Synchronous semiconductor integrated circuit device capable of test time reduction .

Synchronous semiconductor integrated circuit device capable of test time reduction

Номер патента: US6385125B1
Опубликовано: 07-05-2002
Автор(ы): Hiroaki Tanizaki, Shigeki Tomishima, Tsukasa Ooishi, Yutaka Komai
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp, Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010027546A1. Автор: Takehiko Hojo,Toshiyuki Kouchi,Yoshinori Sugisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit device which has first chip and second chip accessed via the first chip and test method thereof

Номер патента: US20090167337A1. Автор: Yuji Tada,Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Kazunori Yamane,Manabu Kitabatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Partition-able storage of test results using inactive storage elements

Номер патента: US20170350940A1. Автор: Pradip Patel,William V. Huott,Daniel Rodko,Thomas J. Knips. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Partition-able storage of test results using inactive storage elements

Номер патента: US09983261B2. Автор: Pradip Patel,William V. Huott,Daniel Rodko,Thomas J. Knips. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5825712A. Автор: Tomoki Higashi,Hiroyuki Noji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Clocked commands timing adjustments method in synchronous semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20190172511A1. Автор: Steven Eaton,Matthew Manning. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US7643365B2. Автор: Yoshikazu Kurose,Tetsumasa Meguro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130163356A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida,Hitoshi Yamanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and characteristic measurement method thereof

Номер патента: US20030168681A1. Автор: Hirokazu Miyazaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Method and apparatus for testing integrated circuits for susceptibility to latch-up

Номер патента: EP1839063A1. Автор: Andrea c/o Philips I.P. & Standards SCARPA,Paul H. c/o Philips I.P. & Standards CAPPON,Peter C. c/o Philips I.P. & Szandards DE JONG,Taede c/o Philips I.P. & Standards SMEDES. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-10-03.

Method and apparatus for testing integrated circuits for susceptibility to latch-up

Номер патента: WO2005073741A1. Автор: Taede Smedes,Peter C. de Jong,Andrea Scarpa,Paul H. Cappon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of testing an integrated circuit and an integrated circuit test apparatus

Номер патента: US20050099202A1. Автор: Theodore Houston,Bryan Sheffield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Built-in-self-test (BIST) test time reduction

Номер патента: US09773570B2. Автор: Kevin W. Gorman,Michael R. Ouellette,Krishnendu Mondal,Deepak I. Hanagandi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Circuit device having a self-testing function and a testing method thereof

Номер патента: US4829237A. Автор: Hiroshi Segawa,Masahiko Yoshimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-05-09.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of testing the same

Номер патента: US5155701A. Автор: Hideaki Takahashi,Minoru Fukuda,Satoshi Meguro,Kazuhiro Komori,Yuji Hara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-10-13.

Semiconductor integrated circuit device with an internal voltage-down converter

Номер патента: US5451896A. Автор: Shigeru Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Semiconductor integrated circuit device having a control circuit for setting the test mode

Номер патента: US5557232A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Testing methods of a semiconductor integrated incorporating a high-frequency receiving circuit and a demodulation circuit

Номер патента: US7693223B2. Автор: Shinya Kishigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030031075A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6490219B2. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20020051400A1. Автор: Masaru Koyanagi,Kazuhide Yoneya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor memory device capable of performing test mode operation and method of operating such semiconductor device

Номер патента: USRE36875E. Автор: Akira Yamazaki,Yasuhiro Konishi,Katsumi Dosaka,Hisashi Iwamoto,Masaki Kumanoya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

On-board testing circuit and method for improving testing of integrated circuits

Номер патента: US20030126526A1. Автор: Robert Totorica,Charles Snodgrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09557379B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US7082559B2. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Device with integrated SRAM memory and method of testing such a device

Номер патента: US20010053102A1. Автор: Roelof Salters. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Integrated circuit and method for testing semiconductor devices using the same

Номер патента: US09418760B2. Автор: In-Tae Kim,Woo-Sik JUNG,Weon-Seon LEE,O-Han KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09536610B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Regulator circuitry capable of tracking reference voltages

Номер патента: US20150070086A1. Автор: Chuan Khye Chai,Kok Siang Tan,Wilfred Wee Kee King. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20170178717A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20220301618A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20180158512A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US20190244659A1. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US9959924B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US09959924B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor integrated circuit device and wearable device

Номер патента: US10311943B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit device and data-write method thereof

Номер патента: US20020145927A1. Автор: Kazumi Kojima,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US7447959B2. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Synchronous semiconductor memory device capable of improving load of clock signal line

Номер патента: US5881019A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2104601C1. Автор: Остин Кеннет. Владелец: Пилкингтон Микроэлектроникс Лимитед. Дата публикации: 1998-02-10.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09761299B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09536579B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit device capable of securing gate performance and channel length

Номер патента: US20110255324A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US09530485B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Synchronous semiconductor memory device capable of reducing power dissipation by suppressing leakage current during stand-by and in active operation

Номер патента: US6055206A. Автор: Shigeki Tomishima,Tsukasa Ooishi,Hideto Hidaka,Hiroaki Tanizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor integrated circuit device having load means

Номер патента: US5185723A. Автор: Ryuichi Hashishita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09830977B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated circuit device including switching elements and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741931B1. Автор: Hong Jung Kim,Young Hee YOON,Jeong Ho YI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455022B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Pad indication for device capability

Номер патента: US20210165595A1. Автор: Rotem Sela,Yoseph Pinto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Synchronized semiconductor device with phase adjustment circuit

Номер патента: US09768760B2. Автор: Hiroki Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Operable synchronous semiconductor memory device switching between single data rate mode and double data rate mode

Номер патента: US20020064072A1. Автор: Tsukasa Ooishi,Masatoshi Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit for generating an internal power source voltage with reduced potential changes

Номер патента: US5592421A. Автор: Tetsuya Kaneko,Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-01-07.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070247962A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor intergrated circuit device

Номер патента: US20090008680A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit device having power down mode

Номер патента: US4906862A. Автор: Kiyoshi Itano,Kohji Shimbayashi. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1990-03-06.

Integrated circuit device capable of optimizing operating performance according to consumed power

Номер патента: US20040036526A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5490111A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180151225A1. Автор: Shinichi Yasuda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit device with clock frequency invariant voltage step-down circuit

Номер патента: US5903513A. Автор: Takashi Itou. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Semiconductor integrated circuit device testing

Номер патента: US5065091A. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP2200078A4. Автор: Yasuhide Sosogi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014637A1. Автор: Fujio Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020021615A1. Автор: Yoshiyuki Ota,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09865601B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Kai-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory integrated circuit with built-in redundancy

Номер патента: US09620203B2. Автор: Shinichi Yasuda,Koichiro ZAITSU,Haiyang Peng. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6847252B1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor integrated circuit device having rest function

Номер патента: US4780666A. Автор: Satoru Kishida,Kazuhiro Sakashita,Toshiaki Hanibuchi,Takahiko Arakawa,Ichiro Tomioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6101146A. Автор: Yoshinori Matsui,Kenichi Sakakibara,Taketo Maesako,Kouki Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Synchronous semiconductor memory device and method of controlling sensing process of synchronous dynamic RAM

Номер патента: US6061294A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7420834B2. Автор: Noriaki Maeda,Masanori Isoda,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040228199A1. Автор: Zenzo Oda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US20160125940A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20180342269A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20200185012A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040013015A1. Автор: Akinori Shibayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Input buffer circuit of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20040027862A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Reum Oh,Woo-Seop Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020159326A1. Автор: Takashi Shikata,Taizoh Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10685685B2. Автор: Masanobu Hirose. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010012232A1. Автор: Toru Kobayashi,Shuichi Miyaoka,Michiaki Nakayama,Hideo Sawamoto,Yuji Yokoyama,Masaji Kume,Hideki Sakakibara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-08-09.

Npu capable of performing runtime test

Номер патента: US20240274224A1. Автор: Lok Won Kim,Jeong Kyun Yim. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09601577B1. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09525422B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4771406A. Автор: Takashi Shinoda,Kanji Oishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1261127A2. Автор: Fumikazu Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Takahashi,Tatsumi Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Yamauchi,Fumio Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Murabayashi,Kazuhisa Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Miyamoto,Kazuharu Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-27.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Internal clock generation circuit for synchronous semiconductor device

Номер патента: US5991229A. Автор: Hee-Choul Park,Eun-cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Synchronous semiconductor circuit with operation time margin increased

Номер патента: US5694371A. Автор: Manabu Kawaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Semiconductor Integrated circuit device for handling low amplitude signals

Номер патента: US5801554A. Автор: Miki Matsumoto,Kanji Oishi,Atsuko Momma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Synchronous semiconductor memory having a write execution time dependent upon a cycle time

Номер патента: US5867447A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US20160172022A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US20170309327A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semicondutor Integrated Circuit Device and System

Номер патента: US20150228330A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Optical disk apparatus, signal processing semiconductor integrated circuit constituting the same, and operation method

Номер патента: US20090147633A1. Автор: Hiroshi Abe,Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Display drive integrated circuit and image display system capable of controlling a self-refresh display

Номер патента: US09424805B2. Автор: Hye-jin Jung,Jong-Sung Lee,Dustin Yuk Lun Wai,Byung-koan Kim,Se-Moon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor integrated circuit, circuit testing system, circuit testing unit, and circuit test method

Номер патента: US20120049883A1. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotatioin link

Номер патента: PH12016502510B1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-10.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: EP3158610A1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: US09425529B2. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Machine learning-based integrated circuit test case selection for timing analysis

Номер патента: US11928411B2. Автор: Santanu PATTANAYAK,Lindsey Makana KOSTAS,Tushit Jain. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Machine learning-based integrated circuit test case selection for timing analysis

Номер патента: US20230102185A1. Автор: Santanu PATTANAYAK,Lindsey Makana KOSTAS,Tushit Jain. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Machine learning-based integrated circuit pvt test case selection for timing analysis

Номер патента: WO2023049577A1. Автор: Santanu PATTANAYAK,Lindsey Makana KOSTAS,Tushit Jain. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-30.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: MY183259A. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: WO2015195201A1. Автор: Victor Landa. Владелец: XCERRA CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-23.

Integrated circuit device having a burn-in mode for which entry into and exit from can be controlled

Номер патента: US20010054909A1. Автор: David McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-12-27.

Object detection apparatus, program, and integrated circuit

Номер патента: EP2775422A3. Автор: Shohei Nomoto. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-01-18.

Method of testing a connection which includes a conductor in an integrated circuit the invention relates to a method of testing a connection which includes a conductor in an integrated circuit, the conductor being connected to an external connection terminal.

Номер патента: TW332260B. Автор: Gerardus Maria De J Franciscus. Владелец: Philips Eloctronics N V. Дата публикации: 1998-05-21.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: US10996269B2. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Method and apparatus for multi-core processor integrated circuit having functional elements configurable as core elements and as system device elements

Номер патента: US20030172232A1. Автор: Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-09-11.

Integrated circuit, electronic system and method capable of performing chipset feature detection and configuration

Номер патента: TWI297836B. Автор: Sujoy Sen,Sivakumar Radhakrishnan,Kenneth C Creta,William T Futral,Gregory D Cummings. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Laser-induced thermal stressing of integrated circuits

Номер патента: US20220221510A1. Автор: Ricardo Ascazubi,Georgia Modoran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Integrated circuit chip and testing method capable of detecting connection error

Номер патента: US8803544B2. Автор: You-Kuo Wu,Chih-Cheng Ku,Shan-Cheng Sun. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2014-08-12.

Josephson integrated circuit having an output interface capable of providing output data with reduced clock rate

Номер патента: EP0420579A2. Автор: Seigo Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-04-03.

Integrated circuit storage device or method capable of realizing automatic operation

Номер патента: CN107832241B. Автор: 张和,维尼纳森·维斯万纳森. Владелец: Fuyi Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-08.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of testing a stacked integrated circuit device

Номер патента: US12032021B2. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Wiring design method of integrated circuit device, system thereof, and program product thereof

Номер патента: US20030227032A1. Автор: Takashi Yoneda,Toshikatsu Hosono,Takanori Nawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Multifunctional test device capable of continuously gathering root exudates

Номер патента: LU506108B1. Автор: Haixiang Zhang. Владелец: West Yunnan Univ Of Applied Sciences. Дата публикации: 2024-07-15.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit testing device with dual purpose analog and digital channels

Номер патента: WO2000058741A1. Автор: Bryan J. Dinteman. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2000-10-05.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

System for inspecting exposure pattern data of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4774461A. Автор: Kenichi Kobayashi,Shogo Matsui,Kunihiko Shiozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-09-27.

Semiconductor integrated circuit device, method of controlling semiconductor integrated circuit device, and cache device

Номер патента: US20120166721A1. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor integrated circuit device, method of controlling semiconductor integrated circuit device, and cache device

Номер патента: US9164905B2. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Test time reduction for manufacturing processes by removing a redundant test

Номер патента: US10990092B2. Автор: Soundararajan Srinivasan,Ruobing CHEN,Rumi Ghosh,Shan Kang,Marc Naumann,Mahesh Goud Tandarpally. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Format sensitive timing calibration for an integrated circuit tester

Номер патента: EP1019735A2. Автор: Brian J. Arkin. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US11698410B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20220206062A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Display device capable of detecting bonding defect

Номер патента: US09377635B2. Автор: Bong Hwan KIM,Byung Hwee PARK,Yu Cheol KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Test system for vlsi digital circuit and method of testing

Номер патента: CA1222329A. Автор: Francois J. Henley. Владелец: DATAPROBE Corp. Дата публикации: 1987-05-26.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Integrated circuit automatic test system and integrated circuit automatic test method storing test data in scan chains

Номер патента: US20180038911A1. Автор: Kuen-Jong Lee,Ping-Hao Tang. Владелец: Natioanl Cheng Kung University. Дата публикации: 2018-02-08.

Methods of testing a semiconductor structure

Номер патента: EP2901168A1. Автор: Cheang-Whang CHANG,Myongseob Kim,Henley Liu,Boon Y. Ang,Yuqing Gong,Suresh P. PARAMESWARAN. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Devices and methods for testing integrated circuit devices

Номер патента: US09818656B1. Автор: Mark Edward Schlarmann,Fengyuan LI,Chad Dawson,Stephen Ryan Hooper,Dwight Lee Daniels. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Testing integrated circuits using few test probes

Номер патента: US09442159B2. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and device of testing a semiconductor integrated circuit chip in which a voltage across the semiconductor integrated circuit chip is detected while an ultrasonic wave beam is projected thereon

Номер патента: US6084423A. Автор: Kiyoshi Nikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor integrated circuit device with diagnosis function

Номер патента: US5809039A. Автор: Toshiro Takahashi,Masahiko Nagai,Kaoru Moriwaki,Fumihiko Shirotori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-15.

Semiconductor integrated circuit and test method of built-in analog circuit

Номер патента: US20020026609A1. Автор: Shuji Murakami,Brian Worobey. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit, method of testing semiconductor integrated circuit, and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100205493A1. Автор: Kuninobu Fujii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Integrated circuit tester having pattern generator controlled data bus

Номер патента: EP1149293A4. Автор: John Mark Oonk. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Machine-learning-based integrated circuit test case selection

Номер патента: US20240320408A1. Автор: Kumar Raj,Gökçe Sarar,Santanu PATTANAYAK,Tushit Jain,Guillaume SHIPPEE,Rhys BUGGY,Suman Kumar GUNNALA,Vatsal Nimeshkumar THAKKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Speech recognition device and method, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09886947B2. Автор: Tsutomu Nonaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuit and method of testing

Номер патента: US09768762B2. Автор: Jinn-Yeh Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09437643B2. Автор: Takeshi Kawamura,Kazuo Tomita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit device capable of compensating for current leakage and method of operating the same

Номер патента: US11868153B2. Автор: Chang Ki Baek,Min Wook Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090183043A1. Автор: Yasuyuki Niwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US7679456B2. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

System for testing an integrated circuit

Номер патента: US20030028824A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-06.

System for testing an integrated circuit using multiple test modes

Номер патента: US7165198B2. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-16.

Integrated circuit device and electronic device

Номер патента: US09997116B2. Автор: Shigeaki Kawano,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09727164B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-08-08.

Optical transmission of test data for testing integrated circuits

Номер патента: US09535111B2. Автор: Ronald K. Minemier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US09435857B2. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US20070170425A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor integrated circuit device for driving liquid crystal display

Номер патента: US20060267903A1. Автор: Yasushi Kawase,Yasushi Nagata,Kazuyoshi Shiba,Takesada Akiba,Naoki Miyamoto,Susumu Ishida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor Integrated Circuit Device for Driving Liquid Crystal Display

Номер патента: US20120069670A1. Автор: Yasushi Kawase,Yasushi Nagata,Kazuyoshi Shiba,Takesada Akiba,Naoki Miyamoto,Susumu Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuit tester with real time branching

Номер патента: EP1147470A1. Автор: Bryan J. Dinteman,Daniel J. Bedell. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-10-24.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Functional frequency testing of integrated circuits

Номер патента: US20060041802A1. Автор: Steven Oakland,Philip Stevens,Anthony Polson,Gary Grise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US20090285214A1. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US8488606B2. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit tester with real time branching

Номер патента: WO2000042509A1. Автор: Bryan J. Dinteman,Daniel J. Bedell. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2000-07-20.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: US20080133463A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Integrated circuit capable of pre-fetching data

Номер патента: EP1738252A2. Автор: Vincent Zimmer,Michael Rothman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-03.

Algorithmic pattern generator for integrated circuit tester

Номер патента: WO2000045187A1. Автор: Philip Theodore Kuglin,Algirdas Joseph Gruodis,Badih John Rask. Владелец: Credence Systems Corporation. Дата публикации: 2000-08-03.

Algorithmic pattern generator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1149294A1. Автор: Philip Theodore Kuglin,Algirdas Joseph Gruodis,Badih John Rask. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2001-10-31.

Algorithmic pattern generator for integrated circuit tester

Номер патента: EP1149294A4. Автор: Philip Theodore Kuglin,Algirdas Joseph Gruodis,John Badih Rask. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-29.

On-chip distribution of test data for multiple dies

Номер патента: WO2023126813A1. Автор: Yuan Chao,Tassanee Payakapan,Arie MARGULIS. Владелец: Advanced Micro Devices Products (China) Co. Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Method and apparatus for test time reduction using fractional data packing

Номер патента: US09970987B2. Автор: Mudasir Shafat Kawoosa,Sreenath Narayanan Potty,Vivek Singhal,Rajesh Mittal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

On-chip distribution of test data for multiple dies

Номер патента: EP4457528A1. Автор: Yuan Chao,Tassanee Payakapan,Arie MARGULIS. Владелец: Advanced Micro Devices Products China Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method and apparatus for test time reduction using fractional data packing

Номер патента: US09448284B2. Автор: Mudasir Shafat Kawoosa,Sreenath Narayanan Potty,Vivek Singhal,Rajesh Mittal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and apparatus for testing an integrated circuit device

Номер патента: US6052806A. Автор: Robert Beat. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2000-04-18.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20100007368A1. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor integrated circuit device for driving liquid crystal display

Номер патента: US7826264B2. Автор: Yasushi Kawase,Yasushi Nagata,Kazuyoshi Shiba,Takesada Akiba,Naoki Miyamoto,Susumu Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Test functionality integrity verification for integrated circuit design

Номер патента: WO2013044122A1. Автор: Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-28.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190123741A1. Автор: Atsushi Okamoto,Tomoyasu Kitaura,Hirotaka Takeno. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Reordering or Removal of Test Patterns for Detecting Faults in Integrated Circuit

Номер патента: US20140289579A1. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Latch-up verifying method and latch-up verifying apparatus capable of varying over-sized region

Номер патента: US20030074641A1. Автор: Shinichi Kimura,Hiroyuki Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Method for manufacturing identification codes of integrated circuits

Номер патента: US20040002830A1. Автор: Chien-Tsai Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Multiple rate signature test to verify integrated circuit identity

Номер патента: US09664736B2. Автор: Soh Ying Seah,Gunvant Patel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Reordering or removal of test patterns for detecting faults in integrated circuit

Номер патента: US09411014B2. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Cartridge with replaceable inserts for fixation of test specimens in grippers of test machines

Номер патента: RU2718733C1. Автор: Евгений Николаевич Потаенко,Артур Аветикович Арутюнян,Александр Михайлович Кучмасов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЗИМ Точмашприбор". Дата публикации: 2020-04-14.

Method of processing test patterns for an integrated circuit

Номер патента: EP1382976A1. Автор: Eric Liau. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-21.

Testing of integrated circuit devices on loaded printed circuit

Номер патента: US5289117A. Автор: Mark A. Swart,Charles J. Johnston,David R. Van Loan. Владелец: Everett Charles Technologies Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Automatic test system and automatic test method for integrated-circuit devices

Номер патента: GB2620218A. Автор: HSIAO Chih-Hsiang,Lee Chao-Kun,Yu Cheng-En. Владелец: Kingston Digital Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Testing integrated circuits

Номер патента: EP1403651A3. Автор: Kang Wu,Susan Stirrat. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Method and apparatus for testing signal paths between an integrated circuit wafer and a wafer tester

Номер патента: EP1275010A2. Автор: Benjamin N. Eldridge,Ralph G. Whitten. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Testing of integrated circuits during at-speed mode of operation

Номер патента: US20200132763A1. Автор: Srivaths Ravi,Khushboo Agarwal,Wilson Pradeep,Rajesh Kumar Tiwari,Raashid Moin Shaikh,Sanjay Krishna Hulical Vijayaraghavachar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Zero-pin test solution for integrated circuits

Номер патента: US11041904B2. Автор: Tapan Jyoti Chakraborty,Umesh Srikantiah,Rachana ROUT. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Generation of test vectors for testing electronic circuits taking into account of defect probability

Номер патента: US20060123288A1. Автор: Fong Luk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Intelligent concurrent testing for test cycle time reduction

Номер патента: US20240320135A1. Автор: Dinesh Garg,Hemanth Mantri,Rutvij Mehta. Владелец: Harness Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit architecture having an array of test cells providing full controllability for automatic circuit verification

Номер патента: EP1066565A1. Автор: Robert Osann, Jr.. Владелец: Lightspeed Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Improvements in and relating to methods of testing integrated circuits

Номер патента: GB2221044B. Автор: Jonathan Bradford. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-30.

Improvements in & relating to method of testing integrated circuits

Номер патента: GB8817338D0. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-24.

Method of tests for resistance of complex-functional microcircuits to static destabilizing action

Номер патента: RU2686517C1. Автор: Алексей Николаевич Панченко,Артём Викторович Тетеревков,Валерий Александрович Пикарь. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-04-29.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Multipurpose semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7822934B2. Автор: Yuji Nakamura,Akio Morozumi,Chiaki Segi. Владелец: T&D Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor integrated circuit device including circuit block having hierarchical structure and method of designing the same

Номер патента: US20020070759A1. Автор: Hideki Yamauchi,Tatsushi Ohyama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of Testing a Stacked Integrated Circuit Device

Номер патента: US20230114044A1. Автор: Stephen Felix,Phillip HORSFIELD. Владелец: Graphcore Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Macro model of a semiconductor integrated circuit device, a circuit design simulation program, and a circuit design simulator

Номер патента: US20240012052A1. Автор: Takuya Katayama,Kyoji Marumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Designing method of semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20230299070A1. Автор: Yuji Takahashi,Kengo Takahashi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Test cycle time reduction and optimization

Номер патента: US20210334196A1. Автор: Shivakumar Ningappa,Srinivas Bandi Ramesh Babu,Uri Scheiner. Владелец: Harness Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and means of testing and refining bicycle riding skills

Номер патента: US4559015A. Автор: Arthur Felesky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-12-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880211B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Application specific integrated circuit (ASIC) test screens and selection of such screens

Номер патента: US09760673B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,John R. Goss,Paul J. Grzymkowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US09588171B2. Автор: Nikolay Ilkov,Winfried Bakalski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Computer-implemented verification system for performing a functional verification of an integrated circuit

Номер патента: US09460261B2. Автор: Sandeep Pendharkar,Srivatsan Raghavan,Karthick Gururaj,Someshwar DK,Shrinivas Nagaraddi. Владелец: Vayavya Labs Private Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Chip on chip type integrated circuit device

Номер патента: US4703483A. Автор: Takeshi Sasaki,Hideo Monma,Yoshinori Enomoto,Shunzo Ohta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-10-27.

Semiconductor integrated circuit device having clock signal wiring construction for suppressing clock skew

Номер патента: US5532500A. Автор: Hitoshi Okamura,Shin-ichi Ohkawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Semiconductor integrated circuit device operated with an applied voltage lower than required by its clock oscillator

Номер патента: US5126695A. Автор: Sachiyuki Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-06-30.

Method for deleting unused gates and method for manufacturing master-slice semiconductor integrated circuit device using the deleting method

Номер патента: US4960724A. Автор: Shoichi Watanabe,Terumine Hayashi,Takayuki Takei,Takashi Natabe. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Simultaneous core testing in multi-core integrated circuits

Номер патента: EP1872146A1. Автор: Ting-Yu Kuo,Dwight K. Elvey. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Simultaneous core testing in multi-core integrated circuits

Номер патента: WO2006102325A1. Автор: Ting-Yu Kuo,Dwight K. Elvey. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor integrated circuit device and testing method of the same

Номер патента: US20100148816A1. Автор: Kenji Ijitsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Method and apparatus for telemetered probing of integrated circuit operation

Номер патента: US20040113809A1. Автор: Kewei Yang,Jeff Gemar,George Harper,Sam Spencer,Mark Erlenborn,Keith Kind,Welborn Malpass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125588A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Method and apparatus for shifting at-speed scan patterns in a scan-based integrated circuit

Номер патента: EP1649622A2. Автор: Xiaoqing Wen,Augusli Kifli,Fei-Sheng Hsu,Shyh-Horng Lin,Laung-Terng Wang (L.-T.),Shianling Wu,Khader S. Abdel-Hafez,Ming-Tung Chang,Boryau Sheu, (Jack),Shun-Miin Wang (Sam). Владелец: Syntest Technologies Inc. Дата публикации: 2006-04-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Testing probe and testing apparatus for ensuring good contact between testing probe and surface of test sample

Номер патента: US09903886B2. Автор: Jing Wang,Jianyang Yu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Communication system, and corresponding integrated circuit and method

Номер патента: US09692672B2. Автор: Daniele Mangano,Salvatore Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09665448B2. Автор: Koichi Nakamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09584106B2. Автор: Dae Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Contactless integrated-circuit card

Номер патента: RU2189633C2. Автор: Роберт РАЙНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-09-20.

Semiconductor integrated circuit device, recording medium stored with cell library, and method for designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6380764B1. Автор: Kazuo Yano,Mitsuru Hiraki,Naoki Katoh,Yohei Akita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-30.

Semiconductor integrated circuit device, recording medium stored with cell library, and method for designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: MY133109A. Автор: Kazuo Yano,Mitsuru Hiraki,Naoki Katoh,Yohei Akita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-10-31.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device and probe card

Номер патента: US7271015B2. Автор: Akio Hasebe,Hideyuki Matsumoto,Masayoshi Okamoto,Akira Shimase,Yasuhiro Motoyama,Shingo Yorisaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-18.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US11879933B2. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Vision alignment system outside of test site

Номер патента: US20190101588A1. Автор: Kexiang Ken Ding,Michael Anthony Laver,Samer Kabbani,Kenneth B. Uekert. Владелец: Delta Design Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20240085471A1. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010052800A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110025409A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7696813B2. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6970036B2. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-29.

Vision alignment system outside of test site

Номер патента: WO2019070519A1. Автор: Kexiang Ken Ding,Michael Anthony Laver,Samer Kabbani,Kenneth B. Uekert. Владелец: Delta Design, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Power supply system and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240160239A1. Автор: Shingo Hashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of testing rf integrated circuit

Номер патента: US20190319717A1. Автор: Sun-Woo Lee,Dooseok CHOI,Thomas Byunghak Cho,Seung-Chan Heo,Dae-Young Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Test device capable of testing micro led and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240118335A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Young Heum EOM. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Macro model of a semiconductor integrated circuit device, circuit design simulation program, and circuit design simulator

Номер патента: US20240193334A1. Автор: Takuya Katayama,Kyoji Marumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030109966A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040105918A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080136508A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100156522A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060066391A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070085600A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040217650A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment

Номер патента: US4392893A. Автор: Nguyen T. Du,Akihide Asao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Type of testing equipment for detecting the failure process of thermal barrier coating in a simulted working environment

Номер патента: US09939364B2. Автор: LI YANG,Yichun ZHOU,Zhichun Zhong,Canying Cai. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-04-10.

Display device and method of testing the same

Номер патента: US09922585B2. Автор: Euihyun Chung,Yeseul HAN,Kakyung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880058B2. Автор: Takeshi Nagahisa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Individually coloring separated cell blocks in layout of integrated circuits

Номер патента: US09779198B2. Автор: Jiyoung JUNG,Jintae Kim,Ha-young Kim,Jaeseok Yang,Donggyun Kim,Chunghee Kim,Daekwon Kang,Sungkeun Park,Younggook Park,Myungsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling power supply

Номер патента: US09645623B2. Автор: Satoshi Matsubara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Subprocessor, integrated circuit device, and electronic apparatus

Номер патента: US09632794B2. Автор: Masakazu Isomura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Real-time rule engine for adaptive testing of integrated circuits

Номер патента: US09311201B2. Автор: Matthew S. Grady,David E. Atkinson,Donald L. LaCroix,II David B. Lutton,Bradley D. Pepper,Randolph P. Steel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Testing mechanism in a semiconductor integrated circuit device using an external clock signal and a non-connection pin input signal

Номер патента: US6125462A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Voltage controlled integrated circuit for biasing an RF device

Номер патента: US5345192A. Автор: Ronald P. Green. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Integrated circuit and method for testing the integrated circuit

Номер патента: US4975641A. Автор: Shigeki Tanaka,Koji Imura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

A method and structure for performing integrated circuit wafer testing and assembly

Номер патента: CA2268572A1. Автор: Ralph Dickson Mason. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-12.

Built-in self-test system and method for self test of an integrated circuit

Номер патента: US5515383A. Автор: Mehdi Katoozi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1996-05-07.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US20240094281A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Automatic test system and automatic test method for integrated-circuit devices

Номер патента: US20240003963A1. Автор: Chih-Hsiang Hsiao,Chao-Kun LEE,Cheng-En YU. Владелец: Kingston Digital Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220077042A1. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of outputting signals on semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006100792A1. Автор: Takeshi Ishigaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090049277A1. Автор: Koji Muranishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-19.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10306099B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180167531A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor integrated circuit device and ic card using the same

Номер патента: US20130067252A1. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for image forming capable of effectively correcting a misregistration of an image

Номер патента: US7526241B2. Автор: Izumi Kinoshita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-28.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit for and method of testing die -to -die bonding

Номер патента: EP2585842A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Integrated circuit for and method of testing die -to -die bonding

Номер патента: WO2012003008A1. Автор: Arifur Rahman. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US20040246017A1. Автор: Tawfik Arabi,Gregory Taylor,Dan Murray,Patrick Elwer,Srirama Pedarla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of screening for peptides capable of binding to a ubiquitin protein ligase (e3)

Номер патента: EP3969605A1. Автор: Alberto Moreno,Markus MUELLNER,Marta CARRARA,Jennifer HOWES. Владелец: PHOREMOST Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

Power supply arrangement for integrated circuit tester

Номер патента: US20050194989A1. Автор: Will MILLER,William DeVey,Anthony Delucco. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Method of screening for peptides capable of binding to a ubiquitin protein ligase (e3)

Номер патента: WO2020229818A1. Автор: Alberto Moreno,Markus MUELLNER,Marta CARRARA,Jennifer HOWES. Владелец: Phoremost Limited. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor integrated circuit having test circuit

Номер патента: US20020194564A1. Автор: Toshiyuki Tsujii,Masahiko Hyozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Efficient calibration of circuits in tiled integrated circuits

Номер патента: US20220206552A1. Автор: Miguel Rodriguez,Stephen Victor Kosonocky,Peter T. Hardman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Npu capable of being tested during runtime

Номер патента: US20240264226A1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Testing multiple levels in integrated circuit technology development

Номер патента: US6875560B1. Автор: Paul J. Steffan,Shivananda S. Shetty,Jeffrey P. Erhardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-04-05.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for integrated circuit forensics

Номер патента: US09885745B2. Автор: Brett J Hamilton. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of testing a three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US09689914B2. Автор: Ching-Fang Chen,Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Detection system of test substance

Номер патента: US09632077B2. Автор: Hiroshi Handa,Satoshi Sakamoto,Yasuyuki Naito,Masato Nakayama,Takumi Hirase. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-04-25.

Circuits for and methods of testing the operation of an input/output port

Номер патента: US09500700B1. Автор: Xiaobao Wang,Amitava Majumdar,Arvind R. Bomdica,Burton M. Leary. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit device having power domains and partitions based on use case power optimization

Номер патента: US09411390B2. Автор: Brian Smith,Parthasarathy Sriram,Stephane Le Provost. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor integrated circuit, method of manufacturing semiconductor integrated circuit, charge pump circuit, layout designing apparatus, and layout designing program

Номер патента: EP1406188A3. Автор: Yoshihiro Nonaka. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Integrated circuits

Номер патента: GB2533421A. Автор: Austad Tore,Wulff Carsten. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2016-06-22.

Method of testing a radio circuit involving the calculation of the bit error rate

Номер патента: GB2345346A. Автор: Wan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-05.

Method of testing integrated circuits

Номер патента: US6445205B1. Автор: Mats Frannhagen,Per Fremrot. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-09-03.

Multi-phase test point insertion for built-in self test of integrated circuits

Номер патента: US5737340A. Автор: Janusz Rajski,Nagesh Tamarapalli. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Integrated circuit chip test and assembly package

Номер патента: US3984620A. Автор: David R. Robillard,Robert L. Michals. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-10-05.

Integrated circuit test system and method

Номер патента: US20040080311A1. Автор: Yoon-Min Kim,Ki-Yeul Kim,Jae-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-29.

Methods of testing a semiconductor structure

Номер патента: WO2014051708A1. Автор: Cheang-Whang CHANG,Myongseob Kim,Henley Liu,Boon Y. Ang,Yuqing Gong,Suresh P. PARAMESWARAN. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-04-03.

Determining the effects of noise or crosstalk in an integrated circuit

Номер патента: GB2410802A. Автор: William Eric Corr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-10.

Gallium nitride-based devices and methods of testing thereof

Номер патента: US11852675B2. Автор: Chan-Hong Chern,Cheng-Hsiang Hsieh,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US20160320789A1. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US20160011620A1. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US9417647B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit and method for establishing transactions

Номер патента: WO2004034652A1. Автор: Andrei Radulescu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-22.

Terminal device, integrated circuit, and radio communication method capable of reducing power consumption in radio communication system to which dynamic TDD is applied

Номер патента: US09854599B2. Автор: Yasuyuki Kato,Shoichi Suzuki,Kimihiko Imamura,Kazunari Yokomakura,Tatsushi Aiba,Katsunari Uemura,Daiichiro Nakashima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

CIRCUIT DEVICE, FREQUENCY CHANGING CIRCUIT, METHOD OF TESTING CIRCUIT DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING FREQUENCY CHANGING CIRCUIT

Номер патента: US20130200931A1. Автор: KONO Takeshi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor integrated injection logic circuit device

Номер патента: JPS6267855A. Автор: Toshiyuki Okoda,敏幸大古田,Teruo Tabata,田端　輝夫. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-27.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device and microphone module using same

Номер патента: US20230396933A1. Автор: Naoyuki Motoki. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor integrated circuit device having low and high withstanding-voltage MOS transistors

Номер патента: US09698147B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09397568B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Information processing apparatus capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US9825621B2. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor integrated circuit device having protective split at peripheral area of bonding pad and method of manufacturing same

Номер патента: US09536821B2. Автор: Takashi Moriyama,Katsuhiko Hotta,Takuro Homma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Oscillator circuit, semiconductor integrated circuit device and method for frequency correction of oscillator circuit

Номер патента: US11863185B2. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit capable of realizing reduction in size

Номер патента: US20080099874A1. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor integrated circuit device provided with fm receiving function

Номер патента: US20090233569A1. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090256265A1. Автор: Koji Hashimoto,Kazuyuki Masukawa,Kosuke Yanagidaira,Hidefumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240304629A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit devices having different thickness silicon-germanium layers

Номер патента: US20120228720A1. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240363521A1. Автор: Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device relating to resistance characteristics

Номер патента: US09905567B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device including nano-wire selector and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180061996A1. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09666584B2. Автор: Masaaki Shinohara,Satoshi Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US09595523B2. Автор: Young-Chang Kim,Dong-Geon Kim,Woo-Seok Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09559681B2. Автор: Junichi Saito,Tomoyuki Sawataishi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US09531401B2. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240088906A1. Автор: Masahisa Tamura,Hironori Nakahara,Van Tuan Pham. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

Номер патента: US20030071313A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Harumi Wakimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Integrated circuit dies with thermally conducting solder perimeter

Номер патента: US20240282658A1. Автор: Keiji Matsumoto,John Knickerbocker,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing an integrated circuit package and apparatus produced thereby

Номер патента: US09853007B2. Автор: John Plasterer. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit device in which integrated circuit units having different functions are stacked in three dimensional manner

Номер патента: US5138437A. Автор: Shinichi Nakagawa,Masao Nakaya,Toshio Kumamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Integrated circuit device having an improved package structure

Номер патента: US5041899A. Автор: Tetsushi Wakabayashi,Souichi Aonuma,Akihiro Oku. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1991-08-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210202468A1. Автор: Toru Matsui. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Double-pile loading device capable of observing static load compression test in real time

Номер патента: NL2032855B1. Автор: Tian Wei,SUN Lin,Xu Lina,Jiang Xin,Niu Lei,Cai Jingwei,JIN Yujie,Zhu Chunfeng,Qian Yongmei,Xie Xinying,Wang Ruozhu. Владелец: Univ Jilin Jianzhu. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor integrated circuit device including opposite facing I/O cells in 2×2 columns

Номер патента: US11990464B2. Автор: Toru Matsui. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Forming thick dielectric at the bottoms of trenches utilized in integrated-circuit devices

Номер патента: WO1987000684A1. Автор: William Thomas Lynch,Thomas Edward Seidel. Владелец: American Telephone & Telegraph Company. Дата публикации: 1987-01-29.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system for executing data processing by using memory

Номер патента: US20020007436A1. Автор: Toyohiko Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09793215B2. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

A/D converter circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09685968B2. Автор: Keisuke Kimura,Hideo Nakane,Takaya Yamamoto,Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of testing the control channel of space vehicle on-board equipment.

Номер патента: RU2653670C1. Автор: Андрей Александрович Колташев,Алексей Владимирович Барков,Михаил Владимирович Тимисков,Николай Николаевич Шумаков,Сергей Сергеевич Корытин,Моисей Степанович Дутин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-05-11.

Semiconductor integrated circuit having annular power supply with plural lines

Номер патента: US5315182A. Автор: Takeshi Hashizume,Isao Takimoto,Kazuhiro Sakashita,Terukazu Yusa,Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Method for making semiconductor device capable of independently forming MOS transistors and bipolar transistor

Номер патента: US5759883A. Автор: Yasushi Kinoshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: US20020003438A1. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A3. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: EP1130780A3. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Direct Attach Optical Receiver Module and Method of Testing

Номер патента: US20100276575A1. Автор: Stephen J. Kovacic,Iman Sherazi. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method and apparatus for characterizing an integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US20100005436A1. Автор: Wayne Clark,Mark Laird,Yiping Szu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of processing information on capabilities of terminal device, terminal and network device

Номер патента: RU2767521C1. Автор: Юйминь У,Юе МА. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9991221B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070146049A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: GB2154060A. Автор: Shizuo Kondo,Setsuo Ogura,Makoto Furihata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222274A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6838320B2. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US8792533B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor integrated circuit device having plural delay paths and controller capable of blocking signal transmission in delay path

Номер патента: US20120218016A1. Автор: Masahiro Nomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120119282A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Layout of power source regions and power switch regions in a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7834381B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Kenji Hirose,Satoshi Umekita,Tomomi Ajioka,Yujiro Miyairi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9831176B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7899144B2. Автор: Koji Fukuda,Hiroki Yamashita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7394143B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Kenji Hirose,Satoshi Umekita,Tomomi Ajioka,Yujiro Miyairi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070210404A1. Автор: Yoshihiko Yasu,Kenji Hirose,Satoshi Umekita,Tomomi Ajioka,Yujiro Miyairi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor package and method of testing same

Номер патента: US20120032167A1. Автор: Boon Yew Low,Vemal Raja Manikam,Teck Beng Lau. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-02-09.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Chromium refractory metal alloys conductors for use in high temperature integrated circuits

Номер патента: WO1997030476A1. Автор: George Gabriel Goetz,Warren Michael Dawson. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09960739B2. Автор: Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit, communication module, and smart meter

Номер патента: US09912305B2. Автор: Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit having a switch, an electrically- conductive electrode line and an electrically-conductive virtual line

Номер патента: US09735775B2. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor integrated circuit device having superconductive layer and isolation member with nitride isolation

Номер патента: US5266815A. Автор: Takahiko Kato,Yasuo Wada,Yutaka Misawa,Hideo Sunami,Shoji Shukuri,Toshikazu Nishino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-11-30.

Semiconductor integrated circuit device having dummy pattern effective against micro loading effect

Номер патента: US5598010A. Автор: Yoshihide Uematsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-01-28.

Semiconductor integrated circuit device, charge pump circuit, and electric appliance

Номер патента: US20070236972A1. Автор: Yoshinori Imanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Special mode activation circuit for selectively activating a special mode circuit of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5118968A. Автор: Kurt P. Douglas,Wen-Foo Chern,Vijaya B. Wickremarachchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-06-02.

Method for manufacturing integrated circuits with a step for replacing defective circuit elements

Номер патента: US5391501A. Автор: Mitsuo Usami,Keijiro Uehara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6140686A. Автор: Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Hiroyuki Mizuno,Masayuki Miyazaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4012764A. Автор: Koichiro Satonaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-03-15.

Semiconductor integrated circuit device having high matching degree and high integration density

Номер патента: US5216276A. Автор: Hideki Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Semiconductor integrated circuit device including charge pump circuit capable of suppressing noise

Номер патента: US7692479B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including an SRAM

Номер патента: US5856216A. Автор: Ryuichi Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-05.

Shielding semiconductor integrated circuit devices from light

Номер патента: GB2097581A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-11-03.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220085008A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090095884A1. Автор: Toshio Mochizuki,Takanobu Ambo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190378833A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220077050A1. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11887922B2. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor integrated circuit device, electronic device, and radio communication device

Номер патента: US9136801B2. Автор: Seiji Yamamoto,Yutaka Uneme,Miki Shiraishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11929362B2. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11101292B2. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor integrated circuit device having electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180025934A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230049774A1. Автор: Jin Woo Kim,Yoon Sung Lee,Chang Seok SONG,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9202761B2. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030071311A1. Автор: Katsuya Arai,Shiro Usami,Toshihiro Kohgami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Integrated circuit memory and preparation method therefor, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4068345A1. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180269154A1. Автор: Keisuke Kishishita. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200083252A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE49986E1. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Integrated circuit device implementing 90-degree phase shifter capable of generating output signals having phase difference therebetween at improved accuracy

Номер патента: US20030151439A1. Автор: Takeshi Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Multi-device system and method for controlling voltage peaking of an output signal transmitted between integrated circuit devices

Номер патента: US20040150424A1. Автор: Bernd Wuppermann. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080169950A1. Автор: Naoki Yamada,Naoki Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device and method of enabling thermal regulation within an integrated circuit device

Номер патента: US20140085758A1. Автор: Sergey Sofer,Valery Neiman,Moty Groissman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods and apparatus for optimization of device capability exchange in a network

Номер патента: EP2457356A1. Автор: Sabine Van Niekerk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-05-30.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Device capability coordination method and apparatus

Номер патента: US20240349175A1. Автор: Jing Liu,HE Huang,Wenting LI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Device capability coordination method and apparatus

Номер патента: EP4454310A1. Автор: Jing Liu,HE Huang,Wenting LI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09871503B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09755622B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Control circuit for switching regulator, integrated circuit device, switching regulator, and electronic device

Номер патента: US09621035B2. Автор: Haruo Hayashi,Motoaki Nishimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit device with independently operable output buffers

Номер патента: US5404056A. Автор: Keiichi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: CA1154544A. Автор: James P. Ballantyne,Paul E. Fleischer,Kenneth R. Laker,Aristides A. Yiannoulos. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-09-27.

Semiconductor integrated circuit power amplifier device

Номер патента: GB2073489A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-10-14.

Semiconductor integrated circuit device having high breakdown-voltage to applied voltage

Номер патента: US5109266A. Автор: Takeshi Kida,Goro Mitarai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Semiconductor integrated circuit device including input circuitry to permit operation of a Bi-CMOS memory with ECL level input signals

Номер патента: US5457412A. Автор: Masanori Odaka,Kayoko Saito,Toshiro Hiramoto,Nobuo Tamba,Masayuki Ohayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-10.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

A method to provide substrate-ground coupling for semiconductor integrated circuit dice constructed from soi and related materials in stacked-die packages

Номер патента: US20080044947A1. Автор: Ken M. Lam. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Compound semiconductor integrated circuit device

Номер патента: CA1222330A. Автор: Naoki Yokoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-05-26.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030219946A1. Автор: Mitsuaki Hayashi,Shuji Nakaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4885628A. Автор: Kenji Kaneko,Masatoshi Kimura,Isao Shimizu,Takeaki Okabe,Yasuo Nagai,Koozoo Sakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5747375A. Автор: Satoru Kaneko,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor integrated circuit capable of driving large loads within its internal core area

Номер патента: US6172547B1. Автор: Moto Yokoyama. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070075738A1. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030048125A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Masayuki Miyazaki. Владелец: Masayuki Miyazaki. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20100200907A1. Автор: Chan-Hee Park,Eun-ha Lee,Ki-Hyun Hwang,Hyung-ik Lee,Sung Heo,Han-mei Choi,Dong Chul Yoo,Byong-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230320238A1. Автор: Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Multi-stack semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120217658A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-30.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE INITIALIZATION CIRCUIT BEING CAPABLE OF RECORDING A PREFERRED VOLTEGE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер патента: US20120001929A1. Автор: CHANG CHIEN-JEN. Владелец: CHIMEI INNOLUX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE MANAGEMENT DEVICE, IMAGE MANAGEMENT METHOD, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002881A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method of testing equipment on mechanical effects

Номер патента: RU2399032C1. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов,Алексей Юрьевич Усанов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Федерального космического агентства "Опытное конструкторское бюро "Факел". Дата публикации: 2010-09-10.

Method of testing devices and apparatus for transportation

Номер патента: RU2389995C1. Автор: Александр Сергеевич Орлов,Сергей Александрович Орлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2010-05-20.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Method which tests correctness of integral circuit topology

Номер патента: RU2077752C1. Автор: С.А. Гаряинов. Владелец: Предприятие перспективных исследований "Научный центр". Дата публикации: 1997-04-20.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of designing computational process of testing equipment

Номер патента: RU2480807C2. Автор: Виктор Викторович Прудков. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2013-04-27.

MONOMETHYLVALINE COMPOUNDS CAPABLE OF CONJUGATION TO LIGANDS

Номер патента: US20120003247A1. Автор: . Владелец: Seattle Genetics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MONOMETHYLVALINE COMPOUNDS CAPABLE OF CONJUGATION TO LIGANDS

Номер патента: US20120003248A1. Автор: Polakis Paul,Spencer Susan D.,Doronina Svetlana O.,Kline Toni Beth,Senter Peter D.,Toki Brian E.,Ebens Allen J.,Sliwkowski Mark X.. Владелец: Seattle Genetics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERACTIVE POINTING DEVICE CAPABLE OF SWITCHING CAPTURE RANGES AND METHOD FOR SWITCHING CAPTURE RANGES FOR USE IN INTERACTIVE POINTING DEVICE

Номер патента: US20120001848A1. Автор: CHEN Hsin Chia,HSU En Feng,KAO Ming Tsan,HUANG Chao Chien,Lu Chih Hung,Chien Shih Chi,Lin Cho Yi. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of testing human motor capabilities

Номер патента: RU2549671C1. Автор: Игорь Валерьевич Петухов,Валерий Витальевич Роженцов,Владимир Евгеньевич Афоньшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2015-04-27.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of testing time of person's reaction

Номер патента: RU2506047C1. Автор: Валерий Витальевич Роженцов,Владимир Евгеньевич Афоньшин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛЭМА". Дата публикации: 2014-02-10.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System for functioning tests and burn-in testing of digital integrated circuits (ic) and very large scale integrated circuits (vlsic)

Номер патента: RU2485529C1. Автор: Александр Анатольевич Сашов,Михаил Игоревич Краснов. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2013-06-20.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Multiband Antenna and Method for an Antenna to be Capable of Multiband Operation

Номер патента: US20120001815A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for protecting integrated circuits against heavy particles in case of their ingress in them

Номер патента: RU2305894C2. Автор: Илья Гаврилович Фильцер,Иль Гаврилович Фильцер. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт точных приборов. Дата публикации: 2007-09-10.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for comparative evaluation of reliability of integrated circuit lots

Номер патента: RU2467339C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079865A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-17.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079409A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-10.

Synchronous semiconductor integrated circuit device capable of test time reduction

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты