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Integrated fuse in self-aligned gate endcap for FinFET architectures and methods of fabrication

Номер патента: US12108595B2. Автор: Walid Hafez,Rahul RAMASWAMY,Sumit Ashtekar,Hector M. Saavedra Garcia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated fuse in self-aligned gate endcap for finfet architectures and methods of fabrication

Номер патента: EP3961723A1. Автор: Walid Hafez,Rahul RAMASWAMY,Sumit Ashtekar,Hector M SAAVEDRA GARCIA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-02.

TWO-DIMENSIONAL SELF-ALIGNED SUPER VIA INTEGRATION ON SELF-ALIGNED GATE CONTACT

Номер патента: US20180090374A1. Автор: Xie Ruilong,CHI Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

TWO-DIMENSIONAL SELF-ALIGNED SUPER VIA INTEGRATION ON SELF-ALIGNED GATE CONTACT

Номер патента: US20170294347A1. Автор: Xie Ruilong,CHI Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

TWO-DIMENSIONAL SELF-ALIGNED SUPER VIA INTEGRATION ON SELF-ALIGNED GATE CONTACT

Номер патента: US20170294349A1. Автор: Xie Ruilong,CHI Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Inverse taper via to self-aligned gate contact

Номер патента: EP4109503B1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-14.

SELF-ALIGNED GATE ISOLATION

Номер патента: US20190139830A1. Автор: Liu Huang,Bouche Guillaume,Kumar Mahender,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Zang Hui,Cave Nigel,PATHIRANE Minoli K.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Self-aligned gate last III-N transistors

Номер патента: US09837499B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Seung Hoon Sung,Robert Chau,Sanaz Gardner,Marko Radosavlijevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating a bipolar transistor having self aligned base and emitter

Номер патента: US4824794A. Автор: Motoshu Miyajima,Akira Tabata,Kazushi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Staggered self aligned gate contact

Номер патента: TW201941396A. Автор: 李�瑞,林赫晶,向東 陳,瑞努普拉斯德 海梅斯,凡努格柏爾 柏納巴里. Владелец: 美商高通公司. Дата публикации: 2019-10-16.

Staggered self aligned gate contact

Номер патента: WO2019160607A1. Автор: Xiangdong Chen,Rui Li,Hyeokjin LIM,Venugopal Boynapalli,Renukprasad HIREMATH. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-08-22.

Self-aligned gate cut structures

Номер патента: EP4138122A1. Автор: Yang-chun Cheng,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Self-aligned gate cut structures

Номер патента: US20230057326A1. Автор: Yang-chun Cheng,Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Andy Chih-Hung Wei,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with gate-all-around devices having epitaxial source or drain structures

Номер патента: US20220254893A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Resistor between gates in self-aligned gate edge architecture

Номер патента: US20200043914A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230011401A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297232A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Gate contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240332293A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having improved heat dissipation

Номер патента: US09640632B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Self-aligned gate contact formation

Номер патента: US09640625B2. Автор: Jing Wan,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Andre P. Labonte,Gabriel Padron Wells. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Self-aligned gate tie-down contacts with selective etch stop liner

Номер патента: US09570573B1. Автор: Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-self aligned gate contacts formed over the active region of a transistor

Номер патента: US20200135885A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having self aligned contact and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100335488B1. Автор: 박준수,이중현,김인성,강현재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-04.

Method of forming semiconductor device having self-aligned plug

Номер патента: KR101767907B1. Автор: 신철호,권성운,정상섭,엄경하. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-08-16.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING GATE CONTACTS

Номер патента: US20200286890A1. Автор: Hafez Walid M.,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING GATE CONTACTS

Номер патента: US20220352165A1. Автор: Hafez Walid M.,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

SELF-ALIGNED GATE EDGE AND LOCAL INTERCONNECT AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20180047808A1. Автор: Ghani Tahir,WEBB Milton Clair,BOHR Mark,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

SELF-ALIGNED GATE EDGE TRIGATE AND FINFET DEVICES

Номер патента: US20210249411A1. Автор: Ghani Tahir,GUHA BISWAJEET,LIAO Szuya S.,GULER Leonard P.,KENYON Christopher N.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

DUAL FIN ENDCAP FOR SELF-ALIGNED GATE EDGE (SAGE) ARCHITECTURES

Номер патента: US20190287972A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,OLAC-VAW Roman W.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING ENDCAP PLUGS

Номер патента: US20190305111A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Liu Mark,LIAO Szuya S.,GOVINDARAJU Sridhar,SUBRAMANIAN Sairam,KENYON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

SELF-ALIGNED GATE EDGE AND LOCAL INTERCONNECT AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20190326391A1. Автор: Ghani Tahir,WEBB Milton Clair,BOHR Mark,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

SELF-ALIGNED GATE EDGE AND LOCAL INTERCONNECT

Номер патента: US20200388675A1. Автор: Ghani Tahir,WEBB Milton Clair,BOHR Mark,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: TWI565057B. Автор: 塔何 甘尼,米爾頓 韋伯,馬克 鮑爾,廖思雅. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-01.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US10319812B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: TWI705567B. Автор: 塔何 甘尼,米爾頓 韋伯,馬克 鮑爾,廖思雅. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2020-09-21.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: TWI599042B. Автор: 塔何 甘尼,米爾頓 韋伯,馬克 鮑爾,廖思雅. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-09-11.

Self-aligned gate jumper connecting adjacent gates

Номер патента: US20230411473A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Common self aligned gate contact for stacked transistor structures

Номер патента: US20230420503A1. Автор: Xuan Liu,Junli Wang,Su Chen Fan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Self-aligned metal silicide process for integrated circuits having self-aligned polycrystalline silicon electrodes

Номер патента: CA1241770A. Автор: Yun B. Koh,Frank Chien,Madhu Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Structure and method for manufacturing interconnect structures having self-aligned dielectric caps

Номер патента: WO2011139417A2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,David V. Horak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-11-10.

Structure and method for manufacturing interconnect structures having self-aligned dielectric caps

Номер патента: EP2567400A2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Semiconductor wafer with devices having different top layer thicknesses

Номер патента: US20220285403A1. Автор: Wang Po-Jen,Hsin-Chi Chen,Kuan-Liang Liu,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09425212B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

A semiconductor device having self-aligned contact hole and fabrication method thereof

Номер патента: KR100487951B1. Автор: 김형섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-06.

Semiconductor device having self-aligned contact hole and method of fabricating the same

Номер патента: US20040155282A1. Автор: Hyoung-Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-12.

Methods of fabricating integrated circuit devices having self-aligned contact structures

Номер патента: US20060194432A1. Автор: Gil-heyun Choi,Hee-sook Park,Hyun-Su Kim,Kwang-jin Moon,Sang-Bom Kang,Seung-Gil Yang. Владелец: Seung-Gil Yang. Дата публикации: 2006-08-31.

Eliminating buried contact trench in MOSFET devices having self-aligned silicide

Номер патента: US6211556B1. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2001-04-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20190319112A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Methods, apparatus and system for a self-aligned gate cut on a semiconductor device

Номер патента: US20200185509A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Self-alignment of gate contacts at local or remote sites

Номер патента: US4221044A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.,Gary L. Heimbigner. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1980-09-09.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING SELF-ALIGNED SOURCE OR DRAIN UNDERCUT FOR VARIED WIDTHS

Номер патента: US20200091145A1. Автор: Ghani Tahir,Cea Stephen M.,GUHA BISWAJEET,KANG Jun Sung,BEATTIE Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING EPITAXIAL SOURCE OR DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20200098878A1. Автор: Ghani Tahir,Sivakumar Swaminathan,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

UNIDIRECTIONAL SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ORTHOGONAL WALLS

Номер патента: US20220077145A1. Автор: Lindert Nick,Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Liu Mark,LIAO Szuya S.,GOVINDARAJU Sridhar,SUBRAMANIAN Sairam,KENYON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

REPLACEMENT METAL GATE SCHEME WITH SELF-ALIGNMENT GATE FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180254330A1. Автор: Guo Dechao,Bao Raqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Unidirectional self-aligned gate endcap (SAGE) architectures with gate-orthogonal walls

Номер патента: US11217582B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Mark Liu,Szuya S. LIAO,Christopher Kenyon,Nick Lindert,Sridhar Govindaraju,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-04.

Replacement metal gate scheme with self-alignment gate for vertical field effect transistors

Номер патента: US9960254B1. Автор: Dechao Guo,Raqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

SELF ALIGNED GATE SHAPE PREVENTING VOID FORMATION

Номер патента: US20170178967A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Greene Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Self-aligned gate endcap (sage) architectures with vertical sidewalls

Номер патента: US20210351300A1. Автор: Kiran Chikkadi,Ritesh K. Das,Ryan Pearce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal resistor and self-aligned gate edge (sage) architecture having a metal resistor

Номер патента: WO2018063259A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Contact having self-aligned air gap spacers

Номер патента: US09768118B1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20030025137A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Akira Takahashi. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20040159953A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Stacked transistors having self aligned backside contact with backside replacement metal gate

Номер патента: US20240213248A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices having self-aligned bodies and methods of forming the same

Номер патента: US20060113599A1. Автор: Hoo-Sung Cho,Soon-Moon Jung,Jae-Hun Jeong,Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device having polysilicon plugs with silicide crystallites

Номер патента: US09450062B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated injection logic cell having self-aligned collector and base with reduced base resistance and method of making same

Номер патента: GB2081508A. Автор: . Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1982-02-17.

STAGGERED SELF ALIGNED GATE CONTACT

Номер патента: US20190252408A1. Автор: Chen Xiangdong,LI RUI,Boynapalli Venugopal,LIM Hyeokjin,HIREMATH Renukprasad. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Self-aligned gate mesfet and the method of fabricating same

Номер патента: WO1985000077A2. Автор: Robert E Lee,Harold M Levy. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-01-03.

Self-aligned gate mesfet and the method of fabricating same

Номер патента: WO1985000077A3. Автор: Robert E Lee,Harold M Levy. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-02-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED GATE CONTACTS

Номер патента: US20150287603A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Three-dimensional memory structure having self-aligned drain regions and methods of making thereof

Номер патента: US09543320B2. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Transistors having self-aligned body tie

Номер патента: GB2606626A. Автор: Tseng Jermyn. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

METHOD OF MAKING A FIELD EFFECT DEVICE HAVING SELF-ALIGNED ELECTRICAL CONNECTIONS IN RELATION TO THE GRID ELECTRODE

Номер патента: FR2949902B1. Автор: Philippe Coronel,Beranger Claire Fenouillet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2011-10-07.

Method of making ultra-short channel device having self-aligned landing pad

Номер патента: TW429484B. Автор: Jeng-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-11.

Method for forming semiconductor components having self-aligned trench contacts

Номер патента: US09660047B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor with multi-level self-aligned gate and source/drain terminals and methods

Номер патента: US12119383B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE HAVING SELF-ALIGNED DRAIN REGIONS AND METHODS OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20160111437A1. Автор: Dong Yingda,PACHAMUTHU Jayavel,Pang Liang. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Method for Forming Semiconductor Components Having Self-Aligned Trench Contacts

Номер патента: US20150279962A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-01.

Transistors having self-aligned body tie

Номер патента: US20220320343A1. Автор: Jermyn Tseng. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Transistor with multi-level self-aligned gate and source/drain terminals and methods

Номер патента: US20220223694A1. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Transistors having self-aligned body tie

Номер патента: GB2606626B. Автор: Tseng Jermyn. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Transistors having self-aligned body tie

Номер патента: GB202204102D0. Автор: . Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

NON-SELF ALIGNED GATE CONTACTS FORMED OVER THE ACTIVE REGION OF A TRANSISTOR

Номер патента: US20200135885A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR (VFET) HAVING A SELF-ALIGNED GATE/GATE EXTENSION STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20190051733A1. Автор: Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-14.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: LIU Zihong,Haensch Wilfried Ernst-August. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

SELF-ALIGNED GATE TIE-DOWN CONTACTS WITH SELECTIVE ETCH STOP LINER

Номер патента: US20170047418A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Liebmann Lars W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

METHOD FOR PRODUCING SELF-ALIGNED GATE AND SOURCE/DRAIN VIA CONNECTIONS FOR CONTACTING A FET TRANSISTOR

Номер патента: US20210126108A1. Автор: Chan Boon Teik,Altamirano Sanchez Efrain,Chew Soon Aik,Demuynck Steven,Radisic Dunja. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

SELF ALIGNED GATE CONNECTED PLATES FOR GROUP III-NITRIDE DEVICES AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20200105884A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,Hafez Walid,FISCHER Paul. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

SELF-ALIGNED GATE EDGE TRIGATE AND FINFET DEVICES

Номер патента: US20190139957A1. Автор: Ghani Tahir,GUHA BISWAJEET,LIAO Szuya S.,GULER Leonard P.,KENYON Christopher N.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180277657A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of making a semiconductor device having a semiconductor material on a relaxed semiconductor including replacing a strained, selective etchable material, with a low density dielectric in a cavity

Номер патента: US09530669B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Mosfet having self-aligned gate and buried shield

Номер патента: EP1103074B1. Автор: Francois Hebert. Владелец: Rovec Acquisitions Ltd LLC. Дата публикации: 2010-01-06.

Self-aligned gate cut method and multilayer gate-cut pillar structure

Номер патента: US10629701B1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Self-aligned gate cut method and multilayer gate-cut pillar structure

Номер патента: US20200119163A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Nonvolatile memory cell having self-aligned floating and erase gate and method of manufacturing the same

Номер патента: JP6291584B2. Автор: ボミー チェン,チエン−シェン ス,ニャン ド. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-14.

High electron mobility transistor having self-aligned miniature field mitigating plate and protective dielectric layer and fabrication method thereof

Номер патента: US20090159930A1. Автор: Robert Coffie,Po-Hsin Liu,loulia Smorchkova,Ben Heying,Carol Namba,Boris Hikin. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

SELF-ALIGNED GATE CONTACT INTEGRATION WITH METAL RESISTOR

Номер патента: US20200312909A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Miao Xin,Conti Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Mis transistor with self-aligned gate and method for making same

Номер патента: US20070001239A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-01-04.

Fin field effect transistor devices with self-aligned gates

Номер патента: US20200294803A1. Автор: John R. Sporre,Ruilong Xie,Wenyu Xu,Stuart A. Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Self-aligned gate cut method and multilayer gate-cut pillar structure

Номер патента: US20200119163A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Youngtag Woo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20130105765A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20200294803A1. Автор: XU Wenyu,Xie Ruilong,SIEG STUART A.,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Compound semiconductor transistor with self aligned gate

Номер патента: US9443941B2. Автор: Oliver Häberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing a MESFET with self aligned gate

Номер патента: EP0308939A2. Автор: Josef Dr. Willer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-29.

Method of manufacturing a mesfet with self aligned gate

Номер патента: EP0308939A3. Автор: Josef Dr. Willer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-10-11.

Method of manufacturing a field-effect transistor with self-aligned gates

Номер патента: EP1968106A2. Автор: Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-09-10.

METHOD FOR PRODUCING A SELF-ALIGNED GATE METALLIZATION FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: FR2579827B1. Автор: Erhard Kohn. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-05-15.

Method of producing a field effect transistor with self-aligned gate metallization

Номер патента: EP0197838A1. Автор: Erhard Kohn. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-10-15.

Self aligned gated Schottky diode guard ring structures

Номер патента: US6399413B1. Автор: Thomas J. Krutsick. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

Graphene and nanotube / nanowire transistor having a self-aligned gate electrode structure on transparent substrates and method of making the same

Номер патента: DE102012214559A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Compound semiconductor transistor with self aligned gate

Номер патента: CN103456781A. Автор: G.库拉托拉,O.赫贝伦. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-18.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US20240363634A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780033B2. Автор: Changseop YOON,Jongmil Youn,Hyung Jong Lee,Kwangsub Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-Aligned Structure For Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386933A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Self-aligned structure for semiconductor devices

Номер патента: US11837504B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having self-aligned source or drain undercut for varied widths

Номер патента: US11276691B2. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

SELF-ALIGNED GATE CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20150048455A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Khakifirooz Ali,Sardesai Viraj Y.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

Vertical self aligned gate all around transistor

Номер патента: US20240194756A1. Автор: Jin Cai,Hou-Yu Chen,Cheng-Ting Chung,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

RESISTOR BETWEEN GATES IN SELF-ALIGNED GATE EDGE ARCHITECTURE

Номер патента: US20200043914A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,OLAC-VAW Roman W.,LEE CHEN-GUAN,CHANG Hsu-Yu,DIAS Neville L.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-02-06.

CONTROLLING SELF-ALIGNED GATE LENGTH IN VERTICAL TRANSISTOR REPLACEMENT GATE FLOW

Номер патента: US20180090598A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING GATE OR CONTACT PLUGS

Номер патента: US20200287015A1. Автор: Hafez Walid M.,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING GATE OR CONTACT PLUGS

Номер патента: US20220359705A1. Автор: Hafez Walid M.,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Self-Aligned Gate Structure for Field Effect Transistor

Номер патента: US20130154017A1. Автор: Dix Gregory,Kline Harold,Schroeder Rodney,Grimm Daniel J.. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Gate trench power semiconductor devices having self-aligned trench shielding regions and related methods

Номер патента: WO2024147894A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate trench power semiconductor devices having self-aligned trench shielding regions and related methods

Номер патента: US20240234495A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath,In-Hwan Ji. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure and method for forming a trench mosfet having self-aligned features

Номер патента: WO2004105090A2. Автор: Robert Herrick,Becky Losee,Dean Probst. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2004-12-02.

Self-aligned gate metal with top-dielectric isolation

Номер патента: US20240204079A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US12107014B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: US20230099643A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Nanosheet transistors with self-aligned gate cut

Номер патента: WO2023051596A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier,Huimei Zhou. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Self aligned gate jfet structure and method

Номер патента: WO2007146734A3. Автор: Ashok Kumar Kapoor. Владелец: Ashok Kumar Kapoor. Дата публикации: 2008-02-21.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Junction field-effect transistor with self-aligning gate

Номер патента: GB2172747A. Автор: Franz-Josef Tegude. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1986-09-24.

Self-Aligned Gate and Drift Design for High-Critical Field Strength Semiconductor Power Transistors with Ion Implantation

Номер патента: US20200357887A1. Автор: Kelson D Chabak,Andrew J Green,Gregg H Jessen. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Self-aligned gate MESFET and the method of fabricating same

Номер патента: USH390H. Автор: Robert E. Lee,Harold M. Levy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1987-12-01.

Transistor with self-aligned gate and self-aligned source/drain terminal(s) and methods

Номер патента: US11916119B2. Автор: Zhong-Xiang He,Jeonghyun Hwang,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Quantum well structure with self-aligned gate and method of making the same

Номер патента: US5548129A. Автор: Randall L. Kubena. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-08-20.

Method of fabricating semiconductor device having self-aligned contact plug and related device

Номер патента: KR100843716B1. Автор: 김동현,우동수,강남정,홍형선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-07-04.

Semiconductor device having self-aligned contact and landing pad structure and method of forming same

Номер патента: US20020000601A1. Автор: Seungmoo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device having self-aligned contact and landing pad structure and method of forming same

Номер патента: TW471138B. Автор: Seungmoo Choi. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

SOI transistor having self-aligned body contact and forming method thereof

Номер патента: KR960002808A. Автор: 디. 바이어 클라우스,엔. 부티 타키,시 창-밍,루-센 수 루이스. Владелец: 윌리엄 티. 엘리스. Дата публикации: 1996-01-26.

Semiconductor memory device having self-aligned contacts and method of fabricating the same

Номер патента: KR100363091B1. Автор: 김명철,민경진,안태혁,이중현,남병윤. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-30.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR A SELF-ALIGNED GATE CUT ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200185509A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

METHODS, APPARATUS AND SYSTEM FOR A SELF-ALIGNED GATE CUT ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190319112A1. Автор: Xie Ruilong,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-10-17.

METAL RESISTOR AND SELF-ALIGNED GATE EDGE (SAGE) ARCHITECTURE HAVING A METAL RESISTOR

Номер патента: US20200066712A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Hafez Walid M.,OLAC-VAW Roman W.,LEE CHEN-GUAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices including gate contacts

Номер патента: US09768250B2. Автор: Changseop YOON,Min Choul Kim,Hyokki Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure

Номер патента: US09397022B2. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Self-aligned gate-first VFETs using a gate spacer recess

Номер патента: US09536793B1. Автор: John H. Zhang,Chanro Park,Kwan-Yong Lim,Steven John Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Self-aligned gate isolation

Номер патента: WO2007046920A1. Автор: Peter Chang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for forming semiconductor device having self-aligned contact hole

Номер патента: KR100289750B1. Автор: 홍승완. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-05-15.

SELF-ALIGNED GATE CONTACT COMPATIBLE CROSS COUPLE CONTACT FORMATION

Номер патента: US20210210384A1. Автор: Guo Dechao,Reznicek Alexander,Loubet Nicolas,Xie Ruilong,Pranatharthi Haran Balasubramanian S. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

SELF-ALIGNED GATE CONTACT FORMATION

Номер патента: US20150311082A1. Автор: Bouche Guillaume,Labonté André P.,WAN Jing,Wells Gabriel Padron,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-29.

SELF-ALIGNED GATE CUT FOR OPTIMAL POWER AND ROUTING

Номер патента: US20200020795A1. Автор: Bao Junjing,Yang Haining,Lu Ye,LIM Hyeokjin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING LOCAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20200286891A1. Автор: Hafez Walid M.,GOVINDARAJU Sridhar,CHIKKADI Kiran,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Self-aligned gate tie-down contacts with selective etch stop liner

Номер патента: TWI622097B. Автор: 斯成 方,拉爾斯Ｗ 賴柏曼,瑞龍 謝. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2018-04-21.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device including trench electrode structures

Номер патента: US11600697B2. Автор: Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240339395A1. Автор: Daeun Kim,Rakhwan Kim,Jeongik KIM,Chunghwan Shin,Seongdong LIM,Byungchul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure

Номер патента: US09786542B2. Автор: Chia-Lun Chang,Chun-Ta WU,Zih-I CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device having a trench with different electrode materials

Номер патента: US09899488B2. Автор: Martin Henning Vielemeyer,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515170B2. Автор: Takashi Terada,Toshiaki Iwamatsu,Kiyoshi Hayashi,Kozo Ishikawa,Hirofumi Shinohara,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having an electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US10418358B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device having gate in trenches

Номер патента: US09978861B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chung-Ren Lao,Hsing-Chao Liu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods fabricating of semiconductor devices having self-aligned cell diodes and methods fabricating of phase change memory devices using the same

Номер патента: KR100782496B1. Автор: 박재현,오재희,고승필,김정인,은성호,오용태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-05.

Method of fabricating semiconductor device having self-aligned contact plug and related device

Номер патента: CN101308812B. Автор: 金东铉,康湳婷,禹东秀,洪亨善. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-07.

Method of fabricating semiconductor device having self-aligned contact plug and related device

Номер патента: CN101308812A. Автор: 金东铉,康湳婷,禹东秀,洪亨善. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-19.

Semiconductor device having self-aligned contact pad for increasing process margin by using modified pad division pattern

Номер патента: KR100450665B1. Автор: 남동석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for fabricating semiconductor device having self-aligned contact pad

Номер патента: KR100652369B1. Автор: 이강윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device having self-aligned contact and method of fabricating the same

Номер патента: CN101009267A. Автор: 朴源模. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device having self-aligned contact structure and methods of forming same

Номер патента: CN1148788C. Автор: ,林炳俊,黄有商. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-05.

Semiconductor device having self-aligned contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060183295A1. Автор: Min-San Huang,Hann-Jye Hsu,Yung-Chung Yao. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor device having self-aligned contact and method of forming the same

Номер патента: KR100675303B1. Автор: 박원모. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Optical coupling device having self-aligned alignment marks and its fabrication method

Номер патента: KR0169838B1. Автор: 이상환,송민규,김홍만,주관종. Владелец: 한국전기통신공사. Дата публикации: 1999-04-15.

Electronic device having self-aligned contacts

Номер патента: US11638376B2. Автор: Russell Chin Yee Teo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-25.

Structure and method for manufacturing interconnect structures having self-aligned dielectric caps

Номер патента: TW201214560A. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,David V Horak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-01.

Semiconductor structure having self-aligned conductive structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240379435A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Self-aligned gate and method

Номер патента: US20010000920A1. Автор: Robert Hodges. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

CONTACT HAVING SELF-ALIGNED AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20180082951A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor structure having self-aligned conductive structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20230063438A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods of forming memory cells having self-aligned silicide

Номер патента: US6939764B2. Автор: Chun Chen,Graham Wolstenholme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Self-aligned gate contact isolation

Номер патента: US20190363015A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Ekmini A. De Sillva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Self-aligned gate cap including an etch-stop layer

Номер патента: US20200006137A1. Автор: Marc Bergendahl,Victor W. C. Chan,Jeffrey C. SHEARER,Michael P. Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Self-aligned gate cap including an etch-stop layer

Номер патента: US11257716B2. Автор: Marc Bergendahl,Victor W. C. Chan,Jeffrey C. SHEARER,Michael P. Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

SELF-ALIGNED GATE CAP INCLUDING AN ETCH-STOP LAYER

Номер патента: US20200006137A1. Автор: Belyansky Michael P.,Bergendahl Marc,Chan Victor W. C.,SHEARER JEFFREY C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

VERTICAL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

SELF-ALIGNED GATE CAP INCLUDING AN ETCH-STOP LAYER

Номер патента: US20200090998A1. Автор: Belyansky Michael P.,Bergendahl Marc,Chan Victor W. C.,SHEARER JEFFREY C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

SELF-ALIGNED GATE CUT IN DIRECT STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR (VTFET)

Номер патента: US20200135877A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Self-Aligned Gate and Junction for VTFET

Номер патента: US20200335601A1. Автор: Cheng Kangguo,Sankarapandian Muthumanickam,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Ion implanted and self aligned gate structure for GaN transistors

Номер патента: US8853749B2. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Robert Strittmatter,Guang Y. Zhao. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Ion-implanted and self-aligned gate structure for GaN transistors

Номер патента: DE112012000612T5. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Robert Strittmatter,Guang Yuan Zhao. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Ion implanted and self aligned gate structure for gan transistors

Номер патента: WO2012106352A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Alana Nakata,Robert Strittmatter,Guang Yuan Zhao. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2012-08-09.

With the field effect transistor with the self-aligning gate electrode of semiconductor fin

Номер патента: CN109478566A. Автор: T.加尼,J.T.卡瓦利罗斯,C.S.莫哈帕特拉,A.S.墨菲,W.拉克马迪,M.V.梅茨,S.T.马,G.德韦. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-15.

Method of fabricating self-aligned gate trench utilizing asymmetric poly spacer

Номер патента: TW200727403A. Автор: Shian-Jyh Lin,Pei-Ing Lee,Chung-Yuan Lee,Chien-Li Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-16.

CMOS structure with non-epitaxial raised source/drain and self-aligned gate and method of manufacture

Номер патента: TW561589B. Автор: Fariborz Assaderaghi,Heemyong Park,Ghavam G Shahidi,Atul C Ajmera. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor devices having self-aligned contact pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150311276A1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Methods of manufacturing semiconductor devices having self-aligned contact pads

Номер патента: US9184227B1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

Gate-all-around devices having self-aligned capping between channel and backside power rail

Номер патента: US20240379782A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Self-aligned gate contact for VTFETs

Номер патента: US12107147B2. Автор: Kangguo Cheng,Miaomiao Wang,Su Chen Fan,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Nanowire/nanosheet device having self-aligned isolation portion and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230317838A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-05.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US20140246699A1. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Local-length nitride SONOS device having self-aligned ONO structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050059209A1. Автор: Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Method and system for a gallium nitride vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20140203328A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method and system for a gan vertical jfet with self-aligned gate metallization

Номер патента: US20130299873A1. Автор: Richard J. Brown,Hui Nie,Donald R. Disney. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

FinFET devices having silicon germanium channel fin structures with uniform thickness

Номер патента: US09583572B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12087666B2. Автор: Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having switchable regions with different transconductances

Номер патента: US09679895B2. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Structures and methods of self-aligned gate for sb-based fets

Номер патента: US20130075822A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Han-Chieh Ho. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor having self-aligned, buried etch stop for trench and manufacture thereof

Номер патента: US6110794A. Автор: Albert H. Liu. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

UNIDIRECTIONAL SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ORTHOGONAL WALLS

Номер патента: US20190304971A1. Автор: Lindert Nick,Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,Liu Mark,LIAO Szuya S.,GOVINDARAJU Sridhar,SUBRAMANIAN Sairam,KENYON Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

CONTACT STRUCTURE EMPLOYING A SELF-ALIGNED GATE CAP

Номер патента: US20140315379A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Self-aligned gated emitter tip arrays

Номер патента: US20140285084A1. Автор: Arash Akhavan Fomani,Luis Fernando Velasquez-Garcia,Akintunde Ibitayo Akinwande. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having active area with angled portion

Номер патента: US20010052631A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing said device

Номер патента: US3676755A. Автор: Rene Glaise. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Method of fabricating a semiconductor device having self-aligned floating gate and related device

Номер патента: US7329580B2. Автор: Tae-Yong Kim,Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-12.

Method of fabricating flash memory devices having self-aligned floating gate and related device

Номер патента: KR100663366B1. Автор: 박동건,최병용,이충호,김태용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-02.

SELECTIVE GROWTH SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITHOUT FIN END GAP

Номер патента: US20220093590A1. Автор: Glass Glenn A.,LIAO Szuya S.,GULER Leonard P.,GEIGER Zachary. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Wiring method for self-aligning gate

Номер патента: JPS5772377A. Автор: Yasuo Suzuki,Hiroshi Hirao,Norihiko Saho. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-05-06.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09870991B1. Автор: Do Youn Kim,Hyoung Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388708A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US09865613B2. Автор: Jong-Min Lee,Ho-Jun SEONG,Jae-ho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS

Номер патента: FR3060840B1. Автор: Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-31.

METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS

Номер патента: FR3060840A1. Автор: Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-06-22.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: US09773839B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US12131995B2. Автор: Jihwan Kim,Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Sanghun Chun,Sunghee Chung,Jeongyong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Compound semiconductor device having at least one buried semiconductor material region

Номер патента: US09653591B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices having through electrodes capped with self-aligned protection layers

Номер патента: US09570377B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,DeokYoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09595499B2. Автор: Wan Choon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Bipolar transistor having self-aligned silicide and a self-aligned emitter contact border

Номер патента: US7466010B2. Автор: Richard P. Volant,Marwan H. Khater,Gregory G. Freeman,David C. Ahlgren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device having dual damascene structure

Номер патента: US20110169172A1. Автор: Toshiyuki Takewaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240274667A1. Автор: Kei-Wei Chen,Pei-Ren Jeng,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Chun-An Lin,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having through-electrode

Номер патента: US09425138B2. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CELL STRUCTURE

Номер патента: US20150303239A1. Автор: Liu Jun,Violette Michael P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: KR101603815B1. Автор: 준 리우,마이클 피. 바이올렛. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2016-03-16.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: CN102349154A. Автор: 刘峻,迈克尔·P·瓦奥莱特. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-08.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: CN102349154B. Автор: 刘峻,迈克尔·P·瓦奥莱特. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having a field-effect structure and a nitrogen concentration profile

Номер патента: US09748374B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure and method for forming a trench MOSFET having self-aligned features

Номер патента: TW200428523A. Автор: Robert Herrick,Becky Losee,Dean Probst. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for Forming Semiconductor Components Having Self-Aligned Trench Contacts

Номер патента: US20150279962A1. Автор: Poelzl Martin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Normally-off hemt with self-aligned gate structure

Номер патента: EP3336901A3. Автор: Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Marco Silvestri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-10-17.

REPLACEMENT METAL GATE SCHEME WITH SELF-ALIGNMENT GATE FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180226493A1. Автор: Guo Dechao,Bao Raqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Self-aligned gate electrode diffusion barriers

Номер патента: US09397174B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Russell T. Herrin,Laura J. Schutz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

SELF-ALIGNED GATE EDGE ARCHITECTURE WITH ALTERNATE CHANNEL MATERIAL

Номер патента: US20200006487A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,GUHA BISWAJEET,BOWONDER Anupama,LIAO Szuya S.,Baykan Mehmet Onur. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

Self-Aligned Gate Hard Mask and Method Forming Same

Номер патента: US20190013400A1. Автор: Chen Yen-Ming,Wang Sheng-Chen,Chui Chi On,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,Lai Bo-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

SELF-ALIGNED GATE CUT WITH POLYSILICON LINER OXIDATION

Номер патента: US20180108770A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

COST EFFECTIVE PRECISION RESISTOR USING BLOCKED DEPOP METHOD IN SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE

Номер патента: US20200105746A1. Автор: Lindert Nick,Jan Chia-Hong,Hafez Walid,OLAC-VAW Roman. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180138307A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA MURALI V R M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Normally Off HEMT with Self Aligned Gate Structure

Номер патента: US20180151681A1. Автор: Curatola Gilberto,Lavanga Simone,Silvestri Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

SELF-ALIGNED GATE CUT WITH POLYSILICON LINER OXIDATION

Номер патента: US20180248029A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

SELF-ALIGNED GATE CUT WITH POLYSILICON LINER OXIDATION

Номер патента: US20180248030A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

TUNNEL FINFET WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180254340A1. Автор: Nowak Edward J.,Asra Ram,KOTA Murali V R M. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-09-06.

Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices

Номер патента: EP1573871B1. Автор: David T. Emerson,Michael J. Bergmann,Kevin W. Haberern,Raymond Rosado. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-07.

Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers

Номер патента: US7160747B2. Автор: David Todd Emerson,Raymond Rosado,Kevin Ward Haberern,Michael John Bergman. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09431382B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

METAL FUSE AND SELF-ALIGNED GATE EDGE (SAGE) ARCHITECTURE HAVING A METAL FUSE

Номер патента: US20220173105A1. Автор: Hafez Walid M.,Wu Mong-Kai,BAMBERY Rohan K.. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Self-Aligned Gate Electrode Diffusion Barriers

Номер патента: US20140353759A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,HERRIN Russell T.,Schutz Laura J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

Metal fuse and self-aligned gate edge (sage) architecture having a metal fuse

Номер патента: US20200266194A1. Автор: Walid M. Hafez,Mong-Kai Wu,Rohan K. Bambery. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US9397160B2. Автор: Hirokazu Kato,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi,Keisuke Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and s/d contacts

Номер патента: US20180226511A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-08-09.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and S/D contacts

Номер патента: US09496415B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical dual gate thin film transistor with self-aligned gates/offset drain

Номер патента: TW301801B. Автор: Francis Shepard Joseph. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1997-04-01.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES ABOVE INSULATOR SUBSTRATES

Номер патента: US20200219990A1. Автор: Ghani Tahir,Cea Stephen M.,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

STRUCTURE AND PROCESS FOR OVERTURNED THIN FILM DEVICE WITH SELF-ALIGNED GATE AND S/D CONTACTS

Номер патента: US20180226511A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.,XU Yiheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Printed TFT and TFT array with self-aligned gate

Номер патента: US8110450B2. Автор: Robert A. Street. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2012-02-07.

Print TFTs and TFT arrays with self-aligned gates

Номер патента: JP5484719B2. Автор: エイ ストリート ロバート. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09929263B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09911817B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US09461045B1. Автор: Shintaro Asano,Yusuke Sakito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having a polycrystalline silicon IGFET

Номер патента: US09917160B2. Автор: Martin Vielemeyer,Oliver Blank,Martin Poelzl,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US20230238423A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09640444B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Kwanyoung Chun,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Iii-v semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20150021662A1. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED FIN WITH TOP BLOCKING LAYER

Номер патента: US20160056293A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Yeh Jeng-Ya D.,Hafez Walid M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: WO2014209289A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-12-31.

METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS

Номер патента: FR3060841A1. Автор: Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Remi Coquand. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-06-22.

III-V semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US9666684B2. Автор: Anirban Basu,Amlan Majumdar,Yanning Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: TW201513358A. Автор: Chia-Hong Jan,Jeng-Ya Yeh,Walid M Hafez,Joo-Dong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Ultra-sensitive biosensor based on lateral bipolar junction transistor having self-aligned epitaxially grown base

Номер патента: US09726631B1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Sufi Zafar,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CAPPING BETWEEN CHANNEL AND BACKSIDE POWER RAIL

Номер патента: US20210359091A1. Автор: Wang Chih-hao,Huang Mao-Lin,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng,Chu Lung-Kun,Hsu Chung-Wei,Yu Jia-Ni. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Split type flash memory device having self aligned control gate and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100674958B1. Автор: 김동원,이용규,박동건,최병용,오창우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-26.

Method of manufacturing bipolar devices having self-aligned base-emitter junction

Номер патента: EP1058302B1. Автор: Yvon Gris. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor memory device having self-aligned charge trapping layer

Номер патента: US7345336B2. Автор: Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of making a double gate semiconductor device with self-aligned gates and structure thereof

Номер патента: WO2006023019A2. Автор: Yang Du,Leo Mathew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

Ultra-sensitive biosensor based on lateral bipolar junction transistor having self-aligned epitaxially grown base

Номер патента: US09625409B1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Sufi Zafar,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Extended polysilicon self-aligned gate overlapped lightly doped drain structure for submicron transistor

Номер патента: WO1993010558A1. Автор: William J. Boardman,Edward D. Nowak,Ying Tsong Loh,Chung Shu Wang. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1993-05-27.

Self-aligned gate buried channel field effect transistor

Номер патента: WO2015010121A1. Автор: Hugues Marchand,Bunmi T. Adekore. Владелец: RAMGOSS, INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: EP2033224B1. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-03-02.

VERTICAL THIN FILM TRANSISTORS HAVING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20200006572A1. Автор: Ghani Tahir,Wang Yih,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Le Van H.,SUNG Seung Hoon,SHARMA Abhishek A.,HARATIPOUR Nazila,SHIVARAMAN Shriram. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

METHOD FOR FABRICATING A BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20150140771A1. Автор: Marschmeyer Steffen,FOX Alexander,HEINEMANN Bernd. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

TUNNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING SELF-ALIGNED SOURCE AND GATE ELECTRODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140246699A1. Автор: Sriram Saptharishi,Radulescu Fabian. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

TRENCH MOSFET STRUCTURE HAVING SELF-ALIGNED FEATURES FOR MASK SAVING AND ON-RESISTANCE REDUCTION

Номер патента: US20140291753A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: FORCE MOS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-02.

Ultra-sensitive biosensor based on lateral bipolar junction transistor having self-aligned epitaxially grown base

Номер патента: US20170227485A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Sufi Zafar,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Dual-gate single-electron transistor having self-alignment and fabricating method of the same

Номер патента: KR100800507B1. Автор: 박병국,강상우. Владелец: 재단법인 서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2008-02-04.

Single electron transistor having self-aligned trench and fabricating method of the same

Номер патента: KR100800508B1. Автор: 김진호,박병국. Владелец: 재단법인 서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2008-02-04.

Metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) having self-aligned structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080197382A1. Автор: Saptharishi Sriram,Jason Henning,Keith Wieber. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Graphene transistors with self-aligned gates

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Yu Zhu,Phaedon Avouris,Yu-Ming Lin,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Method for forming notch gate having self-aligned raised source/drain structure

Номер патента: US20020132431A1. Автор: Atul Ajmera,Dominic Schepis,Victor Ku,Ka Fung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: WO2007143009A2. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2007-12-13.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: EP2033224A2. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-03-11.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: EP2033224A4. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-06-03.

Self aligned gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: WO2007143009A3. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Self-aligned gate fabrication process for silicon carbide static induction transistors

Номер патента: US5807773A. Автор: Rowland C. Clarke,Li-Shu Chen,Richard R. Siergiej. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

Recessed channel insulated-gate field effect transistor with self-aligned gate and increased channel length

Номер патента: US20150037952A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Kwan-Yong Lim,Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Recessed Channel Insulated-Gate Field Effect Transistor with Self-Aligned Gate and Increased Channel Length

Номер патента: US20140159142A1. Автор: JAIN AMITABH,SONG Stanley Seungchul,Lim Kwan-Yong. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-12.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20220102557A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

METHOD OF FORMING VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES AND GATE EXTENSIONS AND THE RESULTING STRUCTURE

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Xie Ruilong,Zang Hui,Bentley Steven,LIEBMANN Lars. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-03-21.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURES WITH GATE-ALL-AROUND DEVICES

Номер патента: US20190393352A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

SELF-ALIGNED GATE ENDCAP (SAGE) ARCHITECTURE HAVING VERTICAL TRANSISTOR WITH SAGE GATE STRUCTURE

Номер патента: US20200411665A1. Автор: Jan Chia-Hong,Hafez Walid M.,SUBRAMANIAN Sairam. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Self-aligned gate MOSFET with separate gates

Номер патента: US6982460B1. Автор: Guy M. Cohen,Hon-Sum P. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Self aligned gate JFET structure and method

Номер патента: TW200810114A. Автор: Ashok Kumar Kapoor. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-02-16.

SELF-ALIGNED GATE BURIED CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20150021621A1. Автор: ADEKORE Bunmi T.,MARCHAND Hugues. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150031180A1. Автор: CHO Heung-Jae,HWANG Eui-Seong,PARK Eun-Shil. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Self-Aligned Gate Electrode Diffusion Barriers

Номер патента: US20150035076A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,HERRIN Russell T.,Schutz Laura J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

INTEGRATED FUSE IN SELF-ALIGNED GATE ENDCAP FOR FINFET ARCHITECTURES AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20220059552A1. Автор: Ramaswamy Rahul,Ashtekar Sumit,Hafez Walid,Saavedra Garcia Hector M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-02-24.

STRUCTURE AND PROCESS FOR OVERTURNED THIN FILM DEVICE WITH SELF-ALIGNED GATE AND S/D CONTACTS

Номер патента: US20170162711A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Radens Carl J.,Zhang John H.,XU Yiheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SELF-ALIGNED GATE LAST III-N TRANSISTORS

Номер патента: US20170207310A1. Автор: Then Han Wui,Chau Robert,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

CONTACT STRUCTURE EMPLOYING A SELF-ALIGNED GATE CAP

Номер патента: US20140312433A1. Автор: Yin Yunpeng,Yeh Chun-chen,He Hong,Tseng Chiahsun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20180337242A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming,Chidambaram Periannan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

FABRICATION OF A VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (VERTICAL FINFET) WITH A SELF-ALIGNED GATE AND FIN EDGES

Номер патента: US20170358660A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finfet) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US20180374933A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of manufacturing non-volatile memory device including self-aligned gate structure and device by the same

Номер патента: KR100393229B1. Автор: 이승민,황재성,서강일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-31.

Graphene transistor with a self-aligned gate

Номер патента: US8753965B2. Автор: Yu Zhu,Phaedon Avouris,Yu-Ming Lin,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finFET) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US10103246B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Process for producing of a thin film transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP0139585B1. Автор: Bernard Diem,Andre Chenevas-Paule. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1987-06-24.

Field-effect transistor with horizontal self-aligned gates and the production method therefor

Номер патента: EP1428247A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2004-06-16.

Production of a memory unit with independent self-aligned gates

Номер патента: EP2381471B1. Автор: Thierry Baron,Gabriel Molas. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-05.

Transistor with self-aligned gate and self-aligned source/drain terminal(s) and methods

Номер патента: US20230139011A1. Автор: Zhong-Xiang He,Jeonghyun Hwang,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Process for forming a narrow mesa on a substrate and process for making a self-aligned gate field effect transistor

Номер патента: DE3467832D1. Автор: Allan Mark Hartstein,Alan Bicksler Fowler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-07.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559193B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka,Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20160197201A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices having improved adhesion and methods of fabricating the same

Номер патента: EP2564420A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20190140111A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Packaged semiconductor device having stacked attached chips overhanging the assembly pad

Номер патента: US09768098B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls

Номер патента: US09515199B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having a lower diode region arranged below a trench

Номер патента: US09478655B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

Номер патента: US20240339322A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

FinFET semiconductor device having integrated SiGe fin

Номер патента: US09985030B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CONTACT PADS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150311276A1. Автор: Kim Young-Kuk,Im Ki-vin,LIM Han-jin,Hwang In-seak. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Process for forming iii-v semiconductor mesfet devices, having self-aligned raised source and drain regions

Номер патента: DE3278096D1. Автор: Thomas L Andrade. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-03-10.

Mehtod of fabricating resistive probe having self-aligned metal shield

Номер патента: KR100723410B1. Автор: 박홍식,고형수,홍승범,정주환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Post gate etch cleaning process for self-aligned gate mosfets

Номер патента: US6242350B1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Chang Huang,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

Self-aligned gate isolation

Номер патента: GB2444466B. Автор: Peter Chang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology

Номер патента: US5229331A. Автор: Trung T. Doan,David A. Cathey,J. Brett Rolfson,Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Self-aligning gate organic transistor and method of making the same

Номер патента: DE102004002024A1. Автор: Jürgen FICKER,Walter Dr. Fix. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-08-11.

Organic transistor comprising a self-aligning gate electrode, and method for the production thereof

Номер патента: US20090189147A1. Автор: Jürgen FICKER,Walter Fix. Владелец: PolyIC GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SELF-ALIGNED CONTACT PADS

Номер патента: US20160027786A1. Автор: Kim Young-Kuk,Im Ki-vin,LIM Han-jin,Hwang In-seak. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09728529B2. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Bertrams. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Layout of butting contacts of a semiconductor device

Номер патента: US5753944A. Автор: Hisashi Sakaue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09461067B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having buried gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508723B2. Автор: Sang Gon Lee,Sun Joo PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having circular light-blocking layer

Номер патента: US09449991B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09799775B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing semiconductor memory device having self-aligned contact

Номер патента: CN1181628A. Автор: 潘涍同,崔铉哲,崔昌植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-13.

Method of manufacturing a plurality of island-shaped dipoles having self-aligned electrodes

Номер патента: US09985067B2. Автор: Francois Marion. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

METHOD OF MANUFACTURING A PLURALITY OF ISLAND-SHAPED DIPOLES HAVING SELF-ALIGNED ELECTRODES

Номер патента: US20160380017A1. Автор: MARION François. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

METHOD FOR MANUFACTURING A PLURALITY OF ISLET-SHAPED DIPOLES HAVING SELF-ALIGNED ELECTRODES

Номер патента: FR3038127A1. Автор: Francois Marion. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-30.

Integrated circuit having self-aligned hydrogen barrier layer and method for fabricating same

Номер патента: EP1003208A3. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Joseph D. Cuchiaro,Akira c/o NEC Corporation Furuya,Yoichi c/o NEC Corporation Miyasaka. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Image sensor having self-aligned and overlapped photodiode and method of making same

Номер патента: US7180151B2. Автор: Young Hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-20.

Image sensor having self-aligned silicide layer

Номер патента: TW416155B. Автор: Sang-Hoon Park. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-12-21.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device having inductor

Номер патента: US09583555B2. Автор: Sheng-Yuan Lee. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having improved heat-dissipation characteristics

Номер патента: US09613881B2. Автор: Yong Woon Lee,Sang Wook Ahn,Heui Gyun Ahn,Huy Chan JUNG,Sung Chun Jun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

III-V SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CONTACTS

Номер патента: US20150325650A1. Автор: Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Sun Yanning,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Tunnel Junction Field Effect Transistors Having Self-Aligned Source and Gate Electrodes and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160087088A1. Автор: Sriram Saptharishi,Radulescu Fabian. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

EEPROM cell having self-aligned drain diffusion region in tunnel oxide region and its manufacturing method

Номер патента: KR100372151B1. Автор: 에이치. 만레이.마틴. Владелец: 내셔널 세미콘덕터 코포레이션. Дата публикации: 2003-05-09.

Self-aligned gated p-i-n diode for ultra-fast switching

Номер патента: TW200616018A. Автор: Min-Hwa Chi,Chih-Hsin Ko,Wen-Chin Lee,Hung-Wei Chen,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Self-aligned gated p-i-n diode for ultra-fast switching

Номер патента: TWI297907B. Автор: Wen Chin Lee,Chih Hsin Ko,Chung Hu Ke,Hungwei Chen,Min Hwa Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-06-11.

SELF-ALIGNED GATE TIE-DOWN CONTACTS WITH SELECTIVE ETCH STOP LINER

Номер патента: US20170092585A1. Автор: Xie Ruilong,Fan Su Chen,Liebmann Lars W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

METHOD AND SYSTEM FOR A GALLIUM NITRIDE VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED GATE METALLIZATION

Номер патента: US20140203328A1. Автор: NIE Hui,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Self-Aligned Gate and Drift Design for High-Critical Field Strength Semiconductor Power Transistors with Ion Implantation

Номер патента: US20210234001A1. Автор: Green Andrew J.,Jessen Gregg H.,Chabak Kelson D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: LIU Zihong,Haensch Wilfried Ernst-August. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Self-Aligned Gate and Drift Design for High-Critical Field Strength Semiconductor Power Transistors with Ion Implantation

Номер патента: US20200357887A1. Автор: Chabak Kelson D,Green Andrew J,Jessen Gregg H. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Flash memory cell with self-aligned gate and method of fabrication

Номер патента: JP2002538608A. Автор: チョウ フェン チェン. Владелец: アクトランズ システム インコーポレイテッド. Дата публикации: 2002-11-12.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having a plurality of source lines being laid in both X and Y directions

Номер патента: US09570605B1. Автор: Steven Thomas Peake. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having a gate contact over an active region

Номер патента: US12046670B2. Автор: Shafiullah Syed,Manjunatha Prabhu,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09559160B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device incorporating a substrate recess

Номер патента: EP4402724A1. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE,Saptha Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Vertical field-effect transistor device having at least two bypass schottky diodes

Номер патента: WO2015042148A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Vertical field-effect transistor device having at least two bypass schottky diodes

Номер патента: WO2015042148A4. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US09450087B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Gallium nitride compound semiconductor device having schottky contact

Номер патента: US20040061194A1. Автор: Kaoru Inoue,Yoshito Ikeda,Yutaka Hirose,Katsunori Nishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09559174B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437731B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09406760B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices

Номер патента: US20040147094A1. Автор: David Emerson,Kevin Haberern,Raymond Rosado,Michael Bergman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor means and contact layers and related devices

Номер патента: CN1729600B. Автор: K·W·哈伯雷恩,M·J·伯格曼恩,R·罗萨多,D·T·埃梅森. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2010-05-26.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device having capacitance element, arranged close to mos transistor and having dielectric made of electrostrictive material

Номер патента: US20080061339A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Ohyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US12058866B2. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130221434A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US20240357825A1. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming semiconductor device having multi-channel

Номер патента: US09954061B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09530883B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers

Номер патента: US7613219B2. Автор: David Todd Emerson,Raymond Rosado,Kevin Ward Haberern,Michael John Bergman. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers

Номер патента: US20070007544A1. Автор: David Emerson,Kevin Haberern,Raymond Rosado,Michael Bergman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor device having a trench gate and method for manufacturing

Номер патента: US20110309423A1. Автор: Frank Pfirsch,Thomas Raker,Christian Foerster,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US7342422B2. Автор: Tomoatsu Makino,Yoshiyuki Hattori,Shoichi Yamauchi,Makoto Kuwahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US09859449B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having channel regions with non-uniform edge

Номер патента: US09716144B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of Forming Semiconductor Device Having Self-Aligned Plug

Номер патента: US20130302966A1. Автор: Sung-Lae Cho,Sang-Sup Jeong,Byoung-Jae Bae,Sung-Un Kwon,Kyoung-Ha EOM,Ik-Soo Kim,Chul-Ho Shin,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Dong-Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor having self-aligned polysilicon electrode layer

Номер патента: US5880496A. Автор: Min-Liang Chen,Nan-Hsiung Tsai. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Mram device having self-aligned shunting layer

Номер патента: US20230076145A1. Автор: William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Ming Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED CELL STRUCTURE

Номер патента: US20130313510A1. Автор: Liu Jun,Violette Michael P.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

MRAM DEVICE HAVING SELF-ALIGNED SHUNTING LAYER

Номер патента: US20210036054A1. Автор: Gallagher William J.,Lin Shy-Jay,Song Ming Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING SELF-ALIGNED BOTTOM ELECTRODE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140242773A1. Автор: KIM Jin Hyock,Kwon Young Seok,CHAE Su Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE HAVING SELF-ALIGNED DRAIN REGIONS AND METHODS OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20160111435A1. Автор: Dong Yingda,PACHAMUTHU Jayavel,Pang Liang. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Display apparatus having self-aligned structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US11152437B2. Автор: Donghyun YANG,Sungbae Ju,In Kyung Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Process for producing self aligned gate field effect transistor

Номер патента: US3675313A. Автор: Michael C Driver,Martin J Geisler. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Self-aligned gate and its forming method

Номер патента: TWI234883B. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Yi-Shing Chang,Wen-Ting Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-06-21.

Self-aligned gate field effect transistor and method of preparing

Номер патента: GB1341625A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-12-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having a die and through-substrate via

Номер патента: US09659900B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Xuejun Ying,Peter Mcnally,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices having hollow filler materials

Номер патента: US20230089928A1. Автор: Dingying Xu,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Hongxia Feng,Yiqun Bai,Ziyin LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-23.

Micro-bump, interposer for electrical connection having same, semiconductor package having same, multi-stacked semiconductor device having same, and display having same

Номер патента: WO2023018043A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: POINT ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having a protective material with a first pH formed around cooper wire bonds and aluminum pads for neutralizes a second pH of an outer encapsulant material

Номер патента: US10037965B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20030178683A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device having heat dissipation structure of curved profile and a manufacturing method thereof

Номер патента: US12094836B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Hsuan-Ning Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having multiple contact clips

Номер патента: US09837380B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09419131B2. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Kwan-Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09437741B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US9728487B2. Автор: Yumi Imamura,Takashi Karashima,Yosuke Imazeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having a transparent window for passing radiation

Номер патента: US09620656B2. Автор: Jian Chen,Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Bipolar Semiconductor Device Having a Deep Charge-Balanced Structure

Номер патента: US20160260823A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Bipolar semiconductor device having a deep charge-balanced structure

Номер патента: US09831330B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09461181B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321834A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332381A1. Автор: Ji Won Kang,Rak Hwan Kim,Chung Hwan Shin,Seong Heum CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Improved control of the forward and reverse characteristics of vertically oriented semiconductor devices

Номер патента: EP4456141A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Bipolar semiconductor device having a charge-balanced inter-trench structure

Номер патента: US09768284B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having reduced drain-to-source capacitance

Номер патента: US09608079B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

High voltage semiconductor device having schottky barrier diode

Номер патента: US20240105838A1. Автор: Tae Hoon Lee. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

GaN semiconductor device structure and method of fabrication by substrate replacement

Номер патента: US09818692B2. Автор: John Roberts,Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having capacitor integrated therein

Номер патента: US09520462B1. Автор: Joseph P. Ellul,Khanh Tran,Kiyoko Ikeuchi,Anuranjan Srivastava,Scott W. Barry. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Curable silicone composition, and optical semiconductor device

Номер патента: US09688869B2. Автор: Akihiko Kobayashi,Yusuke Miyamoto,Akito Hayashi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09728549B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device having fuses

Номер патента: US20050098803A1. Автор: Hajime Koyama,Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having a guard ring

Номер патента: US09659879B1. Автор: Vincent Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09318393B2. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Packaging structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3883131A1. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Addition-curable silicone composition and a semiconductor device

Номер патента: US09587075B2. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Takayuki Kusunoki,Yuusuke TAKAMIZAWA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having impedance calibration function to data output buffer and semiconductor module having the same

Номер патента: US09571102B2. Автор: Kentaro Hara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20110108853A1. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Compound semiconductor device

Номер патента: US8581296B2. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having a fuse element

Номер патента: US09818691B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20030141531A1. Автор: Kazuhiro Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device having at least one resin part that closes one or more corresponding ones of a plurality of threaded holes

Номер патента: US12119279B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kosuke Yamaguchi,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara,Teruaki Nagahara,Mamoru TOGAMI,Shota O. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having multiple power modules and cooling mechanism for the power modules

Номер патента: US09888617B2. Автор: Yuji Imoto,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Sensor device having inductors, analog and logic circuits for detecting power flowing through a powerline

Номер патента: US09875962B2. Автор: Hiroshi Oe,Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Kazunori Go,Takasuke Hashimoto,Noriko Yoshikawa,Takatsugu NEMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Electrical connector having self-aligning portion for leading cover

Номер патента: US20090280666A1. Автор: Cheng-Chi Yeh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Pole plate stacking apparatus of prismatic secondary battery using vacuum belt conveyor, and vacuum belt conveyor having self-alignment function

Номер патента: EP3872912B1. Автор: Nam Hyeong HONG,Cheol Won YEOM,Hyuk Shin. Владелец: Innometry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

POLE PLATE STACKING APPARATUS OF PRISMATIC SECONDARY BATTERY USING VACUUM BELT CONVEYOR, AND VACUUM BELT CONVEYOR HAVING SELF-ALIGNMENT FUNCTION

Номер патента: US20220278349A1. Автор: SHIN Hyuk,HONG Nam Hyeong,YEOM Cheol Won. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Improvements relating to electric switches having self-aligning contacts

Номер патента: GB596156A. Автор: . Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1947-12-30.

Pole plate stacking apparatus of prismatic secondary battery using vacuum belt conveyor, and vacuum belt conveyor having self-alignment function

Номер патента: EP3872912A1. Автор: Nam Hyeong HONG,Cheol Won YEOM,Hyuk Shin. Владелец: Innometry Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Pole plate stacking apparatus of prismatic secondary battery using vacuum belt conveyor, and vacuum belt conveyor having self-alignment function

Номер патента: EP3872912A4. Автор: Nam Hyeong HONG,Cheol Won YEOM,Hyuk Shin. Владелец: Innometry Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Picture display device and deflection coil both having self-aligning surfaces

Номер патента: ES437287A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-01-01.

Micro electromechanical switch having self-aligned spacers

Номер патента: US20030210124A1. Автор: Donald Canaperi,William Wille,Richard Volant,Kenneth Stein,Kevin Petrarca,David Angell,Joseph Kocis. Владелец: Wille William C.. Дата публикации: 2003-11-13.

Low voltage electron source with self aligned gate apertures, fabrication method thereof, and x-ray generator using the electron source

Номер патента: US20120219118A1. Автор: Zhidan Li Tolt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

SELF-ALIGNED GATED EMITTER TIP ARRAYS

Номер патента: US20140285084A1. Автор: Fomani Arash Akhavan,Velasquez-Garcia Luis Fernando,AKINWANDE AKINTUNDE IBITAYO. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

SELF-ALIGNED GATED EMITTER TIP ARRAYS

Номер патента: US20160254114A1. Автор: Fomani Arash Akhavan,Velasquez-Garcia Luis Fernando,Akinwande Akintunde I.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Field emission device with self-aligned gate electrode structure, and method of manufacturing same

Номер патента: EP1552542A1. Автор: Siebe T. De Zwart,Hugo M. Visser,Liesbeth Van Pieterson. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Field emission device with self-aligned gate electrode structure, and method of manufacturing same

Номер патента: US20070141736A1. Автор: Liesbeth Van Pieterson,Siebe De Zwart,Hugo Visser. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-06-21.

Self-aligned gate process for fabricating field emitter arrays

Номер патента: CA2034481A1. Автор: Randy K. Rolph,Zaher Bardai,Ralph Forman,Arthur E. Manoly,Robert T. Longo,Arlene E. Lamb. Владелец: Arlene E. Lamb. Дата публикации: 1991-02-15.

Coupled quantum dots with self-aligned gates

Номер патента: US20240196767A1. Автор: Peter Mueller,Kirsten Emilie Moselund,Bogdan Cezar Zota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of Forming Semiconductor Device Having Self-Aligned Plug

Номер патента: US20120040508A1. Автор: Sung-Lae Cho,Sang-Sup Jeong,Byoung-Jae Bae,Sung-Un Kwon,Kyoung-Ha EOM,Ik-Soo Kim,Chul-Ho Shin,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Dong-Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Mram device having self-aligned shunting layer

Номер патента: US20240090237A1. Автор: William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Ming Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of fabricating phase change memory device having self-aligned electrode, related device and electronic system

Номер патента: KR100883412B1. Автор: 박재현,오재희,이광우,김정인,공준혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-02-11.

Printed circuit board assembly comprising spacer having self-alignment function, and electronic device comprising same

Номер патента: EP4451814A1. Автор: Jaeheung YE,Kwangho JUNG,Yeonkyung CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory cell array having self-aligned recessed gate MOS transistors and method for forming the same

Номер патента: TW200739884A. Автор: Peter Voigt,Gerhard Enders,Marc Strasser,Bjoern Fischer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-16.

Display apparatus having self-aligned structures

Номер патента: US11950458B2. Автор: Donghyun YANG,Sungbae Ju,In Kyung Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022653B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Sunghoi Hur,Jaesun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Welding Electrode Assembly Having Self-Aligning Features

Номер патента: US20090173720A1. Автор: Alexander D. Khakhalev,Vitaly V. Neverovich. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Interactive kiosk having self-aligning printer paper dispensing chute

Номер патента: US20200171812A1. Автор: Patrick SAMUELSON. Владелец: ZIVELO Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Interactive kiosk having self-aligning printer paper dispensing chute

Номер патента: EP3660768A1. Автор: Patrick SAMUELSON. Владелец: ZIVELO Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Displays having self-aligned apertures and methods of making the same

Номер патента: WO2013012853A1. Автор: Timothy J Brosnihan,Jignesh Gandhi,John J. Fijol,Iii Eugene E Fike. Владелец: Pixtronix, Inc.. Дата публикации: 2013-01-24.

CARGO BED HAVING SELF-ALIGNING SIDE WALL PANELS

Номер патента: US20160023692A1. Автор: DiCianni Matthew Edward Michael. Владелец: International Truck Intellectual Property Company, LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

INTERACTIVE KIOSK HAVING SELF-ALIGNING PRINTER PAPER DISPENSING CHUTE

Номер патента: US20200171812A1. Автор: SAMUELSON Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

ROASTING SYSTEM HAVING SELF-ALIGNING AGITATOR AND DOOR BEARING ASSEMBLY

Номер патента: US20210227871A1. Автор: WYATT Jeff,SCHMEHL Peter,SANDHU John,HOLSCHUH Arno,LOPEZ Ricardo,PEEVYHOUSE Jeremiah,SANDHU Neil,"OGRIFFIN Mose",DAMELE Andrew,SHAWVER Michael. Владелец: Bellwether Coffee Co.. Дата публикации: 2021-07-29.

SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING SELF-ALIGNED STRUCTURE

Номер патента: US20210326568A1. Автор: Kim Bong Seok,NAM Dong Wook,MIN Byung Il,PARK Kwang Sue. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

INSPECTION ROBOT HAVING SELF-ALIGNING WHEELS

Номер патента: US20180267554A1. Автор: Loosararian Mark,Moore Joshua,Gu Yizhu,Low Kevin,Bryner Edward,MacKenzie Logan,Miller Ian,Chou Alvin,Joslin Todd. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

ROASTING SYSTEM HAVING SELF-ALIGNING AGITATOR AND DOOR BEARING ASSEMBLY

Номер патента: US20190320703A1. Автор: WYATT Jeff,SCHMEHL Peter,SANDHU John,HOLSCHUH Arno,LOPEZ Ricardo,PEEVYHOUSE Jeremiah,SANDHU Neil,"OGRIFFIN Mose",DAMELE Andrew,SHAWVER Michael. Владелец: Bellwether Coffee Co.. Дата публикации: 2019-10-24.

Automatic detection appts. sensing presence of connector in gas bottle valve - having self-aligning floating head and fibre=optic detection system

Номер патента: FR2692964A1. Автор: De Munter Dominique,Saurine Xavier. Владелец: Butagaz SAS. Дата публикации: 1993-12-31.

Thin liquid crystal transducer pixel cell having self-aligned support pillars

Номер патента: KR100329404B1. Автор: 무어파울엠.,바쉬어라쉬드. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2002-03-20.

Data processing system having self-aligning stack pointer and method therefor

Номер патента: CN1168505A. Автор: 约瑟夫·C·西尔塞罗,杰弗逊·高金科. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-12-24.

Cargo bed having self-aligning side wall panels

Номер патента: US9321492B2. Автор: Matthew Edward Michael DiCianni. Владелец: International Truck Intellectual Property Co LLC. Дата публикации: 2016-04-26.

Liquid drop ejector having self-aligned hole

Номер патента: US8173030B2. Автор: Christopher Newell Delametter,John Andrew Lebens,Weibin Zhang. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2012-05-08.

Roasting system having self-aligning agitator and door bearing assembly

Номер патента: WO2019204444A1. Автор: Jeff Wyatt,Ricardo Lopez,Peter SCHMEHL,John Sandhu,Arno HOLSCHUH,Michael Shawver,Jeremiah PEEVYHOUSE,Neil SANDHU,Mose O'GRIFFIN,Andrew DAMELE. Владелец: Bellwether Coffee Co.. Дата публикации: 2019-10-24.

Thin liquid crystal transducer pixel cell having self-aligned support pillars

Номер патента: KR19990083037A. Автор: 무어파울엠.,바쉬어라쉬드. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 1999-11-25.

Micromirror arrays having self aligned features

Номер патента: US20110222179A1. Автор: Pezhman Monadgemi. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2011-09-15.

Displays having self-aligned apertures and methods of making the same

Номер патента: EP2734887A1. Автор: Timothy J Brosnihan,Jignesh Gandhi,John J. Fijol,Iii Eugene E Fike. Владелец: Pixtronix Inc. Дата публикации: 2014-05-28.

Kitchen blender having self-aligning drive means

Номер патента: CA955926A. Автор: Arthur C. Christensen. Владелец: Scovill Inc. Дата публикации: 1974-10-08.

Method of fabricating carbon nanotube field emission display with self-aligned gate-emitter structure

Номер патента: KR100780286B1. Автор: 권상직. Владелец: 경원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-11-28.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010021341A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010022031A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Techniques for testing semiconductor devices

Номер патента: US12079097B2. Автор: Ashish Kumar,Rahul Garg,Shantanu SARANGI,Animesh Khare. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor devices having mirrored terminal arrangements, devices including same, and methods of testing such semiconductor devices

Номер патента: US20020044476A1. Автор: Steven Hamren,James Nuxoll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method to manufacture field transistors with self-aligned gate of submicron length

Номер патента: RU2436186C2. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Гаврилова,Ольга Анатольевна Дедкова,Юрий Викторович Лиленко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2011-12-10.

Self-aligned gate mesfet and the method of fabricating same

Номер патента: WO1985000077A1. Автор: Robert E. Lee,Harold M. Levy. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-01-03.

Self-aligning pulley and belt driving device having self-aligning pulley

Номер патента: JP4323222B2. Автор: 勝助 清水. Владелец: 有限会社 ヨコハマベルト. Дата публикации: 2009-09-02.

Thin film transistor liquid crystal display having self-aligned transparent conductive layer

Номер патента: TW452754B. Автор: Bing-Sheng Wu. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-01.

Bearing apparatus having self-aligned for punching system of electrostatic dust collector

Номер патента: TWM343736U. Автор: dong-sheng Cai,Rong-Bin Xu,Yuan-Jun Weng,Cai-Jiong Huang. Владелец: Tai & Chyun Associates Ind Inc. Дата публикации: 2008-11-01.

Semiconductor device with an oxide block layer and a self-aligned gate and method for making the same

Номер патента: TW200818352A. Автор: Jyi-Tsong Lin,Yi-Chuen Eng,Jhen Chen,Wei-Ching Lin,He-Lin Lee. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2008-04-16.

LIQUID DROP EJECTOR HAVING SELF-ALIGNED HOLE

Номер патента: US20120188309A1. Автор: Zhang Weibin,Lebens John Andrew,DELAMETTER Christopher Newell. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD OF MAKING A MOSFET HAVING SELF-ALIGNED SILICIDED SCHOTTKY BODY TIE INCLUDING INTENTIONAL PULL-DOWN OF AN STI EXPOSING SIDEWALLS OF A DIFFUSION REGION

Номер патента: US20120313174A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

DISPLAYS HAVING SELF-ALIGNED APERTURES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20130021662A1. Автор: Gandhi Jignesh,FIKE,III Eugene E.,Fijol John J.,Brosnihan Timothy J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

Retaining device for bogie having self-aligning wheels

Номер патента: SU1500540A1. Автор: Виктор Павлович Олифиренко. Владелец: Симферопольское Научно-Производственное Объединение Механизации И Автоматизации Погрузочно-Разгрузочных И Складских Работ. Дата публикации: 1989-08-15.

Support having self-aligning platform

Номер патента: SU763564A1. Автор: Борис Валентинович Остроумов,Станислав Павлович Муринов,Нонна Александровна Соболева. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Центральный Научно-Исследовательский И Проектный Институт Строительных Металлоконструкций "Цниипроектстальконструкция". Дата публикации: 1980-09-15.

The process of forming the n type metal oxide semi field effect transistor (nMOSFET) short channel having self-aligned silicide contact

Номер патента: TW399243B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-07-21.

Stud tensioner having self aligning connector

Номер патента: AU1584562A. Автор: ARTHUR BROOKS and LEROY SHAFFNER DEMART ERNEST. Владелец: Diamond Power Specialty Corp. Дата публикации: 1963-10-03.

Structure and manufacturing method of flash memory having self-aligned drain contact

Номер патента: TW434910B. Автор: Di-Sheng Guo,Hung-De Su,Chung-Rung Lin,Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-16.

Thin film transistor having self-aligned lightly-doped drain structure and its manufacturing method

Номер патента: TW200427089A. Автор: Shih-Chang Chang,Yaw-Ming Tsai,Chun-Hsiang Fang,De-Hua Deng. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-12-01.

Self-aligned gate transistor

Номер патента: CA910496A. Автор: C. Driver Michael. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-09-19.

A manufacturing way of self-aligned gate field emission device

Номер патента: TW279905B. Автор: Ching-Yuan Lin,Jing-Miin Hwang,Jiun-Wei Tsay,Nan-Jou Liou. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1996-07-01.

PRINTED TFT AND TFT ARRAY WITH SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20120037992A1. Автор: Street Robert A.. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2012-02-16.

GRAPHENE TRANSISTOR WITH A SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20120056161A1. Автор: Zhu Yu,Farmer Damon B.,Lin Yu-Ming,AVOURIS PHAEDON. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-08.

ION IMPLANTED AND SELF ALIGNED GATE STRUCTURE FOR GaN TRANSISTORS

Номер патента: US20120193688A1. Автор: Cao Jianjun,Lidow Alexander,Beach Robert,Nakata Alana,Strittmatter Robert,Zhao Guang Y.. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

GRAPHENE TRANSISTOR WITH A SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20120329260A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

A GRAPHENE TRANSISTOR WITH A SELF-ALIGNED GATE

Номер патента: US20130009133A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

STRUCTURES AND METHODS OF SELF-ALIGNED GATE FOR SB-BASED FETS

Номер патента: US20130075822A1. Автор: LIN Heng-Kuang,HO Han-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

GRAPHENE TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20130299782A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Zhu Yu,Farmer Damon B.,Lin Yu-Ming,AVOURIS PHAEDON. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

METHOD AND SYSTEM FOR A GAN VERTICAL JFET WITH SELF-ALIGNED GATE METALLIZATION

Номер патента: US20130299873A1. Автор: NIE Hui,DISNEY Donald R.,Brown Richard J.. Владелец: AVOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

GRAPHENE TRANSISTORS WITH SELF-ALIGNED GATES

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Zhu Yu,Farmer Damon B.,Lin Yu-Ming,AVOURIS PHAEDON. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

Compound Semiconductor Transistor with Self Aligned Gate

Номер патента: US20130320350A1. Автор: Curatola Gilberto,Häberlen Oliver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-05.

VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130320433A1. Автор: CHO Heung-Jae,HWANG Eui-Seong,PARK Eun-Shil. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Fabrication of mesfet with self-aligned gate

Номер патента: JPH01133375A. Автор: 輝彦 大石,Teruhiko Oishi. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-25.

A kind of self-align gate is locked a door cutter

Номер патента: CN104210925B. Автор: 胡刚,杨宝金,王士岩. Владелец: SHANGHAI BST DOORSYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Method for manufacturing field-effect transistors with self-aligning gate

Номер патента: SU1628766A1. Автор: Э.А. Ильичев,В.Н. Инкин,И.А. Ахинько. Владелец: И.А. Ахинько. Дата публикации: 1996-05-27.

A kind of self-align gate is locked a door cutter

Номер патента: CN204057610U. Автор: 胡刚,杨宝金,王士岩. Владелец: SHANGHAI BST DOORSYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2014-12-31.

METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING GATE CONTACT

Номер патента: US20120001259A1. Автор: ZHU Ming,Young Bao-Ru,Chuang Harry Hak-Lay,Wu Wei Cheng,Chung Sheng-Chen,Ng Jin-Aun,YOU Kai-Shyang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP COOLING DEVICE HAVING WEDGE ELEMENT

Номер патента: US20120000636A1. Автор: Weinmann Klaus,Hortmann Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.