Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Integrated circuits formed in radiation sensitive material and method of forming same

Integrated circuits formed in radiation sensitive material and method of forming same

Номер патента: US5691089A
Опубликовано: 25-11-1997
Автор(ы): Michael C. Smayling
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuits formed in radiation sensitive material and method of forming same

Номер патента: US5677041A. Автор: Michael C. Smayling. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-10-14.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230367210A1. Автор: Tsutomu Yoshimura,Akiyoshi Goto,Masafumi KOJIMA,Yuma Kurumisawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20240004293A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Hideyuki Ishihara,Akiyoshi Goto,Naoya HATAKEYAMA,Yosuke BEKKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Employing scribbles the structure of ultraviolet radiation responsive material and carries out method of printing

Номер патента: CN101598896A. Автор: 杨诚,袁铭辉,陈景朗. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2009-12-09.

Materials having predefined morphologies and methods of formation thereof

Номер патента: US20060205875A1. Автор: Robert Miller,Willi Volksen,Ho-cheol Kim,James Hedrick,Jennifer Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, purification method of actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive composition, pattern formation method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: KR102212733B1. Автор: 히데아키 츠바키,와타루 니하시. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-02-05.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, method for purifying actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US11156915B2. Автор: Hideaki Tsubaki,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20240241444A1. Автор: Shuhei Yamaguchi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Infrared radiation sensitive positive-working imageable element and method for forming image using same

Номер патента: US20220121119A1. Автор: Ting Tao,Zuoting Ying,Miao GAO,Nengping Xu,Yinqiao WENG,Xianyao MA,Leze JIAO. Владелец: ZHEJIANG KONITA NEW MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Electronic device display with a backlight having light-emitting diodes and driver integrated circuits in an active area

Номер патента: EP4136501A1. Автор: Jun Qi,Mingxia Gu,Yanming Li,Kyung Wook KIM,David W. Lum,Kwang Soon Park,Jingdong Chen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Electronic device display with a backlight having light-emitting diodes and driver integrated circuits in an active area

Номер патента: US11982905B2. Автор: Jun Qi,Mingxia Gu,Kyung Wook KIM,David W. Lum,Kwang Soon Park. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Radiation-sensitive resin composition, polymer, monomer and method for producing radiation-sensitive resin composition

Номер патента: KR101761434B1. Автор: 겐 마루야마. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2017-07-25.

Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same

Номер патента: KR20110115528A. Автор: 다이고 이치노헤. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-10-21.

Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same

Номер патента: JP5397152B2. Автор: 政暁 花村,大吾 一戸. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-01-22.

Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same

Номер патента: KR101854683B1. Автор: 다이고 이치노헤. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-05-04.

Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulation film, and method for producing the same

Номер патента: TW201129863A. Автор: Masaaki Hanamura,Daigo Ichinohe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20240272553A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Hideyuki Ishihara,Yuma Kurumisawa,Ahiyoshi Goto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240053679A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Hideaki Tsubaki,Sou Kamimura,Yoichi Nishida. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240241443A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Tomoaki Yoshioka,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240329531A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Hideaki Tsubaki,Asahi Takaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: US20240353753A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Hideaki Tsubaki,Asahi Takaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230120139A1. Автор: Shuhei Yamaguchi,Eiji Fukuzaki,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20230400769A1. Автор: Michihiro Shirakawa,Hideyuki Ishihara,Akiyoshi Goto,Naoya HATAKEYAMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190137875A1. Автор: YOSHINO Fumihiro,FUKUHARA Toshiaki,Yonekuta Yasunori,Hatakeyama Naoya,TOMIGA Takamitsu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2019-05-09.

Radiation-sensitive resin composition for forming cured film, method of manufacturing the radiation-sensitive resin composition for forming cured film, cured film, method for forming the cured film and liquid crystal display device

Номер патента: KR101813138B1. Автор: 에이지 요네다,노부히로 니시,세이이치로우 고다마,카츠미 이노마타. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2017-12-28.

Radiation-sensitive resin composition, polymer, compound, and method for producing compound

Номер патента: US09465291B2. Автор: Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20240201589A1. Автор: Tomotaka Tsuchimura,Takeshi Kawabata,Minoru Uemura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor resist composition, and method and system of forming patterns using the composition

Номер патента: TW202007691A. Автор: 田桓承,文京守,金宰賢,南宮爛,蔡承龍,羅隆熙. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Method for manufacturing tag integrated circuit flexible board and structure of the same

Номер патента: US20080299360A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

A radiation sensitive recording plate with orientation identifying marker, method of making, and of using same

Номер патента: EP1495364A1. Автор: George W. Kay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-12.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021173817A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: US20210271275A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Voltage regulation integrated circuit (ic) with circuit components in an integrated three-dimensional (3d) inductor core and related methods of fabrication

Номер патента: EP4111497A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Jonghae Kim,Evgeni Gousev,Milind Shah,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

A semiconductor integrated circuit device including a revision number indicating the design version of said device and a method of prototyping a semiconductor

Номер патента: GB2467873A. Автор: David Lynch. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2010-08-18.

Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, active light sensitive or radiation sensitive film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: EP4039669A1. Автор: Toshiya Takahashi,Eiji Fukuzaki,Yasunori Yonekuta,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

A radiation sensitive recording plate with orientation identifying marker, method of making, and of using same

Номер патента: AU2003223578A1. Автор: George W. Kay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-27.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20210373438A1. Автор: Yasunori Yonekuta,Kotaro Takahashi,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Silver halide color photographic material and development processing method of the same

Номер патента: US20020009679A1. Автор: Hiroyuki Yoneyama,Kazuaki Yoshida,Yasuaki Deguchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: IL290560A. Автор: . Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-04-01.

Actinic light sensitive or radiation sensitive resin composition, active light sensitive or radiation sensitive film, pattern forming method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: JPWO2018042892A1. Автор: 敬充 冨賀,敏明 福原,直也 畠山,文博 吉野,康智 米久田. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-06-24.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR PURIFYING ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20180364568A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,NIHASHI Wataru. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-12-20.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20220146937A1. Автор: Takamitsu Tomiga,Yasunori Yonekuta,Kohei Higashi,Fumihiro Yoshino,Naoya HATAKEYAMA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and method for manufacturing an electronic device

Номер патента: KR102259626B1. Автор: 타카미츠 토미가,나오야 하타케야마,야스노리 요네쿠타,후미히로 요시노,토시아키 후쿠하라. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-06-02.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20220293420A1. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US11728167B2. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of forming fine pattern and method of manufacturing integrated circuit device using the method

Номер патента: US09704722B2. Автор: Jae-woo Nam,Hyun-Woo Kim,Eun-Sung Kim,Shi-Yong Yi,Seung-chul Kwon,Jeong-Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Composite article with lightning strike protection and method and release film for forming same

Номер патента: US11820916B2. Автор: Clay Parten. Владелец: Wichita State University. Дата публикации: 2023-11-21.

Production of lactic acid by continuous fermentation using an inexpensive raw material and a simplified method of lactic acid purification

Номер патента: US4771001A. Автор: Richard B. Bailey,Dilip K. Joshi,Stephen L. Michaels,Richard A. Wisdom. Владелец: Neurex Corp. Дата публикации: 1988-09-13.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, production method of resin for actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: KR102361263B1. Автор: 야스노리 요네쿠타,타로 미요시,코타로 타카하시. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-14.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR PURIFYING ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190018317A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,NIHASHI Wataru. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2019-01-17.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: KR102147743B1. Автор: 나오야 하타케야마,아키요시 고토,야스노리 요네쿠타,미치히로 시라카와,케이유 오우,다이스케 아사카와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-08-25.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20180364569A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,NIHASHI Wataru. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-12-20.

Actinic ray sensitive or radiation sensitive composition, method for producing actinic ray sensitive or radiation sensitive composition, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: JPWO2017163816A1. Автор: 英明 椿,亘 二橋. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Active ray-sensitive or radiation-sensitive composition and purify method, method for producing active ray-sensitive or radiation-sensitive composition, pattern-forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: TW201734640A. Автор: Hideaki Tsubaki,Wataru Nihashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-01.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, mask blank including actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US10545405B2. Автор: Shuji Hirano,Toshiaki Fukuhara,Shuhei Yamaguchi,Koutarou Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20220137512A1. Автор: YOSHINO Fumihiro,Yonekuta Yasunori,HIGASHI Kohei,Hatakeyama Naoya,TOMIGA Takamitsu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

ACTIVE-LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE-LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170242338A1. Автор: HIRANO Shuji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2017-08-24.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20180292751A1. Автор: Yasunori Yonekuta,Michihiro Shirakawa,Akiyoshi Goto,Daisuke Asakawa,Naoya HATAKEYAMA,Keiyu OU. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190294042A1. Автор: Kato Keita,GOTO Akiyoshi,KOJIMA Masafumi,SAKITA Kyohei,ASAKAWA Daisuke. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2019-09-26.

Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, active light sensitive or radiation sensitive film, pattern forming method and method for manufacturing electronic device

Номер патента: KR101943347B1. Автор: 슈지 히라노. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-01-29.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and method for manufacturing an electronic device

Номер патента: KR20220104753A. Автор: 쿄헤이 사키타,마사후미 코지마,츠토무 요시무라,아키요시 코토. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-26.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and method for manufacturing an electronic device

Номер патента: KR20220034157A. Автор: 타카미츠 토미가,나오야 하타케야마,야스노리 요네쿠타,후미히로 요시노,코헤이 히가시. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-17.

Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, active light sensitive or radiation sensitive film, pattern forming method and method for manufacturing electronic device

Номер патента: WO2016035560A1. Автор: 修史 平野. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2016-03-10.

Active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active light-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for producing electronic device

Номер патента: WO2023047992A1. Автор: 三千紘 白川,研由 後藤,佑真 楜澤,英幸 石原. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2023-03-30.

Negative-acting active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, negative-acting active ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: KR20170125358A. Автор: 슈헤이 야마구치,아키히로 카네코. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-11-14.

Photosensitive radiation-sensitive or radiation-sensitive resin composition, photosensitive radiation-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and manufacturing method of electronic component

Номер патента: TWI779159B. Автор: 山口修平,丸茂和. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2022-10-01.

Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same

Номер патента: KR101757716B1. Автор: 다이고 이치노헤. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2017-07-14.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Photosensitive composition, photosensitive planographic printing plate material, and image forming method of the same

Номер патента: US20070003866A1. Автор: Yasuhiko Takamuki. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Photosensitive composition, photosensitive lithographic printing plate material, and image forming method of lithographic printing plate material

Номер патента: JPWO2006137261A1. Автор: ▲高▼向　保彦,保彦 ▲高▼向. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Assemblies and methods for directly connecting integrated circuits to electrically conductive sheets

Номер патента: US09706638B2. Автор: Kwong Kei Chin,Daryl Weispfennig,Bradley Schumacher. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Site coating material and the production method of the same

Номер патента: US20070196628A1. Автор: Chung-Ching Feng,Pei-Huo Huang,Yong-Song Lin,I-Peng Yao,Ko-Feng Wang,Kai-Feng Kang. Владелец: San Fang Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.

Composite coating material and the production method of the same

Номер патента: US20120234479A1. Автор: Chung-Ching Feng,Pei-Huo Huang,Yong-Song Lin,I-Peng Yao,Ko-Feng Wang,Kai-Feng Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Films doped with carbon for use in integrated circuit technology

Номер патента: US20040164336A1. Автор: John Moore,Ronald Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, MASK BLANK INCLUDING ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20180120701A1. Автор: HIRANO Shuji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, MASK BLANK INCLUDING ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170351176A1. Автор: Yamaguchi Shuhei,HIRANO Shuji,FUKUHARA Toshiaki,Takahashi Koutarou. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2017-12-07.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20180299777A1. Автор: YOSHINO Fumihiro,HIRANO Shuji,Harada Kenichi,SUGIYAMA Shinichi,TOMIGA Takamitsu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-10-18.

PATTERN FORMING METHOD, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION USED THEREIN, RESIST FILM, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150010858A1. Автор: TAKAHASHI Hidenori. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2015-01-08.

Photosensitive composition, photosensitive planographic printing plate material, and image forming method of photosensitive planographic printing plate material

Номер патента: US20070015086A1. Автор: Toshiyuki Matsumura. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Bioinformatics systems, apparatuses, and methods executed on an integrated circuit processing platform

Номер патента: US09858384B2. Автор: Pieter Van Rooyen,Robert J. Mcmillen,Michael Ruehle. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Bioinformatics systems, apparatuses, and methods executed on an integrated circuit processing platform

Номер патента: US09519752B2. Автор: Pieter Van Rooyen,Robert J. Mcmillen,Michael Ruehle. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Lithographic template and method of formation

Номер патента: WO2004017388A2. Автор: Andy Hooper,Douglas J. Resnick,Jeffrey H. Baker,William J. Dauksher,Albert Alec Talin. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods of routing clock trees, integrated circuits and methods of designing integrated circuits

Номер патента: US12056430B2. Автор: Bonghyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of forming microelectronic smart tags

Номер патента: US09953501B2. Автор: John U. Knickerbocker,Monty Montague Denneau,Paul S. Andry,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Releasable photopolymer printing plate and method of forming same

Номер патента: EP1005668A1. Автор: Ravi Venkataraman. Владелец: Identity Group Inc. Дата публикации: 2000-06-07.

Sensitive light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, sensitive light-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing an electronic device.

Номер патента: JP6796650B2. Автор: 直紘 丹呉,三千紘 白川,研由 後藤,西尾　亮,亮 西尾,享平 崎田,暁 ▲高▼田,和博 丸茂. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-12-09.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and method for manufacturing an electronic device

Номер патента: KR20220114583A. Автор: 나오야 하타케야마,후미히로 요시노,에이지 후쿠자키. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-08-17.

Positive-type radiation-sensitive composition, cured film, interlayer insulating film, method of forming interlayer insulating film, display device, and siloxane polymer for forming interlayer insulating film

Номер патента: US8486604B2. Автор: Masaaki Hanamura,Hideaki Takase,Daigo Ichinohe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Radiation-sensitive resin composition, polymer, compound, and method for producing compound

Номер патента: US20140186771A1. Автор: Hayato Namai. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Radiation-sensitive resin composition, polymer, compound, and method for producing compound

Номер патента: WO2013099998A1. Автор: 準人 生井. Владелец: Jsr株式会社. Дата публикации: 2013-07-04.

Radiation-sensitive resin composition, polymer, compound, and method for producing compound

Номер патента: KR102047863B1. Автор: 하야토 나마이. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2019-11-22.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit which generates different voltages based on an external power supply voltage and a generating method of the different voltages

Номер патента: US20060087366A1. Автор: Masakuni Kawagoe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Biomarker sensor array and circuit and methods of using and forming same

Номер патента: EP2973456A2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of making euv mask with an absorber layer

Номер патента: US20230280644A1. Автор: Martin Burkhardt,Dario Goldfarb,Luciana Meli,Romain LALLEMENT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Cylindrical master mold and method of fabrication

Номер патента: US09782917B2. Автор: Boris Kobrin,Ian McMackin. Владелец: Metamaterial Technologies USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: US20240154037A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Material for cementation and method of molding

Номер патента: RU2133235C1. Автор: Дэвид Джон Браун,Стивен Джефри Хигсон. Владелец: Бритиш Нуклеа Фюэлс Плс. Дата публикации: 1999-07-20.

Integrated circuit packaging system with dual row lead-frame having top and bottom terminals and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110140252A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Abelardo Jr. Hadap Advincula,Erwin Aguas Sangalang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Waveform shaping filter, integrated circuit, radiation detection device, method for adjusting time constant of waveform shaping filter, and method for adjusting gain of waveform shaping filter

Номер патента: US20160269006A1. Автор: Tetsuro Itakura,Shunsuke Kimura,Hideyuki Funaki,Masanori Furuta,Go KAWATA,Hirokatsu SHIRAHAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Integrated Circuit with an Active Area Line Having at Least One Form-Supporting Element and Corresponding Method of Making an Integrated Circuit

Номер патента: US20100019345A1. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated circuit with an active area line having at least one form-supporting element and corresponding method of making an integrated circuit

Номер патента: US7868415B2. Автор: Josef Willer,Michael Specht,Doris Keitel-Schulz,Christoph Friederich. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Integrated circuit having conductive paths of different heights formed from the same layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20010016407A1. Автор: Aaron Schoenfeld,Rajesh Somasekharan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20220206386A1. Автор: Toshiya Takahashi,Eiji Fukuzaki,Yasunori Yonekuta,Taro MIYOSHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

WAVEFORM SHAPING FILTER, INTEGRATED CIRCUIT, RADIATION DETECTION DEVICE, METHOD FOR ADJUSTING TIME CONSTANT OF WAVEFORM SHAPING FILTER, AND METHOD FOR ADJUSTING GAIN OF WAVEFORM SHAPING FILTER

Номер патента: US20160269006A1. Автор: Furuta Masanori,Itakura Tetsuro,Funaki Hideyuki,KAWATA Go,KIMURA Shunsuke,SHIRAHAMA Hirokatsu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US20160054668A1. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US09423707B2. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Grid insulation membrane, radiation sensitivity composition, hardened membrane, semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and display device

Номер патента: CN104049464A. Автор: 滨田谦一,一戸大吾. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Silver halide photographic sensitive material suitable for rapidly processing and capable of forming coloring matter image having excellent light fastness

Номер патента: JPS62291646A. Автор: 正男 佐々木,Masao Sasaki,Kaoru Onodera,薫 小野寺. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 1987-12-18.

Developer for silver halide photographic light-sensitive material, developer composition, and method for developing silver halide photographic light-sensitive material

Номер патента: JP3442165B2. Автор: 潔 守本,慎一 森嶌. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-02.

A silver halide photographic light-sensitive material and a manufacturing method of a silver halide emulsion

Номер патента: EP0736797B1. Автор: Hiromi Akahori. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2004-07-21.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE

Номер патента: US20160054668A1. Автор: KONISHI Mari,KODAMA Daisuke,YUMITA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Aluminum composite powder, the manufacturing method of that, aluminum composite material, and the manufacturing method of the parts of spent fuel storage system

Номер патента: KR100439386B1. Автор: 무라카미가즈오,오구라가즈미,야스이도요아키. Владелец: 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-07-09.

Discrete device socket and method of fabrication therefor

Номер патента: US20020132533A1. Автор: David Figueroa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Carrier mobility enhanced channel devices and method of manufacture

Номер патента: WO2009148992A1. Автор: Kangguo Cheng,Haining S. Yang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Methods of forming integrated circuit devices having gate oxide layers with different thicknesses and integrated circuit devices formed thereby

Номер патента: US20030030111A1. Автор: Dong-Woo Kim,Seung-hoon Han,Duck-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of forming multilayered conductive layers for semiconductor device

Номер патента: US20030235977A1. Автор: Tetsuo Usami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: US09806131B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Larissa Levina,Ian Howard,Edward Hartley Sargent,Jason Paul Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: US09570502B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Larissa Levina,Ian Howard,Edward Hartley Sargent,Jason Paul Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: InVisage Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure

Номер патента: US5940733A. Автор: Israel Beinglass,Ramanujapuram A. Srinivas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of forming an integrated circuit on a low loss substrate

Номер патента: US20030008441A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Robert Scheer. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Method of manufacturing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element manufactured by the same, method of manufacturing photoelectric conversion element module, and photoelectric conversion element module manufactured by the same

Номер патента: US20110088773A1. Автор: Hiroki Usui. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Carbon ribbon to be covered with a thin layer made of semiconductor material and method for depositing a layer of this type

Номер патента: US20090302425A1. Автор: Christian Belouet. Владелец: SOLARFORCE. Дата публикации: 2009-12-10.

Robust anode materials, anode layers and methods of making and forming same

Номер патента: WO2024147842A2. Автор: Arrelaine Dameron,David M. King,Jaime DUMONT,Barbara HUGHES,Madison MARTINEZ,Brianna Boeyink,Meghan HERBERT-WALTERS. Владелец: Forge Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

High-Performance Lithium-Containing Organic Sulfur Electrode Material and Preparation Method of Integrated Flexible Electrode

Номер патента: US20210367239A1. Автор: Fei Dong,Shiyou Zheng,Junhe YANG,Yuepeng Pang. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-11-25.

Sheet for Battery Cases Having Gas Pocket Portion Formed In Movement Direction, Battery Cell Manufactured Using the Same, and Method of Manufacturing the Battery Cell

Номер патента: US20230178791A1. Автор: Hyun Beom Kim,Dae Hong Kim,Gi Man Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

A method of preparing carbon supported transition metal sulfide electrode materials from bio-oil

Номер патента: AU2021100943A4. Автор: PENG Jia,XIN ZHAO,Bin Zheng,Jinyang Zhang,Wenjia Han,Jiankang ZHANG,Xingxiang JI,Cancan Li,Gaojin Lyu,Guangmei Xia. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2021-05-06.

Composite of cobalt-based perovskite material with negative thermal expansion material, and preparation method of same, and solid oxide fuel cell comprising same

Номер патента: US12034168B2. Автор: Yuan Zhang,Wei Zhou,Guangming Yang,Chuan Zhou,Zongping Shao. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-09.

Composite cathode active material, cathode and lithium battery containing composite cathode active material and preparation method thereof

Номер патента: EP4187634A1. Автор: Jongseok Moon,Kyueun SHIM,Jinhwan Park,Guesung Kim,Andrei KAPYLOU,Inhyuk Son,Sangkook Mah,SungNim Jo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Composite cathode active material, cathode and lithium battery including composite cathode active material and preparation method thereof

Номер патента: US20230170479A1. Автор: Jongseok Moon,Kyueun SHIM,Jinhwan Park,Guesung Kim,Andrei KAPYLOU,Inhyuk Son,Sangkook Mah,SungNim Jo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Rechargeable nonaqueous electrolytic battery and the manufacture method of negative material, its negative electrode active material and the manufacture method of this material

Номер патента: CN106067543A. Автор: 加茂博道,吉川博树,广瀬贵一,松野拓史,广瀬贵. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-02.

Organic light emitting diode, and using stretchable light-emitting material and a manufacturing method of thereof

Номер патента: KR102293405B1. Автор: 박진우,김진훈. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-08-26.

Titanium electrode material and surface treatment method of titanium electrode material

Номер патента: KR101215812B1. Автор: 도시끼 사또오,준 스즈끼,요시노리 이또오,준 히사모또. Владелец: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼. Дата публикации: 2012-12-26.

Hybrid materials and nanocomposite materials, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: EP2726403A4. Автор: Lynden A Archer,Zichao Yang,Shyamal Kumar Das. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-08.

Hybrid materials and nanocomposite materials, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: KR20140050016A. Автор: 린덴 에이. 아처,지챠오 양,시야말 쿠마르 다스. Владелец: 코넬 유니버시티. Дата публикации: 2014-04-28.

A hardening composition, a temporary bonding material, and a temporary method of using the member and the substrate

Номер патента: TWI566042B. Автор: Kiminori Sato,Akira Kobayashi,Tsuyoshi Ogawa. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-11.

The manufacture method of graphite material and the manufacture method of electrode for lithium ion secondary battery

Номер патента: CN105152166B. Автор: 深井孝行,须藤彰孝,外轮千明,武内正隆,胁坂安显,上条祐,上条祐一,田中麻纱子. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-08-08.

A coating composition for composite positive electrode active material and a manufacturing method of composite positive electrode active material using the same

Номер патента: KR20230039201A. Автор: 서정현,이상헌,이주영,박용준,이준수,노성우,성주영,윤다혜,박제식,서임술,임충범. Владелец: 경기대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-03-21.

Mof-sulfur materials and composite materials, methods of making same, and uses thereof

Номер патента: US20220158173A1. Автор: Hector D. Abruna,Na Zhang. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of decomposing layout design for preparing photomask set printed onto wafer by photolithography, method of forming photomask set and method of fabricating integrated circuit

Номер патента: US09971250B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

System and method for lithography patterning

Номер патента: US09360778B2. Автор: Li-Jui Chen,Fu-Jye Liang,Hsueh-Hung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Radiation sensitive film including a measuring scale

Номер патента: WO2007018749A2. Автор: XIANG Yu,David F. Lewis,Carl A. Listl. Владелец: ISP Investments Inc.. Дата публикации: 2007-02-15.

Integrated circuit system with sub-geometry removal and method of manufacture thereof

Номер патента: SG190490A1. Автор: Byoung-IL Choi,Huey Ming Chong,Soon Yeong Tan,Soo Muay Goh. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-28.

Bump structure and method of forming same

Номер патента: US09966346B2. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-Wei Lin,Tin-Hao Kuo,Guan-Yu Chen,Yu-Jen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods and structures for handling integrated circuits

Номер патента: US09824906B2. Автор: Terry Lynne Barrette. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive

Номер патента: US09922951B1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Calcium salt protective coating and method of forming

Номер патента: US20030087116A1. Автор: Michael Austin,Thomas Wood. Владелец: Valley Products Co Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

COMPOSITE COATING MATERIAL AND THE PRODUCTION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140147635A1. Автор: YAO I-PENG,Feng Chung-Ching,Huang Pei-Huo,Wang Ko-Feng,Lin Yong-Song,Kang Kai-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-29.

Image recording material and image forming method of image recording material

Номер патента: WO2006129506A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Self Locking Fasteners And Methods Relating To Same

Номер патента: US20110296668A1. Автор: Scott J. Emmerich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of composite sheet manufacturing

Номер патента: RU2371327C1. Автор: Карлхайнц ЭГГЕР. Владелец: Карлхайнц ЭГГЕР. Дата публикации: 2009-10-27.

Devices and methods for shaping therapy in fluid enhanced ablation

Номер патента: US09730748B2. Автор: Michael G. Curley. Владелец: Thermedical Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Porogen compositions, methods of making and uses

Номер патента: CA2799201C. Автор: Futian Liu,Nicholas J. Manesis,Xiaojie Yu,Athene W. Chan. Владелец: Allergan Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Electrically Conductive Confined Space Ventilator Conduit Formed of Conductive Polymer, Electrical Grounding Circuit for Ventilation System Using Same, and Methods of Using and Forming Same

Номер патента: AU2004202394B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: US7992593B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems International Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation system using same, and methods of using and forming same

Номер патента: TW200504292A. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Reactive materials and thermal spray methods of making same

Номер патента: US09499895B2. Автор: Timothy Langan,Michael A. Riley,W. Mark Buchta. Владелец: Surface Treatment Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Composite materials and methods for making the same

Номер патента: US5585165A. Автор: Christopher R. Kennedy,Birol Sonuparlak,John E. Garnier,Ali S. Fareed,Gerhard H. Schiroky. Владелец: Lanxide Technology Co LP. Дата публикации: 1996-12-17.

Composite coating material and the production method of the same

Номер патента: US20120234479A1. Автор: Chung-Ching Feng,Pei-Huo Huang,Yong-Song Lin,I-Peng Yao,Ko-Feng Wang,Kai-Feng Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Scribing wheel for brittle material and the scribble method of fragile material and device, instrument

Номер патента: CN102285009B. Автор: 若山治雄,前川和哉. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Package and method of forming same

Номер патента: US20230266528A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Hsuan Tai,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits including a MIMCAP device and methods of forming the same for long and controllable reliability lifetime

Номер патента: US09583557B2. Автор: Lili Cheng,Robert Fox,Jeasung Park,Dina H. Triyoso,David Paul Brunco,Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Bioinformatics Systems, Apparatuses, and Methods Executed on an Integrated Circuit Processing Platform

Номер патента: US20240170102A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Robert J. Mcmillen,Michael Ruehle. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of forming magnetoresistive devices and integrated circuits

Номер патента: US12075630B2. Автор: THOMAS Andre,Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit wave device and method

Номер патента: US09929110B1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit and method of forming same

Номер патента: US20230297754A1. Автор: Po-Sheng Wang,Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chao Yuan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit and method of forming same

Номер патента: US20240311543A1. Автор: Po-Sheng Wang,Chien-Chi TIEN,Yangsyu Lin,Chao Yuan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332280A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku,Kuan-Ting Chen,Jyun-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit (IC) card having an IC module and reduced bond wire stress and method of forming

Номер патента: US09449912B1. Автор: Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Driving integrated circuit for display

Номер патента: US20210319738A1. Автор: Hee Joo Kim. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Integrated circuit, construction of integrated circuitry, and method of forming an array

Номер патента: EP3776645A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor wafer and method of concurrently testing circuits formed thereon

Номер патента: US09997423B2. Автор: Dewey Killingsworth. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190006354A1. Автор: Ming-Che Ho,Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12033998B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230411378A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US12073170B2. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20240296273A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20180150589A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated circuit, construction of integrated circuitry, and method of forming an array

Номер патента: WO2020023087A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated Circuit, Construction Of Integrated Circuitry, And Method Of Forming An Array

Номер патента: US20200035498A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Chip module and method of forming same

Номер патента: US20240312897A1. Автор: Gang Chen. Владелец: Act Identity Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Design Structure for a Redundant Micro-Loop Structure for use in an Integrated Circuit Physical Design Process and Method of Forming the Same

Номер патента: US20090158231A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Juergen Koehl,Jason D. Hibbeler,Jeanne P. Bickford,Markus Buehler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: EP3465507A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: AU2022252718A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: AU2024205108A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Bioinformatics systems, apparatus, and methods for performing secondary and/or tertiary processing

Номер патента: AU2022252718B2. Автор: Pieter Van Rooyen,Eric Ojard,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio,Gavin Stone,Amnon Ptashek. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Circuits for impedance adjustment having multiple termination devices with switchable resistances and methods of adjusting impedance

Номер патента: US09621160B2. Автор: Qiang Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated radiation sensitive circuit

Номер патента: US09618635B2. Автор: Paul S. Fechner. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuits for and methods of reducing duty-cycle distortion in an integrated circuit implementing dual-edge clocking

Номер патента: US09577615B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for controlling integrated circuit chip temperature using timing closure-based adaptive frequency scaling

Номер патента: US09552447B2. Автор: Jeanne P. Bickford,Eric A. Foreman,Mark W. Kuemerle,Susan K. Lichtensteiger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

System and method for test structure on a wafer

Номер патента: US09472476B2. Автор: Waisum Wong,Chin Chang Liao,Wang Jian Ping. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Circuit and method for detection and compensation of transistor mismatch

Номер патента: US09425795B2. Автор: Tobias Gemmeke,Maryam Ashouei. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240355806A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US09633882B2. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Thermoresistance sensor structure for integrated circuits and method of making

Номер патента: US09559162B2. Автор: Ze Zhang,Hung H. Tran,Wayne H. Woods, Jr.,Douglas M. Daley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Methods of forming integrated circuit structures for capacitive sense NAND memory

Номер патента: US12080356B2. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method of compensating for the effects of on-chip processing variation on an integrated circuit

Номер патента: US20060212735A1. Автор: David Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

System and Method of Compensating for the Effects of On-Chip Processing Variation on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080034244A1. Автор: David Allen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Circuit for and method of configuring and partially reconfiguring function blocks of an integrated circuit device

Номер патента: WO2020198377A1. Автор: David P. Schultz,Ian A. Swarbrick,Nagendra Donepudi. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-01.

NFC/RF mechanism with multiple valid states for detecting an open container, and methods of making and using the same

Номер патента: US09846835B2. Автор: Matthew A. Bright. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-12-19.

System and method for enhanced clocking operation

Номер патента: US09716505B2. Автор: Hector Sanchez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Biocompatible hydrogels, systems including the hydrogels, and methods of using and forming same

Номер патента: WO2016100355A1. Автор: Amir H. TORBATI,Christopher Bowman,Naresh MANDAVA,Malik Y. Kahook,Devatha P. Nair,Saikripa RADHAKRISHNAN,Srinidhi RADHAKRISHNAN. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Photonic integrated circuit packages including substrates with glass cores

Номер патента: US20240176068A1. Автор: Xiaoqian Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of determining shape of weld seam surface standard

Номер патента: RU2709177C1. Автор: Виктор Владимирович Панков,Владимир Михайлович Букин,Сергей Викторович Панков,Игорь Глебович Богородский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТЕХМАШСЕРВИС". Дата публикации: 2019-12-16.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US20190227738A1. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of loose material parameters monitoring in tanks

Номер патента: RU2661314C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов,Николай Владимирович Замятин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2018-07-13.

TEMPLATED MATERIALS, STRUCTURES INCLUDING THE MATERIALS, AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20210247557A1. Автор: Liu Quingkun,Smalyukh Ivan I.,De La Cruz Joshua A.,Fleury Blaise,Abraham Eldho,Cherpak Vladyslav,Senyuk Bohdan,Hess Andrew Johnston. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Eye glasses processing method of metal sheet wrapping acetate sheet surface

Номер патента: US20180369892A1. Автор: Daomin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-27.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A3. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Nancy Iwamoto. Дата публикации: 2004-03-25.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A2. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US6852354B2. Автор: Nancy E. Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

BIOMARKER SENSOR ARRAY AND CIRCUIT AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20160041155A1. Автор: Takulapalli Bharath. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US20020157788A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A8. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Detecting Apparatus and Method for Signs of Form Collapse

Номер патента: KR101284752B1. Автор: 박상준,함상규,진상윤,양병혁. Владелец: (주) 희림종합건축사사무소. Дата публикации: 2013-07-17.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Self-oriented material, self-oriented liquid crystal material and manufacturing method of liquid crystal panel

Номер патента: US20200165518A1. Автор: Ling Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Memory device having resistance change material and operating method for the memory device

Номер патента: US20180197602A1. Автор: Jung Sunwoo,Young Hoon Oh,Yong Jun Lee,Hyun Kook PARK,Chea Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Propylene oxide acids polymerizable composition for optical material and the preparation method of propylene oxide acids optical material that storage stability is improved

Номер патента: CN104583250B. Автор: 张东奎,卢守均,金钟孝. Владелец: KOC SOLUTION CO LTD. Дата публикации: 2017-07-07.

The hydrothermal preparing process of porous silica material and the preparation method of gas fluorescent optical sensor

Номер патента: CN107188184A. Автор: 张冉,马辉,程露丹. Владелец: Hangzhou Finder Detection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-22.

Roll of optical sheet material and continuous manufacturing method of liquid crystal display device

Номер патента: WO2011001835A1. Автор: 浩平 矢野,武田　健太郎,悠 杉本. Владелец: 日東電工株式会社. Дата публикации: 2011-01-06.

A kind of middle refractive index resin material and the preparation method of eyeglass thereof

Номер патента: CN104059212B. Автор: 邹彪,曹根庭,李秋明,唐忆君,贺建友,罗有训. Владелец: SHANGHAI CONANT OPTICS CO Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

It cuts up to cheese volatile materials and the recognition methods of organoleptic quality level dependencies

Номер патента: CN110082458A. Автор: 王蓓,孙践知,谭励,干佳俪. Владелец: Beijing Technology and Business University. Дата публикации: 2019-08-02.

Roll of optical sheet material and continuous manufacturing method of liquid crystal display device

Номер патента: TW201111844A. Автор: Kohei Yano,Kentarou Takeda,Yuu Sugimoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-04-01.

Novel Oxazollopyridine based phenol Compounds as Fluorescent Colorant Material and a Preparation Method of The Same

Номер патента: KR101392492B1. Автор: 박수열,신승림,전근,신종일. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2014-05-07.

Structure and Method for FinFET Device with Asymmetric Contact

Номер патента: US20200365734A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Methof of forming an integrated composite structure

Номер патента: US09801276B2. Автор: Sergio H. Sanchez,Scott R. Johnston. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-10-24.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240249999A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Packaged Semiconductor Device Including Liquid-Cooled Lid and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20220310482A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

An integrated circuit substrate containing photoimageable dielectric material and method of producing thereof

Номер патента: MY182410A. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

Integrated Circuit Substrate Containing Photoimageable Dielectric Material and Method of Producing Thereof

Номер патента: US20180209046A1. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US09786592B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US8338970B2. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US20060255887A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated Circuit with Adjusting Elements and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20110147065A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Silicon nitride and silicon dioxide gate insulator transistors and method of forming same in a hybrid integrated circuit

Номер патента: US20020151188A1. Автор: Arvind Kamath,Rajiv Patel,Mohammad Mirabedini. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with backside conductive source or drain contact having enhanced contact area

Номер патента: US20240332302A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Debaleena Nandi,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Air gaps in a multilayer integrated circuit and method of making same

Номер патента: US20110241220A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A3. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Suresh Ramalingam. Дата публикации: 2001-01-11.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A2. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Self-protected electrostatic discharge field effect transistor (SPESDFET), an integrated circuit incorporating the SPESDFET as an input/output (I/O) pad driver and associated methods of forming the SPESDFET and the integrated circuit

Номер патента: US8610217B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Mahender Kumar,Dustin K. Slisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Integrated circuit devices including metal lines spaced apart from metal vias, and related fabrication methods

Номер патента: US20230352405A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Power device structures and methods of making

Номер патента: US11769665B2. Автор: LAN Yu,Amirhasan Nourbakhsh,Roger Quon,Siddarth Krishnan,Raman Gaire,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Multiple depth vias in an integrated circuit

Номер патента: US09455312B2. Автор: Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan,Richard Allen Faust. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP WITH PYRAMID OR CONE-SHAPED CONDUCTIVE PADS FOR FLEXIBLE C4 CONNECTIONS AND A METHOD OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20140187034A1. Автор: Daubenspeck Timothy H.,Gambino Jeffrey P.,Muzzy Christopher D.,Sauter Wolfgang,Sullivan Timothy D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Integrated circuit chip with pyramid or cone-shaped conductive pads for flexible C4 connections and a method of forming the integrated circuit chip

Номер патента: US9269683B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy D. Sullivan,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

MOSFET device with improved LDD region and method of making same

Номер патента: US5780350A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Integrated circuit capacitor

Номер патента: EP1014428A2. Автор: Karl Rapp. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09899371B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09505030B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

RF SWITCHES, INTEGRATED CIRCUITS, AND DEVICES WITH MULTI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND VOLTAGE LEVELING CIRCUITS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION

Номер патента: US20190267489A1. Автор: Malladi Venkata Naga Koushik. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

RF SWITCHES, INTEGRATED CIRCUITS, AND DEVICES WITH MULTI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND VOLTAGE LEVELING CIRCUITS, AND METHODS OF THEIR FABRICATION

Номер патента: US20190267987A1. Автор: Malladi Venkata Naga Koushik. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

RF switches, integrated circuits, and devices with multi-gate field effect transistors and voltage leveling circuits, and methods of their fabrication

Номер патента: US10734516B2. Автор: Venkata Naga Koushik Malladi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

RF switches, integrated circuits, and devices with multi-gate field effect transistors and voltage leveling circuits, and methods of their fabrication

Номер патента: US10593800B2. Автор: Venkata Naga Koushik Malladi. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Integrated circuit assemblies with stacked compute logic and memory dies

Номер патента: EP4123703A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Prashant Majhi,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-25.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP HAVING BOTH METAL AND SILICON GATE FIELD EFFECT TRANSISTORs (FETs) AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150325647A1. Автор: Kanike Narasimhulu. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method of forming a ceramic matrix composite component with cooling features

Номер патента: CA2913031C. Автор: Glen Harold Kirby,Mark Eugene Noe,Michael Ray Tuertscher,Sheena Kum Foster WALKER. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-09-21.

Integrated circuit arrangement with at least one buried circuit element and an insulation layer and method for their production

Номер патента: DE10030696B4. Автор: Bernhard Sell,Jörn Dr. Luetzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-06.

Integrated circuit devices including vertical channel transistors with shield lines interposed between bit lines and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110303974A1. Автор: Yoo-Sang Hwang,Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

Integrated circuit having a connection to a heat sink produced by a galvanic process and method therefor

Номер патента: DE102008036285B4. Автор: von Koblinski Carsten,Friedrich Kroener. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-18.

ELECTRICAL COMPONENT, COMPONENT GROUP OR INTEGRATED CIRCUIT, THE ACTIVE PART OF WHICH IS BROUGHT UP ON A METAL CARRIER, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: DE3131887A1. Автор: Dieter Dipl.-Ing. 8039 Puchheim Pilz,Hans Ing.(grad.) 8011 Vaterstetten Stelzl,Walter 8012 Ottobrunn Wagmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-02-24.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing an infrared radiation imaging device

Номер патента: US4559695A. Автор: Ian M. Baker. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1985-12-24.

Power device structures and methods of making

Номер патента: WO2023136933A1. Автор: LAN Yu,Amirhasan Nourbakhsh,Roger Quon,Siddarth Krishnan,Raman Gaire,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-07-20.

Pallet and method of manufacturing the pallet

Номер патента: EP1086022B1. Автор: Nils-Ake Sternhamn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-13.

Magnetic sheet, multilayer magnetic sheet, and method for manufacturing magnetic sheet

Номер патента: US20230360837A1. Автор: Yasuo Kuriyama,Kouhei MIYANO. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Pallet and method of manufacturing the pallet

Номер патента: EP1086022A1. Автор: Nils-Ake Sternhamn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199819A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Package MEMS switch and method

Номер патента: US9691579B2. Автор: Qing Ma,Valluri Rao,Feras Eid,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Modified fine particulate carbon materials and method for producing same

Номер патента: US20240025747A1. Автор: Gerd Schmaucks,Tobias Wittmann,Jacob Podschun,Ulf Luder. Владелец: SUNCOAL INDUSTRIES GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Construction units in form of bricks, blocks or tiles made from recyclable materials and by-products, method of making the construction units and their use

Номер патента: CA3005406A1. Автор: Samuel Chapman,Gabriela MEDERO. Владелец: Heriot Watt University. Дата публикации: 2017-05-26.

A kind of cutting machine of high extension flexible material and its control method of constant width

Номер патента: CN109850657A. Автор: 简镇明,汪俊学,陈丰良. Владелец: XIAMEN QIANRUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Hybrid Materials and Nanocomposite Materials, Methods of Making Same, and Uses Thereof

Номер патента: US20140225041A1. Автор: Archer Lynden A.,Yang Zichao,Das Shyamal Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE, AND USING STRETCHABLE LIGHT-EMITTING MATERIAL AND A MANUFACTURING METHOD OF THEREOF

Номер патента: US20210265443A1. Автор: Park Jin-Woo,KIM Jin-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Aluminum alloy material and die casting method of barrier gate transmission structural member

Номер патента: CN115386771B. Автор: 李旭涛,李升�,李新豪,陈苏坚,王永科,宋秋福. Владелец: Guangzhou Zhiyuan New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

The thermo-electric converting material and its manufacture method of the substrate with nanostructured are used

Номер патента: CN104137284B. Автор: 安达千波矢,加藤邦久,宫崎康次,早川晃镜. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2017-04-05.

Environmentally Friendly Recycled Building Materials and Their Manufacturing Method of Mixed Waste Building Materials with Sterilized Purified Plants

Номер патента: KR102216394B1. Автор: 김명찬. Владелец: (주)정우하우징. Дата публикации: 2021-02-17.

Ceramic composites used for 3d printing for manufacturing of building exterior materials and performance improvement method of building exterior materials printed using this

Номер патента: KR102031736B1. Автор: 이준,이봉춘,박광민. Владелец: (재)한국건설생활환경시험연구원. Дата публикации: 2019-10-14.

The preparation method of carbon fiber metal material and the manufacture method of carbon fiber metal article

Номер патента: CN106862566A. Автор: 徐超. Владелец: Xian University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-06-20.

Plating solution, conductive material, and surface treatment method of conductive material

Номер патента: CN1873058A. Автор: 福田启一,坂本健,森川弘康,山本恭之. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-12-06.

Utilize the structure of bio-based materials and the manufacture method of structure

Номер патента: CN107614259A. Автор: 瑞安·丘奇. Владелец: 瑞安·丘奇. Дата публикации: 2018-01-19.

The ceramic material and its manufacturing method of purifying

Номер патента: CN109311757A. Автор: D·C·布克宾德,M·贝克豪斯-瑞考尔特,T·D·凯查姆,P·M·希尔梅宏,R·M·菲亚克. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-02-05.

A liquid laser material, and the manufacturing method of it

Номер патента: KR100371908B1. Автор: 김정호,김경신. Владелец: 김경신. Дата публикации: 2003-02-11.

Bioinformatics systems, apparatuses, and methods executed on an integrated circuit processing platform

Номер патента: EP3317440A1. Автор: Pieter Van Rooyen,Mark Hahm,Michael Ruehle,Rami Mehio. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2018-05-09.

Bioinformatics systems, apparatuses, and methods executed on an integrated circuit processing platform

Номер патента: US09483610B2. Автор: Michael Ruehle,Robert Mcmillen. Владелец: Edico Genome Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit with suppression of spurious acoustic modes and method of producing same

Номер патента: RU2547165C2. Автор: Цзе Чэнь,Уилльям ОССМАН,Берни Дж. СЕЙВОРД,Род Дж. СОЛОМОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-04-10.

Integrated circuit (ic) module, multi-interface ic card, and methods of forming same

Номер патента: WO2024131394A1. Автор: Lan DENG,Shek Tong LAM. Владелец: Act Identity Technology Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Personal dosimeter on the base of radiation integrated circuit.

Номер патента: US20110260070A1. Автор: Volodymyr Polishchuk. Владелец: John Theologian Community Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Optical coupling device, photonic integrated circuit, and method of forming an optical coupling device

Номер патента: US09915787B2. Автор: Chao Li,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Humidity sensor, wireless device including the same, and methods of making and using the same

Номер патента: EP3332602A1. Автор: Mao Takashima,Aditi Chandra. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2018-06-13.

Device and method of processing sheet material, mainly banknotes

Номер патента: RU2363986C1. Автор: Виттих КАУЛЕ,Манфред ХАЙМ,Мариус ДИХТЛЬ,Норберт ХОЛЛЬ,Томас ГИРИНГ,Юрген ШЮТЦМАНН,Клаус ФИНКЕНЦЕЛЛЕР,Томас ХИЛЬДЕБРАНДТ,Ральф ХОБМАЙЕР,Ларс ХОФФМАНН,Фридрих КРЕЧМАР,Маркус КРОМБХОЛЬЦ,Ральф ЛИБЛЕР,Торстен ПИЛЛО,Харальд РАЙНЕР,Вальтер ШНАЙДЕР,Эккарт ШРЁДЕР-БЕРГЕН,Мартин ЗЕЙЗЕН,Дитер ШТАЙН,Александер ШТАЙНКОГЛЕР,Кристиан ФЁЛЛЬМЕР,Бернд ВУНДЕРЕР,Фабиола БЕЛЛЕРСХАЙМ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2009-08-10.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Methods for forming area-efficient scan chains in integrated circuits, and integrated circuits embodying the same

Номер патента: US7971170B2. Автор: Bruce Eliot Duewer,Richard Dean Putman. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

System for and method of improving the yield of integrated circuits

Номер патента: US20240264227A1. Автор: Manoj Sachdev. Владелец: Zinite Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Optoelectronic component and method of manufacturing an optoelectronic component

Номер патента: US20230305250A1. Автор: Elad Mentovich,Dimitrios Kalavrouziotis,Paraskevas BAKOPOULOS,Boaz Atias,Anna Sandomirsky,James Steven Fields, Jr.. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

System for and method of improving the yield of integrated circuits

Номер патента: WO2024165935A1. Автор: Manoj Sachdev. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-08-15.

System for and method of checking joule heating of an integrated circuit design

Номер патента: US09619599B2. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Hsien Lin,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit comprising a gas sensor

Номер патента: US09523651B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Circuits for and methods of testing the operation of an input/output port

Номер патента: US09500700B1. Автор: Xiaobao Wang,Amitava Majumdar,Arvind R. Bomdica,Burton M. Leary. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Photonic integrated circuit defining trenches therein

Номер патента: US20240319437A1. Автор: Xiaoqian Li,Chia-Pin Chiu,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Kaveh Hosseini,Julia CHIU,Madhubanti CHATTERJEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Sequence controlled timing controller, bridge integrated circuit, and method of driving thereof

Номер патента: US09965997B2. Автор: Keunho Kim,SuBin YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Circuitry and methods for implementing galois-field reduction

Номер патента: US20160313978A1. Автор: Pohrong Rita Chu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Circuitry and methods for implementing Galois-field reduction

Номер патента: US09740456B2. Автор: Pohrong Rita Chu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Optical integrated circuit comprising light path turning micro-mirror inside the optical waveguide and method of manufacturing the same

Номер патента: US09671574B2. Автор: Chan Yong Park,Sang Hwan Lee,Young Hye KIM. Владелец: Wooriro Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Preventing unauthorized use of integrated circuits for radiation-hard applications

Номер патента: US09741672B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Preventing unauthorized use of integrated circuits for radiation-hard applications

Номер патента: US09401334B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Electronic assembly and method of forming same

Номер патента: WO2020076780A1. Автор: Yongqian Wang,Mark E. Henschel,Shawn Shi,Chunho Kim. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

IC structure with recessed solder bump area and methods of forming same

Номер патента: US09472490B1. Автор: Timothy D. Sullivan,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

3DIC interconnect devices and methods of forming same

Номер патента: US09455158B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US09850126B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Yu-Jen Cheng,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Enhanced ESD protection of integrated circuit in 3DIC package

Номер патента: US09412708B2. Автор: Shyh-An Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Integrated circuit module and method of forming same

Номер патента: US20180122778A1. Автор: Douglas F. Link,Susan Marie JOHANSSON,Sayed Kaysarbin Rahim. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit having improved electromigration performance and method of forming same

Номер патента: US09679810B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Michael P. Chudzik,Joyeeta Nag,Andrew H. Simon,Siddarth A. Krishnan,Shishir K. Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

3DIC interconnect devices and methods of forming same

Номер патента: US09543257B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit having improved electromigration performance and method of forming same

Номер патента: US20170236780A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Michael P. Chudzik,Joyeeta Nag,Andrew H. Simon,Siddarth A. Krishnan,Shishir K. Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Vertical current controlled silicon on insulator (soi) device and method of forming same

Номер патента: EP2165364A2. Автор: Junjun Li,Souvick Mitra,Christopher Stephen Putnam,Mahmoud Mousa,Jr. Robert Gauthier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit, system and method of forming same

Номер патента: US12131998B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit devices including contacts and methods of forming the same

Номер патента: US09431492B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: WO2013016341A3. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-04-18.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: US20130026617A1. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated devices in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US11749626B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Kai-Chiang Wu,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Test key strcutures, integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US09991207B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Li-Hsien HUANG,Shao-Yun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit dies having alignment marks and methods of forming same

Номер патента: US09685411B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit package and method of forming the same

Номер патента: US09455241B2. Автор: Kiyoshi Kuwabara,Yonggang Jin,Xavier Baraton. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias And Methods Of Forming Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias

Номер патента: US20130175698A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit constructions having through substrate vias and methods of forming integrated circuit constructions having through substrate vias

Номер патента: EP2801111A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240274483A1. Автор: Hsin-Yu Pan,Teng-Yuan Lo,Lipu Kris Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240312836A1. Автор: Yung-Chi Lin,Yi-Hsiu Chen,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240297053A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Ting-Chen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit structure having through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09805977B1. Автор: John J. Garant,Jorge A. Lubguban,Vijay Sukumaran,Thuy L. Tran-Quinn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor packaging and methods of forming same

Номер патента: US20240379618A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of forming patterns and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09613821B2. Автор: Dong-won Kim,Tae-hoon Kim,Ju-Young Kim,Yool Kang,Su-min Park,Hyung-Rae Lee,Hye-Ji Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming self-aligned metal lines and vias

Номер патента: US09607893B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit packaging system with routable trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09576873B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming acoustic resonator device wafers integrated with electronic semiconductor switching device wafers using a wafer transfer process and related structures

Номер патента: US20240196753A1. Автор: Daeho Kim,Ramakrishna Vetury,Abhay Saranswarup Kochhar,Kamran Cheema. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20200105598A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Structure and Method for Interconnection with Self-Alignment

Номер патента: US20210265208A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Hai-Ching Chen,Hsin-Ping Chen,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit package pad and methods of forming

Номер патента: US09812337B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Redistribution layers in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US09741690B1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chi-Hsi Wu,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of controlling operation of a metal-insulator-semiconductor membrane capacitor structure

Номер патента: RU2706197C1. Автор: Алексей Николаевич Михайлов,Алексей Иванович Белов,Александр Николаевич Шарапов,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Станислав Викторович Тихов,Мария Евгеньевна Шенина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-11-14.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Integrated circuit and associated method of manufacture

Номер патента: GB2627043A. Автор: Price Richard,ALKHALIL Feras,Van Fraassen Niels. Владелец: Pragmatic Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Integrated circuit packaging system with film assistance mold and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154121A1. Автор: Jaehyun Lee,DokOk Yu,Ki Youn Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US20140217512A1. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US8928088B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332034A1. Автор: Shenggao Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical transistors and methods of forming same

Номер патента: US09929152B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuitry and methods of forming transistors

Номер патента: US09530837B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US09449888B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming a masking pattern for integrated circuits

Номер патента: EP2353172A2. Автор: Anton Devilliers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Slot contacts and method forming same

Номер патента: US20240290661A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semicondustor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Underfill structure for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12080617B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit devices including discharging path and methods of forming the same

Номер патента: US12087669B1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated Circuit Package and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240304535A1. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-Chia Lai,Hui-Chun Chiang,Ting Hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device and method of making the same

Номер патента: WO1998000872A1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory,James P. Yakura,John J. Seliskar,Dim Lee Kwong. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4439669A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363491A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US12107051B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332185A1. Автор: Tae Sun Kim,Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09984964B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuits with components on both sides of a selected substrate and methods of fabrication

Номер патента: US09947688B2. Автор: James S. Cable,Ronald Eugene Reedy,Anthony Mark Miscione. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Contact line having insulating spacer therein and method of forming same

Номер патента: US09812400B1. Автор: Guillaume Bouche,Veeraraghavan S. Basker,Michael V. Aquilino,Keith H. Tabakman,Patrick D. Carpenter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

3DIC interconnect apparatus and method

Номер патента: US09754925B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shih-Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit devices including a back side power distribution network structure and methods of forming the same

Номер патента: EP4456122A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated circuit (IC) chips with through silicon vias (TSV) and method of forming the IC

Номер патента: US09536784B1. Автор: Mukta G. Farooq,Andrew J. Martin,Jennifer A. Oakley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US09525053B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuits with electrical fuses and methods of forming the same

Номер патента: US09524934B2. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09478492B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

3DIC interconnect apparatus and method

Номер патента: US09412719B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shih Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming submicron contacts and vias in an integrated circuit

Номер патента: US6033980A. Автор: Fu-Tai Liou,Mehdi Zamanian. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-07.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240128194A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit with backside power rails

Номер патента: EP4409625A1. Автор: Somnath Ghosh,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Kisik Choi,Rishikesh Krishnan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor package having an interposer in which one or more dies are formed and method of forming the same

Номер патента: US12136597B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Nai-wei LIU,Yi-Lin Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Dummy features in redistribution layers (RDLS) and methods of forming same

Номер патента: US09997464B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chi-Hsi Wu,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuits using silicon on insulator substrates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09922868B2. Автор: Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits with programmable memory and methods for producing the same

Номер патента: US09876019B1. Автор: Xiong Zhang,Siow Lee Chwa,Yudi SETIAWAN,Yoke Leng Lim,Sunny Sadana. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit (IC) with offset gate sidewall contacts and method of manufacture

Номер патента: US09704760B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming integrated circuit with conductive line having line-ends

Номер патента: US09524902B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Pei-Wen HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit devices including a via structure and methods of fabricating integrated circuit devices including a via structure

Номер патента: US09337125B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240071950A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Analog floating-gate capacitor with improved data retention in a silicided integrated circuit

Номер патента: US20140295631A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Analog Floating-Gate Capacitor with Improved Data Retention in a Silicided Integrated Circuit

Номер патента: US20140001526A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Packaged IC device comprising an embedded flex circuit on leadframe, and methods of making same

Номер патента: US8217505B2. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choo Kuan Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Packaged ic device comprising an embedded flex circuit, and methods of making the same

Номер патента: US20100320578A1. Автор: Chong Chin Hui,David J. Corisis,Choon Kuan Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Packaged ic device comprising an embedded flex circuit, and methods of making same

Номер патента: US20080197460A1. Автор: Chong Chin Hui,Choon Kuan Lee,David J. Corisi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-21.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US12113027B2. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240371782A1. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit isolation feature and method of forming the same

Номер патента: US12112974B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same

Номер патента: US09741811B2. Автор: Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Contact fill in an integrated circuit

Номер патента: US09691658B1. Автор: Emre Alptekin,Domingo A. Ferrer,Cung D. Tran,Raghu Mangu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated electronic package and method of fabrication

Номер патента: US09472528B2. Автор: Weng F. Yap. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

System, device and method of managing mobility

Номер патента: RU2737964C1. Автор: Фэньцинь ЧЖУ,Хао ЦЗИН,Цзайфэн ЦЗОН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-07.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US12015023B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Light-emitting diode (led) and micro led substrates and methods for making the same

Номер патента: US20190305182A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20200227327A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Integrated Circuit and Method of Arbitration in a Network on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080186991A1. Автор: Kees Gerard Willem Goossens,Andrei Radulescu,Rikard Lennart Thid. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-07.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: WO2006123287A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: EP1884084A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-02-06.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Die Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240079391A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Chia-Hao Hsu,Kuo-Chiang Ting,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20190355631A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240266316A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Wei-Yu Chen,Hao-Jan Pei,Hsin Liang Chen,Chao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of forming integrated circuits

Номер патента: US20120070954A1. Автор: Wei-Yuan Lu,Ka-Hing Fung,Han-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit packages having stress-relieving features

Номер патента: US12091310B2. Автор: David A. Grant,Abhijeet Ghoshal. Владелец: Apogee Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US09899248B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US09870997B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Tin-Hao Kuo,Chien-Ling Hwang,Hsin-Hung Liao,Tsung-Hsien Chiang,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US09837359B1. Автор: Ming-Yen Chiu,Hsin-Chieh Huang,Ching-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit packages and methods of forming same

Номер патента: US09728522B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit packages and methods of forming same

Номер патента: US09570322B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Heterogeneous integrated circuits and devices thereof with a surrogate substrate and transferred semiconductor devices

Номер патента: US09524872B1. Автор: Andrew T. Hunter,Peter D. Brewer,Yakov Royter. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Bottom package having routing paths connected to top package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502355B2. Автор: Leilei Zhang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Fabrication methodology for optoelectronic integrated circuits

Номер патента: US09490336B1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Opel Solar Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure and method of forming vias

Номер патента: US5847457A. Автор: Girish A. Dixit,Fu-Tai Liou,Fusen E. Chen. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1998-12-08.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11862605B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus and method for mitigating dynamic ir voltage drop and electromigration affects

Номер патента: US20170133321A9. Автор: Wen-Hao Chen,Chung-min Fu,Yuan-Te Hou,Wan-Yu Lo,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of forming a stacked-die integrated circuit chip package on a wafer level

Номер патента: MY134235A. Автор: M Lam Ken. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Method of forming a stacked-die integrated circuit chip package on a wafer level

Номер патента: WO2001067511A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2001-09-13.

System and method for manufacturing plurality of integrated circuits

Номер патента: US20240234185A9. Автор: Scott White,Richard David Price,Neil Davies,Kenneth David WILLIAMSON,Thomas Stanley Van Den Heever,Nathaniel James GREEN. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20150162288A1. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Method and structure for non-single-polycrystalline capacitor in an integrated circuit

Номер патента: US20050202629A1. Автор: James Beasom,Donald Hemmenway,Dustin Woodbury,Robert Kinzig,Timothy Valade,Kitty Elshot. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method of making same

Номер патента: US20090095983A1. Автор: Shawn G. Thomas,Thomas E. Zirkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Externally configurable integrated circuits

Номер патента: US20090267079A1. Автор: Bernard D. Geller,Peter C. Sears. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Methods of forming spin on glass layers by curing remaining portions thereof

Номер патента: US20020111032A1. Автор: Min-Hee Cho,Hong-Sik Jeong,Soo-Ho Shin,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit devices including intergate spacer and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240371880A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09960039B2. Автор: Je-min Park,Eun-Jung Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09953966B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Deep trench isolation structure and method of forming same

Номер патента: US09799702B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for mitigating dynamic IR voltage drop and electromigration affects

Номер патента: US09768119B2. Автор: Wen-Hao Chen,Chung-min Fu,Yuan-Te Hou,Wan-Yu Lo,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Devices and methods of forming epi for aggressive gate pitch

Номер патента: US09685384B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Christopher Prindle,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09659790B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Connector structure and method of forming same

Номер патента: US09646943B1. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Sheng-Yu Wu,Chita Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuit interposer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455193B2. Автор: Ido Bourstein,Carol Pincu. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Circuits for and methods of controlling power within an integrated circuit

Номер патента: US09438244B2. Автор: Steven P. Young,Brian C. Gaide,Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuits and methods of forming conductive lines and conductive pads therefor

Номер патента: US09425133B2. Автор: Roger W Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11935802B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11810831B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods of forming integrated circuits having parallel conductors

Номер патента: US20190348321A1. Автор: Vishal Sipani,Ming-chuan Yang,Tyler G. HANSEN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Integrated circuit comprising a substrate, a die and an improved die attachment layer, as well as corresponding method of die bonding

Номер патента: WO2022124895A3. Автор: John Suman Nakka. Владелец: Stichting Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-09-15.

Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same

Номер патента: US20010033027A1. Автор: Salman Akram,Scott Meikle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240258302A1. Автор: Shu-Hui SU,Hsin-Li Cheng,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Solder Bump Configurations in Circuitry and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20240178174A1. Автор: Anwar Hashmi. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-05-30.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of forming stacked die package

Номер патента: US20090152717A1. Автор: Wai Yew Lo,Heng Keong Yip. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of Forming an Integrated Circuit Package Including a Direct Connect Pad, A Blind Via, and a Bond Pad Electrically Coupled to the Direct Connect Pad

Номер патента: US20130295722A1. Автор: Peter R. Harper,Kenneth Robert Rhyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Transistor, memory and method of forming same

Номер патента: US12069851B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Yuan Chen,Jen-Chieh Cheng,Chao-Wei Lin,Qinfu ZHANG,Chia-Yi Chu,Huixian Lai,Jen-Kuo WU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11735487B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic device

Номер патента: US20030052410A1. Автор: Yoshihiro Sugiura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Integrated circuit package and method having wire-bonded intra-die electrical connections

Номер патента: US20050224964A1. Автор: Ivor Barber. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110233743A1. Автор: Erwin Aguas Sangalang,Ramona Damalerio,Jayby Agno,Dexter Anonuevo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Methods of applying substance to intergrated circuit die and lead frames to improve adhesion to mold compound apparatus and devices

Номер патента: SG43864A1. Автор: Robert G Mckenna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-11-14.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming PMOS and NMOS FinFET devices on CMOS based integrated circuit products

Номер патента: US09799767B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: US09786786B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming diffusion breaks on integrated circuit products comprised of finFET devices

Номер патента: US09653583B1. Автор: Min-Hwa Chi,Haiting Wang,Wei Zhao,Zhenyu Hu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming image sensor integrated circuit packages

Номер патента: US09634059B2. Автор: Jui Yi Chiu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuit device with on-board calibration of signal generator circuits, and related methods

Номер патента: US09520888B1. Автор: ASHOK KUMAR,Andrew J. Wright,Ramesh Chettuvetty,Sonal Chandrasekharan,Hiromu Takehara,Tushar Kachhdiya. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: US09502568B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuits having FinFET semiconductor devices and methods of fabricating the same to resist sub-fin current leakage

Номер патента: US09472554B2. Автор: Yanxiang Liu,Michael Hargrove,Christian Gruensfelder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US09418937B2. Автор: Werner Robl,Michael Rogalli,Johann Gross,Michael Nelhiebel,Robert Illing,Thomas Detzel,Stefan Woehlert,Maximilian Krug,Sven Gustav Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit packaging system with photoimagable dielectric-defined trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406531B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Wireless communication device, method of providing access to wireless communication, base station and method of providing crossover to wireless communication network

Номер патента: RU2524368C2. Автор: Стефан В. ШЕЛЛ,Девид Т. ХАГГЕРТИ. Владелец: ЭППЛ ИНК.. Дата публикации: 2014-07-27.

Integrated circuit packages and methods of forming same

Номер патента: US9455236B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Process for manufacturing devices for power applications in integrated circuits

Номер патента: US20150140767A1. Автор: Giuseppe Croce,Andrea Paleari,Paolo GATTARI,Alessandro DUNDULACHI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-05-21.

Integrated circuit product with a multi-layer single diffusion break and methods of making such products

Номер патента: US20200243643A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter

Номер патента: US20170019278A1. Автор: Yu Liao,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor Memory Devices Having Strain Layers Therein That Increase Device Performance And Methods of Forming Same

Номер патента: US20110254103A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Direct Attach Optical Receiver Module and Method of Testing

Номер патента: US20100276575A1. Автор: Stephen J. Kovacic,Iman Sherazi. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004030094A1. Автор: Xuejun Fan. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor Package and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20240021564A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Assembly including plural through wafer vias, method of cooling the assembly and method of fabricating the assembly

Номер патента: US20180090427A1. Автор: Bruno Michel,Kerry Bernstein,Thomas Brunschwiler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter

Номер патента: EP3323201A1. Автор: Yu Liao,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-05-23.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US8709873B2. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100140765A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US20160336192A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-17.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US12080647B2. Автор: Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Pochun Wang,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

System and method of duplicate circuit block swapping for noise reduction

Номер патента: US20200328731A1. Автор: Vitor Pereira,Arup Mukherji,Steffen Skaug. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Low voltage drive ferroelectric capacitor and method of manufacturing same

Номер патента: US20040110309A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Tai-Bor Wu,Yuan-Chieh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110285001A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Systems and methods of integrated circuit clocking

Номер патента: US20110316602A1. Автор: Deanne Tran Vo,Thomas Jeffrey Bingel. Владелец: East West Innovation Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Charged particle-optical element, charged particle-optical module, assessment apparatus, chip assembly, method of manufacturing

Номер патента: WO2024170229A2. Автор: Marco Jan-Jaco Wieland,Yue Ma,Erwin Slot,Laura DEL TIN,Alrik VAN DEN BROM,André Luís Rodrigues Mansano. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US12125812B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of forming thin films and methods of fabricating integrated circuit devices using the same

Номер патента: US09960032B2. Автор: Youn Soo Kim,Tsubasa Shiratori,Jae wan Chang. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Radio frequency device packages and methods of formation thereof

Номер патента: US09935065B1. Автор: Saverio Trotta,Ashutosh Baheti,Werner Reiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922979B2. Автор: Jong-Mil Youn,Hwa-Sung Rhee,Hyun-Jo Kim,Jae-Yup Chung,Hee-Don Jeong,Je-Min YOO,Jong-Shik Yoon,Kyu-man CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Assembly including plural through wafer vias, method of cooling the assembly and method of fabricating the assembly

Номер патента: US09905506B2. Автор: Bruno Michel,Kerry Bernstein,Thomas Brunschwiler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Assembly including plural through wafer vias, method of cooling the assembly and method of fabricating the assembly

Номер патента: US09905505B2. Автор: Bruno Michel,Kerry Bernstein,Thomas Brunschwiler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of packaging semiconductor devices and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09806062B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yu-Liang Lin,Shin-puu Jeng,Hung-Jung Tu,Tu-Hao Yu,Shih-Hui Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of forming air gaps in metallization layers on integrated circuit products

Номер патента: US09768058B2. Автор: Christian Witt,Qiang Fang,Zhiguo Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09768032B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming vias using silicon on insulator substrate

Номер патента: US20190371720A1. Автор: Manabu Ito,Yuta Kikuchi,Yoshihiro Saeki,Toshiyuki Maenosono. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Via bottom structure and methods of forming

Номер патента: US09716065B2. Автор: Takeshi Nogami,James J. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Fabrication methodology for optoelectronic integrated circuits

Номер патента: US09679987B2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2017-06-13.

Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter

Номер патента: US09674015B2. Автор: Yu Liao,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Multilayer structure in an integrated circuit for damage prevention and detection and methods of creating the same

Номер патента: US09646939B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Byoung Youp Kim,Yiheng XU,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240379601A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Package structure and method

Номер патента: US12148684B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US09613959B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Polishing pad and method for manufacturing same

Номер патента: SG11201407257TA. Автор: Bong-su Ahn,Sang-Mok Lee,Jang-Won SEO,Seung-geun Kim,Hak-Su Kang,Jeong-Seon CHOO,Kee-Cheon Song,Jin-Su Jeong,Young-Jun Jang,Gyoung-Pyo Kong. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Cutting insert with internal coolant passages and method of making same

Номер патента: US09895755B2. Автор: Naveen Kondameedi,Raouf Ben Amor,Jyothi Komatiereddy. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Device for movement and handling and ejection of material and method of its operation (versions)

Номер патента: RU2365711C2. Автор: Джеффри К. ХЭКЕТТ,Гэрри В. РАДД. Владелец: Скид Мор Девелопмент ЛЛК. Дата публикации: 2009-08-27.

Water ballistic unit for space-mission and method for its preparation for operation

Номер патента: RU2600013C2. Автор: Андрей Николаевич Щербаков,Игорь Николаевич Глухих. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2016-10-20.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Asbestos-treating agent and method for treating asbestos

Номер патента: US8704032B2. Автор: Yoshihiro Taguchi,Teruhiko Kusano,Hiroaki Harano. Владелец: Santec Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Asbestos-treating agent and method for treating asbestos

Номер патента: US20120289756A1. Автор: Yoshihiro Taguchi,Teruhiko Kusano,Hiroaki Harano. Владелец: Santec Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Siliceous materials and methods of manufacture

Номер патента: AU2023215407A1. Автор: Michael C. STERN,Yet-Ming Chiang,Jesse D. BENCK,Joseph HITTINGER. Владелец: Sublime Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Filler for dental glass ionomer cement and method for manufacturing the same

Номер патента: US09949896B2. Автор: Futoshi Fusejima,Ryosuke YOSHIMITSU,Yusuke Hokii. Владелец: GC Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Radiation sensitive vinyl paint, component thereof, and method of painting a substrate therewith

Номер патента: CA922433A. Автор: J. Aronoff Elihu,O. Mclaughlin Ernest. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1973-03-06.

Method of making curved hollow tube

Номер патента: RU2601039C2. Автор: Масаки УЕНО,Юджи СУЕНАГА. Владелец: Йорозу Корпорейшн. Дата публикации: 2016-10-27.

Sound-absorbing material, the sound-absorbing mats, the method of manufacture of the sound-absorbing material, application of the straw in the capacity of the sound-absorbing material

Номер патента: RU2309965C2. Автор: Аксель Г. ШМИДТ. Владелец: Аксель Г. ШМИДТ. Дата публикации: 2007-11-10.

Method of producing foamed glass

Номер патента: RU2745544C1. Автор: Евгений Витальевич Лазарев. Владелец: Акционерное Общество "Компания "СТЭС-ВЛАДИМИР". Дата публикации: 2021-03-26.

Production method of myocardial cell layer, myocardial cell layer, and use thereof

Номер патента: US20240277899A1. Автор: Li Liu,Shigeru Miyagawa,Yoshiki Sawa,Junjun Li,Hayato Miyoshi,Maki Takeda. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of bleaching of cellulose and other cellulose and lignocellulose fibrous materials and three-stage method of bleaching of cellulose and lignocellulose materials

Номер патента: RU2141016C1. Автор: Льюис Д. Шекфорд,Уильям Дж. Миллер,Брайан П. Рой,Лироп Барбара Ван,Ричард М. Берри. Владелец: Палп энд Пейпер Рисерч Инститьют ов Кэнеда. Дата публикации: 1999-11-10.

Reserve winding of yarn on a tube of a cross-wound bobbin and method and appartus of forming same

Номер патента: US4878629A. Автор: Hans Grecksch,Josef Bertrams,Rene Bucken. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1989-11-07.

Safety toe cap made from nano composite material and preparation method of nano composite safety toe cap

Номер патента: US09730491B2. Автор: HsuehHuan HSIEH,MengNan HSIEH,WanWen WANG. Владелец: Contender Composite Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Dispensing capsule and method and apparatus of forming same

Номер патента: US20230365322A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Turkey product in a form ready for cooking and a method of cutting to form same

Номер патента: US4849245A. Автор: Robert H. Galbraith. Владелец: Cuddy Farms Inc. Дата публикации: 1989-07-18.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Modified polyvinyl butyral material, and preparation and applications thereof

Номер патента: US11732122B2. Автор: An-Hsiung Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-22.

Modified polyvinyl butyral material, and preparation and applications thereof

Номер патента: CA3096201A1. Автор: An-Hsiung Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-16.

Self-attaching fastener and method of securing same to sheet material

Номер патента: CA1228255A. Автор: Edwin G. Sawdon. Владелец: BTM Corp. Дата публикации: 1987-10-20.

Edge protector for electrolytic electrode, spreader bar thereof and method of attaching same to electrolytic electrode

Номер патента: CA2094473C. Автор: Hiroshi Tanaka,Yasuo Masuda. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Novel substituted benzimidazole dosage forms and method of using same

Номер патента: US20030215527A1. Автор: Jeffrey Phillips. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2003-11-20.

DISPENSING CAPSULE AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200231370A1. Автор: Gordon Stuart,Appleford Mark. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Crystalline form of cyclosporine a, methods for preparation and methods for use thereof

Номер патента: RU2602062C2. Автор: Ричард С. ГРЭХЭМ,Анурадха В. ГОР,Ке ВУ,Кайомарс КЕЙРАМИ,Скотт В. СМИТ. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2016-11-10.

HIGHLY POROUS CERAMIC MATERIAL AND METHOD OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20140158613A1. Автор: Weimer Alan W.,Liang Xinhua. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO. Дата публикации: 2014-06-12.

Highly porous ceramic material and method of using and forming same

Номер патента: US10138169B2. Автор: Alan W. Weimer,Xinhua Liang. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2018-11-27.

Composite material-2 and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2648886C2. Автор: Николай Евгеньевич Староверов. Владелец: Николай Евгеньевич Староверов. Дата публикации: 2018-03-28.

High fat feed pellets and method of manufacture

Номер патента: CA1053498A. Автор: Frederick H. Steinke. Владелец: Ralston Purina Co. Дата публикации: 1979-05-01.

Package, blank and method of producing package

Номер патента: EP1790468A1. Автор: Bo Andersson,Anders Grip. Владелец: Sudnif S A. Дата публикации: 2007-05-30.

Migraine relief composition and methods of using and forming same

Номер патента: US20040219229A1. Автор: Tim Clarot. Владелец: Matrixx Initiatives Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Siliceous materials and methods of manufacture

Номер патента: WO2023150796A1. Автор: Michael C. STERN,Yet-Ming Chiang,Jesse D. BENCK,Joseph HITTINGER. Владелец: Sublime Systems, Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for staining inhibition of donepezil-containing adhesive composition and method for reduction of formed donepezil-related compounds

Номер патента: RU2460520C2. Автор: Дзунити СЕКИЯ,Хитоси АКЕМИ,Акинори ХАНАТАНИ,Сатико ТЕРАСИ,Сумийо НИСИ,Сатоко ВАСИРО. Владелец: Нитто Денко Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of obtaining homogenized tobacco material and homogenized tobacco material

Номер патента: RU2680562C2. Автор: Йорик Клипфель,Йоханнес Петрус Мария Пейненбург,Майкл Эллиотт ДОЙЛ,Паскаль РОЗИ,БЕДОЙА Хуан Давид МАНСУР. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-02-22.

Method of preparing complex additive to concrete mixtures and mortars

Номер патента: RU2349560C2. Автор: Сергей Владимирович Коваленко,Андрей Иванович Беспалов,Валентина Владимировна Коваленко,Рифкат Фоатович Валетдинов. Владелец: Сергей Владимирович Коваленко. Дата публикации: 2009-03-20.

Method of producing brick glaze

Номер патента: RU2740177C1. Автор: Иван Поликарпович Добровольский,Виктор Иванович Бархатов,Александр Александрович Головко,Юнер Шамильевич Капкаев,Иван Валерьевич Головачев,Владимир Валерьевич Кровяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Челябинский государственный университет". Дата публикации: 2021-01-12.

Method of extracting water-soluble plant components

Номер патента: RU2569728C2. Автор: Вячеслав Васильевич Сова. Владелец: Попова Наталья Дмитриевна. Дата публикации: 2015-11-27.

Method of producing a stacking projection and corresponding tool

Номер патента: CA2902774C. Автор: Gianfranco D'amato. Владелец: Seda Internatonal Packaging Group SpA. Дата публикации: 2017-09-05.

Combination of setter used in firing and to-be-fired body and method for firing of formed honeycomb body

Номер патента: CN102351544A. Автор: 末信宏之,中村知雄,野口康,渡边武彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Composite material, method of producing the same and the use thereof

Номер патента: EP2560812A1. Автор: Kasperi Sokka. Владелец: Metsaliitto Osuuskunta. Дата публикации: 2013-02-27.

CONSTRUCTION UNITS IN FORM OF BRICKS, BLOCKS OR TILES MADE FROM RECYCLABLE MATERIALS AND BY-PRODUCTS, METHODS OF MAKING THE CONSTRUCTION UNITS AND THEIR USE

Номер патента: US20190337854A1. Автор: MEDERO Gabriela,CHAPMAN Samuel. Владелец: Heriot-Watt University. Дата публикации: 2019-11-07.

Coating of the paint composition and the coating of the paint coating material and the coating method of manufacturing a construction method

Номер патента: KR20160000118A. Автор: 조근식,윤기수. Владелец: 윤기수. Дата публикации: 2016-01-04.

The metal material and its manufacture method of surface treating agent for metallic materials and its manufacture method and subsidiary surface treatment capsule

Номер патента: CN107868951A. Автор: 内田淳,内田淳一,大浦郎,大浦一郎. Владелец: Nihon Parkerizing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

METHOD OF REDUCING THE EMISSIONS OF NITROGEN OXIDES IN THE EXHAUST GAS OF THE FURNACE DURING THE HEAT TREATMENT OF MATERIALS AND OPERATING THIS METHOD OF THE FURNACE

Номер патента: RU2013152604A. Автор: Маркус АБЕЛЬ,Александр МЮЛЛЕР,Виктор Юрди РИСОНАРТА,Михель ХАЙН,Мехмет Фатих ГЕКЦЕ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-06-10.

A kind of filtering material and its manufacture method of the blending type aramid fibre containing containing sulfuryl and high-temperature fibre

Номер патента: CN104652040B. Автор: 张光旭,吴佳,汪晓峰,陈晟晖,钱春芳. Владелец: Shanghai Tanlon Fiber Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-02.

The amorphous carbon-base film of nanometer grade thickness is as the application of infrared absorbing material and the preparation method of amorphous carbon-base film

Номер патента: CN108251807A. Автор: 王丽,张栋,郭鹏,汪爱英,柯培玲. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2018-07-06.

Dental implant having a form in which abutment and the prothesis are integrally combined, and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102564812B1. Автор: 김용수,김준형,송준엽,임형봉,전현준,고환순. Владелец: 주식회사 하스. Дата публикации: 2023-08-08.

Dishwashing detergent composition comprising natural material and the manufacturing method of eco-friendly dishwashing detergent

Номер патента: KR102390505B1. Автор: 김수현,강종옥. Владелец: (주) 보종. Дата публикации: 2022-04-25.

Modification regeneration polypropylene prepares the expandable injection molding composite material and its manufacturing method of high fondant-strength

Номер патента: CN108929481A. Автор: 马晓敏,冯飞,叶蕾,朱金平,乔江浩. Владелец: CHANGZHOU PLASKING POLYMER-TEC Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-04.

Mobile Temporary Reservoir Water-Tight Material and Temporary Reservoir Method of Under Construction Structure Using Thereof

Номер патента: KR100542658B1. Автор: 배석동. Владелец: 배석동. Дата публикации: 2006-01-11.

Strengthen the modified asphalt waterproof coiled material and its production method of overlap edge

Номер патента: CN107175870A. Автор: 卢桂才,伍盛江,朱方伍,陆善庆,陈立斌,赵晓岚,周为为. Владелец: GUANGXI GOLDEN UMBRELLA WATERPROOFING CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Anchored Nanostructure Materials and Ball Milling Method Of Fabrication

Номер патента: US20100209605A1. Автор: Timothy D. Burchell,Paul A. Menchhofer,Roland D. Seals,Cristian I. Contescu. Владелец: Babcock and Wilcox Technical Services Y 12 Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

A kind of makrolon material and its manufacturing method of flame-proof abrasion-resistant

Номер патента: CN106543680B. Автор: 叶青. Владелец: Lihua Yiwei Chemical Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Tobacco-containing material, be added with the tobacco product of this tobacco-containing material and the manufacture method of tobacco-containing material

Номер патента: CN105228472A. Автор: 千田正浩,合原义人,宫乡正平,立松正. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2016-01-06.

The material and heat treatment method of high-performance highly corrosion resistant tubing hanger

Номер патента: CN106011682B. Автор: 吉哲,范献兵. Владелец: Jiangsu Jinshi Casting & Forging Co ltd. Дата публикации: 2017-09-29.

The polytetrafluoroethylene material and its processing method of corona-resistant

Номер патента: CN109251447A. Автор: 全江楚. Владелец: Cosco Marine Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2019-01-22.

Gland packing materials made from expansive graphite, gland packing made from expansive graphite made from the materials, and a producing method of gland packing made from expansive graphite

Номер патента: US6601377B2. Автор: Katsuro Tsukamoto. Владелец: Japan Matex KK. Дата публикации: 2003-08-05.

COMPOSITE PART IN RESPECTIVELY INTERNAL AND EXTERNAL MOLDABLE MATERIALS, AND INJECTION MOLDING METHOD OF SUCH A PART.

Номер патента: FR2601618B1. Автор: Gerard Thomas,Yves Rene Michel Jaugey. Владелец: Automobiles Citroen SA. Дата публикации: 1988-11-25.

High connductivity aluminum alloy materials and the preparation method of aluminum alloy cable conductor thereof

Номер патента: CN105296816B. Автор: 王子纯,陈彩云,吴荣美,唐秀芹. Владелец: Jiangsu Dongqiang Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-14.

Leak out isolated material and the construction method of a kind of coal mine gob fire extinguishing

Номер патента: CN104763460B. Автор: 王伟峰,韩力,马砺,李贝,文虎,李珍宝,雷昌奎. Владелец: Xian University of Science and Technology. Дата публикации: 2017-08-25.

A kind of the regeneration PC alloy material and its production method of anti-stress cracking

Номер патента: CN106832863B. Автор: 张云,赵跃胜,任应富,姜方钰,戈永红. Владелец: Anhui Czecho New Mstar Technology Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

Include the transparent thermal insulation material and its manufacturing method of polymeric capsule

Номер патента: CN105566828B. Автор: 高文柱,刘南浩,吕铉旭,洪暎范. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-09-14.

A kind of material and material preparation method of automotive brake pads

Номер патента: CN108412925B. Автор: 王建国,张芹,吴芳芳,吴小四. Владелец: Anhui Sanlian University. Дата публикации: 2019-09-13.

The polyvinyl chloride resin wood-plastic decorating material and its manufacture method of adsorbable gas formaldehyde

Номер патента: CN106905636A. Автор: 张庆伟,张济民,王本永,左书彬. Владелец: Heilongjiang Linhai Huaan New Materials Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

The composite material and its manufacture method of selective three-dimensional conductive layer are realized on flexible macromolecule base material

Номер патента: CN108004529A. Автор: 唐勇,林云,兰修才,苏子凌,曹艳肖. Владелец: China Bluestar Chengrand Research Institute of Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

A kind of polypropylene material and its preparation method of antimicrobial form Ag-Zn load graphene

Номер патента: CN110372963A. Автор: 李建龙. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-25.

It is a kind of for making the material and its manufacturing method of cosmetics massage head

Номер патента: CN110498969A. Автор: 蔡国象,蔡易暘. Владелец: Guangzhou Contain Packaging Product Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

The anti-corrosion leak-proof material and its construction method of cesspool concrete structures

Номер патента: CN106752823B. Автор: 李智,彭军,黄靖,唐明明,黄菲菲,葛友,侯岳,王炳章. Владелец: China Light Industry Nanning Design Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

A kind of bionical compound support frame material and its construction method of doped graphene

Номер патента: CN108273139A. Автор: 李文芳,刘天庆,宋克东,卢延国,李丽颖,胡雪岩. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2018-07-13.

Intensity and the excellent middle carbon line material and its manufacturing method of cold-workability

Номер патента: CN108929985A. Автор: 闵世泓,金哈尼,文东俊,柳根水. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-04.

Gloss nickel plating material, the electronic component of use gloss nickel plating material and the preparation method of gloss nickel plating material

Номер патента: CN102812165B. Автор: 儿玉笃志. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Raw material and additive manufacturing method of colorful multi-transparency dental prosthesis

Номер патента: CN113416071A. Автор: 沈剑英,谢宝军. Владелец: Jiaxing Yabao Medical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Compositions containing labile bioactive materials and mammalian colostrum, methods of preparation and treatment

Номер патента: WO2003080082A1. Автор: Gottfried Lichti,Grant Thomas Rawlin,Roy Michael Robins-Browne. Владелец: Anadis Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

The surface treatment method of sand material and the manufacturing method of ready-mixed concrete

Номер патента: CN110088060A. Автор: 中本义范,石田光人,雪本清人,羽田政登. Владелец: TIEKE CO Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

It is used in particular for the high temperature thermal insulation material and its manufacturing method of gas turbine

Номер патента: CN109251025A. Автор: H-P.博斯曼,D.雷努施,T-T.楚,M.米彻勒,J.库尔伯勒. Владелец: Ansaldo Energia IP UK Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Resin impregnated mold for pultrusion molding of composite material and pultrusion molding method of composite meterial using the same

Номер патента: KR102492082B1. Автор: 김성구,박상언,박병학. Владелец: 주식회사 성우하이텍. Дата публикации: 2023-01-27.

The high-strength wire material and its manufacture method of corrosion resistance excellent

Номер патента: CN106834910A. Автор: 杨裕燮,张堤旭,金皓鍊. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

The Aluminum alloy extrusion material and its manufacturing method of excellent in machinability

Номер патента: CN105473747B. Автор: 宫田幸昌,吉原伸二,志镰隆广. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of Aluminum alloy extrusion material and its manufacturing method of shock resistance energy absorption characteristics

Номер патента: CN109468502A. Автор: 周楠,王顺成,黄正华,李新涛. Владелец: Guangdong Institute of Materials and Processing. Дата публикации: 2019-03-15.

Chemical conversion treatment liquid regeneration apparatus used for the manufacturing method of a chemical conversion treatment alloy material, and the manufacturing method of a chemical conversion treatment alloy material

Номер патента: KR102451532B1. Автор: 다카미쓰 다카기,마코토 미야지마,게이시 마쓰모토,사유리 이와타,아키라 쓰토. Владелец: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-10-06.

Marinating material and food marinating method of marinating material

Номер патента: CN103504265B. Автор: 杨华,杨世德. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-22.

the hollow material and the construction method of light slab structure using the same

Номер патента: KR101691624B1. Автор: 신세영,정경진. Владелец: 정경진. Дата публикации: 2017-01-09.

Chemical conversion treatment liquid regenerator used in the manufacturing method of chemical conversion treatment alloy material and the manufacturing method of chemical conversion treatment alloy material

Номер патента: JPWO2019103067A1. Автор: 圭司 松本,慎 宮島,松本　圭司,崇光 ▲高▼木,さゆり 岩田,昭良 津戸. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

For manufacturing the fiber carrier material and its manufacture method of porous type coated base paper or prepreg

Номер патента: CN108026701A. Автор: D.瓦莱什,T.齐默尔曼,G.斯奎拉,S.乔西特. Владелец: Xia Te Decorative Joint-Stock Co. Дата публикации: 2018-05-11.

The composite material and its manufacturing method of mechanical performance with enhancing

Номер патента: CN109312114A. Автор: 黄莹莹,S·文卡特拉曼,王恩厚,洪慧颖,尼古拉斯·丹尼尔·玛丽·福恩. Владелец: SINGAPORE HEALTH SERVICES PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-05.

Magnesium alloy material and surface treatment method of magnesium alloy

Номер патента: JP5705054B2. Автор: 貴裕 石崎,健志 太見,太見　健志,るり子 工藤. Владелец: A&A Material Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Material and the manufacturing method of organic coating

Номер патента: TW336193B. Автор: Naomasa Nakakouji,Tomokatsu Katagiri,Kyouko Hamahara,Hidekazu Asahina,Ichio Mochizuki. Владелец: Kawasaki Steel Co. Дата публикации: 1998-07-11.

Multi-layered body with first layer sensitive to laser radiation and second layer sensitive to laser radiation and method for forming multi-layer image in such a multi-layered body

Номер патента: RU2296378C2. Автор: Норберт ЛУТЦ,Герхард ЦИННЕР,Маттиас ШУМАХЕР,Ульрих КНААК,Дирк ФИШЕР,Норберт ЛУТЦ (DE),Герхард ЦИННЕР (DE),Маттиас ШУМАХЕР (DE),Ульрих КНААК (DE),Дирк ФИШЕР (DE). Владелец: Орга Системз Гмбх. Дата публикации: 2007-03-27.

Dehumidification and dehumidification device, air dehumidifier, air humidifier and method of their operation

Номер патента: RU2689855C2. Автор: Хиун-Кук ЧОЙ,Киу-Ван СОНГ,Ки-Соо КИМ. Владелец: Ковэй Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-29.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US20220347908A1. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: Pactiv Evergreen Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US12011856B2. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: PACTIV LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Apparatus and methods of separating hydrocarbons from solid particles using a shock wave generator

Номер патента: RU2734221C2. Автор: Трент ХАНТЕР. Владелец: 3П Текнолоджи Корп.. Дата публикации: 2020-10-13.

Polycrystalline compacts including nanoparticulate inclusions, cutting elements and earth-boring tools including such compacts, and methods of forming same

Номер патента: EP2638234A1. Автор: Anthony A. DiGiovanni. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2013-09-18.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE-ACQUISITION AND FASTENING DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120004677A1. Автор: Swope Bretton,Cole David,BALBIERZ DANIEL J.,Hambly Pablo R.,England Justen,Crews Samuel T.,Purdy Craig Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AGENT FOR STIMULATING substantia Nissl SYNTHESIS IN SPINAL CORD MOTOR NEURONS AND SPINAL CORD MOTOR NEURONAL PROCESS GROWTH AND METHOD FOR STIMULATING substantia Nissl SYNTHESIS IN SPINAL CORD MOTOR NEURONS AND SPINAL CORD MOTOR NEURONAL PROCESS GROWTH

Номер патента: RU2522243C1. Автор: Ирина Васильевна Мухина,Иван Григорьевич Шиленок,Наталья Александровна Панина,Андрей Львович Шершевский,Наталья Валерьевна Жемарина. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "НИЖЕГОРОДСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ МЕДИЦИНСКАЯ АКАДЕМИЯ" МИНИСТЕРСТВА ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (ГБОУ ВПО "НижГМА МИНЗДРАВА РОССИИ). Дата публикации: 2014-07-10.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of processing toxic wastes, formed in destruction of organophosphate poisoning substance of vx type

Номер патента: RU2540582C1. Автор: Владимир Борисович Кондратьев,Дмитрий Анатольевич Садовников,Александр Иванович Торубаров,Алексей Викторович Семин,Ольга Анатольевна Епифанова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт органической химии и технологии" (ФГУП "ГосНИИОХТ"). Дата публикации: 2015-02-10.

Polymerisation-able photochromic isocyanate composition, photochromic mesh optical material and method of obtaining photochromic mesh optical material

Номер патента: RU2542252C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Валерий Александрович Барачевский,Эльмира Рашатовна Бадамшина,Антон Оскарович Айт,Вячеслав Петрович Грачев,Айгуль Сапаргалиевна Джалмуханова,Елена Александровна Юрьева,Виктория Викторовна Комратова,Сергей Витальевич Карпов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2015-02-20.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCORPORATING A CONDUCTOR LAYER WITH BOTH TOP SURFACE AND SIDEWALL PASSIVATION AND A METHOD OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20120025383A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-02.

Joint nail package and method and means of forming same

Номер патента: CA632681A. Автор: Ferguson Richard,Gettys D. Hoyle, Jr.. Владелец: Terrell Machine Co. Дата публикации: 1961-12-12.

Method of obtaining aramid threads modified with carbon nanotubes

Номер патента: RU2557625C1. Автор: Владимир Юрьевич Лакунин,Галина Борисовна Склярова,Сергей Владимирович Комиссаров,Владимир Викторович Ведехин,Марина Александровна Руснак. Владелец: Открытое акционерное общество "Каменскволокно". Дата публикации: 2015-07-27.

Method of catalytic decomposition of hypochlorite

Номер патента: RU2203850C2. Автор: А.С. Дедов,В.Ю. Захаров,А.Н. Голубев,Ю.Б. Насонов,И.А. Талагаева,В.В. Андрейчатенко,А.Г. Лавринов,С.А. Вандышев,О.Н. Бельтюгова,М.Д. Новикова,Д.А. Шабалин,В.А. Чуркин. Владелец: Открытое акционерное общество "Кирово-Чепецкий химический комбинат им. Б.П.Константинова". Дата публикации: 2003-05-10.

Composition of the granulated explosive material and the method of its preparation

Номер патента: RU2303023C2. Автор: Юрий Владимирович Варнаков,Виктор Ярославович Панчишин. Владелец: Виктор Ярославович Панчишин. Дата публикации: 2007-07-20.

Method of corrugated equal channel profiling

Номер патента: RU2354477C2. Автор: Вадим Григорьевич Антипанов,Александр Владимирович Архандеев,Александр Сергеевич Белышев. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-05-10.

METHOD OF PRODUCING DIEUROPIUM OXIDE-DIIODIDE Eu2OI2

Номер патента: RU2485050C1. Автор: Людмила Юрьевна Аликберова,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко,Таисия Алексеевна Антоненко,Дмитрий Васильевич Альбов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ). Дата публикации: 2013-06-20.

Sensitive light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, sensitive light-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing an electronic device.

Номер патента: JP6846151B2. Автор: 啓太 加藤,研由 後藤,大輔 浅川,享平 崎田,雅史 小島,惠瑜 王. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Integrated Circuit (IC) Chip Having Both Metal and Silicon Gate Field Effect Transistors (FETs) and Method of Manufacture

Номер патента: US20120292664A1. Автор: Kanike Narasimhulu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of preparing coatings and films utilizing organo-inorganic nanocomposite materials based on film-forming organic polymers with grafted oligosiloxane chains

Номер патента: RU2318852C2. Автор: Вадим Владимирович Анненков,Сергей Иванович Беликов,Елена Николаевна Даниловцева,Елена Анатольевна Филина,Наталия Вадимовна Анненкова,Наталия Николаевна Деникина. Владелец: Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-03-10.

Method of preparing concrete mixture

Номер патента: RU2479525C2. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов,Дмитрий Геннадьевич Смирнов,Владимир Владимирович Шмыгленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2013-04-20.

Improvements in Compound Yarns or Threads of Fibrous Material, and in the Method of Producing same.

Номер патента: GB190326409A. Автор: John Reynard Brogden. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-10-20.

Improvements in Incorrodible Material and in the Method of its Production.

Номер патента: GB190416029A. Автор: George Weltden Gesner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-09-15.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, MONOMER, POLYMER, AND PRODUCTION METHOD OF RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION

Номер патента: US20120237876A1. Автор: MARUYAMA Ken. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2012-09-20.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: CA2561299A1. Автор: David Frank Angelico. Владелец: David Frank Angelico. Дата публикации: 2004-12-25.

RADIATION-SENSITIVE COLORED COMPOSITION, COLOR FILTER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SOLID STATE IMAGE DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120202145A1. Автор: Kaneko Yushi,ARAYAMA Kyouhei,IDEI Hiroaki,ITOU Junichi,MURAKAMI Yousuke. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-08-09.

Radiation sensitive resin composition, interlayer dielectric and method for forming the same

Номер патента: JP2011133699A. Автор: 英司 米田,信弘 西,大吾 一戸,Eiji Yoneda,Nobuhiro Nishi,Daigo Ichinohe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Negative dye-containing radiation-sensitive curable composition, color filter, and method for producing the same

Номер патента: JP4932414B2. Автор: 和人 嶋田,英希 高桑,知也 佐々木. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Radiation-sensitive refractive-index variable composition and method for varying refractive-index

Номер патента: JP2003246930A. Автор: Nobuo Bessho,Masaaki Hanamura,Koji Kumano,厚司 熊野,政暁 花村,信夫 別所,Keiji Konno,圭二 今野. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2003-09-05.

EMULSOL FOR LUBRICATION OF METAL FORMS IN THE PRODUCTION OF CONCRETE AND REINFORCED CONCRETE PRODUCTS AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: RU2007127131A. Автор: Лидия Витальевна Мосталыгина,Александр Вадимович Костин,Дмитрий Николаевич Камаев,Лиди Витальевна Мосталыгина (RU),Александр Вадимович Костин (RU),Дмитрий Николаевич Камаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Курганский государственный университет (RU). Дата публикации: 2009-01-27.

Improvements in Channels or Receptacles for Sewage and the like Materials, and in the Method of Deodorizing or Disinfecting the same.

Номер патента: GB189414733A. Автор: Hermann Stoffert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-09-01.

Hydrophone sensitivity measurements on board sea-going ships by method of comparison in low-frequency range

Номер патента: RU2090984C1. Автор: В.К. Маслов,А.В. Аграновский,В.Б. Бычков,А.В. Розенберг. Владелец: Научно-производственное объединение "Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений". Дата публикации: 1997-09-20.

Texturizing additive for formed meat products and method for obtaining of formed meat products with the use of texturizing additive

Номер патента: RU2249417C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-04-10.

Improvements in Pile Dress Materials and in the Method of their Manufacture.

Номер патента: GB189406814A. Автор: Desire Berchon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1894-05-12.

Method of making photosensitive silver-palladium resistive film

Номер патента: RU2558599C2. Автор: Александр Сергеевич Саушин,Геннадий Михайлович Михеев,Василий Михайлович Стяпшин,Руслан Геннадьевич Зонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт механики Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2015-08-10.

Method to produce filtration material, filtration material and respiratory system protector

Номер патента: RU2385177C1. Автор: Евгения Ивановна Зорина,Геннадий Анатольевич Оборин,Раиса Дмитриевна Заболотская. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Собинтел". Дата публикации: 2010-03-27.

Method of receiving of cordierite on basis of dunite

Номер патента: RU2378225C2. Автор: Борис Николаевич Нефедов,Вячеслав Фролович Павлов,Василий Филиппович Шабанов,Игорь Вячеславович Павлов. Владелец: СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО- ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО "НАУКА" КРАСНОЯРСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СКТБ "Наука" КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2010-01-10.

A kind of the micro-nano aluminium powder/porous carbon composite material and its synthetic method of acid and alkali-resistance

Номер патента: CN107626915B. Автор: 陈颖,刘忠华,许森,许冬,陈祥迎,韩夏. Владелец: ANHUI AOYA ALLOY Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

Indication material and versions of method of leakage testing of articles

Номер патента: SU1154572A1. Автор: Виталий Дмитриевич Походенко,Валерий Людвикович Куцевич,Казбек Соломонович Касаев,Вадим Николаевич Наумов,Александр Васильевич Шульженко,Лев Иванович Бударин,Римма Васильевна Сучкова,Леонид Сергеевич Дегтярев. Владелец: Институт Физической Химии Им.Л.В.Писаржевского. Дата публикации: 1985-05-07.

Anti-cracking belt trough formed in wallboard, frame for manufacturing anti-cracking belt trough and method for installing wallboard provided with anti-cracking belt trough

Номер патента: CN103255844A. Автор: 姚景祥. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-21.

A kind of halogen material and the preparation method of spiced and stewed food

Номер патента: CN106135853A. Автор: 肖正奎. Владелец: Hunan Jin Xiangquan Food Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-23.

For polymer-function material and the preparation method of adsorption treatment organic chemical waste water

Номер патента: CN103623790B. Автор: 秦伟,豆俊峰,丁爱中,程莉蓉,单明军. Владелец: Beijing Normal University. Дата публикации: 2015-09-09.

Magnesium alloy material and surface treatment method of magnesium alloy

Номер патента: JP5142275B2. Автор: 修二 恒松,絹江 恒松,耕三 井上. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-02-13.

Soundproof material and execution work method of soundproof material

Номер патента: JPH1046701A. Автор: Kenji Matsunaga,憲治 松永. Владелец: NIPPON SHIYAKEN KK. Дата публикации: 1998-02-17.

Tobacco material class produced by taking citrus materials as raw materials and electric heating method of tobacco material class

Номер патента: CN103908012A. Автор: 戴亚,黄玉川,冯广林,陶文生,肖克毅. Владелец: China Tobacco Chuanyu Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-09.

Molten steel surface heat insulating material and continuous casting method of steel using the same

Номер патента: JP4750985B2. Автор: 勝浩 笹井,潤二 中島. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Thermal insulation material and/or installation method of thermal insulation material

Номер патента: JP2022094874A. Автор: 恵久 古川,Shigehisa Furukawa,隆之 元山,Takayuki Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-27.

The polarization method of polarized fluorescence powder, fluorescent material and the manufacture method of LED

Номер патента: CN102983251B. Автор: 张国旗,孙博,郭金霞,韦嘉,牛琳,董明智,梁润园,袁长安,刘立莉,许绍伟,黄洁莹,范供齐,赵璐冰. Владелец: BEIJING SEMICONDUCTOR LIGHTING TECHNOLOGY PROMOTION CENTER. Дата публикации: 2016-02-03.

A hydrophobic building material and a construction method of waterproof roofs

Номер патента: CN104163598A. Автор: 王万金,王靖,贺奎,夏义兵,赖振峰,吴敬朋. Владелец: Beijing Building Construction Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

A kind of have a TbCu 7The SmCo1:7 type nano crystal permanent magnetic material and the preparation method of structure

Номер патента: CN100555481C. Автор: 蒋成保,张天丽,徐惠彬,姚赞. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-10-28.

Joint material and joint construction method of continuous underground wall

Номер патента: JPH1161808A. Автор: Shizuo Kuranuki,静夫 倉貫. Владелец: Aoyama Kiko Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-05.

A graphene modifier, a graphene reinforced composite material and a preparing method of the graphene reinforced composite material

Номер патента: CN104828806A. Автор: 王长明,谢守德,邓崇浩. Владелец: Dongguan Huajing Powder Metallurgy Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Temperature sensing material, using the dehumidification device of the material and the device method of work

Номер патента: CN105273143B. Автор: 李敏,黄骏,徐艳,史洪玮. Владелец: Suqian College. Дата публикации: 2018-06-19.

Anti-fog coating, antifog base material and the manufacture method of antifog base material

Номер патента: CN104130607B. Автор: 曾建都,刘西湖. Владелец: Plasmag Tech Inc. Дата публикации: 2016-11-23.

Injection coating device for pattern forming material and injection coating method of pattern forming material

Номер патента: JP2004057928A. Автор: Masaomi Ebe,Tomoyuki Nakatani,中谷　知之,江部　政臣. Владелец: Pioneer Display Products Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Chinese ephedra medicinal material, and content determination method of three alkaloids in preparation thereof

Номер патента: CN103512998A. Автор: 张文武,申玉龙,安丽娜,张文臣,韩桂茹. Владелец: 张文臣. Дата публикации: 2014-01-15.

Felt articles made of a feltable flat fibrous material and to a method of producing the same

Номер патента: CA631582A. Автор: Huchler Georg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1961-11-28.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lithographic Apparatus and Method

Номер патента: US20120002182A1. Автор: NIENHUYS Han-Kwang,HUIJBERTS Alexander Marinus Arnoldus,Jonkers Peter Gerardus. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003583A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,TAKAHASHI Toshiya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVITY MONITORING SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004883A1. Автор: . Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ADJUSTING SPEED AND/OR ROUTING OF A TABLE MOVEMENT PLAN AND A LITHOGRAPHIC APPARATUS

Номер патента: US20120003381A1. Автор: Li Hua,Van Den Nieuwelaar Norbertus Josephus Martinus,GROUWSTRA Cedric Desire,JOCHEMSEN Marinus,KEMPER Nicolaas Rudolf,DE VRIES Dirk. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD-PORTABLE IMPEDANCE READER AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120004851A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Morris William Guy,Ashe Jeffrey Michael,Surman Cheryl Margaret. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

GAS SENSOR CONTROL APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120001641A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PARTICULATE FILTER REGENERATION INTERRUPTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000187A1. Автор: Darr Rebecca J.,Jasinkiewicz Paul,Shetney Justin A.,Mullins Jason Daniel,Crawford Kyle E.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multiband Antenna and Method for an Antenna to be Capable of Multiband Operation

Номер патента: US20120001815A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large-scale integrated circuit (version)

Номер патента: RU2006991C1. Автор: Константин Иванович Баринов,Анатолий Демьянович Масляный,Владимир Евгеньевич Власов,Юрий Иванович Горбунов,Татьяна Сергеевна Володина. Владелец: Татьяна Сергеевна Володина. Дата публикации: 1994-01-30.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO DRIVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120002819A1. Автор: Thormundsson Trausti,Jonsson Ragnar H.,Thorvaldsson Vilhjalmur S.,Wihardja James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DISTINGUISHING INPUT OBJECTS

Номер патента: US20120001855A1. Автор: TRENT,JR. Raymond Alexander,Palsan Carmen. Владелец: SYNAPTICS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTOR ASSEMBLY FOR USE IN ENVIRONMENTS CONTAINING BACKGROUND MAGNETIC NOISE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004878A1. Автор: . Владелец: U.S. Government as represented by the Secretary of the Army. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DIE CONNECTION MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001642A1. Автор: Hodge Richard H.,Sylvester Jeffry S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Card Guide System and Method

Номер патента: US20120002385A1. Автор: Hanna John N.,Crowley David M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPORATION APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20120003740A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PARTICULATE MATTER FILTER REGENERATION USING A CATALYTIC CONVERTER AS A COMBUSTOR

Номер патента: US20120000180A1. Автор: JR. Michael J.,Gonze Eugene V.,Paratore,Santoso Halim G.. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

IR Detector System and Method

Номер патента: US20120001073A1. Автор: . Владелец: SELEX GALILEO LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Pipeline Weighting Device and Method

Номер патента: US20120003049A1. Автор: Sprague Ian,McKay Charles Frederick. Владелец: CRC-EVANS CANADA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SURGICAL ACCESS APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120004510A1. Автор: Brustad John R.,Hilal Nabil,Ewers Richard C.,Pingleton Edward D.,Dulak Gary R.,Adlparvar Payam,Bowes Robert R.. Владелец: APPLIED MEDICAL RESOURCES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MICRO-RESECTING AND EVOKED POTENTIAL MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004680A1. Автор: McFarlin Kevin,Reinker David. Владелец: Medtronic Xomed, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER AMPLIFIER AMPLITUDE MODULATOR SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001693A1. Автор: Aoki Ichiro,Hajimiri Seyed-Ali,Kee Scott D.,Damgaard Morten,Magoon Rahul,Mohta Setu,Aparicio Joo Roberto,Hatcher Geoff. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY MANAGEMENT SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004637A1. Автор: . Владелец: Lifes-can, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Carbon-silicon carbide composite material and method for manufacturing products from thereof

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatus and Method for Cleaning an Electronic Device

Номер патента: US20120000491A1. Автор: . Владелец: Lenovo (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SHIFT INVARIANT DIFFERENTIAL (SID) IMAGE DATA INTERPOLATION IN FULLY POPULATED SHIFT INVARIANT MATRIX

Номер патента: US20120002874A1. Автор: Dosluoglu Taner. Владелец: YOULIZA, GEHTS B.V. LIMITED LIABILITY COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003590A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Highly productive method of depositing carbon nanotubes and composite films

Номер патента: RU2342316C2. Автор: Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин,Сергей Владимирович Бараш. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-12-27.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of radiation-induced thermal oxidising of silicon

Номер патента: RU2540462C1. Автор: Сергей Александрович Воронов,Николай Аркадьевич Самотаев,Юрий Александрович Воронов,Андрей Борисович Симаков,Татьяна Анатольевна Сугробова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2015-02-10.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED EDGE TRIGGERING IN A TEST AND MEASUREMENT INSTRUMENT

Номер патента: US20120001657A1. Автор: SULLIVAN Stevens K.,BEALE Terrance R.,VEITH Kristie L.. Владелец: TEKTRONIX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TOUCH SWITCH DISPLAY CONTROL SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001862A1. Автор: Durbin William,Dorris Parker,Cloute-Cazalaa Jerome. Владелец: SILICON LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ASSISTING VISUALLY-IMPAIRED USERS TO VIEW VISUAL CONTENT

Номер патента: US20120001932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120002987A1. Автор: ODANI Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Failure Detection System and Method for LED Lighting Equipment

Номер патента: US20120001552A1. Автор: WEN Yung-Chuan,TSAI Kun-Cheng. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR VOICEMAIL TO TEXT CONVERSION

Номер патента: US20120002794A1. Автор: Zubas Michael,Jackson Jacqueline. Владелец: AT&T Mobility II LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

ADVERTISING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120000102A1. Автор: Bruce Shad E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VALPROIC ACID, DERIVATIVES, ANALOGUES, AND COMPOSITIONS INCLUDING SAME AND METHODS FOR THEIR THERAPEUTIC USE

Номер патента: US20120003191A1. Автор: Burkin Dean J.,Gurpur Praveen B.,Kaufman Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE/SIRNA COMPLEXES AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003278A1. Автор: . Владелец: ENSYSCE BIOSCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Wireless Transfer of Content Between Aircraft

Номер патента: US20120003922A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

DEGRADATION RESISTANT IMPLANTABLE MATERIALS AND METHODS

Номер патента: US20120004722A1. Автор: . Владелец: ALLERGAN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiator tube and method and apparatus for forming same

Номер патента: WO1995005571B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-04-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.