Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Word line Supply voltage amplification circuit for DRAM

Word line Supply voltage amplification circuit for DRAM

Номер патента: DE602004015226D1
Опубликовано: 04-09-2008
Автор(ы): Hiroyuki Kobayashi, Tatsuya Kanda
Принадлежит: Fujitsu Ltd

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method and circuit for adjusting a self-refresh rate to maintain dynamic data at low supply voltages

Номер патента: US20100262769A1. Автор: Leel S. Janzen. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

A circuit for adjusting a self-refresh rate to maintain dynamic data at low supply voltages

Номер патента: US20030067827A1. Автор: Leel Janzen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Method and circuit for adjusting a self-refresh rate to maintain dynamic data at low supply voltages

Номер патента: US7747815B2. Автор: Leel S. Janzen. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2010-06-29.

Memory having circuitry controlling the voltage differential between the word line and array supply voltage

Номер патента: WO2009058991A1. Автор: Andrew Marshall,Theodore W. Houston. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-07.

Word line driver circuitry, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11270746B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Word line driver for semiconductor memories

Номер патента: WO2000026941A9. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Hyundai Electronics America. Дата публикации: 2000-09-28.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A3. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-05.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: EP1894202A4. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Word line driver for dram embedded in a logic process

Номер патента: WO2007002509A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-01-04.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: EP4195208A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Word line driver circuit and resistance variable memory apparatus having the same

Номер патента: US09508411B2. Автор: Yoon Jae Shin,Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Boosting word lines

Номер патента: US20130258744A1. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Wordline driver for dram and driving method thereof

Номер патента: US20090245011A1. Автор: Chih Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Circuit configuration for controlling the word lines of a memory matrix

Номер патента: US20020141278A1. Автор: Peter Weitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-03.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US20220310152A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Word line driving circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11869576B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory with single transistor sub-word line drivers, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240071469A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Sub word line driving circuit and a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5835439A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A4. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory structure with word line buffers

Номер патента: WO2008150844A1. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-12-11.

Memory subword driver circuits with common transistors at word lines

Номер патента: US11942142B2. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Word line drivers sharing a transistor, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210057008A1. Автор: Tae H Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A3. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-02-14.

Nand logic word line selection

Номер патента: WO2012087484A2. Автор: Balaji Srinivasan,Fatih Hamzaoglu,Swaroop Ghosh,Dinesh SOMASOKHAR. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor DRAM with non-linear word line discharge

Номер патента: US9214218B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-15.

DRAM word line voltage control to insure full cell writeback level

Номер патента: US20020159301A1. Автор: William Tonti,Wayne Ellis,Mark Jacunski,Russell Houghton,Thomas Maffitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Dynamic RAM having word line voltage intermittently boosted in synchronism with an external clock signal

Номер патента: US6115319A. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazumasa Yanagisawa,Kenji Nishimoto,Yoshitaka Kinoshita. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-09-05.

Precharge-enabled self boosting word line driver for an embedded dram

Номер патента: CA2225355C. Автор: John Wu,Peter Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2005-11-15.

Word-line driver and storage apparatus

Номер патента: EP4322166A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

circuit for driving word line and driving method used the same

Номер патента: KR101559909B1. Автор: 박현호,변영용,야마다. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-15.

Precharge-enable self boosting word line driver for an embedded DRAM

Номер патента: US6058050A. Автор: John Wu,Peter B. Gillingham,Lidong Chen. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Word line driver and memory device

Номер патента: US20230026502A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230186970A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Word line divider and storage device

Номер патента: US09697878B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US12131769B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line driver, semiconductor memory apparatus and test method using the same

Номер патента: US09620198B1. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Sub word line driver of semiconductor memory device

Номер патента: US20180182448A1. Автор: Young Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Sub-word line driver having common gate boosted voltage

Номер патента: US20240055043A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US11908539B2. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Voltage regulator for providing word line voltage

Номер патента: US20230386524A1. Автор: Chih-Jen Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Word Line Delay Interlock Circuit for Write Operation

Номер патента: US20230335178A1. Автор: Atul Katoch,Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

On-chip word line voltage generation for dram embedded in logic process

Номер патента: EP1105875A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-13.

Word line booster circuit and method

Номер патента: US12131770B1. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line control circuit and semicondcutor apparatus including the same

Номер патента: US20220230667A1. Автор: Duck Hwa Hong,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Dynamic cascode-managed high-voltage word-line driver circuit

Номер патента: US9025403B1. Автор: Abraham Mathews,Donald W. Plass,Gregory J. Fredeman,Kenneth J. Reyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-05.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Word Line Driver for Low Voltage Operation

Номер патента: US20210249059A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: WO2020101748A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-05-22.

Headerless word line driver with shared word line underdrive control

Номер патента: EP3881321A1. Автор: Tawfik Ahmed,Russell J. Schreiber,Ilango Jeyasubramanian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Sub-word line driver circuit

Номер патента: US20200350011A1. Автор: Tae H. Kim,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory device including sub word line driving circuit

Номер патента: US11922992B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Word line drive circuit, word line driver, and storage apparatus

Номер патента: EP4325497A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20240242760A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus for controlling activation period of word line of volatile memory device and method thereof

Номер патента: US20070280019A1. Автор: Hee Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

High voltage tolerant word-line driver

Номер патента: US09875783B2. Автор: Cyrille Dray,Liqiong Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of reducing word line resistance of a semiconductor memory

Номер патента: US5631183A. Автор: Hyeun-Su Kim,Dong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Integrated circuit memory having a sense amplifier activated based on word line potentials

Номер патента: US6181624B1. Автор: Helmut Schneider,Thoai-Thai Le,J{umlaut over (u)}rgen Lindolf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-30.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20230267989A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US11830539B2. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US11735247B2. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Sub-Word Line Driver Placement For Memory Device

Номер патента: US20240185911A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220130446A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US20210201981A1. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Refresh scheme for redundant word lines

Номер патента: US6078543A. Автор: Dae-Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US11929109B2. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Sub-word line driver placement for memory device

Номер патента: US20220199145A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20230245695A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US11900992B2. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071467A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line cache mode

Номер патента: US10366733B1. Автор: Gregg D. Wolff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drive circuit and dynamic random access memory

Номер патента: US11830553B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US12094517B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated semiconductor memory with internal voltage booster of lesser dependency on power supply voltage

Номер патента: US5499209A. Автор: Daisaburo Takashima,Yukihito Oowaki,Masako Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US20050281118A1. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Integrated semiconductor memory comprising at least one word line and comprising a multiplicity of memory cells

Номер патента: US7180820B2. Автор: Herbert Benzinger,Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-20.

Apparatuses and methods for tracking word line accesses

Номер патента: US20240347100A1. Автор: YANG LU,Yuan He,Kang-Yong Kim,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Word line-dependent word line and channel read setup time in first read state of non-volatile memory

Номер патента: US20240212737A1. Автор: Henry Chin,Erika Penzo,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Method and circuit for controlling generation of a boosted voltage in devices receiving dual supply voltages

Номер патента: EP1667159A3. Автор: Ronald T. Taylor,James Leon Worley. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Word-line-pickup structure and method for forming the same

Номер патента: WO2024017077A1. Автор: Wenxiang Xu,Fandong LIU,Dongmen SONG,Mingli DU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US12142313B2. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and word-line activation method

Номер патента: US20200294570A1. Автор: Jian-Sing Liou,Yi Heng LIU. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Word line charge integration

Номер патента: US20240212736A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device having main word lines and sub word lines

Номер патента: US5764585A. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: EP1421589A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: AU2002332457A1. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Multiple word-line accessing and accessor

Номер патента: WO2003021602A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-03-13.

Circuit for memory write data operation

Номер патента: US09449663B2. Автор: Cheng Hung Lee,Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and test circuit for testing a dynamic memory circuit

Номер патента: US20040257893A1. Автор: Peter Beer,Martin Versen,Lee Nino. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-23.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230410892A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-21.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307303A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-04-24.

Data memory with redundant memory cells used for buffering a supply voltage

Номер патента: US6724667B2. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-20.

Word line auto-booting in a spin-torque magnetic memory having local source lines

Номер патента: US09601175B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Word line charge integration

Номер патента: WO2024137192A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Second word line combined with y-mux signal in high voltage memory program

Номер патента: US20230377629A1. Автор: Yoshitaka Yamauchi,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device with improved refresh scheme for redundancy word line

Номер патента: US09514850B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical memory device with a double word line structure

Номер патента: US12131774B2. Автор: Seung-Hwan Kim,Su-Ock Chung,Seon-Yong Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line fault detection

Номер патента: US20120327699A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Alexander B. Hoefler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20220139443A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit device including a word line driving circuit

Номер патента: US20230014583A1. Автор: Minwoo Kwon,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20220406360A1. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Dram with word line compensation

Номер патента: US20080266987A1. Автор: Esin Terzioglu,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Memory system that differentiates voltages applied to word lines

Номер патента: US20180261275A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

High density memory and multiplexer control circuit for use therein

Номер патента: US7145810B1. Автор: Willem De Lange. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-12-05.

Bit line read current mirroring circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307303A2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-01-17.

Modular memory architecture with more significant bit sub-array word line activation in single-cycle read-modify-write operation dependent on less significant bit sub-array data content

Номер патента: US20230135708A1. Автор: Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-05-04.

Circuit for mixed memory storage and polymorphic logic computing

Номер патента: WO2014138641A1. Автор: Fabio Lorenzo Traversa,Massimiliano Di Ventra,Yuriy V. PERSHIN. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-09-12.

Circuit for mixed memory storage and polymorphic logic computing

Номер патента: US09570140B2. Автор: Fabio Lorenzo Traversa,Massimiliano Di Ventra,Yuriy V. PERSHIN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-02-14.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic random access memory with shaped word-line waveform

Номер патента: US20200185021A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory structure with non-straight word line

Номер патента: US20200135241A1. Автор: Wei-Chih Wang,Tseng-Fu Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit including cell array with word line assist cells

Номер патента: US20220139442A1. Автор: Taemin CHOI,Seongook JUNG,Keonhee Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-05-05.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US7307869B2. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-11.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US20060146593A1. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Systems and methods for capture and replacement of hammered word line address

Номер патента: US20220157366A1. Автор: John E. Riley,Joo-Sang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Test circuit for a semiconductor memory device and method for burn-in test

Номер патента: US6055199A. Автор: Takashi Kono,Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani,Kei Hamade. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Semiconductor memory device including a dummy word line

Номер патента: US20180182722A1. Автор: Sung Ho Kim,Young Min Kim,Sung Soo Chi,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071468A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US11984150B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240071466A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods and circuits for power management of a memory module

Номер патента: US12033683B2. Автор: Aws Shallal,Panduka Wijetunga,Joey M. Esteves. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

State detection circuit for anti-fuse memory cell, and memory

Номер патента: US11854605B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Write Driver Boost Circuit for Memory Cells

Номер патента: US20240135983A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Compute-in-memory (cim) bit cell circuits each disposed in an orientation of a cim bit cell circuit layout including a read word line (rwl) circuit in a cim bit cell array circuit

Номер патента: EP4256611A1. Автор: Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for refreshing row hammer, circuit for refreshing row hammer and semiconductor memory

Номер патента: US11894042B2. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for refreshing row hammer, circuit for refreshing row hammer and semiconductor memory

Номер патента: US20230162777A1. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device whose operation frequency and power supply voltage are dynamically controlled according to load

Номер патента: US7532539B2. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Read assist circuit for memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240038296A1. Автор: Yorinobu FUJINO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and apparatus for improving sram cell stabilty by using boosted word lines

Номер патента: US20080225611A1. Автор: Richard Q. Williams,Hussein I. Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Dual power rail word line driver and dual power rail word line driver array

Номер патента: US20100302880A1. Автор: Chia-Wei Wang,Paul William Hollis,Joseph Patrick Geisler,Matthew B. Rutledge. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Word line voltage supply circuit

Номер патента: US6078531A. Автор: Patrick Chuang,Hisanobu Tsukazaki,Yoshifumi Miyazima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Apparatus turning on word line decoder by reference bit line equalization

Номер патента: US20050036360A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US12106800B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu,Hsiang-Yun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Variable delay word line enable

Номер патента: US12119050B2. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Word-line enable pulse generator, SRAM and method for adjusting word-line enable time of SRAM

Номер патента: US09786363B1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Word-line discharging circuit in a static-type semiconductor memory device

Номер патента: US4611303A. Автор: Kouichi Kitano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-09-09.

Sense amp activation according to word line common point

Номер патента: US20150348614A1. Автор: Myung Gyoo WON,Heechoul Park,Thu Hanh NGUYEN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Random access memory dual word line recovery circuitry

Номер патента: CA1177910A. Автор: Warren R. Ong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-11-13.

Process and temperature compensated word line underdrive scheme for sram

Номер патента: US20240071480A1. Автор: Ashish Kumar,Dipti ARYA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Compensation word line driver

Номер патента: US11869581B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Compensation Word Line Driver

Номер патента: US20220277789A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Word line driving circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20110158029A1. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Circuit and method for an SRAM with two phase word line pulse

Номер патента: US7505345B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Fu-Chieh Hsu,Chia Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Word-line enable pulse generator, sram and method for adjusting word-line enable time of sram

Номер патента: US20180122459A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for Extending Word-Line Pulses

Номер патента: US20130003446A1. Автор: Chung-Yi Wu,Hsu-Shun Chen,Cheng-Hung Lee,Hong-Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for extending word-line pulses

Номер патента: US9099168B2. Автор: Chung-Yi Wu,Hsu-Shun Chen,Cheng-Hung Lee,Hong-Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US20230260570A1. Автор: Irene Lin,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Variable delay word line enable

Номер патента: US20210043249A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Systems and Methods for Memory Operation Using Local Word Lines

Номер патента: US20230307024A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Word-line-potential control circuit

Номер патента: US20120236662A1. Автор: Osamu Hirabayashi,Miyako Shizuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US20240161822A1. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device with word line pulse recovery

Номер патента: US11915746B2. Автор: Cheng Hung Lee,Yu-Hao Hsu,Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Wordline boost circuit for DRAM

Номер патента: EP1528571A3. Автор: Tatsuya Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-28.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US20240282367A1. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-22.

Assist circuits for SRAM testing

Номер патента: US09418759B2. Автор: Patrick Girard,Alberto BOSIO,Nabil Badereddine,Leonardo H. Bonet Zordan. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US11990179B2. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Sram word-line coupling noise restriction

Номер патента: US20110157963A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Write-tracking circuit for memory

Номер патента: US09830978B2. Автор: Wei Fang,Zengbo Shi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory and interface circuit for bit line of memory

Номер патента: US09697890B1. Автор: Bing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Shared global read and write word lines

Номер патента: US09455026B2. Автор: Ping Liu,Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Single port SRAM memory cell driven by two word lines in asynchronous manner and memory employing the same

Номер патента: US09715922B1. Автор: Chi-Ray Huang,Lih-Yih Chiou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-07-25.

Programmable write word line boost for low voltage memory operation

Номер патента: US20180226111A1. Автор: John J. Wuu,Russell Schreiber,Stephen Victor Kosonocky,Alexander W. Schaefer,David Hugh McIntyre,Ravi T. Jotwani,Samiul Haque Khan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (SRAM)

Номер патента: US12087356B2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus for reducing write minimum supply voltage for memory

Номер патента: US09627039B2. Автор: Muhammad M Khellah,Vivek K De,James W Tschanz,Jaydeep P Kulkarni,Bibiche M Geuskens. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory circuit having shared word line

Номер патента: US09449667B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and circuit for accessing an integrated semiconductor memory

Номер патента: US4404662A. Автор: Charles J. Masenas, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-09-13.

Memory device including booster circuit for tracking word line

Номер патента: US20230377638A1. Автор: Hyunsung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Circuit for memory cell recovery

Номер патента: US20130272077A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jente B. Kuang,Carl J. Radens,Rouwaida N. Kanj. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US09997239B1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Static random access memory supporting a single clock cycle read-modify-write operation with a modulated word line assertion

Номер патента: US20230280915A1. Автор: Harsh Rawat,Praveen Kumar Verma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-09-07.

Eight transistor SRAM cell with improved stability requiring only one word line

Номер патента: US20070165445A1. Автор: Donald Plass,Yuen Chan,William Huott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: EP4205115A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: WO2022046288A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Array word line driver system

Номер патента: US4413191A. Автор: Russell J. Houghton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Memory with multiple word line design

Номер патента: EP3036744A1. Автор: Sei Seung Yoon,Rakesh Kumar Sinha,Ritu Chaba,Chirag Gulati. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Semiconductor memory having different read and write word line voltage levels

Номер патента: US4953127A. Автор: Yasuhiko Rai,Yasuhiko Nagahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Built-in self test circuit for segmented static random access memory (sram) array input/output

Номер патента: US20240069096A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Write-tracking circuit for memory

Номер патента: US20170287552A1. Автор: Wei Fang,Zengbo Shi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20210098053A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device with fly word line

Номер патента: US20190311765A1. Автор: Yangsyu Lin,Chiting Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008833A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Static RAM having word line driving circuitry shared by all the memory cells provided therein

Номер патента: US6212124B1. Автор: Kenji Noda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-03.

Integrated circuit including embedded memory device for performing dual-transient word line assist using triple power source and device having the same

Номер патента: US20170194047A1. Автор: Sung Hyun Park,Yong Ho Kim,Tae Joong Song,Woojin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

SRAM cell word line structure with reduced RC effects

Номер патента: US11778802B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Serial word line actuation with linked source voltage supply modulation for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116978A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Apparatus for reducing write minimum supply voltage for memory

Номер патента: US20160141022A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Vivek K. De,James W. Tschanz,Jaydeep P. Kulkarni,Bibiche M. Geuskens. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Control circuit for the adaptation of storage cells in bipolar integrated circuits

Номер патента: US4200918A. Автор: Hans Glock,Gerhard Hartel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-04-29.

Word line overdrive in memory and method therefor

Номер патента: US20180322918A1. Автор: Syed M. Alam,Yaojun Zhang. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor memory device having transfer gate array associated with monitoring circuit for bit line pair

Номер патента: US5235546A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Addressable word line pull-down circuit

Номер патента: US4168490A. Автор: Jonathan J. Stinehelfer. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Write assist circuit for lowering a memory supply voltage and coupling a memory bit line

Номер патента: US09940994B2. Автор: Mark J. Winter,Yifei Zhang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Write assist circuit for memory device

Номер патента: US20230335186A1. Автор: Chia-Che Chung,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-19.

Assist circuit for memory

Номер патента: US09685208B2. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Eric A. KARL,Jaydeep P. Kulkarni,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Channel hot carrier tolerant tracking circuit for signal development on a memory sram

Номер патента: US20140078806A1. Автор: Srinivasa Sridhara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

SRAM shutdown circuit for FPGA to conserve power when FPGA is not in use

Номер патента: US6101143A. Автор: Atul V. Ghia. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Memory circuit having resistive device coupled with supply voltage line

Номер патента: US09865605B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US6501686B2. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-31.

Word line compensation for non-volatile memory arrays

Номер патента: WO2017136438A1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Word line compensation for memory arrays

Номер патента: US09595323B1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A3. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Hsu Kai Yang. Дата публикации: 2007-01-11.

Word line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: WO2006113093A2. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

World line segment select transistor on word line current source side

Номер патента: US20060227597A1. Автор: YIN Rong,Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Electronic driver circuit for word lines in a memory matrix, and memory apparatus

Номер патента: US20020050448A1. Автор: Thomas Boehm,Thomas Roehr,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

MRAM word line power control scheme

Номер патента: US09672885B2. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Mram word line power control scheme

Номер патента: WO2014039571A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Matthew M. Nowak,Manoj Bhatnagar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-13.

Half power supply voltage generating circuit for a semiconductor device

Номер патента: US5592119A. Автор: Seung-Moon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-01-07.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20130215701A1. Автор: Harish N. Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20120127806A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140313815A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor memory operating with low supply voltage

Номер патента: US5555215A. Автор: Yasushi Watanabe,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Masanori Isoda,Kiyoo Itoh,Tatsumi Uchigiri,Eiji Yamasaki,Eiji Kume. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Non-volatile memory (nvm) with word line driver/decoder using a charge pump voltage

Номер патента: US20140269140A1. Автор: Padmaraj Sanjeevarao,David W. Chrudimsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory word line boost using thin dielectric capacitor

Номер патента: US20130121088A1. Автор: Yue-Der Chih,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Row selection circuit for fast memory devices

Номер патента: US20010024131A1. Автор: Raffaele Solimene. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-09-27.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor memory device using internal voltage obtained by boosting supply voltage

Номер патента: US5612924A. Автор: Junichi Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Word line selection circuit and row decoder

Номер патента: US20140029329A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi,Noriaki Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US9595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory and method for charging a word line thereof

Номер патента: US20090116293A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Local word line driver

Номер патента: US09570133B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor device and operating method for controlling driving direction of word line

Номер патента: US20240265970A1. Автор: Moon Soo Sung,Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatus and method for selective sub word line activation for reducing testing time

Номер патента: US09595351B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Local word line driver

Номер патента: US09449666B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20110075505A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device with hierarchical word line scheme

Номер патента: US09691438B2. Автор: Seol Hee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20130336055A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: WO2022250866A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: US20220383918A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: EP4348647A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integration of word line switches with word line contact via structures

Номер патента: US09595535B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Makoto Yoshida,Toru Miwa,Takuya Ariki,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Read-current and word line delay path tracking for sense amplifier enable timing

Номер патента: US09576621B2. Автор: Anand Seshadri,Dharin Shah,Wah Kit Loh,Parvinder Rana. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Word line driver circuitry and compact memory using same

Номер патента: US09455007B2. Автор: Chien-Hung Liu,Yu-Tsung Lin,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Word line voltage detection circuit for enchanced read operation

Номер патента: US20230079077A1. Автор: Saied Hemati,Binh Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Word line driver circuit with reduced leakage

Номер патента: EP2179418A1. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-04-28.

Word line driving unit with a boost voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US10090032B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Circuit configuration for deactivating word lines in a memory matrix

Номер патента: US20020027827A1. Автор: HELMUT Fischer,Joachim Schnabel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-07.

Word Line Driving Unit With a Boost Voltage Generator and Memory Device Including the Same

Номер патента: US20170345473A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Ming-En Bu,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Word line voltage generator for multiple-time programmable memory

Номер патента: US09990963B2. Автор: YU Cheng,Zijian Zhao,Hao Ni,Yijin Kwon. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Row address decoder and word line driver unit with pull-down transistors operable in saturation region for rapidly driving word lines

Номер патента: US5295116A. Автор: Shinichi Iwashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Silicon-on-insulator (soi) circuitry for low-voltage memory bit-line and word-line decoders

Номер патента: US20230162789A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US11875854B2. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory device and layout structure of sub-word line control signal generator

Номер патента: US20090034313A1. Автор: In-Chul Jeong,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Word line driver array and memory

Номер патента: US12014801B2. Автор: YANG Zhao,Jaeyong Cha. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Word line driver circuit and memory

Номер патента: US12027232B2. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Circuit and method for generating word line off voltage

Номер патента: US20090323438A1. Автор: Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Word-line voltage regulating circuit and single power supply memory

Номер патента: US20130010536A1. Автор: Yi Xu,Lei Wang,Xiaojin GUAN. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Nonvolatile memory device and method controlling word line setup time based on difference in setup voltage levels

Номер патента: US09502124B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Dongkyo Shim,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and a method for stepping up its word lines

Номер патента: US5875133A. Автор: Takashi Kumagai,Yasunobu Tokuda,Koji Miyashita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-02-23.

Power consumption reducing circuit having word-line resetting ability regulating transistors

Номер патента: US5602784A. Автор: Makoto Kojima,Yoshitaka Mano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1997-02-11.

Word line driving circuit

Номер патента: US5557580A. Автор: Takashi Inui,Shunichi Sukegawa,Kiyoshi Nakai,Yukihide Suzuki,Shigeki Numaga. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Word line voltage detection for selection of read voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018164744A1. Автор: Jun Wan,Idan Alrod,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng,Sarath Puthenthermadam,Amul DESAI,Ken Cheah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: EP4254414A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Memory device and word line driver thereof

Номер патента: US20230317167A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Ming Lin,Wu-Chin Peng,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Phase change memory word line driver

Номер патента: US20150049543A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Boundary word line voltage shift

Номер патента: US20190304550A1. Автор: Zhenlei Shen,Pitamber Shukla,Philip Reusswig,Anubhav Khandelwal,Niles N. Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Word line driving circuit with high access efficiency

Номер патента: US11810643B2. Автор: Chia-Wei Ho,Min-Chia Wang,Chung-Ming Lin,Hsiu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Word line driver, word line driver array, and semiconductor structure

Номер патента: US20230143797A1. Автор: Sungsoo CHI,Fengqin Zhang,Shuyan JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device having hierarchical word line structure

Номер патента: US20020186611A1. Автор: Kengo Aritomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line

Номер патента: US7187615B2. Автор: Seong-Jin Jang,Min-Sang Park,Yu-Lim Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-06.

Word line activation in memory devices

Номер патента: US20120044765A1. Автор: Giovanni Santin,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Word-line inter-cell interference detector in flash system

Номер патента: US20150371714A1. Автор: Seyhan Karakulak,Anthony Dwayne WEATHERS,Richard David Barndt. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US10734050B2. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Word-line driver for memory

Номер патента: US20140233321A1. Автор: Vikas RANA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2014-08-21.

Apparatuses and methods for providing word line voltages

Номер патента: US20190259434A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Word line voltage generator for programmable memory array

Номер патента: US09837168B1. Автор: John A. Fifield,Eric D. Hunt-Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device determining precharge time based on a number of times that a program voltage is applied to word line and operating method of memory device

Номер патента: US11848054B2. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

RAM row decode circuitry that utilizes a precharge circuit that is deactivated by a feedback from an activated word line driver

Номер патента: US5400283A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-03-21.

Word line boost circuit and method

Номер патента: US7697349B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Word-line pre-charging in power-on read operation to reduce programming voltage leakage

Номер патента: US20190066789A1. Автор: Manabu Sakai,Yen-Lung Li,Qui Vi Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and apparatus for word line driver with decreased gate resistance

Номер патента: US20120037997A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,You-Cheng Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US20070242520A1. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US7502265B2. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-10.

Reducing Disturbs With Delayed Ramp Up Of Dummy Word Line After Pre-charge During Programming

Номер патента: US20190108883A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Reducing disturbs with delayed ramp up of dummy word line after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669365A1. Автор: Yingda Dong,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Circuit for reducing the row select voltage swing in a memory array

Номер патента: US4730275A. Автор: Ira E. Baskett. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-08.

Row decoder circuit for use in non-volatile memory device

Номер патента: US20060077717A1. Автор: Myong-Jae Kim,Jin-Sung Park,Seung-Keun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Clocked memory with word line activation during a first portion of the clock cycle

Номер патента: US20130329512A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Hema Ramamurthy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-12.

Local word line decoder for memory with 2 MOS devices

Номер патента: US5867445A. Автор: Howard C. Kirsch,Yen-Tai Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Adapting word line pulse widths in memory systems

Номер патента: CA2709424C. Автор: Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor storage memory having a reference voltage generation circuit generating the word line voltage

Номер патента: US6181625B1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Voltage boosting circuit for generating boosted voltage phases

Номер патента: US6064594A. Автор: Maurizio Gaibotti,Carmela Calafato. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-05-16.

Determination of word line to local source line shorts

Номер патента: US09484086B2. Автор: Sagar Magia,Jagdish M. Sabde. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578B1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Richard Hiram Womack. Дата публикации: 2006-04-06.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: EP1774532A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2007-04-18.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: US20060002178A1. Автор: Richard Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: WO2006007578A1. Автор: Richard Hiram Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-19.

Off-state word line voltage control for fixed plate voltage operation

Номер патента: US11749329B1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

NAND boosting using dynamic ramping of word line voltages

Номер патента: US09530506B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations

Номер патента: US09449694B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Rajan Paudel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Word line precharging systems and methods

Номер патента: US12131765B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Word line voltage control for reduced voltage disturbance during memory operations

Номер патента: US20240212735A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Word line dependent temperature compensation scheme during sensing to counteract cross-temperature effect

Номер патента: US09543028B2. Автор: Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: US20240055051A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20230207027A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Dynamic word line reconfiguration for nand structure

Номер патента: WO2024039431A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US11848058B2. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Complete word line look ahead with efficient data latch assignment in non-volatile memory read operations

Номер патента: WO2008083132A3. Автор: Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: Seungpil Lee. Дата публикации: 2008-10-02.

Word line coupling for deep program-verify, erase-verify and read

Номер патента: WO2015065828A1. Автор: Jun Wan,Feng Pan,Bo Lei. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-05-07.

Dynamic word line reconfiguration for NAND structure

Номер патента: US11990185B2. Автор: Xiang Yang,James Kai,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20240062837A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou,Jianquan Ji. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Crossbar circuits for performing convolution operations

Номер патента: WO2023069935A1. Автор: Miao HU,Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-04-27.

Crossbar circuits for performing convolution operations

Номер патента: US12040016B2. Автор: Miao HU,Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Crossbar circuits for performing convolution operations

Номер патента: EP4420123A1. Автор: Miao HU,Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Crossbar circuits for performing convolution operations

Номер патента: US20240339157A1. Автор: Miao HU,Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory

Номер патента: US5424975A. Автор: Tyler A. Lowrey,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-06-13.

Detecting Programmed Word Lines Based On NAND String Current

Номер патента: US20150124527A1. Автор: Chris Avila,Yingda Dong,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-05-07.

Detecting programmed word lines based on nand string current

Номер патента: WO2015002901A1. Автор: Yingda Dong,Man L. Mui,Chirs AVILA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-01-08.

Word Line Precharging Systems and Methods

Номер патента: US20240071454A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Selected word line dependent select gate diffusion region voltage during programnming

Номер патента: EP2831883A1. Автор: Shinji Sato,Gerrit Jan Hemink,Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-04.

Defective word line detection

Номер патента: US20130114342A1. Автор: Manabu Sakai,Toru Miwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-09.

Techniques for erasing the memory cells of edge word lines

Номер патента: US11848059B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: EP3198602A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Read operation of cache mram using a reference word line

Номер патента: WO2016048662A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Improving data retention of last word line of non-volatile memory arrays

Номер патента: EP2340537A1. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Duo-level word line driver

Номер патента: US20230343391A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Sensing for nand memory based on word line position

Номер патента: WO2012044635A2. Автор: Haibo Li. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Read circuit for a variable resistance memory device

Номер патента: US10446227B2. Автор: Masamichi Suzuki,Reika Ichihara,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device and SRAM having plural power supply voltages

Номер патента: US5825707A. Автор: Kenichi Nakamura,Takayuki Otani,Makoto Segawa,Yasumitsu Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Voltage supply circuit for use in an integrated circuit

Номер патента: US5280455A. Автор: Yoshikazu Kanaishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid address is requested

Номер патента: US20020194443A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor storage device having a divided word line structure

Номер патента: US6084821A. Автор: Tetsushi Hoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Memory circuitry with auxiliary word line to obtain predictable array output when an invalid addressis requested

Номер патента: SG128429A1. Автор: Robert Lloyd Barry,Steven Michael Eustis,Peter Francis Croce. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-01-30.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory having a redundancy circuit for word lines and method for operating the memory

Номер патента: US20020021604A1. Автор: Jorg Stender. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116975A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: WO2016036441A3. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-08-25.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: WO2016036441A2. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-03-10.

Bus circuits for memory devices

Номер патента: US20160071553A1. Автор: Balaji Srinivasan,Nicolas L. IRIZARRY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Programmable circuits for performing machine learning operations on edge devices

Номер патента: EP4022618A1. Автор: Haining Yang,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Programmable circuits for performing machine learning operations on edge devices

Номер патента: WO2021041526A1. Автор: Haining Yang,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory with block word line

Номер патента: US09978454B2. Автор: Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Internal power supply voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US6281745B1. Автор: Hoon Ryu,Jae Hoon Kim,Hyun Soon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-28.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20120268988A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Reference word line and data propagation reproduction circuit for memories provided with hierarchical decoders

Номер патента: US5754483A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: US20240347109A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: WO2024215669A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Asymmetric vreadk to reduce neighboring word line interference in a memory device

Номер патента: US20240371444A1. Автор: Xiang Yang,Peng Zhang,Dengtao Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Programming Of Drain Side Word Line To Reduce Program Disturb And Charge Loss

Номер патента: US20160099058A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: EP3204948A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-16.

Programming of drain side word line to reduce program disturb and charge loss

Номер патента: WO2016057202A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Jiahui Yuan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-04-14.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Pre-position dummy word line to facilitate write erase capability of memory apparatus

Номер патента: US12046305B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Non-Volatile Memory For Edge Word Lines

Номер патента: US20160358662A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Reducing hot electron injection type of read disturb in 3D non-volatile memory for edge word lines

Номер патента: US09905305B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory having a plurality of memory cells and a plurality of word lines

Номер патента: US09799412B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09653175B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Inter-word-line programming in arrays of analog memory cells

Номер патента: US20140160865A1. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Yael Shur. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Word line-dependent and temperature-dependent pass voltage during programming

Номер патента: US09583198B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan,Jingjian Ren. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US09514835B2. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

AC stress mode to screen out word line to word line shorts

Номер патента: US09460809B2. Автор: Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: US09460805B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory program-verify with adaptive sense time based on distance from a word line driver

Номер патента: US20240194278A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Test key for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US6946678B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230386566A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-30.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US20240055064A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMS

Номер патента: US6825053B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Word line dependent channel pre-charge for memory

Номер патента: EP3332407A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US20050002221A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US20230102668A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11721402B2. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method and system for improving word line data retention for memory blocks

Номер патента: US11386969B1. Автор: Vinayak Bhat,Nikhil ARORA,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-12.

Fast search for leaky word line

Номер патента: US12094550B2. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US12112812B2. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Dummy word line bias ramp rate during programming

Номер патента: US09887002B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Word line dependent programming in a memory device

Номер патента: US09548124B1. Автор: Arash Hazeghi,Dana Lee,Gerrit Jan Hemink,Henry Chin,Bo Lei,Zhenming Zhou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for testing a multiplicity of word lines of a semiconductor memory configuration

Номер патента: US6370069B2. Автор: Helmut Schneider,Joachim Schnabel,Eckhard Brass,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-09.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307304A3. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-04-17.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US20230046677A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device for detecting defect in word line driver

Номер патента: US20240290415A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US09721663B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device having main word lines and sub-word lines

Номер патента: US09418711B2. Автор: Takeshi Ohgami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Half-turn word line return for plated-wire memory array

Номер патента: US3742469A. Автор: C Crosby. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1973-06-26.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US20230223084A1. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Negative word line enabled pre-boosting strategy to improve nand program performance

Номер патента: US20240355401A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09812206B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Sense circuit for RRAM

Номер патента: US09728253B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09697901B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US20240161801A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: US20200202961A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Multiple stack high voltage circuit for memory

Номер патента: US12094558B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Tung-Cheng Chang,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Floating staircase word lines and process in a 3D non-volatile memory having vertical bit lines

Номер патента: US09748172B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb

Номер патента: US09449700B2. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: EP3213325A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-06.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertical non-volatile memory device including plural word line stacks

Номер патента: US09711188B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Interleaved grouped word lines for three dimensional non-volatile storage

Номер патента: US09627009B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11804252B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240029772A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Edge word line concurrent programming with verify for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US12046302B2. Автор: Xiang Yang,Ken Oowada,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Electronic device including memory arrays with variable resistance storage elements arranged on different sides of a word line driving unit

Номер патента: US9535834B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Automatic word line leakage measurement circuitry

Номер патента: US09704542B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US09666800B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups

Номер патента: US20150029789A1. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Euncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-29.

Redundant random access memory device equipped with encoder coupled between programming circuits and redundant word line driving circuits

Номер патента: US5224073A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307025A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device preventing a malfunction caused by a defective main word line

Номер патента: US6172934B1. Автор: Teruyuki Uchihira. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Multi-bank memory with word-line banking, bit-line banking and i/o multiplexing utilizing tilable interconnects

Номер патента: EP1194930A1. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

Semiconductor memory device including peripheral circuit for performing program and read opeartions and operating method thereof

Номер патента: US09558794B2. Автор: Ho Seok Lee,Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device having breaker associated with address decoder circuit for deactivating defective memory cell

Номер патента: US5285417A. Автор: Keita Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Circuit for checking memory cells of programmable MOS-integrated semiconductor memories

Номер патента: US4458338A. Автор: Burkhard Giebel,Lothar Schrader,Hans Moormann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-03.

Multiple location repair word line redundancy circuit

Номер патента: US5774471A. Автор: Yong H. Jiang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1998-06-30.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Method and apparatus of testing word line to detect fault after repair

Номер патента: US11984176B2. Автор: Yulong ZHAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Dynamic word line boosting during programming of a memory device

Номер патента: US20240079063A1. Автор: Han-Ping Chen,Yanjie Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: EP2780912A1. Автор: Deepak Raghu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-24.

Circuit for controlling the potential difference between the substrate and the control gate of non-volatile memory and its control method

Номер патента: US20010012218A1. Автор: Ta-Lee Yu,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: WO2024072503A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile storage with broken word line screen and data recovery

Номер патента: US20130128665A1. Автор: Nima Mokhlesi,Deepak Raghu,Lanlan Gu,Ashish Pal Singh Ghai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-23.

Word line block select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20090003118A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230298998A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Split gate non-volatile memory cell having a floating gate, word line, erase gate, and method of manufacturing

Номер патента: US09793279B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Variable pulse widths for word line activation using power state information

Номер патента: US09606742B1. Автор: Hoyeol Cho,Jinho Kwack,Jilong Shan. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: US09443606B2. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device of divided word line

Номер патента: US5282175A. Автор: Kenji Anami,Shuji Murakami,Koreaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Cache memory device including word line driver circuit and method

Номер патента: US6738278B2. Автор: Jin Sung Kim,Kwang-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

Semi-circle drain side select gate maintenance by selective semi-circle dummy word line program

Номер патента: US11894062B2. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device configured to apply first and second pass voltages to unselected word lines based on an operating voltage

Номер патента: US11875863B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US11862281B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Tchnologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Adaptive negative word line voltage

Номер патента: US20240071527A1. Автор: Yanjie Wang,Xiaoyu Che,Runchen Fang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device detecting defect by measuring line resistance of word line

Номер патента: US11835579B2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hwangju Song,Jaeeun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Word line coupling prevention using 3d integrated circuit

Номер патента: US20150145139A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: EP3711055A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying ramp up rate of word line voltages during channel discharge

Номер патента: WO2020131167A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Fast search for leaky word line

Номер патента: WO2024035480A1. Автор: Yan Li,Liang Li,William Mak,Zhen Qin,Xingyan ZHOU. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: WO2024035476A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with early dummy word line ramp down after precharge

Номер патента: US20240055059A1. Автор: Xiang Yang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory in which access to broken word line is inhibited

Номер патента: US6111799A. Автор: Shouzou Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Proactive refresh of edge data word line for semi-circle drain side select gate

Номер патента: US11894073B2. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Word line lead-out structure and method for preparing same

Номер патента: US20210375329A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Word line lead-out structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4002453A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Device and method for decoding an address word into word-line signals

Номер патента: US6873567B2. Автор: Juergen Pille,Christian Schweizer,Stefan Buettner,Jens Leenstra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-29.

Word Line Voltage Boost System and Method for Non-Volatile Memory Devices and Memory Devices and Processor-Based System Using Same

Номер патента: US20100128534A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: US20210265278A1. Автор: Owen W. Jungroth,Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Resistance reduction for word lines in memory arrays

Номер патента: EP3869510A1. Автор: Sung-taeg Kang,Pranav Kalavade,Prasanna Srinivasan,Owen Jungroth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Reducing disturbs with delayed ramp up of selected word line voltage after pre-charge during programming

Номер патента: EP3669362A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Electronic memory apparatus, and method for deactivating redundant bit lines or word lines

Номер патента: US20050243636A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: WO2024049531A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: US20240071493A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US20210165602A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory with different word line hook up regions based on pass through signals

Номер патента: US11817150B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory device having transistors between bonding pads and word lines

Номер патента: US11929352B2. Автор: Hiroshi Maejima,Takashi Maeda,Masumi SAITOH,Tetsuaki Utsumi,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Word Line Decoder Circuitry under a Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20190057741A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3660901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3375012A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2017142617A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Word line zone dependent pre-charge voltage

Номер патента: US11972803B2. Автор: Yu-Chung Lien,Jiahui Yuan,Fanqi WU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Edge word line data retention improvement for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11961572B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US11693584B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Memory array word line routing

Номер патента: US12002534B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Periodic reduced word line bias which increases channel boosting

Номер патента: US20220068390A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and memory used for reducing program disturbance by adjusting voltage of dummy word line

Номер патента: US20210193237A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI,Yali SONG,Jinlong Zhang,XiangNan Zhao,Xueqing Huang,Meng Lou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Word line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US20110170359A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di lorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Debiasing scheme for partial block erase based on word line groups

Номер патента: US20240194270A1. Автор: Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Qun Su,Ryan Hrinya,Jose Nino N. Monje. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US9984753B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Enabling circuit for redundant word lines in a semiconductor memory array

Номер патента: US4538245A. Автор: George Perlegos,George Smarandoiu. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-08-27.

Wafer burn-in test circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5986917A. Автор: Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-16.

Word line driver for vector-by-matrix multiplication array

Номер патента: US20240095508A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Han Tran,Ahn Ly. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Built-in self test circuit for segmented static random access memory (sram) array input/output

Номер патента: US20240071546A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor storage device comprising a control circuit for changing a rate of increase of a voltage applied to non-selected word lines

Номер патента: US11901020B2. Автор: Naofumi ABIKO,Emiri TAKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: WO2022221821A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-20.

Decoding architecture for word line tiles

Номер патента: US11894103B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor storage device including a voltage generator for applying first and second intermediate voltages to an adjacent word line in a program operation

Номер патента: US11869597B2. Автор: Junichi Sato,Takeshi Nakano,Hideyuki Kataoka,Hiroki Date,Yuzuru SHIBAZAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Word line group read counters

Номер патента: US11934689B2. Автор: Harish Reddy Singidi,Gianni Stephen Alsasua,Ashutosh Malshe,Renato Padilla, JR.,Kishore Kumar Muchherla,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Reducing neighbor word line interference in a two-tier memory device by modifying word line programming order

Номер патента: US20200202962A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device which applies multiple voltages to the word line

Номер патента: US9792996B1. Автор: Hiroki Date. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile memory with dummy word line assisted pre-charge

Номер патента: US20240145006A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Dengtao Zhao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Boundary Word Line Search and Open Block Read Methods with Reduced Read Disturb

Номер патента: US20160240262A1. Автор: Deepanshu Dutta,Grishma Shah. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: EP3711054A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory performing write operation in which a string transistor channel voltage is boosted before applying a program voltage to a word line

Номер патента: US09953708B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Data recovery method after word line-to-word line short circuit

Номер патента: US9785493B1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and apparatus for redundancy word line replacement in a semiconductor memory device

Номер патента: US5555212A. Автор: Kirihata Toshiaki,Kato Daisuke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: WO2020131168A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Interleaved grouped word lines for three dimesional non-volatile storage

Номер патента: US20160027477A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-01-28.

Nonvolatile memory apparatus capable of determining an application time of a program voltage applied to a selected word line

Номер патента: US8929150B2. Автор: Chul Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Word line discharge skip for faster read time

Номер патента: US20200411100A1. Автор: Yosuke Kato,Norihiro Kamae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Hybrid dynamic word line start voltage

Номер патента: US20240282381A1. Автор: Deping He,Kulachet Tanpairoj,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: EP4186095A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US20230125748A1. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: EP3014626A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-04.

Word line defect detection and handling for a data storage device

Номер патента: WO2014209778A1. Автор: Dana Lee,Idan Alrod,Eran Sharon,Seungjune Jeon. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Neighboring word line program disturb countermeasure for charge-trapping memory

Номер патента: US09552251B2. Автор: Jian Chen,Yingda Dong,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Electronic fuse semiconductor device for selecting failed redundancy word lines

Номер патента: US09401219B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Buried low-resistance metal word lines for cross-point variable-resistance material memories

Номер патента: US20090072341A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: WO2023229808A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-II MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Sram cell word line structure with reduced rc effects

Номер патента: US20230380129A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Min CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US11894051B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: US20190147962A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: US11854620B2. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Erika Penzo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: WO2019099105A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

EPROM encryption code decoding prevention circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US6028931A. Автор: Sung Sik Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-22.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US20230410901A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack after program-verify

Номер патента: EP3669366A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-24.

Word line layer dependent stress and screen voltage

Номер патента: US20240161849A1. Автор: Liang Li,CHAO Xu,Yidan Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Word line and power conductor within a metal layer of a memory cell

Номер патента: US20130182484A1. Автор: Gus Yeung,Yew Keong Chong. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

Reducing program disturb by modifying word line voltages at interface in two-tier stack during programming

Номер патента: EP3685383A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Resistive memory device with word lines coupled to multiple sink transistors

Номер патента: US9311997B2. Автор: Yongkyu Lee,Sungyeon Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Set-while-verify circuit and reset-while verify circuit for resistive random access memory cells

Номер патента: US11646078B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Sub word line driver of a semiconductor memory device

Номер патента: US9543306B1. Автор: HAN Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Sense circuit for rram

Номер патента: US20170154674A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Boosting circuit improved to operate in a wider range of power supply voltage, and a semiconductor memory and a semiconductor integrated circuit device using the same

Номер патента: US5404329A. Автор: Yoshikazu Morooka,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Bit line voltage clamping read circuit for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4307304A2. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor devices with a double sided word line structure and methods of manufacture

Номер патента: US11856876B2. Автор: Cheng-Chun Chang,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: WO2022093320A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US10741582B2. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays

Номер патента: US11515328B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Non-volatile (nv) memory (nvm) matrix circuits employing nvm matrix circuits for performing matrix computations

Номер патента: WO2019013953A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-17.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A3. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Diode structure for word-line protection in a memory circuit

Номер патента: WO2006073838A2. Автор: Sunil Mehta,Yongzhong Hu,Fabiano Fontana,Steven Fong. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2006-07-13.

Word line ramping down scheme to purge residual electrons

Номер патента: WO2018004752A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: EP3807879A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Method And Apparatus For Reducing Coupling Between Word Lines And Control Gate Lines In A Flash Memory System

Номер патента: US20190385679A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A8. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A1. Автор: Kaiman YUE,Guang Yan LUO,Xiaozhou QUIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device having word line structure

Номер патента: US20230299161A1. Автор: Wei-Tong Chen,Cheng-Yan Ji. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device capable of repairing defective word lines

Номер патента: US20230079020A1. Автор: Sangho Shin,Kan-Yuan Cheng,Hee-Seong KIM,Tien-Chieh Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Controlling word line voltages to reduce read disturb in a memory device

Номер патента: EP4055607A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-14.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20200335519A1. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional nor memory arrays

Номер патента: US11968837B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Staggered Word Line Architecture for Reduced Disturb in 3-Dimensional NOR Memory Arrays

Номер патента: US20210225873A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical nand device with shared word line steps

Номер патента: WO2015148307A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

Non-volatile memory with different word line to word line pitches

Номер патента: US20240112735A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Word line block/select circuit with repair address decision unit

Номер патента: US20110149664A1. Автор: Seong Nyuh Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Cell characteristic measuring circuit for a nonvolatile semiconductor memory device and cell characteristic measuring method

Номер патента: US5650961A. Автор: Toshihiko Himeno,Naohiro Matsukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-22.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US11935594B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: US20210383869A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Word line and control gate line tandem decoder for analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4162491A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Leakage reduction circuit for read-only memory (rom) structures

Номер патента: US20210398594A1. Автор: Minh Nguyen,Shigeki Shimomura,Ryuji Yamashita,Henry Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Circuit for controlling eeprom cell

Номер патента: US20140192597A1. Автор: Jin-Yeong Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-07-10.

Multiple Stack High Voltage Circuit for Memory

Номер патента: US20230282250A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Tung-Cheng Chang,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US12002499B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: US20240249789A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A. Herrera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Dynamic word line allocation in memory systems

Номер патента: WO2024158647A1. Автор: Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Justin Bates,Tarun Singh Yadav,Attila A HERRERA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-02.

Writing logically offset pages of data to N-level memory cells coupled to a common word line

Номер патента: US09905294B1. Автор: Alex Tang,Stephen Hanna,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Reparir device and method capable of repairing fail cell by the unit section word line)

Номер патента: KR20080006113A. Автор: 이승민,박철성,유병욱,김영승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-16.

Dynamic word line driver for cache

Номер патента: US6122710A. Автор: Manoj Kumar,Huy Van Pham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor memory device with shortened time period of word line selection

Номер патента: US4707809A. Автор: Manabu Ando. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Semiconductor memory device and method for selecting multiple word lines in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020145933A1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Flash devices with shared word lines

Номер патента: US7495294B2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-02-24.

Method and apparatus to mitigate word line staircase etch stop layer thickness variations in 3d nand devices

Номер патента: US20230232629A1. Автор: Sha Tao,Qun Li,Hong Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Multiple (multi-) level cell (mlc) non-volatile (nv) memory (nvm) matrix circuits for performing matrix computations with multi-bit input vectors

Номер патента: WO2019013955A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US11682464B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Separate drain-side dummy word lines within a block to reduce program disturb

Номер патента: WO2018226280A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-13.

Proactive edge word line leak detection for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11783903B2. Автор: Xiang Yang,Xiaochen Zhu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Word-line deficiency detection method for semiconductor memory device

Номер патента: US20010009525A1. Автор: Yoshiharu Kato,Shinji Nagai,Satoru Kawamoto,Motoki Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US20230274784A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Word line with air-gap for non-volatile memories

Номер патента: US20200006433A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Compact memory cell with a shared conductive word line and methods of making such a memory cell

Номер патента: US20220037348A1. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory cell with asymmetric word line and erase gate for decoupled program erase performance

Номер патента: WO2019135905A1. Автор: James Walls,Mel HYMAS,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-07-11.

Circuit configuration and method for automatic recognition and elimination of word line/bit line short circuits

Номер патента: US6125066A. Автор: Patrick Heyne,Dieter Härle,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-09-26.

Accelerated testing method and circuit for non-volatile memory

Номер патента: US6445614B1. Автор: Wen-Jer Tsai,Nian-Kai Zous,Ta-Hui Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-03.

Voltage generation circuit for multivalued cell type mask ROM

Номер патента: US6108247A. Автор: Takayuki Suzu,Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Power control module using protection circuit for regulating backup voltage to power load during power fault

Номер патента: US09899834B1. Автор: Ryan P. Mayo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Calculating soft metrics depending on threshold voltages of memory cells in multiple neighbor word lines

Номер патента: US11874736B2. Автор: Nir Tishbi,Yonathan Tate. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Mask rom semiconductor memory device capable of synchronizing the activation of the sense amplfier and of the word line

Номер патента: US20010053107A1. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Voltage level translator circuit with wide supply voltage range

Номер патента: US20070176635A1. Автор: Dipankar Bhattacharya,Bernard Morris,Makeshwar Kothandaraman,John Kriz,Joseph Simko. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-08-02.

Voltage control circuit for memory cell and the method thereof

Номер патента: US09779827B2. Автор: Da Chen,Tianzhu Zhang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

In-memory computing circuit for fully connected binary neural network

Номер патента: US20210312959A1. Автор: Tao Wang,Weiwei Shan. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-07.

Three-dimensional memory device having bent backside word lines

Номер патента: EP3891812A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Calibration circuit for on-chip drive and on-die termination

Номер патента: US20170179953A1. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Calibration circuit for on-chip drive and on-die termination

Номер патента: US20180048310A1. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Calibration circuit for on-chip drive and on-die termination

Номер патента: US09780785B2. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level nand memory

Номер патента: WO2024049533A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level NAND memory

Номер патента: US11875043B1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Data Recovery in Three Dimensional Non-Volatile Memory Array After Word Line Short

Номер патента: US20170228299A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Ofer Shapira. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Word line structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273868A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Yung-Tai Hung,Tuung Luoh,Ta-Hung Yang,Chi-Min Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Voltage generating circuit and regulator circuit for precisely control predetermined high voltage

Номер патента: US09537398B2. Автор: Hideki Arakawa,Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Internal voltage generation circuit for adjusting internal voltage signal based on received bulk voltage signal, an upper limit reference voltage signal, and a lower limit reference voltage signal

Номер патента: US09459638B2. Автор: Young Kyoung CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Drive circuit for flash memory with improved erasability

Номер патента: US5619450A. Автор: Tetsuji Takeguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Self testing circuit for power optimization

Номер патента: US20190195948A1. Автор: Sridhar Yadala,Ravindra Arjun Madpur,Jayanth Mysore Thimmaiah,Amandeep Kaur. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Circuit for testing a memory and test method thereof

Номер патента: US11886733B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory equipped with test circuit for testing data holding characteristic during data programming period

Номер патента: US4870618A. Автор: Shinichi Iwashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US20040227543A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor memory device with a power gating circuit for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09627037B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Charge pump having switch circuits for blocking leakage current during sudden power-off, and flash memory including the same

Номер патента: US20240127865A1. Автор: Yoonjae Lee,Tae-Hong Kwon,Seokin Hong,Yeji Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Program current controller and sense circuit for cross-point memory devices

Номер патента: US20240321355A1. Автор: Andrea Ghetti,Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Decoder circuit for MOS memory of a redundant structure

Номер патента: US4651030A. Автор: Toshio Mimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

Power supply circuit and related methods for generating a power supply voltage in a semiconductor package

Номер патента: US20190072991A1. Автор: Hee-Won Kang,Nam-Su Kim,Eun-Ji MOON,In-Hyuk Go,Jae-sang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Power supply circuit and related methods for generating a power supply voltage in a semicondutor package

Номер патента: US20190377375A1. Автор: Hee-Won Kang,Nam-Su Kim,Eun-Ji MOON,In-Hyuk Go,Jae-sang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Driving circuit for non-volatile memory

Номер патента: US12014783B2. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Fuse trimming failure test circuit for CMOS circuit

Номер патента: US6774702B2. Автор: Ryohei Kimura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-10.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Internal supply voltage generator capable of reducing latch-up and semiconductor device having the same

Номер патента: US20090315528A1. Автор: Jae-Youn Lee,Byung-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

Sense amplifying circuit for a semiconductor memory with improved data read ability at a low supply voltage

Номер патента: US7113436B2. Автор: Seung-Hoon Lee,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-26.

Power-supply voltage sensing device

Номер патента: US09910072B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Front/back control of integrated circuits for flash dual inline memory modules

Номер патента: US09905303B2. Автор: Ruban Kanapathippillai,Kenneth Alan Okin. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Apparatuses and method for supply voltage level detection

Номер патента: US09466337B1. Автор: Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Substrate voltage generator and method therefor in a semiconductor device having selectively activated internal stepped-down power supply voltages

Номер патента: US5315166A. Автор: Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Burn-in test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5452253A. Автор: Young-Keun Choi. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-19.

Power supply voltage detecting circuit for use in semiconductor memory device

Номер патента: US5907283A. Автор: Chang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-25.

Power control module using protection circuit for regulating backup voltage to power load during power fault

Номер патента: US20180175619A1. Автор: Ryan P. Mayo. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20140185373A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20130215676A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Driver circuit for display device and display device including the driver circuit

Номер патента: US20130135185A1. Автор: Jun Koyama,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Supply voltage based analog predistortion (apd) circuit for power amplifier

Номер патента: WO2023249771A1. Автор: Baker Scott,Nadim Khlat,George Maxim,Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-12-28.

Control circuit for multiply accumulate circuit of neural network system

Номер патента: US20200372331A1. Автор: Ching-Yuan Lin,Chia-Fu Chang,Cheng-Heng CHUNG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US12099728B2. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Control circuit for multiply accumulate circuit of neural network system

Номер патента: US20200372330A1. Автор: Ching-Yuan Lin,Chia-Fu Chang,Cheng-Heng CHUNG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Rf amplification device with power protection during high supply voltage conditions

Номер патента: US20160241200A1. Автор: David Ngo,Praveen V. Nadimpalli. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

RF amplification device with power protection during high supply voltage conditions

Номер патента: US09647610B2. Автор: David Ngo,Praveen V. Nadimpalli. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Multi-line supply unit for a vehicle control unit

Номер патента: US20210159694A1. Автор: Hartmut Schumacher,David VOIGT. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-05-27.

Read schemes with adjustment for neighboring word line sanitization

Номер патента: US20240143229A1. Автор: Ravi J. Kumar,Sujjatul Islam,Md Raquibuzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Structure for inspecting defects in word line array fabricated by SADP process and method thereof

Номер патента: US8748814B1. Автор: HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Amplifier circuits for amplifying an audio signal with controlled power supply

Номер патента: WO2018158556A1. Автор: Terence ORR. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Limited. Дата публикации: 2018-09-07.

Control circuit for automatic circuit breaker of differential current

Номер патента: RU2695315C2. Автор: Даниеле НОВАТИ. Владелец: Бтичино Спа. Дата публикации: 2019-07-23.

Circuit and method for monitoring a supply voltage

Номер патента: US20190391187A1. Автор: Federico Ignacio Sanchez Pinzon,Michael Wilhelm Haas,Alexander Barner,Uwe Lueders. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-12-26.

Apparatus and methods for compensating supply sensitive circuits for supply voltage variation

Номер патента: US12124284B2. Автор: Mohamed El-Nozahi,Amr G. Elgamal. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-10-22.

Circuit configuration for generating a d-c output voltage independent of fluctuations of a d-c supply voltage

Номер патента: US4423370A. Автор: Wilhelm Wilhelm. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-12-27.

Circuit for increasing voltage swing of a local oscillator waveform signal

Номер патента: US09760377B2. Автор: Jonathan Richard Strange. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Method for supply voltage drop analysis during placement phase of chip design

Номер патента: US20020112212A1. Автор: Ivan Wemple,John Cohn,James Venuto,Paul Zuchowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Electronic circuit for controlling voltage signals at particular critical nodes, for example of a POR circuit

Номер патента: US20020036537A1. Автор: Marco Pasotti,Giovanni Guaitini,Pier Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-03-28.

Driving circuit for increasing a driving power supply voltage for a display panel

Номер патента: US09761195B2. Автор: Jia-Chi ZHENG. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-09-12.

Circuit for generating an output voltage and method for setting an output voltage of a low dropout regulator

Номер патента: US09715245B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Gu-Huan Li,Chung-chieh Chen,Chen-Lun Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Test circuit for very low voltage and bias scan testing of integrated circuit

Номер патента: US09551749B2. Автор: Jianzhou Wu,Wanggen Zhang,Huangsheng Ding. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and method for a modified brokaw bandgap reference circuit for improved low voltage power supply

Номер патента: US09471084B2. Автор: Hidenori Kobayashi. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20120206172A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Current reference circuit for low supply voltages

Номер патента: US20020196071A1. Автор: Antonino Conte,Oreste Concepito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Driving circuit for display panel

Номер патента: US09984646B2. Автор: Jia-Chi ZHENG. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-05-29.

Circuit for controlling a power supply voltage for a high-side gate driver

Номер патента: US09806607B2. Автор: Indumini W. Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Radio unit with a power circuit for voltage supply and method for operating such a radio unit

Номер патента: US09768641B2. Автор: Marc Fiedler,Ingo Laible. Владелец: Endress and Hauser Process Solutions AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Signal level shift conversion circuit for display driver and display device converting input voltage signal at synchronized timing

Номер патента: US12073804B2. Автор: Hiroshi Tsuchi,Hayato Koizumi. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Voltage detection circuit for charge pump

Номер патента: US20190317140A1. Автор: Sean Chen,Yuan Tang,Jen-Tai Hsu,Zhifeng MAO,Shiou-Yu ALEX WANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Cascaded reference based thin-oxide only n-well steering circuit for contention solution in multi-supply designs

Номер патента: US20240353879A1. Автор: Shidong Zhou,Santosh Yachareni,Anil Kumar Kandala,Narendra Kumar PULIPATI,Sree Rama Krishna Chaithnya SARASWATULA,Lakshmi Venkata Satya Lalitha Indumathi JANASWAMY. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Area-saving driving circuit for display panel

Номер патента: US09898992B2. Автор: Min-Nan LIAO. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-02-20.

Leakage current supply circuit for reducing low drop-out voltage regulator headroom

Номер патента: EP3353618A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen,Yeshwant Nagaraj Kolla,Samantak Gangopadhyay,Burt Lee Price. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-01.

Integrated circuit with circuit elements having different supply voltages

Номер патента: US20020043670A1. Автор: Paul Zehnich. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2002-04-18.

Method and resistive bridge circuit for the detection of solder-joint failures in a digital electronic package

Номер патента: WO2006093729A1. Автор: Philipp S. Spuhler,Bert M. Vermeire,James P. Hofmeister. Владелец: Ridgetop Group, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Methods and circuits for electrical power supply

Номер патента: US20240250691A1. Автор: Alberto Bianco,Francesco Ciappa,Donato BONDETTI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Leakage current supply circuit for reducing low drop-out voltage regulator headroom

Номер патента: US09625924B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen,Yeshwant Nagaraj Kolla,Samantak Gangopadhyay,Burt Lee Price. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Output stage circuit for gate driving circuit in LCD

Номер патента: US09524691B2. Автор: Chao-Chih Hsiao,Po-Ching Li. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-12-20.

Laser driver with pulse scaling circuit for laser displays

Номер патента: WO2023091317A1. Автор: Ziv Magoz. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Output buffer circuit with control circuit for modifying supply voltage and transistor size

Номер патента: US7123049B2. Автор: Takashi Satou,Peter Lee,Shigezumi Matsui,Gouichi Yokomizo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-17.

Control Circuit For Self-Turn-Off Of An Automatic Machine

Номер патента: US20150216356A1. Автор: Andrea ZOTTAREL,Paolo EVANGELISTI,Giuseppe De'longhi. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2015-08-06.

Control circuit for self-turn-off of an automatic machine

Номер патента: WO2014012903A2. Автор: Giuseppe De' Longhi,Andrea ZOTTAREL,Paolo EVANGELISTI. Владелец: De' Longhi Appliances S.R.L.. Дата публикации: 2014-01-23.

Control circuit for self-turn-off of an automatic machine

Номер патента: EP2875410A2. Автор: Giuseppe De' Longhi,Andrea ZOTTAREL,Paolo EVANGELISTI. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2015-05-27.

Monitor circuit for determining the lifetime of a semiconductor device

Номер патента: US20110261491A1. Автор: Scott S. Roth,Jason C. Perkey,Tim J. Zoerner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Circuit for fluorescent signaling device

Номер патента: US4472660A. Автор: Franz-Josef Melcher,Christian Oldendorf,Erich Knothe. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 1984-09-18.

Current sensing circuit for PWM applications with pulse width modulation and corresponding current process

Номер патента: US8174292B2. Автор: Maurizio Nessi,Luca Schillaci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-05-08.

Cell supervision circuit for a battery module

Номер патента: US12098965B2. Автор: Maximilian Hofer,Helmut HAMMERSCHMIED. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Startup circuit for reference circuits

Номер патента: US09667134B2. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-30.

Driver circuit for light-emitting diodes

Номер патента: US09351361B2. Автор: Mario Teufel. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-05-24.

Multiple supply-voltage power-up/down detectors

Номер патента: EP2394364A2. Автор: Vivek Mohan,Cheng Ki Kwon. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-12-14.

Transistor aging monitor circuit for increased stress-based aging compensation precision, and related methods

Номер патента: EP4405692A1. Автор: Joshua Puckett,Amlan Ghosh,Isaac Turtletaub. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Circuit for ageing display panel and display panel

Номер патента: US11380234B2. Автор: Wenxin Li. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Voltage generation circuit for selectively generating high and negative voltages on one node

Номер патента: US20030146741A1. Автор: Toru Endo,Shoichiro Kawashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Vehicle-installed microcomputer system that interrupts power to higher accuracy power supply circuit for sensor A/D converter in sleep mode

Номер патента: US7404097B2. Автор: Tatsuya Suzuki,Naoki Yamamoto,Kazuo Nomoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Method for regulating supply voltage

Номер патента: US20100090666A1. Автор: Vinko Kunc,Andrej Vodopivec,Maja Atanasijevic-Kunc. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-15.

Adaptive voltage modulation circuits for adjusting supply voltage to reduce supply voltage droops and minimize power consumption

Номер патента: SG11201808927WA. Автор: Sanjay Patel,Shraddha Sridhar,Yeshwant Kolla,Burt Price,Jeffrey Bridges,Gabriel Tarr. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-28.

Low Supply Voltage Bandgap System

Номер патента: US20090058511A1. Автор: Maofeng Lan,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Protection voltage generating circuit with monotonic and stable power supply voltage behavior

Номер патента: GB2626648A. Автор: Thomsen Axel,Angel C Abusleme Hoffman. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20110234309A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for regulating supply voltage

Номер патента: EP2126654A1. Автор: Vinko Kunc,Andrej Vodopivec,Maja Atanasijevic-Kunc. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-02.

Device and method for probing instantaneous high-speed local supply voltage fluctuation in VLSI integrated circuits using IR emissions

Номер патента: US20020167327A1. Автор: Gary Woods,Paul Madland,Samie Samaan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Power supply voltage control system

Номер патента: US09575528B2. Автор: Takeshi Aoyagi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus and methods for compensating supply sensitive circuits for supply voltage variation

Номер патента: US20230376064A1. Автор: Mohamed El-Nozahi,Amr G. Elgamal. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-11-23.

Apparatus and methods for compensating supply sensitive circuits for supply voltage variation

Номер патента: EP4233172A1. Автор: Mohamed El-Nozahi,Amr ELGAMAL. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-08-30.

Apparatus and methods for compensating supply sensitive circuits for supply voltage variation

Номер патента: WO2022084260A1. Автор: Mohamed El-Nozahi,Amr ELGAMAL. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2022-04-28.

Adaptive voltage modulation circuits for adjusting supply voltage to reduce supply voltage droops and minimize power consumption

Номер патента: EP3465895A1. Автор: Sanjay Patel,Jeffrey Todd Bridges,Shraddha Sridhar,Yeshwant Nagaraj Kolla,Burt Lee Price,Gabriel Martel TARR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Dynamic adaptation of the power supply voltage for current-driven el displays

Номер патента: EP2206102A1. Автор: Richard Page,Euan Smith,Barry Thompson,Stefan Wurster. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2010-07-14.

Supply voltage independent bandgap circuit

Номер патента: US20140117968A1. Автор: Tyler Daigle. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Envelope tracking system with modeling of a power amplifier supply voltage filter

Номер патента: US12051999B2. Автор: Serge Francois Drogi,Florinel G. Balteanu,Shayan Farahvash. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Electronic apparatuses and electronic systems using the same for providing supply voltage to external devices

Номер патента: US8334720B2. Автор: Yi An Chen,Rong Haw Chen,Sheng Fu Cheng,Chen Hung Huang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Circuit to indicate the status of a supply voltage

Номер патента: US20020072871A1. Автор: John Dickerson,Michael Stapleton,Jeffery Olsen,Bernard Boland. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Voltage compensating drive circuit for a thermal printer

Номер патента: US4168421A. Автор: Yoshikazu Ito. Владелец: Epson Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Generator for a frequency higher than 1000 Hz, which is connected to a supply voltage source and a load circuit for igniting and / or feeding a gas and / or vapor discharge tube contained in the load circuit

Номер патента: CH466431A. Автор: Cornelis Moerkens Jozef,Johannes Van Den Boga Antonius. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1968-12-15.

Single polysilicon process for dram

Номер патента: US20040121533A1. Автор: Chen-Yong Lin,Jenn-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Low resistivity dram buried word line stack

Номер патента: US20230141748A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Low resistivity DRAM buried word line stack

Номер патента: US12022650B2. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Joung Joo Lee,Seshadri Ganguli,Annamalai Lakshmanan,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Feihu Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Gap fill methods for dram

Номер патента: US20200286897A1. Автор: Seshadri Ganguli,Sanjay Natarajan,Gill Yong Lee,Sang Ho Yu,Sung-Kwan Kang,Priyadarshi PANDA,Rajib Lochan Swain,Jorge Pablo Fernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for Fabricating Word Lines of NAND Memory and NAND Memory Comprising Word Lines Fabricated by Adopting the Same

Номер патента: US20200402842A1. Автор: Guanqun Huang,Shaokang Yao,Xiaohua Ju. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Process for word line connections in 3D memory

Номер патента: US09825048B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Word line architecture for three dimensional nand flash memory

Номер патента: US20210134828A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

SRAM Structures with Improved Write Word Line Placement

Номер патента: US20240314997A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Resistive RAM including air gaps between word lines and between vertical bit lines

Номер патента: US09911790B1. Автор: Michiaki Sano,Seiji Shimabukuro,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Supply voltage to a distribution device in data transfer arrangement

Номер патента: AU6036286A. Автор: Jan Goerne,Steven Moustakas. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-01-22.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20180331034A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: US20170287833A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Apparatuses including passing word lines comprising a band offset material, and related methods and systems

Номер патента: US20220246727A1. Автор: Deepak Chandra Pandey,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Word line connection for memory device and method of making thereof

Номер патента: US09583539B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

L-shaped stepped word line structure, method of manufacturing the same, and three-dimensional memory

Номер патента: US12107046B2. Автор: Gang Zhang,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: US20090061609A1. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Hearing instrument with switchable power supply voltage

Номер патента: US09900708B2. Автор: Martin VINTER. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for emergency shutdown of supply voltage or traction power supply on electrified line or electrified line section for rail vehicle

Номер патента: RU2742843C2. Автор: Дирк ВЕСТФАЛЬ. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2021-02-11.

Word-line-pickup structure and method for forming the same

Номер патента: US20240032285A1. Автор: Wenxiang Xu,Fandong LIU,Dongmen SONG,Mingli DU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Dram with staggered word line transitions for hybrid-bonded photosensor arrays

Номер патента: US20200154073A1. Автор: Chia-Ming Chen,Jong-sik Na. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365537A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices including asymmetric word line pads

Номер патента: US09911750B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit devices having buried word lines therein

Номер патента: US11889681B2. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit devices having buried word lines therein and methods of forming the same

Номер патента: US20240114676A1. Автор: Yoosang Hwang,Taehoon Kim,Taejin Park,Sunghee Han,Kyujin KIM,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: WO2024178724A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Memory device with word lines and contact landing

Номер патента: US20240298443A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09799663B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

3D nonvolatile memory device having common word line

Номер патента: US09515084B2. Автор: Jin HO KIM,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US09466566B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile memory with three dimensional stacked word line switches

Номер патента: US11943922B1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Sudarshan Narayanan,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li,Qinghua Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Manufacturing method for buried word line structure, and semiconductor memory comprising buried word line structure

Номер патента: EP3958299A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Control gate strap layout to improve a word line etch process window

Номер патента: US20240088246A1. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

RF amplification device with power protection during high supply voltage conditions

Номер патента: US09793860B2. Автор: Praveen Varma Nadimpalli,Michael B. Thomas,David Q. Ngo. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328970A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device having word lines surrounded by memory layers and method of making the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317616A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

SRAM structures with improved write word line placement

Номер патента: US11997844B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Control gate strap layout to improve a word line etch process window

Номер патента: US11869951B2. Автор: Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu,Ping-Cheng Li,Shih Kuang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device having a stacked nanowire structure disposed over a buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210125995A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: WO2023224816A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: WO2017171969A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing buried word line structure and semiconductor memory thereof

Номер патента: US11889678B2. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Buried word line structure and method of making the same

Номер патента: US20190067293A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor memory device having the structure of word-lines to avoid short circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230096256A1. Автор: Junya Suzuki,Takashi Sasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Word line strap layout structure

Номер патента: US20040238863A1. Автор: Ken-Hui Chen,Chen-Chin Liu,Lan-Ting Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device including word line cut

Номер патента: US20200203366A1. Автор: JUNG Tae Sung,Young Woo Kim,Jung Hwan Lee,Joon Young Kwon,Ji Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Three dimensional storage cell array with highly dense and scalable word line design approach

Номер патента: EP3440700A1. Автор: Mark Helm,Deepak Thimmegowda,Aaron Yip,Yongna LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Three-dimensional semiconductor device including a word line structure having a protruding portion

Номер патента: US20220231140A1. Автор: Nam Kyeong Kim,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Poly-silicon based word line for 3d memory

Номер патента: WO2022245639A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Amplification Circuit and Hearing Aid

Номер патента: US20120170780A1. Автор: William A. Johnson,Mead C. Killion. Владелец: Etymotic Research Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Reducing neighboring word line in interference using low-k oxide

Номер патента: US09831118B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Direct word line contact and methods of manufacture for 3d memory

Номер патента: US20230371246A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for preparing memory device having protrusion of word line

Номер патента: US20230389282A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Buried word line structure and method of making the same

Номер патента: US10217750B1. Автор: Feng-Yi Chang,Chi-Mao Hsu,Shih-Fang Tzou,Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Fu-Che Lee,Kuan-Chun Lin,Shih-Kuei Yen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Three-dimensional NOR array including vertical word lines and discrete memory elements and methods of manufacture

Номер патента: US12035535B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Supply voltage control device for amplifier

Номер патента: US20110050337A1. Автор: Susumu Miura,Keiju ITO. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-03-03.

Supply voltage control device for amplifier

Номер патента: US7978008B2. Автор: Susumu Miura,Keiju ITO. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-07-12.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: US09859298B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: WO2023224796A1. Автор: Koichi Ito,Takuya Mori,Michiaki Sano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: US20230380151A1. Автор: Koichi Ito,Michiaki Sano,Takyua MORI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device having word line separation layer

Номер патента: US20210193678A1. Автор: Jinsoo Lim,Daehyun Jang,SangJun HONG,Jisung Cheon,Jiye Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Microelectronic devices including passing word line structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US20210391337A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Venkata Naveen Kumar Neelapala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device having word line separation layer

Номер патента: US12010849B2. Автор: Jinsoo Lim,Daehyun Jang,SangJun HONG,Jisung Cheon,Jiye Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device having stacked word lines and conductive pillar

Номер патента: US09634064B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical floating body storage transistors formed in bulk devices and having buried sense and word lines

Номер патента: US09484457B2. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11937420B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20230197570A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing memory device having word line surrounding gate structure

Номер патента: US20240023322A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20140120665A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Stacked Bit Line Dual Word Line Nonvolatile Memory

Номер патента: US20110241078A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Stacked bit line dual word line nonvolatile memory

Номер патента: US20160365349A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US11901267B2. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device having word line surrounding gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023321A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure having word lines intersect with active regions

Номер патента: US11980024B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Double patterning method of manufacturing select gates and word lines

Номер патента: US20240081056A1. Автор: Zih-Song Wang,Yi-Yeh Chuang,Li-Ta Chen,Shun-Yu Gao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device having buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242211A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Method of making a keepered word-line structure for a thin memory package

Номер патента: US3606675A. Автор: David J Crimmins. Владелец: Thomas and Betts Corp. Дата публикации: 1971-09-21.

Method for manufacturing buried word line transistor, transistor and memory

Номер патента: US12041764B2. Автор: Yuchen Wang,Nan DENG,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Split word line fabrication process

Номер патента: US20120052668A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US12075613B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157274A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Power detection system and circuit for high voltage supply and low voltage devices

Номер патента: US20100164591A1. Автор: Pankaj Kumar,Pramod Elamannu Parameswaran,Vani Deshpande,Anuroop Iyengar. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Buried word line structure and method of forming the same

Номер патента: US20140159140A1. Автор: Inho Park,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming buried word line structure

Номер патента: US20140213035A1. Автор: Inho Park,Lars Heineck. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Three-dimensional memory device with angled word lines and method of making thereof

Номер патента: US09905573B1. Автор: Akira Takahashi,Shogo Mada,Motoki Umeyama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Word line with multi-layer cap structure

Номер патента: US09401275B2. Автор: Hirotada Tobita,Keita Akasaki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of forming FLASH cell array having reduced word line pitch

Номер патента: US20070087502A1. Автор: Chen Chung-Zen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Clock signal conversion circuit for high-speed serial data controllers

Номер патента: US11888483B2. Автор: Murtuza Lilamwala,Nicholas Alexander Bodnaruk,Wasim Hussain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Amorphous silicon layer in memory device which reduces neighboring word line interference

Номер патента: WO2017222605A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

Clock signal conversion circuit for high-speed serial data controllers

Номер патента: US20230318582A1. Автор: Murtuza Lilamwala,Nicholas Alexander Bodnaruk,Wasim Hussain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatus and method for assisting envelope tracking with transient response in supply voltage for power amplifier

Номер патента: EP3834284A1. Автор: Michael Mcgowan,Iulian Mirea. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

Supply voltage to a distribution device in data transfer arrangement

Номер патента: AU577956B2. Автор: Jan Goerne,Steven Moustakas. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-10-06.

Supply voltage management

Номер патента: WO2014075816A1. Автор: Horst Knoedgen. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of manufacturing memory device having word lines with reduced leakage

Номер патента: US11832432B2. Автор: Chuan-Lin HSIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile memory comprising bit line air gaps and word line air gaps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2583302A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Eli Harari,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-04-24.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A3. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Using isolated p-well transistor arrangements to avoid leakage caused by word line/bit line shorts

Номер патента: WO2004042736A2. Автор: Manfred Menke,Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-21.

Control circuit for power converter apparatus provided with PFC circuit operating in current critical mode

Номер патента: US12021448B2. Автор: Hiroyuki Onishi,Hiroki Ishibashi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Open loop process and temperature independent bias circuit for stacked device amplifiers

Номер патента: US20220302881A1. Автор: Brian K. Kormanyos,Chris M. Thomas. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-09-22.

Overvoltage protection circuit for a power converter

Номер патента: CA3005023C. Автор: Jarle FROSTERØD,Tor Vang PEDERSEN. Владелец: Comrod AS. Дата публикации: 2023-07-11.

Protection circuit for a switched mode power supply

Номер патента: US20010019469A1. Автор: Kian Koh,Seng Ng,Kum Zee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

A driver circuit for low voltage operation of a successive approximation register (sar) analog to digital (a/d) converter and method therefor

Номер патента: WO1999037027A1. Автор: David Susak. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1999-07-22.

Safety interlock circuit for switching brake antilock systems in a tractor trailer vehicle combination in and out

Номер патента: US3934940A. Автор: Eberhard Schnaibel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1976-01-27.

Two square memory cells having highly conductive word lines

Номер патента: CA1321834C. Автор: Donald M. Kenney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Amplification Circuit and Hearing Aid

Номер патента: US20100061576A1. Автор: William A. Johnson,Mead C. Killion. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-11.

Improved amplification circuit and hearing aid

Номер патента: WO2010030455A1. Автор: William A. Johnson,Mead C. Killion. Владелец: ETYMOTIC RESEARCH, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Envelope tracking integrated circuit for reducing in-rush battery current

Номер патента: US20220360226A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Adaptive biasing circuit for serial communication interfaces

Номер патента: US20230095805A1. Автор: Piyush Gupta,Prasant Kumar Vallur,Jagadeesh Anathahalli Singrigowda,Girish Anathahalli Singrigowda,Rajesh Mangalore Anand. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Adaptive biasing circuit for serial communication interfaces

Номер патента: US11764789B2. Автор: Piyush Gupta,Prasant Kumar Vallur,Jagadeesh Anathahalli Singrigowda,Girish Anathahalli Singrigowda,Rajesh Mangalore Anand. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Bias circuit for stacked power amplifiers with a variable power supply

Номер патента: WO2024225361A1. Автор: Rui Ma,Shota Ishihara. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-31.

Automatic voltage switching circuit for selecting a higher voltage of multiple supply voltages to provide as an output voltage

Номер патента: US09960596B2. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Burt Lee Price,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Circuits and methods providing clock frequency adjustment in response to supply voltage changes

Номер патента: US09634676B2. Автор: Marzio Pedrali-Noy,Ashok Swaminathan,Christian Venerus. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Control circuit for power converter apparatus provided with PFC circuit operating in current-critical mode

Номер патента: US12068672B2. Автор: Hiroyuki Onishi,Shingo Nagaoka,Hiroki Ishibashi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Gate bias circuit for MOS charge coupled devices

Номер патента: US20050280025A1. Автор: Michael Anthony,Jeff Venuti. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2005-12-22.

Digitally-controlled switch-mode start-up circuit for LED-based lights

Номер патента: US09860945B2. Автор: Karl Thompson,Erik J. Mentze. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Battery charger circuit for changing between modes during operation based on temperature and battery voltage and method therefor

Номер патента: US09716403B2. Автор: Alan R. Ball. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Switched power control circuits for controlling the rate of providing voltages to powered circuits, and related systems and methods

Номер патента: US09647551B2. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Burt Lee Price,Dhaval Rajeshbhai Shah. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20210143100A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of manufacturing memory device having word line with improved adhesion between work function member and conductive layer

Номер патента: US11895820B2. Автор: Yueh Hsu,Wei-Tong Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of manufacturing semiconductor device with word lines

Номер патента: US20230397389A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20230402389A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043632A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Circuit for driving a gas discharge lamp load

Номер патента: WO1993007732A1. Автор: Mihail S. Moisin. Владелец: Motorola Lighting Inc.. Дата публикации: 1993-04-15.

Power factor correction circuit for a boost converter

Номер патента: US20240136918A1. Автор: Jun Li,Chih-Hsien HSIEH,Milind GUPTA. Владелец: Elevation Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Buffer circuit for driving a gan power switch and corresponding driver circuit

Номер патента: EP4436041A1. Автор: Salvatore Giuseppe Privitera,Francesco Pulvirenti,Cesare BIMBI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-25.

Buffer circuit for driving a gan power switch and corresponding driver circuit

Номер патента: US20240322814A1. Автор: Salvatore Giuseppe Privitera,Francesco Pulvirenti,Cesare BIMBI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-26.

Power amplification circuit

Номер патента: US09768738B2. Автор: Yuri Honda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Dual supply voltage power harvesting in an open drain transmitter circuit

Номер патента: US09647699B1. Автор: Nitin Gupta,Tapas Nandy. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Low-ripple latch circuit for reducing short-circuit current effect

Номер патента: US09559674B2. Автор: Yu-Hsin Lin,Hung-Chieh Tsai,Chen-Yen Ho,Tze-Chien Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

AC/DC converter circuit for common three-phase AC input voltages and method of operating such converter circuit

Номер патента: US09425703B2. Автор: Peter Luerkens. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-08-23.

Window based supply voltage conditioning circuit for noise filtering

Номер патента: US20220038059A1. Автор: Sahiti Priya C. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Window based supply voltage conditioning circuit for noise filtering

Номер патента: US11183975B2. Автор: Sahiti Priya C. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Modulation method for bridge circuits for the particular control of direct current motors

Номер патента: US7397215B2. Автор: András Lelkes. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-08.

Integrated circuit and driving application circuit for led tunnel lamp using three-phase alternating-current mains power supply

Номер патента: US20240349408A1. Автор: CHAO Xu,Hao Xue,Yifan Dai,Zhengyi WEI. Владелец: Hangzhou Yihuitong Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Amplification circuit

Номер патента: US09948255B2. Автор: Daisuke Watanabe,Makoto Tabei. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Optical receiver signal strength indicator (RSSI) circuit having a variable supply voltage filter impedance

Номер патента: US09882638B2. Автор: Michael A. Robinson,Sunil Priyadarshi. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Smart battery provided with a power supply voltage management circuit

Номер патента: US09786959B2. Автор: Marc Degrauwe,Michel Willemin,Sergio Rota. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2017-10-10.

Electrostatic discharge clamp circuit for ultra-low power applications

Номер патента: US09716381B2. Автор: Dennis Sylvester,Jae-Yoon Sim,David Blaauw,Yen-Po Chen,Yoonmyung Lee,Massimo Alioto. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-07-25.

Amplification circuit

Номер патента: US20180191313A1. Автор: Chih-Sheng Chen,Chia-Jung Yeh. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Level-conversion circuits for signaling across voltage domains

Номер патента: US12047067B2. Автор: John Poulton,Sanquan Song,Walker Joseph Turner. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Circuit and method for start-up of reference circuits in devices with a plurality of supply voltages

Номер патента: US20240275282A1. Автор: Asif Iqbal,Shivraj G. Dharne,Dzung T. Tran. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: US20230268853A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: AU2021303838A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2023-02-16.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: EP4179619A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De Longhi Appliances SRL. Дата публикации: 2023-05-17.

Control method and circuit for a direct current motor for an infusion unit of a machine for preparing coffee beverages

Номер патента: WO2022009246A1. Автор: Paolo EVANGELISTI,Alberto Acciari,Davide Bonotto. Владелец: De' Longhi Appliances S.R.L. Con Unico Socio. Дата публикации: 2022-01-13.

Safety circuit for a gate driver device, corresponding gate driver device and driver system

Номер патента: US20240348242A1. Автор: Vincenzo Marano,Andrija Feher,Enrico Poli,Pekka Sakari ALASAARI. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-17.

Radio frequency signal power amplification circuit

Номер патента: US09496827B2. Автор: Michel Ayraud. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for testing a supply circuit, and a corresponding supply circuit for at least one ignition circuit

Номер патента: US09482201B2. Автор: Hartmut Schumacher,Carsten List. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Tunnel diode supply voltage control

Номер патента: US3721837A. Автор: R Trapani,B Rolnick. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1973-03-20.

Safety circuit for a gate driver device, corresponding gate driver device and driver system

Номер патента: EP4447310A1. Автор: Vincenzo Marano,Andrija Feher,Enrico Poli,Pekka Sakari ALASAARI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Operating state circuit for inverter and method for setting operating states of an inverter

Номер патента: US09673744B2. Автор: Andreas Schoenknecht,Edwin Eberlein,Daniel Raichle. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-06-06.

Operating circuit for an LED

Номер патента: US09655182B2. Автор: Frank Lochmann,Markus SCHERTLER. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-16.

Amplifier circuit for a two-wire interface

Номер патента: US09571046B2. Автор: Thomas Frohlich,Wolfgang Dünser. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Energy-saving circuit for a network-powered device, network arrangement and energy-saving method

Номер патента: US09515507B2. Автор: Robert Ruef. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2016-12-06.

Operating circuit for LEDs, having dimming signal comprising high-frequency modulated pulse packet signal with harmonized frequencies

Номер патента: US09433041B2. Автор: Eduardo Pereira,Ueli Keller,Andre Mitterbacher. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-08-30.

System and methods for dram contact formation

Номер патента: WO2022225618A1. Автор: Byeong Chan Lee,Fredrick FISHBURN,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Drive circuit for inductive position transducer system

Номер патента: US20240223141A1. Автор: Patrick H. Mawet. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor construction with isolation regions for dram cell and production method

Номер патента: SG140608A1. Автор: Steven Cummings,Gordon Haller,Randal W Chance,Shanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-28.

Apparatus including electronic circuit for amplifying signal

Номер патента: EP3694111A1. Автор: Sangmin Lee,Jaehyup Kim,Daehoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-12.

Circuit for supplying power to a network termination unit of a message transmission system

Номер патента: US20030102852A1. Автор: Peter Kovarik. Владелец: Ahead Communications Systems AG. Дата публикации: 2003-06-05.

Driving circuit for piezoelectric motor

Номер патента: EP1769575A1. Автор: Mikko Ollila. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-04-04.

Combined supply and blanking circuit for eliminating supply voltage variations of a color cathode-ray tube

Номер патента: US3588585A. Автор: Marcel Rognon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1971-06-28.

Control circuit for solid state power controller

Номер патента: US20160204777A1. Автор: Markus Greither. Владелец: HS ELEKTRONIK SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2016-07-14.

Circuit for biasing epitaxial regions with a bias voltage that is not lower than ground reference despite power supply disturbation

Номер патента: US5796292A. Автор: Natale Aiello. Владелец: CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno. Дата публикации: 1998-08-18.

Thermal protection circuit for switching power supply

Номер патента: US09906146B2. Автор: Kei ASAO. Владелец: Onkyo Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Control circuit for solid state power controller

Номер патента: US09887694B2. Автор: Markus Greither. Владелец: HS ELEKTRONIK SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2018-02-06.

Protection circuit for robot control device

Номер патента: US09728954B2. Автор: Takafumi Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Signal conversion circuit for stable differential amplification and semiconductor device provided with the same as input buffer

Номер патента: US20020005758A1. Автор: Hironori Iga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Driving circuit for driving a led array

Номер патента: US20160278172A1. Автор: Chang-Yu Wu,Wei-Ming Chiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-22.

Fault control circuit for switched power supply

Номер патента: WO1998021811A1. Автор: John Barrett George,Kevin Michael Williams. Владелец: Thomson Consumer Electronics, Inc.. Дата публикации: 1998-05-22.

Overvoltage protection circuit for a PMOS based switch

Номер патента: US12088085B2. Автор: Ravinder Kumar,Manoj Kumar,Nicolas Demange. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-10.

Driving circuit for driving a LED array

Номер патента: US09907128B2. Автор: Chang-Yu Wu,Wei-Ming Chiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-02-27.

Reconfigurable on time circuit for current mode control of buck converter

Номер патента: US09876429B1. Автор: Jonathan F. Bolus,Jitendra K. Agrawal. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Driving circuit for driving a LED array

Номер патента: US09629210B2. Автор: Chang-Yu Wu,Wei-Ming Chiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Drive circuit for an air bearing motor

Номер патента: US09571014B2. Автор: Ralf Cremer,Pierre Brodeau,Nejat Mahdavi. Владелец: Liebherr Elektronik GmbH. Дата публикации: 2017-02-14.

Electronic discharge protective circuit for DRAM

Номер патента: US6121080A. Автор: Tsung-Chih Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Reduction of propagation delay dependence on supply voltage in a digital circuit

Номер патента: US20020084820A1. Автор: Stephen Schenck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Circuit adapted to supply voltage to electronic device and use thereof

Номер патента: RU2584822C2. Автор: Милан МАНЦИЦ,Николас МЁЛЛЕР. Владелец: Николас МЁЛЛЕР. Дата публикации: 2016-05-20.

Semiconductor device whose internal power supply voltage is generated by voltage step-up circuit

Номер патента: US20090219082A1. Автор: Yuki Hosoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-03.

Low voltage frequency synthesizer using boosting method for power supply voltage of charge pump

Номер патента: US20100156542A1. Автор: Kwi Dong Kim,Hui Dong Lee,Jong Kee Kwon,Sang Gug Lee,Jong Pil Hong. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-06-24.

Circuit for improving edge-rates in voltage-mode transmitters

Номер патента: US11469741B1. Автор: Davit Petrosyan,Eliyahu Dan Zamir,Michael William Kawa Lynch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

High frequency amplification circuit

Номер патента: EP1325556A2. Автор: Esa Vuoppola. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-07-09.

Method of and circuit for suppressing noise in a circuit

Номер патента: EP2171849A1. Автор: Anthony T. Duong. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of and circuit for suppressing noise in a circuit

Номер патента: WO2009012436A1. Автор: Anthony T. Duong. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2009-01-22.

Level-shift circuits compatible with multiple supply voltage

Номер патента: US20160248415A1. Автор: Cheng Liu,Qiang SI. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Supply voltage switching apparatus

Номер патента: US5801520A. Автор: Hans Oskar Eriksson,Carl-Henrik Malmgren,Henrik Helmer Hellberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1998-09-01.

AC Clamp Circuit for Video Applications

Номер патента: US20100182067A1. Автор: Maher Mahmoud Sarraj,Haydar Bilhan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

Level-shift circuits compatible with multiple supply voltage

Номер патента: US09948287B2. Автор: Cheng Liu,Qiang SI. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Power supply voltage detection and power delivery circuit

Номер патента: US09912325B2. Автор: Ioannis Savidis,Divya Pathak. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-03-06.

Interface circuits for USB and lighting applications

Номер патента: US09853553B2. Автор: Di Zhang,Yaw Hann Thian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Envelope tracker with variable boosted supply voltage

Номер патента: US09837962B2. Автор: Lennart Karl-Axel Mathe,Yunfei Shi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit for remote keyless entry system

Номер патента: US09806405B2. Автор: Juergen Schnabel,Marco Schwarzmueller,Thorsten Fahlbusch. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Protection device for electric power meters and consumers against asymmetry of supply voltages

Номер патента: RU2716151C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Попов,Николай Малафеевич Попов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Костромская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2020-03-06.

Input translating circuit for CMOS device

Номер патента: US4929853A. Автор: Yong-Bo Park,Byeng-yun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-05-29.

Automatic voltage switching circuit for selecting a higher voltage of multiple supply voltages to provide as an output voltage

Номер патента: US20160308355A1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Burt Lee Price,Neel Shashank Natekar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Circuit for controlling the minimum operating voltage of switching power supply

Номер патента: US20050001601A1. Автор: Claudio Adragna,Mauro Fagnani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-01-06.

Apparatus and method for assisting envelope tracking with transient response in supply voltage for power amplifier

Номер патента: WO2020033132A1. Автор: Michael Mcgowan,Iulian Mirea. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-02-13.

Voltage level shift circuit for multiple voltage integrated circuits

Номер патента: US20140132329A1. Автор: Yu-Ren Chen,Qingchao Meng,Bright LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Modulation circuit for wireless installation

Номер патента: US20030169120A1. Автор: Masaaki Itoh,Satoshi Tachi,Poh Leong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Amplification circuit

Номер патента: US20180198429A1. Автор: Daisuke Watanabe,Makoto Tabei. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Drive circuit for measuring blood pressure, and blood pressure measurement device

Номер патента: US20240081669A1. Автор: Takanori Nishioka,Shohei Iwata. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit

Номер патента: WO2005027348A1. Автор: Christopher K. Chun. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-24.

I/O circuit with mixed supply voltage capability

Номер патента: US20030173994A1. Автор: Eric Lai,Ronald De Vries. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-09-18.

Bitline structure for DRAM and method of forming the same

Номер патента: US20040106280A1. Автор: Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for manufacturing contact structures for dram semiconductor memories

Номер патента: US20060270143A1. Автор: Audrey Dupont,Matthias Goldbach,Clemens Fritz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20050052204A1. Автор: Christopher Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

5V TOLERANT CIRCUIT FOR CML TRANSCEIVER IN AC-COUPLE

Номер патента: US20120001671A1. Автор: LIANG Xu,Kai Lei,Han Bi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ROM CELL CIRCUIT FOR FINFET DEVICES

Номер патента: US20120001232A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Control circuit for induction electricity meters

Номер патента: RU2521763C1. Автор: Олег Фёдорович Меньших. Владелец: Олег Фёдорович Меньших. Дата публикации: 2014-07-10.

Differential amplifier with high voltage amplification coefficient

Номер патента: RU2331965C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Васильевич Ковбасюк,Андрей Васильевич Хорунжий. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2008-08-20.

Assist circuit for memory

Номер патента: MY187278A. Автор: Muhammad Khellah,Anupama Thaploo,Iqbal Rajwani,Kyung-Hoae Koo,Jaydeep P Kulkarni,Eric A Karl. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-17.

Method of supply voltage regulation of multilevel self-commutated voltage inverter

Номер патента: RU2340071C1. Автор: Мария Копельевна Гуревич,Юрий Александрович Шершнев,Мари Копельевна Гуревич,Мари Анатольевна Козлова,Мария Анатольевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт по передаче электроэнергии постоянным током высокого напряжения" (ОАО "НИИПТ"). Дата публикации: 2008-11-27.

Method for load protection against abnormal supply voltage

Номер патента: RU2280292C1. Автор: Владимир Федорович Вербов,Юрий Семенович Расщепляев,ев Юрий Семенович Расщепл,Николай Васильевич Посупонько,Александр Владимирович Вербов. Владелец: Фгуп "Нии Сиис". Дата публикации: 2006-07-20.

Method and circuit for tracking a slave output voltage

Номер патента: MY186262A. Автор: Saad Ahmed,Gandhi Nikunj,Siong Lee Seng. Владелец: Symmid Corp Sdn Bhd. Дата публикации: 2021-06-30.

Cascode microwave amplifier with low supply voltage

Номер патента: RU2460206C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-08-27.

Differential amplifier with high voltage amplification factor

Номер патента: RU2331972C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Васильевич Ковбасюк,Андрей Васильевич Хорунжий. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2008-08-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.