Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

ERROR RATE METER INCLUDED IN A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20190025372A1
Опубликовано: 24-01-2019
Автор(ы): Grégoire Waelchli
Принадлежит: Semiconductor Components Industries LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method to determine ber (bit error rate) from an eye diagram

Номер патента: US20160110237A1. Автор: Richard J. Poulo. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Method to determine BER (bit error rate) from an eye diagram

Номер патента: US09672089B2. Автор: Richard J. Poulo. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Dynamic control of signaling power based on an error rate

Номер патента: US09633698B2. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Jason Thurston. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Dynamic control of signaling power based on an error rate

Номер патента: US20150332735A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Jason Thurston. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Error rate measurement apparatus and error rate measurement method

Номер патента: US20240044974A1. Автор: Hiroyuki Onuma. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for determining and calibrating non-linearity in a phase interpolator and related devices and systems

Номер патента: US20240044978A1. Автор: Gunjan Mandal,Raghavendra Molthati,Sunil Rajan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of testing a radio circuit involving the calculation of the bit error rate

Номер патента: GB2345346A. Автор: Wan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-05.

Simulation apparatus and simulation method for determining soft error rates for a configured model

Номер патента: US9507895B2. Автор: Hidefumi Ibe,Hideki Osaka,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

System and method for conducting accelerated soft error rate testing

Номер патента: US8106664B2. Автор: Wei-Ting Chien,Jung-Che Chang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Logic soft error rate prediction and improvement

Номер патента: US20070234125A1. Автор: Chuen-Der Lien,Pao-Lu Huang. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Temperature exposure detection based on memory cell retention error rate

Номер патента: EP4137791A1. Автор: Anirban Roy,Guido Jozef Maria Dormans,Michiel Jos Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-02-22.

Methods, apparatus, and systems for contacting semiconductor dies that are electrically coupled to test access interface positioned in scribe lines of a wafer

Номер патента: US09632109B2. Автор: Larry John Dibattista,Duncan Packard Gurley. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Error rate measuring apparatus and setting screen display method

Номер патента: US20210302500A1. Автор: Hiroyuki Onuma. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Read level edge find operations in a memory sub-system

Номер патента: US20210191814A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for reducing effective raw bit error rate in multi-level cell NAND flash memory

Номер патента: US8935599B2. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

Method for Reducing Effective Raw Bit Error Rate in Multi-Level Cell NAND Flash Memory

Номер патента: US20140281825A1. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Estimating an error rate associated with memory

Номер патента: US20200159616A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Nicholas J. Richardson,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Estimating an error rate associated with memory

Номер патента: US09558064B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Nicholas J. Richardson,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated Optical/Electrical Probe Card for Testing Optical, Electrical, and Optoelectronic Devices in a Semiconductor Die

Номер патента: US20210080295A1. Автор: Yasir Qamar,Edward Preisier. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Die carrier and test socket for leadless semiconductor die

Номер патента: WO1994012887A1. Автор: Syed Husain,Chung W. Ho,Fariborz Agahdel,Robert Moti,Brad Griswold,William C. Robinette. Владелец: Micromodule Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-06-09.

Two-step interconnect testing of semiconductor dies

Номер патента: US09678142B2. Автор: Erik Jan Marinissen,Julien Ryckaert,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-06-13.

Variable error correction codeword packing to support bit error rate targets

Номер патента: US12106815B2. Автор: Pranav Kalavade,Rohit Shenoy,Ravi Motwani,Rifat Ferdous. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Mitigating a voltage condition of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20220351786A1. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Hierarchical buffering scheme to normalize non-volatile media raw bit error rate transients

Номер патента: US20190294493A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20240312530A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Bit error rate mapping in a memory system

Номер патента: US09478315B2. Автор: Jianmin Huang,Nian Niles Yang,Alexandra Bauche. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Adjusting code rates to mitigate cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200409579A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Read threshold voltage adaptation using bit error rates based on decoded data

Номер патента: US09818488B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,AbdelHakim Salem Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Estimating a bit error rate of data stored by a memory subsystem using machine learning

Номер патента: EP3970018A1. Автор: Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Estimating a bit error rate of data stored by a memory subsystem using machine learning

Номер патента: WO2020232007A1. Автор: Saeed Sharifi Tehrani. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-19.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Selective sampling of a data unit during a program erase cycle based on error rate change patterns

Номер патента: US20210390016A1. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Vamsi Pavan Rayaprolu,Harish R. Singidi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Defect detection in memories with time-varying bit error rate

Номер патента: WO2020123446A3. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Sai Krishna Mylavarapu,Charles S. Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of equalizing bit error rates of memory device

Номер патента: US12105585B2. Автор: Young-Sik Kim,Moo-Sung Kim,Jeong-Ho Lee,Yong-Jun Lee,Eun-Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Estimating an error rate associated with memory

Номер патента: US20180341546A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Nicholas J. Richardson,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Error rate analysis method, system and apparatus for MLC chip

Номер патента: US12045120B2. Автор: Min Wang,Chuang Zhang,Zhixin Ren. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Defect detection in memories with time-varying bit error rate

Номер патента: US20210304826A1. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Sai Krishna Mylavarapu,Charles S. Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Apparatuses and methods for repairing defective memory cells based on a specified error rate for certain memory cells

Номер патента: WO2020263583A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Kevin Majerus. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Apparatuses and methods for repairing defective memory cells based on a specified error rate for certain memory cells

Номер патента: US11984186B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Kevin Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Storage device operations based on bit error rate (BER) estimate

Номер патента: US09886342B2. Автор: Alexander Mostovoy,Mark Fiterman,Yan Dumchin,Yuri Ryabinin,Eran Banani,Mark Naumenko. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Variable error correction codeword packing to support bit error rate targets

Номер патента: EP4009172A1. Автор: Pranav Kalavade,Rohit Shenoy,Ravi Motwani,Rifat Ferdous. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-08.

Memory array for storing odd and even data bits of data words in alternate sub-banks to reduce multi-bit error rate and related methods

Номер патента: EP4330966A1. Автор: Pramod Kolar. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory array for storing odd and even data bits of data words in alternate sub-banks to reduce multi-bit error rate and related methods

Номер патента: WO2022231766A1. Автор: Pramod Kolar. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Read level edge find operations in a memory sub-system

Номер патента: US20210011802A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: US11817152B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Generating embedded data in memory cells in a memory sub-system

Номер патента: US20220406381A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Compound Feature Generation in Classification of Error Rate of Data Retrieved from Memory Cells

Номер патента: US20210271422A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Classification of error rate of data retrieved from memory cells

Номер патента: US12009034B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Managing data disturbance in a memory with asymmetric disturbance effects

Номер патента: US20190348145A1. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Defect detection in memories with time-varying bit error rate

Номер патента: WO2020123446A2. Автор: Zhengang Chen,Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Sai Krishna Mylavarapu,Charles S. Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Detection and error-handling of high error rate blocks during copyback

Номер патента: US20200105363A1. Автор: Shankar Natarajan,Sriram Natarajan,Arun S. Athreya,Venkata S. Surampudi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

A method and a device for functional test of a semiconductor valve

Номер патента: WO1999056141A1. Автор: Ari SEPPÄNEN. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 1999-11-04.

Systems and methods for fast bit error rate estimation

Номер патента: US09483339B2. Автор: Ariel Navon,Eran Sharon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Error rate analysis method, system and apparatus for mlc chip

Номер патента: US20240045749A1. Автор: Min Wang,Chuang Zhang,Zhixin Ren. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory systems and electronic systems performing an adaptive error correction operation with pre-checked error rate, and methods of operating the memory systems

Номер патента: US20180210786A1. Автор: Soojin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Device for positioning a semiconductor die in a wafer prober

Номер патента: US20210215738A1. Автор: Martin Eckert,Quintino Lorenzo Trianni,Otto Andreas Torreiter,Jörg Georg Appinger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method, device and system for non-destructive detection of defects in a semiconductor die

Номер патента: US20210364474A1. Автор: Deepak Goyal,Mario Pacheco,Odissei Touzanov,Jacob Woolsey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Dynamic program erase targeting with bit error rate

Номер патента: US20210193229A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Crack detector units and the related semiconductor dies and methods

Номер патента: US12111346B2. Автор: Huan-Neng CHEN,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Crack detector units and the related semiconductor dies and methods

Номер патента: US20240369613A1. Автор: Huan-Neng CHEN,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Determining the remaining usability of a semiconductor module in normal use

Номер патента: US20220043050A1. Автор: Markus Mauersberger,Gunnar Dietz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-02-10.

Error rate reduction in a non-volatile memory (NVM), including magneto-resistive random access memories (MRAMS)

Номер патента: US11755411B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Error rate reduction in a non-volatile memory (nvm), including magneto-resistive random access memories (mrams)

Номер патента: US20220179740A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Method to reduce read error rate for semiconductor resistive memory

Номер патента: US20160085613A1. Автор: Andy Huang. Владелец: ADVANCED INTEGRATED MEMORY Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Method to reduce read error rate for semiconductor resistive memory

Номер патента: US9928133B2. Автор: Andy Huang. Владелец: ADVANCED INTEGRATED MEMORY Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Read window management in a memory system

Номер патента: US20240021264A1. Автор: Ting Luo,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor die for controlling on-die-termination of another semiconductor die, and semiconductor devices including the same

Номер патента: EP4266310A2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor die for controlling on-die-termination of another semiconductor die, and semiconductor devices including the same

Номер патента: US20230343386A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor die for controlling on-die-termination of another semiconductor die, and semiconductor devices including the same

Номер патента: EP4266310A3. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Techniques for reducing an eddy current in a ground plane of a coreless sensor

Номер патента: US12078662B2. Автор: Yannick Vuillermet,Loïc André Messier. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Power margin control in a data communication system

Номер патента: CA2513256C. Автор: Gang Bao,Jack M. Holtzman,David Puig Oses. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-22.

Method for dynamically measuring computer disk error rates

Номер патента: GB9409078D0. Автор: . Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1994-07-27.

Thermally isolated monolithic semiconductor die

Номер патента: US4257061A. Автор: Roy W. Chapel, Jr.,I. Macit Gurol. Владелец: John Fluke Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 1981-03-17.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor die and a method for detecting an edge crack in a semiconductor die

Номер патента: US20210384085A1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device package with isolated semiconductor die and electric field curtailment

Номер патента: US20230245957A1. Автор: Enis Tuncer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Pre-testable semiconductor die package

Номер патента: US4701781A. Автор: Thanomsak Sankhagowit. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-10-20.

Systems and methods for quality based bit error rate prediction

Номер патента: US20140285918A1. Автор: Shaohua Yang,Xuebin Wu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Adjusting resistive memory write driver strength based on write error rate (WER) to improve WER yield, and related methods and systems

Номер патента: US9455014B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US9785171B2. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Efficient performance of error rate detection procedures in a memory system

Номер патента: US20240282396A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Thibash Rajamani Balakrishnan,Saurav Pundir,Sunil Singh Dhanik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Adjusting memory power consumption while monitoring bit error rate

Номер патента: WO2024107275A1. Автор: Ori Laslo,Gilad Kirshenboim. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for preparing a semiconductor apparatus

Номер патента: US20180226380A1. Автор: Po-Chun Lin,Chin-Lung Chu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Single point location tracking for a mobile device in a communication network

Номер патента: US20110263273A1. Автор: Terry Dishongh,Kevin Rhodes. Владелец: Intel GE Care Innovations LLC. Дата публикации: 2011-10-27.

Single point location tracking for a mobile device in a communication network

Номер патента: US8204515B2. Автор: Terry Dishongh,Kevin Rhodes. Владелец: Intel GE Care Innovations LLC. Дата публикации: 2012-06-19.

Semiconductor device including semiconductor dies of differing sizes and capacities

Номер патента: US20220230992A1. Автор: Hooi Bin Lim,Ahmad Zarif Bin Azahar,Nur Syazwani Binti Mohd Najman,Muhammad Syafiq Bin Mazlan,Rolando Reyes, JR.. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

New cell structure with buried capacitor for soft error rate improvement

Номер патента: US20080025092A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory tester design for soft error rate (SER) failure analysis

Номер патента: US09460814B2. Автор: Charles J. Montrose,Joshua M. Dragula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Programming semiconductor dies for pin map compatibility

Номер патента: WO2005117114A2. Автор: Tsvika Kurts,Marcelo Yuffe,Alex Waizman,Ziv Shmuely. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-12-08.

Programming semiconductor dies for pin map compatibility

Номер патента: EP1747583A2. Автор: Tsvika Kurts,Marcelo Yuffe,Alex Waizman,Ziv Shmuely. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Method for inspecting a pattern of features on a semiconductor die

Номер патента: US09983154B2. Автор: Sandip Halder,Philippe Leray. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for predicting tube fouling in a fired apparatus, and for utilizing tube fouling predictions

Номер патента: CA3003072C. Автор: Mathew WALKER,Fei Qi. Владелец: Suncor Energy Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Determining spacing of semiconductor dies using a spatially varying charge distribution

Номер патента: EP2764539A1. Автор: Ivan E. Sutherland. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2014-08-13.

Determining spacing of semiconductor dies using a spatially varying charge distribution

Номер патента: WO2013052502A1. Автор: Ivan E. Sutherland. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

System and method of detecting atmostpheric trace gas concentrations in a cell

Номер патента: US9816976B2. Автор: Mohamad Haidar Shahine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

System and method of detecting atmostpheric trace gas concentrations in a cell

Номер патента: US09816976B2. Автор: Mohamad Haidar Shahine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device assemblies including multiple stacks of different semiconductor dies

Номер патента: US20240258273A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Select gate maintenance in a memory sub-system

Номер патента: US20210233594A1. Автор: Harish R. Singidi,Chun Sum Yeung,Devin M. Batutis,Avinash Rajagiri,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Select gate maintenance in a memory sub-system

Номер патента: US11017870B1. Автор: Harish R. Singidi,Chun Sum Yeung,Devin M. Batutis,Avinash Rajagiri,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Mtj capping layer structure for improved write error rate slopes and thermal stability

Номер патента: US20210249588A1. Автор: Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device including fractured semiconductor dies

Номер патента: US20210280559A1. Автор: Jayavel Pachamuthu,Daniel Linnen,Kirubakaran Periyannan,Narendhiran CR,Hoang Huynh,Jay Dholakia,Everett Lyons, IV,Dat Dinh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for securing connection ring to flow rate metering tube and to balancer of coriolis flow rate meter

Номер патента: RU2246698C2. Автор: КЛИВ Крэйг Брэйнерд ВАН,КЛИВ Крэйг Брэйнерд ВАН (US). Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2005-02-20.

Determining and storing bit error rate relationships in spin transfer torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)

Номер патента: US09418721B2. Автор: Hillery C. Hunter,Pradip Bose,Alper Buyuktosunoglu,Vijayalakshmi Srinivasan,Jude A. Rivers,Xiaochen Guo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Real time flow rate meter

Номер патента: US20210123789A1. Автор: Dale E. Jamison,Xiangnan YE. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Neutron individual dose meter, neutron dose rate meter, neutron detector and its method of manufacture

Номер патента: US5321269A. Автор: Hiroshi Kitaguchi,Shigeru Izumi,Akihisa Kaihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Programmable hybrid memory and capacitive device in a dram process

Номер патента: US20240224542A1. Автор: Paul Hartke,Gabriel Loh,Zachary Blair. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin semiconductor die package

Номер патента: US20130105999A1. Автор: Xiaoyi Ding,Jeffrey James Frye. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Thin semiconductor die package

Номер патента: WO2013063339A1. Автор: Xiaoyi Ding. Владелец: Frye, Jeffrey. Дата публикации: 2013-05-02.

Location and flow rate meter

Номер патента: WO2024121551A1. Автор: Daniel Milne KRYWYJ. Владелец: Aquam Water Services Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

One-time programming device and a semiconductor device

Номер патента: US09761595B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Location and flow rate meter

Номер патента: WO2024121550A1. Автор: Daniel Milne KRYWYJ. Владелец: Aquam Water Services Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Addressing variations in bit error rates amongst data storage segments

Номер патента: US20140115425A1. Автор: Mui Chong Chai,Clifford Jayson Bringas Camalig. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-24.

Adjusting Recording Density in a Circumferential Direction

Номер патента: US20110116186A1. Автор: Douglas Zuercher,Kris Schouterden,David Jen,Indukumar Kalahasthi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Method and apparatus for determining bit error rate in a sampled data system without requiring read channel circuitry

Номер патента: US6877116B1. Автор: Jian-Gang Zhu,Robert E. Kost. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2005-04-05.

Calibration of reader/writer offset in a disc drive

Номер патента: US6510017B1. Автор: Ghassan M. Abdelnour. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2003-01-21.

Duplicate digital date recording apparatus for enhancing bit error rate performance of a data storage medium

Номер патента: US4772963A. Автор: Leo T. Van Lahr,Levi H. Robinson. Владелец: Datatape Inc. Дата публикации: 1988-09-20.

System and method for reading micro-holograms with reduced error rates

Номер патента: US20100246354A1. Автор: XIAOLEI Shi,Brian Lee Lawrence,Zhiyuan Ren,John Erik Hershey,Kenneth Brakeley Welles,John Anderson Fergus Ross,Victor Petrovich Ostroverkhov,John Frederick Graf. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2010-09-30.

Restoring head stability in a data storage system

Номер патента: GB2381648A. Автор: Won-choul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-07.

Magnetic disk drive and read/write method to reduce read error rate

Номер патента: US7369351B2. Автор: Masayoshi Shimokoshi,Kazuyuki Date. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-05-06.

Magnetic disk drive and read/write method to reduce read error rate

Номер патента: US20060139791A1. Автор: Masayoshi Shimokoshi,Kazuyuki Date. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-06-29.

Managing data integrity using a change in a number of data errors and an amount of time in which the change occurred

Номер патента: US12045130B2. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Managing data integrity using a change in a number of data errors and an amount of time in which the change occurred

Номер патента: US20240345919A1. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems and methods for use of a maximally sensitive set of states to identify coherent errors in a quantum system

Номер патента: US20210264310A1. Автор: Daniel Gottesman. Владелец: Keysight Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Continuous on-line link error rate detector

Номер патента: CA2038028A1. Автор: James A. COLEMAN,Charles F. Wagner, Jr.. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1991-09-20.

Systems and methods for data rate optimization in a WCAN system with injection-locked clocking

Номер патента: US09503213B2. Автор: Andrey Turlikov,Maksim GRANKIN,Eugine BAKIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Estimating bit error rate

Номер патента: US09483340B1. Автор: John D. Johnson,Tapan Kumar Chauhan. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Techniques for radio link problem and recovery detection in a wireless communication system

Номер патента: US09532247B2. Автор: Taeyoon Kim,Ian Wong. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Selective error rate information for multidimensional memory

Номер патента: US20180285187A1. Автор: Samuel E. Bradshaw,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Selective error rate information for multidimensional memory

Номер патента: WO2018183028A1. Автор: Samuel E. Bradshaw,Justin M. Eno. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor die offset compensation variation

Номер патента: US20200301404A1. Автор: Charles Andrew Coots,John Joseph Pichura,Maxim Factourovich. Владелец: Universal Instruments Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Selective error rate information for multidimensional memory

Номер патента: US20190266047A1. Автор: Samuel E. Bradshaw,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Protection switching systems and methods in a packet network based on signal degrade

Номер патента: US20170339028A1. Автор: Marc Holness,Ashesh MISHRA,Eric S. DAVISON. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor die, electronic component, electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US12085976B2. Автор: ZHENG Tian,Junhai Liu,Wenqi Li,Yikai Liang,Linglan Zhang,DongCai Li. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Soft error aggregation method for detection and reporting of risks in a safety instrumented system

Номер патента: US11880268B2. Автор: Ajay Mishra,Diana Ivanov,Murugananth Muthuramalingam,Erna BANCHIK. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Managing data integrity using a change in a number of data errors and an amount of time in which the change occurred

Номер патента: US20230393932A1. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems and methods for use of a maximally sensitive set of states to identify coherent errors in a quantum system

Номер патента: US11836573B2. Автор: Daniel Gottesman. Владелец: Keysight Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Error rate measurement apparatus and error rate measurement method

Номер патента: US20240045778A1. Автор: Hiroyuki Onuma. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Distribution of a codeword across individual storage units to reduce the bit error rate

Номер патента: EP3699762A1. Автор: Ravi Motwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-26.

Bounding error rate based on a worst likely assignment

Номер патента: US20090204559A1. Автор: Eric Bax,Augusto Callejas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Soft error rate detector

Номер патента: US20120297259A1. Автор: Jorg Winkler,Christian Haufe,Jens PIKA. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

On-chip digitally controlled error rate-locked loop for error resilient edge artificial intelligence

Номер патента: US20230297149A1. Автор: Hechen Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

On-chip digitally controlled error rate-locked loop for error resilient edge artificial intelligence

Номер патента: WO2023177494A1. Автор: Hechen Wang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus and method for increasing resilience to raw bit error rate

Номер патента: US09798622B2. Автор: Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Spread spectrum clock generator and spread spectrum clock generation method, pulse pattern generator and pulse pattern generation method, and error rate measuring device and error rate measuring method

Номер патента: US20220255542A1. Автор: Tatsuya Iwai. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Limiting certain processing activities as error rate probability rises

Номер патента: US20130151891A1. Автор: David Michael Bull,Luca Scalabrino,Frederic Claude Marie Piry. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-06-13.

Estimating bit error rate

Номер патента: US20170068580A1. Автор: John D. Johnson,Tapan Kumar Chauhan. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Error rate measuring apparatus and error rate measuring method

Номер патента: US11977464B2. Автор: Ryo Sunayama. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Estimating bit error rate

Номер патента: US10296406B2. Автор: John D. Johnson,Tapan Kumar Chauhan. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Dynamic reject rate adjustment to optimally process uneven flow of documents while maintaining average error rate restriction

Номер патента: US10430271B1. Автор: Alexander Filatov. Владелец: Parascript LLC. Дата публикации: 2019-10-01.

Error rate measuring apparatus and error count display method

Номер патента: US11979229B2. Автор: Hiroyuki Onuma. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

System and method for facilitating high-capacity system memory adaptive to high-error-rate and low-endurance media

Номер патента: US20210133024A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

System and method for configuring a classifier to achieve a target error rate

Номер патента: US20220019859A1. Автор: Edward Snow Willis,Steven John HENKEL. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

System and method for configuring a classifier to achieve a target error rate

Номер патента: US11790043B2. Автор: Edward Snow Willis,Steven John HENKEL. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method to reduce soft error rate in semiconductor memory

Номер патента: US20060036913A1. Автор: Keith Krasnansky. Владелец: Telogy Networks Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Adjustable transmitter power for high speed links with constant bit error rate

Номер патента: US20120294379A1. Автор: Andy Martwick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Error rate threshold for storage of data

Номер патента: US20140136907A1. Автор: D. Scott Guthridge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Database ingestion across internal and external data sources using error rate handling

Номер патента: US20200250026A1. Автор: Aaron M. Popelka,Joshua L. Sarver,Luke A. Ball. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Voltage frequency scaling based on error rate

Номер патента: US20230393644A1. Автор: Leon Zlotnik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Error rate interrupts in hardware for high-speed signaling interconnect

Номер патента: US20240103951A1. Автор: Ish CHADHA,Adithya Hrudhayan KRISHNAMURTHY. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Bit error rate estimation and error correction and related systems, methods, devices

Номер патента: US20230350743A1. Автор: Kevin Yang,Dixon Chen,Jiachi Yu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

System, Method, and Computer Program Product for Generating Error Rate Predictions Based on Machine Learning Using Incremental Backpropagation

Номер патента: US20230351269A1. Автор: Priyanka Balaji. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems for estimating bit error rate (ber) of encoded data using neural networks

Номер патента: US20230115877A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems for estimating bit error rate (ber) of encoded data using neural networks

Номер патента: WO2023059517A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems for estimating bit error rate (BER) of encoded data using neural networks

Номер патента: US11755408B2. Автор: Fa-Long Luo,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Soft-error-rate calculating device

Номер патента: US09645871B2. Автор: Takumi UEZONO,Tadanobu Toba,Kenichi Shimbo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Spread spectrum clock generator and spread spectrum clock generation method, pulse pattern generator and pulse pattern generation method, and error rate measuring device and error rate measuring method

Номер патента: US20220021412A1. Автор: Tatsuya Iwai. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor die offset compensation variation

Номер патента: SE1851419A1. Автор: Charles Andrew Coots,John Joseph Pichura,Maxim Factourovich. Владелец: Universal Instruments Corp. Дата публикации: 2018-11-14.

System and method for laser assisted bonding of semiconductor die

Номер патента: US09916989B2. Автор: Min Ho Kim,Tae Ho Yoon,Dong Soo Ryu,Yang Gyoo Jung,Youn Seok Song,Choong Hoe Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

System and method to measure an error rate of a wireless local area network

Номер патента: RU2657865C2. Автор: Джои ЧОУ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-06-18.

Transceiver parameter solution space visualization to reduce bit error rate

Номер патента: US9727402B1. Автор: Yongliang LU,Shuangxia Zhu,Zhi Y. Wong. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Transceiver parameter solution space visualization to reduce bit error rate

Номер патента: US20170300375A1. Автор: Yongliang LU,Shuangxia Zhu,Zhi Y. Wong. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Transceiver parameter solution space visualization to reduce bit error rate

Номер патента: US10372521B2. Автор: Yongliang LU,Shuangxia Zhu,Zhi Y. Wong. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Apparatus and method for the determination of seu and set disruptions in a circuit caused by neutrons and ionizing particle strikes

Номер патента: WO2008037655A2. Автор: Renaud Perez,Hafnaoui Belhaddad. Владелец: IROC TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2008-04-03.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Apparatus and method for the determination of seu and set disruptions in a circuit caused by neutrons and ionizing particle strikes

Номер патента: WO2008037655A3. Автор: Renaud Perez,Hafnaoui Belhaddad. Владелец: Hafnaoui Belhaddad. Дата публикации: 2008-05-15.

Load shedding in a distributed system

Номер патента: US10776162B2. Автор: Kevin Conway,Iccha Sethi. Владелец: ATLASSIAN PTY LTD. Дата публикации: 2020-09-15.

Method and architecture for automated fault diagnosis and correction in a computer system

Номер патента: EP1528471A3. Автор: Andrew M. Rudoff,Michael W. Shapiro,Matthew T. Simmons,Timothy P. Haley,Cynthia A. Mcguire. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

Method to distribute user data and error correction data over different page types by leveraging error rate variations

Номер патента: WO2015095850A1. Автор: Ning Chen,Yu Cai,Earl T. Cohen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Visualization of resources in a data center

Номер патента: WO2014165522A1. Автор: Willem Jacob Buys. Владелец: Amazon Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-10-09.

I/O cell configuration for a differential amplifier on a semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP2930745A3. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Visualization of resources in a data center

Номер патента: US09438495B2. Автор: Willem Jacob Buys. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus and method for increasing resilience to raw bit error rate

Номер патента: WO2016089485A1. Автор: Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: US20240258275A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: EP4411813A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Data Storage Device and Method for Using Zones of Memory in a Read Scrub Operation

Номер патента: US20240152423A1. Автор: Nitin Jain,Maharudra Nagnath Swami. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Enhanced lexicon-based classifier models with tunable error-rate tradeoffs

Номер патента: US20230214707A1. Автор: Ravi Kiran Reddy Poluri,Mohit Sewak. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-07-06.

Enhanced lexicon-based classifier models with tunable error-rate tradeoffs

Номер патента: WO2023129353A1. Автор: Ravi Kiran Reddy Poluri,Mohit Sewak. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-07-06.

Methods of detecting joint failures between stacked semiconductor dies

Номер патента: US10885623B2. Автор: Hae Won Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Adaptive lossy framebuffer compression with controllable error rate

Номер патента: US09899007B2. Автор: Georgios Keramidas,Iakovos Stamoulis,George Sidiropoulos. Владелец: Think Silicon SA. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for calculating error rate of alarm

Номер патента: US09704382B2. Автор: Ji-Hoon Kang,Soon-Mok Kwon,Dong-Ho Yoo. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Optical performance monitoring based on fast bit error rate (ber) statistics

Номер патента: WO2020207501A8. Автор: Zhiping Jiang,Ali Salehiomran. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-09-23.

Optical performance monitoring based on fast bit error rate (ber) statistics

Номер патента: EP3939180A1. Автор: Zhiping Jiang,Ali Salehiomran. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor package substrate with a smooth groove about a perimeter of a semiconductor die

Номер патента: US20240047381A1. Автор: Bob Lee,ChienHao Wang,YuhHarng Chien. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for detection of failures in a wafer using transforms and cluster signature analysis

Номер патента: US20070160281A1. Автор: Rafik Marutyan. Владелец: HPL Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Methods and apparatus for adaptively detecting signal degradation in an optical communication system using the pre-forward error correction bit error rate

Номер патента: US10931369B2. Автор: Gert Grammel,Remo MACCAGLIA. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2021-02-23.

Methods and apparatus for adaptively detecting signal degradation in an optical communication system using the pre-forward error correction bit error rate

Номер патента: US20200228200A1. Автор: Gert Grammel,Remo MACCAGLIA. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for encoding and decoding data in a color barcode pattern

Номер патента: US8100330B2. Автор: Gaurav Sharma,Orhan BULAN,Vishal Monga. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor package substrate with a smooth groove about a perimeter of a semiconductor die

Номер патента: US11791289B2. Автор: Bob Lee,ChienHao Wang,YuhHarng Chien. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods and systems for identifying errors in a speech recognition system

Номер патента: US09928829B2. Автор: Keith P. Braho,Jeffrey P. Pike,Lori A. Pike. Владелец: Vocollect Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Automatic speech recognition word error rate estimation applications, including foreign language detection

Номер патента: US12087276B1. Автор: Ahmad Abdulkader,Mohamed Gamal Mohamed Mahmoud,Mohamed Hariri Nokob. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods and systems for identifying errors in a speech recognition system

Номер патента: US8868421B2. Автор: Keith P. Braho,Jeffrey P. Pike,Lori A. Pike. Владелец: Vocollect Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Methods and apparatus for error rate estimation

Номер патента: WO2013112926A2. Автор: Colin Whitby-Strevens. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-08-01.

Methods and apparatus for error rate estimation

Номер патента: EP2807780A2. Автор: Colin Whitby-Strevens. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-03.

Methods and apparatus for error rate estimation

Номер патента: US09661350B2. Автор: Colin Whitby-Strevens. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integratable Optical Isolator in a Mach-Zehnder Interferometer Configuration

Номер патента: US20060222282A1. Автор: Dmitri Nikonov,Michael Salib. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Wireless link to transmit digital audio data between devices in a manner controlled dynamically to adapt to variable wireless error rates

Номер патента: WO2008085870A3. Автор: Jano Banks,Jeff Boone,Brad Bozarth. Владелец: Radiient Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Methods and apparatus for error rate estimation

Номер патента: US20150208098A1. Автор: Colin Whitby-Strevens. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor die and photoelectric device integrated in same package

Номер патента: US12021069B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and apparatus for transmitting data between timing controller and source driver, having bit error rate test function

Номер патента: US8775879B2. Автор: Yun Tack Han,Hyun Kyu Jeon,Kwang Il Oh,Jung Hwan Choi,Joon Ho Na,Soo Woo Kim. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200335400A1. Автор: Yu-Lin Yang,Chih-Liang Chen,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Ta-Pen Guo,Hung-Li Chiang,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Defect detection process in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US20160349735A1. Автор: David F. Cutilli,Matthew J. Hartnett,Keith A. Robishaw,Glenn M. Stefanski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Organic light-emitting diode (OLED) display having a semiconductor layer including a third portion extending in a third direction joining a first and second portions that extending in different directions

Номер патента: US12069897B2. Автор: Wang Woo LEE,Jung Hwa KIM,Moo Soon KO,Min Woo Woo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Defect detection process in a semiconductor manufacturing environment

Номер патента: US09791849B2. Автор: David F. Cutilli,Matthew J. Hartnett,Keith A. Robishaw,Glenn M. Stefanski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Split-rate meter construction

Номер патента: US3708049A. Автор: L Weber. Владелец: Qonaar Corp. Дата публикации: 1973-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Uplink error rate

Номер патента: US20230247469A1. Автор: Neville Leslie Young,Chiayi Huang. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Uplink error rate

Номер патента: US20240314616A1. Автор: Neville Leslie Young,Chiayi Huang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor dies with rounded or chamfered edges

Номер патента: US20240339496A1. Автор: Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Uplink error rate

Номер патента: US11997525B2. Автор: Neville Leslie Young,Chiayi Huang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Printed circuits with embedded semiconductor dies

Номер патента: US09443830B1. Автор: Eric C. Lee,Corey N. AXELOWITZ,Shawn Xavier Arnold. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor die with interconnect bump design employing repurposed seed layer for forming additional signal paths to back end-of-line (beol) structure, and related integrated circuit (ic) package and fabrication method

Номер патента: EP4406014A1. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Jinying Sun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and apparatus for optimizing target error rates for link adaptation in a communication system

Номер патента: US09571225B2. Автор: XIAO Xu,HUA Xu. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for estimating bit error probability using error rate ratio of frame synchronization word

Номер патента: US20240014953A1. Автор: Sung Wan Kim,Seokkwon KIM,Keunsu MA. Владелец: Korea Aerospace Research Institute KARI. Дата публикации: 2024-01-11.

Dual bit error rate estimation in a qam demodulator

Номер патента: WO2002001788B1. Автор: Khaled Maalej,Emmanuel Hamman,Amaury Demol,Yannick Levy. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-05-10.

Dual bit error rate estimation in a qam demodulator

Номер патента: MY134251A. Автор: Maalej Khaled,Hamman Emmanuel,Levy Yannick,Demol Amaury. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Dual bit error rate estimation in a qam demodulator

Номер патента: EP1295430A2. Автор: Khaled Maalej,Emmanuel Hamman,Amaury Demol,Yannick Levy. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2003-03-26.

Dual bit error rate estimation in a qam demodulator

Номер патента: WO2002001788A2. Автор: Khaled Maalej,Emmanuel Hamman,Amaury Demol,Yannick Levy. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2002-01-03.

Methods and apparatus for providing measurement reports in a network environment

Номер патента: EP2039071A2. Автор: Phani Bhushan Avadhanam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Methods and apparatus for providing measurement reports in a network environment

Номер патента: WO2008008713A2. Автор: Phani Bhushan Avadhanam. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-17.

Frame error rate estimation in a receiver

Номер патента: EP1430636A1. Автор: LIN Yue. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Method and device for reducing bit error rate in CDMA communication system

Номер патента: US09654254B2. Автор: Zhongping Chen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Frame error rate estimation in a receiver

Номер патента: WO2003026191A1. Автор: LIN Yue. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-03-27.

Method and apparatus for a rate control in a high data rate communication system

Номер патента: EP1277303A2. Автор: Nagabhushana T. Sindhushayana,Eduardo A. S. Esteves,Rashid A. Attar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2003-01-22.

Method and apparatus for a rate control in a high data rate communication system

Номер патента: WO2001082521A3. Автор: Rashid A Attar,Nagabhushana T Sindhushayana,Eduardo A S Esteves. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die on a Fan-Out WLCSP

Номер патента: US20150001709A1. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Wireless communication data processing method and apparatus for reducing bit error rate

Номер патента: US20200119845A1. Автор: Chen Xu,Wei Chen,Rong Li,Jun Wang,Jun Chen,Jie Jin,Yong Xie,Rongdao Yu,Gongzheng ZHANG,Yinggang Du,Branislav M. Popovic,Alberto Giuseppe PEROTTI,Guijie Wang,Anahid Robert Safavi. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Error rate measurement apparatus and error rate measurement method

Номер патента: US20240322839A1. Автор: Hisao Kidokoro. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Identifying a source of packet drops in a network

Номер патента: US09979619B2. Автор: Jean-Philippe Vasseur,Pascal Thubert,Patrick Wetterwald,Eric Levy-Abegnoli. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of stacking semiconductor die on a fan-out WLCSP

Номер патента: US09478485B2. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

A semiconductor package assembly

Номер патента: EP4350764A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Error rate measurement apparatus and error rate measurement method

Номер патента: US20240322844A1. Автор: Hisao Kidokoro. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, and a semiconductor module

Номер патента: US12046573B2. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method of forming TSV semiconductor wafer with embedded semiconductor die

Номер патента: US09754858B2. Автор: Seung Uk Yoon,Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of forming interconnect structure and mounting semiconductor die in recessed encapsulant

Номер патента: US09530738B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor Die Attach System and Method

Номер патента: US20190109112A1. Автор: Joachim Mahler,Georg Meyer-Berg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor die package with conductive line crack prevention design

Номер патента: US20240096778A1. Автор: Shin-puu Jeng,Kuo-Ching Hsu,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Shyue-Ter Leu,Ya-Huei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Device and Method of Forming Pad Layout for Flipchip Semiconductor Die

Номер патента: US20120241984A9. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Mold Underfill Using Dispensing Needle Having Same Width as Semiconductor Die

Номер патента: US20120061858A1. Автор: Dongsoo Moon,SooMoon Park,ByoungWook Jang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Symbol detection and error correction coding in a local area network

Номер патента: WO1990004295A1. Автор: Darrell Furlong. Владелец: Concord Communications, Inc.. Дата публикации: 1990-04-19.

Semiconductor Device and Method of Forming Mold Underfill Using Dispensing Needle Having Same Width as Semiconductor Die

Номер патента: US20140004659A1. Автор: Dongsoo Moon,SooMoon Park,ByoungWook Jang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Method and device for determining a first parameter characterizing a packet error rate

Номер патента: US20210258237A1. Автор: Michael Gabb,Soheil Gherekhloo. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and method of forming pad layout for flipchip semiconductor die

Номер патента: US09780057B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

System and method for modulation and coding scheme adaptation and power control in a relay network

Номер патента: US09674792B2. Автор: Yi Song,YI Yu,Mo-Han Fong,Zhijun Cai,Chandra S. Bontu,Rose Qingyang Hu,James Womack. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of forming base substrate with recesses for capturing bumped semiconductor die

Номер патента: US09449932B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila,Arnel Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of lowering the error rate of massively parallel DNA sequencing using duplex consensus sequencing

Номер патента: US12006545B2. Автор: Michael Schmitt,Lawrence A. Loeb,Jesse Salk. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor Device and Method of Making a Semiconductor Package with Graphene for Die Attach

Номер патента: US20240194629A1. Автор: Heesoo Lee,Sujeong KWON,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Package and a Semiconductor Module

Номер патента: US20240258213A1. Автор: Hao Zhuang,Josef Hoeglauer,Gerhard Noebauer,Sergey Yuferev. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor die having an optical detection marker and method of producing the semiconductor die

Номер патента: US20240120298A1. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-11.

Plasma-singulated, contaminant-reduced semiconductor die

Номер патента: US20240055298A1. Автор: Gordon M. Grivna,JeongPyo HONG,Mohd Akbar MD SUM. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor die with a vertical device

Номер патента: US20240313105A1. Автор: Alessandro Ferrara,Sergey Yuferev,Florian Gasser,Gerhard Thomas Nöbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package and method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US10811342B2. Автор: Petteri Palm,Robert Fehler,Sergey Yuferev. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-20.

System and method for modulation and coding scheme adaptation and power control in a relay network

Номер патента: US09960881B2. Автор: Yi Song,YI Yu,Mo-Han Fong,Zhijun Cai,Chandra S. Bontu,Rose Qingyang Hu,James Womack. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of lowering the error rate of massively parallel DNA sequencing using duplex consensus sequencing

Номер патента: US09752188B2. Автор: Michael Schmitt,Lawrence A. Loeb,Jesse Salk. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2017-09-05.

Power semiconductor package having power semiconductor die in a support substrate with bar vias

Номер патента: US09640474B1. Автор: Eung San Cho,Danny Clavette. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor die having increased usable area

Номер патента: US20080220220A1. Автор: Ken Jian Ming Wang,Ming Wang Sze. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

A method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as a semiconductor package assembly obtained with this method

Номер патента: EP4439658A1. Автор: Shun Tik Yeung,Hiu Hay Nichole Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device including independent film layer for embedding and/or spacing semiconductor die

Номер патента: US09773766B2. Автор: LI Wang,Peng Fu,ZHONG Lu,Weili Wang,Ning Ye,Chin-Tien Chiu,Cheeman Yu,Enyong Tai,King Hoo Ong,Suresh Upadhyayula,Yuang Zhang,Kim Lee Bock,Pradeep Kumar Rai. Владелец: SanDisk Information Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A method and apparatus for transmitting data in a packet data communication system

Номер патента: WO2003015309A1. Автор: John M. Harris,Paul M. Erickson. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-02-20.

A method and apparatus for transmitting data in a packet data communication system

Номер патента: EP1419589A1. Автор: John M. Harris,Paul M. Erickson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Semiconductor die with a vertical device

Номер патента: EP4432359A1. Автор: Alessandro Ferrara,Gerhard Noebauer,Sergey Yuferev,Florian Gasser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Encircling a semiconductor device with stacked frames on a substrate

Номер патента: US12119296B2. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Hung Chen,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Stacking a semiconductor die and chip-scale-package unit

Номер патента: EP4174918A2. Автор: Chee Seng Foong,Franciscus Henrikus Martinus Swartjes,Akhilesh Kumar Singh,Andrew Jefferson MAWER. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-05-03.

Stacking a semiconductor die and chip-scale-package unit

Номер патента: EP4174918A3. Автор: Chee Seng Foong,Franciscus Henrikus Martinus Swartjes,Akhilesh Kumar Singh,Andrew Jefferson MAWER. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for bit error rate detection, and network device

Номер патента: US09948434B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of manufacturing stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths

Номер патента: US09691746B2. Автор: XIAO Li,JIAN Li,David R. Hembree,Steven K. Groothuis,James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and apparatus for monitoring bit-error rate

Номер патента: US8209569B2. Автор: James E. Sylvester,Muzaffer Kanaan,Stanley Y. Lee,Alexander Laparidis. Владелец: Verizon Services Organization Inc. Дата публикации: 2012-06-26.

Method and apparatus for monitoring bit-error rate

Номер патента: US20090276664A1. Автор: James E. Sylvester,Muzaffer Kanaan,Stanley Y. Lee,Alexander Laparidis. Владелец: Verizon Services Organization Inc. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor package having improved thermal interface between semiconductor die and heat spreading structure

Номер патента: EP4428913A2. Автор: Chi-Yuan Chen,Tai-Yu Chen,Chia-Hao Hsu,Hsing-Chih Liu,Yao-Pang Hsu,Shiann-Tsong Tsai,Chung-Fa Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor die assembly and methods of forming thermal paths

Номер патента: US09780079B2. Автор: JIAN Li,Steven K. Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: EP1905082A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-02.

Adaptive truncation of coded digital data symbols in a receiver

Номер патента: EP1389858B1. Автор: Elias Jonsson,Andreas Cedergren,Christer Östberg,Jonas Linde. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2006-11-15.

Semiconductor die package with ring structure

Номер патента: US20240312798A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20170005070A1. Автор: David Jon Hiner,Doo Hyun Park,Michael G. Kelly,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Method of estimating BER values in a wireless communication system

Номер патента: US09992696B2. Автор: Andrei-Alexandru Enescu,Bodgan-Mihai Sandoi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for enhancing spectral efficiency in a communication network

Номер патента: US09742507B2. Автор: Shailender Potharaju. Владелец: Redline Communications Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US09627353B2. Автор: David Jon Hiner,Doo Hyun Park,Michael G. Kelly,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device package formed in a chip-on-wafer last process using thin film adhesives

Номер патента: US09437575B1. Автор: David Jon Hiner,Doo Hyun Park,Michael G. Kelly,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

High dynamic range error rate monitor

Номер патента: GB9929250D0. Автор: . Владелец: Marconi Communications Ltd. Дата публикации: 2000-02-02.

High dynamic range error rate monitor

Номер патента: AU7210600A. Автор: Graham Butler. Владелец: Marconi Communications Ltd. Дата публикации: 2001-06-14.

High dynamic range error rate monitor

Номер патента: EP1107500B1. Автор: Graham Butler. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2007-01-17.

Error rate test method and test system for testing a device under test

Номер патента: US20210266243A1. Автор: Meik Kottkamp,Niels Petrovic,Bledar Karajani. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-08-26.

System, Method and Apparatus to Relieve Stresses in a Semiconductor Die Caused by Uneven Internal Metallization Layers

Номер патента: US20160211223A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor packages including stack modules comprised of interposing bridges and semiconductor dies

Номер патента: US20210265307A1. Автор: Bok Kyu CHOI,Kyoung Tae Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Power saving method based on bit error rate (ber) measurements

Номер патента: WO2002023747A2. Автор: Brian Douglas May. Владелец: THOMSON LICENSING S.A.. Дата публикации: 2002-03-21.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: WO2016118227A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor die including a device

Номер патента: US20230088305A1. Автор: Stefan Tegen,Alessandro Ferrara,Oliver Blank,Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US20150194421A1. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-09.

Methods and apparatuses with reduced defects in interconnecting bumps between a semiconductor die and a substrate (a package substrate or another die)

Номер патента: EP4167278A2. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Rahul N. Manepalli,Steve Cho,Amram Eitan,Hongxia Feng,Leonel Arana,Changhua Liu,Jung Kyu HAN,Kyle MC ELHINNY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Methods and apparatuses with reduced defects in interconnecting bumps between a semiconductor die and a substrate (a package substrate or another die)

Номер патента: EP4167278A3. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Rahul N. Manepalli,Steve Cho,Amram Eitan,Hongxia Feng,Leonel Arana,Changhua Liu,Jung Kyu HAN,Kyle MC ELHINNY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integration of a passive component in a cavity of an integrated circuit package

Номер патента: US20180301403A1. Автор: Anindya Poddar,Sreenivasan K. Koduri,Sujan Kundapur MANOHAR,Jeffrey Morroni,Rajeev Dinkar Joshi,Yogesh K. Ramadass. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor die with a power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107152B2. Автор: Matthias Kroenke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Alessandro Ferrara,Adrian Finney,Christoph Kubasch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of fabricating III-nitride semiconductor dies

Номер патента: US09721791B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: US09659882B2. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Successive-approximation register (SAR) analog-to-digital converter (ADC) with ultra low burst error rate

Номер патента: US09614539B2. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US09570437B2. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of DTX detection in a wireless communication system

Номер патента: US09480103B2. Автор: Andrei-Alexandru Enescu,Anton Antal,Bodgan-Mihai Sandoi,Andrei Gansari. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods for block error rate target selection for a communication session and related apparatus

Номер патента: EP4029171A1. Автор: Pablo SOLDATI,Euhanna GHADIMI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-07-20.

Methods for block error rate target selection for a communication session and related apparatus

Номер патента: WO2021048594A1. Автор: Pablo SOLDATI,Euhanna GHADIMI. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2021-03-18.

Qkd system detector autocalibration based on bit-error rate

Номер патента: EP1872503A2. Автор: Jonathan Young. Владелец: MagiQ Technologies Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Electronic device for updating frame error rate of link and operation method of electronic device

Номер патента: US20240178949A1. Автор: Chounjong NAM,Junsu CHOI,Sungbin Min,Changmok YANG,Junyeop Jung,Mincheol JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Channel quality estimation from raw bit error rate

Номер патента: US20130329570A1. Автор: George JÖNGREN,Yi-Pin Eric Wang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-12-12.

Method and apparatus for providing individual power control information in a wireless local area network/wireless wide area network (wlan/wwan)

Номер патента: EP1712093A2. Автор: Arty Chandra,Teresa Joanne Hunkeler. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

Method and apparatus for providing individual power control information in a wireless local area network/wireless wide area network (wlan/wwan)

Номер патента: WO2005065271A2. Автор: Arty Chandra,Teresa Joanne Hunkeler. Владелец: INTERDIGITAL TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-21.

Apparatus and method for controlling a forward data rate in a mobile communication system

Номер патента: WO2005053188A1. Автор: Dong-jun Lee,Sung-Kwon Jo,Ki-Seob Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-06-09.

Channel quality estimation from raw bit error rate

Номер патента: EP2569891A1. Автор: George JÖNGREN,Yi-Pin Eric Wang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-03-20.

Qkd system detector autocalibration based on bit-error rate

Номер патента: WO2006115804A3. Автор: Jonathan Young. Владелец: MagiQ Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Qkd system detector autocalibration based on bit-error rate

Номер патента: WO2006115804A2. Автор: Jonathan Young. Владелец: Magiq Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-02.

Method and apparatus for reducing interference with outer loop power control in a wireless communication system

Номер патента: WO2003079576A2. Автор: Francesco Grilli,Serge Willenegger,Josef J. Blanz,Alkinoos Hector Vayanos,Edward G. Tiedemann, Jr.,Durga P. Malladi. Владелец: QUALCOMM, Incorporated. Дата публикации: 2003-09-25.

Bit error rate detection

Номер патента: WO1990015487A1. Автор: Thomas A. Freeburg. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 1990-12-13.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240105644A1. Автор: Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Tsung-Hao YEH,Hsien Jung CHEN,Hsin Heng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Signal generating device, signal generating method, error rate measuring apparatus, and error rate measuring method

Номер патента: US10536310B2. Автор: Tatsuya Iwai. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Signal generating device, signal generating method, error rate measuring apparatus, and error rate measuring method

Номер патента: US20190363917A1. Автор: Tatsuya Iwai. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Integrated circuit (ic) packages employing split, double-sided metallization structures to facilitate a semiconductor die ("die") module employing stacked dice, and related fabrication methods

Номер патента: WO2021178078A4. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,David Fraser Rae,Marcus Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-21.

Techniques providing fiducial markers for failure analysis in a semiconductor die

Номер патента: WO2011006015A3. Автор: Foua Vang,Michael Laisne,Prayag B. Patel,Xiangdong Pan,Donald D. Lyons,Martin L. Villafana. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-03.

Semiconductor package including a high voltage semiconductor die and a gate driver semiconductor die, and method of producing the semiconductor package

Номер патента: US20240203836A1. Автор: Mark Pavier,Hugh Richard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240258302A1. Автор: Shu-Hui SU,Hsin-Li Cheng,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and method for attaching a semiconductor die to a heat spreader

Номер патента: US20060060637A1. Автор: JADHAV Susheel,Daoqiang Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Method of Manufacturing a Semiconductor Die

Номер патента: US20180047719A1. Автор: Walter Rieger,Martin Vielemeyer,Gerhard Nöbauer,Martin Pölzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of fabricating a two-sided die in a four-sided leadframe based package

Номер патента: US20100255640A1. Автор: Hem Takiar,Cheemen Yu,Vani Verma. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Channel quality estimation from raw bit error rate

Номер патента: WO2011141839A1. Автор: George JÖNGREN,Yi-Pin Eric Wang. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2011-11-17.

Crystal grains copper columnar shape pattern electrical connected to a semiconductor die

Номер патента: US20210082830A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Yu-Ming Lee,Chiang-Hao LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Providing a metal layer in a semiconductor package

Номер патента: US20070138656A1. Автор: Chee Chen,Lee Khaw,Tze Hin,Wooi Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a semiconductor package

Номер патента: US09960125B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Chin-Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of depositing encapsulant along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US09496195B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a semiconductor package

Номер патента: US09431367B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Chin-Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Coherent psk demodulator using bit error rate and s/n ratio to establish synchronization

Номер патента: US5157694A. Автор: Susumu Otani,Motoya Iwasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Apparatus and method for reducing bit error rates (ber) and frame error rates (fer) using turbo decoding in a digital communication system

Номер патента: CA2458450C. Автор: Sang-Hyuck Ha,Min-Goo Kim,Nam-Yul Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-27.

Access point and channel selection in a wireless network for reduced RF interference

Номер патента: EP2773152A1. Автор: Mohammed Nawaf Smadi. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

System and method for toggling transmission parameters in a heterogeneous network

Номер патента: EP3031154A1. Автор: Chandra Sekhar Bontu,Xixian Chen,Jianguo Long. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-06-15.

Method and apparatus for determining bit-error rate in a data channel

Номер патента: US11876532B1. Автор: Min Wu,Yuanjie Chen,Davide Visani. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for deterministic testing of packet error rate in electronic devices

Номер патента: WO2013015875A1. Автор: Christian Volf Olgaard. Владелец: LITEPOINT CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-31.

Frame error rate estimation in a receiver

Номер патента: EP1430636B1. Автор: LIN Yue. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-08.

System and method for determining on-chip bit error rate (BER) in a communication system

Номер патента: EP1388969A3. Автор: Tuan Hoang,Hongtao Jiang,Nong Fan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Method and device for reducing bit error rate in CDMA communication system

Номер патента: US20150358119A1. Автор: Zhongping Chen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Device and method for communication with a remote device to perform information reconciliation in a quantum key distribution system

Номер патента: WO2024132226A1. Автор: Fred Chi Hang FUNG. Владелец: Huawei Technologies Duesseldorf GmbH. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240234401A9. Автор: Yu-Sheng Chen,Yu-Jen Wang,Wei-Cheng Wu,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Harry-HakLay Chuang,Hsien Jung CHEN,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Method for wafer-level semiconductor die attachment

Номер патента: WO2019073304A1. Автор: Yee Loy Lam. Владелец: Denselight Semiconductors Pte. Ltd.. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor die package with thermal management features

Номер патента: US12074083B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and method of forming protective material between semiconductor die stacked on semiconductor wafer to reduce defects during singulation

Номер патента: SG171518A1. Автор: JaEun Yun,Sungyoon Lee,Taegki Lim. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor Die Connection System and Method

Номер патента: US20160027719A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sen-Bor Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor die assemblies having molded underfill structures and related technology

Номер патента: US11749666B2. Автор: XIAO Li,Bradley R. Bitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US09923011B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of forming DCALGA package using semiconductor die with micro pillars

Номер патента: US09875988B2. Автор: Kok Khoon Ho,Andrew Pan,Satyamoorthi Chinnusamy,Weng Hing TAN. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of bonding semiconductor die to substrate in reconstituted wafer form

Номер патента: US09721921B2. Автор: Lan Hoang,Steve Anderson,HeeJo Chi,Pandi C. Marimuthu,KyungMoon Kim,HunTeak Lee,YoungChul KIM,KooHong Lee,JaeHak Yee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Base station, and a method for adapting link adaptation in a wireless communications network

Номер патента: US09693258B2. Автор: Marco BELLESCHI,Hongwei Wang,Björn NORDSTRÖM. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of forming ultra high density embedded semiconductor die package

Номер патента: US09627338B2. Автор: See Chian Lim,Teck Tiong Tan,Yung Kuan Hsiao,Ching Meng Fang,Yoke Hor Phua,Bartholomew Liao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of forming a shielding layer between stacked semiconductor die

Номер патента: US09583446B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of forming semiconductor die with active region responsive to external stimulus

Номер патента: US09564413B2. Автор: Heap Hoe Kuan,Il Kwon Shim,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation

Номер патента: US09558958B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor die connection system and method

Номер патента: US09520340B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sen-Bor Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of forming leadframe with notched fingers for stacking semiconductor die

Номер патента: US09472427B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Henry D. Bathan,Jairus L. Pisigan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including RDL along sloped side surface of semiconductor die for Z-direction interconnect

Номер патента: US09437538B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of transmitting data in a digital radio communication system based on codes with low density of parity checks and a method of interleaving code symbols

Номер патента: RU2700398C1. Автор: Александр Эдуардович Жданов. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2019-09-16.

Baton passing method and apparatus for maintaining synchronization in a tdma satellite communication system

Номер патента: CA1166366A. Автор: John W. Fennel, Jr.,Huo-Bing Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Method and system for dual-mode (single user and multi users) packet error rate based rate control in a wireless communication system

Номер патента: EP2954631A1. Автор: Ning Zhang,James S. Cho,Shu Du,Zhanfeng Jia,Rahul Tandra,Qinghai Gao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240113159A1. Автор: Shu-Hui SU,Hsin-Li Cheng,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor die encapsulation or carrier-mounting method, and corresponding semiconductor die encapsulation or carrier-mounting apparatus

Номер патента: EP2954550A1. Автор: Johannes Cornelis DE BEIJER,Michiel Hendrikus Antonius Wilhelmus RUTTEN,Ger HUIZING,Mike Louis Theodoor HOEDEMAKER. Владелец: Boschman Technologies BV. Дата публикации: 2015-12-16.

Integration of a passive component in a cavity of an integrated circuit package

Номер патента: WO2018191500A1. Автор: Anindya Poddar,Sreenivasan K. Koduri,Sujan Kundapur MANOHAR,Jeffrey Morroni,Rajeev Dinkar Joshi,Yogesh K. Ramadass. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US20240315042A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect structure between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09847309B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Stacked semiconductor die assemblies with thermal spacers and associated systems and methods

Номер патента: US09818625B2. Автор: JIAN Li,Steven K. Groothuis,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of forming insulating layer disposed over the semiconductor die for stress relief

Номер патента: US09666500B2. Автор: Rui Huang,Xia Feng,KANG Chen,Yu Gu,Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Pandi C. Marimuthu,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device including a cap facing a semiconductor chip and a bump electrode provided between the semiconductor chip and the cap

Номер патента: US09502367B2. Автор: Hiroshi Yamada,Tadahiro Sasaki,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Identifying interference in a heterogeneous wireless network

Номер патента: GB2498588A. Автор: Sadia Quadri,Filippo Tosato,Fengming Cao. Владелец: Toshiba Research Europe Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Data rate adaptation in a wireless transmitter

Номер патента: GB2537595A. Автор: Turner Richard,GIBSON Matthew,WOJCIESZAK Laurent,Clarke Simon. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2016-10-26.

A routing layer for mitigating stress in a semiconductor die

Номер патента: EP2471096A1. Автор: Gabriel Wong,Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-07-04.

Semiconductor device including a plurality of dielectric materials between semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US20230352448A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device including a plurality of dielectric materials between semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US20230069496A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Package Having Semiconductor Die with Internal Vertical Interconnect Structure and Method Therefor

Номер патента: US20120104599A1. Автор: Rui Huang,Byung Tai Do,Heap Hoe Kuan,Linda Pei Ee CHUA,Seng Guan Chow. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit (ic) packages employing supplemental metal layer coupled to embedded metal traces in a die-side embedded trace substrate (ets) layer, and related fabrication methods

Номер патента: EP4420164A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Ching-Liou Huang,Michelle Yejin Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US20240274583A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Wireless access node uplink power control based on uplink error rate

Номер патента: US11758484B2. Автор: Sreekar Marupaduga. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20240266191A1. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for providing bit error rate characterization

Номер патента: US8140920B2. Автор: Glenn A. Wellbrock,Scott R. Kotrla,Michael U. Bencheck,Matthew W. Turlington,Christopher N. DelRegno. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2012-03-20.

Integrated circuit (ic) packages employing supplemental metal layer coupled to embedded metal traces in a die-side embedded trace substrate (ets) layer, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023069820A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Ching-Liou Huang,Michelle Yejin Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-27.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and system for providing bit error rate characterization

Номер патента: US20110149747A1. Автор: Glenn A. Wellbrock,Scott R. Kotrla,Michael U. Bencheck,Matthew W. Turlington,Christopher N. DelRegno. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as a semiconductor package assembly obtained with this method

Номер патента: US20240332144A1. Автор: Shun Tik Yeung,Hiu Hay Nichole Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for forming semiconductor die package with thermal management features

Номер патента: US20240363474A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Wireless access node uplink power control based on uplink error rate

Номер патента: US12133174B2. Автор: Sreekar Marupaduga. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US09985000B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wavelength modulation for improved optical link bit error rate

Номер патента: US20210359760A1. Автор: Terrel Morris,Mir Ashkan SEYEDI. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for attaching a semiconductor die to a carrier

Номер патента: US09881909B2. Автор: Michael Bauer,Ludwig Heitzer,Christian Stuempfl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming cavity adjacent to sensitive region of semiconductor die using wafer-level underfill material

Номер патента: US09679881B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of forming bond-on-lead interconnection for mounting semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09679824B2. Автор: Rajendra D. Pendse,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Laser assisted bonding for semiconductor die interconnections

Номер патента: US09627348B2. Автор: Ju Hoon Yoon,Min Ho Kim,Choon Heung Lee,Chan Ha Hwang,Dong Su Ryu,Yang Gyoo Jung,Choong Hoe Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of thinning and packaging a semiconductor chip

Номер патента: US09570419B2. Автор: Aik Teong Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of forming semiconductor die with active region responsive to external stimulus

Номер патента: US09553162B2. Автор: Steve Anderson,Heap Hoe Kuan,Il Kwon Shim,Byung Joon Han,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of forming penetrable film encapsulant around semiconductor die and interconnect structure

Номер патента: US09431331B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device with mechanical lock features between a semiconductor die and a substrate

Номер патента: US09425161B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,David F. Abdo,L. M. Mahalingam. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US09418974B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of forming B-stage conductive polymer over contact pads of semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09418941B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US09406660B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Stacked semiconductor die assemblies with multiple thermal paths and associated systems and methods

Номер патента: US10741468B2. Автор: XIAO Li,JIAN Li,Brent Keeth,Steven K. Groothuis,Shijian Luo,Haojun Zhang,Jaspreet S. Gandhi,Luke G. England,Paul A. Silvestri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Quality of service maintenance of a wireless link in a wireless lan

Номер патента: CA2359593C. Автор: Albert T. Chow,Robert Raymond Ii Miller,Wenchu Ying,Jinman Kim. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 2007-03-27.

Methods of lowering the error rate of massively parallel dna sequencing using duplex consensus sequencing

Номер патента: US20240035088A1. Автор: Michael Schmitt,Lawrence A. Loeb,Jesse Salk. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of lowering the error rate of massively parallel dna sequencing using duplex consensus sequencing

Номер патента: EP4234713A3. Автор: Michael Schmitt,Lawrence A. Loeb,Jesse Salk. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2024-02-14.

Apparatus, and associated method, for estimating a bit error rate of data communicated in a communication system

Номер патента: SG143210A1. Автор: Sean Simmons,Huan Wu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2008-06-27.

Semiconductor die including an asymmetric pad arrays, a semiconductor die stack including the semiconductor die, and a high bandwidth memory including the semiconductor die stack

Номер патента: US20240071967A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of lowering the error rate of massively parallel dna sequencing using duplex consensus sequencing

Номер патента: US20240084385A1. Автор: Michael Schmitt,Lawrence A. Loeb,Jesse Salk. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of lowering the error rate of massively parallel DNA sequencing using duplex consensus sequencing

Номер патента: US11970740B2. Автор: Michael Schmitt,Lawrence A. Loeb,Jesse Salk. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods of lowering the error rate of massively parallel DNA sequencing using duplex consensus sequencing

Номер патента: US11993815B2. Автор: Michael Schmitt,Lawrence A. Loeb,Jesse Salk. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2024-05-28.

Removing bias in a pilot symbol error rate for receivers

Номер патента: US20060140256A1. Автор: Rainer Bachl,Frank Obernosterer,Peter Gunreben. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method and apparatus for bit error rate analysis

Номер патента: EP1547294A1. Автор: Martin Miller,Lawrence Steven Salant,Michael Schnecker,Thierry Campiche. Владелец: Lecroy Corp. Дата публикации: 2005-06-29.

Methods and apparatus for detecting a signal degradation using the pre-forward error correction bit error rate at an optical transponder

Номер патента: EP3923500A1. Автор: HAO WANG,Rathi Kartheek,Elmer Tolentino,Manish Talwar,Ajay KACHRANI. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Fast bit-error rate calculation mode for qkd systems

Номер патента: EP2008165A2. Автор: Audrius Berzanskis,A. Craig Beal,Wensheng Sun,Brandon Kwok. Владелец: MagiQ Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Fast bit-error rate calculation mode for qkd systems

Номер патента: WO2008054486A2. Автор: Audrius Berzanskis,A. Craig Beal,Wensheng Sun,Brandon Kwok. Владелец: Maqig Technologies, Inc.. Дата публикации: 2008-05-08.

Apparatus and method for power control in a radio communication system

Номер патента: AU6429600A. Автор: Nicholas Anderson,Rorie O'neill. Владелец: Motorola Ltd. Дата публикации: 2001-01-31.

Apparatus and method for power control in a radio communication system

Номер патента: EP1195018A1. Автор: Nicholas Anderson,Rorie O'neill. Владелец: Motorola Ltd. Дата публикации: 2002-04-10.

Apparatus and method for power control in a radio communication system

Номер патента: EP1195018B1. Автор: Nicholas Anderson,Rorie O'neill. Владелец: Motorola Ltd. Дата публикации: 2003-09-03.

Systems and methods for estimating bit error rate of a signal

Номер патента: US20220021492A1. Автор: Jim Rice,Courtney Owen. Владелец: Ball Aerospace and Technologies Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of Thinning and Packaging a Semiconductor Chip

Номер патента: US20160218080A1. Автор: Aik Teong Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-28.

Methods and apparatus for detecting a signal degradation using the pre-forward error correction bit error rate at an optical transponder

Номер патента: US20190260684A1. Автор: HAO WANG,Rathi Kartheek,Elmer Tolentino,Manish Talwar,Ajay KACHRANI. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method and measuring device for determining an error rate without incremental redundancy

Номер патента: US20070165671A1. Автор: Ralf Plaumann,Johannes Fassrainer,Max Winkhofer. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor dies with recesses, associated leadframes, and associated systems and methods

Номер патента: US20180350730A1. Автор: Chua Swee Kwang,Yong Poo Chia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor dies with recesses, associated leadframes, and associated systems and methods

Номер патента: US20160247749A1. Автор: Chua Swee Kwang,Yong Poo Chia. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-08-25.

Apparatus and method for transmit power control and subcarrier modulation assignment in a multicarrier system

Номер патента: EP1661349A2. Автор: Adrian Stephens,Eric Jacobsen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for adjusting block error rate, and communication node and storage medium

Номер патента: US20240244486A1. Автор: Qiaoyan Liu,Chaoqin Lei. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor dies with recesses, associated leadframes, and associated systems and methods

Номер патента: US20170278775A1. Автор: Chua Swee Kwang,Yong Poo Chia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor Wafer And Semiconductor Die

Номер патента: US20150170985A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Bit-Error Rate in Fixed Line-Rate Systems

Номер патента: US20090279637A1. Автор: Jared L. Zerbe,Vladimir M. Stojanovic. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Package structure with conductive patterns in a redistribution layer

Номер патента: US12100682B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Yu-Chia Lai,Chih-Horng Chang,Chih-Hsuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor package having lead frame with semiconductor die and component module mounted on opposite surfaces of the lead frame and methods of manufacture thereof

Номер патента: US12125771B2. Автор: Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Verapath Vareesantichai. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of forming interposer frame over semiconductor die to provide vertical interconnect

Номер патента: US09893045B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Seng Guan Chow,Seung Uk Yoon,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of forming interposer with opening to contain semiconductor die

Номер патента: US09875911B2. Автор: Yaojian Lin,HeeJo Chi,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Termination region of a semiconductor device

Номер патента: US09496391B2. Автор: Joseph A. Yedinak,Fred Session,Richard Stokes,Jason Higgs. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Device for measuring bit error rate using viterbi decoder

Номер патента: RU2141167C1. Автор: Гонг Джун-джин. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 1999-11-10.

Method for measuring received signal quality in a mobile wireless communication system

Номер патента: US6163571A. Автор: Ram Asokan,Kumar Balachandran. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2000-12-19.

Thin multiple semiconductor die package

Номер патента: US20060231937A1. Автор: Daniel Lau,Frank Juskey. Владелец: Core Networks LLC. Дата публикации: 2006-10-19.

Error rate control apparatus

Номер патента: EP2490489A3. Автор: Tetsuya Yano,Kazuhisa Obuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Multi-carrier transmission system utilizing channels with different error rates

Номер патента: US5832030A. Автор: Michael A. Tzannes,Richard W. Gross. Владелец: Aware Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Error rate monitor

Номер патента: CA2105544C. Автор: Douglas C. Schmidt. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor die mounted in a recess of die pad

Номер патента: US11862538B2. Автор: Hung-Yu Chou,Yuh-Harng Chien,Chung-Hao LIN,Bo-Hsun PAN,Dong-Ren Peng,Pi-Chiang HUANG. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor die stack having bent wires and vertical wires and a semiconductor package including the semiconductor die stack

Номер патента: US11908825B2. Автор: Jeong Hyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Flexible interposer for semiconductor dies

Номер патента: US20240063135A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Aik Boo TAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor die stack having bent wires and vertical wires and a semiconductor package including the semiconductor die stack

Номер патента: US20220392866A1. Автор: Jeong Hyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Error Rate Monitor

Номер патента: CA2105544A1. Автор: Douglas C. Schmidt. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Semiconductor Device and Method of Forming Interconnect Structure and Mounting Semiconductor Die in Recessed Encapsulant

Номер патента: US20140353846A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor Device and Method of Encapsulating Semiconductor Die

Номер патента: US20170032981A1. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

System and method for network error rate testing

Номер патента: WO2004097576A2. Автор: Harold Yang,Arthur M. Lawson,Chris Cicchetti,An Huynh,Paul Gentieu. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2004-11-11.

A method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as such semiconductor package assembly

Номер патента: EP4293715A1. Автор: Ting Wei CHANG,Wei Leong TAN,Wai Wai Lee,Jia Yunn TING. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-20.

Receiver for receiving digital broadcast transmissions comprising a means for determining the bit error rate and the signal strength of the digital broadcast transmissions

Номер патента: EP1172952A3. Автор: Sei Pioneer Corp. Kawagoe Works Kato. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240290877A1. Автор: Britta Wutte,Arnold Marak,Thomas Martin Feil. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4421877A1. Автор: Britta Wutte,Arnold Marak,Thomas Martin Feil. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-28.

A semiconductor transistor package comprising electrical contact layers and a method for fabricating the same

Номер патента: EP4415031A1. Автор: Thorsten Meyer,Wolfgang Scholz,Edward Fuergut,Alexander Roth,Frank Zudock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-14.

A semiconductor transistor package having electrical contact layers and a method for fabricating the same

Номер патента: US20240266237A1. Автор: Thorsten Meyer,Wolfgang Scholz,Edward Fürgut,Alexander Roth,Frank Zudock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor die for increasing yield and usable wafer area

Номер патента: US20080220206A1. Автор: Ken Jian Ming Wang,Ming Wang Sze. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

A semiconductor package assembly and a method of manufacturing such semiconductor package assembly

Номер патента: EP4290573A1. Автор: Zhou Zhou,Matthew Anthony,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Device and method for real-time offset adjustment of a semiconductor die placement

Номер патента: US20240312819A1. Автор: Yi Li,Gang Duan,Yosuke Kanaoka,Robin MCREE,Minglu LIU,Hong Seung Yeon,Mariano Phielipp. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Inductor embedded in a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US20240332170A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Yu-Jui Wu,Harry-HakLay Chuang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Device and Method of Forming Shielding Layer Over Semiconductor Die Mounted to TSV Interposer

Номер патента: US20120299165A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for forming semiconductor package having build-up interconnect structure over semiconductor die with different CTE insulating layers

Номер патента: US09875973B2. Автор: Wei Meng,KANG Chen,Yu Gu,Yaojian Lin,Chee Siang Ong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming stepped interconnect layer for stacked semiconductor die

Номер патента: US09824975B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor wafer and semiconductor die

Номер патента: US09728511B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor die assemblies with heat sink and associated systems and methods

Номер патента: US09716019B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of forming shielding layer over semiconductor die mounted to TSV interposer

Номер патента: US09685403B2. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of forming trench and disposing semiconductor die over substrate to control outward flow of underfill material

Номер патента: US09627229B2. Автор: Hoang Lan,Wang Zhenliang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US09613912B2. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of forming base leads from base substrate as standoff for stacking semiconductor die

Номер патента: US09589910B2. Автор: Dioscoro A. Merilo,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for forming semiconductor package having build-up interconnect structure over semiconductor die with different CTE insulating layers

Номер патента: US09520365B2. Автор: Wei Meng,KANG Chen,Yu Gu,Yaojian Lin,Chee Siang Ong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with conductive pillars having recesses or protrusions to detect interconnect continuity between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09478513B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Ting Yu Fu,Men Hsien Li. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Spacer layer for embedding semiconductor die

Номер патента: US09462694B2. Автор: LI Wang,Peng Lu,Junrong Yan,Xin Lu,Weili Wang,Pradeep Rai,Jianbin Gu. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Singulation of semiconductor dies with contact metallization by electrical discharge machining

Номер патента: US09449876B2. Автор: Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Manfred Schneegans. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for Determining a Route in a Wireless Mesh Network Using a Metric Based On Radio and Traffic Load

Номер патента: US20100172249A1. Автор: Hang Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-08.

Hexagonal semiconductor die, semiconductor substrates, and methods of forming a semiconductor die

Номер патента: US6030885A. Автор: Subhas Bothra. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-29.

Wireless communication method and apparatus for adaptively biasing channel quality indicators to maintain a desired block error rate

Номер патента: EP1810437A2. Автор: Philip J. Pietraski,Gregory S. Sternberg,Douglas R. Castor. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor package including a circuit substrate having a cavity and a floor plate embedded in a dielectric material and a semiconductor die disposed in the cavity

Номер патента: US11908764B2. Автор: Shin-puu Jeng,Te-Chi Wong,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor dies including recesses for facilitating mechanical debonding, and associated systems and devices

Номер патента: US20240047424A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Bonded assembly of semiconductor dies containing pad level across-die metal wiring and method of forming the same

Номер патента: WO2021150265A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Kwang-Ho Kim,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-29.

Functionally redundant semiconductor dies and package

Номер патента: US20210375825A1. Автор: Mark T. Bohr,Wilfred Gomes,Nevine Nassif,Wesley D. Mc Cullough,Udi Sherel,Leonard M. Neiberg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor die singulation

Номер патента: US11881434B2. Автор: Dolores Babaran Milo,Connie Alagadan ESTERON. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Precoding technique to lower the bit error rate (ber) of punctured convolutional codes.

Номер патента: MY124325A. Автор: Ali S Kahyrallah. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2006-06-30.

Bonded assembly of semiconductor dies containing pad level across-die metal wiring and method of forming the same

Номер патента: US20210225736A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Kwang-Ho Kim,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor die stacks and associated systems and methods

Номер патента: US20230284465A1. Автор: Kunal R. Parekh,Hernan A. Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Functionally redundant semiconductor dies and package

Номер патента: US20190206834A1. Автор: Mark T. Bohr,Wilfred Gomes,Nevine Nassif,Wesley D. Mc Cullough,Udi Sherel,Leonard M. Neiberg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: WO2023049719A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor die singulation

Номер патента: US20210043512A1. Автор: Dolores Babaran Milo,Connie Alagadan ESTERON. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Bit error rate determination method and measurement instrument

Номер патента: US20200236017A1. Автор: Bernhard Nitsch,Adrian Ispas. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162296A1. Автор: Daniel Maurer,Sabine Konrad,Thomas Ostermann,Steffen SACK. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-16.

System and Method of Cleaning and Inspecting Semiconductor Die Carrier

Номер патента: US20230058682A1. Автор: TAO Hu,Hua Hong Tan,Wing Keung Lam,Zong Xiang Cai,Wei Ming Xian,Yao Hong Wu. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of separating semiconductor dies

Номер патента: WO2007117805A2. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Hao-Chun Cheng,Feng-Hsu Fan,Fu-Hsien Wang. Владелец: Semileds Corporation. Дата публикации: 2007-10-18.

Die interconnect substrates, a semiconductor device and a method for forming a die interconnect substrate

Номер патента: US20240063173A1. Автор: Ji Yong Park,Rahul Jain,Kyu Oh Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Coated semiconductor dies

Номер патента: US20240055313A1. Автор: You Chye HOW,Christopher Daniel Manack,Patrick Francis Thompson,Michael Todd Wyant,Matthew John Sherbin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor Die and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220102547A1. Автор: Oliver Blank,Martin Poelzl,Heimo Hofer,Andreas Kleinbichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-03-31.

Visual identification of semiconductor dies

Номер патента: US20170243831A1. Автор: Stephanie Watts Butler,Venkataramanan Kalyanaraman,Kenneth Michael BUTLER,Kalyan Chakravarthy Cherukuri,Hubert Joseph Payne,Yazdi Dinshaw Contractor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US20160172306A1. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080789B2. Автор: Oliver Blank,Martin Poelzl,Heimo Hofer,Andreas Kleinbichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor Die, Heat Spreader, Semiconductor Package, Semiconductor Device, and Methods

Номер патента: US20230197566A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming a semiconductor package with connection lug

Номер патента: US12125772B2. Автор: Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Martin Gruber,Herbert Hopfgartner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US20240304569A1. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Laurence Brendan O'Sullivan,Ramji Sitaraman Lakshmanan et al.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-12.

Under-bump metal structures for interconnecting semiconductor dies or packages and associated systems and methods

Номер патента: US09966347B2. Автор: Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Christopher J. Gambee,Satish Yeldandi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Flow over wire die attach film and conductive molding compound to provide an electromagnetic interference shield for a semiconductor die

Номер патента: US09953933B1. Автор: Rennier Rodriguez,Ela Mia Cadag,Aaron CADAG. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Electronic component and method for electrically coupling a semiconductor die to a contact pad

Номер патента: US09917024B2. Автор: Martin Standing,Marcus Pawley. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Visual identification of semiconductor dies

Номер патента: US09899332B2. Автор: Stephanie Watts Butler,Venkataramanan Kalyanaraman,Kenneth Michael BUTLER,Kalyan Chakravarthy Cherukuri,Hubert Joseph Payne,Yazdi Dinshaw Contractor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device assembly including a chip carrier, semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09768120B2. Автор: Anton Mauder,Khalil Hosseini,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming fine pitch RDL over semiconductor die in fan-out package

Номер патента: US09721922B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Won Kyoung Choi,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Under-bump metal structures for interconnecting semiconductor dies or packages and associated systems and methods

Номер патента: US09704781B2. Автор: Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Christopher J. Gambee,Satish Yeldandi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of forming recesses in conductive layer to detect continuity for interconnect between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09685402B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Yi Wen Huang,Ke Jung Jen. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with embedded semiconductor die and substrate-to-substrate interconnects

Номер патента: US09502392B2. Автор: Jin Seong Kim,Cha Gyu Song,Ye Sul Ahn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for reducing message error rate within real-time exchange radio-frequency communications systems

Номер патента: US5854787A. Автор: Robert D. Dodge,James P. Hubert,Ricky D. Wash,James A. Minnick,Scott J. F. Zogg. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Mobile terminal which halts and restarts data transmission based on bit error rate independently of any instruction signal from a base station

Номер патента: US5771467A. Автор: Yukio Sato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-23.

Method and apparatus for determining the rate of received data in a variable rate communication system

Номер патента: CA2268857A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Tao Chen. Дата публикации: 1998-04-30.

Semiconductor package having improved thermal interface between semiconductor die and heat spreading structure

Номер патента: US11967570B2. Автор: Chi-Yuan Chen,Tai-Yu Chen,Chia-Hao Hsu,Hsing-Chih Liu,Yao-Pang Hsu,Shiann-Tsong Tsai,Chung-Fa Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Channel error rate optimization using markov codes

Номер патента: US20190058494A1. Автор: Raman Venkataramani. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device assemblies including spacer with embedded semiconductor die

Номер патента: US20200105706A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Huibin CHEN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-02.

Bit allocation method and apparatus for improving transmission bit rate in a multicarrier system

Номер патента: EP1228616A2. Автор: Marcos C. Tzannes. Владелец: Aware Inc. Дата публикации: 2002-08-07.

Semiconductor die package with conductive line crack prevention design

Номер патента: US11854956B2. Автор: Shin-puu Jeng,Kuo-Ching Hsu,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Shyue-Ter Leu,Ya-Huei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Base Substrate with Recesses for Capturing Bumped Semiconductor Die

Номер патента: US20130241030A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila,Arnel Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor die with mask programmable interface selection

Номер патента: US7982294B2. Автор: ZhiHui Wang,Kenneth Kindsfater,Tarek Kaylani,Balasubramanian Annamalai,Jeff Echtenkamp. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Semiconductor die with mask programmable interface selection

Номер патента: US20080224307A1. Автор: ZhiHui Wang,Kenneth Kindsfater,Tarek Kaylani,Balasubramanian Annamalai,Jeff Echtenkamp. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor package and method for fabricating a semiconductor package

Номер патента: US12021000B2. Автор: Chau Fatt Chiang,Norliza Morban,Khay Chwan Andrew Saw. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-25.

Fabrication method of semiconductor die and chip-on-plastic packaging of semiconductor die

Номер патента: US11901322B2. Автор: Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Byeung Soo SONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Cooling system for a semiconductor device assembly

Номер патента: US20240194565A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Ravi Kumar Kollipara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Lead frame assembly for a semiconductor device

Номер патента: US20240258207A1. Автор: Adam Brown,Dave Anderson,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Under-bump metal structures for interconnecting semiconductor dies or packages and associated systems and methods

Номер патента: US20170287857A1. Автор: Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Christopher J. Gambee,Satish Yeldandi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

A semiconductor package and a method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: FI128296B. Автор: Kimmo KAIJA. Владелец: Murata Manufacturing Co. Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US12068260B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor die with blast shielding

Номер патента: US11756882B2. Автор: Enis Tuncer,Alejandro Hernandez-Luna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor Die being Connected with a Clip and a Wire which is Partially Disposed Under the Clip

Номер патента: US20210175200A1. Автор: Mark Pavier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor die stack having heightened contact for wire bond

Номер патента: WO2008121552A3. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: Shrikar Bhagath. Дата публикации: 2008-12-31.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor die package with ring structure and method for forming the same

Номер патента: US20240363551A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Chen Lee,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for manufacturing semiconductor die

Номер патента: US20240355631A1. Автор: Kang Sup Shin,Yang Beom KANG,Dal Jin LEE. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor die being connected with a clip and a wire which is partially disposed under the clip

Номер патента: US12068274B2. Автор: Mark Pavier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Device for remote control of solution parameters in a chute of a drilling unit

Номер патента: RU2602558C1. Автор: Анатолий Георгиевич Малюга,Сергей Николаевич Шерстнев,Иван Федорович Попов. Владелец: Анатолий Георгиевич Малюга. Дата публикации: 2016-11-20.

Method and apparatus of estimating channel quality in a receiver

Номер патента: CA2120714C. Автор: Michael John Carney,Christopher P. Larosa. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Wireless access node uplink power control based on uplink error rate

Номер патента: US11277800B1. Автор: Sreekar Marupaduga. Владелец: Sprint Communications Co LP. Дата публикации: 2022-03-15.

Method and Apparatus of Estimating Channel Quality in a Receiver

Номер патента: CA2120714A1. Автор: Michael John Carney,Christopher P. Larosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-04-14.

Semiconductor die assembly having a polygonal linking die

Номер патента: US20240006374A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor package with a cavity in a die pad for reducing voids in the solder

Номер патента: US20200411417A1. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device having a semiconductor die embedded in a molding compound

Номер патента: US20210217633A1. Автор: Thorsten Scharf,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of singulating semiconductor die and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20190279904A1. Автор: Byung-Ho Kim,Sung-il Cho,Youn-Jo Mun,Man-Hee Han,Byong-Gook Jeong,Jeong-cheol An,Dae-Sang Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Iii-v compound semiconductor dies with stress-treated inactive surfaces and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2021225818A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4307391A1. Автор: Alessandro Ferrara,Thomas Ralf Siemieniec,Daniel REGENFELDNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4307390A1. Автор: Ralf Siemieniec,Alessandro Ferrara. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor die assemblies with decomposable materials and associated methods and systems

Номер патента: US11817393B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Marsela Pontoh,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Iii-v compound semiconductor dies with stress-treated inactive surfaces to avoid packaging-induced fractures, and related methods

Номер патента: US20210351095A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Iii-v compound semiconductor dies with stress-treated inactive surfaces and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP4147271A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor die assemblies with decomposable materials and associated methods and systems

Номер патента: US20240079338A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Marsela Pontoh,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor die assemblies with decomposable materials and associated methods and systems

Номер патента: WO2023034756A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Marsela Pontoh,Luoqi Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Rate adaptation method using bit error rate for multimedia service and apparatus therefor

Номер патента: US20190097752A1. Автор: Yong Ju Cho,Ji Hun Cha. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Rate adaptation method using bit error rate for multimedia service and apparatus therefor

Номер патента: US10181928B2. Автор: Yong Ju Cho,Ji Hun Cha. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-01-15.

Rate adaptation method using bit error rate for multimedia service and apparatus therefor

Номер патента: US9509439B2. Автор: Yong Ju Cho,Ji Hun Cha. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-11-29.

Passive electronic components on a semiconductor die

Номер патента: US20240162207A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Aik Boo TAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method and apparatus for isolating iic bus noise from a tuner in a television receiver

Номер патента: EP1228636A2. Автор: Matthew Thomas Mayer,David Glen White. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2002-08-07.

Method and Apparatus for Speech Quality Assessment in a Cellular Communication System

Номер патента: US20080200164A1. Автор: Timothy Charity,Rashmi Misra. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Method and apparatus for speech quality assessment in a cellular communication system

Номер патента: WO2007005156A2. Автор: Timothy Charity,Rashmi Misra. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2007-01-11.

Uplink hybrid automatic repeat request retransmission scheduling in a network with a large propagation delay

Номер патента: EP4275305A1. Автор: Liangping Ma,Alberto RICO ALVARINO,Xiao Feng Wang,Bharat Shrestha,Umesh Phuyal,Ayan Sengupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Uplink hybrid automatic repeat request retransmission scheduling in a network with a large propagation delay

Номер патента: WO2022150239A1. Автор: Liangping Ma,Alberto RICO ALVARINO,Xiao Feng Wang,Bharat Shrestha,Umesh Phuyal,Ayan Sengupta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-07-14.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US20230076573A1. Автор: Shingo Inoue,Ikuo Nakashima. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and apparatus for isolating iic bus noise from a tuner in a television receiver

Номер патента: EP1228636B1. Автор: Matthew Thomas Mayer,David Glen White. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2004-09-29.

Semiconductor die mount by conformal die coating

Номер патента: US20160104689A1. Автор: Scott McGrath,Weiping Pan,Marc E. Robinson,Simon J. S. McElrea,Scott Jay Crane,De Ann Eileen Melcher. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor die with stepped side surface

Номер патента: US12062596B2. Автор: Bob Lee,Chien Hao WANG,Rongwei Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

In-sequence reception of pdus in a pdu set in the downlink and triggering of recovery of missing pdus

Номер патента: WO2024173362A1. Автор: Michael Starsinic,Jaya Rao,Srinivas GUDUMASU,Tejaswinee LUTCHOOMUN. Владелец: INTERDIGITAL PATENT HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor devices having non-rectangular semiconductor die for enhanced mechanical robustness and reduced stress and electric field concentrations

Номер патента: US20240274660A1. Автор: Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Josh S. Pennington. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, and semiconductor die produced from a semiconductor wafer

Номер патента: US20220301933A1. Автор: John Cooper,Michael KNABL,Matic KRIVEC,Andreas Kitzler,Daniel Pieber,Jakob Simon Dohr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for fabricating a semiconductor package, semiconductor package and embedded pcb module

Номер патента: US20210313273A1. Автор: Frank Daeche,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Power semiconductor devices having non-rectangular semiconductor die for enhanced mechanical robustness and reduced stress and electric field concentrations

Номер патента: WO2024167627A1. Автор: Brice Mcpherson,Edward Robert Van Brunt,Josh S. Pennington. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

A method and an apparatus for scheduling transmissions and retransmissions in a cellular communication system based on the load of said system

Номер патента: EP1817924A1. Автор: Nicholas Anderson,Martin Beale. Владелец: IPWireless Inc. Дата публикации: 2007-08-15.

Package having an electronic component and an encapsulant encapsulating a dielectric layer and a semiconductor die of the electronic component

Номер патента: US12112992B2. Автор: Thomas Fischer,Daniel Porwol,Anton Steltenpohl,Uwe Seidel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-08.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US09935082B2. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor die mount by conformal die coating

Номер патента: US09824999B2. Автор: Scott McGrath,Weiping Pan,Marc E. Robinson,Simon J. S. McElrea,Scott Jay Crane,De Ann Eileen Melcher. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor package with semiconductor die directly attached to lead frame and method

Номер патента: US09711484B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Laser drilling encapsulated semiconductor die to expose electrical connection therein

Номер патента: US09691681B2. Автор: Edward William Olsen. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor package including a semiconductor die having redistributed pads

Номер патента: US09633951B2. Автор: Martin Standing,Mark Pavier,Andrew N. Sawle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Scheme for remote control of the wavelength of a tunable transmitter in a smart transceiver

Номер патента: US09485026B2. Автор: Kwang Soo Park,Moon Soo Park. Владелец: OE Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device, method of processing a substrate, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09337015B2. Автор: Tsuyoshi Takeda,Taketoshi Sato,Minoru KOHASHI. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-05-10.

Terminal address assignment in a broadcast transmission system

Номер патента: US4680583A. Автор: Wayne D. Grover. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1987-07-14.

System for maintaining low bit error rate in a starcoupled network of direct coupled stations

Номер патента: US4856023A. Автор: Amar J. Singh. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

Method and apparatus for encoding and decoding information in a digtial communication system

Номер патента: US5602875A. Автор: G. David Mantel,Gregory L. Cannon,R. Louis Breeden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-02-11.

High-speed facility protection in a digital telecommunications system

Номер патента: CA2096402C. Автор: C. Douglas Richardson. Владелец: Alcatel Network Systems Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Cell size adjustment in a cellular communication system

Номер патента: GB2311191A. Автор: Toshihito Kanai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-17.

Apparatus and method employing a window reset for excessive bit error rate alarm detection and clearing

Номер патента: CA2231098C. Автор: Joseph C. Lau. Владелец: TranSwitch Corp. Дата публикации: 2008-12-02.

System for maintaining low bit error rate in a star- coupled network of direct coupled stations

Номер патента: CA1268226A. Автор: Amar J. Singh. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Control apparatus for use in a cellular system

Номер патента: GB2350024B. Автор: Toshihito Kanai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Viterbi decoding method and viterbi decoding apparatus capable of increasing error rate

Номер патента: US6119265A. Автор: Masaaki Hara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Method and apparatus for encoding and decoding information in a digital communication system

Номер патента: MY112024A. Автор: David Mantel G,Louis Breeden R,Lewis Cannon Gregory. Владелец: Motorola Mobility Inc. Дата публикации: 2001-03-31.

Semiconductor die positioning system and a method of bonding a semiconductor die to a substrate

Номер патента: WO2006068672A2. Автор: Samuel V. Nablo,Michael Roger Caron,John Paul Frazier,John Vincent Vogt. Владелец: Tracking Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-06-29.

Apparatus, and associated method, for estimating a bit error rate of data communicated in a communication system

Номер патента: CA2612697C. Автор: Sean Simmons,Huan Wu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Methods and apparatus for burst toleran excessive bit error rate alarm detection and clearing

Номер патента: EP1381946A1. Автор: Pawan Goyal,Kumar Shakti Singh,Edward Soltysiak. Владелец: TranSwitch Corp. Дата публикации: 2004-01-21.

Device and method for performing information reconciliation in a quantum key distribution system

Номер патента: WO2020211954A1. Автор: Fred Chi Hang FUNG,Jesús MARTINEZ-MATEO,Vicente MARTIN. Владелец: Huawei Technologies Duesseldorf GmbH. Дата публикации: 2020-10-22.

Successive-approximation register (sar) analog-to-digital converter (adc) with ultra low burst error rate

Номер патента: US20170272091A1. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Successive-approximation register (SAR) analog-to-digital converter (ADC) with ultra low burst error rate

Номер патента: US9929740B2. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor die package and manufacturing method

Номер патента: US20180122725A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,JoonSeo Son,Mankyo JONG. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of manufacturing stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths

Номер патента: US20230395463A1. Автор: XIAO Li,JIAN Li,David R. Hembree,Steven K. Groothuis,James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus, and associated method, for estimating a bit error rate of data communicated in a communication system

Номер патента: CA2612697A1. Автор: Sean Simmons,Huan Wu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Qkd system laser autocalibration based on bit-error rate

Номер патента: WO2006115846A3. Автор: Jonathan Young. Владелец: MagiQ Technologies Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240136284A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Systems and methods for changing decoding parameters in a communication system

Номер патента: US20130156118A1. Автор: Christopher H. Dick. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Systems and methods for changing decoding parameters in a communication system

Номер патента: EP2792094A1. Автор: Christopher H. Dick. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-10-22.

Method and apparatus for determining the closed loop power control set point in a wireless packet data communication system

Номер патента: EP1201045A1. Автор: Peter J. Black,Funyun Ling. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Methods of manufacturing stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths

Номер патента: US11776877B2. Автор: XIAO Li,JIAN Li,David R. Hembree,Steven K. Groothuis,James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods and apparatus for burst toleran excessive bit error rate alarm detection and clearing

Номер патента: WO2002079988A1. Автор: Pawan Goyal,Kumar Shakti Singh,Edward Soltysiak. Владелец: TRANSWITCH CORPORATION. Дата публикации: 2002-10-10.

A semiconductor package providing an even current distribution and stray inductance reduction and a semiconductor device module

Номер патента: EP4372810A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240162172A1. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021722A1. Автор: Alessandro Ferrara,Thomas Ralf Siemieniec,Daniel REGENFELDNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Qkd system laser autocalibration based on bit-error rate

Номер патента: WO2006115846A2. Автор: Jonathan Young. Владелец: Magiq Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-02.

Power saving method based on bit error rate (ber) measurements

Номер патента: WO2002023747A3. Автор: Brian Douglas May. Владелец: Brian Douglas May. Дата публикации: 2002-06-20.

Hybrid bonding of a thin semiconductor die

Номер патента: EP4376058A1. Автор: Li Ming,CHEUNG Yiu Ming,CHENG Man Hon,SO Siu Cheung,KWOK So Ying. Владелец: ASMPT Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method and apparatus for determining the forward link closed loop power control set point in a wireless packet data communication system

Номер патента: EP1348263A2. Автор: Tao Chen,Fuyun Ling. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Modulation selection relying on estimation of error rate for multiple modulations based on demodulation data

Номер патента: EP3721569A1. Автор: Matthew Collins,Ondrej Jakubov,William Connolley. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Modulation selection relying on estimation of error rate for multiple modulations based on demodulation data

Номер патента: WO2019112693A1. Автор: Matthew Collins,Ondrej Jakubov,William Connolley. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-06-13.

Methods and systems for adaptive effective cinr reporting in a wireless communication system

Номер патента: EP2291943A1. Автор: Tom Chin,Kuo-Chun Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Method for controlling block error rate (bler) testing of a cellular communication device for a system having a fixed number of bler data packets

Номер патента: WO2020076971A1. Автор: Cao Chen,Christian Volf Olgaard,Ruizu Wang,Yachao DING. Владелец: LITEPOINT CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-16.

Cooling interface region for a semiconductor die package

Номер патента: US20240128149A1. Автор: Wei-Kong Sheng,Cheng-chieh Hsieh,Yu-Jen Lien,Ke-Han SHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Diode comprising a semiconductor body

Номер патента: US20190378896A1. Автор: Bernhard Konig,Paul Strobel. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-12-12.

Method to repair edge placement errors in a semiconductor device

Номер патента: US11664274B2. Автор: Charles H. Wallace,Gopinath Bhimarasetti,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Method and tester for determining an error rate of a mobile-telephone device, especially for USF-BLER

Номер патента: US20070093211A1. Автор: Ralf Plaumann. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-04-26.

Systems and methods for dynamic adjustment of a target block error rate

Номер патента: US20240267152A1. Автор: Aaron Callard,Akram Bin SEDIQ. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-08.

Complexity management in a multi-user communications system

Номер патента: WO2009132385A1. Автор: Mark Reed,David Shepherd,Zhenning Shi. Владелец: NATIONAL ICT AUSTRALIA LIMITED. Дата публикации: 2009-11-05.

Adaptive advanced receivers based on packet error rate

Номер патента: EP4233198A1. Автор: Sitaramanjaneyulu Kanamarlapudi,Touseef KHAN,Ritesh Sood,Ajay Vignesh Jayaprakash. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method For Bit-Loading in a Multi-Tone DSL System

Номер патента: US20100034245A1. Автор: Boris Dortschy,Danilo Zanatta Filho,Ricardo Suyama,Murilo Bellezoni Loiola,Rafael Ferrari,Renato Lopes,Joäo Marcos Travassos Romano. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2010-02-11.

Methods and systems for channel mapping in a communication network

Номер патента: US20180132108A1. Автор: RAKESH Taori,Farooq Khan,Sudhir Ramakrishna,Eran Pisek,Shadi Abu-Surra,Robert Clark Daniels. Владелец: Phazr Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Systems and Methods for Determining Packet Error Rate (PER) for Wireless Encapsulated Network Packet Data Communications Links

Номер патента: US20110211460A1. Автор: Michael Beeler. Владелец: Comtech EF Data Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

System, Apparatus And Method For Communicating With A Variable Bit Error Rate

Номер патента: US20220014304A1. Автор: Huimin Chen,Howard Heck,Marko Balogh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor die pickup apparatus

Номер патента: US20230230860A1. Автор: Jong Kyu MOON,Jae Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Multipath, multiuser interference processing systems in a cdma receiver

Номер патента: WO2003063374A1. Автор: Anthony Craig Dolwin,Michael Philip Fitton,Khurram Ali Rizvi,Yuk Ching Chow,Mohamed Rafiq Ismail. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2003-07-31.

Methods and Systems for Channel Mapping in a Communication Network

Номер патента: US20190380041A1. Автор: RAKESH Taori,Farooq Khan,Sudhir Ramakrishna,Eran Pisek,Shadi Abu-Surra,Robert Clark Daniels. Владелец: Phazr Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Systems and Methods for Determining Packet Error Rate (PER) for Wireless Encapsulated Network Packet Data Communications Links

Номер патента: US20130272155A1. Автор: Michael Beeler. Владелец: Comtech EF Data Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Scheduling in a cellular communication system

Номер патента: WO2019182488A3. Автор: Yu Wang,Chenguang Lu,Johan Zhang. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2019-12-26.

Method for forming semiconductor die having edge with multiple gradients

Номер патента: US12087618B2. Автор: Fu-Chen Chang,Yu-Sheng Tang,Cheng-Lin Huang,Wen-Ming Chen,Chun-Yen Lo,Kuo-Chio Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor die package with metallic stiffening elements

Номер патента: EP4420160A1. Автор: John Knickerbocker,Katsuyuki Sakuma,Mukta Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US09997480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Interposer, semiconductor package with the same and method for preparing a semiconductor package with the same

Номер патента: US09761535B1. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

System and method for generating exact symbol error rates of frequency-hopped signals

Номер патента: US09742460B2. Автор: Hyuck M. Kwon,Khanh D. Pham. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor die, semiconductor wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711473B1. Автор: Lu-Ming Lai,Ying-Te Ou,Chin-Cheng Kuo. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Radio link synchronization in a wireless communication device

Номер патента: US09654985B2. Автор: Sandeep H. Krishnamurthy,Ravi Kuchibhotla. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor die assembly

Номер патента: US09601374B2. Автор: Owen R. Fay,Liana Foster. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods for detection of failure and recovery in a radio link

Номер патента: US09451567B2. Автор: Michael Eoin Buckley,Sandeep H. Krishnamurthy,Robert T. Love,Ravi Kuchibhotla,Ravikiran Nory. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

A method for controlling transmission power in a communication system

Номер патента: CA2116131C. Автор: Scott Maurice Hall. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-27.

Method of reducing peak-to-average power ratio, cubic metric and block error rate in ofdm systems using network coding

Номер патента: CA2797043C. Автор: Yongho Kim,Shahrokh Valaee,Amin Alamdar Yazdi,Sameh Sorour. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-01-19.

Cooling system for semiconductor die carrier

Номер патента: US6031720A. Автор: Stanford W. Crane, Jr.,Arindum Dutta,Lakshminarasimha Krishnapura,Moises Behar,Kevin J. Link,Bill Ahearn. Владелец: Panda Project Inc. Дата публикации: 2000-02-29.

Apparatus for estimating bit error rate by sampling in WDM communication system

Номер патента: US6295614B1. Автор: QI Wu,Kurt Peters. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Method of reducing peak-to-average power ratio, cubic metric and block error rate in ofdm systems using network coding

Номер патента: EP2561654A2. Автор: Yongho Kim,Shahrokh Valaee,Amin Alamdar Yazdi,Sameh Sorour. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-02-27.

Method and apparatus for testing traffic and auxiliary channels in a wireless data communication system

Номер патента: CA2469707C. Автор: Paul E. Bender,Bibhu Mohanty,Rajesh K. Pankaj,Rajeev Krishnamurthi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Fabricating method of semiconductor die with tapered sidewall in package

Номер патента: US20240088095A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrating a gate-all-around (gaa) field-effect transistor(s) (fet(s)) and a finfet(s) in a common substrate of a semiconductor die

Номер патента: WO2020036662A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor die assemblies having molded underfill structures and related technology

Номер патента: US20210167058A1. Автор: XIAO Li,Bradley R. Bitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Wireless access node uplink power control based on uplink error rate

Номер патента: US20230413184A1. Автор: Sreekar Marupaduga. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Determining Target Block Error Rate for Improved Radio Efficiency

Номер патента: US20240089787A1. Автор: Liang Zhou,Ulo Parts,Mikko Aleksi Uusitalo,Paolo Baracca,Olav Emerik Tirkkonen,Dani Johannes KORPI,Saeed Reza KHOSRAVIRAD. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-03-14.

Bit error rate forecast circuit for successive approximation register analog-to-digital conversion

Номер патента: US10498349B2. Автор: Shih-Hsiung Huang,Liang-Wei Huang,Yu-Xuan Huang,Liang-Huan Lei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Method for estimating error rates in receivers using iterative decoding

Номер патента: AU2002225747A1. Автор: Jung-Fu Cheng. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2002-06-24.

Method of forming and packaging semiconductor die

Номер патента: US20200312715A1. Автор: Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Byeung Soo SONG,Dong Ki Shim,Jin Han BAE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor die package and methods of manufacturing

Номер патента: US20240128211A1. Автор: Chih-Wei Wu,Wen-Chih Chiou,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Ying-Ching Shih,Chun-Wei Chen,An-Jhih Su,Ming Shih Yeh,Hua-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: WO2007005870A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor die package with more than one hanging die

Номер патента: US20200176436A1. Автор: Christian Geissler,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Richard Patten. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

A semiconductor package comprising structures configured to withstand a change of the volume of an potting compound

Номер патента: EP4273918A1. Автор: Christoph Bayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for establishing bit error rate (BER) requirement for a data communication system

Номер патента: US7720666B1. Автор: Qin Wang,Brett D. Niver,Mohammad Faisal Siddiqui. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Method for adjusting block error rate, and communication node and storage medium

Номер патента: EP4344101A1. Автор: Qiaoyan Liu,Chaoqin Lei. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Selecting mcs in a mimo system

Номер патента: WO2006076697A3. Автор: Ning Zhang,Won-Joon Choi,Jeffrey M Gilbert,Huanchun Ye. Владелец: Huanchun Ye. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor Package Providing an Even Current Distribution and Stray Inductance Reduction and a Semiconductor Device Module

Номер патента: US20240170377A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Network emulation with varying bandwidth and/or error rate

Номер патента: US20120236740A1. Автор: Karthikeyan Balaji Dhanapal. Владелец: Infosys Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor die assemblies having molded underfill structures and related technology

Номер патента: US20180130773A1. Автор: XIAO Li,Bradley R. Bitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Determining target block error rate for improved radio efficiency

Номер патента: EP4282210A1. Автор: Liang Zhou,Ulo Parts,Mikko Aleksi Uusitalo,Paolo Baracca,Olav Emerik Tirkkonen,Dani Johannes KORPI,Saeed Reza KHOSRAVIRAD. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-11-29.

Bit error rate forecast circuit for successive approximation register analog-to-digital conversion

Номер патента: US20190140654A1. Автор: Shih-Hsiung Huang,Liang-Wei Huang,Yu-Xuan Huang,Liang-Huan Lei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for estimating error rates in receivers using iterative decoding

Номер патента: EP1342334A2. Автор: Jung-Fu Cheng. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2003-09-10.

Method for estimating error rates in receivers using iterative decoding

Номер патента: WO2002049261A2. Автор: Jung-Fu Cheng. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Systems and methods for estimating bit error rate of a signal

Номер патента: US11411691B2. Автор: Jim Rice,Courtney Owen. Владелец: Ball Aerospace and Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor dies and devices with coils for inductive coupling

Номер патента: US20230101378A1. Автор: Peter Baumgärtner,Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Low stress semiconductor die attach

Номер патента: WO2004061936A1. Автор: David J. Dougherty,Brian W. Condie. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-22.

A metal-semiconductor alloy region for enhancing on current in a three-dimensional memory structure

Номер патента: WO2016167984A1. Автор: Tomohiro Kubo,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Sateesh KOKA,Junichi Ariyoshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-20.

Diode comprising a semiconductor body

Номер патента: US10756173B2. Автор: Bernhard Konig,Paul Strobel. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor die having a sodium stopper in an insulation layer groove and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230307512A1. Автор: Ingmar Neumann,Oliver Blank,Christof Altstätter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor die including edge ring structures and methods for making the same

Номер патента: US20210313240A1. Автор: Michimoto Kaminaga,Takahiro Tanamachi,Shuya HATAO,Hidetoshi Nakamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor die including fuse structure and methods for forming the same

Номер патента: US12107078B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor die singulation method

Номер патента: US09847219B2. Автор: Michael J. Seddon,William F. Burghout,Dennis Lee Conner,Jay A. Yoder,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods and structures for packaging semiconductor dies

Номер патента: US09698121B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Yi-Chao Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Metal-semiconductor alloy region for enhancing on current in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US09524977B2. Автор: Tomohiro Kubo,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Sateesh KOKA,Junichi Ariyoshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor die singulation method

Номер патента: US09484210B2. Автор: Michael J. Seddon,William F. Burghout,Dennis Lee Conner,Jay A. Yoder,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of reducing residual contamination in singulated semiconductor die

Номер патента: US09472458B2. Автор: Gordon M. Grivna,Jason Michael Doub. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Dynamic power reduction in a wireless receiver

Номер патента: US8279974B1. Автор: Paul J. Husted,Soner Ozgur. Владелец: Qualcomm Atheros Inc. Дата публикации: 2012-10-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Discontinuous ESD Protection Layers Between Semiconductor Die

Номер патента: US20110278703A1. Автор: Reza A. Pagaila,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film

Номер патента: US5200362A. Автор: Michael B. McShane,Paul T. Lin,Sugio Uchida,Takehi Sato. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Semiconductor die package including embedded flip chip

Номер патента: MY149770A. Автор: Liu Yong,Luo Roger,Ju Jeff,Yuan Zhongfa. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2013-10-14.

Method and apparatus for controlling power in a variable rate communication system

Номер патента: WO1996004718A1. Автор: Charles E. Wheatley, Iii,Joseph P. Odenwalder,Edward G. Tiedemann, Jr.,Klein S. Gilhousen,Ephraim Zehavi,Jeffrey A. Levin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 1996-02-15.

Soft-error rate improvement in a latch

Номер патента: US20060087355A1. Автор: John Petersen. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for data rate selection in a wireless communication system

Номер патента: US20020110101A1. Автор: Farooq Khan,Nandu Gopalakrishnan,Sanjiv Nanda,Ganapathy Sundaram,Srinivas Kadaba,Mehmet Sunay. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device having laterally offset stacked semiconductor dies

Номер патента: US11929349B2. Автор: Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Through-substrate connections for recessed semiconductor dies

Номер патента: US20240055397A1. Автор: Kunal R. Parekh,Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US11881398B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US11355341B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-07.

Intra-semiconductor die communication via waveguide in a multi-die semiconductor package

Номер патента: US20200203293A1. Автор: Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Jianyong Xie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor Device and Method of Forming WLCSP with Semiconductor Die Embedded Within Interconnect Structure

Номер патента: US20160218089A1. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Hyunjin SONG,KyoungIl Huh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor Device and Method of Bonding Semiconductor Die to Substrate in Reconstituted Wafer Form

Номер патента: US20160163675A1. Автор: Lan Hoang,Steve Anderson,HeeJo Chi,Pandi C. Marimuthu,KyungMoon Kim,HunTeak Lee,YoungChul KIM,KooHong Lee,JaeHak Yee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor die and method of packaging multi-die with image sensor

Номер патента: US20180204866A1. Автор: Yu-Te Hsieh. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: US11949009B2. Автор: Georg Ehrentraut,Christian Ranacher,Jyotshna Bhandari,Stanislav VITANOV. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-02.

Stacked semiconductor dies with a conductive feature passing through a passivation layer

Номер патента: US10680027B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Using a carbon vacancy reduction material to increase average carrier lifetime in a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2014042952A1. Автор: LIN Cheng,Michael John O'Loughlin,Alexander Suvorov,Anant Kumar Agarwal,Jr. Albert Augustus BURK. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor Die Connection System and Method

Номер патента: US20230326895A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sen-Bor Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor die connection system and method

Номер патента: US11855029B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sen-Bor Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of forming protective layer around cavity of semiconductor die

Номер патента: US11804416B2. Автор: Saravuth Sirinorakul,Thanawat JAENGKRAJARNG,Preecha JOYMAK,Natawat Kasikornrungroj,Wasu Aingkaew,Kawin Saiubol. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor Device and Method of Forming Stepped Interconnect Layer for Stacked Semiconductor Die

Номер патента: US20120112355A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor die packages and methods of formation

Номер патента: US20240153895A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Ping-Tzu Chen,Harry-HakLay Chuang,Shun-Kuan Lin,Chien Lin Liu,Yung Chun Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method of stacking semiconductor die for system-level ESD protection

Номер патента: US11881476B2. Автор: Jonathan Clark,Changjun Huang. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor die assemblies with molded semiconductor dies and associated methods and systems

Номер патента: US20230268327A1. Автор: See Hiong Leow. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor Package Having a Solderable Contact Pad Formed by a Load Terminal Bond Pad of a Power Semiconductor Die and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20210233837A1. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor Device and Method of Forming Sacrificial Protective Layer to Protect Semiconductor Die Edge During Singulation

Номер патента: US20150008597A1. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die for System-Level ESD Protection

Номер патента: US20220285334A1. Автор: Jonathan Clark,Changjun Huang. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240136346A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Yu-Jen Wang,Wei-Cheng Wu,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Harry-HakLay Chuang,Hsien Jung CHEN,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Ffe-aided cdr to calibrate phase offset and enhance gain in a baud rate sampling phase detector

Номер патента: EP3406060A1. Автор: Henry Wong,Davide Tonietto,Yuchun Lu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-28.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20190035687A1. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20180254217A1. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20220262633A1. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US10672607B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-02.

Integrated circuit (ic) packages employing split, double-sided metallization structures to facilitate a semiconductor die ("die") module employing stacked dice, and related fabrication methods

Номер патента: WO2021262368A4. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Marcus Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit (ic) packages employing split, double-sided metallization structures to facilitate a semiconductor die ("die") module employing stacked dice, and related fabrication methods

Номер патента: EP4173038A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Marcus Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor die package with thermal management features and method for forming the same

Номер патента: US20220336318A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Supporting Layer Over Semiconductor Die in Thin Fan-Out Wafer Level Chip Scale Package

Номер патента: US20160276238A1. Автор: KANG Chen,Yu Gu,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Fast bit-error rate calculation mode for qkd systems

Номер патента: WO2008054486A3. Автор: Audrius Berzanskis,Wensheng Sun,Brandon Kwok,A Craig Beal. Владелец: Maqig Technologies Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Using bump bonding to distribute current flow on a semiconductor power device

Номер патента: EP2641269A1. Автор: Gregory Dix. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

Semiconductor die including guard ring structure and three-dimensional device structure including the same

Номер патента: US12027475B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor die with a vertical power transistor device

Номер патента: EP4341990A1. Автор: Thomas Feil,Till Schloesser,Timothy Henson,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Decoding Data Transmitted Using Space-Time Spreading in a Wireless Communication System

Номер патента: US20100272160A1. Автор: Yeheskel Bar-Ness,Kodzovi Acolatse. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor Die with a Vertical Power Transistor Device

Номер патента: US20240243130A1. Автор: Till Schlosser,Timothy Henson,Andreas Peter Meiser,Thomas Martin Feil. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Apparatus for and method of manufacturing a semiconductor die carrier

Номер патента: WO2000025350A9. Автор: Lakshminarasimha Krishnapura,Stanford W Crane Jr,Daniel Larcomb. Владелец: Silicon Bandwidth Inc. Дата публикации: 2000-09-21.

Method of forming a semiconductor die

Номер патента: US20160005655A1. Автор: Michael J. Seddon,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-01-07.

Radiation-emitting-and-receiving semiconductor chip and method for producing such a semiconductor chip

Номер патента: US20050110026A1. Автор: Peter Brick,Tony Albrecht,Marc Philippens,Glenn-Yves Plaine. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor dies and devices with a coil for inductive coupling

Номер патента: EP4156257A2. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Semiconductor die bonding structure

Номер патента: US20220216155A1. Автор: Jong Hoon Kim,Na Bin WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor dies and devices with a coil for inductive coupling

Номер патента: EP4156257A3. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor Device Having a Thin Semiconductor Die

Номер патента: US20210143108A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device having a thin semiconductor die

Номер патента: US11605599B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-14.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Method of fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20030205733A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Stacked via structure disposed on a conductive pillar of a semiconductor die

Номер патента: US11756870B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Chien-Fu Tseng,Tsung-Shu Lin,Che-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US20100237475A1. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US8035200B2. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Encapsulated semiconductor die package, and method for making same

Номер патента: US20020140113A1. Автор: Ming-Feng Wu,Wen-Chun Liu,Yung-Chao Jen. Владелец: Walsin Advanced Electronics Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of processing a semiconductor wafer and preprocessed semiconductor wafer

Номер патента: US20030082857A1. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Tim Stanley. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Adhesion enhanced semiconductor die for mold compound packaging

Номер патента: US20030082849A1. Автор: Walter Moden,Jerrold King,J. Brooks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Adhesion enhanced semiconductor die for mold compound packaging

Номер патента: US20010024840A1. Автор: Walter Moden,Jerrold King,J. Brooks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor die shielding structure

Номер патента: US20240145402A1. Автор: Mark Pavier,Paul Westmarland,Hugh Richard. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor die with dissolvable metal layer

Номер патента: US20230187390A1. Автор: Helmut Rinck,Sebastian Meier,Bernhard ZIEGLTRUM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for stripping a iii-v semiconductor layer epitaxially grown on a semiconductor wafer

Номер патента: US20240304746A1. Автор: Wolfgang Koestler,Chérubin Noumissing Sao,Steffen Sommer. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12119394B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor die including guard ring structure and three-dimensional device structure including the same

Номер патента: US20240312931A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor die

Номер патента: US20240297137A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Yen-Kun Lai,Chien-Hao HSU,Wei-Hsiang TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor die having edge with multiple gradients

Номер патента: US20240363398A1. Автор: Fu-Chen Chang,Yu-Sheng Tang,Cheng-Lin Huang,Wen-Ming Chen,Chun-Yen Lo,Kuo-Chio Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240371982A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Suspended semiconductor dies

Номер патента: US12074095B2. Автор: Marco Corsi,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor component having a semiconductor body with a cutout

Номер патента: US09923072B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor component, lighting device and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US09911719B2. Автор: Thomas Schwarz,Herbert Brunner,Frank Singer,Georg Bogner,Norwin von Malm,Matthias Sabathil,Juergen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-06.

Electronic devices with semiconductor die attached with sintered metallic layers, and methods of formation of such devices

Номер патента: US09875987B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor arrangement, method for producing a number of chip assemblies, method for producing a semiconductor arrangement and method for operating a semiconductor arrangement

Номер патента: US09818730B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Juergen Hoegerl,Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Thick-silver layer interface for a semiconductor die and corresponding thermal layer

Номер патента: US09698116B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09613930B2. Автор: Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Electronic devices with semiconductor die coupled to a thermally conductive substrate

Номер патента: US09589860B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor die package with multiple mounting configurations

Номер патента: US09508625B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing a semiconductor device by thermal treatment with hydrogen

Номер патента: US09449847B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming a semiconductor die

Номер патента: US09437493B2. Автор: Michael J. Seddon,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Method and apparatus for control the reliability of feedback signal in a mobile telecommunication system supporting harq

Номер патента: KR100950453B1. Автор: 권환준,최성호,김성훈,조준영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-04-02.

Semiconductor device and method of forming different height conductive pillars to electrically interconnect stacked laterally offset semiconductor die

Номер патента: US8354297B2. Автор: Seng Guan Chow,Seung Uk Yoon,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-15.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method of forming a wafer level package with RDL interconnection over encapsulant between bump and semiconductor die

Номер патента: US7888181B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-02-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US11101262B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor package with penetrable encapsulant joining semiconductor die and method thereof

Номер патента: US7989269B2. Автор: Rui Huang,Byung Tai Do,Heap Hoe Kuan,Linda Pei Ee CHUA,Seng Guan Chow. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Electrical Interconnection Between Semiconductor Die and Substrate with Continuous Body of Solder Tape

Номер патента: US20110254146A1. Автор: Daesik Choi,Taewoo Lee,SungWon Cho,KyuWon Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Temporary Post-Assisted Embedding of Semiconductor Dies

Номер патента: US20210057234A1. Автор: Thorsten Scharf,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layer Disposed Over The Semiconductor Die For Stress Relief

Номер патента: US20130175696A1. Автор: Rui Huang,Xia Feng,KANG Chen,Yu Gu,Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Pandi C. Marimuthu,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layer Disposed Over the Semiconductor Die For Stress Relief

Номер патента: US20150228552A1. Автор: Rui Huang,Xia Feng,KANG Chen,Yu Gu,Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Pandi C. Marimuthu,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor package having a semiconductor die on a plated conductive layer

Номер патента: US20200194349A1. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2020-06-18.

Stacked semiconductor die assemblies with die support members and associated systems and methods

Номер патента: US11824044B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: EP3586362A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: US20190043840A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: US20180240782A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Stacked semiconductor die assemblies with die substrate extensions

Номер патента: WO2018156512A1. Автор: Keiyo Kusanagi,Fumitomo Watanabe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and method of forming insulating layer disposed over the semiconductor die for stress relief

Номер патента: US20130113092A9. Автор: Rui Huang,Xia Feng,KANG Chen,Yu Gu,Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Pandi C. Marimuthu,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor die including through substrate via barrier structure and methods for forming the same

Номер патента: US20230386972A1. Автор: Shih-Chang Chen,Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Structure Around Semiconductor Die for Localized Planarization of Insulating Layer

Номер патента: US20120074534A1. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Two step method of rapid curing a semiconductor polymer layer

Номер патента: WO2015042121A1. Автор: Willibrordus Gerardus Maria van den Hoek,William Boyd ROGERS. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Bond pads for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20230048311A1. Автор: Bharat Bhushan,Keizo Kawakita,Bret K. Street,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths and associated systems

Номер патента: US20160013114A1. Автор: XIAO Li,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method of Forming a Shielding Layer Over a Semiconductor Die After Forming a Build-up Interconnect Structure

Номер патента: US20130207247A1. Автор: Rui Huang,Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of processing a semiconductor wafer, semiconductor die, and method of producing a semiconductor module

Номер патента: US20230197663A1. Автор: Josef Hoeglauer,Chuan Cheah,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US11855065B2. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method and apparatus for cooling a semiconductor die

Номер патента: WO1998052223A1. Автор: Mario J. Paniccia,Paul Winer,Karl J. Ma. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1998-11-19.

Stacked semiconductor dies including inductors and associated methods

Номер патента: WO2019046019A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of Thinning a Semiconductor Die

Номер патента: US20230326906A1. Автор: Bo Fu,Elley Zhang,Meiqin Hao,Izzie Zhang,Thierry Du,Maggie Deng,Caiden Zhong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Номер патента: US20240128254A1. Автор: Hong Wan Ng,Seng Kim Ye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor die stacking using vertical interconnection by through-dielectric via structures and methods for making the same

Номер патента: US20200227397A1. Автор: Akio Nishida,Christopher J. Petti,Yuji Fukano,Masanori Tsutsumi,Shinsuke YADA,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Molded package having an electrically conductive clip with a convex curved surface attached to a semiconductor die

Номер патента: US20240087993A1. Автор: Chai Chee Lee,Wee Aun Jason Lim,Marie Hazel Barozzo Gabrillo,Nor Haqimi Mohamed. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-14.

A method of manufacturing a semiconductor package, such semiconductor package as well as an electronic system comprising a pcb element and at least such semiconductor package

Номер патента: EP4350765A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Wai Man Wong,Regnerus Hermannus POELMA,Jannik Entringer,Yuet Keung Cheung,Chun Ning Chan. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US11955345B2. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Connecting semiconductor dies through traces

Номер патента: US20240079369A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Amy R. Griffin,Terrence B. Mcdaniel,Thiagarajan Raman,Jaekyu Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor die encapsulation or carrier-mounting method, and corresponding semiconductor die encapsulation or carrier-mounting apparatus

Номер патента: US9536760B2. Автор: Johannes Cornelis DE BEIJER,Michiel Hendrikus Antonius Wilhelmus RUTTEN,Ger HUIZING,Mike Louis Theodoor HOEDEMAKER. Владелец: Boschman Technologies BV. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US12002739B2. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-04.

Bond pads for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: EP4135020A3. Автор: Bharat Bhushan,Keizo Kawakita,Bret K. Street,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Stacked semiconductor die assemblies with high efficiency thermal paths and associated systems

Номер патента: EP3170201A1. Автор: XIAO Li,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Semiconductor die with a power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285532A1. Автор: Matthias Kroenke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Alessandro Ferrara,Adrian Finney,Christoph Kubasch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor die stack structure

Номер патента: US20240186291A1. Автор: Song Na,Jin Woo Park,Sung Kyu Kim,Jong Oh Kwon,Jong Yeon Kim,Sang Hyuk LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for forming semiconductor die package with ring structure comprising recessed parts

Номер патента: US12033871B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Warpage control of semiconductor die

Номер патента: US12021002B2. Автор: Yi-An Lin,Yun-Ting Wang,Ching-Chuan Chang,Po-Chang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for forming a buried diffusion layer with reducing topography in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060154441A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Bottle-neck recess in a semiconductor device

Номер патента: US10020397B2. Автор: Syun-Ming Jang,Tze-Liang Lee,Chao-Cheng Chen,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Shih-Hao Lo,Eric Peng,Ying Hao Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor component having a diode structure in a SiC semiconductor body

Номер патента: US11742391B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing a semiconductor device which is protected against overvoltage

Номер патента: US3919010A. Автор: Karlheinz Sommer,Edgar Borchert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-11-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296439A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor module including semiconductor chips in a plastic housing in separate regions

Номер патента: US20090057874A1. Автор: Volker Strutz,Juergen Hoegerl,Thomas Killer,Erich Syri,Gerold Gruendler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor circuit and arrangement and method for monitoring fuses of a semiconductor circuit

Номер патента: US20060192085A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Georg Eggers,Joerg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-31.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer

Номер патента: US20020170576A1. Автор: Roland Brunner,Hans-Joachim Luthe,Franz Sollinger,Georg-Friedrich Hohl,Susanne Bauer-Mayer,Gunther Brunner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked in a multi-layer structure by a flip-chip bonding method

Номер патента: US20230299111A1. Автор: Hyeokjong Lee,KyongSoon Cho,MinHO Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258134A1. Автор: Masayuki Nishiyama,Naoki Yoshimatsu,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of making a semiconductor switch device

Номер патента: US20180337250A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for Temporarily Fastening a Semiconductor Chip to a Surface, Method for Producing a Semiconductor Component and Semiconductor Component

Номер патента: US20210183800A1. Автор: Matthias Hofmann,Klaus Müller,Holger KLASSEN. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

An organic electronic device comprising an anode layer, a cathode layer, at least one photoactive layer, and a semiconductor layer that comprises a metal complex

Номер патента: EP4406003A1. Автор: Mauro Furno,Vladimir Uvarov. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor IC device including passivation layer for inactivating a dopant in a p-type semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119397B2. Автор: Younghwan Park,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for processing a semiconductor layer, method for processing a silicon substrate, and method for processing a silicon layer

Номер патента: US09941111B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Philipp Koch,Christian Maier,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor module assembly and method for producing a semiconductor module assembly

Номер патента: US20240371727A1. Автор: Benjamin Pessl. Владелец: Magna Powertrain GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US09842904B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Transistor having metal electrodes surrounding a semiconductor pillar body and corresponding work-function-induced source/drain regions

Номер патента: US09837503B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor layer sequence and method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09806224B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Philipp Drechsel,Peter Stauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor lateral sidewall growth from a semiconductor pillar

Номер патента: US09793405B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure including a transistor including a gate electrode region provided in a substrate and method for the formation thereof

Номер патента: US09786657B1. Автор: Uwe Dersch,Ricardo Pablo. Mikalo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for treating a semiconductor wafer

Номер патента: US09754787B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Helmut Oefner,Johannes Laven,Shuhai Liu,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device with epitaxial layers and an alignment structure

Номер патента: US09711357B1. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device having a glass piece and a single-crystalline semiconductor portion

Номер патента: US09601376B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor arrangement, method for producing a number of chip assemblies and method for producing a semiconductor arrangement

Номер патента: US09589859B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Edward Fuergut,Juergen Hoegerl,Gottfried Beer,Peter Kanschat. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Production method for a semiconductor device

Номер патента: US09530672B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of making a semiconductor device having a semiconductor material on a relaxed semiconductor including replacing a strained, selective etchable material, with a low density dielectric in a cavity

Номер патента: US09530669B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical transistor with source/drain regions induced by work-function differences between a semiconductor pillar body and surrounding metal electrodes

Номер патента: US09496360B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Номер патента: US09496337B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and circuit arrangement for switching a semiconductor switch

Номер патента: US09490688B2. Автор: Ulrich Bley,Christoph Hornstein,Kai Kuehnen. Владелец: Conti Temic Microelectronic GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12142533B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device including a semiconductor element and a fixed member to which the semiconductor element is fixed

Номер патента: US09437520B2. Автор: Makoto Imai,Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for producing a high-temperature and temperature-change resistant connection between a semiconductor module and a connection partner

Номер патента: US09287232B2. Автор: Ronald Eisele,Mathias Kock. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and method of forming interposer frame over semiconductor die to provide vertical interconnect

Номер патента: US8383457B2. Автор: Seng Guan Chow,Seung Uk Yoon,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor package including stacked semiconductor dies and bond wires

Номер патента: US6472758B1. Автор: Vincent DiCaprio,Kambhampati Ramakrishna,Lee J. Smith,Thomas P. Glenn,David A. Zoba. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-29.

Semiconductor device and method of forming repassivation layer with reduced opening to contact pad of semiconductor die

Номер патента: US9472452B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Bit error rate estimation

Номер патента: CA2116735C. Автор: Edward M. Roney, Iv. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-08-04.

Method for forming electrical connections between a semiconductor die and a semiconductor package

Номер патента: US5911112A. Автор: Scott Kirkman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Cavity Adjacent to Sensitive Region of Semiconductor Die Using Wafer-Level Underfill Material

Номер патента: US20110187005A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor package having lead frame with semiconductor die and component module mounted on opposite surfaces of the lead frame and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP4195261A1. Автор: Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Verapath Vareesantichai. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor die, semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352418A1. Автор: Yu-Hung Lin,Chia-Hui Lin,Kuo-Chung Yee,Shih-Peng Tai,Yu-Kuang Liao,Po-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Leadframe Interposer Over Semiconductor Die and TSV Substrate for Vertical Electrical Interconnect

Номер патента: US20130154076A1. Автор: Zigmund R. Camacho,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo,Emmanuel A. Espiritu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Package structure comprising a semiconductor die with a thermoelectric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11915994B2. Автор: Chung-Yu Lu,Chih-Horng Chang,Cheng-Yen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Conductive buffer layers for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US11862591B2. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Substrate for vertically assembled semiconductor dies

Номер патента: US20240055400A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street,Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with a semiconductor die embedded between an extended substrate and a bottom substrate

Номер патента: US20220415769A1. Автор: Jae Yun Kim,Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Ju Hoon Yoon,Dong Joo Park,Do Hyun Na,Byong Woo Cho,Gyu Wan Han,Gi Tae LIM,Woon Kab Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor die with a tungsten runner and a gate runner

Номер патента: EP4310915A1. Автор: Ingmar Neumann,László Juhász,Adrian Finney,Pascal BIERBAUMER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor die with a tungsten runner and a gate runner

Номер патента: US20240030137A1. Автор: Ingmar Neumann,László Juhász,Adrian Finney,Pascal BIERBAUMER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Packaged semiconductor die with bumpless die-package interface for bumpless build-up layer (bbul) packages

Номер патента: US20230420400A1. Автор: Robert L. Sankman,John S. Guzek,Pramod Malatkar,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device including a plurality of dielectric materials between semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US11742325B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Tzu-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor package and a semiconductor device module including the same

Номер патента: US20230282591A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Ivan Nikitin,Annette Fälschle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-07.

A semiconductor package and a semiconductor device module comprising the same

Номер патента: EP4243058A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Ivan Nikitin,Annette FAELSCHLE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-13.

Three dimensional heterogeneous integration with double-sided semiconductor dies and methods of forming the same

Номер патента: US20240113078A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20200357659A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Trench gate nmos transistor and trench gate pmos transistor monolithically integrated in same semiconductor die

Номер патента: US20240113115A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Alireza MOJAB,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods and systems for controlling power in a communications network

Номер патента: WO2007092885A3. Автор: Paul Schatz,Ana Santos,Steven B Stuart. Владелец: Steven B Stuart. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for fabricating a semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw

Номер патента: US20240186225A1. Автор: Thorsten Meyer,Frank Singer,Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor die singulation methods

Номер патента: US20190080965A1. Автор: Michael John Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Conductive buffer layers for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US20240178170A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and semiconductor die

Номер патента: US20230154961A1. Автор: Fei Chen,Danqing WEI. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Quad Package with Conductive Clips Connected to Terminals at Upper Surface of Semiconductor Die

Номер патента: US20200328140A1. Автор: Chan Lam Cha,Sock Chien Tey,Cher Hau Danny Koh,Mei Yong Wang,Hoe Jian Chong,Kim Guan Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor die singulation methods

Номер патента: US20190371670A1. Автор: Michael J. Seddon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with mechanical lock features between a semiconductor die and a substrate

Номер патента: US20150333031A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,David F. Abdo,L.M. Mahalingam. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Trench gate nmos transistor and trench gate pmos transistor monolithically integrated in same semiconductor die

Номер патента: EP4345882A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Alireza MOJAB,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor structure and semiconductor die

Номер патента: US12021057B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of making a semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080160674A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Curved semiconductor die systems and related methods

Номер патента: US12020972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

An air cavity package for a semiconductor die and methods of forming the air cavity package

Номер патента: EP1946369A1. Автор: Paul Dijkstra,Roelf Groenhuis. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-07-23.

Bit error rate based system and method for optimizing communication system performance

Номер патента: US20070092261A1. Автор: Tuan Hoang,Hongtao Jiang,Keh-Chee Jen,Nong Fan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Bit error rate based system and method for optimizing communication system performance

Номер патента: US20040028404A1. Автор: Tuan Hoang,Hongtao Jiang,Keh-Chee Jen,Nong Fan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Methods and systems for controlling power in a communications network

Номер патента: WO2007092885A2. Автор: Paul Schatz,Ana Santos,Steven B. Stuart. Владелец: ADC TELECOMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US7871896B2. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-01-18.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Uniform implant regions in a semiconductor ridge of a finfet

Номер патента: US20220123129A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20240203925A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260876A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US20110081767A1. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Electronic Device Including a Semiconductor Body or an Isolation Structure Within a Trench

Номер патента: US20200295126A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer

Номер патента: SG176040A1. Автор: Eric Lenz,Enrico Magni. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer

Номер патента: WO2010138166A1. Автор: Eric Lenz,Enrico Magni. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2010-12-02.

Lateral stack of cobalt and a cobalt-semiconductor alloy for control gate electrodes in a memory structure

Номер патента: WO2017052697A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Sateesh KOKA,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVING THE EFFICIENCY OF PACKET TRANSMISSION IN A MULTI-USER WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002652A1. Автор: . Владелец: Ralink Technology (Singapore) Corporation PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR REDUCING THE RISK OF AN ADVERSE DRONEDARONE / BETA-BLOCKERS INTERACTION IN A PATIENT SUFFERING FROM ATRIAL FIBRILATION

Номер патента: US20120000806A1. Автор: Radzik Davide. Владелец: SANOFI. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILITY IN A DISTRIBUTED ANTENNA SYSTEM

Номер патента: US20120002564A1. Автор: Pecen Mark,Sexton Thomas Aloysuis,Cliff Charles Arthur,Lusina Paul James. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Formed Ceramic Receiver Element Adhered to a Semiconductor Lamina

Номер патента: US20120003775A1. Автор: Jackson Kathy J.,Agarwal Aditya. Владелец: TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Process for Finger Insertion and Removal in a Rake Receiver and Receiver for Carrying Out The Process

Номер патента: US20120002769A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

비트에러율(BER:bit error rate)을 이용한 이퀄라이저의 조정장치 및 그 방법

Номер патента: KR970067268A. Автор: 이형주. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.