Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Halbleiterbauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils

Halbleiterbauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils

Номер патента: DE102006029701A1
Опубликовано: 03-01-2008
Автор(ы): Andreas Meiser, Dietrich Dr. Bonart, Hermann Gruber, Thomas Dr. Gross, Walter Dr. Hartner
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure with buried power line and buried signal line and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220077147A1. Автор: Jeng-Ping Lin,Chiang-Lin Shih,Tseng-Fu Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20040207047A1. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Todd Roggenbauer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Method for producing a power semiconductor component on a two-sided substrate that blocks on both sides of the substrate

Номер патента: US6168978B1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-02.

Composite sic-substrate and method of its production

Номер патента: RU2726283C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-07-10.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240234512A9. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and Method to Remove At Least One Chip-Like Semiconductor Component from a Film

Номер патента: US20120211172A1. Автор: Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-08-23.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a structured intermediate layer

Номер патента: US20240136407A1. Автор: Kevin Dannecker,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus and method for removing at least one chip-type semiconductor component from a film

Номер патента: MY152773A. Автор: Herr Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik Gmbh. Дата публикации: 2014-11-28.

Apparatus and method to remove at least one chip-like semiconductor component from a film

Номер патента: US8470131B2. Автор: Armin Studt. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-06-25.

Method for manufacturing optoelectric semiconductor component and optoelectric semiconductor component device

Номер патента: US11837844B2. Автор: Andreas Löffler,Sven GERHARD,Andre SOMERS,John Bruckner,Lars Nähle,Urs Heine. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor component with silicon wiring and method of fabricating the component

Номер патента: US6429520B1. Автор: Ronald Kakoschke,Regina Stokan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-08-06.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method for producing an electronic semiconductor component

Номер патента: US20240321627A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor component having a semiconductor body with a cutout

Номер патента: US09923072B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor component with regions electrically insulated from one another and method for making a semiconductor component

Номер патента: US09741601B2. Автор: Martin Feldtkeller,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Contact for an MIS-semiconductor component and method for manufacturing the same

Номер патента: US4502069A. Автор: Gottfried Schuh. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-02-26.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US20230361024A1. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure

Номер патента: US11776901B2. Автор: Yi-Min Chen,Te-Hsien Hsieh,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09627530B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and system for fabricating semiconductor components with through interconnects and back side redistribution conductors

Номер патента: WO2008070429A1. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for forming semiconductor components having self-aligned trench contacts

Номер патента: US09660047B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and device for producing a semiconductor component

Номер патента: US20230402412A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170221752A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180337236A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chun-Wei Ni. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Membrane semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US20240243170A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Replacement via and buried or backside power rail

Номер патента: EP4199067A1. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy,Klaus Max SCHRUEFER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor component with a monocrystalline semiconductor region arranged in a via region

Номер патента: US09634101B2. Автор: Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: US09570390B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor component that includes a common mode filter and method of manufacturing the semiconductor component

Номер патента: US09431385B2. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing a semiconductor component with insulated semiconductor mesas

Номер патента: US09396997B2. Автор: Anton Mauder,Hermann Gruber,Hubert Rothleitner,Franz Hirler,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor-on-insulator (soi) substrates with ultra-thin soi layers and buried oxides

Номер патента: US20130320483A1. Автор: Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,Joel P. de Souza,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Method for stripping a iii-v semiconductor layer epitaxially grown on a semiconductor wafer

Номер патента: US20240304746A1. Автор: Wolfgang Koestler,Chérubin Noumissing Sao,Steffen Sommer. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor component and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3896724A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Moisture barrier capacitors in semiconductor components

Номер патента: US09786733B2. Автор: Hans-Joachim Barth,Helmut Horst Tews. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US10658187B2. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for manufacturing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US20190088490A1. Автор: Tolga Tekin,Martin Wilke,Kai Zoschke,Hans-Hermann Oppermann,Charles-Alix Manier,Robert Gernhardt. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for Producing a Plurality of Integrated Semiconductor Components

Номер патента: US20100330766A1. Автор: Sven Berberich. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for producing a plurality of integrated semiconductor components

Номер патента: US8563388B2. Автор: Sven Berberich. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200111759A1. Автор: Carsten Von Koblinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20150041954A1. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for manufacturing a semiconductor component having a common mode filter monolithically integrated with a protection device

Номер патента: US09711467B2. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Multi-orientation SOI substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US09502243B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

High-voltage semiconductor component, method for the production and use thereof

Номер патента: AU5024999A. Автор: Robert Plikat,Dieter Silber,Wolfgang Wondrak. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-29.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US11869809B2. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US20240145305A1. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Metal Wiring and Method of Manufacturing the Same, and Metal Wiring Substrate and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20160099261A1. Автор: Hideomi Suzawa,Koji Ono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Replacement deep via and buried or backside power rail with backside interconnect structure

Номер патента: EP4199054A3. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Hybrid scheme for improved performance for P-type and N-type FinFETs

Номер патента: US12074167B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917107B2. Автор: Hideomi Suzawa,Koji Ono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing a semiconductor component that inhibits formation of wormholes

Номер патента: US7217660B1. Автор: Minh Van Ngo,Paul R. Besser,Connie Pin-Chin Wang,Jinsong Yin,Hieu T. Pham. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

Semiconductor device having an edge termination region comprising a first edge termination region of a second conductivity type adjacent to a second edge termination region of a first conductivity type

Номер патента: US11094779B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Thomas Auer,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-17.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor component with a MOS transistor

Номер патента: US20060049436A1. Автор: Michael Sommer,Rainer Schnabel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for Producing a Semiconductor Component

Номер патента: US20140357048A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for producing a controllable semiconductor component having trenches with different widths and depths

Номер патента: US9806188B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20070099430A1. Автор: Kelley Higgins,Joseph Wiseman. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for Forming Semiconductor Components Having Self-Aligned Trench Contacts

Номер патента: US20150279962A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20100187696A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for Producing a Controllable Semiconductor Component Having a Plurality of Trenches

Номер патента: US20150311294A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for Producing a Controllable Semiconductor Component Having Trenches with Different Widths and Depths

Номер патента: US20160284840A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20020092463A1. Автор: Julio Costa,Peter Zdebel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Substrates of semiconductor devices having varying thicknesses of semiconductor layers

Номер патента: US20240063225A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Shafiullah Syed,Jianwei PENG,Man Gu,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor component with dielectric carrier and its manufacture

Номер патента: US4072982A. Автор: Karl-Ulrich Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-02-07.

Method for manufacturing a metal-semiconductor contact in semiconductor components

Номер патента: US7923362B2. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Franz Dietz,Tobias Florian. Владелец: Telefunken Semiconductors GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-04-12.

Semiconductor component with trench insulation and corresponding production method

Номер патента: US20110003457A1. Автор: Franz Schuler,Georg Tempel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for fabricating semiconductor components having lasered features containing dopants

Номер патента: US20130323909A1. Автор: Alan G. Wood,Tim Corbett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Through-vias for wiring layers of semiconductor devices

Номер патента: US20140312467A1. Автор: Christopher V. Jahnes,Bucknell C. Webb,Xiao Hu Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Group iii-nitride transistors with back barrier structures and buried p-type layers and methods thereof

Номер патента: EP4342000A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor device formed in semiconductor layer arranged on substrate with one of insulating film and cavity interposed between the substrate and the semiconductor layer

Номер патента: US20030122191A1. Автор: Takashi Yamada,Shinichi Nitta,Ichiro Mizushima,Hajime Nagano,Yuso Udo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor package structure having first and second guard ring regions of different conductivity types and method for forming the same

Номер патента: US09786560B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor component having through-silicon vias and method of manufacture

Номер патента: US9418923B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Tsang-Jiuh Wu,Ebin Liao,Chia-Lin Yu,Chun Hua CHANG,Cheng-Hung Chang,Hsiang-Yi Wang,Li-Hsien HUANG,Darryl KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131951A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Multi-orientation soi substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US20160181276A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Replacement deep via and buried or backside power rail with backside interconnect structure

Номер патента: EP4199054A2. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for the manufacture of a semiconductor component

Номер патента: WO1993001617A1. Автор: Per Svedberg. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1993-01-21.

Through Substrate Via Semiconductor Components

Номер патента: US20090302480A1. Автор: Uwe Hoeckele,Albert Birner,Uwe Seidel,Thomas Kunstmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor substrates and methods of producing the same

Номер патента: US20230395376A1. Автор: Ming Zhao,Bertrand PARVAIS,Sachin Yadav,Pieter Cardinael. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor component, method for processing a substrate and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20180053663A1. Автор: Karin Schrettlinger,Andreas Riegler,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-22.

Through Substrate Via Semiconductor Components And Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20130267093A1. Автор: Uwe Hoeckele,Albert Birner,Uwe Seidel,Thomas Kunstmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for manufacturing a semiconductor component having a common mode filter monolithically integrated with a protection device

Номер патента: US20160343676A1. Автор: RONG Liu,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor component with metal-insulator-metal capacitor assembly

Номер патента: US20240222260A1. Автор: Eric Beyne,Kenichi Miyaguchi,Philip Nolmans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Substrate features for inductive monitoring of conductive trench depth

Номер патента: US09911664B2. Автор: Wei Lu,Fred C. Redeker,Wen-Chiang Tu,Zhihong Wang,Boguslaw A. Swedek,William H. McClintock,Hassan G. Iravani,Zhefu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device including conductive via with buffer layer at tapered portion of conductive via

Номер патента: US09859191B2. Автор: Ho-Jin Lee,Byung Lyul Park,Jin Ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming an elevationally extending conductor laterally between a pair of conductive lines

Номер патента: US09754946B1. Автор: Sanh D. Tang,Si-Woo Lee,Brent Gilgen,Russell A. Benson,Alex J. Schrinsky,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Light emitting semiconductor component

Номер патента: US4170018A. Автор: Hartmut Runge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-10-02.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: EP2360743A3. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20110195539A1. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Process enhancement using double sided epitaxial on substrate

Номер патента: US10304827B2. Автор: James Fred Salzman,Bradley David Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Transistors with an extension region having strips of differing conductivity type

Номер патента: US09337333B2. Автор: Puneet Sharma,Michael Smith,Vladimir Mikhalev,Zia Alan Shafi,Henry Jim Fulford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device using a semiconductor substrate including silicon and a first conductivity type body region

Номер патента: US09412826B2. Автор: Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Fet one-device memory cells with two layers of polycrystalline silicon

Номер патента: CA1079866A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-17.

Low-temperature oxide method for manufacturing backside field stop layer of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9455328B1. Автор: Mei-Ling Chen,Kuan-Yu Chen. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Coreless packaging substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09484223B2. Автор: Tzyy-Jang Tseng,Chung-W. Ho. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor component including a short-circuit structure

Номер патента: US09876004B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Uwe Kellner-Werdehausen,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for producing a vertical power semiconductor component, and vertical power semiconductor component

Номер патента: US20240222492A1. Автор: Christian Huber,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical semiconductor component and method for generating an abrupt end point detection signal during the production of such a vertical semiconductor component

Номер патента: US20240234220A9. Автор: Christian Huber,Roland Puesche. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of producing diffused semiconductor components from silicon

Номер патента: US3713913A. Автор: D Rucker,U Lauerer,R Wolfle. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-01-30.

Optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support and method for producing an optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support

Номер патента: US09780269B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20160225843A1. Автор: Akinobu ONISHI,Takashi Oomikawa. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-08-04.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20160225964A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-08-04.

Photolithographic methods of producing structures in radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US09466487B2. Автор: Bernd Böhm,Sebastian Hoibl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Vertical semiconductor component and method for generating an abrupt end point detection signal during the production of such a vertical semiconductor component

Номер патента: US20240136236A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-25.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US11955402B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Optoelectronic semiconductor chip, manufacturing method and semiconductor component

Номер патента: US20240170611A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Andreas Leber. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Field effect semiconductor component and method for producing it

Номер патента: US09847387B2. Автор: Markus Zundel,Karl-Heinz Bach,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for producing semiconductor components, and semiconductor component

Номер патента: US20220246431A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor component of semiconductor chip size with flip-chip-like external contacts

Номер патента: US09385008B2. Автор: Michael Weber,Horst Theuss,Helmut Kiendl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for increasing the electric strength of a multi-layer semiconductor component

Номер патента: US5284780A. Автор: Hans-Joachim Schulze,Heinz Mitlehner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-02-08.

Method for improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components

Номер патента: AU2001295524A1. Автор: Dieter Bimberg,Nikolai N. Ledentsov,Roman Sellin. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2002-03-13.

Semiconductor component mounting apparatus

Номер патента: US09495738B2. Автор: Hiroshi Kato,Koji OMI. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Securing power semiconductor components to curved surfaces

Номер патента: US20220359342A1. Автор: Stefan Stegmeier,Claus Müller,Oliver Raab,Uwe Waltrich,Markus Lasch. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor component and method for fabricating it

Номер патента: US20020158308A1. Автор: Wolfgang Klein,Jakob Huber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-31.

Hermetically sealed housing with a semiconductor component and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190131154A1. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor component and method for producing same

Номер патента: US20210087054A1. Автор: Horst Theuss,Bernhard Knott,Mathias Vaupel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for producing a growth substrate and growth substrate

Номер патента: US20240234134A1. Автор: Marc Hoffman,Hans-Jürgen Lugauer,Adrian Stefan Avramescu,Andreas Waag,Viola Miran Kueller,Christoph Margenfeld,Lukas Peters. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for increasing efficiency of doping and changing conductivity type of amorphous hydrogenated silicon slightly doped with acceptor impurities

Номер патента: RU2660220C2. Автор: Денис Михайлович Жигунов,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Георгиевич Казанский,Павел Анатольевич Форш. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Removal method, removal tool and semiconductor component

Номер патента: US20230402300A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20050118816A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Joining and Insulating Power Electronic Semiconductor Components

Номер патента: US20230215838A1. Автор: Bernd Muller,Jörg Strogies,Klaus Wilke,Christian NACHTIGALL-SCHELLENBERG. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for transferring optoelectronic semiconductor components

Номер патента: US20240363602A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Peter Stauss. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US09653305B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-16.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried termination structures and related methods

Номер патента: WO2018106326A1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,David J. LICHTENWALNER. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Process for producing a semiconductor component based on a III-N compound

Номер патента: US11984534B2. Автор: Jean ROTTNER,Helge HAAS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-14.

Silicon Carbide Semiconductor Component

Номер патента: US20190341447A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025340A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US11634356B2. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180342448A1. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

A semiconductor component, a pressure-bonded power semiconductor module, and a manufacturing method

Номер патента: LU506756B1. Автор: Xiushan Wu. Владелец: Univ Zhejiang Water Resources & Electric Power. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, leadframe assembly and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09741616B2. Автор: Albert Schneider,Tobias Gebuhr,Karlheinz Arndt,Peter Holzer,Thomas Schlereth,Hans-Christoph Gallmeier,Michael Bestele,Christian Gaertner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09653387B2. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09620443B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Polishing solution, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4379779A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4379780A1. Автор: Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for manufacturing a semcoductor component and a semiconductor component, in particular a diaphragm sensor

Номер патента: US20080093694A1. Автор: Heribert Weber,Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schafer,Thorsten Pannek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: US20240282581A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor component with scattering centers within a lateral resistor region

Номер патента: US6043516A. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2000-03-28.

Method for producing semiconductor components

Номер патента: US20070216038A1. Автор: Knut Kahlisch,Soo Park. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components

Номер патента: US20040020424A1. Автор: Dieter Bimberg,Nikolai Ledenstov,Roman Sellin. Владелец: TEDHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2004-02-05.

Testing semiconductor components

Номер патента: US20210134610A1. Автор: Enis Tuncer,Byron Harry Gibbs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Testing semiconductor components

Номер патента: WO2021087427A1. Автор: Enis Tuncer,Byron Harry Gibbs. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor component and method

Номер патента: US20160043185A1. Автор: Chun-Li Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of forming bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film on base material, bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film, and bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor component

Номер патента: US20240055253A1. Автор: Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Process for adjusting the carrier lifetime in a semiconductor component

Номер патента: US6159830A. Автор: Norbert Galster,Jan Vobecky,Pavel Hazdra. Владелец: ABB Asea Brown Boveri Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Method and Device for Producing an Edge Structure of a Semiconductor Component

Номер патента: US20220416019A1. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Sebastian Sommer,Reiner Barthelmess,Tobias Gamon. Владелец: Infineon Technologies Bipolar Co & Kg GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Cascode configured semiconductor component and method

Номер патента: US20170025403A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Masking method for producing semiconductor components, particularly a BH laser diode

Номер патента: US20020182879A1. Автор: Bernd Borchert,Horst Baumeister,Gundolf Wenger,Roland Gessner,Eberhard Veuhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for manufacturing semiconductor components with short switching time

Номер патента: US5371040A. Автор: Werner Zurek,Klaus Graff. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1994-12-06.

Cascode configured semiconductor component and method

Номер патента: US09837399B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor component with a multi-layered nucleation body

Номер патента: US09728610B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Jianwei Wan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Device and method for fabricating thin semiconductor channel and buried strain memorization layer

Номер патента: US09478658B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Pranita Kulkarni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Electronic semiconductor component, and method for manufacturing a pretreated composite substrate for an electronic semiconductor component

Номер патента: US20240055472A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of manufacturing a semiconductor component and structure

Номер патента: US20140308795A1. Автор: RONG Liu,Sudhama C. Shastri,Umesh Sharma,Phillip Holland,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for producing semiconductor components on a substrate, and substrate comprising semiconductor components

Номер патента: US20130049171A1. Автор: Martin Popp,Beat De Coi,Marco Annese. Владелец: ESPROS Photonics AG. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor component comprising a dopant region in a semiconductor body and a method for producing a dopant region in a semiconductor body

Номер патента: US8859409B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor component and corresponding fabrication process

Номер патента: US20020030240A1. Автор: Uwe Schilling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor Component Having A SiC Semiconductor Body

Номер патента: US20230148156A1. Автор: Anton Mauder,Andreas Peter Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-11.

Low dislocation density III-nitride semiconductor component

Номер патента: US09954089B2. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor component and structure

Номер патента: US09419069B2. Автор: RONG Liu,Umesh Sharma,Phillip Holland,Sudhama C Shastri,Der Min Liou,David D Marreiro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of removing thin film layers of a semiconductor component

Номер патента: US5926688A. Автор: Yih-Yuh Doong,Chien-Hsin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Hermetically sealed housing with a semiconductor component and method for manufacturing thereof

Номер патента: US11876007B2. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-16.

Integration of graphene and boron nitride hetero-structure device over semiconductor layer

Номер патента: US11296237B2. Автор: Arup Polley,Archana Venugopal,Luigi Colombo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Integration of graphene and boron nitrite hetero-structure device over semiconductor layer

Номер патента: US20190288122A1. Автор: Arup Polley,Archana Venugopal,Luigi Colombo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor Component Comprising Trench Structures and Production Method Therefor

Номер патента: US20190051749A1. Автор: Peter Brandl,Markus Zundel,Karl-Heinz Bach,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Substrate structure, semiconductor component and method

Номер патента: US20170271454A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Horst Schafer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603407A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US12064946B2. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor component having a dopant region formed by a dopant composed of an oxygen / vacancy complex

Номер патента: US20150123247A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of forming a semiconductor component

Номер патента: US20030129778A1. Автор: Roland Munzner,Georg Bastian. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-07-10.

Encapsulation method for packaging semiconductor components with external leads

Номер патента: US20110129962A1. Автор: FENG Ye,Liang Zhao,Lei Shi,Limin Wang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-02.

In-situ mask technique for producing III-V semiconductor components

Номер патента: US20020182873A1. Автор: Horst Baumeister,Gundolf Wenger,Roland Gessner,Eberhard Veuhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor Component Including an Electronic Component Based on Polycrystalline Silicon

Номер патента: US20240282774A1. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240343029A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20240351323A1. Автор: Akimitsu Morimoto,Masao Nogami. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor component having a dopant region formed by a dopant composed of an oxygen/vacancy complex

Номер патента: US09412824B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Franz Josef Niedernostheide,Thomas Neidhart,Alexander Susiti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Integrated prober, handler and tester for semiconductor components

Номер патента: US6024526A. Автор: Alexander H. Slocum,Luis A. Muller. Владелец: AESOP Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Integration of graphene and boron nitride hetero-structure device over semiconductor layer

Номер патента: WO2019169392A1. Автор: Arup Polley,Archana Venugopal,Luigi Colombo. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US11749533B2. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor Component and Method for Producing Same

Номер патента: US20200161246A1. Автор: Bernd Muller,Rüdiger Knofe,Jörg Strogies,Klaus Wilke,Rene Blank,Martin Franke,Peter Frühauf,Stefan Nerreter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-05-21.

Integration of graphene and boron nitride hetero-structure device over semiconductor layer

Номер патента: EP3759732A1. Автор: Arup Polley,Archana Venugopal,Luigi Colombo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-06.

Integration of graphene and boron nitride hetero-structure device over semiconductor layer

Номер патента: WO2019169392A8. Автор: Arup Polley,Archana Venugopal,Luigi Colombo. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing a power semiconductor component arrangement or a power semiconductor component housing

Номер патента: US20210327724A1. Автор: Christoph Bayer,Christian Lenz,Andreas Schletz,Uwe Waltrich,Steffen Ziesche,Hoang Linh Bach. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of assembling a semiconductor component and apparatus therefor

Номер патента: WO2006019460A2. Автор: Audel A. Sanchez,Taek K. Kim. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

Optoelectronic semiconductor component and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20120018703A1. Автор: Klaus Kohler,Christian MÄNZ. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2012-01-26.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of producing a semiconductor component arrangement comprising a trench transistor

Номер патента: US09941276B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor component arrangement comprising a trench transistor

Номер патента: US09397091B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor component and production method

Номер патента: MY132163A. Автор: FISCHER Helmut,Wolf Dr Jakowetz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-09-28.

Method for contacting a semiconductor component

Номер патента: US5236873A. Автор: Christine Anceau,Jean-Baptiste Quoirin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1993-08-17.

Method for producing a semiconductor body having a recombination zone, semiconductor component having a recombination zone, and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US9012311B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-04-21.

Protective configuration against electrostatic discharges in semiconductor components controllable by field effect

Номер патента: US5672893A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-09-30.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US11926565B2. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US20210284569A1. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor Device and Method of Forming Low Voltage Power Mosfets Using Graphene for Metal Layers and Graphene Nanoribbons for Channel and Drain Enhancement Regions of Power Vertical and Lateral Mosfets on substrates of Silicon, GAN, SIC, or Diamond to Integrate Narrow Band Gap Engineering with Wide Band Gap Engineering and Achieve Energy Saving Devices and Environmental Progress in the Power Semiconductor Industry

Номер патента: US20220123134A1. Автор: Samuel J. Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor component with field electrode between adjacent semiconductor fins and method for producing such a semiconductor component

Номер патента: US20160155809A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-02.

Glass and melt solder for the passivation of semiconductor components

Номер патента: US20230219839A1. Автор: Sabine Pichler-Wilhelm,Martin Letz,Linda Johanna Bartelt,Martun Hovhannisyan,Julia Gold,Antonio Trizzino. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate during semiconductor package manufacturing

Номер патента: SG185905A1. Автор: Kui Kam Lam,Yen Hsi Tang,Wai Yuen Cheung,Wing Kin Lam. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-28.

Laser-Based Method and Machining Table for Metallizing the Rear Side of a Semiconductor Component

Номер патента: MY195240A. Автор: Ralf Preu,Hubert Hauser,Jan Nekarda,Benedikt BLÄSI. Владелец: Fraunhofer Ges Forschung. Дата публикации: 2023-01-11.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080017865A1. Автор: Atsunori Nishiura,Yasuyoshi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of manufacturing a semiconductor component and polyimide etchant therefor

Номер патента: US6664200B1. Автор: Treliant Fang,Edward R. Prack,Frank W. Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-16.

Carrier wafer, method for holding a flexible substrate and method for the manufacture of a carrier wafer

Номер патента: US20160035611A1. Автор: Christoph Kutter,Dieter Bollmann,Christof Landesberger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the III-V type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US9991346B2. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Dram with selective epitaxial transistor and buried bitline

Номер патента: US20210305256A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device with a gate region having overlapping first conduction type and second conduction type dopants

Номер патента: US20080087964A1. Автор: Hirotsugu Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Structure for growth of nitride semiconductor layer, stacked structure, nitride-based semiconductor element, light source, and manufacturing method for same

Номер патента: US20140124816A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Carrier wafer, method for holding a flexible substrate and method for the manufacture of a carrier wafer

Номер патента: US09978626B2. Автор: Christoph Kutter,Dieter Bollmann,Christof Landesberger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-05-22.

LTPS array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09893096B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor component and method for fabricating the same

Номер патента: US09570568B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yu-Hsun Chen,Yung-Hsien Wu,Cheng-Chieh LAI,Shih-Kai FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing LTPS TFT substrate and LTPS TFT substrate

Номер патента: US09520421B1. Автор: Songshan LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080217765A1. Автор: Joseph K. Fauty,Jay A. Yoder,James P. Letterman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component

Номер патента: US20240096738A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried edge terminations and related methods

Номер патента: US11837629B2. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Polishing liquid, polishing method, component manufacturing method, and semiconductor component manufacturing method

Номер патента: EP4339254A1. Автор: Masahiro Sakashita,Yousuke Hoshi,Yasuhiro Ichige,Shogo ARATA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Trench power semiconductor component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190103489A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Device comprising a ceramic substrate and method for producing same

Номер патента: US20240347417A1. Автор: Andreas Burghardt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method for dicing semiconductor components

Номер патента: US6136137A. Автор: Alan G. Wood,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Process for gettering semiconductor components and integrated semiconductor circuits

Номер патента: US4319119A. Автор: Hartmut Runge. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-03-09.

Method for producing an n-doped field stop zone in a semiconductor body and semiconductor component having a field stop zone

Номер патента: US20060035436A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for producing a plurality of semiconductor components

Номер патента: US6025251A. Автор: HELMUT Fischer,Wolf Jakowetz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-02-15.

Method of producing a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20220285402A1. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device having epitaxial semiconductor layer above impurity layer

Номер патента: US20140179072A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Taiji Ema,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor Component with a Multi-Layered Nucleation Body

Номер патента: US20170229548A1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Jianwei Wan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025328A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component, motor vehicle, and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US11848252B2. Автор: Thomas Gradinger,Daniele Torresin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for producing a semiconductor component comprising performing a plasma treatment, and semiconductor component

Номер патента: US11915935B2. Автор: Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for fabricating a semiconductor component having a wiring which runs piecewise in the substrate, and also a semiconductor component which can be fabricated by this method

Номер патента: US20010053574A1. Автор: Andreas Kux,Ronald Kakoschke,Helga Braun,Regina Stokan,Gunther Plasa. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20190267252A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of producing a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US12002812B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: WO2014092320A1. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate during semiconductor package manufacturing

Номер патента: US20120301251A1. Автор: Kui Kam Lam,Yen Hsi Tang,Wai Yuen Cheung,Wing Kin Lam. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Apparatus for delivering semiconductor components to a substrate

Номер патента: MY155118A. Автор: LAM Kui Kam,LAM Wing Kin,TANG Yen Hsi,CHEUNG Wai Yuen. Владелец: Asm Tech Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Active matrix substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US11688743B2. Автор: Yoshimasa Chikama,Masamitsu Yamanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09515146B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing a semiconductor component and semiconductor component produced by the same

Номер патента: CA2485561C. Автор: Dag Behammer. Владелец: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor element for an electronic or opto-electronic semiconductor component

Номер патента: US5831309A. Автор: Wolfgang Englisch,Reinhold Uebbing. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-11-03.

Process for producing a semiconductor component

Номер патента: CA1206628A. Автор: Michel Salvi,Pierre N. Favennec,Marcel Gauneau. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-06-24.

Low Dislocation Density III-Nitride Semiconductor Component

Номер патента: US20170365699A1. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor Component Comprising A Temporary Field Stopping Area, And Method For The Production Thereof

Номер патента: US20070278514A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Photoresist layers of semiconductor components including electric fields, system, and methods of forming same

Номер патента: US11817293B2. Автор: Gregory Denbeaux. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor component and method for fabricating the same

Номер патента: US20210280412A1. Автор: Deok-yong Kim,Yongchul Oh. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US20230352543A1. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor layer structure

Номер патента: EP4073847A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor layer structure

Номер патента: AU2023210648A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for producing a layer structure as a buffer layer of a semiconductor component and layer structure as a buffer layer of a semiconductor component

Номер патента: US20170040165A1. Автор: Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US12002859B2. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of manufacturing wiring substrate and method of manufacturing electronic component device

Номер патента: US8176627B2. Автор: Kazuhiro Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Apparatus for processing substrate and operating method thereof

Номер патента: US11938493B2. Автор: Jung Min Yoon,Noh Hoon Myoung,Han Seon Kang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Integrated circuit structures containing a strain-compensated compound semiconductor layer and methods and systems related thereto

Номер патента: US9012308B2. Автор: Damian A. Carver,Darwin Gene Enicks,John Chaffee. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8759851B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor Component Arrangement Comprising a Trench Transistor

Номер патента: US20150008498A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor Component Arrangement Comprising a Trench Transistor

Номер патента: US20160307889A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Support plate for semiconductor components

Номер патента: WO2004025708A3. Автор: Haas Franciscus C M De,Laarhoven Johannes M E Van. Владелец: Laarhoven Johannes M E Van. Дата публикации: 2004-12-29.

Thin film transistor substrate and display apparatus including the same

Номер патента: US20200395426A1. Автор: Moonsung Kim,Nari AHN,Kinam Kim,Sooim JEONG,Junghwa PARK,Jaebum Han,Younggil PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Package method for attached single small size and array type of chip semiconductor component

Номер патента: US20200411470A1. Автор: Cheng Hsien Chiu,Hsing-Tsai Huang,Ching-Hohn Len,Hsing-Hsiang Huang. Владелец: SFI Electronics Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of assembling a semiconductor component and apparatus therefor

Номер патента: WO2006019460A3. Автор: Audel A Sanchez,Taek K Kim. Владелец: Taek K Kim. Дата публикации: 2006-09-14.

Lithography system arranged on a foundation, and method for arranging a lithography system on said foundation

Номер патента: WO2012039606A9. Автор: Jerry Peijster. Владелец: MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V.. Дата публикации: 2012-06-28.

Lithography system arranged on a foundation, and method for arranging a lithography system on said foundation

Номер патента: WO2012039606A4. Автор: Jerry Peijster. Владелец: MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V.. Дата публикации: 2012-05-18.

Lithography system arranged on a foundation, and method for arranging a lithography system on said foundation

Номер патента: EP2619629A1. Автор: Jerry Peijster. Владелец: Mapper Lithopraphy IP BV. Дата публикации: 2013-07-31.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US9799521B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping concentrations

Номер патента: US9306011B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US20160189964A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Color film substrate, method for preparing color film substrate, and display panel

Номер патента: US12119430B2. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface

Номер патента: US20100133658A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface and fabrication method

Номер патента: MY149217A. Автор: Dadgar Armin,Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2013-07-31.

A tunable semiconductor component provided with a current barrier

Номер патента: EP1979944A1. Автор: Yves Gagnon,Michel Meunier,Alain Lacourse,Mathieu Ducharme,Hugo St-Jean,Yvon Savaria. Владелец: Cadeka Microcircuits LLC. Дата публикации: 2008-10-15.

Synthesis method for a compound used to form a self-assembled monolayer, compound for forming a self-assembled monolayer, and layer structure for a semiconductor component

Номер патента: US20060160272A1. Автор: Guenter Schmid,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz,Stefan Holberg. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for fabricating a semiconductor component having a t-shaped contact electrode

Номер патента: CA2433734C. Автор: Dag Behammer. Владелец: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH. Дата публикации: 2012-08-14.

Heat sink for semiconductor components or similar devices, method for its production and tool for carrying out the method

Номер патента: CA2457042C. Автор: Werner Graf,Uwe Bock,Stephan Bock. Владелец: Alcan Technology and Management Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Composite structure comprising a semiconductor layer arranged on a diamond or diamond-like layer and process for its production

Номер патента: US5843224A. Автор: Kenneth Goodson,Reinhard Zachai,Tim Gutheit. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 1998-12-01.

A tunable semiconductor component provided with a current barrier

Номер патента: CA2533225C. Автор: Yves Gagnon,Michel Meunier,Alain Lacourse,Mathieu Ducharme,Hugo St-Jean,Yvon Savaria. Владелец: Cadeka Microcircuits LLC. Дата публикации: 2016-03-22.

Method for removing dielectric layers from semiconductor components by using a laser beam

Номер патента: US20160343571A1. Автор: Roland Mayerhofer,Wenjie Zhu,Richard Hendel. Владелец: Rofin Baasel Lasertech GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Low drain-source on resistance semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US20210036169A1. Автор: Colby Greg RAMPLEY,Jeffrey Lynn WEIBRECHT,Jeremy Kenneth Kramer,Elijah Blue Foster,Melissa Picard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for producing a silicon carbide semiconductor component

Номер патента: US11855147B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Molded electronic package with an electronic component encapsulated between two substrates with a spring member between the electronic component and one of the substrates and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261872A1. Автор: Ting Wei CHANG,Wei Leong TAN,Hing Suan Cheam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for producing a silicon carbide semiconductor component

Номер патента: US20230395663A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor component and method for fabricating the same

Номер патента: US20160351673A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yu-Hsun Chen,Yung-Hsien Wu,Cheng-Chieh LAI,Shih-Kai FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Inductive monitoring of conductive trench depth

Номер патента: US09754846B2. Автор: Wei Lu,Wen-Chiang Tu,Zhihong Wang,Dominic J. Benvegnu,Boguslaw A. Swedek,Ingemar Carlsson,Hassan G. Iravani,Zhefu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Split-polysilicon CMOS process incorporating self-aligned silicidation of conductive regions

Номер патента: US5021353A. Автор: Trung T. Doan,Mark E. Tuttle,Tyler A. Lowrey,Gordon A. Haller,Dermot M. Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

A semiconductor layered structure

Номер патента: EP4220688A3. Автор: Clark Andrew,Richard Hammond,Rodney Pelzel. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2023-08-09.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240063331A1. Автор: Stefan Illek,Heng Wang. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Field effect-controllable semiconductor component

Номер патента: US5973360A. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor component with an emitter control electrode

Номер патента: US09553178B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Vertical semiconductor component with source-down design and corresponding fabrication method

Номер патента: US20020135008A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-26.

Photosensitive semiconductor component, method for forming a photosensitive semiconductor component

Номер патента: US11876144B2. Автор: Manuel Schmidt. Владелец: Vishay Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2024-01-16.

Light emitting device (LED) having an electrode hole extending from a nonconductive semiconductor layer to a surface of a conductive semiconductor layer

Номер патента: US09647173B2. Автор: Sun Kyung Kim,Hyun Kyong Cho. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor integrated circuit device having a conductive plane and a diffused network of conductive tracks

Номер патента: US3945032A. Автор: David Latham Grundy,Kenneth Lawson Hughes. Владелец: Ferranti PLC. Дата публикации: 1976-03-16.

Light emitting diode device, array substrate and display device

Номер патента: US20190019839A1. Автор: Ting Tian,Dayong Zhou,Ming Zhai,Shuqian Dou,Zhiqiang FAN,Taesung Kang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Vertical type light emitting diode having groove disposed under the first conductivity type semiconductor layer

Номер патента: US10290769B2. Автор: Joon Hee Lee,Jong Kyun You,Chang Yeon Kim,Ju Yong Park,Mi Hee Lee. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-14.

Bipolar junction transistors and p-n junction diodes including stacked nano-semiconductor layers

Номер патента: US20230361112A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong,Gunho JO,Hyoeun Park,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of producing semiconductor layers by precipitation from the gaseous phase

Номер патента: US3574006A. Автор: Hansjurgen Dersin,Erwin Fruchte. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-04-06.

Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other

Номер патента: US11908954B2. Автор: Tetsuya Nitta,Takahiro Nakatani,Kakeru Otsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Thin film transistor substrate of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof

Номер патента: KR100560400B1. Автор: 조흥렬,장윤경,김웅권. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-03-14.

Thin film transistor substrate of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof

Номер патента: KR100560402B1. Автор: 권오남,조흥렬,안병철. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-03-14.

Thin film transistor substrate of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof

Номер патента: KR100560399B1. Автор: 조흥렬,류순성,장윤경. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-03-14.

Thin film transistor substrate of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof

Номер патента: KR101002347B1. Автор: 안병철. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2010-12-21.

Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11764330B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hans-Jürgen Lugauer,Mohammad Tollabi Mazraehno,Mariel Grace Jama. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Optoelectronic semiconductor component with a current spreading structure containing silver, and optoelectronic device

Номер патента: US12051768B2. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp,Franz Eberhard. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-07-30.

Compensation semiconductor component and method of fabricating the semiconductor component

Номер патента: US20020074567A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20030205733A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20140167155A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US09543218B2. Автор: Uwe Strauss,Christoph Eichler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor component with optimized edge termination

Номер патента: US20140327114A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Thomas Basler,Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-11-06.

Electronic assembly having a power semiconductor component between two circuit carriers, and method for producing same

Номер патента: US20240349429A1. Автор: Arne Stephen Fischer,Thomas Kiedrowski,Lukas Loeber,Johannes Meckbach,Hartmut Wayand. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-17.

Micro-electromechanical semiconductor component

Номер патента: US09403677B2. Автор: Michael Doelle. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2016-08-02.

Optoelectronic Semiconductor Component, and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20210050484A1. Автор: Markus Bröll,Brendan Holland. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor component, device having a semiconductor component and method of producing semiconductor components

Номер патента: US20220328738A1. Автор: Berthold Hahn,Georg Bogner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor component, lighting device and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US09911719B2. Автор: Thomas Schwarz,Herbert Brunner,Frank Singer,Georg Bogner,Norwin von Malm,Matthias Sabathil,Juergen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09773945B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20190140143A1. Автор: Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor component on an insulation layer

Номер патента: US20020179995A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Optoelectronic semiconductor component comprising a first and second contact element, and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11855245B2. Автор: Alexander F. Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier,Kerstin Neveling. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component and Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20200220056A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-07-09.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing the same

Номер патента: US10312413B2. Автор: Norwin von Malm,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-04.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240304735A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor component

Номер патента: US09403676B2. Автор: Arnd Ten Have. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20120299092A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-11-29.

Optoelectronic semiconductor component with contact elements and method for producing the same

Номер патента: US11949054B2. Автор: Wolfgang Schmid,Isabel OTTO,Christoph Klemp. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor component arrangement and method for producing thereof

Номер патента: US20110278667A1. Автор: Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240234626A9. Автор: Jens Ebbecke,Hans-Joachim Meyer,Markus Graul,Richard Floeter,Kristina Schelestow. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component, and an optoelectronic arrangement

Номер патента: US20230369550A1. Автор: Norwin von Malm,Matthias Goldbach,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing a radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20230178695A1. Автор: Peter Stauss,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240136468A1. Автор: Jens Ebbecke,Hans-Joachim Meyer,Markus Graul,Richard Floeter,Kristina Schelestow. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09685591B2. Автор: Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09954150B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09553139B2. Автор: Akinobu ONISHI,Takashi Oomikawa. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and semiconductor component

Номер патента: US12002906B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Yao-Ning CHAN,Hao-Chun Liang,Wei-Shan Yeoh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US12094797B2. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor component having a diode structure in a SiC semiconductor body

Номер патента: US11742391B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor component

Номер патента: US20240258370A1. Автор: Chia-Lung Tsai,Hsueh-Hsing Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing at least one optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic semiconductor chip, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20180301590A1. Автор: Johannes Baur,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-10-18.

Field-effect-controlled semiconductor component and method of fabricating a doping layer in a vertically configured semiconductor component

Номер патента: US20020125532A1. Автор: Wolfgang Werner,Ignaz Eisele,Walter Hansch,Christoph Fink. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20190214375A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-07-11.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09780265B2. Автор: Stefan Illek,Siegfried Herrmann,Frank Singer,Norwin von Malm,Juergen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20180331251A1. Автор: Dominik Scholz,Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-11-15.

Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200295539A1. Автор: Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

Production of radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US20190273191A1. Автор: Ivar Tangring,Markus Richter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10158042B2. Автор: Andreas Biebersdorf,Korbinian Perlzmaier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-12-18.

Compensation semiconductor component

Номер патента: US20030230767A1. Автор: Jenoe Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Light-emitting semiconductor component and method of producing light-emitting semiconductor components

Номер патента: US09837591B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Alexander Linkov,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of producing a semiconductor layer sequence and an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09761755B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09614131B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor component with edge termination region

Номер патента: US11848377B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor Component with Edge Termination Region

Номер патента: US20210257489A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Matteo Dainese,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-19.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20220262999A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Tobias Meyer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor component with a drift zone and a drift control zone

Номер патента: US20100078710A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Stefan Sedlmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20160043291A1. Автор: Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger,Christian Ziereis. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor component with radiation conversion element, and method for producing radiation conversion elements

Номер патента: US20220254965A1. Автор: Johannes Baur,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20160181491A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US12125956B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Chun-Wei Chang,Chung-Hao Wang,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh,Yi-Yang Chiu,Min-Hao YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Cascode configured semiconductor component

Номер патента: US09882020B2. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09698326B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09691815B2. Автор: Patrick Rode,Martin Strassburg,Alexander F. Pfeuffer,Martin Mandl,Christopher Koelper. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-27.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US09614134B2. Автор: Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger,Christian Ziereis. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device comprising plurality of conductive portions disposed within wells and a nanowire coupled to conductive portion

Номер патента: US09583481B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Han-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Component

Номер патента: US20110284958A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Hirler,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-11-24.

Arrangement Having Semiconductor Components that Emit Electromagnetic Radiation and Production Method Therefor

Номер патента: US20220223570A1. Автор: Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Sebastian Wittmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-07-14.

ESD protection structures for semiconductor components

Номер патента: US7943928B2. Автор: Karlheinz Mueller,Gernot Langguth,Klaus Roeschlau,Michael Runde. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor component, and contacting assembly having a semiconductor component and a printed circuit board

Номер патента: US20200196449A1. Автор: Lars Vollmer,Guenter Gera,Matthias Lausmann,Klaus Kosbi. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-06-18.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US20160284931A1. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-29.

Optoelectronic semiconductor component and method of producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09887336B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-06.

Light emitting semiconductor component including an absorptive layer

Номер патента: US09685584B2. Автор: Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

High-voltage semiconductor component

Номер патента: US20040007736A1. Автор: Hans Weber,Gerald Deboy,Helmut Strack,Dirk Ahlers,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-15.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210305463A1. Автор: Martin Brandl,Luca Haiberger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-30.

Radiation-Emitting Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing the Same

Номер патента: US20180261735A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Britta Göötz,Michael ZIZLSPERGER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20210391509A1. Автор: Peter Nagel,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-12-16.

Symmetric LDMOS transistor including a well of a first type of conductivity and wells of an opposite second type of conductivity

Номер патента: US09698257B2. Автор: Georg Röhrer,Jong Mun Park. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-07-04.

High-voltage semiconductor component

Номер патента: US6825514B2. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack,Dirk Ahlers,Hans Martin Weber,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-30.

Two-channel semiconductor component

Номер патента: US20210043775A1. Автор: Hans Richter,Ulrich Wulf,Martin Reichenbach. Владелец: BRANDENBURGISCHE TECHNISCHE UNIVERSITAET COTTBUS. Дата публикации: 2021-02-11.

Device for a light source of a printing machine with a plurality of light-emitting semiconductor components of a first type and at least one light-emitting semiconductor component of a further type on a substrate

Номер патента: US20200385590A1. Автор: Andreas Stahl. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2020-12-10.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing same

Номер патента: US09978733B2. Автор: Stefan Illek,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Field-effect semiconductor device having pillar regions of different conductivity type arranged in an active area

Номер патента: US09947741B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US09917229B2. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor component and process for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US09673350B2. Автор: Olivier Gravrand,François Boulard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-06-06.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09373760B2. Автор: Tony Albrecht,Markus Richter,Alexander Baumgartner,Hans-Christoph Gallmeier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-21.

Electrolytically coated optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US9041020B2. Автор: HELMUT Fischer,Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20200152568A1. Автор: Dominik Scholz,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-05-14.

Optoelectronic semiconductor component and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210249390A1. Автор: Andreas Reith. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-12.

Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20140217425A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Fabian Kopp,Clemens Vierheilig,Sönke TAUTZ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor component and method for producing it

Номер патента: US7446373B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth,Rudolf Zelsacher,Dietmar Kotz,Hermann Peri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for producing optoelectric semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200328324A1. Автор: Jens Müller. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-15.

Assembly of electronic semiconductor components and method for operating an assembly of electronic semiconductor components

Номер патента: US20220272811A1. Автор: Stefan Grötsch,Victor Goldrin. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-25.

Optoelectronic semiconductor component, optoelectronic device, and method for producing an optoelectronic semiconductor component and/or optoelectronic device

Номер патента: US20240079531A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Optoelectronic semiconductor component and method of producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11949052B2. Автор: Jens Müller,Johannes Saric,Benjamin Reuters. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor component and method for producing it

Номер патента: US20050110077A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Armin Willmeroth,Rudolf Zelsacher,Dietmar Kotz,Hermann Peri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-26.

Assembly of electronic semiconductor components and method for operating an assembly of electronic semiconductor components

Номер патента: US12022586B2. Автор: Stefan Grötsch,Victor Goldrin. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

Seminconductor component and method for singulating a semiconductor component having a pn junction

Номер патента: US20220005964A1. Автор: Ralf Preu,Andreas Brand,Florian Clement,Elmar Lohmüller,Pierre Saint-Cast,Puzant Baliozian,Tobias Fellmeth,Nico Wöhrle. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2022-01-06.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240372318A1. Автор: Dominik Scholz,Norwin von Malm. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor component including a lateral transistor component

Номер патента: US8487307B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers,Paul Kuepper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor component and method of producing it

Номер патента: US6734520B2. Автор: Robert Plikat,Holger Kapels,Dieter Silber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-11.

Optoelectronic semiconductor component having a gold layer in the edge region

Номер патента: US20240079521A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor component and method for producing a semiconductor component

Номер патента: US20200168767A1. Автор: Berthold Hahn,Anna Kasprzak-Zablocka,Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for producing optoelectric semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11127877B2. Автор: Jens Müller. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-21.

Pressing device for directly or indirectly applying pressure to power-semiconductor components of a power-semiconductor module

Номер патента: US20220406674A1. Автор: Ingo Bogen,Alexander Wehner,Manuel Noderer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor component and integrated circuit

Номер патента: US09825136B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Franz Josef Niedernostheide,Holger Schulze,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor component with dielectric layer stack and voltage divider

Номер патента: US09786659B2. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor component comprising an interlayer

Номер патента: US09761758B2. Автор: Alexander Walter,Christian Leirer,Tobias Meyer,Matthias Peter,Jürgen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09484508B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Georg Dirscherl,Caroline Cassignol. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-01.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10629571B2. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-04-21.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11955588B2. Автор: Heribert Zull,Korbinian Perzlmaier,Kerstin Neveling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Manufacturing method of a semiconductor component with a nanowire channel

Номер патента: US8445348B1. Автор: Tien-Sheng Chao,Po-Yi Kuo,Yi-Hsien Lu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10903392B2. Автор: Frank Singer,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-26.

Epitaxy wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component, and methods for producing the epitaxy wavelength conversion element and the light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Tansen Varghese,Martin Rudolf Behringer,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20190123238A1. Автор: Frank Singer,Jürgen Moosburger,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US20100097084A1. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US8519732B2. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2013-08-27.

Method and device for using a semiconductor component

Номер патента: US20220216298A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated vertical semiconductor component

Номер патента: US6137124A. Автор: Hartmut Michel,Ning Qu,Alfred Goerlach,Anton Mindl,Peter Flohrs,Christian Pluntke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-10-24.

Semiconductor component

Номер патента: US20040169256A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Uwe Kellner-Werdehausen,Franz-Josef Niedernostheide,Frank Pfirsch. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2004-09-02.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US20240297255A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor component having inner and outer semiconductor component housings

Номер патента: US09991183B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel,Juergen Schredl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic apparatus having a resin filled through electrode configured to go through first and second semiconductor components

Номер патента: US09515050B2. Автор: Akihiko Tateiwa,Kenta Uchiyama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

Semiconductor device, semiconductor component and display panel including the same

Номер патента: US20240186449A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20220320404A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for classifying light-emitting semiconductor components and image sensor application having an image sensor and a semiconductor element

Номер патента: US20170100751A1. Автор: Peter Brick,Felix Kimme. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-13.

LTPS array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09893097B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type region architectures

Номер патента: US09634177B2. Автор: Venkatasubramani Balu,Staffan Westerberg,David D. Smith,Seung Bum Rim,Taiqing Qiu,Kieran Mark TRACY. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures

Номер патента: US09502601B1. Автор: Venkatasubramani Balu,Timothy Weidman,David D. Smith,Scott Harrington. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor component and associated production method

Номер патента: US20100025712A1. Автор: Markus Weyers,Martin Zorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-04.

Optoelectronic semiconductor component, optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10290784B2. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Korbinian Perzlmaier,Stefanie Rammelsberger,Christian Leirer,Julian Ikonomov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor device, semiconductor component and display panel including the same

Номер патента: US11894489B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical semiconductor component, and method for its production

Номер патента: US20230402538A1. Автор: Stephan SCHWAIGER,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor component having defect barrier region

Номер патента: US20240079510A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Power semiconductor device comprising a power semiconductor component and a housing

Номер патента: US20200013687A1. Автор: Stefan Weiss,Harald Kobolla,Jörg Ammon. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor component arrangement, method for fabrication thereof and heat dissipation device

Номер патента: US12046531B2. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Thomas Riepl,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and device for optically representing electronic semiconductor components

Номер патента: US11754511B2. Автор: Jens Fiedler,Sebastian Giessmann. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20170288091A1. Автор: Bjoern Hoxhold,Bernd Boehm,Stefan Hartauer,Daniel Zaspel. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor component arrangement, method for fabrication thereof and heat dissipation device

Номер патента: US20240297093A1. Автор: Detlev Bagung,Daniela Wolf,Thomas Riepl,Christina QUEST-MATT. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Light-Emitting Diode Chip, Display Substrate And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240322082A1. Автор: Haiwei Sun,Jiawei ZHAO,Junjie MA,Yuanda LU,Shanwei Yang,Linxia Qi,Zhijun XIONG. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for Temporarily Fastening a Semiconductor Chip to a Surface, Method for Producing a Semiconductor Component and Semiconductor Component

Номер патента: US20210183800A1. Автор: Matthias Hofmann,Klaus Müller,Holger KLASSEN. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle

Номер патента: US09964270B2. Автор: Norbert Hafner,Stefan Grötsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09893232B2. Автор: Bjoern Hoxhold,Bernd Boehm,Stefan Hartauer,Daniel Zaspel. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2018-02-13.

Producing a light-emitting semiconductor component by connecting first and second semiconductor bodies

Номер патента: US09853186B2. Автор: Patrick Rode,Matthias Sabathil,Hans-Jürgen Lugauer,Andreas Plöβl,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09653670B2. Автор: Karl Weidner,Stefan Illek,Walter Wegleiter,Stefan Stegmeier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-16.

Apparatus for handling a semiconductor component

Номер патента: US09620398B2. Автор: Lee Kwang Heng,Jianping Jin. Владелец: Semiconductor Tech and Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09608172B2. Автор: Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing said component

Номер патента: US09583467B2. Автор: Stefan Illek,Walter Wegleiter,Thomas Schwarz,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-28.

Optoelectronic Semiconductor Component and Display Means

Номер патента: US20120001208A1. Автор: Peter Brick,Sven Weber-Rabsilber,Michael Wittmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US20230386978A1. Автор: Takahiro Sato,Masayuki Kuroda,Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Double-gate four-terminal semiconductor component with fin-type channel region

Номер патента: US20240186418A1. Автор: Hans Richter,Ulrich Wulf. Владелец: Brandenburgische Technische Universitaet Cottbus Senftenberg Koerperschaft Des Oeffentlichen Rechts. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor component and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4290579A1. Автор: Tim Böttcher,Romain Esteve,Sönke HABENICHT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

System for cooling semiconductor component, method of manufacturing the same, and semiconductor package having the system

Номер патента: US12027445B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor component and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: EP2884527A3. Автор: Tetsuya Kugimiya,Kenji Hirohata,Yuu YAMAYOSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-26.

Semiconductor component and electronic device

Номер патента: US20240313069A1. Автор: ZHENG Zhong,Ping Ma,Haijun Li,Lingcong LE,Huilan Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Packaged semiconductor components having substantially rigid support members and methods of packaging semiconductor components

Номер патента: US09960094B2. Автор: David J. Corisis,Matt E. Schwab,J. Michael Brooks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09905500B2. Автор: Prasad Venkatraman,Jason Mcdonald,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type architectures and incorporating dotted diffusion

Номер патента: US09837576B2. Автор: Staffan Westerberg,Gabriel Harley. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09818921B2. Автор: Simon Jerebic,Stefan Grötsch,Johann Ramchen,David Racz,Hans-Christoph Gallmeier. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Nanostructure semiconductor light emitting device having rod and capping layers of differing heights

Номер патента: US09595637B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Ji Hye YEON,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Dae Myung Chun,Hyun Seong KUM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor component with an increased breakdown voltage in the edge area

Номер патента: US20030209757A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Walter Rieger,Joachim Krumrey,Ralf Henninger,Martin Pölzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-13.

Composite Semiconductor Component and Method for Producing a Composite Semiconductor Component

Номер патента: US20200411493A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for producing a nitride semiconductor component, and a nitride semiconductor component

Номер патента: US20180175243A1. Автор: Werner Bergbauer,Bastian Galler,Thomas Lehnhardt,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US10833234B2. Автор: Christopher Wiesmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-11-10.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US20170200860A1. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-13.

Communication semiconductor component

Номер патента: US7899333B2. Автор: Armin Mrasek,Fan Yung Ma. Владелец: LANTIQ DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-03-01.

Communication semiconductor component

Номер патента: US20050063432A1. Автор: Armin Mrasek,Fan Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor component

Номер патента: US20180358516A1. Автор: David Racz,Christopher KÖLPER,Philipp Pust. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-12-13.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200006609A1. Автор: Christopher Wiesmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-02.

Silicon Carbide Semiconductor Component

Номер патента: US20190296141A1. Автор: Roland Rupp,Bernd Zippelius,Larissa Wehrhahn-Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

N-type semiconductor layer, solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: US20240213384A1. Автор: Atsushi Wada,Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Sara Yoshio,Yuya Honishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

N-type semiconductor layer, solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: EP4385071A1. Автор: Atsushi Wada,Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Sara Yoshio,Yuya Honishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20060252222A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Light source having at least one first light-emitting semiconductor component, a first carrier element and a distributing element

Номер патента: US20220072871A1. Автор: Stefan Meyer,Andreas Stahl,Jochen Grade,Janek Desgronte,Nico PEIFER. Владелец: HERAEUS NOBLELIGHT GMBH. Дата публикации: 2022-03-10.

Organopolysiloxane composition, preparation method therefor, and semiconductor component

Номер патента: US10066137B2. Автор: Hai HE,Haiting Zheng,Jingwei Zhu,Guangyan Huang. Владелец: Guangzhou Human Chem Co ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor component and method for manufacturing it

Номер патента: US20010036720A1. Автор: Christian Hauser,Martin Neumayer,Johann Winderl,Martin Reiss,Achim Neu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for forming a semiconductor component with a cooling structure

Номер патента: US12027446B2. Автор: Chen-Hua Yu,Lawrence Chiang Sheu,Yi-Li Hsiao,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09985171B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor component, semiconductor-mounted product including the component, and method of producing the product

Номер патента: US09925612B2. Автор: Yasuo Fukuhara,Atsushi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip for the production of a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09831390B2. Автор: Sebastian Taeger,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll,Stefan Hartauer,Gudrun Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09818674B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Cascode configured semiconductor component

Номер патента: US09799646B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09780019B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09735095B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor component and method of producing a semiconductor component

Номер патента: US09634207B2. Автор: Simon Jerebic,Michael Kruppa. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Light-emitting device including a semiconductor component and an optical element and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09599319B2. Автор: Karsten Auen. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-21.

Field effect semiconductor component and methods for operating and producing it

Номер патента: US09496364B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Peter Irsigler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09490396B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Optoelectronic semiconductor component, conversion-medium lamina and method for producing a conversion-medium lamina

Номер патента: US09406847B2. Автор: Christian Gärtner,Ales Markytan,Herbert Brunner,Thomas Schlereth,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-08-02.

Power semiconductor component, power semiconductor device as well as methods for their production

Номер патента: US7667326B2. Автор: Ralf Otremba,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-23.

Method of manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20200185543A1. Автор: Jefferson W. Hall,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-11.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US11848406B2. Автор: Roland Heinrich Enzmann,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-12-19.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20240055568A1. Автор: Roland Heinrich Enzmann,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Wiring configuration for semiconductor component

Номер патента: US20070200256A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-30.

Substrate and antenna module

Номер патента: US11864308B2. Автор: Michikazu Tomita. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor component and power module

Номер патента: US20210225724A1. Автор: Yutaka Satou,Yasuyuki Ooi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor components

Номер патента: US5053854A. Автор: Jiri Dlouhy,Peter Almenräder,Otto Kuhn,Jurg Fingerle. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1991-10-01.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US20150181712A1. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-25.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US11444224B2. Автор: Ulrich Streppel,Hailing Cui,Desiree Queren,Dajana DURACH. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-09-13.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200357949A1. Автор: Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US9669480B2. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Power semiconductor component and method for the production thereof

Номер патента: US20110318883A1. Автор: Thomas Detzel,Josef Maynollo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09825208B2. Автор: Isabel OTTO,Ion Stoll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09728683B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor component with chip for the high-frequency range

Номер патента: US09669480B2. Автор: Martin Kappels,Daniel Hageneder. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Array substrate and display panel

Номер патента: US09601084B2. Автор: Pan Li,Wenbo Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor component comprising at least one contact structure for feeding in and/or leading away charge carriers

Номер патента: US09577056B2. Автор: Richard Reiner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus for transferring and manipulating semiconductor components

Номер патента: US09443747B2. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2016-09-13.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09437792B2. Автор: Ralph Wirth,Andreas Dobner,Joerg Sorg. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor component with transistor

Номер патента: US09406673B2. Автор: Oliver Haeberlen,Walter Rieger,Gilberto Curatola,Anthony Sanders. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

UV- and heat-resistant optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09397271B2. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Joerg Erich Sorg,Harald Jaeger. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: KR20170106347A. Автор: 루츠 회펠. Владелец: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하. Дата публикации: 2017-09-20.

Semiconductor component

Номер патента: US7091533B2. Автор: Gerald Deboy,Jeno Tihanyi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor device having contacting but electrically isolated regions of opposite conductivity types

Номер патента: US4547681A. Автор: Hideharu Egawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-15.

Semiconductor Component And Method For Contracting Said Semiconductor Component

Номер патента: US20070087553A1. Автор: Reinhold Bayerer. Владелец: EUPEC GmbH. Дата публикации: 2007-04-19.

Power semiconductor module having a substrate arrangement, having power semiconductor components and having a foil stack arrangement

Номер патента: US20240079367A1. Автор: Stefan Oehling,Ingo Bogen. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Transfer method for optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240186173A1. Автор: Alexander Pfeuffer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240204476A1. Автор: Elmar Baur,Ralf Wombacher,Roland Hüttinger,Tilman Rügheimer,Josef Hirn,Martin Nömer,Hannes Walther. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Connection Carrier for Semiconductor Chips and Semiconductor Component

Номер патента: US20140027921A1. Автор: Reimund Oberschmid. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US20030232476A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor component

Номер патента: US20150060881A1. Автор: Daniel Waldmann,Michael Krieger,Stefan Hertel,Heiko B. Weber,Florian Krach,Johannes Jobst. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US6833298B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-21.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991383B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Array substrate of display apparatus and driving method thereof and display apparatus

Номер патента: US09953561B2. Автор: HUI Wang,Hengzhen Liang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor component comprising magnetic field sensor

Номер патента: US09859332B2. Автор: Horst Theuss,Albert Auburger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748384B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09548360B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor component and an operating method for a protective circuit against light attacks

Номер патента: US09419623B2. Автор: Uwe Weder,Thomas Kuenemund,Dennis Tischendorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor Component with Plastic Housing, and Process for Producing the Same

Номер патента: US20080050907A1. Автор: Jens Pohl,Michael Bauer,Rainer Steiner,Hermann Vilsmeier,Bernhard Zuhr,Peter Strobel,Ulrich Bachmaier,Holger Woerner,Robert Hagen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-28.

Photodetector, photodetector array, and drive method comprising a second transistor including a channel of first conductivity type and a first transistor including a channel of second conductivity type that has polarity opposite to polarity of the first conductivity type

Номер патента: US11860033B2. Автор: Akito Inoue,Mitsuyoshi Mori,Motonori Ishii,Yusuke Sakata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Charge detector semiconductor component, system comprising a charge detector semiconductor component and a reference semiconductor component, wafer, use of a wafer, and method for the qualitative and quantitative measurement of charging of a wafer

Номер патента: US6747303B2. Автор: Hans-Ulrich Schroeder. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-08.

Electronic device including a gate electrode having portions with different conductivity types

Номер патента: US8310008B2. Автор: Burchell B. Baptiste. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-11-13.

Solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures

Номер патента: US20200251601A1. Автор: Seung Bum Rim,Michael C. Johnson. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures

Номер патента: US20180097131A1. Автор: Seung Bum Rim,Michael C. Johnson. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components

Номер патента: US20210005660A1. Автор: Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-07.

A semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: GB2137807A. Автор: Ricardo Simon Sussmann,Robert Charles Goodfellow. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1984-10-10.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: SG179332A1. Автор: Krishnan Shutesh,Wei Wang Soon. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2012-04-27.

Solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures

Номер патента: US12009441B2. Автор: Seung Bum Rim,Michael C. Johnson. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and device for determining an operating temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020173930A1. Автор: Martin Perner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Electronic Device Including a Gate Electrode Having Portions with Different Conductivity Types

Номер патента: US20100289072A1. Автор: Burchell B. Baptiste. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-11-18.

Power electronic device of multi-drain type integrated on a semiconductor substrate and relative manufacturing process

Номер патента: EP1851804A2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2007-11-07.

Housing, optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20230042041A1. Автор: Simon Jerebic,Matthias Hofmann,Markus Boss,Karlheinz Arndt,Matthias Goldbach,Harald Jaeger,Jens Eberhard,Sebastian Stoll,Constantin Hetzer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor component comprising copper metallizations

Номер патента: US20140042631A1. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Light emitting diodes formed on nanodisk substrates and methods of making the same

Номер патента: US20200274029A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Richard P. Schneider, Jr.,Fariba DANESH,Zulal TEZCAN OZEL. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-08-27.

Photoelectric converter having chalcopyrite compound semiconductor layer partitioned into pixels and shielding layer arranged around each pixel

Номер патента: US8963272B2. Автор: Osamu Matsushima,Takuji Maekawa,Toshihisa Maeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US9093609B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US20140153602A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Power semiconductor component

Номер патента: EP4006968A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-01.

Power semiconductor component

Номер патента: WO2022112339A3. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power semiconductor component

Номер патента: US20240096746A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,Samuel Hartmann,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Optimized junction termination of semiconductor components

Номер патента: US20020140046A1. Автор: Bernd Wagner,Klaus Reimer,Roland Sittig,Detlef Nagel,Ralf-Ulrich Dudde. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Active semiconductor component with a reduced surface area

Номер патента: US20060244004A1. Автор: Jean-Luc Morand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-11-02.

Thin flim transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100148182A1. Автор: Sang-Gab Kim,Woong-Kwon Kim,Jung-Suk Bang,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Ho-Jun Lee,Yong-Mo Choi,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Photoelectric detector, detection substrate and manufacturing method therefor, and detection apparatus

Номер патента: US20240243141A1. Автор: HU Meng. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin flim transistor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Sang-Gab Kim,Woong-Kwon Kim,Jung-Suk Bang,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Ho-Jun Lee,Yong-Mo Choi,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09842972B2. Автор: Mikael Ahlstedt,Krister Bergenek,Ute Liepold. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-12.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09780263B2. Автор: Andreas Plöβl,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US09590141B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

System for fabricating semiconductor components with through wire interconnects

Номер патента: US20070200255A1. Автор: David Hembree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Hermetically tight glass-metal housing for semiconductor components and method for producing same

Номер патента: US4940855A. Автор: Ewald Schmidt,Guenther Waitl,Rolf Birkmann. Владелец: Electrovac AG. Дата публикации: 1990-07-10.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: MY171050A. Автор: Lee Kisun,A Stapleton Michael. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2019-09-23.

Layer structure for electrical contacting of semiconductor components

Номер патента: US20110127674A1. Автор: Hans Artmann,Jochen Reinmuth,Peter Schmollngruber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Modularly expandable multi-layered semiconductor component

Номер патента: US6630727B1. Автор: Thomas Munch,Günter Tutsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-07.

Optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20240030397A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier,Christoph Klemp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor component and semiconductor device

Номер патента: US20240047293A1. Автор: Cheng-Chuan Chen. Владелец: Ganstronic Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for semiconductor component design and for semiconductor component production and corresponding semiconductor components

Номер патента: US20170352617A1. Автор: Andreas Kuesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of direct bonding semiconductor components

Номер патента: US11810892B2. Автор: Eric Beyne,Gerald Peter Beyer,Jaber Derakhshandeh. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-07.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing Same

Номер патента: US20180006196A1. Автор: Siegfried Herrmann,Alexander Linkov. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-04.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing at least one optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20240145633A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Dominik Scholz,Matin Mohajerarni. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components

Номер патента: US20190386186A1. Автор: Simon Jerebic,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for monitoring a switchable semiconductor component and monitoring device for a semiconductor component

Номер патента: US20230025128A1. Автор: Michael Wortberg,Thomas Rapolder. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Components and Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20170069800A1. Автор: Frank Singer,Britta Göötz,Lutz Höppel,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-09.

Light-emitting diode chip, display substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027648B2. Автор: Haiwei Sun,Jiawei ZHAO,Junjie MA,Yuanda LU,Shanwei Yang,Linxia Qi,Zhijun XIONG. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Forming layers with different conductivity types, etching, and epitaxially growing semiconductor material

Номер патента: NZ568487A. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-07-29.

Apparatus for fastening the casing of a semiconductor component to a mounting plate

Номер патента: US3833991A. Автор: K Hehl. Владелец: ITW Ateco GmbH. Дата публикации: 1974-09-10.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20210028224A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-28.

Manufacturing approach for collector and a buried layer of bipolar transistor

Номер патента: US8420495B2. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor component

Номер патента: US4879586A. Автор: Lennart Ryman,Doris Brostrom. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1989-11-07.

Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20180083063A1. Автор: Stefan Groetsch,Stefan Gruber,Michael Wittmann,Matthias Kiessling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-22.

Active-matrix substrate and display device

Номер патента: US20200152802A1. Автор: Akihiro Oda,Kohhei Tanaka,Hiroshi Matsukizono,Yujiro TAKEDA,Shogo Murashige. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Through electrode substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230282557A1. Автор: Satoru Kuramochi,Takamasa Takano. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor component having test pads and method and apparatus for testing same

Номер патента: US20070218573A1. Автор: Jae Cho,Xin Wu,Chih-Chung Wu,Mohsen Mardi,Shih-Liang Liang,Sanjiv Stokes,Hassan Bazargan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor component having emitter short circuits

Номер патента: US4053921A. Автор: Andre Jaecklin,Thomas Vlasak. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1977-10-11.

Through electrode substrate and semiconductor device

Номер патента: US12136591B2. Автор: Satoru Kuramochi,Takamasa Takano. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor component, system and method for checking a soldered joint

Номер патента: US12044722B2. Автор: Jens Richter,Christopher Söll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09997559B2. Автор: Stefan Groetsch,Stefan Gruber,Michael Wittmann,Matthias Kiessling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-12.

Bonding P-type and N-type sheets to form complementary circuits

Номер патента: US09954033B2. Автор: Hjalmar Edzer Ayco Huitema. Владелец: Flexterra Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09871075B2. Автор: Stefan Grötsch,Stefan Gruber,Michael Wittmann,Matthias Kiessling. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-16.

Array substrate of X-ray sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786711B2. Автор: DONG Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Optoelectronic semiconductor component having an electrically insulating element

Номер патента: US09691682B2. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Matthias Sabathil. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing a radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09680048B2. Автор: Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

Array substrate of X-ray sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484384B2. Автор: DONG Yang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Reinforced structure for a stack of layers in a semiconductor component

Номер патента: US09466579B2. Автор: Willem Dirk Van Driel,Hendrik Pieter Hochstenbach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-11.

Potted optoelectronic module having a plurality of semiconductor components and method for producing an optoelectronic module

Номер патента: US09419190B2. Автор: Peter Brick,Andreas Barth,Michael Wittmann. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for detecting the reliability of integrated semiconductor components at high temperatures

Номер патента: US20040140826A1. Автор: Jochen Hagen,Andreas Martin,Wilhelm Asam,Josef Fazekas,David Smeets. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-22.

Generating a semiconductor component layout

Номер патента: US9305135B2. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Yung-Chow Peng,Chih Ming Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

A method for the electrical bonding of semiconductor components

Номер патента: EP3754706A1. Автор: Ms. Lin Hou,Mr. Jaber Derakhshandeh,Mr. Eric Beyne,Ms. Ingrid De Wolf,Giovanni Capuz. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2020-12-23.

Bevel dicing semiconductor components

Номер патента: EP1705153A2. Автор: Larry L. Jordan. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for forming a semiconductor component with a cooling structure

Номер патента: US20230076466A1. Автор: Chen-Hua Yu,Lawrence Chiang Sheu,Yi-Li Hsiao,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device including trench gate structure and buried shielding region and method of manufacturing

Номер патента: US11961904B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-16.

Power semiconductor component with a drift zone and a high-dielectric compensation zone and method for producing a compensation zone

Номер патента: US7868396B2. Автор: Franz Hirler,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20140319460A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20150236200A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for producing a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US20210091263A1. Автор: Siegfried Herrmann,Michael Völkl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Power Semiconductor Component with a Power Semiconductor Chip and Method for Producing the Same

Номер патента: US20070228556A1. Автор: Khalil Hosseini,Alexander Koenigsberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-04.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11316075B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Dobner,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-26.

Method of creating embedded components on an antenna substrate and antenna apparatus formed with same

Номер патента: WO2024054268A1. Автор: Steven J. Franson,David E. PETTIT. Владелец: VIASAT, INC.. Дата публикации: 2024-03-14.

Optoelectronic semiconductor component and biometric sensor

Номер патента: US20200251631A1. Автор: Thomas Kippes,Claus Jaeger,Jason Rajakumaran. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11670745B2. Автор: Tobias Gebuhr,Klaus Reingruber,Andreas Reith. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-06-06.

Photoactive semiconductor component and method for producing a photoactive semiconductor component

Номер патента: US20170018662A1. Автор: Martin Hermle,Frank Feldmann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor component and manufacturing method of semiconductor component

Номер патента: US20100013089A1. Автор: Hideo Kubo,Osamu Igawa,Seiji Ueno,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20200303594A1. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Dobner,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-24.

Housing for an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230006108A1. Автор: Karlheinz Arndt. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device including trench gate structure and buried shielding region and method of manufacturing

Номер патента: US20240222498A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate, and display device

Номер патента: US20220223745A1. Автор: ZHI Wang,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Feng Guan,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Tft-lcd array substrate and display device

Номер патента: US20150014690A1. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20190280159A1. Автор: Peter Stauss,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-12.

High electron mobility transistor with semiconductor layer having a thickness varying along the transistor width

Номер патента: WO2019077784A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

Active Device Array Substrate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090256164A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-10-15.

Organic light emitting diode comprising an organic semiconductor layer

Номер патента: US09923153B2. Автор: Carsten Rothe,Vygintas Jankus. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-03-20.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09685466B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Oxides with thin metallic layers as transparent ohmic contacts for p-type and n-type gallium nitride

Номер патента: US09306126B2. Автор: Sandeep Nijhawan,Minh Huu Le,Teresa B. Sapirman,Jianhua Hu,Heng-Kai Hsu. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Light-emitting semiconductor component

Номер патента: US6784027B2. Автор: Klaus Streubel,Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2004-08-31.

Device and method for end-point monitoring used in the polishing of components, in particular semiconductor components

Номер патента: US6014218A. Автор: Stephan Bradl,Olaf Heitzsch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-01-11.

Field-effect-controllable semiconductor component with a plurality of temperature sensors

Номер патента: US5994752A. Автор: Rainald Sander,Alfons Graf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-30.

Semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US5918112A. Автор: Mahesh K. Shah,John W. Hart, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

Connnecting device for contacting a semiconductor component

Номер патента: US20050225957A1. Автор: Henning Hauenstein,Dirk Balszunat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11538969B2. Автор: Benjamin Schulz,Michael Foerster,Konrad Wagner,Stefan Morgott,I-Hsin Lin-Lefebvre. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025339A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component having a compressive strain layer and method for producing the semiconductor component having a compressive strain layer

Номер патента: US11705370B2. Автор: Wolfgang Schmid,Michael Huber,Robert Walter,Benjamin Michaelis,Franz Eberhard,Markus Broell. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-07-18.

Method of producing an optoelectronic semiconductor component, optoelectronic semiconductor component, and temporary carrier

Номер патента: US20180261742A1. Автор: Herbert Brunner,Harald Jager,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Organopolysiloxane composition, preparation method therefor, and semiconductor component

Номер патента: US20170247590A1. Автор: Hai HE,Haiting Zheng,Jingwei Zhu,Guangyan Huang. Владелец: Guangzhou Human Chem Co ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Carrier with a passive cooling function for a semiconductor component

Номер патента: US20180070436A1. Автор: Franz Rinner,Thomas Feichtinger,Christian Vockenberger,Oliver Dernovsek. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2018-03-08.

Method and system having switching network for testing semiconductor components on a substrate

Номер патента: US20020196047A1. Автор: Salman Akram,Jorge de Varona,C. Doherty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

N-type semiconductor layer, solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system

Номер патента: WO2024062661A1. Автор: Atsushi Wada,Mutsuki Yamazaki,Kazushige Yamamoto,Yasutaka Nishida,Soichiro Shibasaki,Naoyuki Nakagawa,Yukitami Mizuno,Sara Yoshio,Yuya Honishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor layer sequence, optoelectronic semiconductor chip and method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20140326948A1. Автор: Ivar Tangring,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor layer sequence, optoelectronic semiconductor chip and method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US9331238B2. Автор: Ivar Tangring,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-03.

Novel Manufacturing Approach for Collector and N Type Buried Layer Of Bipolar Transistor

Номер патента: US20110159672A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor component including a dielectric layer

Номер патента: US20220238791A1. Автор: Daniel PANTEL,Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS,Jochen Tomaschko. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US7696041B2. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-04-13.

Power semiconductor component for voltage limiting, arrangement having two power semiconductor components, and a method for voltage limiting

Номер патента: US11973147B2. Автор: Uwe Kellner-Werdehausen,Reiner Barthelmess,Juergen Schiele,Sebastian Paul Sommer. Владелец: Infineon Technologies Bipolar GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-30.

Organic electroluminescent display substrate and manufacturing method, display panel and display device

Номер патента: US20220352283A1. Автор: Xue Liu,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Array substrate and display panel

Номер патента: US20240213277A1. Автор: Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate processing apparatus, method for processing substrate, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220243337A1. Автор: Takanori FUKUSUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Active device array substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US7781776B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-08-24.

Detection substrate and flat panel detector

Номер патента: US12125859B2. Автор: Zhenyu Wang,Yifan Yang,Zhi Ding,Xuecheng Hou,Xiangmi Zhan. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Field-effect semiconductor device having alternating n-type and p-type pillar regions arranged in an active area

Номер патента: US09570607B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Björn Fischer,Franz-Josef Niedernostheide,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Joachim Weyers,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Active-matrix substrate and liquid-crystal display device

Номер патента: US09570469B2. Автор: Seiichi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Soft-faced semiconductor component backing

Номер патента: CA1307355C. Автор: Kevin L. Hanson,David C. DeGree,Herbert J. Fick. Владелец: Bergquist Co Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Arrangements for biasing the substrates of integrated circuits

Номер патента: GB1372679A. Автор: . Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1974-11-06.

Power semiconductor component having a buffer layer

Номер патента: US5654586A. Автор: Herbert Schwarzbauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-08-05.

Semiconductor component

Номер патента: US4849800A. Автор: Jan Voboril,Jens Gobrecht,Horst Gruning,C. Christiaan Abbas. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1989-07-18.

Semiconductor device with conductive members that extend from a semiconductor portion to an upper surface of a semiconductor layer

Номер патента: US11404547B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Nobuyuki Toda,Kazuaki Yamaura,Shinji KAWAHARA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Cooling system where semiconductor component comprising semiconductor chip and cooling apparatus are joined

Номер патента: US11908766B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Circuit device having a semiconductor component

Номер патента: US20120306528A1. Автор: Joachim Joos,Holger Heinisch,Thomas Jacke,Christian Foerster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Metallization of solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures

Номер патента: WO2016160433A1. Автор: Staffan Westerberg,Gabriel Harley. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2016-10-06.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230352617A1. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Optoelectronic Semiconductor Component and 3D Printer

Номер патента: US20210154918A1. Автор: Norwin von Malm,Nikolaus Gmeinwieser. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20140246688A1. Автор: Ralph Wirth,Andreas Dobner,Joerg Sorg. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor component

Номер патента: US9263526B2. Автор: Daniel Waldmann,Michael Krieger,Stefan Hertel,Heiko B. Weber,Florian Krach,Johannes Jobst. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2016-02-16.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303546A1. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US11848380B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Metallization of solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures

Номер патента: US20220262965A1. Автор: Staffan Westerberg,Gabriel Harley. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Optoelectronic semiconductor component and production method

Номер патента: US20230268477A1. Автор: Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-08-24.

Optoelectronic semiconductor component and 3D printer

Номер патента: US11745415B2. Автор: Norwin von Malm,Nikolaus Gmeinwieser. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing semiconductor component

Номер патента: US3762899A. Автор: G Birglechner. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

Method of producing optoelectronic semiconductor components

Номер патента: US20200119239A1. Автор: Markus Boss,Tobias Gebuhr,Markus Burger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088290A1. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US12002901B2. Автор: Karl Weidner,Walter Wegleiter,Ralph Wirth,Jan Marfeld,Axel Kaltenbacher,Bernd Barchmann,Oliver Wutz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-04.

Optoelectronic semiconductor component, production method, and base

Номер патента: US20230327394A1. Автор: Jörg Erich SORG,Matthias Hofmann,Steffen Strauss,Herbert Brunner,Roland Huettinger,Ralph Wagner. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210050315A1. Автор: Po-Chao Tsao,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3780093A1. Автор: Po-Chao Tsao,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Process for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20020045321A1. Автор: Norbert Galster,Stefan Linder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US12041826B2. Автор: Tian Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Display Substrate and Preparation Method therefor, and Display Apparatus

Номер патента: US20240306461A1. Автор: Peng Xu,MENG Li,Jiaxing Chen,Yi Qu,Tianyi CHENG,Tinghua Shang,Biao Liu,Yixuan LONG,Zuoji NIU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Insulated metal substrate and method for producing an insulated metal substrate

Номер патента: EP4432345A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,David GUILLON,Georg Siroky. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for encapsulating a microelectronic device, comprising a step of thinning the substrate and/or the encapsulation cover

Номер патента: US20210047177A1. Автор: Raphael Salot,Messaoud Bedjaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for manufacturing a microelectronic device, wherein at least one electrically conductive winding is arranged around a ferrite core element

Номер патента: WO2007072375A2. Автор: Johannes W. Weekamp,Leonardus A. E. Van Gemert,Somnuk Akkahadsi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2007-06-28.

Insulated metal substrate and method for producing an insulated metal substrate

Номер патента: WO2024188669A1. Автор: Lluis Santolaria,Dominik Truessel,David GUILLON,Georg Siroky. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate

Номер патента: US09978923B2. Автор: Akira Hori,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Light emitting device having heat dissipation terminal arranged on substrate

Номер патента: US09793459B2. Автор: Akira Hori,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Image-capturing unit including chips, substrates, and a connecting section

Номер патента: US09721986B2. Автор: Tomohisa Ishida. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor array substrate and method for fabricating same

Номер патента: US20080116459A1. Автор: Hung-Yu Chen,Jia-Pang Pang. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Cooling body for the liquid cooling of high-power semiconductor components

Номер патента: CA1223087A. Автор: Xaver Vogel. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1987-06-16.

Method for fabricating semiconductor component having conductors and bonding pads with wire bondable surfaces and selected thickness

Номер патента: US20070048999A1. Автор: Warren Farnworth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor component which can be controlled by a field effect

Номер патента: US6271562B1. Автор: Jens-Peer Stengl,Jenoe Tihanyi,Heimo Graf,Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-07.

Nonvolatile variable resistance device having a semiconductor layer with higher percentage of unterminated semiconductor element than adjacent layers

Номер патента: US8975611B2. Автор: Shosuke Fujii,Takashi Yamauchi,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-10.

Method of producing optoelectronic semiconductor components

Номер патента: US11107958B2. Автор: Markus Boss,Tobias Gebuhr,Markus Burger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: US20060076647A1. Автор: Juergen Kordts,Axel Naethe,Ralf Beier. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor component comprising copper metallizations

Номер патента: US20140252627A1. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor component, in particular a solar cell, and process for manufacture of same

Номер патента: NZ336848A. Автор: VECCHIA Nunzio LA. Владелец: VECCHIA Nunzio LA. Дата публикации: 2001-10-26.

Semiconductor component comprising copper metallizations

Номер патента: US10347580B2. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: WO2004053989A3. Автор: Juergen Kordts,Axel Naethe,Ralf Beier. Владелец: Ralf Beier. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: EP1573818A2. Автор: c/o Philips NAETHE,Juergen c/o Philips & StandardsGmbH KORDTS,Ralf c/o Philips Intellectual t BEIER. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-09-14.

Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor

Номер патента: WO2004053989A2. Автор: Juergen Kordts,Axel Naethe,Ralf Beier. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2004-06-24.

Thin film transistor substrate and liquid crystal display device using the same

Номер патента: US20150187805A1. Автор: Sul Lee,Hun Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Array substrate, manufacturing method of array substrate, and display panel

Номер патента: US20210327921A1. Автор: Peipei XU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217837A1. Автор: Qi Yao,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Renquan Gu,Wusheng Li,Muxin DI,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Array substrate and display panel

Номер патента: US20240241415A1. Автор: Chunping Long,Zhen Zhang,Guangcai Yuan,Lizhong Wang,Jianbo Xian,ce Ning,Liping LEI,Binbin TONG,Yunping DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Active device array substrate and display panel

Номер патента: US09785032B2. Автор: Chi-Ming Wu,Ming-Sheng Chiang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor package, printed circuit board substrate and semiconductor device

Номер патента: US09698111B2. Автор: Tsuguto Maruko. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Manufacturing method of radiator-integrated substrate and radiator-integrated substrate

Номер патента: US09474146B2. Автор: Hisashi Hori,Hideyo Osanai,Takanori Kokubo,Kunihiko Chihara. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09423662B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US6020611A. Автор: Gordon C. Ma,Christopher P. Dragon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Display panel substrate and display panel

Номер патента: RU2474006C1. Автор: Такахиро УМЕЗАВА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-01-27.

Coaxial-interconnect structure for a semiconductor component

Номер патента: US10734334B2. Автор: Marc Jacobs,Lijuan Zhang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Optical semiconductor component and method of fabrication

Номер патента: US5936294A. Автор: Zuoying Lisa Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Active matrix substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US11695016B2. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuo Kikuchi,Kengo Hara,Tohru Daitoh,Setsuji NISHIMIYA,Hitoshi Takahata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor Component, System and Method for Checking A Soldered Joint

Номер патента: US20220244306A1. Автор: Jens Richter,Christopher Söll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor component

Номер патента: US20050194635A1. Автор: Frank Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Vertical semiconductor component on the basis of gallium nitride with a front-side measuring electrode

Номер патента: US20240128133A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Power Semiconductor Component with Plate Capacitor Structure and Edge Termination

Номер патента: US20110133262A1. Автор: Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-06-09.

Power semiconductor component with plate capacitor structure and edge termination

Номер патента: US8258573B2. Автор: Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-09-04.

LCD having semiconductor components

Номер патента: US20050067626A1. Автор: Hsiao-Yi Lin. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor component including a dielectric layer

Номер патента: US20220231219A1. Автор: Daniel PANTEL,Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS,Jochen Tomaschko. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-21.

Display substrate and display device

Номер патента: US20240194123A1. Автор: Yang Zhou,Song Liu,Xin Zhang,LU Bai,Yi Qu,Siyu Wang,Junxiu DAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing an integrated power device on a semiconductor substrate and corresponding device

Номер патента: US20120220090A1. Автор: Leonardo Fragapane,Angelo Magri,Stefania Fortuna,Antonino Sebastiano Alessandria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-08-30.

Array substrate and display panel

Номер патента: US20220157859A1. Автор: Chen Zhang,LU Zhang,ZHIWEI CHEN,Siming HU,Jinfang Zhang,Zhenzhen HAN. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Pixel electrode, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP4209835A1. Автор: Peng Jiang,Xiaoxiao Chen,Ning Zhu,Yuanhui Guo,Yun Li,Jiantao Liu,Xia Shi. Владелец: Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Array substrate and preparation method therefor, and display apparatus

Номер патента: GB2627615A. Автор: He Min,Xie Xiaodong,ZHANG Xinxiu,PANG Bin,ZHAO XUE,Du Zhaoyi. Владелец: Hefei Boe Ruisheng Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Array substrate and manufacturing method for the same, and display device

Номер патента: US09971217B2. Автор: Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor structure having a plurality of conductive paths

Номер патента: US09698099B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Feng Wei KUO,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Array substrates and the manufacturing method thereof, and display panels of enhanced speed of film formation

Номер патента: US09595539B2. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and structure to support heat sink arrangement on chip carrier packages

Номер патента: US6850411B1. Автор: Janak G. Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Array substrate, method of manufacturing array substrate, and display panel

Номер патента: US11916085B2. Автор: Bing Han,Xiaojie Wang,Zhenya Li,Shishuai Huang,Haijiang YUAN,Hongyan Chang,Guangjia WANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11895879B2. Автор: YING Wang,MENG Li,Yongqian Li. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US8698192B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Drive substrate and display panel

Номер патента: US11881154B1. Автор: Haoxuan ZHENG,Zhongxie Xu. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Merged cavities and buried etch stops for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397422A1. Автор: David H. Wells,Yoshiaki Fukuzumi,Byeung Chul Kim,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Drive substrate and display panel

Номер патента: US20240005845A1. Автор: Haoxuan ZHENG,Zhongxie Xu. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Detection substrate and flat panel detector

Номер патента: US20240194705A1. Автор: Zhenyu Wang,Yifan Yang,Zhi Ding,Xuecheng Hou,Xiangmi Zhan. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190018293A1. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US10151954B2. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Substrate and display panel

Номер патента: EP4391059A1. Автор: Zhiwei Song,Xiaofang TAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Target including at least three photoconductive layers of lead oxide of similar conductivity type

Номер патента: US3361919A. Автор: NAKAYAMA Yoshiaki,Kiuchi Yuji,Tsuji Shiegeo. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1968-01-02.

Semiconductor strip laser and semiconductor component

Номер патента: US09787055B2. Автор: Jens Müller,Alfred Lell,Uwe Strauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor laser diode and semiconductor component

Номер патента: US20200295533A1. Автор: Michael Muller,Roland Heinrich Enzmann,Alexander Bachmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US20230369827A1. Автор: Christian Lauer,Alexander Behres,Martin Hetzl. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and circuit for operating a power semiconductor component

Номер патента: US20110309882A1. Автор: Christian Keller,Robert Oesterle. Владелец: CONVERTEAM TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11923660B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor component

Номер патента: US20240266805A1. Автор: Sven Bader,Andrea Ott. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Socket for semiconductor component, printed circuit board unit, and information processing apparatus

Номер патента: US20150359122A1. Автор: Akira Tamura,Yoshihiro Morita,Yasushi Masuda,Satoshi Ohsawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Socket for semiconductor component, printed circuit board unit, and information processing apparatus

Номер патента: US09474147B2. Автор: Akira Tamura,Yoshihiro Morita,Yasushi Masuda,Satoshi Ohsawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor component

Номер патента: US20220416504A1. Автор: Andreas Popp,Alexander Marc Van Der Lee,Markus Herper,Sven Bader,Andrea Ott,Roman KOERNER,Jenny Tempeler,Michael Smeets,Daniela Stange. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20230238769A1. Автор: Tobias Gebuhr,Jan Seidenfaden. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor component test socket

Номер патента: WO2001061364A3. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-03-07.

Electrical Arrangement On An Aircraft Fuselage With An Electrical Consumer On The Outside Of The Fuselage

Номер патента: US20200269964A1. Автор: Kai Schulze-Reimann. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2020-08-27.

Antenna assembly having a circuit board and at least one antenna arranged on the circuit board

Номер патента: US12123902B2. Автор: Andreas John,Henrik Salheiser,Alessandro Vincente FERRAROTTO,Andreas Battray. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-10-22.

Monolithic integrated optical semiconductor component

Номер патента: US5862168A. Автор: Michael Schilling,Gert Laube. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1999-01-19.

Substrate packaging structure including conductive blocks and conductive areas formed on substrates and optical module including same

Номер патента: US10578817B2. Автор: Zhenzhong Wang. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Eletrical fuse with a conducting layer arranged on a glass- like sheet and manufacturing thereof

Номер патента: WO2024120618A1. Автор: Mauro CASTELLANI,Bruno Zemp. Владелец: SCHURTER AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Array antenna substrate and apparatus antenna apparatus

Номер патента: US20230299504A1. Автор: Koki Tanji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Wideband antenna arranged on vehicle

Номер патента: EP4421984A1. Автор: Yeomin YOUN,Changwon Yun,Yongkon KIM,Changil Kim,Cheolsoo JEON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for producing a semiconductor component and such a semiconductor component

Номер патента: US20240128719A1. Автор: Alexander WEIGL,Berthold Schmidt,Holger Joachim MOENCH,Roman KOERNER. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Wideband antenna arranged on vehicle

Номер патента: EP4411981A1. Автор: Changwon Yun,Yongkon KIM,Changil Kim,Cheolsoo JEON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-07.

Antenna assembly having a circuit board and at least one antenna arranged on the circuit board

Номер патента: US20230009783A1. Автор: Andreas John,Henrik Salheiser,Andreas Batray,Alessandro Vincente FERRAROTTO. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2023-01-12.

System of conductive busbars used in an electrical cabinet

Номер патента: RU2754922C1. Автор: Мелькиседес Францискини. Владелец: Мелькиседес Францискини. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for manufacturing of conducting circuit on substrate, conducting circuit on substrate and device for manufacturing of flexible conducting circuit

Номер патента: RU2138930C1. Автор: А.Робертс Джозеф. Владелец: Рисерч Организейшн Фор Серкьют Ноледж Лимитед Партнершип. Дата публикации: 1999-09-27.

Heating element arranged on a tubular conduit

Номер патента: CA2505492C. Автор: Michael Hoffmann. Владелец: Watlow GmbH. Дата публикации: 2011-01-25.

Pasting papers and capacitance layers for batteries comprising multiple fiber types and/or particles

Номер патента: WO2019241338A3. Автор: Zhiping Jiang,John A. Wertz,Nicolas Clement,Sachin Kumar,Prveen Kumar YEGYA-RAMAN. Владелец: Hollingsworth & Vose Company. Дата публикации: 2020-01-16.

Pasting papers and capacitance layers for batteries comprising multiple fiber types and/or particles

Номер патента: WO2019241338A2. Автор: Zhiping Jiang,John A. Wertz,Nicolas Clement,Sachin Kumar,Prveen Kumar YEGYA-RAMAN. Владелец: Hollingsworth & Vose Company. Дата публикации: 2019-12-19.

Thin profile battery bonding method, method of conductively interconnecting electronic components, battery powerable apparatus, radio frequency communication device, and electric circuit

Номер патента: US20020179239A1. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Fusible element of multiple-electrode type and fuse of multiple-electrode type (alternatives)

Номер патента: RU2198448C2. Автор: Ивао МУРАКАМИ,Исао КАВАМУРА,Исато КАТАОКА. Владелец: Пасифик Инджиниринг Корпорейшн. Дата публикации: 2003-02-10.

Base conducting layer beneath graphite layer of ceramic cathode for use with cathodic arc deposition

Номер патента: US20220157571A1. Автор: Cherngye Hwang,Reimar AZUPARDO,Randall Simmons,Mary Agnes Gupit Perez. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Shock insensitive tilt switch with floating spherical restrictor to inhibit flow of conductive liquid

Номер патента: US5198628A. Автор: Sheldon S. Bitko. Владелец: Fifth Dimension Inc. Дата публикации: 1993-03-30.

Method for locking a connector arranged on a charging cable to a mating connector, and charging station for carrying out the method

Номер патента: US20220231455A1. Автор: Jens Klein,Raimund Thiel. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2022-07-21.

This semiconductor device comprises: a semiconductor layer having a main surface; a first conductive-type well region formed on a surface layer portion of the main surface of the semiconductor layer; a first conductive-type first impurity region formed on a surface layer portion of the well region and having an inner wall portion; and a second conductive-type annular second impurity region formed on the surface layer portion of the well region inside the inner wall part so as to form a pn junction with the well region.

Номер патента: WO2022137862A1. Автор: 哲也 須藤,暁史 高橋,誠 伊藤. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory cell and semiconductor component as well as manufacturing methods therefore

Номер патента: US20030099131A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Sensor matrix with semiconductor components

Номер патента: WO2009033728A2. Автор: Franz Padinger. Владелец: NANOIDENT TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Control device for control of power semiconductor component, as well as control method of power semiconductor component

Номер патента: RU2713634C1. Автор: Райнер ЗОММЕР,Маркус МАУЭРСБЕРГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2020-02-05.

Circuit arrangement, electrical system, and method for ascertaining barrier layer temperatures of gate-controlled semiconductor components

Номер патента: US20240272012A1. Автор: Jonathan WINKLER,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-15.

Control of a semiconductor component of a current limiter

Номер патента: EP4439896A1. Автор: Ulf Hansson,Tony WIKMAN,Joakim BERGQVIST. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-10-02.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US20160118975A1. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2016-04-28.

Method and device for adapting temperatures of semiconductor components

Номер патента: US20230228810A1. Автор: Michael Maercker,Jonathan WINKLER,Jan Homoth,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Manuel Riefer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Limiting of temperature variations of semiconductor component

Номер патента: US9712150B2. Автор: Marko Raatikainen,Teemu Salmia,Jukka-Peeka Kittilä. Владелец: ABB Technology Oy. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers

Номер патента: RU2694118C1. Автор: Сергей Иванович Диденко,Денис Валерьевич Кузнецов,Дмитрий Сергеевич Муратов,Марина Николаевна Орлова,Данила Сергеевич Саранин,Павел Андреевич Гостищев,Карло Альдо Ди,Всеволод Николаевич Мазов,Лев Олегович Лучников,Дмитрий Андреевич Подгорный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-07-09.

Method for patterning a semiconductor component

Номер патента: US7378321B2. Автор: Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-27.

Method for patterning a semiconductor component

Номер патента: US20060258130A1. Автор: Matthias Goldbach. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-16.

An organic electronic device comprising an anode layer, a cathode layer, at least one photoactive layer, and a semiconductor layer that comprises a metal complex

Номер патента: EP4406003A1. Автор: Mauro Furno,Vladimir Uvarov. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and device for creation of conductive pattern on flat insulating substrate; flat insulating substrate and chip set

Номер патента: RU2478264C2. Автор: Петри СИРВИЁ,Юха МАЙЯЛА. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2013-03-27.

Amorphous semiconductor layer memory device

Номер патента: US8680502B2. Автор: Minoru Ikarashi,Katsuhisa Aratani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-03-25.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Display substrate and display device

Номер патента: EP4220727A1. Автор: Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Method and device for reducing voltage loads of semiconductor components of an inverter

Номер патента: US20230231400A1. Автор: Stephan SCHWAIGER,Marco Graf,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Hadiuzzaman Syed,Manuel Horvath. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Method and device for reducing voltage loads of semiconductor components of an inverter

Номер патента: US12027901B2. Автор: Stephan SCHWAIGER,Marco Graf,Sebastian Strache,Karl Oberdieck,Hadiuzzaman Syed,Manuel Horvath. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Method of making trench DRAM cell with stacked capacitor and buried lateral contact

Номер патента: US4978634A. Автор: Masaaki Yashiro,Kiyoshi Shirai,Gishi Chung,Bing-Whey Shen,Randy McKee,Clarence Teng,Donald J. Coleman, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Control device for driving a bipolar switchable power semiconductor component, semiconductor module and method

Номер патента: US20190379373A1. Автор: Jan Weigel,Jurgen Bohmer,Eberhard Ulrich Krafft,Andreas Nagel,Rüdiger Kleffel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-12-12.

Compound, semiconductor component, and method for producing a semiconductor component comprising an organic memory material

Номер патента: US20060211257A1. Автор: Guenter Schmid,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-21.

An organic electronic device comprising an anode layer, a cathode layer, at least one photoactive layer, and a semiconductor layer that comprises a metal complex

Номер патента: WO2023041770A1. Автор: Mauro Furno,Vladimir Uvarov. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2023-03-23.

On-substrate mechanical stress sensing and compensation

Номер патента: US12127480B2. Автор: Baher Haroun,Jose Antonio Vieira Formenti,Michael Szelong,Tobias Bernhard Fritz,Ralf Peter Brederlow,Umidjon Nurmetov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Management of bin information in a luminous, motor-vehicle module comprising semiconductor-component light sources

Номер патента: US09930738B2. Автор: Miguel-Angel PENA,Antonio Domingo ILLAN,Juan-Jose Santaella,Juan Lara-Cabeza,Maria MARIN. Владелец: Valeo Iluminacion SA. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated semiconductor component and method for controlling a supply voltage of a functional circuit in an integrated semiconductor component

Номер патента: US20080079402A1. Автор: Christian Kranz,Markus Hammes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-03.

Physical identifiers for authenticating an identity of a semiconductor component

Номер патента: WO2019118711A1. Автор: Andy Yang,Scott D. Johnson,Lynn Bos,Neal MUELLER. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor components, fabrication methods thereof and memory systems

Номер патента: US20240196632A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Wenbo Zhang,Lei Xue,Xiaoming Mao,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Display substrate and display device

Номер патента: US20240107850A1. Автор: LANG Liu,Jingjing Xu,Xueguang HAO,Jingquan WANG,Chunyan Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Display substrate and display apparatus

Номер патента: EP4276903A1. Автор: LANG Liu,Jingjing Xu,Xueguang HAO,Jingquan WANG,Chunyan Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Light-emitting substrate and display apparatus

Номер патента: GB2614008A. Автор: Han Ying,Zhang Xing,ZHANG Dacheng,Wang Guoying,XU Pan,GAO Zhan,Yan Guang,LIN Yicheng,Yang Dongfang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Control of semiconductor component

Номер патента: EP2495876A9. Автор: Palomäki Jukka,Matti Laitinen. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2012-12-19.

Control of semiconductor component

Номер патента: US20120223744A1. Автор: Matti Laitinen,Jukka Palomaki. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2012-09-06.

Display substrate and display device

Номер патента: US20240194154A1. Автор: Gang Wang,Kai Zhang,Hailong YAN,Erlong SONG,Dongjie WU,Kunyan SHI,Yafei CHEN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Organic electroluminescent display substrate and manufacturing method, display panel and display device

Номер патента: US12041825B2. Автор: Xue Liu,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Organic electroluminescent display substrate and manufacturing method, display panel and display device

Номер патента: US20240334762A1. Автор: Xue Liu,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Display substrate and display device

Номер патента: US20240373674A1. Автор: Cheng Xu,Meng Zhao,WEI Liu,Jianhua Du,Renquan Gu,Dandan Zhou,Chaolu WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for producing a multi-layer of a probe card for a testing apparatus of electronic devices

Номер патента: EP3622304A1. Автор: Roberto Crippa,Raffaele VALLAURI,Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2020-03-18.

Perovskite tandem solar cells based on a tunneling layer of two-dimensional layered metal carbides and metal nitrides

Номер патента: US20240292637A1. Автор: Yang Jiang,Jingting YANG,Guoqing TONG. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2024-08-29.

Dynamic identification of other users to an online user

Номер патента: US09647872B2. Автор: Barry Appelman,Andrew Ivar Erickson,Robert Eugene Weltman,Terry Christian Buonviri,Joseph Paul Buonviri,Thomas Jarmolowski. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for transmission of emergency call with packet switching between wireless access network of first and second types and communication centre used in it

Номер патента: RU2562768C2. Автор: Цзюнь Ли,И Сун,Ке-Чи ДЖЕНГ. Владелец: МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-09-10.

Manufacturing method of printed-circuit boards and device for production of conducting circuit

Номер патента: RU2697508C1. Автор: Эдуард Владимирович Репницын. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа"). Дата публикации: 2019-08-15.

Device and method for levitation of certain amount of conducting material

Номер патента: RU2370921C2. Автор: ВАН ВЕСТРЮМ Йоханнес Альфонсус Франсискус Мария СХАДЕ,Лоран Кристоф Бернар БАТИСТ,Герардус ГЛЕЙМ,Янис ПРИЕДЕ. Владелец: Корус Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2009-10-20.

Thermoelectric semiconductor having a sintered semiconductor layer and fabrication process thereof

Номер патента: US5959341A. Автор: Hideo Watanabe,Tsuyoshi Tosho,Katsuhiro Tsuno. Владелец: Technova Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Display substrate and display device

Номер патента: US20240057407A1. Автор: Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and device for testing and calibrating electronic semiconductor components which convert sound into electrical signals

Номер патента: US20100290634A1. Автор: Arnfried Kiermeier,Stefan Binder,Max Schaule. Владелец: Kathrein Werke KG. Дата публикации: 2010-11-18.

Display substrate and preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4460168A1. Автор: Yong Qiao,Xueguang HAO,Xinyin WU,Xinguo LI. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Conductive substrate and touch panel having conductive pads of different dimensions for impedance compensation and reduction

Номер патента: US09383882B2. Автор: Kuei-Ching Wang,Ta-Hu Lin. Владелец: Eturbotouch Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Porous structure provided with a pattern that is composed of conductive polymer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9617649B2. Автор: Yuichiro Ido,Matsuhiko Nishizawa,Soichiro Sekine. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-04-11.

Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus

Номер патента: GB2618275A. Автор: SUN TAO,Qin Chengjie,WANG Pinfan,Zhang Ziyu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11844239B2. Автор: Song Zhang,Tao Wang,Rui Hong,Chunyan Xie,Chengjie Qin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Display substrate and preparation method therefor, and display device

Номер патента: US20240114763A1. Автор: Wei Zhang,Bo Shi,Weiyun HUANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Asymmetric organic photovoltaic acceptor material in an a-d-d'-a type and use

Номер патента: US20240188439A1. Автор: Hua Tan,Mengbing ZHU,Weiguo Zhu,Jianing Zhu,Rulin HAO. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

Display substrate and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US20240276802A1. Автор: Qi Qi,Yao Huang,Benlian WANG,Lili Du,Tinghua Shang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and circuit arrangement for ascertaining a type and value of an input voltage

Номер патента: US12085594B2. Автор: Daniel Portisch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Energy converter arranged on rotating elements and used to convert mechanical energy into electric energy

Номер патента: US7667376B2. Автор: Frank Schmidt. Владелец: EnOcean GmbH. Дата публикации: 2010-02-23.

System of conductive heat removal from electronic modules of stack form factor for housing electronics products

Номер патента: RU2713486C2. Автор: Сергей Александрович Сорокин,Алексей Павлович Сорокин,Павел Борисович Чучкалов,Алексей Владимирович Заблоцкий,Сергей Викторович Садков. Владелец: Закрытое акционерное общество "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ ФИРМА "ДОЛОМАНТ". Дата публикации: 2020-02-05.

Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device

Номер патента: US11963432B2. Автор: WEN Sun,Jenyu LEE,Yaohong Tan,Yuanchen Chin. Владелец: Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Luminous means having LEDs arranged on fold-out surfaces

Номер патента: US10422485B2. Автор: Tobias Schmidt,Krister Bergenek,Andreas Dobner,Frank Vollkommer,Andreas Kloss,Florian Bösl. Владелец: LEDVANCE GmbH. Дата публикации: 2019-09-24.

Method for determining the carrier life in semiconductor component wafers with at least three zones of alternating conductivity types

Номер патента: DE2037089C3. Автор: Edgar Dipl.-Phys. 4785 Belecke Borchert,Paul 4771 Sichtigvor Gertkemper. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-03-27.

Thin film transistor substrate of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof

Номер патента: KR101252082B1. Автор: 안지영. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-04-12.

Thin film transistor substrate of horizontal electric field applying type and manufacture method thereof

Номер патента: CN100544005C. Автор: 林柄昊,金宝岚,金珍浩. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-23.

Thin film transistor substrate of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof

Номер патента: KR100560401B1. Автор: 조흥렬,안병철,장윤경. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-03-14.

Thin film transistor substrate of horizontal electric field applying type and fabricating method thereof

Номер патента: CN101097925A. Автор: 林柄昊,金宝岚,金珍浩. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-02.

Semiconductor component and method for manufacturing a semiconductor component

Номер патента: US20240190702A1. Автор: Gregor Schuermann,Pascal Gieschke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-13.

A test socket for and method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: EP4372388A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-22.

Test socket for and a method of testing electronic components, in particular high-power semiconductor components

Номер патента: US20240168055A1. Автор: Markus Wagner,Johann PÖTZINGER,Stefan Engelbrecht,Christoph MEDERER. Владелец: Cohu GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Assembly of an active semiconductor component and of a silicon-based passive optical component

Номер патента: US11934007B2. Автор: Hélène Debregeas,François Lelarge,David Carrara. Владелец: ALMAE TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US11500012B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US20220043052A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor component, assembly and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: US20200386795A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor component, assembled body, and method for manufacturing semiconductor component

Номер патента: EP3715867A1. Автор: Kenichi Suzuki,Kenichi Yoshida,Kazuyuki Sashida,Shinji Kunori,Mizue Yamaji. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for auto-calibrating semiconductor component tester

Номер патента: US09910091B2. Автор: Heng-Chun Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and device for determining the temperature calibration characteristic curve of a semiconductor component appertaining to power electronics

Номер патента: US09927483B2. Автор: Sebastian Hiller,Marco BOHLLÄNDER,Christian Herold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for block-modular construction of structures in foundation pits and buried structure for military infrastructure facilities

Номер патента: RU2702779C1. Автор: Николай Геннадьевич Кириллов,Вячеслав Александрович Вакуненков,Владислав Вячеславович Петров. Владелец: Владислав Вячеславович Петров. Дата публикации: 2019-10-11.

Semiconductor component update device

Номер патента: US12124832B2. Автор: Michael Thompson,Ryan Albright,Benjamin Goska,Aaron Richard Carkin,William Ryan Weese,William Andrew Mecham. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Test carrier with molded interconnect for testing semiconductor components

Номер патента: US20010043074A1. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,James M. Wark,Derek Gochnour,John O. Jacobson,Syed Sajid Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor component update device

Номер патента: GB2605684A. Автор: Thompson Michael,Albright Ryan,Goska Benjamin,Andrew Mecham William,Ryan Weese William,Richard Carkin Aaron. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Test system with rotational test arms for testing semiconductor components

Номер патента: US09638740B2. Автор: Chien-Ming Chen,Herbert Tsai,Chin-Yi Ou Yang. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Matrix switch of optical waveguide type and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040141679A1. Автор: Makoto Sato,Katsunari Okamoto,Tatsuo Izawa,Toshiaki Tamamura,Katsuhiko Kurumada. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor component and method

Номер патента: US20040048430A1. Автор: Hubert Benzel,Hans Artmann,Frank Schaeffer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Method and device for testing the ESD resistance of a semiconductor component

Номер патента: US7009404B2. Автор: Richard Owen,Kai Esmark,Harald Gossner,Philipp Riess,Martin Streibl,Martin Wendel,Wolfgang Stadler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Punching device arranged on press machine to forge wind power flange blank

Номер патента: AU2022204104A1. Автор: Junjie Liu,Yanling Zhang,Yanjun Zhao,Dawei Hu,Shaohua Shi,Zhilong Yan,Yongqiang QIAO. Владелец: Shanxi Tianbao Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Punching device arranged on press machine to forge wind power flange blank

Номер патента: AU2022204104B2. Автор: Junjie Liu,Yanling Zhang,Yanjun Zhao,Dawei Hu,Shaohua Shi,Zhilong Yan,Yongqiang QIAO. Владелец: Shanxi Tianbao Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for arranging a designation on a substrate, and substrate provided with a designation

Номер патента: WO2018199740A1. Автор: Bartholomeus Leonardus Marinus Borcherd Driehuis. Владелец: Autoglas D & K B.V.. Дата публикации: 2018-11-01.

Micro-electro mechanical system (MEMS) device having a blocking layer formed between closed chamber and a dielectric layer of a CMOS substrate

Номер патента: US09617150B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Refractory casting pipe unit arranged on nozzle of reservoir with melt metal, namely of intermediate reservoir of belt casting plant

Номер патента: RU2270735C2. Автор: Хайнрих МАРТИ,Жак БАРБЕ. Владелец: Мейн Менеджмент Инспирейшн Аг. Дата публикации: 2006-02-27.

Copolymers having O-nitrocarbinol ester groups and production of semiconductor components

Номер патента: US4822866A. Автор: Reinhold Schwalm,Horst Binder. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1989-04-18.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299B1. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

Apparatus and method for monitoring a semiconductor component

Номер патента: US20240019482A1. Автор: Frank Schatz,Timo Schary,Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-18.

A semiconductor components delivery system associated with a turret type testing apparatus

Номер патента: PH12014501299A1. Автор: LEE HENG LEE. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2014-09-15.

Operation device comprising a housing arranged on a center cluster

Номер патента: US12001759B2. Автор: Itaru Watanabe,Takao Imai. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Projection exposure apparatus for microlithography for the production of semiconductor components

Номер патента: US09513562B2. Автор: Armin Schoeppach,Juergen Huber,Juergen Fischer,Norbert Muehlberger,Armin Werber,Matthias Orth,Thorsten Rassel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2016-12-06.

Contactless user interface having organic semiconductor components

Номер патента: US09417731B2. Автор: Jean-Yves Gomez,Christophe Premont,Laurent Jamet,Emmanuel Guerineau. Владелец: Isorg SA. Дата публикации: 2016-08-16.

Substrate of active matrix and liquid-crystal display device

Номер патента: RU2434308C1. Автор: Такахару ЯМАДА,Сатоси ХОРИУТИ,Нобуйоси УЕДА,Риоки ИТО,Хироюки ИИДА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-20.

Making purchases with assistance of other equal network members

Номер патента: RU2642328C2. Автор: Рик СПИТЦ,Сергей СУНДУКОВСКИЙ,Джер. Делфино ГАЛИНДО,Тодд ДАУНИНГ,Кристиан БРИГГС. Владелец: Синсэй, Инк.. Дата публикации: 2018-01-24.

Device to prevent filling of vessel, namely, bottle, arranged on bottle neck, and composite corking cap with said device

Номер патента: RU2415792C2. Автор: Жак ГРАНЖЕ,Жан-Мари БУРРО. Владелец: Алкан Пэкэджинг Кэпсьюлз. Дата публикации: 2011-04-10.

Semiconductor component for connection to a test system

Номер патента: US6800817B2. Автор: Helmut Schneider,Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-05.

Actuator arrangement on a vehicle structure

Номер патента: US09617881B2. Автор: Georg Wirth,Michael Bott. Владелец: Eberspaecher Exhaust Technology GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-11.

Copolymers having o-nitrocarbinol ester groups, production of two-layer resists, and fabrication of semiconductor components

Номер патента: CA1292339C. Автор: Reinhold Schwalm,Horst Binder. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1991-11-19.

Magnetic head of magnetoresistance effect type and process for production thereof

Номер патента: US20050141143A1. Автор: Hiroyuki Ono,Hiroaki Suzuki,Hideo Asano,Toshio Sunaga,Hisatada Miyatake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-06-30.

Device for distributing and burying granular solid products

Номер патента: EP4258849A1. Автор: Livio Sut. Владелец: Startec Srl. Дата публикации: 2023-10-18.

Structural unit for arrangement on a hydraulic fluid tank of a jet engine

Номер патента: US20150260563A1. Автор: Gideon Venter. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2015-09-17.

Roller bearings, in particular needle bearings, for arranging on a pivot pin of a variable guide vane of a turbomachine

Номер патента: US20160040713A1. Автор: Alexander Boeck. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Magnetic head of magnetoresistance effect type and process for production thereof

Номер патента: US7489482B2. Автор: Hiroyuki Ono,Hiroaki Suzuki,Hideo Asano,Toshio Sunaga,Hisatada Miyatake. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-02-10.

Data transmission between a chassis and a seat movably arranged on the chassis

Номер патента: US20040113490A1. Автор: Harald Kazmierczak,Anton Dukart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

Device and method for arrangement on a body comprising an essentially rotation-symmetric portion, and method for moving and/or manipulation of an object using the device

Номер патента: US20240307249A1. Автор: Peter Wolf,Robert Riener,Jaeyong Song,Yves Dominik ZIMMERMANN,Florian TEUSCHER,Patrick HUWILER. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-09-19.

Roller bearings, in particular needle bearings, for arranging on a pivot pin of a variable guide vane of a turbomachine

Номер патента: US09989093B2. Автор: Alexander Boeck. Владелец: MTU Aero Engines AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Display substrate and display device

Номер патента: US09874776B2. Автор: Xiao Xin,Dongsheng Huang,Wenpeng ZHANG,Lu PANG,Zhinan Zhang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor retrofit lamp having connecting elements arranged on two sides

Номер патента: US09863628B2. Автор: Markus Hofmann,Fabian Reingruber,Carolin Muehlbauer. Владелец: LEDVANCE GmbH. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin-film transistor array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09841630B2. Автор: Shishuai Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and apparatus for inspecting container closures arranged on containers

Номер патента: US20240370988A1. Автор: Stefan Schober,Anton Niedermeier. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Structural unit for arrangement on a hydraulic fluid tank of a jet engine

Номер патента: US09631967B2. Автор: Gideon Venter. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2017-04-25.

Chromatography column frame and method of conducting maintenance on and packing of a chromatography column

Номер патента: US09566538B2. Автор: CHENG Jiang,Martin Kling,Bjorn HAGLUND. Владелец: GE Healthcare Bio Sciences AB. Дата публикации: 2017-02-14.

Vehicle having a gearshift element arranged on the steering wheel

Номер патента: US09415683B2. Автор: Martin Walter,Thomas Tille. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Test system with rotational test arms for testing semiconductor components

Номер патента: US20140103954A1. Автор: Chien-Ming Chen,Herbert Tsai,Chin-Yi Ou Yang. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Method and semiconductor component having a device for determining an internal voltage

Номер патента: US20020125906A1. Автор: Ralf Schneider,Thilo Shaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for manufacturing tft array substrate of liquid crystal display device

Номер патента: US20020151116A1. Автор: Ryouta Matsubara. Владелец: Advanced Display Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Seal assembly for a vehicle window arranged on a vehicle

Номер патента: US20230264550A1. Автор: Richard Pickl. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Coupling element for a closed fluid transfer system, counter coupling element for a coupling element of this type, and coupling system

Номер патента: US12048827B2. Автор: Johannes Bolz,Karl Martin Berg,Florin Kopp,Konstantin Krug-Sauer. Владелец: B Braun Melsungen AG. Дата публикации: 2024-07-30.

On-cell touch display panel with touch structure arranged on outermost surface of color filter substrate and display device

Номер патента: US09910548B2. Автор: Xiangxiang Zou,Jianing Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Rubber-solid material bearing for arranging on a motor vehicle axle

Номер патента: US09885387B2. Автор: Peter Koczar,Erik Schultz. Владелец: Benteler Automobiltechnik GmbH. Дата публикации: 2018-02-06.

Autoinjector having piston rod with non-circular axial bore slidably arranged on housing shaft to prevent relative rotation

Номер патента: US09572937B2. Автор: Matthew Ekman,Timothy Donald Barrow-Williams,Yannick Hourmand. Владелец: Sanofi Aventis Deutschland GmbH. Дата публикации: 2017-02-21.

Color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160349419A1. Автор: Yung-Chih Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Polarizing device and method for preparing the same, display substrate and display device

Номер патента: US20200174172A1. Автор: Guoqiang Wang,Shuilang Dong,Zhanfeng CAO,Qingzhao Liu,Jiushi WANG,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Motor vehicle having an inductive charging coil arranged on a lubricant reservoir of an internal combustion engine of the vehicle

Номер патента: US09662992B2. Автор: Hubertus Doepke. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of conducting lottery

Номер патента: RU2585539C2. Автор: Андрей Евгеньевич Колесов. Владелец: Андрей Евгеньевич Колесов. Дата публикации: 2016-05-27.

Method and system for marking object having surface of conductive material

Номер патента: RU2667926C2. Автор: Жан-Люк ДОРЬЕ,Эдмунд ХАЛАС. Владелец: Сикпа Холдинг Са. Дата публикации: 2018-09-25.

Device for laying of conducting welding wire

Номер патента: RU2694724C2. Автор: Орельен ФИЛИПП,Аликс ТОНЕЛЬ,Мариус МИХАЛУТА. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2019-07-16.

External element or dial for watches or jewelry made of conductive material

Номер патента: RU2743680C1. Автор: Фредерик ЖАНРЕНО,Грегори КИССЛИНГ. Владелец: Омега Са. Дата публикации: 2021-02-24.

Method of conductive layer forming on carbon nanotube base

Номер патента: RU2522887C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Сергей Васильевич Селищев,Леван Павлович Ичкитидзе,Евгений Владимирович Благов,Евгений Павлович Кицюк,Юрий Петрович Шаман,Борис Михайлович Путря,Вячеслав Александрович Галперин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2014-07-20.

Measuring method of volumetric flow rate of conducting fluids through vessel

Номер патента: RU2488779C2. Автор: Томас КЕЛЕР,Уве ЛАНГ,Колин ХЕНДЕРСОН,Штефан ХОТЕР,Стив БУКБИНДЕР. Владелец: Брита Гмбх. Дата публикации: 2013-07-27.

Improvements in the coating of conducting bodies by electrophoresis

Номер патента: GB531522A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1941-01-06.

Process for manufacturing si useful for semiconductor components from quartz sand

Номер патента: CA1156816A. Автор: Hubert Aulich,Josef Grabmaier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-11-15.

Device for controlling level of conductive emissions

Номер патента: RU2587535C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Александр Михайлович Заболоцкий,Павел Евгеньевич Орлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2016-06-20.

Group and method for laying and burying pipelines at the seafloor

Номер патента: MY161216A. Автор: Diego Lazzarin,Massimiliano Formenti. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2017-04-14.

Group and method for laying and burying pipelines at the seafloor

Номер патента: CA2760054C. Автор: Diego Lazzarin,Massimiliano Formenti. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2017-06-20.

Touch Substrate and Preparation Method Therefor, and Display Panel

Номер патента: US20190243486A1. Автор: Lei Zhang,Jing Wang,Xiaodong Xie,Zouming Xu,Guiyu ZHANG,Xiaojuan Hu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Actuator arrangement on a vehicle structure

Номер патента: US20150124990A1. Автор: Georg Wirth,Michael Bott. Владелец: Eberspaecher Exhaust Technology GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-05-07.

A bag arranged on the body surface

Номер патента: US20240090636A1. Автор: Kuo Huang YANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-21.

Sink attachment for arranging on a sink

Номер патента: US20180179744A1. Автор: Alexandra Zver,Josef Keller. Владелец: Blanco GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-06-28.

Sink attachment for arranging on a sink

Номер патента: US10329755B2. Автор: Alexandra Zver,Josef Keller. Владелец: Blanco GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-06-25.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Holding assembly of an excavator tooth, having a holder, for arranging on the bucket of a bucket-wheel excavator

Номер патента: AU2019235398A1. Автор: Tomasz Kwiatkowski,Michael Busch,Viktor Raaz,Edeltraud BUTTERBACH. Владелец: Thyssenkrupp AG. Дата публикации: 2020-10-29.

Device for detecting a geometry of a drop arranged on a sample surface

Номер патента: US20230152088A1. Автор: Bernd Friedrich,Alexander Buchholz,Arne Kordts,Timo Fuckner. Владелец: Kruess GmbH Wissenschaftliche Laborgeraete. Дата публикации: 2023-05-18.

Display panel, polarizer, color film substrate and display apparatus for conducting electrostatic charges

Номер патента: US10539728B2. Автор: Xiong Xiong,Peng Li,Chengying CAO,Jideng ZHOU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Adaptive, deployable restraint element for a vehicle safety system, airbag module, and vehicle safety system having a restraint element of this type, and use of the fin ray effect in an adaptive restraint element

Номер патента: US20170282838A1. Автор: Christian Jung,Thomas Kapfelsperger. Владелец: TRW Airbag Systems Gmbh. Дата публикации: 2017-10-05.

Apparatus and methods for measuring resistance of conductive layers

Номер патента: US20040217766A1. Автор: Gary Erickson,Mark Pollack,Mark NEGLEY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-11-04.

Display with self-illuminatable image and method for making the display substrate and for making the image

Номер патента: EP1849173A2. Автор: Yuri A. Bery,Douglas L. Osterberg. Владелец: Appleton Coated LLC. Дата публикации: 2007-10-31.

Touch panel and manufacturing method of conduction layer of touch panel

Номер патента: US09904383B2. Автор: Chun-Chi Chen,Shang-Yu Huang,Chen-You CHEN. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for measuring free radical based on conductivity change of conductive polymer

Номер патента: US09903853B2. Автор: Yu-Lin Wang,Chia-Ho CHU,Jung-Ying Fang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-02-27.

Touch panel substrate and display device

Номер патента: US09459744B2. Автор: Shinji Matsumoto,Mitsuaki Hirata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of conducting electrolysis and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2475569C2. Автор: Герман Евсеевич Иткин. Владелец: Герман Евсеевич Иткин. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of choosing the method of conducting endocardial electrodes in the right heart sections with implantation of antiarrhythmic devices

Номер патента: RU2662417C1. Автор: Игорь Александрович Ковалев,Мария Александровна Школьникова,Леонид Сергеевич Коков,Игорь Алексеевич Хамнагадаев,Сергей Артурович Термосесов,Артем Анатольевич Евмененко,Азамат Маратович Баймуканов,Илья Леонидович Ильич,Игорь Иосифович Хамнагадаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский национальный исследовательский медицинский университет им. Н.И. Пирогова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО РНИМУ им. Н.И. Пирогова Минздрава России). Дата публикации: 2018-07-25.

Method of making rubber-cord articles of sleeve type and device therefor

Номер патента: RU2583013C2. Автор: Евгений Сергеевич Аникин,Нина Николаевна Платковская,Иван Юрьевич Ефимов,Денис Олегович Бабичев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Прогресс" (ФГУП "НПП "Прогресс"). Дата публикации: 2016-04-27.

Method of conducting of the chemical reaction in the pseudo-isothermal conditions and the heat exchanger for the method realization

Номер патента: RU2310502C2. Автор: Эрманно Филиппи,Энрико РИЦЦИ,Мирко ТАРОЦЦО,Эрманно ФИЛИППИ (CH),Энрико РИЦЦИ (IT),Мирко ТАРОЦЦО (CH). Владелец: Метанол Казале С.А.. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of conducting material electrochemical deposition of silicon-carbon films

Номер патента: RU2676549C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-01-09.

Dental x-ray apparatus comprising a patient-positioning system arranged on a support and provided with a forehead rest

Номер патента: US20090175409A1. Автор: Klaus Stöckl. Владелец: SIRONA DENTAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for manufacture of conducting alloy-treated diamond-like nanocomposite film and conducting alloy-treated diamond-like nanocomposite film

Номер патента: RU2186152C2. Автор: В.Н. Инкин,Л.П. Сидорова,В.К. Дмитриев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Патинор Коутингс Лимитед". Дата публикации: 2002-07-27.

Motor vehicle comprising a front gate which is arranged pivotably on a body via two hinge joints

Номер патента: US10336291B2. Автор: Norman Dix,Richard Schabenberger. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2019-07-02.

Housing with a retaining device arranged on a base plate

Номер патента: US5855273A. Автор: Hermann Grobecker,Henning Wilhelm. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-01-05.

Sensor arrangement on a wheel suspension for a vehicle

Номер патента: US6126177A. Автор: Hans-Rudolf Steinert. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for patterning a photoresist material for semiconductor component fabrication

Номер патента: US6777144B2. Автор: Steven M. McDonald,Jeffrey W. Honeycutt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Wheel Carrier For Supporting A Wheel Arranged On A Bogie And Test Stand For Testing Bogies Of Railway Vehicles

Номер патента: US20240085277A1. Автор: Hans Borer,Thomas Schertenleib. Владелец: NENCKI AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Optical storage medium comprising two semiconductor layers as non-linear layers

Номер патента: WO2009124735A1. Автор: Stephan Knappmann. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2009-10-15.

Grenade launcher having a barrel which is arranged slidably relative to a trigger mechanism base

Номер патента: WO2024078648A1. Автор: Vladimir Simek,Josef ZAHORA. Владелец: Ceska Zbrojovka A.S.. Дата публикации: 2024-04-18.

Device for the fine adjustment in all three directions of space of an instrument arranged on a base

Номер патента: US4365521A. Автор: Kurt Kohler. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 1982-12-28.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Production process for semiconductor component of spark plug

Номер патента: RU2063099C1. Автор: А.Н. Мурысев,Л.Н. Гайдерова,Т.Л. Близнюк. Владелец: Уфимское агрегатное конструкторское бюро "Молния". Дата публикации: 1996-06-27.

An appratus for picking, placing and pressing semiconductor components

Номер патента: PH12014000159B1. Автор: Heng Lee Lee. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2016-01-25.

An appratus for picking, placing and pressing semiconductor components

Номер патента: PH12014000159A1. Автор: LEE HENG LEE. Владелец: EXIS TECH SDN BHD. Дата публикации: 2016-01-25.

Method for determination of conductivity and thickness of semiconductor layers

Номер патента: RU2439541C1. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Эдуардович Постельга. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2012-01-10.

Method of determining type and concentration of nanoparticles inorganic amorphous media and polymer-based composites

Номер патента: RU2548395C1. Автор: Владимир Николаевич Чернышов,Александр Васильевич Ушаков,Сергей Николаевич Баршутин,Мария Николаевна Баршутина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО ТГТУ. Дата публикации: 2015-04-20.

Luggage rack support arranged on car roof

Номер патента: RU2409486C1. Автор: Олег Евгеньевич Букин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Металлопродукция". Дата публикации: 2011-01-20.

Improvements in or connected with Dynamo Electric Machines of the Neutralised Conduction Type.

Номер патента: GB190715151A. Автор: Valere Alfred Fynn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-06-18.

A System of Conducting Electricity for Propelling, Heating, Lighting and Telephoning from Railway Vehicles.

Номер патента: GB189800831A. Автор: Hosea Waite Libbey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-02-11.

Method for encapsulating semiconductor components mounted on a carrier tape

Номер патента: CA1213988A. Автор: Seppo Pienimaa. Владелец: Lohja Oy AB. Дата публикации: 1986-11-12.

Improvements in Apparatus for Mercerising Cotton Yarns in Hank Form applicable also for Dyeing, Bleaching, Drying, and otherwise Treating such Yarn or Yarns of other Fibrous Material by Analogous Processes.

Номер патента: GB190123181A. Автор: Tom Pratt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-02-16.

IDENTIFYING AMBIENT LIGHT TYPE AND ILLUMINANCE COMPENSATION USING A PLURALITY OF PHOTODETECTORS

Номер патента: US20120001841A1. Автор: Holcombe Wayne T.,GOKINGCO JEFF,SVAJDA MIROSLAV. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

An Improvement in the Justifying of Lines of Type, and Apparatus for that Purpose.

Номер патента: GB190101483A. Автор: Henry James S Gilbert-Stringer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-01-16.

Improvements in Type and other Metal Casting Machines.

Номер патента: GB190806523A. Автор: Charles Robert Marks Edward. Владелец: THOMPSON TYPE MACHINE Co. Дата публикации: 1909-01-21.

Method of conducting panels production, primary furnace for conducting panels production and conducting filler based on natural zeolite-containing effusive sedimentation ashy deposits

Номер патента: RU2353012C1. Автор: Валерия Валерьевна Строкова,Александр Викторович Мосьпан,Евгения Александровна Лопанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Белгородский государственный университет им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова). Дата публикации: 2009-04-20.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Differential diagnosis method for diagnosing terminal state of pulmonary type and mechanical injury incompatible with life

Номер патента: RU2259807C1. Автор: Ю.М. Падеров,Ф.В. Алябьев,С.Ю. Кладов,Ю.М. Падеров (RU),бьев Ф.В. Ал (RU),С.Ю. Кладов (RU). Владелец: Алябьев Федор Валерьевич. Дата публикации: 2005-09-10.

Setup for thermophysical tests of conductive material sample with pulse heating

Номер патента: RU2522665C2. Автор: Владимир Николаевич Гостев,Николай Яковлевич Сысоев,Михаил Юрьевич Магалинский. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-07-20.

Method and device for hitting of objects by formation of conductive region (modifications)

Номер патента: RU2177135C1. Автор: В.П. Иванов,Е.В. Королев,В.А. Бессонов,В.В. Соколовский,А.М. Максимов,Ю.В. Парфенов,Л.Н. Здухов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мастер Рисеч". Дата публикации: 2001-12-20.

A Mechanical Sliding Floor for Shop Windows whereby the Goods on Sale may be Arranged & Dusted, the Windows Cleaned, or Ticketed Article Sold therefrom, without Disarrangement of other Goods.

Номер патента: GB190407942A. Автор: John Burns. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-09-22.

Device to remove surface layer of oil-containing fluids

Номер патента: RU2352528C1. Автор: Евгений Алексеевич Карев,Ильшат Искендерович Тазетдинов,Владимир Евгеньевич Карев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-04-20.

Method of determining values of thermoelectrophysical parametres of test samples of conducting or resistive structures

Номер патента: RU2372625C1. Автор: Александр Владимирович Карев,Иван Александрович Карев,Александр Владимирович Карев (RU),Иван Александрович Карев (RU). Владелец: Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2009-11-10.

Method of conducting aerodynamic tests on model aircraft and stand for realising said method

Номер патента: RU2421701C1. Автор: Виктор Владимирович Субботин,Геннадий Павлович Носков,Владимир Алексеевич Терехин,Владимир Иванович Шевяков,Владимир Олегович Акинфиев,Владимир Федорович Третьяков,Александр Федорович Чевагин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Гражданские самолеты Сухого". Дата публикации: 2011-06-20.

Drum-block brake with system of conductive-liquid cooling of friction units and method for its realisation

Номер патента: RU2357135C2. Автор: Александр Иванович Вольченко,Дмитрий Александрович Вольченко,Николай Александрович Вольченко,Евстахий Иванович Крыжановский,Виталий Викторович Волощук. Владелец: Ивано-Франковский национальный технический университет нефти и газа. Дата публикации: 2009-05-27.

System of conducting lottery using mobile telephone communication networks

Номер патента: RU2401457C2. Автор: Сергей Александрович Коробов,Денис Васильевич Воронкин. Владелец: Денис Васильевич Воронкин. Дата публикации: 2010-10-10.

Method of selecting surgical tactics of treating injury of peripheral nerve with impairment of conductivity

Номер патента: RU2492813C1. Автор: Игорь Алексеевич Норкин,Галина Александровна Коршунова,Вячеслав Григорьевич Нинель,Шамиль Малачиляевич Айтемиров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Саратовский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "СарНИИТО" Минздрава России). Дата публикации: 2013-09-20.

Method to determine electroconductivity and thickness of semiconductor plates or nanometer semiconductor layers in structures "semiconductor layer - semiconductor substrate"

Номер патента: RU2517200C2. Автор: Сергей Аполлонович Никитов,Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-05-27.

Oil-field device, oil-field element of said device, having functionalised graphene plates, method of conducting oil-field operation and method of modifying functionalised graphene plates

Номер патента: RU2476457C2. Автор: МЕР Мелисса ВЕР. Владелец: Шлюмбергер Технолоджи Б.В.. Дата публикации: 2013-02-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.