Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

One transistor - one capacitor memory cell

Номер патента: GB2067352A
Опубликовано: 22-07-1981
Автор(ы):
Принадлежит: Mostek Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Random access memory cell with different capacitor and transistor oxide thickness

Номер патента: US4240092A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-12-16.

Random access memory cell with implanted capacitor region

Номер патента: US5168075A. Автор: Chang-Kiang Kuo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Active dynamic memory cell

Номер патента: CA1322250C. Автор: Loren Thomas Lancaster. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-09-14.

Four transistors static-random-access-memory cell

Номер патента: US20020047149A1. Автор: Chih-Yuan Hsiao,Po-Jau Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor capacitor structure and memory cell and method of making

Номер патента: CA1059628A. Автор: Richard H. Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1979-07-31.

Apparatuses Having Memory Cells with Two Transistors and One Capacitor, and Having Body Regions of the Transistors Coupled with Reference Voltages

Номер патента: US20190067298A1. Автор: Mouli Chandra,Gupta Rajesh N.,Karda Kamal M.,Pulugurtha Srinivas. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Apparatuses Having Memory Cells with Two Transistors and One Capacitor, and Having Body Regions of the Transistors Coupled with Reference Voltages

Номер патента: US20200203338A1. Автор: Mouli Chandra,Gupta Rajesh N.,Karda Kamal M.,Pulugurtha Srinivas. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Apparatuses Having Memory Cells with Two Transistors and One Capacitor, and Having Body Regions of the Transistors Coupled with Reference Voltages

Номер патента: US20190259769A1. Автор: Mouli Chandra,Gupta Rajesh N.,Karda Kamal M.,Pulugurtha Srinivas. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

Apparatuses having memory cells with two transistors and one capacitor, and having body regions of the transistors coupled with reference voltages

Номер патента: US11302703B2. Автор: Chandra Mouli,Kamal M. Karda,Rajesh N. Gupta,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read data from memory cells

Номер патента: WO2006065698A8. Автор: William Kenneth Waller,Eric Carman. Владелец: Eric Carman. Дата публикации: 2006-08-17.

Superconductive Memory Cells and Devices

Номер патента: US20240249770A1. Автор: Faraz Najafi. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Inverter including transistors having different threshold voltages and memory cell including the same

Номер патента: US20230170907A1. Автор: Seokhyeong Kang,Youngchang CHOI,Sunmean KIM,Kyongsu Lee. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-06-01.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Silicon over insulator two-transistor one-resistor in-series resistive memory cell

Номер патента: US20220020815A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for programming a one-transistor dram memory cell and memory device

Номер патента: US20190074050A1. Автор: Joris Lacord,François Tcheme Wakam. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-03-07.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190279985A1. Автор: Pierre C. Fazan. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same

Номер патента: WO2009068548A1. Автор: Pierre Fazan. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2009-06-04.

Volatile memory device with 3-d structure including vertical pillars and memory cells vertically stacked one over another in multiple levels

Номер патента: US20200411080A1. Автор: Yoshihito Koya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Switched-capacitor memory

Номер патента: US4188671A. Автор: Dennis J. Lynes. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-02-12.

A semiconductor store comprising one-transistor storage cells formed by V-MOS Technology

Номер патента: GB2044997A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-10-22.

One transistor dram cell structure and method for forming

Номер патента: EP2080217A1. Автор: Brian A. Winstead,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-07-22.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US20010036102A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Integrated DRAM memory cell and DRAM memory

Номер патента: US6445609B2. Автор: Alexander Frey,Werner Weber,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-03.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Vertical memory cell and conductive shield structure

Номер патента: WO2023076261A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Richard E. Fackenthal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device with memory cells arranged in high density

Номер патента: US20040156255A1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device

Номер патента: US09853211B2. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory cells with p-type diffusion read-only port

Номер патента: US09401200B1. Автор: Mark T. Chan,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for fabricating an asymmetric sot-mram memory cell unit, and memory cell unit obtained by implementing this method

Номер патента: US20240260478A1. Автор: Gilles Gaudin,Ioan Mihai Miron,Olivier Boulle,Dafine Ravelosona. Владелец: Universite Paris Saclay. Дата публикации: 2024-08-01.

Floating body memory cell system and method of manufacture

Номер патента: WO2007001942A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2007-04-05.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Circuit for enhancing robustness of sub-threshold SRAM memory cell

Номер патента: US9236115B2. Автор: Yue Feng,Yuan Chen,Jun Yang,Hong Chang,Fei Pan,Xinning Liu,Na Bai,Longxing Shi,Jiafeng Zhu,Cai Gong,Yifeng Deng,Yingcheng Xia. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-12.

Uniform bitline strapping of a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1282915A2. Автор: Mark W. Randolph,Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-12.

Uniform bitline strapping of a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2001088985A2. Автор: Mark W. Randolph,Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-22.

One transistor SOI non-volatile random access memory cell

Номер патента: US20050250261A1. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of reading six-transistor cross-coupled thyristor-based SRAM memory cells

Номер патента: US09741413B2. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of erasing memory cell

Номер патента: US20110158003A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory cell

Номер патента: EP1293988A3. Автор: Lung T. Tran,Heon Lee. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-07-14.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Integrated circuit including an array of memory cells and method

Номер патента: US20100027325A1. Автор: Lothar Risch,Peter Baars,Thomas Happ,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-02-04.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems

Номер патента: US09379315B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

Self-aligned 2-bit "double poly cmp" flash memory cell

Номер патента: EP1556867A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-27.

Self-aligned 2-bit 'double poly cmp' flash memory cell

Номер патента: WO2004038728A1. Автор: Michiel J. Van Duuren,Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-05-06.

A method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate

Номер патента: WO2012158366A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Henry A. Om'Mani,Mandana TADAYONI,Elizabeth A. CUEVAS. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240284666A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory including memory cells having different sizes

Номер патента: US20240284670A1. Автор: Moon Soo Sung,Dong Hun Kwak,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Self-erasing memory cell

Номер патента: AU7515000A. Автор: Wolfgang Braun,Arvid Wirén. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2001-04-10.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Layout of a memory cell of an integrated circuit

Номер патента: US20200320174A1. Автор: Amira Rozenfeld,Rolf Sautter,Shankar Kalyanasundaram,Rajesh Veerabhadraiah,Ananth Nag Raja Darla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Integration of memory cell and logic cell

Номер патента: US20240306361A1. Автор: Jui-Lin Chen,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Layout pattern of memory cell circuit

Номер патента: US6043521A. Автор: Koji Nii,Koji Shibutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Resistive memory cell and associated cell array structure

Номер патента: US12069873B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory Cell and Method of Manufacturing a Memory Cell

Номер патента: US20130020631A1. Автор: Navab Singh,Vincent Pott. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor memory with respective power voltages for plurality of memory cells

Номер патента: US09997235B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Kao-Cheng LIN,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Three terminal SOT memory cell with anomalous Hall effect

Номер патента: US09830966B2. Автор: Neil Smith,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit memory device including banks of memory cells and related methods

Номер патента: US5650977A. Автор: Jin-Man Han,Kye-Hyun Kyung,Jei-Hwan Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-22.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Three terminal sot memory cell with anomalous hall effect

Номер патента: US20180137904A1. Автор: Neil Smith,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor memory device having mode storing one bit data in two memory cells and method of controlling the same

Номер патента: TW200415652A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-16.

Two-terminal one-time programmable fuses for memory cells

Номер патента: US11948630B2. Автор: Federico Nardi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

3D semiconductor device and structure with bonding and DRAM memory cells

Номер патента: US12068187B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

One transistor SOI non-volatile random access memory cell

Номер патента: US6888200B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-03.

One transistor SOI non-volatile random access memory cell

Номер патента: US7184312B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-27.

One transistor SOI non-volatile random access memory cell

Номер патента: US7440317B2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-21.

3d semiconductor device and structure with bonding and dram memory cells

Номер патента: US20240213073A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory cell with charge trap transistors and method thereof capable of storing data by trapping or detrapping charges

Номер патента: US20200105338A1. Автор: Chun-Chen Liu,Yuan Du,Junjie Su,Mingzhe Jiang. Владелец: Kneron Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of programming memory cells

Номер патента: US9257648B2. Автор: Jun Liu,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-09.

Ferroelectric transistor especially for a non-volatile memory cell

Номер патента: DE19840824C1. Автор: Reinhard Stengl,Wolfgang Hoenlein,Thomas Haneder,Hans Reisinger,Hermann Wendt,Harald Bachhofer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-21.

Single transistor rare earth manganite ferroelectric nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2002082510A1. Автор: Fred P. Gnadinger. Владелец: Cova Technologies Incorporated. Дата публикации: 2002-10-17.

Read-write circuitry for one transistor per bit random access memory

Номер патента: US4004285A. Автор: Alan Richard Bormann,Robert Tapei Yu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1977-01-18.

Floating body volatile memory cell two-pass writing method

Номер патента: WO2007002054A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Dram memory cells reconfigured to provide bulk capacitance

Номер патента: WO2014008584A1. Автор: Yonghua Liu,James Kosolowski. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-16.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Nonvolatile memory devices and program verification methods using one verification voltage to verify memory cells having different target states

Номер патента: US09406393B2. Автор: Jung-ho Song,Ilhan Park,Ji-Suk Kim,Yang-Lo AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20190221264A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US09711223B2. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory configured to generate a data value from a data line connected to more than one string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190341115A1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20140140134A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20120300546A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: WO2012162494A2. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20170316831A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Switched capacitor non-volatile mnos random access memory cell

Номер патента: US3922650A. Автор: Albert M Schaffer. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1975-11-25.

Memory Cells and Arrays of Memory Cells

Номер патента: US20200286539A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

DRAM having memory cells each using one transfer gate and one capacitor to store plural bit data

Номер патента: US5995403A. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Memory cells and arrays of memory cells

Номер патента: US11810607B2. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory Cells and Arrays of Memory Cells

Номер патента: US20210183426A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory cells and arrays of memory cells

Номер патента: US10957374B2. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Anti-ferroelectric capacitor memory cell

Номер патента: US20190371802A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Circuit arrangement for reading out and regenerating items of information stored in one-transistor storage elements

Номер патента: CA1141858A. Автор: Karl-Ulrich Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-02-22.

Memory cell array of a static random access memory and a static random access memory including the same

Номер патента: US20240233812A1. Автор: Hyunjun Kim,Seongook JUNG,Keonhee Cho,Sekeon Kim,Kyeongrim Baek. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device enabling refreshing of redundant memory cell instead of defective memory cell

Номер патента: US20150049564A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory cell

Номер патента: EP1132919A3. Автор: Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-08-21.

Voltage profile for reduction of read disturb in memory cells

Номер патента: WO2021080829A1. Автор: Hongmei Wang,Mingdong Cui,Michel Ibrahim Ishac. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory device with memory cell structure including ferroelectric data storage layer, and a first gate and a second gate

Номер патента: US10896711B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Seung Hyun Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatuses, methods, and systems for increasing a speed of removal of data from a memory cell

Номер патента: US09858984B2. Автор: Shigeki Tomishima,Helia Naeimi,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory cells and methods of formation

Номер патента: US09548444B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetic memory cells with low switching current density

Номер патента: US09542987B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US12106809B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory cell having dielectric memory element

Номер патента: US09721655B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatus for adjusting supply level to improve write margin of a memory cell

Номер патента: US09666268B2. Автор: Yih Wang,Fatih Hamzaoglu,Muhammad M. Khellah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory cell architecture for multilevel cell programming

Номер патента: US09607691B1. Автор: Mattia Boniardi,Mario Allegra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including main amplifers between memory cell arrays

Номер патента: US09443573B2. Автор: Hidekazu Egawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US11776633B2. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and methods for determining data states of memory cells

Номер патента: US20200194084A1. Автор: Violante Moschiano,Ugo Russo,William C. Filipiak,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Integrated dram circuit, method for refreshing memory cells, and method for preventing a data integrity attack

Номер патента: EP4369341A1. Автор: Kaveh Razavi,Michele MARAZZI. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-05-15.

Memory circuit and method for refreshing dynamic memory cells

Номер патента: US20070258307A1. Автор: Wolfgang Ruf,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Hermann Haas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-08.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Energy efficient three-terminal voltage controlled memory cell

Номер патента: US09589616B2. Автор: HAO Meng,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic memory cells with fast read/write speed

Номер патента: US09570138B2. Автор: Eng Huat Toh,Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory cells having a common gate terminal

Номер патента: US09520447B2. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Compensating for concentrated activation of memory cells in a semiconductor memory device

Номер патента: US12020742B2. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Multi-bit memory cell structures and devices

Номер патента: WO2007099277A1. Автор: Hyunho Kim,Mark Blamire. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2007-09-07.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Integrated dram circuit, method for operating the integrated dram circuit by refreshing memory cells of the integrated dram circuit, and method for preventing a data integrity attack

Номер патента: WO2024105517A1. Автор: Kaveh Razavi,Michele MARAZZI. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for recognizing and replacing defective memory cells in a memory

Номер патента: US20020196686A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-26.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Programmable logic device memory cell circuit

Номер патента: EP1025564A1. Автор: Bruce B. Pedersen,David E. Jefferson. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Superconducting phase-controlled hysteretic magnetic Josephson junction JMRAM memory cell

Номер патента: US09520181B1. Автор: William Robert Reohr,Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr,Andrew Hostetler Miklich. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Volatile memory and one-time program (OTP) compatible memory cell and programming method

Номер патента: US9449709B1. Автор: Xia Li,Zhongze Wang,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen,Weidan Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Volatile memory and one-time program (otp) compatible memory cell and programming method

Номер патента: WO2017052759A1. Автор: Xia Li,Zhongze Wang,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen,Weidan Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-30.

Programming at least one multi-level phase change memory cell

Номер патента: US20130021845A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi,Haris Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

One transistor and one ferroelectric capacitor memory cells in diagonal arrangements

Номер патента: US20200091162A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

P-Channel germanium on insulator (GOI) one transistor memory cell

Номер патента: US20090256206A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

One-transistor composite-gate memory

Номер патента: US20060255400A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

One-transistor composite-gate memory

Номер патента: US20120280306A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

One transistor flash EPROM cell

Номер патента: US4958321A. Автор: Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1990-09-18.

One transistor EEPROM cell using ferro-electric spacer

Номер патента: US6163482A. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Arrays of nonvolatile memory cells comprising a repetition of a unit cell, arrays of nonvolatile memory cells comprising a combination of vertically oriented and horizontally oriented memory cells, and arrays of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620174B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells

Номер патента: US09390799B2. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20210020239A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200294586A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20220208262A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: US20200035297A1. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming an integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09935001B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Cryptographic processing device having a non-volatile memory including memory cells in an initial or a variable state

Номер патента: US09921975B2. Автор: Takuji Maeda,Shinji Inoue,Yoshikazu Katoh,Masato Suto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit chip having two types of memory cells

Номер патента: US09576644B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

High density single-transistor antifuse memory cell

Номер патента: US09496270B2. Автор: Paul A. Nygaard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device including nonvolatile memory cell

Номер патента: US09336894B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Ji-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of exchanging data with memory cells or other devices and their addressing

Номер патента: RU2625023C2. Автор: . Владелец: Косухин Вячеслав Алексеевич. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus and methods for forming a memory cell using charge monitoring

Номер патента: US20150124517A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: EP3729437A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Auto-referenced memory cell read techniques

Номер патента: WO2019126416A2. Автор: Graziano Mirichigni,Federico Pio,Marco Sforzin,Paolo Amato,Alessandro Orlando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Programming and verifying method for multilevel memory cell array

Номер патента: US11250921B1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ming Ku,Ying-Je Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09941012B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09761295B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Twin memory cell interconnection structure

Номер патента: US09627068B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US09536613B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US09530493B2. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Gating device cell for cross array of bipolar resistive memory cells

Номер патента: US09508776B2. Автор: QI Liu,Ming Liu,Yan Wang,Hangbing Lv,Shibing Long. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-29.

MTP-thyristor memory cell circuits and methods of operation

Номер патента: US09484068B2. Автор: Harry Luan,Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for programming a non-volatile memory cell comprising a shared select transistor gate

Номер патента: US09443598B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US12033692B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US20240257880A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240265969A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu,I-Wei Huang,Jui-Hsin Chang,Re-Peng Tsay,Chiahaur Chang. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US20090207680A1. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2009-08-20.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282369A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274187A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Neural network classifier using array of three-gate non-volatile memory cells

Номер патента: US20240274186A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: WO2024162973A1. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Louisa Schneider,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for the allocation of addresses in the memory cells of a rechargeable energy accumulator

Номер патента: US7821226B2. Автор: Joachim Froeschl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2010-10-26.

Memory cell array with row direction gap between erase gate lines and dummy floating gates

Номер патента: US12131786B2. Автор: Hieu Van Tran,Jinho Kim,Nhan Do,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Steven Lemke,Henry A. Om'Mani,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US09865343B2. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2018-01-09.

Random number processing device generating random numbers by using data read from non-volatile memory cells, and integrated circuit card

Номер патента: US09823899B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Individually read-accessible twin memory cells

Номер патента: US09653470B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional (3d) memory cell with read/write ports and access logic on different tiers of the integrated circuit

Номер патента: EP2973706A1. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

MEMORY CELLS, METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, AND METHODS OF FORMING PROGRAMMED MEMORY CELLS& xA;

Номер патента: EP2257980A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Memory cells, methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells

Номер патента: WO2009099732A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-13.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory device including multiple decks of memory cells and pillars extending through the decks

Номер патента: US20220068956A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Neural network classifier using array of stacked gate non-volatile memory cells

Номер патента: EP3918533A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Neural Network Classifier Using Array Of Stacked Gate Non-volatile Memory Cells

Номер патента: US20200242453A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Neural network classifier using array of stacked gate non-volatile memory cells

Номер патента: WO2020159580A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and shield structures

Номер патента: US20240251543A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile variable capacitive device including resistive memory cell

Номер патента: US20130148410A1. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US20140211547A1. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Multiple decks of memory cells and pillars

Номер патента: WO2022047331A1. Автор: Roger W. Lindsay,John Hopkins,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Shawn D. Lyonsmith,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Lisa M. Clampitt,Kevin Y. Titus,Martin Jared Barclay,Pavithra Natarajan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory cell, pixel structure and fabrication process of memory cell

Номер патента: US20070099376A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-05-03.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09997701B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US09922721B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09847131B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory cell array latchup prevention

Номер патента: US09842629B2. Автор: Helmut Puchner,Nayan Patel,Shahin Sharifzadeh,Ravindra M Kapre. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory cell with functions of storage element and selector

Номер патента: US09786842B1. Автор: Chih-Ming Lai,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,I-Chun CHENG,Ming-Yi Yan,Jhih-You Lu,Hsien-Chih Huang,Yun-Shiuan LI,Yue-Lin Huang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09715932B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

Programming multibit memory cells

Номер патента: US09685233B2. Автор: Chih-Chang Hsieh,Kuo-Pin Chang,Ti-Wen Chen,Yung Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09679648B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Voltage supply devices generating voltages applied to nonvolatile memory cells

Номер патента: US09620185B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional (3D) memory cell separation among 3D integrated circuit (IC) tiers, and related 3D integrated circuits (3DICs), 3DIC processor cores, and methods

Номер патента: US09583179B2. Автор: Yang Du,Jing Xie. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Permutational memory cells

Номер патента: US09484088B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09472755B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Programming schemes for multi-level analog memory cells

Номер патента: US09449705B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Dotan Sokolov,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US20220262420A1. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Memory cell

Номер патента: WO2023111606A1. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier,Vincenzo DELLA MARCA,Antonino Conte,Nadia Miridi,Franck Melul. Владелец: Université D'aix Marseille. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single-poly nonvolatile memory cells

Номер патента: US20170236829A1. Автор: Nam Yoon Kim,Kwang Il Choi,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Feed-forward bidirectional implanted split-gate flash memory cell

Номер патента: EP3274996A1. Автор: Xiangzheng Bo,Douglas Tad GRIDER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

Programming of memory cells using a memory string dependent program voltage

Номер патента: US12051467B2. Автор: Henry Chin,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory Cells, Memory Cell Constructions, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20130322158A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Fabrication process of memory cell

Номер патента: US20080108195A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Hung-Tse Chen,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-05-08.

Memory cells with asymmetrical electrode interfaces

Номер патента: US12082513B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Kolya Yastrebenetsky,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory having memory cell string and coupling components

Номер патента: US20200007896A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory cell comprising a carbon nanotube fabric element and a steering element

Номер патента: US20110266514A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,S. Brad Herner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: WO2005094178A3. Автор: Boaz Eitan,Assaf Shappir,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US7369440B2. Автор: Assaf Shappir,Shai Eisen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-05-06.

Multi-level memory cell with increased read-out margin

Номер патента: US5293563A. Автор: Yoshiji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-03-08.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory cell programming

Номер патента: US20210272633A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Programming memory cells

Номер патента: US20140321214A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US20050169089A1. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-08-04.

Method and circuit for locating anomalous memory cells

Номер патента: US7072239B2. Автор: Matteo Patelmo,Massimo Bassi,Stefano Scuratti,Rosario Portoghese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-04.

Redundancy schemes for memory cell repair

Номер патента: US09911510B1. Автор: Young Suk Kim,Lalit Gupta,Fakhruddin Ali Bohra,Vivek Nautiyal,Pranay Prabhat,Jungtae Kwon,Shri Sagar Dwivedi,Satinderjit Singh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Programming at least one multi-level phase change memory cell

Номер патента: US20130021845A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi,Haris Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Programming at least one multi-level phase change memory cell

Номер патента: US20130044540A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Abu Sebastian,Evangelos S. Eleftheriou,Angeliki Pantazi,Haris Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Programming at least one multi-level phase change memory cell

Номер патента: GB201218792D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20070201261A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7787285B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080278992A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power control over memory cell arrays

Номер патента: US09666266B1. Автор: Hongbin Ji,Ephrem C. Wu,Thomas H. Strader. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Tracking mechanism for writing to a memory cell

Номер патента: US09418717B2. Автор: Bing Wang,Kuoyuan (Peter) Hsu,Kai Fan,Derek C. Tao,Yukit TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Phase hysteretic magnetic josephson junction memory cell

Номер патента: US09653153B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr,Andrew Hostetler Miklich. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20200202901A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20210375330A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for evaluating sram memory cell and computer readable recording medium which records evaluation program of sram memory cell

Номер патента: US20100115352A1. Автор: Kazuyuki Nakamura. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory cell with stability switch for stable read operation and improved write operation

Номер патента: US20060171188A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Write assist circuit for write disturbed memory cell

Номер патента: US20150146470A1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

An ultra low power memory cell with a supply feedback loop configured for minimal leakage operation

Номер патента: WO2012153258A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-01-24.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20080225573A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen V. Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Static random access memory cell with improved stability

Номер патента: US20070247896A1. Автор: Kenneth Rodbell,Sampath Purushothaman,Stephen Kosonocky,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Data processing system, method, and product for automatically performing timing checks on a memory cell using a static timing tool

Номер патента: US20030099129A1. Автор: Christopher Durham,Peter Klim,Matthew Amatangelo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Multi-bit non-volatile random-access memory cells

Номер патента: US09607695B1. Автор: Jayant Ashokkumar,David Still,Joseph Tandingan,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Multistage memory cell read

Номер патента: US09543005B2. Автор: CHAOHONG HU,Balaji Srinivasan,Kiran Pangal,Sandeep K Guliani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20220343958A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional (3-d) write assist scheme for memory cells

Номер патента: US20190096458A1. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Single ended two-stage memory cell

Номер патента: US20020167846A1. Автор: Spencer Gold,Julie Staraitis. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

System And Method For Generating Random Numbers Based On Non-volatile Memory Cell Array Entropy

Номер патента: US20180286486A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: EP3602084A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

System and method for generating random numbers based on non-volatile memory cell array entropy

Номер патента: WO2018182922A1. Автор: Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory with NAND type memory cells having NOR gate operation delay means

Номер патента: US5768209A. Автор: Hirokazu Nagashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Memory cell coupling compensation

Номер патента: US09552257B2. Автор: Peter Feeley,William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Improved system for programming a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568043A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Sameer S. Haddad,Zhizheng Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09818484B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long T Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines

Номер патента: US09627073B2. Автор: Xiaojun Yu,Igor G. Kouznetsov,Venkatraman Prabhakar,Bo Jin,Long Hinh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US09318200B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: EP4352728A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Memory architecture with multi-bank memory cell array accessed by local drive circuit within memory bank

Номер патента: US09997224B2. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

Encoding and decoding data to accommodate memory cells having stuck-at faults

Номер патента: GB2507413A. Автор: Robert Eugeniu Mateescu,Cyril Guyot,Hessam Mahdavifar,Qingbo Wang,Luiz M Franca-Neto,Zvonimir Z Bandic. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-04-30.

Voltage supply circuit, memory cell arrangement, and method for operating a memory cell arrangement

Номер патента: US20220277794A1. Автор: Marko Noack. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2022-09-01.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US20210057029A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Non-volatile memory cell healing

Номер патента: US20120300551A1. Автор: ANDREI Mihnea,Mark Helm,William Kueber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US10020056B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-10.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US20200020399A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US20160232947A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US20170178730A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US20190019556A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Methods and apparatuses including a string of memory cells having a first select transistor coupled to a second select transistor

Номер патента: US9583154B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US20210271415A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Adaptive and/or iterative operations in executing a read command to retrieve data from memory cells

Номер патента: US11775217B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory architecture with multi-bank memory cell array accessed by local drive circuit within memory bank

Номер патента: US20180068700A1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of Operating an Integrated Circuit for Reading the Logical State of a Memory Cell

Номер патента: US20090059673A1. Автор: Josef Willer,Detlev Richter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-05.

SILICON OVER INSULATOR TWO-TRANSISTOR TWO-RESISTOR IN-SERIES RESISTIVE MEMORY CELL

Номер патента: US20220020431A1. Автор: DAGAN Lior. Владелец: Weebit Nano Ltd.. Дата публикации: 2022-01-20.

APPARATUS AND METHODS INCLUDING A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COUPLED TO A STRING OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20140140134A1. Автор: Gastaldi Roberto,Tessariol Paolo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

APPARATUS AND METHODS INCLUDING A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COUPLED TO A STRING OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20190221264A1. Автор: Gastaldi Roberto,Tessariol Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20170316831A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

MEMORY CONFIGURED TO GENERATE A DATA VALUE FROM A DATA LINE CONNECTED TO MORE THAN ONE STRING OF SERIES-CONNECTED MEMORY CELLS

Номер патента: US20190341115A1. Автор: VALI Tommaso,Roohparvar Frankie F.,Eldredge Kenneth J.,De Santis Luca. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-07.

Selective access transistor memory - is fitted with each memory cell having storage circuit memory transistor and data conservation circuit

Номер патента: FR2300391A1. Автор: . Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1976-09-03.

Memory cell configuration

Номер патента: US20020005535A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Ferroelectric space charge capacitor memory system

Номер патента: US5151877A. Автор: Ciaran J. Brennan. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 1992-09-29.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10127963B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-13.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US09799388B1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Programming non-volatile storage includng reducing impact from other memory cells

Номер патента: EP2561511A1. Автор: Ken Oowada,Yingda Dong,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-02-27.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20200005849A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: US20190108866A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Charge sharing between memory cell plates

Номер патента: EP3449484A1. Автор: Eric S. CARMEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Iterative memory cell charging based on reference cell value

Номер патента: WO2007134301A2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US10395714B2. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Charge sharing between memory cell plates using a conductive path

Номер патента: US20170316815A1. Автор: Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Sensing memory cells using array control lines

Номер патента: US20190371380A1. Автор: James Hart,Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee,Yadhu Vamshi Vancha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory apparatus with gated phase-change memory cells

Номер патента: US20130322168A1. Автор: Daniel Krebs,Gael Close. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Semiconductor device including memory cell

Номер патента: US20240257852A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for faster determination of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09953706B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory cell imprint avoidance

Номер патента: US09721639B1. Автор: Kirk Prall,Ferdinando Bedeschi,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and apparatus for faster determination of a cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09496031B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Refresh of nonvolatile memory cells and reference cells with resistance drift

Номер патента: US09472274B1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells

Номер патента: US11735253B2. Автор: Pin-Chou Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device capable of determining an initial program condition for different memory cells

Номер патента: US09679651B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell

Номер патента: EP1847999A9. Автор: Jens Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-15.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Writing a multibit resistance-switching memory cell including a dummy resistance, resistance switching elements and diodes

Номер патента: EP2415052A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Programming nonvolatile memory cells through a series of predetermined threshold voltages

Номер патента: US20200202945A1. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of determining binary signal of memory cell and apparatus thereof

Номер патента: US20090055700A1. Автор: Hyun-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory cell sensing architecture

Номер патента: US20240257855A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Data reading method in semiconductor storage device capable of storing three-or multi-valued data in one memory cell

Номер патента: US5682347A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US9455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Devices, methods, and systems for calibrating a read voltage used for reading memory cells

Номер патента: US20240265959A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Ground reference scheme for a memory cell

Номер патента: US09934837B2. Автор: Daniele Vimercati,Umberto Di Vincenzo,Christopher John Kawamura,Scott James Derner,Eric S. Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods and apparatuses having a voltage generator with an adjustable voltage drop for representing a voltage drop of a memory cell and/or a current mirror circuit and replica circuit

Номер патента: US09728256B2. Автор: Umberto Di Vincenzo,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatuses and methods of reading memory cells based on response to a test pulse

Номер патента: US09672908B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US09666273B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Mitigation of data retention drift by programming neighboring memory cells

Номер патента: US09583199B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Avraham Poza Meir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Parallel programming of nonvolatile memory cells

Номер патента: US09576647B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US09543000B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09496036B1. Автор: Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Pei-Hsiang Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Mitigating reliability degradation of analog memory cells during long static and erased state retention

Номер патента: US09455040B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Moshe Neerman,Avraham Poza Meir,Yael Shur,Etai Zaltsman,Meir Dalal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Reading a multi-bit value from a memory cell

Номер патента: US09449682B2. Автор: Sau Ching Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-20.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

System and method for reliable sensing of memory cells

Номер патента: US11763891B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Systems and methods to reduce interference between memory cells

Номер патента: US20080205155A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Current Magnitude Compensation for Memory Cells in a Data Storage Array

Номер патента: US20110007550A1. Автор: Markus Jan Peter Siegert,Andrew John Carter,Michael Xuefei Tang,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Devices, methods, and systems for calibrating a sensing capacitor used in a sensing circuit for reading memory cells

Номер патента: US20240312507A1. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Palludo. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Simplified operations to read memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US12073892B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for storing data in a reference layer in magnetoresistive memory cells

Номер патента: US09990976B1. Автор: Jon Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09934839B2. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamic adjustment of memory cell digit line capacitance

Номер патента: US09786348B1. Автор: Charles Ingalls,Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for programming a memory cell having a programmable resistance

Номер патента: US09659647B1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device having a different source line coupled to each of a plurality of layers of memory cell arrays

Номер патента: US09564227B2. Автор: Akira Goda,Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Threshold voltage grouping of memory cells in same threshold voltage range

Номер патента: US09536601B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Initialization techniques for multi-level memory cells using multi-pass programming

Номер патента: US09460780B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Mikhail Palityka,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US09418735B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells

Номер патента: US20140211541A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Methods and devices for determining writing current for memory cells

Номер патента: US20060203537A1. Автор: Hung-Cheng Sung,Der-Shin Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Adaptive programming and erasure schemes for analog memory cells

Номер патента: WO2013112336A3. Автор: Ofir Shalvi,Eyal Gurgi,Yoava KASORLA. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Ferroelectric memory with series connected memory cells

Номер патента: EP1514275A1. Автор: Michael Jacob. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-16.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002374A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Redundancy concept for memory circuits having ROM memory cells

Номер патента: US5986952A. Автор: Manfred Bromba,Eckehard Plättner,Konrad SCHÖNEMANN,Jochen Breilmann,Roderick McConnell,Klaus Bernauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-16.

Methods and apparatus utilizing expected coupling effect in the programming of memory cells

Номер патента: US20100259978A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US20030002341A1. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Charging a capacitance of a memory cell and charger

Номер патента: US6597606B2. Автор: Kerry D. Tedrow. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Method and circuit for generating reference voltages for reading a multilevel memory cell

Номер патента: US20020192892A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-19.

Coding method of multi-level memory cell

Номер патента: US20020181278A1. Автор: Cheng-Jye Liu,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Reading a multi-level memory cell

Номер патента: US20240321347A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Agostino Pirovano,Mattia Robustelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory capable of reading data without accessing memory cell

Номер патента: US09672887B2. Автор: Masahiko Nakayama,Katsuhiko Hoya,Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells for alleviating resistance and current drift

Номер патента: US09576650B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09552864B1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same

Номер патента: US09418734B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US20150194192A1. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Simultaneous reading from and writing to different memory cells

Номер патента: EP1609153A1. Автор: Kim Le Phan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-28.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Integrated circuit for programming a memory cell

Номер патента: US20100002498A1. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-01-07.

Apparatus for determining number of bits to be stored in memory cell

Номер патента: WO2009107917A1. Автор: Jae Hong Kim,Jun Jin Kong,Seung-Hwan Song,Kyoung Lae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2009-09-03.

Temperature exposure detection based on memory cell retention error rate

Номер патента: EP4137791A1. Автор: Anirban Roy,Guido Jozef Maria Dormans,Michiel Jos Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-02-22.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile multilevel memory cell programming

Номер патента: WO2008085254A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Systems and Methods for Selecting Bit Per Cell Density of a Memory Cell Based on Data Typing

Номер патента: US20110060886A1. Автор: Robb Mankin,Robert W. Warren. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Associative memory cells

Номер патента: WO1988002919A1. Автор: Richard John Edward Aras. Владелец: Richard John Edward Aras. Дата публикации: 1988-04-21.

Apparatus and method for reducing leakage currents of integrated circuits having at least one transistor

Номер патента: US7477552B2. Автор: Josef Haid,Bernd Zimek,Thomas Kuenemund,Thomas Leutgeb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-13.

Reduced field implant for dynamic memory cell array

Номер патента: US4388121A. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-06-14.

Apparatus configured to program memory cells using an intermediate level for multiple data states

Номер патента: US20180211714A1. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20050052911A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device having a redundant memory cell and method for recovering the same

Номер патента: US20040047192A1. Автор: Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Programming memory cells with concurrent storage of multi-level data as single-level data for power loss protection

Номер патента: US20220406398A1. Автор: Xiang Yang,Toru Miwa,Ken Oowada,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method and circuit for simultaneously programming memory cells

Номер патента: US20060245269A1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-11-02.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20240249777A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Content addressable memory and content addressable memory cell

Номер патента: US20240355408A1. Автор: Chi-Chang Shuai,Yi-Hsin TSENG,Yen-Yao Wang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus for determining memory cell data states

Номер патента: US12112819B2. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory cell retention enhancement through erase state modification

Номер патента: US09672909B2. Автор: Santosh Murali,Jim Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory cell and memory

Номер патента: US09496047B2. Автор: HUA Chen,YONG Li,Jun Yang,Ju Shen,Hwong-Kwo Lin. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonvolatile memory cell array

Номер патента: WO1988002174A2. Автор: Raymond Alexander Turi,Alan David Poeppelman. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1988-03-24.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20160104527A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US20140208054A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: US20210287744A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: EP4059019A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Storing one data value by programming a first memory cell and a second memory cell

Номер патента: US20230290413A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and methods for determining memory cell data states

Номер патента: US20230274786A1. Автор: Ting Luo,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Luyen Vu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: EP1590810A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-02.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Method and apparatus for adaptive memory cell overerase compensation

Номер патента: US20100020607A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Method for programming of a semiconductor memory cell

Номер патента: EP1168363B1. Автор: Boaz Eitan,Eduardo Maayan,Zeev Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-08-09.

Content addressable memory device, content addressable memory cell and method for single-bit multi-level data searching and comparing

Номер патента: US12094534B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Refresh of neighboring memory cells based on read status

Номер патента: US20240321350A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques for parallel memory cell access

Номер патента: US20240304244A1. Автор: Andrea Martinelli,Maurizio Rizzi,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Determining soft data for fractional digit memory cells

Номер патента: US09875792B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus to store data and methods to read memory cells

Номер патента: US09431103B2. Автор: Siamak Tavallaei. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-08-30.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Compensation for reference transistors and memory cells in analog neuro memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20220383087A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Memory cell

Номер патента: US20130010524A1. Автор: John D. Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

System and method for reading memory cells

Номер патента: EP4070311A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Testing memory cells

Номер патента: US20190066813A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Replacement data storage circuit storing address of defective memory cell

Номер патента: US20100153775A1. Автор: Hiroshi Sugawara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Operations on memory cells

Номер патента: EP3718110A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Restoring memory cell threshold voltages

Номер патента: WO2021096685A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Lingming Yang,Nevil Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Operations on memory cells

Номер патента: US20210005263A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor storing device for reading out or writing data from/in memory cells

Номер патента: US20030202416A1. Автор: Yoshinori Doi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Improved method for reading a non-volatile memory cell adjacent to an inactive region of a non-volatile memory cell array

Номер патента: WO2004070727A2. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Ming-Huei Shieh,Pau-Ling Chen,Darlene G. Hamilton,Edward Hsia,Edward Runnion,Eric Ajimine. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Memory device for multiplication using memory cells with different thresholds based on bit significance

Номер патента: US20240304255A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A3. Автор: David Gaun,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Colin S Bill,Eugene Gershon. Владелец: Eugene Gershon. Дата публикации: 2008-05-22.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: WO2007015864A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-02-08.

Program/erase waveshaping control to increase data retention of a memory cell

Номер патента: EP1911035A2. Автор: David Gaun,Colin S. Bill,Tzu-Ning Fang,Wei Daisy Cai,Eugene Gershon. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-16.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Strategic memory cell reliability management

Номер патента: US12112057B2. Автор: Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatuses including memory cells and methods of operation of same

Номер патента: EP4456070A2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

One-ladder read of memory cells coarsely programmed via interleaved two-pass data programming techniques

Номер патента: US20240304250A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Programming memory cells to be programmed to different levels to an intermediate level from a lowest level

Номер патента: US09953718B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Reprogramming single bit memory cells without intervening erasure

Номер патента: US09734912B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory cell sensing

Номер патента: US09576674B2. Автор: Mark A. Helm,Pranav Kalavade,Uday Chandrasekhar,Matthew Goldman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Device and method for setting resistive random access memory cell

Номер патента: US09576656B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatuses and methods of reading memory cells

Номер патента: US09570167B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: US09520198B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Enhanced temperature compensation for resistive memory cell circuits

Номер патента: US09520189B1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory cell dynamic grouping using write detection

Номер патента: US09472279B2. Автор: Farid Nemati,Yi-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: EP1568037A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: US20040105312A1. Автор: Yi He,Mark Randolph,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Pauling Chen,Binh Le,Edward Runnion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Improved pre-charge method for reading a non-volatile memory cell

Номер патента: WO2004051663A1. Автор: Yi He,Mark W. Randolph,Binh Q. Le,Darlene Hamilton,Zhizheng Liu,Edward F. Runnion,Patu-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Matrix-Vector Multiplications Based on Charge-Summing Memory Cell Strings

Номер патента: US20240212763A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Remapping Memory Cells Based on Future Endurance Measurements

Номер патента: US20140115296A1. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: WO2023278946A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Integrated circuits including first and second power supply nodes for writing and reading memory cells

Номер патента: US20240286401A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having parallel test function

Номер патента: US5394369A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Storage devices having enhanced error detection and memory cell repair

Номер патента: US20240257889A1. Автор: Dong Kim,Inhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Post-program conditioning of stacked memory cells prior to an initial read operation

Номер патента: US09940232B1. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09934850B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor storage apparatus and memory system comprising memory cell holding data value of multiple bits

Номер патента: US09922707B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Data reading procedure based on voltage values of power supplied to memory cells

Номер патента: US09905284B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Hiroshi Sukegawa,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Memristive memory cell resistance switch monitoring

Номер патента: US09847128B2. Автор: Brent Buchanan,Richard James Auletta. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Accessing memory cells in parallel in a cross-point array

Номер патента: US09741432B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Program method of nonvolatile memory device for having dense threshold voltage distribution by controlling voltage of bit line according to threshold voltage of memory cell

Номер патента: US09627070B2. Автор: Cheul Hee Koo,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system to determine interference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US09595341B2. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Programming memory cells dependent upon distortion estimation

Номер патента: US09502120B2. Автор: Naftali Sommer,Eyal Gurgi,Micha Anholt,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Reducing disturbances in memory cells

Номер патента: US09471486B2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Remapping memory cells based on future endurance measurements

Номер патента: US09442838B2. Автор: John Eric Linstadt,Hongzhong Zheng,J. James Tringali,Brent Steven Haukness,Trung Diep. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory cell with temperature modulated read voltage

Номер патента: US20220230680A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells having uniform layout

Номер патента: US5973970A. Автор: Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

System and method for reducing leakage in memory cells using wordline control

Номер патента: US20050105323A1. Автор: Jonathan Lachman,Todd Mellinger,J. Hill. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-05-19.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US6721219B2. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-13.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US20130235660A1. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device including memory cell and sense amplifer, and IC card including semiconductor device

Номер патента: US9543007B2. Автор: Ryotaro Azuma,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190287623A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Regulation method for the source voltage in a nonvolatile memory cell during programming and corresponding program circuit

Номер патента: EP1331644A3. Автор: Rino Micheloni,Maria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US20030012061A1. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Method and apparatus for writing memory cells

Номер патента: EP1282136A1. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-05.

Method for programming of memory cells, in particular of the flash type, and corresponding programming architecture

Номер патента: US7944751B2. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for erasing a memory cell

Номер патента: US20040047198A1. Автор: Eli Lusky,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20060146620A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US7038969B2. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Device to be used for reading out a memory cell, and method for reading out a memory cell

Номер патента: US20060280008A1. Автор: Edvin Paparisto,Stephan Rogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor memory having a spare memory cell

Номер патента: US20050088874A1. Автор: Makoto Hamada,Masahiro Yoshihara,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for Programming of Memory Cells, in Particular of the Flash Type, and Corresponding Programming Architecture

Номер патента: US20100002521A1. Автор: Davide Torrisi,Alessandro Tumminia,Edoardo Nocita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Media management operations based on health characteristics of memory cells

Номер патента: US12131790B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Reducing Charge Loss In Data Memory Cell Adjacent To Dummy Memory Cell

Номер патента: US20180308556A1. Автор: Yingda Dong,Nan Lu,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09928914B2. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Classifying memory cells to multiple impairment profiles based on readout bit-flip counts

Номер патента: US09847141B1. Автор: Eyal Gurgi,Barak Sagiv,Einav Yogev,Eli Yazovitsky,Roi Solomon. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Management of data storage in memory cells using a non-integer number of bits per cell

Номер патента: US09799397B2. Автор: Naftali Sommer,Micha Anholt. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices to store test data in memory cell array

Номер патента: US09761327B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive memory and data writing method for memory cell thereof

Номер патента: US09627059B2. Автор: Po-Wei Huang,Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of operating memory device including multi-level memory cells

Номер патента: US09613664B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device and systems and methods for selecting memory cells in the memory device

Номер патента: US09595335B2. Автор: Tsung-Ching Wu,Philip S. Ng,Geeng-Chuan Chern,Steven Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device to improve reliability of read operation for memory cells

Номер патента: US09543031B2. Автор: Woo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Readout of interfering memory cells using estimated interference to other memory cells

Номер патента: US09530516B2. Автор: Ronen Dar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods and apparatus to read memory cells based on clock pulse counts

Номер патента: US09530513B1. Автор: Feng Pan,Ramin Ghodsi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US09496030B2. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Local self-boost using a plurality of cut-off cells on a single side of a string of memory cells

Номер патента: US09472287B2. Автор: Koji Sakui,Yasushi Matsuyama,Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Storage control device and system to improve data retention in variable resistance memory cells

Номер патента: US09396132B2. Автор: Kenichi Nakanishi,Hideaki Okubo,Yasushi Fujinami,Keiichi Tsutsui,Makiko Yamamoto,Naohiro Adachi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Memory cell array and non-volatile memory device

Номер патента: US20090059666A1. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US12046296B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Storage device for determining memory cell type after data input during program operation and operating method thereof

Номер патента: US20240274201A1. Автор: Dong Sop LEE,Ie Ryung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Content addressable memory cell

Номер патента: US7227765B2. Автор: Guido De Sandre,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

Method for replacing defective memory cells in data processing apparatus

Номер патента: US20030061532A1. Автор: Wolfgang Ruf,Alexander Benedix,Reinhard Dueregger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Memory cell structural test

Номер патента: EP1374250A2. Автор: Tak Mak,Michael Spica,Michael Tripp. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Memory cell structural test

Номер патента: MY127555A. Автор: Michael J Tripp,Tak M Mak,Michael R Spica. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-12-29.

Memory cell structural test

Номер патента: WO2002080183A2. Автор: Tak Mak,Michael Spica,Michael Tripp. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-10-10.

Eeprom memory cell with improved protection against errors due to cell breakdown

Номер патента: US5107461A. Автор: Carlo Riva. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1992-04-21.

A content addressable memory cell

Номер патента: EP2261928A3. Автор: Guido De Sandre,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Determining a state of a memory cell

Номер патента: US20180190333A1. Автор: Thomas Kern,Christian Peters,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for repairing defective memory cells of an integrated semiconductor memory

Номер патента: US6292414B1. Автор: Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-09-18.

Storage device and method for modifying memory cells of a storage device

Номер патента: US12079507B2. Автор: Steffen Sonnekalb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Device for reading out a memory cell including a regulating circuit with parallel switching elements, and method

Номер патента: US7548474B2. Автор: Edvin Paparisto,Stephan Rogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-06-16.

Charge Loss Compensation Through Augmentation of Accumulated Charge in a Memory Cell

Номер патента: US20160293250A1. Автор: Wei Wang,Young Pil Kim,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Method and system for discharging the bit lines of a memory cell array after erase operation

Номер патента: US20020091893A1. Автор: Cetin Kaya,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: US20230021601A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-26.

Stagger memory cell array

Номер патента: US20070272985A1. Автор: Yeou-Lang Hsieh,Ching-Kun Huang,Jeng-Dong Sheu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory cells and memory cell formation methods using sealing material

Номер патента: US20150357565A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Resistance variable memory cell structures and methods

Номер патента: WO2011149505A2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-12-01.

Memory cells formed with sealing material

Номер патента: US09620713B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20140159136A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20100197131A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Thickened Sidewall Dielectric for Memory Cell

Номер патента: US20200203360A1. Автор: Ronald A. Weimer,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Thomas M. Graettinger,Kyu S. Min. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Thickened sidewall dielectric for memory cell

Номер патента: US20120032252A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Ron Weimer,Kyu Min,Tom Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Resistance variable memory cell structures and methods

Номер патента: US20140021437A1. Автор: Timothy A Quick,Eugene P Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Resistance variable memory cell structures and methods

Номер патента: EP2577731A2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

Textured memory cell structures

Номер патента: US20180114902A1. Автор: Enrico Varesi,Andrea Redaelli,Mattia Boniardi,Raffaella Calarco,Jos E. Boschker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

MOS random access memory having array of trench type one-capacitor/one-transistor memory cells

Номер патента: US5895946A. Автор: Fumio Horiguchi,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Shallow trench transistor deep trench capacitor memory cell

Номер патента: WO2002027797A2. Автор: Ulrike Gruening,Johann Alsmeier. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-04.

Trench capacitor memory cell and process for formation thereof

Номер патента: US5461248A. Автор: Young-Kwon Jun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-24.

Variable capacitances for memory cells within a cell group

Номер патента: WO2003103050A3. Автор: Michael Jacob,Daisaburo Takashima,Joerg Wohlfahrt,Norbert Rehm. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for manufacturing a buried strap contact in a memory cell

Номер патента: US20040048436A1. Автор: Peter Voigt,Gerhard Enders,Bjoern Fischer,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

Use disposable gate cap to form transistors, and split gate charge trapping memory cells

Номер патента: US09590079B2. Автор: Chun Chen,Mark Ramsbey,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods used in fabricating integrated circuitry and methods of forming 2T-1C memory cell arrays

Номер патента: US11968821B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Two transistor memory cells with source-drain coupling in one transistor

Номер патента: US20230413547A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Methods of fabricating semiconductor device having capacitorless one-transistor memory cell

Номер патента: US20100159650A1. Автор: Sung-Hwan Kim,Yong-Chul Oh,Ho-ju Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A3. Автор: Norbert Arnold,V C Jaiprakash,Michel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

High density vertical trench transistor and capacitor memory cell structure and fabrication therefor

Номер патента: CA1285333C. Автор: Wei Hwang,Nicky C-C Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-06-25.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: WO2005064672A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-07-14.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: EP1700339A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230397396A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Dynamic random access memory device having a plurality of one-transistor type memory cells

Номер патента: US4737829A. Автор: Toshio Takeshima,Mitsutaka Morimoto,Yuji Okuto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-12.

One-transistor (1t) one-time programmable (otp) anti-fuse bitcell with reduced threshold voltage

Номер патента: WO2022132540A1. Автор: Andrew Edward Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

One-transistor static random access memory with integrated vertical PNPN device

Номер патента: US7781797B2. Автор: Robert C. Wong,Phung T. Nguyen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

One-transistor (1t) one-time programmable (otp) anti-fuse bitcell with reduced threshold voltage

Номер патента: EP4264668A1. Автор: Andrew Edward Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Method of defining a buried stack capacitor structure for a one transistor RAM cell

Номер патента: US6420226B1. Автор: Chen-Jong Wang,Wen-Cheng Chen,Kuo-Ching Huang,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Interconnect structures for integration of memory cells and logic cells

Номер патента: US20240306362A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Horizontally oriented and vertically stacked memory cells

Номер патента: US09627442B2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for forming pcm and rram 3-d memory cells

Номер патента: US20170133435A1. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09837472B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming PCM and RRAM 3-D memory cells

Номер патента: US09570516B2. Автор: Daniel Robert SHEPARD. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Self-aligned dual-floating gate memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030168692A1. Автор: James Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

SRAM memory cell, memory cell arrangement and method for fabricating a memory cell arrangement

Номер патента: US20040099902A1. Автор: Thomas Schulz,Christian Pacha,Erhard Landgraf,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory cells including dielectric materials, memory devices including the memory cells, and methods of forming same

Номер патента: US09716225B2. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett A. McTeer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20130221318A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20140339494A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Memory Cells and Memory Cell Arrays

Номер патента: US20150221864A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Memory cells and memory cell arrays

Номер патента: EP2769414A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-27.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US09735357B2. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US09548312B1. Автор: Martin Schulze,Sven Beyer,Alexander Ebermann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-bit memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090146129A1. Автор: Kwang-Jeon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20130146960A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20160307965A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180108708A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180323238A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: EP2805351A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-26.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20150333104A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: WO2013109920A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Memory cells having a plurality of control gates and memory cells having a control gate and a shield

Номер патента: US20140138754A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Memory cell based on a phase-change material

Номер патента: US20240334712A1. Автор: DANIEL Benoit. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09935154B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: US09917251B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09419056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory cell suitable for dram memory

Номер патента: EP2225773A2. Автор: Sophie Puget,Pascale L. A. Mazoyer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: EP1390981A2. Автор: Elard Stein Von Kamienski,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-25.

Method for manufacturing memory cell with increased threshold voltage accuracy

Номер патента: US6187638B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Memory cells having a control gate and shield

Номер патента: WO2013090400A1. Автор: Koji Sakui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: WO2002097890A2. Автор: Elard Stein Von Kamienski,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Bitline contacts in a memory cell array

Номер патента: WO2002097890A3. Автор: Von Kamienski Elard Stein,Klaus Feldner,Kae-Horng Wang,Grit Schwalbe. Владелец: Grit Schwalbe. Дата публикации: 2003-10-16.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and non-volatile memory cell having asymmetrical doped structure

Номер патента: US20080128793A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Memory cell of charge-trapping non-volatile memory

Номер патента: US20230240075A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US09935264B2. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick,Scott E. Sills,Chet E. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20120015475A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20130149834A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Memory cells and semiconductor structures including electrodes comprising a metal, and related methods

Номер патента: US09553264B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Marko Milojevic,Si-Young Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory cells and methods of making memory cells

Номер патента: US09515261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Programmable conductor memory cell structure and method therefor

Номер патента: US20060208249A1. Автор: Terry Gilton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09496495B2. Автор: SHU QIN,Martin Schubert,Scott E. Sills,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Sidewall-Type Memory Cell

Номер патента: US20140264248A1. Автор: Bomy Chen,Justin Hiroki Sato,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Sidewall-type memory cell

Номер патента: EP2973771A1. Автор: Bomy Chen,Justin Hiroki Sato,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Sidewall-Type Memory Cell

Номер патента: US20180294407A1. Автор: Bomy Chen,Justin Hiroki Sato,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Etching methods for a magnetic memory cell stack

Номер патента: WO2003077287A3. Автор: Xiaoyi Chen,Guangxiang Jin,Jeng H Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20140217351A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20150318470A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Memory Cells and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130270504A1. Автор: Davide Erbetta,Camillo Bresolin,Valter Soncini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Single well one transistor and one capacitor nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Juan Boon Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

SINGLE WELL ONE TRANSISTOR AND ONE CAPACITOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND INTEGRATION SCHEMES

Номер патента: US20220059554A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,TAN Juan Boon,Quek Kiok Boone Elgin,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09570456B1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor integrated device including capacitor and memory cell and method of forming the same

Номер патента: US20170025429A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Po-Han Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Mechanical design of memory cell with vertical crosses arranged one above other

Номер патента: RU2156013C2. Автор: Марк Т. Бор,Джеффри К. Гризон. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2000-09-10.

Bipolar memory cell

Номер патента: CA1193725A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-09-17.

Novel method to form memory cells to improve programming performance of embedded memory technology

Номер патента: US20070278557A1. Автор: XIN Wang,Jihong Chen,Eddie Hearl Breashears,John Howard Macpeak. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Form the array of the method for array of capacitors, the method for the array for forming individual memory cells including capacitor and transistor, array of capacitors and individual memory cells including capacitor and transistor

Номер патента: CN110192278A. Автор: D·V·N·拉马斯瓦米. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-30.

MOS TRANSISTOR, FABRICATION METHOD THEREOF, AND SRAM MEMORY CELL CIRCUIT

Номер патента: US20130341642A1. Автор: Hong Zhongshan,GAN Zhenghao,FENG JUNHONG. Владелец: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL CORP.. Дата публикации: 2013-12-26.

MOS TRANSISTOR, FORMATION METHOD THEREOF, AND SRAM MEMORY CELL CIRCUIT

Номер патента: US20130341726A1. Автор: GAN Zhenghao,FENG JUNHONG. Владелец: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL CORP.. Дата публикации: 2013-12-26.

Use Disposable Gate Cap to Form Transistors, and Split Gate Charge Trapping Memory Cells

Номер патента: US20140167142A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun,RAMSBEY Mark. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY CELL ON GLASS SUBSTRATE

Номер патента: US20210249426A1. Автор: Sun Wein-Town,HSIAO Woan-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Use Disposable Gate Cap to Form Transistors, and Split Gate Charge Trapping Memory Cells

Номер патента: US20150287812A1. Автор: Chun Chen,Mark Ramsbey,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

One time programming non-volatile memory cell

Номер патента: US9502426B1. Автор: Chun-Hung Lin,Ping-Yu KUO,Kuan-Hsun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

MOS transistor, formation method thereof, and SRAM memory cell circuit

Номер патента: US8975703B2. Автор: Junhong Feng,Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2015-03-10.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Network, method and memory cell array for region proposal

Номер патента: WO2022093118A1. Автор: Arindam Basu,Sumon Kumar BOSE. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus and methods for programming data states of memory cells

Номер патента: US20240320144A1. Автор: Yoshihiko Kamata,Koichi Kawai,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device for multiplication using memory cells having different bias levels based on bit significance

Номер патента: US20240303039A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Modeling memory cell skew sensitivity

Номер патента: US20130332136A1. Автор: Randy W. Mann,Bipul C. Paul,Anurag Mittal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of two memory cells

Номер патента: US20240303296A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device performing signed multiplication using sets of four memory cells

Номер патента: US20240303038A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Display assembly that uses pixel-level memory cells to retain and display partial content

Номер патента: US20090225004A1. Автор: Mostafa Kashi. Владелец: Palm Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Display assembly that uses pixel-level memory cells to retain and display partial content

Номер патента: US8451202B2. Автор: Mostafa Kashi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-05-28.

Measuring device with a display memory having memory cells with a reduced number of bits and a corresponding method

Номер патента: US09672794B2. Автор: Michael Reinhold. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Efficient readout from memory cells using data compression

Номер патента: US09671972B2. Автор: Ofir Shalvi,Dotan Sokolov,Oren Golov,Uri Perlmutter. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20190296023A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory cells, methods of forming an array of two transistor-one capacitor memory cells, and methods used in fabricating integrated circuitry

Номер патента: US10622363B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20200219886A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Sram memory cell and sram memory

Номер патента: US20160260720A1. Автор: Tzu-Yin Chiu,Juilin Lu,Jianxiang Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory cells

Номер патента: US09673203B2. Автор: Qian Tao,Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory cells

Номер патента: US09887204B2. Автор: Qian Tao,Haitao Liu,Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Transistors comprising two-dimensional materials and related memory cells and electronic devices

Номер патента: US12015089B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Vertical transistor floating body one transistor dram memory cell

Номер патента: US20220093794A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Device for controlling at least one transistor

Номер патента: US09484907B2. Автор: Boris Bouchez,Mathieu Grenier. Владелец: Valeo Systemes de Controle Moteur SAS. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US20030232476A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US6833298B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-21.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Memory device having memory cell strings and separate read and write control gates

Номер патента: WO2023009941A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Yingda Dong,Albert Fayrushin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Induction memory cell

Номер патента: US10778222B2. Автор: Jerome Porter, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-15.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor

Номер патента: US09837420B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods and apparatuses having strings of memory cells including a metal source

Номер патента: US09437604B2. Автор: Zhenyu Lu,Haitao Liu,Roger W. Lindsay,Andrew Bicksler,Yongjun J Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Programmable Array logic Circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: US20030222675A1. Автор: Richard Lienau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

A programmable array logic circuit macrocell using ferromagnetic memory cells

Номер патента: WO2001054133A9. Автор: Richard M Lienau. Владелец: Richard M Lienau. Дата публикации: 2002-10-17.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multiplexer-memory cell circuit, layout thereof and method of manufacturing same

Номер патента: US09755651B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Selective removal of charge-trapping layer for select gate transistor and dummy memory cells in 3D stacked memory

Номер патента: US09490262B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: EP4398311A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for forming silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell

Номер патента: US11956966B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods Of Forming An Array Of Elevationally-Extending Strings Of Memory Cells Individually Comprising A Programmable Charge-Storage Transistor

Номер патента: US20190206884A1. Автор: Joseph Neil Greeley,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Ian Laboriante,Ho Yee Hui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Multitier arrangements of integrated devices, and methods of protecting memory cells during polishing

Номер патента: US11688699B2. Автор: Mihir BOHRA,Tarun Mudgal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Multitier Arrangements of Integrated Devices, and Methods of Protecting Memory Cells During Polishing

Номер патента: US20220093529A1. Автор: Mihir BOHRA,Tarun Mudgal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Programmable Charge Storage Transistor, An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells, And A Method Of Forming An Array Of Elevationally Extending Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20190198673A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Flash memory cells having trenched storage elements

Номер патента: US20140225177A1. Автор: Wei Zheng,Unsoon Kim,Chi Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

High-k metal gate (hkmg) process for forming a memory cell with a large operation window

Номер патента: US20190067302A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

High density memory cell assembly and methods

Номер патента: US20010020716A1. Автор: Mark I. Gardner,Jon Cheek,Derick J. Wristers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Memory cell storage node length

Номер патента: US20100091577A1. Автор: Hussein I. Hanafi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Isolated metal plug process for use in fabricating carbon nanotube memory cells

Номер патента: US20100148277A1. Автор: Peter A. Burke,Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Richard J. Carter,Verne C. Hornback. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

CD8(+) Stem-Like Chronic Memory Cell Based Therapies and Compositions Related Thereto

Номер патента: US20240226166A1. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

Cd8(+) stem-like chronic memory cell based therapies and compositions related thereto

Номер патента: WO2023283232A3. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Cd8(+) stem-like chronic memory cell based therapies and compositions related thereto

Номер патента: WO2023283232A2. Автор: Rafi Ahmed,Daniel Yunmin Chang,Tahseen H. Nasti. Владелец: EMORY UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-12.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

One-time-programmable memory having memory cells with asymmetrical source and drain configuration

Номер патента: TWI254320B. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Cheng-Tung Huang,Jih-Wen Chou. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

One-time-programmable memory having memory cells with asymmetrical source and drain configuration

Номер патента: TW200502985A. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Cheng-Tung Huang,Jih-Wen Chou. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

3 TRANSISTOR (N/P/N) NON-VOLATILE MEMORY CELL WITHOUT PROGRAM DISTURB

Номер патента: US20120014183A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

APPARATUS AND METHODS INCLUDING A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COUPLED TO A STRING OF MEMORY CELLS

Номер патента: US20120300546A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

One transistor-one capacitor memory cell

Номер патента: CA1134509A. Автор: Tsiu C. Chan. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

ONE-TRANSISTOR PIXEL ARRAY WITH CASCODED COLUMN CIRCUIT

Номер патента: US20120001236A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Memory cell for high-speed eeprom with controlled potential of under-gate region

Номер патента: RU2465659C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Олег Михайлович Орлов,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2012-10-27.

Memory cell for complementary metal-oxide-semiconductor ram structure

Номер патента: RU2580071C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Memory cell

Номер патента: RU2256957C2. Автор: Н.Ф. Юданов,Ю.Г. Кригер. Владелец: Кригер Юрий Генрихович. Дата публикации: 2005-07-20.

Memory cell of static storage device

Номер патента: RU2507611C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр "МИЭТ". Дата публикации: 2014-02-20.

Content-addressable memory cell

Номер патента: RU2390860C1. Автор: Владимир Ануфриевич Лементуев. Владелец: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН. Дата публикации: 2010-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.