GaN semiconductor device having a high withstand voltage.

GaN semiconductor device having a high withstand voltage

Номер патента: US8183597B2
Опубликовано: 22-05-2012
Автор(ы): JIANG LI, Nariaki Ikeda, Seikoh Yoshida
Принадлежит: Furukawa Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

GaN semiconductor device comprising carbon and iron

Номер патента: US09793363B1. Автор: Atsushi ERA,Susumu HATAKENAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

GaN semiconductor device comprising carbon and iron

Номер патента: US09728611B2. Автор: Atsushi ERA,Susumu HATAKENAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

GaN SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING CARBON AND IRON

Номер патента: US20170301761A1. Автор: Atsushi ERA,Susumu HATAKENAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: US20030006455A1. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor devices having group III-V compound layers

Номер патента: EP1267417A3. Автор: Markus Weyers,Stefan Moessner. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2005-01-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019129A1. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130221434A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device having a positive temperature coefficient structure

Номер патента: US09660029B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Joachim Mahler,Johannes Georg Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Group iii-v compound semiconductor device

Номер патента: US20190267453A1. Автор: Hyunsu Ju,Jin-Dong Song,Joonyeon Chang,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-08-29.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device having a polycrystalline silicon IGFET

Номер патента: US09917160B2. Автор: Martin Vielemeyer,Oliver Blank,Martin Poelzl,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11876122B2. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220302279A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Over-voltage protection of gallium nitride semiconductor devices

Номер патента: US20150001551A1. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: US20220302292A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: EP4006991A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US09876101B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Buffer layer structure to improve gan semiconductors

Номер патента: US12119382B2. Автор: Chih-Yuan Chuang,Jia-Zhe Liu,Yen Lun Huang,Manhsuan Lin,Wen-Ching Hsu,Che Ming LIU. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Compound semiconductor device having at least one buried semiconductor material region

Номер патента: US09653591B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, power diode, and rectifier

Номер патента: US09685562B2. Автор: Satoshi Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

GaN semiconductor device structure and method of fabrication by substrate replacement

Номер патента: US09818692B2. Автор: John Roberts,Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

A semiconductor device

Номер патента: WO2007133123A1. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski. Владелец: Cree Sweden AB. Дата публикации: 2007-11-22.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having improved heat dissipation

Номер патента: US09640632B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20190140111A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of checking semiconductor storage device

Номер патента: US20030117151A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Kyoji Yamashita,Mutsumi Kobayashi,Hiroyuki Umimoto,Katsuhiro Ohtani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929010B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Insulated gate type semiconductor device having built-in protection circuit

Номер патента: US5719420A. Автор: Yoshitaka Sugawara,Yasuhiko Kohno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

High withstand voltage diode and power conversion device

Номер патента: US20180261700A1. Автор: Koji Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355833A1. Автор: Seiichi Yoneda,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20180013003A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device using filled tetrahedral semiconductor

Номер патента: US20080061369A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Kazushige Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20020050604A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090068811A1. Автор: Masato Kijima,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170229572A1. Автор: Yoshinori Hoshino,Tsuyoshi Kachi,Senichirou NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060197150A1. Автор: Masato Kijima,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7989283B2. Автор: Kenji Kawai,Masaaki Shinohara,Takahiro Maruyama,Ryoichi Yoshifuku,Shinichi Yamanari,Yusaku Hirota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130328104A1. Автор: Akihiro JONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7871867B2. Автор: Masato Kijima,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US11742420B2. Автор: Peter A. Burke,Dean E. Probst,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200395478A1. Автор: Peter A. Burke,Dean E. Probst,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090170301A1. Автор: Kyung-Doo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device with deep trench and manufacturing process thereof

Номер патента: WO2023287601A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device on silicium base with a high blocking voltage edge termination

Номер патента: EP0760528A3. Автор: Heinz Dr. Mitlehner,Dietrich Dr. Stephani. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-04-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7952093B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US3805130A. Автор: S Yamazaki. Владелец: S Yamazaki. Дата публикации: 1974-04-16.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: US20200286837A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having contact plugs

Номер патента: US09859387B2. Автор: Yang Xu,Kang Hun MOON,Bon Young Koo,Chul Sung Kim,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage semiconductor device with data transmission from a high voltage domain to a low voltage domain

Номер патента: EP4429110A1. Автор: Dirk Priefert,Ralf Rudolf,Remigiusz Viktor Boguszewicz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

High voltage semiconductor device with data transmission from a high voltage domain to a low voltage domain

Номер патента: US20240304627A1. Автор: Dirk Priefert,Ralf Rudolf,Remigiusz Viktor Boguszewicz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with electrodes having a columnar portion

Номер патента: US11842971B2. Автор: Kenji Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

MOS device having shalow trench isolations (STI) with different tapered portions

Номер патента: US9117897B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140021489A1. Автор: Kenji Hamada,Tsuyoshi Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180122930A1. Автор: Shinichi Okamoto,Tsutomu Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Mos device having shalow trench isolations (sti) with different tapered portions

Номер патента: US20150061022A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240290791A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Hideki Makiyama,Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050121726A1. Автор: Hiroaki Inoue,Hitoshi Asada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US7986004B2. Автор: Hiroyoshi Ogura,Hisaji Nishimura,Akira Ohdaira. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-26.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711642B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130034953A1. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

BiMOS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220319927A1. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

BiMOS semiconductor device

Номер патента: US11776953B2. Автор: Yasuhiro Maeda,Genki Nakamura,Yuki NEGORO,Yoshinari Tsukada,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

High voltage semiconductor device having a deep trench insulation and manufacturing process

Номер патента: EP4379785A1. Автор: Nunzia Malagnino,Emanuele LAGO,Damiano Riccardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-05.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device having controlled final metal critical dimension

Номер патента: US20140273389A1. Автор: Nam Sung Kim,Baofu ZHU,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and a method for producing the same

Номер патента: US5164218A. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Seiji Fujino,Masami Yamaoka,Mitutaka Katada. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685565B2. Автор: Masao Inoue,Hiroshi Umeda,Masaharu Mizutani,Masaru Kadoshima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373146A1. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210119053A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Power semiconductor device and method therefor

Номер патента: US09972675B1. Автор: Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and radio frequency module formed on high resistivity substrate

Номер патента: US09755068B2. Автор: Yong Soo Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having polysilicon thin-film

Номер патента: CA2090096A1. Автор: Michiya Yamaguchi. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-29.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

High-voltage semiconductor device

Номер патента: US10784369B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: EP3050094A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: WO2015047709A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20030197232A1. Автор: Satoshi Kamiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Low-cost semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09691893B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yu Shin RYU,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Fin field effect transistor (FinFET) device having position-dependent heat generation

Номер патента: US12046638B2. Автор: Sheng-Feng Liu,Jiaw-Ren Shih,Chun-Wei Chang,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

High- voltage semiconductor device

Номер патента: US20190334031A1. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor Device Having a Defined Oxygen Concentration

Номер патента: US20170316929A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Helmut Oefner,Nico Caspary,Reinhard Ploss,Mohammad Momeni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978774B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Satoru Okamoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923001B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing a semiconductor wafer, and semiconductor device having a low concentration of interstitial oxygen

Номер патента: US09728395B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Helmut Oefner,Nico Caspary,Reinhard Ploss,Mohammad Momeni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor devices having silicide and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09704865B2. Автор: Junggun YOU,Wei-Hua Hsu,Hyungjong LEE,Choongho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Process for fabricating an MOS device having highly-localized halo regions

Номер патента: US20020072176A1. Автор: Heemyong Park,Paul Ronsheim,Anda Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device having self-aligned air spacers

Номер патента: US20240363727A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194782A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Yicheng DU. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having a double deep well and method of manufacturing same

Номер патента: US20150162198A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device having a contact

Номер патента: US20190252496A1. Автор: Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Dipoles in semiconductor devices

Номер патента: US20240178319A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Tzer-Min Shen,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Dawei Heh,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20070117325A1. Автор: Yuko Ohgishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20040238898A1. Автор: Yuko Ohgishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220320071A1. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US11715734B2. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395440A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Super junction semiconductor device for RF applications, linear region operation and related manufacturing process

Номер патента: US09899508B1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Maria Ponzio,Alessandro Angelo Alfio Palazzo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070259512A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device having an electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US10418358B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Transistor, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063870B2. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Transistor, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220328756A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Transistor, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013712A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12094979B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Ishikawa,Yasuhiro Jinbo,Sachiaki TEZUKA,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US12094781B2. Автор: Makoto Miura,Satoshi Sakai,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having cell section with gate structures partly covered with protective film

Номер патента: US12100763B2. Автор: Jun Saito,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having a trench with different electrode materials

Номер патента: US09899488B2. Автор: Martin Henning Vielemeyer,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having a field-effect structure and a nitrogen concentration profile

Номер патента: US09748374B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9356143B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180013004A1. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device having a ring-shaped protection spacer above a contact pad and enclosing a source/drain contact plug

Номер патента: US12034060B2. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210367082A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227569A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194795A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180315813A1. Автор: Hideto Tamaso,Hiromu Shiomi,Kenji Fukuda,Hidenori Kitai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Silicon carbide semiconductor device having stacked epitaxial layers

Номер патента: US09997358B2. Автор: Masanobu IWAYA,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09812211B2. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Kazufumi Suzukawa,Shinichi Minami,Mitsuru Hiraki,Nozomu Matsuzaki,Takashi Yamaki,Masamichi Fujito,Hiroyuki Tanikawa,Yukiko Umemoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having a lightly doped semiconductor gate and method for fabricating same

Номер патента: US20110186926A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device having a carrier trapping region including crystal defects

Номер патента: US12027579B2. Автор: Seigo Mori,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices having self-aligned contact pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150311276A1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170154789A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor Device Having a Source Electrode Contact Trench

Номер патента: US20190157447A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290845A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of manufacturing semiconductor devices having self-aligned contact pads

Номер патента: US9184227B1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device having a contact pad

Номер патента: US20080111196A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Method and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130267077A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chun-An Lin,Yu-Hsing Chang,Ming-Hwei Hong,Tsung-Da Lin,Ray-Nien Kwo,Tun-Wen Pi,Pen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090267082A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US6140192A. Автор: Hsiao-Ling Lu,Tri-Rung Yew,Michael W C Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20190088648A1. Автор: Yoichi Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

A Method för producing a pn-junction for a semiconductor device of SIC as well as a semiconductor device of SIC having a pn-junction

Номер патента: SE9802909D0. Автор: Per-Aake Nilsson. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 1998-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20100109118A1. Автор: Masato Sakurai,Akihiro Sawairi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of manufacturing semiconductor device with improved gate insulation step

Номер патента: US12137556B2. Автор: Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100219472A1. Автор: Ayako Inoue,Naoto Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor Device

Номер патента: US20170110585A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09818882B2. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024114A1. Автор: Kazuhisa Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20220052197A1. Автор: Shinichirou WADA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device having buried region and method of fabricating same

Номер патента: US09761656B2. Автор: Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Wiring material and a semiconductor device having a wiring using the material, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20070222075A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09917116B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09659977B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09954113B2. Автор: Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Hiroaki Honda,Takuya Tsurume,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060255354A1. Автор: Hiroshi Shibata,Yoshifumi Tanada,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20080315286A1. Автор: Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device

Номер патента: WO2014077207A1. Автор: Hirokazu Watanabe,Shinji Ohno. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US10553713B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

High-withstand-voltage semiconductor device

Номер патента: US5900651A. Автор: Toshihiro Tabuchi,Tatsuya Kamimura,Satoshi Kitagawa,Toshiyuki Kamei. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor switch devices having a region with three distinct zones and their manufacture

Номер патента: US20010054747A1. Автор: Holger Schligtenhorst,Godefridus A.M. Hurkx,Andrew M. Warwick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20140131701A1. Автор: Hirokazu Watanabe,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US7964931B2. Автор: Hironori Aoki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20160181357A1. Автор: Atsushi Sakai,Tetsuya Nitta,Kosuke Yoshida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180033855A1. Автор: Atsushi Sakai,Tetsuya Nitta,Kosuke Yoshida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Bipolar Semiconductor Device Having a Deep Charge-Balanced Structure

Номер патента: US20160260823A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12120866B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12107137B2. Автор: Yasushi Higuchi,Yuji Kato,Hidetaka Shibata,Mitsuru Okigawa,Atsushi Terai,Fujio Okui,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Bipolar semiconductor device having a deep charge-balanced structure

Номер патента: US09831330B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09806147B2. Автор: Atsushi Sakai,Tetsuya Nitta,Kosuke Yoshida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: EP1745517A2. Автор: Hidefumi; TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA TAKAYA,Yasushi; c/o DENSO CORPORATION OKURA,Akira; c/o DENSO CORPORATION KUROYANAGI,Norihito; c/o DENSO CORPORATION TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060043418A1. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and a method for manufacturing same

Номер патента: US20040147078A1. Автор: Naoto Fujishima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Bipolar semiconductor device having a charge-balanced inter-trench structure

Номер патента: US09768284B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12142679B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor device and automobile

Номер патента: US20150194895A1. Автор: Fumio Wada,Noboru Miyamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180204948A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US9530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

CCD device having a sequence of electrodes for charge multiplication

Номер патента: US7291821B2. Автор: Mark Stanford Robbins. Владелец: e2v Technologies UK Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor Device

Номер патента: US20210143081A1. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Lateral high voltage semiconductor device having a sense terminal and method for sensing a drain voltage of the same

Номер патента: US20030107086A1. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12080792B2. Автор: Youhei Oda,Kouichi Sawada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929276B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and automobile

Номер патента: US09742285B2. Автор: Fumio Wada,Noboru Miyamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices having channel regions with non-uniform edge

Номер патента: US09716144B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having switchable regions with different transconductances

Номер патента: US09679895B2. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: EP1198843A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Power semiconductor devices having an insulating layer formed in a trench

Номер патента: WO2000074146A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Micro-Ohm Corporation. Дата публикации: 2000-12-07.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having high-voltage transistor and PIP capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060145251A1. Автор: Kwang Ko. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20090309146A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

High voltage semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20080135971A1. Автор: Hiroyoshi Ogura,Hisaji Nishimura,Akira Ohdaira. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090078994A1. Автор: Yoshinori Takami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor devices having enhanced key patterns therein and methods of fabricating same

Номер патента: US20240313049A1. Автор: Byounghoon Kim,Myoungki JUNG,Hyunwoong KIM,Sungsik Park,Jonghwa Baek,Hyunju Song,KyungMin SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371855A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device having a bipolar transistor

Номер патента: US5726486A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764272B2. Автор: Cesar Augusto Braz,Alessandro Ferrara,David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321834A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having a planar insulating layer

Номер патента: US09972720B2. Автор: Dong Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming semiconductor device having multi-channel

Номер патента: US09954061B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having control conductors

Номер патента: US09762226B2. Автор: Radu Surdeanu,Anco Heringa,Erwin Hijzen. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Bootstrap circuit and semiconductor device having bootstrap circuit

Номер патента: US09715906B2. Автор: Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Power Semiconductor Device Having a Control Cell for Controlling a Load Current

Номер патента: US20220231125A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120034744A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US7342422B2. Автор: Tomoatsu Makino,Yoshiyuki Hattori,Shoichi Yamauchi,Makoto Kuwahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Power semiconductor device having a control cell for controlling a load current

Номер патента: US12087816B2. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having a channel separation trench

Номер патента: US09893178B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09741866B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masatoshi Yokoyama,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Power semiconductor device having high breakdown voltge and method for fabricating the same

Номер патента: US20010030346A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Young-Suk Choi,Jong-jib Kim,Chang-seong Choi,Min-whan Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of inspecting silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220214392A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20140124778A1. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20170025172A1. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device having a trench gate and method for manufacturing

Номер патента: US20110309423A1. Автор: Frank Pfirsch,Thomas Raker,Christian Foerster,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20030006458A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20050136587A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Insulated gate semiconductor device having shield electrode structure

Номер патента: US20140284710A1. Автор: Zia Hossain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-09-25.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device having asymmetrical source/drain

Номер патента: US20180151671A1. Автор: Jongki Jung,Myungil KANG,Yoonhae Kim,Kwanheum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20070117305A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6140183A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate

Номер патента: US5455430A. Автор: Hiroshi Iwata,Keiichi Sano,Shigeru Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-03.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20130244391A1. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device with substantially equal impurity concentration JTE regions in a vicinity of a junction depth

Номер патента: US09755014B2. Автор: Natsuki Yokoyama,Kazuhiro Mochizuki,Hidekatsu Onose,Norifumi Kameshiro. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Device having a high dielectric constant material and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20030013269A1. Автор: Avinoam Kornblit,Kalman Pelhos,Vincent Donnelly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20020195682A1. Автор: Katsumi Satoh,Youichi Ishimura,Hideki Haruguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20160005810A1. Автор: Natsuki Yokoyama,Kazuhiro Mochizuki,Hidekatsu Onose,Norifumi Kameshiro. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20170018605A1. Автор: Natsuki Yokoyama,Kazuhiro Mochizuki,Hidekatsu Onose,Norifumi Kameshiro. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190214462A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Akio Yamano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Layout of butting contacts of a semiconductor device

Номер патента: US5753944A. Автор: Hisashi Sakaue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing said device

Номер патента: US3676755A. Автор: Rene Glaise. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Packaged semiconductor device having stacked attached chips overhanging the assembly pad

Номер патента: US09768098B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having high dielectric constant gate insulating layer and its manufacture method

Номер патента: US20060172498A1. Автор: Kazuto Ikeda,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata,Tsunehisa Sakoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

High withstand voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003699A1. Автор: Kazuo Matsuzaki,Hitoshi Fujiwara,Yasuharu Mikoshiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A4. Автор: Marius K Orlowski,James D Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: WO2005104225A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171179A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof

Номер патента: EP1728274A2. Автор: Marius K. Orlowski,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-12-06.

Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

Номер патента: US20240339322A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09673040B2. Автор: Yu-Ru Yang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303323A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Kenji Harada,Tetsuo Takahashi,Kazuhiko SAKUTANI,Masao TAKATA,Kouichi IN. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11756888B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor stack and semiconductor device

Номер патента: US20180062019A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Suguru Arikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Substrates of semiconductor devices having varying thicknesses of semiconductor layers

Номер патента: US20240063225A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Shafiullah Syed,Jianwei PENG,Man Gu,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device having principal surface of polar plane and side surface at specific angle to nonpolar plane and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090283760A1. Автор: Tetsuo Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Process for etching an insulating layer and forming a semiconductor device

Номер патента: EP1085563A3. Автор: Ganesh Rajagopalan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US9666789B2. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US20150280108A1. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding

Номер патента: US5260233A. Автор: Rajiv V. Joshi,Joseph F. Shepard,Taqi N. Buti,Louis L-C. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-09.

Semiconductor device with capacitors having shared electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20220190102A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050269670A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for fabricating semiconductor device with capacitors having shared electrode

Номер патента: US11824082B2. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Production line for semiconductor devices

Номер патента: EP1039507A3. Автор: Takeshi Doi. Владелец: Innotech Corp. Дата публикации: 2001-04-11.

Semiconductor device and module

Номер патента: US20230054863A1. Автор: Nobuyoshi ADACHI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11515213B2. Автор: Chih-Chung Chen,Po-Chang Lin,Huang-Ren Wei,Wei-Lun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240105535A1. Автор: Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220208612A1. Автор: Chih-Chung Chen,Po-Chang Lin,Huang-Ren Wei,Wei-Lun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device manufacturing method having a step of applying a copper foil on a substrate as a part of a wiring connecting an electrode pad to a mounting terminal

Номер патента: EP2261970A2. Автор: Yoshitaka Aiba,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor device manufacturing method having a step of applying a copper foil on a substrate as a part of a wiring connecting an electrode pad to a mounting terminal

Номер патента: EP2261970A3. Автор: Yoshitaka Aiba,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: WO2020180910A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device manufacturing method having a step of forming a post terminal on a wiring by electroless plating

Номер патента: TW497161B. Автор: Hirohisa Matsuki,Eiji Watanabe,Yutaka Makino,Tetsuya Fujisawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE SUBSTRATE HAVING A FIDUCIAL MARK

Номер патента: US20170179038A1. Автор: ATHERTON STEVEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: US20200286837A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device package substrate having a fiducial mark

Номер патента: US9627255B1. Автор: Steven A. Atherton. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor diode having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: US20020005558A1. Автор: Wiebe B. De Boer,Godefridus A.M. Hurkx,Adam R. Brown,Michael S. Peter,Hendrik G.A. Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09711536B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09865604B2. Автор: Ken Shibata,Yuta Yanagitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20220278194A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

A high voltage semiconductor

Номер патента: WO2002025736A1. Автор: Peter Isberg,Hans Bernhoff,Jan Isberg,Per Skytt,Mark Irwin,Carina ÖNNEBY,Mats Dahlund,Eva Matemsson. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200052069A1. Автор: Hirokazu Ito,Hideyuki Nakamura,Yoshifumi Matsuzaki. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

High breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: US6133617A. Автор: Fumito Suzuki,Akio Nakagawa,Keizo Hirayama,Hideyuki Funaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

High-Heat-Resistant Semiconductor Device

Номер патента: US20090072356A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US7554114B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-06-30.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20080087898A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20070096081A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Improved control of the forward and reverse characteristics of vertically oriented semiconductor devices

Номер патента: EP4456141A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US20230317804A1. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US12068379B2. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Device having hybrid cell regions and method of manufacturing same

Номер патента: US20240274592A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Kuang-Ching CHANG,Jia-Hong Gao,Han-Chung Chang,Po-Chih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device formed with disposable spacer and liner using high-K material and method of fabrication

Номер патента: US20030071290A1. Автор: Qi Xiang,Bin Yu,HaiHong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Non-volatile memory semiconductor devices and method for making thereof

Номер патента: US20140346582A1. Автор: Jan Van Houdt,Laurent Breuil,Pieter Blomme,Judit (Gloria) Lisoni REYES. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device having reduced noise and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371954A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Two-terminal resistance switching device and semiconductor device

Номер патента: US20100193757A1. Автор: Tetsuo Shimizu,Hiroshi Suga,Masayo Horikawa,Yasuhisa Naitou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-08-05.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20060187977A1. Автор: Yoshihiro Notani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device that can have a defective bit found during or after packaging process repaired

Номер патента: US20030030135A1. Автор: Kazushi Sugiura,Ryuji Ohmura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device and method of producing a high contrast identification mark

Номер патента: US7135356B2. Автор: Michael Seddon,Francis Carney. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2006-11-14.

Power semiconductor device

Номер патента: US20160329286A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US5304844A. Автор: Hiromichi Suzuki,Kanji Otsuka,Hajime Hasebe,Osamu Horiuchi,Takayuki Okinaga,Gen Murakami,Takashi Emata,Yuuji Shirai. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Handler system for semiconductor device electrical test having a versatile function

Номер патента: KR100825792B1. Автор: 이준호,강성구,심현섭,이재일,강기상,강주일,감도영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-29.

Semiconductor device testing contactor having a circuit-side contact piece and test-board-side contact piece

Номер патента: US6939142B2. Автор: Hirohisa Matsuki,Shigeyuki Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device package structure having a back side protective scheme and method of the same

Номер патента: TW200908245A. Автор: Wen-Kun Yang,Hsien-Wen Hsu. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

Semiconductor apparatus including semiconductor devices operated by plural power supplies

Номер патента: US5841174A. Автор: Norihisa Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance

Номер патента: US20040033686A1. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota,Masao Sakuraba,Yosuke Shimamune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Fabrication of a semiconductor device containing deep emitter and another transistor with shallow doped region

Номер патента: US4783423A. Автор: Tunenori Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-11-08.

Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance

Номер патента: US20020027285A1. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota,Masao Sakuraba,Yosuke Shimamune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having channel stop regions

Номер патента: US6124623A. Автор: Yutaka Kamata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-26.

Semiconductor device having a high-dielectric capacitor

Номер патента: US20010024849A1. Автор: Masaaki Nakabayashi,Jun Lin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having a discontinued part between a first insulating film and a second insulating film

Номер патента: US09929042B2. Автор: Takayuki Igarashi,Yoshikazu Tsunemine. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with pure copper wirings and method of manufacturing a semiconductor device with pure copper wirings

Номер патента: US20010035583A1. Автор: Takeshi Kubota,Mitsutoshi Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US20240203839A1. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making the same

Номер патента: US20180166406A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020004275A1. Автор: Masaki Kuramae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor power device having single in-line lead module and method of making the same

Номер патента: US09966328B2. Автор: Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor power device having single in-line lead module and method of making the same

Номер патента: US09754864B1. Автор: Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US6455900B2. Автор: Takayuki Susami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Process for fabricating semiconductor device including antireflective etch stop layer

Номер патента: US6313018B1. Автор: Fei Wang,Subhash Gupta,David K. Foote,Myron R. Cagan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-11-06.

Semiconductor Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140353742A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-04.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Process for fabricating semiconductor device including antireflective etch stop layer

Номер патента: EP1034564A1. Автор: Fei Wang,Subhash Gupta,David K. Foote,Myron R. Cagan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030209742A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Process for forming a semiconductor device having a conductive member that protects field isolation during etching

Номер патента: US5966619A. Автор: David Burnett,Craig Swift,Wei-Hua Liu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device having MISFETs

Номер патента: US20030203605A1. Автор: Seiichi Mori,Masataka Takebuchi,Toshiharu Watanabe,Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having a protective material with a first pH formed around cooper wire bonds and aluminum pads for neutralizes a second pH of an outer encapsulant material

Номер патента: US10037965B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor Device

Номер патента: US20030038330A1. Автор: Ayumi Obara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Semiconductor Device having dual damascene structure

Номер патента: US20110169172A1. Автор: Toshiyuki Takewaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

Номер патента: US20150147891A1. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US09865613B2. Автор: Jong-Min Lee,Ho-Jun SEONG,Jae-ho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20020014668A1. Автор: Takayuki Susami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US20230238423A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050253202A1. Автор: Hiroaki Hazama,Kazuhito Narita,Hirohisa Iizuka,Eiji Kamiya,Norio Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09793267B1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor devices and method of testing same

Номер патента: WO2007032456A1. Автор: Toru Kaga,Kenji Terao,Yoshihiko Naito,Nobuharu Noji,Ryo Tajima,Masatoshi Tsuneoka. Владелец: EBARA CORPORATION. Дата публикации: 2007-03-22.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Three-dimensional semiconductor device having a support pattern in contact with a side surface of a contact plug

Номер патента: US11930640B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Mems device having a getter

Номер патента: EP2973685A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,Bongsang Kim,Andrew Graham,Ashwin Samarao. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100013027A1. Автор: Hiroki Shirai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Method of fabricating semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20100270647A1. Автор: Chang-jin Kang,Sung-il Cho,Ji-Chul Shin,Seung-Young Son,Keong-Koo Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device having a wiring layer of damascene structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US6906419B2. Автор: Hiroyuki Nitta,Yusuke Kohyama,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Semiconductor device having a capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6713798B2. Автор: Yoichi Okita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020177243A1. Автор: Yoshimasa Horii,Brian Eastep,Katsuyoshi Matsuura,Fan Chu,Mari Tani,Glen Fox. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Packaged semiconductor devices having solderable lead surfaces exposed by grooves in package compound

Номер патента: US20150262903A1. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US20230420487A1. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US12096615B2. Автор: Yoosang Hwang,Wooyoung Choi,Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US11791372B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having opening and method of fabricating the same

Номер патента: US20040048489A1. Автор: Takashi Goto,Yoshinari Ichihashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US20040198036A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Wire structure and semiconductor device comprising the wire structure

Номер патента: US7932543B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Wire structure and semiconductor device comprising the the wire structure

Номер патента: US20080169118A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9472495B2. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US20240297196A1. Автор: Yuriko YAMANO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device having doped interlayer insulating layer

Номер патента: US12107049B2. Автор: Jaechul Lee,Byungsun PARK,Youngil Lee,Jiwoon Im,Younseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09716025B2. Автор: Ichiro Koyama,Masafumi Yoshida,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having a die and through-substrate via

Номер патента: US09659900B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Xuejun Ying,Peter Mcnally,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Process for producing semiconductor devices

Номер патента: US4626450A. Автор: Shuji Ikeda,Takashi Aoyagi,Akihiko Tani,Kouichi Nagasawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-02.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US9875910B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090465A1. Автор: Ken Suzuki,Masafumi Tsutsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030089922A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Masato Fujinaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: EP3968386A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device having a multilevel interconnection and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142840A1. Автор: Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140073090A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030062563A1. Автор: Yoichi Okita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor Device Having a Thin Semiconductor Die

Номер патента: US20210143108A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device having a thin semiconductor die

Номер патента: US11605599B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-14.

Process for manufacturing a semiconductor device comprising a metal-compound film

Номер патента: US7943475B2. Автор: Tomoe Yamamoto,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008579A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150318244A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100203700A1. Автор: Eunkee Hong,Deok-Young Jung,Ju-seon Goo,Kyungmun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

High withstanding voltage transistor

Номер патента: US5264720A. Автор: Hiroshi Muto,Masami Yamaoka. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1993-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20030178683A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US7088983B2. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-08-08.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240309127A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor element encapsulation resin composition and semiconductor device having cured product thereof

Номер патента: US20240239988A1. Автор: Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20120086006A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hironobu Takahashi,Hidekazu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device having a high-speed memory with stable operation

Номер патента: US11710511B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010040251A1. Автор: Shinya Watanabe,Shunji Yasumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

High frequency equalizer using a demultiplexing technique and related semiconductor device

Номер патента: US6983010B1. Автор: Soo-In Cho,Jung-Bae Lee,Hong-Joon Park,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: MY164384A. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara. Владелец: Nippon Steel & Sumikin Mat Co. Дата публикации: 2017-12-15.

Semiconductor device having a capacitor and a metal interconnect layer with tungsten as a main constituent material and containing molybdenum

Номер патента: US20030020167A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Takashi Nakajima,Shinji Nishihara,Masashi Sahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and communication terminal using thereof

Номер патента: US20020125555A1. Автор: Yasuyuki Kojima,Kazuyuki Kamegaki,Noboru Akiyama,Minehiro Nemoto,Seigou Yukutake. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20030218238A1. Автор: Takashi Kubo,Hiroshi Kikuchi,Norio Nakazato,Hiroyasu Sasaki,Takashi Suga,Masanori Fukuhara,Satoru Isomura,Hideko Ando,Naotaka Tanaka,Fujiaki Nose. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: GB8429620D0. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-01-03.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7449734B2. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060081852A1. Автор: Kazushige Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor devices with magnetic regions and attracter material and methods of fabrication

Номер патента: US09786841B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device with coils in different wiring layers

Номер патента: US09711451B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Curable silicone composition, and optical semiconductor device

Номер патента: US09688869B2. Автор: Akihiko Kobayashi,Yusuke Miyamoto,Akito Hayashi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor devices having channels with retrograde doping profile

Номер патента: US09837423B2. Автор: Jeonghoon Oh,Ilgweon KIM,Hyon Namkung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device

Номер патента: US09793103B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Hyo Sook Joo,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09673823B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device

Номер патента: US09659763B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Hyo Sook Joo,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Manufacturing method of a semiconductor device having high-voltage isolation capacitor

Номер патента: US20240162282A1. Автор: Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Jeong Ho SHEEN,Sang Geun KOO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Top finger having a groove and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098945A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20030141531A1. Автор: Kazuhiro Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09954024B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09762835B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system

Номер патента: US09634052B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Shunichi Sukegawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device having fuses

Номер патента: US20050098803A1. Автор: Hajime Koyama,Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US20120127684A1. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-24.

Insulation circuit board, and power semiconductor device or inverter module using the same

Номер патента: US8853559B2. Автор: Hironori Matsumoto,Jumpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having a fuse element

Номер патента: US09818691B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Wafer-level chip-scale package device having bump assemblies configured to furnish shock absorber functionality

Номер патента: US09721912B2. Автор: Viren Khandekar,Karthik Thambidurai,Vivek S. Sridharan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Aluminum nitride film, method of manufacturing aluminum nitride film, and high withstand voltage component

Номер патента: US20190002281A1. Автор: Tetsuo Inoue,Mari Shimizu,Shuichi Saito,Takashi Hino,Atsushi Yumoto. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor Devices Having Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switches and Integrated Passive Devices

Номер патента: US20200058851A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US9728487B2. Автор: Yumi Imamura,Takashi Karashima,Yosuke Imazeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having conductive patterns with mesh pattern and differential signal wirings

Номер патента: US20230187330A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device having wires that vary in wiring pitch

Номер патента: US7402904B2. Автор: Toshifumi Minami,Satoshi Oonuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Semiconductor device having enhanced photo sensitivity and method for manufacture thereof

Номер патента: US8124495B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Shou-Gwo Wuu,Jeng-Shyan Lin,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

White heat-curable epoxy resin composition, optical semiconductor element case made of the white heat-curable epoxy resin composition and optical semiconductor device comprised of the optical semiconductor element

Номер патента: US20160244604A1. Автор: Tadashi Tomita,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having repairable penetration electrode

Номер патента: US09941192B2. Автор: SangHyeon Baeg,Sungsoo CHUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having multiple power modules and cooling mechanism for the power modules

Номер патента: US09888617B2. Автор: Yuji Imoto,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

White heat-curable epoxy resin composition, optical semiconductor element case made of the white heat-curable epoxy resin composition and optical semiconductor device comprised of the case

Номер патента: US09884960B2. Автор: Tadashi Tomita,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same

Номер патента: US09881582B2. Автор: Hajime Kimura,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Color sensor and electronic device having the same

Номер патента: US09804080B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device having a stacked structure

Номер патента: US12021022B2. Автор: Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device having connection wiring to which wire is connected

Номер патента: US20240222311A1. Автор: Ryoichi Kato,Yuichiro HINATA,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Organic compound having excellent thermal resistance property and luminescent property, organic light emitting diode and organic light emitting device having the compound

Номер патента: US20200194685A1. Автор: Joong-Hwan YANG,Jun-Yun Kim,Hong-Sik Yoon,Wan-Pyo Hong,Tae-Ryang Hong,Jin-Joo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device having switching elements to prevent overcurrent damage

Номер патента: US10366964B2. Автор: Masayuki Ando,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device having resin anti-bleed feature

Номер патента: US20060060985A1. Автор: John Henry Abbott,Robert Furtaw,Emily Ellen Hoffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09691737B2. Автор: Kil-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20090212437A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Yukihiro Kumagai,Masahiko Fujisawa,Naotaka Tanaka,Akihiko Ohsaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor integrated device having an electrostatic breakdown protection circuit

Номер патента: US20020179971A1. Автор: Kenji Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254174A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having line-and-space pattern group

Номер патента: US6670684B2. Автор: Osamu Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-30.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device having fuse element

Номер патента: US09917055B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Light-emitting device having plurality of spacers connected to each other through an elastic body

Номер патента: US09818961B2. Автор: Masaaki Hiroki,Akio Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having a resistance element with a reduced area

Номер патента: US6166425A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Semiconductor device and inverter

Номер патента: US20210057555A1. Автор: Katsumi Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and inverter

Номер патента: US11183588B2. Автор: Katsumi Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-11-23.

Semiconductor device having fuse and method for checking whether the fuse is fused

Номер патента: US6121820A. Автор: Nobuo Shishikura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor device having a diode type electrical fuse (e-fuse) cell array

Номер патента: US20210125677A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park,Jong Min CHO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Encapsulated power semiconductor device having a metal moulded body as a first connecting conductor

Номер патента: US20170263530A1. Автор: Michael Schleicher. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device having reinforcement member and method of manufacturing the same

Номер патента: US7692312B2. Автор: Kazumi Tanaka,Masato Sumikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20090230559A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US20070087477A1. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device having function circuits selectively connected to bonding wire

Номер патента: US20090302451A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Packaged semiconductor devices having spacer chips with protective groove patterns therein

Номер патента: US11705405B2. Автор: Jiwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor devices having a double-layer interconnection structure

Номер патента: US5198884A. Автор: Tetsuya Ueda,Hiroshi Nishimura,Teruhito Ohnishi,Kohsaku Yano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: US20030214033A1. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Tetsu Toda,Shigeki Tsubaki. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device having electric component built in circuit board

Номер патента: US12074113B2. Автор: Shohei Nagai. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having non-circular connectors

Номер патента: US20150371963A1. Автор: Mark A. Gerber,Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor devices having gate structures

Номер патента: US20240284657A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Chulkwon Park,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having wiring layer

Номер патента: US20040188835A1. Автор: Masahiro Owada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device having MOS source follower circuit

Номер патента: US5382819A. Автор: Atsushi Honjo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device having three-dimensional structure

Номер патента: US11637075B2. Автор: Sang Woo Park,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor device having three-dimensional structure

Номер патента: US20220068844A1. Автор: Sang Woo Park,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20130257441A1. Автор: Masaru Sekiguchi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Polarizable Electrode Material For Electric Double Layer Capacitor Having Improved Withstand Voltage and Electric Double Layer Capacitor Using The Same

Номер патента: US20130100583A1. Автор: Kotaro Kobayashi,Eiki Ito,Hiroyuki Norieda. Владелец: WL Gore and Associates GK. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device for emitting highly spin-polarized electron beam

Номер патента: CA2067843A1. Автор: Toshihiro Kato,Tsutomu Nakanishi,Takashi Saka,Hiromichi Horinaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-03.

Optoelectronic device having a highly conductive carrier tunneling current aperture

Номер патента: WO2002037631A3. Автор: Karl Joachim Ebeling. Владелец: U L M Photonics Gmbh. Дата публикации: 2002-11-07.

Optoelectronic device having a highly conductive carrier tunneling current aperture

Номер патента: EP1348246A2. Автор: Karl Joachim Ebeling. Владелец: ULM-photonics GmbH. Дата публикации: 2003-10-01.

Optoelectronic device having a highly conductive carrier tunneling current aperture

Номер патента: WO2002037631A2. Автор: Karl Joachim Ebeling. Владелец: U-L-M PHOTONICS GmbH. Дата публикации: 2002-05-10.

Connector for a high voltage connection inside an electrical device

Номер патента: US20240195092A1. Автор: Stein Liu,Jackey Hu,Charlie Yuan. Владелец: BorgWarner Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Implantable medical devices having multi-cell power sources

Номер патента: US09861827B2. Автор: Craig L Schmidt,John D Norton,Randolph E Crutchfield,Mark R Boone,Lonny V Cabelka,Kevin P Kuehn,John T Meador. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

X-ray apparatus and a CT device having the same

Номер патента: US09734979B2. Автор: Chuanxiang Tang,Huaibi Chen,Yaohong Liu,Huaping Tang,Huayi Zhang,Wenhui HUANG,Shuxin Zheng. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Rechargeable jump starting device having a highly electrically conductive cable connecting device

Номер патента: US12051927B2. Автор: Jonathan Lewis Nook,James Richard Stanfield,Derek Michael Underhill,William Knight Nook, Sr.. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetoresistive element and magnetic sensor device having a high sensitivity and low zero-field offset-shift

Номер патента: US20240168108A1. Автор: Jeffrey Childress,Andrey Timopheev. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Magnetoresistive element and magnetic sensor device having a high sensitivity and low zero-field offset-shift

Номер патента: WO2022195470A1. Автор: Jeffrey Childress,Andrey Timopheev. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US20050093026A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Dielectric material for a high voltage capacitor

Номер патента: WO2022072130A1. Автор: Dipankar Ghosh,Gunther A. J. STOLLWERCK,Ahmad Shaaban. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2022-04-07.

Dielectric material for a high voltage capacitor

Номер патента: US20230368975A1. Автор: Ahmad Shaaban,Gunther A.J. STOLLWERCK,Dipanker GHOSH. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2023-11-16.

Optical semiconductor device having diffraction grating disposed on both sides of waveguide and its manufacture method

Номер патента: US20110027926A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2011-02-03.

Power supply unit arrangement for an electronic device, power supply for an electronic device having at least a high-load state and a low-load state and computer system having a normal operating state and at least one energy saving state

Номер патента: US9935545B2. Автор: Peter Busch,Willi Sterzik. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and module having a transceiver with a built-in regulator

Номер патента: US20060084399A1. Автор: Taizo Yamawaki,Yoshiaki Harasawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device and module having a transceiver with a built-in regulator

Номер патента: US7725124B2. Автор: Taizo Yamawaki,Yoshiaki Harasawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240272662A1. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240237376A9. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12069876B2. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240365572A1. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Solid-state image pickup device and electronic apparatus including a solid-state image pickup device having high and low sensitivity pixels

Номер патента: US09871985B2. Автор: Ikuo Yoshihara,Takashi Machida,Ryoji Suzuki,Shinichiro Izawa,Kyohei YOSHIMURA,Atsushi Masagaki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09948283B2. Автор: Koji Takayanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Electrochromic device having various uses

Номер патента: US12066734B1. Автор: Hulya Demiryont. Владелец: Eclipse Energy Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

System for tuning a device having security software for security and performance

Номер патента: EP4158514A1. Автор: Siddaraya B. Revashetti,Shuborno Biswas,Junmin Qiu. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2023-04-05.

Electrical circuit for switching bias voltage of bonding pad and electronic device having the electrical circuit

Номер патента: US20240333283A1. Автор: John H. Bui. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrical circuit for switching bias voltage of bonding pad and electronic device having the electrical circuit

Номер патента: US12126333B1. Автор: John H. Bui. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09835499B2. Автор: Masataka Minami,Takahiro Miki,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240292605A1. Автор: Seung Bum Kim,Il Do KIM,Seung Mi Yeo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Device having a voltage-controlled oscillator and a switching arrangement for self-calibration

Номер патента: US09835713B2. Автор: Andreas von Rhein. Владелец: Hella KGaA Huek and Co. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device including a test circuit of a multivalued logic circuit having an impedance control

Номер патента: US20120086478A1. Автор: Munehisa Okita,Yoshitomo Numaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device

Номер патента: US12088265B2. Автор: Yohei YASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having first signal generation units that output a first digital signal in response to an output of a corresponding pixel and second signal generation units that output a second digital signal having a predetermined digital value

Номер патента: US12114085B2. Автор: Yukihiro Kuroda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Neuromorphic semiconductor devices and operating methods

Номер патента: US20230195363A1. Автор: Seyoung Kim,Chaeun LEE,Kyungmi NOH,Wonjae JI. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251549A1. Автор: Suhyun KIM,Chul Lee,Sang-Il Han,Sanggyu KO,Jungjin PARK,Sungho Jang,Hyuckchai Jung,Hyeongwon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and communication method

Номер патента: US20110089981A1. Автор: Atsufumi Shibayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Power supply device having thermal insulation function

Номер патента: US20240237186A9. Автор: Ethan Lee,Kuo-Sung Huang,Jerryson Lee,Yu-Jia Huang. Владелец: Elements Performance Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, switching power supply device, dc/dc converter, vehicle, and motor drive device

Номер патента: US20240291481A1. Автор: Isao Takobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Layered semiconductor device having common conductive coating across longitudinal discontinuities

Номер патента: WO2023156923A1. Автор: Qi Wang,Zhibin Wang,Yi-Lu Chang. Владелец: OTI LUMIONICS INC.. Дата публикации: 2023-08-24.

A semiconductor device packaging medium having a vacuum seal indicator card

Номер патента: HK1004330A1. Автор: Victor K Nomi,John R Pastore. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-20.

Semiconductor device production method employing silicon-containing resist underlayer film-forming composition including organic group having ammonium group

Номер патента: US11966164B2. Автор: Makoto Nakajima,Wataru Shibayama,Hayato Hattori,Ken ISHIBASHI. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Techniques for testing semiconductor devices

Номер патента: US12079097B2. Автор: Ashish Kumar,Rahul Garg,Shantanu SARANGI,Animesh Khare. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having a write prohibited region

Номер патента: US09728257B2. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Optical security device having a high refractive index layer between adjacent diffraction elements which have upper portions uncovered by the high refractive index layer

Номер патента: US09904249B2. Автор: Benjamin Stevens,Gary Fairless Power,Phei Lok. Владелец: CCL Security Pty Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

System including a hand-held communication device having low and high power settings for remotely controlling the position of a door of a land vehicle and key fob for use in the system

Номер патента: US20170236344A1. Автор: Jason T. Murar,Darius J. Preisler,David R. Syrowik. Владелец: JVIS USA LLC. Дата публикации: 2017-08-17.

Gasifier device having the shape of flattened spheroid

Номер патента: RU2178540C2. Автор: Уисли П. Хиллиард. Владелец: Емери Ресайклинг Корпорейшн. Дата публикации: 2002-01-20.

Power distribution device having projected portion

Номер патента: US09676352B2. Автор: Koji Katano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Dc superimposed impulse withstand voltage test loop and test method thereof

Номер патента: ZA202307674B. Автор: JIANG LI,QIANG LI,CHEN Liu,HAO SUN,LEI Liu,Meng Shen,Chunmin ZHANG,Xingping Gou. Владелец: Xian High Voltage Apparatus Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Multi-material abrading head for atherectomy devices having laterally displaced center of mass

Номер патента: WO2010087910A1. Автор: Jeffrey A. McBroom,Larry A. Walter. Владелец: CARDIOVASCULAR SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device chip selection

Номер патента: US09911480B2. Автор: Hideyuki Yoko. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Audio playback device having function for adjusting playback speed and a method thereof

Номер патента: US7838756B2. Автор: VADIM Kudryavtsev,Chul-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-23.

Recording and/or reproducing device having a chassis with a high torsional resistance

Номер патента: EP1153391A1. Автор: Henricus Ruyten,Harald Burbaumer,Herbert Peller. Владелец: Jabil Circuit Cayman LP. Дата публикации: 2001-11-14.

Recording and/or reproducing device having a chassis with a high torsional resistance

Номер патента: WO2001031653A1. Автор: Henricus Ruyten,Harald Burbaumer,Herbert Peller. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-05-03.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Display device having diffraction gratings with reduced polarization sensitivity

Номер патента: US12055725B2. Автор: Frank Y. Xu,Vikramjit Singh,Shuqiang Yang,Kang LUO,Nai-Wen Pi. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Acousto-optic devices having highly apodized acoustic fields and methods of forming the same

Номер патента: WO2007115074A2. Автор: Christopher N. Pannell,Elliot S. Wachman. Владелец: GOOCH AND HOUSEGO PLC. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Liquid crystal aligning agent, film, device having the same, and method for producing the same

Номер патента: US10676672B2. Автор: Jieliang LI,Chikaaki MIZIKUCHI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Liquid crystal aligning agent, film, device having the same, and method for producing the same

Номер патента: US20170327745A1. Автор: Jieliang LI,Chikaaki MIZIKUCHI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Display device having diffraction gratings with reduced polarization sensitivity

Номер патента: US20240361602A1. Автор: Frank Y. Xu,Vikramjit Singh,Shuqiang Yang,Kang LUO,Nai-Wen Pi. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for writing in a magnetic device having a plurality of magnetic logical unit cells using a single programming current

Номер патента: US09978434B2. Автор: Yann Conraux. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Multi channel semiconductor device having multi dies and operation method thereof

Номер патента: US09899075B2. Автор: Won Young Lee,Joon-Young Park,Junghwan Choi,Yongcheol Bae,Yoon-Joo EOM,Seongjin Jang,Joosun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09852787B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Exposing method and semiconductor device fabricated by the exposing method

Номер патента: US6760400B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Toyoki Kitayama,Kouji Kise. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-07-06.

Optical disk drive unit having a cooling device

Номер патента: EP1853986A2. Автор: Joo P. Toh,Chin B. Goh,Boon H. Guah. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Optical disk drive unit having a cooling device

Номер патента: WO2006087647A2. Автор: Joo P. Toh,Chin B. Goh,Boon H. Guah. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-08-24.

Specimen Holder For Specimens For High-Pressure Freezing And High-Pressure Freezing Device Having A Specimen Holder

Номер патента: US20060255520A1. Автор: Fritz Bierleutgeb. Владелец: LEICA MIKROSYSTEME GMBH. Дата публикации: 2006-11-16.

High resolution pressure-sensing device having an insulating flexible matrix loaded with filler particles

Номер патента: US20010052267A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhigiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-20.

High resolution pressure-sensing device having an insulating flexible matrix loaded with filler particles

Номер патента: US20030115970A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiqiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device having a light spread region between a high and low gray region and a method of driving thereof

Номер патента: US12125452B2. Автор: Dae-Gwang Jang,Byung Ki Chun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Light-diffusing element, polarizer having light-diffusing element, and liquid crystal display device having same

Номер патента: US09804304B2. Автор: Akinori Nishimura,Kozo Nakamura,Hiroyuki Takemoto,Takehito Fuchida. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024881A1. Автор: Naohisa Nishioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Electrochromic device having a self-cleaning hydrophilic coating with a controlled surface morphology

Номер патента: EP1880237A1. Автор: William L. Tonar,George A. Neuman,John S. Anderson,Jeffrey A. Forgette,Kevin B. Kar,Gary J. Dozenman,Brett R. Frostenson. Владелец: Gentex Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Substrate with multilayer reflective film reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240377719A1. Автор: Teiichiro Umezawa,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Microfluid ejection device having efficient logic and driver circuitry

Номер патента: EP1694508A2. Автор: George Keith Parish,John Glenn Edelen,Kristi Maggard Rowe. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2006-08-30.

Microfluid ejection device having efficient logic and driver circuitry

Номер патента: WO2005050704A3. Автор: George Keith Parish,John Glenn Edelen,Kristi Maggard Rowe. Владелец: Lexmark Int Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Microfluid ejection device having efficient logic and driver circuitry

Номер патента: EP1694508A4. Автор: George Keith Parish,John Glenn Edelen,Kristi Maggard Rowe. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20230282277A1. Автор: Haruhiko Terada,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US20160358667A1. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of operating semiconductor device including variable resistance device

Номер патента: US20130051125A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Seong-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device having capability of generating chip identification information

Номер патента: US09984767B2. Автор: Yoshikazu Saito,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of fabricating a part by selective melting or selective sintering of powder beds by means of a high energy beam

Номер патента: US09707718B2. Автор: Thomas Vilaro,Olivier Chantoiseau,Sebastien Rix. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2017-07-18.

A hydraulic braking device having security provisions, for a farm tractor or a similar vehicle

Номер патента: WO2009090078A2. Автор: Leonardo Cadeddu. Владелец: Vhit S.P.A. Unipersonale. Дата публикации: 2009-07-23.

Medical device having wet lubricity and method for its production

Номер патента: EP1103278B1. Автор: Naoki C/O Terumo Kabushiki Kaisha Ishii. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2005-03-09.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: MY118977A. Автор: Yoshitada Morikawa,Mitsuyoshi Shirai,Yoshiaki Mitsuoka,Miho Yamaguchi,Michio Koumoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-02-28.

HIGH VOLTAGE RESISTANCE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A HIGH VOLTAGE RESISTANCE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120292740A1. Автор: Lin Cheng-Chi,Lien Shih-Chin,Yeh Chin-Pen,Lin Chen-Yuan. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: SG181188A1. Автор: Chih-Hung Lin,Tzu-Yun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device manufacturing apparatus having a heating device installed in the movement path of the wafer

Номер патента: KR19990074935A. Автор: 김무현,원종성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Grading Devices For A High Voltage Apparatus

Номер патента: US20120002339A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Fluid-Permeable Body Having a Superhydrophobic Surface

Номер патента: US20120000848A1. Автор: MULLINS John,Lyons Alan M.,Schabel Michael J.. Владелец: LUCENT TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP COOLING DEVICE HAVING WEDGE ELEMENT

Номер патента: US20120000636A1. Автор: Weinmann Klaus,Hortmann Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL DRIVER CIRCUIT HAVING ADJUSTABLE OUTPUT VOLTAGE FOR A HIGH LOGIC LEVEL OUTPUT SIGNAL

Номер патента: US20120002489A1. Автор: Lee Seong-Hoon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR OXYGEN TRANSPORT COMPRISING A HIGH OXYGEN AFFINITY MODIFIED HEMOGLOBIN

Номер патента: US20120004396A1. Автор: Vandegriff Kim D.,WINSLOW Robert M.. Владелец: SANGART, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GaN semiconductor device having a high withstand voltage

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты